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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-03-03
(54)【発明の名称】２端子デバイス
(51)【国際特許分類】
H01L 31/042 20140101AFI20230224BHJP
【ＦＩ】
H01L31/04 500
【審査請求】有
【予備審査請求】有
(21)【出願番号】P 2022558287
(86)(22)【出願日】2021-03-23
(85)【翻訳文提出日】2022-11-10
(86)【国際出願番号】 GB2021050710
(87)【国際公開番号】W WO2021191600
(87)【国際公開日】2021-09-30
(31)【優先権主張番号】2004533.2
(32)【優先日】2020-03-27
(33)【優先権主張国・地域又は機関】GB
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】515207499
【氏名又は名称】パワー ロール リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100145403
【弁理士】
【氏名又は名称】山尾 憲人
(74)【代理人】
【識別番号】100189555
【弁理士】
【氏名又は名称】徳山 英浩
(72)【発明者】
【氏名】マカードル，トレバー
(72)【発明者】
【氏名】トッピング，アレクサンダー ジョン
(72)【発明者】
【氏名】カシュ，ニコラス
【テーマコード（参考）】
5F151
【Ｆターム（参考）】
5F151CB21
5F151EA06
5F151EA07
5F151EA10
5F151GA05
(57)【要約】
基板を備える２端子デバイスであって、基板は、第１の特性抵抗を有する第１セルと、基板のウェブ方向に沿って第１セルから間隔を空けて配置され、第２の特性抵抗を有する第２セルと、第１端子及び第２端子であって、各端子は、横方向における基板の対向する縁部の方に、又は対向する縁部に形成されており、各端子は第１セル及び第２セルと電気的に連通している、第１端子及び第２端子と、第１セルと第２セルとの間にあり、第３の特性抵抗を有する接続部分と、を備え、第３の特性抵抗は、第１の特性抵抗及び第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか又は等しい、２端子デバイスが提供される。また、このような２端子デバイスを形成する方法が提供される。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
２端子デバイスであって、基板を備え、前記基板は、第１の特性抵抗を有する第１セルと、前記基板のウェブ（web）方向に沿って前記第１セルから間隔を空けて配置され、第２の特性抵抗を有する第２セルと、
第１端子及び第２端子であって、各端子は、横方向における前記基板の対向する縁部の方に、又は前記対向する縁部に形成されており、各端子は前記第１セル及び前記第２セルと電気的に連通している、第１端子及び第２端子と、
前記第１セルと前記第２セルとの間にあり、第３の特性抵抗を有する接続部分と、
を備え、
前記第３の特性抵抗は、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか又は等しく、前記第１セル又は前記第２セルからの電荷は、前記接続部分を介して前記第１セルと前記第２セルとの間を移動されるよりも優先して、前記第１端子又は前記第２端子で取り出し可能である、２端子デバイス。
【請求項2】
前記第３の特性抵抗は、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きい、請求項１に記載の２端子デバイス。
【請求項3】
前記第３の特性抵抗は、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも、少なくとも２倍、好ましくは少なくとも５倍、さらに好ましくは少なくとも１０倍大きい、請求項２に記載の２端子デバイス。
【請求項4】
前記接続部分は、少なくとも１つの抵抗要素を有する、請求項１から３のいずれかに記載の２端子デバイス。
【請求項5】
少なくとも１つの前記抵抗要素は、前記基板の峰部（peak）、前記基板の不連続な非絶縁性コーティング、及び／又は前記基板の轍状部分（rutted portion）を有する、請求項４に記載の２端子デバイス。
【請求項6】
少なくとも１つの前記抵抗要素は、前記基板内のチャネルを有する、請求項４又は請求項５に記載の２端子デバイス。
【請求項7】
前記第１セルが少なくとも１つの第１溝を有し、及び／又は前記第２セルが少なくとも１つの第２溝を有し、前記チャネルは、少なくとも１つの前記第１溝の一部分及び／又は少なくとも１つの前記第２溝の一部分を横断している、請求項６に記載の２端子デバイス。
【請求項8】
前記第１セルが第１の一連の溝を有し、及び／又は前記第２セルが第２の一連の溝を有し、前記チャネルは前記第１の一連の溝の一部及び／又は前記第２の一連の溝の一部分を横断している、請求項６に記載の２端子デバイス。
【請求項9】
前記チャネルは、前記第１の一連の溝及び／又は前記第２の一連の溝を、各溝の端部の方で横断している、請求項８に記載の２端子デバイス。
【請求項10】
少なくとも１つの前記抵抗要素は、前記基板内の複数のチャネルを有する、請求項４又は請求項５に記載の２端子デバイス。
【請求項11】
前記第１セルが少なくとも１つの第１溝を有し、及び／又は前記第２セルが少なくとも１つの第２溝を有し、各チャネルが少なくとも１つの前記第１溝及び／又は少なくとも１つの前記第２溝を横断している、請求項１０に記載の２端子デバイス。
【請求項12】
前記第１セルが第１の一連の溝を有し、及び／又は前記第２セルが第２の一連の溝を有し、各チャネルが第１の一連の溝の一部分及び／又は第２の一連の溝の一部分を横断している、請求項１０に記載の２端子デバイス。
【請求項13】
各チャネルは、前記第１の一連の溝及び／又は前記第２の一連の溝を、各溝の端部の方で横断している、請求項１２に記載の２端子デバイス。
【請求項14】
複数の前記チャネルは、第１のチャネル特性抵抗を有する第１チャネルと、第２のチャネル特性抵抗を有する第２チャネルと、を備え、前記第１のチャネル特性抵抗及び前記第２のチャネル特性抵抗は、前記第３の特性抵抗の実質的に全部を提供する、請求項１０から１３のいずれか一項に記載の２端子デバイス。
【請求項15】
複数の前記チャネルは、第３のチャネル特性抵抗を有する第３チャネルをさらに備え、 前記第１のチャネル特性抵抗、前記第２のチャネル特性抵抗及び前記第３のチャネル特性抵抗は、実質的に前記第３の特性抵抗の全部である、請求項１４に記載の２端子デバイス。
【請求項16】
前記チャネル又は複数の前記チャネルの各チャネルは、所定の角度を有する実質的にＺ字形状である、請求項６から１５のいずれか一項に記載の２端子デバイス。
【請求項17】
前記第１セルが少なくとも１つの第１溝を有し、前記第２セルが少なくとも１つの第２溝を有し、前記基板は、
複数の前記チャネルの各チャネルをそのチャネルの遠位端で横断し、少なくとも１つの前記第１溝を横断する第１横断チャネルと、
複数の前記チャネルの各チャネルをそのチャネルの近位端で横断し、少なくとも１つの前記第２溝を横断する第２横断チャネルと、をさらに備える、請求項１０に記載の２端子デバイス。
【請求項18】
前記第１セルが第１の一連の溝を備え、前記第２セルが第２の一連の溝を備え、前記基板は、
複数の前記チャネルの各チャネルをそのチャネルの遠位端で横断し、前記第１の一連の溝の一部を横断する第１横断チャネルと、
複数の前記チャネルの各チャネルをそのチャネルの近位端で横断し、前記第２の一連の溝の一部を横断する第２横断チャネルと、
をさらに備える、請求項１０に記載の２端子デバイス。
【請求項19】
前記第１横断チャネル及び／又は前記第２横断チャネルが、各溝の端部の方で、それぞれの溝又は複数の溝を横断する、請求項１７又は請求項１８に記載の２端子デバイス。
【請求項20】
複数の前記チャネルは、第１チャネル及び第２チャネルを含み、前記第１横断チャネルは、前記第１チャネル及び前記第２チャネルをそれらのチャネルの遠位端で横断し、
前記第２横断チャネルは、前記第１チャネル及び前記第２チャネルをそれらのチャネルの近位端で横断し、
任意で、複数の前記チャネルは、第３チャネルをさらに含み、前記第１横断チャネルは、前記第３チャネルの遠位端で前記第３チャネルをさらに横断し、前記第２横断チャネルは、前記第３チャネルの近位端で前記第３チャネルをさらに横断する、請求項１７から１９のいずれか一項に記載の２端子デバイス。
【請求項21】
各チャネル、前記第１横断チャネル及び前記第２横断チャネルは、所定の角度を有する実質的なＺ字形状を形成する、請求項１７から２０のいずれか一項に記載の２端子デバイス。
【請求項22】
前記チャネル又は複数の前記チャネルの１つ以上は、轍状の基部、轍状の壁、及び／又は、そのチャネル内にある非導電性の電気絶縁体材料を有する、請求項６から２１のいずれか一項に記載の２端子デバイス。
【請求項23】
前記チャネル又は複数の前記チャネルの１つ以上は、少なくとも１：１．６のアスペクト比を有する、請求項６から２２のいずれか一項に記載の２端子デバイス。
【請求項24】
２端子デバイスを形成する方法であって、前記方法は、基板を提供することと、
前記基板内に、第１の特性抵抗を有する第１セルを形成することと、
前記基板内に、前記基板のウェブ方向に沿って前記第１セルから間隔をあけて、第２の特性抵抗を有する第２セルを形成することと、
第１端子及び第２端子を形成することであって、各端子は、前記ウェブ方向において前記基板の対向する縁部の方に、又は前記対向する縁部に形成され、１つの端子又は各端子は前記第１セル及び前記第２セルと電気的に接続して形成される、第１端子及び第２端子を形成することと、
前記第１セルと前記第２セルとの間に、第３の特性抵抗を有する接続部分を形成することと、を含み、
前記第３の特性抵抗は、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか又は等しく、前記第１セル又は前記第２セルからの電荷は、前記接続部分を介して前記第１セルから前記第２セルへ移動されるよりも優先して、前記第１端子又は前記第２端子で取り出し可能である、方法。
【請求項25】
前記第１セルを形成するステップは、前記基板内に第１の一連の溝を形成することを含み、前記第２セルを形成するステップは、前記基板内に第２の一連の溝を形成することを含み、
前記接続部分を形成するステップは、前記接続部分内に少なくとも１つのチャネルを形成することを含み、
前記方法は、
前記第１の一連の溝の各溝、前記第２の一連の溝の各溝、及び、前記チャネル又は各チャネルの第１の面を、第１の材料でコーティングすることと、
前記第１の一連の溝の各溝、前記第２の一連の溝の各溝、及び、前記チャネル又は各チャネルの第２の面を、第２の材料でコーティングすることと、
前記第１の一連の溝の各溝、前記第２の一連の溝の各溝、及び、前記チャネル又は各チャネルを、第３の材料で少なくとも部分的に充填することと、をさらに含む、請求項２４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、２端子電子デバイスに関する。特に、２端子デバイスは、光電子（オプトエレクトロニクス）デバイスであってもよい。また、本発明は、２端子電子デバイスの形成方法に関する。
【背景技術】
【0002】
２端子デバイスは、２つの端子、すなわち第１端子と第２端子とを有する電気部品である。端子は、一般に、電気部品への、又は電気部品からの電流の出入りを可能にする電気部品のエリア、領域又は部分として定義される。２端子デバイスは、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）のようなダイオードを含む。また、２端子デバイスには、光電子デバイス、光起電力デバイス、トランジスタ、フォトトランジスタ、垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）、エネルギ貯蔵デバイスなどのデバイスがある。当業者には認識されるように、これらは、２端子デバイスの単なる非限定的な例である。
【0003】
光起電力技術として別途知られている光電子（オプトエレクトロニクス）技術などのいくつかの例では、光電子デバイスは、光にさらされる２つの材料の間の接合部で、光から電気を生成する。さらに、光電子デバイスは、電気の入力から光を生成することもある。一般に、光電子工学において用いられる光は太陽光であるため、光起電力技術は太陽光発電と呼ばれることが多い。上記２つの材料として、半導体を使用することが知られている。使用される半導体材料は、光起電力効果を示す。
【0004】
使用される半導体材料は、通常、ｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料である。これらの半導体材料を接合すると、その間に、しばしばｐ－ｎ接合と呼ばれる界面が形成される。また、Ｐ－ｉ－Ｎ（又はＰＩＮ）接合と呼ばれる半導体材料の界面も知られている。ｐ－ｎ接合は、半導体を使用した光電子デバイスのほとんどに設けられている。光電子デバイスには、光電池、太陽電池、ダイオード、発光ダイオード（ＬＥＤ）、トランジスタなどがある。ｐ－ｎ接合は、電気エネルギの発生や消費が生じる活性部位と考えることができる。
【0005】
光電子デバイスは、即時使用又は貯蔵目的のための電気を生成するためのデバイスとして使用され得る。即時使用のための電気を生成するために使用される光電子デバイスは、典型的には、半導体間のｐ－ｎ接合を利用する。貯蔵用の電気を生成するために使用される光電子デバイスは、エネルギ貯蔵デバイスとみなされる。
【発明の概要】
【0006】
既存の２端子デバイス、特に光電子技術で使用されるデバイスは、現在、比較的高価な発電方法である。再生可能エネルギの供給源の需要の増加に伴い、太陽光発電セルの効率を向上させ、これらのデバイスの製造及び稼働に関連するコストを低減する動きがある。また、既存の太陽電池では、他の発電方法と比較して、相対的に効率が低いままである。
【0007】
このような問題を克服するために、２端子デバイス、特に光起電力デバイス用の溝付き基板が開発されている。これは、複数の一連の溝を互いに並列に設け、それぞれの一連の溝を直列に接続したものである。このような例は、図１に示されている。この図には、第１セル１２ａ、第２セル１２ｂ及び第３のセル１２ｃを含む従来技術のデバイス１０が示されている。図１に示すように、第１セル１２ａ、第２セル１２ｂ及び第３セル１２ｃは、光電池であってもよい。この特定の例では、第１セル１２ａ、第２セル１２ｂ及び第３セル１２ｃは、フォトダイオードを備える。フォトダイオードは、まず互いに並列に接続され、これによりセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃが形成され、その後、各フォトダイオード、すなわち各セル１２ａ、１２ｂ、１２ｃが互いに直列に接続されている。
【0008】
しかしながら、このような構成は、意図しない電気的短絡が発生した場合、２端子デバイスの性能に大きな影響が見られるという欠点がある。さらに、図１に示されるような従来の基板では、使用中にフォトダイオードの一部が影になり、１つ以上のセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃのフォトダイオードが光エネルギを電気エネルギに変換できない場合に備えて、典型的には、１つ以上のセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃの周囲に電気経路を設けるためにバイパスダイオード（図示せず）が必要である。すなわち、デバイスの一部が遮光されると、１つ以上のセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃが機能しなくなる可能性がある。デバイスの一部が遮光されている場合、基板全体の性能が低下し、いくつかの例では、これが基板に損傷を与える可能性がある。したがって、バイパスダイオードは、典型的には、機能しないセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃの周囲に代替の電流経路を提供することによって、これらの欠点を軽減するために設けられる。
【0009】
この問題に対する１つの解決策は、交差指状の溝配置（interdigitated grooved arrangement）を用いて、溝のセクション同士を互いに並列に接続することである。しかしながら、このような構成では、各セルを直列に配線して単一のモジュールを提供する必要があり、商業的に望ましくない。
【0010】
改善された解決策を得る試みとして、２端子デバイス用の更なる溝付き基板が開発された。そのような溝付き基板には、複数の一連の溝（series of grooves）が設けられ、１つの一連の溝内の各溝は直列に（一連に）接続され、各一連の溝は互いに並列又は直列に接続されている。隣接する一連の溝は、チャネルなどの区切り機構（delineation feature）によって、互いに電気的に分離される。区切り機構は、典型的には、区切り機構の一端において第１の一連の溝の１つ以上の溝を横断し、又は交差し、区切り機構の他端において第２の一連の溝の１つ以上の溝を横断し、又は交差している。このようにして、溝を適切な材料でコーティングして充填し、２端子デバイスを形成すると、一連の溝における溝は、基板の表面にわたって電気的に直列接続される。これにより、基板の機械方向に電圧を付加することができる。したがって、一連の溝内の溝の数を変えることにより、２端子デバイスの出力電圧を制御することができる。
【0011】
さらに、区切り機構は、隣接する一連の溝同士を電気的に絶縁する。２端子デバイスの第１端子及び第２端子は、基板の対向する側に設けられ、各一連の溝から電荷を取り出すように配置される。第１端子は、一連の溝の最初の溝に電気的に接続され、第２端子は、同じ一連の溝の最後の溝に電気的に接続される。
【0012】
溝付き基板を有するこのような２端子デバイスは、他の既知の２端子デバイスよりも効率的で安価に製造される傾向があるが、このような溝付き基板は、製造欠陥が発生しやすい場合がある。具体的には、そのような溝付きデバイスの製造中に、一連の溝内の各溝の間に電気接続をもたらすことができるように、溝が充填される。しかし、そのようなステップが溝の形成後に実施される場合、充填材料は、チャネルなどの区切り機構にも蓄積される。そのため、意図せずチャネル内に充填材料が溜まってしまい、チャネルを介して電気接続がもたらされる。この結果、隣接する一連の溝が電気的に接続され、電気的に短絡することがよくある。これは、装置の効率を著しく低下させるため、従来は非常に好ましくないと考えられていた。このような問題を克服するために、製造業者は、区切り機構内に蓄積される充填材料の量を適正化しようとしているが、これには時間と費用がかかり、効果が得られないことが少なくない。
【0013】
しかしながら、本発明者らが非常に驚いたことに、隣接する並列又は直列に接続されたセル間が電気的に接続された２端子デバイスが商業的に製造可能であるだけでなく、実際、本明細書でさらに説明するように、そのような２端子デバイスに利点があることが見出された。
【0014】
従って、本発明の目的は、前述の問題の少なくとも１つ以上を低減する２端子デバイスを提供することである。
【0015】
本明細書で使用されるように、用語「セル」は、電気エネルギを提供し、特に、ある種類のエネルギ、例えば光、化学などのエネルギを、電気エネルギに変換するコンポーネントを説明するために使用される。セルは、本明細書に記載されるように、任意選択で一連の溝として提供される１つ以上の溝を有してもよい。また、セルは、溝の間又は一連の溝の間の１つ以上の接続部分と、溝から電荷を取り出す手段とを備えてもよい。
【0016】
本明細書で使用されるように、「溝」という用語は、基板における凹部（depression）、くぼみ（indentation）、エッチング溝（etch）などを説明するために使用される。溝は、概して、細長い長さ、幅及び深さを有する。溝は、その第１の面及び第２の面上をコーティングされ、材料で充填されており、それによって適切なセルが提供され得る。
【0017】
本明細書で使用されるように、「抵抗要素（resistive element）」という用語は、抵抗を有する要素を説明するために使用される。抵抗要素の抵抗は、第３の特性抵抗に寄与する。例えば、抵抗要素は、接続部分に高い抵抗を付与することができる。
【0018】
本明細書で使用されるように、用語「チャネル」は、抵抗要素の一例を説明するために使用される。チャネルは、基板における凹部、窪み、エッチング溝等の形態をとることができる。チャネルは、概して、細長い長さ、幅及び深さを含み、チャネルの幅又は深さは、溝の深さより大きい。
【0019】
本明細書で使用されるように、用語「アスペクト比」は、ある形状の幅と深さとの比率を説明するために使用される。アスペクト比は、幅：深さ又は幅／深さとして示される。
【0020】
本発明の一態様によれば、基板を備える２端子デバイスが提供される。基板は、
第１の特性抵抗を有する第１セルと、基板のウェブ（web）方向に沿って第１セルから間隔を空けて配置され、第２の特性抵抗を有する第２セルと、
第１端子及び第２端子であって、各端子は、横方向における基板の対向する縁部の方に、又は対向する縁部に（towards or at opposing edges）形成されており、各端子は第１セル及び第２セルと電気的に連通している、第１端子及び第２端子と、
第１セルと第２セルとの間にあり、第３の特性抵抗を有する接続部分と、
を備え、
第３の特性抵抗は、第１の特性抵抗及び第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか又は等しく、第１セル又は第２セルからの電荷は、接続部分を介して第１セルと第２セルとの間を移動されるよりも優先して、第１端子又は第２端子で取り出し可能である。
第１の特性抵抗を有する第１セルと、基板のウェブ（web）方向に沿って第１セルから間隔を空けて配置され、第２の特性抵抗を有する第２セルと、
第１端子及び第２端子であって、各端子は、横方向における基板の対向する縁部の方に、又は対向する縁部に（towards or at opposing edges）形成されており、各端子は第１セル及び第２セルと電気的に連通している、第１端子及び第２端子と、
第１セルと第２セルとの間にあり、第３の特性抵抗を有する接続部分と、
を備え、
第３の特性抵抗は、第１の特性抵抗及び第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか又は等しく、第１セル又は第２セルからの電荷は、接続部分を介して第１セルと第２セルとの間を移動されるよりも優先して、第１端子又は第２端子で取り出し可能である。
【0021】
２端子デバイスは、第１端子及び第２端子を有する任意の適切なデバイスであってよい。２端子デバイスは、光電子デバイスであってもよい。光電子デバイスは、光エネルギを電気エネルギに変換するデバイス、及び／又は電気エネルギを光エネルギに変換するデバイスとして定義されることがある。光エネルギという用語は、一般に、電磁スペクトル内の任意の波長の光を定義するために使用される。いくつかの例では、光エネルギは、ＵＶ光、可視光及び／又は赤外線を含んでもよい。いくつかの例では、光エネルギは、１０ｎｍから１ｍｍまでの波長を有する電磁放射線を含んでもよい。
【0022】
基板は、フレキシブル基板であり得る。フレキシブル基板は、可撓性材料のウェブから構成され得る。基板は、基板の幅に沿った方向である横方向と、基板の細長い長さに沿った方向であるウェブ方向とを有することができる。ウェブ方向は、長手方向(縦方向）又は機械方向とみなされてもよい。基板は、ウェブ方向に所定の長さ、横方向に所定の幅、及び、所定の深さを有していてもよい。
【0023】
フレキシブル基板は、１つ（一続き）の連続的なフレキシブル基板として提供されてもよい。いくつかの例では、１つの連続的なフレキシブル基板は、ロール又はロールコア上に提供される。これにより、ロール・ツー・ロールの連続製造が可能になり、よりコスト及び労働効率の高い製造工程が提供される。いくつかの特定の例では、１つの連続的なフレキシブル基板の長さは６０００ｍまでであり、すなわち６０００ｍ以下である。
【0024】
第１セル及び第２セルは、任意の適切な電気セル、すなわち、１つの形態のエネルギを電気又は電気エネルギに変換することができるデバイスであってよい。第１セル及び第２セルは、独立して、太陽光発電セルのような光電子セルであってもよい。あるいは、第１セル及び第２セルは、それぞれ独立して、コンデンサ（capacitor）又はバッテリであってもよい。第１セル、第２セル、又は第１セル及び第２セルの両方は、１つ以上の溝、又は１つ以上の一連の溝を含んでもよい。それらの任意の組み合わせが意図されてもよい。第１セル及び第２セルは、基板のウェブ方向に沿って、又は基板の横方向に沿って、間隔を空けて配置されてもよい。第１端子及び第２端子は、横方向における基板の対向する縁部の方（縁部の近く）又は縁部に形成されてもよく、又はウェブ方向にわたって形成されてもよい。
【0025】
いくつかの例では、接続部分は、第１セルと第２セルとの間の領域の実質的に全て、又は全てにわたって形成されてもよい。すなわち、いくつかの例では、接続部分は、基板のウェブ方向に沿って第１セルと第２セルとを接続してもよい。接続部分は、第１セルと第２セルとの間の電気的接続を提供してもよい。あるいは、接続部分は、第１セルと第２セルとの間の電気的接続を妨げてもよい。いくつかの例において、接続部分は、第１セルと第２セルとの間の電気的接続を提供してもよいが、電荷は、好ましくは、第１端子と第２端子とに流れる。すなわち、電荷は、使用中に、第１セルと第２セルとの間で移動される電荷よりも優先的に、第１端子及び第２端子で取り出されるなどされる。この優先順位は、概ね、第１の特性抵抗、第２の特性抵抗、又は第１の特性抵抗と第２の特性抵抗との両方に対する第３の特性抵抗の関数で表される。
【0026】
驚くべきことに、本発明者らは、接続部分、特に接続部分にある抵抗要素が、抵抗器と並列な逆バイアスダイオードとして機能することを見出した。このように、電気経路は接続部分を横切るように設けられているが、接続部分を横切る電荷の移動よりも優先して、セルからの電荷を端子において取り出すことが可能である。
【0027】
特性抵抗という用語は、最大電力点での電流で割った電圧の関数として抵抗を定義するために使用される。特性抵抗は、次のように定義することができる。
【数1】
【0028】
