特表 2023-516269 基板を支持するための支持デバイス、基板を処理する方法、及び半導体基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2023-04-19

(54)【発明の名称】基板を支持するための支持デバイス、基板を処理する方法、及び半導体基板

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20230412BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 P

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2022545856

(86)(22)【出願日】2020-02-27

(85)【翻訳文提出日】2022-09-05

(86)【国際出願番号】 EP2020055177

(87)【国際公開番号】W WO2021170240

(87)【国際公開日】2021-09-02

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】510060497

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ イタリア エス． アール． エル．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】アンドレオラ， ダニエレ

(72)【発明者】

【氏名】チェッレレ， ジョルジオ

(72)【発明者】

【氏名】フェッキオ， アルビゼ

(72)【発明者】

【氏名】フューリン， ヴァレンティーナ

(72)【発明者】

【氏名】パスクアレット， エンリコ

(72)【発明者】

【氏名】ザンチェッティン， アレシオ

(72)【発明者】

【氏名】ガリアッツォ， マルコ

【テーマコード（参考）】

5F131

【Ｆターム（参考）】

5F131AA02

5F131BA51

5F131CA17

5F131CA18

5F131EB01

5F131EB02

5F131EB05

5F131EB11

5F131EB55

(57)【要約】

支持デバイス１０が、基板受容領域を含む。支持デバイス１０は、開口部１３０のアレイを有するパターンとして成形された支持体１１０を含む。支持体１１０は、開口部１３０のアレイの開口部の接合面積が基板受容領域の面積の４０％以上である疎構造である。支持体１１０は、減圧源構成と流体連通するように構成された１以上の吸引開口部１４０を含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を支持するための支持デバイスであって、
基板受容領域、及び
開口部のアレイを有するパターンとして成形された支持体であって、前記開口部のアレイの前記開口部の接合面積が、前記基板受容領域の面積の４０％以上である、疎構造である支持体を備え、
前記支持体は、減圧源構成と流体連通するように構成された１以上の吸引開口部を含む、支持体デバイス。

【請求項2】

前記開口部のアレイの各開口部は、第１の方向に第１の幅を有し、前記第１の幅は、前記第１の方向における前記基板受容領域の第１の幅の５％以上である、請求項１に記載の支持デバイス。

【請求項3】

前記開口部のアレイの各開口部は、第２の方向に第２の幅を有し、前記第２の幅は、前記第２の方向における前記基板受容領域の第２の幅の５％以上である、請求項１又は２に記載の支持デバイス。

【請求項4】

前記開口部のアレイは、第１の開口部及び第２の開口部を含み、前記１以上の吸引開口部は、前記第１の開口部と前記第２の開口部との間の前記支持体の一部分に少なくとも１つの吸引開口部を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の支持デバイス。

【請求項5】

前記１以上の吸引開口部のうちの少なくとも１つの吸引開口部は、前記開口部のアレイの任意の２つの隣接する開口部の間の前記支持体に設けられている、請求項１から４のいずれか一項に記載の支持デバイス。

【請求項6】

前記支持体は、前記開口部のアレイの任意の２つの隣接する開口部の間の、前記基板を支持するように構成された支持部分を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の支持デバイス。

【請求項7】

前記開口部のアレイの各開口部は、前記１以上の吸引開口部のうちの幾つかの吸引開口部によって囲まれている、請求項１から６のいずれか一項に記載の支持デバイス。

【請求項8】

前記支持体は、前記開口部のアレイを囲むフレーム部分を含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の支持デバイス。

【請求項9】

前記１以上の吸引開口部は、前記フレーム部分に設けられた１以上の外側吸引開口部を含み、前記１以上の外側吸引開口部は、前記開口部のアレイを囲む、請求項８に記載の支持デバイス。

【請求項10】

前記支持体は、格子状に成形されている、請求項１から９のいずれか一項に記載の支持デバイス。

【請求項11】

基板を支持するための支持デバイスであって、
開口部の二次元アレイを有する格子形状の支持体、及び
前記格子形状の支持体内の１以上の吸引開口部を備える、支持デバイス。

【請求項12】

基板を処理するための装置であって、
請求項１から１１のいずれか一項に記載の支持デバイス、及び
前記支持デバイスの前記支持体によって支持された基板に複数の開口部を形成するための処理デバイスを備える、装置。

【請求項13】

基板を処理する方法であって、
支持体によって基板を支持することであって、前記基板の面積の４０％以上の接合面積を有する前記基板の複数の部分が支持されていない、基板を支持すること、及び
前記基板を１以上の吸引開口部において前記支持体に吸引することを含む、方法。

【請求項14】

前記基板の第１の支持されていない部分に１以上の開口部を形成することを更に含む、請求項１３に記載の方法。

【請求項15】

開口部の二次元アレイを含む半導体基板であって、前記開口部の二次元アレイの前記開口部の接合面積が、前記半導体基板の面積の４０％以上である、半導体基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

[0001] 本開示の実施形態は、半導体ウエハなどの基板を支持するための支持デバイスに関する。特に、本明細書で説明される実施形態は、減圧力を使用して基板を保持するための支持デバイスに関する。支持デバイスによって保持される基板は、例えば、レーザーデバイスによって処理を受け得る。

【背景技術】

【0002】

[0002] 多くの用途において、基板は、基板が処理され得るように基板支持体上に配置される。例えば、基板支持体は、基板が処理されることを可能にするために基板が配置される水平面を提供する水平支持体であり得る。基板が基板支持体によって支持されている間に、保持力を基板に加えることができ、それによって、基板は、適所にしっかりと保持される。例えば、基板支持体は、基板に保持力を及ぼす減圧チャック又は静電チャックとして機能することができる。

【0003】

[0003] 基板は、半導体ウエハなどのような薄い材料片であり得る。幾つかの技術では、基板の厚さが絶えず減少している。例えば、０．２mmの厚さの及び更に薄い半導体基板が、現在の用途において使用され、処理されている。

【0004】

[0004] 基板支持体によって保持された基板は、例えば、レーザーを使用して、基板にパターンを形成することによって処理され得る。レーザーは、レーザービームを基板の上に向ける。レーザービームを基板の上で移動させることにより、パターンを基板に形成することができる。パターンは、レーザーによって基板から切断され又は基板にドリル加工される複数の開口部又は孔を含み得る。用途に応じて、異なる種類のパターンが基板に形成される。

【0005】

[0005] 基板にパターンを形成するために必要な高精度の要求はますます高まっている。所定の目標位置からのパターンの位置のわずかな逸脱は、最終製品の性能を損なう可能性がある。したがって、処理中の基板の非常に小さな移動、例えば、基板の非常に小さな並進でさえも回避されるべきである。

【0006】

[0006] 上記に照らして、基板の処理中の基板の移動が回避されることを確実にする、改良された支持デバイスが必要とされている。

【発明の概要】

【0007】

[0007] 一実施形態によれば、基板を支持するための支持デバイスが提供される。支持デバイスは、基板受容領域を含む。支持デバイスは、開口部のアレイを有するパターンとして成形された支持体を含む。支持体は、開口部のアレイの開口部の接合面積（joint area）が基板受容領域の面積の４０％以上である疎構造である。支持体は、減圧源構成（vacuum source arrangement）と流体連通するように構成された１以上の吸引開口部を含む。

【0008】

[0008] 更なる一実施形態によれば、基板を支持するための支持デバイスが提供される。支持デバイスは、開口部のアレイを有する支持体を含む。支持体は、格子形状の支持体である。開口部のアレイは、開口部の二次元アレイである。支持体は、支持体内に１以上の吸引開口部を含む。

【0009】

[0009] 更なる一実施形態によれば、基板を処理するための装置が提供される。該装置は、本明細書で説明されるような支持デバイスを含む。該デバイスは、支持デバイスの支持体によって支持された基板に複数の開口部を形成するための処理デバイスを含む。

