特表 2023-525638 基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2023-06-19

(54)【発明の名称】基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H05H 1/46 20060101AFI20230612BHJP

   C23C 16/455 20060101ALI20230612BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20230612BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20230612BHJP

【ＦＩ】

H05H1/46 M

C23C16/455

H01L21/302 101G

H01L21/302 101B

H01L21/31 B

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2022558571

(86)(22)【出願日】2021-05-04

(85)【翻訳文提出日】2022-09-27

(86)【国際出願番号】 KR2021005577

(87)【国際公開番号】W WO2021235739

(87)【国際公開日】2021-11-25

(31)【優先権主張番号】10-2020-0059687

(32)【優先日】2020-05-19

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】504210651

【氏名又は名称】ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】弁理士法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】チョン ミン ホ

(72)【発明者】

【氏名】ファン チュル ジュ

【テーマコード（参考）】

2G084

4K030

5F004

5F045

【Ｆターム（参考）】

2G084AA02

2G084AA04

2G084AA05

2G084CC04

2G084CC05

2G084CC09

2G084CC12

2G084DD02

2G084DD14

2G084FF07

2G084FF14

2G084FF15

4K030EA04

4K030EA05

4K030FA01

4K030JA16

4K030JA18

4K030KA05

4K030KA15

4K030KA17

5F004AA01

5F004BB13

5F004BB18

5F004CA03

5F004CA06

5F004CA08

5F004DB01

5F004DB08

5F045AA03

5F045AF03

5F045AF07

5F045AF10

5F045DP03

5F045EF05

(57)【要約】

本発明は、チャンバー、前記チャンバー内で１つ以上の基板を支持する基板支持部、前記基板支持部と対向するように前記基板支持部の上側に配置された上部電極、および前記上部電極と離隔して前記上部電極の下側に配置された下部電極を含み、前記下部電極が、第１周波数を有する第１ＲＦ電力が印加される第１電極、および前記第１周波数とは異なる第２周波数を有する第２ＲＦ電力が印加される第２電極を含む基板処理装置に関するものである。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

チャンバー、
前記チャンバー内で１つ以上の基板を支持する基板支持部、
前記基板支持部と対向するように基板支持部の上側に配置された上部電極、および
前記上部電極と離隔して前記上部電極の下側に配置された下部電極を含み、
前記上部電極が、第１ガス流路を通じて第１ガスを噴射し、前記第１ガス流路に対して空間的に分離された第２ガス流路を通じて第２ガスを噴射し、
前記下部電極は、
第１周波数を有する第１ＲＦ電力が印加される第１電極、および
前記第１周波数とは異なる第２周波数を有する第２ＲＦ電力が印加される第２電極を含むことを特徴とする基板処理装置。

【請求項2】

前記第１電極と前記第２電極が、互いに同一面積に形成されることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記第１周波数が、前記第２周波数よりも高い周波数であることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記第１周波数が、１３．５６ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下であり、
前記第２周波数は、１０ｋＨｚ以上４ＭＨｚ以下であることを特徴とする、請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記第１電極と前記第２電極の間に絶縁体が配置されたことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記上部電極が、前記基板支持部側に突出した複数の突出電極を含み、
前記突出電極の各々の内部には、前記第１ガス流路が設けられたことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記下部電極には複数のホールが形成され、
前記上部電極の突出電極が、前記複数のホールのそれぞれに挿入されることを特徴とする、請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記基板支持部を回転させる回転部を含み、
前記回転部は、前記基板支持部に支持された基板が前記第１電極の下側と前記第２電極の下側とを通過するように前記基板支持部を回転させ、
前記第１電極の下側を通過する基板に対して前記第１周波数を用いた処理工程が行われ、
前記第２電極の下側を通過する基板に対して前記第２周波数を用いた処理工程が行われることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記第１電極には、１ｋＷ以上５ｋＷ以下の第１ＲＦ電力が印加され、
前記第２電極には、１ｋＷ以上１５ｋＷ以下の第２ＲＦ電力が印加されることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記上部電極を貫通して形成された第１貫通孔、および前記第１貫通孔から離間した位置で前記上部電極を貫通して形成された第２貫通孔を含み、
前記第１電極が、前記第１貫通孔に挿入される第１連結突起を含み、前記第１連結突起を介して前記第１ＲＦ電力を印加する第１印加機構に連結し、
前記第２電極は、前記第２貫通孔に挿入される第２連結突起を含み、前記第２連結突起を介して前記第２ＲＦ電力を印加する第２印加機構に連結することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記第１電極と前記第２電極の間に配置された検出部、および前記検出部を貫通して形成された検出孔を含み、
前記検出部が、前記上部電極と前記下部電極の両方に挿入されるように配置され、
前記回転部は、前記基板が前記検出孔の下側を通過するように前記基板支持部を回転させることを特徴とする、請求項８に記載の基板処理装置。

