特表 2023-512081 ＭＥＭＳデバイスを音響試験するための方法および装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2023-03-23

(54)【発明の名称】ＭＥＭＳデバイスを音響試験するための方法および装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/66 20060101AFI20230315BHJP

   G01H 17/00 20060101ALI20230315BHJP

   G01N 29/04 20060101ALI20230315BHJP

【ＦＩ】

H01L21/66 B

G01H17/00 D

G01N29/04

【審査請求】有

【予備審査請求】有

(21)【出願番号】P 2022546416

(86)(22)【出願日】2021-01-26

(85)【翻訳文提出日】2022-09-27

(86)【国際出願番号】 EP2021051680

(87)【国際公開番号】W WO2021151861

(87)【国際公開日】2021-08-05

(31)【優先権主張番号】102020201124.9

(32)【優先日】2020-01-30

(33)【優先権主張国・地域又は機関】DE

(81)【指定国・地域】

【公序良俗違反の表示】

（特許庁注：以下のものは登録商標）

１．Ｂｌｕ－ｒａｙ

(71)【出願人】

【識別番号】500341779

【氏名又は名称】フラウンホーファー－ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デル・アンゲヴァンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン

(74)【代理人】

【識別番号】100134119

【弁理士】

【氏名又は名称】奥町 哲行

(72)【発明者】

【氏名】フリッチ・トビアス

(72)【発明者】

【氏名】クラウス・トビアス

(72)【発明者】

【氏名】フリッツチェ・パウル

(72)【発明者】

【氏名】フィードラー・マティアス

【テーマコード（参考）】

2G047

2G064

4M106

【Ｆターム（参考）】

2G047AA05

2G047AC10

2G047BC07

2G047CA01

2G047GB02

2G047GD02

2G064AA12

2G064AB01

2G064AB02

2G064AB13

2G064BA07

2G064BA08

2G064BA21

2G064CC02

4M106AA01

4M106BA01

4M106DD03

4M106DD10

4M106DE20

4M106DE24

4M106DH20

4M106DJ02

4M106DJ28

(57)【要約】

実施形態は、複数のＭＥＭＳデバイスのうちの少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを音響的に試験するための方法を提供する。本方法は、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを提供するステップを含む。さらに、本方法は、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを音響振動をするように励起するステップを含む。さらに、本方法は、少なくとも１つの音センサによって少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスの音響振動を検出するステップを含む。さらに、本方法は、少なくとも１つの音センサによって検出された少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスの音響振動を評価して、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを意図された機能に関して試験するステップを含む。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を音響的に試験するための方法（１００）であって、
前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を提供するステップ（１０２）と、
前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を音響振動をするように励起するステップ（１０４）と、
前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）の前記音響振動を少なくとも１つの音センサ（８）によって検出するステップ（１０６）と、
意図された機能に関して前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を試験するために、前記少なくとも１つの音センサ（８）によって検出される、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）の前記音響振動を評価するステップ（１０８）と、
を含む、方法（１００）。

【請求項2】

複数のＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）を備えるウェハ（２）が、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を提供する際に提供され、
前記複数のＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のうちの少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）は、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを励起する際に励起される、
請求項１に記載の方法（１００）。

【請求項3】

前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）は、前記複数のＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）をダイシングする前にウェハレベルで試験される、
請求項２に記載の方法（１００）。

【請求項4】

前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を備える集積回路またはチップが、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を提供する際に提供される、
請求項１に記載の方法（１００）。

【請求項5】

前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）は、前記集積回路またはチップを製造している間に試験され、および／または
前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）は、前記集積回路またはチップの製造の終わりに試験される、
請求項４に記載の方法（１００）。

【請求項6】

前記方法（１００）は、
試験装置（１０）を提供し、前記試験装置（１０）によって前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）に接触させるステップ、
をさらに含み、
前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）は、前記試験装置（１０）を介して励起される、
請求項１から５のいずれか一項に記載の方法（１００）。

【請求項7】

前記試験装置（１０）が、プローブ、プローブの一部またはプローブカードである、
請求項３に記載の方法（１００）。

【請求項8】

前記試験装置（１０）は、前記少なくとも１つの音センサ（８）を備える、
請求項６または７に記載の方法（１００）。

【請求項9】

前記試験装置（１０）は、少なくとも前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）に隣接する領域（１４）において少なくとも部分的に音響透過性であり、
前記少なくとも１つの音センサ（８）は、前記試験装置（１０）の前記少なくとも部分的に音響透過性の領域（７）に隣接して配置される、
請求項８に記載の方法（１００）。

【請求項10】

前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）はＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループであり、
前記試験装置（１０）は、少なくとも前記ＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループに隣接する領域（１４＿１～１４＿３）において少なくとも部分的に音響透過性であり、
前記少なくとも１つの音センサ（８）は、前記試験装置（１０）の前記少なくとも部分的に音響透過性の領域（１４＿１～１４＿３）に隣接して配置される、
請求項９に記載の方法（１００）。

【請求項11】

前記試験装置（１０）は第１の試験装置であり、
前記第１の試験装置（１０）は、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）の第１の側面（３２）に接触し、
前記方法（１００）は、
第２の試験装置（３４）を提供し、前記第２の試験装置（３４）によって前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）の前記第１の側面（３２）とは反対側の第２の面（３６）に接触させるステップ、
をさらに含み、
前記第２の試験装置（３４）が前記少なくとも１つの音センサ（８）を備える、
請求項６または７に記載の方法（１００）。

【請求項12】

前記第２の試験装置（３４）は、前記ウェハ（２）用の支持体（１）を備え、前記支持体（１）は、少なくとも前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）に隣接する領域（１４）において少なくとも部分的に音響透過性であり、
前記少なくとも１つの音センサ（８）は、前記支持体（１）の前記少なくとも部分的に音響透過性の領域（１４）に隣接して配置される、
請求項１１に記載の方法（１００）。

【請求項13】

前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）はＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループであり、
前記支持体（１）は、少なくとも前記ＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループに隣接する領域（１４＿１～１４＿３）において少なくとも部分的に音響透過性であり、
前記少なくとも１つの音センサ（８）は、前記支持体（１）の前記少なくとも部分的に音響透過性の領域（１４＿１～１４＿３）に隣接して配置される、
請求項１２に記載の方法（１００）。

【請求項14】

前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）はＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループであり、
前記ＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループは音響振動をするように励起され、
前記ＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループの前記音響振動は、前記少なくとも１つの音センサ（８）によって検出される、
請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法（１００）。

【請求項15】

前記少なくとも１つの音センサ（８）は、前記ＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループに関連付けられた正確に１つの音センサであり、
または、前記少なくとも１つの音センサ（８）は、前記ＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループに関連付けられた正確に１つの音センサアレイを備える、
請求項１４に記載の方法（１００）。

【請求項16】

前記少なくとも１つの音センサ（８）は、複数の音センサ（８＿１～８＿３）を備え、前記複数の音センサ（８＿１～８＿３）の各々の１つの音センサは、前記ＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループのうちの１つのＭＥＭＳデバイスに関連付けられており、
または、前記少なくとも１つの音センサ（８）は、複数の音センサアレイ（８＿１～８＿３）を備え、前記複数の音センサアレイ（８＿１～８＿３）の各々の１つの音センサアレイは、前記ＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループのうちの１つのＭＥＭＳデバイスに関連付けられている、
請求項１４に記載の方法（１００）。

【請求項17】

前記複数の音センサ（８＿１～８＿３）または音センサアレイ（８＿１～８＿３）は、互いに音響的に遮蔽され、
および／または、前記ＭＥＭＳデバイスのグループ（７＿１～７＿３）の前記ＭＥＭＳデバイスは、相互に音響的にシールドされている、
請求項１６に記載の方法（１００）。

【請求項18】

前記ＭＥＭＳデバイスのグループ（７＿１～７＿３）は、周波数が重複しない異なる信号によって同時に励起される、
請求項１４から１７のいずれか一項に記載の方法（１００）。

【請求項19】

前記ＭＥＭＳデバイスのグループ（７＿１～７＿３）は、周波数が重複する異なる信号によって同時に励起される、
請求項１４から１７のいずれか一項に記載の方法（１００）。

【請求項20】

前記ＭＥＭＳデバイスのグループ（７＿１～７＿３）は、同じ信号によって連続的に励起される、
請求項１４から１７のいずれか一項に記載の方法（１００）。

【請求項21】

前記ＭＥＭＳデバイスのグループ（７＿１～７＿３）は同時に励起される、
請求項１７に記載の方法（１００）。

【請求項22】

前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（８）は、ＭＥＭＳスピーカ、ＭＥＭＳマイクロフォン、ＭＥＭＳポンプ、ＭＥＭＳドライブ、ＭＥＭＳ伝送、またはＭＥＭＳベースの医療検査装置である、
請求項１から２１のいずれか一項に記載の方法（１００）。

