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特表2023-513407表示基板及びその製作方法並びに表示装置

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2023-03-31

(54)【発明の名称】表示基板及びその製作方法並びに表示装置

(51)【国際特許分類】

G09F 9/00 20060101AFI20230324BHJP

H05B 33/10 20060101ALI20230324BHJP

H05B 33/04 20060101ALI20230324BHJP

H10K 59/00 20230101ALI20230324BHJP

H10K 50/00 20230101ALI20230324BHJP

H05B 33/22 20060101ALI20230324BHJP

G09F 9/30 20060101ALI20230324BHJP

【ＦＩ】

G09F9/00 338

H05B33/10

H05B33/04

H01L27/32

H05B33/14 A

H05B33/22 Z

G09F9/30 309

G09F9/30 308D

G09F9/30 365

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2021572441

(86)(22)【出願日】2019-12-11

(85)【翻訳文提出日】2021-12-06

(86)【国際出願番号】 CN2019124499

(87)【国際公開番号】W WO2021114128

(87)【国際公開日】2021-06-17

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】510280589

【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹＧＲＯＵＰＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ＪｉｕｘｉａｎｑｉａｏＲｄ．，ＣｈａｏｙａｎｇＤｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００１５，ＣＨＩＮＡ

(71)【出願人】

【識別番号】511121702

【氏名又は名称】成都京東方光電科技有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＣＨＥＮＧＤＵＢＯＥＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１１８８，ＨｅｚｕｏＲｄ．，（ＷｅｓｔＺｏｎｅ），Ｈｉ－ｔｅｃｈＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔＺｏｎｅ，Ｃｈｅｎｇｄｕ，Ｓｉｃｈｕａｎ，６１１７３１，Ｐ．Ｒ．ＣＨＩＮＡ

(74)【代理人】

【識別番号】100070024

【弁理士】

【氏名又は名称】松永宣行

(74)【代理人】

【識別番号】100195257

【弁理士】

【氏名又は名称】大渕一志

(72)【発明者】

【氏名】顧品超

(72)【発明者】

【氏名】黄ウェイ贇

(72)【発明者】

【氏名】蒋鼕華

(72)【発明者】

【氏名】趙吾陽

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

5G435

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107BB08

3K107CC23

3K107CC45

3K107DD90

3K107EE41

3K107EE46

3K107EE47

3K107EE48

3K107EE65

3K107EE68

3K107FF15

5C094AA43

5C094BA03

5C094BA27

5C094CA19

5C094DA05

5C094DA07

5C094FA01

5C094FA02

5C094FA04

5C094FB02

5C094FB12

5C094GB10

5C094JA08

5G435AA17

5G435BB05

5G435CC09

5G435EE49

5G435KK05

5G435KK10

(57)【要約】

本開示は、表示基板及びその製作方法並びに表示装置を提供し、表示技術分野に関する。表示基板（１００）は、表示領域（１０１）と、バリア壁設置領域と、開孔領域（１０１１）とを含み、前記表示領域（１０１）は、前記バリア壁設置領域を取り囲み、前記バリア壁設置領域は、前記開孔領域（１０１１）を取り囲み、表示基板（１００）の製作方法は、前記表示基板（１００）の発光デバイスの第１電極を形成した後、前記バリア壁設置領域の保護層（４０３）を除去して、前記保護層（４０３）に覆われていた初期バリア壁（４１）を少なくとも一周露出させるステップであって、前記初期バリア壁（４１）は、前記開孔領域（１０１１）を取り囲んで設置されるステップと、前記少なくとも一周の初期バリア壁（４１）をエッチングして、少なくとも１つの側面にノッチが形成されているバリア壁（４２）を少なくとも一周形成するステップとを含む。上記の技術案は、表示基板の歩留まりを向上させることができる。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

表示基板の製作方法であって、
前記表示基板は、表示領域と、バリア壁設置領域と、開孔領域とを含み、前記表示領域は、前記バリア壁設置領域を取り囲み、前記バリア壁設置領域は、前記開孔領域を取り囲み、前記製作方法は、
前記表示基板の発光デバイスの第１電極を形成した後、前記バリア壁設置領域の保護層を除去して、前記保護層に覆われていた初期バリア壁を少なくとも一周露出させるステップであって、前記初期バリア壁は、前記開孔領域を取り囲んで設置されるステップと、
前記少なくとも一周の初期バリア壁をエッチングして、少なくとも１つの側面にノッチが形成されているバリア壁を少なくとも一周形成するステップと
を含むことを特徴とする表示基板の製作方法。

【請求項2】

前記バリア壁設置領域の初期バリア壁を覆う保護層を除去する前に、前記製作方法は、
前記バリア壁設置領域に前記開孔領域を取り囲む少なくとも一周の前記初期バリア壁を形成するステップと、
前記初期バリア壁を覆う保護層を形成するステップと
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の表示基板の製作方法。

【請求項3】

前記製作方法は、
前記初期バリア壁を形成すると同時に、前記表示基板の導電性パターンを形成するステップであって、前記導電性パターンは、前記初期バリア壁と同じ膜層を用いて形成されるステップを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の表示基板の製作方法。

【請求項4】

前記初期バリア壁及び前記導電性パターンを形成するステップは、
前記表示基板のベース基板の第１側に第１金属材料層を形成し、前記第１金属材料層の前記ベース基板から遠い側に第２金属材料層を形成するステップと、
前記第１金属材料層及び前記第２金属材料層に対して第１エッチングを行って、前記導電性パターン及び前記初期バリア壁を形成するステップと
を含むことを特徴とする請求項３に記載の表示基板の製作方法。

【請求項5】

前記少なくとも一周の初期バリア壁をエッチングして、少なくとも一周のバリア壁を形成するステップは、
前記初期バリア壁をウェットエッチングするステップであって、使用するエッチング液の前記第１金属材料層に対するエッチング速度は、前記第２金属材料層に対するエッチング速度よりも大きく、これにより前記ノッチが形成されるステップを含むことを特徴とする請求項４に記載の表示基板の製作方法。

【請求項6】

前記初期バリア壁及び前記導電性パターンを形成するステップは、
前記表示基板のベース基板の第１側に第３金属材料層と、第１金属材料層と、第２金属材料層とを順次形成するステップと、
前記第３金属材料層、第１金属材料層及び第２金属材料層に対して第１エッチングを行って、前記導電性パターン及び前記初期バリア壁を形成するステップと
を含むことを特徴とする請求項３に記載の表示基板の製作方法。

【請求項7】

前記少なくとも一周の初期バリア壁をエッチングして、少なくとも一周のバリア壁を形成するステップは、
前記初期バリア壁をウェットエッチングするステップであって、使用するエッチング液の前記第１金属材料層に対するエッチング速度は、前記第２金属材料層に対するエッチング速度及び前記第３金属材料層に対するエッチング速度よりも大きく、これにより前記ノッチが形成されるステップを含むことを特徴とする請求項６に記載の表示基板の製作方法。

【請求項8】

前記第１エッチングは、ドライエッチングであることを特徴とする請求項４又は６に記載の表示基板の製作方法。

【請求項9】

前記バリア壁設置領域の前記保護層を除去するステップは、
前記第１電極が形成されている表示基板上にフォトレジストを塗布し、マスク板を利用して前記フォトレジストを露光するステップであって、前記マスク板は、前記バリア壁設置領域に対応する光透過パターンを含むステップと、
現像後に前記バリア壁設置領域のフォトレジストを除去するステップと、
残りのフォトレジストをマスクとして、前記バリア壁設置領域の前記保護層をドライエッチングし、前記バリア壁設置領域の前記保護層を除去して、前記初期バリア壁を露出させるステップとを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示基板の製作方法。

【請求項10】

前記マスク板は、前記開孔領域に対応する光透過パターンを更に含み、現像後に前記バリア壁設置領域のフォトレジストを除去すると同時に、前記開孔領域のフォトレジストも除去することを特徴とする請求項９に記載の表示基板の製作方法。

【請求項11】

前記初期バリア壁を形成すると同時に、前記表示基板の導電性パターンを形成するステップは、
前記初期バリア壁を形成すると同時に、前記表示基板の第１ソースドレイン金属層パターンを形成するステップ、又は
前記初期バリア壁を形成すると同時に、前記表示基板の第２ソースドレイン金属層パターンを形成するステップを含むことを特徴とする請求項３に記載の表示基板の製作方法。

【請求項12】

前記初期バリア壁を覆う保護層を形成するステップは、
前記初期バリア壁を覆うパッシベーション層又は平坦化層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項２に記載の表示基板の製作方法。

【請求項13】

前記少なくとも一周のバリア壁を形成した後、前記方法は、
前記発光デバイスの有機機能層を形成するステップであって、前記有機機能層は、前記バリア壁の前記ノッチがある側面で切り離されているステップと、
前記発光デバイスの第２電極を形成するステップと、
前記発光デバイスが形成されている表示基板を覆う封止薄膜層を形成するステップと
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の表示基板の製作方法。

【請求項14】

レーザー切断又は機械的スタンピングによって前記開孔領域を形成することを特徴とする請求項１３に記載の表示基板の製作方法。

【請求項15】

表示基板であって、
請求項１から１４のいずれか一項に記載の製作方法によって製作され、
前記表示基板は、表示領域と、バリア壁設置領域と、開孔領域とを含み、
前記表示領域は、前記バリア壁設置領域を取り囲み、
前記バリア壁設置領域は、前記開孔領域を取り囲み、前記バリア壁設置領域に前記開孔領域を取り囲む少なくとも一周のバリア壁が設置されており、前記バリア壁の少なくとも１つの側面にノッチが形成されていることを特徴とする表示基板。

【請求項16】

前記バリア壁は、
前記表示基板のベース基板の第１側に位置する第１金属パターンと、
前記第１金属パターンの前記ベース基板から遠い側に位置する第２金属パターンと
を含み、
前記第１金属パターンの前記ベース基板上の正投影は、前記第２金属パターンの前記ベース基板上の正投影内に位置し、これにより前記ノッチが形成されることを特徴とする請求項１５に記載の表示基板。

【請求項17】

前記バリア壁は、
前記ベース基板の前記第１側に位置する第３金属パターンを更に含み、
前記第１金属パターンは、前記第３金属パターンの前記ベース基板から遠い側に位置し、
前記第１金属パターンの前記ベース基板上の正投影は、前記第３金属パターンの前記ベース基板上の正投影内に位置することを特徴とする請求項１６に記載の表示基板。

【請求項18】

前記第１金属パターンの厚さは、前記第２金属パターンの厚さ及び前記第３金属パターンの厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１７に記載の表示基板。

【請求項19】

前記第１金属パターンの厚さは、１５０ｎｍ～９００ｎｍであり、前記第２金属パターンの厚さは、３０ｎｍ～３００ｎｍであり、前記第３金属パターンの厚さは、３０ｎｍ～３００ｎｍであることを特徴とする請求項１８に記載の表示基板。

【請求項20】

前記第１金属パターンの材料は、アルミニウム又は銅を含み、
前記第２金属パターンの材料は、チタン又はモリブデンを含むことを特徴とする請求項１６に記載の表示基板。

【請求項21】

前記ノッチの開口方向は、前記表示基板のベース基板に平行であることを特徴とする請求項１５に記載の表示基板。

【請求項22】

画像センサ及び／又は赤外線センサを更に含み、前記画像センサ及び／又は赤外線センサは、前記表示基板のベース基板に結合され、且つ前記ベース基板上の正投影は前記開孔領域と少なくとも部分的に重なることを特徴とする請求項１５に記載の表示基板。

