(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2022-12-01
(54)【発明の名称】高電子移動度トランジスタの高電圧動作を改善するための静電容量ネットワークおよびその方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/338 20060101AFI20221124BHJP
H01L 29/41 20060101ALI20221124BHJP
H01L 21/28 20060101ALI20221124BHJP
H01L 29/417 20060101ALI20221124BHJP
【FI】
H01L29/80 F
H01L29/80 H
H01L29/44 Y
H01L21/28 301B
H01L29/50 M
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2022500903
(86)(22)【出願日】2020-06-24
(85)【翻訳文提出日】2022-03-02
(86)【国際出願番号】 US2020039344
(87)【国際公開番号】W WO2021011163
(87)【国際公開日】2021-01-21
(32)【優先日】2019-07-12
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】501315784
【氏名又は名称】パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド
(74)【復代理人】
【識別番号】100125818
【氏名又は名称】立原 聡
(74)【代理人】
【識別番号】100100181
【氏名又は名称】阿部 正博
(72)【発明者】
【氏名】ヤン クオ‐チャン
(72)【発明者】
【氏名】ジョージェスク ソリン
(72)【発明者】
【氏名】クディモフ アレクセイ
(72)【発明者】
【氏名】ヴァラダラジャン カマル
【テーマコード(参考)】
4M104
5F102
【Fターム(参考)】
4M104AA04
4M104AA07
4M104CC01
4M104CC05
4M104FF10
4M104FF11
4M104GG09
5F102GB01
5F102GC01
5F102GD10
5F102GL04
5F102GM04
5F102GQ01
5F102GR12
5F102GS07
5F102GV03
(57)【要約】
高電子移動度トランジスタの高電圧動作を改善するための静電容量ネットワーク(HEMT)が本明細書において提示される。統合された、および/または外部の静電容量ネットワークが、ドリフト領域において電界を分布させるための固定個数の容量結合されたフィールドプレートを備え得る。容量結合されたフィールドプレートは、コストを下げるために同じ金属層において有益に製造され得、静電容量ネットワークは、フィールドプレート電位を制御するために提供され得る。各フィールドプレートにおける電位は、静電容量ネットワークを通して事前に規定され得、ドリフト領域に沿った一様な、および/または実質的に一様な電界分布をもたらす。
【選択図】
図9
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ドリフト領域と、
前記ドリフト領域の上方に位置している少なくとも1つのフィールドプレートであって、前記ドリフト領域が、電界をサポートするように構成された、前記少なくとも1つのフィールドプレートと、
前記少なくとも1つのフィールドプレートに電気的に結合された静電容量ネットワークであって、前記静電容量ネットワークが、前記電界を分布させるように構成された、前記静電容量ネットワークと、
を備える、高電子移動度トランジスタ(HEMT)。
【請求項2】
前記HEMTが、横方向窒化ガリウム(GaN)半導体デバイスである、
請求項1に記載のHEMT。
【請求項3】
前記静電容量ネットワークが、前記電界を一様に分布させるように構成された、
請求項1に記載のHEMT。
【請求項4】
前記静電容量ネットワークが、前記少なくとも1つのフィールドプレートにおける選択電位を確立するように構成された、
請求項1に記載のHEMT。
【請求項5】
前記選択電位が、前記電界を一様に分布させるように選択された、
請求項4に記載のHEMT。
【請求項6】
前記静電容量ネットワークが、前記少なくとも1つのフィールドプレートを放電するように構成された少なくとも1つのインピーダンスを含む、
請求項4に記載のHEMT。
【請求項7】
ゲートとドレインとの間において横方向に形成されたドリフト領域であって、前記ドリフト領域が、電界をサポートするように構成された、前記ドリフト領域と、
前記ドリフト領域の上方に位置している複数のフィールドプレートであって、前記複数のフィールドプレートが、
第1の電位をサポートするように構成された第1のフィールドプレートと、
第2の電位をサポートするように構成された第2のフィールドプレートと、
を備える、
前記複数のフィールドプレートと、
前記複数のフィールドプレートに電気的に結合された静電容量ネットワークであって、前記静電容量ネットワークが、前記電界を分布させるために前記第1の電位と前記第2の電位とを確立するように構成された、前記静電容量ネットワークと、
を備える、半導体デバイス。
【請求項8】
前記静電容量ネットワークが、前記第1の電位と前記第2の電位とを確立するように構成された、
請求項7に記載の半導体デバイス。
【請求項9】
前記静電容量ネットワークが、
前記第1のフィールドプレートに電気的に結合された第1のコンデンサと、
前記第2のフィールドプレートに電気的に結合された第2のコンデンサと、
を備える、
請求項7に記載の半導体デバイス。
【請求項10】
前記静電容量ネットワークが、外部静電容量ネットワークである、
請求項9に記載の半導体デバイス。
