(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-03-06
(54)【発明の名称】高調波的に広げられた線形範囲を有する磁気抵抗センサ
(51)【国際特許分類】
G01R 33/09 20060101AFI20230227BHJP
G01D 5/16 20060101ALI20230227BHJP
【ＦＩ】
G01R33/09
G01D5/16 G
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2022542111
(86)(22)【出願日】2021-01-06
(85)【翻訳文提出日】2022-08-17
(86)【国際出願番号】 CN2021070518
(87)【国際公開番号】W WO2021139695
(87)【国際公開日】2021-07-15
(31)【優先権主張番号】202010028130.1
(32)【優先日】2020-01-10
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】514116947
【氏名又は名称】江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＭＵＬＴＩＤＩＭＥＮＳＩＯＮ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＣＯ．， ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｂｕｉｌｄｉｎｇ Ｄ ＆ Ｅ， Ｎｏ．２ Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ Ｒｏａｄ，Ｚｈａｎｇｊｉａｇａｎｇ Ｆｒｅｅ Ｔｒａｄｅ Ｚｏｎｅ，Ｚｈａｎｇｊｉａｇａｎｇ，Ｊｉａｎｇｓｕ，２１５６３４ Ｃｈｉｎａ
(74)【代理人】
【識別番号】110000729
【氏名又は名称】弁理士法人ユニアス国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】ディーク、ジェイムズ ゲーザ
(72)【発明者】
【氏名】チョウ、チーミン
【テーマコード（参考）】
2F077
2G017
【Ｆターム（参考）】
2F077AA12
2F077PP14
2F077TT11
2G017AA02
2G017AA10
2G017AD55
2G017AD65
2G017BA09
(57)【要約】
高調波的に広げられた線形範囲を有する磁気抵抗センサは、基板（１００）、およびマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームを備える。感知ブリッジのプッシュ・アーム（９１）は、Ｎ個のタイプのプッシュ磁気抵抗感知ユニット（９４）を備える。プル・アーム（９２）は、Ｎ個のタイプのプル磁気抵抗感知ユニットを備える。各磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，±αｐｉおよびａｉを含む。プッシュ磁気抵抗感知ユニット（９４）および対応するプル磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの標準的な磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータとは異なる。少なくとも１つのセットの重要な特性パラメータ［（Ｒ０ｊ，ＭＲｊ，Ｈｓｊ，±αｐｊ），ａｊ］がある。プッシュ磁気抵抗感知ユニットおよびプル磁気抵抗感知ユニットを特徴付けるＲ－Ｈ特性パラメータの線形部分および非線形高調波的部分は、重ね合わされ、それによりマルチプル・プッシュ・プッシュ磁気抵抗感知ブリッジの線形範囲は、標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの線形範囲よりも大きい。
【選択図】図８
【選択図】図８
【特許請求の範囲】
【請求項1】
高調波的に広げられた線形範囲を有する磁気抵抗センサであって、基板と、
該基板上に配置され、プッシュ・アームおよびプル・アームを備えたマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームであって、該プッシュ・アームはＮ個のタイプのプッシュ磁気抵抗感知ユニットを備え、該プル・アームはＮ個のタイプのプル磁気抵抗感知ユニットを備え、Ｎは１よりも大きい整数である、マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームと、を備えており、
各磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、ゼロ磁場抵抗Ｒ０ｉ、磁気抵抗変化率ＭＲｉ、自由層飽和磁場Ｈｓｉ、ピン止め層磁気モーメントの方向角±αｐｉ、および直列並列係数ａｉを備え、該プッシュ磁気抵抗感知ユニットは、該ピン止め層磁気モーメントの該方向角＋αｐｉを有し、該プル磁気抵抗感知ユニットは、該ピン止め層磁気モーメントの該方向角－αｐｉを有し、ｉは１からＮまでの整数であり、該プッシュ磁気抵抗感知ユニットおよび対応するプル磁気抵抗感知ユニットの該重要な特性パラメータは、標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの標準的な磁気抵抗感知ユニットの該重要な特性パラメータとは異なり、
少なくとも１つのセットの重要な特性パラメータ［（Ｒ０ｊ，ＭＲｊ，Ｈｓｊ，±αｐｊ），ａｊ］があり、ｊは１以上およびＮ以下の整数であり、該プッシュ磁気抵抗感知ユニットおよび該対応するプル磁気抵抗感知ユニットを特徴付けるＲ－Ｈ特性パラメータの線形部分および非線形高調波的部分は、重ね合わされ、それによってマルチプル・プッシュ・プッシュ磁気抵抗感知ブリッジの線形範囲は、該標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの線形範囲よりも大きく、該標準的な磁気抵抗感知ユニットの該重要な特性パラメータは、［（Ｒ０ｓ，ＭＲｓ，Ｈｓｓ，±αｐｓ），ａｓ］、±αｐｓ＝９０°、ａｓ＝１である、磁気抵抗センサ。
【請求項2】
前記プッシュ・アームを構成する前記Ｎ個のタイプのプッシュ磁気抵抗感知ユニットは、並列に接続され、前記プル・アームを構成する前記Ｎ個のタイプのプル磁気抵抗感知ユニットは、並列に接続され、前記プッシュ・アームの抵抗Ｒｐｕｓｈ、前記プル・アームの抵抗Ｒｐｕｌｌ、および前記マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームの抵抗Ｒｉは、
【数1】
Ｒｉ（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，＋αｐｉ）は、前記プッシュ磁気抵抗感知ユニットの４つの重要な特性パラメータに対応する抵抗値を特徴付け、Ｒｉ（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，－αｐｉ）は、前記プル磁気抵抗感知ユニットの４つの重要な特性パラメータに対応する抵抗値を特徴付ける、請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項3】
前記プッシュ・アームを構成する前記Ｎ個のタイプのプッシュ磁気抵抗感知ユニットは、直列に接続され、前記プル・アームを構成する前記Ｎ個のタイプのプル磁気抵抗感知ユニットは、直列に接続され、前記プッシュ・アームの抵抗Ｒｐｕｓｈ、前記プル・アームの抵抗Ｒｐｕｌｌ、および前記マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームの抵抗Ｒｉは、
【数2】
Ｒｉ（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，＋αｐｉ）は、前記プッシュ磁気抵抗感知ユニットの４つの重要な特性パラメータに対応する抵抗値を特徴付け、Ｒｉ（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，－αｐｉ）は、前記プル磁気抵抗感知ユニットの４つの重要な特性パラメータに対応する抵抗値を特徴付ける、請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項4】
前記プッシュ・アームを構成する前記Ｎ個のタイプのプッシュ磁気抵抗感知ユニットは、ハイブリッドの直列並列方式で接続され、前記プル・アームを構成する前記Ｎ個のタイプのプル磁気抵抗感知ユニットは、ハイブリッドの直列並列方式で接続され、前記プッシュ・アームの抵抗Ｒｐｕｓｈ、前記プル・アームの抵抗Ｒｐｕｌｌ、および前記マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームの抵抗Ｒｉは、
【数3】
Ｒｉ（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，＋αｐｉ）は、前記プッシュ磁気抵抗感知ユニットの４つの重要な特性パラメータに対応する抵抗値を特徴付け、Ｒｉ（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，－αｐｉ）は、前記プル磁気抵抗感知ユニットの４つの重要な特性パラメータに対応する抵抗値を特徴付け、ｍは１以上およびＮ以下の整数である、請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項5】
