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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-07-04
(54)【発明の名称】フォトマスク、露光方法及びタッチパネル
(51)【国際特許分類】
G03F 1/70 20120101AFI20230627BHJP
G03F 7/20 20060101ALI20230627BHJP
G06F 3/041 20060101ALI20230627BHJP
G06F 3/044 20060101ALI20230627BHJP
【ＦＩ】
G03F1/70
G03F7/20 501
G06F3/041 660
G06F3/044 122
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2021572617
(86)(22)【出願日】2021-03-15
(85)【翻訳文提出日】2021-12-07
(86)【国際出願番号】 CN2021080801
(87)【国際公開番号】W WO2021238342
(87)【国際公開日】2021-12-02
(31)【優先権主張番号】PCT/CN2020/092806
(32)【優先日】2020-05-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】510280589
【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ Ｊｉｕｘｉａｎｑｉａｏ Ｒｄ．，Ｃｈａｏｙａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００１５，ＣＨＩＮＡ
(71)【出願人】
【識別番号】512282165
【氏名又は名称】合肥▲シン▼晟光▲電▼科技有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＨＥＦＥＩ ＸＩＮＳＨＥＮＧ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｘｉｎｚｈａｎ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｐａｒｋ，Ｈｅｆｅｉ，Ａｎｈｕｉ，２３００１２，Ｐ．Ｒ．ＣＨＩＮＡ
(74)【代理人】
【識別番号】100070024
【弁理士】
【氏名又は名称】松永 宣行
(74)【代理人】
【識別番号】100195257
【弁理士】
【氏名又は名称】大渕 一志
(72)【発明者】
【氏名】雷 傑
(72)【発明者】
【氏名】鄭 啓濤
(72)【発明者】
【氏名】許 鄒明
(72)【発明者】
【氏名】呉 信濤
(72)【発明者】
【氏名】劉 純建
(72)【発明者】
【氏名】田 健
【テーマコード（参考）】
2H195
2H197
【Ｆターム（参考）】
2H195BB02
2H197AB02
2H197DA09
2H197HA10
(57)【要約】
本開示は、フォトマスク、露光方法及びタッチパネルを提供している。フォトマスクは、第一領域及び第二領域を含み、第一領域が第二領域の少なくとも一方側に位置し、第一領域に第一遮光バー及び第二遮光バーが含まれ、第二領域に第三遮光バーが含まれ、第一遮光バー、第二遮光バー及び第三遮光バーは、延在方向が同じであり、第二遮光バーは、第一遮光バーと第三遮光バーとの間に位置し、第一遮光バー、第二遮光バー及び第三遮光バーは、光線を遮断するように配置され、複数の第一遮光バー、複数の第二遮光バー及び複数の第三遮光バーによって囲まれて形成された隙間は、光線の通過を許容し、第一方向における第一遮光バーの幅は、第一方向における第二遮光バーの幅よりも大きいとともに、第一方向における第二遮光バーの幅は、第一方向における第三遮光バーの幅よりも大きい。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第一領域及び第二領域を含み、前記第一領域が前記第二領域の少なくとも一方側に位置するフォトマスクであって、前記第一領域に第一遮光バー及び第二遮光バーが含まれ、前記第二領域に第三遮光バーが含まれ、前記第一遮光バー、前記第二遮光バー及び前記第三遮光バーは、延在方向が同じであり、前記第二遮光バーは、前記第一遮光バーと前記第三遮光バーとの間に位置し、前記第一遮光バー、前記第二遮光バー及び前記第三遮光バーは、光線を遮断するように配置され、複数の前記第一遮光バー、複数の前記第二遮光バー及び複数の前記第三遮光バーによって囲まれて形成された隙間は、光線の通過を許容し、
第一方向における前記第一遮光バーの幅は、前記第一方向における前記第二遮光バーの幅よりも大きいとともに、第一方向における前記第二遮光バーの幅は、前記第一方向における前記第三遮光バーの幅よりも大きい、フォトマスク。
【請求項2】
各々の前記第二遮光バーは、第一サブ遮光バー、第二サブ遮光バー及び第三サブ遮光バーを含み、前記第二サブ遮光バーは、前記第一サブ遮光バーと前記第三サブ遮光バーとの間に位置し、第一方向における前記第一サブ遮光バーの幅は、第一方向における前記第二サブ遮光バーの幅よりも大きいとともに、第一方向における前記第二サブ遮光バーの幅は、第一方向における前記第三サブ遮光バーの幅よりも大きい、請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項3】
第一方向における前記第一サブ遮光バーの幅は、第二方向に沿って徐々に減少し、前記第二方向は、前記第一方向に略垂直である、請求項２に記載のフォトマスク。
【請求項4】
前記第一サブ遮光バーは、第一方向に対向する第一エッジ及び第二エッジを含み、前記第一エッジの延長線と前記第二エッジの延長線とは交差し、第一サブ遮光バーの中心線に対する前記第一エッジの第一角度は、０°よりも大きく、且つ９０°未満であり、第一サブ遮光バーの中心線に対する前記第二エッジの第二角度は、０°よりも大きく、且つ９０°未満である、請求項３に記載のフォトマスク。
【請求項5】
前記第一角度は、４５°～５５°であり、前記第二角度は、６０°～７０°である、請求項４に記載のフォトマスク。
【請求項6】
前記第一エッジの長さは、１μｍ～１０μｍであり、前記第二エッジの長さは、１μｍ～１０μｍである、請求項４に記載のフォトマスク。
【請求項7】
前記第二サブ遮光バーは、第一方向に対向する２つのエッジである第三エッジ及び第四エッジを含み、第二方向に沿った前記第三エッジの長さは、第二方向に沿った前記第四エッジの長さと等しくなく、前記第二方向は、前記第一方向に略垂直である、請求項２～６の何れか一項に記載のフォトマスク。
【請求項8】
第一方向における前記第三サブ遮光バーの幅は、第二方向に沿って徐々に減少し、前記第二方向は、前記第一方向に略垂直である、請求項２～７の何れか一項に記載のフォトマスク。
【請求項9】
前記第三サブ遮光バーは、第一方向に対向する第五エッジ及び第六エッジを含み、前記第五エッジの延長線と前記第六エッジの延長線とは交差し、第三サブ遮光バーの中心線に対する前記第五エッジの第三角度は、０°よりも大きく、且つ９０°未満であり、第三サブ遮光バーの中心線に対する前記第六エッジの第四角度は、０°よりも大きく、且つ９０°未満である、請求項８に記載のフォトマスク。
【請求項10】
前記第三角度は、４５°～５５°であり、前記第四角度は、８０°～９０°である、請求項９に記載のフォトマスク。
【請求項11】
前記第五エッジの長さは、１０μｍ～２１μｍであり、前記第六エッジの長さは、６μｍ～１６μｍである、請求項９に記載のフォトマスク。
【請求項12】
第一方向における前記第二遮光バーの各部分の幅は、第二方向に沿って等しい、請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項13】
前記第一遮光バー、前記第三遮光バー及び前記第二遮光バーは、中心線が重なり合う、請求項１～１２の何れか一項に記載のフォトマスク。
【請求項14】
前記第一遮光バー、前記第三遮光バー及び前記第二遮光バーの中心線と、フォトマスクの辺との夾角は、９０°未満である、請求項１～１３の何れか一項に記載のフォトマスク。
【請求項15】
前記第一遮光バー、前記第三遮光バー及び前記第二遮光バーは、一体成形構造である、請求項１～１４の何れか一項に記載のフォトマスク。
【請求項16】
露光方法であって、請求項１～１５の何れか一項に記載のフォトマスクを用意することと、
第三領域及び第四領域を含む基板を用意することと、
前記フォトマスクと前記基板の第三領域をアラインメントして、１回目の露光を実行することと、
前記フォトマスクと前記基板とを相対運動させることと、
前記フォトマスクと前記基板の第四領域をアラインメントして、２回目の露光を実行することとを含む、露光方法。
【請求項17】
上述の前記フォトマスクと前記基板の第三領域をアラインメントして、１回目の露光を実行することは、前記フォトマスクの第一遮光バー及び第二遮光バーを利用して、前記第三領域に第一パターン及び第二パターンを形成することと、
前記フォトマスクの第三遮光バーを利用して、前記第三領域に第三パターンを形成することとを含み、
前記第一パターンの線幅は、前記第二パターンの線幅よりも大きいとともに、前記第二パターンの線幅は、前記第三パターンの線幅よりも大きい、請求項１６に記載の露光方法。
【請求項18】
各々の前記第二遮光バーは、第一サブ遮光バー、第二サブ遮光バー及び第三サブ遮光バーを含み、前記基板は、前記第三領域と前記第四領域との間に位置する境界線を更に含み、上述の前記フォトマスクと前記基板の第三領域をアラインメントして、１回目の露光を実行することは、
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第三領域に第二サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三領域に第三サブパターンを形成することとを含み、
上述の前記フォトマスクと前記基板の第四領域をアラインメントして、２回目の露光を実行することは、
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第四サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第五サブパターンを形成することを含み、
前記第二サブパターン、前記第三サブパターンと、前記第四サブパターン、前記第五サブパターンとには、重なり領域があり、前記重なり領域の面積は、所定閾値未満であり、前記所定閾値は、第一幅と第二幅との積であり、前記第一幅は、繋ぎ露光プロセスにおける２回の露光間のフォトマスクの最大位置ずれの２倍であり、前記第二幅は、前記境界線に平行な方向における前記第一遮光バーの幅である、請求項１７に記載の露光方法。
【請求項19】
各々の前記第二遮光バーは、第一サブ遮光バー、第二サブ遮光バー及び第三サブ遮光バーを含み、前記第三サブ遮光バーは、第三エッジ及び第四エッジを含み、前記第三エッジの延長線と前記第四エッジの延長線とは交差し、前記基板は、前記第三領域と前記第四領域との間に位置する境界線を更に含み、上述の前記フォトマスクと前記基板の第三領域をアラインメントして、１回目の露光を実行することは、
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第三領域に第二サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三エッジ及び前記第四エッジに対応する第五エッジ及び第六エッジを含む第三サブパターンであって、前記第五エッジが前記境界線に平行であり、前記第五エッジと前記境界線との間の距離が繋ぎ露光プロセスにおける２回の露光間のフォトマスクの最大位置ずれである第三サブパターンを、前記第三領域に形成することとを含む、請求項１７に記載の露光方法。
【請求項20】
上述の前記フォトマスクと前記基板の第四領域をアラインメントして、２回目の露光を実行することは、前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第四サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三エッジ及び前記第四エッジに対応する第七エッジ及び第八エッジを含む第五サブパターンであって、前記第七エッジが前記境界線に平行であり、前記第七エッジと前記境界線との間の距離が前記最大位置ずれである第五サブパターンを前記第四領域に形成することとを含み、
前記第二サブパターン、前記第三サブパターン、前記第四サブパターン及び前記第五サブパターンは、中心線が重なり合い、前記第二サブパターン、前記第三サブパターンと、前記第四サブパターン、前記第五サブパターンとには、重なり領域が形成される、請求項１９に記載の露光方法。
【請求項21】
上述の前記フォトマスクと前記基板の第四領域をアラインメントして、２回目の露光を実行することは、前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第六サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三エッジ及び前記第四エッジに対応する第九エッジ及び第十エッジを含む第七サブパターンであって、前記第九エッジが前記境界線に平行であり、前記第九エッジと前記境界線との間の距離がゼロから前記最大位置ずれの２倍までの範囲とされる第七サブパターンを、前記第四領域に形成することとを含み、
前記第二サブパターン、前記第三サブパターンと、前記第六サブパターン、前記第七サブパターンとには、重なり領域が形成される、請求項１９に記載の露光方法。
【請求項22】
上述の前記フォトマスクと前記基板の第四領域をアラインメントして、２回目の露光を実行することは、前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第八サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第九サブパターンを形成することとを含み、
前記第二サブパターン、前記第三サブパターンと、前記第八サブパターン、前記第九サブパターンとには、重なり領域が形成され、前記第二サブパターン、第三サブパターンは、中心線が重なり合い、前記第八サブパターン、前記第九サブパターンは、中心線が重なり合い、前記第二サブパターンの中心線と前記第八サブパターンの中心線との距離は、ゼロから前記最大位置ずれまでの範囲とされる、請求項２１に記載の露光方法。
【請求項23】
上述の前記フォトマスクと前記基板の第四領域をアラインメントして、２回目の露光を実行することは、前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三エッジ及び前記第四エッジに対応する第十一エッジ及び第十二エッジを含む第十サブパターンであって、前記第十一エッジが前記境界線に平行であり、前記第十一エッジと前記境界線との間の距離がゼロである第十サブパターンを、前記第四領域に形成することと、
前記第三遮光バーを利用して、前記第四領域に第四パターンを形成することとを含み、
前記第三サブパターン、前記第十サブパターン及び前記第四パターンは、中心線が重なり合い、前記第三サブパターンと前記第十サブパターン、前記第四パターンとには、重なり領域が形成される、請求項１９に記載の露光方法。
【請求項24】
前記重なり領域の面積は、所定閾値未満であり、前記所定閾値は、第一幅と第二幅との積であり、前記第一幅は、前記最大位置ずれの２倍であり、前記第二幅は、前記境界線に平行な方向における前記第一遮光バーの幅である、請求項２０～２３の何れか一項に記載の露光方法。
【請求項25】
基板と、前記基板上に設けられたタッチ駆動電極と、
