知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
▶ セイジ・エレクトロクロミクス，インコーポレイテッドの特許一覧
特表2023-512650多くとも１つの金属リチウム堆積ステーションを使用したエレクトロクロミックスタックの形成
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-03-28
(54)【発明の名称】多くとも１つの金属リチウム堆積ステーションを使用したエレクトロクロミックスタックの形成
(51)【国際特許分類】
G02F 1/15 20190101AFI20230320BHJP
G02F 1/153 20060101ALI20230320BHJP
【ＦＩ】
G02F1/15 505
G02F1/153
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2022545148
(86)(22)【出願日】2021-02-11
(85)【翻訳文提出日】2022-09-20
(86)【国際出願番号】 US2021017732
(87)【国際公開番号】W WO2021163385
(87)【国際公開日】2021-08-19
(31)【優先権主張番号】62/975,625
(32)【優先日】2020-02-12
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】17/172,960
(32)【優先日】2021-02-10
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】504416080
【氏名又は名称】セイジ・エレクトロクロミクス，インコーポレイテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110003281
【氏名又は名称】弁理士法人大塚国際特許事務所
(74)【代理人】
【識別番号】110000855
【氏名又は名称】弁理士法人浅村特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】モーゲンセン、ポール
(72)【発明者】
【氏名】リー、ウェン
(72)【発明者】
【氏名】ギロン、ジャン － クリストフ
(72)【発明者】
【氏名】メルカディエール、ニコラス アントワーヌ
【テーマコード（参考）】
2K101
【Ｆターム（参考）】
2K101AA22
2K101DA01
2K101DC52
2K101EG52
2K101EH01
2K101EJ32
2K101EJ33
(57)【要約】
本開示は、多くとも１つの金属リチウム堆積ステーションを使用してエレクトロクロミックスタックを形成する様々な方法を説明する。いくつかの態様では、方法は、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック対電極内にのみ金属リチウムを堆積させるステップを含むことができる。いくつかの態様では、方法は、リチウム含有セラミックス対電極ターゲットを使用してエレクトロクロミック対電極を形成するステップと、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック電極内または上にのみ金属リチウムを堆積させるステップとを含むことができる。いくつかの実施形態では、方法は、リチウム含有セラミックス電極ターゲットを使用するステップと、任意選択で、可動リチウムをエレクトロクロミックスタックに追加するために、金属リチウムを追加的に堆積させるステップとを含むことができる。いくつかの実施形態では、方法は、エレクトロクロミックスタックのイオン伝導層とエレクトロクロミック電極との間に金属リチウムを堆積させるために、単一の金属リチウム堆積ステーションを使用するステップを含むことができる。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
エレクトロクロミックスタックを形成する方法であって、電極ステーションで、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層の少なくとも一部を堆積させるステップと、
単一の金属リチウムステーションで、電極ステーションに堆積された前記エレクトロクロミックＥＣ層上に金属リチウムを堆積させるステップと、
対電極ステーションで、リチウム含有セラミックス対電極ターゲットを利用して、前記エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層を堆積するステップとを含む、方法。
【請求項2】
第２の電極ステーションで、前記エレクトロクロミックＥＣ層の第２の部分を、前記単一の金属リチウムステーションで堆積された前記金属リチウム上に堆積させるステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
前記エレクトロクロミックＥＣ層の前記第１の部分は、２０ｎｍ以上である第１の厚さを有し、前記エレクトロクロミックＥＣ層の前記第１の部分と前記エレクトロクロミックＥＣ層の前記第２の部分とを合わせた厚さは、約４００ｎｍである、請求項２に記載の方法。
【請求項4】
イオン伝導（ＩＣ）ステーションで、前記エレクトロクロミックスタックのＩＣ層を、前記第２の電極ステーションで堆積された前記エレクトロクロミックＥＣ層の前記第２の部分上に堆積させるステップをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項5】
イオン伝導（ＩＣ）ステーションで、前記エレクトロクロミックスタックのＩＣ層を、前記単一の金属リチウムステーションで堆積された前記金属リチウム上に堆積させるステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項6】
前記リチウム含有セラミックス対電極ターゲットは、混合リチウムニッケルタングステン（Ｌｉ：Ｎｉ：Ｗ）セラミックスターゲットである、請求項１に記載の方法。
【請求項7】
下層ステーションで、前記エレクトロクロミックスタックの下層を堆積させるステップと、第１の導電層ステーションで、前記エレクトロクロミックスタックの第１の導電層を堆積させるステップであって、前記エレクトロクロミックＥＣ層の前記少なくとも一部を、前記第１の導電層ステーションで堆積された前記第１の導電層上に堆積させる、ステップと、
第２の導電層ステーションで、前記エレクトロクロミックスタックの第２の導電層を堆積させるステップであって、前記エレクトロクロミックＣＥ層を、前記第２の導電層ステーションで堆積された前記第２の導電層上に堆積させる、ステップと、
上層ステーションで、前記エレクトロクロミックスタックの上層を堆積させるステップと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項8】
前記上層を堆積させるステップに続いて、前記エレクトロクロミックスタックの熱処理を行うステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項9】
エレクトロクロミックスタックであって、前記エレクトロクロミックスタック内に配置された単層の金属リチウムを有し、前記エレクトロクロミックスタックは、エレクトロクロミック電極（ＥＣ）層と、
前記エレクトロクロミックＥＣ層の上に直接重なる金属リチウムと、
前記金属リチウムの上にあり、ＬｉＮｉＷＯｘ材料を含む、エレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層とを含む、エレクトロクロミックスタック。
【請求項10】
前記金属リチウムと前記エレクトロクロミックＣＥ層との間に配置されたイオン伝導（ＩＣ）層をさらに含む、請求項９に記載のエレクトロクロミックスタック。
【請求項11】
前記エレクトロクロミックＥＣ層は、第１の部分および第２の部分を含み、前記金属リチウムは、前記エレクトロクロミックＥＣ層の前記第１の部分の上に直接重なり、
前記エレクトロクロミックＥＣ層の前記第２の部分は、前記金属リチウムの上に直接重なる、請求項９に記載のエレクトロクロミックスタック。
【請求項12】
前記エレクトロクロミックＥＣ層の前記第２の部分と前記エレクトロクロミックＣＥ層との間に配置されたイオン伝導（ＩＣ）層をさらに含む、請求項１１に記載のエレクトロクロミックスタック。
【請求項13】
前記エレクトロクロミックＥＣ層の前記第１の部分は、２０ｎｍ以上である第１の厚さを有し、前記エレクトロクロミックＥＣ層の前記第１の部分と前記エレクトロクロミックＥＣ層の前記第２の部分は、組み合わされた厚さが約４００ｎｍである、請求項１１に記載のエレクトロクロミックスタック。
【請求項14】
前記エレクトロクロミックデバイスはエレクトロクロミックスタックを含み、該エレクトロクロミックスタックは、前記エレクトロクロミックスタック内に配置された単層の金属リチウムを有し、前記エレクトロクロミックスタックは、エレクトロクロミック電極（ＥＣ）層と、
前記エレクトロクロミックＥＣ層の上に直接重なる金属リチウムと、
前記金属リチウムの上にあり、ＬｉＮｉＷＯｘ材料を含む、エレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層と
を含む、エレクトロクロミックデバイス。
【請求項15】
前記金属リチウムと前記エレクトロクロミックＣＥ層との間に配置されたイオン伝導（ＩＣ）層をさらに含む、請求項１４に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項16】
前記エレクトロクロミックスタックの前記エレクトロクロミックＥＣ層は、第１の部分および第２の部分を含み、前記金属リチウムは、前記エレクトロクロミックＥＣ層の前記第１の部分の上に直接重なり、
前記エレクトロクロミックＥＣ層の前記第２の部分は、前記金属リチウムの上に直接重なる、請求項１４に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項17】
前記エレクトロクロミックＥＣ層の前記第２の部分と前記エレクトロクロミックＣＥ層との間に配置されたイオン伝導（ＩＣ）層をさらに含む、請求項１６に記載のエレクトロクロミックスタック。
【請求項18】
前記エレクトロクロミックＥＣ層の前記第１の部分は、２０ｎｍ以上である第１の厚さを有し、前記エレクトロクロミックＥＣ層の前記第１の部分と前記エレクトロクロミックＥＣ層の前記第２の部分は、組み合わされた厚さが約４００ｎｍである、請求項１６に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項19】
エレクトロクロミックスタックであって、電極ステーションで、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層の少なくとも一部を堆積させるステップと、
単一の金属リチウムステーションで、電極ステーションに堆積された前記エレクトロクロミックＥＣ層上に金属リチウムを堆積させるステップと、
対電極ステーションで、リチウム含有セラミックス対電極ターゲットを利用して、前記エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層を堆積するステップとを含む方法によって形成された、エレクトロクロミックスタック。
【請求項20】
前記方法は、前記エレクトロクロミックＣＥ層を堆積させるステップに続いて、前記エレクトロクロミックスタックの熱処理を行うステップをさらに含む、請求項１９に記載のエレクトロクロミックスタック。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、エレクトロクロミックスタックを対象とするものであり、より具体的には、多くとも１つの金属リチウム堆積ステーションを使用してエレクトロクロミックスタックを形成する方法を対象とするものである。
【背景技術】
【0002】
エレクトロクロミックデバイスは、可視光の透過を遮断し、建物の部屋や車の客室が暖かくなりすぎないようにするのに役立つ。エレクトロクロミックスタックは、物理蒸着によって金属リチウムを含む薄膜層をスパッタリングすることによって製造することができる。金属リチウムは、水と接触すると非常に燃えやすいため、特別に設計されたスパッタリング区画でのみスパッタリングされ、他のプロセスから隔離されるように特別に設計され、大部分のマグネトロンチャンバとは異なり、水で冷却することはできない。
【発明の概要】
【0003】
これにより、リチウムのスパッタリング区画をコーターに含めることは非常に高価になる。
【図面の簡単な説明】
【0004】
【図1】いくつかの実施形態に係る、加熱焼き戻し後に堆積された金属リチウムありと無しのエレクトロクロミック電極および対電極を示す。
【図2】いくつかの実施形態に係る、エレクトロクロミックスタックの対電極層内に金属リチウムを堆積させるために単一の金属リチウムステーションを利用するステップを含む、エレクトロクロミックスタックを形成する方法の一例を示す流れ図である。
【図4】いくつかの実施形態に係る、単一金属リチウムステーションを利用して、エレクトロクロミック電極層上に金属リチウムを堆積させるステップと、リチウム含有セラミックスターゲットを利用して、エレクトロクロミックスタックの対電極層を形成するステップとを含む、エレクトロクロミックスタックを形成する方法の一例を示す流れ図である。
【図6】いくつかの実施形態に係る、単一の金属リチウムステーションを利用して、エレクトロクロミック電極層内に金属リチウムを堆積させるステップと、リチウム含有セラミックスターゲットを利用して、エレクトロクロミックスタックの対電極層を形成するステップとを含む、エレクトロクロミックスタックを形成する方法の一例を示す流れ図である。