【0010】

[0010] 更なる一実施形態によれば、基板を処理する方法が提供される。該方法は、支持体によって基板を支持することを含む。その場合、基板の面積の４０％以上の接合面積を有する基板の複数の部分が、支持されない。該方法は、基板を１以上の吸引開口部において支持体に吸引することを含む。

【0011】

[0011] 更なる一実施形態によれば、半導体基板が提供される。半導体基板は、開口部の二次元アレイを含む。その場合、開口部の二次元アレイの開口部の接合面積は、半導体基板の面積の４０％以上である。

【0012】

[0012] 実施形態は、開示されている方法を実施するための装置も対象としており、説明されている各方法態様を実行するための装置部分を含む。これらの方法態様は、ハードウェア構成要素を用いて、適切なソフトウェアによってプログラミングされたコンピュータを用いて、これらの２つの任意の組み合わせによって、又は他の任意のやり方で実施され得る。更に、本開示による実施形態は、説明される装置を動作させるための方法も対象とする。説明される装置を動作させるための方法は、装置のあらゆる機能を実行するための方法態様を含む。

【0013】

[0013] 本開示の上述の特徴を細部まで理解し得るように、実施形態を参照することによって、上記で簡単に要約された本開示の、より詳細な説明を得ることができる。添付の図面は本開示の実施形態に関連し、以下の記述において説明される。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】本明細書で説明される実施形態による、基板を支持するための支持デバイスの例示的な設計を示す。

【図2】本明細書で説明される実施形態による、基板を支持するための支持デバイスの例示的な設計を示す。

【図3】本明細書で説明される実施形態による、基板を支持するための支持デバイスの例示的な設計を示す。

【図4】本明細書で説明される実施形態による、基板を支持するための支持デバイスの例示的な設計を示す。

【図5】本明細書で説明される実施形態による、基板を支持するための支持デバイスの例示的な設計を示す。

【図6】本明細書で説明される実施形態による支持デバイス、及び支持デバイスによって支持されるように構成された基板を示す。該基板は、内部に形成された複数の開口部を有し、該開口部は、基板が支持デバイスによって支持されていた間に形成されている。

【図7】本明細書で説明される実施形態による装置を示す。該装置は、支持デバイス及び処理デバイスを含む。

【図8a】本明細書で説明される実施形態による装置を示す。該装置は、支持デバイス及び処理デバイスを含む。

【図8b】本明細書で説明される実施形態による装置を示す。該装置は、支持デバイス及び処理デバイスを含む。

【図9a】本明細書で説明される実施形態による装置を示す。該装置は、支持デバイス及び処理デバイスを含む。

【図9b】本明細書で説明される実施形態による装置を示す。該装置は、支持デバイス及び処理デバイスを含む。

【図10】本明細書で説明される実施形態による装置を示す。該装置は、基板から切断されたピース（piece）を受け入れるための溝を含む。

【発明を実施するための形態】

【0015】

[0014] 本開示の様々な実施形態について、これより詳細に参照する。これらの実施形態の１以上の実施例は、図面で示されている。図面に関する以下の説明の中で、同じ参照番号は同じ構成要素を指している。概して、個々の実施形態に対する相違のみが説明される。本開示の説明として各実施例が与えられているが、これは本開示を限定することを意図しているわけではない。更に、一実施形態の部分として図示且つ説明されている特徴を、他の実施形態で用いてもよく、或いは他の実施形態と併用してもよい。それにより、更に別の実施形態が生み出される。本説明には、このような修正例及び変形例が含まれることが意図されている。

【0016】

[0015] 本明細書で説明される実施形態は、基板を支持するための支持デバイスに関する。支持デバイスは、水平方向に基板を支持するように構成されてよい。支持デバイスは、基板の下面に減圧又は負圧を加えることによって、基板を適所に保持する。基板が支持デバイスによって保持されている間に、基板を処理することができる。

【0017】

[0016] 本明細書で説明される支持デバイスは、基板を静止位置又は固定位置に保持するように構成された静止支持デバイスとして理解され得る。静止支持デバイスは、例えばコンベヤベルトなどのような、基板を支持している間に基板を輸送する動的支持デバイスとは区別される。

【0018】

[0017] 本明細書で説明されるように、基板は、実質的に平坦な材料片として理解され得る。基板は、ウエハであり得る。基板は、半導体基板又は半導体ウエハ、特にシリコン基板又はシリコンウエハであり得る。例えば、基板は、c-Siウエハであり得る。基板は、実質的に矩形の基板であり得る。「実質的に矩形の」という用語は、例えば、普通であれば矩形の形状を有するはずであるが、丸みを帯びた角を有する基板（「擬似正方形」基板）を含む。本明細書で説明される基板は、プリント回路基板（PCB）用途で使用される基板であり得る。基板は、第１の方向に２０cm以下の長さを有し得及び／又は第２の方向に２０cm以下の長さを有し得る。

【0019】

[0018] シリコン基板などの基板は、薄い材料片であり得る。基板は、１５０μm以下、例えば１２０μm以下、更には１１０μm以下の厚さを有し得る。

【0020】

[0019] 本明細書で説明される実施形態による支持デバイスは、薄いシリコン基板などの基板を、基板が処理されることを可能とするために、固定位置に保持するために使用される。支持デバイスによって保持された基板は、レーザーデバイスなどのような本明細書で説明される処理デバイスによって処理され得る。処理デバイスを使用して、基板に、複数の開口部、すなわち貫通孔を切削又はドリル加工などで形成することができる。処理デバイスを使用して、基板からピース（例えば矩形状のピース）を切断することができる。それによって、複数の開口部が、基板に形成され得る。例えば、図６は、処理デバイスによって複数の開口部が形成された基板６００を示している。

【0021】

[0020] 基板に形成された開口部の幾つかは、比較的大きな開口部、例えば、図６で示されている大きな開口部６１０であってよく、基板の長さ及び／又は幅のそれぞれ５％以上であり得る長さ及び／又は幅を有する。

【0022】

[0021] 更に又は代替的に、処理デバイスによって、比較的小さな開口部が形成され（例えばドリル加工され）得る。例えば、図６で示されているように、処理デバイスは、基板６００にビアなどの小さな開口部６２０を形成することができる。それによって、各大きな開口部６１０は、複数の小さな開口部６２０によって囲まれる。

【0023】

[0022] 幾つかの実施態様では、図６とは異なり、小さな開口部のみが基板に形成され得る。すなわち、大きな開口部は形成されない。しかし、また更なる実施態様では、大きな開口部のみが、基板に形成され得る。

【0024】

[0023] 開口部すなわち小さな開口部及び／又は大きな開口部が基板に形成されるパターンは、基板が使用される用途に応じて、様々な可能なパターンを含み得る。幾つかの実施態様では、基板の開口部が、基板の実質的に全面にわたり分布してよい。

【0025】

[0024] 幾つかの実施態様では、基板に開口部を形成するために基板から除去される材料の総面積又は接合面積が、大きくなり得る。基板から除去される材料の総面積、すなわち、基板が支持デバイスによって支持されている間に基板に形成される開口部の総面積は、基板の面積の４０％以上、５０％以上、又は６０％以上であり得る。本明細書で説明される実施形態による支持デバイスは、疎構造である。それは、基板が切断又はドリル加工プロセスの全体を通して適所に保持されることを確実にしながら、そのような大量の材料が基板から除去されることを可能にする。切断又はドリル加工プロセス中の基板の変位又は基板の振動が、低減され得るか又は回避さえされ得る。このため、高精度で基板に開口部が形成され得る。

【0026】

[0025] 本明細書で説明されるように、大量の材料が基板から除去されると、基板は、基板に形成される複数の開口部のために脆くなり得る。例えば、隣接する開口部６１０の間にある基板の薄い部分が、容易に移動（例えば振動）し得る。そのような部分が適所にしっかりと保持されない場合、そのような部分の振動は、基板にドリル加工される後続の孔の位置に不正確さをもたらす可能性があり、又は基板のこのような薄い部分が破損する可能性さえある。本明細書で説明される実施形態は、基板の全面積にわたり分布する複数の位置で基板に保持力を印加することによって、基板を適所にしっかりと保持することを可能にする。切断プロセス中の基板の変位又は基板の振動は、低減され得るか又は回避さえされ得る。

