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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-05-10
(54)【発明の名称】表示基板及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20230428BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20230428BHJP
G09F 9/302 20060101ALI20230428BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20230428BHJP
H10K 59/121 20230101ALI20230428BHJP
H10K 59/124 20230101ALI20230428BHJP
H10K 71/16 20230101ALI20230428BHJP
H10K 77/10 20230101ALI20230428BHJP
H10K 50/115 20230101ALI20230428BHJP
H10K 59/13 20230101ALI20230428BHJP
H10K 59/131 20230101ALI20230428BHJP
H05B 33/14 20060101ALI20230428BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 330
G09F9/30 365
G09F9/30 348A
G09F9/00 338
G09F9/302 Z
H10K50/10
H10K59/121
H10K59/124
H10K71/16
H10K77/10
H10K50/115
H10K59/13
H10K59/131
H05B33/14 Z
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2021566044
(86)(22)【出願日】2020-01-23
(85)【翻訳文提出日】2021-11-05
(86)【国際出願番号】 CN2020073993
(87)【国際公開番号】W WO2021147081
(87)【国際公開日】2021-07-29
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】510280589
【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ Ｊｉｕｘｉａｎｑｉａｏ Ｒｄ．，Ｃｈａｏｙａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００１５，ＣＨＩＮＡ
(71)【出願人】
【識別番号】511121702
【氏名又は名称】成都京東方光電科技有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＣＨＥＮＧＤＵ ＢＯＥ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１１８８，Ｈｅｚｕｏ Ｒｄ．，（Ｗｅｓｔ Ｚｏｎｅ），Ｈｉ－ｔｅｃｈ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｚｏｎｅ，Ｃｈｅｎｇｄｕ，Ｓｉｃｈｕａｎ，６１１７３１，Ｐ．Ｒ．ＣＨＩＮＡ
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(72)【発明者】
【氏名】▲龍▼ ▲躍▼
(72)【発明者】
【氏名】邱 ▲遠▼游
(72)【発明者】
【氏名】黄 ▲ウェイ▼▲ユン▼
(72)【発明者】
【氏名】黄 耀
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
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(57)【要約】
表示基板及びその製造方法を提供する。該表示基板は、表示用の第１側と、第１側と対向する第２側とを有し、表示基板は表示領域を備え、表示領域は、第１側からの光を少なくとも部分的に第２側に透過することを可能にする第１表示領域（１０）及び第１表示領域（１０）を少なくとも部分的に取り囲む第２表示領域（２０）を備え、表示基板は、第１表示領域（１０）及び第２表示領域（２０）における少なくとも１つの第１接続配線（１５）をさらに備え、第１接続配線（１５）は、互いに電気的に接続される、第１表示領域（１０）に位置する第１部分（１５Ａ）と第２表示領域（２０）に位置する第２部分（１５Ｂ）を備え、第１部分（１５Ａ）が第１光透過配線層を備え、第２部分（１５Ｂ）が金属配線層を備える。該表示基板の第１接続配線（１５）は、抵抗が低くなる。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示基板であって、表示用の第１側と、前記第１側と対向する第２側とを有し、
表示領域であって、前記第１側からの光を少なくとも部分的に前記第２側に透過することを可能にする第１表示領域、及び前記第１表示領域を少なくとも部分的に取り囲む第２表示領域を備える表示領域と、
前記第１表示領域及び前記第２表示領域における少なくとも１つの第１接続配線であって、互いに電気的に接続される、前記第１表示領域に位置する第１部分と前記第２表示領域に位置する第２部分を備え、前記第１部分が第１光透過配線層を備え、前記第２部分が金属配線層を備える少なくとも１つの第１接続配線とを備える、表示基板。
【請求項2】
前記第１表示領域は、アレイ状に配置される複数の第１サブ画素を備え、各第１サブ画素は第１発光デバイスを備え、前記少なくとも１つの第１接続配線は複数の第１接続配線を備え、前記第２表示領域は、それぞれ前記複数の第１接続配線を介して前記複数の第１サブ画素の第１発光デバイスに電気的に接続され、前記複数の第１サブ画素の第１発光デバイスを駆動するための複数の第１画素回路を備える、請求項１に記載の表示基板。
【請求項3】
前記第２部分は前記金属配線層に積層される第２光透過配線層をさらに備え、前記第２光透過配線層は、前記第１光透過配線層と同層に設置され、一体的に接続される、請求項１又は２に記載の表示基板。
【請求項4】
前記第２部分は前記金属配線層に積層される酸化防止保護層をさらに備え、前記表示基板はベース基板を備え、前記第２光透過配線層は前記ベース基板上に位置し、前記金属配線層は前記第２光透過配線層の前記ベース基板から離れる側に位置し、前記酸化防止保護層は前記金属配線層の前記ベース基板から離れる側に位置する、請求項３に記載の表示基板。
【請求項5】
前記金属配線層の材料はＡｇ、Ａｌ、Ｍｏ又はＴｉを含み、前記酸化防止保護層の材料は透明酸化物を含む、請求項４に記載の表示基板。
【請求項6】
前記第１発光デバイスは、第１陽極構造、第１陰極構造、及び前記第１陽極構造と前記第１陰極構造との間の第１発光層を備え、前記第１部分はビアを介して前記第１陽極構造に電気的に接続される、請求項２～５のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項7】
前記第２表示領域は複数の第２サブ画素をさらに備え、各第２サブ画素は、第２発光デバイス、及び前記第２発光デバイスに電気的に接続される第２画素回路を備え、前記第２画素回路は前記第２発光デバイスを駆動するように構成され、前記第２表示領域において、前記複数の第２画素回路は第１アレイに配置される、請求項２～６のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項8】
前記第２表示領域において、前記複数の第１画素回路は、前記第１アレイに設置され、前記複数の第２画素回路とともに第２アレイに配置される、請求項７に記載の表示基板。
【請求項9】
前記第２発光デバイスは、第２陽極構造、第２陰極構造、及び前記第２陽極構造と前記第２陰極構造との間の第２発光層を備え、前記第２陽極構造はビアを介して前記第２画素回路に電気的に接続される、請求項７又は８に記載の表示基板。
【請求項10】
前記表示領域は、前記第２表示領域を少なくとも部分的に取り囲む第３表示領域をさらに備え、前記第３表示領域は、アレイ状に配置される複数の第３サブ画素を備え、各第３サブ画素は、第３発光デバイス、及び前記第３発光デバイスに電気的に接続される第３画素回路を備え、前記第３画素回路は前記第３発光デバイスを駆動するように構成され、前記第３発光デバイスは、第３陽極構造、第３陰極構造、及び前記第３陽極構造と前記第３陰極構造との間の第３発光層を備え、前記第３陽極構造はビアを介して前記第３画素回路に電気的に接続される、請求項１～９のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項11】
前記表示基板はベース基板を備え、前記第１表示領域は前記ベース基板上に位置する透明支持層をさらに備え、前記第１発光デバイスは前記透明支持層の前記ベース基板から離れる側に位置する、請求項２～９のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項12】
前記第１画素回路は、薄膜トランジスタ及びストレージキャパシタを備え、前記薄膜トランジスタは活性層、ゲート及びソース・ドレインを備え、前記ストレージキャパシタは第１キャパシタ極板及び第２キャパシタ極板を備え、前記活性層は前記ベース基板に設置され、前記活性層の前記ベース基板から離れる側に第１ゲート絶縁層が設置され、
前記ゲートと前記第１キャパシタ極板は、前記第１ゲート絶縁層の前記ベース基板から離れる側に同層に設置され、前記ゲートと前記第１キャパシタ極板の前記ベース基板から離れる側に第２ゲート絶縁層が設置され、
前記第２キャパシタ極板は前記第２ゲート絶縁層の前記ベース基板から離れる側に設置され、前記第２キャパシタ極板の前記ベース基板から離れる側に層間絶縁層が設置され、
前記ソース・ドレインは前記層間絶縁層の前記ベース基板から離れる側に設置され、前記第１ゲート絶縁層、前記第２ゲート絶縁層及び前記層間絶縁層のビアを介して前記活性層に電気的に接続され、前記ソース・ドレインの前記ベース基板から離れる側に平坦化層が設置され、