【図8】いくつかの実施形態に係る、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック電極層および対電極層を形成するためにリチウム含有セラミックスターゲットを利用することによって、金属リチウムステーション無しでエレクトロクロミックスタックを形成する方法の一例を示す流れ図である。
【図10】いくつかの実施形態に係る、リチウム含有セラミックスターゲットを利用して、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック電極層を形成するステップと、単一の金属リチウムステーションを利用して、エレクトロクロミックスタックの対電極上に金属リチウムを堆積させるステップとを含む、エレクトロクロミックスタックを形成する方法の一例を示す流れ図である。
【図12】いくつかの実施形態に係る、単一の金属リチウムステーションを利用して、エレクトロクロミックスタックのイオン伝導（ＩＣ）層と電極層との間に金属リチウムを堆積させるステップを含む、エレクトロクロミックスタックを形成する方法の一例を示す流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【0005】
当業者は、図中の要素が単純化および明確化のために図示されており、必ずしも一定の縮尺で描かれていないことを理解するであろう。例えば、図面のいくつかの要素の寸法は、本発明の実施形態の理解を深めるのを助けるために、他の要素に対して誇張されている場合がある。
本開示は、金属リチウムを多くても１つの堆積ステップで（例えば、多くても１つのステーションで）堆積させながら、エレクトロクロミックスタックを得て、したがって２つ以上のリチウム堆積ステップ／ステーションを必要とする解決策と比較してコストを節約する方法を説明する。いくつかの実施形態では、方法は、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック対電極（本明細書では「対電極」とも呼ばれる）内にのみ金属リチウムを堆積させるステップを含むことができる。いくつかの実施形態では、方法は、リチウム含有セラミックス対電極ターゲット（例えば、混合Ｌｉ：Ｎｉ：Ｗセラミックスターゲット）を使用して対電極を形成するステップと、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック電極（本明細書では「電極」とも呼ばれる）の中または上にのみ金属リチウムを堆積させるステップとを含むことができる。いくつかの実施形態では、方法は、リチウム含有セラミックス電極ターゲットを使用するステップと、任意選択で（例えば、対電極ターゲットがリチウム含有混合ターゲットでない場合）、金属リチウムを追加的に堆積させてエレクトロクロミックスタックに可動リチウムを追加するステップとを含むことができる。いくつかの実施形態では、単一の金属リチウム堆積ステーションを使用してエレクトロクロミックスタックを形成する方法は、対電極、イオン伝導（ＩＣ）層、およびＩＣ層の上および電極の下に金属リチウムを堆積させるステップを含むことができる。本開示の様々な実施形態に関連する利点には、リチウムのスパッタリング区画の数を減らすことが含まれ、これにより、コスト削減、安全性の向上、および製造方法における柔軟性が向上する。
本開示は、金属リチウムを多くても１つの堆積ステップで（例えば、多くても１つのステーションで）堆積させながら、エレクトロクロミックスタックを得て、したがって２つ以上のリチウム堆積ステップ／ステーションを必要とする解決策と比較してコストを節約する方法を説明する。いくつかの実施形態では、方法は、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック対電極（本明細書では「対電極」とも呼ばれる）内にのみ金属リチウムを堆積させるステップを含むことができる。いくつかの実施形態では、方法は、リチウム含有セラミックス対電極ターゲット（例えば、混合Ｌｉ：Ｎｉ：Ｗセラミックスターゲット）を使用して対電極を形成するステップと、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック電極（本明細書では「電極」とも呼ばれる）の中または上にのみ金属リチウムを堆積させるステップとを含むことができる。いくつかの実施形態では、方法は、リチウム含有セラミックス電極ターゲットを使用するステップと、任意選択で（例えば、対電極ターゲットがリチウム含有混合ターゲットでない場合）、金属リチウムを追加的に堆積させてエレクトロクロミックスタックに可動リチウムを追加するステップとを含むことができる。いくつかの実施形態では、単一の金属リチウム堆積ステーションを使用してエレクトロクロミックスタックを形成する方法は、対電極、イオン伝導（ＩＣ）層、およびＩＣ層の上および電極の下に金属リチウムを堆積させるステップを含むことができる。本開示の様々な実施形態に関連する利点には、リチウムのスパッタリング区画の数を減らすことが含まれ、これにより、コスト削減、安全性の向上、および製造方法における柔軟性が向上する。
【0006】
エレクトロクロミックスタックの製造方法には、通常、導電性材料として使用される酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を結晶化し、電極と対電極の部分的な結晶化を引き起こす層の堆積後に、１つまたは複数の熱処理ステップが含まれる。実験に先立って、両方の電気化学的特性、例えばそれらが収容できる可動電荷の量を最適化するために、熱処理ステップの前に電極と対電極の両方にリチウムを存在させることが望ましいと本発明者らは理解していた。しかしながら、本発明者らは、熱処理の温度が上昇するにつれて、対電極に存在するリチウムの量を低下させることが望ましいことを実験結果が示していることを観察した。これは、熱処理後に各々の電極が収容できる可動リチウムの量、したがって電極と対電極との間で交換できる電荷量、および透明／白化状態と着色状態との間のコントラストが最大化するのを助長する。温度を変化させることは、いくつかの目的で望ましい場合がある。例えば、場合によっては、コーティングされたガラスを高温で焼き戻しすることにより、ガラス基板の増加した機械抵抗を得ることができる。他の場合では、バスバーフリットが、焼成前にコーティングされたガラスに塗布され、焼成温度は、フリットの導電率を最大化するように調整することができる。
【0007】
したがって、本明細書に記載の発明は、様々な利益を有し得る。１つの潜在的な利点は、プロセス中に金属リチウムのスパッタリング区画を１つだけ使用してエレクトロクロミックコーティングを製造できることである。別の潜在的な利点は、プロセスに柔軟性を導入することであり、これによって例えば、積層されるエレクトロクロミックスタックと、焼き戻される別のエレクトロクロミックスタックを同じ生産ラインで製造できる。
【0008】
本発明の実施形態の各々において、金属リチウムは、様々なタイプの物理蒸着によって単一の堆積区画内に堆積させることができる。物理蒸着の最初の例は、リチウムの蒸着である。この方法は、蒸着によって基板上にリチウムを堆積させるために、リチウム粒を沸点まで加熱するステップを含む。この方法は、いくつかの利点を提供する。１つの利点は、かなりの堆積速度（例えば、標準的なマグネトロンスパッタリングプロセスにおける１０～３０ｎｍ／分に対して１００ｎｍ／分を超える）に達することを可能にすることである。もう１つの利点は、プロセスにリチウムを供給するためにリチウム区画を開く必要がないため、稼働時間を増やし、メンテナンス時間を短縮することである。物理蒸着の第２の例は、リチウムのマグネトロンスパッタリングである。マグネトロンスパッタリング構成の特定の一実施形態では、回転ターゲットが（平面ターゲットの代わりに）使用され、材料の使用を最大化し、堆積速度を増加させる。リチウムターゲットは、漏れが発生した場合にリチウムと水が偶発的に反応するのを防ぐために、非水ベースの液体冷却剤（例えば、油）で冷却することができる。調整可能なマグネットバーを使用して、リチウムの均一性を向上させることができ、これは、スパッタリングガスによるトリミング（一般的な手法）よりも正確であり、金属リチウムが蓄積する可能性のある領域（頻繁なクリーニングが必要である）を生成する調整可能なマスクの使用よりも安全であり得る。
【0009】
図面と組み合わせた以下の説明は、本明細書に開示される教示の理解を助けるために提供される。以下の議論は、教示の特定の実装および実施形態に焦点を当てる。この焦点は、教示の説明を支援するために提供されており、教示の範囲または適用可能性を制限するものとして解釈されるべきではない。
【0010】
本明細書で使用される場合、用語「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「有する（ｈａｓ）」、「有する（ｈａｖｉｎｇ）」、またはそれらの任意の他の変化形は、非排他的な包含を網羅することを意図している。例えば、構成のリストを含むプロセス、方法、物品、または装置は、必ずしもそれらの構成のみに限定されるわけではなく、明示的に列挙されていない、またはそのようなプロセス、方法、物品、または装置に固有の他の構成を含む場合がある。さらに、別段の記載がない限り、「または（ｏｒ）」は排他的ｏｒではなく、包括的ｏｒを指す。例えば、条件ＡまたはＢは、Ａが真（または存在する）かつＢが偽（または存在しない）、Ａが偽（または存在しない）かつＢが真（または存在する）、およびＡとＢの両方が真（または存在する）のいずれかによって満たされる。
【0011】
「ａ」または「ａｎ」の使用は、本明細書に記載の要素および構成要素を説明するために使用される。これは単に便宜上、および本発明の範囲の一般的な意味を与えるために行われる。説明は、別の意味であることが明らかでない限り、１つまたは少なくとも１つを含むように読まれるべきであり、単数形は複数形も含み、またはその逆も同様である。
【0012】
「約」、「およそ」、または「実質的に」という言葉の使用は、パラメータの値が、述べられた値または位置に近いことを意味することを意図している。しかしながら、わずかな違いにより、値または位置が正確に記載されている通りにならない場合がある。したがって、値の最大１０パーセント（１０％）の違いは、正確に記載されている通りの理想的な目標からの妥当な違いである。
【0013】
別段の定義がない限り、本明細書で使用されるすべての技術用語および科学用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般的に理解されるものと同じ意味を有する。材料、方法、および例は、説明のためだけのものであり、限定することを意図したものではない。本明細書に記載されていない範囲で、特定の材料および処理行為に関する多くの詳細は従来のものであり、ガラス、蒸着、およびエレクトロクロミック技術の教科書およびその他の情報源に見つけることができる。
【0014】
図面に示され、以下に説明されるような実施形態は、本明細書に説明されるような概念を実装するための特定の用途を理解するのに役立つ。実施形態は例示であり、添付の特許請求の範囲を限定することを意図していない。
【0015】
図１は、焼き戻しされたエレクトロクロミック電極および対電極の容量およびコントラストを示す。図１の上部に示されるスタックは、焼き戻しされた電極に対応し、図１の下部に示されているスタックは、焼き戻された対電極に対応する。
【0016】
図１の上部の焼き戻しされた電極を参照すると、左側のスタックは、約６５０℃で約５分間加熱焼き戻し後のＩＴＯ／ＷＯｘ（すなわち、金属ＬｉがＷＯｘ層上に堆積されていないもの）を示しており、右側のスタックは、約６５０℃で約５分間加熱焼き戻し後のＩＴＯ／ＷＯｘ／Ｌｉ（すなわち、金属ＬｉがＷＯｘ層上に堆積されたもの）を示している。図１に示される特定の例について、本発明者らは、金属Ｌｉが堆積されていない焼き戻しされた電極（左側スタック）が、６５ｍＣ／ｃｍ２の電荷容量および１４のコントラストを有することを見出した。これに比べて、本発明者らは、金属Ｌｉが堆積された焼き戻しされた電極（右側スタック）が、５ｍＣ／ｃｍ２の荷電容量および２．２のコントラストを有することを見出した。したがって、約６５０℃の比較的高い温度での熱処理の場合、本発明者らは、リチウムの存在が焼き戻しされた電極のエレクトロクロミック活性に有害であると判断した。
【0017】
図１の下部の焼き戻しされた対電極を参照すると、左側のスタックは、約６５０℃で約５分間加熱焼き戻し後のＩＴＯ／ＮｉＷＯｘ（すなわち、金属ＬｉがＮｉＷＯｘ層上に堆積されていないもの）を示しており、右側のスタックは、約６５０℃で約５分間加熱焼き戻し後のＩＴＯ／ＮｉＷＯｘ／Ｌｉ（すなわち、金属ＬｉがＮｉＷＯｘ層上に堆積されたもの）を示している。図１に示される特定の例について、本発明者らは、金属Ｌｉが堆積されていない焼き戻しされた対電極（左側スタック）が、約０ｍＣ／ｃｍ２の電荷容量および約１のコントラストを有することを見出した。これに比べて、本発明者らは、金属Ｌｉが堆積された焼き戻しされた対電極（右側スタック）が１５ｍＣ／ｃｍ２の電荷容量および４．５のコントラストを有することを見出した。したがって、約６５０℃の比較的高い温度での熱処理の場合、本発明者らは、リチウムの存在が焼き戻しされた対電極のエレクトロクロミック活性にとって有利であると判断した。
【0018】
図２は、いくつかの実施形態に係る、エレクトロクロミックスタックの対電極層内に金属リチウムを堆積させるために単一の金属リチウムステーションを利用するステップを含む、エレクトロクロミックスタックを形成する方法の一例を示す流れ図である。
【0019】