【請求項23】

表示装置であって、
請求項１５から２２のいずれか一項に記載の表示基板を含むことを特徴とする表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、表示技術分野に関し、特に、表示基板及びその製作方法並びに表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

現在、表示デバイスの表示スクリーンは、大型スクリーン化及びフルスクリーン化の方向に向かって発展している。通常、表示デバイス（例えば、携帯電話、タブレットコンピュータ等）は、撮像装置（又はイメージング装置）を有し、該撮像装置は、通常、表示スクリーンの表示領域の外側に設置されている。しかしながら、撮像装置の装着には一定の位置を必要とするため、表示スクリーンのフルスクリーン化及び狭額縁デザインに不利である。例えば、撮像装置を表示スクリーンの表示領域と一緒にして、表示領域に撮像装置用の位置を予め残しておくことで、表示スクリーンの表示領域の最大化を実現できる。

【発明の概要】

【0003】

本開示の実施形態は、表示基板の製作方法を提供する。前記表示基板は、表示領域と、バリア壁設置領域と、開孔領域とを含み、前記表示領域は、前記バリア壁設置領域を取り囲み、前記バリア壁設置領域は、前記開孔領域を取り囲み、前記製作方法は、前記表示基板の発光デバイスの第１電極を形成した後、前記バリア壁設置領域の保護層を除去して、前記保護層に覆われていた初期バリア壁を少なくとも一周露出させるステップであって、前記初期バリア壁は、前記開孔領域を取り囲んで設置されるステップと、前記少なくとも一周の初期バリア壁をエッチングして、少なくとも１つの側面にノッチが形成されているバリア壁を少なくとも一周形成するステップであって、前記バリア壁のステップとを含む。

【0004】

任意選択的に、前記バリア壁設置領域の初期バリア壁を覆う保護層を除去する前に、前記製作方法は、前記バリア壁設置領域に前記開孔領域を取り囲む少なくとも一周の前記初期バリア壁を形成するステップと、前記初期バリア壁を覆う保護層を形成するステップとを更に含む。

【0005】

任意選択的に、前記製作方法は、前記初期バリア壁を形成すると同時に、前記表示基板の導電性パターンを形成するステップであって、前記導電性パターンは、前記初期バリア壁と同じ膜層を用いて形成されるステップを更に含む。

【0006】

任意選択的に、前記初期バリア壁及び前記導電性パターンを形成するステップは、前記表示基板のベース基板の第１側に第１金属材料層を形成し、前記第１金属材料層の前記ベース基板から遠い側に第２金属材料層を形成するステップと、前記第１金属材料層及び前記第２金属材料層に対して第１エッチングを行って、前記導電性パターン及び前記初期バリア壁を形成するステップとを含む。

【0007】

任意選択的に、前記少なくとも一周の初期バリア壁をエッチングして、少なくとも一周のバリア壁を形成するステップは、前記初期バリア壁をウェットエッチングするステップであって、使用するエッチング液の前記第１金属材料層に対するエッチング速度は、前記第２金属材料層に対するエッチング速度よりも大きく、これにより前記ノッチが形成されるステップを含む。

【0008】

任意選択的に、前記初期バリア壁及び前記導電性パターンを形成するステップは、前記表示基板のベース基板の第１側に第３金属材料層と、第１金属材料層と、第２金属材料層とを順次形成するステップと、前記第３金属材料層、第１金属材料層及び第２金属材料層に対して第１エッチングを行って、前記導電性パターン及び前記初期バリア壁を形成するステップとを含む。

【0009】

任意選択的に、前記少なくとも一周の初期バリア壁をエッチングして、少なくとも一周のバリア壁を形成するステップは、前記初期バリア壁をウェットエッチングするステップであって、使用するエッチング液の前記第１金属材料層に対するエッチング速度は、前記第２金属材料層に対するエッチング速度及び前記第３金属材料層に対するエッチング速度よりも大きく、これにより前記ノッチが形成されるステップを含む。

【0010】

任意選択的に、前記第１エッチングは、ドライエッチングである。

【0011】

任意選択的に、前記バリア壁設置領域の前記保護層を除去するステップは、前記第１電極が形成されている表示基板上にフォトレジストを塗布し、マスク板を利用して前記フォトレジストを露光するステップであって、前記マスク板は、前記バリア壁設置領域に対応する光透過パターンを含むステップと、現像後に前記バリア壁設置領域のフォトレジストを除去するステップと、残りのフォトレジストをマスクとして、前記バリア壁設置領域の前記保護層をドライエッチングし、前記バリア壁設置領域の前記保護層を除去して、前記初期バリア壁を露出させるステップとを含む。

【0012】

任意選択的に、前記マスク板は、前記開孔領域に対応する光透過パターンを更に含み、現像後に前記バリア壁設置領域のフォトレジストを除去すると同時に、前記開孔領域のフォトレジストも除去する。

【0013】

任意選択的に、前記初期バリア壁を形成すると同時に、前記表示基板の導電性パターンを形成するステップは、前記初期バリア壁を形成すると同時に、前記表示基板の第１ソースドレイン金属層パターンを形成するステップ、又は前記初期バリア壁を形成すると同時に、前記表示基板の第２ソースドレイン金属層パターンを形成するステップを含む。

【0014】

任意選択的に、前記初期バリア壁を覆う保護層を形成するステップは、前記初期バリア壁を覆うパッシベーション層又は平坦化層を形成するステップを含む。

【0015】

任意選択的に、前記少なくとも一周のバリア壁を形成した後、前記方法は、前記発光デバイスの有機機能層を形成するステップであって、前記有機機能層は、前記バリア壁の前記ノッチがある側面で切り離されているステップと、前記発光デバイスの第２電極を形成するステップと、前記発光デバイスが形成されている表示基板を覆う封止薄膜層を形成するステップとを更に含む。

【0016】

任意選択的に、レーザー切断又は機械的スタンピングによって前記開孔領域を形成する。

【0017】

本開示の実施形態は、上記のような製作方法によって製作される表示基板を提供する。前記表示基板は、表示領域と、バリア壁設置領域と、開孔領域とを含み、前記表示領域は、前記バリア壁設置領域を取り囲み、前記バリア壁設置領域は、前記開孔領域を取り囲み、前記バリア壁設置領域に前記開孔領域を取り囲む少なくとも一周のバリア壁が設置されており、前記バリア壁の少なくとも１つの側面にノッチが形成されている。

【0018】

任意選択的に、前記バリア壁は、前記表示基板のベース基板の第１側に位置する第１金属パターンと、前記第１金属パターンの前記ベース基板から遠い側に位置する第２金属パターンとを含み、前記第１金属パターンの前記ベース基板上の正投影は、前記第２金属パターンの前記ベース基板上の正投影内に位置し、これにより前記ノッチが形成される。

【0019】

任意選択的に、前記バリア壁は、前記ベース基板の前記第１側に位置する第３金属パターンを更に含み、前記第１金属パターンは、前記第３金属パターンの前記ベース基板から遠い側に位置し、前記第１金属パターンの前記ベース基板上の正投影は、前記第３金属パターンの前記ベース基板上の正投影内に位置する。

【0020】

任意選択的に、前記第１金属パターンの厚さは、前記第２金属パターンの厚さ及び前記第３金属パターンの厚さよりも大きい。

【0021】

任意選択的に、前記第１金属パターンの厚さは、１５０ｎｍ～９００ｎｍであり、前記第２金属パターンの厚さは、３０ｎｍ～３００ｎｍであり、前記第３金属パターンの厚さは、３０ｎｍ～３００ｎｍである。

【0022】

任意選択的に、前記第１金属パターンの材料は、アルミニウム又は銅を含み、前記第２金属パターンの材料は、チタン又はモリブデンを含む。

【0023】

任意選択的に、前記ノッチの開口方向は、前記表示基板のベース基板に平行である。

【0024】

任意選択的に、画像センサ及び／又は赤外線センサを更に含み、前記画像センサ及び／又は赤外線センサは、前記表示基板のベース基板に結合され、且つ前記ベース基板上の正投影は前記開孔領域と少なくとも部分的に重なる。

【0025】

本開示の実施形態は、上記のような表示基板を含む表示装置を提供する。

【図面の簡単な説明】

【0026】

本開示の実施形態に係る技術案をより明確に説明するために、実施形態の図面を以下に簡単に紹介する。以下に記述される図面は、本開示を限定するものではなく、単に本開示のいくつかの実施形態に関することは明らかである。

【0027】

【図1A】表示基板の概略平面図である。

【図1B】図１Ａにおける表示基板のＡ－Ａ線に沿った概略断面図である。

【図2A】表示基板の概略平面図である。

【図2B】図２Ａにおける表示基板のＢ－Ｂ線に沿った概略断面図である。

【図2C】別の表示基板の概略平面図である。

【図3A】初期バリア壁が形成された後の概略図である。

【図3B】バリア壁が形成された後の概略図である。

【図3C】Ａｇ粒子の形成を示す概略図である。

【図4A】本開示の一実施形態に係る初期バリア壁が形成された後の概略図である。

【図4B】本開示の一実施形態に係る保護層が形成された後の概略図である。

【図4C】本開示の一実施形態に係るバリア壁が形成された後の概略図である。

【図4D】本開示の一実施形態に係る表示基板の概略製作フローチャートである。

【図4E】本開示の一実施形態に係る表示基板の概略製作フローチャートである。

【図4F】本開示の一実施形態に係る表示基板の概略製作フローチャートである。

【図4G】本開示の一実施形態に係る表示基板の概略製作フローチャートである。

【図4H】本開示の一実施形態に係る表示基板の概略製作フローチャートである。

【図4I】本開示の別の実施形態に係る表示基板の概略製作フローチャートである。

【図4J】本開示の別の実施形態に係る表示基板の概略製作フローチャートである。

【図4K】本開示の別の実施形態に係る表示基板の概略製作フローチャートである。

【図4L】本開示の別の実施形態に係る表示基板の概略製作フローチャートである。

【図4M】本開示の別の実施形態に係る表示基板の概略製作フローチャートである。

【図4N】本開示の別の実施形態に係る表示基板の概略製作フローチャートである。

【図4O】本開示の別の実施形態に係る表示基板の概略製作フローチャートである。

【図5A】本開示の別の実施形態に係る初期バリア壁が形成された後の概略図である。

【図5B】本開示の別の実施形態に係る保護層が形成された後の概略図である。

【図5C】本開示の別の実施形態に係るバリア壁が形成された後の概略図である。

【図5D】本開示の一実施形態に係る表示基板の概略製作フローチャートである。

【図5E】本開示の一実施形態に係る表示基板の概略製作フローチャートである。

【図5F】本開示の一実施形態に係る表示基板の概略製作フローチャートである。

【図5G】本開示の一実施形態に係る表示基板の概略製作フローチャートである。

【図5H】本開示の一実施形態に係る表示基板の概略製作フローチャートである。

【図5I】本開示の別の実施形態に係る表示基板の概略製作フローチャートである。

【図5J】本開示の別の実施形態に係る表示基板の概略製作フローチャートである。

【図5K】本開示の別の実施形態に係る表示基板の概略製作フローチャートである。

【図5L】本開示の別の実施形態に係る表示基板の概略製作フローチャートである。

【図5M】本開示の別の実施形態に係る表示基板の概略製作フローチャートである。

【図5N】本開示の別の実施形態に係る表示基板の概略製作フローチャートである。

【図5O】本開示の別の実施形態に係る表示基板の概略製作フローチャートである。

【図6A】本開示の一実施形態に係る表示基板の概略平面図である。

【図6B】図６Ａにおける表示基板のＢ－Ｂ線に沿った概略断面図である。

【図6C】図６Ａにおける表示基板のＢ－Ｂ線に沿った別の概略断面図である。

【図7】本開示の一実施形態に係る表示基板におけるバリア壁の概略断面図である。

【図8】本開示の一実施形態に係る表示基板におけるバリア壁の概略断面図である。

【図9A】本開示の別の実施形態に係る表示基板の概略平面図である。

【図9B】図９Ａにおける表示基板のＣ－Ｃ線に沿った概略断面図である。

【図9C】図９Ａにおける表示基板のＣ－Ｃ線に沿った別の概略断面図である。

【図10】本開示の別の実施形態に係る表示基板におけるバリア壁の概略断面図である。

【図11】本開示の別の実施形態に係る表示基板におけるバリア壁の概略断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0028】

