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特表2022-537219表示画面アセンブリ、アンテナアセンブリ、及び電子デバイス
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2022-08-24
(54)【発明の名称】表示画面アセンブリ、アンテナアセンブリ、及び電子デバイス
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20220817BHJP
H01Q 15/10 20060101ALI20220817BHJP
H04B 1/38 20150101ALI20220817BHJP
G02F 1/1333 20060101ALI20220817BHJP
G02F 1/1368 20060101ALI20220817BHJP
G09F 9/00 20060101ALN20220817BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 338
H01Q15/10
H04B1/38
G02F1/1333
G02F1/1368
G09F9/30 348A
G09F9/30 365
G09F9/30 310
G09F9/30 349C
G09F9/30 349A
G09F9/00 302
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2021576354
(86)(22)【出願日】2020-06-19
(85)【翻訳文提出日】2021-12-21
(86)【国際出願番号】 CN2020096942
(87)【国際公開番号】W WO2021000746
(87)【国際公開日】2021-01-07
(31)【優先権主張番号】201910588888.8
(32)【優先日】2019-06-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(81)【指定国・地域】
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．３ＧＰＰ
(71)【出願人】
【識別番号】516227559
【氏名又は名称】オッポ広東移動通信有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＧＵＡＮＧＤＯＮＧ ＯＰＰＯ ＭＯＢＩＬＥ ＴＥＬＥＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮＳ ＣＯＲＰ．， ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ． １８ Ｈａｉｂｉｎ Ｒｏａｄ，Ｗｕｓｈａ， Ｃｈａｎｇ’ａｎ，Ｄｏｎｇｇｕａｎ， Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ ５２３８６０ Ｃｈｉｎａ
(74)【代理人】
【識別番号】100091487
【弁理士】
【氏名又は名称】中村 行孝
(74)【代理人】
【識別番号】100120031
【弁理士】
【氏名又は名称】宮嶋 学
(74)【代理人】
【識別番号】100107582
【弁理士】
【氏名又は名称】関根 毅
(74)【代理人】
【識別番号】100152205
【弁理士】
【氏名又は名称】吉田 昌司
(74)【代理人】
【識別番号】100137523
【弁理士】
【氏名又は名称】出口 智也
(74)【代理人】
【識別番号】100120385
【弁理士】
【氏名又は名称】鈴木 健之
(72)【発明者】
【氏名】チア、ユーフー
【テーマコード（参考）】
2H189
2H192
5C094
5G435
5J020
5K011
【Ｆターム（参考）】
2H189HA16
2H189LA02
2H189LA24
2H192AA24
2H192CB05
2H192EA43
2H192GD51
5C094BA03
5C094BA27
5C094BA43
5C094CA19
5C094DA13
5C094DA15
5C094EA04
5C094EA07
5C094EB02
5C094ED02
5C094ED15
5G435BB05
5G435BB12
5G435HH05
5J020AA04
5J020BA05
5J020BC02
5J020BC04
5J020BC13
5K011AA06
5K011BA04
5K011JA01
(57)【要約】
本出願の実施形態は、表示画面アセンブリ、アンテナアセンブリ、及び電子デバイスを提供する。表示画面アセンブリは表示画面本体と電波透過構造を含む。表示画面本体は、予め設定された周波数帯の無線周波数（ＲＦ）信号に対して第一透過率を有する。電波透過構造は表示画面本体に載せられ、少なくとも表示画面本体の一部をカバーする。表示画面アセンブリは、電波透過構造に対応するところにおいて、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対して第二透過率を有し、第二透過率は第一透過率より大きい。本出願に係る表示画面アセンブリは、電波透過構造が表示画面本体に載せられることによって、電波透過構造の働きで、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対する透過率を上げることができる。表示画面アセンブリは電子デバイスに応用される場合、電子デバイスの内部に配置されたアンテナモジュールの放射性能に対する表示画面アセンブリの影響を低減することができる。これで、電子デバイスの通信性能を高めることができる。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示画面アセンブリであって、予め設定された周波数帯の無線周波数（ＲＦ）信号に対して第一透過率を有する表示画面本体と、
前記表示画面本体に載せられ、少なくとも前記表示画面本体の一部をカバーする電波透過構造とを含み、
前記表示画面アセンブリは、前記電波透過構造に対応するところにおいて、前記予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対して第二透過率を有し、前記第二透過率は前記第一透過率より大きい、
ことを特徴とする表示画面アセンブリ。
【請求項2】
前記表示画面アセンブリは、積層配置されている表示画面とカバープレートを含み、前記電波透過構造は前記カバープレートの上に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項3】
前記表示画面本体はアレイ基板を含み、前記アレイ基板は基板と、前記基板にアレイ状に配置された複数の薄膜トランジスタとを含み、前記薄膜トランジスタは、ゲート、ゲート絶縁層、チャネル層、ソース及びドレインを含み、前記ゲートは前記基板の片側に配置されており、前記ゲート絶縁層は前記ゲートをカバーし、前記チャネル層は前記ゲート絶縁層の上に配置され且つ前記ゲートに対応し、前記ソース及び前記ドレインは、前記チャネル層の対向する両側に隔てて配置され且ついずれも前記チャネル層とつながり、
前記電波透過構造は単層構造であり、前記電波透過構造は前記ゲートと同じ層に配置されており、又は、前記電波透過構造は前記ソース及び前記ドレインと同じ層に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項4】
前記表示画面本体はアレイ基板を含み、前記アレイ基板は基板と、前記基板にアレイ状に配置された複数の薄膜トランジスタとを含み、前記薄膜トランジスタは、ゲート、ゲート絶縁層、チャネル層、ソース及びドレインを含み、前記ゲートは前記基板の片側に配置されており、前記ゲート絶縁層は前記ゲートをカバーし、前記チャネル層はゲート絶縁層の上に配置され且つ前記ゲートに対応し、前記ソース及びドレインは、前記チャネル層の対向する両側に隔てて配置され且ついずれも前記チャネル層とつながり、
前記電波透過構造は隔てて積層配置されている第一電波透過層と第二電波透過層を含み、前記第一電波透過層は前記ゲートと同じ層に配置されており、前記第二電波透過層は前記ソース及び前記ドレインと同じ層に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項5】
前記表示画面本体はアレイ基板を含み、前記アレイ基板は基板と、前記基板にアレイ状に配置された複数の薄膜トランジスタとを含み、前記薄膜トランジスタは、遮光層、第一絶縁層、チャネル層、ソース、ドレイン、第二絶縁層、ゲート、及び平坦化層を含み、前記遮光層は前記基板の片側に配置されており、前記第一絶縁層は前記遮光層をカバーし、前記チャネル層は前記第一絶縁層の上に配置され且つ前記遮光層に対応し、前記ソース及び前記ドレインは、前記チャネル層の対向する両側に隔てて配置され且ついずれも前記チャネル層とつながり、前記第二絶縁層は前記ソース及び前記ドレインをカバーし、前記ゲートは前記第二絶縁層の上に配置されており、
前記電波透過構造は単層構造であり、前記電波透過構造は前記遮光層と同じ層に配置されており、又は、前記電波透過構造は前記ゲートと同じ層に配置されており、又は、前記電波透過構造は前記ソース及び前記ドレインと同じ層に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項6】
前記表示画面本体はアレイ基板を含み、前記アレイ基板は基板と、前記基板にアレイ状に配置された複数の薄膜トランジスタとを含み、前記薄膜トランジスタは、遮光層、第一絶縁層、チャネル層、ソース、ドレイン、第二絶縁層、ゲート、及び平坦化層を含み、前記遮光層は前記基板の片側に配置されており、前記第一絶縁層は前記遮光層をカバーし、前記チャネル層は前記第一絶縁層の上に配置され且つ前記遮光層に対応し、前記ソース及び前記ドレインは、前記チャネル層の対向する両側に隔てて配置され且ついずれも前記チャネル層とつながり、前記第二絶縁層は前記ソース及び前記ドレインをカバーし、前記ゲートは前記第二絶縁層の上に配置されており、
前記電波透過構造は隔てて積層配置されている第一電波透過層と第二電波透過層を含み、前記第一電波透過層及び前記第二電波透過層は前記遮光層、ゲート、ソースのうちの任意の２つと同じ層に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項7】
前記表示画面本体はアレイ基板を含み、前記アレイ基板は基板と、前記基板にアレイ状に配置された複数の薄膜トランジスタとを含み、前記薄膜トランジスタは、遮光層、第一絶縁層、チャネル層、ソース、ドレイン、第二絶縁層、ゲート、及び平坦化層を含み、前記遮光層は前記基板の片側に配置されており、前記第一絶縁層は前記遮光層をカバーし、前記チャネル層は前記第一絶縁層の上に配置され且つ前記遮光層に対応し、前記ソース及び前記ドレインは、前記チャネル層の対向する両側に隔てて配置され且ついずれも前記チャネル層とつながり、前記第二絶縁層は前記ソース及び前記ドレインをカバーし、前記ゲートは前記第二絶縁層の上に配置されており、
前記電波透過構造は、隔てて積層配置されている第一電波透過層、第二電波透過層と第三電波透過層を含み、前記第一電波透過層は前記遮光層と同じ層に配置されており、前記第二電波透過層は前記ゲートと同じ層に配置されており、前記第三電波透過層は前記ソースと同じ層に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項8】
前記表示パネルはアレイ基板を含み、前記アレイ基板は画素電極を含み、前記画素電極の材料は透明の金属酸化物半導体であり、前記電波透過構造の少なくとも一部は、前記画素電極と同じ層に配置されており、且つ前記画素電極と同じ材質を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項9】
前記表示パネルはアレイ基板とカラーフィルター基板を含み、前記アレイ基板は前記カラーフィルター基板と隔てて対向配置されており、前記電波透過構造は第一電波透過層と第二電波透過層を含み、前記第一電波透過層は前記アレイ基板に配置されており、前記第二電波透過層は前記カラーフィルター基板に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項10】
前記カラーフィルター基板は画素電極を含み、前記アレイ基板は共通電極を含み、前記第一電波透過層は前記画素電極と同じ層に配置されており、前記第二電波透過層は前記共通電極と同じ層に配置されている、ことを特徴とする請求項９に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項11】
前記表示画面本体は基板及び前記基板にアレイ状に配置された発光素子を含み、前記発光素子は第一電極、発光層及び第二電極を含み、前記発光層と前記第二電極より、前記第一電極は前記基板に隣接して配置されており、前記発光層は、前記基板から遠い前記第一電極の片側に配置されており、前記第二電極は前記第一電極から遠い前記発光層の片側に配置されており、
前記第一電極は第一電圧をロードするように構成されており、前記第二電極は第二電圧をロードするように構成されており、前記発光層は前記第一電圧及び前記第二電圧の働きで発光するように構成されており、
前記電波透過構造は単層構造であり、前記電波透過構造は前記第一電極又は第二電極と同じ層に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項12】
前記表示画面本体は基板及び前記基板にアレイ状に配置された発光素子を含み、前記発光素子は第一電極、発光層及び第二電極を含み、前記発光層と前記第二電極より、前記第一電極は前記基板に隣接して配置されており、前記発光層は、前記基板から遠い前記第一電極の片側に配置されており、前記第二電極は前記第一電極から遠い前記発光層の片側に配置されており、
前記第一電極は第一電圧をロードするように構成されており、前記第二電極は第二電圧をロードするように構成されており、前記発光層は前記第一電圧及び前記第二電圧の働きで発光するように構成されており、
前記電波透過構造は第一電波透過層と第二電波透過層を含み、前記第一電波透過層は前記第一電極と同じ層に配置されており、前記第二電波透過層は前記第二電極と同じ層に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項13】
前記第一電極は陽極であり、前記第二電極は陰極であり、又は、第一電極は陰極であり、第二電極は陽極である、
ことを特徴とする請求項１１又は請求項１２に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項14】
前記第一電波透過構造はスルーホールを有し、前記第二電波透過構造の前記第一電波透過構造における正投影は前記スルーホール内に入る、ことを特徴とする請求項４、又は請求項６、請求項９、請求項１２に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項15】
前記表示画面本体は内表面と、内表面に対向する外表面とを含み、前記電波透過構造は、前記表示画面本体の内表面の上に配置されている、ことを特徴とする請求項１に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項16】
前記表示画面本体は画面本体と、画面本体の外縁から曲げられて延長された延長部とを含み、前記電波透過構造は前記画面本体に対応して配置されており、又は、前記電波透過構造は前記延長部に対応して配置されている、ことを特徴とする請求項１に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項17】
アンテナアセンブリであって、アンテナモジュールと請求項１～１６のいずれか一項に記載の表示画面アセンブリを含み、前記アンテナモジュールは予め設定された範囲内で、予め設定された周波数帯の無線周波数（ＲＦ）信号を受送信するように構成されており、前記表示画面アセンブリにおける電波透過構造の少なくとも一部は前記予め設定された範囲内に位置する、
ことを特徴とするアンテナアセンブリ。
【請求項18】
請求項１７に記載のアンテナアセンブリを含む、ことを特徴とする電子デバイス。
【請求項19】
電子デバイスであって、第一アンテナモジュール、表示画面本体、及び第一電波透過構造を含み、
前記第一アンテナモジュールは、第一予め設定された方向範囲内で、第一周波数帯の第一無線周波数（ＲＦ）信号を受送信するように構成されており、