前記基板上に設けられたタッチセンシング電極とを含むタッチパネルであって、
前記タッチ駆動電極及び前記タッチセンシング電極の少なくとも一方は、メッシュ構造を有し、前記メッシュ構造は、接合点を含み、前記接合点は、メッシュバーの中心線の両側に分布された第一突起構造及び第二突起構造を含み、前記第一突起構造及び前記第二突起構造は、前記中心線の方向に沿ってずらして配設される、タッチパネル。
【請求項26】
前記第一突起構造及び前記第二突起構造は何れも、円弧状のエッジを含む、請求項２５に記載のタッチパネル。
【請求項27】
前記基板は、第三領域、第四領域、及び前記第三領域と前記第四領域との間に位置する境界線を含み、前記接合点は、前記境界線に沿って順次に並べられる、請求項２５又は２６に記載のタッチパネル。
【請求項28】
前記メッシュ構造は、第五領域を含み、前記第五領域は、前記第三領域及び前記第四領域における前記境界線から遠い少なくとも一方側に位置し、前記第三領域は、第一メッシュバーを含み、前記第四領域は、第二メッシュバーを含み、前記第五領域は、第三メッシュバーを含み、前記第三メッシュバーの延在方向に垂直な方向における前記第三メッシュバーの幅は、前記第一メッシュバーの延在方向に垂直な方向における前記第一メッシュバーの幅よりも大きく、及び／又は、前記第三メッシュバーの延在方向に垂直な方向における前記第三メッシュバーの幅は、前記第二メッシュバーの延在方向に垂直な方向における前記第二メッシュバーの幅よりも大きい、請求項２５～２７の何れか一項に記載のタッチパネル。
【請求項29】
前記メッシュ構造は、第四メッシュバーを含み、前記第四メッシュバーは、前記接合点の少なくとも一端に接続され、前記接合点の頂点と前記第四メッシュバーの中心線との距離をｄ３とし、前記第四メッシュバーの幅をｄ４とし、ｄ３とｄ４との比をｎ＝ｄ３／ｄ４とすると、ｎは、１以上２．３以下となる、請求項２５～２８の何れか一項に記載のタッチパネル。
【請求項30】
前記第一突起構造は、前記メッシュバーの中心線と交差する両側辺の長さが等しくなく、及び／又は、前記第二突起構造は、前記メッシュバーの中心線と交差する両側辺の長さが等しくない、請求項２５～２９の何れか一項に記載のタッチパネル。
【請求項31】
前記第一突起構造の両側辺のうち、前記第二突起構造から遠い第一側辺の辺長は、前記第二突起構造に近い第二側辺の辺長よりも短く、及び／又は、前記第二突起構造の両側辺のうち、前記第一突起構造から遠い第三側辺の辺長は、前記第一突起構造に近い第四側辺の辺長よりも短い、請求項３０に記載のタッチパネル。
【請求項32】
少なくとも１つの前記接合点において、前記第一突起構造と前記第二突起構造とは、中心対称に設けられる、請求項２５～３１の何れか一項に記載のタッチパネル。
【請求項33】
前記第一突起構造の両側辺は、前記第二突起構造から遠い第一側辺、及び前記第二突起構造に近い第二側辺を含み、前記第二突起構造の両側辺は、前記第一突起構造から遠い第三側辺、及び前記第一突起構造に近い第四側辺を含み、前記第一側辺と前記メッシュバーの中心線とには、第一夾角β１があり、前記第二側辺と前記メッシュバーの中心線とには、第二夾角β２があり、前記第三側辺と前記メッシュバーの中心線とには、第三夾角β３があり、前記第四側辺と前記メッシュバーの中心線とには、第四夾角β４があり、前記第一側辺と前記第二側辺とには、第五夾角β５があり、前記第三側辺と前記第四側辺とには、第六夾角β６があり、ここで、β１は、１１０°以上１５０°以下であり、β２は、１２５°以上１６５°以下であり、β３は、１１０°以上１５０°以下であり、β４は、１２５°以上１６５°以下であり、β５は、８０°以上１００°以下であり、β６は、８０°以上１００°以下である、請求項２５～３２の何れか一項に記載のタッチパネル。
【請求項34】
前記メッシュ構造は、前記接合点の両端にそれぞれ接続された第五メッシュバー及び第六メッシュバーを含み、前記第五メッシュバーの中心線と前記第六メッシュバーの中心線との距離をｄ５とすると、ｄ５は、０以上６ミクロン以下となる、請求項２５～３３の何れか一項に記載のタッチパネル。
【請求項35】
前記タッチ駆動電極及び前記タッチセンシング電極は、基板に垂直な方向に沿って積層して設けられ、前記タッチ駆動電極及び前記タッチセンシング電極は、何れも前記メッシュ構造を含み、且つ前記メッシュ構造は、接合点を含み、異なる層における前記接合点は、同じ直線に略沿って並べられるか、或いは、異なる層における前記接合点は、それぞれ２本の直線に略沿って並べられる、請求項２５～３４の何れか一項に記載のタッチパネル。
【請求項36】
前記タッチ駆動電極及び前記タッチセンシング電極は、基板に垂直な方向に沿って積層して設けられ、前記タッチ駆動電極及び前記タッチセンシング電極は、何れも前記メッシュ構造を含み、且つ前記メッシュ構造は、接合点を含み、異なる層における前記接合点は、前記基板上での正投影が少なくとも部分的に重なる、請求項２５～３４の何れか一項に記載のタッチパネル。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
（関連出願の相互参照）
本願は、２０２０年５月２８日に中国で出願されたＰＣＴ国際出願第ＰＣＴ／ＣＮ２０２０／０９２８０６号の優先権を主張し、その内容の全ては、参照により本願に組み込まれる。
本開示は、表示の技術分野に関し、特にフォトマスク、露光方法及びタッチパネルに関する。
本願は、２０２０年５月２８日に中国で出願されたＰＣＴ国際出願第ＰＣＴ／ＣＮ２０２０／０９２８０６号の優先権を主張し、その内容の全ては、参照により本願に組み込まれる。
本開示は、表示の技術分野に関し、特にフォトマスク、露光方法及びタッチパネルに関する。
【背景技術】
【0002】
表示技術の継続的な発展に伴い、表示パネル又はタッチパネルの寸法は、ますます大きくなっている。より大きな寸法の表示パネル又はタッチパネルを生産するためには、小世代の生産線を利用して大寸法の表示パネル又はタッチパネルを生産する需要がある。
【発明の概要】
【0003】
本開示は、フォトマスク、露光方法及びタッチパネルを提供する。
【0004】
一局面において、第一領域及び第二領域を含み、前記第一領域が前記第二領域の少なくとも一方側に位置するフォトマスクであって、前記第一領域に第一遮光バー及び第二遮光バーが含まれ、前記第二領域に第三遮光バーが含まれ、前記第一遮光バー、前記第二遮光バー及び前記第三遮光バーは、延在方向が同じであり、前記第二遮光バーは、前記第一遮光バーと前記第三遮光バーとの間に位置し、前記第一遮光バー、前記第二遮光バー及び前記第三遮光バーは、光線を遮断するように配置され、複数の前記第一遮光バー、複数の前記第二遮光バー及び複数の前記第三遮光バーによって囲まれて形成された隙間は、光線の通過を許容し、第一方向における前記第一遮光バーの幅は、前記第一方向における前記第二遮光バーの幅よりも大きいとともに、第一方向における前記第二遮光バーの幅は、前記第一方向における前記第三遮光バーの幅よりも大きい、フォトマスクを提供する。
【0005】
選択的に、各々の前記第二遮光バーは、第一サブ遮光バー、第二サブ遮光バー及び第三サブ遮光バーを含み、前記第二サブ遮光バーは、前記第一サブ遮光バーと前記第三サブ遮光バーとの間に位置し、第一方向における前記第一サブ遮光バーの幅は、第一方向における前記第二サブ遮光バーの幅よりも大きいとともに、第一方向における前記第二サブ遮光バーの幅は、第一方向における前記第三サブ遮光バーの幅よりも大きい。
【0006】
選択的に、第一方向における前記第一サブ遮光バーの幅は、第二方向に沿って徐々に減少し、前記第二方向は、前記第一方向に略垂直である。
【0007】
選択的に、前記第一サブ遮光バーは、第一方向に対向する第一エッジ及び第二エッジを含み、前記第一エッジの延長線と前記第二エッジの延長線とは交差し、第一サブ遮光バーの中心線に対する前記第一エッジの第一角度は、０°よりも大きく、且つ９０°未満であり、第一サブ遮光バーの中心線に対する前記第二エッジの第二角度は、０°よりも大きく、且つ９０°未満である。
【0008】
選択的に、前記第一角度は、４５°～５５°であり、前記第二角度は、６０°～７０°である。
【0009】
選択的に、前記第一エッジの長さは、１μｍ～１０μｍであり、前記第二エッジの長さは、１μｍ～１０μｍである。
【0010】
選択的に、前記第二サブ遮光バーは、第一方向に対向する２つのエッジである第三エッジ及び第四エッジを含み、第二方向に沿った前記第三エッジの長さは、第二方向に沿った前記第四エッジの長さと等しくなく、前記第二方向は、前記第一方向に略垂直である。
【0011】
選択的に、第一方向における前記第三サブ遮光バーの幅は、第二方向に沿って徐々に減少し、前記第二方向は、前記第一方向に略垂直である。
【0012】
選択的に、前記第三サブ遮光バーは、第一方向に対向する第五エッジ及び第六エッジを含み、前記第五エッジの延長線と前記第六エッジの延長線とは交差し、第三サブ遮光バーの中心線に対する前記第五エッジの第三角度は、０°よりも大きく、且つ９０°未満であり、第三サブ遮光バーの中心線に対する前記第六エッジの第四角度は、０°よりも大きく、且つ９０°未満である。
【0013】
選択的に、前記第三角度は、４５°～５５°であり、前記第四角度は、８０°～９０°である。
【0014】
選択的に、前記第五エッジの長さは、１０μｍ～２１μｍであり、前記第六エッジの長さは、６μｍ～１６μｍである。
【0015】
選択的に、第一方向における前記第二遮光バーの各部分の幅は、第二方向に沿って等しい。
【0016】
選択的に、前記第一遮光バー、前記第三遮光バー及び前記第二遮光バーは、中心線が重なり合う。
【0017】
選択的に、前記第一遮光バー、前記第三遮光バー及び前記第二遮光バーの中心線と、フォトマスクの辺との夾角は、９０°未満である。
【0018】
選択的に、前記第一遮光バー、前記第三遮光バー及び前記第二遮光バーは、一体成形構造である。
【0019】
別の局面において、露光方法であって、
上記の何れかに記載のフォトマスクを用意することと、
第三領域及び第四領域を含む基板を用意することと、
前記フォトマスクと前記基板の第三領域をアラインメントして、１回目の露光を実行することと、
前記フォトマスクと前記基板とを相対運動させることと、
前記フォトマスクと前記基板の第四領域をアラインメントして、２回目の露光を実行することとを含む、露光方法を更に提供する。
上記の何れかに記載のフォトマスクを用意することと、
第三領域及び第四領域を含む基板を用意することと、
前記フォトマスクと前記基板の第三領域をアラインメントして、１回目の露光を実行することと、
前記フォトマスクと前記基板とを相対運動させることと、
前記フォトマスクと前記基板の第四領域をアラインメントして、２回目の露光を実行することとを含む、露光方法を更に提供する。
【0020】
選択的に、上述の前記フォトマスクと前記基板の第三領域をアラインメントして、１回目の露光を実行することは、
前記フォトマスクの第一遮光バー及び第二遮光バーを利用して、前記第三領域に第一パターン及び第二パターンを形成することと、
前記フォトマスクの第三遮光バーを利用して、前記第三領域に第三パターンを形成することとを含み、
前記第一パターンの線幅は、前記第二パターンの線幅よりも大きいとともに、前記第二パターンの線幅は、前記第三パターンの線幅よりも大きい。
前記フォトマスクの第一遮光バー及び第二遮光バーを利用して、前記第三領域に第一パターン及び第二パターンを形成することと、
前記フォトマスクの第三遮光バーを利用して、前記第三領域に第三パターンを形成することとを含み、
前記第一パターンの線幅は、前記第二パターンの線幅よりも大きいとともに、前記第二パターンの線幅は、前記第三パターンの線幅よりも大きい。
【0021】
選択的に、各々の前記第二遮光バーは、第一サブ遮光バー、第二サブ遮光バー及び第三サブ遮光バーを含み、前記基板は、前記第三領域と前記第四領域との間に位置する境界線を更に含み、
上述の前記フォトマスクと前記基板の第三領域をアラインメントして、１回目の露光を実行することは、
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第三領域に第二サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三領域に第三サブパターンを形成することとを含み、
上述の前記フォトマスクと前記基板の第四領域をアラインメントして、２回目の露光を実行することは、
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第四サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第五サブパターンを形成することを含み、
前記第二サブパターン、前記第三サブパターンと、前記第四サブパターン、前記第五サブパターンとには、重なり領域があり、前記重なり領域の面積は、所定閾値未満であり、前記所定閾値は、第一幅と第二幅との積であり、前記第一幅は、繋ぎ露光プロセスにおける２回の露光間のフォトマスクの最大位置ずれの２倍であり、前記第二幅は、前記境界線に平行な方向における前記第一遮光バーの幅である。
上述の前記フォトマスクと前記基板の第三領域をアラインメントして、１回目の露光を実行することは、
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第三領域に第二サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三領域に第三サブパターンを形成することとを含み、
上述の前記フォトマスクと前記基板の第四領域をアラインメントして、２回目の露光を実行することは、
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第四サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第五サブパターンを形成することを含み、
前記第二サブパターン、前記第三サブパターンと、前記第四サブパターン、前記第五サブパターンとには、重なり領域があり、前記重なり領域の面積は、所定閾値未満であり、前記所定閾値は、第一幅と第二幅との積であり、前記第一幅は、繋ぎ露光プロセスにおける２回の露光間のフォトマスクの最大位置ずれの２倍であり、前記第二幅は、前記境界線に平行な方向における前記第一遮光バーの幅である。
【0022】
選択的に、各々の前記第二遮光バーは、第一サブ遮光バー、第二サブ遮光バー及び第三サブ遮光バーを含み、前記第三サブ遮光バーは、第三エッジ及び第四エッジを含み、前記第三エッジの延長線と前記第四エッジの延長線とは交差し、前記基板は、前記第三領域と前記第四領域との間に位置する境界線を更に含み、
上述の前記フォトマスクと前記基板の第三領域をアラインメントして、１回目の露光を実行することは、
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第三領域に第二サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三エッジ及び前記第四エッジに対応する第五エッジ及び第六エッジを含む第三サブパターンであって、前記第五エッジが前記境界線に平行であり、前記第五エッジと前記境界線との間の距離が繋ぎ露光プロセスにおける２回の露光間のフォトマスクの最大位置ずれである第三サブパターンを、前記第三領域に形成することとを含む。
上述の前記フォトマスクと前記基板の第三領域をアラインメントして、１回目の露光を実行することは、
