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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-03-07
(54)【発明の名称】単結晶炉のホットゾーンヒータ及び単結晶炉
(51)【国際特許分類】
C30B 15/18 20060101AFI20230228BHJP
F27D 11/06 20060101ALI20230228BHJP
F27B 14/14 20060101ALI20230228BHJP
H05B 6/10 20060101ALI20230228BHJP
H05B 3/40 20060101ALI20230228BHJP
【ＦＩ】
C30B15/18
F27D11/06 A
F27B14/14
H05B6/10 371
H05B3/40 Z
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2022538790
(86)(22)【出願日】2021-09-24
(85)【翻訳文提出日】2022-06-21
(86)【国際出願番号】 CN2021120451
(87)【国際公開番号】W WO2022068700
(87)【国際公開日】2022-04-07
(31)【優先権主張番号】202011053337.0
(32)【優先日】2020-09-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】522248559
【氏名又は名称】西安奕斯偉材料科技有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＸＩ’ＡＮ ＥＳＷＩＮ ＭＡＴＥＲＩＡＬ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＣＯ．， ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｒｏｏｍ １－３－０２９， Ｎｏ．１８８８ Ｓｏｕｔｈ Ｘｉｆｅｎｇ Ｒｄ．， Ｈｉ－Ｔｅｃｈ Ｚｏｎｅ Ｘｉ’ａｎ， Ｓｈａａｎｘｉ ７１０１００， Ｐ．Ｒ．Ｃｈｉｎａ
(71)【出願人】
【識別番号】522248560
【氏名又は名称】西安奕斯偉硅片技術有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＸＩ’ＡＮ ＥＳＷＩＮ ＳＩＬＩＣＯＮ ＷＡＦＥＲ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＣＯ．， ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】１８８８ Ｓｏｕｔｈ Ｘｉｆｅｎｇ Ｒｄ．， Ｈｉ－Ｔｅｃｈ Ｚｏｎｅ Ｘｉ’ａｎ， Ｓｈａａｎｘｉ ７１０１００， Ｐ．Ｒ．Ｃｈｉｎａ
(74)【代理人】
【識別番号】100083806
【弁理士】
【氏名又は名称】三好 秀和
(74)【代理人】
【識別番号】100095500
【弁理士】
【氏名又は名称】伊藤 正和
(74)【代理人】
【識別番号】100111235
【弁理士】
【氏名又は名称】原 裕子
(74)【代理人】
【識別番号】100195257
【弁理士】
【氏名又は名称】大渕 一志
(72)【発明者】
【氏名】楊 文武
(72)【発明者】
【氏名】シム、 ボクチョル
【テーマコード（参考）】
3K059
3K092
4G077
4K046
4K063
【Ｆターム（参考）】
3K059AB23
3K059AD03
3K059AD05
3K059CD78
3K092PP09
3K092QA02
3K092RD11
3K092VV22
4G077AA02
4G077BB03
4G077CF10
4G077EG16
4G077PE03
4G077PE04
4G077PE08
4G077PE12
4K046AA01
4K046BA05
4K046CD02
4K046CD12
4K046DA05
4K063AA04
4K063BA12
4K063CA01
4K063CA03
4K063FA34
(57)【要約】
本開示は、単結晶炉のホットゾーンヒータ及び単結晶炉を提供し、前記単結晶炉のホットゾーンヒータは、エッジメインヒータ及び補助ヒータを含み、前記エッジメインヒータ及び前記補助ヒータは、何れも両端が開口される筒状構造であり、前記エッジメインヒータ及び前記補助ヒータは、何れも対向する頂部開口端及び底部開口端を含み、前記補助ヒータが前記エッジメインヒータ外にスリーブ設置され、且つ前記補助ヒータの頂部開口端が前記エッジメインヒータの頂部開口端外に伸び出される。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
エッジメインヒータ及び補助ヒータを含み、前記エッジメインヒータ及び前記補助ヒータは、何れも両端が開口される筒状構造であり、前記エッジメインヒータ及び前記補助ヒータは、何れも対向する頂部開口端及び底部開口端を含み、前記補助ヒータが前記エッジメインヒータ外にスリーブ設置され、且つ前記補助ヒータの頂部開口端が前記エッジメインヒータの頂部開口端外に伸び出される、単結晶炉のホットゾーンヒータ。
【請求項2】
前記補助ヒータは、前記エッジメインヒータを周回するように設けられる保護ケースと、
前記保護ケース内に収納される電磁誘導コイルと
を含む、請求項１に記載の単結晶炉のホットゾーンヒータ。
【請求項3】
前記保護ケースは、互いに係合する内ケース及び外ケースを含み、前記内ケース及び前記外ケースは、何れも筒状をなし、前記内ケースは、前記エッジメインヒータの外周側に被設され、前記外ケースは、前記内ケース外にスリーブ設置されて、前記内ケースとの間に空洞が形成され、前記内ケースは、前記外ケースと協働して前記空洞を形成する第一内側壁を含み、前記電磁誘導コイルは、前記空洞内に収納されるとともに、前記内ケースの頂部開口端から前記内ケースの底部開口端に向かって前記第一内側壁に螺旋状に巻き付けられ、且つ前記電磁誘導コイルの両端がそれぞれ前記保護ケース外に伸び出される、請求項２に記載の単結晶炉のホットゾーンヒータ。
【請求項4】
