(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-07-06
(54)【発明の名称】表示基板及びその製造方法、表示装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20230629BHJP
H10K 50/844 20230101ALI20230629BHJP
H10K 50/858 20230101ALI20230629BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20230629BHJP
H10K 59/123 20230101ALI20230629BHJP
H10K 59/38 20230101ALI20230629BHJP
H10K 71/20 20230101ALI20230629BHJP
H10K 71/00 20230101ALI20230629BHJP
H10K 85/00 20230101ALI20230629BHJP
G02B 5/20 20060101ALI20230629BHJP
H10K 101/40 20230101ALN20230629BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 349B
G09F9/30 365
G09F9/30 310
G09F9/30 349Z
G09F9/30 348A
H10K50/844
H10K50/858
H10K59/122
H10K59/123
H10K59/38
H10K71/20
H10K71/00
H10K85/00
G02B5/20 101
H10K101:40
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2021568358
(86)(22)【出願日】2020-03-27
(85)【翻訳文提出日】2021-11-15
(86)【国際出願番号】 CN2020081840
(87)【国際公開番号】W WO2021189475
(87)【国際公開日】2021-09-30
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】510280589
【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ Ｊｉｕｘｉａｎｑｉａｏ Ｒｄ．，Ｃｈａｏｙａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００１５，ＣＨＩＮＡ
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(72)【発明者】
【氏名】董 永▲發▼
(72)【発明者】
【氏名】黄 冠▲達▼
(72)【発明者】
【氏名】李 世▲鵬▼
(72)【発明者】
【氏名】王 青
(72)【発明者】
【氏名】袁 雄
(72)【発明者】
【氏名】申 ▲曉▼斌
(72)【発明者】
【氏名】童 慧
(72)【発明者】
【氏名】王 宇
【テーマコード（参考）】
2H148
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
2H148BC00
2H148BD10
2H148BG06
2H148BH03
3K107AA01
3K107BB01
3K107DD03
3K107DD89
3K107EE03
3K107EE22
3K107EE29
3K107EE48
3K107EE49
3K107EE50
3K107EE63
3K107FF15
3K107GG12
3K107GG28
5C094BA27
5C094DA15
5C094EB05
5C094ED01
5C094ED03
5C094FA02
5C094FB06
5C094JA08
(57)【要約】
表示基板及びその製造方法、表示装置であって、表示基板は表示領域と、前記表示領域を取り囲む外周領域とを備え、表示基板はベース基板と、ベース基板に設置される発光構造層、カラーフィルム層、第１平坦層及び光学層とを備え、カラーフィルム層は発光構造層のベース基板から離れる側に位置し、第１平坦層はカラーフィルム層のベース基板から離れる側に位置し、光学層は第１平坦層のベース基板から離れる側に位置し、カラーフィルム層から射出した光を集中するように構成され、表示基板は更にトランジスタを備え、トランジスタの活性層はベース基板の内部に形成され、表示領域に位置するカラーフィルム層のベース基板から離れる表面は平坦ではなく、第１厚さは表示領域に位置するカラーフィルム層の最大厚さであり、第２厚さは表示領域に位置するカラーフィルム層の最小厚さであり、第１厚さと第２厚さとの差分は第１平坦層の厚さ以下である。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示基板であって、表示領域と、前記表示領域を取り囲む外周領域とを備え、前記表示基板はベース基板と、前記ベース基板に設置される発光構造層、カラーフィルム層、第１平坦層及び光学層とを備え、前記カラーフィルム層は前記発光構造層の前記ベース基板から離れる側に位置し、前記第１平坦層は前記カラーフィルム層の前記ベース基板から離れる側に位置し、前記光学層は前記第１平坦層の前記ベース基板から離れる側に位置し、前記カラーフィルム層から射出した光を集中するように構成され、
前記表示基板は更にトランジスタを備え、前記トランジスタの活性層は前記ベース基板の内部に形成され、
表示領域に位置する前記カラーフィルム層の前記ベース基板から離れる表面は平坦ではなく、第１厚さは前記表示領域に位置する前記カラーフィルム層の最大厚さであり、第２厚さは前記表示領域に位置する前記カラーフィルム層の最小厚さであり、
前記第１厚さと前記第２厚さとの差分は前記第１平坦層の厚さ以下である、表示基板。
【請求項2】
前記光学層は複数の光学素子を備え、前記光学フィルタは前記光学素子に１対１で対応し、前記光学フィルタの前記ベース基板での正投影は対応の光学素子の前記ベース基板での正投影を被覆し、且つ前記光学フィルタの前記ベース基板での投影面積は対応の光学素子の前記ベース基板での投影面積より大きい、請求項１に記載の表示基板。
