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特表2022-549155ヘテロ三核金属有機アルキン錯体及びその製造方法並びに用途
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2022-11-24
(54)【発明の名称】ヘテロ三核金属有機アルキン錯体及びその製造方法並びに用途
(51)【国際特許分類】
C07F 19/00 20060101AFI20221116BHJP
H01L 51/50 20060101ALI20221116BHJP
H05B 33/10 20060101ALI20221116BHJP
H01L 27/32 20060101ALI20221116BHJP
C09K 11/06 20060101ALI20221116BHJP
C07F 15/00 20060101ALN20221116BHJP
C07F 1/12 20060101ALN20221116BHJP
C07F 1/08 20060101ALN20221116BHJP
【ＦＩ】
C07F19/00
H05B33/14 B
H05B33/10
H05B33/22 D
H01L27/32
C09K11/06 660
C07F15/00 F
C07F1/12
C07F1/08 Z
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2022517409
(86)(22)【出願日】2020-09-16
(85)【翻訳文提出日】2022-03-17
(86)【国際出願番号】 CN2020115623
(87)【国際公開番号】W WO2021052367
(87)【国際公開日】2021-03-25
(31)【優先権主張番号】201910877419.8
(32)【優先日】2019-09-17
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】516290586
【氏名又は名称】中国科学院福建物質結構研究所
(74)【代理人】
【識別番号】110000338
【氏名又は名称】特許業務法人ＨＡＲＡＫＥＮＺＯ ＷＯＲＬＤ ＰＡＴＥＮＴ ＆ ＴＲＡＤＥＭＡＲＫ
(72)【発明者】
【氏名】陳忠寧
(72)【発明者】
【氏名】肖暉
(72)【発明者】
【氏名】張続
(72)【発明者】
【氏名】王金雲
【テーマコード（参考）】
3K107
4H048
4H050
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107BB02
3K107CC04
3K107DD64
3K107DD67
3K107DD69
3K107DD70
3K107DD72
3K107DD87
3K107GG06
4H048AA01
4H048AA03
4H048AB92
4H050AA01
4H050AA03
4H050AB92
(57)【要約】
本発明は発光材料及び有機発光ダイオードの技術分野に属し、具体的には、リン光Ｐｔ２Ｍ（Ｍ＝Ａｕ（Ｉ）、Ａｇ（Ｉ）、Ｃｕ（Ｉ））ヘテロ三核金属有機アルキン錯体、その合成方法及び有機発光ダイオードにおけるリン光材料としてその使用に関する。本発明の式（Ｉ）に示されるヘテロ三核金属有機アルキン錯体は溶液、固体及び薄膜のいずれにおいても強いリン光を発する。本発明では初めてリン光Ｐｔ２Ｍヘテロ三核金属有機アルキン錯体を発光材料として有機発光素子を組み立てている。本発明のヘテロ三核有機アルキン錯体を発光層ドーパントとして製造した有機発光ダイオードは電界発光効率が高く、外部量子効率（ＥＱＥ）が１２．５％よりも高い。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
構造が下記の式（Ｉ）に示されるとおりであることを特徴とするＰｔ２Ｍヘテロ三核金属有機アルキン錯体：［Ｐｔ２Ｍ（μ－ｄｐｍｐ）２（μ－Ｃ≡Ｃ－Ｒ’－Ｃ≡Ｃ）（Ｃ≡ＣＲ）２］＋ ｍＡｍ－ （Ｉ）
そのうち、μは架橋を表す；ｄｐｍｐはビス（ジフェニルホスフィノメチル）フェニルホスフィンである；
ＭはＡｕ（Ｉ）、Ａｇ（Ｉ）、或いはＣｕ（Ｉ）から選ばれる；
Ｒは相同又は相異であり、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基から独立的に選ばれる；前記アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基はいずれも１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、前記置換基はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、ハロゲン、ハロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基から選ばれる；
Ｒ’はアルキレン基、アリレン基、ヘテロアリレン基から選ばれる；前記アルキレン基、アリレン基、ヘテロアリレン基はいずれも１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、前記置換基はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、ハロゲン、ハロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基から選ばれる；
Ａｍ－は一価又は二価の陰イオンであり、ここでｍは１又は２である。
【請求項2】
前記一価又は二価の陰イオンはＣｌＯ４
－、ＰＦ６
－、ＳｂＦ６
－、ＢＦ４
－、Ｂ（Ｃ６Ｈ５）４
－、ＣＦ３ＳＯ３
－、或いはＳｉＦ６
２－から選ばれる；好ましくは、前記式（Ｉ）に示されるヘテロ三核金属有機アルキン錯体の立体構造は下記のとおりである：
【化1】
；
好ましくは、前記Ｒはアリール基、カルバゾリル基、フェノチアジニル基、キナゾリニル基、アリール置換カルバゾリル基、ジアリールアミノフェニル基である；前記アリール基、カルバゾリル基、フェノチアジニル基、キナゾリニル基、アリール置換カルバゾリル基、ジアリールアミノフェニル基は任意選択で１つ又は複数の置換基によって置換される；前記置換基はアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、ハロゲン、ハロアルキル基、アリール基から選ばれる；
好ましくは、前記Ｒ’はアリレン基、窒素含有ヘテロアリレン基（例えば、カルバゾリレン基）、酸素含有ヘテロアリレン基（例えば、ジベンゾフラニレン基）、硫黄含有ヘテロアリレン基（例えば、ジベンゾチエニレン基）、硫黄と窒素含有ヘテロアリレン基（例えば、フェノチアジニレン基など）であり、前記アリレン基、窒素含有ヘテロアリレン基、酸素含有ヘテロアリレン基、硫黄含有ヘテロアリレン基、硫黄と窒素含有ヘテロアリレン基は任意選択で１つ又は複数の置換基によって置換される；前記置換基はアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、ハロゲン、ハロアルキル基、アリール基から選ばれることを特徴とする、請求項１に記載の錯体。
【請求項3】
前記Ｒはフェニル基、アルキル置換フェニル基、フェニル置換カルバゾリル基、又はハロアルキルフェニル基、アルコキシ置換フェニル基、アルキル置換フェノチアジニル基である；前記Ｒ’はアルキル置換カルバゾリレン基、ジベンゾフラニレン基、及びジベンゾチエニレン基であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の錯体。
【請求項4】
前記式（Ｉ）に示されるヘテロ三核金属有機アルキン錯体は下記の構造から選ばれ、ただしそれらに限定されないことを特徴とする、請求項１～３のいずれか１項に記載の錯体：【化2】
。
【請求項5】
下記のステップを含むことを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の錯体の製造方法：ｄｐｍｐと、Ｍを含むイオン結合型錯体とを溶剤において反応させて、中間体Ｍ（ｄｐｍｐ）２を得る；
次にＭ（ｄｐｍｐ）２とＰｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－Ｃ≡Ｃ－Ｒ’－Ｃ≡Ｃ）（Ｃ≡ＣＲ）２を溶剤において反応させて、式（Ｉ）に示されるヘテロ三核金属有機アルキン錯体を得る；
ここで、Ｍを含むイオン結合型錯体は［Ａｕ（ｔｈｔ）２］＋ ｍ（Ａｍ－）、［Ａｇ（ｔｈｔ）］＋ ｍ（Ａｍ－）、又は［Ｃｕ（ＭｅＣＮ）４］＋ ｍ（Ａｍ－）から選ばれる；
前記ＰＰｈ３はトリフェニルホスフィンを表し、ｔｈｔはテトラヒドロチオフェンであり、ＭｅＣＮはアセトニトリルであり、前記ｄｐｍｐ、Ａｍ－、Ｒ、Ｒ’、Ｍは請求項１～４のいずれか１項で定義したとおりである。
【請求項6】
ｄｐｍｐと、Ｍを含むイオン結合型錯体と、Ｐｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－Ｃ≡ＣＲ’Ｃ≡Ｃ）（Ｃ≡ＣＲ）２とのモル比は１．５～２．５：１～１．５：１～１．５であることを特徴とする、請求項５に記載の製造方法。
【請求項7】
有機発光ダイオードを製造するための、請求項１～５のいずれか１項に記載の錯体の用途。
【請求項8】
発光層を含む有機発光ダイオードであって、前記発光層は請求項１～５のいずれか１項に記載の錯体を含む。
【請求項9】
１）溶液法を用いて有機発光ダイオードの正孔注入層を製造することと；２）溶液法を用いて請求項１～５のいずれか１項に記載の錯体がドープされた発光層を製造することと；
３）次に真空熱蒸着法を利用して電子輸送層、電子注入層、及びカソード層をこの順に製造することとを含む、請求項８に記載の有機発光ダイオードの製造方法。
【請求項10】
フラットパネルディスプレイ又は日常照明の分野における請求項８に記載の有機発光ダイオードの用途。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【0001】
本発明は２０１９年９月１７日に中国国家知識産権局に提出された、出願番号が２０１９１０８７７４１９．８で、発明名称が「ヘテロ三核金属有機アルキン錯体及びその製造方法並びに用途」である先行出願の優先権を主張する。当該出願の全文が引用により本願に組み込まれる。
【0002】
〔技術分野〕
本発明は発光材料及び有機発光ダイオードの技術分野に属し、具体的には、リン光Ｐｔ２Ｍ（Ｍ＝Ａｕ（Ｉ）、Ａｇ（Ｉ）、Ｃｕ（Ｉ））ヘテロ三核金属有機アルキン錯体、その合成方法及び有機発光ダイオードにおけるリン光材料としてその使用に関する。
本発明は発光材料及び有機発光ダイオードの技術分野に属し、具体的には、リン光Ｐｔ２Ｍ（Ｍ＝Ａｕ（Ｉ）、Ａｇ（Ｉ）、Ｃｕ（Ｉ））ヘテロ三核金属有機アルキン錯体、その合成方法及び有機発光ダイオードにおけるリン光材料としてその使用に関する。
【0003】
〔背景技術〕