図２では、金属リチウムが対電極「内」でスパッタリングされる。図３に関して図示され、本明細書でさらに説明されるように、いくつかの実施形態によれば、対電極の第１の部分は、金属リチウムの前にスパッタリングされる（例えば、Ｘ ｎｍの厚さに対応する）ことができ、対電極の第２の部分は、金属リチウムの後にスパッタリングされる（例えば、２７０－Ｘ ｎｍの厚さに対応する）ことができる。エレクトロクロミックスタック内の金属リチウムの「上」にスパッタリングされた厚さに対する、エレクトロクロミックスタック内の金属リチウムの「下」の対電極の厚さを調整することで、焼成プロセス中にＷＯｘ電極に拡散するリチウムの量を調整でき、スタックを様々な焼成条件に適合させることができる。
【0020】
図２に示される構成は、かなりの柔軟性を提供するという利点がある。例えば、焼き戻し不可能スタックと焼き戻し対象スタックが同じ生産ラインで製造される場合、スタックはかなり異なる熱処理を受ける可能性がある。例示すると、焼き戻し不可能スタックは約４００℃で熱処理にかけられ、焼き戻し対象スタックは約７００℃で熱処理にかけられる。対電極中の金属リチウムの位置は、いくつかの実施形態によれば、対電極堆積ステーションの各々で使用される蒸着電力を変えることによって、それに応じて調整され得る。
【0021】
図２は、単一の金属リチウムステーションを利用して、エレクトロクロミックスタックの対電極層内に金属リチウムを堆積させることを含む、エレクトロクロミックスタックを形成するために使用できる一連のステーションを示す。
【0022】
下層ステーション２０２を使用して、エレクトロクロミックスタックの下層を形成することができる。いくつかの実施形態では、下層ステーション２０２は、複数の材料を含む下層に使用することができる。例示すると、下層ステーション２０２を使用して、ある材料から下層の一部を形成し、異なる材料から下層の別の部分を形成することができる。例示的で非限定的な例として、下層ステーション２０２で形成される下層の第１の部分は、エレクトロクロミックスタック設計に従って第１の厚さを有する第１の材料（例えば、Ｎｂ２Ｏ５）の第１の層に対応し得る。下層ステーション２０２で形成される下層の第２の部分は、エレクトロクロミックスタック設計に従って第２の厚さを有する第２の材料（例えば、ＳｉＯ２）の第２の層に対応し得る。
【0023】
下層ステーション２０２から進んで、図２は、第１の導電層ステーション２０４を使用して、エレクトロクロミックスタックの第１の導電層を形成することができることを示している。特定の一実施形態では、第１の導電層ステーション２０４を使用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有する酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）層を形成することができる。
【0024】
第１の導電層ステーション２０４から進んで、図２は、電極ステーション２１０を使用して、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層を形成できることを示している。図２に示される特定の実施形態では、電極ステーション２１０は、タングステン（Ｗ）ターゲット２１２を利用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＷＯｘ ＥＣ層を形成する。
【0025】
電極ステーション２１０から進んで、図２は、いくつかの実施形態において、イオン伝導（ＩＣ）ステーション２２０を使用して、エレクトロクロミックスタックのＩＣ層を形成することができることを示している。特定の一実施形態では、ＩＣステーション２２０を使用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＳｉＯｘ層を形成することができる。代替の実施形態では、図２の破線によって示されるように、ＩＣステーション２２０は省略されてもよい。
【0026】
ＩＣステーション２２０から（またはＩＣステーション２２０が省略されている場合には電極ステーション２１０から）進んで、図２は、第１の対電極ステーション２３０を使用して、エレクトロクロミックスタックの対電極（ＣＥ）層の第１の部分を形成することができることを示している。図２に示される例では、第１の対電極ステーション２３０は、混合ニッケルタングステン（Ｎｉ：Ｗ）ターゲット２３２を利用して、第１の厚さを有するＣＥ層の第１の部分を形成する。本明細書でさらに説明するように、第１の厚さは、焼成プロセス中に十分な量の金属リチウムが（電極ステーション２１０で形成される）ＷＯｘ ＥＣ層に拡散するように、特定のエレクトロクロミックスタック設計および特定の焼成条件を含む様々な要因に基づいて決定することができる。
【0027】
第１の対電極ステーション２３０から進んで、図２は、単一の金属リチウムステーション２３３を使用して、ＣＥ層の第１の部分上に金属リチウムの層を堆積させることができることを示している。金属リチウムの層の厚さは、焼成プロセス中に十分な量の金属リチウムが（電極ステーション２１０で形成される）ＷＯｘ ＥＣ層に拡散するように、特定のエレクトロクロミックスタック設計および特定の焼成条件を含む様々な要因に基づいて決定することができる。
【0028】
単一の金属リチウムステーション２３３から進んで、図２は、第２の対電極ステーション２３６を使用して、エレクトロクロミックスタックのＣＥ層の第２の部分を形成することができることを示している。図２に示される例では、第２の対電極ステーション２３６は、混合ニッケルタングステン（Ｎｉ：Ｗ）ターゲット２３８を利用して、第２の厚さを有するＣＥ層の第２の部分を形成する。本明細書でさらに説明するように、第２の厚さは、焼成プロセス中に（金属リチウムステーション２３３で堆積された）十分な量の金属リチウムが（電極ステーション２１０で形成される）ＷＯｘ ＥＣ層に拡散するように、特定のエレクトロクロミックスタック設計および特定の焼成条件を含む様々な要因に基づいて決定することができる。
【0029】
エレクトロクロミックスタック内の金属リチウムの「上」にある（第２のＣＥステーション２３６で形成される）ＣＥ層の第２の部分の厚さに対する、エレクトロクロミックスタック内の（金属リチウムステーション２３３で形成される）金属リチウムの「下」にある（第１のＣＥステーション２３０で形成される）ＣＥ層の第１の部分の厚さを調整することによって、焼成プロセス中に（電極ステーション２１０で形成される）ＷＯｘ ＥＣ層に拡散するリチウムの量を調整することをでき、スタックを異なる焼成条件に適合させることができる。例示すると、焼き戻し不可能なスタックは、約４００℃で熱処理を受け得る。対照的に、焼き戻し対象のスタックは、約７００℃で熱処理を受け得る。対電極における金属リチウムの位置は、いくつかの実施形態によれば、対電極堆積ステーション２３０および２３６の各々で使用される蒸着電力を変えることによって、それに応じて調整することができる。
【0030】
第２の対電極ステーション２３６から進んで、図２は、第２の導電層ステーション２４０を使用して、エレクトロクロミックスタックの第２の導電層を形成することができることを示している。特定の一実施形態では、第２の導電層ステーション２４０を使用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＩＴＯ層を形成することができる。
【0031】
第２の導電層ステーション２４０から進んで、図２は、上層ステーション２４２を使用して、エレクトロクロミックスタックの上層を形成できることを示している。特定の一実施形態では、上層ステーション２４２を使用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＳｉＯｘ層を形成することができる。
【0032】
上層ステーション２４２から進んで、図２は、熱処理ステーション２４４を使用して、エレクトロクロミックスタックの熱処理を行うことができることを示している。例示的で非限定的な例として、焼き戻し不可能なスタックは、熱処理ステーション２４４で、約４００℃で熱処理を受け得る。別の例示的で非限定的な一例として、焼き戻し対象のスタックは、熱処理ステーション２４４で、約７００℃で熱処理を受け得る。
【0033】
【0034】
図３は、（図２の下層ステーション２０２で形成される）エレクトロクロミックスタックの下層３０２が複数の材料を含み得る特定の一実施形態を示す。例えば、下層３０２の第１の部分は、第１の厚さ（例えば、約１０ｎｍ）を有するＮｂ２Ｏ５層に対応することができ、下層３０２の第２の部分は、第２の厚さ（例えば、約２０ｎｍ）を有するＳｉＯ２層に対応することができる。
【0035】
【0036】
【0037】
図３は、（図２のＩＣステーション２２０で形成される）エレクトロクロミックスタックのＩＣ３２０が５ｎｍ未満の厚さを有するＳｉＯｘ層に対応し得る特定の一実施形態を示す。本明細書に記載の例では、ケイ素酸化物ＩＣ層の存在は任意選択である。
【0038】
図３では、エレクトロクロミックスタックの対電極は、第１の対電極部分３３０および第２の対電極部分３３６を含み、（図２の単一の金属リチウムステーション２３３で形成される）金属リチウム３３３は、第１の対電極部分３３０と第２の対電極部分３３６との間の対電極「内」にある。図３は、第１の対電極部分３３０が、スタック内の金属リチウム３３３の「下」に（図３では「Ｘ」ｎｍとして識別される）第１の厚さを有する（図２の第１の対電極ステーション２３０で形成される）第１のＮｉＷＯｘ層に対応する特定の一実施形態を示す。第２の対電極部分３３６は、スタック内の金属リチウム３３３の「上」に（図３では「２７０－Ｘ」ｎｍとして識別される）第２の厚さを有する（図２の第２の対電極ステーション２３６で形成される）第２のＮｉＷＯｘ層に対応する。図２に関して本明細書で前述したように、エレクトロクロミックスタック内の金属リチウム３３３の「上」の第２の対電極部分３３６の第２の厚さに対する、エレクトロクロミックスタック内の金属リチウム３３３の「下」の第１の対電極部分３３０の第１の厚さを調整することにより、焼成プロセス中にＷＯｘ電極３１０に拡散する金属リチウムの量を調整することができ、スタックを異なる焼成条件に適合させることができる。特定の一実施形態では、第１の対電極部分３３０の第１の厚さ（Ｘ）は、約２７０ｎｍの総対電極厚に対して、少なくとも２０ｎｍ、多くとも２５０ｎｍとすることができる。
【0039】
【0040】
【0041】
したがって、図２および図３は、エレクトロクロミックスタックの対電極層内に金属リチウムを堆積させるために単一の金属リチウムステーションが利用される、本開示の第１の実施形態を示す。エレクトロクロミックスタック内の金属リチウムの「上」にある対電極の第２の部分の厚さに対する、エレクトロクロミックスタック内の金属リチウムの「下」にある対電極の第１の部分の厚さを調整することによって、焼成プロセス中にＷＯｘ電極に拡散するリチウムの量を調整することができ、スタックを異なる焼成条件に適合させることができる。
【0042】
図４は、いくつかの実施形態に係る、単一金属リチウムステーションを利用して、エレクトロクロミック電極層上に金属リチウムを堆積させるステップと、リチウム含有セラミックスターゲットを利用して、エレクトロクロミックスタックの対電極層を形成するステップとを含む、エレクトロクロミックスタックを形成する方法の一例を示す流れ図である。
【0043】
図４では、リチウムを含むセラミックスターゲットを使用して対電極をスパッタリングする。このようなセラミックス材料は、金属リチウムよりもはるかに扱いやすく、標準の水冷式マグネトロン区画内で処理され得る。この構成では、金属リチウムは依然としてスパッタリングされて、電極の行き場のない電荷を補償し、可動リチウムをスタックに導入する。しかしながら、金属リチウムは、単一のステーションでスパッタリングされ得る。リチウム含有セラミックス対電極の組成を調整することにより、焼成ステップ前の電極と比較して対電極が必要とする過剰なリチウムを管理することが可能になる。
【0044】
図４は、単一の金属リチウムステーションを利用して、金属リチウムをＥＣ層上に堆積させるステップと、リチウム含有セラミックスターゲットを利用して、エレクトロクロミックスタックのＣＥ層を形成するステップとを含む、エレクトロクロミックスタックを形成するために使用され得る一連のステーションを示す。
【0045】
下層ステーション４０２を使用して、エレクトロクロミックスタックの下層を形成することができる。いくつかの実施形態では、下層ステーション４０２は、複数の材料を含む下層に使用することができる。例示すると、下層ステーション４０２を使用して、ある材料から下層の一部を形成し、異なる材料から下層の別の部分を形成することができる。例示的で非限定的な一例として、下層ステーション４０２で形成される下層の第１の部分は、エレクトロクロミックスタック設計に従って第１の厚さを有する第１の材料（例えば、Ｎｂ２Ｏ５）の第１の層に対応し得る。下層ステーション４０２で形成される下層の第２の部分は、エレクトロクロミックスタック設計に従って第２の厚さを有する第２の材料（例えば、ＳｉＯ２）の第２の層に対応し得る。
【0046】
下層ステーション４０２から進んで、図４は、エレクトロクロミックスタックの第１の導電層を形成するために第１の導電層ステーション４０４を使用できることを示している。特定の一実施形態では、第１の導電層ステーション４０４を使用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＩＴＯ層を形成することができる。
【0047】
第１の導電層ステーション４０４から進んで、図４は、エレクトロクロミックスタックのＥＣ層を形成するために電極ステーション４１０を使用できることを示している。図４に示される特定の実施形態では、電極ステーション４１０は、タングステン（Ｗ）ターゲット４１２を利用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＷＯｘ ＥＣ層を形成する。
