(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2022-12-19
(54)【発明の名称】表示装置およびその製造方法、駆動基板
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20221212BHJP
H01L 27/32 20060101ALI20221212BHJP
H05B 33/02 20060101ALI20221212BHJP
H01L 51/50 20060101ALI20221212BHJP
H05B 33/10 20060101ALI20221212BHJP
H05B 33/06 20060101ALI20221212BHJP
H05B 33/24 20060101ALI20221212BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20221212BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 365
H01L27/32
H05B33/02
H05B33/14 A
H05B33/10
H05B33/06
H05B33/24
G09F9/30 349C
G09F9/30 349D
G09F9/30 348A
G09F9/30 349A
G09F9/00 338
G09F9/30 310
G09F9/30 330
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2022512405
(86)(22)【出願日】2019-08-23
(85)【翻訳文提出日】2022-02-22
(86)【国際出願番号】 CN2019102293
(87)【国際公開番号】W WO2021035405
(87)【国際公開日】2021-03-04
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】510280589
【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ Ｊｉｕｘｉａｎｑｉａｏ Ｒｄ．，Ｃｈａｏｙａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００１５，ＣＨＩＮＡ
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(72)【発明者】
【氏名】▲盧▼ ▲鵬▼程
(72)【発明者】
【氏名】黄 冠▲達▼
(72)【発明者】
【氏名】▲陳▼ 小川
(72)【発明者】
【氏名】▲楊▼ 盛▲際▼
(72)【発明者】
【氏名】董 学
(72)【発明者】
【氏名】王 ▲輝▼
(72)【発明者】
【氏名】王 晏酩
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC35
3K107CC43
3K107DD14
3K107DD23
3K107DD38
3K107DD39
3K107EE04
3K107EE27
3K107EE33
3K107FF15
5C094AA10
5C094AA22
5C094AA43
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094DA15
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5C094FA01
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5C094GB10
5G435AA03
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5G435KK05
(57)【要約】
表示装置及びその製造方法、駆動基板である。該表示装置は、ベース基板（１００）と、表示領域（ＡＡ）と、周辺領域（ＥＡ）とを含む。前記表示領域（ＡＡ）は、前記ベース基板（１００）に位置する複数のサブ画素（ＳＰ）を含み、各サブ画素（ＳＰ）は、第１反射電極（１０６）と、発光素子（１３０）と、第２電極層（１２６）と、絶縁層（１０３）と、画素回路（１０）と、記憶コンデンサ（Ｃｓｔ）とを含む。周辺領域（ＥＡ）は、複数の第２反射電極（２１６）と、遮光層（２４０）とを含む。本開示の表示装置において、絶縁層（１０３）によって第１反射電極（１０６）と第１電極層（１２２）とを離間し、それにより第１反射電極（１０６）をウェハー工場で製造された駆動基板に集積し、第１反射電極（１０６）の製造コスト及び製造難易度を低下させる。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ベース基板と、表示領域であって、前記表示領域が前記ベース基板に位置する複数のサブ画素を含み、各サブ画素が、
第１反射電極と、
前記第１反射電極に位置する発光素子であって、前記第１反射電極に順次積層された第１電極層、有機発光機能層及び第２電極層を含み、前記第１電極層が透明電極層であり、前記有機発光機能層が電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔注入層及び正孔輸送層を含む発光素子と、
前記第１反射電極と前記第１電極層との間に位置する絶縁層であって、前記絶縁層が光透過性を有し、それにより前記有機発光機能層から発した光が前記第１反射電極により反射されるように前記絶縁層の中を透過して前記第１反射電極に到達する絶縁層と、
前記ベース基板に位置し、かつ駆動トランジスタを含む画素回路であって、前記駆動トランジスタが半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含み、前記ソース電極及びドレイン電極のうちの一つが前記第１反射電極と互いに電気的に接続され、前記半導体層が前記ベース基板内に位置する画素回路と、
前記ベース基板に位置し、データ信号を記憶するように構成された記憶コンデンサと、
を含む表示領域と、
周辺領域であって、前記表示領域を取り囲み、かつ
前記ベース基板に位置する複数の第２反射電極と、
前記複数の第２反射電極の前記ベース基板から離れた側に設置された遮光層と、
を含む周辺領域と、を含む表示装置。
【請求項2】
前記絶縁層は、金属部材が充填されたビアホールを含み、前記第１反射電極は、前記金属部材により前記第１電極層に電気的に接続される、請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記絶縁層は、前記第１反射電極を露出させる第１開口を含み、前記第１電極層の少なくとも一部は、前記第１開口内に位置し、かつ前記第１反射電極に電気的に接続される、請求項１に記載の表示装置。
【請求項4】
前記第１反射電極の全体は、前記絶縁層により前記第１電極層から分離され、かつ前記第１電極層と互いに絶縁される、請求項１に記載の表示装置。
【請求項5】
少なくとも一つの配線層をさらに含み、前記少なくとも一つの配線層は、前記第１反射電極と前記ベース基板との間に位置する、請求項１～４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項6】
バインディング領域と、前記バインディング領域内に位置するパッドとをさらに含み、前記絶縁層は、前記パッドを露出させる第２開口を含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項7】
前記第１反射電極及び前記第２反射電極は、いずれも同じ層に設置された金属層を含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項8】
前記金属層の材料は、アルミニウム又はアルミニウム合金である、請求項７に記載の表示装置。
【請求項9】
前記第１反射電極及び前記第２反射電極は、いずれも少なくとも一つの保護層をさらに含み、該保護層は、前記金属層と積層されかつ前記金属層の前記ベース基板に近接する側に設置される、請求項８に記載の表示装置。
【請求項10】
前記第１電極層の前記ベース基板が位置する平面での正射影は、前記第１反射電極の前記ベース基板が位置する平面での正射影に位置する、請求項１～４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項11】
複数の第１反射電極のパターン密度は、複数の第２反射電極のパターン密度と同じである、請求項１～４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項12】
前記遮光層は、少なくとも色が異なりかつ積層設置された二種類のカラーフィルム層を含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項13】
前記ベース基板は、シリコンベース基板である、請求項１～４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項14】
表示領域と、表示領域を囲む周辺領域とを含む表示装置の製造方法であって、ベース基板を提供することと、
前記ベース基板に複数のサブ画素を形成することであって、複数のサブ画素が前記表示領域に位置し、前記サブ画素の形成が、
第１反射電極を形成することと、