【請求項23】

前記少なくとも１つの音センサ（８）は、マイクロフォンまたは構造物伝播音センサである、
請求項１から２２のいずれか一項に記載の方法（１００）。

【請求項24】

コンピュータ、マイクロプロセッサ、ＦＰＧＡ、またはＡＳＩＣ上で実行されたときに、請求項１から２３のいずれか一項に記載の方法（１００）を実行する、コンピュータプログラム。

【請求項25】

ウェハ（２）上に配置された複数のＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のうちの少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）を音響的に試験するための試験装置（１０）であって、
前記試験装置（１０）は、前記ウェハ（２）上に配置された前記複数のＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のうちの少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）に接触するように構成され、
前記試験装置（１０）は、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）を音響振動をするように励起するように構成され、
前記試験装置は、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）の前記音響振動を検出するように構成された少なくとも１つの音センサ（８）を備え、
前記試験装置（１０）は、前記音センサによって検出された前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）の前記音響振動に依存する少なくとも１つの信号を提供するように構成され、
前記試験装置（１０）が、プローブ、プローブの一部またはプローブカードである、
試験装置（１０）。

【請求項26】

ウェハ（２）上に配置された複数のＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のうちの少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）を音響的に試験するための装置（１１）であって、
前記装置（１１）が、第１の試験装置（１０）および第２の試験装置（３４）を備え、
前記第１の試験装置（１０）は、前記ウェハ（２）上に配置された前記複数のＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のうちの前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）の第１の側面（３２）に接触するように構成され、
前記第１の試験装置（１０）は、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）を音響振動をするように励起するように構成され、
前記第２の試験装置（３４）は、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）の前記第１の側面（３２）とは反対側の第２の側面（３４）に接触するように構成され、
前記第２の試験装置（３４）は、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）の前記音響振動を検出するように構成された少なくとも１つの音センサ（８）を備え、
前記装置（１１）は、前記少なくとも１つの音センサ（８）によって検出された前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）の前記音響振動を評価して、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）を意図された機能に関して試験するように構成される、
装置（１１）。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、複数のＭＥＭＳデバイスのうちの少なくとも１つのＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ－Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ：微小電気機械システム）デバイスを音響的に試験するための方法に関する。さらなる実施形態は、複数のＭＥＭＳデバイスのうちの少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを音響的に試験するための装置に関する。いくつかの実施形態は、ＭＥＭＳの音響試験に関する。

【背景技術】

【0002】

微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）をその所望の機能モードに関してチェックすることは、重要な技術的問題を伴う。したがって、電気的に完全に機能することが証明されたＭＥＭＳは、機械的に欠陥がある可能性がある。逆に、機械的運動が可能であるが、例えば電気的短絡の場合には電気的機能が不可能である場合も可能である。

【0003】

さらに、所望の機能における特定のＭＥＭＳ構造は非常に低い電流のみを通過し、それに対応して高い抵抗／インピーダンス（ＭＯｈｍまたはＧＯｈｍの範囲）が存在するため、純粋に電気的な測定は問題となり得る。その結果、計測方法はしばしば長い積分時間を必要とする。最適化された生産ラインに関して、これらの方法は不経済であるように思われる。潜在的な解決策は、ＭＥＭＳの電気的励起（または刺激）が機械的運動をもたらすかどうかをチェックすることである。これは、従来技術で行われているように光学的に実行することができるが、これは複数のチップでの測定の非常に高い複雑さを表す。基礎となる光学系およびそれらのフォームファクタは問題の一部である。非常に小さいＭＥＭＳ構造では非常に高価な測定距離が必要であり、これは、それらのモード機能（例えば、ストロボ）のために非常に時間がかかる場合もある。さらに、現在の従来技術では、収容またはキャップされたＭＥＭＳの内部構造の光学試験を実行することはできず、その結果、ハウジング／キャップに起因する欠陥を検査することはできない。さらに、シリコンによる構造、すなわちハウジング／キャップを露出させることができる現在研究されている光学システムは、依然としてその範囲が限定されており、その結果、より大きなチップを完全に検査することはできない。製造プロセス中に既に存在するまたは導入された欠陥がサプライチェーンで発見されるのが遅いほど、製造プロセス全体がより高価になる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

したがって、本発明の根底にある目的は、現在の状況を改善することである。

【課題を解決するための手段】

【0005】

実施形態は、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを音響的に試験するための方法を提供する。本方法は、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを提供するステップを含む。さらに、本方法は、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを音響振動（または振動）に励起するステップを含む。さらに、本方法は、少なくとも１つの音センサ（または音響センサ）によって少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスの音響振動を検出するステップを含む。さらに、本方法は、少なくとも１つの音センサによって検出された少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスの音響振動を評価して、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを意図された機能に関して試験するステップを含む。

【0006】

実施形態では、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを提供する際に、複数のＭＥＭＳデバイスを含むウェハを提供することができ、複数のＭＥＭＳデバイスのうちの少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスは、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを励起する際に励起されることができる。
実施形態では、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスは、複数のＭＥＭＳデバイスをダイシングする前にウェハレベルで試験することができる。

【0007】

実施形態では、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを備える集積回路またはチップは、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを提供する際に提供され得る。
実施形態では、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスは、集積回路またはチップを製造しながら試験することができる。
実施形態では、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスは、集積回路またはチップの製造の終わりに試験することができる。

【0008】

実施形態では、本方法は、試験装置を提供することと、試験装置によって少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを接触させることとをさらに含むことができ、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスは試験装置によって励起される。
実施形態では、試験装置は、プローブ、プローブの一部または試験カードであり得る。
実施形態では、試験装置は、少なくとも１つの音センサを備えることができる。

【0009】

実施形態において、試験装置は、少なくとも、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスに隣接する領域において少なくとも部分的に音響透過性であり得、少なくとも１つの音センサは、試験装置の少なくとも部分的に音響透過性の領域に隣接して配置され得る。

【0010】

実施形態において、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスは、ＭＥＭＳデバイスのグループとすることができ、試験装置は、少なくともＭＥＭＳデバイスのグループに隣接する領域において少なくとも部分的に音響透過性であり、少なくとも１つの音センサは、試験装置の少なくとも部分的に音響透過性の領域に隣接して配置される。

【0011】

実施形態では、試験装置は、第１の試験装置であってもよく、第１の試験装置は、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスの第１の側面に接触し、方法は、第２の試験装置を提供することと、第２の試験装置によって第１の側面の反対側の少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスの第２の側面に接触することとをさらに含むことができ、第２の試験装置は、少なくとも１つの音センサを備える。

【0012】

実施形態において、第２の試験装置は、ウェハのための支持体を備えることができ、支持体は、少なくとも、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスに隣接する領域において少なくとも部分的に音響透過性であり、少なくとも１つの音センサは、支持体の少なくとも部分的に音響透過性の領域に隣接して配置される。

【0013】

実施形態において、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスは、ＭＥＭＳデバイスのグループとすることができ、支持体は、少なくともＭＥＭＳデバイスのグループに隣接する領域において少なくとも部分的に音響透過性であり、少なくとも１つの音センサは、支持体の少なくとも部分的に音響透過性の領域に隣接して配置される。

【0014】

実施形態では、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスはＭＥＭＳデバイスのグループとすることができ、ＭＥＭＳデバイスのグループは音響振動をするように励起され、ＭＥＭＳデバイスのグループの音響振動は少なくとも１つの音センサによって検出される。
実施形態では、少なくとも１つの音センサは、ＭＥＭＳデバイスのグループに関連付けられた正確に１つの音センサとすることができる。
実施形態では、少なくとも１つの音センサは、ＭＥＭＳデバイスのグループに関連付けられた正確に１つの音センサアレイを含むことができる。

【0015】

実施形態において、少なくとも１つの音センサは、複数の音センサを備えることができ、複数の音センサの各々のうちの１つの音センサは、ＭＥＭＳデバイスのグループのうちの１つのＭＥＭＳデバイスに関連付けられる。

【0016】

実施形態において、少なくとも１つの音センサは、複数の音センサアレイを備えることができ、複数の音センサアレイの各々の１つの音センサアレイは、ＭＥＭＳデバイスのグループのうちの１つのＭＥＭＳデバイスに関連付けられる。
実施形態では、複数の音センサまたは音センサアレイは、相互に音響的に遮蔽することができる。
実施形態では、ＭＥＭＳデバイスのグループのＭＥＭＳデバイスは、相互に音響的にシールドすることができる。

【0017】

実施形態では、ＭＥＭＳデバイスのグループは、周波数が重複しない異なる信号によって同時に励起され得る。
実施形態では、ＭＥＭＳデバイスのグループは、周波数が重複する異なる信号によって同時に励起することができる。
実施形態では、ＭＥＭＳデバイスのグループは、同じ信号によって連続的に励起され得る。
実施形態では、ＭＥＭＳデバイスのグループを同時に励起することができる。

【0018】

実施形態では、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスは、ＭＥＭＳスピーカ、ＭＥＭＳマイクロフォン、ＭＥＭＳポンプ、ＭＥＭＳドライブ、ＭＥＭＳ伝送、またはＭＥＭＳベースの医療検査装置とすることができる。
実施形態では、少なくとも１つの音センサは、マイクロフォンまたは構造物伝播音センサとすることができる。