【請求項3】
前記表示基板は更に第２平坦層を備え、前記第２平坦層は前記発光構造層と前記カラーフィルム層との間に位置する、請求項２に記載の表示基板。
【請求項4】
前記表示基板は更に光学ベース基板層を備え、前記光学ベース基板層は前記第１平坦層と前記光学層との間に位置し、前記光学層を前記第１平坦層に粘着するように構成される、請求項３に記載の表示基板。
【請求項5】
前記複数の光学素子は間隔を置いて設置され、且つ行列状に配置され、隣接する光学素子間の間隔は前記光学素子のベース基板に垂直な方向に沿う長さより小さく、且つ０．２マイクロメートル～０．４マイクロメートルであり、
前記光学素子のベース基板に垂直な方向に沿う長さは前記光学素子のベース基板の延在方向に沿う長さより小さく、
前記光学素子のベース基板に垂直な方向に沿う長さは１マイクロメートル～２マイクロメートルであり、前記光学素子のベース基板の延在方向に沿う長さは２～４マイクロメートルである、請求項１に記載の表示基板。
【請求項6】
前記光学素子はレンズであり、前記レンズの形状は半球状を含む、請求項５に記載の表示基板。
【請求項7】
前記第１平坦層及び前記第２平坦層のベース基板に垂直な方向に沿う長さは０．３マイクロメートル～０．５マイクロメートルであり、前記第１平坦層のベース基板に垂直な方向に沿う長さは前記第２平坦層のベース基板に垂直な方向に沿う長さより大きく、
前記第１平坦層のベース基板に垂直な方向に沿う長さは前記光学素子のベース基板に垂直な方向に沿う長さより小さい、請求項３に記載の表示基板。
【請求項8】
前記光学フィルタの形状は六角形を含み、前記複数の光学フィルタはアレイ状に配置され、前記第２厚さは１．５マイクロメートル～２．５マイクロメートルであり、前記第１厚さと前記第２厚さとの差分は０．２マイクロメートル～０．４マイクロメートルである、請求項７に記載の表示基板。
【請求項9】
前記表示基板は更にアレイ構造層を備え、前記アレイ構造層は前記ベース基板と前記発光構造層との間に位置する、請求項１に記載の表示基板。
【請求項10】
前記表示基板は更にパッケージ層を備え、前記パッケージ層は前記発光構造層の前記第２平坦層に近接する側に位置し、
前記パッケージ層は第１無機パッケージ層、第２無機パッケージ層及び第３有機パッケージ層を備え、
前記第１無機パッケージ層は前記第２電極のベース基板から離れる側に位置し、
前記第２無機パッケージ層は前記第１無機パッケージ層のベース基板から離れる側に位置し、
前記第３有機パッケージ層は前記第２無機パッケージ層のベース基板から離れる側に位置する、請求項４に記載の表示基板。
【請求項11】
前記第３有機パッケージ層の製造材料は前記光学ベース基板層の製造材料と同じである、請求項１０に記載の表示基板。
【請求項12】
前記表示基板はカバープレート及び充填ゴムを更に備え、前記カバープレートは前記光学層の前記ベース基板から離れる側に位置し、
前記充填ゴムは前記カバープレートと前記光学層との間に充填される、請求項１に記載の表示基板。
【請求項13】
前記表示基板は更にボンディング領域を備え、前記ボンディング領域は前記外周領域の前記表示領域から離れる側に位置し、前記カラーフィルム層及び前記発光構造層は前記表示領域及び一部の外周領域に位置し、
前記第１平坦層、前記第２平坦層及び前記光学ベース基板層は前記表示領域全体及び少なくとも一部の前記外周領域を被覆する、請求項４に記載の表示基板。
【請求項14】
請求項１～１３のいずれか１項に記載の表示基板を備える表示装置。
【請求項15】
請求項１～１３のいずれか１項に記載の表示基板を製造することに用いられる表示基板の製造方法であって、ベース基板に発光構造層を形成することと、
前記発光構造層の前記ベース基板から離れる側にカラーフィルム層を形成することと、
前記カラーフィルム層の前記ベース基板から離れる側に第１平坦層を形成することと、
前記第１平坦層の前記ベース基板から離れる側に光学層を形成することと、を含む表示基板の製造方法。
【請求項16】
前記ベース基板に発光構造層を形成することは、前記ベース基板にアレイ構造層を形成することと、
前記アレイ構造層の前記ベース基板から離れる側に第１電極を形成することと、
第１電極が形成されるアレイ構造層のベース基板から離れる側に画素定義層を形成することと、
画素定義層が形成されるアレイ構造層のベース基板から離れる側に有機発光層及び第２電極を順次形成することと、を含む請求項１５に記載の方法。
【請求項17】
前記発光構造層の前記ベース基板から離れる側にカラーフィルム層を形成することは、前記発光構造層の前記ベース基板から離れる側にパッケージ層を形成することと、
前記パッケージ層の前記ベース基板から離れる側に第２平坦層を形成することと、
前記第２平坦層の前記ベース基板から離れる側にカラーフィルム層を形成することと、を含む請求項１６に記載の方法。
【請求項18】
前記第１平坦層の前記ベース基板から離れる側に光学層を形成することは、前記第１平坦層の前記ベース基板から離れる側に光学ベース基板層を形成することと、
前記光学ベース基板層の前記ベース基板から離れる側に光学層を形成することと、を含む請求項１６に記載の方法。
【請求項19】
前記光学ベース基板層の前記ベース基板から離れる側に光学層を形成することは、前記光学ベース基板層の前記ベース基板から離れる側にフォトレジストフィルムをコーティングすることと、
フォトリソグラフィプロセスにより前記フォトレジストフィルムを処理して、初期光学層を形成することと、
前記初期光学層に対して焼付処理を行って、複数の光学素子を備える光学層を形成することと、を含む請求項１８に記載の方法。
【請求項20】
前記フォトリソグラフィプロセスにより前記フォトレジストフィルムを処理することは、マスクを用いてフォトレジストフィルムを露光して、フォトレジストフィルムに露光領域及び非露光領域を含ませ、前記画素定義層のベース基板での正投影が前記露光領域のベース基板での正投影を被覆し、前記露光領域の幅が、隣接する２つの光学デバイス間の間隔より小さいことと、
マスクを除去し、フォトレジストフィルムを現像して、露光領域に位置するフォトレジストフィルムを除去することと、を含む請求項１９に記載の方法。
