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特表2022-551609リチウム含有層、アイレット、又はクラスターの堆積のためのリチウム前駆体
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2022-12-12
(54)【発明の名称】リチウム含有層、アイレット、又はクラスターの堆積のためのリチウム前駆体
(51)【国際特許分類】
C23C 16/455 20060101AFI20221205BHJP
C23C 16/18 20060101ALI20221205BHJP
C07F 1/02 20060101ALI20221205BHJP
【ＦＩ】
C23C16/455
C23C16/18
C07F1/02 CSP
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2022520585
(86)(22)【出願日】2020-10-08
(85)【翻訳文提出日】2022-05-12
(86)【国際出願番号】 US2020054720
(87)【国際公開番号】W WO2021072036
(87)【国際公開日】2021-04-15
(31)【優先権主張番号】62/912,458
(32)【優先日】2019-10-08
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】62/915,263
(32)【優先日】2019-10-15
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】591036572
【氏名又は名称】レール・リキード－ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
(74)【代理人】
【識別番号】100090398
【弁理士】
【氏名又は名称】大渕 美千栄
(74)【代理人】
【識別番号】100090387
【弁理士】
【氏名又は名称】布施 行夫
(72)【発明者】
【氏名】デュサラ、クリスチャン
(72)【発明者】
【氏名】山元 啓司
(72)【発明者】
【氏名】ブラスコ、ニコラス
(72)【発明者】
【氏名】上村 直
【テーマコード（参考）】
4H048
4K030
【Ｆターム（参考）】
4H048AA01
4H048AA03
4H048AB99
4H048VA30
4K030AA11
4K030AA14
4K030AA18
4K030BA35
4K030BA42
4K030CA04
4K030CA12
4K030EA01
4K030EA03
4K030FA10
4K030HA01
(57)【要約】
基板上にＬｉ含有膜、アイレット、又はクラスターを形成するための方法は、ケイ素フリーのリチウム前駆体の蒸気を反応器に導入する工程、及び蒸着法を使用してケイ素フリーのリチウム前駆体の少なくとも一部を基板上に堆積させて、Ｌｉ含有膜、アイレット、又はクラスターを形成する工程、を含む。
【選択図】図１
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上にＬｉ含有膜、アイレット、又はクラスターを形成する方法であって、前記基板が中に配置されている反応器内に、下記一般式を有するケイ素フリーのリチウム前駆体を導入する工程
［Ｌｉ－ＮＬ１Ｌ２－Ｄｘ］ｙ （Ｉ）
（式中、
Ｌ１は、一般式：ＣｍＨｎ、（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２）、又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１）を有し、
・ＣｍＨｎは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ及びｎは独立した整数であり、１≦ｍ≦１６であり、１≦ｎ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｌ２は、一般式：（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４、又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３を有し、
・ＣｐＨｑは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｐ及びｑは独立した整数であり、１≦ｐ≦１６であり、１≦ｑ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ３及びＲ４は、それぞれ、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され；
ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）；並びに、
蒸着法を使用して前記ケイ素フリーのリチウム前駆体の少なくとも一部を前記基板上に堆積させて、前記リチウム含有膜、アイレット、又はクラスターを形成する工程、
を含む、方法。
【請求項2】
Ｌ１が、Ｃ１～Ｃ１６の直鎖、分岐、若しくは環状の炭素鎖、又は（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２若しくは（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１の形態であり：（式中、
・ＣｍＨｎはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
・ＥはＢ、Ｎを表し；
・Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
・ｍは、値が１である整数であるか、１～８の範囲の整数であり；
・ｎは、２～１６の範囲の独立した整数であり；
・Ｒ１は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択され；
・Ｒ２は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｌ２が、（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３の形態である：
（式中、
・ＣｐＨｑはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
・ＥはＢ、Ｎを表し；
・Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
・ｐ及びｑは、１～１６の範囲の独立した整数であり、好ましくはｐは１～８に含まれ、ｑは２～１６に含まれ、最も好ましくはｐはｍとは異なり；
・Ｒ３及びＲ４は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
・Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され、好ましくは単座又は二座であり；
・ｘは、０～４に含まれる整数であり；
・ｙは分子の結合度を表し、１～６に含まれる；
請求項１に記載の方法。
【請求項3】
前記ケイ素フリーのリチウム前駆体が、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、又はＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項4】
前記ケイ素フリーのリチウム前駆体が、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、又はＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項5】
前記ケイ素フリーのリチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２である、請求項１に記載の方法。
【請求項6】
前記ケイ素フリーのリチウム前駆体が、単量体、二量体、三量体、又はそれらの組み合わせである、請求項１に記載の方法。
【請求項7】
前記ケイ素フリーのリチウム前駆体が１５０℃未満で液体である、請求項１に記載の方法。
【請求項8】
前記蒸着法が、ＡＬＤ、ＣＶＤ、スプレーコーティング、ディップコーティング、スリットコーティング、スピンオン堆積、又はこれらの組み合わせである、請求項１に記載の方法。
【請求項9】
Ｏ３、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、トリメチルホスフェート、アルキルホスフェート、アルキルホスフィニミン、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、Ｏラジカル、又はこれらの組み合わせから選択される共反応物を前記反応器に供給する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項10】
前記共反応物がＯ３である、請求項９に記載の方法。
【請求項11】
前記Ｌｉ含有膜、アイレット、又はクラスターが、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯＨ、Ｌｉ２Ｓ、Ｌｉ３Ｎ、ＬｉＦ、炭酸リチウム、フッ化リチウムアルミニウム、リチウムアルミニウム酸化物、リチウムアルミニウム、リチウムコバルト酸化物、チタン酸リチウム、ジルコン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ＬｉＰＯＮ、リン酸リチウム、ホウ酸リチウム、ホウリン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、リチウムジルコニウム酸化物などの膜、アイレット、又はクラスターである、請求項１に記載の方法。
【請求項12】
前記反応器内の温度が約０℃～約６００℃の範囲である、請求項１に記載の方法。
【請求項13】
下記一般式を有するリチウム前駆体を含む組成物：［Ｌｉ－ＮＬ１Ｌ２－Ｄｘ］ｙ （Ｉ）
（式中、
Ｌ１は、一般式：ＣｍＨｎ、（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２）、又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１）を有し、
・ＣｍＨｎは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ及びｎは独立した整数であり、１≦ｍ≦１６であり、１≦ｎ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｌ２は、一般式：（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４、又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３を有し、
・ＣｐＨｑは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｐ及びｑは独立した整数であり、１≦ｐ≦１６であり、１≦ｑ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ３及びＲ４は、それぞれ、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され；
ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）。
【請求項14】
Ｌ１が、Ｃ１～Ｃ１６の直鎖、分岐、若しくは環状の炭素鎖、又は（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２若しくは（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１の形態であり：（式中、
・ＣｍＨｎはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
・ＥはＢ、Ｎを表し；
・Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
・ｍは、値が１である整数であるか、１～８の範囲の整数であり；
・ｎは、２～１６の範囲の独立した整数であり；
・Ｒ１は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択され；
・Ｒ２は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｌ２が、（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３の形態であり：
（式中、
・ＣｐＨｑはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
・ＥはＢ、Ｎを表し；
・Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
・ｐ及びｑは、１～１６の範囲の独立した整数であり、好ましくはｐは１～８に含まれ、ｑは２～１６に含まれ、最も好ましくはｐはｍとは異なり；
・Ｒ３及びＲ４は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され、好ましくは単座又は二座であり；
ｘは、０～４に含まれる整数であり；
ｙは分子の結合度を表し、１～６に含まれ；
Ｌ１＝Ｍｅ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝Ｅｔ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｉＰｒ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＭｅＨＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨＭｅ、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝｛ＣｍＨｎ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ１とＲ２が共にＭｅ｝、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝｛ＣｍＨｎ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ１とＲ２が共にＥｔ｝、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＥｔ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝Ｍｅ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ’＝Ｏ、Ｒ３がＭｅ｝、ｘ＝０は除外される；
請求項１３に記載の組成物。
【請求項15】
前記リチウム前駆体が、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、又はＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）から選択される、請求項１３に記載の組成物。
【請求項16】
前記リチウム前駆体が、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、又はＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）から選択される、請求項１３に記載の組成物。
【請求項17】
前記リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２である、請求項１３に記載の組成物。
【請求項18】
下記一般式を有する、膜、アイレット、又はクラスターを形成する前駆体：［Ｌｉ－ＮＬ１Ｌ２－Ｄｘ］ｙ （Ｉ）
（式中、
Ｌ１は、一般式：ＣｍＨｎ、（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２）、又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１）を有し、
・（ＣｍＨｎ）は、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ及びｎは独立した整数であり、１≦ｍ≦１６であり、１≦ｎ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｌ２は、一般式：（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４、又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３を有し、
・ＣｐＨｑは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｐ及びｑは独立した整数であり、１≦ｐ≦１６であり、１≦ｑ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ３及びＲ４は、それぞれ、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され；
ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）。
【請求項19】
Ｌ１が、Ｃ１～Ｃ１６の直鎖、分岐、若しくは環状の炭素鎖、又は（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２若しくは（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１の形態であり：（式中、
・ＣｍＨｎはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
・ＥはＢ、Ｎを表し；
・Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
・ｍは、値が１である整数であるか、１～８の範囲の整数であり；
・ｎは、２～１６の範囲の独立した整数であり；
・Ｒ１は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択され；
・Ｒ２は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｌ２が、（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３の形態であり：
（式中、
・ＣｐＨｑはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
・ＥはＢ、Ｎを表し；
・Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
・ｐ及びｑは、１～１６の範囲の独立した整数であり、好ましくはｐは１～８に含まれ、ｑは２～１６に含まれ、最も好ましくはｐはｍとは異なり；
・Ｒ３及びＲ４は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され、好ましくは単座又は二座であり；
ｘは、０～４に含まれる整数であり；
ｙは分子の結合度を表し、１～６に含まれる；
請求項１８に記載の膜、アイレット、又はクラスターを形成する前駆体。
【請求項20】
ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、又はＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）から選択される、請求項１８に記載の膜、アイレット、又はクラスターを形成する前駆体。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
本出願は、２０１９年１０月８日に出願された米国出願第６２９１２４５８号、及び２０１９年１０月１５日に出願された米国出願第６２９１５２６３号に基づく利益を主張するものであり、これらはあらゆる目的のためにそれらの全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本出願は、２０１９年１０月８日に出願された米国出願第６２９１２４５８号、及び２０１９年１０月１５日に出願された米国出願第６２９１５２６３号に基づく利益を主張するものであり、これらはあらゆる目的のためにそれらの全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
リチウム含有膜、アイレット、又はクラスターを堆積させるためのケイ素フリーのリチウム前駆体、並びにその合成方法及びその使用方法が開示される。特に、開示される前駆体は、良好な揮発性及び熱安定性を示す。開示される前駆体は、１５０℃未満で液体であり、好ましくは５０℃で液体であり、より好ましくは２５℃で液体であり、これはＡＬＤ及びＣＶＤ用途などの堆積技術に適している。
【背景技術】
【0003】
リチウム含有膜は、リチウムイオン電池用途において表面コーティング層又は電極材料の膜を形成するための用途で周知である。Ｌｉ含有膜の例としては、ＬｉＰＯＮ、リン酸リチウム、ホウ酸リチウム、ホウリン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、チタン酸リチウム、リチウムジルコニウム酸化物などが挙げられる。これらの材料のいくつか、特にニオブ酸リチウム、チタン酸リチウム、ジルコン酸リチウムなどの形成のためには、ケイ素が存在しないか、ケイ素の存在が少量であることも好ましい。リチウムイオン電池の最初のサイクル中に、電解質／電極界面での電解質の分解から、アノード及び／又はカソード上での固体電解質界面（ＳＥＩ）の形成が観察される。リチウムイオン電池の容量の損失は、リチウムイオンの消費に起因する。更に、形成されるＳＥＩ層は均一ではなく不安定であるため、亀裂やデンドライトが生じて熱暴走を起こす可能性がある。更に、形成されたＳＥＩ層は、電極におけるインターカレーションをより困難にする障壁電位も形成する。原子層堆積（ＡＬＤ）及び化学蒸着（ＣＶＤ）技術による電極の表面コーティングは、目的のＳＥＩ膜を形成するために使用されるため、これらの不安定な層の形成を回避する。Ｌｉ含有膜は、その優れた導電性と高い電気化学的安定性のため、保護電極コーティングとして非常に有望な候補である。Ｌｉ含有膜のもう１つの重要な用途は、全固体電池で使用される固体電解質材料の形成である。全固体電池は、従来のリチウムイオン電池よりも長い寿命、速い充電時間、及び高いエネルギー密度を有する無溶媒系である。これらは、電池開発における次の技術段階とみなされている。リン酸リチウム、ホウ酸リチウム、及びホウリン酸リチウムなどのリチウム含有膜固体電解質は、ＡＬＤ／ＣＶＤ技術によって堆積される。均一且つコンフォーマルなＬｉ含有膜は、３Ｄ電池のような複雑な構造上でさえも得ることができる。
【0004】
エネルギー貯蔵のニーズが高まるのに伴い、改善された安全性能と共により高い容量保持が要求されている。リチウム含有膜は、リン酸リチウムやリチウムリン酸窒化物（ＬｉＰＯＮ）などの固体電解質中間相（ＳＥＩ）、及びチタン酸リチウムやジルコン酸リチウムやニオブ酸リチウムなどの様々なリチウム金属酸化物の形成を効果的に防止又は低減することができる。これらの材料は、現行のリチウムイオン電池又は全固体電池のいずれかで、電極と電解質との間の界面を改善することが期待されている。ニオブ酸リチウムなどのＬｉ含有膜は、高周波電子デバイス、例えばモバイル用途にも使用することができる。リチウムフルオライトは、バンドギャップが大きく誘電定数が高いため、光学用又は潜在的なゲート誘電体としても興味深い材料である。
【0005】
Ｇｏｒｄｏｎらの国際公開第００／６７３００Ａ１号パンフレットには、一般式：ＭＮ（Ｅ１Ｒ１Ｒ２Ｒ３）（Ｅ２Ｒ４Ｒ５Ｒ６）を有するアルカリリチウムアミド前駆体の合成が開示されており、Ｍはアルカリ金属：Ｌｉ、Ｎａ、Ｋであり；Ｅ１及びＥ２＝Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、又はＳｎであり；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、Ｈ、アルキル基、又はフルオロアルキル基である。全ての化合物は２０℃で液体である。ＣＶＤによるアルカリ金属を含む膜の形成が開示されている。
【0006】
Ｇｏｒｄｏｎらの国際公開第０２／２７０６３Ａ２号パンフレットには、リチウム前駆体としてＬｉＮ（ＳｉＭｅ３）２、ＬｉＮ（ＳｉＥｔＭｅ２）２、及びＬｉ（ＴＭＰＤ）を使用したリン酸リチウムのＣＶＤ及びＡＬＤが開示されている。リン酸エステル前駆体としてリン酸ジイソプロピルが使用された。ＴＭＰＤは２，２，６，６－テトラメチルピペリジドの略である。
【0007】
Ｐａｌｌｅｍらの国際公開第２０１１／００２９２０Ａ２号パンフレットには、ケイ素を含まないリチウム含有前駆体、すなわち、一般式：Ｌｉ（Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｃｐ）．Ｄ、Ｌｉ（ＮＲ－ａｍｄ）．Ｄ、及びＬｉ（ＮＲ－ｆｍｄ）．Ｄ（Ｄ＝単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系であり、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６はＨ又はアルキル基である）を有するリチウムアルキルアミジネート及びリチウムアルキルシクロペンタジエニル化合物が開示されている。
【0008】
Ｈａｍａｌａｉｎｅｎらの米国特許出願公開第２０１２／０２７６３０５号明細書には、市販原料からのＬｉＮ（ＳｉＭｅ３）２、ＬｉＯｔＢｕ、Ｌｉ（ｔｈｄ）、及びＬｉ（ｈｆａｃ）の合成が開示されている。それらは、ＡＬＤによるリン酸リチウム膜の形成のためのリチウム源として使用される。開示されるリン源は、式Ｏ＝Ｐ（ＯＲ）３を有するリン酸塩試薬であり、ここでのＲはアルキル基である。実施例では、ＬｉＮ（ＳｉＭｅ３）２及びＬｉＯｔＢｕは、リン酸リチウムのＡＬＤにトリメチルホスフェート（ＴＭＰＯ）と組み合わせて使用されている。Ｌｉ（ｔｈｄ）及びＬｉ（ｈｆａｃ）は、Ｌｉ２Ｏ、Ｌｉ２ＣＯ３、及びその他のリチウム含有材料についても開示されている。Ｈａｍａｌａｉｎｅｎらによって開示された全てのリチウム前駆体は、高融点の固体（典型的には１５０℃超）であり、揮発性と熱安定性が制限される。
【0009】
Ｌｉ含有膜を形成するためのより多くの先行技術としては、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，６９８７－６９９３，２７（２０），２０１５（リチウムリンオキシ窒化物のＡＬＤ）；Ｎａｎｏ Ｌｅｔｔ．，１２７６－１２８１，１６（２），２０１６（高レート容量のＬｉイオン電池アノードとしてのリチウムテレフタレート膜の原子／分子層堆積）；米国特許出願公開第２０１７００６７１６１号明細書（リチウムリンオキシ窒化物層の製造方法）；Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃｉｅｎｃｅ ＆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ａ；Ｖａｃｕｕｍ，Ｓｕｒｆａｃｅｓ，ａｎｄ Ｆｉｌｍｓ，０１Ｂ１３３／１－０１Ｂ１３３／８，３５（１），２０１７（リチウムトリメチルシラノレートを用いた原子層堆積のための強化されたプロセス及び組成制御）；ＲＳＣ Ａｄｖａｎｃｅｓ，６３１５－６３２２，２（１５），２０１２（リチウムシリルアミドを使用した窒化リチウム及び炭酸リチウムのＡＬＤ）；国際公開第２０１２０７６８１７号パンフレット（ＣＶＤによるリチウムベースの層の製造方法）；Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，８７６７－８７７１，１９（４６），２００９（リチウム含有薄膜のＡＬＤ）；米国特許第７，６１５，２５０号明細書（有機アルミニウム前駆体化合物）；米国特許第８，８７１，３０４号明細書（（アミドアミノアルカン）金属化合物、前記金属化合物を使用する金属含有薄膜の製造方法）；Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．，１０９１－１０９４，５（３），１９９９（Ｘ線結晶構造及びリチウムの分子内錯化を伴うリチウムアミドのいくつかの溶液構造）；米国特許第６２９４４９５号明細書（オレフィン重合のための三座配位子含有金属触媒錯体）；Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，５３７８－５３８１，１２（２３），２０１０（リチウムジイソプロピルアミドによって開始されるアリルエーテルの異性化）；Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ １６５７－１６６６，５８（９），２００２（芳香族アルデヒドの効率的な系内保護剤としてのリチウムＮ，Ｏ－ジメチルヒドロキシルアミドの使用）；Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，２８７７－２８８１，２０（１４），２０１０（原子層堆積によって成長したチタン酸ランタン及びチタン酸リチウムランタン膜）を挙げることができる。
【0010】
リチウム前駆体の使用について興味深い他の用途には、Ｌｉ含有クラスター又はアイレットの形成が含まれる。
【0011】
ケイ素を含むリチウム前駆体、例えばＬｉＮ（ＳｉＭｅ３）２が一般的に使用され得る。この固体前駆体は非常に安定しており、十分に揮発性であるものの、ケイ素は得られる堆積膜に部分的に残るであろう。ケイ素の存在は、ＬｉＴｉＯ３、ＬｉＮｂＯ３、又はＬｉＺｒＯｘなどの材料を形成するときに問題になる場合があり、ケイ素は、材料の誘発された無秩序に関連する有害な電気化学的特徴をもたらし、そのためイオン伝導度を低下させる可能性がある。したがって、堆積用途のためのケイ素フリーのリチウム前駆体を発見することが必要とされている。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0012】
基板上にＬｉ含有膜、アイレット、又はクラスターを形成するための方法が開示され、この方法は、基板が中に配置されている反応器内に、下記一般式
［Ｌｉ－ＮＬ１Ｌ２－Ｄｘ］ｙ （Ｉ）
（式中、
Ｌ１は、一般式：ＣｍＨｎ、（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２）、又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１）を有し、
・ＣｍＨｎは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ及びｎは独立した整数であり、１≦ｍ≦１６であり、１≦ｎ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｌ２は、一般式：（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４、又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３を有し、
・ＣｐＨｑは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｐ及びｑは独立した整数であり、１≦ｐ≦１６であり、１≦ｑ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ３及びＲ４は、それぞれ、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され；
ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）
を有するリチウム前駆体を導入する工程、並びに、
蒸着法を使用してリチウム前駆体の少なくとも一部を基板上に堆積させて、Ｌｉ含有膜、アイレット、又はクラスターを形成する工程、