前記表示画面本体は前記第一アンテナモジュールと隔てて配置されており、且つ前記表示画面本体の少なくとも一部は、前記第一予め設定された方向範囲内に位置し、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対して第一透過率を有し、
前記第一電波透過構造は前記表示画面本体に載せられ、また、前記第一電波透過構造は少なくとも前記表示画面本体の一部をカバーし、且つ前記第一電波透過構造の少なくとも一部は前記第一予め設定された範囲内に位置し、前記電子デバイスは前記第一電波透過構造に対応するところで、前記第一周波数帯の第一ＲＦ信号に対して第二透過率を有し、前記第二透過率は前記第一透過率より大きい、
ことを特徴とする電子デバイス。
【請求項20】
前記電子デバイスは第二アンテナモジュールと第二電波透過構造をさらに含み、前記第二アンテナモジュールは前記第一アンテナモジュールと隔てて配置されており、且つ第二アンテナモジュールは前記第一予め設定された方向範囲以外のところに位置し、前記第二アンテナモジュールは第二予め設定された方向範囲内で、第二周波数帯の第二ＲＦ信号を受送信するように構成されており、
前記表示画面本体は前記第二アンテナモジュールと隔てて配置されており、且つ前記表示画面本体の少なくとも一部は、前記第二予め設定された方向範囲内に位置し、第二予め設定された方向範囲内に位置する一部の表示画面本体は、前記第二周波数帯の第二ＲＦ信号に対して第三透過率を有し、
前記第二電波透過構造は前記表示画面本体に載せられ、また、前記第二電波透過構造の少なくとも一部は前記第二予め設定された方向範囲内に位置し、前記電子デバイスは前記第二電波透過構造に対応するところで、前記第一周波数帯の第二ＲＦ信号に対して第四透過率を有し、前記第四透過率は前記第三透過率より大きい、
ことを特徴とする請求項１９に記載の電子デバイス。
【請求項21】
前記表示画面本体は画面本体と、前記画面本体の外縁から曲げられて延長された延長部とを含み、前記第一アンテナモジュールと前記第二アンテナモジュールはいずれも前記画面本体に対応して配置されており、又は、
前記第一アンテナモジュールと前記第二アンテナモジュールはいずれも前記延長部に対応して配置されており、又は、
前記第一アンテナモジュールは前記画面本体に対応して配置されており、前記第二アンテナモジュールは前記延長部に対応して配置されている、
ことを特徴とする請求項２０に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の参照】
【0001】
本出願は、出願日が２０１９年６月３０日で、出願番号が２０１９１０５８８８８８．８で、出願名称が「表示画面アセンブリ、アンテナアセンブリ、及び電子デバイス」で、特許出願の優先権を主張し、且つ参照のためそれらの全文が本出願に組み込まれる。
【技術分野】
【0002】
本出願は、電子デバイスの技術分野に関し、さらに具体的には、表示画面アセンブリ、アンテナアセンブリ、及び電子デバイスに関する。
【背景技術】
【0003】
移動通信技術の発展に伴い、従来の第４世代（４ｔｈ－Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ、４Ｇ）移動通信技術は既に人々のニーズを満たせない。第５世代（５ｔｈ－Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ、５Ｇ）移動通信技術は高い通信速度を有するため、ユーザーに好まれている。例えば、５Ｇ移動通信におけるデータ送信速度は、４Ｇ移動通信におけるデータ送信速度より百倍速い。ミリ波信号は５Ｇ移動通信技術を実現する主な手段である。しかしながら、ミリ波アンテナが電子デバイスに応用される場合、ミリ波アンテナは通常、電子デバイスの内部の収容空間に配置されており、ミリ波信号アンテナが電子デバイスのスクリーンを透過して放射されるとき、電子デバイスのスクリーンの透過率が低く、アンテナ放射の要求を満たせない。又は、外部のミリ波信号が電子デバイスのスクリーンを透過するとき、電子デバイスのスクリーンの透過率が低い。従って、従来の技術では、５Ｇミリ波通信の性能が悪い。
【発明の概要】
【0004】
ミリ波信号が電子デバイスのスクリーンを透過するとき、電子デバイスのスクリーンの透過率が低いという従来の技術課題を解決するために、本出願は表示画面アセンブリ（ｄｉｓｐｌａｙ ｓｃｒｅｅｎ ａｓｓｅｍｂｌｙ）、アンテナアセンブリ（ａｎｔｅｎｎａ ａｓｓｅｍｂｌｙ）、及び電子デバイスを提供する。
【0005】
第一態様は表示画面アセンブリを提供する。表示画面アセンブリは表示画面本体と電波透過構造を含む。表示画面本体は、予め設定された周波数帯の無線周波数（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ、ＲＦ）信号に対して第一透過率を有する。電波透過構造は表示画面本体に載せられ、少なくとも表示画面本体の一部をカバーする。表示画面アセンブリは、電波透過構造に対応するところにおいて、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対して第二透過率を有し、第二透過率は第一透過率より大きい。
【0006】
第二様態では、本出願はアンテナアセンブリを提供する。アンテナアセンブリはアンテナモジュールと表示画面アセンブリを含む。アンテナモジュールは予め設定された範囲内で、予め設定された周波数帯の無線周波数（ＲＦ）信号を受送信するように構成されている。表示画面アセンブリにおける電波透過構造の少なくとも一部は予め設定された範囲内に位置する。
【0007】
第三様態では、本出願は電子デバイスを提供する。電子デバイスは第二様態に係るアンテナアセンブリを含む。
【0008】
第四様態では、本出願は電子デバイスを提供する。電子デバイスは第一アンテナモジュール、表示画面本体、及び第一電波透過構造を含む。第一アンテナモジュールは、第一予め設定された方向範囲内で、第一周波数帯の第一無線周波数（ＲＦ）信号を受送信するように構成されている。表示画面本体は第一アンテナモジュールと隔てて配置されており、且つ表示画面本体の少なくとも一部は、第一予め設定された方向範囲内に位置し、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対して第一透過率を有する。第一電波透過構造は表示画面本体に載せられる。また、第一電波透過構造は少なくとも表示画面本体の一部をカバーし、且つ第一電波透過構造の少なくとも一部は第一予め設定された範囲内に位置する。電子デバイスは第一電波透過構造に対応するとことで、第一周波数帯の第一ＲＦ信号に対して第二透過率を有する。第二透過率は第一透過率より大きい。
【図面の簡単な説明】
【0009】
本出願の実施形態の技術方案を明らかに説明するために、以下、実施形態の説明に必要な図面を簡単に紹介する。明らかに、説明される図面は本出願のいくつかの実施形態にすぎず、当業者にとって、創造的な努力なしに、これらの図面によって他の図面を得ることができる。
【発明を実施するための形態】
【0010】
第一態様は表示画面アセンブリを提供する。表示画面アセンブリは表示画面本体と電波透過構造を含む。表示画面本体は、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対して第一透過率を有する。電波透過構造は表示画面本体に載せられ、少なくとも表示画面本体の一部をカバーする。表示画面アセンブリは、電波透過構造に対応するところにおいて、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対して第二透過率を有し、第二透過率は第一透過率より大きい。
【0011】
第一態様の第一実施形態では、表示画面アセンブリは、積層配置されている表示画面とカバープレートを含む。電波透過構造はカバープレートの上に配置されている。
【0012】
第一態様の第二実施形態では、表示画面本体はアレイ基板を含む。アレイ基板は基板と、基板にアレイ状に配置された複数の薄膜トランジスタとを含む。薄膜トランジスタは、ゲート、ゲート絶縁層、チャネル層、ソース及びドレインを含む。ゲートは基板の片側に配置されている。ゲート絶縁層はゲートをカバーする。チャネル層はゲート絶縁層の上に配置されており、且つゲートに対応する。ソース及びドレインは、チャネル層の対向する両側に隔てて配置されており、且ついずれもチャネル層とつながる。電波透過構造は単層構造であり、且つゲートと同じ層に配置されている。又は、電波透過構造はソース及びドレインと同じ層に配置されている。
【0013】
第一態様の第三実施形態では、表示画面本体はアレイ基板を含む。アレイ基板は基板と、基板にアレイ状に配置された複数の薄膜トランジスタとを含む。薄膜トランジスタは、ゲート、ゲート絶縁層、チャネル層、ソース及びドレインを含む。ゲートは基板の片側に配置されている。ゲート絶縁層はゲートをカバーする。チャネル層はゲート絶縁層の上に配置されており、且つゲートに対応する。ソース及びドレインは、チャネル層の対向する両側に隔てて配置されており、且ついずれもチャネル層とつながる。電波透過構造は隔てて積層配置されている第一電波透過層と第二電波透過層を含む。第一電波透過層はゲートと同じ層に配置されており、且つ第二電波透過層はソース及びドレインと同じ層に配置されている。
【0014】
第一態様の第四実施形態では、表示画面本体はアレイ基板を含む。アレイ基板は基板と、基板にアレイ状に配置された複数の薄膜トランジスタとを含む。薄膜トランジスタは、遮光層、第一絶縁層、チャネル層、ソース、ドレイン、第二絶縁層、ゲート、及び平坦化層を含む。遮光層は基板の片側に配置されている。第一絶縁層は遮光層をカバーする。チャネル層は第一絶縁層の上に配置されており、且つ遮光層に対応する。ソース及びドレインは、チャネル層の対向する両側に隔てて配置されており、且ついずれもチャネル層とつながる。第二絶縁層はソース及びドレインをカバーする。ゲートは第二絶縁層の上に配置されている。電波透過構造は単層構造であり、且つ遮光層と同じ層に配置されている。電波透過構造はゲートと同じ層に配置されている。電波透過構造はソース及びドレインと同じ層に配置されている。
【0015】
第一態様の第五実施形態では、表示画面本体は、アレイ基板を含み、アレイ基板は基板と、基板にアレイ状に配置された複数の薄膜トランジスタとを含み、薄膜トランジスタは、遮光層、第一絶縁層、チャネル層、ソース、ドレイン、第二絶縁層、ゲート、及び平坦化層を含み、遮光層は基板の片側に配置されている。第一絶縁層は遮光層をカバーする。チャネル層は第一絶縁層の上に配置されており、且つ遮光層に対応する。ソース及びドレインは、チャネル層の対向する両側に隔てて配置されており、且ついずれもチャネル層とつながる。第二絶縁層はソース及びドレインをカバーする。ゲートは第二絶縁層の上に配置されている。電波透過構造は隔てて積層配置されている第一電波透過層と第二電波透過層を含む。第一電波透過層及び第二電波透過層は遮光層、ゲート、ソースのうちの任意の２つと同じ層に配置されている。
【0016】
第一態様の第六実施形態では、表示画面本体は、アレイ基板を含み、アレイ基板は基板と、基板にアレイ状に配置された複数の薄膜トランジスタとを含み、薄膜トランジスタは、遮光層、第一絶縁層、チャネル層、ソース、ドレイン、第二絶縁層、ゲート、及び平坦化層を含み、遮光層は基板の片側に配置されている。第一絶縁層は遮光層をカバーする。チャネル層は第一絶縁層の上に配置されており、且つ遮光層に対応する。ソース及びドレインは、チャネル層の対向する両側に隔てて配置されており、且ついずれもチャネル層とつながる。第二絶縁層はソース及びドレインをカバーする。ゲートは第二絶縁層の上に配置されている。電波透過構造は、隔てて積層配置されている第一電波透過層、第二電波透過層と第三電波透過層を含む。第一電波透過層は遮光層と同じ層に配置されており、第二電波透過層はゲートと同じ層に配置されており、第三電波透過層はソースと同じ層に配置されている。
【0017】
第一態様の第七実施形態では、表示パネルはアレイ基板を含む。アレイ基板は画素電極を含む。画素電極の材料は透明の金属酸化物半導体である。電波透過構造の少なくとも一部は、画素電極と同じ層に配置されており、且つ画素電極と材質が同じである。
【0018】
第一態様の第八実施形態では、表示パネルはアレイ基板とカラーフィルター基板を含む。アレイ基板はカラーフィルター基板と隔てて対向配置されている。電波透過構造は第一電波透過層と第二電波透過層を含む。第一電波透過層はアレイ基板に配置されており、第二電波透過層はカラーフィルター基板に配置されている。
【0019】
第一態様の第八実施形態と結びつけて、第一態様の第九実施形態では、カラーフィルター基板は画素電極を含む。アレイ基板は共通電極を含む。第一電波透過層は画素電極と同じ層に配置されており、第二電波透過層は共通電極と同じ層に配置されている。
【0020】
第一態様の第十実施形態では、表示画面本体は基板及び基板にアレイ状に配置された発光素子を含む。発光素子は第一電極、発光層及び第二電極を含む。発光層と第二電極より、第一電極は基板に隣接して配置されている。発光層は、基板から遠い第一電極の片側に配置されている。第二電極は第一電極から遠い発光層の片側に配置されている。第一電極は第一電圧をロードするように構成されている。第二電極は第二電圧をロードするように構成されている。発光層は第一電圧及び第二電圧の働きで発光するように構成されている。電波透過構造は単層構造であり、電波透過構造は第一電極又は第二電極と同じ層に配置されている。
【0021】
第一態様の第十一実施形態では、表示画面本体は基板及び基板にアレイ状に配置された発光素子を含む。発光素子は第一電極、発光層及び第二電極を含む。発光層と第二電極より、第一電極は基板に隣接して配置されている。発光層は、基板から遠い第一電極の片側に配置されている。第二電極は第一電極から遠い発光層の片側に配置されている。第一電極は第一電圧をロードするように構成されている。第二電極は第二電圧をロードするように構成されている。発光層は第一電圧及び第二電圧の働きで発光するように構成されている。電波透過構造は第一電波透過層と第二電波透過層を含む。第一電波透過層は第一電極と同じ層に配置されており、第二電波透過層は第二電極と同じ層に配置されている。
【0022】
第一態様の第十実施形態又は第十一実施形態に基づいて、第十二実施形態では、第一電極は陽極であり、第二電極は陰極である。又は、第一電極は陰極であり、第二電極は陽極である。
【0023】
第一態様の第三実施形態、又は第五実施形態、第八実施形態、第十一実施形態に基づいて、第十三実施形態では、第一電波透過構造はスルーホールを有する。第二電波透過構造の第一電波透過構造における正投影はスルーホール内に入る。
【0024】
第一態様の第十四実施形態では、表示画面本体は内表面と、内表面に対向する外表面とを含む。電波透過構造は、表示画面本体の内表面の上に配置されている。
【0025】
第一態様の第十五実施形態では、表示画面本体は画面本体と、画面本体の外縁から曲げられて延長されたと延長部を含む。電波透過構造は画面本体に対応して配置されている。又は、電波透過構造は延長部に対応して配置されている。
【0026】
第二様態では、本出願はアンテナアセンブリを提供する。アンテナアセンブリはアンテナモジュールと第一態様、又は第一態様の第一実施形態から第十五実施形態までの任意の一つの実施形態に係る表示画面アセンブリを含む。アンテナモジュールは予め設定された範囲内で、予め設定された周波数帯のＲＦ信号を受送信するように構成されている。表示画面アセンブリにおける電波透過構造の少なくとも一部は予め設定された範囲内に位置する。
【0027】
第三様態では、本出願は電子デバイスを提供する。電子デバイスは第二様態に係るアンテナアセンブリを含む。
【0028】
第四様態では、本出願は電子デバイスを提供する。電子デバイスは第一アンテナモジュール、表示画面本体、及び第一電波透過構造を含む。第一アンテナモジュールは、第一予め設定された方向範囲内で、第一周波数帯の第一ＲＦ信号を受送信するように構成されている。表示画面本体は第一アンテナモジュールと隔てて配置されており、且つ表示画面本体の少なくとも一部は、第一予め設定された方向範囲内に位置し、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対して第一透過率を有する。第一電波透過構造は表示画面本体に載せられる。また、第一電波透過構造は少なくとも表示画面本体の一部をカバーし、且つ第一電波透過構造の少なくとも一部は第一予め設定された範囲内に位置する。電子デバイスは第一電波透過構造に対応するとことで、第一周波数帯の第一ＲＦ信号に対して第二透過率を有する。第二透過率は第一透過率より大きい。
【0029】
