▶ アッシュ・ウー・エフの特許一覧 ▶ ユニヴェルシテ・ジャン・モネ・サン・テティエンヌの特許一覧 ▶ マニュテック − ユエスデの特許一覧 ▶ センター ナショナル ド ラ ルシェルシュ サイエンティフィークの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-02-28
(54)【発明の名称】光学装置
(51)【国際特許分類】
G02B 1/11 20150101AFI20230220BHJP
G02B 5/26 20060101ALI20230220BHJP
G02B 5/28 20060101ALI20230220BHJP
G02B 5/08 20060101ALI20230220BHJP
G02B 1/113 20150101ALI20230220BHJP
【ＦＩ】
G02B1/11
G02B5/26
G02B5/28
G02B5/08
G02B1/113
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2022524166
(86)(22)【出願日】2020-10-26
(85)【翻訳文提出日】2022-06-22
(86)【国際出願番号】 FR2020051933
(87)【国際公開番号】W WO2021079077
(87)【国際公開日】2021-04-29
(31)【優先権主張番号】1911937
(32)【優先日】2019-10-24
(33)【優先権主張国・地域又は機関】FR
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】506126266
【氏名又は名称】イドロメカニーク・エ・フロットマン
(71)【出願人】
【識別番号】521372183
【氏名又は名称】ユニヴェルシテ・ジャン・モネ・サン・テティエンヌ
(71)【出願人】
【識別番号】518098391
【氏名又は名称】マニュテック － ユエスデ
(71)【出願人】
【識別番号】506316557
【氏名又は名称】サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィック
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(74)【代理人】
【識別番号】100133400
【弁理士】
【氏名又は名称】阿部 達彦
(72)【発明者】
【氏名】トマ・ケンプフェ
(72)【発明者】
【氏名】ローラン・デュボ
(72)【発明者】
【氏名】イクスイクスイクス・セダオ
【テーマコード（参考）】
2H042
2H148
2K009
【Ｆターム（参考）】
2H042AA02
2H042AA06
2H148FA05
2H148FA07
2H148FA09
2H148FA12
2H148FA24
2H148GA03
2H148GA09
2H148GA30
2H148GA32
2K009AA02
2K009AA12
2K009BB04
2K009CC02
2K009CC03
2K009CC42
(57)【要約】
本発明は、電磁スペクトルの波長域において電磁放射を透過／反射するのに適した光学装置（１）に関し、前記装置（１）は、少なくとも、第１の材料でできた基板（１０）、第１の材料とは異なる第２の材料でできたコーティング層（２０）、および装置（１）にキャビティ（３１）を形成する表面テクスチャリング（３０）を含み、キャビティ（３１）がコーティング層（２０）を通って延び、基板（１０）に部分的に沈み込んでいることを特徴としている。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電磁スペクトルの波長域において電磁放射を透過／反射するのに適した光学装置（１）であって、前記装置（１）が、少なくとも－第１の材料からなる１つの基板（１０）と、
－前記第１の材料とは異なる第２の材料からなる１つのコーティング層（２０）と、
－前記装置（１）にキャビティ（３１）を形成する表面テクスチャリング（３０）を含み、
前記キャビティ（３１）が、前記コーティング層（２０）を通って延び、前記基板（１０）に部分的に沈み込んでいることを特徴とする、光学装置（１）。
【請求項2】
前記キャビティ（３１）が、前記コーティング層（２０）と前記基板（１０）との間で連続したプロファイルを有することを特徴とする、請求項１に記載の装置（１）。
【請求項3】
前記キャビティ（３１）が、円形の断面を有することを特徴とする、請求項１または２に記載の装置（１）。
【請求項4】
前記キャビティ（３１）が、軸方向平面において凹状のプロファイルを有し、面積断面が、深さに応じて減少することを特徴とする、請求項１から３のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項5】
前記キャビティ（３１）が、軸方向平面において対称的な凹状のプロファイルを有することを特徴とする、請求項１から４のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項6】
前記キャビティ（３１）が、軸方向平面において非対称の凹状プロファイルを有することを特徴とする、請求項１から４のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項7】
前記キャビティ（３１）が、前記装置（１）の表面上に規則的な配列に従って配置されることを特徴とする、請求項１から６のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項8】
前記キャビティ（３１）が、定義された規則に従って進化し、ランダムではない、可変の周期、例えば前記装置（１）の中央と端の間で異なる周期で、前記装置（１）の表面上にわたって配置されることを特徴とする、請求項１から７のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項9】
前記装置（１）が、第１のコーティング層（２０）と第１の基板（１０）の少なくとも１つの第１の組み合わせ（１０＋２０）、および最後のコーティング層（２０）と最後の基板（１０）の最後の組み合わせ（１０＋２０）を含む、複数の基板（１０）とコーティング層（２０）のスタックを交互に備えることを特徴とする、請求項１から８のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項10】
前記キャビティ（３１）が、前記第１の組み合わせ（１０＋２０）においてのみ形成されることを特徴とする、請求項９に記載の装置（１）。
【請求項11】
前記キャビティ（３１）が、部分的に沈み込んでいる前記最後の基板（１０）を除いて、前記スタックを完全に通って延び、前記キャビティ（３１）が、前記最後の基板（１０）の方向に厳密に減少する面積断面を有することを特徴とする、請求項９に記載の装置（１）。
【請求項12】
前記スタックが、前記第１の組み合わせ（１０＋２０）と前記最後の組み合わせ（１０＋２０）との間の少なくとも１つの中間の組み合わせ（１０＋２０）を含むことを特徴とする、請求項９から１１のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項13】
前記装置（１）が、前記基板（１０）および前記コーティング（２０）とは異なる材料からなる少なくとも１つの背面層（４０）を含み、前記コーティング（２０）が前記基板（１０）の第１の側に形成され、前記背面層（４０）が前記第１の側とは反対の前記基板（１０）の第２の側に形成されていることを特徴とする、請求項１から１２のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項14】
前記装置（１）が、コーティング層（２０）と、前記コーティング層を通って延び、前記基板または前記基板の１つを部分的に貫通する前記キャビティ（３１）を形成する、表面テクスチャリング（３０）とをそれぞれ有する、２つの面を含むことを特徴とする、請求項１から１３のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項15】
前記装置（１）が、コーティング層（２０）と、前記コーティング層（２０）を通って延び、前記基板（１０）または前記基板の１つを部分的に貫通するキャビティ（３１）を形成する表面テクスチャリング（３０）とを有する第１の面と、テクスチャリングを有さない、または処理を有さない、または前記第１の面のテクスチャリングとは異なる処理を受けるコーティング層（２０）を有する第２の面とを含むことを特徴とする、請求項１から１３のいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項16】
電磁スペクトルの波長域において電磁放射を透過／反射するのに適した光学装置を製造するための方法であって、前記方法が、少なくとも、－第１の材料からなる基板と、前記第１の材料とは異なる第２の材料からなるコーティング層との少なくとも１つの組み合わせを形成するステップと、
－前記装置にキャビティを形成する表面テクスチャリングを行うステップを含み、
前記キャビティが、前記コーティング層を通って延び、部分的に前記基板に沈み込んでいることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、例えば紫外線、可視光線、赤外線、マイクロ波などの所定の波長域の放射線を透過または反射するのに適した、光学装置に関するものである。
【0002】
本発明の分野は、例えばイメージングシステムを装備するために設計された光学装置の分野である。実際には、用途は波長域に依存する。
【背景技術】
【0003】
既知の方法で、反射防止効果またはミラー効果は、多層構造および／または光学装置の構造化によって得ることができる。
【0004】
以下の文献では、光学装置のさまざまな例について説明している。
－ＥＰ３２０６０５９Ａ１には、装置の表面で有効な指数変化を有する人工材料を形成するように配置された複数の素領域および微細構造から構成されている、広帯域回折装置が記載されている。
