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特表2022-546478磁気手段を用いて分子を捕捉するためのキットおよび方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2022-11-04
(54)【発明の名称】磁気手段を用いて分子を捕捉するためのキットおよび方法
(51)【国際特許分類】
G01N 33/543 20060101AFI20221027BHJP
C07K 17/00 20060101ALN20221027BHJP
【ＦＩ】
G01N33/543 541A
C07K17/00
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2022513479
(86)(22)【出願日】2020-08-31
(85)【翻訳文提出日】2022-04-25
(86)【国際出願番号】 EP2020074233
(87)【国際公開番号】W WO2021038107
(87)【国際公開日】2021-03-04
(31)【優先権主張番号】1909561
(32)【優先日】2019-08-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】FR
(81)【指定国・地域】
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．マジックテープ
２．ＴＷＥＥＮ
(71)【出願人】
【識別番号】506316557
【氏名又は名称】サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィック
(71)【出願人】
【識別番号】506079836
【氏名又は名称】アンスティテュー ポリテクニーク ドゥ グルノーブル
(74)【代理人】
【識別番号】100106091
【弁理士】
【氏名又は名称】松村 直都
(74)【代理人】
【識別番号】100079038
【弁理士】
【氏名又は名称】渡邉 彰
(74)【代理人】
【識別番号】100199369
【弁理士】
【氏名又は名称】玉井 尚之
(72)【発明者】
【氏名】ブレア ギヨーム
(72)【発明者】
【氏名】クガート オルフェ
(72)【発明者】
【氏名】ヴィエイユ ヴィクトル
【テーマコード（参考）】
4H045
【Ｆターム（参考）】
4H045AA30
4H045BA60
4H045BA62
4H045BA63
4H045DA75
4H045DA76
4H045DA86
4H045EA50
(57)【要約】
本発明は、少なくとも１つの第１および第２の領域の繰り返し可能な並置を含む少なくとも１つの磁性層によって、試料中に含有される分子を捕捉するためのキットおよび方法に関し、第１の領域は、第１の方向に分極された磁性粒子を含み、第２の領域は、分極されていないか、または第１の領域の磁性粒子の第１の分極方向とは異なる第２の方向に分極された磁性粒子を含み、該少なくとも１つの磁性層から少なくとも１μｍの距離において少なくとも０．１ｍＴの強度の少なくとも１つの変動を有する磁場を生成し、該変動は、該磁場の強度の水準の最大およびそれとともに捕捉支持体上の磁性ナノ粒子を捕捉するためのレベルを規定する。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
試料中に含有される分子を捕捉するためのキットであって、ａ）１μｍ未満の最大寸法を有する磁性ナノ粒子であって、前記ナノ粒子が、それぞれ少なくとも１つの捕捉要素に結合され、前記少なくとも１つの捕捉要素が、前記分子に特異的に結合する、磁性ナノ粒子と、
ｂ）少なくとも１つの磁性層を含むか、またはそれから本質的になる前記磁性ナノ粒子を捕捉するための支持体であって、前記磁性層が、少なくとも第１および第２の領域の繰り返し可能な並置を含み、前記第１の領域が、第１の方向に分極された磁性粒子を含み、前記第２の領域が、分極されていないか、または前記第１の領域の前記磁性粒子の前記第１の分極方向とは異なる第２の方向に分極された磁性粒子を含み、それにより、前記少なくとも１つの磁性層が、前記少なくとも１つの磁性層から少なくとも１μｍの距離において少なくとも０．１ｍＴの強度の少なくとも１つの変動を有する磁場を生成し、前記強度の少なくとも１つの変動が、前記磁場の前記強度の水準の最大および最小を規定し、前記磁場の前記水準の前記最大において、前記捕捉支持体上に前記磁性ナノ粒子を捕捉するためのゾーンを画定する、支持体と
を含む、キット。
【請求項2】
前記少なくとも１つの磁性層が、２０００～３０，０００μｍ・Ｇａｕｓｓの保磁力を有する、請求項１に記載のキット。
【請求項3】
少なくとも１つの追加の磁場源をさらに含む、請求項１または２に記載のキット。
【請求項4】
前記少なくとも１つの磁性層が、捕捉面を有し、前記少なくとも１つの磁性層が、非磁性層によって前記捕捉面上で少なくとも部分的に覆われている、請求項１～３のいずれか１つに記載のキット。
【請求項5】
前記非磁性層が、１～３００μｍの厚さを有する、請求項４に記載のキット。
【請求項6】
試料中に含有される分子を捕捉する方法であって、前記方法が、ａ）前記試料を、請求項１に記載の磁性ナノ粒子と接触させて、前記分子と、前記磁性ナノ粒子に結合された前記少なくとも１つの捕捉要素との間に、少なくとも１つの捕捉複合体を形成するステップ、
ｂ）前記少なくとも１つの捕捉複合体が、請求項１に記載の少なくとも１つの捕捉ゾーンにおいて請求項１～５のいずれか１つに記載の捕捉支持体に対して固定化されるように、ステップａ）の間に形成された前記少なくとも１つの捕捉複合体を、前記捕捉支持体の少なくとも１つの磁性層によって生成された前記磁場によって誘引するステップ
を含む、方法。
【請求項7】
ステップｂ）の間の前記少なくとも１つの捕捉複合体の前記誘引が、前記少なくとも１つの磁性層によって生成された前記磁場と、請求項３に記載の少なくとも１つの追加の磁場源によって生成された前記磁場との共同作用によって実行される、請求項６に記載の方法。
【請求項8】
前記捕捉支持体が、請求項５に記載の非磁性層をさらに含み、ステップｂ）の間の前記捕捉支持体による前記少なくとも１つの捕捉複合体の前記誘引が、前記少なくとも１つの追加の磁場源の前記磁場によって誘発される、請求項７に記載の方法。
【請求項9】
前記試料が、前記磁性ナノ粒子と接触させるステップａ）の前に前記捕捉支持体に配置される、請求項８に記載の方法。
【請求項10】
試料中に含有される分子の前記捕捉のための、有利には、試料中に含有される分子の前記捕捉および検出のための、請求項１～５のいずれか１つに記載の上記で定義されるキットの使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、分子を捕捉するためのキットに関する。本発明はまた、分子を捕捉するための方法に関する。
【背景技術】
【0002】
ＥＬＩＳＡ試験（「Enzyme-Linked ImmunoSorbent Assay」の頭文字）は、概して、流体、生検、培養物、または任意の他の試料に存在する分子マーカー（抗原、抗体など）を定量的に診断するために使用されている。
【0003】
しかし、この技術は、現在、最も堅牢で、最も普及している診断方法の１つであるが、複雑で、高価なオートマトンを使用し、時間も数時間に及ぶという欠点がある。
【0004】
ＥＬＩＳＡ試験は、不均一相のイムノアッセイ技術である。すなわち、アッセイされる分子を捕捉するために、好適な分子が事前に結合された固体支持体（通常、複数のウェルを含む滴定プレート）が必要である。
【0005】
対象の分子が該支持体上で捕捉されると、洗浄により、試料の残りの部分を除去し、該分子を検出および定量化するステップに進むことが可能になる。
【0006】
例えば、抗原を溶液中でアッセイすることを可能にする、いわゆる「サンドイッチ型」ＥＬＩＳＡ試験の場合、支持体の表面は、所定の量のいわゆる捕捉抗体で覆われており、該抗体は、所望の抗原と結合するのに好適である。
【0007】
次に、該抗原を含有し得る溶液が支持体に適用される；該抗原は、支持体の表面上に位置する捕捉抗体に結合する。
【0008】
次いで、支持体を洗浄して、溶液中に残存する任意の非結合抗原が除去される。次に、検出手段に結合した、検出抗体と称される抗体を含有する溶液を支持体上に堆積させ、ここで、当該検出手段は、支持体上に固定された抗原に結合するように適合されている。該検出抗体は、直接マーキングされ、検出可能なシグナルを放出することができるが、基質を触媒して検出可能なシグナルを放出する酵素と結合させることもできる。
【0009】
新たに洗浄ステップを設けることで、検出抗体と結合した抗原が支持体上に保持され、該抗体自体が酵素に結合される。
【0010】
最後に、抗原を検出および定量化するために、基質が支持体上に堆積され、これは、酵素によって、抗原と検出抗体との間の結合を表す検出可能なシグナル（例えば、分光学的にまたは蛍光発光によって分析される色）に変換される。
【0011】
該シグナルは、肉眼で、または分光光度計などの器具によって観察され得る。
【0012】
非特許文献１には、ＮｄＦｅＢ磁性粒が固定化されたポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）マトリックスの下に配置された流体マイクロチャネル内で該試料を循環させることによって試料中の分子を捕捉する方法が記載されている。
【0013】
特許文献１には、試料中の分子を捕捉する方法であって、該試料を磁性粒子と混合するステップであって、該粒子の各々が、捕捉される該分子に選択的に結合することができる要素と結合して、磁性粒子、該要素、および該要素に結合した該分子を含む少なくとも１つの複合体を形成する、ステップと、該少なくとも１つの複合体を、規則的な磁場微小発生源を含む支持体上に固定化するステップと、を含む方法が記載されている。
【0014】
これらの規則的な磁場微小発生源は、所定のパターンに従って試料と接触するように意図された支持体の表面の近傍に分布し、また所定の磁気配向を有している。
【0015】
この文献に記載された方法は興味深い。しかしながら、捕捉支持体は、特に清浄な環境において、製造および工業化することが困難であり、これは高い製造コストを要することを意味している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0016】
【特許文献1】国際公開第２０１４／１１１１８７号
【非特許文献】
【0017】
【非特許文献1】D.Issadoreら著、「Lab Chip」、2011年、第11巻、p.147
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0018】
本発明の目的は、特に、従来技術のこれらの欠点を克服することである。
【0019】
より正確には、本発明の目的は、高性能磁気手段により試料中に含有される分子を捕捉するためのキットおよび方法であって、低コストの生産技術と適合性のある、低減された経済的フットプリントを有するキットおよび方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0020】
したがって、本発明は、試料中に含有される分子を捕捉するためのキットに関し、当該キットは、
ａ）１μｍ未満の最大寸法を有する磁性ナノ粒子であって、該ナノ粒子が、それぞれ少なくとも１つの捕捉要素に結合され、該少なくとも１つの捕捉要素が、該分子に特異的に結合する、磁性ナノ粒子と、
ｂ）少なくとも１つの磁性層を含むか、またはそれから本質的になる該磁性ナノ粒子を捕捉するための支持体であって、該磁性層が、少なくとも第１および第２の領域の繰り返し可能な並置を含み、第１の領域が、第１の方向に分極された磁性粒子を含み、第２の領域が、分極されていないか、または第１の領域の磁性粒子の第１の分極方向とは異なる第２の方向に分極された磁性粒子を含み、それにより、該少なくとも１つの磁性層が、該少なくとも１つの磁性層から少なくとも１μｍの距離において少なくとも０．１ｍＴの強度の少なくとも１つの変動を有する磁場を生成し、該磁場の強度の少なくとも１つの変動が、該磁場の強度の水準の最大および最小を規定し、該磁場の水準の該最大において、捕捉支持体上に磁性ナノ粒子を捕捉するためのゾーンを画定する、支持体と
を含む。
ａ）１μｍ未満の最大寸法を有する磁性ナノ粒子であって、該ナノ粒子が、それぞれ少なくとも１つの捕捉要素に結合され、該少なくとも１つの捕捉要素が、該分子に特異的に結合する、磁性ナノ粒子と、
ｂ）少なくとも１つの磁性層を含むか、またはそれから本質的になる該磁性ナノ粒子を捕捉するための支持体であって、該磁性層が、少なくとも第１および第２の領域の繰り返し可能な並置を含み、第１の領域が、第１の方向に分極された磁性粒子を含み、第２の領域が、分極されていないか、または第１の領域の磁性粒子の第１の分極方向とは異なる第２の方向に分極された磁性粒子を含み、それにより、該少なくとも１つの磁性層が、該少なくとも１つの磁性層から少なくとも１μｍの距離において少なくとも０．１ｍＴの強度の少なくとも１つの変動を有する磁場を生成し、該磁場の強度の少なくとも１つの変動が、該磁場の強度の水準の最大および最小を規定し、該磁場の水準の該最大において、捕捉支持体上に磁性ナノ粒子を捕捉するためのゾーンを画定する、支持体と
を含む。
【0021】
本発明者らは、全ての予想に反して、弱い磁気特性を有する磁性粒子を有する磁性層を使用して捕捉要素に結合されたナノ粒子を誘引することが可能であることを発見した。
【発明を実施するための形態】
【0022】
本発明で使用される磁性層は、可撓性であり、特に磁気テープに対応する。本発明の磁性層は、ポリマー中にランダムに分布するか、または別様で予備配向軸に沿って配向されたフェライトなどの磁性複合体材料から構成される。フェライトは、高圧および高温（１０００℃超）で酸化鉄Ｆｅ２Ｏ３ＸＯから成形することによって得られる強磁性セラミックであり、Ｘはマンガン、亜鉛、コバルト、ニッケル、バリウム、ストロンチウムなどであり得る。
【0023】
したがって、本発明は、溶液中のナノメートル磁性粒子の捕捉に適用するために、消磁することが困難である、堅牢な情報記憶装置（オーディオおよびビデオカセット、クレジットカード、バッジ、輸送チケットなど）に一般に使用される磁気テープの使用を転用することにある。
【0024】
本明細書の残りの部分の明確化のために、本発明による磁性層を構成する磁性粒子は、捕捉要素に結合された「磁性ナノ粒子」と明確に区別するために「粉末」または「磁性粒」と称される。
【0025】
本発明の磁性層は「符号化」されており、すなわち、それらを構成する磁性粒の少なくとも一部が分極／磁化されている。以下、「分極」および「磁化」という用語を同義語とし、一様に用いる。
【0026】
この符号化（またはこの分極）は、ランダムに実行されるのではなく、第１の方向に分極された磁性粒を含む第１の領域と、分極されていないか、または磁性粒の第１の分極方向とは異なる第２の方向に分極された磁性粒を含む第２の領域との少なくとも１つの並置を明らかにし、それによって第１の領域と第２の領域との間に少なくとも１つの接合を画定するように構成される。したがって、各領域は（分極されると）それ自体の磁場を放出し、その結果、磁性層を複数の磁場源としてモデリングすることができる。
【0027】
該少なくとも１つの磁性層を構成する磁性粒の分極は、特に、磁気テープ符号化の分野で周知の書込みヘッドを用いて行われる。通常、局所磁場は、小型電磁石によって磁性層の領域に印加される。
【0028】
第１および第２の分極領域のこの特定の並置により、該少なくとも１つの磁性層から少なくとも１μｍの距離において、生成される磁場の強度の変動を生じさせ、それにより、磁場の強度の水準の最大および最小を生じさせることが可能になる。磁場の強度の水準は、磁場の強度の絶対値（単位：テスラ）に対応する。本発明では、代わりに「強度の水準」および「水準」という用語を用いることができる。磁場の強度の水準の最大により、該懸濁されたナノ粒子を誘引し、該磁性ナノ粒子は、それらがナノ粒子の磁気エネルギーの「極小値」または「エネルギーシンク」と称されるように、それらの磁気エネルギーを最小にするゾーンを生成する。
【0029】
したがって、該磁性層の表面上への正射影により、磁場の強度の水準の最大は、ナノ粒子の捕捉ゾーンを画定する。したがって、捕捉ゾーンおよびエネルギーシンクは、同じ場所で一致する。
【0030】
これらの捕捉ゾーンは、磁場強度の水準の最大または各最大の該磁性層の表面上の正射影から最大で３５μｍの距離にわたって延在する。「最大３５μｍ」とは、３５μｍ、３４μｍ、３３μｍ、３２μｍ、３１μｍ、３０μｍ、２９μｍ、２８μｍ、２７μｍ、２６μｍ、２５μｍ、２４μｍ、２３μｍ、２２μｍ、２１μｍ、２０μｍ、１９μｍ、１８μｍ、１７μｍ、１６μｍ、１５μｍ、１４μｍ、１３μｍ、１２μｍ、１１μｍ、１０μｍ、９μｍ、８μｍ、７μｍ、６μｍ、５μｍ、４μｍ、３μｍ、２μｍおよび１μｍを意味する。
【0031】
ナノ粒子の磁気エネルギー（Ｅ）は、以下の式に従って、該少なくとも１つの磁性層によって生成される磁場
【0032】
【数1】
【0033】
によるナノ粒子
【0034】
【数2】
【0035】
の磁化の内積の反対に等しい。
【0036】
【数3】
【0037】
式中、Ｅはナノ粒子の磁気エネルギー（単位：ジュール）であり、
Ｍはナノ粒子の磁化（単位：アンペア毎メートル）であり、
Ｂは磁場の強度（単位：テスラ）である。
Ｍはナノ粒子の磁化（単位：アンペア毎メートル）であり、
Ｂは磁場の強度（単位：テスラ）である。
【0038】
