特表 2023-518622 表示基板及びその製造方法、表示マザーボード並びに表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2023-05-08

(54)【発明の名称】表示基板及びその製造方法、表示マザーボード並びに表示装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20230426BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20230426BHJP

   H10K 59/10 20230101ALI20230426BHJP

   H10K 77/10 20230101ALI20230426BHJP

   H10K 71/00 20230101ALI20230426BHJP

   H10K 50/84 20230101ALI20230426BHJP

   H10K 50/88 20230101ALI20230426BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 348A

G09F9/30 308Z

G09F9/30 338

G09F9/00 338

G09F9/30 309

H10K59/10

H10K77/10

H10K71/00

H10K50/84

H10K50/88

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2021569177

(86)(22)【出願日】2020-06-10

(85)【翻訳文提出日】2021-11-19

(86)【国際出願番号】 CN2020095426

(87)【国際公開番号】W WO2021189669

(87)【国際公開日】2021-09-30

(31)【優先権主張番号】PCT/CN2020/080700

(32)【優先日】2020-03-23

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】510280589

【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ Ｊｉｕｘｉａｎｑｉａｏ Ｒｄ．，Ｃｈａｏｙａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００１５，ＣＨＩＮＡ

(71)【出願人】

【識別番号】511121702

【氏名又は名称】成都京東方光電科技有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＣＨＥＮＧＤＵ ＢＯＥ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１１８８，Ｈｅｚｕｏ Ｒｄ．，（Ｗｅｓｔ Ｚｏｎｅ），Ｈｉ－ｔｅｃｈ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｚｏｎｅ，Ｃｈｅｎｇｄｕ，Ｓｉｃｈｕａｎ，６１１７３１，Ｐ．Ｒ．ＣＨＩＮＡ

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】▲韓▼ 林宏

(72)【発明者】

【氏名】于 ▲鵬▼▲飛▼

(72)【発明者】

【氏名】▲劉▼ 庭良

(72)【発明者】

【氏名】▲張▼ 毅

(72)【発明者】

【氏名】秦 世▲開▼

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

5G435

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC23

3K107CC45

3K107DD17

3K107DD19

3K107DD38

3K107DD39

3K107DD88

3K107DD90

3K107DD92

3K107EE41

3K107FF15

3K107GG52

5C094AA42

5C094BA03

5C094BA27

5C094CA19

5C094DA06

5C094DA07

5C094DA15

5C094FA01

5C094FA02

5C094FA03

5C094FA04

5C094FB02

5C094GB10

5C094HA08

5C094JA08

5C094JA09

5G435AA17

5G435BB05

5G435CC09

5G435HH20

5G435KK05

5G435LL04

5G435LL08

(57)【要約】

表示基板を提供する。表示基板はフレキシブル基板（１０）、及びフレキシブル基板（１０）に設けられる複合絶縁層を備え、表示基板のエッジ領域（５００）はフレキシブル基板（１０）及び複合絶縁層から形成される段差構造を備え、段差構造において段差の高さは表示基板のエッジから表示基板の内部への方向に順に増加し、エッジ領域（５００）は段差構造を被覆する第１平坦層（２０）を更に備え、第１平坦層（２０）のエッジはフレキシブル基板（１０）のエッジと面一である。表示基板の製造方法、表示マザーボード及び表示装置を更に提供する。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

表示基板であって、フレキシブル基板と、前記フレキシブル基板に設けられる複合絶縁層とを備え、前記表示基板のエッジ領域は前記複合絶縁層で形成される段差構造を備え、前記段差構造において段差の高さは表示基板のエッジから表示基板の内部への方向に順に増加し、前記エッジ領域は前記段差構造を被覆する第１平坦層を更に備え、前記第１平坦層のエッジは前記フレキシブル基板のエッジと面一である、表示基板。

【請求項2】

前記段差構造は第１段差、第２段差及び第３段差を備え、前記第１段差の厚さは前記第２段差の厚さよりも大きく、前記第１段差の厚さは前記第３段差の厚さよりも大きい、請求項１に記載の表示基板。

【請求項3】

前記第１段差の厚さは１５μｍ～２０．７μｍであり、前記第２段差の厚さは０．２μｍ～１．３μｍであり、前記第３段差の厚さは０．５μｍ～１．４μｍである、請求項２に記載の表示基板。

【請求項4】

前記表示基板のエッジ領域は前記第１平坦層に設けられる第２平坦層を更に備え、前記第２平坦層の前記フレキシブル基板での正投影は前記第１段差及び第２段差の前記フレキシブル基板での正投影と部分的に重なる、請求項２に記載の表示基板。

【請求項5】

表示基板の内部から表示基板のエッジへの方向において、前記第２平坦層の前記フレキシブル基板での正投影と前記第１段差の前記フレキシブル基板での正投影が重なる幅は１０μｍ～２０μｍであり、前記第２平坦層の前記フレキシブル基板での正投影と前記第２段差の前記フレキシブル基板での正投影が重なる幅は２０μｍ～３０μｍである、請求項４に記載の表示基板。

【請求項6】

前記表示基板の基板領域は、前記フレキシブル基板に設けられる第１絶縁層と、前記第１絶縁層に設けられる活性層と、前記活性層を被覆する第２絶縁層と、前記第２絶縁層に設けられる第１ゲート金属層と、前記第１ゲート金属層を被覆する第３絶縁層と、前記第３絶縁層に設けられる第２ゲート金属層と、前記第２ゲート金属層を被覆する第４絶縁層と、前記第４絶縁層に設けられるソース／ドレイン金属層と、前記ソース／ドレイン金属層を被覆する第５絶縁層と、前記第１平坦層に設けられる金属導電層と、前記金属導電層を被覆する第２平坦層と、を備える請求項１～５のいずれか一項に記載の表示基板。

【請求項7】

前記フレキシブル基板は順に積層設置される第１フレキシブル層、第１バリア層、アモルファスシリコン層、第２フレキシブル層及び第２バリア層を備え、前記複合絶縁層は前記第２バリア層に積層設置される第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層、第４絶縁層及び第５絶縁層を備え、前記第１フレキシブル層、第１バリア層、アモルファスシリコン層及び第２フレキシブル層の合計厚さは１５μｍ～２０μｍであり、前記第２バリア層の厚さは０．４μｍ～０．７μｍであり、前記第１絶縁層の厚さは０．２μｍ～０．６μｍである、請求項１～５のいずれか一項に記載の表示基板。

【請求項8】

前記第２バリア層は前記第２フレキシブル層に積層設置される第１サブ層及び第２サブ層を備え、前記第１段差は前記第１フレキシブル層、第１バリア層、アモルファスシリコン層、第２フレキシブル層及び前記第２バリア層の第１サブ層を備え、前記第２段差は前記第２バリア層の第２サブ層及び第１絶縁層を備え、前記第３段差は前記第２絶縁層、第３絶縁層、第４絶縁層及び第５絶縁層を備え、前記第１段差の上面と基準面との距離は０．０５μｍ～０．０６μｍであり、前記第２段差の上面と基準面との距離は０．７５μｍ～０．９５μｍであり、前記第３段差の上面と基準面との距離は１．４０μｍ～１．８０μｍであってもよく、前記基準面は前記第１サブ層の前記第２フレキシブル層に近接する側の表面である、請求項７に記載の表示基板。

【請求項9】

前記第２段差及び第３段差の側壁は傾斜面であり、前記傾斜面の母線と前記表示基板の法線方向との夾角は２０°～５０°である、請求項１～５のいずれか一項に記載の表示基板。

【請求項10】

第１段差のエッジから第２段差のエッジまでの距離は第２段差のエッジから第３段差のエッジまでの距離よりも大きく、第１段差のエッジから第２段差のエッジまでの距離は第３段差のエッジからクラックダムのエッジまでの距離よりも大きい、請求項１～５のいずれか一項に記載の表示基板。

【請求項11】

第１段差のエッジから第２段差のエッジまでの距離は５５μｍ～２１０μｍであり、第２段差のエッジから第３段差のエッジまでの距離は５μｍ～４０μｍであり、第３段差のエッジからクラックダムのエッジまでの距離は５μｍ～１５μｍである、請求項１０に記載の表示基板。

【請求項12】

前記エッジ領域の複合絶縁層にクラックダムが更に設けられ、前記クラックダムは間隔をあけて設けられる複数のクラックを備え、前記クラックは前記第１絶縁層を露出させ、前記第１平坦層は前記クラックダムを被覆する、請求項１～５のいずれか一項に記載の表示基板。

【請求項13】

前記表示基板のエッジ領域は周辺領域及び切断内領域を備え、前記切断内領域は前記周辺領域の基板領域から離れる側に位置し、前記段差構造は前記切断内領域に設けられ、前記クラックダムは前記周辺領域に設けられる、請求項１～５のいずれか一項に記載の表示基板。

【請求項14】

前記表示基板の基板領域は表示領域、及び前記表示領域の片側に設けられるボンディング領域を備え、前記ボンディング領域の前記表示領域から離れる側のエッジ領域に階段構造が形成され、前記階段構造は第１階段及び第２階段を備え、前記第１階段はフレキシブル基板及び複合絶縁層から形成され、前記第２階段は前記第１平坦層及び第２平坦層から形成され、前記ボンディング領域の前記表示領域から離れる側のエッジ領域を除き、前記段差構造は前記表示領域及びボンディング領域の他のエッジ領域に設けられる、請求項１３に記載の表示基板。

【請求項15】

表示マザーボードであって、複数の基板領域、及び前記基板領域を取り囲む切断領域を備え、前記表示マザーボードは、前記基板領域及び切断領域に設けられる駆動構造層と、前記駆動構造層に設けられる第１平坦層とを備え、前記切断領域の駆動構造層は複合絶縁層を備え、前記複合絶縁層に溝が設けられ、前記第１平坦層は前記溝を充填する、表示マザーボード。

【請求項16】

前記基板領域の駆動構造層は、フレキシブル基板に設けられる第１絶縁層と、前記第１絶縁層に設けられる活性層と、前記活性層を被覆する第２絶縁層と、前記第２絶縁層に設けられる第１ゲート金属層と、前記第１ゲート金属層を被覆する第３絶縁層と、前記第３絶縁層に設けられる第２ゲート金属層と、前記第２ゲート金属層を被覆する第４絶縁層と、前記第４絶縁層に設けられるソース／ドレイン金属層と、前記ソース／ドレイン金属層を被覆する第５絶縁層とを備え、前記切断領域の駆動構造層は、フレキシブル基板に積層設置される第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層、第４絶縁層及び第５絶縁層を備え、前記フレキシブル基板は積層設置される第１フレキシブル層、第１バリア層、アモルファスシリコン層、第２フレキシブル層及び第２バリア層を備え、前記第１フレキシブル層、第１バリア層、アモルファスシリコン層及び第２フレキシブル層の合計厚さは１５μｍ～２０μｍであり、前記第２バリア層の厚さは０．４μｍ～０．７μｍであり、前記第１絶縁層の厚さは０．２μｍ～０．６μｍである、請求項１５に記載の表示マザーボード。

【請求項17】

前記第２バリア層は前記第２フレキシブル層に積層設置される第１サブ層及び第２サブ層を備え、前記溝は第１溝及び第２溝を備え、前記第１溝は前記第１絶縁層及び第２バリア層の第２サブ層に設けられ、前記第１溝は前記第２バリア層の第１サブ層を露出させ、前記第２溝は前記第２絶縁層、第３絶縁層、第４絶縁層及び第５絶縁層に設けられ、前記第２溝は前記第１絶縁層及び前記第２バリア層の第１サブ層を露出させ、前記第２溝のフレキシブル基板での正投影は前記第１溝のフレキシブル基板での正投影を含み、前記第１溝の深さは０．２μｍ～１．３μｍであり、前記第２溝の深さは０．５μｍ～１．４μｍである、請求項１６に記載の表示マザーボード。

【請求項18】

表示基板の製造方法であって、
複数の基板領域及び前記基板領域を取り囲む切断領域に駆動構造層を形成し、前記切断領域の駆動構造層はフレキシブル基板に設けられる複合絶縁層を備え、前記複合絶縁層は段差構造の溝を形成することと、
前記駆動構造層を被覆する第１平坦層を形成し、前記第１平坦層は前記溝を充填することと、
前記切断領域において切断を行って表示基板を形成し、前記表示基板のエッジ領域に段差構造を形成し、前記段差構造における段差の高さは表示基板のエッジから表示基板の内部への方向に順に増加し、前記第１平坦層は前記段差構造を被覆し、前記第１平坦層のエッジは前記フレキシブル基板のエッジと面一であることと、を含む表示基板の製造方法。

【請求項19】

切断領域に駆動構造層を形成することは、
フレキシブル基板に第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層、第４絶縁層及び第５絶縁層を順に形成し、前記フレキシブル基板が積層設置される第１フレキシブル層、第１バリア層、アモルファスシリコン層、第２フレキシブル層及び第２バリア層を備え、前記第２バリア層が前記第２フレキシブル層に積層設置される第１サブ層及び第２サブ層を備え、前記第１絶縁層が前記第２バリア層の第２サブ層に形成されることと、
１回目のパターニングプロセスによって、前記第２絶縁層、第３絶縁層、第４絶縁層及び第５絶縁層において、前記第１絶縁層を露出させる第２溝を形成することと、
２回目のパターニングプロセスによって、前記第２溝における第１絶縁層及び第２バリア層の第２サブ層において、前記第２バリア層の第１サブ層を露出させる第１溝を形成し、前記第２溝が前記第１溝を露出させることと、を含む請求項１８に記載の製造方法。

【請求項20】

請求項１～１４のいずれか一項に記載の表示基板を備える表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

（関連出願の相互参照）
本願は、２０２０年３月２３日に中国受理局に提出された、出願番号がＰＣＴ／ＣＮ２０２０／０８０７００であり、発明の名称が表示基板及びその製造方法、表示マザーボード並びに表示装置であるＰＣＴ国際特許出願の優先権を主張し、その全内容が引用により本願に組み込まれている。

【0002】

本開示は表示技術分野に関するが、これに限定されず、特に表示基板及びその製造方法、表示マザーボード並びに表示装置に関する。

【背景技術】

【0003】

有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤと略称）はアクティブ発光型表示ディバイスであり、自己発光、広視野角、高コントラスト、低消費電力、及び超高速応答等の利点を持つ。表示技術の継続的な発展に伴って、ＯＬＥＤ技術はフレキシブル表示装置にますます多く使用されている。