－ＢＲＵＹＮＯＯＧＨＥ（２０１６），“Ｂｒｏａｄｂａｎｄ ａｎｄ ｗｉｄｅ－ａｎｇｌｅ ｈｙｂｒｉｄ ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｃｏａｔｉｎｇｓ ｐｒｅｐａｒｅｄ ｂｙ ｃｏｍｂｉｎｉｎｇ ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｓ ｗｉｔｈ ｓｕｂｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ”，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｎａｎｏｐｈｏｔｏｎｉｃｓ， ＳＰＩＥ， Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｆｏｒ Ｏｐｔｉｃｓ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ．この文献は、ドライエッチングで作製した確率的な構造と組み合わせた多層構造について記載している。
－ＫＵＢＯＴＡ（２０１４），“Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｈｙｂｒｉｄ ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｉｎｇ ｓｕｒｆａｃｅ ｔｅｘｔｕｒｉｎｇ ａｎｄ ｍｕｌｔｉ－ｌａｙｅｒ ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ ｃｏａｔｉｎｇ”，Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ， Ｙａｍａｇａｔａ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ， Ｊａｐａｎ．この文献は、多層構造とモスアイ型アレイの組み合わせの理論的研究について記載している。
－ＣＡＭＡＲＧＯ（２０１２），“Ｍｕｌｔｉ－ｓｃａｌｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄ， ｓｕｐｅｒｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ ａｎｄ ｗｉｄｅ－ａｎｇｌｅ， ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｃｏａｔｉｎｇ ｉｎ ｔｈｅ ｎｅａｒ－ｉｎｆｒａｒｅｄ ｒｅｇｉｏｎ”，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２０１２，４８，４９９２－４９９４，Ｒｏｙａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｕｎｉｔｅｄ Ｋｉｎｇｄｏｍ．この文献は、特定の表面挙動の改善に焦点を当てた、いくつかの層の構造化について記載している。
－ＲＡＬＣＨＥＮＫＯ（１９９９），“Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ＣＶＤ Ｄｉａｍｏｎｄ Ｏｐｔｉｃｓ ｗｉｔｈ Ａｎｔｉ－ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ”， ｐｈｙｓ． ｓｔａｔ． ｓｏｌ．，Ｇｅｎｅｒａｌ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ，Ｍｏｓｃｏｗ，Ｒｕｓｓｉａ．この文献は、反射防止効果を得るためのＣＶＤで成膜されたダイヤモンドの構造化について記載している。
－ＥＰ３２０６０５９Ａ１には、装置の表面で有効な指数変化を有する人工材料を形成するように配置された複数の素領域および微細構造から構成されている、広帯域回折装置が記載されている。
－ＢＲＵＹＮＯＯＧＨＥ（２０１６），“Ｂｒｏａｄｂａｎｄ ａｎｄ ｗｉｄｅ－ａｎｇｌｅ ｈｙｂｒｉｄ ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｃｏａｔｉｎｇｓ ｐｒｅｐａｒｅｄ ｂｙ ｃｏｍｂｉｎｉｎｇ ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｓ ｗｉｔｈ ｓｕｂｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ”，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｎａｎｏｐｈｏｔｏｎｉｃｓ， ＳＰＩＥ， Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｆｏｒ Ｏｐｔｉｃｓ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ．この文献は、ドライエッチングで作製した確率的な構造と組み合わせた多層構造について記載している。
－ＫＵＢＯＴＡ（２０１４），“Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｈｙｂｒｉｄ ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｉｎｇ ｓｕｒｆａｃｅ ｔｅｘｔｕｒｉｎｇ ａｎｄ ｍｕｌｔｉ－ｌａｙｅｒ ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ ｃｏａｔｉｎｇ”，Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ， Ｙａｍａｇａｔａ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ， Ｊａｐａｎ．この文献は、多層構造とモスアイ型アレイの組み合わせの理論的研究について記載している。
－ＣＡＭＡＲＧＯ（２０１２），“Ｍｕｌｔｉ－ｓｃａｌｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄ， ｓｕｐｅｒｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ ａｎｄ ｗｉｄｅ－ａｎｇｌｅ， ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｃｏａｔｉｎｇ ｉｎ ｔｈｅ ｎｅａｒ－ｉｎｆｒａｒｅｄ ｒｅｇｉｏｎ”，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２０１２，４８，４９９２－４９９４，Ｒｏｙａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｕｎｉｔｅｄ Ｋｉｎｇｄｏｍ．この文献は、特定の表面挙動の改善に焦点を当てた、いくつかの層の構造化について記載している。
－ＲＡＬＣＨＥＮＫＯ（１９９９），“Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ＣＶＤ Ｄｉａｍｏｎｄ Ｏｐｔｉｃｓ ｗｉｔｈ Ａｎｔｉ－ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ”， ｐｈｙｓ． ｓｔａｔ． ｓｏｌ．，Ｇｅｎｅｒａｌ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ，Ｍｏｓｃｏｗ，Ｒｕｓｓｉａ．この文献は、反射防止効果を得るためのＣＶＤで成膜されたダイヤモンドの構造化について記載している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】欧州特許出願公開第３２０６０５９号明細書
【非特許文献】
【0006】
【非特許文献1】ＢＲＵＹＮＯＯＧＨＥ（２０１６），“Ｂｒｏａｄｂａｎｄ ａｎｄ ｗｉｄｅ－ａｎｇｌｅ ｈｙｂｒｉｄ ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｃｏａｔｉｎｇｓ ｐｒｅｐａｒｅｄ ｂｙ ｃｏｍｂｉｎｉｎｇ ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｓ ｗｉｔｈ ｓｕｂｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ”，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｎａｎｏｐｈｏｔｏｎｉｃｓ， ＳＰＩＥ， Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｆｏｒ Ｏｐｔｉｃｓ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ
【非特許文献2】ＫＵＢＯＴＡ（２０１４），“Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｈｙｂｒｉｄ ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｉｎｇ ｓｕｒｆａｃｅ ｔｅｘｔｕｒｉｎｇ ａｎｄ ｍｕｌｔｉ－ｌａｙｅｒ ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ ｃｏａｔｉｎｇ”，Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ， Ｙａｍａｇａｔａ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ， Ｊａｐａｎ
【非特許文献3】ＣＡＭＡＲＧＯ（２０１２），“Ｍｕｌｔｉ－ｓｃａｌｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄ， ｓｕｐｅｒｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ ａｎｄ ｗｉｄｅ－ａｎｇｌｅ， ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｃｏａｔｉｎｇ ｉｎ ｔｈｅ ｎｅａｒ－ｉｎｆｒａｒｅｄ ｒｅｇｉｏｎ”，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２０１２，４８，４９９２－４９９４，Ｒｏｙａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ、Ｕｎｉｔｅｄ Ｋｉｎｇｄｏｍ
