特表 2023-507362 大規模並列アセンブリ方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2023-02-22

(54)【発明の名称】大規模並列アセンブリ方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/60 20060101AFI20230215BHJP

   H01L 33/48 20100101ALI20230215BHJP

   H01L 21/67 20060101ALI20230215BHJP

   H01L 23/14 20060101ALI20230215BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20230215BHJP

【ＦＩ】

H01L21/60 311Q

H01L33/48

H01L21/68 E

H01L23/14 S

G09F9/00 338

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2022536911

(86)(22)【出願日】2020-12-16

(85)【翻訳文提出日】2022-07-25

(86)【国際出願番号】 EP2020086335

(87)【国際公開番号】W WO2021122682

(87)【国際公開日】2021-06-24

(31)【優先権主張番号】19216475.4

(32)【優先日】2019-12-16

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】517197381

【氏名又は名称】ホアウェイ・テクノロジーズ・デュッセルドルフ・ゲーエムベーハー

(71)【出願人】

【識別番号】594102418

【氏名又は名称】フラウンホーファー－ゲゼルシャフト ツル フェルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング エー ファウ

【氏名又は名称原語表記】Ｆｒａｕｎｈｏｆｅｒ－Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｚｕｒ Ｆｏｅｒｄｅｒｕｎｇ ｄｅｒ ａｎｇｅｗａｎｄｔｅｎ Ｆｏｒｓｃｈｕｎｇ ｅ．Ｖ．

【住所又は居所原語表記】Ｈａｎｓａｓｔｒａｓｓｅ ２７ｃ， Ｄ－８０６８６ Ｍｕｅｎｃｈｅｎ， Ｇｅｒｍａｎｙ

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(74)【代理人】

【識別番号】100135079

【弁理士】

【氏名又は名称】宮崎 修

(72)【発明者】

【氏名】オッペルマン，ハンス ヘルマン

(72)【発明者】

【氏名】ゾシュケ，カイ

(72)【発明者】

【氏名】マニエール，シャールス アリックス

【テーマコード（参考）】

5F044

5F131

5F142

5G435

【Ｆターム（参考）】

5F044KK05

5F044LL01

5F044LL04

5F044QQ03

5F044QQ06

5F044RR01

5F044RR12

5F131AA04

5F131AA12

5F131BA53

5F131BA54

5F131CA32

5F131DA14

5F131EA07

5F131EC42

5F131EC52

5F131EC62

5F131EC63

5F131EC64

5F131EC67

5F131EC72

5F131EC73

5F142AA82

5F142CA11

5F142CA13

5F142CB14

5F142CB23

5F142CD02

5F142CD15

5F142FA50

5G435AA17

5G435BB04

5G435CC09

5G435HH20

5G435KK05

5G435KK10

(57)【要約】

実施形態は、装置を製造する方法を提供する。当該方法は、第１キャリアの接着層によって複数のチップが取り付けられた第１キャリアを用意することを有し、複数のチップの第１表面が第１キャリアに取り付けられている。さらに、当該方法は、複数のチップのうちのサブセットの第２表面を、コンベヤ層の構造化接着層によって、コンベヤキャリアに選択的に取り付けることを有する。さらに、当該方法は、複数のチップのうちのサブセットを、第１キャリアの接着層のうち対応するセクションを剥離することによって、第１キャリアから選択的に解放することを有する。さらに、当該方法は、複数のチップのうちのサブセットの第１表面を装置の基板に取り付けることを有する。さらに、当該方法は、複数のチップのうちのサブセットを、コンベヤキャリアの構造化接着層のうち少なくとも対応するセクションを剥離することによって、コンベヤキャリアから解放することを有する。複数のチップのうちの適切なサブセットを第１キャリアから選択的に解放すること、及び複数のチップのうちの適切なサブセットをコンベヤキャリアから解放すること、のうちの少なくとも一方が、レーザ剥離によって実行される。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

装置を製造する方法であって、
複数のチップ［例えば、μＬＥＤ］が取り付けられた第１キャリア［例えば、ガラスキャリア／ガラスウエハ］を用意し、前記複数のチップは、当該第１キャリアの接着層［例えば、当該キャリア［例えば、の表面］上に配置される］によって当該第１キャリアに取り付けられており、前記複数のチップの第１表面が当該第１キャリアに取り付けられており、
前記複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］の第２表面［例えば、第１表面の反対側］を、コンベヤ層の構造化接着層［例えば、当該コンベヤキャリア［例えば、の表面］上に配置される］によって、コンベヤキャリア［例えば、ガラスキャリア／ガラスウエハ］に選択的に取り付け、
前記複数のチップのうちの前記サブセット［例えば、適切なサブセット］を、前記第１キャリアの前記接着層のうち対応するセクション［例えば、前記複数のチップのうちの前記サブセット［例えば、適切なサブセット］が取り付けられた前記第１キャリアの前記接着層のセクション］を剥離［例えば、レーザ剥離］することによって、前記第１キャリアから選択的に解放し［例えば、且つ、前記複数のチップのうちの前記サブセットの前記第１表面を洗浄し］、
前記複数のチップのうちの前記サブセット［例えば、適切なサブセット］の前記第１表面を前記装置の基板に取り付け、
前記複数のチップのうちの前記サブセット［例えば、適切なサブセット］を、前記コンベヤキャリアの前記構造化接着層のうち少なくとも対応するセクション［例えば、前記複数のチップのうちの前記適切なサブセットが取り付けられた前記コンベヤ層の前記接着層のセクション］を剥離［例えば、レーザ剥離］することによって、前記コンベヤキャリアから解放する、
ことを有し、
前記複数のチップのうちの前記適切なサブセットを前記第１キャリアから選択的に解放すること、及び前記複数のチップのうちの前記適切なサブセットを前記コンベヤキャリアから解放すること、のうちの少なくとも一方が、レーザ剥離によって実行される、
方法。

【請求項2】

前記複数のチップは、チップの二次元アレイである、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記複数のチップのうちの前記サブセット［例えば、適切なサブセット］は、二次元パターンによって画成される、請求項２に記載の方法。

【請求項4】

前記二次元パターンに従ってロウ方向に２つおき又は３つおきのチップ及び／又はカラム方向に２つおき又は３つおきのチップが、チップの前記二次元アレイから選択されて、チップの前記サブセット［例えば、適切なサブセット］が得られる、請求項３に記載の方法。

【請求項5】

上に接着層を備えた前記コンベヤキャリアを用意し、
前記チップの前記サブセット［例えば、適切なサブセット］を画成する前記二次元パターンに基づいて前記コンベヤキャリアの前記接着層を構造化することで、前記コンベヤ層の前記構造化接着層を得る、
ことを更に有する請求項３乃至４のいずれか一項に記載の方法。

【請求項6】

前記複数のチップのうちの前記サブセット［例えば、適切なサブセット］の前記第１表面を前記装置の前記基板に取り付けることは、前記複数のチップのうちの前記サブセットを前記装置の前記基板に接合することを有する、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。

【請求項7】

前記複数のチップの前記第１表面はメタライゼーション層を有する、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。

【請求項8】

前記複数のチップのうちの前記サブセット［例えば、適切なサブセット］の前記第１表面は、上にＡｕＳｎはんだ層スタックが配置されたメタライゼーション層を有し、
前記複数のチップのうちの前記サブセット［例えば、適切なサブセット］の前記第１表面を前記装置の前記基板に取り付けることは、前記複数のチップのうちの前記サブセット［例えば、適切なサブセット］を、２８０℃以上の温度［例えば、２８０℃と５００℃との間の温度］で、前記装置の前記基板にはんだ付けすることを有する、
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。

【請求項9】

前記第１キャリアはハンドリングキャリアである、
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。

【請求項10】

前記第１キャリアはドナーキャリアであり、
前記ドナーキャリアを用意することは、
前記複数のチップが取り付けられたハンドリングキャリア［例えば、ガラスキャリア／ガラスウエハ］を用意し、前記複数のチップは前記ハンドリングキャリアに前記ハンドリングキャリアの接着層［例えば、前記ハンドリングキャリア［例えば、の表面］上に配置される］によって取り付けられており、前記複数のチップの前記第２表面が前記ハンドリングキャリアに取り付けられており、
前記複数のチップ、又は前記複数のチップのうちの適切なサブセット、の前記第１表面を、前記ドナーキャリアの前記接着層によって、前記ドナーキャリアに取り付け、
前記複数のチップ、又は前記複数のチップのうちの前記適切なサブセットを、前記ハンドリングキャリアの前記接着層のうち少なくとも対応するセクションをレーザ剥離することによって、前記ハンドリングキャリアから解放する、
ことを有する、
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。

【請求項11】

前記ドナーキャリアを用意することは更に、
前記複数のチップの前記第１表面を前記ドナーキャリアに取り付けることに先立って、前記装置の前記第１表面上にメタライゼーション層を設ける、又は
前記複数のチップの前記第１表面を前記ドナーキャリアに取り付けることに先立って、前記装置の前記第１表面上にメタライゼーション層を設け、該メタライゼーション層上にＡｕＳｎはんだ層スタックを設ける、
ことを有する、
請求項１０に記載の方法。

