特表 2023-514160 向上したマイクロアクチュエータ感度およびマイクロアクチュエータ構成を備えるサスペンション設計

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2023-04-05

(54)【発明の名称】向上したマイクロアクチュエータ感度およびマイクロアクチュエータ構成を備えるサスペンション設計

(51)【国際特許分類】

   G11B 21/21 20060101AFI20230329BHJP

   G11B 21/10 20060101ALI20230329BHJP

   G11B 5/48 20060101ALI20230329BHJP

【ＦＩ】

G11B21/21 D

G11B21/10 N

G11B5/48 D

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2022548013

(86)(22)【出願日】2021-02-05

(85)【翻訳文提出日】2022-09-28

(86)【国際出願番号】 US2021016901

(87)【国際公開番号】W WO2021158978

(87)【国際公開日】2021-08-12

(31)【優先権主張番号】17/168,052

(32)【優先日】2021-02-04

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】62/971,606

(32)【優先日】2020-02-07

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】517151084

【氏名又は名称】マグネコンプ コーポレーション

【氏名又は名称原語表記】ＭＡＧＮＥＣＯＭＰＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ

(74)【代理人】

【識別番号】100105957

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100068755

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 博宣

(74)【代理人】

【識別番号】100142907

【弁理士】

【氏名又は名称】本田 淳

(72)【発明者】

【氏名】イー、クエン チー

(57)【要約】

固定端およびヒンジ端を有する圧電（ＰＺＴ）アクチュエータアセンブリが提供される。アセンブリは、ヒンジ端で第１側面電極を含むとともに、固定端で第２側面電極を含む。アセンブリは、第２ＰＺＴ層の上面に配置されるとともに、上面および底面を含む第３圧電層を含む。第４電極は、第３ＰＺＴ層の上面に少なくとも部分的に配置される。第４電極は、固定端で第２側面電極に接続されている。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

固定端およびヒンジ端を有するアクチュエータアセンブリであって、前記アセンブリは、
前記ヒンジ端の第１側面電極と、
前記固定端の第２側面電極と、
上面および底面を含む第１ＰＺＴ層と、
前記第１ＰＺＴ層の前記底面に少なくとも部分的に配置された第１電極と、
前記第１ＰＺＴ層の前記上面に配置されるとともに、上面および底面を含む第２圧電層と、
前記第２ＰＺＴ層の前記底面に少なくとも部分的に配置されるとともに、前記第１ＰＺＴ層の前記上面に少なくとも部分的に配置された第２電極であって、前記固定端で前記第２側面電極に接続された第２電極と、
前記第２ＰＺＴ層の前記上面に配置されるとともに、上面および底面を含む第３圧電層と、
前記第３ＰＺＴ層の前記底面に少なくとも部分的に配置されるとともに、前記第２ＰＺＴ層の前記上面に少なくとも部分的に配置された第３電極であって、前記ヒンジ端で前記第１側面電極に接続された第３電極と、
前記第３ＰＺＴ層の前記上面に少なくとも部分的に配置された第４電極であって、前記固定端で前記第２側面電極に接続された第４電極と、を備えるアクチュエータアセンブリ。