第四様態の第一実施形態に係る電子デバイスは、第二アンテナモジュールと第二電波透過構造をさらに含む。第二アンテナモジュールは第一アンテナモジュールと隔てて配置されており、且つ第二アンテナモジュールは第一予め設定された方向範囲以外のところに位置する。第二アンテナモジュールは第二予め設定された方向範囲内で、第二周波数帯の第二ＲＦ信号を受送信するように構成されている。表示画面本体は第二アンテナモジュールと隔てて配置されており、且つ表示画面本体の少なくとも一部は、第二予め設定された方向範囲内に位置する。第二予め設定された方向範囲内に位置する一部の表示画面本体は、第二周波数帯の第二ＲＦ信号に対して第三透過率を有する。第二電波透過構造は表示画面本体に載せられる。また、第二電波透過構造の少なくとも一部は第二予め設定された範囲内に位置する。電子デバイスは第二電波透過構造に対応するとことで、第一周波数帯の第二ＲＦ信号に対して第四透過率を有する。第四透過率は第三透過率より大きい。
【0030】
第四様態の第一実施形態に基づいて、第二実施形態では、表示画面本体は画面本体と、画面本体の外縁から曲げられて延長された延長部とを含む。第一アンテナモジュールと第二アンテナモジュールはいずれも画面本体に対応して配置されている。又は、第一アンテナモジュールと第二アンテナモジュールはいずれも延長部に対応して配置されている。又は、第一アンテナモジュールは画面本体に対応して配置されており、第二アンテナモジュールは延長部に対応して配置されている。
【0031】
以下、本出願の実施形態の図面を参照しながら本出願の実施形態の技術方案を明晰に、全面的に説明する。明らかに、説明される実施形態は、本出願の一部の実施形態だけのものであり、全ての実施形態ではない。本出願に記載された実施形態に基づいて、当業者が創造的な努力なしに得ることができるすべての別の実施形態は、皆本出願の保護範囲に属する。
【0032】
図１を参照すると、図１は、本出願の第一実施形態に係る表示画面アセンブリの構造を示す概略図である。表示画面アセンブリ１００は、表示画面本体１１０と電波透過構造１２０を含む。表示画面本体１１０は、予め設定された周波数帯の無線周波数（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ、ＲＦ）信号に対して第一透過率を有する。電波透過構造１２０は表示画面本体１１０に載せられ、少なくとも表示画面本体１１０の一部をカバーする。表示画面アセンブリ１００は、電波透過構造１２０に対応するところにおいて、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対して第二透過率を有し、第二透過率は第一透過率より大きい。
【0033】
電波透過構造１２０は、直接に表示画面本体１１０の上に配置されてもよく、ベアリングフィルム（ｂｅａｒｉｎｇ ｆｉｌｍ）を介して表示画面本体１１０の上に配置されてもよく、又は表示画面本体１１０の中に埋め込まれてもよい。電波透過構造１２０はベアリングフィルムを介して表示画面本体１１０の上に配置されている場合、ベアリングフィルムは、プラスチック（例えば、ポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ））フィルム、フレキシブル回路基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）、プリント回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）であることができるが、これらに限られていない。ＰＥＴフィルムはカラーフィルム（ｃｏｌｏｒ ｆｉｌｍ）、防爆フィルム（ｅｘｐｌｏｓｉｏｎ－ｐｒｏｏｆ ｆｉｌｍ）であることができるが、これらに限られていない。電波透過構造１２０は表示画面本体１１０の一部をカバーしてもよく、電波透過構造１２０は表示画面本体１１０の全部をカバーしてもよい。表示画面本体１１０は内表面と、内表面に対向する外表面とを含む。電波透過構造１２０は、表示画面本体１１０の内表面の上に配置されてもよく、又は表示画面本体１１０の外表面の上に配置されてもよい。
【0034】
上記表示画面本体１１０は、電子デバイスにおけるディスプレイ機能を実行するコンポーネントである。表示画面本体１１０は一般的に、表示画面１００ａと、表示画面１００ａと積層配置されているカバープレート１００ｂとを含む。表示画面１００ａは、液晶ディスプレイであってもよく、有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）ディスプレイであってもよい。カバープレート１００ｂは表示画面１００ａの上に配置されており、表示画面１００ａを保護するために用いられる。本実施形態では、電波透過構造１２０はカバープレート１００ｂの上に配置されている。電波透過構造１２０は、表示画面１００ａに近いカバープレート１００ｂの表面に配置されてもよい。又は、電波透過構造１２０は、表示画面１００ａから遠いカバープレート１００ｂの表面に配置されてもよい。又は、電波透過構造１２０は、カバープレート１００ｂに埋め込まれてもよい。カバープレート１００ｂが独立なコンポーネントであるため、電波透過構造１２０はカバープレート１００ｂの上に配置されており、且つ電波透過構造１２０は、表示画面１００ａに近いカバープレート１００ｂの表面に配置されており、又は電波透過構造１２０は、表示画面１００ａから遠いカバープレート１００ｂの表面に配置されている場合、電波透過構造１２０と表示画面本体１１０を結びつける難易度は下げられることができる。図１では、例示として、電波透過構造１２０は表示画面本体１１０の全部をカバーし、且つ電波透過構造１２０は、表示画面１００ａに近いカバープレート１００ｂの表面に直接に配置されている。
【0035】
電波透過構造１２０は単一周波数単一偏波（ｓｉｎｇｌｅ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｓｉｎｇｌｅ－ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）、単一周波数二重偏波（ｓｉｎｇｌｅ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｄｕａｌ－ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）、二周波数二重偏波（ｄｕａｌ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｄｕａｌ－ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）、二周波数単一偏波（ｄｕａｌ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｓｉｎｇｌｅ－ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）、広帯域単一偏波（ｗｉｄｅ－ｂａｎｄ ｓｉｎｇｌｅ－ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）、広帯域二重偏波（ｗｉｄｅ－ｂａｎｄ ｄｕａｌ－ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）などの特性のうちの任意の一つを有することができる。従って、電波透過構造１２０は、二周波数共振応答（ｄｕａｌ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｒｅｓｐｏｎｓｅ）、又は単一周波数共振応答（ｓｉｎｇｌｅ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｒｅｓｐｏｎｓ）、又は広帯域共振応答（ｗｉｄｅ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｒｅｓｐｏｎｓｅ）、又は多重周波数共振応答（ｍｕｌｔｉ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｒｅｓｐｏｎｓｅ）のうちの任意の一つを有することができる。電波透過構造１２０は、金属材料で作られてもよく、非金属の導電性材料で作られてもよい。
【0036】
一方、表示画面本体１１０の上にある電波透過構造１２０は、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に励磁され、電波透過構造１２０は、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に基づいて、予め設定された周波数帯と同じ周波数帯のＲＦ信号を生成する。電波透過構造１２０によって生成されるＲＦ信号は、表示画面本体１１０を透過して自由空間に放射される。電波透過構造１２０は励磁され、且つ予め設定された周波数帯と同じ周波数帯のＲＦ信号を生成するため、表示画面本体１１０を透過して自由空間に放射される予め設定された周波数帯のＲＦ信号の量が増え、即ち、電波透過構造１２０を配置することで、表示画面アセンブリ１００の予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対する透過率を上げることができる。
【0037】
他方、表示画面アセンブリ１００は電波透過構造１２０及び表示画面本体１１０を含む。そのため、表示画面アセンブリ１００の誘電率は、予め設定された材料の誘電率に相当する。誘電率を有する予め設定された材料は予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対する透過率が高く、且つ予め設定された材料の等価波動インピーダンス（ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ ｗａｖｅ ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）は自由空間の等価波動インピーダンスに等しい又はほぼ等しい。
【0038】
ＲＦ信号は、ミリ波周波数帯のＲＦ信号、又はテラヘルツ周波数帯のＲＦ信号であることができるが、これらに限られていない。現在、第五世代無線通信システム（５ｔｈ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｗｉｒｅｌｅｓｓ ｓｙｓｔｅｍｓ）では、３ＧＰＰ ＴＳ３８.１０１プロトコルの規定において、５Ｇニューラディオ（ｎｅｗ ｒａｄｉｏ、ＮＲ）は主に、周波数帯（ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｒａｎｇｅ、ＦＲ）１と周波数帯（ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｒａｎｇｅ、ＦＲ）２を用いる。ＦＲ１はサブ６ＧＨｚ帯とも呼ばれ、周波数帯の範囲が４５０ＭＨｚ～６ＧＨｚである。ＦＲ２はミリ波(ｍｍ Ｗａｖｅ)周波数帯に属し、周波数帯の範囲が２４.２５ＧＨｚ～５２.６ＧＨｚである。３ＧＰＰリリース１５バージョンに、５Ｇミリ波周波数帯は現在、ｎ２５７(２６.５～２９.５ＧＨｚ)、ｎ２５８(２４.２５～２７.５ＧＨｚ)、ｎ２６１(２７.５～２８.３５ＧＨｚ)とｎ２６０(３７～４０ＧＨｚ)を含むと定められている。
【0039】
本出願に係る表示画面アセンブリ１００は、電波透過構造１２０が表示画面本体１１０に載せられることによって、電波透過構造１２０の働きで、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対する透過率を上げることができる。表示画面アセンブリ１００は電子デバイス１に応用される場合、電子デバイスの内部に配置されたアンテナモジュールの放射性能に対する表示画面アセンブリ１００の影響を低減することができる。これで、電子デバイス１の通信性能を高めることができる。
【0040】
さらに、表示画面本体１１０が正常に表示できるように、電波透過構造１２０の可視光透過率を予め設定された透過率より大きく設定する。予め設定された透過率は８０％であることができるが、これに限られていない。電波透過構造１２０が表示画面本体１１０に応用され、電波透過構造１２０の可視光透過率が予め設定された透過率より大きいため、電波透過構造１２０が配置された表示画面アセンブリ１００の透過率が高く、表示画面アセンブリ１００の正常な表示に対して大きな影響が出ない。
【0041】
図２と図３を参照すると、図２は、本出願の第二実施形態に係る表示画面アセンブリの構造を示す概略図であり、図３は、図２に示されるアレイ基板（ａｒｒａｙ ｓｕｂｓｔｒａｔ）の断面構造図である。便利に示すために、図には、ただ一つの薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）１１１ｂを示した。表示画面本体１１０はアレイ基板１１１を含む。アレイ基板１１１は基板１１１ａと、基板１１１ａにアレイ状に配置された複数の薄膜トランジスタ１１１ｂとを含む。薄膜トランジスタ１１１ｂは、ゲート５１０、ゲート絶縁層５２０、チャネル層５３０、ソース５４０及びドレイン５５０を含む。ゲート５１０は基板１１１ａの片側に配置されている。ゲート絶縁層５２０はゲート５１０をカバーする。チャネル層５３０はゲート絶縁層５２０の上に配置されており、且つゲート５１０に対応する。ソース５４０及びドレイン５５０は、チャネル層５３０の対向する両側に隔てて配置されており、且ついずれもチャネル層５３０とつながる。電波透過構造１２０は単層構造であり、且つゲート５１０と同じ層に配置されている。
【0042】
さらに、薄膜トランジスタ１１１ｂは平坦化層５８０を含む。平坦化層５８０は、ソース５４０及びドレイン５５０をカバーする。
【0043】
本出願に係る表示画面アセンブリ１００は、電波透過構造１２０が表示画面本体１１０に載せられることによって、電波透過構造１２０の働きで、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対する透過率を上げることができる。表示画面アセンブリ１００は電子デバイス１に応用される場合、電子デバイスの内部に配置されたアンテナモジュールの放射性能に対する表示画面アセンブリ１００の影響を低減することができる。これで、電子デバイス１の通信性能を高めることができる。さらに、本出願に係る表示画面アセンブリ１００では、電波透過構造１２０はゲート５１０と同じ層に配置されているため、製造するとき、電波透過構造１２０はゲート５１０と同じ工程で製造されることができる。これで、製造工程を減らすことができる。
【0044】
図４を参照すると、図４は、本出願の第三実施形態に係る表示画面アセンブリにけるアレイ基板の断面構造図である。本実施形態に係る表示画面アセンブリ１００は、本出願の第二実施形態に係る表示画面アセンブリ１００と大体同じ構造を有する。しかしながら、本実施形態では、電波透過構造１２０はソース５４０及びドレイン５５０と同じ層に配置されているというところが違う。
【0045】
さらに、薄膜トランジスタ１１１ｂは平坦化層５８０を含む。平坦化層５８０は、ソース５４０、ドレイン５５０、及び電波透過構造１２０をカバーする。
【0046】
本出願に係る表示画面アセンブリ１００は、電波透過構造１２０が表示画面本体１１０に載せられることによって、電波透過構造１２０の働きで、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対する透過率を上げることができる。表示画面アセンブリ１００は電子デバイス１に応用される場合、電子デバイスの内部に配置されたアンテナモジュールの放射性能に対する表示画面アセンブリ１００の影響を低減することができる。これで、電子デバイス１の通信性能を高めることができる。さらに、本出願に係る表示画面アセンブリ１００では、電波透過構造１２０はゲート５１０と同じ層に配置されているため、製造するとき、電波透過構造１２０はソース５４０及びドレイン５５０と同じ工程で製造されることができる。これで、製造工程を減らすことができる。
【0047】
図５を参照すると、図５は、本出願の第四実施形態に係る表示画面アセンブリにけるアレイ基板の断面構造図である。表示画面本体１１０はアレイ基板１１１を含む。アレイ基板１１１は基板１１１ａと、基板１１１ａにアレイ状に配置された複数の薄膜トランジスタ１１１ｂとを含む。薄膜トランジスタ１１１ｂは、ゲート５１０、ゲート絶縁層５２０、チャネル層５３０、ソース５４０及びドレイン５５０を含む。ゲート５１０は基板１１１ａの片側に配置されている。ゲート絶縁層５２０はゲート５１０をカバーする。チャネル層５３０はゲート絶縁層５２０の上に配置されており、且つゲート５１０に対応する。ソース５４０及びドレイン５５０は、チャネル層５３０の対向する両側に隔てて配置されており、且ついずれもチャネル層５３０とつながる。電波透過構造１２０は隔てて積層配置されている第一電波透過層１２１と第二電波透過層１２２を含む。第一電波透過層１２１はゲート５１０と同じ層に配置されており、且つ第二電波透過層１２２は、ソース５４０及びドレイン５５０と同じ層に配置されている。