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は薄膜発光素子であり、そのカソードとアノードの間には一般に発光層などの複数の有機薄膜中間層を含み、低い駆動電圧（３－１２Ｖ）の作用下で電気エネルギーを光エネルギーに変換する、即ち、電界発光することができるため、フラットパネルディスプレイと照明分野で幅広い利用が見込まれる。有機発光ダイオードのコアは発光薄膜材料であり、発光材料の飛躍的な進歩も電界発光効率の高い表示と照明の普及を実現するための鍵であり、電界発光技術をめぐる競争で焦点となっている。従来ＯＬＥＤの商用発光材料は主にリン光環状金属化されたイリジウム（ＩＩＩ）錯体であり、そのエネルギー利用効率は１００％に達しているが、価格が高い、色度が不完全である（青色リン光材料の不足のため）、イリジウム資源が不足するなどの難しい課題がある。そのために、新しい構造を有し、製造方法がシンプルで、合成収率が高い新規な低コスト発光材料を開発することは極めて現実的に大きな意義がある。
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は薄膜発光素子であり、そのカソードとアノードの間には一般に発光層などの複数の有機薄膜中間層を含み、低い駆動電圧（３－１２Ｖ）の作用下で電気エネルギーを光エネルギーに変換する、即ち、電界発光することができるため、フラットパネルディスプレイと照明分野で幅広い利用が見込まれる。有機発光ダイオードのコアは発光薄膜材料であり、発光材料の飛躍的な進歩も電界発光効率の高い表示と照明の普及を実現するための鍵であり、電界発光技術をめぐる競争で焦点となっている。従来ＯＬＥＤの商用発光材料は主にリン光環状金属化されたイリジウム（ＩＩＩ）錯体であり、そのエネルギー利用効率は１００％に達しているが、価格が高い、色度が不完全である（青色リン光材料の不足のため）、イリジウム資源が不足するなどの難しい課題がある。そのために、新しい構造を有し、製造方法がシンプルで、合成収率が高い新規な低コスト発光材料を開発することは極めて現実的に大きな意義がある。
【0004】
〔発明の概要〕
本発明は上記の課題を解決するために、リン光Ｐｔ２Ｍ（Ｍ＝Ａｕ（Ｉ）、Ａｇ（Ｉ）、Ｃｕ（Ｉ））ヘテロ三核金属有機アルキン錯体、その製造方法及び有機発光ダイオードにおける高効率のリン光材料としてのその使用を提供する。
本発明は上記の課題を解決するために、リン光Ｐｔ２Ｍ（Ｍ＝Ａｕ（Ｉ）、Ａｇ（Ｉ）、Ｃｕ（Ｉ））ヘテロ三核金属有機アルキン錯体、その製造方法及び有機発光ダイオードにおける高効率のリン光材料としてのその使用を提供する。
【0005】
本発明の上記の目的は下記の技術案により実現される。
【0006】
Ｐｔ２Ｍヘテロ三核金属有機アルキン錯体であって、その構造は下記の式（Ｉ）に示されるとおりである：
［Ｐｔ２Ｍ（μ－ｄｐｍｐ）２（μ－Ｃ≡Ｃ－Ｒ’－Ｃ≡Ｃ）（Ｃ≡ＣＲ）２］＋ ｍＡｍ－（Ｉ）
そのうち、μは架橋を表す；ｄｐｍｐはビス（ジフェニルホスフィノメチル）フェニルホスフィンである；
ＭはＡｕ（Ｉ）、Ａｇ（Ｉ）、或いはＣｕ（Ｉ）から選ばれる；
Ｒは相同又は相異であり、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基から独立的に選ばれる；前記アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基はいずれも１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、前記置換基はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、ハロゲン、ハロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基から選ばれる；
Ｒ’はアルキレン基、アリレン基、ヘテロアリレン基から選ばれる；前記アルキレン基、アリレン基、ヘテロアリレン基はいずれも１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、前記置換基はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、ハロゲン、ハロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基から選ばれる；
Ａｍ－は一価又は二価の陰イオンであり、ここでｍは１又は２である。
［Ｐｔ２Ｍ（μ－ｄｐｍｐ）２（μ－Ｃ≡Ｃ－Ｒ’－Ｃ≡Ｃ）（Ｃ≡ＣＲ）２］＋ ｍＡｍ－（Ｉ）
そのうち、μは架橋を表す；ｄｐｍｐはビス（ジフェニルホスフィノメチル）フェニルホスフィンである；
ＭはＡｕ（Ｉ）、Ａｇ（Ｉ）、或いはＣｕ（Ｉ）から選ばれる；
Ｒは相同又は相異であり、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基から独立的に選ばれる；前記アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基はいずれも１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、前記置換基はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、ハロゲン、ハロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基から選ばれる；
Ｒ’はアルキレン基、アリレン基、ヘテロアリレン基から選ばれる；前記アルキレン基、アリレン基、ヘテロアリレン基はいずれも１つ又は複数の置換基によって置換されてもよく、前記置換基はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、ハロゲン、ハロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基から選ばれる；
Ａｍ－は一価又は二価の陰イオンであり、ここでｍは１又は２である。
【0007】
本発明の実施形態において、前記一価又は二価の陰イオンはＣｌＯ４
－、ＰＦ６
－、ＳｂＦ６
－、ＢＦ４
－、Ｂ（Ｃ６Ｈ５）４
－、ＣＦ３ＳＯ３
－、或いはＳｉＦ６
２－などから選ばれる。
【0008】
本発明の実施形態において、前記式（Ｉ）に示されるヘテロ三核金属有機アルキン錯体の立体構造は下記のとおりである：
【0009】
【化1】
【0010】
本発明の実施形態において、前記Ｒはアリール基、カルバゾリル基、フェノチアジニル基、キナゾリニル基、アリール置換カルバゾリル基、ジアリールアミノフェニル基であることが好ましい；前記アリール基、カルバゾリル基、フェノチアジニル基、キナゾリニル基、アリール置換カルバゾリル基、ジアリールアミノフェニル基は任意選択で１つ又は複数の置換基によって置換される；前記置換基はアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、ハロゲン、ハロアルキル基、アリール基から選ばれる；
本発明の実施形態において、前記Ｒ’はアリレン基、窒素含有ヘテロアリレン基（例えば、カルバゾリレン基）、酸素含有ヘテロアリレン基（例えば、ジベンゾフラニレン基）、硫黄含有ヘテロアリレン基（例えば、ジベンゾチエニレン基）、硫黄と窒素含有ヘテロアリレン基（例えば、フェノチアジニレン基）などであることが好ましく、前記アリレン基、窒素含有ヘテロアリレン基、酸素含有ヘテロアリレン基、硫黄含有ヘテロアリレン基、硫黄と窒素含有ヘテロアリレン基は任意選択で１つ又は複数の置換基によって置換される；前記置換基はアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、ハロゲン、ハロアルキル基、アリール基から選ばれる；
より好ましくは、前記Ｒはフェニル基、アルキル置換フェニル基、フェニル置換カルバゾリル基、又はハロアルキルフェニル基、アルコキシ置換フェニル基、アルキル置換フェノチアジニル基である；前記Ｒ’はアルキル置換カルバゾリレン基、ジベンゾフラニレン基、ジベンゾチエニレン基である。
本発明の実施形態において、前記Ｒ’はアリレン基、窒素含有ヘテロアリレン基（例えば、カルバゾリレン基）、酸素含有ヘテロアリレン基（例えば、ジベンゾフラニレン基）、硫黄含有ヘテロアリレン基（例えば、ジベンゾチエニレン基）、硫黄と窒素含有ヘテロアリレン基（例えば、フェノチアジニレン基）などであることが好ましく、前記アリレン基、窒素含有ヘテロアリレン基、酸素含有ヘテロアリレン基、硫黄含有ヘテロアリレン基、硫黄と窒素含有ヘテロアリレン基は任意選択で１つ又は複数の置換基によって置換される；前記置換基はアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、ハロゲン、ハロアルキル基、アリール基から選ばれる；
より好ましくは、前記Ｒはフェニル基、アルキル置換フェニル基、フェニル置換カルバゾリル基、又はハロアルキルフェニル基、アルコキシ置換フェニル基、アルキル置換フェノチアジニル基である；前記Ｒ’はアルキル置換カルバゾリレン基、ジベンゾフラニレン基、ジベンゾチエニレン基である。
【0011】
一例として、前記式（Ｉ）に示されるヘテロ三核金属有機アルキン錯体は下記の構造から選ばれ、ただしそれらに限定されない：
【0012】
【化2】
【0013】
本発明はまた、下記のステップを含む、式（Ｉ）に示されるヘテロ三核金属有機アルキン錯体の製造方法を提供する：
ｄｐｍｐと、Ｍを含むイオン結合型錯体とを溶剤において反応させて、中間体Ｍ（ｄｐｍｐ）２を得る；
次に中間体とＰｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－Ｃ≡Ｃ－Ｒ’－Ｃ≡Ｃ）（Ｃ≡ＣＲ）２を溶剤において反応させて、式（Ｉ）に示されるヘテロ三核金属有機アルキン錯体を得る；
ここで、Ｍを含むイオン結合型錯体は［Ａｕ（ｔｈｔ）２］＋ ｍ（Ａｍ－）、［Ａｇ（ｔｈｔ）］＋ ｍ（Ａｍ－）、又は［Ｃｕ（ＭｅＣＮ）４］＋ ｍ（Ａｍ－）から選ばれる；
前記ＰＰｈ３はトリフェニルホスフィンを表し、ｔｈｔはテトラヒドロチオフェンであり、ＭｅＣＮはアセトニトリルであり、前記ｄｐｍｐ、Ａｍ－、Ｒ、Ｒ’、Ｍは上記で定義したとおりである。
ｄｐｍｐと、Ｍを含むイオン結合型錯体とを溶剤において反応させて、中間体Ｍ（ｄｐｍｐ）２を得る；
次に中間体とＰｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－Ｃ≡Ｃ－Ｒ’－Ｃ≡Ｃ）（Ｃ≡ＣＲ）２を溶剤において反応させて、式（Ｉ）に示されるヘテロ三核金属有機アルキン錯体を得る；
ここで、Ｍを含むイオン結合型錯体は［Ａｕ（ｔｈｔ）２］＋ ｍ（Ａｍ－）、［Ａｇ（ｔｈｔ）］＋ ｍ（Ａｍ－）、又は［Ｃｕ（ＭｅＣＮ）４］＋ ｍ（Ａｍ－）から選ばれる；
前記ＰＰｈ３はトリフェニルホスフィンを表し、ｔｈｔはテトラヒドロチオフェンであり、ＭｅＣＮはアセトニトリルであり、前記ｄｐｍｐ、Ａｍ－、Ｒ、Ｒ’、Ｍは上記で定義したとおりである。
【0014】
