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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2022-10-28
(54)【発明の名称】半導体ウェハホルダー用熱拡散板
(51)【国際特許分類】
H01L 21/683 20060101AFI20221021BHJP
H05B 3/74 20060101ALI20221021BHJP
H05B 3/48 20060101ALI20221021BHJP
【ＦＩ】
H01L21/68 R
H05B3/74
H05B3/48
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2022513132
(86)(22)【出願日】2020-08-27
(85)【翻訳文提出日】2022-03-28
(86)【国際出願番号】 US2020048159
(87)【国際公開番号】W WO2021041643
(87)【国際公開日】2021-03-04
(31)【優先権主張番号】16/552,790
(32)【優先日】2019-08-27
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】501162454
【氏名又は名称】ワットロー・エレクトリック・マニュファクチャリング・カンパニー
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】チャン、サンホン
(72)【発明者】
【氏名】プタシエンスキ、ケビン
(72)【発明者】
【氏名】ワリンガー、マーティン
(72)【発明者】
【氏名】パーキンソン、ブレイク
【テーマコード（参考）】
3K092
5F131
【Ｆターム（参考）】
3K092PP20
3K092QA05
3K092QB17
3K092RF03
3K092RF11
3K092RF27
3K092SS17
3K092SS24
5F131AA02
5F131BA04
5F131BA19
5F131BA23
5F131CA03
5F131EA04
5F131EB14
5F131EB52
5F131EB78
5F131EB79
5F131EB81
5F131EB82
5F131EB85
(57)【要約】
静電チャックは、静電パック上に拡散層を形成し、拡散層の領域を除去して、間隙によって分離された離散拡散セグメントを形成することによって形成される。離散拡散セグメントは、連続同心円、不連続同心円、または連続同心円と不連続同心円の組み合わせで構成されている。離散拡散セグメントは、拡散層に少なくとも１つの溝を形成することによって互いに分離される。溝は、拡散層を部分的に貫通して延伸してもよく、静電パックまで完全に拡散層貫通して延伸してもよく、又は部分的に拡散層を貫通して延伸する第１部分と完全に拡散層を貫通して延伸する第２部分とを有していてもよい。また、溝は一定の幅を有することも、可変の幅を有することもできる。
【選択図】図１Ａ
【選択図】図１Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
静電パックに拡散層を堆積させ、前記拡散層の領域を除去して、間隙によって分離された離散拡散セグメントを形成し、
前記静電パックをヒータに結合し、前記拡散層を前記静電パックと前記ヒータとの間に配置し、
前記ヒータを冷却板に接着させることにより形成される、静電チャック。
【請求項2】
前記離散拡散セグメントは、連続同心円、不連続同心円、および連続同心円と不連続同心円の組み合わせのうち少なくとも１つである、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項3】
前記拡散層に少なくとも１つの溝を形成することにより、前記離散拡散セグメントを分離する、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項4】
前記少なくとも１つの溝が、前記拡散層を部分的に貫通し、前記静電パックまで前記拡散層を完全に貫通し、または前記拡散層を部分的に貫通し及び前記静電パックまで前記拡散層を完全に貫通して延伸して、可変深さが規定される、請求項３に記載の静電チャック。
【請求項5】
前記少なくとも１つの溝には、可変幅が規定される、請求項３に記載の静電チャック。
【請求項6】
少なくとも１つの溝が、酸エッチング、レーザ切断および機械加工のうちの１つにより形成される、請求項３に記載の静電チャック。
【請求項7】
静電パックはセラミック材料である、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項8】
前記ヒータは、少なくとも２つの加熱ゾーンを有し、前記離散拡散セグメントは、前記少なくとも２つの加熱ゾーンと軸方向に整列されることにより、前記少なくとも２つの加熱ゾーンが互いに熱結合解除される、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項9】
前記ヒータは外側加熱ゾーンと内側加熱ゾーンを有し、前記離散拡散セグメントは、前記外側加熱ゾーンを前記内側加熱ゾーンから熱結合解除するために、前記外側加熱ゾーン及び前記内側加熱ゾーンと軸方向に整列することにより、前記静電パック上のターゲットの加熱中に、前記外側加熱ゾーン及び前記内側加熱ゾーンとの間で所望の熱勾配が維持される、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項10】
前記拡散層は、アルミニウム、モリブデン、タングステン、ニッケル、亜鉛、シリコン、及びそれらの合金のうちの１つの材料から形成される、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項11】
前記拡散層は、前記静電パックに直接アルミニウムをコールドスプレーで形成したもの、及び、０．０４０インチ（１．０２ｍｍ）未満の厚さのアルミニウム拡散層のうちの少なくとも１つである、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項12】
前記ヒータは、ホイルヒータ、層状ヒータ、またはダマシンヒータのうちの１つである、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項13】
前記ヒータは、ポリイミドヒータである、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項14】