【0048】
本出願に係る表示画面アセンブリ１００は、電波透過構造１２０が表示画面本体１１０に載せられることによって、電波透過構造１２０の働きで、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対する透過率を上げることができる。表示画面アセンブリ１００は電子デバイス１に応用される場合、電子デバイスの内部に配置されたアンテナモジュールの放射性能に対する表示画面アセンブリ１００の影響を低減することができる。これで、電子デバイス１の通信性能を高めることができる。さらに、本出願に係る表示画面アセンブリ１００では、電波透過構造１２０はゲート５１０と同じ層に配置されているため、製造するとき、第一電波透過層１２１はゲート５１０と同じ工程で製造されることができ、第二電波透過層１２２はソース５４０及びドレイン５５０と同じ工程で製造されることができる。これで、製造工程を減らすことができる。
【0049】
図６を参照すると、図６は、本出願の第五実施形態に係る表示画面アセンブリにけるアレイ基板の断面構造図である。表示画面本体１１０はアレイ基板１１１を含む。アレイ基板１１１は基板１１１ａと、基板１１１ａにアレイ状に配置された複数の薄膜トランジスタ１１１ｂとを含む。薄膜トランジスタ１１１ｂは、遮光層５９０、第一絶縁層５６０、チャネル層５３０、ソース５４０、ドレイン５５０、第二絶縁層５７０、ゲート５１０、及び平坦化層５８０を含む。遮光層５９０は基板１１１ａの片側に配置されている。第一絶縁層５６０は遮光層５９０をカバーする。チャネル層５３０は第一絶縁層５６０の上に配置されており、且つ遮光層５９０に対応する。ソース５４０及びドレイン５５０は、チャネル層５３０の対向する両側に隔てて配置されており、且ついずれもチャネル層５３０とつながる。第二絶縁層５７０はソース５４０及びドレイン５５０をカバーする。ゲート５１０は第二絶縁層５７０の上に配置されている。電波透過構造１２０は単層構造であり、且つ遮光層５９０と同じ層に配置されている。他の実施形態において、電波透過構造１２０はゲート５１０と同じ層に配置されている。又は、他の実施形態において、電波透過構造１２０はソース５４０及びドレイン５５０と同じ層に配置されている。さらに、薄膜トランジスタ１１１ｂは平坦化層５８０を含む。平坦化層５８０はゲート５１０をカバーする。図６に示されたのは、電波透過構造１２０がソース５４０及びドレイン５５０と同じ層に配置されているものである。
【0050】
本出願に係る表示画面アセンブリ１００は、電波透過構造１２０が表示画面本体１１０に載せられることによって、電波透過構造１２０の働きで、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対する透過率を上げることができる。表示画面アセンブリ１００は電子デバイス１に応用される場合、電子デバイスの内部に配置されたアンテナモジュールの放射性能に対する表示画面アセンブリ１００の影響を低減することができる。これで、電子デバイス１の通信性能を高めることができる。電波透過構造１２０はゲート５１０と同じ層に配置され、又は、電波透過構造１２０はソース５４０及びドレイン５５０と同じ層に配置されることで、製造工程を減らすことができる。
【0051】
図７を参照すると、図７は、本出願の第五実施形態に係る表示画面アセンブリにけるアレイ基板の断面構造図である。表示画面本体１１０はアレイ基板１１１を含む。アレイ基板１１１は基板１１１ａと、基板１１１ａにアレイ状に配置された複数の薄膜トランジスタ１１１ｂとを含む。薄膜トランジスタ１１１ｂは、遮光層５９０、第一絶縁層５６０、チャネル層５３０、ソース５４０、ドレイン５５０、第二絶縁層５７０、ゲート５１０、及び平坦化層５８０を含む。遮光層５９０は基板１１１ａの片側に配置されている。第一絶縁層５６０は遮光層５９０をカバーする。チャネル層５３０は第一絶縁層５６０の上に配置されており、且つ遮光層５９０に対応する。ソース５４０及びドレイン５５０は、チャネル層５３０の対向する両側に隔てて配置されており、且ついずれもチャネル層５３０とつながる。第二絶縁層５７０はソース５４０及びドレイン５５０をカバーする。ゲート５１０は第二絶縁層５７０の上に配置されている。電波透過構造１２０は隔てて積層配置されている第一電波透過層１２１と第二電波透過層１２２を含む。第一電波透過層１２１及び第二電波透過層１２２は遮光層５９０、ゲート５１０、ソース５４０のうちの任意の２つと同じ層に配置されている。図７では、例示として、第一電波透過層１２１は遮光層５９０と同じ層に配置されており、第二電波透過層１２２はソース５４０及びドレイン５５０と同じ層に配置されている。
【0052】
本出願に係る表示画面アセンブリ１００は、電波透過構造１２０が表示画面本体１１０に載せられることによって、電波透過構造１２０の働きで、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対する透過率を上げることができる。表示画面アセンブリ１００は電子デバイス１に応用される場合、電子デバイスの内部に配置されたアンテナモジュールの放射性能に対する表示画面アセンブリ１００の影響を低減することができる。これで、電子デバイス１の通信性能を高めることができる。さらに、第一電波透過層１２１及び第二電波透過層１２２は遮光層５９０、ゲート５１０、ソース５４０のうちの任意の２つと同じ層に配置されている。これによって、製造工程を減らすことができる。
【0053】
さらに、他の実施形態において、電波透過構造１２０は隔てて配置されている第一電波透過層１２１と第二電波透過層１２２を含む場合、第一電波透過層１２１は、表示画面アセンブリ１００の遮光層５９０とされることができる。遮光層５９０は、遮光層５９０から遠い基板１１１ａの表面からチャネル層５３０に入射する光線による薄膜トランジスタの性能に不具合が生じることを防止するために用いられる。
【0054】
図８を参照すると、図８は、本出願の第六実施形態に係る表示画面アセンブリにけるアレイ基板の断面構造図である。表示画面本体１１０はアレイ基板１１１を含む。アレイ基板１１１は基板１１１ａと、基板１１１ａにアレイ状に配置された複数の薄膜トランジスタ１１１ｂとを含む。薄膜トランジスタ１１１ｂは、遮光層５９０、第一絶縁層５６０、チャネル層５３０、ソース５４０、ドレイン５５０、第二絶縁層５７０、ゲート５１０、及び平坦化層５８０を含む。遮光層５９０は基板１１１ａの片側に配置されている。第一絶縁層５６０は遮光層５９０をカバーする。チャネル層５３０は第一絶縁層５６０の上に配置されており、且つ遮光層５９０に対応する。ソース５４０及びドレイン５５０は、チャネル層５３０の対向する両側に隔てて配置されており、且ついずれもチャネル層５３０とつながる。第二絶縁層５７０はソース５４０及びドレイン５５０をカバーする。ゲート５１０は第二絶縁層５７０の上に配置されている。電波透過構造１２０は、隔てて積層配置されている第一電波透過層１２１、第二電波透過層１２２と第三電波透過層１２３を含む。第一電波透過層１２１は遮光層５９０と同じ層に配置されており、第二電波透過層１２２はソース５４０及びドレイン５５０と同じ層に配置されており、第三電波透過層１２３はゲート５１０と同じ層に配置されている。
【0055】
図９を参照すると、図９は、本出願の第七実施形態に係る表示画面アセンブリの構造を示す概略図である。表示画面アセンブリ１００はアレイ基板１１１、カラーフィルター基板１１２及び液晶層１１３を含む。アレイ基板１１１はカラーフィルター基板１１２と隔てて対向配置されている。液晶層１１３はアレイ基板１１１とカラーフィルター基板１１２の間に配置されている。アレイ基板１１１は画素電極６１０を含む。画素電極６１０の材料は透明の金属酸化物半導体である。電波透過構造１２０の少なくとも一部は、画素電極６１０と同じ層に配置されており、且つ画素電極６１０と同じ材質を有する。画素電極６１０は薄膜トランジスタ１１１ｂにおけるドレイン５５０と電気的に結合する。画素電極６１０は上記任意の実施形態に記載された薄膜トランジスタ１１１ｂに結合することができる。図１４では、例示として、画素電極６１０はその中の一つの薄膜トランジスタ１１１ｂに結合する。
【0056】
図１０を参照すると、図１０は、本出願の第八実施形態に係る表示画面アセンブリの構造を示す概略図である。表示パネルはアレイ基板１１１とカラーフィルター基板１１２を含む。アレイ基板１１１はカラーフィルター基板１１２と隔てて対向配置されている。電波透過構造１２０は第一電波透過層１２１と第二電波透過層１２２を含む。第一電波透過層はアレイ基板１１１に配置されており、第二電波透過層１２２はカラーフィルター基板１１２に配置されている。さらに、表示画面アセンブリ１００は液晶層１１３を含む。アレイ基板１１１はカラーフィルター基板１１２と隔てて対向配置されている。液晶層１１３はアレイ基板１１１とカラーフィルター基板１１２の間に配置されている。
【0057】
さらに、カラーフィルター基板１１２は画素電極６１０を含む。アレイ基板１１１は共通電極１１２１を含む。第一電波透過層１２１は画素電極６１０と同じ層に配置されており、第二電波透過層１２２は共通電極１１２１と同じ層に配置されている。画素電極６１０は共通電極１１２１と協力して液晶層１１３における液晶分子の配向をコントロールする。
【0058】
図１１と図１２を参照すると、図１１は、本出願の第九実施形態に係る表示画面アセンブリの構造を示す概略図である。図１２は、図１１に示される表示画面アセンブリの断面構造図である。表示画面本体１１０は基板１１１ａ及び基板１１１ａにアレイ状に配置された発光素子７００を含む。発光素子７００は第一電極７１０、発光層７３０及び第二電極７２０を含む。発光層７３０と第二電極７２０より、第一電極７１０は基板１１１ａに隣接して配置されている。発光層７３０は、基板１１１ａから遠い第一電極７１０の片側に配置されている。第二電極７２０は第一電極７１０から遠い発光層７３０の片側に配置されている。第一電極７１０は第一電圧をロード（ｌｏａｄ）するように構成されている。第二電極７２０は第二電圧をロードするように構成されている。発光層７３０は第一電圧及び第二電圧の働きで発光するように構成されている。電波透過構造１２０は単層構造であり、電波透過構造１２０は第一電極７１０又は第二電極７２０と同じ層に配置されている。図１２では、例示として、電波透過構造１２０は第一電極７１０と同じ層に配置されている。
【0059】
以下、発光素子７００の動作原理を説明する。一つの実施形態において、第一電極７１０は陽極であり、第二電極７２０は陰極である。この場合、第一電極７１０は正孔を生成するために用いられ、第二電極７２０は電子を生成するために用いられる。第一電極７１０によって生成された正孔と第二電極７２０によって生成された電子は、発光層７３０で結合されて光線を生成する。別の実施形態において、第一電極７１０は陰極であり、第二電極７２０は陽極である。発光素子７００は正孔注入輸送層７４０と電子注入輸送層７５０をさらに含む。第一電極７１０が陽極で第二電極７２０が陰極である場合、正孔注入輸送層７４０は第一電極７１０と発光層７３０の間に配置されて、第一電極７１０によって生成された正孔を発光層７３０に輸送する。電子注入輸送層７５０は第二電極７２０と発光層７３０の間に配置されており、第二電極７２０によって生成された電子を発光層７３０に輸送する。
【0060】
図１３と図１４を参照すると、図１３は、本出願の第十実施形態に係る表示画面アセンブリの構造を示す概略図である。図１４は、図１３に係わる表示画面アセンブリの断面構造図である。表示画面本体１１０は基板１１１ａ及び基板１１１ａにアレイ状に配置された発光素子７００を含む。発光素子７００は第一電極７１０、発光層７３０及び第二電極７２０を含む。発光層７３０及び第二電極７２０より、第一電極７１０は基板１１１ａに隣接して配置されている。発光層７３０は、基板１１１ａから遠い第一電極７１０の片側に配置されている。第二電極７２０は第一電極７１０から遠い発光層７３０の片側に配置されている。第一電極７１０は第一電圧をロードするように構成されている。第二電極７２０は第二電圧をロードするように構成されている。発光層７３０は第一電圧及び第二電圧の働きで発光するように構成されている。電波透過構造１２０は第一電波透過層１２１と第二電波透過層１２２を含む。第一電波透過層１２１は第一電極７１０と同じ層に配置されており、第二電波透過層１２２は第二電極７２０と同じ層に配置されている。
【0061】
一つの実施形態において、第一電極７１０は陽極であり、第二電極７２０は陰極である。別の実施形態において、第一電極７１０は陰極であり、第二電極７２０は陽極である。発光素子７００は正孔注入輸送層７４０と電子注入輸送層７５０をさらに含む。第一電極７１０が陽極で第二電極７２０が陰極である場合、正孔注入輸送層７４０は第一電極７１０と発光層７３０の間に配置されて、第一電極７１０によって生成された正孔を発光層７３０に輸送する。電子注入輸送層７５０は第二電極７２０と発光層７３０の間に配置されており、第二電極７２０によって生成された電子を発光層７３０に輸送する。第一電波透過層１２１と第二電波透過層１２２との間に絶縁層７６１が配置されている。
【0062】
図１５を参照すると、図１５は、本出願の第十一実施形態に係る表示画面アセンブリの構造を示す概略図である。表示画面本体１１０は画面本体４１０と、画面本体４１０の外縁から曲げられて延長された延長部４２０とを含む。電波透過構造１２０は画面本体４１０に対応して配置されている。本実施形態では、例示として、表示画面本体１１０は積層配置されている表示画面１００ａ及びカバープレート１００ｂを含み、且つ電波透過構造１２０は表示画面１００ａに対向するカバープレート１００ｂの表面に配置されている。
【0063】
図１６を参照すると、図１６は、本出願の第十二実施形態に係る表示画面アセンブリの構造を示す概略図である。本実施形態に係る表示画面アセンブリ１００は本出願の第十一実施形態に係る表示画面アセンブリ１００と大体同じ構造を有する。しかしながら、電波透過構造１２０は延長部４２０に対応して配置されているというところが違う。
【0064】
図１７を参照すると、図１７は、本出願の第一実施形態に係る電波透過構造を示す概略図である。本実施形態において、電波透過構造１２０は隔てて配置されている第一電波透過層１２１と第二電波透過層１２２を含む。第一電波透過層１２１と第二電波透過層１２２は結合する。第一電波透過構造１２５はスルーホール１２５１を有する。第二電波透過構造１２６の第一電波透過構造１２５における正投影はスルーホール１２５１内に入る。
【0065】
電波透過構造１２０は隔てて配置されている第一電波透過層１２１と第二電波透過層１２２を含む場合、第一電波透過層１２１と第二電波透過層１２２は結合する。これで、表示画面アセンブリ１００は、電波透過構造１２０が配置されていない表示画面アセンブリより、電波透過構造１２０に対応するところにおける予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対する透過率が高い。
【0066】
図１８を参照すると、図１８は、本出願の第二実施形態に係る電波透過構造を示す概略図である。電波透過構造１２０は、上記任意の実施形態に係る表示画面アセンブリに応用されることができる。電波透過構造１２０は複数の共振素子１２０ｂを含む。共振素子１２０ｂは周期的に配置されている。
【0067】
図１９を参照すると、図１９は、本出願の第三実施形態に係る電波透過構造を示す概略図である。電波透過構造１２０は、上記任意の実施形態に係る表示画面アセンブリに応用されることができる。電波透過構造１２０は複数の共振素子１２０ｂを含む。共振素子１２０ｂは非周期的に配置されている。
【0068】