【0019】

さらなる実施形態は、ウェハ上に配置された複数のＭＥＭＳデバイスのうちの少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを音響的に試験するための試験装置を提供し、試験装置は、ウェハ上に配置された複数のＭＥＭＳデバイスのうちの少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスに接触するように構成され、試験装置は、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを音響振動するように励起するように構成され、試験装置は、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスの音響振動を検出するように構成された少なくとも１つの音センサを備え、試験装置は、音センサによって検出された少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスの音響振動に依存する少なくとも１つの信号を提供するように構成され、試験装置はプローブまたは試験カードである。

【0020】

さらなる実施形態は、ウェハ上に配置された複数のＭＥＭＳデバイスのうちの少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを音響的に試験するための装置を提供し、装置は、第１の試験装置および第２の試験装置を備え、第１の試験装置は、ウェハ上に配置された複数のＭＥＭＳデバイスのうちの少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスの第１の側面に接触するように構成され、第１の試験装置は、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを音響振動に励起するように構成され、第２の試験装置は、第１の側面の反対側の少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスの第２の側面に接触するように構成され、第２の試験装置は、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスの音響振動を検出するように構成された少なくとも１つの音センサを備え、装置は、少なくとも１つの音センサによって検出された少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスの音響振動を評価して、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを意図された機能に関して試験するように構成される。

【0021】

さらなる実施形態は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）を音響試験および音響特性評価するための方法、装置およびコンピュータプログラムを提供する。
本発明の実施形態は、添付の図面を参照してより詳細に説明される。

【図面の簡単な説明】

【0022】

【図1】本発明の一実施形態による、複数のＭＥＭＳデバイスのうちの少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを音響的に試験するための方法のフローチャートである。

【図2】一実施形態による、ウェハレベルで複数のＭＥＭＳデバイスのうちの少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを音響的に試験するための装置の概略図である。

【図3】一実施形態による、音センサを使用してウェハレベルで複数のＭＥＭＳデバイスのうちのＭＥＭＳデバイスを音響的に試験するための装置の概略図である。

【図4】一実施形態による、音センサアレイを使用してウェハレベルで複数のＭＥＭＳデバイスのうちのＭＥＭＳデバイスを音響的に試験するための装置の概略図である。

【図5】一実施形態による、複数のＭＥＭＳデバイスのうちのＭＥＭＳデバイスのグループを、ＭＥＭＳデバイスのグループのＭＥＭＳデバイスごとに１つの音センサを使用してウェハレベルで音響的に試験するための装置の概略図である。

【図6】一実施形態による、ＭＥＭＳデバイスのグループのＭＥＭＳデバイスごとに１つの音センサアレイを使用してウェハレベルで複数のＭＥＭＳデバイスのＭＥＭＳデバイスのグループを音響的に試験するための装置の概略図である。

【図7】一実施形態による、複数のＭＥＭＳデバイスのうちのＭＥＭＳデバイスのグループを、ＭＥＭＳデバイスのグループのための音センサを使用してウェハレベルで音響的に試験するための装置の概略図である。

【図8】一実施形態による、複数のＭＥＭＳデバイスのうちのＭＥＭＳデバイスのグループを、ＭＥＭＳデバイスのグループのための音センサアレイを使用してウェハレベルで音響的に試験するための装置の概略図である。

【図9】一実施形態による、音センサを使用してウェハレベルで複数のＭＥＭＳデバイスのうちのＭＥＭＳデバイスを音響的に試験するための装置の概略図である。

【図10】一実施形態による、音センサアレイを使用してウェハレベルで複数のＭＥＭＳデバイスのＭＥＭＳデバイスを音響的に試験するための装置の概略図である。

【図11】一実施形態による、ＭＥＭＳデバイスのグループのＭＥＭＳデバイスごとに１つの音センサを使用して、複数のＭＥＭＳデバイスのＭＥＭＳデバイスのグループをウェハレベルで音響的に試験するための装置の概略図である。

【図12】一実施形態による、ＭＥＭＳデバイスのグループのＭＥＭＳデバイスごとに１つの音センサアレイを使用して、複数のＭＥＭＳデバイスのＭＥＭＳデバイスのグループをウェハレベルで音響的に試験するための装置の概略図である。

【図13】一実施形態による、複数のＭＥＭＳデバイスのうちのＭＥＭＳデバイスのグループを、ＭＥＭＳデバイスのグループのための音センサを使用してウェハレベルで音響的に試験するための装置の概略図である。

【図14】一実施形態による、複数のＭＥＭＳデバイスのうちのＭＥＭＳデバイスのグループを、ＭＥＭＳデバイスのグループのための音センサアレイを使用してウェハレベルで音響的に試験するための装置の概略図である。

【図15】図３～図１４に記載の実施形態が採用され得るプローブを有するウェハテスタの概略図である。

【図16】一実施形態による、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを成形／パッケージングした後に少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを音響的に試験するための装置の概略図である。

【図17】製品ラインおよび製造ラインの端部における少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを音響的にチェックする概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0023】

以下の本発明の実施形態の説明において、同一の要素または同一の効果を有する要素には、それらの説明が相互に交換可能であるように、図面において同一の参照符号が付される。

【0024】

図１は、本発明の一実施形態による、複数のＭＥＭＳデバイスのうちの少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを音響的に試験するための方法１００のフローチャートを示す。方法１００は、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを提供するステップ１０２を含む。さらに、方法１００は、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを音響振動をするように励起するステップ１０４を含む。さらに、方法１００は、少なくとも１つの音センサによって少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスの音響振動を検出するステップ１０６を含む。さらに、方法１００は、少なくとも１つの音センサによって検出された少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスの音響振動を評価して、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを意図された機能に関して試験するステップ１０８を含む。

【0025】

実施形態では、ステップ１０２において、複数のＭＥＭＳデバイスを含むウェハを提供することができ、ステップ１０４において、複数のＭＥＭＳデバイスのうちの少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスが音響振動をするように励起される。もちろん、ステップ１０４において、複数のＭＥＭＳデバイスのうちのより多くの（例えば真のサブセットのような）またはすべてを、音響振動をするように、すなわち次々に、グループで、または同時に励起することができる。したがって、例えば意図された機能に関して、複数のＭＥＭＳデバイスをダイシングする前に、複数のＭＥＭＳデバイスの少なくとも１つ、複数、またはすべてをウェハレベルで試験することが可能である。

【0026】

実施形態では、ステップ１０２において、個々のまたはいくつかの既にダイシングされたＭＥＭＳデバイスを当然ながら提供し、ステップ１０４において音響振動をするように励起して、例えばパッケージングの前および／または後に意図された機能に関してそれらを試験することもできる。

【0027】

加えて、実施形態では、ステップ１０２において、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを含む部分製品または最終製品を提供することができ、ステップ１０４において、意図された機能性に関してその製品を試験するために音響振動をするように励起することができる。したがって、製品の製造中（すなわち、インライン）または製品の製造直後（すなわち、エンド・オブ・ライン）に、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを含む製品を試験することが可能である。

【0028】

本発明の実施形態は、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを製造中または製造後、包装前または包装後、または製品への一体化中または一体化後に試験することを可能にする。
続いて、図１に示す方法１００およびそれを実行するためのコンピュータプログラム、ならびに対応する装置の詳細な実施形態をより詳細に説明する。

【0029】

実施形態は、例えば、半導体製造の分野、および生産ラインまたは製品バリューチェーンの分野における手動、半自動または完全自動の実施において、１つまたは複数のＭＥＭＳデバイスの音響試験および／または音響特性評価を可能にする。したがって、実施形態は、製造プロセス全体またはその一部の製造ライン内のバリューチェーンの各ステップに関することができる。したがって、それぞれの実施形態は、以下で簡単に説明される１つまたはいくつかの下位態様を含むことができる。

【0030】

実施形態では、半導体製造の領域における１つまたは複数のＭＥＭＳデバイスの音響試験および／または音響特性評価は、とりわけ、例えばプローブを使用した手動または半自動試験（プローブ試験）またはウェハ用のプローブカードを使用した全自動試験（ウェハプローブカード試験）によるウェハ試験、ならびに成形／パッケージング後の試験およびさらに適切なまたは半導体固有の製造ステップのような組み立て中の試験（組み立て試験）を含む。

【0031】

実施形態では、半導体製造、生産ラインまたは製品バリューチェーンの分野における１つまたは複数のＭＥＭＳデバイスの音響試験および／または音響特性評価は、製造中にチェーン内で可能な任意の試験（インライン試験）、例えば、プリント回路基板の組み立て中の試験（ＰＣＢアセンブリ試験または回路内試験）または温度ステップ後の試験（温度後試験）またはストレス試験、および対応する製品または製品サブステップの製造後の試験（エンド・オブ・ライン試験）、を含む。