【請求項11】
前記静電容量ネットワークが、埋め込まれたコンデンサを備える、
請求項9に記載の半導体デバイス。
【請求項12】
前記第1のコンデンサが、前記第1の電位を確立するように構成され、
前記第2のコンデンサが、前記第2の電位を確立するように構成された、
請求項9に記載の半導体デバイス。
【請求項13】
前記第1のコンデンサが、直流(DC)電位と前記第1のフィールドプレートとの間に電気的に結合され、
前記第2のコンデンサが、前記DC電位と前記第2のフィールドプレートとの間に電気的に結合された、
請求項9に記載の半導体デバイス。
【請求項14】
前記静電容量ネットワークが、
DC電位と前記第1のフィールドプレートとの間に電気的に結合された第1のインピーダンスと、
前記ドレインと前記第2のフィールドプレートとの間に電気的に結合された第2のインピーダンスと、
を更に含む、
請求項9に記載の半導体デバイス。
【請求項15】
前記DC電位が、グランドである、
請求項14に記載の半導体デバイス。
【請求項16】
前記複数のフィールドプレートが、第3の電位をサポートするように構成された第3のフィールドプレートを備え、
前記静電容量ネットワークが、
前記DC電位と前記第3のフィールドプレートとの間に電気的に結合された第3のコンデンサと、
前記第1のフィールドプレートと前記第3のフィールドプレートとの間に電気的に結合された第3のインピーダンスと、
前記第3のフィールドプレートと前記第2のフィールドプレートとの間に電気的に結合された第4のインピーダンスと、
を備える、
請求項14に記載の半導体デバイス。
【請求項17】
前記静電容量ネットワークが、前記電界を分布させるために前記第1の電位と前記第2の電位と前記第3の電位とを確立するように構成された、
請求項16に記載の半導体デバイス。
【請求項18】
前記電界が、実質的に一様である、
請求項17に記載の半導体デバイス。
【請求項19】
前記電界が、少なくとも1200ボルトの電圧に耐える、
請求項18に記載の半導体デバイス。
【請求項20】
高電圧半導体デバイスのドリフト領域において電界を分布させる方法であって、前記方法が、
前記ドリフト領域の上方に少なくとも1つのフィールドプレートを形成することと、
前記少なくとも1つのフィールドプレートにおける選択電位を確立するために、静電容量ネットワークを前記少なくとも1つのフィールドプレートに結合することと、
前記電界が実質的に一様であるように前記選択電位を提供することと、
を含む、方法。
【請求項21】
前記静電容量ネットワークを前記少なくとも1つのフィールドプレートに結合することが、第1のコンデンサを前記少なくとも1つのフィールドプレートに結合することを含む、
請求項20に記載の方法。
【請求項22】
前記静電容量ネットワークを前記少なくとも1つのフィールドプレートに結合することが、静電放電インピーダンスを前記少なくとも1つのフィールドプレートに結合することを含む、
請求項21に記載の方法。
【請求項23】
前記ドリフト領域の上方に前記少なくとも1つのフィールドプレートを形成することが、活性領域の内部に前記少なくとも1つのフィールドプレートを形成することを含む、
請求項20に記載の方法。
【請求項24】
前記静電容量ネットワークを前記少なくとも1つのフィールドプレートに結合することが、前記活性領域の外部に前記静電容量ネットワークを形成することを含む、
請求項23に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
本出願は、参照により全体として本明細書に組み込まれる2019年7月12日に出願された米国仮特許出願第62/873,307号の利益を主張する。
【0002】
本発明は、高電子移動度トランジスタ(HEMT:high electron mobility transistor)の高電圧動作を改善するための静電容量ネットワークに関し、より具体的には、静電容量ネットワークを介して結合されたフィールドプレートを含む横方向窒化ガリウム(GaN)HEMTに関する。
【背景技術】
【0003】
窒化ガリウム(GaN)および他の広バンドギャップIII族窒化物ベースの直接遷移半導体材料は高破壊電界を示し、高電流密度に役立つ。この点について、GaNベースの半導体デバイスは、電力および高周波用途においてシリコンベースの半導体デバイスの代わりとして活発に研究されている。例えば、GaN HEMTは、同一の面積のシリコン電力電界効果トランジスタに比べて高い絶縁破壊電圧を伴う、より低いオン抵抗率を提供し得る。
【0004】
電力電界効果トランジスタ(FET:field effect transistor)は、エンハンスメント型またはデプレッション型であり得る。エンハンスメント型デバイスは、ゲートバイアスが印加されていないとき(すなわちゲート対ソースバイアスがゼロであるとき)に電流を遮断する(すなわちオフである)トランジスタ(例えば電界効果トランジスタ)を表し得る。対照的に、デプレッション型デバイスは、ゲート対ソースバイアスがゼロであるとき電流を通す(すなわちオンである)トランジスタを表し得る。
【発明の概要】
【0005】
高電子移動度トランジスタ(HEMT)の高電圧動作を改善するための静電容量ネットワークの非限定的かつ非網羅的な実施形態が、以下の図を参照しながら説明されており、異なる図の中の同様の参照符号は、別段の指定がない限り同様の部分を示す。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【
図1A】
図1Aは、実施形態による静電容量ネットワークを含むデバイス断面の簡略化した概略図を示す。
【
図1B】
図1Bは、実施形態による静電容量ネットワークを含むデバイス断面の概略図を示す。
【
図1C】
図1Cは、実施形態による静電容量ネットワークを含むデバイス断面の概略図を示す。
【
図2A】