本発明で使用される磁性を有する材料の場合の磁化は、磁場の強度の厳密に増大する関数であり、その結果、ナノ粒子の磁気エネルギーの最小は、磁場の水準の最大に対応し、したがって捕捉ゾーンに対応する。
【0039】
磁性ナノ粒子が、該少なくとも１つの磁性層によって生成された単一の磁場によって磁化される場合、捕捉ゾーンは、第１の領域および第２の領域の接合部に位置する。
【0040】
該少なくとも１つの磁性層によって生成される磁場は、少なくとも０．１ｍＴかつ最大で１Ｔ、有利には少なくとも０．１ｍＴかつ最大で５００ｍＴ、より有利には少なくとも０．５ｍＴかつ最大で３００ｍＴ、さらにより有利には少なくとも１ｍＴかつ最大で２００ｍＴの強度の変動を示す。
【0041】
磁場の強度におけるこれらの変動は、強い磁場勾配、すなわち、ナノ粒子のブラウン運動に関して有意な捕捉力を発揮するのに十分な磁場勾配を生成することを可能にする。したがって、かかる磁場勾配は局在化される。さらに、該勾配は、捕捉ゾーンを指しており、該少なくとも１つの磁性層から１０μｍの距離で少なくとも１０Ｔｍ－１、有利には１０Ｔ・ｍ－１～１０５Ｔ・ｍ－１、さらにより有利には５００Ｔ・ｍ－１～５×１０３Ｔ・ｍ－１の値を有する。このようにして、強い磁場勾配は、懸濁されたナノ粒子を該少なくとも１つの磁性層の捕捉ゾーンに向かって誘導する。
【0042】
磁性ナノ粒子が該少なくとも１つの磁性層によって捕捉されると、それらは、その捕捉ゾーンまたは各捕捉ゾーンに位置決めされる。この特定の位置決めは、以下でより詳細に説明するように、捕捉された分子を直接検出および定量化するために非常に興味深い。
【0043】
磁場の強度は、ＭＯＩＦ（Magneto-Optical Imaging Film：磁気光学イメージング膜）と称される磁気光学技術によって測定することができる。
【0044】
ＭＯＩＦ技術はファラデー効果に基づいている。一般に、この技術は、強度を測定しようとする物体の磁場中に、その光学特性が磁場によって既知の方法で影響を受ける材料から構成された平坦膜を浸漬することからなる。通常、該膜は、該物体に付着している。該平坦膜は、試験物体のゾーンの幅および長さと少なくとも等しい幅および長さを有する。この第１のステップに続いて、該平坦膜は、既知の振幅および分極の光のビームによって照射され、このビームは、該平坦膜を通過する。分極および該平坦膜を通過した光ビームの振幅の分析により、その中に存在する磁場の平面成分の測定値が得られる。ＭＯＩＦ技術による物体の磁場の強度の例示的な測定は、論文Grechishkin et al., J. Appl. Phys.120,174502(2016)によって与えられる。
【0045】
実際には、その厚さが典型的には１マイクロメートル未満であり、磁気光学材料（例えば、希土類系ガーネット）から構成される薄い平面膜が、透明な非磁性基板（例えば、ガラス、石英、またはシリカ）上に堆積され、次いで、非常に薄い反射層、ミラー（例えば、金、銀、またはアルミニウム製）で覆われ、その厚さは１００ｎｍ未満である。したがって、磁気光学材料化合物の膜は、その面の一方が透明な非磁性基板で覆われ、他方の面が反射層で覆われる。このアセンブリは、本発明による捕捉支持体などの磁場を放出する物体に取り付けられている。次いで、磁気光学材料の膜は、最初に透明な非磁性層（その光学容量は磁性物体の磁場の影響を受けず、したがって、該ビームの分極に入射しない）を通過する分極光のビームで照射され、次に光学材料の膜（磁性物体によって生成された磁場が光学特性に影響を及ぼし、したがって、ビームの分極に入射する）を通過し、反射層によって反射され、再び光学材料の膜（ビームの分極に再び影響を及ぼす）を通過し、次に再びガラス（ビームの分極に影響を及ぼさない）を通過して、分極分析器で終了する。入射ビームに対する反射ビームの分極の回転角は、磁場、ガーネットのファラデー回転係数、および磁気光学材料の厚さに比例する。したがって、該少なくとも１つの磁性層によって生成される磁場の強度の分布は、磁場の強度の関数として光ビームのファラデー効果による回転を表す較正曲線によって得られる。この曲線は、使用される磁気光学材料に固有である。
【0046】
特に、磁場の強度は、磁気光学材料の膜としてDLGi5タイプのガーネットを使用し、分極分析器としてモデルＣセンサを有する、MATESY GmbH社によって市販されているMagView CMOSシステムを使用するＭＯＩＦ技術によって測定することができ、その較正曲線は図１１に示されている。この装置では、光を反射させる必要がないように、ミラーはＣＭＯＳセンサに置き換えられる。
【0047】
結果は、数値シミュレーションおよび分析シミュレーションによって、例えば、以下の２つのアプローチのうちの１つによって確認され得る：
－COMSOL Multiphysics（登録商標）５．０モデリングソフトウェアを使用して実行される有限要素アプローチ；このソフトウェアは、１０ｍｍの厚さを有する二次元環境において数値シミュレーションが実行されることを可能にする；上流では、該少なくとも１つの磁性層の厚さおよび幅が、一方では典型的には明視野顕微鏡画像を使用して光学的に測定され、他方ではその残光値または影響が測定される；より詳細には以下を参照されたい；これらのデータはソフトウェアに入力され、該少なくとも１つの磁性層によって生成された磁場は、定常状態でＭＦＮＣ（Magnetic Field No Current：磁場無電流）ツールボックスを使用してシミュレートされる、
－いわゆる半分析的アプローチ；このものは、例えば、Chigirinsky S.et al,Advanced Study Center Co.Ltd.,20(2009),85-91の論文において開発されたアプローチに基づいている；ここでも、上流で、該少なくとも１つの磁性層の厚さおよび幅が一方で測定され、該少なくとも１つの磁性層の残留磁気または保磁力の値が他方で測定される；該少なくとも１つの磁性層は、均一な磁化を有する要素の合計に分解され、次いで、各要素の磁場を与える方程式の解析分解が、例えば、Scilab（登録商標）６．０２ソフトウェア（発行者Scilab Enterprises）を使用して行われる；該少なくとも１つの磁性層の各要素によって生成された磁場は、空間の各点において該少なくとも１つの磁性層の他の要素の全てによって生成された磁場に追加される；少なくとも１つの追加の磁場源も存在する場合（より詳細には以下を参照されたい）、該少なくとも１つの追加の磁場源によって生成される磁場は、各点において、該少なくとも１つの磁性層によって生成される全磁場に加えられる。
－COMSOL Multiphysics（登録商標）５．０モデリングソフトウェアを使用して実行される有限要素アプローチ；このソフトウェアは、１０ｍｍの厚さを有する二次元環境において数値シミュレーションが実行されることを可能にする；上流では、該少なくとも１つの磁性層の厚さおよび幅が、一方では典型的には明視野顕微鏡画像を使用して光学的に測定され、他方ではその残光値または影響が測定される；より詳細には以下を参照されたい；これらのデータはソフトウェアに入力され、該少なくとも１つの磁性層によって生成された磁場は、定常状態でＭＦＮＣ（Magnetic Field No Current：磁場無電流）ツールボックスを使用してシミュレートされる、
－いわゆる半分析的アプローチ；このものは、例えば、Chigirinsky S.et al,Advanced Study Center Co.Ltd.,20(2009),85-91の論文において開発されたアプローチに基づいている；ここでも、上流で、該少なくとも１つの磁性層の厚さおよび幅が一方で測定され、該少なくとも１つの磁性層の残留磁気または保磁力の値が他方で測定される；該少なくとも１つの磁性層は、均一な磁化を有する要素の合計に分解され、次いで、各要素の磁場を与える方程式の解析分解が、例えば、Scilab（登録商標）６．０２ソフトウェア（発行者Scilab Enterprises）を使用して行われる；該少なくとも１つの磁性層の各要素によって生成された磁場は、空間の各点において該少なくとも１つの磁性層の他の要素の全てによって生成された磁場に追加される；少なくとも１つの追加の磁場源も存在する場合（より詳細には以下を参照されたい）、該少なくとも１つの追加の磁場源によって生成される磁場は、各点において、該少なくとも１つの磁性層によって生成される全磁場に加えられる。
【0048】
本発明の一実施形態によれば、第２の領域は、第１の領域の磁性粒の第１の分極方向に対して少なくとも３０°ずれた、有利には３０°～１８０°ずれた第２の異なる方向に分極された磁性粒を含む。本発明において、「３０°～１８０°」とは、３０°、３１°、３２°、３３°、３４°、３５°、３６°、３７°、３８°、３９°、４０°、４１°、４２°、４３°、４４°、４５°、４６°、４７°、４８°、４９°、５０°、５１°、５２°、５３°、５４°、５５°、５６°、５７°、５８°、５９°、６０°、６１°、６２°、６３°、６４°、６５°、６６°、６７°、６８°、６９°、７０°、７１°、７２°、７３°、７４°、７５°、７６°、７７°、７８°、７９°、８０°、８１°、８２°、８３°、８４°、８５°、８６°、８７°、８８°、８９°、９０°、９１°、９２°、９３°、９４°、９５°、９６°、９７°、９８°、９９°、１００°、１０１°、１０２°、１０３°、１０４°、１０５°、１０６°、１０７°、１０８°、１０９°、１１０°、１１１°、１１２°、１１３°、１１４°、１１５°、１１６°、１１７°、１１８°、１１９°、１２０°、１２１°、１２２°、１２３°、１２４°、１２５°、１２６°、１２７°、１２８°、１２９°、１３０°、１３１°、１３２°、１３３°、１３４°、１３５°、１３６°、１３７°、１３８°、１３９°、１４０°、１４１°、１４２°、１４３°、１４４°、１４５°、１４６°、１４７°、１４８°、１４９°、１５０°、１５１°、１５２°、１５３°、１５４°、１５５°、１５６°、１５７°、１５８°、１５９°、１６０°、１６１°、１６２°、１６３°、１６４°、１６５°、１６６°、１６７°、１６８°、１６９°、１７０°、１７１°、１７２°、１７３°、１７４°、１７５°、１７６°、１７７°、１７８°、１７９°または１８０°を意味すると理解される。
【0049】
有利には、第２の領域は、少なくとも６０°ずれた、より有利には少なくとも９０°ずれた、さらに有利には少なくとも１２０°ずれた、さらに有利には少なくとも１５０°ずれた、第２の異なる方向に分極された磁性粒を含む。
【0050】
本発明の有利な実施形態によれば、第２の領域は、第１の領域の磁性粒の分極の第１の方向とは反対の第２の方向に分極された磁性粒、すなわち１８０°の分極反転を含む。
【0051】
別の実施形態によれば、第２の領域の磁性粒は分極されない。かかる構成はまた、磁場の強度の変動の発生を可能にし、それにより、該少なくとも１つの磁性層によって生成された磁場の強度の水準の最大を可能にする。
【0052】
本発明の１つの実施形態によると、該少なくとも１つの第１の領域および該少なくとも１つの第２の領域は、同じ寸法を有する。あるいは、それらは、異なる寸法、特に異なる幅および／または長さを有する。
【0053】
本発明の一実施形態によれば、該少なくとも１つの第１の領域および／または該少なくとも１つの第２の領域は、１０～５００μｍの範囲の幅を有する。本発明において、「１０～５００μｍ」とは、１０μｍ、２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ、５０μｍ、６０μｍ、７０μｍ、８０μｍ、９０μｍ、１００μｍ、１１０μｍ、１２０μｍ、１３０μｍ、１４０μｍ、１５０μｍ、１６０μｍ、１７０μｍ、１８０μｍ、１９０μｍ、２００μｍ、２１０μｍ、２２０μｍ、２３０μｍ、２４０μｍ、２５０μｍ、２６０μｍ、２７０μｍ、２８０μｍ、２９０μｍ、３００μｍ、３１０μｍ、３２０μｍ、３３０μｍ、３４０μｍ、３５０μｍ、３６０μｍ、３７０μｍ、３８０μｍ、３９０μｍ、４００μｍ、４１０μｍ、４２０μｍ、４３０μｍ、４４０μｍ、４５０μｍ、４６０μｍ、４７０μｍ、４８０μｍ、４９０μｍ、５００μｍを意味すると理解される。
【0054】
有利には、該少なくとも１つの第１の領域および／または該少なくとも１つの第２の領域は、５０～２５０μｍ、より有利には７０～１５０μｍ、さらにより有利には９０～１１０μｍの範囲の幅を有利に有する。
【0055】
一実施形態によれば、該少なくとも１つの第１の領域と該少なくとも１つの第２の領域とは、同一のパターンを形成する。このパターンは、特に、テープに対応し得る。あるいは、それらは異なるパターンを表す。
【0056】
一実施形態によれば、該少なくとも１つの磁性層は、１μｍ未満の厚さを有する保護膜でコーティングされる。かかる膜は、有利には、該少なくとも１つの磁性層を保護することを可能にし、しかしながら、その非常に小さな厚みにより、その捕捉／誘引能力を妨げることはできない。
【0057】
該少なくとも１つの磁性層は、それ自体で捕捉支持体を構成することができる。この場合、このものは、有利には少なくとも５μｍの厚さを有し、より有利には１０～２０μｍの厚さを有する。
【0058】
該磁性層は、支持部材上に有利に配置される。
【0059】
本発明の一実施形態によれば、支持部材に使用される材料は、ガラス、シリコン、プラスチック材料のポリマー、紙もしくは竹などの有機材料、石英、金、接着テープ、硬膜もしくはチタンなどの非磁性金属合金、またはこれらの材料の組み合わせのリストから選択される。
【0060】
有利には、ポリマーは、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリエチレン、ポリプロピレン、シリコーン、ポリエステル、またはこれらの材料の組み合わせのリストから選択される。
【0061】
支持部材は、上記に列挙される材料の単層であり得る。
【0062】
支持部材上に配置された磁性層は、例えば、ＶＨＳカセットのような２つの巻線スプールを使用して延伸され得る。
【0063】
本発明の一実施形態によれば、捕捉支持体は、捕捉分子を含有する試料を受容し、該少なくとも１つの磁性層を含む少なくとも１つの壁によって区切るように構成された捕捉受容体を含む。この捕捉受容体は、最小寸法として、２０μｍ～１０００μｍの寸法を有する。本発明において、「２０μｍ～１０００μｍ」とは、２０μｍ、４０μｍ、６０μｍ、８０μｍ、１００μｍ、１２０μｍ、１４０μｍ、１６０μｍ、１８０μｍ、２００μｍ、２２０μｍ、２４０μｍ、２６０μｍ、２８０μｍ、３００μｍ、３２０μｍ、３４０μｍ、３６０μｍ、３８０μｍ、４００μｍ、４２０μｍ、４４０μｍ、４６０μｍ、４８０μｍ、５００μｍ、５２０μｍ、５４０μｍ、５６０μｍ、５８０μｍ、６００μｍ、６２０μｍ、６４０μｍ、６６０μｍ、６８０μｍ、７００μｍ、７２０μｍ、７４０μｍ、７６０μｍ、７８０μｍ、８００μｍ、８２０μｍ、８４０μｍ、８６０μｍ、８８０μｍ、９００μｍ、９２０μｍ、９４０μｍ、９６０μｍ、９８０μｍおよび１０００μｍを意味すると理解される。
【0064】
本発明の一実施形態によれば、捕捉支持体は、チャンバ、平行六面体チャンバ、中空直円筒、ウェル、直円錐、特に切頭直円錐または切頭角錐の形態のウェル、マイクロ流体チャネル、滴定プレート、試験管およびマイクロチューブの中から選択される。
【0065】
チャンバおよび平行六面体チャンバの場合、該少なくとも１つの磁性層は、該チャンバの１つの壁に配置され、複数の磁性層が存在する場合、該チャンバの少なくとも１つの壁に配置される。
【0066】
中空直円筒の場合、該少なくとも１つの磁性層は、該円筒の円周壁に配置される。
【0067】
ウェルの場合、該少なくとも１つの磁性層は、該ウェルの１つの壁に配置され、複数の磁性層が存在する場合、該ウェルの少なくとも１つの壁に配置される。有利には、該少なくとも１つの磁性層は、該ウェルの底部を形成する壁に配置される。
【0068】
円錐、特に切頭または切頭角錐直円錐の形態のウェルの場合、該少なくとも１つの磁性層は、該ウェルの１つの壁に配置され、複数の磁性層が存在する場合、該ウェルの少なくとも１つの壁に配置される。
【0069】
マイクロ流体チャネルの場合、該少なくとも１つの磁性層は、該チャネルの１つの壁に配置され、複数の磁性層が存在する場合、該チャネルの少なくとも１つの壁に配置される。
【0070】
複数のウェルを含む滴定プレートの場合、該少なくとも１つの磁性層は、該少なくとも１つのウェルの１つの壁に配置され、複数の磁性層が存在する場合、該少なくとも１つのウェルの少なくとも１つの壁に配置される。有利には、該少なくとも１つの磁性層は、該少なくとも１つのウェルの底部を形成する壁に配置される。
【0071】
試験管またはマイクロチューブの場合、該少なくとも１つの磁性層は、該試験管またはマイクロチューブの１つの壁に配置され、複数の磁性層が存在する場合、該試験管またはマイクロチューブの少なくとも１つの壁に配置される。有利には、該少なくとも１つの磁性層は、該試験管またはマイクロチューブの円周壁に配置される。
【0072】
該少なくとも１つの磁性層は、支持体に固定され得る。有利には、該固定は不可逆的である。この場合、この固定は、例えば、接着、圧延またはスタンピングによって行うことができる。あるいは、該固定は可逆的である。したがって、該少なくとも１つの磁性層は、より概してマジックテープシステムと称されるフック＆ループシステムによって、または動物由来の接着剤などの可逆接着剤によって固定され得る。
【0073】
捕捉支持体は、本発明の１つ以上の磁性層を含み得る。
【0074】
一実施形態によれば、該少なくとも１つの磁性層は、該磁性層の一部が別の部分に重ね合わされるように、それ自体の上に折り重ねられる。
【0075】
本発明の一実施形態によれば、該捕捉支持体は、少なくとも２つの磁性層を含む。有利には、該磁性層は、同じ平面上に配置される。