前記基板上に配置された磁気抵抗シャント抵抗器Ｒｓｈをさらに備え、該磁気抵抗シャント抵抗器Ｒｓｈは、前記マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームに接続され、前記磁気抵抗シャント抵抗器Ｒｓｈの前記重要な特性パラメータは、［（Ｒ０ｓｈ，ＭＲｓｈ，Ｈｓｓｈ，±αｐｓｈ），ａｓｈ］であり、少なくとも１つのセットの重要な特性パラメータ｛［（Ｒ０ｓｈ，ＭＲｓｈ，Ｈｓｓｈ，±αｐｓｈ），ａｓｈ］および［（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，±αｐｉ），ａｉ］｝があり、それにより、前記磁気抵抗シャント抵抗器Ｒｓｈの前記Ｒ－Ｈ特性パラメータは、前記マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームにおける前記プッシュ磁気抵抗感知ユニットおよび前記プル磁気抵抗感知ユニットの前記Ｒ－Ｈ特性パラメータと重ね合わされる、請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項6】
前記マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームの前記磁気抵抗感知ユニットの前記ピン止め層磁気モーメントの前記方向角は、０°～３６０°の値域を有する、請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項7】
前記マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームの前記磁気抵抗感知ユニットの前記ゼロ磁場抵抗は、１ＫΩ～１０００ＭΩの値域を有する、請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項8】
前記マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームの前記磁気抵抗感知ユニットの前記自由層飽和磁場は、１～１００Ｏｅの値域を有する、請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
【請求項9】
前記マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームの線形範囲と前記標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの前記線形範囲の比は、１よりも大きいおよび２以下である、請求項１に記載の磁気抵抗センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の実施形態は、磁気センサ技術に関し、詳細には、高調波的に広げられた線形範囲を有する磁気抵抗センサに関する。
【背景技術】
【0002】
磁気抵抗感知ユニットは、自由層、ピン止め層、および中間絶縁層を含む。実際の使用において、プッシュ・プル線形トンネル磁気抵抗センサは、プッシュ磁気抵抗感知ユニットおよびプル磁気抵抗感知ユニットを含み、感知ユニットの自由層磁気モーメントとピン止め層磁気モーメントとの間の角度差ａｎｇｌｅＰＬ－ａｎｇｌｅＦＬは、それぞれ９０°と－９０°の間であり、ａｎｇｌｅＰＬは、ピン止め層磁気モーメントの方向角αｐであり、ａｎｇｌｅＦＬは、自由層磁気モーメントの方向角αｆである。
【0003】
プッシュ・プル線形トンネル磁気抵抗センサの抵抗Ｒと外部磁場Ｈとの間の関係は、線形範囲［－ＨＬ，ＨＬ］内で対称的である磁気抵抗感知ユニットのゼロ磁場抵抗Ｒ０、磁気抵抗変化率ＭＲ、および自由層飽和磁場Ｈｓによって説明することができる。
【0004】
既存のプッシュ・プル線形トンネル磁気抵抗センサの線形範囲は狭い。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の実施形態は、プッシュ・プル線形トンネル磁気抵抗センサの線形範囲を改善するために高調波的に広げられた線形範囲を有する磁気抵抗センサを提供する。
【0006】
本開示の実施形態は、高調波的に広げられた線形範囲を有する磁気抵抗センサであって、
基板と、
基板上に配置され、プッシュ・アームおよびプル・アームを含むマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームであって、プッシュ・アームはＮ個のタイプのプッシュ磁気抵抗感知ユニットを含み、プル・アームはＮ個のタイプのプル磁気抵抗感知ユニットを含み、Ｎは１よりも大きい整数である、マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームと、を備えており、
各磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、ゼロ磁場抵抗Ｒ０ｉ、磁気抵抗変化率ＭＲｉ、自由層飽和磁場Ｈｓｉ、ピン止め層磁気モーメントの方向角±αｐｉ、および直列並列係数ａｉを含み、プッシュ磁気抵抗感知ユニットは、ピン止め層磁気モーメントの方向角＋αｐｉを有し、プル磁気抵抗感知ユニットは、ピン止め層磁気モーメントの方向角－αｐｉを有し、ｉは１からＮまでの整数であり、プッシュ磁気抵抗感知ユニットおよび対応するプル磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの標準的な磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータとは異なり、
少なくとも１つのセットの重要な特性パラメータ［（Ｒ０ｊ，ＭＲｊ，Ｈｓｊ，±αｐｊ），ａｊ］があり、ｊは１以上およびＮ以下の整数である、磁気抵抗センサを提供する。プッシュ磁気抵抗感知ユニットおよび対応するプル磁気抵抗感知ユニットを特徴付けるＲ－Ｈ特性パラメータの線形部分および非線形高調波的部分は、重ね合わされ、それによってマルチプル・プッシュ・プッシュ磁気抵抗感知ブリッジの線形範囲は、標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの線形範囲よりも大きく、標準的な磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、［（Ｒ０ｓ，ＭＲｓ，Ｈｓｓ，±αｐｓ），ａｓ］、±αｐｓ＝９０°、ａｓ＝１である。
基板と、
基板上に配置され、プッシュ・アームおよびプル・アームを含むマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームであって、プッシュ・アームはＮ個のタイプのプッシュ磁気抵抗感知ユニットを含み、プル・アームはＮ個のタイプのプル磁気抵抗感知ユニットを含み、Ｎは１よりも大きい整数である、マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームと、を備えており、
各磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、ゼロ磁場抵抗Ｒ０ｉ、磁気抵抗変化率ＭＲｉ、自由層飽和磁場Ｈｓｉ、ピン止め層磁気モーメントの方向角±αｐｉ、および直列並列係数ａｉを含み、プッシュ磁気抵抗感知ユニットは、ピン止め層磁気モーメントの方向角＋αｐｉを有し、プル磁気抵抗感知ユニットは、ピン止め層磁気モーメントの方向角－αｐｉを有し、ｉは１からＮまでの整数であり、プッシュ磁気抵抗感知ユニットおよび対応するプル磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの標準的な磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータとは異なり、
少なくとも１つのセットの重要な特性パラメータ［（Ｒ０ｊ，ＭＲｊ，Ｈｓｊ，±αｐｊ），ａｊ］があり、ｊは１以上およびＮ以下の整数である、磁気抵抗センサを提供する。プッシュ磁気抵抗感知ユニットおよび対応するプル磁気抵抗感知ユニットを特徴付けるＲ－Ｈ特性パラメータの線形部分および非線形高調波的部分は、重ね合わされ、それによってマルチプル・プッシュ・プッシュ磁気抵抗感知ブリッジの線形範囲は、標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの線形範囲よりも大きく、標準的な磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、［（Ｒ０ｓ，ＭＲｓ，Ｈｓｓ，±αｐｓ），ａｓ］、±αｐｓ＝９０°、ａｓ＝１である。
【0007】
本開示の実施形態では、異なる重要な特性パラメータを有する２つ以上の磁気抵抗感知ユニットは、プッシュ・プル磁気抵抗センサ内に配置され、磁気抵抗感知ユニットは、直列、並列、またはハイブリッドの直列並列方式で接続され、それによって新しいマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサを構成する。マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサは、少なくとも１つのセットの重要な特性パラメータ［（Ｒ０ｊ，ＭＲｊ，Ｈｓｊ，±αｐｊ），ａｊ］を有する。プッシュ磁気抵抗感知ユニットおよび対応するプル磁気抵抗感知ユニットを特徴付けるＲ－Ｈ特性パラメータの線形部分および非線形高調波的部分は、重ね合わされ、それによってマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームの線形範囲は、標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの線形範囲よりも大きく、したがって線形範囲が改善される。