本開示の実施形態の目的、技術案及び利点をより明確にするために、以下では、本開示の実施形態の図面と併せて本開示の実施形態に係る技術案を明確かつ完全に説明することにする。明らかに、記述される実施形態は、すべての実施形態ではなく、本開示の一部の実施形態である。記述された本開示の実施形態に基づいて、創造的な労力なしに当業者によって得られる他の全ての実施形態は、本開示の保護範囲内に入る。

【0029】

別途の定義がない限り、本開示で使用される技術的用語又は科学的用語は、当業者によって理解される通常の意味を有するべきである。本開示で使用される「第１」、「第２」及び類似した単語は、いかなる順序、数又は重要性も示さず、単に異なる構成部分を区別するために使用される。「含む」及び「含有する」等の類似した単語は、該単語の前に現れた素子又は物品が該単語の後に列挙されている要素又は物品及びそれらの同等物を包括し、他の要素又は物品を除外しないことを意味する。「接続」又は「連結」等の類似した単語は、物理的又は機械的な接続に限定されず、直接又は間接を問わず、電気的接続を含み得る。「上」、「下」、「左」、「右」等は、単に相対的な位置関係を表すために使用され、記述される対象の絶対位置が変更される場合、該相対的な位置関係もそれに応じて変更され得る。

【0030】

表示装置の表示領域の最大化を実現するために、表示装置が備える撮像装置（イメージング装置）を表示領域と統合し、撮像装置を表示領域に配置してよい。

【0031】

例えば、図１Ａは、表示装置用の表示基板の概略平面図を示しており、図１Ｂは、図１Ａにおける表示基板のＡ－Ａ線に沿った概略断面図である。図１Ａに示すように、表示基板１００は、表示領域１０１を含み、表示領域１０１は、ピクセルアレイを含み、且つピクセルアレイにおける開孔１０１１を有し、該開孔１０１１は、撮像装置（図示せず）のために予め残しておいた位置である。撮像装置は、該表示基板１００の表示側とは反対側である裏側に設置でき、したがって撮像装置は、開孔１０１１を介して画像を取得できる。これにより、撮像装置と表示基板１００の表示領域１０１とが一緒に統合される。

【0032】

表示領域１０１は、表示用の発光デバイスを有し、例えば、該発光デバイスは、有機発光ダイオードである。表示領域１０１の全部又は一部における複数の発光デバイスが有する有機機能層１０３及びカソード層１０４は、通常、表示領域１０１において全面にわたって形成される。このため、封止層１０５を用いて封止を行う場合、開孔１０１１の近くに位置する領域は、往々にして封止され難いか、或いは封止されたとしても、該領域の封止効果が確保され難い。この場合、図１Ｂに示すように、例えば水や酸素等の不純物が、開孔１０１１から、全面にわたって形成された有機機能層１０３及びカソード層１０４に沿って表示領域１０１の内部に入り、表示領域１０１内の機能材料を汚染し、これらの機能材料の性能の低下をもたらし、ひいては表示領域１０１の表示効果に影響を与える可能性がある。

【0033】

表示領域の表示効果を確保するために、図２Ａに示すように、開孔領域１０１１の周りにバリア壁１０１２を設置できる。表示基板１００は、表示領域１０１と、開孔領域１０１１とを含み、表示領域１０１は、開孔領域１０１１を取り囲み、バリア壁１０１２は、開孔領域１０１１を取り囲む。図２Ｂは、図２Ａにおける表示基板のＢ－Ｂ線に沿った概略断面図である。図２Ｂから分かるように、バリア壁１０１２の開孔領域１０１１を取り囲む少なくとも１つの側面にノッチ１０１２Ａが設けられている。バリア壁１０１２の開孔領域１０１１に面する側面と開孔領域１０１１から遠い側面との両方ともにノッチ１０１２Ａが設けられてもよく、バリア壁１０１２の一つの側面にノッチ１０１２Ａが設けられても良い。このように、全面にわたって形成された有機機能層及びカソード層１０４は、バリア壁１０１２のノッチ１０１２Ａのある側面で切り離されている。これにより、開孔領域１０１１に近い側に位置する有機機能層及びカソード層１０４が水や酸素等どの不純物によって汚染された場合でも、有機機能層及びカソード層１０４がバリア壁１０１２によって遮断されているため、これらの汚染不純物が、有機機能層及びカソード層１０４の発光デバイスが発光するための部分にまで及ばないようにできる。例えば、バリア壁１０１２の上部にも一部の有機機能層及び一部のカソード層１０４が形成されているが、これらの部分は他の部分から分離されている。

【0034】

バリア効果をさらに強化するために、図２Ｃに示すように、開孔領域１０１１の周りに、１層以上のバリア壁をさらに設置でき、即ち、多重層のバリア壁が含まれてもよく、例えば二重層、三重層、四種層、五重層等が設置されることで、バリア効果を強化できる。

【0035】

表示基板の製造プロセス及び構造を簡略化するために、表示基板の金属層構造を用いてバリア壁１０１２を形成できる。例えば、表示基板上に金属層構造Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉが存在し、該金属層構造は、表示基板の電極及び信号線を形成するために用いられ得る。図３Ａに示すように、該金属層構造を利用して開孔領域１０１１の周りに初期バリア壁１１を形成することができ、初期バリア壁１１は、順次積層されたＴｉ層１１０と、Ａｌ層１２２１と、Ｔｉ層１３０とを含む。そして、表示基板のアノードが形成される時、アノードエッチング液は、Ａｌ層１２２１に対してエッチング作用があり、アノードエッチング液を利用してＡｌ層１２２１をエッチングし、エッチングされたＡｌ層１２２２を形成する。図３Ｂに示すように、順次積層されたＴｉ層１１０、Ａｌ層１２２２及びＴｉ層１３０は、バリア壁１２を形成する。Ａｌ層１２２２の表示基板のベース基板上の正投影は、Ｔｉ層１３０の表示基板のベース基板上の正投影内に入り、Ａｌ層１２２２の表示基板のベース基板上の正投影は、Ｔｉ層１１０の表示基板のベース基板上の正投影内に入る。このように、バリア壁１２の側面にノッチが形成でき、したがって、後続的にバリア壁１２が形成されているベース基板上に有機発光層及びカソード層を蒸着する時、有機発光層及びカソード層は、バリア壁１２のノッチがある側面で切り離されている。これにより、開孔領域に近い側に位置する有機機能層及びカソード層が水や酸素等の不純物によって汚染された場合、有機機能層とカソード層とがバリア壁１２によって遮断されているため、これらの汚染不純物が、有機機能層及びカソード層の発光デバイスが発光するための部分にまで及ばないようにできる。

【0036】

表示基板のアノードはＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造を採用することが多く、アノードエッチング液がＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造をエッチングする時、アノードエッチング液中にＡｇイオンが溶解されている。Ａｇイオンが溶解されているアノードエッチング液がＡｌ層１２２１をエッチングする時、アノードエッチング液中のＡｇイオンがＡｌと置換反応し、図３Ｃに示すように、直径が１～５μｍであるＡｇ粒子１４０が形成される。Ａｇ粒子１４０は、アノードエッチング液中を流れて、表示基板の各々の領域に拡散し、且つＡｇ粒子１４０は、非常に強い接着性を有するため、表示基板に粘着し、最終的には導電性のダークスポットになり、表示基板の表示効果に影響を与える。

【0037】

上記の問題点を解決するために、本開示の実施形態は、表示基板の表示効果を確保可能な表示基板及びその製作方法並びに表示装置を提供する。

【0038】

本開示の実施形態は、表示基板の製作方法を提供する。前記表示基板は、表示領域と、バリア壁設置領域と、開孔領域とを含み、前記表示領域は、前記バリア壁設置領域を取り囲み、前記バリア壁設置領域は、前記開孔領域を取り囲み、前記製作方法は、前記表示基板の発光デバイスの第１電極を形成した後、前記バリア壁設置領域の保護層を除去して、前記保護層に覆われていた少なくとも一周の初期バリア壁を露出させるステップであって、前記初期バリア壁は、前記開孔領域を取り囲んで設置されるステップと、前記少なくとも一周の初期バリア壁をエッチングして、少なくとも１つの側面にノッチが形成されているバリア壁を少なくとも一周形成するステップとを含む。

【0039】

本実施形態では、第１電極を形成してから、初期バリア壁を覆う保護層を除去する。このように、第１電極のエッチング液を利用して第１電極材料層をエッチングする場合、初期バリア壁は保護層に覆われているため、初期バリア壁が電極のエッチング液接触と接触せず、第１電極のエッチング液中の金属イオンに置換反応が起こる可能性を根絶し、表示基板上に導電性粒子が形成されるのを回避し、表示基板の品質を確保できる。第１電極を形成してから、保護層を除去し、初期バリア壁をエッチングして、側面にノッチのあるバリア壁を形成する。

【0040】

【0041】

ノッチのあるバリア壁を形成するために、初期バリア壁は、金属層構造を採用できる。金属層構造は、積層設置された少なくとも二層の金属材料層を含み、少なくとも二層の金属材料層は、同一エッチング液中でのエッチング速度が異なり、こうして、エッチング液を利用して初期バリア壁をエッチングした後、側面にノッチのあるバリア壁を形成できる。

【0042】

例えば信号線及び電極のような表示基板の導電性パターンもほとんどが金属層構造を用いて製作され、表示基板の製作方法を簡略化するために、表示基板の導電性パターンを形成すると同時に、初期バリア壁を形成できる。具体的な一実施形態では、前記製作方法は、前記初期バリア壁を形成すると同時に、前記表示基板の導電性パターンを形成するステップであって、前記導電性パターンは、前記初期バリア壁と同じ膜層を用いて形成されるステップを更に含む。

【0043】

例えば、初期バリア壁は、第１金属層構造を採用し、表示基板の導電性パターンは、第２金属層構造を採用し、第１金属層構造と第２金属層構造とは、同じ構造を有し、且つ同じ材料でできている。例えば、第１金属層構造と第２金属層構造とは、製造プロセスにおいて同じ層に形成され、且つ同じ多層構造を有してよく、且つ、第１金属層構造及び第２金属多層構造において、対応する層の材料も皆同じであり、これにより、第１金属層構造と第２金属層構造とは、同じ膜層によって形成され得る。

【0044】

具体的な一実施形態では、初期バリア壁は、第１金属材料層と第２金属材料層とを含む金属層構造を採用できる。前記初期バリア壁及び前記導電性パターンを形成するステップは、前記表示基板のベース基板の第１側に第１金属材料層を形成し、前記第１金属材料層の前記ベース基板から遠い側に第２金属材料層を形成するステップと、前記第１金属材料層及び前記第２金属材料層に対して第１エッチングを行って、前記導電性パターン及び前記初期バリア壁を形成するステップとを含む。

