▶ ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2022-09-06
(54)【発明の名称】基板処理装置
(51)【国際特許分類】
C23C 16/44 20060101AFI20220830BHJP
C23C 16/505 20060101ALI20220830BHJP
H01L 21/3065 20060101ALI20220830BHJP
H05H 1/46 20060101ALN20220830BHJP
【ＦＩ】
C23C16/44 B
C23C16/505
H01L21/302 101B
H05H1/46 A
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2021574823
(86)(22)【出願日】2020-06-11
(85)【翻訳文提出日】2021-12-15
(86)【国際出願番号】 KR2020007614
(87)【国際公開番号】W WO2021002605
(87)【国際公開日】2021-01-07
(31)【優先権主張番号】10-2019-0079657
(32)【優先日】2019-07-02
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】504210651
【氏名又は名称】ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110000154
【氏名又は名称】弁理士法人はるか国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】リ ジャエ ワン
(72)【発明者】
【氏名】キム ヨン ヒュン
(72)【発明者】
【氏名】キム ユーン ジェオン
(72)【発明者】
【氏名】キム ユン ホエ
(72)【発明者】
【氏名】パク チャン キュン
(72)【発明者】
【氏名】ジュン グ ヒュン
(72)【発明者】
【氏名】キム キ バム
(72)【発明者】
【氏名】サ セウン ユウブ
【テーマコード（参考）】
2G084
4K030
5F004
【Ｆターム（参考）】
2G084BB21
2G084BB32
2G084CC11
2G084CC33
2G084FF15
4K030EA04
4K030FA03
4K030KA04
4K030KA14
5F004AA01
5F004BA04
5F004BB28
(57)【要約】
本発明は、熱膨張率の差を考慮して第１電極と第２電極の位置を予め調整することにより、工程が進行して第１電極および第２電極の熱膨張が発生しても前記第１電極と第２電極とが接触してショートが起こるのを防止できるようにした基板処理装置に関する。本発明による基板処理装置によれば、工程進行中の温度上昇によって第１電極および第２電極が熱膨張が生じても前記第１電極と第２電極との間のショートを防止でき、大面積基板処理装置で薄膜の均一度を維持できる効果がある。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を処理するための反応空間を提供する工程チャンバと、前記工程チャンバの内部に設けられて、前記基板に対向し、前記基板側に突出した複数の突出電極を含む第１電極と、
前記工程チャンバの内部に設けられて、前記突出電極が挿入される複数の挿入ホールが形成された第２電極と、を含み、
前記第２電極は、中心領域と、前記中心領域を取り囲む周辺領域と、前記周辺領域を取り囲むエッジ領域とを有し、
前記中心領域は、前記突出電極の中心が前記挿入ホールの中心に挿入され、
前記周辺領域は、前記突出電極の中心が前記挿入ホールの中心から前記中心領域の反対方向に第１距離だけ離隔して挿入され、
前記エッジ領域は、前記突出電極の中心が前記挿入ホールの中心から前記中心領域の反対方向に第２距離だけ離隔して挿入され、
前記第１距離は、前記第２距離より短いことを特徴とする基板処理装置。
【請求項2】
基板を処理するための反応空間を提供する工程チャンバと、前記工程チャンバの内部に設けられて、前記基板に対向し、前記基板側に突出した複数の突出電極を含む第１電極と、
前記工程チャンバの内部に設けられて、前記突出電極が挿入される複数の挿入ホールが形成された第２電極と、を含み、
前記第２電極は、中心領域と、前記中心領域を取り囲む周辺領域と、前記周辺領域を取り囲むエッジ領域とを有し、