前記第１反射電極に発光素子を形成することであって、前記発光素子が前記第１反射電極に順次積層された第１電極層、有機発光機能層及び第２電極層を含み、前記第１電極層が透明電極層であり、前記有機発光機能層が電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔注入層及び正孔輸送層を含むことと、
前記第１反射電極と前記第１電極層との間に絶縁層を形成することであって、前記絶縁層が光透過性を有し、それにより前記有機発光機能層から発した光が前記第１反射電極により反射されるように前記絶縁層の中を透過して前記第１反射電極に到達することと、
前記ベース基板に画素回路を形成することであって、前記画素回路が駆動トランジスタを含み、前記駆動トランジスタが半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含み、前記ソース電極及びドレイン電極のうちの一つが前記第１反射電極と互いに電気的に接続され、前記半導体層が前記ベース基板内に位置することと、
前記ベース基板に記憶コンデンサを形成することであって、前記記憶コンデンサがデータ信号を記憶するように構成されたことと、
を含むことと、
前記周辺領域に複数の第２反射電極を形成することと、
前記複数の反射電極の前記ベース基板から離れた側に遮光層を形成することと、を含む表示装置の製造方法。
【請求項15】
前記絶縁層にビアホールを形成することと、前記ビアホールに金属部材を充填することと、をさらに含む、請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項16】
前記第１電極層の形成は、前記絶縁層の前記ベース基板から離れた側に第１電極材料を形成することと、
前記第１電極材料をパターン化して第１電極層を形成することであって、前記第１電極層は、前記絶縁層のビアホールを被覆しかつ前記金属部材と接触し、前記第１電極層は、前記金属部材により前記第１反射電極と電気的に接続されることと、を含む、請求項１５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項17】
前記絶縁層に第１開口を形成し、前記第１開口は、前記第１反射電極を露出させることをさらに含む、請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項18】
前記第１電極層の形成は、前記絶縁層の前記ベース基板から離れた側に第１電極材料及び前記第１開口を形成することと、
前記第１電極材料をパターン化して第１電極層を形成することであって、前記第１電極層は、前記絶縁層の第１開口を被覆し、前記第１電極層の少なくとも一部は、前記第１開口内に形成されかつ前記第１反射電極に電気的に接続されることと、を含む、請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項19】
ベース基板と、表示領域であって、前記表示領域が前記ベース基板に位置する複数のサブ画素を含み、各サブ画素が、
前記ベース基板に位置する第１反射電極と、
絶縁層であって、前記第１反射電極の前記ベース基板から離れた側に位置し、前記絶縁層が発光素子の形成に適する第１表面を有し、前記絶縁層が光透過性を有し、それにより前記絶縁層に入射した光が前記第１反射電極により反射されるように前記絶縁層の中を透過して前記第１反射電極に到達する絶縁層と、
前記ベース基板上に位置しかつ駆動トランジスタを含む画素回路であって、前記駆動トランジスタが半導体層、ソース電極、ドレイン電極を含み、前記ソース電極及びドレイン電極のうちの一つが前記第１反射電極と互いに電気的に接続され、前記半導体層が前記ベース基板内に位置する画素回路と、
前記ベース基板に位置しかつデータ信号を記憶するように構成された記憶コンデンサと、
を含む表示領域と、
周辺領域であって、前記表示領域を取り囲み、かつ
前記ベース基板に位置する複数の第２反射電極と、
前記複数の第２反射電極の前記ベース基板から離れた側に設置された遮光層と、
を含む周辺領域と、を含む、発光素子の発光を駆動することに適する駆動基板。
【請求項20】
前記絶縁層は、金属部材が充填されたビアホールを含み、前記金属部材と前記第１反射電極は、互いに電気的に接続される、請求項１９に記載の駆動基板。
【請求項21】
前記絶縁層は、前記第１反射電極を露出させる第１開口を含む、請求項１９に記載の駆動基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の実施例は、表示装置およびその製造方法、駆動基板に関する。
【背景技術】
【0002】
仮想現実（Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ、ＶＲと略称する）技術及び拡張現実（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ、ＡＲと略称する）技術の日々の進歩に伴い、ＶＲ／ＡＲ分野に適用される表示装置も小型化、高画素密度（Ｐｉｘｅｌ Ｐｅｒ Ｉｎｃｈ、ＰＰＩと略称する）、高速応答及び高色域の方向へ発展している。シリコンベースのマイクロ表示ＯＬＥＤパネルは、そのうちの重要な一方向である。シリコンベースのマイクロ表示ＯＬＥＤの発進が遅いが、その小型化及び高ＰＰＩの利点により、表示分野の新たな注目点となっている。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0003】
本開示の実施例は、表示装置およびその製造方法、駆動基板に関する。
【0004】
本開示の第１態様によれば、表示装置を提供し、前記表示装置は、
ベース基板と、
表示領域であって、前記表示領域が前記ベース基板に位置する複数のサブ画素を含み、各サブ画素が、
第１反射電極と、
前記第１反射電極に位置する発光素子であって、前記第１反射電極に順次積層された第１電極層、有機発光機能層及び第２電極層を含み、前記第１電極層が透明電極層であり、前記有機発光機能層が電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔注入層及び正孔輸送層を含む発光素子と、
前記第１反射電極と前記第１電極層との間に位置する絶縁層であって、前記絶縁層が光透過性を有し、それにより前記有機発光機能層から発した光が前記第１反射電極により反射されるように前記絶縁層の中を透過して前記第１反射電極に到達する絶縁層と、
前記ベース基板に位置し、かつ駆動トランジスタを含む画素回路であって、前記駆動トランジスタが半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含み、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうちの一つが前記第１反射電極と互いに電気的に接続され、前記半導体層が前記ベース基板内に位置する画素回路と、
前記ベース基板に位置し、データ信号を記憶するように構成された記憶コンデンサと、を含む表示領域と、
周辺領域であって、前記表示領域を取り囲み、かつ
前記ベース基板に位置する複数の第２反射電極と、
前記複数の第２反射電極の前記ベース基板から離れた側に設置された遮光層と、を含む周辺領域と、を含む。
ベース基板と、
表示領域であって、前記表示領域が前記ベース基板に位置する複数のサブ画素を含み、各サブ画素が、
第１反射電極と、
前記第１反射電極に位置する発光素子であって、前記第１反射電極に順次積層された第１電極層、有機発光機能層及び第２電極層を含み、前記第１電極層が透明電極層であり、前記有機発光機能層が電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔注入層及び正孔輸送層を含む発光素子と、
前記第１反射電極と前記第１電極層との間に位置する絶縁層であって、前記絶縁層が光透過性を有し、それにより前記有機発光機能層から発した光が前記第１反射電極により反射されるように前記絶縁層の中を透過して前記第１反射電極に到達する絶縁層と、
前記ベース基板に位置し、かつ駆動トランジスタを含む画素回路であって、前記駆動トランジスタが半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含み、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうちの一つが前記第１反射電極と互いに電気的に接続され、前記半導体層が前記ベース基板内に位置する画素回路と、
前記ベース基板に位置し、データ信号を記憶するように構成された記憶コンデンサと、を含む表示領域と、
周辺領域であって、前記表示領域を取り囲み、かつ
前記ベース基板に位置する複数の第２反射電極と、
前記複数の第２反射電極の前記ベース基板から離れた側に設置された遮光層と、を含む周辺領域と、を含む。
【0005】
本開示の第２態様によれば、表示装置の製造方法を提供し、前記表示装置は、表示領域と、表示領域を囲む周辺領域とを含み、該製造方法は、
ベース基板を提供することと、
前記ベース基板に複数のサブ画素を形成することであって、複数のサブ画素が前記表示領域に位置し、前記サブ画素の形成が、
第１反射電極を形成することと、
前記第１反射電極に発光素子を形成することであって、前記発光素子が前記第１反射電極に順次積層された第１電極層、有機発光機能層及び第２電極層を含み、前記第１電極層が透明電極層であり、前記有機発光機能層が電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔注入層及び正孔輸送層を含むことと、
