特表 2022-533719 ガラス基板の切断方法及び導光板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2022-07-25

(54)【発明の名称】ガラス基板の切断方法及び導光板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   F21V 8/00 20060101AFI20220715BHJP

   G02B 6/00 20060101ALI20220715BHJP

   F21V 5/00 20180101ALI20220715BHJP

   F21V 5/04 20060101ALI20220715BHJP

   F21S 2/00 20160101ALI20220715BHJP

   C03B 33/09 20060101ALI20220715BHJP

【ＦＩ】

F21V8/00 100

G02B6/00 301

F21V5/00 530

F21V5/04 600

F21V5/04 300

F21S2/00 444

C03B33/09

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2021569096

(86)(22)【出願日】2020-05-13

(85)【翻訳文提出日】2022-01-18

(86)【国際出願番号】 US2020032621

(87)【国際公開番号】W WO2020236479

(87)【国際公開日】2020-11-26

(31)【優先権主張番号】10-2019-0060416

(32)【優先日】2019-05-23

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】397068274

【氏名又は名称】コーニング インコーポレイテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100073184

【弁理士】

【氏名又は名称】柳田 征史

(74)【代理人】

【識別番号】100123652

【弁理士】

【氏名又は名称】坂野 博行

(74)【代理人】

【識別番号】100175042

【弁理士】

【氏名又は名称】高橋 秀明

(72)【発明者】

【氏名】チョン，テオク

(72)【発明者】

【氏名】キム，ウンソク

(72)【発明者】

【氏名】パク，ヨン－ソン

【テーマコード（参考）】

2H038

3K244

4G015

【Ｆターム（参考）】

2H038AA55

2H038BA06

3K244BA31

3K244BA32

3K244EA02

3K244EC02

3K244EC06

3K244EC14

3K244ED02

3K244ED06

3K244ED14

3K244LA01

3K244LA03

4G015FA06

4G015FB01

4G015FC10

(57)【要約】

ガラス基板の切断方法は、ガラス基板の第１の表面にレンチキュラーパターンを含む樹脂パターンを形成する工程；レーザ光を使用することによって樹脂パターンの一部を除去する工程；樹脂パターンの一部を除去する工程によって露出したガラス基板の一部にスクライブラインを形成する工程；及び、スクライブラインに沿ってガラス基板を切断する工程を含む。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ガラス基板の切断方法であって、
ガラス基板の第１の表面にレンチキュラーパターンを含む樹脂パターンを形成する工程；
レーザ光を使用することによって前記樹脂パターンの一部を除去する工程；
前記樹脂パターンの一部を除去する工程によって露出した前記第１の表面にスクライブラインを形成する工程；及び
前記スクライブラインに沿って前記ガラス基板を切断する工程
を含む、方法。

【請求項2】

前記樹脂パターンを形成する工程が、前記樹脂パターンの形成と同時に前記ガラス基板の隅部に基準マークを形成することを含む、請求項１に記載のガラス基板の切断方法。

【請求項3】

前記ガラス基板を通る前記レーザ光の透過率が、前記樹脂パターンを通る前記レーザ光の透過率よりも高い、請求項１又は２に記載のガラス基板の切断方法。

【請求項4】

前記樹脂パターンの一部を除去する工程が、前記ガラス基板を実質的に除去することなく前記樹脂パターンの一部のみを選択的に除去することを含む、請求項１から３のいずれか一項に記載のガラス基板の切断方法。

【請求項5】

有効光学領域及び該有効光学領域を取り囲む外側領域が前記ガラス基板上に画成され、かつ
前記樹脂パターンが前記有効光学領域に形成された光抽出パターンをさらに含む、
請求項１から４のいずれか一項に記載のガラス基板の切断方法。

【請求項6】

前記レンチキュラーパターンが前記有効光学領域から前記外側領域まで延在する、請求項５に記載のガラス基板の切断方法。

【請求項7】

前記スクライブラインが、前記ガラス基板のエッジに近接する少なくとも１つの第１のスクライブラインと、前記ガラス基板の中心に近接する少なくとも１つの第２のスクライブラインとを含み、かつ
前記ガラス基板を切断する工程が、
前記第１のスクライブラインに沿って前記ガラス基板をポイントプレスすること；及び
前記第２のスクライブラインに沿って前記ガラス基板をラインプレスすること
を含む、請求項１から６のいずれか一項に記載のガラス基板の切断方法。

【請求項8】

前記第１の表面の法線と前記ガラス基板を切断することによって形成される切断面との間の角度が約１°以下である、請求項１から７のいずれか一項に記載のガラス基板の切断方法。

【請求項9】

導光板の製造方法であって、
ガラス基板の第１の表面に樹脂パターンを形成する工程であって、前記樹脂パターンが、レンチキュラーパターン及び光抽出パターンを含み、前記レンチキュラーパターンが、前記第１の表面に平行な第１の方向に沿って延び、前記第１の表面に平行かつ前記第１の方向に実質的に垂直な第２の方向に列を成して配置され、前記光抽出パターンが、前記レンチキュラーパターンから前記第１の方向及び第２の方向に垂直な第３の方向に陥凹している、工程；
前記樹脂パターンの一部を除去することによって、前記ガラス基板の前記第１の表面を露出させるための第１及び第２のスクライビングターゲット部分を形成する工程；
前記第１及び第２のスクライビングターゲット部分に延びるスクライブラインを前記ガラス基板に形成する工程；並びに
前記スクライブラインに沿って前記ガラス基板を切断する工程
を含む、方法。

【請求項10】

前記第１及び第２のスクライビングターゲット部分を形成する工程が、前記ガラス基板に対して透明波長のレーザ光を使用することによって前記第１及び第２のスクライビングターゲット部分を形成することを含む、請求項９に記載の導光板の製造方法。

【請求項11】

前記ガラス基板を切断する工程で形成される前記ガラス基板の切断面が、前記第１の表面に実質的に垂直である、請求項９又は１０に記載の導光板の製造方法。

【請求項12】

前記樹脂パターンを形成する工程が、前記ガラス基板の隅部に基準マークをさらに形成することを含む、請求項９から１１のいずれか一項に記載の導光板の製造方法。

【請求項13】

前記第１及び第２のスクライビングターゲット部分を形成する工程が、それらの間に前記樹脂パターンをともなって、前記第１の方向又は前記第２の方向に互いに間隔を置いて配置された前記基準マークを結ぶ直線上に配置された前記樹脂パターンを除去することを含む、請求項１２に記載の導光板の製造方法。

【請求項14】

前記第１のスクライビングターゲット部分が前記第１の方向に延び、前記第２のスクライビングターゲット部分が前記第２の方向に延びる、請求項１２又は１３に記載の導光板の製造方法。

【請求項15】

導光板の製造方法であって、
ガラス基板の第１の表面に樹脂パターン及び基準マークを形成する工程；
レーザ光を使用することによって前記樹脂パターンの一部及び前記基準マークを除去する工程；
前記樹脂パターンの少なくとも一部が除去される領域において前記ガラス基板にスクライブラインを形成する工程；及び
前記スクライブラインに沿って前記ガラス基板を切断する工程
を含む、方法。