前記突出電極の中心は、前記中心領域から前記エッジ領域へいくほど前記挿入ホールの中心から遠くなる状態で挿入されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項3】
基板を処理するための反応空間を提供する工程チャンバと、前記工程チャンバの内部に設けられて、前記基板に対向し、前記基板側に突出した複数の突出電極を含む第１電極と、
前記工程チャンバの内部に設けられて、前記突出電極が挿入される複数の挿入ホールが形成された第２電極と、を含み、
前記第２電極は、中心領域と、前記中心領域を取り囲む周辺領域と、前記周辺領域を取り囲むエッジ領域とを有し、
前記突出電極の外周面と前記挿入ホールの内周面との間の間隔のうち最短距離を有する間隔は、前記第２電極の中心領域から前記エッジ領域へいくほど短くなることを特徴とする基板処理装置。
【請求項4】
基板を処理するための反応空間を提供する工程チャンバと、前記工程チャンバの内部に設けられて、前記基板に対向し、前記基板側に突出した複数の突出ノズルを含む第１噴射プレートと、
前記工程チャンバの内部に設けられて、前記突出ノズルが挿入される複数の挿入ホールが形成された第２噴射プレートと、を含み、
前記第２噴射プレートは、中心領域と、前記中心領域を取り囲む周辺領域と、前記周辺領域を取り囲むエッジ領域とを有し、
前記中心領域は、前記突出ノズルが前記挿入ホールの中心に挿入され、
前記周辺領域は、前記突出ノズルが前記挿入ホールの中心から前記中心領域の反対方向に第１距離だけ離隔して挿入され、
前記エッジ領域は、前記突出ノズルが前記挿入ホールの中心から前記中心領域の反対方向に第２距離だけ離隔して挿入され、
前記第１距離は、前記第２距離より短いことを特徴とする基板処理装置。
【請求項5】
基板を処理するための反応空間を提供する工程チャンバと、前記工程チャンバの内部に設けられて、前記基板に対向し、前記基板側に突出した複数の突出ノズルを含む第１噴射プレートと、
前記工程チャンバの内部に設けられて、前記突出ノズルが挿入される複数の挿入ホールが形成された第２噴射プレートと、を含み、
前記第２噴射プレートは、中心領域と、前記中心領域を取り囲む周辺領域と、前記周辺領域を取り囲むエッジ領域とを有し、
前記突出ノズルは、前記中心領域から前記エッジ領域へいくほど前記挿入ホールの中心から遠くなる状態で挿入されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項6】
基板を処理するための反応空間を提供する工程チャンバと、前記工程チャンバの内部に設けられて、前記基板に対向し、前記基板側に突出した複数の突出ノズルを含む第１噴射プレートと、
前記工程チャンバの内部に設けられて、前記突出ノズルが挿入される複数の挿入ホールが形成された第２噴射プレートと、を含み、
前記第２噴射プレートは、中心領域と、前記中心領域を取り囲む周辺領域と、前記周辺領域を取り囲むエッジ領域とを有し、
前記突出ノズルの外周面と前記挿入ホールの内周面との間の間隔のうち最短距離を有する間隔は、前記第２噴射プレートの前記中心領域から前記エッジ領域へいくほど短くなることを特徴とする基板処理装置。
【請求項7】
前記工程チャンバは、常温であることを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記周辺領域は、第１周辺領域および第２周辺領域を含み、前記第１周辺領域は、前記突出電極の中心が前記挿入ホールの中心から前記中心領域の反対方向に第１距離だけ離隔して挿入され、
前記第２周辺領域は、前記突出電極の中心が前記挿入ホールの中心から前記中心領域の反対方向に第３距離だけ離隔して挿入され、
前記第１距離は、前記第３距離より短いか等しいことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記エッジ領域は、第１エッジ領域および第２エッジ領域を含み、前記第１エッジ領域は、前記突出電極の中心が前記挿入ホールの中心から前記中心領域の反対方向に第２距離だけ離隔して挿入され、
前記第２エッジ領域は、前記突出電極の中心が前記挿入ホールの中心から前記中心領域の反対方向に第４距離だけ離隔して挿入され、
前記第２距離は、前記第４距離より短いか等しいことを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記第３距離は、前記第２距離より短いか等しく、第４距離より短いことを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記周辺領域は、第１周辺領域および第２周辺領域を含み、前記第１周辺領域は、前記突出ノズルが前記挿入ホールの中心から前記中心領域の反対方向に第１距離だけ離隔して挿入され、