【請求項12】

チャンバー
前記チャンバー内で１つ以上の基板を支持する基板支持部、
前記基板支持部と対向するように前記基板支持部の上側に配置されたガス噴射部、および
ＲＦ電力を印加するための電力印加部を含み、
前記ガス噴射部が、互いに空間的に分離された第１ガス流路と第２ガス流路を有する上部電極、および前記上部電極と前記基板支持部の間に配置された下部電極を含み、
前記下部電極は、前記上部電極の下側に配置された第１電極と第２電極を含み、
前記電力印加部は、前記第１電極に第１周波数を有する第１ＲＦ電力を印加可能に前記第１電極に連結した第１印加機構、および前記第２電極に前記第１周波数とは異なる第２周波数を有する２ＲＦ電力を印加可能に前記第２電極に連結した第２印加機構を含むことを特徴とする基板処理装置。

【請求項13】

前記電力印加部が、前記第１電極と前記第２電極の中の少なくとも一方にＲＦ電力を印加することを特徴とする、請求項１２に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板に対する蒸着工程、エッチング工程などの処理工程を行う基板処理装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

一般に、太陽電池（Solar Cell）、半導体素子、フラットパネルディスプレイなどを製造するためには、基板上に所定の薄膜層、薄膜回路パターン、または光学パターンを形成しなければならない。このため、基板に特定物質の薄膜を蒸着する蒸着工程、感光性物質を用いて薄膜を選択的に露出させるフォト工程、選択的に露出した部分の薄膜を除去してパターンを形成するエッチング工程などの基板に対する処理工程が行われる。このような基板に対する処理工程は、基板処理装置によって行われる。

【0003】

従来技術による基板処理装置は、基板を支持する基板支持部と、基板支持部に向かってガスを噴射するガス噴射部とを含む。従来技術による基板処理装置は、前記ガス噴射部に予め設定された１つの周波数を有するＲＦ電力が印加された状態でガスを噴射することにより前記基板に対する処理工程を行う。

【0004】

ここで、従来技術による基板処理装置が、前記ガス噴射部に高周波を有するＲＦ電力が印加された状態でのみ前記基板に対する処理工程を行う場合、前記基板に蒸着した薄膜のステップカバレッジ（Step Coverage）が向上する反面、前記基板に蒸着した薄膜の密集度（Dense）が低下する問題がある。

【0005】

一方、従来技術による基板処理装置が、前記ガス噴射部に低周波を有するＲＦ電力が印加された状態でのみ前記基板に対して処理工程を行う場合、前記基板に蒸着した薄膜の密集度が向上する一方、前記基板に蒸着した薄膜のステップカバレッジが低下する問題がある。

【0006】

このように従来技術による基板処理装置は、上記処理工程の完了した基板の品質を向上させることが困難な問題がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本発明は、上記のような問題点を解決するために提案されたものであり、処理工程が完了した基板の品質を向上させることができる基板処理装置を提供するためのものである。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上述したような課題を解決するために、本発明は以下のような構成を含むことができる。

【0009】

本発明による基板処理装置は、チャンバー、前記チャンバー内で１つ以上の基板を支持する基板支持部、前記基板支持部と対向するように前記基板支持部の上側に配置された上部電極、および前記上部電極と離隔して前記上部電極の下側に配置された下部電極を含むことができる。前記上部電極は、第１ガス流路を介して第１ガスを噴射し、前記第１ガス流路に対して空間的に分離された第２ガス流路を介して、第２ガスを噴射することができる。前記下部電極は、第１周波数を有する第１ＲＦ電力が印加される第１電極、および前記第１周波数とは異なる第２周波数を有する第２ＲＦ電力が印加される第２電極を含むことができる。

【0010】

本発明による基板処理装置は、チャンバー、前記チャンバー内で１つ以上の基板を支持する基板支持部、前記基板支持部と対向するように前記基板支持部の上側に配置されたガス噴射部、およびＲＦ電力を印加するための電力印加部を含むことができる。前記ガス噴射部は、互いに空間的に分離された第１ガス流路と第２ガス流路を有する上部電極、および前記上部電極と前記基板支持部の間に配置された下部電極を含むことができる。前記下部電極は、前記上部電極の下側に配置された第１電極と第２電極を含むことができる。電力印加部は、前記第１電極に第１周波数を有する第１ＲＦ電力を印加可能に前記第１電極に連結した第１印加機構、および前記第２電極に前記第１周波数とは異なる第２周波数を有する第２ＲＦ電力を印加可能にするために前記第２電極に連結した第２印加機構を含むことができる。