【0032】

音響試験および音響特性評価の実施形態は、１つまたは複数のＤＵＴ（ＤＵＴ＝被試験デバイス）に関し、半導体製造の分野では、ＤＵＴは、チップまたはチップのサブ構造体を指し、生産ラインの分野では、電気的または機械的または電気機械的励起／活性化／信号によってそれらの電気的および／または機械的パラメータに関してチェックされる統合ＭＥＭＳを有する製品またはサブ製品を指し、これらの機能は、定義されたおよび／または確立された音響試験の観点から評価される。

【0033】

例示的には、ＤＵＴは、評価によって４つのグループに分類することができる：１．）ＤＵＴは完全な音響機能性を示す（例えば、緑色の特性評価）、２．）ＤＵＴは制限された音響機能性を示すが、定義された音響限界内（例えば黄色の特性評価）、３．）ＤＵＴは制限された音響機能性を示すが、定義された音響限界外（例えば、オレンジの特性評価）、および４．）ＤＵＴは音響機能性を示さない（赤）。実施形態では、ＤＵＴは、当然ながら、例えば、２つのグループ、１．）ＤＵＴ機能性および２．）ＤＵＴ非機能性のように、評価によって異なる数のグループに分類することもできる。

【0034】

ＤＵＴを評価するために、例えば、以下に説明する音響試験を使用することができ、ＤＵＴの音響限界を定義することができる。
実施形態では、個々の欠陥ＤＵＴの時間効率の良い認識は、識別可能な刺激を使用した多くのＤＵＴの狭帯域同時励起によって実行することができる。
実施形態では、得られた音圧レベルに関する個々のＤＵＴの試験は、広帯域励起によって実行することができる。

【0035】

実施形態では、「こすれおよびブザー」原理による音響検査を実行することができる。緩んだデバイスまたはきつすぎるデバイスによって引き起こされる引っかきまたはがたつくノイズを特に検索することができる。例えば、欠陥は狭帯域励起を生成し、広帯域スペクトルをもたらす。ここで、環境ノイズの絶縁または補償を行うことができる。
実施形態では、ＤＵＴは、共振周波数、相互変調歪み、マルチトーン歪み、全高調波歪みおよび／または位相応答／群遅延に関して試験することができる。

【0036】

実施形態では、マイクロフォンアレイを使用することにより、例えば干渉またはモアレ効果を介して個々のＤＵＴの発光特性を認識および定義することが可能になる。さらに、ウェハ上の欠陥領域を非常に迅速に認識することができる。これは、例えば、致命的な生産エラーを早期に認識するための短期試験として機能し得る。加えて、任意のＤＵＴの並列測定は、時間遅延を考慮しながら、インパルスを用いた測定によって実現することができる。
実施形態では、ＤＵＴを音響ストレス試験に供することができる。

【0037】

実施形態では、ＭＥＭＳまたはＤＵＴを収容するための装置、プローブ、および／または音響検査に使用されるさらなる装置またはデバイスは、以下に説明する特定の構成によって拡張および／または補足される。ここでの主な動作は、音センサ（マイクロフォンまたは構造物伝播音センサのような）または音センサアレイ（例えば、マイクロフォンアレイまたは構造物伝播音センサアレイのような）を、１つまたは複数のＤＵＴに直接近接して、例えばＤＵＴの音出口孔の上方の音響的に感知可能な位置に配置することである。したがって、製造方法およびＭＥＭＳの試験変動に応じて、半導体製造においてプローブを賢明に配置することは、ウェハまたはチップの上方または下方の位置によって表される。これは、生産ラインにおいてかなり変動する可能性があり、前述の主要な点にのみ接続される。二次的な点は、１つまたは複数のＤＵＴの正確な電気的、機械的または電気機械的駆動を保証することである。半導体製造および製造ラインの両方において、例えば、応用シナリオに対応する接触圧力によって、微細な針またはピンなどの適切な電気接点を使用して電気駆動を実行することができる。必要に応じて、例えばスピーカなどの適切なアクチュエータを使用して機械的駆動を達成することができる。

【0038】

以下、本発明の具体的な実施形態について説明する。
１．ウェハ試験
実施形態では、（１つまたは複数のＭＥＭＳの）音響検査および／または音響特性評価は、まだ純粋なＭＥＭＳ ＩＣ（ＩＣ＝集積回路）を有するウェハを仕上げた後に実行することができる。

【0039】

１．１ 音響プローブ試験
図２は、一実施形態による、ウェハレベルで複数のＭＥＭＳデバイスのうちの少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７を音響的に試験するための装置１１の概略図を示す。

【0040】

装置１１は、複数のＭＥＭＳデバイスを有するウェハ２を収容する（および、例えば、位置決めのために）ための収容デバイス１を備えることができる。さらに、装置１１は、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７に接触し、例えば少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７の接点６に接触する試験針５によって、例えば機械的または電気的に少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７を音響振動に励起するように構成された試験装置１０（例えば、プローブカード、プローブ、またはプローブの一部のような）を備えることができる。試験装置１０は、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７の音響振動を検出するように構成された少なくとも１つの音センサ８（マイクロフォンのような）をさらに備えることができる。

【0041】

少なくとも１つの音センサ８は、ここでは、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７に隣接して、例えば、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７に接触する試験針５の間の（または隣接する）領域、および／または少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７に隣接して配置され、（例えば、音孔によって）少なくとも部分的に音響透過性である試験装置１０の領域１４の上のように、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７の音響振動の放射角（例えば主出射角のような）の領域に配置することができる。装置１１（例えば試験装置１０のような）は、任意選択的に、（例えば、必要に応じて）少なくとも１つの音センサ８を環境および／または複数のＭＥＭＳデバイスの他のＭＥＭＳデバイスから遮蔽するように構成された音響遮蔽デバイス１３（ノイズ保護のような）を備えることができる。

【0042】

図２に例示的に示すように、試験装置１０は、装置１１のプローブカードまたはプローブ３の一部とすることができる。プローブ３は、例えば、プローブカード１０のためのデバイス４と、例えば、評価ユニット、および該当する場合はテスタへの接続部を有する基板９とを備えることができる。

【0043】

言い換えれば、図２は、単一の音センサ（例えばマイクロフォン）によって個々のＤＵＴ（ＭＥＭＳデバイス）が試験される実施形態による、音響プローブ試験のための装置の概略図を示す。

【0044】

図２に示す実施形態では、複数のＭＥＭＳデバイスのうちの単一のＭＥＭＳデバイス７が単一の音センサ８によって試験されることを例示的に想定しているが、本発明はそのような実施形態に限定されないことが指摘される。むしろ、実施形態では、単一のＭＥＭＳデバイス、ＭＥＭＳデバイスのグループ、または複数のＭＥＭＳデバイスのすべてのＭＥＭＳデバイスを音響的に試験することができる。ここで、ＭＥＭＳデバイスごとに１つの音センサまたは音センサアレイ、あるいは（少なくとも２つのＭＥＭＳデバイスを有するＭＥＭＳデバイスのグループのような）いくつかのＭＥＭＳデバイスまたは複数のＭＥＭＳデバイスのすべてのＭＥＭＳデバイスに対して１つの音センサまたは音センサアレイをそれぞれ使用することができる。これらの異なる実施態様について、図３～図１４を参照して簡単に以下に説明する。

【0045】

図３は、一実施形態による、音センサ８を使用してウェハレベルで複数のＭＥＭＳデバイスのうちのＭＥＭＳデバイス７を音響的に試験するための装置１１の概略図を示す。図２に示す実施形態と同様に、試験装置１０は、複数のＭＥＭＳデバイスのうちの１つのＭＥＭＳデバイス７に隣接して配置された音センサ８を備えることができる。言い換えれば、図３は、単一の音センサ（例えばマイクロフォンのような）によるいわゆる単一ＤＵＴ試験（ＭＥＭＳデバイス試験）を示す。

【0046】

図４は、一実施形態による、音センサアレイ８を使用してウェハレベルで複数のＭＥＭＳデバイスのうちのＭＥＭＳデバイス７を音響的に試験するための装置１１の概略図を示す。図３に示す実施形態と比較すると、図４に示す実施形態では、単一の音センサの代わりに、ＭＥＭＳデバイス７を音響的に試験するために音センサアレイ（例えばマイクロフォンアレイのような）８を使用することができる。言い換えれば、図４は、音センサアレイ（例えばマイクロフォンアレイのような）によるいわゆる単一ＤＵＴ（ＭＥＭＳデバイス）試験を示す。

【0047】

図５は、一実施形態による、ＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０のＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３ごとに１つの音センサ８＿１～８＿３を使用して、ウェハレベルで複数のＭＥＭＳデバイスのＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０を音響的に試験するための装置１１の概略図を示す。図３に示す実施形態と比較すると、図５に示す実施形態では、ＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０を試験することができ、１つの音センサ８＿１～８＿３が各々、ＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０の各ＭＥＭＳデバイスに関連付けられる。ここで、音センサ８＿１～８＿３は、ＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０のそれぞれのＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３に隣接して、例えば、それぞれのＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３に接触する試験針の間の（または隣接する）領域内に、および／またはそれぞれのＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３に隣接して配置され、（例えば、音孔によって）少なくとも部分的に音響透過性である試験装置１０のそれぞれの領域１４＿１～１４＿３の上方に配置することができる。言い換えれば、図５は、ＤＵＴごとに単一の音センサ（例えばマイクロフォンのような）によるいわゆる多重ＤＵＴ（ＭＥＭＳデバイス）試験を示す。