前記第２周辺領域は、前記突出ノズルが前記挿入ホールの中心から前記中心領域の反対方向に第３距離だけ離隔して挿入され、
前記第１距離は、前記第３距離より短いか等しいことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記エッジ領域は、第１エッジ領域および第２エッジ領域を含み、前記第１エッジ領域は、前記突出ノズルが前記挿入ホールの中心から前記中心領域の反対方向に第２距離だけ離隔して挿入され、
前記第２エッジ領域は、前記突出ノズルが前記挿入ホールの中心から前記中心領域の反対方向に第４距離だけ離隔して挿入され、
前記第２距離は、前記第４距離より短いか等しいことを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項13】
前記第３距離は、前記第２距離より短いか等しく、第４距離より短いことを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項14】
前記突出電極の外周面と前記挿入ホールの内周面との間の間隔のうち最短距離は、前記挿入ホールの内周面のうち前記中心領域と反対方向に位置した内周面と前記突出電極の外周面との間の距離であることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記突出ノズルの外周面と前記挿入ホールの内周面との間の間隔のうち最短距離は、前記挿入ホールの内周面のうち前記中心領域と反対方向に位置した内周面と前記突出ノズルの外周面との間の距離であることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置に関し、より詳しくは、熱膨張率の差を考慮して電極間でショートが起こるのを防止できるようにした基板処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
一般的に、半導体素子、平板ディスプレイ、太陽電池（Ｓｏｌａｒ Ｃｅｌｌ）などを製造するためには、基板上に所定の薄膜層、薄膜回路パターン、または光学的パターンを形成しなければならない。このために、基板に特定物質の薄膜を蒸着する蒸着工程、感光性物質を用いて薄膜を選択的に露出させるフォト工程、選択的に露出した部分の薄膜を除去してパターンを形成するエッチング工程などのような基板に対する処理工程が行われる。
【0003】
このような基板に対する処理工程は基板処理装置によって行われる。従来技術による基板処理装置は、基板を処理するチャンバと、基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部の上側に配置された電極部とを含む。従来技術による基板処理装置は、前記電極部を通して基板にガスを供給することにより、前記基板に対する処理工程を行う。
【0004】
従来技術による基板処理装置の電極部は、基板側に突出した複数の突出電極を含む第１電極と、前記突出電極が貫通する挿入ホールが形成された第２電極とを備え、前記突出電極は、前記挿入ホールの中央に位置するように設計された。
【0005】
基板処理装置で基板処理工程が進行するにつれてチャンバ内の温度が上昇し、第１電極と第２電極は温度上昇によって熱膨張が生じる。一般的に、ヒータによって加熱される基板支持部に近い第２電極が第１電極より温度が高く、このような温度の差によって第１電極と第２電極との間で熱膨張の差が発生する。
【0006】
第１電極と第２電極との間での熱膨張率の差によって、工程の進行中に突出電極の中心と挿入ホールの中心との間のセンタリングが合わなくなる。一方、中心領域からエッジ領域へいくほど熱膨張率の差がさらに大きくなるに伴い、エッジ領域へいくほど突出電極の中心と挿入ホールの中心との間のセンタリングの不一致が大きくなり、突出電極と挿入ホールとが互いに接触してショートが発生する。
【0007】