【0048】
電極ステーション４１０から進んで、図４は、金属リチウムの層をＷＯｘ ＥＣ層上に堆積させるために、単一の金属リチウムステーション４１３を使用できることを示している。金属リチウムの層の厚さは、焼成プロセス中に十分な量の金属リチウムがＷＯｘ ＥＣ層に拡散するように、特定のエレクトロクロミックスタック設計および特定の焼成条件を含む様々な要因に基づいて決定することができる。
【0049】
金属リチウムステーション４１３から進んで、図４は、いくつかの実施形態において、エレクトロクロミックスタックのＩＣ層を形成するためにＩＣステーション４２０を使用できることを示している。特定の一実施形態では、ＩＣステーション４２０を使用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＳｉＯｘ層を形成することができる。代替の実施形態では、図４の破線によって示されるように、ＩＣステーション４２０は省略されてもよい。
【0050】
ＩＣステーション４２０から（またはＩＣステーション４２０が省略されている場合には電極ステーション４１０から）進んで、図４は、エレクトロクロミックスタックのＣＥ層を形成するために、対電極ステーション４３０を使用できることを示している。図４に示される例では、対電極ステーション４３０は、混合リチウムニッケルタングステン（Ｌｉ：Ｎｉ：Ｗ）セラミックスターゲット４３２を利用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＬｉＮｉＷＯｘ ＣＥ層を形成する。
【0051】
対電極ステーション４３０から進んで、図４は、エレクトロクロミックスタックの第２の導電層を形成するために、第２の導電層ステーション４４０を使用できることを示している。特定の一実施形態では、第２の導電層ステーション４４０を使用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＩＴＯ層を形成することができる。
【0052】
第２の導電層ステーション４４０から進んで、図４は、エレクトロクロミックスタックの上層を形成するために、上層ステーション４４２を使用できることを示している。特定の一実施形態では、上層ステーション４４２を使用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＳｉＯｘ層を形成することができる。
【0053】
上層ステーション４４２から進んで、図４は、エレクトロクロミックスタックの熱処理を行うために、熱処理ステーション４４４を使用できることを示している。
【0054】
【0055】
図５は、（図４の下層ステーション４０２で形成される）エレクトロクロミックスタックの下層５０２が複数の材料を含むことができる特定の一実施形態を示す。例えば、下層５０２の第１の部分は、第１の厚さ（例えば、約１０ｎｍ）を有するＮｂ２Ｏ５層に対応することができ、下層５０２の第２の部分は、第２の厚さ（例えば、約２０ｎｍ）を有するＳｉＯ２層に対応することができる。
【0056】
【0057】
【0058】
図５は、（図４の単一の金属リチウムステーション４１３で形成される）金属リチウム５１３がエレクトロクロミックスタック内のＥＣ層５１０の「上」にある特定の一実施形態を示す。図５は、（図４のＩＣステーション４２０で形成される）エレクトロクロミックスタックのＩＣ５２０が５ｎｍ未満の厚さを有するＳｉＯｘ層に対応し得る特定の一実施形態を示す。図５は、エレクトロクロミックスタックの対電極５３０が、約４２０ｎｍの厚さを有する（混合Ｌｉ：Ｎｉ：Ｗセラミックスターゲット４３２を使用して図４の対電極ステーション４３０で形成される）ＬｉＮｉＷＯｘ層に対応し得る特定の一実施形態を示す。
【0059】
本明細書に記載の例では、ケイ素酸化物ＩＣ層の存在は任意選択である。したがって、図５に示される実施形態は、電極５１０とＩＣ５２０との間に配置された金属リチウム５１３を示すが、代替の実施形態は、電極５１０と対電極５３０との間に（介在するＩＣ５２０無しで）直接配置された金属リチウム５１３を含むことができる。
【0060】
【0061】
【0062】
したがって、図４および図５は、単一の金属リチウムステーションが利用してエレクトロクロミックスタックの電極層の上に金属リチウムを堆積させ、リチウム含有セラミックス対電極ターゲットを利用してエレクトロクロミックスタックの対電極層を形成する、本開示の第２の実施形態を示す。
【0063】
図６は、いくつかの実施形態に係る、エレクトロクロミック電極層内に金属リチウムを堆積させるために、単一の金属リチウムステーションを利用するステップと、エレクトロクロミックスタックの対電極層を形成するために、リチウム含有セラミックスターゲットを利用するステップとを含む、エレクトロクロミックスタックの形成方法の一例を示す流れ図である。
【0064】
図６では、リチウムを含有するセラミックスターゲットは、対電極をスパッタリングするために使用される。このようなセラミックス材料は、金属リチウムよりもはるかに扱いやすく、標準の水冷式マグネトロン区画内で処理され得る。この構成では、金属リチウムは依然としてスパッタリングされて、電極の行き場のない電荷を補償し、可動リチウムをスタックに導入する。しかしながら、金属リチウムは、単一のステーションでスパッタリングされ得る。リチウム含有セラミックス対電極の組成を調整することにより、焼成ステップ前の電極と比較して対電極が必要とする過剰なリチウムを管理することが可能になる。
【0065】
図６は、単一の金属リチウムステーションを利用してＥＣ層「内」に金属リチウムを堆積させることと、リチウム含有セラミックスターゲットを利用してエレクトロクロミックスタックのＣＥ層を形成することとを含む、エレクトロクロミックスタックを形成するために使用できる一連のステーションを示す。
【0066】
下層ステーション６０２は、エレクトロクロミックスタックの下層を形成するために使用することができる。いくつかの実施形態では、下層ステーション６０２は、複数の材料を含む下層に使用することができる。例示すると、下層ステーション６０２を使用して、ある材料から下層の一部を形成し、異なる材料から下層の別の部分を形成することができる。例示的で非限定的な一例として、下層ステーション６０２で形成される下層の第１の部分は、エレクトロクロミックスタック設計に従って第１の厚さを有する第１の材料（例えば、Ｎｂ２Ｏ５）の第１の層に対応し得る。下層ステーション６０２で形成される下層の第２の部分は、エレクトロクロミックスタック設計に従って第２の厚さを有する第２の材料（例えば、ＳｉＯ２）の第２の層に対応し得る。
【0067】
下層ステーション６０２から進んで、図６は、エレクトロクロミックスタックの第１の導電層を形成するために第１の導電層ステーション６０４を使用できることを示している。特定の一実施形態では、第１の導電層ステーション６０４を使用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＩＴＯ層を形成することができる。
【0068】
第１の導電層ステーション６０４から進んで、図６は、エレクトロクロミックスタックのＥＣ層の第１の部分を形成するために、第１の電極ステーション６１０を使用できることを示している。図６に示される例では、第１の電極ステーション６１０は、タングステン（Ｗ）ターゲット６１２を利用して、第１の厚さを有するＷＯｘ ＥＣ層の第１の部分を形成する。本明細書でさらに説明するように、第１の厚さは、特定のエレクトロクロミックスタック設計および特定の焼成条件を含む様々な要因に基づいて決定することができる。
【0069】
第１の電極ステーション６１０から進んで、図６は、ＷＯｘ ＥＣ層の第１の部分上に金属リチウムの層を堆積させるために、単一の金属リチウムステーション６１３を使用できることを示している。金属リチウムの層の厚さは、特定のエレクトロクロミックスタック設計および特定の焼成条件を含む様々な要因に基づいて決定することができる。
【0070】
金属リチウムステーション６１３から進んで、図６は、エレクトロクロミックスタックのＥＣ層の第２の部分を形成するために、第２の電極ステーション６１４を使用できることを示している。図６に示される例では、第２の電極ステーション６１４は、タングステン（Ｗ）ターゲット６１６を利用して、第２の厚さを有するＷＯｘ ＥＣ層の第２の部分を形成する。本明細書でさらに説明するように、第２の厚さは、特定のエレクトロクロミックスタック設計および特定の焼成条件を含む様々な要因に基づいて決定することができる。
【0071】
エレクトロクロミックスタック内の金属リチウムの「上」にある（第２の電極ステーション６１４で形成される）ＥＣ層の第２の部分の厚さに対する、エレクトロクロミックスタック内の（金属リチウムステーション６１３で形成される）金属リチウムの「下」にある（第１の電極ステーション６１０で形成される）ＥＣ層の第１の部分の厚さを調整することで、スタックを異なる焼成条件に適合させることができる。例示すると、焼き戻し不可能なスタックは、約４００℃で熱処理を受け得る。対照的に、焼き戻し対象のスタックは、約７００℃で熱処理を受け得る。ＥＣ層内の金属リチウムの位置は、いくつかの実施形態によれば、電極ステーション６１０および６１４の各々で使用される蒸着電力を変えることによってそれに応じて調整することができる。
【0072】
第２の電極ステーション６１４から進んで、図６は、いくつかの実施形態において、エレクトロクロミックスタックのＩＣ層を形成するためにＩＣステーション６２０を使用できることを示している。特定の一実施形態では、ＩＣステーション６２０を使用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＳｉＯｘ層を形成することができる。代替の実施形態では、図６の破線によって示されるように、ＩＣステーション６２０は省略されてもよい。
【0073】
ＩＣステーション６２０から（またはＩＣステーション６２０が省略されている場合には第２の電極ステーション６１４から）進んで、図６は、エレクトロクロミックスタックのＣＥ層を形成するために、対電極ステーション６３０を使用できることを示している。図６に示される例では、対電極ステーション６３０は、混合リチウムニッケルタングステン（Ｌｉ：Ｎｉ：Ｗ）セラミックスターゲット６３２を利用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＬｉＮｉＷＯｘ ＣＥ層を形成する。
【0074】
対電極ステーション６３０から進んで、図６は、エレクトロクロミックスタックの第２の導電層を形成するために、第２の導電層ステーション６４０を使用できることを示している。特定の一実施形態では、第２の導電層ステーション６４０を使用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＩＴＯ層を形成することができる。
【0075】
第２の導電層ステーション６４０から進んで、図６は、エレクトロクロミックスタックの上層を形成するために、上層ステーション６４２を使用できることを示している。特定の一実施形態では、上層ステーション６４２を使用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＳｉＯｘ層を形成することができる。
【0076】
上層ステーション６４２から進んで、図６は、エレクトロクロミックスタックの熱処理を行うために、熱処理ステーション６４４を使用できることを示している。
【0077】
【0078】
図７は、（図６の下層ステーション６０２で形成される）エレクトロクロミックスタックの下層７０２が複数の材料を含むことができる特定の一実施形態を示す。例えば、下層７０２の第１の部分は、第１の厚さ（例えば、約１０ｎｍ）を有するＮｂ２Ｏ５層に対応することができ、下層７０２の第２の部分は、第２の厚さ（例えば、約２０ｎｍ）を有するＳｉＯ２層に対応することができる。
【0079】
【0080】
図７では、エレクトロクロミックスタックの電極は、第１の電極部分７１０および第２の電極部分７１４を含み、（図６の単一の金属リチウムステーション６１３で形成される）金属リチウム７１３は、第１の電極部分７１０と第２の電極部分７１４との間の電極「内」にある。図７は、第１の電極部分７１０が、スタック内の金属リチウム７１３の「下」の（図７では「Ｘ」ｎｍとして識別される）第１の厚さを有する（図６の第１の電極ステーション６１０で形成される）第１のＷＯｘ層に対応する特定の一実施形態を示す。第２の電極部分７１４は、スタック内の金属リチウム７１３の「上」の（図７では「４００－Ｘ」ｎｍとして識別される）第２の厚さを有する（図６の第２の電極ステーション６１４で形成される）第２のＷＯｘ層に対応している。図６に関して本明細書で前述したように、エレクトロクロミックスタック内の金属リチウム７１３の「上」の第２の電極部分７１４の第２の厚さに対する、エレクトロクロミックスタック内の金属リチウム７１３の「下」の第１の電極部分７１０の第１の厚さを調整することにより、スタックを異なる焼成条件に適合させることができる。特定の一実施形態では、第１の電極部分７１０の第１の厚さ（Ｘ）は、約４００ｎｍの総電極厚に対して、少なくとも２０ｎｍ、多くとも３８０ｎｍとすることができる。
【0081】
図７は、（図６のＩＣステーション６２０で形成される）エレクトロクロミックスタックのＩＣ７２０が５ｎｍ未満の厚さを有するＳｉＯｘ層に対応し得る特定の一実施形態を示す。本明細書に記載の例では、ケイ素酸化物ＩＣ層の存在は任意選択である。
【0082】
図７は、エレクトロクロミックスタックの対電極７３０が、約２７０ｎｍの厚さを有する（混合Ｌｉ：Ｎｉ：Ｗセラミックスターゲット６３２を使用して図６の対電極ステーション６３０で形成される）ＬｉＮｉＷＯｘ層に対応し得る特定の一実施形態を示す。