【0076】
あるいは、該磁性層は、異なる平面上に配置され、該２つまたは少なくとも２つの層が互いに重ね合わされる。
【0077】
本発明の別の実施形態によれば、捕捉支持体は、該磁性ナノ粒子を誘引するための少なくとも１つの壁を含み、該壁は、磁性層の該少なくとも１つを含む。有利には、捕捉支持体は、それぞれ少なくとも１つの磁性層を有する複数の誘引壁を含み、該壁のうちの少なくとも１つは、他の磁性層とは異なる平面上に配置される；有利には、該壁のうちの少なくとも１つは、他の壁のうちの１つまたは少なくとも１つの上に重ね合わされる。あるいは、または相補的な方法で、該壁のうちの少なくとも１つは、他の壁または他の壁のうちの少なくとも１つに直交して配置される。
【0078】
ナノメートル磁性粒子を捕捉するための本発明の磁性層の使用は、一般に、これらのナノ粒子が、例えば希土類系合金で作製された磁性層などの強い磁気特性を有する磁性層によって捕捉される限りにおいて、直観に反するものである。実際、体積が小さいために本来弱い磁化を示すナノ粒子を捕捉するためには、磁気特性の強い磁性層を使用するのが慣例である。希土類をベースとするかかる「強」磁性層の例は、特に文献WO2014/111187に記載されている。強磁性層の残留磁気は０．７Ｔ～１．５Ｔであり、保磁場は６００ｋＡ／ｍ～２４００ｋＡ／ｍ３である。
【0079】
本発明による該少なくとも１つの磁性層は、見かけの残留磁気および保磁力について５～１５倍低い値を示す。該少なくとも１つの磁性層の保磁場は、１０～４００ｋＡ／ｍ３の範囲である。
【0080】
「見かけの残留磁気」は、該少なくとも１つの磁性層全体の残留磁気を指しており、それを構成する磁性粒の各々の残留磁気ではない。
【0081】
強磁性材料の保磁場は、材料の磁化を打ち消すために、最初に飽和状態でその磁化に達した材料に印加する必要がある磁場の強度を示す。
【0082】
残留磁気は、材料示強変数であり、強い外部磁場を用いて磁化された後に強磁性材料内に持続する磁束の誘導または密度を測定する。残留磁気は、テスラ（Ｔ）で測定される。予め磁化された永久磁性材料の試料は、その体積および材料の残留磁気に比例する磁気モーメントを有する。磁気モーメントは、磁気源の強度を特徴付けることを可能にするベクトル量である。この試料によって生じる磁束はそのモーメントに比例する。この磁束は、振動試料磁力計（ＶＳＭ）、または抽出磁力計、またはＳＱＵＩＤ磁力計で測定することができる。通常、十分に強い磁場（典型的には４～６テスラ）をその優先磁化軸に沿って試料に印加してその磁化を飽和させ、次いでこのいわゆる「飽和」磁場を停止させる。飽和後にゼロ磁場（０Ｔ）下で試料によって生成される磁束の測定は、試料の残留磁気モーメントを与える。次いで、材料の残留磁気が得られる。材料の残留磁気は、試料のモーメントを試料の体積で除算したものに等しいものである。
【0083】
本発明の一実施形態によれば、該少なくとも１つの磁性層は、０．６Ｔ以下の残留磁気を有し、有利には、０．０１Ｔ～０．６Ｔの残留磁気を有する。本発明において、「０．０１Ｔ～０．６Ｔ」とは、０．０１Ｔ、０．０２Ｔ、０．０３Ｔ、０．０４Ｔ、０．０５Ｔ、０．０６Ｔ、０．０７Ｔ、０．０８Ｔ、０．０９Ｔ、０．１Ｔ、０．１１Ｔ、０．１２Ｔ、０．１３Ｔ、０．１４Ｔ、０．１５Ｔ、０．１６Ｔ、０．１７Ｔ、０．１８Ｔ、０．１９Ｔ、０．２Ｔ、０．２１Ｔ、０．２２Ｔ、０．２３Ｔ、０．２４Ｔ、０．２５Ｔ、０．２６Ｔ、０．２７Ｔ、０．２８Ｔ、０．２９Ｔ、０．３Ｔ、０．３１Ｔ、０．３２Ｔ、０．３３Ｔ、０．３４Ｔ、０．３５Ｔ、０．３６Ｔ、０．３７Ｔ、０．３８Ｔ、０．３９Ｔ、０．４Ｔ、０．４１Ｔ、０．４２Ｔ、０．４３Ｔ、０．４４Ｔ、０．４５Ｔ、０．４６Ｔ、０．４７Ｔ、０．４８Ｔ、０．４９Ｔ、０．５Ｔ、０．５１Ｔ、０．５２Ｔ、０．５３Ｔ、０．５４Ｔ、０．５５Ｔ、０．５６Ｔ、０．５７Ｔ、０．５８Ｔ、０．５９Ｔ、０．６Ｔを意味すると理解される。
【0084】
より有利には、該少なくとも１つの磁性層は、０．０１Ｔ～１Ｔ、より有利には０．０２Ｔ～０．５Ｔ、さらにより有利には０．０５Ｔ～０．２Ｔの残留磁気を示す。
【0085】
該磁性層または全ての磁性層の厚さが薄すぎる場合、すなわち、その厚さよりもはるかに大きい、少なくとも１０倍大きい幅および／または長さをそれが有する場合、磁性材料の体積を決定することが困難になり、それにより、その残留磁気を計算することが困難になる。これは、特に、薄い磁性層が基板層上にある市販の磁気テープの場合であり、さらに、これらの２つの層間の境界は、工業的製造プロセスのために評価することが困難であることが多い。この場合、代わりに、磁性層または磁性層のセットの保磁力が測定される。保磁力は、試料の磁気モーメントを試料の表面（もはやその体積ではない）で除算した値に等しい。保磁力は、磁束の表面密度の単位、すなわちｐｍ・Ｇａｕｓｓで表される。通常、２ｍｍ×２ｍｍの試料（実験室磁力計に収まる典型的なサイズ）は、試験される捕捉支持体から切断される。その正確な面積は光学顕微鏡で測定される。磁性材料の共鳴を得るために従うべき手順は、残留磁気についての手順と同じであり、すなわち、その磁化は、その磁気モーメントを得るために飽和される。
【0086】
したがって、本発明はまた、該少なくとも１つの磁性層が２０００～３０，０００μｍ・Ｇａｕｓｓの保磁力を有する、上記に定義されるキットに関する。本発明において、「２０００～３０，０００μｍ・Ｇａｕｓｓ」は、２０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、２５００μｍ・Ｇａｕｓｓ、３０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、３５００μｍ・Ｇａｕｓｓ、４０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、４５００μｍ・Ｇａｕｓｓ、５０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、５５００μｍ・Ｇａｕｓｓ、６０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、６５００μｍ・Ｇａｕｓｓ、７０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、７５００μｍ・Ｇａｕｓｓ、８０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、８５００μｍ・Ｇａｕｓｓ、９０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、９５００μｍ・Ｇａｕｓｓ、１０，０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、１１，０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、１２，０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、１３，０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、１４，０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、１５，０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、１６，０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、１７，０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、１８，０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、１９，０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、２０，０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、２１，０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、２２，０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、２３，０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、２４，０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、２５，０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、２６，０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、２７，０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、２８，０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、２９，０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、３０，０００μｍ・Ｇａｕｓｓを意味すると理解される。
【0087】
本発明の一実施形態によれば、該少なくとも１つの磁性層は、５０００～２０，０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、有利には８０００～１４，０００μｍ・Ｇａｕｓｓ、より有利には９０００～１１，０００μｍ・Ｇａｕｓｓの保磁力を有する。捕捉される磁性ナノ粒子は、その最大寸法として、１μｍ未満の寸法を有する。
【0088】
それらの寸法により、使用される磁性粒子は超常磁性特性を示す。
【0089】
「超常磁性」という用語は、熱撹拌の影響下で、印加された磁場の不在下でランダムに磁化の方向を変化させる小さな寸法の強磁性またはフェリ磁性の材料の粒子の特性を示す。
【0090】
磁性粒子の「超常磁性」特性とは、外部励起磁場がない場合、磁性粒子が正味の磁気モーメントを有さず、互いに誘引しないため、それらの凝集が防止されることを意味する。
【0091】
捕捉要素に結合されたマイクロ粒子と比較して、捕捉要素に結合されたナノ粒子は、特に、より高い拡散係数（１０倍）および大幅に増大した（１０３倍）濃度（ｍ３当たりのｌｏｇ数）のために、分子捕捉に関してはるかに高い性能を示す。しかし、それらの各々の磁力は１０３で除算される（１／１０に縮小した場合の数値）。
【0092】
本発明の一実施形態によれば、磁性ナノ粒子は、その最大の寸法として、５０ｎｍ～５００ｎｍの範囲、有利には５０ｎｍ～２５０ｎｍの範囲、より有利には１００～２５０ｎｍの範囲、さらに有利には１５０～２００ｎｍの範囲の寸法を有する。
【0093】
一実施形態によれば、磁性ナノ粒子は、１０～９０％の鉄、有利には３０～８０％、より有利には５０～７０％の鉄を含む。ナノ粒子に含有される鉄の量が多いほど、追加の磁場の存在下でのそれらの磁化が大きくなり、該少なくとも１つの磁性層によるそれらの誘引力が強くなる。したがって、鉄の量が多ければ多いほど、以下に示すように、磁化を増大させてそれらがより速く誘引する必要がなくなる。
【0094】
本発明の一実施形態によれば、ナノ粒子はカプセル化される。これらは、特に酸化鉄とポリスチレンの共重合によって得ることができる。このカプセル化により、ナノ粒子からの鉄の放出を制限することが可能となる。実際、かかる放出は、捕捉された分子の検出および定量化を妨害する。
【0095】
磁性ナノ粒子は、平行六面体、円環体、球体などの任意の形状を有し得る。ナノ粒子は、平滑なまたは不規則な表面を有し得る。それらが不規則な表面を有する場合、それらはいわゆる「ジャガイモ様」の形状を有する。
【0096】
有利には、磁性ナノ粒子は球状であり、したがって「ビーズ」に似ている。したがって、粒子は、それらの幾何学形状が完璧な球体ではない場合でも、「ビーズ」と称される場合がある。
【0097】
好ましくは、該ビーズは単分散されており、ビーズの寸法均一性はそれらに同一の特性を与え、それにより、該少なくとも１つの磁性層によるそれらの捕捉のためのビーズの拡散を改善する。「単分散」とは、ビーズの平均直径の標準偏差が、２００ｎｍにわたって４０ｎｍ以下、有利には２００ｎｍにわたって２０ｎｍ以下であることを意味する。
【0098】
一部の場合では、ビーズは、プラスチックポリマー、シリカ（ＳｉＯ２）などの磁性材料をほとんどまたは全く含まないマトリックス中に分散した形態で市販されている。
【0099】
ビーズは、好ましくは生体適合性であり、すなわち、それらが使用される生物学的媒体を妨害しないか、または分解しない能力をそれらは有する。
【0100】
捕捉要素の磁性ナノ粒子への結合を可能にするために、磁性ナノ粒子の表面は、特に黄色ブドウ球菌のタンパク質ＡもしくはＧ、または別様でカルボジイミドによって官能化される。タンパク質ＡもしくはＧが使用される場合、捕捉要素とナノ粒子との間の結合は、カルボジイミドの使用とは異なり、共有結合ではない。
【0101】
種々の捕捉要素をナノ粒子に結合することができる。本発明の一実施形態によれば、捕捉要素は、抗体、抗体のＦａｂ断片、Ｆ（ａｂ’）２断片、またはＦｖ断片、抗原、核酸配列、特に小胞に相当するオルガネラ、細胞、アプタマーまたは細菌から選択される。
【0102】
抗体または「免疫グロブリン」は、４本のアミノ酸鎖からなり、２本の軽鎖および２本のいわゆる重鎖を区別することができる。各重鎖は、ジスルフィド架橋によって軽鎖に連結される。さらに、重鎖の末端および関連する軽鎖の末端は、超可変領域に起因するパラトープを共に規定する。したがって、抗体は、それぞれ抗原のエピトープとの結合を可能にする２つのパラトープを含む。重鎖は、いわゆるヒンジ領域で相互に連結されている。
【0103】
２つのパラトープのうちの１つに対応する抗体の断片は、断片Ｆｖと称される；それは、エピトープの認識特性を保持する抗体の最小断片である。
【0104】
Ｆａｂ断片は、軽鎖全体およびこの軽鎖に連結された重鎖の末端に対応する。したがって、Ｆａｂ断片には、Ｆｖ断片が含まれる。抗体のための２つのＦａｂ断片が存在する。
【0105】
Ｆ（ａｂ’）２断片は、重鎖のヒンジ領域によって一緒に連結された２つのＦａｂ断片の会合に対応する。
【0106】
Ｆｖ、ＦａｂおよびＦ（ａｂ’）２断片は、完全抗体と同じ抗原に対する親和性を示す。
【0107】
核酸は、ポリマーであり、その基本単位は、クレオチドである。核酸は、デオキシリボ核酸（ＤＮＡ）またはリボ核酸（ＲＮＡ）のいずれかであり得る。
【0108】
オルガネラは、真核細胞の細胞質に含有され、特定の生物学的機能が実行される分化した区画である。特に、オルガネラの中には、内質網、ゴルジ装置、ミトコンドリア、リソソーム、およびペルオキシソームがある。
【0109】
小胞は、細胞の細胞質に存在し、少なくとも１つの脂質二重層で構成される区画である。小胞は細胞質内を循環し、貯蔵、輸送、または細胞廃棄物の消化などの種々の機能を有する。
【0110】
細胞は、生体を構成する区画である；それは膜によって制限されており、一方ではその生殖に必要なＤＮＡ、他方ではその機能に必要なタンパク質を含む。
【0111】
アプタマーは、合成オリゴヌクレオチドであり、最も多くの場合、特定のリガンドに結合することができ、時にはそのリガンド上で化学反応を触媒し得るＲＮＡである。アプタマーは、概して、「指数的濃縮によるリガンドの系統的進化」（ＳＥＬＥＸ）と称される反復選択方法によって、ランダム配列の多数の化合物の組み合わせライブラリーからインビトロで単離される合成化合物である。ＳＥＬＥＸ法を使用したアプタマー合成のさらなる詳細は、「Aptamers and SELEX in Chemistry&Biology」（Chem Biol.2014 Sep 18;21(9):pages 1055-8）の論文において見出すことができる。
【0112】
細菌は、ＤＮＡを含有する単一の細胞質区画を含む単細胞の原核微生物である。したがって、このＤＮＡは真核細胞とは異なり、核によって細胞質から単離されない。細菌は、分裂によって半分に分割するだけで繁殖する。
【0113】
使用される捕捉要素の種類は、捕捉分子の種類に応じて、当業者によって容易に適合される。
【0114】
本発明はまた、少なくとも１つの追加の磁場源をさらに含む上記で定義されるキットに関しており、該追加の磁場源は、該少なくとも１つの磁性層の外部にある。
【0115】
該少なくとも１つの追加の磁場源によって生成される磁場は、キットの要素に対して複数の影響を及ぼしており、一方では捕捉支持体によるナノ粒子の捕捉を加速することを可能にし、他方ではより局在化された捕捉ゾーン、すなわちより正確にはより狭い、典型的には該磁性層の表面上の正射影から１５μｍ未満の距離にわたって延在する捕捉ゾーンを得ることを可能にする。
【0116】
一方で、該少なくとも１つの追加の磁場源の磁場を印加することは、有利には、磁性ナノ粒子の磁化を増大させ、それにより、捕捉支持体の該少なくとも１つの磁性層によるそれらの捕捉を加速するか、またはさらには誘発することを可能にする。
【0117】
他方で、該少なくとも１つの磁性層によって生成される磁場の水準以上の水準の追加の磁場の存在が、該少なくとも１つの磁性層によって生成される磁場に追加され、その結果、追加の磁場の配向に基づいて、結果として生じる全磁場の一部のエネルギーシンクの振幅は、該少なくとも１つの磁性層によって生成される唯一の磁場のエネルギーシンクの振幅よりも大きくなり、これもナノ粒子の捕捉の加速に関与する。
【0118】
