特表2022-534139撮像モジュールのパーティクル欠陥を解消するＡＬＤ製造方法及びその生成物
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2022-07-28
(54)【発明の名称】撮像モジュールのパーティクル欠陥を解消するＡＬＤ製造方法及びその生成物
(51)【国際特許分類】
C23C 16/30 20060101AFI20220721BHJP
C23C 16/40 20060101ALI20220721BHJP
C23C 16/42 20060101ALI20220721BHJP
C23C 16/455 20060101ALI20220721BHJP
G02B 1/113 20150101ALI20220721BHJP
G02B 5/28 20060101ALI20220721BHJP
【ＦＩ】
C23C16/30
C23C16/40
C23C16/42
C23C16/455
G02B1/113
G02B5/28
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2020538658
(86)(22)【出願日】2020-05-18
(85)【翻訳文提出日】2020-07-10
(86)【国際出願番号】 CN2020090839
(87)【国際公開番号】W WO2021082402
(87)【国際公開日】2021-05-06
(31)【優先権主張番号】201911387147.X
(32)【優先日】2019-12-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(31)【優先権主張番号】201911060808.8
(32)【優先日】2019-11-01
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】517455340
【氏名又は名称】杭州美迪凱光電科技股▲分▼有限公司
(74)【代理人】
【識別番号】100130111
【弁理士】
【氏名又は名称】新保 斉
(72)【発明者】
【氏名】葛 文志
(72)【発明者】
【氏名】王 懿偉
(72)【発明者】
【氏名】王 剛
(72)【発明者】
【氏名】翁 欽盛
(72)【発明者】
【氏名】矢島 大和
(72)【発明者】
【氏名】江 駿楠
【テーマコード（参考）】
2H148
2K009
4K030
【Ｆターム（参考）】
2H148GA04
2H148GA09
2H148GA32
2H148GA60
2K009AA09
2K009BB02
2K009CC02
2K009CC03
2K009CC06
2K009CC42
2K009DD03
2K009DD04
4K030AA02
4K030AA03
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4K030AA24
4K030BA01
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4K030BA46
4K030BB12
4K030CA05
4K030CA06
4K030CA17
4K030DA02
4K030DA08
4K030FA10
4K030HA01
4K030JA10
4K030LA15
(57)【要約】
撮像モジュールのパーティクル欠陥を解消するＡＬＤ製造方法を提供し、パーティクルの生成経路を根本的に突き止めることができ、粒径がミクロンレベルのパーティクル欠陥が生じない。本発明は、上記製造方法で得られた多層膜構造、パッケージカバープレート、ＣＬＣＣパッケージ及び撮像モジュールをさらに提供し、パーティクル欠陥による不良を大幅に減少させる。【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
反応キャビティにベース基板を入れ、１００～４００℃に加熱するステップＳ１と、第１反応前駆体を原子層反応キャビティ内に導入し、ベース基板に化学吸着させ、第１膜層を形成するステップＳ２と、
過剰の第１反応前駆体を排出し、不活性ガスでパージするステップＳ３と、
第２反応前駆体を反応キャビティ内に導入し、ベース基板の表面に化学吸着された第１反応前駆体と反応させ、第１屈折率層を形成するステップＳ４と、
過剰の第２反応前駆体及び反応副生成物を排出し、不活性ガスでパージするステップＳ５と、
第３反応前駆体を反応キャビティ内に導入し、第１屈折率層の表面に化学吸着させ、第２膜層を形成するステップＳ６と、
過剰の第３反応前駆体を排出し、不活性ガスでパージするステップＳ７と、
第４反応前駆体を原子層反応キャビティ内に導入し、第１屈折率層の表面に化学吸着された第３反応前駆体と反応させ、屈折率が第１屈折率層より大きい屈折率の第２屈折率層を形成するステップＳ８と、
過剰の第４反応前駆体及び反応副生成物を排出するステップＳ９とを含む
ことを特徴とする撮像モジュールのパーティクル欠陥を解消するＡＬＤ製造方法。
【請求項2】
第Ｎ－１屈折率層上に第Ｎ屈折率層を形成するステップをさらに含み、Ｎが３以上の正整数である請求項１に記載の撮像モジュールのパーティクル欠陥を解消するＡＬＤ製造方法。
【請求項3】
前記偶数屈折率層の屈折率が奇数屈折率層の屈折率より大きい請求項２に記載の撮像モジュールのパーティクル欠陥を解消するＡＬＤ製造方法。
【請求項4】
前記第１反応前駆体がシランであり、前記第２反応前駆体が酸素ガス又はオゾンであり、第３反応前駆体がチタン、タンタル、又はジルコニウムを含有するガスであり、前記第４反応前駆体が水蒸気である請求項１に記載の撮像モジュールのパーティクル欠陥を解消するＡＬＤ製造方法。
【請求項5】
前記ベース基板は、ガラス、水晶又はサファイア基板である請求項１に記載の撮像モジュールのパーティクル欠陥を解消するＡＬＤ製造方法。
【請求項6】
前記屈折率層は、ＳｉＯ２低屈折率層ＬとＴｉＯ２高屈折率層Ｈ；ＳｉＯ２低屈折率層ＬとＮｂ２Ｏ５高屈折率層Ｈ；ＳｉＯ２低屈折率層ＬとＴａ３Ｏ５高屈折率層Ｈ；ＭｇＦ２低屈折率層ＬとＴｉＯ２高屈折率層Ｈ；ＭｇＦ２低屈折率層ＬとＮｂ２Ｏ５高屈折率層Ｈ；Ｎｂ２Ｏ５低屈折率層ＬとＴａ３Ｏ５高屈折率層Ｈ；ＭｇＦ２低屈折率層Ｌ、Ａｌ２Ｏ３高屈折率層Ｈ及びＳｉＯ２低屈折率層Ｌ；Ａｌ２Ｏ３低屈折率層Ｌ、Ｈ４高屈折率層Ｈ及びＭｇＦ２低屈折率層Ｌ；Ａｌ２Ｏ３低屈折率層Ｌ、ＺｒＯ２高屈折率層Ｈ及びＭｇＦ２低屈折率層Ｌの組み合わせのいずれかを含む請求項３に記載の撮像モジュールのパーティクル欠陥を解消するＡＬＤ製造方法。
【請求項7】
ベース基板から外へ、奇数屈折率層が酸化ケイ素であり、偶数屈折率層が酸化チタン、酸化タンタル又は酸化ジルコニウムである請求項３に記載の撮像モジュールのパーティクル欠陥を解消するＡＬＤ製造方法。
【請求項8】
ベース基板から外へ、順にシリカ層、二酸化チタン層、シリカ層、五酸化タンタル層、シリカ層である請求項３に記載の撮像モジュールのパーティクル欠陥を解消するＡＬＤ製造方法。
【請求項9】
前記製造方法の温度が好ましくは１５０～２５０℃である請求項４に記載の撮像モジュールのパーティクル欠陥を解消するＡＬＤ製造方法。
【請求項10】
請求項１ないし９のいずれかに記載の撮像モジュールのパーティクル欠陥を解消するＡＬＤ製造方法で製造されることを特徴とする多層膜構造。
【請求項11】
前記多層膜構造では、サイズが１μｍ以上のパーティクルの数が０である請求項１０に記載の多層膜構造。
【請求項12】
前記ＡＬＤ製造方法では、各層の膜構造の堆積完了後、次の層の膜構造の堆積前、プラズマを用いて現在の堆積層に対して衝撃改質を行うステップを含む請求項１０に記載の多層膜構造。
【請求項13】
表面粗さＲａ範囲が０．０１ｎｍ～２０ｎｍである請求項１０に記載の多層膜構造。
【請求項14】
カバープレート基板と、カバープレート基板上に被覆される機能膜とを備え、前記機能膜は、請求項１ないし９のいずれかに記載のＡＬＤ製造方法によって堆積される多層膜構造を含み、各層の膜構造の堆積完了後、次の層の膜構造の堆積前、プラズマを用いて現在の堆積層に対して衝撃改質を行うステップを含むことを特徴とするＣＬＣＣパッケージカバープレート。