前記透明支持層は、前記第１ゲート絶縁層、前記第２ゲート絶縁層、前記層間絶縁層及び前記平坦化層のうちの少なくとも１つと同層に設置される、請求項１１に記載の表示基板。
【請求項13】
センサをさらに備え、前記センサは前記表示基板の第２側に設置され、前記センサの前記ベース基板での正投影が前記第１表示領域と少なくとも部分的に重なり、前記第１側からの前記光を受光するように構成される、請求項１１に記載の表示基板。
【請求項14】
表示基板の製造方法であって、前記表示基板は、表示用の第１側と、前記第１側と対向する第２側とを有し、
前記製造方法は、
表示領域を形成するステップであって、前記表示領域は前記第１側からの光を少なくとも部分的に前記第２側に透過することを可能にする第１表示領域、及び前記第１表示領域を少なくとも部分的に取り囲む第２表示領域を備えるステップと、
少なくとも１つの第１接続配線を前記第１表示領域及び前記第２表示領域内に形成するステップであって、前記第１接続配線は互いに電気的に接続される、前記第１表示領域に位置する第１部分と前記第２表示領域に位置する第２部分を備え、前記第１部分が第１光透過配線層を備え、前記第２部分が金属配線層を備えるステップと、を含む、表示基板の製造方法。
【請求項15】
前記表示領域を形成するステップは、それぞれ第１発光デバイスを備え、アレイ状に配置される複数の第１サブ画素を前記第１表示領域内に形成するステップと、
複数の第１画素回路を前記第２表示領域内に形成するステップと、をさらに含み、
前記少なくとも１つの第１接続配線は複数の第１接続配線を備え、前記複数の第１画素回路は、それぞれ前記複数の第１接続配線を介して前記複数の第１サブ画素の第１発光デバイスに電気的に接続され、前記複数の第１サブ画素の第１発光デバイスを駆動することに用いられる、請求項１４に記載の表示基板の製造方法。
【請求項16】
前記第１接続配線の第２部分を形成するステップは、前記金属配線層に積層される第２光透過配線層を形成するステップをさらに含み、
前記第２光透過配線層は、前記第１光透過配線層と同層に形成され、一体的に接続される、請求項１５に記載の表示基板の製造方法。
【請求項17】
ベース基板を用意するステップをさらに含み、第１接続配線の第２部分を形成するステップは、
前記金属配線層に積層される酸化防止保護層を形成するステップをさらに含み、
前記第２光透過配線層は前記ベース基板に形成され、前記金属配線層は前記第２光透過配線層の前記ベース基板から離れる側に形成され、前記酸化防止保護層は前記金属配線層の前記ベース基板から離れる側に形成される、請求項１６に記載の表示基板の製造方法。
【請求項18】
前記第１接続配線を形成するステップは、光透過配線材料層、金属配線材料層及び導電性保護材料層を、マスクを介して前記第１表示領域及び前記第２表示領域に順次堆積させるステップと、
ドライエッチング法により、前記第１表示領域に位置する金属配線材料層及び導電性保護材料層をエッチング除去するステップと、を含む、請求項１７に記載の表示基板の製造方法。
【請求項19】
前記第１接続配線を形成するステップは、光透過配線材料層、金属配線材料層及び導電性保護材料層を、マスクを介して前記第１表示領域及び前記第２表示領域に順次堆積させるステップと、
ウェットエッチング法により、前記第１表示領域に位置する金属配線材料層及び導電性保護材料層をエッチング除去するステップと、
光透過配線材料層を、前記マスクを介して前記第１表示領域及び前記第２表示領域に再度堆積させるステップと、を含む、請求項１７に記載の表示基板の製造方法。
【請求項20】
前記第１画素回路の形成は、薄膜トランジスタ及びストレージキャパシタの形成を含み、前記薄膜トランジスタは活性層、ゲート及びソース・ドレインを備え、前記ストレージキャパシタは第１キャパシタ極板及び第２キャパシタ極板を備え、前記活性層は前記ベース基板に形成され、前記活性層の前記ベース基板から離れる側に第１ゲート絶縁層が形成され、
前記ゲートと前記第１キャパシタ極板は、前記第１ゲート絶縁層の前記ベース基板から離れる側に同層に形成され、前記ゲートと前記第１キャパシタ極板の前記ベース基板から離れる側に第２ゲート絶縁層が形成され、
前記第２キャパシタ極板は前記第２ゲート絶縁層の前記ベース基板から離れる側に形成され、前記第２キャパシタ極板の前記ベース基板から離れる側に層間絶縁層が形成され、
前記ソース・ドレインは前記層間絶縁層の前記ベース基板から離れる側に形成され、前記第１ゲート絶縁層、前記第２ゲート絶縁層及び前記層間絶縁層のビアを介して前記活性層に電気的に接続され、前記ソース・ドレインの前記ベース基板から離れる側に平坦化層が形成され、
前記第１表示領域を形成するステップは、
前記ベース基板と前記第１発光デバイスとの間に透明支持層を形成するステップをさらに含み、
前記透明支持層は、前記第１ゲート絶縁層、前記第２ゲート絶縁層、前記層間絶縁層及び前記平坦化層のうちの少なくとも１つと同層に形成される、請求項１７に記載の表示基板の製造方法。
【請求項21】
センサを用意し、前記センサを前記表示基板の第２側に結合するステップをさらに含み、前記センサの前記ベース基板での正投影が前記第１表示領域と少なくとも部分的に重なり、前記第１側からの前記光を受光するように構成される、請求項１７に記載の表示基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の実施例は表示基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
現在、電子機器で使用される表示画面は、ユーザがより良好な視覚体験を得るように、大画面、全画面に向かって発展している。携帯電話、タブレットＰＣなどの電子製品を例示すると、これらの電子機器は、カメラ、光センサなどの部材を組み合わせる必要があり、これらの部材は通常、表示画面の表示領域を占めるため、表示画面の全画面設計を実現することは困難である。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0003】
本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板を提供し、該表示基板は、表示用の第１側と、前記第１側と対向する第２側とを有し、前記表示基板は表示領域を備え、前記表示領域は、前記第１側からの光を少なくとも部分的に前記第２側に透過することを可能にする第１表示領域、及び前記第１表示領域を少なくとも部分的に取り囲む第２表示領域を備え、前記表示基板は前記第１表示領域及び前記第２表示領域における少なくとも１つの第１接続配線をさらに備え、前記第１接続配線は、互いに電気的に接続される、第１表示領域に位置する第１部分と第２表示領域に位置する第２部分を備え、前記第１部分が第１光透過配線層を備え、前記第２部分が金属配線層を備える。
【0004】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板においては、前記第１表示領域はアレイ状に配置される複数の第１サブ画素を備え、各第１サブ画素は第１発光デバイスを備え、前記少なくとも１つの第１接続配線は複数の第１接続配線を備え、前記第２表示領域は、それぞれ前記複数の第１接続配線を介して前記複数の第１サブ画素の第１発光デバイスに電気的に接続され、前記複数の第１サブ画素の第１発光デバイスを駆動するための複数の第１画素回路を備える。
【0005】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板においては、前記第２部分は前記金属配線層に積層される第２光透過配線層をさらに備え、前記第２光透過配線層は前記第１光透過配線層と同層に設置され、一体的に接続される。
【0006】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板においては、前記第２部分は前記金属配線層に積層される酸化防止保護層をさらに備え、前記表示基板はベース基板を備え、前記第２光透過配線層は前記ベース基板上に位置し、前記金属配線層は前記第２光透過配線層の前記ベース基板から離れる側に位置し、前記酸化防止保護層は前記金属配線層の前記ベース基板から離れる側に位置する。
【0007】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板においては、前記金属配線層の材料はＡｇ、Ａｌ、Ｍｏ又はＴｉを含み、前記酸化防止保護層の材料は透明酸化物を含む。
【0008】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板においては、前記第１発光デバイスは、第１陽極構造、第１陰極構造、及び前記第１陽極構造と前記第１陰極構造との間の第１発光層を備え、前記第１部分はビアを介して前記第１陽極構造に電気的に接続される。
【0009】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板においては、前記第２表示領域は複数の第２サブ画素をさらに備え、各第２サブ画素は、第２発光デバイス、及び前記第２発光デバイスに電気的に接続される第２画素回路を備え、前記第２画素回路は前記第２発光デバイスを駆動するように構成され、前記第２表示領域において、前記複数の第２画素回路は第１アレイに配置される。
【0010】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板においては、前記第２表示領域において、前記複数の第１画素回路は、前記第１アレイに設置され、前記複数の第２画素回路とともに第２アレイに配置される。
【0011】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板においては、前記第２発光デバイスは、第２陽極構造、第２陰極構造、及び前記第２陽極構造と前記第２陰極構造との間の第２発光層を備え、前記第２陽極構造はビアを介して前記第２画素回路に電気的に接続される。
【0012】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板においては、前記表示領域は、前記第２表示領域を少なくとも部分的に取り囲む第３表示領域をさらに備え、前記第３表示領域はアレイ状に配置される複数の第３サブ画素を備え、各第３サブ画素は、第３発光デバイス、及び前記第３発光デバイスに電気的に接続される第３画素回路を備え、前記第３画素回路は前記第３発光デバイスを駆動するように構成され、前記第３発光デバイスは、第３陽極構造、第３陰極構造、及び前記第３陽極構造と前記第３陰極構造との間の第３発光層を備え、前記第３陽極構造はビアを介して前記第３画素回路に電気的に接続される。
