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特表2022-544054処理中の静電帯電を減少させるためのガラス表面の大気圧プラズマエッチング
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2022-10-17
(54)【発明の名称】処理中の静電帯電を減少させるためのガラス表面の大気圧プラズマエッチング
(51)【国際特許分類】
C03C 15/00 20060101AFI20221007BHJP
C03C 23/00 20060101ALI20221007BHJP
【ＦＩ】
C03C15/00 A
C03C23/00 A
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2022505599
(86)(22)【出願日】2020-07-15
(85)【翻訳文提出日】2022-03-18
(86)【国際出願番号】 US2020042029
(87)【国際公開番号】W WO2021021434
(87)【国際公開日】2021-02-04
(31)【優先権主張番号】62/880,261
(32)【優先日】2019-07-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】397068274
【氏名又は名称】コーニング インコーポレイテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100073184
【弁理士】
【氏名又は名称】柳田 征史
(74)【代理人】
【識別番号】100175042
【弁理士】
【氏名又は名称】高橋 秀明
(72)【発明者】
【氏名】マンレイ，ロバート ジョージ
(72)【発明者】
【氏名】ヴェンカタチャラム，シヴァ
(72)【発明者】
【氏名】ワルクザック，ワンダ ジャニナ
【テーマコード（参考）】
4G059
【Ｆターム（参考）】
4G059AA08
4G059AB05
4G059AB09
4G059AC20
4G059BB01
(57)【要約】
フラットパネルディスプレイ用の処理済みガラス基板は、複数の薄膜トランジスタを保持するように作られた第一面およびその第一面と反対にあるガラス基板の面に位置する第二面を有する。この第二面は、第二面の表面組成を変えるためにドライエッチングプロセスを使用して処理される。この第二面の表面組成は、第１の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成の約３８％から約４２％の範囲にある約１ｎｍの第１の深さまでの第１のＡｌ／Ｓｉ比、および第２の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成の約７１％から約７３％の範囲にある約１０ｎｍの第２の深さまでの第２のＡｌ／Ｓｉ比を有する。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
フラットパネルディスプレイ用の処理済みガラス基板であって、該処理済みガラス基板は、複数の薄膜トランジスタを保持するように作られた第一面および該第一面と反対にある該ガラス基板の面に位置する第二面を有し、該第二面は、該第二面の表面組成を変えるためにドライエッチングプロセスを使用して処理され、該第二面の表面組成は、約１ｎｍの第１の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成の約３８％から約４２％の範囲にある該第１の深さまでの第１のＡｌ／Ｓｉ比、および約１０ｎｍの第２の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成の約７１％から約７３％の範囲にある該第２の深さまでの第２のＡｌ／Ｓｉ比を有する、処理済みガラス基板。
【請求項2】
前記ガラス基板が、アルミノホウケイ酸塩ガラスから作られる、請求項１記載の処理済みガラス基板。
【請求項3】
前記ドライエッチングプロセスが、大気圧プラズマエッチング（ＡＰＰＥ）プロセスである、請求項１記載の処理済みガラス基板。
【請求項4】
前記第一面の表面組成が、前記未処理のガラス基板の表面組成と実質的に似ている、請求項１記載の処理済みガラス基板。
【請求項5】
前記第二面の表面組成が、前記第１の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成の約７２％から約８１％の範囲にある該第１の深さまでの第１のＭｇ／Ｓｉ比を有し、該第二面の表面組成が、前記第２の深さまでの該未処理のガラス基板の表面組成の約７２％から約８１％の範囲にある該第２の深さまでの第２のＭｇ／Ｓｉ比を有する、請求項１記載の処理済みガラス基板。
【請求項6】
前記第二面の表面組成が、前記第１の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成の約３３％から約３４％の範囲にある該第１の深さまでの第１のＣａ／Ｓｉ比を有し、該第二面の表面組成は、前記第２の深さまでの該未処理のガラス基板の表面組成の約７７％から約９９％の範囲にある該第２の深さまでの第２のＣａ／Ｓｉ比を有する、請求項１記載の処理済みガラス基板。
【請求項7】
前記第二面の表面組成が、前記第１の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成のフッ素の濃度の約２９０％から約３３０％の範囲にある該第１の深さまでのフッ素の濃度を有する、請求項１記載の処理済みガラス基板。
【請求項8】
前記第二面の平均粗さＲａが、約０．６ｎｍから約１ｎｍの範囲にある、請求項１記載の処理済みガラス基板。
【請求項9】
前記処理済みガラス基板の平均ガラス電圧が、真空チャックからリフト試験されたときに、前記未処理のガラス基板の平均ガラス電圧と比較して、少なくとも約５０％減少している、請求項１記載の処理済みガラス基板。
【請求項10】
前記処理済みガラス基板が、間紙に隣接して梱包され、少なくとも２時間に亘り振動させられ、約１％の洗浄剤を含む溶液を使用して洗浄された後、前記未処理のガラス基板の平均ガラス電圧と比較して、少なくとも約５０％の平均ガラス電圧の減少が示される、請求項９記載の処理済みガラス基板。
【請求項11】
前記処理済みガラス基板のヘイズが、前記未処理のガラス基板のヘイズよりも約１０％以下しか大きくない、請求項１記載の処理済みガラス基板。
【請求項12】
フラットパネルディスプレイ用の処理済みガラス基板であって、該処理済みガラス基板は、複数の薄膜トランジスタを保持するように作られた第一面および該第一面と反対にある該ガラス基板の面に位置する第二面を有し、該第二面は、該第二面の表面組成を変えるためにドライエッチングプロセスを使用して処理され、該第二面の表面組成は、約１ｎｍの第１の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成の約７２％から約８１％の範囲にある該第１の深さまでの第１のＭｇ／Ｓｉ比、および約１０ｎｍの第２の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成の約７２％から約８１％の範囲にある該第２の深さまでの第２のＭｇ／Ｓｉ比を有する、処理済みガラス基板。
【請求項13】
フラットパネルディスプレイ用の処理済みガラス基板であって、該処理済みガラス基板は、複数の薄膜トランジスタを保持するように作られた第一面および該第一面と反対にある該ガラス基板の面に位置する第二面を有し、該第二面は、該第二面の表面組成を変えるためにドライエッチングプロセスを使用して処理され、該第二面の表面組成は、約１ｎｍの第１の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成の約２９０％から約３３０％の範囲にある該第１の深さまでのフッ素の濃度を有する、処理済みガラス基板。
【請求項14】
フラットパネルディスプレイ用の処理済みガラス基板であって、該処理済みガラス基板は、複数の薄膜トランジスタを保持するように作られた第一面および該第一面と反対にある該ガラス基板の面に位置する第二面を有し、該第二面は、該第二面の表面組成を変えるためにドライエッチングプロセスを使用して処理され、該表面組成は、約１ｎｍの第１の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成の約３３％から約３４％の範囲にある該第１の深さまでの第１のＣａ／Ｓｉ比、および約１０ｎｍの第２の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成の約７７％から約９９％の範囲にある該第２の深さまでの第２のＣａ／Ｓｉ比を有する、処理済みガラス基板。
【請求項15】
前記第二面の平均粗さＲａが、約０．６ｎｍから約１ｎｍの範囲にある、請求項１２から１４いずれか１項記載の処理済みガラス基板。
【請求項16】
前記処理済みガラス基板の平均ガラス電圧が、真空チャックからリフト試験されたときに、前記未処理のガラス基板の平均ガラス電圧と比較して、少なくとも約５０％減少している、請求項１２から１４いずれか１項記載の処理済みガラス基板。
【請求項17】
前記処理済みガラス基板のヘイズが、前記未処理のガラス基板のヘイズよりも約１０％以下しか大きくない、請求項１２から１４いずれか１項記載の処理済みガラス基板。
【発明の詳細な説明】
【優先権および関連出願の説明】
【0001】