【請求項21】
前記カラーフィルム層の前記ベース基板から離れる側に光学層を形成した後、前記方法は更に、前記光学層の前記ベース基板から離れる側に充填ゴムをコーティングすることと、
前記充填ゴムにカバープレートを貼合することと、を含む請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は表示技術分野に関するが、それに限らず、特に表示基板及びその製造方法、表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
マイクロ有機発光ダイオード（Ｍｉｃｒｏ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、Ｍｉｃｒｏ－ＯＬＥＤと略称）は近年開発された、シリコン系ＯＬＥＤとも称されるマイクロディスプレイである。シリコン系ＯＬＥＤは画素のアクティブアドレッシングを実現することができるだけではなく、シリコン基板においてタイミング制御（ＴＣＯＮ）回路、過電流保護（ＯＣＰ）回路等を含む複数の機能回路を製造することを実現することもでき、システムの体積を減少させて、軽量化を実現することに役立つ。シリコン系ＯＬＥＤは成熟した相補型金属酸化物半導体（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、ＣＭＯＳと略称）集積回路プロセスを用いて製造され、体積が小さく、高解像度（Ｐｉｘｅｌｓ Ｐｅｒ Ｉｎｃｈ、ＰＰＩと略称）、高リフレッシュレート等の利点を有し、仮想現実（Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ、ＶＲと略称）又は拡張現実（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ、ＡＲと略称）のニアアイディスプレイ分野に広く応用されている。
【0003】
シリコン系ＯＬＥＤは一般的に比較的高い表示輝度に達することができないため、シリコン系ＯＬＥＤの表示効果が悪い。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0004】
以下は本開示に詳しく説明される主題の概要である。本概要は特許請求の範囲を制限するためのものではない。
【0005】
第１態様では、本開示は表示基板を提供し、表示領域と、前記表示領域を取り囲む外周領域とを備え、前記表示基板はベース基板と、前記ベース基板に設置される発光構造層、カラーフィルム層、第１平坦層及び光学層とを備え、前記カラーフィルム層は前記発光構造層の前記ベース基板から離れる側に位置し、前記第１平坦層は前記カラーフィルム層の前記ベース基板から離れる側に位置し、前記光学層は前記第１平坦層の前記ベース基板から離れる側に位置し、前記カラーフィルム層から射出した光を集中するように構成され、
前記表示基板は更にトランジスタを備え、前記トランジスタの活性層は前記ベース基板の内部に形成され、
表示領域に位置する前記カラーフィルム層の前記ベース基板から離れる表面は平坦ではなく、第１厚さは前記表示領域に位置する前記カラーフィルム層の最大厚さであり、第２厚さは前記表示領域に位置する前記カラーフィルム層の最小厚さであり、
前記第１厚さと前記第２厚さとの差分は前記第１平坦層の厚さ以下である。
前記表示基板は更にトランジスタを備え、前記トランジスタの活性層は前記ベース基板の内部に形成され、
表示領域に位置する前記カラーフィルム層の前記ベース基板から離れる表面は平坦ではなく、第１厚さは前記表示領域に位置する前記カラーフィルム層の最大厚さであり、第２厚さは前記表示領域に位置する前記カラーフィルム層の最小厚さであり、
前記第１厚さと前記第２厚さとの差分は前記第１平坦層の厚さ以下である。
【0006】
いくつかの可能な実現方式では、前記光学層は複数の光学素子を備え、前記光学フィルタは前記光学素子に１対１で対応し、
前記光学フィルタの前記ベース基板での正投影は対応の光学素子の前記ベース基板での正投影を被覆し、且つ前記光学フィルタの前記ベース基板での投影面積は対応の光学素子の前記ベース基板での投影面積より大きい。
前記光学フィルタの前記ベース基板での正投影は対応の光学素子の前記ベース基板での正投影を被覆し、且つ前記光学フィルタの前記ベース基板での投影面積は対応の光学素子の前記ベース基板での投影面積より大きい。
【0007】
いくつかの可能な実現方式では、前記表示基板は更に第２平坦層を備え、
前記第２平坦層は前記発光構造層と前記カラーフィルム層との間に位置する。
前記第２平坦層は前記発光構造層と前記カラーフィルム層との間に位置する。
【0008】
いくつかの可能な実現方式では、前記表示基板は更に光学ベース基板層を備え、
前記光学ベース基板層は前記第１平坦層と前記光学層との間に位置し、前記光学層を前記第１平坦層に粘着するように構成される。
前記光学ベース基板層は前記第１平坦層と前記光学層との間に位置し、前記光学層を前記第１平坦層に粘着するように構成される。
【0009】
いくつかの可能な実現方式では、前記複数の光学素子は間隔を置いて設置され、且つ行列状に配置され、
隣接する光学素子間の間隔は前記光学素子のベース基板に垂直な方向に沿う長さより小さく、且つ０．２マイクロメートル～０．４マイクロメートルであり、
前記光学素子のベース基板に垂直な方向に沿う長さは前記光学素子のベース基板の延在方向に沿う長さより小さく、
前記光学素子のベース基板に垂直な方向に沿う長さは１マイクロメートル～２マイクロメートルであり、前記光学素子のベース基板の延在方向に沿う長さは２～４マイクロメートルである。
隣接する光学素子間の間隔は前記光学素子のベース基板に垂直な方向に沿う長さより小さく、且つ０．２マイクロメートル～０．４マイクロメートルであり、
前記光学素子のベース基板に垂直な方向に沿う長さは前記光学素子のベース基板の延在方向に沿う長さより小さく、
前記光学素子のベース基板に垂直な方向に沿う長さは１マイクロメートル～２マイクロメートルであり、前記光学素子のベース基板の延在方向に沿う長さは２～４マイクロメートルである。
【0010】
いくつかの可能な実現方式では、前記光学素子はレンズであり、