前記内ケースの頂部開口端に段差状の第一辺部が設けられ、前記外ケースの頂部開口端縁に段差状の第二辺部が設けられており、前記第一辺部と前記第二辺部との段差構造が互いに重ね接続され、前記内ケースの底部開口端縁に段差状の第三辺部が設けられ、前記外ケースの底部開口端縁に段差状の第四辺部が設けられており、前記第三辺部と前記第四辺部との段差構造が互いに重ね接続される、請求項３に記載の単結晶炉のホットゾーンヒータ。
【請求項5】
前記電磁誘導コイルは、複数のスパイラルを含み、前記内ケースの第一内側壁に複数の第一支持体が設けられており、隣接する２つの前記スパイラルの間に１つの前記第一支持体が設けられる、請求項３に記載の単結晶炉のホットゾーンヒータ。
【請求項6】
前記エッジメインヒータは、第一筒状構造をなすヒータ本体と、
筒状カバー体であり、前記ヒータ本体外に被設され、且つ少なくとも前記ヒータ本体の頂部開口端、前記ヒータ本体の底部開口端及び前記ヒータ本体の外周面を覆う絶縁保護カバーと
を含む、請求項１に記載の単結晶炉のホットゾーンヒータ。
【請求項7】
前記ヒータ本体は、複数のＵ型加熱柱ユニットを含み、複数の前記Ｕ型加熱柱ユニットは、前記第一筒状構造となるように順次に接続されて周回され、隣接する２つのＵ型加熱柱ユニットのうち、一方のＵ型加熱柱ユニットの開口が前記第一筒状構造の頂部開口端に向き、他方のＵ型加熱柱ユニットの開口が前記第一筒状構造の底部開口端に向くことで、前記ヒータ本体の輪郭がへび型曲線構造をなすようにしている、請求項６に記載の単結晶炉のホットゾーンヒータ。
【請求項8】
各々の前記Ｕ型加熱柱は、互いに平行する２本の縦方向直加熱柱であって、延在方向が前記第一筒状構造の軸線方向に平行する２本の縦方向直加熱柱と、
前記２本の縦方向直加熱柱の間に接続される弧状又は直線状の横向加熱柱と
を含み、
２本の前記縦方向直加熱柱の間には、前記第一筒状構造の周方向に隙間があり、前記第一筒状構造の周方向における前記隙間の幅は、前記第一筒状構造の周方向における前記縦方向直加熱柱の幅以上である、請求項７に記載の単結晶炉のホットゾーンヒータ。
【請求項9】
前記第一筒状構造の周方向における前記縦方向直加熱柱の幅は１５～２０ｍｍであり、前記縦方向直加熱柱の横断面面積は１５０～２００ｍｍ２であり、且つ前記第一筒状構造の頂部開口端から底部開口端までの前記縦方向直加熱柱の長さは３２０～３５０ｍｍである、請求項８に記載の単結晶炉のホットゾーンヒータ。
【請求項10】
前記絶縁保護カバーの内側壁には、前記ヒータ本体を支持するための複数の第二支持体が設けられており、各々のＵ型加熱柱ユニットにおける２本の前記縦方向直ヒータの間の隙間内には、少なくとも１つの前記第二支持体が設けられる、請求項７に記載の単結晶炉のホットゾーンヒータ。
【請求項11】
複数の第二支持体は、交互に設けられる複数の第一支持柱及び複数の第二支持柱を含み、前記第一支持柱は、前記頂部開口端に開口を向けるＵ型加熱柱ユニットにおける２本の縦方向直加熱柱の間の隙間内に設けられ、前記第二支持柱は、前記底部開口端に開口を向けるＵ型加熱柱ユニットにおける２本の縦方向直加熱柱の間の隙間内に設けられている、請求項１０に記載の単結晶炉のホットゾーンヒータ。
【請求項12】
前記絶縁保護カバーは、第一カバー体及び第二カバー体を含み、前記第一カバー体は、前記ヒータ本体の頂部開口端を遮蔽する環状の頂部遮蔽板と、前記ヒータ本体の外周側を周回し且つ前記頂部遮蔽板に固定接続される側面遮蔽板とを含み、複数の前記第一支持柱は、前記頂部遮蔽板の周方向に沿って均一に分布され、前記側面遮蔽板の内側壁に固定され、
前記第二カバー体は、前記ヒータ本体の底部開口端を遮蔽する環状の底部遮蔽板と、前記底部遮蔽板の周方向に沿って均一に分布される複数の前記第二支持柱とを含み、複数の前記第二支持柱は、前記底部遮蔽板に固定され、
複数の前記第二支持柱は、前記第一カバー体と前記第二カバー体とを係合させるように、前記側面遮蔽板内に挿入される、請求項１１に記載の単結晶炉のホットゾーンヒータ。
【請求項13】
前記絶縁保護カバーは、第一カバー体及び第二カバー体を含み、前記第一カバー体は、前記ヒータ本体の底部開口端を遮蔽する環状の底部遮蔽板と、前記ヒータ本体の外周側を周回し且つ前記底部遮蔽板に固定接続される側面遮蔽板とを含み、複数の前記第二支持柱は、前記底部遮蔽板の周方向に沿って均一に分布され、前記側面遮蔽板の内側壁に固定され、
前記第二カバー体は、前記ヒータ本体の頂部開口端を遮蔽する環状の頂部遮蔽板と、前記頂部遮蔽板の周方向に沿って均一に分布され、前記頂部遮蔽板に固定される複数の前記第一支持柱とを含み、
複数の前記第一支持柱は、前記第一カバー体と前記第二カバー体とを係合させるように、前記側面遮蔽板内に挿入される、請求項１１に記載の単結晶炉のホットゾーンヒータ。
【請求項14】
前記ヒータ本体には、少なくとも第一電極コネクタ及び第二電極コネクタが更に接続されており、前記第一電極コネクタ及び前記第二電極コネクタは、前記ヒータ本体の対向する両側にそれぞれ位置し、前記絶縁保護カバーには、少なくとも第一開口及び第二開口が設けられており、前記第一電極コネクタは、前記第一開口から貫通され、前記第二電極コネクタは、前記第二開口から伸び出される、請求項６に記載の単結晶炉のホットゾーンヒータ。
【請求項15】
請求項１～１４の何れか一項に記載の単結晶炉のホットゾーンヒータを含む、単結晶炉。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
（関連出願の相互参照）
本開示は、２０２０年９月２９日に中国で出願された中国特許出願第２０２０１１０５３３３７．０号の優先権を主張し、その内容の全ては、参照により本開示に組み込まれる。
本開示は、半導体ウェーハの技術分野に関し、特に単結晶炉のホットゾーンヒータ及び単結晶炉に関する。
本開示は、２０２０年９月２９日に中国で出願された中国特許出願第２０２０１１０５３３３７．０号の優先権を主張し、その内容の全ては、参照により本開示に組み込まれる。
本開示は、半導体ウェーハの技術分野に関し、特に単結晶炉のホットゾーンヒータ及び単結晶炉に関する。
【背景技術】
【0002】