図2Aは、実施形態による静電容量ネットワークを含むデバイスの概略図を示す。
【
図2B】
図2Bは、実施形態による静電容量ネットワークを含むデバイスの概略図を示す。
【
図2C】
図2Cは、実施形態による静電容量ネットワークを含むデバイスの概略図を示す。
【
図2D】
図2Dは、実施形態による静電容量ネットワークを含むデバイスの概略図を示す。
【
図3A】
図3Aは、実施形態による等電位図を含むデバイス断面を示す。
【
図3B】
図3Bは、実施形態による等電位図を含むデバイス断面を示す。
【
図3C】
図3Cは、実施形態による等電位図を含むデバイス断面を示す。
【
図4A】
図4Aは、実施形態によるドリフト領域に沿った距離の関数としての電界および電位のプロットを示す。
【
図4B】
図4Bは、実施形態によるドリフト領域に沿った距離の関数としての電界および電位のプロットを示す。
【
図4C】
図4Cは、実施形態によるドリフト領域に沿った距離の関数としての電界および電位のプロットを示す。
【
図5】
図5は、実施形態によるドレイン電圧の関数としてのフィールドプレート電位に対応したプロットを示す。
【
図6】
図6は、実施形態によるデバイスの上部レイアウト図を示す。
【
図7】
図7は、実施形態によるドリフト領域において電界を分布させるための概念的なフロー図を示す。
【
図8】
図8は、高電圧横方向窒化ガリウムデバイスに対する従来のフィールドプレート設計を示す。
【
図9】
図9は、本明細書における教示による横方向窒化ガリウムデバイス断面および電気的な概略図を示す。
【発明を実施するための形態】
【0007】
図面中の複数の図にわたり、対応する参照符号が、対応するコンポーネントを示す。当業者は、図中の要素が簡潔かつ明確であるように描かれること、および、一定の縮尺で描かれるとは限らないことを理解する。例えば、図中の要素および層のうちの幾つかの寸法は、本明細書における教示の様々な実施形態をより理解しやすくするために他の要素より誇張される場合がある。更に、市販に適した実施形態において有用なまたは必要な、一般的だが良く理解される要素、層、および/または工程ステップは、多くの場合、高電子移動度トランジスタの高電圧動作を改善するための静電容量ネットワークのこれらの様々な実施形態の図が見づらくならないように図示されていない。
【0008】
以下の説明では、高電子移動度トランジスタの高電圧動作を改善するための静電容量ネットワークの十分な理解を提供するために多くの具体的な詳細事項が記載される。しかし、本明細書における教示を実施するために特定の詳細事項が使用されるとは限らないことが当業者に明らかである。他の例において、本開示を不明瞭にしないために、よく知られた材料または方法は詳細には説明されていない。
【0009】
本明細書中での、「一実施形態」、「実施形態」、「一例」、または「例」についての言及は、実施形態または例と関連して説明される特定の特徴、構造物、方法、処理、および/または特徴が、高電子移動度トランジスタの高電圧動作を改善するための静電容量ネットワークの少なくとも1つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、本明細書中の様々な場所における「一実施形態において」、「実施形態において」、「一例」、または「例」といった表現の使用は、すべてが同じ実施形態または例に関連するとは限らない。更に、特定の特徴、構造物、方法、工程、および/または特徴は、1つまたは複数の実施形態または例において任意の適切な組み合わせ、および/または部分的組み合わせで組み合わされてもよい。加えて、本明細書とともに提供される図が当業者への説明を目的としていること、および図面が一定の縮尺で描かれるとは限らないことが理解される。
【0010】
本出願の文脈において、トランジスタが「オフ状態」または「オフ」であるとき、トランジスタは電流を遮断する、および/または実質的に電流を流さない。逆に、トランジスタが「オン状態」または「オン」であるとき、トランジスタは実質的に電流を流すことができる。例示として、1つの実施形態において、高電圧トランジスタは、第1の端子であるドレインと第2の端子であるソースとの間において高電圧がサポートされるNチャネル金属-酸化物-半導体(NMOS:N-channel metal-oxide-semiconductor)電界効果トランジスタ(FET)を備える。幾つかの実施形態において、集積型制御装置回路は、負荷に提供されるエネルギーを調節するときに電力スイッチを駆動するために使用され得る。更に、本開示の目的において、「グランド」または「グランド電位」は、基準電圧または基準電位を表し、この基準電圧または基準電位に対して、電子回路または集積回路(IC:Integrated circuit)の全ての他の電圧または電位が規定され、または測定される。
【0011】
上述のように、HEMTおよび/またはGaN HEMTは、同一の面積のシリコン電力電界効果トランジスタに比べて高い絶縁破壊電圧を伴って、より低いオン抵抗率を提供し得る。しかし、HEMTおよび/またはGaN HEMTの絶縁破壊電圧が、ドリフト領域における非一様な電界により制限され得ることが見出された。したがって、それが一様になるように、および/または実質的に一様になるように、ドリフト領域において電界を分布させる手法を見出すことが望ましい場合がある。
【0012】
電界を分布させるための従来のアプローチは、フィールドプレートを使用することを含む。しかし、高電圧HEMT(例えば横方向高電圧HEMT)のための従来のフィールドプレート設計は、ドリフト領域に沿った二乗電界分布を提供することに制限され得、更に、従来のフィールドプレート設計は、高い絶縁破壊電圧をサポートするために厚い誘電体を必要とし得る。これは、ひいては、工程コストおよび複雑さを高め得る。したがって、工程コストおよび複雑さを高めずに電界を分布させるための手法を見出すことも望ましいものであり得る。