前記レンズの形状は半球状を含む。
前記レンズの形状は半球状を含む。
【0011】
いくつかの可能な実現方式では、前記第１平坦層及び前記第２平坦層のベース基板に垂直な方向に沿う長さは０．３マイクロメートル～０．５マイクロメートルであり、
前記第１平坦層のベース基板に垂直な方向に沿う長さは前記第２平坦層のベース基板に垂直な方向に沿う長さより大きく、
前記第１平坦層のベース基板に垂直な方向に沿う長さは前記光学素子のベース基板に垂直な方向に沿う長さより小さい。
前記第１平坦層のベース基板に垂直な方向に沿う長さは前記第２平坦層のベース基板に垂直な方向に沿う長さより大きく、
前記第１平坦層のベース基板に垂直な方向に沿う長さは前記光学素子のベース基板に垂直な方向に沿う長さより小さい。
【0012】
１つの可能な実現方式では、前記光学フィルタの形状は六角形を含み、前記複数の光学フィルタはアレイ状に配置され、
前記第２厚さは１．５マイクロメートル～２．５マイクロメートルであり、前記第１厚さと前記第２厚さとの差分は０．２マイクロメートル～０．４マイクロメートルである。
前記第２厚さは１．５マイクロメートル～２．５マイクロメートルであり、前記第１厚さと前記第２厚さとの差分は０．２マイクロメートル～０．４マイクロメートルである。
【0013】
いくつかの可能な実現方式では、前記表示基板は更にアレイ構造層を備え、
前記アレイ構造層は前記ベース基板と前記発光構造層との間に位置する。
前記アレイ構造層は前記ベース基板と前記発光構造層との間に位置する。
【0014】
いくつかの可能な実現方式では、前記表示基板は更にパッケージ層を備え、
前記パッケージ層は前記発光構造層の前記第２平坦層に近接する側に位置し、
前記パッケージ層は第１無機パッケージ層、第２無機パッケージ層及び第３有機パッケージ層を備え、
前記第１無機パッケージ層は前記第２電極のベース基板から離れる側に位置し、
前記第２無機パッケージ層は前記第１無機パッケージ層のベース基板から離れる側に位置し、
前記第３有機パッケージ層は前記第２無機パッケージ層のベース基板から離れる側に位置する。
前記パッケージ層は前記発光構造層の前記第２平坦層に近接する側に位置し、
前記パッケージ層は第１無機パッケージ層、第２無機パッケージ層及び第３有機パッケージ層を備え、
前記第１無機パッケージ層は前記第２電極のベース基板から離れる側に位置し、
前記第２無機パッケージ層は前記第１無機パッケージ層のベース基板から離れる側に位置し、
前記第３有機パッケージ層は前記第２無機パッケージ層のベース基板から離れる側に位置する。
【0015】
いくつかの可能な実現方式では、前記第３有機パッケージ層の製造材料は前記光学ベース基板層の製造材料と同じである。
【0016】
いくつかの可能な実現方式では、前記表示基板はカバープレート及び充填ゴムを更に備え、
前記カバープレートは前記光学層の前記ベース基板から離れる側に位置し、
前記充填ゴムは前記カバープレートと前記光学層との間に充填される。
前記カバープレートは前記光学層の前記ベース基板から離れる側に位置し、
前記充填ゴムは前記カバープレートと前記光学層との間に充填される。
【0017】
いくつかの可能な実現方式では、前記カラーフィルム層の厚さは１．５マイクロメートル～２．５マイクロメートルであり、
前記光学フィルタの形状は六角形であり、前記複数の光学フィルタはアレイ状に配置される。
前記光学フィルタの形状は六角形であり、前記複数の光学フィルタはアレイ状に配置される。
【0018】
いくつかの可能な実現方式では、前記表示基板は更にボンディング領域を備え、前記ボンディング領域は前記外周領域の前記表示領域から離れる側に位置し、
前記カラーフィルム層及び前記発光構造層は前記表示領域及び一部の外周領域に位置し、
前記第１平坦層、前記第２平坦層及び前記光学ベース基板層は前記表示領域全体及び少なくとも一部の前記外周領域を被覆する。
前記カラーフィルム層及び前記発光構造層は前記表示領域及び一部の外周領域に位置し、
前記第１平坦層、前記第２平坦層及び前記光学ベース基板層は前記表示領域全体及び少なくとも一部の前記外周領域を被覆する。
【0019】
第２態様では、本開示は上記表示基板を備える表示装置を更に提供する。
【0020】
第３態様では、本開示は上記表示基板を製造することに用いられる表示基板の製造方法を更に提供し、前記方法は、
ベース基板に発光構造層を形成することと、
前記発光構造層の前記ベース基板から離れる側にカラーフィルム層を形成することと、
前記カラーフィルム層の前記ベース基板から離れる側に第１平坦層を形成することと、
前記第１平坦層の前記ベース基板から離れる側に光学層を形成することと、を含む。
ベース基板に発光構造層を形成することと、
前記発光構造層の前記ベース基板から離れる側にカラーフィルム層を形成することと、
前記カラーフィルム層の前記ベース基板から離れる側に第１平坦層を形成することと、
前記第１平坦層の前記ベース基板から離れる側に光学層を形成することと、を含む。
【0021】
いくつかの可能な実現方式では、前記ベース基板に発光構造層を形成することは、
前記ベース基板にアレイ構造層を形成することと、
前記アレイ構造層の前記ベース基板から離れる側に第１電極を形成することと、
第１電極が形成されるアレイ構造層のベース基板から離れる側に画素定義層を形成することと、
画素定義層が形成されるアレイ構造層のベース基板から離れる側に有機発光層及び第２電極を順次形成することと、を含む。
前記ベース基板にアレイ構造層を形成することと、
前記アレイ構造層の前記ベース基板から離れる側に第１電極を形成することと、
第１電極が形成されるアレイ構造層のベース基板から離れる側に画素定義層を形成することと、
画素定義層が形成されるアレイ構造層のベース基板から離れる側に有機発光層及び第２電極を順次形成することと、を含む。
【0022】
いくつかの可能な実現方式では、前記発光構造層の前記ベース基板から離れる側にカラーフィルム層を形成することは、
前記発光構造層の前記ベース基板から離れる側にパッケージ層を形成することと、
前記パッケージ層の前記ベース基板から離れる側に第２平坦層を形成することと、
前記第２平坦層の前記ベース基板から離れる側にカラーフィルム層を形成することと、を含む。