本出願は、その内容が依拠され、ここに全て引用される、２０１９年７月３０日に出願された米国仮特許出願第６２／８８０２６１号の米国法典第３５編第１１９条の下での優先権の恩恵を主張するものである。
【技術分野】
【0002】
本開示は、そうしなければガラスの処理中に生じるかもしれない静電帯電を減少させるためのガラス表面上の大気圧プラズマエッチング（ＡＰＰＥ）プロセスの使用に関する。
【背景技術】
【0003】
フラットパネルディスプレイ、光起電装置、および他の適切な用途に、ガラスなどの光学的に透明な材料から製造された平らなまたは湾曲した基板がよく使用される。これらのディスプレイおよび装置は、ガラス材料が様々な処理工程で取り扱われる一連の製造工程により製造される。ガラスと処理装置との間の相互作用により、ガラス表面の内の１つ以上に、電荷が与えられるか、または他の様式で蓄積することがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ガラス表面に与えられるか、または他の様式で蓄積する電荷を最小にすることが望ましいことがある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示は、ガラス表面の静電帯電を減少させる、表面粗さおよび表面組成を有する処理済みガラス基板を提供する。
【0006】
一例において、フラットパネルディスプレイ用の処理済みガラス基板は、複数の薄膜トランジスタを保持するように作られた第一面およびその第一面と反対にあるガラス基板の面に位置する第二面を有する。この第二面は、第二面の表面組成を変えるためにドライエッチングプロセスを使用して処理されることがある。この第二面の表面組成は、約１ｎｍの第１の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成の約３８％から約４２％の範囲にある第１の深さまでの第１のＡｌ／Ｓｉ比、および約１０ｎｍの第２の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成の約７１％から約７３％の範囲にある第２の深さまでの第２のＡｌ／Ｓｉ比を有することがある。
【0007】
１つの態様において、ガラス基板は、アルミノホウケイ酸塩ガラスから作られることがある。
【0008】
別の態様において、ドライエッチングプロセスは、大気圧プラズマエッチング（ＡＰＰＥ）プロセスであることがある。
【0009】
別の態様において、第一面の表面組成は、未処理のガラス基板の表面組成と実質的に似ていることがある。
【0010】
別の態様において、第二面の表面組成は、第１の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成の約７２％から約８１％の範囲にある第１の深さまでの第１のＭｇ／Ｓｉ比を有することがあり、第二面の表面組成は、第２の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成の約７２％から約８１％の範囲にある第２の深さまでの第２のＭｇ／Ｓｉ比を有することがある。
【0011】
別の態様において、第二面の表面組成は、第１の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成の約３３％から約３４％の範囲にある第１の深さまでの第１のＣａ／Ｓｉ比を有することがあり、第二面の表面組成は、第２の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成の約７７％から約９９％の範囲にある第２の深さまでの第２のＣａ／Ｓｉ比を有することがある。
【0012】
別の態様において、第二面の表面組成は、第１の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成のフッ素の濃度の約２９０％から約３３０％の範囲にある第１の深さまでのフッ素の濃度を有することがある。
【0013】
別の態様において、第二面の平均粗さＲａは、約０．６ｎｍから約１ｎｍの範囲にあることがある。
【0014】
別の態様において、処理済みガラス基板の平均ガラス電圧は、真空チャックからリフト試験されたときに、未処理のガラス基板の平均ガラス電圧と比較して、少なくとも約５０％減少していることがある。
【0015】
別の態様において、処理済みガラス基板が、間紙に隣接して梱包され、少なくとも２時間に亘り振動させられ、約１％の洗浄剤を含む溶液を使用して洗浄された後、未処理のガラス基板の平均ガラス電圧と比較して、少なくとも約５０％の平均ガラス電圧の減少が示される。
【0016】
別の態様において、処理済みガラス基板のヘイズは、未処理のガラス基板のヘイズよりも約１０％以下しか大きくない。
【0017】
本開示による一例の方法において、フラットパネルディスプレイ用の処理済みガラス基板を製造する方法が提供される。この方法は、ガラス基板を所定の処理温度に加熱する工程、および加熱されたガラス基板の第一面を空気に曝露しつつ、加熱されたガラス基板の第二面をＨＦプラズマに曝露して、ガラス基板の第二面をエッチングし、その第二面の表面組成を変えて、処理済みガラス基板を形成する工程を含むことがある。この処理済みガラス基板の第二面の表面組成は、約１ｎｍの第１の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成の約３８％から約４２％の範囲にある第１の深さでの第１のＡｌ／Ｓｉ比を有することがあり、この処理済みガラス基板の第二面の表面組成は、約１０ｎｍの第２の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成の約７１％から約７３％の範囲にある第２の深さまでの第２のＡｌ／Ｓｉ比を有することがある。
【図面の簡単な説明】
【0018】
本開示は、添付図面と共に読まれたときに、以下の詳細な説明から最もよく理解される。一般的な慣例にしたがって、図面の様々な特徴は、必ずしも、一定の縮尺で描かれていないことを強調しておく。反対に、様々な特徴の寸法は、明瞭さのために、任意の拡大または縮小されている。明細書および図面に亘り、同様の参照番号が同様の特徴を示す。
【図1】本開示のいくつかの実施の形態による例示の処理済みガラス基板を示す斜視図
【図6】リフト試験前の試験試料を振動させるために使用した振動プロファイルを示すＰＳＤ対周波数のプロットを示すグラフ
【図7】本開示のエッチングプロセスを使用して試料のガラス電圧の減少を示す処理済みガラス試験試料のガラス電圧を示すプロット
【発明を実施するための形態】
【0019】
本開示は、本開示の方法を利用しないガラス基板を上回る、改善された帯電（ＥＳＣ）性能を有するガラス基板を製造する方法を提供する。本開示のガラス基板は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイまたは有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイなどのフラットパネルディスプレイ装置を製造するために使用されるように作られることがある。いくつかの実施の形態において、そのガラス基板は、光学的に透明である。基板の例に、平らなまたは湾曲したガラスパネルがある。
【0020】
特に明記のない限り、ここに用いられている「ガラス基板」または「ガラス」という用語は、ガラスから全体または一部が作られたどの物体も包含すると理解される。ガラス基板は、モノリス基板、またはガラスとガラス、ガラスと非ガラス材料、およびガラスと結晶材料、およびガラスとガラスセラミック（非晶相と結晶相を含む）の積層板を含む。
【0021】
ガラスパネルなどのガラス基板は、平らであっても、湾曲していてもよく、透明または実質的に透明である。ここに用いられているように、「透明」という用語は、物品が、約１ｍｍの厚さで、スペクトルの可視領域（４００～７００ｎｍ）において約８５％超の透過率を有することを示す意図がある。例えば、例示の透明ガラスパネルは、間の全ての範囲と部分的範囲を含む、約９０％超、約９５％超、または約９９％超を含む、可視光範囲における約８５％超の透過率を有することがある。様々な実施の形態によれば、そのガラス物品は、間の全ての範囲と部分的範囲を含む、約４５％未満、約４０％未満、約３５％未満、約３０％未満、約２５％未満、または約２０％未満など、可視領域における約５０％未満の透過率を有することがある。特定の実施の形態において、例示のガラスパネルは、間の全ての範囲と部分的範囲を含む、約５５％超、約６０％超、約６５％超、約７０％超、約７５％超、約８０％超、約８５％超、約９０％超、約９５％超、または約９９％超など、紫外（ＵＶ）領域（１００～４００ｎｍ）における約５０％超の透過率を有することがある。
【0022】
例示のガラスとしては、以下に限られないが、アルミノケイ酸塩ガラス、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸ガラス、アルカリホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸塩ガラス、アルカリアルミノホウケイ酸塩ガラス、および他の適切なガラスが挙げられる。本開示の教示においてガラス基板として使用するのに適した利用可能なガラスの非限定例としては、例えば、Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ製の、ＬＯＴＵＳ（商標）ＮＸＴ、ＩＲＩＳ（商標）、ＧＯＲＩＬＬＡ（登録商標）、ＡＳＴＲＡ（商標）、およびＥａｇｌｅ ＸＧ（登録商標）ガラスが挙げられる。本開示の様々な原理および教示が、他の種類のガラス基板に関連して使用されることがあるが、使用されるガラス基板は、好ましくは、Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ製の「ＬＯＴＵＳ ＮＸＴ」ガラスなど、フュージョンドローされたアルカリ土類アルミノホウケイ酸塩ガラスであり得る。