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第三領域に第二サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三エッジ及び前記第四エッジに対応する第五エッジ及び第六エッジを含む第三サブパターンであって、前記第五エッジが前記境界線に平行であり、前記第五エッジと前記境界線との間の距離が繋ぎ露光プロセスにおける２回の露光間のフォトマスクの最大位置ずれである第三サブパターンを、前記第三領域に形成することとを含む。
【0023】
選択的に、上述の前記フォトマスクと前記基板の第四領域をアラインメントして、２回目の露光を実行することは、
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第四サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三エッジ及び前記第四エッジに対応する第七エッジ及び第八エッジを含む第五サブパターンであって、前記第七エッジが前記境界線に平行であり、前記第七エッジと前記境界線との間の距離が前記最大位置ずれである第五サブパターンを前記第四領域に形成することとを含み、
前記第二サブパターン、前記第三サブパターン、前記第四サブパターン及び前記第五サブパターンは、中心線が重なり合い、前記第二サブパターン、前記第三サブパターンと、前記第四サブパターン、前記第五サブパターンとには、重なり領域が形成される。
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第四サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三エッジ及び前記第四エッジに対応する第七エッジ及び第八エッジを含む第五サブパターンであって、前記第七エッジが前記境界線に平行であり、前記第七エッジと前記境界線との間の距離が前記最大位置ずれである第五サブパターンを前記第四領域に形成することとを含み、
前記第二サブパターン、前記第三サブパターン、前記第四サブパターン及び前記第五サブパターンは、中心線が重なり合い、前記第二サブパターン、前記第三サブパターンと、前記第四サブパターン、前記第五サブパターンとには、重なり領域が形成される。
【0024】
選択的に、上述の前記フォトマスクと前記基板の第四領域をアラインメントして、２回目の露光を実行することは、
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第六サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三エッジ及び前記第四エッジに対応する第九エッジ及び第十エッジを含む第七サブパターンであって、前記第九エッジが前記境界線に平行であり、前記第九エッジと前記境界線との間の距離がゼロから前記最大位置ずれの２倍までの範囲とされる第七サブパターンを、前記第四領域に形成することとを含み、
前記第二サブパターン、前記第三サブパターンと、前記第六サブパターン、前記第七サブパターンとには、重なり領域が形成される。
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第六サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三エッジ及び前記第四エッジに対応する第九エッジ及び第十エッジを含む第七サブパターンであって、前記第九エッジが前記境界線に平行であり、前記第九エッジと前記境界線との間の距離がゼロから前記最大位置ずれの２倍までの範囲とされる第七サブパターンを、前記第四領域に形成することとを含み、
前記第二サブパターン、前記第三サブパターンと、前記第六サブパターン、前記第七サブパターンとには、重なり領域が形成される。
【0025】
選択的に、上述の前記フォトマスクと前記基板の第四領域をアラインメントして、２回目の露光を実行することは、
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第八サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第九サブパターンを形成することとを含み、
前記第二サブパターン、前記第三サブパターンと、前記第八サブパターン、前記第九サブパターンとには、重なり領域が形成され、前記第二サブパターン、第三サブパターンは、中心線が重なり合い、前記第八サブパターン、前記第九サブパターンは、中心線が重なり合い、前記第二サブパターンの中心線と前記第八サブパターンの中心線との距離は、ゼロから前記最大位置ずれまでの範囲とされる。
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第八サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第九サブパターンを形成することとを含み、
前記第二サブパターン、前記第三サブパターンと、前記第八サブパターン、前記第九サブパターンとには、重なり領域が形成され、前記第二サブパターン、第三サブパターンは、中心線が重なり合い、前記第八サブパターン、前記第九サブパターンは、中心線が重なり合い、前記第二サブパターンの中心線と前記第八サブパターンの中心線との距離は、ゼロから前記最大位置ずれまでの範囲とされる。
【0026】
選択的に、上述の前記フォトマスクと前記基板の第四領域をアラインメントして、２回目の露光を実行することは、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三エッジ及び前記第四エッジに対応する第十一エッジ及び第十二エッジを含む第十サブパターンであって、前記第十一エッジが前記境界線に平行であり、前記第十一エッジと前記境界線との間の距離がゼロである第十サブパターンを、前記第四領域に形成することと、
前記第三遮光バーを利用して、前記第四領域に第四パターンを形成することとを含み、
前記第三サブパターン、前記第十サブパターン及び前記第四パターンは、中心線が重なり合い、前記第三サブパターンと前記第十サブパターン、前記第四パターンとには、重なり領域が形成される。
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三エッジ及び前記第四エッジに対応する第十一エッジ及び第十二エッジを含む第十サブパターンであって、前記第十一エッジが前記境界線に平行であり、前記第十一エッジと前記境界線との間の距離がゼロである第十サブパターンを、前記第四領域に形成することと、
前記第三遮光バーを利用して、前記第四領域に第四パターンを形成することとを含み、
前記第三サブパターン、前記第十サブパターン及び前記第四パターンは、中心線が重なり合い、前記第三サブパターンと前記第十サブパターン、前記第四パターンとには、重なり領域が形成される。
【0027】
選択的に、前記重なり領域の面積は、所定閾値未満であり、前記所定閾値は、第一幅と第二幅との積であり、前記第一幅は、前記最大位置ずれの２倍であり、前記第二幅は、前記境界線に平行な方向における前記第一遮光バーの幅である。
【0028】
さらなる別の局面において、
基板と、
前記基板上に設けられたタッチ駆動電極と、
前記基板上に設けられたタッチセンシング電極とを含むタッチパネルであって、
前記タッチ駆動電極及び前記タッチセンシング電極の少なくとも一方は、メッシュ構造を有し、前記メッシュ構造は、接合点を含み、前記接合点は、メッシュバーの中心線の両側に分布された第一突起構造及び第二突起構造を含み、前記第一突起構造及び前記第二突起構造は、前記中心線の方向に沿ってずらして配設される、タッチパネルを更に提供する。
基板と、
前記基板上に設けられたタッチ駆動電極と、
前記基板上に設けられたタッチセンシング電極とを含むタッチパネルであって、
前記タッチ駆動電極及び前記タッチセンシング電極の少なくとも一方は、メッシュ構造を有し、前記メッシュ構造は、接合点を含み、前記接合点は、メッシュバーの中心線の両側に分布された第一突起構造及び第二突起構造を含み、前記第一突起構造及び前記第二突起構造は、前記中心線の方向に沿ってずらして配設される、タッチパネルを更に提供する。
【0029】
選択的に、前記第一突起構造及び前記第二突起構造は何れも、円弧状のエッジを含む。
【0030】
選択的に、前記基板は、第三領域、第四領域、及び前記第三領域と前記第四領域との間に位置する境界線を含み、前記接合点は、前記境界線に沿って順次に並べられる。
【0031】
選択的に、前記メッシュ構造は、第五領域を含み、前記第五領域は、前記第三領域及び前記第四領域における前記境界線から遠い少なくとも一方側に位置し、
前記第三領域は、第一メッシュバーを含み、前記第四領域は、第二メッシュバーを含み、前記第五領域は、第三メッシュバーを含み、前記第三メッシュバーの延在方向に垂直な方向における前記第三メッシュバーの幅は、前記第一メッシュバーの延在方向に垂直な方向における前記第一メッシュバーの幅よりも大きく、及び／又は、前記第三メッシュバーの延在方向に垂直な方向における前記第三メッシュバーの幅は、前記第二メッシュバーの延在方向に垂直な方向における前記第二メッシュバーの幅よりも大きい。
前記第三領域は、第一メッシュバーを含み、前記第四領域は、第二メッシュバーを含み、前記第五領域は、第三メッシュバーを含み、前記第三メッシュバーの延在方向に垂直な方向における前記第三メッシュバーの幅は、前記第一メッシュバーの延在方向に垂直な方向における前記第一メッシュバーの幅よりも大きく、及び／又は、前記第三メッシュバーの延在方向に垂直な方向における前記第三メッシュバーの幅は、前記第二メッシュバーの延在方向に垂直な方向における前記第二メッシュバーの幅よりも大きい。
【0032】
選択的に、前記メッシュ構造は、第四メッシュバーを含み、前記第四メッシュバーは、前記接合点の少なくとも一端に接続され、前記接合点の頂点と前記第四メッシュバーの中心線との距離をｄ３とし、前記第四メッシュバーの幅をｄ４とし、ｄ３とｄ４との比をｎ＝ｄ３／ｄ４とすると、ｎは、１以上２．３以下となる。
【0033】
選択的に、前記第一突起構造は、前記メッシュバーの中心線と交差する両側辺の長さが等しくなく、及び／又は、前記第二突起構造は、前記メッシュバーの中心線と交差する両側辺の長さが等しくない。
【0034】
選択的に、前記第一突起構造の両側辺のうち、前記第二突起構造から遠い第一側辺の辺長は、前記第二突起構造に近い第二側辺の辺長よりも短く、及び／又は、前記第二突起構造の両側辺のうち、前記第一突起構造から遠い第三側辺の辺長は、前記第一突起構造に近い第四側辺の辺長よりも短い。
【0035】
選択的に、少なくとも１つの前記接合点において、前記第一突起構造と前記第二突起構造とは、中心対称に設けられる。
【0036】
選択的に、前記第一突起構造の両側辺は、前記第二突起構造から遠い第一側辺、及び前記第二突起構造に近い第二側辺を含み、前記第二突起構造の両側辺は、前記第一突起構造から遠い第三側辺、及び前記第一突起構造に近い第四側辺を含み、前記第一側辺と前記メッシュバーの中心線とには、第一夾角β１があり、前記第二側辺と前記メッシュバーの中心線とには、第二夾角β２があり、前記第三側辺と前記メッシュバーの中心線とには、第三夾角β３があり、前記第四側辺と前記メッシュバーの中心線とには、第四夾角β４があり、前記第一側辺と前記第二側辺とには、第五夾角β５があり、前記第三側辺と前記第四側辺とには、第六夾角β６があり、ここで、β１は、１１０°以上１５０°以下であり、β２は、１２５°以上１６５°以下であり、β３は、１１０°以上１５０°以下であり、β４は、１２５°以上１６５°以下であり、β５は、８０°以上１００°以下であり、β６は、８０°以上１００°以下である。
【0037】
選択的に、前記メッシュ構造は、前記接合点の両端にそれぞれ接続された第五メッシュバー及び第六メッシュバーを含み、前記第五メッシュバーの中心線と前記第六メッシュバーの中心線との距離をｄ５とすると、ｄ５は、０以上６ミクロン以下となる。
【0038】
選択的に、前記タッチ駆動電極及び前記タッチセンシング電極は、基板に垂直な方向に沿って積層して設けられ、前記タッチ駆動電極及び前記タッチセンシング電極は、何れも前記メッシュ構造を含み、且つ前記メッシュ構造は、接合点を含み、異なる層における前記接合点は、同じ直線に略沿って並べられるか、或いは、異なる層における前記接合点は、それぞれ２本の直線に略沿って並べられる。
【0039】
選択的に、前記タッチ駆動電極及び前記タッチセンシング電極は、基板に垂直な方向に沿って積層して設けられ、前記タッチ駆動電極及び前記タッチセンシング電極は、何れも前記メッシュ構造を含み、且つ前記メッシュ構造は、接合点を含み、異なる層における前記接合点は、前記基板上での正投影が少なくとも部分的に重なる。
【発明の効果】
【0040】
本開示の実施例は、以下の有益な効果を有する。
上記技術案では、フォトマスクにおける一部の遮光バーを複数の異なる寸法で拡幅するように設計することで、２回の露光間の位置ずれを補償して、最終的に形成された表示パネル又はタッチパネルにおいて、基板繋ぎ露光領域における導電線の線幅が基板正常露光領域における導電線の線幅と等しくなり、その結果、ムラ（ｍｕｒａ）現象が軽減ないし解消されるようにすることができるだけでなく、繋ぎ露光後に繋ぎ箇所に形成された導電線の寸法が適切となり、繋ぎ箇所における導電線が細すぎることによる開回路を回避しながら、繋ぎ箇所における導電線が太すぎることによる影消しの問題を回避できる。
上記技術案では、フォトマスクにおける一部の遮光バーを複数の異なる寸法で拡幅するように設計することで、２回の露光間の位置ずれを補償して、最終的に形成された表示パネル又はタッチパネルにおいて、基板繋ぎ露光領域における導電線の線幅が基板正常露光領域における導電線の線幅と等しくなり、その結果、ムラ（ｍｕｒａ）現象が軽減ないし解消されるようにすることができるだけでなく、繋ぎ露光後に繋ぎ箇所に形成された導電線の寸法が適切となり、繋ぎ箇所における導電線が細すぎることによる開回路を回避しながら、繋ぎ箇所における導電線が太すぎることによる影消しの問題を回避できる。
【図面の簡単な説明】
【0041】
【図1】金属メッシュ電極の構造を模式的に示す図である。
【図2】本開示の一実施例によるタッチパネルの構造模式図である。
【図3】本開示の一実施例によるフォトマスクの構造模式図である。
【図4】本開示の一実施例によるタッチパネルの基板の模式的な上面図である。
【図5A-C】２回の露光過程における基板繋ぎ露光領域を模式的に示す部分拡大図である。
【図6】本開示の別の一実施例によるフォトマスクの構造模式図である。
【図10】本開示の別の一実施例によるフォトマスクの構造模式図である。
【図13】本開示の別の一実施例によるフォトマスクの構造模式図である。
【図14】本開示の別の一実施例によるフォトマスクの構造模式図である。
【図15】本開示の別の一実施例によるフォトマスクの構造模式図である。
【図16】本開示の実施例による露光方法のフローチャートである。
【図26】本開示の別の一実施例によるタッチパネルの構造模式図である。
【図27】本開示の実施例による繋ぎパターンである。
【図28】本開示の別の一実施例による繋ぎパターンである。
【発明を実施するための形態】
【0042】
本開示の実施例の解決しようとする課題、技術案及び利点をより明確にするために、以下、図面及び具体的な実施例を合わせて詳細に述べる。
【0043】