【発明の詳細な説明】

【関連出願の相互参照】

【0001】

本出願は、その内容が依拠され、その全体がここに参照することによって本願に援用される、２０１９年５月２３日出願の韓国特許出願第１０－２０１９－００６０４１６号の米国法典第３５編特許法１１９条に基づく優先権の利益を主張する。

【技術分野】

【0002】

１つ以上の実施形態は、ガラス基板の切断方法及びそれを使用した導光板の製造方法に関し、より詳細には、その上に樹脂パターンが形成されたガラス基板を切断する方法、並びにガラス基板を切断する方法を使用した導光板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0003】

ディスプレイ装置に用いられる導光板は、光源から導光板に入射する光をディスプレイ表面上に均一に散乱及び拡散させる。概して、このような導光板は、バックライトユニット（ＢＬＵ）などの光デバイスに用いられる。少なくとも１つの光源が導光板の側面に配置されてよく、導光板に入射する光は、全内反射法によって導光板の内側に誘導することができ、導光板の表面に形成された光抽出パターンによって導光板の外側に放出することができる。

【発明の概要】

【0004】

１つ以上の実施形態は、ガラス基板の切断方法及び導光板の製造方法を含み、いずれの方法も生産性及び信頼性が改善されている。

【0005】

追加の態様は、一部には以下の説明に記載され、また一部には、その説明から明らかになるか、又は提示された実施形態の実施によって学習することができる。

【0006】

１つ以上の実施形態によれば、ガラス基板の切断方法は、ガラス基板の第１の表面にレンチキュラーパターンを含む樹脂パターンを形成する工程；レーザ光を使用することによって樹脂パターンの一部を除去する工程；樹脂パターンの一部を除去する工程によって露出した第１の表面にスクライブラインを形成する工程；及び、スクライブラインに沿ってガラス基板を切断する工程を含む。

【0007】

樹脂パターンを形成する工程は、樹脂パターンの形成と同時にガラス基板の隅部に基準マークを形成することを含んでいてもよい。

【0008】

ガラス基板を通るレーザ光の透過率は、樹脂パターンを通るレーザ光の透過率より高くなりうる。

【0009】

樹脂パターンの一部を除去する工程は、ガラス基板を実質的に除去することなく樹脂パターンの一部のみを選択的に除去することを含みうる。

【0010】

有効光学領域及び該有効光学領域を取り囲む外側領域が、ガラス基板上に画成されうる。

【0011】

樹脂パターンはさらに、有効光学領域上に形成された光抽出パターンを含みうる。

【0012】

レンチキュラーパターンは、有効光学領域から外側領域まで延在しうる。

【0013】

スクライブラインは、ガラス基板のエッジに近接する少なくとも１つの第１のスクライブラインと、ガラス基板の中心に近接する少なくとも１つの第２のスクライブラインとを含みうる。

【0014】

ガラス基板を切断する工程は、第１のスクライブラインに沿ってガラス基板をポイントプレスすること；及び、第２のスクライブラインに沿ってガラス基板をラインプレスすることを含みうる。

【0015】

第１の表面の法線とガラス基板を切断することによって形成される切断面との間の角度は、約１°以下でありうる。

【0016】

１つ以上の実施形態によれば、導光板の製造方法は、ガラス基板の第１の表面に樹脂パターンを形成する工程であって、該樹脂パターンがレンチキュラーパターン及び光抽出パターンを含み、レンチキュラーパターンが、第１の表面に平行な第１の方向に沿って延び、第１の表面に平行かつ第１の方向に実質的に垂直な第２の方向に列を成して配置され、光抽出パターンがレンチキュラーパターンから第１の方向及び第２の方向に垂直な第３の方向に陥凹している、工程；樹脂パターンの一部を除去することによってガラス基板の第１の表面を露出させるための第１及び第２のスクライビングターゲット部分を形成する工程；第１及び第２のスクライビングターゲット部分に延びるスクライブラインをガラス基板に形成する工程；並びに、スクライブラインに沿ってガラス基板を切断する工程を含む。

【0017】

第１及び第２のスクライビングターゲット部分を形成する工程は、ガラス基板に対して透明波長のレーザ光を使用することによって第１及び第２のスクライビングターゲット部分を形成することを含みうる。

【0018】

ガラス基板を切断する工程で形成されるガラス基板の切断面は、第１の表面に実質的に垂直でありうる。

【0019】

樹脂パターンの一部を除去する工程は、ガラス基板を損傷することなく樹脂パターンを選択的に除去することを含みうる。

【0020】

樹脂パターンを形成する工程は、ガラス基板の隅部に基準マークをさらに形成することを含みうる。

【0021】

第１及び第２のスクライビングターゲット部分を形成する工程は、その間に樹脂パターンをともなって、第１の方向又は第２の方向に互いに間隔を置いて配置された基準マークを結ぶ直線上に配置された樹脂パターンを除去することを含みうる。

【0022】

第１及び第２のスクライビングターゲット部分を形成する工程はさらに、基準マークを除去することを含みうる。

【0023】

第１のスクライビングターゲット部分は第１の方向に延在してよく、第２のスクライビングターゲット部分は第２の方向に延在しうる。

【0024】

１つ以上の実施形態によれば、導光板の製造方法は、ガラス基板の第１の表面に樹脂パターン及び基準マークを形成する工程；レーザ光を使用することによって樹脂パターンの一部及び基準マークを除去する工程；樹脂パターンの一部が除去される領域のガラス基板にスクライブラインを形成する工程；及び、スクライブラインに沿ってガラス基板を切断する工程を含む。