前記発光構造層の前記ベース基板から離れる側にパッケージ層を形成することと、
前記パッケージ層の前記ベース基板から離れる側に第２平坦層を形成することと、
前記第２平坦層の前記ベース基板から離れる側にカラーフィルム層を形成することと、を含む。
【0023】
いくつかの可能な実現方式では、前記第１平坦層の前記ベース基板から離れる側に光学層を形成することは、
前記第１平坦層の前記ベース基板から離れる側に光学ベース基板層を形成することと、
前記光学ベース基板層の前記ベース基板から離れる側に光学層を形成することと、を含む。
前記第１平坦層の前記ベース基板から離れる側に光学ベース基板層を形成することと、
前記光学ベース基板層の前記ベース基板から離れる側に光学層を形成することと、を含む。
【0024】
いくつかの可能な実現方式では、前記光学ベース基板層の前記ベース基板から離れる側に光学層を形成することは、
前記光学ベース基板層の前記ベース基板から離れる側にフォトレジストフィルムをコーティングすることと、
フォトリソグラフィプロセスにより前記フォトレジストフィルムを処理して、初期光学層を形成することと、
前記初期光学層に対して焼付処理を行って、複数の光学素子を備える光学層を形成することと、を含む。
前記光学ベース基板層の前記ベース基板から離れる側にフォトレジストフィルムをコーティングすることと、
フォトリソグラフィプロセスにより前記フォトレジストフィルムを処理して、初期光学層を形成することと、
前記初期光学層に対して焼付処理を行って、複数の光学素子を備える光学層を形成することと、を含む。
【0025】
いくつかの可能な実現方式では、前記フォトリソグラフィプロセスにより前記フォトレジストフィルムを処理することは、
マスクを用いてフォトレジストフィルムを露光して、フォトレジストフィルムに露光領域及び非露光領域を含ませ、前記画素定義層のベース基板での正投影が前記露光領域のベース基板での正投影を被覆し、前記露光領域の幅が、隣接する２つの光学デバイス間の間隔より小さいことと、
マスクを除去し、フォトレジストフィルムを現像して、露光領域に位置するフォトレジストフィルムを除去することと、を含む。
マスクを用いてフォトレジストフィルムを露光して、フォトレジストフィルムに露光領域及び非露光領域を含ませ、前記画素定義層のベース基板での正投影が前記露光領域のベース基板での正投影を被覆し、前記露光領域の幅が、隣接する２つの光学デバイス間の間隔より小さいことと、
マスクを除去し、フォトレジストフィルムを現像して、露光領域に位置するフォトレジストフィルムを除去することと、を含む。
【0026】
いくつかの可能な実現方式では、前記カラーフィルム層の前記ベース基板から離れる側に光学層を形成した後、前記方法は更に、
前記光学層の前記ベース基板から離れる側に充填ゴムをコーティングすることと、
前記充填ゴムにカバープレートを貼合することと、を含む。
前記光学層の前記ベース基板から離れる側に充填ゴムをコーティングすることと、
前記充填ゴムにカバープレートを貼合することと、を含む。
【0027】
図面及び詳細な説明を閲覧して理解した後、他の態様を分かることができる。
【0028】
図面は本開示の技術案を理解するためのものであり、且つ明細書の一部となり、本開示の実施例とともに本開示の技術案を解釈することに用いられ、本開示の技術案を制限するものではない。
【図面の簡単な説明】
【0029】
【発明を実施するための形態】
【0030】
本開示の目的、技術案及び利点をより明確にするために、以下に図面を参照しながら本開示の実施例を詳しく説明する。実施形態は複数の異なる形式で実施されてもよい。当業者が容易に理解できる事実は、本開示の趣旨及びその範囲を逸脱せずに、方式及び内容を様々な形式に変換することができることである。従って、本開示は下記実施形態に記載の内容のみに限定されると解釈されるべきではない。衝突しない限り、本開示の実施例及び実施例の特徴は互いに任意に組み合わせられることができる。
【0031】
図面において、明確にするために、各構成要素のサイズ、層の厚さ又は領域を拡大して示す場合がある。従って、本開示の実施形態は必ずしも該サイズに限定されるとは限らず、図面における各部材の形状及びサイズは真の比率を反映しない。また、図面に理想的な例を模式的に示すが、本開示の実施形態は図面に示される形状又は数値に限定されるものではない。
【0032】
特に定義しない限り、本開示に使用される技術用語又は科学用語は本開示の属する分野内で当業者が理解する通常の意味であるべきである。本開示に使用される「第１」、「第２」及び類似する言葉はいかなる順序、数又は重要性を示すものではなく、異なる構成部分を区別するためのものに過ぎない。「備える」又は「含む」等の類似する言葉は、該言葉の後に記載された素子又は部材が該言葉の前に列挙した素子又は部材及びそれらと同等のものをカバーすることを指し、他の素子又は部材を排除しない。「接続」又は「連結」等の類似する言葉は物理的又は機械的な接続に限定されるものではなく、直接的又は間接的接続にかかわらず、電気的接続も含む。「上」、「下」、「左」、「右」等は相対的な位置関係を指すだけであり、説明される対象の絶対的な位置が変化すると、該相対的な位置関係も対応して変化する可能性がある。
【0033】
本明細書において、トランジスタとは少なくともゲート電極、ドレイン電極及びソース電極の３つの端子を備える素子を指す。トランジスタはドレイン電極（ドレイン電極端子、ドレイン領域又はドレイン電極）とソース電極（ソース電極端子、ソース領域又はソース電極）との間にチャネル領域を有し、且つ電流はドレイン電極、チャネル領域及びソース電極を流れることができる。チャネル領域とは電流が主に流れる領域を指す。
【0034】
本明細書において、第１極はドレイン電極であってもよく、第２極はソース電極であってもよく、又は、第１極はソース電極であってもよく、第２極はドレイン電極であってもよい。極性が反対であるトランジスタを使用する場合又は回路動作中の電流方向が変化する場合等に、「ソース電極」及び「ドレイン電極」の機能は互いに交換される場合がある。従って、本明細書において、「ソース電極」及び「ドレイン電極」は互いに交換されることができる。