【請求項2】

前記第１電極は、前記固定端で前記第２側面電極に接続された切断部分を含む、請求項１に記載のＰＺＴアクチュエータアセンブリ。

【請求項3】

前記第４電極は、前記ヒンジ端で前記第１側面電極に接続された切断部分を含む、請求項１に記載のＰＺＴアクチュエータアセンブリ。

【請求項4】

前記ヒンジ端で前記第１側面電極に接続された前記切断部分は０．０５ｍｍである、請求項３に記載のＰＺＴアクチュエータアセンブリ。

【請求項5】

前記第４電極は０．２５ｍｍであり、公差は２５μｍである、請求項１に記載のＰＺＴアクチュエータアセンブリ。

【請求項6】

前記第２電極は０．７０ｍｍであり、公差は２５μｍである、請求項１に記載のＰＺＴアクチュエータアセンブリ。

【請求項7】

前記第４電極は０．７５ｍｍであり、公差は２５μｍである、請求項１に記載のＰＺＴアクチュエータアセンブリ。

【請求項8】

サスペンションであって、前記サスペンションは、
ロードビームに取り付けられたフレクシャであって、１つまたは複数の電気トレースを含むフレクシャと、
１つまたは複数の前記電気トレースのうちの少なくとも１つに結合されるとともに、固定端およびヒンジ端を有する１つ以上の多層圧電（ＰＺＴ）マイクロアクチュエータと、を備え、前記多層ＰＺＴアクチュエータアセンブリの各々は、
前記ヒンジ端の第１側面電極と、
前記固定端の第２側面電極と、
上面および底面を含む第１ＰＺＴ層と、
前記第１ＰＺＴ層の前記底面に少なくとも部分的に配置された第１電極と、
前記第１ＰＺＴ層の前記上面に配置されるとともに、上面および底面を含む第２圧電層と、
前記第２ＰＺＴ層の前記底面に少なくとも部分的に配置されるとともに、前記第１ＰＺＴ層の前記上面に少なくとも部分的に配置された第２電極であって、前記固定端で前記第２側面電極に接続された第２電極と、
前記第２ＰＺＴ層の前記上面に配置されるとともに、上面および底面を含む第３圧電層と、
前記第３ＰＺＴ層の前記底面に少なくとも部分的に配置されるとともに、前記第２ＰＺＴ層の前記上面に少なくとも部分的に配置された第３電極であって、前記ヒンジ端で前記第１側面電極に接続された第３電極と、
前記第３ＰＺＴ層の前記上面に少なくとも部分的に配置された第４電極であって、前記固定端で前記第２側面電極に接続された第４電極と、を備えるサスペンション。

【請求項9】

前記第１電極は、前記固定端で前記第２側面電極に接続された切断部分を含む、請求項８に記載のサスペンション。

【請求項10】

前記第４電極は、前記ヒンジ端で前記第１側面電極に接続された切断部分を含む、請求項８に記載のサスペンション。

【請求項11】

前記ヒンジ端で前記第１側面電極に接続された前記切断部分は０．０５ｍｍである、請求項１０に記載のサスペンション。

【請求項12】

前記第４電極は０．２５ｍｍであり、公差は２５μｍである、請求項８に記載のサスペンション。

【請求項13】

前記第２電極は０．７０ｍｍであり、公差は２５μｍである、請求項８に記載のサスペンション。

【請求項14】

前記第４電極は０．７５ｍｍであり、公差は２５μｍである、請求項８に記載のサスペンション。

【請求項15】

固定端およびヒンジ端を有するアクチュエータアセンブリであって、前記アセンブリは、
第１側面電極と、
第２側面電極と、
上面および底面を含む第１ＰＺＴ層と、
前記第１ＰＺＴ層の前記底面に少なくとも部分的に配置された第１電極と、
前記第１ＰＺＴ層の前記上面に配置されるとともに、上面および底面を含む第２圧電層と、
前記第２ＰＺＴ層の前記底面に少なくとも部分的に配置されるとともに、前記第１ＰＺＴ層の前記上面に少なくとも部分的に配置された第２電極であって、前記第２側面電極に接続された第２電極と、
前記第２ＰＺＴ層の前記上面に少なくとも部分的に配置された第３電極であって、前記第１側面電極に接続された第３電極と、を備えるアクチュエータアセンブリ。