【0013】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板においては、前記表示基板はベース基板を備え、前記第１表示領域は前記ベース基板上に位置する透明支持層をさらに備え、前記第１発光デバイスは前記透明支持層の前記ベース基板から離れる側に位置する。
【0014】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板においては、前記第１画素回路は、薄膜トランジスタ及びストレージキャパシタを備え、前記薄膜トランジスタは活性層、ゲート及びソース・ドレインを備え、前記ストレージキャパシタは第１キャパシタ極板及び第２キャパシタ極板を備え、前記活性層は前記ベース基板に設置され、前記活性層の前記ベース基板から離れる側に第１ゲート絶縁層が設置され、前記ゲートと前記第１キャパシタ極板は前記第１ゲート絶縁層の前記ベース基板から離れる側に同層に設置され、前記ゲートと前記第１キャパシタ極板の前記ベース基板から離れる側に第２ゲート絶縁層が設置され、前記第２キャパシタ極板は前記第２ゲート絶縁層の前記ベース基板から離れる側に設置され、前記第２キャパシタ極板の前記ベース基板から離れる側に層間絶縁層が設置され、前記ソース・ドレインは前記層間絶縁層の前記ベース基板から離れる側に設置され、前記第１ゲート絶縁層、前記第２ゲート絶縁層及び前記層間絶縁層のビアを介して前記活性層に電気的に接続され、前記ソース・ドレインの前記ベース基板から離れる側に平坦化層が設置され、前記透明支持層は、前記第１ゲート絶縁層、前記第２ゲート絶縁層、前記層間絶縁層及び前記平坦化層のうちの少なくとも１つと同層に設置される。
【0015】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板はセンサをさらに備え、前記センサは前記表示基板の第２側に設置され、前記センサの前記ベース基板での正投影が前記第１表示領域と少なくとも部分的に重なり、前記第１側からの前記光を受光するように構成される。
【0016】
本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板の製造方法を提供し、前記表示基板は、表示用の第１側と、前記第１側と対向する第２側とを有し、前記製造方法は、表示領域を形成するステップであって、前記表示領域は前記第１側からの光を少なくとも部分的に前記第２側に透過することを可能にする第１表示領域、及び前記第１表示領域を少なくとも部分的に取り囲む第２表示領域を備えるステップと、前記第１表示領域及び前記第２表示領域内に少なくとも１つの第１接続配線を形成するステップであって、前記第１接続配線は互いに電気的に接続される、第１表示領域に位置する第１部分と第２表示領域に位置する第２部分を備え、前記第１部分が第１光透過配線層を備え、前記第２部分が金属配線層を備えるステップと、を含む。
【0017】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の製造方法においては、前記表示領域を形成するステップは、それぞれ第１発光デバイスを備え、アレイ状に配置される複数の第１サブ画素を前記第１表示領域内に形成するステップと、複数の第１画素回路を前記第２表示領域内に形成するステップとをさらに含み、前記少なくとも１つの第１接続配線は複数の第１接続配線を備え、前記複数の第１画素回路は、それぞれ前記複数の第１接続配線を介して前記複数の第１サブ画素の第１発光デバイスに電気的に接続され、前記複数の第１サブ画素の第１発光デバイスを駆動することに用いられる。
【0018】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の製造方法においては、前記第１接続配線の第２部分を形成するステップは、前記金属配線層に積層される第２光透過配線層を形成するステップをさらに含み、前記第２光透過配線層は前記第１光透過配線層と同層に形成され、一体的に接続される。
【0019】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の製造方法は、ベース基板を用意するステップをさらに含み、第１接続配線の第２部分を形成するステップは、前記金属配線層に積層される酸化防止保護層を形成するステップをさらに含み、前記第２光透過配線層は前記ベース基板に形成され、前記金属配線層は前記第２光透過配線層の前記ベース基板から離れる側に形成され、前記酸化防止保護層は前記金属配線層の前記ベース基板から離れる側に形成される。
【0020】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の製造方法においては、前記第１接続配線を形成するステップは、光透過配線材料層、金属配線材料層及び導電性保護材料層を、マスクを介して前記第１表示領域及び前記第２表示領域に順次堆積させるステップと、ドライエッチング法により、前記第１表示領域に位置する金属配線材料層及び導電性保護材料層をエッチング除去するステップとを含む。
【0021】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の製造方法においては、前記第１接続配線を形成するステップは、光透過配線材料層、金属配線材料層及び導電性保護材料層を、マスクを介して前記第１表示領域及び前記第２表示領域に順次堆積させるステップと、ウェットエッチング法により、前記第１表示領域に位置する金属配線材料層及び導電性保護材料層をエッチング除去するステップと、光透過配線材料層を、前記マスクを介して前記第１表示領域及び前記第２表示領域に再度堆積させるステップとを含む。
【0022】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の製造方法においては、前記第１画素回路の形成は、薄膜トランジスタ及びストレージキャパシタの形成を含み、前記薄膜トランジスタは活性層、ゲート及びソース・ドレインを備え、前記ストレージキャパシタは第１キャパシタ極板及び第２キャパシタ極板を備え、前記活性層は前記ベース基板に形成され、前記活性層の前記ベース基板から離れる側に第１ゲート絶縁層が形成され、前記ゲートと前記第１キャパシタ極板は前記第１ゲート絶縁層の前記ベース基板から離れる側に同層に形成され、前記ゲートと前記第１キャパシタ極板の前記ベース基板から離れる側に第２ゲート絶縁層が形成され、前記第２キャパシタ極板は前記第２ゲート絶縁層の前記ベース基板から離れる側に形成され、前記第２キャパシタ極板の前記ベース基板から離れる側に層間絶縁層が形成され、前記ソース・ドレインは前記層間絶縁層の前記ベース基板から離れる側に形成され、前記第１ゲート絶縁層、前記第２ゲート絶縁層及び前記層間絶縁層のビアを介して前記活性層に電気的に接続され、前記ソース・ドレインの前記ベース基板から離れる側に平坦化層が形成され、前記第１表示領域を形成するステップは、前記ベース基板と前記第１発光デバイスとの間に透明支持層を形成するステップをさらに含み、前記透明支持層は、前記第１ゲート絶縁層、前記第２ゲート絶縁層、前記層間絶縁層及び前記平坦化層のうちの少なくとも１つと同層に形成される。
【0023】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の製造方法は、センサを用意し、前記センサを前記表示基板の第２側に結合するステップをさらに含み、前記センサの前記ベース基板での正投影が前記第１表示領域と少なくとも部分的に重なり、前記第１側からの前記光を受光するように構成される。
【図面の簡単な説明】
【0024】
本開示の実施例の技術案をより明確に説明するために、以下、実施例の図面を簡単に説明し、明らかなように、以下説明される図面は、本開示を限定するものではなく、本開示のいくつかの実施例に関するものに過ぎない。
【0025】
【発明を実施するための形態】
【0026】
本開示の実施例の目的、技術案及び利点をより明確にするために、以下、本開示の実施例の図面を参照しながら、本開示の実施例の技術案を明確、かつ完全に説明する。明らかなように、説明される実施例は本開示の実施例の一部であり、実施例の全部ではない。説明される本開示の実施例に基づき、当業者が創造的な労働を必要とせずに得る全ての他の実施例は、いずれも本開示の保護範囲に属する。
【0027】
特に定義されない限り、本開示で使用される技術用語又は科学用語は、当業者が理解できる一般的な意味を有する。本開示で使用される「第１」、「第２」及び類似する用語は、何らかの順序、数又は重要性を示すものではなく、異なる構成要素を区別するためのものに過ぎない。「備える」又は「含む」などの類似する用語は、該用語の前に記載された素子又は部材が、該用語の後に列挙される素子又は部材、及びそれらの同等物を含み、他の素子又は部材を排除しないことを意味する。「接続」又は「連結」などの類似する用語は、物理的又は機械的接続に限定されず、直接接続されるか間接的に接続されるかに関わらず、電気的接続を含んでもよい。「上」、「下」、「左」、「右」などは、相対位置関係を示すことのみに用いられ、説明対象の絶対位置が変化すると、該相対位置関係もそれに応じて変化する可能性がある。
【0028】
表示画面の全画面設計を実現するために、いくつかの実施形態では、センサ（例えば、画像センサ、赤外線センサ）などの部材を取り付けるための表示領域の一部を光透過表示領域として設計することができ、それにより該光透過表示領域は表示機能を実現するとともに、センサ等の部材の取り付けが容易になる。
【0029】
例えば、図１Ａは表示基板の平面模式図を示し、図１Ｂは図１Ａに示す表示基板の部分拡大模式図であり、図２は図１Ｂの表示基板のＡ－Ａ線に沿った断面模式図を示す。図１Ａ、図１Ｂ及び図２に示すように、該表示基板の表示領域は、光透過表示領域１、周辺表示領域２及び本体表示領域３を備える。
【0030】