【0045】

第１エッチングは、ウェットエッチングであってもよく、ドライエッチングであってもよい。

【0046】

具体的な一例では、図４Ａに示すように、第１金属材料層及び第２金属材料層対して第１エッチングを行った後、表示基板のベース基板の第１側に初期バリア壁４１が形成される。初期バリア壁４１は、第１初期金属パターン４０１と、第２金属パターン４０２とを含む。第１金属材料層及び第２金属材料層の材質を選択する時、第１金属材料層の特定エッチング液中でのエッチング速度が第２金属材料層の特定エッチング液中でのエッチング速度よりも大きいということを満たす必要がある。第１エッチングにウェットエッチングを採用する場合、第１エッチングに使用するエッチング液は、該特定エッチング液ではなく、第１金属材料層と第２金属材料層との、第１エッチングに使用するエッチング液中でのエッチング速度は同じか又は近似している。こうすることで、初期バリア壁の側面にノッチが形成されることなく、後で初期バリア壁４１を覆う保護層が形成された後、保護層は、初期バリア壁４１の側面で断裂せず、初期バリア壁４１の側面を包み覆い、初期バリア壁４１を保護することができる。

【0047】

初期バリア壁４１が形成された後、図４Ｂに示すように、初期バリア壁４１を覆う保護層４０３を形成する。保護層４０３は、無機絶縁材料を用いても良く、有機絶縁材料を用いても良い。表示基板の製作プロセスを簡略化するために、保護層４０３は、表示基板の絶縁膜層と同じ材料を用いて同時に形成できる。例えば、保護層４０３は、表示基板の平坦化層と同じ材料を用いて同時に形成でき、或いは、保護層４０３は、表示基板のパッシベーション層と同じ材料を用いて同時に形成できる。

【0048】

保護層４０３が形成された後、例えば表示基板のアノードのような表示基板の他の構造を製作できる。具体的には、表示基板のベース基板上にアノード材料層を形成し、アノード材料層上にフォトレジストを塗布し、マスク板を利用してフォトレジストを露光できる。現像後、フォトレジスト保留領域及びフォトレジスト除去領域が形成され、フォトレジスト保留領域は、アノードのパターンが存在する領域に対応し、フォトレジスト除去領域は、アノードのパターン以外の他の領域に対応する。アノードエッチング液を利用してフォトレジストで覆われていないアノード材料層をエッチングした後に、残りのフォトレジストを剥離して、アノードのパターンを形成する。アノードエッチング液を利用してエッチングを行う過程では、保護層４０３が初期バリア壁４１を覆っているため、アノードエッチング液が初期バリア壁４１と接触せず、アノードエッチング液中の金属イオンに置換反応が起こり表示基板上に導電性金属粒子が形成されるのを回避できる。

【0049】

アノードのパターンを形成し、アノードエッチング液を洗浄した後、保護層４０３を除去する。具体的には、ドライエッチングによって保護層４０３除去できる。こうすれば、保護層４０３を除去する過程でエッチング液が導入されるのを回避でき、エッチング液が初期バリア壁４１に制御不能な損傷をもたらすのを回避できる。

【0050】

具体的な一例では、前記バリア壁設置領域の前記保護層を除去するステップは、前記第１電極が形成されている表示基板上にフォトレジストを塗布し、マスク板を利用して前記フォトレジストを露光するステップであって、前記マスク板は、前記バリア壁設置領域に対応する光透過パターンを含むステップと、現像後に前記バリア壁設置領域のフォトレジストを除去するステップと、残りのフォトレジストをマスクとして、前記バリア壁設置領域の前記保護層をドライエッチングし、前記バリア壁設置領域の前記保護層を除去して、前記初期バリア壁を露出させるステップとを含む。

【0051】

【0052】

図４Ｃに示すように、保護層４０３が除去された後、初期バリア壁４１をウェットエッチングできる。ウェットエッチングに使用するエッチング液は、第１金属材料層に対するエッチング速度が第２金属材料層に対するエッチング速度よりも大きいということを満たす必要があり、こうすることで、第１初期金属パターン４０１のエッチングされる部分は、第２金属パターン４０２のエッチングされる部分よりも多く、これにより、側面にノッチのあるバリア壁４２が形成される。具体的な一例では、ウェットエッチングに使用するエッチング液は、第１金属材料層のみに対してエッチング作用があり、第２金属材料層に対してはエッチング作用がなくても良く、このように、エッチング液を利用して初期バリア壁４１をウェットエッチングした後、第２金属パターン４０２が保留され得る。第１初期金属パターン４０１の一部が除去された後、第１金属パターン４０４が形成され、第１金属パターン４０４は、第２金属パターン４０２とバリア壁４２を構成し、第１金属パターン４０４の表示基板のベース基板上の正投影は、第２金属パターン４０２の表示基板のベース基板上の正投影内に位置し、これによりノッチが形成される。

【0053】

別の具体的な一実施形態では、初期バリア壁は、第１金属材料層と第２金属材料層と第３金属材料層とを含む金属層構造を採用でき、前記初期バリア壁及び前記導電性パターンを形成するステップは、前記表示基板のベース基板の第１側に第３金属材料層と、第１金属材料層と、第２金属材料層とを順次形成するステップと、前記第３金属材料層、第１金属材料層及び第２金属材料層に対して第１エッチングを行って、前記導電性パターン及び前記初期バリア壁を形成するステップとを含む。

【0054】

第１エッチングは、ウェットエッチングであってもよく、ドライエッチングであってもよい。

【0055】

具体的な一例では、図５Ａに示すように、第３金属材料層、第１金属材料層及び第２金属材料層に対して第１エッチングを行った後、表示基板のベース基板の第１側に初期バリア壁４１が形成される。初期バリア壁４１は、第１初期金属パターン４０１と、第２金属パターン４０２と、第３金属パターン４０５とを含む。第１金属材料層、第２金属材料層及び第３金属材料層の材質を選択する時、第１金属材料層の特定エッチング液中でのエッチング速度が第２金属材料層の特定エッチング液中でのエッチング速度よりも大きく、且つ第１金属材料層の特定エッチング液中でのエッチング速度が第３金属材料層の特定エッチング液中でのエッチング速度よりも大きいということを満たす必要があり、第２金属材料層は、第３金属材料層と同じ材料を採用できる。

【0056】

第１エッチングにウェットエッチングを採用する場合、第１エッチングに使用するエッチング液は、該特定エッチング液ではなく、第１金属材料層と第２金属材料層と第３金属材料層との、第１エッチングに使用するエッチング液中でのエッチング速度は同じか又は近似している。こうすることで、初期バリア壁４１の側面にノッチが形成されることなく、後で初期バリア壁４１を覆う保護層４０３が形成された後、保護層４０３は、初期バリア壁４１の側面で断裂せず、初期バリア壁４１の側面を包み覆い、初期バリア壁４１を保護することができる。

【0057】

初期バリア壁４１が形成された後、図５Ｂに示すように、初期バリア壁４１を覆う保護層４０３を形成する。保護層４０３は、無機絶縁材料を用いても良く、有機絶縁材料を用いても良い。表示基板の製作プロセスを簡略化するために、保護層４０３は、表示基板の絶縁膜層と同じ材料を用いて同時に形成できる。例えば、保護層４０３は、表示基板の平坦化層と同じ材料を用いて同時に形成でき、或いは、保護層４０３は、表示基板のパッシベーション層と同じ材料を用いて同時に形成できる。

【0058】

【0059】

【0060】

【0061】

【0062】

図５Ｃに示すように、保護層４０３が除去された後、初期バリア壁４１をウェットエッチングできる。ウェットエッチングに使用するエッチング液は、第１金属材料層に対するエッチング速度が第２金属材料層に対するエッチング速度よりも大きく、且つ第１金属材料層に対するエッチング速度が第３金属材料層に対するエッチング速度よりも大きいということを満たす必要があり、こうすることで、第１初期金属パターン４０１のエッチングされる部分は、第２金属パターン４０２のエッチングされる部分よりも多く、且つ第３金属パターン４０５のエッチングされる部分よりも多く、これにより、側面にノッチのあるバリア壁４２が形成される。

【0063】

具体的な一例では、ウェットエッチングに使用するエッチング液は、第１金属材料層のみに対してエッチング作用があり、第２金属材料層及び第３金属材料層に対してはエッチング作用がなくても良く、このように、エッチング液を利用して初期バリア壁４１をウェットエッチングした後、第２金属パターン４０２及び第３金属パターン４０５が保留され得る。第１初期金属パターン４０１の一部が除去された後、第１金属パターン４０４が形成され、第１金属パターン４０４は、第２金属パターン４０２及び第３金属パターン４０５とバリア壁４２を構成し、第１金属パターン４０４の表示基板のベース基板上の正投影は、第２金属パターン４０２の表示基板のベース基板上の正投影内に位置し、第１金属パターン４０４の表示基板のベース基板上の正投影は、第３金属パターン４０５の表示基板のベース基板上の正投影内に位置し、これによりノッチが形成される。

【0064】

上記の具体的な実施形態は、バリア壁が２重層の金属パターン及び３重層の金属パターンを含む場合を例として説明しているが、本開示のバリア壁は、２重層の金属パターンと３重層の金属パターンとを含むことに限定されず、より多くの層の金属パターンが含まれ得る。

【0065】

上記の方法によって少なくとも一周のバリア壁４２が形成された後、前記発光デバイスの有機機能層を形成することができ、前記有機機能層は、バリア壁４２の前記ノッチがある側面で切り離される。前記発光デバイスの第２電極、例えばカソードを形成し、カソードは、バリア壁４２の前記ノッチがある側面で切り離される。これにより、開孔領域に近い側に位置する有機機能層及びカソードが水や酸素等の不純物により汚染された場合であっても、有機機能層とカソード層とがバリア壁４２によって遮断されているため、これらの汚染不純物が、有機機能層及びカソード層の発光デバイスが発光するための部分にまで及んで、表示基板の表示に影響を与えることはない。

【0066】

その後、前記発光デバイスが形成されている表示基板を覆う封止薄膜層をさらに形成できる。封止薄膜層は、順次積層して設置された第１封止層と、第２封止層と、第３封止層とを含み得る。第１封止層は化学蒸着、物理蒸着又は塗布等の方式によってカソード層上に形成できる。第１封止層は、表示領域に位置する機能構造に対して封止及び保護を提供できる。第２封止層は、第１封止層を平坦化することができ、第３封止層は、外層封止を形成できる。第１封止層及び第３封止層は、例えば窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素等を含む無機材料を採用できる。第２封止層は、例えばポリイミド（ＰＩ）、エポキシ樹脂等を含む有機材料を採用できる。これにより、第１封止層、第２封止層及び第３封止層は、複合的な薄膜封止層として形成され、該薄膜封止層は、表示領域の機能構造に対する多重保護を形成し、より良好な封止効果を有する。

【0067】

表示基板の封止が完了した後、レーザー切断又は機械的スタンピングによって開孔領域を形成できる。

【0068】

具体的な一実施形態では、表示基板は、ベース基板の第１側に順次設置された活性層と、第１ゲート金属層と、ゲート絶縁層と、第２ゲート金属層と、層間絶縁層と、第１ソースドレイン金属層と、パッシベーション層と、第１平坦化層と、第２ソースドレイン金属層と、第２平坦化層と、アノードと、ピクセル画定層とを含む。表示基板の製作プロセス及び構造を簡略化するために、第１ゲート金属層又は第２ゲート金属層又は第１ソースドレイン金属層又は第２ソースドレイン金属層を利用して初期バリア壁を製作できる。

【0069】

具体的な一例では、第２ソースドレイン金属層を利用して初期バリア壁を製作し、且つ第２ソースドレイン金属層が積層された２つの金属層を含む場合、表示基板の製作方法は、以下のステップを含む。