【請求項16】

前記第１電極は、固定端で前記第２側面電極に接続された切断部分を含む、請求項１５に記載のＰＺＴアクチュエータアセンブリ。

【請求項17】

前記第３電極は、ヒンジ端で前記第１側面電極に接続された切断部分を含む、請求項１５に記載のＰＺＴアクチュエータアセンブリ。

【請求項18】

前記ヒンジ端で前記第１側面電極に接続された前記切断部分は０．０５ｍｍである、請求項１７に記載のＰＺＴアクチュエータアセンブリ。

【請求項19】

前記第４電極は０．２５ｍｍであり、公差は２５μｍである、請求項１５に記載のＰＺＴアクチュエータアセンブリ。

【請求項20】

前記第２電極は０．７０ｍｍであり、公差は２５μｍである、請求項１５に記載のＰＺＴアクチュエータアセンブリ。

【請求項21】

前記第４電極は０．７５ｍｍであり、公差は２５μｍである、請求項１５に記載のＰＺＴアクチュエータアセンブリ。

【請求項22】

前記第１電極は、ヒンジ端で前記第２側面電極に接続された切断部分を含む、請求項１５に記載のＰＺＴアクチュエータアセンブリ。

【請求項23】

前記第３電極は、固定端で前記第１側面電極に接続された切断部分を含む、請求項１５に記載のＰＺＴアクチュエータアセンブリ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の実施形態は、ディスクドライブのサスペンション装置の分野に関する。より具体的には、本開示は、サスペンション装置用の多層アクチュエータ構造の分野に関する。

【背景技術】

【0002】

従来のディスクドライブユニットは、磁気記憶媒体に１と０のパターンを含む回転する磁気ディスクを含む。磁気記憶媒体の１と０のパターンは、ディスクドライブに記憶されたデータを構成する。磁気ディスクは駆動モータによって駆動される。ディスクドライブユニットはまた、ロードビームの遠位端に近くで磁気読取り／書込みヘッドが取り付けられるディスクドライブサスペンションを含む。サスペンションまたはロードビームの「近位」端は、支持される端、つまりアクチュエータアームにスエージ加工またはその他の方法で取り付けられたベースプレートに最も近い端である。サスペンションまたはロードビームの「遠位」端は、近位端の反対側の端、つまり「遠位」端は片持ち端である。

【0003】

サスペンションはアクチュエータアームに結合され、アクチュエータアームは、データディスク上の正しいデータトラック上にヘッドスライダを位置決めするためにサスペンションを円弧状に動かすボイスコイルモータに結合される。ヘッドスライダは、ディスクの振動、衝突などの慣性イベント、およびディスク表面の凹凸等の変動を考慮して、ディスク上の適切なデータトラックに追従するようスライダをピッチおよびロール可能にするジンバル上に搭載されている。

【0004】

１段アクチュエータディスクドライブサスペンションと２段アクチュエータ（ＤＳＡ：ｄｕａｌ ｓｔａｇｅ ａｃｔｕａｔｅｄ）サスペンションとの両方が周知である。１段アクチュエータサスペンションでは、ボイスコイルモータのみがサスペンションを動かす。

【0005】

ＤＳＡサスペンションでは、サスペンション上に配置された小さなアクチュエータがヘッドスライダを動かして、ヘッドスライダを正しいデータトラック上に位置決めする。アクチュエータは、ボイスコイルモータよりも高精度なヘッドスライダの位置決めと、ボイスコイルモータよりも高いサーボ帯域幅の両方を提供する。アクチュエータは、特定のＤＳＡサスペンション設計に応じて、サスペンションのさまざまな場所に配置され得る。通常、左右のアクチュエータが、ロードビームまたはロードビームの遠位端を回転させるためにプッシュ－プル方式で動作する。

【発明の概要】

【0006】

固定端およびヒンジ端を有する圧電（ＰＺＴ）アクチュエータアセンブリが提供される。アセンブリは、ヒンジ端で第１側面電極を含むとともに、固定端で第２側面電極を含む。アセンブリは、上面および底面を含む第１ＰＺＴ層を含む。第１電極は、第１ＰＺＴ層の底面に少なくとも部分的に配置される。上面および底面を含む第２圧電層は、第１ＰＺＴ層の上面に配置される。アセンブリはまた、第２ＰＺＴ層の底面に少なくとも部分的に配置されるとともに、第１ＰＺＴ層の上面に少なくとも部分的に配置された第２電極を含む。第２電極は、固定端で第２側面電極に接続されている。