【非特許文献4】ＲＡＬＣＨＥＮＫＯ（１９９９），“Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ＣＶＤ Ｄｉａｍｏｎｄ Ｏｐｔｉｃｓ ｗｉｔｈ Ａｎｔｉ－ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ”，ｐｈｙｓ． ｓｔａｔ． ｓｏｌ．，Ｇｅｎｅｒａｌ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ、Ｍｏｓｃｏｗ，Ｒｕｓｓｉａ
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明の目的は、反射防止型またはミラー型の、改善された特性を有する光学装置を提案することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
この目的のために、本発明は、電磁スペクトルの波長域において電磁放射を透過／反射するのに適した光学装置を目的とし、前記装置は、少なくとも
－第１の材料からなる基板と、
－第１の材料とは異なる第２の材料からなるコーティング層と、
－装置にキャビティを形成する表面テクスチャリングを含み、
キャビティが、コーティング層を通って延び、基板に部分的に沈み込んでいることを特徴とする。
－第１の材料からなる基板と、
－第１の材料とは異なる第２の材料からなるコーティング層と、
－装置にキャビティを形成する表面テクスチャリングを含み、
キャビティが、コーティング層を通って延び、基板に部分的に沈み込んでいることを特徴とする。
【0009】
このように、本発明は、制御された方法で、電磁波の前面を変更することを可能にする。
【0010】
テクスチャリングは、テクスチャされた装置の表面で有効屈折率を変化させることを可能にする。特に、テクスチャリングは、テクスチャされたコーティング層と基板のテクスチャ領域で、より低い実効屈折率を制御された方法で得ることを可能にする。テクスチャリングは、多層膜を使用することで、達成不可能な有効指数を直接得ることを可能にする。指数は、放射線の波長によって変化する。
【0011】
また、本発明により、光学関数の有効性が興味深い入射角範囲を広げることが可能になる。
【0012】
装置の構造は、基板の非テクスチャ部分を取り囲む、テクスチャされたコーティング層と基板のテクスチャ層とを含む、少なくとも１つの２層システムを形成する。
【0013】
第１の用途によれば、光学装置は、反射防止機能を有する。装置は、電磁スペクトルの波長域の電磁放射を透過するのに適している。装置は、前記波長域において透過的な第１の材料からなる少なくとも１つの基板と、第１の材料とは異なり、前記波長域において透過的な第２の材料からなるコーティング層と、装置にキャビティを形成する表面テクスチャリングとを含む。装置は、キャビティがコーティング層を通って延び、部分的に基板に沈み込んでいることを特徴としている。
【0014】
有利には、本発明は、テクスチャされておらずコーティングされていない基板；テクスチャされておりコーティングされていない基板；テクスチャされていないコーティング層のコーティングされた基板；さらにはテクスチャされたコーティング層でコーティングされるが、テクスチャリングは基板を貫通していない基板、に関して、スペクトル幅および最大透過率（したがって最小吸収率）のレベルで装置の透過率を高めることを可能にする。この改善は、装置の構成、特に基板／コーティングの組み合わせの特性およびテクスチャリングの特性に依存する。
【0015】
テクスチャされておりコーティングされていない基板と比較して、テクスチャされたコーティング層は、より浅いキャビティを形成することにより、透過率を向上させることが可能となる。したがって、テクスチャリングは容易かつ迅速に行うことができる。
【0016】
テクスチャされていないコーティング層のコーティングされた基板と比較して、装置の表面挙動は変更される。
【0017】
実際には、装置は、全電磁スペクトルにわたって透過率を改善することはできないが、基板／コーティングの組み合わせの特性およびテクスチャリングの特性に依存して、波長域にわたって透過するように構成されている。
【0018】
波長域は、国際照明委員会（ＣＩＥ）が推奨する細分化に従って定義されている。
－ガンマ線：１０ｐｍ未満
－Ｘ線：１０ｐｍから１０ｎｍ
－紫外線：１０ｎｍから３８０ｎｍ
－可視：３８０ｎｍから７８０ｎｍ
－ＩＲ－Ａ（近赤外）：０．７８μｍから１．４μｍ
－ＩＲ－Ｂ（中赤外）：１．４μｍから３μｍ
－ＩＲ－Ｂ（遠赤外）：３μｍから１ｍｍ
－電波：１ｍｍより大きい
－ガンマ線：１０ｐｍ未満
－Ｘ線：１０ｐｍから１０ｎｍ
－紫外線：１０ｎｍから３８０ｎｍ
－可視：３８０ｎｍから７８０ｎｍ
－ＩＲ－Ａ（近赤外）：０．７８μｍから１．４μｍ
－ＩＲ－Ｂ（中赤外）：１．４μｍから３μｍ
－ＩＲ－Ｂ（遠赤外）：３μｍから１ｍｍ
－電波：１ｍｍより大きい
【0019】
ＩＲ領域については、以下の細分化も可能である。
－ＮＩＲ（近赤外）：０．７５μｍから１．４μｍ
－ＳＷＩＲ：１．４μｍから３μｍ
－ＭＷＩＲ：３μｍから８μｍ
－ＬＷＩＲ：８μｍから１５μｍ
－ＦＩＲ（遠赤外）：１５μｍから１ｍｍ
－ＮＩＲ（近赤外）：０．７５μｍから１．４μｍ
－ＳＷＩＲ：１．４μｍから３μｍ
－ＭＷＩＲ：３μｍから８μｍ
－ＬＷＩＲ：８μｍから１５μｍ
－ＦＩＲ（遠赤外）：１５μｍから１ｍｍ
【0020】
透過率に関しては、装置の異なる変形は、必ずしも最先端の装置より効率的であるとは言えない。しかし、本発明による装置は、製造が容易であること、表面電圧など、他の利点がある。
【0021】
第２の用途によれば、光学装置は、ミラー機能を有する。装置は、電磁スペクトルの波長域の電磁放射を反射するのに適している。装置は、前記波長域を反射する第１の材料からなる、少なくとも１つの基板と、前記第１の材料とは異なる第２の材料からなり、前記波長域を反射するコーティング層と、装置にキャビティを形成する表面テクスチャリングとを含む。装置は、キャビティがコーティング層を通って延び、部分的に基板に沈み込んでいることを特徴する。
【0022】
したがって、本発明は、テクスチャされておらずコーティングされていない基板、テクスチャされておりコーティングされていない基板、またはテクスチャされていないコーティング層でコーティングされた基板に関して、装置の反射を改善することを可能にする。
【0023】
変形例によれば、光学装置は、ミラー機能を有し、前記波長域において透過的な第１の材料からなる少なくとも１つの基板と、前記第１の材料とは異なり、前記波長域において透過的な第２の材料からなるコーティング層と、前記装置にキャビティを形成する表面テクスチャリングを含む。装置は、キャビティがコーティング層を通って延び、部分的に基板に沈み込んでいることを特徴としている。
【0024】
あるいは（反射や透過の機能と組み合わせて）、光学装置は、反射防止やミラーの機能とは異なる、光学面の波面を変更する機能を持つことができる。
【0025】
第１の実施形態によれば、装置は、１つまたは複数のコーティング層を支持する１つの単一基板層を含む。
－基板は、好ましくは０．１から３０ｍｍの間、例えば１または２ｍｍ程度の厚みを有する。
－コーティング層は、好ましくは０．０１から５０μｍの間、例えばＩＲ領域では０．５μｍまたは２μｍ程度の厚さを有する。
－基板の材料は、例えば、ＩＲ用途では、例えば、シリコンＳｉ、ゲルマニウムＧｅ、硫化亜鉛ＺｎＳ、セレン化亜鉛ＺｎＳｅなどである。
－基板は一般に結晶構造を有している。
－コーティングは、アモルファスまたは結晶構造を有することができる。
－コーティング層の材料は、例えば、アモルファスカーボンＤＬＣ（「Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ」）、シリコンＳｉ、ゲルマニウムＧｅ、硫化亜鉛ＺｎＳ、セレン化亜鉛ＺｎＳｅ、五酸化タンタルＴａ２Ｏ５、二酸化ハフニウムＨｆＯ２、アルミナＡｌ２Ｏ３などである。
－装置は、好ましくは、少なくとも１つの背面層を含む。
－装置は、１つの単一基板と１つの単一コーティング層とを含み得る。この場合、好ましくは、基板は、テクスチャリング前のコーティングの屈折率よりも大きい屈折率を有する。
－装置は、１つの単一基板と複数のテクスチャされたコーティング層とを含み得る。この場合、好ましくは、基板は、テクスチャリング前のコーティングの屈折率より大きい屈折率を有する。あるいは、基板は、コーティング層のうちの少なくとも１つよりも小さい屈折率を有することができる。
－基板は、好ましくは０．１から３０ｍｍの間、例えば１または２ｍｍ程度の厚みを有する。
－コーティング層は、好ましくは０．０１から５０μｍの間、例えばＩＲ領域では０．５μｍまたは２μｍ程度の厚さを有する。
－基板の材料は、例えば、ＩＲ用途では、例えば、シリコンＳｉ、ゲルマニウムＧｅ、硫化亜鉛ＺｎＳ、セレン化亜鉛ＺｎＳｅなどである。
－基板は一般に結晶構造を有している。
－コーティングは、アモルファスまたは結晶構造を有することができる。
－コーティング層の材料は、例えば、アモルファスカーボンＤＬＣ（「Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ」）、シリコンＳｉ、ゲルマニウムＧｅ、硫化亜鉛ＺｎＳ、セレン化亜鉛ＺｎＳｅ、五酸化タンタルＴａ２Ｏ５、二酸化ハフニウムＨｆＯ２、アルミナＡｌ２Ｏ３などである。
－装置は、好ましくは、少なくとも１つの背面層を含む。
－装置は、１つの単一基板と１つの単一コーティング層とを含み得る。この場合、好ましくは、基板は、テクスチャリング前のコーティングの屈折率よりも大きい屈折率を有する。
－装置は、１つの単一基板と複数のテクスチャされたコーティング層とを含み得る。この場合、好ましくは、基板は、テクスチャリング前のコーティングの屈折率より大きい屈折率を有する。あるいは、基板は、コーティング層のうちの少なくとも１つよりも小さい屈折率を有することができる。
【0026】
第２の実施形態によれば、装置の構造は、１つ以上のコーティング層と１つの基板の層とを含む層のスタックを形成する。この場合、各基板は、コーティング層の支持層として定義される。
－基板およびコーティング層は、好ましくは０．０１から５０μｍの間、例えばＩＲ領域では０．５μｍまたは２μｍ程度の厚さを有する。
－基板およびコーティング層の材料は、例えば、アモルファスカーボンＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）、シリコンＳｉ、ゲルマニウムＧｅ、硫化亜鉛ＺｎＳ、セレン化亜鉛ＺｎＳｅ、五酸化タンタルＴａ２Ｏ５、二酸化ハフニウムＨｆＯ２、アルミナＡｌ２Ｏ３などである。
