(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2022-10-28
(54)【発明の名称】回路基板
(51)【国際特許分類】
H05K 3/46 20060101AFI20221021BHJP
H05K 1/03 20060101ALI20221021BHJP
【ＦＩ】
H05K3/46 B
H05K1/03 610H
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2022513367
(86)(22)【出願日】2020-08-25
(85)【翻訳文提出日】2022-02-25
(86)【国際出願番号】 KR2020011288
(87)【国際公開番号】W WO2021040364
(87)【国際公開日】2021-03-04
(31)【優先権主張番号】10-2019-0104273
(32)【優先日】2019-08-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】517099982
【氏名又は名称】エルジー イノテック カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100099759
【弁理士】
【氏名又は名称】青木 篤
(74)【代理人】
【識別番号】100123582
【弁理士】
【氏名又は名称】三橋 真二
(74)【代理人】
【識別番号】100165191
【弁理士】
【氏名又は名称】河合 章
(74)【代理人】
【識別番号】100114018
【弁理士】
【氏名又は名称】南山 知広
(74)【代理人】
【識別番号】100159259
【弁理士】
【氏名又は名称】竹本 実
(72)【発明者】
【氏名】キム ヨン ソク
(72)【発明者】
【氏名】イ トン ファ
【テーマコード（参考）】
5E316
【Ｆターム（参考）】
5E316AA12
5E316AA29
5E316AA32
5E316AA43
5E316CC32
5E316CC33
5E316CC37
5E316CC38
5E316DD16
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5E316EE09
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5E316FF10
5E316FF13
5E316FF14
5E316FF18
5E316GG15
5E316GG22
5E316HH06
(57)【要約】
実施例に係る回路基板は、複数の絶縁層を含む絶縁部と、前記複数の絶縁層の表面に配置される回路パターンと、前記複数の絶縁層内に配置され、互いに異なる層に配置された回路パターンを連結するビアと、を含み、前記複数の絶縁層のそれぞれは、ＲＣＣ（ｒｅｓｉｎ ｃｏａｔｅｄ ｃｏｐｐｅｒ）で構成され、前記複数の絶縁層それぞれの誘電率は、２．０３～２．７である。
【選択図】図１０
【選択図】図１０
【特許請求の範囲】
【請求項1】
少なくとも１つの絶縁層を含む第１絶縁部と、前記第１絶縁部の上部に配置され、少なくとも１つの絶縁層を含む第２絶縁部と、
前記第１絶縁部の下部に配置され、少なくとも１つの絶縁層を含む第３絶縁部と、を含み、
前記第１絶縁部を構成する絶縁層は、
ガラス繊維を含むプリプレグを含み、
前記第２および第３絶縁部を構成するそれぞれの絶縁層は、
ＲＣＣ（ｒｅｓｉｎ ｃｏａｔｅｄ ｃｏｐｐｅｒ）で構成される、
回路基板。
【請求項2】
前記第１絶縁部を構成する絶縁層の厚さは、前記第２および第３絶縁部を構成するそれぞれの絶縁層の厚さよりも大きい、請求項１に記載の回路基板。
【請求項3】
前記第１ないし第３絶縁部のそれぞれの絶縁層の表面に配置される回路パターンを含み、前記第１絶縁部を構成する絶縁層の厚さは、
前記回路パターンの厚さよりも大きく、
前記第２および第３絶縁部を構成する絶縁層の厚さは、
前記回路パターンの厚さよりも小さい、請求項１に記載の回路基板。
【請求項4】
前記第１ないし第３絶縁部を構成する絶縁層のうち少なくとも１つの絶縁層内に配置されたビアを含み、前記第１絶縁部を構成する絶縁層内に配置されたビアの厚さは、
前記回路パターンの厚さよりも大きく、
前記第２および第３絶縁部を構成する絶縁層内に配置されたビアの厚さは、
前記回路パターンの厚さよりも小さい、請求項３に記載の回路基板。
【請求項5】
前記第２および第３絶縁部を構成するそれぞれの絶縁層は、ポリフェニルエーテル〈Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌ Ｅｔｈｅｒ、ＰＰＥ〉を含む第１化合物、トリシクロデカン（ｔｒｉｃｙｃｌｏｄｅｃａｎｅ）および前記トリシクロデカンと連結される末端基を含む第２化合物を含み、
前記第１化合物と前記第２化合物の重量比は、４：６～６：４である、請求項１に記載の回路基板。
【請求項6】
前記末端基は、アクリレート基、エポキシド基、カルボキシル基およびヒドロキシル基、イソシアネート基のうち少なくとも一つを含む、請求項５に記載の回路基板。
【請求項7】
前記第１化合物および前記第２化合物は、化学的に非結合する、請求項５に記載の回路基板。
【請求項8】
前記第２および第３絶縁部を構成するそれぞれの絶縁層の熱膨張係数および誘電率は、前記第１絶縁部を構成する絶縁層の熱膨張係数および誘電率よりも小さい、請求項１に記載の回路基板。
【請求項9】
前記第２および第３絶縁部を構成するそれぞれの絶縁層の誘電率は、２．０３～２．７である、請求項８に記載の回路基板。
【請求項10】
複数の絶縁層を含む絶縁部と、前記複数の絶縁層の表面に配置された回路パターンと、
前記複数の絶縁層内に配置され、互いに異なる層に配置された回路パターンを連結するビアと、を含み、
前記複数の絶縁層のそれぞれは、
ＲＣＣ（ｒｅｓｉｎ ｃｏａｔｅｄ ｃｏｐｐｅｒ）で構成され、
前記複数の絶縁層のそれぞれの誘電率は、２．０３～２．７であり、
前記複数の絶縁層それぞれの厚さは、前記回路パターンの厚さよりも小さく、
前記ビアの厚さは、前記回路パターンの厚さよりも小さく、
前記複数の絶縁層それぞれは、第１物質および第２物質を含み、
前記第１物質は、互いに化学的に結合する第１化合物を含み、
前記第２物質は、互いに化学的に結合する第２化合物を含み、
それぞれの第１化合物は、ポリフェニルエーテル（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌ Ｅｔｈｅｒ、ＰＰＥ）を含み、
それぞれの第２化合物は、トリシクロデカン（ｔｒｉｃｙｃｌｏｄｅｃａｎｅ）および前記トリシクロデカンと連結される末端基を含み
前記第２化合物は、前記末端基を介して互いに結合し、
前記末端基は、アクリレート基、エポキシド基、カルボキシル基およびヒドロキシル基、イソシアネート基のうち少なくとも一つを含む、回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
実施例は、回路基板に関し、特に、低誘電率および低熱膨張係数を有する絶縁層を含む回路基板に関する。
【背景技術】
【0002】
印刷回路基板（ＰＣＢ；Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）は、電気絶縁性基板に銅のような伝導性物質で回路ラインパターンを印刷して形成したものであって、電子部品を搭載する直前の基板（Ｂｏａｒｄ）をいう。即ち、様々な種類の多くの電子素子を平板上に密集搭載するために、各部品の装着位置を確定し、部品を連結する回路パターンを平板の表面に印刷して固定した回路基板を意味する。
【0003】
一般に、上記のような印刷回路基板に含まれた回路パターンの表面処理方法として、ＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）、電解ニッケル／ゴールド、電解ニッケル／ゴールド－コバルト合金、無電解ニッケル／パラジウム／ゴールドなどが使用されている。
【0004】
このとき、前記使用される表面処理方法は、その用途に応じて異なるが、例えば、前記用途には、ソルダリング用途、ワイヤボンディング用途およびコネクタ用途などがある。
【0005】
前記印刷回路基板上に実装される部品は、各部品に連結される回路パターンによって部品で発生する信号が伝達され得る。
【0006】
一方、最近の携帯用電子機器などの高機能化に伴い、大量の情報の高速処理をするために、信号の高周波化が進んでおり、高周波用途に適した印刷回路基板の回路パターンが要求されている。
【0007】
このような印刷回路基板の回路パターンは、高周波信号の品質を低下させずに伝送できるようにするために、伝送損失の減少が望まれる。
【0008】
印刷回路基板の回路パターンの伝送損失は、主に、銅箔に起因する導体損失と、絶縁樹脂基材に起因する誘電体損失からなる。
【0009】
銅箔に起因する導体損失は、回路パターンの表面粗さと関係がある。即ち、回路パターンの表面粗さが増加するほど、スキンエフェクト（ｓｋｉｎ ｅｆｆｅｃｔ）効果によって伝送損失が増加することがある。
【0010】
したがって、回路パターンの表面粗さを減少させると、伝送損失の減少を防止できる効果があるが、回路パターンと絶縁層との接着力が低下するという問題点がある。
【0011】
また、誘電体による減少のために誘電率の小さい物質を用いて回路基板の絶縁層として使用することができる。
【0012】
しかし、高周波用途の回路基板において、絶縁層は、低い誘電率以外にも回路基板に使用するための化学的、機械的特性が要求される。
【0013】
詳しく、回路パターンの設計および工程の容易性のための電気的性質の等方性、金属配線物質との低反応性、低いイオン転移性および化学的・機械的研磨（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、ＣＭＰ）などの工程に耐えられる十分な機械的強度、剥離または誘電率の上昇を防止できる低吸湿率、工程の加工温度に耐えられる耐熱性、温度変化による亀裂を取り除くための低い熱膨張係数を有するべきであり、他の物質との界面で発生し得る各種応力および剥離を最小化する接着力、耐クラック性、低いストレスおよび低い高温気体発生性など多様な条件を満たさなければならない。