【0007】

アセンブリはまた、第２ＰＺＴ層の上面に配置されるとともに、上面および底面を含む第３圧電層を含む。第３電極は、第３ＰＺＴ層の底面に少なくとも部分的に配置されるとともに、第２ＰＺＴ層の上面に少なくとも部分的に配置されている。第３電極は、ヒンジ端で第１側面電極に接続されている。第４電極は、第３ＰＺＴ層の上面に少なくとも部分的に配置される。第４電極は、固定端で第２側面電極に接続されている。

【0008】

いくつかの実施形態では、第１電極は、固定端で第２側面電極に接続された切断部分を含む。いくつかの実施形態では、第４電極は、ヒンジ端で第１側面電極に接続された切断部分を含む。いくつかの実施形態では、ヒンジ端で第１側面電極に接続された切断部分は０．０５ｍｍである。第４電極は０．２５ｍｍであり、公差は２５μｍであってよい。第２電極は０．７０ｍｍであり、公差は２５μｍであってよい。第４電極は０．７５ｍｍであり、公差は２５μｍであってよい。

【0009】

サスペンションも提供される。サスペンションは、ロードビームに取り付けられたフレクシャであって、１つまたは複数の電気トレースを含むフレクシャと、１つまたは複数の電気トレースのうちの少なくとも１つに結合される１つ以上の多層圧電（ＰＺＴ）マイクロアクチュエータと、を備える。上述のように、アセンブリは固定端およびヒンジ端を有してよい。アセンブリは、ヒンジ端で第１側面電極を含むとともに、固定端で第２側面電極を含む。アセンブリは、上面および底面を含む第１ＰＺＴ層を含む。第１電極は、第１ＰＺＴ層の底面に少なくとも部分的に配置される。上面および底面を含む第２圧電層は、第１ＰＺＴ層の上面に配置される。アセンブリはまた、第２ＰＺＴ層の底面に少なくとも部分的に配置されるとともに、第１ＰＺＴ層の上面に少なくとも部分的に配置された第２電極を含む。第２電極は、固定端で第２側面電極に接続されている。

【0010】

アセンブリはまた、第２ＰＺＴ層の上面に配置されるとともに、上面および底面を含む第３圧電層を含む。第３電極は、第３ＰＺＴ層の底面に少なくとも部分的に配置されるとともに、第２ＰＺＴ層の上面に少なくとも部分的に配置されている。第３電極は、ヒンジ端で第１側面電極に接続されている。第４電極は、第３ＰＺＴ層の上面に少なくとも部分的に配置される。第４電極は、固定端で第２側面電極に接続されている。

【0011】

上記の概要は、本開示の各実施形態や全ての態様を表すことを意図しない。具体的には、上記の概要は、本明細書に記載される新規な態様および特徴のいくつかの実施例を提供するに過ぎない。本開示の上記の特徴および効果、ならびに他の特徴および効果は、添付の図面および添付の特許請求の範囲と関連して、本発明を実施するための代表的な実施形態および態様の以下の詳細な説明から容易に明らかになるであろう。

【0012】

本開示の効果および特徴がどのようにして得られるかを説明するため、本開示の実施形態は、添付の図面に示される特定の実施例を参照して説明される。これらの図面は、本開示の実施形態の例示的な態様のみを示しており、したがって、その範囲を限定するものと解釈されるべきではない。原則は、以下の図を使用して、さらに具体的かつ詳細に記述および説明される。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】本開示の一実施形態によるサスペンションを含むディスクドライブを示す斜視図。

【図2】本開示の一実施形態による図１のサスペンション１０を示す斜視図。

【図3】本開示の一実施形態による図２のマイクロアクチュエータ素子の断面図。

【図4】本開示の一実施形態による他のマイクロアクチュエータ素子の断面図。

【図5】本開示の一実施形態による２つのＰＺＴ層を含むマイクロアクチュエータ素子の断面図。

【図6】本開示の一実施形態による２つのＰＺＴ層を含む他のマイクロアクチュエータ素子の断面図。

【発明を実施するための形態】

【0014】

本開示の実施形態は添付の図面を参照して説明され、類似または同等の要素を示す類似の参照番号が全ての図面で使用される。図は縮尺通りに描かれておらず、例示的な説明図として提供される。実施形態の複数の態様が、本開示の範囲を限定することを意図しない例示的な用途を参照して以下に記載される。実施形態の完全な理解を提供するために、複数の具体的な詳細、関係、および方法が述べられていることを理解されたい。