本発明の実施形態において、前記溶剤はハロゲン化炭化水素溶剤であることが好ましく、例えば、ジクロロメタンである。
【0015】
本発明の実施形態において、ｄｐｍｐと、Ｍを含むイオン結合型錯体と、Ｐｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－Ｃ≡ＣＲ’Ｃ≡Ｃ）（Ｃ≡ＣＲ）２とのモル比は１．５～２．５：１～１．５：１～１．５であり、好ましくはモル比が２：１：１である。
【0016】
本発明の実施形態において、前記反応は室温下で行われる。
【0017】
本発明の実施形態において、反応時間は１２～１６時間であることが好ましい；
本発明の実施形態において、前記製造方法は反応終了後にシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用いて、得られた中間体及び／又は生成物を分離、精製することをさらに含む。
本発明の実施形態において、前記製造方法は反応終了後にシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用いて、得られた中間体及び／又は生成物を分離、精製することをさらに含む。
【0018】
本発明はまた、有機発光ダイオードを製造するための、式（Ｉ）に示されるヘテロ三核金属有機アルキン錯体の用途を提供する。
【0019】
本発明はまた、発光層を含む有機発光ダイオードを提供し、前記発光層が上記の式（Ｉ）に示されるヘテロ三核金属有機アルキン錯体を含む。
【0020】
本発明の実施形態において、前記発光層では、式（Ｉ）に示されるヘテロ三核金属有機アルキン錯体が有機発光ダイオードの発光層の全ての材料の３～２０％（重量パーセント）を、好ましくは５～１０％を、より好ましくは６％を占める。
【0021】
本発明の実施形態において、前記有機発光ダイオードの構造は従来の技術で知られている様々な構造であってもよい。好ましくは、ガラス基板、アノード、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、カソード層を含む。
【0022】
前記アノードはインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）であってもよい；
前記正孔注入層又は正孔輸送層はＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ＝ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）－ポリ（スチレンスルホン酸））、又はｍ－ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ［ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（０．８ ｗｔ％）：ＰＳＳ－Ｎａ（１５ ｍｇ／ｍＬ、Ｈ２Ｏに溶解）を含む］であってもよい；
前記発光層は式（Ｉ）に示されるヘテロ三核金属有機アルキン錯体と、正孔輸送特性を有するＴＣＴＡ（トリス（４－（９－カルバゾール）フェニル）アミン）、ｍＣＰ（１，３－ビス（９－カルバゾリル）ベンゼン）、ＣＢＰ（４，４’－ビス（９－カルバゾール）－１，１’－ビフェニル）、或いは２，６－ＤＣＺＰＰＹ（２，６－ビス（３－（９－カルバゾール）フェニル）ピリジン）の少なくとも１種と、電子輸送特性を有するＯＸＤ－７（１，３－ビス（５－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）フェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル）ベンゼン）とを含む；
前記電子輸送層はＴＰＢｉ（１，３，５－トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－２－イル）ベンゼン）、ＢｍＰｙＰｂ（３，３’’，５，５’’－テトラキス（３－ピリジニル）－１，１’：３’，１’’－テルフェニル）、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントレン）、或いはＯＸＤ－７のうちの少なくとも１種であってもよい；
前記電子注入層はＬｉＦである；前記カソードはＡｌである。
前記正孔注入層又は正孔輸送層はＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ＝ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）－ポリ（スチレンスルホン酸））、又はｍ－ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ［ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（０．８ ｗｔ％）：ＰＳＳ－Ｎａ（１５ ｍｇ／ｍＬ、Ｈ２Ｏに溶解）を含む］であってもよい；
前記発光層は式（Ｉ）に示されるヘテロ三核金属有機アルキン錯体と、正孔輸送特性を有するＴＣＴＡ（トリス（４－（９－カルバゾール）フェニル）アミン）、ｍＣＰ（１，３－ビス（９－カルバゾリル）ベンゼン）、ＣＢＰ（４，４’－ビス（９－カルバゾール）－１，１’－ビフェニル）、或いは２，６－ＤＣＺＰＰＹ（２，６－ビス（３－（９－カルバゾール）フェニル）ピリジン）の少なくとも１種と、電子輸送特性を有するＯＸＤ－７（１，３－ビス（５－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）フェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル）ベンゼン）とを含む；
前記電子輸送層はＴＰＢｉ（１，３，５－トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－２－イル）ベンゼン）、ＢｍＰｙＰｂ（３，３’’，５，５’’－テトラキス（３－ピリジニル）－１，１’：３’，１’’－テルフェニル）、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントレン）、或いはＯＸＤ－７のうちの少なくとも１種であってもよい；
前記電子注入層はＬｉＦである；前記カソードはＡｌである。
【0023】
本発明の実施形態において、前記有機発光ダイオードの構造は、ＩＴＯ／ｍ－ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（２０ ｎｍ）／６２％のｍＣＰ：３２％のＯＸＤ－７：６％ ｗｔの式（Ｉ）に示されるヘテロ三核金属有機アルキン錯体（５０ ｎｍ）／ＢｍＰｙＰｂ（５０ ｎｍ）／ＬｉＦ（１ ｎｍ）／Ａｌ（１００ ｎｍ）であることが好ましく、そのうちＩＴＯはインジウム・スズ酸化物導電性フィルムであり、ｍ－ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳは改良されたポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）－ポリ（スチレンスルホン酸）であり、ｍＣＰは（１，３－ビス（９－カルバゾリル）ベンゼン）であり、ＯＸＤ－７は１，３－ビス（５－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）フェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル）ベンゼンであり、ＢｍＰｙＰｂは３，３’’，５，５’’－テトラキス（３－ピリジニル）－１，１’：３’，１’’－テルフェニルである。
【0024】
本発明はまた、下記を含む前記有機発光ダイオードの製造方法を提供する：
１）溶液法を用いて有機発光ダイオードの正孔注入層を製造する；
２）溶液法を用いて式（Ｉ）に示されるヘテロ三核金属有機アルキン錯体がドープされた発光層を製造する；
３）次に真空熱蒸着法を利用して電子輸送層、電子注入層、及びカソード層をこの順に製造する。
１）溶液法を用いて有機発光ダイオードの正孔注入層を製造する；
２）溶液法を用いて式（Ｉ）に示されるヘテロ三核金属有機アルキン錯体がドープされた発光層を製造する；
３）次に真空熱蒸着法を利用して電子輸送層、電子注入層、及びカソード層をこの順に製造する。
【0025】
１つの好ましい実施形態において、前記方法は、まず水溶性のｍ－ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを利用して正孔注入層を製造することと、次に正孔輸送特性を有するｍＣＰと電子輸送特性を有するＯＸＤ－７を混合ホスト材料として、式（Ｉ）に示されるヘテロ三核金属有機アルキン錯体をドープして発光層を製造することと、次に真空熱蒸着法を利用してＢｍＰｙＰｂ電子輸送層、ＬｉＦ電子注入層、及びＡｌカソード層をこの順に製造することとを含む。
【0026】
本発明の実施形態において、前記方法では、ｍ－ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ正孔注入層及びｍＣＰ：ＯＸＤ－７ドープ型発光層にはそれぞれ溶液スピンコート法を利用して薄膜を製造し、ＢｍＰｙＰｂ電子輸送層及びＬｉＦ電子注入層には真空熱蒸着法を用いて薄膜を製造する。
【0027】
式（Ｉ）に示されるヘテロ三核金属有機アルキン錯体によって製造された有機発光ダイオードは優れた特性を有し、高い電気光変換効率を有する。
【0028】
本発明はまた、フラットパネルディスプレイと日常照明の分野における前記有機発光ダイオードの用途を提供する。
【0029】
本発明は従来の技術と比べて、下記の利点を有する。
【0030】
１）本発明の式（Ｉ）に示されるヘテロ三核金属有機アルキン錯体は溶液、固体及び薄膜のいずれにおいても強いリン光を発し、しかも発するのは黄色の光である；
２）本発明では初めてリン光Ｐｔ２Ｍヘテロ三核金属有機アルキン錯体を発光材料として有機発光素子を組み立てている。本発明のヘテロ三核有機アルキン錯体を発光層ドーパントとして製造した有機発光ダイオードは電界発光効率が高く、外部量子効率（ＥＱＥ）が１２．５％よりも高い；
３）本発明では改良されたｍ－ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを利用して正孔注入層を製造し、素子の電界発光効率が明らかに向上している。
２）本発明では初めてリン光Ｐｔ２Ｍヘテロ三核金属有機アルキン錯体を発光材料として有機発光素子を組み立てている。本発明のヘテロ三核有機アルキン錯体を発光層ドーパントとして製造した有機発光ダイオードは電界発光効率が高く、外部量子効率（ＥＱＥ）が１２．５％よりも高い；
３）本発明では改良されたｍ－ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを利用して正孔注入層を製造し、素子の電界発光効率が明らかに向上している。
【0031】
（用語の定義と説明）：