【0048】

図６は、一実施形態による、ＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０のＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３ごとの音センサアレイ８＿１～８＿３を使用して、ウェハレベルで複数のＭＥＭＳデバイスのＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０を音響的に試験するための装置１１の概略図を示す。図５に示す実施形態と比較すると、図６に示す実施形態では、ＭＥＭＳデバイスごとに１つの音センサの代わりに、ＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０のＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３ごとに１つの音センサアレイ８＿１～８＿３を使用することができる。言い換えれば、図６は、ＤＵＴごとに１つの音センサアレイ（例えばマイクロフォンアレイのような）によるいわゆる多重ＤＵＴ（ＭＥＭＳデバイス）試験を示す。

【0049】

図７は、一実施形態による、ＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０のための音センサ８を使用して、ウェハレベルで複数のＭＥＭＳデバイスのうちのＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０を音響的に試験するための装置１１の概略図を示す。図５に示す実施形態と比較すると、図７に示す実施形態では、ＭＥＭＳデバイスごとに１つの音センサの代わりに、ＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０を音響的に試験するために単一の音センサ８を使用することができる。言い換えれば、図７は、単一の音センサ（例えばマイクロフォンのような）によるいわゆる多重ＤＵＴ（ＭＥＭＳデバイス）試験を示す。

【0050】

図８は、一実施形態による、ＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０のための音センサアレイ８を使用して、ウェハレベルで複数のＭＥＭＳデバイスのうちのＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０を音響的に試験するための装置１１の概略図を示す。図７に示す実施形態と比較すると、図８に示す実施形態では、単一の音センサの代わりに、ＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０を音響的に試験するために音センサアレイ８を使用することができる。言い換えれば、図８は、単一の音センサアレイ（例えばマイクロフォンアレイのような）によるいわゆる多重ＤＵＴ（ＭＥＭＳデバイス）試験を示す。

【0051】

図９は、一実施形態による、音センサ８を使用してウェハレベルで複数のＭＥＭＳデバイスのうちのＭＥＭＳデバイス７を音響的に試験するための装置１１の概略図を示す。装置１１は、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７の第１の側面３２に接触し、例えば少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７の接点６に接触する試験針５によって、例えば機械的または電気的に少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７を音響振動に励起するように構成された第１の試験装置１０（プローブカード、プローブ、またはプローブの一部）を備えることができる。さらに、装置１１は、ＭＥＭＳデバイス７の第２の側面３６に接触するように構成された第２の試験装置３４を備えることができ、第２の試験装置３４は、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７の音響振動を検出するように構成された少なくとも１つの音センサ８（例えばマイクロフォンのような）を備えることができる。

【0052】

ここで、少なくとも１つの音センサ８は、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７に隣接して、例えば、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７の音響振動の（裏側）放射角（主放射角のような）の領域において、例えば、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７に隣接して配置され、（例えば、音孔を用いて）少なくとも部分的に音響透過性である試験装置１０の領域１４の下に配置することができる。代替的に（または追加的に）、図７に示すように、音センサは、ＭＥＭＳデバイス７に接触する検査針の間の（または隣接する）第１の試験装置１０の領域に配置することもできる。装置１１（例えば、第２の試験装置３４のような）は、任意選択的に（例えば、必要に応じて）、少なくとも１つの音センサ８を環境および／または複数のＭＥＭＳデバイスの他のＭＥＭＳデバイスから遮蔽するように構成された音響遮蔽デバイス１３（ノイズ保護のような）を備えることができる。

【0053】

図９に例示されるように、第２の試験装置３４は、ウェハ２を収容する（例えば、位置決めのために）ための収容装置１の一部であり得る。
言い換えれば、図９は、単一の音センサ（マイクロフォン８）によるいわゆる単一ＤＵＴ（ＭＥＭＳデバイス）試験を示す。

【0054】

図１０は、一実施形態による、音センサアレイ８を使用してウェハレベルで複数のＭＥＭＳデバイスのうちのＭＥＭＳデバイス７を音響的に試験するための装置１１の概略図を示す。図９に示す実施形態と比較すると、図１０に示す実施形態では、単一の音センサの代わりに、ＭＥＭＳデバイス７を音響的に試験するために音センサアレイ（例えばマイクロフォンアレイのような）８を使用することができる。言い換えれば、図１０は、音センサアレイ（例えばマイクロフォンアレイのような）によるいわゆる単一ＤＵＴ（ＭＥＭＳデバイス）試験を示す。

【0055】

図１１は、一実施形態による、ＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０のＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３ごとに音センサ８＿１～８＿３を使用して、複数のＭＥＭＳデバイスのうちのＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０をウェハレベルで音響的に試験するための装置１１の概略図を示す。図１０に示す実施形態と比較すると、図１１に示す実施形態では、ＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０を試験することができ、１つの音センサ８＿１～８＿３が各々、ＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０の各ＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３に関連付けられる。ここで、音センサ８＿１～８＿３は各々、ＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０のそれぞれのＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３に隣接して、第２の試験装置３４のそれぞれの領域１４＿１～１４＿３の下方に配置することができ、第２の試験装置３４は、それぞれのＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３に隣接して配置され、少なくとも部分的に音響透過性である（例えば、音孔によって）。代替的に（または追加的に）、それぞれの音センサは、図１１に示すように、それぞれのＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３に接触するプローブ針の間の（または隣接する）第１の試験装置１０の領域にそれぞれ配置することもできる。言い換えれば、図１１は、ＤＵＴごとに単一の音センサ（例えばマイクロフォンのような）によるいわゆる多重ＤＵＴ（ＭＥＭＳデバイス）試験を示す。

【0056】

図１２は、一実施形態による、ＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０のＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３ごとに音センサアレイ８＿１～８＿３を使用して、複数のＭＥＭＳデバイスのＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０をウェハレベルで音響的に試験するための装置１１の概略図を示す。図１１に示す実施形態と比較すると、図１２に示す実施形態では、ＭＥＭＳデバイスごとに単一の音センサの代わりに、ＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０のＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３ごとに１つの音センサアレイ８＿１～８＿３を使用することができる。言い換えれば、図１２は、ＤＵＴごとに１つの音センサアレイ（例えばマイクロフォンアレイのような）によるいわゆる多重ＤＵＴ（ＭＥＭＳデバイス）試験を示す。

【0057】

図１３は、一実施形態による、ＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０のための音センサ８を使用して、ウェハレベルで複数のＭＥＭＳデバイスのうちのＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０を音響的に試験するための装置１１の概略図を示す。図１１に示す実施形態と比較すると、図１３に示す実施形態では、ＭＥＭＳデバイスごとに１つの音センサの代わりに、ＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０を音響的に試験するために単一の音センサ８を使用することができる。言い換えれば、図１３は、単一の音センサ（例えばマイクロフォンのような）によるいわゆる多重ＤＵＴ（ＭＥＭＳデバイス）試験を示す。

【0058】

図１４は、一実施形態による、ＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０のための音センサアレイ８を使用して、ウェハレベルで複数のＭＥＭＳデバイスのうちのＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０を音響的に試験するための装置１１の概略図を示す。図１３に示す実施形態と比較すると、図８に示す実施形態では、単一の音センサの代わりに、ＭＥＭＳデバイス７＿１～７＿３のグループ３０を音響的に試験するために音センサアレイ８を使用することができる。言い換えれば、図１４は、単一の音センサアレイ（例えばマイクロフォンアレイのような）によるいわゆる多重ＤＵＴ（ＭＥＭＳデバイス）試験を示す。

【0059】

実施形態では、いわゆる音響プローブ試験は、手動または半自動プロセスで使用することができる。ここで、試験中のウェハ２は、それを規定の位置にもたらす装置１に導入される。それぞれのデバイス４を含むプローブ３は、（設定に応じて）ウェハ２の上方に適用される。ＤＵＴ７の個々のＭＥＭＳ－ＩＣの微視的に小さい接点６への電気的接続は、プローブ３に適用された試験針５によって行われる。用途（図３～図８および図９～図１４を参照されたい）に応じて異なる位置にあるマイクロフォン８またはマイクロフォンアレイ（例えば、図３を参照されたい）が、試験針アレイ内に配置される。試験針５およびマイクロフォン８またはマイクロフォンアレイ８は、規定の位置でプローブ３に取り付けられる。位置は、被試験ＭＥＭＳまたはＤＵＴ７のタイプおよび複雑さに応じて生じる。プローブ３は、規定の位置および規定の接触圧力でウェハ２に適用される。プローバ９は、電気的、機械的、または電気機械的信号を初期化し、上述の音響検査／試験を実行し、ＭＥＭＳ－ＩＣまたはＤＵＴ７の個々の音響特性を生成し、これにより、個々のＭＥＭＳ－ＩＣまたはＤＵＴ７がどの機能クラスに割り当てられるかを決定する。