【請求項12】

前記ハンドリングキャリアを用意することは、
上に前記複数のチップが形成された［例えば、半導体］基板を用意し、
前記複数のチップを備えた前記基板を、接着層［例えば、当該キャリア［例えば、の表面］上に配置される］によって前記ハンドリングキャリアに取り付け、前記複数のチップが当該キャリアに面し、
［例えば、基板をダイシングすることによって］前記複数のチップを前記基板から分離する、
ことを有する、
請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の方法。

【請求項13】

前記複数のチップは、第１の複数のチップ［例えば、第１の色のμＬＥＤ］であり、
当該方法は更に、
第２の複数のチップ［例えば、第１の色とは異なる第２の色のμＬＥＤ］が取り付けられた第２キャリア［例えば、ガラスキャリア／ガラスウエハ］を用意し、前記第２の複数のチップは、当該第２キャリアの接着層［例えば、当該キャリア［例えば、の表面］上に配置される］によって当該第２キャリアに取り付けられており、前記第２の複数のチップの第１表面が当該第２キャリアに取り付けられており、
前記第２の複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］の第２表面［例えば、第１表面の反対側］を、第２のコンベヤ層の構造化接着層［例えば、当該コンベヤキャリア［例えば、の表面］上に配置される］によって、第２のコンベヤキャリア［例えば、ガラスキャリア／ガラスウエハ］に選択的に取り付け、
前記第２の複数のチップのうちの前記サブセット［例えば、適切なサブセット］を、前記第２キャリアの前記接着層のうち対応するセクション［例えば、前記第２の複数のチップのうちの前記サブセット［例えば、適切なサブセット］が取り付けられた前記第２キャリアの前記接着層のセクション］をレーザ剥離することによって、前記第２キャリアから選択的に解放し、
前記第２の複数のチップのうちの前記サブセット［例えば、適切なサブセット］の前記第１表面を前記装置の前記基板に取り付け、
前記第２の複数のチップのうちの前記サブセット［例えば、適切なサブセット］を、前記第２のコンベヤキャリアの前記構造化接着層のうち少なくとも対応するセクション［例えば、前記第２の複数のチップのうちの前記サブセット［例えば、適切なサブセット］が取り付けられた前記第２のコンベヤ層の前記接着層のセクション］をレーザ剥離することによって、前記第２のコンベヤキャリアから解放する、
ことを有する、
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の方法。

【請求項14】

前記第１の複数のチップのうちの前記サブセット［例えば、適切なサブセット］、及び前記第２の複数のチップのうちの前記サブセット［例えば、適切なサブセット］は、前記装置の前記基板上で、互いに対してインターリーブされるようにして配置される、
請求項１３に記載の方法。

【請求項15】

前記第１の複数のチップのうちの前記サブセット［例えば、適切なサブセット］の前記第１表面、及び前記第２の複数のチップのうちの前記サブセット［例えば、適切なサブセット］の前記第１表面は、上にＡｕＳｎはんだ層スタックが配置されたメタライゼーション層を有し、
前記第１の複数のチップのうちの前記サブセット［例えば、適切なサブセット］の前記第１表面を前記装置の前記基板に取り付けることは、前記第１の複数のチップのうちの前記第１のサブセット［例えば、適切なサブセット］を、２８０℃と５００℃との間の温度で、前記装置の前記基板にはんだ付けすることを有し、
前記第２の複数のチップのうちの前記サブセット［例えば、適切なサブセット］の前記第１表面を前記装置の前記基板に取り付けることは、前記第１の複数のチップのうちの前記第２のサブセット［例えば、適切なサブセット］を、２８０℃と５００℃との間の温度で、前記装置の前記基板にはんだ付けすることを有し、
前記第１の複数のチップは、前記第２の複数のチップのうちの前記サブセット［例えば、適切なサブセット］の前記第１表面を前記装置の前記基板に取り付けるのに先立って、前記装置の前記基板にはんだ付けされる、
請求項１３乃至１４のいずれか一項に記載の方法。

【請求項16】

前記チップは、半導体チップ、光学フィルタ、強磁性体、ｈｉｇｈ－ｋ誘電体、傾動ミラー、マイクロレンズ、レーザダイオード、光検出器、及び発光ダイオード［例えば、ミニ又はマイクロ発光ダイオード］のうちの少なくとも１つである、
請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の方法。

【請求項17】

前記装置は、ディスプレイ、又はディスプレイの一部である、又は
前記装置は、光モジュール、又は光モジュールの一部［例えば、光トランシーバ［例えば、レーザダイオード、光検出器、ミラー、又は光学フィルタ向け）］である、又は
前記装置は、電力レギュレータ又はスイッチ［例えば、ｈｉｇｈ－ｋ誘電体を有するキャパシタ又はフェライト若しくは強磁性体を有するインダクタ向け］である、
請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

実施形態は、装置を製造する方法に関し、具体的には、複数のチップを基板に並列に取り付けることを可能にする方法に関する。一部の実施形態は、大規模（マッシブ）並列アセンブリに関する。

【背景技術】

【0002】

通常、基板上にチップをボンディングするには、チップが、接着フィルムを備えたソーイング済みウエハからニードルによって個々に切り出され、真空ツールに受け入れられ、正確な位置で基板に対してアライメントされ、そして、例えば熱工程にて、接着、はんだ付け、加圧溶接、又は摩擦溶接によって接続される。例えば２５０μｍ未満のエッジ長チップなど、チップサイズが非常に小さくなると、切断及び受け入れの際のハンドリングが困難になる。ボンディングすべきチップが複数（例えば、数１０００チップ）あると、基板に対するローディング時間全体が増すので、ますます非経済的になる。

【0003】

非特許文献１から、複数の同じ部材の並列アセンブリを実現するための異なる方法が知られているが、それは限られた範囲でしか使用可能でない。

【先行技術文献】

【非特許文献】

【0004】

【非特許文献1】MARKET AND TECHNOLOGY REPORT ― MicroLED Displays, 2017, Report by Yole Developpement

【発明の概要】

【0005】

従って、本発明の目的は現状を改善することである。

【0006】

この目的は独立請求項によって解決される。

【0007】

有利な実装が従属請求項にて取り上げられる。

【0008】

実施形態は、装置を製造する方法を提供する。当該方法は、第１キャリアの接着層［例えば、当該キャリア［例えば、の表面］上に配置される］によって複数のチップ［例えば、μＬＥＤ］が取り付けられた第１キャリア［例えば、ガラスキャリア／ガラスウエハ］を用意することを有し、複数のチップの第１表面が第１キャリアに取り付けられている。さらに、当該方法は、複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］の第２表面［例えば、第１表面の反対側］を、コンベヤ層の構造化接着層［例えば、コンベヤキャリア［例えば、の表面］上に配置される］によって、コンベヤキャリア［例えば、ガラスキャリア／ガラスウエハ］に選択的に取り付けることを有する。さらに、当該方法は、複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］を、第１キャリアの接着層のうち対応するセクション［例えば、複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］が取り付けられた第１キャリアの接着層のセクション］を剥離［例えば、レーザ剥離］することによって、第１キャリアから選択的に解放すること［例えば、及び、複数のチップのうちのサブセットの第１表面を洗浄する］ことを有する。さらに、当該方法は、複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］の第１表面を装置の基板に取り付けることを有する。さらに、当該方法は、複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］を、コンベヤキャリアの構造化接着層のうち少なくとも対応するセクション［例えば、複数のチップのうちの適切なサブセットが取り付けられたコンベヤ層の接着層のセクション］を剥離［例えば、レーザ剥離］することによって、コンベヤキャリアから解放することを有する。複数のチップのうちの適切なサブセットを第１キャリアから選択的に解放すること、及び複数のチップのうちの適切なサブセットをコンベヤキャリアから解放すること、のうちの少なくとも一方が、レーザ剥離によって実行される。

【0009】

実施形態は、並列高精度アセンブリを可能にする。

【0010】

実施形態において、複数のチップは、チップの二次元アレイである。

【0011】

実施形態において、複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］は、二次元パターンによって画成される。

【0012】

実施形態において、二次元パターンに従ってロウ方向に２つおき又は３つおきのチップ及び／又はカラム方向に２つおき又は３つおきのチップが、チップの二次元アレイから選択されて、チップのサブセット［例えば、適切なサブセット］が得られる。

【0013】

実施形態において、当該方法は更に、上に接着層を備えたコンベヤキャリアを用意することと、チップのサブセット［例えば、適切なサブセット］を画成する二次元パターンに基づいてコンベヤキャリアの接着層を構造化することで、コンベヤ層の構造化接着層を得ることとを有する。

【0014】

実施形態において、複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］の第１表面を装置の基板に取り付けることは、複数のチップのうちのサブセットを装置の基板に接合することを有する。

【0015】

実施形態において、複数のチップの第１表面はメタライゼーション層を有する。

【0016】

実施形態において、複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］の第１表面は、上にＡｕＳｎはんだ層スタックが配置されたメタライゼーション層を有し、
複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］の第１表面を装置の基板に取り付けることは、複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］を、２８０℃以上の温度［例えば、２８０℃と３５０℃との間の温度、又は２８０℃と５００℃との間の温度］で、装置の基板にはんだ付けすることを有する。