他に定義されない限り、本明細書の全ての技術用語は特許請求の範囲の主題の属する分野の技術者が理解しているのと同じ意味である。なお、上記の概要と次の詳細な説明は例示的で解釈するためにだけ使用されるもので、本願の主題を限定するものではない。本願では、特に明記しない限り、「又は」、「或いは」は「及び／又は」を表すように使用される。また、用語「含む」と類似する形態のもの、例えば、「含有する」などは限定するために使用されるものではない。
他に定義されない限り、本明細書の全ての技術用語は特許請求の範囲の主題の属する分野の技術者が理解しているのと同じ意味である。なお、上記の概要と次の詳細な説明は例示的で解釈するためにだけ使用されるもので、本願の主題を限定するものではない。本願では、特に明記しない限り、「又は」、「或いは」は「及び／又は」を表すように使用される。また、用語「含む」と類似する形態のもの、例えば、「含有する」などは限定するために使用されるものではない。
【0032】
用語「アルキル基」とは１～１２個、好ましくは１～１０個の炭素原子を有する直鎖又は分枝鎖のアルキル基を指し、前記アルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基である。
【0033】
用語「アルケニル基」とは、好ましくは１つ又は複数の二重結合を含み且つ２～１２個の炭素原子を有する直鎖又は分枝鎖の一価炭化水素基を表すものと理解され、好ましくは「Ｃ２－１０アルケニル基」である。「Ｃ２－１０アルケニル基」とは、好ましくは１つ又は複数の二重結合を含み且つ２、３、４、５、６、７、８、９又は１０個の炭素原子、特に２又は３個の炭素原子（「Ｃ２－３アルケニル基」）を有する直鎖又は分枝鎖の一価炭化水素基を表すものと理解され、なお、前記アルケニル基が２つ以上の二重結合を含む場合は、前記二重結合が互いに分離し又は共役していてもよい。前記アルケニル基は、例えば、エテニル基、アリル基、（Ｅ）－２－メチルエテニル基、（Ｚ）－２－メチルエテニル基、（Ｅ）－ブト－２－エニル基、（Ｚ）－ブト－２－エニル基、（Ｅ）－ブト－１－エニル基、（Ｚ）－ブト－１－エニル基、ペント－４－エニル基、（Ｅ）－ペント－３－エニル基、（Ｚ）－ペント－３－エニル基、（Ｅ）－ペント－２－エニル基、（Ｚ）－ペント－２－エニル基、（Ｅ）－ペント－１－エニル基、（Ｚ）－ペント－１－エニル基、ヘキサ－５－エニル基、（Ｅ）－ヘキサ－４－エニル基、（Ｚ）－ヘキサ－４－エニル基、（Ｅ）－ヘキサ－３－エニル基、（Ｚ）－ヘキサ－３－エニル基、（Ｅ）－ヘキサ－２－エニル基、（Ｚ）－ヘキサ－２－エニル基、（Ｅ）－ヘキサ－１－エニル基、（Ｚ）－ヘキサ－１－エニル基、イソプロペニル基、２－メチルプロプ－２－エニル基、１－メチルプロプ－２－エニル基、２－メチルプロプ－１－エニル基、（Ｅ）－１－メチルプロプ－１－エニル基、（Ｚ）－１－メチルプロプ－１－エニル基である。
【0034】
用語「アルキニル基」とは、１つ又は複数の三重結合を含み且つ２～１２個の炭素原子を有する直鎖又は分枝鎖の一価炭化水素基を表すものと理解され、好ましくは「Ｃ２－Ｃ１０アルキニル基」である。用語「Ｃ２－１０アルキニル基」とは、好ましくは１つ又は複数の三重結合を含み且つ２、３、４、５、６、７、８、９又は１０個の炭素原子、特に２又は３個の炭素原子（「Ｃ２－３－アルキニル基」）を有する直鎖又は分枝鎖の一価炭化水素基を表すものと理解される。前記アルキニル基は、例えば、エチニル基、プロプ－１－イニル基、プロプ－２－イニル基、ブト－１－イニル基、ブト－２－イニル基、ブト－３－イニル基、ペント－１－イニル基、ペント－２－イニル基、ペント－３－イニル基、ペント－４－イニル基、ヘキサ－１－イニル基、ヘキサ－２－イニル基、ヘキサ－３－イニル基、ヘキサ－４－イニル基、ヘキサ－５－イニル基、１－メチルプロプ－２－イニル基、２－メチルブト－３－イニル基、１－メチルブト－３－イニル基、１－メチルブト－２－イニル基、３－メチルブト－１－イニル基である。
【0035】
用語「アリール基」とは、好ましくは５～２０個の炭素原子有する芳香族性又は部分的に芳香族性の単環式、二環式又は三環式の環式炭化水素を表すものと理解され、好ましくは「Ｃ６－１４アリール基」である。用語「Ｃ６－１４アリール基」とは、好ましくは６、７、８、９、１０、１１、１２、１３又は１４個の炭素原子を有する一価芳香族性又は部分的に芳香族性の単環式、二環式又は三環式の環式炭化水素（「Ｃ６－１４アリール基」）を表すものと理解され、特に、６個の炭素原子を有する環（「Ｃ６アリール基」）、例えば、フェニル基、又はビフェニル基、或いは９個の炭素原子を有する環（「Ｃ９アリール基」、例えば、インダニル基又はインデニル基）、又は１０個の炭素原子を有する環（「Ｃ１０アリール基」）、例えば、テトラヒドロナフチル基、ジヒドロナフチル基又はナフチル基、又は、１３個の炭素原子を有する環（「Ｃ１３アリール基」）、例えば、フルオレニル基、又は１４個の炭素原子を有する環（「Ｃ１４アリール基」）、例えば、アントリル基である。
【0036】
用語「ヘテロアリール基」とは、５～２０個の環原子、５～１４個の環原子、又は５～１２個の環原子、或いは５～１０個の環原子、又は５～６個の環原子を含む単環式、二環式及び三環式の環系と理解され、少なくとも１つの環系が芳香族で、且つ少なくとも１つの環系は１つ又は複数のヘテロ原子（例えば、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅなど）を含み、各環系は５～７個の原子からなる環を含み、且つ１つ又は複数の結合点が分子の残りの部分に接続されている。前記ヘテロアリール基は任意選択で１つ又は複数の本発明に記載の置換基によって置換される。いくつかの実施形態において、５～１０個の原子からなるヘテロアリール基はＯ、Ｓ、Ｓｅ及びＮから独立的に選ばれる１、２、３又は４個のヘテロ原子を含む。またいくつかの実施形態において、５～６個の原子からなるヘテロアリール基はＯ、Ｓ、Ｓｅ及びＮから独立的に選ばれる１、２、３又は４個のヘテロ原子を含む。
【0037】
単環式のヘテロアリール基の例はチエニル基、フラニル基、ピロリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、トリアゾリル基、チアジアゾリル基、チア－４Ｈ－ピラゾリル基など、及びそれらのベンゾ誘導体（例えば、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、インダゾリル基、インドリル基、イソインドリル基など）；又はピリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基など、及びそれらのベンゾ誘導体（例えば、キノリニル基、キナゾリニル基、イソキノリニル基など）；又はアゾシニル基、インドリジニル基、プリニル基など、及びそれらのベンゾ誘導体；又はシンノリニル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ナフチリジニル基、プテリジニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、アクリジニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基などを含み、ただしそれらに限定されない。
【0038】
用語「アルコキシ基」とはアルキル－Ｏ－基を指し、アルキル基は上記で定義したとおりである。同様に、アルキル基の定義はアルキル基を含む基、例えば、「ハロアルキル基」などにも適用する。
【0039】
〔図面の簡単な説明〕
図１は、実施例１３の電界発光素子の構造模式図及びその一部の部品を構成する有機材料の化学構造である。
図１は、実施例１３の電界発光素子の構造模式図及びその一部の部品を構成する有機材料の化学構造である。
【0040】
〔発明を実施するための形態〕
本発明の目的、技術案及び有益な効果が一層明瞭になるよう、以下、図面と実施例を用いて本発明をより詳しく説明する。なお、本明細書に記載の実施例は本発明を限定するものではなく、本発明を解釈するためのものである。
本発明の目的、技術案及び有益な効果が一層明瞭になるよう、以下、図面と実施例を用いて本発明をより詳しく説明する。なお、本明細書に記載の実施例は本発明を限定するものではなく、本発明を解釈するためのものである。
【0041】
下記の実施例では、ｄｐｍｐはビス（ジフェニルホスフィノメチル）フェニルホスフィン基を表し、ｄｅｃｚは３，６－ジｔｅｒｔ－ブチル－カルバゾリル－１，８－ジエチニル基を表し、ｄｅｂｆはジベンゾフラニル－４，６－ジエチニル基を表し、ｄｅｂｔはジベンゾチエニル－４，６－ジエチニル基を表し、Ｐｈはフェニル基を表し、ｔｈｔはテトラヒドロチオフェンを表し、９－Ｐｈ－ｃａｒｂ－３は９－フェニル－カルバゾール－３－イルを表し、Ｐｈ－（ＯＭｅ）２－２，４は２，４－ジメトキシフェニル基を表し、１０－Ｍｅ－ＰＴＺ－３は１０－メチル－フェノチアジン－３－イルを表し、ＰＰｈ３はトリフェニルホスフィンを表し、ＭｅＣＮはアセトニトリルであり、ＣｌＯ４は過塩素酸イオンである。
【0042】
下記の実施例でｄｅｃｚ－２Ｈは当該基ｄｅｃｚに対応する相応の化合物を表し、他の化合物、例えば、ｄｅｂｆ－２Ｈなどは同様である。
【0043】
実施例１：Ｐｔ２錯体Ｐｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－ｄｅｃｚ）（Ｃ≡ＣＰｈ）２の製造
ｄｅｃｚ－２Ｈ（３２．８ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）を溶解した２０ｍＬのクロロホルム溶液にＰｔ（ＰＰｈ３）２（Ｃ≡ＣＰｈ）Ｃｌ（１８０ｍｇ、０．２１ｍｍｏｌ）、ヨウ化第一銅（１ｍｇ）、トリエチルアミン（１ｍＬ）を加え、摂氏５０度下で１８時間反応させた。黄色の透明な溶液を得た。反応液を濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを利用して生成物を精製して、石油エーテル－ジクロロメタン（２：１）を溶離液として淡黄色の生成物を回収し、収率は７８％であった。元素分析：Ｃ１１２Ｈ９３ＮＰ４Ｐｔ２。計算値：Ｃ６８．３９、Ｈ４．７７。測定値：Ｃ６８．１４、Ｈ４．８２。高分解能質量スペクトルｍ／ｚ（％）：１９６７．５５４９（１００）［Ｍ＋Ｈ］＋（計算値１９６７．５６２７）。プロトン核磁気共鳴（４００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：７．８５－７．７７（ｍ，２４Ｈ），７．６０（ｍ，２Ｈ），７．３２（ｔ，２４Ｈ，Ｊ＝７．３６），７．２４（ｔ，１２Ｈ，Ｊ＝７．３２），６．９４－６．８８（ｍ，６Ｈ），６．７３－６．７０（ｍ，２Ｈ），６．６９（ｓ，１Ｈ），６．３０－６．２２（ｍ，４Ｈ），１．２９（ｓ，１８Ｈ）。リン同位体核磁気共鳴（１６２ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：１７．９（ＪＰｔ－Ｐ＝２６４１Ｈｚ）。赤外分光スペクトル（ＫＢｒ，ｃｍ－１）：２１０９ｍ（Ｃ≡Ｃ）。
