特表 2022-542039 性能が改善された活性有機層を有する光電子デバイス及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2022-09-29

(54)【発明の名称】性能が改善された活性有機層を有する光電子デバイス及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 31/10 20060101AFI20220921BHJP

【ＦＩ】

H01L31/10 A

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2022503880

(86)(22)【出願日】2020-07-16

(85)【翻訳文提出日】2022-03-16

(86)【国際出願番号】 EP2020070118

(87)【国際公開番号】W WO2021013683

(87)【国際公開日】2021-01-28

(31)【優先権主張番号】1908250

(32)【優先日】2019-07-19

(33)【優先権主張国・地域又は機関】FR

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】513257535

【氏名又は名称】イソルグ

(74)【代理人】

【識別番号】100114557

【弁理士】

【氏名又は名称】河野 英仁

(74)【代理人】

【識別番号】100078868

【弁理士】

【氏名又は名称】河野 登夫

(72)【発明者】

【氏名】フラメイン，フランソワ

(72)【発明者】

【氏名】サラッコ，エメリン

(72)【発明者】

【氏名】ブティノン，ベンジャミン

(72)【発明者】

【氏名】ギルマード，デイヴィッド

【テーマコード（参考）】

5F849

【Ｆターム（参考）】

5F849AA03

5F849AB11

5F849BA28

5F849BB03

5F849CB14

5F849FA04

5F849FA05

5F849GA03

5F849XA02

5F849XA13

(57)【要約】

本開示は、光電子デバイス（３５）の製造方法に関する。製造方法は、下記の連続したステップ：支持体上に第１の導電性パッド及び第２の導電性パッド（４４、４５）を形成するステップと、第１の導電性パッド及び第２の導電性パッドを覆う活性有機層を堆積するステップと、活性有機層と接するように活性有機層上に第１の界面層を堆積するステップと、第１の界面層に第１の開口部を形成し、第１の開口部に一致するように活性有機層に第２の開口部を形成して、第２の導電性パッドを露出させるステップと、第１の開口部及び第２の開口部に少なくとも部分的に延在し、第１の界面層及び第２の導電性パッドと接する第２の界面層（６２）を形成するステップとを含む。
【選択図】 図１１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

光電子デバイス（３５）を製造する方法であって、以下の連続したステップ：
ａ）支持体（４０）上に、第１の導電性パッド及び第２の導電性パッド（４４、４５）を形成するステップと、
ｂ）前記第１の導電性パッド及び第２の導電性パッドを覆う活性有機層（４７）を堆積するステップと、
ｃ）前記活性有機層と接する第１の界面層（４８）を前記活性有機層上に堆積するステップと、
ｄ）前記第１の界面層（４８）に第１の開口部（５６）を形成し、前記第１の開口部に一致するように前記活性有機層（４７）に第２の開口部（５８）を形成して、前記第２の導電性パッドを露出させるステップと、
ｅ）前記第１の開口部及び第２の開口部に少なくとも部分的に延在し、前記第１の界面層及び前記第２の導電性パッドと接する第２の界面層（６２）を形成するステップと
を備える方法。

【請求項2】

前記第１の開口部（５６）及び／又は第２の開口部（５８）の形成は、反応性イオンエッチングによって達成される
請求項１に記載の方法。

【請求項3】

ステップｄ）は、前記第１の界面層（４８）に対してマスク（５０）を適用することを備え、前記マスクは、第３の開口部（５４）を備え、前記第１の開口部（５６）は、前記第３の開口部に一致するようにエッチングされる
請求項１又は２に記載の方法。

【請求項4】

ステップｄ）は、前記第１の界面層（４８）上にレジスト層（５２）を堆積することと、前記レジスト層に第３の開口部（５４）を形成することとを備え、前記第１の開口部（５６）は、前記第３の開口部に一致するようにエッチングされる
請求項１又は２に記載の方法。

【請求項5】

前記方法は、ステップａ）及びステップｂ）の間に、第２の導電性パッド（４５）に面するレジストブロック（６４）を形成することを備え、前記ブロックは頂部及び側面を備え、ステップｃ）の後に、前記活性有機層（４７）及び前記第１の界面層（４８）を備える積層体が、特に前記ブロックの頂部を覆い、前記ブロックの側面を完全には覆わず、前記方法は、ステップｄ）で前記ブロックを除去することを備える
請求項１に記載の方法。

【請求項6】

支持体（４０）と、
前記支持体上に設けられた第１の導電性パッド及び第２の導電性パッド（４４、４５）と、
前記第１の導電性パッド及び第２の導電性パッドを覆う活性有機層（４７）と、
前記活性有機層を覆い、前記活性有機層と接する第１の界面層（４８）と、
前記第１の界面層（４８）に設けられた第１の開口部（５６）、及び前記第１の開口部に一致するように前記活性有機層（４７）に設けられた第２の開口部（５８）と、
前記第１の開口部及び第２の開口部に少なくとも部分的に延在し、前記第１の界面層及び前記第２の導電性パッドと接する第２の界面層（６２）と
を備える光電子デバイス（３５）。

【請求項7】

前記第１の界面層（４８）及び／又は前記第２の界面層（６２）は、
金属の酸化物と、
ホスト／分子ドーパント系と、
導電性ポリマ又はドープされた半導体ポリマと、
炭酸塩と、
高分子電解質と、
これらの材料の２つ以上の混合物と
を含む群から選択される少なくとも１つの化合物を備える
請求項６に記載の光電子デバイス。

【請求項8】

前記第１の界面層（４８）と前記第２の界面層（６２）とは、異なる材料で製造されている
請求項６又は７に記載の光電子デバイス。

【請求項9】

前記第１の導電性パッド及び第２の導電性パッド（４４、４５）は、
導電性酸化物と、
金属又は金属合金と、
導電性ポリマと、
炭素、銀、及び／又は銅のナノワイヤと、
グラフェンと、
これらの材料の少なくとも２つの混合物と
を含む群から選択される少なくとも１つの化合物を備える
請求項６から８のいずれか１つに記載の光電子デバイス。