【0008】
本開示の実施形態および先行技術の技術的解決策をより明確に説明するために、実施形態および先行技術を説明するのに必要な図面は、簡潔に導入される。明らかに添付の図面は、本開示の可能な実施形態の全てではなく、当業者にとっては、他の図面は、これらの図面に基づいて創作的な労力なしに得ることも得できる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】外部磁場に沿った単一磁区磁気モーメントの磁化曲線図である。
【図2】外部磁場に対しての磁気抵抗感知ユニットの磁気モーメントの配向図である。
【図3】プッシュ・プル磁気抵抗センサの電気接続図である。
【図4a】プッシュ磁気抵抗感知ユニットの磁気モーメントの配向図である。
【図4b】プル磁気抵抗感知ユニットの磁気モーメントの配向図である。
【図5】標準的なプッシュ・プルＴＭＲリニア磁気抵抗センサの特性曲線図である。
【図6】ピン止め層の方向角と共に変化する磁気抵抗感知ユニットの関係図である。
【図7】マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサの断面図である。
【図8】マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサの電気接続図である。
【図9】外部磁場と共に変化する標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサおよびマルチプル・プッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの感度の関係曲線図である。
【図10】外部磁場と共に変化する標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサとマルチプル・プッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサとの間の感度差の関係曲線図である。
【図11】外部磁場と共に変化する標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサとマルチプル・プッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサとの間の感度差の関係曲線図である。
【図12】外部磁場と共に変化する標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサおよびマルチプル・プッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの感度の関係曲線図である。
【図13】シャント抵抗器を有するマルチプル・プッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの電気接続図である。
【図14】シャント抵抗器を有するマルチプル・プッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの電気接続図である。
【図15】外部磁場と共に変化するシャント抵抗器を有するマルチプル・プッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの磁気抵抗感知ユニットの抵抗の関係曲線図である。
【図16】外部磁場と共に変化する標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサおよびシャント抵抗器を有するマルチプル・プッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの感度の関係曲線図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
本開示のｙｈｒ目的、技術的解決策、および利点をより明確にするために、本開示の技術的解決策は、実施形態によって、および本開示の実施形態における図面を参照して、以下に詳細に説明される。明らかなことに、説明された実施形態は、本開示の可能な実施形態のほんの一部であり、全てではない。本開示の実施形態に基づいて、発明的作業を何ら伴うことなく、当業者によって得られる全ての他の実施形態は、本開示の範囲内である。
【0011】
本開示の一実施形態は、高調波的に広げられた線形範囲を有する磁気抵抗センサを提供する。適宜、磁気抵抗センサは、トンネル磁気抵抗技術に基づくプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサである。本実施形態により与えられる磁気抵抗センサは、基板と、この基板上に配置されたマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームとを含む。マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームは、プッシュ・アームおよびプル・アームを含む。プッシュ・アームは、Ｎ個のタイプのプッシュ磁気抵抗感知ユニットを含み、プル・アームは、Ｎ個のタイプのプル磁気抵抗感知ユニットを含み、Ｎは１よりも大きい整数である。各磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、ゼロ磁場抵抗Ｒ０ｉ、磁気抵抗変化率ＭＲｉ、自由層飽和磁場Ｈｓｉ、ピン止め層磁気モーメントの方向角±αｐｉ、おおよび直列並列係数ａｉを含み、プッシュ磁気抵抗感知ユニットは、ピン止め層磁気モーメントの方向角＋αｐｉを有し、プル磁気抵抗感知ユニットは、ピン止め層磁気モーメントの方向角－αｐｉを有し、ｉは１からＮまでの整数である。プッシュ磁気抵抗感知ユニットおよび対応するプル磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの標準的な磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータとは異なる。少なくとも１つのセットの重要な特性パラメータ［（Ｒ０ｊ，ＭＲｊ，Ｈｓｊ，±αｐｊ），ａｊ］があり、ｊは１以上およびＮ以下の整数である。プッシュ磁気抵抗感知ユニットおよび対応するプル磁気抵抗感知ユニットを特徴付けるＲ－Ｈ特性パラメータの線形部分および非線形高調波的部分は、重ね合わされ、それによってマルチプル・プッシュ・プッシュ磁気抵抗感知ブリッジの線形範囲は、標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの線形範囲よりも大きく、標準的な磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、［（Ｒ０ｓ，ＭＲｓ，Ｈｓｓ，±αｐｓ），ａｓ］、±αｐｓ＝９０°、およびａｓ＝１である。高調波的に広げられた線形範囲を有する磁気抵抗センサは、トンネル磁気抵抗技術を利用するプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサである。
【0012】
本実施形態では、プッシュ・アームは、Ｎ個のタイプのプッシュ磁気抵抗感知ユニットを含み、ｉ番目のプッシュ磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、［（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，＋αｐｉ），ａｉ］である。プル・アームは、Ｎ個のタイプのプル磁気抵抗感知ユニットを含み、ｉ番目のプル磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、［（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，－αｐｉ），ａｉ］である。プッシュ・アームおよびプル・アームのＮ個のタイプの磁気抵抗感知ユニットの接続のやり方は、正確に同じである。
【0013】
標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサは、標準的なプッシュ磁気抵抗感知ユニットおよび標準的なプル磁気抵抗感知ユニットを含む。標準的なプッシュ磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、［（Ｒ０ｓ，ＭＲｓ，Ｈｓｓ，＋αｐｓ），ａｓ］であり、標準的なプル磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、［（Ｒ０ｓ，ＭＲｓ，Ｈｓｓ，－αｐｓ），ａｓ］であり、αｐｓ＝９０°、ａｓ＝１であり、および磁場の線形範囲は［－ＨＬｓ，ＨＬｓ］である。
【0014】