前記第１反射電極と前記第１電極層との間に絶縁層を形成することであって、前記絶縁層が光透過性を有し、それにより前記有機発光機能層から発した光が前記第１反射電極により反射されるように前記絶縁層の中を透過して前記第１反射電極に到達することと、
前記ベース基板に画素回路を形成することであって、前記画素回路が駆動トランジスタを含み、前記駆動トランジスタが半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含み、前記ソース電極及びドレイン電極のうちの一つが前記第１反射電極と互いに電気的に接続され、前記半導体層が前記ベース基板内に位置することと、
前記ベース基板に記憶コンデンサを形成することであって、前記記憶コンデンサがデータ信号を記憶するように構成されたことと、を含むことと、
前記周辺領域に複数の第２反射電極を形成することと、
前記複数の反射電極の前記ベース基板から離れた側に遮光層を形成することと、を含む。
ベース基板を提供することと、
前記ベース基板に複数のサブ画素を形成することであって、複数のサブ画素が前記表示領域に位置し、前記サブ画素の形成が、
第１反射電極を形成することと、
前記第１反射電極に発光素子を形成することであって、前記発光素子が前記第１反射電極に順次積層された第１電極層、有機発光機能層及び第２電極層を含み、前記第１電極層が透明電極層であり、前記有機発光機能層が電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔注入層及び正孔輸送層を含むことと、
前記第１反射電極と前記第１電極層との間に絶縁層を形成することであって、前記絶縁層が光透過性を有し、それにより前記有機発光機能層から発した光が前記第１反射電極により反射されるように前記絶縁層の中を透過して前記第１反射電極に到達することと、
前記ベース基板に画素回路を形成することであって、前記画素回路が駆動トランジスタを含み、前記駆動トランジスタが半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含み、前記ソース電極及びドレイン電極のうちの一つが前記第１反射電極と互いに電気的に接続され、前記半導体層が前記ベース基板内に位置することと、
前記ベース基板に記憶コンデンサを形成することであって、前記記憶コンデンサがデータ信号を記憶するように構成されたことと、を含むことと、
前記周辺領域に複数の第２反射電極を形成することと、
前記複数の反射電極の前記ベース基板から離れた側に遮光層を形成することと、を含む。
【0006】
本開示の第３態様によれば、発光素子の発光を駆動することに適する駆動基板を提供し、前記駆動基板は、
ベース基板と、
表示領域であって、前記表示領域が前記ベース基板に位置する複数のサブ画素を含み、各サブ画素が、
前記ベース基板に位置する第１反射電極と、
絶縁層であって、前記第１反射電極の前記ベース基板から離れた側に位置し、前記絶縁層が前記発光素子の形成に適する第１表面を有し、前記絶縁層が光透過性を有し、それにより前記絶縁層に入射した光が前記第１反射電極により反射されるように前記絶縁層の中を透過して前記第１反射電極に到達する絶縁層と、
前記ベース基板上に位置しかつ駆動トランジスタを含む画素回路であって、前記駆動トランジスタが半導体層、ソース電極、ドレイン電極を含み、前記ソース電極及びドレイン電極のうちの一つが前記第１反射電極と互いに電気的に接続され、前記半導体層が前記ベース基板内に位置する画素回路と、
前記ベース基板に位置しかつデータ信号を記憶するように構成された記憶コンデンサと、を含む表示領域と、
周辺領域であって、前記表示領域を取り囲み、かつ
前記ベース基板に位置する複数の第２反射電極と、
前記複数の第２反射電極の前記ベース基板から離れた側に設置された遮光層と、を含む周辺領域と、を含む。
ベース基板と、
表示領域であって、前記表示領域が前記ベース基板に位置する複数のサブ画素を含み、各サブ画素が、
前記ベース基板に位置する第１反射電極と、
絶縁層であって、前記第１反射電極の前記ベース基板から離れた側に位置し、前記絶縁層が前記発光素子の形成に適する第１表面を有し、前記絶縁層が光透過性を有し、それにより前記絶縁層に入射した光が前記第１反射電極により反射されるように前記絶縁層の中を透過して前記第１反射電極に到達する絶縁層と、
前記ベース基板上に位置しかつ駆動トランジスタを含む画素回路であって、前記駆動トランジスタが半導体層、ソース電極、ドレイン電極を含み、前記ソース電極及びドレイン電極のうちの一つが前記第１反射電極と互いに電気的に接続され、前記半導体層が前記ベース基板内に位置する画素回路と、
前記ベース基板に位置しかつデータ信号を記憶するように構成された記憶コンデンサと、を含む表示領域と、
周辺領域であって、前記表示領域を取り囲み、かつ
前記ベース基板に位置する複数の第２反射電極と、
前記複数の第２反射電極の前記ベース基板から離れた側に設置された遮光層と、を含む周辺領域と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【0007】
本開示の実施例の技術的解決手段をより明確に説明するために、以下、実施例の図面を簡単に紹介する。以下の説明における図面は、本開示のいくつかの実施例にのみ関連しており、本開示を限定するものではないことが明らかである。
【図1(a)】本開示の実施例が提供する表示装置のシリコンウェハーでの配置模式図である。
【図1(b)】本開示の実施例が提供する表示装置における各機能領域の模式図である。
【図2】本開示の実施例が提供する表示装置のサブ画素の部分拡大断面模式図である。
【図3】本開示の他の実施例が提供する表示装置のサブ画素の部分拡大断面模式図である。
【図4】本開示の更なる実施例が提供する表示装置のサブ画素の部分拡大断面模式図である。
【図5】本開示のさらに他の実施例が提供する表示装置のサブ画素の部分拡大断面模式図である。
【図6(a)】それぞれ本開示の実施例が提供する第１電極層と第１反射電極の二種類の異なる相対的な位置関係を示す。
【図6(b)】それぞれ本開示の実施例が提供する第１電極層と第１反射電極の二種類の異なる相対的な位置関係を示す。
【図7】本開示の実施例が提供する表示装置の断面模式図である。
【図8(a)】本開示の実施例が提供する表示装置の回路模式図である。
【図8(b)】本開示の実施例が提供する表示装置の局所回路模式図である。
【図9(a)】本開示の実施例が提供する表示装置の構造模式図である。
【図9(b)】本開示の実施例が提供する表示装置の断面模式図である。
【図10】本開示の実施例が提供する表示装置のサブ画素の形成方法のフローチャートである。
【図11】本開示の実施例が提供する表示装置のサブ画素の形成方法における各ステップの基板断面模式図である。
【図12】本開示の実施例が提供する表示装置のサブ画素の形成方法における各ステップの基板断面模式図である。
【図13】本開示の実施例が提供する表示装置のサブ画素の形成方法における各ステップの基板断面模式図である。
【図14】本開示の実施例が提供する表示装置のサブ画素の形成方法における各ステップの基板断面模式図である。
【図15】本開示の他の実施例が提供する表示装置のサブ画素の形成方法における各ステップの基板断面模式図である。
【図16】本開示の他の実施例が提供する表示装置のサブ画素の形成方法における各ステップの基板断面模式図である。
【図17】本開示の他の実施例が提供する表示装置のサブ画素の形成方法における各ステップの基板断面模式図である。
【図18】本開示の実施例が提供する表示装置における有機発光機能層の構造模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
本開示の目的、技術案及び利点をさらに明確に説明するために、以下、本開示の実施例の図面を参照して、本開示の実施例の技術案について明確で完全に説明する。明らかなように、記載された実施例は、本開示の一部の実施例であり、全ての実施例ではない。記載された本開示の実施例に基づいて、当業者が創造的な労働をせずに取得するその他の実施例は、いずれも本開示の保護範囲に含まれる。
【0009】
特に定義されない限り、ここで使用される技術用語又は科学用語は、当業者が理解する通常の意味を有すべきである。本開示の特許出願明細書及び特許請求の範囲で使用される「第１」、「第２」及び類似語は、何らかの順序、数量又は重要性を示すものではなく、異なる構成部分を区別するためのものにすぎない。「含む」や「含まれる」などの類似語は、「含む」や「含まれる」の前に出現した素子や物が「含む」や「含まれる」の後に挙げられる素子や物、及びそれらの均等物を含むことを意味するが、その他の素子や物を排除するものではない。「接続」や「互いに接続」などの類似語は、物理的又は機械的な接続に限定されず、直接的か間接的かを問わず、電気的な接続を含んでもよい。「上」、「下」、「左」、「右」などは、相対的な位置関係を示すためのものにすぎず、説明対象の絶対位置が変わると、該相対位置関係もそれに応じて変わる可能性がある。
【0010】
一般的に、有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）は、ボトム発光型素子、トップ発光型素子及び両面発光型素子を含む。有機電界発光素子の発光素子は、一般的にカソード、アノード及び両者の間に設けられた有機発光機能層を含む。カソードの材料が透明又は半透明の導電材料であり、アノードが反射性金属である場合、ＯＬＥＤは、トップ発光型素子（ｔｏｐｅｍｉｓｓｉｏｎｄｅｖｉｃｅ）であり、基板は、透明、半透明又は非透明基板であってもよい。