【請求項10】

前記活性有機層（４７）は、Ｐ型半導体ポリマとＮ型半導体材料とを備え、前記Ｐ型半導体ポリマは、ポリ（３－ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）、ポリ［Ｎ－９’－ヘプタデカニル－２，７－カルバゾール－ａｌｔ－５，５－（４，７－ｄｉ－２－チエニル－２’，１’，３’－ベンゾチアジアゾール）］（ＰＣＤＴＢＴ）、ポリ［（４，８－ｂｉｓ－（２－エチルヘキシルオキシ）－ベンゾ［１，２－ｂ；４，５－ｂ’］ジチオフェン）－２，６－ジイル－ａｌｔ－（４－（２－エチルヘキサノイル）－チエノ［３，４－ｂ］チオフェン））－２，６－ジイル］（ＰＢＤＴＴＴ－Ｃ）、ポリ［２－メトキシ－５－（２－エチル－ヘキシルオキシ）－１，４－フェニレン－ビニレン］（ＭＥＨ－ＰＰＶ）、又はポリ［２，６－（４，４－ｂｉｓ－（２－エチルヘキシル）－４Ｈ－シクロペンタ［２，１－ｂ；３，４－ｂ’］ジチオフェン）－ａｌｔ－４，７（２，１，３－ベンゾチアジアゾール）］（ＰＣＰＤＴＢＴ）であり、前記Ｎ型半導体材料は、フラーレン、［６，６］－フェニル－Ｃ６１－メチルブタノエート（［６０］ＰＣＢＭ）、［６，６］－フェニル－Ｃ７１－メチルブタノエート（［７０］ＰＣＢＭ）、ペリレンジイミド、酸化亜鉛又は量子ドットを形成可能なナノ結晶である
請求項６から９のいずれか１つに記載の光電子デバイス。

【請求項11】

電磁放射線を放出又は捕捉することが可能であり、前記活性有機層（４７）は、前記光電子デバイスの層であり、前記電磁放射線の大部分が該層で前記光電子デバイスによって捕捉され、又は、前記電磁放射線の大部分が該層から前記光電子デバイスによって放出される
請求項６から９のいずれか１つに記載の光電子デバイス。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、一般的に、有機フォトダイオードを有する光センサ又は有機発光ダイオードを有する表示画素を備える光電子デバイス及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

光電子デバイスの製造は、一般的に、少なくとも部分的に重なり合った素子を連続的に形成することを備え、これらの素子の少なくとも１つは有機材料で製造される。有機素子の製造方法は、有機層を堆積することと、有機層の一部をエッチングして有機素子を区切ることとを備える。

【0003】

有機光電子デバイスは、一般的に、活性有機層を備え、活性有機層は、光電子デバイスの領域であり、対象の放射線の大部分が活性有機層で光電子デバイスによって捕捉され、又は対象の放射線の大部分が活性有機層から光電子デバイスによって放出される。

【0004】

欠点は、光電子デバイスの製造方法のステップ、特に活性層をエッチングするステップにより、活性層の劣化、ひいては光電子デバイスの性能の低下を引き起こす可能性があることである。

【発明の概要】

【0005】

一実施形態では、前述した光電子デバイスの欠点のすべて又は一部を克服する。

【0006】

一実施形態の目的は、光電子デバイスの製造中における活性層の劣化を防ぐことである。

【0007】

一実施形態の目的は、性能が改善された光電子デバイスを製造することである。

【0008】

一実施形態では、光電子デバイスの製造方法を提供する。製造方法は、下記の連続したステップ：
ａ）支持体上に、第１の導電性パッド及び第２の導電性パッドを形成するステップと、
ｂ）前記第１の導電性パッド及び第２の導電性パッドを覆う活性有機層を堆積するステップと、
ｃ）前記活性有機層と接する第１の界面層を前記活性有機層上に堆積するステップと、
ｄ）前記第１の界面層に第１の開口部を形成し、前記第１の開口部に一致するように前記活性有機層に第２の開口部を形成して、前記第２の導電性パッドを露出させるステップと、
ｅ）前記第１の開口部及び第２の開口部に少なくとも部分的に延在し、前記第１の界面層及び前記第２の導電性パッドと接する第２の界面層を形成するステップと
を備える。

【0009】

一実施形態によれば、前記第１の開口部及び／又は第２の開口部の形成は、反応性イオンエッチングによって達成される。

【0010】

一実施形態によれば、ステップｄ）は、前記第１の界面層に対してマスクを適用することを備え、前記マスクは、第３の開口部を備え、前記第１の開口部は、前記第３の開口部に一致するようにエッチングされる。

【0011】

一実施形態によれば、ステップｄ）は、前記第１の界面層上にレジスト層を堆積することと、前記レジスト層に第３の開口部を形成することとを備え、前記第１の開口部は、前記第３の開口部に一致するようにエッチングされる。

【0012】

一実施形態によれば、前記方法は、ステップａ）及びステップｂ）の間に、第２の導電性パッドに面するレジストブロックを形成することを備え、前記ブロックは頂部及び側面を備え、ステップｃ）の後に、前記活性有機層及び前記第１の界面層を備える積層体が、特に前記ブロックの頂部を覆い、前記ブロックの側面を完全には覆わず、前記方法は、ステップｄ）で前記ブロックを除去することを備える。

【0013】

一実施形態では、また、光電子デバイスを提供する。光電子デバイスは、
支持体と、
前記支持体上に設けられた第１の導電性パッド及び第２の導電性パッドと、
前記第１の導電性パッド及び第２の導電性パッドを覆う活性有機層と、
前記活性有機層を覆い、前記活性有機層と接する第１の界面層と、
前記第１の界面層に設けられた第１の開口部、及び前記第１の開口部に一致するように前記活性有機層に設けられた第２の開口部と、
前記第１の開口部及び第２の開口部に少なくとも部分的に延在し、前記第１の界面層及び前記第２の導電性パッドと接する第２の界面層と
を備える。

【0014】

一実施形態によれば、前記第１の界面層及び／又は前記第２の界面層は、
金属の酸化物と、
ホスト／分子ドーパント系と、
導電性ポリマ又はドープされた半導体ポリマと、
炭酸塩と、
高分子電解質と、
これらの材料の２つ以上の混合物と
を含む群から選択される少なくとも１つの化合物を備える。

【0015】

一実施形態によれば、前記第１の界面層と前記第２の界面層とは、異なる材料で製造されている。

【0016】

一実施形態によれば、前記第１の導電性パッド及び第２の導電性パッドは、
導電性酸化物と、
金属又は金属合金と、
導電性ポリマと、
炭素、銀、及び／又は銅のナノワイヤと、
グラフェンと、
これらの材料の少なくとも２つの混合物と
を含む群から選択される少なくとも１つの化合物を備える。