【0004】

現在、フレキシブルＯＬＥＤ表示装置の製造では、まず、表示マザーボードを製造し、次に表示マザーボードを切断し、それにより表示マザーボードを複数の表示基板に分け、分けられた表示基板はいずれも単一のＯＬＥＤ表示装置を形成することに使用できる。図１は表示マザーボードに備えられる複数の表示基板の配列模式図である。図１に示すように、表示マザーボード１００における複数の基板領域３００は周期的かつ規則的に配列され、切断領域４００は基板領域３００の外側に位置する。基板領域３００は少なくとも表示領域３１０及びボンディング領域３０２を含み、表示領域３１０は行列状に配列される複数の画素を備え、ボンディング領域３０２はファンアウト領域及び駆動回路を備え、ボンディング領域３０２は表示領域３１０の片側に設けられる。切断領域４００内に第１切断レーン７０１及び第２切断レーン７０２が設けられ、表示マザーボードのすべての膜層の製造が完了した後、切断装置はそれぞれ第１切断レーン７０１及び第２切断レーン７０２に沿って粗切断及び精密切断を行い、表示基板を形成する。

【0005】

従来の製造では、表示基板は黒点不良等の問題を抱えており、表示品質を損なってしまう。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

以下、本明細書で詳細に説明されるテーマの概要である。本概要は特許請求の範囲の保護範囲を限定するものではない。

【課題を解決するための手段】

【0007】

一態様によれば、本開示は表示基板を提供し、フレキシブル基板と、前記フレキシブル基板に設けられる複合絶縁層とを備え、前記表示基板のエッジ領域は前記複合絶縁層で形成される段差構造を備え、前記段差構造において段差の高さは表示基板のエッジから表示基板の内部への方向に順に増加し、前記エッジ領域は前記段差構造を被覆する第１平坦層を更に備え、前記第１平坦層のエッジは前記フレキシブル基板のエッジと面一である。

【0008】

いくつかの可能な実現方式では、前記段差構造は第１段差、第２段差及び第３段差を備え、前記第１段差の厚さは前記第２段差の厚さよりも大きく、前記第１段差の厚さは前記第３段差の厚さよりも大きい。

【0009】

いくつかの可能な実現方式では、前記第１段差の厚さは１５μｍ～２０．７μｍであり、前記第２段差の厚さは０．２μｍ～１．３μｍであり、前記第３段差の厚さは０．５μｍ～１．４μｍである。

【0010】

いくつかの可能な実現方式では、前記表示基板のエッジ領域は前記第１平坦層に設けられる第２平坦層を更に備え、前記第２平坦層の前記フレキシブル基板での正投影は前記第１段差及び第２段差の前記フレキシブル基板での正投影と部分的に重なる。

【0011】

いくつかの可能な実現方式では、表示基板の内部から表示基板のエッジへの方向において、前記第２平坦層の前記フレキシブル基板での正投影と前記第１段差の前記フレキシブル基板での正投影が重なる幅は１０μｍ～２０μｍであり、前記第２平坦層の前記フレキシブル基板での正投影と前記第２段差の前記フレキシブル基板での正投影が重なる幅は２０μｍ～３０μｍである。

【0012】

いくつかの可能な実現方式では、前記表示基板の基板領域は、前記フレキシブル基板に設けられる第１絶縁層と、前記第１絶縁層に設けられる活性層と、前記活性層を被覆する第２絶縁層と、前記第２絶縁層に設けられる第１ゲート金属層と、前記第１ゲート金属層を被覆する第３絶縁層と、前記第３絶縁層に設けられる第２ゲート金属層と、前記第２ゲート金属層を被覆する第４絶縁層と、前記第４絶縁層に設けられるソース／ドレイン金属層と、前記ソース／ドレイン金属層を被覆する第５絶縁層と、前記第１平坦層に設けられる金属導電層と、前記金属導電層を被覆する第２平坦層と、を備える。

【0013】

いくつかの可能な実現方式では、前記フレキシブル基板は順に積層設置される第１フレキシブル層、第１バリア層、アモルファスシリコン層、第２フレキシブル層及び第２バリア層を備え、前記複合絶縁層は前記第２バリア層に積層設置される第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層、第４絶縁層及び第５絶縁層を備え、前記第１フレキシブル層、第１バリア層、アモルファスシリコン層及び第２フレキシブル層の合計厚さは１５μｍ～２０μｍであり、前記第２バリア層の厚さは０．４μｍ～０．７μｍであり、前記第１絶縁層の厚さは０．２μｍ～０．６μｍである。

【0014】

いくつかの可能な実現方式では、前記第２バリア層は前記第２フレキシブル層に積層設置される第１サブ層及び第２サブ層を備え、前記第１段差は前記第１フレキシブル層、第１バリア層、アモルファスシリコン層、第２フレキシブル層及び前記第２バリア層の第１サブ層を備え、前記第２段差は前記第２バリア層の第２サブ層及び第１絶縁層を備え、前記第３段差は前記第２絶縁層、第３絶縁層、第４絶縁層及び第５絶縁層を備え、前記第１段差の上面と基準面との距離は０．０５μｍ～０．０６μｍであり、前記第２段差の上面と基準面との距離は０．７５μｍ～０．９５μｍであり、前記第３段差の上面と基準面との距離は１．４０μｍ～１．８０μｍであり、前記基準面は前記第１サブ層の前記第２フレキシブル層に近接する側の表面である。

【0015】

いくつかの可能な実現方式では、前記第２段差及び第３段差の側壁は傾斜面であり、前記傾斜面の母線と前記表示基板の法線方向との夾角は２０°～５０°である。

【0016】

いくつかの可能な実現方式では、第１段差のエッジから第２段差のエッジまでの距離は第２段差のエッジから第３段差のエッジまでの距離よりも大きく、第１段差のエッジから第２段差のエッジまでの距離は第３段差のエッジからクラックダムのエッジまでの距離よりも大きい。

【0017】

いくつかの可能な実現方式では、第１段差のエッジから第２段差のエッジまでの距離は５５μｍ～２１０μｍであり、第２段差のエッジから第３段差のエッジまでの距離は５μｍ～４０μｍであり、第３段差のエッジからクラックダムのエッジまでの距離は５μｍ～１５μｍである。

【0018】

いくつかの可能な実現方式では、前記エッジ領域の複合絶縁層にクラックダムが更に設けられ、前記クラックダムは間隔をあけて設けられる複数のクラックを備え、前記クラックは前記第１絶縁層を露出させ、前記第１平坦層は前記クラックダムを被覆する。

【0019】

いくつかの可能な実現方式では、前記表示基板のエッジ領域は周辺領域及び切断内領域を備え、前記切断内領域は前記周辺領域の基板領域から離れる側に位置し、前記段差構造は前記切断内領域に設けられ、前記クラックダムは前記周辺領域に設けられる。

【0020】

いくつかの可能な実現方式では、前記表示基板の基板領域は表示領域、及び前記表示領域の片側に設けられるボンディング領域を備え、前記ボンディング領域の前記表示領域から離れる側のエッジ領域に階段構造が形成され、前記階段構造は第１階段及び第２階段を備え、前記第１階段はフレキシブル基板及び複合絶縁層から形成され、前記第２階段は前記第１平坦層及び第２平坦層から形成され、前記ボンディング領域の前記表示領域から離れる側のエッジ領域を除き、前記段差構造は前記表示領域及びボンディング領域の他のエッジ領域に設けられる。

【0021】

別の態様によれば、本開示は表示マザーボードを更に提供し、複数の基板領域、及び前記基板領域を取り囲む切断領域を備え、前記表示マザーボードは、前記基板領域及び切断領域に設けられる駆動構造層と、前記駆動構造層に設けられる第１平坦層とを備え、前記切断領域の駆動構造層は複合絶縁層を備え、前記複合絶縁層に溝が設けられ、前記第１平坦層は前記溝を充填する。

【0022】

いくつかの可能な実現方式では、前記基板領域の駆動構造層は、フレキシブル基板に設けられる第１絶縁層と、前記第１絶縁層に設けられる活性層と、前記活性層を被覆する第２絶縁層と、前記第２絶縁層に設けられる第１ゲート金属層と、前記第１ゲート金属層を被覆する第３絶縁層と、前記第３絶縁層に設けられる第２ゲート金属層と、前記第２ゲート金属層を被覆する第４絶縁層と、前記第４絶縁層に設けられるソース／ドレイン金属層と、前記ソース／ドレイン金属層を被覆する第５絶縁層とを備え、前記切断領域の駆動構造層は、フレキシブル基板に積層設置される第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層、第４絶縁層及び第５絶縁層を備え、前記フレキシブル基板は積層設置される第１フレキシブル層、第１バリア層、アモルファスシリコン層、第２フレキシブル層及び第２バリア層を備え、前記第１フレキシブル層、第１バリア層、アモルファスシリコン層及び第２フレキシブル層の合計厚さは１５μｍ～２０μｍであり、前記第２バリア層の厚さは０．４μｍ～０．７μｍであり、前記第１絶縁層の厚さは０．２μｍ～０．６μｍである。

【0023】

いくつかの可能な実現方式では、前記第２バリア層は前記第２フレキシブル層に積層設置される第１サブ層及び第２サブ層を備え、前記溝は第１溝及び第２溝を備え、前記第１溝は前記第１絶縁層及び第２バリア層の第２サブ層に設けられ、前記第１溝は前記第２バリア層の第１サブ層を露出させ、前記第２溝は前記第２絶縁層、第３絶縁層、第４絶縁層及び第５絶縁層に設けられ、前記第２溝は前記第１絶縁層及び前記第２バリア層の第１サブ層を露出させ、前記第２溝のフレキシブル基板での正投影は前記第１溝のフレキシブル基板での正投影を含み、前記第１溝の深さは０．２μｍ～１．３μｍであり、前記第２溝の深さは０．５μｍ～１．４μｍである。

【0024】

更なる態様によれば、本開示は表示基板の製造方法を更に提供し、
複数の基板領域及び前記基板領域を取り囲む切断領域に駆動構造層を形成し、前記切断領域の駆動構造層はフレキシブル基板に設けられる複合絶縁層を備え、前記複合絶縁層は段差構造の溝を形成することと、
前記駆動構造層を被覆する第１平坦層を形成し、前記第１平坦層は前記溝を充填することと、
前記切断領域において切断を行って表示基板を形成し、前記表示基板のエッジ領域に段差構造を形成し、前記段差構造における段差の高さは表示基板のエッジから表示基板の内部への方向に順に増加し、前記第１平坦層は前記段差構造を被覆し、前記第１平坦層のエッジは前記フレキシブル基板のエッジと面一であることと、を含む。

【0025】

いくつかの可能な実現方式では、切断領域に駆動構造層を形成することは、
フレキシブル基板に第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層、第４絶縁層及び第５絶縁層を順に形成し、前記フレキシブル基板が積層設置される第１フレキシブル層、第１バリア層、アモルファスシリコン層、第２フレキシブル層及び第２バリア層を備え、前記第２バリア層が前記第２フレキシブル層に積層設置される第１サブ層及び第２サブ層を備え、前記第１絶縁層が前記第２バリア層の第２サブ層に形成されることと、
１回目のパターニングプロセスによって、前記第２絶縁層、第３絶縁層、第４絶縁層及び第５絶縁層において、前記第１絶縁層を露出させる第２溝を形成することと、
２回目のパターニングプロセスによって、前記第２溝における第１絶縁層及び第２バリア層の第２サブ層において、前記第２バリア層の第１サブ層を露出させる第１溝を形成し、前記第２溝が前記第１溝を露出させることと、を含む。

【0026】

更なる態様によれば、本開示は、前記表示基板を備える表示装置を更に提供する。

【0027】

図面及び詳細な説明を閲覧して理解した後、他の態様が明らかになる。

【図面の簡単な説明】

【0028】

図面は本開示の技術案を更に理解するためのものであり、明細書の一部として組み込まれており、本開示の実施例とともに本開示の技術案を解釈することに用いられ、本開示の技術案を限定しない。図面中の各部材の形状及びサイズは実際の縮尺で作成されるものではなく、本開示の内容を模式的に説明することのみを目的とする。

【0029】

【図1】図１は表示マザーボードに備えられる複数の表示基板の配列模式図である。

【図2】図２は表示マザーボードの切断領域における金属塊残存の模式図である。

【図3】図３は本開示の表示マザーボードの構造模式図である。

【図4】図４は本開示のフレキシブル基板を形成した後の模式図である。

【図5】図５は本開示の駆動構造層パターンを形成した後の模式図である。

【図6】図６は本開示の溝及びクラックダムを形成した後の模式図である。

【図7】図７は本開示の第１平坦層パターンを形成した後の模式図である。

【図8】図８は本開示の金属導電層パターンを形成した後の模式図である。

【図9】図９は本開示の第２平坦層パターンを形成した後の模式図である。

【図10】図１０は本開示の陽極及び第３接続電極のパターンを形成した後の模式図である。

【図11】図１１は本開示の画素定義層及びダムベースのパターンを形成した後の模式図である。

【図12】図１２は本開示のスペーサコラムパターンを形成した後の模式図である。

【図13】図１３は本開示の有機発光層及び陰極のパターンを形成した後の模式図である。

【図14】図１４は本開示のパッケージ層パターンを形成した後の模式図である。

【図15】図１５は本開示のバックフィルムを貼付した後の模式図である。

【図16】図１６は本開示の切断の模式図である。

【図17】図１７は本開示の表示基板のエッジ領域の構造模式図である。

【図18】図１８は本開示のボンディング領域の構造模式図である。

【図19】図１９は図１８におけるＢ－Ｂ方向の断面図である。

【図20】図２０は図１８におけるＣ－Ｃ方向の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0030】

本開示の目的、技術案及び利点をより明瞭にするために、以下、図面を参照しながら本開示の実施例を詳細に説明する。ただし、実施形態は複数の異なる形式で実施できる。当業者が容易に理解できる点として、本開示の趣旨及びその範囲を逸脱せずに形態及び内容を様々な形式に変換することができる。従って、本開示は下記実施形態に記載される内容に限定されるものではないと解釈すべきである。矛盾しない限り、本開示の実施例及び実施例の特徴を任意に組み合わせることができる。