－基板は、アモルファスまたは結晶構造を有し得る。
－コーティングは、アモルファスまたは結晶構造を有し得る。
－装置は、好ましくは、少なくとも１つの背面層を含む。
－最後の基板に対して配置される背面層は、好ましくは０．１から３０ｍｍの間、例えば１または２ｍｍ程度の厚さを有する。
－最後の基板に対して配置される背面層は、結晶構造を有し得る。
－装置が複数の背面層を含む場合、第２の背面層は、好ましくは０．０１から５０μｍの間、例えばＩＲ領域では約０．５μｍまたは２μｍの厚さを有する。
－背面層の材料としては、例えば、アモルファスカーボンＤＬＣ（「Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ」）、シリコンＳｉ、ゲルマニウムＧｅ、硫化亜鉛ＺｎＳ、セレン化亜鉛ＺｎＳｅ、五酸化タンタルＴａ２Ｏ５、二酸化ハフニウムＨｆＯ２、アルミナＡｌ２Ｏ３など、また、ＩＲ用途としてシリコンＳｉ、ゲルマニウムＧｅ、硫化亜鉛ＺｎＳ、セレン化亜鉛ＺｎＳｅなどであり得る。
－背面層がない場合、最後の基板は、好ましくは０．１から３０ｍｍの間、例えば１または２ｍｍ程度の厚さを有し、その材料は、例えば、シリコンＳｉ、ゲルマニウムＧｅ、硫化亜鉛ＺｎＳ、セレン化亜鉛ＺｎＳｅ等のＩＲ用途のものである。
－装置は、上側に向けられ、入射放射線を受ける、第１のコーティング層と第１の基板の少なくとも１つの第１の組み合わせと、最後のコーティング層と最後の基板の最後の組み合わせとを含む、複数の基板とコーティング層の交互のスタックを含み得る。
－キャビティは、入射放射線を受ける上側に向いている第１の組み合わせにのみ形成し得る。
－キャビティは、部分的に沈み込んでいる最後の基板を除いて、スタック内を完全に通って延び得る。
－好ましくは、キャビティは、最後の基板方向に厳密に減少する面積断面を有する。
－キャビティは、スタックを形成する各組み合わせについて、コーティング層を完全に通って延び、部分的に基板に沈み込み得る。
－スタックは、第１の組み合わせと最後の組み合わせの間の少なくとも１つの中間の組み合わせを含み得る。
－装置は、基板／コーティングの組み合わせごとに背面層を含み得る。この場合、背面層はキャビティによって拡張され、次のコーティング層に貫通し得る。あるいは、装置は、最後の組み合わせに対して１つの単一の背面層から構成され得る。この場合、背面層はキャビティによって拡張されない。
－基板およびコーティング層は、好ましくは０．０１から５０μｍの間、例えばＩＲ領域では０．５μｍまたは２μｍ程度の厚さを有する。
－基板およびコーティング層の材料は、例えば、アモルファスカーボンＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）、シリコンＳｉ、ゲルマニウムＧｅ、硫化亜鉛ＺｎＳ、セレン化亜鉛ＺｎＳｅ、五酸化タンタルＴａ２Ｏ５、二酸化ハフニウムＨｆＯ２、アルミナＡｌ２Ｏ３などである。
－基板は、アモルファスまたは結晶構造を有し得る。
－コーティングは、アモルファスまたは結晶構造を有し得る。
－装置は、好ましくは、少なくとも１つの背面層を含む。
－最後の基板に対して配置される背面層は、好ましくは０．１から３０ｍｍの間、例えば１または２ｍｍ程度の厚さを有する。
－最後の基板に対して配置される背面層は、結晶構造を有し得る。
－装置が複数の背面層を含む場合、第２の背面層は、好ましくは０．０１から５０μｍの間、例えばＩＲ領域では約０．５μｍまたは２μｍの厚さを有する。
－背面層の材料としては、例えば、アモルファスカーボンＤＬＣ（「Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ」）、シリコンＳｉ、ゲルマニウムＧｅ、硫化亜鉛ＺｎＳ、セレン化亜鉛ＺｎＳｅ、五酸化タンタルＴａ２Ｏ５、二酸化ハフニウムＨｆＯ２、アルミナＡｌ２Ｏ３など、また、ＩＲ用途としてシリコンＳｉ、ゲルマニウムＧｅ、硫化亜鉛ＺｎＳ、セレン化亜鉛ＺｎＳｅなどであり得る。
－背面層がない場合、最後の基板は、好ましくは０．１から３０ｍｍの間、例えば１または２ｍｍ程度の厚さを有し、その材料は、例えば、シリコンＳｉ、ゲルマニウムＧｅ、硫化亜鉛ＺｎＳ、セレン化亜鉛ＺｎＳｅ等のＩＲ用途のものである。
－装置は、上側に向けられ、入射放射線を受ける、第１のコーティング層と第１の基板の少なくとも１つの第１の組み合わせと、最後のコーティング層と最後の基板の最後の組み合わせとを含む、複数の基板とコーティング層の交互のスタックを含み得る。
－キャビティは、入射放射線を受ける上側に向いている第１の組み合わせにのみ形成し得る。
－キャビティは、部分的に沈み込んでいる最後の基板を除いて、スタック内を完全に通って延び得る。
－好ましくは、キャビティは、最後の基板方向に厳密に減少する面積断面を有する。
－キャビティは、スタックを形成する各組み合わせについて、コーティング層を完全に通って延び、部分的に基板に沈み込み得る。
－スタックは、第１の組み合わせと最後の組み合わせの間の少なくとも１つの中間の組み合わせを含み得る。
－装置は、基板／コーティングの組み合わせごとに背面層を含み得る。この場合、背面層はキャビティによって拡張され、次のコーティング層に貫通し得る。あるいは、装置は、最後の組み合わせに対して１つの単一の背面層から構成され得る。この場合、背面層はキャビティによって拡張されない。
【0027】
本発明の他の有利な特徴によれば、個々にまたは以下の組み合わせで取られる。
－キャビティは、３μｍを超える遠赤外域に対して、好ましくは０．５から１０μｍの間、例えば１μｍ前後、深さに渡って基板に形成されている。
－キャビティは、７８０ｎｍから３μｍの間の近赤外領域または中赤外領域に対して、好ましくは０．０８μｍから３μｍの間、例えば２００ｎｍ程度の深さに渡って基板に形成されている。
－キャビティは、可視域対して、好ましくは１ｎｍから６００ｎｍの間、例えば８０ｎｍ程度の深さに渡って形成されている。
－好ましくは、ＩＲ用途では、基板およびコーティング層は、１μｍから５０μｍの間の全波長領域で透過的／反射性である。
－好ましくは、８μｍから１２μｍの間の遠赤外線領域に対して、装置は、当該ジオプトリ―について、入射赤外線の少なくとも９０％の透過率／反射率を可能にする。
－キャビティの特性（形状、寸法、分布など）は、テクスチャリング技術や使用するパラメータに依存する。
－好ましくは、キャビティは、０．０２から３μｍの間、特に１から２μｍの間の大きな幅または直径を有する。
－キャビティは、３μｍを超える遠赤外域に対して、好ましくは０．５から１０μｍの間、例えば１μｍ前後、深さに渡って基板に形成されている。
－キャビティは、７８０ｎｍから３μｍの間の近赤外領域または中赤外領域に対して、好ましくは０．０８μｍから３μｍの間、例えば２００ｎｍ程度の深さに渡って基板に形成されている。
－キャビティは、可視域対して、好ましくは１ｎｍから６００ｎｍの間、例えば８０ｎｍ程度の深さに渡って形成されている。
－好ましくは、ＩＲ用途では、基板およびコーティング層は、１μｍから５０μｍの間の全波長領域で透過的／反射性である。
－好ましくは、８μｍから１２μｍの間の遠赤外線領域に対して、装置は、当該ジオプトリ―について、入射赤外線の少なくとも９０％の透過率／反射率を可能にする。
－キャビティの特性（形状、寸法、分布など）は、テクスチャリング技術や使用するパラメータに依存する。
－好ましくは、キャビティは、０．０２から３μｍの間、特に１から２μｍの間の大きな幅または直径を有する。
【0028】
－コーティング層は、ＰＶＤやＣＶＤなどの薄膜堆積技術によって作製することができる。
－テクスチャリングは、例えばレーザーアブレーション、フォトリソグラフィー、ナノプリンティングなど、コーティング層を通って延び、部分的に基板に沈み込むための任意のタイプの適切な技術によって行うことができる。レーザーテクスチャリングは、比較的経済的で、よく制御されている。
－テクスチャリングは、フェムト秒またはピコ秒領域のパルス持続時間を持つ超短パルスレーザーによって行うことができる。レーザーの波長は、一般的に２００から１６０００ｎｍの間で、所望のテクスチャリング特性（キャビティ、パターンなどの形状や寸法）に応じて選択される。
－レーザーの光学機械環境は、電動ステージ、顕微鏡レンズ（および／またはガルバノスキャナー、および／またはマイクロスフィア単層）、オンラインビューイングユニットなどを含む。
－好ましくは、キャビティは、コーティング層と基板との間の遷移の間に連続的なプロファイルを有する。この連続的なプロファイルは、例えばレーザーテクスチャリングなどの１つの同じテクスチャリング操作中に、コーティング層および基板にキャビティを形成することによって得ることができる。連続的なプロファイルは、波面に求められる形状の制御を向上させる。実際、不連続性は、回折やその他の望ましくない効果を発生させ得る。
－キャビティは、円形の断面を持ち得る。
－キャビティは、最後の基板方向において厳密に減少している面積断面を有する。
－キャビティは、軸方向において凹状のプロファイルを有し、面積断面は深さに応じて小さくなっている。
－キャビティは、軸方向平面において対称的な凹状のプロファイルを有し得る。
－キャビティは、軸方向平面において非対称の凹状のプロファイルを有し得る。
－キャビティは、異なる寸法、特に異なる直径、幅および／または深さを有し得る。
－キャビティの寸法は周期的に変化し得る。
－キャビティの寸法は、ランダムではなく、決められたルールに従って変化する、可変の周期を有し得る。
－キャビティは、装置の表面にわたってランダムに配置され得る。
－キャビティは、装置の表面にわたって規則的な配列に従って配置され得る。
－キャビティは、三角形、四角形、六角形のメッシュなどを持つ配列に従って配置され得る。
－キャビティは、装置の表面にわたって可変の周期で配置され得る。
－可変の周期は、定義されたルールに従って進化し、ランダムではない。
－可変の周期は、規則的に進化する。
－キャビティは、装置の中央と端で異なる周期を有し得る。
－キャビティは、装置の中心により近い位置に配置され得る。
－コーティング層では、キャビティは２０から９１％の間の密度を有し、すなわち、２０から９１％の間の空間を充填する割合を有する。割合９１％は、六角形に配置され、互いに接触しているキャビティに相当する。