を含む。
［Ｌｉ－ＮＬ１Ｌ２－Ｄｘ］ｙ （Ｉ）
（式中、
Ｌ１は、一般式：ＣｍＨｎ、（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２）、又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１）を有し、
・ＣｍＨｎは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ及びｎは独立した整数であり、１≦ｍ≦１６であり、１≦ｎ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｌ２は、一般式：（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４、又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３を有し、
・ＣｐＨｑは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｐ及びｑは独立した整数であり、１≦ｐ≦１６であり、１≦ｑ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ３及びＲ４は、それぞれ、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され；
ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）
を有するリチウム前駆体を導入する工程、並びに、
蒸着法を使用してリチウム前駆体の少なくとも一部を基板上に堆積させて、Ｌｉ含有膜、アイレット、又はクラスターを形成する工程、
を含む。
【0013】
開示される方法は、以下の態様のうちの１つ以上を含み得る：
・Ｌ１は、Ｃ１～Ｃ１６の直鎖、分岐、又は環状の炭素鎖、又は（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１の形態である
（式中、
ＣｍＨｎはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
ＥはＢ、Ｎを表し；
Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
ｍは、値が１である整数であるか、１～８の範囲の整数であり；
ｎは、２～１６の範囲の独立した整数であり；
Ｒ１は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択され；
Ｒ２は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｌ２は、（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３の形態である
（式中、
ＣｐＨｑはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
ＥはＢ、Ｎを表し；
Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
ｐ及びｑは、１～１６の範囲の独立した整数であり、好ましくはｐは１～８に含まれ、ｑは２～１６に含まれ、最も好ましくはｐはｍとは異なり；
Ｒ３及びＲ４は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択される。好ましくは単座又は二座であり；
ｘは、０～４に含まれる整数であり；
ｙは分子の結合度を表し、１～６に含まれる；
・リチウム前駆体がケイ素を含まない；
・リチウム前駆体が、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）などから選択される；
・リチウム前駆体が、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）などである；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）である；
・蒸着法が、ＡＬＤ、ＣＶＤ、スプレーコーティング、ディップコーティング、スリットコーティング、スピンオン蒸着、又はこれらの組み合わせである；
・蒸着法がＡＬＤである；
・蒸着法がＣＶＤである；
・反応チャンバー内の温度が室温から室温未満の範囲である；
・反応チャンバー内の温度が約０℃～約６００℃の範囲である；
・反応チャンバー内の温度が約１５℃～約６００℃の範囲である；
・反応チャンバー内の温度が約１２５℃～約２５０℃の範囲である；
・反応器の温度範囲が約２０℃～約１０００℃である；
・プラズマ蒸着プロセスの堆積温度が約２０℃～約５５０℃の範囲である；
・ＡＬＤ及びＣＶＤの堆積温度が約１００℃～約５００℃の範囲である；
・ＡＬＤ及びＣＶＤの堆積温度が約２５０℃～約３５０℃の範囲である；
・熱的プロセスの堆積温度が約２００℃～約８００℃の範囲である；
・熱的プロセスの堆積温度が約４００℃～約６００℃の範囲である；
・ＡＬＤの堆積温度が１００℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が１２５℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が１３５℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が１５０℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が１７５℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が２００℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が２５０℃である；
・ＣＶＤの堆積温度が５００℃である；
・ＣＶＤの堆積温度が２００℃である；
・ＣＶＤの堆積温度が３００℃である；
・ＣＶＤの堆積温度が４００℃である；
・ＣＶＤの堆積温度が５００℃である；
・基板の温度が室温から約６００℃の範囲である；
・リチウム前駆体がケイ素フリーのリチウム前駆体である；
・リチウム前駆体が、単量体、二量体、三量体、又はそれらの組み合わせである；
・反応器に共反応物を供給する工程を更に含む；
・共反応物が、Ｏ３、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、トリメチルホスフェート、アルキルホスフェート、アルキルホスフィニミン、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、Ｏラジカル、又はこれらの組み合わせから選択される；
・共反応物が、Ｎ２、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、又はアルキルヒドラジンから選択される；
・共反応物がＯ３である；
・リチウム前駆体が１５０℃未満で液体である；
・リチウム前駆体が５０℃で液体である；
・リチウム前駆体が２５℃で液体である；
・Ｌｉ含有膜、アイレット、又はクラスターが、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯＨ、Ｌｉ２Ｓ、Ｌｉ３Ｎ、ＬｉＦ、炭酸リチウム、フッ化リチウムアルミニウム、リチウムアルミニウム酸化物、リチウムアルミニウム、リチウムコバルト酸化物、チタン酸リチウム、ジルコン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ＬｉＰＯＮ、リン酸リチウム、ホウ酸リチウム、ホウリン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、リチウムジルコニウム酸化物などの膜、アイレット、又はクラスターである。
・Ｌ１は、Ｃ１～Ｃ１６の直鎖、分岐、又は環状の炭素鎖、又は（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１の形態である
（式中、
ＣｍＨｎはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
ＥはＢ、Ｎを表し；
Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
ｍは、値が１である整数であるか、１～８の範囲の整数であり；
ｎは、２～１６の範囲の独立した整数であり；
Ｒ１は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択され；
Ｒ２は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｌ２は、（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３の形態である
（式中、
ＣｐＨｑはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
ＥはＢ、Ｎを表し；
Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
ｐ及びｑは、１～１６の範囲の独立した整数であり、好ましくはｐは１～８に含まれ、ｑは２～１６に含まれ、最も好ましくはｐはｍとは異なり；
Ｒ３及びＲ４は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択される。好ましくは単座又は二座であり；
ｘは、０～４に含まれる整数であり；
ｙは分子の結合度を表し、１～６に含まれる；
・リチウム前駆体がケイ素を含まない；
・リチウム前駆体が、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）などから選択される；
・リチウム前駆体が、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）などである；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）である；
・蒸着法が、ＡＬＤ、ＣＶＤ、スプレーコーティング、ディップコーティング、スリットコーティング、スピンオン蒸着、又はこれらの組み合わせである；
・蒸着法がＡＬＤである；
・蒸着法がＣＶＤである；
・反応チャンバー内の温度が室温から室温未満の範囲である；
・反応チャンバー内の温度が約０℃～約６００℃の範囲である；
・反応チャンバー内の温度が約１５℃～約６００℃の範囲である；
・反応チャンバー内の温度が約１２５℃～約２５０℃の範囲である；
・反応器の温度範囲が約２０℃～約１０００℃である；
・プラズマ蒸着プロセスの堆積温度が約２０℃～約５５０℃の範囲である；
・ＡＬＤ及びＣＶＤの堆積温度が約１００℃～約５００℃の範囲である；
・ＡＬＤ及びＣＶＤの堆積温度が約２５０℃～約３５０℃の範囲である；
・熱的プロセスの堆積温度が約２００℃～約８００℃の範囲である；
・熱的プロセスの堆積温度が約４００℃～約６００℃の範囲である；
・ＡＬＤの堆積温度が１００℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が１２５℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が１３５℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が１５０℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が１７５℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が２００℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が２５０℃である；
・ＣＶＤの堆積温度が５００℃である；
・ＣＶＤの堆積温度が２００℃である；
・ＣＶＤの堆積温度が３００℃である；
・ＣＶＤの堆積温度が４００℃である；
・ＣＶＤの堆積温度が５００℃である；
・基板の温度が室温から約６００℃の範囲である；
・リチウム前駆体がケイ素フリーのリチウム前駆体である；
・リチウム前駆体が、単量体、二量体、三量体、又はそれらの組み合わせである；
・反応器に共反応物を供給する工程を更に含む；
・共反応物が、Ｏ３、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、トリメチルホスフェート、アルキルホスフェート、アルキルホスフィニミン、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、Ｏラジカル、又はこれらの組み合わせから選択される；
・共反応物が、Ｎ２、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、又はアルキルヒドラジンから選択される；
・共反応物がＯ３である；
・リチウム前駆体が１５０℃未満で液体である；
・リチウム前駆体が５０℃で液体である；
・リチウム前駆体が２５℃で液体である；
・Ｌｉ含有膜、アイレット、又はクラスターが、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯＨ、Ｌｉ２Ｓ、Ｌｉ３Ｎ、ＬｉＦ、炭酸リチウム、フッ化リチウムアルミニウム、リチウムアルミニウム酸化物、リチウムアルミニウム、リチウムコバルト酸化物、チタン酸リチウム、ジルコン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ＬｉＰＯＮ、リン酸リチウム、ホウ酸リチウム、ホウリン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、リチウムジルコニウム酸化物などの膜、アイレット、又はクラスターである。
【0014】
また、下記一般式を有するリチウム前駆体を含む組成物が開示される：
［Ｌｉ－ＮＬ１Ｌ２－Ｄｘ］ｙ （Ｉ）
（式中、
Ｌ１は、一般式：ＣｍＨｎ、（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２）、又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１）を有し、
・ＣｍＨｎは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ及びｎは独立した整数であり、１≦ｍ≦１６であり、１≦ｎ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｌ２は、一般式：（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４、又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３を有し、
・ＣｐＨｑは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｐ及びｑは独立した整数であり、１≦ｐ≦１６であり、１≦ｑ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ３及びＲ４は、それぞれ、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され；
ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）。
［Ｌｉ－ＮＬ１Ｌ２－Ｄｘ］ｙ （Ｉ）
（式中、
Ｌ１は、一般式：ＣｍＨｎ、（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２）、又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１）を有し、
・ＣｍＨｎは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ及びｎは独立した整数であり、１≦ｍ≦１６であり、１≦ｎ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｌ２は、一般式：（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４、又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３を有し、
・ＣｐＨｑは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｐ及びｑは独立した整数であり、１≦ｐ≦１６であり、１≦ｑ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ３及びＲ４は、それぞれ、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され；
ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）。
【0015】
開示される組成物は、以下の態様のうちの１つ以上を含む：
・Ｌ１は、Ｃ１～Ｃ１６の直鎖、分岐、又は環状の炭素鎖、又は（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１の形態である
（式中、
ＣｍＨｎはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
ＥはＢ、Ｎを表し；
Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
ｍは、値が１である整数であるか、１～８の範囲の整数であり；
ｎは、２～１６の範囲の独立した整数であり；
Ｒ１は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択され；
Ｒ２は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
・Ｌ２は、（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３の形態である
（式中、
ＣｐＨｑはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
ＥはＢ、Ｎを表し；
Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
ｐ及びｑは、１～１６の範囲の独立した整数であり、好ましくはｐは１～８に含まれ、ｑは２～１６に含まれ、最も好ましくはｐはｍとは異なり；
Ｒ３及びＲ４は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
・Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され、好ましくは単座又は二座であり；
・ｘは、０～４に含まれる整数であり；
・ｙは分子の結合度を表し、１～６に含まれる；
・Ｌ１＝Ｍｅ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外される；
・Ｌ１＝Ｅｔ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外される；
・Ｌ１＝ｉＰｒ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外される；
・Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外される；
・Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＭｅＨＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外される；
・Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨＭｅ、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外される；
・Ｌ１＝｛ＣｍＨｎ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ１とＲ２が共にＭｅ｝、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外される；
・Ｌ１＝｛ＣｍＨｎ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ１とＲ２が共にＥｔ｝、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＥｔ｝、ｘ＝０は除外される；
・Ｌ１＝Ｍｅ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ’＝Ｏ、Ｒ３がＭｅ｝、ｘ＝０は除外される；
・リチウム前駆体が、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）などから選択される；
・リチウム前駆体が、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）などから選択される；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）である；
・リチウム前駆体が、約９３重量％又はｗ／ｗ～約１００％ｗ／ｗの範囲、好ましくは約９９％ｗ／ｗ～約９９．９９９％ｗ／ｗの範囲、より好ましくは約９９％ｗ／ｗ～約１００％ｗ／ｗの範囲の純度を有する。
・Ｌ１は、Ｃ１～Ｃ１６の直鎖、分岐、又は環状の炭素鎖、又は（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１の形態である
（式中、
ＣｍＨｎはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
ＥはＢ、Ｎを表し；
Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
ｍは、値が１である整数であるか、１～８の範囲の整数であり；
ｎは、２～１６の範囲の独立した整数であり；
Ｒ１は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択され；
Ｒ２は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
・Ｌ２は、（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３の形態である
（式中、
ＣｐＨｑはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
ＥはＢ、Ｎを表し；
Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
ｐ及びｑは、１～１６の範囲の独立した整数であり、好ましくはｐは１～８に含まれ、ｑは２～１６に含まれ、最も好ましくはｐはｍとは異なり；
Ｒ３及びＲ４は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
・Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され、好ましくは単座又は二座であり；
・ｘは、０～４に含まれる整数であり；
・ｙは分子の結合度を表し、１～６に含まれる；
・Ｌ１＝Ｍｅ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外される；
・Ｌ１＝Ｅｔ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外される；
・Ｌ１＝ｉＰｒ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外される；
・Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外される；
・Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＭｅＨＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外される；
・Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨＭｅ、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外される；
・Ｌ１＝｛ＣｍＨｎ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ１とＲ２が共にＭｅ｝、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外される；
・Ｌ１＝｛ＣｍＨｎ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ１とＲ２が共にＥｔ｝、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＥｔ｝、ｘ＝０は除外される；
・Ｌ１＝Ｍｅ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ’＝Ｏ、Ｒ３がＭｅ｝、ｘ＝０は除外される；
・リチウム前駆体が、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）などから選択される；
・リチウム前駆体が、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）などから選択される；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）である；
・リチウム前駆体が、約９３重量％又はｗ／ｗ～約１００％ｗ／ｗの範囲、好ましくは約９９％ｗ／ｗ～約９９．９９９％ｗ／ｗの範囲、より好ましくは約９９％ｗ／ｗ～約１００％ｗ／ｗの範囲の純度を有する。
【0016】
また、膜、アイレット、又はクラスターを形成する下記一般式の前駆体も開示される：
［Ｌｉ－ＮＬ１Ｌ２－Ｄｘ］ｙ （Ｉ）
（式中、
Ｌ１は、一般式：ＣｍＨｎ、（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２）、又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１）を有し、
・（ＣｍＨｎ）は、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ及びｎは独立した整数であり、１≦ｍ≦１６であり、１≦ｎ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｌ２は、一般式：（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４、又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３を有し、
・ＣｐＨｑは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｐ及びｑは独立した整数であり、１≦ｐ≦１６であり、１≦ｑ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ３及びＲ４は、それぞれ、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され；
ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）。
［Ｌｉ－ＮＬ１Ｌ２－Ｄｘ］ｙ （Ｉ）
（式中、
Ｌ１は、一般式：ＣｍＨｎ、（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２）、又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１）を有し、
・（ＣｍＨｎ）は、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ及びｎは独立した整数であり、１≦ｍ≦１６であり、１≦ｎ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｌ２は、一般式：（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４、又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３を有し、
・ＣｐＨｑは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｐ及びｑは独立した整数であり、１≦ｐ≦１６であり、１≦ｑ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ３及びＲ４は、それぞれ、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され；
ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）。
【0017】
開示される膜、アイレット、又はクラスターを形成する前駆体は、以下の態様のうちの１つ以上を含む：
・Ｌ１は、Ｃ１～Ｃ１６の直鎖、分岐、又は環状の炭素鎖、又は（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１の形態である
（式中、
ＣｍＨｎはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
ＥはＢ、Ｎを表し；
Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
ｍは、値が１である整数であるか、１～８の範囲の整数であり；
ｎは、２～１６の範囲の独立した整数であり；
Ｒ１は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択され；
Ｒ２は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
・Ｌ２は、（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３の形態である
（式中、
ＣｐＨｑはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
ＥはＢ、Ｎを表し；
Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
ｐ及びｑは、１～１６の範囲の独立した整数であり、好ましくはｐは１～８に含まれ、ｑは２～１６に含まれ、最も好ましくはｐはｍとは異なり；
Ｒ３及びＲ４は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
・Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され、好ましくは単座又は二座であり；
・ｘは、０～４に含まれる整数であり；
・ｙは分子の結合度を表し、１～６に含まれる；
・膜、アイレット、又はクラスターを形成する前駆体が、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ） ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）などから選択される；
・膜、アイレット、又はクラスターを形成する前駆体が、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）などから形成される；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）である；並びに
・膜、アイレット、又はクラスターを形成する前駆体が、約９３重量％又はｗ／ｗ～約１００％ｗ／ｗの範囲、好ましくは約９９％ｗ／ｗ～約９９．９９９％ｗ／ｗの範囲、より好ましくは約９９％ｗ／ｗ～約１００％ｗ／ｗの範囲の純度を有する。
