知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
▶ ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシーの特許一覧
特表2023-508134優れた加工性を有するポリマー組成物の製造のための方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-03-01
(54)【発明の名称】優れた加工性を有するポリマー組成物の製造のための方法
(51)【国際特許分類】
C08F 4/64 20060101AFI20230221BHJP
C08F 210/02 20060101ALI20230221BHJP
【ＦＩ】
C08F4/64
C08F210/02
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2022537229
(86)(22)【出願日】2020-12-16
(85)【翻訳文提出日】2022-07-06
(86)【国際出願番号】 US2020065379
(87)【国際公開番号】W WO2021133613
(87)【国際公開日】2021-07-01
(31)【優先権主張番号】62/953,707
(32)【優先日】2019-12-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】502141050
【氏名又は名称】ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー
(74)【代理人】
【識別番号】100092783
【弁理士】
【氏名又は名称】小林 浩
(74)【代理人】
【識別番号】100095360
【弁理士】
【氏名又は名称】片山 英二
(74)【代理人】
【識別番号】100120134
【弁理士】
【氏名又は名称】大森 規雄
(72)【発明者】
【氏名】デローブ、ジョナサン イー．
(72)【発明者】
【氏名】フェラーリ、ダニエラ
(72)【発明者】
【氏名】カルヤラ、ジュニア、トーマス ウェスレー
(72)【発明者】
【氏名】フェルフールト、シルヴィ
(72)【発明者】
【氏名】ムンロ、ジェフリー シー．
(72)【発明者】
【氏名】マデンジャン、リサ
【テーマコード（参考）】
4J100
4J128
【Ｆターム（参考）】
4J100AA02P
4J100AA19Q
4J100CA04
4J100DA04
4J100DA11
4J100DA49
4J100FA08
4J100FA34
4J128AA01
4J128AB00
4J128AC01
4J128AC27
4J128BA00A
4J128BA01B
4J128BB00B
4J128BB01B
4J128BC12B
4J128BC25B
4J128EA02
4J128EB02
4J128EB07
4J128EC02
4J128ED01
4J128ED04
4J128ED09
4J128FA02
4J128FA09
4J128GA01
4J128GA05
4J128GA06
4J128GA08
4J128GA19
4J128GB01
(57)【要約】
第１のエチレン／アルファ－オレフィン／インターポリマー画分及び第２のエチレン／アルファ－オレフィン／インターポリマー画分を含むアルファ組成物を調製するためのプロセスであって、当該プロセスが、１つの反応器中で、エチレン及びアルファ－オレフィンを含む反応混合物、本明細書に記載される構造１から選択されるビフェニルフェノール金属錯体、及び本明細書に記載される構造２から選択されるビフェニルフェノール金属錯体を重合することを含む、プロセス、並びにそれらから調製された、アルファ組成物。
【選択図】図１
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１のエチレン／アルファ－オレフィン／インターポリマー画分及び第２のエチレン／アルファ－オレフィン／インターポリマー画分を含むアルファ組成物を調製するためのプロセスであって、前記プロセスは、１つの反応器中で、エチレン、アルファ－オレフィン、以下のａ）から選択される金属錯体、及び以下のｂ）から選択される金属錯体を含む反応混合物を重合することを含み、ａ）以下の構造１から選択されるビフェニルフェノール金属錯体：
【化1】
Ｍが、ジルコニウム（Ｚｒ）、又はハフニウム（Ｈｆ）から選択される金属であり、前記金属が、＋２、＋３、又は＋４の形式酸化状態にあり、
ｎが、０、１、又は２であり、
ｎが１である場合、Ｘは、単座配位子又は二座配位子であり、
ｎが２である場合、各Ｘは、独立して選択された単座配位子であり、
前記金属錯体は、全体的に電荷中性であり、
－Ｚ１－、及び－Ｚ２－の各々は独立して、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（ＲＮ）－、又は－Ｐ（ＲＰ）－から選択され、
Ｒ１及びＲ８は独立して、－Ｈ、（Ｃ１～Ｃ４０）－ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、－Ｓｉ（ＲＣ）３、－Ｇｅ（ＲＣ）３、－Ｐ（ＲＰ）２、－Ｎ（ＲＮ）２、－ＯＲＣ、－ＳＲＣ、－ＮＯ２、－ＣＮ、－ＣＦ３、ＲＣＳ（Ｏ）－、ＲＣＳ（Ｏ）２－、（ＲＣ）２Ｃ＝Ｎ－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｏ－、ＲＣＯＣ（Ｏ）－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）－、（ＲＣ）２ＮＣ（Ｏ）－、ハロゲン、式（Ｉ）を有するラジカル、式（ＩＩ）を有するラジカル、及び式（ＩＩＩ）を有するラジカルからなる群から選択され、
【化2】
Ｒ２～７、Ｒ９～１６の各々は独立して、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、－Ｓｉ（ＲＣ）３、－Ｇｅ（ＲＣ）３、－Ｐ（ＲＰ）２、－Ｎ（ＲＮ）２、－Ｎ＝ＣＨＲＣ、－ＯＲＣ、－ＳＲＣ、－ＮＯ２、－ＣＮ、－ＣＦ３、ＲＣＳ（Ｏ）－、ＲＣＳ（Ｏ）２－、（ＲＣ）２Ｃ＝Ｎ－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｏ－、ＲＣＯＣ（Ｏ）－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｎ（ＲＮ）－、（ＲＣ）２ＮＣ（Ｏ）－、ハロゲン、又は－Ｈから選択され、
Ｌは、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビレン又は（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンであり、前記（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビレンは、１個の炭素原子～１０個の炭素原子のリンカー骨格を含み、構造１の２つのＺ基（Ｌが結合している）を連結する部分を有するか、又は前記（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンは、１個の炭素原子～１０個の炭素原子のリンカー骨格を含み、構造１の前記２つのＺ基を連結する部分を有し、前記（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンの前記１個の原子～１０個の原子のリンカー骨格の前記１～１０個の原子の各々は独立して、炭素原子又はヘテロ原子基であり、各ヘテロ原子基は独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓ（Ｏ）、Ｓ（Ｏ）２、Ｓｉ（ＲＣ）２、Ｇｅ（ＲＣ）２、Ｐ（ＲＣ）、又はＮ（ＲＣ）であり、独立して、各ＲＣは、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル、又は（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビルであり、
構造１中の各ＲＰ、ＲＮ、及び残りのＲＣが独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビル、又は－Ｈである）、
ｂ）構造２から選択されるビフェニルフェノール金属錯体：
【化3】
Ｍが、Ｚｒ又はＨｆであり、前記金属が、＋２、＋３、又は＋４の形式酸化状態にあり、
ｎが、０、１、又は２であり、
ｎが１である場合、Ｘは、単座配位子又は二座配位子であり、
ｎが２である場合、各Ｘは、独立して選択された単座配位子であり、
前記金属錯体は、全体的に電荷中性であり、
－Ｚ１－及び－Ｚ２－の各々は独立して、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（ＲＮ）－、又は－Ｐ（ＲＰ）－から選択され、
Ｒ１及びＲ８は独立して、－Ｈ、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、－Ｓｉ（ＲＣ）３、－Ｇｅ（ＲＣ）３、－Ｐ（ＲＰ）２、－Ｎ（ＲＮ）２、－ＯＲＣ、－ＳＲＣ、－ＮＯ２、－ＣＮ、－ＣＦ３、ＲＣＳ（Ｏ）－、ＲＣＳ（Ｏ）２－、（ＲＣ）２Ｃ＝Ｎ－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｏ－、ＲＣＯＣ（Ｏ）－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）－、（ＲＣ）２ＮＣ（Ｏ）－、ハロゲン、式（Ｉ）を有するラジカル、式（ＩＩ）を有するラジカル、及び式（ＩＩＩ）を有するラジカルからなる群から選択され、
【化4】
Ｒ２～７、Ｒ９～１６の各々が独立して、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、－Ｓｉ（ＲＣ）３、－Ｇｅ（ＲＣ）３、－Ｐ（ＲＰ）２、－Ｎ（ＲＮ）２、－Ｎ＝ＣＨＲＣ、－ＯＲＣ、－ＳＲＣ、－ＮＯ２、－ＣＮ、－ＣＦ３、ＲＣＳ（Ｏ）－、ＲＣＳ（Ｏ）２－、（ＲＣ）２Ｃ＝Ｎ－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｏ－、ＲＣＯＣ（Ｏ）－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｎ（ＲＮ）－、（ＲＣ）２ＮＣ（Ｏ）－、ハロゲン、又は－Ｈから選択され、
Ｙは、－（ＣＨ２）ｎ－（式中、ｎ＝０～２である）、－ＣＲａＲｂ－（式中、Ｒａ及びＲｂは各々独立して、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、又は－Ｈである）、－Ｇｅ（ＲＤ）２－又は－Ｓｉ（ＲＤ）２（式中、各ＲＤは独立して、－Ｈ、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、－Ｓｉ（ＲＣ）３、－Ｇｅ（ＲＣ）３、－Ｐ（ＲＰ）２、－Ｎ（ＲＮ）２、－ＯＲＣ、－ＳＲＣ、－ＮＯ２、－ＣＮ、－ＣＦ３、ＲＣＳ（Ｏ）－、ＲＣＳ（Ｏ）２－、（ＲＣ）２Ｃ＝Ｎ－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｏ－、ＲＣＯＣ（Ｏ）－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｎ（ＲＮ）－、及び（ＲＮ）２ＮＣ（Ｏ）－からなる群から選択される）のいずれかであり、
構造２中の各ＲＣ、ＲＰ、及びＲＮが独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビル、又は－Ｈである）、
ただし、構造１又は構造２のうちの１つについて、Ｒ１２及びＲ１３は、両方ともハロとすることができず、Ｒ１及びＲ８は各々、式（ＩＩ）を有するラジカルであり、式中、Ｒ４３＝Ｒ４６＝ｔ－Ｂｕであり、Ｒ４１～４２＝Ｒ４４～４５＝Ｒ４７～４８＝－Ｈであり、
ただし、構造１及び構造２は、Ｚ１とＺ２との間に同じＲ基、Ｚ基、Ｘ基（複数可）、及びリンカー基を有する場合、これらの構造は同じ金属（Ｍ）を有しないため、Ｍが１つの構造についてＨｆである場合、Ｍは他の構造についてＺｒである、プロセス。
【請求項2】
構造１について、Ｒ１及びＲ８は、同一であり、式（Ｉ）を有するラジカル、式（ＩＩ）を有するラジカル、及び式（ＩＩＩ）を有するラジカルからなる群から選択される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項3】
構造２について、Ｒ１及びＲ８は、同一であり、式（Ｉ）を有するラジカル、式（ＩＩ）を有するラジカル、及び式（ＩＩＩ）を有するラジカルからなる群から選択される、請求項１又は２に記載のプロセス。
【請求項4】
構造１について、Ｌは、ｉ）－ＣＨ２Ｓｉ（Ｒａ）（Ｒｂ）ＣＨ２－若しくは－ＣＨ２Ｇｅ（Ｒａ）（Ｒｂ）ＣＨ２－（式中、Ｒａ及びＲｂが各々独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル又は（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビルである）、
ｉｉ）１，３－ジメチルプロパン－１，３－ジイル、
ｉｉｉ）ビス（メチレン）シクロヘキサン－１，２－ジイル、
ｉｖ）プロパン－１，３－ジイル、又は
ブタン－１，４－ジイルから選択される、請求項１～３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項5】
構造２について、Ｙは、ｉ）－ＳｉＲｃＲｄ－、若しくは－ＧｅＲｃＲｄ－（式中、Ｒｃ及びＲｄが各々独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル又は（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビルである）、
ｉｉ）－（ＣＨ２）ｎ－（式中、ｎ＝０～２である）、又は
ｉｉｉ）－ＣＲａＲｂ－（式中、Ｒａ及びＲｂが各々、独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビル、又は－Ｈである）から選択される、請求項１～４のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項6】
構造１は、以下の構造１ａ～１ｃ：【化5】
【請求項7】
構造２は、以下の構造２ａ又は２ｂ：【化6】
【請求項8】
前記プロセスが、１５０℃以上の反応器温度で、２．８×１０６以上の全体的な触媒効率［（グラム総触媒金属）当たりの（グラムアルファ組成物）］を有する、請求項１～７のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項9】
前記プロセスが、０．８５５～０．８９０ｇ／ｃｃのアルファ組成密度で、２．８×１０６以上の全体的な触媒効率［（グラム総触媒金属）当たりの（グラムアルファ組成物）］を有する、請求項１～８のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項10】
（水素反応器供給）の（エチレン反応器供給）に対する質量流量比が、６．００×１０－４ｇ／ｇ以下である、請求項１～９のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項11】
前記プロセスが、１５０℃以上の反応器温度で、実行される、請求項１～１０のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項12】
第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分及び第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分を含むアルファ組成物を含む組成物であって、前記アルファ組成物が、以下の特性：ｉ）Ｍｚ／Ｍｎ≧８．０、
ｉｉ）０．８５５～０．８９０ｇ／ｃｃの密度、
ｉｉｉ）Ｖ１００（１９０℃）≦６００Ｐａ・ｓ、及び
ｉｖ）Ｖ０．１（１９０℃）≧４，０００Ｐａ・ｓを含む、組成物。
【請求項13】
請求項１２に記載の組成物から形成された、架橋組成物。
【請求項14】
請求項１２又は１３に記載の組成物から形成された少なくとも１つの成分を含む、物品。
【請求項15】
前記物品が、太陽電池モジュールである、請求項１４に記載の物品。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
（関連出願の相互参照）
本出願は、２０１９年１２月２６日に出願された米国特許出願第６２／９５３，７０７号の優先権の利益を主張するものであり、その全体が参照として本明細書に組み入れられる。
本出願は、２０１９年１２月２６日に出願された米国特許出願第６２／９５３，７０７号の優先権の利益を主張するものであり、その全体が参照として本明細書に組み入れられる。
【背景技術】
【0002】
改善されたエラストマー加工性は、自動車部品、光起電力部品、ワイヤ、及びケーブルコンポーネントなどの様々なエラストマー製品のための最終用途製造業者の主要なニーズの１つである。優れた剪断減粘挙動によって示されるように、改善された加工性を有する新しいエラストマー樹脂が必要とされている。そのような樹脂は、コスト効率の高い高効率プロセスにおいて重合する必要がある。
【0003】
米国特許公開第２０１１／０２９０３１７号は、バイモーダル及びマルチモーダルエチレン系ポリマーの調製及び電子用途を開示している。これらのポリマーは、２つの反応器で調製され、複雑さ及び資本コストを全体的な重合プロセスに追加する。国際公開第２０１８／０２２５８８号は、主にビフェニルフェノール触媒及び拘束幾何触媒（constrained geometry catalyst、ＣＧＣ）の存在下で合成されたマルチモーダルエラストマーの重合を開示している。１つの比較例（比較例Ｃ）は、２つのビフェニルフェノール触媒を使用し、全触媒金属１ｇ当たり１．４×１０６ｇのポリマーの低い全体的な総触媒効率を有する。追加のその場でのバイモーダルエチレン系ポリマー及びポスト反応器ブレンドは、以下の参考文献、国際公開第２００１／０１４４３４号（混合拘束幾何触媒系、国際公開第２００２／０７４８１７号（混合拘束幾何触媒系を使用する重合）、米国特許公開第２０１６０１１５２６４号（メタロセン触媒ポリマー）、米国特許第５８４９８２３号（線状又は実質的に線状の均一分岐エチレン／アルファ－オレフィンインターポリマーのブレンド）、米国特許第６４５１８９４号（結晶性若しくは半結晶性ポリオレフィンを含むブレンド、又はエチレン及びＣ３～Ｃ１０オレフィンの共重合体、及び逐次重合エチレン－アルファ－オレフィンモノマーのマルチモーダルエラストマーを含むブレンド、米国特許第６６１０４０８号も参照されたい）において開示されている。しかしながら、引用技術は、コスト効果の高い高効率プロセスにおいて重合することができる、優れた剪断減粘挙動を有するエラストマー樹脂を促進しない。これらの必要性は、以下の発明によって満たされている。
【発明の概要】
【0004】
第１のエチレン／アルファ－オレフィン／インターポリマー画分及び第２のエチレン／アルファ－オレフィン／インターポリマー画分を含むアルファ組成物を調製するためのプロセスであって、当該プロセスが、１つの反応器中で、エチレン、アルファ－オレフィン、以下のａ）から選択される金属錯体、及び以下のｂ）から選択される金属錯体を含む反応混合物を重合することを含み、
ａ）以下の構造１から選択されるビフェニルフェノール金属錯体：
（式中、
Ｍが、ジルコニウム（zirconium、Ｚｒ）、又はハフニウム（hafnium、Ｈｆ）から選択される金属であり、金属が、＋２、＋３、又は＋４の形式酸化状態にあり、
ｎが、０、１、又は２であり、
ｎが１である場合、Ｘは、単座配位子又は二座配位子であり、
ｎが２である場合、各Ｘは独立して選択された単座配位子であり、
金属錯体は、全体的に電荷中性であり、
－Ｚ１－及び－Ｚ２－の各々は独立して、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（ＲＮ）－、又は－Ｐ（ＲＰ）－から選択され、
Ｒ１及びＲ８は独立して、－Ｈ、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、－Ｓｉ（ＲＣ）３、－Ｇｅ（ＲＣ）３、－Ｐ（ＲＰ）２、－Ｎ（ＲＮ）２、－ＯＲＣ、－ＳＲＣ、－ＮＯ２、－ＣＮ、－ＣＦ３、ＲＣＳ（Ｏ）－、ＲＣＳ（Ｏ）２－、（ＲＣ）２Ｃ＝Ｎ－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｏ－、ＲＣＯＣ（Ｏ）－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）－、（ＲＣ）２ＮＣ（Ｏ）－、ハロゲン、式（Ｉ）を有するラジカル、式（ＩＩ）を有するラジカル、及び式（ＩＩＩ）を有するラジカルからなる群から選択され、
式中、Ｒ３１～３５、Ｒ４１～４８、及びＲ５１～５９の各々は独立して、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、－Ｓｉ（ＲＣ）３、－Ｇｅ（ＲＣ）３、－Ｐ（ＲＰ）２、－Ｎ（ＲＮ）２、－Ｎ＝ＣＨＲＣ、－ＯＲＣ、－ＳＲＣ、－ＮＯ２、－ＣＮ、－ＣＦ３、ＲＣＳ（Ｏ）－、ＲＣＳ（Ｏ）２－、（ＲＣ）２Ｃ＝Ｎ－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｏ－、ＲＣＯＣ（Ｏ）－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｎ（ＲＮ）－、（ＲＣ）２ＮＣ（Ｏ）－、ハロゲン、又は－Ｈから選択され、
Ｒ２～７、Ｒ９～１６の各々は独立して、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、－Ｓｉ（ＲＣ）３、－Ｇｅ（ＲＣ）３、－Ｐ（ＲＰ）２、－Ｎ（ＲＮ）２、－Ｎ＝ＣＨＲＣ、－ＯＲＣ、－ＳＲＣ、－ＮＯ２、－ＣＮ、－ＣＦ３、ＲＣＳ（Ｏ）－、ＲＣＳ（Ｏ）２－、（ＲＣ）２Ｃ＝Ｎ－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｏ－、ＲＣＯＣ（Ｏ）－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｎ（ＲＮ）－、（ＲＣ）２ＮＣ（Ｏ）－、ハロゲン、又は－Ｈから選択され、
Ｌは、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビレン又は（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンであり、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビレンは、１個の炭素原子～１０個の炭素原子のリンカー骨格を含み、構造１の２つのＺ基（Ｌが結合している）を連結する部分を有するか、又は（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンは、１個の炭素原子～１０個の炭素原子のリンカー骨格を含み、構造１の２つのＺ基を連結する部分を有し、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンの１個の原子～１０個の原子のリンカー骨格の１～１０個の原子の各々は独立して、炭素原子又はヘテロ原子基であり、各ヘテロ原子基は独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓ（Ｏ）、Ｓ（Ｏ）２、Ｓｉ（ＲＣ）２、Ｇｅ（ＲＣ）２、Ｐ（ＲＣ）、又はＮ（ＲＣ）であり、独立して、各ＲＣは、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル、又は（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビルであり、
構造１中の各Ｒｐ、ＲＮ、及び残りのＲＣが独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビル、又は－Ｈである）、
ｂ）構造２から選択されるビフェニルフェノール金属錯体：
（式中、
Ｍが、Ｚｒ又はＨｆであり、金属が、＋２、＋３、又は＋４の形式酸化状態にあり、
ｎが、０、１、又は２であり、
ｎが１である場合、Ｘは、単座配位子又は二座配位子であり、
ｎが２である場合、各Ｘは独立して選択された単座配位子であり、
金属錯体は、全体的に電荷中性であり、