【0014】
したがって、上記のような化学的・機械的特性とともに、誘電率の低い高周波用途の回路基板絶縁層および絶縁層と回路パターンとの密着力を向上させることができ、表面粗さの小さい回路パターンが要求される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0015】
実施例においては、回路基板のスリム化を達成できるようにする。
【0016】
また、実施例においては、低い誘電率を有する絶縁層および低い信号損失を有する回路パターンを含む回路基板を提供するようにする。
【0017】
また、実施においては、低い熱膨張係数を有するＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ ｃｏａｔｅｄ ｃｏｐｐｅｒ）でのみ絶縁層が構成された回路基板を提供できるようにする。
【0018】
また、実施においては、絶縁層内に含まれたガラス繊維を除去して、前記ガラス繊維に対応する厚さだけ回路基板の厚さを減らすことができるようにする。
【0019】
また、実施においては、絶縁層の厚さよりも回路パターンの厚さが大きい回路基板を提供できるようにする。
【0020】
提案される実施例において、解決しようとする技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及していない他の技術的課題は、下記の記載から実施例が属する技術分野における通常の知識を有する者にとって明確に理解されるであろう。
【課題を解決するための手段】
【0021】
実施例に係る回路基板は、少なくとも１つの絶縁層を含む第１絶縁部と、前記第１絶縁部の上部に配置され、少なくとも１つの絶縁層を含む第２絶縁部と、前記第１絶縁部の下部に配置され、少なくとも１つの絶縁層を含む第３絶縁部と、を含み、前記第１絶縁部を構成する絶縁層は、ガラス繊維を含むプリプレグを含み、前記第２および第３絶縁部を構成するそれぞれの絶縁層は、ＲＣＣ（ｒｅｓｉｎ ｃｏａｔｅｄ ｃｏｐｐｅｒ）で構成される。
【0022】
また、前記第１絶縁部を構成する絶縁層の厚さは、前記第２および第３絶縁部を構成するそれぞれの絶縁層の厚さよりも大きい。
【0023】
また、前記第１ないし第３絶縁部のそれぞれの絶縁層の表面に配置される回路パターンを含み、前記第１絶縁部を構成する絶縁層の厚さは、前記回路パターンの厚さより大きく、前記第２および第３絶縁部を構成する絶縁層の厚さは、前記回路パターンの厚さよりも小さい。
【0024】
また、前記第１ないし第３絶縁部を構成する絶縁層のうち少なくとも１つの絶縁層内に配置されたビアを含み、前記第１絶縁部を構成する絶縁層内に配置されたビアの厚さは、前記回路パターンの厚さよりも大きく、前記第２および第３の絶縁部を構成する絶縁層内に配置されたビアの厚さは、前記回路パターンの厚さよりも小さい。
【0025】
また、前記第２および第３絶縁部を構成するそれぞれの絶縁層は、ポリフェニルエーテル（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｉｌ Ｅｔｅｒ，ＰＰＥ）を含む第１化合物と、トリシクロデカン（ｔｒｉｃｙｃｌｏｄｅｃａｎｅ）および前記トリシクロデカンと連結される末端基を含む第２化合物とを含み、前記第１化合物と前記第２化合物の重量比は、４：６～６：４である。
【0026】
また、前記末端基は、アクリレート基、エポキシド基、カルボキシル基およびヒドロキシル基、イソシアネート基のうち少なくとも一つを含む。
【0027】
また、前記第１化合物および前記第２化合物は、化学的に非結合する。
【0028】
また、前記第２および第３絶縁部を構成するそれぞれの絶縁層の熱膨張係数および誘電率は、前記第１絶縁部を構成する絶縁層の熱膨張係数および誘電率よりも小さい。
【0029】
また、前記第２および第３絶縁部を構成するそれぞれの絶縁層の誘電率は、２．０３～２．７である。
【0030】
一方、実施例に係る回路基板は、複数の絶縁層を含む絶縁部と、前記複数の絶縁層の表面に配置される回路パターンと、前記複数の絶縁層内に配置され、互いに異なる層に配置された回路パターンを連絡するビアと、を含み、前記複数の絶縁層それぞれは、ＲＣＣ（ｒｅｓｉｎ ｃｏａｔｅｄ ｃｏｐｐｅｒ）で構成され、前記複数の絶縁層の誘電率は、２．０３～２．７である。
【0031】
また、前記複数の絶縁層のそれぞれの厚さは、回路パターンの厚さよりも小さい。
【0032】
また、前記ビアの厚さは、前記回路パターンの厚さよりも小さい。
【0033】
また、前記複数の絶縁層のそれぞれは、第１物質と第２物質とを含み、前記第１物質は、互いに化学的に結合する第１化合物を含み、前記第２物質は、互いに化学的に結合する第２化合物を含み、それぞれの第１化合物は、ポリフェニルエーテル（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｉｌ Ｅｔｅｒ、ＰＰＥ）を含み、それぞれの第２化合物は、トリシクロデカン（ｔｒｉｃｙｃｌｏｄｅｃａｎｅ）および前記トリシクロデカンと連結される末端基を含み、前記第２化合物は、前記末端基を通じて互いに結合し、前記末端基は、アクリレート基、エポキシド基、カルボキシル基およびヒドロキシル基、イソシアネート基のうち少なくとも１つを含む。
【発明の効果】
【0034】
実施例に係る回路基板は、絶縁層と回路パターンとの間に配置されるバッファ層を含むことができる。
【0035】
即ち、実施例に係る回路基板は、回路パターンの表面にバッファ層を形成したり、絶縁層上にバッファ層を形成することができる。
【0036】
前記バッファ層は、前記絶縁層と前記回路パターンとの間に配置されて、前記絶縁層と前記回路パターンとの密着力を向上させることができる。
【0037】
即ち、前記絶縁層と前記回路パターンは、それぞれ樹脂物質および金属を含む異種物質であって、前記絶縁層上に前記回路パターンを形成するとき、接着力が低下するという問題点がある。
【0038】
したがって、前記絶縁層と前記回路パターンとの間に、前記絶縁層と前記回路パターンとそれぞれ化学的に結合するバッファ層を配置して、前記絶縁層と前記回路パターンとの密着力を向上させることができる。
【0039】
即ち、前記バッファ層は、前記絶縁層と前記回路パターンと結合する複数の官能基を含み、前記官能基が前記絶縁層および前記回路パターンと共有結合または配位結合により化学的に結合することにより、前記絶縁層と前記回路パターンとの密着力を向上させることができる。
【0040】
これにより、前記絶縁層の表面粗さを減少させても、前記絶縁層と前記回路パターンとの密着信頼性を確保することができる。
【0041】
したがって、実施例に係る回路基板を高周波用途に使用する場合にも、回路パターンの表面粗さを低く保って、高周波信号の伝送損失を減少させることができ、回路パターンの表面粗さを低く保っても、バッファ層により絶縁層と回路パターンとの密着力を確保できるので、回路パターンの全体的な信頼性を確保することができる。
【0042】
また、実施例に係る回路基板は、低い誘電率および低い熱膨張係数を有し、向上した強度を有する絶縁層を含むことができる。
【0043】
詳しく、前記絶縁層は、低い誘電率および向上した強度を有する第１物質と第２物質とを含み、前記絶縁層内で、前記第１物質が前記第２物質のネットワーク構造の内部に配置されるように形成することによって、前記第１物質と前記第２物質との相分離を防止することができる。したがって、前記絶縁層は、前記第１物質と前記第２物質を単一相に形成できるので、絶縁層の強度を向上させることができる。
【0044】
即ち、クロスリンキングによりネットワーク構造を有する前記第２物質のプレボリューム、即ち、分子運動（ｍｏｌｅ ｍｏｔｉｏｎ）を増加させて、ネットワーク構造を有する高分子鎖が近く配置されないように構造化することができ、ネットワーク構造の内部には、前記第１物質が部分的に配置されることによって、前記第１物質と前記第２物質を絶縁層の内部で単一相に形成させることができる。
【0045】
したがって、実施例に係る回路基板を高周波用途に使用する場合にも、絶縁層の誘電率を減少させて、高周波信号の伝送損失を減少させることができ、絶縁層の熱膨張係数および機械的強度を向上させて、回路基板の全体的な信頼性を確保することができる。
【0046】
また、実施例に係る回路基板は、低い誘電率および低い熱窓係数を有する絶縁層を含むので、既存のガラス繊維を含む絶縁層を代替することができる。具体的に、実施例に係る回路基板は、絶縁層内に含まれたガラス繊維を除去することができる。具体的に、実施例に係る回路基板は、ＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ ｃｏａｔｅｄ ｃｏｐｐｅｒ）を構成するレジンとフィラーを用いて絶縁層の誘電率および熱膨張係数を容易に調整可能であり、これにより既存のガラス繊維を含まないＲＣＣで絶縁層を構成することにより、印刷回路基板の全体的な厚さを減少させることができる。さらに、実施例に係る回路基板は、低い熱膨張係数を有する絶縁層で構成されるので、強度を確保するためのコア層を除去できるだけでなく、絶縁層の厚さを減らすことができ、これにより回路パターンの厚さよりも小さい厚さを有する絶縁層を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0047】
【図1】第１実施例に係る回路基板の断面図を示す図である。
【図2】実施例に係る回路基板のバッファ層の配置関係を説明するための図である。
【図3】実施例に係る回路基板のバッファ層の配置関係を説明するための図である。
【図4】実施例に係る回路基板のバッファ層の配置関係を説明するための図である。
【図5】実施例に係る回路基板のバッファ層の配置関係を説明するための図である。
【図6】実施例に係る回路基板のバッファ層の簡略な構造式を示す図である。
【図7】実施例に係る回路基板の絶縁層が含む第２物質の構造を示す図である。
【図8】実施例に係る回路基板の絶縁層が含む第１物質および第２物質の配列構造を説明するための図である。
【図9】第２実施例に係る回路基板の断面図を示す図である。