【請求項15】
前記ＣＬＣＣパッケージは、基板（１）を備え、前記基板（１）上には中央部に位置するＣＭＯＳ（２）、縁位置に位置するコンデンサ抵抗（３）及び駆動モータ（４）が貼り付けられ、前記基板（１）上には仕切り壁台座（５）が設けられ、前記仕切り壁台座（５）において、基板のＣＭＯＳ（２）、コンデンサ抵抗（３）及び駆動モータ（４）に対応する位置には、それぞれＣＭＯＳセンサ空位置、コンデンサ抵抗空位置及び駆動モータ空位置が設けられ、前記ＣＭＯＳセンサ空位置の上面には請求項１４に記載のカバープレート（６）が取り付けられていることを特徴とするＣＬＣＣパッケージ。
【請求項16】
請求項１５に記載のＣＬＣＣパッケージを備えることを特徴とする撮像モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、撮像モジュールの技術分野に関し、特に、撮像モジュールのパーティクル欠陥を解消するＡＬＤ製造方法及びその生成物に関する。
【背景技術】
【0002】
スマート端末、車載機器、スキャナー、スマートフォン、プロジェクター、セキュリティ監視などの産業による、高解像度撮像に対する要求が継続的に向上し、拡張現実、３Ｄ技術及びジェスチャー認識技術が人工知能分野において広く応用されるに伴って、光学レンズ及び撮像モジュール産業は、新しい応用要求を満たすように、高速に発展するとともに、絶えず技術を革新している。
【0003】
パーティクルは、光学レンズ及び撮像モジュールに発生した欠陥であり、基板面に形成される点状突起を意味し、この点状突起は、パーティクル（ｐａｒｔｉｃｌｅ）と呼ばれることもある。パーティクルは、主に、現在の光学コーティングプロセス（すなわち、真空熱蒸発及びマグネトロンスパッタリング）で、大きな膜材料パーティクルが不可避的に膜材料の蒸発による蒸気又はスパッタリング粒子とともに基板の表面に堆積してなるものである。点が少ないこともあり、ひどい場合、小さい点が大きく集まることもあり、よりひどい場合、大きなパーティクルが基板面に傷つき、結像効果に深刻な影響を与えていてしまうこともある。従って、結像効果を確保するために、現在、ほとんどのメーカーは、光学素子におけるパーティクルが５μｍ以下であることを要求している。
【0004】
しかし、現在、特定の光学性能を達成するために、ほとんど全ての光学素子の表面に様々な薄膜をコーティングし、すなわち、光の反射、分岐、色分解、フィルタリング、偏光を減少又は増加させるなどの要求を満たすために、光学部品の表面に１層又は多層の金属又は媒体薄膜をコーティングするプロセスが必要であり、光学コーティングプロセスは、主に真空熱蒸発（蒸着）及びマグネトロンスパッタリングを用い、パーティクルを制御又は減少できるのに有効な手段がない。
【0005】
真空熱蒸発は、真空条件において、物質を加熱蒸発して気化し、基板面に堆積させて固体薄膜を形成することであり、その過程は、以下のとおりである。（１）様々な形態の熱エネルギー変換方式（例えば、抵抗加熱、電子加熱、高周波誘導加熱、アーク加熱、レーザ加熱など）を用い、コーティング材粒子を蒸発又は昇華させ、所定のエネルギーを有するガス粒子にし、（２）ガス粒子があまり衝撃のない直線運動方式によりマトリックスに搬送され、（３）粒子がマトリックスの表面に堆積して凝集し、薄膜になり、（４）薄膜を構成する原子が再配列し又は化学結合が変化する。加熱及び凝集の過程が絶対に均一であることを実現できないため、大きな液滴又は大きなパーティクルが必然的に生じ、従って、光学コーティングにおけるパーティクル欠陥を効果的に制御できず、粒径が５μｍを超えるパーティクルが生じる可能性が高く、これは現在、歩留まりに影響を与える要因である。
【0006】
マグネトロンスパッタリングは、真空中において荷電粒子でターゲット表面に衝撃し、衝撃された粒子を基板上に堆積させる技術であり、その過程は、以下のとおりである。（１）電子が電界Ｅの作用で基板へ飛びながら、アルゴン原子と衝撃し、アルゴン原子を電離させてＡｒプラスイオン及び新しい電子を発生させ、（２）新しい電子が基板へ飛び、Ａｒイオンが電界の作用下でカソードターゲットへ高速で飛び、ターゲット表面に高エネルギーで衝撃し、ターゲット材をスパッタリングさせ、（３）スパッタリング粒子のうち、中性のターゲット原子又は分子が基板上に堆積して薄膜を形成する。同様に、ターゲット材に衝撃する過程で、大きなパーティクルが生じる可能性が高く、さらに基板上に堆積してパーティクルを形成し、効果的に制御できない。
【0007】
従って、光学レンズ及び撮像モジュールの工業的生産では、パーティクル欠陥の発生及び数を制御するのに有効な制御方法がなく、製品の歩留まりが下がり、生産コストが高まり、より最適化された生産プロセスの開発が必要とされる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明は、従来技術の欠点に対して、パーティクルの生成経路を根本的に突き止めることができ、粒径がミクロンレベルのパーティクル欠陥が生じないようにすることができる、撮像モジュールのパーティクル欠陥を減少させるＡＬＤ製造方法を提供することを第１の目的とする。
【0009】
本発明は、パーティクル欠陥による不良を大幅に減少させる、上記製造方法で得られた多層膜構造、パッケージカバープレート、ＣＬＣＣパッケージ及び撮像モジュールを提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記目的を達成するために、本発明の技術案は、以下のとおりである。
反応キャビティにベース基板を入れ、１００～４００℃に加熱するステップＳ１と、
第１反応前駆体を原子層反応キャビティ内に導入し、ベース基板に化学吸着させ、第１膜層を形成するステップＳ２と、
過剰の第１反応前駆体を排出し、不活性ガスでパージするステップＳ３と、
第２反応前駆体を反応キャビティ内に導入し、ベース基板の表面に化学吸着された第１反応前駆体と反応させ、第１屈折率層を形成するステップＳ４と、
過剰の第２反応前駆体及び反応副生成物を排出し、不活性ガスでパージするステップＳ５と、
第３反応前駆体を反応キャビティ内に導入し、第１屈折率層の表面に化学吸着させ、第２膜層を形成するステップＳ６と、
過剰の第３反応前駆体を排出し、不活性ガスでパージするステップＳ７と、
第４反応前駆体を原子層反応キャビティ内に導入し、第１屈折率層の表面に化学吸着された第３反応前駆体と反応させ、屈折率が第１屈折率層より大きい屈折率の第２屈折率層を形成するステップＳ８と、
過剰の第４反応前駆体及び反応副生成物を排出するステップＳ９とを含む、ことを特徴とする撮像モジュールのパーティクル欠陥を解消するＡＬＤ製造方法。
反応キャビティにベース基板を入れ、１００～４００℃に加熱するステップＳ１と、
第１反応前駆体を原子層反応キャビティ内に導入し、ベース基板に化学吸着させ、第１膜層を形成するステップＳ２と、
過剰の第１反応前駆体を排出し、不活性ガスでパージするステップＳ３と、
第２反応前駆体を反応キャビティ内に導入し、ベース基板の表面に化学吸着された第１反応前駆体と反応させ、第１屈折率層を形成するステップＳ４と、
過剰の第２反応前駆体及び反応副生成物を排出し、不活性ガスでパージするステップＳ５と、
第３反応前駆体を反応キャビティ内に導入し、第１屈折率層の表面に化学吸着させ、第２膜層を形成するステップＳ６と、
過剰の第３反応前駆体を排出し、不活性ガスでパージするステップＳ７と、
第４反応前駆体を原子層反応キャビティ内に導入し、第１屈折率層の表面に化学吸着された第３反応前駆体と反応させ、屈折率が第１屈折率層より大きい屈折率の第２屈折率層を形成するステップＳ８と、
過剰の第４反応前駆体及び反応副生成物を排出するステップＳ９とを含む、ことを特徴とする撮像モジュールのパーティクル欠陥を解消するＡＬＤ製造方法。
【0011】
さらに、上記製造方法は、第Ｎ－１屈折率層上に第Ｎ屈折率層を形成するステップをさらに含み、Ｎが３以上の正整数である。
【0012】
さらに、上記製造方法では、前記偶数屈折率層の屈折率が奇数屈折率層の屈折率より大きい。
【0013】