【0060】

１．２ 音響ウェハプローブカード試験
図１５は、プローブ１７と、プローブのためのデバイス１８と、プローブカード１０と、ウェハ（ウェハチャック）のための収容デバイス１６とを有するウェハプローバの概略図を示しており、前記ウェハプローバには、図３～図１４において前述した実施形態を用いることができる。特に、例えば、プローブ１７とウェハ２との間のプローブカード１０の形態で図３～図８において説明した試験装置１０は、ウェハ２の少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを音響的に試験するために使用され得る。当然のことながら、図９～図１４で説明した試験装置１０および３４も使用することができ、例えばプローブ１７とウェハ２との間のプローブカード１０の形態の第１の装置１０を使用することができ、ウェハ２とウェハチャック１６との間のまたは（拡張された）ウェハチャック１６の形態の第２の試験装置３４を使用することができる。言い換えれば、図１５は、いわゆる音響ウェハプローブ試験プローブを有するいわゆるウェハプローバを示す。

【0061】

実施形態では、全自動プロセスにおいて、いわゆる音響ウェハプローブカード試験を使用することができる。ここで、試験中のウェハ２は、ウェハチャック１６上のデバイス１５に導入される。それぞれのデバイス１８を含む、ウェハ２の上方に適用されたプローブ１７は、ウェハ２がそれを使用して試験されるプローブカード１０との界面（例えば、プローブ１８とプローブカード１０との間）を含む。プローブカード１０に取り付けられた試験針５は、個々のＭＥＭＳ ＩＣまたはＤＵＴ７（図２を参照されたい）の微視的に小さい接点６（図２を参照されたい）に電気的に接触する。テキスト針アレイ内には、適用事例（図２～図１４を参照されたい）に応じて異なる位置にあるマイクロフォンまたはマイクロフォンアレイ８（図２を参照されたい）が存在する。試験針およびマイクロフォンまたはマイクロフォンアレイは、プローブカードの所定の位置に装着される。位置は、被試験ＭＥＭＳまたはＤＵＴ７のタイプおよび複雑さに依存する。したがって、プローブカードのサイズは、可能なＭＥＭＳまたはＤＵＴの最大数を規定する。プローブカードを有するプローブは、規定の位置および規定の接触圧力でウェハに適用される。プローバ１９は、電気的、機械的または電気機械的信号を初期化し、上述の音響チェック／試験を実行し、ＭＥＭＳ ＩＣまたはＤＵＴの個々の音響特性を生成し、これにより、個々のＭＥＭＳ ＩＣまたはＤＵＴがどの機能クラスに割り当てられるかが決定される。さらに、プローバ２０は、プローバを使用して現在試験中のＭＥＭＳ ＩＣまたはＤＵＴにさらなる電気試験を行うことができる。試験プロセスは、視野２２によって確認することができる。機械の状態は、信号灯２１によって認識することができる。ここでの色分けは、例えば、以下の通りであり得る：赤色－プログラムフローのエラーまたは機械の機能エラー、黄色－現在のプログラムフローの警告または機械機能の警告、緑色－プログラムまたは機械機能が正常に終了した。すべてのサブユニットは、（ケーブル束のような）ライン２３に接続されている。

【0062】

２．組み立て試験／組み立て中の試験
図１６は、一実施形態による、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを成形／パッケージングした後に少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７を音響的に試験するための装置１１の概略図を示す。

【0063】

装置１１は、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを有する集積回路のような、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを収容する（および、例えば、位置決めのために）ための収容デバイス２５を備えることができる。さらに、装置１１は、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７に接触し、例えば少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７の接点６に接触する試験針５によって、例えば機械的または電気的に少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７を音響振動に励起するように構成された試験装置１０（プローブカードまたはプローブの一部のような）を備えることができる。試験装置１０は、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７の音響振動を検出するように構成された少なくとも１つの音センサ８（マイクロフォンのような）をさらに備えることができる。

【0064】

ここで、少なくとも１つの音センサ８は、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７に隣接して、例えば、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７に接触する試験針５の間の（または隣接する）領域、および／または少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７に隣接して配置され、（例えば、音孔による）少なくとも部分的に音響透過性である試験装置１０の領域１４の上方のように、少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス７の音響振動の放出角（主放出角のような）の領域に配置することができる。装置１１（例えば、試験装置１０）は、任意選択的に（例えば、必要に応じて）、少なくとも１つの音センサ８を環境および／または複数のＭＥＭＳデバイスの他のＭＥＭＳデバイスから遮蔽するように構成された音響遮蔽デバイス１３（ノイズ保護のような）を備えることができる。

【0065】

図１６に例示的に示すように、試験装置１０は、装置１１のプローブカードまたはプローブ２７の一部とすることができる。プローブ２７は、例示的に、プローブカード１０のためのデバイス２４と、例えば、電子部品１２と、適用可能であれば、評価ユニットへの接続部２６と、適用可能であれば、プローバへの接続部とを備えることができる。
換言すれば、図１６は、いわゆる音響事後成形／パッケージング試験を使用したいわゆる組み立て試験または組み立て中の試験の実施形態を示す。

【0066】

実施形態では、個々のＭＥＭＳ（ＩＣ）またはＤＵＴがエポキシ樹脂に埋め込まれる成形／パッケージングのプロセスの後、例えば、完成した個別化ＭＥＭＳ（ＩＣ）またはＤＵＴは、後続の最終半導体試験、いわゆる音響事後成形／パッケージング試験において音響試験および音響特性評価を受けることができる。試験スタンドは、パッケージに応じて、ＭＥＭＳ ＩＣまたはＤＵＴ７を位置決めおよび固定するためのデバイス２４および２５を備える。これは、ＭＥＭＳ ＩＣまたはＤＵＴ７を収容する。適用事例（図２～図１４の実施形態を参照されたい）に応じて異なる設定を有する音響試験部２８を含むプローブ２７は、ＭＥＭＳ ＩＣまたはＤＵＴ７の上方に配置され、接点６を介して所定の接続を行う。プローバ１９（図１５参照）は、電気的、機械的、または電気機械的信号を初期化し、上述の音響チェック／試験を実行し、ＭＥＭＳ ＩＣまたはＤＵＴの個々の音響特性を生成し、これにより、個々のＭＥＭＳ ＩＣまたはＤＵＴがどの機能クラスに割り当てられるかが決定される。さらに、プローバ２０（図１５参照）は、プローバを使用して現在試験中のＭＥＭＳ ＩＣまたはＤＵＴ７に対してさらなる電気試験を行うことができる。

【0067】

３．生産ライン試験
３．１ 音響インライン試験
いわゆる音響インライン試験は、図１７に示すように、個々の製品製造工程の間に副製品を音響試験および音響特性評価に供するプロセスを記載する。

【0068】

詳細には、図１７は、生産ライン（インライン）および生産ラインの端部（エンド・オブ・ライン）で少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを音響的に試験する概略図を示す。言い換えれば、図１７は、いわゆる生産ライン試験、すなわちいわゆる音響インライン試験およびいわゆる音響エンド・オブ・ライン試験のための位置を、特別なプローブ装置を有する特別な収容デバイスによって示している。

【0069】

当該アプリケーションケースに固有の収容デバイス３０は、ＤＵＴを保持する。ＤＵＴの上方には、音響試験部２８（図１６参照）を有するプローブ２７（図１６参照）が位置する。プローバ１９（図１５参照）は、電気的、機械的、または電気機械的信号を初期化し、上述の音響チェック／試験を実行し、ＤＵＴの個々の音響特性を生成し、これにより、ＤＵＴが生産の継続に適しているか、修理されるかまたは拒否されるかを決定する。この実施形態の別の態様は、個々のチップを識別するまで分類する可能性である。チップを製造の位置および時間に関連付けるためにＭＥＭＳ上に配置されたマーキングは、認識目的のためにこの方法で追加することができる。

【0070】

３．２ 音響エンド・オブ・ライン試験
いわゆる音響エンド・オブ・ライン試験は、最終製品を１つまたはいくつかの製造チェーンの終わりに音響試験および音響特性評価に供するプロセスを記載する。当該アプリケーションケースに固有の収容デバイス３０は、ＤＵＴを保持する。音響的試験部２８（図１６参照）を有するプローブ２７（図１６参照）は、ＤＵＴの上方に位置する。プローバ１９（図１５参照）は、電気的または機械的または電気機械的信号を初期化し、上述の音響チェック／試験を実行し、ＤＵＴの個々の音響特性を生成し、これにより、ＤＵＴが規定の品質要件に準拠しているかどうか、またはＤＵＴが拒絶されるかどうかを決定する。

【0071】

３．３ ＭＥＭＳの最終用途の動作
サブ態様として前述したすべての方法は、最終用途におけるＭＥＭＳが動作中に監視され、特徴付けられ、駆動が追跡されるときに使用される。ここでは、システム内で変換されたエネルギーを用いて駆動するコンピュータプログラムによる信号処理が用いられる。前述の実施形態からのデータによって供給され、挙動は、連続的な音響特性評価なしに、以前に達成されたパラメータを使用して評価され、駆動はＭＥＭＳ状態に調整される。