前記静電パックは、エラストマで前記ポリイミドヒータに接着されている、請求項１３に記載の静電チャック。
【請求項15】
ベースプレートをさらに備え、前記ポリイミドヒータがエラストマで前記ベースプレートに接着されている、請求項１３に記載の静電チャック。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【0001】
[関連出願との相互参照]
本願は、２０１９年８月２７日に出願された、米国出願第１６／５５２，７９０号「半導体ウェハホルダー用熱拡散板」の優先権を主張し、その内容は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
本願は、２０１９年８月２７日に出願された、米国出願第１６／５５２，７９０号「半導体ウェハホルダー用熱拡散板」の優先権を主張し、その内容は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【技術分野】
【0002】
本開示は、静電チャックに関し、より一般的には、複数の加熱ゾーンを有するセラミックチャックに関するものである。
【背景技術】
【0003】
本項の記載は、単に本開示に関連する背景情報を提供するものであり、先行技術を構成するものではない場合がある。
【0004】
静電チャック（本明細書では「Ｅチャック」とも呼ばれる）などのウェハ支持アセンブリは、その上でウェハを支持し保持するために半導体処理で使用されることがある。例えば、Ｅチャックは、ウェハに静電クランプ力を加える静電パック（本明細書では「Ｅパック」とも呼ばれる）を含んでいることがある。Ｅチャックは、一般に、化学気相成長（ＣＶＤ）、エッチング、スパッタリング、およびイオン注入などの様々なウェハ処理／処置ステップを実行するプラズマ処理チャンバ内で高熱に曝される。Ｅチャックは、Ｅチャックに内蔵されたヒータによって加熱されることがある。一般に、Ｅチャックの下方には、ウェハ処理中またはウェハ処理完了後にＥチャックの温度を調整または低下させる冷却デバイスが配置される。ウェハの処理中、Ｅチャックは広く急速な温度変化にさらされる一方、ウェハの温度は、エッチング処理中（例えば、約１２０℃までの処理温度）では約０．５℃未満、堆積（蒸着）処理中（例えば、約４００乃至７００℃の範囲の処理温度）は約５℃未満といった極めて厳しい公差に制御されなければならない。
【0005】
半導体処理中のウェハの温度を制御するこれらの問題は、半導体処理に関連する他の問題の中でも、本開示によって対処される。
【発明の概要】
【0006】
本項は、本開示の一般的な概要を提供するものであり、その全範囲又はその特徴の全てを包括的に開示するものではない。
【0007】
本開示の一態様では、Ｅチャックは、Ｅパック上に拡散層を形成し、拡散層の領域を除去して間隙によって分離された離散拡散セグメントを形成し、拡散層が静電パックとヒータとの間に配置されるようにＥパックをヒータに接着し、ヒータを冷却板に接着することによって形成されている。ある変形例では、離散拡散セグメントは連続同心円を形成し、別の変形例では、離散拡散セグメントは不連続同心円を形成する。さらに別の変形例では、離散拡散セグメントは、連続同心円と不連続同心円の組合せにより規定されている。本開示の少なくとも１つの態様では、離散拡散セグメントは、拡散層に少なくとも１つの溝を形成することによって分離される。ある変形例では、少なくとも１つの溝は部分的に拡散層を貫通して延伸し、別の変形例では、少なくとも１つの溝はＥパックまで拡散層を完全に貫通して延伸している。さらに別の変形例では、少なくとも１つの溝は、可変の深さが規定されており、これは、部分的に拡散層を貫通して延伸する第１部分と、完全に拡散層を貫通して延伸する第２部分とを有する。また、ある変形例では、少なくとも１つの溝は一定の幅が規定されているが、別の変形例では、少なくとも１つの溝は可変の幅が規定されている。
【0008】
本開示の少なくとも1つの態様において、少なくとも１つの溝は、特に酸エッチング、レーザ切断及び機械加工等のうちの１つによって形成される。
【0009】
少なくとも１つの態様において、静電パックは、セラミック材料である。
【0010】
本開示の形態では、ヒータは少なくとも２つの加熱ゾーンを含み、拡散リングは、少なくとも２つの加熱ゾーンと軸方向に整列されることにより、少なくとも２つの加熱ゾーンが互いに熱結合解除される。
【0011】
本開示の別の態様では、ヒータは外側加熱ゾーン及び内側加熱ゾーンを含み、拡散リングは、外側加熱ゾーンを内側加熱ゾーンから熱結合解除するために、外側加熱ゾーン及び内側加熱ゾーンと軸方向に整列することにより、静電パック上のターゲットの加熱中に外側加熱ゾーン及び内側加熱ゾーンとの間で所望の熱勾配が維持される。
【0012】
拡散層は、高熱伝導性材料から形成され、例えばアルミニウム、モリブデン、タングステン、ニッケル、亜鉛、シリコン、及びそれらの合金のような材料のうちの１つの材料から形成される。例えば、１つの変形例では、拡散層はアルミニウムから形成され、０．０４０インチ（１．０２ｍｍ）未満の厚さを有している。
【0013】
本開示の一態様では、拡散層は、アルミニウムを静電パックに直接コールドスプレーすることによって形成される。また、加熱層はホイルヒータ、層状ヒータ、またはダマシンヒータである。
例えば、１つの形態では、ヒータはポリイミドヒータであり、Ｅパックはエラストマでポリイミドヒータに接着される。
例えば、１つの形態では、ヒータはポリイミドヒータであり、Ｅパックはエラストマでポリイミドヒータに接着される。
【0014】
本開示の１つの形態では、Ｅチャックはベースプレートを含み、ポリイミドヒータはエラストマでベースプレートに接着される。
【0015】
本開示の別の態様では、Ｅチャックは、Ｅパック上に拡散層を形成し、拡散層に少なくとも１つの溝を切り、Ｅパック上に同心状に配置される少なくとも２つの拡散リングを形成し、半径方向に間隔を置いて所定の間隔が規定されることを含むプロセスによって形成されている。Ｅパックは、少なくとも２つの加熱ゾーンを有するポリイミドヒータに接着され、少なくとも２つの拡散リングは、Ｅパックとポリイミドヒータとの間に配置される。ポリイミドヒータは冷却板に接着され、少なくとも２つの拡散リングは、少なくとも２つの加熱ゾーンと軸方向に整列されることにより、静電パック上のターゲットの加熱中に少なくとも２つの加熱ゾーンが互いに熱結合解除される。