【0035】
本明細書において、「接続」は構成要素が、ある電気的作用を有する素子により一体に接続される状況を含む。「ある電気的作用を有する素子」は接続される構成要素間の電気信号の授受を行うことができる限り、特に制限しない。「ある電気的作用を有する素子」の例は電極及び配線のほか、更にトランジスタ等のスイッチング素子、抵抗器、インダクタ、コンデンサ、他の様々な機能を持つ素子等を含む。
【0036】
本明細書において、「フィルム」及び「層」は互いに交換されることができる。例えば、「導電層」を「導電フィルム」に置換できる場合がある。それと同様に、「絶縁フィルム」を「絶縁層」に置換できる場合がある。
【0037】
図１は本開示の実施例に係る表示基板の構造模式図である。図１に示すように、本開示の実施例に係る表示基板は表示領域と、表示領域を取り囲む外周領域とを備え、表示基板はベース基板１０と、ベース基板１０に設置される発光構造層２０、カラーフィルム層３０、第１平坦層５０及び光学層４０とを備える。カラーフィルム層３０は発光構造層２０のベース基板１０から離れる側に位置する。第１平坦層５０はカラーフィルム層３０のベース基板１０から離れる側に位置し、光学層４０は第１平坦層５０のベース基板１０から離れる側に位置し、カラーフィルム層３０から射出した光を集中するように構成される。図１に表示領域のみを示す。
【0038】
表示基板は更にトランジスタ（図示せず）を備え、トランジスタの活性層はベース基板の内部に形成される。表示領域に位置するカラーフィルム層３０のベース基板１０から離れる表面は平坦ではない。第１厚さＴ１は表示領域に位置するカラーフィルム層の最大厚さであり、第２厚さＴ２は表示領域に位置するカラーフィルム層の最小厚さである。
【0039】
第１厚さＴ１と第２厚さＴ２との差分Ｄは第１平坦層５０の厚さＴ以下である。
【0040】
図１に示すように、表示領域に位置するカラーフィルム層３０は複数の光学フィルタ３１を備える。
【0041】
１つの例示的な実施例では、隣接する２つの光学フィルタの間にオーバーラップが存在し、表示領域に位置するカラーフィルム層の厚さが均一ではなく、カラーフィルム層の表面を非平坦にする。隣接する２つの光学フィルタは第１光学フィルタＣ１及び第２光学フィルタＣ２を含む。
【0042】
１つの例示的な実施例では、第１光学フィルタＣ１は第１光学フィルタ部Ｃ１１、第２光学フィルタ部Ｃ１２及び第３光学フィルタ部Ｃ１３を備える。第２光学フィルタ部Ｃ１２と第１光学フィルタ部Ｃ１１との間の間隔は０であり、第２光学フィルタ部Ｃ１２と第２光学フィルタＣ２との間の間隔は０である。
【0043】
１つの例示的な実施例では、第１光学フィルタ部Ｃ１１及び第２光学フィルタ部Ｃ１２のベース基板１０での正投影と第２光学フィルタＣ２のベース基板１０での正投影との間に重複領域が存在せず、第２光学フィルタＣ２のベース基板１０での正投影は第３光学フィルタ部Ｃ１３のベース基板１０での正投影を被覆する。
【0044】
第１光学フィルタ部Ｃ１１のベース基板から離れる表面とベース基板との距離は第３光学フィルタ部Ｃ１３のベース基板から離れる表面とベース基板との距離より小さく、第２光学フィルタ部Ｃ１２の厚さは第１光学フィルタ部Ｃ１１と第３光学フィルタ部Ｃ１３の厚さとの和に等しい。
【0045】
第１厚さはすべての隣接する２つの光学フィルタのうちの第２光学フィルタ部の厚さの最大値であり、即ち、第１厚さＴ１はオーバーラップ領域に位置する光学フィルタの厚さであり、第１厚さＴ１は単一の光学フィルタの厚さと、該光学フィルタの上方にオーバーラップする他の光学フィルタの厚さとを含む。
【0046】
第２厚さＴ２はすべての第１光学フィルタ部の厚さ、第２光学フィルタ部の厚さ及び第２光学フィルタの厚さのうちの最小値であり、即ち、第２厚さはオーバーラップ領域に位置しない光学フィルタの厚さの最小値である。
【0047】
１つの例示的な実施例では、第２厚さＴ２は１．５マイクロメートル～２．５マイクロメートルである。
【0048】
１つの例示的な実施例では、第１厚さＴ１と第２厚さＴ２との差分Ｄは０．２マイクロメートル～０．４マイクロメートルである。
【0049】
１つの例示的な実施例では、第１距離Ｈ１は表示領域に位置するカラーフィルム層のベース基板１０から離れる表面とベース基板との最大距離である。第２距離Ｈ２は表示領域に位置するカラーフィルム層のベース基板から離れる表面とベース基板との最小距離である。第１距離Ｈ１と、表示領域に位置するカラーフィルム層のベース基板に近接する表面とベース基板との距離Ｈとの差は第１厚さＴ１に等しく、第２距離Ｈ２と、表示領域に位置するカラーフィルム層のベース基板に近接する表面とベース基板との距離Ｈとの差は第２厚さＴ２に等しい。第１距離Ｈ１と第２距離Ｈ２との差分は第１厚さＴ１と第２厚さＴ２との差分、即ち表示領域に位置するカラーフィルム層の段差に等しい。
【0050】
１つの例示的な実施例では、ベース基板１０はシリコン基板又はガラス基板であってもよい。
【0051】
１つの例示的な実施例では、トランジスタは金属酸化物半導体電界効果トランジスタであってもよい。
【0052】
１つの例示的な実施例では、カラーフィルム層３０は白色光とカラーフィルムとを組み合わせる方式を用いてフルカラー表示を実現する。
【0053】
１つの例示的な実施例では、カラーフィルム層３０は更にブラックマトリックスを備えてもよい。
【0054】
１つの例示的な実施例では、白色光とカラーフィルムとを組み合わせる方式を用いて２０００より大きな高解像度を実現することができ、ＶＲ／ＡＲニーズを満足することができる。
【0055】
１つの例示的な実施例では、表示基板はトップエミッション構造であってもよい。
【0056】
カラーフィルム層の下に位置するフィルム層のベース基板から離れる表面が平坦ではない場合、表示領域に位置するカラーフィルム層のベース基板に近接する表面とベース基板との距離Ｈはすべて同じとは限らない。
【0057】
１つの例示的な実施例では、第１厚さＴ１と第２厚さＴ２との差分は第１平坦層５０の厚さＴ以下であれば、平坦層によりカラーフィルム層の表面の非平坦箇所が被覆されるように確保することができ、これにより光学層の均一性が確保される。