【0017】

一実施形態によれば、前記活性有機層は、Ｐ型半導体ポリマとＮ型半導体材料とを備え、前記Ｐ型半導体ポリマは、ポリ（３－ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）、ポリ［Ｎ－９’－ヘプタデカニル－２，７－カルバゾール－ａｌｔ－５，５－（４，７－ｄｉ－２－チエニル－２’，１’，３’－ベンゾチアジアゾール）］（ＰＣＤＴＢＴ）、ポリ［（４，８－ｂｉｓ－（２－エチルヘキシルオキシ）－ベンゾ［１，２－ｂ；４，５－ｂ’］ジチオフェン）－２，６－ジイル－ａｌｔ－（４－（２－エチルヘキサノイル）－チエノ［３，４－ｂ］チオフェン））－２，６－ジイル］（ＰＢＤＴＴＴ－Ｃ）、ポリ［２－メトキシ－５－（２－エチル－ヘキシルオキシ）－１，４－フェニレン－ビニレン］（ＭＥＨ－ＰＰＶ）、又はポリ［２，６－（４，４－ｂｉｓ－（２－エチルヘキシル）－４Ｈ－シクロペンタ［２，１－ｂ；３，４－ｂ’］ジチオフェン）－ａｌｔ－４，７（２，１，３－ベンゾチアジアゾール）］（ＰＣＰＤＴＢＴ）であり、前記Ｎ型半導体材料は、フラーレン、［６，６］－フェニル－Ｃ６１－メチルブタノエート（［６０］ＰＣＢＭ）、［６，６］－フェニル－Ｃ７１－メチルブタノエート（［７０］ＰＣＢＭ）、ペリレンジイミド、酸化亜鉛又は量子ドットを形成可能なナノ結晶である。

【0018】

一実施形態によれば、前記デバイスは、電磁放射線を放出又は捕捉することが可能であり、前記活性有機層は、前記光電子デバイスの層であり、前記電磁放射線の大部分が該層で前記光電子デバイスによって捕捉され、又は、前記電磁放射線の大部分が該層から前記光電子デバイスによって放出される。

【図面の簡単な説明】

【0019】

上記及び他の特徴及び利点は、添付図面を参照して本発明を限定するものではない実例として与えられる以下の特定の実施形態に詳細に記載されている。

【図1】活性有機層を備える光電子デバイスの製造方法の一例のステップで得られた構造を示す部分概略断面図である。

【図2】方法の他のステップを示す図である。

【図3】方法の他のステップを示す図である。

【図4】方法の他のステップを示す図である。

【図5】光電子デバイスによって取得された、光電子デバイスの活性層の第１の欠陥を示す画像である。

【図6】光電子デバイスによって取得された、光電子デバイスの活性層の第２の欠陥を示す画像である。

【図7】活性有機層を備える光電子デバイスの製造方法の一実施形態のステップで得られた構造を示す部分概略断面図である。

【図8】方法の他のステップを示す図である。

【図9】方法の他のステップを示す図である。

【図10】方法の他のステップを示す図である。

【図11】方法の他のステップを示す図である。

【図12】活性有機層を備える光電子デバイスの製造方法の他の実施形態のステップで得られた構造を示す部分概略断面図である。

【図13】方法の他のステップを示す図である。

【図14】方法の他のステップを示す図である。

【図15】方法の他のステップを示す図である。

【図16】方法の他のステップを示す図である。

【図17】有機フォトダイオードの実施形態の部分概略上面図である。

【図18】活性有機層を備える光電子デバイスの製造方法の他の実施形態のステップで得られた構造を示す部分概略断面図である。

【図19】方法の他のステップを示す図である。

【図20】方法の他のステップを示す図である。

【図21】方法の他のステップを示す図である。

【図22】方法の他のステップを示す図である。

【図23】方法の他のステップを示す図である。

【図24】方法の他のステップを示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0020】

同様の特徴が、様々な図面で同様の参照符号によって示されている。特に、様々な実施形態で共通の構造的特徴及び／又は機能的特徴は同一の参照符号を有する場合があり、同一の構造特性、寸法特性及び材料特性を有する場合がある。明瞭化のために、本明細書に記載されている実施形態の理解に有用なステップ及び要素のみが図示され、詳細に記載されている。特に、フォトダイオード及び発光ダイオードを制御するための回路は、当業者によく知られているので、詳細な説明は省略する。

【0021】

さらに、ここでは、「絶縁性」及び「導電性」という用語は、それぞれ「電気絶縁性」及び「電気伝導性」を意味するものと考えられる。さらに、別段の定めがない限り、「と接する」は「と機械的に接する」を意味する。さらに、「対象の放射線」は、光電子デバイスによって捕捉又は放出されるべき放射線を指す。一例として、対象の放射線は、可視スペクトル及び近赤外、即ち、４００ｎｍから１，７００ｎｍ、特に、可視スペクトルについて４００ｎｍから７００ｎｍ、近赤外については７００ｎｍから１，７００ｎｍの範囲の波長を備えてもよい。層の放射線に対する透過率は、その層から出た放射線の強度の、その層に入った放射線の強度に対する比に対応し、入った放射線はその層に対して垂直である。以下の説明では、層又は膜を通る放射線の透過率が１０％未満であるとき、その層又は膜は放射線を通さないとする。以下の説明では、層又は膜を通る放射線の透過率が１０％を超えるとき、その層又は膜は放射線を通すとする。

【0022】

以下の説明では、「前」、「後ろ」、「頂部」、「底部」、「左」、「右」などの絶対位置、もしくは「上方」、「下方」、「上」、「下」などの相対位置を修飾する用語、又は「水平」、「垂直」などの方向を修飾する用語を参照する場合、図面の向き、又は通常の使用位置にある光電子デバイスを参照する。「約」、「略」、「実質的に」及び「程度」という表現は、特に指定されていない場合、該当する値の１０％の範囲内、好ましくは５％の範囲内を表す。

【0023】

図１から図４は、光電センサを備える光電子デバイス５の製造方法の連続したステップで得られた構造の部分概略断面図である。

【0024】

図１には、上面１２を備える支持体１０を提供するステップと、支持体１０の面１２上に、第１の導電性パッド及び第２の導電性パッド１４、１５を形成するステップと、各導電性パッド１４、１５上に界面層１６を形成するステップと、面１２全体にわたって、特に界面層１６を覆うように、活性有機層１８を堆積するステップとを経て得られた構造が示されている。

【0025】

図２には、活性層１８上にエッチングマスク２０を形成した後に得られた構造が示されている。一例によれば、エッチングマスク２０は、活性層１８に対して適用される剛性の機械部品である。他の例によれば、エッチングマスク２０は、活性層１８上に感光性レジスト層２２を堆積し、フォトリソグラフィ技術によって感光性層２２に開口部２４を形成して第２のパッド１５のレベルでの有機層１８を露出させることにより得られる。他の例によれば、エッチングマスク２０は、例えば、インクジェット、ヘリオグラフィ、シルクスクリーン、フレキソグラフィ、又はナノインプリントによって、活性層１８上の所望の位置に直接に樹脂ブロックを堆積することにより得られる。この場合には、フォトリソグラフィのステップはない。