捕捉ゾーンは、支持体の表面上で強化され、ここで、該少なくとも１つの磁性層によって第１の領域と第２の領域との間の接合部の上方に生成される磁場は、追加の磁場と同じ軸および同じ方向に従う。これにより、磁場の総強度の水準が有意に向上する。反対に、第１および第２の領域の上方では、追加の磁場と該少なくとも１つの磁性層によって生成される磁場との合力の水準は、それらが同一線上にないので、それほど増大しない。したがって、磁場の強度の水準の最大は、最小よりも顕著に増大する；それにより、特定のエネルギーシンクの振幅が強調される。これは、一方では、これらのエネルギーシンクによってより強く誘引されるこれらの捕捉ゾーン上の捕捉を加速し、他方では、捕捉ゾーンの範囲を減少させ、それにより、捕捉ゾーンは、地理的により良好に画定され、より正確なものとなる。
【0119】
支持体の表面において、第１の領域と第２の領域との間の接合部で該少なくとも１つの追加の磁場源により生成される磁場が、同じ軸に沿って、しかし反対方向で該少なくとも１つの磁性層によって生成される磁場よりも大きい場合、捕捉ゾーンは排除される。実際、このレベルで生成される磁場の強度の水準は、もはや最大ではなく、ナノ粒子のエネルギーはもはやそこで最小化されない。
【0120】
第１および第２の領域の分極が支持体の表面と反対および平行である特定の場合では、追加の磁場が、支持体の表面のそれらの接合部で該第１および第２の領域によって共同で生成される磁場と同じ方向に向かうと、他の全ての捕捉ゾーンが強化され、他の全ての捕捉ゾーンが弱化されるか、または上記の理由で相殺される。
【0121】
追加の磁場が、該少なくとも１つの磁場源によって生成された磁場以上である場合、捕捉ゾーンは、追加の磁場が同じ配向を有し、該少なくとも１つの磁気テープによって生成された磁場と同じ方向にある点に位置する。次いで、以下に概説されるように、捕捉ゾーンは、それらの初期位置からオフセットされ得る。
【0122】
物体の磁化は、巨視的スケールで該物体の磁気挙動を特徴付けるベクトル量に対応する。これは、軌道磁気モーメントと電子の磁気スピンモーメントに由来する。これは、１メートル当たりのアンペアで測定され、テスラで測定されることもある。
【0123】
有利には、該少なくとも１つの追加の磁場源は、永久磁石、コイル、または電磁石の中から選択される。
【0124】
一部の磁場源が存在する場合、それらは、少なくとも１つの永久磁石、少なくとも１つのコイル、および／または少なくとも１つの電磁石の組み合わせから選択され得る。特に、それらは、永久磁石、コイル、電磁石のアセンブリ、およびこれらのもののアセンブリの組み合わせから選択することができる。
【0125】
磁場源は、平面内で、特に直線状に、またはそれ以外の場合、三次元形状で並んで配置することができる。磁場源は並べて配置することができる。本発明において、「並べて」は、磁場源が連続しているか、または別様で互いに離間していることを意味すると理解される。特に、隣接する磁場源は、分極反転を示す。
【0126】
永久磁石は、磁場を発生させる持続的な性質を人為的または自然的に獲得した硬質磁性材料から作製される物体である。永久磁石の特異性は、その磁場が一旦得られると、特定の作用を必要とせずに連続的に生成されるという事実にある。硬質磁性材料とは、残留磁化および保磁場がそれぞれ０．３Ｔおよび２５０ｋＡ／ｍより大きい材料をいう。
【0127】
硬質磁性材料は、希土類系磁石、３ｄ（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ）貴金属（主要元素としてＰｔまたはＰｄ）系の遷移金属合金、フェライト磁石およびＭｎＢｉ、ＭｎＡＩ、ＭｎＧａ、ＦｅＧａ、ＡＩＮｉＣｏ磁石から選択することができる。材料が希土類磁石である場合、それは、ＲＦｅＢ（ＲはＮｄ、Ｐｒ、Ｔｂ、Ｄｙまたはこれらの元素の一部の混合物からなる）、ＳｍＣｏまたはＲＣｏＣｕ（１／５型の結晶構造）、ＳｍＣｏＣｕＦｅ（１／７または２／１７型の結晶構造）、ＲＦｅＮ（Ｒは本質的にＳｍからなる）から選択され得る。
【0128】
以下の説明では、「永久磁石」という用語は、単に「磁石」と称することができる。
【0129】
該少なくとも１つの追加の磁場源が磁石である場合、それは、別様では「ヨーク」または「磁気回路」と称される、軟質の強磁性要素に有利に結合される。この軟質の強磁性要素は、磁石を延長し、１００Ｓ．Ｉ．（「国際系」、単位なし）を超える透磁性を有し、１．６～２．４Ｔの飽和度を有する。硬質の強磁性要素とは異なり、軟質の強磁性要素は、低い残留磁化および弱い保磁場を示す。かかる軟質の強磁性要素は、外部磁場が存在しない場合に磁化を示さず、磁石の磁力線を導くことを可能にし、それにより、磁石によって生成される磁場の値を増大させる。
【0130】
コイルは、導電線の巻線からなる。この巻線は、任意に、コアと称される強磁性材料の周りに作製することができる。磁石とは対照的に、コイルは、特定の作用が印加されるとき、この場合、電流が印加され、導電線を通過するときにのみ磁場を放出する。したがって、この電流が印加されなくなると、それ以上の磁場は発生しない。
【0131】
該少なくとも１つの追加の磁場源がコイルである場合、それは有利には平面コイルであり、すなわち、全てのターンは、有利には、１～５つの平面内のうちの少なくとも１つの平面内にある。
【0132】
本発明の一実施形態によれば、該少なくとも１つの磁性層は、捕捉面および反対面である２つの対向する面を有し、該少なくとも１つの追加の磁場源は、該少なくとも１つの磁性層の捕捉面に隣接する平面コイルである。したがって、平面コイルは、該少なくとも１つの磁性層の捕捉面を少なくとも部分的に覆う。かかる場合、ナノ粒子は、捕捉ゾーンにおいて、平面コイル上に少なくとも一部が固定化される。
【0133】
電磁石は、電流が供給されると、磁場を生成する；それは、電気エネルギーを磁気エネルギーに変換する。これは、コイルおよびコアおよび／または軟質の強磁性材料で作製された１つ以上の極磁片で構成されている。したがって、コイルの場合のように、電流がそれを通過しないとき、電磁石は磁場を放出しない。
【0134】
該少なくとも１つの追加の磁場源は、捕捉支持体に取り付けられていても、取り付けられていなくてもよい。
【0135】
本発明の一実施形態によれば、該少なくとも１つの追加の磁場源は、捕捉支持体に固定される。有利には、該固定は可逆的である。したがって、この固定は、捕捉支持体にクリッピングすることによって達成することができる。あるいは、該固定は不可逆的である。したがって、この固定は、支持体に接着することによって達成することができる。
【0136】
本発明の一実施形態によれば、該少なくとも１つの追加の磁場源は、均一な磁場を放出するように構成される。
【0137】
均一とは、その勾配が、該少なくとも１つの追加の磁場源の磁化軸に沿って１００Ｔ・ｍ－１未満であり、該少なくとも１つの追加の磁場源の表面上の磁化軸に直交する軸に沿って１５０Ｔ・ｍ－１未満である磁場を意味する。本発明において、「１００Ｔ・ｍ－１未満」とは、１００Ｔ・ｍ－１、９０Ｔ・ｍ－１、８０Ｔ・ｍ－１、７０Ｔ・ｍ－１、６０Ｔ・ｍ－１、５０Ｔ・ｍ－１、４０Ｔ・ｍ－１、３０Ｔ・ｍ－１、２０Ｔ・ｍ－１、１０Ｔ・ｍ－１または０Ｔ・ｍ－１を意味する。本発明において、「１５０Ｔ・ｍ－１未満」とは、１５０Ｔ・ｍ－１、１４０Ｔ・ｍ－１、１３０Ｔ・ｍ－１、１２０Ｔ・ｍ－１、１１０Ｔ・ｍ－１、１００Ｔ・ｍ－１、９０Ｔ・ｍ－１、８０Ｔ・ｍ－１、７０Ｔ・ｍ－１、６０Ｔ・ｍ－１、５０Ｔ・ｍ－１、４０Ｔ・ｍ－１、３０Ｔ・ｍ－１、２０Ｔ・ｍ－１、１０Ｔ・ｍ－１または０Ｔ・ｍ－１を意味する。
【0138】
該少なくとも１つの追加の磁場源によって生成される磁場は、任意の方向をとることができる；有利には、その方向は支持体の表面に直交し、より有利には、その方向およびその向きは、第１の領域と第２の領域との間の接合部における捕捉支持体の表面上の該少なくとも１つの磁性層によって生成されるものと同じである。
【0139】
該少なくとも１つの追加の磁場源は、捕捉支持体の周りの任意の位置に配設され得る。したがって、該少なくとも１つの追加の磁場源は、該少なくとも１つの磁性層の捕捉面に面するように、またはそれ以外の場合、その第２の表面に面するように等しく良好に配置することができる。あるいは、該少なくとも１つの追加の磁場源は、捕捉支持体から距離をおいて、該少なくとも１つの磁性層の第１の捕捉面または第２の捕捉面のいずれとも対向しないように配置することができる。
【0140】
該少なくとも１つの追加の磁場源は、それが面する該少なくとも１つの磁性層の面積の大きさよりも大きい面積を有し得る。この意味で、該少なくとも１つの磁場源が磁性層の下に配置されるとき、その表面は磁性層のいずれかの側に突出する。例えば、追加の磁場源が磁石のアセンブリである場合、磁石の１つまたは少なくとも１つの表面の一部は、該少なくとも１つの磁性層に面していないか、または少なくとも１つの磁石は、該少なくとも１つの磁性層に面している表面を有していない。
【0141】
実際、全ての場合において、この少なくとも１つの磁場源によってもたらされる有意な効果は、一方では磁性ナノ粒子の磁化であり、他方では、上述のように、エネルギーシンクの振幅の増大である。
【0142】
したがって、該少なくとも１つの追加の磁場源は、有利には、キットを使用するときにナノ粒子において１ｍＴ～４００ｍＴの磁場を生成するように構成されている。磁性層の消磁化のリスクを回避するために、該少なくとも１つの追加磁場源の保磁場の値が、該少なくとも１つの磁性層の保磁場の値の最大９０％であることが有利である。
【0143】
本発明において、「１ｍＴ～４００ｍＴ」とは、１ｍＴ、５ｍＴ、１０ｍＴ、１５ｍＴ、２０ｍＴ、２５ｍＴ、３０ｍＴ、３５ｍＴ、４０ｍＴ、４５ｍＴ、５０ｍＴ、５５ｍＴ、６０ｍＴ、６５ｍＴ、７０ｍＴ、７５ｍＴ、８０ｍＴ、８５ｍＴ、９０ｍＴ、９５ｍＴ、１００ｍＴ、１０５ｍＴ、１１０ｍＴ、１１５ｍＴ、１２０ｍＴ、１２５ｍＴ、１３０ｍＴ、１３５ｍＴ、１４０ｍＴ、１４５ｍＴ、１５０ｍＴ、１５５ｍＴ、１６０ｍＴ、１６５ｍＴ、１７０ｍＴ、１７５ｍＴ、１８０ｍＴ、１８５ｍＴ、１９０ｍＴ、１９５ｍＴ、２００ｍＴ、２０５ｍＴ、２１０ｍＴ、２１５ｍＴ、２２０ｍＴ、２２５ｍＴ、２３０ｍＴ、２３５ｍＴ、２４０ｍＴ、２４５ｍＴ、２５０ｍＴ、２５５ｍＴ、２６０ｍＴ、２６５ｍＴ、２７０ｍＴ、２７５ｍＴ、２８０ｍＴ、２８５ｍＴ、２９０ｍＴ、２９５ｍＴ、３００ｍＴ、３０５ｍＴ、３１０ｍＴ、３１５ｍＴ、３２０ｍＴ、３２５ｍＴ、３３０ｍＴ、３３５ｍＴ、３４０ｍＴ、３４５ｍＴ、３５０ｍＴ、３５５ｍＴ、３６０ｍＴ、３６５ｍＴ、３７０ｍＴ、３７５ｍＴ、３８０ｍＴ、３８５ｍＴ、３９０ｍＴ、３９５ｍＴ、４００ｍＴを意味する。
【0144】
有利には、該少なくとも１つの磁場源は、１０ｍＴ～４００ｍＴの磁場を生成するように構成され、より有利には５０ｍＴ～２００ｍＴの磁場を生成するように構成されている。
【0145】
本発明の一実施形態によれば、該少なくとも１つの追加の磁場源は、磁場を連続的に放出するように構成される。
【0146】
あるいは、該少なくとも１つの追加の磁場源は、パルス磁場を放出するように構成されている。有利には、パルスの持続時間は、１ミリ秒以上である。かかる持続時間は、単純なブラウン運動と比較して、磁性ナノ粒子の変位がそれによって影響を受けるのに十分に長い時間にわたって磁性ナノ粒子の磁化を増大させることを可能にする。
【0147】
本発明はまた、上記に定義されるキットであって、該少なくとも１つの磁性層が、捕捉面を有し、該少なくとも１つの磁性層が、非磁性層によって該捕捉面上で少なくとも部分的に覆われている、キットに関する。
【0148】
かかる非磁性層が存在する場合、該少なくとも１つの磁性層のいわゆる「捕捉」面がコーティングされるという事実により、該少なくとも１つのコーティングされた磁性層の一部について、ナノ粒子の捕捉および固定化が非磁性層の表面に対して生じる。
【0149】
この非磁性層の存在は、以下で詳細に見られるように、所望の瞬間に捕捉支持体によるナノ粒子の誘引の誘発を遅らせることが可能であるという点で有利である。
【0150】
本発明の一実施形態によれば、非磁性層の材料は、以下のリスト、すなわち、ガラス、シリコン、プラスチック材料のポリマー、シリコーン紙、接着テープ、硬膜もしくはチタンなどの非磁性金属合金、石英、紙もしくは竹などの有機材料、木材、金、またはこれらの材料の組み合わせから選択される。
【0151】
有利には、ポリマーは、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＣ／ＣＯＰ）、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリエチレン、ポリプロピレン、シリコーン、ポリエステル、またはこれらの材料の組み合わせのリストから選択される。
【0152】
一実施形態によれば、該非磁性層は、支持部材と同じ組成を有する。あるいは、該非磁性層は、支持部材の組成とは異なる組成を有する。
【0153】
有利には、該少なくとも１つの磁場源は蛍光を示さない。さらに有利には、これは、光を反射しないように不透明である。
【0154】
有利には、非磁性層の材料は、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）の層および接着層、またはポリプロピレンの層およびアクリル接着剤の層の重ね合わせを有する接着テープからなるか、またはそれを含む。
【0155】
本発明の一実施形態によれば、該少なくとも１つの磁性層は、その捕捉面の少なくとも１％にわたって該非磁性層によって覆われる。「少なくとも１％」とは、１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、１０％、１１％、１２％、１３％、１４％、１５％、１６％、１７％、１８％、１９％、２０％、２１％、２２％、２３％、２４％、２５％、２６％、２７％、２８％、２９％、３０％、３１％、３２％、３３％、３４％、３５％、３６％、３７％、３８％、３９％、４０％、４１％、４２％、４３％、４４％、４５％、４６％、４７％、４８％、４９％、５０％、５１％、５２％、５３％、５４％、５５％、５６％、５７％、５８％、５９％、６０％、６１％、６２％、６３％、６４％、６５％、６６％、６７％、６８％、６９％、７０％、７１％、７２％、７３％、７４％、７５％、７６％、７７％、７８％、７９％、８０％、８１％、８２％、８３％、８４％、８５％、８６％、８７％、８８％、８９％、９０％、９１％、９２％、９３％、９４％、９５％、９６％、９７％、９８％、９９％または１００％を意味すると理解される。
【0156】
有利には、該少なくとも１つの磁性層は、その捕捉面の少なくとも３０％、より有利には、その捕捉面の少なくとも５０％、さらに有利には、その捕捉面の少なくとも６０％、有利には、その捕捉面の少なくとも８０％にわたって覆われる。
【0157】
本発明の一実施形態によれば、該少なくとも１つの磁性層の捕捉面は、該非磁性層によって完全に覆われている。
【0158】
本発明はまた、上記で定義されたキットであって、該非磁性層が１～３００μｍの厚さを有する、キットに関する。本発明において、「１～３００μｍ」とは、１μｍ、２μｍ、３μｍ、４μｍ、５μｍ、６μｍ、７μｍ、８μｍ、９μｍ、１０μｍ、１１μｍ、１２μｍ、１３μｍ、１４μｍ、１５μｍ、１６μｍ、１７μｍ、１８μｍ、１９μｍ、２０μｍ、２１μｍ、２２μｍ、２３μｍ、２４μｍ、２５μｍ、２６μｍ、２７μｍ、２８μｍ、２９μｍ、３０μｍ、３１μｍ、３２μｍ、３３μｍ、３４μｍ、３５μｍ、３６μｍ、３７μｍ、３８μｍ、３９μｍ、４０μｍ、４１μｍ、４２μｍ、４３μｍ、４４μｍ、４５μｍ、４６μｍ、４７μｍ、４８μｍ、４９μｍ、５０μｍ、５１μｍ、５２μｍ、５３μｍ、５４μｍ、５５μｍ、５６μｍ、５７μｍ、５８μｍ、５９μｍ、６０μｍ、６１μｍ、６２μｍ、６３μｍ、６４μｍ、６５μｍ、６６μｍ、６７μｍ、６８μｍ、６９μｍ、７０μｍ、７１μｍ、７２μｍ、７３μｍ、７４μｍ、７５μｍ、７６μｍ、７７μｍ、７８μｍ、７９μｍ、８０μｍ、８１μｍ、８２μｍ、８３μｍ、８４μｍ、８５μｍ、８６μｍ、８７μｍ、８８μｍ、８９μｍ、９０μｍ、９１μｍ、９２μｍ、９３μｍ、９４μｍ、９５μｍ、９６μｍ、９７μｍ、９８μｍ、９９μｍ、１００μｍ、１０１μｍ、１０２μｍ、１０３μｍ、１０４μｍ、１０５μｍ、１０６μｍ、１０７μｍ、１０８μｍ、１０９μｍ、１１０μｍ、１１１μｍ、１１２μｍ、１１３μｍ、１１４μｍ、１１５μｍ、１１６μｍ、１１７μｍ、１１８μｍ、１１９μｍ、１２０μｍ、１２１μｍ、１２２μｍ、１２３μｍ、１２４μｍ、１２５μｍ、１２６μｍ、１２７μｍ、１２８μｍ、１２９μｍ、１３０μｍ、１３１μｍ、１３２μｍ、１３３μｍ、１３４μｍ、１３５μｍ、１３６μｍ、１３７μｍ、１３８μｍ、１３９μｍ、１４０μｍ、１４１μｍ、１４２μｍ、１４３μｍ、１４４μｍ、１４５μｍ、１４６μｍ、１４７μｍ、１４８μｍ、１４９μｍ、１５０μｍ、１５１μｍ、１５２μｍ、１５３μｍ、１５４μｍ、１５５μｍ、１５６μｍ、１５７μｍ、１５８μｍ、１５９μｍ、１６０μｍ、１６１μｍ、１６２μｍ、１６３μｍ、１６４μｍ、１６５μｍ、１６６μｍ、１６７μｍ、１６８μｍ、１６９μｍ、１７０μｍ、１７１μｍ、１７２μｍ、１７３μｍ、１７４μｍ、１７５μｍ、１７６μｍ、１７７μｍ、１７８μｍ、１７９μｍ、１８０μｍ、１８１μｍ、１８２μｍ、１８３μｍ、１８４μｍ、１８５μｍ、１８６μｍ、１８７μｍ、１８８μｍ、１８９μｍ、１９０μｍ、１９１μｍ、１９２μｍ、１９３μｍ、１９４μｍ、１９５μｍ、１９６μｍ、１９７μｍ、１９８μｍ、１９９μｍ、２００μｍ、２０１μｍ、２０２μｍ、２０３μｍ、２０４μｍ、２０５μｍ、２０６μｍ、２０７μｍ、２０８μｍ、２０９μｍ、２１０μｍ、２１１μｍ、２１２μｍ、２１３μｍ、２１４μｍ、２１５μｍ、２１６μｍ、２１７μｍ、２１８μｍ、２１９μｍ、２２０μｍ、２２１μｍ、２２２μｍ、２２３μｍ、２２４μｍ、２２５μｍ、２２６μｍ、２２７μｍ、２２８μｍ、２２９μｍ、２３０μｍ、２３１μｍ、２３２μｍ、２３３μｍ、２３４μｍ、２３５μｍ、２３６μｍ、２３７μｍ、２３８μｍ、２３９μｍ、２４０μｍ、２４１μｍ、２４２μｍ、２４３μｍ、２４４μｍ、２４５μｍ、２４６μｍ、２４７μｍ、２４８μｍ、２４９μｍ、２５０μｍ、２５１μｍ、２５２μｍ、２５３μｍ、２５４μｍ、２５５μｍ、２５６μｍ、２５７μｍ、２５８μｍ、２５９μｍ、２６０μｍ、２６１μｍ、２６２μｍ、２６３μｍ、２６４μｍ、２６５μｍ、２６６μｍ、２６７μｍ、２６８μｍ、２６９μｍ、２７０μｍ、２７１μｍ、２７２μｍ、２７３μｍ、２７４μｍ、２７５μｍ、２７６μｍ、２７７μｍ、２７８μｍ、２７９μｍ、２８０μｍ、２８１μｍ、２８２μｍ、２８３μｍ、２８４μｍ、２８５μｍ、２８６μｍ、２８７μｍ、２８８μｍ、２８９μｍ、２９０μｍ、２９１μｍ、２９２μｍ、２９３μｍ、２９４μｍ、２９５μｍ、２９６μｍ、２９７μｍ、２９８μｍ、２９９μｍまたは３００μｍを意味するものと理解される。