【0058】
１つの例示的な実施例では、第１平坦層５０の製造材料は有機材料である。
【0059】
図１に示すように、表示基板において、異なる色の光学フィルタの境界にオーバーラップがある程度存在する。表示基板の画素サイズが小さいため、後で製造された光学フィルタの縁部は以前に製造された光学フィルタに積層されて、光学フィルタの間に厚さの差が生じてしまい、それによりカラーフィルム層の不均一を引き起こしてしまう。カラーフィルム層３０と光学層４０との間に第１平坦層５０を設置することにより、光学層を製造する際に各光学素子の形態の均一を確保し、光学層の作用を最大化させ、更に光学層における各光学素子の安定性及び均一性を確保することができ、表示基板の表示輝度の均一性を実現し、表示基板の表示効果を向上させる。
【0060】
本開示の実施例に係る表示基板は表示領域と、表示領域を取り囲む外周領域とを備え、表示基板はベース基板と、ベース基板に設置される発光構造層、カラーフィルム層、第１平坦層及び光学層とを備え、カラーフィルム層は発光構造層のベース基板から離れる側に位置し、第１平坦層はカラーフィルム層のベース基板から離れる側に位置し、光学層は第１平坦層のベース基板から離れる側に位置し、カラーフィルム層から射出した光を集中するように構成され、表示基板は更にトランジスタを備え、トランジスタの活性層はベース基板の内部に形成され、表示領域に位置するカラーフィルム層のベース基板から離れる表面は平坦ではなく、第１厚さは表示領域に位置するカラーフィルム層の最大厚さであり、第２厚さは表示領域に位置するカラーフィルム層の最小厚さであり、第１厚さと第２厚さとの差分は第１平坦層の厚さ以下である。本開示の実施例は表示基板に第１平坦層及び光学層を設置することによりカラーフィルム層から射出した光を集中し、表示基板の表示輝度を向上させることができ、シリコン系ＯＬＥＤの表示効果を向上させる。
【0061】
図２は例示的な実施例に係る表示基板の構造模式図であり、図３は図２のＡ－Ａ方向に沿う断面図であり、図４は図２のＢ－Ｂ方向に沿う断面図である。図２に示すように、例示的な実施例に係る表示基板は表示領域１００と、表示領域１００を取り囲む外周領域２００と、外周領域２００の表示領域１００から離れる側に設置されるボンディング領域３００とを備える。
【0062】
１つの例示的な実施例では、表示領域１００には規則的に配置される複数のサブ画素が設置される。各サブ画素は発光素子と、発光素子を駆動して発光させるための画素駆動回路とを備える。外周領域２００には画素駆動回路に制御信号を提供するための制御回路が設置される。ボンディング領域３００には外部フレキシブルプリント回路基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ、ＦＰＣと略称）にボンディング接続されるパッドアセンブリが設置される。図３及び図４は表示領域における３つのサブ画素１００Ａ、１００Ｂ及び１００Ｃを例として説明する。
【0063】
１つの例示的な実施例では、図３に示すように、外周領域２００はベース基板の表示領域から外周領域までの延在方向に沿って順に配置される第１領域２００Ａ、第２領域２００Ｂ、第３領域２００Ｃ、第４領域２００Ｄ及び第５領域２００Ｅを備える。
【0064】
１つの例示的な実施例では、トランジスタはスイッチングトランジスタ及び駆動トランジスタを備えてもよい。ベース基板１０におけるトランジスタは画素駆動回路を構成することができる。
【0065】
【0066】
１つの例示的な実施例では、トランジスタは活性層、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極及びゲート接続電極を備える。ソース電極及びドレイン電極はそれぞれ活性層に接続され、ゲート接続電極は導電性ピラーによってゲート電極に接続される。トランジスタはボトムゲート構造であってもよく、又はトップゲート構造であってもよい。
【0067】
１つの例示的な実施例では、活性層の製造材料は金属酸化物を含んでもよい。
【0068】
１つの例示的な実施例では、図３及び図４に示すように、表示基板は、ベース基板１０と発光構造層２０との間に設置されるアレイ構造層を更に備える。アレイ構造層はベース基板１０に順次設置される第１絶縁層１２、第１導電性ピラー１３、反射電極１４、第２絶縁層１５及び第２導電性ピラー１６を備える。
【0069】
【0070】
第１絶縁層１２及び第２絶縁層１５は表示領域全体及び少なくとも一部の外周領域を被覆する。１つの例示的な実施例では、図３及び図４に示すように、第１絶縁層１２及び第２絶縁層１５は表示領域１００全体及び外周領域２００全体を被覆する。
【0071】
１つの例示的な実施例では、第１導電性ピラー１３及び第２導電性ピラー１６は表示領域１００、第２領域２００Ｂ及び第４領域２００Ｄに位置する。
【0072】
１つの例示的な実施例では、第１絶縁層１２には一部のドレイン電極を露出させるビアが設置され、第１導電性ピラー１３は第１絶縁層１２のビア内に設置される。反射電極１４は第１導電性ピラー１３によってドレイン電極に接続される。第２絶縁層１５には反射電極１４を露出させるビアが設置され、第２導電性ピラー１６は第２絶縁層１５のビア内に設置される。
【0073】
１つの例示的な実施例では、第１絶縁層１２及び第２絶縁層１５の製造材料はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）又は酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）であってもよい。第１絶縁層１２及び第２絶縁層１５の構造は単層構造であってもよく、又は多層複合構造であってもよい。
【0074】
１つの例示的な実施例では、第１導電性ピラー１３及び第２導電性ピラー１６の製造材料はタングステンであってもよい。
【0075】
１つの例示的な実施例では、反射電極１４の製造材料は銀又はアルミニウムであってもよい。反射電極１４の構造は単層構造であってもよく、又は多層複合構造であってもよい。
【0076】