【0026】

図３には、活性層１８に開口部２６をエッチングした後、エッチングマスク２０を除去した後に得られた構造が示されている。開口部２６は、開口部２４に一致するように配置され、第２のパッド１５を露出させる。図３に示すように、開口部２６は、それぞれが光電子部品に関連する２つの活性領域２８を区切り、各活性領域２８は１つの第１のパッド１４を覆っている。

【0027】

図４には、各光電子部品について、活性領域２８及び第２のパッド１５を覆う界面層３０を形成した後に得られた構造が示されている。このようにして、２つの光電子部品ＰＨが得られる。一例によれば、界面層３０を形成する材料の膜は、図３に示された構造全体にわたって堆積されてもよく、界面層３０の区切りはエッチングマスクを実施してエッチングすることにより得られてもよく、エッチングマスクは、膜全体にわたって堆積されたレジスト層上にフォトリソグラフィのステップによって形成されてもよく、又は、例えば、インクジェット印刷、ヘリオグラフィ、シルクスクリーン、フレキソグラフィ、もしくはナノインプリントによって、膜上の所望の位置に直接に樹脂ブロックを堆積することにより得られてもよい。他の例によれば、界面層３０は、例えば、インクジェット印刷、ヘリオグラフィ、シルクスクリーン、フレキソグラフィ、又はナノインプリントによって、所望の位置に直接に堆積されてもよい。

【0028】

各光電子部品ＰＨの活性層２８の性能は、界面層３０と接する活性層２８の表面状態に特に依存する。一般的に、界面層３０と接する活性層２８の表面は、できるだけ少ない欠陥を有することが望ましく、欠陥は、表面の凹凸、特に引っかき傷、又は活性領域２８と界面層３０との間に介在する不要な堆積物（粒子、汚染など）に対応してもよい。欠点は、前述した製造方法のステップにより、欠陥が現れる活性領域２８を得る可能性があることである。

【0029】

エッチングマスク２０が、開口部２６を形成するステップ中に活性層１８に対して適用される剛性の機械部品である場合、エッチングマスク２０と活性層１８とが（特にエッチングマスク２０の配置中に）接することは、活性層１８の表面欠陥の形成を引き起こす可能性がある。そのような欠陥は、特に、活性層１８の厚さ全体に延在可能な引っかき傷に対応してもよい。このような欠陥により、活性層１８の性能が局所的に低下する（例えば、リーク電流が高くなり、又は感度が低くなる）。

【0030】

図５には、光電子デバイス５が指紋の取得に使用される画像センサに対応し、エッチングマスク２０が活性層１８に対して適用される剛性の機械部品である場合に得られた画像が示されている。得られた画像上には、飽和した画像画素３２が観察でき、画像画素３２は、図５の白色画像画素に対応し、エッチングマスク２０の適用による活性層１８の表面欠陥、特に界面層２０と画像画素を形成するフォトダイオードの導電性パッド１４との間の局所的な短絡により生じる。

【0031】

エッチングマスク２０が樹脂層２２で形成されている場合、エッチングマスク２０を除去するステップは、活性層１８に開口部２６を形成した後に、例えば、エッチングマスク２０を備える構造体を化学浴に浸漬することによって実施されるべきである。しかし、エッチングマスク２０の除去は、活性層１８におけるエッチングを引き起こすべきではなく、それは化学浴の組成に関連する制約を導入する可能性がある。そのため、樹脂製のエッチングマスクの完全除去を確保することが難しくなる可能性があり、活性層１８上の不要な残留物の存在を引き起こす可能性がある。

【0032】

図６には、光電子デバイス５が画像センサに対応し、エッチングマスク２０が樹脂製である場合に得られた画像が示されている。得られた画像は、活性層１８上の残留物の存在を反映した痕跡３４を備える。

【0033】

図７から図１１は、光電子デバイス３５の製造方法の一実施形態の連続したステップで得られた構造の部分概略断面図である。

【0034】

図７には、下記のステップを経て得られた構造が示されている。
－上面４２を備える支持体４０を提供するステップ；
－各光電子部品について、支持体４０の面４２上に第１の導電性パッド又は第１の導電性トラック４４及び第２の導電性パッド又は第２の導電性トラック４５を形成するステップ（図７において第１のパッド４４及び２つの第２のパッド４５が２つずつ示されており、各光電子部品が１つの第１のパッド４４及び１つの第２のパッド４５に関連付けられている）；
－各導電性パッド４４，４５上に界面層４６を形成するステップ；
－表面４２全体にわたって、特に導電性パッド４４、４５を覆う活性有機層４７を堆積するステップ；及び
－活性層４７と接するように、活性層４７全体にわたって界面層４８を堆積するステップ。

【0035】

層４６、４７、４８はそれぞれ液相成長で堆積してもよい。特に、スピンコーティング、スプレーコーティング、ヘリオグラフィ、スロットダイコーティング、ブレードコーティング、フレキソグラフィ、シルクスクリーン、又はディップコーティングなどの方法であってもよい（特に層４６の場合）。変形例として、層４７及び４８は、カソードスパッタリング又は蒸着によって堆積されてもよい。実施された堆積方法によれば、堆積された材料を乾燥させるステップを設けてもよい。

【0036】

一実施形態によれば、支持体４０は、例えば単結晶シリコンで製造された半導体基板と、半導体基板の内部及び頂部に形成されたＭＯＳトランジスタとも呼ばれる絶縁ゲート電界効果トランジスタ（例えばＮチャネル及びＰチャネルＭＯＳトランジスタ）と、基板及びトランジスタを覆う絶縁層の積層体とを備える集積回路に対応してもよく、積層体にはトランジスタ及びパッドを電気的に接続するための導電性トラック及び導電性ビアが形成されている。集積回路４０は、１００μｍから７７５μｍ、好ましくは２００μｍから４００μｍの範囲の厚さを有してもよい。他の実施形態によれば、支持体４０は、誘電体材料で製造されてもよい。支持体４０は、例えば、特にガラス製の剛性支持体、又は、例えば、ポリマ製もしくは金属材料製の可撓性支持体である。ポリマの例としては、ポリエチレンナフタレン（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）、及びポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）が挙げられる。そして、支持体４０の厚さは、例えば、２０μｍ～１ｃｍの範囲であり、例えば、略１２５μｍである。光電子部品によって放出又は捕捉される対象の放射線が支持体４０を横断する必要がある場合、後者は透明であってもよい。