さらに、上記製造方法では、前記第１反応前駆体がシラン（モノシラン、ジシラン又は置換基を有する他のシランを含む）であり、前記第２反応前駆体が酸素ガス又はオゾンであり、第３反応前駆体がチタン、タンタル、又はジルコニウムを含有するガスであり、前記第４反応前駆体が水蒸気である。
【0014】
さらに、上記製造方法では、前記ベース基板は、ガラス、水晶又はサファイア基板である。
【0015】
さらに、上記製造方法では、前記屈折率層は、ＳｉＯ２低屈折率層ＬとＴｉＯ２高屈折率層Ｈ；ＳｉＯ２低屈折率層ＬとＮｂ２Ｏ５高屈折率層Ｈ；ＳｉＯ２低屈折率層ＬとＴａ３Ｏ５高屈折率層Ｈ；ＭｇＦ２低屈折率層ＬとＴｉＯ２高屈折率層Ｈ；ＭｇＦ２低屈折率層ＬとＮｂ２Ｏ５高屈折率層Ｈ；Ｎｂ２Ｏ５低屈折率層ＬとＴａ３Ｏ５高屈折率層Ｈ；ＭｇＦ２低屈折率層Ｌ、Ａｌ２Ｏ３高屈折率層Ｈ及びＳｉＯ２低屈折率層Ｌ；Ａｌ２Ｏ３低屈折率層Ｌ、Ｈ４高屈折率層Ｈ及びＭｇＦ２低屈折率層Ｌ；Ａｌ２Ｏ３低屈折率層Ｌ、ＺｒＯ２高屈折率層Ｈ及びＭｇＦ２低屈折率層Ｌの組み合わせのいずれかを含む。
【0016】
さらに、上記製造方法では、ベース基板から外へ、奇数屈折率層が酸化ケイ素であり、偶数屈折率層が酸化チタン、酸化タンタル又は酸化ジルコニウムである。
【0017】
さらに、上記製造方法では、ベース基板から外へ、順にシリカ層、二酸化チタン層、シリカ層、五酸化タンタル層、シリカ層である。
【0018】
さらに、上記製造方法では、温度が好ましくは１５０～２５０℃である。
【0019】
上記ＡＬＤ製造方法で製造される、ことを特徴とする多層膜構造。
【0020】
さらに、上記多層膜構造では、サイズが１μｍ以上のパーティクルの数が０である。
【0021】
さらに、上記ＡＬＤ製造方法では、各層の膜構造の堆積完了後、次の層の膜構造の堆積前、プラズマを用いて現在の堆積層に対して衝撃改質を行うステップを含む。
【0022】
さらに、上記多層膜構造の表面粗さＲａ範囲が０．０１ｎｍ～２０ｎｍ。
【0023】
前記パッケージカバープレートは、カバープレート基板と、カバープレート基板上に被覆される機能膜とを備え、前記機能膜は、上記ＡＬＤ製造方法によって堆積される多層膜構造を含み、各層の膜構造の堆積完了後、次の層の膜構造の堆積前、プラズマを用いて現在の堆積層に対して衝撃改質を行うステップを含む。通常のＡＬＤ堆積プロセスは、単層膜堆積のみに適用でき、多層膜構造の堆積過程に、現在の膜が堆積された後、堆積面が変化したため、次の膜を順調に堆積できない状況が生じ、本発明は、各層の膜構造後、プラズマ衝撃によって表面改質を行うことによって、多層膜の順調な堆積を実現する、ことを特徴とするＣＬＣＣパッケージカバープレート。
【0024】
前記ＣＬＣＣパッケージは、基板を含み、前記基板上には、中央部に位置するＣＭＯＳ、縁位置に位置するコンデンサ抵抗及び駆動モータが貼り付けられ、前記基板上には仕切り壁台座が設けられ、前記仕切り壁台座において、基板のＣＭＯＳ、コンデンサ抵抗及び駆動モータに対応する位置には、それぞれＣＭＯＳセンサ空位置、コンデンサ抵抗空位置及び駆動モータ空位置が設けられ、前記ＣＭＯＳセンサ空位置の上面には上記したカバープレートが取り付けられている、ことを特徴とするＣＬＣＣパッケージ。
【0025】
上記ＣＬＣＣパッケージを備える、ことを特徴とする撮像モジュール。
【発明の効果】
【0026】
該技術案の生じた有益な効果は、以下のとおりである。
（１）ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、原子層堆積）によって、高・低屈折率の膜層を光学素子に交互に堆積することができ、反応材料が気体の形態で反応キャビティにおいてベース基板上に吸着によって堆積し、蒸発又はスパッタリング過程がなくなり、それによりパーティクル欠陥を引き起こすソースを解消し、従って、大粒子のパーティクル欠陥を形成することがなく、それにより、撮像モジュールの結像品質を大幅に向上させ、撮像モジュールの加工過程におけるＡＬＤの実用性が活用される。
（１）ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、原子層堆積）によって、高・低屈折率の膜層を光学素子に交互に堆積することができ、反応材料が気体の形態で反応キャビティにおいてベース基板上に吸着によって堆積し、蒸発又はスパッタリング過程がなくなり、それによりパーティクル欠陥を引き起こすソースを解消し、従って、大粒子のパーティクル欠陥を形成することがなく、それにより、撮像モジュールの結像品質を大幅に向上させ、撮像モジュールの加工過程におけるＡＬＤの実用性が活用される。
【0027】
（２）本発明による製品は、原子層堆積によって光学素子へのコーティングを達成し、反応材料は蒸発又はスパッタリングを行わずに、吸着によってベース基板上に堆積し、従って、大粒子のパーティクル欠陥を形成することがなく、それにより、撮像モジュールの結像品質を大幅に向上させ、製品歩留まりを向上させ、且つ光学コーティングがより滑らかになり、堅牢度がより高く、実用性がより高い。
【0028】
（３）本発明のカバープレートは、表面を微細に制御することにより、表面に大きなサイズのパーティクルが生じないことを確保し、従来技術により要求される５μｍよりも遥かに低く、ＣＭＯＳ画素の向上を制限する不利な要素を解消し、ＣＬＣＣパッケージ及び撮像モジュールの画素のレベルを大幅に向上させる。
【図面の簡単な説明】
【0029】
【図1】本発明に係る多層膜の構造模式図である。
【図2】本発明に係るＣＬＣＣパッケージの構造模式図である。
【図3】金属顕微鏡の接眼レンズ１０Ｘ、対物レンズ１００Ｘでの実施例１のカバープレートの模式図である。
【図4】実施例１のカバープレート表面のＡＦＭ図である。
【図5】実施例１のカバープレート表面の三次元ＡＦＭ図である。
【図6】金属顕微鏡の接眼レンズ１０Ｘ、対物レンズ１００Ｘでの比較例のカバープレートの模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0030】
以下、図面及び実施形態と組み合わせて本発明についてさらに説明する。
【0031】
反応キャビティにベース基板を入れ、１００～４００℃に加熱するステップＳ１と、
第１反応前駆体を原子層反応キャビティ内に導入し、ベース基板に化学吸着させ、第１膜層を形成するステップＳ２と、
過剰の第１反応前駆体を排出し、不活性ガスでパージするステップＳ３と、
第２反応前駆体を反応キャビティ内に導入し、ベース基板の表面に化学吸着された第１反応前駆体と反応させ、第１屈折率層を形成するステップＳ４と、
過剰の第２反応前駆体及び反応副生成物を排出し、不活性ガスでパージするステップＳ５と、
第３反応前駆体を反応キャビティ内に導入し、第１屈折率層の表面に化学吸着させ、第２膜層を形成するステップＳ６と、
過剰の第３反応前駆体を排出し、不活性ガスでパージするステップＳ７と、
第４反応前駆体を原子層反応キャビティ内に導入し、第１屈折率層の表面に化学吸着された第３反応前駆体と反応させ、屈折率が第１屈折率層より大きい屈折率の第２屈折率層を形成するステップＳ８と、
過剰の第４反応前駆体及び反応副生成物を排出するステップＳ９とを含む、ことを特徴とする撮像モジュールのパーティクル欠陥を解消するＡＬＤ製造方法。
第１反応前駆体を原子層反応キャビティ内に導入し、ベース基板に化学吸着させ、第１膜層を形成するステップＳ２と、
過剰の第１反応前駆体を排出し、不活性ガスでパージするステップＳ３と、
第２反応前駆体を反応キャビティ内に導入し、ベース基板の表面に化学吸着された第１反応前駆体と反応させ、第１屈折率層を形成するステップＳ４と、
過剰の第２反応前駆体及び反応副生成物を排出し、不活性ガスでパージするステップＳ５と、
第３反応前駆体を反応キャビティ内に導入し、第１屈折率層の表面に化学吸着させ、第２膜層を形成するステップＳ６と、
過剰の第３反応前駆体を排出し、不活性ガスでパージするステップＳ７と、
第４反応前駆体を原子層反応キャビティ内に導入し、第１屈折率層の表面に化学吸着された第３反応前駆体と反応させ、屈折率が第１屈折率層より大きい屈折率の第２屈折率層を形成するステップＳ８と、