【0072】

４．さらなる実施形態
本明細書に記載の実施形態を使用して、ＭＥＭＳによって受け取られた電気エネルギーの変換を音響的に評価する方法がある。例示的に（例えば、コンピュータプログラムによって）、バリューチェーンの１つ、複数、または各ステップにおいて、所定のパラメータに関してデバイスが機能する確率への割り当て、およびそのさらなる処理が経済的観点から理にかなっているかどうかの割り当てを実行することができる。電気エネルギーから熱エネルギーおよび音響エネルギー（空中伝播音など）に変換されたエネルギーの種類を評価に使用することができる。さらなる実施形態では、本構成を使用して電磁波を検出することができる。

【0073】

本明細書では、ＭＥＭＳデバイスによって生成された音響振動が音センサによって直接検出される実施形態について説明したが、実施形態では、音響フィルタを音経路に設けることもできることを指摘しておくべきである。さらに、駆動において、増幅器または信号処理デバイスを設けることができることを指摘しておくべきである。
実施形態では、ＭＥＭＳ内のエネルギー分布を検出し、例えば評価することができる。

【0074】

実施形態では（例えば、コンピュータプログラムを使用して）、音センサ（例えばマイクロフォンのような）によって放出および測定されたエネルギーの信号または信号クラスを評価するための音響特性評価を実行することができる。非線形挙動を補償するための方法をここで使用することができる。

【0075】

小型化されたＭＥＭＳデバイスはまた、ＮＥＭＳ（ｎａｎｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｓｙｓｔｅｍ：ナノ電気機械システム）デバイスまたはさらには小型化された電気機械システムのようなＭＥＭＳデバイスであると理解されるべきであることが指摘されるべきである。

【0076】

いくつかの態様を装置の文脈で説明したが、これらの態様が対応する方法の説明も表すことは明らかであり、装置のブロックまたはデバイスも対応する方法ステップまたは方法ステップの特徴に対応する。同様に、方法ステップの文脈で、または方法ステップとして説明される態様はまた、対応する装置の対応するブロックまたは項目または特徴の説明を表す。方法ステップの一部またはすべては、例えば、マイクロプロセッサ、プログラマブルコンピュータ、または電子回路などのハードウェア装置によって（または使用して）実行されてもよい。いくつかの実施形態では、最も重要な方法ステップのいくつかまたはいくつかは、そのような装置によって実行されてもよい。

【0077】

特定の実装要件に応じて、本発明の実施形態は、ハードウェアまたはソフトウェアで実装することができる。実装は、デジタル記憶媒体、例えば、フロッピーディスク、ＤＶＤ、Ｂｌｕ－Ｒａｙディスク、ＣＤ、ＲＯＭ、ＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭまたはフラッシュメモリ、ハードドライブ、または電子的に読み取り可能な制御信号が格納された別の磁気もしくは光学メモリを使用して実行することができ、これらは、それぞれの方法が実行されるようにプログラム可能なコンピュータシステムと協働するか、または協働することができる。したがって、デジタル記憶媒体はコンピュータ可読であり得る。

【0078】

本発明によるいくつかの実施形態は、本明細書に記載の方法のうちの１つが実行されるようにプログラム可能なコンピュータシステムと協働することができる電子的に読み取り可能な制御信号を含むデータキャリアを含む。

【0079】

一般に、本発明の実施形態は、プログラムコードを有するコンピュータプログラム製品として実装することができ、プログラムコードは、コンピュータプログラム製品がコンピュータ上で実行されるときに方法のうちの１つを実行するように動作する。
プログラムコードは、例えば、機械可読キャリアに格納することができる。

【0080】

他の実施形態は、本明細書に記載の方法のうちの１つを実行するためのコンピュータプログラムを含み、コンピュータプログラムは、機械可読キャリアに記憶される。

【0081】

言い換えれば、したがって、本発明の方法の一実施形態は、コンピュータプログラムがコンピュータ上で実行されるときに、本明細書に記載の方法のうちの１つを実行するためのプログラムコードを含むコンピュータプログラムである。

【0082】

したがって、本発明の方法のさらなる実施形態は、本明細書に記載の方法のうちの１つを実行するためのコンピュータプログラムを記録して含むデータキャリア（またはデジタル記憶媒体もしくはコンピュータ可読媒体）である。データキャリア、デジタル記憶媒体、またはコンピュータ可読媒体は、典型的には、有形および／または非一時的または不揮発性である。

【0083】

したがって、本発明の方法のさらなる実施形態は、本明細書に記載の方法のうちの１つを実行するためのコンピュータプログラムを表すデータストリームまたは信号シーケンスである。データストリームまたは信号シーケンスは、例えば、データ通信接続を介して、例えばインターネットを介して転送されるように構成することができる。

【0084】

さらなる実施形態は、本明細書に記載の方法のうちの１つを実行するように構成または適合された処理手段、例えばコンピュータ、またはプログラマブル論理デバイスを含む。
さらなる実施形態は、本明細書に記載の方法の１つを実行するためのコンピュータプログラムがインストールされたコンピュータを含む。

【0085】

本発明によるさらなる実施形態は、本明細書に記載の方法のうちの少なくとも１つを実行するためのコンピュータプログラムを受信機に転送するように構成された装置またはシステムを含む。送信は、例えば、電子的または光学的に実行することができる。受信機は、例えば、コンピュータ、モバイルデバイス、メモリデバイスなどであってもよい。装置またはシステムは、例えば、コンピュータプログラムを受信機に転送するためのファイルサーバを備えることができる。

【0086】

いくつかの実施形態では、プログラマブル論理デバイス（例えば、フィールドプログラマブルゲートアレイ、ＦＰＧＡ）を使用して、本明細書に記載の方法の機能の一部またはすべてを実行することができる。いくつかの実施形態では、フィールドプログラマブルゲートアレイは、本明細書に記載の方法のうちの１つを実行するためにマイクロプロセッサと協働することができる。一般に、いくつかの実施形態では、方法は任意のハードウェア装置によって実行される。これは、コンピュータプロセッサ（ＣＰＵ）などの普遍的に適用可能なハードウェア、またはＡＳＩＣなどの方法に固有のハードウェアであり得る。

【0087】

本明細書に記載の装置は、例えば、ハードウェア装置を使用して、またはコンピュータを使用して、またはハードウェア装置とコンピュータとの組み合わせを使用して実装することができる。

【0088】

本明細書に記載の装置、または本明細書に記載の装置の任意の構成要素は、少なくとも部分的に、ハードウェアおよび／またはソフトウェア（コンピュータプログラム）で実装することができる。

【0089】

本明細書に記載の方法は、例えば、ハードウェア装置を使用して、またはコンピュータを使用して、またはハードウェア装置とコンピュータとの組み合わせを使用して実施することができる。

【0090】

本明細書に記載の方法、または本明細書に記載の方法の任意の構成要素は、少なくとも部分的に、ハードウェアおよび／またはソフトウェアによって実行することができる。

【0091】

上述の実施形態は、本発明の原理の単なる例示である。本明細書に記載の構成および詳細の修正および変形は、当業者には明らかであることが理解される。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲によってのみ限定され、本明細書の実施形態の説明および説明として提示される特定の詳細によっては限定されないことが意図される。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【手続補正書】

【提出日】2022-03-28

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数のＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のうちの少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を音響的に試験するための方法（１００）であって、前記方法（１００）は、
前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を備える前記複数のＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）に提供する（１０２）ステップと、
試験装置（１０）を提供し、前記試験装置（１０）によって前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）に接触するステップと、
前記試験装置（１０）を介して前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を励起して（１０４）音響振動させるステップと、
前記試験装置（１０）の少なくとも１つの音センサ（８）によって前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）の前記音響振動を検出する（１０６）ステップと、
意図された機能に関して前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を試験するために、前記少なくとも１つの音センサ（８）によって検出された前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）の前記音響振動を評価する（１０８）ステップと、
を含み、
前記試験装置（１０）は、プローブ、プローブの一部、または試験カードである、
方法（１００）。

【請求項2】

前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）は、前記複数のＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）をダイシングする前にウェハレベルで試験される、
または、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）は、前記複数のＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）をダイシングした後に試験される、
請求項１に記載の方法（１００）。

【請求項3】

前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）は、前記複数のＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）をダイシングする前にウェハレベルで試験される、
請求項２に記載の方法（１００）。

【請求項4】

前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を備える集積回路またはチップが、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を提供する際に提供される、
請求項１に記載の方法（１００）。

【請求項5】

前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）は、前記集積回路またはチップを製造している間に試験され、および／または
前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）は、前記集積回路またはチップの製造の終わりに試験される、
請求項４に記載の方法（１００）。

【請求項6】

前記方法（１００）は、
試験装置（１０）を提供し、前記試験装置（１０）によって前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）に接触させるステップ、
をさらに含み、
前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）は、前記試験装置（１０）を介して励起される、
請求項１から５のいずれか一項に記載の方法（１００）。