【0023】
フラットパネルディスプレイに使用できる薄いガラス基板は、機能性Ａ側面を有し得る。薄膜トランジスタは、この機能性Ａ側面上に製造することができる。このガラス基板は、Ａ側面と反対のガラス基板の側に、非機能性側またはＢ側を含み得る。フラットパネルディスプレイまたは他の表示装置を製造する様々な段階の最中に、ガラス基板のＢ側面は、搬送および／または取扱設備と接触することがある。そのような搬送および／または取扱設備は、金属、セラミック、高分子材料などを含む様々な種類の材料から作ることができる。これらの様々な種類の異種材料とガラス基板との間の相互作用により、例えば、摩擦電気効果や接触帯電により、ガラス基板が帯電し得る。ガラス基板のガラス表面に移される電荷は、ガラス基板上に蓄積し得る。電荷がガラス基板の表面上に蓄積するにつれて、ガラス基板の表面電圧も変わり得る。ガラス基板の１つ以上の表面上のそのような電荷の蓄積は、静電帯電（ＥＳＣ）と称することができる。
【0024】
ガラス基板のＢ側面の静電帯電は、ガラス基板の性能を低下させ得る、および／またはガラス基板に損傷を与え得るので、そのような静電帯電は望ましくないことがある。例えば、ガラス基板のＢ側面の静電帯電は、ガラス基板のＡ側（または機能性）面上に堆積されることのある薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）デバイスにゲート損傷を生じることがある。そのようなゲート損傷は、絶縁破壊および／または電場誘起帯電により生じ得る。
【0025】
ガラス基板の静電帯電は、そのような帯電は、埃、微粒子片または他の汚染物質をガラス表面に引きつけ得ることでも、望ましくないことがある。埃および微粒子片のこの引力および／または蓄積は、ガラス基板に損傷を与え得る、またはガラス基板の表面品質を劣化させ得る。
【0026】
本開示の１つの例示の実施の形態において、ガラス基板のＢ側面は、そのＢ側面の表面粗さを増加させ、Ｂ側面の１つ以上の領域の表面の化学的性質を変えるために、下記に記載された方法の１つ以上を使用してエッチングすることができる。表面粗さが増加し、Ｂ側面の１つ以上の表面層の化学的性質が変化すると、Ｂ側面上の静電荷の蓄積が減少し得る。さらに、表面粗さが増加する、および／または化学的性質が変わると、ガラス基板と、ガラス基板の処理中に使用される取扱および／または搬送設備との間の摩擦も減少し得る。摩擦が減少すると、そのような設備上の摩耗が減少し得る。このように摩耗が減少すると、取扱および／または搬送設備の耐用年数が増加し、そのような設備に要求される保守管理が減少し得る。このことにより、次に、プロセスの動作可能時間が増し、製造州立が真室、フラットパネルディスプレイ製造過程全体の必要が減少し得る。
【0027】
ここで図１および２を参照すると、例示のガラス基板２０が示されている。このガラス基板は、どの適切なガラス製造過程を使用して形成されても差し支えない。一例において、ガラス基板２０は、フュージョンドロー法を使用して形成される。ガラス基板２０は、第一面（またはＡ側）２２を有し得る。この第一面２２は、その上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を製造できるガラス基板２０の面であり得る。ガラス基板２０は、第一面２２の反対に、第二面（またはＢ側）２４も有し得る。第二面２４は、フラットパネルディスプレイの処理および／または製造中に搬送または取扱設備の１つ以上の片と接触することがあるガラス基板２０の面である。
【0028】
ガラス基板２０は、下記にさらに記載されるように、エッチングプロセスを使用して処理し、第二面２４に、未処理のガラス基板を上回る、または従来の表面処理を有するガラス基板を上回る、減少した静電帯電をもたらす１つ以上の特徴を持たせることができる。本開示の１つ以上のエッチングプロセスを使用して変わるそのような特徴の内の１つは、ガラス基板２０の第二面２４の表面組成である。図２に示されるように（しかしながら、一定の縮尺で示されていない）、第二面２４の表面組成は、第二面２４の外面２６から１つ以上の深さまで、どの適切な技術を使用して測定しても差し支えない。そのような技術は、外面２６から特定の深さまでの組成元素（または元素の比）の平均値として表される１つ以上の組成元素（または元素の比）の第二面２４の表面組成を測定することができる。いくつかの例示の技術に、飛行時間二次イオン質量分析法（ＴＯＦ－ＳＩＭＳ）およびＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）がある。これらの測定技術を考慮して、測定値は、本開示において、、特定の深さ「まで」と記載されることがある。例えば、第二面２４の表面組成は、第１の深さ
Ｄ１まで測定することができる。第二面２４の表面組成は、外面２６から第２の深さＤ２まで測定することもできる。一例において、第二面２４の表面組成は、約１ｎｍの第１の深さＤ１までと、約１０ｎｍの第２の深さＤ２まで、測定することができる。他の例において、第１の深さＤ１および第２の深さＤ２は、外面２６から測定された他の深さであり得る。
Ｄ１まで測定することができる。第二面２４の表面組成は、外面２６から第２の深さＤ２まで測定することもできる。一例において、第二面２４の表面組成は、約１ｎｍの第１の深さＤ１までと、約１０ｎｍの第２の深さＤ２まで、測定することができる。他の例において、第１の深さＤ１および第２の深さＤ２は、外面２６から測定された他の深さであり得る。
【0029】
本開示のエッチングプロセスは、表面組成を、ガラス基板２０中に存在するいくつかの元素について、第１の深さＤ１まで、および第２の深さＤ２まで、異なるようにすることがある。ガラス基板２０中に存在するかもしれない他の元素について、表面組成は、第１の深さまで、および第２の深さＤ２まで、同じまたは実質的に同じであることがある。
【0030】
一例において、第二面２４の表面組成は、アルミニウム／ケイ素（Ａｌ／Ｓｉ）比を決定するために測定することができる。この比は、飛行時間二次イオン質量分析法（ＴＯＦ－ＳＩＭＳ）またはＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）、もしくは蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）など、どの適切な技術を使用して決定しても差し支えない。蛍光Ｘ線は、ガラス基板２０のバルク組成を決定するために使用することができ、飛行時間二次イオン質量分析法（ＴＯＦ－ＳＩＭＳ）またはＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）は、ガラス基板２０の表面組成を決定するために使用することができる。第１の深さＤ１および第２の深さＤ２での第二面２４の表面組成を測定するために、そのような技術を使用することができる。本開示のエッチングプロセスで処理下後の第二面２４の表面組成を、処理が行われていない第二面２４の表面組成と比較することができる。このようにして、処理済みの第二面２４と未処理の第二面２４の表面組成間の違いを測定することができる。
【0031】
一例において、第二面２４は、１ｎｍの第１の深さＤ１まで、未処理のガラス基板２０の表面組成の３８～４２％の範囲にあるＡｌ／Ｓｉ比、および１０ｎｍの第２の深さＤ２まで、未処理のガラス基板２０の表面組成の７１～７３％の範囲にあるＡｌ／Ｓｉ比を有する表面組成を有し得る。別の例において、第二面２４は、１ｎｍの第１の深さＤ１まで、未処理のガラス基板２０の表面組成の３５～４５％の範囲にあるＡｌ／Ｓｉ比、および１０ｎｍの第２の深さＤ２まで、未処理のガラス基板２０の表面組成の７０～７４％の範囲にあるＡｌ／Ｓｉ比を有する表面組成を有し得る。さらに別の例において、第二面２４は、１ｎｍの第１の深さＤ１まで、未処理のガラス基板２０の表面組成の３０～５０％の範囲にあるＡｌ／Ｓｉ比、および１０ｎｍの第２の深さＤ２まで、未処理のガラス基板２０の表面組成の６５～７５％の範囲にあるＡｌ／Ｓｉ比を有する表面組成を有し得る。
【0032】
いくつかの例において、第二面２４の表面組成は、そのマグネシウム／ケイ素（Ｍｇ／Ｓｉ）比を決定するために測定することができる。Ｍｇ／Ｓｉ比は、Ａｌ／Ｓｉ比に関して先に記載された技術の内の１つ以上を使用して測定することができる。第二面２４は、１ｎｍの第１の深さＤ１まで、未処理のガラス基板２０の表面組成の７２～８１％の範囲にあるＭｇ／Ｓｉ比、および１０ｎｍの第２の深さＤ２まで、未処理のガラス基板２０の表面組成の７２～８１％の範囲にあるＭｇ／Ｓｉ比を有する表面組成を有し得る。この例において、Ｍｇ／Ｓｉ比は、１ｎｍの第１の深さＤ１および１０ｎｍの第２の深さＤ２で、実質的に同じであり得る。別の例において、第二面２４は、１ｎｍの第１の深さＤ１まで、および１０ｎｍの第２の深さＤ２まで、未処理のガラス基板２０の表面組成の７０～８３％の範囲にあるＭｇ／Ｓｉ比を有する表面組成を有し得る。さらに別の例において、第二面２４は、１ｎｍの第１の深さＤ１まで、および１０ｎｍの第２の深さＤ２まで、未処理のガラス基板２０の表面組成の６５～８８％の範囲にあるＭｇ／Ｓｉ比を有する表面組成を有し得る。
【0033】