－Ｚ１－及び－Ｚ２－の各々は独立して、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（ＲＮ）－、又は－Ｐ（ＲＰ）－から選択され、
Ｒ１及びＲ８は独立して、－Ｈ、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、－Ｓｉ（ＲＣ）３、－Ｇｅ（ＲＣ）３、－Ｐ（ＲＰ）２、－Ｎ（ＲＮ）２、－ＯＲＣ、－ＳＲＣ、－ＮＯ２、－ＣＮ、－ＣＦ３、ＲＣＳ（Ｏ）－、ＲＣＳ（Ｏ）２－、（ＲＣ）２Ｃ＝Ｎ－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｏ－、ＲＣＯＣ（Ｏ）－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）－、（ＲＣ）２ＮＣ（Ｏ）－、ハロゲン、式（Ｉ）を有するラジカル、式（ＩＩ）を有するラジカル、及び式（ＩＩＩ）を有するラジカルからなる群から選択され、
式中、Ｒ３１～３５、Ｒ４１～４８、及びＲ５１～５９の各々が独立して、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、－Ｓｉ（ＲＣ）３、－Ｇｅ（ＲＣ）３、－Ｐ（ＲＰ）２、－Ｎ（ＲＮ）２、－Ｎ＝ＣＨＲＣ、－ＯＲＣ、－ＳＲＣ、－ＮＯ２、－ＣＮ、－ＣＦ３、ＲＣＳ（Ｏ）－、ＲＣＳ（Ｏ）２－、（ＲＣ）２Ｃ＝Ｎ－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｏ－、ＲＣＯＣ（Ｏ）－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｎ（ＲＮ）－、（ＲＣ）２ＮＣ（Ｏ）－、ハロゲン又は－Ｈから選択され、
Ｒ２～７、Ｒ９～１６の各々が独立して、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、－Ｓｉ（ＲＣ）３、－Ｇｅ（ＲＣ）３、－Ｐ（ＲＰ）２、－Ｎ（ＲＮ）２、－Ｎ＝ＣＨＲＣ、－ＯＲＣ、－ＳＲＣ、－ＮＯ２、－ＣＮ、－ＣＦ３、ＲＣＳ（Ｏ）－、ＲＣＳ（Ｏ）２－、（ＲＣ）２Ｃ＝Ｎ－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｏ－、ＲＣＯＣ（Ｏ）－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｎ（ＲＮ）－、（ＲＣ）２ＮＣ（Ｏ）－、ハロゲン、又は－Ｈから選択され、
Ｙは、－（ＣＨ２）ｎ－（式中、ｎ＝０～２である）、－ＣＲａＲｂ－（式中、Ｒａ及びＲｂが各々独立して、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、又は－Ｈである）、－Ｇｅ（ＲＤ）２－又は－Ｓｉ（ＲＤ）２（式中、各ＲＤは独立して、－Ｈ、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、－Ｓｉ（ＲＣ）３、－Ｇｅ（ＲＣ）３、－Ｐ（ＲＰ）２、－Ｎ（ＲＮ）２、－ＯＲＣ、－ＳＲＣ、－ＮＯ２、－ＣＮ、－ＣＦ３、ＲＣＳ（Ｏ）－、ＲＣＳ（Ｏ）２－、（ＲＣ）２Ｃ＝Ｎ－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｏ－、ＲＣＯＣ（Ｏ）－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｎ（ＲＮ）－、及び（ＲＮ）２ＮＣ（Ｏ）－からなる群から選択される）のいずれかであり、
構造２中の各ＲＣ、ＲＰ、及びＲＮが独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビル、又は－Ｈである）、
ただし、構造１又は構造２のうちの１つについて、Ｒ１２及びＲ１３は、両方ともハロとすることができず、Ｒ１及びＲ８は各々、式（ＩＩ）を有するラジカルであり、式中、Ｒ４３＝Ｒ４６＝ｔ－Ｂｕであり、Ｒ４１～４２＝Ｒ４４～４５＝Ｒ４７～４８＝－Ｈであり、
ただし、構造１及び構造２は、Ｚ１とＺ２との間に同じＲ基、Ｚ基、Ｘ基（複数可）、及びリンカー基を有する場合、これらの構造は同じ金属（Ｍ）を有しないため、Ｍが１つの構造についてＨｆである場合、Ｍは他の構造についてＺｒである、プロセス。
ａ）以下の構造１から選択されるビフェニルフェノール金属錯体：
【化1】
Ｍが、ジルコニウム（zirconium、Ｚｒ）、又はハフニウム（hafnium、Ｈｆ）から選択される金属であり、金属が、＋２、＋３、又は＋４の形式酸化状態にあり、
ｎが、０、１、又は２であり、
ｎが１である場合、Ｘは、単座配位子又は二座配位子であり、
ｎが２である場合、各Ｘは独立して選択された単座配位子であり、
金属錯体は、全体的に電荷中性であり、
－Ｚ１－及び－Ｚ２－の各々は独立して、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（ＲＮ）－、又は－Ｐ（ＲＰ）－から選択され、
Ｒ１及びＲ８は独立して、－Ｈ、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、－Ｓｉ（ＲＣ）３、－Ｇｅ（ＲＣ）３、－Ｐ（ＲＰ）２、－Ｎ（ＲＮ）２、－ＯＲＣ、－ＳＲＣ、－ＮＯ２、－ＣＮ、－ＣＦ３、ＲＣＳ（Ｏ）－、ＲＣＳ（Ｏ）２－、（ＲＣ）２Ｃ＝Ｎ－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｏ－、ＲＣＯＣ（Ｏ）－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）－、（ＲＣ）２ＮＣ（Ｏ）－、ハロゲン、式（Ｉ）を有するラジカル、式（ＩＩ）を有するラジカル、及び式（ＩＩＩ）を有するラジカルからなる群から選択され、
【化2】
Ｒ２～７、Ｒ９～１６の各々は独立して、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、－Ｓｉ（ＲＣ）３、－Ｇｅ（ＲＣ）３、－Ｐ（ＲＰ）２、－Ｎ（ＲＮ）２、－Ｎ＝ＣＨＲＣ、－ＯＲＣ、－ＳＲＣ、－ＮＯ２、－ＣＮ、－ＣＦ３、ＲＣＳ（Ｏ）－、ＲＣＳ（Ｏ）２－、（ＲＣ）２Ｃ＝Ｎ－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｏ－、ＲＣＯＣ（Ｏ）－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｎ（ＲＮ）－、（ＲＣ）２ＮＣ（Ｏ）－、ハロゲン、又は－Ｈから選択され、
Ｌは、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビレン又は（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンであり、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビレンは、１個の炭素原子～１０個の炭素原子のリンカー骨格を含み、構造１の２つのＺ基（Ｌが結合している）を連結する部分を有するか、又は（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンは、１個の炭素原子～１０個の炭素原子のリンカー骨格を含み、構造１の２つのＺ基を連結する部分を有し、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンの１個の原子～１０個の原子のリンカー骨格の１～１０個の原子の各々は独立して、炭素原子又はヘテロ原子基であり、各ヘテロ原子基は独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓ（Ｏ）、Ｓ（Ｏ）２、Ｓｉ（ＲＣ）２、Ｇｅ（ＲＣ）２、Ｐ（ＲＣ）、又はＮ（ＲＣ）であり、独立して、各ＲＣは、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル、又は（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビルであり、
構造１中の各Ｒｐ、ＲＮ、及び残りのＲＣが独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビル、又は－Ｈである）、
ｂ）構造２から選択されるビフェニルフェノール金属錯体：
【化3】
Ｍが、Ｚｒ又はＨｆであり、金属が、＋２、＋３、又は＋４の形式酸化状態にあり、
ｎが、０、１、又は２であり、
ｎが１である場合、Ｘは、単座配位子又は二座配位子であり、
ｎが２である場合、各Ｘは独立して選択された単座配位子であり、
金属錯体は、全体的に電荷中性であり、
－Ｚ１－及び－Ｚ２－の各々は独立して、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（ＲＮ）－、又は－Ｐ（ＲＰ）－から選択され、
Ｒ１及びＲ８は独立して、－Ｈ、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、－Ｓｉ（ＲＣ）３、－Ｇｅ（ＲＣ）３、－Ｐ（ＲＰ）２、－Ｎ（ＲＮ）２、－ＯＲＣ、－ＳＲＣ、－ＮＯ２、－ＣＮ、－ＣＦ３、ＲＣＳ（Ｏ）－、ＲＣＳ（Ｏ）２－、（ＲＣ）２Ｃ＝Ｎ－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｏ－、ＲＣＯＣ（Ｏ）－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）－、（ＲＣ）２ＮＣ（Ｏ）－、ハロゲン、式（Ｉ）を有するラジカル、式（ＩＩ）を有するラジカル、及び式（ＩＩＩ）を有するラジカルからなる群から選択され、
【化4】
Ｒ２～７、Ｒ９～１６の各々が独立して、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、－Ｓｉ（ＲＣ）３、－Ｇｅ（ＲＣ）３、－Ｐ（ＲＰ）２、－Ｎ（ＲＮ）２、－Ｎ＝ＣＨＲＣ、－ＯＲＣ、－ＳＲＣ、－ＮＯ２、－ＣＮ、－ＣＦ３、ＲＣＳ（Ｏ）－、ＲＣＳ（Ｏ）２－、（ＲＣ）２Ｃ＝Ｎ－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｏ－、ＲＣＯＣ（Ｏ）－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｎ（ＲＮ）－、（ＲＣ）２ＮＣ（Ｏ）－、ハロゲン、又は－Ｈから選択され、
Ｙは、－（ＣＨ２）ｎ－（式中、ｎ＝０～２である）、－ＣＲａＲｂ－（式中、Ｒａ及びＲｂが各々独立して、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、又は－Ｈである）、－Ｇｅ（ＲＤ）２－又は－Ｓｉ（ＲＤ）２（式中、各ＲＤは独立して、－Ｈ、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、－Ｓｉ（ＲＣ）３、－Ｇｅ（ＲＣ）３、－Ｐ（ＲＰ）２、－Ｎ（ＲＮ）２、－ＯＲＣ、－ＳＲＣ、－ＮＯ２、－ＣＮ、－ＣＦ３、ＲＣＳ（Ｏ）－、ＲＣＳ（Ｏ）２－、（ＲＣ）２Ｃ＝Ｎ－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｏ－、ＲＣＯＣ（Ｏ）－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｎ（ＲＮ）－、及び（ＲＮ）２ＮＣ（Ｏ）－からなる群から選択される）のいずれかであり、
構造２中の各ＲＣ、ＲＰ、及びＲＮが独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビル、又は－Ｈである）、
ただし、構造１又は構造２のうちの１つについて、Ｒ１２及びＲ１３は、両方ともハロとすることができず、Ｒ１及びＲ８は各々、式（ＩＩ）を有するラジカルであり、式中、Ｒ４３＝Ｒ４６＝ｔ－Ｂｕであり、Ｒ４１～４２＝Ｒ４４～４５＝Ｒ４７～４８＝－Ｈであり、
ただし、構造１及び構造２は、Ｚ１とＺ２との間に同じＲ基、Ｚ基、Ｘ基（複数可）、及びリンカー基を有する場合、これらの構造は同じ金属（Ｍ）を有しないため、Ｍが１つの構造についてＨｆである場合、Ｍは他の構造についてＺｒである、プロセス。
【0005】
第１のエチレン／アルファ－オレフィン／インターポリマー画分及び第２のエチレン／アルファ－オレフィン／インターポリマー画分を含むアルファ組成物を含む組成物であって、
第１の組成物が、以下の特性、
ｉ）Ｍｚ／Ｍｎ≧８．０、
ｉｉ）０．８５５～０．８９０ｇ／ｃｃの密度、
ｉｉｉ）Ｖ１００（１９０℃）≦６００Ｐａ・ｓ、及び
ｉｖ）Ｖ０．１（１９０℃）≧４，０００Ｐａ・ｓを含む、組成物。
第１の組成物が、以下の特性、
ｉ）Ｍｚ／Ｍｎ≧８．０、
ｉｉ）０．８５５～０．８９０ｇ／ｃｃの密度、
ｉｉｉ）Ｖ１００（１９０℃）≦６００Ｐａ・ｓ、及び
ｉｖ）Ｖ０．１（１９０℃）≧４，０００Ｐａ・ｓを含む、組成物。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【図1】本発明のアルファ組成物（ＰＯＥ Ａ、ＰＯＥ Ｂ、ＰＯＥ Ｃ、ＰＯＥ Ｆ）及び２つの市販の樹脂（ＥＮＧＡＧＥ８４５７ポリオレフィンエラストマー及びＡＴＥＶＡ２８１０Ａ）のＳＡＯＳプロファイル（１９０℃）を示す。「０．１ｒａｄ／ｓ」における、上部から底部のプロファイル：ＰＯＥ Ｆ、ＰＯＥ Ｃ、ＰＯＥ Ｂ、ＰＯＥ Ａ、ＥＮＧＡＧＥ８４５７、及びＡＴＥＶＡ２８１０Ａ。
【発明を実施するための形態】
【0007】
マルチモーダルエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマーは、優れた加工性で発見された。これらの組成物は、改善された加工性について、高剪断で低粘度を示し、低剪断で高粘度、例えば、高剪断速度の射出成形又は高剪断速度混合中の低剪断加熱下での低射出圧力、及び押出成形部品の低剪断速度での高耐垂下性を示す。そのようなインターポリマーは、単一の反応器中のマルチ触媒系（例えば、デュアル触媒系）を使用して、高温（≧１５０℃）及び高効率で生成され得ることも発見された。例えば、同じ反応器条件下で、第１の触媒は高分子量（high molecular weight、ＨＭＷ）インターポリマー画分を生成し、第２の触媒は低分子量（low molecular weight、ＬＭＷ）インターポリマー画分を生成する。
【0008】
上述のように、第１のエチレン／アルファ－オレフィン／インターポリマー画分及び第２のエチレン／アルファ－オレフィン／インターポリマー画分を含むアルファ組成物を調製するためのプロセスが提供され、当該プロセスは、１つの反応器中で、エチレン、アルファ－オレフィン、以下のａ）から選択される金属錯体、及び以下のｂ）から選択される金属錯体を含む反応混合物を重合することを含み、
ａ）上記のように、構造１から選択されるビフェニルフェノール金属錯体（発明の概要（Summary of the Invention、ＳＯＩ）を参照）、及び、
ｂ）上記のように、構造２から選択されるビフェニルフェノール金属錯体（ＳＯＩを参照）。
ａ）上記のように、構造１から選択されるビフェニルフェノール金属錯体（発明の概要（Summary of the Invention、ＳＯＩ）を参照）、及び、
ｂ）上記のように、構造２から選択されるビフェニルフェノール金属錯体（ＳＯＩを参照）。
【0009】
本発明のプロセスは、本明細書に記載の２つ以上の実施形態の組み合わせを含み得る。各ビフェニルフェノール金属錯体は、本明細書に記載の２つ以上の実施形態の組み合わせを含み得る。本明細書で使用される場合、Ｒ１＝Ｒ１、Ｒ２＝Ｒ２、Ｒ３＝Ｒ３などである。また、Ｒａ（１）～Ｒａ（ｎ）という表記は、式中、「ａ（１）～ａ（ｎ）」は連続した数字を表し、Ｒａ（１）、Ｒａ（２）、Ｒａ（３）、．．．、Ｒａ（ｎ）を指す。例えば、Ｒ３１～Ｒ３５は、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ３５を指し、Ｒ５１～Ｒ５９は、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３、Ｒ５４、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ５９を指す。式（Ｉ）～（ＩＩＩ）の各々において、波線は、それぞれの式（Ｒ１又はＲ８基）と残りのビフェニルフェノール金属錯体との間の連結（結合）を表す。
【0010】
「独立して選択される」という用語は、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５などのＲ基が、同一であっても異なってもよいこと（例えば、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５が、全て置換アルキルであるか、又はＲ１及びＲ２が、置換アルキルであり、Ｒ３が、アリールであってもよい、など）を示すために本明細書で使用される。単数形の使用には、複数形の使用が含まれ、またその逆も同様である（例えば、ヘキサン溶媒は複数のヘキサンを含む）。命名されたＲ基は、一般に、当該技術分野においてその名称を有するＲ基に対応すると認識されている構造を有するであろう。これらの定義は、当業者に既知の定義を、補足し例示することを意図するものであり、排除するものではない。特定の炭素原子を含有する化学基を説明するために使用される場合、「（Ｃｘ～Ｃｙ）」の形態を有する括弧付きの表現は、化学基がｘ及びｙを含むｘ個の炭素原子～ｙ個の炭素原子を有することを意味する。例えば、（Ｃ１～Ｃ４０）アルキルは、１～４０個の炭素原子を有するアルキル基である。
【0011】
「置換基」という用語は、置換基（ＲＳ）による、対応する非置換化合物の炭素原子又はヘテロ原子に結合した水素原子（－Ｈ）の置換を指す。表記「ＲＳ」は、ヘテロ原子又は少なくとも１個のヘテロ原子を含む化学基を指す。「置換」という用語は、対応する非置換化合物の炭素原子又はヘテロ原子に結合した少なくとも１つの水素原子（－Ｈ）が置換基（ＲＳ）によって置き換えられることを意味する。
【0012】
「－Ｈ」という用語は、別の原子に共有結合している水素又は水素ラジカルを意味する。「水素」、「Ｈ」、及び「－Ｈ」は、交換可能であり、明記されていない限り、同一のことを意味する。
【0013】
「（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル」という用語は、１～４０個の炭素原子の炭化水素ラジカルを意味し、「（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビレン」という用語は、１～４０個の炭素原子の炭化水素ジラジカルを意味し、各炭化水素ラジカル及び各炭化水素ジラジカルは、芳香族又は非芳香族、飽和又は不飽和、直鎖又は分岐鎖、環式（単環式及び多環式、二環式を含む縮合及び非縮合多環式、３個以上の炭素原子を含む）又は非環式であり、非置換であるか、若しくは１つ以上のＲＳによって置換されている。
【0014】
本開示において、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビルは、非置換若しくは置換（Ｃ１～Ｃ４０）アルキル、（Ｃ３～Ｃ４０）シクロアルキル、（Ｃ３～Ｃ２０）シクロアルキル－（Ｃ１～Ｃ２０）アルキレン、（Ｃ６～Ｃ４０）アリール、又は（Ｃ６～Ｃ２０）アリール－（Ｃ１～Ｃ２０）アルキレンであり得る。いくつかの実施形態において、上記の（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル基の各々は、最大２０個の炭素原子を有し（すなわち、（Ｃ１～Ｃ２０）ヒドロカルビル）、他の実施形態では、最大１２個の炭素原子を有する。
【0015】
「Ｃ１～Ｃ４０アルキル」、及び（Ｃ１－Ｃ３０）アルキルという用語は、それぞれ、１～４０個の炭素原子又は１～３０個の炭素原子の飽和直鎖又は分岐鎖炭化水素ラジカルを意味し、１つ以上のＲＳによって非置換であるか、又は置換されている。非置換（Ｃ１～Ｃ４０）アルキルの例は、非置換（Ｃ１～Ｃ２０）アルキル、非置換（Ｃ１～Ｃ１０）アルキル、非置換（Ｃ１～Ｃ５）アルキル、メチル、エチル、１－プロピル、２－プロピル、１－ブチル、２－ブチル、２－メチルプロピル、１，１－ジメチルエチル、１－ペンチル、１－ヘキシル、１－ヘプチル、１－ノニル、及び１－デシルである。置換（Ｃ１～Ｃ４０）アルキルの例は、置換（Ｃ１～Ｃ２０）アルキル、置換（Ｃ１～Ｃ１０）アルキル、及びトリフルオロメチルである。
【0016】
「（Ｃ６～Ｃ４０）アリール」という用語は、６～４０個の炭素原子、そのうち少なくとも６～１４個の炭素原子は芳香環炭素原子である、非置換又は（１つ以上のＲＳによって）置換された単環式、二環式、又は三環式芳香族炭化水素ラジカルを意味し、単環式、二環式、又は三環式ラジカルは、それぞれ１個、２個、又３個の環を含み、式中、単環は芳香族であり、２個又は３個の環は独立して縮合又は非縮合であり、２個又は３個のうちの少なくとも１つは芳香族である。置換（Ｃ６～Ｃ４０）アルキルの例は、非置換（Ｃ６～Ｃ２０）アルキル非置換（Ｃ６～Ｃ１８）アルキル、２－（Ｃ１～Ｃ５）アルキルフェニル、２，４－ビス（Ｃ１～Ｃ５）アルキルフェニル、フェニル、フルオレニル、テトラヒドロフルオレニル、インダケニル、ヘキサヒドロインデニル、インデニル、ジヒドロインデニル、ナフチル、テトラヒドロナフチル、及びフェナントレンである。置換（Ｃ６～Ｃ４０）アルキルの例は、置換（Ｃ１～Ｃ２０）アルキル、置換（Ｃ６～Ｃ１８）アリール、ポリフルオロフェニル、及びペンタフルオロフェニルである。
【0017】
「（Ｃ３～Ｃ４０）シクロアルキル」という用語は、非置換であるか、又は１つ以上のＲＳで置換されている、３～４０個の炭素原子の飽和環式炭化水素ラジカルを意味する。他のシクロアルキル基（例えば（Ｃｘ～Ｃｙ）シクロアルキル）は、ｘ～ｙ個の炭素原子を有し、かつ非置換であるか、又は１つ以上のＲＳで置換されているものであるかのいずれかとして、同様の様式で定義される。非置換（Ｃ３～Ｃ４０）シクロアルキルの例は、非置換（Ｃ３～Ｃ２０）シクロアルキル、非置換（Ｃ３～Ｃ１０）シクロアルキル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、及びシクロデシルである。置換（Ｃ３～Ｃ４０）シクロアルキルの例は、置換（Ｃ３～Ｃ２０）シクロアルキル、置換（Ｃ３～Ｃ１０）シクロアルキル、及び１－フルオロシクロヘキシルである。
【0018】
（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビレンの例としては、非置換又は置換（Ｃ６～Ｃ４０）アリーレン、（Ｃ３～Ｃ４０）シクロアルキレン、及び（Ｃ１～Ｃ４０）アルキレン（例えば（Ｃ１～Ｃ２０）アルキレン）が挙げられる。いくつかの実施形態において、ジラジカルは、同じ炭素原子上にあるか（例えば、－ＣＨ２－）、又は隣接する炭素原子上にあるか（すなわち、１，２－ジラジカル）、又は１個、２個、又は２個より多くの介在する炭素原子によって離間されている（例えば、それぞれ、１，３－ジラジカル、１，４－ジラジカル、など）。一部のジラジカルには、α，ω－ジラジカルが含まれる。α，ω－ジラジカルは、ラジカル炭素間に最大の炭素骨格間隔を有するジラジカルである。（Ｃ２～Ｃ２０）アルキレンα，ω－ジラジカルのいくつかの例としては、エタン－１，２－ジイル（すなわち、－ＣＨ２ＣＨ２－）、プロパン－１，３－ジイル（すなわち、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－）、２－メチルプロパン－１，３－ジイル（すなわち、－ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－）が挙げられる。（Ｃ６－Ｃ４０）アリーレンα，ω－ジラジカルのいくつかの例としては、フェニル－１，４－ジイル、ナフタレン－２，６－ジイル、又はナフタレン－３，７－ジイルが挙げられる。
【0019】
「（Ｃ１～Ｃ４０）アルキレン」という用語は、非置換であるか、又は１つ以上のＲＳによって置換されている、１～４０個の炭素原子の飽和直鎖又は分岐鎖ジラジカル（すなわち、ラジカルは、環原子上にない）を意味する。非置換（Ｃ１～Ｃ４０）アルキレンの例は、非置換－ＣＨ２ＣＨ２－、－（ＣＨ２）３－、－（ＣＨ２）４－、－（ＣＨ２）５－、－（ＣＨ２）６－、－（ＣＨ２）７－、－（ＣＨ２）８－、－ＣＨ２Ｃ＊（Ｈ）（ＣＨ３）、及び－（ＣＨ２）４Ｃ＊（Ｈ）（ＣＨ３）を含む非置換（Ｃ１～Ｃ２０）アルキレンであり、「Ｃ＊」は、水素原子が除去されて二級若しくは三級アルキルラジカルを形成する炭素原子を表す。置換（Ｃ１～Ｃ４０）アルキレンの例は、置換（Ｃ１～Ｃ２０）アルキレン、及び－ＣＦ２－、－Ｃ（Ｏ）－である。「（Ｃ３～Ｃ４０）シクロアルキレン」という用語は、非置換であるか、又は１つ以上のＲＳによって置換されている、３～４０個の炭素原子の環式ジラジカル（すなわち、ラジカルは、環原子上にある）を意味する。
