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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-03-03
(54)【発明の名称】加熱回路
(51)【国際特許分類】
H02M 7/538 20070101AFI20230224BHJP
H05B 3/00 20060101ALN20230224BHJP
【ＦＩ】
H02M7/538 A
H05B3/00 310C
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2022540723
(86)(22)【出願日】2020-12-29
(85)【翻訳文提出日】2022-06-30
(86)【国際出願番号】 CN2020141094
(87)【国際公開番号】W WO2021136306
(87)【国際公開日】2021-07-08
(31)【優先権主張番号】201911417898.1
(32)【優先日】2019-12-31
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(31)【優先権主張番号】201911417576.7
(32)【優先日】2019-12-31
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(31)【優先権主張番号】201911416405.2
(32)【優先日】2019-12-31
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】521007481
【氏名又は名称】▲広▼▲東▼美的白色家▲電▼技▲術▼▲創▼新中心有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＧＵＡＮＧＤＯＮＧ ＭＩＤＥＡ ＷＨＩＴＥ ＨＯＭＥ ＡＰＰＬＩＡＮＣＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＩＮＮＯＶＡＴＩＯＮ ＣＥＮＴＥＲ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｂｕｉｌｄｉｎｇ ＃４，Ｍｉｄｅａ Ｇｌｏｂａｌ Ｉｎｎｏｖａｔｉｏｎ Ｃｅｎｔｅｒ，Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ｂｏｕｌｅｖａｒｄ，Ｂｅｉｊｉａｏ，Ｓｈｕｎｄｅ Ｆｏｓｈａｎ，Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ ５２８３１１，ＣＨＩＮＡ
(71)【出願人】
【識別番号】512237419
【氏名又は名称】美的集団股▲フン▼有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＭＩＤＥＡ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．， ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｂ２６－２８Ｆ， Ｍｉｄｅａ Ｈｅａｄｑｕａｒｔｅｒ Ｂｕｉｌｄｉｎｇ， Ｎｏ．６ Ｍｉｄｅａ Ａｖｅｎｕｅ， Ｂｅｉｊｉａｏ， Ｓｈｕｎｄｅ， Ｆｏｓｈａｎ， Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ ５２８３１１ Ｃｈｉｎａ
(74)【代理人】
【識別番号】100141139
【弁理士】
【氏名又は名称】及川 周
(74)【代理人】
【識別番号】100205785
【弁理士】
【氏名又は名称】▲高▼橋 史生
(74)【代理人】
【識別番号】100203297
【弁理士】
【氏名又は名称】橋口 明子
(74)【代理人】
【識別番号】100175824
【弁理士】
【氏名又は名称】小林 淳一
(74)【代理人】
【識別番号】100135301
【弁理士】
【氏名又は名称】梶井 良訓
(72)【発明者】
【氏名】左 ▲遠▼洋
(72)【発明者】
【氏名】尹 坤任
(72)【発明者】
【氏名】侯 俊峰
(72)【発明者】
【氏名】▲呉▼ 梁浩
(72)【発明者】
【氏名】于 三▲營▼
【テーマコード（参考）】
3K058
5H770
【Ｆターム（参考）】
3K058CA02
5H770BA09
5H770DA01
5H770DA46
5H770HA19Z
5H770JA17Z
(57)【要約】
加熱回路は、インバータ回路（１１）、加熱素子（１２２）、検出素子（１２３）、第１電源（１３）及び第２電源（１４）を含み、第１電源（１３）、加熱素子（１２２）及びインバータ回路（１１）は、第１回路を形成し、第２電源（１４）、検出素子（１２３）及び加熱素子（１２２）は、第２回路を形成し、第１電源（１３）は、第１回路を介して加熱素子（１２２）に給電し、加熱素子（１２２）は、第１電源（１３）の給電に基づいて発熱し、第２電源（１４）は、第２回路を介して加熱素子（１２２）及び検出素子（１２３）に給電する。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
インバータ回路、少なくとも１つのサブ回路、第１電源及び第２電源を含む加熱回路であって、前記サブ回路は、スイッチモジュール、加熱素子及び検出素子を含み、
前記スイッチモジュールは、それぞれ前記加熱素子及び前記検出素子に接続され、
前記スイッチモジュールが第１スイッチ状態にある場合、前記第１電源、前記インバータ回路及び前記加熱素子は、第１オン回路になるように接続され、前記第１電源は、前記第１オン回路を介して前記加熱素子に給電し、前記加熱素子は、前記第１電源の給電に基づいて発熱し、
前記スイッチモジュールが第２スイッチ状態にある場合、前記第２電源、前記検出素子及び前記加熱素子は、第２オン回路になるように接続され、前記第２電源は、前記第２オン回路を介して前記加熱素子及び前記検出素子に給電する、加熱回路。
【請求項2】
前記スイッチモジュールは、第１スイッチ素子及び第２スイッチ素子を含み、前記第１スイッチ素子は、前記加熱素子に接続され、
前記第２スイッチ素子は、前記検出素子に接続され、
前記第１スイッチ素子がオンにされ、前記第２スイッチ素子がオフにされる場合、前記スイッチモジュールは、前記第１スイッチ状態にあり、
前記第１スイッチ素子がオフにされ、前記第２スイッチ素子がオンにされる場合、前記スイッチモジュールは、前記第２スイッチ状態にあることを特徴とする
請求項１に記載の加熱回路。
【請求項3】
前記スイッチモジュールは、前記加熱素子に接続される第１端と、
前記インバータ回路に接続される第２端と、
前記検出素子に接続される第３端と、を含み、
前記第１端が前記第２端に接続される場合、前記スイッチモジュールは、前記第１スイッチ状態にあり、
前記第１端が前記第３端に接続される場合、前記スイッチモジュールは、前記第２スイッチ状態にあることを特徴とする
請求項１に記載の加熱回路。
【請求項4】
前記サブ回路は、Ｎ個であり、Ｎ個のサブ回路は、並列接続され、前記Ｎは、１より大きい整数であることを特徴とする
請求項１に記載の加熱回路。
【請求項5】
前記サブ回路は、第１ＭＯＳトランジスタ及び第２ＭＯＳトランジスタを含み、前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインが前記第２電源に接続され、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースがそれぞれ前記第２ＭＯＳトランジスタのドレイン及び前記検出素子に接続され、
前記第２ＭＯＳトランジスタのソースは、接地点に接続されることを特徴とする
請求項１に記載の加熱回路。
【請求項6】
前記サブ回路は、第１コンデンサをさらに含み、前記第１コンデンサは、前記スイッチモジュールと前記検出素子との間に位置するように接続され、
前記第１コンデンサは、前記加熱素子の検出電流の交番周波数を制御するように構成されることを特徴とする
請求項１又は５に記載の加熱回路。
【請求項7】
前記検出素子は、第１抵抗及び第２抵抗を含み、前記サブ回路は、第３ＭＯＳトランジスタ及び第４ＭＯＳトランジスタを含み、前記第１抵抗は、前記第３ＭＯＳトランジスタのドレインと前記第２電源との間に接続され、
前記第２抵抗は、前記第４ＭＯＳトランジスタのソースと接地点との間に接続され、
前記第３ＭＯＳトランジスタのソースは、それぞれ前記第４ＭＯＳトランジスタのドレイン及び前記スイッチモジュールに接続され、
前記第２抵抗は、前記第２電源の給電に基づいて、前記加熱素子のインピーダンスを検出することを特徴とする
請求項１に記載の加熱回路。
【請求項8】
前記第１電源は、第１電圧を提供するための電源であり、前記第２電源は、第２電圧を提供するための電源であり、前記第１電圧は、前記第２電圧より大きいものであり、又は、
前記第１電源が前記第１オン回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は、第１電流であり、
前記第２電源が前記第２オン回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は、第２電流であり、
前記第１電流は、前記第２電流より大きいものであることを特徴とする
請求項１～５、７のいずれか１項に記載の加熱回路。
【請求項9】
前記インバータ回路は、第１ＩＧＢＴ及び第２ＩＧＢＴを含み、前記第１ＩＧＢＴのコレクタは、前記第１電源に接続され、前記第１ＩＧＢＴのエミッタは、それぞれ前記スイッチモジュール及び前記第２ＩＧＢＴのコレクタに接続され、
前記第２ＩＧＢＴのエミッタは、接地されることを特徴とする
請求項１に記載の加熱回路。
【請求項10】
前記加熱回路は、第２コンデンサをさらに含み、前記第２コンデンサは、前記加熱素子と接地点との間に接続され、
前記スイッチモジュールが前記第１スイッチ状態にある場合、前記第２コンデンサは、前記加熱素子の加熱電流の交番周波数を制御するように構成され、
前記スイッチモジュールが前記第２スイッチ状態にある場合、前記第２コンデンサは、前記加熱素子の検出電流の交番周波数を制御するように構成されることを特徴とする
請求項１に記載の加熱回路。
【請求項11】
インバータ回路、少なくとも１つのサブ回路、第１電源及び第２電源を含む加熱回路であって、前記サブ回路は、第１スイッチ素子、第２スイッチ素子、加熱素子及び検出素子を含み、
前記加熱素子及び前記検出素子は、第１ノードと第２ノードとの間に並列接続され、前記第１ノードは、前記第１電源に接続され、前記第１スイッチ素子は、前記第１ノードと前記第１電源との接続に位置し、前記第２ノードは、接地点に接続され、前記第２スイッチ素子は、前記第２ノードと前記接地点との間に位置し、
前記第１スイッチ素子がオンにされ、前記第２スイッチ素子がオンにされる場合、前記第１電源、前記インバータ回路及び前記加熱素子は、第１オン回路になるように接続され、前記第１電源は、前記第１オン回路を介して前記加熱素子に給電し、前記加熱素子は、前記第１電源の給電に基づいて発熱し、
前記第１スイッチ素子がオフにされ、前記第２スイッチ素子がオフにされる場合、前記第２電源、前記検出素子及び前記加熱素子は、第２オン回路になるように接続され、前記第２電源は、前記第２オン回路を介して前記加熱素子及び前記検出素子に給電する、加熱回路。
【請求項12】
前記サブ回路はＮ個であり、Ｎ個のサブ回路は、並列接続され、前記Ｎは１より大きい整数であることを特徴とする
請求項１１に記載の加熱回路。
【請求項13】
前記サブ回路は、第３スイッチ素子をさらに含み、前記第３スイッチ素子は、前記第１ノードと前記検出素子との間に接続され、
前記第１スイッチ素子がオンにされ、前記第２スイッチ素子がオンにされ、そして前記第３スイッチ素子がオフにされる場合、前記第１電源、前記インバータ回路及び前記加熱素子は、前記第１オン回路になるように接続され、
前記第１スイッチ素子がオフにされ、前記第２スイッチ素子がオフにされ、そして前記第３スイッチ素子がオンにされる場合、前記第２電源、前記検出素子及び前記加熱素子は、前記第２オン回路になるように接続されることを特徴とする
請求項１１に記載の加熱回路。
【請求項14】
前記第１スイッチ素子は、前記加熱素子に接続される第１端と、
前記インバータ回路に接続される第２端と、
前記検出素子に接続される第３端と、を含み、
前記第１端が前記第２端に接続され、前記第２スイッチ素子がオンにされる場合、前記第１電源、前記インバータ回路及び前記加熱素子は、前記第１オン回路になるように接続され、
前記第１端が前記第３端に接続され、前記第２スイッチ素子がオフにされる場合、前記第２電源、前記検出素子及び前記加熱素子は、前記第２オン回路になるように接続されることを特徴とする
請求項１１に記載の加熱回路。
【請求項15】
前記第１電源は、第１電圧を提供するための電源であり、前記第２電源は、第２電圧を提供するための電源であり、前記第１電圧は、前記第２電圧より大きいものであり、又は、
前記第１電源が前記第１オン回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は、第１電流であり、
前記第２電源が前記第２オン回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は、第２電流であり、
前記第１電流は前記第２電流より大きいものであることを特徴とする
請求項１１～１４のいずれか１項に記載の加熱回路。
【請求項16】
前記サブ回路は、第１ＭＯＳトランジスタ、第２ＭＯＳトランジスタをさらに含み、前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは、前記第２電源に接続され、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースは、それぞれ前記第２ＭＯＳトランジスタのドレイン及び前記第１スイッチ素子に接続され、
前記第２ＭＯＳトランジスタのソースは、それぞれ前記接地点及び前記検出素子に接続されることを特徴とする
請求項１１に記載の加熱回路。
【請求項17】
前記サブ回路は、第１コンデンサをさらに含み、前記第１コンデンサは、前記第２ノードと前記検出素子との間に接続され、前記第１コンデンサは、前記加熱素子の検出電流の交番周波数を制御するように構成されることを特徴とする
請求項１１又は１６に記載の加熱回路。
【請求項18】
前記インバータ回路は、第１ＩＧＢＴ及び第２ＩＧＢＴを含み、前記第１ＩＧＢＴのコレクタは、前記第１電源に接続され、前記第１ＩＧＢＴのエミッタは、前記第２ＩＧＢＴのコレクタに接続され、前記第２ＩＧＢＴのエミッタは、接地され、
前記第１スイッチ素子は、前記第１ＩＧＢＴのエミッタに接続され、前記第２スイッチ素子は、前記第１ＩＧＢＴのコレクタに接続されることを特徴とする
請求項１１に記載の加熱回路。
【請求項19】
前記加熱回路は、第２コンデンサ及び第３コンデンサをさらに含み、前記第２コンデンサは、前記第１電源と前記第２スイッチ素子との間に接続され、
前記第３コンデンサは、前記第２コンデンサと前記接地点との間に接続され、
前記第２コンデンサ及び前記第３コンデンサは、前記加熱素子の加熱電流の交番周波数を共同で制御するように構成されることを特徴とする
請求項１１に記載の加熱回路。
【請求項20】
インバータ回路、第１スイッチ部品、第２スイッチ部品、加熱素子、検出回路、第１電源及び第２電源を含む加熱回路であって、前記第１スイッチ部品の第１端は、前記加熱素子の第１端に接続され、前記第１スイッチ部品の第２端は、前記インバータ回路の第１端に接続され、前記第１スイッチ部品の第３端は、前記検出回路の第１端に接続され、
前記第２スイッチ部品の第１端は、前記加熱素子の第２端に接続され、前記第２スイッチ部品の第２端は、前記インバータ回路の第２端に接続され、前記第２スイッチ部品の第３端は、前記検出回路の第２端に接続され、
前記第１スイッチ部品の第１端が前記第１スイッチ部品の第２端に接続され、前記第２スイッチ部品の第１端が前記第２スイッチ部品の第２端に接続される場合、前記第１電源、前記加熱素子及び前記インバータ回路は、第１回路を形成し、前記第１電源は、前記第１回路を介して前記加熱素子に給電し、前記加熱素子は、前記第１電源の給電に基づいて発熱し、
前記第１スイッチ部品の第１端が前記第１スイッチ部品の第３端に接続され、前記第２スイッチ部品の第１端が前記第２スイッチ部品の第３端に接続される場合、前記第２電源、前記検出回路及び前記加熱素子は、第２回路を形成し、前記第２電源は、前記第２回路を介して前記加熱素子及び前記検出回路に給電する、加熱回路。
【請求項21】
前記第１電源は、第１電圧を取得するための電源であり、前記第２電源は、第２電圧を取得するための電源であり、前記第１電圧は、前記第２電圧より大きいものであり、又は、
前記第１電源が前記第１回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は、第１電流であり、
前記第２電源が前記第２回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は、第２電流であり、
前記第１電流は前記第２電流より大きいものであることを特徴とする
請求項２０に記載の加熱回路。
【請求項22】
前記加熱回路は、第１制御回路及び第２制御回路を含み、前記第１制御回路は、前記第１スイッチ部品の第１端と前記第１スイッチ部品の第２端とをオンにする第１制御信号を発信するように構成され、又は、前記第１スイッチ部品の第１端と前記第１スイッチ部品の第３端とをオンにする第２制御信号を発信するように構成されるために、前記第１スイッチ部品に接続されており、
前記第２制御回路は、前記第２スイッチ部品の第１端と前記第２スイッチ部品の第２端とをオンにする第３制御信号を発信するように構成され、又は、前記第２スイッチ部品の第１端と前記第２スイッチ部品の第３端とをオンにする第４制御信号を発信するように構成されるために、前記第２スイッチ部品に接続されていることを特徴とする
請求項２０に記載の加熱回路。
【請求項23】
前記第１スイッチ部品は、単極双投リレーを含み、前記第２スイッチ部品は、単極双投リレーを含むことを特徴とする請求項２０に記載の加熱回路。
【請求項24】
前記検出回路は、第１ＭＯＳトランジスタ、第２ＭＯＳトランジスタ及び第１抵抗を含み、前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは、前記第２電源に接続され、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースは、それぞれ第２ＭＯＳトランジスタのドレイン及び前記第１スイッチ部品の第３端に接続され、
前記第２ＭＯＳトランジスタのソースは、接地され、前記第２ＭＯＳトランジスタのソースは、さらに前記第１抵抗の第１端に接続され、
前記第１抵抗の第２端は、前記第２スイッチ部品の第３端に接続されることを特徴とする
請求項２０に記載の加熱回路。
【請求項25】
前記検出回路は、第１コンデンサ、第２コンデンサ及び第２抵抗を含み、前記第１コンデンサの第１端は、前記第２電源に接続され、前記第１コンデンサの第２端は、それぞれ前記第２コンデンサの第１端及び前記第１スイッチ部品の第３端に接続され、
前記第２コンデンサの第２端は、接地され、前記第２コンデンサの第２端は、さらに前記第２抵抗の第１端に接続され、
前記第２抵抗の第２端は、前記第２スイッチ部品の第３端に接続されることを特徴とする
請求項２０に記載の加熱回路。
【請求項26】
前記インバータ回路は、第１ＩＧＢＴ及び第２ＩＧＢＴを含み、前記第１ＩＧＢＴのコレクタは、前記第１電源に接続され、前記第１ＩＧＢＴのエミッタは、前記第２ＩＧＢＴのコレクタに接続され、前記第２ＩＧＢＴのエミッタは、接地され、
前記第１スイッチ部品の第１端は、前記第１ＩＧＢＴのエミッタに接続され、前記第２スイッチ部品の第２端は、前記第１ＩＧＢＴのコレクタに接続されることを特徴とする
請求項２０に記載の加熱回路。
【請求項27】
前記加熱回路は、第３コンデンサ及び第４コンデンサをさらに含み、前記第３コンデンサは、前記第１電源と前記第２スイッチ部品の第２端との間に接続され、
前記第４コンデンサの第１端は、前記第２スイッチ部品の第２端に接続され、前記第４コンデンサの第２端は、接地され、
前記第３コンデンサ及び前記第４コンデンサは、前記加熱素子の加熱電流の交番周波数を共同で制御するように構成されることを特徴とする
請求項２０に記載の加熱回路。
【請求項28】
インバータ回路、第１スイッチ部品、第２スイッチ部品、加熱素子、検出回路、第１電源及び第２電源を含む加熱回路であって、前記第１スイッチ部品は、第１サブスイッチ部品及び第２サブスイッチ部品を含み、前記第２スイッチ部品は、第３サブスイッチ部品及び第４サブスイッチ部品を含み、
前記第１サブスイッチ部品の第１端は、前記加熱素子の第１端に接続され、前記第１サブスイッチ部品の第２端は、前記インバータ回路の第１端に接続され、前記第２サブスイッチ部品の第１端は、前記加熱素子の第１端に接続され、前記第２サブスイッチ部品の第２端は、前記検出回路の第１端に接続され、
前記第３サブスイッチ部品の第１端は、前記加熱素子の第２端に接続され、前記第３サブスイッチ部品の第２端は、前記インバータ回路の第２端に接続され、前記第４サブスイッチ部品の第１端は、前記加熱素子の第２端に接続され、前記第４サブスイッチ部品の第２端は、前記検出回路の第２端に接続され、
前記第１サブスイッチ部品がオンにされ、前記第２サブスイッチ部品がオフにされ、前記第３サブスイッチ部品がオンにされ、そして第４スイッチ部品がオフにされる場合、前記第１電源、前記インバータ回路及び前記加熱素子は、第１回路を形成し、前記第１電源は、前記第１回路を介して前記加熱素子に給電し、前記加熱素子は、前記第１電源の給電に基づいて発熱し、
前記第１サブスイッチ部品がオフにされ、前記第２サブスイッチ部品がオンにされ、前記第３サブスイッチ部品がオフにされ、そして第４スイッチ部品がオンにされる場合、前記第２電源は、前記第２回路を介して前記加熱素子及び前記検出回路に給電する、加熱回路。
【請求項29】
前記検出回路は、第１コンデンサ、第２コンデンサ及び第１抵抗を含み、前記第１コンデンサの第１端は、前記第２電源に接続され、前記第１コンデンサの第２端は、それぞれ前記第２サブスイッチ部品の第２端及び前記第２コンデンサの第１端に接続され、
前記第２コンデンサの第２端は、接地され、前記第２コンデンサの第２端は、さらに前記第１抵抗の第１端に接続され、
前記第１抵抗の第２端は、前記第４サブスイッチ部品の第２端に接続されることを特徴とする
請求項２８に記載の加熱回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