【発明の効果】

【0011】

本発明によれば、次のような効果を得ることができる。

【0012】

本発明は、互いに異なる周波数を有するＲＦ電力を使用して基板に対して処理工程を実行することができるように具現される。これにより、本発明は、処理工程が完了した基板の品質を向上させることができる。

【0013】

本発明は、基板に対して処理工程を行なう過程で基板に作用するストレスを低減することができるように具現される。これにより、本発明は、処理工程が完了した基板に対する反り変形を低減することができるので、処理工程が完了した基板の品質をさらに向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】本発明による基板処理装置の概略構成図である。

【図2】本発明による基板処理装置におけるガス噴射部の実施例を説明するための概略側面断面図である。

【図3】本発明による基板処理装置におけるガス噴射部の実施例を説明するための概略側面断面図である。

【図4】本発明による基板処理装置における上部電極と下部電極の概略分解斜視図である。

【図5】図４のＩ－Ｉ線を基準とした上部電極及び下部電極の概略側面断面図である。

【図6】図４のＩ－Ｉ線を基準とした上部電極及び下部電極の概略側面断面図である。

【図7】本発明による基板処理装置における基板支持部の概略平面図である。

【図8】図４のＩＩ－ＩＩ線を基準とした上部電極と下部電極の概略側面断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下では、本発明による基板処理装置の実施例を添付の図を参照して詳細に説明する。図１～図３は、図４のＩ－Ｉ線を基準とした概略側断面図である。

【0016】

図１及び図２を参照すると、本発明による基板処理装置１は、基板（Ｓ）に対する処理工程を行うものである。前記基板（Ｓ）は、ガラス基板、シリコン基板、メタル基板などであり得る。本発明による基板処理装置１は、前記基板（Ｓ）に薄膜を蒸着する蒸着工程、前記基板（Ｓ）に蒸着した薄膜の一部を除去するエッチング工程等を行うことができる。以下では、本発明による基板処理装置１が、上記蒸着工程を行う実施例を基準に説明するが、これから本発明による基板処理装置１が、上記エッチング工程等と共に異なる処理工程を行う実施例を導出することは、本発明が属する技術分野に属する当業者には自明であろう。

【0017】

本発明による基板処理装置１は、チャンバー２、基板支持部３、及びガス噴射部４を含むことができる。

【0018】

<チャンバー>
図１を参照すると、チャンバー２は、処理空間１００を提供するものである。前記処理空間１００では、前記基板（Ｓ）に対する蒸着工程、エッチング工程などの処理工程を行うことができる。前記処理空間１００は、前記チャンバー２の内部に配置することができる。前記チャンバー２には、前記処理空間１００からガスを排気する排気口（未図示）を結合することができる。前記チャンバー２には、前記基板支持部３と前記ガス噴射部４とを設置することができる。

【0019】

＜基板支持部＞
図１を参照すると、前記基板支持部３は、前記基板（Ｓ）を支持するものである。前記基板支持部３は、１つの基板（Ｓ）を支持することもでき、複数の基板（Ｓ）を支持することもできる。前記基板支持部３に複数の基板（Ｓ）が支持された場合、一度に複数の基板（Ｓ）に対する処理工程を行うことができる。前記基板支持部３は、前記チャンバー２に結合することができる。前記基板支持部３は、前記チャンバー２の内部に配置することができる。

【0020】

＜ガス噴射部＞
図１を参照すると、前記ガス噴射部４は、前記基板支持部３に向かってガスを噴射するものである。前記ガス噴射部４は、ガス供給部４０に連結することができる。これにより、前記ガス噴射部４は、前記ガス供給部４０から供給されたガスを、前記基板支持部３に向けて噴射することができる。前記ガス噴射部４は、前記チャンバー２に結合することができる。前記ガス噴射部４は、前記基板支持部３と対向して配置することができる。前記ガス噴射部４と前記基板支持部３の間には、前記処理空間１００を配置することができる。前記ガス噴射部４は、リードに結合することもできる。前記リードは、前記チャンバー２の上部を覆うように前記チャンバー２に結合したものである。