これにより、第１セルと第２セルとの間の電気的短絡が防止されるという利点が得られる。特に、第１セルと第２セルとの間に電気的短絡が生じるなどの製造上の不具合を最小限に抑えることができる。より詳細には、第３の特性抵抗は、端子において電荷が依然として取り出し可能であるように与えられるので、製造プロセス中に電気的短絡を発生させないように注意をあまり払わなくてもよい、改善された製造プロセスが提供され得る。すなわち、第１セルと第２セルとを電気的に接続する接続部分を設けることで、製造プロセス中にユーザが介入する必要なく、第１セルと第２セルとの間の電気的短絡を確実に防止することができる。したがって、より効率的及び／又は信頼性の高い２端子デバイスを形成することができる。
【0029】
ある実施形態において、第３の特性抵抗は、第１の特性抵抗及び第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きい。
【0030】
すなわち、第３の特性抵抗は、第１の特性抵抗、第２の特性抵抗、又は第１及び第２の特性抵抗の両方よりも大きくてもよい。
【0031】
ある実施形態において、第３の特性抵抗は、第１の特性抵抗及び第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも少なくとも２倍、好ましくは少なくとも５倍、さらに好ましくは少なくとも１０倍大きい。
【0032】
いくつかの例では、第３の特性抵抗は、第１の特性抵抗及び第２の特性抵抗の少なくとも一方の２倍から１００倍大きい。いくつかの例では、第３の特性抵抗は、第１の特性抵抗及び第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも２倍から２０倍大きい。いくつかの例では、第３の特性抵抗は、第１の特性抵抗と第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも５倍から１０倍大きい。本明細書では、任意の範囲の組み合わせが意図される。例えば、第３の特性抵抗は、第１の特性抵抗及び第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも２倍、５倍、１０倍、又は２０倍から、５倍、１０倍、２０倍、又は５０倍大きくてもよい。また、その間の任意の整数も意図される。さらに、第３の特性抵抗は、第１の特性抵抗及び第２の特性抵抗の少なくとも一方の、２倍、５倍、１０倍、２０倍、５０倍、又は１００倍大きくてもよい。
【0033】
従って、第３の特性抵抗は、第１の特性抵抗、第２の特性抵抗、又は第１及び第２の特性抵抗の両方よりも少なくとも２倍大きくてもよい。いくつかの例では、第３の特性抵抗は、第１の特性抵抗、第２の特性抵抗、又は第１及び第２の特性抵抗の両方よりも５倍大きいことが好適であり得る。いくつかの例では、第３の特性抵抗が、第１の特性抵抗、第２の特性抵抗、又は第１の特性抵抗と第２の特性抵抗の両方よりも１０倍大きいことが好適であり得る。いくつかの例では、第３の特性抵抗が、第１の特性抵抗、第２の特性抵抗、又は第１の特性抵抗と第２の特性抵抗の両方よりも２０倍大きいこと好適であり得る。いくつかの例では、第３の特性抵抗が、第１の特性抵抗、第２の特性抵抗、又は第１の特性抵抗と第２の特性抵抗の両方よりも５０倍大きいことが好適であり得る。いくつかの例では、第３の特性抵抗が、第１の特性抵抗、第２の特性抵抗、又は第１の特性抵抗と第２の特性抵抗の両方よりも１００倍大きいことが好適であり得る。
【0034】
これにより、製造中に接続部分を横切って電気的短絡が発生する可能性が最小限に抑えられるという利点が得られる。したがって、２端子デバイスの性能が改善され得る。特に、２端子デバイスは、より良い効率及び／又は信頼性を有し得る。
【0035】
ある実施形態において、接続部分は、少なくとも１つの抵抗要素を有する。
【0036】
つまり、基板は、第１セルと第２セルとの間において、接続部分内に少なくとも１つの抵抗要素を備えてもよい。
【0037】
いくつかの実施形態では、少なくとも１つの抵抗要素は、第３の特性抵抗の実質的に一部、大部分、又は全部を提供する。いくつかの実施形態では、各抵抗要素は、組み合わせて、第３の特性抵抗の実質的に一部、大部分、又は全部を提供する。
【0038】
いくつかの実施形態では、電子の移動経路（electron transfer path）は、接続部分内の抵抗要素、又は、それぞれの若しくはいくつかの抵抗要素を横切って形成されてもよい。いくつかの実施形態では、電子の移動経路は、第１セルと第２セルとの間から、接続部分内の抵抗要素、又は、それぞれの若しくは全ての抵抗要素を横切って形成されている。
【0039】
これにより、第３の特性抵抗は、少なくとも１つの抵抗要素の構造的特性の関数として、変更され（modified）得るという利点を提供する。例えば、第３の特性抵抗は、少なくとも１つの抵抗要素の数、サイズ、構造などの関数として変更され得る。つまり、第３の特性抵抗は、少なくとも１つの抵抗要素の関数として調整され得る。
【0040】
ある実施形態では、少なくとも１つの抵抗要素は、基板の峰部（peak）、基板の不連続な非絶縁性コーティング、及び／又は基板の轍状部分を有する。
【0041】
すなわち、ある実施形態において、少なくとも１つの抵抗要素は、基板の１つ以上の峰部から構成されてもよいし、１つ以上の峰部を有してもよいし、１つ以上の峰部であってもよい。１つ以上の峰部は、基板に形成された１つ以上の突起（projections）、凸部（protrusions）などである。
【0042】
代替的に、又は追加的に、少なくとも１つの抵抗要素は、基板の不連続な非絶縁性コーティングから構成されてもよいし、基板の不連続な非絶縁性コーティングを有してもよいし、あるいは、基板の不連続な非絶縁性コーティングであってもよい。すなわち、基板上に非絶縁性コーティングを堆積させて、１つ以上の抵抗要素を得ることができる。非絶縁性コーティングは、ウェブ方向において基板にわたって不連続性（discontinuity）があるという点で、不連続であってもよい。不連続な非絶縁コーティングは、基板の別のコーティングの一部分をエッチング又は除去して、非絶縁コーティングを露出させることによって形成されてもよい。非絶縁性コーティングは、ウェブ方向において基板にわたって不連続性があるという点で不連続であってもよい。いくつかの実施形態では、不連続な非絶縁性コーティングは、製造中に接続部分の一領域をマスキングすることによって形成されてもよい。従って、接続部分の一領域に、導電性材料が存在しなくてもよい。
【0043】
代替的に、又は追加的に、少なくとも１つの抵抗要素は、基板の轍状部分から構成されてもよいし、基板の轍状部分を有してもよいし、又は基板の轍状部分であってもよい。すなわち、ある実施形態では、接続部分は、１つ以上の轍状部分又は轍状の領域を有していてもよい。轍状部分は、ギザギザの（jagged）表面、凹凸のある（undulated）表面、うねりのある（undulated）表面等として定義されてもよい。
【0044】
ある実施形態では、少なくとも１つの抵抗要素は、基板内のチャネルを有している。
【0045】
すなわち、少なくとも１つの抵抗要素は、基板内のチャネルから構成されてもよいし、基板内のチャネルを有してもよいし、基板内のチャネルとして形成されてもよい。チャネルは、基板におけるくぼみ（indentation）又はエッチ溝（etch）等とみなすことができる。
【0046】
これによって、第１セル及び第２セルが、互いに電気的に分離され、又は実質的に電気的に分離され得るという利点が得られる。言い換えれば、第１セル及び第２セルは、第３の特性抵抗を介して直列に接続されている。
【0047】
ある実施形態では、チャネルは、轍状の基部（rutted-base）、轍状の壁及び/又はチャネル内の非導電性電気絶縁体材料を有する。
【0048】
すなわち、いくつかの例では、チャネルは、轍状の底部又は轍状の基部を有してもよい。つまり、チャネルの底部又は基部は、底部又は基部がギザギザである、凹凸がある、うねりがある等の点で、轍状であってもよい。
【0049】
追加的又は代替的に、チャネルは、轍状の壁を有してもよい。すなわち、チャネルの壁は、壁がギザギザである、凹凸がある、うねりがある等の点で、轍状であってもよい。
【0050】
これにより、第１セルと第２セルとの間の電子の移動経路を増加させることができ、したがって第３の特性抵抗を増加させ、製造プロセス中における電気的短絡の発生を防ぐことができるという利点が得られる。さらに、第３の特性抵抗は、轍状の壁又は轍状の底部の構造的特性の関数として変更され得る。例えば、第３の特性抵抗は、轍状の壁又は轍状の底部の数、大きさ、構造などの関数として変更され得る。つまり、第３の特性抵抗は、轍状の壁又は轍状の底部の関数として調整され得る。
【0051】
追加的又は代替的に、チャネルは、チャネル内に非導電性の電気絶縁体材料を有してもよい。非導電性の電気絶縁体は、チャネルを部分的に、チャネルの大部分を、又はチャネルを全体的に充填してもよい。
【0052】
これにより、第１セルと第２セルとの間の電子の移動経路を増加させることができ、したがって第３の特性抵抗を増加させ、製造プロセス中における電気的短絡の発生を防止することができるという利点が得られる。さらに、第３の特性抵抗は、非導電性の電気絶縁体材料の構造的特性の関数として変更され得る。例えば、第３の特性抵抗は、非導電性電気絶縁体材料の量、大きさ、構造などの関数として変更され得る。すなわち、第３の特性抵抗は、非導電性電気絶縁体材料の関数として調整され得る。
【0053】
ある実施形態において、チャネルは、少なくとも１：１．６のアスペクト比を有する。
【0054】
すなわち、ある実施形態では、チャネルは、１：１．６又は１：１．６よりも大きい、例えば１：１．８、１：１．９、１：２．０などのアスペクト比を有してもよい。アスペクト比という用語は、幅と深さとの比率を定義するために使用される。したがって、少なくとも１：１．６のアスペクト比は、チャネルの幅：深さを指して、１：１．６又はそれよりも大きい比率とみなすことができる。つまり、チャネルの深さは、チャネルの幅よりも大きくてもよい。
【0055】
これにより、第１セルから第２セルへの、電子の移動経路が長くなり、したがって、基板の第３の特性抵抗が増加するという利点が得られる。したがって、基板の第３の特性抵抗が調整され得る。
【0056】
ある実施形態において、チャネルは、少なくとも１．６：１のアスペクト比を有する。
【0057】
これにより、チャネルの幅方向の電子の移動経路が増加し、したがってチャネルによって形成されるギャップを電子が「ホップ」する可能性が低くなるという利点が得られる。
【0058】
ある実施形態において、第１セルは、少なくとも１つの第１溝を含み、及び／又は第２セルは、少なくとも１つの第２溝を含む。
【0059】
すなわち、ある実施形態において、第１セルは少なくとも１つの溝、又は少なくとも１つの第１溝を有する。第２セルは少なくとも１つの溝、又は少なくとも１つの第２溝を有する。又は、第１セルは少なくとも１つの溝、又は少なくとも１つの第１溝を有し、かつ、第２セルは少なくとも１つの溝、又は少なくとも１つの第２溝を有する。
【0060】
「溝」という用語は、基板における凹部（depression）、くぼみ（indentation）、エッチング溝（etch）などを定義するために使用されてもよい。溝又は各溝は、深さ又はアスペクト比においてチャネルと異なってもよい。例えば、溝は、チャネルよりも小さい深さを有していてもよい。例えば、溝は、約１：１、１：１．１、１：１．２、１：１．２以下、又は少なくとも１：１．２のアスペクト比を有し得る。例えば、溝は、チャネルのアスペクト比よりも小さいアスペクト比を有していてもよい。
【0061】
いくつかの例では、少なくとも１つの溝は、複数の平行部分（parallel sections）を有する単一の溝から構成されてもよい。複数の平行部分は対向する端部で接合され、これにより、実質的に繰り返されるＳ字形状が形成されてもよい。
【0062】
これにより、２端子デバイスの電流が、少なくとも１つの第１溝の長さ及び／又は少なくとも１つの第２溝の長さによって制御され得るという利点が得られる。特に、電圧付加（voltage addition）は、少なくとも１つの第１溝及び／又は少なくとも１つの第２溝のウェブ方向に沿って発生し得る。したがって、少なくとも１つの第１溝及び／又は少なくとも１つの第２溝の長さを増加又は減少させることによって、２端子デバイスの出力電圧が制御され得る。したがって、これによって、２端子デバイスが調整可能であるという利点が得られる。
【0063】
ある実施形態では、チャネルは、少なくとも１つの第１溝及び／又は少なくとも１つの第２溝の一部分を横断している。
【0064】
すなわち、チャネルは、少なくとも１つの第１溝、少なくとも１つの第２溝、又は少なくとも１つの第１溝と少なくとも１つの第２溝との両方の一部、ほとんど、又は全ての一部又は一部分を、横断又は交差してもよい。
【0065】
これにより、少なくとも１つの第１溝及び／又は少なくとも１つの第２溝がウェブ方向に電気的に接続され、したがって電圧付加（電圧加算）を可能にする一方で、少なくとも１つの第１溝（すなわち第１セル）を少なくとも１つの第２溝（すなわち第２セル）から電気的に絶縁するという利点が得られる。
【0066】
ある実施形態において、第１セルは少なくとも１つの第１溝を有し、及び／又は第２セルは少なくとも１つの第２溝を有する。チャネルは、少なくとも１つの第１溝の一部分及び／又は少なくとも１つの第２溝の一部分を横断している。
【0067】
すなわち、ある実施形態では、第１セルが少なくとも１つの溝を有するか、第２セルが少なくとも１つの第２溝を有するか、又は、第１セルが少なくとも１つの第１溝を有するとともに第２セルが少なくとも１つの第２溝を有する。さらに、ある実施形態において、チャネルは、少なくとも１つの第１溝の一部分を横断するか、少なくとも１つの第２溝の一部分を横断するか、又は少なくとも１つの第１溝の一部分及び第２溝の一部分の両方を横断する。チャネルは、少なくとも１つの第１溝及び／又は少なくとも１つの第２溝のいくつか、一部、ほとんど、又は全てを横断してもよい。
【0068】
ある実施形態において、第１セルは、第１の一連の溝を有し、及び／又は、第２セルは、第２の一連の溝を有する。
【0069】
すなわち、ある実施形態において、第１セルが第１の一連の溝を有するか、第２セルが第２の一連の溝を有するか、又は、第１セルが第１の一連の溝を有するとともに第２セルが第２の一連の溝を有する。
【0070】
第１の一連の溝は、任意の数の溝を有する。第１の一連の溝は、第１の終端溝及び第２の終端溝を有してもよい。第１の一連の溝の各溝は、基板の横方向に延在してもよい。第１の一連の溝の各溝は、平行に延在していてもよい。第１の一連の溝内において、第１の終端溝と第２の終端溝との間には、任意の数の溝が設けられ得る。第１の終端溝は、第１の一連の溝の一端、すなわち第１端部、例えば遠位端で終端するか、又は第１の一連の溝の終端を形成してもよい。第２の終端溝は、他端、すなわち第２端部、例えば近位端において、第１の一連の溝を終端させるか、又は第１の一連の溝の終端を形成してもよい。遠位端及び近位端は、基板のウェブ方向に交差する第１の一連の溝の端部を示す。
【0071】
第２の一連の溝は、任意の数の溝を有する。第２の一連の溝は、第１の終端溝及び第２の終端溝を有してもよい。第２の一連の溝の各溝は、基板の横方向に延在してもよい。第２の一連の溝の各溝は、平行に延在していてもよい。第２の一連の溝の各溝は、第１の一連の溝の各溝と平行であってもよい。第２の一連の溝内において、第１の終端溝と第２の終端溝との間には任意の数の溝が設けられ得る。第１の終端溝は、第２の一連の溝の一端、すなわち第１端部、例えば遠位端で終端するか、又は第２の一連の溝の終端を形成してもよい。第２の終端溝は、他端、すなわち第２端部、例えば近位端において、第２の一連の溝を終端させるか、又は第２の一連の溝の終端を形成してもよい。遠位端及び近位端は、基板のウェブ方向に交差する第２の一連の溝の端部を示す。第１の終端溝及び第２の終端溝はそれぞれ、基板の接続部分に近接していてもよい。
【0072】
第１の一連の溝の第２の終端溝と第２の一連の溝の第１の終端溝とは、接続部分によって分離され、又は、接続部分によって間隔を空けて配置されていてもよい。すなわち、第１の一連の溝と第２の一連の溝との間に接続部分が存在してもよい。
【0073】
第１の一連の溝及び第２の一連の溝は、それぞれ、第１の特性抵抗及び第２の特性抵抗を有していてもよい。第３の特性抵抗は、第１の特性抵抗、第２の特性抵抗、又は第１の特性抵抗及び第２の特性抵抗の両方よりも大きくてもよい。第３の特性抵抗は、第１の特性抵抗、第２の特性抵抗、又は第１の特性抵抗と第２の特性抵抗の両方に等しいか、又は実質的に等しくてもよい。
【0074】
いくつかの実施形態では、少なくとも１つの第１溝及び／又は少なくとも１つの第２溝は、第１の面において第１の材料でコーティングされてもよく（coated with）、第２の面において第２の材料でコーティングされてもよく、及び／又は、少なくとも部分的に、好ましくはほとんど又は完全に、第３の材料で充填されてもよい。
【0075】
すなわち、少なくとも１つの第１溝及び／又は少なくとも１つの第２溝の第１の面は、第１の材料でコーティングされている。少なくとも１つの第１溝及び／又は少なくとも１つの第２溝の第２の面は、第２の材料でコーティングされている。少なくとも１つの第１溝及び／又は少なくとも１つの第２溝は、少なくとも部分的に第３の材料で充填されている。ある実施形態では、上記溝又は複数の溝は、第３の材料が第１の面及び／又は第２の面上に堆積された第１の材料及び／又は第２の材料に接触する程度に、第３の材料で充填される。
【0076】
いくつかの実施形態では、第１の一連の溝の一部分及び／又は第２の一連の溝の一部分は、第１の面において第１の材料でコーティングされてもよく、第２の面において第２の材料でコーティングされてもよく、及び／又は、少なくとも部分的に、好ましくは大部分又は全体的に、第３の材料で充填されてもよい。
【0077】
すなわち、第１の一連の溝及び／又は第２の一連の溝の一部分、好ましくは大部分又は全部、の第１の面は、第１の材料でコーティングされている。第１の一連の溝及び／又は第２の一連の溝の一部分、好ましくは大部分又は全部、の第２の面は、第２の材料でコーティングされている。第１の一連の溝及び／又は第２の一連の溝の一部、好ましくは大部分又は全部は、第３の材料で少なくとも部分的に充填されている。ある実施形態では、上記溝又は複数の溝は、第３の材料が第１の面及び／又は第２の面上に堆積した第１の材料及び／又は第２の材料に接触する程度に、第３の材料で充填される。
【0078】
ある実施形態では、それぞれの溝又は複数の溝の第１の面及び／又は第２の面は、軸外方向コーティングプロセス（off-axis directional coating process）によって、第１の材料及び／又は第２の材料でコーティングされる。
【0079】
これにより、製造中に、溝又は複数の溝の特定の面を選択的にコーティングすることができるという利点が得られる。
【0080】
ある実施形態では、それぞれの溝又は複数の溝は、基板上に第３の材料を印刷することによって少なくとも部分的に充填される。
【0081】
これにより、２端子デバイスをより効率的に製造できるという利点が得られる。
【0082】
ある実施形態では、第１の材料は、非絶縁性材料を含む。
【0083】
いくつかの実施形態では、第１の材料は、導体材料、半導体材料、電子移動層、炭素６０（Ｃ６０、バックミンスターフラーレンとしても知られている）、又はそれらの組み合わせを含む。いくつかの例では、複数の材料が存在してもよい。つまり、少なくとも１つの第１の材料が存在してもよい。いくつかの例では、半導体材料は、金属酸化物を含む。いくつかの例では、金属酸化物は、酸化ニオブ、すなわちＮｂ２Ｏ５、又は酸化スズ、すなわち酸化スズ（ＩＶ）、ＳｎＯ２を含む。金属酸化物は、適切な材料でドープされてもよい。
【0084】
ある実施形態では、第２の材料は、非絶縁性材料を含む。
【0085】
いくつかの実施形態では、第２の材料は、導体材料、半導体材料、正孔輸送層、又はそれらの組み合わせを含む。いくつかの例では、複数の材料が存在してもよい。つまり、少なくとも１つの第２の材料が存在してもよい。いくつかの例では、半導体材料は、金属酸化物を含む。いくつかの例では、金属酸化物は、酸化ニッケル、すなわち酸化ニッケル（ＩＩ）、ＮｉＯ、又は酸化銅、すなわち酸化銅（Ｉ）、Ｃｕ２Ｏを含む。金属酸化物は、適切な材料でドープされてもよい。
【0086】
ある実施形態において、第３の材料は、コンデンサ材料、スーパーキャパシタ（supercapacitor）材料、誘電体材料又はペロブスカイト構造材料を含む。
【0087】
第３の材料がペロブスカイト構造材料を含むことが好適であり得る。ペロブスカイト構造材料は、カルシウムチタン酸化物、ＣａＴｉＯ３に対応する結晶構造を有する材料、すなわち、ＡＢＸ３、例えばＸＩＩＡ２＋ ＶＩＢ４＋ Ｘ２－
３の一般化学構造を有する材料である。ここで、Ａ及びＢはサイズの異なる２つのカチオン、ＸはＡ及びＢ両方に化学的に結合するアニオンである。
【0088】
好ましい例では、ペロブスカイト構造材料は、１．１ｅＶと２．５ｅＶとの間の光学バンドギャップを有する。
【0089】
好ましい例では、ペロブスカイト構造材料は、三塩化メチルアンモニウム鉛、三臭化物又は三ヨウ化物のような有機三ハロゲン化鉛、三塩化ホルムアミジニウム鉛、三臭化物又は三ヨウ化物のようなホルムアミジニウム三ハロゲン化鉛、三ヨウ化セシウムスズのような三ハロゲン化セシウムスズ、又は上記で概説したＡＢＸ３の一般化学構造を有する別の同様の有機鉛又はハロゲン化スズの組み合わせを含む。
【0090】
ペロブスカイトは一般に地球上に豊富に存在するため、安価に入手することができる。
さらに、ペロブスカイトは低温での加工や製造に適しており、溶液処理にも適しているため、製造上の利点もある。さらに、ペロブスカイトを用いると、一般に、光エネルギを電気エネルギに変換する効率が高い。
さらに、ペロブスカイトは低温での加工や製造に適しており、溶液処理にも適しているため、製造上の利点もある。さらに、ペロブスカイトを用いると、一般に、光エネルギを電気エネルギに変換する効率が高い。
【0091】
第１の材料、第２の材料及び第３の材料の任意の組み合わせが、本明細書において意図される。
【0092】
ある実施形態では、チャネルは、第１の一連の溝の一部分及び／又は第２の一連の溝の一部分を横断している。
【0093】
すなわち、チャネルを有する少なくとも１つの抵抗要素が存在するある実施形態では、チャネルは、第１の一連の溝、第２の一連の溝、又は第１の一連の溝と第２の一連の溝の両方のうちの一部分を、つまり１つ、いくつか、ほとんど、又は全部を横断する、交差する、又は横切るなどしている。
【0094】
ある実施形態において、第１セルは第１の一連の溝を有し、及び／又は第２セルは第２の一連の溝を有する。チャネルは、第１の一連の溝の一部分及び／又は第２の一連の溝の一部分を横断している。
【0095】
すなわち、チャネルを有する少なくとも１つの抵抗要素が存在するある実施形態では、チャネルは、少なくとも１つの第１溝、少なくとも１つの第２溝、又は少なくとも１つの第１溝及び少なくとも１つの第２溝の両方のうちの一部分を、つまり、１つ、いくつか、ほとんど、又は全部を横断する、交差する、また横切るなどしている。
【0096】
これにより、第１の一連の溝の部分及び／又は第２の一連の溝の部分がウェブ方向に電気的に接続され、したがって、各一連の溝（すなわち、第１セル及び第２セル）を電気的に分離する一方で、電圧付加が可能になるという利点が得られる。
【0097】
ある実施形態では、チャネルは、第１の一連の溝の全体及び／又は第２の一連の溝の全体を横断している。
【0098】
すなわち、ある実施形態では、チャネルは、第１の一連の溝、第２の一連の溝、又は第１の一連の溝と第２の一連の溝の両方の全体、すなわち全部又は１つ１つを横断している。
【0099】
ある実施形態では、チャネルは、各溝の端部の方で（端部のあたりで）、第１の一連の溝及び／又は第２の一連の溝を横断する。
【0100】
すなわち、チャネルを有する少なくとも１つの抵抗要素が存在するある実施形態では、チャネルは、各溝の端部の方で、第１の一連の溝、第２の一連の溝、又は第１の一連の溝及び第２の一連の溝の両方を横断している。いくつかの例では、チャネルは、第１の一連の溝、第２の一連の溝、又は第１の一連の溝と第２の一連の溝の両方を、各溝の端部で横断している。いくつかの例では、チャネルは、第１の一連の溝の１つの溝又は複数の溝を、各溝又は複数の溝の近位端の方で横断し、チャネルは、第２の一連の溝の１つの溝又は複数の溝を、各溝又は複数の溝の遠位端の方で横断している。
【0101】
ある実施形態において、チャネルは、所定の角度を有する実質的にＺ字形状である。
【0102】
すなわち、チャネルは、上方から見たときに、例えば、実質的なＺ字形状を形成していてもよい。Ｚ字形チャネルは、実質的に平行に延在する第１領域及び第２領域を有し得る。第１チャネル領域及び第２チャネル領域は、基材のウェブ方向に沿って延在してもよい。第１チャネル領域は、第１の一連の溝の一部分を横断してもよい。第２チャネル領域は、第２の一連の溝の一部分を横断してもよい。実質的なＺ字形状を形成するチャネルは、第１領域の一端から第２領域の一端まで延在する第３領域をさらに有してもよい。第３領域は、基板のウェブ方向に延在してもよい。第１の所定角度は、第１領域と第３領域との間に形成されてもよい。第２の所定角度は、第２領域と第３領域との間に形成されてもよい。第１の所定角度は、第２の所定角度と等しくてもよい。このような場合、Ｚ字形チャネルは、所定の角度を有するとみなすことができる。あるいは、第１の所定の角度は、第２の所定の角度と等しくなくてもよい。その場合、Ｚ字形チャネルは、第１の所定の角度と第２の所定の角度とを有するとみなすことができる。
【0103】
いくつかの実施形態では、所定の角度は、又は、第１の所定の角度及び第２の所定の角度は独立して、０度を除き、９０度を除く、０度から９０度の範囲内である。いくつかの実施形態では、所定の角度は、又は第１の所定の角度及び第２の所定の角度は、０度及び１８０度を除く０度～１８０度の範囲内である。いくつかの実施形態では、所定の角度は、又は、第１の所定の角度及び第２の所定の角度は独立して、０度と９０度との間である（つまり０度及び９０度を除く）。いくつかの実施形態において、所定の角度は、又は、第１の所定の角度及び第２の所定の角度は独立して、３０度から６０度の範囲であり、３０度もしくは６０度を含む、又は３０度及び６０度を含む。いくつかの実施形態では、所定の角度は、又は、第１の所定の角度及び第２の所定の角度は独立して、３０度と６０度との間である（つまり３０度及び６０度を除く）。いくつかの実施形態において、所定の角度は、又は、第１の所定の角度及び第２の所定の角度は独立して、４０度から５０度の範囲であり、４０度もしくは５０度を含む、又は４０度及び５０度を含む。いくつかの実施形態では、所定の角度は、又は、第１の所定の角度及び第２の所定の角度は独立して、４０度と５０度との間である（つまり４０度及び５０度を除く）。所定の角度は、又は、第１の所定の角度及び第２の所定の角度は独立して、約４５度であることが好適であり得る。
【0104】