【0025】

レーザ光の被写界深度は－３ｍｍ未満でありうる。

【0026】

樹脂パターンの一部を除去する工程は、レーザ光を１００ｍｍ／秒以下の速度で樹脂パターンに照射することを含みうる。

【0027】

レーザ光の波長は、約８μｍ～約１２μｍでありうる。

【0028】

これら及び／又は他の態様は、添付の図面と併せて、以下の実施形態の説明から明らかになり、より容易に理解されるであろう。

【図面の簡単な説明】

【0029】

【図1】幾つかの実施形態によるスクライビング装置を示す概略的な斜視図

【図2A】本開示の例示的な実施形態による効果を示す図

【図2B】本開示の例示的な実施形態による効果を示す図

【図2C】本開示の例示的な実施形態による効果を示す図

【図2D】本開示の例示的な実施形態による効果を示す図

【図3A】比較例によるガラス基板の切断の結果を示す図

【図3B】実験例によるガラス基板の切断の結果を示す図

【図4】本開示の幾つかの実施形態によるガラス基板の切断方法のフローチャート

【図5A】幾つかの実施形態によるガラス基板の切断方法を示す平面図

【図5B】幾つかの実施形態による図５Ａの５Ｅ部分の拡大斜視図

【図5C】幾つかの実施形態による、図５Ａの線５Ｉ－５Ｉ’、５ＩＩ－５ＩＩ’、及び５ＩＩＩ－５ＩＩＩ’に沿った部分断面図

【図6A】幾つかの実施形態によるガラス基板の切断方法を示す平面図

【図6B】幾つかの実施形態による、図６Ａの線６Ｉ－６Ｉ’、６ＩＩ－６ＩＩ’、及び６ＩＩＩ－６ＩＩＩ’に沿った部分断面図

【図7A】幾つかの実施形態によるガラス基板の切断方法を示す平面図

【図7B】図７Ａの線７Ｉ－７Ｉ’、７ＩＩ－７ＩＩ’、及び７ＩＩＩ－７ＩＩＩ’に沿った部分断面図

【図7C】図７Ａの線７Ｉ－７Ｉ’、７ＩＩ－７ＩＩ’、及び７ＩＩＩ－７ＩＩＩ’に沿った部分断面図

【図7D】図７Ａの線７Ｉ－７Ｉ’、７ＩＩ－７ＩＩ’、及び７ＩＩＩ－７ＩＩＩ’に沿った部分断面図

【図8】幾つかの実施形態によるガラスの製造方法を示すフローチャート

【図9】幾つかの実施形態によるガラスの製造方法を示す断面図

【発明を実施するための形態】

【0030】

これより、実施形態を詳細に参照するが、その例は添付の図面に示されており、同様の参照番号は全体を通して同様の要素を指す。これに関して、本実施形態は、異なる形態を有していてもよく、本明細書に記載される説明に限定されるものと解釈されるべきではない。したがって、この実施形態は、本説明の態様を説明するために、図を参照することによって、以下に単に説明される。本明細書で用いられる場合、「及び／又は」という用語は、関連する列挙された項目の１つ以上のありとあらゆる組合せを含む。

【0031】

以下に、本開示の実施形態が添付の図面を参照して詳細に説明される。しかしながら、本開示は、多くの異なる形態で具現化することができ、本明細書に記載される実施形態に限定されると解釈されるべきではない。本開示の実施形態は、当業者に本開示をより完全に説明するために提供されるものと解釈することができる。同様の参照番号は、本開示全体を通して同様の要素を示す。また、図面中のさまざまな要素及び領域が概略的に示されている。したがって、本開示は、添付の図面に示されている相対的なサイズ又は距離によって制限されない。

【0032】

「第１」及び「第２」などの用語は、本明細書ではさまざまな要素又は構成要素を説明するために用いられうるが、要素又は構成要素は、これらの用語によって制限されるべきではない。これらの用語は、ある要素又は構成要素を別の要素又は構成要素と区別するためにのみ用いられる。例えば、本開示の精神及び範囲から逸脱することなく、第１の要素は第２の要素と呼ぶことができ、同様に、第２の要素は第１の要素と呼ぶことができる。

【0033】

本明細書で用いられる用語は、特定の実施形態を説明することのみを目的としており、本開示を限定することは意図されていない。本明細書で用いられる場合、単数形「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」は、文脈が明確に別のことを示さない限り、複数形も含むことが意図されている。本明細書で用いられる場合、例えば、「含む」、「含有する」、及び「有する」などの用語は、述べられた特徴、整数、工程、動作、要素、成分、又はそれらの組合せの存在を指定するが、１つ以上の他の特徴、整数、工程、動作、要素、成分、又はそれらの組合せの存在又は追加を排除するものではないことが理解されよう。

【0034】

特に定義されない限り、本明細書で用いられるすべての用語（技術用語及び科学用語を含む）は、本開示が属する分野の当業者によって一般に理解されるものと同じ意味を有する。また、一般的に用いられる辞書に定義されているような用語は、関連技術の文脈におけるそれらの意味と一致する意味を有するものと解釈されるべきであり、本明細書に明示的に定義されていない限り、理想化された又は過度に形式的な意味で解釈されないことが理解されよう。

【0035】

ある特定の実施形態を異なる方法で実施することができる場合、特定のプロセス順序は、記載された順序とは異なる順序で実行してもよい。例えば、２つの連続して記載されたプロセスは、実質的に同時に実行してもよく、あるいは、記載された順序とは逆の順序で実行してもよい。

【0036】

ガラスを含む導光板は、プラスチックよりもはるかに優れた強度及び熱膨張係数（ＣＴＥ）特性を有することができ、これを使用して、より薄型の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）テレビ（ＴＶ）セットを製造することができる。導光板は、レンチキュラーパターン及び光抽出パターンを含みうる。関連技術の導光板は、対向する表面にレンチキュラーパターンと光抽出パターンとを含む。対照的に、本開示の幾つかの実施形態によれば、導光板は、ガラス基板の同じ表面に形成することができ、レンチキュラーパターンと光抽出パターンとの集積パターンを含むことができる。本開示の幾つかの実施形態による導光板に含まれる集積パターンは、樹脂を含むことができ、対向する表面に形成されたレンチキュラーパターンと光抽出パターンとを含む導光板よりも良好な光学性能を有しうる。また、レンチキュラーパターン及び光抽出パターンは１つのインプリントプロセスによって同時に形成されるため、本開示の幾つかの実施形態による導光板の生産性を大幅に改善することができる。

【0037】

図１は、幾つかの実施形態によるスクライビング装置ＳＡを示す概略的な斜視図である。

【0038】

図１を参照すると、スクライビング装置ＳＡは、樹脂パターン１２０及びガラス基板１１０を処理するための装置でありうる。幾つかの実施形態によれば、スクライビング装置ＳＡは、樹脂パターン１２０を部分的かつ選択的に除去するための装置でありうる。幾つかの実施形態によれば、スクライビング装置ＳＡは、ガラス基板１１０にスクライブラインＳＬ（図７Ｂ及び７Ｃ参照）を形成するための装置でありうる。スクライビング装置ＳＡによって処理された樹脂パターン１２０及びガラス基板１１０の構造は、図５Ａ～５Ｄを参照して以下に詳細に説明される。

【0039】

幾つかの実施形態によれば、スクライビング装置ＳＡは、第１から第３のスクライビングツールＳＴ１、ＳＴ２、及びＳＴ３を含みうる。幾つかの実施形態によれば、第２及び第３のスクライビングツールＳＴ２及びＳＴ３のうちのいずれか１つは省略されてもよい。幾つかの実施形態によれば、スクライビング装置ＳＡは、ガラス基板１１０の第１の表面に隣接して配置された第１及び第２のスクライビングツールＳＴ１及びＳＴ２のみを含むことができ、すなわち、第３のスクライビングツールＳＴ３はスクライビング装置ＳＡから省略することができる。第１の表面は、樹脂パターン１２０に接触するガラス基板１１０の表面を指すことができ、第２の表面はその反対側の表面を指すことができる。他の幾つかの実施形態によれば、スクライビング装置ＳＡが第２のツールＳＴ２を含まない場合、スクライビング装置ＳＡは、ガラス基板１１０の第１の表面に隣接して配置された第１のツールＳＴ１及び第２の表面に配置された第３のスクライビングツールＳＴ３のみを含むことができる。

【0040】

幾つかの実施形態によれば、第１のスクライビングツールＳＴ１はレーザ源を含みうる。幾つかの実施形態によれば、第１のスクライビングツールＳＴ１は、樹脂パターン１２０を部分的に除去することができる（図２Ａ参照）。幾つかの実施形態によれば、第２及び第３のスクライビングツールＳＴ２及びＳＴ３は、ダイヤモンドホイールなどの機械的ホイールでありうる。幾つかの実施形態によれば、第２及び第３のスクライビングツールＳＴ２及びＳＴ３は、以下に説明されるスクライブラインＳＬ（図７Ａ参照）を形成することができる。