例えば、本体表示領域３は主な表示領域であり、高解像度（Ｐｉｘｅｌ Ｐｅｒ Ｉｎｃｈ、ＰＰＩ）を有し、すなわち、本体表示領域３内に高密度の表示用のサブ画素が配置される。各サブ画素は発光デバイス、及び発光デバイスを駆動する画素回路を備える。光透過表示領域１は、表示基板の表示側から入射された光が表示基板を透過して表示基板の裏側に到達することを可能にし、それにより表示基板の裏側に位置するセンサ等の部材の通常の動作に使用される。光透過表示領域１及び周辺表示領域２も表示用の複数のサブ画素を備える。しかし、サブ画素の画素回路が通常、光を透過しないため、光透過表示領域１の光透過性を確保するために、光透過表示領域１のサブ画素（例えば、図１Ｂの光透過表示領域１内のボックスで示される）の画素回路は、周辺表示領域２の灰色ボックスで示されるように、周辺表示領域２に設置することができ、従って周辺表示領域２の空間の一部を占め、周辺表示領域２の残りの空間は周辺表示領域２のサブ画素を設置することに用いられ、例えば、周辺表示領域２の白色ボックスのそれぞれが１つのサブ画素を表す。このとき、周辺表示領域２のサブ画素（図１Ｂの白色ボックス）及び光透過表示領域１のサブ画素の画素回路（図１Ｂの灰色ボックス）は、周辺表示領域２にアレイ状に配置される。それにより、光透過表示領域１及び周辺表示領域２の解像度は本体表示領域３の解像度よりも低く、すなわち、光透過表示領域１及び周辺表示領域２内に配置される表示用のサブ画素の密度は本体表示領域３のサブ画素の密度よりも低い。
【0031】
図２に示すように、光透過表示領域１中の１つのサブ画素の発光デバイス４は、陽極４Ａ、陰極４Ｃ、及び陽極４Ａと陰極４Ｃとの間の発光層４Ｂを備え、陽極４Ａは導電性リード線を介して周辺表示領域２の画素回路５に接続される。
【0032】
具体的な実施例では、導電性リード線は金属リード線であってもよく、例えば、サブ画素の画素回路のソース・ドレインの金属と同じ材料を使用してもよく、透明配線（例えば、ＩＴＯ配線）６は周辺表示領域２の画素回路５に電気的に接続されてもよく、それにより周辺表示領域２に位置する画素回路５は光透過表示領域１に位置する発光デバイス４を駆動することに用いられる。透明配線６は高い光透過性を有するため、光透過表示領域１も高い光透過性を有することを確保できる。それにより、表示基板の裏側に設置されるセンサ７等の部材は、光透過表示領域１を介して表示基板の表示側から透過された光を受光し、通常の動作を行うことができる。
【0033】
上記場合、透明配線６は、周辺表示領域２の画素回路５から光透過表示領域１の発光デバイス４まで延びる必要があるため、少なくとも一部の透明配線６の長さが長くなり、例えば、その長さは２つ以上のサブ画素領域の距離にわたり、一方、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ、又はいずれか１つ、又は２つの組み合わせなどのソース・ドレインの材料、又は、銅、モリブデン、マグネシウム、銀又は少なくとも２つの材料の組み合わせなどの他の電極材料と比較し、透明配線６に使用される材料自体は抵抗が高く、その製造プロセスで偏差が生じやすく、透明配線６の全体的な抵抗が高く、従って、画素回路５が光透過表示領域１のサブ画素に電気信号を伝送する速度が遅くなり、その結果、光透過表示領域１のサブ画素と、周辺表示領域２及び本体表示領域３のサブ画素とを非同期に駆動し、表示領域の表示効果に悪影響を与える。
【0034】
本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板及びその製造方法を提供し、該表示基板は、表示用の第１側と、第１側と対向する第２側とを有し、表示基板は表示領域を備え、表示領域は、第１側からの光を少なくとも部分的に第２側に透過することを可能にする第１表示領域、及び第１表示領域を少なくとも部分的に取り囲む第２表示領域を備え、表示基板は第１表示領域及び第２表示領域における少なくとも１つの第１接続配線をさらに備え、第１接続配線は、互いに電気的に接続される、第１表示領域に位置する第１部分と第２表示領域に位置する第２部分を備え、第１部分が第１光透過配線層を備え、第２部分が金属配線層を備える。該表示基板の第１接続配線は抵抗が低くなる。
【0035】
以下、いくつかの具体的な実施例を参照しながら、本開示のいくつかの実施例の表示基板及びその製造方法について説明する。
【0036】
【0037】
図３及び図４に示すように、該表示基板は、表示用の第１側（図４には、表示基板の上側として示され、すなわち表示基板の表示側）と、第１側と対向する第２側（図４には表示基板の下側として示される）とを有する。該表示基板は表示領域を備え、該表示領域は、第１側からの光を少なくとも部分的に第２側に透過することを可能にする第１表示領域１０、及び第１表示領域１０を少なくとも部分的に取り囲む第２表示領域２０を備え、すなわち、第１表示領域１０は少なくとも部分的に光を透過し、それにより画像センサ、赤外線センサなどの部材の取り付けが容易になる。
【0038】
図４に示すように、表示基板は第１表示領域１０及び第２表示領域２０における少なくとも１つの第１接続配線１５をさらに備え、第１接続配線１５は、互いに電気的に接続される、第１表示領域１０に位置する第１部分１５Ａと第２表示領域２０に位置する第２部分１５Ｂを備え、第１部分１５Ａが第１光透過配線層を備え、第２部分１５Ｂが金属配線層を備える。
【0039】
例えば、第１光透過配線層の材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明金属酸化物などの透明導電性材料であってもよく、金属配線層の材料は、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）又はチタン（Ｔｉ）などの金属材料又はそれらの合金材料を含んでもよい。金属配線層の抵抗が低いため、光透過配線層のみを含む配線と比較すると、第１接続配線１５は抵抗が低くなる。
【0040】
例えば、図５は第１表示領域１０及び第２表示領域２０の平面模式図を示す。図５に示すように、いくつかの実施例では、第１表示領域１０はアレイ状に配置される複数の第１サブ画素を備え、各第１サブ画素は第１発光デバイス１１を備え、表示領域は複数の第１接続配線１５を備え、第２表示領域２０は複数の第１画素回路Ｄを備え、複数の第１画素回路Ｄは、それぞれ複数の第１接続配線１５を介して複数の第１サブ画素の第１発光デバイス１１に電気的に接続され、複数の第１サブ画素の第１発光デバイス１１を駆動することに用いられる。
【0041】
例えば、図５に示す実施例では、複数の第１画素回路Ｄは複数の第１サブ画素の第１発光デバイス１１に１対１で対応し、第１接続配線１５を介して電気的に接続され、このとき、１つの第１画素回路Ｄは、１つの第１サブ画素の第１発光デバイス１１を駆動することに用いられる。例えば、別のいくつかの実施例では、１つの第１画素回路Ｄはそれぞれ複数の第１接続配線１５を介して複数の第１サブ画素の第１発光デバイス１１に電気的に接続され、このとき、１つの第１画素回路Ｄは、複数の第１サブ画素の第１発光デバイス１１を駆動することに用いられる。本開示の実施例は、第１画素回路Ｄと第１サブ画素の第１発光デバイス１１の対応関係を特に限定しない。
【0042】
例えば、いくつかの実施例では、図４に示すように、第１接続配線１５の第１部分１５Ａは第１光透過配線層を備え、第１接続配線１５の第２部分１５Ｂは、金属配線層１６及び金属配線層１６に積層される第２光透過配線層１５Ｃを備え、第２光透過配線層１５Ｃは、第１光透過配線層と同層に設置され、一体的に接続され、すなわち、第２光透過配線層１５Ｃは第１光透過配線層と同層に設置され、直接接触して、一体構造を形成する。
【0043】
なお、本開示の実施例では、「同層に設置される」は、２つの機能層又は構造層が表示基板の階層構造において同層に同じ材料で形成されることを意味し、すなわち、製造プロセスでは、該２つの機能層又は構造層は同じ材料層で形成されてもよく、同じパターニングプロセスにより必要なパターン及び構造を形成することができる。１回のパターニングプロセスは、例えば、フォトレジストの形成、露光、現像、エッチングなどの工程を含む。
【0044】
例えば、いくつかの実施例では、図４に示すように、第１接続配線１５の第２部分１５Ｂは、金属配線層１６に積層される酸化防止保護層１７をさらに備えてもよく、酸化防止保護層１７は金属配線層１６の酸化を防止し、金属配線層１６の高い導電性を確保することができ、また、酸化防止保護層１７はさらに、金属配線層１６とその上に形成された絶縁層１４５の接着性を強化して、金属配線層１６と絶縁層１４５の接続不良を防止することができる。例えば、いくつかの実施例では、酸化防止保護層１７は、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明導電性酸化物材料のような透明酸化物材料を使用してもよく、それにより第１接続配線１５の抵抗をさらに低減させることができる。
【0045】
例えば、図４に示すように、表示基板はベース基板１４を備え、第２光透過配線層１５Ｃはベース基板１４上に位置し、金属配線層１６は第２光透過配線層１５Ｃのベース基板１４から離れる側に位置し、酸化防止保護層１７は金属配線層１６のベース基板１４から離れる側に位置する。それにより、第１接続配線１５の第２部分１５Ｂは３層を積層した導電性構造として形成され、該３層を積層した導電性構造は第１接続配線１５の抵抗を大幅に低減させることができる。複数の第１接続配線１５がそれぞれ複数の第１発光デバイス１１に駆動信号を伝送することに用いられる場合、第１接続配線１５の上記設計はさらに、複数の第１接続配線１５を流れる電流の均一性を向上させ、さらに表示基板の表示効果を向上させることができる。
【0046】
例えば、図４に示す実施例では、第２光透過配線層１５Ｃと酸化防止保護層１７は、接触せずに間隔をおいて設置される。別のいくつかの実施例では、製造プロセスが異なるため、図６に示すように、第２光透過配線層１５Ｃと酸化防止保護層１７は物理的に接続されてもよく、すなわち、図６に示す実施例では、酸化防止保護層１７はさらに、金属配線層１６の右側に被覆して、第２光透過配線層１５Ｃと物理的に接触する。該実施例に係る３層導電性構造も第１接続配線１５の抵抗を大幅に低減させることができる。
【0047】