【0017】

実施形態において、第１キャリアはハンドリングキャリアである。

【0018】

実施形態において、第１キャリアはドナーキャリアであり、ドナーキャリアを用意することは、複数のチップが取り付けられたハンドリングキャリア［例えば、ガラスキャリア／ガラスウエハ］を用意し、複数のチップはハンドリングキャリアにハンドリングキャリアの接着層［例えば、ハンドリングキャリア［例えば、の表面］上に配置される］によって取り付けられており、複数のチップの第２表面がハンドリングキャリアに取り付けられており、複数のチップ、又は複数のチップのうちの適切なサブセット、の第１表面を、ドナーキャリアの接着層によって、ドナーキャリアに取り付け、複数のチップ、又はそれらチップのうちの適切なサブセットを、ハンドリングキャリアの接着層のうち少なくとも対応するセクションをレーザ剥離することによって、ハンドリングキャリアから解放することを有する。

【0019】

実施形態において、ドナーキャリアを用意することは更に、複数のチップの第１表面をドナーキャリアに取り付けることに先立って、装置の第１表面上にメタライゼーション層を設けることを有する。

【0020】

実施形態において、ドナーキャリアを用意することは更に、複数のチップの第１表面をドナーキャリアに取り付けることに先立って、装置の第１表面上にメタライゼーション層を設け、該メタライゼーション層上にＡｕＳｎはんだ層スタックを設けることを有する。

【0021】

実施形態において、ドナーキャリアを用意することは更に、複数のチップのメタライゼーション層［例えば、複数のチップの第１表面上に配置されたメタライゼーション層］上にＡｕＳｎはんだ層スタックを設けることを有する。

【0022】

例えば、Ａｕ／Ｓｎスタック［例えば、Ａｕ／Ｓｎメタルスタック］を［例えば、メタライゼーション層上に］に設け［例えば、配置し］、アニールすることができる。共晶はんだＡｕＳｎ２０又はＡｕ／Ｓｎ８０／２０は、２８０℃以上のはんだ付け温度で形成される。再溶融／はんだ付けするとき、過剰な金がＡｕ／Ｓｎ８０／２０（共晶）と合金化して、５１２℃でしか融解しないものであるＡｕ／Ｓｎ８８／１２（Ａｕ５Ｓｎ又はゼータ相）へと変わる。

【0023】

実施形態において、ハンドリングキャリアを用意することは、上に複数のチップが形成された［例えば、半導体］基板を用意し、複数のチップを備えた基板を、接着層［例えば、当該キャリア［例えば、の表面］上に配置される］によってハンドリングキャリアに取り付け、複数のチップが当該キャリアに面し、［例えば、基板をダイシングすることによって］複数のチップを基板から分離することを有する。

【0024】

実施形態において、複数のチップは、第１の複数のチップ［例えば、第１の色のμＬＥＤ］であり、当該方法は更に、第２の複数のチップ［例えば、第１の色とは異なる第２の色のμＬＥＤ］が取り付けられた第２キャリア［例えば、ガラスキャリア／ガラスウエハ］を用意し、第２の複数のチップは、当該第２キャリアの接着層［例えば、当該キャリア［例えば、の表面］上に配置される］によって当該第２キャリアに取り付けられており、第２の複数のチップの第１表面が当該第２キャリアに取り付けられており、第２の複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］の第２表面［例えば、第１表面の反対側］を、第２のコンベヤ層の構造化接着層［例えば、当該コンベヤキャリア［例えば、の表面］上に配置される］によって、第２のコンベヤキャリア［例えば、ガラスキャリア／ガラスウエハ］に選択的に取り付け、第２の複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］を、第２キャリアの接着層のうち対応するセクション［例えば、第２の複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］が取り付けられた第２キャリアの接着層のセクション］をレーザ剥離することによって、第２キャリアから選択的に解放し、第２の複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］の第１表面を装置の基板に取り付け、そして、第２の複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］を、第２のコンベヤキャリアの構造化接着層のうち少なくとも対応するセクション［例えば、第２の複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］が取り付けられた第２のコンベヤ層の接着層のセクション］をレーザ剥離することによって、第２のコンベヤキャリアから解放することを有する。

【0025】

実施形態において、第１の複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］、及び第２の複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］は、装置の基板上で、互いに対してインターリーブされるようにして配置される。

【0026】

実施形態において、第１の複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］の第１表面、及び第２の複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］の第１表面は、上にＡｕＳｎはんだ層スタックが配置されたメタライゼーション層を有し、第１の複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］の第１表面を装置の基板に取り付けることは、第１の複数のチップのうちの第１のサブセット［例えば、適切なサブセット］を、２８０℃と５００℃との間の温度で、装置の基板にはんだ付けすることを有し、第２の複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］の第１表面を装置の基板に取り付けることは、第１の複数のチップのうちの第２のサブセット［例えば、適切なサブセット］を、２８０℃と５００℃との間の温度で、装置の基板にはんだ付けすることを有し、第１の複数のチップは、第２の複数のチップのうちのサブセット［例えば、適切なサブセット］の第１表面を装置の基板に取り付けるのに先立って、装置の基板にはんだ付けされる。

【0027】

実施形態において、チップは、半導体チップ、光学フィルタ、強磁性体、ｈｉｇｈ－ｋ誘電体、傾動ミラー、マイクロレンズ、レーザダイオード、光検出器、及び発光ダイオード［例えば、ミニ又はマイクロ発光ダイオード］のうちの少なくとも１つである、
実施形態において、装置は、ディスプレイ、又はディスプレイの一部である。

【0028】

実施形態において、装置は、光モジュール、又は光モジュールの一部［例えば、光トランシーバ［例えば、レーザダイオード、光検出器、ミラー、又は光学フィルタ向け）］である。

【0029】

実施形態において、装置は、電力レギュレータ又はスイッチ［例えば、ｈｉｇｈ－ｋ誘電体を有するキャパシタ又はフェライト若しくは強磁性体を有するインダクタ向け］である。

【図面の簡単な説明】

【0030】

本発明の実施形態をここでは添付の図面を参照して説明する。

【図1】本発明の一実施形態に従った、装置を製造する方法のフローチャートを示している。

【図2】図２ａ（Ｆｉｇ．２ａ）は、接着層によって複数のチップが取り付けられたハンドリングキャリアを用意する工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示しており、図２ｂ（Ｆｉｇ．２ｂ）は、複数のチップ又は複数のチップのうちの適切なサブセットの第１表面をドナーキャリアの接着層によってドナーキャリアに取り付ける工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示しており、図２ｃ（Ｆｉｇ．２ｃ）は、複数のチップ又は複数のチップのうちの適切なサブセットをハンドリングキャリアから解放する工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示しており、図２ｄ（Ｆｉｇ．２ｄ）は、複数のチップのうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）の第２表面を構造化接着層によってコンベヤキャリアに選択的に取り付ける工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示しており、図２ｅ（Ｆｉｇ．２ｅ）は、複数のチップのうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）を選択的にドナーキャリア（又はハンドリングキャリア）から解放する工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示しており、図２ｆ（Ｆｉｇ．２ｆ）は、複数のチップのうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）の第１表面を装置の基板に取り付ける工程後、且つ複数のチップのうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）をコンベヤキャリアから解放する工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。

【図3】接合されたウエハ又はコンポーネントをレーザ剥離によってガラスキャリアから解放することの断面図を示している。

【図4】図４ａは、各ハンドリングキャリア（又はドナーキャリア）に複数のチップが取り付けられた３つのハンドリングキャリア（又はドナーキャリア）を用意する工程後の、装置製造の中間プロダクトの上面図を示しており、図４ｂは、第１、第２、及び第３の複数のチップのうちの適切なサブセットを装置の基板に取り付けた後の、装置製造の中間プロダクトの上面図を示している。

【図5】接着層によって複数のチップが取り付けられたハンドリングキャリアを用意する工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。

【図6】図６ａ（Ｆｉｇ．６ａ）は、複数のチップ又は複数のチップのうちの適切なサブセットの第１表面をドナーキャリアの接着層によってドナーキャリアに取り付ける工程中の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示しており、図６ｂ（Ｆｉｇ．６ｂ）は、複数のチップ又は複数のチップのうちの適切なサブセットをハンドリングキャリアから解放する工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示しており、図６ｃ（Ｆｉｇ．６ｃ）は、接着層によって複数のチップが取り付けられたハンドリングキャリアを用意する工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示しており、図６ｄ（Ｆｉｇ．６ｄ）は、複数のチップ又は複数のチップのうちの適切なサブセットをドナーキャリアによってひっくり返して、複数のチップ又は複数のチップのうちの適切なサブセットからハンドリングキャリアを除去する工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。

【図7】複数のチップのうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）を選択的にコンベヤキャリアに取り付け、複数のチップのうちの適切なサブセットを選択的にドナーキャリア（又はハンドリングキャリア）から解放する工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。