いくつかの実施形態において、所定の角度は、又は、第１の所定の角度及び第２の所定の角度は独立して、１度、５度、１０度、１５度、２０度、２５度、３０度、３５度、４０度、４５度、５０度、５５度、６０度、６５度、７０度、７５度、８０度、８５度、９０度、９５度、１００度、１０５度、１１０度、１１５度、１２０度、１２５度、１３０度、１３５度、１４０度、１４５度、１５０度、１５５度、１６０度、１６５度、１７０度、１７５度、又はその間の任意の整数の下限を有していてもよい。所定の角度、又は、第１の所定の角度及び第２の所定の角度のそれぞれの上限は、５度、１０度、１５度、２０度、２５度、３０度、３５度、４０度、４５度、５０度、５５度、６０度、６５度、７０度、７５度、８０度、８５度、９０度、９５度、１００度、１０５度、１１０度、１１５度、１２０度、１２５度、１３０度、１３５度、１４０度、１４５度、１５０度、１５５度、１６０度、１６５度、１７０度、１７５度、１７９度又はその間の任意の整数であってもよい。当業者には認識されるように、下限と上限との任意の組合せを用いることができる。
【0105】
他の実施形態では、所定の角度は、又は、第１の所定の角度及び第２の所定の角度は独立して、９０度より大きい上限を有してもよい。
【0106】
２端子デバイスの製造中、軸外方向コーティングプロセスがしばしば使用される。軸外方向コーティングプロセスでは、溝の一方の面及び区切り機構が選択的にコーティングされる。これは、バッチプロセスではなく連続プロセスとして製造プロセスを実行できるため、このような２端子デバイスのロール・ツー・ロール製造に特に有用である。このような場合、溝の反対側の面は、コーティングされる面に影を落とすので、コーティングされる面の一部分のみが、入ってくる材料によってコーティングされ得る。これは「シャドーイング効果」と呼ばれる。このように、シャドーイング効果によって、溝における面に堆積される材料の量が制御される。シャドーイング効果は、軸外方向コーティングの角度を増減させることで調整され得る。
【0107】
Ｚ字形チャネルによると、このような基板を使用する２端子デバイスの製造中にシャドウイング効果が増加するため、一連の溝とチャネルとの間の界面でコーティングされる材料が少なくなるという利点が得られる。したがって、チャネルの特性抵抗、ひいては基板の第３の特性抵抗が、製造プロセス中に増加する可能性がある。これにより、チャネルを横切る電気的短絡、ひいては第１セルと第２セルとの間の電気的短絡が防止されるという利点が得られる。
【0108】
ある実施形態では、少なくとも１つの抵抗要素は、基板内の複数のチャネルを有する。
【0109】
すなわち、少なくとも１つの抵抗要素は、基板に設けられた１つの、１つ以上の、又は２つ以上の、又は複数のチャネルから構成されてもよく、それらを有してもよく、又はそれらによって形成されてもよい。チャネルは、基板に設けられた窪み又はエッチング溝等として形成されてもよい。抵抗要素は、チャネルと、本明細書に記載の他の種類の抵抗要素、例えば、非導電性の電気絶縁体材料、チャネルの轍状の底部又は轍状の壁などとを有してもよい。
【0110】
これにより、例えば製造中に１つのチャネルに電気的短絡が生じた場合、別のチャネルが存在し、第１セルと第２セルとの間の電気的接続を防止できるという利点が得られる。このように、１つの抵抗素子が意図せずに電気的短絡を発生させた場合に備えて、複数の抵抗素子によって冗長性が確保される。したがって、製造中に電気的短絡が生じる可能性を低減することができる。これにより、より効率的かつ／又は信頼性の高い２端子デバイスを提供することができるという利点が得られる。
【0111】
ある実施形態では、複数のチャネルのうちの１つ以上は、轍状の（わだち掘れた）基部、轍状の壁、及び／又は、チャネル内にある非導電性の電気絶縁体材料を有している。
【0112】
ある実施形態では、複数のチャネルのうちの１つの、いくつかの、ほとんどの、又は全部のチャネルは、轍状の基部、轍状の壁、チャネル内にある非導電性の電気絶縁体材料、又はそれらの任意の組み合わせを有している。
【0113】
いくつかの例では、複数のチャネルのうちの１つの、いくつかの、ほとんどの、又は全部のチャネルは、轍状の底部又は轍状の基部を有してもよい。すなわち、複数のチャネルのうちの１つの、いくつかの、ほとんどの、又は全部のチャネルの底部又は基部は、轍状であってもよい。より具体的には、底部又は基部は、ギザギザである、凹凸がある、うねり（起伏）がある等である。
【0114】
追加的に又は代替的に、複数のチャネルのうちの１つの、いくつかの、ほとんどの、又は全部のチャネルは、轍状の壁を有してもよい。すなわち、複数のチャネルのうちの１つの、いくつかの、ほとんどの、又は全部の壁は、壁にギザギザ、凹凸、うねりがある等である点で轍状であってよい。
【0115】
追加的に又は代替的に、複数のチャネルのうちの１つの、いくつかの、ほとんどの、又は全部のチャネルは、そのチャネル内に非導電性の電気絶縁体材料を有してもよい。非導電性電気絶縁体は、複数のチャネルのうちの１つの、いくつかの、ほとんどの、又は全部のチャネルを部分的に、大部分又は全体的に充填してもよい。
【0116】
これにより、チャネル又は各チャネルの抵抗、ひいては第３の特性抵抗が増加し、それによって第１セルと第２セルとの間に電気的短絡が形成される可能性が低減されるという利点が得られる。さらに、第３の特性抵抗は、チャネル又は各チャネルの一部として、又はチャネル内に形成された抵抗要素の数及びタイプに基づいて調整され得る。
【0117】
ある実施形態において、複数のチャネルのうちの１つ以上は、少なくとも１：１．６のアスペクト比を有する。すなわち、ある実施形態では、複数のチャネルのうちの１つの、いくつかの、ほとんどの、又は全部のチャネルは、例えば、１：１．８、１：１．９、１：２．０などの１：１．６以上のアスペクト比を有していてもよい。アスペクト比という用語は、幅と深さとの比率を定義するために使用される。したがって、少なくとも１：１．６のアスペクト比は、複数のチャネルのうちの１つの、いくつかの、ほとんどの、又は全部のチャネルの幅：深さを指して、１：１．６又はそれ以上の比率とみなすことができる。従って、複数のチャネルのうちの１つの、いくつかの、ほとんどの、又は全部のチャネルの深さは、それぞれのチャネルの幅よりも大きくてもよい。
【0118】
これにより、アスペクト比が増加するにつれて、第１セルと第２セルとの間の電子移動経路が増加するという利点が得られる。すなわち、第１セルと第２セルとの間の電子移動経路は、チャネル又は複数のチャネルのアスペクト比の関数として増加する。従って、第３の特性抵抗は、チャネル又は複数のチャネルのアスペクト比の関数として増加する。このようにして、第３の特性抵抗は、１つのチャネル又は複数のチャネルのアスペクト比の関数として変更、又は調整され得る。
【0119】
ある実施形態では、複数のチャネルの１つ以上は、少なくとも１．６：１のアスペクト比を有する。
【0120】
ある実施形態では、複数のチャネルのうちの１つの、いくつかの、ほとんどの、又は全部のチャネルは、例えば１．８：１、１．９：１、２．０：１などの、１．６：１以上のアスペクト比を有してよい。アスペクト比という用語は、幅と深さとの比率を定義するために使用される。したがって、少なくとも１．６：１のアスペクト比は、複数のチャネルのうちの１つの、いくつかの、ほとんどの、又は全部のチャネルの幅：深さを指して、１．６：１又はそれ以上の比率とみなすことができる。従って、複数のチャネルのうちの１つの、いくつかの、ほとんどの、又は全部のチャネルの幅は、それぞれのチャネルの深さよりも大きくてもよい。
【0121】
これにより、アスペクト比が増加するにつれて、第１セルと第２セルとの間の電子移動経路が増加するという利点が得られる。すなわち、第１セルと第２セルとの間の電子移動経路は、チャネル又は複数のチャネルのアスペクト比の関数として増加する。従って、第３の特性抵抗は、チャネル又は複数のチャネルのアスペクト比の関数として増加する。このようにして、第３の特性抵抗は、チャネル又は複数のチャネルのアスペクト比の関数として変更、又は調整され得る。ある実施形態において、第１セルは少なくとも１つの第１溝を有し、及び／又は第２セルは少なくとも１つの第２溝を有し、各チャネルは少なくとも１つの第１溝及び／又は少なくとも１つの第２溝を横断している。
【0122】
ある実施形態では、第１セルは少なくとも１つの第１溝を有するか、第２セルは少なくとも１つの第２溝を有するか、又は、第１セルが少なくとも１つの第１溝を有するとともに第２セルが少なくとも１つの第２溝を有する。さらに、ある実施形態では、チャネルの１つ以上、いくつか、ほとんど、各々又は全部が、少なくとも１つの第１溝を横断しているか、少なくとも１つの第２溝を横断しているか、又は少なくとも１つの第１溝及び少なくとも１つの第２溝の両方を横断している。
【0123】
これにより、チャネルの１つがその電気的分離に失敗した場合に備えて、第１セルと第２セルの間の電気的短絡を防ぐように接続部分に冗長性が構築されていることに加えて、第３の特性抵抗が調整可能であるという利点が得られる。さらに、このような配置によって、溝と端子との間の横断領域（transection region）を介した電気的短絡を防止することができる。すなわち、一連の溝と隣接する端子との間の電気的な分離が達成されるように、チャネルは溝を横断してもよい。したがって、より効率的かつ／又は信頼性の高い２端子デバイスが提供され得る。
【0124】
ある実施形態では、第１セルは第１の一連の溝を有し、及び／又は第２セルは第２の一連の溝を有する。各チャネルは第１の一連の溝の一部分及び／又は第２の一連の溝の一部分を横断している。
【0125】
ある実施形態において、第１セルは第１の一連の溝を有し、又は第２セルは第２の一連の溝を有し、又は第１セルが第１の一連の溝を有し且つ第２セルが第２の一連の溝を有する。上述したように、第１の一連の溝及び第２の一連の溝は、任意の数の溝を有してよく、終端溝（terminal grooves）を有してよい。さらに、ある実施形態では、チャネルの１つ以上、いくつか、ほとんど、各々又は全てが、第１の一連の溝、第２の一連の溝、又は第１の一連の溝及び第２の一連の溝の両方の一部分（すなわち、１つ、いくつか、ほとんど、又は全部）を横断している。各チャネルは、第１の一連の溝及び／又は第２の一連の溝の全体を横断してもよい。
【0126】
これにより、チャネルの１つがその電気的分離に失敗した場合に備えて、第１セルと第２セルの間の電気的短絡を防ぐように接続部分に冗長性が構築されていることに加えて、第３の特性抵抗が調整可能であるという利点が得られる。さらに、このような配置によって、溝と端子との間の横断領域を介した電気的短絡を防止することができる。すなわち、一連の溝と隣接する端子との間の電気的な分離が達成されるように、チャネルが溝を横断してもよい。したがって、より効率的かつ／又は信頼性の高い２端子デバイスが提供され得る。
【0127】
ある実施形態では、各チャネルは、各溝の端部の方で、第１の一連の溝及び／又は第２の一連の溝を横断している。
【0128】
ある実施形態では、各チャネル、すなわち１つ以上の、いくつかの、ほとんどの、又は全部のチャネルは、第１の一連の溝、第２の一連の溝、又は第１の一連の溝及び第２の一連の溝の両方を、それぞれの溝の端部の方で横断している。いくつかの例では、各チャネルは、各溝の端部において、第１の一連の溝及び／又は第２の一連の溝を横断している。
【0129】
ある実施形態において、複数のチャネルは、第１のチャネル特性抵抗を有する第１チャネルと、第２のチャネル特性抵抗を有する第２チャネルとを含む。第１のチャネル特性抵抗及び第２のチャネル特性抵抗は、第３の特性抵抗の実質的に全部を提供する。
【0130】
すなわち、ある実施形態では、複数のチャネルは、第１チャネルと第２チャネルとを含む。第１チャネルは、第１のチャネル特性抵抗を有してもよい。第２チャネルは、第２のチャネル特性抵抗を有していてもよい。第１のチャネル特性抵抗と第２のチャネル特性抵抗は、それらの組み合わせることにより、第３の特性抵抗の実質的に全部、又は第３の特性抵抗の全部を提供することができる。
【0131】
これにより、第３の特性抵抗は、第１チャネル及び第２チャネルの特性抵抗に応じて調整可能であるという利点が得られる。
【0132】
ある実施形態において、複数のチャネルは、第３のチャネル特性抵抗を有する第３チャネルをさらに含む。第１チャネル特性抵抗、第２チャネル特性抵抗及び第３チャネル特性抵抗は、第３の特性抵抗の実質的に全部を提供する。
【0133】
ある実施形態では、複数のチャネルは、第１チャネル、第２チャネル、及び第３チャネルを含む。第１チャネルは、第１のチャネル特性抵抗を有してもよい。第２チャネルは、第２のチャネル特性抵抗を有してもよい。第３チャネルは、第３のチャネル特性抵抗を有してもよい。第１のチャネル特性抵抗、第２のチャネル特性抵抗、及び第３のチャネル特性抵抗は、それらを組み合わせることによって、第３の特性抵抗の実質的に全部、又は全部を提供してもよい。
【0134】
これにより、さらなるチャネルを設けることによって、第３の特性抵抗をさらに調整することができるという利点が得られる。さらに、追加のチャネル設けることによって、第３の特性抵抗を増加させることができる。
【0135】
ある実施形態では、チャネル、又は複数のチャネルの各チャネルは、所定の角度を有する実質的にＺ字形状である。
【0136】
ある実施形態では、複数のチャネルの各チャネルは、所定の角度を有する実質的にＺ字形状である。
【0137】
Ｚ字形チャネル又は複数のＺ字形チャネルは、Ｚ字形チャネルに関連して上述した任意の特徴を有してもよい。
【0138】
ある実施形態では、２端子デバイスは、
複数のチャネルの各チャネルをそのチャネルの遠位端で横断し、少なくとも１つの第１溝を横断する第１横断チャネルと、
複数のチャネルの各チャネルをそのチャネルの近位端で横断し、少なくとも１つの第２溝を横断する第２横断チャネルと、をさらに備える。
複数のチャネルの各チャネルをそのチャネルの遠位端で横断し、少なくとも１つの第１溝を横断する第１横断チャネルと、
複数のチャネルの各チャネルをそのチャネルの近位端で横断し、少なくとも１つの第２溝を横断する第２横断チャネルと、をさらに備える。
【0139】
すなわち、ある実施形態において、第１セルは少なくとも１つの第１溝を有し、第２セルは少なくとも１つの第２溝を有し、基板はさらに、複数のチャネルの各チャネルをそのチャネルの遠位端で横断し、かつ、少なくとも１つの第１溝を横断する第１横断チャネルと、複数のチャネルの各チャネルをそのチャネルの近位端で横断し、かつ、少なくとも１つの第２溝を横断する第２横断チャネルと、を有する。
【0140】
すなわち、ある実施形態では、複数のチャネルが設けられてもよく、各チャネルは、その遠位端を第１横断チャネルによって横断され、かつ、各チャネルは、その近位端を第２横断チャネルによって横断されてもよい。第１横断チャネルは、少なくとも１つの第１溝を横断してよい。第２横断チャネルは、少なくとも１つの第２溝を横断してもよい。複数のチャネルは、基板の横方向に延在してもよい。第１横断チャネル及び第２横断チャネルは、基板のウェブ方向に延在してもよい。第１横断チャネル、第２横断チャネル、又は第１横断チャネルと第２横断チャネルの両方は、複数のチャネルの各チャネルに対して垂直に延在してもよい。
【0141】
これにより、各溝の端部を横切る電気的短絡が実質的に防止されるという利点が得られる。ある実施形態において、第１横断チャネルは、複数のチャネルの各チャネルをそのチャネルの遠位端で横断し且つ第１の一連の溝の一部分を横断し、及び／又は、第２横断チャネルは、複数のチャネルの各チャネルをそのチャネルの近位端で横断し且つ第２の一連の溝の一部分を横断している。
【0142】
ある実施形態において、第１横断チャネルは、第１の一連の溝の全体を横断し、及び／又は、第２横断チャネルは、第２の一連の溝の全体を横断している。
【0143】
ある実施形態では、第１横断チャネル及び／又は第２横断チャネルは、各溝の端部の方（端部の辺り）で、それぞれの溝又は複数の溝を横断している。
【0144】
ある実施形態において、複数のチャネルは、第１チャネル及び第２のチャネルを含み、第１横断チャネルは、第１チャネル及び第２チャネルの遠位端で第１チャネル及び第２のチャネルを横断し、第２横断チャネルは、第１チャネル及び第２チャネルの近位端で第１チャネル及び第２のチャネルを横断している。
【0145】
すなわち、ある実施形態では、複数のチャネルは、第１チャネルと第２チャネルとを含む。第１チャネル及び第２チャネルは、互いに平行に延在してもよい。第１横断チャネルは、第１チャネル及び第２チャネルの遠位端で、第１チャネル及び第２チャネルを横断している。第２横断チャネルは、第１チャネル及び第２チャネルの近位端で、第１チャネル及び第２チャネルを横断している。遠位端と近位端とは、基板の横方向に沿った対向する縁部にあってもよいし、基板の横方向に沿った対向する縁部の方（辺り）にあってもよい。
【0146】
ある実施形態において、複数のチャネルは、第３チャネルをさらに含み、第１横断チャネルは、第３チャネルの遠位端で第３チャネルをさらに横断し、第２横断チャネルは、第３チャネルの近位端で第３チャネルをさらに横断している。
【0147】
すなわち、ある実施形態では、複数のチャネルは、第１チャネル、第２チャネル、及び第３チャネルを含む。第１チャネル、第２チャネル、及び第３チャネルは、互いに平行に延びていてもよい。第１横断チャネルは、第１チャネル、第２チャネル、及び第３チャネルの遠位端で、第１チャネル、第２チャネル、及び第３チャネルを横断している。第２横断チャネルは、第１チャネル、第２チャネル、及び第３チャネルの近位端で、第１チャネル、第２チャネル、及び第３チャネルを横断している。遠位端と近位端とは、基板の横方向に沿った対向する縁部にあってもよいし、基板の横方向に沿った対向する縁部の方（辺り）にあってもよい。
【0148】
ある実施形態では、各チャネル、第１横断チャネル及び第２横断チャネルは、所定の角度を有する実質的なＺ字形状を形成する。形成される実質的なＺ字形状の特徴は、Ｚ字形チャネルに関連して上述した任意の特徴（所定の角度を含む）を有してもよい。
【0149】
本発明に対する別の態様によれば、
基板を提供することと、
前記基板内に、第１の特性抵抗を有する第１セルを形成することと、
前記基板内に、前記基板のウェブ方向に沿って前記第１セルから間隔をあけて、第２の特性抵抗を有する第２セルを形成することと、
第１端子及び第２端子を形成することであって、各端子は、前記ウェブ方向にわたって、前記基板の対向する縁部の方に、又は前記対向する縁部に形成され、１つの端子又は各端子は前記第１セル及び前記第２セルと電気的に接続して形成される、第１端子及び第２端子を形成することと、
前記第１セルと前記第２セルとの間に、第３の特性抵抗を有する接続部分を形成することと、を含み、
前記第３の特性抵抗は、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか又は等しく、前記第１セル又は前記第２セルからの電荷は、前記接続部分を介して前記第１セルから前記第２セルへ移動されるよりも優先して、前記第１端子又は前記第２端子で取り出し可能である、２端子デバイスを形成する方法が提供される。
基板を提供することと、
前記基板内に、第１の特性抵抗を有する第１セルを形成することと、
前記基板内に、前記基板のウェブ方向に沿って前記第１セルから間隔をあけて、第２の特性抵抗を有する第２セルを形成することと、
第１端子及び第２端子を形成することであって、各端子は、前記ウェブ方向にわたって、前記基板の対向する縁部の方に、又は前記対向する縁部に形成され、１つの端子又は各端子は前記第１セル及び前記第２セルと電気的に接続して形成される、第１端子及び第２端子を形成することと、
前記第１セルと前記第２セルとの間に、第３の特性抵抗を有する接続部分を形成することと、を含み、
前記第３の特性抵抗は、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか又は等しく、前記第１セル又は前記第２セルからの電荷は、前記接続部分を介して前記第１セルから前記第２セルへ移動されるよりも優先して、前記第１端子又は前記第２端子で取り出し可能である、２端子デバイスを形成する方法が提供される。
【0150】
これにより、第１セルと第２セルとの間の電気的短絡が防止されるという利点が得られる。特に、第１セルと第２セルとの間の電気的短絡の生成などの製造上の欠陥を、最小限に抑えることができる。したがって、より効率的かつ／又は信頼性の高い２端子デバイスが形成され得る。
【0151】
ある実施形態では、第１セルを形成するステップは、基板内に少なくとも１つの第１溝を形成することを含む。
【0152】
ある実施形態では、少なくとも１つの第１溝を形成するステップは、基板内に第１の一連の溝を形成することを含む。
【0153】
一連に（直列に）接続された第１の一連の溝は、その一連内の溝の数の関数として電圧を付加する。従って、これにより、第１の一連の溝内の溝の数を変化させることによって、第１セルの電圧、すなわち第１の一連の溝の電圧を、変更又は調整することができるという利点が得られる。
【0154】
ある実施形態では、第２セルを形成するステップは、基板内に少なくとも１つの第２溝を形成することを含む。
【0155】
ある実施形態において、少なくとも１つの第２溝を形成するステップは、基板内に第２の一連の溝を形成することを含む。
【0156】
一連に（直列に）接続された第２の一連の溝は、その一連内の溝の数の関数として電圧を付加する。したがって、これにより、第２の一連の溝内の溝の数を変化させることによって、第２セルの電圧、すなわち第２の一連の溝の電圧を、変更又は調整することができるという利点が得られる。
【0157】
ある実施形態において、接続部分を形成するステップは、第１セルと第２セルとの間の接続部分内に少なくとも１つの抵抗要素を形成するステップをさらに含む。少なくとも１つの抵抗要素は、第３の特性抵抗を提供する。
【0158】
ある実施形態では、少なくとも１つの抵抗要素は、少なくとも１つのチャネルを有する。
【0159】
ある実施形態では、上記方法は、
第１の一連の溝の各溝、第２の一連の溝の各溝、及び、チャネル又は各チャネルの第１の面を、第１の材料でコーティングすることと、
第１の一連の溝の各溝、第２の一連の溝の各溝、及び、チャネル又は各チャネルの第２の面を、第２の材料でコーティングすることと、
第１の一連の溝の各溝、第２の一連の溝の各溝、及び、チャネル又は各チャネルを、第３の材料で少なくとも部分的に充填することと、をさらに含む。
第１の一連の溝の各溝、第２の一連の溝の各溝、及び、チャネル又は各チャネルの第１の面を、第１の材料でコーティングすることと、
第１の一連の溝の各溝、第２の一連の溝の各溝、及び、チャネル又は各チャネルの第２の面を、第２の材料でコーティングすることと、
第１の一連の溝の各溝、第２の一連の溝の各溝、及び、チャネル又は各チャネルを、第３の材料で少なくとも部分的に充填することと、をさらに含む。
【0160】
ある実施形態において、第１セルを形成するステップは、基板内に第１の一連の溝を形成することを含み、第２セルを形成するステップは、基板内に第２の一連の溝を形成することを含み、接続部分を形成するステップは、接続部分内に少なくとも１つのチャネルを形成することを含み、上記方法は、
第１の一連の溝の各溝、第２の一連の溝の各溝、及び、チャネル又は各チャネルの第１の面を、第１の材料でコーティングすることと、
第１の一連の溝の各溝、第２の一連の溝の各溝、及び、チャネル又は各チャネルの第２の面を、第２の材料でコーティングすることと、
第１の一連の溝の各溝、第２の一連の溝の各溝、及び、チャネル又は各チャネルを、第３の材料で少なくとも部分的に充填することと、をさらに含む。
第１の一連の溝の各溝、第２の一連の溝の各溝、及び、チャネル又は各チャネルの第１の面を、第１の材料でコーティングすることと、
第１の一連の溝の各溝、第２の一連の溝の各溝、及び、チャネル又は各チャネルの第２の面を、第２の材料でコーティングすることと、
第１の一連の溝の各溝、第２の一連の溝の各溝、及び、チャネル又は各チャネルを、第３の材料で少なくとも部分的に充填することと、をさらに含む。
【0161】
ある実施形態では、第１の面を第１の材料でコーティングするステップ及び／又は第２の面を第２の材料でコーティングするステップは、軸外方向コーティングプロセスを含む。
【0162】
ある実施形態では、溝とチャネル又は各チャネルとを、第３の材料で少なくとも部分的に充填するステップは、基板上に第３の材料を印刷することを含む。このようにして、第３の材料が基板上に印刷されると、第３の材料は、部分的に又は完全に、溝又は各溝内に印刷される。
【0163】
ある実施形態において、第１の一連の溝及び第２の一連の溝の各溝を少なくとも部分的に充填するステップは、各溝を第３の材料で充填し、それによって第１の一連の溝の各溝を横切る電気的接続、及び第２の一連の溝の各溝を横切る電気的接続を提供することを含む。
【0164】
ある実施形態において、少なくとも部分的にチャネル又は各チャネルを充填するステップは、第３の材料でチャネル又は各チャネルを充填し、それによってチャネル又は各チャネルを介した電気的接続を提供することを含む。
【0165】
本発明のさらに別の態様によれば、２端子デバイスであって、基板を備え、基板は、
第１の特性抵抗を有する第１セルと、基板のウェブ方向に沿って第１セルから間隔を空けて配置され、第２の特性抵抗を有する第２セルと、
第１端子及び第２端子であって、各端子は、基板の横方向に沿って対向する縁部の方に、又はそれらの縁部に形成されている、第１端子及び第２端子と、
第１セルと第２セルとの間にあり、チャネルを有する接続部分であって、第３の特性抵抗を有する接続部分と、
を備え、
チャネルは、第３の特性抵抗が第１の特性抵抗及び第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか等しくなるように少なくとも１：１．６のアスペクト比を有し、接続部分を介した第１セルから第２セルへの電荷移動に優先して、第１端子及び第２端子で第１セル及び第２セルから電荷が取り出される、２端子デバイスが提供される。
第１の特性抵抗を有する第１セルと、基板のウェブ方向に沿って第１セルから間隔を空けて配置され、第２の特性抵抗を有する第２セルと、
第１端子及び第２端子であって、各端子は、基板の横方向に沿って対向する縁部の方に、又はそれらの縁部に形成されている、第１端子及び第２端子と、
第１セルと第２セルとの間にあり、チャネルを有する接続部分であって、第３の特性抵抗を有する接続部分と、
を備え、
チャネルは、第３の特性抵抗が第１の特性抵抗及び第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか等しくなるように少なくとも１：１．６のアスペクト比を有し、接続部分を介した第１セルから第２セルへの電荷移動に優先して、第１端子及び第２端子で第１セル及び第２セルから電荷が取り出される、２端子デバイスが提供される。
【0166】