過剰の第４反応前駆体及び反応副生成物を排出するステップＳ９とを含む、ことを特徴とする撮像モジュールのパーティクル欠陥を解消するＡＬＤ製造方法。
【0032】
ステップＳ２～Ｓ９を周期的に繰り返して行うことができ、屈折率が異なる多層膜を製造し、すなわち、第Ｎ－１屈折率層上に第Ｎ屈折率層を形成し、Ｎが３以上の正整数である。一般的に、偶数屈折率層の屈折率が奇数屈折率層の屈折率より大きい。このような膜層の配列がシートの光透過率を増加させ、モジュールが良好な光学性質を有するようにすることができ、また、ＡＬＤ原子層堆積の方法を用いることで、ミクロンサイズのパーティクル欠陥を解消し、結像品質を向上させることができる。
【0033】
反応前駆体は、膜層の材料、厚み及び直列接続方式の選択に応じて、所望の中心波長及び透過帯域幅λによって確定される。本発明では、第１反応前駆体がシランであり、第２反応前駆体が酸素ガス又はオゾンであり、第３反応前駆体がチタン、タンタル、又はジルコニウムを含有するガス（例えば、ヨウ化チタン（IＶ）ガス、塩化タンタルＶガス、ヨウ化ジルコニウム（IＶ）ガス又は他のチタン、タンタル、又はジルコニウムを含有する有機ガス）であり、第４反応前駆体が水蒸気であることが好ましい。温度は、反応前駆体の分解温度と堆積レートに関連し、反応前駆体の分解温度以下であるが、所定の堆積レートを有するように要求される。
【0034】
ベース基板は、ガラス、水晶又はサファイア基板である。
【0035】
屈折率層は、ＳｉＯ２低屈折率層ＬとＴｉＯ２高屈折率層Ｈ；ＳｉＯ２低屈折率層ＬとＮｂ２Ｏ５高屈折率層Ｈ；ＳｉＯ２低屈折率層ＬとＴａ３Ｏ５高屈折率層Ｈ；ＭｇＦ２低屈折率層ＬとＴｉＯ２高屈折率層Ｈ；ＭｇＦ２低屈折率層ＬとＮｂ２Ｏ５高屈折率層Ｈ；Ｎｂ２Ｏ５低屈折率層ＬとＴａ３Ｏ５高屈折率層Ｈ；ＭｇＦ２低屈折率層Ｌ、Ａｌ２Ｏ３高屈折率層Ｈ及びＳｉＯ２低屈折率層Ｌ；Ａｌ２Ｏ３低屈折率層Ｌ、Ｈ４高屈折率層Ｈ及びＭｇＦ２低屈折率層Ｌ；Ａｌ２Ｏ３低屈折率層Ｌ、ＺｒＯ２高屈折率層Ｈ及びＭｇＦ２低屈折率層Ｌの組み合わせのいずれかを含む。
【0036】
１つの実施例では、ベース基板から外へ、奇数屈折率層が酸化ケイ素、偶数屈折率層が酸化チタン、酸化タンタル又は酸化ジルコニウムである。
【0037】
他の実施例では、ベース基板から外へ、順にシリカ層、二酸化チタン層、シリカ層、五酸化タンタル層、シリカ層であってもよい。
【0038】
ステップＳ２及び／又はＳ４の温度が好ましくは３２０～３７０℃、ステップＳ６及び／又はＳ８の温度が好ましくは２２０～２７０℃である。原料ガスの導入は、パルスによる導入を用いることができ、電磁弁の開閉を制御することによって、ガスの導入・停止を制御し、電磁弁の開閉時間を制御することによって薄膜の堆積厚みに影響を与える。
【0039】
多層膜構造であって、図１に示すように、上記ＡＬＤ製造方法で製造され、サイズが１μｍ以上のパーティクルの数が０であり、表面粗さＲａ範囲が０．０１ｎｍ～２０ｎｍである。ＡＬＤ製造方法では、各層の膜構造の堆積完了後、次の層の膜構造の堆積前、プラズマを用いて現在の堆積層に対して衝撃改質を行うステップを含む。改質に用いられるプラズマ電圧が１００～１０００Ｖ、電流が１００～１０００ｍＡ、時間が１～２分間であることが好ましく、さもないと、堆積された膜層の性能と厚みに影響を与える恐れがある。
【0040】
ＣＬＣＣパッケージカバープレートであって、カバープレート基板と、カバープレート基板上に被覆される機能膜とを備え、前記機能膜は、上記ＡＬＤ製造方法によって堆積される多層膜構造を含み、各層の膜構造の堆積完了後、次の層の膜構造の堆積前、プラズマを用いて現在の堆積層に対して衝撃改質を行うステップを含む。通常のＡＬＤ堆積プロセスは、単層膜の堆積のみに適用でき、多層膜構造の堆積過程に、現在の膜が堆積された後、堆積面が変化したため、次の膜を順調に堆積できない状況が生じ、本発明は、各層の膜構造の後、プラズマ衝撃によって表面改質を行うことによって、多層膜の順調な堆積を実現する。
【0041】
ＣＬＣＣパッケージであって、図２に示すように、ＣＬＣＣパッケージは、基板１を備え、前記基板１上には、中央部に位置するＣＭＯＳ ２、縁位置に位置するコンデンサ抵抗３及び駆動モータ４が貼り付けられ、前記基板１上には仕切り壁台座５が設けられ、前記仕切り壁台座５において、基板のＣＭＯＳ ２、コンデンサ抵抗３及び駆動モータ４に対応する位置には、それぞれＣＭＯＳセンサ空位置、コンデンサ抵抗空位置及び駆動モータ空位置が設けられ、前記ＣＭＯＳセンサ空位置の上面には、カバープレート６が取り付けられている。
【0042】
撮像モジュールであって、上記ＣＬＣＣパッケージを備える。
【0043】
実施例１
撮像モジュールであって、図２～５に示すように、ＣＬＣＣパッケージを備え、ＣＬＣＣパッケージは、基板１を備え、前記基板１上には、中央部に位置するＣＭＯＳ ２、縁位置に位置するコンデンサ抵抗３及び駆動モータ４が貼り付けられ、前記基板１上には仕切り壁台座５が設けられ、前記仕切り壁台座５において、基板のＣＭＯＳ ２、コンデンサ抵抗３及び駆動モータ４に対応する位置には、それぞれＣＭＯＳセンサ空位置、コンデンサ抵抗空位置及び駆動モータ空位置が設けられ、前記ＣＭＯＳセンサ空位置の上面には、カバープレート６が取り付けられており、カバープレート６の表面パーティクルのサイズが１μｍ以下であり、粗さＲａが１．３４２ｎｍである。
撮像モジュールであって、図２～５に示すように、ＣＬＣＣパッケージを備え、ＣＬＣＣパッケージは、基板１を備え、前記基板１上には、中央部に位置するＣＭＯＳ ２、縁位置に位置するコンデンサ抵抗３及び駆動モータ４が貼り付けられ、前記基板１上には仕切り壁台座５が設けられ、前記仕切り壁台座５において、基板のＣＭＯＳ ２、コンデンサ抵抗３及び駆動モータ４に対応する位置には、それぞれＣＭＯＳセンサ空位置、コンデンサ抵抗空位置及び駆動モータ空位置が設けられ、前記ＣＭＯＳセンサ空位置の上面には、カバープレート６が取り付けられており、カバープレート６の表面パーティクルのサイズが１μｍ以下であり、粗さＲａが１．３４２ｎｍである。
【0044】
上記カバープレートは、ガラス基板にシリカ低屈折率層Ｌ及び五酸化タンタル高屈折率層Ｈが被覆される撮像モジュールの光学素子である。低屈折率層層Ｌは、厚みが１００～２００ｎｍ、屈折率が１．４６～１．５０であり、高屈折率層層Ｈは、厚みが８０～１２０ｎｍ、屈折率が２．０５～２．２である。
【0045】
上記カバープレートは、ＡＬＤ製造方法を用い、ＡＬＤ製造方法の過程は、以下のとおりである。
まずガラス基板を原子層反応キャビティに入れ、０．６Ｐａまで真空引きし、１５０℃に加熱するＳ１、
不活性ガスをキャリアとし、ＳｉＨ４（シラン）を第１反応前駆体として反応キャビティに３０～５０ｍｓ導入し、ベース基板の表面に化学吸着して第１膜層を形成するＳ２、
余分な第１反応前駆体（ＳｉＨ４）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージするＳ３と、
不活性ガスをキャリアとし、オゾン（Ｏ３）を第２反応前駆体として原子層反応キャビティに２０ｍｓ導入し、第１膜層と反応させてシリカ低屈折率層Ｌを形成するＳ４、
完全に反応した後、第２反応前駆体オゾン及び第１反応前駆体（ＳｉＨ４）が第２反応前駆体オゾンと反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージし、プラズマ衝撃によって表面改質を行うＳ５、
不活性ガスをキャリアとし、塩化タンタルＶガスを第３反応前駆体として反応キャビティに２０～３０ｍｓ導入し、低屈折率層Ｌの改質後の表面に吸着させ、第２膜層を形成するＳ６、
余分な第３反応前駆体（塩化タンタルＶガス）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージするＳ７、
不活性ガスをキャリアとし、水蒸気を第４反応前駆体として原子層反応キャビティに２０ｍｓ導入し、第２膜層と反応させ、五酸化タンタル屈折率層Ｈを形成するＳ８、
余分な第４反応前駆体（水蒸気）及び第３反応前駆体（塩化タンタルＶガス）が第４反応前駆体（水蒸気）と反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージするＳ９。