・Ｌ１は、Ｃ１～Ｃ１６の直鎖、分岐、又は環状の炭素鎖、又は（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１の形態である
（式中、
ＣｍＨｎはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
ＥはＢ、Ｎを表し；
Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
ｍは、値が１である整数であるか、１～８の範囲の整数であり；
ｎは、２～１６の範囲の独立した整数であり；
Ｒ１は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択され；
Ｒ２は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
・Ｌ２は、（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３の形態である
（式中、
ＣｐＨｑはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
ＥはＢ、Ｎを表し；
Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
ｐ及びｑは、１～１６の範囲の独立した整数であり、好ましくはｐは１～８に含まれ、ｑは２～１６に含まれ、最も好ましくはｐはｍとは異なり；
Ｒ３及びＲ４は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
・Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され、好ましくは単座又は二座であり；
・ｘは、０～４に含まれる整数であり；
・ｙは分子の結合度を表し、１～６に含まれる；
・膜、アイレット、又はクラスターを形成する前駆体が、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ） ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）などから選択される；
・膜、アイレット、又はクラスターを形成する前駆体が、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）などから形成される；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）である；
・膜、アイレット、又はクラスターがＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）である；並びに
・膜、アイレット、又はクラスターを形成する前駆体が、約９３重量％又はｗ／ｗ～約１００％ｗ／ｗの範囲、好ましくは約９９％ｗ／ｗ～約９９．９９９％ｗ／ｗの範囲、より好ましくは約９９％ｗ／ｗ～約１００％ｗ／ｗの範囲の純度を有する。
【0018】
表記法及び命名法
以下の詳細な説明及び特許請求の範囲は、当該技術分野で一般によく知られている複数の略語、記号、及び用語を利用しており、以下を含む：
以下の詳細な説明及び特許請求の範囲は、当該技術分野で一般によく知られている複数の略語、記号、及び用語を利用しており、以下を含む：
【0019】
本明細書で使用される不定冠詞「ａ」又は「ａｎ」は、１つ又は複数を意味する。
【0020】
本明細書で使用される、文章中又は特許請求の範囲中の「約」又は「ほぼ」又は「およそ」は、記載された値の±１０％を意味する。
【0021】
本明細書で使用される、文章中又は特許請求の範囲中の「室温」は、約２０℃～約２５℃を意味する。
【0022】
「周囲温度」という用語は、約２０℃～約２５℃の環境温度を指す。
【0023】
本開示の実施形態で使用される「独立に」という用語は、Ｒ基を説明する文脈で使用される場合、対象となるＲ基が、同じ又は異なる下付き文字又は上付き文字を持っている別のＲ基から独立して選択されるということだけでなく、その同じＲ基の任意の更なる化学種からも独立して選択されるということも表すと理解すべきである。例えば、式ＭＲ１
ｘ（ＮＲ２Ｒ３）（４－ｘ）（式中、ｘは２又は３である）において、２つ又は３つのＲ１基は、互いに同じであっても、Ｒ２と同じであっても、Ｒ３と同じであってもよいが、必ずしも同じである必要はない。更に、別段の記載がない限り、Ｒ基の値は、異なる式で使用されている場合、互いに無関係であることを理解すべきである。
【0024】
本開示の実施形態で使用される用語「ヒドロカルビル基」は炭素と水素とを含む官能基を指し；用語「アルキル基」は炭素原子と水素原子のみを含む飽和官能基を指す。ヒドロカルビル基は飽和であっても不飽和であってもよい。いずれの用語も直鎖、分岐、又は環状の基を指す。直鎖アルキル基の例としては、限定するものではないが、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが挙げられる。分岐アルキル基の例としては、限定するものではないが、ｔ－ブチルが挙げられる。環状アルキル基の例としては、限定するものではないが、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
【0025】
本開示の実施形態で使用される「Ｍｅ」という略号はメチル基を表し、「Ｅｔ」という略号はエチル基を表し、「Ｐｒ」という略号はプロピル基を表す。
【0026】
本明細書で使用される「アイレット」又は「クラスター」という用語は、表面上に乗っているか又は表面上に広がっている複数の材料の小さな凝集体が形成されており、その表面が、ウェハー全体ほどに大きい大きさから、トレンチ又はラインほどに小さい大きさまでの範囲であってよいことを指す。
【0027】
「基板」という用語は、その上でプロセスが行われる材料を指す。基板は、その上でプロセスが行われる材料を有するウェハーを指す場合がある。基板は、半導体、太陽電池、フラットパネル、ＬＣＤ－ＴＦＴデバイスの製造、ＭＥＭＳ、リチウムイオン電池の製造、エレクトロクロミックウインドウの製造、有機若しくは無機粉末、上に配置される電極及び／又は材料において使用される任意の適切なウェハー又は支持体であってよい。基板は、その前の製造工程からその上に既に堆積された異なる材料の１つ以上の層も有し得る。例えば、支持体は、シリコン層（例えば結晶性、アモルファス、多孔質など）、ケイ素含有層（例えばＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＯＨなど）、金属含有層（例えば銅、コバルト、ルテニウム、タングステン、白金、パラジウム、ニッケル、マンガン、鉄、アルミニウム、銀、金など）、アモルファスカーボン、フッ素化カーボン、フッ素化炭化水素、フッ素含有材料、又はこれらの組み合わせなどの有機層を含み得る。更に、基板は、平坦であってもパターン化されていてもよく、球形であっても、丸みを帯びていてもよく、或いは定義された又は規則的な形状がなくてもよい。基板は、電極活物質として使用される酸化物の層を含み得る。当業者は、本明細書で使用される「膜」又は「層」という用語が、表面上に配置されているか広がっている何らかの材料の厚さを指し、その表面はトレンチ又はラインであってよいことを認識するであろう。本明細書及び特許請求の範囲全体を通して、ウェハー及びその上の任意の関連する層、アイレット、及び／又はクラスターは、基板と呼ばれる。
【0028】
「ウェハー」又は「パターン化されたウェハー」という用語は、基板上にケイ素含有膜などの膜のスタックを有し、且つパターンエッチングのために形成されたケイ素含有膜などの膜のスタック上にパターン化されたハードマスク層を有するウェハーを指す。「ウェハー」又は「パターン化されたウェハー」という用語は、あるアスペクト比を有するトレンチウェハーを指す場合もある。
【0029】
「支持体」という用語は、材料の複合体、例えば、電極活物質、バインダー、電解質、及び炭素からなる材料を指す。
【0030】
なお、本明細書では、「膜」及び「層」という用語は、交換可能に使用され得る。膜は、層に対応するか、層に関連する場合があり、また層は膜を指す場合があることが理解される。更に、当業者は、本明細書で使用される「膜」又は「層」という用語が、表面上に配置されているか広がっている何らかの材料の厚さを指し、ウェハー全体ほどに大きい大きさから、トレンチ又はラインほどに小さい大きさまでの範囲であってよいことを認識するであろう。また、本明細書では、「アイレット」及び「クラスター」という用語は、交換可能に使用され得る。アイレットは、クラスターに対応するか、クラスターに関連する場合があり、またクラスターはアイレットを指す場合があることが理解される。
【0031】
また、本明細書では、「堆積温度」、「プロセス温度」、「基板温度」、及び「反応器温度」という用語は、交換可能に使用され得る。基板温度又は反応器温度又はプロセス温度は、堆積温度に対応するか、堆積温度に関連する場合があり、また堆積温度は、基板温度又は反応器温度又はプロセス温度を指す場合があることが理解される。
【0032】
また、本明細書では、「前駆体」及び「堆積化合物」及び「堆積ガス」という用語は、交換可能に使用され得る。前駆体は、堆積化合物に対応するか、堆積化合物に関連する場合があり、また堆積化合物は、前駆体を指す場合があることが理解される。
【0033】
元素周期表からの元素の標準的な略語が本明細書で使用される。元素はこれらの略語で呼ばれる場合があることを理解すべきである（例えば、Ｌｉはリチウムを指し、Ｓｉはケイ素を指し、Ｎは窒素を指し、Ｏは酸素を指し、Ｃは炭素を指し、Ｈは水素を指し、Ｆはフッ素を指す、など）。
【0034】
開示されている特定の分子を識別するために、Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｓｅｒｖｉｃｅによって割り当てられた固有のＣＡＳ登録番号（すなわち「ＣＡＳ」）が示される。
【0035】
また、リン酸リチウム、ホウ酸リチウム、及びホウリン酸リチウムなどの材料から作られたリチウム含有膜又はアイレットは、それらの適切な化学量論に関係なく、明細書及び特許請求の範囲全体に記載されている。リチウム含有膜又はアイレットは、Ｂ、Ｃ、Ｎ、及び／又はＧｅなどのドーパントも含み得る。
【0036】
範囲は、本明細書において、約１つの特定の値から、及び／又は約別の特定の値までとして表現され得る。そのような範囲が表現される場合、別の実施形態は、前記範囲内の全ての組み合わせと共に、ある特定の値及び／又は別の特定の値からのものであることが理解されるべきである。開示される実施形態に記載されている全ての範囲は、「境界値を含む」という言葉が使用されているかどうかにかかわらず境界値を含む（すなわち、ｘ＝１～４又はｘは１～４の範囲である、は、ｘ＝１、ｘ＝４、及びｘ＝それらの間の任意の数値、を含む）。
【0037】
本明細書における「一実施形態」又は「ある実施形態」への言及は、実施形態に関連して記載されている特定の特徴、構造、又は特性が、本発明の少なくとも１つの実施形態に含まれ得ることを意味する。本明細書の様々な場所における「一実施形態では」という語句の出現は、必ずしも全てが同じ実施形態を指すわけではなく、また別の又は代替の実施形態は、必ずしも他の実施形態と相互に排他的ではない。同じことが「実施」という用語にも当てはまる。
【0038】
本発明の性質及び目的を更に理解するために、添付の図面と併せて以下の詳細な説明を参照する必要がある。添付の図面の中では、同様の要素には同じ又は類似した参照番号が付されている。
【図面の簡単な説明】
【0039】
【図1】ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２の熱重量分析（ＴＧＡ）（７６０Ｔｏｒｒ）のグラフである。
【図2】ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２のＴＧＡ（１５Ｔｏｒｒ）のグラフである。
【図3】ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）のＴＧＡ（１５Ｔｏｒｒ）のグラフである。
【図4】ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２のＴＧＡ（１５Ｔｏｒｒ）のグラフである。
【図5】ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２のＴＧＡ（１５Ｔｏｒｒ）のグラフである。
【図6】ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）のＴＧＡ（１５Ｔｏｒｒ）のグラフである。
【図7】ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）とＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）との混合物（６．５：１）のＴＧＡ（１５Ｔｏｒｒ）のグラフである。
【図8】ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）とＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）との混合物のＣ６Ｄ６中での１Ｈ ＮＭＲスペクトルである。
【図9】１２５℃～２５０℃の温度における１サイクルあたりの成長（ＧＰＣ）の結果である。
【図10】１２５℃～２５０℃の温度で堆積されたＬｉ３ＰＯ４膜のＸＰＳの結果である。
【図11】Ｏ３を用いて１２５℃～２５０℃の温度で堆積されたＬｉ３ＰＯ４膜の屈折率（ＲＩ）の結果である。
【図12】Ｏ３を用いた１５０℃におけるＧＰＣの結果である。
【図13】Ｏ３を用いて１５０℃で堆積されたＬｉ３ＰＯ４膜のＲＩの結果である。
【図14】Ｏ３を用いた１３５℃におけるＧＰＣの結果である。
【図15】Ｏ３を用いて１３５℃で堆積されたＬｉ３ＰＯ４膜のＲＩの結果である。
【図16】ＴｉＮ基板上での１３５℃におけるＸＰＳの結果である。
【図17】Ｏ３なしの１３５℃におけるＸＰＳの結果である。
【発明を実施するための形態】
【0040】
ケイ素フリーのリチウム前駆体を含むリチウム含有膜、アイレット、又はクラスター形成組成物、ケイ素フリーのリチウム前駆体の合成方法、及びケイ素フリーのリチウム前駆体を使用してリチウム含有膜、アイレット、又はクラスターを堆積させる方法が開示される。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、１５０℃未満で液体であり、好ましくは約５０℃で液体であり、最も好ましくは約２５℃又は室温で液体である。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、ＡＬＤ及びＣＶＤ用途に適している。
【0041】
開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、下記一般式を有する：
［Ｌｉ－ＮＬ１Ｌ２－Ｄｘ］ｙ （Ｉ）
（式中、
Ｌ１は、一般式：ＣｍＨｎ、（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２）、又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１）を有し、
・ＣｍＨｎは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ及びｎは独立した整数であり、１≦ｍ≦１６であり、１≦ｎ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｌ２は、一般式：（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４、又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３を有し、
・ＣｐＨｑは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｐ及びｑは独立した整数であり、１≦ｐ≦１６であり、１≦ｑ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ３及びＲ４は、それぞれ、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され；
ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）。
［Ｌｉ－ＮＬ１Ｌ２－Ｄｘ］ｙ （Ｉ）
（式中、
Ｌ１は、一般式：ＣｍＨｎ、（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２）、又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１）を有し、
・ＣｍＨｎは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ及びｎは独立した整数であり、１≦ｍ≦１６であり、１≦ｎ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｌ２は、一般式：（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４、又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３を有し、
・ＣｐＨｑは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｐ及びｑは独立した整数であり、１≦ｐ≦１６であり、１≦ｑ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ３及びＲ４は、それぞれ、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され；
ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）。
【0042】
好ましくは、一般式（Ｉ）において、それぞれ、Ｄは単座又は二座であり；ＥはＮ、Ｂであり；Ｅ’はＯ、Ｓであり；ｍは１≦ｍ≦８であり、ｎは２≦ｎ≦１６であり；ｐは１≦ｍ≦８であり、ｑは２≦ｎ≦１６である。
【0043】
より好ましくは、開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、一般式（Ｉ）を有し、式中、
Ｌ１は、Ｃ１～Ｃ１６の直鎖、分岐、若しくは環状の炭素鎖、又は（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２若しくは（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１の形態であり：
（式中、
・ＣｍＨｎはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
・ＥはＢ、Ｎを表し；
・Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
・ｍは、値が１である整数であるか、１～８の範囲の整数であり；
・ｎは、２～１６の範囲の独立した整数であり；
・Ｒ１は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択され；
・Ｒ２は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｌ２は、（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３の形態であり
（式中、
・ＣｐＨｑはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
・ＥはＢ、Ｎを表し；
・Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
・ｐ及びｑは、１～１６の範囲の独立した整数であり、好ましくはｐは１～８に含まれ、ｑは２～１６に含まれ、最も好ましくはｐはｍとは異なり；
・Ｒ３及びＲ４は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され、好ましくは単座又は二座であり；
ｘは、０～４に含まれる整数であり；
ｙは分子の結合度を表し、１～６に含まれる；
ただし、
ｘ＝０、ｐ＝２、ｑ＝４、Ｅ＝Ｎであり、Ｌ２、Ｒ３、及びＲ４の両方がメチルである場合は除外され；
ｘ＝０、ｐ＝２又は３、ｑ＝４又は６、Ｅ＝Ｎ、Ｌ２＝三級ブチル、Ｒ３及びＲ４がメチルである場合は除外され；
ｘ＝０、ｍ＝ｐ＝２、ｎ＝ｑ＝４、Ｅ＝Ｎ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の両方がメチルである場合は除外され；
ｘ＝０、ｍ＝ｐ＝２、ｎ＝ｑ＝４、Ｅ’＝Ｏ、Ｒ１とＲ３の両方がメチルである場合は除外され；
ｘ＝０、ｍ＝２、ｎ＝４、Ｅ’＝Ｏ、Ｒ１がメチルである場合は除外され；
Ｌ１＝Ｍｅ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝Ｅｔ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｉＰｒ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＭｅＨＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨＭｅ、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝｛ＣｍＨｎ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ１とＲ２の両方がＭｅ｝、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝｛ＣｍＨｎ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ１とＲ２の両方がＥｔ｝、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＥｔ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝Ｍｅ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ’＝Ｏ、Ｒ３がＭｅ｝、ｘ＝０は除外される。
Ｌ１は、Ｃ１～Ｃ１６の直鎖、分岐、若しくは環状の炭素鎖、又は（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２若しくは（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１の形態であり：
（式中、
・ＣｍＨｎはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
・ＥはＢ、Ｎを表し；
・Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
・ｍは、値が１である整数であるか、１～８の範囲の整数であり；
・ｎは、２～１６の範囲の独立した整数であり；
・Ｒ１は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択され；
・Ｒ２は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｌ２は、（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３の形態であり
（式中、
・ＣｐＨｑはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
・ＥはＢ、Ｎを表し；
・Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
・ｐ及びｑは、１～１６の範囲の独立した整数であり、好ましくはｐは１～８に含まれ、ｑは２～１６に含まれ、最も好ましくはｐはｍとは異なり；
・Ｒ３及びＲ４は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され、好ましくは単座又は二座であり；
ｘは、０～４に含まれる整数であり；
ｙは分子の結合度を表し、１～６に含まれる；
ただし、
ｘ＝０、ｐ＝２、ｑ＝４、Ｅ＝Ｎであり、Ｌ２、Ｒ３、及びＲ４の両方がメチルである場合は除外され；
ｘ＝０、ｐ＝２又は３、ｑ＝４又は６、Ｅ＝Ｎ、Ｌ２＝三級ブチル、Ｒ３及びＲ４がメチルである場合は除外され；
ｘ＝０、ｍ＝ｐ＝２、ｎ＝ｑ＝４、Ｅ＝Ｎ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の両方がメチルである場合は除外され；
ｘ＝０、ｍ＝ｐ＝２、ｎ＝ｑ＝４、Ｅ’＝Ｏ、Ｒ１とＲ３の両方がメチルである場合は除外され；
ｘ＝０、ｍ＝２、ｎ＝４、Ｅ’＝Ｏ、Ｒ１がメチルである場合は除外され；
Ｌ１＝Ｍｅ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝Ｅｔ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｉＰｒ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＭｅＨＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨＭｅ、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝｛ＣｍＨｎ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ１とＲ２の両方がＭｅ｝、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝｛ＣｍＨｎ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ１とＲ２の両方がＥｔ｝、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＥｔ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝Ｍｅ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ’＝Ｏ、Ｒ３がＭｅ｝、ｘ＝０は除外される。
【0044】
一般式（Ｉ）で示される開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体の例示的な例としては、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）
などが挙げられる。
【化1】
【0045】
開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体としては、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２及びＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２及びＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）が挙げられる。
【0046】
開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体はＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体はＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）である。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体はＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）である。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体はＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）である。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体はＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２である。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体はＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２である。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体はＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２である。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体はＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２である。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体はＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅＥｔ）２である。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体はＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体はＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体はＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体はＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体はＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体はＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体はＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２である。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体はＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体はＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２である。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体はＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体はＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）
である。
【化2】
【0047】
開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、異なる会合又は組み合わせを有する単量体、二量体、又は三量体の形態で配合することができる。
【0048】
更に、開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、以下の下位概念の式によって特定することができる。
【0049】
一実施形態では、開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、式（Ｉ）においてＬ１＝ＣｍＨｎ；Ｌ２＝（ＣｐＨｑ）－ＮＲ１Ｒ２である、下記一般式を有するリチウムアミノアミドであってよい：
［Ｌｉ－Ｎ（ＣｍＨｎ）（（ＣｐＨｑ）－ＮＲ１Ｒ２）－Ｄｘ］ｙ （ＩＩ）
（式中、