すなわち、第３の特性抵抗は、チャネルの深さの関数として調整され得る。すなわち、チャネルが深いほど、電子移動経路が大きくなり、したがって、第３の特性抵抗が高くなり得る。上述したように、これによって電気的短絡を防ぐことができる。
【0167】
本発明のさらに別の態様によれば、基板を備える２端子デバイスであって、基板は、
終端溝（terminal groove）又は終端部（terminal portion）を有し、第１の特性抵抗を有する少なくとも１つの第１溝、及び、終端溝又は終端部を有し、基板のウェブ方向に沿って少なくとも１つの第１溝から間隔をあけて配置され、かつ、第２の特性抵抗を有する少なくとも１つの第２溝と、
第１端子及び第２端子であって、各端子は、基板の横方向に沿って対向する縁部の方に又は対向する縁部に形成されている、第１端子及び第２端子と、
少なくとも１つの第１溝の終端溝又は終端部と少なくとも１つの第２溝の終端溝又は終端部との間にあり、チャネルを有する接続部分であって、第３の特性抵抗を有する、接続部分と、を備え、
チャネルは、少なくとも１つの第１溝の終端溝又は終端部及び少なくとも１つの第２溝の終端溝又は終端部のうちの少なくとも一方のアスペクト比よりも大きい、好ましくは２０％と５０％との間だけ大きい、アスペクト比を有し、
第３の特性抵抗が、第１の特性抵抗及び第２の特性抵抗の少なくとも１つよりも大きいか等しく、少なくとも１つの第１溝の終端溝又は終端部から少なくとも１つの第２溝の終端溝又は終端部への接続部分を介する電荷移動よりも優先して、第１端子及び第２端子で少なくとも１つの第１溝及び少なくとも１つの第２溝から電荷が取り出される、２端子デバイスがさらに提供される。
終端溝（terminal groove）又は終端部（terminal portion）を有し、第１の特性抵抗を有する少なくとも１つの第１溝、及び、終端溝又は終端部を有し、基板のウェブ方向に沿って少なくとも１つの第１溝から間隔をあけて配置され、かつ、第２の特性抵抗を有する少なくとも１つの第２溝と、
第１端子及び第２端子であって、各端子は、基板の横方向に沿って対向する縁部の方に又は対向する縁部に形成されている、第１端子及び第２端子と、
少なくとも１つの第１溝の終端溝又は終端部と少なくとも１つの第２溝の終端溝又は終端部との間にあり、チャネルを有する接続部分であって、第３の特性抵抗を有する、接続部分と、を備え、
チャネルは、少なくとも１つの第１溝の終端溝又は終端部及び少なくとも１つの第２溝の終端溝又は終端部のうちの少なくとも一方のアスペクト比よりも大きい、好ましくは２０％と５０％との間だけ大きい、アスペクト比を有し、
第３の特性抵抗が、第１の特性抵抗及び第２の特性抵抗の少なくとも１つよりも大きいか等しく、少なくとも１つの第１溝の終端溝又は終端部から少なくとも１つの第２溝の終端溝又は終端部への接続部分を介する電荷移動よりも優先して、第１端子及び第２端子で少なくとも１つの第１溝及び少なくとも１つの第２溝から電荷が取り出される、２端子デバイスがさらに提供される。
【0168】
すなわち、第３の特性抵抗は、隣接する溝に対するチャネルの深さの関数として調整され得る。すなわち、チャネルが、隣接する溝よりも大きい、例えば２０％～５０％大きい、アスペクト比を有することによって、電子移動経路をより大きくでき、したがって、第３の特性抵抗をより高くできる。上述したように、これにより、電気的短絡を防止することができる。
【0169】
本発明のさらに別の態様によれば、基板を備える２端子デバイスであって、基板は、
第１の特性抵抗を有する第１セル、及び、基板のウェブ方向に沿って第１セルから間隔をあけて配置され、第２の特性抵抗を有する第２セルと、
第１端子及び第２端子であって、各端子は基板の横方向に沿って対向する縁部の方に又は対向する縁部に形成されている、第１端子及び第２端子と、
第１セルと第２セルの間にあり、チャネルを有する接続部分であって、第３の特性抵抗を有する、接続部分と、を備え、
チャネルは、第３の特性抵抗が第１の特性抵抗及び第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか又は等しくなるように、轍状の基部、轍状の壁、及び／又はチャネル内の非導電性の電気絶縁体を有し、これにより、電荷は、第１セルから第２セルへの接続部分を介する電荷移動に優先して、第１端子及び第２端子で第１セル又は第２セルから取り出される、２端子デバイスがさらに提供される。
第１の特性抵抗を有する第１セル、及び、基板のウェブ方向に沿って第１セルから間隔をあけて配置され、第２の特性抵抗を有する第２セルと、
第１端子及び第２端子であって、各端子は基板の横方向に沿って対向する縁部の方に又は対向する縁部に形成されている、第１端子及び第２端子と、
第１セルと第２セルの間にあり、チャネルを有する接続部分であって、第３の特性抵抗を有する、接続部分と、を備え、
チャネルは、第３の特性抵抗が第１の特性抵抗及び第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか又は等しくなるように、轍状の基部、轍状の壁、及び／又はチャネル内の非導電性の電気絶縁体を有し、これにより、電荷は、第１セルから第２セルへの接続部分を介する電荷移動に優先して、第１端子及び第２端子で第１セル又は第２セルから取り出される、２端子デバイスがさらに提供される。
【0170】
すなわち、チャネルは、轍状の基部、轍状の壁、チャネル内の非導電性の電気絶縁体、又はそれらの任意の組み合わせを有してもよい。これにより、第３の特性抵抗の調整が可能になる。
【0171】
本発明のさらに別の態様によれば、基板を備える２端子デバイスであって、基板は、
第１の特性抵抗を有する第１セル、及び、基板のウェブ方向に沿って第１セルから間隔をあけて配置され、第２の特性抵抗を有する第２セルと、
第１端子及び第２端子であって、各端子が基板の横方向に沿って対向する縁部の方に又は対向する縁部に形成されている、第１端子及び第２端子と、
第１セルと第２セルとの間にあり、複数のチャネルを有する接続部分であって、複数のチャネルはそれぞれチャネル抵抗を有し、チャネル抵抗の組み合わせは第３の特性抵抗を形成する、接続部分と、を備え、
第３の特性抵抗は、第１の特性抵抗及び第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか又は等しく、第１セル又は第２セルの電荷は、第１セルから第２セルへ接続部分を介して移動するよりも優先して、第１端子又は第２端子で取り出される、２端子デバイスがさらに提供される。
第１の特性抵抗を有する第１セル、及び、基板のウェブ方向に沿って第１セルから間隔をあけて配置され、第２の特性抵抗を有する第２セルと、
第１端子及び第２端子であって、各端子が基板の横方向に沿って対向する縁部の方に又は対向する縁部に形成されている、第１端子及び第２端子と、
第１セルと第２セルとの間にあり、複数のチャネルを有する接続部分であって、複数のチャネルはそれぞれチャネル抵抗を有し、チャネル抵抗の組み合わせは第３の特性抵抗を形成する、接続部分と、を備え、
第３の特性抵抗は、第１の特性抵抗及び第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか又は等しく、第１セル又は第２セルの電荷は、第１セルから第２セルへ接続部分を介して移動するよりも優先して、第１端子又は第２端子で取り出される、２端子デバイスがさらに提供される。
【0172】
すなわち、接続部分内に複数のチャネルが形成されていてもよい。これにより、複数のチャネルのうちの１つが、第１セルと第２セルとの電気的分離に失敗した場合に備えて、冗長性をもたせることができる。したがって、２端子デバイスの製造中に、第１セルと第２セルとの間の電気的短絡が防止され得る。
【0173】
本発明のさらに別の態様によれば、基板を備える２端子デバイスであって、基板は、
第１の特性抵抗を有する第１セル、及び、基板のウェブ方向に沿って第１セルから間隔を空けて配置され、第２の特性抵抗を有する第２セルと、
第１端子及び第２端子であって、各端子は基板の横方向に沿って対向する縁部の方に又は対向する縁部に形成されている、第１端子及び第２端子と、
第１セルと第２セルの間の、複数のチャネルを有する接続部分であって、複数のチャネルはそれぞれチャネル抵抗を有し、チャネル抵抗の組み合わせが第３の特性抵抗を形成する、接続部分と、を備え、
第３の特性抵抗は、第１の特性抵抗及び第２の特性抵抗の一方に等しく、かつ、第１の特性抵抗及び第２の特性抵抗の他方よりも大きく、第１セルから第２セルへの接続部分を介した電荷移動よりも優先して、第１端子及び第２端子で第１セル及び第２セルから電荷が取り出される、２端子デバイスがさらに提供される。
第１の特性抵抗を有する第１セル、及び、基板のウェブ方向に沿って第１セルから間隔を空けて配置され、第２の特性抵抗を有する第２セルと、
第１端子及び第２端子であって、各端子は基板の横方向に沿って対向する縁部の方に又は対向する縁部に形成されている、第１端子及び第２端子と、
第１セルと第２セルの間の、複数のチャネルを有する接続部分であって、複数のチャネルはそれぞれチャネル抵抗を有し、チャネル抵抗の組み合わせが第３の特性抵抗を形成する、接続部分と、を備え、
第３の特性抵抗は、第１の特性抵抗及び第２の特性抵抗の一方に等しく、かつ、第１の特性抵抗及び第２の特性抵抗の他方よりも大きく、第１セルから第２セルへの接続部分を介した電荷移動よりも優先して、第１端子及び第２端子で第１セル及び第２セルから電荷が取り出される、２端子デバイスがさらに提供される。
【0174】
当業者には明らかなように、上述又は後述する特徴の任意の組合せを使用することができるが、そのような特徴が相互に矛盾しないことが条件である。この点を説明する例として、当業者は、第１セルが少なくとも１つの溝を有し、第２セルが一連の溝を有し得ることを認識するであろう。この点を説明する更なる例として、当業者は、例えば、基板の１つ以上の峰部（ピーク）と組み合わせた１つ以上のチャネルなど、任意の数の抵抗要素及び任意のタイプの抵抗要素を接続部分内で使用し得ることを認識するであろう。
【0175】
特定の用語は、以下の説明において便宜上のみ使用されており、限定するものではない。「右」、「左」、「下（lower）」、「上（upper）」、「前」、「後」、「上方（upward）」、「下に（down）」及び「下方（downward）」という語は、参照される、組み立てられ取り付けられたときの説明された構成要素に関する図面における方向を指す。「内側の（inner）」、「内側へ（inwardly）」及び「外側の（outer）」、「外側へ（outwardly）」は、それぞれ、指定された中心線又は記載される要素の幾何学的中心（例えば中心軸）に向かう方向及びそこから離れる方向を指し、特定の意味は、説明の文脈から容易に明らかである。
【0176】
さらに、本明細書で使用する場合、「接続された」、「取り付けられた（attached）」、「結合された」、「搭載された」、「取り付けられた（mounted）」という用語は、間に他の部材が介在しない２つの部材間の直接接続と、間に１つ又は複数の他の部材が介在する部材間の間接接続とを含むことを意図している。また、ここでの用語には、上記の用語、その派生語、及びそれに類する用語が含まれる。
【0177】
さらに、特に指定がない限り、「第１」、「第２」、「第３」などの序数的な形容詞の使用は、単に同様の対象の異なるインスタンスが参照されていることを示し、そのように記述された対象が、時間的、空間的、順位的又はその他の方法で、所定の順序になければならないことを意味するものではない。
【0178】
以下、非限定的な例の非網羅的なリストが提供される。これらの例の特徴のうちの任意の１つ以上を、それらが相互に矛盾しない限り、本明細書に記載される別の例、実施形態又は態様の任意の１つ以上の特徴と組み合わせることができる。特に、例１～５６のいずれか１つは、それらが相互に矛盾しない限り、例５７～９６のいずれか１つと組み合わせることができる。
【0179】
例１．２端子デバイスであって、基板を備え、前記基板は、
第１の特性抵抗を有する第１セル、及び、前記基板のウェブ方向に沿って前記第１セルから間隔を空けて配置され、第２の特性抵抗を有する第２セルと、
第１端子及び第２端子であって、各端子が横方向における基板の対向する縁部の方に又は前記対向する縁部に形成されており、各端子が第１セル及び第２セルと電気的に連通している、第１端子及び第２端子と、
前記第１セルと前記第２セルとの間にあり、第３の特性抵抗を有する接続部分と、を備え、
前記第３の特性抵抗は、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか又は等しく、これにより、前記接続部分を介する前記第１セルと前記第２セルとの間の電荷移動よりも優先して、電荷は、前記第１端子及び前記第２端子で前記第１セル及び前記第２セルから取り出し可能である、２端子デバイス。
第１の特性抵抗を有する第１セル、及び、前記基板のウェブ方向に沿って前記第１セルから間隔を空けて配置され、第２の特性抵抗を有する第２セルと、
第１端子及び第２端子であって、各端子が横方向における基板の対向する縁部の方に又は前記対向する縁部に形成されており、各端子が第１セル及び第２セルと電気的に連通している、第１端子及び第２端子と、
前記第１セルと前記第２セルとの間にあり、第３の特性抵抗を有する接続部分と、を備え、
前記第３の特性抵抗は、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか又は等しく、これにより、前記接続部分を介する前記第１セルと前記第２セルとの間の電荷移動よりも優先して、電荷は、前記第１端子及び前記第２端子で前記第１セル及び前記第２セルから取り出し可能である、２端子デバイス。
【0180】
例２．前記第３の特性抵抗は、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きい、例１に記載の２端子デバイス。
【0181】
例３．前記第３の特性抵抗は、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも少なくとも２倍、好ましくは少なくとも５倍、さらに好ましくは少なくとも１０倍大きい、例２に記載の２端子デバイス。
【0182】
例４．前記接続部分は、少なくとも１つの抵抗要素を有する、例１から例３のいずれかに記載の２端子デバイス。
【0183】
例５．少なくとも１つの前記抵抗要素は、前記基板の峰部、前記基板の不連続な非絶縁性コーティング、及び／又は前記基板の轍状の部分を有する、例４による２端子デバイス。
【0184】
例６．少なくとも１つの前記抵抗要素は、前記基板内のチャネルを有する、例４又は例５に記載の２端子デバイス。
【0185】
例７．前記チャネルは、轍状の基部、轍状の壁、及び／又は前記チャネル内の非導電性の電気絶縁体材料を有する、例６に記載の２端子デバイス。
【0186】
例８．前記チャネルは、少なくとも１：１．６のアスペクト比を有する、例６又は例７に記載の２端子デバイス。
【0187】
例９．前記チャネルは、少なくとも１：２のアスペクト比を有する、例８に記載の２端子デバイス。
【0188】
例１０．前記第１セルが少なくとも１つの第１溝を含み、及び／又は第２セルが少なくとも１つの第２溝を含む、例１から例９のいずれかに記載の２端子デバイス。
【0189】
例１１．第１セルが第１の一連の溝を備え、及び／又は前記第２セルが第２の一連の溝を備える、例１０に記載の２端子デバイス。
【0190】
例１２．前記チャネルは、少なくとも１つの前記第１溝の一部分及び／又は少なくとも１つの前記第２溝の一部分を横断している、例６から例９のいずれか１つを引用する例１０に記載の２端子デバイス。
【0191】
例１３．前記チャネルは、前記第１の一連の溝の一部分及び／又は前記第２の一連の溝の一部分を横断する、例１０及び例６から例９のいずれか１つを引用する場合の例１１に記載の２端子デバイス。
【0192】
例１４．前記チャネルは、前記第１の一連の溝の全体及び／又は前記第２の一連の溝の全体を横断している、例１３に記載の２端子デバイス。
【0193】
例１５．前記チャネルは、前記第１の一連の溝及び／又は前記第２の一連の溝を、各溝の端部の方で横断している、例１３又は例１４に記載の２端子デバイス。
【0194】
例１６．前記チャネルは、所定の角度を有する実質的にＺ字形状である、例６から例１５のいずれか１つに記載の２端子デバイス。
【0195】
例１７．少なくとも１つの前記抵抗要素は、前記基板に設けられた複数のチャネルを有する、例４に記載の２端子デバイス。
【0196】
例１８．複数の前記チャネルのうちの１つ以上は、轍状の基部、轍状の壁、及び／又はチャネル内の非導電性電気絶縁体を有する、例１７に記載の２端子デバイス。
【0197】
例１９．複数の前記チャネルのうちの１つ以上は、少なくとも１：１．６のアスペクト比を有する、例１７又は例１８に記載の２端子デバイス。
【0198】
例２０．複数の前記チャネルのうちの１つ以上は、少なくとも１．６：１のアスペクト比を有する、例１７又は例１８に記載の２端子デバイス。
【0199】
例２１．前記第１セルは少なくとも１つの第１溝を有し、及び／又は前記第２セルは少なくとも１つの第２溝を有する、例１７から例２０のいずれか１つに記載の２端子デバイス。
【0200】
例２２．前記第１セルは第１の一連の溝を有し、及び／又は前記第２セルは第２の一連の溝を有する、例２１に記載の２端子デバイス。
【0201】
例２３．各チャネルが少なくとも１つの前記第１溝及び／又は少なくとも１つの前記第２溝を横断している、例１７から例２０のいずれか１つを引用する例２１に記載の２端子デバイス。
【0202】
例２４．各チャネルが、前記第１の一連の溝の一部分及び／又は前記第２の一連の溝の一部分を横断している、例２１及び例１７から例２０のいずれか１つを引用する例２２に記載の２端子デバイス。
【0203】
例２５．各チャネルが、前記第１の一連の溝の全体及び／又は前記第２の一連の溝の全体を横断している、例２４に記載の２端子デバイス。
【0204】
例２６．各チャネルは、前記第１の一連の溝及び／又は前記第２の一連の溝を、各溝の端部の方で横断している、例２４又は例２５に記載の２端子デバイス。
【0205】
例２７．複数の前記チャネルは、第１のチャネル特性抵抗を有する第１チャネルと、第２のチャネル特性抵抗を有する第２チャネルとを含み、前記第１のチャネル特性抵抗と前記第２のチャネル特性抵抗は、前記第３の特性抵抗の実質的に全部を提供する、例１７から例２６のいずれか１つに記載の２端子デバイス。
【0206】
例２８．複数の前記チャネルは、第３のチャネル特性抵抗を有する第３チャネルをさらに含み、前記第１のチャネル特性抵抗、前記第２のチャネル特性抵抗、及び前記第３のチャネル特性抵抗は、前記第３の特性抵抗の実質的に全部を提供する、例２７に記載の２端子デバイス。
【0207】
例２９．複数の前記チャネルの各チャネルは、所定の角度を有する実質的にＺ字形状である、例１７から例２８のいずれか１つに記載の２端子デバイス。
【0208】
例３０．前記２端子デバイスは、
複数の前記チャネルの各チャネルをそれらの遠位端で横断し、少なくとも１つの前記第１溝を横断する第１横断チャネルと、
複数の前記チャネルの各チャネルをそれらの近位端で横断し、少なくとも１つの前記第２溝を横断する第２横断チャネルと、をさらに備える、例２１に記載の２端子デバイス。
複数の前記チャネルの各チャネルをそれらの遠位端で横断し、少なくとも１つの前記第１溝を横断する第１横断チャネルと、
複数の前記チャネルの各チャネルをそれらの近位端で横断し、少なくとも１つの前記第２溝を横断する第２横断チャネルと、をさらに備える、例２１に記載の２端子デバイス。
【0209】
例３１．前記２端子デバイスは、
複数の前記チャネルの各チャネルをそれらの遠位端で横断し、前記第１の一連の溝の一部分を横断する第１横断チャネルと、
複数の前記チャネルの各チャネルをそれらの近位端で横断し、前記第２の一連の溝の一部分を横断する第２横断チャネルと、をさらに備える、例２２に記載の２端子デバイス。
複数の前記チャネルの各チャネルをそれらの遠位端で横断し、前記第１の一連の溝の一部分を横断する第１横断チャネルと、
複数の前記チャネルの各チャネルをそれらの近位端で横断し、前記第２の一連の溝の一部分を横断する第２横断チャネルと、をさらに備える、例２２に記載の２端子デバイス。
【0210】
例３２．前記第１横断チャネルは、前記第１の一連の溝の全体を横断し、前記第２横断チャネルは、前記第２の一連の溝の全体を横断する、例３１に記載の２端子デバイス。
【0211】
例３３．前記第１横断チャネル及び／又は前記第２横断チャネルは、各溝の端部の方で前記溝を横断する、例３１又は例３２に記載の２端子デバイス。
【0212】
例３４．複数の前記チャネルは、第１チャネル及び第２チャネルを含み、前記第１横断チャネルが、前記第１チャネル及び前記第２チャネルの遠位端で前記第１チャネル及び前記第２チャネルを横断し、前記第２横断チャネルが、前記第１チャネル及び前記第２チャネルの近位端で前記第１チャネル及び前記第２チャネルを横断している、例３０から例３３のいずれか１つに記載の２端子デバイス。
【0213】
例３５．複数の前記チャネルは第３チャネルをさらに含み、前記第１横断チャネルが前記第３チャネルの遠位端で前記第３チャネルをさらに横断し、前記第２横断チャネルが前記第３チャネルの近位端で前記第３チャネルをさらに横断している、例３４に記載の２端子デバイス。
【0214】
例３６．各チャネル、前記第１横断チャネル及び前記第２横断チャネルは、所定の角度を有する実質的なＺ字形状を形成している、例３０から例３５のいずれか１つに記載の２端子デバイス。
【0215】
例３７．前記２端子デバイスは光電子（オプトエレクトロニクス）デバイスである、例１から例３６のいずれか１つの記載の２端子デバイス。
【0216】
例３８．２端子デバイスを形成する方法であって、前記方法は、
基板を提供すること、
前記基板内に、第１の特性抵抗を有する第１セルを形成すること、
前記基板内に、前記基板のウェブ方向に沿って前記第１セルから間隔を空けて、第２の特性抵抗を有する第２セルを形成すること、及び、
前記第１セルと前記第２セルとの間に、第３の特性抵抗を有する接続部分を形成すること、を含み、
前記第３の特性抵抗は、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか又は等しく、これにより、前記接続部分を介する前記第１セルから前記第２セルへの電荷移動よりも優先して、前記第１端子及び前記第２端子において前記第１セル及び前記第２セルから電荷が取り出される、方法。
基板を提供すること、
前記基板内に、第１の特性抵抗を有する第１セルを形成すること、
前記基板内に、前記基板のウェブ方向に沿って前記第１セルから間隔を空けて、第２の特性抵抗を有する第２セルを形成すること、及び、
前記第１セルと前記第２セルとの間に、第３の特性抵抗を有する接続部分を形成すること、を含み、
前記第３の特性抵抗は、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか又は等しく、これにより、前記接続部分を介する前記第１セルから前記第２セルへの電荷移動よりも優先して、前記第１端子及び前記第２端子において前記第１セル及び前記第２セルから電荷が取り出される、方法。
【0217】
例３９．前記第１セルを形成するステップは、前記基板内に少なくとも１つの第１溝を形成することを含む、例３８に記載の方法。
【0218】
例４０．少なくとも１つの前記第１溝を形成するステップは、前記基板内に第１の一連の溝を形成することを含む、例３９に記載の方法。
【0219】
例４１．前記第２セルを形成するステップは、前記基板内に少なくとも１つの第２溝を形成することを含む、例３８から４０のいずれか１つに記載の方法。
【0220】
例４２．少なくとも１つの前記第２溝を形成するステップは、前記基板内に第２の一連の溝を形成することを含む、例４１に記載の方法。
【0221】
例４３．前記接続部分を形成するステップは、前記第１セルと前記第２セルとの間の前記接続部分内に少なくとも１つの抵抗要素を形成するステップをさらに含み、少なくとも１つの前記抵抗要素は第３の特性抵抗を提供する、例３８から４２のいずれか１つに記載の方法。
【0222】
例４４．少なくとも１つの前記抵抗要素は、少なくとも１つのチャネルを含む、例４３に記載の方法。
【0223】
例４５．前記方法は、
前記第１の一連の溝の各溝、前記第２の一連の溝の各溝、及び、前記チャネル又は各チャネルの第１の面を第１の材料でコーティングすることと、
前記第１の一連の溝の各溝、前記第２の一連の溝の各溝、及び、前記チャネル又は各チャネルの第２の面を第２の材料でコーティングすることと、
前記第１の一連の溝の各溝、前記第２の一連の溝の各溝、及び、前記チャネル又は各チャネルを第３の材料で少なくとも部分的に充填することと、をさらに含む、例４０、４２及び４３を引用する例４４に記載の方法。
前記第１の一連の溝の各溝、前記第２の一連の溝の各溝、及び、前記チャネル又は各チャネルの第１の面を第１の材料でコーティングすることと、
前記第１の一連の溝の各溝、前記第２の一連の溝の各溝、及び、前記チャネル又は各チャネルの第２の面を第２の材料でコーティングすることと、
前記第１の一連の溝の各溝、前記第２の一連の溝の各溝、及び、前記チャネル又は各チャネルを第３の材料で少なくとも部分的に充填することと、をさらに含む、例４０、４２及び４３を引用する例４４に記載の方法。
【0224】
例４６．前記第１の面を前記第１の材料でコーティングするステップ及び／又は前記第２の面を前記第２の材料でコーティングするステップは、軸外方向コーティングプロセスを含む、例４５に記載の方法。
【0225】
例４７．前記第３の材料で前記溝、及び前記チャネル又は各チャネルを少なくとも部分的に充填するステップは、前記基板の上に前記第３の材料を印刷することを含む、例４５又は例４６に記載の方法。
【0226】
例４８．前記第１の一連の溝及び前記第２の一連の溝の各溝を少なくとも部分的に充填するステップは、各溝を前記第３の材料で充填し、それによって、前記第１の一連の溝の各溝を横切る電気的接続、及び、前記第２の一連の溝の各溝を横切る電気的接続を提供することを含む、例４５から例４７のいずれか１つに記載の方法。
【0227】
例４９．前記チャネル又は各チャネルを少なくとも部分的に充填するステップは、前記チャネル又は各チャネルを前記第３の材料で充填し、それによって、前記チャネル又は各チャネルを横切る電気的接続を提供することを含む、例４５から４８のいずれか１つに記載の方法であって、方法。
【0228】
例５０．例３８から４９のいずれか１つによって得られる２端子デバイス。
【0229】
例５１．例３８から４９のいずれか１つによって得られる光電子デバイス。
【0230】
例５２．２端子デバイスであって、基板を備え、前記基板は、
第１の特性抵抗を有する第１セル、及び、前記基板のウェブ方向に沿って前記第１セルから間隔をあけて配置され、第２の特性抵抗を有する第２セルと、
第１端子及び第２端子であって、各端子は前記基板の横方向に沿って対向する縁部の方に又は前記対向する縁部に形成されている、第１端子及び第２端子と、
前記第１セルと前記第２セルとの間にあり、チャネルを含む接続部分であって、第３の特性抵抗を有する接続部分と、を備え、