【0083】
【0084】
【0085】
したがって、図６および図７は、単一の金属リチウムステーションを利用して、エレクトロクロミックスタックの電極層「内」に金属リチウムを堆積させ、リチウム含有セラミックス対電極ターゲット（例えば、ＬｉＮｉＷＯｘ）を利用して、エレクトロクロミックスタックの対電極層を形成する、本開示の第３の実施形態を示す。
【0086】
図８は、いくつかの実施形態に係る、リチウム含有セラミックスターゲットを利用して、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック電極層および対電極層を形成することによってエレクトロクロミックスタックを形成する方法の一例を示す流れ図である。このようなセラミックス材料は、金属リチウムよりもはるかに扱いやすく、標準の水冷式マグネトロン区画で処理され得る。リチウム含有セラミックスターゲットを利用して電極と対電極の両方をスパッタリングすると、電極と対電極に十分な量のＬｉが存在し、組成がＬｉｘＮｉｙＷｚＯＡでＸ＞（Ｙ＋Ｚ）／２であるならば、潜在的にあらゆる金属リチウム堆積プロセスを完全に除去できる可能性がある。特定の一実施形態では、ＬｉｘＮｉｙＷｚＯＡの組成は、（Ｙ＋Ｚ／２）＜Ｘ＜（２ｙ＋Ｚ）である。
【0087】
図８は、金属リチウムステーションを利用せず、リチウム含有セラミックスターゲットを利用してエレクトロクロミックスタックのＥＣ層およびＣＥ層を形成することを含む、エレクトロクロミックスタックを形成するために使用することができる一連のステーションを示す。
【0088】
下層ステーション８０２を使用して、エレクトロクロミックスタックの下層を形成することができる。いくつかの実施形態では、下層ステーション８０２は、複数の材料を含む下層に使用することができる。例示すると、下層ステーション８０２を使用して、ある材料から下層の一部を形成し、異なる材料から下層の別の部分を形成することができる。例示的で非限定的な一例として、下層ステーション８０２で形成される下層の第１の部分は、エレクトロクロミックスタック設計に従って第１の厚さを有する第１の材料（例えば、Ｎｂ２Ｏ５）の第１の層に対応し得る。下層ステーション８０２で形成される下層の第２の部分は、エレクトロクロミックスタック設計に従って第２の厚さを有する第２の材料（例えば、ＳｉＯ２）の第２の層に対応し得る。
【0089】
下層ステーション８０２から進んで、図８は、エレクトロクロミックスタックの第１の導電層を形成するために第１の導電層ステーション８０４を使用できることを示している。特定の一実施形態では、第１の導電層ステーション８０４を使用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＩＴＯ層を形成することができる。
【0090】
第１の導電層ステーション８０４から進んで、図８は、エレクトロクロミックスタックのＥＣ層を形成するために電極ステーション８１０を使用できることを示している。図８に示される例では、電極ステーション８１０は、混合リチウムタングステン（Ｌｉ：Ｗ）セラミックスターゲット８１２を利用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＬｉＷＯｘ ＥＣ層を形成する。
【0091】
電極ステーション８１０から進んで、図８は、いくつかの実施形態において、エレクトロクロミックスタックのＩＣ層を形成するためにＩＣステーション８２０を使用できることを示している。特定の一実施形態では、ＩＣステーション８２０を使用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＳｉＯｘ層を形成することができる。代替の実施形態では、図８の破線によって示されるように、ＩＣステーション８２０は省略されてもよい。
【0092】
ＩＣステーション８２０から（または、ＩＣステーション８２０が省略されている場合には電極ステーション８１０から）進んで、図８は、エレクトロクロミックスタックのＣＥ層を形成するために対電極ステーション８３０を使用できることを示している。図８に示される例では、対電極ステーション８３０は、混合リチウムニッケルタングステン（Ｌｉ：Ｎｉ：Ｗ）セラミックスターゲット８３２を利用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＬｉＮｉＷＯｘ ＣＥ層を形成する。
【0093】
対電極ステーション８３０から進んで、図８は、エレクトロクロミックスタックの第２の導電層を形成するために第２の導電層ステーション８４０を使用できることを示している。特定の一実施形態では、第２の導電層ステーション８４０を使用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＩＴＯ層を形成することができる。
【0094】
第２の導電層ステーション８４０から進んで、図８は、エレクトロクロミックスタックの上層を形成するために上層ステーション８４２を使用できることを示している。特定の一実施形態では、上層ステーション８４２を使用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＳｉＯｘ層を形成することができる。
【0095】
上層ステーション８４２から進んで、図８は、エレクトロクロミックスタックの熱処理を行うために熱処理ステーション８４４を使用できることを示している。
【0096】
【0097】
図９は、（図８の下層ステーション８０２で形成される）エレクトロクロミックスタックの下層９０２が複数の材料を含むことができる特定の一実施形態を示す。例えば、下層９０２の第１の部分は、第１の厚さ（例えば、約１０ｎｍ）を有するＮｂ２Ｏ５層に対応することができ、下層９０２の第２の部分は、第２の厚さ（例えば、約２０ｎｍ）を有するＳｉＯ２層に対応することができる。
【0098】
【0099】
図９は、エレクトロクロミックスタックの電極９１０が、約４００ｎｍの厚さを有する（混合Ｌｉ：Ｗセラミックスターゲット８１２を使用して図８の電極ステーション８１０で形成される）ＬｉＷＯｘ層に対応し得る特定の一実施形態を示す。
【0100】
図９は、（図８のＩＣステーション８２０で形成される）エレクトロクロミックスタックのＩＣ９２０が５ｎｍ未満の厚さを有するＳｉＯｘ層に対応し得る特定の一実施形態を示す。本明細書に記載の例では、ケイ素酸化物ＩＣ層の存在は任意選択である。
【0101】
図９は、エレクトロクロミックスタックの対電極９３０が、約２７０ｎｍの厚さを有する（混合Ｌｉ：Ｎｉ：Ｗセラミックスターゲット８３２を使用して図８の対電極ステーション８３０で形成される）ＬｉＮｉＷＯｘ層に対応し得る特定の一実施形態を示す。
【0102】
【0103】
【0104】
したがって、図８および図９は、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック電極層およびエレクトロクロミック対電極層の両方を形成するためにリチウム含有セラミックスターゲットが利用される、本開示の第４の実施形態を示す。リチウム含有セラミックスターゲットを利用して電極と対電極の両方をスパッタリングすると、電極と対電極に十分な量のＬｉが存在するならば、潜在的にあらゆる金属リチウム堆積プロセスを完全に除去できる可能性がある。
【0105】
図１０は、いくつかの実施形態に係る、リチウム含有セラミックスターゲットを利用してエレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック電極層を形成するステップと、単一の金属リチウムステーションを利用してエレクトロクロミックスタックの対電極層上に金属リチウムを堆積させるステップとを含む、エレクトロクロミックスタックを形成する方法の一例を示す流れ図である。
【0106】
図１０では、電極をスパッタリングするために、リチウムを含むセラミックスターゲットを使用する。このようなセラミックス材料は、金属リチウムよりもはるかに扱いやすく、標準の水冷式マグネトロン区画で処理され得る。図１０は、場合によっては、（３５ｍＣ／ｃｍ２のＬｉイオンの最大量に対応する）少量の金属リチウムを任意選択でスパッタリングして、可動リチウムをスタックに追加できることを示している。スパッタリングされる金属リチウムの量が減少するため、この構成では、金属リチウムをスパッタリングするために使用できるターゲットのペアが１つだけで、潜在的に高い（例えば、０．５メートル／分を超える）製造速度を維持できる可能性がある。図１０に示される実施形態では、金属リチウムは、熱処理後の材料のエレクトロクロミック特性に対する過剰なリチウムのプラスの影響により、対電極の上にスパッタリングされる。
【0107】
図１０は、リチウム含有セラミックスターゲットを利用してエレクトロクロミックスタックのＥＣ層を形成することと、単一の金属リチウムステーションを利用してエレクトロクロミックスタックのＣＥ層の上に金属リチウムを堆積させることを含む、エレクトロクロミックスタックを形成するために使用することができる一連のステーションを示す。
【0108】
エレクトロクロミックスタックの下層を形成するために、下層ステーション１００２を使用することができる。いくつかの実施形態では、下層ステーション１００２は、複数の材料を含む下層に使用することができる。例示すると、下層ステーション１００２を使用して、ある材料から下層の一部を形成し、異なる材料から下層の別の部分を形成することができる。例示的で非限定的な一例として、下層ステーション１００２で形成される下層の第１の部分は、エレクトロクロミックスタック設計に従って第１の厚さを有する第１の材料（例えば、Ｎｂ２Ｏ５）の第１の層に対応し得る。下層ステーション１００２で形成される下層の第２の部分は、エレクトロクロミックスタック設計に従って第２の厚さを有する第２の材料（例えば、ＳｉＯ２）の第２の層に対応し得る。
【0109】
下層ステーション１００２から進んで、図１０は、エレクトロクロミックスタックの第１の導電層を形成するために第１の導電層ステーション１００４を使用できることを示している。特定の一実施形態では、第１の導電層ステーション１００４を使用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＩＴＯ層を形成することができる。
【0110】
第１の導電層ステーション１００４から進んで、図１０は、エレクトロクロミックスタックのＥＣ層を形成するために、電極ステーション１０１０を使用できることを示している。図１０に示される例では、電極ステーション１０１０は、混合リチウムタングステン（Ｌｉ：Ｗ）セラミックスターゲット１０１２を利用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＬｉＷＯｘ ＥＣ層を形成する。
【0111】
電極ステーション１０１０から進んで、図１０は、いくつかの実施形態において、エレクトロクロミックスタックのＩＣ層を形成するためにＩＣステーション１０２０を使用できることを示している。特定の一実施形態では、ＩＣステーション１０２０を使用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＳｉＯｘ層を形成することができる。代替の実施形態では、図１０の破線によって示されるように、ＩＣステーション１０２０は省略されてもよい。
【0112】
ＩＣステーション１０２０から（またはＩＣステーション１０２０が省略されている場合には電極ステーション１０１０から）進んで、図１０は、エレクトロクロミックスタックのＣＥ層を形成するために対電極ステーション１０３０を使用できることを示している。図１０に示される例では、対電極ステーション１０３０は、混合ニッケルタングステン（Ｎｉ：Ｗ）ターゲット８３２を利用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＮｉＷＯｘ ＣＥ層を形成する。
【0113】
対電極ステーション１０３０から進んで、図１０は、金属リチウムの層をＮｉＷＯｘ ＣＥ層上に堆積させるために単一の金属リチウムステーション１０３３を使用できることを示している。金属リチウムの層の厚さは、特定のエレクトロクロミックスタック設計および特定の焼成条件を含む様々な要因に基づいて決定することができる。
【0114】
単一の金属リチウムステーション１０３３から進んで、図１０は、エレクトロクロミックスタックの第２の導電層を形成するために第２の導電層ステーション１０４０を使用できることを示している。特定の一実施形態では、第２の導電層ステーション１０４０を使用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＩＴＯ層を形成することができる。
【0115】
第２の導電層ステーション１０４０から進んで、図１０は、エレクトロクロミックスタックの上層を形成するために上層ステーション１０４２を使用できることを示している。特定の一実施形態では、上層ステーション１０４２を使用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＳｉＯｘ層を形成することができる。
【0116】
上層ステーション１０４２から進んで、図１０は、エレクトロクロミックスタックの熱処理を行うために熱処理ステーション１０４４を使用できることを示している。
【0117】
【0118】
図１１は、（図１０の下層ステーション１００２で形成される）エレクトロクロミックスタックの下層１１０２が複数の材料を含むことができる特定の一実施形態を示す。例えば、下層１１０２の第１の部分は、第１の厚さ（例えば、約１０ｎｍ）を有するＮｂ２Ｏ５層に対応することができ、下層１１０２の第２の部分は、第２の厚さ（例えば、約２０ｎｍ）を有するＳｉＯ２層に対応することができる。
【0119】