【0021】

前記ガス噴射部４は、第１ガス流路４１および第２ガス流路４２を含むことができる。

【0022】

前記第１ガス流路４１は、第１ガスを噴射するためのものである。前記第１ガス流路４１は、一側が配管、ホースなどを介して前記ガス供給部４０に連結することがでいる。前記第１ガス流路４１は、他側が前記処理空間１００に連通することができる。これにより、前記ガス供給部４０から供給された前記第１ガスは、前記第１ガス流路４１に沿って流動した後に、前記第１ガス流路４１を介して前記処理空間１００に噴射され得る。前記第１ガス流路４１は、前記第１ガスが流動するための通路として機能するとともに、前記処理空間１００に前記第１ガスを噴射するための噴射口として機能することができる。

【0023】

前記第２ガス流路４２は、第２ガスを噴射するためのものである。前記第２ガスと前記第１ガスは、互いに異なるガスであり得る。例えば、前記第１ガスがソースガス（Source Gas）である場合、前記第２ガスは反応ガス（Reactant Gas）であり得る。前記第２ガス流路４２は、一側が配管、ホースなどを介して前記ガス供給部４０に連結することができる。前記第２ガス流路４２は、他側が前記処理空間１００に連通することができる。これにより、前記ガス供給部４０から供給された前記第２ガスは、前記第２ガス流路４２に沿って流動した後に、前記第２ガス流路４２を介して前記処理空間１００に噴射され得る。前記第２ガス流路４２は、前記第２ガスが流動するための通路として機能するとともに、前記処理空間１００に前記第２ガスを噴射するための噴射口として機能することができる。

【0024】

前記第２ガス流路４２と前記第１ガス流路４１は、互いに空間的に分離するように配置することができる。これにより、前記ガス供給部４０から前記第２ガス流路４２に供給された前記第２ガスは、前記第１ガス流路４１を経ずに前記処理空間１００に噴射され得る。前記ガス供給部４０から前記第１ガス流路４１に供給された前記第１ガスは、前記第２ガス流路４２を経ずに前記処理空間１００に噴射され得る。前記第２ガス流路４２と前記第１ガス流路４１は、前記処理空間１００で、互いに異なる部分に向かってガスを噴射することができる。

【0025】

図２及び図３を参照すると、前記ガス噴射部４は、前記上部電極４３及び下部電極４４を含むことができる。

【0026】

前記上部電極４３は、前記基板支持部３と対向するように前記基板支持部３の上側に配置することができる。前記上部電極４３は、接地されることで、接地電極として機能することができる。前記上部電極４３は、前記第１ガス流路４１と前記第２ガス流路４２を含むことができる。これにより、前記上部電極４３は、前記第１ガス流路４１を介して前記第１ガスを噴射することができ、前記第２ガス流路４２を介して前記第２ガスを噴射することができる。前記第１ガス流路４１と前記第２ガス流路４２は、前記上部電極４３の内部で、互いに空間的に分離するように配置することができる。

【0027】

前記第１ガス流路４１は、前記ガス供給部４０に連結した第１連結孔４１１と、前記第１連結孔４１１に連結した複数の第１噴射孔４１２を含むことができる。前記第１連結孔４１１と前記第１噴射孔４１２は、前記上部電極４３の内部に形成され得る。前記第１噴射孔４１２は、一側が前記第１連結孔４１１に連通し、他側が前記処理空間１００に連通することができる。これにより、前記ガス供給部４０が供給した前記第１ガスは、前記第１連結孔４１１に沿って流動した後に、前記第１噴射孔４１２を介して前記処理空間１００に噴射され得る。

【0028】

前記第２ガス流路４２は、前記ガス供給部４０に連結した第２連結孔４２１、および前記第２連結孔４２１に連結した複数の第２噴射孔４２２を含むことができる。前記第２連結孔４２１と前記第２噴射孔４２２は、前記上部電極４３の内部に形成することができる。前記第２噴射孔４２２は、一側が前記第２連結孔４２１に連通し、他側が前記処理空間１００に連通することができる。これにより、前記ガス供給部４０が供給した前記第２ガスは、前記第２連結孔４２１に沿って流動した後に、前記第２噴射孔４２２を介して前記処理空間１００に噴射され得る。

【0029】

前記下部電極４４は、前記上部電極４３と前記基板支持部３の間に配置され得る。前記下部電極４４は、前記上部電極４３から離間して前記上部電極４３の下側に配置され得る。前記下部電極４４と前記上部電極４３の間には、部分的に絶縁するための絶縁部材（未図示）を配置することもできる。前記下部電極４４には、ＲＦ電力を印加することができる。前記上部電極４３が接地されるとともに、前記下部電極４４に前記ＲＦ電力が印加されると、プラズマが発生することができる。これにより、前記ガス噴射部４は、プラズマを用いてガスを活性化させ、活性化したガスを前記処理空間１００に噴射することができる。