【0027】

[0026] 更なる実施態様では、開口部の複雑なパターンが基板に形成され得る。基板に形成される特定のパターンは、基板が使用される用途に依存し得る。本明細書で説明される実施形態による支持デバイスの更なる利点は、次のようなものである。すなわち、支持デバイスが疎構造であり、基板と支持デバイスとの間の接触面積が小さく、その結果、基板の大部分が、開口部、すなわち開口部の様々な可能なパターンにおける大きな開口部及び／又は小さな開口部を、内部に形成するために利用できる点である。

【0028】

[0027] 図１は、本明細書で説明される実施形態による、支持デバイス１０の上面図を示している。

【0029】

[0028] 一実施形態によれば、基板を支持するための支持デバイス１０が提供される。支持デバイス１０は、基板受容領域を含む。例えば、図１は、破線１２０によって画定される領域として、基板受容領域を示している。支持デバイス１０は、開口部１３０のアレイを有するパターンとして成形された支持体１１０を含む。支持体１１０は、開口部１３０のアレイの開口部の接合面積が基板受容領域の面積の４０％以上である疎構造である。支持体１１０は、減圧源構成と流体連通するように構成された１以上の吸引開口部１４０を含む。

【0030】

[0029] 本明細書で説明されるような支持デバイス１０は、減圧チャックデバイスとして理解され得る。支持デバイス１０は、１以上の吸引開口部１４０において、支持体１１０に対して基板を吸引することによって、基板を保持するように構成されてよい。基板を保持するための吸引力は、減圧源構成を使用して、１以上の吸引開口部１４０において、負圧を印加することによって提供されてよい。

【0031】

[0030] 本明細書で説明されるように、基板受容領域は、基板を受け入れるように構成された支持デバイス１０の領域として理解され得る。基板受容領域は、実質的に矩形の領域であってよい。

【0032】

[0031] 基板受容領域は、第１の縁部を有してよい。基板受容領域は、第２の縁部を有してよい。第２の縁部は、第１の縁部の反対側であってよい。第１の縁部及び第２の縁部は、第１の方向、例えば図１の左右方向に延在してよい。基板受容領域は、第３の縁部を有してよい。基板受容領域は、第４の縁部を有してよい。第４の縁部は、第３の縁部の反対側であってよい。第３の縁部及び第４の縁部は、実質的に第２の方向、例えば図１の上下方向に延在してよい。基板受容領域の第１の縁部は、支持デバイス１０の支持体１１０の第１の縁部に隣接してよく、それと整列してよく、又はそれと実質的に一致してよい。基板受容領域の第２の縁部は、支持デバイス１０の支持体１１０の第２の縁部に隣接してよく、それと整列してよく、又はそれと実質的に一致してよい。基板受容領域の第３の縁部は、支持デバイス１０の支持体１１０の第３の縁部に隣接してよく、それと整列してよく、又はそれと実質的に一致してよい。基板受容領域の第４の縁部は、支持デバイス１０の支持体１１０の第４の縁部に隣接してよく、それと整列してよく、又はそれと実質的に一致してよい。

【0033】

[0032] 支持体１１０は、外縁を有してよい。支持体１１０の外縁は、支持体１１０の範囲を画定してよい。基板受容領域は、支持体１１０の外縁の内側にあってよく、外縁によって囲まれていてもよい。

【0034】

[0033] 開口部１３０のアレイは、例えば図１で示されているように、基板受容領域の内側にあってよい。基板受容領域は、開口部１３０のアレイを囲む、例えば、図１で示されている破線１２０のような外縁を有してよい。

【0035】

[0034] 開口部１３０のアレイの各開口部は、貫通孔であってよい。支持体１１０は、第１の面及び第２の面を有してよい。支持体１１０は、第１の面において基板を支持するように構成されてよい。第２の面は、第１の面の反対側であってよい。開口部１３０のアレイの各開口部１３０は、支持体１１０を貫通して、第１面から第２の面に延在してよい。

【0036】

[0035] 本明細書で説明される実施形態によれば、支持デバイス１０の支持体１１０は疎構造である。支持体１１０が、疎構造であるということは、支持体１１０が、中間に例えば窓の形態で成形された比較的大きな開口部１３０を有する、比較的薄い材料片から形成されるという意味で理解されてよい。共に取り出された開口部１３０のアレイの全ての開口部によって占められる接合面積は、基板受容領域の比較的大きな部分である。開口部１３０のアレイの開口部の接合面積は、基板受容領域の面積の４０％以上、特に５０％以上、６０％以上、７０％以上、更には８０％以上であってもよい。開口部１３０の接合面積又は総面積は、個々の開口部１３０の面積の合計として理解され得る。例えば、開口部１３０のアレイが合計でＮ個の開口部を有する場合、開口部１３０の接合面積は、Ｎ個の開口部１３０の個々の面積の合計として理解され得る。

【0037】

[0036] 開口部１３０のアレイの各開口部は、基板の支持されていない部分に対応してよい。開口部１３０のアレイの各開口部において、基板は支持体１１０によって支持されていなくてよい。支持体１１０は、支持体１１０によって支持されている基板が複数の支持されていない部分を有するように成形されてよく、複数の支持されていない部分の各支持されていない部分は、開口部１３０のアレイの開口部に面する。複数の支持されていない部分は、支持体１１０によって支持されていなくてよく、接触されていなくてよい。

【0038】

[0037] 本明細書で説明されるように、開口部のアレイ１３０の開口部の接合面積は、支持デバイス１０によって支持されていない基板の複数の部分の接合面積として理解され得る。

【0039】

[0038] 開口部１３０のアレイの開口部の大きな接合面積、すなわち基板受容領域の面積の４０％以上であり得る接合面積に照らして、支持体１１０と支持体１１０によって基板領域内で支持されている基板との間の接触面積は、基板受容領域の面積と比較して小さくてよい。支持体１１０と支持体１１０によって基板領域内で支持されている基板との間の接触面積は、基板受容領域の面積の６０％以下、特に５０％以下、４０％以下、３０％以下、更には２０％以下であってもよい。

【0040】

[0039] 基板の支持されていない部分は、前記部分に開口部を形成するためにレーザーによって処理されるのに利用可能な基板の部分として理解されてよい。基板の支持されていない部分では、レーザーによって開口部が形成され得る。レーザーは、支持体１１０に衝突することなく、支持されていない部分の基板を通過し得る。比較すると、支持体によって支持されている基板の一部分は、レーザーによって処理されるために利用できない場合がある。支持されている一部分において、レーザーは、支持体に衝突し、支持体に損傷を与える。開口部１３０のアレイの開口部の接合面積が、基板受容領域の面積の４０％以上、５０％以上、６０％以上、７０％以上、更には８０％以上などのように大きいときに、基板の大部分は、様々なサイズ、形状、及びパターンで開口部を形成するために利用可能である。本明細書で説明される実施形態による支持デバイスは、様々な可能なパターンで基板に大きな及び／又は小さな開口部を形成するための高程度の柔軟性を提供する。