【0120】
図１１は、エレクトロクロミックスタックの電極１１１０が、約４００ｎｍの厚さを有する（混合Ｌｉ：Ｗセラミックスターゲット１０１２を使用して図１０の電極ステーション１０１０で形成される）ＬｉＷＯｘ層に対応し得る特定の一実施形態を示す。
【0121】
図１１は、（図１０のＩＣステーション１０２０で形成される）エレクトロクロミックスタックのＩＣ１１２０が５ｎｍ未満の厚さを有するＳｉＯｘ層に対応し得る特定の一実施形態を示す。本明細書に記載の例では、ケイ素酸化物ＩＣ層の存在は任意選択である。
【0122】
図１１は、エレクトロクロミックスタックの対電極１１３０が、約２７０ｎｍの厚さを有する（混合Ｎｉ：Ｗターゲット１０３２を使用して図１０の対電極ステーション１０３０で形成される）ＮｉＷＯｘ層に対応し得る特定の一実施形態を示す。
【0123】
【0124】
【0125】
【0126】
したがって、図１０および図１１は、リチウム含有セラミックス電極ターゲットを利用してエレクトロクロミックスタックの電極層を形成し、単一の金属リチウムステーションを利用してエレクトロクロミックスタックの対電極層の上に金属リチウムを堆積させる、本開示の第５の実施形態を示す。
【0127】
図１２は、いくつかの実施形態に係る、エレクトロクロミックスタックのＩＣ層と電極層との間に金属リチウムを堆積させるために単一の金属リチウムステーションを利用するステップを含む、エレクトロクロミックスタックを形成する方法の一例を示す流れ図である。
【0128】
図１２は、エレクトロクロミックスタックのＩＣ層と電極層との間に金属リチウムを堆積させるために単一の金属リチウムステーションを利用することを含む、エレクトロクロミックスタックを形成するために使用できる一連のステーションを示す。
【0129】
エレクトロクロミックスタックの下層を形成するために、下層ステーション１２０２を使用することができる。いくつかの実施形態では、下層ステーション１２０２は、複数の材料を含む下層に使用することができる。例示すると、下層ステーション１２０２を使用して、ある材料から下層の一部を形成し、異なる材料から下層の別の部分を形成することができる。例示的で非限定的な一例として、下層ステーション１２０２で形成される下層の第１の部分は、エレクトロクロミックスタック設計に従って第１の厚さを有する第１の材料（例えば、Ｎｂ２Ｏ５）の第１の層に対応し得る。下層ステーション１２０２で形成される下層の第２の部分は、エレクトロクロミックスタック設計に従って第２の厚さを有する第２の材料（例えば、ＳｉＯ２）の第２の層に対応し得る。
【0130】
下層ステーション１２０２から進んで、図１２は、エレクトロクロミックスタックの第１の導電層を形成するために、第１の導電層ステーション１２０４を使用できることを示している。特定の一実施形態では、第１の導電層ステーション１２０４を使用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＩＴＯ層を形成することができる。
【0131】
第１の導電層ステーション１２０４から進んで、図１２は、エレクトロクロミックスタックのＣＥ層を形成するために、対電極ステーション１２１７を使用できることを示している。図１２に示される例では、対電極ステーション１２１７は、混合ニッケルタングステン（Ｎｉ：Ｗ）ターゲット１２１８を利用して、特定の厚さを有するＣＥ層を形成する。本明細書でさらに説明するように、ＣＥ層の厚さは、特定のエレクトロクロミックスタック設計を含む様々な要因に基づいて決定することができる。
【0132】
対電極ステーション１２１７から進んで、図１２は、エレクトロクロミックスタックのＩＣ層を形成するために、ＩＣステーション１２２０を使用できることを示している。特定の一実施形態では、ＩＣステーション１２２０を使用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＳｉＯｘ層を形成することができる。
【0133】
ＩＣステーション１２２０から進んで、図１２は、金属リチウムの層をＩＣ層上に堆積させるために、単一の金属リチウムステーション１２２１を使用できることを示している。金属リチウムの層の厚さは、特定のエレクトロクロミックスタック設計および特定の焼成条件を含む様々な要因に基づいて決定することができるため、十分な量の金属リチウムが焼成プロセス中に（電極ステーション１２３７で形成される）ＷＯｘ ＥＣ層に拡散する。
【0134】
単一の金属リチウムステーション１２２１から進んで、図１２は、エレクトロクロミックスタックのＥＣ層を形成するために、電極ステーション１２３７を使用できることを示している。図１２に示される特定の実施形態では、電極ステーション１２３７は、タングステン（Ｗ）ターゲット１２３８を利用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＷＯｘ ＥＣ層を形成する。
【0135】
電極ステーション１２３７から進んで、図１２は、エレクトロクロミックスタックの第２の導電層を形成するために、第２の導電層ステーション１２４０を使用できることを示している。特定の一実施形態では、第２の導電層ステーション１２４０を使用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＩＴＯ層を形成することができる。
【0136】
図１２の第２の導電層ステーション１２４０から進んで、図１２は、エレクトロクロミックスタックの上層を形成するために上層ステーション１２４２を使用できることを示している。特定の一実施形態では、上層ステーション１２４２を使用して、エレクトロクロミックスタック設計に従って特定の厚さを有するＳｉＯｘ層を形成することができる。
【0137】
上層ステーション１２４２から進んで、図１２は、いくつかの実施形態において、任意選択の熱処理ステーション１２４４を使用してエレクトロクロミックスタックの熱処理を行うことができることを示している。例示的で非限定的な一例として、いくつかの実施形態によれば、熱処理ステーション１２４４において約４００℃で焼き戻し不可能スタックに熱処理を施すことができる。
【0138】
【0139】
図１３は、（図１２の下層ステーション１２０２で形成される）エレクトロクロミックスタックの下層１３０２が、複数の材料を含み得る特定の一実施形態を示す。例えば、下層１３０２の第１の部分は、第１の厚さ（例えば、約１０ｎｍ）を有するＮｂ２Ｏ５層に対応することができ、下層１３０２の第２の部分は、第２の厚さ（例えば、約３０ｎｍ）を有するＳｉＯ２層に対応することができる。
【0140】
【0141】
【0142】
【0143】
図１３では、（図１２の単一の金属リチウムステーション１２２１で形成される）金属リチウム１３２１が、ＩＣ層１３２０の「上」かつ（図１２のＥＣ層ステーション１２３７で形成される）電極層１３３７の「下」に堆積される。
【0144】
【0145】
【0146】
したがって、図１２および図１３は、ＣＥ層およびＩＣ層がＥＣ層の前に堆積され、単一の金属リチウムステーションを利用して、スタック内でＩＣ層の「上」かつＥＣ層の「下」に金属リチウムを堆積させる、本開示の別の一実施形態を示す。
【0147】
本開示のいくつかの実施形態では、エレクトロクロミックスタックは、電極ステーションで、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層を堆積させるステップと、第１の対電極ステーションで、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層の第１の部分を堆積させるステップと、単一の金属リチウムステーションで、第１の対電極ステーションで堆積されたエレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分上に金属リチウムを堆積させるステップと、第２の対電極ステーションで、単一の金属リチウムステーションで堆積された金属リチウム上にエレクトロクロミックＣＥ層の第２の部分を堆積させるステップとを含む方法に従って形成することができる。場合によっては、この方法は、エレクトロクロミックＣＥ層の第２の部分を堆積させるステップの後に、エレクトロクロミックスタックの熱処理を行うステップをさらに含むことができる。
【0148】
本開示のいくつかの実施形態では、エレクトロクロミックスタックは、電極ステーションで、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層の少なくとも一部を堆積させるステップと、単一の金属リチウムステーションで、電極ステーションで堆積されたエレクトロクロミックＥＣ層上に金属リチウムを堆積させるステップと、対電極ステーションで、リチウム含有セラミックス対電極ターゲットを利用して、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層を堆積させるステップとを含む方法に従って形成することができる。場合によっては、この方法は、エレクトロクロミックＣＥ層を堆積させるステップの後に、エレクトロクロミックスタックの熱処理を行うステップをさらに含むことができる。
【0149】
本開示のいくつかの実施形態では、エレクトロクロミックスタックは、電極ステーションで、リチウム含有セラミックス電極ターゲットを利用して、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層を堆積させるステップと、対電極ステーションで、対電極ターゲットを利用して、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層を堆積するステップとを含む方法に従って形成することができる。場合によっては、この方法は、エレクトロクロミックＣＥ層を堆積させるステップの後に、エレクトロクロミックスタックの熱処理を行うステップをさらに含むことができる。
【0150】
本開示の実施形態は、以下の条項を考慮して説明することができる。
（条項１）
エレクトロクロミックスタックを形成する方法であって、
電極ステーションで、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層を堆積させるステップと、
第１の対電極ステーションで、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層の第１の部分を堆積させるステップと、
単一の金属リチウムステーションで、第１の対電極ステーションで堆積されたエレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分上に金属リチウムを堆積させるステップと、
第２の対電極ステーションで、エレクトロクロミックＣＥ層の第２の部分を、単一の金属リチウムステーションで堆積された金属リチウム上に堆積させるステップとを含む、方法。
（条項２）
下層ステーションで、エレクトロクロミックスタックの下層を堆積させるステップと、
第１の導電層ステーションで、エレクトロクロミックスタックの第１の導電層を堆積させるステップとをさらに含み、
エレクトロクロミックＥＣ層は、第１の導電層ステーションで堆積された第１の導電層上に堆積される、条項１に記載の方法。
（条項３）
イオン伝導（ＩＣ）ステーションで、エレクトロクロミックスタックのＩＣ層を、電極ステーションで堆積されたエレクトロクロミックＥＣ層上に堆積させるステップをさらに含み、
エレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分は、ＩＣステーションで堆積されたＩＣ層上に堆積される、条項２に記載の方法。
（条項４）
エレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分は、電極ステーションに堆積されたエレクトロクロミックＥＣ層上に堆積される、条項２に記載の方法。
（条項５）
第２の導電層ステーションで、エレクトロクロミックスタックの第２の導電層を堆積させるステップと、
上層ステーションで、エレクトロクロミックスタックの上層を堆積させるステップとをさらに含む、条項２に記載の方法。
（条項６）
上層を堆積させるステップに続いて、エレクトロクロミックスタックの熱処理を行うステップをさらに含む、条項５に記載の方法。
（条項７）
エレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分は、２０ｎｍ以上の第１の厚さを有し、エレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分およびエレクトロクロミックＣＥ層の第２の部分の組み合わされた厚さは約２７０ｎｍである、条項１に記載の方法。
（条項１）
エレクトロクロミックスタックを形成する方法であって、
電極ステーションで、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層を堆積させるステップと、
第１の対電極ステーションで、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層の第１の部分を堆積させるステップと、
単一の金属リチウムステーションで、第１の対電極ステーションで堆積されたエレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分上に金属リチウムを堆積させるステップと、
第２の対電極ステーションで、エレクトロクロミックＣＥ層の第２の部分を、単一の金属リチウムステーションで堆積された金属リチウム上に堆積させるステップとを含む、方法。
（条項２）
下層ステーションで、エレクトロクロミックスタックの下層を堆積させるステップと、
第１の導電層ステーションで、エレクトロクロミックスタックの第１の導電層を堆積させるステップとをさらに含み、