このように第１電極と第２電極との間でショートが発生した場合、基板処理装置内にＲＦパワーを印加できず、基板処理工程中に均一な薄膜を生成できない問題があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明が解決しようとする課題は、基板側に突出した複数の突出電極を有する第１電極と、前記突出電極が貫通する複数の挿入ホールが形成された第２電極とを備えた基板処理装置において、前記突出電極と挿入ホールの位置を調整することにより、工程進行中の温度上昇によって第１電極および第２電極の熱膨張が生じても前記第１電極と第２電極とが接触してショートが起こるのを防止し、突出電極の中心と挿入ホールの中心とが一致するようにして第１電極と第２電極から工程ガスが均一に噴射できるようにした基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記の技術的課題を達成するための、本発明の実施例による基板処理装置は、基板を処理するための反応空間を提供する工程チャンバと、前記工程チャンバの内部に設けられて、前記基板に対向し、前記基板側に突出した複数の突出電極を含む第１電極と、前記工程チャンバの内部に設けられて、前記突出電極が挿入される複数の挿入ホールが形成された第２電極と、を含み、前記第２電極は、中心領域と、前記中心領域を取り囲む周辺領域と、前記周辺領域を取り囲むエッジ領域とを有し、前記中心領域は、前記突出電極の中心が前記挿入ホールの中心に挿入され、前記周辺領域は、前記突出電極の中心が前記挿入ホールの中心から前記中心領域の反対方向に第１距離だけ離隔して挿入され、前記エッジ領域は、前記突出電極の中心が前記挿入ホールの中心から前記中心領域の反対方向に第２距離だけ離隔して挿入され、前記第１距離は、前記第２距離より短いことを特徴とする。
【0010】
上記の技術的課題を達成するための、本発明の実施例による基板処理装置は、基板を処理するための反応空間を提供する工程チャンバと、前記工程チャンバの内部に設けられて、前記基板に対向し、前記基板側に突出した複数の突出電極を含む第１電極と、前記工程チャンバの内部に設けられて、前記突出電極が挿入される複数の挿入ホールが形成された第２電極と、を含み、前記第２電極は、中心領域と、前記中心領域を取り囲む周辺領域と、前記周辺領域を取り囲むエッジ領域とを有し、前記突出電極の中心は、前記中心領域から前記エッジ領域へいくほど前記挿入ホールの中心から遠くなる状態で挿入されることを特徴とする。
【0011】
上記の技術的課題を達成するための、本発明の実施例による基板処理装置は、基板を処理するための反応空間を提供する工程チャンバと、前記工程チャンバの内部に設けられて、前記基板に対向し、前記基板側に突出した複数の突出電極を含む第１電極と、前記工程チャンバの内部に設けられて、前記突出電極が挿入される複数の挿入ホールが形成された第２電極と、を含み、前記第２電極は、中心領域と、前記中心領域を取り囲む周辺領域と、前記周辺領域を取り囲むエッジ領域とを有し、前記突出電極の外周面と前記挿入ホールの内周面との間の間隔のうち最短距離を有する間隔は、前記第２電極の中心領域から前記エッジ領域へいくほど短くなることを特徴とする。
【0012】
上記の技術的課題を達成するための、本発明の実施例による基板処理装置は、
【0013】
基板を処理するための反応空間を提供する工程チャンバと、前記工程チャンバの内部に設けられて、前記基板に対向し、前記基板側に突出した複数の突出ノズルを含む第１噴射プレートと、前記工程チャンバの内部に設けられて、前記突出ノズルが挿入される複数の挿入ホールが形成された第２噴射プレートと、を含み、前記第２噴射プレートは、中心領域と、前記中心領域を取り囲む周辺領域と、前記周辺領域を取り囲むエッジ領域とを有し、前記中心領域は、前記突出ノズルが前記挿入ホールの中心に挿入され、前記周辺領域は、前記突出ノズルが前記挿入ホールの中心から前記中心領域の反対方向に第１距離だけ離隔して挿入され、前記エッジ領域は、前記突出ノズルが前記挿入ホールの中心から前記中心領域の反対方向に第２距離だけ離隔して挿入され、前記第１距離は、前記第２距離より短いことを特徴とする。
【0014】
上記の技術的課題を達成するための、本発明の実施例による基板処理装置は、基板を処理するための反応空間を提供する工程チャンバと、前記工程チャンバの内部に設けられて、前記基板に対向し、前記基板側に突出した複数の突出ノズルを含む第１噴射プレートと、前記工程チャンバの内部に設けられて、前記突出ノズルが挿入される複数の挿入ホールが形成された第２噴射プレートと、を含み、前記第２噴射プレートは、中心領域と、前記中心領域を取り囲む周辺領域と、前記周辺領域を取り囲むエッジ領域とを有し、前記突出ノズルは、前記中心領域から前記エッジ領域へいくほど前記挿入ホールの中心から遠くなる状態で挿入されることを特徴とする。