単結晶シリコンの引き上げに、単結晶炉を使用する必要があり、特製の石英坩堝内でポリシリコン原料を溶かしてから、種結晶を使用して単結晶シリコンの結晶棒を引き上げる。半導体シリコンウェーハの品質がますます高まるにつれて、結晶引き上げ中の結晶棒の結晶欠陥の制御に対する要求がより高くなっている。単結晶炉の内部構造は、ホットゾーン（Ｈｏｔ Ｚｏｎｅ）を形成し、ホットゾーンの構造及び性能が、結晶棒の品質に直接影響するため、ホットゾーンの設計が、極めて重要になっている。
【0003】
単結晶炉にとっては、ヒータの設計がホットゾーンの設計の核心の１つである。ヒータは、メインヒータ及び底部ヒータに分けられ、メインヒータは、エッジヒータとも呼ばれ、坩堝の側面に設けられ、底部ヒータは、坩堝の底部に設けられる。ここで、エッジメインヒータは、単結晶炉の主な熱出力を担い、ポリシリコン材料の溶解段階及び後期の結晶棒の結晶成長（ｂｏｄｙ）段階の両方でいずれも重要な役割を果たし、その形状及び加熱領域の大きさは、結晶引き上げ炉の温度場に直接影響し、更に結晶棒の品質に影響する。
【0004】
しかしながら、関連技術では、ホットゾーン内のエッジメインヒータの加熱領域が小さくて、加熱が均一ではなく、一定の温度場を保証するためには、消費電力が増加してしまい、コスト節約に不利となり、そして、エッジメインヒータは、一般的に抵抗ヒータであり、その温度上昇が遅く、加熱応答時間が長く、材料溶解段階にかかる時間が長いため、時間コストが大幅に増加するとともに、１つの抵抗ヒータでは、溶融シリコン液面の固液気の三相点の温度場の安定性が保証され難く、温度場が不安定になると、局所的な熱衝撃が形成されるため、結晶棒の無欠陥成長に不利となってしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
上記課題を解決するために、本開示の実施例は、良好な加熱効果、速い温度上昇、安定したホットゾーン温度等の特徴を有し、結晶成長中の結晶棒の無欠陥成長に有利であり、結晶棒の歩留まりを向上させる単結晶炉のホットゾーンヒータ及び単結晶炉を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の実施例によって提供される技術案は、以下の通りである。
【0007】
単結晶炉のホットゾーンヒータであって、エッジメインヒータ及び補助ヒータを含み、前記エッジメインヒータ及び前記補助ヒータは、何れも両端が開口される筒状構造であり、前記エッジメインヒータ及び前記補助ヒータは、何れも対向する頂部開口端及び底部開口端を含み、前記補助ヒータが前記エッジメインヒータ外にスリーブ設置され、且つ前記補助ヒータの頂部開口端が前記エッジメインヒータの頂部開口端外に伸び出される。
【0008】
選択的に、前記補助ヒータは、
前記エッジメインヒータを周回するように設けられる保護ケースと、
前記保護ケース内に収納される電磁誘導コイルと
を含む。
前記エッジメインヒータを周回するように設けられる保護ケースと、
前記保護ケース内に収納される電磁誘導コイルと
を含む。
【0009】
選択的に、前記保護ケースは、互いに係合する内ケース及び外ケースを含み、前記内ケース及び前記外ケースは、何れも筒状をなし、前記内ケースは、前記エッジメインヒータの外周側に被設され、前記外ケースは、前記内ケース外にスリーブ設置されて、前記内ケースとの間に空洞が形成され、前記内ケースは、前記外ケースと協働して前記空洞を形成する第一内側壁を含み、前記電磁誘導コイルは、前記空洞内に収納されるとともに、前記内ケースの頂部開口端から前記内ケースの底部開口端に向かって前記第一内側壁に螺旋状に巻き付けられ、且つ前記電磁誘導コイルの両端がそれぞれ前記保護ケース外に伸び出される。
【0010】
選択的に、前記内ケースの頂部開口端に段差状の第一辺部が設けられ、前記外ケースの頂部開口端縁に段差状の第二辺部が設けられており、前記第一辺部と前記第二辺部との段差構造が互いに重ね接続され、前記内ケースの底部開口端縁に段差状の第三辺部が設けられ、前記外ケースの底部開口端縁に段差状の第四辺部が設けられており、前記第三辺部と前記第四辺部との段差構造が互いに重ね接続される。
【0011】
選択的に、前記電磁誘導コイルは、複数のスパイラルを含み、前記内ケースの第一内側壁に複数の第一支持体が設けられており、隣接する２つの前記スパイラルの間に１つの前記第一支持体が設けられる。
【0012】
選択的に、前記エッジメインヒータは、
第一筒状構造をなすヒータ本体と、
筒状カバー体であり、前記ヒータ本体外に被設され、且つ少なくとも前記ヒータ本体の頂部開口端、前記ヒータ本体の底部開口端及び前記ヒータ本体の外周面を覆う絶縁保護カバーと
を含む。
第一筒状構造をなすヒータ本体と、
筒状カバー体であり、前記ヒータ本体外に被設され、且つ少なくとも前記ヒータ本体の頂部開口端、前記ヒータ本体の底部開口端及び前記ヒータ本体の外周面を覆う絶縁保護カバーと
を含む。
【0013】
選択的に、前記ヒータ本体は、複数のＵ型加熱柱ユニットを含み、複数の前記Ｕ型加熱柱ユニットは、前記第一筒状構造となるように順次に接続されて周回され、隣接する２つのＵ型加熱柱ユニットのうち、一方のＵ型加熱柱ユニットの開口が前記第一筒状構造の頂部開口端に向き、他方のＵ型加熱柱ユニットの開口が前記第一筒状構造の底部開口端に向くことで、前記ヒータ本体の輪郭がへび型曲線構造をなすようにしている。
【0014】
選択的に、各々の前記Ｕ型加熱柱は、
互いに平行する２本の縦方向直加熱柱であって、延在方向が前記第一筒状構造の軸線方向に平行する２本の縦方向直加熱柱と、
前記２本の縦方向直加熱柱の間に接続される弧状又は直線状の横向加熱柱と
を含み、
２本の前記縦方向直加熱柱の間には、前記第一筒状構造の周方向に隙間があり、前記第一筒状構造の周方向における前記隙間の幅は、前記第一筒状構造の周方向における前記縦方向直加熱柱の幅以上である。
互いに平行する２本の縦方向直加熱柱であって、延在方向が前記第一筒状構造の軸線方向に平行する２本の縦方向直加熱柱と、
前記２本の縦方向直加熱柱の間に接続される弧状又は直線状の横向加熱柱と
を含み、
２本の前記縦方向直加熱柱の間には、前記第一筒状構造の周方向に隙間があり、前記第一筒状構造の周方向における前記隙間の幅は、前記第一筒状構造の周方向における前記縦方向直加熱柱の幅以上である。
【0015】