【0015】

本明細書に記載の実施形態は、現在のマイクロアクチュエータにおける問題を克服する多層マイクロアクチュエータを対象とする。例えば、左右のマイクロアクチュエータがプッシュ－プル方式で動作して、ロードビームに取り付けられたフレクシャまたはロードビームに取り付けられたフレクシャの遠位端を回転させると、両方のマイクロアクチュエータが垂直方向に曲がる。

【0016】

図１は、本開示の一実施形態によるディスクドライブ１を示す斜視図である。ディスクドライブ１は、ケース２と、ディスク４と、キャリッジ６と、位置決めモータ（ボイスコイルモータ）７とを含み得る。ディスク４は、スピンドル３を中心に回転可能である。キャリッジ６は旋回軸５を中心に旋回可能である。位置決めモータ（ボイスコイルモータ）７は、キャリッジ６等を駆動するために実装される。ケース２は通常密閉されていることを理解されたい。ケース２は、その中の全ての特徴を示すためカバーなしで示されている。

【0017】

キャリッジ６は、一般的に２つ以上のキャリッジアーム８を含む。各アーム８の先端部にはサスペンション１０が取り付けられている。サスペンション１０の先端部には、１つまたは複数の読み書きヘッドを構成するスライダ（図２において以下に記載）が設けられている。各ディスク４が高速で回転している状態では、ディスク４とスライダ１１との間に空気が流入することにより、ディスクとスライダ１１との間にエアベアリングが形成される。位置決めモータ７がキャリッジ６を旋回させると、サスペンション１０がディスク４に対して径方向に移動する。すると、スライダ１１がディスク４の所望のトラックに移動する。

【0018】

図２は、本開示の一実施形態による図１のサスペンション１０を示す斜視図である。サスペンション１０は、ロードビーム２３によって支持され得る。サスペンションはフレクシャ２２を含み得る。フレクシャ２２はジンバル２１を支持する。ジンバル２１には、読み書きヘッドを構成するスライダが取り付けられている。いくつかの実施形態では、スライダは、磁気信号と電気信号との間で変換可能な磁気抵抗（ＭＲ）素子を含む。ＭＲ素子は、データにアクセスする、すなわち、ディスク（図１に示す）にデータを書き込んだり、ディスクからデータを読み取ったりする働きをする。

【0019】

ジンバル２１は、マイクロアクチュエータ素子３１および３２を含む。いくつかの実施形態によれば、マイクロアクチュエータ素子３１および３２は、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の圧電板で形成される。マイクロアクチュエータ素子３１および３２は、構造によってスライダを揺動方向に旋回させる機能を有する。本明細書では、マイクロアクチュエータ素子の任意の構成を実装できることを理解されたい。

【0020】

サスペンション１０は、金属ベース４０を含む。いくつかの実施形態では、金属ベース４０はステンレス鋼板で形成される。サスペンション１０はまた、トレース等の１つまたは複数の導電体を含む導電回路部分を含む。導電回路部分は、スライダに接続する導電体を含む。導電体はまた、マイクロアクチュエータ素子３１および３２の電極に接続し得る。

【0021】

図３は、本開示の一実施形態による図２のマイクロアクチュエータ素子３１の断面図を示す。マイクロアクチュエータモータとして圧電素子がしばしば使用されるが、静電マイクロアクチュエータおよび他の種類のマイクロアクチュエータモータが使用されてもよい。一般的に使用される圧電材料はチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）であるが、他の圧電材料が使用されてもよい。本開示では、簡易的に、マイクロアクチュエータである圧電装置を、略して単に「ＰＺＴ」と呼ぶことがある。圧電材料はチタン酸ジルコン酸鉛である必要はないことを理解されたい。したがって、本明細書で使用する「ＰＺＴ」という用語は、任意の圧電材料または任意の圧電材料から形成される任意の圧電装置を指し得る。