【0011】
マイクロＯＬＥＤは、シリコンベース表示装置に属する。シリコンベース部品が優れた電気的特性及び極めて微細な部品サイズを有するため、高集積化の実現に有利である。一般的に、シリコンベースのマイクロＯＬＥＤを製造する過程において、反射性金属を含むアノードは、パネル工場で製造され、反射性金属の下に位置する部分は、ウェハー工場で製造される。しかしながら、反射性金属を製造する時、パネル工場は、エッチングプロセスによって反射性金属のパターンを正確に制御することが困難であり、これは、シリコンベースのマイクロＯＬＥＤの製造コスト及び難易度を増加させるだけでなく、発光輝度にも悪影響を与える。
【0012】
本開示の実施例は、表示装置を提供し、ベース基板と、表示領域と、表示領域を取り囲む周辺領域と、を含む。ここで、表示領域は、前記表示領域が前記ベース基板に位置する複数のサブ画素を含み、各サブ画素は、第１反射電極と、前記第１反射電極に位置する発光素子であって、前記第１反射電極に順次積層された第１電極層、有機発光機能層及び第２電極層を含み、前記第１電極層が透明電極層であり、前記有機発光機能層が電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔注入層及び正孔輸送層を含む発光素子と、を含む。該表示領域は、さらに第１反射電極と前記第１電極層との間に位置する絶縁層であって、前記絶縁層が光透過性を有し、それにより前記有機発光機能層から発した光が前記第１反射電極により反射されるように前記絶縁層の中を透過して前記第１反射電極に到達する絶縁層と、前記ベース基板に位置し、かつ駆動トランジスタを含む画素回路であって、前記駆動トランジスタが半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含み、前記ソース電極及びドレイン電極のうちの一つが前記第１反射電極と互いに電気的に接続され、前記半導体層が前記ベース基板内に位置する画素回路と、前記ベース基板に位置し、データ信号を記憶するように構成された記憶コンデンサと、を含む。本実施例において、周辺領域は、前記ベース基板に位置する複数の第２反射電極と、前記複数の第２反射電極の前記ベース基板から離れた側に設置された遮光層と、を含む。
【0013】
本実施例の表示装置において、絶縁層によって第１反射電極と第１電極層とを互いに離間する。このようにして、第１反射電極をウェハー工場で製造された駆動基板に集積することが可能にし、第１反射電極の製造コスト及び難易度を低下させるだけでなく、表示装置の高発光輝度及び高発光効率を保証する。本明細書において、「駆動基板」は、表示装置において第１電極層の下方（第１電極層を含まない）に位置する積層構造を指すもので、該積層構造は、駆動トランジスタのような画素回路を含むため、発光素子の発光を駆動することに適する。
【0014】
図１（ａ）は、本開示の実施例が提供する表示装置のシリコンウェハーでの配置模式図であり、すなわちウェハマップ（ｗａｆｅｒ ｍａｐ）である。このウェハマップは、シリコンウェハーでの表示装置の数及び配列形態を模式的に示している。理解すべきなのは、図に示された表示装置の数及び配列形態は、例示的なものだけであり、本開示の実施例を限定するものではない。図１（ｂ）は、本開示の実施例が提供する表示装置における各機能領域の模式図である。図１（ｂ）に示すように、表示装置は、表示領域（Ａｃｔｉｖｅａｒｅａ、略称ＡＡ）と、表示領域を取り囲む周辺領域（Ｅｄｇｅ ａｒｅａ、略称ＥＡ）と、バインディング領域（Ｂｏｎｄｉｎｇ ａｒｅａ、略称ＢＡ）と、を含む。表示領域ＡＡは、アレイ状に配列された複数の画素ユニットＰＸを有する。各画素ユニットＰＸは、複数のサブ画素ＳＰを有する。例えば、画素ユニットは、３つ、４つ、５つまたはより多くのサブ画素を含んでもよく、これは、実際の応用環境に応じて設計を行って決定する必要があり、ここで限定しない。図１（ｂ）に示すように、表示装置は、バインディング領域ＢＡ内に位置する複数のパッドをさらに含み、パッドは、表示装置に信号入力又は出力のチャネルを提供するためのものである。図７は、本開示の実施例が提供する表示装置の断面模式図である。例えば、図７に示すように、表示装置は、三つのサブ画素、すなわち赤色サブ画素ＳＰ１と、緑色サブ画素ＳＰ２と、青色サブ画素ＳＰ３と、を含む。表示装置におけるサブ画素の色は、単に例示的なものであり、さらに青色、白色などの他の色を含むことができる。
【0015】
図２は、本開示の実施例が提供する表示装置のサブ画素の部分拡大断面模式図である。図２及び図７に示すように、例えば、各サブ画素は、第１反射電極１０６と第１反射電極１０６に位置する発光素子１３０とを含み、発光素子１３０は、順に第１反射電極１０６に積層された第１電極層１２２と、有機発光機能層１２４と、第２電極層１２６とを含む。
【0016】
例えば、続いて図２及び図７を参照し、各サブ画素は、第１反射電極１０６と第１電極層１２２との間に位置する絶縁層１０３をさらに含み、絶縁層１０３は、光透過性を有し、それにより有機発光機能層１２４から発した光が第１反射電極１０６に反射されるように絶縁層１０３の中を透過して第１反射電極１０６に到達する。絶縁層１０３によって第１反射電極１０６と第１電極層１２２とを離間し、このようにして、第１反射電極１０６製造する時、第１反射電極１０６をウェハー工場で製造された駆動基板に集積し、第１反射電極１０６の製造コスト及び製造の難易度を低下させる。かつ、有機発光機能層１２４から発した光Ｌが絶縁層１０３の有機発光機能層１２４に近接する第１表面１０３１に入射した時、絶縁層１０３が光透過性能を有するため、光Ｌは、絶縁層１０３の第１表面１０３１を透過し、絶縁層１０３の第１反射電極１０６に近接する第２表面１０３２から出射して第１反射電極１０６に到達することができる。第１反射電極１０６が反射性能を有し、その上に入射した光Ｌを発光素子１３０に反射し、最終的に発光素子１３０から出射する。本実施例において、絶縁層１０３の光透過性能により、第１反射電極１０６により反射された光は、ほとんど損失することなく外へ出射されたため、表示装置の高発光輝度及び高発光効率を保証する。例えば、三つのサブ画素における絶縁層１０３は、一体に形成されることで製造しやすく、製造プロセスの難易度を低下させる。
【0017】
少なくともいくつかの実施例において、絶縁層に第１電極層と第１反射電極とを電気的に接続するための導電パスが提供される。以下に、導電パスの二つの例を提供する。
【0018】
例えば、図２に示すように、絶縁層１０３は、金属部材１０８が充填されたビアホール１１０を含み、第１反射電極１０６は、金属部材１０８により第１電極層１２２に電気的に接続される。このように、絶縁層１０３に第１反射電極１０６と第１電極層１２２との間の導電パスを形成することにより、表示装置における画素回路により提供された信号を第１反射電極１０６により第１電極層１２２に伝送することに役立つ。このようにして、画素回路の発光素子に対する制御を実現することに役立つだけでなく、表示装置の構造をよりコンパクトにし、装置の小型化に役立つ。さらに、例えば、金属部材１０８は、金属材料、例えばタングステン金属で製造され、タングステン金属で充填されたビアホールは、タングステンビアホール（Ｗ－ｖｉａ）とも呼ばれる。例えば、絶縁層１０３の厚さが大きい場合、絶縁層１０３にタングステンビアホールを形成することは、導電パスの安定性を保証することができ、かつ、タングステンビアホールを製造するプロセスが成熟しているため、得られた絶縁層１０３の表面平坦度が高く、絶縁層１０３と第１電極層１２２との間の接触抵抗の低減に役立つ。理解すべきなのは、タングステンビアホールは、絶縁層１０３と第１電極層１２２との間の電気的接続を実現することに適するだけでなく、第１反射電極１０６と画素回路との間の電気的接続や他の配線層との間の電気的接続にも適する。第１反射電極１０６と画素回路との電気的接続については、後に詳述する。
【0019】
さらに例えば、図３に示すように、絶縁層２０３は、第１反射電極２０６を露出させる第１開口２１０を含み、第１電極層２２２の少なくとも一部２２２ａは、第１開口２１０内に位置しかつ第１反射電極２０６に電気的に接続される。図２において、第１電極層１２２と第１反射電極１０６は、金属部材１０８により電気的に接続され、両者が直接接触しない。図３において、第１電極層２２２の一部２２２ａは、絶縁層２０３の第１開口２１０内に充填され、かつ第１反射電極２０６と互いに直接接触して電気的接続を形成する。図２に比べて、図３における絶縁層２０３の第１開口２１０は、金属部材を充填する必要がないため、製造プロセスがより簡単である。かつ、第１電極層２２２と第１反射電極２０６が互いに直接接触するため、表示装置の厚さを減少させ、表示装置の薄化に役立つ。
【0020】
少なくともいくつかの実施例において、第１反射電極と第１電極層は、互いに絶縁される。例えば、図４に示すように、第１反射電極３０６全体は、絶縁層３０３により第１電極層３２２と分離され、かつ第１電極層３２２と互いに絶縁される。すなわち、第１電極層３２２と第１反射電極３０６との間は、電気的に接続されない。このようにして、第１反射電極３０６を製造する時に、従来の表示装置における配線層と画素回路の位置又は接続関係を変更する必要がないまま、同様に本開示の目的を達成することができる。この場合、駆動トランジスタＴ１を含む画素回路は、ビアホール３１０を介して第１電極層３２２に電気的に接続されて発光素子の発光を制御するために用いられる。