【図10】第３実施例に係る回路基板の断面図を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0048】
以下、添付された図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。但し、本発明の技術思想は、説明される一部の実施例に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現され、本発明の技術思想の範囲内であれば、実施例間のその構成要素のうち一つ以上を選択的に結合、置換して使用することができる。
【0049】
また、本発明の実施例で使用される用語（技術および科学的用語を含む）は、明らかに特別に定義されて記述されない限り、本発明が属する技術分野において、通常の知識を有する者に一般的に理解される意味として解釈することができ、事前に定義された用語のように一般的に使用される用語は、関連技術の文脈上の意味を考慮して、その意味を解釈できるであろう。
【0050】
また、本発明の実施例で使用される用語は、実施例を説明するためのものであり、本発明を制限するものではない。本明細書において、単数形は、フレーズで特に言及しない限り、複数形も含むことができ、「Ａおよび（と）Ｂ、Ｃのうち少なくとも一つ（または一つ以上）」に記載される場合、Ａ、Ｂ、Ｃに結合できるすべての組み合わせのうち一つ以上を含むことができる。
【0051】
また、本発明の構成要素を説明するにあたって、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）等の用語を用いることができる。このような用語は、その構成要素を他の構成要素と区別するためのものに過ぎず、その用語により当該構成要素の本質や順番または順序などに限定されない。
【0052】
そして、ある構成要素が他の構成要素に「連結」、「結合」または「接続」されると記載された場合、その構成要素は、その他の構成要素に直接的に連結、結合または接続される場合のみならず、その構成要素とその他の構成要素との間にある別の構成要素によって「接続」、「結合」または「接続」される場合も含むことができる。
【0053】
また、各構成要素の「上（うえ）または下（した）」に形成または配置されることが記載される場合には、上（うえ）または下（した）は、二つの構成要素が互いに直接接触される場合のみならず、一つ以上の別の構成要素が二つの構成要素の間に形成または配置される場合も含む。
【0054】
また、「上（うえ）または下（した）」で表現される場合、一つの構成要素を基準に上方向のみならず、下側方向の意味も含むことができる。
【0055】
以下、図面を参照して、実施例に係る回路基板を説明する。
【0056】
図１は、第１実施例に係る回路基板の断面図を示す図である。
【0057】
図１を参照すると、第一実施例に係る回路基板１０００は、絶縁基板１００と、第１パッド１６０と、第１上部金属層１７０と、第２パッド１８０と、第２上部金属層１９０と、第１保護層ＳＲ１と、第２保護層ＳＲ２と、ソルダペースト２００と、電子部品３００と、を含むことができる（ここで、第１上部金属層１７０、第２パッド１８０、第２上部金属層１９０は、図９および図１０を参照する）。
【0058】
前記絶縁基板１００は、平板構造を有することができる。前記絶縁基板１００は、印刷回路基板（ＰＣＢ：Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）であり得る。ここで、前記絶縁基板１００は、単一基板に実現され得、これとは異なり、複数の絶縁層が連続的に積層された多層基板に実現され得る。
【0059】
これにより、前記絶縁基板１００は、複数の絶縁部１１０，１２０，１３０を含むことができる。図１に示すように、複数の絶縁部は、第１絶縁部１１０と、前記第１絶縁部１１０の上部に配置された第２絶縁部１２０と、前記第１絶縁部１１０の下部に配置された第３絶縁部１３０と、を含む。
【0060】
このとき、前記第１絶縁部１１０、第２絶縁部１２０、および第３絶縁部１３０は、互いに異なる絶縁物質で構成され得る。好ましくは、前記第１絶縁部１１０は、ガラス繊維を含むことができる。そして、第２絶縁部１２０および第３絶縁部１３０は、前記第１絶縁部１１０とは異なり、前記ガラス繊維を含まないことがある。
【0061】
これにより、前記第１絶縁部１１０を構成する各絶縁層の厚さは、前記第２絶縁部１２０および第３絶縁部１３０を構成する各絶縁層の厚さと異なることがある。言い換えると、前記第１絶縁部１１０を構成する各絶縁層の厚さは、前記第２絶縁部１２０および第３絶縁部１３０を構成する各絶縁層の厚さよりも大きいことがある。
【0062】
即ち、前記第１絶縁部１１０にはガラス繊維が含まれている。前記ガラス繊維は、一般に１２μｍ程度の厚さを有する。これにより、前記第１絶縁部１１０を構成する各絶縁層の厚さは、前記ガラス繊維の厚さを含んだ２１μｍ±２μｍの厚さを有することができる。具体的に、前記第１絶縁部１１０に含まれた各絶縁層の厚さは、１９μｍ～２３μｍの範囲を有することができる。
【0063】
これとは異なり、前記第２絶縁部１２０には前記ガラス繊維が含まれていない。好ましくは、前記第２絶縁部１２０を構成する各絶縁層は、ＲＣＣで構成され得る。これにより、前記第２絶縁部１２０を構成する各絶縁層の厚さは、１２μｍ±２μｍを有することができる。即ち、前記第２絶縁部１２０を構成する各絶縁層の厚さは、１０μｍ～１４μｍの範囲を有することができる。
【0064】
また、前記第３絶縁部１３０にはガラス繊維が含まれていない。好ましくは、前記第３絶縁部１３０を構成する各絶縁層は、ＲＣＣで構成され得る。これにより、前記第３絶縁部１３０を構成する各絶縁層の厚さは、１２μｍ±２μｍを有することができる。即ち、前記第３絶縁部１３０を構成する各絶縁層の厚さは、１０μｍ～１４μｍの範囲を有することができる。
【0065】
即ち、比較例における回路基板を構成する絶縁部は、複数の絶縁層を含み、前記複数の絶縁層は、ガラス繊維を含むプリプレグ（ＰＰＧ）で構成された。このとき、比較例における回路基板は、ＰＰＧを基準にガラス繊維の厚さを減らすことが難しい。これは、前記ＰＰＧの厚さが減少する場合、前記ＰＰＧに含まれたガラス繊維が、前記ＰＰＧの表面に配置された回路パターンと電気的に接続され得、これによるクラックリストが発生するためである。これにより、比較例における回路基板は、ＰＰＧの厚さを減少させる場合、これによる誘電体破壊および回路パターンの損傷が発生し得る。これにより、比較例における回路基板は、ＰＰＧを構成するガラス繊維の厚さのため、全体的な厚さを減少させるには限界があった。
【0066】
また、比較例における回路基板は、ガラス繊維を含んだＰＰＧでのみの絶縁層で構成されるため、高い誘電率を有している。しかし、高い誘電率を有する誘電体の場合、高周波代用として接近することが難しいという問題がある。即ち、比較例における回路基板は、ガラス繊維の誘電率が高いため、高周波帯域で誘電率が破壊される現象が発生するようになる。
【0067】
これにより、実施例においては、低誘電率のＲＣＣを用いて絶縁層を構成するようにして、これによる回路基板の厚さをスリムにしながら高周波帯域でも信号損失が最小化される信頼性の高い回路基板を提供することができる。これは、前記第２絶縁部１２０および第３絶縁部１３０を構成する各絶縁層内の物質の特性によって達成することができ、これについては以下でさらに詳細に説明するようにする。
【0068】
前記第１絶縁部１１０は、下部から第１絶縁層１１１と、第２絶縁層１１２と、第３絶縁層１１３と、第４絶縁層１１４と、を含むことができる。また、前記第１絶縁層１１１と、第２絶縁層１１２と、第３絶縁層１１３、および第４絶縁層１１４は、それぞれガラス繊維を含むＰＰＧで構成され得る。
【0069】
また、前記第２絶縁部１２０は、下部から第５絶縁層１２１および第６絶縁層１２２を含むことができる。前記第２絶縁部１２０を構成する第５絶縁層１２１および第６絶縁層１２２は、低誘電率および低熱膨張係数のＲＣＣで構成され得る。
【0070】
また、前記第３絶縁部１３０は、上部から第７絶縁層１３１および第８絶縁層１３２を含むことができる。前記第３絶縁部１３０を構成する第７絶縁層１３１および第８絶縁層１３２は、低誘電率および低熱膨張係数のＲＣＣで構成され得る。
【0071】
一方、上記においては、前記第１絶縁部１１０が４層の絶縁層構造を有するものとして示したが、これに限定されず、前記第１絶縁部１１０を構成する絶縁層の数は、増加または減少できるであろう。
【0072】
また、上記においては、前記第２絶縁部１２０および第３絶縁部１３０がそれぞれ２層の絶縁層構造を有するものとして示したが、これに限定されず、前記第２絶縁部１２０および第３絶縁部１３０を構成する絶縁層の数は、増加できるであろう。
【0073】
上記のように、第１実施例における回路基板は、第１絶縁部１１０、第２絶縁部１２０、および第３絶縁部１３０を含み、前記第１絶縁部１１０は、ガラス繊維を含むＰＰＧで構成され、前記第２絶縁部１２０および第３絶縁部１３０は、高周波用途に適用される回路基板に使用するために低い誘電率を有するＲＣＣで構成され得る。また、前記第２絶縁部１２０および第３絶縁部１３０は、低い誘電率を有するとともに機械的／化学的安全性を確保して回路基板の信頼性を向上させることができる。
【0074】
このような前記第２絶縁部１２０および第３絶縁部１３０を構成する絶縁層に対する説明は、以下で詳細に説明する。
【0075】
一方、前記第１絶縁部１１０、第２絶縁部１２０、および第３絶縁部１３０のそれぞれを構成する絶縁層の表面には、回路パターン１４０が配置され得る。
【0076】
好ましくは、前記第１絶縁層１１１、第２絶縁層１１２、第３絶縁層１１３、第４絶縁層１１４、第５絶縁層１２１、第６絶縁層１２２、第７絶縁層１３１および第８絶縁層１３２のそれぞれの少なくとも一面には、回路パターン１４０が配置され得る。
【0077】
前記回路パターン１４０は、電気的信号を伝達する配線であって、電気伝導性の高い金属物質で形成され得る。このために、前記回路パターン１４０は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、錫（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）および亜鉛（Ｚｎ）のうちから選択される少なくとも１つの金属物質で形成され得る。