【図8】図８ａ（Ｆｉｇ．８ａ）は、上に構造化接着層が配置されたコンベヤキャリアを用意する工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示しており、図８ｂ（Ｆｉｇ．８ｂ）は、複数のチップのうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）を構造化接着層によってコンベヤキャリアに選択的に取り付ける工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示しており、図８ｃ（Ｆｉｇ．８ｃ）は、複数のチップのうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）をレーザ剥離によってドナーキャリア（又はハンドリングキャリア）から選択的に解放する工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。

【図9】複数のチップのうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）を装置の基板に取り付ける工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。

【図10】図１０ａ（Ｆｉｇ．１０ａ）は、複数のチップのうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）を構造化接着層によってコンベヤキャリアに選択的に取り付ける工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示しており、図１０ｂ（Ｆｉｇ．１０ｂ）は、複数のチップのうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）をレーザ剥離によってドナーキャリア（又はハンドリングキャリア）から選択的に解放する工程中の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示しており、図１０ｃ（Ｆｉｇ．１０ｃ）は、複数のチップのうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）をドナーキャリア（又はハンドリングキャリア）から選択的に解放し、複数のチップのうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）をプラズマによって洗浄する工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示しており、図１０ｄ（Ｆｉｇ．１０ｄ）は、コンベヤキャリアに取り付けられた複数のチップのうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）をプラズマによって洗浄する工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。

【図11】図１１ａ（Ｆｉｇ．１１ａ）は、第１の複数のチップ（例えば、第１の色（例えば、赤色）のμＬＥＤ）のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）を、第１のコンベヤキャリアを用いて装置の基板に取り付ける工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示しており、図１１ｂ（Ｆｉｇ．１１ｂ）は、第１の複数のチップのうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）を、例えばレーザ剥離によって、第１のコンベヤキャリアから解放する工程中の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示しており、図１１ｃ（Ｆｉｇ．１１ｃ）は、第２の複数のチップ（例えば、第２の色（例えば、緑色）のμＬＥＤ）のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）を、第２のコンベヤキャリアを用いて装置の基板に取り付ける工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示しており、図１１ｄ（Ｆｉｇ．１１ｄ）は、第２の複数のチップのうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）を、例えばレーザ剥離によって、第２のコンベヤキャリアから解放する工程中の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示しており、図１１ｅ（Ｆｉｇ．１１ｅ）は、第３の複数のチップ（例えば、第３の色（例えば、青色）のμＬＥＤ）のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）を、第３のコンベヤキャリアを用いて装置の基板に取り付ける工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示しており、図１１ｆ（Ｆｉｇ．１１ｆ）は、第３の複数のチップのうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）を、例えばレーザ剥離によって、第３のコンベヤキャリアから解放する工程中の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。

【発明を実施するための形態】

【0031】

以下の説明では、同じ若しくは同等の要素、又は同じ若しくは同等の機能を有する要素は、同じ又は同等の参照符号で表記する。

【0032】

以下の説明では、本開示の実施形態のより完全なる説明を提供するために、複数の詳細事項を説明する。しかしながら、当業者に明らかになることには、本開示の実施形態は、それらの特定の詳細事項なしで実施されることができる。また、本開示の実施形態を不明瞭にしてしまうことを回避するために、周知の構造及び装置は、詳細にではなくブロック図の形態で示す。また、特に別の断りがない限り、以下に説明される異なる実施形態の特徴を互いに組み合わせてもよい。

【0033】

図１は、本発明の一実施形態に従った、装置を製造する方法１００のフローチャートを示している。方法１００は、第１キャリアの接着層によって複数のチップが取り付けられた第１キャリアを用意する工程１０２を有し、複数のチップの第１表面が第１キャリアに取り付けられている。さらに、方法１００は、複数のチップのうちのサブセットの第２表面を、コンベヤ層の構造化接着層によって、コンベヤキャリアに選択的に取り付ける工程１０４を有する。さらに、方法１００は、複数のチップのうちのサブセットを、第１キャリアの接着層のうち対応するセクションを剥離することによって、第１キャリアから選択的に解放する工程１０６を有する。さらに、方法１００は、複数のチップのうちのサブセットの第１表面を装置の基板に取り付ける工程１０８を有する。さらに、方法１００は、複数のチップのうちのサブセットを、コンベヤキャリアの構造化接着層のうち少なくとも対応するセクションを剥離することによって、コンベヤキャリアから解放する工程１１０を有する。これに関し、複数のチップのうちの適切なサブセットを第１キャリアから選択的に解放すること、及び複数のチップのうちの適切なサブセットをコンベヤキャリアから解放すること、のうちの少なくとも一方が、レーザ剥離によって実行される。

【0034】

続いて、装置を製造する方法１００の様々な工程の後に得られる装置製造の中間（又は中間段階）プロダクトの断面図を示すものである図２ａ－図２ｆを参照して、装置を製造する方法１００の実施形態を更に詳細に説明する。

【0035】

図２ａは、接着層２０２によって複数のチップ２１０が取り付けられたハンドリングキャリア２００を用意する工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。換言すれば、図２ａは、ハンドリングキャリア２００上のチップ２１０を示している。

【0036】

接着層２０２は、ハンドリングキャリア２００の表面に配置されることができ、複数のチップ２１０を接着層２０２に取り付けることができる。

【0037】

例として図２ａに示すように、複数のチップ２１０の第２表面２１２を、接着層２０２によってハンドリングキャリア２００に取り付けることができる。当然ながら、実施形態において、第２表面２１２とは反対側の複数のチップ２１０の第１表面２１４を、接着層２０２によってハンドリングキャリア２００に取り付けることもできる。

【0038】

チップ２１０の第１表面２１４は、前処理されることができ、例えば、メタライゼーション層を有し、及びオプションで、例えばＡｕＳｎ層スタック（Ａｕ＝金、Ｓｎ＝錫）などの、はんだが上に配置されている。あるいは、方法１００は、例えば、チップ２１０の第１表面２１４上にメタライゼーション層を設けること、及び／又はメタライゼーション層上にはんだを設けることなど、チップ２１０の第１表面２１４を処理する工程を有することができる。後者の場合、チップ２１０の第２表面２１２が接着層２０２によってハンドリングキャリア２００に取り付けられていると有利であり、あるいは、チップ２１０をひっくり返すためにドナーキャリアを用いてもよい。

【0039】

ハンドリングキャリア２００は、例えば、ガラスキャリア又はガラスウエハ（すなわち、ガラスを有する又はガラスからなるキャリアウエハ）とすることができる。

【0040】

例として図２ａに示すように、複数のチップは、マイクロ発光ダイオード（μＬＥＤ）とすることができる。当然ながら、実施形態において、複数のチップはまた、半導体チップ、光学フィルタ、強磁性体、ｈｉｇｈ－ｋ誘電体、傾動（tilting）ミラー、マイクロレンズ、レーザダイオード、又は光検出器であってもよい。

【0041】

図２ｂは、複数のチップ２１０又は複数のチップ２１０のうちの適切なサブセットの第１表面２１４をドナーキャリア２２０の接着層２２２によってドナーキャリア２２０に取り付ける工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。換言すれば、図２ｂは、ドナーへのチップ２１０の転写（ウエハフリップ）を示している。

【0042】

接着層２２２は、ドナーキャリア２２０の表面上に配置されることができ、複数のチップ２１０を接着層２２２に取り付けることができる。

【0043】

ドナーキャリア２２０は、例えば、ガラスキャリア又はガラスウエハ（すなわち、ガラスを有する又はガラスからなるキャリアウエハ）とすることができる。

【0044】

図２ｃは、複数のチップ２１０又は複数のチップのうちの適切なサブセットをハンドリングキャリア２００から解放する工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。換言すれば、図２ｃは、チップキャリア除去（例えば、レーザ剥離）を示している。

【0045】

複数のチップ２１０、又は複数のチップ２１０のうちの適切なサブセットは、ハンドリングキャリア２００の接着層２０２のうち少なくとも対応するセクション（例えば、複数のチップ２１０又は複数のチップ２１０のうちの適切なサブセットが取り付けられたハンドリングキャリア２００の接着層２０２のセクション）を剥離することによって、ハンドリングキャリア２００から解放されることができる。

【0046】

例えば、複数のチップ２１０、又は複数のチップ２１０のうちの適切なサブセットは、ハンドリングキャリア２００の接着層２０２のうち少なくとも対応するセクションを剥離（例えば、レーザ剥離）することによって、ハンドリングキャリア２００から解放されることができる。ガラスキャリア（例えば、ウエハ）の一時的な接合及びレーザ剥離を用いる場合、第１の工程（図３参照）で、キャリア表面の全体にわたって又はキャリア表面のうち少なくとも対応する部分にわたって走査するレーザ２７０（例えば、エキシマレーザ（例えば、２４８ｎｍ（ＫｒＦ）エキシマレーザ））によって、ガラスキャリア越しに接着層を露光することができ、レーザが接着層上に集束され、その結果、レーザエネルギーが接着層の材料分解を引き起こし、それにより、ボンド層（接着層）を取り除く。第２の工程で、ガラスキャリアを取り外すことができ、第３の工程で、接着剤残渣を洗浄することができる。