前記チャネルは、前記第３の特性抵抗が前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか又は等しくなるように、少なくとも１：１．６のアスペクト比を有し、これにより、前記接続部分を介して前記第１セルから前記第２セルに電荷が移動するより優先して、前記第１端子及び前記第２端子で前記第１セル及び前記第２セルから電荷が取り出される、２端子デバイス。
第１の特性抵抗を有する第１セル、及び、前記基板のウェブ方向に沿って前記第１セルから間隔をあけて配置され、第２の特性抵抗を有する第２セルと、
第１端子及び第２端子であって、各端子は前記基板の横方向に沿って対向する縁部の方に又は前記対向する縁部に形成されている、第１端子及び第２端子と、
前記第１セルと前記第２セルとの間にあり、チャネルを含む接続部分であって、第３の特性抵抗を有する接続部分と、を備え、
前記チャネルは、前記第３の特性抵抗が前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか又は等しくなるように、少なくとも１：１．６のアスペクト比を有し、これにより、前記接続部分を介して前記第１セルから前記第２セルに電荷が移動するより優先して、前記第１端子及び前記第２端子で前記第１セル及び前記第２セルから電荷が取り出される、２端子デバイス。
【0231】
例５３．２端子デバイスであって、基板を備え、前記基板は、
終端溝又は終端部（terminal portion）を有し、第１の特性抵抗を有する少なくとも１つの第１溝、及び、終端溝又は終端部を有し、前記基板のウェブ方向に沿って少なくとも１つの前記第１溝から間隔をあけて配置され、かつ、第２の特性抵抗を有する少なくとも１つの第２溝と、
第１端子及び第２端子であって、各端子は、前記基板の横方向に沿って対向する縁部の方に又は対向する縁部に形成されている、第１端子及び第２端子と、
少なくとも１つの前記第１溝の終端溝又は終端部と少なくとも１つの前記第２溝の終端溝又は終端部との間にあり、チャネルを有する接続部分であって、第３の特性抵抗を有する、接続部分と、を備え、
前記チャネルは、少なくとも１つの前記第１溝の終端溝又は終端部及び少なくとも１つの前記第２溝の終端溝又は終端部のうちの少なくとも一方のアスペクト比よりも大きい、好ましくは２０％と５０％との間だけ大きい、アスペクト比を有し、前記第３の特性抵抗が、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか等しく、これにより、少なくとも１つの前記第１溝の終端溝又は終端部から少なくとも１つの前記第２溝の終端溝又は終端部への前記接続部分を介する電荷移動よりも優先して、前記第１端子及び前記第２端子で少なくとも１つの前記第１溝及び少なくとも１つの前記第２溝から電荷が取り出される、２端子デバイス。
終端溝又は終端部（terminal portion）を有し、第１の特性抵抗を有する少なくとも１つの第１溝、及び、終端溝又は終端部を有し、前記基板のウェブ方向に沿って少なくとも１つの前記第１溝から間隔をあけて配置され、かつ、第２の特性抵抗を有する少なくとも１つの第２溝と、
第１端子及び第２端子であって、各端子は、前記基板の横方向に沿って対向する縁部の方に又は対向する縁部に形成されている、第１端子及び第２端子と、
少なくとも１つの前記第１溝の終端溝又は終端部と少なくとも１つの前記第２溝の終端溝又は終端部との間にあり、チャネルを有する接続部分であって、第３の特性抵抗を有する、接続部分と、を備え、
前記チャネルは、少なくとも１つの前記第１溝の終端溝又は終端部及び少なくとも１つの前記第２溝の終端溝又は終端部のうちの少なくとも一方のアスペクト比よりも大きい、好ましくは２０％と５０％との間だけ大きい、アスペクト比を有し、前記第３の特性抵抗が、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか等しく、これにより、少なくとも１つの前記第１溝の終端溝又は終端部から少なくとも１つの前記第２溝の終端溝又は終端部への前記接続部分を介する電荷移動よりも優先して、前記第１端子及び前記第２端子で少なくとも１つの前記第１溝及び少なくとも１つの前記第２溝から電荷が取り出される、２端子デバイス。
【0232】
例５４．２端子デバイスであって、基板を備え、前記基板は、
第１の特性抵抗を有する第１セル、及び、前記基板のウェブ方向に沿って前記第１セルから間隔をあけて配置され、第２の特性抵抗を有する第２セルと、
第１端子及び第２端子であって、各端子は前記基板の横方向に沿って対向する縁部の方に又は対向する縁部に形成されている、第１端子及び第２端子と、
第１セルと第２セルの間にあり、チャネルを有する接続部分であって、第３の特性抵抗を有する、接続部分と、を備え、
前記チャネルは、轍状の基部、轍状の壁、及び／又はチャネル内の非導電性の電気絶縁体を有し、前記第３の特性抵抗は、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか又は等しく、これにより、前記第１セルから前記第２セルへの前記接続部分を介する電荷移動に優先して、前記第１端子及び前記第２端子で前記第１セル又は前記第２セルから電荷が取り出される、２端子デバイス。
第１の特性抵抗を有する第１セル、及び、前記基板のウェブ方向に沿って前記第１セルから間隔をあけて配置され、第２の特性抵抗を有する第２セルと、
第１端子及び第２端子であって、各端子は前記基板の横方向に沿って対向する縁部の方に又は対向する縁部に形成されている、第１端子及び第２端子と、
第１セルと第２セルの間にあり、チャネルを有する接続部分であって、第３の特性抵抗を有する、接続部分と、を備え、
前記チャネルは、轍状の基部、轍状の壁、及び／又はチャネル内の非導電性の電気絶縁体を有し、前記第３の特性抵抗は、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか又は等しく、これにより、前記第１セルから前記第２セルへの前記接続部分を介する電荷移動に優先して、前記第１端子及び前記第２端子で前記第１セル又は前記第２セルから電荷が取り出される、２端子デバイス。
【0233】
例５５．２端子デバイスであって、基板を備え、前記基板は、
第１の特性抵抗を有する第１セル、及び、前記基板のウェブ方向に沿って前記第１セルから間隔を空けて配置され、第２の特性抵抗を有する第２セルと、
第１端子及び第２端子であって、各端子が前記基板の横方向に沿って対向する縁部の方に又は前記対向する縁部に形成されている、第１端子及び第２端子と、
前記第１セルと前記第２セルの間の、複数のチャネルを有する接続部分であって、複数の前記チャネルがそれぞれチャネル抵抗を有し、前記チャネル抵抗の組み合わせが第３の特性抵抗を形成する、接続部分と、を備え、
前記第３の特性抵抗は、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか又は等しく、これにより、前記接続部分を介する前記第１セルから前記第２セルへの電荷移動に優先して、前記第１端子及び前記第２端子で前記第１セル及び前記第２セルから電荷が取り出される、２端子デバイス。
第１の特性抵抗を有する第１セル、及び、前記基板のウェブ方向に沿って前記第１セルから間隔を空けて配置され、第２の特性抵抗を有する第２セルと、
第１端子及び第２端子であって、各端子が前記基板の横方向に沿って対向する縁部の方に又は前記対向する縁部に形成されている、第１端子及び第２端子と、
前記第１セルと前記第２セルの間の、複数のチャネルを有する接続部分であって、複数の前記チャネルがそれぞれチャネル抵抗を有し、前記チャネル抵抗の組み合わせが第３の特性抵抗を形成する、接続部分と、を備え、
前記第３の特性抵抗は、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも大きいか又は等しく、これにより、前記接続部分を介する前記第１セルから前記第２セルへの電荷移動に優先して、前記第１端子及び前記第２端子で前記第１セル及び前記第２セルから電荷が取り出される、２端子デバイス。
【0234】
例５６．２端子デバイスであって、基板を備え、前記基板は、
第１の特性抵抗を有する第１セル、及び、前記基板のウェブ方向に沿って前記第１セルから間隔を空けて配置され、第２の特性抵抗を有する第２セルと、
第１端子及び第２端子であって、各端子が前記基板の横方向に沿って対向する縁部の方に又は前記対向する縁部に形成されている、第１端子及び第２端子と、
前記第１セルと前記第２セルの間の、複数のチャネルを有する接続部分であって、複数の前記チャネルがそれぞれチャネル抵抗を有し、前記チャネル抵抗の組み合わせが第３の特性抵抗を形成する、接続部分と、を備え、
前記第３の特性抵抗は、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の一方と等しく、かつ、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の他方よりも大きく、これにより、前記接続部分を介する前記第１セルから前記第２セルへの電荷移動に優先して、前記第１端子及び前記第２端子で前記第１セル及び前記第２セルから電荷が取り出される、２端子デバイス。
第１の特性抵抗を有する第１セル、及び、前記基板のウェブ方向に沿って前記第１セルから間隔を空けて配置され、第２の特性抵抗を有する第２セルと、
第１端子及び第２端子であって、各端子が前記基板の横方向に沿って対向する縁部の方に又は前記対向する縁部に形成されている、第１端子及び第２端子と、
前記第１セルと前記第２セルの間の、複数のチャネルを有する接続部分であって、複数の前記チャネルがそれぞれチャネル抵抗を有し、前記チャネル抵抗の組み合わせが第３の特性抵抗を形成する、接続部分と、を備え、
前記第３の特性抵抗は、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の一方と等しく、かつ、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の他方よりも大きく、これにより、前記接続部分を介する前記第１セルから前記第２セルへの電荷移動に優先して、前記第１端子及び前記第２端子で前記第１セル及び前記第２セルから電荷が取り出される、２端子デバイス。
【0235】
例５７．２端子デバイスのための基板であって、
第１の一連の溝及び第２の一連の溝であって、各溝は、前記基板の横方向に近位端及び遠位端を有する、第１の一連の溝及び第２の一連の溝と、
前記第１の一連の溝の一部分及び前記第２の一連の溝の一部分を、各溝の前記近位端の方で横断するチャネルと、を備え、
各溝の前記近位端の方の横断領域（transection region）において、各溝の深さは、前記チャネルの深さに向かって傾斜している、基板。
第１の一連の溝及び第２の一連の溝であって、各溝は、前記基板の横方向に近位端及び遠位端を有する、第１の一連の溝及び第２の一連の溝と、
前記第１の一連の溝の一部分及び前記第２の一連の溝の一部分を、各溝の前記近位端の方で横断するチャネルと、を備え、
各溝の前記近位端の方の横断領域（transection region）において、各溝の深さは、前記チャネルの深さに向かって傾斜している、基板。
【0236】
例５８．各溝の深さは、前記チャネルの深さに向かって非直線的に傾斜している、例５７に記載の基板。
【0237】
例５９．各溝の深さは、前記チャネルの深さに向かって徐々に傾斜している、例５８に記載の基板。
【0238】
例６０．前記横断領域は実質的に円弧状である、例５８又は例５９に記載の基板。
【0239】
例６１．各溝は、前記チャネルの深さに向かって直線的に傾斜している、例５７に記載の基板。
【0240】
例６２．各溝の深さは、各溝の細長い基部に沿って延びる軸に対して形成された、０°と９０°との間の角度（０°及び９０°を除く）で、前記チャネルの深さに向かって直線的に傾斜している、例６１に記載の基板。
【0241】
例６３．前記チャネルは、所定の角度を有する実質的にＺ字形状である、例５７から例６２のいずれか１つに記載の基板。
【0242】
例６４．各溝は、前記横断領域を除いて、前記遠位端から前記近位端まで、少なくとも１：１、好ましくは少なくとも１：１．２のアスペクト比を有する、例５７から例６３のいずれか１つに記載の基板。
【0243】
例６５．前記チャネルは、少なくとも１：１．６のアスペクト比を有する、例５７から例６４のいずれか１つに記載の基板。
【0244】
例６６．前記横断領域は、少なくとも１：１、好ましくは１：１．２から少なくとも１：１．６までのアスペクト比を有する、例５７から例６５のいずれか１つに記載の基板。
【0245】
例６７．前記チャネルは、前記第１の一連の溝及び／又は前記第２の一連の溝の各溝を横断している、例５７から例６６のいずれか１つに記載の基板。
【0246】
例６８．複数のチャネルを有する、例５７から例６７のいずれか１つに記載の基板。
【0247】
例６９．複数の前記チャネルの各チャネルは、前記第１の一連の溝の一部分と前記第２の一連の溝の一部分とを、各溝の前記近位端の方で横断している、例６８に記載の基板。
【0248】
例７０．複数の前記チャネルの各チャネルは、前記第１の一連の溝の各溝及び前記第２の一連の溝の各溝を、各溝の前記近位端の方で横断している、例６８に記載の基板。
【0249】
例７１．複数の前記チャネルの各チャネルは、所定の角度を有する実質的にＺ字形状である、例６８から例７０のいずれか１つに記載の基板。
【0250】
例７２．前記基板は、
複数の前記チャネルの各チャネルを、そのチャネルの遠位端で横断する第１横断チャネルであって、前記第１の一連の溝セットの全体を各溝の前記近位端の方で横断する、第１横断チャネルと、
複数の前記チャネルの各チャネルを、そのチャネルの近位端で横断する第２横断チャネルであって、前記第２の一連の溝の全体を各溝の前記近位端の方で横断する、第２横断チャネルと、をさらに備える、例６８に記載の基板。
複数の前記チャネルの各チャネルを、そのチャネルの遠位端で横断する第１横断チャネルであって、前記第１の一連の溝セットの全体を各溝の前記近位端の方で横断する、第１横断チャネルと、
複数の前記チャネルの各チャネルを、そのチャネルの近位端で横断する第２横断チャネルであって、前記第２の一連の溝の全体を各溝の前記近位端の方で横断する、第２横断チャネルと、をさらに備える、例６８に記載の基板。
【0251】
例７３．前記第１横断チャネル、複数の前記チャネル、及び前記第２横断チャネルは、実質的に、所定の角度を有するＺ字形状を形成する、例７２に記載の基板。
【0252】
例７４．前記所定の角度は、約０度と約９０度との間、好ましくは約３０度と約６０度との間である、例６３、例７１又は例７３に記載の基板。
７３であり、
７３であり、
【0253】
例７５．前記所定の角度は、約４０度と約５０度との間、好ましくは約４５度である、例７４に記載の基板。
【0254】
例７６．例５７から例７５のいずれか１つに記載の基板を備える２端子デバイス。
【0255】
例７７．前記２端子デバイスは光電子デバイスである、例７６に記載の２端子デバイス。
【0256】
例７８．２端子デバイスのための基板を形成する方法であって、
可撓性材料のウェブを提供すること、
可撓性材料の前記ウェブ内に第１の一連の溝を形成すること、
可撓性材料の前記ウェブ内に第２の一連の溝を形成すること、及び、
可撓性材料の前記ウェブ内の前記第１の一連の溝と前記第２の一連の溝との間に、前記第１の一連の溝及び前記第２の一連の溝の一部分を、各溝の近位端の方で横断するチャネルを形成すること、を含み、
前記チャネルを形成するステップは、各溝の深さを、各溝の前記近位端において前記チャネルの深さに向かって傾斜するように形成することを含む、方法。
可撓性材料のウェブを提供すること、
可撓性材料の前記ウェブ内に第１の一連の溝を形成すること、
可撓性材料の前記ウェブ内に第２の一連の溝を形成すること、及び、
可撓性材料の前記ウェブ内の前記第１の一連の溝と前記第２の一連の溝との間に、前記第１の一連の溝及び前記第２の一連の溝の一部分を、各溝の近位端の方で横断するチャネルを形成すること、を含み、
前記チャネルを形成するステップは、各溝の深さを、各溝の前記近位端において前記チャネルの深さに向かって傾斜するように形成することを含む、方法。
【0257】
例７９．前記第１の一連の溝、前記第２の一連の溝、及び前記チャネルが、一体的なステップとして形成される、例７８に記載の方法。
【0258】
例８０．可撓性材料の前記ウェブ内に前記第１の一連の溝を形成するステップは、可撓性材料の前記ウェブをエンボス加工して前記第１の一連の溝を形成することを含む、例７８又は例７９に記載の方法。
【0259】
例８１．可撓性材料の前記ウェブ内に前記第２の一連の溝を形成するステップは、可撓性材料の前記ウェブをエンボス加工して前記第１の一連の溝を形成することを含む、例７８から８０のいずれか１つに記載の方法。
【0260】
例８２．可撓性材料の前記ウェブ内に前記チャネルを形成するステップは、可撓性材料の前記ウェブをエンボス加工して前記チャネルを形成することを含む、例７８から例８１のいずれか１つに記載の方法。
【0261】
例８３．前記エンボス加工のステップは、
前記第１の一連の溝、前記第２の一連の溝、及び前記チャネルのうちの少なくとも１つに対応する少なくとも１つの突起を有する１つ以上のシムを提供すること、
可撓性材料の前記ウェブの表面をＵＶ硬化性コーティングでコーティングすること、
前記シムまたは各シムの少なくとも１つの前記突起をコーティングされた可撓性材料の前記ウェブと係合させること、
前記ＵＶ硬化性コーティングを少なくとも部分的にＵＶ硬化すること、及び、
前記ＵＶ硬化性コーティングが完全に硬化する前に、前記シムまたは各シムの少なくとも１つの前記突起をコーティングされた可撓性材料の前記ウェブから除去すること、を含む、例８０から例８２のいずれか１つに記載の方法。
前記第１の一連の溝、前記第２の一連の溝、及び前記チャネルのうちの少なくとも１つに対応する少なくとも１つの突起を有する１つ以上のシムを提供すること、
可撓性材料の前記ウェブの表面をＵＶ硬化性コーティングでコーティングすること、
前記シムまたは各シムの少なくとも１つの前記突起をコーティングされた可撓性材料の前記ウェブと係合させること、
前記ＵＶ硬化性コーティングを少なくとも部分的にＵＶ硬化すること、及び、
前記ＵＶ硬化性コーティングが完全に硬化する前に、前記シムまたは各シムの少なくとも１つの前記突起をコーティングされた可撓性材料の前記ウェブから除去すること、を含む、例８０から例８２のいずれか１つに記載の方法。
【0262】
例８４．前記シムは、前記第１の一連の溝に対応する少なくとも１つの突起部、前記第２の一連の溝に対応する少なくとも１つの突起部、及び前記チャネルに対応する少なくとも１つの突起部を有するマスターシムである、例８３に記載の方法。
【0263】
例８５．前記マスターシムは、ニッケルメッキされたマスターシムである、例８４に記載の方法。
【0264】
例８６．前記シム又は各シムが円筒形のスタンピングロールとして形成される、例８３から例８５のいずれか１つに記載の方法。
【0265】
例８７．前記シム又は各シムがスタンピングプレートとして形成される、例８３から８５のいずれか１つに記載の方法。
【0266】
例８８．２端子デバイスを形成する方法であって、
例７８から例８７のいずれか１つに記載の方法に従って基板を形成することと、
前記第１の一連の溝、前記第２の一連の溝、及び前記チャネルの第１の面を少なくとも１つの第１の材料でコーティングすることと、
前記第１の一連の溝、前記第２の一連の溝、及び前記チャネルの対向する第２の面を少なくとも１つの第２の材料でコーティングすることと、
前記チャネルを少なくとも部分的に第３の材料で充填することと、を含む、方法。
例７８から例８７のいずれか１つに記載の方法に従って基板を形成することと、
前記第１の一連の溝、前記第２の一連の溝、及び前記チャネルの第１の面を少なくとも１つの第１の材料でコーティングすることと、
前記第１の一連の溝、前記第２の一連の溝、及び前記チャネルの対向する第２の面を少なくとも１つの第２の材料でコーティングすることと、
前記チャネルを少なくとも部分的に第３の材料で充填することと、を含む、方法。
【0267】
例８９．前記第１の面を少なくとも１つの第１の材料でコーティングするステップ及び前記第２の面を少なくとも１つの第２の材料でコーティングするステップは、前記チャネルを少なくとも部分的に前記第３の材料で充填するステップよりも前に行われる、例８８に記載の方法。
【0268】
例９０．前記第１の面を少なくとも１つの第１の材料でコーティングするステップ、及び／又は第２の面を少なくとも１つの第２の材料でコーティングするステップは、軸外方向コーティングプロセスを含む、例８８又は例８９に記載の方法。
【0269】
例９１．前記チャネルを少なくとも部分的に前記第３の材料で充填するステップは、前記基板の上に前記第３の材料を印刷することを含む、例８８から例９０のいずれか１つに記載の方法。
【0270】
例９２．少なくとも１つの前記第１の材料は、非絶縁性材料を含む、例８８から例９１のいずれか１つに記載の方法。
【0271】
例９３：少なくとも１つの前記第２の材料は、非絶縁性材料を含む、例８８から例９２のいずれか１つに記載の方法。
【0272】
９４．前記第３の材料は、コンデンサ材料、スーパーキャパシタ材料、又はペロブスカイトを含む、例８８から例９３のいずれか１つに記載の方法。
【0273】
例９５．例７８から例８７のいずれか１つに記載の方法によって得ることができる基板。
【0274】
例９６．例８８から例９４のいずれか１つに記載の方法によって得ることができる２端子デバイス。
【0275】
他の例は、前述の発明の概要及び以下に記す詳細な説明から明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【0276】
以下、本発明の実施形態を、添付図面を参照してさらに説明する。
【図1】従来技術に係る２端子デバイスの電気回路図である。
【図3】本発明の一実施形態に係る基板を示す平面図である。
【図4】本発明の一実施形態に係る基板を示す平面図である。
【図5】本発明の一実施形態に係る基板を示す平面図である。
【図6】本発明の一実施形態に係る基板を示す平面図である。
【図7】（ａ）は、本発明の一実施形態に係る基板の平面図、（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る他の基板の平面図である。
【図10】本発明の一実施形態に係る基板の溝、横断領域及びチャネルを示す断面図である。
【図11】本発明の一実施形態に係る基板の溝、横断領域及びチャネルを示す断面図である。
【図12】本発明の一実施形態に係る基板の形成方法を示す図である。
【図13】本発明の一実施形態に係る基板の形成方法を示す図である。
【図14】本発明の一実施形態に係る２端子デバイスの形成方法を示す図である。
【図16】本発明の一実施形態に係る２端子デバイスを示す図である。
【図17】本発明の一実施形態に係る２端子デバイスの断面図である。
【図18】本発明の他の実施形態に係る２端子デバイスの断面図である。
【図19】本発明のさらなる実施形態に係る２端子デバイスの断面図である。
【図20】本発明の他の実施形態に係る２端子デバイスの断面図である。
【図21】本発明のさらに別の実施形態に係る２端子デバイスの断面図である。
【図22】本発明の他の実施形態に係る２端子デバイスの断面図である。
【図24】本明細書に記載される２端子デバイスの性能を示すグラフである。
【図25】本明細書に記載の２端子デバイスの性能を示すさらに別のグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0277】
同様の参照数字が、全体を通して同様の特徴を表すために使用される。
【0278】
詳細設計に対する様々な変更が想定される。例えば、任意の数の一連の溝内の任意の数の溝が使用されてもよい。同様に、チャネル、横断チャネルなどのような任意の数の区切り機構が使用されてもよい。さらに、そのような区切り機構の任意の組み合わせが使用されてもよい。
【0279】
上述した実施形態のいずれかに関連して説明された特徴は、異なる実施形態間で交換可能に適用できることは、当業者には明らかであろう。上述した実施形態は、本発明の様々な特徴を説明するための例である。
【0280】
本明細書の明細書及び特許請求の範囲を通じて、「備える、有する、含む（comprise)」及び「含む（contain）」ならびにそれらの変形は、「含む（備える）がこれに限定されない」を意味し、それらは他の部分（moieties）、添加物、成分、整数又はステップを除外することを意図しない（そして除外しない）。本明細書の説明及び請求の範囲を通じて、文脈上他に必要とされない限り、単数形は複数形を包含する。特に、不定冠詞が使用される場合、本明細書は、文脈上他に必要とされない限り、単数だけでなく複数も想定していると理解される。
【0281】
本発明の特定の態様、実施形態又は実施例と関連して記載された特徴、整数、特性、化合物、化学部分又は化学基は、それと矛盾しない限り、本明細書に記載された任意の他の実施形態、又は実施例に適用可能であると理解される。本明細書（添付の特許請求の範囲、要約書又は図面を含む）に開示された特徴の全て、及び／又はそのように開示された任意の方法又はプロセスのステップの全ては、かかる特徴及び／又はステップの少なくとも一部が相互に排他的である組み合わせを除き、任意の組み合わせで組み合わせることが可能である。本発明は、上述の実施形態の詳細に限定されるものではない。本発明は、本明細書（添付の特許請求の範囲、要約書及び図面を含む）に開示された特徴の任意の新規なもの、又は任意の新規な組み合わせ、又はそのように開示された任意の方法若しくはプロセスのステップの任意の新規なもの、又は任意の新規な組み合わせに及ぶ。
【0282】
読者の注意は、本願に関連して本明細書と同時又はそれ以前に提出され、本明細書とともに公開されるすべての論文及び文書に向けられ、そのようなすべての論文及び文書の内容は、参照により本明細書に組み込まれるものとする。
【0283】
図２（ａ）及び図２（ｂ）は、本発明に係る、基板を備える２端子デバイス５０の一例を示す図である。基板は、第１セル５４ａ、第２セル５４ｂ及び第３セル５４ｃを備える。第１セル５４ａ、第２セル５４ｂ及び第３セル５４ｃは、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、光電池であってもよい。この具体例では、第１セル５４ａ、第２セル５４ｂ及び第３セル５４ｃは、第１の一連の溝５４ａ、第２の一連の溝５４ｂ及び第３の一連の溝５４ｃとして形成されている。各一連の溝５４ａ、５４ｂ、５４ｃは、複数の溝を含む。
【0284】
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、複数の溝が互いに直列に（シリアルに）接続され、第１の一連の溝５４ａを形成している。同様に、複数の溝が直列に接続されて第２の一連の溝５４ｂが形成され、さらに複数の溝が直列に接続されて第３の一連の溝５４ｃが形成されている。このように、まず、それぞれの一連の溝５４ａ、５４ｂ、５４ｃにおける複数の溝が直列に接続されてそれぞれの一連の溝５４ａ、５４ｂ、５４ｃが形成され、その後、それぞれの一連の溝５４ａ、５４ｂ、５４ｃが互いに並列に接続されている。従って、図２（ａ）及び図２（ｂ）の２端子デバイス５０は、図１に示されるような先行技術のデバイスとは異なるものである。