【0015】
上記の技術的課題を達成するための、本発明の実施例による基板処理装置は、基板を処理するための反応空間を提供する工程チャンバと、前記工程チャンバの内部に設けられて、前記基板に対向し、前記基板側に突出した複数の突出ノズルを含む第１噴射プレートと、前記工程チャンバの内部に設けられて、前記突出ノズルが挿入される複数の挿入ホールが形成された第２噴射プレートと、を含み、前記第２噴射プレートは、中心領域と、前記中心領域を取り囲む周辺領域と、前記周辺領域を取り囲むエッジ領域とを有し、前記突出ノズルの外周面と前記挿入ホールの内周面との間の間隔のうち最短距離を有する間隔は、前記第２噴射プレートの前記中心領域から前記エッジ領域へいくほど短くなることを特徴とする。
【発明の効果】
【0016】
本発明による基板処理装置によれば、第２電極の中心領域では前記突出電極の中心を前記挿入ホールの中心に位置させ、前記第２電極の中心領域以外の領域では前記突出電極の中心を前記第２電極の中心領域からエッジ領域へいくほど前記挿入ホールの中心から外れた所に位置させることで、工程進行中の温度上昇によって第１電極および第２電極の熱膨張が生じても前記第１電極と第２電極とが接触してショートが起こるのを防止でき、大面積基板処理装置で薄膜の均一度を維持できる効果がある。
【0017】
本発明の他の基板処理装置によれば、工程進行中の温度上昇によって第１噴射プレートおよび第２噴射プレートの熱膨張が生じても突出ノズルの中心と挿入ホールの中心とが一致するようにして第１噴射プレートと第２噴射プレートから工程ガスが均一に噴射されるようにすることで、大面積基板処理装置で薄膜の均一度を維持できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1】本発明による基板処理装置の一実施例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
基板処理装置内での工程進行中には、下部電極である第２電極の温度が上部電極である第１電極の温度よりはるかに高いことが一般的であり、これによって第１電極と第２電極との間には温度の差による熱膨張率の差が発生する。
【0020】
このような差によって、工程進行前は第１電極の突出電極と第２電極の挿入ホールとの間に一定の間隔を維持していても、工程進行後は突出電極と挿入ホールとの間の間隔が一定でなくなり、熱膨張の差が激しい場合、突出電極が挿入ホールにくっついてショートが発生する。
【0021】
本発明は、このような問題を防止するために、第１電極の突出電極と第２電極の挿入ホールとの間の熱膨張の差を考慮して、工程進行前から突出電極と挿入ホールの間隔を調整して配置することで、熱膨張後に突出電極と挿入ホールのセンタリングが一致できるようにしたことを特徴とする。
【0022】
熱膨張率は温度と長さに比例して大きくなるので、第１電極および第２電極の中心領域では熱膨張が大きく生じず、中心領域からエッジ領域へいくほど放射状に熱膨張が多く生じるようになる。
【0023】
したがって、第１電極と第２電極の中心領域では突出電極の中心が挿入ホールの中心に位置するように配置し、第１電極と第２電極の中心領域からエッジ領域へいくほど突出電極の中心が挿入ホールの中心からより多く外れる所に位置するように配置することが好ましい。
【0024】
以下、添付した図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
【0025】
図１は、本発明による基板処理装置の一実施例を示す断面図である。
【0026】
図１示すように、本発明による基板処理装置１００は、工程チャンバ１１０と、基板支持部１２０と、チャンバリッド１３０と、前記基板支持部に対向する第１電極１４１および第２電極１４２を含むガス噴射モジュール１４０とを備える。
【0027】
工程チャンバ１１０は、基板処理工程のための反応空間１０１を提供する。この時、工程チャンバ１１０の一側底面は、反応空間１０１を排気させるための排気口（図示せず）に連通可能である。
【0028】
前記基板支持部１２０は、工程チャンバ１１０の内部に設けられ、複数の基板Ｓまたは１つの大面積基板Ｓを支持する。前記基板支持部１２０は、工程チャンバ１１０の中央底面を貫通する支持軸（図示せず）によって支持される。この時、工程チャンバ１１０の下面の外部に露出する前記支持軸は、工程チャンバ１１０の下面に設けられるベローズ（図示せず）によって密閉される。一方、基板支持部１２０は、駆動装置（図示せず）によって昇降または下降可能であり、場合によっては、駆動装置の駆動によって回転することもできる。