まずガラス基板を原子層反応キャビティに入れ、０．６Ｐａまで真空引きし、１５０℃に加熱するＳ１、
不活性ガスをキャリアとし、ＳｉＨ４（シラン）を第１反応前駆体として反応キャビティに３０～５０ｍｓ導入し、ベース基板の表面に化学吸着して第１膜層を形成するＳ２、
余分な第１反応前駆体（ＳｉＨ４）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージするＳ３と、
不活性ガスをキャリアとし、オゾン（Ｏ３）を第２反応前駆体として原子層反応キャビティに２０ｍｓ導入し、第１膜層と反応させてシリカ低屈折率層Ｌを形成するＳ４、
完全に反応した後、第２反応前駆体オゾン及び第１反応前駆体（ＳｉＨ４）が第２反応前駆体オゾンと反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージし、プラズマ衝撃によって表面改質を行うＳ５、
不活性ガスをキャリアとし、塩化タンタルＶガスを第３反応前駆体として反応キャビティに２０～３０ｍｓ導入し、低屈折率層Ｌの改質後の表面に吸着させ、第２膜層を形成するＳ６、
余分な第３反応前駆体（塩化タンタルＶガス）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージするＳ７、
不活性ガスをキャリアとし、水蒸気を第４反応前駆体として原子層反応キャビティに２０ｍｓ導入し、第２膜層と反応させ、五酸化タンタル屈折率層Ｈを形成するＳ８、
余分な第４反応前駆体（水蒸気）及び第３反応前駆体（塩化タンタルＶガス）が第４反応前駆体（水蒸気）と反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージするＳ９。
【0046】
本実施例では、直径２００ｍｍのシートをバッチ生産し、１カートンあたり、合計２１枚とし、金属顕微鏡によって表面のパーティクル状況を監視したところ、すべてのカバープレートには、粒径が１μｍより大きいパーティクルが観察されておらず、歩留まりが１００％であった。
【0047】
比較実施例
本実施例のターゲット製品は、実施例１と同様であり、用いる真空熱蒸発の製造方法の過程は、以下のとおりである。
まずベース基板ガラスを治具に入れ、治具をドームホルダーに置き、ドームホルダーをコーティング機のチャンバーに入れるステップＳ１。
本実施例のターゲット製品は、実施例１と同様であり、用いる真空熱蒸発の製造方法の過程は、以下のとおりである。
まずベース基板ガラスを治具に入れ、治具をドームホルダーに置き、ドームホルダーをコーティング機のチャンバーに入れるステップＳ１。
【0048】
ＳｉＯ２（シリカ）及びＴｉＯ２（二酸化チタン）をそれぞれチャンバーにおける左側及び右側の坩堝に入れ、チャンバードアを閉め、０．０００１～０．００１Ｐａまで真空引きし、温度を５０～４００℃範囲に設定し、チャンバー内部を真空引きの範囲に維持するステップＳ２。
【0049】
ＳｉＯ２（シリカ）の所在する位置の電子銃を起動し、電子銃が設定された膜厚になるまで作動し、作動終了後、残りの分子がガスにより吸引され、ＴｉＯ２（二酸化チタン）の位置での電子銃が自動的に起動されてコーティングするステップＳ３。
【0050】
機器が設定されたフィルムコーティングの層数に応じてコーティングを繰り返すステップＳ４。
【0051】
比較実施例の製品に対して金属顕微鏡によってパーティクルの状況を監視した結果、図６に示すように、粒径が５μｍ以上のパーティクル欠陥が観察された。実施例１と同様のバッチ試験を行い、該製造方法で得られた生成物は、パーティクル欠陥（粒径が５μｍ以上）による不良率が７０％であった。
【0052】
実施例２
撮像モジュールであって、ＣＬＣＣパッケージを備え、ＣＬＣＣパッケージは、基板１を備え、前記基板１上には、中央部に位置するＣＭＯＳ ２、縁位置に位置するコンデンサ抵抗３及び駆動モータ４が貼り付けられ、前記基板１上には仕切り壁台座５が設けられ、前記仕切り壁台座５において、基板のＣＭＯＳ ２、コンデンサ抵抗３及び駆動モータ４に対応する位置には、それぞれＣＭＯＳセンサ空位置、コンデンサ抵抗空位置及び駆動モータ空位置が設けられ、前記ＣＭＯＳセンサ空位置の上面には、カバープレート６が取り付けられており、カバープレート６の表面パーティクルのサイズが１０ｎｍ以下であり、粗さＲａが１．３４０ｎｍである。
撮像モジュールであって、ＣＬＣＣパッケージを備え、ＣＬＣＣパッケージは、基板１を備え、前記基板１上には、中央部に位置するＣＭＯＳ ２、縁位置に位置するコンデンサ抵抗３及び駆動モータ４が貼り付けられ、前記基板１上には仕切り壁台座５が設けられ、前記仕切り壁台座５において、基板のＣＭＯＳ ２、コンデンサ抵抗３及び駆動モータ４に対応する位置には、それぞれＣＭＯＳセンサ空位置、コンデンサ抵抗空位置及び駆動モータ空位置が設けられ、前記ＣＭＯＳセンサ空位置の上面には、カバープレート６が取り付けられており、カバープレート６の表面パーティクルのサイズが１０ｎｍ以下であり、粗さＲａが１．３４０ｎｍである。
【0053】
上記カバープレートは、ガラス基板にシリカ低屈折率層Ｌ及び二酸化チタン高屈折率層Ｈが被覆される撮像モジュールの光学素子である。低屈折率層層Ｌは、厚みが１００～２００ｎｍ、屈折率が１．４６～１．５０であり、高屈折率層層Ｈは、厚みが１０～５０ｎｍ、屈折率が２．２８～２．３５である。
【0054】
上記カバープレートは、ＡＬＤ製造方法を用い、ＡＬＤ製造方法の過程は、以下のとおりである。
まずガラス基板を反応キャビティに入れ、０．６Ｐａまで真空引きし、２５０℃に加熱するＳ１、
ＳｉＨ４（シラン）を第１反応前駆体として原子層反応キャビティに好ましくは３０～５０ｍｓ導入し、ベース基板の表面に化学吸着して第１膜層を形成するＳ２、
余分な第１反応前駆体（ＳｉＨ４）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージするＳ３、
オゾン（Ｏ３）を第２反応前駆体として反応キャビティに２０ｍｓ導入し、第１膜層と反応させてシリカ低屈折率層Ｌを形成するＳ４、
完全に反応した後、第２反応前駆体オゾン及び第１反応前駆体（ＳｉＨ４）が第２反応前駆体オゾンと反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージし、プラズマ衝撃によって表面改質を行うＳ５、
ヨウ化チタン（IＶ）ガスを第３反応前駆体として原子層反応キャビティに好ましくは３０～５０ｍｓ導入し、低屈折率層Ｌの表面に吸着させ、第２膜層を形成するＳ６、
余分な第３反応前駆体（ヨウ化チタン（IＶ）ガス）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージするＳ７、
水蒸気を第４反応前駆体として原子層反応キャビティに３５ｍｓ導入し、第２膜層と反応させ、二酸化チタン屈折率層Ｈを形成するＳ８、
余分な第４反応前駆体（水蒸気）及び第３反応前駆体（ヨウ化チタン（IＶ）ガス）が第４反応前駆体（水蒸気）と反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージするＳ９。
まずガラス基板を反応キャビティに入れ、０．６Ｐａまで真空引きし、２５０℃に加熱するＳ１、
ＳｉＨ４（シラン）を第１反応前駆体として原子層反応キャビティに好ましくは３０～５０ｍｓ導入し、ベース基板の表面に化学吸着して第１膜層を形成するＳ２、
余分な第１反応前駆体（ＳｉＨ４）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージするＳ３、
オゾン（Ｏ３）を第２反応前駆体として反応キャビティに２０ｍｓ導入し、第１膜層と反応させてシリカ低屈折率層Ｌを形成するＳ４、
完全に反応した後、第２反応前駆体オゾン及び第１反応前駆体（ＳｉＨ４）が第２反応前駆体オゾンと反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージし、プラズマ衝撃によって表面改質を行うＳ５、