図２０、図２１と図２２を参照すると、図２０は、本出願の第四実施形態に係る電波透過断面構造図である。図２１は、本出願の第四実施形態に係る電波透過構造における第一電波透過層の構造を示す概略図である。図２２は、本出願の第四実施形態に係る電波透過構造における第二電波透過層の構造を示す概略図である。電波透過構造１２０は、上記任意の実施形態に係る表示画面アセンブリに応用されることができる。電波透過構造１２０は隔てて配置されている第一電波透過層１２１、第二電波透過層１２２と第三電波透過層１２３を含む。第一電波透過層１２１と第二電波透過層１２２の間に第一誘電体層１１１が配置されている。第二電波透過層１２２と第三電波透過層１２３の間に第二誘電体層１１２が配置されている。第一電波透過層１２１、第一誘電体層１１１、第二電波透過層１２２、第二誘電体層１１２と第三電波透過層１２３は順に積層配置されている。第一電波透過層１２１はアレイ状に配置された複数の第一パッチ（ｐａｔｃｈ）１２１１を含む。第二電波透過層１２２は周期的に配置されたグリッド構造１２２１を含む。第三電波透過層１２３はアレイ状に配置された複数の第二パッチ１２３１を含む。第一パッチ１２１１又は第二パッチ１２３１のサイズＬ１が小さければ小さいほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移り、且つ帯域幅が狭くなる。第二電波透過層１２２におけるグリッド構造１２２１の幅Ｗ１が小さければ小さいほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移り、且つ帯域幅が広くなる。電波透過構造１２０の周期Ｐが大きければ大きいほど、予め設定された周波数帯は高周波へ移り、且つ帯域幅が広くなる。電波透過構造１２０が厚ければ厚いほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移り、帯域幅が狭くなる。誘電体基板１１０（誘電体基板は表示画面本体又はカバープレートであることができる）の誘電率が大きければ大きいほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移り、且つ帯域幅が狭くなる。本実施形態において、一つのグリッド構造１２２１は四つの第一パッチ１２１１に対応し、四つの第三パッチ１２３１に対応し、且つ電波透過構造１２０の一つの周期とされる。
【0069】
図２３を参照すると、図２３は、本出願の第四実施形態に係る電波透過構造の等価回路図を示す図である。この等価回路図では、予め設定された周波数帯への影響が小さい要素を考慮に入れなかった。例えば、第一電波透過層１２１のインダクタンス（ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ）、第三電波透過層１２３のインダクタンス、及び第二電波透過層１２２のキャパシタンス（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）が挙げられる。第一電波透過層１２１はキャパシタ（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）Ｃ１に相当し、第二電波透過層１２２はキャパシタＣ２に相当し、第一電波透過層１２１と第二電波透過層１２２の結合容量はキャパシタＣ３に相当し、第三電波透過層１２３はインダクタ（ｉｎｄｕｃｔｏｒ）Ｌに相当する。Ｚ０は自由空間のインピーダンス（ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）を示し、Ｚ１は誘電体基板１１０のインピーダンスを示し、Ｚ１＝Ｚ０/(Ｄｋ)１/２。予め設定された周波数帯は中心周波数ｆ０を有し、ｆ０＝１/[２π/(ＬＣ)１/２]。帯域幅Δｆと中心周波数ｆ０の比率は、(Ｌ/Ｃ)１/２に正比例する。第一パッチ１２１１又は第二パッチ１２３１のサイズが小さければ小さいほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移り、且つ帯域幅が狭くなる。第二電波透過層１２２におけるグリッド構造１２２１の幅が小さければ小さいほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移り、且つ帯域幅が広くなる。電波透過層１２０ａの周期が大きければ大きいほど、予め設定された周波数帯は高周波へ移り、且つ帯域幅が広くなる。電波透過層１２０ａが厚ければ厚いほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移り、帯域幅が狭くなる。誘電体基板１１０の誘電率が大きければ大きいほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移り、且つ帯域幅が狭くなる。
【0070】
第一誘電体層１１１と第二誘電体層１１２の材料がガラスである場合、ガラスの誘電率は通常６～７.６の範囲にある。予め設定された周波数帯が２０～３５ＧＨｚの範囲にある場合、第一パッチ１２１１のサイズは通常０.５～０.８ｍｍの範囲にある。第二電波透過構造１２８におけるグリッドの実体の部分の幅は通常０.１～０.５ｍｍの範囲にある。一つの周期の長さは通常１.５～３.０ｍｍの範囲にある。電波透過構造１２０が電子デバイスの表示画面アセンブリに応用される場合、アンテナモジュール２００の上部表面と表示画面アセンブリの内表面の間の距離は通常、零以上であればいい。本出願では、通常は０.５～１.２ｍｍの範囲にある。
【0071】
図２４を参照すると、図２４は、本出願の第五実施形態に係る電波透過構造における第一電波透過層を示す概略図である。本実施形態に係る電波透過構造１２０は第四実施形態に係る電波透過構造１２０と大体同じである。しかしながら、下記のところが違う。第四実施形態では、第一パッチ１２１１は矩形パッチであり、本実施形態では、第一電波透過層１２１はアレイ状に配置された複数の第一パッチ１２１１を含み、第一パッチ１２１１は円形である。選択的に、円形の第一パッチ１２１１の直径Ｄの範囲は０.５～０.８ｍｍである。
【0072】
本実施形態において、第三電波透過層１２３はアレイ状に配置された複数の第二パッチ１２３１を含む。第二パッチ１２３１は円形である。選択的に、円形の第二パッチ１２３１の直径Ｄの範囲は０.５～０.８ｍｍである。第三電波透過層１２３の構造は第一電波透過層１２１の構造と同じであることができる。
【0073】
図２５を参照すると、図２５は、本出願の第六実施形態に係る電波透過構造における第一電波透過層の構造を示す概略図である。本実施形態に係る電波透過構造１２０は第四実施形態に係る電波透過構造１２０と大体同じである。しかしながら、下記のところが違う。第四実施形態では、第一パッチ１２１１は矩形パッチであり、本実施形態では、第一電波透過層１２１はアレイ状に配置された複数の第一パッチ１２１１を含み、第一パッチ１２１１は環状である。第一パッチ１２１１は環状で且つ材料が金属である場合、電波透過構造１２０の透明度（可視光透過率）は上げられることができる。環状の第一パッチ１２１１は外径Ｄｏと内径Ｄｉを有する。外径Ｄｏは通常０.５～０.８ｍｍの範囲にある。一般的に、外径Ｄｏと内径Ｄｉの差（即ち、Ｄｏ－Ｄｉ）の値が小さければ小さいほど、電波透過構造１２０の可視光透過率が高くなるが、挿入損失が大きくなる。電波透過構造１２０の可視光透過率と挿入損失のバランスを考慮に入れて、Ｄｏ－Ｄｉの値は通常０.５ｍｍ以上である。第三電波透過層１２３の構造は第一電波透過層１２１の構造と同じであることができる。
【0074】
図２６を参照すると、図２６は、本出願の第七実施形態に係る電波透過構造における第一電波透過層の構造を示す概略図である。本実施形態に係る電波透過構造１２０は第四実施形態に係る電波透過構造１２０と大体同じである。しかしながら、下記のところが違う。第四実施形態では、第一パッチ１２１１は矩形パッチであり、本実施形態では、第一電波透過層１２１はアレイ状に配置された複数の第一パッチ１２１１を含み、第一パッチ１２１１は正方形の環状である。正方形の環状の第一パッチ１２１１は外側の辺長Ｌｏと内側の辺長Ｌｉを有する。外側の辺長Ｌｏは通常０.５～０.８ｍｍの範囲にある。一般的に、外側の辺長Ｌｏと内側の辺長Ｌｉの差（即ち、Ｌｏ－Ｌｉ）の値が小さければ小さいほど、電波透過構造１２０の可視光透過率が高くなるが、挿入損失が大きくなる。電波透過構造１２０の可視光透過率と挿入損失のバランスを考慮に入れて、Ｌｏ－Ｌｉの値は通常０.５ｍｍ以上である。第三電波透過層１２３の構造は第一電波透過層１２１の構造と同じであることができる。
【0075】
図２７を参照すると、図２７は、本出願の第八実施形態に係る電波透過構造における第一電波透過層の構造を示す概略図である。本実施形態に係る電波透過構造１２０はアレイ状に配置された複数の第一パッチ１２１１を含む。各第一パッチ１２１１はいずれも正方形の金属メッシュグリッド（ｍｅｓｈ ｇｒｉｄ）パッチである。具体的に、第一パッチ１２１１は複数の第一ブランチ１２１２と複数の第二ブランチ１２１３を含む。複数の第一ブランチ１２１２は隔てて配列されており、複数の第二ブランチ１２１３は隔てて配列されており、且つ第二ブランチ１２１３と第一ブランチ１２１２は交差して接続される。選択的に、第一ブランチ１２１２は第一方向に沿って延長し、且つ複数の第一ブランチ１２１２は第二方向に沿って隔てて配列される。選択的に、第二ブランチ１２１３は第一ブランチ１２１２と垂直に交差する。選択的に、第一パッチ１２１１の辺長は０.５～０.８ｍｍの範囲にある。
【0076】
図２８を参照すると、図２８は、本出願に係るアンテナアセンブリの構造を示す概略図である。アンテナアセンブリ１０はアンテナモジュール２００と上記任意の実施形態に係る表示画面アセンブリ１００を含む。アンテナモジュール２００は予め設定された範囲内で、予め設定された周波数帯のＲＦ信号を受送信するように構成されている。表示画面アセンブリ１００における電波透過構造１２０の少なくとも一部は予め設定された範囲内に位置する。本実施形態に係るアンテナアセンブリ１０に含まれる表示画面アセンブリ１００は、本出願の第一実施形態に係る表示画面アセンブリ１００を例示とする。
【0077】
図２９を参照すると、図２９は、本出願の第一実施形態に係る電子デバイスの構造を示す概略図である。電子デバイス１はアンテナアセンブリ１０を含む。アンテナアセンブリ１０については、上記内容を参照することができる。ここでは繰り返さない。
【0078】
図３０と図３１を参照すると、図３０は、本出願の第二実施形態に係る電子デバイスの構造を示す概略図である。図３１は、図３０のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面構造図である。電子デバイス１はアンテナアセンブリ１０を含む。アンテナアセンブリ１０については、上記内容を参照することができる。ここでは繰り返さない。表示画面本体１１０は画面本体４１０と、画面本体４１０の外縁から曲げられて延長された延長部４２０とを含む。電波透過構造１２０は画面本体４１０に対応して配置されている。
【0079】
図３２と図３３を参照すると、図３２は、本出願の第三実施形態に係る電子デバイスの構造を示す概略図である。図３３は、図３２のＩＶ－ＩＶ線に沿った断面構造図である。電子デバイス１はアンテナアセンブリ１０を含む。アンテナアセンブリ１０については、上記内容を参照することができる。ここでは繰り返さない。表示画面本体１１０は画面本体４１０と、画面本体４１０の外縁から曲げられて延長された延長部４２０とを含む。電波透過構造１２０は延長部４２０に対応して配置されている。
【0080】
図３４を参照すると、図３４は、本出願の一つの実施形態に係るアンテナモジュールの断面構造図である。アンテナモジュール２００は、無線周波数（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ、ＲＦ）チップ２３０、絶縁基板２４０、及び一つ又は複数の第一アンテナ放射体２５０を含む。ＲＦチップ２３０は励磁信号（ＲＦ信号とも呼ばれる）を生成するように構成されている。一つ又は複数の第一アンテナ放射体２５０と比べて、ＲＦチップ２３０は電波透過構造１２０からより遠く配置されている。絶縁基板２４０は一つ又は複数の第一アンテナ放射体２５０を載せるように構成されている。ＲＦチップ２３０は、絶縁基板２４０に埋め込まれる伝送線を介して、一つ又は複数の第一アンテナ放射体２５０と電気的に結合する。具体的に、絶縁基板２４０は第一表面２４０ａと、第一表面２４０ａに対向する第二表面２４０ｂとを含む。絶縁基板２４０は一つ又は複数の第一アンテナ放射体２５０を載せるように構成されている。具体的に、一つ又は複数の第一アンテナ放射体２５０は第一表面２４０ａに配置されている。又は、一つ又は複数の第一アンテナ放射体２５０は絶縁基板２４０に埋め込まれる。図３４では、例示として、一つ又は複数の第一アンテナ放射体２５０は第一表面２４０ａに配置されており、ＲＦチップ２３０は第二表面２４０ｂに配置されている。ＲＦチップ２３０によって生成された励磁信号は、絶縁基板２４０に埋め込まれる伝送線を介して、一つ又は複数の第一アンテナ放射体２５０に送信される。ＲＦチップ２３０は絶縁基板２４０にはんだ付けされることができる。これで、励磁信号は絶縁基板２４０に埋め込まれる伝送線を介して、第一アンテナ放射体２５０に送信される。第一アンテナ放射体２５０は励磁信号を受信し、且つ励磁信号に基づいてミリ波信号を生成する。第一アンテナ放射体２５０はパッチアンテナであることができるが、これに限られていない。
【0081】
さらに、第一アンテナ放射体２５０と比べて、ＲＦチップ２３０は電波透過構造１２０からより遠く配置されている。且つＲＦチップ２３０が励磁信号を出力する出力端子は、電波透過構造１２０から遠い絶縁基板２４０の片側に配置されている。即ち、ＲＦチップ２３０は絶縁基板２４０の第二表面２４０ｂに隣接して絶縁基板２４０の第一表面２４０ａから遠く配置されている。
【0082】
さらに、各第一アンテナ放射体２５０は少なくとも一つの給電点２５１を含む。各給電点２５１は伝送線を介して、ＲＦチップ２３０と電気的に結合する。各給電点２５１と各給電点２５１に対応する第一アンテナ放射体２５０の中心との間の距離は予め設定された距離より大きい。給電点２５１の位置を調整することで、第一アンテナ放射体２５０の入力インピーダンスを変えることができる。本実施形態において、各給電点２５１と各給電点２５１に対応する第一アンテナ放射体２５０の中心との間の距離を予め設定された距離より大きく設定することで、第一アンテナ放射体２５０の入力インピーダンスを調整する。第一アンテナ放射体２５０の入力インピーダンスとＲＦチップ２３０の出力インピーダンスがマッチするように、第一アンテナ放射体２５０の入力インピーダンスを調整する。第一アンテナ放射体２５０の入力インピーダンスとＲＦチップ２３０の出力インピーダンスがマッチする場合、ＲＦ信号によって生成された励磁信号の反射量が最小である。
【0083】
図３５を参照すると、図３５は、本出願の別の実施形態に係るアンテナモジュールの断面構造図である。本実施形態に係るアンテナモジュール２００は第一実施形態に係るアンテナモジュール２００と大体同じである。しかしながら、下記のところが違う。本実施形態では、アンテナモジュール２００は第二アンテナ放射体２６０をさらに含む。即ち、本実施形態では、アンテナモジュール２００は、ＲＦチップ２３０、絶縁基板２４０、一つ又は複数の第一アンテナ放射体２５０、及び第二アンテナ放射体２６０を含む。ＲＦチップ２３０は励磁信号を生成するように構成されている。絶縁基板２４０は第一表面２４０ａと、第一表面２４０ａに対向する第二表面２４０ｂとを含む。一つ又は複数の第一アンテナ放射体２５０は第一表面２４０ａに配置されている。ＲＦチップ２３０は第二表面２４０ｂに配置されている。ＲＦチップ２３０によって生成された励磁信号は、絶縁基板２４０に埋め込まれる伝送線を介して、一つ又は複数の第一アンテナ放射体２５０に送信される。ＲＦチップ２３０は絶縁基板２４０にはんだ付けされることができる。これで、励磁信号は絶縁基板２４０に埋め込まれる伝送線を介して、第一アンテナ放射体２５０に送信される。第一アンテナ放射体２５０は励磁信号を受信し、且つ励磁信号に基づいてミリ波信号を生成する。
【0084】
さらに、第一アンテナ放射体２５０と比べて、ＲＦチップ２３０は電波透過構造１２０からより遠く配置されている。且つＲＦチップ２３０が励磁信号を出力する出力端子は、電波透過構造１２０から遠い絶縁基板２４０の片側に配置されている。
【0085】
さらに、各第一アンテナ放射体２５０は少なくとも一つの給電点２５１を含む。各給電点２５１は伝送線を介して、ＲＦチップ２３０と電気的に結合する。各給電点２５１と各給電点２５１に対応する第一アンテナ放射体２５０の中心との間の距離は予め設定された距離より大きい。
【0086】