（関連出願の相互参照）
本願は、２０１９年１２月３１日に提出された出願番号が２０１９１１４１６４０５．２である中国特許出願、２０１９年１２月３１日に提出された出願番号が２０１９１１４１７５７６．７である中国特許出願、及び２０１９年１２月３１日に提出された出願番号が２０１９１１４１７８９８．１である中国特許出願に基づいて提出され、そしてこれらの中国特許出願に基づいく優先権を主張し、これらの中国特許の全ての内容が参照として本願に組み込まれる。
本願は、２０１９年１２月３１日に提出された出願番号が２０１９１１４１６４０５．２である中国特許出願、２０１９年１２月３１日に提出された出願番号が２０１９１１４１７５７６．７である中国特許出願、及び２０１９年１２月３１日に提出された出願番号が２０１９１１４１７８９８．１である中国特許出願に基づいて提出され、そしてこれらの中国特許出願に基づいく優先権を主張し、これらの中国特許の全ての内容が参照として本願に組み込まれる。
【0002】
本願は電子技術分野に関し、特に加熱回路に関する。
【背景技術】
【0003】
家電を加熱する前に、家電の加熱素子のインピーダンスを検出して前記加熱素子に鍋等の調理装置が存在するか否かを決定することができ、それにより、加熱素子に調理装置等が存在しないときに加熱が行われる状況の発生を低減させることができる。一方、加熱電流を提供するための加熱回路と、加熱素子に調理装置等が存在するか否かを検出するための検出回路はいずれも、加熱素子に接続される必要がある。このように、加熱回路と検出回路は相互に影響を及ぼして、加熱素子のインピーダンスを検出する結果が不正確であり、又は加熱素子の加熱電流が大きすぎる等の状況が発生することになる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
これに鑑みて、本願の実施例は加熱回路を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本願の実施例の技術解決策は以下のように実現される。
【0006】
本願の実施例は加熱回路を提供し、前記加熱回路はインバータ回路、少なくとも１つのサブ回路、第１電源及び第２電源を含み、ここで、前記サブ回路はスイッチモジュール、加熱素子及び検出素子を含み、
前記スイッチモジュールはそれぞれ前記加熱素子及び前記検出素子に接続され、
前記スイッチモジュールが第１スイッチ状態にある場合、前記第１電源、前記インバータ回路及び前記加熱素子は第１オン回路になるように接続され、前記第１電源は前記第１オン回路を介して前記加熱素子に給電し、前記加熱素子は前記第１電源の給電に基づいて発熱し、
前記スイッチモジュールが第２スイッチ状態にある場合、前記第２電源、前記検出素子及び前記加熱素子は第２オン回路になるように接続され、前記第２電源は前記第２オン回路を介して前記加熱素子及び前記検出素子に給電する。
前記スイッチモジュールはそれぞれ前記加熱素子及び前記検出素子に接続され、
前記スイッチモジュールが第１スイッチ状態にある場合、前記第１電源、前記インバータ回路及び前記加熱素子は第１オン回路になるように接続され、前記第１電源は前記第１オン回路を介して前記加熱素子に給電し、前記加熱素子は前記第１電源の給電に基づいて発熱し、
前記スイッチモジュールが第２スイッチ状態にある場合、前記第２電源、前記検出素子及び前記加熱素子は第２オン回路になるように接続され、前記第２電源は前記第２オン回路を介して前記加熱素子及び前記検出素子に給電する。
【0007】
本願の実施例に提供される加熱回路によれば、スイッチモジュールがそれぞれ加熱素子及び検出素子に接続されることにより、スイッチモジュールが第１スイッチ状態にある場合、前記第１電源、前記インバータ回路及び前記加熱素子は第１オン回路（即ち加熱回路）になるように接続され、前記第１電源は前記第１オン回路を介して前記加熱素子に給電し、前記加熱素子は前記第１電源の給電に基づいて発熱することが実現され、そして、スイッチモジュールが第２スイッチ状態にある場合、前記第２電源、前記検出素子及び前記加熱素子は第２オン回路（即ち検出回路）になるように接続され、前記第２電源は前記第２オン回路を介して前記加熱素子及び前記検出素子に給電することが実現される。
【0008】
このように、本願の実施例では、前記加熱回路が前記加熱素子を加熱するときに前記検出素子を検出ぜず、又は前記加熱回路が前記検出素子を検出ときに前記加熱素子を加熱しないようにすることにより、前記第１オン回路と前記第２オン回路とが互いに影響しないようにすることができる。つまり、本願の実施例では、前記加熱回路が前記加熱素子を加熱するときに前記第２電源の影響を受けず、第２電源が前記加熱素子を加熱することによる前記加熱素子の電流が大きすぎる状況の発生を大幅に低減させ、又は前記加熱回路が前記加熱素子に対してインピーダンスを検出するときに第１電源の影響を受けず、それにより前記加熱素子にインピーダンスが存在することを検出する正確性を向上させることができる。
【0009】
本願の実施例はさらに加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路、少なくとも１つのサブ回路、第１電源及び第２電源を含み、ここで、前記サブ回路は、第１スイッチ素子、第２スイッチ素子、加熱素子及び検出素子を含み、
前記加熱素子及び前記検出素子は、第１ノードと第２ノードとの間に並列接続され、前記第１ノードは前記第１電源に接続され、ここで、前記第１スイッチ素子は前記第１ノードと前記第１電源との接続に位置し、前記第２ノードは接地点に接続され、ここで、前記第２スイッチ素子は前記第２ノードと前記接地点との間に位置し、
前記第１スイッチ素子がオンにされ、前記第２スイッチ素子がオンにされる場合、前記第１電源、前記インバータ回路及び前記加熱素子は第１オン回路になるように接続され、前記第１電源は前記第１オン回路を介して前記加熱素子に給電し、前記加熱素子は前記第１電源の給電に基づいて発熱し、
前記第１スイッチ素子がオフにされ、前記第２スイッチ素子がオフにされる場合、前記第２電源、前記検出素子及び前記加熱素子は第２オン回路になるように接続され、前記第２電源は前記第２オン回路を介して前記加熱素子及び前記検出素子に給電する。
前記加熱素子及び前記検出素子は、第１ノードと第２ノードとの間に並列接続され、前記第１ノードは前記第１電源に接続され、ここで、前記第１スイッチ素子は前記第１ノードと前記第１電源との接続に位置し、前記第２ノードは接地点に接続され、ここで、前記第２スイッチ素子は前記第２ノードと前記接地点との間に位置し、
前記第１スイッチ素子がオンにされ、前記第２スイッチ素子がオンにされる場合、前記第１電源、前記インバータ回路及び前記加熱素子は第１オン回路になるように接続され、前記第１電源は前記第１オン回路を介して前記加熱素子に給電し、前記加熱素子は前記第１電源の給電に基づいて発熱し、
前記第１スイッチ素子がオフにされ、前記第２スイッチ素子がオフにされる場合、前記第２電源、前記検出素子及び前記加熱素子は第２オン回路になるように接続され、前記第２電源は前記第２オン回路を介して前記加熱素子及び前記検出素子に給電する。
【0010】
本願の実施例に提供される加熱回路によれば、第１スイッチ素子及び第２スイッチ素子のオンの有無により、第１電源、インバータ回路及び加熱素子によって接続された第１オン回路のオン、又は第２電源、検出素子及び前記加熱素子によって接続された第２オン回路のオンを実現する（即ち、前記第１オン回路と前記第２オン回路との相互分離を実現する）。このように、第２電源が前記第２オン回路を介して前記加熱素子を検出するときに第１電源の影響を受けず、前記加熱素子にインピーダンスが存在するか否かを検出する正確性を向上させる。そして、第１電源が前記第１オン回路を介して前記加熱素子を加熱するときにも第２電源の影響を受けず、第２電源が前記加熱素子を加熱することによる前記加熱素子の電流が大きすぎる影響を大幅に低減させる。
【0011】
本願の実施例はさらに加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路、第１スイッチ部品、第２スイッチ部品、加熱素子、検出回路、第１電源及び第２電源を含み、ここで、
前記第１スイッチ部品の第１端は前記加熱素子の第１端に接続され、前記第１スイッチ部品の第２端は前記インバータ回路の第１端に接続され、前記第１スイッチ部品の第３端は前記検出回路の第１端に接続され、
前記第２スイッチ部品の第１端は前記加熱素子の第２端に接続され、前記第２スイッチ部品の第２端は前記インバータ回路の第２端に接続され、前記第２スイッチ部品の第３端は前記検出回路の第２端に接続され、
前記第１スイッチ部品の第１端が前記第１スイッチ部品の第２端に接続され、前記第２スイッチ部品の第１端が前記第２スイッチ部品の第２端に接続される場合、前記第１電源、前記加熱素子及び前記インバータ回路は第１回路を形成し、前記第１電源は前記第１回路を介して前記加熱素子に給電し、前記加熱素子は前記第１電源の給電に基づいて発熱し、
前記第１スイッチ部品の第１端が前記第１スイッチ部品の第３端に接続され、前記第２スイッチ部品の第１端が前記第２スイッチ部品の第３端に接続される場合、前記第２電源、前記検出回路及び前記加熱素子は第２回路を形成し、前記第２電源は前記第２回路を介して前記加熱素子及び前記検出回路に給電する。
前記第１スイッチ部品の第１端は前記加熱素子の第１端に接続され、前記第１スイッチ部品の第２端は前記インバータ回路の第１端に接続され、前記第１スイッチ部品の第３端は前記検出回路の第１端に接続され、
前記第２スイッチ部品の第１端は前記加熱素子の第２端に接続され、前記第２スイッチ部品の第２端は前記インバータ回路の第２端に接続され、前記第２スイッチ部品の第３端は前記検出回路の第２端に接続され、
前記第１スイッチ部品の第１端が前記第１スイッチ部品の第２端に接続され、前記第２スイッチ部品の第１端が前記第２スイッチ部品の第２端に接続される場合、前記第１電源、前記加熱素子及び前記インバータ回路は第１回路を形成し、前記第１電源は前記第１回路を介して前記加熱素子に給電し、前記加熱素子は前記第１電源の給電に基づいて発熱し、
前記第１スイッチ部品の第１端が前記第１スイッチ部品の第３端に接続され、前記第２スイッチ部品の第１端が前記第２スイッチ部品の第３端に接続される場合、前記第２電源、前記検出回路及び前記加熱素子は第２回路を形成し、前記第２電源は前記第２回路を介して前記加熱素子及び前記検出回路に給電する。
【0012】
本願の実施例に提供される加熱回路によれば、インバータ回路と加熱素子と間の第１スイッチ部品及び第２スイッチ部品のオンの有無により、第１電源、インバータ回路及び加熱素子によって接続された第１回路のオン、又は第２電源、検出回路及び前記加熱素子によって接続された第２回路のオンを実現し、それにより、前記第１回路がオンにされるときに前記第２回路がオンにされなく、第２回路がオンにされるときに前記第１回路がオンにされない（即ち、前記第１回路と前記第２回路とは互いに分離される）。このように、第２電源が前記第２回路を介して前記加熱素子を検出するときに第１電源の影響を受けず、前記加熱素子のインピーダンスを検出する正確性を向上させる。そして、第１電源が前記第１回路を介して前記加熱素子を加熱するときにも第２電源の影響を受けず、第２電源が前記加熱素子を加熱することによる前記加熱素子の電流が大きすぎる状況の発生を大幅に低減させる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】本願の実施例に係る加熱回路の選択可能な構成模式図。
【図2】本願の実施例に係る加熱回路の選択可能な構成模式図。
【図3】本願の実施例に係る加熱回路の選択可能な構成模式図。
【図4】本願の実施例に係る加熱回路の選択可能な構成模式図。
【図5】本願の実施例に係る加熱回路の模式図。
【図6】本願の実施例に係る加熱回路の模式図。
【図7】本願の実施例に係る加熱回路の選択可能な構成模式図。
【図8】本願の実施例に係る加熱回路の選択可能な構成模式図。
【図9】本願の実施例に係る加熱回路の選択可能な構成模式図。
【図10】本願の実施例に係る加熱回路の選択可能な構成模式図。
【図11】本願の実施例に係る加熱回路の模式図。
【図12】本願の実施例に係る加熱回路の模式図。
【図13】本願の実施例に係る加熱回路の選択可能な構成模式図。
【図14】本願の実施例に係る加熱回路の選択可能な構成模式図。
【図15】本願の実施例に係る加熱回路の選択可能な構成模式図。
【図16】本願の実施例に係る加熱回路における検出回路の模式図。
【図17】本願の実施例に係る加熱回路における検出回路の模式図。
【図18】本願の実施例に係る加熱回路の模式図。
【図19】本願の実施例に係る加熱回路の模式図。
【図20】本願の実施例に係る加熱回路の選択可能な構成模式図。
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、図面及び実施例を参照しながら本願をさらに詳しく説明する。ここで説明された具体的な実施例は本願を解釈するためのものに過ぎず、本願を限定するためのものでないことが理解されるべきである。
【0015】
特に定義しない限り、本明細書に使用される全ての技術的用語及び科学的用語は、当業者が一般的に理解する意味と同じである。本願の明細書に使用される用語は具体的な実施例を説明するための目的だけであり、本願を限定するものではない。本明細書に使用される「及び／又は」である用語は、１つ又は複数の関連する挙げられた項目の任意及び全ての組み合わせを含む。ここでの複数は２つ以上である。本願の説明において、特に明確に規定及び限定しない限り、「取り付け」、「連なる」、「接続」である用語は広義に理解すべきであり、例えば、固定接続であってもよく、着脱可能な接続であってもよく、又は一体的に接続されてもよく、直接接続してもよいし、中間媒介を介して間接的に接続してもよいし、両素子内部の連通であってもよい。当業者であれば、具体的な状況に応じて本願における上記用語の具体的な意味を理解することができる。
【0016】
図１に示すように、本願の実施例は加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路１１、少なくとも１つのサブ回路１２、第１電源１３及び第２電源１４を含み、ここで、前記サブ回路は、スイッチモジュール１２１、加熱素子１２２及び検出素子１２３を含み、
前記スイッチモジュール１２１はそれぞれ前記加熱素子１２２及び前記検出素子１２３に接続され、
前記スイッチモジュール１２１が第１スイッチ状態にある場合、前記第１電源１３、前記インバータ回路１１及び前記加熱素子１２２は第１オン回路になるように接続され、前記第１電源は前記第１オン回路を介して前記加熱素子に給電し、前記加熱素子は前記第１電源の給電に基づいて発熱し、
前記スイッチモジュール１２１が第２スイッチ状態にある場合、前記第２電源１４、前記検出素子１２３及び前記加熱素子１２２は第２オン回路になるように接続され、前記第２電源１４は前記第２オン回路を介して前記加熱素子１２２及び前記検出素子１２３に給電する。
前記スイッチモジュール１２１はそれぞれ前記加熱素子１２２及び前記検出素子１２３に接続され、
前記スイッチモジュール１２１が第１スイッチ状態にある場合、前記第１電源１３、前記インバータ回路１１及び前記加熱素子１２２は第１オン回路になるように接続され、前記第１電源は前記第１オン回路を介して前記加熱素子に給電し、前記加熱素子は前記第１電源の給電に基づいて発熱し、
前記スイッチモジュール１２１が第２スイッチ状態にある場合、前記第２電源１４、前記検出素子１２３及び前記加熱素子１２２は第２オン回路になるように接続され、前記第２電源１４は前記第２オン回路を介して前記加熱素子１２２及び前記検出素子１２３に給電する。
【0017】
本願の実施例では、前記検出素子１２３は前記第２電源１４の給電に基づいて、前記加熱素子１２２のインピーダンスを検出する。ここで、検出したインピーダンスは、前記第１電源１３から前記加熱素子１２２への給電を制御するように構成される。
【0018】
ここで、前記加熱素子１２２は、コイル、電熱線、電熱板、電熱棒及び電熱シートのうちの少なくとも１つを含むが、それらに限定されない。
【0019】
ここで、前記検出素子１２３は抵抗を含んでもよい。
【0020】
例えば、前記加熱素子は電磁調理器におけるコイルである。前記スイッチモジュールが第２スイッチ状態にある場合、前記加熱回路の第２オン回路がオンにされ、前記第２電源が前記コイル及び前記検出素子に給電する。電流計を利用して第２オン回路の電流を検出し、検出した電流を所定の電流と比較することにより、前記電磁調理器のコイルに一定のインピーダンスを有する調理装置が存在するか否かを決定することができる。ここで、前記所定の電流は前記コイルに調理装置が存在しないときの検出電流である。又は、前記検出素子が抵抗である場合、電圧計を利用して前記抵抗の両端の電圧を検出し、前記検出した電圧と所定の電圧との比較に基づいて、前記電磁調理器のコイルに一定のインピーダンスを有する調理装置が存在するか否かを決定することができる。ここで、前記所定の電圧はコイルに調理装置が存在しないときの検出電圧である。前記コイルに一定のインピーダンスを有する調理装置が存在すると決定した場合、前記スイッチモジュールを第１スイッチ状態にする（前記第１オン回路がオンにされる）ことにより、前記第１電源を利用して前記電磁調理器を加熱することができる。
【0021】
ここで、前記加熱素子は、１つ又は複数であってよもい。
【0022】
一実施例では、前記加熱素子は複数であり、複数の前記加熱素子は直列接続される。
【0023】
別の実施例では、前記加熱素子は複数であり、複数の前記加熱素子は前記インバータ回路と前記スイッチモジュールとの間に並列接続される。ここで、各前記加熱素子はさらに１つのスイッチ素子に接続されてもよい。ここで、前記スイッチ素子は前記加熱素子と前記スイッチモジュールとの間に接続される。
【0024】
ここで、前記スイッチモジュールはスイッチ機能を有するモジュールである。ここで、前記スイッチモジュールが第１スイッチ状態にある場合、前記第１電源、前記インバータ回路及び前記加熱素子は第１オン回路になるように接続されることができ、前記スイッチモジュールが第２スイッチ状態にある場合、前記第２電源、前記検出素子及び前記加熱素子は第２オン回路になるように接続されることができる。
【0025】
ここで、前記インバータ回路は、第１電源による直流信号を交流信号に変換し、例えば、入力された直流信号を周波数が所定の値より高い高周波電気信号に変換するように構成される。
【0026】
このように、本願の実施例では、前記加熱回路が前記加熱素子を加熱するときに前記検出素子を検出ぜず、又は前記加熱回路が前記検出素子を検出するときに前記加熱素子を加熱しないようにすることにより、前記第１オン回路と前記第２オン回路とが互いに影響しないようにすることができる。
【0027】
このように、前記加熱回路が前記加熱素子を加熱するときに前記第２電源の影響を受けず、第２電源が前記加熱素子を加熱することによる前記加熱素子の電流が大きすぎる状況の発生を大幅に低減させることができ、又は前記加熱回路が前記加熱素子に対してインピーダンスを検出するときに第１電源の影響を受けず、それにより前記加熱素子にインピーダンスが存在することを検出する正確性を向上させることができる。
【0028】
一部の実施例では、図２に示すように、前記スイッチモジュール１２１は、第１スイッチ素子１２１０及び第２スイッチ素子１２１１を含み、
前記第１スイッチ素子１２１０は前記加熱素子１２２に接続され、
前記第２スイッチ素子１２１１は前記検出素子１２３に接続され、
前記第１スイッチ素子１２１０がオンにされ、前記第２スイッチ素子１２１１がオフにされる場合、前記スイッチモジュール１２１は前記第１スイッチ状態にあり、
前記第１スイッチ素子１２１０がオフにされ、前記第２スイッチ素子１２１１がオンにされる場合、前記スイッチモジュール１２１が前記第２スイッチ状態にある。
前記第１スイッチ素子１２１０は前記加熱素子１２２に接続され、
前記第２スイッチ素子１２１１は前記検出素子１２３に接続され、
前記第１スイッチ素子１２１０がオンにされ、前記第２スイッチ素子１２１１がオフにされる場合、前記スイッチモジュール１２１は前記第１スイッチ状態にあり、
前記第１スイッチ素子１２１０がオフにされ、前記第２スイッチ素子１２１１がオンにされる場合、前記スイッチモジュール１２１が前記第２スイッチ状態にある。
【0029】
ここで、前記第１スイッチ素子及び前記第２スイッチ素子はいずれも単極単投スイッチ又は単極単投リレーであってよもい。
【0030】
本願の実施例では、前記第１スイッチ素子及び前記第２スイッチ素子が単極単投リレーである場合、第１スイッチ素子及び第２スイッチ素子を自動的にオン又はオフすることを実現することができ、それにより、人力で第１スイッチ素子及び前記第２スイッチ素子を開閉することによる危険を低減させることができる。前記第１スイッチ素子及び前記第２スイッチ素子が単極単投スイッチである場合、加熱回路全体のハードウエアコストを低減させることができ、加熱回路全体の重量を軽減することができる。
【0031】
他の実施例では、図３に示すように、前記スイッチモジュール１２１は、
前記加熱素子１２２に接続される第１端と、
前記インバータ回路１１に接続される第２端と、
前記検出素子１２３に接続される第３端と、を含み、
前記第１端が前記第２端に接続される場合、前記スイッチモジュール１２１は前記第１スイッチ状態にあり、
前記第１端が前記第３端に接続され場合、前記スイッチモジュール１２１は前記第２スイッチ状態にある。
前記加熱素子１２２に接続される第１端と、
前記インバータ回路１１に接続される第２端と、
前記検出素子１２３に接続される第３端と、を含み、
前記第１端が前記第２端に接続される場合、前記スイッチモジュール１２１は前記第１スイッチ状態にあり、
前記第１端が前記第３端に接続され場合、前記スイッチモジュール１２１は前記第２スイッチ状態にある。
【0032】
ここで、前記スイッチモジュールは、単極双投スイッチ又は単極双投リレーであってよもい。
【0033】
ここで、図３に示すように、前記スイッチモジュール１２１の前記第１端が前記第２端に接続される例を示し、このように、前記加熱回路のスイッチモジュールは第１スイッチ状態にある。他の構成例では、前記スイッチモジュールの前記第１端は前記第３端に接続されてもよい。
【0034】