【0030】

前記下部電極４４は、複数のホール（孔）４４ａを含むことができる。前記ホール４４ａは、前記下部電極４４を貫通して形成することができる。前記ホール４４ａは、前記上部電極４３から噴射されたガスを通過させる流路として機能することができる。

【0031】

図２に示すように、前記上部電極４３の下面と前記下部電極４４の上面のそれぞれが平坦に形成された場合、前記ホール４４ａの中の一部は、前記第１ガス流路４１に対応する位置に配置することにより、前記第１ガス流路４１から噴射された前記第１ガスを通過させることができる。前記ホール４４ａの中の残りの一部は、前記第２ガス流路４２に対応する位置に配置することによって、前記第２ガス流路４２から噴射された前記第２ガスを通過させることができる。図に示していないが、前記下部電極４４には、前記第１ガス流路４１の第１噴射孔４１２の個数と前記第２ガス流路４２の第２噴射孔４２２の個数とを合わせた数に比べて少ない数で前記ホール４４ａを形成することができる。

【0032】

図３に示すように、前記上部電極４３が複数の突出電極４３１を含む場合、前記下部電極４４には、前記突出電極４３１のそれぞれに対応する位置に、前記ホール４４ａを形成することができる。前記突出電極４３１は、前記基板支持部３の方に突出することができる。前記突出電極４３１は、前記上部電極４３の下面から下方に突出して、前記ホール４４ａのそれぞれに挿入され得る。前記突出電極４３１の各々の内部には、前記第１ガス流路４１を設けることができる。この場合、前記第１噴射孔４１２は、一側が前記第１連結孔４１１に連結するとともに、他側が前記突出電極４３１を貫通するように形成することができる。

【0033】

図１～図５を参照すると、前記下部電極４４は、第１電極４４１と第２電極４４２を含むことができる。

【0034】

前記第１電極４４１は、第１ＲＦ電力が印加されるものである。前記第１電極４４１には、第１周波数を有する第１ＲＦ電力が印加され得る。前記第１電極４４１は、電力印加部５に電気的に連結することができる。前記電力印加部５は、前記第１電極４４１に前記第１周波数を有する第１ＲＦ電力を印加することができる。前記第１電極４４１は、前記処理空間１００の中で第１処理空間１１０に配置され得る。

【0035】

前記第２電極４４２は、第２ＲＦ電力が印加されるものである。前記第２電極４４２には、第２周波数を有する第２ＲＦ電力が印加され得る。前記第２電極４４２は、前記電力印加部５に電気的に連結することができる。前記電力印加部５は、前記第２電極４４２に前記第２周波数を有する第２ＲＦ電力を印加することができる。前記第２電極４４２は、前記処理空間１００の中で第２処理空間１２０に配置され得る。したがって、前記第２電極４４２と前記第１電極４４１は、前記処理空間１００内で、互いに異なる位置に配置することができる。

【0036】

前記第２電極４４２と前記第１電極４４１には、互いに異なる周波数を有するＲＦ電力が印加され得る。すなわち、前記第１周波数と前記第２周波数は互いに相違する。これにより、本発明による基板処理装置１は、前記第１電極４４１を介して、前記第１周波数を有する第１ＲＦ電力を用いて前記基板（Ｓ）に対する処理工程を行うことができる。前記第２電極４４２を介して、前記第２周波数を有する第２ＲＦ電力を用いて前記基板（Ｓ）に対する処理工程を行うことができる。したがって、本発明による基板処理装置１は、前記第１周波数を有する第１ＲＦ電力を用いて前記基板（Ｓ）に対して処理工程を行った場合に形成された第１薄膜層及び前記第２周波数を有する第２ＲＦ電力を用いて前記基板（Ｓ）に対して処理工程を行った場合に形成された第２薄膜層が、互いに異なる特性を有するように具現することができる。これによって、本発明による基板処理装置１は、前記第１薄膜層と前記第２薄膜層のそれぞれの利点を有するとともに、前記第１薄膜層と前記第２薄膜層のそれぞれの欠点が補完された薄膜を蒸着することができるように具現される。したがって、本発明による基板処理装置１は、上記処理工程が完了した基板（Ｓ）の品質を向上させることができる。