【0159】
有利には、該非磁性層は、１～１５０μｍ、より有利には５μｍ～１００μｍ、さらに有利には１０～８０μｍ、より有利には３０～６０μｍの厚さを有する。
【0160】
非磁性層は、薄すぎず厚すぎずが望ましい。実際、該非磁性層が薄すぎる場合、すなわち１μｍ未満の場合、それは、該少なくとも１つの磁性層によるナノ粒子の誘引を減衰させることに有意な影響を及ぼさない。
【0161】
層の厚さは、該少なくとも１つの磁性層の保磁力および第１および第２の領域の幅に依存することに留意されたい。当業者は、該少なくとも１つの磁性層の領域の保磁力および幅に応じて、磁性層の厚さを容易に適合させることができるだろう。
【0162】
通常、１２０００μｍ・Ｇの保磁力を有し、その第１および第２の領域が５０μｍの幅を有する磁性層について、非磁性層は、２０～６０μｍの厚さを有利に有する。保磁力のより低い磁性層については、それに応じて磁性層の厚さを低減する必要がある。
【0163】
非磁性層が厚すぎる場合（該少なくとも１つの磁性層の領域の厚さおよび幅に依存する）、強い磁場勾配は、この非磁性層によって隠されることになる。したがって、該非磁性層の表面における磁場は、場合によっては均一であるか、または存在しない。次いで、ナノ粒子は固定化されないか、または別様で、特定のパターンではなく、非磁性層の表面上でランダムに固定化される。
【0164】
該少なくとも１つの追加の磁場源の磁場を適用することは、有利には、かかる場合に、エネルギーシンクの振幅を増大させることによって、非磁性層の表面における強い磁場勾配を「明らかに」することを可能にする。本発明のこの態様は、以下で詳細に見られるように、捕捉ゾーンにおけるナノ粒子の捕捉および固定化を「誘発」することを可能にする。
【0165】
本発明はまた、複数（１～１００）のマイクロ流体チャネルを含む捕捉支持体に関し、これは、一方では、少なくとも一部のチャネルに共通の入力または各チャネルについて独立した入力のいずれかを有し、他方では、出口において、チャネル当たり１つのベントまたはチャネルの少なくとも一部に共通の１つのベントを有する。これらのマイクロ流体チャネルは、非磁性層に結合され、非磁性層は、支持部材に結合された磁性層上に堆積される。磁性層は、該磁性層の水平面に沿った磁化と、１つの領域から別の領域まで１８０°だけ変動する配向とで予め符号化されている。ネオジム－鉄－ホウ素から作製されたセンチメートルまたはミリメートルの磁石が、第１の領域と第２の領域との間の接合部における磁性層の配向および方向と同じ配向および方向を有する外部磁場を印加するための追加の磁場源として使用される。
【0166】
本発明はまた、試料中に含有される分子を捕捉する方法に関し、該方法は、
ａ）該試料を、上記に定義される磁性ナノ粒子と接触させて、該分子と、該磁性ナノ粒子に結合された該少なくとも１つの捕捉要素との間で、少なくとも１つの捕捉複合体を形成するステップ、
ｂ）該少なくとも１つの捕捉複合体が、上記に定義される少なくとも１つの捕捉ゾーンにおいて該捕捉支持体に対して固定化されるように、ステップａ）の間に形成された該少なくとも１つの捕捉複合体を、上記に定義される捕捉支持体の少なくとも１つの磁性層によって生成された前記磁場によって誘引するステップ
を含む。
ａ）該試料を、上記に定義される磁性ナノ粒子と接触させて、該分子と、該磁性ナノ粒子に結合された該少なくとも１つの捕捉要素との間で、少なくとも１つの捕捉複合体を形成するステップ、
ｂ）該少なくとも１つの捕捉複合体が、上記に定義される少なくとも１つの捕捉ゾーンにおいて該捕捉支持体に対して固定化されるように、ステップａ）の間に形成された該少なくとも１つの捕捉複合体を、上記に定義される捕捉支持体の少なくとも１つの磁性層によって生成された前記磁場によって誘引するステップ
を含む。
【0167】
本発明のステップａ）の目的は、捕捉要素を介して捕捉されるべき分子をナノ粒子と複合体化することであり、その結果、これらの複合体化された分子は、その後のステップｂ）において、該少なくとも１つの磁性層によってナノ粒子を介して間接的に誘引され、最終的には支持体に対する固定化によって捕捉され得る。
【0168】
本明細書の残りの部分では、捕捉複合体を単に「複合体」という用語で称することがある。
【0169】
本発明の一実施形態によれば、該捕捉要素は抗体または抗原であり、したがって、ステップａ）中に形成される該少なくとも１つの捕捉複合体は、免疫複合体である。
【0170】
本発明において、「試料」は、任意の単純流体または複合流体を意味する。
【0171】
本発明において、「複合流体」とは、２つの相、すなわち固体－液体（ポリマーなどの巨大分子の懸濁液または溶液）、固体－気体（粒状）、液体－気体（発泡体）、または液体－液体（エマルション）が共存する混合物を意味する。複合流体は、応力と剪断速度との間の古典的な線形ニュートン関係から逸脱する。それらは、相の共存が課す幾何学的制約のために適用される応力または歪みに対して異常な機械的応答を示す。この機械的応答は、固体様挙動と流体様挙動との間の遷移ならびに変動を含む。特に、試料は、血液、尿、リンパ、血漿、血清、唾液、涙、精液、膣分泌物、創傷からの膿、胃液または脳脊髄液などの生体液であってもよい。試料はまた、培養培地、または精製もしくは清澄化された培養培地などのバイオプロセスで使用される培地であってもよい。
【0172】
本発明において、「単純流体」とは、その機械的挙動が温度、粘度、流体の「滑り」の尺度の単一の関数によって特徴付けられるニュートン流体を意味する。単純流体に印加される応力は、歪み速度に直接比例する。特に、試料は脱イオン水であり得る。脱イオン水は、ナノ粒子クラスターの形成を大幅に制限するか、または予防するという利点を有する。
【0173】
本発明の一実施形態によれば、ステップａ）の間に試料をナノ粒子と接触させると、それを捕捉支持体に配置して、ステップｂ）の間に該少なくとも１つの捕捉複合体の誘引を可能にする。
【0174】
したがって、ナノ粒子が試料と接触したときに該少なくとも１つの磁性層によって誘引されないように、接触ステップと誘引ステップとは別々に行われる。これにより、有利には、試料中のナノ粒子の均一な分布を得ることが可能となり、それにより、捕捉要素と捕捉分子とのより効率的な複合体形成が可能となる。
【0175】
あるいは、ステップａ）の間にナノ粒子と接触させる前に、まず、試料を支持体に配置する。したがって、ステップａ）およびｂ）は、同じ場所、すなわち支持体において実行される。この実施形態は、特にマイクロポンプまたはマイクロバルブタイプのアクチュエータを介して流体を取り扱う必要がないため、特定の用途において非常に興味深い。
【0176】
本発明の一実施形態によれば、ステップａ）とステップｂ）との間で、形成されている可能性がある複合体の任意の凝集体を破壊する目的で、捕捉された懸濁液中のナノ粒子－分子の複合体を含む混合物の超音波処理が行われる。このような凝集体があると、後述する定量化ステップに支障をきたすことになる。この超音波処理は、特に、少なくとも１００００Ｈｚの周波数で行われ得る。超音波処理は、連続的な照射、またはパルス的な照射であってもよい。超音波処理がパルス化される際、各超音波処理の持続時間は、２００～７００ミリ秒、特に３００～６００ミリ秒、特に５００ミリ秒であり、１～６秒、特に１～４秒、特に２秒の間隔であり得る。これらの超音波処理条件により、捕捉要素、捕捉分子および検出要素を変性させ得る媒体の過熱を回避しながら、凝集体を破壊する機能を確実にすることが可能となる。
【0177】
ステップａ）の間、ナノ粒子の濃度は、有利には、１０６～１０１１粒子／ｍＬである。本発明において、「１０６～１０１１粒子／ｍＬ」とは、１０６粒子／ｍＬ、１０７粒子／ｍＬ、１０８粒子／ｍＬ、１０９粒子／ｍＬ、１０１０粒子／ｍＬおよび１０１１粒子／ｍＬを意味する。
【0178】
１０６粒子／ｍＬの最小濃度により、試料中に分散される捕捉分子の効率的な捕捉のための十分な濃度が得られる。さらに、１０１１粒子／ｍＬの最大濃度は、ナノ粒子（１５μｍ以下の直径のクラスター）の過大な凝集を回避することを可能にし、このことは、一方で捕捉要素と捕捉分子との間の結合を破壊し、他方で、捕捉分子の定量化に悪影響を及ぼす。高濃度のナノ粒子は、磁場のスクリーニング、すなわち、磁場を減衰させることにも関与し、ナノ粒子の誘引に悪影響を及ぼす。本発明において、「１５μｍ以下の直径のクラスター」とは、１５μｍ、１０μｍ、５μｍ、４μｍ、３μｍ、２μｍ、１μｍ、０．５μｍおよび０．２μｍを意味する。
【0179】
一実施形態によれば、ステップａ）は、試料を、該分子を検出するための要素と接触させることをさらに含む。
【0180】
この検出要素は、適切な検出手段によって認識されるように、蛍光、発光、または着色され得るマーカーを有する。このマーカーは、酸化還元特性を有する酵素であり得る。
【0181】
ステップａ）の間に、磁性ナノ粒子、捕捉要素、捕捉分子、および検出要素によって形成される、いわゆる「サンドイッチ型」複合体が形成される。次いで、捕捉分子は、捕捉要素および検出要素によって「サンドイッチ」されるように取り囲まれる。
【0182】
これらの「サンドイッチ型」複合体の形成では、検出要素が第１のステップからの捕捉分子に付着されており、これは、磁性ナノ粒子の混合物中における良好な拡散特性により可能になる。したがって、磁性マイクロ粒子を用いると、かかる複合体の形成はより困難になる。
【0183】
上述の超音波処理ステップはまた、「サンドイッチ型」複合体の任意の凝集を回避するために、本実施形態において同じ条件下で実施することができる。
【0184】
あるいは、検出要素は、ナノ粒子、捕捉要素、および捕捉分子によって形成される複合体の支持体に対する固定化に続いて、ステップｃ）の間に捕捉分子の存在下において配置することができる。したがって、上記のようないわゆる「サンドイッチ型」複合体は、このステップｃ）の間に後置として形成される。
【0185】
最終的に、ステップａ）の最後に、ナノ粒子、捕捉要素および捕捉分子の複合体、またはナノ粒子、捕捉要素、捕捉分子および検出要素（かかる検出要素が存在する場合）の複合体を含む混合物が得られる。この混合物中には、単独の捕捉される分子および単独の捕捉要素に結合したナノ粒子、ならびに任意選択の単独の検出要素が残存していてもよい。
【0186】
該混合物は、例えば、ステップｂ）の間にナノ粒子を固定化するために、捕捉支持体上にピペットによって堆積されてもよい。該混合物はまた、例えば、この捕捉支持体がチャンバである場合、捕捉支持体に注入され得る。
【0187】
該混合物が支持体に配置されると、全ての（複合体化されているかまたは複合体化されていない）磁性ナノ粒子は、該少なくとも１つの磁性層によって誘引され、支持体に対して、より正確には該少なくとも１つの磁性層の捕捉面に対して静止する。
【0188】
それらの固定化の間に、（複合体化されているかまたは複合体化されてない）磁性ナノ粒子は、支持体に対して、より正確には該少なくとも１つの磁性層の捕捉面に対してランダムに分布しない。
【0189】
実際には、ナノ粒子は、本発明で画定される捕捉ゾーンで固定化される。したがって、１５％未満のナノ粒子の少数画分のみが、これらの捕捉ゾーンの外側に固定化されるか、または捕捉されないかのいずれかである。
【0190】
したがって、ナノ粒子は、第１および第２の領域の接合部の全てによって画定される特定のパターンに従って、支持体に対して、より正確には該少なくとも１つの磁性層の捕捉面に対して分配される。
【0191】
この分布は、ナノ粒子が捕捉される場所を決定することを可能にし、洗浄ステップを経ることなく該捕捉された分子の直接定量化を可能にするので、非常に興味深い。
【0192】
該少なくとも１つの磁性層の第１および第２の領域の組織化は、捕捉複合体の固定化および検出要素との結合または「サンドイッチ」された捕捉複合体の固定化の直後に支持体を洗浄することなく、検出および定量化を行うことを可能にする。
【0193】
これを行うには、まず、捕捉ゾーンでのマーキングの量を決定し、次に、捕捉ゾーン外でのマーキングの量を決定する必要がある。
【0194】
当業者は、検出要素に結合されたマーカーの種類の関数として実装されるマーキングの量を決定する手段を容易に適合させることができることになる。特に、これらの手段は、走査モードの分光光度計、落射蛍光顕微鏡、共焦点顕微鏡、二光子顕微鏡、酵素の酸化還元活性の測定などから選択することができる。
【0195】
例えば、蛍光マーキングの文脈において、当業者は、本明細書の「実施例」部分に提示されるように、電荷結合素子（ＣＣＤ）またはＣＭＯＳカメラに連結された「ＧＦＰ」キューブ（励起４６０～４９０ｎｍ）または「ＰＣＲ」キューブ（励起６５０ｎｍ～発光６６０ｎｍ）を備えた蛍光顕微鏡を使用することから利益を得る。
【0196】
捕捉ゾーン外のマーキング量は、「バックグラウンドシグナル」に対応する。換言すれば、このマーキングは、捕捉複合体に結合していない検出要素および捕捉ゾーンの外側に固定化された複合体の少数画分、ならびにマトリックスの効果（媒体の残留シグナル）に対応する。
【0197】
捕捉ゾーンで放出される特定のマーキングの量を取得するために、捕捉ゾーン以外で取得されたマーキングの量を、捕捉ゾーンで取得されたマーキングから減算する。
【0198】
本発明はまた、上記に定義された捕捉方法であって、ステップｂ）の間の該少なくとも１つの捕捉複合体の誘引が、該少なくとも１つの磁性層によって生成された磁場と、上記で定義された少なくとも１つの追加の磁場源によって生成された磁場との共同作用によって実行される、方法に関する。
【0199】
上述したように、該少なくとも１つの追加の磁場源は、磁性ナノ粒子の磁化を増大させるか、または飽和させることさえ可能にし、さらに、エネルギーシンクの振幅を増大させ、それにより、該少なくとも１つの磁性層によるナノ粒子の誘引を加速させることを可能にする。
【0200】
さらに、上述したように、追加の磁場は、特定の捕捉ゾーンを補強することを可能にし、それにより、局所捕捉を促進し、それにより、上述したように、捕捉された分子の洗浄なしでの検出を有利にする。
【0201】
この共同作用はまた、ナノ粒子を捕捉支持体に近づけることを目的とした試料からの溶媒の蒸発の使用を回避し、それによってそれらの捕捉を加速することを可能にする。かかる蒸発は、実際には、試料を加熱するか、または非常に長い待機時間を必要とし、これは、捕捉要素／検出要素と捕捉分子との間の結合、したがって捕捉分子の定量化に悪影響を及ぼし得る。
【0202】
したがって、ナノ粒子の誘引は、該少なくとも１つの磁場源および該少なくとも１つの磁性層の共同作用によって達成され、それぞれが異なる作用および機能を発揮する。
【0203】
その機能および作用により、該少なくとも１つの磁場源は、上述のように、捕捉支持体に関して任意の場所に配置することができる。
【0204】
したがって、該少なくとも１つの追加の磁場源は、
－該少なくとも１つの磁性層および／または非磁性層の捕捉面に面して、
－反対面または支持部材に面して、または
－任意の他の位置で、例えば横方向にオフセットされて、
同様に良好に配置することができる。
－該少なくとも１つの磁性層および／または非磁性層の捕捉面に面して、
－反対面または支持部材に面して、または
－任意の他の位置で、例えば横方向にオフセットされて、
同様に良好に配置することができる。
【0205】
ナノ粒子の有意な磁化は、有利には１ｍＴ～４００ｍＴ、有利には１０ｍＴ～４００ｍＴ、より有利には５０ｍＴ～２００ｍＴのレベルで磁場を印加することによって達成される。
【0206】
該少なくとも１つの追加の磁場源の作用は、ステップａ）およびｂ）を通して実行され得る。
【0207】
有利には、これは、ステップｂ）の間に誘発される。したがって、ステップａ）の間、および該少なくとも１つの追加の磁場源の作用を引き起こす前に、磁性ナノ粒子におけるその磁場は、不十分であるか、またはゼロである。
【0208】
ステップｂ）の間の該少なくとも１つの追加の磁場源の作用の誘発は、磁性ナノ粒子において、１ｍＴ～４００ｍＴ、有利には１０ｍＴ～４００ｍＴ、より有利には５０ｍＴ～２００ｍＴの磁場を生成することによって確保される。
【0209】
該少なくとも１つの追加の磁場源の作用を誘発するために、追加の磁場源は、第１の代替形態によれば、捕捉支持体により近づけることができる。この実施形態に関して、該少なくとも１つの追加の磁場源は、有利には、永久磁石である。
【0210】