【0013】
高電子移動度トランジスタの高電圧動作を改善するための静電容量ネットワーク(HEMT)が本明細書において提示される。統合された、および/または外部の静電容量ネットワークは、ドリフト領域において電界を分布させるために固定個数の容量結合されたフィールドプレートを備え得る。容量結合されたフィールドプレートは、コストを下げるために同じ金属層において有益に製造され得、静電容量ネットワークは、フィールドプレート電位を制御するために提供され得る。各フィールドプレートにおける電位は、静電容量ネットワークを通して事前に規定され得、ドリフト領域に沿った一様な、および/または実質的に一様な電界分布をもたらす。
【0014】
図1Aは、実施形態による静電容量ネットワーク140を含むデバイス断面の簡略化した概略
図100aを示す。簡略化した概略
図100aはアルミニウムガリウム窒化物(AlGaN)、窒化ガリウム(GaN)、および/または、AlGaNとGaNとの両方の組み合わせを含み得る半導体層102を示す。簡略化した概略
図100aは、ソース、ゲート、およびドレインまでの相互接続体を更に示す。1つの実施形態において、相互接続層は、オーミック接点104~105、ソースフィールドプレート(SFP:source field plate)106、ドレインフィールドプレート(DFP:drain field plate)107、ビア108~109、第1の金属層110(すなわちソースへのもの)、第1の金属層111(すなわちドレインへのもの)、ビア112~113、第2の金属層114(すなわちソースへのもの)、および第2の金属115(すなわちドレインへのもの)として識別され得る。更に、ゲート相互接続体は、ゲートフィールドプレート120、ビア122、および第1の金属層124(すなわちゲートへのもの)を含み得る。
【0015】
ドリフト領域は、ゲート(GATE)とドレイン(DRAIN)との間の半導体層102の表面(すなわち上部)に沿って、および/または表面(すなわち上部)付近に存在し得る。フィールドプレート131~134が半導体層102のドリフト領域の上方に位置するように、ドリフト領域に沿ってフィールドプレート131~134が第1の金属層を使用して製造され得る。工程ステップおよび/またはコストを減らすために、フィールドプレート131~134は、第1の金属層110~111、124と同じ金属層(すなわち金属1)において有益に形成され得る。
【0016】
静電容量ネットワーク140は、フィールドプレート131~134に、グランド(GND)に、および/または、1つまたは複数の層において(例えばビア113において)ドレインに電気的に接続され得る。
図1Aの実施形態は、4つのフィールドプレート131~134を示すが、4つより多いまたは少ないフィールドプレート131~134が存在し得る。例えば、1つのフィールドプレート131のみが存在してもよい。
【0017】
静電容量ネットワーク140は、フィールドプレート電位(すなわちフィールドプレート電圧)を調節するために提供され得る外部ネットワークおよび/または内部(すなわち統合された)ネットワークであり得る。フィールドプレート電位を知られた(すなわち選択された)値に調節することにより、半導体層102のドリフト領域内の電界が、制御された手法で調節され(すなわち分布させられ)得る。この手法により、電界は、実質的に一様に分布させられ得る。
【0018】
図1Bは、実施形態による静電容量ネットワーク140を含むデバイス断面の概略
図100bを示す。概略
図100bは、寄生フィールドプレート静電容量C1~C4およびC11~C15を示す。フィールドプレート131~134が容量結合されるように、寄生フィールドプレート静電容量C1~C4およびC11~C15が結合をもたらし得る。静電容量ネットワーク140は、フィールドプレート電位(すなわちフィールドプレート電圧)を制御するように、および/または選択するように調整されたコンデンサC21~C24を提供し得る。コンデンサC21~C24は、フィールドプレート電位を選択するためにシミュレーションにより、および/または実験により少なくとも部分的に決定され得る。
【0019】
図1Cは、実施形態による静電容量ネットワーク140を含むデバイス断面の概略
図100cを示す。静電容量ネットワーク140は、グランド(GND)とドレインとの間に(すなわちビア113に)電気的に結合された更なるインピーダンスR1~R6を含む。インピーダンスR1~R6は、フィールドプレート131~134に接続するように調整された抵抗器、受動要素、および/または非線形コンポーネント(例えば能動的な電界効果トランジスタ)であり得る。幾つかの実施形態において、インピーダンスR1~R6は、フィールドプレート131~134における電荷が除去されること、および/または制御されることを可能にする放電特性を有益に提供し得る。
【0020】
図2Aは、実施形態による静電容量ネットワーク206を含むデバイスの概略
図200aを示す。概略
図200aは、ゲートG、ソースS、およびドレインDを含むトランジスタ202を含み、概略的に示されているように、フィールドプレート204は、ゲートGとドレインDとの間に電気的に結合され得る。概略
図200aは、システム電圧に関連した更なる情報を更に示す。例えば、静電容量ネットワーク206は、グランド(GND)に、およびフィールドプレート204に結合されて、フィールドプレート電位VFP1~VFP4を提供し得る。加えて、ドレイン対ソース電圧VDSは、ドレインDに印加され得る。更に、ゲート対ソース電圧VGSは、ゲートGに印加され得、ソースSは、グランド(GND)に接続され得る。
【0021】
図2Bは、実施形態による静電容量ネットワーク206を含むデバイスの概略