本実施形態では、高調波的に広げられた線形範囲を有する磁気抵抗センサの磁気抵抗感知ユニットには、少なくとも１つのプッシュ磁気抵抗感知ユニット、および対応するプル磁気抵抗感知ユニットがあり、磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータ［（Ｒ０ｊ，ＭＲｊ，Ｈｓｊ，±αｐｊ），ａｊ］は、標準的なプッシュ／プル磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータ［（Ｒ０ｓ，ＭＲｓ，Ｈｓｓ，±αｐｓ），ａｓ］とは異なり、ここで説明される差異は、プッシュ磁気抵抗感知ユニットの５つの重要な特性パラメータのうちの少なくとも１つに差異があることを指す。例えば、高調波的に広げられた線形範囲を有する磁気抵抗センサに少なくとも１つのプッシュ磁気抵抗感知ユニットがあり、プッシュ磁気抵抗感知ユニットのピン止め層磁気モーメントの方向角は、９０°に等しくなく、一方、標準的なプッシュ磁気抵抗感知ユニットのピン止め層磁気モーメントの方向角は、９０°で一定である。
【0015】
マルチプル・プッシュ・プルＴＭＲブリッジ・アーム・リニア・センサについては、プッシュ磁気抵抗感知ユニットおよび対応するプル磁気抵抗感知ユニットを特徴付けるＲ－Ｈ特性パラメータの線形部分および非線形高調波的部分は、重ね合わされ、それによってマルチプル・プッシュ・プルＴＭＲブリッジ・アーム・リニア・センサ・ブリッジの線形範囲は、標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの線形範囲よりも大きい。したがって、本開示によって与えられるマルチプル・プッシュ・プルＴＭＲブリッジ・アーム・リニア・センサの線形範囲は、［－ＨＬ，ＨＬ］であり、［－ＨＬ，ＨＬ］は、標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの線形範囲［－ＨＬｓ］，ＨＬｓ］を包含する。本開示によって与えられるマルチプル・プッシュ・プルＴＭＲブリッジ・アーム・リニア・センサは、利得係数Ｑ＝ＨＬ／ＨＬｓを有し、Ｑは、１よりも大きい数字である。
【0016】
適宜、マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームの磁気抵抗感知ユニットのピン止め層磁気モーメントの方向角は、０°～３６０°の値域を有し、磁気抵抗感知ユニットのピン止め層磁気モーメントの方向角は、レーザ・アニーリングによって達成され、その値域は０°～３６０°である。
【0017】
適宜、マルチプル・プッシュ・プッシュ磁気抵抗ブリッジ・アーム・センサの磁気抵抗感知ユニットのゼロ磁場抵抗は、１ＫΩ～１０００ＭΩの値域を有し、ゼロ磁場抵抗のパラメータは、磁気抵抗感知ユニットの面積を設定することによって達成され、その値域は、１Ｋオーム～１０００Ｍオームである。
【0018】
適宜、マルチプル・プッシュ・プッシュ磁気抵抗ブリッジ・アーム・センサの磁気抵抗感知ユニットの自由層飽和磁場は、１～１００Ｏｅの値域を有し、自由層飽和磁場のパラメータは、恒常的なバイアス磁場または磁気抵抗感知ユニットの長さと幅の比を設定することによってまたは交換結合層の交換バイアス磁場を設定することによって設定され、その値域は、１～１００Ｏｅである。
【0019】
適宜、標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの線形範囲に対してのマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗ブリッジ・アーム・センサの線形範囲の比は、１よりも大きくおよび２以下であり、すなわち、マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗ブリッジ・アーム・リニアＴＭＲセンサは、利得係数Ｑ＝ＨＬ／ＨＬｓを有し、Ｑは、１よりも大きくおよび２以下であり、マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗ブリッジ・アーム・センサの線形範囲ＨＬと標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの線形範囲の比Ｑは、１よりも大きいおよび２以下である。
【0020】
マルチプル・プッシュ・プル・アームＴＭＲリニア磁気抵抗センサの感度はＳ＝Ｖ／Ｖｃｃであり、Ｖｃｃは電源電圧信号であり、Ｖは出力電圧信号であり、Ｓ対Ｈは、線形磁場区間［－ＨＬ，ＨＬ］内でＳと外部磁場Ｈとの間の線形関係を特徴付け、磁場区間Ｈ＞ＨＬまたはＨ＜－ＨＬにおいて、Ｓと外部磁場Ｈとの間の関係は非線形であり、具体的には、外部磁場Ｈを含む二次高調波またはより高次高調波の非線形関係であることを特徴付ける。明らかなことには、マルチプル・プッシュ・プル・アームＴＭＲリニア磁気抵抗センサの線形範囲は、非線形区間内の二次高調波の項またはより高次高調波の項が補償され得る場合に、拡張される。
【0021】
マルチプル・プッシュ・プル・ブリッジ・アームＴＭＲリニア磁気抵抗センサにおいて、磁気抵抗感知ユニットの磁気抵抗Ｒ対Ｈ特性パラメータは、ａｎｇｌｅＰＬ－ａｎｇｌｅＦＬ＝９０°および－９０°で良好な線形性を有し、高調波の項またはより高次の高調波の項などのその非線形の項は、０°または１８０°などの他の角度での異なる角度値に従って異なるＲ対Ｈ非線形特性を示す。本開示では、異なる線形の項または非線形の項を有する磁気抵抗感知ユニット間の並列または直列接続によって、非線形の項間の補償が、実現され得、それによってＮ個のタイプのプッシュ磁気抵抗感知ユニットおよびプル磁気抵抗感知ユニットを特徴付ける磁気抵抗Ｒ－外部磁場Ｈの特性パラメータの線形部分および非線形高調波的部分は、重ね合わされ、マルチプル・プッシュ・プッシュＴＭＲリニア磁気抵抗センサの線形範囲ＨＬは、標準的なプッシュ・プルＴＭＲリニア磁気抵抗センサの線形範囲ＨＬｓに対して改善され、したがって、より高い線形範囲を有するプッシュ・プルＴＭＲリニア磁気抵抗センサが得られる。
【0022】
特定のプロセスは、以下の通りである。
【0023】
図１を参照すると、磁気抵抗感知ユニットの自由層磁気モーメントと外部磁場の間の座標関係の図が示されており、垂直座標Ｍ／Ｍｓは自由層磁気モーメントであり、水平座標Ｈ／Ｈｓは磁気抵抗感知ユニットに適用される外部磁場である。単一磁区磁気抵抗感知ユニットにおいて、磁気モーメントＭと外部磁場Ｈの間の関係式Ｍ（Ｈ）は、以下のように表される。
Ｍ＝Ｍｓ・ｔａｎｈ（Ｈ／Ｈｓ） （１）
Ｍ＝Ｍｓ・ｔａｎｈ（Ｈ／Ｈｓ） （１）
【0024】
図１と数式（１）を組み合わせると、外部磁場Ｈ／Ｈｓが０に近い範囲内、例えば、区間［－１，＋１］で、自由層磁気モーメントＭ／Ｍｓおよび外部磁場Ｈ／Ｈｓは、線形関係とみなすことができ、外部磁場Ｈ／Ｈｓが１に近い範囲内、例えば、区間［＋１，＋３］または［－３，－１］で、自由層磁気モーメントＭ／Ｍｓおよび外部磁場Ｈ／Ｈｓは、非線形遷移部であり、外部磁場Ｈ／Ｈｓのより大きい範囲内、例えば、区間［－５，－３］または［＋３，＋５］で、自由層磁気モーメントＭ／Ｍｓは、約１であり得ることが理解できる。
【0025】
図２を参照すると、磁気抵抗感知ユニットの磁気モーメントＭと外部磁場Ｈの間の配向関係図が示されており、Ｘ方向は、ゼロ磁場における自由層の磁化方向を特徴付け、Ｙ方向は、外部磁場Ｈの方向を表す。磁気抵抗感知ユニットの抵抗Ｒは、以下のように表される。
ただし、αｆは、外部磁場Ｈの作用の下でのＸ軸に対しての磁気抵抗感知ユニットの自由層磁気モーメントの方向角であり、αｐは、Ｘ軸に対しての磁気抵抗感知ユニットのピン止め層磁気モーメントの方向角であり、αｆ－αｐは、自由層磁気モーメントとピン止め層磁気モーメントとの間に含まれた角度であり、Ｒ０は、最小磁場（ゼロ磁場）における磁気抵抗感知ユニットの抵抗値、すなわち、αｆ－αｐ＝１８０°のときの抵抗値であり、ＭＲは、磁気抵抗感知ユニットのインピーダンス変化率、すなわち、磁気抵抗変化率であり、ピン止め層磁気モーメントの方向角αｐは、一定であり、自由層磁気モーメントの方向角αｆは、外部磁場Ｈと共に変化する。
【数1】
【0026】
図３を参照すると、プッシュ・プル磁気抵抗センサの構造図が示されている。プッシュ・プル・フル・ブリッジ構造を有する磁気抵抗センサについては、プッシュ・アームの抵抗はＲｐｕｓｈであり、プル・アームの抵抗はＲｐｕｌｌであり、そのとき、信号感度Ｓ＝Ｖ／Ｖｃｃは、出力端における信号電圧Ｖに対応し、電源の両端における電圧Ｖｃｃは、
Ｓ＝（Ｒｐｕｓｈ－Ｒｐｕｌｌ）/（Ｒｐｕｓｈ＋Ｒｐｕｌｌ）） （３）
に変換することができる。
Ｓ＝（Ｒｐｕｓｈ－Ｒｐｕｌｌ）/（Ｒｐｕｓｈ＋Ｒｐｕｌｌ）） （３）
に変換することができる。
【0027】
外部磁場Ｈの作用の下で、自由層は、磁場Ｈがｘであるように正規化され、磁気モーメントＭがＭｘであるように正規化することができる。外部磁場Ｈの作用の下でＸ軸に対しての磁気抵抗感知ユニットの自由層磁気モーメントの方向角がαｆであることが知られており、したがって、正規化された磁場Ｈおよび正規化された磁気モーメントＭは、以下のように表される。
ｘ＝Ｈ／Ｈｓ （４）
Ｍｘ＝Ｍ／Ｍｓ （５）
ｘ＝Ｈ／Ｈｓ （４）
Ｍｘ＝Ｍ／Ｍｓ （５）
【0028】
数式（１）、（４）、および（５）を組み合わせると、Ｍｘ＝ｔａｎｈ（ｘ）（１－１）を得ることができる。
【0029】
置換および計算によって、自由層磁気モーメントの方向角αｆは、以下のように得ることができる。
【数2】
【0030】
図４ａを参照すると、図４ａは、プッシュ磁気抵抗感知ユニットに対応する磁気モーメントの向きおよび磁場の向きの概略図を示しており、図４ｂを参照すると、図４ｂは、プル磁気抵抗感知ユニットに対応する磁気モーメントの向き、磁場の向きの概略図を示し、プッシュ磁気抵抗感知ユニットのピン止め層の方向角はαｐｉであり、プル磁気抵抗感知ユニットのピン止め層の方向角は－αｐｉである。磁気抵抗感知ユニットのピン止め層の方向角は一定であり、具体的には、プッシュ磁気抵抗感知ユニットのピン止め層の方向角は、プル磁気抵抗感知ユニットのピン止め層のものとは異なるが、２つの方向角の絶対値は、同じである。