【0047】

図２ｄは、複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）の第２表面２１２を構造化接着層２３２によってコンベヤキャリア２３０に選択的に取り付ける工程１０４の後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。換言すれば、図２ｄは、コンベヤチップボンディングを示している。

【0048】

構造化接着層２３２は、コンベヤキャリア２３０の表面上に配置されることができる。構造化接着層２３２は、例えば、上に接着層が配置されたコンベヤキャリア２３０を用意し、複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）を画成する二次元パターンに基づいて、コンベヤキャリア２３０の接着層を構造化することによって得ることができる。

【0049】

コンベヤキャリア２３０は、例えば、ガラスキャリア又はガラスウエハ（すなわち、ガラスを有する又はガラスからなるキャリアウエハ）とすることができる。

【0050】

図２ｄでは例示的に、ドナーキャリア２２０に取り付けられた複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）にコンベヤキャリア２３０を取り付けると仮定している。これに関し、留意されたいことには、チップ２１０を処理しなければならない（例えば、チップの第１表面２１２上にメタライゼーション層を設けなければならない、及び／又はメタライゼーション層上にはんだを設けなければならない）かどうかに応じて、及び／又はハンドリングキャリア２００上でのチップ２１０の向きに応じて、ハンドリングキャリア２００に取り付けられた複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）に直接、コンベヤキャリア２３０を取り付けることもでき、すなわち、実施形態において、図２ｂ及び図２ｃのステップ（ドナーキャリアを用意すること及びチップをひっくり返すこと）は省略されることができる。

【0051】

図２ｅは、複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）を選択的にドナーキャリア２２０（又はハンドリングキャリア２００）から解放する工程１０６後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。

【0052】

複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）は、ドナーキャリア２２０（又はハンドリングキャリア２００）の接着層のうち対応するセクション、例えば、複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）が取り付けられたドナーキャリア２２０（又はハンドリングキャリア２００）の接着層のセクション、を剥離することによって、ドナーキャリア２２０（又はハンドリングキャリア２００）から解放されることができる。

【0053】

例えば、複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）は、ドナーキャリア２２０（又はハンドリングキャリア２００）の接着層のうち対応するセクションをレーザ剥離（図３参照）することによって、ドナーキャリア２２０（又はハンドリングキャリア２００）から解放されることができる。

【0054】

さらに、方法１００は、複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）をドナーキャリア２２０（又はハンドリングキャリア２００）から解放した後に、複数のチップ２１０のうちのサブセットの第１表面２１４を洗浄する工程を有することができる。

【0055】

図２ｆは、複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）の第１表面２１４を装置の基板２５０に取り付ける工程１０８の後、且つ複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）をコンベヤキャリア２３０から解放する工程１１０の後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。

【0056】

複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）は、コンベヤキャリア２３０の構造化接着層２３２のうち少なくとも対応するセクション（例えば、複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）が取り付けられたコンベヤ層２３０の構造化接着層２３２のセクション）を剥離することによって、コンベヤキャリア２３０から解放されることができる。

【0057】

例えば、複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）は、コンベヤキャリア２３０の構造化接着層２３２のうち少なくとも対応するセクションをレーザ剥離（図３参照）することによって、コンベヤキャリア２３０から解放されることができる。

【0058】

例として図２ｆに示すように、方法１００は、図４に関してより詳細に説明するように装置の基板２５０に異なるチップを順に取り付け（例えば、接合し）、そして、それぞれのコンベヤキャリアから剥離（例えば、レーザ剥離（レーザリリース））することによって、異なるチップ（例えば、異なる色のμＬＥＤ）を同一の基板２５０に取り付けることを可能にする。

【0059】

図４ａは、各ハンドリングキャリア（又はドナーキャリア）に複数のチップが取り付けられた３つのハンドリングキャリア（又はドナーキャリア）を用意する工程後の、装置製造の中間プロダクトの上面図を示している。詳細には、第１の複数のチップ２１０＿１を第１のハンドリングキャリア（又はドナーキャリア）に取り付けることができ、第２の複数のチップ２１０＿２を第２のハンドリングキャリア（又はドナーキャリア）に取り付けることができ、第３の複数のチップ２１０＿３を第３のハンドリングキャリア（又はドナーキャリア）に取り付けることができる。

【0060】

第１の複数のチップ２１０＿１は、第１のハンドリングキャリア（又はドナーキャリア）上に二次元アレイにて配列されることができ、装置の基板２５０に転写されて取り付けられることになる第１の複数のチップ２１０＿１のうちの適切なサブセットを、二次元パターンによって画成することができる。同様に、第２の複数のチップ２１０＿２は、第２のハンドリングキャリア（又はドナーキャリア）上に二次元アレイにて配列されることができ、装置の基板２５０に転写されて取り付けられることになる第２の複数のチップ２１０＿２のうちの適切なサブセットを、二次元パターンによって画成することができる。第３の複数のチップ２１０＿３は、第３のハンドリングキャリア（又はドナーキャリア）上に二次元アレイにて配列されることができ、装置の基板２５０に転写されて取り付けられることになる第３の複数のチップ２１０＿３のうちの適切なサブセットを、二次元パターンによって画成することができる。

【0061】

図４ａに例示的に示すように、それぞれの二次元パターンに従って、ロウ方向に少なくとも２つおきのチップ及び／又はカラム方向に少なくとも２つおきのチップを、対応するチップの二次元アレイから選択して、対応する適切なサブセットのチップを得ることができる。

【0062】

図４ｂは、第１、第２、及び第３の複数のチップ２１０＿１、２１０＿２、２１０＿３のうちの適切なサブセットを装置の基板２５０に取り付けた後の、装置製造の中間プロダクトの上面図を示している。

【0063】

図４ａ及び図４ｂでは、例示的に、第１の複数のチップ２１０＿１は第１の色（例えば、赤色）のμＬＥＤであり、第２の複数のチップ２１０＿２は第２の色（例えば、緑色）のμＬＥＤであり、第３の複数のチップ２１０＿３は第３の色（例えば、青色）のμＬＥＤであると仮定している。当然ながら、実施形態において、複数のチップはまた、半導体チップ、光学フィルタ、強磁性体、ｈｉｇｈ－ｋ誘電体、傾動（tilting）ミラー、マイクロレンズ、レーザダイオード、又は光検出器であってもよい。

【0064】

明らかになるように、実施形態は、チップ（例えば、ＬＥＤ）選択（対応する複数のチップのうちの適切なサブセットに等しい）の集団的なピッキング、及び装置の基板２５０への集団的な転写ボンディングを提供する。それにより、シングルチップダイのハンドリングは必要とされない。

【0065】

続いて、装置を製造する方法１００のこれら様々な工程の実施形態を更に詳細に説明する。

【0066】

図５は、接着層２０２によって複数のチップ２１０が取り付けられたハンドリングキャリア２００を用意する工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。換言すれば、図５は、（例えば、ＡｕＳｎ）コンタクトを有するチップ（例えば、ＬＥＤ）ウエハを示している。

【0067】

チップ２１０の第１表面２１４は、前処理されることができ、例えば、メタライゼーション層を有し、及びオプションで、例えばＡｕＳｎ層スタックなどの、はんだが上に配置されている。あるいは、方法１００は、例えば、チップ２１０の第１表面２１４上にメタライゼーション層を設けること、及び／又はメタライゼーション層上にはんだを設けることなど、チップ２１０の第１表面２１４を処理する工程を有することができる。

【0068】

ハンドリングキャリア２００は、例えば、ガラスキャリア又はガラスウエハ（すなわち、ガラスを有する又はガラスからなるキャリアウエハ）とすることができる。

【0069】

実施形態において、方法１００は、チップウエハ又はチップ基板（例えば、複数のチップを有する）を用意する工程（例えば、工程１）を有することができ、ウエハ／基板は、ハンドリングウエハ２００上に（一時的に）接着される（又は取り付けられる）ことができ、ウエハ／基板は、ボンディングされる複数のチップにダイシングされることができる。

【0070】

実施形態において、オプションで、例えば目標厚さが得られていない場合に、ウエハ／基板は薄化されることができる。

【0071】

実施形態において、オプションで、例えばメタライゼーションがまだ存在していない場合に、後にボンディングされるウエハ／基板上にメタライゼーションを堆積させることができる。

【0072】

例えば、ＡｕＳｎでのはんだ付けのために、ＡｕＳｎはんだを使用することができ、はんだ付け可能なメタライゼーションをターゲット基板上に堆積させることができる。

【0073】

例えば、ＡｕＳｎでのはんだ付けのために、Ｓｎはんだを使用することができ、接合中にＡｕＳｎはんだが形成されるように、Ａｕはんだをターゲット基板上に堆積されることができる。

【0074】

例えば、ＡｕＳｎでのはんだ付けのために、はんだ付け可能なメタライゼーション（例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）を使用することができ、ＡｕＳｎはんだをターゲット基板上に堆積させることができる。