いくつかの例において、第二面２４の表面組成は、そのカルシウム／ケイ素（Ｃａ／Ｓｉ）比を決定するために測定することができる。Ｃａ／Ｓｉ比は、Ａｌ／Ｓｉ比に関して先に記載された技術の内の１つ以上を使用して測定することができる。第二面２４は、１ｎｍの第１の深さＤ１まで、未処理のガラス基板２０の表面組成の３３～３４％の範囲にあるＣａ／Ｓｉ比、および１０ｎｍの第２の深さＤ２まで、未処理のガラス基板２０の表面組成の７７～９９％の範囲にあるＣａ／Ｓｉ比を有する表面組成を有し得る。別の例において、第二面２４は、１ｎｍの第１の深さＤ１まで、未処理のガラス基板２０の表面組成の３１～３５％の範囲にあるＣａ／Ｓｉ比、および１０ｎｍの第２の深さＤ２まで、未処理のガラス基板２０の表面組成の７５～９９％の範囲にあるＣａ／Ｓｉ比を有する表面組成を有し得る。さらに別の例において、第二面２４は、１ｎｍの第１の深さＤ１まで、未処理のガラス基板２０の表面組成の３０～３６％の範囲にあるＣａ／Ｓｉ比、および１０ｎｍの第２の深さＤ２まで、未処理のガラス基板２０の表面組成の７２～９９％の範囲にあるＣａ／Ｓｉ比を有する表面組成を有し得る。
【0034】
第二面２４の表面組成は、１つ以上の深さでフッ素（Ｆ）の濃度を決定するためにも測定することができる。第二面２４の表面組成中のＦの濃度を決定するために、先に記載された測定技術を使用することができる。一例において、１ｎｍの第１の深さＤ１での第二面２４でのＦの濃度は、未処理のガラス基板２０中のＦの濃度の２９０～３３０％であり得る。別の例において、１ｎｍの第１の深さＤ１での第二面２４でのＦの濃度は、未処理のガラス基板２０中のＦの濃度の２７０～３５０％であり得る。
【0035】
上述したように、前記表面組成は、別々に記載されているが、第二面２４の表面組成は、上述した特徴の内の複数または全てを有し得ることを認識すべきである。例えば、第二面２４の表面組成は、上述したＡｌ／Ｓｉ比、Ｍｇ／Ｓｉ比、Ｃａ／Ｓｉ比およびＦ濃度の内の１つまたは全てをユエし得る。一例において、第二面２４の表面組成は、１ｎｍの第１の深さＤ１まで、未処理のガラス基板の表面組成の３８～４２％のＡｌ／Ｓｉ比、７２～８１％のＭｇ／Ｓｉ比、および３３～３４％のＣａ／Ｓｉ比、並びに１０ｎｍの第２の深さＤ２まで、未処理のガラス基板の表面組成の７１～７３％のＡｌ／Ｓｉ比、７２～８１％のＭｇ／Ｓｉ比、および７７～９９％のＣａ／Ｓｉ比を有し得る。この同じ例は、未処理のガラス基板の表面組成の２９０～３３０％の範囲のＦ濃度も有し得る。
【0036】
本開示のエッチングプロセスは、第二面２４の外面２６に所定の粗さも持たせることがある。第二面２４の粗さは、第一面２２の粗さより大きい粗さ（エッチング後）を有し得る。一例において、第二面２４の粗さは、０．６～１．０ｎｍの範囲の粗さ値Ｒａを有し得る。別の例において、第二面２４の粗さは、０．５～１．２ｎｍの範囲の粗さ値Ｒａを有し得る。他の例において、他の適切な粗さ値を生じさせても差し支えない。粗さは、表面形状測定装置などを含むどの適切な技術を使用して、上述範囲を決定するために測定しても差し支えない。
【0037】
本開示のエッチングプロセスおよび第二面２４の表面組成および／または粗さに対する付随する変化は、ガラス基板２０に生じる静電帯電の量の減少をもたらし得る。一例において、処理済みガラス基板は、未処理のガラス基板のガラス電圧より、ガラス電圧の少なくとも５０％の減少を有し得る。別の例において、処理済みガラス基板は、未処理のガラス基板のガラス電圧より、ガラス電圧の少なくとも６０％の減少を有し得る。さらに他の例において、処理済みガラス基板は、未処理のガラス基板のガラス電圧より、ガラス電圧の少なくとも６５％の減少を有し得る。
【0038】
本開示のエッチングプロセスは、ガラス基板２０に悪影響を及ばさないことも望ましい。あるエッチングプロセスは、処理済みガラス基板にとって許容できない量のヘイズを有する処理済みガラス基板をもたらし得る。本開示のエッチングプロセスは、処理済みガラス基板に過剰な量のヘイズを生じない。すなわち、このエッチングプロセスは、フラットパネルディスプレイ中のガラス基板の使用に悪影響を及ぼすであろうヘイズを与えない。
【0039】
図３は、本開示の原理および教示を使用する、ガラス基板を処理する１つの例示の方法３００を示す。図３に示された工程の前に、ガラス基板は、どの適切な方法を使用して製造しても差し支えない。一例において、ガラス基板は、フュージョンドロー法を使用して形成することができる。そのガラス基板は、フラットパネルディスプレイに使用するのにどの適切なガラス基板であっても差し支えない。ガラス基板は、例えば、Ｃｏｒｎｉｎｇ製の「Ｌｏｔｕｓ」ＮＸＴガラスなどのアルカリ土類アルミノホウケイ酸塩ガラスであり得る。
【0040】
工程３０４で、ガラス基板は、所定のエッチング温度に予熱することができる。ガラス基板を所定のエッチング温度に加熱するために、工程３０４で、どの適切なオーブンまたは加熱源を使用しても差し支えない。
【0041】
工程３０６で、ガラス基板は、下記にさらに記載されるように、本開示のエッチングプロセスの内の１つを使用してエッチングされる。一例において、工程３０６でのエッチングプロセスは、ガラス基板２０の第二面２４をエッチングするために、ＨＦプラズマが使用される大気圧プラズマエッチング（ＡＰＰＥ）プロセスである。そのようなプロセスにおいて、先に記載された第二面２４の特徴を有するガラス基板２０を製造するために、前駆体として、ＣＦ４およびＨ２Ｏを使用することができる。工程３０６の最中に、下記にさらに記載されるように、加熱されたガラス基板の第二面を、ＨＦプラズマに曝して、ガラス基板の第二面をエッチングし、第二面２４の表面組成を変えて、処理済みガラス基板を形成しながら、加熱されたガラス基板の第一面を空気にさらすことができる。
【0042】
エッチング後、工程３０８で、ガラス基板を濯ぎ、乾燥させることができる。上述したプロセスまたは性能試験に関して下記に記載されたプロセスなど、どの適切な濯ぎおよび乾燥プロセスを使用しても差し支えない。
【0043】
図４は、ガラス基板２０をエッチングする例示の方法４００を示す。方法４００は、方法３００の工程３０６中に行われることのある１つ以上の工程をさらに詳述することができる。図５に示されたエッチング装置５００は、これから記載される方法４００の１つ以上の工程中に使用することができる。しかしながら、図４および５は、説明目的のためだけに一緒に述べられることを理解すべきである。それぞれ、図４および５に示された方法４００およびエッチング装置５００は、下記に記載された具体例以外の実施に使用することができる。
【0044】
工程４０２で、ＨＦプラズマを１つ以上のプラズマ発生器によって生成することができる。どの適切な発生器を使用しても差し支えない。それに加え、ＨＦプラズマを混合するために流体結合できる２つ以上のプラズマ発生器があり得る。工程４０４で、プラズマは、エッチング区域に移すことができる。工程４０６で、プラズマは、エッチング区域内でガラス基板と接触することができる。プラズマがガラス基板と接触している間に、プラズマはガラス基板と相互作用して、先に記載されたようにガラス基板の表面組成に変化を生じさせることができる。それに加え、プラズマと接触したガラス基板の表面は、粗面化されて、先に記載された粗さ特徴を有することができる。工程４０６で、エッチング区域は、例えば、ガラス基板２０の第二面２４をプラズマに接触させて、その表面組成および表面の粗さに変化を生じさせつつ、相当量のプラズマがガラス基板２０の第一面２２に接触するのを防ぐかまたは制限するように作ることができる。このようにして、第二面２４は、先に記載された変化を経る一方で、第一面２２は、第一面２２がフラットパネルディスプレイを製造するための薄膜トランジスタの製造に適したままであるように、プラズマによりほとんど影響を受けない。
【0045】
工程４０８で、プラズマは、エッチング区域から除去される。例えば、エッチング区域は、プラズマがガラス基板から離され、エッチング区域からそこを通じて取り除かれる排出通路を有し得る。このようにして、プラズマは、エッチング区域を通じて（ガラス基板と接触させられて）循環されて、ガラス基板のエッチングを生じさせることができる。
【0046】
工程４１０で、エッチング区域から取り除かれたプラズマからプラズマ排出データを収集することができる。どの適切なセンサまたはデータ処理装置を使用しても差し支えない。一例において、フーリエ変換赤外（ＦＴ－ＩＲ）分光計を使用して、エッチング区域から出るプラズマの特徴についてのデータを収集し、処理することができる。このデータおよび情報を使用して、この過程をモニタし、流量、プラズマ、ガラス基板の搬送速度または他のプロセス属性に調節を行うことができる。図示されていないが、方法４００は、同様の他の工程を含んでも差し支えない。そのような追加の工程としては、プロセス中の他の時点でのデータを収集する工程もしくはエッチング区域から出るであろうプラズマを洗浄するまたは他のやり方で処理する工程が挙げられるであろう。
【0047】