ｄｅｃｚ－２Ｈ（３２．８ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）を溶解した２０ｍＬのクロロホルム溶液にＰｔ（ＰＰｈ３）２（Ｃ≡ＣＰｈ）Ｃｌ（１８０ｍｇ、０．２１ｍｍｏｌ）、ヨウ化第一銅（１ｍｇ）、トリエチルアミン（１ｍＬ）を加え、摂氏５０度下で１８時間反応させた。黄色の透明な溶液を得た。反応液を濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを利用して生成物を精製して、石油エーテル－ジクロロメタン（２：１）を溶離液として淡黄色の生成物を回収し、収率は７８％であった。元素分析：Ｃ１１２Ｈ９３ＮＰ４Ｐｔ２。計算値：Ｃ６８．３９、Ｈ４．７７。測定値：Ｃ６８．１４、Ｈ４．８２。高分解能質量スペクトルｍ／ｚ（％）：１９６７．５５４９（１００）［Ｍ＋Ｈ］＋（計算値１９６７．５６２７）。プロトン核磁気共鳴（４００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：７．８５－７．７７（ｍ，２４Ｈ），７．６０（ｍ，２Ｈ），７．３２（ｔ，２４Ｈ，Ｊ＝７．３６），７．２４（ｔ，１２Ｈ，Ｊ＝７．３２），６．９４－６．８８（ｍ，６Ｈ），６．７３－６．７０（ｍ，２Ｈ），６．６９（ｓ，１Ｈ），６．３０－６．２２（ｍ，４Ｈ），１．２９（ｓ，１８Ｈ）。リン同位体核磁気共鳴（１６２ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：１７．９（ＪＰｔ－Ｐ＝２６４１Ｈｚ）。赤外分光スペクトル（ＫＢｒ，ｃｍ－１）：２１０９ｍ（Ｃ≡Ｃ）。
【0044】
実施例２：Ｐｔ２錯体Ｐｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－ｄｅｃｚ）（Ｃ≡Ｃ－（９－Ｐｈ－ｃａｒｂ－３））２の製造
製造方法は実施例１の方法と基本的に同じであり、Ｐｔ（ＰＰｈ３）２（Ｃ≡ＣＰｈ）Ｃｌの代わりにＰｔ（ＰＰｈ３）２（Ｃ≡Ｃ－（９－Ｐｈ－ｃａｒｂ－３）Ｃｌを使用し、収率は７２％であった。元素分析：Ｃ１３６Ｈ１０７Ｎ３Ｐ４Ｐｔ２。計算値：Ｃ７１．１０、Ｈ４．６９。測定値：Ｃ７０．９９、Ｈ４．８１。高分解能質量スペクトルｍ／ｚ（％）：２２９７．６７８１（１００）［Ｍ＋Ｈ］＋（計算値２２９７．６７９３）。プロトン核磁気共鳴（ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：７．９５－７．８０（ｍ，２４Ｈ），７．６４－７．５３（ｍ，６Ｈ），７．５１－７．３９（ｍ，１２Ｈ），７．３９－７．３２（ｍ，２４Ｈ），７．３１－７．２１（ｍ，１２Ｈ），６．９７（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４８），６．８５（ｓ，１Ｈ），６．７４（ｓ，２Ｈ），６．３３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４４），１．２９（ｓ，１８Ｈ）。リン同位体核磁気共鳴（１６２ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：１８．０（ＪＰｔ－Ｐ＝２６４５Ｈｚ）。赤外分光スペクトル（ＫＢｒ，ｃｍ－１）：２１１７（ｗ）。
製造方法は実施例１の方法と基本的に同じであり、Ｐｔ（ＰＰｈ３）２（Ｃ≡ＣＰｈ）Ｃｌの代わりにＰｔ（ＰＰｈ３）２（Ｃ≡Ｃ－（９－Ｐｈ－ｃａｒｂ－３）Ｃｌを使用し、収率は７２％であった。元素分析：Ｃ１３６Ｈ１０７Ｎ３Ｐ４Ｐｔ２。計算値：Ｃ７１．１０、Ｈ４．６９。測定値：Ｃ７０．９９、Ｈ４．８１。高分解能質量スペクトルｍ／ｚ（％）：２２９７．６７８１（１００）［Ｍ＋Ｈ］＋（計算値２２９７．６７９３）。プロトン核磁気共鳴（ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：７．９５－７．８０（ｍ，２４Ｈ），７．６４－７．５３（ｍ，６Ｈ），７．５１－７．３９（ｍ，１２Ｈ），７．３９－７．３２（ｍ，２４Ｈ），７．３１－７．２１（ｍ，１２Ｈ），６．９７（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４８），６．８５（ｓ，１Ｈ），６．７４（ｓ，２Ｈ），６．３３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４４），１．２９（ｓ，１８Ｈ）。リン同位体核磁気共鳴（１６２ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：１８．０（ＪＰｔ－Ｐ＝２６４５Ｈｚ）。赤外分光スペクトル（ＫＢｒ，ｃｍ－１）：２１１７（ｗ）。
【0045】
実施例３：Ｐｔ２錯体Ｐｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－ｄｅｂｆ）（Ｃ≡ＣＰｈ）２の製造
製造方法は実施例１の方法と基本的に同じであり、ｄｅｃｚ－２Ｈの代わりにｄｅｂｆ－２Ｈを使用し、収率は７０％であった。元素分析：Ｃ１０４Ｈ７６ＯＰ４Ｐｔ２。計算値：Ｃ６７．３１、Ｈ４．１３。測定値：Ｃ６７．２１、Ｈ４．０８。高分解能質量スペクトルｍ／ｚ（％）：１８５４．４１３２（１００）［Ｍ＋Ｈ］＋（計算値１８５４．４１４０）。プロトン核磁気共鳴（ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：７．７２－７．６８（ｍ，２６Ｈ），７．６１－７．５７（ｍ，４Ｈ），７．３６－７．３２（ｍ，２６Ｈ），７．２７－７．２４（ｍ，１４Ｈ），６．９７－６．９２（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝８．３８），６．５３－６．５１（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８），６．４６－６．４５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．３８）。リン同位体核磁気共鳴（１６２ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：１７．７７（ＪＰｔ－Ｐ＝２１３４Ｈｚ）。赤外分光スペクトル（ＫＢｒ，ｃｍ－１）：２１１０（ｗ）。
製造方法は実施例１の方法と基本的に同じであり、ｄｅｃｚ－２Ｈの代わりにｄｅｂｆ－２Ｈを使用し、収率は７０％であった。元素分析：Ｃ１０４Ｈ７６ＯＰ４Ｐｔ２。計算値：Ｃ６７．３１、Ｈ４．１３。測定値：Ｃ６７．２１、Ｈ４．０８。高分解能質量スペクトルｍ／ｚ（％）：１８５４．４１３２（１００）［Ｍ＋Ｈ］＋（計算値１８５４．４１４０）。プロトン核磁気共鳴（ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：７．７２－７．６８（ｍ，２６Ｈ），７．６１－７．５７（ｍ，４Ｈ），７．３６－７．３２（ｍ，２６Ｈ），７．２７－７．２４（ｍ，１４Ｈ），６．９７－６．９２（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝８．３８），６．５３－６．５１（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８），６．４６－６．４５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．３８）。リン同位体核磁気共鳴（１６２ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：１７．７７（ＪＰｔ－Ｐ＝２１３４Ｈｚ）。赤外分光スペクトル（ＫＢｒ，ｃｍ－１）：２１１０（ｗ）。
【0046】
実施例４：Ｐｔ２錯体Ｐｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－ｄｅｂｆ）（Ｃ≡ＣＰｈ－（ＯＭｅ）２－２，４）２の製造
製造方法は実施例１の方法と基本的に同じであり、ｄｅｃｚ－２Ｈの代わりにｄｅｂｆ－２Ｈを、Ｐｔ（ＰＰｈ３）２（Ｃ≡ＣＰｈ）Ｃｌの代わりにＰｔ（ＰＰｈ３）２（Ｃ≡ＣＰｈ－（ＯＭｅ）２－２，４）Ｃｌを使用し、収率は８１％であった。元素分析：Ｃ１０８Ｈ８４Ｏ５Ｐ４Ｐｔ２。計算値：Ｃ６５．６５、Ｈ４．２９。測定値：Ｃ６５．７９、Ｈ４．２０。高分解能質量スペクトルｍ／ｚ（％）：１９７４．４５３２（１００）［Ｍ＋Ｈ］＋（計算値１９７４．４５５３）。プロトン核磁気共鳴（ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：７．７４－７．６９（ｍ，２４Ｈ），７．６２－７．６０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．３０），７．４０－７．３６（ｍ，２４Ｈ），７．２９－７．２３（ｍ，１０Ｈ），６．９７－６．９３（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．６８），６．５３－６．４９（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９），６．１３－６．１１（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８），３．６１（ｓ，１２Ｈ）。リン同位体核磁気共鳴（１６２ ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：１９．２１（ＪＰｔ－Ｐ＝１６３４Ｈｚ）。赤外分光スペクトル（ＫＢｒ，ｃｍ－１）：２１０２（ｗ）。
製造方法は実施例１の方法と基本的に同じであり、ｄｅｃｚ－２Ｈの代わりにｄｅｂｆ－２Ｈを、Ｐｔ（ＰＰｈ３）２（Ｃ≡ＣＰｈ）Ｃｌの代わりにＰｔ（ＰＰｈ３）２（Ｃ≡ＣＰｈ－（ＯＭｅ）２－２，４）Ｃｌを使用し、収率は８１％であった。元素分析：Ｃ１０８Ｈ８４Ｏ５Ｐ４Ｐｔ２。計算値：Ｃ６５．６５、Ｈ４．２９。測定値：Ｃ６５．７９、Ｈ４．２０。高分解能質量スペクトルｍ／ｚ（％）：１９７４．４５３２（１００）［Ｍ＋Ｈ］＋（計算値１９７４．４５５３）。プロトン核磁気共鳴（ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：７．７４－７．６９（ｍ，２４Ｈ），７．６２－７．６０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．３０），７．４０－７．３６（ｍ，２４Ｈ），７．２９－７．２３（ｍ，１０Ｈ），６．９７－６．９３（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．６８），６．５３－６．４９（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９），６．１３－６．１１（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８），３．６１（ｓ，１２Ｈ）。リン同位体核磁気共鳴（１６２ ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：１９．２１（ＪＰｔ－Ｐ＝１６３４Ｈｚ）。赤外分光スペクトル（ＫＢｒ，ｃｍ－１）：２１０２（ｗ）。