【0021】
例えば、図２に示すように、表示装置は、少なくとも一つの配線層Ｍ１をさらに含み、少なくとも一つの配線層Ｍ１は、第１反射電極１０６とベース基板１００との間に位置する。例えば、配線層Ｍ１は、金属層（ハッチング部分）を含み、ゲート電極接続部１０２ｇ、ソース電極接続部１０２ｓ及びドレイン電極接続部１０２ｄは、この同じ金属層に位置する。
【0022】
例えば、図２に示すように、第１反射電極１０６も金属層１０５を含み、該金属層１０５の材料は、例えばアルミニウム銅合金などのアルミニウム又はアルミニウム合金であり。アルミニウム又はアルミニウム銅合金の抵抗が小さく、かつ反射率が高いため、表示装置の発光輝度及び発光効率を向上させることができる。例えば、金属層１０５の厚さは、１０ｎｍ～１０００ｎｍの間である。厚さが低すぎる場合、反射効果が明らかでないが、厚さが高すぎる場合、パネル全体の厚さが大きくなる。第１反射電極１０６は、表示装置の配線層Ｍ２とみなすことができる。図２に示すように、表示装置が複数の配線層を含む場合、第１反射電極１０６が位置する配線層Ｍ２は、最上層の配線層であり、このように第１反射電極１０６の製造を簡略化することができ、表示装置の下層のアーキテクチャを破壊する必要がない。
【0023】
例えば、図２に示すように、第１反射電極１０６は、少なくとも一つの保護層１０４をさらに含み、この保護層１０４は、金属層１０５と積層設置されかつ金属層１０５のベース基板１００に近接する側に位置する。すなわち、保護層１０４は、金属層１０５のベース基板１００に近接する表面に位置する。このように、保護層１０４は、金属層１０５の酸化を回避することができる。例えば、保護層の材料は導電性材料、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）である。金属層１０５の第１電極層１２２に近接する表面に保護層１０４が設置されていないため、有機発光機能層１２４から発し、かつ第１電極層１２２、絶縁層１０３を通過する光は、金属層１０５の表面に直接入射することができ、これにより光の界面での損失を減少させ、光反射効率及び表示装置の発光輝度を向上させる。
【0024】
本開示の実施例において、保護層１０４の設置方式及び数は、図２に示す状況に限定されない。第１反射電極には保護層を設けなくてもよい。例えば、図３及び図４に示すように、第１反射電極１０６、３０６は、いかなる保護層を含まず、金属層のみを含む。一層の保護層を設置する場合、保護層は、金属層の片側に設置されてもよい。例えば、金属層１０５のベース基板１００に近接する側（図２に示すように）のみに設置されるか、又は、金属層１０５のベース基板１００から離れた側（図示せず）のみに設置される。二層の保護層を設置する場合、金属層の両側に設置してもよい。例えば、図５に示すように、第１反射電極４０６は、二つの保護層４０４と、両者の間に位置する金属層４０５とを含む。二つの保護層４０４は、それぞれ金属層４０５がベース基板４００に近接する側と、金属層４０５がベース基板４００から離れた側とに位置する。この場合、絶縁層４０３は、ビアホール４１０と、ビアホール内に位置する金属部材４０８とを含む。第１電極層４２２は、金属部材４０８により二つの保護層４０４と金属層４０５とを含む第１反射電極４０６に電気的に接続される。理解すべきなのは、上記保護層は、さらに他の配線層に適用することができる。例えば、図２に示すように、ゲート電極接続部１０２ｇ、ソース電極接続部１０２ｓ及びドレイン電極接続部１０２ｄのそれぞれの上下両側にいずれも保護層が設置され、このように、これらの電極接続部が酸化されることを効果的に防止し、導電性能を向上させることができる。
【0025】
例えば、図７に示すように、絶縁層１０３は、パッド１１２を露出させる第２開口１１４をさらに含み、第２開口１１４の設置は、パッド１１２と外部回路との間の電気的接続及び信号連通に役立つ。図７の表示装置は、図２に示すサブ画素構造を採用し、理解すべきなのは、図３～図５に示すサブ画素構造がいずれも図７の表示装置に適用されることができ、ここで説明を省略する。
【0026】
少なくともいくつかの実施例において、第１電極層と第１反射電極との間の相対的な位置関係は、実際の必要に応じて決定することができる。例えば、図２及び図６（ａ）に示すように、第１電極層１２２のベース基板１００が位置する平面での正射影は、第１反射電極１０６のベース基板１００が位置する平面での正射影内に位置する。すなわち、第１電極層１２２の正射影の面積は、第１反射電極１０６の正射影の面積より小さい。このように、第１電極層１２２を通過した光は、ほとんど全て第１反射電極１０６に入射しかつ反射され、それにより表示装置の発光効率及び発光輝度を向上させる。理解すべきなのは、第１電極層及び第１反射電極の設置方式は、図２及び図６（ａ）に示す状況に限定されず、逆であってもよい。例えば、図３に示すように、第１反射電極２０６のベース基板１００が位置する平面での正射影は、第１電極層２２２のベース基板２００が位置する平面での正射影内に位置する。さらに例えば、図４及び図６（ｂ）に示すように、第１反射電極３０６のベース基板３００が位置する平面での正射影は、第１電極層３２２のベース基板２００が位置する平面での正射影と局所的に重なり、このような位置関係において、従来の表示装置における配線層と駆動トランジスタとの電気的接続関係を変更しなくてもよく、第１反射電極３０６の製造プロセスを簡単にする。
【0027】
少なくともいくつかの実施例において、第１反射電極の形状は、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す矩形に限定されず、例えば円形、楕円形、平行四辺形、正多角形、台形などの他の規則的な形状であってもよい。又は、第１反射電極は、さらに例えば折れ線形、湾曲形、ハニカム形などの不規則な形状を有してもよい。例えば、図９（ａ）における第１反射電極３０６は、ハニカム形状である。ベース基板に平行な平面内で、第１電極層の形状は、第１反射電極の形状と同じであるか又は異なってもよい。例えば、図６（ａ）に示すように、ベース基板１００が位置する平面内に、第１反射電極１０６の形状は、第１電極層１２２の形状と同じである。このように、第１反射電極１０６により反射されて出射された光の輝度がより均一であることを保証することができる。また例えば、第１電極層の形状は、円形であり、第１反射電極の形状は、矩形である。さらに、この場合、円形の第１電極層のベース基板が位置する平面での正射影は、矩形の第１反射電極のベース基板が位置する平面での正射影内に位置する。このようにして、円形の第１電極層を通過した光は、ほぼ全て矩形の第１反射電極に入射しかつ反射され、それにより表示装置の発光効率及び発光輝度を向上させる。
【0028】
少なくともいくつかの実施例において、有機発光機能層は、発光層と、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層のうちの一つ又は複数の膜層からなる多層構造とを含んでもよい。図１８は、本開示の実施例が提供する有機発光機能層の構造模式図である。例えば、図１８に示すように、有機発光機能層１２４は、上から下へ順に電子注入層ＥＩＬ、電子輸送層ＥＴＬ、発光層ＯＬ、正孔注入層ＨＴＬ及び正孔輸送層ＨＩＬを含み、これらの層は、本分野の既知の材料及び構造を採用することができ、ここで詳細に説明しない。有機発光機能層１２４は、有機材料で製造されてもよく、図２に示すように、第１電極層１２２及び第２電極層１２６の電圧駆動で、有機材料の発光特性を利用して必要な階調に応じて発光する。
【0029】
少なくともいくつかの実施例において、各サブ画素は、画素回路をさらに含み、この画素回路は、駆動トランジスタを含む。図８（ａ）は、本開示の実施例が提供する表示装置の回路模式図である。図８（ｂ）は、本開示の実施例が提供する表示装置の部分回路模式図である。例えば、図８（ａ）に示すように、表示領域ＡＡにおいて、各サブ画素ＳＰは、一つの発光素子Ｘと、該発光素子Ｘに結合された一つの画素回路１０とを含む。図８（ｂ）に示すように、各画素回路１０は、駆動トランジスタＭ０を含む。発光素子Ｘは、例えばＯＬＥＤを含む。このように、ＯＬＥＤの正極は、駆動トランジスタＭ０の第２端Ｄに電気的に接続され、ＯＬＥＤの負極は、第２電源端ＶＳＳに電気的に接続される。第２電源端ＶＳＳの電圧は、一般的には負電圧又は接地電圧ＶＧＮＤ（例えば０Ｖ）である。駆動トランジスタＭ０は、Ｎ型トランジスタであってもよく、電流がその第１端Ｓから第２端Ｄに流れる時、第１端Ｓをそのソース電極とし、第２端Ｄをそのドレイン電極としてもよい。電流がその第２端Ｄから第１端Ｓに流れる時、第２端Ｄをそのソース電極とし、第１端Ｓをそのドレイン電極としてもよい。
【0030】