エレクトロクロミックＥＣ層は、第１の導電層ステーションで堆積された第１の導電層上に堆積される、条項１に記載の方法。
（条項３）
イオン伝導（ＩＣ）ステーションで、エレクトロクロミックスタックのＩＣ層を、電極ステーションで堆積されたエレクトロクロミックＥＣ層上に堆積させるステップをさらに含み、
エレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分は、ＩＣステーションで堆積されたＩＣ層上に堆積される、条項２に記載の方法。
（条項４）
エレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分は、電極ステーションに堆積されたエレクトロクロミックＥＣ層上に堆積される、条項２に記載の方法。
（条項５）
第２の導電層ステーションで、エレクトロクロミックスタックの第２の導電層を堆積させるステップと、
上層ステーションで、エレクトロクロミックスタックの上層を堆積させるステップとをさらに含む、条項２に記載の方法。
（条項６）
上層を堆積させるステップに続いて、エレクトロクロミックスタックの熱処理を行うステップをさらに含む、条項５に記載の方法。
（条項７）
エレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分は、２０ｎｍ以上の第１の厚さを有し、エレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分およびエレクトロクロミックＣＥ層の第２の部分の組み合わされた厚さは約２７０ｎｍである、条項１に記載の方法。
【0151】
（条項８）
エレクトロクロミックスタックを形成する方法であって、
電極ステーションで、リチウム含有セラミックス電極ターゲットを利用して、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層を堆積させるステップと、
対電極ステーションで、対電極ターゲットを利用して、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層を堆積させるステップとを含む、方法。
（条項９）
対電極ターゲットは、リチウム含有セラミックス対電極ターゲットである、条項８に記載の方法。
（条項１０）
リチウム含有セラミックス対電極ターゲットは、混合リチウムニッケルタングステン（Ｌｉ：Ｎｉ：Ｗ）セラミックスターゲットを含む、条項９に記載の方法。
（条項１１）
リチウム含有セラミックス電極ターゲットが、混合リチウムタングステン（Ｌｉ：Ｗ）セラミックスターゲットを含む、条項８に記載の方法。
（条項１２）
単一の金属リチウムステーションで金属リチウムを堆積させるステップをさらに含む、条項８に記載の方法。
（条項１３）
金属リチウムが、対電極ステーションで堆積されたエレクトロクロミックＣＥ層上に堆積される、条項１２に記載の方法。
（条項１４）
セラミックス対電極ターゲットは、混合ニッケル－タングステン（Ｎｉ：Ｗ）ターゲットを含む、条項１３に記載の方法。
エレクトロクロミックスタックを形成する方法であって、
電極ステーションで、リチウム含有セラミックス電極ターゲットを利用して、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層を堆積させるステップと、
対電極ステーションで、対電極ターゲットを利用して、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層を堆積させるステップとを含む、方法。
（条項９）
対電極ターゲットは、リチウム含有セラミックス対電極ターゲットである、条項８に記載の方法。
（条項１０）
リチウム含有セラミックス対電極ターゲットは、混合リチウムニッケルタングステン（Ｌｉ：Ｎｉ：Ｗ）セラミックスターゲットを含む、条項９に記載の方法。
（条項１１）
リチウム含有セラミックス電極ターゲットが、混合リチウムタングステン（Ｌｉ：Ｗ）セラミックスターゲットを含む、条項８に記載の方法。
（条項１２）
単一の金属リチウムステーションで金属リチウムを堆積させるステップをさらに含む、条項８に記載の方法。
（条項１３）
金属リチウムが、対電極ステーションで堆積されたエレクトロクロミックＣＥ層上に堆積される、条項１２に記載の方法。
（条項１４）
セラミックス対電極ターゲットは、混合ニッケル－タングステン（Ｎｉ：Ｗ）ターゲットを含む、条項１３に記載の方法。
【0152】
（条項１５）
エレクトロクロミックスタックを形成する方法であって、
対電極ステーションで、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層を堆積させるステップと、
イオン伝導（ＩＣ）ステーションで、エレクトロクロミックスタックのＩＣ層を堆積させるステップと、
単一の金属リチウムステーションで金属リチウムをＩＣ層上に堆積させるステップと、
エレクトロクロミック電極（ＥＣ）ステーションで、エレクトロクロミックＥＣ層を、単一の金属リチウムステーションで堆積された金属リチウム上に堆積させるステップとを含む、方法。
（条項１６）
下層ステーションで、エレクトロクロミックスタックの下層を堆積させるステップと、
第１の導電層ステーションで、エレクトロクロミックスタックの第１の導電層を堆積させるステップとをさらに含み、
エレクトロクロミックＣＥ層は、第１の導電層ステーションで堆積された第１の導電層上に堆積される、条項１５に記載の方法。
（条項１７）
第２の導電層ステーションで、エレクトロクロミックスタックの第２の導電層をエレクトロクロミックＥＣ層上に堆積させるステップと、
上層ステーションで、エレクトロクロミックスタックの上層を第２の導電層上に堆積させるステップとをさらに含む、条項１６に記載の方法。
（条項１８）
上層を堆積させるステップに続いて、エレクトロクロミックスタックの熱処理を行うステップをさらに含む、条項１７に記載の方法。
エレクトロクロミックスタックを形成する方法であって、
対電極ステーションで、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層を堆積させるステップと、
イオン伝導（ＩＣ）ステーションで、エレクトロクロミックスタックのＩＣ層を堆積させるステップと、
単一の金属リチウムステーションで金属リチウムをＩＣ層上に堆積させるステップと、
エレクトロクロミック電極（ＥＣ）ステーションで、エレクトロクロミックＥＣ層を、単一の金属リチウムステーションで堆積された金属リチウム上に堆積させるステップとを含む、方法。
（条項１６）
下層ステーションで、エレクトロクロミックスタックの下層を堆積させるステップと、
第１の導電層ステーションで、エレクトロクロミックスタックの第１の導電層を堆積させるステップとをさらに含み、
エレクトロクロミックＣＥ層は、第１の導電層ステーションで堆積された第１の導電層上に堆積される、条項１５に記載の方法。
（条項１７）
第２の導電層ステーションで、エレクトロクロミックスタックの第２の導電層をエレクトロクロミックＥＣ層上に堆積させるステップと、
上層ステーションで、エレクトロクロミックスタックの上層を第２の導電層上に堆積させるステップとをさらに含む、条項１６に記載の方法。
（条項１８）
上層を堆積させるステップに続いて、エレクトロクロミックスタックの熱処理を行うステップをさらに含む、条項１７に記載の方法。
【0153】
（条項１９）
エレクトロクロミックスタック内に配置された単層の金属リチウムを有するエレクトロクロミックスタックであって、エレクトロクロミックスタックは、
エレクトロクロミック電極（ＥＣ）層と、
エレクトロクロミックＥＣ層の上にあるエレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層とを含み、エレクトロクロミックＣＥ層は、
エレクトロクロミックＥＣ層の上にある第１の部分と、
エレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分の上に直接重なる金属リチウムと、
金属リチウムの上に直接重なる第２の部分とを含む、エレクトロクロミックスタック。
（条項２０）
エレクトロクロミックＥＣ層とエレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分との間に配置されたイオン伝導（ＩＣ）層をさらに含む、条項１９に記載のエレクトロクロミックスタック。
（条項２１）
エレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分は、２０ｎｍ以上の第１の厚さを有し、エレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分とエレクトロクロミックＣＥ層の第２の部分の組み合わされた厚さは、約２７０ｎｍである、条項１９に記載のエレクトロクロミックスタック。
エレクトロクロミックスタック内に配置された単層の金属リチウムを有するエレクトロクロミックスタックであって、エレクトロクロミックスタックは、
エレクトロクロミック電極（ＥＣ）層と、
エレクトロクロミックＥＣ層の上にあるエレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層とを含み、エレクトロクロミックＣＥ層は、
エレクトロクロミックＥＣ層の上にある第１の部分と、
エレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分の上に直接重なる金属リチウムと、
金属リチウムの上に直接重なる第２の部分とを含む、エレクトロクロミックスタック。
（条項２０）
エレクトロクロミックＥＣ層とエレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分との間に配置されたイオン伝導（ＩＣ）層をさらに含む、条項１９に記載のエレクトロクロミックスタック。
（条項２１）
エレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分は、２０ｎｍ以上の第１の厚さを有し、エレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分とエレクトロクロミックＣＥ層の第２の部分の組み合わされた厚さは、約２７０ｎｍである、条項１９に記載のエレクトロクロミックスタック。
【0154】
（条項２２）
エレクトロクロミックデバイスであって、
エレクトロクロミックスタック内に配置された単層の金属リチウムを有するエレクトロクロミックスタックを含み、エレクトロクロミックスタックは、
エレクトロクロミック電極（ＥＣ）層と、
エレクトロクロミックＥＣ層の上にあるエレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層とを含み、エレクトロクロミックＣＥ層は、
エレクトロクロミックＥＣ層の上にある第１の部分と、
エレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分の上に直接重なる金属リチウムと、
金属リチウムの上に直接重なる第２の部分とを含む、エレクトロクロミックデバイス。
（条項２３）
エレクトロクロミックＥＣ層とエレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分との間に配置されたイオン伝導（ＩＣ）層をさらに含む、条項２２に記載のエレクトロクロミックデバイス。
（条項２４）
エレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分は、２０ｎｍ以上の第１の厚さを有し、エレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分とエレクトロクロミックＣＥ層の第２の部分の組み合わされた厚さは、約２７０ｎｍである、条項２２に記載のエレクトロクロミックデバイス。
エレクトロクロミックデバイスであって、
エレクトロクロミックスタック内に配置された単層の金属リチウムを有するエレクトロクロミックスタックを含み、エレクトロクロミックスタックは、
エレクトロクロミック電極（ＥＣ）層と、
エレクトロクロミックＥＣ層の上にあるエレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層とを含み、エレクトロクロミックＣＥ層は、
エレクトロクロミックＥＣ層の上にある第１の部分と、
エレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分の上に直接重なる金属リチウムと、
金属リチウムの上に直接重なる第２の部分とを含む、エレクトロクロミックデバイス。
（条項２３）
エレクトロクロミックＥＣ層とエレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分との間に配置されたイオン伝導（ＩＣ）層をさらに含む、条項２２に記載のエレクトロクロミックデバイス。
（条項２４）
エレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分は、２０ｎｍ以上の第１の厚さを有し、エレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分とエレクトロクロミックＣＥ層の第２の部分の組み合わされた厚さは、約２７０ｎｍである、条項２２に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【0155】
（条項２５）
エレクトロクロミックスタック内に金属リチウムが配置されていないエレクトロクロミックスタックであって、
ＬｉＷＯｘ材料を含むエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層と、