【0047】
実施例５：Ｐｔ２錯体Ｐｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－ｄｅｂｔ）（Ｃ≡Ｃ－（１０－Ｍｅ－ＰＴＺ－３）２の製造
製造方法は実施例１の方法と基本的に同じであり、ｄｅｃｚ－２Ｈの代わりにｄｅｂｔ－２Ｈを、Ｐｔ（ＰＰｈ３）２（Ｃ≡ＣＰｈ）Ｃｌの代わりにＰｔ（ＰＰｈ３）２（Ｃ≡Ｃ－（１０－Ｍｅ－ＰＴＺ－３）Ｃｌを使用し、収率は６９％であった。元素分析：Ｃ１１８Ｈ８６Ｎ２Ｐ４Ｐｔ２Ｓ３。計算値：Ｃ６６．１６、Ｈ４．０５。測定値：Ｃ６６．０９、Ｈ４．１０。高分解能質量スペクトルｍ／ｚ（％）：２１４０．４２２５（１００）［Ｍ＋Ｈ］＋（計算値２１４０．４２１０）。プロトン核磁気共鳴（ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：７．７０－７．６５（ｍ，２６Ｈ），７．５４－７．５１（ｍ，４０Ｈ），７．１８－７．１４（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８），７．０９－７．０８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝４），６．９３－６．８４（ｍ，４Ｈ），６．４９－６．４７（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝６．８），５．９１－５．８９（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．２），５．５４－５．５３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝２），３．１５（ｓ，６Ｈ）。リン同位体核磁気共鳴（１６２ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：１９．６４（ＪＰｔ－Ｐ＝１３３４Ｈｚ）。赤外分光スペクトル（ＫＢｒ，ｃｍ－１）：２１１１（ｗ）。
製造方法は実施例１の方法と基本的に同じであり、ｄｅｃｚ－２Ｈの代わりにｄｅｂｔ－２Ｈを、Ｐｔ（ＰＰｈ３）２（Ｃ≡ＣＰｈ）Ｃｌの代わりにＰｔ（ＰＰｈ３）２（Ｃ≡Ｃ－（１０－Ｍｅ－ＰＴＺ－３）Ｃｌを使用し、収率は６９％であった。元素分析：Ｃ１１８Ｈ８６Ｎ２Ｐ４Ｐｔ２Ｓ３。計算値：Ｃ６６．１６、Ｈ４．０５。測定値：Ｃ６６．０９、Ｈ４．１０。高分解能質量スペクトルｍ／ｚ（％）：２１４０．４２２５（１００）［Ｍ＋Ｈ］＋（計算値２１４０．４２１０）。プロトン核磁気共鳴（ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：７．７０－７．６５（ｍ，２６Ｈ），７．５４－７．５１（ｍ，４０Ｈ），７．１８－７．１４（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８），７．０９－７．０８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝４），６．９３－６．８４（ｍ，４Ｈ），６．４９－６．４７（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝６．８），５．９１－５．８９（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．２），５．５４－５．５３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝２），３．１５（ｓ，６Ｈ）。リン同位体核磁気共鳴（１６２ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：１９．６４（ＪＰｔ－Ｐ＝１３３４Ｈｚ）。赤外分光スペクトル（ＫＢｒ，ｃｍ－１）：２１１１（ｗ）。
【0048】
実施例６：Ｐｔ２Ａｕ錯体［Ｐｔ２Ａｕ（μ－ｄｐｍｐ）２（μ－ｄｅｃｚ）（Ｃ≡ＣＣ６Ｈ５）２］（ＣｌＯ４）錯体（１）の製造
ｄｐｍｐ（５０．６ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）を溶解した２０ｍＬのジクロロメタン溶液に［Ａｕ（ｔｈｔ）２］（ＣｌＯ４）（２３．６ｍｇ、０．０５ｍｍｏｌ）を加え、５分間攪拌した。実施例１で製造したＰｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－ｄｅｃｚ）（Ｃ≡ＣＰｈ）２（９８．４ｍｇ、０．０５ｍｍｏｌ）を加え、常温下で１２時間攪拌して、黄色の透明な溶液を得た。反応液を濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを利用して生成物を精製して、ジクロロメタン－アセトン（１０：１）を溶離液として黄色の生成物を回収し、収率は７３％であった。元素分析：Ｃ１０４Ｈ９１ＡｕＣｌＮＯ４Ｐ６Ｐｔ２。計算値：Ｃ５３．０８、Ｈ４．１２。測定値：Ｃ５３．２１、Ｈ４．０２。高分解能質量スペクトルｍ／ｚ（％）：２１２７．４５１９（１００）［Ｍ－ＣｌＯ４］＋（計算値２１２７．４５４２）。プロトン核磁気共鳴（４００ ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：８．６６（ｓ，１Ｈ），７．９３－７．８２（ｍ，４Ｈ），７．８１（ｓ，２Ｈ），７．８１－７．６７（ｍ，１６Ｈ），７．２８－７．１４（ｍ，１６Ｈ），７．１０－６．９６（ｍ，１２Ｈ），６．９１（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝７．４９），６．７７（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝７．４４），６．５２（ｓ，２Ｈ），６．２４（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝７．２４），４．５５－４．３７（ｍ，４Ｈ），４．００－３．８８（ｍ，４Ｈ），１．３５（ｓ，１８Ｈ）。リン同位体核磁気共鳴（１６２ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：２０．１２（ｍ，１Ｐ，ＪＰ－Ｐ＝２９．５Ｈｚ，），３．３４（ｍ，２Ｐ，ＪＰ－Ｐ＝２９．７Ｈｚ，ＪＰｔ－Ｐ＝２６９４Ｈｚ）。赤外分光スペクトル（ＫＢｒ，ｃｍ－１）：２１０５ｗ（Ｃ≡Ｃ），１０９８ｓ（ＣｌＯ４）。
ｄｐｍｐ（５０．６ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）を溶解した２０ｍＬのジクロロメタン溶液に［Ａｕ（ｔｈｔ）２］（ＣｌＯ４）（２３．６ｍｇ、０．０５ｍｍｏｌ）を加え、５分間攪拌した。実施例１で製造したＰｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－ｄｅｃｚ）（Ｃ≡ＣＰｈ）２（９８．４ｍｇ、０．０５ｍｍｏｌ）を加え、常温下で１２時間攪拌して、黄色の透明な溶液を得た。反応液を濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを利用して生成物を精製して、ジクロロメタン－アセトン（１０：１）を溶離液として黄色の生成物を回収し、収率は７３％であった。元素分析：Ｃ１０４Ｈ９１ＡｕＣｌＮＯ４Ｐ６Ｐｔ２。計算値：Ｃ５３．０８、Ｈ４．１２。測定値：Ｃ５３．２１、Ｈ４．０２。高分解能質量スペクトルｍ／ｚ（％）：２１２７．４５１９（１００）［Ｍ－ＣｌＯ４］＋（計算値２１２７．４５４２）。プロトン核磁気共鳴（４００ ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：８．６６（ｓ，１Ｈ），７．９３－７．８２（ｍ，４Ｈ），７．８１（ｓ，２Ｈ），７．８１－７．６７（ｍ，１６Ｈ），７．２８－７．１４（ｍ，１６Ｈ），７．１０－６．９６（ｍ，１２Ｈ），６．９１（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝７．４９），６．７７（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝７．４４），６．５２（ｓ，２Ｈ），６．２４（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝７．２４），４．５５－４．３７（ｍ，４Ｈ），４．００－３．８８（ｍ，４Ｈ），１．３５（ｓ，１８Ｈ）。リン同位体核磁気共鳴（１６２ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：２０．１２（ｍ，１Ｐ，ＪＰ－Ｐ＝２９．５Ｈｚ，），３．３４（ｍ，２Ｐ，ＪＰ－Ｐ＝２９．７Ｈｚ，ＪＰｔ－Ｐ＝２６９４Ｈｚ）。赤外分光スペクトル（ＫＢｒ，ｃｍ－１）：２１０５ｗ（Ｃ≡Ｃ），１０９８ｓ（ＣｌＯ４）。
【0049】
実施例７：Ｐｔ２Ａｕ錯体［Ｐｔ２Ａｕ（μ－ｄｐｍｐ）２（μ－ｄｅｃｚ）（Ｃ≡Ｃ－（９－Ｐｈ－ｃａｒｂ－３））２］（ＣｌＯ４）錯体（２）の製造
製造方法は実施例６の方法と基本的に同じであり、Ｐｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－ｄｅｃｚ）（Ｃ≡ＣＰｈ）２の代わりにＰｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－ｄｅｃｚ）（Ｃ≡Ｃ－（９－Ｐｈ－ｃａｒｂ－３））２を使用し、収率は６８％であった。元素分析：Ｃ１２８Ｈ１０５ＡｕＣｌＮ３Ｏ４Ｐ６Ｐｔ２。計算値：Ｃ６０．１１、Ｈ４．１４。測定値：Ｃ５９．９６、Ｈ４．２９。高分解能質量スペクトルｍ／ｚ（％）：２４５７．５６６７（１００）［Ｍ－ＣｌＯ４］＋（計算値２４５７．５６９９）。プロトン核磁気共鳴（４００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：８．７８（ｓ，１Ｈ），８．０２－７．８８（ｍ，４Ｈ），７．８８－７．７３（ｍ，１６Ｈ），７．７０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．６０），７．６２－７．４９（ｍ，８Ｈ），７．４８－７．３０（ｍ，１２Ｈ），７．３０－７．１７（ｍ，１６Ｈ），７．１５－７．０５（ｍ，８Ｈ），６．９７－６．９０（ｍ，２Ｈ），６．８９－６．７７（ｍ，４Ｈ），６．６１（ｓ，２Ｈ），６．５８（ｓ，２Ｈ），６．２４（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４４），４．６３－４．３９（ｍ，４Ｈ），４．０９－３．８９（ｍ，４Ｈ），１．３７（ｓ，１８Ｈ）。リン同位体核磁気共鳴（１６２ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：１９．５（ｍ，１Ｐ，ＪＰ－Ｐ＝２９．３Ｈｚ），３．９６（ｍ，２Ｐ，ＪＰ－Ｐ＝２８．８ Ｈｚ，ＪＰｔ－Ｐ＝２７１１Ｈｚ）。赤外分光スペクトル（ＫＢｒ，ｃｍ－１）：２１０７ｗ（Ｃ≡Ｃ），１０９９ｓ（ＣｌＯ４）。