【0022】

マイクロアクチュエータ素子３１は、第１ＰＺＴ層１３１の底面の少なくとも一部に配置された第１電極１３１Ａを備える多層であってよい。第１電極１３１Ａは、固定端で第２導電性接着剤（ＥＣＡ：ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ａｄｈｅｓｉｖｅ）３４に接続されてよい。第１電極１３１Ａの切断部分１３１Ｂも、第１ＰＺＴ層１３１の底面の少なくとも一部に配置されてよい。切断部分１３１Ｂは、ヒンジ端で第１導電性接着剤（ＥＣＡ）３３に接続されてよい。第２電極１３２Ａは、第１ＰＺＴ層１３１と第２ＰＺＴ層１３２との間の少なくとも一部に配置されてよい。第３電極１３３Ａは、第２ＰＺＴ層１３２と第３ＰＺＴ層１３３との間の少なくとも一部に配置されてよい。さらに、第４電極１３４Ａは、第３ＰＺＴ層１３３の上面の少なくとも一部に配置されてよい。第４電極１３４Ａの切断部分１３４Ｂは、第３ＰＺＴ層１３３の上面の少なくとも一部に配置されてよい。

【0023】

第１電極１３１Ａおよび第２電極１３２Ａの共通の長さは、有効電極長１３１Ｄを規定し得る。さらに、第３電極１３３Ａおよび第４電極１３４Ａの共通の長さは、有効電極長１３３Ｄを規定し得る。固定端は、ヘッドジンバルアセンブリ２１（図２に示す）の前縁端を指し、ヒンジ端は、ヘッドジンバルアセンブリ２１の後縁端を指す。いくつかの実施形態では、第４電極１３４Ａの長さは０．６４ｍｍであり、公差は２５マイクロメートルである。

【0024】

第４電極１３４Ａは、マイクロアクチュエータ素子３１のヒンジ端で第１側面電極１３０Ａに接続されている。第３電極１３３Ａは、マイクロアクチュエータ素子３１の固定端で第２側面電極１３０Ｂに接続されている。第１側面電極１３０Ａは、第１ＥＣＡ３３に接続されている。第２側面電極１３０Ｂは、第２ＥＣＡ３４に接続されている。

【0025】

この構成では、第４電極１３４Ａの公差は、ＰＺＴ ＦＲＦの約１０．５ｋＨｚでジンバルのねじれ態様に大きな影響を与える。第４電極１３４Ａの長さがこれよりも短くなると、具体的には約０．３３５ｍｍＺ－ｈｔで、ＰＺＴ ＦＲＦに多くの変動をもたらす。大きな変動は、したがって、ディスクドライブ１（図１に示す）のサーボ帯域幅に影響を与える。

【0026】

図４は、本開示の一実施形態による他のマイクロアクチュエータ素子７１の断面図を示す。固定端は、ジンバル２１（図２に示す）の前縁端を指し、ヒンジ端は、ジンバル２１の後縁端を指す。いくつかの実施形態では、マイクロアクチュエータ素子７１の全長は０．８０ｍｍであり、公差は２５μｍであってよい。マイクロアクチュエータ素子７１は、第１ＰＺＴ層３３１の底面の少なくとも一部に配置された第１電極３３１Ａを備える多層ＰＺＴであってよい。第１電極３３１Ａは、ヒンジ端で第１導電性接着剤（ＥＣＡ）３３に接続されてよい。第１電極３３１Ａの切断部分３３１Ｂも、第１ＰＺＴ層３３１の底面の少なくとも一部に配置されてよい。切断部分３３１Ｂは、固定端で第２導電性接着剤（ＥＣＡ）３４に接続されてよい。第２電極３３２Ａは、第１ＰＺＴ層３３１と第２ＰＺＴ層３３２との間の少なくとも一部に配置されてよい。