－装置は、基板およびコーティングとは異なる材料からなる少なくとも１つの背面層を含むことができ、コーティングは基板の第１の側に形成され、背面層は第１の側とは反対側の基板の第２の側に形成される。
－背面層は、例えば、硫化亜鉛ＺｎＳ、または基板やコーティング層について上述した材料で構成される。
－装置は２つの面を含み、それぞれがコーティング層と、コーティング層を通って延び、基板または基板の１つを部分的に貫通するキャビティを形成する表面テクスチャリングを備え得る。
－装置は、コーティング層と、コーティング層を通って延び、基板または基板の１つを部分的に貫通するキャビティを形成する表面テクスチャリングを有する第１の面と、本発明によるテクスチャリングを有さない、または第１の面のテクスチャリングとは異なる処理を受ける、または処理を受けないコーティング層を有する第２の面を含み得る。
－２つの面のコーティング層は異なっていてもよい（材質、厚さなど）。
－装置の面は、平行であってもなくてもよい。例えば、面は傾斜した平面で配置され得る。別の例によれば、面は凹面または凸面であり得る。
－テクスチャリングは、例えばレーザーアブレーション、フォトリソグラフィー、ナノプリンティングなど、コーティング層を通って延び、部分的に基板に沈み込むための任意のタイプの適切な技術によって行うことができる。レーザーテクスチャリングは、比較的経済的で、よく制御されている。
－テクスチャリングは、フェムト秒またはピコ秒領域のパルス持続時間を持つ超短パルスレーザーによって行うことができる。レーザーの波長は、一般的に２００から１６０００ｎｍの間で、所望のテクスチャリング特性（キャビティ、パターンなどの形状や寸法）に応じて選択される。
－レーザーの光学機械環境は、電動ステージ、顕微鏡レンズ（および／またはガルバノスキャナー、および／またはマイクロスフィア単層）、オンラインビューイングユニットなどを含む。
－好ましくは、キャビティは、コーティング層と基板との間の遷移の間に連続的なプロファイルを有する。この連続的なプロファイルは、例えばレーザーテクスチャリングなどの１つの同じテクスチャリング操作中に、コーティング層および基板にキャビティを形成することによって得ることができる。連続的なプロファイルは、波面に求められる形状の制御を向上させる。実際、不連続性は、回折やその他の望ましくない効果を発生させ得る。
－キャビティは、円形の断面を持ち得る。
－キャビティは、最後の基板方向において厳密に減少している面積断面を有する。
－キャビティは、軸方向において凹状のプロファイルを有し、面積断面は深さに応じて小さくなっている。
－キャビティは、軸方向平面において対称的な凹状のプロファイルを有し得る。
－キャビティは、軸方向平面において非対称の凹状のプロファイルを有し得る。
－キャビティは、異なる寸法、特に異なる直径、幅および／または深さを有し得る。
－キャビティの寸法は周期的に変化し得る。
－キャビティの寸法は、ランダムではなく、決められたルールに従って変化する、可変の周期を有し得る。
－キャビティは、装置の表面にわたってランダムに配置され得る。
－キャビティは、装置の表面にわたって規則的な配列に従って配置され得る。
－キャビティは、三角形、四角形、六角形のメッシュなどを持つ配列に従って配置され得る。
－キャビティは、装置の表面にわたって可変の周期で配置され得る。
－可変の周期は、定義されたルールに従って進化し、ランダムではない。
－可変の周期は、規則的に進化する。
－キャビティは、装置の中央と端で異なる周期を有し得る。
－キャビティは、装置の中心により近い位置に配置され得る。
－コーティング層では、キャビティは２０から９１％の間の密度を有し、すなわち、２０から９１％の間の空間を充填する割合を有する。割合９１％は、六角形に配置され、互いに接触しているキャビティに相当する。
－装置は、基板およびコーティングとは異なる材料からなる少なくとも１つの背面層を含むことができ、コーティングは基板の第１の側に形成され、背面層は第１の側とは反対側の基板の第２の側に形成される。
－背面層は、例えば、硫化亜鉛ＺｎＳ、または基板やコーティング層について上述した材料で構成される。
－装置は２つの面を含み、それぞれがコーティング層と、コーティング層を通って延び、基板または基板の１つを部分的に貫通するキャビティを形成する表面テクスチャリングを備え得る。
－装置は、コーティング層と、コーティング層を通って延び、基板または基板の１つを部分的に貫通するキャビティを形成する表面テクスチャリングを有する第１の面と、本発明によるテクスチャリングを有さない、または第１の面のテクスチャリングとは異なる処理を受ける、または処理を受けないコーティング層を有する第２の面を含み得る。
－２つの面のコーティング層は異なっていてもよい（材質、厚さなど）。
－装置の面は、平行であってもなくてもよい。例えば、面は傾斜した平面で配置され得る。別の例によれば、面は凹面または凸面であり得る。
【0029】
本発明はまた、電磁スペクトルの波長域において電磁放射を透過／反射するのに適した、光学装置の製造方法を目的とし、前記方法は、少なくとも以下の、
－第１の材料からなる基板と、第１の材料とは異なる第２の材料からなるコーティング層との少なくとも１つの組み合わせを形成するステップと、
－装置にキャビティを形成する表面テクスチャリングを行うステップを含み、
キャビティはコーティング層を通って延び、部分的に基板に沈み込んでいることを特徴とする。
－第１の材料からなる基板と、第１の材料とは異なる第２の材料からなるコーティング層との少なくとも１つの組み合わせを形成するステップと、
－装置にキャビティを形成する表面テクスチャリングを行うステップを含み、
キャビティはコーティング層を通って延び、部分的に基板に沈み込んでいることを特徴とする。
【0030】
本発明は、光学装置の分野で多くの応用が可能である。
－ＩＲ用途：カメラ、レンズ、光学窓、カモフラージュ表面、ルアーなど。
－可視・近赤外域用途：光学窓、レンズ、撮像素子カメラ用ミラー、レーザーライン、レーザー成形など。
－電波応用製品：レーダーなど。
－ＩＲ用途：カメラ、レンズ、光学窓、カモフラージュ表面、ルアーなど。
－可視・近赤外域用途：光学窓、レンズ、撮像素子カメラ用ミラー、レーザーライン、レーザー成形など。
－電波応用製品：レーダーなど。
【0031】
本発明は、非限定的な例としてのみ与えられ、添付の図面を参照してなされる以下の説明を読めば、最もよく理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0032】
【図1】本発明による装置の概略断面図であり、シリコンＳｉ基板、アモルファスカーボンＤＬＣコーティング層、および装置にキャビティを形成するテクスチャを含み、キャビティはコーティング層を通って延び、一部は基板に沈み込んでいる。
【図12】図７と同様のグラフであり、図１から図５と同様にセレン化亜鉛ＺｎＳｅ基板と、一部に二酸化ケイ素ＳｉＯ２コーティング層を持つ５種類の装置について、波長（ＷＬ：０．８から３μｍ）に応じた透過率（Ｔ：０．７から１）の変化を示す。
【図13】図９と同様のグラフであり、図１２で表される２つの装置の透過率、すなわちテクスチャ基板とテクスチャコーティングを含む本発明による装置、およびテクスチャされていない基板とテクスチャコーティングを含む装置についてである。
【図14】図７と同様のグラフであり、図１から図５と同様に二酸化ケイ素ＳｉＯ２基板と、一部にフッ化マグネシウムＭｇＦ２コーティング層を持つ５種類の装置について、波長（ＷＬ：０．３から１μｍ）に応じた透過率（Ｔ：０．９６から１）の変化を示す。
【図15】図９と同様のグラフであり、図１４に表される２つの装置の透過率、すなわち、テクスチャ基板とテクスチャコーティングを含む本発明による装置、およびテクスチャされていない基板とテクスチャされていないコーティングからなる装置についてである。
【図16】図７と同様のグラフであり、図１から図５と同様にアルミナＡｌ２Ｏ３基板と、一部の二酸化ケイ素ＳｉＯ２コーティング層で構成された５種類の装置について、波長（ＷＬ：０．３から１μｍ）に応じた透過率（Ｔ：０．９６６から１）の変化を示す。
【図17】本発明による装置の変形例の概略上面図であり、この装置のキャビティは、装置の端よりも中央の方が近いことにより、装置の表面にわたって可変の周期を有する。
【図23】図２と同様の断面図であり、２つの基板と２つのコーティング層を交互のスタックを含む本発明による装置の変形例を示し、キャビティは、部分的に沈み込んでいる最後の基板を除き、積層体を完全に通って延びている。
【図25】図２と同様の断面図であり、２つの面を有し、それぞれが基板と、コーティング層と、コーティング層を通って延び、基板を部分的に貫通するキャビティを形成する表面テクスチャリングとを含む、本発明による装置の変形例を示している。
【図26】図２と同様の断面図であり、コーティング層と、コーティング層を通って延び、基板を部分的に貫通するキャビティを形成する表面テクスチャリングとを備える第１の面と、テクスチャリングを有さない、または第１の面のテクスチャリングとは異なる処理を受けるコーティング層を備える第２の面とを含む、本発明による装置の変形例を示している。
【図28】装置の可逆性を説明するスキームである。
【図29】複雑な装置と単純な２つの装置の光学的等価性を示すスキームである。
【図30】図２と同様の断面であり、２つの基板と２つのコーティング層の交互のスタックとともに、背面層を含み、キャビティが第１のコーティング層および第１の基板にのみ形成される、本発明による装置の変形例を示している。
【図31】図７と同様のグラフであり、３種類の装置について、波長（ＷＬ：３４０から８４０ｎｍ）に応じた透過率（Ｔ）の変化を示しており、そのうち２種類の装置は、ＨｆＯ２基板層、ＳｉＯ２コーティング層、アモルファスカーボン背面層を２層ずつ積層したものである。
【図32】図７と同様のグラフであり、１つのテクスチャされた装置と１つのテクスチャされていない装置を含む、３種類の装置、すなわち１つのアモルファスカーボン層からなる装置と、２つのＳｉ３Ｎ４基板層、２つのＳｉＯ２コーティング層、ＺｎＳｅ背面層のスタックで構成される装置について、波長（ＷＬ：１から２．４μｍ）による透過率の変化を示している。