【0285】
図２（ａ）及び図２（ｂ）の２端子デバイス５０では、図１に示された従来の基板などでは通常必要とされるバイパスダイオードを設ける必要がないという利点を有する。その代わりに、溝は、いくつかの例では、各溝の間に約０．１ｍｍ以下の間隔をおいて、互いに比較的接近して直列に配置される。これにより、一連の溝５４ａ、５４ｂ、５４ｃ内の各溝は、使用中に、実質的に、又は全く同じ照明条件を受ける。さらに、各一連の溝５４ａ、５４ｂ、５４ｃは並列に接続されているので、個々の一連の溝５４ａ、５４ｂ、５４ｃによる遮光は、装置全体の性能にそれほど大きな影響を及ぼさない。従って、本発明では、バイパスダイオードの前提条件が否定される。
【0286】
さらに、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、２端子デバイス５０は、第１の区切り機構５６ａを有する第１の接続部分と、第２の区切り機構５６ｂを有する第２の接続部分と、を含む。第１の区切り機構５６ａは、第１の一連の溝５４ａと第２の一連の溝５４ｂとの間に設けられ、第２の区切り機構５６ｂは、第２の一連の溝５４ｂと第３の一連の溝５４ｃとの間に設けられる。本明細書に記載されるように、間に任意の数の区切り機構５６ａ、５６ｂを有する任意の数の一連の溝５４ａ、５４ｂ、５４ｃには、任意の数の溝が存在してもよい。さらに、区切り機構５６ａ、５６ｂは、本明細書でさらに説明するように、任意の適切な形態をとってもよい。
【0287】
各一連の溝５４ａ、５４ｂ、５４ｃは、第１の電気接続部５８と第２の電気接続部６０との間の電気接続を可能にする。図示されている実施形態では、第１の電気接続部５８は正の電気接続部であり、第２の電気接続部６０は負の電気接続部である。あるいは、第１の電気接続部５８は負の電気接続部であり、第２の電気接続部６０は正の電気接続部であってもよい。正負の電気接続部５８、６０は、それぞれの端子、例えば、２端子デバイス５０の正負のバスバー６２、６４に接続されてもよい。このようにして、正の電荷は正のバスバー６２に運ばれ、負の電荷は対向する負のバスバー６４に運ばれる。なお、バスバー６２、６４は、コンデンサ等の別の電気素子に接続されていてもよい。
【0288】
本明細書に記載されるように、区切り機構は、典型的には、隣接する一連の溝の間に電気的な遮断を提供するか、又は電気的な分離を提供する役割を果たす。しかしながら、本明細書に記載されるように、これはしばしば不可能であり、そのため、そのようなデバイスの製造中に、区切り機構の１つ以上を横断して電気的短絡が発生する。この場合、本発明者らは、驚くべきことに、導電性の区切り機構５６ａ、５６ｂ、すなわち、それを横断する（介する）電気的接続を可能にする区切り機構は、図２（ａ）に示すように、逆バイアスダイオードと並列の抵抗器としてモデル化することができることを見いだした。このようにして、各区切り機構５６ａ、５６ｂは、一連の溝５４ａ、５４ｂ、５４ｃの終端溝からその隣接する電気接続部５８、６０への電気経路が、区切り機構５６ａ、５６ｂを横断する電気経路よりも優先されるような抵抗を提供する。このように、電荷は、各区切り機構５６ａ、５６ｂを横切る電荷移動、すなわち各区切り機構５６ａ、５６ｂを横切る短絡に優先して、正及び負のバスバー６２、６４で取り出され得る。
【0289】
さらに、本発明者らは、驚くべきことに、各区切り機構５６ａ、５６ｂが導電性である場合、当該各区切り機構５６ａ、５６ｂによって、隣接する一連の溝の間で電荷ブロッキングと実質的な電気的絶縁とが同時に可能になることを見いだした。すなわち、区切り機構５６ａ、５６ｂは、バイパスダイオードに使用されるのと同じ方向で電荷ブロッキングを提供する。このようにして、導電性の区切り機構５６ａ、５６ｂは、隣接する一連の溝５４ａ、５４ｂ、５４ｃを逆バイアス損傷から保護する、すなわち一連の溝５４ａ、５４ｂ、５４ｃ内の各溝における（across）電荷の流れとは反対の方向に流れる電荷から、保護する。例えば、図２（ｂ）を参照すると、区切り機構５６ａは、正バスバー６２に接続された正電気接続部５８から、区切り機構５６ａを通り、溝及び負バスバー６４に接続された負電気接続部６０に向かって流れる電荷を防止している。このように、発明者が驚いたことに、導電性の区切り機構５６ａ、５６ｂは、非導電性の区切り機構のように電荷の取り出しを可能にするだけでなく、導電性の区切り機構５６ａ、５６ｂが逆バイアス損傷に対する保護を提供できることが見いだされた。
【0290】
図３は、基板１０２を備える２端子デバイス１００を示す平面図である。基板１０２は、複数の一連の溝１０４ａ～１０４ｄを有する表面を有する。特に、基板１０２は、第１の一連の溝１０４ａ、第２の一連の溝１０４ｂ、第３の一連の溝１０４ｃ及び第４の一連の溝１０４ｄを有する。なお、基板１０２の機械方向ＭＤに、さらに一連の溝を設けてもよい。一連の溝１０４ａ～１０４ｄにおける各溝は、概ね、基板１０２の横方向ＴＤに沿って互いに平行に延びており、例えば後述の第１端子１１２に近接する近位端から、例えば後述の第１端子１１２から遠位する遠位端まで延在している。各一連の溝１０４ａ～１０４ｄの間にチャネル１０６が設けられている。
【0291】
２端子デバイス１００は、太陽電池のような光電子デバイスであってもよい。このような２端子デバイス１００は、インターディジット型（並列接続型）（interdigitated (parallel connected)）とカスケード型（直列接続型）（cascaded (series connected)）とを組み合わせた溝１０４ａ～１０４ｄを有する。このような２端子デバイス１００の動作電圧は、一連の溝１０４ａ～１０４ｄの数を変化させることによって制御され得る。一連の溝１０４ａ～１０４ｄの数を増やすと、２端子デバイス１００の動作電圧が高くなる。このような２端子デバイス１００は、並列配置、又は直列配置と並列配置との組み合わせで動作され得る。これにより、所望の出力電圧を達成するために、カスケード接続された溝構造を直列に接続するための余分なプロセスステップを使用する必要がなくなり、これは、２端子デバイス１００の利点となり得る。
【0292】
チャネル１０６は、カスケード接続された（直列接続された）溝１０４ａ～１０４ｄを物理的に分離する。チャネル１０６によって、カスケード接続された溝１０４ａ～１０４ｄを、第１及び第２端子１１２、１１４への電気的接続を介して、並列に接続することができる。このようにして、カスケード接続された溝構造１０４ａ～１０４ｄの数によって設計された電圧で発生する所望の電荷を取り出すことができる。
【0293】
チャネル１０６は、区切り機構又は構造的区切り機構とも呼ばれ、最初に基板１０２の１つの縁部の方で第１の一連の溝１０４ａを交差し、次に第１の一連の溝１０４ａと第２の一連の溝１０４ｂとの間のスペーサ１０８を交差し、続いて基板１０２の反対側の縁部の方で第２の一連の溝１０４ｂを交差している。多くのこれらのチャネル１０６が使用されるので、例えば各一連の溝１０４ａ、１０４ｂは、図３に示すように、２つの連続する個々のチャネル１０６の要素によって各端部の方で交差されている。チャネル１０６は、一連の溝１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄの各溝の端部の方を交差している。しかしながら、他の実施形態では、チャネル１０６は、一連の溝１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄの各溝を終端させる、すなわち一連の溝１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄの各溝の端部で交差していてもよい。
【0294】
スペーサ１０８及びチャネル１０６は共に、基板１０２を第１のエリア１１０ａ及び第２のエリア１１０ｂに分割する。第１のエリア１１０ａは正の電荷を帯び、第２のエリア１１０ｂは負の電荷を帯びている。第１のエリア１１０ａは、横方向ＴＤを基準として、基板１０２の一方の縁部において第１又は正の端子１１２で終端し、第２のエリア１１０ｂは、基板１０２の他方の、反対側の縁部において第２又は負の端子１１４で終端している。第１のエリア１１０ａでは、各一連の溝１０４ａ～１０４ｄの最初の溝が、第１端子１１２に電気的に接続される。第２のエリア１１０ｂでは、各一連の溝１０４ａ～１０４ｄの最後の溝は、第２端子１１４に電気的に接続される。このようにして、第１端子１１２及び第２端子１１４を備える２端子デバイス１００が形成される。
【0295】
図４は、基板２０２を備える他の２端子デバイス２００の平面図である。基板２０２は、複数の一連の溝２０４ａ～２０４ｄを有する表面を有する。特に、基板２０２は、第１の一連の溝２０４ａ、第２の一連の溝２０４ｂ、第３の一連の溝２０４ｃ及び第４の一連の溝２０４ｄを有する。なお、基板２０２の機械方向ＭＤに、さらに一連の溝を設けてもよい。一連の溝２０４ａ～２０４ｄにおける各溝は、概ね、基板２０２の横方向ＴＤに沿って互いに平行に延びており、例えば後述の第１端子２１２に近接する近位端から、後述する第１端子２１２から遠位にある遠位端まで延在している。チャネル２０６、この場合、複数のチャネル２０６ａ～２０６ｃは、一連の溝２０４ａ～２０４ｄのそれぞれの間に設けられている。
【0296】
２端子デバイス２００は、太陽電池などのような光電子デバイスであってもよい。このような２端子デバイス２００は、インターディジット型（並列接続型）とカスケード型（直列接続型）とを組み合わせた溝２０４ａ～２０４ｄを有する。このような２端子デバイス２００の動作電圧は、一連の溝２０４ａ～２０４ｄの数を変化させることによって制御され得る。一連の溝２０４ａ～２０４ｄの数を増やすと、２端子デバイス２００の動作電圧が高くなる。このような２端子デバイス１００は、並列配置、又は直列配置と並列配置との組み合わせで動作され得る。これにより、所望の出力電圧を達成するために、カスケード接続された溝構造を直列に接続するための余分なプロセスステップを使用する必要がなくなり、これは、２端子デバイス２００の利点となり得る。
【0297】
複数のチャネル２０６ａ～２０６ｃの各チャネルは、カスケード接続された（直列接続された）溝２０４ａ～２０４ｄを物理的に分離している。複数のチャネル２０６ａ～２０６ｃのそれぞれによって、カスケード接続（直列接続）された溝２０４ａ～２０４ｄを第１端子２１２及び第２端子２１４に並列に電気的に接続することができる。このようにして、カスケード接続された溝構造２０４ａ～２０４ｄの数によって設計された電圧で発生する所望の電荷を取り出すことができる。
【0298】
第１チャネル２０６ａは、第１の区切り機構又は構造的区切り機構とも呼ばれ、最初に基板２０２の１つの縁部の方で（縁部の近くで）（towards one end）第１の一連の溝２０４ａを交差し、次に第１の一連の溝２０４ａと第２の一連の溝２０４ｂの間のスペース２０８を交差し、続いて第２の一連の溝２０４ｂを基板２０２の反対側の縁部の方(towards the opposite edge)で交差している。多くのこれらのチャネルが使用されるので、例えば各一連の溝２０４ａ、２０４ｂは、図４に示すように、２つの連続する個々のチャネルの要素によって各端部の方で交差されている。第１チャネル２０６ａは、一連の溝２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄの各溝の端部の方を交差している。しかしながら、他の実施形態では、第１チャネル２０６ａは、一連の溝２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄの各溝を終端させる、すなわち一連の溝２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、２０４ｄの各溝の端部で交差していてもよい。
【0299】
第２チャネル２０６ｂは、第１チャネル２０６ａと同様に、まず、基板２０２の１つの端部の方で第１の一連の溝２０４ａを交差し、次に、第１の一連の溝２０４ａと第２の一連の溝２０４ｂとの間のスペーサ２０８を交差し、続いて、基板２０２の反対側の縁部の方で第２の一連の溝２０４ｂを交差している。第３チャネル２０６ｃは、第１チャネル２０６ａ及び第２チャネル２０６ｂと同様に、第１の一連の溝２０４ａ、スペーサ２０８、及び第２の一連の溝２０４ｂを交差している。
【0300】
複数のチャネル２０６ａ～２０６ｃを使用することは、第１の一連の溝２０４ａと第２の一連の溝２０４ｂとの間の界面を横切って、すなわち複数のチャネル２０６ａ～２０６ｃを横切って電気的短絡が形成される可能性を緩和するために有利であり得る。したがって、複数のチャネル２０６ａ～２０６ｃによって、より効率的で信頼性の高い２端子デバイス２００を確保することができる。
【0301】
スペーサ２０８及びチャネル２０６は共に、基板２０２を第１のエリア２１０ａ及び第２のエリア２１０ｂに分割する。第１のエリア２１０ａは正の電荷を帯び、第２のエリア２１０ｂは負の電荷を帯びている。第１のエリア２１０ａは、横方向ＴＤを基準として、基板２０２の一方の縁部において第１又は正の端子２１２で終端し、第２のエリア２１０ｂは、基板２０２の他方の、反対側の縁部において第２又は負の端子２１４で終端している。第１のエリア２１０ａでは、各一連の溝２０４ａ～２０４ｄの最初の溝が、第１端子２１２に電気的に接続される。第２のエリア２１０ｂでは、各一連の溝２０４ａ～２０４ｄの最後の溝が、第２端子２１４に電気的に接続される。このように、第１端子２１２及び第２端子２１４を備える２端子デバイス２００が形成される。
【0302】
図５は、基板３０２を備えるさらに別の２端子デバイス３００を示す平面図である。基板３０２は、複数の一連の溝３０４ａ～３０４ｄを有する表面を有する。特に、基板３０２は、第１の一連の溝３０４ａ、第２の一連の溝３０４ｂ、第３の一連の溝３０４ｃ及び第４の一連の溝３０４ｄを有している。なお、基板３０２の機械方向ＭＤに、さらに一連の溝を設けてもよい。一連の溝３０４ａ～３０４ｄにおける各溝は、概ね、基板３０２の横方向ＴＤに沿って互いに平行に延びており、例えば後述の第１端子３１２に近接する近位端から、例えば後述の第１端子３１２に遠位する遠位端に延在している。各一連の溝３０４ａ～３０４ｄのそれぞれの間に、区切り機構（３０６ａ、３０６ｂ、３０６ｃ、３１６、３１８）が設けられている。
【0303】
２端子デバイス３００は、太陽電池（太陽光発電セル）のような光電子デバイスであってもよい。このような２端子デバイス３００は、インターディジット型（並列接続型）とカスケード型（直列接続型）とを組み合わせた溝３０４ａ～３０４ｄを有する。このような２端子デバイス３００の動作電圧は、一連の溝３０４ａ～３０４ｄの数を変化させることによって制御することができる。一連の溝３０４ａ～３０４ｄの数を増やすと、２端子デバイス３００の動作電圧が高くなる。このような２端子デバイス３００は、並列配置又は直列配置と並列配置との組合せで動作され得る。これにより、所望の出力電圧を達成するために、カスケード接続された溝構造を直列に接続するための余分なプロセスステップを使用する必要がなくなり、これは、２端子デバイス３００の利点となり得る。
【0304】
区切り機構（３０６ａ、３０６ｂ、３０６ｃ、３１６、３１８）は、カスケード接続（直列接続）された溝３０４ａ～３０４ｄを物理的に分離させる。区切り機構によって、カスケード接続された溝３０４ａ～３０４ｄを、第１端子３１２及び第２端子３１４への電気的接続を介して並列に接続させることができる。このようにして、カスケード接続された溝構造３０４ａ～３０４ｄの数によって設計された電圧で発生する所望の電荷を取り出すことが可能である。
【0305】
区切り機構は、複数のチャネル、具体的には、第１チャネル３０６ａ、第２チャネル３０６ｂ及び第３チャネル３０６ｃを有する。各チャネル３０６ａ～３０６ｃは、各チャネル３０６ａ～３０６ｃの遠位端において第１横断チャネル３１６に接続され、各チャネル３０６ａ～３０６ｃの近位端において第２横断チャネル３１８に接続されている。第１横断チャネル３１６及び第２横断チャネル３１８は、区切り機構の一部を形成し、実質的にチャネル同様であってもよいし、更なるチャネルであってもよい。第１横断チャネル３１６及び第２横断チャネル３１８は、概して、各チャネル３０６ａ～３０６ｃにそれぞれのチャネル端部で垂直に接続する。第１横断チャネル３１６は、まず、基板３０２の１つの縁部の方で第１の一連の溝３０４ａを交差し、次に、第１の一連の溝３０４ａと第２の一連の溝３０４ｂとの間のスペーサ３０８を交差し、続いて基板３０２の反対側の縁部の方で第２の一連の溝３０４ｂを交差している。多くのこれらの区切り機構が使用されるので、例えば各一連の溝３０４ａ、３０４ｂは、図５に示すように、２つの連続する横断チャネル３１６、３１８の要素によって各端部の方（各端部の近く）で交差されている。区切り機構、具体的には横断チャネル３１６、３１８は、一連の溝３０４ａ、３０４ｂ、３０４ｃ、３０４ｄの各溝の端部の近くを交差している。しかしながら、他の実施形態では、横断チャネル３１６、３１８は、一連の溝３０４ａ、３０４ｂ、３０４ｃ、３０４ｄの各溝の端部を終端させる、すなわち端部で交差していてもよい。
【0306】
一連の溝の間に複数のチャネル３０６ａ～３０６ｃを使用することは、第１の一連の溝３０４ａと第２の一連の溝３０４ｂとの間の界面を横切って、すなわち、区切り機構を横切って電気的短絡が形成される可能性を緩和するために有利であり得る。さらに、記述された配置、具体的には、各チャネル３０６ａ～３０６ｃの各端部における横断チャネル３１６、３１８の配置によって、そのような効率的かつ信頼性の高い基板を容易に製造することができる。
【0307】
スペーサ３０８及び複数のチャネル３０６ａ～３０６ｃは共に、基板３０２を第１のエリア３１０ａ及び第２のエリア３１０ｂに分割する。第１のエリア３１０ａは正電荷を帯び、第２のエリア３１０ｂは負電荷を帯びている。第１のエリア３１０ａは、横方向ＴＤを基準として、基板３０２の一方の縁部における第１又は正の端子３１２で終端し、第２のエリア３１０ｂは、基板３０２の他方の、反対側の縁部における第２又は負の端子３１４で終端している。第１のエリア３１０ａでは、各一連の溝３０４ａ～３０４ｄの最初の溝が、第１端子３１２に電気的に接続される。第２のエリア３１０ｂでは、各一連の溝３０４ａ～３０４ｄの最後の溝が第２端子３１４に電気的に接続される。このようにして、第１端子３１２及び第２端子３１４を備える２端子デバイス３００が形成される。
【0308】
図６は、基板４０２を備えるさらに別の２端子デバイス４００を示す平面図である。基板４０２は、複数の一連の溝４０４ａ～４０４ｃを有する表面を有する。特に、基板４０２は、第１の一連の溝４０４ａ、第２の一連の溝４０４ｂ、及び第３の一連の溝４０４ｃを有する。基板４０２の機械方向ＭＤにさらに一連の溝を設けてもよい。一連の溝４０４ａ～４０４ｃの各溝は、概ね、基板４０２の横方向ＴＤに沿って互いに平行に延びており、例えば後述の第１端子４１２に近接する近位端から、例えば後述の第１端子４１２に遠位する遠位端まで延在する。一連の溝４０４ａ～４０４ｃのそれぞれの間には、チャネル４０６が設けられる。
【0309】
２端子デバイス４００は、太陽電池などの光電子デバイスであってもよい。このような２端子デバイス４００は、インターディジット型（並列接続型）とカスケード型（直列接続型）とを組み合わせた溝４０４ａ～４０４ｃを有する。このような２端子デバイス４００の動作電圧は、一連の溝４０４ａ～４０４ｃの数を変化させることによって制御することができる。一連の溝４０４ａ～４０４ｃの数を増加させると、２端子デバイス４００の動作電圧が高くなる。このような２端子デバイス４００は、並列配置又は直列配置と並列配置の組合せで動作され得る。これにより、所望の出力電圧を達成するために、カスケード接続された溝構造を直列に接続するための余分なプロセスステップを使用する必要がなくなり、これは、２端子デバイス４００の利点となり得る。
【0310】
チャネル４０６は、カスケード接続された（直列接続された）溝４０４ａ～４０４ｃを物理的に分離している。チャネル４０６によって、第１端子４１２及び第２端子４１４への電気的接続を介して、カスケード接続された溝４０４ａ～４０４ｃを並列に接続することができる。このようにして、カスケード接続された溝構造４０４ａ～４０４ｃの数によって設計された電圧で発生する所望の電荷を取り出すことができる。
【0311】
区切り機構又は構造的区切り機構とも呼ばれるチャネル４０６は、機械方向ＭＤに沿って延びる第１領域と、機械方向ＭＤに沿って延び、第１領域と実質的に平行な第２領域と、第１領域と第２領域との間を横方向ＴＤに沿って延び、第１領域と第２領域とを接続するその間の第３領域とを有する。チャネル４０６は、まず、基板４０２の一方の縁部の方で第１の一連の溝４０４ａを交差し、第１の一連の溝４０４ａと第２の一連の溝４０４ｂとの間のスペーサ４０８を交差し、続いて第２の一連の溝４０４ｂを基板４０２の反対側の縁部の方で交差する。多くのこれらのチャネル４０６が使用されるので、例えば各一連の溝４０４ａ、４０４ｂは、図６に示すように、２つの連続するチャネル４０６の要素によって、溝の各端部の方（各端部の近く）で交差されている。チャネル４０６は、一連の溝４０４ａ、４０４ｂ、４０４ｃの各溝の端部を終端させる、すなわち、各溝の端部で交差している。しかしながら、他の実施形態では、チャネル４０６は、一連の溝４０４ａ、４０４ｂ、４０４ｃの各溝の端部の方を交差してもよく、すなわち、一連の溝４０４ａ、４０４ｂ、４０４ｃの各溝の端部を終端しなくてもよい。
【0312】
さらに、チャネル４０６は、図示された実施形態では、実質的にＺ字形状である。図６に示すように、チャネル４０６の第１領域とチャネル４０６の第３領域との間には、第１の所定角度αが形成される。チャネル４０６の第２領域とチャネル４０６の第３領域との間には、第２の所定角度βが形成される。この例では、α＝βであるが、他の例では、αとβとは等しくない（α≠β）。この具体例では、α及びβは約７０度である。α及びβは、他の例では異なる値、例えば、１度から１７９度の間の任意の値を有することができる。
【0313】
このような基板の製造中に有利になり得るので、Ｚ字形チャネル４０６を使用することが望ましい場合がある。以下でさらに説明するように、そのような基板は、軸外方向コーティング法を用いてコーティングされる。したがって、チャネル４０６の様々な領域間に角度を設けることによって、シャドウイング効果が増大し、それによって、材料でコーティングされていないチャネル４０６の領域が得られる。このようにして、以下にさらに説明するように、チャネル４０６を横切る短絡の可能性が緩和される。
【0314】
スペーサ４０８及びチャネル４０６は共に、基板４０２を第１のエリア４１０ａ及び第２のエリア４１０ｂに分割する。第１のエリア４１０ａは正電荷を帯び、第２のエリア４１０ｂは負電荷を帯びている。第１のエリア４１０ａは、横方向ＴＤを基準として、基板４０２の一方の縁部において第１又は正の端子４１２で終端し、第２のエリア４１０ｂは、基板４０２の他方の、反対側の縁部で第２又は負の端子４１４で終端している。第１のエリア４１０ａは、各一連の溝４０４ａ～４０４ｃの最初の溝を、第１端子４１２に電気的に接続する。第２のエリア４１０ｂは、各一連の溝４０４ａ～４０４ｃの最後の溝を第２端子４１４に電気的に接続する。このようにして、第１端子４１２及び第２端子４１４を備える２端子デバイス４００が形成される。
【0315】
図７（ａ）及び図７（ｂ）は、基板５０２を備えるさらなる別の２端子デバイス５００の平面図である。図７（ａ）及び図７（ｂ）の２端子デバイス５００は、図６の２端子デバイスと同様の構成である。すなわち、２端子デバイス５００は、基板５０２と、複数の一連の溝５０４ａ～５０４ｄと、チャネル５０６と、スペーサ５０８と、正電荷を帯びた第１領域５１０ａと、負電荷を帯びた第２領域５１０ｂと、第１端子５１２及び第２端子５１４と、を備える。これらの特徴は、図６に関連して説明され、ここではさらに説明されない。
【0316】
図７（ａ）及び図７（ｂ）の２端子デバイス５００は、第１の所定角度α及び第２の所定角度βが図６とは異なって形成されている点で図６と異なっている。図６では、チャネル４０６の第３領域が傾斜しており、第１領域及び第２領域が一連の溝４０４ａ～４０４ｃに対して実質的に垂直である。しかし、図７（ａ）に示すように、本例の２端子デバイス５００では、チャネル５０６の第３領域は、一連の溝５０４ａ～５０４ｄに対して実質的に平行に延在し、第１領域及び第２領域は、第３領域に対してある角度をなして形成されている。図示された例では、α＝βであるが、他の例では、αとβとは等しくない（α≠β）。この具体例では、α及びβは、約４５度である。いくつかの例（図示せず）において、α及びβは、９０度より大きくてもよく、例えば、１８０度まで（ただし、１８０度を含まない）である。図７（ｂ）に示すように、区切り機構は、基板上の任意の適切な方法で配置され、任意の角度を有する、任意の形状をとることができる。
【0317】
Ｚ字形チャネル５０６を使用することは、このような基板の製造中に有利になり得るので、望ましい場合がある。以下でさらに説明するように、そのような基板は、軸外方向コーティング法を用いてコーティングされる。したがって、チャネル５０６の様々な領域間に角度を設けることによって、シャドウイング効果が増大し、それによって、材料でコーティングされていないチャネル５０６の領域が得られる。このようにして、以下にさらに説明するように、チャネル５０６を横切る短絡の可能性が緩和される。さらに、Ｚ字型のチャネル５０６によると、一連の溝５０４ａ～５０４ｄの間の空間をより効率的に使用することができるため、Ｚ字型のチャネル５０６は好適であり得る。
【0318】
図８（ａ）～図８（ｄ）は、図５に示すような２端子デバイス３００の様々な図である。図８（ａ）～図８（ｄ）において、同様の数字は同様の特徴部を示す。図８（ｃ）及び図８（ｄ）に最もよく示されているように、２端子デバイス３００は一連の溝３０４を有し、各溝は溝基部３５０を有する。区切り機構、具体的には区切り機構の横断チャネル３１６、３１８は、それぞれ、チャネル基部３５４を有する。図８（ａ）～図８（ｄ）から分かるように、また後述する図１０及び図１１をさらに参照すると分かるように、溝基部３５０は、溝３０４の細長い幅に沿って実質的に一定の深さを有している。さらに、溝基部３５０は、横断領域３５２において、チャネル基部３５４に向かって傾斜している。すなわち、溝３０４の各溝の深さは、横断領域３５２内の区切り機構、すなわちチャネル、この例では、横断チャネル３１６、３１８の深さに向かって傾斜している。これについては、図１０及び図１１を参照しながら、以下にさらに詳細に説明する。
【0319】