方法３００および／または方法４００の工程は、コンピュータ実行プログラムまたは他の処理装置によって行われることがある。データ収集および解析も、スクリーンまたは他の出力装置に出力することができる。ここに記載された方法およびシステムは、コンピュータ実行プロセスおよびそれらのプロセスを実施するための装置の携帯で、少なくとも部分的に具体化されることがある。開示された方法は、コンピュータプログラムコードで符号化された有形的非一時的機械可読記憶媒体の携帯で少なくとも部分的に具体化されることもある。媒体の例としては、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ－ＲＯＭ、ＢＤ－ＲＯＭ、ハードディスクドライブ、フラッシュメモリ、または任意の他の非一時的機械可読記憶媒体、もしくはこれらの媒体の任意の組合せが挙げられることがあり、ここで、コンピュータプログラムコードがコンピュータにロードされ、実行されるときに、そのコンピュータは、この方法を実施するための装置となる。この方法は、コンピュータプログラムコードがロードされる、および／または実行されるコンピュータの形態で少なくとも部分的に具体化されることがあり、よって、そのコンピュータは、この方法を実行するため装置となる。汎用プロセッサに実装される場合、そのコンピュータプログラムコードセグメントは、特定論理回路を作成するようにプロセッサを構成する。この方法は、代わりに、この方法を実施するための特定用途向け集積回路から形成されたデジタルシグナルプロセッサにおいて少なくとも部分的に具体化されることがある。
【0048】
図５は、例示のエッチング装置５００を示す。図から分かるように、エッチング装置５００は、発生器５０２、ノズル５０４および検出器５０８を備えることができる。エッチング装置５００は、一例において、先に記載された方法４００において使用することができる。発生器５０２は、ＨＦプラズマを生成するためのプラズマ発生器など、どの適切な発生器であっても差し支えない。他の例において、ＨＦ蒸気を生成するための他の措置も使用することができる。発生器５０２は、投入通路５１２によってノズルに流体接続することができる。図示されたような投入通路５１２により、図５に矢印で示されるように、プラズマを発生器５０２からノズル中に移動させることができる。プラズマは、ノズル５０４内に配置されたガラス基板２０に向かって移動することができる。図示された例において、ガラス基板２０は、そのガラス基板の第二面２４が投入通路５１２の反対に位置付けられるように配置することができる。このようにして、プラズマは、エッチングチャンバ５１６に流入したときに、ガラス基板２０の第二面２４と接触することができる。
【0049】
さらに示されるように、そのノズルは、排出通路５１４にも流体接続されている。プラズマは、排出通路５１４を通じてエッチングチャンバ５１６から出ることができる。一例において、排出通路５１４を真空に引いて、プラズマが、投入通路５１２からエッチングチャンバ５１６を通って排出通路５１４から流出することができる。この構成において、ガラス基板２０の第二面２４がプラズマに曝されて、第二面２４のエッチングが行われる。図示された例において、ガラス基板２０は、ローラ５１０によって、エッチングチャンバ５１６内に支持することができる。ローラ５１０は、エッチングチャンバ５１６の互いに反対の端部に配置することができ、エッチングチャンバ５１６のそれらの端部を封止して、プラズマがエッチングチャンバから漏れるのを防ぐおよび／または制限することができる。さらに示されるように、ローラ５１０間の第二面２４の部分は、支持されずに、または他の中間部材が第二面２４と接触せずに、エッチングのためにプラズマに曝される。そのような構成は、第二面２４の一貫したエッチングおよび一貫した表面特徴をもたらすことができる。
【0050】
先に記載されたエッチング装置５００の構成は、ガラス基板２０の第一面２２が相当量のプラズマまたはＨＦ蒸気に曝されるのを制限するおよび／または防ぐ。ガラス基板２０の第一面２２は空気にさらされている。いくらかの空気が第一面２２から第二面２４に向かって（そして、排出通路５１４を通じて）流れるかもしれないが、プラズマは、第一面２２の上と、第二面２４の下のノズル５０４の領域間の圧力差を考慮すると、第一面２２に向かって移動するのが制限される。
【0051】
さらに示されるように、排出通路５１４は、検出器５０８に接続することができる。検出器５０８は、どの適切なセンサおよび／またはデータ収集および解析装置ユニットであっても差し支えない。例えば、検出器５０８は、エッチングチャンバ５１６から出るプラズマの特徴についてのデータを収集し、処理するために使用できるフーリエ変換赤外（ＦＴ－ＩＲ）分光計であり得る。他の例において、他のセンサまたはデータ収集ユニットを使用しても差し支えない。
【0052】
先に記載された方法および装置の実施により、先に記載された特徴を有するガラス基板が得られる。この表面組成および増加した粗さにより、本開示の原理および教示を使用してエッチングされていないガラス基板より減少した静電帯電を有するガラス基板２０が得られる。本開示のエッチングされたガラス基板２０は、従来のウェットエッチングプロセスを使用してエッチングされたガラス基板より、減少した静電帯電および減少した摩擦も示す。そのようなウェットエッチングプロセスの一つは、Ｂｅｌｓｃｈｅｒ等の米国特許第５７９２３２７号明細書に記載されているような、ＮａＦおよびＨ３ＰＯ４を使用するプロセスである。
【0053】
例示のガラス基板－性能試験
例示のガラス基板を、本開示のＡＰＰＥプロセスであるドライエッチングをエッチングし、表面特徴の変化および結果としての静電帯電の改善を決定するために試験した。アルカリ土類アルミノホウケイ酸塩ガラスであるＣｏｒｎｉｎｇ製の「Ｌｏｔｕｓ」ＮＸＴガラスを使用して、試験試料を調製した。それらの試料に、先に記載されたプロセスと実質的に類似のＡＰＰＥプロセスであるドライエッチングを手作業で施し、洗浄剤を使用せずに、濯ぎ、エアーナイフで乾燥させた。下記の説明の目的のために、これらの試料は「ＡＰＰＥ」試料と称される。これらのＡＰＰＥ試料は、試料の内のいくつかが約１．０ｎｍの粗さＲａを示すように処理した（「ＡＰＰＥ １．０」と称される）。他のＡＰＰＥ試料は、約０．６ｎｍの粗さＲａを示すように処理した（「ＡＰＰＥ ０．６」と称される）。
例示のガラス基板を、本開示のＡＰＰＥプロセスであるドライエッチングをエッチングし、表面特徴の変化および結果としての静電帯電の改善を決定するために試験した。アルカリ土類アルミノホウケイ酸塩ガラスであるＣｏｒｎｉｎｇ製の「Ｌｏｔｕｓ」ＮＸＴガラスを使用して、試験試料を調製した。それらの試料に、先に記載されたプロセスと実質的に類似のＡＰＰＥプロセスであるドライエッチングを手作業で施し、洗浄剤を使用せずに、濯ぎ、エアーナイフで乾燥させた。下記の説明の目的のために、これらの試料は「ＡＰＰＥ」試料と称される。これらのＡＰＰＥ試料は、試料の内のいくつかが約１．０ｎｍの粗さＲａを示すように処理した（「ＡＰＰＥ １．０」と称される）。他のＡＰＰＥ試料は、約０．６ｎｍの粗さＲａを示すように処理した（「ＡＰＰＥ ０．６」と称される）。
【0054】
他のガラスの比較試料を、ドライエッチングプロセスを使用して処理せずに、上述したように処理した。そのような試料は、下記の説明の目的のために、「未処理」試料と称される。他のガラスの比較試料を、上述したように処理したが、Ｂｅｌｓｃｈｅｒ等の米国特許第５７９２３２７号明細書に記載されたウェットエッチングプロセスを使用してエッチングされた。下記の説明の目的のために、これらの試料は、「ウェットエッチングされた」試料と称される。
【0055】
フラットパネルディスプレイの製造中に、ガラス製造施設から次の製造施設までガラス基板を出荷する最中に通常行われる梱包および輸送をシミュレーションするために、未処理の試料およびウェットエッチングした試料を、梱包し、振動させた。試料は、間紙の包装用紙（例えば、特種東海製紙株式会社により製造されているＧＣＩＰ Ｄ紙）の隣に梱包し、次いで、周囲湿度で、Ｔｅｌｅｃｏｒｄｉａ ＧＲ－６３基準（例えば、Ｓｅｃｔｉｏｎ ４．４．５からのＴｅｌｅｃｏｒｄｉａ ＧＲ－６３ Ｔｒａｎｓｐｏｒａｔｉｏｎ Ｖｉｂｒａｔｉｏｎ）を使用し、通常の梱包および輸送に典型的に見られる圧力をシミュレーションするために発生させられた圧力を使用して、２時間に亘り振動させた。振動試験のさらなる詳細が、パワースペクトル密度（ＰＳＤ）対周波数を示す図６から分かる。
【0056】
次に、ＡＰＰＥ試料、未処理の試料およびウェットエッチングした試料の梱包を解き、洗浄し、次いで、回転させ、濯ぎ、乾燥させた。この洗浄過程は、超音波を使用して、５０℃で１０分間に亘り、１％のＳｅｍｉｃｌｅａｎ ＫＧ洗浄剤（横浜油脂工業株式会社により製造されている）の洗浄化学作用により試料を洗浄し、その後、脱イオン水で濯ぐ工程を含んだ。この洗浄化学作用は、試料の表面の化学的性質を変えられることに留意すべきである。
【0057】
次に、試料にリフト試験を行って、試料の表面荷電特性を決定した。ここに用いられているように、リフト試験(Lift Test)は、下記に記載されるようなガラス基板またはガラス試料の試験過程を称する。リフト試験は、フラットパネルディスプレイ製造過程におけるガラス基板の搬送および／または処理の最中に使用される一般的な機器である真空チャック台上で行われた。リフト試験装置は、絶縁陽極酸化被覆を有するアルミニウムから製造され、より小さい正方形の内部真空通路を有する正方形外周真空通路を備えた。ガラス試料が真空チャックと接触しているときに達成された真空レベルは、約－８３ｋＰａであった。ガラス試料は、４インチ×４インチ（約１０ｃｍ×１０ｃｍ）のサイズであり、真空チャックの上に降下させ、丸みを帯びた絶縁Ｖｅｓｐｅｌピンを使用して、真空チャックから上昇させた。
【0058】