【0070】

図４Ｄに示すように、ベース基板４０６１上に活性層４０６８と、第１ゲート金属層４０６９と、ゲート絶縁層４０６３と、第２ゲート金属層４０７０と、層間絶縁層４０６４と、第１ソースドレイン金属層パターン４０７１と、パッシベーション層４０６５と、第１平坦化層４０６６と、第２ソースドレイン金属層とを順次形成した後、第２ソースドレイン金属層をパターン化して、表示領域に位置する第２ソースドレイン金属層パターン４０７２、及びバリア壁設置領域に位置する初期バリア壁４０７３を形成し、初期バリア壁４０７３は、第１初期金属パターン４０１と、第２金属パターン４０２とを含む。

【0071】

図４Ｄに示すように、第２ソースドレイン金属層パターン４０７２及び初期バリア壁４０７３を覆う第２平坦化層４０６７を形成すると同時に、第２平坦化層４０６７を、初期バリア壁４０７３を保護する保護層とする。

【0072】

図４Ｅに示すように、第２平坦化層４０６７上にアノード材料層を形成し、アノード材料層上にフォトレジストを塗布し、マスク板を利用してフォトレジストを露光する。現像後、フォトレジスト保留領域及びフォトレジスト除去領域が形成され、フォトレジスト保留領域は、アノードのパターンが存在する領域に対応し、フォトレジスト除去領域は、アノードのパターン以外の他の領域に対応する。アノードエッチング液を利用してフォトレジストで覆われていないアノード材料層をエッチングした後に、残りのフォトレジストを剥離して、アノード４０６２のパターンを形成する。アノードエッチング液を利用してエッチングを行う過程では、第２平坦化層４０６７が初期バリア壁４０７３を覆っているため、アノードエッチング液が初期バリア壁４０７３と接触せず、アノードエッチング液中の金属イオンに置換反応が起こり表示基板上に導電性金属粒子が形成されるのを回避できる。

【0073】

図４Ｆに示すように、アノード４０６２が形成された後、ベース基板上にピクセル画定層材料層を蒸着し、ピクセル画定層材料層をパターン化してピクセル画定層４０７４を形成できる。

【0074】

ピクセル画定層４０７４が形成されている表示基板上にフォトレジストを塗布し、マスク板を利用してフォトレジストを露光する。該マスク板は、光透過領域と、非光透過領域とを含み、開孔領域及びバリア壁設置領域の表示基板のベース基板上の正投影は、光透過領域のベース基板上の正投影内に入る。現像後、フォトレジスト保留領域及びフォトレジスト除去領域が形成され、フォトレジスト保留領域は表示領域に対応し、フォトレジスト除去領域は開孔領域及びバリア壁設置領域に対応し、初期バリア壁が露出される。初期バリア壁を覆う第２平坦化層をエッチングして、初期バリア壁を覆う第２平坦化層を除去する。初期バリア壁の上方の第２平坦化層をエッチングする時、表示領域は、フォトレジストにより保護されているため、損傷されない。

【0075】

初期バリア壁４０７３を覆う第２平坦化層４０６７が除去された後、図４Ｇに示すように、初期バリア壁４０７３が露出され、エッチング液を利用して初期バリア壁４０７３をエッチングして、図４Ｈに示すように、側面にノッチのあるバリア壁４０７５を形成する。バリア壁４０７５は、第１金属パターン４０４と、第２金属パターン４０２とからなる。第２ソースドレイン金属層にＡｌ／Ｔｉの積層構造が採用される場合、Ａｌ系エッチング液を利用して初期バリア壁４０７３をエッチングできる。Ａｌ系エッチング液は、初期バリア壁４０７３中の一部のＡｌを除去し、Ｔｉに対してはエッチング作用がなく、したがって側面にノッチのあるバリア壁４０７５を形成できる。

【0076】

別の具体的な一例では、第２ソースドレイン金属層を利用して初期バリア壁を製作し、且つ第２ソースドレイン金属層が積層された３つの金属層を含む場合、表示基板の製作方法は、以下のステップを含む。

【0077】

図５Ｄに示すように、ベース基板４０６１上に活性層４０６８と、第１ゲート金属層４０６９と、ゲート絶縁層４０６３と、第２ゲート金属層４０７０と、層間絶縁層４０６４と、第１ソースドレイン金属層４０７１と、パッシベーション層４０６５と、第１平坦化層４０６６と、第２ソースドレイン金属層とを順次形成した後、第２ソースドレイン金属層４０７２をパターン化して、表示領域に位置する第２ソースドレイン金属層パターン４０７２、及びバリア壁設置領域に位置する初期バリア壁４０７３を形成する。初期バリア壁４０７３は、第１初期金属パターン４０１と、第２金属パターン４０２と、第３金属パターン４０５とを含む。

【0078】

図５Ｄに示すように、第２ソースドレイン金属層パターン４０７２及び初期バリア壁４０７３を覆う第２平坦化層４０６７を形成すると同時に、第２平坦化層４０６７を、初期バリア壁４０７３を保護する保護層とする。

【0079】

図５Ｅに示すように、第２平坦化層４０６７上にアノード材料層を形成し、アノード材料層上にフォトレジストを塗布し、マスク板を利用してフォトレジストを露光する。現像後、フォトレジスト保留領域及びフォトレジスト除去領域が形成され、フォトレジスト保留領域は、アノードのパターンが存在する領域に対応し、フォトレジスト除去領域は、アノードのパターン以外の他の領域に対応する。アノードエッチング液を利用してフォトレジストで覆われていないアノード材料層をエッチングした後に、残りのフォトレジストを剥離して、アノード４０６２のパターンを形成する。アノードエッチング液を利用してエッチングを行う過程では、第２平坦化層４０６７が初期バリア壁４０７３を覆っているため、アノードエッチング液が初期バリア壁４０７３と接触せず、アノードエッチング液中の金属イオンに置換反応が起こり表示基板上に導電性金属粒子が形成されるのを回避できる。

【0080】

図５Ｆに示すように、アノード４０６２が形成された後、ベース基板上にピクセル画定層材料層を蒸着し、ピクセル画定層材料層をパターン化してピクセル画定層４０７４を形成できる。

【0081】

【0082】

初期バリア壁４０７３を覆う第２平坦化層４０６７が除去された後、図５Ｇに示すように、初期バリア壁４０７３が露出され、エッチング液を利用して初期バリア壁４０７３をエッチングして、図５Ｈに示すように、側面にノッチのあるバリア壁４０７５を形成し、バリア壁４０７５は、第１金属パターン４０４と、第３金属パターン４０５と、第２金属パターン４０２とからなる。第２ソースドレイン金属層にＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層構造が採用される場合、Ａｌ系エッチング液を利用して初期バリア壁４０７３をエッチングできる。Ａｌ系エッチング液は、初期バリア壁４０７３中の一部のＡｌを除去し、Ｔｉに対してはエッチング作用がなく、したがって側面にノッチのあるバリア壁４０７５を形成できる。

【0083】

別の具体的な一例では、第１ソースドレイン金属層を利用して初期バリア壁を製作し、且つ第１ソースドレイン金属層が積層された２つの金属層を含む場合、表示基板の製作方法は、以下のステップを含む。

【0084】

図４Ｉに示すように、ベース基板４０６１上に第１ソースドレイン金属層を形成した後、第１ソースドレイン金属層をパターン化して、表示領域に位置する第１ソースドレイン金属層パターン４０７１及びバリア壁設置領域に位置する初期バリア壁４０７３を形成し、初期バリア壁４０７３は、第１初期金属パターン４０１と、第２金属パターン４０２とを含む。

【0085】

図４Ｉに示すように、第１ソースドレイン金属層パターン４０７１及び初期バリア壁４０７３を覆うパッシベーション層４０６５を形成する。

【0086】

図４Ｊに示すように、第１平坦化層４０６６を形成する。

【0087】

図４Ｋに示すように、第１平坦化層４０６６上に第２ソースドレイン金属層パターン４０７２を形成する。

【0088】

図４Ｌに示すように、第２平坦化層４０６７を形成する。

【0089】

図４Ｌに示すように、第２平坦化層４０６７上にアノード材料層を形成し、アノード材料層上にフォトレジストを塗布し、マスク板を利用してフォトレジストを露光する。現像後、フォトレジスト保留領域及びフォトレジスト除去領域が形成され、フォトレジスト保留領域は、アノードのパターンが存在する領域に対応し、フォトレジスト除去領域は、アノードのパターン以外の他の領域に対応する。アノードエッチング液を利用してフォトレジストで覆われていないアノード材料層をエッチングした後に、残りのフォトレジストを剥離して、アノード４０６２のパターンを形成する。アノードエッチング液を利用してエッチングを行う過程では、パッシベーション層４０６５、第１平坦化層４０６６及び第２平坦化層４０６７が保護層として初期バリア壁を覆っているため、アノードエッチング液が初期バリア壁４０７３と接触せず、アノードエッチング液中の金属イオンに置換反応が起こり表示基板上に導電性金属粒子が形成されるのを回避できる。

【0090】

図４Ｍに示すように、アノード４０６２が形成された後、ベース基板上にピクセル画定層材料層を蒸着し、ピクセル画定層材料層をパターン化してピクセル画定層４０７４を形成できる。

【0091】

図４Ｎに示すように、ピクセル画定層４０７４が形成されている表示基板上にフォトレジストを塗布し、マスク板を利用してフォトレジストを露光する。該マスク板は、光透過領域と、非光透過領域とを含み、開孔領域及びバリア壁設置領域のベース基板上の正投影は、光透過領域のベース基板上の正投影内に入る。現像後、フォトレジスト保留領域及びフォトレジスト除去領域が形成され、フォトレジスト保留領域は表示領域に対応し、フォトレジスト除去領域は開孔領域及びバリア壁設置領域に対応する。初期バリア壁４０７３を覆うパッシベーション層４０６５、第１平坦化層４０６６及び第２平坦化層４０６７をエッチングして、初期バリア壁４０７３を覆うパッシベーション層４０６５、第１平坦化層４０６６及び第２平坦化層４０６７を除去する。初期バリア壁４０７３の上方のパッシベーション層４０６５、第１平坦化層４０６６及び第２平坦化層４０６７をエッチングする時、表示領域は、フォトレジストにより保護されているため、損傷されない。

【0092】

図４Ｏに示すように、初期バリア壁４０７３を覆うパッシベーション層４０６５、第１平坦化層４０６６及び第２平坦化層４０６７が除去された後、初期バリア壁４０７３が露出される。エッチング液を利用して初期バリア壁４０７３をエッチングして、側面にノッチのあるバリア壁４０７５を形成し、バリア壁４０７５は、第１金属パターン４０４と、第２金属パターン４０２とからなる。第１ソースドレイン金属層にＡｌ／Ｔｉの積層構造が採用される場合、Ａｌ系エッチング液を利用して初期バリア壁４０７３をエッチングできる。Ａｌ系エッチング液は、初期バリア壁４０７３中の一部のＡｌを除去し、Ｔｉに対してはエッチング作用がなく、したがって側面にノッチのあるバリア壁４０７５を形成できる。

【0093】

別の具体的な一例では、第１ソースドレイン金属層を利用して初期バリア壁製作し、且つ第１ソースドレイン金属層が積層された３つの金属層を含む場合、表示基板の製作方法は、以下のステップを含む。

【0094】

図５Ｉに示すように、ベース基板４０６１上に第１ソースドレイン金属層を形成した後、第１ソースドレイン金属層をパターン化して、表示領域に位置する第１ソースドレイン金属層パターン４０７１及びバリア壁設置領域に位置する初期バリア壁４０７３を形成し、初期バリア壁４０７３は、第１初期金属パターン４０１と、第２金属パターン４０２と、第３金属パターン４０５とを含む。