本実施形態において、第二アンテナ放射体２６０は、絶縁基板２４０に埋め込まれる。第二アンテナ放射体２６０は第一アンテナ放射体２５０と隔てて配置されている。且つ第二アンテナ放射体２６０は第一アンテナ放射体２５０と結合して積層アンテナを形成する。第二アンテナ放射体２６０が第一アンテナ放射体２５０と結合して積層アンテナを形成する場合、第一アンテナ放射体２５０はＲＦチップ２３０と電気的に結合し、且つ第二アンテナ放射体２６０はＲＦチップ２３０と電気的に結合しない。第二アンテナ放射体２６０は、第一アンテナ放射体２５０によって放射されるミリ波信号と結合する。また、第二アンテナ放射体２６０は、結合した第一アンテナ放射体２５０によって放射されるミリ波信号に基づいて新しいミリ波信号を生成する。
【0087】
具体的に、以下、アンテナモジュール２００が高密度相互接続（ｈｉｇｈ ｄｅｎｓｉｔｙ ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ、ＨＤＩ）プロセスで製造されることを例として説明する。絶縁基板２４０はコア層２４１、及びコア層２４１の対向する両側に積層配置されている複数の配線層２４２を含む。コア層２４１は絶縁層であり、一般的に、各配線層２４２の間に絶縁層２４３が配置されている。電波透過構造１２０に隣接するコア層２４１の片側に、且つコア層２４１から一番遠く配置された配線層２４２の外表面は、絶縁基板２４０の第一表面２４０ａを形成する。電波透過構造１２０から遠いコア層２４１の片側に、且つコア層２４１から一番遠く配置された配線層２４２の外表面は、絶縁基板２４０の第二表面２４０ｂを形成する。第一アンテナ放射体２５０は第一表面２４０ａに配置されている。第二アンテナ放射体２６０は絶縁基板２４０に埋め込まれる。即ち、第二アンテナ放射体２６０は、アンテナ放射体を配列するために用いられる他の配線層２４２に配置されることができる。且つ第二アンテナ放射体２６０は、絶縁基板２４０の表面に配置されていない。
【0088】
本実施形態では、例示として、絶縁基板２４０は８層構造である。他の実施形態において、絶縁基板２４０は別の層数を有することができる。絶縁基板２４０はコア層２４１、第一配線層ＴＭ１、第二配線層ＴＭ２、第三配線層ＴＭ３、第四配線層ＴＭ４、第五配線層ＴＭ５、第六配線層ＴＭ６、第七配線層ＴＭ７、及び第八配線層ＴＭ８を含む。第一配線層ＴＭ１、第二配線層ＴＭ２、第三配線層ＴＭ３、及び第四配線層ＴＭ４はコア層２４１の一つの表面に順に積層配置されている。また、第四配線層ＴＭ４と比べて、第一配線層ＴＭ１はコア層２４１からより遠く配置されている。コア層２４１から遠い第一配線層ＴＭ１の表面は絶縁基板２４０的第一表面２４０ａである。第五配線層ＴＭ５、第六配線層ＴＭ６、第七配線層ＴＭ７、及び第八配線層ＴＭ８はコア層２４１の一つの表面に順に積層配置されている。また、第五配線層ＴＭ５と比べて、第八配線層ＴＭ８はコア層２４１からより遠く配置されている。コア層２４１から遠い第八配線層ＴＭ８の表面は絶縁基板２４０の第二表面２４０ｂである。通常では、第一配線層ＴＭ１、第二配線層ＴＭ２、第三配線層ＴＭ３、及び第四配線層ＴＭ４はアンテナ放射体が配置された配線層であり、第五配線層ＴＭ５は接地電極が配置された接地層であり、第六配線層ＴＭ６、第七配線層ＴＭ７、及び第八配線層ＴＭ８はアンテナモジュール２００における給電系統及び制御線が配置された配線層である。本実施形態において、第一アンテナ放射体２５０はコア層２４１から遠い第一配線層ＴＭ１の表面に配置され、第二アンテナ放射体２６０は第三配線層ＴＭ３に配置されることができる。図３５では、例示として、第一アンテナ放射体２５０は第一配線層ＴＭ１の表面に配置されており、第二アンテナ放射体２６０は第三配線層ＴＭ３に配置されている。他の実施形態において、第一アンテナ放射体２５０はコア層２４１から遠い第一配線層ＴＭ１の表面に配置されることができ、第二アンテナ放射体２６０は第二配線層ＴＭ２に配置されることができ、又は第二アンテナ放射体２６０は第四配線層ＴＭ４に配置されることができる。
【0089】
さらに、絶縁基板２４０における第一配線層ＴＭ１、第二配線層ＴＭ２、第三配線層ＴＭ３、第四配線層ＴＭ４、第六配線層ＴＭ６、第七配線層ＴＭ７、及び第八配線層ＴＭ８はいずれも第五配線層ＴＭ５における接地電極と電気的に結合する。具体的に、絶縁基板２４０における第一配線層ＴＭ１、第二配線層ＴＭ２、第三配線層ＴＭ３、第四配線層ＴＭ４、第六配線層ＴＭ６、第七配線層ＴＭ７、及び第八配線層ＴＭ８はいずれもスルーホールを有する。スルーホールに金属材料を配置することによって第五配線層ＴＭ５における接地電極と電気的に結合する。これで、各配線層２４２におけるコンポーネントが接地する。
【0090】
さらに、第七配線層ＴＭ７及び第八配線層ＴＭ８には、電力線２７１と制御線２７２が配置されている。電力線２７１と制御線２７２はそれぞれＲＦチップ２３０と電気的に結合する。電力線２７１はＲＦチップ２３０に必要な電力を提供するために用いられる。制御線２７２は、制御信号をＲＦチップ２３０に送信することによって、ＲＦチップ２３０の作動をコントロールするために用いられる。
【0091】
さらに、図３６を参照すると、図３６は、本出願の一つの実施形態に係るＭ×Ｎ個のアンテナアセンブリで構築された無線周波数アンテナアレイを示す概略図である。電子デバイス１はＭ×Ｎ個のアンテナアセンブリ１０で構築された無線周波数（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ、ＲＦ）アンテナアレイを含む。Ｍは正の整数であり、Ｎは正の整数である。図３６では、４×１個のアンテナアセンブリ１０で構築されたアンテナアレイを示した。アンテナアセンブリ１０におけるアンテナモジュール２００において、絶縁基板２４０は複数の金属化ビアホールグリッド（ｍｅｔａｌｌｉｚｅｄ ｖｉａ ｈｏｌｅ ｇｒｉｄ）２４４をさらに含む。金属化ビアホールグリッド２４４が各第一アンテナ放射体２５０を囲んで配置されることによって、隣接する二つの第一アンテナ放射体２５０の間のアイソレイション（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）を高める。図３７を参照すると、図３７は、本出願の一つの実施形態に係るパッケージ化されたアンテナモジュールで構築された無線周波数アンテナアレイの構造を示す概略図である。金属化ビアホールグリッド２４４は複数のアンテナモジュール２００でＲＦアンテナアレイを形成するために用いられる場合、金属化ビアホールグリッド２４４は隣接するアンテナモジュール２００の間のアイソレイションを高めるために用いられる。これで、各アンテナモジュール２００によって生成されたミリ波信号の干渉を低減し、さらに回避する。
【0092】
上記アンテナモジュール２００については、アンテナモジュール２００がパッチアンテナ、又は積層アンテナであることを例として説明した。アンテナモジュール２００はダイポールアンテナ、磁気電気ダイポールアンテナアレイ、準八木アンテナなどをさらに含むことができる。アンテナアセンブリ１０はパッチアンテナ、積層アンテナ、ダイポールアンテナ、磁気電気ダイポールアンテナアレイ、準八木アンテナのうちの少なくとも一つ又は複数の組み合わせを含む。さらに、Ｍ×Ｎ個のアンテナアセンブリ１０における誘電体基板は互いに接続されて統合構造になることができる。
【0093】
本出願は電子デバイス１をさらに提供する。図３８を参照すると、図３８は、本出願の第四実施形態に係る電子デバイスの構造を示す概略図である。電子デバイス１は第一アンテナモジュール２１０、表示画面本体１１０、及び第一電波透過構造１２５を含む。第一アンテナモジュール２１０は、第一予め設定された方向範囲内で、第一周波数帯の第一無線周波数（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ、ＲＦ）信号を受送信するように構成されている。表示画面本体１１０は第一アンテナモジュール２１０と隔てて配置されており、且つ表示画面本体１１０の少なくとも一部は、第一予め設定された方向範囲内に位置し、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対して第一透過率を有する。第一電波透過構造１２５は表示画面本体１１０に載せられる。また、第一電波透過構造１２５は少なくとも表示画面本体１１０の一部をカバーし、且つ第一電波透過構造１２５の少なくとも一部は第一予め設定された範囲内に位置する。電子デバイス１は第一電波透過構造１２５に対応するところで、第一周波数帯の第一ＲＦ信号に対して第二透過率を有する。第二透過率は第一透過率より大きい。
【0094】
第一電波透過構造１２５は上記任意の実施形態に係る電波透過構造であることができる。さらに、電子デバイス１はミドルフレーム８０及び電池蓋９０を含む。ミドルフレーム８０は表示画面本体１１０を載せるために用いられる。電池蓋９０は表示画面本体１１０と協力して、ミドルフレーム８０及び他の電子的要素を收容するために用いられる収容空間を形成する。
【0095】
図３８では、例示として、表示画面本体１１０は積層配置されている表示画面１００ａとカバープレート１００ｂを含み、且つ第一電波透過構造１２５はカバープレート１００ｂから遠い表示画面１００ａの片側に配置されている。
【0096】
図３９を参照すると、図３９は、本出願の第五実施形態に係る電子デバイスの構造を示す概略図である。本実施形態に係る電子デバイス１は本出願の第四実施形態に係る電子デバイス１と大体同じである。しかしながら、下記のところが違う。本実施形態では、電子デバイス１は第二アンテナモジュール２２０と第二電波透過構造１２６をさらに含む。第二アンテナモジュール２２０は第一アンテナモジュール２１０と隔てて配置されており、且つ第二アンテナモジュール２２０は第一予め設定された方向範囲以外のところに位置する。第二アンテナモジュール２２０は第二予め設定された方向範囲内で、第二周波数帯の第二ＲＦ信号を受送信するように構成されている。表示画面本体１１０は第二アンテナモジュール２２０と隔てて配置されており、且つ表示画面本体１１０の少なくとも一部は、第二予め設定された方向範囲内に位置する。第二予め設定された方向範囲内に位置する一部の表示画面本体１１０は、第二周波数帯の第二ＲＦ信号に対して第三透過率を有する。第二電波透過構造１２６は表示画面本体１１０に載せられる。また、第二電波透過構造１２６の少なくとも一部は第二予め設定された範囲内に位置する。電子デバイス１は第二電波透過構造１２６に対応するところで、第一周波数帯の第二ＲＦ信号に対して第四透過率を有する。第四透過率は第三透過率より大きい。
【0097】
第一電波透過構造１２５と第二電波透過構造１２６はいずれも上記任意の実施形態に係る電波透過構造であることができる。さらに、表示画面本体１１０は画面本体４１０と、画面本体４１０の外縁から曲げられて延長された延長部４２０とを含む。第一アンテナモジュール２１０と第二アンテナモジュール２２０はいずれも画面本体４１０に対応して配置されている。
【0098】
図４０を参照すると、図４０は、本出願の第六実施形態に係る電子デバイスの構造を示す概略図である。本実施形態に係る電子デバイス１は本出願の第五実施形態に係る電子デバイス１と大体同じである。しかしながら、本実施形態では、第一アンテナモジュール２１０と第二アンテナモジュール２２０はいずれも延長部４２０に対応して配置されているというところが違う。
【0099】
図４１を参照すると、図４１は、本出願の第七実施形態に係る電子デバイスの構造を示す概略図である。本実施形態に係る電子デバイス１は本出願の第五実施形態に係る電子デバイス１と大体同じである。しかしながら、本実施形態では、第一アンテナモジュール２１０は画面本体４１０に対応して配置されており、第二アンテナモジュール２２０は延長部４２０に対応して配置されているというところが違う。
【0100】
以上、本出願の実施形態を示し、説明したが、上記実施形態は例示的であり、本出願を限定するものであると理解されるべきではない。当業者であれば、本出願の範囲内で、上記実施形態を変更、修正、置換及び変形することができる。これらの改善と潤色も本出願の保護範囲に属すべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【手続補正書】
【提出日】2021-12-21
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0009】
本出願の実施形態の技術方案を明らかに説明するために、以下、実施形態の説明に必要な図面を簡単に紹介する。明らかに、説明される図面は本出願のいくつかの実施形態にすぎず、当業者にとって、創造的な努力なしに、これらの図面によって他の図面を得ることができる。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0015】
第一態様の第五実施形態では、表示画面本体は、アレイ基板を含み、アレイ基板は基板と、基板にアレイ状に配置された複数の薄膜トランジスタとを含み、薄膜トランジスタは、遮光層、第一絶縁層、チャネル層、ソース、ドレイン、第二絶縁層、ゲート、及び平坦化層を含み、遮光層は基板の片側に配置されている。第一絶縁層は遮光層をカバーする。チャネル層は第一絶縁層の上に配置されており、且つ遮光層に対応する。ソース及びドレインは、チャネル層の対向する両側に隔てて配置されており、且ついずれもチャネル層とつながる。第二絶縁層はソース及びドレインをカバーする。ゲートは第二絶縁層の上に配置されている。電波透過構造は隔てて積層配置されている第一電波透過層と第二電波透過層を含む。第一電波透過層は、遮光層、ゲート、ソースのうちの１つと同じ層に配置されている。第二電波透過層は、遮光層、ゲート、ソースのうちの第一電波透過層と同じ層に配置されたものとは異なる他の１つと同じ層に配置されている。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0016】
第一態様の第六実施形態では、表示画面本体は、アレイ基板を含み、アレイ基板は基板と、基板にアレイ状に配置された複数の薄膜トランジスタとを含み、薄膜トランジスタは、遮光層、第一絶縁層、チャネル層、ソース、ドレイン、第二絶縁層、ゲート、及び平坦化層を含み、遮光層は基板の片側に配置されている。第一絶縁層は遮光層をカバーする。チャネル層は第一絶縁層の上に配置されており、且つ遮光層に対応する。ソース及びドレインは、チャネル層の対向する両側に隔てて配置されており、且ついずれもチャネル層とつながる。第二絶縁層はソース及びドレインをカバーする。ゲートは第二絶縁層の上に配置されている。電波透過構造は、隔てて積層配置されている第一電波透過層、第二電波透過層と第三電波透過層を含む。第一電波透過層は遮光層と同じ層に配置されており、第二電波透過層はソース及びドレインと同じ層に配置されており、第三電波透過層はゲートと同じ層に配置されている。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0017】
第一態様の第七実施形態では、表示画面アセンブリはアレイ基板を含む。アレイ基板は画素電極を含む。画素電極の材料は透明の金属酸化物半導体である。電波透過構造の少なくとも一部は、画素電極と同じ層に配置されており、且つ画素電極と材質が同じである。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0018】
第一態様の第八実施形態では、表示画面アセンブリはアレイ基板とカラーフィルター基板を含む。アレイ基板はカラーフィルター基板と隔てて対向配置されている。電波透過構造は第一電波透過層と第二電波透過層を含む。第一電波透過層はアレイ基板に配置されており、第二電波透過層はカラーフィルター基板に配置されている。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0020】
第一態様の第十実施形態では、表示画面本体は基板及び基板にアレイ状に配置された発光素子を含む。発光素子は第一電極、発光層及び第二電極を含む。第一電極は基板の上に配置されている。発光層は、基板から遠い第一電極の片側に配置されている。第二電極は第一電極から遠い発光層の片側に配置されている。第一電極は第一電圧をロードするように構成されている。第二電極は第二電圧をロードするように構成されている。発光層は第一電圧及び第二電圧の働きで発光するように構成されている。電波透過構造は単層構造であり、電波透過構造は第一電極又は第二電極と同じ層に配置されている。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0021】
第一態様の第十一実施形態では、表示画面本体は基板及び基板にアレイ状に配置された発光素子を含む。発光素子は第一電極、発光層及び第二電極を含む。第一電極は基板の上に配置されている。発光層は、基板から遠い第一電極の片側に配置されている。第二電極は第一電極から遠い発光層の片側に配置されている。第一電極は第一電圧をロードするように構成されている。第二電極は第二電圧をロードするように構成されている。発光層は第一電圧及び第二電圧の働きで発光するように構成されている。電波透過構造は第一電波透過層と第二電波透過層を含む。第一電波透過層は第一電極と同じ層に配置されており、第二電波透過層は第二電極と同じ層に配置されている。