図９（ａ）及び図９（ｂ）は、図７（ａ）に示されるような２端子デバイス５００の様々な図を示している。図９（ａ）及び図９（ｂ）において、同様の数字は同様の特徴部を示す。この図に示すように、２端子デバイス５００は、一連の溝５０４を含み、各溝は、溝基部５５０を有する。区切り機構、具体的には、チャネル５０６は、チャネル基部５５４を含む。図９（ｂ）に最もよく示されているように、また後述する図１０及び図１１をさらに参照すると、溝基部５５０は、溝５０４の細長い幅に沿って実質的に一定の深さを有している。さらに、溝基部５５０は、横断領域５５２において、チャネル基部５５４に向かって傾斜している。すなわち、溝５０４の各溝の深さは、横断領域５５２内で、区切り機構、この例ではチャネル５０６の深さに向かって傾斜している。これについては、図１０及び図１１を参照しながら、以下でさらに詳細に説明する。
【0320】
図１０は、本明細書で説明した例のいずれにも適用可能な、溝とチャネルとの間の横断領域の一例の断面図を示す。具体的には、図１０は、一連の溝の１つの溝６０４、及びチャネル６０６を有する基板６０２を示す。チャネル６０６は、溝６０４の近位端で溝６０４を横断している。溝６０４は、溝基部６５０を有し、チャネル６０６は、チャネル基部６５４を有する。
【0321】
溝６０４、具体的には溝基部６５０は、横断領域６５２において、チャネル６０６、具体的にはチャネル基部６５４に向かっている。横断領域６５２は、図示の例では実質的に円弧状である横断領域基部６５６を有する。すなわち、横断領域基部６５６は、溝基部６５０からチャネル基部６５４に向かうにつれて変化する深さ(可変深さ）を有する。可変深さは、図示する例では非線形(非直線的）である。
【0322】
図１１は、本明細書で説明した例のいずれにも適用可能な、溝とチャネルとの間の横断領域の別の例を示す図である。具体的には、図１１は、一連の溝の１つの溝７０４と、チャネル７０６とを有する基板７０２を示す。チャネル７０６は、溝７０４の近位端で溝７０４を横断している。溝７０４は、溝基部７５０を有し、チャネル７０６は、チャネル基部７５４を有する。
【0323】
溝７０４、具体的には溝基部７５０は、横断領域７５２において、チャネル７０６、具体的にはチャネル基部７５４に向かっている。横断領域７５２は、図示する例では、実質的に線形、すなわち直線である横断領域基部７５６を有する。すなわち、横断領域基部７５６は、溝基部７５０からチャネル基部７５４に向かうにつれて変化する深さ（可変深さ）を有する。可変深さは、図示する例では線形（直線的）である。
【0324】
図１１に示すように、線形の横断領域７５２は、溝基部７５０の延長線として形成された仮想軸に対して角度Ｙなす。角度Ｙは、図示する例では、約４５度として示されている。ただし、他の角度が使用されてもよい。
【0325】
図１２は、本明細書に記載されるような基板を形成する方法８００を示す図である。方法８００は、可撓性材料のウェブを提供するステップ８１０、可撓性材料のウェブ内に第１の一連の溝を形成するステップ８２０、可撓性材料のウェブ内に第２の一連の溝を形成するステップ８３０、及び、可撓性材料のウェブ内に、第１の一連の溝と第２の一連の溝との間にチャネルを形成するステップ８４０を含む。
【0326】
それぞれのステップ８１０、８２０、８３０、８４０は、順次、つまり順番どおりに実施されてもよい。例えば、ステップ８１０、８２０、８３０、８４０は、図１２に記載されるような順序で実施されてもよい。あるいは、ステップ８１０、８２０、８３０、８４０は、任意の他の順序で実施されてもよい。例えば、チャネルを形成するステップ８４０は、第１の一連の溝を形成するステップ８２０と第２の一連の溝を形成するステップ８３０との間で行われてもよい。さらに、ステップ８１０、８２０、８３０、８４０の２つ以上、又はすべてが、同時に、又は並行して、すなわち一緒に実施されてもよい。例えば、第１の一連の溝を形成するステップ８２０、第２の一連の溝を形成するステップ８３０、及びチャネルを形成するステップ８４０は、全て同時に行われてもよい。
【0327】
チャネルを形成するステップ８４０は、チャネルが第１の一連の溝及び第２の一連の溝の一部分を各溝の近位端の方（近位端の近く）で横断するようにチャネルを形成することをさらに含む。さらに、チャネルを形成するステップ８４０は、各溝の近位端でチャネルの深さに向かって傾斜する各溝の深さを形成することを含む。
【0328】
いくつかの例では、第１の一連の溝を形成するステップ８２０、第２の一連の溝を形成するステップ８３０、及び第１の一連の溝と第２の一連の溝との間にチャネルを形成するステップ８４０のうちの１つ以上は、図１３に関連して説明したように、エンボス加工を含む。
【0329】
図１３は、本明細書に記載される基板を形成する具体的な方法９００を示す。方法９００は、図１２の方法８００の具体例であってもよく、例えば、方法９００は、エンボス加工を表してもよい。方法９００は、可撓性材料９０２のウェブを提供するステップ９１０によって開始する。方法９００はまた、可撓性材料９０２のウェブをＵＶ硬化性組成物でコーティングするステップ９２０であって、それによって可撓性材料９０２のウェブの少なくとも１つの面にＵＶ（紫外線）硬化性コーティング９０４を形成するステップを含んでいる。本方法は、コーティングされた可撓性材料のウェブ（９０２、９０４）を、この特定の例では円筒形のスタンピングロール９０６であるマスターシムとして示されるシムと係合するステップ９３０も含んでもよい。他の例では、複数のシム、単一のマスターシム、又は、複数のシムの１つ以上又は単一のマスターシムとして形成されたスタンピングプレートがあってもよい。すなわち、当業者は、シムがマスターシムである必要はなく、また、円筒形スタンピングロール９０６である必要もないことを認識するであろう。図示の例では、円筒形スタンピングロール９０６は、一連の突起９０８を備える。突起９０８は、以下でさらに説明するように、第１の一連の溝、第２の一連の溝、及びチャネルに対応する。
【0330】
突起９０８がコーティング（被覆）された可撓性材料（９０２、９０４）のウェブに係合すると、係合ステップ９３０の間にＵＶ硬化性コーティング９０４は少なくとも部分的にＵＶ硬化される(９４０）。次いで、突起９０８は、コーティングされた可撓性材料（９０２、９０４）のウェブから除去される(９５０）。突起９０８が除去されると（ステップ９５０）、ＵＶ硬化性コーティング９０４の部分的なＵＶ硬化により、コーティングされた可撓性材料（９０２、９０４）のウェブは、突起９０８が除去される（９５０）にしたがって、円筒形スタンピングロール９０６の突起９０８の方へ引き寄せられる。しかしながら、ＵＶ硬化性コーティング９０４は部分的にしかＵＶ硬化しておらず、完全には硬化していないので、円筒形スタンピングロール９０６の突起９０８が完全に除去されると、コーティングされた柔軟な材料（９０２、９０４）のウェブは緩和する（relax）。このようにして、第１の一連の溝又は第２の一連の溝とチャネルとの間の横断領域は、最初に、円筒形スタンピングロール９０６に向かって、上方に引き寄せられ、その後、緩和することにより、上述のように、溝の深さがチャネルの深さに向かうように形成される。
【0331】
円筒形スタンピングロール９０６は、コーティングされた可撓性材料ウェブ（９０２、９０４）の機械方向ＭＤに沿って連続的に回転する。このように、機械方向ＭＤに沿ってプロセスが繰り返される。また、形成された基板を機械方向ＭＤに沿って様々な間隔で切断することが望ましい場合がある。そのような場合、方法９００は、マスター基板を複数の基板に切断するステップを任意に含んでもよい。
【0332】
図１４は、本明細書に記載されるような基板を備える２端子デバイスを形成する方法１０００を例示する。方法１０００は、図１２の方法８００又は図１３の方法９００の続きであってよい。方法１０００は、本明細書に記載されるような基板１００１を提供すること、又は形成すること（１０１０）によって開始される。方法１０００はまた、第１の一連の溝１００６、第２の一連の溝１００８、及びチャネル１０１１の第１の面１００２を第１の材料１０１２でコーティングすること（１０２０）を含んでもよい。方法１０００はまた、第１の一連の溝１００６、第２の一連の溝１００８、及びチャネル１０１０の第２の面１００４を第２の材料１０１４でコーティングすること（１０４０）を含んでもよい。第１の材料１０１２及び第２の材料１０１４は、異なっていてもよい。
【0333】
コーティングするステップ１０２０、１０４０は、図１４、及び図１５（ａ）～１５（ｃ）に最もよく示されるように、軸外方向コーティングを含んでもよい。すなわち、コーティングするステップ１０２０、１０４０は、基板１００１の平面に対して形成されるある角度でコーティングすることを含んでもよい。図１５に示すように、このような角度δは、３０～７０度の範囲内、例えば約４５度であってよい。
【0334】
図１５（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、図１０及び図１１の基板のコーティングプロセスを示す図である。図１５（ｃ）は、さらに、説明した図１０及び図１１の横断領域を有しない比較コーティングプロセスを示す図である。図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、入射コーティング角度δを有するコーティングプロセスを説明する図であり、矢印Ｃは、入射するコーティング材料を示す。図示のように、横断領域６５２、７５２は、上述のように溝深さ６５０、７５０からチャネル深さ６５４、７５４へ向かって傾斜しているので、横断領域６５２、７５２の大部分、すなわち溝６０４、７０４とチャネル６０６、７０６とを結ぶ領域の大部分が、矢印Ｃ以下の領域で示すように、コーティングプロセス中にチャネル６０６、７０６の壁Ｗによって影になる。このようにして、コーティングプロセスの間、横断領域６５２、７５２の大部分は、入射する材料でコーティングされない。したがって、溝６０４、７０４及びチャネル６０６、７０６が、後述するように、電気経路を可能にする材料で満たされると、横断領域６５２、７５２にはコーティング材料がないため、溝６０４、７０４とチャネル６０６、７０６との間に電気的接続が存在しない状態になる。
【0335】
比較のため、図１５（ｃ）を参照すると、説明したような溝深さからチャネル深さまで向かって傾斜する横断領域６５２、７５２がなければ、隣接する一連の溝７８０とチャネル７９０との間の界面には、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）と同じ入射コーティング角度δで材料がコーティングされる。すなわち、図１５（ｃ）の例では、製造中の電気的短絡の発生は、溝７８０及びチャネル７９０に充填される材料の量にのみ依存する。これは、制御が難しいことで知られている。一方、溝の深さがチャネルの深さに向かって傾斜する横断領域を使用して、製造中に溝とチャネルの間の領域の影を増加させることで、電気的短絡が抑制される。
【0336】
方法１０００は、チャネル１０１０を第３の材料１０１６で少なくとも部分的に充填するステップ１０６０をさらに含む。第３の材料１０１６は、第１の材料１０１２及び第２の材料１０１４と異なっていてもよい。いくつかの例では、チャネル１０１０を少なくとも部分的に充填するステップ１０６０は、印刷プロセスを含んでいてもよい。チャネル１０１０が第３の材料１０１６で充填されることに加えて、図１４に示すように、第１の一連の溝１００６、第２の一連の溝１００８、又は第１及び第２の一連の溝１００６、１００８の両方は、同じ第３の材料１０１６で少なくとも部分的に充填されてもよい。図１４は、チャネル１０１０が第３の材料１０１６で充填されている、又は完全に充填されている実施形態を示す。
【0337】
第１の材料１０１２、第２の材料１０１４及び第３の材料１０１６は、形成される２端子デバイスの使用用途によって異なる。例えば、いくつかの例では、装置に電気を供給する太陽光発電デバイスを製造することが望ましい場合がある。この例では、第１の材料１０１２は、導体又は半導体などの非絶縁性材料であってもよく、第２の材料１０１４は、導体又は半導体などの非絶縁性材料であってもよく、第３の材料１０１６は、ペロブスカイト構造材料であってもよい。当業者に認識されるように、２端子デバイスは、製造される２端子デバイスの意図された最終用途に適した適切なコーティングで製造され得る。
【0338】
図１６は、本明細書に記載されるような基板１１０２を備える２端子デバイス１１００を示す。基板１１０２は、第１の一連の溝１１０４と、第２の一連の溝１１０６と、その間（第１の一連の溝１１０４と第２の一連の溝１１０６との間）のチャネル１１０８とを有する。チャネル１１０８は、図示するように、溝１１０４、１１０６の深さよりも大きな深さを有していてもよい。
【0339】
第１の一連の溝１１０４は、第１の面１１０４ａ、対向する第２の面１１０４ｂ、及び、その間のキャビティ１１０４ｃを有する。第２の一連の溝１１０６は、第１の面１１０６ａ、対向する第２の面１１０６ｂ、及びその間のキャビティ１１０６ｃを有する。チャネル１１０８は、第１の面１１０８ａ、対向する第２の面１１０８ｂ、及びその間のキャビティ１１０８ｃを有する。第１の面１１０４ａ、１１０６ａ、１１０８ａは、第１の材料１１１０でコーティングされている。第２の面１１０４ｂ、１１０６ｂ、１１０８ｂは、第２の材料１１１２でコーティングされている。さらに、キャビティ１１０４ｃ、１１０６ｃ、１１０８ｃ内には第３の材料１１１４が設けられている。図１６に示すように、第１の一連の溝１１０４及び第２の一連の溝１１０６のキャビティ１１０４ｃ、１１０６ｃは、対向面（１１０４ａ、１１０４ｂ及び１１０６ａ、１１０６ｂ）の第１の材料１１１０及び第２の材料１１１２が第３の材料１１１４に接触する程度に充填されている。このようにして、第１の一連の溝１１０４と第２の一連の溝１１０６とに跨って電気経路が形成される。
【0340】
図１６で分かるように、チャネル１１０８のキャビティ１１０８ｃは、第３の材料１１１４が第１の面１１０８ａ上の第１の材料１１１０又は第２の面１１０８ｂ上の第２の材料１１１２に接触するように第３の材料１１１４で充填される。したがって、電気経路が提供される。しかしながら、本明細書に記載される基板の性質及び基板の形成方法により、チャネル１１０８のキャビティ１１０８ｃは、より少ない程度に第３の材料１１１４で充填され得る。したがって、キャビティ１１０８ｃが図示のように大きく充填されたとしても、溝１１０４、１１０６がチャネル１１０８と接する横断領域内では、第１の材料１１１０又は第２の材料１１１２と接触しない。このようにして、より単純な製造工程を実現しながら、チャネル１１０８を横断する電気経路、つまり電気的短絡が防止される。
【0341】
図１７は、２端子デバイス１２００を示す。２端子デバイス１２００は、基板１２０２を備える。基板１２０２は、第１セルと、第１セルから間隔をあけて配置された第２セルとを備える。第２セルは、基板１２０２のウェブ方向に沿って、基板１２０２に沿って第１セルから間隔をあけて配置されている。第１セルには、第１の一連の溝１２０４が設けられている。第１の一連の溝１２０４のそれぞれは、第１の面１２０４ａ、対向する第２の面１２０４ｂ、及びその間のキャビティ１２０４ｃを有する。第２セルには、第２の一連の溝１２０６が設けられている。第２の一連の溝１２０６のそれぞれは、第１の面１２０６ａ、対向する第２の面１２０６ｂ、及びその間のキャビティ１２０６ｃを有する。第１セルと第２セルとの間には、第１チャネル１２０８及び第２チャネル１２０９を有する接続部分が設けられている。第１チャネル１２０８は、第１の面１２０８ａと、対向する第２の面１２０８ｂと、その間のキャビティ１２０８ｃとを有する。第２チャネル１２０９は、第１チャネル１２０８と第２セルとの間に設けられる。第２チャネル１２０９は、第１の面１２０９ａと、対向する第２の面１２０９ｂと、その間にあるキャビティ１２０９ｃとを有する。他の実施例では、単一のチャネル１２０８が、第１セルと第２セルとの間に設けられる。他の追加例では、２つ以上のチャネル１２０８、１２０９が、第１セルと第２セルとの間に設けられる。基板１２０２は、第１端子及び第２端子を備える。第１端子及び第２端子は、基板１２０２の横方向に沿って対向する縁部に形成されている。第１端子及び第２端子は、図３～図７に関連して説明した方法と同様の方法で、第１セル及び第２セルに電気的に接続される。すなわち、第１端子及び第２端子は、第１セル及び第２セルのそれぞれと電気的に連通している。いくつかの例では、キャビティ１２０８ｃ、１２０９ｃの一方、又は両方は、それらのキャビティ１２０８ｃ、１２０９ｃ内の第３の材料１２１４が第１の材料１２１０及び第２の材料１２１２に接触する程度まで充填されて、それらのキャビティを横断する電気的接続を提供してもよい。しかしながら、以下にさらに説明するように、チャネル１２０８、１２０９の合成抵抗のために、第１セル又は第２セルからの電荷は、接続部分１２０８、１２０９を介して（横切って）移動されるよりもむしろ、デバイスの第１端子及び第２端子で取り出される。
【0342】
第１の面１２０４ａ、１２０６ａ、１２０８ａ、１２０９ａは、第１の材料１２１０でコーティングされる。第２の面１２０４ｂ、１２０６ｂ、１２０８ｂ、１２０９ｂは、第２の材料１２１２でコーティングされる。さらに、第３の材料１２１４が、キャビティ１２０４ｃ、１２０６ｃ、１２０８ｃ、１２０９ｃ内に設けられる。第１の一連の溝１２０４及び第２の一連の溝１２０６のキャビティ１２０４ｃ、１２０６ｃは、対向する面（１２０４ａ、１２０４ｂ及び１２０６ａ、１２０６ｂ）の第１の材料１２１０及び第２の材料１２１２が第３の材料１２１４に接触する程度に充填されている。これにより、第１セルの第１の一連の溝１２０４を横切り、第２セルの第２の一連の溝１２０６の間に電気経路が形成される。
【0343】
第１チャネル１２０８のキャビティ１２０８ｃは、キャビティ１２０８ｃ内の第３の材料１２１４が、第１の面１２０８ａ上の第１の材料１２１０及び第２の面１２０８ｂ上の第２の材料１２１２に接触しないように、第３の材料１２１４で部分的に充填されている。第３の材料１２１４と第１の面１２０８ａ上の第１の材料１２１０との間には、電気経路は設けられていない。第３の材料１２１４と第２の面１２０８ｂ上の第２の材料１２１２との間には、電気経路が設けられていない。第２チャネル１２０９のキャビティ１２０９ｃは、キャビティ１２０９ｃ内の第３の材料１２１４が第１の面１２０９ａ上の第１の材料１２１０及び第２の面１２０９ｂ上の第２の材料１２１２に接触しないように、第３の材料１２１４で部分的に充填されている。第３の材料１２１４と第１の面１２０９ａ上の第１の材料１２１０との間には、電気経路は設けられていない。第３の材料１２１４と第２の面１２０９ｂ上の第２の材料１２１２との間には、電気経路は設けられていない。第１チャネル１２０８及び第２チャネル１２０９により、接続部分の一方の側から他方の側への電気抵抗が確保される。
【0344】
使用中、第１チャネル１２０８及び第２チャネル１２０９を横切る合成抵抗（combined resistance across the first and second channels）、すなわち接続部分を横切る抵抗は、第１セルを横切る抵抗よりも大きい。第１チャネル１２０８及び第２チャネル１２０９を横切る合成抵抗は、第２セルを横切る抵抗よりも大きい。より具体的には、第１セルは、第１の特性抵抗を有する。第２セルは、第２の特性抵抗を有する。第１チャネル１２０８及び第２チャネル１２０９を横切る合成抵抗は、第１セルを横切る第１の特性抵抗よりも大きい第３の特性抵抗である。第３の特性抵抗は、第２セルを横切る第２の特性抵抗よりも大きい。第１チャネル１２０８及び第２チャネル１２０９を横切る合成抵抗が、第１セル及び第２セルを横切る抵抗よりも大きいことによって、電荷は、第１セルと第２セルとの間で、接続部分を横切って移動されるよりもむしろ、第１端子及び第２端子から取り出される。この特定の例では、第１の特性抵抗の抵抗値と第２の特性抵抗の抵抗値は同じである。いくつかの例において、接続部分を横切る第３の特性抵抗は、第１の特性抵抗及び第２の特性抵抗の少なくとも一方に等しいことが想定される。第１セルと第２セルとの間に２つ以上のチャネル１２０８、１２０９が設けられてもよいことが想定される。第１セルと第２セルとの間に複数のチャネルを設けることで、チャネルの数に応じて合成抵抗が増加する。チャネル間の間隔を大きくして、接続部分を横切る複合抵抗をさらに大きくしてもよい。この特定の例では、接続部分を横切る合成抵抗は、第１セルを横切る抵抗の５倍である。この特定の例では、接続部分を横切る抵抗はまた、第２セルを横切る抵抗の５倍である。この特定の例では、第１セルを横切る抵抗と第２セルを横切る抵抗とは同じである。
【0345】
図１８は、２端子デバイス１３００を示す。２端子デバイス１３００は、基板１３０２を備える。基板１３０２は、図１７を参照して前述したように、第１セル１３０４、第２セル１３０６、第１端子及び第２端子を有するので、ここでは再び詳細を説明しない。図１８において、図１７と同様の数字が適用されるが、数字が「１２」の代わりに「１３」で始まる点で異なる。第１セル１３０４と第２セル１３０６との間には、接続部分が設けられている。接続部分は、複数のチャネルを有する。この特定の例では、接続部分は、図１７に関連して説明したように、第３の材料１３１４で充填された２つのチャネル１３０８、１３０９を有する。留意されるように、図１８は、図１７と同じであるが、各チャネルの一方の側の第１の材料１３１０と、各チャネルの他方の側の第２の材料１３１２との間で電気接続がなされるように、接続部分内のチャネルが充填されている点で異なる。このようにして、チャネルを横切る電気経路が形成される。
【0346】
使用中、接続部分を横切る抵抗は、第１セル１３０４を横切る抵抗よりも大きい。接続部分を横切る抵抗はまた、第２セル１３０６を横切る抵抗よりも大きい。より具体的には、第１セルは、第１の特性抵抗を有する。第２セルは、第２の特性抵抗を有する。接続部分を横切る抵抗は、第１セル１３０４を横切る第１の特性抵抗よりも大きい第３の特性抵抗である。第３の特性抵抗はまた、第２セル１３０６を横切る第２の特性抵抗よりも大きい。接続部分を横切る抵抗が、第１セル１３０４を横切る第１の特性抵抗よりも大きく、第２セル１３０６を横切る第２の特性抵抗よりも大きくなるような配置によって、電荷は、第１端子及び第２端子の間を移動されるよりもむしろ、第１端子及び第２端子から取り出される。この特定の例では、第３の特性抵抗は、第１セル１３０４を横切る第１の特性抵抗の３倍である。第３の特性抵抗は、第２セル１３０６を横切る第２の特性抵抗の３倍である。いくつかの実施例では、接続部分は、接続部分を横切る抵抗を増加させる抵抗要素（図示せず）を追加的に備えている。
【0347】
図１９は、２端子デバイス１４００を示す。２端子デバイス１４００は、図１７を参照して実質的に前述したように、第１セル１４０４及び第２セル１４０６を有する基板１４０２を備えるので、ここでは再び詳細に説明しない。基板１４０２は、図１７を参照して前述したように実質的に第１端子及び第２端子を有しているので、ここでは再び詳細に説明しない。第１セル１４０４と第２セル１４０６の間には接続部分１４０８が設けられる。この特定の実施例では、接続部分１４０８は、第１セル１４０４を形成する第１の一連の溝及び第２セル１４０６を形成する第２の一連の溝から、及び、その間に延在する平面要素である。接続部分１４０８は、基板１４０２のウェブ方向に沿う方向において、第１セル１４０４と第２セル１４０６との間に延在している。第１の一連の溝は、第１の面１４０４ａ、対向する第２の面１４０４ｂ、及びその間のキャビティ１４０４ｃを有する。第２の一連の溝は、第１の面１４０６ａ、対向する第２の面１４０６ｂ、及びその間のキャビティ１４０６ｃを有する。第１の面１４０４ａ、１４０６ａは、第１の材料１４１０でコーティングされている。第２の面１４０４ｂ、１４０６ｂは、第２の材料１４１２でコーティングされている。接続部分１４０８に近接する溝１４０４の第２の面１４０４ｂをコーティングする第２の材料１４１２は、接続部分１４０８を部分的に被覆する。
【0348】
接続部分１４０８に近接する溝１４０４の第１の面１４０６ａをコーティングする第１の材料１４１０は、接続部分１４０８を部分的に被覆する。このように、第１セル１４０４と第２セル１４０６との間に設けられた接続部分１４０８は、接続部分１４０８の第１セル１４０４に近接する端部において、第２の材料１４１２で部分的にコーティングされている。また、第１セル１４０４と第２セル１４０６との間に設けられた接続部分１４０８は、第２セル１４０６に近接する接続部分１４０８の端部において、第１の材料１４１０で部分的にコーティングされている。したがって、接続部分１４０８は、第１セル１４０４と第２セル１４０６との間に設けられ、第１セル１４０４に近接する第１端部において部分的に第２の材料１４１２でコーティングされ、第２セル１４０６に近接する第２端部において部分的に第１の材料１４１０でコーティングされる。接続部分１４０８を部分的に被覆する第１の材料１４１０及び第２の材料１４１２は、互いに電気的に分離されている。接続部分１４０８によって、一方の側から他方の側への電気抵抗が確保される。
【0349】
使用中、接続部分１４０８を横切る抵抗は、第１セル１４０４を横切る抵抗よりも大きい。接続部分１４０８を横切る抵抗は、第２セル１４０６を横切る抵抗よりも大きい。第１セル１４０４は、第１の特性抵抗を有する。第２セル１４０６は、第２の特性抵抗を有する。接続部分１４０８を横切る抵抗は、第１セル１４０４を横切る第１の特性抵抗よりも大きい第３の特性抵抗である。第３の特性抵抗は、第２セル１４０６を横切る第２の特性抵抗よりも大きい。第１セル１４０４と第２セル１４０６との間の接続部分１４０８を横断する抵抗がより大きくなるような配置により、第１セル又は第２セルからの電荷は、接続部分１４０８を介して（横切って）第１セル１４０４と第２セル１４０６との間で移動されるよりもむしろ、第１端子及び第２端子から取り出され得る。
【0350】
図２０は、２端子デバイス１５００を示す。２端子デバイス１５００は、基板１５０２を備える。基板１５０２は、基板１５０２のウェブ方向に沿って、第１セル１５０４と、第１セル１５０４から間隔をあけて配置された第２セル１５０６とを有する。第１セル１５０４及び第２セル１５０６は、図１７を参照して前述した通りであるので、ここで再び詳細に説明しない。基板１５０２は、図１７を参照して説明したように、第１端子及び第２端子を備えているが、ここで再び詳細に説明しない。第１セル１５０４と第２セル１５０６との間には、接続部分が設けられる。接続部分は、第１の面１５０８ａ、対向する第２の面１５０８ｂ、及びその間のキャビティ１５０８ｃを有するチャネル１５０８を備える。チャネル１５０８は、第１セル１５０４及び第２セル１５０６のそれぞれの溝よりも大きい深さを有する。
【0351】
第１の面１５０４ａ、１５０６ａ、１５０８ａは、第１の材料１５１０でコーティングされる。第２の面１５０４ｂ、１５０６ｂ、１５０８ｂは、第２の材料１５１２でコーティングされる。さらに、第３の材料１５１４は、キャビティ１５０４ｃ、１５０６ｃ、１５０８ｃ内に設けられる。第１セル１５０４及び第２セル１５０６のそれぞれのキャビティ１５０４ｃ、１５０６ｃは、対向面（１５０４ａ、１５０４ｂ及び１５０６ａ、１５０６ｂ）の第１の材料１５１０及び第２の材料１５１２が第３の材料１５１４に接触する程度に充填されている。これにより、第１セル１５０４を横切り、第２セル１５０６を横切る電気経路が形成される。