・ＣｍＨｎ及びＣｐＨｑは、それぞれ独立して直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ、ｎ、ｐ、ｑはそれぞれ独立して整数であり、１≦ｍ≦１６、１≦ｎ≦１６、１≦ｐ≦１６、１≦ｑ≦１６、好ましくはｎ＝２ｍ＋１及び／又はｑ＝２ｐ、より好ましくは１≦ｍ≦８、１≦ｐ≦８、２≦ｎ≦１６、２≦ｑ≦１６であり；
・Ｒ１及びＲ２は、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換されている直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基から独立して選択され；
・Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の、好ましくは単座又は二座の中性配位配位子系から独立して選択され；
・ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
・ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）。
［Ｌｉ－Ｎ（ＣｍＨｎ）（（ＣｐＨｑ）－ＮＲ１Ｒ２）－Ｄｘ］ｙ （ＩＩ）
（式中、
・ＣｍＨｎ及びＣｐＨｑは、それぞれ独立して直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ、ｎ、ｐ、ｑはそれぞれ独立して整数であり、１≦ｍ≦１６、１≦ｎ≦１６、１≦ｐ≦１６、１≦ｑ≦１６、好ましくはｎ＝２ｍ＋１及び／又はｑ＝２ｐ、より好ましくは１≦ｍ≦８、１≦ｐ≦８、２≦ｎ≦１６、２≦ｑ≦１６であり；
・Ｒ１及びＲ２は、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換されている直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基から独立して選択され；
・Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の、好ましくは単座又は二座の中性配位配位子系から独立して選択され；
・ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
・ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）。
【0050】
一般式（ＩＩ）で示される開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体の例示的な例としては、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）；ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）；ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）などが挙げられる。これらの分子は単量体の形態であってよいが、二量体や三量体などの異なる会合で形成されていてもよい。
【0051】
或いは、開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、式（Ｉ）においてＬ１＝（ＣｍＨｎ）－ＮＲ１Ｒ２；Ｌ２＝（ＣｐＨｑ）－ＮＲ３Ｒ４である、下記一般式を有するリチウムジアミノアミドであってよい：
［Ｌｉ－Ｎ（（ＣｍＨｎ）－ＮＲ１Ｒ２）（（ＣｐＨｑ）－ＮＲ３Ｒ４）－Ｄｘ］ｙ （ＩＩＩ）
（式中、
・ＣｍＨｎ及びＣｐＨｑは、それぞれ独立して直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ、ｎ、ｐ、ｑはそれぞれ独立して整数であり、１≦ｍ≦１６、１≦ｎ≦１６、１≦ｐ≦１６、１≦ｑ≦１６、好ましくはｎ＝２ｍ及び／又はｑ＝２ｐ、より好ましくは１≦ｍ≦４、１≦ｐ≦４、２≦ｎ≦８、２≦ｑ≦８であり；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換されている直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からそれぞれ独立して選択され；
・Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系であり、好ましくはＤは単座又は二座であり；
・ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
・ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）。
［Ｌｉ－Ｎ（（ＣｍＨｎ）－ＮＲ１Ｒ２）（（ＣｐＨｑ）－ＮＲ３Ｒ４）－Ｄｘ］ｙ （ＩＩＩ）
（式中、
・ＣｍＨｎ及びＣｐＨｑは、それぞれ独立して直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ、ｎ、ｐ、ｑはそれぞれ独立して整数であり、１≦ｍ≦１６、１≦ｎ≦１６、１≦ｐ≦１６、１≦ｑ≦１６、好ましくはｎ＝２ｍ及び／又はｑ＝２ｐ、より好ましくは１≦ｍ≦４、１≦ｐ≦４、２≦ｎ≦８、２≦ｑ≦８であり；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換されている直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からそれぞれ独立して選択され；
・Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系であり、好ましくはＤは単座又は二座であり；
・ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
・ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）。
【0052】
一般式（ＩＩＩ）で示される開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体の例示的な例としては、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）などが挙げられる。
【0053】
或いは、開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、式（Ｉ）においてＬ１＝ＣｍＨｎ；Ｌ２＝（ＣｐＨｑ）－ＯＲ１である、下記一般式を有するリチウムアルコキシアミドであってよい：
［Ｌｉ－Ｎ（ＣｍＨｎ）（（ＣｐＨｑ）－ＯＲ１）－Ｄｘ］ｙ （ＩＶ）
（式中、
・ＣｍＨｎ及びＣｐＨｑは、それぞれ独立して直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ、ｎ、ｐ、ｑはそれぞれ独立して整数であり、１≦ｍ≦１６、１≦ｎ≦１６、１≦ｐ≦１６、１≦ｑ≦１６、好ましくはｎ＝２ｍ＋１及び／又はｑ＝２ｐ、より好ましくは１≦ｍ≦８、１≦ｐ≦８、２≦ｎ≦１６、２≦ｑ≦１６であり；
・Ｒ１は、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換されている直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基から独立して選択され；
・Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の、好ましくは単座又は二座の中性配位配位子系から独立して選択され；
・ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
・ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）。
［Ｌｉ－Ｎ（ＣｍＨｎ）（（ＣｐＨｑ）－ＯＲ１）－Ｄｘ］ｙ （ＩＶ）
（式中、
・ＣｍＨｎ及びＣｐＨｑは、それぞれ独立して直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ、ｎ、ｐ、ｑはそれぞれ独立して整数であり、１≦ｍ≦１６、１≦ｎ≦１６、１≦ｐ≦１６、１≦ｑ≦１６、好ましくはｎ＝２ｍ＋１及び／又はｑ＝２ｐ、より好ましくは１≦ｍ≦８、１≦ｐ≦８、２≦ｎ≦１６、２≦ｑ≦１６であり；
・Ｒ１は、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換されている直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基から独立して選択され；
・Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の、好ましくは単座又は二座の中性配位配位子系から独立して選択され；
・ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
・ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）。
【0054】
一般式（ＩＶ）で示される開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体の例示的な例としては、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）
などが挙げられる。
【化3】
【0055】
或いは、開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、式（Ｉ）においてＬ１＝（ＣｍＨｎ）－ＯＲ１；Ｌ２＝（ＣｐＨｑ）－ＯＲ２である、下記一般式を有するリチウムジアルコキシアミドであってよい：
［Ｌｉ－Ｎ（（ＣｍＨｎ）－ＯＲ１）（（ＣｐＨｑ）－ＯＲ２）－Ｄｘ］ｙ （Ｖ）
（式中、
・ＣｍＨｎ及びＣｐＨｑは、それぞれ独立して直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ、ｎ、ｐ、ｑはそれぞれ独立して整数であり、１≦ｍ≦１６、１≦ｎ≦１６、１≦ｐ≦１６、１≦ｑ≦１６、好ましくはｎ＝２ｍ及び／又はｑ＝２ｐ、より好ましくは１≦ｍ≦４、１≦ｐ≦４、２≦ｎ≦８、２≦ｑ≦８であり；
・Ｒ１及びＲ２は、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換されている直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からそれぞれ独立して選択され；
・Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の、好ましくは単座又は二座の中性配位配位子系から独立して選択され；
・ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
・ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）。
［Ｌｉ－Ｎ（（ＣｍＨｎ）－ＯＲ１）（（ＣｐＨｑ）－ＯＲ２）－Ｄｘ］ｙ （Ｖ）
（式中、
・ＣｍＨｎ及びＣｐＨｑは、それぞれ独立して直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ、ｎ、ｐ、ｑはそれぞれ独立して整数であり、１≦ｍ≦１６、１≦ｎ≦１６、１≦ｐ≦１６、１≦ｑ≦１６、好ましくはｎ＝２ｍ及び／又はｑ＝２ｐ、より好ましくは１≦ｍ≦４、１≦ｐ≦４、２≦ｎ≦８、２≦ｑ≦８であり；
・Ｒ１及びＲ２は、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換されている直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からそれぞれ独立して選択され；
・Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の、好ましくは単座又は二座の中性配位配位子系から独立して選択され；
・ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
・ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）。
【0056】
一般式（Ｖ）で示される開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体の例示的な例としては、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２などが挙げられる。
【0057】
或いは、開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、式（Ｉ）においてＬ１＝（ＣｍＨｎ）－ＮＲ１Ｒ２；Ｌ２＝（ＣｐＨｑ）－ＯＲ３である、下記一般式を有するリチウムアミノアルコキシアミド錯体であってよい：
［Ｌｉ－Ｎ（（ＣｍＨｎ）－ＮＲ１Ｒ２）（（ＣｐＨｑ）－ＯＲ３）－Ｄｘ］ｙ （ＶＩ）
（式中、
・ＣｍＨｎ及びＣｐＨｑは、それぞれ独立して直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ、ｎ、ｐ、ｑはそれぞれ独立して整数であり、１≦ｍ≦１６、１≦ｎ≦１６、１≦ｐ≦１６、１≦ｑ≦１６、好ましくはｎ＝２ｍ及び／又はｑ＝２ｐ、より好ましくは１≦ｍ≦４、１≦ｐ≦４、２≦ｎ≦８、２≦ｑ≦８であり；
・Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換されている直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からそれぞれ独立して選択され；
・Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の、好ましくは単座又は二座の中性配位配位子系から独立して選択され；
・ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
・ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）。
［Ｌｉ－Ｎ（（ＣｍＨｎ）－ＮＲ１Ｒ２）（（ＣｐＨｑ）－ＯＲ３）－Ｄｘ］ｙ （ＶＩ）
（式中、
・ＣｍＨｎ及びＣｐＨｑは、それぞれ独立して直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ、ｎ、ｐ、ｑはそれぞれ独立して整数であり、１≦ｍ≦１６、１≦ｎ≦１６、１≦ｐ≦１６、１≦ｑ≦１６、好ましくはｎ＝２ｍ及び／又はｑ＝２ｐ、より好ましくは１≦ｍ≦４、１≦ｐ≦４、２≦ｎ≦８、２≦ｑ≦８であり；
・Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換されている直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からそれぞれ独立して選択され；
・Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の、好ましくは単座又は二座の中性配位配位子系から独立して選択され；
・ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
・ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）。
【0058】
一般式（ＶＩ）で示される開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体の例示的な例としては、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）などが挙げられる。
【0059】
開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、良好な揮発性及び熱安定性を示す。更に、開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、液体又は低融点の固体とすることができる。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体の低融点は、＜１５０℃、好ましくは８０℃未満、より好ましくは約２５℃であってよい。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、ＡＬＤ及びＣＶＤ用途のための使用に好都合である。
【0060】
開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、それらの融点を低下させ、且つそれらの揮発性を増加させるために、キレート官能基を有する。より具体的には、開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体の電子的及び立体的特性のための中性ドナーとして、例えば窒素又は酸素キレート官能基が導入された。したがって、開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体の配位圏は、より飽和しており、オリゴマー化する可能性が低い。したがって、ＡＬＤ又はＣＶＤプロセスが目的とされる場合、開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体の蒸気を、堆積反応器の中により効果的に供給することができ、それにより、堆積時間が短縮され、高い均一性及びコンフォーマル性を有する堆積膜又はアイレットが得られる。
【0061】
開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、一般的に自然発火性ではないようにすることができる。自然発火性物質は５５℃以下の空気中で自然発火し、産業界における実施に重要な安全上の懸念を引き起こす。更に、開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体の改善された揮発性のため、開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体を使用するＬｉ含有層の凝縮及び堆積なしの開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体の供給は、１００℃～１５０℃の温度範囲で行うことができる。改善された揮発性などの開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体の特性は、別個の供給システム又は同じ供給システムのいずれかを介して、有機金属前駆体と一緒に堆積反応器に供給することを可能にする。リチウムイオン電池電極などの温度の影響を受けやすい基板上で、Ｌｉ含有膜、アイレット、又はクラスターの形成を行うことができる。
【0062】
我々の知る限り、リチウム含有層を形成するためのＣＶＤ及びＡＬＤプロセスなどの堆積プロセスにおける、一般式（Ｉ）～（ＶＩ）に記載の開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体の使用が本明細書で最初に開示される。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯＨ、Ｌｉ２Ｓ、Ｌｉ３Ｎ、ＬｉＦ、炭酸リチウム、フッ化リチウムアルミニウム、リチウムアルミニウム酸化物、リチウムアルミニウム、リチウムコバルト酸化物、チタン酸リチウム、ジルコン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ＬｉＰＯＮ、リン酸リチウム、ホウ酸リチウム、ホウリン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、リチウムジルコニウム酸化物などのＬｉ含有膜又はアイレットを形成するために、ＡＬＤ又はＣＶＤなどの化学堆積法で、個別に、又はエナンチオマー若しくはアステレオ異性体、異なるリチウム前駆体、リチウム前駆体、及び金属前駆体との混合物で、溶液で又は非溶液で使用することができる。
【0063】
好ましくは、開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、２３℃で約０．１Ｔｏｒｒから２３℃で約１，０００Ｔｏｒｒの範囲の蒸気圧、２０℃未満の融点（好ましくは室温で液体形態）、より好ましくは凍結／解凍の問題を防ぐために－２０℃未満の融点など、蒸着法に適した特性を有し、使用可能な蒸気圧（１～１００Ｔｏｒｒ）を得るために必要な温度で１週間あたり０体積％又はｖ／ｖから１％ｖ／ｖの分解を示す。
【0064】
開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は理想的には液体であり、バブラー又は直接液体注入システムで気化されるが、Ｘｕらの国際公開第２００９／０８７６０９号パンフレットに開示されているものなどの昇華器を使用する、ＡＬＤ／ＣＶＤ前駆体気化のための固体前駆体の使用も可能である。或いは、直接液体注入システムで利用するために使用可能な融点及び粘度に到達させるために、固体前駆体を溶媒に混合又は溶解することができる。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は理想的には液体であるものの、スプレーコーティング、スリットコーティング、及びスピンオン堆積などの液相堆積技術のための固体前駆体を、反応器の中に前駆体溶液を流動させるために使用可能な融点及び粘度に到達させるために、溶媒に混合又は溶解することができる。
【0065】
プロセスの信頼性を確保するために、開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、約９３重量％又はｗ／ｗ～約１００％ｗ／ｗの範囲、好ましくは約９９％ｗ／ｗから約９９．９９９％ｗ／ｗの範囲、より好ましくは約９９％ｗ／ｗから約１００％ｗ／ｗの範囲の純度まで、使用前に連続若しくは分別バッチ蒸留又は昇華によって精製することができる。当業者は、純度が１Ｈ ＮＭＲ又は質量分析を伴うガス若しくは液体クロマトグラフィーによって決定され得ることを認識するであろう。Ｌｉ含有膜、アイレット、又はクラスター形成組成物は、以下の不純物：アンモニウム塩、アルキルアミン、ジアルキルアミン、アルキルイミン、ＴＨＦ、エーテル、ペンタン、シクロヘキサン、ヘプタン、トルエン、ハロゲン化金属化合物のいずれかを含み得る。好ましくは、これらの不純物の合計量は０．１％ｗ／ｗ未満である。精製された組成物は、再結晶、昇華、蒸留によって、及び／又はガス若しくは液体を４Åモレキュラーシーブなどの適切な吸着剤に通すことによって、製造することができる。
【0066】
開示されるＬｉ含有膜、アイレット、又はクラスター形成組成物は、５％ｖ／ｖ未満、好ましくは１％ｖ／ｖ未満、より好ましくは０．１％ｖ／ｖ未満、更に好ましくは０．０１％ｖ／ｖ未満の任意のその類似体又は他の反応生成物を含む。この実施形態は、より良いプロセス再現性を提供し得る。この実施形態は、Ｌｉ含有膜、アイレット、又はクラスター形成組成物の蒸留によって製造することができる。
【0067】
精製されたＬｉ含有膜、アイレット、又はクラスター形成組成物中の微量金属及び半金属の濃度は、それぞれ独立して約０ｐｐｂｗ～約１００ｐｐｂｗ、より好ましくは約０ｐｐｂｗ～約１０ｐｐｂｗの範囲であってよい。これらの金属又は半金属不純物としては、限定するものではないが、アルミニウム（Ａｌ）、ヒ素（Ａｓ）、バリウム（Ｂａ）、ベリリウム（Ｂｅ）、ビスマス（Ｂｉ）、カドミウム（Ｃｄ）、カルシウム（Ｃａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、インジウム（Ｉｎ）、鉄（Ｆｅ）、鉛（Ｐｂ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、トリウム（Ｔｈ）、スズ（Ｓｎ）、チタン（Ｔｉ）、ウラン（Ｕ）、バナジウム（Ｖ）、及び亜鉛（Ｚｎ）が挙げられる。精製されたＬｉ含有膜、アイレット、又はクラスター形成組成物中のＸの濃度（Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ）は、約０ｐｐｍｗ～約１００ｐｐｍｗ、より好ましくは約０ｐｐｍｗ～約１０ｐｐｍｗの範囲であってよい。
【0068】
開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は水分に非常に敏感であり、水に遭遇すること分解する可能性があるため、開示されるＬｉ含有膜、アイレット、又はクラスター形成組成物の水への曝露を防ぐように注意を払う必要がある。
【0069】
開示されるＬｉ含有膜、アイレット、又はクラスター形成組成物を、ＡＬＤ又はＣＶＤ技術などの蒸着のために使用する方法も開示される。開示される方法は、Ｌｉ含有膜又はアイレットの堆積のための、Ｌｉ含有膜、アイレット、又はクラスター形成組成物の使用を提供する。開示される方法は、リチウムイオン電池産業における電極材料の製造に有用な場合がある。
【0070】
開示されるＬｉ含有膜、アイレット、又はクラスター形成組成物は、当業者に公知の任意の堆積方法を使用して、Ｌｉ含有膜又はアイレットを堆積するために使用することができる。適切な堆積方法の例としては、プラズマ処理を伴う又は伴わない化学蒸着（ＣＶＤ）若しくは原子層堆積（ＡＬＤ）、又は液体ベースの堆積が挙げられる。例示的なＣＶＤ法には、熱ＣＶＤ、パルスＣＶＤ（ＰＣＶＤ）、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）、準大気圧ＣＶＤ（ＳＡＣＶＤ）又は大気圧ＣＶＤ（ＡＰＣＶＤ）、熱線ＣＶＤ若しくはホットフィラメントＣＶＤ（ｃａｔ－ＣＶＤとしても知られていており、熱線が堆積プロセスのエネルギー源としての役割を果たす）、ホットウォールＣＶＤ、コールドウォールＣＶＤ、エアロゾル支援ＣＶＤ、直接液体注入ＣＶＤ、燃焼ＣＶＤ、ハイブリッド物理ＣＶＤ、有機金属ＣＶＤ、急熱ＣＶＤ、光開始ＣＶＤ、レーザーＣＶＤ、ラジカル組み込みＣＶＤ、プラズマ強化ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ、限定するものではないが、流動性ＰＥＣＶＤなど）、及びこれらの組み合わせが含まれる。例示的なＡＬＤ法には、熱ＡＬＤ、プラズマ強化ＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）、空間分離ＡＬＤ、テンポラルＡＬＤ、選択的若しくは非選択的ＡＬＤ、熱線ＡＬＤ（ＨＷＡＬＤ）、ラジカル組み込みＡＬＤ、及びこれらの組み合わせが含まれる。超臨界流体堆積も使用することができる。堆積方法は、適切なステップカバレッジ及び膜厚の制御を行えるようにするために、好ましくは、ＡＬＤ、ＰＥ－ＡＬＤ、又は空間的ＡＬＤである。液体ベースの堆積は、スピンオン堆積（ＳＯＤ）、スプレー堆積、ディップコーティング、スリットコーティングによって例示される。
【0071】
堆積方法は、基板への堆積方法の高エネルギー影響のため、基板に害を及ぼさないように選択する必要がある。堆積は、様々な関連する産業用途で必要とされるため、堆積は、均一及び又はコンフォーマルである必要があり、また少なくとも欠陥のない層又はピンホールのない層が得られる必要がある。そのような用途は、他の材料又は層の間の電子障壁としての場合があり、その結果、障壁を横切る電気的な漏れが存在しないか、或いはいくつかの用途では、分離することが望まれる層間の物理的接触が存在しない。リチウムイオンの通過を可能にする電解質がリチウム含有層を分離するが、電池効率の不可逆的な低下を回避するために層間で物理的又は電気的接触を行わない、リチウムイオン電池技術において欠陥のない層を提供することが特に重要である。したがって、層の品質を制御することの重要性が重要になるように、層は最小のイオン抵抗を提供する必要がある。
【0072】
堆積プロセスは、当該技術分野で公知の単一基板、バッチ、ロールツーロール又は空間ＡＬＤ反応器のような、平坦な又は準平坦な表面を処理する反応器において行われ得る。電池の電極活物質に均一にコーティングを行うために、ＡＬＤ又はＣＶＤ技術と組み合わせた粉末反応器の使用もますます検討されてきている。コーティング反応が行われる流動ゾーンを形成するために、垂直反応チャンバーを使用することができる。流動床中の粉末粒子は互いに張り付く傾向があり、より大きな粒子塊、凝集体を形成することが観察されている。凝集体の形成を妨げるために、振動するガス流が使用され、その結果、振動する注意深く選択されたガス流が反応チャンバー内に供給される。ヘルムホルツ共鳴の原理によれば、流入するガスの流れはキャビティの上方及びキャビティの中に向けられ、流出するガスの流れに振動を引き起こす。凝集体の形成を妨げるために、流出する振動ガス流が反応チャンバーの中に導かれる。
【0073】
基板上にＬｉ含有層を形成するための開示される方法は、基板を反応器内に配置すること、開示されるＬｉ含有膜、アイレット、又はクラスター形成組成物の蒸気を反応器に供給すること、蒸気を基板と接触させて（及び典型的には蒸気を基板に向けて）基板の表面にＬｉ含有層を形成すること、を含む。
【0074】
開示される方法は、蒸着プロセスを使用して、より具体的には、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＺｒＯｘ層の堆積のために、基板上にバイメタル含有層を形成することを含み得る。開示される方法は、リチウムイオン電池の製造に有用な場合がある。
【0075】
Ｌｉ含有膜、アイレット、又はクラスター形成組成物の蒸気が生成され、次いで、基板が入っている反応チャンバー内に導入される。反応チャンバー内の温度及び圧力、並びに基板の温度は、ケイ素フリーのＬｉ含有前駆体の少なくとも一部を基板上に蒸着するのに適した条件に保たれる。言い換えると、気化した組成物を反応チャンバーに導入した後、前駆体の少なくとも一部が基板上に堆積してＬｉ含有層を形成するように、反応チャンバー内の条件が調整される。当業者は、「前駆体の少なくとも一部が堆積される」が、前駆体の一部又は全てが基板と反応するか、又は基板に付着することを意味することを認識するであろう。
【0076】
反応チャンバー又は反応器は、限定するものではないが、平行板型反応器、コールドウォール型反応器、ホットウォール型反応器、単一ウェハー反応器、複数ウェハー反応器、又は他のそのようなタイプの堆積システムなどの、堆積方法が行われるデバイスの任意のエンクロージャ又はチャンバーであってよい。全てのこれらの例示的な反応チャンバーは、ＡＬＤ又はＣＶＤ反応チャンバーとして機能することができる。反応チャンバーは、全てのＡＬＤ及び大気圧未満ＣＶＤでは、約０．５ｍＴｏｒｒ～約２０Ｔｏｒｒの範囲の圧力に維持することができる。大気圧未満ＣＶＤ及び大気圧ＣＶＤの圧力は、最大７６０Ｔｏｒｒ（大気圧）の範囲とすることができる。更に、反応チャンバー内の温度は、約０℃などの室温より低い温度から約６００℃までの範囲であってよい。好ましくは、反応チャンバー内の温度は、約１５℃～約６００℃の範囲であってよい。より好ましくは、反応チャンバー内の温度は、約２０℃～約６００℃の範囲であってよい。当業者は、望みの結果を得るために、単なる実験によって温度が最適化され得ることを認識するであろう。
【0077】
反応器の温度は、基板ホルダーの温度を制御することによって、或いは反応器壁の温度を制御することによって制御することができる。基板を冷却又は加熱するために使用されるデバイスは、当該技術分野で公知である。反応器の壁は、十分な成長速度で、且つ望まれる物理的状態及び組成で、望まれる膜、アイレット、又はクラスターを得るのに十分な温度まで加熱される。反応器壁を加熱することができる非限定的な例示的な温度範囲には、約２０℃～約６００℃が含まれる。或いは、反応器壁を加熱することができる非限定的な例示的な温度範囲には、約２０℃～約１０００℃が含まれる。或いは、反応器壁を加熱することができる非限定的な例示的な温度には約５００℃以上が含まれる。プラズマ堆積プロセスが利用される場合、堆積温度は、約２０℃～約５５０℃、好ましくは約１２５℃～約２５０℃の範囲であってよい。或いは、熱的プロセスが行われる場合、堆積温度は、約３００℃～約８００℃、好ましくは約４００℃～約６００℃の範囲であってよい。
【0078】