大寸法の表示パネル又はタッチパネルを生産するためには、例えばフォトマスクについて、その寸法をそれに応じて大きくする必要もある。現在、露光機には、フォトマスクの寸法に対して一定の制限があり、それに、大寸法のフォトマスクには、製造の難しさ、高コスト、日常の保管や使用の不便等の欠陥もある。そのため、大寸法の表示パネル又はタッチパネルを製造する場合は、通常、大寸法の基板をいくつかの領域に区画し、フォトマスクを使用して各領域に対し順次に露光して、大寸法の表示パネル又はタッチパネルを形成する必要があり、この過程は、繋ぎ露光プロセスと呼ばれる。例えば、ＢＯＥのタッチパネル工場のＧ６世代ラインを例にすると、フォトマスクの有効露光領域は、１１００ｍｍ×７５２ｍｍである一方、大寸法のタッチパネルは、例えば６５インチであれば、その外形寸法が１４６０ｍｍ×８３１ｍｍとなり、７５インチであれば、その外形寸法が１６８７ｍｍ×９５７ｍｍとなり、外形寸法がフォトマスクの有効露光エリアを超えているため、所望のパターンを形成するには、複数回の露光、即ち上記繋ぎ露光プロセスを行う必要がある。
【0044】
図１には、金属メッシュ電極の構造が模式的に示されている。タッチパネル産業の急速な発展に伴い、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの透明導体に対する需要も大幅に増加している。しかしながら、ＩＴＯの高価格、低効能、割れ易さ及び低導電率等の欠点により、研究者は、ＩＴＯに取って代わることが可能な電極材料又は電極構造をどんどん探してみていくことを強いられている。金属メッシュ（即ち、ｍｅｔａｌ ｍｅｓｈ）電極は、ＩＴＯに取って代わることが可能な電極構造の１つである。図１に示すように、金属メッシュ１０は、複数本の金属線１を含み、複数本の金属線１がメッシュ状に配設されている。各々の金属線１は、ゼロよりも大きい幅Ｗｅを有し、２本ずつの隣接する金属線１の間には、隙間Ｓｅがある。当該金属メッシュ電極をタッチパネルのタッチ電極として利用した場合、金属線の抵抗が非常に低く、それに、金属メッシュにおけるほとんどの領域（即ち、隙間が存在する領域）に何らの遮光物体もないため、光線が完全に通過でき、その結果、透光率が増加される。
【0045】
金属メッシュ電極は、タッチ駆動電極及びタッチセンシング電極の少なくとも一方として、大寸法タッチパネルに適用可能である。ＯＧＳ（Ｏｎｅ Ｇｌａｓｓ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）タッチパネルを例にすると、図２に示すように、タッチパネル２０は、基板２１と、基板２１上に設けられたブラックマトリックス２２と、基板２１上に設けられてブラックマトリックス２２を覆う第一オーバーコート（ｏｖｅｒｃｏａｔ、ＯＣ）層２３と、第一オーバーコート層２３上に設けられたタッチセンシング電極２４と、タッチセンシング電極２４上に設けられた第二オーバーコート層２５と、第二オーバーコート層２５上に設けられたタッチ駆動電極２６と、タッチ駆動電極２６上に設けられた第三オーバーコート層２７とを含んでもよい。タッチセンシング電極２４及びタッチ駆動電極２６の少なくとも一方は、図１に示す金属メッシュ構造を含んでもよい。
【0046】
説明すべきなのは、本明細書において、オーバーコート層は、絶縁又は保護の役割を果たす層であり、一般に、透明な光学材料層となる。
【0047】
基板２１上にタッチセンシング電極２４又はタッチ駆動電極２６を形成するためには、パターニングプロセスを利用してもよい。例えば、当該パターニングプロセスは、金属めっき、フォトレジスト塗布、フォトマスクを使用した露光、現像及びエッチング等のステップを含み得る。
【0048】
本開示による実施例において、基板２１は、大寸法の基板であってもよく、例えば６５インチの基板であってもよく、その外形寸法が１４６０ｍｍ×８３１ｍｍであり、更に例えば、７５インチの基板であってもよく、その外形寸法が１６８７ｍｍ×９５７ｍｍである。大寸法の基板２１上にタッチセンシング電極２４又はタッチ駆動電極２６を形成するために、露光ステップでは、上記の繋ぎ露光プロセスを行う必要がある。
【0049】
以下、２回の露光を含む場合を例にして、繋ぎ露光プロセスを更に詳しく説明する。当業者であれば理解できるように、本開示の実施例における繋ぎ露光プロセスは、２回の露光に限定されず、より多くの露光を含んでもよく、例えば３回の露光、４回の露光、６回の露光等であってもよい。
【0050】
基板２１上にタッチセンシング電極２４又はタッチ駆動電極２６を形成するとともに、タッチセンシング電極２４又はタッチ駆動電極２６に、図１に示す金属メッシュ構造を持たせるために、露光ステップでは、金属メッシュ構造に対応するフォトマスクを使用する必要がある。図３には、本開示の実施例によるフォトマスクが示されている。図３に示すように、フォトマスク３０は、遮光部３１及び透光部３２を含む。遮光部３１は、複数の遮光バー３１１を含み、複数の遮光バー３１１がメッシュ状に配設され、各々の遮光バー３１１は、幅Ｗｍを有する。複数の遮光バー３１１によって囲まれた隙間は、透光部３２を形成する。２つずつの隣接する遮光バー３１１の間には、間隔Ｓｍがある。一例において、遮光バー３１１は、非透光材料（例えば金属）製であってもよい。フォトマスク３０を使用して露光する際、光線が透光部３２を通ることができるが、遮光部３１によって遮断されることで、基板上には、フォトマスク３０に対応するパターンが形成される。
【0051】
基板２１が、２つの領域に区画され、図４に示すように、第一領域２１Ａ及び第二領域２１Ｂに区画される。１回目の露光過程では、フォトマスク３０を使用して第一領域２１Ａを露光する。２回目の露光過程では、フォトマスク３０を使用して第二領域２１Ｂを露光する。２回の露光により、基板２１上に完全なタッチセンシング電極２４又はタッチ駆動電極２６のパターンが形成されるため、小世代の生産線を利用して大寸法の表示パネル又はタッチパネルを生産する需要が満たされる。
【0052】
しかしながら、上記の露光過程では、第一領域２１Ａと第二領域２１Ｂとの隣接する領域は、１回目の露光及び２回目の露光となる２回の露光過程の作用を受けることになり、この領域は、基板繋ぎ露光領域と呼ばれてもよく、基板２１上における基板繋ぎ露光領域以外の露光領域は、基板正常露光領域と呼ばれてもよい。理解を容易にするために、図４には、基板繋ぎ露光領域２１Ｃが模式的に示されている。理論的には、繋ぎ露光を経ると、図１に示す金属メッシュ１０を形成可能であるとともに、各々の金属線１が幅Ｗｅを有し、２本ずつの隣接する金属線１の間に隙間Ｓｅがあるようになる。しかしながら、実際に、基板繋ぎ露光領域２１Ｃに形成された金属線１の線幅は、幅Ｗｅよりも小さくなる。これにより、最終的に形成された表示パネル又はタッチパネルにおいて、基板繋ぎ露光領域の透光率は、基板正常露光領域の透光率よりも高くなり、その結果、表示の際、基板繋ぎ露光領域は、基板正常露光領域よりも明るくなり、即ち、ムラ（ｍｕｒａ）現象が形成される。
【0053】
さらなる分析により、ムラ現象が発生した原因は、２回の露光過程間の位置合わせずれにあることが分かった。具体的に、図５Ａ～図５Ｃには、２回の露光過程における基板繋ぎ露光領域の部分拡大図が模式的に示されている。図５Ａに示すように、１回目の露光過程では、フォトマスク３０の遮光バー３１１の遮光作用により、基板繋ぎ露光領域に幅Ｗｅを有する第一金属線５１が形成される。そして、図５Ｂに示すように、２回目の露光過程では、露光機の位置決め精度等の要因に制限られて、フォトマスク３０の遮光バー３１１と第一金属線５１とは、図５Ａに示すような完全にアラインメントされた位置関係を再現することなく、一定の位置ずれδが生じることになるため、２回目の露光過程では、第一金属線５１における遮光バー３１１によって遮蔽されない部分が露光されることになる。最終的に形成された第一金属線５１については、図５Ｃに示すように、第一金属線５１における遮光バー３１１によって遮蔽されない部分が２回目の露光過程で露光されるため、最終的に形成された第一金属線５１の線幅Ｗｅ’が幅Ｗｅよりも小さくなり、両者の間の差は、２回の露光過程間の位置ずれに正比例するものである。
【0054】
上記課題を解決するために、関連技術には、フォトマスクが提供されている。図６に示すように、フォトマスク６０は、遮光部及び透光部６２を含み、遮光部は、光線の通過を阻止し、透光部６２は、光線の通過を許容する。遮光部は、複数の遮光バーを含み、複数の遮光バーがメッシュ状に配設され、複数の遮光バーの間の隙間は、透光部６２を形成する。複数の遮光バーは、第一遮光バー６１１’及び第二遮光バー６１１を含んでもよい。第一遮光バー６１１’は、図７に示すように、基板繋ぎ露光領域に対応し、第一幅Ｗｍ１を有する。第二遮光バー６１１は、図７に示すように、基板正常露光領域に対応し、第二幅Ｗｍ２を有する。例えば、基板繋ぎ露光領域に対応する第一遮光バー６１１’は、フォトマスク６０の少なくとも一方側のエッジ箇所に位置する遮光バーであってもよい。この実施例において、フォトマスク６０は、フォトマスク繋ぎ露光領域とフォトマスク正常露光領域との間の境界線６３を更に含む。
【0055】
この実施例において、第一幅Ｗｍ１は、第二幅Ｗｍ２よりも大きい。
【0056】
図８Ａ～図８Ｃには、２回の露光過程における基板繋ぎ露光領域の部分拡大図が模式的に示されている。図８Ａ～図８Ｃを参照して、１回目の露光過程では、フォトマスク６０を使用して第一領域２１Ａを露光する。２回目の露光過程では、フォトマスク６０を使用して第二領域２１Ｂを露光する。２回の露光により、基板２１上に完全なタッチセンシング電極２４又はタッチ駆動電極２６のパターンが形成される。図８Ａに示すように、１回目の露光過程では、フォトマスク６０の第一遮光バー６１１’の遮光作用により、基板繋ぎ露光領域２１Ｃには、幅Ｗｅ’を有する第一金属線５１が形成され、第一遮光バー６１１’の第一幅Ｗｍ１が上記の幅Ｗｍよりも大きいため、形成された第一金属線５１の幅Ｗｅ’は、幅Ｗｅよりも大きくなる。そして、図８Ｂに示すように、２回目の露光過程では、露光機の位置決め精度等の要因に制限されて、フォトマスク６０の第一遮光バー６１１’と第一金属線５１とに一定の位置ずれδが生じても、第一遮光バー６１１’が、広い第一幅Ｗｍ１を有し、第一金属線５１が、広い幅Ｗｅ’を有するため、２回目の露光過程では、第一金属線５１と第一遮光バー６１１’とが部分的に重なることがあるものの、工夫すれば、広い第一遮光バー６１１’と広い第一金属線５１との間に生じた重なり部分の幅を基板正常露光領域における遮光バーの幅、即ち第二遮光バー６１１の第二幅Ｗｍ２と等しくすることが可能である。最終的に形成された第一金属線５１については、図８Ｃに示すように、最終的に形成された第一金属線５１の線幅が幅Ｗｅと等しくなる。したがって、フォトマスクにおける一部の遮光バーを拡幅するように設計することで、２回の露光間の位置ずれを補償して、最終的に形成された表示パネル又はタッチパネルにおいて、基板繋ぎ露光領域における金属線の線幅が基板正常露光領域における金属線の線幅と等しくなり、その結果、ムラ（ｍｕｒａ）現象が軽減ないし解消されるようにすることができる。
【0057】
しかしながら、図６～図７に示すフォトマスク６０を使用して繋ぎ露光プロセスを行った場合、基板繋ぎ露光領域内に形成された金属線の幅を広くして、基板繋ぎ露光領域の透光率を低下させ、表示画像の影消しの問題に繋がることもあり得る。
【0058】
図９には、繋ぎ露光プロセスの際に、フォトマスク６０を使用して基板の１回目の露光領域を露光して形成された第一プレパターンと、フォトマスク６０を使用して基板の２回目の露光領域を露光して形成された第二プレパターンとによって形成された繋ぎパターンが示されている。しかしながら、当該繋ぎパターンの幅が広いため、基板繋ぎ露光領域の透光率が低下され、表示画像の影消しの問題に導いてしまう。
【0059】
上記課題に対して、本開示のいくつかの実施例には、フォトマスクを提案している。
【0060】
図１０～図１１に示すように、フォトマスク１３は、第一領域１３０’（即ち、フォトマスク繋ぎ露光領域）及び第二領域１３０（即ち、フォトマスク正常露光領域）を含み、前記第一領域１３０’は、前記第二領域１３０の少なくとも一方側に位置する。前記第一領域１３０’に第一遮光バー１３１’’及び第二遮光バー１３１’が含まれ、前記第二領域１３０に第三遮光バー１３１が含まれ、前記第一遮光バー１３１’’、前記第二遮光バー１３１’及び前記第三遮光バー１３１は、延在方向が同じであり、前記第二遮光バー１３１’は、前記第一遮光バー１３１’’と前記第三遮光バー１３１との間に位置する。前記第一遮光バー１３１’’、前記第二遮光バー１３１’及び前記第三遮光バー１３１は、光線を遮断するように配置され、複数の前記第一遮光バー１３１’’、複数の前記第二遮光バー１３１’及び複数の前記第三遮光バー１３１によって囲まれて形成された隙間は、光線の通過を許容する。前記第一方向における前記第一遮光バー１３１’’の幅は、前記第一方向における前記第二遮光バー１３１’の幅よりも大きいとともに、第一方向における前記第二遮光バー１３１’の幅は、前記第一方向における前記第三遮光バー１３１の幅よりも大きい。
【0061】
本開示の実施例では、前記第一方向における前記第二遮光バー１３１’の幅が前記第一方向における前記第一遮光バー１３１’’の幅よりも小さいとともに、前記第一方向における前記第三遮光バー１３１の幅よりも大きいため、繋ぎ露光後に繋ぎ箇所に形成された導電線の寸法が適切となり、繋ぎ箇所における導電線が細すぎることによる開回路を回避しながら、繋ぎ箇所における導電線が太すぎることによる影消しの問題を回避でき、繋ぎ露光品質が向上され、ひいては、表示装置の歩留まりが向上される。
【0062】
本開示のいくつかの実施例において、図１１に示すように、前記第二遮光バー１３１’は、第一サブ遮光バー１３１１’、第二サブ遮光バー１３１２’及び第三サブ遮光バー１３１３’を含み、前記第二サブ遮光バー１３１２’は、前記第一サブ遮光バー１３１１’と前記第三サブ遮光バー１３１３’との間に位置し、第一方向における前記第一サブ遮光バー１３１１’の幅は、第一方向における前記第二サブ遮光バー１３１２’の幅よりも大きいとともに、第一方向における前記第二サブ遮光バー１３１２’の幅は、第一方向における前記第三サブ遮光バー１３１３’の幅よりも大きい。
【0063】
第一方向における前記第二遮光バー１３１’の各部分の幅を異ならせるように設計することで、繋ぎ露光後に繋ぎ箇所に形成された導電線の寸法が適切となることをより好適に保証できる。
【0064】
本開示のいくつかの実施例において、図１１に示すように、第一方向における前記第一サブ遮光バー１３１１’の幅は、第二方向に沿って徐々に減少し、前記第二方向は、前記第一方向に略垂直である。
【0065】
いくつかの実施例において、前記第二方向は、前記第一方向に略垂直であり、選択的に、前記第二方向は、前記第一方向に垂直である。
【0066】
図１１に示すように、第一方向における前記第一サブ遮光バー１３１１’の幅は何れも、第一方向における前記第二サブ遮光バー１３１２’の幅よりも大きい。
【0067】
本開示のいくつかの実施例において、図１１に示すように、前記第一サブ遮光バー１３１１’は、第一方向に対向する第一エッジＬ１及び第二エッジＬ２を含み、前記第一エッジＬ１の延長線と前記第二エッジＬ２の延長線とは交差し、第一サブ遮光バーの中心線１３１０に対する前記第一エッジＬ１の第一角度α１は、０°よりも大きく、且つ９０°未満であり、第一サブ遮光バーの中心線１３１０に対する前記第二エッジＬ２の第二角度α２は、０°よりも大きく、且つ９０°未満である。
【0068】
本開示のいくつかの実施例において、前記第一角度α１は、４５°～５５°であり、前記第二角度α２は、６０°～７０°である。前記第一角度α１は、４５°及び５５°という端点値を含み得る。前記第二角度α２は、６０°及び７０°という端点値を含み得る。いくつかの実施例において、前記第一角度α１は、５０°であってもよい。いくつかの実施例において、前記第二角度α２は、６７°であってもよい。
【0069】
本開示のいくつかの実施例において、前記第一エッジＬ１の長さは、１μｍ～１０μｍであり、前記第二エッジＬ２の長さは、１μｍ～１０μｍである。いくつかの実施例において、前記第一エッジＬ１の長さは、６．５μｍであってもよい。前記第二エッジＬ２の長さは、５．５μｍであってもよい。