第２の代替形態によれば、この誘発は、電流を該追加磁場源に通すことによって達成される。この実施形態では、該少なくとも１つの追加の磁場源は、有利には、コイルまたは電磁石であり、誘発は、該追加の磁場源を通る電流の通過によって達成される。
【0211】
有利には、該少なくとも１つの追加の磁場源の作用が、例えば、この磁場源を離れるように移動させることによって、またはそれを通過する電流の通過を停止させることによって、ステップｂ）の終了時に停止される場合であっても、捕捉されたナノ粒子は、捕捉ゾーンにおいて捕捉支持体に対して定位置に残存する。したがって、これらのナノ粒子の位置に影響を与えることなく、したがって洗浄ステップが損なわれることなく直接検出することなく、捕捉支持体を適切な場所に移動させて検出要素のマーカーを検出することが可能である。
【0212】
本発明はまた、上記で定義された捕捉方法であって、捕捉支持体が、上記で定義された非磁性層をさらに含み、ステップｂ）の間の捕捉支持体による該少なくとも１つの捕捉複合体の誘引は、該少なくとも１つの追加の磁場源の磁場によって誘発される、方法に関する。
【0213】
この実施形態では、非磁性層の存在は、ナノ粒子が、該少なくとも１つの磁性層によって生成された磁場によってのみ誘引される可能性を低減させるか、またはそれを防止する。
【0214】
このため、有利には、
－一方で、該少なくとも１つの磁性層および該少なくとも１つの追加の磁場源の全てによって生成された磁場は、該非磁性層の捕捉面から少なくとも１μｍの距離において少なくとも０．１ｍＴのその強度の少なくとも１つの変動を有し、その強度の該少なくとも１つの変動は、磁場の強度の水準の最大および最小を規定し、該磁場の水準の該最大において、捕捉支持体上の磁性ナノ粒子の捕捉ゾーンを画定し、
－他方で、該少なくとも１つの磁性層によって生成された磁場は、該非磁性層の表面から少なくとも１μｍの距離において少なくとも０．１ｍＴのその強度の少なくとも１つの変動を示さず、それにより、該少なくとも１つの磁性層によってのみ生成された磁場は、該非磁性層の表面上の磁性ナノ粒子の捕捉ゾーンを画定することを可能にしない。
－一方で、該少なくとも１つの磁性層および該少なくとも１つの追加の磁場源の全てによって生成された磁場は、該非磁性層の捕捉面から少なくとも１μｍの距離において少なくとも０．１ｍＴのその強度の少なくとも１つの変動を有し、その強度の該少なくとも１つの変動は、磁場の強度の水準の最大および最小を規定し、該磁場の水準の該最大において、捕捉支持体上の磁性ナノ粒子の捕捉ゾーンを画定し、
－他方で、該少なくとも１つの磁性層によって生成された磁場は、該非磁性層の表面から少なくとも１μｍの距離において少なくとも０．１ｍＴのその強度の少なくとも１つの変動を示さず、それにより、該少なくとも１つの磁性層によってのみ生成された磁場は、該非磁性層の表面上の磁性ナノ粒子の捕捉ゾーンを画定することを可能にしない。
【0215】
支持体の表面は、ナノ粒子が固定化される表面に対応する。
【0216】
したがって、ステップｂ）の間の磁性ナノ粒子の誘引は、これらのナノ粒子に対する該少なくとも１つの磁場源の作用、すなわち、
－この磁場源によって生成された磁場による、これらの粒子の磁化の有意な増大、および／または
－エネルギーシンクの振幅の増大
に依存する。
－この磁場源によって生成された磁場による、これらの粒子の磁化の有意な増大、および／または
－エネルギーシンクの振幅の増大
に依存する。
【0217】
本発明のこの態様は、ステップａ）の間に該少なくとも１つの磁性層単独の作用によってナノ粒子が誘引され得る可能性を低減または相殺することによって、同じ場所、すなわち捕捉支持体におけるステップａ）およびｂ）の実行を最適化することを可能にするので、非常に興味深い。
【0218】
非磁性層の存在により、ナノ粒子の少なくとも一部（複合体化されているかまたは複合体化されてない）は、該少なくとも１つの磁性層に対してではなく、この非磁性層に対して固定化されることになる。より正確には、捕捉面および該少なくとも１つの磁性層に面する反対面を有する非磁性層は、ステップｂ）の間、非磁性層の第１の捕捉面に対してナノ粒子の少なくとも一部が固定化される。
【0219】
本発明は、上記で定義される捕捉方法であって、試料を、磁性ナノ粒子と接触させるステップａ）の前に捕捉支持体に配置する、方法にも関する。
【0220】
有利には、該少なくとも１つの磁場源の作用は、ステップｂ）の間に誘発される。
【0221】
したがって、ステップａ）の間、磁性ナノ粒子の磁化および／または該少なくとも１つの磁性層のエネルギーシンクの振幅は、該非磁性層によって覆われた該少なくとも１つの磁性層のみの作用による該ナノ粒子の誘引を可能にするのに十分ではない。したがって、ナノ粒子と試料との混合は、該少なくとも１つの追加の磁気源による早期誘引によっては、少しであっても、ほとんど妨害されない。
【0222】
驚くべきことに、本発明者らは、非磁性層の存在と、ナノ粒子上の該少なくとも１つの磁性層の誘引性へのその影響にかかわらず、該少なくとも１つの追加の磁場源によって生成された磁場の作用が、例えば、この磁場源を遠ざけるか、または電流を止めることによって、ステップｂ）の最後に停止される場合、固定化されたナノ粒子は、捕捉ゾーンでの支持体に対して所定の位置に残存することを発見した。
【0223】
この現象の１つの説明は、該少なくとも１つの磁性層によって生成され、非磁性層の表面上に存在する磁場の勾配が、該非磁性層に対してナノ粒子を所定の位置に保持するのに十分であることである。さらなる説明は、一方では互いに凝集した磁性ナノ粒子と、他方では非磁性層の捕捉面で吸収された粒子との間に、吸着、すなわち化学的／物理的結合が存在することである。
【0224】
したがって、ここでも、これらの粒子の位置に影響を与えることなく、それにより、洗浄ステップが損なわれることなく直接検出することなく、捕捉支持体を適切な場所に移動させて検出要素のマーカーを検出することが可能である。
【0225】
本発明は、上記で定義される捕捉方法であって、支持体に対して捕捉された磁性ナノ粒子を回収ゾーンに変位させる後続のステップｃ）を含む、方法にも関する。
【0226】
この変位は、「接続ロッドクランク」と称される技術を使用して実行される：
－このクランクは、該少なくとも１つの磁性層の磁気領域によって生成された磁場である；この磁場をｂ（Ｒ）（Ｒは空間上の点である）とする；該少なくとも１つの磁性層は、磁気エネルギー最小を生成するために、生成された磁場の強度の変動を示す、
－接続ロッドは、該少なくとも１つの追加の磁場源によって生成される（方向および強度において）空間的に均一な磁場である；本出願では、該磁場の振幅および配向を修正することができる。
－このクランクは、該少なくとも１つの磁性層の磁気領域によって生成された磁場である；この磁場をｂ（Ｒ）（Ｒは空間上の点である）とする；該少なくとも１つの磁性層は、磁気エネルギー最小を生成するために、生成された磁場の強度の変動を示す、
－接続ロッドは、該少なくとも１つの追加の磁場源によって生成される（方向および強度において）空間的に均一な磁場である；本出願では、該磁場の振幅および配向を修正することができる。
【0227】
接続ロッドによって生成された「均一な」磁場は、クランクの磁場が生成されるゾーン全体に適用される。したがって、接続ロッドによって生成された磁場は、該少なくとも１つの磁性層によって生成された磁場と空間内に共存するため、それらのベクトル値は、１に等しい相対透磁性の媒体（空気または水など）に直線的に重ね合わされる。
【0228】
接続ロッドによって生成される磁場が変調され得るという事実に起因して、ステップｃ）中に、接続ロッドを少なくとも１つの回転軸の周りで少なくとも１°時計回りまたは反時計回りに回転させること、および／または該磁場を増幅することが可能である。したがって、接続ロッドの磁場を時間的に変化させることができる。よって、接続ロッドの磁場をＢ（ｔ）（ｔは時間である）とする。
【0229】
その結果、クランクの磁場は空間によって変動するが、時間的には変化せず、接続ロッドの磁場は時間的に変動する。
【0230】
したがって、接続ロッドおよびクランクが適用されるゾーンでは、全磁場ＳｔはｂおよびＢのベクトル和、すなわち、ＢＴ（Ｒ，ｔ）＝ｂ（Ｒ）＋Ｂ（ｔ）である。
【0231】
このように、ステップｃ）の間に、支持体に対する磁性ナノ粒子の捕捉ゾーンの位置を変更することが可能である。
【0232】
本発明において、「１°～３６０°」とは、１°、２°、３°、４°、５°、６°、７°、８°、９°、１０°、１１°、１２°、１３°、１４°、１５°、１６°、１７°、１８°、１９°、２０°、２１°、２２°、２３°、２４°、２５°、２６°、２７°、２８°、２９°、３０°、３１°、３２°、３３°、３４°、３５°、３６°、３７°、３８°、３９°、４０°、４１°、４２°、４３°、４４°、４５°、４６°、４７°、４８°、４９°、５０°、５１°、５２°、５３°、５４°、５５°、５６°、５７°、５８°、５９°、６０°、６１°、６２°、６３°、６４°、６５°、６６°、６７°、６８°、６９°、７０°、７１°、７２°、７３°、７４°、７５°、７６°、７７°、７８°、７９°、８０°、８１°、８２°、８３°、８４°、８５°、８６°、８７°、８８°、８９°、９０°、９１°、９２°、９３°、９４°、９５°、９６°、９７°、９８°、９９°、１００°、１０１°、１０２°、１０３°、１０４°、１０５°、１０６°、１０７°、１０８°、１０９°、１１０°、１１１°、１１２°、１１３°、１１４°、１１５°、１１６°、１１７°、１１８°、１１９°、１２０°、１２１°、１２２°、１２３°、１２４°、１２５°、１２６°、１２７°、１２８°、１２９°、１３０°、１３１°、１３２°、１３３°、１３４°、１３５°、１３６°、１３７°、１３８°、１３９°、１４０°、１４１°、１４２°、１４３°、１４４°、１４５°、１４６°、１４７°、１４８°、１４９°、１５０°、１５１°、１５２°、１５３°、１５４°、１５５°、１５６°、１５７°、１５８°、１５９°、１６０°、１６１°、１６２°、１６３°、１６４°、１６５°、１６６°、１６７°、１６８°、１６９°、１７０°、１７１°、１７２°、１７３°、１７４°、１７５°、１７６°、１７７°、１７８°、１７９°、１８０°、１８１°、１８２°、１８３°、１８４°、１８５°、１８６°、１８７°、１８８°、１８９°、１９０°、１９１°、１９２°、１９３°、１９４°、１９５°、１９６°、１９７°、１９８°、１９９°、２００°、２０１°、２０２°、２０３°、２０４°、２０５°、２０６°、２０７°、２０８°、２０９°、２１０°、２１１°、２１２°、２１３°、２１４°、２１５°、２１６°、２１７°、２１８°、２１９°、２２０°、２２１°、２２２°、２２３°、２２４°、２２５°、２２６°、２２７°、２２８°、２２９°、２３０°、２３１°、２３２°、２３３°、２３４°、２３５°、２３６°、２３７°、２３８°、２３９°、２４０°、２４１°、２４２°、２４３°、２４４°、２４５°、２４６°、２４７°、２４８°、２４９°、２５０°、２５１°、２５２°、２５３°、２５４°、２５５°、２５６°、２５７°、２５８°、２５９°、２６０°、２６１°、２６２°、２６３°、２６４°、２６５°、２６６°、２６７°、２６８°、２６９°、２７０°、２７１°、２７２°、２７３°、２７４°、２７５°、２７６°、２７７°、２７８°、２７９°、２８０°、２８１°、２８２°、２８３°、２８４°、２８５°、２８６°、２８７°、２８８°、２８９°、２９０°、２９１°、２９２°、２９３°、２９４°、２９５°、２９６°、２９７°、２９８°、２９９°、３００°、３０１°、３０２°、３０３°、３０４°、３０５°、３０６°、３０７°、３０８°、３０９°、３１０°、３１１°、３１２°、３１３°、３１４°、３１５°、３１６°、３１７°、３１８°、３１９°、３２０°、３２１°、３２２°、３２３°、３２４°、３２５°、３２６°、３２７°、３２８°、３２９°、３３０°、３３１°、３３２°、３３３°、３３４°、３３５°、３３６°、３３７°、３３８°、３３９°、３４０°、３４１°、３４２°、３４３°、３４４°、３４５°、３４６°、３４７°、３４８°、３４９°、３５０°、３５１°、３５２°、３５３°、３５４°、３５５°、３５６°、３５７°、３５８°、３５９°または３６０°を意味する。
【0233】
次に、接続ロッドとクランクの磁場のベクトル和算結果が得られ、これは、ステップｂ）の最後に得られたものとは異なるものであり、接続ロッドおよびクランクのアセンブリによって生成される磁場の強度の水準の最大の位置が移動され、捕捉ゾーンがこのステップｂ）に対してオフセットされるようになる。したがって、生成された磁場勾配によって誘引されたナノ粒子は、捕捉ゾーンの新しい位置に配置されるまで同時に移動される。
【0234】
有利には、ステップｃ）は、同じ方向に漸進的に変位しているナノ粒子が回収ゾーンに到達するまで、同じ回転方向に繰り返される。
【0235】
ステップｃ）を繰り返すことによって、「コンベヤベルト」効果が得られ、ナノ粒子は、回収ゾーンに向かって捕捉支持体の表面に沿って同じ方向に移動される。捕捉分子はナノ粒子と複合体を形成するため、この回収ゾーンでもそれは回収される。
【0236】
最終的に、本発明により、混合物中に含有された分子の全てを変位させる流体流を支持体に適用することなく、捕捉分子を回収することが可能である。
【0237】
本発明はさらに、試料中に含有される分子の捕捉のための、有利には、試料中に含有される分子の捕捉および検出のための、上記で定義されるキットの使用に関する。
【0238】
本発明はまた、１μｍ未満の寸法を最大寸法として有するナノ粒子を誘引するための磁性層の使用に関し、該磁性層は、少なくとも第１および第２の領域の繰り返し可能な並置を含み、第１の領域は、第１の方向に分極された磁性粒を含み、第２の領域は、分極されていないか、または第１の領域の磁性粒子の第１の分極方向とは異なる第２の方向に分極された磁性粒を含み、それにより、該１つの磁性層は、該少なくとも１つの磁性層から少なくとも１μｍの距離において少なくとも０．１ｍＴのその強度の少なくとも１つの変動を有する磁場を生成し、該その強度の少なくとも１つの変動は、磁場の該強度の水準の最大および最小を規定し、該磁場の水準の該最大において、該磁性層上に磁性ナノ粒子の捕捉ゾーンを画定され、該ナノ粒子はそれぞれ、分子の少なくとも１つの捕捉要素に結合される。
【0239】
別のキットもまた、試料中に含有される分子を捕捉するために記載されており、当該キットは、
ａ）最大寸法として１μｍ未満の寸法を有する磁性ナノ粒子であって、該ナノ粒子が、それぞれ少なくとも１つの捕捉要素に結合され、該少なくとも１つの捕捉要素が、該分子に特異的に結合する、磁性ナノ粒子と、
ｂ）少なくとも１つの磁性層を含むか、またはそれから本質的になる該磁性ナノ粒子を捕捉するための支持体であって、該磁性層が、少なくとも第１および第２の領域の繰り返し可能な並置を含み、第１の領域が、第１の方向に分極された磁性粒子を含み、第２の領域が、分極されていないか、または第１の領域の磁性粒子の第１の分極方向とは異なる第２の方向に分極された磁性粒子を含み、それにより、該少なくとも１つの磁性層が、該少なくとも１つの磁性層から少なくとも１μｍの距離において少なくとも０．１ｍＴの強度の少なくとも１つの変動を示さない磁場を生成する、支持体と、
ｃ）少なくとも１つの追加の磁場源であって、該少なくとも１つの磁性層と該少なくとも１つの追加の磁場源とのアセンブリによって生成される磁場が、該少なくとも１つの磁性層から少なくとも１μｍの距離において少なくとも０．１ｍＴのその強度の少なくとも１つの変動を示す、磁場源と
を含み、
強度の該少なくとも１つの変動は、該磁場の強度の水準の最大および最小を規定し、該磁場の水準の該最大において、捕捉支持体上に磁性ナノ粒子を捕捉するためのゾーンを画定する。
ａ）最大寸法として１μｍ未満の寸法を有する磁性ナノ粒子であって、該ナノ粒子が、それぞれ少なくとも１つの捕捉要素に結合され、該少なくとも１つの捕捉要素が、該分子に特異的に結合する、磁性ナノ粒子と、
ｂ）少なくとも１つの磁性層を含むか、またはそれから本質的になる該磁性ナノ粒子を捕捉するための支持体であって、該磁性層が、少なくとも第１および第２の領域の繰り返し可能な並置を含み、第１の領域が、第１の方向に分極された磁性粒子を含み、第２の領域が、分極されていないか、または第１の領域の磁性粒子の第１の分極方向とは異なる第２の方向に分極された磁性粒子を含み、それにより、該少なくとも１つの磁性層が、該少なくとも１つの磁性層から少なくとも１μｍの距離において少なくとも０．１ｍＴの強度の少なくとも１つの変動を示さない磁場を生成する、支持体と、
ｃ）少なくとも１つの追加の磁場源であって、該少なくとも１つの磁性層と該少なくとも１つの追加の磁場源とのアセンブリによって生成される磁場が、該少なくとも１つの磁性層から少なくとも１μｍの距離において少なくとも０．１ｍＴのその強度の少なくとも１つの変動を示す、磁場源と
を含み、
強度の該少なくとも１つの変動は、該磁場の強度の水準の最大および最小を規定し、該磁場の水準の該最大において、捕捉支持体上に磁性ナノ粒子を捕捉するためのゾーンを画定する。
【0240】
有利には、該追加の磁場源は、該少なくとも１つの磁性層の外部にある。
【0241】
さらに有利には、該少なくとも１つの磁性層は、捕捉面を有し、該少なくとも１つの磁性層は、該捕捉面上で非磁性層によって少なくとも部分的に覆われ、該少なくとも１つの磁性層および該少なくとも１つの追加の磁場源の全てによって生成された磁場は、該非磁性層の捕捉面から少なくとも１μｍの距離で少なくとも０．１ｍＴのその強度の少なくとも１つの変動を示し、その強度の該少なくとも１つの変動は、該磁場の強度の水準の最大および最小を規定し、該磁場の水準の該最大において、捕捉支持体上に磁性ナノ粒子を捕捉するためのゾーンを画定する。