本願の実施例では、前記スイッチモジュールが単極双投リレーである場合、前記スイッチモジュールが第１スイッチ状態又は第２スイッチ状態にあることを自動的に実現することができ、それにより前記第１オン回路のオン又は前記第２オン回路のオンを自動的に実現する。このように、人力で前記スイッチモジュールが第１スイッチ状態又は第２スイッチ状態にあることを調整することによる危険を低減させることができる。前記スイッチモジュールが単極単投スイッチである場合、加熱回路全体のハードウエアコストを低減させることができ、加熱回路全体の重量を軽減することができる。
【0035】
さらに、本願の実施例では、前記１つのサブ回路におけるスイッチモジュールに含まれるスイッチ部品は１つであり、該１つのスイッチ部品に基づいて前記スイッチモジュールを第１スイッチ状態又は第２スイッチ状態にすることができる。このように、１つのサブ回路におけるスイッチモジュールに含まれるスイッチ部品が２つである場合と比べて、スイッチ部品の個数を低減させ、加熱回路の構造を簡略化し、前記加熱回路のハードウエアコストを低減させることができ、そして前記加熱回路の重量をさらに軽減することができる。前記サブ回路が複数である場合、効果がより顕著であり、スイッチ部品の個数を大幅に低減させ、前記加熱回路のハードウエアコスト等を低減させることができる。
【0036】
前記少なくとも１つのサブ回路１２は１つ又は複数のサブ回路を含んでもよいことが理解される。
【0037】
例えば、図１に示すように、示されている前記加熱回路は１つのサブ回路を含む。また例えば、図４に示すように、示されている加熱回路は２つのサブ回路を含み、ここで、前記２つのサブ回路は並列接続される。前記サブ回路が３つ以上のサブ回路である場合、図４に示す加熱回路におけるサブ回路の接続と同様に、３つ以上の前記サブ回路は並列接続される。
【0038】
ここで、前記加熱回路に複数のサブ回路が含まれる場合、前記複数のサブ回路はそれぞれ１つの第２電源に接続されてもよく、又は、前記複数のサブ回路はいずれも同一の第２電源に接続されてもよく、又は、前記複数のサブ回路のうちの一部のサブ回路は１つの第２電源に接続され、他のサブ回路は別の第２電源に接続されてもよい。
【0039】
ここで、前記複数のサブ回路が異なる第２電源に接続される場合、異なる複数の第２電源で提供される電圧は同一であるか、又は、異なる複数の第２電源のうちの任意の２つの第２電源で提供される電圧の差は所定の範囲内である。
【0040】
一部の実施例では、前記サブ回路はＮ個であり、Ｎ個のサブ回路は並列接続され、ここで、前記Ｎは１より大きい整数である。
【0041】
Ｎ個のサブ回路の素子、部品の個数及びタイプは基本的に同じであることが理解される。例えば、前記サブ回路は２つであり、具体にサブ回路１及びサブ回路２である。
【0042】
１つの応用シーンでは、サブ回路１及びサブ回路２における加熱素子、検出素子及びスイッチモジュールの個数及びタイプはいずれも同じである。
【0043】
別の応用シーンでは、サブ回路１における加熱素子はコイルであり、サブ回路２における加熱素子は電熱板であり、前記コイルと前記電熱板とのインピーダンスの差が所定の閾値範囲である。
【0044】
さらに別の応用シーンでは、サブ回路１における検出素子は２つであり、前記サブ回路１における２つの検出素子は直列接続され、サブ回路２における検出素子は１つであり、前記サブ回路１における２つの検出素子のインピーダンスの和と、前記サブ回路２における１つの検出素子のインピーダンスとの差が所定の閾値範囲内である。
【0045】
例えば、前記サブ回路における２つの検出素子のインピーダンスはいずれも１０欧（Ω）であり、前記サブ回路２の検出素子のインピーダンスは１９Ω～２０Ωである。
【0046】
また例えば、前記サブ回路における２つの検出素子のインピーダンスのうちの１つは５０Ωであり、もう１つは２０Ωであり、前記サブ回路２の検出素子のインピーダンスは６８Ω～７２Ωである。
【0047】
さらに別の応用シーンでは、サブ回路１におけるスイッチモジュールは第１スイッチ素子及び第２スイッチ素子を含むスイッチモジュールであり、サブ回路２におけるスイッチモジュールは第１端、第２端及び第３端を含むスイッチモジュールである。
【0048】
要するに、前記複数のサブ回路は、各サブ回路に加熱素子、検出素子及びスイッチモジュールが含まれ、加熱素子に対する各サブ回路の加熱及びインピーダンス検出が互いに影響しないことを実現できる様々な形態を満たすものであれば、ここで限定しない。
【0049】
本願の実施例では、前記Ｎ個のサブ回路は、１つのインバータ回路を共同で利用することができ、そして１つのインバータ回路に基づいて、加熱素子に対するインピーダンス検出、及び／又は前記加熱素子に対する加熱機能をマルチプレックスで実現し、インバータ回路の利用率を向上させることができる。
【0050】
そして、前記複数のサブ回路はさらに１つの第１電源を共用することができ、前記第１電源の利用率を向上させることができる。
【0051】
そして、前記複数のサブ回路が１つの第２電源を共用し、又は一部のサブ回路が１つの第２電源を共用する場合、さらに前記第２電源の利用率を向上させることができる。
【0052】
なお、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＩＧＢＴ）は、ＢＪＴ（バイポーラトランジスタ）とＭＯＳ（絶縁ゲート型電界効果トランジスタ）からなる複合全制御型電圧駆動式パワー半導体部品である。
【0053】
一部の実施例では、図５に示すように、前記インバータ回路１１は、第１ＩＧＢＴ及び第２ＩＧＢＴを含み、
前記第１ＩＧＢＴのコレクタは前記第１電源に接続され、前記第１ＩＧＢＴのエミッタはそれぞれ前記スイッチモジュール１２１及び前記第２ＩＧＢＴのコレクタに接続され、
前記第２ＩＧＢＴのエミッタは接地される。
前記第１ＩＧＢＴのコレクタは前記第１電源に接続され、前記第１ＩＧＢＴのエミッタはそれぞれ前記スイッチモジュール１２１及び前記第２ＩＧＢＴのコレクタに接続され、
前記第２ＩＧＢＴのエミッタは接地される。
【0054】
ここで、図５に示す加熱回路は２つのサブ回路を含む。
【0055】
ここで、前記インバータ回路１１は、前記直流電圧を交流電圧にインバータするように構成されることができる。例えば、前記２２０Ｖの直流電圧を２２０Ｖの正弦波電圧又は方形波電圧にインバータする。
【0056】
前記インバータ回路１１はさらに、正の半波の交流電圧を完全な波形の交流電圧（完全な波形の交流電圧は正の半波及び負の半波を有する電圧である）に変換するように構成されることができる。例えば、２２０Ｖの正の半波の方形波電圧を２２０Ｖの正の半波、負の半波の方形波電圧に変換する。
【0057】
本願の実施例では、前記第１ＩＧＢＴ及び前記第２ＩＧＢＴのオンとオフの周波数により、前記第１電源から出力された電気信号周波数を調整することができる。前記第１ＩＧＢＴと前記第２ＩＧＢＴからなるインバータ回路を介して、第１電源の直流信号を交流信号に変換し、又は所定の値より高い高周波電気信号にさらに変換することができる。
【0058】
そして、前記インバータ回路はＩＧＢＴを採用するため、ＭＯＳトランジスタの高い入力インピーダンス及びパワートランジスタのオン状態での低い電圧降下の両方の利点を同時に有する。従って、本願の実施例では、前記加熱素子に給電する安定性及び安全動作電圧領域を向上させ、前記加熱素子に給電する安全性をさらに向上させることができる。
【0059】
なお、前記高周波は、後続の実施例の言及した低周波と相対的に説明されたものであり、同一の参照基準で、前記高周波の周波数は前記低周波の周波数より大きい。
【0060】
理解されるように、前記インバータ回路は、２つの金属－酸化物半導体電界効果トランジスタ（Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ－Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＭＯＳＦＥＴ）で構成されてもよく、又は、前記インバータ回路は２つのトランジスタで構成されてもよい。
【0061】
例えば、一部の実施例では、前記インバータ回路はさらに、第５ＭＯＳトランジスタ及び第６ＭＯＳトランジスタを含んでもよい。
【0062】
前記第５ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第１電源１３に接続され、前記第５ＭＯＳトランジスタのソースはそれぞれスイッチモジュール１２１及び前記第６ＭＯＳトランジスタのドレインに接続される。
【0063】
前記第６ＭＯＳトランジスタのソースは接地される。
【0064】
このように、本願の実施例では、前記第５ＭＯＳトランジスタと前記第６ＭＯＳトランジスタの交互オンにより、前記加熱素子に高周波電気信号を提供することができる。
【0065】
一部の実施例では、前記第１電源は第１電圧を提供するための電源であり、前記第２電源は第２電圧を提供するための電源であり、ここで、前記第１電圧は前記第２電圧より大きいものであり、
又は、
前記第１電源は前記第１オン回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は第１電流であり、
前記第２電源は前記第２オン回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は第２電流であり、
ここで、前記第１電流は前記第２電流より大きいものである。
又は、
前記第１電源は前記第１オン回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は第１電流であり、
前記第２電源は前記第２オン回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は第２電流であり、
ここで、前記第１電流は前記第２電流より大きいものである。
【0066】
ここで、前記第１電源は１１０Ｖ以上である電圧を取得するための電源であり、前記第２電源は３６Ｖ以下である電圧を取得するための電源である。
【0067】
一実施例では、前記第１電源は２２０Ｖの直流電圧を取得するためのものであり、前記第２電源は５Ｖの直流電圧を取得するためのものである。
【0068】
理解されるように、前記第１電源が取得した電圧が１１０Ｖより大きい場合、前記第１電源が取得した電圧は強電電圧であり、前記第２電源が取得した電圧３６Ｖより小さい場合、前記第２電源が取得した電圧は弱電電圧であり、第１電源及び第２電源から給電する場合、第１オン回路と前記第２オン回路がいずれもオンにされると、前記第１オン回路のノイズが第２オン回路にクロストークして、加熱素子にインピーダンスが存在したと検出する結果が不正確になる。そして、第２オン回路が加熱素子のインピーダンスを検出するとき、第２オン回路の実際の電圧は１１０Ｖより大きい強電電圧である可能性があり、このように、加熱回路近傍の人にも一定の危険をもたらすことになる。
【0069】
一方、本願の実施例では、スイッチモジュールが異なるスイッチ状態にあることにより、第１オン回路がオンにされるときに第２オン回路をオフにし、又は第２オン回路がオンにされるときに第１オン回路をオフにし、それにより、強電と弱電の分離を実現し、弱電回路の低い絶縁性能による危険を低減させる。
【0070】
再び図５を参照し、一部の実施例では、前記サブ回路１２は、第１ＭＯＳトランジスタ、第２ＭＯＳトランジスタを含み、
前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第２電源に接続され、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースはそれぞれ前記第２ＭＯＳトランジスタのドレイン及び前記検出素子１２３に接続され、
前記第２ＭＯＳトランジスタのソースは前記接地点に接続される。
前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第２電源に接続され、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースはそれぞれ前記第２ＭＯＳトランジスタのドレイン及び前記検出素子１２３に接続され、
前記第２ＭＯＳトランジスタのソースは前記接地点に接続される。
【0071】
ここで、前記第１ＭＯＳトランジスタがＮチャネル型ＭＯＳトランジスタである場合、前記第２ＭＯＳトランジスタはＮチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、前記第１ＭＯＳトランジスタがＰチャネル型ＭＯＳトランジスタである場合、前記第２ＭＯＳトランジスタはＰチャネル型ＭＯＳトランジスタである。
【0072】
本願の実施例では、前記第２オン回路がオンにされるとき、前記第２電源は前記第１ＭＯＳトランジスタと前記第２ＭＯＳトランジスタを介して前記加熱素子に低圧高周波電気信号を提供する。このように、前記加熱素子に調理装置が存在しない場合、前記検出素子を流れる検出電流は第１検出電流値であり、前記加熱素子に調理装置が存在する場合、前記検出素子を流れる検出電流は第２検出電流値であり、それにより、電流計で前記検出素子の電流の大きさを検出することで、前記加熱素子に一定のインピーダンスを有する調理装置が存在するか否かを決定する。さらに、所定の第１検出電流値及び第２検出電流値等により、前記調理装置のインピーダンス値を算出することができる。
【0073】
又は、前記検出素子での電圧の大きさを検出することにより、前記加熱素子に一定のインピーダンスを有する調理装置が存在するか否かを決定することができる。さらに、検出素子での第１検出電圧値及び第２検出電圧値に基づいて、前記調理装置のインピーダンス値を算出することができる。ここで、前記第１検出電圧値は、前記加熱素子に前記調理装置が存在しない場合、前記検出素子での電圧値であり、前記第２電圧値は、前記加熱素子に前記調理装置が存在する場合、前記検出素子での電圧値である。
【0074】
再び図５を参照し、一部の実施例では、前記サブ回路１２はさらに第１コンデンサＣ１を含み、
前記第１コンデンサＣ１は前記スイッチモジュール１２１と前記検出素子１２３との間に位置するように接続され、ここで、前記第１コンデンサＣ１は、前記加熱素子１２２の検出電流の交番周波数を制御するように構成される。
前記第１コンデンサＣ１は前記スイッチモジュール１２１と前記検出素子１２３との間に位置するように接続され、ここで、前記第１コンデンサＣ１は、前記加熱素子１２２の検出電流の交番周波数を制御するように構成される。
【0075】
ここで、１つのサブ回路１２には１つの検出素子が含まれる。一実施例では、前記検出素子は抵抗である。このように、加熱回路における検出素子の個数を低減させることができる。
【0076】
本願の実施例では、前記第１コンデンサＣ１の容量性リアクタンス、加熱素子のインピーダンス、及び検出素子のインピーダンスを調整することにより、前記第２オン回路における加熱素子の発振周波数（即ち交番周波数）を調整することができる。
【0077】
一部の実施例では、図６に示すように、前記検出素子１２３は第１抵抗Ｒ１及び第２抵抗Ｒ２を含み、前記サブ回路１２は第３ＭＯＳトランジスタ及び第４ＭＯＳトランジスタを含み、
前記第１抵抗Ｒ１は前記第３ＭＯＳトランジスタのドレインと前記第２電源１４との間に接続され、
前記第２抵抗Ｒ２は前記第４ＭＯＳトランジスタのソースと前記接地点ＰＧＮＤとの間に接続され、
前記第３ＭＯＳトランジスタのソースはそれぞれ前記第４ＭＯＳトランジスタのドレイン及び前記スイッチモジュール１２１に接続され、
ここで、第２抵抗Ｒ２は前記第２電源１４の給電に基づいて、前記加熱素子１２２のインピーダンスを検出する。
前記第１抵抗Ｒ１は前記第３ＭＯＳトランジスタのドレインと前記第２電源１４との間に接続され、
前記第２抵抗Ｒ２は前記第４ＭＯＳトランジスタのソースと前記接地点ＰＧＮＤとの間に接続され、
前記第３ＭＯＳトランジスタのソースはそれぞれ前記第４ＭＯＳトランジスタのドレイン及び前記スイッチモジュール１２１に接続され、
ここで、第２抵抗Ｒ２は前記第２電源１４の給電に基づいて、前記加熱素子１２２のインピーダンスを検出する。
【0078】
ここで、１つのサブ回路における検出素子は第１抵抗及び第２抵抗を含む。
【0079】
ここで、図６に示すように、示されている前記スイッチモジュールは第１スイッチ素子１２１０及び第２スイッチ素子１２１１を含むスイッチモジュールであり、前記第３ＭＯＳトランジスタのソースと前記スイッチモジュール１２１とは、前記第３ＭＯＳトランジスタのソースが前記第２スイッチ素子１２１１に接続されるように接続される。
【0080】
本願の実施例では、１つのサブ回路における検出素子に２つの抵抗を設置し、該２つの抵抗はそれぞれ第３ＭＯＳトランジスタと第２電源との間、第４ＭＯＳトランジスタとグランドとの間に接続され、それにより、第２オン回路が充電及び放電するとき、第２オン回路のインピーダンスを一致させることができ、それにより、第２オン回路の給電をより安定させ、第２オン回路における素子、部品の損耗を低減させることができる。
【0081】
そして、前記第２抵抗Ｒ２の電圧に基づいて、前記加熱抵抗に一定のインピーダンスを有する調理設定が存在するか否かを検出する場合、前記第２抵抗Ｒ２の低電圧端が接地されおり、その電圧が０であるため、前記第２抵抗Ｒ２の高電圧端（例えば、図６に示す検出点）のみを取得することで、前記第２抵抗Ｒ２での電圧を取得することができる。このように、前記検出素子の電圧の検出をより簡単にする。同時に、加熱素子のインピーダンスを検出する正確性をさらに向上させることができる。
【0082】
再び図６を参照し、一部の実施例では、前記加熱回路は第２コンデンサＣ２をさらに含み、ここで、
前記第２コンデンサＣ２は前記加熱元１２２件と前記接地点ＰＧＮＤとの間に接続され、
前記スイッチモジュール１２１が前記第１スイッチ状態にある場合、前記第２コンデンサＣ２は前記加熱素子１２２の加熱電流の交番周波数を制御するように構成され、
前記スイッチモジュール１２１が前記第２スイッチ状態にある場合、前記第２コンデンサＣ２は前記加熱素子１２２の検出電流の交番周波数を制御するように構成される。
前記第２コンデンサＣ２は前記加熱元１２２件と前記接地点ＰＧＮＤとの間に接続され、
前記スイッチモジュール１２１が前記第１スイッチ状態にある場合、前記第２コンデンサＣ２は前記加熱素子１２２の加熱電流の交番周波数を制御するように構成され、
前記スイッチモジュール１２１が前記第２スイッチ状態にある場合、前記第２コンデンサＣ２は前記加熱素子１２２の検出電流の交番周波数を制御するように構成される。
【0083】
本願の実施例では、前記スイッチモジュールが第１スイッチ状態にある場合、第２コンデンサの容量性リアクタンス、加熱素子のインピーダンスを調整することにより、前記加熱素子の加熱電流の交番周波数を調整することができる。
【0084】
本願の実施例の１つの応用シーンでは、第２コンデンサＣ２が前記加熱回路に存在する場合、前記加熱回路に第１コンデンサがなくてもよい。このように、前記スイッチモジュールが第２スイッチ状態にある場合、前記第２コンデンサＣ２は、前記加熱素子の検出電流の交番周波数を制御するように構成されることができる。
【0085】
ここで、第２コンデンサＣ２の容量性リアクタンス、第１抵抗と第２抵抗のインピーダンス、及び加熱素子のインピーダンスを調整することにより、前記第２オン回路における加熱素子の発振周波数（即ち交番周波数）を調整することができる。
【0086】
本願の実施例の別の応用シーンでは、第２コンデンサＣ２と前記第１コンデンサＣ１はいずれも前記加熱回路に存在する。このように、前記スイッチモジュールが第１スイッチ状態にある場合、前記第２コンデンサＣ２と前記第１コンデンサＣ１は共通に前記加熱素子の検出電流の交番周波数を制御するように構成される。
【0087】
ここで、第２コンデンサＣ２と第１コンデンサＣ１の容量性リアクタンス、第１抵抗と第２抵抗のインピーダンス、及び加熱素子のインピーダンスを調整することにより、前記第２オン回路における加熱素子の発振周波数（即ち交番周波数）を調整することができる。
【0088】
本願の実施例では、１つのコンデンサにより、第１オン回路における加熱素子の加熱電流又は第２オン回路における加熱素子の検出電流の交番周波数の調整を実現することができ、第２コンデンサの利用率を向上させることができ、２つのコンデンサにより第１オン回路における加熱素子の加熱電流又は第２オン回路における加熱素子の検出電流の交番周波数をそれぞれ調整する場合と比べて、加熱回路の素子、部品の個数を低減させることができ、それにより前記加熱回路のハードウエアコストを低減させる。
【0089】
構成例一
再び図５を参照し、本願の実施例は加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路１１、２つのサブ回路１２、第１電源１３、第２電源１４及び第２コンデンサＣ２を含み、
ここで、前記サブ回路１２は、スイッチモジュール１２１、加熱素子１２２、検出素子１２３、第１コンデンサＣ１、第１ＭＯＳトランジスタ及び第２ＭＯＳトランジスタを含み、
前記インバータ回路１１は、第１ＩＧＢＴ及び第２ＩＧＢＴを含み、前記第１ＩＧＢＴのコレクタは前記第１電源１３に接続され、前記第１ＩＧＢＴのエミッタは前記第２ＩＧＢＴのコレクタに接続され、前記第２ＩＧＢＴのエミッタは接地点ＰＧＮＤに接続され、
前記スイッチモジュール１２１は、第１端、第２端及び第３端を含み、ここで、前記第１端は前記加熱素子１２２に接続され、前記第２端は前記第１ＩＧＢのエミッタに接続され、前記第３端は前記第１コンデンサＣ１に接続され、
前記第１コンデンサＣ１は前記検出素子１２３に接続され、
前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第２電源１４に接続され、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースはそれぞれ前記第２ＭＯＳトランジスタのドレイン及び前記検出素子１２３に接続され、前記第２ＭＯＳトランジスタのソースは前記接地点ＰＧＮＤに接続され、
前記第２コンデンサＣ２は、前記加熱素子１２２と前記接地点ＰＧＮＤとの間に接続され、
前記スイッチモジュール１２１の前記第１端が前記第２端に接続される場合、前記スイッチモジュール１２１は第１スイッチ状態にあり、前記第１電源１３、前記インバータ回路１１及び前記加熱素子１２２は第１オン回路になるように接続され、前記第１電源１３は前記第１オン回路を介して前記加熱素子１２２に給電し、前記加熱素子１２２は前記第１電源１３の給電に基づいて発熱し、
前記スイッチモジュール１２１の前記第１端が前記第３端に接続される場合、前記スイッチモジュール１２１は第２スイッチ状態にあり、前記第２電源１４、前記検出素子１２３及び前記加熱素子１２２は第２オン回路になるように接続され、前記第２電源１４は前記第２オン回路を介して前記加熱素子１２２及び前記検出素子１２３に給電する。