【0020】
「ヘテロ原子」という用語は、水素又は炭素以外の原子を指す。「ヘテロ原子基」という用語は、ヘテロ原子又は１つ以上のヘテロ原子を含有する化学基を指す。ヘテロ原子基の例としては、Ｏ、Ｓ、Ｓ（Ｏ）、Ｓ（Ｏ）２、Ｓｉ（ＲＣ）３、Ｐ（ＲＰ）２、Ｎ（ＲＮ）２、－Ｎ＝Ｃ（ＲＣ）２、－Ｇｅ（ＲＣ）２－、又は－Ｓｉ（ＲＣ）２－を含むこれらに限定されず、式中、各ＲＣ及び各ＲＰは独立して、非置換（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル又は－Ｈであり、式中、各ＲＮは非置換（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビルである。
【0021】
「ヘテロ炭化水素」という用語は、１個以上の炭素原子がヘテロ原子で置換されている分子又は分子骨格を指す。「（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル」という用語は、１～４０個の炭素原子のヘテロ炭化水素ラジカルを意味し、「（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレン」という用語は、１～４０個の炭素原子のヘテロ炭化水素ジラジカルを意味し、各ヘテロ炭化水素が１個以上のヘテロ原子を有する。ヘテロヒドロカルビルのラジカルは、炭素原子又はヘテロ原子上に存在し、ヘテロヒドロカルビルのジラジカルは、（１）１個又は２個の炭素原子、（２）１個又は２個のヘテロ原子、又は（３）１個の炭素原子及び１個のヘテロ原子上に存在し得る。各（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル及び（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンは、非置換又は（１つ以上のＲＳによって）置換、芳香族又は非芳香族、飽和又は不飽和、直鎖又は分岐鎖、環式（単環式及び多環式、縮合及び非縮合多環式を含む）又は非環式であってもよい。
【0022】
（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビルは、非置換であってもよく、又は置換されてもよい。（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビルの非限定的な例としては、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロアルキル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル－Ｏ－、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル－Ｓ－、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル－Ｓ（Ｏ）－、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル－Ｓ（Ｏ）２－、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル－Ｓｉ（ＲＣ）２－、（Ｃｌ～Ｃ４０）ヒドロカルビル－Ｎ（ＲＮ）－、（Ｃｌ～Ｃ４０）ヒドロカルビル－Ｐ（ＲＰ）－、（Ｃ２～Ｃ４０）ヘテロシクロアルキル、（Ｃ２～Ｃ１９）ヘテロシクロアルキル－（Ｃ１～Ｃ２０）アルキレン、（Ｃ３～Ｃ２０）シクロアルキル－（Ｃ１～Ｃ１９）ヘテロアルキレン、（Ｃ２～Ｃ１９）ヘテロシクロアルキル－（Ｃ１～Ｃ２０）ヘテロアルキレン、（Ｃ１～Ｃ５０））ヘテロアリール、（Ｃ１～Ｃ１９））ヘテロアリール－（Ｃ１～Ｃ２０）アルキレン、（Ｃ６～Ｃ２０）アリール－（Ｃ１～Ｃ１９）ヘテロアルキレン、又は（Ｃ１～Ｃ１９）ヘテロアリール－（Ｃ１～Ｃ２０）ヘテロアルキレンが挙げられる。
【0023】
「（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロアリール」という用語は、合計１～４０個の炭素原子及び１個以上のヘテロ原子の非置換又は置換（１つ以上のＲＳによる）単環式、二環式、又は三環式ヘテロ芳香族炭化水素ラジカルを意味し、単環式、二環式、又は三環式ラジカルは、それぞれ、１個、２個、又は３個の環を含み、２個又は３個の環は、独立して縮合又は非縮合であり、２個又は３個の環のうちの少なくとも１つは、ヘテロ芳香族である。他のヘテロアリール基（例えば、（Ｃｘ～Ｃｙ）ヘテロアリール、概して（Ｃ１～Ｃ１２）ヘテロアリール）は、ｘ～ｙ個の炭素原子（１～１２個の炭素原子など）を有し、非置換であるか、又は１つ若しくは２つ以上のＲＳによって置換されているものと類似した様式で定義される。単環式ヘテロ芳香族炭化水素ラジカルは、５員環又は６員環である。５員環は、５マイナスｈ個の炭素原子を有し、ここで、ｈは、ヘテロ原子の数であり、１、２、又は３であり得、各ヘテロ原子は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、又はＰであり得る。５員環ヘテロ芳香族炭化水素ラジカルの例は、ピロール－１－イル、ピロール－２－イル、フラン－３－イル、チオフェン－２－イル、ピラゾール－１－イル、イソオキサゾール－２－イル、イソチアゾール－５－イル、イミダゾール－２－イル、オキサゾール－４－イル、チアゾール－２－イル、１，２，４－トリアゾール－１－イル、１，３，４－オキサジアゾール－２－イル、１，３，４－チアジアゾール－２－イル、テトラゾール－１－イル、テトラゾール－２－イル、及びテトラゾール－５－イルである。６員環は、６マイナスｈ個の炭素原子を有し、ｈは、ヘテロ原子数であり、１又は２であり得、ヘテロ原子は、Ｎ又はＰであり得る。６員環ヘテロ芳香族炭化水素ラジカルの例は、ピリジン－２－イル、ピリミジン－２－イル、及びピラジン－２－イルである。二環式ヘテロ芳香族炭化水素ラジカルは、縮合５，６－又は６，６－環系であり得る。縮合５，６－環系二環式ヘテロ芳香族炭化水素ラジカルの例としては、インドール－１－イル、及びベンズイミダゾール－１－イルである。縮合６，６－環系二環式ヘテロ芳香族炭化水素ラジカルの例は、キノリン－２－イル、及びイソキノリン－１－イルである。三環式ヘテロ芳香族炭化水素ラジカルは、縮合した５，６，５－、５，６，６－、６，５，６－、又は６，６，６－環であり得る。縮合５，６，５－環系の例は、１，７－ジヒドロピロロ［３，２－ｆ］インドール－１－イルである。縮合５，６，６－環系の例は、１Ｈ－ベンゾ［ｆ］インドール－１－イルである。縮合６，５，６－環系の例は、９Ｈ－カルバゾール－９－イルである。縮合６，６，６－環系の例は、アクリジン－９－イルである。
【0024】
前述のヘテロアルキルは、（Ｃ１～Ｃ４０）の炭素原子又はそれより少ない炭素原子及び１個以上のヘテロ原子を含有する飽和直鎖又は分岐鎖ラジカルであってもよい。同様に、ヘテロアルキレンは、１～５０個の炭素原子及び１つ又は２つ以上のヘテロ原子を含む飽和直鎖又は分岐鎖ジラジカルであってもよい。ヘテロ原子基としては、Ｓｉ（ＲＣ）３、Ｇｅ（ＲＣ）３、Ｓｉ（ＲＣ）２、Ｇｅ（ＲＣ）２、Ｐ（ＲＰ）２、Ｐ（ＲＰ）、Ｎ（ＲＮ）２、Ｎ（ＲＮ）、Ｎ、Ｏ、ＯＲＣ、Ｓ、ＳＲＣ、Ｓ（Ｏ）、及びＳ（Ｏ）２を挙げることができる。ヘテロアルキル基及びヘテロアルキレン基は、非置換であるか、又は１つ以上のＲＳによって置換されている。
【0025】
非置換（Ｃ２～Ｃ４０）ヘテロシクロアルキルの例は、非置換（Ｃ２～Ｃ２０）－ヘテロシクロアルキル、非置換（Ｃ２～Ｃ１０）ヘテロシクロアルキル、アジリジン－ｌ－イル、オキセタン－２－イル、テトラヒドロフラン－３－イル、ピロリジン－ｌ－イル、テトラヒドロチオフェン－Ｓ，Ｓ－ジオキシド－２－イル、モルホリン－４－イル、１，４－ジオキサン－２－イル、ヘキサヒドロアゼピン－４－イル、３－オキサ－シクロオクチル、５－チオ－シクロノニル、及び２－アザ－シクロデシルである。
【0026】
「ハロゲン原子」又は「ハロゲン」という用語は、フッ素原子（Ｆ）、塩素原子（Ｃｌ）、臭素原子（Ｂｒ）、又はヨウ素原子（Ｉ）のラジカルを意味する。「ハロゲン化物」という用語は、フッ化物（Ｆ－）、塩化物（Ｃｌ－）、臭化物（Ｂｒ－）、又はヨウ化物（Ｉ－）といったハロゲン原子のアニオン形態を意味する。
【0027】
「プロ触媒」という用語は、活性化剤と組み合わせたときに、触媒活性を有する化合物を指す。「活性化剤」という用語は、プロ触媒を触媒的に活性化された触媒に変換するようにプロ触媒と化学的に反応する化合物を指す。本明細書で使用される場合、「共触媒」及び「活性剤」という用語は、交換可能な用語である。
【0028】
いくつかの実施形態では、構造１及び構造２の金属－配位子錯体を含む触媒系は各々、オレフィン重合反応の金属系触媒を活性化するための当該技術分野において既知の任意の技術によって触媒的に活性にされ得る。例えば、構造１及び構造２の金属－配位子錯体は各々、錯体を活性化共触媒に接触させるか、又は錯体を活性化助触媒と組み合わせることによって触媒活性になる場合がある。本明細書で使用するのに好適な活性化共触媒としては、アルキルアルミニウム、ポリマー、又はオリゴマーアルモキサン（アルミノキサンとしても知られている）、中性ルイス酸、及び非ポリマー、非配位性、イオン形成化合物（酸化条件下でのそのような化合物の使用を含む）が挙げられる。好適な活性化技法は、バルク電気分解である。前述の活性化共触媒及び技術のうちの１つ以上の組み合わせもまた企図される。「アルキルアルミニウム」という用語は、モノアルキルアルミニウムジヒドリド若しくはモノアルキルアルミニウムジハライド、ジアルキルアルミニムウヒドリド若しくはジアルキルアルミニウムハライド、又はトリアルキルアルミニウムを意味する。ポリマー又はオリゴマーのアルモキサンの例としては、メチルアルモキサン、トリイソブチルアルミニウムで修飾されたメチルアルモキサン、及びイソブチルアルモキサンが挙げられる。
【0029】
ルイス酸活性剤（共触媒）は、本明細書に記載されるように、１～３個の（Ｃ１～Ｃ２０）ヒドロカルビル置換基を含有する第１３族金属化合物を含む。一実施形態において、第１３族金属化合物は、トリ（（Ｃ１～Ｃ２０）ヒドロカルビル）置換アルミニウム又はトリ（（Ｃ１～Ｃ２０）－ヒドロカルビル）－ホウ素化合物である。他の実施形態において、第１３族金属化合物は、トリ（ヒドロカルビル）置換アルミニウム、トリ（ヒドロカルビル）－ホウ素化合物、トリ（（Ｃ１～Ｃ１０）アルキル）アルミニウム、トリ（（Ｃ６～Ｃ１８）アリール）ホウ素化合物、及びそのハロゲン化（過ハロゲン化を含む）誘導体である。更なる実施形態では、１３族金属化合物は、トリス（フルオロ置換フェニル）ボラン、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボランである。いくつかの実施形態では、活性化共触媒は、テトラキス（（Ｃ１～Ｃ２０）ヒドロカルビルボレート（例えばトリチルテトラフルオロボレート）又はトリ（（Ｃ１～Ｃ２０）ヒドロカルビル）アンモニウムテトラ（（Ｃ１～Ｃ２０）ヒドロカルビル）ボレート（例えば、ビス（オクタデシル）メチルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート）である。本明細書で使用されるとき、「アンモニウム」という用語は、（（Ｃ１～Ｃ２０）ヒドロカルビル）４Ｎ＋ａ（（Ｃ１～Ｃ２０）ヒドロカルビル）３Ｎ（Ｈ）＋、ａ（（Ｃ１～Ｃ２０）ヒドロカルビル）２Ｎ（Ｈ）２
＋、（Ｃ１～Ｃ２０）ヒドロカルビルＮ（Ｈ）３
＋、又はＮ（Ｈ）４
＋である窒素カチオンを意味し、各（Ｃ１～Ｃ２０）ヒドロカルビルは、２つ以上存在する場合、同一でも異なっていてもよい。
【0030】
非ポリマー性、非配位性、イオン形成化合物とポリマー又はオリゴマーアルモキサンとの組み合わせには、ポリマー又はオリゴマーアルモキサン（アルミノキサンとしても知られる）とハロゲン化テトラキスボレート化合物との組み合わせ、特にビス（水素化タローアルキル）メチルテトラキス（ペンタ－フルオロフェニル）ボレート（１－）アミンを含む混合物が含まれる。（金属－配位子錯体）のモル数の比：（ビス（水素化タローアルキル）メチルテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（１－）アミン）：（アルモキサン）［例えば、（４族金属－配位子錯体）：（テトラキス（ペンタフルオロフェニル－ボレート）：（アルモキサン）］は、１：１：１～１：１０：５００、他の実施形態では、１：１：１．５～１：５：１００であり得る。他の実施形態は、中性ルイス酸混合物と、ポリマー又はオリゴマーのアルモキサンとの組み合わせ、及び単一の中性ルイス酸、特にトリス（ペンタフルオロフェニル）ボランと、ポリマー又はオリゴマーのアルモキサンとの組み合わせである。
【0031】
構造１及び構造２の金属－配位子錯体を含む触媒系を活性化して、１つ以上の共触媒、例えば、カチオン形成共触媒、強ルイス酸、又はそれらの組み合わせを組み合わせることによって、活性触媒組成物を形成することができる。好適な活性化共触媒としては、ポリマー又はオリゴマーのアルミノキサン、特にメチルアルミノキサン、及び不活性、相溶性の非配位イオン形成化合物が挙げられる。例示的な好適な共触媒としては、変性メチルアルミノキサン（modified methyl aluminoxane、ＭＭＡＯ）、ビス（水素化タローアルキル）メチルテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（１－）アミン、及びそれらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されない。
【0032】
いくつかの実施形態では、前述の活性化共触媒のうちの１つ以上は、互いに組み合わせて使用される。特に好ましい組み合わせは、ホウ酸アンモニウムとオリゴマー又はポリマーアルモキサン化合物との混合物である。いくつかの実施形態では、構造１及び構造２の１つ以上の金属－配位子錯体の総モル数と、１つ以上の活性化共触媒の総モル数との比は、少なくとも１：５００、又は１：３００、又は１：１００、又は１：５０、又は１：１０、又は１：５である。アルモキサン単独が活性化共触媒として使用される場合、用いられるアルモキサンのモル数は、構造１及び構造２の金属－配位子錯体の組み合わせたモル数の少なくとも１０倍であることが好ましい。
【0033】
本開示の触媒系は、異なる形態で実施されてもよく、本開示に記載される具体的な実施形態に限定されると解釈されるべきではないことを理解されたい。むしろ、実施形態は、本開示が、徹底的かつ完全となり、また本主題の範囲を当業者に完全に伝えるように提供される。ここで、触媒系の特定の実施形態を説明する。
【0034】
各々が本明細書に記載されている、一実施形態、又は２つ以上の実施形態の組み合わせでは、構造２について、Ｙは、－（ＣＨ２）ｎ－、式中、ｎ＝０～２、更にｎ＝１又は２、更にｎ＝１であり、－ＣＲａＲｂ－、式中、Ｒａ及びＲｂは各々独立して、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、又は－Ｈであり、－Ｇｅ（ＲＤ）２－又は－Ｓｉ（ＲＤ）２のいずれかであり、式中、各ＲＤは独立して、－Ｈ、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル及び（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビルからなる群から選択される。
【0035】
各々が本明細書に記載されている、一実施形態、又は２つ以上の実施形態の組み合わせでは、構造１について、－Ｚ１－及び－Ｚ２－の各々は、－Ｏ－である。
【0036】
各々が本明細書に記載されている、一実施形態、又は２つ以上の実施形態の組み合わせでは、構造２について、－Ｚ１－及び－Ｚ２－の各々は、－Ｏ－である。
【0037】
各々が本明細書に記載されている、一実施形態、又は２つ以上の実施形態の組み合わせでは、構造１について、Ｒ１及びＲ８は、同一であり、式（Ｉ）を有するラジカル、式（ＩＩ）を有するラジカル、及び式（ＩＩＩ）を有するラジカルからなる群から選択される。
【0038】
各々が本明細書に記載されている、一実施形態、又は２つ以上の実施形態の組み合わせでは、構造２について、Ｒ１及びＲ８は、同一であり、式（Ｉ）を有するラジカル、式（ＩＩ）を有するラジカル、及び式（ＩＩＩ）を有するラジカルからなる群から選択される。
【0039】
各々が本明細書に記載されている、一実施形態、又は２つ以上の実施形態の組み合わせでは、構造１について、Ｒ１又はＲ８のうち少なくとも１つは、式（ＩＩ）を有するラジカル又は式（Ｉ）を有するラジカルから選択される。
【0040】
各々が本明細書に記載されている、一実施形態、又は２つ以上の実施形態の組み合わせでは、構造２について、Ｒ１又はＲ８のうちの少なくとも１つは、式（ＩＩ）を有するラジカルから選択される。
【0041】
各々が本明細書に記載されている、一実施形態、又は２つ以上の実施形態の組み合わせでは、構造１について、
ｉ）－ＣＨ２Ｓｉ（Ｒａ）（Ｒｂ）ＣＨ２－若しくは－ＣＨ２Ｇｅ（Ｒａ）（Ｒｂ）ＣＨ２－、式中、Ｒａ及びＲｂが各々、
独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル若しくは（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビルであり、
ｉｉ）１，３－ジメチルプロパン－１，３－ジイル、
ｉｉｉ）ビス（メチレン）シクロヘキサン－１，２－ジイル、
ｉｖ）プロパン－１，４－ジイル、又は
ブタン－１，４－ジイルから選択される。
ｉ）－ＣＨ２Ｓｉ（Ｒａ）（Ｒｂ）ＣＨ２－若しくは－ＣＨ２Ｇｅ（Ｒａ）（Ｒｂ）ＣＨ２－、式中、Ｒａ及びＲｂが各々、
独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル若しくは（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビルであり、
ｉｉ）１，３－ジメチルプロパン－１，３－ジイル、
ｉｉｉ）ビス（メチレン）シクロヘキサン－１，２－ジイル、
ｉｖ）プロパン－１，４－ジイル、又は
ブタン－１，４－ジイルから選択される。
【0042】
各々が本明細書に記載されている、一実施形態、又は２つ以上の実施形態の組み合わせでは、
構造２について、Ｙは、
ｉ）－ＳｉＲｃＲｄ－、又は－ＧｅＲｃＲｄ－、式中、Ｒｃ及びＲｄが各々独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル又は（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビルであり、
ｉｉ）－（ＣＨ２）ｎ－、式中、ｎ＝０～２、更にｎ＝１若しくは２、更にｎ＝１であり、又は
ｉｉｉ）－ＣＲａＲｂ－、式中、Ｒａ及びＲｂは各々、独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビル、又は－Ｈである、から選択される。
構造２について、Ｙは、
ｉ）－ＳｉＲｃＲｄ－、又は－ＧｅＲｃＲｄ－、式中、Ｒｃ及びＲｄが各々独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル又は（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビルであり、
ｉｉ）－（ＣＨ２）ｎ－、式中、ｎ＝０～２、更にｎ＝１若しくは２、更にｎ＝１であり、又は
ｉｉｉ）－ＣＲａＲｂ－、式中、Ｒａ及びＲｂは各々、独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビル、又は－Ｈである、から選択される。
【0043】
各々が本明細書に記載されている、一実施形態、又は２つ以上の実施形態の組み合わせでは、構造１について、Ｒ２＝Ｒ４＝Ｒ５＝Ｒ７＝Ｒ９＝Ｒ１１＝Ｒ１２＝Ｒ１３＝Ｒ１４＝Ｒ１６＝Ｈである。
【0044】
各々が本明細書に記載されている、一実施形態、又は２つ以上の実施形態の組み合わせでは、構造２について、Ｒ２＝Ｒ４＝Ｒ５＝Ｒ７＝Ｒ９＝Ｒ１１＝Ｒ１２＝Ｒ１３＝Ｒ１４＝Ｒ１６＝Ｈである。
【0045】
各々が本明細書に記載されている、一実施形態、又は２つ以上の実施形態の組み合わせでは、構造１は、以下の構造１ａ～１ｃ：
から選択される。
【化5】
【0046】
各々が本明細書に記載されている、一実施形態、又は２つ以上の実施形態の組み合わせでは、構造２は、以下の構造２ａ又は２ｂ：
から選択される。
【化6】
【0047】
各々が本明細書に記載されている、一実施形態、又は２つ以上の実施形態の組み合わせでは、プロセスは、１５０℃以上、又は１５５℃以上、又は１６０℃以上、又は１６５℃以上の反応器温度で、２．８×１０６以上、３．０×１０６以上、又は３．２×１０６以上、又は３．４×１０６以上、又は３．６×１０６以上の全体的な触媒効率［（グラム総触媒金属）当たりの（グラムアルファ組成物）］を有する。
【0048】
各々が本明細書に記載されている、一実施形態、又は２つ以上の実施形態の組み合わせでは、プロセスは、０．８５５～０．８９０ｇ／ｃｃ、又は０．８６０～０．８９０ｇ／ｃｃ、又は０．８６５～０．８９０ｇ／ｃｃ、又は０．８６５～０．８８５ｇ／ｃｃ（１ｃｃ＝１ｃｍ３）のアルファ組成密度で、２．８×１０６以上、３．０×１０６以上、又は３．２×１０６以上、又は３．４×１０６以上、又は３．６×１０６以上の全体的な触媒効率［（グラム総触媒金属）当たりの（グラムアルファ組成物）］を有する。
【0049】
各々が本明細書に記載されている、一実施形態、又は２つ以上の実施形態の組み合わせでは、（水素反応器供給）の（エチレン反応器供給）に対する質量流量比は、６．００×１０－４ｇ／ｇ以下、又は５．５０×１０－４ｇ／ｇ以下、又は５．００×１０－４ｇ／ｇ以下、又は４．５０×１０－４ｇ／ｇ以下である。
【0050】
各々が本明細書に記載されている、一実施形態、又は２つ以上の実施形態の組み合わせでは、プロセスは、１５０℃以上、又は１５５℃以上、又は１６０℃以上、又は１６５℃以上の反応器温度で実行される。
【0051】
第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分及び第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分を含むアルファ組成物を含む組成物もまた提供され、アルファ組成物は、以下の特性：
ｉ）Ｍｚ／Ｍｎ≧８．０、
ｉｉ）０．８５５～０．８９０ｇ／ｃｃの密度、
ｉｉｉ）Ｖ１００（１９０℃）≦６００Ｐａ・ｓ、及び
ｉｖ）Ｖ０．１（１９０℃）≧４，０００Ｐａ・ｓを含む。
ｉ）Ｍｚ／Ｍｎ≧８．０、
ｉｉ）０．８５５～０．８９０ｇ／ｃｃの密度、
ｉｉｉ）Ｖ１００（１９０℃）≦６００Ｐａ・ｓ、及び
ｉｖ）Ｖ０．１（１９０℃）≧４，０００Ｐａ・ｓを含む。
【0052】
本発明はまた、各々が本明細書に記載されている、一実施形態、又は２つ以上の実施形態の組み合わせから形成される架橋組成物も提供する。本発明はまた、各々が本明細書に記載されている、任意の一実施形態の組成物、又は２つ以上の実施形態の組み合わせの組成物から形成された少なくとも１つの成分を含む物品も提供する。
【0053】
本発明の組成物は、本明細書に記載の２つ以上の実施形態の組み合わせを含み得る。アルファ組成物は、本明細書に記載の２つ以上の実施形態の組み合わせを含んでもよい。
【0054】