【0027】

第３電極３３３Ａは、第２ＰＺＴ層３３２と第３ＰＺＴ層３３３との間の少なくとも一部に配置されてよい。さらに、第４電極３３４Ａは、第３ＰＺＴ層３３３の上面の少なくとも一部に配置されてよい。第４電極３３４Ａの切断部分３３４Ｂは、第３ＰＺＴ層３３３の上面の少なくとも一部に配置されてよい。切断部分３３４Ｂは、第１側面電極３３０Ａを介して、ヒンジ端３３で第１ＥＣＡ３３に接続されてよい。いくつかの実施形態では、切断部分３３４Ｂは０．０５ｍｍであり、公差は２５μｍであってよい。第４電極３３４Ａは、第２側面電極３３０Ｂを介して、固定端で第２ＥＣＡ３４に接続されてよい。第１側面電極３３０Ａは、第１ＥＣＡ３３に接続されている。第２側面電極３３０Ｂは、第２ＥＣＡ３４に接続されている。

【0028】

第１電極３３１Ａおよび第２電極３３２Ａの共通の長さは、有効電極長３３１Ｄを規定し得る。さらに、第３電極３３３Ａおよび第４電極３３４Ａの共通の長さは、有効電極長３３３Ｄを規定し得る。マイクロアクチュエータ素子７１では、第４電極３３４Ａは、固定端で第２側面電極３３０Ｂに直接的に接続するよう配置される。第４電極３３４Ａはまた、「ｚ高」またはＺ－ｈｔとも呼ばれる、ベースプレートフランジからデータディスク表面までの公称距離で略ゼロの位相角を維持するよう、図３における第４電極１３４Ａよりも短縮される。いくつかの場合では、略ゼロの位相角は２度である。いくつかの実施形態では、第４電極３３４Ａは０．２５ｍｍであり、公差は２５μｍであってよい。第２電極３３２Ａは０．７０ｍｍであり、公差は２５μｍであってよい。第３電極３３３Ａは０．７５ｍｍであり、公差は２５μｍであってよい。

【0029】

固定端で電極３３４Ａを第２側面電極３３０Ｂに接続することによって、いくつかの利点が実現される。いくつかの実施形態では、低Ｚ－ｈｔでの変動は、約６０°から約４０°に減少する。別の利点は、部分的な拘束層構造（ＣＬＣ：ｃｏｎｓｔｒａｉｎｉｎｇ ｌａｙｅｒ ｃｏｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎ）構成により、一部の実施形態によれば、ストロークが１１ｎｍ／Ｖから１３．６ｎｍ／Ｖに増加することである。

【0030】

図５は、本開示の一実施形態によるマイクロアクチュエータ素子８１の断面図を示す。マイクロアクチュエータ素子８１は、第１ＰＺＴ層４３１の底面の少なくとも一部に配置された第１電極４３１Ａを備える多層であってよい。第１電極４３１Ａは、固定端で第２導電性接着剤（ＥＣＡ）１３４に接続されてよい。第１電極４３１Ａの切断部分４３１Ｂも、第１ＰＺＴ層４３１の底面の少なくとも一部に配置されてよい。切断部分４３１Ｂは、ヒンジ端で第１導電性接着剤（ＥＣＡ）１３３に接続されてよい。第２電極４３２Ａは、第１ＰＺＴ層４３１と第２ＰＺＴ層４３２との間の少なくとも一部に配置されてよい。第３電極４３３Ａは、第２ＰＺＴ層４３２の上面の少なくとも一部に配置されてよい。第３電極４３３Ａの切断部分４３３Ｂは、第２ＰＺＴ層４３２の上面の少なくとも一部に配置されてよい。

【0031】

第１電極４３１Ａおよび第２電極４３２Ａの共通の長さは、有効電極長４３１Ｄを規定し得る。さらに、第３電極４３３Ａおよび第２電極４３２Ａの共通の長さは、有効電極長４３３Ｄを規定し得る。固定端は、例えば図２に示されるヘッドジンバルアセンブリ等のヘッドジンバルアセンブリの前縁端を指す。ヒンジ端は、ヘッドジンバルアセンブリの後縁端を指す。