【0031】
通常の標準的なプッシュ・プルＴＭＲリニア磁気抵抗センサでは、標準的なプッシュ磁気抵抗感知ユニットのピン止め層の方向角は９０°であり、標準的なプル磁気抵抗感知ユニットのピン止め層の方向角は－９０°である。標準的なプッシュ磁気抵抗感知ユニットおよび標準的なプル磁気抵抗感知ユニットの自由層飽和磁場Ｈｓｓは異なる値を取り得るが、標準的なプッシュ磁気抵抗感知ユニットの抵抗Ｒ対Ｈ／Ｈｓの特徴曲線、および標準的なプル磁気抵抗感知ユニットの抵抗Ｒ対Ｈ／Ｈｓの特徴曲線は、図５に示された同じ曲線である。プッシュ・プルＴＭＲリニア磁気抵抗センサにおいて、磁気抵抗感知ユニットの自由層飽和磁場Ｈｓは、Ｒ対Ｈ／Ｈｓ特徴曲線に影響を与えず、磁気抵抗感知ユニットのピン止め層の方向角は、Ｒ対Ｈ／Ｈｓ特徴曲線に影響を与え得ることが理解できる。
【0032】
図６を参照すると、異なるピン止め層方向角に対応するＲ対Ｈ／Ｈｓ特徴曲線が示されている。磁気抵抗感知ユニットのピン止め層の方向角が９０°であるとき、磁気抵抗感知ユニットは、最高の線形性および最大の線形区間を有することが理解できる。したがって、トンネル磁気抵抗技術に基づくシングル・プッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサについては、ゼロ磁場抵抗Ｒ０、磁気抵抗変化率ＭＲ、および自由層飽和磁場Ｈｓが決定されるとき、磁気抵抗センサの線形範囲［－ＨＬ，ＨＬ］は一定である。例えば、［－ＨＬ，ＨＬ］は［－３，３］である。
【0033】
磁気抵抗感知ユニットのピン止め層の方向角が０°、１０°、２０°、・・・、１８０°など、９０°ではないときに、磁気抵抗感知ユニットのＲ対Ｈ／Ｈｓ特徴曲線は、区間［－ＨＬ，ＨＬ］内に非線形段階を有し、ピン止め層の方向角が９０°から逸脱するにつれて、区間［－ＨＬ，ＨＬ］内でＲ対Ｈ／Ｈｓ特徴曲線の非線形段階と線形段階の比は徐々に増大することも図６から理解することができる。
【0034】
要するに、異なる重要な特性パラメータを有する２つ以上の磁気抵抗感知ユニットが、プッシュ・プルＴＭＲリニア磁気抵抗センサに配置され、磁気抵抗感知ユニットは、新しいプッシュ・プルＴＭＲリニア磁気抵抗センサを構成するように直列、並列、またはハイブリッドの直列並列方式で接続され、新しいプッシュ・プルＴＭＲリニア磁気抵抗センサは、各磁気抵抗感知ユニットのＲ対Ｈ特性パラメータの非線形部分を補償することができ、最終的に、標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの線形範囲ＨＬｓに対して、感度Ｓ対Ｈによって定められる線形範囲ＨＬを大いに改善するものであり、ただし、異なる重要な特性パラメータは、異なるピン止め層方向角、異なる自由層飽和磁場Ｈｓ、および異なるゼロ磁場抵抗Ｒ０のうちの少なくとも１つを含む。
【0035】
図７を参照すると、本開示の本実施形態により与えられる高調波幅拡張式ＴＭＲセンサの断面図が示されている。マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサは、基板１００と、この基板１００に配置されたプッシュ・プル磁気抵抗センサ９０を含む。
【0036】
図８を参照すると、図７のマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサの電気接続図が示されている。マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサは、プッシュ・アーム９１およびプル・アーム９２を含む。プッシュ・アーム９１は、Ｎ個のタイプのプッシュ磁気抵抗感知ユニット９４を含み、ｉ番目のプッシュ磁気抵抗感知ユニット９４の重要な特性パラメータは、［（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，＋αｐｉ），ａｉ］である。プル・アーム９２は、Ｎ個のタイプのプル磁気抵抗感知ユニットを含み、ｉ番目のプル磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、［（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，－αｐｉ），ａｉ］である。磁気抵抗感知ユニットの直列並列接続関係９３は、直列並列係数ａｉによって特徴付けられる。磁気抵抗感知ユニットのピン止め層磁気モーメントの向きは、９５によって示されている。プッシュ・アーム９１およびプル・アーム９２のＮ個のタイプの磁気抵抗感知ユニットの接続のやり方は、正確に同じである。Ｎ個のタイプの磁気抵抗感知ユニットは、プッシュ・アームおよびプル・アームを形成するように直列、並列、またはハイブリッドの直列並列方式で接続することができる。
【0037】
いずれの標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサについても、プッシュ磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、［（Ｒｓ，ＭＲｓ，Ｈｓｓ，＋αｐｓ＝９０°），ａｓ］であり、プル磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、［（Ｒｓ，ＭＲｓ，Ｈｓｓ，－αｐｓ＝－９０°），ａｓ］であり、線形範囲は、［－ＨＬｓ，ＨＬｓ］である。
【0038】
図８に示されたマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサには、少なくとも１つのセットのプッシュ磁気抵抗感知ユニットおよび対応するプル磁気抵抗感知ユニットがあり、磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの重要な特性パラメータとは異なっており、したがって、本実施形態により与えられるマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサは、標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサよりも高い線形範囲［－ＨＬ，ＨＬ］を有するとともに、利得係数Ｑ＝ＨＬ／ＨＬｓを有し、Ｑは１よりも大きい数字である。
【0039】
表１は、外部磁場Ｈと共に変化する図８に示された標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサおよびＮ＝２マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサの重要な特性パラメータＨｓ、αｐ、感度Ｓ＝Ｖ／Ｖｃｃ、感度差Ｓ－Ｓｓの曲線値を挙げており、Ｎ＝２マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサのプッシュ・アームおよびプル・アームのＮ個のタイプの磁気抵抗感知ユニットは、全て並列に接続されている。表１の各パラメータのユニットは、図示されていない。
【0040】
【表1】
【0041】
Ａ，標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサ：
【0042】
表１に示されるように、標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサにおいて、標準的な磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、［（Ｒ０ｓ，ＭＲｓ，Ｈｓｓ，±αｐｓ），ａｓ］であり、標準的なプッシュ磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、［（５００＊ｅ３，２００，１０Ｏｅ，９０°），１］であるように選択され、標準的なプル磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、［（５００＊ｅ３，２００，１０Ｏｅ，－９０°），１］であるように選択され、基準対象として働くようになっており、プッシュ・アームの抵抗Ｒｐｕｓｈｓおよびプル・アームの抵抗Ｒｐｕｌｌｓの数式は、以下のように表される。
Ｒｐｕｓｈｓ＝Ｒ（５００ｅ３，２００，９０°，１０，１） （７）
Ｒｐｕｌｌｓ＝Ｒ（５００ｅ３，２００，－９０°，１０，１） （８）
Ｒｐｕｓｈｓ＝Ｒ（５００ｅ３，２００，９０°，１０，１） （７）
Ｒｐｕｌｌｓ＝Ｒ（５００ｅ３，２００，－９０°，１０，１） （８）
【0043】
外部磁場Ｈの作用の下でのプッシュ・アームの抵抗Ｒｐｕｓｈｓおよびプル・アームの抵抗Ｒｐｕｌｌｓは、
といったように表すことができ、
ただし、αｆｓは、標準的な磁気抵抗感知ユニットの自由層磁気モーメントの方向角である。
【数3】
ただし、αｆｓは、標準的な磁気抵抗感知ユニットの自由層磁気モーメントの方向角である。
【0044】
標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの感度は、以下のように表すことができる。
Ｓｓ＝（Ｒｐｕｓｈｓ－Ｒｐｕｌｌｓ）／（Ｒｐｕｓｈｓ＋Ｒｐｕｌｌｓ） （１１）
Ｓｓ＝（Ｒｐｕｓｈｓ－Ｒｐｕｌｌｓ）／（Ｒｐｕｓｈｓ＋Ｒｐｕｌｌｓ） （１１）
【0045】