【0075】

例えば、はんだ付けのために一般的に、はんだコンポーネントを使用することができ、はんだ付け可能なメタライゼーションをターゲット基板上に堆積させることができる。

【0076】

例えば、はんだ付けのために一般的に、はんだ付け可能なメタライゼーションを使用することができ、はんだコンポーネントをターゲット基板上に堆積させることができる。

【0077】

例えば、加圧溶接のために、Ａｕ又はナノ多孔性Ａｕを使用することができ、Ａｕ又はナノ多孔性Ａｕをターゲット基板上に堆積させることができる。

【0078】

実施形態において、ウエハ／基板は好ましくは、ドライエッチングプロセス、レーザダイシング、又はプラズマエッチングによってダイシングされることができる。

【0079】

好ましくは、実施形態において、ＡｕＳｎはんだを使用することができる。例えば、ＡｕＳｎはんだ付けは、約２８０℃又はそれより高い共晶温度でＡｕとＳｎとのスタックを用いて行われることができる。（例えば、半導体）チップ上の層スタックを、過剰なＡｕを有する共晶組成に調節することができる。はんだ付けは、最初に、２８０℃という低い融点の共晶組成を作り出し、その後、過剰の金が、共晶組成の化合物を、凝固する金リッチな組成物へとシフトさせ（液相拡散結合，Transient Liquid Phase Bonding（ＴＬＰＢ））、その結果、はんだ接続は、再び溶解するのに長時間にわたる約５１０℃の高温を必要とするようになる。従って、複数のチップのうちの第２のサブセットを装置の基板に接合するとき、第１の複数のチップを装置の基板に接合している第１のボンディングプロセスでのはんだ接続は溶融しない。第３の複数のチップを装置の基板に接合するとき、もはや第１の複数のチップのボンド接続及び第２の複数のチップのボンド接続は溶融しない。

【0080】

図６ａは、複数のチップ２１０又は複数のチップ２１０のうちの適切なサブセットの第１表面２１４をドナーキャリア２２０の接着層２２２によってドナーキャリア２２０に取り付ける工程中の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。

【0081】

図６ｂは、複数のチップ２１０又は複数のチップ２１０のうちの適切なサブセットをハンドリングキャリア２００から解放する工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。

【0082】

図６ｃは、接着層２０２によって複数のチップ２１０が取り付けられたハンドリングキャリア２００を用意する工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。

【0083】

図６ｄは、複数のチップ２１０又は複数のチップ２１０のうちの適切なサブセットをドナーキャリア２２０によってひっくり返して、複数のチップ２１０又は複数のチップ２１０のうちの適切なサブセットからハンドリングキャリア２００を除去する工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。

【0084】

図６ａ－図６ｄに示すように、ドナーキャリア２２０（例えば、ドナーウエハ（ガラス））は、複数のチップ２１０、又は複数のチップ２１０のうちの適切なサブセットをひっくり返すために、すなわち、チップのフロントサイドダウンのために使用されることができる。

【0085】

実施形態において、方法１００は、オプションで、接着層２２２を用いてウエハ／基板を第２キャリア（＝ドナーキャリア）２２０に接合し直す工程（例えば、工程２）を有することができる。

【0086】

これに関し、実施形態において、後にチップの所望の表裏を提供するために、接合し直すことなく、ハンドリングキャリアがドナーキャリアとなってもよい。

【0087】

さらに、実施形態において、オプションで、接着層は接着剤図形に構造化されることができ、接着剤図形は、チップ寸法よりもかなり小さくすることができ、幾つかの接着剤図形を１つのチップに割り当てることができる（独国特許第１０２０１４２０１６３５号参照）。

【0088】

さらに、実施形態において、オプションで、キャリア（ドナー）キャリアは、その上に配置された被ダイシングチップとともにダイシングされて、ドナータイルになることができる。

【0089】

図７は、複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）を選択的にコンベヤキャリア２３０に取り付け、複数のチップ２１０のうちの適切なサブセットを選択的にドナーキャリア２２０（又はハンドリングキャリア２００）から解放する工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。

【0090】

図７に示すように、実施形態において、方法１００は、転写タイルを用意する工程（例えば、工程３）を有することができる。詳細には、コンベヤキャリア２３０（例えば、転写ウエハ（基板））は、（一時的な）接着ジョイント２３２の構造化アセンブリを備えることができる。

【0091】

例えば、転写される各チップに対して、少なくとも１つの接着ジョイントを設けることができる。

【0092】

例えば、接着ジョイントは、コンベヤキャリア２３０（例えば、転写ウエハ／基板）上にリソグラフィで構造化されることができる。

【0093】

例えば、接着ジョイントは、接着剤をスタンプ又はプリントすることによって構造化されることができる。

【0094】

例えば、コンベヤキャリア２３０（例えば、転写ウエハ／基板）は、転写タイルへとダイシングされることができる。

【0095】

図８ａは、上に構造化接着層２３２が配置されたコンベヤキャリア２３０を用意する工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。換言すれば、図８ａは、クーポンレベル（ガラスチップ）の、構造化接着層２３２を備えたガラス基板２３０を示している。

【0096】

図８ｂは、複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）を構造化接着層２３２によってコンベヤキャリア２３０に選択的に取り付ける工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。換言すれば、図８ｂは、正確なアライメントを用いた、ドナー基板２２０へのコンベヤ基板２３０の接合を示している。例えば、このアライメントは、コンベヤ接合温度で行われることができる。

【0097】

図８ｃは、複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）をレーザ剥離２７０によってドナーキャリア２２０（又はハンドリングキャリア２００）から選択的に解放する工程１０６の後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。換言すれば、図８ｃは、コンベヤ２３０のレーザリリース、及びコンベヤ基板２３０の接着剤２３２の設計によって定められたチップ（例えば、ＬＥＤ）の転写を示している。これに関し、チップのタイプ（例えば、色）ごとにピッチ調節を行うことができる。

【0098】

図８ａ－図８ｃに示すように、実施形態において、方法１００は、チップ２１０（例えば、複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット））を、ドナーキャリア２２０（例えば、ドナーウエハ／基板）から又はドナータイルから、コンベヤキャリア２３０又は転写タイルに転写する工程（例えば、工程４）を有することができる。

【0099】

例えば、転写タイルの接着ジョイント２３２を、ドナーキャリア２２０（例えば、ドナーウエハ／基板）又はドナータイルの上のチップ２１０にアライメントすることができる。

【0100】

例えば、転写タイルは、圧力及び温度によって接合されることができる。

【0101】

例えば、チップは、ドナーウエハ／基板から又はドナータイルから剥離されることができる。例えば、剥離は、ドナーキャリア２２０（例えば、ドナーウエハ／基板）又はドナータイルの裏を通じてのレーザビームによって行われることができる。このため、ドナーキャリア２２０（例えば、ドナーウエハ／基板）又はドナータイルは、レーザの波長に対して透明でなければならず、レーザは、接着層２２２の接着強度を低下させる。あるいは、剥離は、機械的分離のために力の印加によって行われてもよい。このため、ドナーキャリア２２０上の接着層２２２は、小さい接着剤図形に構造化され得る（独国特許第１０２０１４２０１６３５号参照）。

【0102】

例えば、チップ２１０を剥離した後、接着剤残渣がないようにチップ２１０を洗浄することができる。

【0103】

図９は、複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）を装置の基板２５０に取り付ける工程１０８の後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。換言すれば、図９は、装置（例えば、ディスプレイ）基板ウエハ／ダイ（例えば、シリコン）を示しており、選択されたチップ（例えば、複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）に等しい）が、基板２５０にはんだ付けされる（例えば、（例えば、１×第１タイプのチップ（例えば、赤色ＬＥＤ）、１×第２タイプのチップ（例えば、緑色ＬＥＤ）、１×第３タイプのチップ（例えば、青色ＬＥＤ））が順次に）。ウエハ（例えば、複数のチップ２１０の）は、例えば、Ａｕコンタクト及びラインを有することができる。

【0104】

図１０ａは、複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）を構造化接着層２３２によってコンベヤキャリア２３０に選択的に取り付ける工程１０４の後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。換言すれば、図１０ａは、ドナー２２０のチップ（例えば、μＬＥＤ）上へのコンベヤ２３０ボンディングを示している。

【0105】

図１０ｂは、複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）をレーザ剥離によってドナーキャリア２２０（又はハンドリングキャリア２００）から選択的に解放する工程中の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。換言すれば、図１０ｂは、ドナーキャリア２２０のレーザ剥離（例えば、ＫｒＦ）を示している。

【0106】

図１０ｃは、複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）をドナーキャリア２２０（又はハンドリングキャリア２００）から選択的に解放する工程１０６、及び複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）をプラズマによって洗浄する工程の後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。

【0107】

図１０ｄは、コンベヤキャリア２３０に取り付けられた複数のチップ２１０のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）をプラズマによって洗浄する工程後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。

【0108】

図１０ａ－図１０ｃに示すように、実施形態において、方法１００は、チップ２１０をコンベヤキャリア２３０（例えば、転写タイル）からターゲット基板２５０に転写し、コンベヤキャリア２３０（例えば、転写タイル）を除去する工程（例えば、工程５）を有することができる。

【0109】

例えば、ターゲット基板２５０は、ボンディング可能な端子コンタクト、はんだ若しくははんだコンポーネント、又は加圧溶接のためのＡｕ若しくはナノ多孔性Ａｕを有することができる。