【0037】

一実施形態によれば、導電性パッド４４、４５を形成する材料は、以下を含む群から選択される。
－例えば、酸化タングステン（ＷＯ_３）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）、又は酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）などの導電性酸化物、特に透明な導電性酸化物（ＴＣＯ）、特に酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）、酸化ガリウム亜鉛（ＧＺＯ）、多層ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ構造、多層ＩＴＯ／Ｍｏ／ＩＴＯ構造、多層ＡＺＯ／Ａｇ／ＡＺＯ構造、又は多層ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ構造；
－窒化チタン（ＴｉＮ）；
－例えば、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、鉛（Ｐｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、又はマグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ）などの金属又は金属合金；
－導電性ポリマ、特にポリ（３，４）－エチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸ナトリウムとの混合物であるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳポリマ、又はポリアニリン；
－炭素、銀、及び／又は銅のナノワイヤ；
－グラフェン；及び
－これらの材料の少なくとも２つの混合物。

【0038】

光電子部品によって放出又は捕捉される対象の放射線が支持体４０を横断する必要がある場合、パッド４４、４５は対象の放射線を通すものであってもよい。

【0039】

活性層４７は、少なくとも１つの有機材料を備え、複数の有機材料の積層体又は混合物を備えてもよい。活性層４７は、電子供与体ポリマと、電子受容体分子との混合物を備えてもよい。活性層４７の厚さは、５０ｎｍ～２μｍの範囲であってもよく、例えば、３００ｎｍ程度であってもよい。

【0040】

活性層４７は、小分子、オリゴマ、又はポリマを備えてもよい。これらは、有機材料又は無機材料であってもよい。活性層４７は、両極性半導体材料を備えてもよく、又はＮ型半導体材料及びＰ型半導体材料の混合物を、例えば、バルクヘテロ接合を形成すべくナノメートルスケールで積層の形態もしくは均質な混合物の形態で備えてもよい。

【0041】

活性層４７を形成可能なＰ型半導体ポリマの例として、ポリ（３－ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）、ポリ［Ｎ－９’－ヘプタデカニル－２，７－カルバゾール－ａｌｔ－５，５－（４，７－ｄｉ－２－チエニル－２’，１’，３’－ベンゾチアジアゾール）］（ＰＣＤＴＢＴ）、ポリ［（４，８－ｂｉｓ－（２－エチルヘキシルオキシ）－ベンゾ［１，２－ｂ；４，５－ｂ’］ジチオフェン）－２，６－ジイル－ａｌｔ－（４－（２－エチルヘキサノイル）－チエノ［３，４－ｂ］チオフェン））－２，６－ジイル］（ＰＢＤＴＴＴ－Ｃ）、ポリ［２－メトキシ－５－（２－エチル－ヘキシルオキシ）－１，４－フェニレン－ビニレン］（ＭＥＨ－ＰＰＶ）、又はポリ［２，６－（４，４－ｂｉｓ－（２－エチルヘキシル）－４Ｈ－シクロペンタ［２，１－ｂ；３，４－ｂ’］ジチオフェン）－ａｌｔ－４，７（２，１，３－ベンゾチアジアゾール）］（ＰＣＰＤＴＢＴ）が挙げられる。

【0042】

活性層４７を形成可能なＮ型半導体材料の例として、フラーレン、特にＣ６０、［６，６］－フェニル－Ｃ_６１－メチルブタノエート（［６０］ＰＣＢＭ）、［６，６］－フェニル－Ｃ_７１－メチルブタノエート（［７０］ＰＣＢＭ）、ペリレンジイミド、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、又は量子ドットを形成可能なナノ結晶が挙げられる。

【0043】

界面層４８は、電子注入層に対応してもよく、又は正孔注入層に対応してもよい。界面層４８の機能は、界面層が陰極の機能を果たすか、陽極の機能を果たすかに応じて、正孔及び／又は電子を遮断、収集、又は注入することができることである。より詳細には、界面層４８が陽極の機能を果たす場合、正孔注入層及び電子阻止層に相当する。そして、界面層４８の仕事関数は、４．５ｅＶ以上、好ましくは４．８ｅＶ以上である。界面層４８が陰極の機能を果たす場合、電子注入層及び正孔阻止層に相当する。そして、界面層４８の仕事関数は、４．５ｅＶ以下、好ましくは４．２ｅＶ以下である。活性層４７によって放出又は捕捉される対象の放射線が界面層４８を横断する必要がある場合、界面層４８は対象の放射線を通す。酸化物層４８の厚さは、１０ｎｍから２μｍの範囲、例えば、３００ｎｍ程度であってもよい。

【0044】

界面層４８が電子注入層の機能を果たす場合には、界面層４８を形成する材料は、以下を含む群から選択される。
－金属酸化物、特に酸化チタン又は酸化亜鉛；
－ホスト／分子ドーパント系、特にＮＥＴ－５／ＮＤＮ－１又はＮＥＴ－８／ＭＤＮ－２６の商標名でＮｏｖａｌｅｄによって商品化された製品；
－導電性ポリマ又はドープされた半導体ポリマ、例えば、ポリ（３，４）－エチレンジオキシチオフェンとトシラートの混合物であるＰＥＤＯＴ：トシラートポリマ；
－ポリエチレンイミン（ＰＥＩ）、又はエトキシル化、プロポキシル化、及び／若しくはブトキシル化されたポリエチレンイミン（ＰＥＩＥ）；
－炭酸塩、例えばＣｓＣＯ_３；
－高分子電解質、例えば、ポリ［９，９－ｂｉｓ（３'－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）プロピル）－２，７－フルオレン－ａｌｔ－２，７－（９，９－ジオクチルフルオレン）］（ＰＦＮ）、ポリ［３－（６－トリメチルアンモニウムヘキシル）］チオフェン（Ｐ３ＴＭＡＨＴ）、又はポリ［９，９－ｂｉｓ（２－エチルヘキシル）フルオレン］－ｂ－ポリ［３－（６－トリメチルアンモニウムヘキシル）］チオフェン（ＰＦ２／６－ｂ－Ｐ３ＴＭＡＨＴ）；及び
－これらの材料の２つ以上の混合物。

【0045】

界面層４８が正孔注入層の機能を果たす場合には、界面層４８を形成する材料は、以下を含む群から選択されてもよい。
－導電性ポリマ又はドープされた半導体ポリマ、特にＳｉｇｍａ－ＡｌｄｒｉｃｈによってＰｌｅｘｃｏｒｅ（登録商標） ＯＣ ＲＧ－１１００、Ｐｌｅｘｃｏｒｅ ＯＣ ＲＧ－１２００の商標名で商品化された材料、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳポリマ、又はポリアニリン；
－分子ホスト／ドーパント系、特にＮＨＴ－５／ＮＤＰ－２又はＮＨＴ－１８／ＮＤＰ－９の商標名でＮｏｖａｌｅｄによって商品化された製品；
－酸化タングステン（ＷＯ_３）；
－例えば、ナフィオンなどの高分子電解質；
－例えば、酸化モリブデン、酸化バナジウム、ＩＴＯ、又は酸化ニッケルなどの金属酸化物；及び
－これらの材料の２つ以上の混合物。