アルファ組成物は、１つ以上のポリマー特性が異なる少なくとも２つのエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分を含む。各エチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分は、独立して、重合形態で、エチレン、及びアルファ－オレフィンを含み、任意選択でポリエン、更には非共役ポリエンを含み得る。アルファ－オレフィンは、脂肪族又は芳香族化合物のいずれかであり得る。アルファ－オレフィンは、好ましくは、Ｃ３～Ｃ２０脂肪族化合物、好ましくは、Ｃ３～Ｃ１６脂肪族化合物、及びより好ましくは、Ｃ３～Ｃ１０脂肪族化合物である。好ましいＣ３～Ｃ１０脂肪族アルファ－オレフィンとしては、プロピレン、１－ブテン、１－ヘキセン、１－オクテン、及び１－デセン、より好ましくは１－オクテンが挙げられる。非共役ポリエンの好適な例としては、１，４－ヘキサジエンなどの直鎖非環式ジエン及び１，５－ヘプタジエン、５－メチル－１，４－ヘキサジエン、２－メチル－ｌ，５－ヘキサジエン、６－メチル－１，５－ヘプタジエン、７－メチル－１，６－オクタジエン、３，７－ジメチル－１，６－オクタジエン、３，７－ジメチル－１，７－オクタジエン、５，７－ジメチル－１，７－オクタジエン、１，９－デカジエン、及びジヒドロミルセンなどの分岐鎖非環式ジエン、１，４－シクロ－ヘキサジエン、１，５－シクロオクタジエン、及び１、５－シクロド－デカジエンなどの単一環脂環式ジエン、テトラヒドロインデン、メチルテトラヒドロインデンなどの多環脂環式縮合及び架橋環ジエン、５－メチレン－２－ノルボルネン（ＭＮＢ）、５－エチリデン－２－ノルボルネン（ＥＮＢ）、５－ビニル－２－ノルボルネン（ＶＮＢ）、５－プロペニル－２－ノルボルネン、５－イソプロピリデン－２－ノルボルネン、５－（４－シクロペンテニル）－２－ノルボルネン、及び５－シクロヘキシリデン－２－ノルボルネンなどのアルケニル、アルキリデン、シクロアルケニル、及びシクロアルキリデンノルボルネンが挙げられる。ポリエンは、好ましくは、ＥＮＢ、ＶＮＢ、及びジシクロペンタジエン、及び好ましくはＥＮＢから選択される非共役ジエンである。
【0055】
各々が本明細書に記載されている、一実施形態、又は２つ以上の実施形態の組み合わせでは、本発明の組成物は、独立して、モノマー（複数可）タイプ及び／若しくは量、Ｍｎ、Ｍｗ、Ｍｚ、ＭＷＤ、Ｖ０．１、Ｖ１００、ＲＲ（＝Ｖ０．１／Ｖ１００）、又はそれらの任意の組み合わせなどの１つ以上の特徴において、第１及び第２のインターポリマー画分の各々とは異なる熱可塑性ポリマーを更に含む。ポリマーとしては、エチレン系ポリマー、プロピレン系ポリマー、及びオレフィンマルチブロックインターポリマーが挙げられるが、これらに限定されない。好適なエチレン系ポリマーとしては、高密度ポリエチレン（high density polyethylene、ＨＤＰＥ）、直鎖状低密度ポリエチレン（linear low density polyethylene、ＬＬＤＰＥ）、超低密度ポリエチレン（very low density polyethylene、ＶＬＤＰＥ）、超低密度ポリエチレン（ultra-low density polyethylene、ＵＬＤＰＥ）、均質に分岐した直鎖状エチレン系ポリマー、及び均質に分岐した実質的に直鎖状のエチレン系ポリマー（すなわち、均質に分岐した長鎖分岐状エチレンポリマーである）が挙げられるが、これらに限定されない。プロピレン系ポリマーの例としては、ポリプロピレンホモポリマー及びプロピレン／エチレンコポリマーが挙げられる。
【0056】
定義
別途記載がない限り、文脈から暗黙的に、又は当該技術分野において慣習的でない限り、全ての部分及び割合は重量に基づき、全ての試験方法は本開示の出願日の時点で現行のものである。
別途記載がない限り、文脈から暗黙的に、又は当該技術分野において慣習的でない限り、全ての部分及び割合は重量に基づき、全ての試験方法は本開示の出願日の時点で現行のものである。
【0057】
本明細書で使用される「組成物」という用語は、組成物、並びに組成物の材料から形成された反応生成物及び分解生成物を含む、材料の混合物を含む。いかなる反応生成物又は分解生成物も、典型的には、微量又は残留量で存在する。
【0058】
本明細書で使用される、「ポリマー」という用語は、同じ種類又は異なるタイプのモノマーを重合することにより調製されるポリマー化合物を指す。したがって、ポリマーという一般的な用語は、ホモポリマーという用語（微量の不純物がポリマー構造に組み込まれ得るという理解の下に、１種類のみのモノマーから調製されたポリマーを指すために用いられる）、及び本明細書において以下に定義されるインターポリマーという用語を含む。触媒残留物などの微量の不純物は、ポリマー中に及び／又はポリマー内に組み込むことができる。典型的には、ポリマーは、非常に少量（「ｐｐｍ」量）の１つ以上の安定剤で安定化される。
【0059】
本明細書で使用される場合、「インターポリマー」という用語は、少なくとも２種類の異なるモノマーの重合によって調製されるポリマーを指す。したがって、インターポリマーという用語は、コポリマーという用語（２つの異なるタイプのモノマーから調製されるポリマーを指すために用いられる）及び２つを超える異なるタイプのモノマーから調製されるポリマーを含む。
【0060】
本明細書で使用される「プロピレン系ポリマー」とういう用語は、重合形態で、過半重量パーセントのプロピレン（ポリマーの重量に基づく）を含み、任意選択で、１つ以上のコモノマーを含み得るポリマーを指す。
【0061】
本明細書で使用される「エチレン系ポリマー」という用語は、重合形態で、５０重量％又は過半重量パーセントのエチレン（ポリマーの重量に基づく）を含み、任意選択で、１つ以上のコモノマーを含み得るポリマーを指す。
【0062】
本明細書で使用される場合、「エチレン／アルファ－オレフィン／インターポリマー」という用語は、重合形態で、エチレン、及びアルファ－オレフィンを含むランダムなインターポリマーを指す。一実施形態では、「エチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー」は、重合形態で、５０重量％又は過半重量パーセントのエチレン（インターポリマーの重量に基づく）を含む。
【0063】
本明細書で使用される「エチレン／アルファ－オレフィン／非共役ポリエンインターポリマー」という用語は、重合形態で、エチレン、アルファ－オレフィン、及び非共役ポリエンを含むランダムなインターポリマーを指す（例えば、非共役ジエン）。一実施形態では、「エチレン／アルファ－オレフィン／非共役ポリエンインターポリマー」は、重合形態で、５０重量％又は過半重量パーセントのエチレン（インターポリマーの重量に基づく）を含む。
【0064】
本明細書で使用される「エチレン／アルファ－オレフィンコポリマー」という用語は、重合形態で、２つのみのモノマータイプとして、５０重量％又は過半重量パーセントのエチレンモノマー（コポリマーの重量に基づく）、及びアルファ－オレフィンを含むコポリマーを指す。
【0065】
本明細書で使用される「太陽電池（又は光起電力セル）」という用語は、太陽放射を電気に変換するデバイスを指す。太陽電池は、典型的には、アレイパターンで提示される。
【0066】
本明細書で使用される「太陽電池モジュール（又はソーラーパネル又はソーラーモジュール）」という用語は、太陽電池のアセンブリを含む光起電性パネルを指す。
【0067】
本明細書で使用される場合、「反応混合物」という用語は、１つ以上のモノマー型、及び少なくとも１つの金属錯体を含む混合物を指す。典型的には、反応混合物はまた、溶媒、１つ以上の共触媒、及び水素（Ｈ２）を含む。
【0068】
本明細書で使用される場合、重合プロセスに関して「全体的な触媒効率（全触媒金属１ｇ当たり１０＾６ｇのポリマー組成物の単位）」という用語は、同じ重合プロセス（又は重合実行）中に使用される触媒金属（例えば、１つ以上の金属錯体からの金属（複数可））の総供給速度（例えば、ｌｂ／ｈｒ）で割った、重合プロセス（又は重合実行）中に形成されたポリマー組成物の生成速度（例えば、ｌｂ／ｈｒ）を指す。典型的には、重合は定常状態プロセスである。
【0069】
「含む（comprising）」、「含む（including）」、「有する（having）」という用語、及びそれらの派生語は、それらが具体的に開示されているか否かにかかわらず、任意の追加の成分、ステップ、又は手順の存在を除外することを意図するものではない。疑義を回避するために、「含む（comprising）」という用語の使用を通じて特許請求される全ての組成物は、反対の記載がない限り、ポリマーであろうとなかろうと、任意の追加の添加剤、アジュバント、又は化合物を含み得る。対照的に、「から本質的になる」という用語は、操作性に必須ではないものを除外し、あらゆる続く記述の範囲からあらゆる他の成分、ステップ、又は手順を除外する。「からなる」という用語は、具体的に規定又は列挙されていないあらゆる成分、ステップ、又は手順を除外する。
【0070】
いくつかの組成特徴のリスト
Ａ］第１のエチレン／アルファ－オレフィン／インターポリマー画分及び第２のエチレン／アルファ－オレフィン／インターポリマー画分を含むアルファ組成物を調製するためのプロセス、当該プロセスは、１つの反応器中で、エチレン、アルファ－オレフィン、以下のａ）から選択される金属錯体、及び以下のｂ）から選択される金属錯体を含む反応混合物を重合することを含み、
ａ）発明の概要（ＳＯＩ）において上記のように、以下の構造１から選択されるビフェニルフェノール金属錯体、
ｂ）ＳＯＩにおいて上記のように、構造２から選択されるビフェニルフェノール金属錯体、
Ｂ］構造１について、－Ｚ１－及び－Ｚ２－の各々が、－Ｏ－である、上記Ａ］のプロセス。
Ｃ］構造２について、－Ｚ１－及び－Ｚ２－の各々が、－Ｏ－である、上記Ａ］又はＢ］のプロセス。
Ｄ］構造１について、Ｒ１及びＲ８のうちの少なくとも１つが、式（Ｉ）を有するラジカル、式（ＩＩ）を有するラジカル、又は式（ＩＩＩ）を有するラジカルである、上記Ａ］～Ｃ］（Ａ］～Ｃ］）のいずれか１つのプロセス。
Ｅ］構造２について、Ｒ１及びＲ８のうちの少なくとも１つが、式（Ｉ）を有するラジカル、式（ＩＩ）を有するラジカル、又は式（ＩＩＩ）を有するラジカルである、上記Ａ］～Ｄ］のいずれか１つのプロセス。
Ｆ］構造１について、Ｒ１及びＲ８は、同一であり、式（Ｉ）を有するラジカル、式（ＩＩ）を有するラジカル、及び式（ＩＩＩ）を有するラジカルからなる群から選択される、上記Ａ］～Ｅ］のいずれか１つのプロセス。
Ｇ］構造２について、Ｒ１及びＲ８が同一であり、式（Ｉ）を有するラジカル、式（ＩＩ）を有するラジカル、及び式（ＩＩＩ）を有するラジカルからなる群から選択される、上記Ａ］～Ｆ］のいずれか１つのプロセス。
Ｈ］構造１について、Ｒ１又はＲ８のうちの少なくとも１つが、式（ＩＩ）を有するラジカル又は式（Ｉ）を有するラジカルから選択され、更に、
Ｒ１又はＲ８の両方が、式（ＩＩ）を有するラジカル又は式（Ｉ）を有するラジカルから選択される、上記Ａ］～Ｇ］のいずれか１つのプロセス。
Ｉ］構造２について、Ｒ１又はＲ８のうちの少なくとも１つが、式（ＩＩ）を有するラジカル又は式（Ｉ）を有するラジカルから選択され、更にＲ１又はＲ８の両方が、式（ＩＩ）を有するラジカル又は式（Ｉ）を有するラジカルから選択される、上記Ａ］～Ｈ］のいずれか１つのプロセス。
Ｊ］構造１について、Ｒ１＝Ｒ８＝式（ＩＩ）を有するラジカルである、上記Ａ］～Ｉ］のいずれか１つのプロセス。
Ｋ］構造１の式（ＩＩ）について、Ｒ４３＝Ｒ４６＝非置換アルキル又はＨ、更に非置換（Ｃ１～Ｃ１０）アルキル又はＨ、更に非置換（Ｃ１～Ｃ８）アルキル又はＨ、更に非置換（Ｃ１～Ｃ６）アルキル又はＨ、更に非置換（Ｃ１～Ｃ４）アルキル又はＨ、更にｔ－ブチル又はＨである、上記Ｊ］のプロセス。
Ｌ］式（ＩＩ）について、Ｒ４３＝Ｒ４６＝非置換アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ１０）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ８）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ６）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ４）アルキル、更にｔ－ブチルである、上記Ｊ］又はＫ］のプロセス。
Ｍ］式（ＩＩ）について、Ｒ４１＝Ｒ４２＝Ｒ４４＝Ｒ４５＝Ｒ４７＝Ｒ４８＝Ｈである、上記Ｊ］～Ｌ］のいずれか１つのプロセス。
Ｎ］構造２について、Ｒ１＝Ｒ８＝式（ＩＩ）を有するラジカルである、上記Ａ］～Ｍ］のいずれか１つのプロセス。
Ｏ］構造２の式（ＩＩ）について、Ｒ４３＝Ｒ４６＝非置換アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ１０）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ８）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ６）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ４）アルキル、更にｔ－ブチルである、上記Ｎ］のプロセス。
Ｐ］式（ＩＩ）について、Ｒ４１＝Ｒ４２＝Ｒ４４＝Ｒ４５＝Ｒ４７＝Ｒ４８＝Ｈである、上記Ｎ］又はＯ］のプロセス。
Ｑ］構造１について、Ｌが、
ｉ）－ＣＨ２Ｓｉ（Ｒａ）（Ｒｂ）ＣＨ２－若しくは－ＣＨ２Ｇｅ（Ｒａ）（Ｒｂ）ＣＨ２－、式中、Ｒａ及びＲｂが各々独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル若しくは（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビルであり、
ｉｉ）１，３－ジメチルプロパン－１，３－ジイル、
ｉｉｉ）ビス（メチレン）シクロヘキサン－１，２－ジイル、
ｉｖ）プロパン－１，３－ジイル、又は
ブタン－１，４－ジイルから選択される、上記Ａ］～Ｐ］のいずれか１つのプロセス。
Ｒ］構造１について、Ｌが、
ｉ）－ＣＨ２Ｓｉ（Ｒａ）（Ｒｂ）ＣＨ２－、式中、Ｒａ及びＲｂは各々、独立して、非置換（Ｃ１～Ｃ１０）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ８）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ６）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ４）アルキルｌ、更に（Ｃ１～Ｃ３）アルキルであり、
ｉｉ）１，３－ジメチルプロパン－１，３－ジイル、又は
ｉｉｉ）ビス（メチレン）シクロヘキサン－１，２－ジイルから選択される、上記Ａ］～Ｑ］のいずれか１つのプロセス。
Ｓ］構造２について、Ｙが、
ｉ）－ＳｉＲｃＲｄ－、若しくは－ＧｅＲｃＲｄ－、式中、Ｒｃ及びＲｄが各々独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル若しくは（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビルであり、
ｉｉ）－（ＣＨ２）ｎ－、式中、ｎ＝０～２、更にｎ＝１若しくは２、更にｎ＝１であり、又は
ｉｉｉ）－ＣＲａＲｂ－、式中、Ｒａ及びＲｂは各々、独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビル、若しくは－Ｈである、から選択される、上記Ａ］～Ｒ］のいずれか１つのプロセス。
Ｔ］構造２について、Ｙが、
ｉ）－ＳｉＲｃＲｄ－若しくは－ＧｅＲｃＲｄ－式中Ｒｃ及びｄが各々、独立して、非置換（Ｃ１～Ｃ１０）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ８）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ６）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ４）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ３）アルキルであり、
ｉｉ）－（ＣＨ２）ｎ－、式中、ｎ＝０～２、更にｎ＝１若しくは２、更にｎ＝１であり、又は
ｉｉｉ）－ＣＲａＲｂ－、式中Ｒａ及びＲｂが各々、独立して、Ｈ又は非置換（Ｃ１～Ｃ１０）アルキル、更にＨ又は非置換（Ｃ１～Ｃ８）アルキル、更にＨ又は非置換（Ｃ１～Ｃ６）アルキル、更にＨ又は非置換（Ｃ１～Ｃ４）アルキルである、から選択される、上記Ａ］～Ｓ］のいずれか１つのプロセス。
Ｕ］構造２について、Ｙが、
ｉｉ）－（ＣＨ２）ｎ－、式中、ｎ＝０～２、更にｎ＝１若しくは２、更にｎ＝１であり、又は
ｉｉｉ）－ＣＲａＲｂ－、式中Ｒａ及びＲｂが各々、独立して、Ｈ又は非置換（Ｃ１～Ｃ１０）アルキル、更にＨ又は非置換（Ｃ１～Ｃ８）アルキル、更にＨ又は非置換（Ｃ１～Ｃ６）アルキル、更にＨ又は非置換（Ｃ１～Ｃ４）アルキルである、から選択される、上記Ａ］～Ｔ］のいずれか１つのプロセス。
Ｖ］構造１について、ｎ＝２であり、各Ｘが同じであり、非置換アルキルである、上記Ａ］～Ｕ］のいずれか１つのプロセス。
Ｗ］各Ｘが、非置換（Ｃ１～Ｃ３）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ２）アルキル、更にメチルである、上記Ｖ］のプロセス。
Ｘ］構造１について、Ｒ１０＝Ｒ１５である、上記Ａ］～Ｗ］のいずれか１つのプロセス。
Ｙ］構造１について、Ｒ１０＝Ｒ１５＝Ｈ又はハロゲン、及び更にＨ又はＦである、上記Ａ］～Ｘ］のいずれか１つのプロセス。
Ｚ］構造１について、Ｒ１０＝Ｒ１５＝ハロゲン、及び更にＦである、Ａ］～Ｙ］のいずれか１つのプロセス。
ＡＡ］構造１について、Ｒ３＝Ｒ６である、上記Ａ］～Ｚ）のいずれか１つのプロセス。
ＢＢ］構造１について、Ｒ３＝Ｒ６＝非置換アルキルである、上記Ａ］～ＡＡ］のいずれか１つのプロセス。
ＣＣ］構造１について、Ｒ３＝Ｒ６＝非置換（Ｃ１～Ｃ１２）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ１０）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ８）アルキル、更にメチル又は非置換Ｃ８アルキルである上記Ａ］～ＢＢ］のいずれか１つのプロセス。
ＤＤ］構造１について、Ｒ２＝Ｒ４＝Ｒ５＝Ｒ７＝Ｒ９＝Ｒ１１＝Ｒ１２＝Ｒ１３＝Ｒ１４＝Ｒ１６＝Ｈである、Ａ］～ＣＣ］のいずれか１つのプロセス。
ＥＥ］構造２について、ｎ＝２であり、各Ｘが同じであり、非置換アルキルである、上記Ａ］～ＤＤ］のいずれか１つのプロセス。
ＦＦ］各Ｘが、非置換（Ｃ１～Ｃ３）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ２）アルキル、更にメチルである、上記ＥＥ］のプロセス。
ＧＧ］構造式２について、Ｒ１０＝Ｒ１５である、上記Ａ］～ＦＦ］のいずれか１つのプロセス。
ＨＨ］構造２について、Ｒ１０＝Ｒ１５＝ハロゲン、及び更にＦである、Ａ］～ＧＧ］のいずれか１つのプロセス。
ＩＩ］構造式２について、Ｒ３＝Ｒ６である、上記Ａ］～ＨＨ］のいずれか１つのプロセス。
ＪＪ］構造２について、Ｒ３＝Ｒ６＝非置換アルキルである、上記Ａ］～ＩＩ］のいずれか１つのプロセス。
ＫＫ］構造２について、Ｒ３＝Ｒ６＝非置換（Ｃ１～Ｃ１２）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ１０）アルキル、更に非置換（Ｃ２～Ｃ８）アルキル、更に非置換（Ｃ４～Ｃ８）アルキル更に非置換Ｃ８アルキルである上記Ａ］～ＪＪ］のいずれか１つのプロセス。
ＬＬ］構造２について、Ｒ２＝Ｒ４＝Ｒ５＝Ｒ７＝Ｒ９＝Ｒ１１＝Ｒ１２＝Ｒ１３＝Ｒ１４＝Ｒ１６＝Ｈである、Ａ］～ＫＫ］のいずれか１つのプロセス。
ＭＭ］構造式２について、金属Ｍ＝Ｚｒである、上記Ａ］～ＬＬ］のいずれか１つのプロセス。
ＮＮ］構造１が、各々が発明を実施するための形態（Detailed Description of the Invention、ＤＤＩ）において上述される、以下の構造（１ａ）～（１ｃ）から選択される、Ａ］～ＭＭ］のいずれか１つのプロセス。
ＯＯ］構造１が、ＤＤＩにおいて上述されたように、構造（１ａ）である、上記ＮＮ］のプロセス。
ＰＰ］構造２が、各々がＤＤＩにおいて上述されたように、以下の構造（２ａ）～（２ｂ）から選択される、Ａ］～ＯＯ］のいずれか１つのプロセス。
ＱＱ］構造２が、ＤＤＩにおいて上述されたように、構造（２ｂ）である、上記ＰＰ］のプロセス。
ＲＲ］プロセスが、１５０℃以上、又は１５５℃以上、又は１６０℃以上、又は１６５℃以上の反応器温度で、２．８×１０６以上、３．０×１０６以上、又は３．２×１０６以上、又は３．４×１０６以上、又は３．６×１０６以上の全体的な触媒効率［（グラム総触媒金属）当たりの（グラムアルファ組成物）］を有する、上記Ａ］～ＱＱ］のプロセス。
ＳＳ］プロセスが、０．８５５～０．８９０ｇ／ｃｃ、又は０．８６０～０．８９０ｇ／ｃｃ、又は０．８６５～０．８９０ｇ／ｃｃ、又は０．８６５～０．８８５ｇ／ｃｃ（１ｃｃ＝１ｃｍ３）のアルファ組成密度で、２．８×１０６以上、３．０×１０６以上、又は３．２×１０６以上、又は３．４×１０６以上、又は３．６×１０６以上の全体的な触媒効率［（グラム総触媒金属）当たりの（グラムアルファ組成物）］を有する、上記Ａ］～ＲＲ］のプロセス。
ＴＴ］プロセスが、１５０℃以上、又は１５５℃以上、又は１６０℃以上、又は１６５℃以上の反応器温度で実行される、上記Ａ］～ＳＳ］のプロセス。
ＵＵ］（水素反応器供給）の（エチレン反応器供給）に対する質量流量比は、０．０１×１０－４ｇ／ｇ以上、又は０．０５×１０－４ｇ／ｇ以上、又は０．１０×１０－４ｇ／ｇ以上、又は０．２０×１０－４ｇ／ｇ以上、又は０．４０×１０－４ｇ／ｇ以上、又は０．６０×１０－４ｇ／ｇ以上、又は０．７０×１０－４ｇ／ｇ以上である、上記Ａ］～ＴＴ］（Ａ］～ＴＴ］）のいずれか１つのプロセス。
ＶＶ］（水素反応器供給）の（エチレン反応器供給）に対する質量流量比は、６．００×１０－４ｇ／ｇ以下、又は５．５０×１０－４ｇ／ｇ以下、又は５．００×１０－４ｇ／ｇ以下、又は４．５０×１０－４ｇ／ｇ以下である、上記Ａ］～ＵＵ］のいずれか１つのプロセス。
ＷＷ］反応器が、連続撹拌槽反応器、ループ反応器、又はプラグ流反応器（又は管状反応器）、更に連続撹拌槽反応器又はループ反応器、更に連続撹拌槽反応器から選択される、上記Ａ］～ＶＶのいずれか１つのプロセス。
ＸＸ］反応混合物が、溶媒を更に含む、上記Ａ］～ＷＷ］のいずれか１つのプロセス。
ＹＹ］反応混合物が１つ以上の助触媒を更に含む、上記Ａ］～ＸＸ］のいずれか１つのプロセス。
ＺＺ］反応混合物が、水素（Ｈ２）を更に含む、上記Ａ］～ＹＹ］のいずれか１つのプロセス。
Ａ３］プロセスが、溶液重合プロセスである、上記Ａ］～ＺＺ］のいずれか１つのプロセス。
Ｂ３］上記Ａ］～Ａ３］のいずれか１つのプロセスによって形成されたアルファ組成物を含む、組成物。
Ｃ３］アルファ組成物が、以下の
特性：
ｉ）Ｍｚ／Ｍｎ≧８．０、
ｉｉ）０．８５５～０．８９０ｇ／ｃｃの密度、
ｉｉｉ）Ｖ１００（１９０℃）≦６００Ｐａ・ｓ、及び
ｉｖ）Ｖ０．１（１９０℃）≧４，０００Ｐａ・ｓを含む、上記Ｂ３］の組成物。
Ｄ３］第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分及び第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分を含むアルファ組成物を含む組成物であって、アルファ組成物が、以下の特性：
ｉ）Ｍｚ／Ｍｎ≧８．０、
ｉｉ）０．８５５～０．８９０ｇ／ｃｃの密度、
ｉｉｉ）Ｖ１００（１９０℃）≦６００Ｐａ・ｓ、及び
ｉｖ）Ｖ０．１（１９０℃）≧４，０００Ｐａ・ｓを含む、組成物。
Ｅ３］アルファ組成物が、８．２以上、又は８．４以上、又は８．６以上、又は８．８以上、又は９．０以上、又は１０．０以上、又は１２．０以上、又は１４．０以上、又は１６．０以上のＭｚ／Ｍｎを有する、上記Ｂ３］～Ｄ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｆ３］アルファ組成物が、６０．０以下、又は５５．０以下、又は５０．０以下、又は４０．０以下のＭｚ／Ｍｎを有する、Ｂ３］～Ｅ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｇ３］アルファ組成物が、０．８５６ｇ／ｃｃ以上、又は０．８５７ｇ／ｃｃ以上、又は０．８５８ｇ／ｃｃ以上、又は０．８５９ｇ／ｃｃ以上、又は０．８６０ｇ／ｃｃ以上、又は０．８６１ｇ／ｃｃ以上、又は０．８６２ｇ／ｃｃ以上、又は０．８６３ｇ／ｃｃ以上、又は０．８６４ｇ／ｃｃ以上、又は０．８６５ｇ／ｃｃ以上、又は０．８６６ｇ／ｃｃ以上の密度を有する、上記Ｂ３］～Ｆ３］のいずれか１つの組成物。
Ｈ３］アルファ組成物が、０．８８９ｇ／ｃｃ以下、又は０．８８８ｇ／ｃｃ以下、又は０．８８７ｇ／ｃｃ以下、又は０．８８６ｇ／ｃｃ以下、又は０．８８５ｇ／ｃｃ以下、又は０．８８４ｇ／ｃｃ以下、又は０．８８３ｇ／ｃｃ以下、又は０．８８２ｇ／ｃｃ以下（１ｃｃ＝１ｃｍ３）の密度を有する、上記Ｂ３］～Ｇ３］のいずれか１つの組成物。