【0070】
本開示のいくつかの実施例において、図１１に示すように、前記第二サブ遮光バー１３１２’は、第一方向に対向する２つのエッジである第三エッジＬ３及び第四エッジＬ４を含み、第二方向に沿った前記第三エッジＬ３の長さは、第二方向に沿った前記第四エッジＬ４の長さと等しくなく、前記第二方向は、前記第一方向に略垂直である。
【0071】
本開示のいくつかの実施例において、図１１に示すように、第一方向における前記第三サブ遮光バー１３１３’の幅は、第二方向に沿って徐々に減少し、前記第二方向は、前記第一方向に略垂直である。
【0072】
図１１に示すように、第一方向における前記第三サブ遮光バー１３１３’の幅は、何れも第一方向における前記第二サブ遮光バー１３１２’の幅よりも小さい。
【0073】
本開示のいくつかの実施例において、図１１に示すように、前記第三サブ遮光バー１３１３’は、第一方向に対向する第五エッジＬ５及び第六エッジＬ６を含み、前記第五エッジＬ５の延長線と前記第六エッジＬ６の延長線とは交差し、第三サブ遮光バー１３１３’の中心線１３１０に対する前記第五エッジの第三角度α３は、０°よりも大きく、且つ９０°未満であり、第三サブ遮光バー１３１３’の中心線１３１０に対する前記第六エッジＬ６の第四角度α４は、０°よりも大きく、且つ９０°未満である。
【0074】
本開示のいくつかの実施例において、前記第三角度α３は、４５°～５５°であり、前記第四角度α４は、８０°～９０°である。前記第三角度α３は、４５°及び５５°という端点値を含み得る。前記第四角度α４は、８０°及び９０°という端点値を含み得る。いくつかの実施例において、前記第三角度α３は、５０°であってもよい。いくつかの実施例において、前記第四角度α４は、８３°であってもよい。
【0075】
本開示のいくつかの実施例において、前記第五エッジの長さは、１０μｍ～２１μｍであり、前記第六エッジの長さは、６μｍ～１６μｍである。いくつかの実施例において、前記第五エッジの長さは、１５μｍであってもよい。いくつかの実施例において、前記第六エッジの長さは、１１μｍであってもよい。
【0076】
本開示のいくつかの実施例において、図１２に示すように、第一方向における前記第二遮光バー１３１’の各部分の幅は、第二方向に沿って等しい。
【0077】
つまり、前記第一サブ遮光バー１３１１’の第一エッジＬ１及び第二エッジＬ２、並びに、前記第三サブ遮光バー１３１３’の第五エッジＬ５及び第六エッジＬ６は、何れも前記中心線に垂直であり、前記中心線との角度が９０°である。
【0078】
本開示のいくつかの実施例において、図１１、１２に示すように、前記第一遮光バー１３１’’、前記第二遮光バー１３１’及び前記第三遮光バー１３１は、中心線が重なり合う。
【0079】
本開示のいくつかの実施例において、図１０に示すように、前記第一遮光バー、前記第三遮光バー及び前記第二遮光バーの中心線と、フォトマスクの辺との夾角は、９０°未満である。
【0080】
本開示のいくつかの実施例において、前記第一遮光バー、前記第三遮光バー及び前記第二遮光バーは、一体成形構造である。
【0081】
図１０に示す実施例において、フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’に対応する第一遮光バー１３１’’及び第二遮光バー１３１’は、フォトマスク１３の左側エッジに位置する遮光バーである。図１３に示す実施例において、フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’に対応する第一遮光バー１３１’’及び第二遮光バー１３１’は、フォトマスク１３の左右の両側エッジに位置する遮光バーである。図１４に示す実施例において、フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’に対応する第一遮光バー１３１’’及び第二遮光バー１３１’は、フォトマスク１３の左右の両側エッジに位置する遮光バー及びフォトマスク１３の上下の両側エッジに位置する遮光バーである。図１５に示す実施例において、フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’に対応する第一遮光バー１３１’’及び第二遮光バー１３１’は、フォトマスク１３の隣接する両側エッジ（上側の側エッジ及び左側の側エッジ）に位置する遮光バーである。この実施例において、第一遮光バー１３１’’及び第二遮光バー１３１’は、フォトマスク１３の少なくとも一方側のエッジ箇所に位置してもよく、第一遮光バー１３１’’及び第二遮光バー１３１’を除き、他の遮光バー１３１は、何れも第三遮光バー１３１である。例えば、図１３に示す例において、第三遮光バー１３１は、フォトマスク１３の側エッジ以外の箇所に位置してもよい。図１０、図１３、図１４、図１５を参照して、フォトマスク１３は、４つの側エッジを含み、当該４つの側エッジを除き、フォトマスク１３の他の位置は、フォトマスク１３の非側エッジ位置と呼ばれてもよい。
【0082】
本開示の実施例によれば、フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’は、露光プロセスの必要に応じてフォトマスク１３に設定されてもよく、図示の実施例に限定されない。なお、フォトマスク１３の側エッジは、矩形状を有してもよく、フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’は、矩形状を有してもよく、フォトマスク１３は、矩形状を有してもよく、そして、フォトマスク正常露光領域１３０は、矩形状を有してもよい。
【0083】
本開示のいくつかの実施例は、露光方法であって、
上記の何れかの実施例におけるフォトマスクを用意するステップ１６１０と、
第三領域及び第四領域を含む基板を用意するステップ１６２０と、
前記フォトマスクと前記基板の第三領域をアラインメントして、１回目の露光を実行するステップ１６３０と、
前記フォトマスクと前記基板とを相対運動させるステップ１６４０と、
前記フォトマスクと前記基板の第四領域をアラインメントして、２回目の露光を実行するステップ１６５０とを含む、露光方法を更に提案している。
上記の何れかの実施例におけるフォトマスクを用意するステップ１６１０と、
第三領域及び第四領域を含む基板を用意するステップ１６２０と、
前記フォトマスクと前記基板の第三領域をアラインメントして、１回目の露光を実行するステップ１６３０と、
前記フォトマスクと前記基板とを相対運動させるステップ１６４０と、
前記フォトマスクと前記基板の第四領域をアラインメントして、２回目の露光を実行するステップ１６５０とを含む、露光方法を更に提案している。
【0084】
本開示のいくつかの実施例において、上述の前記フォトマスクと前記基板の第三領域をアラインメントして、１回目の露光を実行することは、
前記フォトマスクの第一遮光バー及び第二遮光バーを利用して、前記第三領域に第一パターン及び第二パターンを形成することと、
前記フォトマスクの第三遮光バーを利用して、前記第三領域に第三パターンを形成することとを含み、
前記第一パターンの線幅は、前記第二パターンの線幅よりも大きいとともに、前記第二パターンの線幅は、前記第三パターンの線幅よりも大きい。
前記フォトマスクの第一遮光バー及び第二遮光バーを利用して、前記第三領域に第一パターン及び第二パターンを形成することと、
前記フォトマスクの第三遮光バーを利用して、前記第三領域に第三パターンを形成することとを含み、
前記第一パターンの線幅は、前記第二パターンの線幅よりも大きいとともに、前記第二パターンの線幅は、前記第三パターンの線幅よりも大きい。
【0085】
１回目の露光によって形成された第一パターン、第二パターン及び第三パターンの間の寸法関係については、図１１に示す第一遮光バー、第二遮光バー及び第三遮光バーの間の寸法関係を参照可能である。
【0086】
本開示のいくつかの実施例において、各々の前記第二遮光バーは、第一サブ遮光バー、第二サブ遮光バー及び第三サブ遮光バーを含み、前記基板は、前記第三領域と前記第四領域との間に位置する境界線を更に含み、
上述の前記フォトマスクと前記基板の第三領域をアラインメントして、１回目の露光を実行することは、
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第三領域に第二サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三領域に第三サブパターンを形成することとを含み、
上述の前記フォトマスクと前記基板の第四領域をアラインメントして、２回目の露光を実行することは、
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第四サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第五サブパターンを形成することを含み、
前記第二サブパターン、第四サブパターンと、前記第三サブパターン、前記第五サブパターンとには、重なり領域があり、前記重なり領域の面積は、所定閾値未満であり、前記所定閾値は、第一幅と第二幅との積であり、前記第一幅は、繋ぎ露光プロセスにおける２回の露光間のフォトマスクの最大位置ずれの２倍であり、前記第二幅は、前記境界線に平行な方向における前記第一遮光バーの幅である。
上述の前記フォトマスクと前記基板の第三領域をアラインメントして、１回目の露光を実行することは、
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第三領域に第二サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三領域に第三サブパターンを形成することとを含み、
上述の前記フォトマスクと前記基板の第四領域をアラインメントして、２回目の露光を実行することは、
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第四サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第五サブパターンを形成することを含み、
前記第二サブパターン、第四サブパターンと、前記第三サブパターン、前記第五サブパターンとには、重なり領域があり、前記重なり領域の面積は、所定閾値未満であり、前記所定閾値は、第一幅と第二幅との積であり、前記第一幅は、繋ぎ露光プロセスにおける２回の露光間のフォトマスクの最大位置ずれの２倍であり、前記第二幅は、前記境界線に平行な方向における前記第一遮光バーの幅である。
【0087】
いくつかの実施例において、前記境界線は、図２１に示す上下方向に平行であってもよい。
【0088】
第一方向における第二遮光バーの幅が第一方向における第一遮光バーの幅よりも小さいため、本開示の実施例では、１回目の露光時にフォトマスクにおける第二遮光バーによって基板上に対応して形成されたパターンの一部と、２回目の露光時にフォトマスクにおける第二遮光バーによって基板上に対応して形成されたパターンの一部とで形成された重なり領域の面積は、所定閾値よりも小さくなる。前記所定閾値は、関連技術における１回目の露光時にフォトマスクにおける第一遮光バーによって基板上に対応して形成されたパターンと、２回目の露光時にフォトマスクにおける第一遮光バーによって基板上に対応して形成されたパターンとで形成された重なり領域の面積であってもよく、例えば、図９における９１で示す矩形領域の面積とされてもよい。
【0089】
図１７は、図１３に示すフォトマスク１３を使用して繋ぎ露光プロセスを実行した場合の２回の連続した露光中におけるフォトマスク１３の相対位置関係を模式的に示す部分上面図であり、図１８は、図１３に示すフォトマスク１３を使用して繋ぎ露光プロセスを実行した場合の２回の連続した露光中におけるフォトマスク１３の相対位置関係を模式的に示す透視図であり、図１９は、図１３に示すフォトマスク１３を使用して繋ぎ露光プロセスを実行した場合の２回の連続した露光中におけるフォトマスク１３の相対位置関係を模式的に示す正面図であり、図２０は、図１３に示すフォトマスク１３を使用して繋ぎ露光プロセスを実行した場合の２回の連続した露光中におけるフォトマスク１３の相対位置関係を模式的に示す上面図である。
【0090】
図１７～図２０において、分かり易くするために、左側のフォトマスク繋ぎ露光領域（第一フォトマスク繋ぎ露光領域）の符号に「－Ｌ」を追記し、右側のフォトマスク繋ぎ露光領域（第二フォトマスク繋ぎ露光領域）の符号に「－Ｒ」を追記し、左側の境界線（第一境界線）の符号に「－Ｌ」を追記し、右側の境界線（第二境界線）の符号に「－Ｒ」を追記している。そして、１回目の露光時のフォトマスク１３及びフォトマスク１３の構成要素の符号に「－１」を追記し、２回目の露光時のフォトマスク１３及びフォトマスク１３の構成要素の符号に「－２」を追記している。説明すべきなのは、図１７～図２０におけるフォトマスクは、２回の連続した露光中にフォトマスクによって露光光源を利用して形成された投影の相対位置関係を説明するためのものに過ぎず、フォトマスクの実際の位置関係ではない。したがって、図１７～図２０におけるフォトマスクは、ある程度では、フォトマスクによって露光光源を利用して形成された投影として理解されてもよい。
【0091】
図１７～図２０において、左側のフォトマスク１３－１は、２回の露光における１回目の露光時のフォトマスク１３－１の位置であり、右側のフォトマスク１３－２は、２回の露光中における２回目の露光時のフォトマスク１３－２の位置である。図１７には、２回目の露光時のフォトマスク１３－２の一部のみが示されている。
【0092】
図１７～図２０を参照して、本開示の実施例によれば、１回目の露光過程では、フォトマスク１３－１を使用して基板の第一領域を露光する。２回目の露光過程では、フォトマスク１３－２を使用して基板の第二領域を露光する。２回の露光により、基板上に完全なタッチセンシング電極又はタッチ駆動電極のパターンが形成される。したがって、フォトマスク１３における一部の遮光バーを複数の異なる寸法で拡幅するように設計することで、２回の露光間の位置ずれを補償して、最終的に形成された表示パネル又はタッチパネルにおいて、基板繋ぎ露光領域における導電線の線幅が基板正常露光領域における導電線の線幅と等しくなり、その結果、ムラ（ｍｕｒａ）現象が軽減ないし解消されるようにすることができるだけでなく、繋ぎ露光後に繋ぎ箇所に形成された導電線の寸法が適切となり、繋ぎ箇所における導電線が細すぎることによる開回路を回避しながら、繋ぎ箇所における導電線が太すぎることによる影消しの問題を回避できる。
【0093】