選択的に、前記第一筒状構造の周方向における前記縦方向直加熱柱の幅は１５～２０ｍｍであり、前記縦方向直加熱柱の横断面面積は１５０～２００ｍｍ２であり、且つ前記第一筒状構造の頂部開口端から底部開口端までの前記縦方向直加熱柱の長さは３２０～３５０ｍｍである。
【0016】
選択的に、前記絶縁保護カバーの内側壁には、前記ヒータ本体を支持するための複数の第二支持体が設けられており、各々のＵ型加熱柱ユニットにおける２本の前記縦方向直ヒータの間の隙間内には、少なくとも１つの前記第二支持体が設けられる。
【0017】
選択的に、複数の第二支持体は、交互に設けられる複数の第一支持柱及び複数の第二支持柱を含み、前記第一支持柱は、前記頂部開口端に開口を向けるＵ型加熱柱ユニットにおける２本の縦方向直加熱柱の間の隙間内に設けられ、前記第二支持柱は、前記底部開口端に開口を向けるＵ型加熱柱ユニットにおける２本の縦方向直加熱柱の間の隙間内に設けられている。
【0018】
選択的に、前記絶縁保護カバーは、第一カバー体及び第二カバー体を含み、
前記第一カバー体は、前記ヒータ本体の頂部開口端を遮蔽する環状の頂部遮蔽板と、前記ヒータ本体の外周側を周回し且つ前記頂部遮蔽板に固定接続される側面遮蔽板とを含み、複数の前記第一支持柱は、前記頂部遮蔽板の周方向に沿って均一に分布され、前記側面遮蔽板の内側壁に固定され、
前記第二カバー体は、前記ヒータ本体の底部開口端を遮蔽する環状の底部遮蔽板と、前記底部遮蔽板の周方向に沿って均一に分布される複数の前記第二支持柱とを含み、複数の前記第二支持柱は、前記底部遮蔽板に固定され、
複数の前記第二支持柱は、前記第一カバー体と前記第二カバー体とを係合させるように、前記側面遮蔽板内に挿入される。
前記第一カバー体は、前記ヒータ本体の頂部開口端を遮蔽する環状の頂部遮蔽板と、前記ヒータ本体の外周側を周回し且つ前記頂部遮蔽板に固定接続される側面遮蔽板とを含み、複数の前記第一支持柱は、前記頂部遮蔽板の周方向に沿って均一に分布され、前記側面遮蔽板の内側壁に固定され、
前記第二カバー体は、前記ヒータ本体の底部開口端を遮蔽する環状の底部遮蔽板と、前記底部遮蔽板の周方向に沿って均一に分布される複数の前記第二支持柱とを含み、複数の前記第二支持柱は、前記底部遮蔽板に固定され、
複数の前記第二支持柱は、前記第一カバー体と前記第二カバー体とを係合させるように、前記側面遮蔽板内に挿入される。
【0019】
選択的に、前記絶縁保護カバーは、第一カバー体及び第二カバー体を含み、
前記第一カバー体は、前記ヒータ本体の底部開口端を遮蔽する環状の底部遮蔽板と、前記ヒータ本体の外周側を周回し且つ前記底部遮蔽板に固定接続される側面遮蔽板とを含み、複数の前記第二支持柱は、前記底部遮蔽板の周方向に沿って均一に分布され、前記側面遮蔽板の内側壁に固定され、
前記第二カバー体は、前記ヒータ本体の頂部開口端を遮蔽する環状の頂部遮蔽板と、前記頂部遮蔽板の周方向に沿って均一に分布され、前記頂部遮蔽板に固定される複数の前記第一支持柱とを含み、
複数の前記第一支持柱は、前記第一カバー体と前記第二カバー体とを係合させるように、前記側面遮蔽板内に挿入される。
前記第一カバー体は、前記ヒータ本体の底部開口端を遮蔽する環状の底部遮蔽板と、前記ヒータ本体の外周側を周回し且つ前記底部遮蔽板に固定接続される側面遮蔽板とを含み、複数の前記第二支持柱は、前記底部遮蔽板の周方向に沿って均一に分布され、前記側面遮蔽板の内側壁に固定され、
前記第二カバー体は、前記ヒータ本体の頂部開口端を遮蔽する環状の頂部遮蔽板と、前記頂部遮蔽板の周方向に沿って均一に分布され、前記頂部遮蔽板に固定される複数の前記第一支持柱とを含み、
複数の前記第一支持柱は、前記第一カバー体と前記第二カバー体とを係合させるように、前記側面遮蔽板内に挿入される。
【0020】
選択的に、前記ヒータ本体には、少なくとも第一電極コネクタ及び第二電極コネクタが更に接続されており、前記第一電極コネクタ及び前記第二電極コネクタは、前記ヒータ本体の対向する両側にそれぞれ位置し、前記絶縁保護カバーには、少なくとも第一開口及び第二開口が設けられており、前記第一電極コネクタは、前記第一開口から貫通され、前記第二電極コネクタは、前記第二開口から伸び出される。
【0021】
単結晶炉であって、上記のような単結晶炉のホットゾーンヒータを含む。
【発明の効果】
【0022】
本開示の実施例が奏する有益な効果は、以下の通りである。
本開示の実施例による単結晶炉のホットゾーンヒータ及び単結晶炉は、エッジメインヒータ及び補助ヒータを含み、補助ヒータの設置により、以下の役割を果たすことができ、即ち、温度を急速に上昇させて材料を溶解し、結晶棒の結晶成長（ｂｏｄｙ）段階で、エッジメインヒータに対する温度補償を行うとともにエッジメインヒータと連携してシリコン融液表面の固液気の三相点の温度場の安定性を共同で保証し、結晶棒の無欠陥成長に寄与し、それに、当該補助加熱装置は、エッジメインヒータの加熱電力を分担し、ヒータ全体の使用寿命を延長させることができる。また、関連技術における単結晶炉のホットゾーンヒータに比べて、本開示の実施例による単結晶炉のホットゾーンヒータ及び単結晶炉は、大きな加熱領域及び高いエネルギー変換率のヒータを有するので、一定の温度場を保証する条件で、更に省エネであり、コストが節約され、そして、エッジメインヒータと補助ヒータとが連携して動作して、ヒータの調節範囲以及び調節精度が向上される。
本開示の実施例による単結晶炉のホットゾーンヒータ及び単結晶炉は、エッジメインヒータ及び補助ヒータを含み、補助ヒータの設置により、以下の役割を果たすことができ、即ち、温度を急速に上昇させて材料を溶解し、結晶棒の結晶成長（ｂｏｄｙ）段階で、エッジメインヒータに対する温度補償を行うとともにエッジメインヒータと連携してシリコン融液表面の固液気の三相点の温度場の安定性を共同で保証し、結晶棒の無欠陥成長に寄与し、それに、当該補助加熱装置は、エッジメインヒータの加熱電力を分担し、ヒータ全体の使用寿命を延長させることができる。また、関連技術における単結晶炉のホットゾーンヒータに比べて、本開示の実施例による単結晶炉のホットゾーンヒータ及び単結晶炉は、大きな加熱領域及び高いエネルギー変換率のヒータを有するので、一定の温度場を保証する条件で、更に省エネであり、コストが節約され、そして、エッジメインヒータと補助ヒータとが連携して動作して、ヒータの調節範囲以及び調節精度が向上される。