或いは、十分な成長速度で、望まれる物理的状態及び組成を有する望まれるＬｉ含有膜を得るために、基板を十分な温度まで加熱することができる。基板を加熱することができる非限定的な例示的な温度範囲には、室温から約６００℃が含まれる。好ましくは、基板の温度は５００℃以下のままである。
【0079】
反応器は、膜又はアイレットが上に堆積される１つ以上の基板を含む。基板は、一般的に、プロセスがその上で行われる材料として定義される。基板は、半導体又はリチウム電池産業で使用される任意の適切な基板であってよい。適切な基板の例としては、シリコン、シリカ、ガラス基板などのウェハー又は支持体が挙げられる。支持体は、前の製造工程からその上に堆積された異なる材料の１つ以上の層を有し得る。例えば、支持体は、シリコン層（結晶性、アモルファス、多孔質など）、シリコン酸化物層、シリコン窒化物層、シリコンオキシ窒化物層、炭素ドープシリコン酸化物（ＳｉＣＯＨ）層、又はこれらの組み合わせを含み得る。リチウム電池産業で使用される本開示のケイ素フリーのＬｉ含有前駆体は、グラファイト、ドープされたグラファイト、特にＳｉドープされたグラファイト、シリコン及びシリコン合金、又は金属酸化物（特にリチウムニッケル酸化物、リチウムニッケルマンガン酸化物、リチウムニッケルコバルト酸化物、リチウムニッケルコバルトマンガン酸化物、リチウムニッケルコバルトアルミニウム酸化物）から作られたグラファイト、リチウム鉄リン酸塩、並びにドーパントを含む対応する材料、又はそれらの組み合わせから製造された粉末上に堆積することができる。更に、ウェハーは銅層又は貴金属層（例えば白金、パラジウム、ロジウム、又は金）を含み得る。層は、ＭＥＭＳ、ＭＩＭ、ＤＲＡＭ、ＲＦフロントエンドモジュール、又はＦｅＲａｍ技術で誘電体材料として使用される酸化物を含み得る。下地材料は、ニッケル酸化物、マンガン酸化物、コバルト酸化物、グラファイト又はアモルファスカーボンなどを含み得る。ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート）［ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ］などのプラスチック層も使用され得る。層は、平面状であっても、球状であっても、丸みを帯びていても、パターン化されていてもよく、或いは規則的な構造を有さなくてもよい（上記を参照）。例えば、層は、水素化炭素、例えばＣＨｘ（ｘはゼロより大きい）から作られた下地材料であってよい。好ましい下地材料は、グラファイト又はアモルファスカーボン、リチウムニッケルマンガン酸化物、リチウムニッケルマンガンコバルト酸化物、リチウムニッケルコバルトアルミニウム酸化物である。
【0080】
開示される方法は、Ｌｉ含有層を支持体上に直接、又は支持体の上の１つ以上の層上に直接堆積させることができる。基板はパターン化されていてもよく、複雑な三次元構造を含んでいてもよい。例えば、ＬｉなどのコンフォーマルなＬｉ含有膜は、約２０：１～約１００：１の範囲のアスペクト比を有する任意のＡＬＤ／ＣＶＤ技術を使用して堆積させることができる。更に、当業者は、本明細書で使用される「膜」又は「層」という用語が、表面上に配置されているか広がっている何らかの材料の厚さを指し、その表面はトレンチ又はラインであってよいことを認識するであろう。本明細書及び特許請求の範囲全体を通して、ウェハー及びその上の関連する層は、基板と呼ばれる。しかしながら、多くの場合、利用される好ましい基板は、水素化炭素、シリコンベースの炭素、リチウム金属酸化物、又はＳｉ型基板から選択することができる。
【0081】
開示されるＬｉ含有膜形成組成物は、無希釈形態で、又はトルエン、エチルベンゼン、キシレン、メシチレン、デカン、ドデカン、オクタン、ヘキサン、ペンタン、三級アミン、アセトン、テトラヒドロフラン、エタノール、エチルメチルケトン、１，４－ジオキサン、若しくはその他のものなどの適切な溶媒とのブレンドのいずれかで供給され得る。開示される組成物は、溶媒中に様々な濃度で存在し得る。例えば、得られる濃度は、約０．０５Ｍ～約２Ｍの範囲であってよい。
【0082】
無希釈の又はブレンドされたＬｉ含有膜、アイレット、又はクラスター形成組成物は、チューブ及び／又は流量計などの従来の手段によって蒸気形態で反応器に供給される。蒸気形態の組成物は、直接気化や蒸留などの従来の気化工程を介して無希釈の若しくはブレンドされた組成物を気化することによって、バブリングによって、又はＸｕらの国際公開第２００９／０８７６０９号パンフレットに開示されているものなどの昇華器を使用することによって、製造することができる。無希釈の又はブレンドされた組成物は、液体状態で気化器に供給することができ、そこで気化されてから反応器に導入される。或いは、無希釈の又はブレンドされた組成物は、組成物が入っている容器の中にキャリアガスを通すことによって、又はキャリアガスを組成物の中にバブリングことによって気化させることができる。キャリアガスとしては、限定するものではないが、Ａｒ、Ｈｅ、又はＮ２、及びこれらの混合物が挙げられる。キャリアガスを用いてバブリングすると、無希釈の又はブレンドされた組成物中に存在する溶存酸素も除去することができる。その後、キャリアガス及び組成物は、蒸気として反応器に導入される。
【0083】
必要に応じて、Ｌｉ含有膜形成組成物がその液相にあり、十分な蒸気圧を有することを可能にする温度まで、容器を加熱することができる。容器は、例えば０～１５０℃の範囲の温度に維持することができる。当業者は、気化するＬｉ含有膜形成組成物の量を制御するために容器の温度を公知の方法で調整できることを認識している。
【0084】
開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体に加えて、反応物又は共反応物も反応器に導入することができる。共反応物は、Ｌｉ含有膜堆積のための酸素含有ガスであってよい。酸素含有ガスとしては、限定するものではないが、Ｏ３、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、トリメチルホスフェート、アルキルホスフェート、アルキルホスフィニミン、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、Ｏラジカル、又はこれらの組み合わせ、好ましくはＯ３又はＯ２などの酸化剤が挙げられる。典型的には、高温（例えば約５００℃以上）酸化物堆積のためにＯ３／Ｏ２混合物が使用される。更に、共反応物は、Ｎ２、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、又はアルキルヒドラジンであってよい。
【0085】
開示される蒸着プロセス（例えばＡＬＤ、ＣＶＤ）は、典型的には、反応器を不活性ガスでパージするか、又は基板を高真空下のセクター及び／又はキャリアガスカーテンに通すパージ工程を提供することによって、堆積表面から過剰の共反応物を除去する工程を含む。
【0086】
上記共反応物は、共反応物をそのラジカル形態に分解するために、プラズマによって処理することができる。Ｎ２は、プラズマで処理する場合、還元剤として利用することもできる。例えば、プラズマは、約５０Ｗ～約５００Ｗ、好ましくは約１００Ｗ～約２００Ｗの範囲の出力で生成され得る。プラズマは、反応器自体の中で生成又は存在し得る。或いは、プラズマは、通常、例えば離れて配置されたプラズマシステムにおいて、反応器から除去された場所にあってよい。当業者は、そのようなプラズマ処理に適した方法及び装置を認識するであろう。
【0087】
望まれるＬｉ含有膜が別の元素、例えば限定するものではないが、Ｐ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｒ、Ｙ、Ｂａ、Ｃａ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍｎ、ランタニド、又はこれらの組み合わせも含む場合、共反応物は、限定するものではないが。トリメチルホスフェート、アルキルホスフェート、アルキルホスフィニミンから選択される別の前駆体を含み得る。
【0088】
開示されるＬｉ含有膜、アイレット、又はクラスター形成組成物、及び１つ以上の共反応物は、同時に（例えばＣＶＤ）、逐次的に（例えばＡＬＤ）、又は他の組み合わせで反応チャンバーに導入され得る。例えば、Ｌｉ含有膜、アイレット、又はクラスター形成組成物は、１つのパルスで導入することができ、そして２つの追加の反応物が、別個のパルスで一緒に導入され得る（例えば改良型ＡＬＤ）。或いは、反応チャンバーは、開示されるＬｉ含有膜、アイレット、又はクラスター形成組成物を導入する前に、既に共反応物を含んでいてもよい。共反応物は、局所化された又は反応チャンバーから離れたプラズマシステムを通過し、ラジカルへと分解され得る。或いは、Ｌｉ含有膜、アイレット、又はクラスター形成組成物は、他の反応物がパルスによって導入されている間に、反応チャンバーに連続的に導入され得る（例えばパルスＣＶＤ）。各例において、パルスの後に、過剰量の導入された成分を除去するために、パージ工程又は排気工程が続けて行われる場合がある。開示されるＬｉ含有膜、アイレット、又はクラスター形成組成物の各パルスは、約０．０１秒～約２００秒、或いは約１秒～約１８０秒、或いは約１０秒～約１６０秒の範囲の時間継続され得る。共反応物は、反応器の中にパルス化されてもよい。そのような実施形態では、各共反応物のパルスは、約０．０１秒～約１２０秒、或いは約１秒～約３０秒、或いは約２秒～約２０秒の範囲の時間継続され得る。各例において、パージのパルスは、約０．０１秒～約５０秒、或いは約０．３秒～約３０秒、或いは約１秒～約２０秒、或いは約２秒～約１０秒の範囲の時間継続され得る。別の代替形態では、Ｌｉ含有膜、アイレット、又はクラスター形成組成物と、１つ以上の共反応物は、シャワーヘッドから同時に噴霧することができ（組成物と反応物とを混合せずに）、その下でいくつかの基材を保持しているサセプタが回転する（例えば空間ＡＬＤ）。
【0089】
１つの非限定的な例示的なＡＬＤタイプのプロセスでは、Ｌｉ含有膜、アイレット、又はクラスター形成組成物の気相が反応チャンバーに導入され、そこでケイ素フリーのＬｉ含有前駆体の少なくとも一部が、吸着されたＬｉ含有層又はアイレットを形成するために、Ｓｉ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの適切な基板と反応する。その後、反応チャンバーをパージ及び／又は排気することによって、過剰な組成物を反応チャンバーから除去することができる。Ｈ２又はＮＨ３が反応チャンバーに導入され、そこでこれは吸着されたＬｉ含有層と自己制御的な形式で反応する。過剰なＨ又はＮＨ３は、反応チャンバーをパージ及び／又は排気することによって反応チャンバーから除去される。望まれる膜がＬｉ３Ｎ膜である場合、この２段階のプロセスは、望まれる膜厚が得られるか、又は必要な厚さを有する膜が得られるまで繰り返すことができる。
【0090】
或いは、望まれるＬｉ含有膜、アイレット、又はクラスターが第２の元素を含む場合（すなわちＬｉＭ、Ｍは、Ｐ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｒ、Ｙ、Ｂａ、Ｃａ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｏ、ランタニド、又はこれらの組み合わせである）、上記２段階のプロセスに続いて、第２の前駆体の蒸気を反応チャンバーに導入することができる。第２の前駆体は、堆積されるＬｉＭ膜、アイレット、又はクラスターの性質に基づいて選択される。反応チャンバーの中への導入の後、第２の前駆体は基板と接触させられる。過剰な第２の前駆体は、反応チャンバーをパージ及び／又は排気することによって反応チャンバーから除去される。この場合も、第２の前駆体と反応させるためにＨ２又はＮＨ３を反応チャンバーに導入することができる。過剰なＨ２又はＮＨ３は、反応チャンバーをパージ及び／又は排気することによって反応チャンバーから除去される。望まれる膜、アイレット、又はクラスターの厚さが達成された場合、プロセスを終了することができる。ただし、より厚い膜、アイレット、又はクラスターが望まれる場合は、４段階のプロセス全体を繰り返すことができる。ケイ素フリーのＬｉ含有前駆体、第２の前駆体、及びＨ２又はＮＨ３の供給を交互に行うことにより、望まれる組成及び厚さの膜を堆積させることができる。
【0091】
開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、望ましくない共生成種；溶剤；塩素化金属化合物；又は他の反応生成物；である不純物のいずれかを含み得る。１つの代替形態では、これらの不純物の総量は０．１％ｗ／ｗ未満である。
【0092】
ヘキサン、ペンタン、ジメチルエーテル、又はアニソールなどの溶媒が、前駆体の合成において使用されてもよい。開示されるＳｉ含有前駆体中の溶媒の濃度は、約０％ｗ／ｗ～約５％ｗ／ｗ、好ましくは約０％ｗ／ｗ～約０．１％ｗ／ｗの範囲であってよい。両方の沸点が類似している場合、前駆体からの溶媒の分離が困難な場合がある。混合物を冷却すると、液体溶媒中に固体前駆体が生成する場合があり、これは濾過によって分離することができる。前駆体生成物がほぼその分解点を超えて加熱されない限り、真空蒸留を使用することもできる。
【0093】
１つの代替形態では、開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、５％ｖ／ｖ未満、好ましくは１％ｖ／ｖ未満、より好ましくは０．１％ｖ／ｖ未満、更に好ましくは０．０１％ｖ／ｖ未満のその望ましくない同属種、反応物、又は他の反応生成物のいずれかを含む。この代替形態は、より優れたプロセス信頼性を提供し得る。この代替形態は、開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体の蒸留によって製造することができる。
【0094】
別の代替形態では、特に混合物が改善されたプロセスパラメータを提供する場合、又は目的化合物の分離が難しすぎるか費用が掛かりすぎる場合、開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、５％ｖ／ｖ～５０％ｖ／ｖの１種以上の同種のＬｉ含有前駆体、反応物、又は他の反応生成物を含み得る。例えば、２種のＬｉ含有前駆体の混合物は、蒸着に適した安定な液体混合物を生成し得る。
【0095】
反応チャンバー内でＡＬＤ又はＣＶＤプロセスを使用して基板上にＬｉ含有層を形成するための方法又はプロセスも開示される。当業者に公知のＡＬＤ又はＣＶＤ法を使用して、Ｌｉ含有膜又はアイレットを堆積させるために、開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体を使用することができる。
【0096】
開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体を使用する開示される蒸着プロセス（例えばＡＬＤ、ＣＶＤ）は、ほぼ室温以上、好ましくは約１００℃以上、より好ましくは約２００℃以上の温度を有する基板に対して行うことができる。開示されるＬｉ含有前駆体を使用する開示されるＡＬＤプロセスは、ほぼ室温から約７５０℃、より好ましくは５０℃～約５００℃、更に好ましくは１００℃～２５０℃の温度範囲を有する基板に対して行うことができる。
【0097】
開示される前駆体を使用する開示される蒸着プロセス（例えばＡＬＤ、ＣＶＤ）における基板曝露時間は、１ミリ秒～５分、好ましくは１秒～６０秒の範囲であってよい。開示される前駆体を使用する開示されるＡＬＤプロセスにおける共反応物曝露時間は、１ミリ秒～１分、好ましくは１００ミリ秒～３０秒の範囲であってよい。
【0098】
反応チャンバー内の圧力は、前駆体が表面と反応するのに適した条件に保持される。例えば、チャンバー内の圧力は、約０．１ｍＴｏｒｒ～約１０００Ｔｏｒｒ、好ましくは約０．１Ｔｏｒｒ～約４００Ｔｏｒｒ、より好ましくは約１Ｔｏｒｒ～約１００Ｔｏｒｒ、更に好ましくは約１Ｔｏｒｒ～約１０Ｔｏｒｒで保持され得る。
【0099】
開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体及び共反応物は、逐次的に（ＡＬＤ）又は同時に（ＣＶＤ）のいずれかで反応器に導入され得る。反応器は、前駆体の導入と共反応物の導入との間に不活性ガスでパージすることができる。或いは、基板は、前駆体曝露のためのある領域から共反応物曝露のための別の領域に移動され得る（空間ＡＬＤ）。
【0100】
具体的なプロセスパラメータに応じて、堆積は、様々な長さの時間にわたって行われ得る。一般的に、堆積は、必要な厚さの膜を製造するために、望まれる限り又は必要な限り継続することができる。典型的な膜厚は、具体的な堆積プロセスに応じて、原子単分子層から数百ミクロンまで、好ましくは０．５～１００ｎｍ、より好ましくは１～５０ｎｍで変動し得る。堆積プロセスは、望まれる膜を得るために必要な回数だけ実行することもできる。
【0101】
１つの非限定的な例示的なＡＬＤタイプのプロセスでは、開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体の気相が反応器に導入され、ここでＬｉ含有前駆体が基板上に物理的に又は化学的に吸着される。次いで、反応器をパージ及び／又は排気することにより、過剰な組成物を反応器から除去することができる。望まれるガス（例えばＯ３）が反応器に導入され、ここでそれは自己制御的に物理的又は化学的に吸着された前駆体と反応する。反応器をパージ及び／又は排気することによって、全ての過剰な還元ガスが反応器から除去される。望まれる膜がＬｉ含有膜である場合、この２段階のプロセスは、望まれる膜厚を与えることができ、或いはこれは必要な厚さを有する膜が得られるまで繰り返すことができる。
【0102】
蒸着プロセスにより、開示されるケイ素フリーのＬｉ含有前駆体によって形成されるＬｉ含有膜又はアイレットは、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯＨ、Ｌｉ２Ｓ、Ｌｉ３Ｎ、ＬｉＦ、炭酸リチウム、フッ化リチウムアルミニウム、リチウムアルミニウム酸化物、リチウムアルミニウム、リチウムコバルト酸化物、チタン酸リチウム、ジルコン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ＬｉＰＯＮ、リン酸リチウム、ホウ酸リチウム、ホウリン酸リチウムなどを含む。
【0103】
開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、以下の利点を有する。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、ケイ素を含まない。最も一般的な前駆体ＬｉＨＭＤＳ、例えばＬｉ（ＳＩＭｅ３）２などのケイ素含有リチウム前駆体は非常に安定であり、十分に揮発性であるが、ケイ素は堆積した膜の中に部分的に残存する。ケイ素の存在は、ＬｉＴｉＯ３、ＬｉＮｂＯ３、又はＬｉＺｒＯｘなどの材料を形成するときに問題になる場合があり、その場合、ケイ素は、材料の誘導された無秩序に関連する有害な電気化学的特徴を生じさせ、その結果イオン伝導度を低下させる可能性がある。
【0104】
開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、高融点且つ低揮発性のリチウム源である。リチウム化合物は、溶液中及び固体状態で様々な凝集体として存在する。これらの分子は、一般的に多量体構造を有しており、典型的には三量体又は四量体であり、高分子量、高融点、低揮発性になる。例えば、ｎ－ＢｕＬｉは、ジエチルエーテル中では四量体、シクロヘキサン中では六量体である。Ｌｉ（ＳｉＭｅ３）２は固体状態で三量体として報告されており、ＬｉＯｔＢｕは六量体になるとされている。液体又は低融点の固体前駆体の使用は、産業界、特に半導体業界で周知である。更に、これらの前駆体は便利であるため、流量を正確に測定及び／又は制御することができる。前駆体があまり揮発性ではなく、そのため加熱する必要がある場合、前駆体を供給する方法は、タンク内の前駆体の一部のみを加熱して、それが迅速に供給されるようにし、前駆体の残りを「マザータンク」と呼ばれるタンク内で周囲条件に保つことである。これは、その後、実用的な方法で加熱タンクに供給されることが重要である。液体又は低融点の固体は、単純なバルブ開放で移送充填することができる。したがって、融点はＬｉ（ＯｔＢｕ）又はＬｉ（ＳｉＭｅ３）２よりも大幅に低く、例えば１５０℃未満、好ましくは８０℃未満、最も好ましくは２５℃未満にする必要がある。更に、形態の変化を考慮すると、高融点固体の安定した供給速度を実現することは困難である。小さい粒子、典型的には表面対バルクの比が高い小さな粒子は、大きな粒子よりも速く消費される。逆に、粒子が融合して、供給速度が不安定になる可能性がある。低い融点を有する開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、これらの問題を克服することができた。
【0105】
開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、湿気に非常に敏感であり且つ自然発火性のリチウム前駆体である。周知のリチウム源の１つは、アルキルリチウムやリチウムアミドなどの有機リチウム化合物である。それらは、通常、反応性が高く、湿気に敏感であり、場合によっては自然発火性の種である。特殊な安全要件が必要である。それらは、通常、溶液で市販されている。その一方で、開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、リチウム前駆体源としての有機リチウム化合物よりも特殊な安全要件をあまり必要としないようにすることができる。
【0106】
リチウム含有膜形成のための公知のＡＬＤ／ＣＶＤプロセスは、典型的には２５０℃～３５０℃の温度で進行する。この温度範囲は、活物質粉末など構成要素上に堆積が行われる場合は許容され得る。この温度範囲は、リチウムイオン電池の電極などの温度に敏感な材料への堆積には適さない場合がある。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、１５０℃未満で液体であり、好ましくは５０℃で液体であり、より好ましくは２５℃で液体であり、これはリチウムイオン電池電極などの温度に敏感な材料への堆積に適している。
【0107】
ＣＶＤ、ＡＬＤ、又は他の膜コーティング／堆積技術が使用されるか否かにかかわらず、産業界はコスト効率の高い堆積技術を求めている。プロセス時間を最小限に抑えるためには、反応器内でのリチウム及び金属前駆体の同時注入が好ましい。これらが一緒に導入される場合、これは、化学的に適合性のあるリチウムと金属前駆体とを使用することを要するであろう。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、これらの要件を満たすであろう。
【0108】
リチウム前駆体の使用についての他の興味深い用途には、Ｌｉ含有クラスター又はアイレットの形成が含まれる。いくつかの場合では、材料の電気化学的挙動を改善するためには、アイレット又はクラスターの形態の少量のＬｉ含有材料、例えば非連続的な堆積物のみで十分である。太陽電池用途又は半導体用途では、表面上の微量のリチウムが、セレン化銅インジウムガリウム（ＣＩＧＳ）、硫化銅亜鉛スズ（ＣＺＴＳ）吸収層、モリブデンやタングステンのカルコゲナイドのような２Ｄ材料などの堆積を目的とした材料の結晶成長を促し、はるかに大きなサイズの結晶子をもたらし、結果としてそれらの物理的特性、特にキャリア移動度などの電子的特性を劇的に改善することも知られている。これらの微量のリチウムは、例えば気相堆積技術を使用して、アイレット又はクラスターから形成され得る。
【実施例】
【0109】
以下の非限定的な実施例は、本発明の実施形態を更に説明するために提供される。しかしながら、これらの実施例は、全てを網羅することを意図するものではなく、本明細書に記載の発明の範囲を限定することを意図するものでもない。
【0110】
以下の実施例９～１３において、以下の条件下で堆積実験を行った。
反応器温度：０℃～６００℃；
反応器圧力：１Ｔｏｒｒ；
リチウム前駆体キャニスター温度：１１０℃；
リチウム前駆体キャニスター圧力：２０Ｔｏｒｒ；
リチウム前駆体のＮ２バブリングの流量：４０ｓｃｃｍ；
トリメチルホスフェート（ＴＭＰＯ）キャニスター温度：８０℃；
ＴＭＰＯキャニスター圧力：２０Ｔｏｒｒ；
ＴＭＰＯのＮ２バブリングの流量：４０ｓｃｃｍ；
基板：Ｓｉ又はＴｉＮ；
堆積方法：ＡＬＤ；
サイクル数：２００；
サイクル内のパルス条件：リチウム前駆体：６０秒又は１６０秒；パージ：２０秒；ＴＭＰＯ：１０秒；パージ：３０秒；Ｏ３：５秒；パージ：５秒。
反応器温度：０℃～６００℃；
反応器圧力：１Ｔｏｒｒ；
リチウム前駆体キャニスター温度：１１０℃；
リチウム前駆体キャニスター圧力：２０Ｔｏｒｒ；
リチウム前駆体のＮ２バブリングの流量：４０ｓｃｃｍ；
トリメチルホスフェート（ＴＭＰＯ）キャニスター温度：８０℃；
ＴＭＰＯキャニスター圧力：２０Ｔｏｒｒ；
ＴＭＰＯのＮ２バブリングの流量：４０ｓｃｃｍ；
基板：Ｓｉ又はＴｉＮ；
堆積方法：ＡＬＤ；
サイクル数：２００；
サイクル内のパルス条件：リチウム前駆体：６０秒又は１６０秒；パージ：２０秒；ＴＭＰＯ：１０秒；パージ：３０秒；Ｏ３：５秒；パージ：５秒。
【0111】
堆積された膜の組成は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）及び屈折率（ＲＩ）によって調べた。
【0112】
実施例１：ＬｉＮ（ＣＨＣＨ２ＮＭｅ２）２の合成
１００ｍＬのフラスコの中で、Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）３（５．１１ｇ、２２．０ｍｍｏｌ）をペンタン（２００ｍＬ）に溶解した。ペンタン中のｔＢｕＬｉの溶液（１．９Ｍ、１１．６ｍＬ、２２ｍｍｏｌ）を－７８℃でフラスコに滴下した。室温で１時間撹拌した後、全ての揮発性物質を減圧下で除去し、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２の黄色粉末（粗製粉末として３．４０ｇ）を得た。次いで、固体を少量のペンタン（約１０ｍＬ）に溶解した。得られた溶液を－３０℃で冷却して、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２の黄色の結晶性固体を得た（２．９０ｇ、１７．６ｍｍｏｌ、収率７９％）。黄色の結晶性固体は、１００℃の動的真空下での昇華によって更に精製することができる。１Ｈ ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、４００ＭＨｚ）は、１．８０－２．２０ｐｐｍ（ｍ、１２Ｈ）、２．２０－２．３０ｐｐｍ（ｍ、２Ｈ）、３．０５－３．２０ｐｐｍ（ｍ、２Ｈ）、３．４０－３．５０ｐｐｍ（ｍ、２Ｈ）で測定された。図１はＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２の熱重量分析（ＴＧＡ）（７６０Ｔｏｒｒ）のグラフを示しており、供給条件（１０℃／分）を表す条件における重量損失対温度を示している。図２は、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２のＴＧＡ（１５Ｔｏｒｒ）のグラフを示しており、供給条件（１０℃／分）を表す条件における重量損失対温度を示している。
１００ｍＬのフラスコの中で、Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）３（５．１１ｇ、２２．０ｍｍｏｌ）をペンタン（２００ｍＬ）に溶解した。ペンタン中のｔＢｕＬｉの溶液（１．９Ｍ、１１．６ｍＬ、２２ｍｍｏｌ）を－７８℃でフラスコに滴下した。室温で１時間撹拌した後、全ての揮発性物質を減圧下で除去し、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２の黄色粉末（粗製粉末として３．４０ｇ）を得た。次いで、固体を少量のペンタン（約１０ｍＬ）に溶解した。得られた溶液を－３０℃で冷却して、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２の黄色の結晶性固体を得た（２．９０ｇ、１７．６ｍｍｏｌ、収率７９％）。黄色の結晶性固体は、１００℃の動的真空下での昇華によって更に精製することができる。１Ｈ ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、４００ＭＨｚ）は、１．８０－２．２０ｐｐｍ（ｍ、１２Ｈ）、２．２０－２．３０ｐｐｍ（ｍ、２Ｈ）、３．０５－３．２０ｐｐｍ（ｍ、２Ｈ）、３．４０－３．５０ｐｐｍ（ｍ、２Ｈ）で測定された。図１はＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２の熱重量分析（ＴＧＡ）（７６０Ｔｏｒｒ）のグラフを示しており、供給条件（１０℃／分）を表す条件における重量損失対温度を示している。図２は、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２のＴＧＡ（１５Ｔｏｒｒ）のグラフを示しており、供給条件（１０℃／分）を表す条件における重量損失対温度を示している。
【0113】
実施例２：ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）の合成
１００ｍＬのシュレンク管の中で、ＨＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１．３４ｇ、７．７０ｍｍｏｌ）をペンタン（２０ｍＬ）に溶解した。０℃で、ヘキサン中のｎＢｕＬｉの溶液（１．６Ｍ、４．８ｍＬ、７．７ｍｍｏｌ）を滴下した。反応混合物を室温で１時間撹拌した後、全ての揮発性物質を減圧下で除去して、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）の粗製化合物（１．３７ｇ、定量的収率）を得た。－３０℃でペンタン溶液から再結晶することにより化合物を精製した。図３は、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）の熱重量分析（上：７６０Ｔｏｒｒ：下：１５Ｔｏｒｒ）のグラフを示し、供給条件（１０℃／分）を表す条件における重量損失対温度を示している。
１００ｍＬのシュレンク管の中で、ＨＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１．３４ｇ、７．７０ｍｍｏｌ）をペンタン（２０ｍＬ）に溶解した。０℃で、ヘキサン中のｎＢｕＬｉの溶液（１．６Ｍ、４．８ｍＬ、７．７ｍｍｏｌ）を滴下した。反応混合物を室温で１時間撹拌した後、全ての揮発性物質を減圧下で除去して、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）の粗製化合物（１．３７ｇ、定量的収率）を得た。－３０℃でペンタン溶液から再結晶することにより化合物を精製した。図３は、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）の熱重量分析（上：７６０Ｔｏｒｒ：下：１５Ｔｏｒｒ）のグラフを示し、供給条件（１０℃／分）を表す条件における重量損失対温度を示している。
【0114】
実施例３：ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２の合成
１００ｍＬのシュレンク管の中でＨＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２（３．９２ｇ、１８．２ｍｍｏｌ）をペンタン（３０ｍＬ）に溶解した。０℃で、ヘキサン中のｎＢｕＬｉの溶液（１．６Ｍ、１１．４ｍＬ、１８．２ｍｍｏｌ）を滴下した。反応混合物を室温で１時間撹拌した後、全ての揮発性物質を減圧下で除去して、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２の粗製化合物（４．０１ｇ、定量的収率）を得た。－３０℃でペンタン溶液から再結晶することにより粗製化合物を精製した。１Ｈ ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、４００ＭＨｚ）は、０．９５ｐｐｍ（ｔ、１２Ｈ）、２．３－３．２ｐｐｍ（ｍ、１２Ｈ）、３．３８ｐｐｍ（ｔ、４Ｈ）で測定された。図４は、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２のＴＧＡ（１５Ｔｏｒｒ）のグラフを示しており、供給条件（１０℃／分）を表す条件における重量損失対温度を示している。