【0029】
前記チャンバリッド１３０は、工程チャンバ１１０の上部を覆うように設けられて、反応空間１０１を密閉する。チャンバリッド１３０は、上部電極である第１電極１４１および下部電極である第２電極１４２を含むガス噴射モジュール１４０を支持し、ガス噴射モジュール１４０が挿入されて着脱可能に結合される。
【0030】
前記チャンバリッド１３０の上面には、工程チャンバ１１０内部のガス噴射モジュール１４０に第１ガスおよび第２ガスを供給する第１ガス供給部（図示せず）および第２ガス供給部（図示せず）を含むことができる。
【0031】
前記第１ガス供給部（図示せず）は、第１ガス供給ライン１５１を通して第１ガスである反応ガスをガス噴射モジュール１４０に供給する。反応ガスは、プラズマ形成のための気体や付随的反応のためのガスをいう。例えば、前記反応ガスは、水素（Ｈ２）、窒素（Ｎ２）、酸素（Ｏ２）、二酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、アンモニア（ＮＨ３）、水（Ｈ２Ｏ）、またはオゾン（Ｏ３）などからなる。
【0032】
前記第２ガス供給部（図示せず）は、第２ガス供給ライン１５２を通して第２ガスであるソースガスをガス噴射モジュール１４０に供給する。ソースガスは、形成しようとする薄膜の主成分を含むガスをいう。例えば、前記ソースガスは、シリコン（Ｓｉ）、チタン族元素（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなど）、またはアルミニウム（Ａｌ）などのガスからなる。
【0033】
工程チャンバ１１０の外部には、プラズマ電源を供給するためのプラズマ電源供給部（図示せず）が設けられる。
【0034】
ガス噴射モジュール１４０を構成する前記第１電極１４１および前記第２電極１４２は、前記基板支持部１２０に対向するように工程チャンバの上部に着脱可能に結合できる。
【0035】
前記第１電極１４１は、反応空間に第１ガスを噴射する第１噴射プレートとして動作し、前記第２電極１４１は、反応空間に第１ガスを噴射する 第１噴射プレートとして動作することができる。
【0036】
前記第１電極１４１は、前記工程チャンバ内に設けられ、前記基板Ｓ側に突出した複数の突出電極１４１ａを含む。
【0037】
前記第１電極１４１には、前記第１ガス供給ライン 151aを通して第１ガス供給部 151 から供給された第１ガスが基板Ｓに噴射できるように複数の第１ガス噴射ホール１４１ｂが形成される。
【0038】
図１では、第１ガス噴射ホール１４１ｂが突出電極１４１ａに形成されたものとして示したが、場合によっては、突出電極１４１ａには第１ガス噴射ホール１４１ｂを形成せず、突出電極１４１ａ以外の第１電極１４１部分に第１ガス噴射ホール１４１ｂを形成することもできる。
【0039】
この時、前記第１ガスは、前記基板Ｓに噴射されてもよいし、前記突出電極１４１ａの長さによって前記突出電極１４１ａと前記挿入ホール１４２ａとの間から噴射されてもよい。
【0040】
前記第１電極１４１は、多角形の平板状または円形の板状などの構造であってもよい。前記突出電極１４１ａは、前記第１電極１４１と一体型または分離型であってもよいし、前記第１電極１４１と連結されて第１電極１４１と同一の電圧を有することができる。
【0041】
前記第２電極１４２には、前記第２ガス供給ライン152a を通して供給された第２ガスが基板Ｓに噴射できるように複数の第２ガス噴射ホール１４２ｂが形成される。
【0042】
前記第２電極１４２は、多角形の平板状または円形の板状などの構造であってもよいし、前記工程チャンバ内に設けられ、前記突出電極１４１ａが貫通する複数の挿入ホール１４２ａが形成される。
【0043】
【0044】
図２～図６は、第１電極および第２電極を含む電極に関する実施例であって、図面を簡素化して説明を容易にするために第１ガス噴射ホール１４１ｂおよび第２ガス噴射ホール１４２ｂは示していない。第１ガス噴射ホール１４１ｂおよび第２ガス噴射ホール１４２ｂを含むガス噴射プレートに関する実施例は後述する。
【0045】