【0352】
キャビティが材料１０１６によって完全に充填されている図１４に示す２端子デバイスとは異なり、キャビティ１５０８ｃの面１５０８ａ、１５０８ｂによって形成される壁は、第３の材料１５１４によってコーティングされている。キャビティ１５０８ｃは、キャビティ１５０８ｃ内の第３の材料１５１４が、第１の面１５０８ａ上の第１の材料１５１０、及び第２の面１５０８ｂ上の第２の材料１５１２に電気的に接続されるようにコーティングされる。したがって、接続部分１５０８の第１の面１５０８ａ上の第１の材料１５１０と、接続部分１５０８の第２の面１５０８ｂ上の第２の材料１５１２との間に、電気経路が設けられる。チャネル１５０８は、一方の側から他方の側への電気的接続を形成する。すなわち、チャネル１５０８は、第１セル１５０４に近接する一方側と、第２セル１５０６に近接する他方側とを電気的に接続する。
【0353】
使用中、接続部分を横切る抵抗は、第１セル１５０４を横切る抵抗よりも大きい。接続部分を横切る抵抗は、第２セル１５０６を横切る抵抗よりも大きい。第１セル１５０４は、第１の特性抵抗を有する。第２セル１５０６は、第２の特性抵抗を有する。接続部分を横切る抵抗は、第１セル１５０４を横切る第１の特性抵抗よりも大きい第３の特性抵抗である。第３の特性抵抗は、第２セル１５０６を横切る第２の特性抵抗よりも大きい。このような配置により、第１セル又は第２セルからの電荷は、第１セル１５０４と第２セル１５０６との間で接続部分１５０８を横切って移動されるよりもむしろ、第１端子及び第２端子から取り出され得る。
【0354】
図２１は、２端子デバイス１６００を示す図である。２端子デバイス１６００は、第１セル１６０４と、第２セル１６０６と、第１端子と、第２端子とを有する基板１６０２を備える。これは、図２０を参照して本明細書で説明したとおりであり、ここで再び詳細に説明しない。第１セル１６０４と第２セル１６０６との間には、チャネル１６０８を有する接続部分が設けられる。チャネル１６０８は、第１セル１６０４に近接する第１の面１６０８ａと、第２セル１６０６に近接する、対向する第２の面１６０８ｂと、を備える。チャネル１６０８は、第１の面１６０８ａと第２の面１６０８ｂとの間にキャビティ１６０８ｃを有する。チャネル１６０８の第１の面１６０８ａ及びチャネル１６０８の第２の面１６０８ｂは、第１セル１６０４及び第２セル１６０６の溝の深さよりも深く基板１６０２内に延在している。この特定の例では、チャネル１６０８は、第１の面１６０８ａ、第２の面１６０８ｂ、及び轍状の底部（bottom rutted portion）を有する、実質的にＵ字形状である。この例では、轍状の底部は、８つの起伏（凹凸）（undulations）で形成されている。チャネル１６０８のキャビティ１６０８ｃは、第１セル１６０４及び第２セル１６０６のそれぞれのキャビティ１６０４ｃ、１６０６ｃと比較して、より大きいサイズを有している。第１セル１６０４及び第２セル１６０６の溝と比較して、チャネル１６０８のサイズ及び深さが大きいほど、第１セル１６０４及び第２セル１６０６のそれぞれを横切る抵抗に対して、接続部分を横切る抵抗が大きくなる。
【0355】
第１の面１６０４ａ、１６０６ａ、１６０８ａは、第１の材料１６１０でコーティングされる。第２の面１６０４ｂ、１６０６ｂ、１６０８ｂは、第２の材料１６１２でコーティングされる。さらに、第３の材料１６１４は、キャビティ１６０４ｃ、１６０６ｃ、１６０８ｃ内に設けられる。第１セル１６０４及び第２セル１６０６それぞれのキャビティ１６０４ｃ、１６０６ｃは、対向面（１６０４ａ、１６０４ｂ及び１６０６ａ、１６０６ｂ）の第１の材料１６１０及び第２の材料１６１２が第３の材料１６１４に接触する程度に充填されている。これにより、第１セル１６０４の溝を横切り、第２セル１６０６の溝の間に電気経路が形成される。
【0356】
この特定の実施例では、キャビティ１６０８ｃを形成する轍状の底部の溝のそれぞれは、第３の材料１６１４で部分的に充填され、例えばコーティングされる。このようにして、第３の材料１６１４は、チャネル１６０８の起伏（凹凸）内に第３の材料１６１４のコーティング、又は適合した（起伏に整合した）コーティング又はフィルムを形成する。このように、第３の材料１６１４は、第１の面１６０８ａで第１の材料１６１０と接触している。また、第３の材料１６１４は、第２の面１６０８ｂ上で第２の材料１６１２と接触している。第３の材料１６１４と第１の面１６０８ａ上の第１の材料１６１０との間には、電気経路が設けられる。第３の材料１６１４と第２の面１６０８ｂ上の第２の材料１６１２との間には、電気経路が設けられる。接続部分は、一方の側から他方の側への電気的接続を提供する。すなわち、接続部分は、第１セル１６０４に近接する接続部分の一方の側から、第２セル１６０６に近接する接続部分の他方の側への電気的接続を提供する。
【0357】
使用中、接続部分を横切る抵抗は、第１セル１６０４を横切る抵抗よりも大きい。接続部分を横切る抵抗はまた、第２セル１６０６を横切る抵抗よりも大きい。第１セル１６０４は、第１の特性抵抗を有する。第２セル１６０６は、第２の特性抵抗を有する。接続部分を横切る抵抗は、第１セル１６０４を横切る第１の特性抵抗よりも大きい第３の特性抵抗を有する。接続部分を横切る第３の特性抵抗は、第２セル１６０６を横切る第２の特性抵抗よりも大きい。接続部分を横切る抵抗が、第１セル１６０４及び第２セル１６０６を横切る抵抗よりも大きいことにより、第１セル又は第２セルからの電荷は、第１セル１６０４と第２セル１６０６との間を移動されるよりもむしろ、第１端子及び第２端子から取り出される。
【0358】
図２２は、２端子デバイス１７００を示す。２端子デバイス１７００は、基板１７０２を備える。基板１７０２は、第１セル１７０４と、基板１７０２のウェブ方向に沿って、基板１７０２に沿って第１セル１７０４から間隔をあけて配置された第２セル１７０６とを有する。第１セル１７０４及び第２セル１７０６は、図２０を参照して既に説明した通りであるので、ここで再び詳細な説明はしない。基板１７０２は、第１端子及び第２端子を備える。第１端子及び第２端子は、基板１７０２の横方向に沿って対向する縁部に形成されている。第１端子及び第２端子は、第１セル１７０４及び第２セル１７０６に電気的に接続されている。すなわち、第１端子及び第２端子は、第１セル１７０４及び第２セル１７０６のそれぞれと電気的に連通している。
【0359】
第１セル１７０４と第２セル１７０６の間には、基板１７０２の峰部（頂部）１７０８を含む接続部分が設けられている。峰部１７０８は、第１の面１７０８ａと、対向する第２の面１７０８ｂとを有する。この例では、峰部１７０８は、第１セル１７０４及び第２セル１７０６の溝の方向とは反対の方向である、上方に向いている。峰部１７０８の第１の面１７０８ａは、第１セル１７０４に近接する側に設けられる。峰部１７０８の第２の面１７０８ｂは、第２セル１７０６に近接する側に設けられる。峰部１７０８は、第１セル１７０４及び第２セル１７０６のそれぞれの溝の深さよりも大きい高さを有する。この特定の例では、峰部１７０８は、ブロック材料から形成され、第１の面１７０８ａ上に配置された第１の材料と、第２の面１７０８ｂ上に配置された第２の材料とを有している。これらの面上に配置された第１の材料及び第２の材料は、後述するセル１７０４、１７０６の面１７０４ａ、１７０４ｂ、１７０６ａ、１７０６ｂに配置された第１の材料１７１０及び第２の材料１７１２と同じであってよい。特に、第１の面１７０８ａは、導電体などの非絶縁性材料でコーティングされてもよい。特に、第２の面１７０８ｂは、導電体などの非絶縁性材料でコーティングされてもよい。第１の面１７０８ａ、１７０８ｂの間に、ギャップなどの、材料が設けられていない領域があってもよい。これは、第１の面１７０８ａ及び第２の面１７０８ｂに設けられた材料の一部分を除去することによって設けられ得る。あるいは、そのような部分は、製造中にマスクされていてもよい。さらに、他の実施形態では、ブロック材料の上部は、第１の面１７０８ａ及び第２の面１７０８ｂをコーティングした後に除去され、それによって、それぞれの面の間に、電気抵抗を与えてもよい。この例では、接続部分は、キャビティを有さない。接続部分は、第１セル１７０４及び第２セル１７０６の溝の遠端部において（at an end distal）、峰部を有する。
【0360】
第１セル１７０４及び第２セル１７０６のそれぞれの第１の面１７０４ａ、１７０６ａは、第１の材料１７１０でコーティングされる。第１セル１７０４及び第２セル１７０６のそれぞれの第２の面１７０４ｂ、１７０６ｂは、第２の材料１７１２でコーティングされる。さらに、第１セル１７０４及び第２セル１７０６それぞれのキャビティ１７０４ｃ、１７０６ｃ内に第３の材料１７１４が設けられる。キャビティ１７０４ｃ、１７０６ｃは、対向する面（１７０４ａ、１７０４ｂ及び１７０６ａ、１７０６ｂ）の第１の材料１７１０及び第２の材料１７１２が第３の材料１７１４に接触する程度に充填されている。これにより、第１セル１７０４を横切り、第２セル１７０６を横切る電気経路が形成される。
【0361】
使用中、接続部分を横切る抵抗は、第１セル１７０４を横切る抵抗よりも大きい。接続部分を横切る抵抗は、第２セル１７０６を横切る抵抗よりも大きい。第１セル１７０４は、第１の特性抵抗を有し、第２セル１７０６は、第２の特性抵抗を有する。接続部分を横切る抵抗は、第１セル１７０４を横切る第１の特性抵抗よりも大きい第３の特性抵抗である。第３の特性抵抗は、第２セル１７０６を横切る第２の特性抵抗よりも大きい。この配置により、第１セル又は第２セルからの電荷は、第１セル１７０４と第２セル１７０６との間で接続部分を介して移動されるよりもむしろ、第１端子と第２端子とから取り出され得る。
【0362】
図２３は、図１に関連して説明した２端子デバイス（「並列ファースト」）と、図２（ａ）及び図３に関連して説明した２端子デバイス（「直列ファースト（区切り機構付き）」）との比較を示す図である。図２３は、溝セクション（groove section）当たりの電気短絡確率の関数としての各デバイスの性能を示す。デバイスの性能は、入射光エネルギが電気エネルギに変換される百分率又は割合（ＰＣＥ（エネルギ変換効率））として定義される。図２３から分かるように、図２（ａ）及び図３に記載の２端子デバイスの性能は、図１に記載の２端子デバイスの性能よりはるかに優れている。特に、図２（ａ）及び図３のデバイスは、溝セクション当たりの短絡確率が高い場合であっても、高い動作性能を維持している。一方、図１のデバイスの動作性能は、溝セクション当たりの短絡確率が高くなると急激に低下する。このように、本明細書に記載の２端子デバイスは、従来技術よりも優れた性能を有する。
【0363】
図２４は、ここで説明されている２端子デバイスについての性能、特に隣接する溝の特性抵抗に対する区切り機構の特性抵抗の倍数として測定された、区切り機構の抵抗の関数としての性能、具体的には区切り機構のない２端子デバイスに対する最適性能の割合を示している。図２４に示すように、隣接する溝の特性抵抗に対して、区切り機構、すなわち接続部分の特性抵抗が増加するにつれて、デバイスの性能は、期待される理想的な性能に向かう傾向がある。
【0364】
図２５は、一連の溝内の電流の割合としての、区切り短絡電流の関数である性能、具体的には、区切り機構のない２端子デバイスに対する最適性能の割合を示している。特に、本明細書で説明するように、区切り機構は逆バイアスのダイオードとして機能するので、動作電圧が逆方向に流れるため、生じる開回路電圧は重要ではない。これは、図２５に示されるように、これらの関数間の線形関係によって示される。
【0365】
上記の実施形態は、限定的な意味ではなく例としてのみ記載されていること、及び、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の範囲から逸脱することなく様々な変更及び修正が可能であることは、当業者には理解されるであろう。上述したような詳細設計に対する様々な変更が可能であり、例えば、数、形状、サイズ、配置、組立などにバリエーションが存在してもよい。例えば、任意の数の溝及び任意の数の一連の溝を使用してもよく、任意の数のチャネル、又は区切り機構を使用してもよい。さらに、チャネルは、任意の適切な角度で溝と交差してもよく、任意の適切な方法で成形されてもよい。さらに、様々な溝、チャネル、接続部分などは、本明細書に記載されるように、部分的に充填、充填、完全に充填、又はコーティングされてもよい。１つの実施形態におけるコーティング又は充填への単なる言及は、当該実施形態の特徴部（feature）をそれぞれ充填又はコーティングする可能性を排除するものではない。
【図1】
【図2(a)】
【図2(b)】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7(a)】
【図7(b)】
【図8(a)】
【図8(b)】
【図8(c)】
【図8(d)】
【図9(a)】
【図9(b)】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15(a)】
【図15(b)】
【図15(c)】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【手続補正書】
【提出日】2022-11-10
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
２端子デバイスであって、基板を備え、前記基板は、第１の特性抵抗を有する第１セルと、前記基板のウェブ（web）方向に沿って前記第１セルから間隔を空けて配置され、第２の特性抵抗を有する第２セルと、
第１端子及び第２端子であって、各端子は、横方向における前記基板の対向する縁部の方に、又は前記対向する縁部に形成されており、各端子は前記第１セル及び前記第２セルと電気的に連通している、第１端子及び第２端子と、
前記第１セルと前記第２セルとの間にあり、前記第１セルと前記第２セルの間の電気的接続を提供し、かつ、第３の特性抵抗を有する接続部分と、
を備え、
前記第３の特性抵抗は、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の両方よりも大きく、前記第１セル又は前記第２セルからの電荷は、前記接続部分を介して前記第１セルと前記第２セルとの間を移動されるよりも優先して、前記第１端子又は前記第２端子で取り出し可能である、２端子デバイス。
【請求項2】
前記第３の特性抵抗は、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の少なくとも一方よりも、少なくとも２倍、好ましくは少なくとも５倍、さらに好ましくは少なくとも１０倍大きい、請求項１に記載の２端子デバイス。
【請求項3】
前記接続部分は、少なくとも１つの抵抗要素を有する、請求項１または２に記載の２端子デバイス。
【請求項4】
少なくとも１つの前記抵抗要素は、前記基板の峰部（peak）、及び／又は前記基板の轍状部分（rutted portion）を有する、請求項３に記載の２端子デバイス。
【請求項5】
少なくとも１つの前記抵抗要素は、前記基板内のチャネルを有する、請求項３又は請求項４に記載の２端子デバイス。
【請求項6】
前記チャネルは、前記基板における凹部（depression）、くぼみ（indentation）、またはエッチング溝として形成されている、請求項５に記載の２端子デバイス。
【請求項7】
第１のセルが少なくとも１つの第１溝を有し、及び／又は第２のセルが少なくとも１つの第２溝を有し、少なくとも１つの前記第１溝及び／又は少なくとも１つの前記第２溝は、ペロブスカイト構造材料を含む第３の材料で少なくとも部分的に充填されている、請求項１から６のいずれか一項に記載の２端子デバイス。
【請求項8】
少なくとも１つの前記第１溝及び／又は少なくとも１つの前記第２溝は、第１の面において第１の材料でコーティングされ、及び／又は、第２の面において第２の材料でコーティングされている、請求項７に記載の２端子デバイス。
【請求項9】
第１のセルが少なくとも１つの第１溝を有し、及び／又は第２のセルが少なくとも１つの第２溝を有し、
少なくとも１つの前記第１溝及び／又は少なくとも１つの前記第２溝は、第１の面において第１の材料でコーティングされ、第２の面において第２の材料でコーティングされ、及び／又は少なくとも部分的に、好ましくはほとんどまたは完全に、第３の材料で充填されている、請求項１から６のいずれか一項に記載の２端子デバイス。
【請求項10】
前記第３の材料は、コンデンサ材料、スーパーキャパシタ材料、誘電体材料、またはペロブスカイト構造材料を含む、請求項９に記載の２端子デバイス。
【請求項11】
前記第３の材料は、前記第１の面にコーティングされた第１の材料及び／又は前記第２の面にコーティングされた第２の材料に接触している、請求項８から１０のいずれか一項に記載の２端子デバイス。
【請求項12】
前記第１の材料は、非絶縁性材料を含み、好ましくは、前記第１の材料は、導体材料、半導体材料、電子移動層、またはそれらの組み合わせを含む、請求項８から１１のいずれか一項に記載の２端子デバイス。
【請求項13】
前記第２の材料は、非絶縁性材料を含み、好ましくは、導体材料、半導体材料、正孔輸送層、またはこれらの組み合わせを含む、請求項８から１２のいずれか一項に記載の２端子デバイス。
【請求項14】
前記ペロブスカイト構造材料は、ＡＢＸ
３
の一般化学構造を有し、ここで、ＡおよびＢはサイズの異なる２つのカチオンであり、ＸはＡおよびＢの両方に化学的に結合するアニオンである、請求項７、８、１０のいずれか一項に記載の２端子デバイス。
【請求項15】
前記ペロブスカイト構造材料は、１．１ｅＶと２．５ｅＶとの間の光学バンドギャップを有する、請求項７、８、１０、１４のいずれか一項に記載の２端子デバイス。
【請求項16】
前記第１セルが少なくとも１つの第１溝を有し、及び／又は前記第２セルが少なくとも１つの第２溝を有し、前記チャネルは、少なくとも１つの前記第１溝の一部分及び／又は少なくとも１つの前記第２溝の一部分を横断している、請求項５または６に記載の２端子デバイス。
【請求項17】
前記第１セルが第１の一連の溝を有し、及び／又は前記第２セルが第２の一連の溝を有し、前記チャネルは前記第１の一連の溝の一部及び／又は前記第２の一連の溝の一部分を横断している、請求項５、６および１６のいずれか一項に記載の２端子デバイス。
【請求項18】
前記チャネルは、前記第１の一連の溝及び／又は前記第２の一連の溝を、各溝の端部の方で横断している、請求項１７に記載の２端子デバイス。
【請求項19】
少なくとも１つの前記抵抗要素は、前記基板内の複数のチャネルを有する、請求項３から６、１６および１７のいずれか一項に記載の２端子デバイス。
【請求項20】
前記第１セルが少なくとも１つの第１溝を有し、及び／又は前記第２セルが少なくとも１つの第２溝を有し、複数の前記チャネルの各チャネルが少なくとも１つの前記第１溝及び／又は少なくとも１つの前記第２溝を横断している、請求項１９に記載の２端子デバイス。
【請求項21】
前記第１セルが第１の一連の溝を有し、及び／又は前記第２セルが第２の一連の溝を有し、複数の前記チャネルの各チャネルが第１の一連の溝の一部分及び／又は第２の一連の溝の一部分を横断している、請求項１９に記載の２端子デバイス。
【請求項22】
複数の前記チャネルの各チャネルは、前記第１の一連の溝及び／又は前記第２の一連の溝を、各溝の端部の方で横断している、請求項２１に記載の２端子デバイス。
【請求項23】
複数の前記チャネルは、第１のチャネル特性抵抗を有する第１チャネルと、第２のチャネル特性抵抗を有する第２チャネルと、を備え、前記第１のチャネル特性抵抗及び前記第２のチャネル特性抵抗は、前記第３の特性抵抗の実質的に全部を提供する、請求項１９から２２のいずれか一項に記載の２端子デバイス。
【請求項24】
複数の前記チャネルは、第３のチャネル特性抵抗を有する第３チャネルをさらに備え、 前記第１のチャネル特性抵抗、前記第２のチャネル特性抵抗及び前記第３のチャネル特性抵抗は、実質的に前記第３の特性抵抗の全部である、請求項２３に記載の２端子デバイス。
【請求項25】
前記チャネル又は複数の前記チャネルの各チャネルは、所定の角度を有する実質的にＺ字形状である、請求項５、６、１６から２４のいずれか一項に記載の２端子デバイス。
【請求項26】
前記第１セルが少なくとも１つの第１溝を有し、前記第２セルが少なくとも１つの第２溝を有し、前記基板は、
複数の前記チャネルの各チャネルをそのチャネルの遠位端で横断し、少なくとも１つの前記第１溝を横断する第１横断チャネルと、
複数の前記チャネルの各チャネルをそのチャネルの近位端で横断し、少なくとも１つの前記第２溝を横断する第２横断チャネルと、をさらに備える、請求項１９から２５のいずれか一項に記載の２端子デバイス。
【請求項27】
前記第１セルが第１の一連の溝を備え、前記第２セルが第２の一連の溝を備え、前記基板は、
複数の前記チャネルの各チャネルをそのチャネルの遠位端で横断し、前記第１の一連の溝の一部を横断する第１横断チャネルと、
複数の前記チャネルの各チャネルをそのチャネルの近位端で横断し、前記第２の一連の溝の一部を横断する第２横断チャネルと、
をさらに備える、請求項１９から２５のいずれか一項に記載の２端子デバイス。
【請求項28】
前記第１横断チャネル及び／又は前記第２横断チャネルが、各溝の端部の方で、それぞれの溝又は複数の溝を横断する、請求項２６又は請求項２７に記載の２端子デバイス。
【請求項29】
複数の前記チャネルは、第１チャネル及び第２チャネルを含み、前記第１横断チャネルは、前記第１チャネル及び前記第２チャネルをそれらのチャネルの遠位端で横断し、
前記第２横断チャネルは、前記第１チャネル及び前記第２チャネルをそれらのチャネルの近位端で横断し、
任意で、複数の前記チャネルは、第３チャネルをさらに含み、前記第１横断チャネルは、前記第３チャネルの遠位端で前記第３チャネルをさらに横断し、前記第２横断チャネルは、前記第３チャネルの近位端で前記第３チャネルをさらに横断する、請求項２６から２８のいずれか一項に記載の２端子デバイス。
【請求項30】
複数の前記チャネルの各チャネル、前記第１横断チャネル及び前記第２横断チャネルは、所定の角度を有する実質的なＺ字形状を形成する、請求項２６から２９のいずれか一項に記載の２端子デバイス。
【請求項31】
前記チャネル又は複数の前記チャネルの１つ以上は、轍状の基部及び／又は轍状の壁を有する、請求項５、６、１６から３０のいずれか一項に記載の２端子デバイス。
【請求項32】
前記チャネル又は複数の前記チャネルの１つ以上は、少なくとも１：１．６のアスペクト比を有する、請求項５、６、１６から３１のいずれか一項に記載の２端子デバイス。
【請求項33】
２端子デバイスを形成する方法であって、前記方法は、基板を提供することと、
前記基板内に、第１の特性抵抗を有する第１セルを形成することと、
前記基板内に、前記基板のウェブ方向に沿って前記第１セルから間隔をあけて、第２の特性抵抗を有する第２セルを形成することと、
第１端子及び第２端子を形成することであって、各端子は、前記ウェブ方向において前記基板の対向する縁部の方に、又は前記対向する縁部に形成され、１つの端子又は各端子は前記第１セル及び前記第２セルと電気的に接続して形成される、第１端子及び第２端子を形成することと、
前記第１セルと前記第２セルとの間に、前記第１セルと前記第２セルの間の電気的接続を提供し、かつ、第３の特性抵抗を有する接続部分を形成することと、を含み、
前記第３の特性抵抗は、前記第１の特性抵抗及び前記第２の特性抵抗の両方よりも大きく、前記第１セル又は前記第２セルからの電荷は、前記接続部分を介して前記第１セルから前記第２セルへ移動されるよりも優先して、前記第１端子又は前記第２端子で取り出し可能である、方法。
【請求項34】
前記第１セルを形成することは、前記基板内に第１の一連の溝を形成することを含み、前記第２セルを形成することは、前記基板内に第２の一連の溝を形成することを含み、
前記接続部分を形成することは、前記接続部分内に少なくとも１つのチャネルを形成することを含み、
前記方法は、
前記第１の一連の溝の各溝、前記第２の一連の溝の各溝、及び、前記チャネル又は各チャネルの第１の面を、第１の材料でコーティングすることと、
前記第１の一連の溝の各溝、前記第２の一連の溝の各溝、及び、前記チャネル又は各チャネルの第２の面を、第２の材料でコーティングすることと、
前記第１の一連の溝の各溝、前記第２の一連の溝の各溝、及び、前記チャネル又は各チャネルを、第３の材料で少なくとも部分的に充填することと、をさらに含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項35】
前記接続部分は、前記接続部分内に少なくとも１つの抵抗要素を備え、
少なくとも１つの前記抵抗要素は、前記第１セル及び前記第２セルの間において、前記基板に凹部、くぼみ又はエッチング溝として形成された少なくとも１つのチャネルを含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項36】
前記第１セルを形成することは、前記基板内に第１の一連の溝を形成することを含み、
前記第２セルを形成することは、前記基板内に第２の一連の溝を形成することを含み、
前記方法は、
前記第１の一連の溝の各溝、前記第２の一連の溝の各溝、及び、前記チャネル又は各チャネルの第１の面を、第１の材料でコーティングすることと、
前記第１の一連の溝の各溝、前記第２の一連の溝の各溝、及び、前記チャネル又は各チャネルの第２の面を、第２の材料でコーティングすることと、
前記第１の一連の溝の各溝、前記第２の一連の溝の各溝、及び、前記チャネル又は各チャネルを、第３の材料で少なくとも部分的に充填することと、をさらに含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項37】
前記第１セルを形成することは、前記基板内に第１の一連の溝を形成することを含み、
前記第２セルを形成することは、前記基板内に第２の一連の溝を形成することを含み、
前記方法は、
前記第１の一連の溝の各溝及び前記第２の一連の溝の各溝を、ペロブスカイト構造材料で少なくとも部分的に充填し、それによって、前記第１の一連の溝の各溝を横切る電気的接続および前記第２の一連の溝の各溝を横切る電気的接続を形成する、請求項３３に記載の方法。
【請求項38】
前記接続部分を形成することは、前記接続部分内に少なくとも１つのチャネルを形成することを含み、
前記方法は、
前記第１の一連の溝の各溝、前記第２の一連の溝の各溝、及び、前記チャネル又は各チャネルの第１の面を、第１の材料でコーティングすることと、
前記第１の一連の溝の各溝、前記第２の一連の溝の各溝、及び、前記チャネル又は各チャネルの第２の面を、第２の材料でコーティングすることと、
前記チャネル又は各チャネルを、第３の材料で少なくとも部分的に充填することと、をさらに含む、請求項３７に記載の方法。
【国際調査報告】