【図34】図７と同様のグラフであり、１つのテクスチャされた装置と１つのテクスチャされていない装置とを含む、３種類の装置、すなわち１つのアモルファスカーボン層からなる装置と、２つのＤＬＣコーティング層のＴｉＯ２基板層と１つのＳｉ背面層とのスタックを持つ２つの装置について、波長（ＷＬ：７から１５μｍ）に応じた透過率（Ｔ）の変化を示している。
【発明を実施するための形態】
【0033】
【0034】
装置（１）は、７から１５μｍ（ＬＷＩＲ）の遠赤外波長域の電磁放射の透過によく適している。
【0035】
装置（１）は、例えば厚さ（Ｅ１０）が１または２ｍｍのシリコンＳｉ基板（１０）を含む。基板（１０）は、屈折率ｎ＝３．４３であり、上記波長域において透過的である。
【0036】
装置（１）は、厚さ（Ｅ２０）が１４２５ｎｍのＤＬＣとも呼ばれるアモルファスカーボンコーティング層（２０）を含む。このＤＬＣは、屈折率ｎ＝１．８であり、上記波長域において透過的である。
【0037】
装置（１）は、コーティング層（２０）を通って延び、基板（１０）に部分的に沈み込んでいる別々のキャビティ（３１）を形成する表面テクスチャリング（３０）を含む。
キャビティ（３１）は、装置（１）の表面上にわたって規則的な配列に沿って配置される。キャビティ（３１）は、周期（Ｌ３１）が２μｍ、直径（Ｄ３１）が１．６μｍ、深さ（Ｐ３１）が２．３４μｍ程度である。キャビティ（３１）は、基板（１０）の厚さ（Ｅ１０）よりもはるかに小さい９１５ｎｍの深さ（Ｐ１１）を有するテクスチャ層（１１）において、基板（１０）に貫入している。テクスチャリング（３０）により、基板（１０）のテクスチャ層（１１）における有効屈折率を、制御された方法で、下げることが可能となる。
キャビティ（３１）は、装置（１）の表面上にわたって規則的な配列に沿って配置される。キャビティ（３１）は、周期（Ｌ３１）が２μｍ、直径（Ｄ３１）が１．６μｍ、深さ（Ｐ３１）が２．３４μｍ程度である。キャビティ（３１）は、基板（１０）の厚さ（Ｅ１０）よりもはるかに小さい９１５ｎｍの深さ（Ｐ１１）を有するテクスチャ層（１１）において、基板（１０）に貫入している。テクスチャリング（３０）により、基板（１０）のテクスチャ層（１１）における有効屈折率を、制御された方法で、下げることが可能となる。
【0038】
テクスチャリング（３０）は、コーティング層（２０）を通って延び、部分的に基板（１０）の中に沈み込むのに適した任意のタイプの技術、例えばレーザーアブレーション、フォトリソグラフィー、ナノプリンティングなどによって行うことができる。レーザーテクスチャリングは、比較的安価であり、よく制御される。特に、テクスチャリング（３０）は、フェムト秒領域またはピコ秒領域のパルス持続時間を有する超短パルスレーザーによって行うことができる。レーザーの波長は、通常２００から１６０００ｎｍの間で変化し、キャビティ（３１）の形状や寸法、パターン、周期など、所望のテクスチャリング（３０）の特徴に応じて選択される。
【0039】
レーザーシステムの構成は、以下の文献を参考にすることができる。
－ＹＵ（２０１３），“Ｆｅｍｔｏｓｅｃｏｎｄ ｌａｓｅｒ ｎａｎｏｍａｃｈｉｎｉｎｇ ｉｎｉｔｉａｔｅｄ ｂｙ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｍｕｌｔｉｐｈｏｔｏｎ ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ”， Ｏｐｔｉｃｓ Ｅｘｐｒｅｓｓ．
－ＳＥＤＡＯ（２０１２），“Ｌａｒｇｅ ａｒｅａ ｌａｓｅｒ ｓｕｒｆａｃｅ ｍｉｃｒｏ／ｎａｎｏｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ ｂｙ ｃｏｎｔａｃｔ ｍｉｃｒｏｓｐｈｅｒｅ ｌｅｎｓ ａｒｒａｙｓ ”， Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ａ．
－ＹＵ（２０１３），“Ｆｅｍｔｏｓｅｃｏｎｄ ｌａｓｅｒ ｎａｎｏｍａｃｈｉｎｉｎｇ ｉｎｉｔｉａｔｅｄ ｂｙ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｍｕｌｔｉｐｈｏｔｏｎ ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ”， Ｏｐｔｉｃｓ Ｅｘｐｒｅｓｓ．
－ＳＥＤＡＯ（２０１２），“Ｌａｒｇｅ ａｒｅａ ｌａｓｅｒ ｓｕｒｆａｃｅ ｍｉｃｒｏ／ｎａｎｏｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ ｂｙ ｃｏｎｔａｃｔ ｍｉｃｒｏｓｐｈｅｒｅ ｌｅｎｓ ａｒｒａｙｓ ”， Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ａ．
【0040】
図２から図５において、本発明によらない異なる装置（２、３、４、５）が表されている。以下に詳述する相違点を除いて、基板（１０）、コーティング層（２０）、およびテクスチャリング（３０）は、上述の装置（１）に対するものと同じ特性を有する。
【0041】
図２において、装置（２）は、シリコンＳｉ基板（１０）とＤＬＣコーティング（２０）によって構成されており、いずれもテクスチャされていない。
【0042】
図３において、装置（３）は、テクスチャされているがコーティングされていないシリコンＳｉ基板（１０）によって構成されている。装置（３）の基板（１０）は、装置（１）と同じ厚さを有している。キャビティ（３１）は、２つの装置（１、３）に対して同じ深さ（Ｐ３１）を有する。
【0043】
図４において、装置（４）は、テクスチャされていないシリコンＳｉ基板（１０）とテクスチャされたＤＬＣコーティング（２０）により構成されている。キャビティ（３１）はコーティング（２０）を通って延びているが、基板（１０）には貫入していない。
【0044】
図５において、装置（５）は、テクスチャされておらずコーティングされていないＳｉ基板（１０）によって構成されている。装置（３）の基板（１０）は、装置（１）の基板（１０）と同じ厚さを有している。
【0045】
図７は、装置（１、２、３、４、５）について、波長（ＷＬ）に応じた透過率（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５）の変化を示す５本の曲線を含むグラフである。ｘ軸は、波長（ＷＬ）が３から１５μｍまで変化している。ｙ軸は、透過率（Ｔ）が０から１まで変化している。
－透過率曲線（Ｔ１）は、図１および図６に示した本発明による装置（１）に対応する。
－透過率曲線（Ｔ２）は、図２に示した装置（２）に対応する。
－透過率曲線（Ｔ３）は、図３に示した装置（３）に対応する。
－透過率曲線（Ｔ４）は、図４に示した装置（４）に対応する。
－透過率曲線（Ｔ５）は、図５に示した装置（５）に対応する。
－透過率曲線（Ｔ１）は、図１および図６に示した本発明による装置（１）に対応する。
－透過率曲線（Ｔ２）は、図２に示した装置（２）に対応する。
－透過率曲線（Ｔ３）は、図３に示した装置（３）に対応する。
－透過率曲線（Ｔ４）は、図４に示した装置（４）に対応する。
－透過率曲線（Ｔ５）は、図５に示した装置（５）に対応する。
【0046】
図７のグラフに示すように、装置（１）の透過率（Ｔ１）は、各装置（２、３、４、５）に対して、スペクトル幅と最大透過率（したがって最小吸収率）で向上している。
【0047】
透過率（Ｔ１、Ｔ３）は３から５μｍ程度で途切れているが、これは基板（１０）に貫入したキャビティ（３１）の深さに関係していると思われる。
【0048】
【0049】
図１０および図１１は、波長（ＷＬ）および入射角（角度）に応じた透過率（Ｔ１，Ｔ２）の変化を示す図である。透過率（Ｔ１、Ｔ２）の変化は、色の濃淡によって２次元的に表現されている。透過範囲は、３から５μｍ付近の波長（ＷＬ）を除いて、素子（１）の方が素子（２）よりも広いことが分かる。
【0050】
装置（１）の構造は、テクスチャされたコーティング層（２０）と、基板（１０）のテクスチャされていない部分を取り囲むテクスチャ層（１１）とを含む、２層システムを形成する。
【0051】
テクスチャリング（３０）のおかげで、装置（１）の構造は、装置（２、３、４、５）に関して改善された反射防止性能を得ることを可能にする。
【0052】
装置（１）の反射防止性能は、いくつかの重ね合わせコーティング層（２０）を含む多層システムの反射防止性能に匹敵する。テクスチャリング（３０）の実行は、多層コーティングの適用が不可能、実用的でない、または望ましくない場合、特に有利である。
【0053】
図１２は、図７と同様のグラフが表されており、図１から図５と同様に構成され、セレン化亜鉛ＺｎＳｅ基板（１０）上に二酸化ケイ素ＳｉＯ２コーティング層（２０）を堆積させた５つの装置（１、２、３、４、５）について、透過率（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５）の変化を示す。ｘ軸では、波長（ＷＬ）は０．８から３μｍの近・中赤外域で変化する。ｙ軸では、透過率（Ｔ）は０．７から１まで変化する。
【0054】
装置（１、２、３、４、５）の場合、セレン化亜鉛ＺｎＳｅ基板（１０）は、屈折率ｎ＝２．４６を有する。
【0055】
装置（１、２、４）の場合、二酸化ケイ素ＳｉＯ２コーティング層（２０）は、厚さ（Ｅ２０）２３０ｎｍ、屈折率ｎ＝１．４４を有する。
【0056】
装置（１、３、４）の場合、キャビティ（３１）は、周期（Ｌ３１）３２０ｎｍ、直径（Ｄ３１）２６５ｎｍを有する。
【0057】
装置（１、４）の場合、キャビティ（３１）は、深さ（Ｐ３１）４００ｎｍ程度を有する。
【0058】
装置（１）は、０．８から３μｍの間の近・中赤外波長域の電磁放射の透過によく適している。
【0059】
図１２のグラフに示すように、装置（１）の透過率（Ｔ１）は、各装置（２、３、４、５）に対して、スペクトル幅と最大透過率（したがって最小吸収率）で、改善されていることがわかる。
【0060】
図１３では、グラフは、図１２に沿って上述した装置（１、２）について、入射角（角度）に応じた透過率（Ｔ１、Ｔ２）の変化を示す２つの曲線を含む。角度透過幅は、装置（１）の方が装置（２）よりも大きいことがわかる。
【0061】