【図面の簡単な説明】
【0023】
【発明を実施するための形態】
【0024】
本開示の実施例の目的、技術案及び利点をより明確にするためには、以下、本開示の実施例の図面を参照しながら、本開示の実施例の技術案を明確且つ完全に説明する。以下に説明される実施例は本開示の実施例の一部であり、すべての実施例ではないことは自明である。以下に説明される本開示の実施例に基づいて、当業者によって創造的な労働を払わずに得られる他の実施例は、全て本開示の保護範囲に含まれるものとする。
【0025】
特に定義しない限り、本開示に使用される技術用語又は科学用語は、当業者が理解できる通常の意味を有する。本開示に使用される「第一」、「第二」及び類似する用語は、いかなる順序、数量又は重要性を示すものではなく、異なる構成要素を区別するためのものに過ぎない。同様に、「一つ」、「一」又「当該」等の類似する用語も、数量を限定するものではなく、少なくとも一つが存在することを意味する。「含む」又は「包含」等の類似する用語は、当該用語の前に記載される素子又は部材が、当該用語の後に挙げられる素子又は部材及びその同等物を含むが、他の素子又は部材を排除しないことを意味する。「接続」又は「結合」等の類似する用語は、物理的又は機械的接続に限定されず、直接接続又は間接的接続に関わらず、電気的接続を含んでもよい。「上」、「下」、「左」、「右」等は、相対位置関係を示すだけであり、説明対象の絶対位置が変わると、当該相対位置関係も対応して変化する可能性がある。
【0026】
本開示の実施例による単結晶炉のホットゾーンヒータ及び単結晶炉の詳しい説明に先立って、関連技術を以下のように説明しておく必要がある。
関連技術では、ホットゾーン内のエッジメインヒータの加熱領域が小さくて、加熱が均一ではなく、一定の温度場を保証するためには、消費電力が増加してしまい、コスト節約に不利となり、そして、エッジメインヒータは、一般的に抵抗ヒータであり、その温度上昇が遅く、加熱応答時間が長く、材料溶解段階にかかる時間が長いため、時間コストが大幅に増加するとともに、１つの抵抗ヒータでは、溶融シリコン液面の固液気の三相点の温度場の安定性が保証され難く、温度場が不安定になると、局所的な熱衝撃が形成されるため、結晶棒の無欠陥成長に不利となってしまう。
関連技術では、ホットゾーン内のエッジメインヒータの加熱領域が小さくて、加熱が均一ではなく、一定の温度場を保証するためには、消費電力が増加してしまい、コスト節約に不利となり、そして、エッジメインヒータは、一般的に抵抗ヒータであり、その温度上昇が遅く、加熱応答時間が長く、材料溶解段階にかかる時間が長いため、時間コストが大幅に増加するとともに、１つの抵抗ヒータでは、溶融シリコン液面の固液気の三相点の温度場の安定性が保証され難く、温度場が不安定になると、局所的な熱衝撃が形成されるため、結晶棒の無欠陥成長に不利となってしまう。
【0027】
上記問題に対して、本開示の実施例は、良好な加熱効果、速い温度上昇、安定したホットゾーン温度等の特徴を有し、結晶成長中の結晶棒の無欠陥成長に有利であり、結晶棒の歩留まりを向上させる単結晶炉のホットゾーンヒータ及び単結晶炉を提供している。
【0028】
図１に示すように、本開示の実施例による単結晶炉のホットゾーンヒータは、
エッジメインヒータ１０及び補助ヒータ２０を含み、前記エッジメインヒータ１０及び前記補助ヒータ２０は、何れも両端が開口される筒状構造であり、前記エッジメインヒータ１０及び前記補助ヒータ２０は、何れも対向する頂部開口端及び底部開口端を含み、前記補助ヒータ２０が前記エッジメインヒータ１０外にスリーブ設置され、且つ前記補助ヒータ２０の頂部開口端が前記エッジメインヒータ１０の頂部開口端外に伸び出される。
エッジメインヒータ１０及び補助ヒータ２０を含み、前記エッジメインヒータ１０及び前記補助ヒータ２０は、何れも両端が開口される筒状構造であり、前記エッジメインヒータ１０及び前記補助ヒータ２０は、何れも対向する頂部開口端及び底部開口端を含み、前記補助ヒータ２０が前記エッジメインヒータ１０外にスリーブ設置され、且つ前記補助ヒータ２０の頂部開口端が前記エッジメインヒータ１０の頂部開口端外に伸び出される。
【0029】
本開示の実施例による単結晶炉のホットゾーンヒータは、エッジメインヒータ１０及び補助ヒータ２０を含み、補助ヒータ２０の設置により、以下の役割を果たすことができ、即ち、温度を急速に上昇させて材料を溶解し、結晶棒の結晶成長（ｂｏｄｙ）段階で、エッジメインヒータに対する温度補償を行うとともにエッジメインヒータと連携してシリコン融液表面の固液気の三相点の温度場の安定性を共同で保証し、結晶棒の無欠陥成長に寄与し、それに、当該補助加熱装置は、エッジメインヒータの加熱電力を分担し、ヒータ全体の使用寿命を延長させることができる。また、関連技術における単結晶炉のホットゾーンヒータに比べて、本開示の実施例による単結晶炉のホットゾーンヒータ及び単結晶炉は、大きな加熱領域及び高いエネルギー変換率のヒータを有するので、一定の温度場を保証する条件で、更に省エネであり、コストが節約され、そして、エッジメインヒータと補助ヒータとが連携して動作して、ヒータの調節範囲以及び調節精度が向上される。
【0030】
一部の実施例において、図１～図３に示すように、前記補助ヒータ２０は、保護ケース２１及び電磁誘導コイル２２を含み、前記保護ケース２１は、前記エッジメインヒータ１０を周回するように設けられ、前記電磁誘導コイルは、前記保護ケース２１内に収納されている。
【0031】
上記実施例において、前記補助ヒータ２０として電磁誘導ヒータが使用され、エッジメインヒータ１０と電磁誘導補助ヒータ２０とが連携して動作して、ヒータの調節範囲以及び調節精度が向上され、そして、抵抗ヒータに比べて、電磁誘導ヒータは、調節範囲及び調節精度が更に高いため、溶融シリコン液面の固液気の三相点の温度場の安定性をより一層に保証することができる。
【0032】
もちろん、実際の応用では、前記補助ヒータ２０として、抵抗ヒータが使用されてもよい。
【0033】