【0242】
捕捉支持体、追加の磁場源、および上述のキットに関連するナノ粒子に関する上述の特徴の全ては、このキットにおいて準用される。
【0243】
本発明はまた、試料中に含有される分子を捕捉する方法に関し、該方法は、
ａ）該試料を、上記に定義される磁性ナノ粒子と接触させて、該分子と、該磁性ナノ粒子に結合された該少なくとも１つの捕捉要素との間に、少なくとも１つの捕捉複合体を形成するステップ、
ｂ）該少なくとも１つの捕捉複合体が、上記で定義される少なくとも１つの捕捉ゾーンにおいて該捕捉支持体に対して固定化されるように、ステップａ）の間に形成された該少なくとも１つの捕捉複合体を、上記で定義される捕捉支持体の少なくとも１つの磁性層と、少なくとも１つの追加の磁場源とのアセンブリによって生成された磁場によって誘引するステップ
を含む。
ａ）該試料を、上記に定義される磁性ナノ粒子と接触させて、該分子と、該磁性ナノ粒子に結合された該少なくとも１つの捕捉要素との間に、少なくとも１つの捕捉複合体を形成するステップ、
ｂ）該少なくとも１つの捕捉複合体が、上記で定義される少なくとも１つの捕捉ゾーンにおいて該捕捉支持体に対して固定化されるように、ステップａ）の間に形成された該少なくとも１つの捕捉複合体を、上記で定義される捕捉支持体の少なくとも１つの磁性層と、少なくとも１つの追加の磁場源とのアセンブリによって生成された磁場によって誘引するステップ
を含む。
【0244】
本発明はまた、試料中に含有される分子の捕捉のための、有利には、試料中に含有される分子の捕捉および検出のための、上記で定義されるキットの使用に関する。
【0245】
本発明は、最終的に、最大寸法として１μｍ未満の寸法を有するナノ粒子を誘引するための磁性層および追加の磁場源を含むアセンブリの使用に関し、該磁性層は、少なくとも第１および第２の領域の繰り返し可能な並置を含み、第１の領域は、第１の方向に分極された磁性粒を含み、第２の領域は、分極されていないか、または第１の領域の磁性粒子の第１の分極方向とは異なる第２の方向に分極された磁性粒を含み、それにより、該１つの磁性層および該追加の磁場源の全てによって生成される磁場は、該少なくとも１つの磁性層から少なくとも１μｍの距離において少なくとも０．１ｍＴのその強度の少なくとも１つの変動を示し、該その強度の少なくとも１つの変動が、該磁場の強度の水準の最大および最小を規定し、該磁場の水準の該最大において、該磁性層上に磁性ナノ粒子を捕捉するためのゾーンを画定する。
【0246】
有利には、該ナノ粒子はそれぞれ、分子の少なくとも１つの捕捉要素に結合される。
【0247】
（図面の簡単な説明）
図１は、本発明による磁性層によるナノ粒子の捕捉を示す。捕捉システムを断面図で示す。磁性層によって放射される磁場の強度は、そのスケールが断面図の右側に提示されるカラーコードによって定義される（単位：Ｔ）。磁性層内の矢印は、それを構成する粒の分極方向を表す。
図１は、本発明による磁性層によるナノ粒子の捕捉を示す。捕捉システムを断面図で示す。磁性層によって放射される磁場の強度は、そのスケールが断面図の右側に提示されるカラーコードによって定義される（単位：Ｔ）。磁性層内の矢印は、それを構成する粒の分極方向を表す。
【0248】
【0249】
図３は、本発明による磁性層によるナノ粒子の捕捉を示し、該層は非磁性層で覆われている。捕捉システムを断面図で示す。磁性層によって生成される磁場の強度は、そのスケールが断面図の右側に提示されるカラーコードによって定義される（単位：Ｔ）。ナノ粒子からの矢印は、磁性層によって誘引されたナノ粒子の移動方向を表す。磁性層内の矢印は、それを構成する粒の分極方向を表す。
【0250】
【0251】
図５ａは、本発明による磁性層によるナノ粒子の捕捉を示し、該層は非磁性層で覆われ、捕捉は、追加の磁場源からの磁場の存在下で行われる。捕捉システムを断面図で示す。追加の磁場源によって生成された磁場の方向は、断面図の上に黒い枠線を持つ白い矢印によって示され、磁性層に垂直である。磁性層によって生成される磁場の強度は、そのスケールが断面図の右側に提示されるカラーコードによって定義される（単位：Ｔ）。ナノ粒子からの矢印は、磁性層によって誘引されたナノ粒子の移動方向を表す。磁性層内の矢印は、それを構成する粒の分極方向を表す。
【0252】
図５ｂは、本発明による磁性層によるナノ粒子の捕捉を示し、該層は非磁性層で覆われ、捕捉は、追加の磁場源からの磁場の存在下で行われる。捕捉システムを断面図で示す。追加の磁場源によって生成された磁場の方向は、断面図の上に黒い枠線を持つ白い矢印によって示され、磁性層に平行である。（磁性層および追加の磁場源によって生成される）全磁場の強度は、そのスケールが断面図の右側に提示されるカラーコードによって定義される（単位：Ｔ）。ナノ粒子からの矢印は、磁性層によって誘引されたナノ粒子の移動方向を表す。磁性層内の矢印は、それを構成する粒の分極方向を表す。
【0253】
【0254】
図７は、図１～３に示される捕捉の各捕捉の時間（Ｙ軸）の関数として捕捉されたナノ粒子（Ｘ軸）の割合（％）を示す。時間は分単位で表される。曲線Ａは、図５ａに示す捕捉動態に対応し、曲線Ｂは、図１に示す捕捉動態に対応し、曲線Ｃは、図３に示す捕捉動態に対応する。
【0255】
図８は、蛍光色素を担持し、抗マウスオボアルブミン捕捉抗体に移植されたナノ粒子複合体に結合した抗マウス検出捕捉抗体を示す。これは、オボアルブミンを移植したナノ粒子でもある。
【0256】
図９は、抗オボアルブミン抗体の濃度（μｇ／ｍＬ）の関数として計算された蛍光量（任意単位）を示すグラフである。
【0257】
図１０は、図８の複合体の捕捉後の写真を示す。各白色点は、図８の捕捉抗体（抗マウス）によって担持される蛍光色素を表す。図１０Ａについては、約５０μｇ／ｍＬのマウス抗オボアルブミン濃度を使用した；図１０Ｂについては、約２５μｇ／ｍＬの濃度を使用した；図１０Ｃについては、約１２．５μｇ／ｍＬの濃度を使用した；図１０Ｄについては、約６．２５μｇ／ｍＬの濃度を使用した；図１０Ｅは、抗マウスオボアルブミン抗体を使用しない陰性対照である。
【0258】
図１１は、ＭａｇＶｉｅｗ ＣＭＯＳ型のＭＯＩＦ系におけるＤＬＧｉ５ガーネットの較正曲線を示すグラフである。このグラフは、磁場の強度（テスラ）の関数として、該ガーネットを通過した光ビームの分極の回転（度数）を示す。
【0259】
【0260】
図１３は、追加の磁場源の存在下でのマイクロ流体チャンバ内のナノ粒子の捕捉後の写真を示す。白点はナノ粒子を表す。図１３Ａ～１３Ｆは、捕捉動態（Ａ：０秒；Ｂ：２秒；Ｃ：５秒；Ｄ：１２秒；Ｅ：３４秒およびＦ：６０秒）を示す。
【0261】
【0262】
図１５は、溶液中のナノ粒子のサイズを示す分光分析グラフである。サイズは、動的光散乱技法を使用して決定した。Ｙ軸は、ナノ粒子の相対頻度を割合（％）で表し、Ｘ軸は、ナノメートルでナノ粒子のサイズを表す対数スケールである。
【0263】
（実施例）
（実施例１：磁気ストリップによるナノ粒子の捕捉）
磁気カードの磁気ストリップによるナノ粒子の捕捉を最初に試験した。
（実施例１：磁気ストリップによるナノ粒子の捕捉）
磁気カードの磁気ストリップによるナノ粒子の捕捉を最初に試験した。
【0264】
（実験プロトコル）
使用したナノ粒子（Chemicell nanoscreenmag ARA 200nm）は、２００ｎｍの平均直径、１．２５ｇ／ｃｍ３の密度、４２０，０００Ａ／ｍの飽和磁化、２５ｍｇ／ｍＬの質量濃度、４７６ｎｍの長さの発光波長および４９０ｎｍの励起波長を有する。ナノ粒子を、ｄｄＨ２Ｏ中で、１．１×１０１２ナノ粒子／ｇおよび４．４×１０９ナノ粒子／ｍＬのレベルまで希釈する。
使用したナノ粒子（Chemicell nanoscreenmag ARA 200nm）は、２００ｎｍの平均直径、１．２５ｇ／ｃｍ３の密度、４２０，０００Ａ／ｍの飽和磁化、２５ｍｇ／ｍＬの質量濃度、４７６ｎｍの長さの発光波長および４９０ｎｍの励起波長を有する。ナノ粒子を、ｄｄＨ２Ｏ中で、１．１×１０１２ナノ粒子／ｇおよび４．４×１０９ナノ粒子／ｍＬのレベルまで希釈する。
【0265】
存在し得るナノ粒子の凝集体を分解するために、脱イオン水（ｄｄＨ２Ｏ）中に希釈したナノ粒子の溶液を、ＳＯＮＩＣ ＲＵＰＴＯＲ ４０００ソニケータを使用して混合した。断続的な超音波処理を、チューブ内で４００Ｗの総電力の２０％、および２００００Ｈｚ前後の推定周波数で行った。合計３つの超音波パルスを、２秒ごとに５００ミリ秒の持続時間で放出した。
【0266】
捕捉されるナノ粒子がナノ粒子のクラスターの形態ではないことを検証するために、本発明者らは、「回折光散乱」によって溶液中のナノ粒子のサイズを測定した。結果を図１５に示す。
【0267】
捕捉支持体は、ＰＶＣ支持部材と、同じ平面上に配置された３つの磁性層で構成された磁気ストリップとで構成され、高磁性ポリマーで構成される磁気カードである。支持部材および磁性層を、ＩＳＯ７８１１基準に従って組み付けた。磁性層はそれぞれ、ＭＳＲ６０５エンコーダを使用して、１６進数で文字（ＬＥＴＴＥＲ）Ｆの１８２倍に対応する一連の「１」で符号化され、これにより、磁場配向を約５５μｍごとに１８０度変化させることができる。
【0268】
ナノ粒子の捕捉は、５μＬのナノ粒子の溶液を堆積させ、磁気カードの磁性層に液滴を堆積させることによって行われる。
【0269】
この捕捉の概略図を図１に示している。この図において、ナノ粒子１は溶液中にあり、一部１’は、磁気ストリップ（黒矢印で表される）の磁性層３によって誘引される。磁性層は、粒の分極が反転する第１の領域５および第２の領域７を有する（大きな白い矢印によって表されている）。各領域によって生成される磁場は、領域の一方の側で開始し他方の側で終了する弧に従う小さな白い矢印によって表される。これらの矢印の方向は、生成された磁場の方向を示している。磁場の強度は、カラースケールで表されている。この磁場の強度は、上述したように、COMSOL Multiphysics（登録商標）５．０モデリングソフトウェアを使用して実施した有限要素アプローチによって得られた。白色は磁場の強度が強いことを示している。磁性層３の上には、第１および第２の領域（５，７）によって生成された磁場の強度が見られ、各々が約１００μｍ幅であり、磁場は変動を示している。磁場９の強度の最大の存在は、第１の領域５と第２の領域７との間の接合部の上方に明確に見ることができ、各領域（５，７）自体における磁場の強度はより低い。したがって、磁場９の水準の各最大において、捕捉ゾーン１１は、磁性層３の表面上の正射影によって画定され、そこでナノ粒子１’が固定化される。
【0270】
次いで、ＣＣＤカメラ（Diagnostic Instruments SPOT RTモノクロデジタルカメラ）に結合された「ＧＦＰ」キューブ（励起４６０～発光４９０ｎｍ）を備えた蛍光顕微鏡（Olympus BX41M）で画像を捕捉する。青色励起光源（４６０～４９０ｎｍ）を使用する。画像は、５０倍の合計倍率で、３秒（利得１４ｄｂ）の捕捉時間で捕捉される。画像捕捉の例を図２に見ることができる。この図において白色の点はナノ粒子を表す。捕捉されたナノ粒子の配列を明確に見ることができる。
【0271】
磁気ストリップによって捕捉されたナノ粒子の割合（％）は、Fratzl et al,Soft Matter(14)2671 2680(2018)の刊行物に記載されているプロトコルに従って定量化される。簡潔に言えば、この定量化は、ナノ粒子によって覆われていない面積に対するナノ粒子によって覆われた面積の比によって得られる。
【0272】
捕捉動態の結果は、図７に示されており、曲線Ｂによって表されている。
【0273】
（結果）
図７に見られるように、磁性ナノ粒子の捕捉は、磁性基板上に液滴を堆積させた直後に引き起こされ、２分で４０％に達する。
図７に見られるように、磁性ナノ粒子の捕捉は、磁性基板上に液滴を堆積させた直後に引き起こされ、２分で４０％に達する。
【0274】
さらに、図１５に示される結果は、単一のナノ粒子の直径に対応する、２８２ｎｍ（９．５ｎｍ標準偏差）の平均直径を示す懸濁ビーズによる単一のピークを示している。これらの結果は、ナノ粒子が互いに独立しており、クラスターを形成しないことを実証している。
【0275】
（実施例２：非磁性層で覆われた磁気ストリップによるナノ粒子の捕捉）
この例では、非磁性層で覆われた磁気カードの磁気ストリップによるナノ粒子の捕捉を試験する。
この例では、非磁性層で覆われた磁気カードの磁気ストリップによるナノ粒子の捕捉を試験する。
【0276】
（実験プロトコル）
使用されるナノ粒子および捕捉支持体は、磁性ストリップが厚さ６０μｍの黒色ポリマー（ビニル）の自己接着層によって覆われていることを除いて、実施例１で使用されるものと同じである。
使用されるナノ粒子および捕捉支持体は、磁性ストリップが厚さ６０μｍの黒色ポリマー（ビニル）の自己接着層によって覆われていることを除いて、実施例１で使用されるものと同じである。
【0277】
ナノ粒子の捕捉方法、ならびに捕捉されたナノ粒子の割合（％）の決定は、実施例１と同じである。
【0278】
この捕捉の図を図３に示している。この図には、図１に示す要素が含まれる。また、磁性層３の表面には非磁性層１３が配置されている。この図３に見られるように、磁性層３によって生成された磁場の一部のみが非磁性層１３の表面上に突出しているため、磁場の水準の最大は非磁性層によって「隠される」。したがって、捕捉支持体の表面から少なくとも１μｍの距離において、少なくとも０．１ｍＴの該磁場の強度に変動はなく、したがって捕捉ゾーンも存在しない。したがって、ナノ粒子は、非常に弱く誘引され、磁気ストリップに対してランダムな方法で固定化され、主に溶液中に残存する。
【0279】
【0280】
捕捉動態の結果は、図７に示されており、曲線Ｃによって表されている。
【0281】
（結果）
図７に見られるように、ナノ粒子は、磁気カードの磁気ストリップにより極めて緩慢に捕捉される。１０分後、捕捉はわずか１５％に達する。
図７に見られるように、ナノ粒子は、磁気カードの磁気ストリップにより極めて緩慢に捕捉される。１０分後、捕捉はわずか１５％に達する。
【0282】
（実施例３：追加の磁場源の存在下で、非磁性層で覆われた磁気ストリップによるナノ粒子の捕捉）
この例では、追加の磁場源の存在下で、非磁性層で覆われた磁気カードの磁気ストリップによるナノ粒子の捕捉を試験する。
この例では、追加の磁場源の存在下で、非磁性層で覆われた磁気カードの磁気ストリップによるナノ粒子の捕捉を試験する。
【0283】
（実験プロトコル）
使用されるナノ粒子および捕捉支持体は、実施例２で使用されるものと同じである。
使用されるナノ粒子および捕捉支持体は、実施例２で使用されるものと同じである。
【0284】
追加の磁場源は、１ｍｍ軸に沿って磁化されたＮｄＦｅＢマクロ磁石（Ｎ３５、付着力８００ｇ）の平行六面体（２０×１０×１ｍｍ）のヘッドツーテールアセンブリ（垂直／水平磁化）である。
【0285】
磁気カードは、磁性層が該磁場源の反対側に配置されないように、追加の磁場源上に堆積される。
【0286】
ナノ粒子の捕捉方法、ならびに捕捉されたナノ粒子の割合（％）の決定は、実施例１と同じである。
【0287】
この捕捉の図を図５ａおよび５ｂに示している。図５ａでは、追加の磁場源（図示せず）は、黒い枠線を有する白い矢印で表される、磁性層３に垂直な方向を有する磁場を放出する。図５ｂでは、追加の磁場源（図示せず）は、黒い境界を有する白い矢印で表される、磁性層３に平行な方向を有する磁場を放出する。これらの２つの図では、捕捉ゾーンの位置上の追加の磁場源によって生成された磁場の方向の影響を見ることが可能である。
【0288】
これらの図は、図１および３に示す要素を示している。これらの図は、一方では、非磁性層１３の表面で生成される磁場の強度がはるかに強く、磁場９の強度の水準の最大がもはや非磁性層１３によって隠されないことを明確に示している。さらに、図１に最初に示されたものと比較して、磁場９の強度の水準の１つおきの最大のみが存在し、したがって、１つおきの捕捉ゾーン１１が存在する。しかしながら、これらの最大９は、図１に最初に示されたものよりも大きい強度を有する。
【0289】
図５ａでは、磁性層３に垂直な追加の磁場により、捕捉ゾーン１１は、隣接する領域（５，７）の分極が配向される接合部の上方に位置する。しかしながら、隣接領域の分極が離れて移動する接合部の上では、磁場の水準は最小限に抑えられる。
【0290】
興味深いことに、図５ｂにおいて、磁性層３に平行な方向を有する追加の磁場によって、捕捉ゾーン１１および磁場９の強度の水準の最大が変位され、もはや第１および第２の領域（５，７）間の接合部に配置されず、第１の領域５自体に配置される。
【0291】
得られた捕捉結果の写真は図６に見られ、白点はナノ粒子を表している。捕捉配列が存在しない図４とは異なり、図６には、図２において得られた配列とは異なる新たな配列が現れている。ここで、ナノ粒子は規則的に配置された並列バンドを形成し、これらのバンドの外側にはナノ粒子がほとんど存在しないことがわかる。
【0292】
捕捉動態の結果は、図７に示されており、曲線Ａによって表されている。
【0293】
（結果）
この実施例では、磁性ナノ粒子の捕捉は、外部磁場の適用の直後に誘発される。捕捉は２分で１００％に近づく。
この実施例では、磁性ナノ粒子の捕捉は、外部磁場の適用の直後に誘発される。捕捉は２分で１００％に近づく。
【0294】
本結果を実施例２の結果と組み合わせることにより、磁性ストリップが非磁性層で覆われている場合、追加の磁場源の磁場を誘発することによって、ナノ粒子の固定化および非常に迅速な捕捉（２分）を誘発することが可能であると結論付けることができる。
【0295】
（実施例４：ナノ粒子に結合した捕捉要素の捕捉および定量化）