【0095】

図５Ｉに示すように、第１ソースドレイン金属層パターン４０７１及び初期バリア壁４０７３を覆うパッシベーション層４０６５を形成する。

【0096】

図５Ｊに示すように、第１平坦化層４０６６を形成する。

【0097】

図５Ｋに示すように、第１平坦化層４０６６上に第２ソースドレイン金属層パターン４０７２を形成する。

【0098】

図５Ｌに示すように、第２平坦化層４０６７を形成する。

【0099】

図５Ｌに示すように、第２平坦化層４０６７上にアノード材料層を形成し、アノード材料層上にフォトレジストを塗布し、マスク板を利用してフォトレジストを露光する。現像後、フォトレジスト保留領域及びフォトレジスト除去領域が形成され、フォトレジスト保留領域は、アノードのパターンが存在する領域に対応し、フォトレジスト除去領域は、アノードのパターン以外の他の領域に対応する。アノードエッチング液を利用してフォトレジストで覆われていないアノード材料層をエッチングした後に、残りのフォトレジストを剥離して、アノード４０６２のパターンを形成する。アノードエッチング液を利用してエッチングを行う過程では、パッシベーション層４０６５、第１平坦化層４０６６及び第２平坦化層４０６７が保護層として初期バリア壁を覆っているため、アノードエッチング液が初期バリア壁４０７３と接触せず、アノードエッチング液中の金属イオンに置換反応が起こり表示基板上に導電性金属粒子が形成されるのを回避できる。

【0100】

図５Ｍに示すように、アノード４０６２が形成された後、ベース基板上にピクセル画定層材料層を蒸着し、ピクセル画定層材料層をパターン化してピクセル画定層４０７４を形成できる。

【0101】

図５Ｎに示すように、ピクセル画定層４０７４が形成されている表示基板上にフォトレジストを塗布し、マスク板を利用してフォトレジストを露光する。該マスク板は、光透過領域と、非光透過領域とを含み、開孔領域及びバリア壁設置領域のベース基板上の正投影は、光透過領域のベース基板上の正投影内に入る。現像後、フォトレジスト保留領域及びフォトレジスト除去領域が形成され、フォトレジスト保留領域は表示領域に対応し、フォトレジスト除去領域は開孔領域及びバリア壁設置領域に対応する。初期バリア壁４０７３を覆うパッシベーション層４０６５、第１平坦化層４０６６及び第２平坦化層４０６７をエッチングして、初期バリア壁４０７３を覆うパッシベーション層４０６５、第１平坦化層４０６６及び第２平坦化層４０６７を除去する。初期バリア壁４０７３の上方のパッシベーション層４０６５、第１平坦化層４０６６及び第２平坦化層４０６７をエッチングする時、表示領域は、フォトレジストにより保護されているため、損傷されない。

【0102】

図５Ｏに示すように、初期バリア壁４０７３を覆うパッシベーション層４０６５、第１平坦化層４０６６及び第２平坦化層４０６７が除去された後、初期バリア壁４０７３が露出される。エッチング液を利用して初期バリア壁４０７３をエッチングして、側面にノッチのあるバリア壁４０７５を形成し、バリア壁４０７５は、第１金属パターン４０４と、第３金属パターン４０５と、第２金属パターン４０２とからなる。第１ソースドレイン金属層にＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層構造が採用される場合、Ａｌ系エッチング液を利用して初期バリア壁４０７３をエッチングできる。Ａｌ系エッチング液は、初期バリア壁４０７３中の一部のＡｌを除去し、Ｔｉに対してはエッチング作用がなく、したがって側面にノッチのあるバリア壁４０７５を形成できる。

【0103】

別の具体的な一実施形態では、表示基板は、ベース基板の第１側に順次設置された活性層と、第１ゲート金属層と、ゲート絶縁層と、第２ゲート金属層と、層間絶縁層と、ソースドレイン金属層と、パッシベーション層と、平坦化層と、アノードと、ピクセル画定層とを含む。表示基板の製作プロセス及び構造を簡略化するために、第１ゲート金属層、第２ゲート金属層又はソースドレイン金属層を利用して初期バリア壁を製作できる。

【0104】

具体的な一例では、ソースドレイン金属層を利用して初期バリア壁を製作する場合、表示基板の製作方法は、以下のステップを含む。

【0105】

ベース基板上にソースドレイン金属層を形成した後、ソースドレイン金属層をパターン化して、表示領域に位置するソースドレイン金属層パターン及びバリア壁設置領域に位置する初期バリア壁を形成する。

【0106】

ソースドレイン金属層パターン及び初期バリア壁を覆うパッシベーション層を形成する。

【0107】

平坦化層を形成する。

【0108】

平坦化層上にアノード材料層を形成し、アノード材料層上にフォトレジストを塗布し、マスク板を利用してフォトレジストを露光する。現像後、フォトレジスト保留領域及びフォトレジスト除去領域が形成され、フォトレジスト保留領域は、アノードのパターンが存在する領域に対応し、フォトレジスト除去領域は、アノードのパターン以外の他の領域に対応する。アノードエッチング液を利用してフォトレジストで覆われていないアノード材料層をエッチングした後に、残りのフォトレジストを剥離して、アノードのパターンを形成する。アノードエッチング液を利用してエッチングを行う過程では、パッシベーション層及び平坦化層が初期バリア壁を覆っているため、アノードエッチング液が初期バリア壁と接触せず、アノードエッチング液中の金属イオンに置換反応が起こり表示基板上に導電性金属粒子が形成されるのを回避できる。

【0109】

アノードが形成された後、ベース基板上にピクセル画定層材料層を蒸着し、ピクセル画定層材料層をパターン化してピクセル画定層を形成できる。

【0110】

ピクセル画定層が形成されている表示基板上にフォトレジストを塗布し、マスク板を利用してフォトレジストを露光する。該マスク板は、光透過領域と、非光透過領域とを含み、開孔領域及びバリア壁設置領域のベース基板上の正投影は、光透過領域のベース基板上の正投影内に入る。現像後、フォトレジスト保留領域及びフォトレジスト除去領域が形成され、フォトレジスト保留領域は表示領域に対応し、フォトレジスト除去領域は開孔領域及びバリア壁設置領域に対応し、初期バリア壁が露出される。初期バリア壁を覆うパッシベーション層及び平坦化層をエッチングして、初期バリア壁を覆うパッシベーション層及び平坦化層を除去する。初期バリア壁の上方のパッシベーション層及び平坦化層をエッチングする時、表示領域は、フォトレジストにより保護されているため、損傷されない。

【0111】

初期バリア壁を覆うパッシベーション層及び平坦化層が除去された後、初期バリア壁が露出され、エッチング液を利用して初期バリア壁をエッチングして、側面にノッチのあるバリア壁を形成する。ソースドレイン金属層にＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ又はＡｌ／Ｔｉの積層構造が採用される場合、Ａｌ系エッチング液を利用して初期バリア壁をエッチングできる。Ａｌ系エッチング液は、初期バリア壁中の一部のＡｌを除去し、Ｔｉに対してはエッチング作用がなく、したがって側面にノッチのあるバリア壁を形成できる。

【0112】

本開示の実施形態は、上記のような製作方法によって製作される表示基板を更に提供する。前記表示基板は、表示領域と、バリア壁設置領域と、開孔領域とを含み、前記表示領域は、前記バリア壁設置領域を取り囲み、前記バリア壁設置領域は、前記開孔領域を取り囲み、前記バリア壁設置領域に前記開孔領域を取り囲む少なくとも一周のバリア壁が設置されており、前記バリア壁の少なくとも１つの側面にノッチが形成されている。

【0113】

具体的な一実施形態では、表示基板の概略平面図は図６Ａに示すとおりであり、図６Ｂは、図６Ａにおける表示基板のＢ－Ｂ線に沿った概略断面図である。

【0114】

図６Ａ及び図６Ｂに示すように、表示基板２００は、表示領域２０１と、開孔領域２０１１とを含み、表示領域２０１は、開孔領域２０１１を取り囲み、表示領域２０１と開孔領域２０１１の間にバリア壁設置領域が設置されており、バリア壁設置領域に第１バリア壁２０１２が設置されており、第１バリア壁２０１２は、開孔領域２０１１を取り囲む。第１バリア壁２０１２は、第１金属層構造を含み、第１金属層構造の開孔領域２０１１を取り囲む少なくとも１つの側面にノッチ２０１２Ａが設けられている。該開孔領域２０１１は、表示基板の表示側（図６Ｂにおける上側）からの光が表示基板を通過して伝送されて、表示基板の裏側（図６Ｂにおける下側）に到達することを可能にする。

【0115】

具体的な一例では、図６Ｂに示される第１金属層構造において、第１金属層構造の開孔領域２０１１に面する側面と開孔領域２０１１から遠い側面との両方ともにノッチ２０１２Ａが設けられている。本実施形態の他の例では、第１金属層構造の１つの側面にノッチ２０１２Ａが設けられていても良い。

【0116】

本実施形態では、表示領域２０１は、表示操作を行うためのピクセルアレイを含む。該ピクセルアレイは、アレイ状に配置された複数のピクセルユニットを含む。これらのピクセルユニットは、駆動回路、発光回路等を含むため、該表示領域２０１は、第２金属層構造を含む電極パターンを更に含み、第１金属層構造と第２金属層構造とは、同じ構造を有し、且つ同じ材料でできている。例えば、第１金属層構造と第２金属層構造とは、製造プロセスにおいて同じ層に形成され、且つ同じ多層構造を有してよく、且つ、第１金属層構造及び第２金属の多層構造において、対応する層の材料も皆同じであり、これにより、第１金属層構造と第２金属層構造とは、同じ膜層によって形成され得る。

【0117】

具体的な一例では、図６Ｂに示すように、表示領域２０１は、ピクセルアレイを含む。該ピクセルアレイの複数のピクセルユニットは、表示用の複数の発光デバイスと、これらの発光デバイスを駆動する駆動回路とを含む。該発光デバイスは、電極層、有機機能層等の構造を含み得、該駆動回路は、薄膜トランジスタ、コンデンサ等の構造を含み得る。

【0118】

図６Ｂに示すように、発光デバイスは、第１電極層２１８と、第２電極層２０４と、第１電極層２１８と第２電極層２０４の間の有機機能層とを含み、有機機能層は、例えば有機発光材料層２２０と補助発光層２０３とを含み、補助発光層２０３は、例えば電子輸送層又は電子注入層等である。複数のピクセルユニット用の発光デバイスの有機機能層の少なくとも一部、例えば補助発光層２０３及び第２電極層２０４は、表示領域２０１において、通常、全面にわたって形成される。この場合、有機機能層は、第１バリア壁２０１２のノッチ２０１２Ａのある側面で切り離される。第１電極層２１８は、アノード層であってもよく、第２電極層２０４は、カソード層であってよく、カソード層も第１バリア壁２０１２のノッチ１０１２Ａのある側面で切り離される。これにより、開孔領域２０１１に近い側に位置する有機機能層及び第２電極層２０４が水や酸素等の不純物により汚染された場合であっても、有機機能層と第２電極層２０４とが第１バリア壁２０１２によって遮断されているため、これらの汚染不純物が、有機機能層及び第２電極層２０４の発光デバイスが発光するための部分にまで及ばないようにできる。第１バリア壁２０１２の上部にも一部の有機機能層及び一部の第２電極層２０４が形成されているが、これらの部分は他の部分から分離している。