【0037】

前記第１周波数は、前記第２周波数よりも高い周波数であり得る。この場合、前記第１周波数は、前記第２周波数と比較して相対的に高周波であり、前記第２周波数は、前記第１周波数と比較して相対的に低周波であり得る。これにより、前記第１周波数を有する第１ＲＦ電力を用いて前記基板（Ｓ）に対して処理工程を行うと、ステップカバレッジ（Step Coverage）が向上した第１薄膜層を蒸着することができる。前記第２周波数を有する第２ＲＦ電力を用いて前記基板（Ｓ）に対して処理工程を行うと、密集度（Dense）が向上した第２薄膜層を蒸着することができる。このように前記第１薄膜層と前記第２薄膜層を蒸着することにより、本発明による基板処理装置１は、ステップカバレッジと密集度の両方に優れた薄膜を蒸着することができる。また、前記基板（Ｓ）に対して処理工程を行う過程で、前記基板（Ｓ）にストレス（Stress）が作用することにより、前記基板（Ｓ）が上側又は下側に反ることが起こり得るが、本発明による基板処理装置１は、前記第１周波数を有する第１ＲＦ電力と前記第２周波数を有する第２ＲＦ電力を用いることにより、前記基板（Ｓ）に作用するストレスを低減することができる。したがって、本発明による基板処理装置１は、前記基板（Ｓ）に反り変形が発生する程度を低減することができるので、前記処理工程が完了した基板（Ｓ）の品質をさらに向上させることができる。例えば、前記第１周波数は、１３．５６ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下であり、前記第２周波数は、１０ｋＨｚ以上４ＭＨｚ以下であり得る。例えば、前記第１電極４４１には、１ｋＷ以上５ｋＷ以下の第１ＲＦ電力が印加され、前記第２電極には、１ｋＷ以上１５ｋＷ以下の第２ＲＦ電力が印加され得る。

【0038】

前記第２電極４４２と前記第１電極４４１は、互いに同じ面積に形成され得る。したがって、前記第２電極４４２に前記第２周波数を有する第２ＲＦ電力が印加された場合、および前記第１電極４４１に前記第１周波数を有する第１ＲＦ電力が印加された場合のそれぞれにおいて、前記基板（Ｓ）に対する処理工程の効率がほぼ一致するように具現することができる。前記第２電極４４２の面積は、前記基板支持部３に向かう前記第２電極４４２の下面に対するものであり得る。前記第１電極４４１の面積は、前記基板支持部３に向かう前記第１電極４４１の下面に対するものであり得る。

【0039】

ここで、前記第１電極４４１は、第１連結突起４４１ａを含むことができる。前記第１連結突起４４１ａは、前記第１電極４４１の上面から上側に突出することができる。前記第１連結突起４４１ａは、前記上部電極４３に形成された第１貫通孔４３２に挿入され得る。前記第１貫通孔４３２は、前記上部電極４３を貫通して形成されたものである。これにより、前記上部電極４３の下側に配置された前記第１電極４４１と前記上部電極４３の上側に配置された電力印加部５が、前記第１貫通孔４３２に挿入された第１連結突起４４１ａを介して、互いに電気的に連結することができる。したがって、本発明による基板処理装置１は、接地した上部電極４３に対してショートが発生するのを防止しながら、前記第１電極４４１に前記第１ＲＦ電力を印加することができるように具現される。また、前記電力印加部５を前記上部電極４３の上側に配置することができるので、本発明による基板処理装置１は、前記電力印加部５に対する配置の容易性を向上させることができる。前記電力印加部５は、前記チャンバー２の外部に配置することもできる。前記電力印加部５は、前記第１電極４４１に前記第１ＲＦ電力を印加可能に前記第１電極４４１に連結した第１印加機構５１を含むことができる。前記第１印加機構５１は、前記第１貫通孔４３２に挿入された第１連結突起４４１ａに電気的に連結することにより、前記第１連結突起４４１ａを介して前記第１電極４４１に前記第１周波数を有する第１ＲＦ電力を印加することができる。

【0040】

前記第１電極４４１は、半円形態の板状に形成することができる。この場合、第１連結突起４４１ａは、前記第１電極４４１の中心に隣接するように配置することができる。したがって、前記第１電極４４１の中心を基準として、互いに異なる方向に配置された前記第１電極４４１の部分が、前記第１連結突起４４１ａから離間した距離に生じる偏差を低減することができる。したがって、本発明による基板処理装置１は、前記第１電極４４１の中心を基準として、互いに異なる方向に配置された前記第１電極４４１の部分に印加される第１ＲＦ電力の均一性を向上させることができる。前記第１連結突起４４１ａは、前記第１電極４４１の中心上に配置することもできる。