図１４では、図７と同様のグラフが表わされており、二酸化ケイ素ＳｉＯ２基板（１０）上にフッ化マグネシウムＭｇＦ２コーティング層（２０）を堆積させた、図１から５のように構成された５つの装置（１、２、３、４、５）について、透過率（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５）の変化を示している。ｘ軸では、波長（ＷＬ）は０．３から１μｍの、可視、近赤外、中赤外の範囲で変化する。ｙ軸では、透過率（Ｔ）は０．９６から１まで変化する。
【0062】
装置（１、２、３、４、５）の場合は、二酸化ケイ素ＳｉＯ２基板（１０）は屈折率ｎ＝１．４４である。
【0063】
装置（１、２、４）の場合は、フッ化マグネシウムＭｇＦ２コーティング層（２０）は、厚さ（Ｅ２０）が５７ｎｍ、屈折率ｎ＝１．３８を有する。
【0064】
装置（１、３、４）の場合は、キャビティ（３１）は、周期（Ｌ３１）２０２ｎｍ、直径（Ｄ３１）１６０ｎｍを有する。
【0065】
装置（１、４）の場合は、キャビティ（３１）は、深さ（Ｐ３１）約９４ｎｍを有する。
【0066】
装置（１）は、０．３８から０．７８μｍの間の可視波長域の電磁放射の透過によく適している。
【0067】
図１４のグラフに示すように、装置（１）の透過率（Ｔ１）は、装置（２、５）の透過率（Ｔ２、Ｔ５）に対して、スペクトル幅と最大透過率（したがって最小吸収率）で、改善される。しかしながら、装置（１）の透過率（Ｔ１）は、装置（３、４）の透過率（Ｔ３、Ｔ４）に比較的近い。
【0068】
図１５では、グラフは、図１４に即して上述した装置（１，２）について、入射角（角度）に応じた透過率（Ｔ１，Ｔ２）の変化を示す２本の曲線を含む。角度透過幅は、装置（１）の方が装置（２）よりも大きいことがわかる。
【0069】
図１６では、図７と同様のグラフが表されており、アルミナＡｌ２Ｏ３基板（１０）上に二酸化ケイ素ＳｉＯ２コーティング層（２０）を堆積させた、図１から５のように構成された５つの装置（１、２、３、４、５）について、透過率（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５）の変化を示している。ｘ軸では、波長（ＷＬ）が０．３から１μｍの、可視、近赤外、中赤外域の範囲で変化する。ｙ軸では、透過率（Ｔ）が０．９６から１まで変化している。
【0070】
装置（１、２、３、４、５）の場合は、アルミナＡｌ２Ｏ３基板（１０）は、屈折率ｎ＝１．６９を有する。
【0071】
装置（１、２、４）について、二酸化ケイ素ＳｉＯ２コーティング層（２０）は、厚さ（Ｅ２０）８３ｎｍで、屈折率ｎ＝１．４４を有する。
【0072】
装置（１、３、４）の場合は、キャビティ（３１）は、周期（Ｌ３１）１７６ｎｍ、直径（Ｄ３１）１５９ｎｍを有する。
【0073】
装置（１、４）の場合は、キャビティ（３１）は、深さ（Ｐ３１）１５６ｎｍ程度を有する。
【0074】
装置（１）は、０．３から１μｍの間の可視・近赤外波長域の電磁放射の透過によく適している。
【0075】
図１６のグラフに示すように、装置（１）の透過率（Ｔ１）は、装置（２、３、４、５）のそれぞれに関して、特に近・中赤外波長域のスペクトル幅と最大透過率（したがって最小吸収率）で、改善されている。
【0076】
【0077】
図１７では、キャビティ（３１）は、可変の周期をもって装置（１）の表面上にわたって配置される。この可変の周期は、定義された規則に従って進化し、ランダムではない。キャビティ（３１）は分離しており、互いに連通することはない。変化は制御されており、装置（１）の不規則な表面状態および／またはテクスチャリング方法の不正確さに起因するものではない。周期は、装置（１）の中央と端の間で異なっている。キャビティ（３１）は、中央では端よりも接近している。
【0078】
図１８では、キャビティ（３１）は、軸方向平面において対称的な凹状のプロファイルを有し、直径（Ｄ３１）および面積断面が、深さ（Ｐ３１）と共に減少している。
【0079】
図１９において、キャビティ（３１）は、軸方向平面において非対称の凹状プロファイルを有し、より大きな寸法（Ｄ３１）および面積断面が、深さ（Ｐ３１）に応じて減少する。断面が円形の場合、最も大きい寸法（Ｄ３１）は直径であり、そうでなければ、非円形の断面の場合、最も大きい寸法（Ｄ３１）は長さである。実際には、テクスチャリング（３０）は、入射放射線の方向に応じて異なる光学的効果をもたらす。この現象は、キャビティ（３１）の非対称性によって強化される。
【0080】
図２０では、キャビティ（３１）は、異なる深さ（Ｐ３１ａ、Ｐ３１ｂ）を有する。
【0081】
図２１では、キャビティ（３１）は、異なる直径を有する（Ｄ３１ａ、Ｄ３１ｂ）。
【0082】
図２２では、装置（１）は、２つの基板（１０）と２つのコーティング層（２０）との交互のスタックを含む。キャビティ（３１）は、入射放射線を受ける、上側に向けられた基板（１０）とコーティング層（２０）の第１の組み合わせ（１０＋２０）にのみ形成されている。多層膜反射防止型広帯域装置（１）の場合、この解決策は、テクスチャされていない多層膜装置と比較して、波面補正を向上させることを可能にする。また、この解決策は、後述するように、すべての層（２０、３０）がキャビティ（３１）によって拡張される多層装置に関して、時間の節約を意味する。
【0083】
図２３では、装置（１）はまた、２つの基板（１０）と２つのコーティング層（２０）との交互のスタックを含む。キャビティ（３１）は、部分的に沈み込んでいる最後の基板（１０）を除いて、スタックを完全に通って延びている。
【0084】
図２４では、装置（１）は、基板（１０）およびコーティング層（２０）とは異なる材料を含む、背面層（４０）から構成される。コーティング（２０）は、基板（１０）の第１面に形成され、背面層（４０）は、基板（１０）の第１面とは反対側の第２面に形成されている。背面層（４０）は、コーティング層（２０）とは異なる機能を有する。例えば、反射防止装置（１）の場合、この背面層（４０）は、コーティング層（２０）が広帯域で反射防止機能を有するのに対し、背面における反射防止機能および機械的機能を確保することができる。別の例によれば、ミラー装置（１）の場合、この背面層（４０）は、放射線の一部を反射するように設計することができる。
【0085】
図２５では、装置（１）は、本発明によって構成された２つの面を含み、中央の基板（１０）を備えている。各面は、コーティング層（２０）およびテクスチャリング（３０）を含み、コーティング層（２０）を通って延び、基板（１０）を部分的に貫通するキャビティ（３１）を形成している。２つのコーティング層（２０）は、同一であっても異なっていてもよい（材料、厚さなど）。
【0086】
図２８に示すように、回折次数がない場合、装置（１）の表面の挙動は、光路の方向には依存しない。すなわち、空気から装置（１）へ、あるいは装置（１）から空気への光の通過方向は、装置（１）の反射率や透過率を変えることはない。図２８は、このような条件下で、装置（１）の方向がどのようなものであっても、したがって入射光放射（Ｉ）に対して、反射光（Ｒ）と透過光（Ｔ）は同じであることを模式的に示している。
【0087】
さらに、図２９に示されるように、光のコヒーレンス長が装置（１）の厚さを超えない場合、したがって、図２５に示される装置（１）は、それらが並置されていたであろう、２つの独立した単純な装置（１ａ、１ｂ）のアセンブリとして考えることができる。図示の装置（１）の透過速度は、したがって、これら２つの独立した単純な装置の透過速度の掛け算となる。
【0088】
この構成は、光学系が、したがって二重波面補正装置を搭載することにより、装置（１）の性能を高めることを可能とする。この解決策は、１つ目の装置に加えて２つ目の装置を追加するのではなく、１つの同じ装置（１）の２つの面を使って２回波面を正しく補正することを可能にするため、波面補正の向上に有利である。全体的な嵩は適度なままである。
【0089】
図２６では、装置（１）は、コーティング層（２０）およびテクスチャリング（３０）が部分的に基板（１０）に貫入している、本発明によって構成された第１の面を含み、テクスチャリングを有さない、または処理を有さない、または第１の面のテクスチャリングと異なる処理を受けている、コーティング層（２０）を有する第２の面とから構成されている。図２５、図２８、および図２９を参照して上述された説明によると、この構成は、２つの追加装置（１）に相当するものを有することを可能とする。第２の面は、処理またはテクスチャリングの観点で適しており、この解決策により、１つまたは複数の波長域について、求められる効果を選択することが可能になる。第１の例では、例えば、Ｖ字型反射防止処理と広帯域反射防止処理のように、１つの同じ波長域に異なる処理を施すことができる。第２の例によれば、異なる波長域で、異なる処理を施すことができる。第３の実施例によれば、１つの同じ処理を２つの別々の、並置された、または重なり合った波長域で適用することができる。各面が処理する２つの波長域が並列または重複している場合、装置（１）を用いて１面装置よりも広い範囲を処理することが可能である。あるいは、各面が扱う２つの波長域が別々であれば、装置（１）はフィルタの役割を確保することも可能である。特定の用途によれば、第１の検出器に関連する第１の波長域に対する第１の波面補正処理と、第２の検出器に関連する第２の波長域に対する第２の波面補正処理とを有することが可能である。
【0090】
図２７では、装置（１）は、本発明によって構成された２つの面を含み、中央層（２０／４０）を有する。各面は、コーティング層（２０）およびテクスチャリング（３０）を含み、コーティング層（２０）を通って延び、基板（１０）を部分的に貫通するキャビティ（３１）を形成している。２つの面の基板（１０）およびコーティング層（２０）は、同一でも異なっていてもよい（材質、厚さなど）。
【0091】
図３０では、装置（１）は、基板（１０）およびコーティング（２０）の２つのスタック、ならびに背面層（４０）を含む。キャビティ（３１）は、入射放射線を受ける上側に向けられた基板（１０）とコーティング層（２０）の第１の組み合わせ（１０＋２０）にのみ形成されている。このような構成から、いくつかのテストが行われた。
【0092】
最初のテストは、３５０ｎｍから７５０ｎｍの間の、可視領域の波長に関するものである。装置（１）は次のように構成されている。
－基板（１０）はＨｆＯ２からなり、コーティング（２０）はＳｉＯ２からなり、背面層（４０）はアモルファスカーボンからなる。
－第１膜厚（Ｅ２０１）は９８ｎｍを測定。
－第１基板厚み（Ｅ１０１）は４０９ｎｍを測定。