Ｈの値は、［－１６Ｏｅ，１６Ｏｅ］のようにより幅広い範囲にあることができ、１００個のデータ点のＨｋ（ｋ＝１～１００）が選択され、以下の一次関数
Ｓ＝ａ・Ｈ （１２）
が用いられる。
Ｓ＝ａ・Ｈ （１２）
が用いられる。
【0046】
Ｓ対Ｈ曲線は、これに基づいてフィットされ、ＨＬｓは、
｜Ｓｓ－Ｓ｜＜０．１・Ｓ （１３）
という閾値を設定することによって計算される。
｜Ｓｓ－Ｓ｜＜０．１・Ｓ （１３）
という閾値を設定することによって計算される。
【0047】
計算結果は、ＨＬｓが８．５にほぼ等しいこと、すなわち、線形範囲が［－８．５，＋８．５］Ｏｅであることを示す。
【0048】
Ｂ，Ｎ＝２マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサ：
【0049】
Ｎ個のプッシュ・プル磁気抵抗センサがＮ個のタイプの磁気抵抗感知ユニットを含むと仮定すると、Ｎ個のプッシュ・プル磁気抵抗センサのプッシュ磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、［（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ＝２００，Ｈｓｉ，＋αｐｉ），ａｉ＝１］であり、Ｎ個のプッシュ・プル磁気抵抗センサのプル磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、［（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ＝２００，Ｈｓｉ，－αｐｉ），ａｉ＝１］、ｉ＝１，・・・，Ｎである。
【0050】
Ｂ１，Ｎ個のタイプの磁気抵抗感知ユニットが直列に接続されるとき、プッシュ・アームの抵抗Ｒｐｕｓｈ、およびプル・アームの抵抗Ｒｐｕｌｌは、以下のように表すことができる。
【数4】
【0051】
Ｂ２，Ｎ個のタイプの磁気抵抗感知ユニットが直列並列方式で接続されるとき、プッシュ・アームの抵抗Ｒｐｕｓｈおよびプル・アームの抵抗Ｒｐｕｌｌは、以下のように表すことができる。
【数5】
【0052】
加えて、ブリッジ・アーム抵抗Ｒは、ピン止め層の方向角磁気モーメントおよび磁気抵抗感知ユニットの自由層の飽和磁場の関数であるだけでなく、磁気抵抗変化率およびゼロ磁場抵抗Ｒ０の関数でもあり、すなわち、
である。
【数6】
【0053】
Ｂ３，Ｎ個のタイプの磁気抵抗感知ユニットが並列に接続されるとき、プッシュ・アームの抵抗Ｒｐｕｓｈ、およびプル・アームの抵抗Ｒｐｕｌｌは、以下のように表すことができる。
【数7】
【0054】
加えて、ブリッジ・アーム抵抗Ｒは、ピン止め層の方向角磁気モーメントおよび磁気抵抗感知ユニットの自由層の飽和磁場の関数であるだけでなく、磁気抵抗変化率およびゼロ磁場抵抗Ｒ０の関数でもあり、すなわち、
である。
【数8】
【0055】
表１は、条件Ｂ３に対応するＮ＝２並列マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサの重要な特性パラメータを挙げており、プッシュ磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、それぞれ、
［（Ｒ０１＝５００ｅ３，ＭＲ０１＝２００，Ｈｓ１＝１５，３０，＋αｐ１＝１１６．２°），ａ１＝０．９８２４］、
［（Ｒ０２＝５００ｅ３，ＭＲ０２＝２００，Ｈｓ２＝９．６１，＋αｐ２＝１１５．４°），ａ２＝０，０１７６］であり、
プル磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、それぞれ、
［（Ｒ０１＝５００ｅ３，ＭＲ０１＝２００，Ｈｓ１＝１５，３０，－αｐ１＝１１６．２°），ａ１＝０．９８２４］、
［（Ｒ０２＝５００ｅ３，ＭＲ０２＝２００，Ｈｓ２＝９．６１，－αｐ２＝１１５．４°），ａ２＝０，０１７６］である。
［（Ｒ０１＝５００ｅ３，ＭＲ０１＝２００，Ｈｓ１＝１５，３０，＋αｐ１＝１１６．２°），ａ１＝０．９８２４］、
［（Ｒ０２＝５００ｅ３，ＭＲ０２＝２００，Ｈｓ２＝９．６１，＋αｐ２＝１１５．４°），ａ２＝０，０１７６］であり、
プル磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、それぞれ、
［（Ｒ０１＝５００ｅ３，ＭＲ０１＝２００，Ｈｓ１＝１５，３０，－αｐ１＝１１６．２°），ａ１＝０．９８２４］、
［（Ｒ０２＝５００ｅ３，ＭＲ０２＝２００，Ｈｓ２＝９．６１，－αｐ２＝１１５．４°），ａ２＝０，０１７６］である。
【0056】
計算によって、磁場の線形範囲は［－１０．４，＋１０．４］Ｏｅであり、磁場の利得係数は、Ｑ＝１０．４／８．５＝１．２２である。明らかに、Ｂ３に示された線形範囲は、標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサに対して改善されている。
【0057】
図８に示されたマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサに基づいて、適宜、プッシュ・アームを構成するＮ個のタイプのプッシュ磁気抵抗感知ユニットは、並列に接続され、プル・アームを構成するＮ個のタイプのプル磁気抵抗感知ユニットは、並列に接続される。プッシュ・アームの抵抗Ｒｐｕｓｈ、プル・アームの抵抗Ｒｐｕｌｌ、およびマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームの抵抗Ｒｉは、
という関係を満たす。
Ｒｉ（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，＋αｐｉ）は、プッシュ磁気抵抗感知ユニットの４つの重要な特性パラメータに対応する抵抗値を特徴付け、Ｒｉ（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，ＨｓＳｉ，－αｐｉ）は、プル磁気抵抗感知ユニットの４つの重要な特性パラメータに対応する抵抗値を特徴付ける。
【数9】
Ｒｉ（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，＋αｐｉ）は、プッシュ磁気抵抗感知ユニットの４つの重要な特性パラメータに対応する抵抗値を特徴付け、Ｒｉ（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，ＨｓＳｉ，－αｐｉ）は、プル磁気抵抗感知ユニットの４つの重要な特性パラメータに対応する抵抗値を特徴付ける。
【0058】
図９を参照すると、より幅広い磁場範囲［－１６，＋１６］Ｏｅ内の標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサおよびＮ＝２並列マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサの感度Ｓ対Ｈの関係曲線が示されている。標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの感度Ｓ対Ｈの関係曲線、およびＮ＝２並列マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサの感度Ｓ対Ｈの関係曲線は、Ｈが０に近い中央部分で重ね合わされ、２つの端でより大きい差異を有することが理解できる。
【0059】
図１０は、フィットされた直線を用いて曲線感度を比較する相対誤差（Ｓ－ａ＊Ｈ）／ａ＊Ｈ＊１００％対Ｈ曲線である。標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの曲線およびＮ＝２並列マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサの曲線が、プラスまたはマイナス１０％の上限範囲および下限範囲内であることが理解できる。Ｎ＝２並列マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサの曲線は、より大きい線形磁場範囲を有する。
【0060】
図８に示されたマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサに基づいて、適宜、プッシュ・アームを構成するＮ個のタイプのプッシュ磁気抵抗感知ユニットは、直列に接続され、プル・アームを構成するＮ個のタイプのプル磁気抵抗感知ユニットは、直列に接続される。
【0061】
プッシュ・アームの抵抗Ｒｐｕｓｈ、プル・アームの抵抗Ｒｐｕｌｌ、およびマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームの抵抗Ｒｉは、
といった関係を満たし、
ただし、Ｒｉ（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，＋αｐｉ）は、プッシュ磁気抵抗感知ユニットの４つの重要な特性パラメータに対応する抵抗値を特徴付け、Ｒｉ（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，－αｐｉ）は、プル磁気抵抗感知ユニットの４つの重要な特性パラメータに対応する抵抗値を特徴付ける。
【数10】
ただし、Ｒｉ（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，＋αｐｉ）は、プッシュ磁気抵抗感知ユニットの４つの重要な特性パラメータに対応する抵抗値を特徴付け、Ｒｉ（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，－αｐｉ）は、プル磁気抵抗感知ユニットの４つの重要な特性パラメータに対応する抵抗値を特徴付ける。