【0041】

前記第２電極４４２は、第２連結突起４４２ａを含むことができる。前記第２連結突起４４２ａは、前記第２電極４４２の上面から上側に突出することができる。前記第２連結突起４４２ａは、前記上部電極４３に形成された第２貫通孔４３３に挿入され得る。前記第２貫通孔４３３は、前記第１貫通孔４３２から離間した位置で、前記上部電極４３を貫通して形成されたものである。これにより、前記上部電極４３の下側に配置された前記第２電極４４２と前記上部電極４３の上側に配置された電力印加部５が、前記第２貫通孔４３３に挿入された第２連結突起４４２ａを介して、互いに電気的に連結することができる。したがって、本発明による基板処理装置１は、接地した前記上部電極４３に対してショートが発生するのを防止しながら、前記第２電極４４２に前記第２ＲＦ電力を印加することができるように具現される。前記電力印加部５は、前記第２電極４４２に前記第２ＲＦ電力を印加可能に前記第２電極４４２に連結した第２印加機構５２を含むことができる。前記第２印加機構５２は、前記第２貫通孔４３３に挿入された第２連結突起４４２ａに電気的に連結することで、前記第２連結突起４４２ａを介して前記第２電極４４２に前記第２周波数を有する第２ＲＦ電力を印加することができる。

【0042】

前記第２電極４４２は、半円形態の板状に形成することができる。この場合、前記第２連結突起４４２ａは、前記第２電極４４２の中心に隣接するように配置することができる。したがって、前記第２電極４４２の中心を基準にして、互いに異なる方向に配置された前記第２電極４４２の部分が、前記第２連結突起４４２ａから離間した距離に発生する偏差を低減することができる。したがって、本発明による基板処理装置１は、前記第２電極４４２の中心を基準として、互いに異なる方向に配置された前記第２電極４４２の部分に印加される第２ＲＦ電力の均一性を向上させることができる。前記第２連結突起４４２ａは、前記第２電極４４２の中心に配置することもできる。

【0043】

前記第２電極４４２と前記第１電極４４１は、互いに離隔して配置することができる。前記第２電極４４２と前記第１電極４４１の間には、絶縁体４５が配置され得る。前記絶縁体４５は、前記第２電極４４２と前記第１電極４４１を絶縁することができる。前記絶縁体４５は、前記上部電極４３に結合することができる。前記絶縁体４５は、前記上部電極４３の下側に突出するように前記上部電極４３に結合することで、前記第２電極４４２と前記第１電極４４１の間に配置され得る。前記絶縁体４５は、第１絶縁部材４５１と第２絶縁部材４５２を含むことができる。前記第１絶縁部材４５１と前記第２絶縁部材４５２は、互いに異なる位置で前記第１電極４４１と前記第２電極４４２の間に配置することができる。前記第１絶縁部材４５１と前記第２絶縁部材４５２は、前記上部電極４３の中央部分を基準として、互いに離隔して配置することができる。

【0044】

図６に示すように、前記第２電極４４２と前記第１電極４４１は、一体に形成することができる。これにより、前記下部電極４４を１つの電極として具現することができる。この場合、前記電力印加部５は、予め設定された工程順序によって、前記第１電極４４１と前記第２電極４４２に選択的にＲＦ電力を印加することができる。前記電力印加部５は、前記第１印加機構５１を用いて前記第１電極４４１に前記第１周波数を有する第１ＲＦ電力を印加することができる。これにより、前記第１電極４４１と前記第２電極４４２に、前記第１周波数を有する第１ＲＦ電力が印加されることにより、前記第１周波数を有する第１ＲＦ電力を用いた処理工程を行うことができる。この場合、前記第２印加機構５２は、前記第２電極４４２に前記第２ＲＦ電力を印加しない。前記電力印加部５は、前記第２印加機構５２を用いて前記第２電極４４２に前記第２周波数を有する第２ＲＦ電力を印加することができる。これにより、前記第２電極４４２と前記第１電極４４１に前記第２周波数を有する第２ＲＦ電力が印加されることにより、前記第２周波数を有する第２ＲＦ電力を用いた処理工程を行うことができる。