１００ｍＬのシュレンク管の中でＨＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２（３．９２ｇ、１８．２ｍｍｏｌ）をペンタン（３０ｍＬ）に溶解した。０℃で、ヘキサン中のｎＢｕＬｉの溶液（１．６Ｍ、１１．４ｍＬ、１８．２ｍｍｏｌ）を滴下した。反応混合物を室温で１時間撹拌した後、全ての揮発性物質を減圧下で除去して、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２の粗製化合物（４．０１ｇ、定量的収率）を得た。－３０℃でペンタン溶液から再結晶することにより粗製化合物を精製した。１Ｈ ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、４００ＭＨｚ）は、０．９５ｐｐｍ（ｔ、１２Ｈ）、２．３－３．２ｐｐｍ（ｍ、１２Ｈ）、３．３８ｐｐｍ（ｔ、４Ｈ）で測定された。図４は、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２のＴＧＡ（１５Ｔｏｒｒ）のグラフを示しており、供給条件（１０℃／分）を表す条件における重量損失対温度を示している。
【0115】
実施例４：ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）の合成
５００ｍＬのフラスコの中で、Ｎ，Ｎ，Ｎ’－トリメチルエチレンジアミン（１１．７ｇ、１１４ｍｍｏｌ）をペンタン（２５０ｍＬ）に溶解した。０℃で、ペンタン中のｎＢｕＬｉの溶液（１．６Ｍ、ヘキサン、７１ｍＬ、１１４ｍｍｏｌ）をフラスコに添加した。室温で１時間撹拌した後、全ての揮発性物質を減圧下で除去して、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）の白色固体を得た（１２．３ｇ、１１３ｍｍｏｌ、収率９９％）。白色の固体を－３０℃でペンタン溶液から結晶化させた。１Ｈ ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、４００ＭＨｚ）は、１．９９ｐｐｍ（ｂｒｓ、６Ｈ）、２．４４ｐｐｍ（ｔ、２Ｈ）、３．１０（ｂｒｓ、３Ｈ）、３．２０（ｂｒｓ、２Ｈ）で測定された。図５は、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２のＴＧＡ（１５Ｔｏｒｒ）のグラフを示しており、供給条件（１０℃／分）を表す条件における重量損失対温度を示している。
５００ｍＬのフラスコの中で、Ｎ，Ｎ，Ｎ’－トリメチルエチレンジアミン（１１．７ｇ、１１４ｍｍｏｌ）をペンタン（２５０ｍＬ）に溶解した。０℃で、ペンタン中のｎＢｕＬｉの溶液（１．６Ｍ、ヘキサン、７１ｍＬ、１１４ｍｍｏｌ）をフラスコに添加した。室温で１時間撹拌した後、全ての揮発性物質を減圧下で除去して、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）の白色固体を得た（１２．３ｇ、１１３ｍｍｏｌ、収率９９％）。白色の固体を－３０℃でペンタン溶液から結晶化させた。１Ｈ ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、４００ＭＨｚ）は、１．９９ｐｐｍ（ｂｒｓ、６Ｈ）、２．４４ｐｐｍ（ｔ、２Ｈ）、３．１０（ｂｒｓ、３Ｈ）、３．２０（ｂｒｓ、２Ｈ）で測定された。図５は、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２のＴＧＡ（１５Ｔｏｒｒ）のグラフを示しており、供給条件（１０℃／分）を表す条件における重量損失対温度を示している。
【0116】
実施例５：ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）の合成
１００ｍＬのシュレンク管の中で、ＨＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（４．５８ｇ、３１．７ｍｍｏｌ）をペンタン（５０ｍＬ）に溶解した。０℃で、ヘキサン中のｎＢｕＬｉの溶液（１．６Ｍ、１９．８ｍＬ、３１．７ｍｍｏｌ）を滴下した。反応混合物を室温で１時間撹拌した後、全ての揮発性物質を減圧下で除去して、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）の粗製化合物（４．０７ｇ、定量的収率）を得た。粗製化合物を、－３０℃でのペンタン溶液からの再結晶により精製した。１Ｈ ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、４００ＭＨｚ）は、１．３３ｐｐｍ（ｓ、９Ｈ）、１．９５（ｓ、６Ｈ）、２．３－２．５（ｂｒｓ、２Ｈ）、３．２（ｔ、２Ｈ）で測定された。図６は、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）のＴＧＡ（１５Ｔｏｒｒ）のグラフを示しており、供給条件（１０℃／分）を表す条件における重量損失対温度を示している。
１００ｍＬのシュレンク管の中で、ＨＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（４．５８ｇ、３１．７ｍｍｏｌ）をペンタン（５０ｍＬ）に溶解した。０℃で、ヘキサン中のｎＢｕＬｉの溶液（１．６Ｍ、１９．８ｍＬ、３１．７ｍｍｏｌ）を滴下した。反応混合物を室温で１時間撹拌した後、全ての揮発性物質を減圧下で除去して、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）の粗製化合物（４．０７ｇ、定量的収率）を得た。粗製化合物を、－３０℃でのペンタン溶液からの再結晶により精製した。１Ｈ ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、４００ＭＨｚ）は、１．３３ｐｐｍ（ｓ、９Ｈ）、１．９５（ｓ、６Ｈ）、２．３－２．５（ｂｒｓ、２Ｈ）、３．２（ｔ、２Ｈ）で測定された。図６は、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）のＴＧＡ（１５Ｔｏｒｒ）のグラフを示しており、供給条件（１０℃／分）を表す条件における重量損失対温度を示している。
【0117】
実施例６：ＨＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）とＨＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）との混合物（６．５：１）の合成
２Ｌフラスコの中で、ｔＢｕＮＨ２（６００ｍＬ、５．７０ｍｏｌ）を脱イオン水（４００ｍＬ）に溶解した。脱イオン水（４００ｍＬ）中の２－クロロジメチルアミノプロパン塩酸塩（３００ｇ、１．９０ｍｏｌ）の溶液を、氷浴で冷却しながらフラスコにゆっくりと添加した。反応溶液を室温で一晩撹拌した。脱イオン水（３００ｍＬ）中のＮａＯＨ（１５３ｇ、３．８２ｍｏｌ）の溶液をゆっくりと添加した。水相を４つの部分に分割した。各部分をペンタン（１００ｍＬ×５）で抽出した。ＭｇＳＯ４で乾燥させた後、有機相を減圧下で蒸発させて粗製液体を得た。粗製液体を静的真空下で蒸留して、溶解している固体を除去した。液体に対して分別蒸留（６５℃、１０ｋＰａ）を行って、ＨＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）及びＨＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）の無色液体（６．５：１）（１７５ｇ、収率５８％）を得た。ＨＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）の１Ｈ ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、４００ＭＨｚ）は、０．７８ｐｐｍ（ｄ、３Ｈ）、１．０９ｐｐｍ（ｓ、９Ｈ）、１．３９ｐｐｍ（ｂｒｓ、１Ｈ）、２．０８ｐｐｍ（ｓ、６Ｈ）、２．３９ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ）、２．５０ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ）、２．７１ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ）で測定された。ＨＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）の１Ｈ ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、４００ＭＨｚ）は、１．０７ｐｐｍ（ｄ、３Ｈ）、１．１１ｐｐｍ（ｓ、９Ｈ）、１．６０ｐｐｍ（ｂｒｓ、１Ｈ）、１．８８ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ）、２．０３ｐｐｍ（ｓ、６Ｈ）、２．１２ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ）、２．７８ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ）で測定された。
２Ｌフラスコの中で、ｔＢｕＮＨ２（６００ｍＬ、５．７０ｍｏｌ）を脱イオン水（４００ｍＬ）に溶解した。脱イオン水（４００ｍＬ）中の２－クロロジメチルアミノプロパン塩酸塩（３００ｇ、１．９０ｍｏｌ）の溶液を、氷浴で冷却しながらフラスコにゆっくりと添加した。反応溶液を室温で一晩撹拌した。脱イオン水（３００ｍＬ）中のＮａＯＨ（１５３ｇ、３．８２ｍｏｌ）の溶液をゆっくりと添加した。水相を４つの部分に分割した。各部分をペンタン（１００ｍＬ×５）で抽出した。ＭｇＳＯ４で乾燥させた後、有機相を減圧下で蒸発させて粗製液体を得た。粗製液体を静的真空下で蒸留して、溶解している固体を除去した。液体に対して分別蒸留（６５℃、１０ｋＰａ）を行って、ＨＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）及びＨＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）の無色液体（６．５：１）（１７５ｇ、収率５８％）を得た。ＨＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）の１Ｈ ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、４００ＭＨｚ）は、０．７８ｐｐｍ（ｄ、３Ｈ）、１．０９ｐｐｍ（ｓ、９Ｈ）、１．３９ｐｐｍ（ｂｒｓ、１Ｈ）、２．０８ｐｐｍ（ｓ、６Ｈ）、２．３９ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ）、２．５０ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ）、２．７１ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ）で測定された。ＨＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）の１Ｈ ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、４００ＭＨｚ）は、１．０７ｐｐｍ（ｄ、３Ｈ）、１．１１ｐｐｍ（ｓ、９Ｈ）、１．６０ｐｐｍ（ｂｒｓ、１Ｈ）、１．８８ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ）、２．０３ｐｐｍ（ｓ、６Ｈ）、２．１２ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ）、２．７８ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ）で測定された。
【0118】
実施例７：ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）とＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）との混合物（６．５：１）の合成
５００ｍＬフラスコの中で、ＨＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）とＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）との混合物（比率；６．５：１、７０．９ｇ、４４８ｍｍｏｌ）をペンタン（１００ｍＬ）に溶解した。０℃で、ヘキサン中のｎＢｕＬｉの溶液（１．６Ｍ、２８０ｍＬ、４４８ｍｍｏｌ）を滴下した。反応混合物を室温で１時間撹拌した後、溶媒を減圧下で除去して、黄色の粗製液体（定量的収率）を得た。液体を１００℃で動的真空下で蒸留して、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）とＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）との混合物のわずかに黄色がかった液体を得た（６６．８ｇ、４０７ｍｍｏｌ、収率９１％）。図７は、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）とＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（６．５：１）のＴＧＡ（１５Ｔｏｒｒ）のグラフを示しており、供給条件（１０℃／分）を表す条件における重量損失対温度を示している。図８は、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）とＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）との混合物のＣ６Ｄ６中での１Ｈ ＮＭＲスペクトルである。
５００ｍＬフラスコの中で、ＨＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）とＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）との混合物（比率；６．５：１、７０．９ｇ、４４８ｍｍｏｌ）をペンタン（１００ｍＬ）に溶解した。０℃で、ヘキサン中のｎＢｕＬｉの溶液（１．６Ｍ、２８０ｍＬ、４４８ｍｍｏｌ）を滴下した。反応混合物を室温で１時間撹拌した後、溶媒を減圧下で除去して、黄色の粗製液体（定量的収率）を得た。液体を１００℃で動的真空下で蒸留して、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）とＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）との混合物のわずかに黄色がかった液体を得た（６６．８ｇ、４０７ｍｍｏｌ、収率９１％）。図７は、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）とＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（６．５：１）のＴＧＡ（１５Ｔｏｒｒ）のグラフを示しており、供給条件（１０℃／分）を表す条件における重量損失対温度を示している。図８は、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）とＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）との混合物のＣ６Ｄ６中での１Ｈ ＮＭＲスペクトルである。
【0119】
実施例８：リン酸リチウムの堆積
以下のサイクリックモードを使用するシーケンシャルモードで、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２及びトリメチルホスフェート（ＴＭＰＯ）を使用して、シリコン基板上にＡＬＤによってＬｉ含有膜を堆積した：１．２ｓｃｃｍの流量でＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２を１０秒間パルス化。過剰なＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２をパージするために、Ｎ２を３０秒間流した。ＴＭＰＯは、５ｓｃｃｍの流量で１０秒間パルス化した。サイクル数は２００である。温度と圧力の条件は２５０℃と２Ｔｏｒｒに設定した。これらの条件で、約６０Åの膜が堆積した。これは、サイクルあたり０．４Åの成長速度を意味する。形成された膜は約１．５０の屈折率を有する。ＸＰＳによって測定された膜組成は約Ｌｉ３．１ＰＯ４．７であると決定され、これは材料組成の目標範囲に相当する。
以下のサイクリックモードを使用するシーケンシャルモードで、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２及びトリメチルホスフェート（ＴＭＰＯ）を使用して、シリコン基板上にＡＬＤによってＬｉ含有膜を堆積した：１．２ｓｃｃｍの流量でＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２を１０秒間パルス化。過剰なＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２をパージするために、Ｎ２を３０秒間流した。ＴＭＰＯは、５ｓｃｃｍの流量で１０秒間パルス化した。サイクル数は２００である。温度と圧力の条件は２５０℃と２Ｔｏｒｒに設定した。これらの条件で、約６０Åの膜が堆積した。これは、サイクルあたり０．４Åの成長速度を意味する。形成された膜は約１．５０の屈折率を有する。ＸＰＳによって測定された膜組成は約Ｌｉ３．１ＰＯ４．７であると決定され、これは材料組成の目標範囲に相当する。
【0120】
実施例９：１２５℃～２５０℃でＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２を使用したＬｉ３ＰＯ４膜のＡＬＤ
流動床反応器を使用して、Ｓｉウェハー上で１２５℃～２５０℃の範囲の温度で、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、トリメチルホスフェート（ＴＭＰＯ）、及びオゾン（Ｏ３）を使用して、２００回のＡＬＤサイクル後に、ＡＬＤによってＬｉ３ＰＯ４膜を堆積した。ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２のパルスは６０秒であった。図９は、１２５℃～２５０℃の温度でのサイクルあたりの成長（ＧＰＣ）である。反応器の温度は１２５℃～２５０℃で変化する。図１０は、堆積されたＬｉ３ＰＯ４膜のＸＰＳ結果である。ＸＰＳ分析に基づくと、これらの条件で堆積された膜は、広範囲の温度で比較的一定の原子パーセント割合になり、例えば１２５℃でＬｉ：３４．６％、Ｐ：１３．９％、Ｏ：４８．６％、Ｃ：２．３％、Ｎ：０．６％である。更に、屈折率は１．５６である。図１１を参照のこと。これはバルクＬｉ３ＰＯ４の屈折率（１．５９）に近い。したがって、これらの条件下で堆積される材料は、リン酸リチウム、Ｌｉ３ＰＯ４である。低い堆積温度（例えば＜２００℃）におけるＬｉ３ＰＯ４膜の成長は非常に予想外であり、我々の知る限りこれまでに報告されていない。２００℃を超えると、ＧＰＣは、自己飽和及びＡＬＤプロセスと一致しない厚さである３Å超に到達する。しかしながら、得られるＬｉ３ＰＯ４層が、極端な電圧で電解質の分解を触媒するとされる電解質と電極材料との間の有効界面を提供する限り、このプロセスは興味深いであろう。
流動床反応器を使用して、Ｓｉウェハー上で１２５℃～２５０℃の範囲の温度で、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、トリメチルホスフェート（ＴＭＰＯ）、及びオゾン（Ｏ３）を使用して、２００回のＡＬＤサイクル後に、ＡＬＤによってＬｉ３ＰＯ４膜を堆積した。ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２のパルスは６０秒であった。図９は、１２５℃～２５０℃の温度でのサイクルあたりの成長（ＧＰＣ）である。反応器の温度は１２５℃～２５０℃で変化する。図１０は、堆積されたＬｉ３ＰＯ４膜のＸＰＳ結果である。ＸＰＳ分析に基づくと、これらの条件で堆積された膜は、広範囲の温度で比較的一定の原子パーセント割合になり、例えば１２５℃でＬｉ：３４．６％、Ｐ：１３．９％、Ｏ：４８．６％、Ｃ：２．３％、Ｎ：０．６％である。更に、屈折率は１．５６である。図１１を参照のこと。これはバルクＬｉ３ＰＯ４の屈折率（１．５９）に近い。したがって、これらの条件下で堆積される材料は、リン酸リチウム、Ｌｉ３ＰＯ４である。低い堆積温度（例えば＜２００℃）におけるＬｉ３ＰＯ４膜の成長は非常に予想外であり、我々の知る限りこれまでに報告されていない。２００℃を超えると、ＧＰＣは、自己飽和及びＡＬＤプロセスと一致しない厚さである３Å超に到達する。しかしながら、得られるＬｉ３ＰＯ４層が、極端な電圧で電解質の分解を触媒するとされる電解質と電極材料との間の有効界面を提供する限り、このプロセスは興味深いであろう。
【0121】
実施例１０：１５０℃でＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２を使用したＬｉ３ＰＯ４膜のＡＬＤ
流動床反応器を使用して、Ｓｉウェハー上で１５０℃の温度で、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＴＭＰＯ、及びＯ３を使用して、２００回のＡＬＤサイクル後に、ＡＬＤによってＬｉ３ＰＯ４膜を堆積した。反応器の温度は１５０℃である。ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２のパルスは６０秒と１６０秒であった。ＧＰＣ（図１２）は、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２の６０秒後（約１．４ｃｃ）に１．６Åに達し、屈折率は１．５６である（図１３）。したがって、このＬｉ３ＰＯ４堆積プロセスは、多くの電池用途、特にＬｉイオン電池及び全固体電池の保護コーティング層のために非常に魅力的である。
流動床反応器を使用して、Ｓｉウェハー上で１５０℃の温度で、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＴＭＰＯ、及びＯ３を使用して、２００回のＡＬＤサイクル後に、ＡＬＤによってＬｉ３ＰＯ４膜を堆積した。反応器の温度は１５０℃である。ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２のパルスは６０秒と１６０秒であった。ＧＰＣ（図１２）は、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２の６０秒後（約１．４ｃｃ）に１．６Åに達し、屈折率は１．５６である（図１３）。したがって、このＬｉ３ＰＯ４堆積プロセスは、多くの電池用途、特にＬｉイオン電池及び全固体電池の保護コーティング層のために非常に魅力的である。
【0122】
実施例１１：１３５℃でＳｉウェハー上にＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２を使用したＬｉ３ＰＯ４膜のＡＬＤ
流動床反応器を使用して、Ｓｉウェハー上で１３５℃の温度で、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＴＭＰＯ、及びＯ３を使用して、２００回のＡＬＤサイクル後に、ＡＬＤによってＬｉ３ＰＯ４膜を堆積した。反応器の温度は１３５℃である。ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２のパルスは６０秒と１６０秒であった。図１４は１３５℃におけるＧＰＣの結果である。図１５は、１３５℃で堆積されたＬｉ３ＰＯ４膜のＲＩ結果である。低温（例えばＴ＜１５０℃）では、ＧＰＣの自己飽和が観察される。我々の知る限り、Ｔ＜１５０℃におけるＬｉ３ＰＯ４のＡＬＤに関する報告はない。
流動床反応器を使用して、Ｓｉウェハー上で１３５℃の温度で、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＴＭＰＯ、及びＯ３を使用して、２００回のＡＬＤサイクル後に、ＡＬＤによってＬｉ３ＰＯ４膜を堆積した。反応器の温度は１３５℃である。ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２のパルスは６０秒と１６０秒であった。図１４は１３５℃におけるＧＰＣの結果である。図１５は、１３５℃で堆積されたＬｉ３ＰＯ４膜のＲＩ結果である。低温（例えばＴ＜１５０℃）では、ＧＰＣの自己飽和が観察される。我々の知る限り、Ｔ＜１５０℃におけるＬｉ３ＰＯ４のＡＬＤに関する報告はない。
【0123】
更に、パターン化されたＳｉウェハーを使用して、同じ条件下で、パターン化されたＳｉウェハー上で得られた膜（アスペクト比＝６．２５～１８）は、ほぼ７０％の優れたコンフォーマル性を有していた。
【0124】
実施例１２：１３５℃でＴｉＮ基板上にＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２を使用したＬｉ３ＰＯ４膜のＡＬＤ
流動床反応器を使用して、ＴｉＮウェハー上で１３５℃の温度で、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＴＭＰＯ、及びＯ３を使用して、２００回のＡＬＤサイクル後に、ＡＬＤによってＬｉ３ＰＯ４膜を堆積した。反応器の温度は１３５℃である。Ｌｉ３ＰＯ４膜の成長は、ＴｉＮ基板上でも観察される（図１６）。
流動床反応器を使用して、ＴｉＮウェハー上で１３５℃の温度で、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＴＭＰＯ、及びＯ３を使用して、２００回のＡＬＤサイクル後に、ＡＬＤによってＬｉ３ＰＯ４膜を堆積した。反応器の温度は１３５℃である。Ｌｉ３ＰＯ４膜の成長は、ＴｉＮ基板上でも観察される（図１６）。
【0125】
実施例１３：１３５℃におけるＯ３なしでのＬｉ３ＰＯ４膜のＡＬＤ
流動床反応器を使用して、Ｏ３を用いずＳｉウェハー上で１３５℃の温度で、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２及びＴＭＰＯを使用して、２００回のＡＬＤサイクル後に、ＡＬＤによってＬｉ３ＰＯ４膜を堆積した。反応器の温度は１３５℃である。ＸＰＳ分析によれば、リチウム、リン、酸素を含む非常に薄い膜が観察される。図１７を参照のこと。ただし、ＧＰＣは非常に低い（０．０５％）。
流動床反応器を使用して、Ｏ３を用いずＳｉウェハー上で１３５℃の温度で、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２及びＴＭＰＯを使用して、２００回のＡＬＤサイクル後に、ＡＬＤによってＬｉ３ＰＯ４膜を堆積した。反応器の温度は１３５℃である。ＸＰＳ分析によれば、リチウム、リン、酸素を含む非常に薄い膜が観察される。図１７を参照のこと。ただし、ＧＰＣは非常に低い（０．０５％）。
【0126】
仮想実施例１：ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２を使用するＬｉ含有膜の予想される形成
シリコン又はアモルファスカーボン基板をＡＬＤ又はＣＶＤ反応器に導入した。次いで、窒素雰囲気下、基板を各実験について１００～５００℃の設定点まで加熱した。温度が設定点に到達した後、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２前駆体、反応物、及びキャリアガスを反応器の中に流して、基板上に膜を堆積させた。この工程の最中、反応物として水蒸気又は酸素を使用し、キャリアガスとして窒素を使用し、圧力を２Ｔｏｒｒに維持した。結果として、反応物として水蒸気を使用すると、酸化リチウム膜は、１００℃、１２０℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、及び２５０℃でＡＬＤによって堆積されるであろう。酸化リチウム膜は、２００℃、３００℃、４００℃におけるＣＶＤによっても得られる一方で、酸化リチウム膜は、ＣＶＤによって５００℃で堆積された。他方で、反応物として酸素を使用すると、酸化リチウム膜は、１００℃、１２０℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、及び２５０℃でＡＬＤによって堆積されるであろう。
シリコン又はアモルファスカーボン基板をＡＬＤ又はＣＶＤ反応器に導入した。次いで、窒素雰囲気下、基板を各実験について１００～５００℃の設定点まで加熱した。温度が設定点に到達した後、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２前駆体、反応物、及びキャリアガスを反応器の中に流して、基板上に膜を堆積させた。この工程の最中、反応物として水蒸気又は酸素を使用し、キャリアガスとして窒素を使用し、圧力を２Ｔｏｒｒに維持した。結果として、反応物として水蒸気を使用すると、酸化リチウム膜は、１００℃、１２０℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、及び２５０℃でＡＬＤによって堆積されるであろう。酸化リチウム膜は、２００℃、３００℃、４００℃におけるＣＶＤによっても得られる一方で、酸化リチウム膜は、ＣＶＤによって５００℃で堆積された。他方で、反応物として酸素を使用すると、酸化リチウム膜は、１００℃、１２０℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、及び２５０℃でＡＬＤによって堆積されるであろう。
【0127】
仮想実施例２：ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２を使用するＬｉ含有膜の予想される形成
シリコン又はアモルファスカーボン基板をＡＬＤ又はＣＶＤ反応器に導入した。次いで、窒素雰囲気下、基板を各実験について１００～５００℃の設定点まで加熱した。温度が設定点に到達した後、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２及びＮｂＣｐ（＝ＮｔＢｕ）（ＮＭｅ２）２の前駆体混合物、反応物、及びキャリアガスを反応器の中に流して、基板上に膜を堆積させた。この工程の最中、反応物として水蒸気又は酸素を使用し、キャリアガスとして窒素を使用し、圧力を２Ｔｏｒｒに維持した。結果として、反応物として水蒸気を使用すると、ニオブ酸リチウム膜は、１００℃、１２０℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、及び２５０℃でＡＬＤによって堆積されるであろう。ニオブ酸リチウム膜は、２００℃、３００℃、４００℃におけるＣＶＤによっても得られる一方で、ニオブ酸リチウム膜は、ＣＶＤによって５００℃で堆積された。他方で、反応物として酸素を使用すると、ニオブ酸リチウム膜は、１００℃、１２０℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、及び２５０℃でＡＬＤによって堆積されるであろう。