例えば、いくつかの実施例では、図４及び図６に示すように、第１発光デバイス１１は、第１陽極構造１１１、第１陰極構造１１３、及び第１陽極構造１１１と第１陰極構造１１３との間の第１発光層１１２を備え、第１接続配線１５の第１部分１５Ａはビアを介して第１陽極構造１１１に電気的に接続される。例えば、第１接続配線１５上に絶縁層１４５が設置され、絶縁層１４５は第１表示領域１０内にビア１４５Ａを有し、第１接続配線１５の第１部分１５Ａは絶縁層１４５のビア１４５Ａを介して第１陽極構造１１１に電気的に接続される。
【0048】
例えば、いくつかの実施例では、第１陽極構造１１１は複数層の陽極サブ層を備え、例えば、３層の陽極サブ層が図示される。例えば、該３層の陽極サブ層はＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの３層積層構造である。例えば、第１陰極構造１１３は表示基板の表面全体に形成された構造であってもよく、第１陰極構造１１３は、リチウム（Ｌｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）などの金属材料を含んでもよい。第１陰極構造１１３が非常に薄い層として形成されるため、第１陰極構造１１３は良好な光透過性を有する。
【0049】
例えば、別のいくつかの実施例では、第１接続配線１５と第１陽極構造１１１は、図４及び図６とは異なる設計を使用してもよい。例えば、図７に示すように、第１接続配線１５の第１部分１５Ａは、第１陽極構造１１１が備えた複数層の陽極サブ層の底部陽極サブ層（例えば、ＩＴＯ層）と同層に設置され、一体的に接続されてもよい。また、第１接続配線１５の第２部分１５Ｂが備えた第２光透過配線１５Ｃは、第１部分１５Ａと同層に設置され、一体的に接続されてもよく、第２部分１５Ｂが備えた金属配線層１６は、第１陽極構造１１１が備えた複数層の陽極サブ層の中間層陽極サブ層（例えば、Ａｇ層）と同層に設置され、第２部分１５Ｂが備えた酸化防止保護層１７は、第１陽極構造１１１が備えた複数層の陽極サブ層のうちの上部陽極サブ層（例えば、ＩＴＯ層）と同層に設置される。それにより、表示基板の製造プロセスを簡素化することができる。例えば、図４及び図６に示す表示基板と比較すると、図７に示す表示基板は、同じパターニングプロセスを使用するとともに第１接続配線１５及び第１陽極構造１１１を形成することができ、それにより単独な第１接続配線１の製造プロセス及び絶縁層１４５の製造プロセスを削減することができる。
【0050】
例えば、別のいくつかの実施例では、第１接続配線１５は、図４、図６及び図７とはいずれも異なる設計を使用してもよい。例えば、図８に示すように、第１接続配線の第１部分１５Ａは第１光透過配線層であり、第２部分１５Ｂは金属配線層であり、第１部分１５Ａと第２部分１５Ｂはビアを介して電気的に接続される。例えば、第２部分１５Ｂ上に絶縁層１４８が設置され、絶縁層１４８は第２表示領域２０内にビア１４８Ａを有し、第１部分１５Ａと第２部分１５Ｂは絶縁層１４８のビア１４８Ａを介して電気的に接続される。
【0051】
例えば、図９は上記場合での第１表示領域１０及び第２表示領域２０の平面図を示す。例えば、図９に示すように、第２表示領域２０の第１表示領域１０に近接する位置にビア領域（破線で囲まれた領域）があり、複数の第１接続配線１５の第１部分１５Ａと第２部分１５Ｂは、それぞれ該ビア領域内に設置された複数のビア１４８Ａを介して電気的に接続され得る。該実施例では、第２部分１５Ｂの金属配線層の設計により、第１接続配線１５は依然として抵抗が低くなる。
【0052】
例えば、いくつかの実施例では、図５に示すように、第２表示領域２０は複数の第２サブ画素Ｐをさらに備え、各第２サブ画素Ｐは第２発光デバイス及び第２発光デバイスに電気的に接続される第２画素回路を備え、第２画素回路は第２発光デバイスを駆動するように構成され、第２表示領域２０において、複数の第２画素回路は第１アレイ、すなわち図５の灰色の四角で配置されるアレイに配置される。
【0053】
例えば、いくつかの実施例では、第２表示領域２０において、複数の第１画素回路Ｄは、第１アレイに分散して設置され、複数の第２画素回路Ｄとともに第２アレイ、すなわち図５の灰色の四角及び白色の四角で共に配置されるアレイに配置される。
【0054】
例えば、図１０は第１表示領域１０及び第２表示領域２０の別の平面図を示す。図１０に示すように、いくつかの実施例では、第１接続配線１５は、第２表示領域２０の第２サブ画素Ｐをわたって第１表示領域１０に位置する第１発光デバイス１１（例えば、陽極、発光層、及び陰極を備える）、及び第２表示領域２０に位置する、該第１発光デバイス１１を駆動するための第１画素回路Ｄ（例えば、駆動トランジスタ、ストレージキャパシタなどを備える）に電気的に接続される。例えば、図１０に示す実施例では、第１接続配線１５は、第１表示領域１０に位置する第１発光デバイス１１、及び第２表示領域２０に位置する、該第１発光デバイス１１を駆動するための第１画素回路Ｄに直線状に電気的に接続されてもよい。例えば、第１表示領域１０の第１サブ画素を駆動するためのデータ線Ｄ（例えば、Ｄ１、Ｄ２）は、第２表示領域２０の第１表示領域１０に近接する境界に巻線して配置され得る。
【0055】
例えば、同じ列に位置するサブ画素の画素回路は、同じデータ線に電気的に接続されてもよく、それにより同じ列に位置するサブ画素の発光デバイスは同じデータ線により駆動することができる。例えば、図１０に示す実施例では、左側のデータ線Ｄ１は、巻線により第１表示領域１０の左側の１列目のサブ画素の画素回路に電気的に接続され、右側のデータ線Ｄ２は、第１表示領域１０の左側の２列目のサブ画素の画素回路に電気的に接続される。もちろん、第１表示領域１０の他の列のサブ画素もそれぞれ１つのデータ線に接続されるが、図示されない。
【0056】
なお、本開示の実施例では、列方向とは図中の垂直方向を指し、行方向とは図中の水平方向を指し、他の実施例では、列方向及び行方向を交換することができ、本開示の実施例はこれを限定しない。
【0057】
例えば、図中の破線ボックスで示すように、第１表示領域１０と第２表示領域２０との間に配線密集領域が存在し、このとき、配線を容易にし、空間を節約するために、いくつかの実施例では、該配線密集領域は、配線を異なる配線層に配置するというジャンパー設計を使用することができる。
【0058】
例えば、図１１は第１表示領域における第１サブ画素の配置のパターンを示す。例えば、第２表示領域２０における第２サブ画素も図１１に示すサブ画素配置の法則を有する。該実施例では、４つのサブ画素ごとに繰り返し単位が構成され、各サブ画素は異なる形状を有し、それに対応し、各サブ画素の発光デバイスの陽極構造も異なる形状を有し、同じ又は異なる色の発光デバイスに対応し、例えば、１つの繰り返し単位はＧＧＲＢの４つのサブ画素を含んでもよい。例えば、図１１に示すように、第１表示領域１０の１つの画素単位において、各第１サブ画素の第１発光デバイスの第１陽極構造１１１は異なる形状を有し、図１１に示すように配置され、同じ又は異なる色の光を放出することに用いられ、例えば、４つの第１サブ画素１１１は、それぞれ緑色、緑色、赤色、青色などの異なる色の光を放出することができる。
【0059】
具体的な実施例では、上記繰り返し単位は４つに限定されなくてもよく、例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂの３つであってもよく、又は、ＲＧＢＧなどの他の配置方式を使用してもよい。
【0060】
例えば、図１２は第１表示領域１０の第１サブ画素及び第２表示領域２０の第２サブ画素に対して上記サブ画素の配置を行うときのデータ線Ｄの接続方式を示す。図１２に示すように、データ線Ｄは、第２表示領域２０の第１表示領域１０に近接する境界に巻線して配置され、第１表示領域１０及び第２表示領域２０において、同じ列に位置するサブ画素の画素回路は同じデータ線Ｄに電気的に接続される。例えば、図１２に示す実施例では、灰色の四角で示される第２表示領域２０に位置する第１画素回路は、第１接続配線１５を介して第１表示領域１０に位置する左側の１番目の第１サブ画素の発光デバイスに電気的に接続され、データ線Ｄの巻線により、左側の１番目の第１サブ画素の同じ列に位置するサブ画素（第１サブ画素か第２サブ画素かにかかわらず）の画素回路をすべて電気的に接続することができ、それにより同じ列に位置するサブ画素の画素回路を同じデータ線に電気的に接続することができる。例えば、データ線Ｄの一部ＤＡ（データ線Ｄの上側に水平に延びる太線部分で図示される）は、ジャンパーにより設置されてもよく、すなわち、データ線Ｄの一部ＤＡは、データ線Ｄの他の部分とは異なる層に設置され得る。例えば、データ線Ｄの設置密度が高い場合、ジャンパー設計を使用してデータ線の配置空間を削減し、それにより配線の設置により有利である。
【0061】
例えば、図１２は第１表示領域１０における１つの第１サブ画素の接続配線及びデータ線などのみを示し、図１２に示されていないが、第１表示領域１０における他の第１サブ画素も同様の接続関係を有する。例えば、灰色ボックスが占める領域には、１つの画素繰り返し単位中の１つ又は複数の第１サブ画素の第１画素回路があってもよく、このとき、該１つ又は複数の第１画素回路は、それぞれ１つ又は複数の第１接続配線１５を介して第１表示領域１０における１つの画素繰り返し単位の１つ又は複数の第１サブ画素に電気的に接続され得る。
【0062】
例えば、灰色ボックスが占める領域には、１つの画素単位の４つの第１サブ画素の第１画素回路があってもよく、このとき、該４つの第１画素回路は、それぞれ４つの第１接続配線１５を介して第１表示領域１０における１つの画素単位の４つの第１サブ画素に電気的に接続され得る。
【0063】
例えば、いくつかの実施例では、データ線Ｄは、第２表示領域２０の一側に巻線されてもよく、例えば、図１２は、第２表示領域２０の上側に巻線する状況を示す。別のいくつかの実施例では、図１３に示すように、データ線Ｄは、第２表示領域２０の上側及び下側に同時に巻線され得る。
【0064】
例えば、いくつかの実施例では、データ線Ｄは、第２表示領域２０の画素行の間に巻線されてもよく、本実施例はこれを限定しない。
【0065】
例えば、図１３に示すように、該実施例では、第１表示領域１０及び第２表示領域２０における左側の１列目のサブ画素の画素回路は、同じデータ線Ｄ３（図中の左側のデータ線）を介して電気的に接続され、左側の２列目のサブ画素の画素回路は、同じデータ線Ｄ４（図中の右側のデータ線）を介して電気的に接続され、このとき、データ線は第２表示領域２０の上下両側に同時に巻線され、同じ列に位置するサブ画素の画素回路を電気的に接続し、それにより同じ列に位置するサブ画素の発光デバイスが同じデータ線により駆動することができる。