【0046】

図８には、界面層４８上にエッチングマスク５０を形成した後に得られた構造が示されている。一例によれば、エッチングマスク５０は、界面層４８上にレジスト層５２を堆積し、フォトリソグラフィ技術により感光性層５２に開口部５４を形成して、特に第２のパッド４５のレベルで界面層４８を露出させることにより得られる。他の例によれば、エッチングマスク５２０は、例えば、インクジェット、ヘリオグラフィ、シルクスクリーン、フレキソグラフィ、又はナノインプリントによって、界面層４８上の所望の位置に直接に樹脂ブロックを堆積することによって得られる。この場合、フォトリソグラフィのステップはない。他の例によれば、エッチングマスク５０は、開口部５４を備え、界面層４８に対して適用される剛性の機械部品である。

【0047】

図９には、開口部５４に一致するように界面層４８に開口部５６をエッチングし、開口部５６に一致するように活性層４７に開口部５８をエッチングして、特に第２のパッド４５を露出させた後に得られた構造が示されている。本実施例では、開口部５６、５８は、それぞれが光電子部品に関連付けられた２つの活性層６０を区切り、各活性領域６０は、関連付けられた第１のパッド４４を覆っている。各エッチングは、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）又は化学エッチングであってもよい。

【0048】

図１０には、エッチングマスク５０を除去した後に得られた構造体が示されている。エッチングマスク５０が樹脂製である場合、エッチングマスク５０の除去は、例えば、エッチングマスク５０を備える構造体を化学浴に浸漬する方法、又はＲＩＥエッチングなど、任意の剥離方法によって得られてもよい。

【0049】

図１１には、各活性領域６０について、少なくとも部分的に界面層４８を覆い、関連する第２のパッド４５を覆う（好ましくは界面層４８と接し、第２のパッド４５を覆う界面層４６と接する）導電性接続素子６２を形成した後に得られた構造が示されている。接続素子６２は、界面層４８に使用される前述した材料のリストの導電性材料のうちの１つで製造されてもよい。接続素子６２は、界面層４８と同じ材料で製造されてもよく、又は、界面層４８の材料とは異なる材料で製造されてもよい。界面層４８が非導電性材料で製造されている場合、接続素子６２は界面層４８を完全に覆うことが好ましい。一実施形態によれば、界面層４８が対象の放射線を通すが、接続素子６２が対象の放射線を通さないことがあり、特に、界面層４８が導電性であり、接続素子６２が界面層４８を部分的にのみ覆っている場合はそうである。接続素子６２の最大厚さは、１０ｎｍから２μｍの範囲であってもよい。

【0050】

パッド４４、４５及び接続素子６２を形成する材料によって、接続素子６２を形成する方法は、例えば、接続トラックを形成する材料を備える流体又は粘性組成物を、例えば、インクジェット印刷、ヘリオグラフィ、シルクスクリーン、フレキソグラフィ、スプレーコーティング、ドロップキャスティング、又はナノインプリントによって、所望の位置に直接印刷する、いわゆるアディティブ法に対応してもよい。パッド４４、４５及び接続素子６２を形成する材料によって、接続素子６２を形成する方法は、接続トラックを形成する材料を構造体全体にわたって堆積し、その後、例えば、フォトリソグラフィ、レーザアブレーション、又はリフトオフ法によって未使用部分を除去する、いわゆるサブトラクティブ法に対応してもよい。考慮される材料によって、構造体全体にわたる堆積は、例えば、液相成長、カソードスパッタリング、又は蒸着によって行われてもよい。特に、スピンコーティング、スプレーコーティング、ヘリオグラフィ、スロットダイコーティング、ブレードコーティング、フレキソグラフィ、又はシルクスクリーンなどの方法を使用してもよい。実施された堆積方法によれば、堆積された材料を乾燥させるステップを設けてもよい。

【0051】

有利には、活性領域６０を区切るステップにおいて、活性層４７ではなく、界面層４８に対して適用されるエッチングマスク５０を実施する。それにより、界面層４８と接する活性層４７の表面は、エッチングマスク５０によって劣化しない。さらに、エッチングマスク５０を除去しても、活性層４７と界面層４８との間の界面に接する残留物が存在することはない。さらに、エッチングマスク５０がレジストで製造されている場合、界面層４８の感度が低下しているため、エッチングマスク５０の除去のために実施される処理の選択に対する制約が少なくなる。

【0052】

図１２から図１６は、光電子デバイス３５の製造方法の他の実施形態の連続したステップで得られた構造の部分概略断面図である。

【0053】

図１２には、支持体４０の表面４２に導電性パッド４４，４５を形成し、導電性パッド４４、４５上に界面層４６を形成するステップの後に得られた構造が示されており、図１２から図１６において、導電性パッド４４及び導電性パッド４５が１つずつのみ示されている。

【0054】

図１３には、各第２のパッド４５上に犠牲ブロック６４を形成するステップの後に得られた構造が示されており、図１３において単一のブロック６４が示されている。各犠牲ブロック６４は、好ましくは、レジストで製造される。犠牲ブロック６４は、フォトリソグラフィのステップによって形成されてもよい。一実施形態によれば、図１３に示すように、各犠牲ブロック６４は、それが置かれたパッド４５から広がる形状を有してもよく、又は、パッド４５に接した基部よりも大きい寸法の頂部を有する、いわゆるキャップ状の輪郭を有してもよい。一例によれば、このような形状は、特に、フォトリソグラフィのステップ中に、ブロック６４を形成するための感光性層の表面を硬化させるステップ（例えば、樹脂層をクロロベンゼンなどの芳香族溶媒に浸漬するステップ）を設けることにより、得られてもよい。他の例によれば、このような形状は、樹脂層成長のステップ中に得られてもよく、樹脂は、樹脂層に垂直な方向に沿って変化する成長速度を有するように選択され、樹脂層は、その自由な上面の側で成長に対してより耐性がある。一実施形態によれば、ブロック６４の基部の寸法がパッド４５の寸法よりも大きく、このため、ブロック６４がパッド４５全体を覆うことが確保される。

【0055】

図１４には、図１３に示す構造全体にわたって活性層４７及び界面層４８を堆積するステップの後に得られた構造が示されている。各犠牲ブロック６４の界面層４６上に置かれた部分の厚さは、活性層４７の厚さと界面層４８の厚さとの合計よりも大きいことが好ましい。活性層４７及び界面層４８の積層体は、パッド４４、４５上、パッド４４、４５間の支持体４０の表面４２上、及び各犠牲ブロック６４の上面上に延在している。積層体の形成方法は、方向性堆積法が好ましく、ブロック６４の基部よりも頂部が広い先広がり状のため、ブロック６４の側壁の少なくとも一部上に積層体が堆積されない。