【0062】
表２は、外部磁場Ｈと共に変化する図８に示された標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサおよびＮ＝２マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサの重要な特性パラメータＨｓ、αｐ、感度Ｓ＝Ｖ／Ｖｃｃ、および感度差Ｓ－Ｓｓの曲線値を挙げており、Ｎ＝２マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサのプッシュ・アームおよびプル・アームのＮ個のタイプの磁気抵抗感知ユニットは、全て並列または直列に接続されている。表２の各パラメータの単位は、示されていない。
【0063】
【表2】
【0064】
表２は、Ｎ＝２並列マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサおよび標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの１セットの重要な特性パラメータを与えており、Ｎ＝２並列マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサにおいて、プッシュ磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、それぞれ、
［（Ｒ０１＝５００ｅ３，ＭＲ０１＝２００，Ｈｓ１＝３，３７，＋αｐ１＝９０°），ａ１＝１］、
［（Ｒ０２＝５００ｅ３，ＭＲ０２＝２００，Ｈｓ２＝４．４５，＋αｐ２＝１８０°），ａ２＝１］、であり、
プル磁気抵抗感知ユニットの重要なパラメータは、それぞれ、
［（Ｒ０１＝５００ｅ３，ＭＲ０１＝２００，Ｈｓ１＝３，３７，－αｐ１＝－９０°），ａ１＝１］、
［（Ｒ０２＝５００ｅ３，ＭＲ０２＝２００，Ｈｓ２＝４．４５，－αｐ２＝－１８０°），ａ２＝１］である。
［（Ｒ０１＝５００ｅ３，ＭＲ０１＝２００，Ｈｓ１＝３，３７，＋αｐ１＝９０°），ａ１＝１］、
［（Ｒ０２＝５００ｅ３，ＭＲ０２＝２００，Ｈｓ２＝４．４５，＋αｐ２＝１８０°），ａ２＝１］、であり、
プル磁気抵抗感知ユニットの重要なパラメータは、それぞれ、
［（Ｒ０１＝５００ｅ３，ＭＲ０１＝２００，Ｈｓ１＝３，３７，－αｐ１＝－９０°），ａ１＝１］、
［（Ｒ０２＝５００ｅ３，ＭＲ０２＝２００，Ｈｓ２＝４．４５，－αｐ２＝－１８０°），ａ２＝１］である。
【0065】
比較のために、表２は、Ｎ＝２直列マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサの重要な特性パラメータをさらに挙げており、プッシュ磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、それぞれ、
［（Ｒ０１＝５００ｅ３，ＭＲ０１＝２００，Ｈｓ１＝５，＋αｐ１＝９０°），ａ１＝１］、
［（Ｒ０２＝５００ｅ３，ＭＲ０２＝２００，Ｈｓ２＝５０，＋αｐ２＝９０°），ａ２＝１］、であり、
プル磁気抵抗感知ユニットの重要なパラメータは、それぞれ、
［（Ｒ０１＝５００ｅ３，ＭＲ０１＝２００，Ｈｓ１＝５，－αｐ１＝－９０°），ａ１＝１］、
［（Ｒ０２＝５００ｅ３，ＭＲ０２＝２００，Ｈｓ２＝５０，－αｐ２＝－９０°），ａ２＝１］である。
［（Ｒ０１＝５００ｅ３，ＭＲ０１＝２００，Ｈｓ１＝５，＋αｐ１＝９０°），ａ１＝１］、
［（Ｒ０２＝５００ｅ３，ＭＲ０２＝２００，Ｈｓ２＝５０，＋αｐ２＝９０°），ａ２＝１］、であり、
プル磁気抵抗感知ユニットの重要なパラメータは、それぞれ、
［（Ｒ０１＝５００ｅ３，ＭＲ０１＝２００，Ｈｓ１＝５，－αｐ１＝－９０°），ａ１＝１］、
［（Ｒ０２＝５００ｅ３，ＭＲ０２＝２００，Ｈｓ２＝５０，－αｐ２＝－９０°），ａ２＝１］である。
【0066】
図１１は、標準的なＮ＝２直列およびＮ＝２並列プッシュ・プル磁気抵抗センサの感度差Ｓ－ａ＊Ｈ対Ｈ曲線を示す。Ｎ＝２並列マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサの異なる曲線は、感度差の０の値の近くでより幅広い磁場範囲を示すことが理解できる。
【0067】
図１２は、標準的なＮ＝２直列およびＮ＝２並列プッシュ・プル磁気抵抗センサの感度Ｓ対Ｈ曲線を示す。小さい磁場範囲［－３，３］Ｏｅ内で、Ｎ＝２並列およびＮ＝２直列マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサは、ほぼ同じ曲線を有することが理解できる。標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの感度は、Ｓ＝０．０４９９９３であり、Ｎ＝２並列マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサの感度は、０．０４９４５６であり、Ｎ＝２直列マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサの感度は、０．０５４９９３であることが表２から理解できる。誤差値Ｓ－ａ＊Ｈについては、標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの誤差値Ｓ－ａ＊Ｈは、－０．００５０５であり、Ｎ＝２並列マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサの誤差値Ｓ－ａ＊Ｈは、２．８１Ｅ－０５であり、Ｎ＝２直列マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサの誤差値Ｓ－ａ＊Ｈは、－０．００７０１である。したがって、小さい磁場範囲では、並列マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサの誤差は、より小さく、これは、図１０の結果とも一致する。
【0068】
これに基づいて、さらに適宜、プッシュ・アームを構成するＮ個のタイプのプッシュ磁気抵抗感知ユニットが、ハイブリッドの直列並列方式で接続され、プル・アームを構成するＮ個のタイプのプル磁気抵抗感知ユニットが、ハイブリッドの直列並列方式で接続される。
【0069】
プッシュ・アームの抵抗Ｒｐｕｓｈ、プル・アームの抵抗Ｒｐｕｌｌ、およびマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームの抵抗Ｒｉは、
といった関係を満たし、
ただし、Ｒｉ（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，＋αｐｉ）は、プッシュ磁気抵抗感知ユニットの４つの重要な特性パラメータに対応する抵抗値を特徴付け、Ｒｉ（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，－αｐｉ）は、プル磁気抵抗感知ユニットの４つの重要な特性パラメータに対応する抵抗値を特徴付け、ｍは１以上およびＮ以下の整数である。ハイブリッドの直列並列接続方式を採用するマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサは、必要な線形磁場範囲を得ることができる。
【数11】
ただし、Ｒｉ（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，＋αｐｉ）は、プッシュ磁気抵抗感知ユニットの４つの重要な特性パラメータに対応する抵抗値を特徴付け、Ｒｉ（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，－αｐｉ）は、プル磁気抵抗感知ユニットの４つの重要な特性パラメータに対応する抵抗値を特徴付け、ｍは１以上およびＮ以下の整数である。ハイブリッドの直列並列接続方式を採用するマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサは、必要な線形磁場範囲を得ることができる。
【0070】
例示的に、適宜、磁気抵抗センサは、基板上に配置される磁気抵抗シャント抵抗器Ｒｓｈをさらに含み、磁気抵抗シャント抵抗器Ｒｓｈは、マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームに接続され、磁気抵抗シャント抵抗器Ｒｓｈの重要な特性パラメータは、［（Ｒ０ｓｈ，ＭＲｓｈ，Ｈｓｓｈ，αｐｓｈ），ａｓｈ］である。少なくとも１つのセットの重要な特性パラメータ｛［（Ｒ０ｓｈ，ＭＲｓｈ，Ｈｓｓｈ，αｐｓｈ），ａｓｈ］および［（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，±αｐｉ），ａｉ］｝があり、磁気抵抗シャント抵抗器ＲｓｈのＲ－Ｈ特性パラメータが、プッシュ磁気抵抗感知ユニットのＲ－Ｈ特性パラメータおよびマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームのプル磁気抵抗感知ユニットと重ね合わされるようになっている。
【0071】