【0041】

[0040] 開口部１３０のアレイの開口部は、比較的大きな開口部であってよい。開口部１３０のアレイの各開口部１３０は、第１の方向に第１の幅を有してよい。第１の幅は、第1方向における前記基板受容領域の第１の幅の５％以上であってよい。例えば、第１の方向は、図１の左右方向であってよい。更に又は代替的に、開口部１３０のアレイの各開口部１３０は、第２の方向に第２の幅を有してよい。第２の幅は、第２方向における前記基板受容領域の第２の幅の５％以上であってよい。例えば、第２の方向は、図１の上下方向であってよい。これに鑑みて、支持体１１０に支持されている基板は、複数の支持されていない部分を有していてよい。各支持されていない部分は、比較的大きいサイズ、すなわち、基板のサイズの比較的大きい断片であるサイズを有してよい。各支持されていない部分は、第１の方向に第１の幅を有してよい。第１の幅は、第１の向における前記基板受容領域の第１の幅の５％以上であってよい。更に又は代替的に、各支持されていない部分は、第２の方向に第２の幅を有してよい。第２の幅は、第２の方向における前記基板受容領域の第２の幅の５％以上であってよい。

【0042】

[0041] 本明細書で説明されるように、吸引開口部は、吸引開口部において支持体１１０に対して基板を吸引する又は引っ張るための減圧源構成に接続された又は接続可能な支持体１１０内の開口部として理解され得る。１以上の吸引開口部１４０の各吸引開口部は、基板受容領域の外縁の内側、例えば図１で示されている破線１２０の内側に配置され得る。基板は、１以上の吸引開口部１４０の各吸引開口部において、支持体１１０によって支持され、保持され、又はチャックされ得る。本明細書で説明される実施形態によれば、吸引開口部は、基板受容領域の上に分布している。これにより、複数の位置で基板を支持体１１０に吸着することができる。

【0043】

[0042] 図面で示されている吸引開口部は、円形の開口部として概略的に描かれている。なお、本開示は、これに限定されるものではない。吸引開口部は、例えば、薄いスリット状の開口部のような他の形状を有することができる。幾つかの実施態様では、幾つかの（例えば円形の）吸引開口部が、特定の長さの直線的なシーケンスとして互いに隣接して配置され得る。他の実施態様では、特定の長さの細長いスリット状の吸引開口部を設けることができる。

【0044】

[0043] 支持体１１０は、複数のチャネルを含んでよい。複数のチャネルの各チャネルは、１以上の吸引開口部１４０うちのある吸引開口部で終端してよい。各チャネル又はその少なくとも一部分が、支持体１１０の内部に配置されてよい。１以上の吸引開口部１４０の各吸引開口部は、複数のチャネルのうちの１以上のチャネルを介して、減圧源構成と流体連通するように構成されてよい。

【0045】

[0044] 図１は、支持体１１０の外縁よりも小さい、すなわちその範囲内に含まれる、基板受容領域（破線１２０）の一実施例を示している。これは一例であり、限定するものとして解釈されるべきではない。他の構成も可能である。例えば、以下で説明する図１０は、支持体の面積よりも大きい面積を有する、すなわち基板が支持体の境界を越えて延在する、基板６００を示している。そのような場合、基板受容領域の面積は、支持体１１０の面積と一致すると理解されてよい。

【0046】

[0045] 図２は、本明細書で説明される実施形態による、支持デバイス１０の上面図を示している。

【0047】

[0046] 本明細書で説明されるように、支持体１１０の開口部のアレイは、第１の開口部（例えば、図２で示されている開口部１３０ａ）及び第２の開口部（例えば、図２で示されている開口部１３０ｂ）を含んでよい。支持体１１０の１以上の吸引開口部は、第１の開口部と第２の開口部との間の支持体１１０の一部分に、少なくとも１つの吸引開口部（例えば、図２で示されている吸引開口部１４０ａ）を含んでよい。第１の開口部及び第２の開口部は、開口部のアレイの隣接する開口部であってよい。１以上の吸引開口部は、複数の吸引開口部であってよい。複数の吸引開口部は、第１の開口部と第２の開口部との間の支持体１１０の一部分に、２つ以上の吸引開口部を含んでよい。

【0048】

[0047] 開口部のアレイの２つの開口部は、２つの開口部の間に開口部のアレイ１３０の第３の開口部がない場合、隣接する開口部であると理解され得る。例えば、図２で示されている開口部１３０ａ及び開口部１３０ｂは、開口部のアレイの隣接する開口部である。開口部１３０ａ及び開口部１３０ｘは、開口部のアレイの隣接する開口部ではない。

【0049】

[0048] 開口部のアレイの第１の開口部と第２の開口部との間に少なくとも１つの吸引開口部を設けることにより、基板６００を、前記少なくとも１つの吸引開口部において、支持体１１０に対して吸引することができる。第１の開口部の外周内及び／又は第２の開口部の外周内に配置された基板６００のピースが、例えば、本明細書で説明されるような処理デバイス７１０によって基板６００から切断されている間に、基板６００は、第１の開口部と第２の開口部との間の少なくとも１つの吸引開口部にしっかりと保持され得る。切断動作中の基板６００の変位及び／又は振動は、回避され得る。開口部が、高精度で基板６００に形成され得る。

【0050】

[0049] 開口部のアレイ１３０は、第１の開口部（例えば、図２の開口部１３０ａ）を含んでよい。開口部１３０のアレイは、第２の開口部（例えば、図２の開口部１３０ｂ）を含んでよい。第２の開口部は、第１の開口部と隣接していてよい。開口部１３０のアレイは、第３の開口部（例えば、図２の開口部１３０ｃ）を含んでよい。第３の開口部は、第２の開口部と隣接していてよい。開口部１３０のアレイは、第４の開口部（例えば、図２の開口部１３０ｄ）を含んでよい。第４の開口部は、第３の開口部及び第１の開口部と隣接していてよい。

【0051】

[0050] 第１の開口部、第２の開口部、第３の開口部、及び第４の開口部は、例えば図２で示されているように、開口部の二次元マトリクス、特に２×２のマトリクスを形成してよい。

【0052】

[0051] １以上の吸引開口部１４０は、第１の開口部と第２の開口部との間の支持体１１０の一部分に、少なくとも１つの吸引開口部（例えば、図２で示されている吸引開口部１４０ａ）を含んでよい。更に又は代替的に、１以上の吸引開口部１４０は、第２の開口部と第３の開口部との間の支持体１１０の一部分に、少なくとも１つの吸引開口部（例えば、図２で示されている吸引開口部１４０ｂ）を含んでよい。更に又は代替的に、１以上の吸引開口部１４０は、第３の開口部と第４の開口部との間の支持体１１０の一部分に、少なくとも１つの吸引開口部（例えば、図２で示されている吸引開口部１４０ｃ）を含んでよい。更に又は代替的に、１以上の吸引開口部１４０は、第４の開口部と第１の開口部との間の支持体１１０の一部分に、少なくとも１つの吸引開口部（例えば、図２で示されている吸引開口部１４０ｄ）を含んでよい。

【0053】

[0052] １以上の吸引開口部１４０のうちの少なくとも１つの吸引開口部又は２つ以上の吸引開口部が、開口部１３０のアレイの任意の２つの隣接する開口部の間の支持体１１０に設けられてよい。例えば、図２で示されている支持デバイス１０は、開口部１３０のアレイの隣接する開口部の任意の対の間にそれぞれの１つの吸引開口部を有する。開口部１３０の外周の内側に配置された基板６００のピースが基板６００から切断されている間に、基板６００は、隣接する開口部１３０の間のそれぞれの１つの吸引開口部にしっかりと保持され得る。切断動作中の基板６００の変位及び／又は振動は、回避され得る。開口部が、高精度で基板６００に形成され得る。

【0054】

[0053] 開口部１３０のアレイの１以上の特に２つ以上の開口部は、各々、１以上の吸引開口部のうちの幾つかの吸引開口部によって囲まれていてよい。開口部１３０のアレイの各開口部は、１以上の吸引開口部のうちの幾つかの吸引開口部によって囲まれていてよい。

【0055】

[0054] 開口部１３０のアレイの開口部１３０が、幾つかの吸引開口部によって囲まれる場合、４つ、６つ、８つ、又はそれより多い吸引開口部１４０が、開口部１３０を囲んでよい。開口部１３０を囲む吸引開口部は、開口部１３０と、それに隣接する開口部１３０のアレイの他の開口部と、の間に配置されてよい。例えば、図２では、８つの吸引開口部が、各開口部１３０を囲んでいる。