静電荷は、ガラス基板を上昇させ、真空チャックから降下されるときに、通常生じる。電荷は、ガラスがチャックから反対に引っ張られ、真空通路のエッジ近くで変形し、チャックのエッジで擦れるときに、摩擦帯電によっても生成し得る。処理中のこの効果をシミュレーションするために、ガラス試料を、１０ｍｍ／秒の速度で、６回、降下させ、真空チャックから上昇させた。接触分離の６０秒後、ガラスの電圧を測定するために、ガラス電圧測定センサを使用した。このガラス電圧センサは、ガラスから１０ｍｍの距離に位置指定おり、真空チャックから上昇させ、降下させるときのガラスの運動と共に、追跡した。ガラス試料の各サイクル中に、ガラス電圧を記録した。次に、各サイクル中に記録した電圧を使用して、平均ガラス電圧を計算した。各ガラス試料に関する平均ガラス電圧が、下記の表１に示されている。それに加え、ガラス試料電圧の統計的分析が、図７に示されており、これは、ＡＰＰＥ試料、ウェットエッチングした試料および未処理の試料が、互いから、統計的に有意であることを示す。
【0059】
【表1】
【0060】
以上のように、本開示のエッチングプロセスを使用して処理されたＡＰＰＥ試料は、ウェットエッチングした試料および未処理の試料を上回る、静電帯電の著しい改善を示した。ＡＰＰＥ試料は、未処理の試料を上回る６６％の改善およびウェットエッチングした試料を上回る３８％の改善を示す。
【0061】
ＡＰＰＥ試料、ウェットエッチングした試料、および未処理の試料の表面組成も、ＸＰＳおよびＴＯＦ ＳＩＭＳを使用して分析して、ケイ素と比べた主要ガラス元素比およびフッ素の濃度に関する、ガラス表面組成を決定した。ＴＯＦ ＳＩＭＳキャラクタリゼーション法を使用して、１ｎｍの深さまで試験試料の表面組成を決定した。ＸＰＳキャラクタリゼーション法を使用して、１０ｎｍの深さまで試験試料の表面組成を決定した。表面組成試験の結果が、下記の表２に示されている。元素比およびＦ濃度の値も、未処理の試料からの差異を示すために、未処理の試料に対して正規化した。
【0062】
【表2】
【0063】
以上のように、ＡＰＰＥ試料は、未処理の試料のものを上回る、Ａｌ／Ｓｉ、Ｍｇ／Ｓｉ、Ｃａ／Ｓｉ比、およびＦ濃度の変化を示す。ガラス表面のそのような組成変化並びに増加した粗さは、表１に先に記載された静電帯電の減少を示すことが分かる。
【0064】
本開示のＡＰＰＥプロセスであるドライエッチングを施した後に、試験試料のヘイズが増加したか否かを判定するためにも、試験試料を試験した。ヘイズは、全ての試料について、非常に低い、および／または存在しないと、主観的に判定された。試料は、ＲＫＹ Ｈａｚｅ Ｇａｒｄ Ｐｌｕｓ、Ｍｏｄｅｌ ４７２５も使用して、測定した。測定値が、下記の表３に示されている。
【0065】
【表3】
【0066】
以上のように、ヘイズは、著しくは増加しなかった。ＡＰＰＥ試料のヘイズは、４％を超えて増加しなかった。
【0067】
例示の実施の形態のこの説明は、記載された説明全体の一部と考えられるべき、添付図面と共に読まれることが意図されている。説明において、「下側」、「上側」、「水平」、「垂直」、「より上」、「より下」、「上」、「下」、「上部」、および「底部」、並びにその派生語（例えば、「水平に」、「下方に」、「上方に」など）などの相対語は、その次に記載されたような、または議論されている図面に示されたような、向きを称すると考えるべきである。これらの相対語は、説明の便宜のためであり、装置が、特定の向きに構築されるまたは作動されることを必要としない。「接続された」および「相互接続された」などの、取付け、連結などに関する用語は、特に明記のない限り、構造が、直接的に、または介在構造により間接的にのいずれかで、互いに固定されている、または取り付けられている関係、並びに可動性または剛性取付または関係の両方を称する。
【0068】
下記の説明の目的のために、下記に記載された実施の形態は、代わりのバリエーションおよび実施の形態を想定することがあることを理解すべきである。ここに記載された特定の物品、組成、および／またはプロセスは、例示であり、限定と考えるべきではないことも理解すべきである。
【0069】
本開示において、名詞は、複数の対象を含み、特定の数値への言及は、文脈上明白に他の意味に解釈すべき場合を除いて、少なくともその特定の値を含む。値が、先行詞「約」を使用して、近似として表されている場合、その特定の値は、別の実施の形態を形成することが理解されよう。ここに用いられているように、「約Ｘ」（ここで、Ｘは数値である）は、包括的で、列挙された値の±１０％を指すことが好ましい。例えば、「約８」という句は、包括的で、７．２から８．８の値を指す。ここに用いられているように、「に実質的に類似」は、比較された特徴を特徴付けるために使用された値の±１０％を指す。有する場合、全ての範囲は、包括的で、組合せ可能である。例えば、「１から５」の範囲が挙げられている場合、列挙される範囲は、範囲「１から４」、「１から３」、「１～２」、「１～２および４～５」、「１～３および５」、「２～５」などを含むと考えるべきである。それに加え、選択肢のリストが肯定的に与えられている場合、そのようなリストは、選択肢のいずれが、例えば、請求項における否定的な限定により、排除されてもよいことを意味すると解釈することができる。例えば、「１から５」の範囲が挙げられている場合、挙げられた範囲は、それにより、１、２、３、４、または５のいずれが否定的に排除される状況を含むと解釈されることがある；それゆえ、「１から５」の列挙は、「１および３～５であるが、２ではない」、もしくは単純に、「２は含まれない」と考えられることがある。ここに肯定的に挙げられているどの成分、元素、属性、または工程も、そのような成分、元素、属性、または工程が選択肢として列挙していようとなかろうと、またはそれらが孤立してあげられていようとなかろうと、請求項において明白に排除されることがあることが意図されている。
【0070】
主題を、例示の実施の形態に関して記載してきたが、それらには限定されない。そうではなく、付随の特許請求の範囲は、当業者により考えられるであろう、他の変種および実施の形態を含むために、広く解釈されるべきである。
【0071】
以下、本発明の実施形態を項分け記載する。
【0072】
実施形態１
フラットパネルディスプレイ用の処理済みガラス基板であって、該処理済みガラス基板は、複数の薄膜トランジスタを保持するように作られた第一面および該第一面と反対にある該ガラス基板の面に位置する第二面を有し、該第二面は、該第二面の表面組成を変えるためにドライエッチングプロセスを使用して処理され、該第二面の表面組成は、約１ｎｍの第１の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成の約３８％から約４２％の範囲にある該第１の深さまでの第１のＡｌ／Ｓｉ比、および約１０ｎｍの第２の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成の約７１％から約７３％の範囲にある該第２の深さまでの第２のＡｌ／Ｓｉ比を有する、処理済みガラス基板。
フラットパネルディスプレイ用の処理済みガラス基板であって、該処理済みガラス基板は、複数の薄膜トランジスタを保持するように作られた第一面および該第一面と反対にある該ガラス基板の面に位置する第二面を有し、該第二面は、該第二面の表面組成を変えるためにドライエッチングプロセスを使用して処理され、該第二面の表面組成は、約１ｎｍの第１の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成の約３８％から約４２％の範囲にある該第１の深さまでの第１のＡｌ／Ｓｉ比、および約１０ｎｍの第２の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成の約７１％から約７３％の範囲にある該第２の深さまでの第２のＡｌ／Ｓｉ比を有する、処理済みガラス基板。
【0073】
実施形態２
前記ガラス基板が、アルミノホウケイ酸塩ガラスから作られる、実施形態１に記載の処理済みガラス基板。
前記ガラス基板が、アルミノホウケイ酸塩ガラスから作られる、実施形態１に記載の処理済みガラス基板。
【0074】
実施形態３
前記ドライエッチングプロセスが、大気圧プラズマエッチング（ＡＰＰＥ）プロセスである、実施形態１に記載の処理済みガラス基板。
前記ドライエッチングプロセスが、大気圧プラズマエッチング（ＡＰＰＥ）プロセスである、実施形態１に記載の処理済みガラス基板。
【0075】
実施形態４
前記第一面の表面組成が、前記未処理のガラス基板の表面組成と実質的に似ている、実施形態１に記載の処理済みガラス基板。
前記第一面の表面組成が、前記未処理のガラス基板の表面組成と実質的に似ている、実施形態１に記載の処理済みガラス基板。
【0076】
実施形態５
前記第二面の表面組成が、前記第１の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成の約７２％から約８１％の範囲にある該第１の深さまでの第１のＭｇ／Ｓｉ比を有し、該第二面の表面組成が、前記第２の深さまでの該未処理のガラス基板の表面組成の約７２％から約８１％の範囲にある該第２の深さまでの第２のＭｇ／Ｓｉ比を有する、実施形態１に記載の処理済みガラス基板。
前記第二面の表面組成が、前記第１の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成の約７２％から約８１％の範囲にある該第１の深さまでの第１のＭｇ／Ｓｉ比を有し、該第二面の表面組成が、前記第２の深さまでの該未処理のガラス基板の表面組成の約７２％から約８１％の範囲にある該第２の深さまでの第２のＭｇ／Ｓｉ比を有する、実施形態１に記載の処理済みガラス基板。
【0077】
実施形態６