本実施形態により与えられるマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサでは、磁気抵抗シャント抵抗器Ｒｓｈｕｎｔが導入され、したがって、磁気抵抗シャント抵抗器Ｒｓｈｕｎｔは、マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームと直列に接続され、磁場のより高い線形範囲を有するマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサは、磁場と共にＲｓｈｕｎｔの変化曲線によって得ることができる。具体的には、磁気抵抗感知ユニットの磁気抵抗シャント抵抗器ＲｓｈのＲ－Ｈ特性パラメータは、マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームにおいてプッシュ磁気抵抗感知ユニットおよびプル磁気抵抗感知ユニットのＲ－Ｈ特性パラメータと重ね合わされ、それによって磁気抵抗シャント抵抗器を含むマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームの線形範囲は、標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの線形範囲よりも大きい。
【0072】
図１３は、磁気抵抗シャント抵抗器Ｒｓｈｕｎｔを有するマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサ１００の電気接続図である。マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサ１００は、リニア・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ１１０を含み、リニア・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ１１０は、標準的なプッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームまたはマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームとすることができ、磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、［（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，±αｐｉ），ａｉ］であり、ｉ＝１：Ｎである。マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサ１００は、リニア・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ１１０に接続された磁気抵抗シャント抵抗器Ｒｓｈｕｎｔ１２０をさらに備え、磁気抵抗シャント抵抗器Ｒｓｈｕｎｔ１２０の重要な特性パラメータは、［（Ｒ０ｓｈ，ＭＲｓｈ，Ｈｓｓｈ，αｐｓｈ），ａｓｈ］であり、Ｒｓｈｕｎｔを示す係数ａｓｈは、Ｒ０ｓｈ間で直列、並列、または直列並列接続方式を特徴付けることができる。
【0073】
したがって、マルチプル・プッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサ１００の感度は、以下のように表すことができる。
【数12】
【0074】
図１４は、磁気抵抗シャント抵抗器Ｒｓｈｕｎｔを有するマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサ２００の電気接続図である。マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサ２００は、リニア・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ２１０を含み、リニア・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ２１０は、標準的なまたはマルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ・アームとすることができ、磁気抵抗感知ユニットの重要な特性パラメータは、［（Ｒ０ｉ，ＭＲｉ，Ｈｓｉ，±αｐｉ），ａｉ］である。マルチプル・プッシュ・プル磁気抵抗センサ２００は、リニア・プッシュ・プル磁気抵抗感知ブリッジ２１０に接続されたプッシュ・シャント抵抗器Ｒｓｈｕｎｔ２２０をさらに含み、プッシュ・シャント抵抗器Ｒｓｈｕｎｔ２２０の重要な特性パラメータは、［（Ｒ０ｓｈ，ＭＲｓｈ，Ｈｓｓｈ，＋αｐｓｈ），ａｓｈ］であり、プル・シャント抵抗器Ｒｓｈｕｎｔ２３０をさらに含み、プル・シャント抵抗器Ｒｓｈｕｎｔ２３０の重要な特性パラメータは、［（Ｒ０ｓｈ，ＭＲｓｈ，Ｈｓｓｈ，－αｐｓｈ），ａｓｈ］である。
【0075】
したがって、マルチプル・プッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサ２００の感度は、以下のように表すことができる。
【数13】
【0076】
表３は、磁気抵抗シャント抵抗器を有するマルチプル・プッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサ、および標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの重要なパラメータを比較する。
【0077】
【表3】
【0078】
標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサについては、その標準的なプッシュ磁気抵抗感知ユニットおよび標準的なプル磁気抵抗感知ユニットの重要なパラメータは、それぞれ、
［（Ｒ０＝１０ｅ３，ＭＲ＝２００，Ｈｓ＝１０，＋αｐ＝＋９０），ａ１＝１］、
［（Ｒ０＝１０ｅ３，ＭＲ＝２００，Ｈｓ＝１０，－αｐ＝－９０），ａ１＝１］であり、
磁気抵抗シャント抵抗器Ｒｓｈｕｎｔがあり、磁気抵抗シャント抵抗器の重要な特性パラメータは、
［（Ｒ０ｓｈ＝２ｅ３，ＭＲｓｈ＝２００，Ｈｓｓｈ＝１０，ａｎｇｌｅＰＬｓｈ＝１８０），ａ１＝１］、であり、
それに接続されたＮ＝１プッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサがあり、Ｎ＝１プッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサのプッシュ磁気抵抗感知ユニットおよびプル磁気抵抗感知ユニットの重要なパラメータは、それぞれ、
［（Ｒ０＝８ｅ３，ＭＲ＝２００，Ｈｓ＝７．９，＋αｐ＝＋９０），ａ１＝１］、
［（Ｒ０＝８ｅ３，ＭＲ＝２００，Ｈｓ＝７．９，－αｐ＝－９０），ａ１＝１］である。
［（Ｒ０＝１０ｅ３，ＭＲ＝２００，Ｈｓ＝１０，＋αｐ＝＋９０），ａ１＝１］、
［（Ｒ０＝１０ｅ３，ＭＲ＝２００，Ｈｓ＝１０，－αｐ＝－９０），ａ１＝１］であり、
磁気抵抗シャント抵抗器Ｒｓｈｕｎｔがあり、磁気抵抗シャント抵抗器の重要な特性パラメータは、
［（Ｒ０ｓｈ＝２ｅ３，ＭＲｓｈ＝２００，Ｈｓｓｈ＝１０，ａｎｇｌｅＰＬｓｈ＝１８０），ａ１＝１］、であり、
それに接続されたＮ＝１プッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサがあり、Ｎ＝１プッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサのプッシュ磁気抵抗感知ユニットおよびプル磁気抵抗感知ユニットの重要なパラメータは、それぞれ、
［（Ｒ０＝８ｅ３，ＭＲ＝２００，Ｈｓ＝７．９，＋αｐ＝＋９０），ａ１＝１］、
［（Ｒ０＝８ｅ３，ＭＲ＝２００，Ｈｓ＝７．９，－αｐ＝－９０），ａ１＝１］である。
【0079】
図１５は、プッシュ磁気抵抗感知ユニット、プル磁気抵抗感知ユニット、および磁気抵抗シャント抵抗器の磁場特性曲線を示す。磁気抵抗シャント抵抗器は、対称的な曲線特性を有し、これは、プッシュ磁気抵抗感知ユニットおよびプル磁気抵抗感知ユニットにそれぞれ相補的であることが理解できる。
【0080】
図１６は、シャント抵抗器を有する標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサおよびマルチプル・プッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサの感度Ｓ対外部磁場Ｈ曲線特性を示す。標準的なプッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサに対して、シャント抵抗器を有するマルチプル・プッシュ・プル・リニア磁気抵抗センサは、より広い線形範囲を有することが理解できる。
【0081】
上記のものは、本開示の好ましい実施形態、および適用された技術的原理にすぎないことに留意されたい。当業者は、本開示は、本明細書に記載された特定の実施形態に限定されず、様々な明白な変更、再調整、相互的なコンビネーション、および置換が、本開示の範囲から逸脱することなく当業者によってなされてもよいことを理解されよう。したがって、本開示は、上記実施形態によって詳細に説明されてきたが、本開示は、上記実施形態に限定されず、本開示の概念から逸脱することなく他の均等な実施形態を含むこともできる。本開示の範囲は、添付の特許請求の範囲の記載範囲によって決定される。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4a】
【図4b】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【国際調査報告】