ヨウ化チタン（IＶ）ガスを第３反応前駆体として原子層反応キャビティに好ましくは３０～５０ｍｓ導入し、低屈折率層Ｌの表面に吸着させ、第２膜層を形成するＳ６、
余分な第３反応前駆体（ヨウ化チタン（IＶ）ガス）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージするＳ７、
水蒸気を第４反応前駆体として原子層反応キャビティに３５ｍｓ導入し、第２膜層と反応させ、二酸化チタン屈折率層Ｈを形成するＳ８、
余分な第４反応前駆体（水蒸気）及び第３反応前駆体（ヨウ化チタン（IＶ）ガス）が第４反応前駆体（水蒸気）と反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージするＳ９。
【0055】
本実施例では、サイズ８０×７６×０．２１ｍｍのシートをバッチ生産し、１カートンあたり、１５６枚とし、金属顕微鏡によってパーティクルの状況を監視し、すべてのカバープレートには、粒径が１μｍより大きいパーティクルが観察されておらず、歩留まりが１００％であり、パーティクルのサイズをさらに観察し、粒径が１０ｎｍより大きいパーティクルが観察されてなかった。
【0056】
実施例３
撮像モジュールであって、ＣＬＣＣパッケージを備え、ＣＬＣＣパッケージは、基板１を備え、前記基板１上には、中央部に位置するＣＭＯＳ ２、縁位置に位置するコンデンサ抵抗３及び駆動モータ４が貼り付けられ、前記基板１上には仕切り壁台座５が設けられ、前記仕切り壁台座５において、基板のＣＭＯＳ ２、コンデンサ抵抗３及び駆動モータ４に対応する位置には、それぞれＣＭＯＳセンサ空位置、コンデンサ抵抗空位置及び駆動モータ空位置が設けられ、前記ＣＭＯＳセンサ空位置の上面には、カバープレート６が取り付けられており、カバープレート６の表面パーティクルのサイズ≦５０ｎｍ、粗さＲａが９．４４０ｎｍである。
撮像モジュールであって、ＣＬＣＣパッケージを備え、ＣＬＣＣパッケージは、基板１を備え、前記基板１上には、中央部に位置するＣＭＯＳ ２、縁位置に位置するコンデンサ抵抗３及び駆動モータ４が貼り付けられ、前記基板１上には仕切り壁台座５が設けられ、前記仕切り壁台座５において、基板のＣＭＯＳ ２、コンデンサ抵抗３及び駆動モータ４に対応する位置には、それぞれＣＭＯＳセンサ空位置、コンデンサ抵抗空位置及び駆動モータ空位置が設けられ、前記ＣＭＯＳセンサ空位置の上面には、カバープレート６が取り付けられており、カバープレート６の表面パーティクルのサイズ≦５０ｎｍ、粗さＲａが９．４４０ｎｍである。
【0057】
上記カバープレートは、水晶基板上にシリカ低屈折率層Ｌ及び二酸化ジルコニウム高屈折率層Ｈが被覆される撮像モジュールの光学素子である。低屈折率層層Ｌは、厚みが１００～２００ｎｍ、屈折率が１．４６～１．５０であり、高屈折率層層Ｈは、厚みが３５～７５ｎｍ、屈折率が１．９８～２．０７である。
【0058】
上記カバープレートは、ＡＬＤ製造方法を用い、ＡＬＤ製造方法の過程は、以下のとおりである。
まず水晶基板を反応キャビティに入れ、０．６Ｐａまで真空引きし、４００℃に加熱するＳ１、
ＳｉＨ４（シラン）を第１反応前駆体として原子層反応キャビティに好ましくは１５～２０ｍｓパルスで導入し、ベース基板の表面に化学吸着して第１膜層を形成するＳ２、
余分な第１反応前駆体（ＳｉＨ４）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージするＳ３、
オゾン（Ｏ３）を第２反応前駆体として原子層反応キャビティに１５～２０ｍｓ導入し、第１膜層と反応させてシリカ低屈折率層Ｌを形成するＳ４、
完全に反応した後、第２反応前駆体オゾン及び第１反応前駆体（ＳｉＨ４）が第２反応前駆体オゾンと反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージし、プラズマ衝撃によって表面改質を行うＳ５、
ヨウ化ジルコニウム（IＶ）ガスを第３反応前駆体として原子層反応キャビティに１５～２０ｍｓ導入し、低屈折率層Ｌの表面に吸着させ、第２膜層を形成するＳ６、
余分な第３反応前駆体（ヨウ化ジルコニウム（IＶ）ガス）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージするＳ７、
水蒸気を第４反応前駆体として原子層反応キャビティに１５～２０ｍｓ導入し、第２膜層と反応させ、二酸化チタン屈折率層Ｈを形成するＳ８、
余分な第４反応前駆体（水蒸気）及び第３反応前駆体（ヨウ化ジルコニウム（IＶ）ガス）が第４反応前駆体（水蒸気）と反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージするＳ９。
まず水晶基板を反応キャビティに入れ、０．６Ｐａまで真空引きし、４００℃に加熱するＳ１、
ＳｉＨ４（シラン）を第１反応前駆体として原子層反応キャビティに好ましくは１５～２０ｍｓパルスで導入し、ベース基板の表面に化学吸着して第１膜層を形成するＳ２、
余分な第１反応前駆体（ＳｉＨ４）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージするＳ３、
オゾン（Ｏ３）を第２反応前駆体として原子層反応キャビティに１５～２０ｍｓ導入し、第１膜層と反応させてシリカ低屈折率層Ｌを形成するＳ４、
完全に反応した後、第２反応前駆体オゾン及び第１反応前駆体（ＳｉＨ４）が第２反応前駆体オゾンと反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージし、プラズマ衝撃によって表面改質を行うＳ５、
ヨウ化ジルコニウム（IＶ）ガスを第３反応前駆体として原子層反応キャビティに１５～２０ｍｓ導入し、低屈折率層Ｌの表面に吸着させ、第２膜層を形成するＳ６、
余分な第３反応前駆体（ヨウ化ジルコニウム（IＶ）ガス）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージするＳ７、
水蒸気を第４反応前駆体として原子層反応キャビティに１５～２０ｍｓ導入し、第２膜層と反応させ、二酸化チタン屈折率層Ｈを形成するＳ８、
余分な第４反応前駆体（水蒸気）及び第３反応前駆体（ヨウ化ジルコニウム（IＶ）ガス）が第４反応前駆体（水蒸気）と反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージするＳ９。
【0059】
本実施例では、直径３００ｍｍのシートをバッチ生産し、１カートンあたり、１２枚とし、金属顕微鏡によってパーティクルの状況を監視し、すべてのカバープレートには、粒径が１μｍより大きいパーティクルが観察されておらず、歩留まりが１００％であり、パーティクルのサイズをさらに観察し、粒径が５０ｎｍより大きいパーティクルが観察されてなかった。
【0060】
実施例４
撮像モジュールであって、ＣＬＣＣパッケージを備え、ＣＬＣＣパッケージは、基板１を備え、前記基板１上には、中央部に位置するＣＭＯＳ ２、縁位置に位置するコンデンサ抵抗３及び駆動モータ４が貼り付けられ、前記基板１上には仕切り壁台座５が設けられ、前記仕切り壁台座５において、基板のＣＭＯＳ ２、コンデンサ抵抗３及び駆動モータ４に対応する位置には、それぞれＣＭＯＳセンサ空位置、コンデンサ抵抗空位置及び駆動モータ空位置が設けられ、前記ＣＭＯＳセンサ空位置の上面には、カバープレート６が取り付けられており、カバープレート６の表面パーティクルのサイズが１００ｎｍ以下であり、粗さＲａが７．５８１ｎｍである。
撮像モジュールであって、ＣＬＣＣパッケージを備え、ＣＬＣＣパッケージは、基板１を備え、前記基板１上には、中央部に位置するＣＭＯＳ ２、縁位置に位置するコンデンサ抵抗３及び駆動モータ４が貼り付けられ、前記基板１上には仕切り壁台座５が設けられ、前記仕切り壁台座５において、基板のＣＭＯＳ ２、コンデンサ抵抗３及び駆動モータ４に対応する位置には、それぞれＣＭＯＳセンサ空位置、コンデンサ抵抗空位置及び駆動モータ空位置が設けられ、前記ＣＭＯＳセンサ空位置の上面には、カバープレート６が取り付けられており、カバープレート６の表面パーティクルのサイズが１００ｎｍ以下であり、粗さＲａが７．５８１ｎｍである。