【0078】
また、前記回路パターン１４０は、ボンディング力に優れた金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、錫（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）のうちから選択される少なくとも１つの金属物質を含むペーストまたはソルダペーストで形成され得る。好ましくは、前記回路パターン１４０は、電気伝導性が高く、価格が比較的安価な銅（Ｃｕ）で形成され得る。
【0079】
また、前記回路パターン１４０の厚さは、１２μｍ±２μｍを有することができる。即ち、前記第３絶縁部１３０を構成する各絶縁層の厚さは、１０μｍ～１４μｍの範囲を有することができる。
【0080】
前記回路パターン１４０は、通常の印刷回路基板の製造工程であるアディティブ工法（Ａｄｄｉｔｉｖｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）、サブトレクティブ工法（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、およびＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）工法などで可能であり、ここでは、詳細な説明は省略する。
【0081】
一方、前記第１絶縁部１１０、第２絶縁部１２０、および第３絶縁部１３０を構成するそれぞれ絶縁層および／または前記回路パターン１４０の表面にはバッファ層４００が配置され得る。詳しく、前記バッファ層４００は、前記回路パターン１４０の上面、下面および側面のうち少なくとも１つの回路パターンの表面上にまたは前記回路パターンが配置される前記絶縁層の表面上に配置され得る。
【0082】
前記絶縁層または前記回路パターンに形成されるバッファ層については、以下で詳細に説明する。
【0083】
前記第１絶縁部１１０、第２絶縁部１２０、および第３絶縁部１３０を構成するそれぞれの複数の絶縁層のうち少なくとも１つには、少なくとも１つのビア１５０が形成される。前記ビア１５０は、前記複数の絶縁層のうち少なくとも１つの絶縁層を貫通して配置される。前記ビア１５０は、前記複数の絶縁層のうちいずれか一つの絶縁層のみを貫通することができ、これとは異なり、前記複数の絶縁層のうち少なくとも２つの絶縁層を共通に貫通して形成されることもある。これにより、前記ビア１５０は、互いに異なる絶縁層の表面に配置されている回路パターンを相互電気的に連結する。
【0084】
前記ビア１５０は、前記複数の絶縁層のうち少なくとも１つの絶縁層を貫通する貫通孔（図示せず）の内部を伝導性物質で充填して形成することができる。
【0085】
前記貫通孔は、機械、レーザーおよび化学加工のいずれか一つの加工方式によって形成され得る。前記貫通孔が機械加工によって形成される場合には、ミーリング（Ｍｉｌｌｉｎｇ）、ドリル（Ｄｒｉｌｌ）およびルーティング（Ｒｏｕｔｉｎｇ）などの方式を使用することができ、レーザー加工によって形成される場合には、ＵＶやＣＯ２レーザー方式を使用することができ、化学加工によって形成される場合には、アミノシラン、ケトン類などを含む薬品を用いて絶縁層を開放することができる。
【0086】
一方、前記レーザーによる加工は、光学エネルギーを表面に集中させて材料の一部を溶かして蒸発させて、所望の形状をとる切断方法であって、コンピュータプログラムによる複雑な形成も容易に加工することができ、他の方法では切断しにくい複合材料も加工することができる。
【0087】
また、前記レーザーによる加工は、切断直径が最小０．００５ｍｍまで可能であり、加工可能な厚さ範囲で広いという長所がある。
【0088】
前記レーザー加工ドリルとしては、ＹＡＧ（Ｙｔｔｒｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｇａｒｎｅｔ）レーザーやＣＯ２レーザーや紫外線（ＵＶ）レーザーを用いることが好ましい。ＹＡＧレーザーは、銅箔層および絶縁層の両方とも加工できるレーザーであり、ＣＯ２レーザーは、絶縁層のみ加工できるレーザーである。
【0089】
前記貫通孔が形成されると、前記貫通孔の内部を伝導性物質で充填して前記ビア１５０を形成する。前記ビア１５０を形成する金属物質は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）とパラジウム（Ｐｄ）のうちから選択されるいずれか一つの物質であり得る。前記導電性物質の充填は、無電解メッキ、電解メッキ、スクリーン印刷（Ｓｃｒｅｅｎ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ）、スパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、蒸発法（Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、インクジェットティングおよびディスフェンシングのいずれか一つ、またはこれらの組み合わせた方式を用いることができる。
【0090】
前記複数の絶縁層のうち最上部に配置された絶縁層（具体的に、第２絶縁部１２０を構成する第６絶縁層１２２）の上には、第１パッド１６０が配置され、前記複数の絶縁層のうち最下部に配置された絶縁層（具体的に、第３絶縁部１３０を構成する第８絶縁層１３２）の下には、第２パッド１８０が配置される。
【0091】
言い換えると、前記複数の絶縁層のうち、電子部品３００が形成される最上部の絶縁層上には、第１パッド１６０が配置される。前記第１パッド１６０は、前記最上部の絶縁層上に複数で形成され得る。そして、前記第１パッド１６０の一部は、信号伝達のためのパターンの役割をし、他の部分は、電子部品３００とワイヤなどを介して電気的に連結されるインナーリードの役割をすることができる。言い換えると、前記第１パッド１６０は、ワイヤボンディング用途のためのワイヤボンディングパッドを含むことができる。
【0092】
そして、前記複数の絶縁層のうち、外部基板（図示せず）が付着される最下部の絶縁層の下には、第２パッド１８０が配置される。前記第２パッド１８０も前記第１パッド１６０と同様に、一部は信号伝達のためのパターン役割をし、残りの一部は、前記外部基板を付着のために接着部材（図示せず）が配置されるアウターリードの役割をすることができる。言い換えると、前記第２パッド１８０は、ソルダリング用途のためのソルダリングパッドを含むことができる。
【0093】
そして、前記第１パッド１６０の上には、前記第１上部金属層１７０が配置され、前記第２パッド１８０の下には、第２上部金属層１９０が配置される。前記第１上部金属層１７０および前記第２上部金属層１９０は、互いに同じ物質で形成され、それぞれ前記第１パッド１６０および前記第２パッド１８０を保護しつつ、前記ワイヤボンディングまたは前記ソルダリング特性を向上させる。
【0094】
このために、前記第１上部金属層１７０および前記第２上部金属層１９０は、金（Ａｕ）を含む金属で形成される。好ましくは、前記第１上部金属層１７０および前記第２上部金属層１９０は、純粋な金（純度９９％以上）のみを含むことができ、これとは異なり、金（Ａｕ）を含む合金で形成され得る。前記第１上部金属層１７０および前記第２上部金属層１９０が金を含む合金で形成される場合、前記合金をコバルトを含む金合金で形成され得る。
【0095】
前記複数の絶縁層のうち最上部に配置された絶縁層の上には、ソルダペースト２００が配置される。前記ソルダペーストは、前記絶縁基板１００に付着される電子部品３００を固定させる接着剤である。これにより、ソルダペースト２００を接着剤と称することもできるであろう。前記接着剤は、伝導性接着剤であり得、これとは異なり、非伝導性接着剤であり得る。即ち、前記回路基板１００は、ワイヤボンディング方式で前記電子部品３００が付着される基板であり得、これにより、前記接着剤の上には、前記電子部品３００の端子（図示せず）が配置されないことがある。また、前記接着剤は、前記電子部品３００と電気的に連結されないことがある。したがって、前記接着剤は、非伝導性接着剤を使用することができ、これとは異なり、伝導性接着剤を使用することができる。
【0096】
前記伝導性接着剤は、大きく異方性導電接着剤（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｃｏｎｄｕｎｔｉｖｅ ａｄｈｅｓｉｖｅ）と等方性導電接着剤（ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｃｏｎｄｕｎｔｉｖｅ ａｄｈｅｓｉｖｅ）に区分され、基本的にＮｉ、Ａｕ／高分子、またはＡｇなどの伝導性粒子と、熱硬化性、熱可塑性、またはこの両方の特性を混合した混合型絶縁樹脂（ｂｌｅｎｄ ｔｙｐｅ ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ ｒｅｓｉｎ）で構成される。
【0097】
また、非伝導性接着剤は、ポリマー接着剤であり得、好ましくは、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、充填剤、硬化剤、および硬化促進剤を含む非伝導性ポリマー接着剤であり得る。
【0098】
また、前記最上部の絶縁層の上には、前記第１上部金属層１７０の表面を少なくとも一部露出する第１保護層ＳＲ１が配置される。前記第１保護層ＳＲ１は、前記最上部の絶縁層の表面を保護するために配置され、例えば、ソルダレジストであり得る。
【0099】
そして、前記第１上部金属層１７０には、ソルダペースト２００が配置され、それにより前記第１パッド１６０と前記電子部品３００は、電気的に連結され得る。
【0100】