【0016】
少なくとも１つの変形例において、少なくとも２つの加熱ゾーンは、外側加熱ゾーン及び内側加熱ゾーンを含み、静電セラミックパック上のターゲットの加熱中に、外側加熱ゾーンと内側加熱ゾーンとの間で所望の熱勾配が維持される。
【0017】
１つの変形例では、Ｅパックは第１エラストマ層でポリイミドヒータに結合され、ポリイミドヒータは第２エラストマ層でベースプレートに結合される。また、拡散層は、アルミニウムを静電パックに直接コールドスプレーすることによってＥパック上に形成され、拡散層は０．０４０インチ（１１．０ｍｍ）未満の厚さを有する。
【0018】
本開示の別の態様では、ターゲット部分に熱を供給する方法は、少なくとも２つの加熱ゾーンを有するヒータに接着されたＥパックを用いて、ターゲット部分をチャックに取り付けることを含んでいる。少なくとも２つの拡散リングは、Ｅパックに接着された拡散層から形成され、少なくとも２つの拡散リングは、Ｅパックとヒータとの間に設けられる。また、少なくとも２つの拡散リングは、Ｅパックに同心円状に配置され、半径方向に間隔をあけて所定間隔が規定される。ヒータは、少なくとも２つの加熱ゾーンからターゲット部分に熱が伝達されるように通電され、少なくとも２つの拡散リングは、少なくとも２つの加熱ゾーンを熱結合解除する。これにより、ターゲット部分の加熱中に少なくとも２つの加熱ゾーンの間で所望の熱勾配が維持される。
【0019】
１つの変形例では、ヒータはポリイミドヒータであり、少なくとも２つの拡散リングは第１エラストマ層でポリイミドヒータに結合され、ポリイミドヒータは第２エラストマ層でベースプレートに接着される。
【0020】
別の変形例では、ポリイミドヒータは、加熱層、誘電体層及びルーティング層を含み、第１エラストマ層は、少なくとも２つの拡散リングと誘電体層との間に配置され、第２エラストマ層は、ルーティング層とベースプレートとの間に配置される。
【0021】
適用可能な更なる領域は、本明細書で提供される説明から明らかになるであろう。説明及び具体例は、例示のみを目的としており、本開示の範囲を限定することを意図していないことを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【0022】
本開示がよく理解されるように、次に、添付の図面を参照しながら、例として与えられるその様々な形態を説明する。
【0023】
【0024】
【0025】
図２は、本開示によるＥチャックを製造する方法のための一連の工程を描いたものである。
【0026】
図３は、離散拡散セグメントを形成する溝（トレンチ）を有する一連の拡散層を描いたものである。
【0027】
【0028】
【0029】
【0030】
【0031】
本明細書に記載された図面は、説明のためだけのものであり、本開示の範囲をいかなる形でも限定することを意図するものではない。
【発明を実施するための形態】
【0032】
以下の説明は、単に例示的なものであり、本開示、応用、又は用途を限定することを意図していない。図面全体を通して、対応する参照符号は、同様または対応する部品および特徴を示すことと理解されるものである。実施例は、当業者に本開示の範囲を十分に伝えるために提供される。本開示の変形例の完全な理解を提供するために、特定の構成要素、装置、及び方法の種類など、多数の特定の詳細が記載されている。特定の詳細が採用される必要はなく、本明細書で提供される例は、代替の実施形態を含み得、本開示の範囲を限定することを意図しないことは、当業者にとって明らかである。いくつかの例において、周知のプロセス、周知のデバイス構造、及び周知の技術は、詳細に説明されない。
【0033】
図１Ａには、本開示の一態様に従って構築されたＥチャック２が示されている。Ｅチャック２は、Ｅパック１０と、拡散層２０と、上部接合層３０と、加熱用ヒータ４０と、下部接合層４２と、冷却板（冷却プレート）６０とを備える。本実施形態では、ヒータ４０は、ポリイミド層３５（または「層間誘電体」）と、ポリイミド層３５上のエッチングホイルヒータ回路４４とを含む、エッチングホイルヒータ（エッチング箔ヒータ）である。しかしながら、本開示の範囲内に留まりながら、他のヒータ構造が採用され得ることが理解されるべきである。さらに、上部及び下部接合層３０／４２の両方は、適切な誘電体がヒータ回路４４の周りに設けられ、それが拡散層２０および冷却板６０に直接固定される場合、任意であってよい。
【0034】
一般に、Ｅチャック２は、半導体処理用台座アセンブリにおける支持部材の一部として使用される。しかしながら、本開示の教示は、本開示の範囲内に留まりながら、半導体処理装置以外の他の用途、例えば、一例として、工業用製造装置、調理台、及び医療機器などにおいて採用され得ることを理解されたい。
【0035】
Ｅチャック１０は、基板１２と、基板１２内に埋め込まれた電極４とを含む。基板１２には、第１表面６と第２表面８とを規定される。そのうち後者は、その上にあるターゲット（すなわち、ウェハ）を加熱するためのものである。本開示の少なくとも１つの態様では、基板１２は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）又は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などのセラミック材料から形成される。しかしながら、本開示の範囲内に留まりながら、他のセラミック材料、又はセラミック以外の材料が採用されてもよいことが理解されるべきである。
【0036】
拡散層２０は、Ｅパック１０とヒータ４０との間に配置される。拡散層２０には、第１表面２２及び第２表面２４が規定されている。第１表面２２は、Ｅパック１０の第１表面６上に直接配置されている。第２表面２４は、ヒータ４０上に配置されている。１つの変形例として、拡散層２０の第２表面２４は、ヒータ４０の層間誘電体３５上に直接配置され、ヒータ４０が拡散層２０に直接固定されるようにしてもよい。別の変形例として、接合層３０が拡散層２０とヒータ４０との間に配置され、ヒータ４０を拡散層２０に固定してもよい。
【0037】
さらに示されるように、拡散層２０は、少なくとも1つの溝（トレンチ）又は間隙（ギャップ）２６を含む。溝２６が設けられることにより、拡散層２０内に離散拡散セグメント２８が形成される。より詳細な説明は後述する。一般に、拡散層２０は、Ｅパック１０の第２表面８における温度均一性を高める。一方、離散拡散セグメント２８は、Ｅパック１０上のターゲットの加熱中にセグメント間で所望の温度勾配を維持することを可能にする。その動作のより詳細な説明は後述する。