シリコン又はアモルファスカーボン基板をＡＬＤ又はＣＶＤ反応器に導入した。次いで、窒素雰囲気下、基板を各実験について１００～５００℃の設定点まで加熱した。温度が設定点に到達した後、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２及びＮｂＣｐ（＝ＮｔＢｕ）（ＮＭｅ２）２の前駆体混合物、反応物、及びキャリアガスを反応器の中に流して、基板上に膜を堆積させた。この工程の最中、反応物として水蒸気又は酸素を使用し、キャリアガスとして窒素を使用し、圧力を２Ｔｏｒｒに維持した。結果として、反応物として水蒸気を使用すると、ニオブ酸リチウム膜は、１００℃、１２０℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、及び２５０℃でＡＬＤによって堆積されるであろう。ニオブ酸リチウム膜は、２００℃、３００℃、４００℃におけるＣＶＤによっても得られる一方で、ニオブ酸リチウム膜は、ＣＶＤによって５００℃で堆積された。他方で、反応物として酸素を使用すると、ニオブ酸リチウム膜は、１００℃、１２０℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、及び２５０℃でＡＬＤによって堆積されるであろう。
【0128】
仮想実施例３：ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２を使用するＬｉ含有アイレットの予想される形成
シリコン又はアモルファスカーボン基板をＡＬＤ又はＣＶＤ反応器に導入した。次いで、窒素雰囲気下、基板を各実験について１００～５００℃の設定点まで加熱した。温度が設定点に到達した後、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２前駆体、反応物、及びキャリアガスを反応器の中に流して、基板上にアイレットを堆積させた。この工程の最中、反応物として水蒸気又は酸素を使用し、キャリアガスとして窒素を使用し、圧力を２Ｔｏｒｒに維持した。結果として、反応物として水蒸気を使用すると、リチウム含有アイレットは、１００℃、１２０℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、及び２５０℃で、非常に限られた数のサイクル数を使用して、典型的には１０回未満で、ＡＬＤによって形成されるであろう。リチウム含有アイレットは、ＣＶＤプロセスの継続時間が数秒～数分に制限される場合、２００℃、３００℃、４００℃におけるＣＶＤによっても得られるであろう。
シリコン又はアモルファスカーボン基板をＡＬＤ又はＣＶＤ反応器に導入した。次いで、窒素雰囲気下、基板を各実験について１００～５００℃の設定点まで加熱した。温度が設定点に到達した後、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２前駆体、反応物、及びキャリアガスを反応器の中に流して、基板上にアイレットを堆積させた。この工程の最中、反応物として水蒸気又は酸素を使用し、キャリアガスとして窒素を使用し、圧力を２Ｔｏｒｒに維持した。結果として、反応物として水蒸気を使用すると、リチウム含有アイレットは、１００℃、１２０℃、１５０℃、１７５℃、２００℃、及び２５０℃で、非常に限られた数のサイクル数を使用して、典型的には１０回未満で、ＡＬＤによって形成されるであろう。リチウム含有アイレットは、ＣＶＤプロセスの継続時間が数秒～数分に制限される場合、２００℃、３００℃、４００℃におけるＣＶＤによっても得られるであろう。
【0129】
本発明の性質を説明するために本明細書に記載及び図示されてきた、詳細な事項、材料、工程、及び部品の配置における多くの追加の変更が、添付の特許請求の範囲に記載されている本発明の原理及び範囲内で当業者によって行われ得ることが理解されるであろう。したがって、本発明は、上記実施例及び／又は添付の図面中の具体的な実施形態に限定されることを意図するものではない。
【0130】
本発明の複数の実施形態が示され、説明されてきたが、本発明の趣旨又は教示から逸脱することなしに、その修正が当業者によってなされ得る。本明細書に記載の実施形態は例示にすぎず、限定するものではない。組成物及び方法の多くの変形及び修正が可能であり、それらは本発明の範囲内である。したがって、保護の範囲は、本明細書に記載の実施形態に限定されず、以下の特許請求の範囲によってのみ限定され、その範囲は、特許請求の範囲の主題の全ての均等物を含むものとする。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【手続補正書】
【提出日】2022-05-12
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上にＬｉ含有膜、アイレット、又はクラスターを形成する方法であって、前記基板が中に配置されている反応器内に、下記一般式を有するケイ素フリーのリチウム前駆体を導入する工程
［Ｌｉ－ＮＬ１Ｌ２－Ｄｘ］ｙ （Ｉ）
（式中、
Ｌ１は、一般式：ＣｍＨｎ、（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２）、又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１）を有し、
・ＣｍＨｎは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ及びｎは独立した整数であり、１≦ｍ≦１６であり、１≦ｎ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｌ２は、一般式：（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４、又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３を有し、
・ＣｐＨｑは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｐ及びｑは独立した整数であり、１≦ｐ≦１６であり、１≦ｑ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ３及びＲ４は、それぞれ、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され；
ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）；並びに、
蒸着法を使用して前記ケイ素フリーのリチウム前駆体の少なくとも一部を前記基板上に堆積させて、前記リチウム含有膜、アイレット、又はクラスターを形成する工程、
を含む、方法。
【請求項2】
Ｌ１が、Ｃ１～Ｃ１６の直鎖、分岐、若しくは環状の炭素鎖、又は（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２若しくは（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１の形態であり：（式中、
・ＣｍＨｎはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
・ＥはＢ、Ｎを表し；
・Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
・ｍは、値が１である整数であるか、１～８の範囲の整数であり；
・ｎは、２～１６の範囲の独立した整数であり；
・Ｒ１は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択され；
・Ｒ２は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｌ２が、（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３の形態である：
（式中、
・ＣｐＨｑはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
・ＥはＢ、Ｎを表し；
・Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
・ｐ及びｑは、１～１６の範囲の独立した整数であり、好ましくはｐは１～８に含まれ、ｑは２～１６に含まれ、最も好ましくはｐはｍとは異なり；
・Ｒ３及びＲ４は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
・Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され、好ましくは単座又は二座であり；
・ｘは、０～４に含まれる整数であり；
・ｙは分子の結合度を表し、１～６に含まれる；
請求項１に記載の方法。
【請求項3】
前記ケイ素フリーのリチウム前駆体が、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、又はＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項4】
前記ケイ素フリーのリチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２である、請求項１に記載の方法。
【請求項5】
前記ケイ素フリーのリチウム前駆体が１５０℃未満で液体である、請求項１に記載の方法。
【請求項6】
Ｏ３、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、トリメチルホスフェート、アルキルホスフェート、アルキルホスフィニミン、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、Ｏラジカル、又はこれらの組み合わせから選択される共反応物を前記反応器に供給する工程を更に含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項7】
下記一般式を有するリチウム前駆体を含む組成物：［Ｌｉ－ＮＬ１Ｌ２－Ｄｘ］ｙ （Ｉ）
（式中、
Ｌ１は、一般式：ＣｍＨｎ、（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２）、又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１）を有し、
・ＣｍＨｎは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ及びｎは独立した整数であり、１≦ｍ≦１６であり、１≦ｎ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｌ２は、一般式：（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４、又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３を有し、
・ＣｐＨｑは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｐ及びｑは独立した整数であり、１≦ｐ≦１６であり、１≦ｑ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ３及びＲ４は、それぞれ、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され；
ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）。
【請求項8】
Ｌ１が、Ｃ１～Ｃ１６の直鎖、分岐、若しくは環状の炭素鎖、又は（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２若しくは（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１の形態であり：（式中、
・ＣｍＨｎはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
・ＥはＢ、Ｎを表し；
・Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
・ｍは、値が１である整数であるか、１～８の範囲の整数であり；
・ｎは、２～１６の範囲の独立した整数であり；
・Ｒ１は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択され；
・Ｒ２は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｌ２が、（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３の形態であり：
（式中、
・ＣｐＨｑはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
・ＥはＢ、Ｎを表し；
・Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
・ｐ及びｑは、１～１６の範囲の独立した整数であり、好ましくはｐは１～８に含まれ、ｑは２～１６に含まれ、最も好ましくはｐはｍとは異なり；
・Ｒ３及びＲ４は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され、好ましくは単座又は二座であり；
ｘは、０～４に含まれる整数であり；
ｙは分子の結合度を表し、１～６に含まれ；
Ｌ１＝Ｍｅ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝Ｅｔ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｉＰｒ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＭｅＨＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨＭｅ、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝｛ＣｍＨｎ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ１とＲ２が共にＭｅ｝、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝｛ＣｍＨｎ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ１とＲ２が共にＥｔ｝、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＥｔ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝Ｍｅ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ’＝Ｏ、Ｒ３がＭｅ｝、ｘ＝０は除外される；
請求項７に記載の組成物。
【請求項9】
前記リチウム前駆体が、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、又はＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）から選択される、請求項７又は８に記載の組成物。
【請求項10】
下記一般式を有する、膜、アイレット、又はクラスターを形成する前駆体：［Ｌｉ－ＮＬ１Ｌ２－Ｄｘ］ｙ （Ｉ）
（式中、
Ｌ１は、一般式：ＣｍＨｎ、（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２）、又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１）を有し、
・（ＣｍＨｎ）は、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ及びｎは独立した整数であり、１≦ｍ≦１６であり、１≦ｎ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｌ２は、一般式：（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４、又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３を有し、
・ＣｐＨｑは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｐ及びｑは独立した整数であり、１≦ｐ≦１６であり、１≦ｑ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ３及びＲ４は、それぞれ、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され；
ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）。
【手続補正書】
【提出日】2022-10-11
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0004】
エネルギー貯蔵のニーズが高まるのに伴い、改善された安全性能と共により高い容量保持が要求されている。リチウム含有膜は、リン酸リチウムやリチウムリン酸窒化物（ＬｉＰＯＮ）などの固体電解質中間相（ＳＥＩ）、及びチタン酸リチウムやジルコン酸リチウムやニオブ酸リチウムなどの様々なリチウム金属酸化物の形成を効果的に防止又は低減することができる。これらの材料は、現行のリチウムイオン電池又は全固体電池のいずれかで、電極と電解質との間の界面を改善することが期待されている。ニオブ酸リチウムなどのＬｉ含有膜は、高周波電子デバイス、例えばモバイル用途にも使用することができる。フッ化リチウムは、バンドギャップが大きく誘電定数が高いため、光学用又は潜在的なゲート誘電体としても興味深い材料である。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0013】
開示される方法は、以下の態様のうちの１つ以上を含み得る：
・Ｌ１は、Ｃ１～Ｃ１６の直鎖、分岐、又は環状の炭素鎖、又は（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１の形態である
（式中、
ＣｍＨｎはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
ＥはＢ、Ｎを表し；
Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
ｍは、値が１である整数であるか、１～８の範囲の整数であり；
ｎは、２～１６の範囲の独立した整数であり；
Ｒ１は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択され；
Ｒ２は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は
他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｌ２は、（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３の形態である
（式中、
ＣｐＨｑはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
ＥはＢ、Ｎを表し；
Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
ｐ及びｑは、１～１６の範囲の独立した整数であり、好ましくはｐは１～８に含まれ、ｑは２～１６に含まれ、最も好ましくはｐはｍとは異なり；
Ｒ３及びＲ４は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択される。好ましくは単座又は二座であり；
ｘは、０～４に含まれる整数であり；
ｙは分子の結合度を表し、１～６に含まれる；
・リチウム前駆体がケイ素を含まない；
・リチウム前駆体が、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）などから選択される；
・リチウム前駆体が、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２
）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）などである；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）である；
・蒸着法が、ＡＬＤ、ＣＶＤ、スプレーコーティング、ディップコーティング、スリットコーティング、スピンオン蒸着、又はこれらの組み合わせである；
・蒸着法がＡＬＤである；
・蒸着法がＣＶＤである；
・反応チャンバー内の温度が室温から室温未満の範囲である；
・反応チャンバー内の温度が約０℃～約６００℃の範囲である；
・反応チャンバー内の温度が約１５℃～約６００℃の範囲である；
・反応チャンバー内の温度が約１２５℃～約２５０℃の範囲である；
・反応器の温度範囲が約２０℃～約１０００℃である；
・プラズマ蒸着プロセスの堆積温度が約２０℃～約５５０℃の範囲である；
・ＡＬＤ及びＣＶＤの堆積温度が約１００℃～約５００℃の範囲である；
・ＡＬＤ及びＣＶＤの堆積温度が約２５０℃～約３５０℃の範囲である；
・熱的プロセスの堆積温度が約２００℃～約８００℃の範囲である；
・熱的プロセスの堆積温度が約４００℃～約６００℃の範囲である；
・ＡＬＤの堆積温度が１００℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が１２５℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が１３５℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が１５０℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が１７５℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が２００℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が２５０℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が５００℃である；
・ＣＶＤの堆積温度が２００℃である；
・ＣＶＤの堆積温度が３００℃である；
・ＣＶＤの堆積温度が４００℃である；
・ＣＶＤの堆積温度が５００℃である；
・基板の温度が室温から約６００℃の範囲である；
・リチウム前駆体がケイ素フリーのリチウム前駆体である；
・リチウム前駆体が、単量体、二量体、三量体、又はそれらの組み合わせである；
・反応器に共反応物を供給する工程を更に含む；
・共反応物が、Ｏ３、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、トリメチルホスフェート、アルキルホスフェート、アルキルホスフィニミン、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、Ｏラジカル、又はこれらの組み合わせから選択される；
・共反応物が、Ｎ２、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、又はアルキルヒドラジンから選択される；
・共反応物がＯ３である；
・リチウム前駆体が１５０℃未満で液体である；
・リチウム前駆体が５０℃で液体である；
・リチウム前駆体が２５℃で液体である；
・Ｌｉ含有膜、アイレット、又はクラスターが、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯＨ、Ｌｉ２Ｓ、Ｌｉ３Ｎ、ＬｉＦ、炭酸リチウム、フッ化アルミニウムリチウム、リチウムアルミニウム酸化物、リチウムアルミニウム、リチウムコバルト酸化物、チタン酸リチウム、ジルコン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ＬｉＰＯＮ、リン酸リチウム、ホウ酸リチウム、ホウリン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、リチウムジルコニウム酸化物などの膜、アイレット、又はクラスターである。
・Ｌ１は、Ｃ１～Ｃ１６の直鎖、分岐、又は環状の炭素鎖、又は（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１の形態である
（式中、
ＣｍＨｎはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
ＥはＢ、Ｎを表し；
Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
ｍは、値が１である整数であるか、１～８の範囲の整数であり；
ｎは、２～１６の範囲の独立した整数であり；
Ｒ１は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択され；
Ｒ２は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は
他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｌ２は、（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３の形態である
（式中、
ＣｐＨｑはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
ＥはＢ、Ｎを表し；
Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
ｐ及びｑは、１～１６の範囲の独立した整数であり、好ましくはｐは１～８に含まれ、ｑは２～１６に含まれ、最も好ましくはｐはｍとは異なり；
Ｒ３及びＲ４は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択される。好ましくは単座又は二座であり；
ｘは、０～４に含まれる整数であり；
ｙは分子の結合度を表し、１～６に含まれる；
・リチウム前駆体がケイ素を含まない；
・リチウム前駆体が、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）などから選択される；
・リチウム前駆体が、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２
）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）などである；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）である；
・リチウム前駆体がＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）である；
・蒸着法が、ＡＬＤ、ＣＶＤ、スプレーコーティング、ディップコーティング、スリットコーティング、スピンオン蒸着、又はこれらの組み合わせである；
・蒸着法がＡＬＤである；
・蒸着法がＣＶＤである；
・反応チャンバー内の温度が室温から室温未満の範囲である；
・反応チャンバー内の温度が約０℃～約６００℃の範囲である；
・反応チャンバー内の温度が約１５℃～約６００℃の範囲である；
・反応チャンバー内の温度が約１２５℃～約２５０℃の範囲である；
・反応器の温度範囲が約２０℃～約１０００℃である；
・プラズマ蒸着プロセスの堆積温度が約２０℃～約５５０℃の範囲である；
・ＡＬＤ及びＣＶＤの堆積温度が約１００℃～約５００℃の範囲である；
・ＡＬＤ及びＣＶＤの堆積温度が約２５０℃～約３５０℃の範囲である；
・熱的プロセスの堆積温度が約２００℃～約８００℃の範囲である；
・熱的プロセスの堆積温度が約４００℃～約６００℃の範囲である；
・ＡＬＤの堆積温度が１００℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が１２５℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が１３５℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が１５０℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が１７５℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が２００℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が２５０℃である；
・ＡＬＤの堆積温度が５００℃である；
・ＣＶＤの堆積温度が２００℃である；
・ＣＶＤの堆積温度が３００℃である；
・ＣＶＤの堆積温度が４００℃である；
・ＣＶＤの堆積温度が５００℃である；
・基板の温度が室温から約６００℃の範囲である；
・リチウム前駆体がケイ素フリーのリチウム前駆体である；
・リチウム前駆体が、単量体、二量体、三量体、又はそれらの組み合わせである；
・反応器に共反応物を供給する工程を更に含む；
・共反応物が、Ｏ３、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、トリメチルホスフェート、アルキルホスフェート、アルキルホスフィニミン、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、Ｏラジカル、又はこれらの組み合わせから選択される；
・共反応物が、Ｎ２、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、又はアルキルヒドラジンから選択される；
・共反応物がＯ３である；
・リチウム前駆体が１５０℃未満で液体である；
・リチウム前駆体が５０℃で液体である；
・リチウム前駆体が２５℃で液体である；
・Ｌｉ含有膜、アイレット、又はクラスターが、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯＨ、Ｌｉ２Ｓ、Ｌｉ３Ｎ、ＬｉＦ、炭酸リチウム、フッ化アルミニウムリチウム、リチウムアルミニウム酸化物、リチウムアルミニウム、リチウムコバルト酸化物、チタン酸リチウム、ジルコン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ＬｉＰＯＮ、リン酸リチウム、ホウ酸リチウム、ホウリン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、リチウムジルコニウム酸化物などの膜、アイレット、又はクラスターである。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0043】
より好ましくは、開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、一般式（Ｉ）を有し、式中、
Ｌ１は、Ｃ１～Ｃ１６の直鎖、分岐、若しくは環状の炭素鎖、又は（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２若しくは（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１の形態であり：
（式中、
・ＣｍＨｎはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
・ＥはＢ、Ｎを表し；
・Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
・ｍは、値が１である整数であるか、１～８の範囲の整数であり；
・ｎは、２～１６の範囲の独立した整数であり；
・Ｒ１は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択され；
・Ｒ２は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｌ２は、（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３の形態であり
（式中、
・ＣｐＨｑはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