例えば、図２及び図７に示すように、各サブ画素における駆動トランジスタＴ１は、ソース電極Ｓと、ドレイン電極Ｄと、半導体層（ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間に位置する部分）とを含み、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄのうちの一つは、第１反射電極１０６と互いに電気的に接続される。半導体層は、ベース基板内に位置し、該半導体層は、例えばソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間に形成されたチャネル領域である。例えば、図２に示すように、駆動トランジスタＴ１は、ゲート電極Ｇと、ソース電極Ｓと、ドレイン電極Ｄとを含む。三つの電極は、それぞれ三つの電極接続部に対応する。例えば、ゲート電極Ｇは、ゲート電極接続部１０２ｇに電気的に接続され、ソース電極Ｓは、ソース電極接続部１０２ｓに電気的に接続され、ドレイン電極Ｄは、ドレイン電極接続部１０２ｄに電気的に接続される。駆動トランジスタＴ１のドレイン電極Ｄは、ドレイン電極接続部１０２ｄを介して第１反射電極１０６に電気的に接続される。駆動トランジスタＴ１がオン状態にある時、電源線により提供された電気信号ＶＤＤは、駆動トランジスタＴ１のドレイン電極Ｓ、ドレイン電極接続部１０２ｄ及び第１反射電極１０６により第１電極層１２２に伝送することができる。第２電極層１２６と第１電極層１２２との間に電圧差が形成されるため、両者の間に電界が形成され、有機発光機能層１２４は、該電界の作用で発光する。
【0031】
少なくともいくつかの実施例において、各サブ画素は、ベース基板に位置する記憶コンデンサをさらに含む。例えば、図８（ｂ）に示すように、各サブ画素は、データ信号を記憶するように構成された、ベース基板に位置する記憶コンデンサＣｓｔをさらに含む。記憶コンデンサＣｓｔの第１端は、駆動トランジスタＭ０のゲート電極Ｇに結合され、記憶コンデンサＣｓｔの第２端は、接地端ＧＮＤに結合される。このようにして、駆動トランジスタＴ１のゲート電極Ｇは、記憶コンデンサＣｓｔにより高階調又は低階調のデータ信号を記憶することができる。
【0032】
少なくともいくつかの実施例において、周辺領域は、ベース基板に位置する複数の第２反射電極と、複数の第２反射電極のベース基板から離れた側に設置された遮光層とを含む。例えば、図７に示すように、周辺領域ＥＡに第２反射電極２１６が設置され、該第２反射電極２１６は、第１反射電極１０６と同じ構造を有し、例えば、金属層２１５及び保護層２１４を含む。例えば、金属層２１５と金属層１０５は、同じ層に設置され、保護層２１４と保護層１０４は、同じ層に設置され、このように製造プロセスを簡略化することに役立つ。第２反射電極２１６のベース基板１００から離れた側に、第２反射電極２１６により反射された光線を遮断し、かつ表示領域から周辺領域への光漏れを低減するための遮光層２４０が設置される。例えば、該遮光層２４０は、少なくとも二つの色のカラーフィルム層の積層構造を含む。例えば、遮光層２４０は、積層設置された赤色カラーフィルム層２１８と緑色カラーフィルム層２２０とを含む。他の実施例において、さらに三種類の色のカラーフィルム層の積層構造を採用してもよい。また例えば、遮光層は、ブラックマトリクス層を含み、ブラックマトリクス層は、黒色樹脂材料を含み、同様に遮光効果を実現することができる。遮光層におけるカラーフィルム層を製造する時に、表示領域ＡＡにおける同じ色のカラーフィルム層と同じプロセスステップで完了することができ、このように製造プロセスのステップを減少させることができる。
【0033】
例えば、図７に示すように、表示装置は、表示領域ＡＡ内に設置された第１封止層１３２、カラーフィルタ層１３４、第２封止層１３６及びカバー１３８をさらに含む。例えば、第１封止層１３２は、第２電極層１２６のベース基板から離れた側に位置する。カラーフィルタ層１３４は、第１封止層１３２のベース基板から離れた側に位置し、かつ赤色カラーフィルム層Ｒ、緑色カラーフィルム層Ｇ及び青色カラーフィルム層Ｂを含む。第２封止層１３６及びカバー１３８は、カラーフィルタ層１３４のベース基板から離れた側に位置する。第１封止層１３２、カラーフィルタ層１３４、第２封止層１３６及びカバー１３８の具体的な材料については、本分野の一般的な材料を採用することができ、ここで詳細に説明しない。例えば、周辺領域ＥＡにおいて、さらに該遮光層２４０を覆う封止層２３６及びカバー２３８が設置される。例えば、封止層２３６と第２封止層１３６は、同じ材料を採用し、かつ同じプロセスステップで製造を完了し、カバー２３８とカバー１３８は、同じ材料を採用し、かつ同じプロセスステップで製造を完了し、このように、製造プロセスのステップを減少させることができる。
【0034】
図９（ａ）は、本開示の実施例が提供する表示装置の構造模式図である。図９（ｂ）は、本開示の実施例が提供する表示装置の断面模式図である。例えば、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、表示装置は、表示領域ＡＡ内に位置し、互いに間隔を隔てた複数の第１反射電極３０６を含む第１反射電極パターンを含む。例えば、周辺領域ＥＡは、センサ領域３０を含み、該表示装置は、センサ領域３０内に位置する複数の第２反射電極パターンをさらに含み、該第２反射電極パターンは、互いに間隔を隔てた複数の第２反射電極３０７を含む。
【0035】
少なくともいくつかの実施例において、周辺領域は、ベース基板に位置する複数の第３反射電極をさらに含む。例えば、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、周辺領域ＥＡは、接続電極領域５０をさらに含み、該表示装置は、接続電極領域５０内に位置する第３反射電極パターンをさらに含み、該第３反射電極パターンは、互いに間隔を隔てた複数の第３反射電極３０８を含む。
【0036】
少なくともいくつかの実施例において、第１反射電極パターンのパターン密度は、第２反射電極パターンのパターン密度及び／又は第３反射電極パターンのパターン密度と同じである。図９（ａ）に示すように、複数の第１反射電極３０６のパターン密度は、複数の第２反射電極３０７のパターン密度と同じであり、又は、複数の第１反射電極３０６のパターン密度は、複数の第３反射電極３０８のパターン密度、又は、複数の第１反射電極３０６のパターン密度、複数の第２反射電極３０７のパターン密度、複数の第３反射電極３０８のパターン密度といずれも同じである。このようにして、導電層をエッチングする時にオーバーエッチング現象が発生することを回避することができる。発明者らは、導電層をエッチングする過程において、表示装置の表示領域に反射電極パターンを形成する必要があり、該有機発光ダイオード表示装置の周辺領域の導電層部分を完全に又は局所的に除去する必要があり、表示領域と周辺領域のパターン密度が異なり、それにより同じドライエッチングプロセスで、単位面積内に、表示領域と周辺領域のエッチングにより除去する必要のある導電性材料の量の差異が大きいことを発見する。ドライエッチングプロセスの選択性が低く、それにより、一方では最終的に形成された第１電極パターンのプロセス膜厚及び寸法均一性を管理制御しにくく、他方では第１電極パターンの下の絶縁層にオーバーエッチング現象が発生しやすい。本実施例において、第２反射電極パターンのパターン密度及び第３反射電極パターンのうちの少なくとも一つを第１反射電極パターンのパターン密度と同じにし、オーバーエッチング現象の発生を回避し、それによりエッチング均一性を向上させることができる。
【0037】
少なくともいくつかの実施例において、周辺領域は、複数の第２反射電極及び複数の第３反射電極のベース基板から離れた側に設置された遮光層をさらに含む。例えば、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、複数の第２反射電極３０７及び複数の第３反射電極３０８のベース基板から離れた側に遮光層３３０が設置され、該遮光層は、ブラックマトリクス層を含み、該ブラックマトリクス層の材料は、黒色樹脂であり、第２反射電極３０７及び第３反射電極３０８により反射された光線を遮断し、かつ表示領域から周辺領域への光漏れを低減することができる。
【0038】
例えば、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、周辺領域ＥＡは、表示領域ＡＡを取り囲む第１ダミー領域２０をさらに含み、該第１ダミー領域２０内に反射電極が設置されない。例えば、該第１ダミー領域２０に第１ダミー電極２２が設置される。例えば、該第１ダミー領域２０における第１ダミー電極２２は、表示領域ＡＡにおける複数の第１電極３２２と同じ層に位置することにより、製造プロセスを簡略化する。表示領域ＡＡにおいて、隣接する二つの第１電極３２２は、画素定義層３２３により分離する。例えば、有機発光機能層３２４、第２電極３２６、封止層３２７は、いずれも第１ダミー領域２０に延在する。
【0039】
例えば、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、周辺領域ＥＡは、センサ領域３０を取り囲む第２ダミー領域４０をさらに含み、該第２ダミー領域４０内に反射電極が設置されない。例えば、該第２ダミー領域４０に第２ダミー電極４２が設置される。
【0040】
例えば、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、周辺領域ＥＡは、接続電極領域５０を取り囲む第３ダミー領域６０をさらに含み、該第３ダミー領域６０内に反射電極が設置されない。例えば、該第３ダミー領域６０に第３ダミー電極６２が設置される。
【0041】