【0038】
図１Ｂには、本開示の別の態様に従って構築されたＥチャック１０が示されている。当該Ｅチャック１０は、一般にルーティング層を含んでいる。Ｅチャック１０は、一般に、Ｅパック１００と、拡散層１２０と、誘電体層１３５と、加熱用ヒータ１４０と、ルーティング層１４６と、冷却板１６０と、を備える。
【0039】
Ｅパック１００は、基板１０２と、基板１０２内に埋め込まれた電極１０４とを含んでいる。基板１０２には、その上にターゲットを加熱するための第１表面１０６及び第２表面１０８が規定されている。本開示の少なくとも1つの態様では、基板１０２は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）又は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などのセラミック材料から形成されている。
【0040】
拡散層１２０は、Ｅパック１００と誘電体層１３５との間に配置される。拡散層１２０には、第１表面１２２及び第２表面１２４が規定されている。第１表面１２２はＥパック１００上に直接配置され、第２表面１２４は誘電体層１３５上に配置される。
【0041】
さらに示されるように、拡散層１２０は、少なくとも１つの溝（トレンチ）又は間隙（ギャップ）１２６を含んでいる。溝１２６が設けられることにより、拡散層１２０内に離散拡散セグメント１２８が形成される。これらは図３～図６により詳細に示されている。後により詳述するように、拡散層１２０は、Ｅパック１００の第２表面１０８における温度の均一性を高める。一方で、離散拡散セグメント１２８は、Ｅパック１００上のターゲットの加熱中にセグメント間で所望の熱勾配が維持されることを可能にする。
【0042】
誘電体層１３５は、拡散層１２０とヒータ１４０との間に配置される。本開示の少なくとも1つの変形例にでは、接合層１３０は、拡散層１２０と誘電体層１３５との間に配置される。接合層１３０は、拡散層１２０を有するＥパック１００を誘電体層１３５に接着又は付着させるものであることを理解されたい。しかしながら、拡散層１２０は、本開示の範囲内に留まりながら、接合層１３０なしでＥパック１００上に直接配置されてもよいことは理解されるべきである。そのような形態では、拡散層１２０は、例として、Ｅパック１００に直接、熱溶射されてもよい。
【0043】
ヒータ１４０は、誘電体層１３５と冷却板１６０との間に配置される。本開示の少なくとも１つの態様において、ヒータ１４０は、加熱層１４２、層間誘電体１４５、及びルーティング層１４６を含んでいる。層間誘電体１４５は、加熱層１４２とルーティング層１４６との間に配置される。加熱層１４２は、加熱層基板１４３を含んでおり、これは、本開示の一態様におけるエラストマの薄層（約０．００１インチ～０．００２インチ）である。加熱層基板１４３は、少なくとも一つの加熱素子１４４を誘電体層１３５に貼付けるように機能する。ルーティング層１４６は、ルーティング層基板１４７を含んでおり、これは、ルーティング層１４６を冷却板１６０に接着しながら、誘電体強度を付加する二重の機能を有する材料である。図示されるように、ルーティング層１４６は、少なくとも１つのルーティング素子１４８を含んでいる。少なくとも１つのビアインターコネクト１４９が、加熱層１４２とルーティング層１４６との間に配置されている。よって、少なくとも１つの加熱素子１４４が、少なくとも１つのルーティング素子１４８と電気的に接続される。これにより、図視されるように、複数の加熱ゾーンの存在が可能となる。以下により詳細を説明する。図１Ｂは、上部（＋ｚ方向）加熱層１４２及び下部（－ｚ方向）ルーティング層１４６を有するヒータ１４０を示している。しかし、拡散体層１２０がＥパック１００上に直接配置されていれば、加熱層１４２及びルーティング層１４６は任意の順序であればよい。例えば、加熱層１４２は層間誘電体１４５の下方（－ｚ方向）に配置することができ、配線層１４６は層間誘電体145の上方（＋ｚ方向）に配置することができる。また、他の機能層、例として、センサ層が、図示されたもの及び説明されたものに加えて、設けられていてもよい。
【0044】
一形態として、冷却板１６０は、冷却流体が流れる冷却チャネル１６２を含む。これによりヒータ１４０やＥチャック１０に関連する他の構成素子又はターゲットからの熱を、１つ又は複数のウェハの半導体処理中に、Ｅパック１００から放熱させることができる。
【0045】
図１Ｂは、1つの接合層、すなわち接合層１３０のみを示しているが、１つ以上の接合層が含まれ、Ｅパック１０の様々な層間に配置することができることを理解されたい。例えば、接合層（図示せず）は、ヒータ１４０と冷却板１６０との間に配置することができる。
【0046】
図２Ａ乃至２Ｇには、本開示の教示によるＥチャック１０の製造方法が示されている。当該方法は、Ｅパック１００を製造することを示しており、これは、図２Ａに示すように、少なくとも１つの電極１０４が基板１０２内に埋め込まれたＥパック１００である。当該方法は、図２Ｂに示すように、第１表面１０６上に拡散層１２０を形成することを含むことを示している。拡散層１２０は、第１表面１２２と、第２表面１２４と、第１表面１２２と第２表面１２４との間の厚さ（ｚ方向、表示されていない）とを含んでいる。本開示の少なくとも１つの変形例では、拡散層１２０の第１表面１２２は、Ｅパック１００の第１表面１０６上に直接配置される。他の変形例では、拡散層１２０の第1表面１２２は、Ｅパック１００の第１表面１０６上に直接配置されない。例えば、１つ以上の追加の層（図示せず）が、拡散層１２０の第１表面１２２とＥパック１００の第１表面１０６との間に配置される。拡散層１２０は、任意の既知の又はまだ開発されていない材料層成膜技術（複数可）を用いて成膜させることができる。材料層成膜技術の非限定的な例としては、陰極アーク放電、コールドスプレー、化学気相成長（ＣＶＤ）技術、物理気相成長（ＰＶＤ）技術、ゾルゲル技術、スパッタリング、及び真空プラズマスプレー等がある。本開示の一態様では、コールドスプレー装置「Ｓ」を用いて、Ｅパック１００の第１表面１０６にアルミニウムを成膜させる。
【0047】