製造方法は実施例６の方法と基本的に同じであり、Ｐｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－ｄｅｃｚ）（Ｃ≡ＣＰｈ）２の代わりにＰｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－ｄｅｃｚ）（Ｃ≡Ｃ－（９－Ｐｈ－ｃａｒｂ－３））２を使用し、収率は６８％であった。元素分析：Ｃ１２８Ｈ１０５ＡｕＣｌＮ３Ｏ４Ｐ６Ｐｔ２。計算値：Ｃ６０．１１、Ｈ４．１４。測定値：Ｃ５９．９６、Ｈ４．２９。高分解能質量スペクトルｍ／ｚ（％）：２４５７．５６６７（１００）［Ｍ－ＣｌＯ４］＋（計算値２４５７．５６９９）。プロトン核磁気共鳴（４００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：８．７８（ｓ，１Ｈ），８．０２－７．８８（ｍ，４Ｈ），７．８８－７．７３（ｍ，１６Ｈ），７．７０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．６０），７．６２－７．４９（ｍ，８Ｈ），７．４８－７．３０（ｍ，１２Ｈ），７．３０－７．１７（ｍ，１６Ｈ），７．１５－７．０５（ｍ，８Ｈ），６．９７－６．９０（ｍ，２Ｈ），６．８９－６．７７（ｍ，４Ｈ），６．６１（ｓ，２Ｈ），６．５８（ｓ，２Ｈ），６．２４（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４４），４．６３－４．３９（ｍ，４Ｈ），４．０９－３．８９（ｍ，４Ｈ），１．３７（ｓ，１８Ｈ）。リン同位体核磁気共鳴（１６２ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：１９．５（ｍ，１Ｐ，ＪＰ－Ｐ＝２９．３Ｈｚ），３．９６（ｍ，２Ｐ，ＪＰ－Ｐ＝２８．８ Ｈｚ，ＪＰｔ－Ｐ＝２７１１Ｈｚ）。赤外分光スペクトル（ＫＢｒ，ｃｍ－１）：２１０７ｗ（Ｃ≡Ｃ），１０９９ｓ（ＣｌＯ４）。
【0050】
実施例８：Ｐｔ２Ａｕ錯体［Ｐｔ２Ａｕ（μ－ｄｐｍｐ）２（μ－ｄｅｂｆ）（Ｃ≡ＣＣ６Ｈ５）２］（ＣｌＯ４）錯体（３）の製造
製造方法は実施例６の方法と基本的に同じであり、Ｐｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－ｄｅｃｚ）（Ｃ≡ＣＰｈ）２の代わりにＰｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－ｄｅｂｆ）（Ｃ≡ＣＰｈ）２を使用し、収率は７６％であった。元素分析：Ｃ９６Ｈ７４ＡｕＣｌＯ５Ｐ６Ｐｔ２。計算値：Ｃ５４．４９、Ｈ３．５２。測定値：Ｃ５４．５６、Ｈ３．６０。高分解能質量スペクトルｍ／ｚ（％）：２０１５．３１１４（１００）［Ｍ－ＣｌＯ４］＋（計算値２０１５．３１２１）。プロトン核磁気共鳴（４００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：７．８８－７．８５（ｍ，８Ｈ），７．７５－７．６６（ｍ，１４Ｈ），７．２５－７．２２（ｍ，１０Ｈ），７．１７－７．０７（ｍ，８Ｈ），７．０３－７．００（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝８．４４），６．９５－６．９２（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝８），６．８９－６．８５（ｍ，４Ｈ），６．６２－６．６０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４４），６．２７－６．２６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝４），４．４４－４．３４（ｍ，４Ｈ），３．８７－３．７７（ｍ，４Ｈ）。リン同位体核磁気共鳴（１６２ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：１９．６７（ｍ，１Ｐ，ＪＰ－Ｐ＝２６．３Ｈｚ），４．５２（ｍ，２Ｐ，ＪＰ－Ｐ＝２７．７Ｈｚ，ＪＰｔ－Ｐ＝１３３６Ｈｚ）。赤外分光スペクトル（ＫＢｒ，ｃｍ－１）：２１０６ｗ（Ｃ≡Ｃ），１１３５ｓ（ＣｌＯ４）。
製造方法は実施例６の方法と基本的に同じであり、Ｐｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－ｄｅｃｚ）（Ｃ≡ＣＰｈ）２の代わりにＰｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－ｄｅｂｆ）（Ｃ≡ＣＰｈ）２を使用し、収率は７６％であった。元素分析：Ｃ９６Ｈ７４ＡｕＣｌＯ５Ｐ６Ｐｔ２。計算値：Ｃ５４．４９、Ｈ３．５２。測定値：Ｃ５４．５６、Ｈ３．６０。高分解能質量スペクトルｍ／ｚ（％）：２０１５．３１１４（１００）［Ｍ－ＣｌＯ４］＋（計算値２０１５．３１２１）。プロトン核磁気共鳴（４００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：７．８８－７．８５（ｍ，８Ｈ），７．７５－７．６６（ｍ，１４Ｈ），７．２５－７．２２（ｍ，１０Ｈ），７．１７－７．０７（ｍ，８Ｈ），７．０３－７．００（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝８．４４），６．９５－６．９２（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝８），６．８９－６．８５（ｍ，４Ｈ），６．６２－６．６０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４４），６．２７－６．２６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝４），４．４４－４．３４（ｍ，４Ｈ），３．８７－３．７７（ｍ，４Ｈ）。リン同位体核磁気共鳴（１６２ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：１９．６７（ｍ，１Ｐ，ＪＰ－Ｐ＝２６．３Ｈｚ），４．５２（ｍ，２Ｐ，ＪＰ－Ｐ＝２７．７Ｈｚ，ＪＰｔ－Ｐ＝１３３６Ｈｚ）。赤外分光スペクトル（ＫＢｒ，ｃｍ－１）：２１０６ｗ（Ｃ≡Ｃ），１１３５ｓ（ＣｌＯ４）。
【0051】
実施例９：Ｐｔ２Ａｕ錯体［Ｐｔ２Ａｕ（μ－ｄｐｍｐ）２（μ－ｄｅｂｆ）（Ｃ≡ＣＰｈ－（ＯＭｅ）２－２，４）２］（ＣｌＯ４）錯体（４）の製造
製造方法は実施例６の方法と基本的に同じであり、Ｐｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－ｄｅｃｚ）（Ｃ≡ＣＰｈ）２の代わりにＰｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－ｄｅｂｆ）（Ｃ≡ＣＰｈ－（ＯＭｅ）２－２，４）２を使用し、収率は６７％であった。元素分析：Ｃ１００Ｈ８２ＡｕＣｌＯ９Ｐ６Ｐｔ２。計算値：Ｃ５３．７１、Ｈ３．７０。測定値：Ｃ５３．６６、Ｈ３．６６。高分解能質量スペクトルｍ／ｚ（％）：２１３５．３５２４（１００）［Ｍ－ＣｌＯ４］＋（計算値２０１５．３５５１）。プロトン核磁気共鳴（４００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：７．９３－７．８９（ｍ，４Ｈ），７．８１－７．７７（ｍ，８Ｈ），７．７５－７．７３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８），７．６７－７．６２（ｍ，８Ｈ），７．２１－７．１９（ｍ，１４Ｈ），７．１４－７．０１（ｍ，１２Ｈ），６．７７－６．７３（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝４．４４），６．４３－６．３８（ｍ，６Ｈ），６．０１－５．９９（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８），４．７９－４．７６（ｍ，４Ｈ），３．７３－３．７１（ｍ，４Ｈ），３．６０（ｓ，１２Ｈ）。リン同位体核磁気共鳴（１６２ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：１７．０５（ｍ，１Ｐ，ＪＰ－Ｐ＝１６．３Ｈｚ），１．３５（ｍ，２Ｐ，ＪＰ－Ｐ＝２９．１６Ｈｚ，ＪＰｔ－Ｐ＝１３３５Ｈｚ）。赤外分光スペクトル（ＫＢｒ，ｃｍ－１）：２１０８ｗ（Ｃ≡Ｃ），１１５８ｓ（ＣｌＯ４）。
製造方法は実施例６の方法と基本的に同じであり、Ｐｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－ｄｅｃｚ）（Ｃ≡ＣＰｈ）２の代わりにＰｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－ｄｅｂｆ）（Ｃ≡ＣＰｈ－（ＯＭｅ）２－２，４）２を使用し、収率は６７％であった。元素分析：Ｃ１００Ｈ８２ＡｕＣｌＯ９Ｐ６Ｐｔ２。計算値：Ｃ５３．７１、Ｈ３．７０。測定値：Ｃ５３．６６、Ｈ３．６６。高分解能質量スペクトルｍ／ｚ（％）：２１３５．３５２４（１００）［Ｍ－ＣｌＯ４］＋（計算値２０１５．３５５１）。プロトン核磁気共鳴（４００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：７．９３－７．８９（ｍ，４Ｈ），７．８１－７．７７（ｍ，８Ｈ），７．７５－７．７３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８），７．６７－７．６２（ｍ，８Ｈ），７．２１－７．１９（ｍ，１４Ｈ），７．１４－７．０１（ｍ，１２Ｈ），６．７７－６．７３（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝４．４４），６．４３－６．３８（ｍ，６Ｈ），６．０１－５．９９（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８），４．７９－４．７６（ｍ，４Ｈ），３．７３－３．７１（ｍ，４Ｈ），３．６０（ｓ，１２Ｈ）。リン同位体核磁気共鳴（１６２ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：１７．０５（ｍ，１Ｐ，ＪＰ－Ｐ＝１６．３Ｈｚ），１．３５（ｍ，２Ｐ，ＪＰ－Ｐ＝２９．１６Ｈｚ，ＪＰｔ－Ｐ＝１３３５Ｈｚ）。赤外分光スペクトル（ＫＢｒ，ｃｍ－１）：２１０８ｗ（Ｃ≡Ｃ），１１５８ｓ（ＣｌＯ４）。
【0052】
実施例１０：Ｐｔ２Ａｕ錯体［Ｐｔ２Ａｕ（μ－ｄｐｍｐ）２（μ－ｄｅｂｔ）（Ｃ≡Ｃ－（１０－Ｍｅ－ＰＴＺ－３］（ＣｌＯ４）錯体（５）の製造