【0041】

幾つかの実施形態によれば、第１から第３のスクライビングツールＳＴ１、ＳＴ２、及びＳＴ３は、同じ駆動装置に接続されてもよく、あるいは実質的に同時に動作するように同期された異なる駆動装置にそれぞれ接続されてもよい。この場合、第１のスクライビングツールＳＴ１が樹脂パターン１２０を部分的に除去しつつ移動すると、第２のスクライビングツールＳＴ２及び／又は第３のスクライビングツールＳＴ３は、それと同期して移動しつつ、スクライブラインＳＬ（図７Ａ参照）を形成することができる。したがって、スクライブラインＳＬ（図７Ａ及び７Ｂ参照）は、樹脂パターン１２０を除去することによって露出したガラス基板１１０の第１の表面、又はそれに対応する第２の表面に形成することができる。

【0042】

他の幾つかの実施形態によれば、第１から第３のスクライビングツールＳＴ１、ＳＴ２、及びＳＴ３は、異なる時間に動作するように別個の駆動ユニットに接続することができる。この場合、第１のスクライビングツールＳＴ１による樹脂パターン１２０の部分的な除去が完了した後に、スクライビングを行うことができる。他の幾つかの実施形態によれば、第１及び第３のスクライビングツールＳＴ１及びＳＴ３のみが提供される場合、スクライビングは、最初に基準マーク１２３（図５Ａ参照）を使用することによって実行することができ、次に、樹脂パターン１２０を選択的に除去することができる。

【0043】

図２Ａ～２Ｄは、１つ以上の例示的な実施形態による効果を示す図である。より具体的には、図２Ａから２Ｄは、図１に示されるスクライビング装置ＳＡによる樹脂パターン１２０の処理を示す図であり、それぞれ下記表１に示される実験例１～４の結果を示している。

【0044】

樹脂パターン１２０は、紫外線（ＵＶ）硬化性ポリカーボネート（ＰＣ）を含む材料層をスクリーン印刷方式でインプリントすることによって形成した。実験例１～４では、樹脂パターン１２０は約３１μｍの厚さを有していた。この場合、樹脂パターン１２０は、図５Ａを参照して説明したレンチキュラーパターンＬＴを含んでよく、樹脂パターン１２０の厚さは、レンチキュラーパターンＬＴのピーク点（すなわち、ガラス基板１１０から最も離間して配置された点）と樹脂パターン１２０の底面との間の距離でありうる。

【0045】

樹脂パターン１２０の処理に用いられるレーザはＣＯ_２レーザであり、約１０μｍの波長を有する光を生成した。実験に用いたレーザの出力は約４８．４Ｗであった。

【0046】

【表1】

【0047】

図２Ａ及び表１を参照すると、実験例１において、約５．４ｍｍの被写界深度及び約１，５００ｍｍ／秒の移動速度のレーザ光を使用することによって樹脂パターン１２０を除去した場合、除去された部分の深さは約３２μｍであり、約３１μｍの厚さの樹脂パターン１２０の除去に加えて、ガラス基板１００の上部が部分的に除去された（すなわち、損傷を受けた）ことが分かる。ガラス基板１００の損傷とは、ガラス基板１００の上部が、樹脂パターン１２０の除去によって、又はガラス基板の上部を部分的に除去することなく樹脂パターン１２０を除去する間に許容値を超える過度の応力がガラス基板１００に印加されたことによって部分的に除去されたことを意味しうる。

【0048】

図２Ｂ及び表１を参照すると、実験例２において、約－３ｍｍの被写界深度及び約５００ｍｍ／秒の移動速度のレーザ光を使用することによって樹脂パターン１２０を除去した場合、除去された部分の深さは約２２μｍであり、樹脂パターン１２０はガラス基板１００の上部から完全には除去されなかったことが分かる。したがって、樹脂パターン１２０の下に配置されたガラス基板１１０の第１の表面は露出しなかった。

【0049】

図２Ｃ及び表１を参照すると、実験例３において、約－３ｍｍの被写界深度及び約２００ｍｍ／秒の移動速度のレーザ光を使用することによって樹脂パターン１２０を除去した場合、除去された部分の深さは約３１μｍであり、ガラス基板１１０は損傷を受けなかったことが分かる。図２Ｃには示されていないが、レーザ光はガラス基板１１０の第１の表面に照射したが、樹脂パターン１２０の一部が除去されていない領域があった。樹脂パターン１２０が除去された部分の水平方向の幅は、約４００μｍ～約８００μｍであった。

【0050】

図２Ｄ及び表１を参照すると、実験例４において、約－８ｍｍの被写界深度及び約１００ｍｍ／秒の移動速度のレーザ光を使用することによって樹脂パターン１２０を除去した場合、除去された部分の深さは約３１μｍであり、樹脂パターン１２０はきれいに除去されており、ガラス基板１１０は損傷を受けなかったことが分かる。したがって、ガラス基板１１０の第１の表面が露出した。樹脂パターン１２０が除去された部分の幅は、約６７０μｍ～約１１７０μｍであった。

【0051】

図３Ａは、比較例によるガラス基板の切断の結果を示す図であり、図３Ｂは、実験例によるガラス基板の切断の結果を示す図である。

【0052】

図３Ａは、樹脂パターン１２０を除去せず、第３のスクライビングツールＳＴ３を使用することによって第２の表面（すなわち、樹脂パターン１２０が形成されている表面とは反対の表面）にスクライブラインＳＬ（図７Ａ参照）を形成し、次にガラス基板１１０を切断し、分離した結果を示している。ガラス基板１１０は、スクライブラインＳＬをポイントプレスする方法によって切断した。図３Ａを参照すると、ガラス基板１１０を分離するプロセスにおいて、樹脂パターン１２０がガラス基板１１０から剥離したことが分かる。

【0053】

図３Ｂは、樹脂パターン１２０を除去し、第２の表面にスクライブラインＳＬ（図７Ｂ参照）を形成し、次にスクライブラインＳＬ（図７Ｂ参照）に沿ってガラス基板１１０を切断した結果を示している。図３Ｂを参照すると、ガラス基板１１０を分離するプロセスにおいて、樹脂パターン１２０がガラス基板１１０から剥離しなかったことが分かる。

【0054】

図１～図３Ｂを参照すると、樹脂パターン１２０を部分的に除去し、スクライブラインＳＬ（図７Ａ参照）を形成し、次にガラス基板１１０を切断する場合、樹脂パターン１２０はガラス基板１１０から分離しないことが分かる。したがって、ガラス基板１１０の切断及び製造の信頼性を改善することができる。

【0055】

図４は、本開示の幾つかの実施形態によるガラス基板の切断方法のフローチャートである。

【0056】

図５Ａは、幾つかの実施形態によるガラス基板の切断方法を示す平面図であり、図５Ｂは、幾つかの実施形態による図５Ａの５Ｅ部分の拡大斜視図であり、図５Ｃは、幾つかの実施形態による図５Ａの線５Ｉ－５Ｉ’、５ＩＩ－５ＩＩ’、及び５ＩＩＩ－５ＩＩＩ’に沿った部分断面図である。