拡散層１２０は、高い熱伝導率を有する材料から形成される。本明細書で使用される場合、「高い熱伝導率」とは、１０Ｗ／ｍＫより大きい熱伝導率、例えば、５０Ｗ／ｍＫより大きい、又は１００Ｗ／ｍＫより大きい熱伝導率を意味する。拡散層１２０を形成するために使用される材料の非限定的な例としては、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル及びそれらの合金等が挙げられる。拡散層１２０を形成するために使用される材料の他の非限定的な例としては、特に、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）及びＡｌＮが挙げられる。また、拡散層１２０は、約０．００５インチ（０．１３ｍｍ）～約０．１００インチ（２．５４ｍｍ）の間の厚さを有する。例えば、一変形例として、拡散層１２０は、約０．０１０インチ（０．２５ｍｍ）と約０．０２０インチ（０．５１ｍｍ）との間の厚みを有する。別の変形例として、拡散層１２０は、約０．０２０インチ（０．５１ｍｍ）～約０．０３０インチ（０．７６ｍｍ）の間の厚さを有する。さらに別の変形例として、拡散層１２０は、約０．０３０インチ（０．７６ｍｍ）と約０．０４０インチ（１．０２ｍｍ）の間の厚さを有する。
【0048】
拡散層１２０は、その厚さ（ｚ方向）に沿ってモノリシック組成を有していてもよいし、あるいは、その厚さ（ｚ方向）に対して傾斜的組成（又は熱膨張係数（ＣＴＥ）が変動）を有していてもよい。これは、拡散層１２０の第１表面１２２とＥパック１００の第１表面１０６との間の熱膨張ミスマッチを減少させるためである。一変形例として、拡散層１２０は、基板１０２の第１表面１０６に隣接する第１厚さ（符号なし）と、第１厚さに比べて第１表面１０６から遠位（さらに離れている）の第２厚さ（符号なし）とを有している。第１厚さは第１組成を有し、第２厚さは第１組成とは異なる第２組成を有する。また、第１組成は、第１熱膨張係数（ＣＴＥ）を有し、第２組成は、第１ＣＴＥとは異なる第２ＣＴＥを有する。１つの非限定的な例として、アルミナから形成された基板１０２と、第１表面１０６から第２表面１０８に向かって延びる第１組成を有する第１厚さ（符号なし）と、第１厚さから第２表面１０８に向かって延びる第２組成を有する第２厚さ（符号なし）を有する拡散層１２０を含んでいる。第１厚さは約１０乃至１５μｍであり、第１組成物は、アルミナに対するＣＴＥの約１．１倍のＣＴＥを有する。第２厚さは約２５乃至５０μｍであり、第２組成物は、アルミナに対するＣＴＥが約１．２倍である。拡散層がＣＴＥ値の勾配を有するように、異なる組成（及び異なるＣＴＥ）を有する追加の厚さを拡散層１２０に含めることができる。また、拡散層１２０全体が、第１表面１２２から第２表面１２４まで連続的に変化する組成を有することができる。これにより、拡散層１２０は、第１表面１２２から第２表面１２４まで勾配のあるＣＴＥを有する。
【0049】
ここで図２Ｃを参照すると、少なくとも１つの溝１２６（本明細書では「間隙（ギャップ）」とも呼ばれる）が拡散層１２０に形成されている。溝１２６は、拡散層１２０の第２表面１２４からＥパック１００の第１表面１０６に向かって延びている。本開示のいくつかの変形例では、１つまたは複数の溝１２６は、拡散層１２０を完全に貫通する、すなわち拡散層１２０の第２表面１２６からＥパック１００の第１表面１０６まで延伸している。他の変形例では１つまたは複数の溝１２６は拡散層１２０を部分的にのみ貫通して延伸している。さらに他の変形例では、１つ以上の溝１２６は、溝１２６が拡散層１２０を完全に貫通して延びる少なくとも1つの部分（図示せず）と、溝１２６が拡散層１２０を部分的にのみ貫通して延びる少なくとも１つの他の部分とを有している。本開示の一態様では、少なくとも１つの溝は、レーザ「Ｌ」を用いて、例えば、レーザ加工により形成される。
【0050】
少なくとも１つの溝１２６、及び本明細書に開示される他の溝は、任意の既知の又はまだ開発されていない材料除去技術を使用して形成できることが理解されるべきである。材料除去技術の非限定的な例としては、特に、研削、レーザ切断、エッチング、機械加工、フォトリソグラフィ、及びサンドブラスト又はグリットブラストが挙げられる。また、図２Ｂ及び２Ｃは、拡散層１２０を成膜し、次に材料を除去して溝１２６を形成することにより、少なくとも１つの溝１２６を有する拡散層が示されている。しかし他の技術又は方法を使用して、拡散層１２０及び溝１２６を形成できる。例えば、１つの変形例として、溝１２６の位置又は場所を覆うように第１表面１０６をマスクし（図示せず）、拡散層１２０を第１表面１０６上に成膜し、その後、マスクを除去して拡散層１２０の溝１２６を露出させる。あるいは、またはそれに加えて、溝１２６を有する拡散層１２０は、付加製造技術（例えば、３Ｄ印刷）を用いて、本明細書に記載されるようなマスキングまたはその後の除去工程なしに、形成される。
【0051】
ここで図２Ｄ及び図２Ｅを参照すると、当該方法は、離散拡散セグメント１２８が形成され、溝１２６によって分離されるように、複数の溝126を形成することと、Ｅパック１００の第2表面108に概ね平行な概ね平坦な第２表面１２４が設けられるように、拡散層１２０（図２Ｅ）を機械加工することとを含んでいる。すなわち、第２表面１２６は、ヒータ１４０が固定されるべき界面に平坦な拡散層１２０が設けられるように機械加工される。拡散層を機械加工するための機械加工技術又はプロセスの非限定的な例は、特に、ラッピング、研磨、及び化学機械研磨（ＣＭＰ）を含む。図２Ｅは、少なくとも1つの溝１２６が形成された後の拡散層１２０の機械加工を示している。しかし、少なくとも1つの溝１２６が形成される前に、または溝の形成と同じ工程中に、拡散層１２０を機械加工してもよい。
【0052】
図２Ｆは、完成した拡散層１２０を示している。これは、溝１２６ａによって第２離散拡散セグメント１２８ｂから分離された、中央または第１離散拡散セグメント１２８ａと、溝１２６ｂによって第２離散拡散セグメント１２８ｂから分離された第３離散拡散セグメント１２８ｃと、溝１２６ｃによって第３離散拡散セグメント１２８ｃから分離された第４離散拡散セグメント１２８ｄを有している。
【0053】
ここで図２Ｇを参照すると、当該方法は、図１Ｂに示されるＥチャック１０を得るために、拡散層１２０、誘電体層１３５、ヒータ１４０及び冷却板１６０を備えたＥパック１００を組み立てることを含んでいる。特に、拡散層１２０を有するＥパック１００は誘電体層１３５に結合され、誘電体層はヒータ１４０に結合され、ヒータ１４０は冷却板１６０に結合される。本開示者の少なくとも一つの変形例では、接合層１３０は、拡散層１２０とヒータ１４０の間に配置される。また、Ｅチャック１０の様々な層の間に追加の接合層を配置することもできる。少なくとも１つの溝１２６は、空気、エラストマ材料、誘電材料、及び／又は接合材料で充填されてもよい。これにより、隣接する離散拡散セグメント１２８の間に低熱伝導率の間隙（ギャップ）ができる。