【0056】

[0055] 開口部１３０のアレイの開口部１３０を幾つかの吸引開口部で囲むことによって、基板６００が、開口部１３０を囲む領域にしっかりと保持され得る。配置されている基板６００の１以上のピースが、開口部１３０の外周内の基板６００から切断されている間に、基板は、開口部１３０を囲む吸引開口部において、支持体１１０に対して吸引され得る。切断動作中の基板６００の変位及び／振動は、開口部１３０を囲む領域で回避され得る。開口部が、高精度で基板６００に形成され得る。

【0057】

[0056] 支持体１１０は、開口部１３０のアレイを囲むフレーム部分を含んでよい。フレーム部分は、基板受容領域において基板６００を支持するように構成されてよい。例えば、図２に関して、フレーム部分は、９つの白い矩形、すなわち開口部１３０のアレイの９つの開口部を囲む支持体の一部分として理解されてよい。

【0058】

[0057] １以上の吸引開口部１４０は、フレーム部分に設けられた１以上の特に複数の外側吸引開口部を含んでよい。１以上の外側吸引開口部は、開口部１３０のアレイを囲んでよい。複数の外側吸引開口部は、１０個、２０個、又はそれより多い数の吸引開口部を含んでよい。例えば、図２に関して、外側吸引開口部は、開口部１３０のアレイの９つの開口部を囲む２４個の開口部として理解され得る。

【0059】

[0058] 支持体１１０の開口部のアレイは、本明細書で説明されるように、第１の開口部（例えば、開口部１３０ａ）及び第２の開口部（例えば、開口部１３０ｂ）を含んでよい。第１の開口部は、第２の開口部に隣接していてよい。支持体１１０は、第１開口部と第２開口部との間に支持部分を含んでよい。支持部分は、基板６００を支持する、特に基板６００と接触するように構成されてよい。

【0060】

[0059] 開口部１３０のアレイは、本明細書で説明されるように、第３の開口部（例えば、開口部１３０ｃ）及び第４の開口部（例えば、開口部１３０ｄ）を含んでよい。第２の開口部は、第３の開口部に隣接していてよい。第３の開口部は、第４の開口部に隣接していてよい。第４の開口部は、第１の開口部に隣接していてよい。支持体１１０は、第２開口部と第３開口部との間に支持部分を含んでよい。支持部分は、基板６００を支持する、特に基板６００と接触するように構成されてよい。支持体１１０は、第３の開口部と第４の開口部との間に支持部分を含んでよい。支持部分は、基板６００を支持する、特に基板６００と接触するように構成されてよい。支持体１１０は、第４の開口部と第１の開口部との間に支持部分を含んでよい。支持部分は、基板６００を支持する、特に基板６００と接触するように構成されてよい。

【0061】

[0060] 支持体１１０は、開口部１３０のアレイの任意の２つの隣接する開口部の間に支持部分を含んでよい。２つの隣接する開口部の間の各支持部分は、基板６００を支持する、特に基板６００と接触するように構成されてよい。

【0062】

[0061] 開口部１３０のアレイは、第１の方向（例えば、図２の左右方向）及び第２の方向（例えば、図２の上下方向）に延在してよい。

【0063】

[0062] 開口部のアレイ１３０は、開口部の二次元アレイであってよい。開口部の二次元アレイは、開口部のマトリクスとして理解され得る。

【0064】

[0063] 開口部のアレイ１３０は、複数の開口部の行を含んでよく、各行は第１の方向に延在する。開口部の各行は、幾つかの開口部を含んでよい。開口部の各行は、行の第１の開口部から行の最後の開口部まで、第１の方向に延在してよい。第１の方向にある各行は、３個以上、特に５個以上、更に特に１０個以上の開口部を含んでよい。

【0065】

[0064] 開口部のアレイ１３０は、複数の開口部の列を含んでよく、各列は第２の方向に延在する。開口部の各列は、幾つかの開口部を含んでよい。開口部の各列は、列の第１の開口部から列の最後の開口部まで、第２の方向に延在してよい。第２の方向にある各列は、３個以上、特に５個以上、より特に１０個以上の開口部を含んでよい。

【0066】

[0065] 支持体１１０は、格子状に成形されてよい。支持体１１０は、第１の複数の細長い支持部分を含んでよい。それらの各々は、支持体１１０の第１の側から、第１の側の反対の支持体１１０の第２の側まで延在する。例えば、図２では、第１の複数の細長い支持部分が、支持体１１０の左縁部と右縁部との間で延在する４つの帯状部分として理解され得る。支持体１１０は、第２の複数の細長い支持部分を含んでよい。それらの各々は、支持体１１０の第３の側から、第３の側の反対の支持体の第４の側まで延在する。例えば、図２では、第２の複数の細長い支持部分が、支持体１１０の上側縁部と下側縁部との間で延在する４つの帯状部分として理解され得る。第１の複数の細長い支持部分のうちの細長い支持部分は、第１の方向（例えば、図２の左右方向）に延在してよい。第２の複数の細長い支持部分のうちの細長い支持部分は、第２の方向（例えば、図２の上下方向）に延在してよい。

【0067】

[0066] 開口部１３０のアレイの隣接する開口部は、第１の複数の細長い支持部分のうちの細長い支持部分によって、及び／又は、第２の複数の細長い支持部分のうちの細長い支持部分によって、互いから分離されてよい。

【0068】

[0067] 開口部１３０のアレイの各開口部１３０は、第１の複数の細長い支持部分のうちの２つの細長い支持部分の間に配置されてよい。開口部１３０は、２つの細長い支持部分のうちの一方の細長い支持部分から、２つの細長い支持部分のうちの他方の細長い支持部分まで延在してよい。

【0069】

[0068] 更に又は代替的に、開口部１３０のアレイの各開口部１３０は、第２の複数の細長い支持部分のうちの２つの細長い支持部分の間に配置されてよい。開口部は、２つの細長い支持部分のうちの一方の細長い支持部分から、２つの細長い支持部分のうちの他方の細長い支持部分まで延在してよい。

【0070】

[0069] 図３、図４、及び図５は、本明細書で説明される実施形態による支持デバイス１０を示している。

【0071】

[0070] 開口部１３０のアレイは、４個以上、９個以上、１６個以上、又は２５個以上の開口部を含んでよい。

【0072】

[0071] 図面で概略的に示されている例示的な支持体は、Ｎ×Ｎマトリクス状に配列されたＮ^２個の開口部１３０を有する正方形の設計を有し、全ての開口部１３０は同じサイズを有する。本明細書で説明される実施形態は、そのような対称設計に限定されない。例えば、開口部１３０のアレイの異なる開口部１３０は、異なるサイズを有し得る。開口部１３０は、正方形とは異なる形状を有し得る。支持体１１０は、正方形状を有する必要はない。などである。

【0073】

[0072] 図６は、本明細書で説明される実施形態による支持デバイス１０を示している。図６は、図６で示されている支持体１１０によって囲まれるように構成された基板６００を示している。基板６００は、基板受容領域内に受容されるように構成されている。破線１２０によって示されている基板受容領域のサイズは、基板６００のサイズと一致する。

【0074】

[0073] 本明細書で説明されるように、基板６００は、複数の大きな開口部６１０及び複数の小さな開口部６２０又はビアを含み得る。大きな開口部６１０及び小さな開口部６２０は、基板６００を基板受容領域内で支持デバイス１０によって支持しながら、処理デバイスによって基板６００に形成され得る。開口部１３０のアレイの位置は、基板６００に形成された各大きな開口部６１０及び各小さな開口部６２０が、開口部１３０のアレイの開口部の外縁の内側にあることを示すために、基板６００上の破線で示されている。例えば、図６で示されているように、４つの大きな開口部などの幾つかの大きな開口部６１０は、開口部１３０のアレイの単一の開口部１３０の外周の範囲内に形成され得る。各大きな開口部６１０は、２０個以上、５０個以上、又は１００個以上の小さな開口部などのような、幾つかの小さな開口部６２０によって囲まれ得る。各小さな開口部６２０は、開口部１３０のアレイの開口部１３０の外縁の内側に形成される。