【0056】

図１５には、犠牲ブロック６４を除去するステップの後に得られた構造が示されている。一実施形態によれば、これは、図１４に示す構造を、界面層４８を溶解することなく犠牲ブロック６４を選択的に溶解する溶媒を含む浴に浸漬することによって達成される。このようにして、活性領域６０を区切るための界面層４８における開口部５６及び活性層４７における開口部５８を形成するステップが得られる。

【0057】

図１６には、各活性領域６０について、界面層４８を部分的に覆い、第２の関連パッド４５を覆う（好ましくは界面層４８と接し、第２のパッド４５を覆う界面層４６と接する）接続素子６２を形成した後に得られた構造が示されている。

【0058】

図１７は、有機フォトダイオードに対応する部品３５の実施形態の透明性を有する部分概略上面図である。この実施形態では、活性領域６０及び界面層４８を備える積層体は、上面図において円形の形状を有する。

【0059】

図１８から図２４は、有機フォトダイオード及びＭＯＳトランジスタを有するセンサを備える光電子デバイスの製造方法の実施形態の連続したステップで得られた構造を示す部分概略断面図である。

【0060】

図１８は、ＭＯＳトランジスタのアレイを備える集積回路６８の例を示す部分概略断面図であり、図１８から図２４において、ＭＯＳトランジスタを有する６つの読み出し回路７０が矩形で模式的に示されている。一実施形態によれば、集積回路６８は、マイクロエレクトロニクスにおける従来の技術によって形成される。集積回路６８の表面には、導電性パッドが形成されている。導電性パッドのうち、集積回路６８の領域７４に形成され、有機フォトダイオードの下部電極として使用されるパッド７２と、領域７４の外側（例えば、回路６８の周縁部）に形成され、フォトダイオードの上部電極のバイアスに使用されるパッド７６（図１８から図２４において単一のパッド７６が示されている）と、集積回路６８のバイアスに使用されるパッド７８（図１８から図２４において単一のパッド７８が示されている）とが区別できる。

【0061】

従来、集積回路６８は、例えば単結晶シリコンで製造され、その内部及び頂部に絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（ＭＯＳトランジスタとも呼ばれ、例えば、Ｎチャネル及びＰチャネルのＭＯＳトランジスタ）が形成された半導体基板と、基板及び読み出し回路７０を覆い、読み出し回路７０及びパッド７２、７６、７８を電気的に結合するための導電性トラック及び導電性ビアが形成されている絶縁性層の積層体とを備えてもよい。

【0062】

図１９には、各パッド７２上に有機界面層８０を形成した後に得られた構造が示されている。使用される形成方法により、さらにパッド７６及び７８上に有機界面層（図１９に図示しない）を形成することができる。界面層８０は、炭酸セシウム（ＣｓＣＯ_３）、金属酸化物（特に酸化亜鉛（ＺｎＯ））、又はこれらの化合物のうち少なくとも２つの混合物で製造されてもよい。界面層８０は、自己組織化された単分子層、又は、例えば（ポリエチレンイミン、エトキシル化ポリエチレンイミン、又はポリ［（９，９－ｂｉｓ（３’－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）プロピル）－２，７－フルオレン）－ａｌｔ－２，７－（９，９－ジオクチルフルオレン）］などのポリマを備えてもよい。界面層８０の厚さは、０．１ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。界面層８０をパッド７２（及び場合によっては７６及び７８）上に物理的にグラフトしてもよく、この場合、図１９に示す構造が直接に得られる。変形例として、図１８に示された構造全体にわたって界面層８０を堆積してから、パッド７２の外側をエッチングすることで、図１９に示された結果を提供してもよい。図示しない他の変形例によれば、図１８に示された構造全体にわたって、非常に低い横方向導電率を有する界面層８０を堆積してもよく、この場合、パッド７２、７６、７８の外側を除去する必要はない。

【0063】

図２０には、図１９に示した構造全体にわたって活性有機層８２を形成した後に得られた構造が示されており、動作中にフォトダイオードの活性領域が形成される。活性層８２は、活性層４７と同じ組成を有してもよい。

【0064】

図２１には、活性層８２上に界面層８４を堆積した後に得られた構造が示されている。界面層８４は、界面層４８と同じ組成を有していてもよい。

【0065】

図２２には、界面層８４上にレジスト層８６を堆積し、フォトリソグラフィ技術により、レジスト層８６に開口部８８を形成してパッド７６のレベルでの界面層８４を露出させた後に得られた構造が示されており、図２２において、単一の開口部８８が示されている。

【0066】

図２３には、感光性層８６の開口部８８に一致するように界面層８４に開口部９０をエッチングし、界面層８４の開口部９０に一致するように活性層８２の開口部９２をエッチングして、パッド７６を露出させた後に得られた構造が示されている。

【0067】

図２４には、感光性層８６を除去した後、且つ構造全体にわたって接続層９４を堆積した後に得られた構造が示されている。接続層９４は、特にパッド７６と接しており、接続素子６２と同じ組成を有していてもよい。

【0068】

この方法は、接続層９４をエッチングし、構造全体を覆う封止層を形成する後続のステップを備えてもよい。

【0069】

この構造は、層７４において、光センサを形成する有機フォトダイオード９６のアレイを備え、各フォトダイオード９６は、有機層８２、８４のうち、一方のパッド７２に面する部分によって画定されている。図２４の例には、６つの有機フォトダイオード９６が示されている。実際には、このアレイは、動作中にフォトダイオード９６の制御及び読み出しに使用され得る読み出し回路７０と垂直に整列するように配置されている。本実施形態では、層８０はフォトダイオード９６のレベルで不連続であるように示されているが、有機層８２及び８４はフォトダイオード９６のレベルで連続であるように示されている。変形例として、界面層８０はフォトダイオード９６のレベルで連続であってもよい。積層体の厚さは、３００ｎｍから１μｍ、好ましくは３００ｎｍから５００ｎｍの範囲であってよい。

【0070】

様々な実施形態及び変形例を説明してきた。当業者であれば、これらの様々な実施形態及び変形例の特定の特徴を組み合わせることができると理解し、他の変形例が当業者に想起される。最後に、説明した実施形態及び変形例の実際の実施は、ここで与えられた機能的な表示に基づく当業者の能力の範囲内である。

【0071】

本特許出願は、仏国特許出願第１９／０８２５０号明細書の優先権を主張するものであり、その内容は参照により本明細書に組み込まれる。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【手続補正書】