また、一部の実施例において、図１～図３に示すように、前記保護ケース２１は、互いに係合する内ケース２３及び外ケース２４を含み、前記内ケース２３及び前記外ケース２４は、何れも筒状をなし、前記内ケース２３は、前記エッジメインヒータ１０の外周側に被設され、前記外ケース２４は、前記内ケース２３外にスリーブ設置されて、前記内ケース２３との間に空洞が形成され、前記内ケース２３は、前記外ケース２４と協働して前記空洞を形成する第一内側壁を含み、前記電磁誘導コイル２２は、前記空洞内に収納されるとともに、前記電磁誘導コイル２２は、前記内ケース２３の頂部開口端から前記内ケース２３の底部開口端に向かって前記第一内側壁に螺旋状に巻き付けられ、且つ前記電磁誘導コイル２２の両端は、それぞれ電源コネクタ２５となり、両端の電源コネクタ２５がそれぞれ前記保護ケース２１外に伸び出される。
【0034】
上記実施例において、電磁誘導コイル２２の両端は、それぞれ電源コネクタ２５となり、保護ケース２１から伸び出されて交流電源に接続する。電磁誘導加熱の原理によれば、電磁誘導コイル２２は、発生した誘導電気エネルギーを熱エネルギーに変換し、更に熱放射の方式で熱を石英坩堝内のシリコン材料に伝達する。前記保護ケース２１は、電磁誘導コイル２２を保護する目的を果たし、アルゴンフローによる補助ヒータ２０内の電磁誘導コイル２２に対する侵食及び電磁誘導コイル２２へのＳｉＯ２の堆積を阻止し、補助ヒータ２０の使用寿命を向上させているとともに、当該補助ヒータ２０は、保温効果も有し、熱損失を低減して、より多くの熱をホットゾーン内の坩堝の内部に伝送し、ヒータのエネルギー変換効率を向上させている。
【0035】
一部の実施例において、図１～図３に示すように、前記内ケース２３の頂部開口端に段差状の第一辺部２３０１が設けられ、前記外ケース２４の頂部開口端縁に段差状の第二辺部２４０１が設けられており、前記第一辺部２３０１と前記第二辺部２４０１との段差構造が互いに重ね接続され、前記内ケース２３の底部開口端縁に段差状の第三辺部２３０２が設けられ、前記外ケース２４の底部開口端縁に段差状の第四辺部２４０２が設けられており、前記第三辺部２３０２と前記第四辺部２４０２との段差構造が互いに重ね接続される。
【0036】
上記実施例において、前記内ケース２３と前記外ケース２４とは、開口縁に段差構造が設けられて互いに重ね接続されることで、両者の間の相互係合を実現するようになっている。実際の応用では、前記内ケース２３及び前記外ケース２４の具体的な構造は、これに限定されない。
【0037】
また、一部の実施例において、図１及び図３に示すように、前記電磁誘導コイル２２は、複数のスパイラルを含み、前記内ケース２３の第一内側壁に複数の第一支持体２６が設けられており、隣接する２つの前記スパイラルの間に１つの前記第一支持体２６が設けられる。
【0038】
上記態様では、電磁誘導コイル２２は、保護ケース２１の内部に螺旋状に分布され、各巻きのスパイラルは、電磁誘導コイル２２の総合的な機械的特性を向上させるために、何れも第一支持体２６によって支持されてもよい。
【0039】
選択的に、前記第一支持体２６は、支持柱構造であってもよいが、前記第一支持体の具体的な構造は、これに限定されない。
【0040】
また、関連技術では、単結晶炉のホットゾーン内のメインヒータは、坩堝の外周側に設けられ、保護装置がなく、アルゴンフロー雰囲気に直接曝されており、結晶引き上げ中にヒータの上面及び外面がアルゴンフローによって侵食され続け、メインヒータの使用寿命が大幅に短縮されてしまい、それに、該当する位置には、ＳｉＯ２（二酸化ケイ素）の堆積が発生してしまい、ＳｉＯ２が除去されるために、ヒータの寿命短縮にも繋がる。
【0041】
上記課題を解決するために、本開示の一部の実施例において、図４に示すように、前記メインヒータ１０は、ヒータ本体１００及び絶縁保護カバー２００を含み、前記ヒータ本体１００は、単結晶炉のホットゾーン内の坩堝を周回するように設けられる第一筒状構造であり、頂部開口端、底部開口端、及び前記頂部開口端と前記底部開口端との間に位置する外周側面を含み、前記絶縁保護カバー２００は、筒状カバー体であり、前記ヒータ本体１００外に被設されるとともに、少なくとも前記第一筒状構造の頂部開口端、前記第一筒状構造の底部開口端及び前記第一筒状構造の外周側面を覆っている。
【0042】
本開示の実施例による単結晶炉のホットゾーンヒータは、ヒータ本体１００外に絶縁保護カバー２００が被設されていることで、当該絶縁保護カバー２００がヒータ本体１００の頂部開口端、底部開口端及び外周側面の全てを包んで覆うことができ、これにより、アルゴンフローによるヒータ本体１００に対する侵食及びヒータ本体１００へのＳｉＯ２の堆積を阻止し、ヒータの使用寿命を向上させているとともに、筒状の絶縁保護カバー２００は、保温効果も有し、ヒータ本体１００の熱損失を低減し、より多くの熱をホットゾーン内の坩堝の内部に伝送し、ヒータのエネルギー変換効率を向上させている。
【0043】
また、関連技術では、従来の単結晶炉のホットゾーンエッジメインヒータ１０は、シート状筒体構造を含み、シート状筒体構造に複数のスリットが設けられて複数の羽根が形成され、各羽根の幅が広くて、エッジメインヒータ１０の加熱電力は、羽根の横断面の大きさに関係しているため、エッジメインヒータ１０の加熱電力と羽根の横断面積との関係は、以下の通りである。
ここで、Ｐはエッジメインヒータ１０の電力であり、Ｉは電流であり、Ｒは羽根の抵抗であり、ρは羽根の抵抗率であり、Ｓは羽根の横断面積であり、Ｌは羽根の長さである。
【数1】
【0044】
式（Ｉ）及び式（ＩＩ）によって、以下の式（ＩＩＩ）が得られる。
式（ＩＩＩ）から分かるように、Ｓが大きくなると、加熱電力Ｐが低下する。したがって、羽根の横断面が大きいほど、ヒータの抵抗が小さくなり、ヒータの加熱電力が小さくなり、その結果、エッジメインヒータ１０の加熱領域は非常に小さくなり、且つ加熱が均一ではなく、一定の温度場を保証するためには、消費電力が増加してしまい、コスト節約に不利となるとともに、結晶引き上げ中の結晶棒の酸素含有量の制御に不利であり、更に結晶棒全体の品質に影響を与えてしまう。
【数2】
【0045】