【0066】
同様に、データ線Ｄ３とデータ線Ｄ４の一部ＤＡはジャンパー設計を使用してもよい。例えば、第２表示領域２０の端部にデータ線が密に配置されるため、該端部に巻線されるデータ線の一部はジャンパー設計を使用でき、それにより空間を節約し、回路の配置を簡素化することができる。
【0067】
同様に、図１３は第１表示領域１０における４つの第１サブ画素の接続配線及びデータ線などのみを示し、図１３には示されていないが、第１表示領域１０における他の第１サブ画素も同様の接続関係を有する。例えば、灰色ボックスが占める領域には、１つの画素繰り返し単位の４つの第１サブ画素の第１画素回路があってもよく、このとき、該４つの第１画素回路は、それぞれ４つの第１接続配線１５を介して第１表示領域１０における１つの画素単位の４つの第１サブ画素に電気的に接続され得る。
【0068】
例えば、図１４に示すように、第１表示領域１０の左側３列目に位置する第１サブ画素と第１表示領域１０上方の第２表示領域２０の２列目の第２サブ画素Ｐは同じ列に位置し、第１表示領域１０の左側３列目に位置する第１サブ画素（具体的には、例えば、陽極、発光層、及び陰極を備える第１サブ画素の発光デバイスである）は、第１表示領域１０上方の第２表示領域２０の１列目の第１画素回路（例えば、駆動トランジスタ、ストレージキャパシタなどを備える）Ｄにより駆動され、このとき、データ線Ｄは、第２表示領域２０の１列目の第１画素回路Ｄ及び２列目の第２サブ画素Ｐに巻線されることで、同じ列に位置するこれらのサブ画素の画素回路を同じデータ線に電気的に接続することができ、それにより同じ列に位置するサブ画素の発光デバイスは同じデータ線により駆動することができる。
【0069】
例えば、同じ行に位置するサブ画素の画素回路は同じ走査線に電気的に接続され、それにより同じ行に位置するサブ画素の発光デバイスは同じ走査線により駆動することができる。例えば、図１４に示すように、第１表示領域１０に位置する１行目の１番目の第１サブ画素の第１発光デバイス１１は、第１表示領域１０の左側に位置する第２表示領域２０の１つの第１画素回路Ｄに電気的に接続され、第１表示領域１０に位置する１行目の２番目の第１サブ画素の発光デバイス１１は、第１表示領域１０の上側に位置する第２表示領域２０の１つの第１画素回路Ｄに電気的に接続され、走査線Ｇ１（図中の左側の走査線）の巻線により、同じ行（図中の１行目）に位置するこれら２つの第１サブ画素の第１画素回路Ｄを電気的に接続することができる。同様に、第１表示領域１０に位置する３行目の１番目の第１サブ画素の第１発光デバイス１１は、第１表示領域１０の左側に位置する第２表示領域２０の１つの第１画素回路Ｄに電気的に接続され、第１表示領域１０に位置する３行目の２番目の第１サブ画素の発光デバイス１１は、第１表示領域１０の上側に位置する第２表示領域２０の１つの第１画素回路Ｄに電気的に接続され、走査線Ｇ２（図中の右側の走査線）の巻線により、同じ行（図中の３行目）に位置するこれら２つの第１サブ画素の第１画素回路Ｄを電気的に接続することができる。それにより、同じ行に位置するサブ画素の発光デバイスは同じ走査線により駆動することができる。
【0070】
それにより、本開示の実施例では、走査線及びデータ線の巻線により、同じ列に位置するサブ画素の画素回路を同じデータ線に電気的に接続し、同じ行に位置するサブ画素の画素回路を同じ走査線に電気的に接続することができ、それにより表示パネルの各サブ画素の駆動制御を簡素化することができる。
【0071】
例えば、図１４では、異なる線の配線はそれぞれ異なる配線層に設置され、すなわち、異なる線の配線は異なる層に設置される。例えば、図中では、色が最も濃くかつ線が最も太い第１接続配線１５、色が比較的濃くかつ線が比較的細いデータ線Ｄ、及び色が最も薄くかつ線が比較的細い走査線Ｇは、それぞれ異なる層に設置され、従って、製造プロセスにおいてそれぞれ異なる材料層を使用して製造する。
【0072】
例えば、図４に示すように、第１発光デバイス１１を駆動するための第１画素回路Ｄは、薄膜トランジスタ１２及びストレージキャパシタ１３を備え、薄膜トランジスタ１２は活性層１２１、ゲート１２２及びソース・ドレイン（すなわち、ソース１２３及びドレイン１２４）などの構造を備え、ストレージキャパシタ１３は第１キャパシタ極板１３１及び第２キャパシタ極板１３２を備える。
【0073】
例えば、活性層１２１はベース基板１４に設置され、活性層１２１のベース基板１４から離れる側に第１ゲート絶縁層１４１が設置され、ゲート１２２と第１キャパシタ極板１３１は第１ゲート絶縁層１４１のベース基板１４から離れる側に同層に設置され、ゲート１２２と第１キャパシタ極板１３１のベース基板１４から離れる側に第２ゲート絶縁層１４２が設置され、第２キャパシタ極板１３２は第２ゲート絶縁層のベース基板１４から離れる側に設置され、第２キャパシタ極板１３２のベース基板１４から離れる側に層間絶縁層１４３が設置され、ソース・ドレインは層間絶縁層１４３のベース基板１４から離れる側に設置され、第１ゲート絶縁層１４１、第２ゲート絶縁層１４２及び層間絶縁層１４３のビアを介して活性層１２１に電気的に接続され、ソース・ドレインのベース基板１４から離れる側に、第１画素回路を平坦化する平坦化層１４４が設置される。
【0074】
例えば、図１５は第２表示領域２０の断面模式図を示し、図１５に示すように、第２表示領域２０は、第２発光デバイス２１、及び第２発光デバイス２１を駆動する第２画素回路を備える。例えば、第２画素回路は薄膜トランジスタ２２及びストレージキャパシタ２３などの構造を備える。第２発光デバイス２１は、第２陽極構造２１１、第２陰極構造２１３、及び第２陽極構造２１１と第２陰極構造２１３との間の第２発光層２１２を備え、第２陽極構造２１１はビアを介して第２画素回路に電気的に接続される。例えば、第２陽極構造２１１は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの３層構造（未図示）などの複数の陽極サブ層を備えてもよく、本開示の実施例は第２陽極構造２１１の具体的な形態を限定しない。
【0075】
例えば、薄膜トランジスタ２２は活性層２２１、ゲート２２２及びソース・ドレイン（すなわち、ソース２２３及びドレイン２２４）などの構造を備え、ストレージキャパシタ２３は第１キャパシタ極板２３１及び第２キャパシタ極板２３２を備える。例えば、活性層２２１はベース基板１４に設置され、活性層２２１のベース基板１４から離れる側に第１ゲート絶縁層１４１が設置され、ゲート２２２と第１キャパシタ極板２３１は第１ゲート絶縁層１４１のベース基板１４から離れる側に同層に設置され、ゲート２２２と第１キャパシタ極板２３１のベース基板１４から離れる側に第２ゲート絶縁層１４２が設置され、第２キャパシタ極板２３２は第２ゲート絶縁層１４２のベース基板１４から離れる側に設置され、第２キャパシタ極板２３２のベース基板１４から離れる側に層間絶縁層１４３が設置され、ソース・ドレインは層間絶縁層１４３のベース基板１４から離れる側に設置され、第１ゲート絶縁層１４１、第２ゲート絶縁層１４２及び層間絶縁層１４３のビアを介して活性層２２１に電気的に接続され、ソース・ドレインのベース基板１４から離れる側に、第２画素回路を平坦化する平坦化層１４４が設置される。
【0076】
例えば、平坦化層１４４にはビア１４４Ａがあり、第２陽極構造２１１は平坦化層１４４のビア１４４Ａを介して薄膜トランジスタ２２のソース２２３に電気的に接続される。
【0077】
例えば、いくつかの実施例では、ソース２２３と第２陽極構造２１１との間に遷移層（未図示）がさらにあり、該遷移層は第１接続配線１５と同層に設置され得る。
【0078】
例えば、図３に示すように、表示領域は、第２表示領域２０を少なくとも部分的に取り囲む第３表示領域３０をさらに備え、第３表示領域３０はアレイ状に配置される複数の第３サブ画素を備える。例えば、図１６は第３表示領域３０の断面模式図を示し、図１６に示すように、各第３サブ画素は、第３発光デバイス３１、及び第３発光デバイスに電気的に接続される第３画素回路を備え、第３画素回路は第３発光デバイス３１を駆動するように構成される。第３発光デバイス３１は、第３陽極構造３１１、第３陰極構造３１３、及び第３陽極構造３１１と第３陰極構造３１３との間の第３発光層３１２を備え、第３陽極構造３１１はビアを介して第３画素回路に電気的に接続される。例えば、第３陽極構造３１１は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの３層構造（未図示）などの複数の陽極サブ層を備えてもよく、本開示の実施例は第３陽極構造３１１の具体的な形態を限定しない。
【0079】
例えば、第３画素回路は、薄膜トランジスタ３２及びストレージキャパシタ３３などの構造を備える。例えば、薄膜トランジスタ３２は活性層３２１、ゲート３２２及びソース・ドレイン（すなわち、ソース３２３及びドレイン３２４）などの構造を備え、ストレージキャパシタ３３は第１キャパシタ極板３３１及び第２キャパシタ極板３３２を備える。例えば、活性層３２１はベース基板１４に設置され、活性層３２１のベース基板１４から離れる側に第１ゲート絶縁層１４１が設置され、ゲート３２２と第１キャパシタ極板３３１は第１ゲート絶縁層１４１のベース基板１４から離れる側に同層に設置され、ゲート３２２と第１キャパシタ極板３３１のベース基板１４から離れる側に第２ゲート絶縁層１４２が設置され、第２キャパシタ極板３３２は第２ゲート絶縁層１４２のベース基板１４から離れる側に設置され、第２キャパシタ極板３３２のベース基板１４から離れる側に層間絶縁層１４３が設置され、ソース・ドレインは層間絶縁層１４３のベース基板１４から離れる側に設置され、第１ゲート絶縁層１４１、第２ゲート絶縁層１４２及び層間絶縁層１４３のビアを介して活性層３２１に電気的に接続され、ソース・ドレインのベース基板１４から離れる側には、第３画素回路を平坦化する平坦化層１４４が設置される。
【0080】
例えば、平坦化層１４４にはビア１４４Ｂがあり、第３陽極構造３１１は絶縁層１４５のビア１４４Ｂを介して薄膜トランジスタ３２のソース３２３に電気的に接続される。