【0031】

図面では、明確にするために、各構成要素のサイズ、層の厚さ又は領域が誇張されている場合がある。従って、本開示の１つの形態は必ずしも該サイズに限定されず、図中の各部材の形状及びサイズは実際の縮尺で作成されるものではない。また、図面は理想的な例を模式的に示しており、本開示の１つの形態は図示される形状又は数値等に限定されない。

【0032】

本明細書の「第１」、「第２」、「第３」等の序数詞は、数量を制限するものではなく、構成要素の混乱を回避するために設定される。

【0033】

本明細書では、便宜上、図面を参照して構成要素の位置関係を説明するために、「中部」、「上」、「下」、「前」、「後」、「垂直」、「水平」、「頂」、「底」、「内」、「外」等の方位又は位置関係を指示する単語や文を使用しているが、単に本明細書の説明の便宜上及び簡略化のために使用され、係る装置又は素子が特定の方位を有したり、特定の方位で構成及び操作されたりしなければならないことを指示又は暗示しない。従って、本開示を限定するものではないと理解すべきである。構成要素の位置関係は各構成要素を説明する方向に応じて適宜に変更される。従って、明細書で説明される単語や文に限定されず、場合によって適宜に変更することができる。

【0034】

本明細書では、別段明確な規定及び限定がない限り、用語の「取り付け」、「連結」、「接続」は広義に理解すべきである。例えば、固定的接続、又は取り外し可能な接続、又は一体的な接続であってもよく、機械的接続、又は電気的接続であってもよく、直接接続、又は中間部材を介する間接的接続、又は２つの素子の内部が連通することであってもよい。当業者であれば、具体的な状況に応じて上記用語の本開示での具体的な意味を理解することができる。

【0035】

本明細書では、トランジスタとは、少なくともゲート電極、ドレイン電極及びソース電極という３つの端子を備える素子を指す。トランジスタはドレイン電極（ドレイン電極端子、ドレイン領域又はドレイン電極）とソース電極（ソース電極端子、ソース領域又はソース電極）との間にチャネル領域を有し、且つ電流はドレイン電極、チャネル領域及びソース電極を流れることができる。なお、本明細書では、チャネル領域とは電流が流れる主な領域を指す。

【0036】

本明細書では、第１電極はドレイン電極、第２電極はソース電極であってもよく、又は第１電極はソース電極、第２電極はドレイン電極であってもよい。極性が反対のトランジスタを使用する場合又は回路の動作中の電流方向が変化する場合等では、「ソース電極」と「ドレイン電極」の機能は相互に交換されることがある。従って、本明細書では、「ソース電極」と「ドレイン電極」は相互に交換することができる。

【0037】

本明細書では、「電気的接続」は、構成要素がある電気的機能を有する素子によって接続される場合を含む。「ある電気的機能を有する素子」は、接続される構成要素間で電気信号を送受信できる限り、特に限定しない。「ある電気的機能を有する素子」の例として、電極及び配線だけではなく、トランジスタ等のスイッチング素子、抵抗器、インダクタ、コンデンサ、及び様々な機能を有する他の素子等も含まれる。

【0038】

本明細書では、「平行」とは、２本の直線のなす角度が－１０°以上１０°以下の状態を指し、従って、該角度が－５°以上５°以下の状態も含まれる。また、「垂直」とは、２つの直線のなす角度が８０°以上１００°以下の状態を指し、従って、角度が８５°以上９５°以下の状態も含まれる。

【0039】

本明細書では、「膜」と「層」は相互に交換することができる。例えば、「導電層」を「導電膜」に置き換える場合がある。同様に、「絶縁膜」を「絶縁層」に置き換える場合もある。

【0040】

研究を行ったところ、表示基板の黒点不良等の問題は、製造プロセスで切断領域に金属残存や粒子汚染がある等の要因によって引き起こされることを見出した。表示基板の切断領域の製造プロセスは、フレキシブル基板に第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層及び第４絶縁層を順に形成することを含み、後続の切断プロセスの切断厚さ及び難度を低減させるために、切断領域の上記絶縁層にフレキシブル基板におけるフレキシブル材料層を露出させる溝が開設される。その後、平坦層を形成し、切断領域の一部の平坦層が除去されて該溝を露出させる。このように、切断領域の上記膜層は段差状の溝構造として形成され、溝の側壁が傾斜面である。その後、金属薄膜を堆積させ、パターニングプロセスによって金属薄膜をパターニングし、平坦層に金属導電層パターンを形成する。切断領域に段差状の溝が形成されているため、堆積した金属薄膜の各位置の高さが異なるだけではなく、金属薄膜の高さ差が大きく、その結果、パターニングプロセスで金属薄膜を完全にエッチングできず、図２に示すように、パターニングプロセスの後で溝の底面及び段差面に金属塊ａが残存している。金属薄膜はチタン／アルミニウム／チタン（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）積層構造を使用するため、後続のプロセスのエッチング液が銀（Ａｇ）イオンを含有する場合、残存している金属塊５０がＡｇ粒子を置換し、Ａｇ粒子がエッチング液に混入して隅々まで流れながら付着する。Ａｇ粒子が表示領域に付着すると、表示領域に黒点不良等の欠陥が生じる。また、堆積した金属薄膜及び残存している金属塊がフレキシブル基板のフレキシブル材料層に直接接触し、金属が有機材料と化学反応して粒子（ｐａｒｔｉｃｌｅ）を発生させる。粒子は装置の汚染につながるだけではなく、エッチング液に混入して隅々まで流れながら付着する。

【0041】

本開示は表示基板を提供し、前記表示基板はフレキシブル基板と、前記フレキシブル基板に設けられる複合絶縁層とを備え、前記表示基板のエッジ領域は前記複合絶縁層で形成される段差構造を備え、前記段差構造において段差の高さは表示基板のエッジから表示基板の内部への方向に順に増加し、前記エッジ領域は前記段差構造を被覆する第１平坦層を更に備え、前記第１平坦層のエッジは前記フレキシブル基板のエッジと面一である。

【0042】

例示的な実施形態では、前記段差構造は第１段差、第２段差及び第３段差を備え、前記第１段差の厚さは前記第２段差の厚さよりも大きく、前記第１段差の厚さは前記第３段差の厚さよりも大きい。

【0043】

例示的な実施形態では、前記第１段差の厚さは１５μｍ～２０．７μｍであり、前記第２段差の厚さは０．２μｍ～１．３μｍであり、前記第３段差の厚さは０．５μｍ～１．４μｍである。

【0044】

例示的な実施形態では、前記表示基板の基板領域は、前記フレキシブル基板に設けられる第１絶縁層と、前記第１絶縁層に設けられる活性層と、前記活性層を被覆する第２絶縁層と、前記第２絶縁層に設けられる第１ゲート金属層と、前記第１ゲート金属層を被覆する第３絶縁層と、前記第３絶縁層に設けられる第２ゲート金属層と、前記第２ゲート金属層を被覆する第４絶縁層と、前記第４絶縁層に設けられるソース／ドレイン金属層と、前記ソース／ドレイン金属層を被覆する第５絶縁層とを備え、前記第１平坦層は前記第５絶縁層に設けられる。

【0045】

例示的な実施形態では、前記表示基板の基板領域は、前記第１平坦層に設けられる金属導電層と、前記金属導電層を被覆する第２平坦層とを更に備える。

【0046】

例示的な実施形態では、前記フレキシブル基板は、順に積層設置される第１フレキシブル層、第１バリア層、アモルファスシリコン層、第２フレキシブル層及び第２バリア層を備え、前記第２バリア層は前記第２フレキシブル層に積層設置される第１サブ層及び第２サブ層を備え、前記複合絶縁層は前記第２バリア層の第２サブ層に積層設置される第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層、第４絶縁層及び第５絶縁層を備え、前記第１フレキシブル層、第１バリア層、アモルファスシリコン層及び第２フレキシブル層の合計厚さは１５μｍ～２０μｍであり、前記第２バリア層の厚さは０．４μｍ～０．７μｍであり、前記第１絶縁層の厚さは０．２μｍ～０．６μｍであり、前記段差構造は、前記第１フレキシブル層、第１バリア層、アモルファスシリコン層、第２フレキシブル層及び第２バリア層の第１サブ層から形成される第１段差と、前記第２バリア層の第２サブ層及び第１絶縁層から形成される第２段差と、前記第２絶縁層、第３絶縁層、第４絶縁層及び第５絶縁層から形成される第３段差とを備え、前記第１段差、第２段差及び第３段差の高さは前記第１段差から第３段差への方向に順に増加する。

【0047】

例示的な実施形態では、前記第１段差の上面と基準面との距離は０．０５μｍ～０．０６μｍであり、前記第２段差の上面と基準面との距離は０．７５μｍ～０．９５μｍであり、前記第３段差の上面と基準面との距離は１．４０μｍ～１．８０μｍであり、前記基準面は前記第１サブ層の前記第２フレキシブル層に近接する側の表面である。

【0048】

例示的な実施形態では、前記第２段差及び第３段差の側壁は傾斜面であり、前記傾斜面の母線と前記表示基板の法線方向との夾角は２０°～５０°である。

【0049】

例示的な実施形態では、前記エッジ領域の複合絶縁層にクラックダムが更に設けられ、前記クラックダムは間隔をあけて設けられる複数のクラックを備え、前記クラックは前記第１絶縁層を露出させ、前記第１平坦層は前記クラックダムを被覆する。

【0050】

例示的な実施形態では、前記表示基板は基板領域及びエッジ領域を備え、前記エッジ領域は周辺領域及び切断内領域を備え、前記切断内領域は前記周辺領域の基板領域から離れる側に位置し、前記段差構造は前記切断内領域に設けられ、前記クラックダムは前記周辺領域に設けられる。

【0051】

例示的な実施形態では、前記基板領域は表示領域、及び前記表示領域の片側に設けられるボンディング領域を備え、前記ボンディング領域の前記表示領域から離れる側のエッジ領域に階段構造が形成され、前記階段構造は第１階段及び第２階段を備え、前記第１階段はフレキシブル基板及び複合絶縁層から形成され、前記第２階段は前記第１平坦層及び第２平坦層から形成され、前記ボンディング領域の前記表示領域から離れる側のエッジ領域を除き、前記段差構造は前記表示領域及びボンディング領域の他のエッジ領域に設けられる。

【0052】

図３は本開示における表示基板の構造模式図であり、図１におけるＡ－Ａ方向の断面図であり、デュアルソース／ドレイン金属層（デュアルＳＤ又は２ＳＤ）構造の基板領域及び切断領域の断面構造を模式的に示す。表示基板に平行する平面方向において、表示基板は表示領域３１０、周辺回路領域３２０及びエッジ領域５００を備え、エッジ領域５００は周辺領域３３０及び切断内領域４２０を備え、切断内領域４２０は周辺領域３３０の表示領域３１０から離れる側に位置する。図３に示すように、表示基板に垂直な平面方向において、本開示の表示基板は、フレキシブル基板１０と、フレキシブル基板１０に設けられる駆動構造層と、駆動構造層に設けられる第１平坦層２０と、第１平坦層２０に設けられる金属導電層と、金属導電層を被覆する第２平坦層２１とを備える。表示領域３１０の駆動構造層は画素駆動回路を形成する複数のトランジスタを備え、周辺回路領域３２０の駆動構造層は周辺回路を形成する複数のトランジスタ及びストレージコンデンサを備え、図３では３つのトランジスタ及び２つのストレージコンデンサを例として模式的に示す。エッジ領域５００の駆動構造層は複数の無機絶縁層から構成される複合絶縁層を備え、複合絶縁層に段差構造及びクラックダムが設けられ、エッジ領域５００の第１平坦層２０は段差構造及びクラックダムを被覆して充填する。

【0053】

例示的な実施形態では、表示領域３１０及び周辺回路領域３２０の駆動構造層は、フレキシブル基板１０に設けられる第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１に設けられる活性層と、活性層を被覆する第２絶縁層１３と、第２絶縁層１３に設けられる第１ゲート金属層と、第１ゲート金属層を被覆する第３絶縁層１５と、第３絶縁層１５に設けられる第２ゲート金属層と、第２ゲート金属層を被覆する第４絶縁層１６と、第４絶縁層１６に設けられるソース／ドレイン金属層と、ソース／ドレイン金属層を被覆する第５絶縁層１９とを備えてもよい。活性層は少なくとも第１活性層、第２活性層及び第３活性層を備え、第１ゲート金属層は少なくとも第１ゲート電極、第２ゲート電極、第３ゲート電極、第１コンデンサ電極及び第２コンデンサ電極を備え、第２ゲート金属層は少なくとも第３コンデンサ電極及び第４コンデンサ電極を備え、ソース／ドレイン金属層は少なくとも第１ソース電極、第１ドレイン電極、第２ソース電極、第２ドレイン電極、第３ソース電極、第３ドレイン電極及び低電圧線１０５を備え、第１活性層、第１ゲート電極、第１ソース電極及び第１ドレイン電極は第１トランジスタ１０１を構成し、第２活性層、第２ゲート電極、第２ソース電極及び第２ドレイン電極は第２トランジスタ１０２を構成し、第３活性層、第３ゲート電極、第３ソース電極及び第３ドレイン電極は第３トランジスタ１０３を構成し、第１コンデンサ電極及び第３コンデンサ電極は第１ストレージコンデンサ１０４Ａを構成し、第２コンデンサ電極及び第４コンデンサ電極は第２ストレージコンデンサ１０４Ｂを構成する。表示領域３１０及び周辺回路領域３２０は発光構造層を更に備え、発光構造層は、第１平坦層２０に設けられる金属導電層と、金属導電層を被覆する第２平坦層２１と、第２平坦層２１に設けられる陽極２３及び第３接続電極１０８と、画素定義層２４と、有機発光層２５と、陰極２６と、パッケージ層２７とを備える。金属導電層は少なくとも第１接続電極１０６及び第２接続電極１０７を備える。