【0075】

[0074] 更なる一実施形態によれば、基板６００を支持するための支持デバイス１０が提供される。支持デバイス１０は、開口部１３０のアレイを有する支持体１１０を含む。支持体１１０は、格子形状の支持体である。開口部１３０のアレイは、開口部の二次元アレイである。支持体１１０は、支持体１１０内に１以上の吸引開口部１４０を含む。支持デバイス１０は、本明細書で説明されるような支持デバイスの全ての構成要素、特徴、及び態様を含み得る。

【0076】

[0075] 図７は、本明細書で説明される実施形態による、基板６００を処理するための装置７００の側面図を示している。

【0077】

[0076] 更なる一実施形態によれば、基板６００を処理するための装置７００が提供される。装置７００は、本明細書で説明されるような支持デバイス１０を含む。装置７００は、支持デバイス１０の支持体１１０によって支持された基板６００に複数の開口部を形成する（例えば切断する又はドリル加工する）ための処理デバイス７１０を含む。

【0078】

[0077] 本明細書で説明されるような処理デバイス７１０は、レーザーデバイスであってよい。処理デバイス７１０は、支持体１１０によって基板受容領域内に保持された基板６００の上にレーザービーム７１２を向けるように構成されてよい。処理デバイス７１０は、基板６００から開口部（例えば、図６で示されている大きな開口部６１０などのような矩形の開口部）を切断するために、基板６００に対してレーザービームを移動させるように構成されてよい。処理デバイス７１０は、基板に、図６で示されている小さな開口部６２０などのような小さな開口部又はビアを形成（特にドリル加工）するように構成されてよい。

【0079】

[0078] 支持体１１０によって支持されている基板６００は、処理デバイス７１０によって処理されてよい。基板６００の第１の部分（例えば、矩形の部分）が、開口部１３０のアレイの開口部１３０にわたり配置されてよく、又はそれに面してよい。第１の部分は、基板６００の支持されていない部分であってよい。第１の部分は、開口部１３０の外周によって包囲される、すなわちその内側にフィットする領域を有してよい。例えば、基板６００の第１の部分は、第１の矩形として成形されてよく、開口部１３０は、第２の矩形として成形されてよく、第１の矩形は、第２の矩形の範囲内に完全にフィットするが、そのような意図に限定するものではない。処理デバイス７１０は、基板から第１の部分を切り出すために、第１の部分の周囲に沿って基板６００を切断してよい。対応する開口部が、基板６００に形成される。切断動作中、処理デバイス７１０から発されるレーザービーム７１２が、基板６００及び開口部１３０を通過してよい。レーザービーム７１２は、支持体１１０に衝突しなくてよい。支持体１１０の損傷は回避される。切断動作が完了した後で、基板６００から切断されたピースが開口部１３０を通って落下してよい。

【0080】

[0079] 本明細書で説明される実施形態による装置７００は、制御システムを含んでよい。制御システムは、処理デバイス７１０によって発されるレーザービーム７１２の移動を制御するように構成又はプログラムされてよい。制御システムは、レーザービーム７１２が、開口部１３０のアレイの開口部１３０に面する基板の一部分内で基板６００の上に衝突するように、レーザービーム７１２の移動を制御するように構成されてよい。制御システムは、レーザービーム７１２が、支持体１１０の上に衝突しないように、レーザービームの移動を制御するように構成されてよい。これにより、支持体１１０の損傷を防止することができる。

【0081】

[0080] 例えば、図６に関して、処理装置によって発されるレーザービームは、開口部１３０のアレイを表す白い矩形の内側の領域を移動するように制御されてよく、支持体１１０を表すハッシュ領域に衝突しないように制御されてもよい。このため、開口部１３０の外縁の内側に、大きな開口部６１０及び小さな開口部６２０が形成され得る。

【0082】

[0081] 本明細書で説明される実施形態による装置７００は、減圧源構成７２０を含んでよい。１以上の吸引開口部１４０が、特に基板を支持体１１０に対してチャックするために、減圧源構成と流体連通してよい。

【0083】

[0082] 図８ｂは、本明細書で説明される実施形態による装置７００の断面を側面図で示している。断面は、図８ａで示されている線に沿って切り取られている。

【0084】

[0083] 開口部１３０のアレイの開口部は、支持体１１０の貫通孔であり得る。基板６００は、開口部１３０のアレイの開口部に面する領域において支持されていない。開口部１３０のアレイの隣接する開口部の間に、基板６００を支持する支持体の一部分が設けられている。

【0085】

[0084] 図９ａ～ｂは、本明細書で説明される実施形態による装置７００を示している。

【0086】

[0085] 本明細書で説明される実施形態による装置７００は、容器９１０を含み得る。容器９１０は、支持体１１０の下方に配置され得る。容器９１０は、処理デバイス７１０によって基板６００から切断された基板６００のピースを受け入れるように構成され得る。容器９１０は、基板６００のピースを蓄えるように構成され得る。

【0087】

[0086] 図９ａは、基板６００の第１のピース９５２が処理デバイス７１０によって基板６００から切断された後に、開口部１３０のうちの１つを通って容器９１０の中に落下した第１のピース９５２を示している。図９ｂは、基板６００の第２のピース９５４が処理デバイス７１０によって基板６００から切断された後に、開口部１３０のうちの別の１つを通って容器９１０の中に落下した第２のピース９５４を示している。

【0088】

[0087] 図１０は、本明細書で説明される実施形態による装置７００を示している。

【0089】

[0088] 本明細書で説明される実施形態による支持体１１０は、例えば図１０で示されているように、支持体を越えて延在する基板６００を受容するように構成されてよい。基板６００は、支持体１１０の面積よりも大きい面積を有してよい。

【0090】

[0089] 本明細書で説明される実施形態による装置７００は、１以上の溝１０１０を含んでよい。１以上の溝１０１０は、支持体１１０の下方に配置されてよい。１以上の溝１０１０の各溝は、支持体１１０の縁部領域の下に配置されてよい。１以上の溝１０１０は、処理デバイス７１０によって基板６００から切断されたピース、特に縁部のピースを受け入れるように配置されてよい。例えば、処理デバイス７１０は、基板６００から縁部のピース、例えば、基板の縁部のうちの１つにおける薄い帯状部分を切断するように構成されてよい。縁部のピースが基板６００から切断された後で、縁部のピースは、１以上の溝１０１０のうちの１つの溝の中に落下してよい。縁部のピースは、容器９１０によって受け取られてよい。

【0091】

[0090] 本明細書で説明される実施形態による支持デバイス１０は、交換可能な支持デバイスであってよい。本明細書で説明される実施形態による装置７００は、本明細書で説明される実施形態による第１の支持デバイス、及び本明細書で説明される実施形態による第２の支持デバイスを含んでよい。第２の支持デバイスの開口部１３０のアレイによって形成されるパターンは、第１の支持デバイスの開口部１３０のアレイによって形成されるパターンとは異なってよい。例えば、第２の支持デバイスの開口部１３０のアレイは、第１の支持デバイスの開口部１３０のアレイとは異なる数の開口部を有してよい。その観点から、基板に形成されるべき開口部の特定のパターンに応じて、適切な支持デバイスが選択され得る。

【0092】

[0091] 更なる一実施形態によれば、基板６００を処理する方法が提供される。該方法は、支持体１１０によって基板６００を支持することを含む。基板６００の面積の４０％以上の接合面積を有する基板６００の複数の部分が支持されない。例えば、図８ｂは、支持されていない基板６００の複数の部分８１０を示している。該方法は、基板６００を１以上の吸引開口部１４０において支持体１１０に吸引することを含む。基板６００、支持体１１０、及び１以上の吸引開口部１４０は、本明細書で説明される態様のうちのいずれかによる基板、支持体、及び１以上の吸引開口部であり得る。