【提出日】2022-03-22

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

光電子デバイス（３５）を製造する方法であって、以下の連続したステップ：
ａ）支持体（４０）上に、第１の導電性パッド及び第２の導電性パッド（４４、４５）を形成するステップと、
ｂ）前記第１の導電性パッド及び第２の導電性パッドを覆う活性有機層（４７）を堆積するステップと、
ｃ）前記活性有機層と接する第１の界面層（４８）を前記活性有機層上に堆積するステップと、
ｄ）前記第１の界面層（４８）に第１の開口部（５６）を形成し、前記第１の開口部に一致するように前記活性有機層（４７）に第２の開口部（５８）を形成して、前記第２の導電性パッドを露出させるステップと、
ｅ）前記第１の開口部及び第２の開口部に少なくとも部分的に延在し、前記第１の界面層及び前記第２の導電性パッドと接する第２の界面層（６２）を形成するステップと
を備え、
前記第１の界面層（４８）及び／又は前記第２の界面層（６２）は、
ホスト／分子ドーパント系と、
導電性ポリマ又はドープされた半導体ポリマと、
炭酸塩と、
高分子電解質と、
これらの材料の２つ以上の混合物と
を含む群から選択される少なくとも１つの化合物を備える方法。

【請求項2】

前記第１の界面層（４８）及び／又は前記第２の界面層（６２）は、ポリエチレンイミン（ＰＥＩ）、又はエトキシル化、プロポキシル化、及び／若しくはブトキシル化されたポリエチレンイミン（ＰＥＩＥ）を備える
請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記第１の開口部（５６）及び／又は第２の開口部（５８）の形成は、反応性イオンエッチングによって達成される
請求項１又は２に記載の方法。

【請求項4】

ステップｄ）は、前記第１の界面層（４８）に対してマスク（５０）を適用することを備え、前記マスクは、第３の開口部（５４）を備え、前記第１の開口部（５６）は、前記第３の開口部に一致するようにエッチングされる
請求項１から３のいずれか１つに記載の方法。

【請求項5】

ステップｄ）は、前記第１の界面層（４８）上にレジスト層（５２）を堆積することと、前記レジスト層に第３の開口部（５４）を形成することとを備え、前記第１の開口部（５６）は、前記第３の開口部に一致するようにエッチングされる
請求項１から３のいずれか１つに記載の方法。

【請求項6】

前記方法は、ステップａ）及びステップｂ）の間に、第２の導電性パッド（４５）に面するレジストブロック（６４）を形成することを備え、前記ブロックは頂部及び側面を備え、ステップｃ）の後に、前記活性有機層（４７）及び前記第１の界面層（４８）を備える積層体が、特に前記ブロックの頂部を覆い、前記ブロックの側面を完全には覆わず、前記方法は、ステップｄ）で前記ブロックを除去することを備える
請求項１又は２に記載の方法。

【請求項7】

支持体（４０）と、
前記支持体上に設けられた第１の導電性パッド及び第２の導電性パッド（４４、４５）と、
前記第１の導電性パッド及び第２の導電性パッドを覆う活性有機層（４７）と、
前記活性有機層を覆い、前記活性有機層と接する第１の界面層（４８）と、
前記第１の界面層（４８）に設けられた第１の開口部（５６）、及び前記第１の開口部に一致するように前記活性有機層（４７）に設けられた第２の開口部（５８）と、
前記第１の開口部及び第２の開口部に少なくとも部分的に延在し、前記第１の界面層及び前記第２の導電性パッドと接する第２の界面層（６２）と
を備え、
前記第１の界面層（４８）及び／又は前記第２の界面層（６２）は、
ホスト／分子ドーパント系と、
導電性ポリマ又はドープされた半導体ポリマと、
炭酸塩と、
高分子電解質と、
これらの材料の２つ以上の混合物と
を含む群から選択される少なくとも１つの化合物を備える光電子デバイス（３５）。

【請求項8】

前記第１の界面層（４８）及び／又は前記第２の界面層（６２）は、ポリエチレンイミン（ＰＥＩ）、又はエトキシル化、プロポキシル化、及び／若しくはブトキシル化されたポリエチレンイミン（ＰＥＩＥ）を備える
る
請求項７に記載の光電子デバイス。

【請求項9】

前記第１の界面層（４８）と前記第２の界面層（６２）とは、異なる材料で製造されている
請求項７又は８に記載の光電子デバイス。

【請求項10】

前記第１の導電性パッド及び第２の導電性パッド（４４、４５）は、
導電性酸化物と、
金属又は金属合金と、
導電性ポリマと、
炭素、銀、及び／又は銅のナノワイヤと、
グラフェンと、
これらの材料の少なくとも２つの混合物と
を含む群から選択される少なくとも１つの化合物を備える
請求項７から９のいずれか１つに記載の光電子デバイス。

【請求項11】

前記活性有機層（４７）は、Ｐ型半導体ポリマとＮ型半導体材料とを備え、前記Ｐ型半導体ポリマは、ポリ（３－ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）、ポリ［Ｎ－９’－ヘプタデカニル－２，７－カルバゾール－ａｌｔ－５，５－（４，７－ｄｉ－２－チエニル－２’，１’，３’－ベンゾチアジアゾール）］（ＰＣＤＴＢＴ）、ポリ［（４，８－ｂｉｓ－（２－エチルヘキシルオキシ）－ベンゾ［１，２－ｂ；４，５－ｂ’］ジチオフェン）－２，６－ジイル－ａｌｔ－（４－（２－エチルヘキサノイル）－チエノ［３，４－ｂ］チオフェン））－２，６－ジイル］（ＰＢＤＴＴＴ－Ｃ）、ポリ［２－メトキシ－５－（２－エチル－ヘキシルオキシ）－１，４－フェニレン－ビニレン］（ＭＥＨ－ＰＰＶ）、又はポリ［２，６－（４，４－ｂｉｓ－（２－エチルヘキシル）－４Ｈ－シクロペンタ［２，１－ｂ；３，４－ｂ’］ジチオフェン）－ａｌｔ－４，７（２，１，３－ベンゾチアジアゾール）］（ＰＣＰＤＴＢＴ）であり、前記Ｎ型半導体材料は、フラーレン、［６，６］－フェニル－Ｃ６１－メチルブタノエート（［６０］ＰＣＢＭ）、［６，６］－フェニル－Ｃ７１－メチルブタノエート（［７０］ＰＣＢＭ）、ペリレンジイミド、酸化亜鉛又は量子ドットを形成可能なナノ結晶である
請求項７から１０のいずれか１つに記載の光電子デバイス。

【請求項12】

電磁放射線を放出又は捕捉することが可能であり、前記活性有機層（４７）は、前記光電子デバイスの層であり、前記電磁放射線の大部分が該層で前記光電子デバイスによって捕捉され、又は、前記電磁放射線の大部分が該層から前記光電子デバイスによって放出される
請求項７から１１のいずれか１つに記載の光電子デバイス。

【国際調査報告】