【0054】

例示的な実施形態では、エッジ領域５００の駆動構造層は、フレキシブル基板１０に順に積層設置される第１絶縁層１１、第２絶縁層１３、第３絶縁層１５、第４絶縁層１６及び第５絶縁層１９を備えてもよく、上記絶縁層はいずれも無機絶縁層であり、本開示の複合絶縁層とする。段差構造は切断内領域４２０に設けられ、クラックダムは周辺領域３３０に設けられる。エッジ領域５００の切断内領域４２０において、フレキシブル基板１０及び複合絶縁層はともに本開示の段差構造を形成する。段差構造は、フレキシブル基板１０の第１フレキシブル層１０Ａ、第１バリア層１０Ｂ、アモルファスシリコン層１０Ｃ、第２フレキシブル層１０Ｄ及び第２バリア層１０Ｅの第１サブ層から形成される第１段差５１と、第２バリア層１０Ｅの第２サブ層及び第１絶縁層１１から形成される第２段差５２と、第２絶縁層１３、第３絶縁層１５、第４絶縁層１６及び第５絶縁層１９から形成される第３段差５３とを備え、第１段差５１、第２段差５２及び第３段差５３の高さは切断内領域４２０（表示基板のエッジ）から表示領域３１０（表示基板の内部）への方向に順に増加し、即ち、第１段差５１から第３段差５３への方向に沿って、第１段差５１、第２段差５２及び第３段差５３の高さは順に増加する。本開示では、段差の高さとは、段差の表面とフレキシブル基板の下面との距離を指す。切断内領域４２０の第１平坦層２０は上記段差構造を被覆し、第１平坦層２０の表示領域３１０から離れる側のエッジはフレキシブル基板１０のエッジと面一である。エッジ領域５００における周辺領域３３０において、複合絶縁層にクラックダム３３が設けられ、クラックダム３３は複合絶縁層内に間隔をあけて設けられる複数のクラックを備え、クラック内の第２絶縁層１３、第３絶縁層１５、第４絶縁層１６及び第５絶縁層１９は除去されて、第１絶縁層１１の表面を露出させる。周辺領域３３０の第１平坦層２０はクラックダム３３を被覆し、クラックダム３３における間隔をあけて設けられる複数のクラックを充填し、周辺領域３３０の第１平坦層２０の表面は切断内領域４２０の第１平坦層２０の表面と略面一である。

【0055】

以下、表示基板の製造プロセスの例をもって本開示の表示基板の構造を説明する。本開示に記載の「パターニングプロセス」は膜層堆積、フォトレジストコーティング、マスク露光、現像、エッチング及びフォトレジスト剥離等の処理を含む。堆積はスパッタリング、蒸着及び化学気相堆積から選択されるいずれか１種又は複数種を使用してもよく、コーティングはスプレー塗装及びスピンコーティングから選択されるいずれか１種又は複数種を使用してもよく、エッチングはドライエッチング及びウェットエッチングから選択されるいずれか１種又は複数種を使用してもよい。「薄膜」とは、ある材料を基板に堆積又はコーティングすることによって製造されたものを指す。全作製過程では該「薄膜」に対してパターニングプロセスを行う必要がない場合、該「薄膜」は「層」と呼ばれてもよい。全作製過程では該「薄膜」に対してパターニングプロセスを更に行う必要がある場合、パターニングプロセスの前では「薄膜」と呼ばれ、パターニングプロセスの後では「層」と呼ばれる。パターニングプロセスを経た「層」に少なくとも１つの「パターン」が含まれる。本開示に記載の「ＡとＢが同層に設けられる」とは、ＡとＢが同じパターニングプロセスによって同時に形成されることを指す。「Ａの正投影がＢの正投影を含む」とは、Ｂの正投影の境界がＡの正投影の境界範囲内にあるか、又はＡの正投影の境界がＢの正投影の境界と重なることを指す。

【0056】

本開示の表示基板の製造プロセスは、まず表示マザーボードを製造し、次に表示マザーボードを切断して表示基板を形成することであるため、以下の説明では、切断前の基板は表示マザーボードと呼ばれ、切断後の基板は表示基板と呼ばれる。表示マザーボードは基板領域３００、及び基板領域３００の周辺に位置する切断領域４００を備える。

【0057】

（１）ガラスキャリアプレート１においてフレキシブル基板１０を製造する。本開示では、フレキシブル基板１０は、ガラスキャリアプレート１に積層設置される第１フレキシブル材料層、第１無機材料層、半導体層、第２フレキシブル材料層及び第２無機材料層を備える。第１、第２フレキシブル材料層の材料はポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）又は表面処理されたポリマー軟質フィルム等の材料を使用してもよく、第１、第２無機材料層の材料は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）等を使用してもよく、基板の耐水性や耐酸素性を向上させることに用いられ、第１、第２無機材料層はバリア（Ｂａｒｒｉｅｒ）層とも呼ばれ、半導体層の材料はアモルファスシリコン（ａ－ｓｉ）を使用してもよい。１つの例示的な実施形態では、図４に示すように、積層構造ＰＩ１／Ｂａｒｒｉｅｒ１／ａ－ｓｉ／ＰＩ２／Ｂａｒｒｉｅｒ２を例として、その製造プロセスは、まずガラスキャリアプレート１に１層のポリイミドをコーティングし、硬化させて成膜した後、第１フレキシブル（ＰＩ１）層１０Ａを形成し、その後、第１フレキシブル層１０Ａに１層のバリア薄膜を堆積させ、第１フレキシブル層１０Ａを被覆する第１バリア（Ｂａｒｒｉｅｒ１）層１０Ｂを形成し、次に第１バリア層１０Ｂに１層のアモルファスシリコン薄膜を堆積させ、第１バリア層１０Ｂを被覆するアモルファスシリコン（ａ－ｓｉ）層１０Ｃを形成し、次にアモルファスシリコン層１０Ｃに１層のポリイミドを再度コーティングし、硬化させて成膜した後、第２フレキシブル（ＰＩ２）層１０Ｄを形成し、次に、第２フレキシブル層１０Ｄに１層のバリア薄膜を堆積させ、第２フレキシブル層１０Ｄを被覆する第２バリア（Ｂａｒｒｉｅｒ２）層１０Ｅを形成し、フレキシブル基板１０の製造が完了することを含む。今回のプロセスを行った後、基板領域３００及び切断領域４００はいずれもフレキシブル基板１０を備える。

【0058】

例示的な実施形態では、第１フレキシブル層１０Ａ、第１バリア層１０Ｂ、アモルファスシリコン層１０Ｃ及び第２フレキシブル層１０Ｄの合計厚さは１５μｍ～２０μｍであってもよく、第２バリア層１０Ｅの厚さは０．４μｍ～０．７μｍであってもよい。いくつかの可能な実現方式では、第１フレキシブル層１０Ａ、第１バリア層１０Ｂ、アモルファスシリコン層１０Ｃ及び第２フレキシブル層１０Ｄの合計厚さは１７．６μｍであってもよく、第２バリア層１０Ｅの厚さは０．５５μｍであってもよい。本開示では、厚さとは膜層の上面と下面との距離を指す。

【0059】

（２）フレキシブル基板１０において駆動構造層パターンを製造する。基板領域３００の駆動構造層は、画素駆動回路を構成する第１トランジスタ１０１、第２トランジスタ１０２、第３トランジスタ１０３、第１ストレージコンデンサ１０４Ａ、第１ストレージコンデンサ１０４Ｂ及び低電圧線１０５を備え、切断領域４００の駆動構造層は複数の無機絶縁層から構成される複合絶縁層を備え、複合絶縁層にはフレキシブル基板１０の第２フレキシブル層１０Ｄを露出させる溝が形成される。１つの例示的な実施形態では、駆動構造層の製造プロセスは、
フレキシブル基板１０に第１絶縁薄膜及び活性層薄膜を順に堆積させ、パターニングプロセスによって活性層薄膜をパターニングし、フレキシブル基板１０全体を被覆する第１絶縁層１１、及び第１絶縁層１１に設けられる活性層パターンを形成し、活性層パターンが基板領域３００に形成され、少なくとも第１活性層１２Ａ、第２活性層１２Ｂ及び第３活性層１２Ｃを備え、今回のパターニングプロセスを行った後、切断領域４００が、フレキシブル基板１０に設けられる第１絶縁層１１を備えることを含んでもよい。

【0060】

例示的な実施形態では、第１絶縁層１１の厚さは０．２μｍ～０．６μｍであってもよい。いくつかの可能な実現方式では、第１絶縁層１１の厚さは０．４μｍであってもよい。

【0061】

その後、第２絶縁薄膜及び第１金属薄膜を順に堆積させ、パターニングプロセスによって第１金属薄膜をパターニングし、活性層パターンを被覆する第２絶縁層１３、及び第２絶縁層１３に設けられる第１ゲート金属層パターンを形成し、第１ゲート金属層パターンは基板領域３００に形成され、少なくとも第１ゲート電極１４Ａ、第２ゲート電極１４Ｂ、第３ゲート電極１４Ｃ、第１コンデンサ電極４１Ａ、第２コンデンサ電極４１Ｂ、複数のゲート線（図示せず）及び複数のゲートリード（図示せず）を備える。今回のパターニングプロセスを行った後、切断領域４００はフレキシブル基板１０に積層設置される第１絶縁層１１及び第２絶縁層１３を備える。

【0062】

その後、第３絶縁薄膜及び第２金属薄膜を順に堆積させ、パターニングプロセスによって第２金属薄膜をパターニングし、第１ゲート金属層を被覆する第３絶縁層１５、及び第３絶縁層１５に設けられる第２ゲート金属層パターンを形成し、第２ゲート金属層パターンは基板領域３００に形成され、少なくとも第３コンデンサ電極４２Ａ、第４コンデンサ電極４２Ｂ及び第２ゲートリード（図示せず）を備え、第３コンデンサ電極４２Ａの位置は第１コンデンサ電極４１Ａの位置に対応し、第４コンデンサ電極４２Ｂの位置は第２コンデンサ電極４１Ｂの位置に対応する。今回のパターニングプロセスを行った後、切断領域４００はフレキシブル基板１０に積層設置される第１絶縁層１１、第２絶縁層１３及び第３絶縁層１５を備える。

【0063】

その後、第４絶縁薄膜を堆積させ、パターニングプロセスによって第４絶縁薄膜をパターニングし、第２ゲート金属層を被覆する第４絶縁層１６のパターンを形成し、第４絶縁層１６に複数の第１ビアが開設され、複数の第１ビアは基板領域３００に形成され、その位置はそれぞれ第１活性層１２Ａ、第２活性層１２Ｂ及び第３活性層１２Ｃの両端位置に対応し、複数の第１ビア内の第４絶縁層１６、第３絶縁層１５及び第２絶縁層１３はエッチングして除去され、それぞれ第１活性層１２Ａ、第２活性層１２Ｂ及び第３活性層１２Ｃの表面を露出させる。今回のパターニングプロセスを行った後、切断領域４００はフレキシブル基板１０に積層設置される第１絶縁層１１、第２絶縁層１３、第３絶縁層１５及び第４絶縁層１６を備える。

【0064】

その後、第３金属薄膜を堆積させ、パターニングプロセスによって第３金属薄膜をパターニングし、第４絶縁層１６にソース／ドレイン金属層パターンを形成し、ソース／ドレイン金属層は基板領域３００に形成され、少なくとも第１ソース電極１７Ａ、第１ドレイン電極１８Ａ、第２ソース電極１７Ｂ、第２ドレイン電極１７Ｂ、第３ソース電極１７Ｃ、第３ドレイン電極１７Ｃ、低電圧（ＶＳＳ）線１０５、複数のデータ線（図示せず）及び複数のデータリードパターンを備え、第１ソース電極１７Ａ及び第１ドレイン電極１８Ａはそれぞれ第１ビアによって第１活性層１２Ａに接続され、第２ソース電極１７Ｂ及び第２ドレイン電極１７Ｂはそれぞれ第１ビアによって第２活性層１２Ｂに接続され、第３ソース電極１７Ｃ及び第３ドレイン電極１７Ｃはそれぞれ第１ビアによって第３活性層１２Ｃに接続される。１つの例示的な実施形態では、実際の必要に応じて、ソース／ドレイン金属層は電源線（ＶＤＤ）、補償線及び補助陰極のうちのいずれか１種又は複数種を更に備えてもよく、ソース／ドレイン金属層は第１ソース／ドレイン金属層（ＳＤ１）とも呼ばれる。今回のパターニングプロセスを行った後、切断領域４００はフレキシブル基板１０に積層設置される第１絶縁層１１、第２絶縁層１３、第３絶縁層１５及び第４絶縁層１６を備える。

【0065】

その後、第５絶縁薄膜を堆積させ、ソース／ドレイン金属層を被覆する第５絶縁層１９のパターンを形成する。今回のパターニングプロセスを行った後、切断領域４００はフレキシブル基板１０に設けられる複合絶縁層を備え、複合絶縁層は積層設置される第１絶縁層１１、第２絶縁層１３、第３絶縁層１５、第４絶縁層１６及び第５絶縁層１９を備える。

【0066】

ここまで、図５に示すように、フレキシブル基板１０における駆動構造層パターンの製造が完了する。第１活性層１２Ａ、第１ゲート電極１４Ａ、第１ソース電極１７Ａ及び第１ドレイン電極１８Ａは第１トランジスタ１０１を構成し、第２活性層１２Ｂ、第２ゲート電極１４Ｂ、第２ソース電極１７Ｂ及び第２ドレイン電極１８Ｂは第２トランジスタ１０２を構成し、第３活性層１２Ｃ、第３ゲート電極１４Ｃ、第３ソース電極１７Ｃ及び第３ドレイン電極１８Ｃは第３トランジスタ１０３を構成し、第１コンデンサ電極４１Ａ及び第３コンデンサ電極４２Ａは第１ストレージコンデンサ１０４Ａを構成し、第２コンデンサ電極４２Ｂ及び第４コンデンサ電極４２Ｂは第２ストレージコンデンサ１０４Ｂを構成し、複数のゲートリード及びデータリードはアレイ基板行駆動（Ｇａｔｅ Ｄｒｉｖｅｒ ｏｎ Ａｒｒａｙ、ＧＯＡと略称）の駆動リードを構成する。１つの例示的な実施形態では、第１トランジスタ１０１は画素駆動回路における駆動トランジスタであってもよく、第２トランジスタ１０２はＧＯＡにおける走査（ＳＣＡＮ）信号を出力する走査トランジスタであってもよく、第３トランジスタ１０３はＧＯＡにおけるイネーブル（ＥＭ）信号を出力するイネーブルトランジスタであってもよく、駆動トランジスタ、走査トランジスタ及びイネーブルトランジスタはいずれも薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴと略称）であってもよい。