【0061】
上記カバープレートは、サファイア基板上にシリカ低屈折率層Ｌ及び二酸化チタン高屈折率層Ｈが被覆される撮像モジュールの光学素子である。低屈折率層層Ｌは、厚みが１００～２００ｎｍ、屈折率が１．４７～１．５１であり、高屈折率層層Ｈは、厚みが１０～５０ｎｍ、屈折率が２．２８～２．３５である。
【0062】
上記カバープレートは、ＡＬＤ製造方法を用い、ＡＬＤ製造方法の過程は、以下のとおりである。
まずサファイア基板を原子層反応キャビティに入れ、０．６Ｐａまで真空引きし、１００℃に加熱するＳ１、
ＳｉＨ４（シラン）を第１反応前駆体として原子層反応キャビティに３０～５０ｍｓ導入し、ベース基板の表面に化学吸着して第１膜層を形成するＳ２、
余分な第１反応前駆体（ＳｉＨ４）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージするＳ３、
酸素ガス（Ｏ２）を第２反応前駆体として原子層反応キャビティに２０～４０ｍｓ導入し、第１膜層と反応させてシリカ低屈折率層Ｌを形成するＳ４、
完全に反応した後、第２反応前駆体オゾン及び第１反応前駆体（ＳｉＨ４）が第２反応前駆体オゾンと反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージし、プラズマ衝撃によって表面改質を行うＳ５、
ヨウ化チタン（IＶ）ガスを第３反応前駆体として原子層反応キャビティに１５～３０ｍｓ導入し、低屈折率層Ｌの表面に吸着させ、第２膜層を形成するＳ６、
余分な第３反応前駆体（ヨウ化チタン（IＶ）ガス）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージするＳ７、
水蒸気を第４反応前駆体として原子層反応キャビティに１５～３０ｍｓ導入し、第２膜層と反応させ、二酸化チタン屈折率層Ｈを形成するＳ８、
余分な第４反応前駆体（水蒸気）及び第３反応前駆体（ヨウ化チタン（IＶ）ガス）が第４反応前駆体（水蒸気）と反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージするＳ９。
まずサファイア基板を原子層反応キャビティに入れ、０．６Ｐａまで真空引きし、１００℃に加熱するＳ１、
ＳｉＨ４（シラン）を第１反応前駆体として原子層反応キャビティに３０～５０ｍｓ導入し、ベース基板の表面に化学吸着して第１膜層を形成するＳ２、
余分な第１反応前駆体（ＳｉＨ４）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージするＳ３、
酸素ガス（Ｏ２）を第２反応前駆体として原子層反応キャビティに２０～４０ｍｓ導入し、第１膜層と反応させてシリカ低屈折率層Ｌを形成するＳ４、
完全に反応した後、第２反応前駆体オゾン及び第１反応前駆体（ＳｉＨ４）が第２反応前駆体オゾンと反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージし、プラズマ衝撃によって表面改質を行うＳ５、
ヨウ化チタン（IＶ）ガスを第３反応前駆体として原子層反応キャビティに１５～３０ｍｓ導入し、低屈折率層Ｌの表面に吸着させ、第２膜層を形成するＳ６、
余分な第３反応前駆体（ヨウ化チタン（IＶ）ガス）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージするＳ７、
水蒸気を第４反応前駆体として原子層反応キャビティに１５～３０ｍｓ導入し、第２膜層と反応させ、二酸化チタン屈折率層Ｈを形成するＳ８、
余分な第４反応前駆体（水蒸気）及び第３反応前駆体（ヨウ化チタン（IＶ）ガス）が第４反応前駆体（水蒸気）と反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で２０～３０ｓパージするＳ９。
【0063】
本実施例では、サイズが７７×７７×０．２１ｍｍの製品をバッチ生産し、１カートンあたり、１６９枚とし、金属顕微鏡によってパーティクルの状況を監視し、すべてのカバープレートには、粒径が１μｍより大きいパーティクルが観察されておらず、歩留まりが１００％であり、パーティクルのサイズをさらに観察し、粒径が１００ｎｍより大きいパーティクルが観察されてなかった。
【0064】
実施例５
撮像モジュールであって、ＣＬＣＣパッケージを備え、ＣＬＣＣパッケージは、基板１を備え、前記基板１上には、中央部に位置するＣＭＯＳ ２、縁位置に位置するコンデンサ抵抗３及び駆動モータ４が貼り付けられ、前記基板１上には仕切り壁台座５が設けられ、前記仕切り壁台座５において、基板のＣＭＯＳ ２、コンデンサ抵抗３及び駆動モータ４に対応する位置には、それぞれＣＭＯＳセンサ空位置、コンデンサ抵抗空位置及び駆動モータ空位置が設けられ、前記ＣＭＯＳセンサ空位置の上面には、カバープレート６が取り付けられており、カバープレート６の表面パーティクルのサイズが１０ｎｍ以下であり、粗さＲａが０．６２２ｎｍである。
撮像モジュールであって、ＣＬＣＣパッケージを備え、ＣＬＣＣパッケージは、基板１を備え、前記基板１上には、中央部に位置するＣＭＯＳ ２、縁位置に位置するコンデンサ抵抗３及び駆動モータ４が貼り付けられ、前記基板１上には仕切り壁台座５が設けられ、前記仕切り壁台座５において、基板のＣＭＯＳ ２、コンデンサ抵抗３及び駆動モータ４に対応する位置には、それぞれＣＭＯＳセンサ空位置、コンデンサ抵抗空位置及び駆動モータ空位置が設けられ、前記ＣＭＯＳセンサ空位置の上面には、カバープレート６が取り付けられており、カバープレート６の表面パーティクルのサイズが１０ｎｍ以下であり、粗さＲａが０．６２２ｎｍである。
【0065】
上記カバープレートは、サファイア基板上に５層の光学コーティングが被覆される光学素子である。５層の光学コーティングは、低屈折率・高屈折率の形態で組合せられ、サファイア基板に周期的に堆積し、最後層が低屈折率で終わる。５層の光学コーティングは、ベース基板から外へ、順に以下のとおりである。
層厚１００～２００ｎｍ、屈折率１．４６～１．５０のシリカ低屈折率層Ｌ１、
層厚１０～５０ｎｍ、屈折率２．２８～２．３５の二酸化チタン高屈折率層Ｈ１、
層厚１００～２００ｎｍ、屈折率１．４６～１．５０のシリカ低屈折率層Ｌ２、
層厚８０～１２０ｎｍ、屈折率２．０５～２．２の五酸化タンタル高屈折率層Ｈ２、
層厚５～３００ｎｍ、屈折率１．４６～１．５０のシリカ低屈折率層Ｌ３。
層厚１００～２００ｎｍ、屈折率１．４６～１．５０のシリカ低屈折率層Ｌ１、
層厚１０～５０ｎｍ、屈折率２．２８～２．３５の二酸化チタン高屈折率層Ｈ１、
層厚１００～２００ｎｍ、屈折率１．４６～１．５０のシリカ低屈折率層Ｌ２、
層厚８０～１２０ｎｍ、屈折率２．０５～２．２の五酸化タンタル高屈折率層Ｈ２、
層厚５～３００ｎｍ、屈折率１．４６～１．５０のシリカ低屈折率層Ｌ３。
【0066】
上記カバープレートは、ＡＬＤ製造方法を用い、ＡＬＤ製造方法の過程は、以下のとおりである。
まずサファイア基板を原子層反応キャビティに入れ、０．６Ｐａまで真空引きし、２００℃に加熱するＳ１、
ＳｉＨ４（シラン）を第１反応前駆体として原子層反応キャビティに３０～５０ｍｓ導入し、ベース基板の表面に化学吸着して第１膜層を形成するＳ２、
余分な第１反応前駆体（ＳｉＨ４）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で１５ｓパージするＳ３、
酸素ガス（Ｏ２）を第２反応前駆体として原子層反応キャビティに導入し、第１膜層と反応させてシリカ低屈折率層Ｌ１を形成するＳ４、
完全に反応した後、第２反応前駆体オゾン及び第１反応前駆体（ＳｉＨ４）が第２反応前駆体オゾンと反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で１５ｓパージし、プラズマ衝撃によって表面改質を行うＳ５、
塩化タンタルＶガスを第３反応前駆体として原子層反応キャビティに１０～３０ｍｓ導入し、低屈折率層Ｌ１の表面に吸着させ、第２膜層を形成するＳ６、
余分な第３反応前駆体（塩化タンタルＶガス）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で１５ｓパージするＳ７、