製造方法は実施例６の方法と基本的に同じであり、Ｐｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－ｄｅｃｚ）（Ｃ≡ＣＰｈ）２の代わりにＰｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－ｄｅｂｔ）（Ｃ≡Ｃ－（１０－Ｍｅ－ＰＴＺ－３）２を使用し、収率は６２％であった。元素分析：Ｃ１１０Ｈ８４ＡｕＮ２ＣｌＯ４Ｐ６Ｐｔ２Ｓ３。計算値：Ｃ５４．９９、Ｈ３．５２。測定値：Ｃ５５．０６、Ｈ３．５０。高分解能質量スペクトルｍ／ｚ（％）：２３０１．３２１４（１００）［Ｍ－ＣｌＯ４］＋（計算値２３０１．３２０８）。プロトン核磁気共鳴（４００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：７．７０－７．６５（ｍ，２６Ｈ），７．４８－７．４６（ｍ，４Ｈ），７．３５－７．３３（ｍ，３０Ｈ），７．１２－７．１１（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝３），７．０６－７．０５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８），６．９９－６．９５（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝８．２），６．８９－６．８１（ｍ，４Ｈ），４．６９－４．６０（ｍ，４Ｈ），３．９３－３．８１（ｍ，４Ｈ），３．６５（ｓ，６Ｈ）。リン同位体核磁気共鳴（１６２ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：１９．０６（ｍ，１Ｐ，ＪＰ－Ｐ＝１３．５Ｈｚ），３．２６（ｍ，２Ｐ，ＪＰ－Ｐ＝２７．２６Ｈｚ，ＪＰｔ－Ｐ＝１４５３Ｈｚ）。赤外分光スペクトル（ＫＢｒ，ｃｍ－１）：２１０９ｗ（Ｃ≡Ｃ），１１０３ｓ（ＣｌＯ４）。
製造方法は実施例６の方法と基本的に同じであり、Ｐｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－ｄｅｃｚ）（Ｃ≡ＣＰｈ）２の代わりにＰｔ２（ＰＰｈ３）４（μ－ｄｅｂｔ）（Ｃ≡Ｃ－（１０－Ｍｅ－ＰＴＺ－３）２を使用し、収率は６２％であった。元素分析：Ｃ１１０Ｈ８４ＡｕＮ２ＣｌＯ４Ｐ６Ｐｔ２Ｓ３。計算値：Ｃ５４．９９、Ｈ３．５２。測定値：Ｃ５５．０６、Ｈ３．５０。高分解能質量スペクトルｍ／ｚ（％）：２３０１．３２１４（１００）［Ｍ－ＣｌＯ４］＋（計算値２３０１．３２０８）。プロトン核磁気共鳴（４００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：７．７０－７．６５（ｍ，２６Ｈ），７．４８－７．４６（ｍ，４Ｈ），７．３５－７．３３（ｍ，３０Ｈ），７．１２－７．１１（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝３），７．０６－７．０５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８），６．９９－６．９５（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝８．２），６．８９－６．８１（ｍ，４Ｈ），４．６９－４．６０（ｍ，４Ｈ），３．９３－３．８１（ｍ，４Ｈ），３．６５（ｓ，６Ｈ）。リン同位体核磁気共鳴（１６２ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：１９．０６（ｍ，１Ｐ，ＪＰ－Ｐ＝１３．５Ｈｚ），３．２６（ｍ，２Ｐ，ＪＰ－Ｐ＝２７．２６Ｈｚ，ＪＰｔ－Ｐ＝１４５３Ｈｚ）。赤外分光スペクトル（ＫＢｒ，ｃｍ－１）：２１０９ｗ（Ｃ≡Ｃ），１１０３ｓ（ＣｌＯ４）。
【0053】
実施例１１：Ｐｔ２Ｃｕ錯体［Ｐｔ２Ｃｕ（μ－ｄｐｍｐ）２（μ－ｄｅｃｚ）（Ｃ≡ＣＣ６Ｈ５）２］（ＣｌＯ４）錯体（６）の製造
製造方法は実施例６の方法と基本的に同じであり、［Ａｕ（ｔｈｔ）２］（ＣｌＯ４）の代わりに［Ｃｕ（ＭｅＣＮ）４］（ＣｌＯ４）を使用した。収率は７２％であった。元素分析：Ｃ１０４Ｈ９１ＣｌＣｕＮＯ４Ｐ６Ｐｔ２。計算値：Ｃ５９．６６、Ｈ４．３８。測定値：Ｃ５９．２８、Ｈ４．５５。高分解能質量スペクトルｍ／ｚ（％）：１９９３．４１６０（１００）［Ｍ－ＣｌＯ４］＋（計算値１９９３．４１７２）。プロトン核磁気共鳴（４００ ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：８．７３（ｓ，１Ｈ），７．９０－７．８３（ｍ，４Ｈ），７．８２－７．７８（ｍ，２Ｈ），７．７０－７．５７（ｍ，１６Ｈ），７．２８－７．２２（ｍ，４Ｈ），７．１９－７．０３（ｍ，２２Ｈ），６．９５（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝７．４８），６．８６－６．７５（ｍ，８Ｈ），６．６４－６．６０（ｍ，２Ｈ），５．９４－５．８７（ｍ，２Ｈ），４．２０－３．９６（ｍ，４Ｈ），３．７８－３．５６（ｍ，４Ｈ），１．３５（ｓ，１８Ｈ）。リン同位体核磁気共鳴（１６２ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：９．６（ｍ，２Ｐ，ＪＰ－Ｐ＝３７．３Ｈｚ，ＪＰｔ－Ｐ＝２５５０ Ｈｚ），－１３．２（ｍ，１Ｐ，ＪＰ－Ｐ＝３４．６Ｈｚ）。赤外分光スペクトル（ＫＢｒ，ｃｍ－１）：２１０２ｗ（Ｃ≡Ｃ），１０９９ｓ
（ＣｌＯ４）。
製造方法は実施例６の方法と基本的に同じであり、［Ａｕ（ｔｈｔ）２］（ＣｌＯ４）の代わりに［Ｃｕ（ＭｅＣＮ）４］（ＣｌＯ４）を使用した。収率は７２％であった。元素分析：Ｃ１０４Ｈ９１ＣｌＣｕＮＯ４Ｐ６Ｐｔ２。計算値：Ｃ５９．６６、Ｈ４．３８。測定値：Ｃ５９．２８、Ｈ４．５５。高分解能質量スペクトルｍ／ｚ（％）：１９９３．４１６０（１００）［Ｍ－ＣｌＯ４］＋（計算値１９９３．４１７２）。プロトン核磁気共鳴（４００ ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：８．７３（ｓ，１Ｈ），７．９０－７．８３（ｍ，４Ｈ），７．８２－７．７８（ｍ，２Ｈ），７．７０－７．５７（ｍ，１６Ｈ），７．２８－７．２２（ｍ，４Ｈ），７．１９－７．０３（ｍ，２２Ｈ），６．９５（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝７．４８），６．８６－６．７５（ｍ，８Ｈ），６．６４－６．６０（ｍ，２Ｈ），５．９４－５．８７（ｍ，２Ｈ），４．２０－３．９６（ｍ，４Ｈ），３．７８－３．５６（ｍ，４Ｈ），１．３５（ｓ，１８Ｈ）。リン同位体核磁気共鳴（１６２ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，ｐｐｍ）：９．６（ｍ，２Ｐ，ＪＰ－Ｐ＝３７．３Ｈｚ，ＪＰｔ－Ｐ＝２５５０ Ｈｚ），－１３．２（ｍ，１Ｐ，ＪＰ－Ｐ＝３４．６Ｈｚ）。赤外分光スペクトル（ＫＢｒ，ｃｍ－１）：２１０２ｗ（Ｃ≡Ｃ），１０９９ｓ
（ＣｌＯ４）。
【0054】
実施例１２：錯体（１）～（６）のフォトルミネッセンス性能試験
蛍光分光計Ｅｄｉｎｂｕｒｇｈ ＦＬＳ９２０において実施例で製造した錯体（１）～（６）の異なる状態における励起スペクトル、発光スペクトル、発光寿命及び発光量子収率をそれぞれテストした。直径１４２ｍｍの積分球を利用してサンプルの発光量子収率を測定した。結果の詳細は表１を参照する。
蛍光分光計Ｅｄｉｎｂｕｒｇｈ ＦＬＳ９２０において実施例で製造した錯体（１）～（６）の異なる状態における励起スペクトル、発光スペクトル、発光寿命及び発光量子収率をそれぞれテストした。直径１４２ｍｍの積分球を利用してサンプルの発光量子収率を測定した。結果の詳細は表１を参照する。
【0055】
【表1】
【0056】
実施例１３：錯体（１）～（５）による電界発光素子の製造と性能試験
実施例６～１０で製造したリン光錯体（１）～（５）をそれぞれ発光材料として６％重量パーセントでｍＣＰ（６３％）：ＯＸＤ－７（３２％）混合ホスト材料にドープしたものを発光層として有機発光ダイオードを製造し、素子構造はＩＴＯ／ｍ－ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（２０ ｎｍ）／６２％のｍＣＰ：３２％のＯＸＤ－７：６％ｗｔの錯体（５０ ｎｍ）／Ｂｍｐｙｐｂ（５０ ｎｍ）／ＬｉＦ（１ ｎｍ）／Ａｌ（１００ ｎｍ）であった。
実施例６～１０で製造したリン光錯体（１）～（５）をそれぞれ発光材料として６％重量パーセントでｍＣＰ（６３％）：ＯＸＤ－７（３２％）混合ホスト材料にドープしたものを発光層として有機発光ダイオードを製造し、素子構造はＩＴＯ／ｍ－ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（２０ ｎｍ）／６２％のｍＣＰ：３２％のＯＸＤ－７：６％ｗｔの錯体（５０ ｎｍ）／Ｂｍｐｙｐｂ（５０ ｎｍ）／ＬｉＦ（１ ｎｍ）／Ａｌ（１００ ｎｍ）であった。
【0057】
まずそれぞれガラス用洗剤、アセトン、イソプロパノール、脱イオン水を利用してＩＴＯ基板を洗浄し、次にＵＶ－オゾンを用いて１５分間処理した。ＰＳＳ－Ｎａ水溶液（１５ｍｇ／ｍＬ）とＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを５：１（体積比）で混合し、濾過してスピンコーターにおいて４０００回転／分でＩＴＯにスピンコートし、１２０℃で１５分間乾燥して厚さ２０ｎｍの正孔輸送層を得た。次にスピンコーターを利用して濾過後の濃度５ｍｇ／ｍＬの６２％のｍＣＰ：３２％のＯＸＤ－７：６％の錯体（重量パーセント）のジクロロメタン溶液を２１００回転／分でＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ－Ｎａ薄膜にスピンコートして厚さ５０ｎｍの発光層を形成させた。続いて、ＩＴＯ基板を真空度４×１０－４Ｐａ以上の真空チャンバーに入れて、厚さ５０ｎｍのＢｍＰｙＰｂ電子輸送層、厚さ１ｎｍのＬｉＦ電子注入層、及び厚さ１００ｎｍのＡｌを素子のカソードとしてこの順に熱蒸着した。
【0058】
発光ダイオード素子性能試験は室温下で乾燥した空気環境において行われた。電界発光性能パラメータは電界発光波長（λＥＬ）、ターンオン電圧（Ｖｏｎ）、最大輝度（Ｌｍａｘ）、最大電流効率（ＣＥｍａｘ）、最大電力効率（ＰＥｍａｘ）、最大外部量子効率（ＥＱＥｍａｘ）を含み、表２にまとめた。
【0059】
【表2】
【0060】
上記では本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は上記の実施形態に限定されない。本発明の趣旨を逸脱せず行った修正、同等な置き換え、改良などは、いずれも本発明の請求範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【0061】
【図1】実施例１３の電界発光素子の構造模式図及びその一部の部品を構成する有機材料の化学構造である。
【図1】
【国際調査報告】