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0023】
第一態様の第三実施形態、又は第五実施形態、第八実施形態、第十一実施形態に基づいて、第十三実施形態では、第一電波透過層はスルーホールを有する。第二電波透過層の第一電波透過層における正投影はスルーホール内に入る。
【手続補正9】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0029】
第四様態の第一実施形態に係る電子デバイスは、第二アンテナモジュールと第二電波透過構造をさらに含む。第二アンテナモジュールは第一アンテナモジュールと隔てて配置されており、且つ第二アンテナモジュールは第一予め設定された方向範囲以外のところに位置する。第二アンテナモジュールは第二予め設定された方向範囲内で、第二周波数帯の第二ＲＦ信号を受送信するように構成されている。表示画面本体は第二アンテナモジュールと隔てて配置されており、且つ表示画面本体の少なくとも一部は、第二予め設定された方向範囲内に位置する。第二予め設定された方向範囲内に位置する一部の表示画面本体は、第二周波数帯の第二ＲＦ信号に対して第三透過率を有する。第二電波透過構造は表示画面本体に載せられる。また、第二電波透過構造の少なくとも一部は第二予め設定された範囲内に位置する。電子デバイスは第二電波透過構造に対応するとことで、第二周波数帯の第二ＲＦ信号に対して第四透過率を有する。第四透過率は第三透過率より大きい。
【手続補正10】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0046】
本出願に係る表示画面アセンブリ１００は、電波透過構造１２０が表示画面本体１１０に載せられることによって、電波透過構造１２０の働きで、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対する透過率を上げることができる。表示画面アセンブリ１００は電子デバイス１に応用される場合、電子デバイスの内部に配置されたアンテナモジュールの放射性能に対する表示画面アセンブリ１００の影響を低減することができる。これで、電子デバイス１の通信性能を高めることができる。さらに、本出願に係る表示画面アセンブリ１００では、電波透過構造１２０はソース５４０及びドレイン５５０と同じ層に配置されているため、製造するとき、電波透過構造１２０はソース５４０及びドレイン５５０と同じ工程で製造されることができる。これで、製造工程を減らすことができる。
【手続補正11】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0048】
本出願に係る表示画面アセンブリ１００は、電波透過構造１２０が表示画面本体１１０に載せられることによって、電波透過構造１２０の働きで、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対する透過率を上げることができる。表示画面アセンブリ１００は電子デバイス１に応用される場合、電子デバイスの内部に配置されたアンテナモジュールの放射性能に対する表示画面アセンブリ１００の影響を低減することができる。これで、電子デバイス１の通信性能を高めることができる。さらに、本出願に係る表示画面アセンブリ１００では、第一電波透過層１２１はゲート５１０と同じ層に配置されており、第二電波透過層１２２はソース５４０及びドレイン５５０と同じ層に配置されているため、製造するとき、第一電波透過層１２１はゲート５１０と同じ工程で製造されることができ、第二電波透過層１２２はソース５４０及びドレイン５５０と同じ工程で製造されることができる。これで、製造工程を減らすことができる。
【手続補正12】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0050】
本出願に係る表示画面アセンブリ１００は、電波透過構造１２０が表示画面本体１１０に載せられることによって、電波透過構造１２０の働きで、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対する透過率を上げることができる。表示画面アセンブリ１００は電子デバイス１に応用される場合、電子デバイスの内部に配置されたアンテナモジュールの放射性能に対する表示画面アセンブリ１００の影響を低減することができる。これで、電子デバイス１の通信性能を高めることができる。電波透過構造１２０はゲート５１０又は遮光層５９０と同じ層に配置され、又は、電波透過構造１２０はソース５４０及びドレイン５５０と同じ層に配置されることで、製造工程を減らすことができる。
【手続補正13】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0051】
図７を参照すると、図７は、本出願の第六実施形態に係る表示画面アセンブリにけるアレイ基板の断面構造図である。表示画面本体１１０はアレイ基板１１１を含む。アレイ基板１１１は基板１１１ａと、基板１１１ａにアレイ状に配置された複数の薄膜トランジスタ１１１ｂとを含む。薄膜トランジスタ１１１ｂは、遮光層５９０、第一絶縁層５６０、チャネル層５３０、ソース５４０、ドレイン５５０、第二絶縁層５７０、ゲート５１０、及び平坦化層５８０を含む。遮光層５９０は基板１１１ａの片側に配置されている。第一絶縁層５６０は遮光層５９０をカバーする。チャネル層５３０は第一絶縁層５６０の上に配置されており、且つ遮光層５９０に対応する。ソース５４０及びドレイン５５０は、チャネル層５３０の対向する両側に隔てて配置されており、且ついずれもチャネル層５３０とつながる。第二絶縁層５７０はソース５４０及びドレイン５５０をカバーする。ゲート５１０は第二絶縁層５７０の上に配置されている。電波透過構造１２０は隔てて積層配置されている第一電波透過層１２１と第二電波透過層１２２を含む。第一電波透過層１２１は、遮光層５９０、ゲート５１０、ソース５４０のうちの１つと同じ層に配置されている。第二電波透過層１２２は、遮光層５９０、ゲート５１０、ソース５４０のうちの第一電波透過層１２１と同じ層に配置されたものとは異なる他の１つと同じ層に配置されている。図７では、例示として、第一電波透過層１２１は遮光層５９０と同じ層に配置されており、第二電波透過層１２２はソース５４０及びドレイン５５０と同じ層に配置されている。
【手続補正14】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0052】
本出願に係る表示画面アセンブリ１００は、電波透過構造１２０が表示画面本体１１０に載せられることによって、電波透過構造１２０の働きで、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対する透過率を上げることができる。表示画面アセンブリ１００は電子デバイス１に応用される場合、電子デバイスの内部に配置されたアンテナモジュールの放射性能に対する表示画面アセンブリ１００の影響を低減することができる。これで、電子デバイス１の通信性能を高めることができる。さらに、第一電波透過層１２１は、遮光層５９０、ゲート５１０、ソース５４０のうちの１つと同じ層に配置されている。第二電波透過層１２２は、遮光層５９０、ゲート５１０、ソース５４０のうちの第一電波透過層１２１と同じ層に配置されたものとは異なる他の１つと同じ層に配置されている。これによって、製造工程を減らすことができる。
【手続補正15】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0054】
図８を参照すると、図８は、本出願の第七実施形態に係る表示画面アセンブリにけるアレイ基板の断面構造図である。表示画面本体１１０はアレイ基板１１１を含む。アレイ基板１１１は基板１１１ａと、基板１１１ａにアレイ状に配置された複数の薄膜トランジスタ１１１ｂとを含む。薄膜トランジスタ１１１ｂは、遮光層５９０、第一絶縁層５６０、チャネル層５３０、ソース５４０、ドレイン５５０、第二絶縁層５７０、ゲート５１０、及び平坦化層５８０を含む。遮光層５９０は基板１１１ａの片側に配置されている。第一絶縁層５６０は遮光層５９０をカバーする。チャネル層５３０は第一絶縁層５６０の上に配置されており、且つ遮光層５９０に対応する。ソース５４０及びドレイン５５０は、チャネル層５３０の対向する両側に隔てて配置されており、且ついずれもチャネル層５３０とつながる。第二絶縁層５７０はソース５４０及びドレイン５５０をカバーする。ゲート５１０は第二絶縁層５７０の上に配置されている。電波透過構造１２０は、隔てて積層配置されている第一電波透過層１２１、第二電波透過層１２２と第三電波透過層１２３を含む。第一電波透過層１２１は遮光層５９０と同じ層に配置されており、第二電波透過層１２２はソース５４０及びドレイン５５０と同じ層に配置されており、第三電波透過層１２３はゲート５１０と同じ層に配置されている。
【手続補正16】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0055】
図９を参照すると、図９は、本出願の第八実施形態に係る表示画面アセンブリの構造を示す概略図である。表示画面アセンブリ１００はアレイ基板１１１、カラーフィルター基板１１２及び液晶層１１３を含む。アレイ基板１１１はカラーフィルター基板１１２と隔てて対向配置されている。液晶層１１３はアレイ基板１１１とカラーフィルター基板１１２の間に配置されている。アレイ基板１１１は画素電極６１０を含む。画素電極６１０の材料は透明の金属酸化物半導体である。電波透過構造１２０の少なくとも一部は、画素電極６１０と同じ層に配置されており、且つ画素電極６１０と同じ材質を有する。画素電極６１０は薄膜トランジスタ１１１ｂにおけるドレイン５５０と電気的に結合する。画素電極６１０は上記任意の実施形態に記載された薄膜トランジスタ１１１ｂに結合することができる。図９では、例示として、画素電極６１０はその中の一つの薄膜トランジスタ１１１ｂに結合する。
【手続補正17】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0056】
図１０を参照すると、図１０は、本出願の第九実施形態に係る表示画面アセンブリの構造を示す概略図である。表示画面アセンブリ１００はアレイ基板１１１とカラーフィルター基板１１２を含む。アレイ基板１１１はカラーフィルター基板１１２と隔てて対向配置されている。電波透過構造１２０は第一電波透過層１２１と第二電波透過層１２２を含む。第一電波透過層はアレイ基板１１１に配置されており、第二電波透過層１２２はカラーフィルター基板１１２に配置されている。さらに、表示画面アセンブリ１００は液晶層１１３を含む。アレイ基板１１１はカラーフィルター基板１１２と隔てて対向配置されている。液晶層１１３はアレイ基板１１１とカラーフィルター基板１１２の間に配置されている。
【手続補正18】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0057】
さらに、アレイ基板１１１は画素電極６１０を含む。カラーフィルター基板１１２は共通電極１１２１を含む。第一電波透過層１２１は画素電極６１０と同じ層に配置されており、第二電波透過層１２２は共通電極１１２１と同じ層に配置されている。画素電極６１０は共通電極１１２１と協力して液晶層１１３における液晶分子の配向をコントロールする。
【手続補正19】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0058】
図１１と図１２を参照すると、図１１は、本出願の第十実施形態に係る表示画面アセンブリの構造を示す概略図である。図１２は、図１１に示される表示画面アセンブリの断面構造図である。表示画面本体１１０は基板１１１ａ及び基板１１１ａにアレイ状に配置された発光素子７００を含む。発光素子７００は第一電極７１０、発光層７３０及び第二電極７２０を含む。第一電極７１０は基板１１１ａの上に配置されている。発光層７３０は、基板１１１ａから遠い第一電極７１０の片側に配置されている。第二電極７２０は第一電極７１０から遠い発光層７３０の片側に配置されている。第一電極７１０は第一電圧をロード（ｌｏａｄ）するように構成されている。第二電極７２０は第二電圧をロードするように構成されている。発光層７３０は第一電圧及び第二電圧の働きで発光するように構成されている。電波透過構造１２０は単層構造であり、電波透過構造１２０は第一電極７１０又は第二電極７２０と同じ層に配置されている。図１２では、例示として、電波透過構造１２０は第一電極７１０と同じ層に配置されている。
【手続補正20】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0060】
図１３と図１４を参照すると、図１３は、本出願の第十一実施形態に係る表示画面アセンブリの構造を示す概略図である。図１４は、図１３に係わる表示画面アセンブリの断面構造図である。表示画面本体１１０は基板１１１ａ及び基板１１１ａにアレイ状に配置された発光素子７００を含む。発光素子７００は第一電極７１０、発光層７３０及び第二電極７２０を含む。第一電極７１０は基板１１１ａの上に配置されている。発光層７３０は、基板１１１ａから遠い第一電極７１０の片側に配置されている。第二電極７２０は第一電極７１０から遠い発光層７３０の片側に配置されている。第一電極７１０は第一電圧をロードするように構成されている。第二電極７２０は第二電圧をロードするように構成されている。発光層７３０は第一電圧及び第二電圧の働きで発光するように構成されている。電波透過構造１２０は第一電波透過層１２１と第二電波透過層１２２を含む。第一電波透過層１２１は第一電極７１０と同じ層に配置されており、第二電波透過層１２２は第二電極７２０と同じ層に配置されている。
【手続補正21】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0062】
図１５を参照すると、図１５は、本出願の第十二実施形態に係る表示画面アセンブリの構造を示す概略図である。表示画面本体１１０は画面本体４１０と、画面本体４１０の外縁から曲げられて延長された延長部４２０とを含む。電波透過構造１２０は画面本体４１０に対応して配置されている。本実施形態では、例示として、表示画面本体１１０は積層配置されている表示画面１００ａ及びカバープレート１００ｂを含み、且つ電波透過構造１２０は表示画面１００ａに対向するカバープレート１００ｂの表面に配置されている。
【手続補正22】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0063】
図１６を参照すると、図１６は、本出願の第十三実施形態に係る表示画面アセンブリの構造を示す概略図である。本実施形態に係る表示画面アセンブリ１００は本出願の第十二実施形態に係る表示画面アセンブリ１００と大体同じ構造を有する。しかしながら、電波透過構造１２０は延長部４２０に対応して配置されているというところが違う。
【手続補正23】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0064】
図１７を参照すると、図１７は、本出願の第一実施形態に係る電波透過構造を示す概略図である。本実施形態において、電波透過構造１２０は隔てて配置されている第一電波透過層１２１と第二電波透過層１２２を含む。第一電波透過層１２１と第二電波透過層１２２は結合する。第一電波透過層１２１はスルーホール１２５１を有する。第二電波透過層１２２の第一電波透過層１２１における正投影はスルーホール１２５１内に入る。
【手続補正24】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0068】