水蒸気を第４反応前駆体として原子層反応キャビティに導入し、第２膜層と反応させ、二酸化チタン屈折率層Ｈ１を形成するＳ８、
余分な第４反応前駆体（水蒸気）及び第３反応前駆体（塩化タンタルＶガス）が第４反応前駆体（水蒸気）と反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で１５ｓパージし、プラズマ衝撃によって表面改質を行うＳ９、
ＳｉＨ４（シラン）を第５反応前駆体として原子層反応キャビティに３０～５０ｍｓ導入し、ベース基板の表面に化学吸着させて第３膜層を形成するＳ１０、
余分な第５反応前駆体（ＳｉＨ４）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で１５ｓパージするＳ１１、
オゾン（Ｏ３）を第６反応前駆体として原子層反応キャビティに導入し、第３膜層と反応させてシリカ低屈折率層Ｌ２を形成するＳ１２、
余分な第６反応前駆体オゾン及び第５反応前駆体（ＳｉＨ４）が第６反応前駆体オゾンと反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で１５ｓパージし、プラズマ衝撃によって表面改質を行うＳ１３、
塩化タンタルＶガスを第７反応前駆体として原子層反応キャビティに１０～３０ｍｓ導入し、低屈折率層Ｌ２の表面に吸着し、第４膜層を形成するＳ１４、
余分な第７反応前駆体（塩化タンタルＶガス）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で１５ｓパージするＳ１５、
水蒸気を第８反応前駆体として原子層反応キャビティに導入し、第４膜層と反応させ、五酸化タンタル屈折率層Ｈ２を形成するＳ１６、
余分な第８反応前駆体（水蒸気）及び第７反応前駆体（塩化タンタルＶガス）が第８反応前駆体（水蒸気）と反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で１５ｓパージし、プラズマ衝撃によって表面改質を行うＳ１７、
ＳｉＨ４（シラン）を第９反応前駆体として原子層反応キャビティに１０～５０ｍｓ導入し、ベース基板の表面に吸着させて第５膜層を形成するＳ１８、
余分な第９反応前駆体（ＳｉＨ４）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で１５ｓパージするＳ１９、
オゾン（Ｏ３）を第１０反応前駆体として原子層反応キャビティに導入し、第５膜層と反応させてシリカ低屈折率層Ｌ３を形成するＳ２０、
完全に反応した後、余分な第１０反応前駆体オゾン及び第９反応前駆体（ＳｉＨ４）が第１０反応前駆体オゾンと反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で１５ｓパージするＳ２１。
まずサファイア基板を原子層反応キャビティに入れ、０．６Ｐａまで真空引きし、２００℃に加熱するＳ１、
ＳｉＨ４（シラン）を第１反応前駆体として原子層反応キャビティに３０～５０ｍｓ導入し、ベース基板の表面に化学吸着して第１膜層を形成するＳ２、
余分な第１反応前駆体（ＳｉＨ４）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で１５ｓパージするＳ３、
酸素ガス（Ｏ２）を第２反応前駆体として原子層反応キャビティに導入し、第１膜層と反応させてシリカ低屈折率層Ｌ１を形成するＳ４、
完全に反応した後、第２反応前駆体オゾン及び第１反応前駆体（ＳｉＨ４）が第２反応前駆体オゾンと反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で１５ｓパージし、プラズマ衝撃によって表面改質を行うＳ５、
塩化タンタルＶガスを第３反応前駆体として原子層反応キャビティに１０～３０ｍｓ導入し、低屈折率層Ｌ１の表面に吸着させ、第２膜層を形成するＳ６、
余分な第３反応前駆体（塩化タンタルＶガス）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で１５ｓパージするＳ７、
水蒸気を第４反応前駆体として原子層反応キャビティに導入し、第２膜層と反応させ、二酸化チタン屈折率層Ｈ１を形成するＳ８、
余分な第４反応前駆体（水蒸気）及び第３反応前駆体（塩化タンタルＶガス）が第４反応前駆体（水蒸気）と反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で１５ｓパージし、プラズマ衝撃によって表面改質を行うＳ９、
ＳｉＨ４（シラン）を第５反応前駆体として原子層反応キャビティに３０～５０ｍｓ導入し、ベース基板の表面に化学吸着させて第３膜層を形成するＳ１０、
余分な第５反応前駆体（ＳｉＨ４）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で１５ｓパージするＳ１１、
オゾン（Ｏ３）を第６反応前駆体として原子層反応キャビティに導入し、第３膜層と反応させてシリカ低屈折率層Ｌ２を形成するＳ１２、
余分な第６反応前駆体オゾン及び第５反応前駆体（ＳｉＨ４）が第６反応前駆体オゾンと反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で１５ｓパージし、プラズマ衝撃によって表面改質を行うＳ１３、
塩化タンタルＶガスを第７反応前駆体として原子層反応キャビティに１０～３０ｍｓ導入し、低屈折率層Ｌ２の表面に吸着し、第４膜層を形成するＳ１４、
余分な第７反応前駆体（塩化タンタルＶガス）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で１５ｓパージするＳ１５、
水蒸気を第８反応前駆体として原子層反応キャビティに導入し、第４膜層と反応させ、五酸化タンタル屈折率層Ｈ２を形成するＳ１６、
余分な第８反応前駆体（水蒸気）及び第７反応前駆体（塩化タンタルＶガス）が第８反応前駆体（水蒸気）と反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で１５ｓパージし、プラズマ衝撃によって表面改質を行うＳ１７、
ＳｉＨ４（シラン）を第９反応前駆体として原子層反応キャビティに１０～５０ｍｓ導入し、ベース基板の表面に吸着させて第５膜層を形成するＳ１８、
余分な第９反応前駆体（ＳｉＨ４）を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で１５ｓパージするＳ１９、
オゾン（Ｏ３）を第１０反応前駆体として原子層反応キャビティに導入し、第５膜層と反応させてシリカ低屈折率層Ｌ３を形成するＳ２０、
完全に反応した後、余分な第１０反応前駆体オゾン及び第９反応前駆体（ＳｉＨ４）が第１０反応前駆体オゾンと反応した副生成物を排出し、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス、アルゴンなど）で１５ｓパージするＳ２１。
【0067】
本実施例では、直径２００ｍｍのシートをバッチ生産し、１カートンあたり、合計２１枚とし、金属顕微鏡によってパーティクルの状況を監視し、すべてのカバープレートには、粒径が１μｍ以上のパーティクルが観察されておらず、歩留まりが１００％であり、パーティクルのサイズをさらに観察し、粒径が１０ｎｍより大きいパーティクルが観察されてなかった。
【0068】
以上の実施形態は、本発明を説明するためのものに過ぎず、本発明を制限するものではなく、当業者であれば、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、さらに様々な変化及び変形を行うことができ、従って、すべての等価技術案も本発明の範囲に属し、本発明の特許範囲が請求項で限定される。
【符号の説明】
【0069】
１ 基板
２ ＣＭＯＳ
３ コンデンサ抵抗
４ 駆動モータ
５ 仕切り壁台座
６ カバープレート
２ ＣＭＯＳ
３ コンデンサ抵抗
４ 駆動モータ
５ 仕切り壁台座
６ カバープレート
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【国際調査報告】