【0057】

図４～図５Ｃを参照すると、統合パターンＩＰを含む樹脂パターン１２０及び基準マーク１２３が、動作Ｐ１０においてガラス基板１１０に形成されうる。

【0058】

幾つかの実施形態によれば、ガラス基板１１０は平板形状を有しうる。以後、説明の便宜上、ガラス基板１１０は、実質的に長方形の板状であると見なされるが、しかしながら、本明細書に開示される実施形態は、それに限定されない。例えば、ガラス基板１１０は、円、楕円、三角形、及び５つ以上の角を有する多角形など、さまざまな平板形状のいずれかを有しうる。

【0059】

ガラス基板１１０に樹脂パターン１２０及び基準マーク１２３を形成する工程は、基板に樹脂層（図示せず）をコーティングすること、及びインプリントなどの方法によって樹脂層をパターン化することを含みうる。幾つかの実施形態によれば、樹脂パターン１２０は、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ＭＭＡ－スチレン共重合体（ＭＳ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ＰＣ、又はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの材料を含みうるが、これらに限定されない。幾つかの実施形態によれば、樹脂パターン１２０はＵＶ硬化性材料を含みうる。幾つかの実施形態によれば、ＵＶ及び／又は赤外線（ＩＲ）硬化を樹脂パターン１２０に対してさらに行うことができる。樹脂パターン１２０の強度及びガラス基板１１０への接着は、ＵＶ及び／又はＩＲ硬化によって強化することができる。

【0060】

以後、図１に関する定義と同じく、樹脂パターン１２０と接触する表面を第１の表面と呼び、その反対側の表面を第２の表面と呼ぶ。また、ガラス基板１１０の第１の表面に実質的に平行な方向及び該第１の表面に実質的に平行な方向に実質的に垂直な方向は、それぞれ、第１の方向（Ｘ方向）及び第２の方向（Ｙ方向）として定義され、第１の表面に実質的に垂直な方向は第３の方向（Ｚ方向）として定義される。

【0061】

幾つかの実施形態によれば、有効光学領域１１０Ｅ及び外側領域１１０Ｒが、ガラス基板１１０上に画成されうる。幾つかの実施形態によれば、外側領域１１０Ｒは有効光学領域１１０Ｅを取り囲むことができる。幾つかの実施形態によれば、有効光学領域１１０Ｅは、本明細書に記載される方法によって製造されたガラス製品が任意の光学製品（例えば、ディスプレイ）に適用される場合に、実質的に光学機能（例えば、均一性の高い光抽出）を有する領域でありうる。

【0062】

幾つかの実施形態によれば、樹脂パターン１２０は統合パターンＩＰを含みうる。幾つかの実施形態によれば、統合パターン（ＩＰ）は、レンチキュラーパターンＬＴ及び光抽出パターンＥＰを含みうる。幾つかの実施形態によれば、統合パターンＩＰは、有効光学領域１１０Ｅに形成されうる。幾つかの実施形態によれば、統合パターンＩＰは、外側領域１１０Ｒには形成されない可能性がある。幾つかの実施形態によれば、外側領域１１０Ｒでは、レンチキュラーパターンＬＴのみが形成されてよく、光抽出パターンＥＰは形成されなくてもよい。幾つかの実施形態によれば、レンチキュラーパターンＬＴは、有効光学領域１１０Ｅから外側領域１１０Ｒまで延在してよい。

【0063】

樹脂パターン１２０の厚さ（すなわち、第３の方向（Ｚ方向）の長さ）は、約３０μｍ以上でありうる。この場合、樹脂パターン１２０はレンチキュラーパターンＬＴを含むため、樹脂パターン１２０の厚さは、第３の方向（Ｚ方向）の最大厚さを指しうる。あるいは、樹脂パターン１２０の厚さは、レンチキュラーパターンＬＴのピーク点からガラス基板１１０に接触する樹脂パターン１２０の底面までの距離でありうる。

【0064】

図５Ａは、４つの実質的に同一の有効光学領域１１０Ｅが１つのガラス基板１１０上に画成されることを示しているが、本開示はそれに限定されない。より具体的には、製造されるガラス製品（例えば、導光板）の仕様に従い、さまざまなサイズ及び数の有効光学領域１１０Ｅが画成されうる。すなわち、１つのガラス基板１１０上に、２つ、３つ、又は５つ以上の有効光学領域が画成されてよく、あるいは、異なるサイズ及び形状を有する有効光学領域が画成されてもよい。

【0065】

幾つかの実施形態によれば、レンチキュラーパターンＬＴの断面形状は、例えば、楔形、凸状に突き出た弧形、多角形の弧形、及びドーム形のいずれか１つでありうる。幾つかの実施形態によれば、レンチキュラーパターンＬＴは、第２の方向（Ｙ方向）に沿って延在しうる。レンチキュラーパターンＬＴは、第１の方向（Ｘ方向）に位置合わせされた複数の列で形成することができる。

【0066】

幾つかの実施形態によれば、光抽出パターンＥＰは、レンチキュラーパターンＬＴの部分的に陥凹した形状を有しうる。幾つかの実施形態によれば、光抽出パターンＥＰは、レンチキュラーパターンＬＴに形成された凹み又は凹部でありうる。幾つかの実施形態によれば、光抽出パターンＥＰは、周期的又は非周期的なピッチを有するように形成されうる。幾つかの実施形態によれば、光抽出パターンＥＰは、規則的な又は不規則な形状及び／又はサイズを有しうる。図２Ｃは、光抽出パターンＥＰの上面輪郭が長方形の形状を有することを示しているが、本開示はそれに限定されない。光抽出パターンＥＰの上面輪郭は、多角形、円形、及び楕円形などのさまざまな形状のいずれかを有することができる。

【0067】

幾つかの実施形態によれば、レンチキュラーパターンＬＴは、有効光学領域１１０Ｅの平均傾斜角を増加させることができる。したがって、有効光学領域１１０Ｅを進行する光は、全反射臨界角未満の多くの成分を有することができ、よって、出力光の量が増加しうる。

【0068】

幾つかの実施形態によれば、基準マーク１２３は、樹脂層がパターン化されるときに形成されうる。基準マーク１２３は、実質的に十字形を有しうる。しかしながら、本開示はそれに限定されず、基準マーク１２３は、多角形、円形、星形、楕円形、又は不規則な形状など、光学的に容易に識別可能な任意の形状を有することができる。第１の方向及び第２の方向（Ｘ方向及びＹ方向）における基準マーク１２３の長さは、それぞれ約数百マイクロメートルの範囲であってよく、それらの幅は約１００マイクロメートルでありうる。しかしながら、これは単なる一例であり、本開示はそれに限定されない。幾つかの実施形態によれば、基準マーク１２３は、以下に説明される樹脂パターン１２０の選択的除去プロセスの精度を改善するための基準マークでありうる。

【0069】

幾つかの実施形態によれば、２つ以上の基準マーク１２３が樹脂パターン１２０の各隅部に隣接して配置されてもよい。幾つかの実施形態によれば、基準マーク１２３は、樹脂パターン１２０の４つの辺の中心に隣接して配置されてもよい。しかしながら、図５Ａに示される基準マーク１２３の配置は単なる一例であり、本開示はそれに限定されない。すなわち、基準マーク１２３の配置は、切断プロセスによって形成されるガラス製品のサイズ及び形状に応じてさまざまに変更することができる。