前記第二面の表面組成が、前記第１の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成の約３３％から約３４％の範囲にある該第１の深さまでの第１のＣａ／Ｓｉ比を有し、該第二面の表面組成は、前記第２の深さまでの該未処理のガラス基板の表面組成の約７７％から約９９％の範囲にある該第２の深さまでの第２のＣａ／Ｓｉ比を有する、実施形態１に記載の処理済みガラス基板。
前記第二面の表面組成が、前記第１の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成の約３３％から約３４％の範囲にある該第１の深さまでの第１のＣａ／Ｓｉ比を有し、該第二面の表面組成は、前記第２の深さまでの該未処理のガラス基板の表面組成の約７７％から約９９％の範囲にある該第２の深さまでの第２のＣａ／Ｓｉ比を有する、実施形態１に記載の処理済みガラス基板。
【0078】
実施形態７
前記第二面の表面組成が、前記第１の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成のフッ素の濃度の約２９０％から約３３０％の範囲にある該第１の深さまでのフッ素の濃度を有する、実施形態１に記載の処理済みガラス基板。
前記第二面の表面組成が、前記第１の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成のフッ素の濃度の約２９０％から約３３０％の範囲にある該第１の深さまでのフッ素の濃度を有する、実施形態１に記載の処理済みガラス基板。
【0079】
実施形態８
前記第二面の平均粗さＲａが、約０．６ｎｍから約１ｎｍの範囲にある、実施形態１に記載の処理済みガラス基板。
前記第二面の平均粗さＲａが、約０．６ｎｍから約１ｎｍの範囲にある、実施形態１に記載の処理済みガラス基板。
【0080】
実施形態９
前記処理済みガラス基板の平均ガラス電圧が、真空チャックからリフト試験されたときに、前記未処理のガラス基板の平均ガラス電圧と比較して、少なくとも約５０％減少している、実施形態１に記載の処理済みガラス基板。
前記処理済みガラス基板の平均ガラス電圧が、真空チャックからリフト試験されたときに、前記未処理のガラス基板の平均ガラス電圧と比較して、少なくとも約５０％減少している、実施形態１に記載の処理済みガラス基板。
【0081】
実施形態１０
前記処理済みガラス基板が、間紙に隣接して梱包され、少なくとも２時間に亘り振動させられ、約１％の洗浄剤を含む溶液を使用して洗浄された後、前記未処理のガラス基板の平均ガラス電圧と比較して、少なくとも約５０％の平均ガラス電圧の減少が示される、実施形態９に記載の処理済みガラス基板。
前記処理済みガラス基板が、間紙に隣接して梱包され、少なくとも２時間に亘り振動させられ、約１％の洗浄剤を含む溶液を使用して洗浄された後、前記未処理のガラス基板の平均ガラス電圧と比較して、少なくとも約５０％の平均ガラス電圧の減少が示される、実施形態９に記載の処理済みガラス基板。
【0082】
実施形態１１
前記処理済みガラス基板のヘイズが、前記未処理のガラス基板のヘイズよりも約１０％以下しか大きくない、実施形態１に記載の処理済みガラス基板。
前記処理済みガラス基板のヘイズが、前記未処理のガラス基板のヘイズよりも約１０％以下しか大きくない、実施形態１に記載の処理済みガラス基板。
【0083】
実施形態１２
フラットパネルディスプレイ用の処理済みガラス基板であって、該処理済みガラス基板は、複数の薄膜トランジスタを保持するように作られた第一面および該第一面と反対にある該ガラス基板の面に位置する第二面を有し、該第二面は、該第二面の表面組成を変えるためにドライエッチングプロセスを使用して処理され、該第二面の表面組成は、約１ｎｍの第１の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成の約７２％から約８１％の範囲にある該第１の深さまでの第１のＭｇ／Ｓｉ比、および約１０ｎｍの第２の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成の約７２％から約８１％の範囲にある該第２の深さまでの第２のＭｇ／Ｓｉ比を有する、処理済みガラス基板。
フラットパネルディスプレイ用の処理済みガラス基板であって、該処理済みガラス基板は、複数の薄膜トランジスタを保持するように作られた第一面および該第一面と反対にある該ガラス基板の面に位置する第二面を有し、該第二面は、該第二面の表面組成を変えるためにドライエッチングプロセスを使用して処理され、該第二面の表面組成は、約１ｎｍの第１の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成の約７２％から約８１％の範囲にある該第１の深さまでの第１のＭｇ／Ｓｉ比、および約１０ｎｍの第２の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成の約７２％から約８１％の範囲にある該第２の深さまでの第２のＭｇ／Ｓｉ比を有する、処理済みガラス基板。
【0084】
実施形態１３
前記第二面の平均粗さＲａが、約０．６ｎｍから約１ｎｍの範囲にある、実施形態１２に記載の処理済みガラス基板。
前記第二面の平均粗さＲａが、約０．６ｎｍから約１ｎｍの範囲にある、実施形態１２に記載の処理済みガラス基板。
【0085】
実施形態１４
前記処理済みガラス基板の平均ガラス電圧が、真空チャックからリフト試験されたときに、前記未処理のガラス基板の平均ガラス電圧と比較して、少なくとも約５０％減少している、実施形態１２に記載の処理済みガラス基板。
前記処理済みガラス基板の平均ガラス電圧が、真空チャックからリフト試験されたときに、前記未処理のガラス基板の平均ガラス電圧と比較して、少なくとも約５０％減少している、実施形態１２に記載の処理済みガラス基板。
【0086】
実施形態１５
前記処理済みガラス基板が、間紙に隣接して梱包され、少なくとも２時間に亘り振動させられ、約１％の洗浄剤を含む溶液を使用して洗浄された後、前記未処理のガラス基板の平均ガラス電圧と比較して、少なくとも約５０％の平均ガラス電圧の減少が示される、実施形態１２に記載の処理済みガラス基板。
前記処理済みガラス基板が、間紙に隣接して梱包され、少なくとも２時間に亘り振動させられ、約１％の洗浄剤を含む溶液を使用して洗浄された後、前記未処理のガラス基板の平均ガラス電圧と比較して、少なくとも約５０％の平均ガラス電圧の減少が示される、実施形態１２に記載の処理済みガラス基板。
【0087】
実施形態１６
前記処理済みガラス基板のヘイズが、前記未処理のガラス基板のヘイズよりも約１０％以下しか大きくない、実施形態１２に記載の処理済みガラス基板。
前記処理済みガラス基板のヘイズが、前記未処理のガラス基板のヘイズよりも約１０％以下しか大きくない、実施形態１２に記載の処理済みガラス基板。
【0088】
実施形態１７
フラットパネルディスプレイ用の処理済みガラス基板であって、該処理済みガラス基板は、複数の薄膜トランジスタを保持するように作られた第一面および該第一面と反対にある該ガラス基板の面に位置する第二面を有し、該第二面は、該第二面の表面組成を変えるためにドライエッチングプロセスを使用して処理され、該表面組成は、約１ｎｍの第１の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成の約３３％から約３４％の範囲にある該第１の深さまでの第１のＣａ／Ｓｉ比、および約１０ｎｍの第２の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成の約７７％から約９９％の範囲にある該第２の深さまでの第２のＣａ／Ｓｉ比を有する、処理済みガラス基板。
フラットパネルディスプレイ用の処理済みガラス基板であって、該処理済みガラス基板は、複数の薄膜トランジスタを保持するように作られた第一面および該第一面と反対にある該ガラス基板の面に位置する第二面を有し、該第二面は、該第二面の表面組成を変えるためにドライエッチングプロセスを使用して処理され、該表面組成は、約１ｎｍの第１の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成の約３３％から約３４％の範囲にある該第１の深さまでの第１のＣａ／Ｓｉ比、および約１０ｎｍの第２の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成の約７７％から約９９％の範囲にある該第２の深さまでの第２のＣａ／Ｓｉ比を有する、処理済みガラス基板。
【0089】
実施形態１８
前記第二面の平均粗さＲａが、約０．６ｎｍから約１ｎｍの範囲にある、実施形態１７に記載の処理済みガラス基板。
前記第二面の平均粗さＲａが、約０．６ｎｍから約１ｎｍの範囲にある、実施形態１７に記載の処理済みガラス基板。
【0090】
実施形態１９
前記処理済みガラス基板の平均ガラス電圧が、真空チャックからリフト試験されたときに、前記未処理のガラス基板の平均ガラス電圧と比較して、少なくとも約５０％減少している、実施形態１７に記載の処理済みガラス基板。
前記処理済みガラス基板の平均ガラス電圧が、真空チャックからリフト試験されたときに、前記未処理のガラス基板の平均ガラス電圧と比較して、少なくとも約５０％減少している、実施形態１７に記載の処理済みガラス基板。
【0091】
実施形態２０
前記処理済みガラス基板のヘイズが、前記未処理のガラス基板のヘイズよりも約１０％以下しか大きくない、実施形態１７に記載の処理済みガラス基板。
前記処理済みガラス基板のヘイズが、前記未処理のガラス基板のヘイズよりも約１０％以下しか大きくない、実施形態１７に記載の処理済みガラス基板。