【0032】

第３電極４３３Ａおよび第１電極４３１Ａは、マイクロアクチュエータ素子８１のヒンジ端で第１側面電極４３０Ａに接続されている。第３電極４３３Ｂ、第２電極４３２Ａ、および切断部分４３１Ｂは、マイクロアクチュエータ素子３１の固定端で第２側面電極４３０Ｂに接続されている。第１側面電極４３０Ａは、第１ＥＣＡ３３に接続されている。第２側面電極４３０Ｂは、第２ＥＣＡ１３４に接続されている。

【0033】

図６は、本開示の一実施形態による他のマイクロアクチュエータ素子９１の断面図を示す。固定端は、例えば図２に示されるジンバル２１等のジンバルの前縁端を指す。ヒンジ端は、ジンバルの後縁端を指す。いくつかの実施形態では、マイクロアクチュエータ素子９１の全長は０．８０ｍｍであり、公差は２５μｍであってよい。マイクロアクチュエータ素子９１は、第１ＰＺＴ層５３１の底面の少なくとも一部に配置された第１電極５３１Ａを備える多層ＰＺＴであってよい。第１電極５３１Ａは、固定端で第１導電性接着剤（ＥＣＡ）２３４に接続されてよい。第１電極５３１Ａの切断部分５３１Ｂも、第１ＰＺＴ層５３１の底面の少なくとも一部に配置されてよい。切断部分５３１Ｂは、ヒンジ端で第２導電性接着剤（ＥＣＡ）２３３に接続されてよい。第２電極５３２Ａは、第１ＰＺＴ層５３１と第２ＰＺＴ層５３２との間の少なくとも一部に配置されてよい。

【0034】

第３電極５３３Ａは、第２ＰＺＴ層５３２の上面の少なくとも一部に配置されてよい。第３電極５３４Ａの切断部分５３３Ｂは、第２ＰＺＴ層５３２の上面の少なくとも一部に配置されてよい。切断部分５３３Ｂは、第１側面電極５３０Ａを介して、ヒンジ端２３３で第１ＥＣＡ２３３に接続されてよい。いくつかの実施形態では、切断部分５３３Ｂは０．０５ｍｍであり、公差は２５μｍであってよい。第３電極５３３Ａは、第２側面電極５３０Ｂを介して、固定端で第２ＥＣＡ２３４に接続されてよい。第１側面電極５３０Ａは、第１ＥＣＡ２３３、第２電極５３２Ａ、および切断部分５３１Ｂに接続されている。第２側面電極５３０Ｂは、第２ＥＣＡ２３４に接続されている。

【0035】

第１電極５３１Ａおよび第２電極５３２Ａの共通の長さは、有効電極長５３１Ｄを規定し得る。さらに、第３電極５３３Ａおよび第２電極５３２Ａの共通の長さは、有効電極長５３３Ｄを規定し得る。マイクロアクチュエータ素子９１では、第３電極５３３Ａは、固定端で第２側面電極５３０Ｂに直接的に接続するよう配置される。いくつかの実施形態では、「ｚ高さ」またはＺ－ｈｔとも呼ばれる、ベースプレートフランジからデータディスク表面までの公称距離で略ゼロの位相角を維持するよう、第３電極５３３Ａの長さが短縮される。いくつかの場合では、略ゼロの位相角は２度である。

【0036】

固定端で第３電極５３４Ａを第２側部電極５３０Ｂに接続することによって、いくつかの利点が実現される。いくつかの実施形態では、低Ｚ－ｈｔでの変動は、約６０°から約４０°に減少する。別の利点は、部分的な拘束層構造（ＣＬＣ）構成により、一部の実施形態によれば、ストロークが１１ｎｍ／Ｖから１３．６ｎｍ／Ｖに増加することである。

【0037】

本開示は、当業者が本開示を実施または使用できるよう提供される。本開示に対する様々な変更は、当業者には容易に明らかであり、本明細書で定義される一般的な原則は、本開示の範囲から逸脱することなく他の変更に適用することができる。したがって、本開示は、本明細書に記載された実施例および設計に限定されることを意図するものではなく、本明細書に開示された原則および新規な特徴と一致する最大の範囲が認められるべきである。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【国際調査報告】