少なくともいくつかの実施例において、表示装置の周辺領域は、電圧制御回路をさらに含む。例えば、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、表示装置は、アレイ基板の周辺領域に位置する、画素回路１０における駆動トランジスタＭ０の第１極が共通の電圧制御回路１２に結合される複数の電圧制御回路１２をさらに含んでもよい。電圧制御回路は、リセット制御信号ＲＥに応答して、初期化信号Ｖｉｎｉｔを駆動トランジスタＭ０の第１極に出力し、対応する発光素子Ｘをリセットするように制御し、かつ発光制御信号ＥＭに応答して、第１電源信号ＶＤＤを駆動トランジスタの第１極に出力して、発光素子Ｘが発光するように駆動するように構成される。
【0042】
少なくともいくつかの実施例において、第１電極層は、透明電極層である。例えば、第１電極層は、光透過性材料又は半光透過性材料で製造されてもよい。同様に、第２電極層は、透明電極層であってもよく、例えば光透過性材料又は半光透過性材料で製造される。光透過性材料は、例えば透明導電性酸化物であり、インジウムスズ酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）、カドミウムスズ酸化物（ｃａｄｍｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ、ＣＴＯ）、酸化スズ（ｓｔａｎｎｕｍ ｄｉｏｘｉｄｅ、ＳｎＯ２）及び酸化亜鉛（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ、ＺｎＯ）などを含むがこれらに限定されない。例えば、第１電極層は、ＩＴＯで製造される。ＩＴＯ材料は、一般的なモリブデン、チタン金属に比べて高い仕事関数を有するため、ＯＬＥＤアノード材料として用いられることに適し、かつＩＴＯが高い透過率を有するため、有機発光機能層から発した光は、ほとんど損失することなく第１電極層を通過することができ、さらに表示装置の発光効率及び発光輝度を向上させる。シリコンベースのマイクロＯＬＥＤ表示装置において、第１電極層と第２電極層のうちの一つは、アノードとして用いられ、もう一つは、カソードとして用いられる。
【0043】
少なくともいくつかの実施例において、絶縁層の材料は、光透過性材料であり、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は他の適切な材料等を含む。例えば、絶縁層は、単層であってもよく、多層であってもよい。
【0044】
少なくともいくつかの実施例において、ベース基板は、シリコンベース基板である。シリコンベース基板の製造プロセスが成熟し、性能が安定し、高集積度のマイクロ表示装置の製造に適する。例えば、表示装置は、シリコンベースのマイクロ有機発光ダイオード表示装置である。
【0045】
本実施例の表示装置において、第１電極層１２２、有機発光機能層１２４及び第２電極層１２６を含む発光素子と、第１封止層１３２と、カラーフィルタ層１３４と、第２封止層１３６と、カバー１３８とは、いずれもパネル工場で製造され、また、パッド１１２の上方の絶縁層１０３もパネル工場でエッチングされてパッドを露出させ、かつそれに対してフレキシブル回路基板とのバインド（ＦＰＣ ｂｏｎｄｉｎｇ）行うか又は配線バインド（Ｗｉｒｅ ｂｏｎｄｉｎｇ）工程を行う。したがって、本開示の設計された表示装置を採用することにより、ウェハー工場で第１反射電極１０６及び絶縁層１０３を製造し、発光素子の形成に適する駆動基板を製造することができ、第１反射電極の製造難易度を低下させるだけでなく、パネル工場の後続プロセス工程に役立つ。
【0046】
本開示の別の実施例は、表示装置の製造方法を提供し、前記表示装置は、表示領域と、表示領域を取り囲む周辺領域とを含み、該製造方法は、ベース基板を提供することと、前記ベース基板に複数のサブ画素を形成することであって、前記複数のサブ画素が前記表示領域に位置することと、を含む。ここで、前記サブ画素の形成は、第１反射電極を形成することと、前記第１反射電極に発光素子を形成することであって、前記発光素子が前記第１反射電極に順次積層された第１電極層、有機発光機能層及び第２電極層を含み、前記第１電極層が透明電極層であり、前記有機発光機能層が電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔注入層及び正孔輸送層を含むことと、前記第１反射電極と前記第１電極層との間に絶縁層を形成することであって、前記絶縁層が光透過性を有し、それにより前記有機発光機能層から発した光が前記第１反射電極により反射されるように前記絶縁層の中を透過して前記第１反射電極に到達することと、前記ベース基板に画素回路を形成することであって、前記画素回路が駆動トランジスタを含み、前記駆動トランジスタが半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含み、前記ソース電極及びドレイン電極のうちの一つが前記第１反射電極と互いに電気的に接続され、前記半導体層が前記ベース基板内に位置することと、前記ベース基板に記憶コンデンサを形成することであって、前記記憶コンデンサがデータ信号を記憶するように構成されたことと、を含む。該製造方法は、前記周辺領域に複数の第２反射電極を形成することと、前記複数の反射電極の前記ベース基板から離れた側に遮光層を形成することと、をさらに含む。
【0047】
本実施例において、第１電極層、発光素子、第２電極層、絶縁層、第１反射電極、第２反射電極、画素回路、記憶コンデンサの設置方式及び具体的な構造又は材料は、以上の実施例の内容を参照することができ、ここで説明を省略する。
【0048】
従来の表示装置の製造方法において、反射性金属は、一般的にパネル工場で製造され、プロセス製造の難易度及びコストを増加させる。本実施例において、第１反射電極と第１電極層を絶縁層により分離することにより、表示装置における第１反射電極及び絶縁層を含む積層構造をウェハー工場において独立して製造することが可能になり、かつ該積層構造は、発光素子を製造することに適する表面を有するため、第１反射電極の製造難易度を低下させるとともに、表示装置の高発光効率及び高発光輝度を保証する。
【0049】
図１０に示すように、本開示の更なる実施例は、サブ画素の形成方法を提供し、
ベース基板を提供するステップＳ１と、
前記ベース基板に光反射層及び絶縁層を形成するステップＳ２と、
前記絶縁層に発光素子を形成し、前記発光素子が前記光反射層に順次積層された第１電極層、発光層及び第２電極層を含み、第１電極層が透明電極層であり、前記絶縁層が光透過性を有し、それにより前記発光層から発した光が前記光反射層に反射されるように前記絶縁層の中を透過して前記光反射層に到達するステップＳ３と、を含む。
ベース基板を提供するステップＳ１と、
前記ベース基板に光反射層及び絶縁層を形成するステップＳ２と、
前記絶縁層に発光素子を形成し、前記発光素子が前記光反射層に順次積層された第１電極層、発光層及び第２電極層を含み、第１電極層が透明電極層であり、前記絶縁層が光透過性を有し、それにより前記発光層から発した光が前記光反射層に反射されるように前記絶縁層の中を透過して前記光反射層に到達するステップＳ３と、を含む。
【0050】
例えば、本開示の実施例は、図２の表示装置のサブ画素の形成方法を提供し、この方法は、以下のステップ１０１～１０３を含む。
【0051】
ステップ１０１、ベース基板を提供し、かつベース基板１００に第１反射電極１０６及び絶縁層１０３を形成する。
例えば、ベース基板１００に第１反射電極１０６を形成する。例えば、該第１反射電極１０６は、金属層１０５と保護層１０４とを含む。金属層１０５及び保護層１０４は、パターン化プロセスを用いて形成することができる。本開示の実施例において、パターン化プロセスは、フォトリソグラフィプロセスを含むがこれに限定されない。例えば、フォトリソグラフィプロセスは、予めパターン化された材料にフォトレジストを塗布し、マスクを利用してこのフォトレジストを露光し、フォトレジストを現像して一部のフォトレジストを除去し、一部の予めパターン化された材料をエッチングし、残りのフォトレジストを剥離することを含む。次に、第１反射電極１０６に絶縁層１０３を形成する。例えば、絶縁層１０３の形成は、図１１に示すように絶縁層１０３にビアホール１１０を形成することと、図１２に示すようにビアホール１１０に金属部材１０８を充填することとを含む。ここまで、発光素子を形成することに適する第１表面１０３１を有する駆動基板を形成する。理解すべきなのは、第１反射電極及び絶縁層以外に、ベース基板にさらに画素回路等の他の素子を形成する必要があり、その具体的な製造過程は、ここで詳細に説明しない。
例えば、ベース基板１００に第１反射電極１０６を形成する。例えば、該第１反射電極１０６は、金属層１０５と保護層１０４とを含む。金属層１０５及び保護層１０４は、パターン化プロセスを用いて形成することができる。本開示の実施例において、パターン化プロセスは、フォトリソグラフィプロセスを含むがこれに限定されない。例えば、フォトリソグラフィプロセスは、予めパターン化された材料にフォトレジストを塗布し、マスクを利用してこのフォトレジストを露光し、フォトレジストを現像して一部のフォトレジストを除去し、一部の予めパターン化された材料をエッチングし、残りのフォトレジストを剥離することを含む。次に、第１反射電極１０６に絶縁層１０３を形成する。例えば、絶縁層１０３の形成は、図１１に示すように絶縁層１０３にビアホール１１０を形成することと、図１２に示すようにビアホール１１０に金属部材１０８を充填することとを含む。ここまで、発光素子を形成することに適する第１表面１０３１を有する駆動基板を形成する。理解すべきなのは、第１反射電極及び絶縁層以外に、ベース基板にさらに画素回路等の他の素子を形成する必要があり、その具体的な製造過程は、ここで詳細に説明しない。