【0067】

（３）図６に示すように、パターニングプロセスによって切断領域４００、切断領域４００に近接する基板領域３００の複合絶縁層をパターニングし、切断領域４００に第１溝３１及び第２溝３２を形成し、基板領域３００にクラックダム３３を形成する。本開示では、基板領域３００は表示領域３１０、周辺回路領域３２０及び周辺領域３３０に分割されてもよく、周辺領域３３０は切断領域４００に近接し、表示領域３１０は周辺領域３３０の切断領域４００から離れる側に位置し、周辺回路領域３２０は表示領域３１０と周辺領域３３０との間に位置する。切断領域４００は切断レーン領域４１０、切断内領域４２０及び切断外領域４３０に分割されてもよく、切断レーン領域４１０は切断領域４００の中部に位置し、表示マザーボードを切断する時に切欠きを形成する領域であり、切断内領域４２０は切断レーン領域４１０の基板領域３００に近接する側に位置し、切断外領域４３０は切断レーン領域４１０の基板領域３００から離れる側に位置する。表示マザーボードを切断して表示基板を形成した後、切断レーン領域４１０及び切断外領域４３０は切断して除去され、切断内領域４２０は残される。このように、製造された表示基板において、図６に示すように、基板領域３００の周辺領域３３０及び切断領域４００の切断内領域４２０は表示基板のエッジ領域５００を構成する。

【0068】

本開示では、切断領域４００に第１溝３１及び第２溝３２を形成した後、第１溝３１はフレキシブル基板１０の第２バリア層１０Ｅを露出させ、第２溝３２は第１溝３１を露出させ、即ち、第１溝３１のフレキシブル基板１０での正投影は第２溝３２のフレキシブル基板１０での正投影を含む。後続の説明では、第１溝３１及び第２溝３２は溝と呼ばれる。図６に示すように、クラックダム３３は基板領域３００の周辺領域３３０に形成され、即ち、エッジ領域５００に形成され、クラックダム３３は間隔をあけて設けられる複数のクラックを備え、各クラックは第１絶縁層１１の表面を露出させる。今回のパターニングプロセスを行った後、切断領域４００は、フレキシブル基板１０に設けられ、溝を有する複合絶縁層を備え、溝において第１溝３１及び第２溝３２の幅はいずれも切断レーン領域４１０の幅よりも大きい。

【0069】

例示的な実施形態では、２回のパターニングプロセスによって第１溝３１、第２溝３２及びクラックダム３３を形成してもよい。１回目のマスク（Ｅｔｃｈ Ｂｅｎｄｉｎｇ Ａ ＭＡＳＫ、ＥＢＡ ＭＡＳＫと略称）によって、切断領域４００及び周辺領域３３０の第５絶縁層１９、第４絶縁層１６、第３絶縁層１５及び第２絶縁層１３をエッチングし、切断領域４００の第２絶縁層１３、第３絶縁層１５、第４絶縁層１６及び第５絶縁層１９に第２溝３２を形成し、周辺領域３３０の第２絶縁層１３、第３絶縁層１５、第４絶縁層１６及び第５絶縁層１９にクラックダム３３を形成し、第２溝３２及びクラックダム３３における第５絶縁層１９、第４絶縁層１６、第３絶縁層１５及び第２絶縁層１３はエッチングして除去され、第１絶縁層１１の表面を露出させる。次に、２回目のマスク（Ｅｔｃｈ Ｂｅｎｄｉｎｇ Ｂ ＭＡＳＫ、ＥＢＢ ＭＡＳＫと略称）によって、切断領域４００における第２溝３２内の第１絶縁層１１及びフレキシブル基板１０の第２バリア層１０Ｅの第２サブ層をエッチングし、第２バリア層１０Ｅの第２サブ層及び第１絶縁層１１に第１溝３１を形成し、第１溝３１内の第１絶縁層１１及び第２バリア層１０Ｅの第２サブ層はエッチングして除去され、フレキシブル基板１０の第２バリア層１０Ｅの第１サブ層の表面を露出させる。このように、切断領域４００において、第２溝３２は第１溝３１を露出させ、即ち第１絶縁層１１及びフレキシブル基板の第２バリア層１０Ｅの第１サブ層を露出させ、第１溝３１はフレキシブル基板１０の第２バリア層１０Ｅの第１サブ層を露出させ、段差状の溝構造を形成する。例示的な実施形態では、第２バリア層１０Ｅは積層設置される第１サブ層及び第２サブ層からなると理解でき、第１サブ層は第２フレキシブル層１０Ｄに設けられ、第２サブ層は第１サブ層に設けられ、第１絶縁層１１は第２サブ層に設けられる。ＥＢＢ ＭＡＳＫ過程では、第２溝３２内の第２サブ層はエッチングして除去され、第１サブ層は残され、即ち、形成される第１溝３１は第１絶縁層１１及び部分的な厚さの第２バリア層１０Ｅに開設される。いくつかの可能な実現方式では、第１サブ層は第２バリア層１０Ｅの残存部分と呼ばれ、第２サブ層は第２バリア層１０Ｅのエッチング除去部分と呼ばれる。周辺領域３３０において、間隔をあけて設けられる複数のクラックは第１絶縁層１１の表面を露出させ、凹凸状のクラックダム構造を形成する。ＥＢＡ ＭＡＳＫ及びＥＢＢ ＭＡＳＫプロセスは表示マザーボードの湾曲領域に対して溝を加工するパターニングプロセスであり、湾曲領域の厚さを薄くする。本開示では、周辺領域３３０に凹凸状のクラックダム構造を形成することで、表示マザーボードの切断過程での表示領域３１０及び周辺回路領域３２０の膜層構造への影響を回避し、間隔をあけて設けられる複数のクラックは表示領域３１０及び周辺回路領域３２０の受ける力を小さくするだけではなく、割れが表示領域３１０及び周辺回路領域３２０の方向に広がることを阻止することができる。

【0070】

例示的な実施形態では、ＥＢＡ ＭＡＳＫ及びＥＢＢ ＭＡＳＫプロセスを用いて第１溝３１及び第２溝３２を形成する過程では、プロセスパラメータを設定することで第１溝３１及び第２溝３２の内側壁を傾斜面にすることができ、傾斜面の母線と表示基板の法線方向との夾角θは２０°～５０°である。例示的な実施形態では、第１溝３１の深さｈ１は第２溝３２の深さｈ２未満である。いくつかの可能な実現方式では、第１溝３１の深さｈ１（即ち、第２段差の厚さ）は０．２μｍ～１．３μｍであってもよく、第２溝３２の深さｈ２（即ち、第３段差の厚さ）は０．５μｍ～１．４μｍであってもよい。

【0071】

（４）上記パターンを形成したフレキシブル基板に第１平坦薄膜をコーティングし、フレキシブル基板１０全体を被覆する第１平坦化（ＰＬＮ）層２０を形成し、パターニングプロセスによって第１平坦層２０に第２ビア、第３ビア及び仕切り部を形成し、第２ビアは表示領域３１０に形成され、第２ビア内の第１平坦層２０及び第５絶縁層１９はエッチングして除去され、第１トランジスタ１０１の第１ドレイン電極の表面を露出させ、第３ビア及び仕切り部は周辺回路領域３２０に形成され、第３ビア内の第１平坦層２０及び第５絶縁層１９はエッチングして除去され、低電圧線１０５の表面を露出させ、仕切り部内の第１平坦層２０は現像して除去され、第５絶縁層１９の表面を露出させる。図７に示すように、基板領域３００の周辺領域３３０において、第１平坦層２０はクラックダム３３におけるクラックを完全に充填する。切断領域４００において、第１平坦層２０は第１溝３１及び第２溝３２を完全に充填し、平坦な表面を有し、即ち、切断領域４００の第１平坦層２０のフレキシブル基板１０から離れる側の表面は平坦状である。例示的な実施形態では、第１平坦層２０の厚さは０．８μｍ～１．５μｍであってもよい。今回のパターニングプロセスを行った後、切断領域４００は、フレキシブル基板１０に設けられ、溝を有する複合絶縁層と、複合絶縁層に設けられ、溝を充填する第１平坦層２０とを備える。本開示では、基板領域３００に仕切り部を形成することで、後続のパッケージの際に、パッケージ層における無機層を第５絶縁層１９及び第４絶縁層１６に直接接触させ、パッケージ効果及びプロセス品質を確保する。

【0072】

（５）図８に示すように、上記パターンを形成したフレキシブル基板に第４金属薄膜を堆積させ、パターニングプロセスによって第４金属薄膜をパターニングし、第１平坦層２０に金属導電層パターンを形成し、金属導電層は少なくとも第１接続電極１０６及び第２接続電極１０７を備え、第１接続電極１０６は表示領域３１０に設けられ、第２ビアによって第１トランジスタ１０１の第１ドレイン電極に接続され、第２接続電極１０７は周辺回路領域３２０に設けられ、第３ビアによって低電圧線１０５に接続され、周辺領域３３０の方向に延伸し、第３ビアと仕切り部との間の第１平坦層２０を被覆する。１つの例示的な実施形態では、金属導電層は第２ソース／ドレイン金属層（ＳＤ２）とも呼ばれ、実際の設計に応じて、金属導電層は電源線、電源リード、低電圧リード及び補助陰極のうちのいずれか１種又は複数種を更に備えてもよく、切断領域４００にも、例えばテストを実現する信号線等の金属導電層が設けられてもよい。今回のパターニングプロセスでは、切断領域４００の溝が第１平坦層２０によって充填されるため、第４金属薄膜が平坦な第１平坦層２０の表面に形成され、切断領域４００における第４金属薄膜の各位置の高さ差を除去し、それにより金属薄膜が不完全にエッチングされる現象を回避し、パターニングプロセスの後で金属塊が残存しない。

【0073】

（６）上記パターンを形成したフレキシブル基板に第２平坦薄膜をコーティングし、マスク、露光、及び現像プロセスによって第１平坦層２０に第２平坦層２１パターンを形成する。表示領域３１０において、第２平坦層２１に第４ビアが開設され、第４ビア内の第２平坦層２１は現像して除去され、第１接続電極１０６の表面を露出させ、周辺回路領域３２０において、第２平坦層２１に第５ビア及び隙間３４が開設され、第５ビア内の第２平坦層２１のビア側壁部分に近接する第２平坦層２１は現像して除去され、第２接続電極１０７の表面を露出させ、隙間３４は第４ビアと第５ビアとの間に設けられ、隙間３４内の第１平坦層２０及び第２平坦層２１は現像して除去され、第５絶縁層１９の表面を露出させる。クラックダム３３が位置する領域及び仕切り部が位置する領域の第２平坦層２１は現像して除去され、第１平坦層２０及び仕切り部を露出させる。図９に示すように、切断領域４００において、切断内領域４２０の一部の位置及び切断外領域４３０の一部の位置に第２平坦層２１が設けられ、残りの位置における第２平坦層２１は現像して除去され、第１平坦層２０の表面を露出させる。例示的な実施形態では、第２平坦層２１の厚さは０．８μｍ～１．５μｍであってもよい。切断領域４００における第２平坦層２１の位置について、後で詳細に説明される。隙間３４が位置する領域において、第２平坦層２１の開口のフレキシブル基板１０での正投影は第１平坦層２０の開口を含み、即ち、第２平坦層２１の開口幅は第１平坦層２０の開口幅よりも大きく、第１平坦層２０の開口は第５絶縁層１９を露出させ、第２平坦層２１の開口は第１平坦層２０の開口を露出させ、隙間３４の側壁に階段状を形成することで、後続で形成される陰極も階段状を有し、陰極と第３接続電極との確実な接続を確保する。今回のパターニングプロセスを行った後、切断領域４００は、フレキシブル基板１０に設けられ、溝を有する複合絶縁層と、複合絶縁層に設けられ、溝を充填する第１平坦層２０とを備える。本開示では、周辺回路領域３２０に隙間３４を形成することで、プロセスにおいて平坦化（ＰＬＮ）膜層に生じたガスを排出し、プロセス品質を向上させる。

【0074】

（７）図１０に示すように、上記パターンを形成した基板に透明導電薄膜を堆積させ、パターニングプロセスによって透明導電薄膜をパターニングし、陽極２３及び第３接続電極１０８のパターンを形成し、陽極２３は表示領域３１０の第２平坦層２１に形成され、第４ビアによって第１接続電極１０６に接続され、第３接続電極１０８は周辺回路領域３２０の第２平坦層２１に形成され、第３接続電極１０８の一部は第５ビアによって第２接続電極１０７に接続され、残りの部分は隙間３４に設けられ、第５ビアと隙間３４との間の第３接続電極１０８に複数の第６ビアが開設される。隙間３４の側壁は階段状であるため、隙間３４に設けられる第３接続電極１０８も階段状である。今回のパターニングプロセスを行った後、切断領域４００及び周辺領域３３０（クラックダム３３が位置する領域）の膜層構造は変化していない。

【0075】

（８）上記パターンを形成した基板に画素定義薄膜をコーティングし、マスク、露光、及び現像プロセスによって、基板領域３００に画素定義（ＰＤＬ）層２４、第１ダムベース２０１及び第２ダムベース２０２のパターンを形成し、画素定義層２４は表示領域３１０に形成され、画素開口が開設され、画素開口における画素定義薄膜は現像して除去され、陽極２３の表面を露出させる。図１１に示すように、第１ダムベース２０１及び第２ダムベース２０２は周辺回路領域３２０に形成され、第１ダムベース２０１は第５ビア内の第３接続電極１０８に設けられ、第２ダムベース２０２は第５ビアと仕切り部との間の第２平坦層２１に設けられ、第１ダムベース２０１及び第２ダムベース２０２の断面形状は台形である。本開示では、第１ダムベース２０１及び第２ダムベース２０２は２つの支持ダム（ｄａｍ）を形成することに用いられる。今回のパターニングプロセスを行った後、切断領域４００及び周辺領域３３０（クラックダム３３が位置する領域）の膜層構造は変化していない。