【0093】

[0092] 基板６００の支持されていない部分、例えば図８ｂで示されている一部分８１０は、基板６００が支持体１１０又は他の支持構成要素によって支持されていない又はそれと接触しない、基板６００の一部分として理解されてよい。

【0094】

[0093] 本明細書で説明されるように、基板６００の複数の支持されていない部分は、互いから間隔を空けられた基板６００の複数の支持されていない部分又は領域であってよい。

【0095】

[0094] 基板６００の複数の支持されていない部分は、基板６００の面積の４０％以上、特に５０％以上、６０％以上、７０％以上、更には８０％以上の接合面積を有してよい。用語「接合面積」又は「総面積」は、基板６００の個々の支持されていない部分の面積の合計として理解されてよい。基板６００のＮ個の部分が支持されていない場合、支持されていない部分の接合面積は、Ｎ個の個々の面積の合計として理解され得る。各個別の面積は、基板６００の対応する支持されていない部分の面積である。

【0096】

[0095] 基板６００の複数の支持されていない部分の各々は、第１の方向において第１の幅を有してよい。第１の幅は、第１の方向における基板６００の第１の幅の５％以上である。基板６００の複数の支持されていない部分の各支持されていない部分は、第２の方向において第２の幅を有してよい。第２の幅は、第２の方向における基板の第２の幅の５％以上である。

【0097】

[0096] 基板６００の複数の支持されていない部分は、本明細書で説明されるような基板受容領域の外縁の内側に配置されてよい。例えば、複数の支持されていない部分は、図１で示されている破線１２０の内側に配置されてよい。

【0098】

[0097] 支持体１１０は、本明細書で説明されるような開口部１３０のアレイを有するパターンとして成形されてよい。開口部１３０のアレイの各開口部は、基板６００の支持されていない部分に対応してよく、又はそれと面してよい。

【0099】

[0098] 基板６００の複数の支持されていない部分は、支持されていない部分の二次元アレイであってよい。

【0100】

[0099] 基板６００の１以上の、特に２つ以上の、更に特に各々の支持されてない部分は、基板の実質的に矩形の部分であってよい。

【0101】

[00100] 基板６００の複数の支持されていない部分は、第１の支持されていない部分及び第２の支持されていない部分を含んでよい。第１の支持されていない部分は、支持体１１０の開口部１３０のアレイの第１の開口部に面してよい。第２の支持されていない部分は、支持体１１０の開口部１３０のアレイの第２の開口部に面してよい。第１の開口部及び第２の開口部は、開口部１３０のアレイの隣接する開口部であってよい。第１の支持されていない部分は、第２の支持されていない部分から間隔を空けられてよく、又は離隔していてよい。本明細書で説明されるように、１以上の吸引開口部１４０は、第１の支持されていない部分と第２の支持されていない部分との間に、少なくとも１つの吸引開口部を含んでよい。

【0102】

[00101] 基板６００の複数の支持されていない部分は、第３の支持されていない部分及び／又は第４の支持されていない部分を含んでよい。第３の支持されていない部分は、支持体１１０の開口部１３０のアレイの第３の開口部に面してよい。開口部のアレイ１３０の第３の開口部は、開口部１３０のアレイの第２の開口部に隣接していてよい。第４の支持されていない部分は、支持体１１０の開口部１３０のアレイの第４の開口部に面してよい。開口部のアレイ１３０の第４の開口部は、開口部１３０のアレイの第３の開口部及び第１の開口部に隣接していてよい。１以上の吸引開口部１４０は、第２の支持されていない部分と第３の支持されていない部分との間に、少なくとも１つの吸引開口部を含んでよい。１以上の吸引開口部１４０は、第３の支持されていない部分と第４の支持されていない部分との間に、少なくとも１つの吸引開口部を含んでよい。１以上の吸引開口部１４０は、第４の支持されていない部分と第１の支持されていない部分との間に、少なくとも１つの吸引開口部を含んでよい。

【0103】

[00102] 基板６００の１以上の、特に２つ以上の、更に特に各々の支持されていない部分は、１以上の吸引開口部１４０のうちの幾つかの吸引開口部、例えば、４つ、６つ、８つ、又はそれより多い吸引開口部によって囲まれてよい。

【0104】

[00103] １以上の吸引開口部１４０は、基板６００の縁部領域に沿って延在する複数の外側吸引開口部を含んでよい。基板６００の複数の支持されていない部分の各支持されていない部分は、複数の外側吸引開口部によって囲まれてよい。

【0105】

[00104] 本明細書で説明される実施形態による方法は、基板６００の第１の支持されていない部分に１以上の開口部を形成することを含んでよい。１以上の開口部は、貫通孔であってよい。第１の支持されていない部分は、支持体１１０の開口部１３０のアレイの第１の開口部に面していてよい。１以上の開口部は、本明細書で説明されるような処理デバイス７１０を使用して形成されてよい。１以上の開口部を形成することは、レーザービームを基板６００の第１の支持されていない部分の上に向けることを含んでよい。レーザービームは、基板６００の第１の支持されていない部分を貫通して切断してよい。レーザービームは、支持体１１０の開口部１３０のアレイの第１の開口部を通過してよい。

【0106】

[00105] 第１の支持されていない部分に１以上の開口部を形成することは、第１の支持されていない部分に複数の開口部を形成することを含んでよい。複数の開口部は、大きな開口部６１０、及び大きな開口部６１０を囲む複数の小さな開口部６２０又はビアを含んでよい。

【0107】

[00106] 本明細書で説明される実施形態による方法は、基板６００の第２の支持されていない部分に、１以上の開口部、特に貫通孔を形成することを含んでよい。第２の支持されていない部分は、第１の支持されていない部分から間隔を空けられてよい。第２の支持されていない部分は、支持体１１０の開口部１３０のアレイの第２の開口部に面してよい。

【0108】

[00107] 基板６００の第２の支持されていない部分における１以上の開口部は、本明細書で説明されるような処理デバイス７１０を使用して形成されてよい。１以上の開口部を形成することは、レーザービームを基板６００の第２の支持されていない部分の上に向けることを含んでよい。レーザービームは、基板６００の第２の支持されていない部分を貫通して切断してよい。レーザービームは、支持体１１０の開口部１３０のアレイの第２の開口部を通過してよい。

【0109】

[00108] 本明細書で説明される実施形態による方法は、基板６００の９個以上、１６個以上、又は２５個以上の支持されていない部分の各々に、１以上のそれぞれの開口部を形成することを含んでよい。開口部は、貫通孔であってよい。支持されていない部分の各々は、開口部１３０のアレイのそれぞれの開口部に面していてよい。

【0110】

[00109] 本明細書で説明されるような基板６００を処理するための方法の実施形態は、本明細書で説明される実施形態による支持デバイス１０及び／又は装置７００によって実行され得る。

【0111】

[00110] 更なる一実施形態によれば、半導体基板が提供される。半導体基板は、開口部の二次元アレイを含む。開口部の二次元アレイの開口部の接合面積は、半導体基板の面積の４０％以上である。半導体基板は、図６で示されている基板６００などの、本明細書で説明されるような基板６００であってよい。

【0112】

[00111] 開口部の二次元アレイの開口部の接合面積は、半導体基板の面積の４０％以上、特に５０％以上、又は更には６０％以上である。基板の開口部の二次元アレイについての「接合面積」という概念は、上述のような支持体１１０の開口部１３０のアレイについての「接合面積」という概念から類推される。

【0113】

[00112] 開口部の二次元アレイの開口部は、半導体基板の貫通孔であってよい。

【0114】

[00113] 半導体基板は、シリコン基板であり得る。更に又は代替的に、半導体基板は半導体ウエハであり得る。更に又は代替的に、半導体基板は、１５０μm以下、例えば１２０μm以下、又は更には１１０μm以下の厚さを有し得る。