図200bを示す。フィールドプレート204は寄生容量C30~C34に結合されたフィールドプレート231~234を含む。静電容量ネットワークは、フィールドプレート231~234にそれぞれ接続されたコンデンサC35~C38を含む。コンデンサC35~C38の値は、フィールドプレート電位VFP1~VFP4を制御する(すなわち選択する)ために選択され得、フィールドプレート電位VFP1~VFP4を選択することにより、トランジスタ202のドリフト領域に沿った電界が制御され得る。トランジスタ202のドリフト領域はゲートGとドレインDとの間であり得、4つより多いまたは少ないフィールドプレート231~234が存在してもよい。したがって、4つより多いまたは少ないコンデンサC35~C38が更に存在してもよい。
【0022】
図2Cは、実施形態による静電容量ネットワーク206を含むデバイスの概略
図200cを示す。概略
図200cは、放電ネットワーク207を含む実施形態を示す。放電ネットワーク207は、フィールドプレート204にも結合し得る。
【0023】
図2Dは、実施形態による静電容量ネットワーク206を含むデバイス200dの概略図を示す。図示されているように、放電ネットワーク207は、ドレインDとゲートGとの間に電気的に結合されたインピーダンスZ1~Z5を含み得る。インピーダンスは、放電特性を提供するためにフィールドプレート231~234に更に電気的に結合される。幾つかの実施形態において、インピーダンスZ1~Z5は、能動デバイス(例えば電界効果トランジスタ)により実現されてもよい。他の実施形態において、インピーダンスZ1~Z5は、抵抗器により、および/または受動コンポーネントにより実現されてもよい。
【0024】
図3Aは、実施形態による等電位図を含むデバイス断面300aを示す。デバイス断面300aは、ソース(S)302とゲート(G)304とドレイン(D)306とを含むHEMTデバイスのものであり得る。デバイス断面300aは、「X」軸に沿ってゲート304とドレイン306との間に位置するフィールドプレート312~314を更に示す。等電位図は、デバイス断面300aのシミュレーションから導出され得る。
【0025】
図3Bは、実施形態による等電位図を含むデバイス断面300bを示す。等電位図は線により示され、デバイスシミュレーターを使用して更に導出され得る。
【0026】
図3Cは、実施形態による等電位図を含むデバイス断面300cを示す。デバイス断面300cはデバイス材料およびドリフト領域に関連した更なる詳細を示す。例えば、デバイス断面300cは、フィールドプレート312~314がドリフト領域(すなわち高電圧領域)の上方に形成されている場所に対応した高電圧領域320を示す。フィールドプレート312~314は、フィールドプレートf1~f3として更にラベル付けされ得る。
【0027】
デバイス断面300cは、GaNバッファ層352および酸化アルミニウム(Al2O3)層354を更に表す。デバイス断面300cでは、静電ポテンシャル(V)のシミュレーション値が、(例えば1.0560ボルトから1,202.9ボルトの間にわたる値をもつ)カラーコーディングされたキーに従って示され得る。
【0028】
図3Cは、3つの容量結合されたフィールドプレート312~314(f1~f3)を含む1200Vデバイスに対するシミュレーションによる等電位図に対応し得る。静電容量ネットワークをエミュレートするための手段として各フィールドプレートに調節外部静電容量を割り当てることにより、
図3Cのデバイスは、より広いHV領域において一様な2DEG電界を伴って1200Vをサポートすることが示され得る(例えば
図4Cを参照されたい)。
【0029】
図4Aは、実施形態によるドリフト領域に沿った距離の関数としての電位および電界のプロット402、404を示す。実施形態は、デバイス断面300a~cのシミュレーション結果に対応し得る。更に、プロット402は電位に対応し得、プロット404は電界に対応し得る。図示されているように、約17マイクロメートルから35マイクロメートルの間において、プロット404は、距離の関数としてのプロット402を改善するように実質的に一様である。この手法により、電位の最大値(すなわちプロット402)は約1200ボルト(V)に達する。
【0030】
図4Bは、実施形態によるドリフト領域に沿った距離の関数としての電位および電界のプロット402、404を示す。
図4Bは、高電圧領域320に対応した高電圧領域420の位置を更に示す。プロット404に示されるように、電界は高電圧領域420内において(例えばドリフト領域内において)実質的に一様である。
【0031】
図4Cは、実施形態によるドリフト領域に沿った距離の関数としての電位および電界のプロット402、404を示す。
図4Cはそれが、フィールドプレート312~314(f1~f3)の位置を示す更なるラベルを含むことを除いて
図4Bと同様であり得る。例えば、電位に対応したプロット404は、フィールドプレート312~314(f1~f3)の位置に対応したプラトー431~433を示す。
【0032】
上述のように、デバイスは、より広い高電圧(HV:high voltage)領域420において一様な2DEG電界を伴って1200ボルトをサポートし得る。二次元電子ゲート(2DEG)領域における一様な電界は、GaNデバイスにおいて安定した動的なオン抵抗(Rdson)を有益に提供し得る。
【0033】
図5は、実施形態によるドレイン電圧の関数としてのフィールドプレート電位502~504に対応したプロットを示す。実施形態は、デバイス断面300a~cのシミュレーション結果に更に対応し得る。フィールドプレート電位502~504はドレイン電圧Vdrainの関数として提供され、各フィールドプレート312~314の結合比(例えばフィールドプレートf1~f3)がドレイン電圧に対するフィールドプレート電位の比によりどのように計算され得るかを示し得る。
【0034】
図6は、実施形態によるデバイスの上部レイアウト
図600を示す。上部レイアウト