【0076】

（９）図１２に示すように、上記パターンを形成した基板に有機材料薄膜をコーティングし、マスク、露光、及び現像プロセスによって、周辺回路領域３２０に複数のスペーサコラム（ＰＳ）２０３のパターンを形成し、複数のスペーサコラム２０３はそれぞれ第１ダムベース２０１、第２ダムベース２０２及び隙間３４の両側の位置に設けられ、複数のスペーサコラム２０３の断面形状は台形であり、第１ダムベース２０１及びその上のスペーサコラム２０３は第１支持ダムを形成し、第２ダムベース２０２及びその上のスペーサコラム２０３は第２支持ダムを形成する。今回のパターニングプロセスを行った後、切断領域４００及び周辺領域３３０（クラックダム３３が位置する領域）の膜層構造は変化していない。

【0077】

（１０）図１３に示すように、上記パターンを形成した基板に有機発光層２５及び陰極２６を順に形成する。有機発光層２５は積層設置される正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層を備え、基板領域３００の画素開口内に形成され、有機発光層２５と陽極２３の接続を実現する。陽極２３が第１接続電極１０６に接続され、第１接続電極１０６が第１トランジスタ１０１のドレイン電極に接続されるため、有機発光層２５の発光制御を実現できる。陰極２６の一部は有機発光層２５に形成され、陰極２６は有機発光層２５に接続され、陰極２６の残りの部分は画素開口と第５ビアとの間の領域に形成され、陰極２６は隙間３４及び第５ビアによって第３接続電極１０８に接続される。第３接続電極１０８が第２接続電極１０７に接続され、第２接続電極１０７が低電圧線１０５に接続されるため、陰極２６と低電圧線１０５の接続を実現できる。隙間３４の位置での第３接続電極１０８が階段状であるため、形成される陰極２６も階段状を有し、異なる段差において第３接続電極１０８に接触し、陰極と第３接続電極１０８の確実な接続を確保する。今回のパターニングプロセスを行った後、切断領域４００及び周辺領域３３０（クラックダム３３が位置する領域）の膜層構造は変化していない。

【0078】

（１１）図１４に示すように、上記パターンを形成した上でパッケージ層２７を形成し、パッケージ層２７は基板領域３００の表示領域３１０及び周辺回路領域３２０に形成され、無機材料／有機材料／無機材料の積層構造を使用し、２つの無機材料層は表示領域３１０及び周辺回路領域３２０に設けられ、第１支持ダム及び第２支持ダムを包み、有機材料層は２つの無機材料層の間に設けられ、第１支持ダムの周辺領域３３０から離れる側に位置する。本開示では、第５絶縁層１９の表面を露出させる仕切り部が第１平坦層２０に形成されているため、２つの無機材料層は仕切り部内の第５絶縁層１９に直接形成され、パッケージ効果及びプロセス品質を確保する。今回のパターニングプロセスを行った後、切断領域４００及び周辺領域３３０（クラックダム３３が位置する領域）の膜層構造は変化していない。

【0079】

（１２）上記膜層構造の製造が完了した後、図１５に示すように、まず剥離プロセスによって表示マザーボードをガラスキャリアプレート１から剥離し、次にローラ圧着法によって表示マザーボードの裏面（フレキシブル基板１０の膜層から離れる側の表面）に１層のバックフィルム２を貼付し、表示マザーボードの製造を完了する。

【0080】

（１３）図１６に示すように、切断装置は切断領域４００の切断レーン領域４１０に沿って切断を行い、切断ストリップＬは表示マザーボードを本開示の表示基板に分割する。図３に示すように、切断完了後、切断領域４００の切断レーン領域４１０及び切断外領域４３０は切断して除去され、切断内領域４２０は残され、基板領域３００の周辺領域３３０及び切断領域４００の切断内領域４２０は本開示の表示基板のエッジ領域５００を構成する。

【0081】

図３～図１６に示すように、本開示の表示基板のエッジ領域５００はフレキシブル基板１０、及びフレキシブル基板１０に設けられる複合絶縁層を備え、複合絶縁層は複数の無機絶縁層からなり、フレキシブル基板１０に積層設置される第１絶縁層１１、第２絶縁層１３、第３絶縁層１５、第４絶縁層１６及び第５絶縁層１９を備える。エッジ領域５００における切断内領域４２０において、フレキシブル基板１０及び複合絶縁層は段差構造を形成し、段差構造は、フレキシブル基板１０の第１フレキシブル層１０Ａ、第１バリア層１０Ｂ、アモルファスシリコン層１０Ｃ、第２フレキシブル層１０Ｄ及び第２バリア層１０Ｅの第１サブ層から形成される第１段差５１と、第２バリア層１０Ｅの第２サブ層及び第１絶縁層１１から形成される第２段差５２と、第２絶縁層１３、第３絶縁層１５、第４絶縁層１６及び第５絶縁層１９から形成される第３段差５３とを備え、第１段差５１、第２段差５２及び第３段差５３の高さは切断内領域４２０から周辺領域３３０への方向に順に増加し、即ち、第１段差５１から第３段差５３への方向に順に増加する。切断内領域４２０は第１平坦層２０、及び第１平坦層２０に設けられる第２平坦層２１を更に備え、第１平坦層２０は上記段差構造を被覆し、第１平坦層２０の外縁（周辺領域３３０から離れる側の端面）はフレキシブル基板１０の外縁と略面一であり、第２平坦層２１は第１段差５１と第２段差５２との境界領域に設けられる。エッジ領域５００における周辺領域３３０において、複合絶縁層にクラックダム３３、及びクラックダム３３を被覆する第１平坦層２０が形成され、クラックダム３３は複合絶縁層において間隔をあけて設けられる複数のクラックを備え、クラック内の第２絶縁層１３、第３絶縁層１５、第４絶縁層１６及び第５絶縁層１９は除去され、第１絶縁層１１の表面を露出させる。周辺領域３３０の第１平坦層２０はクラックダム３３を被覆し、クラックダム３３において間隔をあけて設けられる複数のクラックを充填する。周辺領域３３０の第１平坦層２０の表面は切断内領域４２０の第１平坦層２０の表面と略面一である。

【0082】

図１７は本開示の表示基板のエッジ領域の構造模式図である。図１７に示すように、本開示のエッジ領域の段差構造において、第２段差５２及び第３段差５３の側壁は傾斜面であり、傾斜面の母線と表示基板の法線方向との夾角θは２０°～５０°である。

【0083】

例示的な実施形態では、第１段差５１の厚さｈ０は第３段差５３の厚さｈ２よりも大きく、第１段差５１の厚さｈ０は第２段差５２の厚さｈ１よりも大きい。いくつかの可能な実現方式では、第３段差５３の厚さｈ２は第２段差５２の厚さｈ１よりも大きくてもよい。本開示では、段差の厚さとは、段差の上面と段差の下面との距離を指す。

【0084】

例示的な実施形態では、第１段差５１の厚さｈ０は１５μｍ～２０．７μｍであってもよく、第２段差５２の厚さｈ１は０．２μｍ～１．３μｍであってもよく、第３段差５３の厚さｈ２は０．５μｍ～１．４μｍであってもよい。いくつかの可能な実現方式では、第１段差５１の厚さｈ０は１７．６５４μｍであってもよく、第２段差５２の厚さｈ１は０．７６μｍであってもよく、第３段差５３の厚さｈ２は０．８０μｍであってもよい。

【0085】

例示的な実施形態では、第１サブ層の厚さは０．０５μｍ～０．０６μｍであってもよく、第２サブ層の厚さは０．４４μｍ～０．５５μｍであってもよく、即ち、厚さが０．４μｍ～０．７μｍの第２バリア層１０Ｅにおいて、エッチングして除去される厚さは０．４４μｍ～０．５５μｍであってもよく、残りの厚さは０．０５μｍ～０．０６μｍであってもよい。いくつかの可能な実現方式では、第２バリア層１０Ｅの厚さは０．５５μｍであってもよく、第１サブ層の厚さは０．０５４μｍであってもよく、第２サブ層の厚さは０．４９６μｍであってもよい。

【0086】

例示的な実施形態では、第１サブ層の第２フレキシブル層に近接する側の表面（第２バリア層の第２フレキシブル層に近接する側の表面、又は第２フレキシブル層の第２バリア層に近接する側の表面）を基準面とし、第１段差５１の上面と基準面との距離は０．０５μｍ～０．０６μｍであってもよく、第２段差５２の上面と基準面との距離は０．７５μｍ～０．９５μｍであってもよく、第３段差５３の上面と基準面との距離は１．４０μｍ～１．８０μｍであってもよい。いくつかの可能な実現方式では、第１段差５１の上面と基準面との距離は０．０５４μｍであってもよく、第２段差５２の上面と基準面との距離は０．８１２μｍであってもよく、第３段差５３の上面と基準面との距離は１．６１４μｍであってもよい。

【0087】

例示的な実施形態では、第１段差５１のエッジから第２段差５２のエッジまでの距離はｓ１であり、ｓ１は第１段差５１の幅と呼ばれ、第２段差５２のエッジから第３段差５３のエッジまでの距離はｓ２であり、ｓ２は第２段差５２の幅と呼ばれ、第３段差５３のエッジからクラックダムのエッジまでの距離はｓ３であり、ｓ３は第３段差５３の幅と呼ばれる。第１段差５１の幅ｓ１は第２段差５２の幅ｓ２よりも大きく、第１段差５１の幅ｓ１は第３段差５３の幅ｓ３よりも大きい。

【0088】

例示的な実施形態では、第１段差５１の幅ｓ１は５５μｍ～２１０μｍであってもよく、第２段差５２の幅ｓ２は５μｍ～４０μｍであってもよく、第３段差５３の幅ｓ３は５μｍ～１５μｍであってもよく、第２段差５２の幅ｓ２は第３段差５３の幅ｓ３以上であってもよい。いくつかの可能な実現方式では、第１段差５１の幅ｓ１は１０５μｍであってもよい。他のいくつかの可能な実現方式では、第１段差５１の幅ｓ１は１６０μｍであってもよい。いくつかの可能な実現方式では、第２段差５２の幅ｓ２は３５μｍであってもよく、第３段差５３の幅ｓ３は６μｍであってもよい。いくつかの可能な実現方式では、第２段差５２の幅ｓ２は１０μｍであってもよく、第３段差５３の幅ｓ３は１０μｍであってもよい。

【0089】

例示的な実施形態では、エッジ領域５００の第２平坦層２１のフレキシブル基板１０での正投影は、第１段差５１及び第２段差５２のフレキシブル基板１０での正投影と部分的に重なり、即ち、第２平坦層２１のフレキシブル基板１０での正投影は、第２段差５２の一部のフレキシブル基板１０での正投影と重なり、第１段差５１の一部のフレキシブル基板１０での正投影と重なる。エッジ領域５００の第２平坦層２１の表示領域から離れるエッジから第２段差５２のエッジまでの距離はｓ４であり、ｓ４は第２平坦層２１が第１段差５１を被覆する幅、即ち、第２平坦層２１のフレキシブル基板１０での正投影が第１段差５１のフレキシブル基板１０での正投影と重なる幅と呼ばれる。エッジ領域５００の第２平坦層２１の表示領域に近接するエッジから第２段差５２のエッジまでの距離はｓ５であり、ｓ５は第２平坦層２１が第２段差５２を被覆する幅、即ち、第２平坦層２１のフレキシブル基板１０での正投影が第２段差５２のフレキシブル基板１０での正投影と重なる幅と呼ばれる。例示的な実施形態では、第２平坦層２１が第１段差５１を被覆する幅ｓ４は１０μｍ～２０μｍであってもよく、第２平坦層２１が第２段差５２を被覆する幅ｓ５は２０μｍ～３０μｍであってもよい。いくつかの可能な実現方式では、第２平坦層２１が第１段差５１を被覆する幅ｓ４は１５μｍであってもよく、第２平坦層２１が第２段差５２を被覆する幅ｓ５は２５μｍであってもよい。例示的な実施形態では、表示領域から離れる方向に沿って、エッジ領域５００の第２平坦層２１の幅ｓ６は３０μｍ～５０μｍであってもよい。いくつかの可能な実現方式では、エッジ領域５００の第２平坦層２１の幅ｓ６は４０μｍであってもよい。本開示の例示的な実施例では、第２平坦層２１は第１段差５１と第２段差５２との境界領域に設けられ、第２平坦層２１は第２段差５２の傾斜面の側壁が位置する領域を被覆することで、後続で陽極２３及び第３接続電極１０８のパターンを形成するパターニングプロセスでは、透明導電薄膜のエッチング残存を回避し、プロセス品質を向上させることができる。

【0090】

１つの例示的な実施形態では、基板領域は、パッケージ層に設けられるタッチ層又はタッチパネル、及びタッチ層又はタッチパネルを被覆する保護層（ＯＣ）を更に備えてもよい。他の例示的な実施形態では、表示基板領域は保護膜（Ｔｅｍｐｏｒａｒｙ Ｐｒｏｔｅｃｔ Ｆｉｌｍ、ＴＰＦと略称）を更に備えてもよく、保護膜はパッケージ層に貼付され、保護膜は表示基板の膜層構造を保護することに用いられ、バックフィルム貼付操作は保護膜貼付後で行われる。切断完了後、まず該保護膜を除去し、次にパッケージ層にタッチ層及びカバープレートを順に設けてタッチ表示パネルを形成し、又はパッケージ層にカバープレートを直接に設けて表示パネルを形成する。