【0070】

ガラス基板１１０が切断され、分離される場合、コーティング、インプリント、切断、及び研削を含む一連のプロセスにおける誤差が蓄積される可能性がある。蓄積された誤差に起因して、ガラス基板１１０の切断面と、統合パターンＩＰに含まれるレンチキュラーパターンＬＴの延伸方向（すなわち、第２の方向（Ｙ方向））とがずれる可能性がある。

【0071】

１つ以上の例示的な実施形態では、第１及び第２のスクライビングターゲット部分ＳＰＰ１及びＳＰＰ２（図６Ａ参照）は、インプリントプロセスにおいて、統合パターンＩＰと正確に位置合わせされた基準マーク１２３を使用することによって形成することができ、第１及び第２のスクライビングターゲット部分ＳＰＰ１及びＳＰＰ２（図６Ａ参照）に基づいて、スクライブラインＳＬ（図７Ａ参照）が形成されうる。したがって、ガラス基板１１０の切断面とレンチキュラーパターンＬＴの延伸方向（すなわち、第２の方向）とを正確に位置合わせすることができる。特に、ガラス基板１１０を導光板として使用する場合、レンチキュラーパターンＬＴと、以下に説明される切断プロセスで形成されるガラス基板１１０の切断面のうちの光抽出面に対応する切断面とが、互いに実質的に平行になるように位置合わせすることができる。したがって、最終製品としての導光板の光学性能を向上させることができる。

【0072】

図６Ａは、幾つかの実施形態によるガラス基板の切断方法を示す平面図であり、図６Ｂは、幾つかの実施形態による図６Ａの線６Ｉ－６Ｉ’、６ＩＩ－６ＩＩ’、及び６ＩＩＩ－６ＩＩＩ’に沿った部分断面図である。

【0073】

図１、図４、図６Ａ、及び図６Ｂを参照すると、樹脂パターン１２０の一部は、動作Ｐ２０において選択的に除去されうる。

【0074】

幾つかの実施形態によれば、第１及び第２のスクライビングターゲット部分ＳＰＰ１及びＳＰＰ２は、樹脂パターン１２０の選択的除去によって形成することができる。幾つかの実施形態によれば、ガラス基板１００の上面は、第１及び第２のスクライビングターゲット部分ＳＰＰ１及びＳＰＰ２において露出されうる。幾つかの実施形態によれば、第１のスクライビングターゲット部分ＳＰＰ１は、第１の方向（Ｘ方向）に実質的に平行に延在しうる。第２のスクライビングターゲット部分ＳＰＰ２は、第２の方向（Ｙ方向）に実質的に平行に延在しうる。幾つかの実施形態によれば、第１のスクライビングターゲット部分ＳＰＰ１の各々は、第２のスクライビングターゲット部分ＳＰＰ２の各々と十字形に交差しうる。

【0075】

幾つかの実施形態によれば、樹脂パターン１２０は、第１のスクライビングツールＳＴ１によって選択的に除去することができる。幾つかの実施形態によれば、第１のスクライビングツールＳＴ１はレーザ源を含んでよく、第１のスクライビングツールＳＴ１によって生成されるレーザ光は、ガラス基板１１０に対して透明な波長を有しうる。幾つかの実施形態によれば、ガラス基板１１０を通る第１のスクライビングツールＳＴ１によって生成されたレーザ光の透過率は、樹脂パターン１２０を通るその透過率より高くなりうる。幾つかの実施形態によれば、第１のスクライビングツールＳＴ１によって生成されるレーザ光の波長は、約８μｍ～約１２μｍでありうる。したがって、第１のスクライビングツールＳＴ１によって生成されるレーザ光は、ガラス基板１１０を実質的に損傷することなく、樹脂パターン１２０のみを選択的に除去することができる。すなわち、樹脂パターン１２０の選択的除去とは、ガラス基板１１０を損傷することなく、樹脂パターン１２０のみを部分的に除去することを意味しうる。

【0076】

幾つかの実施形態によれば、第１のスクライビングツールＳＴ１によって生成されるレーザ光の被写界深度は、－３ｍｍ以下でありうる。幾つかの実施形態によれば、第１のスクライビングツールＳＴ１の移動速度及びそれに応じたレーザ光の移動速度は、約２００ｍｍ／秒以下でありうる。

【0077】

幾つかの実施形態によれば、樹脂パターン１２０の選択的除去は、基準マーク１２３（図５Ａ参照）を位置合わせマークとして使用することによって実行されうる。幾つかの実施形態によれば、それらの間に樹脂パターン１２０をともなって、第１の方向（Ｘ方向）に互いに間隔を置いて配置された基準マーク１２３（図５Ａ参照）は互いに結ぶことができ、第１の方向（Ｘ方向）に実質的に平行な第１の直線上に配置された樹脂パターン１２０を除去して、第１のスクライビングターゲット部分ＳＰＰ１を形成することができる。同様に、幾つかの実施形態によれば、それらの間に樹脂パターン１２０をともなって、第２の方向（Ｙ方向）に互いに間隔を置いて配置された基準マーク１２３（図５Ａ参照）は互いに結ぶことができ、第２の方向（Ｙ方向）に実質的に平行な第２の直線上に配置された樹脂パターン１２０を除去して、第２のスクライビングターゲット部分ＳＰＰ２を形成することができる。

【0078】

幾つかの実施形態によれば、基準マーク１２３（図５Ａ参照）は、樹脂パターン１２０の選択的除去中に、第１のスクライビングツールＳＴ１によって除去することができる。図６Ａを参照すると、基準マーク１２３（図５Ａ参照）は完全に除去されるものとして示されているが、本開示はそれらに限定されず、基準マーク１２３（図５Ａ参照）の一部がガラス基板１１０上に残っていてもよい。

【0079】

図７Ａは、幾つかの実施形態によるガラス基板の切断方法を示す平面図であり、図７Ｂは、幾つかの実施形態による図７Ａの線７Ｉ－７Ｉ’、７ＩＩ－７ＩＩ’、及び７ＩＩＩ－７ＩＩＩ’に沿った部分断面図である。

【0080】

図１、図４、図７Ａ、及び図７Ｂを参照すると、動作Ｐ３０においてスクライブラインＳＬが形成されうる。

【0081】

幾つかの実施形態によれば、スクライブラインＳＬは、以下に記載される切断プロセスにおける切断面の品質を改善するための亀裂、マイクロトンネル、及び／又はミシン目でありうる。図７Ｂは、第３のスクライビングツールＳＴ３が省かれている（又は、第３のスクライビングツールＳＴ３は省略されないが、スクライビングプロセスは実行されない）場合の図である。図７Ｂに示されるスクライブラインＳＬは、第２のスクライビングツールＳＴ２によって形成されうる。幾つかの実施形態によれば、スクライブラインＳＬの深さは、ガラス基板１１０の厚さ（すなわち、第３の方向（Ｚ方向）の長さ）の約１／２０から約１／２でありうるが、本開示はそれに限定されない。