再び図５を参照し、本願の実施例は加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路１１、２つのサブ回路１２、第１電源１３、第２電源１４及び第２コンデンサＣ２を含み、
ここで、前記サブ回路１２は、スイッチモジュール１２１、加熱素子１２２、検出素子１２３、第１コンデンサＣ１、第１ＭＯＳトランジスタ及び第２ＭＯＳトランジスタを含み、
前記インバータ回路１１は、第１ＩＧＢＴ及び第２ＩＧＢＴを含み、前記第１ＩＧＢＴのコレクタは前記第１電源１３に接続され、前記第１ＩＧＢＴのエミッタは前記第２ＩＧＢＴのコレクタに接続され、前記第２ＩＧＢＴのエミッタは接地点ＰＧＮＤに接続され、
前記スイッチモジュール１２１は、第１端、第２端及び第３端を含み、ここで、前記第１端は前記加熱素子１２２に接続され、前記第２端は前記第１ＩＧＢのエミッタに接続され、前記第３端は前記第１コンデンサＣ１に接続され、
前記第１コンデンサＣ１は前記検出素子１２３に接続され、
前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第２電源１４に接続され、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースはそれぞれ前記第２ＭＯＳトランジスタのドレイン及び前記検出素子１２３に接続され、前記第２ＭＯＳトランジスタのソースは前記接地点ＰＧＮＤに接続され、
前記第２コンデンサＣ２は、前記加熱素子１２２と前記接地点ＰＧＮＤとの間に接続され、
前記スイッチモジュール１２１の前記第１端が前記第２端に接続される場合、前記スイッチモジュール１２１は第１スイッチ状態にあり、前記第１電源１３、前記インバータ回路１１及び前記加熱素子１２２は第１オン回路になるように接続され、前記第１電源１３は前記第１オン回路を介して前記加熱素子１２２に給電し、前記加熱素子１２２は前記第１電源１３の給電に基づいて発熱し、
前記スイッチモジュール１２１の前記第１端が前記第３端に接続される場合、前記スイッチモジュール１２１は第２スイッチ状態にあり、前記第２電源１４、前記検出素子１２３及び前記加熱素子１２２は第２オン回路になるように接続され、前記第２電源１４は前記第２オン回路を介して前記加熱素子１２２及び前記検出素子１２３に給電する。
【0090】
ここで、前記検出素子１２３は、前記第２電源１４の給電に基づいて、前記加熱素子１２２のインピーダンスを検出する。ここで、検出したインピーダンスは、前記第１電源１３から前記加熱素子１２２への給電を制御するように構成される。
【0091】
本願の実施例では、前記スイッチモジュールが異なる状態にあることで、第１オン回路と第２オン回路のオンを切り替えることにより、前記第１オン回路と前記第２オン回路とを互いに分離させることができる。このように、前記加熱回路が前記加熱素子を加熱するときに前記第２電源の影響を受けず、第２電源が前記加熱素子を加熱することによる前記加熱素子の電流が大きすぎる状況の発生を大幅に低減させることがき、又は前記加熱回路が前記加熱素子に対してインピーダンスを検出するときに第１電源の影響を受けず、それにより前記加熱素子にインピーダンスが存在することを検出する正確性を向上させることができる。
【0092】
そして、前記スイッチモジュールは、３つの端部を含むスイッチモジュールであり、第１端と第２端との接続時に前記第１オン回路をオンにし、又は第１端と第３端との接続時に前記第２オン回路をオンにし、それにより第１オン回路と第２オン回路を切り替えてオンにすることができる。２つのスイッチ素子のスイッチモジュールを利用して第２オン回路と第２オン回路を切り替える場合と比べて、前記加熱回路の素子、部品の個数を大幅に低減させることができ、それにより前記加熱回路のハードウエアコストを大幅に低減させることができる。
【0093】
構成例二
再び図６を参照し、本願の実施例は加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路１１、２つのサブ回路１２、第１電源１３、第２電源１４及び第２コンデンサＣ２を含み、
ここで、前記サブ回路１２は、スイッチモジュール１２１、加熱素子１２２、第１抵抗Ｒ１、第２抵抗Ｒ２、第１コンデンサＣ１、第３ＭＯＳトランジスタ及び第４ＭＯＳトランジスタを含み、
前記インバータ回路１１は、第１ＩＧＢＴ及び第２ＩＧＢＴを含み、前記第１ＩＧＢＴのコレクタは前記第１電源１３に接続され、前記第１ＩＧＢＴのエミッタは前記第２ＩＧＢＴのコレクタに接続され、前記第２ＩＧＢＴのエミッタは接地点ＰＧＮＤに接続され、
前記スイッチモジュール１２１は、第１スイッチ素子１２１０及び第２スイッチ素子１２１１を含み、ここで、前記第１スイッチ素子１２１０は、前記加熱素子１２２と前記第１ＩＧＢＴのエミッタとの間に接続され、前記第２スイッチ素子１２１１は、前記加熱素子１２２と前記第１コンデンサＣ１との間に接続され、
前記第１コンデンサＣ１はさらに、第３ＭＯＳトランジスタのソースに接続され、
前記第１抵抗Ｒ１は、前記第３ＭＯＳトランジスタのドレインと前記第２電源１４との間に接続され、前記第２抵抗Ｒ２は、前記第４ＭＯＳトランジスタのソースと前記接地点ＰＧＮＤとの間に接続され、前記第３ＭＯＳトランジスタのソースはさらに、前記第４ＭＯＳトランジスタのドレインに接続され、ここで、前記第２抵抗は前記第２電源１４の給電に基づいて前記加熱素子のインピーダンスを検出し、
前記第２コンデンサＣ２は、前記加熱素子１２２と前記接地点ＰＧＮＤとの間に接続され、
前記第１スイッチ素子１２１０がオンにされ、前記第２スイッチ素子１２１１がオフにされる場合、前記スイッチモジュール１２１は前記第１スイッチ状態にあり、前記第１電源１３、前記インバータ回路１１及び前記加熱素子１２２は第１オン回路になるように接続され、前記第１電源１３は前記第１オン回路を介して前記加熱素子１２２に給電し、前記加熱素子１２２は前記第１電源１３の給電に基づいて発熱し、
前記第１スイッチ素子１２１０がオフにされ、前記第２スイッチ素子１２１１がオンにされる場合、前記スイッチモジュール１２１は前記第２スイッチ状態にあり、前記第２電源１４、前記第１抵抗Ｒ１、前記第２抵抗Ｒ２及び前記加熱素子１２２は第２オン回路になるように接続され、前記第２電源１４は前記第２オン回路を介して前記加熱素子１２２、第１抵抗Ｒ１及び前記第２抵抗Ｒ２に給電する。
再び図６を参照し、本願の実施例は加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路１１、２つのサブ回路１２、第１電源１３、第２電源１４及び第２コンデンサＣ２を含み、
ここで、前記サブ回路１２は、スイッチモジュール１２１、加熱素子１２２、第１抵抗Ｒ１、第２抵抗Ｒ２、第１コンデンサＣ１、第３ＭＯＳトランジスタ及び第４ＭＯＳトランジスタを含み、
前記インバータ回路１１は、第１ＩＧＢＴ及び第２ＩＧＢＴを含み、前記第１ＩＧＢＴのコレクタは前記第１電源１３に接続され、前記第１ＩＧＢＴのエミッタは前記第２ＩＧＢＴのコレクタに接続され、前記第２ＩＧＢＴのエミッタは接地点ＰＧＮＤに接続され、
前記スイッチモジュール１２１は、第１スイッチ素子１２１０及び第２スイッチ素子１２１１を含み、ここで、前記第１スイッチ素子１２１０は、前記加熱素子１２２と前記第１ＩＧＢＴのエミッタとの間に接続され、前記第２スイッチ素子１２１１は、前記加熱素子１２２と前記第１コンデンサＣ１との間に接続され、
前記第１コンデンサＣ１はさらに、第３ＭＯＳトランジスタのソースに接続され、
前記第１抵抗Ｒ１は、前記第３ＭＯＳトランジスタのドレインと前記第２電源１４との間に接続され、前記第２抵抗Ｒ２は、前記第４ＭＯＳトランジスタのソースと前記接地点ＰＧＮＤとの間に接続され、前記第３ＭＯＳトランジスタのソースはさらに、前記第４ＭＯＳトランジスタのドレインに接続され、ここで、前記第２抵抗は前記第２電源１４の給電に基づいて前記加熱素子のインピーダンスを検出し、
前記第２コンデンサＣ２は、前記加熱素子１２２と前記接地点ＰＧＮＤとの間に接続され、
前記第１スイッチ素子１２１０がオンにされ、前記第２スイッチ素子１２１１がオフにされる場合、前記スイッチモジュール１２１は前記第１スイッチ状態にあり、前記第１電源１３、前記インバータ回路１１及び前記加熱素子１２２は第１オン回路になるように接続され、前記第１電源１３は前記第１オン回路を介して前記加熱素子１２２に給電し、前記加熱素子１２２は前記第１電源１３の給電に基づいて発熱し、
前記第１スイッチ素子１２１０がオフにされ、前記第２スイッチ素子１２１１がオンにされる場合、前記スイッチモジュール１２１は前記第２スイッチ状態にあり、前記第２電源１４、前記第１抵抗Ｒ１、前記第２抵抗Ｒ２及び前記加熱素子１２２は第２オン回路になるように接続され、前記第２電源１４は前記第２オン回路を介して前記加熱素子１２２、第１抵抗Ｒ１及び前記第２抵抗Ｒ２に給電する。
【0094】
本願の実施例では、前記第１抵抗Ｒ１及び前記第２抵抗Ｒ２は上記実施例における検出素子１２３である。
【0095】
一実施例では、前記第２抵抗Ｒ２は上記実施例における検出素子１２３である。
【0096】
ここで、前記検出素子１２３は、前記第２電源１４の給電に基づいて前記加熱素子１２２のインピーダンスを検出する。ここで、検出したインピーダンスは、前記第１電源１３から前記加熱素子１２２への給電を制御するように構成される。
【0097】
本願の実施例では、前記スイッチモジュールが異なる状態にあることで、第１オン回路と第２オン回路のオンを切り替えることにより、前記第１オン回路と前記第２オン回路とを互いに分離させることができる。このように、前記加熱回路が前記加熱素子を加熱するときに前記第２電源の影響を受けず、第２電源が前記加熱素子を加熱することによる前記加熱素子の電流が大きすぎる状況の発生を大幅に低減させることができ、又は前記加熱回路が前記加熱素子に対してインピーダンスを検出するときに第１電源の影響を受けず、それにより前記加熱素子にインピーダンスが存在することを検出する正確性を向上させることができる。
【0098】
そして、前記検出素子は第１抵抗Ｒ１及び第２抵抗Ｒ２を含み、前記加熱回路における前記第１抵抗Ｒ１と前記第２抵抗Ｒ２との該接続態様により、第２オン回路が充電及び放電するときに第２オン回路のインピーダンスを一致させることができ、それにより第２オン回路の給電をより安定させ、第２オン回路における素子、部品の損耗を低減させることができる。
【0099】
そして、該接続態様の場合に前記第２抵抗Ｒ２の低電圧端は接地される。このように、前記第２抵抗Ｒ２の電圧を検出することにより前記加熱素子に一定のインピーダンスを有する調理装置が存在するか否かを決定する場合、検出電圧を取得する操作を簡略化することができる。
【0100】
そして、前記第２コンデンサは、前記第１オン回路がオンにされる場合、前記加熱素子の加熱電流の交番周波数を調整するように構成され、又は、前記第２オン回路がオンにされる場合、前記加熱素子の検出電流の交頻周波数を調整するように構成され、それにより第２コンデンサの利用率を向上させる。そして、前記加熱回路の第１コンデンサを置き換えることができ、このように、前記加熱回路に前記第１コンデンサを配置する必要がなく、それにより前記加熱回路の素子、部品の個数を低減させることができ、前記加熱回路のハードウエアコストを低減させることができる。
【0101】
図７に示すように、本願の実施例は加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路２１、少なくとも１つのサブ回路２２、第１電源２３及び第２電源２４を含み、ここで、前記サブ回路２２は、第１スイッチ素子２２１、第２スイッチ素子２２２、加熱素子２２３及び検出素子２２４を含み、
前記加熱素子２２３及び前記検出素子２２４は、第１ノードと第２ノードとの間に並列接続され、前記第１ノードは前記第１電源２３に接続され、ここで、前記第１スイッチ素子２２１は前記第１ノードと前記第１電源２３との接続に位置し、前記第２ノードは接地点に接続され、ここで、前記第２スイッチ素子２２２は前記第２ノードと前記接地点と間に位置し、
前記第１スイッチ素子２２１がオンにされ、前記第２スイッチ素子２２２がオンにされる場合、前記第１電源２３、前記インバータ回路２１及び前記加熱素子２２３は第１オン回路になるように接続され、前記第１電源は前記第１オン回路を介して前記加熱素子に給電し、前記加熱素子は前記第１電源の給電に基づいて発熱し、
前記加熱素子２２３及び前記検出素子２２４は、第１ノードと第２ノードとの間に並列接続され、前記第１ノードは前記第１電源２３に接続され、ここで、前記第１スイッチ素子２２１は前記第１ノードと前記第１電源２３との接続に位置し、前記第２ノードは接地点に接続され、ここで、前記第２スイッチ素子２２２は前記第２ノードと前記接地点と間に位置し、
前記第１スイッチ素子２２１がオンにされ、前記第２スイッチ素子２２２がオンにされる場合、前記第１電源２３、前記インバータ回路２１及び前記加熱素子２２３は第１オン回路になるように接続され、前記第１電源は前記第１オン回路を介して前記加熱素子に給電し、前記加熱素子は前記第１電源の給電に基づいて発熱し、
【0102】
前記第１スイッチ素子２２１がオフにされ、前記第２スイッチ素子２２２がオフにされる場合、前記第２電源２３、前記検出素子２２４及び前記加熱素子２２３は第２オン回路になるように接続され、前記第２電源２４は前記第２オン回路を介して前記加熱素子２２３及び前記検出素子２２４に給電する。
【0103】
本願の実施例では、前記インバータ回路の第２端は接地点（Ｇｒｏｕｎｄ、ＧＮＤ）に接続される（前記図７においてこれを図示しない）。
【0104】
ここで、前記インバータ回路は、第１電源による直流信号を交流信号に変換し、例えば、周波数が所定の値より高い高周波電気信号に変換するように構成される。
【0105】
本願の実施例では、前記検出素子２２４は、前記第２電源２４の給電に基づいて前記加熱素子２２３のインピーダンスを検出し、ここで、検出したインピーダンスは、前記第１電源２３から前記加熱素子２２３への給電を制御するように構成される。
【0106】
上記図７では、１つのサブ回路のみを説明し、理解されるように、本願の実施例において複数のサブ回路であってよく、前記複数のサブ回路は前記インバータ回路の両端に並列接続される。
【0107】
一部の実施例では、前記サブ回路はＮ個であり、Ｎ個のサブ回路は並列接続され、ここで、前記Ｎは１より大きい整数である。
【0108】
図８に示すように、前記加熱回路に含まれるサブ回路は２つであり、ここで、２つのサブ回路は並列接続されることが示されている。他の実施例では、図８に示すようなサブ回路と類似する接続態様に応じて、３つ以上の前記サブ回路を並列接続してもよい。
【0109】
ここで、Ｎ個の前記サブ回路が並列接続されるとき、Ｎ個のサブ回路は１つの第２電源２４を共用する。他の実施例では、前記Ｎ個のサブ回路は、それぞれ１つの第２電源に接続されてもよく、又は、Ｎ個のサブ回路のうちの一部のサブ回路は１つの第２電源を共用し、他のサブ回路は別の第２電源を共用してもよい。
【0110】
ここで、前記加熱素子２２３は、コイル、電熱線、電熱板、電熱棒又は電熱シート等であってよもい。
【0111】
例えば、前記加熱素子は電磁調理器におけるコイルである。前記第１スイッチ素子がオフにされ、前記第２スイッチ素子がオフにされる場合、前記加熱回路の第２通回路はオンにされ、前記第２電源は前記コイル及び前記検出素子に給電する。電圧計を利用して前記検出素子での電圧を検出し、検出した電圧を所定の電圧と比較することにより、前記電磁調理器のコイルに一定のインピーダンスを有する調理装置が存在するか否かを決定する。ここで、前記所定の電圧は、前記コイルに調理装置が存在しないときに検出された前記検出素子での電圧である。前記コイルに一定のインピーダンスを有する調理装置が存在するとと決定した場合、前記第１スイッチ素子をオンにし、前記第２スイッチ素子をオンにすることにより、第１電源を利用して前記電磁調理器を加熱する。
【0112】
ここで、前記加熱素子２２３は１つ又は複数であってよもい。
【0113】
一実施例では、前記第１スイッチ素子は単極単投スイッチであり、前記第２スイッチ素子は単極単投スイッチである。
【0114】
別の実施例では、前記第１スイッチ素子は単極双投スイッチであり、前記第２スイッチ素子は単極単投スイッチである。
【0115】
さらに別の実施例では、前記第１スイッチ素子は単極単投リレーであり、前記第２スイッチ素子は単極単投リレーである。
【0116】
さらに別の実施例では、前記第１スイッチ素子は単極双投リレーであり、前記第２スイッチ素子は単極単投リレーである。
【0117】
本願の実施例では、第１スイッチ素子又は第２スイッチ素子としてリレーを使用して第１オン回路又は第２オン回路のオンの有無を実現することにより、人力でオンを選択することによる危険を大幅に低減させることができる。
【0118】
そして、第１スイッチ素子が単極双投リレー又は単極双投スイッチである場合、前記第１スイッチ素子はさらに３つの端部を含み、該３つの端部はそれぞれ加熱素子、検出素子及びインバータ回路に接続され、このように、１つの第１スイッチ素子を使用することにより、前記加熱素子と前記インバータ回路との接続のオン、又は前記加熱素子と前記検出素子との接続のオンを実現することができる。
【0119】
本願の実施例では、第１スイッチ素子と第２スイッチ素子のオンの有無により、第１電源、インバータ回路及び加熱素子によって接続された第１オン回路のオン、又は第２電源、検出素子及び前記加熱素子によって接続された第２オン回路のオンを実現することができる。このように、前記第１オン回路と前記第２オン回路との間に電気的接続点がなく、前記第１オン回路と前記第２オン回路は互いに分離されており、互いに影響しない。
【0120】
このように、第２電源が前記第２オン回路を介して前記加熱素子を検出するときに第１電源の影響を受けず、前記加熱素子にインピーダンスが存在するか否かを検出する正確性を向上させる。そして、第１電源が前記第１オン回路を介して前記加熱素子を加熱するときにも第２電源の影響を受けず、第２電源が前記加熱素子を加熱することによる前記加熱素子の電流が大きすぎる影響を大幅に低減させる。
【0121】
さらに、前記サブ回路が複数である場合、複数のサブ回路が１つのインバータ回路を共用すると、複数のサブ回路のうちの各サブ回路の第１オン回路と第２オン回路は互いに影響しない。つまり、複数のサブ回路のうちの一部のサブ回路が前記加熱素子を加熱し、そして他の一部のサブ回路が検出素子を検出することを実現することができ、両者は互いに影響しない。例えば、第１サブ回路が第１電源を介して第１サブ回路の加熱素子を加熱すると同時に、第２サブ回路が第２電源を介して第２サブ回路の検出素子を検出する場合、その際に、第１サブ回路の加熱素子は第１サブ回路の第２電源の影響を受けず、第２サブ回路の第２電源の影響も受けないことになる。そして、第２サブ回路の検出素子は第１電源の影響を受けない。このように、加熱素子に対する該第１サブ回路の加熱、及び検出素子に対する第２回路の検出は同時に行うことができ、それらは互いに影響することがない。
【0122】
そして、前記サブ回路が複数であり、複数のサブ回路が１つのインバータ回路を共用する場合、サブ回路の利用率を向上させることができる。そして、本願の実施例では、前記複数のサブ回路がいずれも１つの第２電源に接続され、又はその一部のサブ回路が１つの第２電源に接続される場合、複数のサブ回路又は複数のサブ回路のうちの一部のサブ回路は１つの第２電源を共用することが実現されることができ、前記第２電源の利用率を向上させる。
【0123】
図９に示すように、一部の実施例では、前記サブ回路２２は第３スイッチ素子２２５をさらに含み、
前記第３スイッチ素子２２５は、前記第１ノードと前記検出素子との間に接続され、
前記第１スイッチ素子２２１がオンにされ、前記第２スイッチ素子２２２がオンにされ、前記第３スイッチ素子２２５がオフにされる場合、前記第１電源２３、前記インバータ回路２１及び前記加熱素子２２３は前記第１オン回路になるように接続され、
前記第１スイッチ素子２２１がオフにされ、前記第２スイッチ素子がオフにされ、前記第３スイッチ素子がオンにされる場合、前記第２電源、前記検出素子及び前記加熱素子は第２オン回路になるように接続される。
前記第３スイッチ素子２２５は、前記第１ノードと前記検出素子との間に接続され、
前記第１スイッチ素子２２１がオンにされ、前記第２スイッチ素子２２２がオンにされ、前記第３スイッチ素子２２５がオフにされる場合、前記第１電源２３、前記インバータ回路２１及び前記加熱素子２２３は前記第１オン回路になるように接続され、
前記第１スイッチ素子２２１がオフにされ、前記第２スイッチ素子がオフにされ、前記第３スイッチ素子がオンにされる場合、前記第２電源、前記検出素子及び前記加熱素子は第２オン回路になるように接続される。
【0124】
本願の実施例では、前記第１スイッチ素子、前記第３スイッチ素子はいずれも単極単投スイッチ又は単極単投リレー等である。
【0125】
本願の実施例では、スイッチ素子（例えば、第１スイッチ素子、第２スイッチ素子又は第３スイッチ素子）が単極単投スイッチである場合、加熱回路全体のハードウエアコストを低減させ、加熱回路全体の重量を軽減することができる。スイッチ素子が単極単投リレーである場合、人力でスイッチ素子を開閉することによる危険を低減させることができる。
【0126】
本願の実施例では、第１スイッチ素子と第２スイッチ素子がオンにされ、第３スイッチ素子がオフにされることにより、前記第１オン回路のオンを実現することができる。そして、第１電源を利用して前記加熱素子を加熱するときに前記第２電源の影響を受けず、前記加熱素子に電流が大きすぎる状況が発生する確率を低減させる。
【0127】
そして、本願の実施例では、第１スイッチ素子及び第２スイッチ素子がオフにされ、第３スイッチ素子がオンにされることにより、前記第２オン回路のオンを実現することができる。そして、第２電源を利用して前記加熱素子のインピーダンスを検出するときに第１電源の影響を受けず、前記加熱素子のインピーダンスを検出する正確性を向上させる。
【0128】
このように、第１オン回路と第２オン回路との分離を実現することができる。
【0129】
そして、本願の実施例における加熱回路が複数のサブ回路を含む場合、複数のサブ回路が同時に動作するとき、各サブ回路の第１オン回路と第２オン回路はいずれも互いに影響を受けず、それにより、各サブ回路による前記加熱素子にインピーダンスが存在すること検出する正確性及び前記加熱素サブ回路を加熱する安定性を向上させる。
【0130】
図１０に示すように、一部の実施例では、前記第１スイッチ素子２２１は、を含み、