図２を参照すれば、本発明による基板処理装置は、第２電極１４２の中心領域では突出電極１４１ａが貫通ホール１４２ａの中心に位置しているが、中心領域からエッジ領域へいくほど突出電極１４１ａが 貫通ホール１４２ａの中心から外れて 貫通ホール１４２ａの外側内周面側に偏って形成されていることが分かる。
【0046】
このように突出電極１４１ａの位置を第２電極１４２の中心領域からエッジ領域へいくほど 貫通ホール１４２ａの中心から外れて形成することにより、工程が進行して熱膨張が完了した後は、図３に示すように、突出電極１４１ａが 貫通ホール１４２ａの中心に位置して突出電極１４１ａと 貫通ホール１４２ａとの間にショートが起こるのを防止できる。
【0047】
【0048】
前記中心領域ＣＡでは、前記突出電極１４１ａの中心が前記挿入ホール１４２ａの中心に挿入される。
【0049】
前記周辺領域ＰＡでは、前記突出電極１４１ａの中心が前記挿入ホール１４２ａの中心から前記中心領域ＣＡの反対方向に第１距離ｄ１だけ離隔して挿入される。
【0050】
前記エッジ領域ＥＡでは、前記突出電極１４１ａの中心が前記挿入ホール１４２ａの中心から前記中心領域ＣＡの反対方向に第２距離ｄ２だけ離隔して挿入される。
【0051】
この時、温度および長さによる熱膨張率の差を考慮して、前記第１距離は、前記第２距離より短くなるようにすることが好ましい。
【0052】
すなわち、本発明の一実施例による基板処理装置では、前記突出電極１４１ａの中心が前記中心領域ＣＡから前記エッジ領域ＥＡへいくほど前記挿入ホール１４２ａの中心から遠くなる状態で挿入される。
【0053】
また、本発明の一実施例による基板処理装置では、前記中心領域ＣＡから前記エッジ領域ＥＡへいくほど前記挿入ホール１４２ａの内周面のうち前記中心領域ＣＡと反対方向に位置した内周面と前記突出電極１４１ａの外周面との間の距離が短くなる状態で挿入される。
【0054】
一方、前記周辺領域ＰＡは、第１周辺領域ＰＡ１および第２周辺領域ＰＡ２を含む。
【0055】
前記第１周辺領域ＰＡ１では、前記突出電極１４１ａの中心が前記挿入ホール１４２ａの中心から前記中心領域ＣＡの反対方向に第１距離ｄ１だけ離隔した状態で前記突出電極１４１ａが前記挿入ホール１４２ａに挿入される。
【0056】
前記第２周辺領域ＰＡ２では、前記突出電極１４１ａの中心が前記挿入ホール１４２ａの中心から前記中心領域ＣＡの反対方向に第３距離ｄ３だけ離隔した状態で前記突出電極１４１ａが前記挿入ホール１４２ａに挿入される。
【0057】
この時、温度および長さによる熱膨張率の差を考慮して、前記第１距離ｄ１は、前記第３距離ｄ３より短いか等しくなるようにすることが好ましい。
【0058】
一方、前記エッジ領域ＥＡは、第１エッジ領域ＥＡ１および第２エッジ領域ＥＡ２を含む。
【0059】
前記第１エッジ領域ＥＡ１では、前記突出電極１４１ａの中心が前記挿入ホール１４２ａの中心から前記中心領域ＣＡの反対方向に第２距離ｄ１だけ離隔した状態で前記突出電極１４１ａが前記挿入ホール１４２ａに挿入される。
【0060】
前記第２エッジ領域ＥＡ２では、前記突出電極１４１ａの中心が前記挿入ホール１４２ａの中心から前記中心領域ＣＡの反対方向に第４距離 ｄ１だけ離隔した状態で前記突出電極１４１ａが前記挿入ホール１４２ａに挿入される。
【0061】
この時、温度および長さによる熱膨張率の差を考慮して、前記第２距離ｄ２は、前記第４距離ｄ４より短いか等しくなるようにすることが好ましい。
【0062】
本発明において、第１距離ｄ１は、第１周辺領域ＰＡ１における前記突出電極１４１ａの中心と前記挿入ホール１４２ａの中心との間の距離であり、第２距離ｄ２は、第１エッジ領域ＥＡ１における前記突出電極１４１ａの中心と前記挿入ホール１４２ａの中心との間の距離であり、第３距離ｄ３は、第２周辺領域ＰＡ２における前記突出電極１４１ａの中心と前記挿入ホール１４２ａの中心との間の距離であり、第４距離ｄ４は、第２エッジ領域ＥＡ２における前記突出電極１４１ａの中心と前記挿入ホール１４２ａの中心との間の距離であると定義することができる。
【0063】
この時、温度および長さによる熱膨張率の差を考慮して、前記第３距離ｄ３は、前記第２距離ｄ２より短いか等しく、前記第４距離ｄ４より短くなるようにすることが好ましい。
【0064】