図１０、図１７～図２０を参照して、本開示の実施例において、前記フォトマスク１３は、第一フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｌ及び第二フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｒと、フォトマスク正常露光領域１３０とを更に含む。第一フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｌ及び第二フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｒは、前記フォトマスク１３の対向する２つの側エッジによってそれぞれ構成されるとともに、前記第一フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｌ及び第二フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｒは、矩形状を有する。フォトマスク正常露光領域１３０は、第一フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｌと第一フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｒとの間に位置する。第一フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｌとフォトマスク正常露光領域１３０との間に第一境界線１３２－Ｌがあるとともに、第二フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｒとフォトマスク正常露光領域１３０との間に第二境界線１３２－Ｒがある。前記第一遮光バー１３１’’及び前記第二遮光バー１３１’は、前記フォトマスク１３の前記第一フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｌ及び第一フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｒに位置するとともに、前記第三遮光バー１３１は、フォトマスク正常露光領域１３０に位置する。
【0094】
図１７～図２０を参照して、本開示の実施例において、２回目の露光時のフォトマスク１３－２の第一境界線１３２－Ｌ－２の前記基板上での投影は、１回目の露光時のフォトマスク１３－１の第二境界線１３２－Ｒ－１の前記基板上での投影と重なり合わない。例えば、２回目の露光時に露光光源を利用してフォトマスク１３－２の第一境界線１３２－Ｌ－２によって前記基板に形成された投影は、１回目の露光時に露光光源を利用してフォトマスク１３－１の第二境界線１３２－Ｒ－１によって前記基板上に形成された投影と重なり合わない。例えば、フォトマスク１３が１回目の露光時の位置から２回目の露光時の位置に平行移動される場合、２回目の露光時のフォトマスク１３－２の第一境界線１３２－Ｌ－２は、１回目の露光時のフォトマスク１３－１の第二境界線１３２－Ｒ－１と重なり合わず、且つ一定の距離だけずらされる。
【0095】
本開示のいくつかの実施例において、各々の前記第二遮光バーは、第一サブ遮光バー、第二サブ遮光バー及び第三サブ遮光バーを含み、前記第三サブ遮光バーは、第三エッジ及び第四エッジを含み、前記第三エッジの延長線と前記第四エッジの延長線とは交差し、前記基板は、前記第三領域と前記第四領域との間に位置する境界線を更に含み、
上述の前記フォトマスクと前記基板の第三領域をアラインメントして、１回目の露光を実行することは、
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第三領域に第二サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三エッジ及び前記第四エッジに対応する第五エッジ及び第六エッジを含む第三サブパターンであって、前記第五エッジが前記境界線に平行であり、前記第五エッジと前記境界線との間の距離が繋ぎ露光プロセスにおける２回の露光間のフォトマスクの最大位置ずれである第三サブパターンを、前記第三領域に形成することとを含む。
上述の前記フォトマスクと前記基板の第三領域をアラインメントして、１回目の露光を実行することは、
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第三領域に第二サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三エッジ及び前記第四エッジに対応する第五エッジ及び第六エッジを含む第三サブパターンであって、前記第五エッジが前記境界線に平行であり、前記第五エッジと前記境界線との間の距離が繋ぎ露光プロセスにおける２回の露光間のフォトマスクの最大位置ずれである第三サブパターンを、前記第三領域に形成することとを含む。
【0096】
上記１回目の露光を経ると、１回目の露光時に前記フォトマスク１３－１によって対応する第一プレパターンが基板上に形成され、前記第一プレパターンに前記第二サブパターン及び前記第三サブパターンが含まれる。
【0097】
いくつかの実施例において、前記第五エッジは、前記境界線に平行であり、図２１に示すように、第五エッジ２３０４は、境界線２３００に平行であるとともに、第五エッジ２３０４と境界線２３００との間の距離ｄ２は、繋ぎ露光プロセスにおける２回の露光間のフォトマスクの最大位置ずれＤである。
【0098】
本開示のいくつかの実施例において、上述の前記フォトマスクと前記基板の第四領域をアラインメントして、２回目の露光を実行することは、
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第四サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三エッジ及び前記第四エッジに対応する第七エッジ及び第八エッジを含む第五サブパターンであって、前記第七エッジが前記境界線に平行であり、前記第七エッジと前記境界線との間の距離が繋ぎ露光プロセスにおける２回の露光間のフォトマスクの最大位置ずれである第五サブパターンを前記第四領域に形成することとを含み、
前記第二サブパターン、前記第三サブパターン、前記第四サブパターン及び前記第五サブパターンは、中心線が重なり合い、前記第二サブパターン、前記第三サブパターンと、前記第四サブパターン、前記第五サブパターンとには、重なり領域が形成される。
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第四サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三エッジ及び前記第四エッジに対応する第七エッジ及び第八エッジを含む第五サブパターンであって、前記第七エッジが前記境界線に平行であり、前記第七エッジと前記境界線との間の距離が繋ぎ露光プロセスにおける２回の露光間のフォトマスクの最大位置ずれである第五サブパターンを前記第四領域に形成することとを含み、
前記第二サブパターン、前記第三サブパターン、前記第四サブパターン及び前記第五サブパターンは、中心線が重なり合い、前記第二サブパターン、前記第三サブパターンと、前記第四サブパターン、前記第五サブパターンとには、重なり領域が形成される。
【0099】
上記２回目の露光を経ると、２回目の露光時に前記フォトマスク１３－１によって対応する第二プレパターンが基板上に形成され、前記第二プレパターンに前記第四サブパターン及び前記第五サブパターンが含まれる。
【0100】
いくつかの実施例において、前記第七エッジは、前記境界線に平行であり、図２１に示すように、第七エッジ２３０２は、境界線２３００に平行であるとともに、第七エッジ２３０２と境界線２３００との間の距離ｄ１は、繋ぎ露光プロセスにおける２回の露光間のフォトマスクの最大位置ずれＤであり、即ちｄ１＝ｄ２となる。なお、前記第四サブパターン、前記第五サブパターンの中心線と、前記第二サブパターン、前記第三サブパターンの中心線とは、完全に重なり合う。
【0101】
２回目の露光時における前記フォトマスク１３－２の第一フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｌ－２の第二遮光バー１３１’の前記基板上での投影の一部は、１回目の露光時における前記フォトマスク１３－１の第二フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｒ－１の第二遮光バー１３１’の前記基板上での投影の一部と重なる。図２１に示すように、２回目の露光時に前記フォトマスク１３－２の第一フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｌ－２の第二遮光バー１３１’の第二サブ遮光バー１３１２’及び第三サブ遮光バー１３１３’によって、それぞれ前記基板上に第四サブパターン及び第五サブパターンが形成され、１回目の露光時に前記フォトマスク１３－１の第二フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｒ－１の第二遮光バー１３１’の第二サブ遮光バー１３１２’及び第三サブ遮光バー１３１３’によって、それぞれ前記基板上に第二サブパターン及び第三サブパターンが形成され、前記第四サブパターン、前記第五サブパターンと、前記第二サブパターン、前記第三サブパターンとには、重なり領域が形成され、当該重なり領域に対応するパターンは、第一パターン２３０となる。当該第一パターン２３０は、六角形状である。そして、当該第一パターン２３０の面積は、所定閾値よりも小さく、前記所定閾値は、第一幅と第二幅との積であり、前記第一幅は、前記最大位置ずれＤの２倍、即ち２Ｄであり、前記第二幅は、前記境界線に平行な方向における前記第一遮光バーの幅である。いくつかの実施例において、当該所定閾値は、図９における９１で示す矩形に対応する面積に対応してもよい。
【0102】
図２１に示すように、前記第一パターン２３０は、２回目の露光時に前記フォトマスク１３－２の前記第二サブ遮光バーによって前記表示基板上に形成された第四サブパターンのエッジ２３０６の一部と、第五サブパターンの第七エッジ２３０２及び第八エッジ２３０１と、第一露光時に前記フォトマスク１３－１の前記第二サブ遮光バーによって前記表示基板上に形成された第二サブパターンのエッジ２３０６の一部と、第三サブパターンの第五エッジ２３０４及び第六エッジ２３０３とで構成される。その中で、第七エッジ２３０２及び第八エッジ２３０１の延長線は、２回目の露光時に前記フォトマスク１３－２の第三遮光バーによって対応して形成されたパターン（即ち、後述の第四パターン）にて交差して、前記第一パターン２３０の１角を形成している。同様に、第五エッジ２３０４及び第六エッジ２３０３は、第一露光時に前記フォトマスク１３－１の第三遮光バーによって対応して形成されたパターンにて交差して、前記第一パターンの別の１角を形成している。
【0103】
図２１に示すのは、２回目の露光時における前記フォトマスクの遮光バーと、１回目の露光時に前記フォトマスクを利用して基板上に形成された第一プレパターンの導電線とが完全にアラインメントされたケースである。
【0104】
図２１に示すように、前記第一プレパターンの中心線は、前記第二プレパターンの中心線と完全に重なり合うとともに、第七エッジ２３０２と境界線との間の距離ｄ１及び第五エッジ２３０４と境界線との間の距離ｄ２は同じであり、何れも繋ぎ露光プロセスにおける２回の露光間のフォトマスクの最大位置ずれＤと等しい。いくつかの実施例において、Ｄは、６μｍであってもよい。ここで、前記最大位置ずれＤとは、実状での２回目の露光時に前記フォトマスクの遮光バーが図２１に示す第一プレパターンにおける導電線に対して上、下、左、右の各方向にオフセット可能な最大距離である。前記第二サブパターン、前記第三サブパターンは、導電線の一部であってもよい。
【0105】
しかしながら、実状では、露光機の位置決め精度等の要因により、２回目の露光時に前記フォトマスクの遮光バーと前記第一プレパターンの導電線とが完全にアラインメントされることなく、図２１に対応する２回目の露光時の前記フォトマスクの位置を基準として、実状での２回目の露光時に、前記フォトマスク遮光バーの位置は、図２１における２回目の露光時の前記フォトマスクの遮光バーの位置に対して上、下、左及び右へ平行移動し得る。図２１には、上、下、左及び右の各方向が示されている。
【0106】
実状では、２回目の露光時に前記フォトマスクの位置が図２１に対応する２回目の露光時の前記フォトマスクの位置に対して左、右方向にオフセットするケースは、以下の通りである。
【0107】
上記１回目の露光を経て前記第一プレパターンが形成された後、上述の前記フォトマスクと前記基板の第四領域をアラインメントして、２回目の露光を実行することは、
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第六サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三エッジ及び前記第四エッジに対応する第九エッジ及び第十エッジを含む第七サブパターンであって、前記第九エッジが前記境界線に平行であり、前記第九エッジと前記境界線との間の距離がゼロから前記最大位置ずれの２倍までの範囲とされる第七サブパターンを、前記第四領域に形成することとを含んでもよく、
前記第二サブパターン、前記第三サブパターンと、前記第六サブパターン、前記第七サブパターンとには、重なり領域が形成される。
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第六サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三エッジ及び前記第四エッジに対応する第九エッジ及び第十エッジを含む第七サブパターンであって、前記第九エッジが前記境界線に平行であり、前記第九エッジと前記境界線との間の距離がゼロから前記最大位置ずれの２倍までの範囲とされる第七サブパターンを、前記第四領域に形成することとを含んでもよく、
前記第二サブパターン、前記第三サブパターンと、前記第六サブパターン、前記第七サブパターンとには、重なり領域が形成される。
【0108】
２回目の露光時に前記フォトマスクの遮光バーの位置が図２１に対応する２回目の露光時の前記フォトマスクの位置に対して左へ最大位置ずれＤだけ平行移動した場合、第九エッジと前記境界線との間の距離は、前記最大位置ずれＤの２倍となる。２回目の露光時に前記フォトマスクの位置が図２１に対応する２回目の露光時の前記フォトマスクの位置に対して右へ最大位置ずれＤだけ平行移動した場合、第九エッジと前記境界線との間の距離は、ゼロとなる。実状では、２回目の露光時に前記フォトマスクの位置が図２１に対応する２回目の露光時の前記フォトマスクの位置に対して左、右の各方向にそれぞれゼロ～前記最大位置ずれＤまでの何れかの値だけ平行移動してもよく、前記第二サブパターン、前記第三サブパターンと、前記第六サブパターン、前記第七サブパターンとには、重なり領域が依然として形成され、且つ当該重なり領域に対応するパターン寸法が適切であり、当該パターンが細すぎることによる開回路を回避しながら、当該パターンが太すぎることによる影消しの問題を回避することができる。
【0109】
実状では、２回目の露光時に前記フォトマスクの位置が図２１に対応する２回目の露光時の前記フォトマスクの位置に対して上、下方向にオフセットするケースは、以下の通りである。
【0110】
上記１回目の露光を経て前記第一プレパターンが形成された後、上述の前記フォトマスクと前記基板の第四領域をアラインメントして、２回目の露光を実行することは、
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第八サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第九サブパターンを形成することとを含み、
前記第二サブパターン、前記第三サブパターンと、前記第八サブパターン、前記第九サブパターンとには、重なり領域が形成され、前記第二サブパターン、第三サブパターンは、中心線が重なり合い、前記第八サブパターン、前記第九サブパターンは、中心線が重なり合い、前記第二サブパターンの中心線と前記第八サブパターンの中心線との距離は、ゼロから前記最大位置ずれまでの範囲とされる。
前記第二サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第八サブパターンを形成することと、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第四領域に第九サブパターンを形成することとを含み、