ここで、前記電子部品３００は、素子やチップのすべてを含むことができる。前記素子は、能動素子と受動素子に区分され得、前記能動素子は、非線形部分を積極的に利用した素子であり、前記受動素子は、線形特性と非線形特性の両方が存在しても、非線形特性は利用しない素子を意味する。そして、前記受動素子にはトランジスタ、ＩＣ、半導体チップなどが含まれ得、前記受動素子にはコンデンサ、抵抗、およびインダクタなどを含むことができる。前記受動素子は、能動素子である半導体チップの信号処理速度を高めたり、フィルタリング機能などを行うために、通常の半導体パッケージと一緒に基板上に実装される。
【0101】
結論として、前記電子部品３００は、半導体チップ、発光ダイオードチップ、および他の駆動チップのすべてを含むことができる。
【0102】
そして、前記最上部の絶縁層の上には樹脂モールディング部を形成され得、それにより前記電子部品３００、第１上部金属層１７０は、前記樹脂モールディング部によって保護され得る。
【0103】
一方、前記複数の絶縁層のうち最下部の絶縁層の下には、第２保護層ＳＲ２が配置される。前記第２保護層ＳＲ２は、前記第２上部金属層１９０の表面を露出する開口部を有する。前記第２保護層ＳＲ２をソルダレジストで形成することができる。
【0104】
先に説明したように。前記絶縁層または前記回路パターン１４０の少なくとも１つの表面にはバッファ層が配置され得る。
【0105】
詳しく、バッファ層４００は、絶縁層と回路パターン１４０とが重なる領域で絶縁層と回路パターン１４０との間に配置される。
【0106】
前記バッファ層４００は、前記絶縁層の表面に処理される表面処理層であり得る。前記バッファ層４００は、前記回路パターン１４０の表面に処理される表面処理層であり得る。
【0107】
前記バッファ層４００は、前記絶縁層と前記回路パターンとの間に配置される中間層であり得る。前記バッファ層４００は、前記絶縁層と前記回路パターンとの間に配置されるコーティング層であり得る。前記バッファ層４００は、前記絶縁層と前記回路パターンとの密着力を向上させる機能層、即ち密着力強化層であり得る。
【0108】
図２ないし図５は、前記バッファ層４００の位置および配置関係を説明するための図である。以下においては、複数の絶縁部のうち、第１絶縁部１１０を構成する絶縁層に配置されるバッファ層４００の位置および配置関係について説明する。ただし、第２絶縁部１２０および第３絶縁部１３０を構成する絶縁層にも以下で説明する位置および配置関係に対応するようにバッファ層４００が配置できるであろう。
【0109】
図２を参照すると、前記バッファ層４００は、前記回路パターンの表面上に配置され得る。例えば、前記バッファ層４００は、前記回路パターンの上部面および下部面に配置され得る。即ち、前記バッファ層４００は、前記回路パターンの表面のうち前記絶縁層と接触するまたは対向する表面上に配置され得る。
【0110】
また、図３を参照すると、前記バッファ層４００は、前記回路パターンの表面上に配置され得る。例えば、前記バッファ層４００は、前記回路パターンの上部面、下部面、および両側面に配置され得る。即ち、前記バッファ層４００は、前記回路パターンの全表面を囲んで配置され得る。
【0111】
また、図４を参照すると、前記バッファ層４００は、前記絶縁層の表面上に配置され得る。例えば、前記バッファ層４００は、前記絶縁層の上部面および下部面に配置され得る。即ち、前記バッファ層４００は、前記絶縁層の表面のうち前記回路パターン１４０と接触するまたは対向する表面上に配置され得る。即ち、前記バッファ層４００は、前記回路パターン１４０が配置される前記絶縁層の前面上に配置され得る。
【0112】
また、図５を参照すると、前記バッファ層４００は、前記絶縁層の表面上に配置され得る。例えば、前記バッファ層４００は、前記絶縁層の上部面、下部面に配置され得る。即ち、前記バッファ層４００は、前記絶縁層の表面のうち前記回路パターン１４０と接触するまたは対向する表面上に配置され得る。即ち、前記バッファ層４００は、前記回路パターン１４０が配置される前記絶縁層の面で前記回路パターン１４０が配置される領域にのみ配置され得る。
【0113】
即ち、前記バッファ層４００は、前記絶縁層と回路パターン１４０との間に配置される。詳しく、前記バッファ層４００は、前記絶縁層と前記回路パターン１４０との間に配置され、前記バッファ層４００は、前記絶縁層の一面および前記回路パターン１４０の一面と結合され得る。即ち、前記バッファ層の末端基と前記絶縁層の末端基、前記バッファ層の末端基と前記回路パターンの末端基が化学的に結合され得る。
【0114】
前記バッファ層４００は、一定の厚さに形成され得る。詳しく、前記バッファ層４００は、薄膜に形成され得る。詳しく、前記バッファ層４００は、５００ｎｍ以下の厚さに形成され得る。より詳しく、前記バッファ層４００は、５ｎｍ～５００ｎｍの厚さに形成され得る。
【0115】
前記バッファ層４００の厚さを５ｎｍ以下に形成する場合、バッファ層の厚さが薄すぎて絶縁層と回路パターンとの接着力を十分に確保できず、前記バッファ層の厚さを５００ｎｍを超えて形成する場合、厚さによる接着力の向上効果が少なく、回路基板の全体的な厚さが増加することがあり、絶縁層の誘電率が増加して、高周波用途における回路基板の伝送損失を増加することがある。
【0116】
前記バッファ層４００は、複数の元素を含むことができる。前記バッファ層４００に含まれる複数の元素は、バッファ層内で互いに結合して分子状に含まれるか、またはイオン状に含まれ、前記分子、前記分子および前記イオンは、互いに化学的に結合してバッファ層を形成することができる。
【0117】
前記バッファ層４００は、炭素元素、窒素元素、酸素元素、ケイ素元素、硫黄元素および金属元素のうち少なくとも１つの元素を含むことができる。詳しく、前記バッファ層４００の炭素元素、窒素元素、酸素元素、ケイ素元素、硫黄元素および金属元素のすべてを含むことができる。
【0118】
前記炭素元素、窒素元素、酸素元素、ケイ素元素、硫黄元素および金属元素は、それぞれバッファ層内で互いに結合して分子状に存在するか、または単独のイオン状に存在し得る。
【0119】
前記複数の元素のうち、前記酸素元素、前記炭素元素、前記窒素元素は、前記絶縁層と結合する前記バッファ層の官能基と関連され得る。即ち、前記酸素元素、前記炭素元素、前記窒素原子などを含む分子によって形成される官能基は、前記絶縁層と化学的に結合することができる。
【0120】
また、前記複数の元素のうち、前記炭素元素、前記窒素元素、前記ケイ素元素、前記硫黄元素は、前記回路パターンと結合する前記バッファ層の官能基に関連され得る。即ち、前記炭素元素、前記窒素元素、前記ケイ素元素、前記硫黄元素などを含む分子によって形成される官能基が前記回路パターンと化学的に結合することができる。
【0121】
また、前記金属元素は、前記炭素元素、窒素元素、酸素元素、ケイ素元素、硫黄元素によって形成される分子を互いに結合させることができる。即ち、前記炭素元素、窒素元素、酸素元素、ケイ素元素、硫黄元素によって形成される分子は、前記金属元素を通じて化学的に結合してバッファ層を形成することができる。即ち、前記金属元素は、前記分子の間に配置されて、前記分子を化学的に結合させる媒体役割をすることができる。
【0122】
このために、前記炭素元素、窒素元素、酸素元素、ケイ素元素、硫黄元素および金属元素は、一定の質量比で含まれ得る。詳しく、複数の元素のうち、前記金属元素は、他の元素より最も多く含むことができ、前記炭素元素、窒素元素、酸素元素、ケイ素元素、硫黄元素は、前記金属元素を基準としてそれぞれ一定の質量比で含まれ得る。
【0123】
詳しく、金属元素に対する炭素元素の比（（炭素元素／銅元素）＊１００）は、５～７であり得る。
【0124】
また、前記金属元素に対する窒素元素の比（（窒素元素／銅元素）＊１００）は、１．５～７であり得る。
【0125】
また、前記金属元素に対する酸素元素の比（（酸素元素／銅元素）＊１００）は、１．１～１．９であり得る。
【0126】
また、前記金属元素に対するケイ素元素の比（（ケイ素元素／銅元素）＊１００）は、０．５～０．９であり得る。
【0127】
また、前記金属元素に対する硫黄元素の比（（硫黄元素／銅元素）＊１００）は、０．５～１．５であり得る。
【0128】
前記金属元素に対する前記炭素元素、窒素元素、酸素元素、ケイ素元素、硫黄元素の比は、前記絶縁層または前記回路基板の結合力と関係され得る。
【0129】
詳しく、前記金属元素に対する炭素元素の比（（炭素元素／銅元素）＊１００）が５～７の範囲を外れる場合、前記バッファ層と前記回路基板または前記バッファ層と前記絶縁層との結合力が弱くなることがある。
【0130】
また、前記金属元素に対する窒素元素の比（（窒素元素／銅元素）＊１００）が１．５～７の範囲を外れる場合、前記バッファ層と前記回路基板または前記バッファ層と前記絶縁層との結合力が弱くなることがある。
【0131】
また、前記金属元素に対する酸素元素の比（（酸素元素／銅元素）＊１００）が１．１～１．９の範囲を外れると、前記バッファ層と前記絶縁層との結合力が弱くなることがある。
【0132】
また、前記金属元素に対するケイ素元素の比（（ケイ素元素／銅元素）＊１００）が０．５～０．９の範囲を外れると、前記バッファ層と前記回路基板との結合力が弱くなることがある。
【0133】
また、前記金属元素に対する硫黄元素の比（（硫黄元素／銅元素）＊１００）が０．５～１．５の範囲を外れると、前記バッファ層と前記回路基板との結合力が弱くなることがある。
【0134】
一方、前記炭素元素、窒素元素、酸素元素、ケイ素元素、硫黄元素および金属元素は、前記バッファ層内に分子またはイオンの状に存在し、分子およびイオンは互いに結合して連結され得る。
【0135】
詳しく、前記バッファ層４００は、前記炭素元素、窒素元素、酸素元素、ケイ素元素、硫黄元素および金属元素によって形成される分子および金属イオンを含むことができる。前記バッファ層４００に含まれる分子は、分子の大きさまたは分子量の大きさに応じて少なくとも２種類の分子を含むことができる。詳しく、前記分子は、マクロ分子（Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅ）および単分子(Ｕｎｉｍｏｌｅｃｕｌａｒ)を含むことができる。
【0136】
前記マクロ分子、前記単分子、および前記金属イオンは、前記バッファ層内で互いに結合して連結される構造に形成され得る。