【0091】

本開示では、第１絶縁薄膜、第２絶縁薄膜、第３絶縁薄膜、第４絶縁薄膜及び第５絶縁薄膜は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）及び酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）のうちのいずれか１種又は複数種を使用してもよく、単層、多層又は複合層であってもよい。第１絶縁層はバッファ（Ｂｕｆｆｅｒ）層と呼ばれ、基板の耐水性や耐酸素性を向上させることに用いられ、第２絶縁層及び第３絶縁層はゲート絶縁（ＧＩ）層と呼ばれ、第４絶縁層は層間絶縁（ＩＬＤ）層と呼ばれ、第５絶縁層はパッシベーション（ＰＶＸ）層と呼ばれる。第１平坦層及び第２平坦層は有機材料を採用してもよい。第１金属薄膜、第２金属薄膜、第３金属薄膜及び第４金属薄膜は、例えば銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）及びモリブデン（Ｍｏ）のような金属材料のうちのいずれか１種又は複数種、或いは、例えばアルミニウムネオジム合金（ＡｌＮｄ）又はモリブデンニオブ合金（ＭｏＮｂ）のような上記金属の合金材料を使用してもよく、単層構造、又は例えばＭｏ／Ｃｕ／Ｍｏ等の多層複合構造であってもよい。陰極はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及びリチウム（Ｌｉ）のうちのいずれか１種又は複数種、或いは上記金属のうちのいずれか１種又は複数種から製造された合金を使用してもよい。活性層薄膜はアモルファスインジウムガリウム亜鉛酸化物材料（ａ－ＩＧＺＯ）、酸窒化亜鉛（ＺｎＯＮ）、インジウム亜鉛スズ酸化物（ＩＺＴＯ）、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）、ポリシリコン（ｐ－Ｓｉ）、ヘキサチオフェン、及びポリチオフェン等の様々な材料を使用してもよく、即ち、本開示は酸化物（Ｏｘｉｄｅ）技術、シリコン技術及び有機物技術に基づいて製造されたトランジスタに適用できる。透明導電薄膜は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）又は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を使用してもよく、画素定義層はポリイミド、アクリル又はポリエチレンテレフタレート等を採用してもよい。

【0092】

図３～図１６に示すように、本開示に係る表示基板は、
順に積層設置される第１フレキシブル層１０Ａ、第１バリア層１０Ｂ、アモルファスシリコン（ａ－ｓｉ）層１０Ｃ、第２フレキシブル層１０Ｄ及び第２バリア層１０Ｅを備えるフレキシブル基板１０と、
フレキシブル基板１０に設けられる第１絶縁層１１と、
第１絶縁層１１に設けられる活性層パターン（活性層パターンは表示領域３１０に設けられ、活性層パターンは第１活性層１２Ａ、第２活性層１２Ｂ及び第３活性層１２Ｃを備える）と、
活性層を被覆する第２絶縁層１３と、
第２絶縁層１３に設けられる第１ゲート金属層（第１ゲート金属層は表示領域３１０及び周辺回路領域３２０に設けられ、第１ゲート金属層は少なくとも表示領域３１０の第１ゲート電極１４Ａと、周辺回路領域３２０の第２ゲート電極１４Ｂ、第３ゲート電極１４Ｃ、第１コンデンサ電極４１Ａ及び第２コンデンサ電極４１Ｂとを備える）と、
第１ゲート金属層を被覆する第３絶縁層１５と、
第３絶縁層１５に設けられる第２ゲート金属層（第２ゲート金属層は周辺回路領域３２０に設けられ、第２ゲート金属層は少なくとも第３コンデンサ電極４２Ａ及び第４コンデンサ電極４２Ｂを備える）と、
第２ゲート金属層を被覆する第４絶縁層１６（表示領域３１０及び周辺回路領域３２０の第４絶縁層１６に複数の第１ビアが開設され、複数の第１ビアはそれぞれ第１活性層１２Ａ、第２活性層１２Ｂ及び第３活性層１２Ｃを露出させる）と、
第４絶縁層１６に設けられるソース／ドレイン金属層（ソース／ドレイン金属層は表示領域３１０及び周辺回路領域３２０に設けられ、ソース／ドレイン金属層は少なくとも表示領域３１０の第１ソース電極１７Ａ及び第１ドレイン電極１８Ａと、周辺回路領域３２０の第２ソース電極１７Ｂ、第２ドレイン電極１８Ｂ、第３ソース電極１７Ｃ、第３ドレイン電極１８Ｃ及び低電圧線１０５とを備え、第１ソース電極１７Ａ及び第１ドレイン電極１８Ａはそれぞれ第１ビアによって第１活性層１２Ａに接続され、第２ソース電極１７Ｂ及び第２ドレイン電極１８Ｂはそれぞれ第１ビアによって第２活性層１２Ｂに接続され、第３ソース電極１７Ｃ及び第３ドレイン電極１８Ｃはそれぞれ第１ビアによって第３活性層１２Ｃに接続される）と、
ソース／ドレイン金属層を被覆する第５絶縁層１９（第５絶縁層１９は表示領域３１０及び一部の周辺回路領域３２０に設けられ、周辺領域３３０に形成される複合絶縁層にクラックダム３３が設けられ、クラックダム３３は間隔をあけて設けられる複数のクラックを備え、クラックは第１絶縁層１１を露出させ、切断領域４００に形成される複合絶縁層に溝が設けられ、溝はフレキシブル基板１０の第２バリア層１０Ｅの第１サブ層を露出させ、溝は第１溝３１及び第２溝３２を備え、第１溝３１は第２バリア層１０Ｅの第２サブ層及び第１絶縁層１１に設けられ、フレキシブル基板１０の第２バリア層１０Ｅの第１サブ層を露出させ、第２溝３２は第２絶縁層１３、第３絶縁層１５、第４絶縁層１６及び第５絶縁層１９に設けられ、第１溝３１を露出させる）と、
上記構造を被覆する第１平坦層２０（表示領域３１０において、第１平坦層２０に第２ビアが開設され、周辺回路領域３２０において、第１平坦層２０に第３ビア及び仕切り部が開設され、第２ビアは第１ドレイン電極１８Ａを露出させ、第３ビアは低電圧線１０５を露出させ、仕切り部は第５絶縁層１９を露出させ、周辺領域３３０において、第１平坦層２０はクラックダム３３を完全に充填し、切断領域４００において、第１平坦層２０は溝を完全に充填する）と、
第１平坦層２０に設けられる金属導電層（金属導電層は少なくとも表示領域３１０の第１接続電極１０６及び周辺回路領域３２０の第２接続電極１０７を備え、第１接続電極１０６は第２ビアによって第１ドレイン電極１８Ａに接続され、第２接続電極１０７は第３ビアによって低電圧線１０５に接続される）と、
金属導電層を被覆する第２平坦層２１（表示領域３１０において、第２平坦層２１に第４ビアが設けられ、周辺回路領域３２０において、第２平坦層２１に第５ビア及び隙間３４が設けられ、第４ビアは第１接続電極１０６を露出させ、第５ビアは第２接続電極１０７を露出させ、隙間３４は第５絶縁層１９を露出させる）と、
第２平坦層２３に設けられる陽極２３及び第３接続電極１０８（陽極２３は表示領域３１０に形成され、第３接続電極１０８は周辺回路領域３２０に形成され、陽極２３は第４ビアによって第１接続電極１０６に接続され、第３接続電極１０８は第５ビアによって第２接続電極１０７に接続される）と、
表示領域３１０に設けられる画素定義層２４、周辺回路領域３２０の第１ダムベース２０１及び第２ダムベース２０２（画素定義層２４に画素開口が開設され、画素開口は陽極２３を露出させ、第１ダムベース２０１は第５ビア内の第３接続電極１０８に設けられ、第２ダムベース２０２は第１ダムベース２０１の切断領域４００に近接する側に設けられる）と、
周辺回路領域３２０に設けられる複数のスペーサコラム２０３と、
表示領域３１０に設けられる有機発光層２５（有機発光層２５は陽極２３に接続される）と、
表示領域３１０及び周辺回路領域３２０に設けられる陰極２６（陰極２６はそれぞれ有機発光層２５及び第３接続電極１０８に接続される）と、
表示領域３１０及び周辺回路領域３２０に設けられるパッケージ層２７と、を備える。

【0093】

図１８は本開示のボンディング領域の構造模式図である。図１８に示すように、表示基板に平行する平面において、ボンディング領域３０２は表示領域３１０の片側に位置し、ボンディング領域３０２は第１ファンアウト領域３０３、湾曲領域３０４、第２ファンアウト領域３０５、帯電防止領域３０６、駆動チップ領域３０７及びボンディングピン領域３０８を備え、湾曲領域３０４の複合絶縁層はＥＢＡ ＭＡＳＫ及びＥＢＢ ＭＡＳＫプロセスによって除去されることで、湾曲領域の厚さを薄くする。本開示では、上記第１溝及び第２溝を形成するプロセスは、湾曲領域３０４の複合絶縁層を除去するプロセスと同期に行われる。表示マザーボードを製造する過程では、ボンディング領域３０２の表示領域３１０から離れる側に、アレイテスト（Ａｒｒａｙ Ｔｅｓｔ）ユニット６００が更に設けられ、アレイテストユニット６００は信号線によってボンディングピン領域３０８に接続され、表示基板をテストして、短絡、開回路等の問題の有無を検査するように設定される。ボンディング領域３０２の外側に第１切断線７０１及び第２切断線７０２が設けられ、第２切断線７０２は精密切断線であり、ボンディング領域３０２の周辺に位置し、第２切断線７０２の形状はボンディング領域３０２の輪郭と同じであり、第１切断線７０１は粗切断線であり、第２切断線７０２の周辺に位置し、第１切断線７０１の形状は第２切断線７０２の輪郭と同じであるが、ボンディング領域３０２とアレイテストユニット６００との間に第２切断線７０２のみが設けられる。アレイテストユニット６００のボンディング領域３０２から離れる側に、少なくとも１本の第１切断線７０１が更に設けられる。表示マザーボードの膜層プロセスが完了した後、切断装置は第１切断線７０１（粗切断線）に沿って表示マザーボードを切断し、複数の基板領域を形成し、表示基板のテストが完了した後、切断装置は第２切断線７０２（精密切断線）に沿って基板領域を切断し、表示基板を形成する。

【0094】

図１９は図１８におけるＢ－Ｂ方向の断面図である。表示基板に垂直な平面において、ボンディング領域３０２は、フレキシブル基板１０に設けられる第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１に設けられる第２絶縁層１３と、第２絶縁層１３に設けられる第３絶縁層１５と、第３絶縁層１５に設けられる第４絶縁層１６と、第４絶縁層１６に設けられる複数の第１リードと、複数の第１リードを被覆する第５絶縁層１９及び第１平坦層２０と、第１平坦層２０に設けられる複数の第２リード（図示せず）と、複数の第２リードを被覆する第２平坦層２１とを備える。複数の第１リードは上記ソース／ドレイン金属層と同層に設けられ、同じパターニングプロセスによって同時に形成され、複数の第２リードは上記金属導電層と同層に設けられ、同じパターニングプロセスによって同時に形成される。いくつかの可能な実現方式では、ボンディング領域３０２は、上記第１ゲート金属層と同層に設けられるリードを更に備えてもよく、又は上記第２ゲート金属層と同層に設けられるリードを備えてもよい。ボンディング領域外に位置する切断領域は、フレキシブル基板１０に設けられる複合絶縁層及び第１平坦層２０を備え、複合絶縁層に段差構造の溝が設けられ、第１平坦層２０は該溝を充填する。

【0095】

図１９は溝の構造を模式的に示し、溝の右側はエッジ領域の段差構造であり、溝の左側は切断外領域４３０の段差構造であり、切断外領域４３０はダミー（Ｄｕｍｍｙ）領域と呼ばれ、溝の中間部分の二重破線は切断線を表す。エッジ領域の段差構造の特徴及びその対応する幾何学的パラメータは図１７で詳細に説明されたため、ここでは重複説明を省略する。図１９に示すように、ダミー領域の段差構造では、ダミー領域の第２段差５２’及びダミー領域の第３段差５３’の側壁は傾斜面であり、傾斜面の母線と表示基板の法線方向との夾角θは２０°～５０°である。

【0096】

例示的な実施形態では、ダミー領域の第１段差５１’の厚さｈ０はダミー領域の第３段差５３’の厚さｈ２よりも大きく、ダミー領域の第１段差５１’の厚さｈ０はダミー領域の第２段差５２’の厚さｈ１よりも大きい。いくつかの可能な実現方式では、ダミー領域の第３段差５３’の厚さｈ２はダミー領域の第２段差５２’の厚さｈ１よりも大きくてもよい。

【0097】

例示的な実施形態では、ダミー領域の第１段差５１’の厚さｈ０は１５μｍ～２０．７μｍであってもよく、ダミー領域の第２段差５２’の厚さｈ１は０．２μｍ～１．３μｍであってもよく、ダミー領域の第３段差５３’の厚さｈ２は０．５μｍ～１．４μｍであってもよい。いくつかの可能な実現方式では、ダミー領域の第１段差５１’の厚さｈ０は１７．６５４μｍであってもよく、ダミー領域の第２段差５２’の厚さｈ１は０．７６μｍであってもよく、ダミー領域の第３段差５３’の厚さｈ２は０．８０μｍであってもよい。

【0098】

例示的な実施形態では、ダミー領域の第１段差５１’のエッジからダミー領域の第２段差５２’のエッジまでの距離はｓ１’であり、ｓ１’はダミー領域の第１段差５１’の幅と呼ばれ、ダミー領域の第２段差５２’のエッジからダミー領域の第３段差５３’のエッジまでの距離はｓ２’であり、ｓ２’はダミー領域の第２段差５２’の幅と呼ばれ、ダミー領域の第１段差５１’の幅ｓ１’はダミー領域の第２段差５２の幅ｓ２’よりも大きい。

【0099】

例示的な実施形態では、ダミー領域の第１段差５１’の幅ｓ１’は５５μｍ～１５５μｍであり、ダミー領域の第２段差５２’の幅ｓ２’は５μｍ～１５μｍである。いくつかの可能な実現方式では、ダミー領域の第１段差５１’の幅ｓ１’は１０５μｍである。いくつかの可能な実現方式では、ダミー領域の第２段差５２’の幅ｓ２’は１０μｍである。

【0100】

例示的な実施形態では、ダミー領域の第２平坦層２１のフレキシブル基板１０での正投影は、ダミー領域の第２段差５２’及び第３段差５３’のフレキシブル基板１０での正投影を含み、一部のダミー領域の第１段差５１’のフレキシブル基板１０での正投影を含む。ダミー領域の第２平坦層２１の表示領域に近接するエッジからダミー領域の第２段差５２’のエッジまでの距離はｓ４’であり、ｓ４’は第２平坦層２１がダミー領域の第１段差５１’を被覆する幅と呼ばれる。例示的な実施形態では、第２平坦層２１がダミー領域の第１段差５１’を被覆する幅ｓ４’は１０μｍ～２０μｍである。いくつかの可能な実現方式では、第２平坦層２１がダミー領域の第１段差５１’を被覆する幅ｓ４’は１５μｍである。