Ｉ３］アルファ組成物が、１００Ｐａ・ｓ以上、又は１２０Ｐａ・ｓ以上、又は１４０Ｐａ・ｓ以上、又は１６０Ｐａ・ｓ以上、又は１８０Ｐａ・ｓ以上、又は２００Ｐａ・ｓ以上、又は２２０Ｐａ・ｓ以上のＶ１００（１００ｒａｄ／ｓ、１９０℃）を有する、上記Ｂ３］～Ｈ３］のいずれか１つの組成物。
Ｊ３］アルファ組成物が、５８０Ｐａ・ｓ以下、又は５７０Ｐａ・ｓ以下、又は５６０Ｐａ・ｓ以下、又は５５０Ｐａ・ｓ以下、又は５４０Ｐａ・ｓ以下、又は５３０Ｐａ・ｓ以下、又は５２０Ｐａ・ｓのＶ１００（１００ｒａｄ／ｓ、１９０℃）を有する、上記Ｂ３］～Ｉ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｋ３］アルファ組成物が、４，１００Ｐａ・ｓ以上、又は４，２００Ｐａ・ｓ以上、又は４，３００Ｐａ・ｓ以上、又は４，４００Ｐａ・ｓ以上のＶ０．１（０．１ｒａｄ／ｓ、１９０℃）を有する、上記Ｂ３］～Ｊ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｌ３］アルファ組成物が、２８，０００Ｐａ・ｓ以下、又は２６，０００Ｐａ・ｓ以下、又は２４，０００Ｐａ・ｓ以下、又は２２，０００Ｐａ・ｓ以下、又は２０，０００Ｐａ・ｓ以下、又は１８，０００Ｐａ・ｓ以下のＶ０．１（０．１ｒａｄ／ｓ、１９０℃）を有する、上記Ｂ３］～Ｋ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｍ３］アルファ組成物が、
７．００以上、又は７．５０以上、又は８．００以上、又は８．５０以上のレオロジー比（Ｖ０．１／Ｖ１００、１９０℃）を有する、上記Ｂ３］～Ｌ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｎ３］アルファ組成物が、６４．０以下、又は６２．０以下、又は６０．０以下、又は５８．０以下、又は５６．０以下のレオロジー比（Ｖ０．１／Ｖ１００、１９０℃）を有する、上記Ｂ３］～Ｍ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｏ３］アルファ組成物が、０．５ｇ／１０分以上１．０ｇ／１０分以上、又は１．１ｇ／１０分以上、又は１．２ｇ／１０分以上、又は１．３ｇ／１０分以上、又は１．４ｇ／１０分以上、又は１．５ｇ／１０分以上のメルトインデックス（Ｉ２）を有する、上記Ｂ３］～Ｎ３］のいずれか１つの組成物。
Ｐ３］アルファ組成物が、５０ｇ／１０分以下、又は４０ｇ／１０分以下、又は３０ｇ／１０分以下、又は２５ｇ／１０分以下、又は２０ｇ／１０分以下、又は１８ｇ／１０分以下、又は１６ｇ／１０分以下、又は１４ｇ／１０分以下、又は１２ｇ／１０分以下、又は１０ｇ／１０分以下、又は８．０ｇ／１０分以下のメルトインデックス（Ｉ２）を有する、上記Ｂ３］～Ｏ３］のいずれか１つの組成物。
Ｑ３］アルファ組成物が、６．０以上、又は６．５以上、又は７．０以上、又は７．５以上、又は８．０以上、又は８．５以上、又は９．０以上、又は９．５以上、又は１０．０以上、又は１０．５以上、又は１１．０以上、又は１１．５以上、又は１２．０以上、又は１２．５以上、又は１３．０以上のＩ１０／Ｉ２を有する、上記Ｂ３］～Ｐ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｒ３］アルファ組成物が、４０．０以下、又は３５．０以下、又は３２．０以下、又は３０．０以下、又は２８．０以下、又は２６．０以下、又は２４．０以下のＩ１０／Ｉ２を有する、上記Ｂ３］～Ｑ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｓ３］アルファ組成物が、１０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は１２，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は１４，０００ｇ／ｍｏｌ以上の数平均分子量Ｍｎを有する、上記Ｂ３］～Ｒ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｔ３］アルファ組成物が、５０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は４５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は４０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は３６，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は３４，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は３２，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は３０，０００ｇ／ｍｏｌ以下の数平均分子量Ｍｎを有する、上記Ｂ３］～Ｓ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｕ３］アルファ組成物が、６０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は６５，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は７０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は７５，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は８０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は８５，０００ｇ／ｍｏｌ以上の数平均分子量Ｍｗを有する、上記Ｂ３］～Ｔ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｖ３］アルファ組成物が、１５０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は１４５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は１４０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は１３５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は１３０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は１２５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は１２０，０００ｇ／ｍｏｌ以下の数平均分子量Ｍｗを有する、上記Ｂ３］～Ｕ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｗ３］アルファ組成物が、１９０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は２００，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は２０５，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は２１０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は２１５，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は２２０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は２２５，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は２３０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は２３５０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は２４０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は２４５，０００ｇ／ｍｏｌ以上のｚ平均分子量Ｍｚを有する、上記Ｂ３］～Ｖ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｘ３］アルファ組成物が、６００，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は５８０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は５６０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は５４０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は５２０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は５００，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は４９０，０００ｇ／ｍｏｌ以下のｚ平均分子量Ｍｚを有する、上記Ｂ３］～Ｗ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｙ３］アルファ組成物が、
３．００以上、又は３．０５以上、又は３．１０以上、又は３．１５以上、又は３．２０以上、又は３．２５以上、又は３．５０以上、又は４．００以上、又は４．２０以上、又は４．４０以上の分子量分布ＭＷＤ（＝Ｍｗ／Ｍｎ）を有する、上記Ｂ３］～Ｘ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｚ３］アルファ組成物が、１０．０以下、又は９．００以下、又は８．００以下、又は７．５０以下、又は７．００以下、又は６．８０以下、又は６．６０以下、又は６．５０以下、又は６．４０以下、又は６．３０以下の分子量分布ＭＷＤ（＝Ｍｗ／Ｍｎ）を有する、上記Ｂ３］～Ｙ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ａ４］アルファ組成物が、３０℃以上、又は３５℃以上、又は４０℃以上、又は４５℃以上、又は５０℃以上、又は５１℃以上、又は５２℃以上、又は５３℃以上の融解温度（Ｔｍ、ＤＳＣ）を有する、上記Ｂ３］～Ｚ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｂ４］アルファ組成物が、１００℃以下、又は９５℃以下、又は９０℃以下、又は８５℃以下、又は８０℃以下、又は７８℃以下、又は７６℃以下、又は７５℃以下の融解温度（Ｔｍ、ＤＳＣ）を有する、上記Ｂ３］～Ａ４］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｃ４］アルファ組成物が、－６８℃以上、又は－６６℃以上、又は－６４℃、又は－６２℃以上、又は－６０℃以上のガラス転移温度（glass transition temperature、Ｔｇ、ＤＳＣ）を有する、上記Ｂ３］～Ｂ４］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｄ４］アルファ組成物が、－４２℃以下、又は－４４℃以下、又は－４６℃以下、又は－４８℃以下のガラス転移温度（Ｔｇ、ＤＳＣ）を有する、上記Ｂ３］～Ｃ４］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｅ４］アルファ組成物が、１４℃以上、又は１６℃以上、又は１８℃以上、又は２０℃以上、又は２２℃以上の結晶化温度（crystallization temperature、Ｔｃ、ＤＳＣ）を有する、上記Ｂ３］～Ｄ４］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｆ４］アルファ組成物が、８０℃以下、又は７８℃以下、又は７６℃以下、又は７４℃以下、又は７２℃以下、又は７０℃以下、又は６８℃以下、又は６６℃以下の結晶化温度（Ｔｃ、ＤＳＣ）を有する、上記Ｂ３］～Ｅ４］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｇ４］アルファ組成物が、１４％以上、又は１６％以上、又は１８％以上、又は２０％以上の結晶化度％を有する、上記Ｂ３］～Ｆ４］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｈ４］アルファ組成物が、４０％以下、又は３５％以下、又は３０％以下、又は２８％以下の結晶化度％を有する、上記Ｂ３］～Ｇ４］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｉ４］第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分が、１つ以上のポリマー特性において、更に、密度、Ｉ２、Ｉ１０／Ｉ２、Ｍｎ、Ｍｗ、Ｍｚ、ＭＷＤ、又はそれらの任意の組み合わせから選択される１つ以上の特性において、更に、Ｍｎ、Ｍｗ、Ｍｚ、ＭＷＤ、又はそれらの任意の組み合わせから選択される１つ以上の特性において、第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分とは異なる、上記Ｂ３］～Ｈ４］のいずれか１つの組成物。
Ｊ４］アルファ組成物が、アルファ組成物の重量に基づいて、５０重量％又は過半重量パーセントの重合エチレンを含む、上記Ｂ３］～Ｉ４］のいずれか１つの組成物。
Ｋ４］アルファ組成物が、アルファ組成物の重量に基づいて、９８．０重量％以上、又は９８．５重量％以上、又は９９．０重量％以上、又は９９．５重量％以上、又は９９．８重量％以上、又は９９．９重量％以上の第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分と第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分との合計を含む、上記Ｂ３］～Ｊ４］のいずれか１つの組成物。
Ｌ４］アルファ組成物が、アルファ組成物の重量に基づいて、１００．０重量％以下の第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分と第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分との合計を含む、上記Ｂ３］～Ｋ４］のいずれか１つの組成物。
Ｍ４］第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分について、アルファ－オレフィンが、Ｃ３～Ｃ２０α－オレフィン、更にＣ３～Ｃ１０α－オレフィンである、上記Ｂ３］～Ｌ４］のいずれか１つの組成物。
Ｎ４］第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分について、アルファ－オレフィンが、プロピレン、１－ブテン、１－ペンテン、１－ヘキセン又は１－オクテン、更にプロピレン、１－ブテン又は１－オクテン、更に１－ブテン又は１－オクテン、更に１－オクテンから選択される、上記Ｂ３］～Ｍ４］のいずれか１つの組成物。
Ｏ４］第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分は、エチレン／アルファ－オレフィンコポリマーである、上記Ｂ３］～Ｎ４］のいずれか１つの組成物。
Ｐ４］第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分が、エチレン／プロピレンコポリマー、エチレン／ブテンコポリマー、又はエチレン／オクテンコポリマー、更にエチレン／－ブテンコポリマー、又はエチレン／オクテンコポリマー、更にエチレン／オクテンコポリマーから選択される、上記Ｂ３］～Ｏ４］のいずれか１つの組成物。
Ｑ４］第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分について、アルファ－オレフィンが、Ｃ３～Ｃ２０α－オレフィン、更にＣ３～Ｃ１０α－オレフィンである、上記Ｂ３］～Ｐ４］のいずれか１つの組成物。
Ｒ４］第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分について、アルファ－オレフィンが、プロピレン、１－ブテン、１－ペンテン、１－ヘキセン又は１－オクテン、更にプロピレン、１－ブテン又は１－オクテン、更に１－ブテン又は１－オクテン、更に１－オクテンから選択される、上記Ｂ３］～Ｑ４］のいずれか１つの組成物。
Ｓ４］第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分は、エチレン／アルファ－オレフィンコポリマーである、上記Ｂ３］～Ｒ４］のいずれか１つの組成物。
Ｔ４］第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分が、エチレン／プロピレンコポリマー、エチレン／ブテンコポリマー、又はエチレン／オクテンコポリマー、更にエチレン／－ブテンコポリマー、又はエチレン／オクテンコポリマー、更にエチレン／オクテンコポリマーから選択される、上記Ｂ３］～Ｓ４］のいずれか１つの組成物。
Ｕ４］アルファ組成物が、組成物の重量に基づいて、５０．０重量％以上、又は５５．０重量％以上、又は６０．０重量％以上、又は６５．０重量％以上、又は７０．０重量％以上、又は７５．０重量％以上、又は８０．０重量％以上、又は８５．０重量％以上、又は９０．０重量％以上のアルファ組成物を含む、上記Ｂ３］～Ｔ４］のいずれか１つの組成物。
Ｖ４］組成物が、組成物の重量に基づいて、９５．０重量％以上、又は９５．５重量％以上、又は９６．０％重量％以上、又は９６．５重量％以上、又は９７．０重量％以上、又は９７．５重量％以上、又は９８．０重量％以上、又は９８．５重量％以上のアルファ組成物を含む、上記Ｂ３］～Ｕ４］のいずれか１つの組成物。
Ｗ４］組成物が、組成物の重量に基づいて、９９．８重量％以下、又は９９．６重量％以下、又は９９．４重量％以下、又は９９．２重量％以下、又は９９．０重量％以下、又は９８．８重量％以下のアルファ組成物を含む、上記Ｂ３］～Ｖ４］のいずれか１つの組成物。
Ｘ４］組成物が、ＵＶ安定剤、酸化防止剤、又はそれらの組み合わせから選択される少なくとも１つの添加剤を更に含む、上記ＵＵ］～Ｗ４］のいずれか１つの組成物。
Ｙ４］第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分と第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分との重量比が、０．２０以上、又は０．２２以上、又は０．２４以上、又は０．２６以上、又は０．２８以上、又は０．３０以上、又は０．３２以上、又は０．３４以上、又は０．３６以上、又は０．３８以上、又は０．３９以上、又は０．４０以上、又は０．４２以上、又は０．４４以上、又は０．４６以上、又は０．４８以上である、上記Ｂ３］～Ｘ４］のいずれか１つの組成物。
Ｚ４］第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分と第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分との重量比が、２．００以下、又は１．８０以下、又は１．５０以下、又は１．４０以下、又は１．３０以下、又は１．２５以下、又は１．２０以下、又は１．１５以下、又は１．１０以下である、上記Ｂ３］～Ｙ４］のいずれか１つの組成物。
Ａ５］第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分が、４０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は４２，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は４４，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は４６，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は４８，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は５０，０００ｇ／ｍｏｌ以上５２，０００ｇ／ｍｏｌ、又は５４，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は５６，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は５８，０００ｇ／ｍｏｌ以上の数平均分子量Ｍｎを有する、上記Ｂ３］～Ｚ４］のいずれか１つの組成物。
Ｂ５］第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分が、１５０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は１４５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は１４０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は１３５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は１３０，０００ｇ／ｍｏｌ以下の数平均分子量Ｍｎを有する、上記Ｂ３］～Ａ５］のいずれか１つの組成物。
Ｃ５］第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分が、６，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は７，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は８，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は９，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は１０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は１１，０００ｇ／ｍｏｌ以上の数平均分子量Ｍｎを有する、上記Ｂ３］～Ｂ５］のいずれか１つの組成物。
Ｄ５］第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分が、３５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は３０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は２８，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は２６，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は２４，０００ｇ／ｍｏｌ以下の数平均分子量Ｍｎを有する、上記Ｂ３］～Ｃ５］のいずれか１つの組成物。
Ｅ５］２．０以上、又は２．２以上、又は２．４以上、又は２．６以上、又は２．８以上、又は３．０以上、又は３．２以上、又は３．４以上の比［Ｍｎ（第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分）／Ｍｎ（第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分）］である、上記Ｂ３］～Ｄ５］のいずれか１つの組成物。
Ｆ５］１２．０以下、又は１１．５以下、又は１１．０以下、又は１０．８以下、又は１０．６以下、又は１０．４以下、又は１０．２以下、又は１０．０以下の比［Ｍｎ（第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分）／Ｍｎ（第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分）］である、上記Ｂ３］～Ｅ５］のいずれか１つの組成物。
Ｇ５］上記Ｂ３］～Ｆ５］のいずれか１つの組成物から形成された、架橋組成物。
Ｈ５］上記Ｂ３］～Ｇ５］のいずれか１つの組成物から形成された少なくとも１つの成分を含む、物品。