【0092】
実施形態２１
フラットパネルディスプレイ用の処理済みガラス基板であって、該処理済みガラス基板は、複数の薄膜トランジスタを保持するように作られた第一面および該第一面と反対にある該ガラス基板の面に位置する第二面を有し、該第二面は、該第二面の表面組成を変えるためにドライエッチングプロセスを使用して処理され、該第二面の表面組成は、約１ｎｍの第１の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成の約２９０％から約３３０％の範囲にある該第１の深さまでのフッ素の濃度を有する、処理済みガラス基板。
フラットパネルディスプレイ用の処理済みガラス基板であって、該処理済みガラス基板は、複数の薄膜トランジスタを保持するように作られた第一面および該第一面と反対にある該ガラス基板の面に位置する第二面を有し、該第二面は、該第二面の表面組成を変えるためにドライエッチングプロセスを使用して処理され、該第二面の表面組成は、約１ｎｍの第１の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成の約２９０％から約３３０％の範囲にある該第１の深さまでのフッ素の濃度を有する、処理済みガラス基板。
【0093】
実施形態２２
前記第二面の平均粗さＲａが、約０．６ｎｍから約１ｎｍの範囲にある、実施形態２１に記載の処理済みガラス基板。
前記第二面の平均粗さＲａが、約０．６ｎｍから約１ｎｍの範囲にある、実施形態２１に記載の処理済みガラス基板。
【0094】
実施形態２３
前記処理済みガラス基板の平均ガラス電圧が、真空チャックからリフト試験されたときに、前記未処理のガラス基板の平均ガラス電圧と比較して、少なくとも約５０％減少している、実施形態２１に記載の処理済みガラス基板。
前記処理済みガラス基板の平均ガラス電圧が、真空チャックからリフト試験されたときに、前記未処理のガラス基板の平均ガラス電圧と比較して、少なくとも約５０％減少している、実施形態２１に記載の処理済みガラス基板。
【0095】
実施形態２４
前記処理済みガラス基板のヘイズが、前記未処理のガラス基板のヘイズよりも約１０％以下しか大きくない、実施形態２１に記載の処理済みガラス基板。
前記処理済みガラス基板のヘイズが、前記未処理のガラス基板のヘイズよりも約１０％以下しか大きくない、実施形態２１に記載の処理済みガラス基板。
【0096】
実施形態２５
フラットパネルディスプレイ用の処理済みガラス基板を製造する方法において、
ガラス基板を所定の処理温度に加熱する工程、および
加熱された前記ガラス基板の第一面を空気に曝露しつつ、該加熱されたガラス基板の第二面をＨＦプラズマに曝露して、該ガラス基板の第二面をエッチングし、該第二面の表面組成を変えて、処理済みガラス基板を形成する工程、
を含み、
前記処理済みガラス基板の第二面の表面組成は、約１ｎｍの第１の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成の約３８％から約４２％の範囲にある該第１の深さでの第１のＡｌ／Ｓｉ比を有し、該処理済みガラス基板の第二面の表面組成は、約１０ｎｍの第２の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成の約７１％から約７３％の範囲にある該第２の深さまでの第２のＡｌ／Ｓｉ比を有する、方法。
フラットパネルディスプレイ用の処理済みガラス基板を製造する方法において、
ガラス基板を所定の処理温度に加熱する工程、および
加熱された前記ガラス基板の第一面を空気に曝露しつつ、該加熱されたガラス基板の第二面をＨＦプラズマに曝露して、該ガラス基板の第二面をエッチングし、該第二面の表面組成を変えて、処理済みガラス基板を形成する工程、
を含み、
前記処理済みガラス基板の第二面の表面組成は、約１ｎｍの第１の深さまでの未処理のガラス基板の表面組成の約３８％から約４２％の範囲にある該第１の深さでの第１のＡｌ／Ｓｉ比を有し、該処理済みガラス基板の第二面の表面組成は、約１０ｎｍの第２の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成の約７１％から約７３％の範囲にある該第２の深さまでの第２のＡｌ／Ｓｉ比を有する、方法。
【0097】
実施形態２６
前記処理済みガラス基板の第一面が、前記未処理のガラス基板の表面組成と実質的に似ている表面組成を有する、実施形態２５に記載の方法。
前記処理済みガラス基板の第一面が、前記未処理のガラス基板の表面組成と実質的に似ている表面組成を有する、実施形態２５に記載の方法。
【0098】
実施形態２７
前記処理済みガラス基板の第二面の表面組成が、前記第１の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成の約７２％から約８１％の範囲にある該第１の深さまでの第１のＭｇ／Ｓｉ比を有し、該処理済みガラス基板の第二面の表面組成が、前記第２の深さまでの該未処理のガラス基板の表面組成の約７２％から約８１％の範囲にある該第２の深さまでの第２のＭｇ／Ｓｉ比を有する、実施形態２５に記載の方法。
前記処理済みガラス基板の第二面の表面組成が、前記第１の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成の約７２％から約８１％の範囲にある該第１の深さまでの第１のＭｇ／Ｓｉ比を有し、該処理済みガラス基板の第二面の表面組成が、前記第２の深さまでの該未処理のガラス基板の表面組成の約７２％から約８１％の範囲にある該第２の深さまでの第２のＭｇ／Ｓｉ比を有する、実施形態２５に記載の方法。
【0099】
実施形態２８
前記処理済みガラス基板の第二面の表面組成が、前記第１の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成の約３３％から約３４％の範囲にある該第１の深さまでの第１のＣａ／Ｓｉ比を有し、該処理済みガラス基板の第二面の表面組成は、前記第２の深さまでの該未処理のガラス基板の表面組成の約７７％から約９９％の範囲にある該第２の深さまでの第２のＣａ／Ｓｉ比を有する、実施形態２５に記載の方法。
前記処理済みガラス基板の第二面の表面組成が、前記第１の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成の約３３％から約３４％の範囲にある該第１の深さまでの第１のＣａ／Ｓｉ比を有し、該処理済みガラス基板の第二面の表面組成は、前記第２の深さまでの該未処理のガラス基板の表面組成の約７７％から約９９％の範囲にある該第２の深さまでの第２のＣａ／Ｓｉ比を有する、実施形態２５に記載の方法。
【0100】
実施形態２９
前記処理済みガラス基板の第二面の表面組成が、前記第１の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成のフッ素の濃度の約２９０％から約３３０％の範囲にある該第１の深さまでのフッ素の濃度を有する、実施形態２５に記載の方法。
前記処理済みガラス基板の第二面の表面組成が、前記第１の深さまでの前記未処理のガラス基板の表面組成のフッ素の濃度の約２９０％から約３３０％の範囲にある該第１の深さまでのフッ素の濃度を有する、実施形態２５に記載の方法。
【0101】
実施形態３０
前記第二面の平均粗さＲａが、約０．６ｎｍから約１ｎｍの範囲にある、実施形態２５に記載の方法。
前記第二面の平均粗さＲａが、約０．６ｎｍから約１ｎｍの範囲にある、実施形態２５に記載の方法。
【0102】
実施形態３１
前記処理済みガラス基板の平均ガラス電圧が、真空チャックからリフト試験されたときに、前記未処理のガラス基板の平均ガラス電圧と比較して、少なくとも約５０％減少している、実施形態２５に記載の方法。
前記処理済みガラス基板の平均ガラス電圧が、真空チャックからリフト試験されたときに、前記未処理のガラス基板の平均ガラス電圧と比較して、少なくとも約５０％減少している、実施形態２５に記載の方法。
【0103】
実施形態３２
前記処理済みガラス基板が、間紙に隣接して梱包され、少なくとも２時間に亘り振動させられ、約１％の洗浄剤を含む溶液を使用して洗浄された後、前記未処理のガラス基板の平均ガラス電圧と比較して、少なくとも約５０％の平均ガラス電圧の減少が示される、実施形態２５に記載の方法。
前記処理済みガラス基板が、間紙に隣接して梱包され、少なくとも２時間に亘り振動させられ、約１％の洗浄剤を含む溶液を使用して洗浄された後、前記未処理のガラス基板の平均ガラス電圧と比較して、少なくとも約５０％の平均ガラス電圧の減少が示される、実施形態２５に記載の方法。
【0104】
実施形態３３
前記処理済みガラス基板のヘイズが、前記未処理のガラス基板のヘイズよりも約１０％以下しか大きくない、実施形態２５に記載の方法。
前記処理済みガラス基板のヘイズが、前記未処理のガラス基板のヘイズよりも約１０％以下しか大きくない、実施形態２５に記載の方法。
【符号の説明】
【0105】
２０ ガラス基板
２２ 第一面またはＡ側
２４ 第二面またはＢ側
２６ 外面
５００ エッチング装置
５０２ 発生器
５０４ ノズル
５０８ 検出器
５１０ ローラ
５１２ 投入通路
５１４ 排出通路
５１６ エッチングチャンバ
２２ 第一面またはＡ側
２４ 第二面またはＢ側
２６ 外面
５００ エッチング装置
５０２ 発生器
５０４ ノズル
５０８ 検出器
５１０ ローラ
５１２ 投入通路
５１４ 排出通路
５１６ エッチングチャンバ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【国際調査報告】