【0137】
詳しく、前記マクロ分子、前記単分子、および前記金属イオンは、前記バッファ層内で共有結合および配位結合によって化学的に結合して互いに連結される構造に形成され得る。
【0138】
前記金属イオンは、前記マクロ分子、前記単分子、または前記マクロ分子と前記単分子とを互いに連結することができる。詳しく、前記マクロ分子、前記単分子、または前記マクロ分子と前記単分子は、前記金属イオンと配位結合し、これにより、前記マクロ分子、前記単分子または前記マクロ分子と前記単分子は、化学的に結合することができる。
【0139】
前記金属イオンは、前記回路パターンと同じ物質を含むことができる。あるいは、前記金属イオンは、前記回路パターンとは異なる物質を含むことができる。例えば、前記回路パターンが銅を含む場合、前記金属イオンは、銅を含むか、または銅以外の他の金属を含むことができる。
【0140】
詳しく、前記金属イオンは、前記回路パターンによって形成され得る。詳しく、別の酸化剤を用いて金属を含む前記回路パターンをイオン化して、金属イオンが形成され得る。これにより、イオン化した金属イオンが前記バッファ層内で前記マクロ分子および前記単分子と配位結合して、分子を互いに連結することによりバッファ層を構成することができる。
【0141】
あるいは、前記バッファ層形成時に別の金属イオンを添加し、前記金属イオンは、前記バッファ層内で前記マクロ分子および前記単分子と配位結合して分子を互いに連結することによりバッファ層を構成することができる。このとき、別に添加される金属イオンは、前記回路パターンの金属と同一であるかまたは異なることがある。
【0142】
前記マクロ分子および前記単分子は、前記炭素元素、窒素元素、酸素元素、ケイ素元素、硫黄元素のうち少なくとも一つを含むことができる。
【0143】
即ち、前記マクロ分子および前記単分子は、前記炭素元素、窒素元素、酸素元素、ケイ素元素、硫黄元素のうち少なくとも一つを含む分子であり得る。
【0144】
詳しく、前記マクロ分子は、前記炭素元素、前記窒素元素を含む分子を含むことができる。詳しく、前記マクロ分子は、前記炭素元素、前記窒素元素を含むアゾール基を含むことができる。
【0145】
また、前記マクロ分子は、前記ケイ素元素を含む分子を含むことができる。詳しく、前記マクロ分子は、前記ケイ素元素を含むシラン基を含むことができる。
【0146】
また、前記単分子は、前記炭素元素、前記窒素元素および前記硫黄元素を含むことができる。即ち、前記単分子は、前記炭素元素、前記窒素元素および前記硫黄元素を含む分子であり得る。例えば、前記単分子は、チオシアネート基（-ＳＣＮ）が連結されるＳＣＮ基を含むことができる。
【0147】
図３を参照すると、前記バッファ層４００は、複数の官能基を含むことができる。詳しく、前記バッファ層４００は、前記絶縁層と化学的に結合する第１官能基と、前記回路パターン１４０と化学的に結合する第２官能基とを含むことができる。
【0148】
即ち、前記マクロ分子および前記単分子は、前記絶縁層および前記回路パターンと化学的に結合する複数の末端基、即ち、官能基を含むことができる。このような官能基により、前記絶縁層と前記回路パターンは、前記バッファ層によって化学的にしっかりと結合されて、前記絶縁層と前記回路パターンとの密着力が向上することができる。
【0149】
前記第１官能基および前記第２官能基は、前記マクロ分子、前記単原子、または前記金属原子のうち１つと連結されるバッファ層の末端基として定義され得る。
【0150】
前記第１官能基は、前記絶縁層と共有結合によって結合することができる。前記第１官能基は、前記絶縁層と共有結合する官能基を含むことができる。詳しく、前記第１官能基は、ヒドロキシ基（-ＯＨ）およびアゾール基のＮ基を含むことができる。
【0151】
また、前記第２官能基は、前記回路パターン１４０と配位結合によって結合することができる。前記第２官能基は、前記回路パターン１４０と配位結合される官能基を含むことができる。詳しく、前記第２官能基は、シラン基のＳｉ基およびチオシアネート基（-ＳＣＮ）を含むことができる。
【0152】
前記バッファ層に含まれる第１官能基および第２官能基は、それぞれ前記絶縁層および前記回路パターンと化学的に結合することができる。これにより、前記絶縁層と前記回路パターンとの間に配置される前記バッファ層により、異種物質である絶縁層と回路パターンとの密着力を向上させることができる。
【0153】
一方、前述したように、前記第２絶縁部１２０および第３絶縁部１３０を構成する前記絶縁層は、低い誘電率とどもに機械的・化学的信頼性を確保できる物質を含むことができる。
【0154】
詳しく、前記絶縁層１２１、１２２、１３１、１３２は、３．０以下の誘電率Ｄｋを有することができる。より詳しく、前記絶縁層１２１、１２２、１３１、１３２は、２．０３～２．７の誘電率を有することができる。したがって、前記絶縁層は、低い誘電率を有することができるので、絶縁層を高周波用途の回路基板に適用するとき、絶縁層の誘電率の大きさに応じた伝送損失を減少させることができる。
【0155】
また、前記絶縁層１２１、１２２、１３１、１３２は、５０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数を有することができる。より詳しく、前記絶縁層１２１、１２２、１３１、１３２は、１５ｐｐｍ／℃～５０ｐｐｍ／℃の熱膨張係数を有することができる。
【0156】
これにより、前記絶縁層１２１、１２２、１３１、１３２は、低い熱膨張係数を有することができるので、温度変化による絶縁層のクラックを最小限に抑えることができる。
【0157】
このために、前記絶縁層１２１、１２２、１３１、１３２は、２つの物質で形成され得る。詳しく、前記絶縁層１２１、１２２、１３１、１３２は、２つの化合物が混在した物質を含むことができる。詳しく、前記絶縁層１２１、１２２、１３１、１３２は、第１化合物と第２化合物とを含むことができる。
【0158】
前記第１物質と前記第２物質は、一定の割合の範囲で含まれ得る。詳しく、前記第１物質と前記第２物質は、４：６～６：４の割合で含まれ得る。
【0159】
また、前記絶縁層１２１、１２２、１３１、１３２は、さらに無機粒子をさらに含むことができる。詳しく、前記絶縁層１２１、１２２、１３１、１３２は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などの無機粒子をさらに含むことができる。前記無機粒子は、前記絶縁層１２１、１２２、１３１、１３２全体に対して約５５重量％～７０重量％だけ含まれ得る。
【0160】
前記無機粒子の割合が前記範囲を外れる場合、前記無機粒子によって熱膨張係数または誘電率の大きさが増加して、絶縁層の特性が低下することがある。
【0161】
また、前記第１物質と前記第２物質は、前記絶縁層１２１、１２２、１３１、１３２内で互いに化学的に非結合し得る。しかし、実施例はこれに限定されず、前記第１化合物を含む第１物質と前記第２化合物を含む第２物質は、直接または別の連結基によって化学的に結合することができる。
【0162】
前記第１物質は、絶縁特性を有する物質を含むことができる。また、前記第１物質は、高い衝撃強度を有して、改善された機械的特性を有することができる。詳しく、前記第１物質は、樹脂物質を含むことができる。例えば、前記第１物質は、ポリフェニルエーテル（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌ Ｅｔｈｅｒ， ＰＰＥ）を含む第１化合物を含むことができる。
【0163】
前記第１物質は、前記第１化合物を複数含むことができ、前記第１化合物は、互いに化学的に結合して形成され得る。詳しく、前記第１化合物は、共有結合、即ちパイファイ結合（π-π）によって互いに線形的に連結され得る。
【0164】
即ち、前記第１化合物は、前記第１物質の分子量が約３００～５００の分子量を有するように互いに化学的に結合して形成され得る。
【0165】
また、前記第２物質は、第２化合物を含むことができる。詳しく、前記第２物質は、複数の第２化合物が互いに化学的に結合して形成され得る。
【0166】
前記第２化合物は、低い誘電率および熱膨張係数を有する物質を含むことができる。さらに、前記第２化合物は、向上した機械的強度を有する物質を含むことができる。
【0167】
前記第２化合物は、トリシクロデカン（ｔｒｉｃｙｃｌｏｄｅｃａｎｅ）および前記トリシクロデカンと連結される末端基を含むことができる。前記トリシクロデカンと連結される末端基は、前記第２化合物が互いに炭素二重結合（Ｃ＝Ｃ結合）で連結され得る多様な物質を含むことができる。詳しく、前記トリシクロデカンと連結される末端基は、アクリレート基、エポキシド基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、イソシアネート基を含むことができる。
【0168】
前記第２化合物は、前記トリシクロデカンに連結された末端基同士が互いに連結され得る。詳しく、前記第２化合物は、前記末端基同士の炭素二重結合（Ｃ＝Ｃボンディング）によりクロスリンキング（ｃｒｏｓｓ－ｌｉｎｋｅｄ）されてネットワーク構造を形成することができる。
【0169】
詳しく、図７を参照すると、前記第２化合物は、クロスリンキングされてネットワーク構造を形成して連結され得る。即ち、前記第２化合物は、複数のネットワーク構造を有する結合の集合体であり得る。
【0170】
これにより、前記第２化合物によって形成される前記第２物質は、物質特性により低い誘電率および熱膨張係数を有しながら、ネットワーク構造によって向上した機械的強度を有することができる。
【0171】
図８は、前記絶縁層を構成する前記第１物質と前記第２物質の配列を説明するための図である。
【0172】
前記第１物質と前記第２物質は、前記絶縁層内で１つの単一相に形成され得る。図８を参照すると、前記第１化合物の共有結合によって連結される前記第１物質は、互いにクロスリンクされてネットワーク構造を形成する第２化合物によって形成される第２物質の内部に配置され得る。
【0173】
詳しく、前記第１化合物は、前記第２化合物が化学的に結合して形成される前記第２物質のネットワーク構造の内部に配置されて、前記第１物質と前記第２物質が分離されることを防止することができる。