前記加熱素子２２３に接続される第１端と、
前記インバータ回路２１に接続される第２端と、
前記検出素子２２４に接続される第３端と、を含み、
前記第１端が前記第２端に接続され、前記第２スイッチ素子２２２がオンにされる場合、前記第１電源２３、前記インバータ回路２１及び前記加熱素子２２３は前記第１オン回路を形成するように接続され、
前記第１端が前記第３端に接続され、前記第２スイッチ素子２２２がオフにされる場合、前記第２電源２４、前記検出素子２２４及び前記加熱素子２２３は前記第２オン回路を形成するように接続される。
前記加熱素子２２３に接続される第１端と、
前記インバータ回路２１に接続される第２端と、
前記検出素子２２４に接続される第３端と、を含み、
前記第１端が前記第２端に接続され、前記第２スイッチ素子２２２がオンにされる場合、前記第１電源２３、前記インバータ回路２１及び前記加熱素子２２３は前記第１オン回路を形成するように接続され、
前記第１端が前記第３端に接続され、前記第２スイッチ素子２２２がオフにされる場合、前記第２電源２４、前記検出素子２２４及び前記加熱素子２２３は前記第２オン回路を形成するように接続される。
【0131】
本願の実施例では、前記第１スイッチ素子の第１端が第２端に接続され、前記第２スイッチ素子がオンにされることに基づいて、第１オン回路のオンを実現することができ、前記第１スイッチ素子の第１端が第３端に接続され、前記第２スイッチ素子がオンにされることに基づいて、第２オン回路のオンを実現することができる。このように、本願の実施例における１つのサブ回路には、１つの第１開素子と１つの第２スイッチ素子のみが含まれてもよく、１つの第３スイッチ素子をさらに追加して第１オン回路と第２オン回路との完全なオフを実現する必要がなく、それにより、前記加熱回路における素子、部品の個数をある程度低減させ、前記加熱回路のハードウエアコストを低減させることができる。
【0132】
理解されるように、実際の応用において、前記第１端が前記第３端に接続され、前記第２スイッチ素子がオンにされる場合、前記第２電源、前記検出素子及び前記加熱素子は前記第２オン回路を形成するように接続されることができるが、その際に、第２電源を利用して前記加熱素子に一定のインピーダンスを有する調理装置が存在するか否かを検出するとき、依然として前記第１電源の影響をある程度受けることがあるため、前記加熱素子のインピーダンスを検出する結果が不正確になる。
【0133】
一方、本願の実施例では、前記第１端を前記第３端に接続し、前記第２スイッチ素子をオフにすることにより、前記第２オン回路のオンを実現することができる。そして、第２電源を利用して前記加熱素子のインピーダンスを検出するときに第１電源の影響を受けず、前記加熱素子のインピーダンスを検出する正確性を向上させる。
【0134】
そして、本願の実施例では、前記第１端を前記第２端に接続し、前記第２スイッチ素子をオンにすることにより、前記第１オン回路のオンを実現することができる。そして、第１電源を利用して前記加熱素子を加熱するときに前記第２電源の影響を受けず、前記加熱素子に電流が大きすぎる状況が発生する確率を低減させる。
【0135】
このように、第１オン回路又は第２オン回路の分離を実現することができる。
【0136】
そして、本願の実施例における加熱回路が複数のサブ回路を含む場合、複数のサブ回路が同時に動作するとき、各サブ回路の第１オン回路と第２オン回路はいずれも互いに影響を受けず、それにより各サブ回路による前記加熱素子にインピーダンスが存在すること検出する正確性及び前記加熱素サブ回路を加熱する安定性を向上させる。
【0137】
一部の実施例では、前記第１電源は第１電圧を提供するための電源であり、前記第２電源は第２電圧を提供するための電源であり、ここで、前記第１電圧は前記第２電圧より大きいものであり、
又は、
前記第１電源は前記第１オン回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は第１電流であり、
前記第２電源は前記第２オン回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は第２電流であり、
ここで、前記第１電流は前記第２電流より大きいものである。
又は、
前記第１電源は前記第１オン回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は第１電流であり、
前記第２電源は前記第２オン回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は第２電流であり、
ここで、前記第１電流は前記第２電流より大きいものである。
【0138】
ここで、前記第１電源は１１０Ｖ以上である電圧を取得するための電源であり、前記第２電源は３６Ｖ以下である電圧を取得するための電源である。
【0139】
一実施例では、前記第１電源は２２０Ｖの直流電圧を取得するためのものであり、前記第２電源は３．５Ｖの直流電圧を取得するためのものである。
【0140】
理解されるように、前記第１電源が取得した電圧が１１０Ｖより大きい場合、前記第１電源が取得した電圧は強電電圧であり、前記第２電源が取得した電圧３６Ｖより小さい場合、前記第２電源が取得した電圧は弱電電圧であり、第１電源及び第２電源から給電する場合、第１オン回路と前記第２オン回路がいずれもオンにされると、前記第１オン回路のノイズが第２オン回路クロストークして、加熱素子にインピーダンスが存在すると検出した結果が不正確になる。そして、第２オン回路が加熱素子のインピーダンスを検出するとき、第２オン回路の実際の電圧は１１０Ｖより大きい強電電圧である可能性があり、このように、加熱回路近傍の人にも一定の危険をもたらすことになる。
【0141】
一方、本願の実施例では、第１スイッチ素子と第２スイッチ素子のオンの有無により、第１オン回路がオンにされるときに第２オン回路をオフにし、又は第２オン回路がオンにされるときに第１オン回路をオフにするため、強電と弱電の分離を実現し、弱電回路の低い絶縁性能による危険を低減させる。
【0142】
図１１に示すように、一部の実施例では、前記サブ回路２２は第１ＭＯＳトランジスタ、第２ＭＯＳトランジスタをさらに含み、
前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第２電源２４に接続され、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースはそれぞれ前記第２ＭＯＳトランジスタのドレイン及び前記第１スイッチ素子２２１に接続され、
前記第２ＭＯＳトランジスタのソースはそれぞれ前記接地点ＤＧＮＤ及び前記検出素子２２４に接続される。
前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第２電源２４に接続され、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースはそれぞれ前記第２ＭＯＳトランジスタのドレイン及び前記第１スイッチ素子２２１に接続され、
前記第２ＭＯＳトランジスタのソースはそれぞれ前記接地点ＤＧＮＤ及び前記検出素子２２４に接続される。
【0143】
ここで、図１１に示すように、前記接地点ＤＧＮＤと前記接地点ＰＧＮＤはいずれも接地点であり、両者の電圧は一般的に０である。
【0144】
ここで、図１１に示す加熱回路は２つのサブ回路を含む。
【0145】
ここで、前記ＭＯＳトランジスタは金属－酸化物半導体電界効果トランジスタ（Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ－Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＭＯＳＦＥＴ）である。
【0146】
ここで、前記第１ＭＯＳトランジスタがＮチャネル型ＭＯＳトランジスタである場合、前記第２ＭＯＳトランジスタはＮチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、前記第１ＭＯＳトランジスタがＰチャネル型ＭＯＳトランジスタである場合、前記第２ＭＯＳトランジスタはＰチャネル型ＭＯＳトランジスタである。
【0147】
一実施例では、前記第１ＭＯＳトランジスタと前記第２ＭＯＳトランジスタは２つのトランジスタで置き換えてもよい。
【0148】
ここで、前記第１スイッチ素子は第１端、第２端及び第３端を含むスイッチ素子であり、ここで、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースと前記第１スイッチ素子とは、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースが前記第１スイッチ素子の前記第３端に接続されるように接続される。
【0149】
別の実施例では、前記サブ回路が第３スイッチ素子２２５をさらに含む場合、例えば、図１２に示すように前記第１ＭＯＳトランジスタのソースはそれぞれ前記第２ＭＯＳトランジスタのドレイン及び前記第３スイッチ素子に接続される。
【0150】
本願の実施例では、前記第２オン回路がオンにされる場合、前記第２電源は前記第１ＭＯＳトランジスタ及び前記第２ＭＯＳトランジスタを介して前記加熱素子に低圧高周波電気信号を提供する。このように、前記検出素子を流れる検出電流又は検出電圧により、前記加熱素子に一定のインピーダンスを有する調理装置が存在するか否かを決定することができる。さらに、前記加熱素子に一定のインピーダンスを有する調理装置が存在しない時の検出電流を第１検出電流値、検出された検出電流を第２検出電流値に予め設定する場合、さらに、第１検出電流値及び第２検出電流値等に基づいて前記調理装置のインピーダンス値を算出することができる。又は、前記加熱素子に一定のインピーダンスを有する調理装置が存在しない時の検出電圧を第１検出電圧値、検出された検出電圧を第２検出電圧値に予め設定する場合、さらに、第１検出電圧値及び第２検出電圧値に基づいて前記調理装置のインピーダンス値を算出することができる。
【0151】
本願の実施例では、第１ＭＯＳトランジスタと第２ＭＯＳトランジスタに１つの第４スイッチ素子を設置することで、前記第４スイッチ素子が前記第１ＭＯＳトランジスタと前記第２ＭＯＳトランジスタとの接続をオフするように構成されてもよい。
【0152】
ここで、前記第４スイッチ素子は、単極単投スイッチであってよもく、そしてユーザの操作に応じてオン又はオフされる。又は、前記第４スイッチ素子は１つの制御スイッチであり、前記制御スイッチは制御回路に接続され、前記制御回路は前記制御スイッチのオン又はオフを制御する。
【0153】
ここで、前記第４スイッチ素子は前記第３スイッチ素子に代えてもよい。このように、前記第１スイッチ素子及び前記第２スイッチ素子がオンにされ、前記第４スイッチ素子がオフにされる場合、前記第１オン回路がオンにされ、前記第１スイッチ素子及び前記第２スイッチ素子がオフにされ、そして前記第４スイッチ素子がオンにされる場合、前記第２オン回路がオンにされる。
【0154】
再び図１１を参照し、一部の実施例では、前記サブ回路２２はさらに第１コンデンサＣ１を含み、
前記第１コンデンサＣ１は、前記第２ノードと前記検出素子２２４との間に接続され、ここで、前記第１コンデンサＣ１は前記加熱素子の検出電流の交番周波数を制御するように構成される。
前記第１コンデンサＣ１は、前記第２ノードと前記検出素子２２４との間に接続され、ここで、前記第１コンデンサＣ１は前記加熱素子の検出電流の交番周波数を制御するように構成される。
【0155】
ここで、前記第１コンデンサＣ１は前記加熱素子のマッチングコンデンサである。ここで、前記第１コンデンサＣ１の容量性リアクタンス、加熱素子のインピーダンス及び検出素子のインピーダンスを調整することにより、前記第２オン回路における加熱素子の検出電流の発振周波数（即ち交番周波数）を調整することができる。
【0156】
本願の実施例では、前記第１コンデンサＣ１の容量性リアクタンス、加熱素子のインピーダンス、及び検出素子のインピーダンスを調整することにより、前記第２オン回路における検出電流の交番周波数を調整することができ、それにより、前記加熱素子にインピーダンスが存在するか否かを検出する正確性を向上させることができる。
【0157】
そして、前記述第１コンデンサＣ１の容量性リアクタンスが前記加熱素子のインピーダンスの値と同一である場合、前記第１コンデンサＣ１と前記加熱素子は、前記第２オン回路においてインピーダンスが０と等価である（Ｃ１とＬ１は直列発振を構成することに相当する）。このように、前記第２電源は、検出素子、及び加熱素子に一定のインピーダンスを有する調理装置のインピーダンス（調理装置が存在する場合）機能のみを必要とすれば、さらに前記加熱素子にインピーダンスが存在するか否かを検出する正確性を向上させることができる。
【0158】
再び図１１を参照し、一部の実施例では、前記インバータ回路２１は第１ＩＧＢＴ及び第２ＩＧＢＴを含み、
前記第１ＩＧＢＴのコレクタは前記第１電源２３に接続され、前記第１ＩＧＢＴのエミッタは前記第２ＩＧＢＴのコレクタに接続され、前記第２ＩＧＢＴのエミッタは接地され、
前記第１スイッチ素子２２１は前記第１ＩＧＢＴのエミッタに接続され、前記第２スイッチ素子は前記第１ＩＧＢＴのコレクタに接続される。
ここで、前記インバータ回路２１は、前記直流電圧を交流電圧にインバータするように構成されることができる。例えば、前記１１０Ｖの直流電圧を１１０Ｖの正弦波電圧又は方形波電圧にインバータする。
前記第１ＩＧＢＴのコレクタは前記第１電源２３に接続され、前記第１ＩＧＢＴのエミッタは前記第２ＩＧＢＴのコレクタに接続され、前記第２ＩＧＢＴのエミッタは接地され、
前記第１スイッチ素子２２１は前記第１ＩＧＢＴのエミッタに接続され、前記第２スイッチ素子は前記第１ＩＧＢＴのコレクタに接続される。
ここで、前記インバータ回路２１は、前記直流電圧を交流電圧にインバータするように構成されることができる。例えば、前記１１０Ｖの直流電圧を１１０Ｖの正弦波電圧又は方形波電圧にインバータする。
【0159】
前記インバータ回路２１はさらに、正の半波の交流電圧を完全な波形の交流電圧（完全な波形の交流電圧は正の半波及び負の半波を有する電圧である）に変換するように構成されることができる。例えば、２２０Ｖの正の半波の方形波電圧を２２０Ｖの正の半波、負の半波の方形波電圧に変換する。
【0160】
本願の実施例では、前記第１ＩＧＢＴ及び前記第２ＩＧＢＴのオンとオフの周波数により、前記第１電源から出力された電気信号周波数を調整することができる。前記第１ＩＧＢＴと前記第２ＩＧＢＴからなるインバータ回路を介して、第１電源の直流信号を交流信号に変換し、又は所定の値より高い高周波電気信号にさらに変換することができる。
【0161】
そして、前記インバータ回路はＩＧＢＴを採用するため、ＭＯＳトランジスタの高い入力インピーダンス及びパワートランジスタのオン状態での低い電圧降下両方の利点を同時に有する。従って、本願の実施例では、前記加熱素子に給電する安定性及び安全動作電圧領域を向上させ、前記加熱素子に給電する安全性をさらに向上させることができる。
【0162】
なお、前記高周波は、後続の実施例の言及した低周波と相対的に説明されたものであり、同一の参照基準で、前記高周波の周波数は前記低周波の周波数より大きい。
【0163】
理解されるように、前記インバータ回路は２つのＭＯＳトランジスタで構成されてもよく、又は、前記インバータ回路は２つのトランジスタで構成されてもよい。
【0164】
例えば、一部の実施例では、前記インバータ回路はさらに、第３ＭＯＳトランジスタ及び第４ＭＯＳトランジスタを含んでもよい。
【0165】
前記第３ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第１電源２３に接続され、前記第３ＭＯＳトランジスタのソースは前記第４ＭＯＳトランジスタのドレインに接続され、前記第４ＭＯＳトランジスタのソースは接地される。
【0166】
前記第１スイッチ素子は前記第３ＭＯＳトランジスタのソースに接続され、前記第２スイッチ素子は前記第３ＭＯＳトランジスタのドレインに接続される。
【0167】
このように、本願の実施例では、前記第３ＭＯＳトランジスタと前記第４ＭＯＳトランジスタの交互オンにより、前記加熱素子に高周波電気信号を提供することができる。
【0168】
再び図１１を参照し、一部の実施例では、前記加熱回路は第２コンデンサＣ２及び第３コンデンサＣ３をさらに含み、ここで、
前記第２コンデンサＣ２は、前記第１電源２３と前記第２スイッチ素子２２２との間に接続され、
前記第３コンデンサＣ３は、前記第２コンデンサＣ２と前記接地点ＰＧＮＤとの間に接続され、
ここで、前記第２コンデンサＣ２及び前記第３コンデンサＣ３は共通に前記加熱素子の加熱電流の交番周波数を制御するように構成される。
前記第２コンデンサＣ２は、前記第１電源２３と前記第２スイッチ素子２２２との間に接続され、
前記第３コンデンサＣ３は、前記第２コンデンサＣ２と前記接地点ＰＧＮＤとの間に接続され、
ここで、前記第２コンデンサＣ２及び前記第３コンデンサＣ３は共通に前記加熱素子の加熱電流の交番周波数を制御するように構成される。
【0169】
ここで、前記第２コンデンサＣ２と前記第３コンデンサＣ３は前記加熱素子のマッチングコンデンサである。ここで、前記第２コンデンサＣ２と前記第３コンデンサＣ３の容量性リアクタンス、加熱素子のインピーダンスを調整することにより、前記第１オン回路における加熱素子の加熱電流の発振周波数（交番周波数）を調整することができる。
【0170】
本願の実施例では、前記第２コンデンサＣ２及び前記第３コンデンサＣ２の容量性リアクタンス、加熱素子のインピーダンスを調整することにより、前記第１オン回路における加熱電流の交番周波数を調整することができる。前記第２コンデンサ及び前記第３コンデンサの容量性リアクタンスと、前記加熱素子のインピーダンスとが等価であるように調整した場合、前記第２コンデンサ及び第３コンデンサの電界エネルギーは、前記加熱素子の磁界エネルギーと相互変換することができ、さらに前記第１オン回路の機能に提供する第１電源のエネルギー消費を節約することができる。
【0171】
構成例三
図１３に示すように、本願の実施例はさらに加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路２１、サブ回路２２、第１電源２３、第２コンデンサＣ２及び第３コンデンサＣ３を含み、
ここで、前記サブ回路２２は、検出サブ回路、コイルＬ、第１スイッチ素子Ｋ１、第２開素子Ｋ２及び第３スイッチ素子Ｋ３を含み、
前記インバータ回路は、第１ＩＧＢＴ及び第２ＩＧＢＴを含み、ここで、前記第１ＩＧＢＴのコレクタは前記第１電源２３に接続され、前記第１ＩＧＢＴのエミッタは前記第２ＩＧＢＴのコレクタに接続され、前記第２ＩＧＢＴのエミッタは接地点ＰＧＮＤに接続され、
前記第１スイッチ素子Ｋ１は前記コイルＬと前記第１ＩＧＢＴのエミッタとの間に接続され、前記第２スイッチ素子Ｋ２は前記コイルＬに接続され、前記第３スイッチ素子Ｋ３は、前記検出サブ回路に接続され、前記コイルＬに並列接続され、
前記第２コンデンサＣ２は、前記第１電源２３と前記第２スイッチ素子Ｋ２との間に接続され、前記第３コンデンサＣ３は、前記第２コンデンサＣ２と前記接地点ＰＧＮＤとの間に接続され、
前記第１スイッチ素子Ｋ１がオンにされ、前記第２スイッチ素子Ｋ２がオンにされ、そして前記第３スイッチ素子Ｋ３がオフにされる場合、前記第１電源２３、前記インバータ回路２１及び前記コイルＬは前記第１オン回路になるように接続され、前記第１電源２３は前記第１オン回路を介して前記コイルＬに給電し、前記コイルＬは前記第１電源２３の給電に基づいて発熱し、
前記第１スイッチ素子Ｋ１がオフにされ、前記第２スイッチ素子Ｋ２がオフにされ、そして前記第３スイッチ素子Ｋ３がオンにされる場合、前記検出サブ回路と前記コイルＬは第２オン回路になるように接続され、前記検出サブ回路は前記第２オン回路を介して前記コイルＬに給電する。
図１３に示すように、本願の実施例はさらに加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路２１、サブ回路２２、第１電源２３、第２コンデンサＣ２及び第３コンデンサＣ３を含み、
ここで、前記サブ回路２２は、検出サブ回路、コイルＬ、第１スイッチ素子Ｋ１、第２開素子Ｋ２及び第３スイッチ素子Ｋ３を含み、
前記インバータ回路は、第１ＩＧＢＴ及び第２ＩＧＢＴを含み、ここで、前記第１ＩＧＢＴのコレクタは前記第１電源２３に接続され、前記第１ＩＧＢＴのエミッタは前記第２ＩＧＢＴのコレクタに接続され、前記第２ＩＧＢＴのエミッタは接地点ＰＧＮＤに接続され、
前記第１スイッチ素子Ｋ１は前記コイルＬと前記第１ＩＧＢＴのエミッタとの間に接続され、前記第２スイッチ素子Ｋ２は前記コイルＬに接続され、前記第３スイッチ素子Ｋ３は、前記検出サブ回路に接続され、前記コイルＬに並列接続され、
前記第２コンデンサＣ２は、前記第１電源２３と前記第２スイッチ素子Ｋ２との間に接続され、前記第３コンデンサＣ３は、前記第２コンデンサＣ２と前記接地点ＰＧＮＤとの間に接続され、
前記第１スイッチ素子Ｋ１がオンにされ、前記第２スイッチ素子Ｋ２がオンにされ、そして前記第３スイッチ素子Ｋ３がオフにされる場合、前記第１電源２３、前記インバータ回路２１及び前記コイルＬは前記第１オン回路になるように接続され、前記第１電源２３は前記第１オン回路を介して前記コイルＬに給電し、前記コイルＬは前記第１電源２３の給電に基づいて発熱し、
前記第１スイッチ素子Ｋ１がオフにされ、前記第２スイッチ素子Ｋ２がオフにされ、そして前記第３スイッチ素子Ｋ３がオンにされる場合、前記検出サブ回路と前記コイルＬは第２オン回路になるように接続され、前記検出サブ回路は前記第２オン回路を介して前記コイルＬに給電する。
【0172】
ここで、前記検出サブ回路は、前記コイルＬのインピーダンスを検出するように構成され、ここで、検出したインピーダンスは、前記第１電源２３から前記コイルＬへの給電を制御するように構成される。
【0173】
ここで、前記検出サブ回路は上記実施例における第２電源、第１コンデンサ及び検出素子を含んでもよい。ここで、前記第２電源は前記第２オン回路に給電するように構成され、前記検出素子は前記第２電源の給電に基づいて前記コイルＬのインピーダンスを検出し、前記第１コンデンサは、第２オン回路における前記コイルＬの検出電流の交番周波数を制御するように構成される。
【0174】
当然のことながら、前記検出サブ回路は上記実施例における第１ＭＯＳトランジスタ及び第２ＭＯＳトランジスタを含んでもよく、前記第１ＭＯＳトランジスタ及び前記第２ＭＯＳトランジスタは高周波低圧パルス信号を出力するように構成される。
【0175】