エレクトロクロミックＥＣ層の上にあり、ＬｉＮｉＷＯｘ材料を含む、エレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層とを含む、エレクトロクロミックスタック。
（条項２６）
エレクトロクロミックＥＣ層とエレクトロクロミックＣＥ層との間に配置されたイオン伝導（ＩＣ）層をさらに含む、条項２５に記載のエレクトロクロミックスタック。
エレクトロクロミックスタック内に金属リチウムが配置されていないエレクトロクロミックスタックであって、
ＬｉＷＯｘ材料を含むエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層と、
エレクトロクロミックＥＣ層の上にあり、ＬｉＮｉＷＯｘ材料を含む、エレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層とを含む、エレクトロクロミックスタック。
（条項２６）
エレクトロクロミックＥＣ層とエレクトロクロミックＣＥ層との間に配置されたイオン伝導（ＩＣ）層をさらに含む、条項２５に記載のエレクトロクロミックスタック。
【0156】
（条項２７）
エレクトロクロミックデバイスであって、
エレクトロクロミックスタック内に金属リチウムが配置されていないエレクトロクロミックスタックを含み、エレクトロクロミックスタックは、
ＬｉＷＯｘ材料を含むエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層と、
エレクトロクロミックＥＣ層の上にあり、ＬｉＮｉＷＯｘ材料を含む、エレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層とを含む、エレクトロクロミックデバイス。
（条項２８）
エレクトロクロミックＥＣ層とエレクトロクロミックＣＥ層との間に配置されたイオン伝導（ＩＣ）層をさらに含む、条項２７に記載のエレクトロクロミックデバイス。
エレクトロクロミックデバイスであって、
エレクトロクロミックスタック内に金属リチウムが配置されていないエレクトロクロミックスタックを含み、エレクトロクロミックスタックは、
ＬｉＷＯｘ材料を含むエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層と、
エレクトロクロミックＥＣ層の上にあり、ＬｉＮｉＷＯｘ材料を含む、エレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層とを含む、エレクトロクロミックデバイス。
（条項２８）
エレクトロクロミックＥＣ層とエレクトロクロミックＣＥ層との間に配置されたイオン伝導（ＩＣ）層をさらに含む、条項２７に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【0157】
（条項２９）
エレクトロクロミックスタック内に配置された単層の金属リチウムを有するエレクトロクロミックスタックであって、エレクトロクロミックスタックは、
ＬｉＷＯｘ材料を含むエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層と、
エレクトロクロミックＥＣ層の上にあるエレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層と、
エレクトロクロミックＣＥ層の上に直接重なる金属リチウムとを含む、エレクトロクロミックスタック。
（条項３０）
エレクトロクロミックＥＣ層とエレクトロクロミックＣＥ層との間に配置されたイオン伝導（ＩＣ）層をさらに含む、条項２９に記載のエレクトロクロミックスタック。
エレクトロクロミックスタック内に配置された単層の金属リチウムを有するエレクトロクロミックスタックであって、エレクトロクロミックスタックは、
ＬｉＷＯｘ材料を含むエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層と、
エレクトロクロミックＥＣ層の上にあるエレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層と、
エレクトロクロミックＣＥ層の上に直接重なる金属リチウムとを含む、エレクトロクロミックスタック。
（条項３０）
エレクトロクロミックＥＣ層とエレクトロクロミックＣＥ層との間に配置されたイオン伝導（ＩＣ）層をさらに含む、条項２９に記載のエレクトロクロミックスタック。
【0158】
（条項３１）
エレクトロクロミックデバイスであって、
エレクトロクロミックスタック内に配置された単層の金属リチウムを有するエレクトロクロミックスタックを含み、エレクトロクロミックスタックは、
ＬｉＷＯｘ材料を含むエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層と、
エレクトロクロミックＥＣ層の上にあるエレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層と、
エレクトロクロミックＣＥ層の上に直接重なる金属リチウムとを含む、エレクトロクロミックデバイス。
（条項３２）
エレクトロクロミックＥＣ層とエレクトロクロミックＣＥ層との間に配置されたイオン伝導（ＩＣ）層をさらに含む、条項３１に記載のエレクトロクロミックデバイス。
エレクトロクロミックデバイスであって、
エレクトロクロミックスタック内に配置された単層の金属リチウムを有するエレクトロクロミックスタックを含み、エレクトロクロミックスタックは、
ＬｉＷＯｘ材料を含むエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層と、
エレクトロクロミックＥＣ層の上にあるエレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層と、
エレクトロクロミックＣＥ層の上に直接重なる金属リチウムとを含む、エレクトロクロミックデバイス。
（条項３２）
エレクトロクロミックＥＣ層とエレクトロクロミックＣＥ層との間に配置されたイオン伝導（ＩＣ）層をさらに含む、条項３１に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【0159】
（条項３３）
エレクトロクロミックスタック内に配置された単層の金属リチウムを有するエレクトロクロミックスタックであって、エレクトロクロミックスタックは、
エレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層と、
エレクトロクロミックＣＥ層の上に直接重なるイオン伝導（ＩＣ）層と、
ＩＣ層の上に直接重なる金属リチウムと、
金属リチウムの上に直接重なるエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層とを含む、エレクトロクロミックスタック。
（条項３４）
下層をさらに含み、エレクトロクロミックＣＥ層が下層の上にある、条項３３に記載のエレクトロクロミックスタック。
（条項３５）
エレクトロクロミックＥＣ層の上にある上層をさらに含む、条項３３に記載のエレクトロクロミックスタック。
エレクトロクロミックスタック内に配置された単層の金属リチウムを有するエレクトロクロミックスタックであって、エレクトロクロミックスタックは、
エレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層と、
エレクトロクロミックＣＥ層の上に直接重なるイオン伝導（ＩＣ）層と、
ＩＣ層の上に直接重なる金属リチウムと、
金属リチウムの上に直接重なるエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層とを含む、エレクトロクロミックスタック。
（条項３４）
下層をさらに含み、エレクトロクロミックＣＥ層が下層の上にある、条項３３に記載のエレクトロクロミックスタック。
（条項３５）
エレクトロクロミックＥＣ層の上にある上層をさらに含む、条項３３に記載のエレクトロクロミックスタック。
【0160】
（条項３６）
エレクトロクロミックデバイスであって、
エレクトロクロミックスタック内に配置された単層の金属リチウムを有するエレクトロクロミックスタックを含み、エレクトロクロミックスタックは、
エレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層と、
エレクトロクロミックＣＥ層の上に直接重なるイオン伝導（ＩＣ）層と、
ＩＣ層の上に直接重なる金属リチウムと、
金属リチウムの上に直接重なるエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層とを含む、エレクトロクロミックデバイス。
（条項３７）
下層であって、エレクトロクロミックＣＥ層が下層の上にある、下層と、
エレクトロクロミックＥＣ層の上にある上層とをさらに含む、条項３６のエレクトロクロミックデバイス。
エレクトロクロミックデバイスであって、
エレクトロクロミックスタック内に配置された単層の金属リチウムを有するエレクトロクロミックスタックを含み、エレクトロクロミックスタックは、
エレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層と、
エレクトロクロミックＣＥ層の上に直接重なるイオン伝導（ＩＣ）層と、
ＩＣ層の上に直接重なる金属リチウムと、
金属リチウムの上に直接重なるエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層とを含む、エレクトロクロミックデバイス。
（条項３７）
下層であって、エレクトロクロミックＣＥ層が下層の上にある、下層と、
エレクトロクロミックＥＣ層の上にある上層とをさらに含む、条項３６のエレクトロクロミックデバイス。
【0161】
（条項３８）
電極ステーションで、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層を堆積させるステップと、
第１の対電極ステーションで、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層の第１の部分を堆積させるステップと、
単一の金属リチウムステーションで、第１の対電極ステーションで堆積されたエレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分上に金属リチウムを堆積させるステップと、
第２の対電極ステーションで、エレクトロクロミックＣＥ層の第２の部分を、単一の金属リチウムステーションで堆積された金属リチウム上に堆積させるステップとを含む方法に従って形成された、エレクトロクロミックスタック。
（条項３９）
エレクトロクロミックＣＥ層の第２の部分を堆積させるステップに続いて、エレクトロクロミックスタックの熱処理を行うステップをさらに含む、条項３８に記載のエレクトロクロミックスタック。
電極ステーションで、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層を堆積させるステップと、
第１の対電極ステーションで、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層の第１の部分を堆積させるステップと、
単一の金属リチウムステーションで、第１の対電極ステーションで堆積されたエレクトロクロミックＣＥ層の第１の部分上に金属リチウムを堆積させるステップと、
第２の対電極ステーションで、エレクトロクロミックＣＥ層の第２の部分を、単一の金属リチウムステーションで堆積された金属リチウム上に堆積させるステップとを含む方法に従って形成された、エレクトロクロミックスタック。
（条項３９）
エレクトロクロミックＣＥ層の第２の部分を堆積させるステップに続いて、エレクトロクロミックスタックの熱処理を行うステップをさらに含む、条項３８に記載のエレクトロクロミックスタック。
【0162】
（条項４０）
電極ステーションで、リチウム含有セラミックス電極ターゲットを利用して、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層を堆積させるステップと、
対電極ステーションで、対電極ターゲットを利用して、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層を堆積させるステップとを含む方法に従って形成された、エレクトロクロミックスタック。
（条項４１）
エレクトロクロミックＣＥ層を堆積させるステップに続いて、エレクトロクロミックスタックの熱処理を行うステップをさらに含む、条項４０に記載のエレクトロクロミックスタック。
電極ステーションで、リチウム含有セラミックス電極ターゲットを利用して、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック電極（ＥＣ）層を堆積させるステップと、
対電極ステーションで、対電極ターゲットを利用して、エレクトロクロミックスタックのエレクトロクロミック対電極（ＣＥ）層を堆積させるステップとを含む方法に従って形成された、エレクトロクロミックスタック。
（条項４１）
エレクトロクロミックＣＥ層を堆積させるステップに続いて、エレクトロクロミックスタックの熱処理を行うステップをさらに含む、条項４０に記載のエレクトロクロミックスタック。
【0163】
上記の実施形態はかなり詳細に説明されてきたが、上記の開示が十分に理解されると、当業者には明らかとなるように、多数の変更および修正を行うことができる。以下の特許請求の範囲は、そのようなすべての修正および変更を包含するように解釈され、したがって、上記の説明は、限定的な意味ではなく、例示的な意味で見なされるべきであることが意図されている。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【国際調査報告】