前記第二サブパターン、前記第三サブパターンと、前記第八サブパターン、前記第九サブパターンとには、重なり領域が形成され、前記第二サブパターン、第三サブパターンは、中心線が重なり合い、前記第八サブパターン、前記第九サブパターンは、中心線が重なり合い、前記第二サブパターンの中心線と前記第八サブパターンの中心線との距離は、ゼロから前記最大位置ずれまでの範囲とされる。
【0111】
２回目の露光時に前記フォトマスクの位置が図２１に対応する２回目の露光時の前記フォトマスクの位置に対して上へ最大位置ずれＤだけ平行移動した場合、前記第八サブパターンの中心線と前記第二サブパターンの中心線との距離は、前記最大位置ずれＤとなる。２回目の露光時に前記フォトマスクの位置が図２１に対応する２回目の露光時の前記フォトマスクの位置に対して上へ最大位置ずれＤだけ平行移動した場合、前記第二サブパターンの中心線と前記第八サブパターンの中心線との距離は、前記最大位置ずれＤとなる。実状では、２回目の露光時に前記フォトマスクの位置が図２１に対応する２回目の露光時の前記フォトマスクの位置に対して上、下の各方向にそれぞれゼロから前記最大位置ずれＤまでの間の何れかの値だけ平行移動してもよく、前記第二サブパターン、前記第三サブパターンと、前記第八サブパターン、前記第九サブパターンとには、重なり領域が依然として形成され、且つ当該重なり領域に対応するパターン寸法が適切であり、当該パターンが細すぎることによる開回路を回避しながら、当該パターンが太すぎることによる影消しの問題を回避することができる。
【0112】
図２２～図２５には、２回目の露光時に前記フォトマスクの遮光バーと１回目の露光時に前記フォトマスクを利用して基板上に形成された第一プレパターンの導電線とに位置合わせずれがあるいくつかのケースが例として模式的に示されている。図２１に示す第二プレパターンの位置を基準として、図２２における２回目の露光後に形成された第二プレパターンは、図２１における第二プレパターンと比較して、それぞれ左上方へ前記最大位置ずれＤだけオフセットしており、図２３における２回目の露光後に形成された第二プレパターンは、図２１における第二プレパターンと比較して、それぞれ左下方へ前記最大位置ずれＤだけオフセットしており、図２４における２回目の露光後に形成された第二プレパターンは、図２１における第二プレパターンと比較して、それぞれ右上方へ前記最大位置ずれＤだけオフセットしており、図２５における２回目の露光後に形成された第二プレパターンは、図２１における第二プレパターンと比較して、それぞれ右下方へ前記最大位置ずれＤだけオフセットしている。
【0113】
具体的に、図２２における２回目の露光後に形成された第二プレパターンは、図２１における第二プレパターンと比較して、左方へ前記最大位置ずれＤだけオフセットするとともに、上方へ前記最大位置ずれＤだけオフセットしている。
【0114】
２回目の露光時における前記フォトマスク１３－２の第一フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｌ－２の第二遮光バー１３１’の前記基板上での投影は、１回目の露光時における前記フォトマスク１３－１の第二フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｒ－１の第二遮光バー１３１’の前記基板上での投影と部分的に重なる。図２２に示すように、２回目の露光時に前記フォトマスク１３－２の第一フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｌ－２の第二遮光バー１３１’の第二サブ遮光バー１３１２’及び第三サブ遮光バー１３１３’によって、それぞれ前記基板上に第十一サブパターン及び第十二サブパターンが形成され、１回目の露光時に前記フォトマスク１３－１の第二フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｒ－１の第二遮光バー１３１’の第二サブ遮光バー１３１２’及び第三サブ遮光バー１３１３’によって、それぞれ前記基板上に第二サブパターン及び第三サブパターンが形成され、前記第二サブパターン、前記第三サブパターンと、前記第十一サブパターン、前記第十二サブパターンとには、重なり領域が形成され、当該重なり領域に対応するパターンは、第二パターン２４０となる。当該第二パターン２４０は、六辺形の形状である。そして、当該第二パターン２４０の面積は、前記所定閾値よりも小さい。
【0115】
図２２に示すように、前記第二パターン２４０は、２回目の露光時に前記フォトマスク１３－２の第二サブ遮光バー１３１２’及び第三サブ遮光バー１３１３’によって前記基板上にそれぞれ形成された第十一サブパターンのエッジ２４０５の一部と、第十二サブパターンの第十五エッジ２４０２及び第十六エッジ２４０１と、第一露光時に前記フォトマスク１３－１の前記第二サブ遮光バーによって前記基板上に形成された第二サブパターンのエッジ２３０６の一部と、第三サブパターンの第五エッジ２３０４及び第六エッジ２３０３とで構成される。その中で、第十五エッジ２４０２及び第十六エッジ２４０１の延長線は、２回目の露光時に前記フォトマスク１３－２の第三遮光バーによって対応して形成されたパターン（即ち、後述の第四パターン）にて交差して、前記第二パターン２４０の１角を形成している。同様に、第五エッジ２３０４及び第六エッジ２３０３は、第一露光時に前記フォトマスク１３－１の第三遮光バーによって対応して形成されたパターンにて交差して、前記第二パターン２４０の別の１角を形成している。
【0116】
具体的に、図２３における２回目の露光後に形成された第二プレパターンは、図２１における第二プレパターンと比較して、左方へ前記最大位置ずれＤだけオフセットするとともに、下方へ前記最大位置ずれＤだけオフセットしている。
【0117】
２回目の露光時における前記フォトマスク１３－２の第一フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｌ－２の第二遮光バー１３１’の前記基板上での投影は、１回目の露光時における前記フォトマスク１３－１の第二フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｒ－１の第二遮光バー１３１’の前記基板上での投影と部分的に重なる。図２３に示すように、２回目の露光時に前記フォトマスク１３－２の第一フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｌ－２の第二遮光バー１３１’の第二サブ遮光バー１３１２’及び第三サブ遮光バー１３１３’によって、それぞれ前記基板上に第十三サブパターン及び第十四サブパターンが形成され、１回目の露光時に前記フォトマスク１３－１の第二フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｒ－１の第二遮光バー１３１’の第二サブ遮光バー１３１２’及び第三サブ遮光バー１３１３’によって、それぞれ前記基板上に第二サブパターン及び第三サブパターンが形成され、前記第二サブパターン、前記第三サブパターンと、前記第十三サブパターン、前記第十四サブパターンとには、重なり領域が形成され、当該重なり領域に対応するパターンは、第三パターン２５０となる。当該第三パターン２５０は、略六辺形の形状である。そして、第三パターン２５０の面積は、前記所定閾値よりも小さい。
【0118】
図２３に示すように、前記第十三サブパターンのエッジ２５０５の一部と、第十四サブパターンの第十七エッジ２５０２の一部及び第十八エッジ２５０１と、第一露光時に前記フォトマスク１３－１の前記第二サブ遮光バー及び第三サブ遮光バーによって前記基板上に形成された第二サブパターンのエッジ２３０６の一部と、第三サブパターンの第五エッジ２３０４の一部及び第六エッジ２３０３と、第一露光時に前記フォトマスク１３－１の前記第一サブ遮光バーによって前記基板上に形成された第十五サブパターンにおける１つのエッジ２３０７の一部とで構成される。その中で、第十七エッジ２５０２及び第十八エッジ２５０１の延長線は、２回目の露光時に前記フォトマスク１３－２の第三遮光バーによって対応して形成されたパターン（即ち、後述の第四パターン）にて交差して、前記第三パターン２５０の１角を形成している。同様に、第五エッジ２３０４及び第六エッジ２３０３は、第一露光時に前記フォトマスク１３－１の第三遮光バーによって対応して形成されたパターンにて交差して、前記第三パターン２５０の別の１角を形成している。
【0119】
具体的に、図２４における２回目の露光後に形成された第二プレパターンは、図２１における第二プレパターンと比較して、右方へ前記最大位置ずれＤだけオフセットするとともに、上方へ前記最大位置ずれＤだけオフセットしている。
【0120】
２回目の露光時における前記フォトマスク１３－２の第一フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｌ－２の第二遮光バー１３１’の前記基板上での投影は、１回目の露光時における前記フォトマスク１３－１の第二フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｒ－１の第二遮光バー１３１’の前記基板上での投影と部分的に重なる。図２４に示すように、２回目の露光時に前記フォトマスク１３－２の第一フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｌ－２の第二遮光バー１３１’の第二サブ遮光バー１３１２’及び第三サブ遮光バー１３１３’によって、それぞれ前記基板上に第十六サブパターン及び第十七サブパターンが形成され、１回目の露光時に前記フォトマスク１３－１の第二フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｒ－１の第二遮光バー１３１’の第二サブ遮光バー１３１２’及び第三サブ遮光バー１３１３’によって、それぞれ前記基板上に第二サブパターン及び第三サブパターンが形成され、前記第二サブパターン、第三サブパターンと、前記第十六サブパターン、前記第十七サブパターンとには、重なり領域が形成され、当該重なり領域に対応するパターンは、第四パターン２６０となる。当該第四パターン２６０は、六辺形の形状である。そして、当該第四パターン２６０の面積は、前記所定閾値よりも小さい。
【0121】
図２４に示すように、前記第四パターン２６０は、前記第十六サブパターンのエッジ２６０５の一部と、第十七サブパターンの第十九エッジ２６０２、及び第二十エッジ２６０１の一部と、第一露光時に前記フォトマスク１３－１の前記第二サブ遮光バーによって前記基板上に形成された第二サブパターンのエッジ２３０６の一部と、第三サブパターンの第五エッジ２３０４、及び第六エッジ２３０３の一部とで構成される。その中で、第十九エッジ２６０２及び第二十エッジ２６０１の延長線は、２回目の露光時に前記フォトマスク１３－２の第三遮光バーによって対応して形成されたパターン（即ち、後述の第四パターン）にて交差して、前記第四パターン２６０の１角を形成している。同様に、第五エッジ２３０４及び第六エッジ２３０３は、第一露光時に前記フォトマスク１３－１の第三遮光バーによって対応して形成されたパターンにて交差して、前記第四パターン２６０の別の１角を形成している。
【0122】
具体的に、図２５における２回目の露光後に形成された第二プレパターンは、図２１における第二プレパターンと比較して、右方へ前記最大位置ずれＤだけオフセットするとともに、下方へ前記最大位置ずれＤだけオフセットしている。
【0123】
上述の前記フォトマスクと前記基板の第四領域をアラインメントして、２回目の露光を実行することは、
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三エッジ及び前記第四エッジに対応する第十一エッジ及び第十二エッジを含む第十サブパターンであって、前記第十一エッジが前記境界線に平行であり、前記第十一エッジと前記境界線との間の距離がゼロである第十サブパターンを、前記第四領域に形成することと、
前記第三遮光バーを利用して、前記第四領域に第四パターンを形成することとを含み、
前記第三サブパターン、前記第十サブパターン及び前記第四パターンは、中心線が重なり合い、前記第二サブパターン、前記第三サブパターンと、前記第十サブパターン、前記第四パターンとには、重なり領域が形成される。
前記第三サブ遮光バーを利用して、前記第三エッジ及び前記第四エッジに対応する第十一エッジ及び第十二エッジを含む第十サブパターンであって、前記第十一エッジが前記境界線に平行であり、前記第十一エッジと前記境界線との間の距離がゼロである第十サブパターンを、前記第四領域に形成することと、
前記第三遮光バーを利用して、前記第四領域に第四パターンを形成することとを含み、
前記第三サブパターン、前記第十サブパターン及び前記第四パターンは、中心線が重なり合い、前記第二サブパターン、前記第三サブパターンと、前記第十サブパターン、前記第四パターンとには、重なり領域が形成される。
【0124】
２回目の露光時における前記フォトマスク１３－２の第一フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｌ－２の第二遮光バー１３１’の前記基板上での投影は、１回目の露光時前記フォトマスク１３－１の第二フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｒ－１の第二遮光バー１３１’の前記基板上での投影と部分的に重なる。図２５に示すように、２回目の露光時に前記フォトマスク１３－２の第一フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｌ－２の第二遮光バー１３１’の第三サブ遮光バー１３１３’によって、前記基板上に第十サブパターンが形成され、２回目の露光時に前記フォトマスク１３－２の第一フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｌ－２の第三遮光バー１３１によって、前記基板上に第四パターンが形成され、１回目の露光時に前記フォトマスク１３－１の第二フォトマスク繋ぎ露光領域１３０’－Ｒ－１の第二遮光バー１３１’の第三サブ遮光バー１３１３’によって、前記基板上に第三サブパターンが形成され、前記第三サブパターン、前記第十サブパターン及び前記第四パターンは、中心線が重なり合い、前記第三サブパターンと前記第十サブパターン、前記第四パターンとには、重なり領域が形成され、当該重なり領域に対応するパターンは、第五パターン２７０となる。当該第五パターン２７０は、六辺形の形状である。そして、当該第五パターン２７０の面積は、前記所定閾値よりも小さい。
【0125】
図２５に示すように、前記第五パターン２７０は、第十サブパターンの第二十一エッジ２７０２の一部及び第二十二エッジ２７０３の一部と、前記第四パターンにおける１つのエッジ２７０１の一部と、前記第三サブパターンの第五エッジ２３０４の一部及び第六エッジ２３０３の一部とで構成される。その中で、第五エッジ２３０４及び第六エッジ２３０３は、第一露光時に前記フォトマスク１３－１の第三遮光バーによって対応して形成されたパターンにて交差して、前記第五パターン２７０の１角を形成している。
【0126】
本開示の実施例は、
基板と、
前記基板上に設けられたタッチ駆動電極と、
前記基板上に設けられたタッチセンシング電極とを含むタッチパネルであって、
前記タッチ駆動電極及び前記タッチセンシング電極の少なくとも一方は、メッシュ構造を有し、前記メッシュ構造は、接合点を含み、前記接合点は、メッシュバーの中心線の両側に分布された第一突起構造及び第二突起構造を含み、前記第一突起構造及び前記第二突起構造は、前記中心線の方向に沿ってずらして配設される、タッチパネルを更に提供している。
基板と、