Ｉ５］物品が、フィルムであり、更に押出フィルムである、上記Ｈ５］の物品。
Ｊ５］物品が、太陽電池モジュールである、上記Ｈ５］の物品。
Ｋ５］構造２について、Ｙが、（ＣＨ２）ｎ－、式中、ｎ＝０～２、更にｎ＝１又は２、更にｎ＝１であり、－ＣＲａＲｂ－、式中、Ｒａ及びＲｂは各々独立して、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、又は－Ｈであり、－Ｇｅ（ＲＤ）２－又は－Ｓｉ（ＲＤ）２－のいずれかであり、式中、各ＲＤは独立して、－Ｈ、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル及び（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビルからなる群から選択される、上記Ａ］～Ａ３］のいずれか１つの組成物。
Ａ］第１のエチレン／アルファ－オレフィン／インターポリマー画分及び第２のエチレン／アルファ－オレフィン／インターポリマー画分を含むアルファ組成物を調製するためのプロセス、当該プロセスは、１つの反応器中で、エチレン、アルファ－オレフィン、以下のａ）から選択される金属錯体、及び以下のｂ）から選択される金属錯体を含む反応混合物を重合することを含み、
ａ）発明の概要（ＳＯＩ）において上記のように、以下の構造１から選択されるビフェニルフェノール金属錯体、
【化7】
【化8】
Ｃ］構造２について、－Ｚ１－及び－Ｚ２－の各々が、－Ｏ－である、上記Ａ］又はＢ］のプロセス。
Ｄ］構造１について、Ｒ１及びＲ８のうちの少なくとも１つが、式（Ｉ）を有するラジカル、式（ＩＩ）を有するラジカル、又は式（ＩＩＩ）を有するラジカルである、上記Ａ］～Ｃ］（Ａ］～Ｃ］）のいずれか１つのプロセス。
Ｅ］構造２について、Ｒ１及びＲ８のうちの少なくとも１つが、式（Ｉ）を有するラジカル、式（ＩＩ）を有するラジカル、又は式（ＩＩＩ）を有するラジカルである、上記Ａ］～Ｄ］のいずれか１つのプロセス。
Ｆ］構造１について、Ｒ１及びＲ８は、同一であり、式（Ｉ）を有するラジカル、式（ＩＩ）を有するラジカル、及び式（ＩＩＩ）を有するラジカルからなる群から選択される、上記Ａ］～Ｅ］のいずれか１つのプロセス。
Ｇ］構造２について、Ｒ１及びＲ８が同一であり、式（Ｉ）を有するラジカル、式（ＩＩ）を有するラジカル、及び式（ＩＩＩ）を有するラジカルからなる群から選択される、上記Ａ］～Ｆ］のいずれか１つのプロセス。
Ｈ］構造１について、Ｒ１又はＲ８のうちの少なくとも１つが、式（ＩＩ）を有するラジカル又は式（Ｉ）を有するラジカルから選択され、更に、
Ｒ１又はＲ８の両方が、式（ＩＩ）を有するラジカル又は式（Ｉ）を有するラジカルから選択される、上記Ａ］～Ｇ］のいずれか１つのプロセス。
Ｉ］構造２について、Ｒ１又はＲ８のうちの少なくとも１つが、式（ＩＩ）を有するラジカル又は式（Ｉ）を有するラジカルから選択され、更にＲ１又はＲ８の両方が、式（ＩＩ）を有するラジカル又は式（Ｉ）を有するラジカルから選択される、上記Ａ］～Ｈ］のいずれか１つのプロセス。
Ｊ］構造１について、Ｒ１＝Ｒ８＝式（ＩＩ）を有するラジカルである、上記Ａ］～Ｉ］のいずれか１つのプロセス。
Ｋ］構造１の式（ＩＩ）について、Ｒ４３＝Ｒ４６＝非置換アルキル又はＨ、更に非置換（Ｃ１～Ｃ１０）アルキル又はＨ、更に非置換（Ｃ１～Ｃ８）アルキル又はＨ、更に非置換（Ｃ１～Ｃ６）アルキル又はＨ、更に非置換（Ｃ１～Ｃ４）アルキル又はＨ、更にｔ－ブチル又はＨである、上記Ｊ］のプロセス。
Ｌ］式（ＩＩ）について、Ｒ４３＝Ｒ４６＝非置換アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ１０）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ８）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ６）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ４）アルキル、更にｔ－ブチルである、上記Ｊ］又はＫ］のプロセス。
Ｍ］式（ＩＩ）について、Ｒ４１＝Ｒ４２＝Ｒ４４＝Ｒ４５＝Ｒ４７＝Ｒ４８＝Ｈである、上記Ｊ］～Ｌ］のいずれか１つのプロセス。
Ｎ］構造２について、Ｒ１＝Ｒ８＝式（ＩＩ）を有するラジカルである、上記Ａ］～Ｍ］のいずれか１つのプロセス。
Ｏ］構造２の式（ＩＩ）について、Ｒ４３＝Ｒ４６＝非置換アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ１０）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ８）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ６）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ４）アルキル、更にｔ－ブチルである、上記Ｎ］のプロセス。
Ｐ］式（ＩＩ）について、Ｒ４１＝Ｒ４２＝Ｒ４４＝Ｒ４５＝Ｒ４７＝Ｒ４８＝Ｈである、上記Ｎ］又はＯ］のプロセス。
Ｑ］構造１について、Ｌが、
ｉ）－ＣＨ２Ｓｉ（Ｒａ）（Ｒｂ）ＣＨ２－若しくは－ＣＨ２Ｇｅ（Ｒａ）（Ｒｂ）ＣＨ２－、式中、Ｒａ及びＲｂが各々独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル若しくは（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビルであり、
ｉｉ）１，３－ジメチルプロパン－１，３－ジイル、
ｉｉｉ）ビス（メチレン）シクロヘキサン－１，２－ジイル、
ｉｖ）プロパン－１，３－ジイル、又は
ブタン－１，４－ジイルから選択される、上記Ａ］～Ｐ］のいずれか１つのプロセス。
Ｒ］構造１について、Ｌが、
ｉ）－ＣＨ２Ｓｉ（Ｒａ）（Ｒｂ）ＣＨ２－、式中、Ｒａ及びＲｂは各々、独立して、非置換（Ｃ１～Ｃ１０）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ８）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ６）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ４）アルキルｌ、更に（Ｃ１～Ｃ３）アルキルであり、
ｉｉ）１，３－ジメチルプロパン－１，３－ジイル、又は
ｉｉｉ）ビス（メチレン）シクロヘキサン－１，２－ジイルから選択される、上記Ａ］～Ｑ］のいずれか１つのプロセス。
Ｓ］構造２について、Ｙが、
ｉ）－ＳｉＲｃＲｄ－、若しくは－ＧｅＲｃＲｄ－、式中、Ｒｃ及びＲｄが各々独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル若しくは（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビルであり、
ｉｉ）－（ＣＨ２）ｎ－、式中、ｎ＝０～２、更にｎ＝１若しくは２、更にｎ＝１であり、又は
ｉｉｉ）－ＣＲａＲｂ－、式中、Ｒａ及びＲｂは各々、独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビル、若しくは－Ｈである、から選択される、上記Ａ］～Ｒ］のいずれか１つのプロセス。
Ｔ］構造２について、Ｙが、
ｉ）－ＳｉＲｃＲｄ－若しくは－ＧｅＲｃＲｄ－式中Ｒｃ及びｄが各々、独立して、非置換（Ｃ１～Ｃ１０）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ８）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ６）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ４）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ３）アルキルであり、
ｉｉ）－（ＣＨ２）ｎ－、式中、ｎ＝０～２、更にｎ＝１若しくは２、更にｎ＝１であり、又は
ｉｉｉ）－ＣＲａＲｂ－、式中Ｒａ及びＲｂが各々、独立して、Ｈ又は非置換（Ｃ１～Ｃ１０）アルキル、更にＨ又は非置換（Ｃ１～Ｃ８）アルキル、更にＨ又は非置換（Ｃ１～Ｃ６）アルキル、更にＨ又は非置換（Ｃ１～Ｃ４）アルキルである、から選択される、上記Ａ］～Ｓ］のいずれか１つのプロセス。
Ｕ］構造２について、Ｙが、
ｉｉ）－（ＣＨ２）ｎ－、式中、ｎ＝０～２、更にｎ＝１若しくは２、更にｎ＝１であり、又は
ｉｉｉ）－ＣＲａＲｂ－、式中Ｒａ及びＲｂが各々、独立して、Ｈ又は非置換（Ｃ１～Ｃ１０）アルキル、更にＨ又は非置換（Ｃ１～Ｃ８）アルキル、更にＨ又は非置換（Ｃ１～Ｃ６）アルキル、更にＨ又は非置換（Ｃ１～Ｃ４）アルキルである、から選択される、上記Ａ］～Ｔ］のいずれか１つのプロセス。
Ｖ］構造１について、ｎ＝２であり、各Ｘが同じであり、非置換アルキルである、上記Ａ］～Ｕ］のいずれか１つのプロセス。
Ｗ］各Ｘが、非置換（Ｃ１～Ｃ３）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ２）アルキル、更にメチルである、上記Ｖ］のプロセス。
Ｘ］構造１について、Ｒ１０＝Ｒ１５である、上記Ａ］～Ｗ］のいずれか１つのプロセス。
Ｙ］構造１について、Ｒ１０＝Ｒ１５＝Ｈ又はハロゲン、及び更にＨ又はＦである、上記Ａ］～Ｘ］のいずれか１つのプロセス。
Ｚ］構造１について、Ｒ１０＝Ｒ１５＝ハロゲン、及び更にＦである、Ａ］～Ｙ］のいずれか１つのプロセス。
ＡＡ］構造１について、Ｒ３＝Ｒ６である、上記Ａ］～Ｚ）のいずれか１つのプロセス。
ＢＢ］構造１について、Ｒ３＝Ｒ６＝非置換アルキルである、上記Ａ］～ＡＡ］のいずれか１つのプロセス。
ＣＣ］構造１について、Ｒ３＝Ｒ６＝非置換（Ｃ１～Ｃ１２）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ１０）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ８）アルキル、更にメチル又は非置換Ｃ８アルキルである上記Ａ］～ＢＢ］のいずれか１つのプロセス。
ＤＤ］構造１について、Ｒ２＝Ｒ４＝Ｒ５＝Ｒ７＝Ｒ９＝Ｒ１１＝Ｒ１２＝Ｒ１３＝Ｒ１４＝Ｒ１６＝Ｈである、Ａ］～ＣＣ］のいずれか１つのプロセス。
ＥＥ］構造２について、ｎ＝２であり、各Ｘが同じであり、非置換アルキルである、上記Ａ］～ＤＤ］のいずれか１つのプロセス。
ＦＦ］各Ｘが、非置換（Ｃ１～Ｃ３）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ２）アルキル、更にメチルである、上記ＥＥ］のプロセス。
ＧＧ］構造式２について、Ｒ１０＝Ｒ１５である、上記Ａ］～ＦＦ］のいずれか１つのプロセス。
ＨＨ］構造２について、Ｒ１０＝Ｒ１５＝ハロゲン、及び更にＦである、Ａ］～ＧＧ］のいずれか１つのプロセス。
ＩＩ］構造式２について、Ｒ３＝Ｒ６である、上記Ａ］～ＨＨ］のいずれか１つのプロセス。
ＪＪ］構造２について、Ｒ３＝Ｒ６＝非置換アルキルである、上記Ａ］～ＩＩ］のいずれか１つのプロセス。
ＫＫ］構造２について、Ｒ３＝Ｒ６＝非置換（Ｃ１～Ｃ１２）アルキル、更に非置換（Ｃ１～Ｃ１０）アルキル、更に非置換（Ｃ２～Ｃ８）アルキル、更に非置換（Ｃ４～Ｃ８）アルキル更に非置換Ｃ８アルキルである上記Ａ］～ＪＪ］のいずれか１つのプロセス。
ＬＬ］構造２について、Ｒ２＝Ｒ４＝Ｒ５＝Ｒ７＝Ｒ９＝Ｒ１１＝Ｒ１２＝Ｒ１３＝Ｒ１４＝Ｒ１６＝Ｈである、Ａ］～ＫＫ］のいずれか１つのプロセス。
ＭＭ］構造式２について、金属Ｍ＝Ｚｒである、上記Ａ］～ＬＬ］のいずれか１つのプロセス。
ＮＮ］構造１が、各々が発明を実施するための形態（Detailed Description of the Invention、ＤＤＩ）において上述される、以下の構造（１ａ）～（１ｃ）から選択される、Ａ］～ＭＭ］のいずれか１つのプロセス。
ＯＯ］構造１が、ＤＤＩにおいて上述されたように、構造（１ａ）である、上記ＮＮ］のプロセス。
ＰＰ］構造２が、各々がＤＤＩにおいて上述されたように、以下の構造（２ａ）～（２ｂ）から選択される、Ａ］～ＯＯ］のいずれか１つのプロセス。
ＱＱ］構造２が、ＤＤＩにおいて上述されたように、構造（２ｂ）である、上記ＰＰ］のプロセス。
ＲＲ］プロセスが、１５０℃以上、又は１５５℃以上、又は１６０℃以上、又は１６５℃以上の反応器温度で、２．８×１０６以上、３．０×１０６以上、又は３．２×１０６以上、又は３．４×１０６以上、又は３．６×１０６以上の全体的な触媒効率［（グラム総触媒金属）当たりの（グラムアルファ組成物）］を有する、上記Ａ］～ＱＱ］のプロセス。
ＳＳ］プロセスが、０．８５５～０．８９０ｇ／ｃｃ、又は０．８６０～０．８９０ｇ／ｃｃ、又は０．８６５～０．８９０ｇ／ｃｃ、又は０．８６５～０．８８５ｇ／ｃｃ（１ｃｃ＝１ｃｍ３）のアルファ組成密度で、２．８×１０６以上、３．０×１０６以上、又は３．２×１０６以上、又は３．４×１０６以上、又は３．６×１０６以上の全体的な触媒効率［（グラム総触媒金属）当たりの（グラムアルファ組成物）］を有する、上記Ａ］～ＲＲ］のプロセス。
ＴＴ］プロセスが、１５０℃以上、又は１５５℃以上、又は１６０℃以上、又は１６５℃以上の反応器温度で実行される、上記Ａ］～ＳＳ］のプロセス。
ＵＵ］（水素反応器供給）の（エチレン反応器供給）に対する質量流量比は、０．０１×１０－４ｇ／ｇ以上、又は０．０５×１０－４ｇ／ｇ以上、又は０．１０×１０－４ｇ／ｇ以上、又は０．２０×１０－４ｇ／ｇ以上、又は０．４０×１０－４ｇ／ｇ以上、又は０．６０×１０－４ｇ／ｇ以上、又は０．７０×１０－４ｇ／ｇ以上である、上記Ａ］～ＴＴ］（Ａ］～ＴＴ］）のいずれか１つのプロセス。
ＶＶ］（水素反応器供給）の（エチレン反応器供給）に対する質量流量比は、６．００×１０－４ｇ／ｇ以下、又は５．５０×１０－４ｇ／ｇ以下、又は５．００×１０－４ｇ／ｇ以下、又は４．５０×１０－４ｇ／ｇ以下である、上記Ａ］～ＵＵ］のいずれか１つのプロセス。
ＷＷ］反応器が、連続撹拌槽反応器、ループ反応器、又はプラグ流反応器（又は管状反応器）、更に連続撹拌槽反応器又はループ反応器、更に連続撹拌槽反応器から選択される、上記Ａ］～ＶＶのいずれか１つのプロセス。
ＸＸ］反応混合物が、溶媒を更に含む、上記Ａ］～ＷＷ］のいずれか１つのプロセス。
ＹＹ］反応混合物が１つ以上の助触媒を更に含む、上記Ａ］～ＸＸ］のいずれか１つのプロセス。
ＺＺ］反応混合物が、水素（Ｈ２）を更に含む、上記Ａ］～ＹＹ］のいずれか１つのプロセス。
Ａ３］プロセスが、溶液重合プロセスである、上記Ａ］～ＺＺ］のいずれか１つのプロセス。
Ｂ３］上記Ａ］～Ａ３］のいずれか１つのプロセスによって形成されたアルファ組成物を含む、組成物。
Ｃ３］アルファ組成物が、以下の
特性：
ｉ）Ｍｚ／Ｍｎ≧８．０、
ｉｉ）０．８５５～０．８９０ｇ／ｃｃの密度、
ｉｉｉ）Ｖ１００（１９０℃）≦６００Ｐａ・ｓ、及び
ｉｖ）Ｖ０．１（１９０℃）≧４，０００Ｐａ・ｓを含む、上記Ｂ３］の組成物。
Ｄ３］第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分及び第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分を含むアルファ組成物を含む組成物であって、アルファ組成物が、以下の特性：
ｉ）Ｍｚ／Ｍｎ≧８．０、
ｉｉ）０．８５５～０．８９０ｇ／ｃｃの密度、
ｉｉｉ）Ｖ１００（１９０℃）≦６００Ｐａ・ｓ、及び
ｉｖ）Ｖ０．１（１９０℃）≧４，０００Ｐａ・ｓを含む、組成物。
Ｅ３］アルファ組成物が、８．２以上、又は８．４以上、又は８．６以上、又は８．８以上、又は９．０以上、又は１０．０以上、又は１２．０以上、又は１４．０以上、又は１６．０以上のＭｚ／Ｍｎを有する、上記Ｂ３］～Ｄ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｆ３］アルファ組成物が、６０．０以下、又は５５．０以下、又は５０．０以下、又は４０．０以下のＭｚ／Ｍｎを有する、Ｂ３］～Ｅ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｇ３］アルファ組成物が、０．８５６ｇ／ｃｃ以上、又は０．８５７ｇ／ｃｃ以上、又は０．８５８ｇ／ｃｃ以上、又は０．８５９ｇ／ｃｃ以上、又は０．８６０ｇ／ｃｃ以上、又は０．８６１ｇ／ｃｃ以上、又は０．８６２ｇ／ｃｃ以上、又は０．８６３ｇ／ｃｃ以上、又は０．８６４ｇ／ｃｃ以上、又は０．８６５ｇ／ｃｃ以上、又は０．８６６ｇ／ｃｃ以上の密度を有する、上記Ｂ３］～Ｆ３］のいずれか１つの組成物。
Ｈ３］アルファ組成物が、０．８８９ｇ／ｃｃ以下、又は０．８８８ｇ／ｃｃ以下、又は０．８８７ｇ／ｃｃ以下、又は０．８８６ｇ／ｃｃ以下、又は０．８８５ｇ／ｃｃ以下、又は０．８８４ｇ／ｃｃ以下、又は０．８８３ｇ／ｃｃ以下、又は０．８８２ｇ／ｃｃ以下（１ｃｃ＝１ｃｍ３）の密度を有する、上記Ｂ３］～Ｇ３］のいずれか１つの組成物。
Ｉ３］アルファ組成物が、１００Ｐａ・ｓ以上、又は１２０Ｐａ・ｓ以上、又は１４０Ｐａ・ｓ以上、又は１６０Ｐａ・ｓ以上、又は１８０Ｐａ・ｓ以上、又は２００Ｐａ・ｓ以上、又は２２０Ｐａ・ｓ以上のＶ１００（１００ｒａｄ／ｓ、１９０℃）を有する、上記Ｂ３］～Ｈ３］のいずれか１つの組成物。
Ｊ３］アルファ組成物が、５８０Ｐａ・ｓ以下、又は５７０Ｐａ・ｓ以下、又は５６０Ｐａ・ｓ以下、又は５５０Ｐａ・ｓ以下、又は５４０Ｐａ・ｓ以下、又は５３０Ｐａ・ｓ以下、又は５２０Ｐａ・ｓのＶ１００（１００ｒａｄ／ｓ、１９０℃）を有する、上記Ｂ３］～Ｉ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｋ３］アルファ組成物が、４，１００Ｐａ・ｓ以上、又は４，２００Ｐａ・ｓ以上、又は４，３００Ｐａ・ｓ以上、又は４，４００Ｐａ・ｓ以上のＶ０．１（０．１ｒａｄ／ｓ、１９０℃）を有する、上記Ｂ３］～Ｊ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｌ３］アルファ組成物が、２８，０００Ｐａ・ｓ以下、又は２６，０００Ｐａ・ｓ以下、又は２４，０００Ｐａ・ｓ以下、又は２２，０００Ｐａ・ｓ以下、又は２０，０００Ｐａ・ｓ以下、又は１８，０００Ｐａ・ｓ以下のＶ０．１（０．１ｒａｄ／ｓ、１９０℃）を有する、上記Ｂ３］～Ｋ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｍ３］アルファ組成物が、
７．００以上、又は７．５０以上、又は８．００以上、又は８．５０以上のレオロジー比（Ｖ０．１／Ｖ１００、１９０℃）を有する、上記Ｂ３］～Ｌ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｎ３］アルファ組成物が、６４．０以下、又は６２．０以下、又は６０．０以下、又は５８．０以下、又は５６．０以下のレオロジー比（Ｖ０．１／Ｖ１００、１９０℃）を有する、上記Ｂ３］～Ｍ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｏ３］アルファ組成物が、０．５ｇ／１０分以上１．０ｇ／１０分以上、又は１．１ｇ／１０分以上、又は１．２ｇ／１０分以上、又は１．３ｇ／１０分以上、又は１．４ｇ／１０分以上、又は１．５ｇ／１０分以上のメルトインデックス（Ｉ２）を有する、上記Ｂ３］～Ｎ３］のいずれか１つの組成物。
Ｐ３］アルファ組成物が、５０ｇ／１０分以下、又は４０ｇ／１０分以下、又は３０ｇ／１０分以下、又は２５ｇ／１０分以下、又は２０ｇ／１０分以下、又は１８ｇ／１０分以下、又は１６ｇ／１０分以下、又は１４ｇ／１０分以下、又は１２ｇ／１０分以下、又は１０ｇ／１０分以下、又は８．０ｇ／１０分以下のメルトインデックス（Ｉ２）を有する、上記Ｂ３］～Ｏ３］のいずれか１つの組成物。
Ｑ３］アルファ組成物が、６．０以上、又は６．５以上、又は７．０以上、又は７．５以上、又は８．０以上、又は８．５以上、又は９．０以上、又は９．５以上、又は１０．０以上、又は１０．５以上、又は１１．０以上、又は１１．５以上、又は１２．０以上、又は１２．５以上、又は１３．０以上のＩ１０／Ｉ２を有する、上記Ｂ３］～Ｐ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｒ３］アルファ組成物が、４０．０以下、又は３５．０以下、又は３２．０以下、又は３０．０以下、又は２８．０以下、又は２６．０以下、又は２４．０以下のＩ１０／Ｉ２を有する、上記Ｂ３］～Ｑ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｓ３］アルファ組成物が、１０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は１２，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は１４，０００ｇ／ｍｏｌ以上の数平均分子量Ｍｎを有する、上記Ｂ３］～Ｒ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｔ３］アルファ組成物が、５０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は４５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は４０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は３６，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は３４，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は３２，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は３０，０００ｇ／ｍｏｌ以下の数平均分子量Ｍｎを有する、上記Ｂ３］～Ｓ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｕ３］アルファ組成物が、６０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は６５，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は７０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は７５，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は８０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は８５，０００ｇ／ｍｏｌ以上の数平均分子量Ｍｗを有する、上記Ｂ３］～Ｔ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｖ３］アルファ組成物が、１５０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は１４５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は１４０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は１３５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は１３０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は１２５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は１２０，０００ｇ／ｍｏｌ以下の数平均分子量Ｍｗを有する、上記Ｂ３］～Ｕ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｗ３］アルファ組成物が、１９０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は２００，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は２０５，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は２１０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は２１５，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は２２０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は２２５，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は２３０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は２３５０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は２４０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は２４５，０００ｇ／ｍｏｌ以上のｚ平均分子量Ｍｚを有する、上記Ｂ３］～Ｖ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｘ３］アルファ組成物が、６００，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は５８０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は５６０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は５４０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は５２０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は５００，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は４９０，０００ｇ／ｍｏｌ以下のｚ平均分子量Ｍｚを有する、上記Ｂ３］～Ｗ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｙ３］アルファ組成物が、