【請求項7】

前記試験装置（１０）が、プローブ、プローブの一部またはプローブカードである、
請求項３に記載の方法（１００）。

【請求項8】

前記試験装置（１０）は、前記少なくとも１つの音センサ（８）を備える、
請求項６または７に記載の方法（１００）。

【請求項9】

前記試験装置（１０）は、少なくとも前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）に隣接する領域（１４）において少なくとも部分的に音響透過性であり、
前記少なくとも１つの音センサ（８）は、前記試験装置（１０）の前記少なくとも部分的に音響透過性の領域（７）に隣接して配置される、
請求項８に記載の方法（１００）。

【請求項10】

前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）はＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループであり、
前記試験装置（１０）は、少なくとも前記ＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループに隣接する領域（１４＿１～１４＿３）において少なくとも部分的に音響透過性であり、
前記少なくとも１つの音センサ（８）は、前記試験装置（１０）の前記少なくとも部分的に音響透過性の領域（１４＿１～１４＿３）に隣接して配置される、
請求項９に記載の方法（１００）。

【請求項11】

前記試験装置（１０）は第１の試験装置であり、
前記第１の試験装置（１０）は、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）の第１の側面（３２）に接触し、
前記方法（１００）は、
第２の試験装置（３４）を提供し、前記第２の試験装置（３４）によって前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）の前記第１の側面（３２）とは反対側の第２の面（３６）に接触させるステップ、
をさらに含み、
前記第２の試験装置（３４）が前記少なくとも１つの音センサ（８）を備える、
請求項６または７に記載の方法（１００）。

【請求項12】

前記第２の試験装置（３４）は、前記ウェハ（２）用の支持体（１）を備え、前記支持体（１）は、少なくとも前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）に隣接する領域（１４）において少なくとも部分的に音響透過性であり、
前記少なくとも１つの音センサ（８）は、前記支持体（１）の前記少なくとも部分的に音響透過性の領域（１４）に隣接して配置される、
請求項１１に記載の方法（１００）。

【請求項13】

前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）はＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループであり、
前記支持体（１）は、少なくとも前記ＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループに隣接する領域（１４＿１～１４＿３）において少なくとも部分的に音響透過性であり、
前記少なくとも１つの音センサ（８）は、前記支持体（１）の前記少なくとも部分的に音響透過性の領域（１４＿１～１４＿３）に隣接して配置される、
請求項１２に記載の方法（１００）。

【請求項14】

前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）はＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループであり、
前記ＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループは音響振動をするように励起され、
前記ＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループの前記音響振動は、前記少なくとも１つの音センサ（８）によって検出される、
請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法（１００）。

【請求項15】

少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を音響的に試験するための方法（１００）であって、
前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を提供するステップ（１０２）と、
前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を音響振動をするように励起するステップ（１０４）と、
前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）の前記音響振動を少なくとも１つの音センサ（８）によって検出するステップ（１０６）と、
前記少なくとも１つの音センサ（８）によって検出された前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）の前記音響振動を評価して（１０８）、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を意図された機能に関して試験するステップと、

第１の試験装置（１０）を提供し、前記第１の試験装置（１０）によって前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）の第１の側面（３２）に接触するステップであって、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）は前記第１の試験装置（１０）を介して励起される、ステップと、

第２の試験装置（３４）を提供し、前記第２の試験装置（３４）によって前記第１の側面（３２）の反対側の前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）の第２の面（３６）に接触するステップであって、前記第２の試験装置（３４）は前記少なくとも１つの音センサ（８）を備える、ステップと、
を含む、方法（１００）。

【請求項16】

前記第２の試験装置（３４）は、前記ウェハ（２）用の支持体（１）を備え、前記支持体（１）は、少なくとも前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）に隣接する領域（１４）において少なくとも部分的に音響透過性であり、
前記少なくとも１つの音センサ（８）は、前記支持体（１）の前記少なくとも部分的に音響透過性の領域（１４）に隣接して配置される、
請求項１５に記載の方法（１００）。

【請求項17】

前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）はＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループであり、
前記支持体（１）は、少なくとも前記ＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループに隣接する領域（１４＿１～１４＿３）において少なくとも部分的に音響透過性であり、
前記少なくとも１つの音センサ（８）は、前記支持体（１）の前記少なくとも部分的に音響透過性の領域（１４＿１～１４＿３）に隣接して配置される、
請求項１６に記載の方法（１００）。

【請求項18】

少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を音響的に試験するための方法（１００）であって、
前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を提供するステップ（１０２）と、
前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を音響振動をするように励起するステップ（１０４）と、
前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）の前記音響振動を少なくとも１つの音センサ（８）によって検出するステップ（１０６）と、
前記少なくとも１つの音センサ（８）によって検出された前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）の前記音響振動を評価して（１０８）、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を意図された機能に関して試験するステップと、
を含み、
前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）はＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループであり、
前記ＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループは音響振動をするように励起され、
前記ＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループの前記音響振動は、前記少なくとも１つの音センサ（８）によって検出され、
前記少なくとも１つの音センサ（８）は、複数の音センサ（８＿１～８＿３）を備え、前記複数の音センサ（８＿１～８＿３）の各々の１つの音センサは、前記ＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループのうちの１つのＭＥＭＳデバイスに関連付けられ、

または、前記少なくとも１つの音センサ（８）は、複数の音センサアレイ（８＿１～８＿３）を備え、前記複数の音センサアレイ（８＿１～８＿３）の各々の１つの音センサアレイは、前記ＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のグループのうちの１つのＭＥＭＳデバイスに関連付けられている、
方法（１００）。

【請求項19】

前記複数の音センサ（８＿１～８＿３）または音センサアレイ（８＿１～８＿３）は、互いに音響的に遮蔽され、
および／または、前記ＭＥＭＳデバイスのグループ（７＿１～７＿３）の前記ＭＥＭＳデバイスは、相互に音響的にシールドされている、
請求項１８に記載の方法（１００）。

【請求項20】

前記ＭＥＭＳデバイスのグループ（７＿１～７＿３）は、周波数が重複しない異なる信号によって同時に励起される、
請求項１８または１９に記載の方法（１００）。

【請求項21】

前記ＭＥＭＳデバイスのグループ（７＿１～７＿３）は、周波数が重複する異なる信号によって同時に励起される、
請求項１８または１９に記載の方法（１００）。

【請求項22】

前記ＭＥＭＳデバイスのグループ（７＿１～７＿３）は、同じ信号によって連続的に励起される、
請求項１８または１９に記載の方法（１００）。

【請求項23】

集積回路またはチップの製造中に前記集積回路またはチップの少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を音響的に試験するための方法（１００）であって、
前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を備える前記集積回路またはチップの部分製品を提供するステップ（１０２）と、
前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を音響振動をするように励起するステップ（１０４）と、
前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）の前記音響振動を少なくとも１つの音センサ（８）によって検出するステップ（１０６）と、
前記少なくとも１つの音センサ（８）によって検出された前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）の前記音響振動を評価して（１０８）、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７）を意図された機能に関して試験するステップと、

を含む、方法（１００）。

【請求項24】

コンピュータ、マイクロプロセッサ、ＦＰＧＡ、またはＡＳＩＣ上で実行されたときに、請求項１から２３のいずれか一項に記載の方法（１００）を実行する、コンピュータプログラム。

【請求項25】

ウェハ（２）上に配置された複数のＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のうちの少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）を音響的に試験するための試験装置（１０）であって、
前記試験装置（１０）は、前記ウェハ（２）上に配置された前記複数のＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のうちの少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）に接触するように構成され、
前記試験装置（１０）は、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）を音響振動をするように励起するように構成され、
前記試験装置は、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）の前記音響振動を検出するように構成された少なくとも１つの音センサ（８）を備え、
前記試験装置（１０）は、前記音センサによって検出された前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）の前記音響振動に依存する少なくとも１つの信号を提供するように構成され、
前記試験装置（１０）が、プローブ、プローブの一部またはプローブカードである、
試験装置（１０）。

【請求項26】

ウェハ（２）上に配置された複数のＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のうちの少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）を音響的に試験するための装置（１１）であって、
前記装置（１１）が、第１の試験装置（１０）および第２の試験装置（３４）を備え、
前記第１の試験装置（１０）は、前記ウェハ（２）上に配置された前記複数のＭＥＭＳデバイス（７＿１～７＿３）のうちの前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）の第１の側面（３２）に接触するように構成され、
前記第１の試験装置（１０）は、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）を音響振動をするように励起するように構成され、
前記第２の試験装置（３４）は、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）の前記第１の側面（３２）とは反対側の第２の側面（３４）に接触するように構成され、
前記第２の試験装置（３４）は、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）の前記音響振動を検出するように構成された少なくとも１つの音センサ（８）を備え、
前記装置（１１）は、前記少なくとも１つの音センサ（８）によって検出された前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）の前記音響振動を評価して、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス（７＿２）を意図された機能に関して試験するように構成される、
装置（１１）。

【国際調査報告】