－第２膜厚（Ｅ２０２）は１７４ｎｍを測定。
－第２基板厚み（Ｅ１０２）は７３ｎｍを測定。
－背面層（４０）の厚さは問わない。
－テクスチャリング（３０）のキャビティ（３１）は、３７７ｎｍの深さを有し、したがって、第１のコーティング層（２０）を通って延び、部分的に第１の基板層（１０）に沈み込んでいる。これらは、１３８ｎｍの直径を有する円形であり、１７４ｎｍのステップを有する正方形のマトリックスに沿って規則的に配置されている。
－基板（１０）はＨｆＯ２からなり、コーティング（２０）はＳｉＯ２からなり、背面層（４０）はアモルファスカーボンからなる。
－第１膜厚（Ｅ２０１）は９８ｎｍを測定。
－第１基板厚み（Ｅ１０１）は４０９ｎｍを測定。
－第２膜厚（Ｅ２０２）は１７４ｎｍを測定。
－第２基板厚み（Ｅ１０２）は７３ｎｍを測定。
－背面層（４０）の厚さは問わない。
－テクスチャリング（３０）のキャビティ（３１）は、３７７ｎｍの深さを有し、したがって、第１のコーティング層（２０）を通って延び、部分的に第１の基板層（１０）に沈み込んでいる。これらは、１３８ｎｍの直径を有する円形であり、１７４ｎｍのステップを有する正方形のマトリックスに沿って規則的に配置されている。
【0093】
図３１は、この装置（１）の透過率曲線（Ｔ３）を、
－基板（１０）と、コーティング（２０）と、背面層（４０）の同じスタックを含み、テクスチャリング（３０）がない装置の透過率曲線（Ｔ２）と比較したものと、
－アモルファスカーボン層のみを含む装置の透過率曲線（Ｔ１）と比較したものである。
上記構成による装置（１）は、他の２つの構成に対して改善された透過率を、より大きな波長域にわたって得ることを可能にすることが明確に分かる。
－基板（１０）と、コーティング（２０）と、背面層（４０）の同じスタックを含み、テクスチャリング（３０）がない装置の透過率曲線（Ｔ２）と比較したものと、
－アモルファスカーボン層のみを含む装置の透過率曲線（Ｔ１）と比較したものである。
上記構成による装置（１）は、他の２つの構成に対して改善された透過率を、より大きな波長域にわたって得ることを可能にすることが明確に分かる。
【0094】
第２のテストは、１から２μｍの間の、近赤外領域の波長に関するものである。装置（１）は次のように構成されている。
－基板（１０）はＳｉ３Ｎ４からなり、コーティング（２０）はＳｉＯ２からなり、背面層（４０）はＺｎＳｅからなる。
－第１膜厚（Ｅ２０１）は２２８ｎｍを測定。
－第１基板厚み（Ｅ１０１）は４５２ｎｍを測定。
－第２膜厚（Ｅ２０２）は４６１ｎｍを測定。
－第２基板厚み（Ｅ１０２）は１６６ｎｍを測定。
－背面層（４０）の厚さは問わない。
－テクスチャリング（３０）のキャビティ（３１）は、３５１ｎｍの深さを有し、したがって、第１のコーティング層（２０）を通って延び、第１の基板層（１０）に部分的に沈み込んでいる。キャビティ（３１）は、直径２５５ｎｍの円形であり、３２０ｎｍのステップを有する正方形のマトリックスに沿って規則的に配置される。
－基板（１０）はＳｉ３Ｎ４からなり、コーティング（２０）はＳｉＯ２からなり、背面層（４０）はＺｎＳｅからなる。
－第１膜厚（Ｅ２０１）は２２８ｎｍを測定。
－第１基板厚み（Ｅ１０１）は４５２ｎｍを測定。
－第２膜厚（Ｅ２０２）は４６１ｎｍを測定。
－第２基板厚み（Ｅ１０２）は１６６ｎｍを測定。
－背面層（４０）の厚さは問わない。
－テクスチャリング（３０）のキャビティ（３１）は、３５１ｎｍの深さを有し、したがって、第１のコーティング層（２０）を通って延び、第１の基板層（１０）に部分的に沈み込んでいる。キャビティ（３１）は、直径２５５ｎｍの円形であり、３２０ｎｍのステップを有する正方形のマトリックスに沿って規則的に配置される。
【0095】
図３２および図３３は、この装置（１）の透過率曲線（Ｔ３）を、
－基板（１０）とコーティング（２０）と背面層（４０）の同じスタックを含み、テクスチャリング（３０）がない装置の透過率曲線（Ｔ２）と比較したものと、
－アモルファスカーボン層のみを含む素子の透過率曲線（Ｔ１）と比較したもの（図３２のみ）である。
－基板（１０）とコーティング（２０）と背面層（４０）の同じスタックを含み、テクスチャリング（３０）がない装置の透過率曲線（Ｔ２）と比較したものと、
－アモルファスカーボン層のみを含む素子の透過率曲線（Ｔ１）と比較したもの（図３２のみ）である。
【0096】
図３２から明らかなように、上記構成による装置（１）は、他の２つの構成に対して改善された透過を、より大きな波長域にわたって得ることを可能にする。
【0097】
図３３から、装置（１）への光放射の入射角に応じて、装置（１）の透過率（Ｔ３）が透過率（Ｔ２）に対して改善されることがわかる。
【0098】
第３のテストは、７から１５μｍの間の、中赤外領域の波長に関するものである。装置（１）は次のように構成されている。
－基板（１０）はＴｉＯ２からなり、コーティング（２０）はＤＬＣからなり、背面層（４０）はＳｉからなる。
－第１膜厚（Ｅ２０１）は１３９３ｎｍを測定。
－第１基板厚み（Ｅ１０１）は５４１ｎｍを測定。
－第２膜厚（Ｅ２０２）は２８４３ｎｍを測定。
－第２基板厚み（Ｅ１０２）は８３８ｎｍを測定。
－背面層（４０）の厚さは問わない。
－テクスチャリング（３０）のキャビティ（３１）は、１９３４ｎｍの深さを有し、したがって、第１のコーティング層（２０）を通って延び、部分的に第１の基板層（１０）に沈み込んでいる。キャビティ（３１）は、直径１６００ｎｍの円形であり、２０００ｎｍのステップを有する正方形のマトリックスに沿って規則的に配置される。
－基板（１０）はＴｉＯ２からなり、コーティング（２０）はＤＬＣからなり、背面層（４０）はＳｉからなる。
－第１膜厚（Ｅ２０１）は１３９３ｎｍを測定。
－第１基板厚み（Ｅ１０１）は５４１ｎｍを測定。
－第２膜厚（Ｅ２０２）は２８４３ｎｍを測定。
－第２基板厚み（Ｅ１０２）は８３８ｎｍを測定。
－背面層（４０）の厚さは問わない。
－テクスチャリング（３０）のキャビティ（３１）は、１９３４ｎｍの深さを有し、したがって、第１のコーティング層（２０）を通って延び、部分的に第１の基板層（１０）に沈み込んでいる。キャビティ（３１）は、直径１６００ｎｍの円形であり、２０００ｎｍのステップを有する正方形のマトリックスに沿って規則的に配置される。
【0099】
図３４および図３５は、この装置（１）の透過率曲線（Ｔ３）を、
－基板（１０）とコーティング（２０）と背面層（４０）の同じスタックを含み、テクスチャリング（３０）がない装置の透過率曲線（Ｔ２）と比較したものと、
－アモルファスカーボン層のみを含む素子の透過率曲線（Ｔ１）と比較したもの（図３４のみ）である。
－基板（１０）とコーティング（２０）と背面層（４０）の同じスタックを含み、テクスチャリング（３０）がない装置の透過率曲線（Ｔ２）と比較したものと、
－アモルファスカーボン層のみを含む素子の透過率曲線（Ｔ１）と比較したもの（図３４のみ）である。
【0100】
図３４から明らかなように、上記構成による装置（１）は、他の２つの構成に対して改善された透過を、より大きな波長域にわたって得ることを可能にする。
【0101】
図３５から、装置（１）への光放射の入射角に応じて、装置（１）の透過率（Ｔ３）が透過率（Ｔ２）に対して改善されることがわかる。
【0102】
第４のテストはまた、７から１５μｍの間の、中赤外領域の波長に関するものである。装置（１）は次のように構成されている。
基板（１０）はＴｉＯ２からなり、コーティング（２０）はＤＬＣからなり、背面層（４０）はＳｉからなる。
－第１膜厚（Ｅ２０１）は１０５４ｎｍを測定。
－第１基板厚み（Ｅ１０１）は２１６０ｎｍを測定。
－第２膜厚（Ｅ２０２）は１４２ｎｍを測定。
－第２基板厚み（Ｅ１０２）は１２９３ｎｍを測定。
－背面層（４０）の厚さは問わない。
－テクスチャリング（３０）のキャビティ（３１）は、１９６８ｎｍの深さを有し、したがって、第１のコーティング層（２０）を通って延び、部分的に第１の基板層（１０）に沈み込んでいる。キャビティ（３１）は、直径１６００ｎｍの円形であり、２０００ｎｍのステップを有する正方形のマトリックスに沿って規則的に配置される。
基板（１０）はＴｉＯ２からなり、コーティング（２０）はＤＬＣからなり、背面層（４０）はＳｉからなる。
－第１膜厚（Ｅ２０１）は１０５４ｎｍを測定。
－第１基板厚み（Ｅ１０１）は２１６０ｎｍを測定。
－第２膜厚（Ｅ２０２）は１４２ｎｍを測定。
－第２基板厚み（Ｅ１０２）は１２９３ｎｍを測定。
－背面層（４０）の厚さは問わない。
－テクスチャリング（３０）のキャビティ（３１）は、１９６８ｎｍの深さを有し、したがって、第１のコーティング層（２０）を通って延び、部分的に第１の基板層（１０）に沈み込んでいる。キャビティ（３１）は、直径１６００ｎｍの円形であり、２０００ｎｍのステップを有する正方形のマトリックスに沿って規則的に配置される。
【0103】
図３６および３７は、この装置（１）の透過率曲線（Ｔ３）を、
－基板（１０）とコーティング（２０）と背面層（４０）の同じスタックを含む、テクスチャリング（３０）がない装置の透過率曲線（Ｔ２）と比較したものと、
－アモルファスカーボン層のみを含む素子の透過率曲線（Ｔ１）と比較したもの（図３６のみ）である。
－基板（１０）とコーティング（２０）と背面層（４０）の同じスタックを含む、テクスチャリング（３０）がない装置の透過率曲線（Ｔ２）と比較したものと、
－アモルファスカーボン層のみを含む素子の透過率曲線（Ｔ１）と比較したもの（図３６のみ）である。
【0104】
図３６から明らかなように、上記構成による装置（１）は、他の２つの構成に対して改善された透過を、より大きな波長域にわたって得ることを可能にする。
【0105】
図３７から、装置（１）への光放射の入射角に応じて、装置（１）の透過率（Ｔ３）が透過率（Ｔ２）に対して改善されることがわかる。
【0106】
さらに、装置（１）は、特許請求の範囲によって規定される本発明の範囲から離れることなく、図１から図３７とは異なる形状にすることができる。さらに、上述した異なる実施形態および変形例の技術的特徴を、完全に、またはその一部について、一緒に組み合わせることができる。したがって、装置（１）は、コスト、機能性、および性能の点で好適なものとすることができる。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【国際調査報告】