・ＥはＢ、Ｎを表し；
・Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
・ｐ及びｑは、１～１６の範囲の独立した整数であり、好ましくはｐは１～８に含まれ、ｑは２～１６に含まれ、最も好ましくはｐはｍとは異なり；
・Ｒ３及びＲ４は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され、好ましくは単座又は二座であり；
ｘは、０～４に含まれる整数であり；
ｙは分子の結合度を表し、１～６に含まれる；
ただし、
ｘ＝０、ｐ＝２、ｑ＝４、Ｅ＝Ｎであり、Ｌ２、Ｒ３、及びＲ４の全てがメチルである場合は除外され；
ｘ＝０、ｐ＝２又は３、ｑ＝４又は６、Ｅ＝Ｎ、Ｌ２＝三級ブチル、Ｒ３及びＲ４がメチルである場合は除外され；
ｘ＝０、ｍ＝ｐ＝２、ｎ＝ｑ＝４、Ｅ＝Ｎ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の全てがメチルである場合は除外され；
ｘ＝０、ｍ＝ｐ＝２、ｎ＝ｑ＝４、Ｅ’＝Ｏ、Ｒ１とＲ３の両方がメチルである場合は除外され；
ｘ＝０、ｍ＝２、ｎ＝４、Ｅ’＝Ｏ、Ｒ１がメチルである場合は除外され；
Ｌ１＝Ｍｅ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝Ｅｔ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｉＰｒ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝
、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＭｅＨＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨＭｅ、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝｛ＣｍＨｎ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ１とＲ２の両方がＭｅ｝、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝｛ＣｍＨｎ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ１とＲ２の両方がＥｔ｝、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＥｔ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝Ｍｅ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ’＝Ｏ、Ｒ３がＭｅ｝、ｘ＝０は除外される。
Ｌ１は、Ｃ１～Ｃ１６の直鎖、分岐、若しくは環状の炭素鎖、又は（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２若しくは（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１の形態であり：
（式中、
・ＣｍＨｎはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
・ＥはＢ、Ｎを表し；
・Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
・ｍは、値が１である整数であるか、１～８の範囲の整数であり；
・ｎは、２～１６の範囲の独立した整数であり；
・Ｒ１は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択され；
・Ｒ２は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｌ２は、（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３の形態であり
（式中、
・ＣｐＨｑはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
・ＥはＢ、Ｎを表し；
・Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
・ｐ及びｑは、１～１６の範囲の独立した整数であり、好ましくはｐは１～８に含まれ、ｑは２～１６に含まれ、最も好ましくはｐはｍとは異なり；
・Ｒ３及びＲ４は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され、好ましくは単座又は二座であり；
ｘは、０～４に含まれる整数であり；
ｙは分子の結合度を表し、１～６に含まれる；
ただし、
ｘ＝０、ｐ＝２、ｑ＝４、Ｅ＝Ｎであり、Ｌ２、Ｒ３、及びＲ４の全てがメチルである場合は除外され；
ｘ＝０、ｐ＝２又は３、ｑ＝４又は６、Ｅ＝Ｎ、Ｌ２＝三級ブチル、Ｒ３及びＲ４がメチルである場合は除外され；
ｘ＝０、ｍ＝ｐ＝２、ｎ＝ｑ＝４、Ｅ＝Ｎ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の全てがメチルである場合は除外され；
ｘ＝０、ｍ＝ｐ＝２、ｎ＝ｑ＝４、Ｅ’＝Ｏ、Ｒ１とＲ３の両方がメチルである場合は除外され；
ｘ＝０、ｍ＝２、ｎ＝４、Ｅ’＝Ｏ、Ｒ１がメチルである場合は除外され；
Ｌ１＝Ｍｅ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝Ｅｔ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｉＰｒ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝
、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＭｅＨＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨＭｅ、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝｛ＣｍＨｎ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ１とＲ２の両方がＭｅ｝、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝｛ＣｍＨｎ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ１とＲ２の両方がＥｔ｝、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４の両方がＥｔ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝Ｍｅ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ’＝Ｏ、Ｒ３がＭｅ｝、ｘ＝０は除外される。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0062】
我々の知る限り、リチウム含有層を形成するためのＣＶＤ及びＡＬＤプロセスなどの堆積プロセスにおける、一般式（Ｉ）～（ＶＩ）に記載の開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体の使用が本明細書で最初に開示される。開示されるケイ素フリーのリチウム前駆体は、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯＨ、Ｌｉ２Ｓ、Ｌｉ３Ｎ、ＬｉＦ、炭酸リチウム、フッ化アルミニウムリチウム、リチウムアルミニウム酸化物、リチウムアルミニウム、リチウムコバルト酸化物、チタン酸リチウム、ジルコン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ＬｉＰＯＮ、リン酸リチウム、ホウ酸リチウム、ホウリン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、リチウムジルコニウム酸化物などのＬｉ含有膜又はアイレットを形成するために、ＡＬＤ又はＣＶＤなどの化学堆積法で、個別に、又はエナンチオマー若しくはアステレオ異性体、異なるリチウム前駆体、リチウム前駆体、及び金属前駆体との混合物で、溶液で又は非溶液で使用することができる。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0079】
反応器は、膜又はアイレットが上に堆積される１つ以上の基板を含む。基板は、一般的に、プロセスがその上で行われる材料として定義される。基板は、半導体又はリチウム電池産業で使用される任意の適切な基板であってよい。適切な基板の例としては、シリコン、シリカ、ガラス基板などのウェハー又は支持体が挙げられる。支持体は、前の製造工程からその上に堆積された異なる材料の１つ以上の層を有し得る。例えば、支持体は、シリコン層（結晶性、アモルファス、多孔質など）、シリコン酸化物層、シリコン窒化物層、シリコンオキシ窒化物層、炭素ドープシリコン酸化物（ＳｉＣＯＨ）層、又はこれらの組み合わせを含み得る。リチウム電池産業で使用される本開示のケイ素フリーのＬｉ含有前駆体は、グラファイト、ドープされたグラファイト、特にＳｉドープされたグラファイト、シリコン及びシリコン合金、又は金属酸化物（特にリチウムニッケル酸化物、リチウムニッケルマンガン酸化物、リチウムニッケルコバルト酸化物、リチウムニッケルコバルトマンガン酸化物、リチウムニッケルコバルトアルミニウム酸化物）から作られた粉末、リチウム鉄リン酸塩、並びにドーパントを含む対応する材料、又はそれらの組み合わせから製造された粉末上に堆積することができる。更に、ウェハーは銅層又は貴金属層（例えば白金、パラジウム、ロジウム、又は金）を含み得る。層は、ＭＥＭＳ、ＭＩＭ、ＤＲＡ
Ｍ、ＲＦフロントエンドモジュール、又はＦｅＲａｍ技術で誘電体材料として使用される酸化物を含み得る。下地材料は、ニッケル酸化物、マンガン酸化物、コバルト酸化物、グラファイト又はアモルファスカーボンなどを含み得る。ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート）［ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ］などのプラスチック層も使用され得る。層は、平面状であっても、球状であっても、丸みを帯びていても、パターン化されていてもよく、或いは規則的な構造を有さなくてもよい（上記を参照）。例えば、層は、水素化炭素、例えばＣＨｘ（ｘはゼロより大きい）から作られた下地材料であってよい。好ましい下地材料は、グラファイト又はアモルファスカーボン、リチウムニッケルマンガン酸化物、リチウムニッケルマンガンコバルト酸化物、リチウムニッケルコバルトアルミニウム酸化物である。
Ｍ、ＲＦフロントエンドモジュール、又はＦｅＲａｍ技術で誘電体材料として使用される酸化物を含み得る。下地材料は、ニッケル酸化物、マンガン酸化物、コバルト酸化物、グラファイト又はアモルファスカーボンなどを含み得る。ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート）［ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ］などのプラスチック層も使用され得る。層は、平面状であっても、球状であっても、丸みを帯びていても、パターン化されていてもよく、或いは規則的な構造を有さなくてもよい（上記を参照）。例えば、層は、水素化炭素、例えばＣＨｘ（ｘはゼロより大きい）から作られた下地材料であってよい。好ましい下地材料は、グラファイト又はアモルファスカーボン、リチウムニッケルマンガン酸化物、リチウムニッケルマンガンコバルト酸化物、リチウムニッケルコバルトアルミニウム酸化物である。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0102】
蒸着プロセスにより、開示されるケイ素フリーのＬｉ含有前駆体によって形成されるＬｉ含有膜又はアイレットは、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯＨ、Ｌｉ２Ｓ、Ｌｉ３Ｎ、ＬｉＦ、炭酸リチウム、フッ化アルミニウムリチウム、リチウムアルミニウム酸化物、リチウムアルミニウム、リチウムコバルト酸化物、チタン酸リチウム、ジルコン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ＬｉＰＯＮ、リン酸リチウム、ホウ酸リチウム、ホウリン酸リチウムなどを含む。
【手続補正7】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上にＬｉ含有膜、アイレット、又はクラスターを形成する方法であって、前記基板が中に配置されている反応器内に、下記一般式を有するケイ素フリーのリチウム前駆体を導入する工程
［Ｌｉ－ＮＬ１Ｌ２－Ｄｘ］ｙ （Ｉ）
（式中、
Ｌ１は、一般式：ＣｍＨｎ、（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２）、又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１）を有し、
・ＣｍＨｎは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ及びｎは独立した整数であり、１≦ｍ≦１６であり、１≦ｎ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｌ２は、一般式：（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４、又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３を有し、
・ＣｐＨｑは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｐ及びｑは独立した整数であり、１≦ｐ≦１６であり、１≦ｑ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ３及びＲ４は、それぞれ、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され；
ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）；並びに、
蒸着法を使用して前記ケイ素フリーのリチウム前駆体の少なくとも一部を前記基板上に堆積させて、前記リチウム含有膜、アイレット、又はクラスターを形成する工程、
を含む、方法。
【請求項2】
Ｌ１が、Ｃ１～Ｃ１６の直鎖、分岐、若しくは環状の炭素鎖、又は（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２若しくは（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１の形態であり：（式中、
・ＣｍＨｎはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
・ＥはＢ、Ｎを表し；
・Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
・ｍは、値が１である整数であるか、１～８の範囲の整数であり；
・ｎは、２～１６の範囲の独立した整数であり；
・Ｒ１は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択され；
・Ｒ２は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｌ２が、（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３の形態である：
（式中、
・ＣｐＨｑはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
・ＥはＢ、Ｎを表し；
・Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
・ｐ及びｑは、１～１６の範囲の独立した整数であり、好ましくはｐは１～８に含まれ、ｑは２～１６に含まれ、最も好ましくはｐはｍとは異なり；
・Ｒ３及びＲ４は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
・Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され、好ましくは単座又は二座であり；
・ｘは、０～４に含まれる整数であり；
・ｙは分子の結合度を表し、１～６に含まれる；
請求項１に記載の方法。
【請求項3】
前記ケイ素フリーのリチウム前駆体が、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、又はＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項4】
前記ケイ素フリーのリチウム前駆体が、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、又はＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項5】
前記ケイ素フリーのリチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２である、請求項１に記載の方法。
【請求項6】
前記ケイ素フリーのリチウム前駆体が、単量体、二量体、三量体、又はそれらの組み合わせである、請求項１に記載の方法。
【請求項7】
前記ケイ素フリーのリチウム前駆体が１５０℃未満で液体である、請求項１に記載の方法。
【請求項8】
前記蒸着法が、ＡＬＤ、ＣＶＤ、スプレーコーティング、ディップコーティング、スリットコーティング、スピンオン堆積、又はこれらの組み合わせである、請求項１に記載の方法。
【請求項9】
Ｏ３、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、トリメチルホスフェート、アルキルホスフェート、アルキルホスフィニミン、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、Ｏラジカル、又はこれらの組み合わせから選択される共反応物を前記反応器に供給する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項10】
前記共反応物がＯ３である、請求項９に記載の方法。
【請求項11】
前記Ｌｉ含有膜、アイレット、又はクラスターが、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯＨ、Ｌｉ２Ｓ、Ｌｉ３Ｎ、ＬｉＦ、炭酸リチウム、フッ化アルミニウムリチウム、リチウムアルミニウム酸化物、リチウムアルミニウム、リチウムコバルト酸化物、チタン酸リチウム、ジルコン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ＬｉＰＯＮ、リン酸リチウム、ホウ酸リチウム、ホウリン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、リチウムジルコニウム酸化物などの膜、アイレット、又はクラスターである、請求項１に記載の方法。
【請求項12】
前記反応器内の温度が約０℃～約６００℃の範囲である、請求項１に記載の方法。
【請求項13】
下記一般式を有するリチウム前駆体を含む組成物：［Ｌｉ－ＮＬ１Ｌ２－Ｄｘ］ｙ （Ｉ）
（式中、
Ｌ１は、一般式：ＣｍＨｎ、（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２）、又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１）を有し、
・ＣｍＨｎは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ及びｎは独立した整数であり、１≦ｍ≦１６であり、１≦ｎ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｌ２は、一般式：（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４、又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３を有し、
・ＣｐＨｑは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｐ及びｑは独立した整数であり、１≦ｐ≦１６であり、１≦ｑ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ３及びＲ４は、それぞれ、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され；
ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）。
【請求項14】
Ｌ１が、Ｃ１～Ｃ１６の直鎖、分岐、若しくは環状の炭素鎖、又は（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２若しくは（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１の形態であり：（式中、
・ＣｍＨｎはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
・ＥはＢ、Ｎを表し；
・Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
・ｍは、値が１である整数であるか、１～８の範囲の整数であり；
・ｎは、２～１６の範囲の独立した整数であり；
・Ｒ１は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択され；
・Ｒ２は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｌ２が、（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３の形態であり：
（式中、
・ＣｐＨｑはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
・ＥはＢ、Ｎを表し；
・Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
・ｐ及びｑは、１～１６の範囲の独立した整数であり、好ましくはｐは１～８に含まれ、ｑは２～１６に含まれ、最も好ましくはｐはｍとは異なり；
・Ｒ３及びＲ４は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選
択される）；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され、好ましくは単座又は二座であり；
ｘは、０～４に含まれる整数であり；
ｙは分子の結合度を表し、１～６に含まれ；
Ｌ１＝Ｍｅ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝Ｅｔ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｉＰｒ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＭｅＨＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝ｔＢｕ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨＭｅ、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝｛ＣｍＨｎ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ１とＲ２が共にＭｅ｝、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＭｅ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝｛ＣｍＨｎ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ１とＲ２が共にＥｔ｝、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ＝Ｎ、Ｒ３とＲ４が共にＥｔ｝、ｘ＝０は除外され；
Ｌ１＝Ｍｅ、Ｌ２＝｛ＣｐＨｑ＝ＣＨ２ＣＨ２、Ｅ’＝Ｏ、Ｒ３がＭｅ｝、ｘ＝０は除外される；
請求項１３に記載の組成物。
【請求項15】
前記リチウム前駆体が、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、又はＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）から選択される、請求項１３に記載の組成物。
【請求項16】
前記リチウム前駆体が、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、又はＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）から選択される、請求項１３に記載の組成物。
【請求項17】
前記リチウム前駆体がＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２である、請求項１３に記載の組成物。
【請求項18】
下記一般式を有する、膜、アイレット、又はクラスターを形成する前駆体：［Ｌｉ－ＮＬ１Ｌ２－Ｄｘ］ｙ （Ｉ）
（式中、
Ｌ１は、一般式：ＣｍＨｎ、（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２）、又は（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１）を有し、
・（ＣｍＨｎ）は、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｍ及びｎは独立した整数であり、１≦ｍ≦１６であり、１≦ｎ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｌ２は、一般式：（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４、又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３を有し、
・ＣｐＨｑは、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であり；
・ｐ及びｑは独立した整数であり、１≦ｐ≦１６であり、１≦ｑ≦１６であり；
・ＥはＢ、Ｎであり；
・Ｅ’は二価の元素であり；
・Ｒ３及びＲ４は、それぞれ、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から独立して選択され；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され；
ｘは整数であり、０≦ｘ≦４であり；
ｙは分子の結合度であり、１≦ｙ≦６である）。
【請求項19】
Ｌ１が、Ｃ１～Ｃ１６の直鎖、分岐、若しくは環状の炭素鎖、又は（ＣｍＨｎ）－ＥＲ１Ｒ２若しくは（ＣｍＨｎ）－Ｅ’Ｒ１の形態であり：（式中、
・ＣｍＨｎはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
・ＥはＢ、Ｎを表し；
・Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
・ｍは、値が１である整数であるか、１～８の範囲の整数であり；
・ｎは、２～１６の範囲の独立した整数であり；
・Ｒ１は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択され；
・Ｒ２は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のＣ１～Ｃ８アルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｌ２が、（ＣｐＨｑ）－ＥＲ３Ｒ４又は（ＣｐＨｑ）－Ｅ’Ｒ３の形態であり：
（式中、
・ＣｐＨｑはアルキル鎖であり、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基であってよく；
・ＥはＢ、Ｎを表し；
・Ｅ’はＯ、Ｓなどの二価元素を表し；
・ｐ及びｑは、１～１６の範囲の独立した整数であり、好ましくはｐは１～８に含まれ、ｑは２～１６に含まれ、最も好ましくはｐはｍとは異なり；
・Ｒ３及びＲ４は独立しており、水素、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、又は他の原子若しくは基で置換された直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基からなる群から選択される）；
Ｄは、単座、二座、三座、又は多座の中性配位配位子系から独立して選択され、好ましくは単座又は二座であり；
ｘは、０～４に含まれる整数であり；
ｙは分子の結合度を表し、１～６に含まれる；
請求項１８に記載の膜、アイレット、又はクラスターを形成する前駆体。
【請求項20】
ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジエトキシエタン）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（１，２－ジメトキシエタン）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮｉＰｒ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＥｔＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨＭｅＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＭｅＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨＥｔＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨＥｔＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＭｅ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＭｅ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮＥｔ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮｉＰｒ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮｔＢｕ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）２、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＭｅ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯＥｔ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｉＰｒ）、ＬｉＮ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＭｅ２）（ＣＨ２ＣＨ２ＯｔＢｕ）、又はＬｉＮＭｅ（ＣＨ２ＣＨ（ＯＭｅ）２）から選択される、請求項１８に記載の膜、アイレット、又はクラスターを形成する前駆体。
【国際調査報告】