【0174】
即ち、前記絶縁層は、前記第１物質と前記第２物質は、絶縁層内で相分離されて配置されず、一つの単一相構造に形成され得る。これにより、前記第１物質と前記第２物質の物質特性により、低い誘電率および低い熱膨張係数を有しながら、単一相に形成され得るので、高い機械的強度を有することができる。
【0175】
一方、第１実施例においては、第１絶縁部１１０は、ガラス繊維を含むＰＰＧで絶縁層が構成されており、第２絶縁部１２０および第３絶縁部１３０は、上述したように低誘電率および低熱膨張係数を有するＲＣＣで構成された。
【0176】
これとは異なり、回路基板は、上述したような低誘電率および低熱膨張係数を有するＲＣＣでのみ構成され得る。
【0177】
図９は、第２実施例に係る回路基板の断面図を示す図である。
【0178】
図９を参照すると、回路基板１０００Ａは、絶縁基板１００Ａと、第１パッド１６０と、第１上部金属層１７０と、第２パッド１８０と、第２上部金属層１９０と、第１保護層ＳＲ１と、第２保護層ＳＲ２と、ソルダペースト２００と、電子部品３００と、を含むことができる。
【0179】
前記絶縁基板１００Ａは、複数の絶縁層を含む絶縁部１１０Ａで構成され得る。
【0180】
即ち、前記絶縁部１１０Ａは、下部から第１ないし第８絶縁層１１１ａ、１１２ａ、１１３ａ、１１４ａ、１１５ａ、１１６ａ、１１７ａ、１１８ａ、１１９ａを含むことができる。ただし、実施例においては、前記絶縁部１１０Ａが８層構造で構成されるものと示したが、これに限定されず、絶縁層の数は、増加または減少し得るであろう。
【0181】
言い換えると、第１実施例の絶縁部は、ＰＰＧの第１絶縁部、ＲＣＣの第２絶縁部および第３絶縁部で構成された。
【0182】
これとは異なり、第２実施例における絶縁部は、ＲＣＣでのみ構成され得る。
【0183】
このとき、第２実施例における絶縁部１１０Ａは、上述したように、低誘電率および低熱膨張係数を有しており、これにより、第１実施例と同様のＰＰＧがなくても剛性が確保でき、これによりＲＣＣでのみ構成されても回路基板の剛性に対する信頼性に影響を与えない。
【0184】
図１０は、第３実施例に係る回路基板の断面図を示す図である。
【0185】
図１０を参照すると、回路基板１０００Ｂは、絶縁基板１００Ｂと、第１パッド１６０と、第１上部金属層１７０と、第２パッド１８０と、第２上部金属層１９０と、第１保護層ＳＲ１と、第２保護層ＳＲ２と、ソルダペースト２００と、電子部品３００と、を含むことができる。
【0186】
前記絶縁基板１００Ｂは、複数の絶縁層を含む絶縁部１１０Ｂで構成され得る。
【0187】
即ち、前記絶縁部１１０Ｂは、下部から第１ないし第８絶縁層１１１ｂ、１１２ｂ、１１３ｂ、１１４ｂ、１１５ｂ、１１６ｂ、１１７ｂ、１１８ｂ、１１９ｂを含むことができる。ただし、実施例においては、前記絶縁部１１０Ｂが８層構造で構成されるものと示したが、これに限定されず、絶縁層の数は、増加または減少し得るであろう。
【0188】
言い換えると、前記第１実施例の絶縁部は、ＰＰＧの第１絶縁部、ＲＣＣの第２絶縁部および第３絶縁部で構成された。
【0189】
これとは異なり、第３実施例の絶縁部は、ＲＣＣでのみ構成され得る。
【0190】
このとき、第３実施例における前記絶縁部１１０Ｂは、上述したように、低誘電率および低熱膨張係数を有しており、これにより、第１実施例と同様のＰＰＧがなくても剛性が確保でき、これによりＲＣＣでのみ構成されても回路基板の剛性に対する信頼性に影響を与えない。
【0191】
ここで、実施例における回路パターンは、低粗さを有し、絶縁部１１０Ｂを構成する絶縁層は、低誘電率および低熱膨張係数を有する。
【0192】
これにより、第３実施例における絶縁部１１０Ｂを構成する第１ないし第８絶縁層１１１ｂ、１１２ｂ、１１３ｂ、１１４ｂ、１１５ｂ、１１６ｂ、１１７ｂ、１１８ｂ、１１９ｂのそれぞれの厚さＨ２は、前記回路パターン１４０の厚さＨ１よりも小さいことがある。
【0193】
例えば、前記回路パターン１４０の厚さＨ２は、１２μｍ±２μｍを有することができる。即ち、前記第３絶縁部１３０を構成する各絶縁層の厚さは、１０μｍ～１４μｍの範囲を有することができる。
【0194】
また、前記絶縁部１１０Ｂを構成する第１～第８絶縁層１１１ｂ、１１２ｂ、１１３ｂ、１１４ｂ、１１５ｂ、１１６ｂ、１１７ｂ、１１８ｂ、１１９ｂのそれぞれの厚さＨ２は、８μｍ±２μｍを有することができる。即ち、前記第３絶縁部１３０を構成する各絶縁層の厚さは、６μｍ～１０μｍの範囲を有することができる。
【0195】
これにより、前記絶縁部１１０Ｂを構成する第１～第８絶縁層１１１ｂ、１１２ｂ、１１３ｂ、１１４ｂ、１１５ｂ、１１６ｂ、１１７ｂ、１１８ｂ、１１９ｂ内に配置されるビア１５０の厚さも前記回路パターン１４０の厚さよりも小さいことがある。
【0196】
一方、前記第１実施例における第２絶縁部１２０および第３の絶縁部１３０を構成する絶縁層も、前記第３実施例のような絶縁層で構成され、これにより、第１実施例における第２絶縁部１２０および第３絶縁部１３０を構成するそれぞれの絶縁層の厚さは、前記回路パターンの厚さよりも小さいことがある。
【0197】
以下、前記の第２および第３実施例のような絶縁部１１０Ａ、１１０Ｂを構成できる実施例および比較例による誘電率測定を通じて本発明をより詳細に説明する。このような実施例は、本発明をより詳細に説明するために例示として提示したものにすぎない。したがって、本発明は、このような実施例に限定されない。
【0198】
実施例１
【0199】
絶縁層上に銅層を形成した。このとき、前記回路層の表面のうち前記絶縁層と接触する面上に炭素元素、窒素元素、酸素元素、ケイ素元素、硫黄元素および金属元素を含むコーティング層をコーティングした後、銅層と絶縁層とを接着した。
【0200】
次いで、前記銅層をパターニングして回路パターンを形成して回路基板を製造した。
【0201】
このとき、前記バッファ層は、ヒドロキシ基（-ＯＨ）とアゾール基のＮ基を含む第１官能基と、シラン基のＳｉ基およびチオシアネート基（-ＳＣＮ）を含む第２官能基とを含んでいた。
【0202】
次いで、前記回路パターンの粗さの大きさによる接着力および信頼性評価を行った。
【0203】
比較例１
【0204】
銅層にコーティング層を形成せず、前記絶縁層上に直接銅層を接着して銅層を形成し、銅層をパターニングして回路パターンを形成した点を除いては実施例と同様に回路パターンを形成した後、前記回路パターンの粗さの大きさによる接着力および信頼性評価を行った。
【0205】
接着力・信頼性測定方法
【0206】
実施例および比較例に係る回路パターンの接着力評価は、ＵＴＭ装置を用いてＵＴＭ９０°Ｐｅｅｌ値を測定した。
【0207】
また、信頼性評価は、回路パターンのｐｅｅｌ ｓｔｒｅｎｇｔｈ（ｋｇｆ／ｃｍ）が０．６未満の場合、ＮＧと評価した。
【0208】
【表1】
【0209】
【表2】
【0210】
表１および表２を参照すると、実施例１に係る回路基板は、比較例１に係る回路基板と比べて向上した信頼性を有することが分かる。詳しく、実施例１に係る回路基板は、絶縁層上のコーティング層このコーティングされた回路パターンを形成する。これにより、コーティング層が絶縁層と回路パターンに化学的にしっかりと結合するにより、回路パターンのピール値（ｐｅｅｌ ｓｔｒｅｎｇｔｈ）を増加させて、回路パターンの接着力および回路基板の信頼性を向上させることができることが分かる。実施例１に係る回路基板は、回路パターンの粗さが減少しても回路基板の信頼性を確保できる接着力を有し得ることが分かる。詳しく、実施例１に係る回路基板は、回路パターンの表面粗さが０．５以下または０．１～０．５の範囲でも回路基板の信頼性を確保できる接着力を有し得ることが分かる。
【0211】
即ち、実施例１に係る回路基板は、高周波用途に適用するとき、回路パターンの粗さを減少させて、表皮効果（ｓｋｉｎ ｅｆｆｅｃｔ）による伝送損失を減少させることがあり、低い表面粗さを有してもコーティング層により回路パターンの接着力を向上させて、回路パターンの信頼性を確保することができる。
【0212】
一方、比較例１に係る回路基板の場合、絶縁層上に直接回路パターンが形成される。したがって、絶縁層と回路パターンが異種物質で形成されることによって、回路パターンの接着力、即ち、ピール値（ｐｅｅｌ ｓｔｒｅｎｇｔｈ）が非常に低いことが分かる。
【0213】
即ち、比較例１に係る回路基板は、回路パターンの表面粗さを増加させなければ信頼性を確保できず、回路パターンが低い表面粗さを有する場合、回路基板の信頼性が低下することが分かる。
【0214】
したがって、比較例１に係る回路基板は、高周波用途に適用するとき、回路パターンの表面粗さによって表皮効果（ｓｋｉｎ ｅｆｆｅｃｔ）による伝送損失が増加することが分かる。
【0215】
実施例２
【0216】
絶縁層上に銅層を形成した。
【0217】
次いで、前記銅層をパターニングして回路パターンを形成して回路基板を製造した。
【0218】
このとき、前記絶縁層はポリフェニルエーテル（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｉｌ Ｅｔｅｒ，ＰＰＥ）およびトリシクロデカン（ｔｒｉｃｙｃｌｏｄｅｃａｎｅ）にアクリレートが連結されたトリシクロデカンベースのジアクリレート（Ｔｒｉｃｙｃｌｏｄｅｃａｎｅ ｂａｓｅｄ ｄｉ－ａｃｒｙｌｅｔｅ）をトルエン溶媒に入れた後、約１００℃の温度で混合を進行した後、Ａｚｏ化合物開始剤と過酸化物開始剤を入れて形成した。
【0219】
次いで、周波数の大きさを変えて、前記ポリフェニルエーテル（Ａ）とトリシクロデカンベースのジアクリレート（Ｔｒｉｃｙｃｌｏｄｅｃａｎｅ ｂａｓｅｄ ｄｉ－ａｃｒｙｌｅｔｅ）（Ｂ）の重量比による絶縁層の誘電率、信頼性、熱膨張係数を測定した。
【0220】
【表3】
【0221】
【表4】
【0222】
【表5】
【0223】