【0082】

幾つかの実施形態によれば、スクライブラインＳＬは、第１及び第２のスクライビングターゲット部分ＳＰＰ１及びＳＰＰ２を基準にして形成することができる。幾つかの実施形態によれば、スクライブラインＳＬは、第１及び第２のスクライビングターゲット部分ＳＰＰ１及びＳＰＰ２の中心線に沿って延在しうる。幾つかの実施形態によれば、スクライブラインＳＬは、ガラス基板１１０の上面を完全に横切って延在しうる。幾つかの実施形態によれば、ガラス基板１１０は、それぞれのスクライブラインＳＬによって２つの部分に分割されうる。したがって、ガラス基板１１０は、切断プロセスにおいて、スクライブラインＳＬの周りで異なるガラス製品へと分離することができる。

【0083】

幾つかの実施形態によれば、各有効光学領域１１０Ｅは、スクライブラインＳＬによって取り囲むことができる。幾つかの実施形態によれば、それぞれの有効光学領域１１０Ｅは、それらの間にスクライブラインＳＬをともなって、互いに離間して配置することができる。

【0084】

図７Ｃ及び７Ｄは、幾つかの実施形態による図７Ａの線７Ｉ－７Ｉ’、７ＩＩ－７ＩＩ’、及び７ＩＩＩ－７ＩＩＩ’に沿った部分断面図であり、より具体的には、幾つかの実施形態による、異なる方法で形成されたスクライブラインＳＬを示す部分断面図である。

【0085】

図７Ｃは、第２のスクライビングツールＳＴ２が省略され、第３のスクライビングツールＳＴ３によってスクライブラインＳＬが形成される場合の図である。あるいは、図７Ｃは、第２及び第３のスクライビングツールＳＴ２及びＳＴ３の両方が提供されるが、第３のスクライビングツールＳＴ３によるスクライビングプロセスは実施されない場合の図である。

【0086】

図１及び図７Ｃを参照すると、スクライブラインＳＬは、第２の表面に形成されうる。第２の表面に形成されるスクライブラインＳＬは、ガラス基板１１０の上面を完全に横切って延びてよく、幾つかの実施形態によれば、ガラス基板１１０は、それぞれのスクライブラインＳＬによって２つの部分に分割することができる。

【0087】

図７Ｄは、第１から第３のスクライビングツールＳＴ１、ＳＴ２、及びＳＴ３のすべてを使用する場合の図である。図７Ｄを参照すると、スクライブラインＳＬは、第１及び第２の表面の各々の上に形成されうる。

【0088】

図４及び図７Ａを参照すると、ガラス基板１１０は動作Ｐ４０において切断することができる。

【0089】

ガラス基板１１０は、スクライブラインＳＬに沿って切断することができる。ガラス基板１１０の分離は、ボール破壊、バー破壊、又は傾斜破壊などの方法によって実行することができる。ボール破壊は、ガラス基板１１０に形成されたスクライブラインＳＬがポイントプレスされる切断方法でありうる。バー破壊は、ガラス基板１１０に形成されたスクライブラインＳＬがラインプレスされる切断方法でありうる。幾つかの実施形態によれば、ガラス基板１１０が該ガラス基板１１０の縁部に隣接して配置されたスクライブラインＳＬに沿って切断される場合は、ボール破壊法が用いられうる。幾つかの実施形態によれば、ガラス基板１１０が該ガラス基板１１０の中心に隣接して配置されたスクライブラインＳＬに沿って切断される場合は、バー破壊法が用いられうる。

【0090】

関連技術の導光板製造プロセスでは、ガラス基板は、所望の目的に従って切断され、次に、レンチキュラーパターンを形成するための別個のプロセス及び光抽出パターンが、切断されたガラス基板の各部分に対して実行される。例示的な実施形態によれば、ガラス基板１１０を切断する前にガラス基板１１０上に樹脂パターン１２０が一貫して形成され、次にガラス基板１１０が切断されることから、ガラス製品（又は、導光板）を形成する方法の生産性を大幅に改善することができる。

【0091】

一般的な導光板には、その側面切断面から光が入射するため、ガラス製品の光学性能にとって、インプリントされたガラスの高品質の（すなわち、欠陥のない）切断面を形成することは非常に重要でありうる。樹脂パターン１２０がその上に形成されている表面を機械的に切断する場合には、高圧切断ホイールを使用しても、樹脂パターン１２０に起因して、ホイールをガラス基板１１０の表面に接触させて配置することは技術的に困難である可能性がある。

【0092】

１つ以上の例示的な実施形態では、第１のスクライビングツールＳＴ１を使用して、ガラス基板１１０を損傷することなく樹脂パターン１２０のみを選択的に除去することができ、第２及び／又は第３のスクライビングツールＳＴ２及び／又はＳＴ３を使用して、第１の表面の樹脂パターン１２０が除去される部分及び／又は第２の表面のそれに対応する部分にスクライブラインＳＬを形成することができる。したがって、スクライブラインＳＬを形成する前に樹脂パターン１２０を選択的に除去することにより、該方法の生産性が改善され、上記のように信頼性を確保することができる。

【0093】

図８は、幾つかの実施形態によるガラスの製造方法のフローチャートである。図９は、幾つかの実施形態によるガラスの製造方法を示す断面図である。より具体的には、図９は、ガラス基板１１０の切断面部分の部分拡大断面図である。

【0094】

図８の動作Ｐ１０～Ｐ４０は、図４を参照して説明した動作Ｐ１０～Ｐ４０とそれぞれ実質的に同じでありうる。したがって、説明の便宜上、図４を参照して説明したものとの冗長な説明は省略し、それらの違いについて主に説明する。

【0095】

図８及び９を参照すると、切断面は動作Ｐ５０において面取りされうる。

【0096】

切断面を面取りする工程は、基板を延伸方向に回転する面取りホイールＣＨＷに接近させることを含みうる。面取りされたガラス基板１１０の品質は、厚さｔ、面取り幅Ｗｃ、面取り高さＨｃ、及び切断面角度θによって特徴づけることができる。切断面角度θは、切断面と第１の表面の法線とによって形成される角度によって画成されうる。

【0097】

特に、最終的に製造されるガラス製品が導光板である場合には、切断面が第１の表面に実質的に垂直であることは、導光板の光学性能にとって非常に重要でありうる。１つ以上の例示的な実施形態による実施形態では、ガラス基板１１０の切断面角度θは約１°以下とすることができ、これにより、光学特性の向上を可能にすることができる。

【0098】

これより、図９を参照すると、切断されたガラス基板１１０は、動作Ｐ６０において洗浄することができる。ガラス基板１１０の洗浄は、洗浄装置によって実行することができる。幾つかの実施形態によれば、洗浄装置は、インラインタイプ又はバッチタイプでありうる。インラインタイプの洗浄装置は、洗浄液、スポンジなどを使用することによって、コンベヤに沿って移動するガラス基板を洗浄することができる。バッチタイプの洗浄装置は、ガラス基板を洗浄液に浸漬することによってガラス基板を洗浄することができる。

【0099】

１つ以上の例示的な実施形態では、樹脂パターンがガラス基板に形成され、該樹脂パターンが部分的に除去されて、スクライブターゲット部分を形成する。その後、ガラス基板は、スクライブターゲット部分に形成されたスクライブラインに沿って切断され、それによって、該方法の生産性及び信頼性が改善される。