本開示の一実施例において、図４及び図５に示すように、前記ヒータ本体１００は、複数のＵ型加熱柱ユニット１００Ａを含み、複数の前記Ｕ型加熱柱ユニット１００Ａは、前記第一筒状構造となるように順次に接続されて周回され、隣接する２つのＵ型加熱柱ユニット１００Ａのうち、一方のＵ型加熱柱ユニット１００Ａの開口が前記頂部開口端に向き、他方のＵ型加熱柱ユニット１００Ａの開口が前記底部開口端に向くことで、前記ヒータ本体１００の輪郭がへび型曲線構造をなすようにしている。
【0046】
選択的に、各々の前記Ｕ型加熱柱は、
互いに平行する２本の縦方向直加熱柱１１０であって、延在方向が前記第一筒状構造の軸線方向に平行する２本の縦方向直加熱柱１１０と、前記２本の縦方向直加熱柱１１０の間に接続される弧状又は直線状の横向加熱柱１２０とを含み、２本の前記縦方向直加熱柱１１０の間には、前記第一筒状構造の周方向に隙間Ａがあり、前記第一筒状構造の周方向における前記隙間Ａの幅は、前記第一筒状構造の周方向における前記縦方向直加熱柱１１０の幅以下である。
互いに平行する２本の縦方向直加熱柱１１０であって、延在方向が前記第一筒状構造の軸線方向に平行する２本の縦方向直加熱柱１１０と、前記２本の縦方向直加熱柱１１０の間に接続される弧状又は直線状の横向加熱柱１２０とを含み、２本の前記縦方向直加熱柱１１０の間には、前記第一筒状構造の周方向に隙間Ａがあり、前記第一筒状構造の周方向における前記隙間Ａの幅は、前記第一筒状構造の周方向における前記縦方向直加熱柱１１０の幅以下である。
【0047】
上記態様では、ヒータ本体１００の構造が改良され、前記ヒータ本体１００は、端部同士を繋ぎ合わせられる複数のＵ型加熱柱ユニット１００Ａによって第一筒状構造が形成され、Ｕ型加熱柱ユニット１００Ａ内の加熱柱が、２本の縦方向直加熱柱１１０、及び弧状又は直線状の横向加熱柱１２０を含むように設計されており、このような加熱柱の構造において、関連技術におけるエッジメインヒータ１０内の羽根構造に比べて、加熱柱の横断面が羽根の横断面寸法よりも小さくなり、且つ２本の前記縦方向直加熱柱１１０の間の隙間Ａは、関連技術におけるエッジメインヒータ１０内の羽根との間のスリットに比べて、隙間Ａの寸法がスリットの寸法よりも大きくなる。こうして、加熱柱の横断面が小さくなって、ヒータの抵抗が増大し、ヒータの加熱電力が大きくなり、これにより、環状のＵ型加熱柱ユニット１００Ａの設計によって、ヒータによる加熱が更に均一になることを保証され、エッジメインヒータ１０の加熱領域が大きくて、一定の温度場を保証する場合は、消費電力が低下し、コスト節約に有利であるとともに、結晶引き上げ中の結晶棒の酸素含有量の制御に有利であり、更に結晶棒全体の品質が向上される。
【0048】
また、説明すべきなのは、本開示の実施例において、単一の縦方向直加熱柱１１０の長さを増加させることで、加熱電力を更に増加させてもよい。
【0049】
一部の実施例において、前記第一筒状構造の周方向における前記縦方向直加熱柱１１０の幅は１５～２０ｍｍであり、前記縦方向直加熱柱の横断面面積は、隣接する２本の縦方向直加熱柱の隙間の横断面面積以下であり、更に、前記縦方向直加熱柱の横断面面積は１５０～２００ｍｍ２であり、且つ前記第一筒状構造の前記頂部開口端から前記底部開口端までの前記縦方向直加熱柱１１０の長さは３２０～３５０ｍｍである。説明すべきなのは、実際の応用では、前記エッジメインヒータ１０の具体的な構造としては、これに限定されなくてもよい。
【0050】
また、本開示による実施例において、図４～図７に示すように、前記絶縁保護カバー２００の内側壁には、前記ヒータ本体１００を支持するための複数の第二支持体３００が設けられており、各々のＵ型加熱柱ユニット１００Ａにおける２本の前記縦方向直ヒータの間の隙間Ａ内には、少なくとも１つの前記第二支持体３００が設けられる。
【0051】
上記態様を使用した場合、ヒータ本体１００としてＵ型加熱柱ユニット１００Ａが使用され、隣接する縦方向直加熱柱１１０の間の隙間Ａが大きいため、その機械的特性が弱められる恐れがある。当該ヒータ本体１００の耐衝撃性能を向上させ、その総合的な機械的特性を向上させるために、上記態様では、絶縁保護カバー２００上に第二支持体３００を設け、各々のＵ型加熱柱ユニット１００Ａにおける２本の縦方向直加熱柱１１０の間の隙間Ａ内に当該第二支持体３００を設けることで、保護ヒータ本体１００を支持する役割が果たされるため、当該単結晶炉のホットゾーンヒータの耐衝撃性能をより良好にし、当該ヒータの総合的な機械的特性を向上させている。
【0052】
本開示による一部の実施例において、図４～図７に示すように、複数の第二支持体３００は、交互に設けられる複数の第一支持柱３１０及び複数の第二支持柱３２０を含み、前記第一支持柱３１０は、前記頂部開口端に開口を向けるＵ型加熱柱ユニット１００Ａにおける２本の縦方向直加熱柱１１０の間の隙間Ａ内に設けられ、前記第二支持柱３２０は、前記底部開口端に開口を向けるＵ型加熱柱ユニット１００Ａにおける２本の縦方向直加熱柱１１０の間の隙間Ａ内に設けられている。
【0053】
上記実施例において、前記第二支持体３００は、Ｕ型加熱柱ユニット１００Ａにおける２本の縦方向直加熱柱１１０の間の隙間Ａ内に設けられる柱状構造、即ち支持柱であり、別の一部の実施例において、前記第二支持体３００の構造としては、支持柱の構造に限定されず、例えば支持ブロック等の他の構造が使用されてもよい。
【0054】
また、本開示の一部の実施例において、図４～図７に示すように、前記絶縁保護カバー２００は、第一カバー体２１０及び第二カバー体２２０を含み、前記第一カバー体２１０は、前記ヒータ本体１００の頂部開口端を遮蔽する環状の頂部遮蔽板２１１と、前記ヒータ本体１００の外周側を周回し且つ前記頂部遮蔽板２１１に固定接続される側面遮蔽板２１２とを含み、複数の前記第一支持柱３１０は、前記頂部遮蔽板２１１の周方向に沿って均一に分布され、前記側面遮蔽板２１２の内側壁に固定され、前記第二カバー体２２０は、前記ヒータ本体１００の底部開口端を遮蔽する環状の底部遮蔽板２２１と、前記底部遮蔽板２２１の周方向に沿って均一に分布される複数の前記第二支持柱３２０とを含み、複数の前記第二支持柱３２０は、前記底部遮蔽板２２１に固定され、複数の前記第二支持柱３２０は、前記第一カバー体２１０と前記第二カバー体２２０とを係合させるように、前記側面遮蔽板２１２内に挿入される。
【0055】