図600は、方向YPに平行に配向したストライプを含む活性領域610を示す。当業者が理解し得るように、トランジスタおよび/または半導体デバイスは、電流、電圧、および/または電力が能動的に制御され得る活性領域を含むように製造され得、更に、活性領域に近接したパッド層を含む相互接続層が存在し得る。この点について、上部レイアウト
図600は、相互接続体(例えば金属化体および/またはパッド層)がドレインDおよびソースSに接続するためにどこに位置し得るかを更に示す。例えば、パッド601~603は、活性領域610内におけるドレインストライプおよび/またはセグメントへの接続(すなわち電気接続)を可能にするドレインパッド601~603であり得、パッド608は、活性領域610内におけるソースストライプおよび/またはセグメントへの接続(すなわち電気接続)を可能にするソースパッド608であり得る。更に、パッド607は、活性領域610内におけるゲート領域への接続(すなわち電気接続)を可能にするゲートパッド607であり得る。
【0035】
1つの実施形態において静電容量ネットワーク(例えば静電容量ネットワーク140および/または静電容量ネットワーク206)は、活性領域610の外部に位置し得る。例えば、
図6に示されているように、静電容量ネットワーク606は、ドレインパッド602付近において活性領域610の外部に位置し得る。更に、フィールドプレート(例えばフィールドプレート131~134、フィールドプレート204、および/またはフィールドプレート312~314)は、活性領域610の内部に位置し得る。例えば、フィールドプレート、例えばフィールドプレート312~314は、方向YPに平行に、および活性領域610内に(すなわち内部に)位置し得る。
図6は、ドレインパッド602付近に位置する静電容量ネットワーク606を示すが、他の配置も可能である。例えば、静電容量ネットワーク606は、ソースパッド608付近に、またはソースパッド608内に位置し得る。代替的に、デバイスは、
図10Aおよび
図11Aに関連して以下で説明されるように複数の静電容量ネットワークおよび/または統合された静電容量ネットワークを含むレイアウトを使用し得る。
【0036】
図7は、実施形態によるドリフト領域(例えば高電圧領域320および/または420)において電界を分布させるための概念的なフロー
図700を示す。ステップ702は、ドリフト領域の上方に少なくとも1つのフィールドプレート(例えばフィールドプレート131~134、231~234、312~314、および/またはf1~f3のうちの任意の1つ)を形成することに対応し得る。ステップ704は、少なくとも1つのフィールドプレートにおける選択電位(例えばフィールドプレート電位VFP1~VFP4のうちの任意の1つ)を確立する(establish、実現する)ために、静電容量ネットワーク(例えば静電容量ネットワーク140、206)を少なくとも1つのフィールドプレートに結合することに対応し得る。ステップ706は、電界(例えば、電界のプロット404を参照されたい)が実質的に一様である(例えば、高電圧領域420内におけるプロット404を参照されたい)ように選択電位を提供することに対応し得る。
【0037】
図8は、高電圧横方向窒化ガリウムデバイスに対する従来のフィールドプレート設計を示し、
図9は、本明細書における教示による横方向窒化ガリウムデバイス断面および電気的な概略図を示す。
図9は、結合比確立のための寄生容量、抵抗器静電放電ネットワーク要素、および静電容量ネットワークを更に示し得る。静電容量ネットワークは金属-絶縁体-金属(MIM:metal-insulator-metal)構造物により実現され得、MIM構造物は、GaN工程に本来的に含まれ得る。MIM構造物は、縦金属プレートおよび/または近接した金属櫛歯プレートを通して実現され得る。
【0038】
図10Aは、実施形態によるデバイスの上部レイアウト
図1000を示す。上部レイアウト
図600と同様に、上部レイアウト
図1000は方向YPに平行に配向されたストライプを含む活性領域1020を示す。更に、上部レイアウト
図1000は、相互接続体(例えば金属化体および/またはパッド層)がドレインDおよびソースSに接続するように位置し得る場所を更に示す。例えば、パッド1004~1006は、活性領域1020内におけるドレインストライプおよび/またはセグメントへの接続(すなわち電気接続)を可能にするドレインパッド1004~1006であり得、パッド1024は、活性領域1020内におけるソースストライプおよび/またはセグメントへの接続(すなわち電気接続)を可能にするソースパッド1024であり得る。更に、パッド1023は、活性領域1020内におけるゲート領域への接続(すなわち電気接続)を可能にするゲートパッド1023であり得る。
【0039】
上部レイアウト
図1000の実施形態では、静電容量ネットワーク(例えば静電容量ネットワーク140および/または静電容量ネットワーク206)は、活性領域1020の外部に位置するコンデンサ1021とコンデンサ1022とを含み得る。フィールドプレート、例えばフィールドプレート312~314は、方向YPに平行に、および活性領域1020内に(すなわち内部に)位置し得る。
【0040】
例えば、
図10Bは、
図10Aの実施形態によるストライプ領域1025の上部レイアウト図を示し、フィールドプレートパターン1050とフィールドプレートパターン1051とを示す。フィールドプレートパターン1050は、コンデンサ1021(またはコンデンサ1022)に電気的に結合し得、フィールドプレートパターン1051は、コンデンサ1022(またはコンデンサ1021)に電気的に結合し得る。1つの実施形態において、コンデンサ1021および1022は、1ピコファラッドから10ピコファラッド(pF)の範囲の静電容量値をもち得、例えば、コンデンサ1021は5.4pFの値をもち得、コンデンサ1022は7.6pFの値をもち得る。