【0100】

図面を参照して、本開示の例となる実施形態を上で説明してきた。本明細書では実施形態を説明するために特定の用語が用いられているが、それらは、単に、本開示の例示的な実施形態を説明するために用いられ、以下の特許請求の範囲に記載される本開示の範囲を限定することを意図するものではない。したがって、当業者は、さまざまな修正及び他の同等の実施形態がそこから導き出されうることを理解するであろう。したがって、本開示の精神及び範囲は、添付の特許請求の範囲によって規定される。

【0101】

本明細書に記載される実施形態は、説明的な意味でのみ考慮されるべきであり、限定の目的ではないと理解されるべきである。各実施形態内の特徴又は態様の説明は、通常、他の実施形態における他の同様の特徴又は態様に利用可能であると見なされるべきである。

【0102】

１つ以上の実施形態について図を参照して説明してきたが、以下の特許請求の範囲によって定義される本開示の精神及び範囲から逸脱することなく、その中で形態及び詳細のさまざまな変更を行うことができることが当業者によって理解されるであろう。

【0103】

以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。

【0104】

実施形態１
ガラス基板の切断方法であって、
ガラス基板の第１の表面にレンチキュラーパターンを含む樹脂パターンを形成する工程；
レーザ光を使用することによって前記樹脂パターンの一部を除去する工程；
前記樹脂パターンの一部を除去する工程によって露出した前記第１の表面にスクライブラインを形成する工程；及び
前記スクライブラインに沿って前記ガラス基板を切断する工程
を含む、方法。

【0105】

実施形態２
前記樹脂パターンを形成する工程が、前記樹脂パターンの形成と同時に前記ガラス基板の隅部に基準マークを形成することを含む、実施形態１に記載のガラス基板の切断方法。

【0106】

実施形態３
前記ガラス基板を通る前記レーザ光の透過率が、前記樹脂パターンを通る前記レーザ光の透過率よりも高い、実施形態１に記載のガラス基板の切断方法。

【0107】

実施形態４
前記樹脂パターンの一部を除去する工程が、前記ガラス基板を実質的に除去することなく前記樹脂パターンの一部のみを選択的に除去することを含む、実施形態１に記載のガラス基板の切断方法。

【0108】

実施形態５
有効光学領域及び該有効光学領域を取り囲む外側領域が前記ガラス基板上に画成され、かつ
前記樹脂パターンが、前記有効光学領域に形成された光抽出パターンをさらに含む、
実施形態１に記載のガラス基板の切断方法。

【0109】

実施形態６
前記レンチキュラーパターンが前記有効光学領域から前記外側領域まで延在する、実施形態５に記載のガラス基板の切断方法。

【0110】

実施形態７
前記スクライブラインが、前記ガラス基板のエッジに近接する少なくとも１つの第１のスクライブラインと、前記ガラス基板の中心に近接する少なくとも１つの第２のスクライブラインとを含み、かつ
前記ガラス基板を切断する工程が、
前記第１のスクライブラインに沿って前記ガラス基板をポイントプレスすること；及び
前記第２のスクライブラインに沿って前記ガラス基板をラインプレスすること
を含む、実施形態１に記載のガラス基板の切断方法。

【0111】

実施形態８
前記第１の表面の法線と前記ガラス基板を切断することによって形成される切断面との間の角度が約１°以下である、実施形態１に記載のガラス基板の切断方法。

【0112】

実施形態９
導光板の製造方法において、
ガラス基板の第１の表面に樹脂パターンを形成する工程であって、前記樹脂パターンが、レンチキュラーパターン及び光抽出パターンを含み、前記レンチキュラーパターンが、前記第１の表面に平行な第１の方向に沿って延び、前記第１の表面に平行かつ前記第１の方向に実質的に垂直な第２の方向に列を成して配置され、前記光抽出パターンが、前記レンチキュラーパターンから前記第１の方向及び第２の方向に垂直な第３の方向に陥凹している、工程；
前記樹脂パターンの一部を除去することによって、前記ガラス基板の前記第１の表面を露出させるための第１及び第２のスクライビングターゲット部分を形成する工程；
前記第１及び第２のスクライビングターゲット部分に延びるスクライブラインを前記ガラス基板に形成する工程；及び
前記スクライブラインに沿って前記ガラス基板を切断する工程
を含む、方法。

【0113】

実施形態１０
前記第１及び第２のスクライビングターゲット部分を形成する工程が、前記ガラス基板に対して透明波長のレーザ光を使用することによって前記第１及び第２のスクライビングターゲット部分を形成することを含む、実施形態９に記載の導光板の製造方法。

【0114】

実施形態１１
前記ガラス基板を切断する工程で形成される前記ガラス基板の切断面が、前記第１の表面に実質的に垂直である、実施形態９に記載の導光板の製造方法。

【0115】

実施形態１２
前記樹脂パターンの一部を除去する工程が、前記ガラス基板を損傷することなく前記樹脂パターンを選択的に除去することを含む、実施形態９に記載の導光板の製造方法。

【0116】

実施形態１３
前記樹脂パターンを形成する工程が、前記ガラス基板の隅部に基準マークをさらに形成することを含む、実施形態９に記載の導光板の製造方法。

【0117】

実施形態１４
前記第１及び第２のスクライビングターゲット部分を形成する工程が、それらの間に前記樹脂パターンをともなって、前記第１の方向又は前記第２の方向に互いに間隔を置いて配置された前記基準マークを結ぶ直線上に配置された前記樹脂パターンを除去することを含む、実施形態１３に記載の導光板の製造方法。

【0118】

実施形態１５
前記第１及び第２のスクライビングターゲット部分を形成する工程が、前記基準マークを除去することをさらに含む、実施形態１３に記載の導光板の製造方法。

【0119】

実施形態１６
前記第１のスクライビングターゲット部分が前記第１の方向に延び、前記第２のスクライビングターゲット部分が前記第２の方向に延びる、実施形態１３に記載の導光板の製造方法。

【0120】

実施形態１７
導光板の製造方法であって、
ガラス基板の第１の表面に樹脂パターン及び基準マークを形成する工程；
レーザ光を使用することによって前記樹脂パターンの一部及び前記基準マークを除去する工程；
前記樹脂パターンの少なくとも一部が除去される領域において前記ガラス基板にスクライブラインを形成する工程；及び
前記スクライブラインに沿って前記ガラス基板を切断する工程
を含む、方法。

【0121】

実施形態１８
前記レーザ光の被写界深度が－３ｍｍ未満である、実施形態１７に記載の導光板の製造方法。

【0122】

実施形態１９
前記樹脂パターンの前記少なくとも一部を除去する工程が、前記レーザ光を１００ｍｍ／秒以下の速度で前記樹脂パターンに照射することを含む、実施形態１７に記載の導光板の製造方法。

【0123】

実施形態２０
前記レーザ光の波長が約８μｍ～約１２μｍである、実施形態１７に記載の導光板の製造方法。

【符号の説明】

【0124】

１１０ ガラス基板
１２０ 樹脂パターン
１１０Ｅ 有効光学領域
１１０Ｒ 外側領域
１２３ 基準マーク

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図2D】

【図3A】

【図3B】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図6A】

【図6B】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図7D】

【図8】

【図9】

【国際調査報告】