３．００以上、又は３．０５以上、又は３．１０以上、又は３．１５以上、又は３．２０以上、又は３．２５以上、又は３．５０以上、又は４．００以上、又は４．２０以上、又は４．４０以上の分子量分布ＭＷＤ（＝Ｍｗ／Ｍｎ）を有する、上記Ｂ３］～Ｘ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｚ３］アルファ組成物が、１０．０以下、又は９．００以下、又は８．００以下、又は７．５０以下、又は７．００以下、又は６．８０以下、又は６．６０以下、又は６．５０以下、又は６．４０以下、又は６．３０以下の分子量分布ＭＷＤ（＝Ｍｗ／Ｍｎ）を有する、上記Ｂ３］～Ｙ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ａ４］アルファ組成物が、３０℃以上、又は３５℃以上、又は４０℃以上、又は４５℃以上、又は５０℃以上、又は５１℃以上、又は５２℃以上、又は５３℃以上の融解温度（Ｔｍ、ＤＳＣ）を有する、上記Ｂ３］～Ｚ３］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｂ４］アルファ組成物が、１００℃以下、又は９５℃以下、又は９０℃以下、又は８５℃以下、又は８０℃以下、又は７８℃以下、又は７６℃以下、又は７５℃以下の融解温度（Ｔｍ、ＤＳＣ）を有する、上記Ｂ３］～Ａ４］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｃ４］アルファ組成物が、－６８℃以上、又は－６６℃以上、又は－６４℃、又は－６２℃以上、又は－６０℃以上のガラス転移温度（glass transition temperature、Ｔｇ、ＤＳＣ）を有する、上記Ｂ３］～Ｂ４］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｄ４］アルファ組成物が、－４２℃以下、又は－４４℃以下、又は－４６℃以下、又は－４８℃以下のガラス転移温度（Ｔｇ、ＤＳＣ）を有する、上記Ｂ３］～Ｃ４］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｅ４］アルファ組成物が、１４℃以上、又は１６℃以上、又は１８℃以上、又は２０℃以上、又は２２℃以上の結晶化温度（crystallization temperature、Ｔｃ、ＤＳＣ）を有する、上記Ｂ３］～Ｄ４］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｆ４］アルファ組成物が、８０℃以下、又は７８℃以下、又は７６℃以下、又は７４℃以下、又は７２℃以下、又は７０℃以下、又は６８℃以下、又は６６℃以下の結晶化温度（Ｔｃ、ＤＳＣ）を有する、上記Ｂ３］～Ｅ４］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｇ４］アルファ組成物が、１４％以上、又は１６％以上、又は１８％以上、又は２０％以上の結晶化度％を有する、上記Ｂ３］～Ｆ４］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｈ４］アルファ組成物が、４０％以下、又は３５％以下、又は３０％以下、又は２８％以下の結晶化度％を有する、上記Ｂ３］～Ｇ４］のうちのいずれか１つの組成物。
Ｉ４］第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分が、１つ以上のポリマー特性において、更に、密度、Ｉ２、Ｉ１０／Ｉ２、Ｍｎ、Ｍｗ、Ｍｚ、ＭＷＤ、又はそれらの任意の組み合わせから選択される１つ以上の特性において、更に、Ｍｎ、Ｍｗ、Ｍｚ、ＭＷＤ、又はそれらの任意の組み合わせから選択される１つ以上の特性において、第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分とは異なる、上記Ｂ３］～Ｈ４］のいずれか１つの組成物。
Ｊ４］アルファ組成物が、アルファ組成物の重量に基づいて、５０重量％又は過半重量パーセントの重合エチレンを含む、上記Ｂ３］～Ｉ４］のいずれか１つの組成物。
Ｋ４］アルファ組成物が、アルファ組成物の重量に基づいて、９８．０重量％以上、又は９８．５重量％以上、又は９９．０重量％以上、又は９９．５重量％以上、又は９９．８重量％以上、又は９９．９重量％以上の第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分と第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分との合計を含む、上記Ｂ３］～Ｊ４］のいずれか１つの組成物。
Ｌ４］アルファ組成物が、アルファ組成物の重量に基づいて、１００．０重量％以下の第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分と第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分との合計を含む、上記Ｂ３］～Ｋ４］のいずれか１つの組成物。
Ｍ４］第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分について、アルファ－オレフィンが、Ｃ３～Ｃ２０α－オレフィン、更にＣ３～Ｃ１０α－オレフィンである、上記Ｂ３］～Ｌ４］のいずれか１つの組成物。
Ｎ４］第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分について、アルファ－オレフィンが、プロピレン、１－ブテン、１－ペンテン、１－ヘキセン又は１－オクテン、更にプロピレン、１－ブテン又は１－オクテン、更に１－ブテン又は１－オクテン、更に１－オクテンから選択される、上記Ｂ３］～Ｍ４］のいずれか１つの組成物。
Ｏ４］第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分は、エチレン／アルファ－オレフィンコポリマーである、上記Ｂ３］～Ｎ４］のいずれか１つの組成物。
Ｐ４］第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分が、エチレン／プロピレンコポリマー、エチレン／ブテンコポリマー、又はエチレン／オクテンコポリマー、更にエチレン／－ブテンコポリマー、又はエチレン／オクテンコポリマー、更にエチレン／オクテンコポリマーから選択される、上記Ｂ３］～Ｏ４］のいずれか１つの組成物。
Ｑ４］第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分について、アルファ－オレフィンが、Ｃ３～Ｃ２０α－オレフィン、更にＣ３～Ｃ１０α－オレフィンである、上記Ｂ３］～Ｐ４］のいずれか１つの組成物。
Ｒ４］第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分について、アルファ－オレフィンが、プロピレン、１－ブテン、１－ペンテン、１－ヘキセン又は１－オクテン、更にプロピレン、１－ブテン又は１－オクテン、更に１－ブテン又は１－オクテン、更に１－オクテンから選択される、上記Ｂ３］～Ｑ４］のいずれか１つの組成物。
Ｓ４］第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分は、エチレン／アルファ－オレフィンコポリマーである、上記Ｂ３］～Ｒ４］のいずれか１つの組成物。
Ｔ４］第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分が、エチレン／プロピレンコポリマー、エチレン／ブテンコポリマー、又はエチレン／オクテンコポリマー、更にエチレン／－ブテンコポリマー、又はエチレン／オクテンコポリマー、更にエチレン／オクテンコポリマーから選択される、上記Ｂ３］～Ｓ４］のいずれか１つの組成物。
Ｕ４］アルファ組成物が、組成物の重量に基づいて、５０．０重量％以上、又は５５．０重量％以上、又は６０．０重量％以上、又は６５．０重量％以上、又は７０．０重量％以上、又は７５．０重量％以上、又は８０．０重量％以上、又は８５．０重量％以上、又は９０．０重量％以上のアルファ組成物を含む、上記Ｂ３］～Ｔ４］のいずれか１つの組成物。
Ｖ４］組成物が、組成物の重量に基づいて、９５．０重量％以上、又は９５．５重量％以上、又は９６．０％重量％以上、又は９６．５重量％以上、又は９７．０重量％以上、又は９７．５重量％以上、又は９８．０重量％以上、又は９８．５重量％以上のアルファ組成物を含む、上記Ｂ３］～Ｕ４］のいずれか１つの組成物。
Ｗ４］組成物が、組成物の重量に基づいて、９９．８重量％以下、又は９９．６重量％以下、又は９９．４重量％以下、又は９９．２重量％以下、又は９９．０重量％以下、又は９８．８重量％以下のアルファ組成物を含む、上記Ｂ３］～Ｖ４］のいずれか１つの組成物。
Ｘ４］組成物が、ＵＶ安定剤、酸化防止剤、又はそれらの組み合わせから選択される少なくとも１つの添加剤を更に含む、上記ＵＵ］～Ｗ４］のいずれか１つの組成物。
Ｙ４］第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分と第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分との重量比が、０．２０以上、又は０．２２以上、又は０．２４以上、又は０．２６以上、又は０．２８以上、又は０．３０以上、又は０．３２以上、又は０．３４以上、又は０．３６以上、又は０．３８以上、又は０．３９以上、又は０．４０以上、又は０．４２以上、又は０．４４以上、又は０．４６以上、又は０．４８以上である、上記Ｂ３］～Ｘ４］のいずれか１つの組成物。
Ｚ４］第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分と第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分との重量比が、２．００以下、又は１．８０以下、又は１．５０以下、又は１．４０以下、又は１．３０以下、又は１．２５以下、又は１．２０以下、又は１．１５以下、又は１．１０以下である、上記Ｂ３］～Ｙ４］のいずれか１つの組成物。
Ａ５］第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分が、４０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は４２，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は４４，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は４６，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は４８，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は５０，０００ｇ／ｍｏｌ以上５２，０００ｇ／ｍｏｌ、又は５４，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は５６，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は５８，０００ｇ／ｍｏｌ以上の数平均分子量Ｍｎを有する、上記Ｂ３］～Ｚ４］のいずれか１つの組成物。
Ｂ５］第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分が、１５０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は１４５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は１４０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は１３５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は１３０，０００ｇ／ｍｏｌ以下の数平均分子量Ｍｎを有する、上記Ｂ３］～Ａ５］のいずれか１つの組成物。
Ｃ５］第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分が、６，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は７，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は８，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は９，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は１０，０００ｇ／ｍｏｌ以上、又は１１，０００ｇ／ｍｏｌ以上の数平均分子量Ｍｎを有する、上記Ｂ３］～Ｂ５］のいずれか１つの組成物。
Ｄ５］第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分が、３５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は３０，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は２８，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は２６，０００ｇ／ｍｏｌ以下、又は２４，０００ｇ／ｍｏｌ以下の数平均分子量Ｍｎを有する、上記Ｂ３］～Ｃ５］のいずれか１つの組成物。
Ｅ５］２．０以上、又は２．２以上、又は２．４以上、又は２．６以上、又は２．８以上、又は３．０以上、又は３．２以上、又は３．４以上の比［Ｍｎ（第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分）／Ｍｎ（第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分）］である、上記Ｂ３］～Ｄ５］のいずれか１つの組成物。
Ｆ５］１２．０以下、又は１１．５以下、又は１１．０以下、又は１０．８以下、又は１０．６以下、又は１０．４以下、又は１０．２以下、又は１０．０以下の比［Ｍｎ（第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分）／Ｍｎ（第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分）］である、上記Ｂ３］～Ｅ５］のいずれか１つの組成物。
Ｇ５］上記Ｂ３］～Ｆ５］のいずれか１つの組成物から形成された、架橋組成物。
Ｈ５］上記Ｂ３］～Ｇ５］のいずれか１つの組成物から形成された少なくとも１つの成分を含む、物品。
Ｉ５］物品が、フィルムであり、更に押出フィルムである、上記Ｈ５］の物品。
Ｊ５］物品が、太陽電池モジュールである、上記Ｈ５］の物品。
Ｋ５］構造２について、Ｙが、（ＣＨ２）ｎ－、式中、ｎ＝０～２、更にｎ＝１又は２、更にｎ＝１であり、－ＣＲａＲｂ－、式中、Ｒａ及びＲｂは各々独立して、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、又は－Ｈであり、－Ｇｅ（ＲＤ）２－又は－Ｓｉ（ＲＤ）２－のいずれかであり、式中、各ＲＤは独立して、－Ｈ、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル及び（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビルからなる群から選択される、上記Ａ］～Ａ３］のいずれか１つの組成物。
【0071】
試験方法
小振幅振動剪断（Small Amplitude Oscillatory Shear、ＳＡＯＳ）
各組成物のレオロジーは、窒素パージ下で「直径２５ｍｍ」ステンレス鋼平行プレートを備えたＡＲＥＳ－Ｇ２レオメーターを使用して、ＳＡＯＳ（又はＤＭＳ）によって分析された。１９０℃で０．１～１００ｒａｄ／ｓ又は５００ｒａｄ／ｓの範囲で一定温度動的周波数掃引を実行した。１９０℃でのデータを使用して、組成物の加工性を評価した。
小振幅振動剪断（Small Amplitude Oscillatory Shear、ＳＡＯＳ）
各組成物のレオロジーは、窒素パージ下で「直径２５ｍｍ」ステンレス鋼平行プレートを備えたＡＲＥＳ－Ｇ２レオメーターを使用して、ＳＡＯＳ（又はＤＭＳ）によって分析された。１９０℃で０．１～１００ｒａｄ／ｓ又は５００ｒａｄ／ｓの範囲で一定温度動的周波数掃引を実行した。１９０℃でのデータを使用して、組成物の加工性を評価した。
【0072】
約「直径２５ｍｍ×厚さ３．３ｍｍ」のサンプルを圧縮成形ディスクから切り取った（以下を参照）。サンプルを下部プレートに置き、５分間融解させた。次いで、プレートを「２．０ｍｍ」のギャップに閉じ、サンプルを直径「２５ｍｍ」にトリミングした。試験開始する前に、サンプルを５分間熱平衡化させた。複素粘度は、線形粘弾性範囲内（例えば、１０％）の十分な一定ひずみ振幅で測定された。応力応答を振幅及び位相の観点から分析し、そこから貯蔵弾性率（Ｇ’）、損失弾性率（Ｇ”）、動的粘度η＊、及びタンデルタを計算することができた。圧縮成形ディスクは、１８０℃及び１０ＭＰａの成形圧力で５分間、周囲雰囲気で形成し、次いで、冷却プラテン（１５～２０℃）間で２分間急冷した。粘度（Ｖ０．１、Ｖ１．０、Ｖ１００、各々１９０℃）を記録した。
【0073】
ゲル浸透クロマトグラフィー
クロマトグラフィーシステムは、内部ＩＲ５赤外線検出器（ＩＲ５）を装備したＰｏｌｙｍｅｒＣｈａｒ ＧＰＣ－ＩＲ（スペイン、バレンシア）の高温ＧＰＣクロマトグラフで構成された。オートサンプラーオーブンコンパートメントを１６０℃に設定し、カラムコンパートメントを１５０℃に設定した。カラムは、４つのＡＧＩＬＥＮＴ「Ｍｉｘｅｄ Ａ」３０ｃｍ、２０ミクロンの直線状混床式カラムであった。クロマトグラフィー溶媒は、２００ｐｐｍのブチル化ヒドロキシトルエン（butylated hydroxytoluene、ＢＨＴ）を含有した、１，２，４－トリクロロベンゼンであった。溶媒源は、窒素スパージした。使用した注入体積は２００マイクロリットルであり、流速は１．０ミリリットル／分であった。
クロマトグラフィーシステムは、内部ＩＲ５赤外線検出器（ＩＲ５）を装備したＰｏｌｙｍｅｒＣｈａｒ ＧＰＣ－ＩＲ（スペイン、バレンシア）の高温ＧＰＣクロマトグラフで構成された。オートサンプラーオーブンコンパートメントを１６０℃に設定し、カラムコンパートメントを１５０℃に設定した。カラムは、４つのＡＧＩＬＥＮＴ「Ｍｉｘｅｄ Ａ」３０ｃｍ、２０ミクロンの直線状混床式カラムであった。クロマトグラフィー溶媒は、２００ｐｐｍのブチル化ヒドロキシトルエン（butylated hydroxytoluene、ＢＨＴ）を含有した、１，２，４－トリクロロベンゼンであった。溶媒源は、窒素スパージした。使用した注入体積は２００マイクロリットルであり、流速は１．０ミリリットル／分であった。
【0074】
ＧＰＣカラムセットの較正を、５８０～８，４００，０００の範囲の分子量を有する２１個の狭い分子量分布のポリスチレン標準物質を用いて行い、個々の分子量の間に少なくとも１０倍の間隔を有する６つの「カクテル」混合物中に配列した。標準は、Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓから購入した。１，０００，０００以上の分子量については５０ミリリットルの溶媒中の０．０２５グラムで、また１，０００，０００未満の分子量については５０ミリリットルの溶媒中の０．０５グラムでポリスチレン標準物質を調製した。ポリスチレン標準を摂氏８０度で３０分間穏やかに撹拌しながら溶解した。ポリスチレン標準ピーク分子量を、式１を使用してポリエチレン分子量に変換した（Ｗｉｌｌｉａｍｓ ａｎｄ Ｗａｒｄ，Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍ．Ｌｅｔ．，６，６２１（１９６８））：
Ｍポリエチレン＝Ａ×（Ｍポリエチレン）Ｂ（式１）、式中、Ｍは、分子量であり、Ａは、０．４３１５の値を有し、Ｂは、１．０に等しい。
Ｍポリエチレン＝Ａ×（Ｍポリエチレン）Ｂ（式１）、式中、Ｍは、分子量であり、Ａは、０．４３１５の値を有し、Ｂは、１．０に等しい。
【0075】
五次多項式を使用して、それぞれのポリエチレン等価較正点に当てはめた。
Ａに対してわずかな調整（約０．３７５～０．４４５）を行い、カラム分解能及びバンド拡張効果を、線状ホモポリマーポリエチレン標準物質が１２０，０００Ｍｗで得られるように補正した。
Ａに対してわずかな調整（約０．３７５～０．４４５）を行い、カラム分解能及びバンド拡張効果を、線状ホモポリマーポリエチレン標準物質が１２０，０００Ｍｗで得られるように補正した。
【0076】
ＧＰＣカラムセットの合計プレートカウントは、デカン（５０ミリリットルのＴＣＢ中０．０４ｇで調製され、穏やかに撹拌しながら２０分間溶解した）を用いて行った。プレートカウント（式２）及び対称性（式３）を、２００マイクロリットル注入で以下の式：
式中、ＲＶはミリリットル単位の保持容量であり、
ピーク幅はミリリットル単位であり、ピーク最大はピークの最大高さであり、１／２高さはピーク最大値の１／２の高さであり、
式中、ＲＶはミリリットルでの保持体積であり、ピークの幅はミリリットル単位であり、ピーク最大値はピークの最大位置であり、１／１０の高さはピーク最大値の１／１０の高さであり、後部ピークはピーク最大値よりも後の保持体積でのピークテールを指し、前部ピークはピーク最大値よりも早い保持体積でのピーク前部を指す。クロマトグラフィーシステムのプレート計数は、１８，０００超となるべきであり、対称性は、０．９８～１．２２となるべきである。
【数1】
ピーク幅はミリリットル単位であり、ピーク最大はピークの最大高さであり、１／２高さはピーク最大値の１／２の高さであり、
【数2】
【0077】
サンプルをＰｏｌｙｍｅｒＣｈａｒ「Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ Ｃｏｎｔｒｏｌ」ソフトウェアを用いて半自動で調製し、２ｍｇ／ｍｌをサンプルの標的重量とし、ＰｏｌｙｍｅｒＣｈａｒ高温オートサンプラーを介して、予め窒素をスパージしたセプタキャップ付バイアルに溶媒（２００ｐｐｍのＢＨＴを含有）を添加した。サンプルを、「低速」振盪しながら摂氏１６０度で２時間溶解した。
【0078】