前記基板上に設けられたタッチ駆動電極と、
前記基板上に設けられたタッチセンシング電極とを含むタッチパネルであって、
前記タッチ駆動電極及び前記タッチセンシング電極の少なくとも一方は、メッシュ構造を有し、前記メッシュ構造は、接合点を含み、前記接合点は、メッシュバーの中心線の両側に分布された第一突起構造及び第二突起構造を含み、前記第一突起構造及び前記第二突起構造は、前記中心線の方向に沿ってずらして配設される、タッチパネルを更に提供している。
【0127】
いくつかの実施例において、前記メッシュ構造は、上記の何れかの実施例に記載の露光方法によって製造されたものであってもよい。
【0128】
いくつかの実施例において、前記メッシュ構造は、金属メッシュ構造を含む。
【0129】
いくつかの実施例において、前記タッチパネルは、ＯＧＳ（Ｏｎｅ Ｇｌａｓｓ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）タッチパネル又はＧＧ（Ｇｌａｓｓ－Ｇｌａｓｓ）タッチパネルであってもよい。
【0130】
いくつかの実施例において、ＯＧＳ（Ｏｎｅ Ｇｌａｓｓ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）タッチパネルは、図２に示すように、タッチセンシング電極２４及びタッチ駆動電極２６の少なくとも一方が金属メッシュ構造を含んでもよい。
【0131】
いくつかの実施例において、図２６に示すように、ＣＧタッチパネル１７０は、第一基板１７１と、第一基板１７１上に設けられたタッチ駆動電極１７２と、タッチ駆動電極１７２上に設けられた第一オーバーコート（ｏｖｅｒｃｏａｔ、ＯＣ）層１７３と、第一オーバーコート層１７３上に設けられたタッチセンシング電極１７４と、タッチセンシング電極１７４上に設けられた第二オーバーコート層１７５と、第二オーバーコート層１７５上に設けられた接着材料層１７６と、接着材料層１７６上に設けられた第二基板１７７とを含んでもよい。タッチセンシング電極１７４及びタッチ駆動電極１７２の少なくとも一方は、金属メッシュ構造を含んでもよい。第一基板１７１及び第二基板１７７は、ガラス基板であってもよい。
【0132】
説明すべきなのは、本明細書内の接合点は、フォトマスクによる１回の露光でパターニングされた構造であってもよいし、フォトマスクによる複数回の露光でパターニングされた構造であってもよいが、本開示では、主にフォトマスクによる複数回の露光でパターニングされた繋ぎ接合点を例として説明する。
【0133】
いくつかの実施例において、前記メッシュ構造は、繋ぎ接合点２７１０を含み、図２７に示すように、前記繋ぎ接合点２７１０は、メッシュバーの中心線の両側に分布された第一突起構造２７１１及び第二突起構造２７１２を含み、前記第一突起構造２７１１及び前記第二突起構造２７１２は、前記中心線の方向に沿ってずらして配設される。
【0134】
図２７に示すように、第一突起構造２７１１及び第二突起構造２７１２は何れも、円弧状のエッジを含む。
【0135】
いくつかの実施例において、前記基板は、第三領域、第四領域、及び前記第三領域と前記第四領域との間に位置する境界線を含み、前記繋ぎ接合点は、前記境界線に沿って順次に並べられる。いくつかの実施例において、図１０に示すように、前記フォトマスク１３には、一方側のみに前記第一領域１３０’が設けられている。図１０に示すようなフォトマスク１３を使用して繋ぎ露光プロセスを１回行った場合、形成されたメッシュ構造は、第六領域及び第七領域を含み、前記第六領域は、前記境界線に位置するとともに前記境界線に沿って延在する帯状領域となり、前記第七領域は、前記メッシュ構造における前記第六領域以外の領域となり、前記第六領域に前記繋ぎ接合点が含まれ、前記繋ぎ接合点は、前記境界線に沿って順次に並べられる。いくつかの実施例において、前記境界線の方向に沿った前記第六領域の中心線は、前記境界線と重なり合う。
【0136】
いくつかの実施例において、図１０に示すようなフォトマスク１３を利用して繋ぎ露光プロセスを１回行った場合、２回目の露光時には、前記フォトマスクを回転させて、２回目の露光時における前記フォトマスクの第一領域の基板上での正投影が１回目の露光時における前記フォトマスクの第一領域の基板上での正投影と重なり合うようにする必要がある。
【0137】
前記第六領域は、図２７における２７１０で示すような繋ぎ接合点を含む。いくつかの実施例において、前記繋ぎ接合点は、前記第一パターン２３０、前記第二パターン２４０、前記第三パターン２５０、第四パターン２６０及び前記第五パターン２７０の何れかに対応してもよい。前記第七領域におけるメッシュバーは、前記第三遮光バー１３１に対応する。
【0138】
いくつかの実施例において、前記境界線の方向に沿った前記第六領域の中心線が前記境界線と重なり合う場合、前記繋ぎ接合点は、前記境界線の方向に沿った前記第六領域の中心線に沿って順次に並べられる。
【0139】
いくつかの実施例において、前記フォトマスクが矩形である場合、図１５に示すように、前記フォトマスクにおける隣接する２つの側辺に前記第一領域が更に設けられてもよい。当該フォトマスクを利用して繋ぎ露光を２回行うことが可能であり、２つの繋ぎ露光領域が備えられることになる。この場合、前記基板は、前記第四領域と第八領域との第二境界線を更に含んでもよく、前記第二境界線は、前記第三領域と前記第四領域との間の境界線に交差し、前記メッシュ構造は、前記第二境界線に位置する第六領域を更に含み、即ち、前記メッシュ構造には、２つの第六領域が含まれる。
【0140】
いくつかの実施例において、図１５に示すようなフォトマスクを利用して繋ぎ露光を１回行ってもよい。そうすると、形成されたメッシュ構造に第五領域が更に含まれ、当該第五領域は、前記フォトマスクの第一領域に対応する。
【0141】
いくつかの実施例において、前記メッシュ構造は、第五領域を含み、前記第五領域は、前記第三領域及び前記第四領域における前記境界線から遠い少なくとも一方側に位置し、前記第三領域は、第一メッシュバーを含み、前記第四領域は、第二メッシュバーを含み、前記第五領域は、第三メッシュバーを含み、前記第三メッシュバーの延在方向に垂直な方向における前記第三メッシュバーの幅は、前記第一メッシュバーの延在方向に垂直な方向における前記第一メッシュバーの幅よりも大きく、及び／又は、前記第三メッシュバーの延在方向に垂直な方向における前記第三メッシュバーの幅は、前記第二メッシュバーの延在方向に垂直な方向における前記第二メッシュバーの幅よりも大きい。
【0142】
いくつかの実施例において、図１３に示すように、前記フォトマスクの対向する両側の何れにも前記第一領域が設けられていてもよい。当該フォトマスクを利用して繋ぎ露光を１回行うことを可能にした場合、２回目の露光時には、前記フォトマスクを回転させなくてもよい。当該フォトマスクを利用して繋ぎ露光を１回行うことで形成可能なメッシュ構造は、上記の第六領域及び第七領域を有するだけでなく、前記第五領域も含む。前記フォトマスクが矩形である場合、前記第五領域は、前記メッシュ構造の対向する両側に位置する。
【0143】
いくつかの実施例において、前記フォトマスクが矩形である場合、図１４に示すように、前記フォトマスクの４つの側エッジの何れにも前記第一領域が設けられてもよい。図１４に示すようなフォトマスクを利用して繋ぎ露光を４回行うことが可能であり、形成されたメッシュ構造には、その４つの側エッジの何れにも前記第五領域が形成されることになる。
【0144】
いくつかの実施例において、前記メッシュ構造は、第四メッシュバーを含み、前記第四メッシュバーは、前記繋ぎ接合点の少なくとも一端に接続され、前記繋ぎ接合点の頂点と前記第四メッシュバーの中心線との距離をｄ３とし、前記第四メッシュバーの幅をｄ４とし、ｄ３とｄ４との比をｎ＝ｄ３／ｄ４とすると、ｎは、１以上２．３以下となる。
【0145】
図２７に示すように、メッシュ構造は、第四メッシュバー２７２０を含み、前記第四メッシュバー２７２０は、前記繋ぎ接合点２７１０の少なくとも一端に接続されており、前記繋ぎ接合点２７１０の頂点と前記第四メッシュバーの中心線との距離はｄ３であり、前記第四メッシュバーの幅はｄ４であり、ｄ３とｄ４との比はｎ＝ｄ３／ｄ４であり、ｎは、１以上２．３以下になっている。いくつかの実施例において、ｎは、１、５／３又は６／３であってもよい。
【0146】
いくつかの実施例において、前記第一突起構造は、前記メッシュバーの中心線と交差する両側辺の長さが等しくなく、及び／又は、前記第二突起構造は、前記メッシュバーの中心線と交差する両側辺の長さが等しくない。
【0147】
図２７に示すように、第一突起構造２７１１は、第四メッシュバーの中心線と交差する第一側辺Ｅ１及び第二側辺Ｅ２を含み、第一側辺Ｅ１及び第二側辺Ｅ２の長さが等しくない。第二突起構造２７１２は、第四メッシュバーの中心線と交差する第三側辺Ｅ３及び第四側辺Ｅ４を含み、第三側辺Ｅ３及び第四側辺Ｅ４の長さが等しくない。
【0148】
いくつかの実施例において、図２７に示すように、前記第一突起構造２７１１の両側辺のうち、前記第二突起構造２７１２から遠い第一側辺Ｅ１の辺長は、前記第二突起構造２７１２に近い第二側辺Ｅ２の辺長よりも短く、及び／又は、前記第二突起構造２７１２の両側辺のうち、前記第一突起構造２７１１から遠い第三側辺Ｅ３の辺長は、前記第一突起構造２７１１に近い第四側辺Ｅ４の辺長よりも短い。
【0149】
いくつかの実施例において、少なくとも１つの前記繋ぎ接合点において、前記第一突起構造と前記第二突起構造とは、中心対称に設けられる。
【0150】
いくつかの実施例において、図２７に示すように、前記第一突起構造２７１１の両側辺は、前記第二突起構造２７１２から遠い第一側辺Ｅ１、及び前記第二突起構造２７１２に近い第二側辺Ｅ２を含み、前記第二突起構造２７１２の両側辺は、前記第一突起構造２７１１から遠い第三側辺Ｅ３、及び前記第一突起構造２７１１に近い第四側辺Ｅ４を含み、前記第一側辺Ｅ１と前記メッシュバーの中心線とには、第一夾角β１があり、前記第二側辺Ｅ２と前記メッシュバーの中心線とには、第二夾角β２があり、前記第三側辺Ｅ３と前記メッシュバーの中心線とには、第三夾角β３があり、前記第四側辺Ｅ４と前記メッシュバーの中心線とには、第四夾角β４があり、前記第一側辺Ｅ１と前記第二側辺Ｅ２とには、第五夾角β５があり、前記第三側辺Ｅ３と前記第四側辺Ｅ４とには、第六夾角β６があり、ここで、β１は、１１０°以上１５０°以下であり、β２は、１２５°以上１６５°以下であり、β３は、１１０°以上１５０°以下であり、β４は、１２５°以上１６５°以下であり、β５は、８０°以上１００°以下であり、β６は、８０°以上１００°以下である。
【0151】
上記繋ぎ接合点を設けた構造によれば、繋ぎ箇所における導電線が細すぎることによる開回路を回避しながら、繋ぎ箇所における導電線が太すぎることによる影消しの問題を回避することができる。
【0152】
いくつかの実施例において、前記メッシュ構造は、前記繋ぎ接合点の両端にそれぞれ接続された第五メッシュバー及び第六メッシュバーを含み、前記第五メッシュバーの中心線と前記第六メッシュバーの中心線との距離をｄ５とすると、ｄ５は、０以上６ミクロン以下となる。
【0153】
図２８に示すように、前記メッシュ構造は、前記繋ぎ接合点２８０の両端にそれぞれ接続された第五メッシュバー２８１及び第六メッシュバー２８２を含み、前記第五メッシュバーの中心線及び前記第六メッシュバーの中心線の距離はｄ５であり、ｄ５は０に等しい。
【0154】
いくつかの実施例において、前記第五メッシュバーの中心線と、前記第六メッシュバーの中心線との距離ｄ５は、２回の露光間のフォトマスクの位置ずれの、第三領域と第四領域との間の境界線に平行な方向における成分に対応する。例えば、隣接する２回の露光間のフォトマスクの位置ずれの、第三領域と第四領域との間の境界線に平行な方向における成分が６ミクロンである場合、図２３、図２４に示すように、前記第五メッシュバーの中心線と前記第六メッシュバーの中心線との距離ｄ５も６ミクロンとなる。
【0155】
いくつかの実施例において、前記タッチ駆動電極及び前記タッチセンシング電極は、基板に垂直な方向に沿って積層して設けられ、前記タッチ駆動電極及び前記タッチセンシング電極は、何れも前記メッシュ構造を含み、且つ前記メッシュ構造は、繋ぎ接合点を含み、異なる層における前記繋ぎ接合点は、同じ直線に略沿って並べられるか、あるいは、異なる層における前記繋ぎ接合点は、それぞれ２本の直線に略沿って並べられる。
【0156】
いくつかの実施例において、異なる層に位置する前記タッチ駆動電極及び前記タッチセンシング電極における繋ぎ接合点は、同じ直線に沿って並べられてもよいし、又は、それぞれ２本直線に沿って並べられてもよい。
【0157】
いくつかの実施例において、前記タッチ駆動電極及び前記タッチセンシング電極は、基板に垂直な方向に沿って積層して設けられ、前記タッチ駆動電極及び前記タッチセンシング電極は、何れも前記メッシュ構造を含み、且つ前記メッシュ構造は、繋ぎ接合点を含み、異なる層における前記繋ぎ接合点、前記基板上での正投影が少なくとも部分的に重なる。
【0158】
いくつかの実施例において、図２８に示すように、異なる層に位置する前記タッチ駆動電極及び前記タッチセンシング電極における繋ぎ接合点は、繋ぎ接合点によるメッシュの均一性への影響が回避されるように、基板上での正投影が少なくとも部分的に重なっている。その中で、メッシュバー２８３及びメッシュバー２８４と、第五メッシュバー２８１、第六メッシュバー２８２及び繋ぎ接合点２８０とは、異なる層にある。
【0159】
説明すべきなのは、本明細書における各実施例は何れも、漸進的な方式で説明されており、各実施例の同一部分又は類似部分は互いに参照可能であり、各実施例は、他の実施例との相違点に重点を置いて説明されている。特に、実施例については、基本的に製品の実施例と類似しているため、簡単に説明されているが、関連部分は、製品の実施例の説明部分を参照すればよい。
【0160】
特に定義しない限り、本開示に使用される技術用語又は科学用語は、当業者が理解できる通常の意味を有する。本開示に使用される「第一」、「第二」及び類似する用語は、いかなる順序、数量又は重要性を示すものではなく、異なる構成要素を区別するためのものに過ぎない。「含む」又は「包含」等の類似する用語は、当該用語の前に記載された素子又は部材が、当該用語の後に挙げられる素子又は部材及びその同等物を含むが、他の素子又は部材を排除しないことを意味する。「接続」又は「接合」等の類似する用語は、物理的又は機械的接続に限定されず、直接接続されるか間接的に接続されるかに関わらず、電気的接続を含んでもよい。「上」、「下」、「左」、「右」等は、相対位置関係を示すだけであり、説明対象の絶対位置が変わると、当該相対位置関係も対応して変化する可能性がある。
【0161】
理解できることは、層、膜、領域又は基板のような素子が別の素子の「上」又は「下」に位置すると言及された場合、当該素子は別の素子の「上」又は「下」に「直接」位置していてもよいし、又は、中間素子が介在してもよい。
【0162】
上記実施形態の説明では、具体的な特徴、構造、材料又は特性は、あらゆる１つ又は複数の実施例又は具体例において、適切な方式で組み合せられてもよい。
【0163】
上述したのは、本開示の具体的な実施形態に過ぎず、本開示の保護範囲は、これに限定されない。当業者であれば、本開示に記載の技術的範囲内で、変形や置換に容易に想到できるが、これらの変形や置換は、全て本開示の保護範囲内とされるべきである。したがって、本開示の保護範囲は、添付された特許請求の範囲に従うべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図6】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【国際調査報告】