【0119】

図６Ｂに示すように、薄膜トランジスタは、ゲート電極２１１、ソースドレイン電極２１２等の構造を含む。コンデンサは、第１電極２１３と、第２電極２１４と、第１電極２１３と第２電極２１４の間の第１絶縁層２１５とを含む。ゲート電極２１１又はソースドレイン電極２１２は、第２金属層構造を有する電極パターンとして実現され得る。図６Ｂでは、ソースドレイン電極２１２が第２金属層構造を含むように示されている。この場合、第１バリア壁２０１２の第１金属層構造とソースドレイン電極２１２の第２金属層構造とは、同じ構造を有し、同じ材料を含んでいてよい。例えば、第１バリア壁２０１２の第１金属層構造とソースドレイン電極２１２の第２金属層構造とは、同じ層に形成され且つ同じ多層構造を有し、したがって、表示基板２００の製造過程において、第１バリア壁２０１２の第１金属層構造とソースドレイン電極２１２の第２金属層構造とは、同じ膜層を用いて形成され得る。例えば、いくつかの例では、第１金属層構造と第２金属層構造とは、両方とも二重層構造又は三重層構造等の多層構造を有する。

【0120】

図６Ｂに示すように、表示基板２００は、ベース基板２０２を更に含み、表示領域２０１は、ベース基板２０２上にあり、ベース基板２０２は、開孔領域２０１１に位置する開孔２０２１を有する。第１バリア壁２０１２の第１金属層構造におけるノッチの開口方向は、ベース基板２０２に平行であってよい。例えば、図６Ｂの実施形態では、ベース基板２０２は、水平方向に沿って置かれ、ノッチの開口方向は、水平方向である。

【0121】

一例では、図７に示すように、第１バリア壁２０１２の第１金属層構造は、二重層の金属パターン、すなわち、第１金属パターン２０１２１と第２金属パターン２０１２２とを含む。第１金属パターン２０１２１は、ベース基板２０２の第１側（発光デバイスが形成される側、図面では、上側として示されている）にあり、第２金属パターン２０１２２は、第１金属パターン２０１２１のベース基板２０２から遠い側（図面では、上側として示されている）にあり、第１金属パターン２０１２１のベース基板２０２上の正投影は、第２金属パターン２０１２２のベース基板２０２上の正投影内に位置し、これにより、両者が積層された側面にノッチ２０１２Ａが形成される。この場合、第１バリア壁２０１２が形成されているベース基板２０２上に、有機機能層及び第２電極層２０４を形成すると、有機機能層と第２電極層２０４とを第１バリア壁２０１２のところで切り離すことができ、したがって水や酸素等の不純物が表示領域２０１の内部に入るルートを遮断できる。

【0122】

別の例では、図８に示すように、第１バリア壁２０１２の第１金属層構造は、三重層の金属層構造、即ち、第１金属パターン２０１２１と、第２金属パターン２０１２２と、第３金属パターン２０１２３とを含み、第３金属パターン２０１２３は、ベース基板２０２の第１側（図面では、上側として示されている）にあり、第１金属パターン２０１２１は、第３金属パターン２０１２３のベース基板２０２から遠い側（図面では、上側として示されている）にあり、第２金属パターン２０１２２は、第１金属パターン２０１２１のベース基板２０２から遠い側（図面では、上側として示されている）にあり、第１金属パターン２０１２１のベース基板２０２上の正投影は、第２金属パターン２０１２２のベース基板２０２上の正投影内に位置し、且つ第１金属パターン２０１２１のベース基板２０２上の正投影は、第３金属パターン２０１２３のベース基板２０２上の正投影内にも位置し、これにより、三者が積層された側面にノッチ２０１２Ａが形成される。この場合、第１バリア壁２０１２が形成されているベース基板２０２上に、有機機能層及び第２電極層２０４を形成すると、有機機能層と第２電極層２０４とを第１バリア壁２０１２のところで切り離すことができ、したがって水や酸素等の不純物が表示領域２０１の内部に入るルートを遮断できる。

【0123】

いくつかの例では、第２金属パターン２０１２２のベース基板２０２上の正投影は、第３金属パターン２０１２３のベース基板２０２上の正投影内に位置し得る。この場合、第３金属パターン２０１２３のベース基板２０２上の正投影が最大であり、これにより、第１バリア壁２０１２の第１金属層構造と表示基板との間の結合強度を増大させ、第１金属層構造の安定性を強化でき、有機機能層と第２電極層２０４とが第１バリア壁２０１２のところで切り離されることに寄与する。

【0124】

図６Ｂに示されているのは、該三重層を有する金属層構造の例である。この場合、ソースドレイン電極２１２が有する第２金属層構造は、第３金属パターン２０１２３と同層に設けられた金属サブ層２１２３と、第１金属パターン２０１２１と同層に設けられた金属サブ層２１２１と、第２金属パターン２０１２２と同層に設けられた金属サブ層２１２２とを含む。

【0125】

図６Ｂに示すような場合において、薄膜トランジスタにおけるソースドレイン電極２１２の第２金属層構造と第１金属層構造とは同層に形成され、且つ同じ多層構造を有し、即ち、両方とも三重層の金属層構造を有する。したがって、表示基板２００の製造過程において、第１バリア壁２０１２の第１金属層構造とソースドレイン電極２１２の第２金属層構造とは、同じ膜層を用いて製造プロセスの同じ段階で形成され、プロセスステップを簡素化できる。

【0126】

具体的な一例では、第１バリア壁２０１２の第１金属層構造において、第１金属パターン２０１２１の厚さは、第２金属パターン２０１２２の厚さ及び第３金属パターン２０１２３の厚さよりも大きく、したがって、ノッチを形成するのにより便利であり、且つ有機材料層２０３と第２電極層２０４とを第１バリア壁２０１２のところで切り離すのにより有利であり、これにより第１バリア壁２０１２はより良いバリア役割を実現できる。例えば、第１金属パターン２０１２１の厚さは１５０ｎｍ～９００ｎｍであり、例えば２００ｎｍ、４００ｎｍ、６００ｎｍ又は８００ｎｍ等である。第２金属パターン２０１２２の厚さは、３０ｎｍ～３００ｎｍであり、例えば１００ｎｍ、１５０ｎｍ又は２００ｎｍ等である。第３金属パターン２０１２３の厚さは、３０ｎｍ～３００ｎｍであり、例えば１００ｎｍ、１５０ｎｍ又は２００ｎｍ等である。具体的には、第１金属パターン２０１２１の厚さは６００ｎｍであってよく、第２金属パターン２０１２２の厚さは、２００ｎｍであってよく、第３金属パターン２０１２３の厚さは２００ｎｍであってよい。この場合、第１バリア壁２０１２は、バリアとしての役割を充分に実現できる。

【0127】

本開示のいくつかの実施形態では、第２金属パターン２０１２２の材料と第３金属パターン２０１２３の材料とは同じであってよく、第１金属パターン２０１２１の材料と第２金属パターン２０１２２の材料とは、エッチング時に異なるエッチング速度を有する。例えば、第１金属層構造をエッチング形成するためのエッチング液の作用下において、第１金属パターン２０１２１の材料がエッチングされる速度は、第２金属パターン２０１２２の材料がエッチングされる速度よりも大きく、したがって製造時にノッチ２０１２Ａのある第１金属層構造が容易に形成される。

【0128】

いくつかの実施形態では、第１金属パターン２０１２１の材料は、アルミニウム又は銅等の金属又はその合金を含み、第２金属パターン２０１２２の材料は、チタン又はモリブデン等の金属又はその合金を含み、第３金属パターン２０１２３の材料は、第２金属パターン２０１２２の材料と同じであり、チタン又はモリブデン等の金属又はその合金を含む。例えば第２電極層２０４のような表示基板の電極構造をエッチング形成するためのエッチング液の作用下において、アルミニウム又は銅がエッチングされる速度は、チタン又はモリブデンがエッチングされる速度よりも大きい。これにより、第２電極層２０４等の電極構造をエッチング形成すると同時に、第１金属パターン２０１２１、第２金属パターン２０１２２及び第３金属パターン２０１２３をエッチングして、ノッチ２０１２Ａを形成できる。

【0129】

いくつかの例では、第１金属層構造に二重層構造が採用される場合、第１金属パターン２０１２１及び第２金属パターン２０１２２の材料の組み合わせは、アルミニウム／チタン、アルミニウム／モリブデン、銅／チタン又は銅／モリブデン等であってよい。第１金属層構造に三重層構造が採用される場合、第３金属パターン２０１２３、第１金属パターン２０１２１及び第２金属パターン２０１２２の材料の組み合わせは、チタン／アルミニウム／チタン、モリブデン／アルミニウム／モリブデン、チタン／銅／チタン又はモリブデン／銅／モリブデン等であってよい。

【0130】

本開示のいくつかの実施形態では、図６Ｂに示すように、表示基板２００画像センサ及び／又は赤外線センサを更に含む。画像センサ及び／又は赤外線センサは、ベース基板２０２に結合され、例えばベース基板２０２の発光デバイスから遠い側に結合され、且つベース基板２０２上の正投影は、開孔領域２０１１と少なくとも部分的に重なる。例えば、画像センサ及び／又は赤外線センサは、図面中の符号２１０によって示される位置に設置される。これにより、画像センサ及び／又は赤外線センサは、開孔領域２０１１を介して画像収集、顔認識、赤外線感知等の機能を実現できる。

【0131】

留意すべきことは、本実施形態のいくつかの例では、表示基板２００は、コンデンサを覆う第２絶縁層２１６と、駆動回路を平坦化する平坦化層２１７と、ピクセルアレイを画定するピクセル画定層２１９と、封止空間を形成する柱状スペーサー２０８と、密封用の封止層２０５と、封止効果をさらに向上させる第２封止層２０６及び第３封止層２０７との等の構造を更に含み得るが、本開の実施形態はこれに対して繰り返し記述しないことにする。該実施形態の例では、薄膜トランジスタのソースドレイン電極２１２の１つが第１電極層２１８に接続されるため、該薄膜トランジスタは駆動トランジスタであってよく、即ち、印加されるデータ信号に応じて発光デバイスを流れる発光電流の大きさを制御することで、ピクセルユニットの表示過程におけるグレースケールを制御する。

【0132】

封止層２０５は、酸化ケイ素、窒化ケイ素等の材料を含む無機封止層である。第２封止層２０６は、ポリイミド等の有機材料を含む有機封止層である。第３封止層２０７は、酸化ケイ素、窒化ケイ素等の材料を含む無機封止層である。図６Ｂの例では、封止層２０５、第２封止層２０６及び第３封止層２０７はいずれも第１バリア壁２０１２の開孔領域２０１１に近い側まで延在しており、したがって３つの封止層はいずれも第１バリア壁２０１２を封止する。他の例では、図６Ｃに示すように、封止層２０５は、第１バリア壁２０１２の開孔領域２０１１に近い側まで延在する。第２封止層２０６と第３封止層２０７とは両方とも第１バリア壁２０１２の表示領域２０１に近い側で終端する。有機材料が水や酸素を遮断する能力は相対的に弱いため、有機材料を含む第２封止層２０６は、開孔領域２０１からより遠い位置で終端させ、これにより水や酸素等の不純物が第２封止層２０６を通って表示領域２０１の内部に入るのを回避できる。いくつかの例では、封止層２０５及び第３封止層２０７が第１バリア壁２０１２の開孔領域２０１１に近い側まで延在し、第２封止層２０６のみが第１バリア壁２０１２の表示領域２０１に近い側で終端しても良い。該例も同じく水や酸素等の不純物が有機材料を含む第２封止層２０６を通って表示領域２０１の内部に入るのを回避できる。本開示の実施形態は、封止層２０５、第２封止層２０６及び第３封止層２０７の具体的な設置方式に対して限定しないことにする。