【0115】

[00114] 半導体基板の開口部の二次元アレイは、複数の大きな開口部６１０、例えば、２０個以上、５０個以上、又は１００個以上の大きな開口部を含んでよい。各大きな開口部は、実質的に矩形の開口部であってよい。

【0116】

[00115] 半導体基板の開口部の二次元アレイは、複数の小さな開口部６２０、例えば、１００個以上、３００個以上、又は８００個以上の小さな開口部を含んでよい。小さな開口部の数は、大きな開口部の数よりも多くてよい。小さな開口部は、ビアとして理解されてよい。

【0117】

[00116] 本明細書で説明されるように、小さな開口部６２０は、本明細書で説明されるような大きな開口部６１０の直径の１％以下である直径を有してよい。

【0118】

[00117] 複数の大きな開口部の各大きな開口部は、幾つかの小さな開口部によって囲まれてよい。例えば、複数の大きな開口部の各大きな開口部は、５０個以上、特に１００個以上の小さな開口部によって囲まれてよい。

【0119】

[00118] 小さな開口部の直線的アレイが、任意の２つの隣接する大きな開口部の間に形成されてよい。２つの大きな開口部は、２つの大きな開口部の間に更なる大きな開口部が存在しない場合、隣接していると理解され得る。

【0120】

[00119] 半導体基板の開口部の二次元アレイは、第１の方向（例えば、図６の左右方向）及び第２の方向（例えば、図６の上下方向）に延在してよい。開口部の二次元アレイは、開口部のマトリクスとして理解され得る。

【0121】

[00120] 半導体基板の開口部の二次元アレイは、開口部の複数の行を含んでよい。各行は第１の方向に延在する。開口部の各行は、幾つかの開口部を含んでよい。開口部の各行は、その行の第１の開口部からその行の最後の開口部まで、第１の方向に延在してよい。各行は、３個以上、特に９個以上、更に特に２０個以上の開口部を含んでよい。

【0122】

[00121] 半導体基板の開口部の二次元アレイは、複数の列を含んでよい。各列は第２の方向に延在する。開口部の各列は、幾つかの開口部を含んでよい。開口部の各列は、その列の第１の開口部からその列の最後の開口部まで、第２の方向に延在してよい。各列は、３個以上、特に９個以上、更に特に２０個以上の開口部を含んでよい。

【0123】

[00122] 本明細書で説明される実施形態による半導体基板は、本明細書で説明される方法、支持デバイス、及び／又は装置の実施形態を使用して製造され得る。

【0124】

[00123] 以上の記述は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱せずに本開示の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されてよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって規定される。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8a】

【図8b】

【図9a】

【図9b】

【図10】

【手続補正書】

【提出日】2022-09-07

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を支持するための支持デバイスであって、
基板受容領域、及び
開口部の二次元アレイを有するパターンとして成形された支持体であって、前記開口部の二次元アレイの前記開口部の接合面積が、前記基板受容領域の面積の４０％以上である、疎構造である支持体を備え、
前記支持体は、減圧源構成と流体連通するように構成された複数の吸引開口部を含み、
前記開口部の二次元アレイは、第１の開口部及び第２の開口部を含み、前記第１の開口部と前記第２の開口部とは、前記開口部の二次元アレイの隣接した開口部であり、前記複数の吸引開口部は、前記第１の開口部と前記第２の開口部との間の前記支持体の一部分に少なくとも１つの吸引開口部を含む、支持デバイス。

【請求項2】

前記開口部の二次元アレイの各開口部は、第１の方向に第１の幅を有し、前記第１の幅は、前記第１の方向における前記基板受容領域の第１の幅の５％以上である、請求項１に記載の支持デバイス。

【請求項3】

前記開口部の二次元アレイの各開口部は、第２の方向に第２の幅を有し、前記第２の幅は、前記第２の方向における前記基板受容領域の第２の幅の５％以上である、請求項１又は２に記載の支持デバイス。

【請求項4】

前記開口部の二次元アレイは、第３の開口部及び第４の開口部を含み、前記第１の開口部、前記第２の開口部、前記第３の開口部、及び前記第４の開口部は、開口部の２×２マトリクスを形成し、
前記複数の吸引開口部は、前記第２の開口部と前記第３の開口部との間の前記支持体の一部分に少なくとも１つの吸引開口部を含み、
前記複数の吸引開口部は、前記第３の開口部と前記第４の開口部との間の前記支持体の一部分に少なくとも１つの吸引開口部を含み、
前記複数の吸引開口部は、前記第４の開口部と前記第１の開口部との間の前記支持体の一部分に少なくとも１つの吸引開口部を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の支持デバイス。

【請求項5】

前記複数の吸引開口部のうちの少なくとも１つの吸引開口部は、前記開口部の二次元アレイの任意の２つの隣接する開口部の間の前記支持体に設けられている、請求項１から４のいずれか一項に記載の支持デバイス。

【請求項6】

前記支持体は、前記開口部の二次元アレイの任意の２つの隣接する開口部の間の、前記基板を支持するように構成された支持部分を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の支持デバイス。

【請求項7】

前記開口部の二次元アレイの各開口部は、前記複数の吸引開口部のうちの幾つかの吸引開口部によって囲まれている、請求項１から６のいずれか一項に記載の支持デバイス。

【請求項8】

前記支持体は、前記開口部の二次元アレイを囲むフレーム部分を含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の支持デバイス。

【請求項9】

前記複数の吸引開口部は、前記フレーム部分に設けられた１以上の外側吸引開口部を含み、前記１以上の外側吸引開口部は、前記開口部の二次元アレイを囲む、請求項８に記載の支持デバイス。

【請求項10】

前記支持体は、二次元格子状に成形されている、請求項１から９のいずれか一項に記載の支持デバイス。

【請求項11】

基板を支持するための支持デバイスであって、
開口部の二次元アレイを有する格子形状の支持体、及び
前記格子形状の支持体内の複数の吸引開口部を備え、
前記開口部の二次元アレイは、第１の開口部及び第２の開口部を含み、前記第１の開口部と前記第２の開口部とは、前記開口部の二次元アレイの隣接した開口部であり、前記複数の吸引開口部は、前記第１の開口部と前記第２の開口部との間の前記支持体の一部分に少なくとも１つの吸引開口部を含む、支持デバイス。

【請求項12】

基板を処理するための装置であって、
請求項１から１１のいずれか一項に記載の支持デバイス、及び
前記支持デバイスの前記支持体によって支持された基板に複数の開口部を形成するための処理デバイスを備える、装置。

【請求項13】

基板を処理する方法であって、
開口部の二次元アレイを有するパターンとして成形された支持体によって基板を支持することであって、前記基板の面積の４０％以上の接合面積を有する前記基板の複数の部分が支持されていない、基板を支持すること、及び
前記基板を複数の吸引開口部において前記支持体に吸引することを含み、
前記基板の複数の支持されていない部分が、前記支持体の前記開口部の二次元アレイの第１の開口部に面する第１の支持されていない部分及び前記支持体の前記開口部の二次元アレイの第２の開口部に面する第２の支持されていない部分を含み、前記第１の開口部と前記第２の開口部とは、前記開口部の二次元アレイの隣接する開口部であり、前記複数の吸引開口部は、前記第１の支持されていない部分と前記第２の支持されていない部分との間に少なくとも１つの吸引開口部を含む、方法。

【請求項14】

前記基板の前記第１の支持されていない部分と前記第２の支持されていない部分とのうちの少なくとも一方に１以上の開口部を形成することを更に含む、請求項１３に記載の方法。

【請求項15】

開口部の二次元アレイを含む半導体基板であって、前記開口部の二次元アレイの前記開口部の接合面積が、前記半導体基板の面積の４０％以上である、半導体基板。

【国際調査報告】