【0110】

例えば、コンベヤキャリア２３０（例えば、転写タイル）は、ターゲット基板２５０の端子コンタクトに、チップとともにアライメントされ得る。

【0111】

例えば、コンベヤキャリア２３０（例えば、転写タイル）は、例えば、ターゲット基板上に個々のチップを配置し、接触圧力なしではんだを再溶解させる（リフローはんだ付け）によって、又ははんだ付け若しくは加圧溶接のための圧力と温度によって、個々のチップと接合され得る。

【0112】

例えば、コンベヤキャリア２３０（例えば、転写タイル）は、ターゲット基板２５０に接合されたチップから剥離されることができる。これに関し、剥離は、ドナーキャリア２２０（例えば、ドナーウエハ／基板）又はドナータイルの裏を通じてのレーザビームによって行われることができる。このため、ドナーキャリア２２０（例えば、ドナーウエハ／基板）又はドナータイルは、レーザの波長に対して透明であるとし得る。レーザは、接着層の接着強度を低下させる。あるいは、剥離は、機械的分離のために力の印加によって行われてもよい。このため、ドナー側の接着層、小さい接着剤図形に構造化され得る（独国特許第１０２０１４２０１６３５号参照）。

【0113】

例えば、剥離後、オプションで、接着剤残渣がないようにチップ２１０を洗浄することができる。

【0114】

実施形態において、以下の図１１ａ－図１１ｆの説明から明らかになるように、異なるウエハ／基板ソースのチップを同一のターゲット基板上にボンディングするために、上述の工程１－工程５での転写ボンディングを繰り返すことができる。

【0115】

図１１ａは、第１の複数のチップ２１０＿１（例えば、第１の色（例えば、赤色）のμＬＥＤ）のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）を、第１のコンベヤキャリア２３０＿１を用いて装置の基板２５０に取り付ける工程１０８の後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。換言すれば、図１１ａは、第１のコンベヤ２３０＿１（例えば、Ｒコンベヤ（すなわち、Ｒ（＝赤色）μＬＥＤを有する））のボンディングを示している。

【0116】

図１１ｂは、第１の複数のチップ２１０＿１のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）を、例えばレーザ剥離２７０によって、第１のコンベヤキャリア２３０＿１から解放する工程１１０の間の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。換言すれば、図１１ｂは、第１のコンベヤ２３０＿１（例えば、Ｒコンベヤ）のレーザ剥離を示している。

【0117】

図１１ｃは、第２の複数のチップ２１０＿２（例えば、第２の色（例えば、緑色）のμＬＥＤ）のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）を、第２のコンベヤキャリア２３０＿２を用いて装置の基板２５０に取り付ける工程１０８の後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。換言すれば、図１１ｃは、第２のコンベヤ２３０＿２（例えば、Ｇコンベヤ（すなわち、Ｇ（＝緑色）μＬＥＤを有する））のボンディングを示している。

【0118】

図１１ｄは、第２の複数のチップ２１０＿２のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）を、例えばレーザ剥離２７０によって、第２のコンベヤキャリア２３０＿２から解放する工程１１０の間の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。換言すれば、図１１ｄは、第２のコンベヤ２３０＿２（例えば、Ｇコンベヤ）のレーザ剥離を示している。

【0119】

図１１ｅは、第３の複数のチップ２１０＿３（例えば、第３の色（例えば、青色）のμＬＥＤ）のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）を、第３のコンベヤキャリア２３０＿３を用いて装置の基板２５０に取り付ける工程１０８の後の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。換言すれば、図１１ｅは、第３のコンベヤ２３０＿３（例えば、Ｂコンベヤ（すなわち、Ｂ（＝青色）μＬＥＤを有する））のボンディングを示している。

【0120】

図１１ｆは、第３の複数のチップ２１０＿３のうちのサブセット（例えば、適切なサブセット）を、例えばレーザ剥離２７０によって、第３のコンベヤキャリア２３０＿３から解放する工程１１０の間の、装置製造の中間プロダクトの断面図を示している。換言すれば、図１１ｆは、第３のコンベヤ２３０＿３（例えば、Ｂコンベヤ）のレーザ剥離を示している。

【0121】

実施形態において、チップは、ＬＥＤ、特に、ミニＬＥＤ又はマイクロＬＥＤ（１００μｍ未満のエッジ長）とし得る。ターゲット基板２５０は、ディスプレイ若しくはディスプレイの一部（例えば、ガラス基板又はフレキシブル回路キャリア）又はＬＥＤのアクティブ制御用の半導体チップとし得る。また、ＲＧＢセルを生成してカラーディスプレイを形成するために、赤色、緑色、及び青色という異なる波長を持つ幾つかのＬＥＤチップ又はウエハを互いにオフセットしてボンディングすることができる。

【0122】

実施形態において、チップは、回路キャリア上に一次元又は二次元アレイに配列されるＶＣＳＥＬ（垂直キャビティ面発光レーザ）とし得る。ここでは、帯域幅を増加させるように同一の導波路内若しくは同一の光ファイバ内で複数の信号を並列に送信するために、複数の異なる波長を並べて配置することができる。

【0123】

実施形態は、特別に設計されたコンポーネントを必要としない（例えば、取り外し可能／破断可能な保持ロッドがない）及び高価なツールを必要としないという利点を提供する。むしろ、例えばリソグラフィ及びマイクロガルバニクス、ウエハボンダ、フリップチップボンダ、剥離用のレーザ、及びプラズマ洗浄などの標準的な装置を使用することができる。

【0124】

実施形態は、優れた冷却のための低い熱抵抗、耐腐食性、耐エレクトロマイグレーション性、及び高い融点など、ＡｕＳｎはんだが、接着プロセス又は従来のＡｕＳｎ化合物のはんだ付けと比較して、極めて頑丈であるという利点を提供する。

【0125】

一部の態様を装置の文脈で説明しているが、これらの態様が対応する方法の説明も表すことは明らかであり、ブロック又はデバイスは、方法ステップ又は方法ステップの機能に対応する。同様に、方法ステップの文脈で説明された態様は、対応する装置の対応するブロック又はアイテム又は機構の説明も表す。方法ステップの一部又は全ては、例えばマイクロプロセッサ、プログラマブルコンピュータ、又は電子回路のようなハードウェア装置によって（又はそれを用いて）実行され得る。一部の実施形態において、最も重要な方法ステップのうちの１つ以上がそのような装置によって実行され得る。

【0126】

特定の実装要件に応じて、本発明の実施形態は、ハードウェアで又はソフトウェアで実装されることができる。実装は、電子的に読み取り可能な制御信号を格納した、例えばフロッピーディスク、ＤＶＤ、Ｂｌｕ－Ｒａｙ、ＣＤ、ＲＯＭ、ＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、又はＦＬＡＳＨメモリなどの、デジタル記憶媒体を用して行われることができ、該制御命令がプログラマブルコンピュータシステムと協働して（又は協働することが可能であって）、それぞれの方法が実行されるようにする。従って、デジタル記憶媒体は、コンピュータ読み取り可能であるとし得る。

【0127】

本発明に従った一部の実施形態は、ここに記載された方法のうちの１つが実行されるようにプログラマブルコンピュータシステムと協働することが可能な電子的に読み取り可能な制御信号を有したデータキャリアを有する。

【0128】

一般に、本発明の実施形態は、プログラムコードを有するコンピュータプログラムプロダクトとして実装されることができ、コンピュータプログラムプロダクトがコンピュータ上で走るときに、プログラムコードが、方法のうちの１つを実行するように動作する。プログラムコードは、例えば、機械読み取り可能キャリアに格納され得る。

【0129】

他の実施形態は、機械読み取り可能キャリア上に格納された、ここに記載された方法のうちの１つを実行するためのコンピュータプログラムを有する。

【0130】

換言すれば、本発明方法の一実施形態は、故に、コンピュータプログラムがコンピュータ上で実行されるときに、ここに記載された方法のうちの１つを実行するためのプログラムコードを有するコンピュータプログラムである。

【0131】

従って、本発明方法の更なる一実施形態は、ここに記載された方法のうちの１つを実行するためのコンピュータプログラムを記録したデータキャリア（又はデジタル記憶媒体、又はコンピュータ読み取り可能媒体）である。データキャリア、デジタル記憶媒体、又は記録媒体は典型的に、有形であり且つ／或いは非一時的なものである。

【0132】

従って、本発明方法の更なる一実施形態は、ここに記載された方法のうちの１つを実行するためのコンピュータプログラムを表すデータストリーム又は信号シーケンスである。データストリーム又は信号シーケンスは、例えばインターネットを介してなど、データ通信接続を介して転送されるように構成され得る。

【0133】

更なる一実施形態は、ここに記載された方法のうちの１つを実行するように構成又は適応された、例えばコンピュータ又はプログラマブル論理デバイスといった、プロセッシング手段を有する。