【0101】

図２０は図１８におけるＣ－Ｃ方向の断面図である。図１８及び図２０に示すように、表示領域３１０から離れる方向に沿って、ボンディング領域３０２はボンディング回路領域３１１及びボンディング切断領域３１２を備え、第１ファンアウト領域３０３、湾曲領域３０４、第２ファンアウト領域３０５、帯電防止領域３０６、駆動チップ領域３０７及びボンディングピン領域３０８はボンディング回路領域３１１に設けられ、ボンディング領域３０２とアレイテストユニット６００との間の第２切断線７０２はボンディング切断領域３１２に設けられる。第１平坦層２０及び第２平坦層２１を形成するとき、ボンディング切断領域３１２及びアレイテストユニット６００が位置する領域の第１平坦層２０及び第２平坦層２１は除去され、即ち、表示領域３１０から離れる方向に沿って、第１平坦層２０及び第２平坦層２１は、ボンディング回路領域３１１とボンディング切断領域３１２との境界まで延伸する。ボンディング領域３０２とアレイテストユニット６００との間に複数の信号線が設けられるため、ボンディング切断領域３１２の複合絶縁層に第１溝及び第２溝が開設されていない。表示基板のテストが完了した後、切断装置は第２切断線７０２に沿って基板領域を切断した後、ボンディング領域３０２の表示領域から離れる側のエッジ領域に階段構造が形成され、階段構造は第１階段及び第２階段を備え、第１階段はフレキシブル基板及び複合絶縁層から構成され、フレキシブル基板は複合絶縁層の表示領域から離れる側の端面と面一であり、第２階段は第１平坦層及び第２平坦層から構成され、第１平坦層は第２平坦層の表示領域から離れる側の端面と略面一である。このように、ボンディング領域３０２の表示領域３１０から離れる側のエッジ領域に階段構造が形成され、ボンディング領域３０２の表示領域３１０から離れる側のエッジ領域を除き、表示領域及びボンディング領域の他のエッジ領域にも段差構造が形成される。

【0102】

本開示の表示基板の構造及び製造プロセスからわかるように、本開示に係る表示基板は、第１平坦層が切断領域の溝を完全に充填するように設置することで、金属導電層のパターニングプロセスに発生する金属塊の残存を回避し、後続のプロセスではＡｇ粒子や粒子が発生しないだけではなく、Ａｇ粒子や粒子が至るところに付着することもなく、表示基板の黒点不良を効果的に回避し、表示品質を向上させる。

【0103】

表示基板の構造では、後続の切断プロセスの切断厚さ及び難度を低減させるために、切断領域の複合絶縁層及び第１平坦層には基板を露出させる溝が開設される。溝の合計深さは第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層、第４絶縁層、第５絶縁層及び第１平坦層の厚さの和であるため、堆積した金属薄膜の各位置の高さは異なるだけではなく、金属薄膜の高さ差は大きく、その結果、パターニングプロセスでは金属薄膜が不完全にエッチングされ、パターニングプロセスの後で溝の底面及び段差面に金属塊が残存してしまう。また、溝によって、堆積した金属薄膜がフレキシブル基板に直接接触し、金属が有機材料と化学反応して粒子を発生させるため、装置の粒子汚染の問題が生じる。本開示では、切断領域の複合絶縁層にも溝が開設されるが、本開示の第１平坦層は複合絶縁層の溝を完全に充填するように設置され、第１平坦層によって溝領域の高さ差を除去する。後続で金属薄膜を堆積する際に、切断領域が平坦な表面を有し、堆積した金属薄膜の各位置での高さが近いため、金属薄膜のパターニングプロセスに金属塊の残存が発生することを回避し、後続のプロセスではＡｇ粒子が発生することもなく、Ａｇ粒子が至るところに付着することもない。また、溝が第１平坦層によって充填され、後続で堆積した金属薄膜がフレキシブル基板に直接接触していないことで、金属が有機材料と化学反応して粒子を発生させることを回避するだけではなく、フレキシブル基板を金属による腐食から保護する。本開示の製造プロセスは従来の成熟した製造装置によって実現でき、従来のプロセスをほとんど改良せずに済み、従来の製造プロセスとの互換性に優れ、プロセスの実現が簡単であり、実施が容易であり、生産効率が高く、生産コストが低く、歩留まりが高い。要するに、本開示は金属塊の残存や粒子汚染に起因する黒点不良を効果的に回避し、製品の歩留まりを確保し、製品の品質を向上させる。

【0104】

本開示の表示基板の構造及びその製造プロセスは単に例示的な説明である。例示的な実施形態では、実際の必要に応じて、対応する構造を変更するか、パターニングプロセスを増加又は減少させることができる。例えば、ＯＬＥＤはトップエミッション構造、又はボトムエミッション構造であってもよい。また例えば、駆動トランジスタはトップゲート構造又はボトムゲート構造であってもよく、シングルゲート構造又はデュアルゲート構造であってもよい。更に例えば、駆動構造層に他の電極、リード及び構造膜層が設けられてもよく、本開示では特に限定しない。

【0105】

本開示は表示マザーボードを更に提供し、表示マザーボードは基板領域３００、及び基板領域３００の周辺に位置する切断領域４００を備える。図４～図１６に示すように、前記表示マザーボードは、前記基板領域及び切断領域に設けられる駆動構造層と、前記駆動構造層に設けられる第１平坦層とを備え、前記切断領域の駆動構造層は複合絶縁層を備え、前記複合絶縁層に溝が設けられ、前記第１平坦層は前記溝を充填する。

【0106】

例示的な実施形態では、前記複合絶縁層は積層設置される複数の無機絶縁層を備え、前記溝は前記フレキシブル基板を露出させる。

【0107】

例示的な実施形態では、前記基板領域の駆動構造層は、フレキシブル基板に設けられる第１絶縁層と、前記第１絶縁層に設けられる活性層と、前記活性層を被覆する第２絶縁層と、前記第２絶縁層に設けられる第１ゲート金属層と、前記第１ゲート金属層を被覆する第３絶縁層と、前記第３絶縁層に設けられる第２ゲート金属層と、前記第２ゲート金属層を被覆する第４絶縁層と、前記第４絶縁層に設けられるソース／ドレイン金属層と、前記ソース／ドレイン金属層を被覆する第５絶縁層と、を備える。

【0108】

例示的な実施形態では、前記切断領域の駆動構造層は、フレキシブル基板に積層設置される第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層、第４絶縁層及び第５絶縁層を備え、前記フレキシブル基板は積層設置される第１フレキシブル層、第１バリア層、アモルファスシリコン層、第２フレキシブル層及び第２バリア層を備え、前記第１絶縁層は前記第２バリア層に設けられ、前記溝は前記フレキシブル基板の第２バリア層を露出させる。

【0109】

例示的な実施形態では、前記第１フレキシブル層、第１バリア層、アモルファスシリコン層及び第２フレキシブル層の合計厚さは１５μｍ～２０μｍであってもよく、前記第２バリア層の厚さは０．４μｍ～０．７μｍであってもよく、前記第１絶縁層の厚さは０．２μｍ～０．６μｍであってもよい。

【0110】

例示的な実施形態では、前記第２バリア層は前記第２フレキシブル層に積層設置される第１サブ層及び第２サブ層を備え、前記溝は第１溝及び第２溝を備え、前記第１溝は前記第１絶縁層及び第２バリア層の第２サブ層に設けられ、前記第１溝は前記フレキシブル基板の第２バリア層の第１サブ層を露出させ、前記第２溝は前記第２絶縁層、第３絶縁層、第４絶縁層及び第５絶縁層に設けられ、前記第２溝は前記第１絶縁層及び前記フレキシブル基板の第２バリア層の第１サブ層を露出させ、前記第２溝のフレキシブル基板での正投影は前記第１溝のフレキシブル基板での正投影を含む。

【0111】

例示的な実施形態では、表示マザーボードは、前記第１平坦層に設けられる金属導電層と、前記金属導電層を被覆する第２平坦層と、を更に備える。

【0112】

例示的な実施形態では、前記第１溝の深さは０．２μｍ～１．３μｍであってもよく、前記第２溝の深さは０．５μｍ～１．４μｍであってもよい。

【0113】

本開示は表示基板の製造方法を更に提供する。例示的な実施形態では、表示基板の製造方法は、
複数の基板領域及び前記基板領域を取り囲む切断領域に駆動構造層を形成し、前記切断領域の駆動構造層はフレキシブル基板に設けられる複合絶縁層を備え、前記複合絶縁層は段差構造の溝を形成するステップＳ１と、
前記駆動構造層を被覆する第１平坦層を形成し、前記第１平坦層は前記溝を充填するステップＳ２と、
前記切断領域において切断を行って表示基板を形成し、前記表示基板のエッジ領域に段差構造を形成し、前記段差構造における段差の高さは表示基板のエッジから表示基板の内部への方向に順に増加し、前記第１平坦層は前記段差構造を被覆し、前記第１平坦層のエッジは前記フレキシブル基板のエッジと面一であるステップＳ３と、を含む。

【0114】

例示的な実施形態では、前記複合絶縁層は積層設置される複数の無機絶縁層を備えてもよく、前記溝は前記フレキシブル基板を露出させてもよい。

【0115】

例示的な実施形態では、ステップＳ１では、切断領域に駆動構造層を形成することは、
フレキシブル基板に第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層、第４絶縁層及び第５絶縁層を順に形成するステップＳ１１と、
前記第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層、第４絶縁層及び第５絶縁層をパターニングし、前記フレキシブル基板を露出させる溝を形成するステップＳ１２と、を含む。

【0116】

例示的な実施形態では、前記フレキシブル基板は積層設置される第１フレキシブル層、第１バリア層、アモルファスシリコン層、第２フレキシブル層及び第２バリア層を備えてもよく、前記第２バリア層は前記第２フレキシブル層に積層設置される第１サブ層及び第２サブ層を備えてもよく、前記第１絶縁層は前記第２バリア層の第２サブ層に形成されてもよい。ステップＳ１２は、
１回目のパターニングプロセスによって、前記第２絶縁層、第３絶縁層、第４絶縁層及び第５絶縁層に、前記第１絶縁層を露出させる第２溝を形成することと、
２回目のパターニングプロセスによって、前記第２溝における第１絶縁層及び第２バリア層の第２サブ層に、前記フレキシブル基板の第２バリア層の第１サブ層を露出させる第１溝を形成し、前記第２溝が前記第１溝を露出させることと、を含む。

【0117】

本開示は表示基板の製造方法を提供し、第１平坦層が切断領域の溝を完全に充填するように設置することで、金属導電層のパターニングプロセスに発生する金属塊の残存を回避し、後続のプロセスではＡｇ粒子や粒子が発生しないだけではなく、Ａｇ粒子や粒子が至るところに付着することもなく、表示基板の黒点不良を効果的に回避する。本開示の製造プロセスは従来の成熟した製造装置によって実現でき、従来のプロセスをほとんど改良せずに済み、従来の製造プロセスとの互換性に優れ、プロセスの実現が簡単であり、実施が容易であり、生産効率が高く、生産コストが低く、歩留まりが高い。

【0118】

本開示は上記実施例の表示基板を備える表示装置を更に提供する。表示装置は携帯電話、タブレットＰＣ、テレビ、ディスプレイ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、及びナビゲータ等表示機能を有する製品又は部材であってもよい。

【0119】

本願の図面は本開示に係る構造のみに関し、他の構造については通常設計を参照すればよい。矛盾しない限り、本開示の実施例及び実施例における特徴を相互に組み合わせて新しい実施例を得ることができる。

【0120】

当業者が理解できるように、本開示の技術案の趣旨及び範囲を逸脱せずに、本開示の技術案に対して変更や等価置換を行うことができ、これらの変更や等価置換はすべて本願の特許請求の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0121】

１ ガラスキャリアプレート
１０ フレキシブル基板
１０Ａ 第１フレキシブル層
１０Ｂ 第１バリア層
１０Ｃ アモルファスシリコン層
１０Ｄ 第２フレキシブル層
１０Ｅ 第２バリア層
１１ 第１絶縁層
１２Ａ 第１活性層
１２Ｂ 第２活性層
１２Ｃ 第３活性層
１３ 第２絶縁層
１４Ａ 第１ゲート電極
１４Ｂ 第２ゲート電極
１４Ｃ 第３ゲート電極
１５ 第３絶縁層
１６ 第４絶縁層
１７Ａ 第１ソース電極
１７Ｂ 第２ソース電極
１７Ｃ 第３ソース電極
１８Ａ 第１ドレイン電極
１８Ｂ 第２ドレイン電極
１８Ｃ 第３ドレイン電極
１９ 第５絶縁層
２０ 第１平坦層
２１ 第２平坦層
２３ 陽極
２４ 画素定義層
２５ 有機発光層
２６ 陰極
２７ パッケージ層
３１ 第１溝
３２ 第２溝
３３ クラックダム
３４ 隙間
４１Ａ 第１コンデンサ電極
４２ 第２コンデンサ電極
４２Ａ 第３コンデンサ電極
４２Ｂ 第４コンデンサ電極
５１ 第１段差
５２ 第２段差
５３ 第３段差
１００ 表示マザーボード
１０１ 第１トランジスタ
１０２ 第２トランジスタ
１０３ 第３トランジスタ
１０４Ａ 第１ストレージコンデンサ
１０４Ｂ 第２ストレージコンデンサ
１０５ 低電圧線
１０６ 第１接続電極
１０７ 第２接続電極
１０８ 第３接続電極
２０１ 第１ダムベース
２０２ 第２ダムベース
２０３ スペーサコラム
３００ 基板領域
３０２ ボンディング領域
３０３ 第１ファンアウト領域
３０４ 湾曲領域
３０５ 第２ファンアウト領域
３０６ 帯電防止領域
３０７ 駆動チップ領域
３０８ ボンディングピン領域
３１０ 表示領域
３１１ ボンディング回路領域
３１２ ボンディング切断領域
３２０ 周辺回路領域
３３０ 周辺領域
４００ 切断領域
４１０ 切断レーン領域
４２０ 切断内領域
４３０ 切断外領域
５００ エッジ領域
６００ アレイテストユニット
７０１ 第１切断線
７０２ 第２切断線

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【国際調査報告】