本願の実施例では、第１スイッチ素子、第２スイッチ素子及び第３スイッチ素子のオンの有無により、第１電源、インバータ回路及びコイルによって接続された第１オン回路のオン、又は検出サブ回路とコイルによって接続された第２オン回路のオンを実現することができる。このように、前記第１オン回路と前記第２オン回路との間に電気的接続点がなく、前記第１オン回路と前記第２オン回路は互いに分離されており、互いに影響しない。
【0176】
このように、第２電源が前記第２オン回路を介して前記コイルを検出するときに第１電源の影響を受けず、前記コイルにインピーダンスが存在するか否かを検出する正確性を向上させる。そして、第１電源が前記第１オン回路を介して前記コイルを加熱するときにも検出サブ回路における電源の影響を受けず、前記検出サブ回路における電源が前記コイルを加熱することによる前記コイルの電流が大きすぎる影響を大幅に低減させる。
【0177】
構成例四
再び図１１を参照し、本願の実施例は加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路２１、２つのサブ回路２２、第１電源２３、第２電源２４、第２コンデンサＣ２及び第３コンデンサＣ３を含み、ここで、前記サブ回路２１は、第１スイッチ素子２２１、第２スイッチ素子２２２、加熱素子２２３、検出素子２２４、第１コンデンサＣ１、第１ＭＯＳトランジスタ及び第２ＭＯＳトランジスタを含み、
前記インバータ回路２１は、第１ＩＧＢＴ及び第２ＩＧＢＴを含み、ここで、前記第１ＩＧＢＴのコレクタは前記第１電源２３に接続され、前記第１ＩＧＢＴのエミッタは前記第２ＩＧＢＴのコレクタに接続され、前記第２ＩＧＢＴのエミッタは接地点ＰＧＮＤに接続され、
前記第１スイッチ素子２２１は、第１端、第２端及び第３端を含み、ここで、前記第１端は前記加熱素子２２３に接続され、前記第２端は前記第１ＩＧＢＴのエミッタに接続され、前記第３端は第１ＭＯＳトランジスタソースに接続され、
前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第２電源２４に接続され、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースは前記第２ＭＯＳトランジスタのドレインに接続され、前記第２ＭＯＳトランジスタのソースはそれぞれ前記接地点ＤＧＮＤ及び前記検出素子２２４に接続され、
前記第１コンデンサＣ１は前記加熱素子２２３と前記検出素子２２４との間に接続され、
前記第２コンデンサＣ２は前記第１電源２３と前記第２スイッチ素子２２２との間に接続され、前記第３コンデンサＣ３は前記第２コンデンサＣ２と前記接地点ＰＧＮＤとの間に接続され、
前記第１端が前記第２端に接続され、前記第２スイッチ素子２２２がオンにされる場合、前記第１電源２３、前記インバータ回路２１及び前記加熱素子２２３は、前記第１オン回路になるように接続され、前記第１電源２３は、前記第１オン回路を介して前記加熱素子２２３に給電し、前記加熱素子２２３は前記第１電源２３の給電に基づいて発熱し、
前記第１端が前記第３端に接続され、前記第２スイッチ素子２２２がオフにされる場合、前記第２電源２４、前記検出素子２２４及び前記加熱素子２２３は、前記第２オン回路になるように接続され、前記第２電源２４は、前記第２オン回路を介して前記加熱素子２３及び前記検出素子２４に給電する。
再び図１１を参照し、本願の実施例は加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路２１、２つのサブ回路２２、第１電源２３、第２電源２４、第２コンデンサＣ２及び第３コンデンサＣ３を含み、ここで、前記サブ回路２１は、第１スイッチ素子２２１、第２スイッチ素子２２２、加熱素子２２３、検出素子２２４、第１コンデンサＣ１、第１ＭＯＳトランジスタ及び第２ＭＯＳトランジスタを含み、
前記インバータ回路２１は、第１ＩＧＢＴ及び第２ＩＧＢＴを含み、ここで、前記第１ＩＧＢＴのコレクタは前記第１電源２３に接続され、前記第１ＩＧＢＴのエミッタは前記第２ＩＧＢＴのコレクタに接続され、前記第２ＩＧＢＴのエミッタは接地点ＰＧＮＤに接続され、
前記第１スイッチ素子２２１は、第１端、第２端及び第３端を含み、ここで、前記第１端は前記加熱素子２２３に接続され、前記第２端は前記第１ＩＧＢＴのエミッタに接続され、前記第３端は第１ＭＯＳトランジスタソースに接続され、
前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第２電源２４に接続され、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースは前記第２ＭＯＳトランジスタのドレインに接続され、前記第２ＭＯＳトランジスタのソースはそれぞれ前記接地点ＤＧＮＤ及び前記検出素子２２４に接続され、
前記第１コンデンサＣ１は前記加熱素子２２３と前記検出素子２２４との間に接続され、
前記第２コンデンサＣ２は前記第１電源２３と前記第２スイッチ素子２２２との間に接続され、前記第３コンデンサＣ３は前記第２コンデンサＣ２と前記接地点ＰＧＮＤとの間に接続され、
前記第１端が前記第２端に接続され、前記第２スイッチ素子２２２がオンにされる場合、前記第１電源２３、前記インバータ回路２１及び前記加熱素子２２３は、前記第１オン回路になるように接続され、前記第１電源２３は、前記第１オン回路を介して前記加熱素子２２３に給電し、前記加熱素子２２３は前記第１電源２３の給電に基づいて発熱し、
前記第１端が前記第３端に接続され、前記第２スイッチ素子２２２がオフにされる場合、前記第２電源２４、前記検出素子２２４及び前記加熱素子２２３は、前記第２オン回路になるように接続され、前記第２電源２４は、前記第２オン回路を介して前記加熱素子２３及び前記検出素子２４に給電する。
【0178】
ここで、前記検出素子２２４は、前記第２電源２４の給電に基づいて前記加熱素子２２３のインピーダンスを検出する。ここで、検出したインピーダンスは、前記第１電源２３から前記加熱素子２２３への給電を制御するように構成される。
【0179】
本願の実施例では、第１スイッチ素子の第１端及び第２端、又は第１端と第２端の接続の有無、並びに第２スイッチ素子のオンの有無により、第１電源、インバータ回路及び加熱素子によって接続された第１オン回路のオン、又は第２電源、検出素子及び前記加熱素子によって接続された第２オン回路のオンを実現することができる。このように、前記第１オン回路と前記第２オン回路との間に電気的接続点がなく、前記第１オン回路と前記第２オン回路は互いに分離されており、互いに影響しない。
【0180】
このように、第２電源が前記第２オン回路を介して前記加熱素子を検出するときに第１電源の影響を受けず、前記加熱素子にインピーダンスが存在するか否かを検出する正確性を向上させる。そして、第１電源が前記第１オン回路を介して前記加熱素子を加熱するときにも第２電源の影響を受けず、第２電源が前記加熱素子を加熱することによる前記加熱素子の電流が大きすぎる影響を大幅に低減させる。
【0181】
そして、本願の実施例では、１つのサブ回路において、３つの端部を含む１つの第１スイッチ素子のみに基づいて、第１スイッチ素子の第１端及び第２端、第１端と第２端の接続の有無により、第１オン回路又は第２オン回路のオンを実現することができ、さらに前記加熱回路の素子、部品の個数を低減させることができるため、前記加熱回路のハードウエアコストを大幅に低減させることができる。
【0182】
構成例五
再び図１２を参照し、本願の実施例は加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路２１、２つのサブ回路２２、第１電源２３、第２電源２４、第２コンデンサＣ２及び第３コンデンサＣ３を含み、ここで、前記サブ回路２１は、第１スイッチ素子２２１、第２スイッチ素子２２２、第３スイッチ素子２２５、加熱素子２２３、検出素子２２４、第１コンデンサＣ１、第１ＭＯＳトランジスタ及び第２ＭＯＳトランジスタを含み、
前記インバータ回路２１は、第１ＩＧＢＴ及び第２ＩＧＢＴを含み、ここで、前記第１ＩＧＢＴのコレクタは前記第１電源２３に接続され、前記第１ＩＧＢＴのエミッタは前記第２ＩＧＢＴのコレクタに接続され、前記第２ＩＧＢＴのエミッタは接地点ＰＧＮＤに接続され、
前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第２電源２４に接続され、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースは前記第２ＭＯＳトランジスタのドレインに接続され、前記第２ＭＯＳトランジスタのソースはそれぞれ前記接地点ＤＧＮＤ及び前記検出素子２２４に接続され、
前記第１スイッチ素子２２１は、前記加熱素子２２３と前記第１ＩＧＢＴのエミッタとの間に接続され、前記第２スイッチ素子２２２は前記加熱素子２２３に接続され、前記第３スイッチ素子２２５は、前記加熱素子２２３と前記第１ＭＯＳトランジスタのソースとの間に接続され、
前記第１コンデンサＣ１は、前記加熱素子２２３と前記検出素子２２４との間に接続され、
前記第２コンデンサＣ２は、前記第１電源２３と前記第２スイッチ素子２２２との間に接続され、前記第３コンデンサＣ３は、前記第２コンデンサＣ２と前記接地点ＰＧＮＤとの間に接続され、
前記第１スイッチ素子２２１がオンにされ、前記第２スイッチ素子２２２がオンにされ、そして前記第３スイッチ素子２２５がオフにされる場合、前記第１電源２３、前記インバータ回路２１及び前記加熱素子２２３は、前記第１オン回路になるように接続され、前記第１電源２３は前記第１オン回路を介して前記加熱素子２２３に給電し、前記加熱素子２２３は前記第１電源２３の給電に基づいて発熱し、
前記第１スイッチ素子２２１がオフにされ、前記第２スイッチ素子２２２がオフにされ、そして前記第３スイッチ素子２２３がオンにされる場合、前記第２電源２４、前記検出素子２２４及び前記加熱素子２２３は、前記第２オン回路になるように接続され、前記第２電源２４は前記第２オン回路を介して前記加熱素子２３及び前記検出素子２４に給電する。
再び図１２を参照し、本願の実施例は加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路２１、２つのサブ回路２２、第１電源２３、第２電源２４、第２コンデンサＣ２及び第３コンデンサＣ３を含み、ここで、前記サブ回路２１は、第１スイッチ素子２２１、第２スイッチ素子２２２、第３スイッチ素子２２５、加熱素子２２３、検出素子２２４、第１コンデンサＣ１、第１ＭＯＳトランジスタ及び第２ＭＯＳトランジスタを含み、
前記インバータ回路２１は、第１ＩＧＢＴ及び第２ＩＧＢＴを含み、ここで、前記第１ＩＧＢＴのコレクタは前記第１電源２３に接続され、前記第１ＩＧＢＴのエミッタは前記第２ＩＧＢＴのコレクタに接続され、前記第２ＩＧＢＴのエミッタは接地点ＰＧＮＤに接続され、
前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第２電源２４に接続され、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースは前記第２ＭＯＳトランジスタのドレインに接続され、前記第２ＭＯＳトランジスタのソースはそれぞれ前記接地点ＤＧＮＤ及び前記検出素子２２４に接続され、
前記第１スイッチ素子２２１は、前記加熱素子２２３と前記第１ＩＧＢＴのエミッタとの間に接続され、前記第２スイッチ素子２２２は前記加熱素子２２３に接続され、前記第３スイッチ素子２２５は、前記加熱素子２２３と前記第１ＭＯＳトランジスタのソースとの間に接続され、
前記第１コンデンサＣ１は、前記加熱素子２２３と前記検出素子２２４との間に接続され、
前記第２コンデンサＣ２は、前記第１電源２３と前記第２スイッチ素子２２２との間に接続され、前記第３コンデンサＣ３は、前記第２コンデンサＣ２と前記接地点ＰＧＮＤとの間に接続され、
前記第１スイッチ素子２２１がオンにされ、前記第２スイッチ素子２２２がオンにされ、そして前記第３スイッチ素子２２５がオフにされる場合、前記第１電源２３、前記インバータ回路２１及び前記加熱素子２２３は、前記第１オン回路になるように接続され、前記第１電源２３は前記第１オン回路を介して前記加熱素子２２３に給電し、前記加熱素子２２３は前記第１電源２３の給電に基づいて発熱し、
前記第１スイッチ素子２２１がオフにされ、前記第２スイッチ素子２２２がオフにされ、そして前記第３スイッチ素子２２３がオンにされる場合、前記第２電源２４、前記検出素子２２４及び前記加熱素子２２３は、前記第２オン回路になるように接続され、前記第２電源２４は前記第２オン回路を介して前記加熱素子２３及び前記検出素子２４に給電する。
【0183】
ここで、前記検出素子２２４は、前記第２電源２４の給電に基づいて前記加熱素子２２３のインピーダンスを検出する。ここで、検出したインピーダンスは、前記第１電源２３から前記加熱素子２２３への給電を制御するように構成される。
【0184】
本願の実施例では、第１スイッチ素子、第２スイッチ素子及び第３スイッチ素子のオンの有無により、第１電源、インバータ回路及び加熱素子によって接続された第１オン回路のオン、又は第２電源、検出素子及び前記加熱素子によって接続された第２オン回路のオンを実現することができる。このように、前記第１オン回路と前記第２オン回路との間に電気的接続点がなく、前記第１オン回路と前記第２オン回路は互いに分離されており、互いに影響しない。
【0185】
このように、第２電源が前記第２オン回路を介して前記加熱素子を検出するときに第１電源の影響を受けず、前記加熱素子にインピーダンスが存在するか否かを検出する正確性を向上させる。そして、第１電源が前記第１オン回路を介して前記加熱素子を加熱するときにも第２電源の影響を受けず、第２電源が前記加熱素子を加熱することによる前記加熱素子の電流が大きすぎる影響を大幅に低減させる。
【0186】
図１４に示すように、本願の実施例は加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路３１、第１スイッチ部品３２、加熱素子３３、第２スイッチ部品３４、検出回路３５、第１電源３６及び第２電源３７を含み、ここで、
前記第１スイッチ部品３２の第１端は前記加熱素子３３の第１端に接続され、前記第１スイッチ部品３２の第２端は前記インバータ回路３１の第１端に接続され、前記第１スイッチ部品３２の第３端は前記検出回路３５の第１端に接続され、
前記第２スイッチ部品３４の第１端は前記加熱素子３３の第２端に接続され、前記第２スイッチ部品３４の第２端は前記インバータ回路３１の第２端に接続され、前記第２スイッチ部品３４の第３端は前記検出回路３５の第２端に接続され、
前記第１スイッチ部品３２の第１端が前記第１スイッチ部品３２の第２端に接続され、前記第２スイッチ部品３４の第１端が前記第２スイッチ部品３４の第２端に接続される場合、前記第１電源３６、前記加熱素子３３及び前記インバータ回路３１は第１回路を形成し、前記第１電源３６は前記第１回路を介して前記加熱素子３３に給電し、前記加熱素子３３は前記第１電源３６の給電に基づいて発熱し、
前記第１スイッチ部品３２の第１端が前記第１スイッチ部品３２の第３端に接続され、前記第２スイッチ部品３４の第１端が前記第２スイッチ部品３４の第３端に接続される場合、前記第２電源３７、前記検出回路３５及び前記加熱素子３３は第２回路を形成し、前記第２電源３７は前記第２回路を介して前記加熱素子３３及び前記検出回路３５に給電する。
前記第１スイッチ部品３２の第１端は前記加熱素子３３の第１端に接続され、前記第１スイッチ部品３２の第２端は前記インバータ回路３１の第１端に接続され、前記第１スイッチ部品３２の第３端は前記検出回路３５の第１端に接続され、
前記第２スイッチ部品３４の第１端は前記加熱素子３３の第２端に接続され、前記第２スイッチ部品３４の第２端は前記インバータ回路３１の第２端に接続され、前記第２スイッチ部品３４の第３端は前記検出回路３５の第２端に接続され、
前記第１スイッチ部品３２の第１端が前記第１スイッチ部品３２の第２端に接続され、前記第２スイッチ部品３４の第１端が前記第２スイッチ部品３４の第２端に接続される場合、前記第１電源３６、前記加熱素子３３及び前記インバータ回路３１は第１回路を形成し、前記第１電源３６は前記第１回路を介して前記加熱素子３３に給電し、前記加熱素子３３は前記第１電源３６の給電に基づいて発熱し、
前記第１スイッチ部品３２の第１端が前記第１スイッチ部品３２の第３端に接続され、前記第２スイッチ部品３４の第１端が前記第２スイッチ部品３４の第３端に接続される場合、前記第２電源３７、前記検出回路３５及び前記加熱素子３３は第２回路を形成し、前記第２電源３７は前記第２回路を介して前記加熱素子３３及び前記検出回路３５に給電する。
【0187】
本願の実施例では、前記検出回路３５は、前記第２電源３７の給電に基づいて前記加熱素子３３のインピーダンスを検出する。ここで、検出したインピーダンスは、前記第１電源３６から加熱素子３３への給電を制御するように構成される。
【0188】
本願の実施例では、前記インバータ回路の第２端は接地点（Ｇｒｏｕｎｄ、ＧＮＤ）に接続される（前記図１４においてこれを図示しない）。
【0189】
ここで、前記加熱素子３３は、コイル、リール、電熱線、電熱板、電熱棒及び電熱シートのうちの少なくとも１つを含むが、それらに限定されない。
【0190】
例えば、前記加熱素子３３は炊飯器におけるコイルである。前記スイッチ部品がオフにされる場合、前記第２電源を利用して前記加熱素子及び検出回路加熱に給電する。前記検出回路は前記第２電源の給電に基づいて、前記検出回路における検出電流又は前記加熱回路における検出素子での電圧の大きさを決定する。前記検出電流又は前記検出素子での電圧の大きさに基づいて、前記炊飯器のコイルでのインピーダンスの大きさを決定し、決定されたインピーダンスに基づいて前記電磁調理器に調理装置が存在すると決定し、それにより、前記スイッチ部品のオンに基づいて、前記第１電源を利用して前記炊飯器を加熱する。
【0191】
ここで、前記加熱素子３３は１つ又は複数であってよもい。
【0192】
一実施例では、前記加熱素子が複数である場合、複数の前記加熱素子は直列接続される。
【0193】
一実施例では、前記第１スイッチ部品は単極双投スイッチを含み、前記第２スイッチ部品は単極双投スイッチを含む。
【0194】
別の実施例では、前記第１スイッチ部品は単極双投リレーを含み、前記第２スイッチ部品は単極双投リレーを含む。このように、本願の実施例では、単極双投リレーにより第１スイッチ部品の選択的なオン及び第２スイッチ部品の選択的なオンを実現することで、人力でオンを選択することによる危険を大幅に低減させることができる。
【0195】
本願の実施例では、前記第１スイッチ部品の第１端が前記第１スイッチ部品の第２端に接続され、そして前記第２スイッチ部品の第１端が前記第２スイッチ部品の第２端に接続される場合、前記第１回路がオンにされ、前記第１スイッチ部品の第１端が前記第１スイッチ部品の第３端に接続され、そして前記第２スイッチ部品の第１端が前記第２スイッチ部品の第３端に接続される場合、前記第２回路がオンにされる。このように、前記第１回路と前記第２回路との間に電気的接続点がなく、前記第１回路と前記第２回路は互いに分離されており、互いに影響しない。
【0196】
このように、第２電源が前記第２回路を介して前記加熱素子を検出するときに第１電源の影響を受けず、前記加熱素子にインピーダンスが存在するか否かを検出する正確性を向上させる。そして、第１電源が前記第１回路を介して前記加熱素子を加熱するときにも第２電源の影響を受けず、第２電源が前記加熱素子を加熱することによる前記加熱素子の電流が大きすぎる影響を大幅に低減させる。
【0197】
一部の実施例では、前記第１電源３６は第１電圧を取得するための電源であり、前記第２電源３７は第２電圧を取得するための電源であり、ここで、前記第１電圧は前記第２電圧より大きいものであり、又は、前記第１電源３６が前記第１回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は第１電流であり、
前記第２電源３７が前記第２回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は第２電流であり、
ここで、前記第１電流は前記第２電流より大きいものである。
前記第２電源３７が前記第２回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は第２電流であり、
ここで、前記第１電流は前記第２電流より大きいものである。
【0198】
本願の実施例では、前記第１電源は１１０Ｖ以上である電圧を取得するための電源であり、前記第２電源は３６Ｖ以下である電圧を取得するための電源である。
【0199】
一実施例では、前記第１電源は２２０Ｖの直流電圧を取得するためのものであり、前記第２電源は５Ｖの直流電圧を取得するためのものである。
【0200】
理解されるように、前記第１電源が取得した電圧が１１０Ｖより大きい場合、前記第１電源が取得した電圧は強電電圧であり、前記第２電源が取得した電圧３６Ｖより小さい場合、前記第２電源が取得した電圧は弱電電圧であり、その際に、第１回路と前記第２回路が分離されないと、第１回路のノイズが第２回路にクロストークして、加熱素子でのインピーダンスを検出する結果が不正確になる。そして、第２回路が加熱素子のインピーダンスを検出するとき、第２回路の実際の電圧は１１０Ｖより大きい強電電圧である可能性があり、このように、加熱回路近傍の人にも一定の危険をもたらすことになる。
【0201】
本願の実施例では、第１スイッチ部品と第２スイッチ部品により第１回路と第２回路を完全的にオフすることができるため、強電と弱電の分離を実現し、強電回路（即ち第１回路）のノイズが弱電回路（即ち第２回路）にクロストークする影響を大幅に低減させ、そして、弱電回路の低い絶縁性能による危険を低減させることができる。
【0202】
図１５に示すように、一部の実施例では、前記加熱回路は、第１制御回路３８及び第２制御回路３９を含み、
前記第１制御回路３８は、前記第１スイッチ部品３２に接続され、前記第１スイッチ部品３２の第１端と前記第１スイッチ部品３２の第２端とをオンにする第１制御信号を発信するように構成され、又は、前記第１スイッチ部品３２の第１端と前記第１スイッチ部品３２の第３端とをオンにする第２制御信号を発信するように構成され、
前記第２制御回路３９は、前記第２スイッチ部品３４に接続され、前記第２スイッチ部品３４の第１端と前記第２スイッチ部品３４の第２端とをオンにする第３制御信号を発信するように構成され、又は、前記第２スイッチ部品３４の第１端と前記第２スイッチ部品３４の第３端とをオンにする第４制御信号を発信するように構成される。