【0041】
図11Aは、実施形態によるデバイスの上部レイアウト
図1100を示す。上部レイアウト
図600および上部レイアウト
図1000と同様に、上部レイアウト
図1100は、方向YPに平行に配向されたストライプを含む活性領域1120を示す。しかし、上部レイアウト
図600および1000に示される実施形態と異なり、上部レイアウト
図1100のデバイスは、活性領域1120内に分布した埋め込まれたコンデンサを使用してコンデンサネットワーク(例えば静電容量ネットワーク140および/または静電容量ネットワーク206)を実現する。
【0042】
例えば、
図11Bは上部レイアウト図を示し、
図11Cは、
図11Aの実施形態によるストライプ領域1125の断面図を示す。
図11Bは、フィールドプレートパターン1134が相互接続体リンク1135により、埋め込まれたコンデンサパターン1136に電気的に結合されていることを示す。
【0043】
上部レイアウト図のA(ソースS)点とB(ドレインD)点との間に示された切断線1137は、
図11Cの断面図に対応し得る。点Aは、ソース相互接続体1140とアライメントし(および電気的に結合され)得、点Bは、ドレイン相互接続体1142とアライメントし(および電気的に結合され)得る。埋め込まれたコンデンサパターン1136は、埋め込まれたコンデンサ1146と電気的に結合され得、フィールドプレートパターン1134は、フィールドプレート1144と電気的に結合され得る。
【0044】
高電子移動度トランジスタの高電圧動作を改善するための静電容量ネットワーク(HEMT)により解決される課題は、工程の複雑さおよびコストを高めずに横方向窒化ガリウム(GaN)デバイスの高電圧動作を有効化することを含み得る。
【0045】
横方向HVデバイスに対する理想的な(すなわち従来の)フィールドプレート設計は、ドリフト領域に沿っておおむね二乗電界分布を伴い得る。これは、絶縁破壊電圧が高くなるにつれて誘電体の厚さを大きくしながらフィールドプレートの高さを高くすることにより達成され得る(例えば
図8を参照されたい)が、これは工程コストおよび複雑さを高める。本明細書における教示は、多くの容量結合されたフィールドプレートを含む横方向GaNデバイスに適用可能であり得、フィールドプレートは、コストを下げるために好ましくは同じ金属層に構築され得、この場合において、各フィールドプレートにおける電位は静電容量ネットワークを通して事前に規定され得、最大動作電圧においてドリフト領域に沿った一様な電界分布をもたらす。
【0046】
更に、静電容量ネットワークの機能は、正しい(例えば理想的な、または実質的に理想的な)結合比をもたらすために、寄生容量と組み合わされた事前に規定された静電容量により、容量結合されたフィールドプレートの各々における所望の電位を確立することであり得る。
【0047】
要約で説明される事項を含む本開示の示される例の上述の説明は、網羅的であることを意図したものではなく、開示される形態そのものへの限定であることを意図したものでもない。高電子移動度トランジスタの高電圧動作を改善するための静電容量ネットワークの特定の実施形態は本明細書において例示を目的として説明されるが、本開示のより広い趣旨および範囲から逸脱することなく様々な同等な変更が可能である。実際、特定の例示的なデバイス断面が説明のために提示されること、および、本明細書の教示に従って他の実施形態も使用され得ることが理解される。
【0048】
本発明は請求項において規定されるが、本発明が代替的に以下の例により規定され得ることが理解されなければならない。
【0049】
例1.ドリフト領域と、ドリフト領域の上方に位置している少なくとも1つのフィールドプレートであって、ドリフト領域が、電界をサポートするように構成された、少なくとも1つのフィールドプレートと、少なくとも1つのフィールドプレートに電気的に結合された静電容量ネットワークであって、静電容量ネットワークが、電界を分布させるように構成された、静電容量ネットワークとを備える、高電子移動度トランジスタ(HEMT)。
【0050】
例2.HEMTが、横方向窒化ガリウム(GaN)半導体デバイスである、例1に記載のHEMT。
【0051】
例3.静電容量ネットワークが、電界を一様に分布させるように構成された前述の例のうちのいずれか1つに記載のHEMT。
【0052】
例4.静電容量ネットワークが、少なくとも1つのフィールドプレートにおける選択電位を確立するように構成された、前述の例のうちのいずれか1つに記載のHEMT。
【0053】
例5.選択電位が、電界を一様に分布させるように選択された、前述の例のうちのいずれか1つに記載のHEMT。
【0054】
例6.静電容量ネットワークが、少なくとも1つのフィールドプレートを放電するように構成された少なくとも1つのインピーダンスを含む、前述の例のうちのいずれか1つに記載のHEMT。
【0055】
例7.ゲートとドレインとの間において横方向に形成されたドリフト領域であって、ドリフト領域が、電界をサポートするように構成された、ドリフト領域と、ドリフト領域の上方に位置している複数のフィールドプレートであって、複数のフィールドプレートが、第1の電位をサポートするように構成された第1のフィールドプレートと第2の電位をサポートするように構成された第2のフィールドプレートとを備える、複数のフィールドプレートと、複数のフィールドプレートに電気的に結合された静電容量ネットワークであって、静電容量ネットワークが、電界を分布させるために第1の電位と第2の電位とを確立するように構成された、静電容量ネットワークとを備える、半導体デバイス。
【0056】
例8.静電容量ネットワークが、第1の電位と第2の電位とを確立するように構成された、例7に記載の半導体デバイス。
【0057】
例9.静電容量ネットワークが、第1のフィールドプレートに電気的に結合された第1のコンデンサと第2のフィールドプレートに電気的に結合された第2のコンデンサとを備える、例7から例8のいずれか1つに記載の半導体デバイス。