上記実施例において、前記絶縁保護カバー２００は、上下２つのカバー体、即ち第一カバー体２１０及び第二カバー体２２０からなり、このような構造によれば、カバー体がヒータ本体１００に係止され易くなり、且つ２つのカバー体上に第一支持柱３１０及び第二支持柱３２０がそれぞれ設けられ、両者は、ヒータ本体１００の骨格として、ヒータ本体１００を支持及び保護する役割を果たす。
【0056】
本開示の別の一部の実施例において、前記絶縁保護カバー２００は、第一カバー体２１０及び第二カバー体２２０を含み、前記第一カバー体２１０は、前記ヒータ本体１００の底部開口端を遮蔽する環状の底部遮蔽板２２１と、前記ヒータ本体１００の外周側を周回し且つ前記底部遮蔽板２２１に固定接続される側面遮蔽板２１２とを含み、複数の前記第二支持柱３２０は、前記底部遮蔽板２２１の周方向に沿って均一に分布され、前記側面遮蔽板２１２の内側壁に固定され、前記第二カバー体２２０は、前記ヒータ本体１００の頂部開口端を遮蔽する環状の頂部遮蔽板２１１と、前記頂部遮蔽板２１１の周方向に沿って均一に分布される複数の前記第一支持柱３１０とを含み、複数の前記第一支持柱３１０は、前記頂部遮蔽板２１１に固定され、複数の前記第一支持柱３１０は、前記第一カバー体２１０と前記第二カバー体２２０とを係合させるように、前記側面遮蔽板２１２内に挿入される。
【0057】
説明すべきなのは、上述したのは、前記絶縁保護カバー２００の例示的な実施例に過ぎず、実際の応用では、前記絶縁保護カバー２００の具体的な構造は、特に限定されない。
【0058】
また、説明すべきなのは、前記絶縁保護カバー２００は、選択的に、耐高温、耐腐食の絶縁材料、例えば半導体セラミック材質製であってもよい。
【0059】
また、前記第一筒状構造の前記頂部開口端から前記底部開口端までの前記縦方向直加熱柱の長さは、前記第一カバー体上の第一支持柱又は前記第二カバー体上の第二支持柱の長さに等しい。
【0060】
また、図４～図７に示すように、本開示の一実施例において、前記ヒータ本体１００には、少なくとも第一電極コネクタ４１０及び第二電極コネクタ４２０が更に接続されており、前記第一電極コネクタ４１０及び前記第二電極コネクタ４２０は、前記ヒータ本体１００の対向する両側にそれぞれ位置し、前記絶縁保護カバー２００には、少なくとも第一開口２０１及び第二開口２０２が設けられており、前記第一電極コネクタ４１０は、前記第一開口２０１から貫通され、前記第二電極コネクタ４２０は、前記第二開口２０２から伸び出される。
【0061】
上記実施例において、在前記ヒータ本体１００には、前記ヒータ本体１００の電極と接続するための第一電極コネクタ４１０及び第二電極コネクタ４２０がそれぞれ設けられる。
【0062】
説明すべきなのは、一部の実施例において、前記ヒータ本体１００には、少なくとも２つの電極コネクタが設けられているが、実際の応用では、前記ヒータ本体１００上の電極コネクタの数量は、２つに限定されず、例えば、３つの電極コネクタが含まれてもよく、つまり、前記ヒータ本体１００上のコネクタは、三相電気コネクタであってもよい。
【0063】
また、本開示の実施例は、本開示の実施例による単結晶炉のホットゾーンヒータを含む、単結晶炉を更に提供している。明らかなことに、本開示の実施例による単結晶炉も、本開示の実施例による単結晶炉のホットゾーンヒータが奏した有益な効果を奏することができるが、ここで繰り返して述べない。
【0064】
以下、いくつかの留意点について説明する。
（１）本開示の実施例の図面は、本開示の実施例に係る構造に関するものに過ぎず、他の構造については、通常の設計を参照すればよい。
（２）明瞭にするために、本開示の実施例を説明する図面において、層又は領域の厚さは拡大又は縮小されており、即ち、これらの図面は実際の比率で描かれているものではない。理解できることに、例えば層、膜、領域や基板のような部材が別の部材の「上」又は「下」にあると言及される場合、当該部材は、別の部材の「上」又は「下」に「直接」位置してよく、又は中間部材が介在してよい。
（３）矛盾のない場合、本開示の実施例及び実施例の特徴を組み合わせて新しい実施例を得ることが可能である。
（１）本開示の実施例の図面は、本開示の実施例に係る構造に関するものに過ぎず、他の構造については、通常の設計を参照すればよい。
（２）明瞭にするために、本開示の実施例を説明する図面において、層又は領域の厚さは拡大又は縮小されており、即ち、これらの図面は実際の比率で描かれているものではない。理解できることに、例えば層、膜、領域や基板のような部材が別の部材の「上」又は「下」にあると言及される場合、当該部材は、別の部材の「上」又は「下」に「直接」位置してよく、又は中間部材が介在してよい。
（３）矛盾のない場合、本開示の実施例及び実施例の特徴を組み合わせて新しい実施例を得ることが可能である。
【0065】
上記は、本開示の具体的な実施の形態に過ぎず、本開示の保護範囲は、これに限定されず、特許請求の範囲の保護範囲に準じるものとする。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【手続補正書】
【提出日】2022-06-21
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0046】
選択的に、各々の前記Ｕ型加熱柱は、
互いに平行する２本の縦方向直加熱柱１１０であって、延在方向が前記第一筒状構造の軸線方向に平行する２本の縦方向直加熱柱１１０と、前記２本の縦方向直加熱柱１１０の間に接続される弧状又は直線状の横向加熱柱１２０とを含み、２本の前記縦方向直加熱柱１１０の間には、前記第一筒状構造の周方向に隙間Ａがあり、前記第一筒状構造の周方向における前記隙間Ａの幅は、前記第一筒状構造の周方向における前記縦方向直加熱柱１１０の幅以上である。
互いに平行する２本の縦方向直加熱柱１１０であって、延在方向が前記第一筒状構造の軸線方向に平行する２本の縦方向直加熱柱１１０と、前記２本の縦方向直加熱柱１１０の間に接続される弧状又は直線状の横向加熱柱１２０とを含み、２本の前記縦方向直加熱柱１１０の間には、前記第一筒状構造の周方向に隙間Ａがあり、前記第一筒状構造の周方向における前記隙間Ａの幅は、前記第一筒状構造の周方向における前記縦方向直加熱柱１１０の幅以上である。
【国際調査報告】