【0054】
誘電体層１３５は、ヒータ１４０を拡散層１２０から電気的に絶縁する。誘電体層１３５を形成するために使用される材料の非限定的な例としては、エラストマ、ポリイミド、熱溶射誘電体（例えば、Ａｌ２Ｏ３、イットリア）、厚膜誘電体、液体ポリイミド、及び他の誘電体ポリマ等がある。ヒータ１４０は、Ｅチャックに熱を供給し、Eチャックと共に使用するために既知の、またはまだ開発されていない任意のヒータであり得る。ヒータ１４０の非限定的な例としては、特に、ポリイミドホイルヒータ（ポリイミド箔ヒータ）、層状ヒータ、またはダマシンヒータが挙げられる。本開示の少なくとも1つの態様では、ヒータ１４０は、エラストマ加熱層基板１４３とエラストマ配線層基板１４７との間に配置された層間誘電体１４５を含む。
【0055】
図３Ａ乃至３Ｄには、拡散層１２０に形成された溝１２６の非限定的な例が示されている。例えば、図３Ａは、拡散層１２０の第２表面１２４からＥパック１００の第１表面１０６まで延伸する矩形状の溝１２６を示している。すなわち、図３Ａの矩形状の溝１２６は、拡散層１２０を完全に貫通して延伸している。これにより、離散拡散セグメント１２８Ｌ及び１２８Ｒは、溝によって分離される。あるいは、図３Ｂは、矩形状の溝１２６を示しており、これは、拡散層１２０の第２表面１２４からＥパック１００の第１表面１０６に向かって、しかし完全には貫通していない状態で延伸している。すなわち、図３Ｂは、図３Ａの矩形状の溝１２６が、拡散層１２０を部分的にのみ通って延伸することを示している。これにより、離散拡散セグメント１２８Ｌ及び１２８Ｒが溝によって分離される。図３Ｃは、拡散層１２０内に延伸する半球形状の溝１２６を示し、図３Ｄは、拡散層１２０内に延びるＶ形状の溝１２６を示す。よって、離散拡散セグメント１２８Ｌおよび１２８Ｒが溝によって分離される。溝１２６は、他の形状を有していてもよく、それは拡散層１２０を完全に又は部分的に通って延伸する。これにより、離散拡散セグメントは溝によって分離される。
【0056】
図２Ｅは、半径方向に配置された離散拡散セグメント１２８ａ乃至１２８ｄを有する拡散層１２０を示している。しかし、拡散層１２０は、方位角方向に配置された離散拡散セグメントを含んでいてもよい。例えば、図４を参照すると、拡散層１２０は、溝１２６ａによって第１半径方向離散拡散セグメント１２８ｂから分離された中央離散拡散セグメント１２８ａと、溝１２６ｂによって第１半径方向離散拡散セグメント１２８ｂから分離され、溝１２７ａによって互いに方位角方向に離された、複数の第２半径方向離散拡散セグメント１２８ｃと、を含んでいる。図４に示すように、１つの変形例では、複数の第２半径方向離散拡散セグメント１２８ｃは、４つの第２半径方向離散拡散セグメント１２８ｃを含む。しかしながら、第２半径方向離散拡散セグメント１２８ｃの数は４未満または４以上であってもよい。また、複数の第３半径方向離散拡散セグメント１２８ｄは、溝１２６ｃによって第２半径方向離散拡散セグメント１２８ｃから分離されており、溝１２７ｂによって互いに方位角方向に分離されている。図４に示すように、１つの変形例では、複数の第３半径方向離散拡散セグメント１２８ｄは４つの第３半径方向離散拡散セグメント１２８ｄを含んでいる。しかしながら、第３半径方向離散拡散セグメント１２８ｄの数は４より少なくてもよく、４より多くてもよい。加えて、拡散層１２０は、任意の数の半径方向離散拡散セグメント及び任意の数の方位角離散拡散セグメントを含むことができる。例えば、図５に示される拡散層１２０は、中央離散拡散セグメント１２８と、溝１２６によって分離された９つの半径方向離散拡散セグメント１２８と、溝１２７によって分離された所定の半径方向離散拡散セグメント内の２４までの方位角離散拡散セグメント１２８と、を含む。さらに、隣接する半径方向離散拡散セグメントは、図４に示すように整列させることができ、または図５に示すように互いにオフセットさせることができる。
【0057】
図２Ｅ、図４、及び図５では、概ね一定の半径方向幅及び／又は方位角方向長さを有する、規則的形状の離散拡散セグメント１２８を有する拡散層１２０を示している。しかしながら、本開示のいくつかの変形例として、拡散層１２０は不規則形状の離散拡散セグメントを含んでいてもよい。例えば、図６は、溝または溝１２６’によって分離された、複数の不規則形状の離散拡散セグメント１２８’を有する拡散層１２０を示す。
【0058】
ここで図７を参照すると、基板の外面（例えば、第２表面１０８）の温度及び外面の温度範囲を拡散層の厚さ（図１における＋ｚ方向）の関数としての有限要素解析（Ｆｉｎｉｔｅ Ｅｌｅｍｅｎｔ Ａｎａｌｙｓｉｓ（ＦＥＡ）の結果が示されている。特に、平均温度約７９℃に加熱されたアルミナ基板のＦＥＡは、拡散層無し、厚さ０．０１０インチの拡散層、厚さ０．０２０インチの拡散層、厚さ０．０３０インチの拡散層について実施されている。ＦＥＡから、最高温度、最低温度、温度範囲（すなわち、最高温度－最低温度）が求められ、図７にプロットされている。図７に示すように、厚さ０．０３０インチの拡散層では、外表面の温度の範囲が約７．６℃から約４．８℃に、すなわちほぼ４０％減少している。
【0059】
従って、各離散拡散セグメントは、Ｅパック外表面の特定の領域または区域の温度均一性を高める。一方、溝は、離散拡散セグメントを互いに少なくとも部分的に熱結合解除させる。これにより、Ｅパック上のターゲットの加熱中に、所望の熱勾配（例えば、離散拡散セグメント１２８の中心から端まで２０℃）がセグメント間に維持される。用語「少なくとも部分的な熱的結合解除」（及びその変形）は、拡散セグメント２８／１２８間の溝／間隙２６／１２６の熱伝導率が、隣接する拡散セグメント１２８の熱伝導率より小さい、又は独立していることを意味すると解釈されるべきである。例えば、溝／間隙２６／１２６は、本開示の範囲内に留まりながら、拡散セグメント２８／１２８の熱伝導率の約５０％以下を有していてもよい。
【0060】
さらに、拡散セグメント２８／１２８は、円弧状の幾何形状をとるものとして本明細書に図示されているが、所定の拡散層２０／１２０において同じか異なるかにかかわらず、本開示の範囲内に留まりながら、任意の形状または形状の組み合わせであってもよい。これは、Ｅパック１０／１００にわたって所望の熱勾配を提供するためである。
【0061】