【0134】

更なる一実施形態は、ここに記載される方法のうちの１つを実行するためのコンピュータプログラムがインストールされたコンピュータを有する。

【0135】

本発明に従った更なる一実施形態は、ここに記載された方法のうちの１つを実行するためのコンピュータプログラムを（例えば、電子的又は光学的に）受信器に転送するように構成された装置又はシステムを有する。受信器は、例えば、コンピュータ、モバイル装置、メモリ装置、又はこれらに類するものとし得る。装置又はシステムは、例えば、コンピュータプログラムを受信器に転送するためのファイルサーバを有し得る。

【0136】

一部の実施形態において、ここに記載された方法の機能の一部又は全てを実行するために、プログラマブル論理デバイス（例えば、フィールドプログラマブルゲートアレイ）が使用され得る。一部の実施形態において、フィールドプログラマブルゲートアレイは、ここに記載された方法のうちの１つを実行するためにマイクロプロセッサと協働し得る。一般に、方法は、何らかのハードウェア装置によって好ましく実行される。

【0137】

ここに記載された装置は、ハードウェア装置を用いて、又はコンピュータを用いて、又はハードウェア装置とコンピュータとの組み合わせを用いて実装され得る。

【0138】

ここに記載された装置、又はここに記載された装置の任意のコンポーネントは、少なくとも部分的にハードウェア及び／又はソフトウェアで実装され得る。

【0139】

ここに記載された方法は、ハードウェア装置を用いて、又はコンピュータを用いて、又はハードウェア装置とコンピュータとの組み合わせを用いて実行され得る。

【0140】

ここに記載された方法、又はここに記載された装置の任意のコンポーネントは、少なくとも部分的にハードウェア及び／又はソフトウェアによって実行され得る。

【0141】

上述の実施形態は、本発明の原理に関する例示に過ぎない。理解されることには、ここに記載された構成及び詳細事項の変更及び変形が当業者に明らかになる。従って、この中での実施形態の記載及び説明によって提示される具体的詳細事項によってではなく、すぐ下の特許請求の範囲によってのみ限定されることが意図される。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【手続補正書】

【提出日】2022-07-25

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

装置を製造する方法であって、
複数のチップが取り付けられた第１キャリアを用意し、前記複数のチップは、当該第１キャリアの接着層によって当該第１キャリアに取り付けられており、前記複数のチップの第１表面が当該第１キャリアに取り付けられており、
前記複数のチップのうちのサブセットの第２表面を、コンベヤ層の構造化接着層によって、コンベヤキャリアに選択的に取り付け、
前記複数のチップのうちの前記サブセットを、前記第１キャリアの前記接着層のうち対応するセクションを剥離することによって、前記第１キャリアから選択的に解放し、
前記複数のチップのうちの前記サブセットの前記第１表面を前記装置の基板に取り付け、
前記複数のチップのうちの前記サブセットを、前記コンベヤキャリアの前記構造化接着層のうち少なくとも対応するセクションを剥離することによって、前記コンベヤキャリアから解放する、
ことを有し、
前記複数のチップのうちの前記サブセットを前記第１キャリアから選択的に解放すること、及び前記複数のチップのうちの前記サブセットを前記コンベヤキャリアから解放すること、のうちの少なくとも一方が、レーザ剥離によって実行される、
方法。

【請求項2】

前記複数のチップは、チップの二次元アレイである、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記複数のチップのうちの前記サブセットは、二次元パターンによって画成される、請求項２に記載の方法。

【請求項4】

前記二次元パターンに従ってロウ方向に２つおき又は３つおきのチップ及び／又はカラム方向に２つおき又は３つおきのチップが、チップの前記二次元アレイから選択されて、チップの前記サブセットが得られる、請求項３に記載の方法。

【請求項5】

上に接着層を備えた前記コンベヤキャリアを用意し、
前記チップの前記サブセットを画成する前記二次元パターンに基づいて前記コンベヤキャリアの前記接着層を構造化することで、前記コンベヤ層の前記構造化接着層を得る、
ことを更に有する請求項３乃至４のいずれか一項に記載の方法。

【請求項6】

前記複数のチップのうちの前記サブセットの前記第１表面を前記装置の前記基板に取り付けることは、前記複数のチップのうちの前記サブセットを前記装置の前記基板に接合することを有する、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。

【請求項7】

前記複数のチップの前記第１表面はメタライゼーション層を有する、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。

【請求項8】

前記複数のチップのうちの前記サブセットの前記第１表面は、上にＡｕＳｎはんだ層スタックが配置されたメタライゼーション層を有し、
前記複数のチップのうちの前記サブセットの前記第１表面を前記装置の前記基板に取り付けることは、前記複数のチップのうちの前記サブセットを、２８０℃以上の温度で、前記装置の前記基板にはんだ付けすることを有する、
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。

【請求項9】

前記第１キャリアはハンドリングキャリアである、
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。

【請求項10】

前記第１キャリアはドナーキャリアであり、
前記ドナーキャリアを用意することは、
前記複数のチップが取り付けられたハンドリングキャリアを用意し、前記複数のチップは前記ハンドリングキャリアに前記ハンドリングキャリアの接着層によって取り付けられており、前記複数のチップの前記第２表面が前記ハンドリングキャリアに取り付けられており、
前記複数のチップ、又は前記複数のチップのうちの適切なサブセット、の前記第１表面を、前記ドナーキャリアの前記接着層によって、前記ドナーキャリアに取り付け、
前記複数のチップ、又は前記複数のチップのうちの前記適切なサブセットを、前記ハンドリングキャリアの前記接着層のうち少なくとも対応するセクションをレーザ剥離することによって、前記ハンドリングキャリアから解放する、
ことを有する、
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。

【請求項11】

前記ドナーキャリアを用意することは更に、
前記複数のチップの前記第１表面を前記ドナーキャリアに取り付けることに先立って、前記装置の前記第１表面上にメタライゼーション層を設ける、又は
前記複数のチップの前記第１表面を前記ドナーキャリアに取り付けることに先立って、前記装置の前記第１表面上にメタライゼーション層を設け、該メタライゼーション層上にＡｕＳｎはんだ層スタックを設ける、
ことを有する、
請求項１０に記載の方法。

【請求項12】

前記ハンドリングキャリアを用意することは、
上に前記複数のチップが形成された基板を用意し、
前記複数のチップを備えた前記基板を、接着層によって前記ハンドリングキャリアに取り付け、前記複数のチップが当該ハンドリングキャリアに面し、
前記複数のチップを前記基板から分離する、
ことを有する、
請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の方法。

【請求項13】

前記複数のチップは、第１の複数のチップであり、
当該方法は更に、
第２の複数のチップが取り付けられた第２キャリアを用意し、前記第２の複数のチップは、当該第２キャリアの接着層によって当該第２キャリアに取り付けられており、前記第２の複数のチップの第１表面が当該第２キャリアに取り付けられており、
前記第２の複数のチップのうちのサブセットの第２表面を、第２のコンベヤ層の構造化接着層によって、第２のコンベヤキャリアに選択的に取り付け、
前記第２の複数のチップのうちの前記サブセットを、前記第２キャリアの前記接着層のうち対応するセクションをレーザ剥離することによって、前記第２キャリアから選択的に解放し、
前記第２の複数のチップのうちの前記サブセットの前記第１表面を前記装置の前記基板に取り付け、
前記第２の複数のチップのうちの前記サブセットを、前記第２のコンベヤキャリアの前記構造化接着層のうち少なくとも対応するセクションをレーザ剥離することによって、前記第２のコンベヤキャリアから解放する、
ことを有する、
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の方法。

【請求項14】

前記第１の複数のチップのうちの前記サブセット、及び前記第２の複数のチップのうちの前記サブセットは、前記装置の前記基板上で、互いに対してインターリーブされるようにして配置される、
請求項１３に記載の方法。

【請求項15】

前記第１の複数のチップのうちの前記サブセットの前記第１表面、及び前記第２の複数のチップのうちの前記サブセットの前記第１表面は、上にＡｕＳｎはんだ層スタックが配置されたメタライゼーション層を有し、
前記第１の複数のチップのうちの前記サブセットの前記第１表面を前記装置の前記基板に取り付けることは、前記第１の複数のチップのうちの前記サブセットを、２８０℃と５００℃との間の温度で、前記装置の前記基板にはんだ付けすることを有し、
前記第２の複数のチップのうちの前記サブセットの前記第１表面を前記装置の前記基板に取り付けることは、前記第２の複数のチップのうちの前記サブセットを、２８０℃と５００℃との間の温度で、前記装置の前記基板にはんだ付けすることを有し、
前記第１の複数のチップは、前記第２の複数のチップのうちの前記サブセットの前記第１表面を前記装置の前記基板に取り付けるのに先立って、前記装置の前記基板にはんだ付けされる、
請求項１３乃至１４のいずれか一項に記載の方法。

【請求項16】

前記チップは、半導体チップ、光学フィルタ、強磁性体、ｈｉｇｈ－ｋ誘電体、傾動ミラー、マイクロレンズ、レーザダイオード、光検出器、及び発光ダイオードのうちの少なくとも１つである、
請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の方法。

【請求項17】

前記装置は、ディスプレイ、又はディスプレイの一部である、又は
前記装置は、光モジュール、又は光モジュールの一部である、又は
前記装置は、電力レギュレータ又はスイッチである、
請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の方法。

【国際調査報告】