【0081】
例えば、いくつかの実施例では、ソース３２３と第２陽極構造３１１との間に遷移層（未図示）がさらにあり、該遷移層は第１接続配線１５と同層に設置され得る。
【0082】
例えば、第２表示領域２０の第１画素回路と第２画素回路は、第３表示領域３０の第３画素回路と同層に設置されるため、製造プロセスにおいて同じパターニングプロセスにより形成することができる。例えば、第１ゲート絶縁層１４１、第２ゲート絶縁層１４２、層間絶縁層１４３及び平坦化層１４４は、第２表示領域２０及び第３表示領域３０に同層に設置され、いくつかの実施例では一体的に接続されるため、図面では同じ符号が使用される。
【0083】
例えば、いくつかの実施例では、図４及び図６～図８に示すように、第１表示領域１０はベース基板１４上に位置する透明支持層１８をさらに備え、第１発光デバイス１１は透明支持層１８のベース基板１４から離れる側に位置する。それにより、ベース基板１４に対して、第１表示領域１０の第１発光デバイス１１は、第２表示領域２０の第２発光デバイス２１及び第３表示領域３０の第３発光デバイス３１とほぼ同じ高さに位置でき、それにより表示基板の表示効果を向上させることができる。
【0084】
例えば、透明支持層１８は、第１ゲート絶縁層１４１、第２ゲート絶縁層１４２、層間絶縁層１４３及び平坦化層１４４のうちの少なくとも１つと同層に設置される。例えば、透明支持層１８は、第１ゲート絶縁層１４１、第２ゲート絶縁層１４２、層間絶縁層１４３及び平坦化層１４４のいずれとも同層に設置され、それにより第１表示領域１０の第１発光デバイス１１は、第２表示領域２０の第２発光デバイス２１及び第３表示領域３０の第３発光デバイス３１とほぼ同じ高さに位置し、表示基板の製造プロセスを簡素化する。
【0085】
例えば、いくつかの実施例では、表示基板は、画素画定層１４６、パッケージ層１４７などの構造をさらに備え、例えば、画素画定層１４６は第１陽極構造に設置され、複数の開口部を備え、第１発光層は画素画定層１４６の開口部内に形成される。例えば、パッケージ層１４７は、単層又は多層パッケージ構造を備えてもよく、多層パッケージ構造は、例えば無機パッケージ層と有機パッケージ層の積層を備え、それにより表示基板のパッケージ効果を向上させる。
【0086】
例えば、第１表示領域１０、第２表示領域２０及び第３表示領域３０において、画素画定層１４６とパッケージ層１４７は同層に設置され、いくつかの実施例では一体的に接続されるため、図面では同じ符号が使用される。
【0087】
例えば、本開示の各実施例では、ベース基板１４は、ガラス基板、石英基板、金属基板又は樹脂基板などであってもよい。本開示の実施例はこれを限定しない。
【0088】
例えば、第１ゲート絶縁層１４１、第２ゲート絶縁層１４２、層間絶縁層１４３、平坦化層１４４、絶縁層１４５、画素画定層１４６、パッケージ層１４７及び絶縁層１４８は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素などの無機絶縁材料を含んでもよく、又は、ポリイミド、ポリフタルイミド、ポリフタルアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン又はフェノール樹脂などの有機絶縁材料を含んでもよい。本開示の実施例は、上記各機能層の材料を特に限定しない。
【0089】
例えば、活性層の材料は、多結晶シリコン又は酸化物半導体（例えば、インジウムガリウム亜鉛酸化物）などの半導体材料を含んでもよい。例えば、活性層１２１／２２１／３２１の一部は、導電性を高めるように、ドーピングなどの導体化処理により導体化され得る。
【0090】
例えば、ゲート、第１キャパシタ極板及び第２キャパシタ極板の材料は、モリブデン、アルミニウム及びチタンなどの金属材料又は合金材料を含んでもよい。
【0091】
例えば、ソース・ドレインの材料は、モリブデン、アルミニウム及びチタンなどで形成された金属単層又は多層構造を含む金属材料又は合金材料を含んでもよく、例えば、該多層構造は、チタン、アルミニウム、チタンの３層金属積層（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）などの多層金属積層である。
【0092】
例えば、本開示の実施例に係る表示基板は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）表示基板又は量子ドット発光ダイオード（ＱＬＥＤ）表示基板などの表示基板であってもよく、本開示の実施例は、表示基板の具体的な種類を限定しない。
【0093】
例えば、表示基板が有機発光ダイオード表示基板である場合、発光層１１１／２１１／３１１は、小分子有機材料又は重合体分子有機材料を含んでもよく、蛍光発光材料又はリン光発光材料であってもよく、赤色光、緑色光、青色光、又は白色光などを放出することができる。また、実際の様々な必要に応じて、異なる例では、発光層１１１／２１１／３１１は、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、及び正孔輸送層などの機能層をさらに備えてもよい。
【0094】
例えば、表示基板が量子ドット発光ダイオード（ＱＬＥＤ）表示基板である場合、発光層１１１／２１１／３１１は、シリコン量子ドット、ゲルマニウム量子ドット、硫化カドミウム量子ドット、セレン化カドミウム量子ドット、テルル化カドミウム量子ドット、セレン化亜鉛量子ドット、硫化鉛量子ドット、セレン化鉛量子ドット、リン化インジウム量子ドット及びヒ化インジウム量子ドットなどの量子ドット材料を含んでもよく、量子ドットの粒径が２－２０ｎｍである。
【0095】
例えば、本開示の実施例では、第１表示領域１０は、円形（図３に示される場合）、矩形、三角形などの様々な形状であってもよく、本開示の実施例は第１表示領域１０の形状を限定しない。
【0096】
例えば、いくつかの実施例では、図４、図６－図８に示すように、表示基板は、例えば画像センサ、赤外線センサ、距離センサなどのセンサ１９をさらに備えてもよく、センサ１９は、例えばチップなどの形態として実現され得る。例えば、センサ１９は表示基板の第２側に設置され、例えば、センサ１９は、両面テープなどによって表示パネルの第２側に設置され、センサ１９のベース基板１４での正投影が第１表示領域１０と少なくとも部分的に重なり、第１側からの光を受光するように構成される。それにより、第１表示領域１０は表示を実現するとともに、センサ１９の設置に利便性を与える。
【0097】
本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板の製造方法をさらに提供し、該表示基板は、表示用の第１側（表示側）と、第１側と対向する第２側（非表示側又は裏側）とを有し、該製造方法は、表示領域を形成するステップと、少なくとも１つの第１接続配線を第１表示領域及び第２表示領域内に形成するステップとを含む。表示領域は、第１側からの光を少なくとも部分的に第２側に透過することを可能にする第１表示領域、及び第１表示領域を少なくとも部分的に取り囲む第２表示領域を備える。第１接続配線は、互いに電気的に接続される、第１表示領域に位置する第１部分と第２表示領域に位置する第２部分を備え、第１部分が第１光透過配線層を備え、第２部分が金属配線層を備える。
【0098】
例えば、いくつかの実施例では、表示領域を形成するステップは、それぞれ第１発光デバイスを備え、アレイ状に配置される複数の第１サブ画素を第１表示領域内に形成するステップと、複数の第１画素回路を第２表示領域内に形成するステップとをさらに含み、少なくとも１つの第１接続配線は複数の第１接続配線を備え、複数の第１画素回路は、それぞれ複数の第１接続配線を介して複数の第１サブ画素の第１発光デバイスに電気的に接続され、複数の第１サブ画素の第１発光デバイスを駆動することに用いられる。
【0099】
例えば、いくつかの実施例では、第１接続配線の第２部分を形成するステップは、金属配線層に積層される第２光透過配線層を形成するステップをさらに含み、第２光透過配線層は第１光透過配線層と同層に形成され、一体的に接続される。
【0100】
例えば、いくつかの実施例では、表示基板の製造方法は、ベース基板を用意するステップをさらに含み、このとき、第１接続配線の第２部分を形成するステップは、金属配線層に積層される酸化防止保護層を形成するステップをさらに含む。第２光透過配線層はベース基板に形成され、金属配線層は第２光透過配線層のベース基板から離れる側に形成され、酸化防止保護層は金属配線層のベース基板から離れる側に形成される。
【0101】
以下、図４に示す表示基板を例示して、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の製造方法について説明する。
【0102】
例えば、図１７Ａに示すように、ベース基板１４上に、パターニングプロセスにより、第２表示領域２０及び第３表示領域３０の画素回路（第１画素回路、第２画素回路及び第３画素回路を備える）を同時に形成し、透明支持層１８を同時に形成する。
【0103】
第１画素回路を形成することを例示し、図１７Ａに示すように、第１画素回路の形成は、薄膜トランジスタ１２及びストレージキャパシタ１３の形成を含み、薄膜トランジスタ１２は活性層１２１、ゲート１２２及びソース・ドレイン１２３・１２４を備え、ストレージキャパシタ１３は第１キャパシタ極板１３１及び第２キャパシタ極板１３２を備える。図１７Ａに示すように、活性層１２１はベース基板１４に形成され、活性層１２１のベース基板１４から離れる側に第１ゲート絶縁層１４１が形成され、第１ゲート絶縁層１４１上にゲート１２２と第１キャパシタ極板１３１が同層に形成され、ゲート１２２と第１キャパシタ極板１３１のベース基板１４から離れる側に第２ゲート絶縁層１４２が形成され、第２ゲート絶縁層１４２のベース基板１４から離れる側に第２キャパシタ極板１３２が形成され、第２キャパシタ極板１３２のベース基板１４から離れる側に層間絶縁層１４３が形成され、層間絶縁層１４３のベース基板１４から離れる側にソース・ドレイン１２３・１２４が形成され、ソース・ドレイン１２３・１２４は、第１ゲート絶縁層１４１、第２ゲート絶縁層１４２及び層間絶縁層１４３のビアを介して活性層１２１に電気的に接続され、次にソース・ドレイン１２３・１２４のベース基板１４から離れる側に平坦化層１４４が形成される。例えば、平坦化層１４４にはソース・ドレインを露出させるビアが形成される。例えば、透明支持層１８は、第１ゲート絶縁層１４１、第２ゲート絶縁層１４２、層間絶縁層１４３及び平坦化層１４４のうちの少なくとも１つと同層に形成される。例えば、透明支持層１８は、第１ゲート絶縁層１４１、第２ゲート絶縁層１４２、層間絶縁層１４３及び平坦化層１４４のいずれとも同層に形成される。