図および上記で議論したように、拡散層を有するＥチャックは、Ｅパックの表面にわたる温度均一性を高め、それによってＥパック上のターゲットの温度均一性を高めることができる。また、拡散層は、離散拡散セグメントを有しており、これは、例えば、離散拡散セグメント間に設けられた溝又は間隙により、互いに熱的結合解除されている。これにより、Ｅパック上のターゲットの加熱中に、セグメント間の所望の熱勾配が維持される。強化されたＥパック表面温度均一性と、Ｅパック表面の領域間または部分にわたる熱勾配制御との組み合わせは、半導体ウェハ処理中のプロセス制御を強化する。
【0062】
ある要素又は層が、他の要素又は層「上にある（ｏｎ）」、「係合する（ｅｎｇａｇｅｄ ｔｏ）」、又は「配置される（ｄｉｓｐｏｓｅｄ ｏｎ）」と言及されるとき、それは他の要素又は層上に直接、係合、接続又は配置されてもよく、又は介在する要素又は層が存在してもよい。対照的に、ある要素が、他の要素または層「上に直接的に（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）」、「直接的に係合する（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｅｎｇａｇｅｄ ｔｏ）」、「直接的に接続される（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ ｔｏ）」、または「直接的に配置される（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｄｉｓｐｏｓｅｄ ｏｎ）」と言及されるとき、介在する要素または層が存在しない場合がある。要素間の関係を説明するために使用される他の単語も同様に解釈されるべきである（例えば、「間（ｂｅｔｗｅｅｎ）」対「直接間（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｂｅｔｗｅｅｎ）」、「隣接（ａｄｊａｃｅｎｔ）」対「直接隣接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ａｄｊａｃｅｎｔ）」等）。本明細書で使用されるように、用語「及び／又は」は、関連する列挙された項目の１つ以上の任意の及び全ての組み合わせを含む。
【0063】
第１、第２、第３などの用語は、様々な要素、構成要素、領域、層及び／又はセクションを説明するために使用され得るが、これらの要素、構成要素、領域、層及び／又はセクションは、これらの用語によって制限されるべきではない。これらの用語は、ある要素、構成要素、領域、層及び／又はセクションを、別の要素、構成要素、領域、層及び／又はセクションから区別するためにのみ使用され得る。本明細書で使用される場合、「第１」、「第２」、および他の数値用語などの用語は、文脈によって明確に示されない限り、順序または順番を意味することはない。したがって、第１要素、構成要素、領域、層又はセクションは、例示的な形態の教示から逸脱することなく、第２要素、構成要素、領域、層又はセクションと称することができる。さらに、要素、構成要素、領域、層又はセクションは、「第１（の）」要素、構成要素、領域、層又はセクションと称される要素、構成要素、領域、層又はセクションを必要とせずに、「第２（の）」要素、構成要素、領域、層又はセクションと称されることができる。
【0064】
「内側（ｉｎｎｅｒ）」、「外側（ｏｕｔｅｒ」」、「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」、「下方（ｂｅｌｏｗ）」、「下方（ｌｏｗｅｒ）」、「上（ａｂｏｖｅ）」、「上方（ｕｐｐｅｒ）」などの空間的相対用語は、図に示されるように、ある要素又は特徴の別の要素（複数可）又は特徴（複数可）に対する関係を記述するために、説明を容易にするために、本明細書で使用することができる。空間的に相対的な用語は、図に描かれた向きに加えて、使用又は動作中の装置の異なる向きを包含するように意図され得る。例えば、図中の装置が裏返された場合、他の要素又は特徴の「下方（ｂｅｌｏｗ）」又は「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」として説明された要素は、その後、他の要素又は特徴の「上（ａｂｏｖｅ）」に配向されるであろう。したがって、例示的な用語「下方（ｂｅｌｏｗ）」は、上（ａｂｏｖｅ）または下方（ｂｅｌｏｗ）の配向の両方を包含することができる。装置は、他の向き（９０度回転した、又は他の向き）であってもよく、本明細書で使用される空間的に相対的な記述子は、それに応じて解釈される。
【0065】
本明細書で使用されるように、Ａ、Ｂ、及びＣの少なくとも１つという語句は、非排他的論理和を用いた論理（Ａ ＯＲ Ｂ ＯＲ Ｃ）を意味すると解釈すべきであり、「Ａの少なくとも１つ、Ｂ少なくとも１つ、及びＣの少なくとも１つ」を意味すると解釈すべきではない。
【0066】
特に明示的に示されない限り、機械的／熱的特性、組成割合、寸法及び／又は公差、又は他の特性を示す全ての数値は、本開示の範囲を説明する際に「約」又は「およそ」という言葉によって修正されるものとして理解されるものとする。この修正は、工業的慣行、製造技術、及び試験能力を含む様々な理由から所望される。
【0067】
本明細書で使用される用語は、特定の例示的形態を説明する目的のみのものであり、限定することを意図するものではない。単数形「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」は、文脈が明らかにそうでないことを示さない限り、複数形も含むように意図される場合がある。用語「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」及び「有する（ｈａｖｉｎｇ）」は包括的であり、したがって、記載された特徴、整数、ステップ、操作、要素、及び／又は構成要素の存在を規定するが、１以上の他の特徴、整数、ステップ、操作、要素、構成要素、及び／又はそれらの群の存在又は追加を排除するものではない。本明細書に記載された方法ステップ、プロセス、及び操作は、実行順序として具体的に特定されない限り、議論又は図示された特定の順序でそれらの実行を必ずしも必要とすると解釈されるものではない。また、追加的または代替的なステップが採用されてもよいことが理解される。
【0068】