【0045】

一方、図５に示すように、前記第２電極４４２と前記第１電極４４１が互いに離隔して形成された場合、前記電力印加部５は、前記第１電極４４１と前記第２電極４４２の中で少なくとも１つにＲＦ電力を印加することができる。前記電力印加部５は、前記第１印加機構５１を用いて前記第１電極４４１に前記第１周波数を有する第１ＲＦ電力を印加するとともに、前記第２印加機構５２を用いて、前記第２電極４４２に前記第２周波数を有する第２ＲＦ電力を印加することができる。これにより、前記第１処理空間１１０では、前記第１周波数を有する第１ＲＦ電力を用いた処理工程が行われるとともに、前記第２処理空間１２０では、前記第２周波数を有する第２ＲＦ電力を用いた処理工程を行うことができる。前記電力印加部５は、前記第１印加機構５１を用いて前記第１電極４４１に前記第１周波数を有する第１ＲＦ電力を印加するとともに、前記第２印加機構５２を用いて前記第２電極４４２に前記第２ＲＦ電力を印加しなくてもよい。また、前記電力印加部５は、前記第２印加機構５２を用いて前記第２電極４４２に前記第２周波数を有する第２ＲＦ電力を印加するとともに、前記第１印加機構５１を用いて前記第１電極４４１に前記第１ＲＦ電力を印加しなくてもよい。

【0046】

図１～図７を参照すると、本発明による基板処理装置１は、回転部７を含むことができる。

【0047】

前記回転部７は、前記基板支持部３を回転させるものである。前記回転部７は、前記基板支持部３を回転軸３ａを中心に回転させることにより、前記基板支持部３の支持した基板（Ｓ）を前記回転軸３ａを中心に回転させることができる。これにより、前記基板支持部３に支持された基板（Ｓ）は、前記第１電極４４１の下側と前記第２電極４４２の下側を通過することができる。したがって、前記第１電極４４１の下側を通過する基板（Ｓ）に対して、前記第１周波数を用いた処理工程が行われ、前記第２電極４４２の下側を通過する基板（Ｓ）に対して、前記第２周波数を用いた処理工程を行うことができる。すなわち、前記基板（Ｓ）が、前記第１処理空間１１０と前記第２処理空間１２０を順に通過しながら、前記基板（Ｓ）に対して互いに異なる周波数を有するＲＦ電力を用いた処理工程を行うことができる。この場合、前記電力印加部５は、前記第１電極４４１に前記第１周波数を有する第１ＲＦ電力を印加し、前記第２電極４４２に前記第２周波数を有する第２ＲＦ電力を印加することができる。

【0048】

一方、前記電力印加部５が、前記第１電極４４１に前記第１周波数を有する第１ＲＦ電力を印加するとともに、前記第２電極４４２に前記第２ＲＦ電力を印加しない場合、前記基板支持部３に支持された基板（Ｓ）は、前記第１電極４４１の下側を通過している間のみ、前記第１周波数を用いた処理工程を行うことができる。前記電力印加部５が前記第２電極４４２に前記第２周波数を有する第２ＲＦ電力を印加するとともに、前記第１電極４４１に前記第１ＲＦ電力を印加しない場合、前記基板支持部３に支持された基板（Ｓ）は、前記第２電極４４２の下側を通過する間のみ、前記周波数を用いた処理工程を行うことができる。

【0049】

図１～図８を参照すると、本発明による基板処理装置１は、検出部６を含むことができる。

【0050】

前記検出部６は、前記上部電極４３と下部電極４４の両方に挿入するように配置されたものある。前記検出部６は、前記第１電極４４１と前記第２電極４４２の間に配置することができる。前記検出部６には、検出孔６１を形成することができる。前記検出孔６１は、前記検出部６を貫通して形成することができる。これにより、本発明による基板処理装置１は、前記検出孔６１を介して、前記チャンバー２の外部から前記チャンバー２の内部を確認することができるように具現される。例えば、本発明による基板処理装置１は、前記検出孔６１を介して、前記検出孔６１の下側を通過する基板（Ｓ）の温度を検出するように具現することができる。本発明による基板処理装置１は、前記検出孔６１を介して、前記検出孔６１の下側を通過する基板（Ｓ）の変形程度を検出するように構成することもできる。前記検出部６の上端には、前記検出孔６１を有する透明窓６２を結合することもできる。

【0051】

前記検出部６は、前記第１絶縁部材４５１に挿入することができる。前記検出部６は、絶縁物質で形成することもできる。この場合、前記検出部６は、前記第１電極４４１と前記第２電極４４２を絶縁する絶縁機能を有するとともに、前記検出孔６１を用いた検出機能を備えるように具現することができる。前記検出部６が絶縁物質で形成された場合、本発明による基板処理装置１は、前記第１絶縁部材４５１なしで、前記検出部６で前記第１電極４４１と前記第２電極４４２を絶縁するように具現することもできる。

【0052】

以上説明した本発明は、上述した実施例及び添付の図に限定されるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で種々の置換、変形及び変更が可能であることが、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者にとって明らかであろう。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【国際調査報告】