前記第１制御回路３８は、前記第１スイッチ部品３２に接続され、前記第１スイッチ部品３２の第１端と前記第１スイッチ部品３２の第２端とをオンにする第１制御信号を発信するように構成され、又は、前記第１スイッチ部品３２の第１端と前記第１スイッチ部品３２の第３端とをオンにする第２制御信号を発信するように構成され、
前記第２制御回路３９は、前記第２スイッチ部品３４に接続され、前記第２スイッチ部品３４の第１端と前記第２スイッチ部品３４の第２端とをオンにする第３制御信号を発信するように構成され、又は、前記第２スイッチ部品３４の第１端と前記第２スイッチ部品３４の第３端とをオンにする第４制御信号を発信するように構成される。
【0203】
本願の実施例では、前記第１制御信号と前記第３制御信号はいずれもハイレベル信号であってよもく、前記第２制御信号と前記第４制御信号はいずれもローレベル信号であってよもい。本願の全ての実施例では、前記ハイレベル信号と前記ローレベル信号とは相対的に説明されたものであり、同一の参照基準で、前記ハイレベルの電圧は前記ローレベルの電圧より大きい。
【0204】
本願の実施例では、前記第１制御回路３８は信号処理能力を有する制御回路であってよもく、前記第２制御回路３９は信号処理能力を有する制御回路であってよもい。
【0205】
本願の実施例では、前記第１制御回路３８は制御チップ又はコントローラを含んでもよく、前記第２制御回路３９は制御チップ又はコントローラを含んでもよい。前記制御チップは、中央処理装置の処理チップ、マイクロコントローラチップ、データ信号処理チップ又はプログラマブルアレイ処理チップ等であってよもい。前記制御チップは、中央処理装置の処理チップ、マイクロコントローラチップ、データ信号処理チップ又はプログラマブルアレイ処理チップ等であってよもい。
【0206】
本願の実施例では、第１制御回路を介して前記第１スイッチ部品に制御信号を発信して、選択的に、前記第１スイッチ部品の第１端と第２端をオンにし又は前記第１スイッチ部品の第１端と前記第３端をオンにし、そして、第２制御回路を介して前記第２スイッチ部品に制御信号を発信して、選択的に、前記第２スイッチ部品の第１端と第２端をオンにし、又は前記第２スイッチ部品の第１端と第３端をオンにする。このように、人力で第１スイッチ部品と第２スイッチ部品のオンを選択する必要がなく、それにより、第１電源又は第２電源が３６Ｖより大きい場合、人力で第１スイッチ部品及び第２スイッチ部品をオン／オフにすることによる危険を大幅に低減させることができる。
【0207】
図１５に示すように、他の実施例では、前記検出回路３５は、第１ＭＯＳトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ１）、第２ＭＯＳトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ２）及び第１抵抗Ｒ１を含み、
前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第２電源３７に接続され、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースはそれぞれ第２ＭＯＳトランジスタのドレイン及び前記第１スイッチ部品３２の第３端に接続され、
前記第２ＭＯＳトランジスタのソースは接地され、前記第２ＭＯＳトランジスタのソースはさらに前記第１抵抗Ｒ１の第１端に接続され、
前記第１抵抗Ｒ１の第２端は前記第１スイッチ部品３４の第３端に接続される。
前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第２電源３７に接続され、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースはそれぞれ第２ＭＯＳトランジスタのドレイン及び前記第１スイッチ部品３２の第３端に接続され、
前記第２ＭＯＳトランジスタのソースは接地され、前記第２ＭＯＳトランジスタのソースはさらに前記第１抵抗Ｒ１の第１端に接続され、
前記第１抵抗Ｒ１の第２端は前記第１スイッチ部品３４の第３端に接続される。
【0208】
ここで、前記第１ＭＯＳトランジスタと前記第２ＭＯＳトランジスタはいずれも金属－酸化物半導体電界効果トランジスタ（Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ－Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＭＯＳＦＥＴ）であっもよい。
【0209】
理解されるように、本願の実施例では、前記第１ＭＯＳトランジスタと前記第２ＭＯＳトランジスタのオフ又はオンに基づいて、前記加熱素子にパルス電圧を提供することができる。ここで、第１ＭＯＳトランジスタと第２ＭＯＳトランジスタのオフ、オンの時間間隔を制御することにより、異なる周波数のパルス電圧を提供することができる。
【0210】
ここで、前記第１ＭＯＳトランジスタがＮチャネル型ＭＯＳトランジスタである場合、前記第２ＭＯＳトランジスタはＮチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、前記第１ＭＯＳトランジスタがＰチャネル型ＭＯＳトランジスタである場合、前記第２ＭＯＳトランジスタはＰチャネル型ＭＯＳトランジスタである。例えば、図１６に示すように、前記第１ＭＯＳトランジスタと前記第２ＭＯＳトランジスタはいずれもＮチャネル型ＭＯＳトランジスタである。
【0211】
一実施例では、前記第２電源は３．３Ｖの直流電圧を提供又は取得する電源である。
【0212】
本願の実施例では、第２電源は、前記第１ＭＯＳトランジスタ及び前記第２ＭＯＳトランジスタを介して前記加熱素子に低圧高周波パルス波を提供する。このように、前記加熱素子に調理装置が存在しない場合、前記第１抵抗を流れる検出電流は第１電流値であり、前記加熱素子に調理装置が存在する場合、前記第１抵抗を流れる検出電流は第２電流値であり、それにより、電流計で前記第１抵抗の電流の大きさを検出することで、前記加熱素子に一定のインピーダンスを有する調理装置が存在するか否かを決定する。
【0213】
又は、加熱素子（加熱素子自体のインピーダンスを除く）に他のインピーダンス（例えば、調理装置のインピーダンス）が存在するか否かによって、第１抵抗を流れる電流に変化が発生し、前記第１抵抗の両端の電圧に変化が発生するため、電圧計で前記第１抵抗Ｒ１の両端の電圧の大きさを検出することで、前記加熱素子にインピーダンスが存在するか否かを決定することもできる。
【0214】
なお、本願の全ての実施例では、前記高周波と低周波とは相対的に説明されたものであり、同一の参照基準で、前記高周波の周波数は前記低周波の周波数より大きい。一部の実施例では、前記高周波は５０Ｈｚより大きい周波数である。
【0215】
一部の実施例では、前記検出回路は第１コンデンサ及び第２コンデンサを含み、前記第２電源は第３電圧を提供するための電源であり、ここで、前記第１コンデンサの第１端は前記第２電源に接続され、前記第１コンデンサの第２端は前記第２コンデンサの第１端に接続され、前記第２コンデンサの第２端は接地され、
前記検出回路は、第１ＭＯＳトランジスタ及び第２ＭＯＳトランジスタを含み、前記第２電源は第４電圧を提供するための電源であり、ここで、前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第２電源に接続され、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースは前記第２ＭＯＳトランジスタのドレインに接続され、前記第２ＭＯＳトランジスタのソースは接地され、
ここで、前記第３電圧は前記第４電圧より大きいものである。
前記検出回路は、第１ＭＯＳトランジスタ及び第２ＭＯＳトランジスタを含み、前記第２電源は第４電圧を提供するための電源であり、ここで、前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第２電源に接続され、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースは前記第２ＭＯＳトランジスタのドレインに接続され、前記第２ＭＯＳトランジスタのソースは接地され、
ここで、前記第３電圧は前記第４電圧より大きいものである。
【0216】
本願の実施例では、検出回路において２つのコンデンサに基づいてパルス波を提供する場合、２つのＭＯＳトランジスタに基づいてパルス波を提供する場合と比べて、電圧を取得又は提供するように構成される第２電源の電圧値は比較的高いである。このように、前記検出回路において２つのコンデンサに基づいて加熱素子のインピーダンスを検出する正確性を向上させることに有利である。
【0217】
図１７に示すように、一部の実施例では、前記検出回路３５はさらに第１コンデンサＣ１、第２コンデンサＣ２及び第２抵抗Ｒ１を含み、
前記第１コンデンサＣ１の第１端は前記第２電源３７に接続され、前記第１コンデンサＣ１の第２端はそれぞれ前記第２コンデンサＣ２の第１端及び前記第１スイッチ部品３２の第３端に接続され、
前記第２コンデンサＣ２の第２端は接地点ＤＧＮＤに接続され、前記第２コンデンサＣ２の第２端はさらに前記第２抵抗Ｒ２の第１端に接続され、
前記第２抵抗Ｒ２の第２端は前記第２スイッチ部品３４の第３端に接続される。
前記第１コンデンサＣ１の第１端は前記第２電源３７に接続され、前記第１コンデンサＣ１の第２端はそれぞれ前記第２コンデンサＣ２の第１端及び前記第１スイッチ部品３２の第３端に接続され、
前記第２コンデンサＣ２の第２端は接地点ＤＧＮＤに接続され、前記第２コンデンサＣ２の第２端はさらに前記第２抵抗Ｒ２の第１端に接続され、
前記第２抵抗Ｒ２の第２端は前記第２スイッチ部品３４の第３端に接続される。
【0218】
一実施例では、前記図１７に示すように、前記検出回路は第１抵抗Ｒ１を含み、前記第１抵抗Ｒ１は、前記第２抵抗Ｒ２と第２コンデンサＣ２との間に接続される。
【0219】
一実施例では、前記第２電源は５Ｖの直流電圧を提供又は取得する電源である。
【0220】
本願の実施例では、第２電源は前記第１ＭＯＳトランジスタ及び前記第２ＭＯＳトランジスタを介して前記加熱素子に低圧高周波パルス波を提供することができる。そして、第１コンデンサＣ１及び第２コンデンサを介して加熱素子のインピーダンスをマッチングすることができる。このように、前記加熱素子３３に調理装置が存在しない場合、前記第２抵抗を流れる検出電流は第１電流値であり、前記加熱素子に調理装置が存在する場合、前記第２抵抗を流れる検出電流は第２電流値であり、それにより、電流計で前記第２抵抗の電流大きさを検出し、又は電圧計で前記第２抵抗の両端の電圧の大きさを検出することで、前記加熱素子に一定のインピーダンスを有する調理装置が存在するか否かを決定することができる。
【0221】
本願の実施例では、図１７に示すように、前記第２抵抗Ｒ１の第１端は接地されているため、該第２抵抗の第１端に対する電圧は０である。このように、第２抵抗の第２端の電位のみを検出する（例えば、前記第２抵抗の第２端に電圧センサを設置して前記第２抵抗の第２端の電位を検出する）ことで、前記第２抵抗での電圧を算出することができる。このように、本願の実施例はさらに前記第２抵抗の両端の電圧を測定する操作を簡略化することができる。
【0222】
図１８に示すように、一部の実施例では、前記インバータ回路３１は、第１ＩＧＢＴ（ＩＧＢＴ１）及び第２ＩＧＢＴ（ＩＧＢＴ２）を含み、
前記第１ＩＧＢＴのコレクタは前記第１電源３６に接続され、前記第１ＩＧＢＴのエミッタは前記第２ＩＧＢＴのコレクタに接続され、前記第２ＩＧＢＴのエミッタは接地され、
前記第１スイッチ部品Ｋ１の第１端は前記第１ＩＧＢＴのエミッタに接続され、前記第２スイッチ部品Ｋ２の第２端は前記第１ＩＧＢＴのコレクタに接続される。
前記第１ＩＧＢＴのコレクタは前記第１電源３６に接続され、前記第１ＩＧＢＴのエミッタは前記第２ＩＧＢＴのコレクタに接続され、前記第２ＩＧＢＴのエミッタは接地され、
前記第１スイッチ部品Ｋ１の第１端は前記第１ＩＧＢＴのエミッタに接続され、前記第２スイッチ部品Ｋ２の第２端は前記第１ＩＧＢＴのコレクタに接続される。
【0223】
ここで、前記第１スイッチ部品Ｋ１は上記実施例における第１スイッチ部品３２であり、前記第２スイッチ部品Ｋ２は上記実施例における第２スイッチ部品３４である。
【0224】
一実施例では、前記第１電源は２２０Ｖの直流電圧を取得するためのものであり、前記２２０Ｖの直流電圧が前記インバータ回路３１を経た後、２２０Ｖの交流電圧が出力される。
【0225】
別の実施例では、前記第１電源は２２０Ｖの交流電圧を取得するためのものであり、前記２２０Ｖの交流電圧は正相電圧（正の半波）のみを有する交流電圧である。前記第１電源の取得した電圧が前記インバータ回路１１を経た後、正、負の二相を有する交流電圧が出力される。
【0226】
さらに別の実施例では、前記第１電源は２２０Ｖの交流電圧（民用電）を取得するためのものである。前記第１電源３６と前記インバータ回路３１との間に整流回路がさらに含まれ、前記整流回路は、２２０Ｖの交流電圧を２２０Ｖの直流電圧に変換し、前記インバータ回路３１は、前記２２０Ｖの直流電圧を２２０Ｖの交流電圧に変換する。
【0227】
ここで、交流電源は正弦波交流電源、方形波交流電源のうちのいずれか１つを含むが、それらに限定されない。
【0228】
本願の実施例では、前記第１ＩＧＢＴ及び前記第２ＩＧＢＴにおけるオンとオフの周波数により、前記第１電源の信号周波数を調整することができる。このように、前記第１ＩＧＢＴと前記第２ＩＧＢＴからなるインバータ回路を介して前記第１電源を高周波パルス波に変化し、前記加熱素子に対する給電を実現することができる。そして、インバータ回路はＩＧＢＴを採用するため、ＭＯＳトランジスタの高い入力インピーダンス及びパワートランジスタのオン状態での低い電圧降下両方の利点を同時に有する。従って、本願の実施例では、前記加熱素子に給電する安定性及び安全動作電圧領域を向上させ、前記加熱素子に給電する安全性をさらに向上させることができる。
【0229】
他の実施例では、前記インバータ回路３１は、第３ＭＯＳトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ３）及び第４ＭＯＳトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ４）を含み、
前記第３ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第１電源３６に接続され、前記第３ＭＯＳトランジスタのソースは前記第４ＭＯＳトランジスタのドレインに接続され、前記第４ＭＯＳトランジスタのソースは接地点ＰＧＮＤに接続され、
前記第１スイッチ部品Ｋ１の第１端は前記第３ＭＯＳトランジスタのソースに接続され、前記第２スイッチ部品Ｋ２の第２端は前記第３ＭＯＳトランジスタのドレインに接続される。
前記第３ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第１電源３６に接続され、前記第３ＭＯＳトランジスタのソースは前記第４ＭＯＳトランジスタのドレインに接続され、前記第４ＭＯＳトランジスタのソースは接地点ＰＧＮＤに接続され、
前記第１スイッチ部品Ｋ１の第１端は前記第３ＭＯＳトランジスタのソースに接続され、前記第２スイッチ部品Ｋ２の第２端は前記第３ＭＯＳトランジスタのドレインに接続される。
【0230】
ここで、前記第３ＭＯＳトランジスタがＮチャネル型ＭＯＳトランジスタである場合、前記第４ＭＯＳトランジスタはＮチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、前記第３ＭＯＳトランジスタがＰチャネル型ＭＯＳトランジスタである場合、前記第４ＭＯＳトランジスタはＰチャネル型ＭＯＳトランジスタである。
【0231】
本願の実施例では、第３ＭＯＳトランジスタと第４ＭＯＳトランジスタの交互オンにより、前記加熱素子に高周波パルス波を提供することができる。
【0232】
図１９に示すように、一部の実施例では、前記検出回路はさらに第５コンデンサＣ５を含み、
ここで、前記第５コンデンサＣ５の第１端は前記第２抵抗Ｒ２の第２端に接続され、前記第５コンデンサＣ５の第２端は前記第２スイッチ部品Ｋ２の第３端に接続される。
ここで、前記第５コンデンサＣ５の第１端は前記第２抵抗Ｒ２の第２端に接続され、前記第５コンデンサＣ５の第２端は前記第２スイッチ部品Ｋ２の第３端に接続される。
【0233】
ここで、前記第２スイッチ部品Ｋ２は上記実施例における第２スイッチ部品３４である。
【0234】
本願の実施例では、前記第５コンデンサＣ５は前記加熱素子のマッチングコンデンサである。ここで、前記第５コンデンサの容量性リアクタンス、加熱素子のインピーダンス、及び第２抵抗のインピーダンス等を調整することにより、第２回路における加熱素子の発振周波数を調整することができ、それにより、前記加熱素子にインピーダンスが存在するか否かを検出する正確性を向上させることができる。
【0235】
再び図１９を参照し、一部の実施例では、前記加熱回路はさらに第３コンデンサＣ３及び第４コンデンサＣ４を含み、ここで、
前記第３コンデンサＣ３は、前記第１電源３６と前記第２スイッチ部品Ｋ２の第２端との間に接続され、
前記第４コンデンサＣ４の第１端は前記第２スイッチ部品Ｋ２の第２端に接続され、前記第４コンデンサＣ４の第２端は接地され、
ここで、前記第３コンデンサＣ３及び前記第４コンデンサＣ４は共通に前記加熱素子Ｌ１の加熱電流の交番周波数を制御するように構成される。
前記第３コンデンサＣ３は、前記第１電源３６と前記第２スイッチ部品Ｋ２の第２端との間に接続され、
前記第４コンデンサＣ４の第１端は前記第２スイッチ部品Ｋ２の第２端に接続され、前記第４コンデンサＣ４の第２端は接地され、
ここで、前記第３コンデンサＣ３及び前記第４コンデンサＣ４は共通に前記加熱素子Ｌ１の加熱電流の交番周波数を制御するように構成される。
【0236】
ここで、前記加熱素子Ｌ１は上記実施例における加熱素子３３である。
【0237】
本願の実施例では、前記第３コンデンサＣ３及び前記第４コンデンサＣ４は前記加熱素子Ｌ１のマッチングコンデンサである。ここで、前記第３コンデンサと前記第４コンデンサの容量性リアクタンス、及び前記加熱素子のインピーダンスを調整することにより、前記第１回路における加熱素子の発振周波数（即ち交番周波数）を調整することができる。
【0238】
本願の実施例では、前記第２コンデンサ及び前記第３コンデンサにより前記第１回路における加熱素子の交番周波数を決定し、それにより、加熱素子が適切な交番周波数で動作するとともに適切な加熱電流を有することができる。
【0239】
構成例六
再び図１８を参照し、本願の実施例は加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路３１、第１スイッチ部品Ｋ１、加熱素子Ｌ１、第２スイッチ部品Ｋ２、検出回路３５、第１電源３６、第２電源３７、第３コンデンサＣ３、第４コンデンサＣ４を含み、ここで、
前記インバータ回路３１は、第１ＩＧＢＴ（ＩＧＢＴ１）及び第２ＩＧＢＴ（ＩＧＢＴ２）を含み、
前記検出回路は、第１コンデンサＣ１、第２コンデンサＣ２、第１抵抗Ｒ１、第１ＭＯＳトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ１）、第２ＭＯＳトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ２）を含み、
前記第１スイッチ部品Ｋ１の第１端は前記加熱素子Ｌ１の第１端に接続され、前記第１スイッチ部品Ｋ１の第２端は前記第１ＩＧＢＴエミッタに接続され、前記第１スイッチ部品Ｋ１の第３端は前記第１コンデンサＣ１の第２端に接続され、
前記第２スイッチ部品Ｋ２の第１端は前記加熱素子Ｌ１の第２端に接続され、前記第２スイッチ部品Ｋ２の第２端は前記第１ＩＧＢＴのコレクタに接続され、前記第２スイッチ部品Ｋ２の第３端は前記第１抵抗Ｒ１の第２端に接続され、
前記第１ＩＧＢＴのコレクタはさらに前記第１電源３６に接続され、前記第２ＩＧＢＴのエミッタはさらに接地点ＰＧＮＤに接続され、
前記第１コンデンサＣ１の第１端は前記第２電源３７に接続され、前記第１コンデンサＣ１の第２端は前記第２コンデンサＣ２の第１端に接続され、前記第２コンデンサＣ２の第２端はそれぞれ前記第１抵抗Ｒ１及び接地点ＤＧＮＤに接続され、
前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第２電源３７に接続され、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースは前記第２ＭＯＳトランジスタのドレインに接続され、前記第２ＭＯＳトランジスタのドレインは第２スイッチ部品に接続され、前記第２ＭＯＳトランジスタのソースは前記第１抵抗Ｒ１の第２端に接続され、
前記第１スイッチ部品Ｋ１の第１端が前記第１スイッチ部品Ｋ１の第２端に接続され、前記第２スイッチ部品Ｋ２の第１端が前記第２スイッチ部品Ｋ２の第２端に接続される場合、前記第１電源３６、前記加熱素子Ｌ１及び前記インバータ回路１１は第１回路を形成し、前記第１電源３６は前記第１回路を介して前記加熱素子Ｌ１に給電し、前記加熱素子Ｌ１は前記第１電源３６の給電に基づいて発熱し、
前記第１スイッチ部品Ｋ１の第１端が前記第１スイッチ部品Ｋ１の第３端に接続され、前記第２スイッチ部品Ｋ２の第１端が前記第２スイッチ部品Ｋ２の第３端に接続される場合、前記第２電源３７、前記検出回路３５及び前記加熱素子Ｌ１は第２回路を形成し、前記第２電源３７は前記第２回路を介して前記加熱素子Ｌ１及び前記検出回路３５に給電し、ここで、前記検出回路３５は前記第２電源３７の給電に基づいて前記加熱素子Ｌ１のインピーダンスを検出し、検出したインピーダンスは前記第１電源３６から加熱素子Ｌ２への給電を制御するように構成される。
再び図１８を参照し、本願の実施例は加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路３１、第１スイッチ部品Ｋ１、加熱素子Ｌ１、第２スイッチ部品Ｋ２、検出回路３５、第１電源３６、第２電源３７、第３コンデンサＣ３、第４コンデンサＣ４を含み、ここで、
前記インバータ回路３１は、第１ＩＧＢＴ（ＩＧＢＴ１）及び第２ＩＧＢＴ（ＩＧＢＴ２）を含み、
前記検出回路は、第１コンデンサＣ１、第２コンデンサＣ２、第１抵抗Ｒ１、第１ＭＯＳトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ１）、第２ＭＯＳトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ２）を含み、