本開示の説明は、本質的に単なる例示であり、したがって、本開示の本質から逸脱しない例は、本開示の範囲内にあることが意図される。そのような例は、本開示の精神及び範囲から逸脱するものと見なしてはならない。本開示の広範な教示は、様々な形態で実施することができる。したがって、本開示は特定の実施例を含むが、図面、明細書、及び以下の特許請求の範囲の検討により他の変更が明らかになるため、本開示の真の範囲はそれほど限定されるべきではない。
【0069】
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
（１）
静電パックに拡散層を堆積させ、
前記拡散層の領域を除去して、間隙によって分離された離散拡散セグメントを形成し、
前記静電パックをヒータに結合し、前記拡散層を前記静電パックと前記ヒータとの間に配置し、
前記ヒータを冷却板に接着させることにより形成される、静電チャック。
（２）
前記離散拡散セグメントは、連続同心円、不連続同心円、および連続同心円と不連続同心円の組み合わせのうち少なくとも１つである、（１）に記載の静電チャック。
（３）
前記拡散層に少なくとも１つの溝を形成することにより、前記離散拡散セグメントを分離する、（１）に記載の静電チャック。
（４）
前記少なくとも１つの溝が、前記拡散層を部分的に貫通し、前記静電パックまで前記拡散層を完全に貫通し、または前記拡散層を部分的に貫通し及び前記静電パックまで前記拡散層を完全に貫通して延伸して、可変深さが規定される、（３）に記載の静電チャック。
（５）
前記少なくとも１つの溝には、可変幅が規定される、（３）に記載の静電チャック。
（６）
少なくとも１つの溝が、酸エッチング、レーザ切断および機械加工のうちの１つにより形成される、（３）に記載の静電チャック。
（７）
静電パックはセラミック材料である、（１）に記載の静電チャック。
（８）
前記ヒータは、少なくとも２つの加熱ゾーンを有し、
前記離散拡散セグメントは、前記少なくとも２つの加熱ゾーンと軸方向に整列されることにより、前記少なくとも２つの加熱ゾーンが互いに熱結合解除される、請求項１に記載の静電チャック。
（９）
前記ヒータは外側加熱ゾーンと内側加熱ゾーンを有し、
前記離散拡散セグメントは、前記外側加熱ゾーンを前記内側加熱ゾーンから熱結合解除するために、前記外側加熱ゾーン及び前記内側加熱ゾーンと軸方向に整列することにより、前記静電パック上のターゲットの加熱中に、前記外側加熱ゾーン及び前記内側加熱ゾーンとの間で所望の熱勾配が維持される、（１）に記載の静電チャック。
（１０）
前記拡散層は、アルミニウム、モリブデン、タングステン、ニッケル、亜鉛、シリコン、及びそれらの合金のうちの１つの材料から形成される、（１）に記載の静電チャック。
（１１）
前記拡散層は、前記静電パックに直接アルミニウムをコールドスプレーで形成したもの、及び、０．０４０インチ（１．０２ｍｍ）未満の厚さのアルミニウム拡散層のうちの少なくとも１つである、（１）に記載の静電チャック。
（１２）
前記ヒータは、ホイルヒータ、層状ヒータ、またはダマシンヒータのうちの１つである、（１）に記載の静電チャック。
（１３）
前記ヒータは、ポリイミドヒータである、（１）に記載の静電チャック。
（１４）
前記静電パックは、エラストマで前記ポリイミドヒータに接着されている、（１３）に記載の静電チャック。
（１５）
ベースプレートをさらに備え、前記ポリイミドヒータがエラストマで前記ベースプレートに接着されている、（１３）に記載の静電チャック。
（１）
静電パックに拡散層を堆積させ、
前記拡散層の領域を除去して、間隙によって分離された離散拡散セグメントを形成し、
前記静電パックをヒータに結合し、前記拡散層を前記静電パックと前記ヒータとの間に配置し、
前記ヒータを冷却板に接着させることにより形成される、静電チャック。
（２）
前記離散拡散セグメントは、連続同心円、不連続同心円、および連続同心円と不連続同心円の組み合わせのうち少なくとも１つである、（１）に記載の静電チャック。
（３）
前記拡散層に少なくとも１つの溝を形成することにより、前記離散拡散セグメントを分離する、（１）に記載の静電チャック。
（４）
前記少なくとも１つの溝が、前記拡散層を部分的に貫通し、前記静電パックまで前記拡散層を完全に貫通し、または前記拡散層を部分的に貫通し及び前記静電パックまで前記拡散層を完全に貫通して延伸して、可変深さが規定される、（３）に記載の静電チャック。
（５）
前記少なくとも１つの溝には、可変幅が規定される、（３）に記載の静電チャック。
（６）
少なくとも１つの溝が、酸エッチング、レーザ切断および機械加工のうちの１つにより形成される、（３）に記載の静電チャック。
（７）
静電パックはセラミック材料である、（１）に記載の静電チャック。
（８）
前記ヒータは、少なくとも２つの加熱ゾーンを有し、
前記離散拡散セグメントは、前記少なくとも２つの加熱ゾーンと軸方向に整列されることにより、前記少なくとも２つの加熱ゾーンが互いに熱結合解除される、請求項１に記載の静電チャック。
（９）
前記ヒータは外側加熱ゾーンと内側加熱ゾーンを有し、
前記離散拡散セグメントは、前記外側加熱ゾーンを前記内側加熱ゾーンから熱結合解除するために、前記外側加熱ゾーン及び前記内側加熱ゾーンと軸方向に整列することにより、前記静電パック上のターゲットの加熱中に、前記外側加熱ゾーン及び前記内側加熱ゾーンとの間で所望の熱勾配が維持される、（１）に記載の静電チャック。
（１０）
前記拡散層は、アルミニウム、モリブデン、タングステン、ニッケル、亜鉛、シリコン、及びそれらの合金のうちの１つの材料から形成される、（１）に記載の静電チャック。
（１１）
前記拡散層は、前記静電パックに直接アルミニウムをコールドスプレーで形成したもの、及び、０．０４０インチ（１．０２ｍｍ）未満の厚さのアルミニウム拡散層のうちの少なくとも１つである、（１）に記載の静電チャック。
（１２）
前記ヒータは、ホイルヒータ、層状ヒータ、またはダマシンヒータのうちの１つである、（１）に記載の静電チャック。
（１３）
前記ヒータは、ポリイミドヒータである、（１）に記載の静電チャック。
（１４）
前記静電パックは、エラストマで前記ポリイミドヒータに接着されている、（１３）に記載の静電チャック。
（１５）
ベースプレートをさらに備え、前記ポリイミドヒータがエラストマで前記ベースプレートに接着されている、（１３）に記載の静電チャック。
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図2E】
【図2F】
【図2G】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【国際調査報告】