Ｍｎ（ＧＰＣ）、Ｍｗ（ＧＰＣ）、及びＭｚ（ＧＰＣ）の計算は、ＰｏｌｙｍｅｒＣｈａｒ ＧＰＣＯｎｅ（商標）ソフトウェア、各等間隔のデータ回収点（ｉ）におけるベースラインを差し引いたＩＲクロマトグラム、及び式１の点（ｉ）における狭い標準較正曲線から得られるポリエチレン等価分子量を使用して、式４～６によるＰｏｌｙｍｅｒＣｈａｒ ＧＰＣ－ＩＲクロマトグラフの内部ＩＲ５検出器（測定チャネル）を使用して、ＧＰＣ結果に基づいて行われた。式４～６は、以下のとおりである。
【数3】
【0079】
経時的な偏差を監視するために、ＰｏｌｙｍｅｒＣｈａｒ ＧＰＣ－ＩＲシステムで制御されたマイクロポンプを介して各サンプルに流量マーカー（デカン）を導入した。この流量マーカー（flowrate marker、ＦＭ）は、サンプル内のそれぞれのデカンピーク（ＲＶ（ＦＭサンプル））を狭い標準較正（ＲＶ（ＦＭ較正済み））内のデカンピークのものとＲＶ整合することによって各サンプルのポンプ流量（流量（見かけ））を直線的に補正するために使用された。その後、デカンマーカーピークのいかなる時間変化も、実験全体の流量（流量（実効））の線形シフトに関連すると仮定した。フローマーカーピークのＲＶ測定の最高精度を促進するために、最小二乗当てはめルーチンを使用して、フローマーカー濃度クロマトグラムのピークを二次方程式に当てはめた。その後、二次方程式の一次導関数を使用して、真のピーク位置を求めた。流量マーカピークに基づいてシステムを較正した後、（狭い標準較正に関して）有効流量を式７：流量（有効）＝流量（見かけ）＊（ＲＶ（ＦＭ較正済み）／ＲＶ（ＦＭ試料））（式７）のように計算する。
【0080】
フローマーカーピークの処理は、ＰｏｌｙｍｅｒＣｈａｒ ＧＰＣＯｎｅ（商標）ソフトウェアにより行われた。許容される流量補正では、有効流量が、見かけ流量の＋／－０．７％以内であるべきである。
【0081】
ＧＰＣデコンボリューション
ＧＰＣデータをデコンボリュートして、２つの分子量構成成分に対して最も可能性の高い適合を得た。使用されたアルゴリズムは、２つの最も可能性の高い分子量分布のデコンボリューション問題（プラス調整可能な誤差項）に対して最適化されている。マクロマーの組み込み及び反応器条件（すなわち、温度、濃度）の小さな変動に起因する、基礎となる分布の変数を許容するために、基底関数を修正し、正規分布項を組み込んだ。この用語は、それぞれの構成成分の基底関数を、分子量軸に沿って様々な度合に「不鮮明にする」ことを可能にする。利点は、限界（低ＬＣＢ、完全濃度及び温度制御）において、基底関数が単純で最も可能性の高いＦｌｏｒｙ分布になることである。
ＧＰＣデータをデコンボリュートして、２つの分子量構成成分に対して最も可能性の高い適合を得た。使用されたアルゴリズムは、２つの最も可能性の高い分子量分布のデコンボリューション問題（プラス調整可能な誤差項）に対して最適化されている。マクロマーの組み込み及び反応器条件（すなわち、温度、濃度）の小さな変動に起因する、基礎となる分布の変数を許容するために、基底関数を修正し、正規分布項を組み込んだ。この用語は、それぞれの構成成分の基底関数を、分子量軸に沿って様々な度合に「不鮮明にする」ことを可能にする。利点は、限界（低ＬＣＢ、完全濃度及び温度制御）において、基底関数が単純で最も可能性の高いＦｌｏｒｙ分布になることである。
【0082】
３つの構成成分（ｊ＝１、２、３）が導き出され、第３の構成成分（ｊ＝３）が調整可能な誤差項である。ＧＰＣデータは、正規化され、「Ｌｏｇ１０分子量ベクトルに対する重量分率」に正しく変換される必要がある。言い換えると、デコンボリューションに対するそれぞれのポテンシャル曲線は、高さが「Ｌｏｇ１０分子量」の既知の間隔で報告される高さベクトル、ｈｉからなるべきで、ｈｉ値が、溶出体積ドメインから「Ｌｏｇ１０分子量」ドメインに正しく変換されており、ｈｉ値が正規化される。更に、これらのデータはＭｉｃｒｏｓｏｆｔ ＥＸＣＥＬアプリケーションで利用できるようにする必要がある。デコンボリューションにはいくつかの仮定がたてられる。それぞれの構成成分、ｊは、パラメータσｊを使用し、正常又はガウス拡散関数を用いてコンボリュートされている最も可能性の高いＦｌｏｒｙ分布からなる。得られた３つの基底関数が、最小化ルーチンであるカイ二乗、Χ２中で使用され、ＧＰＣデータベクトル、ｈｉのｎポイントに最も良く適合するパラメータを特定する。
【数4】
【0083】
変数、ＣｕｍＮＤｊ，ｋは、パラメータを以下のように設定したＥＸＣＥＬ関数「ＮＯＲＭＤＩＳＴ（ｘ、ｍｅａｎ，ｓｔａｎｄａｒｄ＿ｄｅｖ，ｃｕｍｕｌａｔｉｖｅ）」を使用して計算される：ｘ＝μｊ＋（ｋ－１０）＊σｊ／３、ｍｅａｎ＝μｊ、ｓｔａｎｄａｒｄ ｄｅｖ＝σｊ、ｃｕｍｕｌａｔｉｖｅ＝ＴＲＵＥ。以下の表Ａは、それらの変数とそれらの定義を要約する。このタスクには、ＥＸＣＥＬソフトウェアアプリケーション、ＳＯＬＶＥＲの使用が適当である。ＳＯＬＶＥＲに制約を追加し、正しい最小化を保証する。
【0084】
【表1】
【0085】
カイ二乗最小化から導き出される８つのパラメータは、μ１、μ２、μ３、σ１、σ２、σ３、ｗ１、及びｗ２である。項ｗ３はその後、３つの構成要素の和が１に等しくなる必要があるため、ｗ１及びｗ２から導き出される。表Ｂは、ＥＸＣＥＬプログラムで使用されるＳＯＬＶＥＲ制約の要約である。
【0086】
【表2】
【0087】
ＳＯＬＶＥＲルーチンが、μｊのいずれも約０．００５未満の値に移動させないため、理解されるべきである追加の制約は、ＳＯＬＶＥＲが正しく初期化されている場合、制約が入力される必要がないにも関わらず、０超のμｊのみ許容される限界を含む。また、ｗｊが全て正であると理解される。この制約は、ＳＯＬＶＥＲの外部で処理され得る。ｗｊが、０．０＜Ｐ１＜Ｐ２＜１．０の時間間隔に沿った２つの点の選択から発生することが理解される場合、それにより、ｗ１＝Ｐ１、ｗ２＝Ｐ２－Ｐ１かつｗ３＝１．０－Ｐ２であり、次いで、Ｐ１及びＰ２の制約は、上記のｗｊに必要な制約と同等である。表Ｃは、Ｏｐｔｉｏｎｓタブ下のＳＯＬＶＥＲ設定の要約である。
【0088】
【表3】
【0089】
観察されたＧＰＣ分布の観察された重量平均、数平均、及びｚ平均分子量を与える２つの理想的なＦｌｏｒｙフロリー成分を仮定することにより、μ１、μ２、ｗ１、及びｗ２の値の第１の推測値を取得することができる。
【数5】
【0090】
次いで、μ１、μ２、ｗ１、及びｗ２の値が計算された。これらは、小さな誤差項、ｗ３を許容し、最小化ステップのためにＳＯＬＶＥＲに入力する前に表Ｂの制約を満たすように慎重に調整されるべきである。σｊの開始値は、全て０．０５に設定される。
【0091】
示差走査熱量測定法（Differential Scanning Calorimetry、ＤＳＣ）
示差走査熱量測定（ＤＳＣ）は、エチレン系（ethylene-based、ＰＥ）サンプル及びプロピレン系（propylene-based、ＰＰ）サンプルのＴｍ、Ｔｃ、Ｔｇ、及び結晶化度を測定するために使用される。各サンプル（０．５ｇ）を１９０℃、５０００ｐｓｉで２分間圧縮成形してフィルムにした。約５～８ｍｇのフィルムサンプルを秤量し、ＤＳＣ皿に入れた。蓋は、密閉雰囲気を確保するために皿上でクリンプした。サンプルのパンをＤＳＣセルに入れ、約１０℃／分の速度でＰＥについて１８０℃（ＰＰについて２３０℃）の温度まで加熱した。サンプルをこの温度で３分間保った。次に、サンプルを１０℃／分の速度でＰＥの場合は－９０℃（ＰＰについて－６０℃）に冷却し、その温度で３分間等温に維持した。次に、サンプルを、完全に溶融するまで１０℃／分の速度で加熱した（第２の加熱）。別段記載されない限り、各ポリマーの融点（melting point、Ｔｍ）及びガラス転移温度（Ｔｇ）は、第２の熱曲線から決定し、結晶化温度（Ｔｃ）は、第１の冷却曲線から決定した。Ｔｍ及びＴｃについてのそれぞれのピーク温度を記録した。第２の熱曲線から決定した融解熱（heat of fusion、Ｈｆ）を、ＰＥの場合２９２Ｊ／ｇの理論融解熱（ＰＰの場合１６５Ｊ／ｇ）で除算し、この量に１００を乗算することによって、結晶化度パーセントを計算することができる（例えば、結晶化度％＝（Ｈｆ／２９２Ｊ／ｇ）×１００（ＰＥの場合））。
示差走査熱量測定（ＤＳＣ）は、エチレン系（ethylene-based、ＰＥ）サンプル及びプロピレン系（propylene-based、ＰＰ）サンプルのＴｍ、Ｔｃ、Ｔｇ、及び結晶化度を測定するために使用される。各サンプル（０．５ｇ）を１９０℃、５０００ｐｓｉで２分間圧縮成形してフィルムにした。約５～８ｍｇのフィルムサンプルを秤量し、ＤＳＣ皿に入れた。蓋は、密閉雰囲気を確保するために皿上でクリンプした。サンプルのパンをＤＳＣセルに入れ、約１０℃／分の速度でＰＥについて１８０℃（ＰＰについて２３０℃）の温度まで加熱した。サンプルをこの温度で３分間保った。次に、サンプルを１０℃／分の速度でＰＥの場合は－９０℃（ＰＰについて－６０℃）に冷却し、その温度で３分間等温に維持した。次に、サンプルを、完全に溶融するまで１０℃／分の速度で加熱した（第２の加熱）。別段記載されない限り、各ポリマーの融点（melting point、Ｔｍ）及びガラス転移温度（Ｔｇ）は、第２の熱曲線から決定し、結晶化温度（Ｔｃ）は、第１の冷却曲線から決定した。Ｔｍ及びＴｃについてのそれぞれのピーク温度を記録した。第２の熱曲線から決定した融解熱（heat of fusion、Ｈｆ）を、ＰＥの場合２９２Ｊ／ｇの理論融解熱（ＰＰの場合１６５Ｊ／ｇ）で除算し、この量に１００を乗算することによって、結晶化度パーセントを計算することができる（例えば、結晶化度％＝（Ｈｆ／２９２Ｊ／ｇ）×１００（ＰＥの場合））。
【0092】
メルトインデックス
エチレン系ポリマーのメルトフローインデックスＩ２は、ＡＳＴＭ Ｄ－１２３８、条件１９０℃／２．１６ｋｇに従って、測定する（１９０℃／５．０ｋｇでのメルトインデックスＩ５、１９０℃／１０．０ｋｇでのメルトインデックスＩ１０、１９０℃／２１．０ｋｇでの高負荷メルトインデックスＩ２１）。プロピレン系ポリマーのメルトフローレート（melt flow rate、ＭＦＲ）－ＡＳＴＭ Ｄ－１２３８、条件２３０℃／２．１６ｋｇ。
エチレン系ポリマーのメルトフローインデックスＩ２は、ＡＳＴＭ Ｄ－１２３８、条件１９０℃／２．１６ｋｇに従って、測定する（１９０℃／５．０ｋｇでのメルトインデックスＩ５、１９０℃／１０．０ｋｇでのメルトインデックスＩ１０、１９０℃／２１．０ｋｇでの高負荷メルトインデックスＩ２１）。プロピレン系ポリマーのメルトフローレート（melt flow rate、ＭＦＲ）－ＡＳＴＭ Ｄ－１２３８、条件２３０℃／２．１６ｋｇ。
【0093】
ポリマー密度ポリマー密度は、ＡＳＴＭ Ｄ－７９２に従って測定する。
【0094】
実験
触媒、共触媒、ポリマー合成（アルファ組成物）、及び特性
ＢＰＰ触媒及び有用な共触媒を表１に列挙する。各アルファ組成物は、油圧で満たされ、定常状態条件で操作された１ガロンの重合反応器で調製された。触媒及び共触媒は、上に列挙されている。表１Ａ、表１Ｂ、及び表１Ｃに概説されるプロセス条件に従って、溶媒、水素、触媒、及び共触媒を反応器に供給して、アルファ組成物を生成した。溶媒は、ＥｘｘｏｎＭｏｂｉｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙによって供給されるＩＳＯＰＡＲ Ｅであった。反応器温度は、反応器の出口又はその近くで測定された。全体的な特性を表２～表４に示し、インターポリマー画分の分子量特性を表５に示す。
触媒、共触媒、ポリマー合成（アルファ組成物）、及び特性
ＢＰＰ触媒及び有用な共触媒を表１に列挙する。各アルファ組成物は、油圧で満たされ、定常状態条件で操作された１ガロンの重合反応器で調製された。触媒及び共触媒は、上に列挙されている。表１Ａ、表１Ｂ、及び表１Ｃに概説されるプロセス条件に従って、溶媒、水素、触媒、及び共触媒を反応器に供給して、アルファ組成物を生成した。溶媒は、ＥｘｘｏｎＭｏｂｉｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙによって供給されるＩＳＯＰＡＲ Ｅであった。反応器温度は、反応器の出口又はその近くで測定された。全体的な特性を表２～表４に示し、インターポリマー画分の分子量特性を表５に示す。
【0095】
【表4】
【0096】
【表5】
【0097】
【表6】
【0098】
【表7】
【0099】
【表8】
【0100】
【表9】
【0101】
【表10】
【0102】
【表11】
【0103】
図１は、本発明のアルファ組成物（ＰＯＥＡ、ＰＯＥＢ、ＰＯＥＣ、ＰＯＥＦ）及び２つの市販の樹脂（ＥＮＧＡＧＥ８４５７ポリオレフィンエラストマー及びＡＴＥＶＡ２８１０Ａ（ＥＶＡ（ベンチマーク樹脂））のＳＡＯＳ（１９０℃）プロファイルを示す。図１に見られるように、ＥＮＧＡＧＥ８４５７と比較して、本発明のアルファ組成物は、改善された加工性について、高剪断速度（Ｖ＞１０ｒａｄ／ｓで）でより低い粘度、及び改善された機械的強度のためにより低い剪断速度で（Ｖ＜１ｒａｄ／ｓで）より高い粘度を示す。本発明のサンプルの大部分はまた、ＡＴＥＶＡ２８１０Ａのものと比較して、優れた加工性について、同等又はより良好な剪断減粘性を示し、全てがより高い「低剪断粘度」を有する。各本発明の組成物は、優れた全体的な触媒効率を有する、コスト効率の高い１つの反応器合成において調製することができる。
【図1】
【手続補正書】
【提出日】2022-08-18
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１のエチレン／アルファ－オレフィン／インターポリマー画分及び第２のエチレン／アルファ－オレフィン／インターポリマー画分を含むアルファ組成物を調製するためのプロセスであって、前記プロセスは、１つの反応器中で、エチレン、アルファ－オレフィン、以下のａ）から選択される金属錯体、及び以下のｂ）から選択される金属錯体を含む反応混合物を重合することを含み、ａ）以下の構造１から選択されるビフェニルフェノール金属錯体：
【化1】
Ｍが、ジルコニウム（Ｚｒ）、又はハフニウム（Ｈｆ）から選択される金属であり、前記金属が、＋２、＋３、又は＋４の形式酸化状態にあり、
ｎが、０、１、又は２であり、
ｎが１である場合、Ｘは、単座配位子又は二座配位子であり、
ｎが２である場合、各Ｘは、独立して選択された単座配位子であり、
前記金属錯体は、全体的に電荷中性であり、
－Ｚ１－及び－Ｚ２－の各々は独立して、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（ＲＮ）－、又は－Ｐ（ＲＰ）－から選択され、
Ｒ１及びＲ８は独立して、－Ｈ、（Ｃ１～Ｃ４０）－ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、－Ｓｉ（ＲＣ）３、－Ｇｅ（ＲＣ）３、－Ｐ（ＲＰ）２、－Ｎ（ＲＮ）２、－ＯＲＣ、－ＳＲＣ、－ＮＯ２、－ＣＮ、－ＣＦ３、ＲＣＳ（Ｏ）－、ＲＣＳ（Ｏ）２－、（ＲＣ）２Ｃ＝Ｎ－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｏ－、ＲＣＯＣ（Ｏ）－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）－、（ＲＣ）２ＮＣ（Ｏ）－、ハロゲン、式（Ｉ）を有するラジカル、式（ＩＩ）を有するラジカル、及び式（ＩＩＩ）を有するラジカルからなる群から選択され、
【化2】
Ｒ２～７、Ｒ９～１６の各々は独立して、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、－Ｓｉ（ＲＣ）３、－Ｇｅ（ＲＣ）３、－Ｐ（ＲＰ）２、－Ｎ（ＲＮ）２、－Ｎ＝ＣＨＲＣ、－ＯＲＣ、－ＳＲＣ、－ＮＯ２、－ＣＮ、－ＣＦ３、ＲＣＳ（Ｏ）－、ＲＣＳ（Ｏ）２－、（ＲＣ）２Ｃ＝Ｎ－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｏ－、ＲＣＯＣ（Ｏ）－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｎ（ＲＮ）－、（ＲＣ）２ＮＣ（Ｏ）－、ハロゲン、又は－Ｈから選択され、
Ｌは、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビレン又は（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンであり、前記（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビレンは、１個の炭素原子～１０個の炭素原子のリンカー骨格を含み、構造１の２つのＺ基（Ｌが結合している）を連結する部分を有するか、又は前記（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンは、１個の炭素原子～１０個の炭素原子のリンカー骨格を含み、構造１の前記２つのＺ基を連結する部分を有し、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンの１個の原子～１０個の原子のリンカー骨格の１～１０個の原子の各々は独立して、炭素原子又はヘテロ原子基であり、各ヘテロ原子基は独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓ（Ｏ）、Ｓ（Ｏ）２、Ｓｉ（ＲＣ）２、Ｇｅ（ＲＣ）２、Ｐ（ＲＣ）、又はＮ（ＲＣ）であり、独立して、各ＲＣは、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル、又は（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビルであり、
構造１中の各ＲＰ、ＲＮ、及び残りのＲＣが独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビル、又は－Ｈである）、
ｂ）構造２から選択されるビフェニルフェノール金属錯体：
【化3】
Ｍが、Ｚｒ又はＨｆであり、前記金属が、＋２、＋３、又は＋４の形式酸化状態にあり、
ｎが、０、１、又は２であり、
ｎが１である場合、Ｘは、単座配位子又は二座配位子であり、
ｎが２である場合、各Ｘは、独立して選択された単座配位子であり、
前記金属錯体は、全体的に電荷中性であり、
－Ｚ１－及び－Ｚ２－の各々は独立して、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｎ（ＲＮ）－、又は－Ｐ（ＲＰ）－から選択され、
Ｒ１及びＲ８は独立して、－Ｈ、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、－Ｓｉ（ＲＣ）３、－Ｇｅ（ＲＣ）３、－Ｐ（ＲＰ）２、－Ｎ（ＲＮ）２、－ＯＲＣ、－ＳＲＣ、－ＮＯ２、－ＣＮ、－ＣＦ３、ＲＣＳ（Ｏ）－、ＲＣＳ（Ｏ）２－、（ＲＣ）２Ｃ＝Ｎ－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｏ－、ＲＣＯＣ（Ｏ）－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）－、（ＲＣ）２ＮＣ（Ｏ）－、ハロゲン、式（Ｉ）を有するラジカル、式（ＩＩ）を有するラジカル、及び式（ＩＩＩ）を有するラジカルからなる群から選択され、
【化4】
Ｒ２～７、Ｒ９～１６の各々が独立して、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、－Ｓｉ（ＲＣ）３、－Ｇｅ（ＲＣ）３、－Ｐ（ＲＰ）２、－Ｎ（ＲＮ）２、－Ｎ＝ＣＨＲＣ、－ＯＲＣ、－ＳＲＣ、－ＮＯ２、－ＣＮ、－ＣＦ３、ＲＣＳ（Ｏ）－、ＲＣＳ（Ｏ）２－、（ＲＣ）２Ｃ＝Ｎ－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｏ－、ＲＣＯＣ（Ｏ）－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｎ（ＲＮ）－、（ＲＣ）２ＮＣ（Ｏ）－、ハロゲン、又は－Ｈから選択され、
Ｙは、－（ＣＨ２）ｎ－（式中、ｎ＝０～２である）、－ＣＲａＲｂ－（式中、Ｒａ及びＲｂが各々独立して、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、又は－Ｈである）、－Ｇｅ（ＲＤ）２－又は－Ｓｉ（ＲＤ）２（式中、各ＲＤは独立して、－Ｈ、（Ｃ１～Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、－Ｓｉ（ＲＣ）３、－Ｇｅ（ＲＣ）３、－Ｐ（ＲＰ）２、－Ｎ（ＲＮ）２、－ＯＲＣ、－ＳＲＣ、－ＮＯ２、－ＣＮ、－ＣＦ３、ＲＣＳ（Ｏ）－、ＲＣＳ（Ｏ）２－、（ＲＣ）２Ｃ＝Ｎ－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｏ－、ＲＣＯＣ（Ｏ）－、ＲＣＣ（Ｏ）Ｎ（ＲＮ）－、及び（ＲＮ）２ＮＣ（Ｏ）－からなる群から選択される）のいずれかであり、
構造２中の各ＲＣ、ＲＰ、及びＲＮが独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビル、又は－Ｈである）、
ただし、構造１又は構造２のうちの１つについて、Ｒ１２及びＲ１３は、両方ともハロとすることができず、Ｒ１及びＲ８は各々、式（ＩＩ）を有するラジカルであり、式中、Ｒ４３＝Ｒ４６＝ｔ－Ｂｕであり、Ｒ４１～４２＝Ｒ４４～４５＝Ｒ４７～４８＝－Ｈであり、
ただし、構造１及び構造２は、Ｚ１とＺ２との間に同じＲ基、Ｚ基、Ｘ基（複数可）、及びリンカー基を有する場合、これらの構造は同じ金属（Ｍ）を有しないため、Ｍが１つの構造についてＨｆである場合、Ｍは他の構造についてＺｒである、プロセス。
【請求項2】
構造１について、Ｒ１及びＲ８は、同一であり、式（Ｉ）を有するラジカル、式（ＩＩ）を有するラジカル、及び式（ＩＩＩ）を有するラジカルからなる群から選択される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項3】
構造２について、Ｒ１及びＲ８は、同一であり、式（Ｉ）を有するラジカル、式（ＩＩ）を有するラジカル、及び式（ＩＩＩ）を有するラジカルからなる群から選択される、請求項１又は２に記載のプロセス。
【請求項4】
構造１について、Ｌは、ｉ）－ＣＨ２Ｓｉ（Ｒａ）（Ｒｂ）ＣＨ２－若しくは－ＣＨ２Ｇｅ（Ｒａ）（Ｒｂ）ＣＨ２－（式中、Ｒａ及びＲｂが各々独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル又は（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビルである）、
ｉｉ）１，３－ジメチルプロパン－１，３－ジイル、
ｉｉｉ）ビス（メチレン）シクロヘキサン－１，２－ジイル、
ｉｖ）プロパン－１，３－ジイル、又は
ブタン－１，４－ジイルから選択される、請求項１～３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項5】
構造２について、Ｙは、ｉ）－ＳｉＲｃＲｄ－、又は－ＧｅＲｃＲｄ－（式中、Ｒｃ及びＲｄが各々独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル又は（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビルである）、
ｉｉ）－（ＣＨ２）ｎ－（式中、ｎ＝０～２である）、又は
ｉｉｉ）－ＣＲａＲｂ－（式中、Ｒａ及びＲｂが各々、独立して、（Ｃ１～Ｃ３０）ヒドロカルビル、（Ｃ１～Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビル、又は－Ｈである）から選択される、請求項１～４のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項6】
構造１は、以下の構造１ａ～１ｃ：【化5】
【請求項7】
構造２は、以下の構造２ａ又は２ｂ：【化6】
【請求項8】
第１のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分及び第２のエチレン／アルファ－オレフィンインターポリマー画分を含むアルファ組成物を含む組成物であって、前記アルファ組成物が、以下の特性：ｉ）Ｍｚ／Ｍｎ≧８．０、
ｉｉ）０．８５５～０．８９０ｇ／ｃｃの密度、
ｉｉｉ）Ｖ１００（１９０℃）≦６００Ｐａ・ｓ、及び
ｉｖ）Ｖ０．１（１９０℃）≧４，０００Ｐａ・ｓを含む、組成物。
【請求項9】
請求項８に記載の組成物から形成された、架橋組成物。
【請求項10】
請求項８又は９に記載の組成物から形成された少なくとも１つの構成要素を含む、物品。【国際調査報告】