【0052】
ステップ１０２、絶縁層１０３の第１表面１０３１に第１電極層１２２を形成する。
例えば、図１３に示すように、絶縁層１０３のベース基板１００から離れた側に第１電極材料１５０を形成し、次に、図１４に示すように第１電極材料１５０をパターン化して第１電極層１２２を形成する。第１電極層１２２は、ビアホール１１０を被覆しかつ金属部材１０８と接触し、第１電極層１２２は、金属部材１０８により第１反射電極１０６と電気的に接続される。
例えば、図１３に示すように、絶縁層１０３のベース基板１００から離れた側に第１電極材料１５０を形成し、次に、図１４に示すように第１電極材料１５０をパターン化して第１電極層１２２を形成する。第１電極層１２２は、ビアホール１１０を被覆しかつ金属部材１０８と接触し、第１電極層１２２は、金属部材１０８により第１反射電極１０６と電気的に接続される。
【0053】
ステップ１０３、図２に示すように第１電極層１２２のベース基板から離れた側に順に有機発光機能層１２４及び第２電極層１２６を形成する。
【0054】
本実施例の製造方法において、ステップ１０１は、ウェハー工場で実行することができ、かつ駆動基板を得て、該駆動基板は、発光素子を形成することに適する第１表面１０３１を有する。次に、ステップ１０２及びステップ１０３は、パネル工場で実行され、パネル工場は、ステップ１０１で得られた駆動基板に、発光素子を製造し続けてパッケージし、それにより最終的な表示装置を得る。従来の表示装置の製造方法に比べて、第１反射電極は、ウェハー工場で製造することができるため、第１反射電極の製造難易度及び製造コストを低下させるだけでなく、表示装置の高発光効率を保証する。
【0055】
例えば、本開示の他の実施例は、図３のサブ画素の形成方法を提供し、この方法は、ステップ２０１～２０３を含む。
【0056】
ステップ２０１、図１５に示すように、ベース基板を提供し、かつベース基板２００に第１反射電極２０６及び絶縁層２０３を形成する。
例えば、画素回路が形成されたベース基板２００に第１反射電極２０６を形成する。例えば、該第１反射電極１０６は、金属層のみを含む。次に、第１反射電極２０６に絶縁層２０３を形成する。例えば、絶縁層２０３の形成は、絶縁層２０３に第１開口２１０を形成し、第１開口２１０は、第１反射電極２０６を露出させる。図１５に示すように、第１反射電極２０６のベース基板２００から離れた一部の表面は、第１開口２１０から露出する。ここまで、発光素子を形成することに適する第１表面２０３１を有する駆動基板を形成する。
例えば、画素回路が形成されたベース基板２００に第１反射電極２０６を形成する。例えば、該第１反射電極１０６は、金属層のみを含む。次に、第１反射電極２０６に絶縁層２０３を形成する。例えば、絶縁層２０３の形成は、絶縁層２０３に第１開口２１０を形成し、第１開口２１０は、第１反射電極２０６を露出させる。図１５に示すように、第１反射電極２０６のベース基板２００から離れた一部の表面は、第１開口２１０から露出する。ここまで、発光素子を形成することに適する第１表面２０３１を有する駆動基板を形成する。
【0057】
ステップ２０２、絶縁層２０３の第１表面２０３１に第１電極層２２２を形成する。
例えば、図１６に示すように、絶縁層２０３のベース基板２００から離れた側に第１電極材料２５０を形成する。次に、図１７に示すように、第１電極材料２５０をパターン化して第１電極層２２２を形成する。第１電極層２２２は、第１開口２１０を被覆し、第１電極層２２２の少なくとも一部２２２ａは、第１開口２１０内に形成されかつ第１反射電極２０６に電気的に接続される。
例えば、図１６に示すように、絶縁層２０３のベース基板２００から離れた側に第１電極材料２５０を形成する。次に、図１７に示すように、第１電極材料２５０をパターン化して第１電極層２２２を形成する。第１電極層２２２は、第１開口２１０を被覆し、第１電極層２２２の少なくとも一部２２２ａは、第１開口２１０内に形成されかつ第１反射電極２０６に電気的に接続される。
【0058】
ステップ２０３、図３に示すように第１電極層２２２のベース基板から離れた側に順に発光層２２４及び第２電極層２２６を形成する。
【0059】
本実施例の製造方法において、ステップ２０１は、ウェハー工場で実行することができ、かつ駆動基板を得て、該駆動基板は、発光素子を形成することに適する第１表面２０３１を有する。次に、ステップ２０２及びステップ２０３は、パネル工場で実行され、パネル工場は、ステップ２０１で得られた駆動基板に、続いて発光素子を製造してパッケージを行い、それにより最終的な表示装置を得る。従来の表示装置の製造方法に比べて、第１反射電極は、ウェハー工場で製造することができるため、第１反射電極の製造難易度及び製造コストを低下させるだけでなく、表示装置の高発光効率を保証する。
【0060】
本開示の更なる実施例は、駆動基板を提供し、発光素子の発光を駆動することに適し、ベース基板と、表示領域と、周辺領域とを含む。ここで、前記表示領域は、前記ベース基板に位置する複数のサブ画素を含む。ここで、各サブ画素は、前記ベース基板に位置する第１反射電極と、絶縁層であって、前記第１反射電極の前記ベース基板から離れた側に位置し、前記絶縁層が前記発光素子の形成に適する第１表面を有し、前記絶縁層が光透過性を有し、それにより前記絶縁層に入射した光が前記第１反射電極により反射されるように前記絶縁層の中を透過して前記第１反射電極に到達するものと、前記ベース基板上に位置しかつ駆動トランジスタを含む画素回路であって、前記駆動トランジスタが半導体層、ソース電極、ドレイン電極を含み、前記ソース電極及びドレイン電極のうちの一つが前記第１反射電極と互いに電気的に接続され、前記半導体層が前記ベース基板内に位置するものと、前記ベース基板に位置しかつデータ信号を記憶するように構成された記憶コンデンサと、を含む。ここで、周辺領域は、前記表示領域を取り囲み、かつ前記ベース基板に位置する複数の第２反射電極と、前記複数の第２反射電極の前記ベース基板から離れた側に設置された遮光層と、を含む。
【0061】
本実施例の駆動基板において、第１反射電極を有し、かつ絶縁層が前記発光素子を形成することに適する第１表面を有するため、第１反射電極をウェハー工場で製造された駆動基板に集積することができ、第１反射電極の製造コスト及び難易度を低下させるだけでなく、表示装置の高発光輝度及び高発光効率を保証する。
【0062】
例えば、図１２に示すように、駆動基板は、ベース基板１００と、第１反射電極１０６と、絶縁層１０３とを含み、絶縁層１０３は、金属部材１１８が充填されたビアホール１１０を含み、金属部材１１８と第１反射電極１０６は、互いに電気的に接続される。このように、絶縁層１０３は、発光素子１３０を形成することに適する第１表面１０３１を有する。
【0063】
例えば、図１５に示すように、駆動基板は、ベース基板２００と、第１反射電極２０６と、絶縁層２０３とを含み、絶縁層２０３は、第１反射電極２０３を露出させる第１開口２１０を含む。このように、絶縁層２０３は、発光素子２３０を形成することに適する第１表面２０３１を有する。
【0064】
本開示の実施例が提供する表示装置及びその製造方法、駆動基板において、絶縁層及び第１反射電極が設置されるため、表示装置における第１反射電極と絶縁層を含む積層構造をウェハー工場で独立して製造することが可能になり、それにより第１反射電極の製造難易度を低下させるとともに、表示装置の高発光効率及び高発光輝度を保証する。
【0065】
本明細書において、下記の点をさらに説明する必要がある。
（１）本開示の実施例の図面は、本開示の実施例の関する構造のみに関し、他の構造について通常の設計をしてもよい。
（１）本開示の実施例の図面は、本開示の実施例の関する構造のみに関し、他の構造について通常の設計をしてもよい。
【0066】
（２）明確にするために、本開示の実施例を説明するための図面において、層、又は領域の厚さは、拡大又は縮小され、すなわちこれらの図面は、実際の比率に応じて描画されるものではない。
【0067】
（３）衝突コンフリクトがない場合、本開示の実施例および実施例における特徴を互いに組合せて新しい実施例を得ることができる。
【0068】
以上は、本開示の例示的な実施形態のみであり、本開示の保護範囲を限定するものではなく、本開示の保護範囲は、添付の請求項により決定される。
【符号の説明】
【0069】
１０ 画素回路
１００ ベース基板
１０３ 絶縁層
１０６ 第１反射電極
１２２ 第１電極層
１２６ 第２電極層
１３０ 発光素子
２１６ 第２反射電極
２４０ 遮光層
ＡＡ 表示領域
Ｃｓｔ 記憶コンデンサ
ＥＡ 周辺領域
ＳＰ サブ画素
１００ ベース基板
１０３ 絶縁層
１０６ 第１反射電極
１２２ 第１電極層
１２６ 第２電極層
１３０ 発光素子
２１６ 第２反射電極
２４０ 遮光層
ＡＡ 表示領域
Ｃｓｔ 記憶コンデンサ
ＥＡ 周辺領域
ＳＰ サブ画素
【図1(a)】
【図1(b)】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6(a)】
【図6(b)】
【図7】
【図8(a)】
【図8(b)】
【図9(a)】
【図9(b)】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【国際調査報告】