図２０、図２１と図２２を参照すると、図２０は、本出願の第四実施形態に係る電波透過断面構造図である。図２１は、本出願の第四実施形態に係る電波透過構造における第一電波透過層の構造を示す概略図である。図２２は、本出願の第四実施形態に係る電波透過構造における第二電波透過層の構造を示す概略図である。電波透過構造１２０は、上記任意の実施形態に係る表示画面アセンブリに応用されることができる。電波透過構造１２０は隔てて配置されている第一電波透過層１２１、第二電波透過層１２２と第三電波透過層１２３を含む。第一電波透過層１２１と第二電波透過層１２２の間に第一誘電体層１１１が配置されている。第二電波透過層１２２と第三電波透過層１２３の間に第二誘電体層１１２が配置されている。第一電波透過層１２１、第一誘電体層１１１、第二電波透過層１２２、第二誘電体層１１２と第三電波透過層１２３は順に積層配置されている。第一電波透過層１２１はアレイ状に配置された複数の第一パッチ（ｐａｔｃｈ）１２１１を含む。第二電波透過層１２２は周期的に配置されたグリッド構造１２２１を含む。第三電波透過層１２３はアレイ状に配置された複数の第二パッチ１２３１を含む。第一パッチ１２１１又は第二パッチ１２３１のサイズＬ１が小さければ小さいほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移り、且つ帯域幅が狭くなる。第二電波透過層１２２におけるグリッド構造１２２１の幅Ｗ１が小さければ小さいほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移り、且つ帯域幅が広くなる。電波透過構造１２０の周期Ｐが大きければ大きいほど、予め設定された周波数帯は高周波へ移り、且つ帯域幅が広くなる。電波透過構造１２０が厚ければ厚いほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移り、帯域幅が狭くなる。誘電体基板１１０（誘電体基板は表示画面本体又はカバープレートであることができる）の誘電率が大きければ大きいほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移り、且つ帯域幅が狭くなる。本実施形態において、一つのグリッド構造１２２１は四つの第一パッチ１２１１に対応し、四つの第二パッチ１２３１に対応し、且つ電波透過構造１２０の一つの周期とされる。
【手続補正25】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0069】
図２３を参照すると、図２３は、本出願の第四実施形態に係る電波透過構造の等価回路図を示す図である。この等価回路図では、予め設定された周波数帯への影響が小さい要素を考慮に入れなかった。例えば、第一電波透過層１２１のインダクタンス（ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ）、第三電波透過層１２３のインダクタンス、及び第二電波透過層１２２のキャパシタンス（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）が挙げられる。第一電波透過層１２１はキャパシタ（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）Ｃ１に相当し、第二電波透過層１２２はキャパシタＣ２に相当し、第一電波透過層１２１と第二電波透過層１２２の結合容量はキャパシタＣ３に相当し、第三電波透過層１２３はインダクタ（ｉｎｄｕｃｔｏｒ）Ｌに相当する。Ｚ０は自由空間のインピーダンス（ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）を示し、Ｚ１は誘電体基板１１０のインピーダンスを示し、Ｚ１＝Ｚ０/(Ｄｋ)１/２。予め設定された周波数帯は中心周波数ｆ０を有し、ｆ０＝１/[２π/(ＬＣ)１/２]。帯域幅Δｆと中心周波数ｆ０の比率は、(Ｌ/Ｃ)１/２に正比例する。第一パッチ１２１１又は第二パッチ１２３１のサイズが小さければ小さいほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移り、且つ帯域幅が狭くなる。第二電波透過層１２２におけるグリッド構造１２２１の幅が小さければ小さいほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移り、且つ帯域幅が広くなる。電波透過構造１２０の周期が大きければ大きいほど、予め設定された周波数帯は高周波へ移り、且つ帯域幅が広くなる。電波透過構造１２０が厚ければ厚いほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移り、帯域幅が狭くなる。誘電体基板１１０の誘電率が大きければ大きいほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移り、且つ帯域幅が狭くなる。
【手続補正26】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0096】
図３９を参照すると、図３９は、本出願の第五実施形態に係る電子デバイスの構造を示す概略図である。本実施形態に係る電子デバイス１は本出願の第四実施形態に係る電子デバイス１と大体同じである。しかしながら、下記のところが違う。本実施形態では、電子デバイス１は第二アンテナモジュール２２０と第二電波透過構造１２６をさらに含む。第二アンテナモジュール２２０は第一アンテナモジュール２１０と隔てて配置されており、且つ第二アンテナモジュール２２０は第一予め設定された方向範囲以外のところに位置する。第二アンテナモジュール２２０は第二予め設定された方向範囲内で、第二周波数帯の第二ＲＦ信号を受送信するように構成されている。表示画面本体１１０は第二アンテナモジュール２２０と隔てて配置されており、且つ表示画面本体１１０の少なくとも一部は、第二予め設定された方向範囲内に位置する。第二予め設定された方向範囲内に位置する一部の表示画面本体１１０は、第二周波数帯の第二ＲＦ信号に対して第三透過率を有する。第二電波透過構造１２６は表示画面本体１１０に載せられる。また、第二電波透過構造１２６の少なくとも一部は第二予め設定された範囲内に位置する。電子デバイス１は第二電波透過構造１２６に対応するところで、第二周波数帯の第二ＲＦ信号に対して第四透過率を有する。第四透過率は第三透過率より大きい。
【手続補正27】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示画面アセンブリであって、予め設定された周波数帯の無線周波数（ＲＦ）信号に対して第一透過率を有する表示画面本体と、
前記表示画面本体に載せられ、少なくとも前記表示画面本体の一部をカバーする電波透過構造とを含み、
前記表示画面アセンブリは、前記電波透過構造に対応するところにおいて、前記予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対して第二透過率を有し、前記第二透過率は前記第一透過率より大きい、
ことを特徴とする表示画面アセンブリ。
【請求項2】
前記表示画面アセンブリは、積層配置されている表示画面とカバープレートを含み、前記電波透過構造は前記カバープレートの上に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項3】
前記表示画面本体はアレイ基板を含み、前記アレイ基板は基板と、前記基板にアレイ状に配置された複数の薄膜トランジスタとを含み、前記薄膜トランジスタは、ゲート、ゲート絶縁層、チャネル層、ソース及びドレインを含み、前記ゲートは前記基板の片側に配置されており、前記ゲート絶縁層は前記ゲートをカバーし、前記チャネル層は前記ゲート絶縁層の上に配置され且つ前記ゲートに対応し、前記ソース及び前記ドレインは、前記チャネル層の対向する両側に隔てて配置され且ついずれも前記チャネル層とつながり、
前記電波透過構造は単層構造であり、前記電波透過構造は前記ゲートと同じ層に配置されており、又は、前記電波透過構造は前記ソース及び前記ドレインと同じ層に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項4】
前記表示画面本体はアレイ基板を含み、前記アレイ基板は基板と、前記基板にアレイ状に配置された複数の薄膜トランジスタとを含み、前記薄膜トランジスタは、ゲート、ゲート絶縁層、チャネル層、ソース及びドレインを含み、前記ゲートは前記基板の片側に配置されており、前記ゲート絶縁層は前記ゲートをカバーし、前記チャネル層はゲート絶縁層の上に配置され且つ前記ゲートに対応し、前記ソース及びドレインは、前記チャネル層の対向する両側に隔てて配置され且ついずれも前記チャネル層とつながり、
前記電波透過構造は隔てて積層配置されている第一電波透過層と第二電波透過層を含み、前記第一電波透過層は前記ゲートと同じ層に配置されており、前記第二電波透過層は前記ソース及び前記ドレインと同じ層に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項5】
前記表示画面本体はアレイ基板を含み、前記アレイ基板は基板と、前記基板にアレイ状に配置された複数の薄膜トランジスタとを含み、前記薄膜トランジスタは、遮光層、第一絶縁層、チャネル層、ソース、ドレイン、第二絶縁層、ゲート、及び平坦化層を含み、前記遮光層は前記基板の片側に配置されており、前記第一絶縁層は前記遮光層をカバーし、前記チャネル層は前記第一絶縁層の上に配置され且つ前記遮光層に対応し、前記ソース及び前記ドレインは、前記チャネル層の対向する両側に隔てて配置され且ついずれも前記チャネル層とつながり、前記第二絶縁層は前記ソース及び前記ドレインをカバーし、前記ゲートは前記第二絶縁層の上に配置されており、
前記電波透過構造は単層構造であり、前記電波透過構造は前記遮光層と同じ層に配置されており、又は、前記電波透過構造は前記ゲートと同じ層に配置されており、又は、前記電波透過構造は前記ソース及び前記ドレインと同じ層に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項6】
前記表示画面本体はアレイ基板を含み、前記アレイ基板は基板と、前記基板にアレイ状に配置された複数の薄膜トランジスタとを含み、前記薄膜トランジスタは、遮光層、第一絶縁層、チャネル層、ソース、ドレイン、第二絶縁層、ゲート、及び平坦化層を含み、前記遮光層は前記基板の片側に配置されており、前記第一絶縁層は前記遮光層をカバーし、前記チャネル層は前記第一絶縁層の上に配置され且つ前記遮光層に対応し、前記ソース及び前記ドレインは、前記チャネル層の対向する両側に隔てて配置され且ついずれも前記チャネル層とつながり、前記第二絶縁層は前記ソース及び前記ドレインをカバーし、前記ゲートは前記第二絶縁層の上に配置されており、
前記電波透過構造は隔てて積層配置されている第一電波透過層と第二電波透過層を含み、前記第一電波透過層は、前記遮光層、前記ゲート、前記ソースのうちの１つと同じ層に配置されており、前記第二電波透過層は、前記遮光層、前記ゲート、前記ソースのうちの第一電波透過層と同じ層に配置されたものとは異なる他の１つと同じ層に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項7】
前記表示画面本体はアレイ基板を含み、前記アレイ基板は基板と、前記基板にアレイ状に配置された複数の薄膜トランジスタとを含み、前記薄膜トランジスタは、遮光層、第一絶縁層、チャネル層、ソース、ドレイン、第二絶縁層、ゲート、及び平坦化層を含み、前記遮光層は前記基板の片側に配置されており、前記第一絶縁層は前記遮光層をカバーし、前記チャネル層は前記第一絶縁層の上に配置され且つ前記遮光層に対応し、前記ソース及び前記ドレインは、前記チャネル層の対向する両側に隔てて配置され且ついずれも前記チャネル層とつながり、前記第二絶縁層は前記ソース及び前記ドレインをカバーし、前記ゲートは前記第二絶縁層の上に配置されており、
前記電波透過構造は、隔てて積層配置されている第一電波透過層、第二電波透過層と第三電波透過層を含み、前記第一電波透過層は前記遮光層と同じ層に配置されており、前記第二電波透過層は前記ソース及びドレインと同じ層に配置されており、前記第三電波透過層は前記ゲートと同じ層に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項8】
前記表示画面アセンブリはアレイ基板を含み、前記アレイ基板は画素電極を含み、前記画素電極の材料は透明の金属酸化物半導体であり、前記電波透過構造の少なくとも一部は、前記画素電極と同じ層に配置されており、且つ前記画素電極と同じ材質を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項9】
前記表示画面アセンブリはアレイ基板とカラーフィルター基板を含み、前記アレイ基板は前記カラーフィルター基板と隔てて対向配置されており、前記電波透過構造は第一電波透過層と第二電波透過層を含み、前記第一電波透過層は前記アレイ基板に配置されており、前記第二電波透過層は前記カラーフィルター基板に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項10】
前記カラーフィルター基板は画素電極を含み、前記アレイ基板は共通電極を含み、前記第一電波透過層は前記画素電極と同じ層に配置されており、前記第二電波透過層は前記共通電極と同じ層に配置されている、ことを特徴とする請求項９に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項11】
前記表示画面本体は基板及び前記基板にアレイ状に配置された発光素子を含み、前記発光素子は第一電極、発光層及び第二電極を含み、前記第一電極は前記基板の上に配置されており、前記発光層は、前記基板から遠い前記第一電極の片側に配置されており、前記第二電極は前記第一電極から遠い前記発光層の片側に配置されており、
前記第一電極は第一電圧をロードするように構成されており、前記第二電極は第二電圧をロードするように構成されており、前記発光層は前記第一電圧及び前記第二電圧の働きで発光するように構成されており、
前記電波透過構造は単層構造であり、前記電波透過構造は前記第一電極又は第二電極と同じ層に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項12】
前記表示画面本体は基板及び前記基板にアレイ状に配置された発光素子を含み、前記発光素子は第一電極、発光層及び第二電極を含み、前記第一電極は前記基板の上に配置されており、前記発光層は、前記基板から遠い前記第一電極の片側に配置されており、前記第二電極は前記第一電極から遠い前記発光層の片側に配置されており、
前記第一電極は第一電圧をロードするように構成されており、前記第二電極は第二電圧をロードするように構成されており、前記発光層は前記第一電圧及び前記第二電圧の働きで発光するように構成されており、
前記電波透過構造は第一電波透過層と第二電波透過層を含み、前記第一電波透過層は前記第一電極と同じ層に配置されており、前記第二電波透過層は前記第二電極と同じ層に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項13】
前記第一電波透過層はスルーホールを有し、前記第二電波透過層の前記第一電波透過層における正投影は前記スルーホール内に入る、ことを特徴とする請求項４、又は請求項６、請求項９、請求項１２に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項14】
前記表示画面本体は画面本体と、画面本体の外縁から曲げられて延長された延長部とを含み、前記電波透過構造は前記画面本体に対応して配置されており、又は、前記電波透過構造は前記延長部に対応して配置されている、ことを特徴とする請求項１に記載の表示画面アセンブリ。
【請求項15】
請求項１～１４のいずれか一項に記載の表示画面アセンブリと、アンテナモジュールとを含むアンテナアセンブリを含み、
前記アンテナモジュールは予め設定された範囲内で、予め設定された周波数帯の無線周波数（ＲＦ）信号を受送信するように構成されており、前記表示画面アセンブリにおける電波透過構造の少なくとも一部は前記予め設定された範囲内に位置する、
ことを特徴とする電子デバイス。
【手続補正28】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図16】
【手続補正29】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図17】
【手続補正30】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図30】
【手続補正31】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図31】
【手続補正32】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図32】
【手続補正33】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図33】
【国際調査報告】