【0058】
例10.静電容量ネットワークが、外部静電容量ネットワークである、例7から例9のいずれか1つに記載の半導体デバイス。
【0059】
例11.静電容量ネットワークが、埋め込まれたコンデンサを備える、例7から例10のいずれか1つに記載の半導体デバイス。
【0060】
例12.第1のコンデンサが、第1の電位を確立するように構成され、第2のコンデンサが、第2の電位を確立するように構成された、例7から例11のいずれか1つに記載の半導体デバイス。
【0061】
例13.第1のコンデンサが、直流(DC:direct current)電位と第1のフィールドプレートとの間に電気的に結合され、第2のコンデンサが、DC電位と第2のフィールドプレートとの間に電気的に結合された。例7から例12のいずれか1つに記載の半導体デバイス。
【0062】
例14.静電容量ネットワークが、DC電位と第1のフィールドプレートとの間に電気的に結合された第1のインピーダンスと、ドレインと第2のフィールドプレートとの間に電気的に結合された第2のインピーダンスとを更に含む、例7から例13のいずれか1つに記載の半導体デバイス。
【0063】
例15.DC電位が、グランドである、例7から例14のいずれか1つに記載の半導体デバイス。
【0064】
例16.複数のフィールドプレートが、第3の電位をサポートするように構成された第3のフィールドプレートを備え、静電容量ネットワークが、DC電位と第3のフィールドプレートとの間に電気的に結合された第3のコンデンサと、第1のフィールドプレートと第3のフィールドプレートとの間に電気的に結合された第3のインピーダンスと、第3のフィールドプレートと第2のフィールドプレートとの間に電気的に結合された第4のインピーダンスとを含む、例7から例15のいずれか1つに記載の半導体デバイス。
【0065】
例17.静電容量ネットワークが、電界を分布させるために第1の電位と第2の電位と第3の電位とを確立するように構成された、例7から例16のいずれか1つに記載の半導体デバイス。
【0066】
例18.電界が、実質的に一様である、例7から例17のいずれか1つに記載の半導体デバイス。
【0067】
例19.電界が、少なくとも1200ボルトの電圧に耐える、例7から例18のいずれか1つに記載の半導体デバイス。
【0068】
例20.ドリフト領域の上方に少なくとも1つのフィールドプレートを形成することと、少なくとも1つのフィールドプレートにおける選択電位を確立するために、静電容量ネットワークを少なくとも1つのフィールドプレートに結合することと、電界が実質的に一様であるように選択電位を提供することとを含む、高電圧半導体デバイスのドリフト領域において電界を分布させる方法。
【0069】
例21.静電容量ネットワークを少なくとも1つのフィールドプレートに結合することが、第1のコンデンサを少なくとも1つのフィールドプレートに結合することを含む、例20に記載の方法。
【0070】
例22.静電容量ネットワークを少なくとも1つのフィールドプレートに結合することが、静電放電インピーダンス(static discharge impedance)を少なくとも1つのフィールドプレートに結合することを含む、例20から例21のいずれか1つに記載の方法。
【0071】
例23.ドリフト領域の上方に少なくとも1つのフィールドプレートを形成することが、活性領域の内部に少なくとも1つのフィールドプレートを形成することを含む、例20から例22のいずれか1つに記載の方法。
【0072】
例24.静電容量ネットワークを少なくとも1つのフィールドプレートに結合することが、活性領域の外部に静電容量ネットワークを形成することを含む、例20から例23のいずれか1つに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】2022-07-27
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
高電子移動度トランジスタ(HEMT)半導体デバイス(100)であって、前記HE
MT半導体デバイスが、
ゲートとドレインとの間において横方向に形成されたドリフト領域であって、前記ドリフト領域が、電界をサポートするように構成された、前記ドリフト領域と、
前記ドリフト領域の上方に位置している複数のフィールドプレートであって、前記複数のフィールドプレートが
、第1の電位をサポートするように構成された第1のフィールドプレートと
、第2の電位をサポートするように構成された第2のフィールドプレートとを備える
、前記複数のフィールドプレートと、
前記複数のフィールドプレートに電気的に結合された静電容量ネットワークであって、前記静電容量ネットワークが、
前記ドリフト領域によりサポートされる前記電界を分布させるために、
前記第1のフィールドプレートにおける前記第1の電位と
前記第2のフィー
ルドプレートにおける前記第2の電位とを確立するように構成された、前記静電容量ネットワークと、
を備え、
前記静電容量ネットワークが、
前記第1のフィールドプレートに電気的に結合された、および、前記第1のフィール
ドプレートとDC電位との間に結合された第1のコンデンサと、
前記第2のフィールドプレートに電気的に結合された、および、前記第2のフィール
ドプレートと前記DC電位との間に結合された第2のコンデンサと、
前記DC電位と前記第1のフィールドプレートとの間に電気的に結合された第1のイ
ンピーダンスと、
前記ドレインと前記第2のフィールドプレートとの間に電気的に結合された第2のイ
ンピーダンスと、
を備える、
HEMT半導体デバイス。
【請求項9】
前記第1のインピーダンスと前記第2のインピーダンスとが、電界効果トランジスタで
ある、
請求項1から請求項8のいずれか一項に記載のHEMT半導体デバイス。
【国際調査報告】