表３ないし表５を参照すると、実施例に係る絶縁層は、ポリフェニルエーテル（Ａ）とトリシクロデカンベースのジアクリレート（Ｔｒｉｃｙｃｌｏｄｅｃａｎｅ ｂａｓｅｄ ｄｉ－ａｃｒｙｌｅｔｅ）（Ｂ）が４：６～６：４の比を満たすとき、低い誘電率と熱膨張係数を有するとともに向上した機械的強度により向上した信頼性を有することが分かる。一方、前記絶縁層がポリフェニルエーテル（Ａ）とトリシクロデカンベースのジアクリレート（Ｔｒｉｃｙｃｌｏｄｅｃａｎｅ ｂａｓｅｄ ｄｉ－ａｃｒｙｌｅｔｅ）（Ｂ）の比を満たさない場合、機械的強度が低下して絶縁層にクラックが発生することがあり、誘電率が増加して、高周波用回路基板の絶縁層として使用するのに不適合であることが分かる。
【0224】
実施例に係る回路基板は、絶縁層と回路パターンとの間に配置されるバッファ層を含むことができる。
【0225】
即ち、実施例に係る回路基板は、回路パターンの表面にバッファ層を形成するか、絶縁層上にバッファ層を形成することができる。
【0226】
前記バッファ層は、前記絶縁層と前記回路パターンとの間に配置され、前記絶縁層と前記回路パターンとの密着力を向上させることができる。
【0227】
即ち、前記絶縁層と前記回路パターンは、それぞれ樹脂物質および金属とを含む異種物質であって、前記絶縁層上に前記回路パターンを形成するとき、接着力が低下するという問題点がある。
【0228】
したがって、前記絶縁層と前記回路パターンとの間に、前記絶縁層と前記回路パターンとそれぞれ化学的に結合するバッファ層を配置して、前記絶縁層と前記回路パターンとの密着力を向上させることができる。
【0229】
即ち、前記バッファ層は、前記絶縁層と前記回路パターンと結合する複数の官能基を含み、前記官能基が前記絶縁層および前記回路パターンと共有結合又は配位結合により化学的に結合することにより、前記絶縁層と前記回路パターンの密着力を向上させることができる。
【0230】
これにより、前記絶縁層の表面粗さを減少させても、前記絶縁層と前記回路パターンとの密着信頼性を確保することができる。
【0231】
したがって、実施例に係る回路基板を高周波用途に使用する場合でも、回路パターンの表面粗さを低く保って、高周波信号の伝送損失を減少させることができ、回路パターンの表面粗さを低く保っても、バッファ層により絶縁層と回路パターンとの密着力を確保できるので、回路パターンの全体的な信頼性を確保することができる。
【0232】
また、実施例に係る回路基板は、低い誘電率および熱膨張係数を有し、向上した強度を有する絶縁層を含むことができる。
【0233】
詳しく、前記絶縁層は、低い誘電率および向上した強度を有する第１物質と第２物質とを含み、前記絶縁層内で、前記第１物質が前記第２物質のネットワーク構造の内部に配置されるように形成することによって、前記第１物質と前記第２物質との相分離を防止することができる。したがって、前記絶縁層は、前記第１物質と前記第２物質とを単一相に形成することができるので、絶縁層の強度を向上させることができる。
【0234】
即ち、クロスリンキングによりネットワーク構造を有する前記第２物質のプレボリューム、即ち、分子運動（ｍｏｌｅ ｍｏｔｉｏｎ）を増加させて、ネットワーク構造を有する高分子鎖が近く配置されないように構造化することができ、ネットワーク構造の内部には、前記第１物質が部分的に配置されることによって、前記第１物質と前記第２物質を絶縁層の内部で単一相に形成させることができる。
【0235】
したがって、実施例に係る回路基板を高周波用途に使用する場合でも、絶縁層の誘電率を減少させて、高周波信号の伝送損失を減少させることができ、絶縁層の熱膨張係数および機械的強度を向上させて、回路基板の全体的な信頼性を確保することができる。
【0236】
また、実施例に係る回路基板は、低い誘電率および低い熱窓係数を有する絶縁層を含むので、既存のガラス繊維を含む絶縁層をに代替することができる。具体的に、実施例に係る回路基板は、絶縁層内に含まれたガラス繊維を除去することができる。具体的に、実施例に係る回路基板は、ＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ ｃｏａｔｅｄ ｃｏｐｐｅｒ）を構成するレジンとフィラーを用いて絶縁層の誘電率および熱膨張係数を容易に調整可能であり、これにより既存のガラス繊維を含まないＲＣＣで絶縁層を構成することにより、印刷回路基板の全体的な厚さを減少させることができる。さらに、実施例に係る回路基板は、低い熱膨張係数を有する絶縁層で構成されるので、強度を確保するためのコア層を除去できるだけでなく、絶縁層の厚さを減らすことができ、これによって回路パターンの厚さよりも小さい厚さを有する絶縁層を提供することができる。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【手続補正書】
【提出日】2022-03-01
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上面に配置された第１回路パターンと、
前記第１絶縁層の下面に配置された第２回路パターンと、
前記第１絶縁層および前記第１回路パターンの上面に配置された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の上面に配置された第３回路パターンと、
前記第１絶縁層および前記第２回路パターンの下面に配置された第３絶縁層と、
前記第３絶縁層の下面に配置された第４回路パターンと、を含み、
前記第１絶縁層は、ガラス繊維を含むプリプレグを含み、
前記第２および前記第３絶縁層は、ＲＣＣを含む、回路基板。
【請求項2】
第１絶縁層は、第２絶縁層と第３絶縁層との間に複数の層で構成され、
第１回路パターンは、複数の層で構成された第１絶縁層の上面にそれぞれ配置され、
前記第２回路パターンは、前記複数の層で構成された第１絶縁層の下面にそれぞれ配置される、請求項１に記載の回路基板。
【請求項3】
前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層および前記第１回路パターンの上面に複数の層で構成され、
前記第３回路パターンは、複数の層で構成された第２絶縁層の上面にそれぞれ配置される、請求項１に記載の回路基板。
【請求項4】
前記第３絶縁層は、前記第１絶縁層および前記第２回路パターンの下面に複数の層で構成され、
前記第４回路パターンは、前記複数の層で構成された第３絶縁層の下面にそれぞれ配置される、請求項１に記載の回路基板。
【請求項5】
前記第１絶縁層の厚さは、前記第２および第３絶縁層のそれぞれの厚さよりも大きい、請求項１に記載の回路基板。
【請求項6】
前記第１絶縁層の厚さは、前記第１および第２回路パターンの厚さよりも大きく、
前記第２絶縁層の厚さは、前記第３回路パターンの厚さよりも小さく、
前記第３絶縁層の厚さは、前記第４回路パターンの厚さよりも小さい、請求項１に記載の回路基板。
【請求項7】
前記第２絶縁層の厚さは、前記第１、第２および第４回路パターンの厚さよりも小さい、請求項６に記載の回路基板。
【請求項8】
前記第３絶縁層の厚さは、前記第１ないし第３回路パターンの厚さよりも小さい、請求項６に記載の回路基板。
【請求項9】
前記第１絶縁層を貫通する第１ビアと、
前記第２絶縁層を貫通する第２ビアと、
前記第３絶縁層を貫通する第３ビアと、を含み、
前記第１厚さは、前記第１回路パターンの厚さよりも大きく、
前記第２ビアの厚さは、前記第３回路パターンの厚さよりも小さく、
前記第３ビアの厚さは、前記第４回路パターンの厚さよりも小さい、請求項６に記載の回路基板。
【請求項10】
前記第２ビアの厚さは、前記第１、第２および第４回路パターンの厚さよりも小さい、請求項９に記載の回路基板。
【請求項11】
前記第３ビアの厚さは、前記第１ないし第３回路パターンの厚さよりも小さい、請求項９に記載の回路基板。
【請求項12】
前記第２および第３絶縁層は、ポリフェニルエーテル〈Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌ Ｅｔｈｅｒ、ＰＰＥ〉を含む第１化合物、トリシクロデカン（ｔｒｉｃｙｃｌｏｄｅｃａｎｅ）および前記トリシクロデカンと連結される末端基を含む第２化合物を含み、前記第１化合物と前記第２化合物の重量比は、４：６～６：４である、請求項１に記載の回路基板。
【請求項13】
前記末端基は、アクリレート基、エポキシド基、カルボキシル基およびヒドロキシル基、イソシアネート基のうち少なくとも一つを含む、請求項１２に記載の回路基板。
【請求項14】
前記第１化合物および前記第２化合物は、化学的に非結合する、請求項１２に記載の回路基板。
【請求項15】
前記第２および第３絶縁層のそれぞれの熱膨張係数および誘電率は、前記第１絶縁層の熱膨張係数および誘電率よりも小さい、請求項１に記載の回路基板。
【請求項16】
前記第２および第３絶縁層のそれぞれの誘電率は、２．０３～２．７である、請求項１５に記載の回路基板。
【請求項17】
複数の絶縁層を含む絶縁部と、前記複数の絶縁層の表面にそれぞれ配置された回路パターンと、
前記複数の絶縁層内に配置され、互いに異なる層に配置された回路パターンを連結するビアと、を含み、
前記複数の絶縁層のそれぞれは、ＲＣＣ（ｒｅｓｉｎ ｃｏａｔｅｄ ｃｏｐｐｅｒ）で構成され、
前記複数の絶縁層のそれぞれの誘電率は、２．０３～２．７である、回路基板。
【請求項18】
前記複数の絶縁層それぞれの厚さは、前記回路パターンの厚さよりも小さく、
前記ビアの厚さは、前記回路パターンの厚さよりも小さい、請求項１７に記載の回路基板。
【請求項19】
前記複数の絶縁層それぞれは、第１物質および第２物質を含み、
前記第１物質は、互いに化学的に結合する第１化合物を含み、
前記第２物質は、互いに化学的に結合する第２化合物を含み、
それぞれの第１化合物は、ポリフェニルエーテル（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌ Ｅｔｈｅｒ、ＰＰＥ）を含み、
それぞれの第２化合物は、トリシクロデカン（ｔｒｉｃｙｃｌｏｄｅｃａｎｅ）および前記トリシクロデカンと連結される末端基を含む、請求項１７に記載の回路基板。
【請求項20】
前記第２化合物は、前記末端基を介して互いに結合し、
前記末端基は、アクリレート基、エポキシド基、カルボキシル基およびヒドロキシル基、イソシアネート基のうち少なくとも一つを含む、請求項１９に記載の回路基板。
【国際調査報告】