最後に、磁性ナノ粒子に結合した複数の濃度の抗マウスオボアルブミン抗体（捕捉要素）の検出および定量化を試験した。
最後に、磁性ナノ粒子に結合した複数の濃度の抗マウスオボアルブミン抗体（捕捉要素）の検出および定量化を試験した。
【0296】
各測定は、検出抗体（抗マウス抗体）および総ナノ粒子の数を同一に維持するが、抗マウスオボアルブミン抗体に結合したナノ粒子の量を（オボアルブミンに結合したナノ粒子を補充することによって）変動させることによって行われる。
【0297】
（実験プロトコル）
使用されるナノ粒子（Carboxyl Adembeads 200nm（参照番号02120-Ademtech））は、２００ｎｍの直径、約２．０ｇ／ｃｍ３の密度、約４０ｅｍｕ／ｇの飽和磁化、約７０％の酸化鉄含有量および３０ｍｇ／ｍＬ（３％）の固体含有量を有する。ナノ粒子は、３５０μｍｏｌ／ｇを超える密度を有するＣＯＯＨカルボン酸基で覆われている。
使用されるナノ粒子（Carboxyl Adembeads 200nm（参照番号02120-Ademtech））は、２００ｎｍの直径、約２．０ｇ／ｃｍ３の密度、約４０ｅｍｕ／ｇの飽和磁化、約７０％の酸化鉄含有量および３０ｍｇ／ｍＬ（３％）の固体含有量を有する。ナノ粒子は、３５０μｍｏｌ／ｇを超える密度を有するＣＯＯＨカルボン酸基で覆われている。
【0298】
捕捉支持体は、ＰＶＣ支持部材から構成される磁気カードであり、磁気カードの上に、同じ平面上に配置され、高保磁力磁性ポリマーから構成される３つの磁性層が乗っている。支持部材および磁性層を、ISO 7811基準に従って組み付けた。磁性層はそれぞれ、実施例１に示すように、ＭＳＲ６０５エンコーダを使用して連続１ｓで符号化される。
【0299】
追加の磁場源は、１ｍｍ軸に沿って磁化されたＮｄＦｅＢマクロ磁石（Ｎ３５、付着力８００ｇ）の平行六面体（２０×１０×１ｍｍ）のヘッドツーテールアセンブリである。
【0300】
捕捉要素は、マウスで産生される抗オボアルブミン（ＩｇＧ）抗体である。これらの抗体を１０μｇ／ｍＬ～５０μｇ／ｍＬの最終濃度でナノ粒子上に移植する。
【0301】
１０μｇ／ｍＬの最終濃度でのナノ粒子上の移植は、以下のプロトコルにより実施される：
・ナノ粒子９０μｇ（すなわち、Ademtechナノ粒子のAdemtech３０ｍｇ／ｍＬストック溶液３μＬ）を、ＥＤＣ（１０ｍｇ／ｍＬ）およびＮＨＳ（１０ｍｇ／ｍＬ）を含有する溶液２５μＬにより活性化する；
・撹拌しながら室温で１５分間インキュベートする；
・センチメートル磁石を使用してナノ粒子を捕捉することにより上清を除去する；このセンチメートル磁石は、直径１０ｍｍおよび高さ４０ｍｍのニッケルめっきされたネオジム磁気円筒である；
・１ｍｇ／ｍＬの濃度の抗マウスオボアルブミン抗体の溶液２５μＬ（すなわち、２５μｇ）を添加する；
・撹拌しながら室温で２時間インキュベートする；
・上述のセンチメートル磁石を使用してナノ粒子を捕捉することにより上清を除去する；および
・ＰＢＳ－Ｔｗｅｅｎ０．０５％－ＢＳＡ（１ｍｇ／ｍＬ）の溶液５０μＬ中にナノ粒子を懸濁する；抗オボアルブミン抗体で官能化されたナノ粒子は、５００μｇ／ｍｌの潜在濃度で得られる。
・ナノ粒子９０μｇ（すなわち、Ademtechナノ粒子のAdemtech３０ｍｇ／ｍＬストック溶液３μＬ）を、ＥＤＣ（１０ｍｇ／ｍＬ）およびＮＨＳ（１０ｍｇ／ｍＬ）を含有する溶液２５μＬにより活性化する；
・撹拌しながら室温で１５分間インキュベートする；
・センチメートル磁石を使用してナノ粒子を捕捉することにより上清を除去する；このセンチメートル磁石は、直径１０ｍｍおよび高さ４０ｍｍのニッケルめっきされたネオジム磁気円筒である；
・１ｍｇ／ｍＬの濃度の抗マウスオボアルブミン抗体の溶液２５μＬ（すなわち、２５μｇ）を添加する；
・撹拌しながら室温で２時間インキュベートする；
・上述のセンチメートル磁石を使用してナノ粒子を捕捉することにより上清を除去する；および
・ＰＢＳ－Ｔｗｅｅｎ０．０５％－ＢＳＡ（１ｍｇ／ｍＬ）の溶液５０μＬ中にナノ粒子を懸濁する；抗オボアルブミン抗体で官能化されたナノ粒子は、５００μｇ／ｍｌの潜在濃度で得られる。
【0302】
ナノ粒子の他の部分は、オボアルブミン（ＯＶＡ）で移植される。抗オボアルブミン抗体の溶液２５μＬを添加する代わりに、１ｍｇ／ｍＬの濃度にあるＯＶＡ２５μＬ（すなわち２５μｇ）を添加することを除いて、上記と同じプロトコルに従って移植を行う。
【0303】
検出要素は、マウス抗体（したがって、抗オボアルブミン抗体）に対して特異的に指向される抗体であり、検出のためにAlexa 488蛍光色素（最大励起＝４９０ｎｍ；最大放出＝５２５ｎｍ）に結合される。
【0304】
図８は、蛍光色素１７を担持しかつ抗オボアルブミン抗体２１によって移植されたナノ粒子複合体１９に結合した抗マウス抗体１５を示している。抗体間の相互作用の特異性を試験するために使用されるＯＶＡ２３を移植したナノ粒子１９もまた示されている。
【0305】
抗マウスオボアルブミン抗体の検出および定量化は、以下のプロトコルにより実施される：
・０．５ｍＬチューブ中で、抗オボアルブミン抗体および／またはＯＶＡを予め移植したナノ粒子４．５μｇ；抗マウス検出抗体（最終濃度１μｇ／ｍＬ）２μＬおよびＰＢＳ２０μＬを混合する；
・０．５ｍＬチューブ中、周囲温度で１５分間インキュベートする；
・溶液５μＬを除去し、磁気カードの磁性層上に液滴を堆積させる；
・ＰＶＣ支持部材が磁性層と追加の磁場源との間に配置されるように、磁気カードを追加の磁場源上に堆積させる。
・０．５ｍＬチューブ中で、抗オボアルブミン抗体および／またはＯＶＡを予め移植したナノ粒子４．５μｇ；抗マウス検出抗体（最終濃度１μｇ／ｍＬ）２μＬおよびＰＢＳ２０μＬを混合する；
・０．５ｍＬチューブ中、周囲温度で１５分間インキュベートする；
・溶液５μＬを除去し、磁気カードの磁性層上に液滴を堆積させる；
・ＰＶＣ支持部材が磁性層と追加の磁場源との間に配置されるように、磁気カードを追加の磁場源上に堆積させる。
【0306】
以下の５つの異なる条件が満たされる：
１）抗マウスオボアルブミン抗体を移植したナノ粒子４．５μｇ（すなわち、約５０μｇ／ｍＬの濃度の抗オボアルブミン抗体）；
２）抗マウスオボアルブミン抗体を移植したナノ粒子２．２５μｇおよびオボアルブミンを移植したナノ粒子２．２５μｇ（すなわち、約２５μｇ／ｍＬの濃度の抗オボアルブミン抗体）；
３）抗マウスオボアルブミン抗体を移植したナノ粒子１．１２５μｇおよびオボアルブミンを移植したナノ粒子２．２５μｇ（すなわち、約１２．５μｇ／ｍＬの濃度の抗オボアルブミン抗体）；
４）抗マウスオボアルブミン抗体を移植したナノ粒子０．６２５μｇおよびオボアルブミンを移植したナノ粒子２．２５μｇ（すなわち、約６．２５μｇ／ｍＬの濃度の抗オボアルブミン抗体）；
５）オボアルブミンに移植したナノ粒子４．５μｇ（すなわち、ゼロの濃度の抗オボアルブミン抗体）。
１）抗マウスオボアルブミン抗体を移植したナノ粒子４．５μｇ（すなわち、約５０μｇ／ｍＬの濃度の抗オボアルブミン抗体）；
２）抗マウスオボアルブミン抗体を移植したナノ粒子２．２５μｇおよびオボアルブミンを移植したナノ粒子２．２５μｇ（すなわち、約２５μｇ／ｍＬの濃度の抗オボアルブミン抗体）；
３）抗マウスオボアルブミン抗体を移植したナノ粒子１．１２５μｇおよびオボアルブミンを移植したナノ粒子２．２５μｇ（すなわち、約１２．５μｇ／ｍＬの濃度の抗オボアルブミン抗体）；
４）抗マウスオボアルブミン抗体を移植したナノ粒子０．６２５μｇおよびオボアルブミンを移植したナノ粒子２．２５μｇ（すなわち、約６．２５μｇ／ｍＬの濃度の抗オボアルブミン抗体）；
５）オボアルブミンに移植したナノ粒子４．５μｇ（すなわち、ゼロの濃度の抗オボアルブミン抗体）。
【0307】
次いで、ＣＣＤカメラ（Diagnostic Instruments SPOT RTモノクロデジタルカメラ）に結合された「ＧＦＰ」キューブ（励起４６０～４９０ｎｍ）を備えた蛍光顕微鏡（Olympus BX41M）で磁気カードの磁性層の画像捕捉を行う。青色励起光源（４６０～４９０ｎｍ）を使用する。画像は、５０倍の合計倍率で、５秒（利得１）の捕捉時間で捕捉される。
【0308】
図１０に捕捉後の画像を示している。抗マウス抗体に結合されたマウス抗体に結合されたナノ粒子は、バンドの形態で捕捉ゾーンに沿って捕捉されることが明確に観察される。図１０Ａ～１０Ｅは、上述したように、それぞれ条件１）～５）に対応する。検出された抗マウス抗体の量は、条件１）～５）について漸減的であり、これは、各条件において使用される抗オボアルブミン抗体の量と一致する。捕捉抗体が存在しないため、条件５は陰性対照である。これらの結果は、図９に示された結果にも一致する。
【0309】
蛍光シグナルは、捕捉ゾーンの間で測定される捕捉ゾーン上の蛍光ピークに対応するそれぞれの面積から一般的な「バックグラウンドシグナル」を減算したものを計算することによって定量化される。実際に、ナノ粒子が蛍光性であった実施例１～３とは異なり、ここでは、検出された全ての蛍光は、捕捉された分子（この場合は抗オボアルブミン抗体）に対応するだけでなく、溶液中に残存した検出要素にも対応する。そこで、捕捉された分子に結合した検出要素によって放出される蛍光から、これらの「遊離」検出要素によって放出される蛍光を減算することが必要である。
【0310】
図１０に示される捕捉の例をとると、捕捉ゾーンの面積の全蛍光が蛍光バンドの形態で測定され、そこからこれらの領域間で測定された蛍光が減算される。
【0311】
蛍光定量は任意の単位（ＡＵ）で得られる。
【0312】
得られた結果を図９に示している。
【0313】
（結果）
図９に示すように、得られた捕捉ゾーンの蛍光定量は、混合物に添加された抗オボアルブミン抗体の濃度に比例する（Ｒ２＝０．９７）。
図９に示すように、得られた捕捉ゾーンの蛍光定量は、混合物に添加された抗オボアルブミン抗体の濃度に比例する（Ｒ２＝０．９７）。
【0314】
使用した蛍光シグナル定量法（捕捉ゾーンにおける特異的シグナルおよびその外側の非特異的シグナル）から、これらの結果により、検出要素に結合したナノ粒子が実際に捕捉ゾーンに捕捉されていると結論付けることが可能である。
【0315】
しかしながら、これらの結果は、ナノ粒子の固定化と検出要素の検出との間の洗浄ステップなしで捕捉される分子の数を定量化することが可能であると結論付けることができる。
【0316】
（実施例５：マイクロ流体チャンバによるナノ粒子の捕捉）
使用されるナノ粒子は、実施例１で使用されるものと同じであり、脱イオン水（ｄｄＨ２Ｏ）中に５００倍希釈して、５０μｇ／ｍＬの濃度を達成した。
使用されるナノ粒子は、実施例１で使用されるものと同じであり、脱イオン水（ｄｄＨ２Ｏ）中に５００倍希釈して、５０μｇ／ｍＬの濃度を達成した。
【0317】
超音波処理ステップも行われる。
【0318】
捕捉支持体は、それぞれが独立した入口および出口にベントを有する１８のマイクロ流体チャンバを含む。各マイクロ流体チャンバは、長さ６ｍｍ、幅２．４ｍｍであり、深さ２４０マイクロメートルを有する。チャンバは、４．５ｍｍのピッチで互いに隣接して配置され、バーを形成する。マイクロ流体チャンバは磁性層に接着され、磁性層は次にＰＶＣ支持部材に接着される。支持部材および磁性層を、ISO 7811基準に従って組み付けた。磁性層は、ＭＳＲ６０５エンコーダを使用して、１６進数で文字Ｆの１８２倍に対応する一連の「１」で符号化され、これにより、約５５μｍ毎に１８０°だけ磁場配向を変動させることが可能になる。
【0319】
６マイクロリットルのナノ粒子溶液を、これらのマイクロ流体チャンバの各々に注入した。チャンバを１つずつ充填した。各充填後、１０倍拡大対物レンズを有する蛍光顕微鏡で捕捉を可視化した。１．１２フレーム／秒のフレームレートで膜を生成した。記録の時間０、１０、３０、８０および１２０秒で得られた画像を図１２に示している。
【0320】
（結果）
３００μｍに近いマイクロ流体チャンバの実質的な深さにもかかわらず、図１２において、ナノ粒子は、捕捉の１０秒からマイクロ流体チャンバ（整列した白色ドットのセット）の底部で十分に捕捉されることが分かる。
３００μｍに近いマイクロ流体チャンバの実質的な深さにもかかわらず、図１２において、ナノ粒子は、捕捉の１０秒からマイクロ流体チャンバ（整列した白色ドットのセット）の底部で十分に捕捉されることが分かる。
【0321】
（実施例６：追加の磁場源の存在下でのマイクロ流体チャンバによるナノ粒子の捕捉）
使用されるナノ粒子および捕捉支持体は、実施例５におけるものと同じである。
使用されるナノ粒子および捕捉支持体は、実施例５におけるものと同じである。
【0322】
加えて、捕捉支持体は、２ｍｍの軸に沿って磁化され、５０メガガウスエルステッドのエネルギー積を有する平行六面体（１０×４×２ｍｍ）の２０個のＮｄＦｅＢマクロ磁石（Supermagnete、参照番号Ｑ－１０－０４－０２－Ｎ）のヘッドツーテールアセンブリ（垂直磁化）に基づいている。２０個の磁石は、４ｍｍ軸に沿って０．５ｍｍのピッチで並んで配置され、バーを形成する。２０個の磁石のうち１８個は、１８個のマイクロ流体チャンバの各々の下に配置され、２つは各側面に配置される。
【0323】
６マイクロリットルのナノ粒子溶液を、これらのマイクロ流体チャンバの各々に注入した。チャンバを１つずつ充填した。各充填後、１０倍拡大対物レンズを有する蛍光顕微鏡で捕捉を可視化した。１秒当たり１．１２フレームの速度で、画像捕捉を用いて膜を生成した。時間０、２、５、１２、３４および６０秒で得られた画像を図１３に示している。
【0324】
マイクロ流体チャンバによって捕捉されたナノ粒子の割合（％）は、Fratzl et al,Soft Matter(14)2671-2680(2018)の刊行物に記載されているプロトコルに従って定量化される。捕捉動態を、３つの異なるチャンバにおいて、３回の反復で実行した。捕捉動態の結果を図１４に示している。
【0325】
（結果）
実施例５に関して、ナノ粒子は、マイクロ流体チャンバの底部で十分に捕捉されている。実施例１および３と同様に、ナノ粒子の捕捉は、外部磁場源を用いない実施例５よりもはるかに速い。加えて、図１３に見られるように、マクロ磁石の組み付けによって生成される外部磁場に起因して、図１２に示される１つおきの捕捉ゾーンが消失している（ドットの各線間の間隔は、図１３において２倍になっている）。
実施例５に関して、ナノ粒子は、マイクロ流体チャンバの底部で十分に捕捉されている。実施例１および３と同様に、ナノ粒子の捕捉は、外部磁場源を用いない実施例５よりもはるかに速い。加えて、図１３に見られるように、マクロ磁石の組み付けによって生成される外部磁場に起因して、図１２に示される１つおきの捕捉ゾーンが消失している（ドットの各線間の間隔は、図１３において２倍になっている）。
【0326】
図１４に示される捕捉動態データは、ナノ粒子の捕捉が１５秒後に完了したことを示している。
【図面の簡単な説明】
【0327】
【図1】本発明による磁性層によるナノ粒子の捕捉を示す。
【図3】本発明による磁性層によるナノ粒子の捕捉を示し、該層は非磁性層で覆われている。捕捉システムを断面図で示す。
【図5a】本発明による磁性層によるナノ粒子の捕捉を示し、該層は非磁性層で覆われ、捕捉は、追加の磁場源からの磁場の存在下で行われる。捕捉システムを断面図で示す。
【図5b】本発明による磁性層によるナノ粒子の捕捉を示し、該層は非磁性層で覆われ、捕捉は、追加の磁場源からの磁場の存在下で行われる。捕捉システムを断面図で示す。
【図7】図１～３に示される捕捉の各捕捉の時間（Ｙ軸）の関数として捕捉されたナノ粒子（Ｘ軸）の割合（％）を示す。時間は分単位で表される。曲線Ａは、図５ａに示す捕捉動態に対応し、曲線Ｂは、図１に示す捕捉動態に対応し、曲線Ｃは、図３に示す捕捉動態に対応する。
【図8】蛍光色素を担持し、抗マウスオボアルブミン捕捉抗体に移植されたナノ粒子複合体に結合した抗マウス検出捕捉抗体を示す。これは、オボアルブミンを移植したナノ粒子でもある。
【図9】抗オボアルブミン抗体の濃度（μｇ／ｍＬ）の関数として計算された蛍光量（任意単位）を示すグラフである。
【図10】図８の複合体の捕捉後の写真を示す。各白色点は、図８の捕捉抗体（抗マウス）によって担持される蛍光色素を表す。図１０Ａについては、約５０μｇ／ｍＬのマウス抗オボアルブミン濃度を使用した；図１０Ｂについては、約２５μｇ／ｍＬの濃度を使用した；図１０Ｃについては、約１２．５μｇ／ｍＬの濃度を使用した；図１０Ｄについては、約６．２５μｇ／ｍＬの濃度を使用した；図１０Ｅは、抗マウスオボアルブミン抗体を使用しない陰性対照である。
【図11】ＭａｇＶｉｅｗ ＣＭＯＳ型のＭＯＩＦ系におけるＤＬＧｉ５ガーネットの較正曲線を示すグラフである。このグラフは、磁場の強度（テスラ）の関数として、該ガーネットを通過した光ビームの分極の回転（度数）を示す。
【図13】追加の磁場源の存在下でのマイクロ流体チャンバ内のナノ粒子の捕捉後の写真を示す。白点はナノ粒子を表す。図１３Ａ～１３Ｆは、捕捉動態（Ａ：０秒；Ｂ：２秒；Ｃ：５秒；Ｄ：１２秒；Ｅ：３４秒およびＦ：６０秒）を示す。
【図15】溶液中のナノ粒子のサイズを示す分光分析グラフである。サイズは、動的光散乱技法を使用して決定した。Ｙ軸は、ナノ粒子の相対頻度を割合（％）で表し、Ｘ軸は、ナノメートルでナノ粒子のサイズを表す対数スケールである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5a】
【図5b】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12A】
【図12B】
【図12C】
【図12D】
【図12E】
【図13A】
【図13B】
【図13C】
【図13D】
【図13E】
【図13F】
【図14】
【図15】
【国際調査報告】