【0104】
例えば、上記各機能層は、いずれもパターニングプロセスにより形成される。１回のパターニングプロセスは、フォトレジストの形成、露光、現像及びエッチングなどの工程を含む。
【0105】
例えば、いくつかの実施例では、上記構造の形成前に、ベース基板１４上に緩衝層（未図示）を形成することができ、緩衝層は、遷移層としてベース基板１４中の有害物質が表示基板の内部に侵入することを防止でき、表示基板内のフィルム層のベース基板１４上での付着力を増加させることができる。例えば、緩衝層の材料は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素などの絶縁材料で形成された単層又は多層構造を含んでもよい。
【0106】
例えば、上記構造の形成後に、第１表示領域１０及び第２表示領域２０に第１接続配線を形成する。例えば、図１７Ａに示すように、光透過配線材料層１５１、金属配線材料層１６１及び導電性保護材料層１７１を、マスク４０を介して第１表示領域１０及び第２表示領域２０に順次堆積させる。例えば、マスク４０は、中空部分（すなわち、図中の白色部分）を有し、それにより材料は中空部分を通して所定のパターンを形成する。それにより、マスク４０を介して堆積された光透過配線材料層１５１、金属配線材料層１６１及び導電性保護材料層１７１はほぼ同じパターンを有する。
【0107】
次に、図１７Ｂに示すように、ドライエッチング法により、第１表示領域１０に位置する金属配線材料層１６１及び導電性保護材料層１７１をエッチング除去し、第２表示領域２０に位置する金属配線材料層１６１及び導電性保護材料層１７１のみを保持する。それにより、第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂを備える第１接続配線１５を形成する。ドライエッチング法が制御しやすくなるため、金属配線材料層１６１及び導電性保護材料層１７１のエッチング厚さを正確に制御でき、従って、１回のドライエッチング法により第１接続配線１５を形成することができる。
【0108】
例えば、別のいくつかの実施例では、光透過配線材料層１５１、金属配線材料層１６１及び導電性保護材料層１７１を、マスク４０を介して第１表示領域１０及び第２表示領域２０に順次堆積させた後、ウェットエッチング法により、第１表示領域１０に位置する金属配線材料層１６１及び導電性保護材料層１７１をエッチング除去することができる。しかし、ウェットエッチング法のエッチング精度が低いため、エッチング厚さが制御しにくくなり、第１表示領域１０の金属配線材料層１６１及び導電性保護材料層１７１を完全に除去することを確保するために、オーバーエッチングが一般的に使用される。このとき、図１８Ａに示すように、光透過配線材料層１５１の第１表示領域１０に位置する部分は部分的にエッチングされる可能性があり、第１表示領域１０の光透過配線材料層１５１の厚さ及び第２表示領域２０の光透過配線材料層１５１との接続性を確保するために、上記ウェットエッチングの後に、光透過配線材料層を、マスク４０を介して第１表示領域１０及び第２表示領域２０に再度堆積させて、第１表示領域１０の光透過配線層を厚くすることができ、このとき、図１８Ｂに示すように、光透過配線材料層も金属配線材料層１６１の右側面に形成される。
【0109】
例えば、いくつかの実施例では、光透過配線材料層１５１と導電性保護材料層１７１は、ＩＴＯなどの同じ材料を使用してもよく、従って、図１８Ｂでは、光透過配線材料層１５１と導電性保護材料層１７１は一体的に接続される構造として示される。
【0110】
例えば、他の実施例では、ほぼ同じ方法により、図７及び図８に示す表示基板を形成することができる。例えば、図７に示す表示基板の形成時、光透過配線材料層１５１、金属配線材料層１６１及び導電性保護材料層１７１を、マスク４０を介して第１表示領域１０及び第２表示領域２０に順次堆積させた後、ドライエッチング法により、第１表示領域１０に位置する一部の金属配線材料層１６１及び導電性保護材料層１７１をエッチング除去して、第１接続配線１５と第１陽極構造１１１を同層に形成することができる。例えば、該実施例では、光透過配線材料層１５１の材料はＩＴＯを使用してもよく、金属配線材料層１６１の材料はＡｇを使用してもよく、導電性保護材料層１７１はＩＴＯを使用してもよい。
【0111】
例えば、図８に示す表示基板の形成時、まず、パターニングプロセスにより、第２部分１５Ｂの金属配線層を形成し、次に金属配線層上に絶縁層１４８を形成し、絶縁層１４８にビアを形成する。その後、絶縁層１４８上に、パターニングプロセスにより、第１部分１５Ａの第１光透過配線層を形成し、第１光透過配線層を絶縁層１４８に形成されたビアを介して第２部分１５Ｂに電気的に接続して、第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂを備える第１接続配線を形成する。
【0112】
例えば、第１接続配線１５の形成後、表示基板の製造方法は、第１接続配線１５上に画素画定層、発光デバイス及びパッケージ層などの構造を形成するステップをさらに含み、これらの構造の具体的な形成方式は関連技術を参照すればよく、ここでは詳細説明しない。
【0113】
例えば、図４及び図６～図８に示すように、表示基板の上記構造が形成された後、表示基板の製造方法は、センサを用意し、センサを表示基板の第２側に結合するステップをさらに含んでもよい。このとき、センサのベース基板での正投影が第１表示領域と少なくとも部分的に重なり、それにより第１表示領域を介して第１側からの光を受光することができる。
【0114】
本開示の各実施例に係る表示基板及びその製造方法においては、第１表示領域は光透過性が高いため、表示を実現するとともに、センサの設置に利便性を与える。また、第１表示領域及び第２表示領域に位置する第１接続配線は抵抗が低いため、第１接続配線の信号伝送速度を向上させることができ、複数の第１接続配線を使用して第１表示領域の複数の第１発光デバイスに駆動信号を伝送する場合、複数の第１接続配線１５を流れる電流の均一性が高く、表示基板の表示効果をさらに向上させることができる。
【0115】
さらに、以下の点を説明する必要がある。
【0116】
（１）本開示の実施例の図面は、本開示の実施例に係る構造のみに関し、他の構造は通常の設計を参照すればよい。
【0117】
（２）明確にするために、本開示の実施例を説明するための図面において、層又は領域の厚みは拡大又は縮小されており、すなわち、これらの図面は実際の縮尺で作成されるものではない。理解できるように、層、フィルム、領域又は基板のような素子が、別の素子の「上」又は「下」に位置すると記載される場合、該素子は、別の素子の「上」又は「下」に「直接」位置してもよく、又は中間素子が存在してもよい。
【0118】
（３）矛盾がない限り、本開示の実施例及び実施例における特徴を互いに組み合わせて新たな実施例を得ることができる。
【0119】
以上、本開示の具体的な実施形態を説明したが、本開示の保護範囲はこれに限定されず、当業者が本開示に開示されている技術範囲内に容易に想到できる変化や置換は、いずれも本開示の保護範囲内に属すべきである。従って、本開示の保護範囲は特許請求の範囲の保護範囲に準じるべきである。
【符号の説明】
【0120】
１ 光透過表示領域
２ 周辺表示領域
３ 本体表示領域
４ 発光デバイス
４Ａ 陽極
４Ｂ 発光層
４Ｃ 陰極
５ 画素回路
６ 透明配線
７ センサ
１０ 第１表示領域
１１ 第１発光デバイス
１１１ 第１陽極構造
１１２ 第１発光層
１１３ 第１陰極構造
１２、２２、３２ 薄膜トランジスタ
１２１、２２１、３２１ 活性層
１２２、２２２、３２２ ゲート
１２３、２２３、３２３ ソース
１２４、２２４、３２４ ドレイン
１３、２３、３３ ストレージキャパシタ
１３１、２３１、３３１ 第１キャパシタ極板
１３２、２３２、３３２ 第２キャパシタ極板
１４ ベース基板
１４１ 第１ゲート絶縁層
１４２ 第２ゲート絶縁層
１４３ 層間絶縁層
１４４ 平坦化層
１４５ 絶縁層
１４６ 画素画定層
１４７ パッケージ層
１４８ 絶縁層
１５ 第１接続配線
１５１ 光透過配線材料層
１６ 金属配線層
１６１ 金属配線材料層
１７ 酸化防止保護層
１７１ 導電性保護材料層
１８ 透明支持層
１９ センサ
２０ 第２表示領域
２１ 第２発光デバイス
２１１ 第２陽極構造
２１２ 第２発光層
２１３ 第２陰極構造
３０ 第３表示領域
３１ 第３発光デバイス
２ 周辺表示領域
３ 本体表示領域
４ 発光デバイス
４Ａ 陽極
４Ｂ 発光層
４Ｃ 陰極
５ 画素回路
６ 透明配線
７ センサ
１０ 第１表示領域
１１ 第１発光デバイス
１１１ 第１陽極構造
１１２ 第１発光層
１１３ 第１陰極構造
１２、２２、３２ 薄膜トランジスタ
１２１、２２１、３２１ 活性層
１２２、２２２、３２２ ゲート
１２３、２２３、３２３ ソース
１２４、２２４、３２４ ドレイン
１３、２３、３３ ストレージキャパシタ
１３１、２３１、３３１ 第１キャパシタ極板
１３２、２３２、３３２ 第２キャパシタ極板
１４ ベース基板
１４１ 第１ゲート絶縁層
１４２ 第２ゲート絶縁層
１４３ 層間絶縁層
１４４ 平坦化層
１４５ 絶縁層
１４６ 画素画定層
１４７ パッケージ層
１４８ 絶縁層
１５ 第１接続配線
１５１ 光透過配線材料層
１６ 金属配線層
１６１ 金属配線材料層
１７ 酸化防止保護層
１７１ 導電性保護材料層
１８ 透明支持層
１９ センサ
２０ 第２表示領域
２１ 第２発光デバイス
２１１ 第２陽極構造
２１２ 第２発光層
２１３ 第２陰極構造
３０ 第３表示領域
３１ 第３発光デバイス
【図1A】
【図1B】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17A】
【図17B】
【図18A】
【図18B】
【国際調査報告】