【0133】

本開示のいくつかの実施形態では、例えば、表示面板の開孔領域２０１１の周りに１層以上のバリア壁がさらに設置されてよく、即ち、多重層のバリア壁が含まれてよく、例えば二重層、三重層、四種層、五重層等が設置されて、バリア効果を強化できる。

【0134】

図９Ａ及び図９Ｂに示される表示基板は、二重層のバリア壁を含み、図９Ａは、該表示基板の概略平面図であり、図９Ｂは、図９Ａにおける表示基板のＣーＣ線に沿った概略断面図である。

【0135】

図９Ａ及び図９Ｂに示すように、表示基板３００は、表示領域３０１と、開孔領域３０１１とを含み、表示領域３０１は、開孔領域３０１１を取り囲む。表示領域３０１と開孔領域３０１１との間に第１バリア壁３０１２と第２バリア壁３０１３とが含まれ、第１バリア壁３０１２及び第２バリア壁３０１３は、開孔領域３０１１を取り囲む。第２バリア壁３０１３は、第１バリア壁３０１２の開孔領域３０１１から遠い側に設置され、且つ一定の距離だけ離間されている。第１バリア壁３０１２と第２バリア壁３０１３とは両方とも第１金属層構造を含み、第１バリア壁３０１２の第１金属層構造の開孔領域３０１１を取り囲む少なくとも１つの側面にノッチ３０１２Ａが設けられおり、第２バリア壁３０１３の第１金属層構造の開孔領域３０１１を取り囲む少なくとも１つの側面にノッチ３０１３Ａが設けられている。

【0136】

上記の実施形態と同様に、表示領域３０１は、電極パターンを含み、電極パターンは、第２金属層構造を含む。第１バリア壁３０１２及び第２バリア壁３０１３の第１金属層構造と該第２金属層構造とは、同じ構造を有し、且つ同じ材料を含む。例えば、第１バリア壁３０１２及び第２バリア壁３０１３の第１金属層構造と第２金属層構造とは、同じ層に形成され且つ同じ多層構造を有する。

【0137】

表示領域３０１は、ピクセルアレイを含み、該ピクセルアレイの複数のピクセルユニットは、表示用の複数の発光デバイスと、これらの発光デバイスを駆動する駆動回路とを含む。例えば、該駆動回路は、薄膜トランジスタ、コンデンサ等の構造を含む。

【0138】

図９Ｂに示すように、発光デバイスは、第１電極層３１８と、第２電極層３０４と、第１電極層３２０と第２電極層の間の有機機能層とを含み、有機機能層は、例えば有機発光材料層２１０と補助発光層３０３とを含み、有機機能層の少なくとも一部、例えば補助発光層３０３及び第２電極層３０４は、表示領域３０１において、通常、全面にわたって形成される。この場合、有機機能層は、第１バリア壁３０１２及び第２バリア壁３０１３のノッチ３０１２Ａ／３０１３Ａのある側面で切り離される。第１電極層３１８は、アノード層であってよく、第２電極層３０４は、カソード層であってよく、カソード層も第１バリア壁３０１２及び第２バリア壁３０１３の３０１２Ａ／３０１３Ａのある側面で切り離される。これにより、開孔領域３０１１に近い側に位置する有機機能層及び第２電極層３０４が水や酸素等の不純物により汚染された場合であっても、有機機能層と第２電極層３０４とが第１バリア壁３０１２によって遮断されているため、該汚染が、有機機能層及び第２電極層３０４の発光デバイスが発光するための部分にまで及ばないようにできる。第１バリア壁３０１２の上部にも有機機能層及び第２電極層３０４が形成されているが、これらの部分は他の部分から分離している。

【0139】

同様に、薄膜トランジスタは、ゲート電極３１１、ソースドレイン電極３１２等の構造を含み、コンデンサは、第１電極３１３と、第２電極３１４と、第１電極３１３と第２電極３１４の間の第１絶縁層３１５とを含む。ゲート電極３１１又はソースドレイン電極３１２は、第２金属層構造を有する電極パターンとして実現され得る。図９Ｂに示すように、ソースドレイン電極３１２は、金属層構造を含み、且つ第１バリア壁３０１２及び第２バリア壁３０１３の第１金属層構造とソースドレイン電極３１２の第２金属層構造とは、同じ層に形成され、且つ同じ多層構造を有し、したがって表示基板３００の製造過程において、第１バリア壁３０１２及び第２バリア壁３０１３の第１金属層構造とソースドレイン電極３１２の第２金属層構造とは、同じ膜層を用いて形成され得る。いくつかの例では、第１金属層構造と第２金属層構造とは、両方とも二重層構造又は三重層構造等の多層構造を有してよい。

【0140】

本実施形態では、図１０及び図１１に示すように、第１バリア壁３０１２及び第２バリア壁３０１３の第１金属層構造は、上記の実施形態と基本的に同じであり、具体的な説明については、上記の実施形態を参照でき、類似した符号は同じ構造を意味し、本実施形態では繰り返し記述しないことにする。

【0141】

図９Ｂに示すように、表示基板３００は、ベース基板３０２を更に含み、ベース基板３０２は、開孔領域３０１１に位置する開孔３０２１を有する。第１バリア壁３０１２及び第２バリア壁３０１３の第１金属層構造におけるノッチの開口方向は、ベース基板２０２に平行である。

【0142】

表示基板３００は、画像センサ及び／又は赤外線センサを更に含み、画像センサ及び／又は赤外線センサは、ベース基板３０２に結合され、例えばベース基板３０２の発光デバイスから遠い側に結合され、且つベース基板３０２上の正投影は、開孔領域３０１１と少なくとも部分的に重なる。例えば、画像センサ及び／又は赤外線センサは、図面中の符号３１０によって示される位置に設置される。これにより、画像センサ及び／又は赤外線センサは、開孔領域３０１１を介して画像収集、顔認識、赤外線感知等の機能を実現できる。

【0143】

同様に、本実施形態のいくつかの例では、表示基板３００は、コンデンサを覆う第２絶縁層３１６と、駆動回路を平坦化する平坦化層３１７と、ピクセルアレイを画定するピクセル画定層３１９と、封止空間を形成する柱状スペーサー３０８と、密封用の封止層３０５と、封止効果をさらに向上させる第２封止層３０６と、第３封止層３０７との等の構造を更に含み得るが、本開示の実施形態はこれに対して繰り返し記述しないことにする。該実施形態の例では、薄膜トランジスタのソースドレイン電極２１２の１つが第１電極層２１８に接続されるため、該薄膜トランジスタは駆動トランジスタであってよく、即ち、印加されるデータ信号に応じて発光デバイスを流れる発光電流の大きさを制御することで、したがってピクセルユニットの表示過程におけるグレースケールを制御する。

【0144】

封止層３０５は、酸化ケイ素、窒化ケイ素等の材料を含む無機封止層である。第２封止層３０６は、ポリイミド等の有機材料を含む有機封止層である。第３封止層３０７は、酸化ケイ素、窒化ケイ素等の材料を含む無機封止層である。図９Ｂの例では、封止層３０５、第２封止層３０６及び第３封止層３０７はいずれも第１バリア壁３０１２の開孔領域３０１１に近い側まで延在しており、したがって３つの封止層はいずれも第１バリア壁３０１２及び第２バリア壁３０１３を封止する。他の例では、図９Ｃに示すように、封止層３０５は、第１バリア壁３０１２の開孔領域３０１１に近い側まで延在する。第２封止層３０６と第３封止層３０７とは、両方とも第１バリア壁３０１２と第２バリア壁３０１３の間で終端する。いくつかの例では、封止層３０５及び第３封止層３０７が第１バリア壁３０１２の開孔領域３０１１に近い側まで延在し、第２封止層３０６のみが第１バリア壁３０１２と第２バリア壁３０１３の間で終端しても良い。いくつかの例では、封止層３０５及び第３封止層３０７が第１バリア壁３０１２の開孔領域３０１１に近い側まで延在し、第２封止層３０６のみが第２バリア壁３０１３の表示領域３０１に近い側で終端しても良い。本開示の実施形態は、各封止層の具体的な設置に対して限定しないことにする。

【0145】

本開示のいくつかの実施形態では、第１バリア壁は、上記の第１金属層構造に加えて、例えば絶縁層構造を更に含む。第１金属層構造は絶縁層構造上に積層され、これにより多くの層構造を有する第１バリア壁を形成して、バリア効果を強化できる。

【0146】

本開示の実施形態は、上記のような表示基板を含む表示装置を提供する。該表示装置は、無線周波数ユニット、ネットワークモジュール、オーディオ出力ユニット、入力ユニット、センサ、表示ユニット、ユーザ入力ユニット、インターフェースユニット、メモリ、プロセッサ及び電源等の構成要素を含むが、これらに限定されない。当業者は、上記の表示装置の構造が表示装置に対する限定を構成せず、表示装置が上記のより多くの又はより少ない構成を含んだり、或いはいくつかの構成要素を組み合わせたり、或いは異なる構成要素を配置したりできることを理解できる。本開示の実施形態では、表示装置は、ディスプレイ、携帯電話、タブレットコンピュータ、テレビ、ウェアラブル電子機器、ナビゲーションディスプレイ機器等を含むが、これらに限定されない。

【0147】

前記表示装置は、テレビ、ディスプレイ、デジタルフォトフレーム、携帯電話、タブレットコンピュータ等の表示機能を備えた任意の製品又は部材であり得、前記表示装置は、可撓性回路基板と、プリント回路基板と、バックプレーンとを更に含む。

【0148】

本開示の各方法実施形態において、上記の各ステップのシーケンス番号は、各ステップの先後順序を限定するために用いるものではない。当業者にとって、創造的な労働なしに為される各ステップの先後に対する変更も、本開示の保護範囲内に入る。

【0149】

説明すべきことは、本明細書の各々の実施形態は、いずれも漸進的な方式で説明され、各々の実施形態間の同じ又は類似した部分は互いに参照すれば良く、各実施形態は、他の実施形態との違いを重点的に説明している。特に、実施形態は、基本的に製品の実施形態と類似しているため、比較的簡単に説明されているが、関連箇所については、製品の実施形態の部分の説明を参照すれば良い。

【0150】

別途の定義がない限り、本開示で使用される技術用語又は科学用語は、本開示が属する分野の当業者によって一般的に理解される通常の意味を有するべきである。本開示で使用される「第１」、「第２」及び類似した単語は、いかなる順序、数量又は重要性も示さず、単に異なる構成部分を区別するために用いられる。「含む」又は「含有する」等の類似した単語は、該単語の前に現れる要素又は物品が該単語の後に列挙される要素又は物品及びそれらの同等物を包含し、他の要素又は物品を除外しないことを意味する。「接続」又は「連結」等の単語は、物理的又は機械的接続に限定されず、直接又は間接を問わず、電気的接続を含み得る。「上」、「下」、「左」、「右」等は、単に相対的な位置関係を表すために使用され、記述される対象の絶対位置が変更されると、該相対的な位置関係もそれに応じて変更され得る。

【0151】

例えば、層、膜、領域又は基板等の要素が別の要素の「上」又は「下」に位置すると言及される場合、該要素が「直接」該別の要素の「上」又は「下」に位置することができ、或いは、中間要素が存在してもよいと理解できる。

【0152】

上記の実施形態の説明において、具体的な特徴、構造、材料又は特性は、任意の１つ又は複数の実施形態又は例において適切な方式によって組み合わせてよい。

【0153】

上記は、単に本開示の具体的な実施形態であり、本開示の保護範囲はこれに限定されない。当業者であれば、本開示で開示される技術範囲内で変更又は置き換えを容易に想到でき、これらも本開示の保護範囲内に含まれるべきである。したがって、本開示の保護範囲は、特許請求の範囲の保護範囲に従うべきである。

【図1A】