本発明による基板処理装置によれば、第２電極の位置を中心領域ＣＡから第１周辺領域ＰＡ１および第２周辺領域ＰＡ１と第１エッジ領域ＥＡ１および第２エッジ領域ＥＡ２とに区分し、突出電極１４１ａの位置を中心領域ＣＡから第１周辺領域ＰＡ１および第２周辺領域 ＰＡ１と第１エッジ領域ＥＡ１および第２エッジ領域ＥＡ２へいくほど 貫通ホール１４２ａの中心から外れて形成することにより、工程が進行して熱膨張が完了した後は、図６に示すように、突出電極１４１ａが 貫通ホール１４２ａの中心に位置して突出電極１４１ａと 貫通ホール１４２ａとの間にショートが起こるのを防止できる。
【0065】
【0066】
【0067】
【0068】
【0069】
図２および図３が第１電極および第２電極を含む電極に関する実施例を示すものであれば、図１１および図１２は、第１ガス噴射ホール１４１ｂおよび第２ガス噴射ホール１４２ｂを含み、反応空間にガスを噴射するガス噴射プレートに関する実施例を示す。
【0070】
図１１は、図２と比較して、第１電極が第１ガス噴射ホール１４１ｂおよび突出ノズル１４１ａを備えた第１噴射プレート１４１として動作し、第２電極が挿入ホール１４２ａおよび第２ガス噴射ホール（図示せず）を備えた第２噴射プレート１４２として動作する点を除いてその他の構成は同一である。
【0071】
【0072】
本発明の他の実施例による基板処理装置は、基板を処理するための反応空間を提供する工程チャンバ１１０と、前記工程チャンバの内部に設けられて、前記基板に対向し、前記基板Ｓ側に突出した複数の突出ノズル１４１ａを含む第１噴射プレート１４１と、前記工程チャンバの内部に設けられて、前記突出ノズル１４１ａが挿入される複数の挿入ホール１４２ａが形成された第２噴射プレート１４２とを含む。
【0073】
前記第２噴射プレート１４２は、中心領域ＣＡと、前記中心領域ＣＡを取り囲む周辺領域ＰＡと、前記周辺領域ＰＡを取り囲むエッジ領域ＥＡとを含む。
【0074】
前記中心領域ＣＡでは、前記突出ノズル１４１ａが前記挿入ホール１４２ａの中心に挿入される。
【0075】
前記周辺領域ＰＡでは、前記突出ノズル１４１ａが前記挿入ホール１４２ａの中心から前記中心領域ＣＡの反対方向に第１距離ｄ１だけ離隔して挿入される。
【0076】
前記エッジ領域ＥＡでは、前記突出ノズル１４１ａが前記挿入ホール１４２ａの中心から前記中心領域ＣＡの反対方向に第２距離ｄ２だけ離隔して挿入される。
【0077】
この時、温度および長さによる熱膨張率の差を考慮して、前記第１距離ｄ１は、前記第２距離ｄ２より短くなるようにすることが好ましい。
【0078】
すなわち、本発明の他の実施例による基板処理装置では、前記突出ノズル１４１ａの中心が前記中心領域ＣＡから前記エッジ領域ＥＡへいくほど前記挿入ホール１４２ａの中心から遠くなる状態で挿入される。
【0079】
また、本発明の他の実施例による基板処理装置では、前記中心領域ＣＡから前記エッジ領域ＥＡへいくほど前記挿入ホール１４２ａの内周面のうち前記中心領域ＣＡと反対方向に位置した内周面と前記突出ノズル１４１ａの外周面との間の距離が短くなる状態で挿入される。
【0080】
一方、図２に示された突出電極１４１ａおよび図１１に示された突出ノズル１４１ａは、挿入ホール１４２ａに挿入された形態で形成されることが一般的であるが、工程条件によって挿入ホール１４２ａに挿入されていない形態で形成されてもよい。
【0081】
突出ノズル１４１ａが挿入ホール１４２ａに挿入されていない場合にも、熱膨張によって突出ノズルの位置が挿入ホール１４２ａの中心から外れると均一な品質の薄膜を形成できなくなるので、本発明のように工程前に突出ノズルの位置を調整する過程が必要になる。
【0082】
上述のように、本発明による基板処理装置は、電極間の温度および第２電極の中心部からの距離による熱膨張の差を考慮して、中心領域では突出電極が第２電極の挿入ホールの中心に位置するが、エッジ領域へいくほど中心から外れる位置に配置したことを特徴とする。
【0083】
これにより、本発明では、熱膨張が完了した後に突出電極の中心と挿入ホールの中心との間のセンタリングが一致して突出電極と挿入ホールとの間でショートが発生するのを防止でき、これによって基板処理装置で薄膜の均一度を維持できるというメリットがある。
【0084】
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲がこれに限定されるものではなく、以下の特許請求の範囲で定義する本発明の基本概念に基づいてより多様な実施例で実現可能であり、これらの実施例も本発明の権利範囲に属する。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【国際調査報告】