前記第１スイッチ部品Ｋ１の第１端は前記加熱素子Ｌ１の第１端に接続され、前記第１スイッチ部品Ｋ１の第２端は前記第１ＩＧＢＴエミッタに接続され、前記第１スイッチ部品Ｋ１の第３端は前記第１コンデンサＣ１の第２端に接続され、
前記第２スイッチ部品Ｋ２の第１端は前記加熱素子Ｌ１の第２端に接続され、前記第２スイッチ部品Ｋ２の第２端は前記第１ＩＧＢＴのコレクタに接続され、前記第２スイッチ部品Ｋ２の第３端は前記第１抵抗Ｒ１の第２端に接続され、
前記第１ＩＧＢＴのコレクタはさらに前記第１電源３６に接続され、前記第２ＩＧＢＴのエミッタはさらに接地点ＰＧＮＤに接続され、
前記第１コンデンサＣ１の第１端は前記第２電源３７に接続され、前記第１コンデンサＣ１の第２端は前記第２コンデンサＣ２の第１端に接続され、前記第２コンデンサＣ２の第２端はそれぞれ前記第１抵抗Ｒ１及び接地点ＤＧＮＤに接続され、
前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第２電源３７に接続され、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースは前記第２ＭＯＳトランジスタのドレインに接続され、前記第２ＭＯＳトランジスタのドレインは第２スイッチ部品に接続され、前記第２ＭＯＳトランジスタのソースは前記第１抵抗Ｒ１の第２端に接続され、
前記第１スイッチ部品Ｋ１の第１端が前記第１スイッチ部品Ｋ１の第２端に接続され、前記第２スイッチ部品Ｋ２の第１端が前記第２スイッチ部品Ｋ２の第２端に接続される場合、前記第１電源３６、前記加熱素子Ｌ１及び前記インバータ回路１１は第１回路を形成し、前記第１電源３６は前記第１回路を介して前記加熱素子Ｌ１に給電し、前記加熱素子Ｌ１は前記第１電源３６の給電に基づいて発熱し、
前記第１スイッチ部品Ｋ１の第１端が前記第１スイッチ部品Ｋ１の第３端に接続され、前記第２スイッチ部品Ｋ２の第１端が前記第２スイッチ部品Ｋ２の第３端に接続される場合、前記第２電源３７、前記検出回路３５及び前記加熱素子Ｌ１は第２回路を形成し、前記第２電源３７は前記第２回路を介して前記加熱素子Ｌ１及び前記検出回路３５に給電し、ここで、前記検出回路３５は前記第２電源３７の給電に基づいて前記加熱素子Ｌ１のインピーダンスを検出し、検出したインピーダンスは前記第１電源３６から加熱素子Ｌ２への給電を制御するように構成される。
【0240】
本願の実施例では、前記第１回路と前記第２回路との間に電気的接続点がなく、前記第１回路と前記第２回路は互いに分離されており、互いに影響しない。第２電源が前記第２回路を介して前記加熱素子を検出するときに第１電源の影響を受けず、前記加熱素子にインピーダンスが存在するか否かを検出する正確性を向上させる。そして、第１電源が前記第１回路を介して前記加熱素子を加熱するときにも第２電源の影響を受けず、第２電源が前記加熱素子を加熱することによる前記加熱素子の電流が大きすぎる影響を大幅に低減させる。
【0241】
構成例七
図１９に示すように、本願の実施例は加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路３１、第１スイッチ部品Ｋ１、加熱素子Ｌ１、第２スイッチ部品Ｋ２、検出回路３５、第１電源３６、第２電源３７、第３コンデンサＣ３、及び第４コンデンサＣ４を含み、ここで、
前記インバータ回路３１は、第１ＩＧＢＴ（ＩＧＢＴ１）及び第２ＩＧＢＴ（ＩＧＢＴ２）を含み、
前記検出回路は、第１ＭＯＳトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ１）、第２ＭＯＳトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ２）、第２抵抗Ｒ２及び第５コンデンサＣ５を含み、
前記第１スイッチ部品Ｋ１の第１端は前記加熱素子Ｌ１の第１端に接続され、前記第１スイッチ部品Ｋ１の第２端は前記第１ＩＧＢＴエミッタに接続され、前記第１スイッチ部品Ｋ１の第３端は前記第１ＭＯＳトランジスタのソースに接続され、
前記第２スイッチ部品Ｋ２の第１端は前記加熱素子Ｌ１の第２端に接続され、前記第２スイッチ部品Ｋ２の第２端は前記第１ＩＧＢＴのコレクタに接続され、前記第２スイッチ部品Ｋ２の第３端は前記第５コンデンサＣ５の第２端に接続され、
前記第１ＩＧＢＴのコレクタはさらに前記第１電源３６に接続され、前記第２ＩＧＢＴのエミッタはさらに接地点ＰＧＮＤに接続され、
前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第２電源３７に接続され、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースは前記第２ＭＯＳトランジスタのドレインに接続され、前記第２ＭＯＳトランジスタのソースはそれぞれ前記第２抵抗Ｒ２の第１端及び接地点ＤＧＮＤに接続され、前記第２抵抗Ｒ２の第１端は前記第５コンデンサＣ５の第１端に接続され、
前記第１スイッチ部品Ｋ１の第１端が前記第１スイッチ部品Ｋ１の第２端に接続され、前記第２スイッチ部品Ｋ２の第１端が前記第２スイッチ部品Ｋ２の第２端に接続される場合、前記第１電源３６、前記加熱素子Ｌ１及び前記インバータ回路３１は第１回路を形成し、前記第１電源３６は前記第１回路を介して前記加熱素子Ｌ１に給電し、前記加熱素子Ｌ１は前記第１電源３６の給電に基づいて発熱し、
前記第１スイッチ部品Ｋ１の第１端が前記第１スイッチ部品Ｋ１の第３端に接続され、前記第２スイッチ部品Ｋ２の第１端が前記第２スイッチ部品Ｋ２の第３端に接続される場合、前記第２電源３７、前記検出回路３５及び前記加熱素子Ｌ１は第２回路を形成し、前記第２電源３７は前記第２回路を介して前記加熱素子Ｌ１及び前記検出回路３５に給電し、ここで、前記検出回路３５は前記第２電源１７の給電に基づいて前記加熱素子Ｌ１のインピーダンスを検出し、検出したインピーダンスは前記第１電源３６から加熱素子Ｌ２への給電を制御するように構成される。
図１９に示すように、本願の実施例は加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路３１、第１スイッチ部品Ｋ１、加熱素子Ｌ１、第２スイッチ部品Ｋ２、検出回路３５、第１電源３６、第２電源３７、第３コンデンサＣ３、及び第４コンデンサＣ４を含み、ここで、
前記インバータ回路３１は、第１ＩＧＢＴ（ＩＧＢＴ１）及び第２ＩＧＢＴ（ＩＧＢＴ２）を含み、
前記検出回路は、第１ＭＯＳトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ１）、第２ＭＯＳトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ２）、第２抵抗Ｒ２及び第５コンデンサＣ５を含み、
前記第１スイッチ部品Ｋ１の第１端は前記加熱素子Ｌ１の第１端に接続され、前記第１スイッチ部品Ｋ１の第２端は前記第１ＩＧＢＴエミッタに接続され、前記第１スイッチ部品Ｋ１の第３端は前記第１ＭＯＳトランジスタのソースに接続され、
前記第２スイッチ部品Ｋ２の第１端は前記加熱素子Ｌ１の第２端に接続され、前記第２スイッチ部品Ｋ２の第２端は前記第１ＩＧＢＴのコレクタに接続され、前記第２スイッチ部品Ｋ２の第３端は前記第５コンデンサＣ５の第２端に接続され、
前記第１ＩＧＢＴのコレクタはさらに前記第１電源３６に接続され、前記第２ＩＧＢＴのエミッタはさらに接地点ＰＧＮＤに接続され、
前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第２電源３７に接続され、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースは前記第２ＭＯＳトランジスタのドレインに接続され、前記第２ＭＯＳトランジスタのソースはそれぞれ前記第２抵抗Ｒ２の第１端及び接地点ＤＧＮＤに接続され、前記第２抵抗Ｒ２の第１端は前記第５コンデンサＣ５の第１端に接続され、
前記第１スイッチ部品Ｋ１の第１端が前記第１スイッチ部品Ｋ１の第２端に接続され、前記第２スイッチ部品Ｋ２の第１端が前記第２スイッチ部品Ｋ２の第２端に接続される場合、前記第１電源３６、前記加熱素子Ｌ１及び前記インバータ回路３１は第１回路を形成し、前記第１電源３６は前記第１回路を介して前記加熱素子Ｌ１に給電し、前記加熱素子Ｌ１は前記第１電源３６の給電に基づいて発熱し、
前記第１スイッチ部品Ｋ１の第１端が前記第１スイッチ部品Ｋ１の第３端に接続され、前記第２スイッチ部品Ｋ２の第１端が前記第２スイッチ部品Ｋ２の第３端に接続される場合、前記第２電源３７、前記検出回路３５及び前記加熱素子Ｌ１は第２回路を形成し、前記第２電源３７は前記第２回路を介して前記加熱素子Ｌ１及び前記検出回路３５に給電し、ここで、前記検出回路３５は前記第２電源１７の給電に基づいて前記加熱素子Ｌ１のインピーダンスを検出し、検出したインピーダンスは前記第１電源３６から加熱素子Ｌ２への給電を制御するように構成される。
【0242】
本願の実施例では、前記第１回路と前記第２回路との間に電気的接続点がなく、前記第１回路と前記第２回路は互いに分離されており、互いに影響しない。第２電源が前記第２回路を介して前記加熱素子を検出するときに第１電源の影響を受けず、前記加熱素子にインピーダンスが存在するか否かを検出する正確性を向上させる。そして、第１電源が前記第１回路を介して前記加熱素子を加熱するときにも第２電源の影響を受けず、第２電源が前記加熱素子を加熱することによる前記加熱素子の電流が大きすぎる影響を大幅に低減させる。
【0243】
図２０に示すように、本願の実施例はさらに加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路３１、第１スイッチ部品３２、加熱素子３３、第２スイッチ部品３４、検出回路３５、第１電源３６及び第２電源３７を含み、ここで、
前記第１スイッチ部品３２は、第１サブスイッチ部品３２１及び第２サブスイッチ部品３２２を含み、前記第２スイッチ部品３４は、第３サブスイッチ部品３４１及び第３サブスイッチ部品３４２を含み、
前記第１サブスイッチ部品３２１の第１端は前記加熱素子３３の第１端に接続され、前記第１サブスイッチ部品３２１の第２端は前記インバータ回路３１の第１端に接続され、前記第２サブスイッチ部品３２２の第１端は前記加熱素子３３の第１端に接続され、前記第２サブスイッチ部品３２２の第２端は前記検出回路３５の第１端に接続され、
前記第３サブスイッチ部品３４１の第１端は前記加熱素子３３の第２端に接続され、前記第３サブスイッチ部品３４１の第２端は前記インバータ回路３１の第２端に接続され、前記第４サブスイッチ部品３４２の第１端は前記加熱素子３３の第２端に接続され、前記第４サブスイッチ部品３４２の第２端は前記検出回路３５の第２端に接続され、
前記第１サブスイッチ部品３２１がオンにされ、前記第２サブスイッチ部品３２２がオフにされ、前記第３サブスイッチ部品３４１がオンにされ、そして前記第４スイッチ部品３４２がオフにされる場合、前記第１電源３６、前記インバータ回路３１及び前記加熱素子３３は第１回路を形成し、前記第１電源３６は前記第１回路を介して前記加熱素子３３に給電し、前記加熱素子３３は前記第１電源３６の給電に基づいて発熱し、
前記第１サブスイッチ部品３２１がオフにされ、前記第２サブスイッチ部品３２２がオンにされ、前記第３サブスイッチ部品３４１がオフにされ、そして前記第４スイッチ部品３４２がオンにされる場合、前記第２電源３７は前記第２回路を介して前記加熱素子３３及び前記検出回路３５に給電する。
前記第１スイッチ部品３２は、第１サブスイッチ部品３２１及び第２サブスイッチ部品３２２を含み、前記第２スイッチ部品３４は、第３サブスイッチ部品３４１及び第３サブスイッチ部品３４２を含み、
前記第１サブスイッチ部品３２１の第１端は前記加熱素子３３の第１端に接続され、前記第１サブスイッチ部品３２１の第２端は前記インバータ回路３１の第１端に接続され、前記第２サブスイッチ部品３２２の第１端は前記加熱素子３３の第１端に接続され、前記第２サブスイッチ部品３２２の第２端は前記検出回路３５の第１端に接続され、
前記第３サブスイッチ部品３４１の第１端は前記加熱素子３３の第２端に接続され、前記第３サブスイッチ部品３４１の第２端は前記インバータ回路３１の第２端に接続され、前記第４サブスイッチ部品３４２の第１端は前記加熱素子３３の第２端に接続され、前記第４サブスイッチ部品３４２の第２端は前記検出回路３５の第２端に接続され、
前記第１サブスイッチ部品３２１がオンにされ、前記第２サブスイッチ部品３２２がオフにされ、前記第３サブスイッチ部品３４１がオンにされ、そして前記第４スイッチ部品３４２がオフにされる場合、前記第１電源３６、前記インバータ回路３１及び前記加熱素子３３は第１回路を形成し、前記第１電源３６は前記第１回路を介して前記加熱素子３３に給電し、前記加熱素子３３は前記第１電源３６の給電に基づいて発熱し、
前記第１サブスイッチ部品３２１がオフにされ、前記第２サブスイッチ部品３２２がオンにされ、前記第３サブスイッチ部品３４１がオフにされ、そして前記第４スイッチ部品３４２がオンにされる場合、前記第２電源３７は前記第２回路を介して前記加熱素子３３及び前記検出回路３５に給電する。
【0244】
本願の実施例では、前記検出回路３５は前記第２電源３７の給電に基づいて前記加熱素子３３のインピーダンスを検出する。ここで、検出したインピーダンスは前記第１電源３６から加熱素子３３への給電を制御するように構成される。
【0245】
本願の実施例では、前記第１サブスイッチ部品、前記第２サブスイッチ部品、前記第３サブスイッチ部品及び前記第４サブスイッチ部品はいずれも単極単投スイッチであってよもく、又は、前記第１サブスイッチ部品、前記第２サブスイッチ部品、前記第３サブスイッチ部品及び前記第４サブスイッチ部品はいずれも単極単投リレーであってよもい。
【0246】
本願の実施例では、前記第１サブスイッチ部品がオンにされ、前記第２サブスイッチ部品がオフにされ、前記第３サブスイッチ部品がオンにされ、そして前記第４スイッチ部品がオフにされる場合、前記第１回路はオンにされ、前記第１サブスイッチ部品がオフにされ、前記第２サブスイッチ部品がオンにされ、前記第３サブスイッチ部品がオフにされ、そして前記第４スイッチ部品がオンにされる場合、前記第２回路はオンにされる。このように、前記第１回路と前記第２回路との間に電気的接続点がなく、前記第１回路と前記第２回路は互いに分離されており、互いに影響しない。
【0247】
このように、第２電源が前記第２回路を介して前記加熱素子を検出するときに第１電源の影響を受けず、前記加熱素子にインピーダンスが存在するか否かを検出する正確性を向上させる。そして、第１電源が前記第１回路を介して前記加熱素子を加熱するときにも第２電源の影響を受けず、第２電源が前記加熱素子を加熱することによる前記加熱素子の電流が大きすぎる影響を大幅に低減させる。
【0248】
理解されるように、本願の実施例では、上記図１４における単極双投の第１スイッチ部品を単極単投の第１サブスイッチ部品及び第２サブスイッチ部品に置き換え、上記図１４における単極双投の第２スイッチ部品を単極単投の第３サブスイッチ部品及び第４サブスイッチ部品に置き換える。このように、本願の実施例に係る加熱回路における検出回路、インバータ回路等の説明によれば、上記図１４～図１９の加熱回路における対応する検出回路、インバータ回路等の説明と同様に、スイッチ部品の接続関係のみを適宜変更してもよい（例えば、図１４に示す実施例における第１サブスイッチ部品の第１端及び第２サブスイッチ部品の第１端は、図１４～図１９のいずれかの実施例における第１スイッチ部品の第２端に相当でき、図１４に示す実施例における第１サブスイッチ部品の第２端は、図１４～図１９のいずれかの実施例における第１スイッチ部品の第２端に相当でき、図１４に示す実施例における第２サブスイッチ部品の第２端は、図１４～図１９のいずれかの実施例における第１スイッチ部品の第３端に相当でき、図１４に示す実施例における第３サブスイッチ部品の第１端及び第４サブスイッチ部品の第１端は、図１４～図１９のいずれかの実施例における第２スイッチ部品の第２端に相当でき、図１４に示す実施例における第３サブスイッチ部品の第２端は、図１４～図１９のいずれかの実施例における第２スイッチ部品の第２端に相当でき、図１４に示す実施例における第４サブスイッチ部品の第２端は、図１４～図１９のいずれかの実施例における第２スイッチ部品の第３端に相当できる）。
【0249】
例えば、一部の実施例では、前記検出回路は第１コンデンサＣ１、第２コンデンサＣ２及び第２抵抗Ｒ１を含み、
前記第１コンデンサＣ１の第１端は前記第２電源３６に接続され、前記第１コンデンサＣ１の第２端はそれぞれ前記第２サブスイッチ部品３２１の第２端及び前記第２コンデンサＣ２の第１端に接続され、
前記第２コンデンサＣ２の第２端は接地され、前記第２コンデンサＣ２の第２端はさらに前記第２抵抗Ｒ１の第１端に接続され、
前記第２抵抗Ｒ２の第２端は前記第４サブスイッチ部品３４２の第２端に接続される。
前記第１コンデンサＣ１の第１端は前記第２電源３６に接続され、前記第１コンデンサＣ１の第２端はそれぞれ前記第２サブスイッチ部品３２１の第２端及び前記第２コンデンサＣ２の第１端に接続され、
前記第２コンデンサＣ２の第２端は接地され、前記第２コンデンサＣ２の第２端はさらに前記第２抵抗Ｒ１の第１端に接続され、
前記第２抵抗Ｒ２の第２端は前記第４サブスイッチ部品３４２の第２端に接続される。
【0250】
また例えば、他の実施例では、前記検出回路は、第１ＭＯＳトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ１）、第２ＭＯＳ（ＭＯＳＦＥＴ２）、及び第２抵抗Ｒ２を含み、
前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第２電源３６に接続され、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースはそれぞれ第２ＭＯＳトランジスタのドレイン及び前記第２サブスイッチ部品３２２の第２端に接続され、
前記第２ＭＯＳトランジスタのソースは接地され、前記第２ＭＯＳトランジスタのソースはさらに前記第２抵抗の第１端に接続され、
前記第２抵抗の第２端は前記第４サブスイッチ部品３４２の第２端に接続される。
前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第２電源３６に接続され、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースはそれぞれ第２ＭＯＳトランジスタのドレイン及び前記第２サブスイッチ部品３２２の第２端に接続され、
前記第２ＭＯＳトランジスタのソースは接地され、前記第２ＭＯＳトランジスタのソースはさらに前記第２抵抗の第１端に接続され、
前記第２抵抗の第２端は前記第４サブスイッチ部品３４２の第２端に接続される。
【0251】
上記図１４～図１９の加熱回路における対応する検出回路、インバータ回路等の有益な効果の説明と同様であるため、説明を省略する。本願の実施例の加熱回路における検出回路、インバータ回路等の実施例に基づく開示されない技術的詳細について、上記加熱回路における対応する検出回路、インバータ回路等の実施例の説明を参照すればよい。
【0252】
本願の提供する一部の製品実施例に開示された特徴は、衝突がない場合に任意に組み合わせて新たな製品実施例を得ることができる。
【0253】
上述した実施形態は本願の具体的な実施形態のみであるが、本願の保護範囲はこれに限定されるものではなく、当業者であれば、本願の開示した技術的範囲内に容易に想到可能な変更又は置換は、本願の保護範囲内に含まれるべきである。従って、本願の保護範囲は請求の範囲を基準とすべきである。
【産業上の利用可能性】
【0254】
本願の実施例は加熱回路を提供し、ここで、前記加熱回路は、インバータ回路、加熱素子、検出素子、第１電源及び第２電源を含み、第１電源、加熱素子及びインバータ回路は第１回路を形成し、第２電源、検出素子及び加熱素子は第２回路を形成し、第１電源は前記第１回路を介して前記加熱素子に給電し、加熱素子は第１電源の給電に基づいて発熱し、第２電源は前記第２回路を介して前記加熱素子及び検出素子に給電する。本開示の実施例に提供される加熱回路によれば、第１回路と第２回路とを分離させ、加熱素子に一定のインピーダンスを有する調理装置が存在するか否かを正確に検出し、加熱素子を加熱するときに第２電源の影響を受けず、加熱素子の電流が大きすぎる影響を低減させることが少なくともできる。
【符号の説明】
【0255】
１ サブ回路
２ サブ回路
１１ インバータ回路
１２ サブ回路
１３ 第１電源
１４ 第２電源
１７ 第２電源
２１ インバータ回路
２１ サブ回路
２２ サブ回路
２３ 第１電源
２３ 第２電源
２３ 加熱素子
２４ 第２電源
２４ 検出素子
３１ インバータ回路
３２ 第１スイッチ部品
３３ 加熱素子
３４ 第２スイッチ部品
３４ 第１スイッチ部品
３５ 検出回路
３６ 第１電源
３６ 第２電源
３６Ｖ 電圧
３７ 第２電源
３８ 第１制御回路
３９ 第２制御回路
１２１ スイッチモジュール
１２２ 加熱素子
１２３ 検出素子
２２１ 第１スイッチ素子
２２２ 第２スイッチ素子
２２３ 加熱素子
２２３ 第３スイッチ素子
２２４ 検出素子
２２５ 第３スイッチ素子
３２１ 第１サブスイッチ部品
３２１ 第２サブスイッチ部品
３２２ 第２サブスイッチ部品
３４１ 第３サブスイッチ部品
３４２ 第３サブスイッチ部品
３４２ 第４サブスイッチ部品
３４２ 第４スイッチ部品
１２１０ 第１スイッチ素子
１２１１ 第２スイッチ素子
２ サブ回路
１１ インバータ回路
１２ サブ回路
１３ 第１電源
１４ 第２電源
１７ 第２電源
２１ インバータ回路
２１ サブ回路
２２ サブ回路
２３ 第１電源
２３ 第２電源
２３ 加熱素子
２４ 第２電源
２４ 検出素子
３１ インバータ回路
３２ 第１スイッチ部品
３３ 加熱素子
３４ 第２スイッチ部品
３４ 第１スイッチ部品
３５ 検出回路
３６ 第１電源
３６ 第２電源
３６Ｖ 電圧
３７ 第２電源
３８ 第１制御回路
３９ 第２制御回路
１２１ スイッチモジュール
１２２ 加熱素子
１２３ 検出素子
２２１ 第１スイッチ素子
２２２ 第２スイッチ素子
２２３ 加熱素子
２２３ 第３スイッチ素子
２２４ 検出素子
２２５ 第３スイッチ素子
３２１ 第１サブスイッチ部品
３２１ 第２サブスイッチ部品
３２２ 第２サブスイッチ部品
３４１ 第３サブスイッチ部品
３４２ 第３サブスイッチ部品
３４２ 第４サブスイッチ部品
３４２ 第４スイッチ部品
１２１０ 第１スイッチ素子
１２１１ 第２スイッチ素子
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【国際調査報告】