図５は例示的な実施例に係るベース基板の回路原理の模式図である。図５に示すように、表示領域における複数のサブ画素は規則的に配置されて、複数の表示行及び複数の表示列を形成する。各サブ画素は画素駆動回路１０１と、画素駆動回路１０１に接続される発光デバイス１０２とを備える。画素駆動回路１０１は少なくとも駆動トランジスタを備える。制御回路は少なくとも複数の電圧制御回路１１０を備え、各電圧制御回路１１０は複数の画素駆動回路１０１に接続される。例えば、１つの電圧制御回路１１０は１つの表示行における画素駆動回路１０１に接続され、該表示行の画素駆動回路１０１において駆動トランジスタの第１極は共同で該電圧制御回路１１０に接続され、各駆動トランジスタの第２極はこのサブ画素の発光デバイス１０２の陽極に接続され、発光デバイス１０２の陰極は第２電源信号ＶＳＳの入力端子に接続される。電圧制御回路１１０はそれぞれ第１電源信号ＶＤＤの入力端子、初期化信号Ｖｉｎｉｔの入力端子、リセット制御信号ＲＥの入力端子及び発光制御信号ＥＭの入力端子に接続される。電圧制御回路１１０は、リセット制御信号ＲＥに応答して、初期化信号Ｖｉｎｉｔを駆動トランジスタの第１極に出力して、対応の発光デバイス１０２をリセットするように制御するように構成される。電圧制御回路１１０は更に、発光制御信号ＥＭに応答して、第１電源信号ＶＤＤを駆動トランジスタの第１極に出力して、発光デバイス１０２を駆動して発光させるように構成される。１つの表示行における画素駆動回路１０１が共同で電圧制御回路１１０に接続されることにより、表示領域１００における画素駆動回路１０１の構造を簡素化し、表示領域１００における画素駆動回路１０１の占有面積を減少させることができ、それにより表示領域１００においてより多くの画素駆動回路１０１及び発光デバイス１０２を設置し、高ＰＰＩ表示を実現する。電圧制御回路１１０はリセット制御信号ＲＥの制御によって初期化信号Ｖｉｎｉｔを駆動トランジスタの第１極に出力し、対応の発光デバイス１０２をリセットするように制御し、前のフレームが発光する際に発光デバイス１０２に印加した電圧の次のフレームによる発光への影響を回避することができ、残影現象を改善することができる。
【0077】
例示的な実施例では、１つの電圧制御回路１１０は、同一の表示行における２つの隣接するサブ画素の画素駆動回路１０１に接続されてもよく、同一の表示行における３つ以上のサブ画素の画素駆動回路１０１に接続されてもよい。
【0078】
図６は例示的な実施例に係る電圧制御回路及び画素駆動回路の回路実現の模式図である。図６に示すように、発光デバイスはＯＬＥＤを備えてもよい。ＯＬＥＤの陽極は駆動トランジスタＭ０の第２極Ｄに接続され、ＯＬＥＤの陰極は第２電源信号ＶＳＳの入力端子に接続される。
【0079】
例示的な実施例では、第２電源信号ＶＳＳの電圧は負電圧又は接地電圧ＶＧＮＤ（一般的に０Ｖである）であってもよい。初期化信号Ｖｉｎｉｔの電圧は接地電圧ＶＧＮＤであってもよい。
【0080】
例示的な実施例では、ＯＬＥＤはＭｉｃｒｏ－ＯＬＥＤ又はＭｉｎｉ－ＯＬＥＤであってもよく、高ＰＰＩ表示の実現に役立つ。
【0081】
例示的な実施例では、電圧制御回路１１０は１つの表示行における２つの画素駆動回路１０１に接続される。画素駆動回路１０１は駆動トランジスタＭ０、第３トランジスタＭ３、第４トランジスタＭ４及び蓄電コンデンサＣｓｔを備え、電圧制御回路１１０は第１トランジスタＭ１及び第２トランジスタＭ２を備える。駆動トランジスタＭ０、第１トランジスタＭ１、第２トランジスタＭ２、第３トランジスタＭ３、第４トランジスタＭ４はいずれもベース基板において製造されたトランジスタである。
【0082】
第１トランジスタＭ１の制御電極はリセット制御信号ＲＥの入力端子に接続され、リセット制御信号ＲＥを受信するように構成され、第１トランジスタＭ１の第１極は初期化信号Ｖｉｎｉｔの入力端子に接続され、初期化信号Ｖｉｎｉｔを受信するように構成され、第１トランジスタＭ１の第２極はそれぞれ対応の駆動トランジスタＭ０の第１極Ｓ及び第２トランジスタＭ２の第２極に接続される。第２トランジスタＭ２の制御電極は発光制御信号ＥＭの入力端子に接続され、発光制御信号ＥＭを受信するように構成され、第２トランジスタＭ２の第１極は第１電源信号ＶＤＤの入力端子に接続され、第１電源信号ＶＤＤを受信するように構成され、第２トランジスタＭ２の第２極はそれぞれ対応の駆動トランジスタＭ０の第１極Ｓ及び第１トランジスタＭ１の第２極に接続される。例示的な実施形態では、第１トランジスタＭ１及び第２トランジスタＭ２のタイプは異なってもよく、例えば、第１トランジスタＭ１はＮ型トランジスタであり、第２トランジスタＭ２はＰ型トランジスタであり、又は、第１トランジスタＭ１はＰ型トランジスタであり、第２トランジスタＭ２はＮ型トランジスタである。いくつかの可能な実現方式では、第１トランジスタＭ１及び第２トランジスタＭ２のタイプは同じであってもよく、実際の応用環境に応じて設計して決定されてもよい。
【0083】
画素駆動回路１０１は駆動トランジスタＭ０、第３トランジスタＭ３、第４トランジスタＭ４及び蓄電コンデンサＣｓｔを備える。駆動トランジスタＭ０の制御電極Ｇ、駆動トランジスタＭ０の第１極Ｓは第１トランジスタＭ１の第２極及び第２トランジスタＭ２の第２極に接続され、駆動トランジスタＭ０の第２極ＤはＯＬＥＤの陽極に接続される。第３トランジスタＭ３の制御電極は第１制御電極走査信号Ｓ１の入力端子に接続され、第１制御電極走査信号Ｓ１を受信するように構成され、第３トランジスタＭ３の第１極はデータ信号ＤＡの入力端子に接続され、データ信号ＤＡを受信するように構成され、第３トランジスタＭ３の第２極は駆動トランジスタＭ０の制御電極Ｇに接続される。第４トランジスタＭ４の制御電極は第２制御電極走査信号Ｓ２の入力端子に接続され、第２制御電極走査信号Ｓ２を受信するように構成され、第４トランジスタＭ４の第１極はデータ信号ＤＡの入力端子に接続され、データ信号ＤＡを受信するように構成され、第４トランジスタＭ４の第２極は駆動トランジスタＭ０の制御電極Ｇに接続される。蓄電コンデンサＣｓｔの第１端子は駆動トランジスタＭ０の制御電極Ｇに接続され、蓄電コンデンサＣｓｔの第２端子は接地端子ＧＮＤに接続される。例示的な実施形態では、駆動トランジスタＭ０はＮ型トランジスタであってもよく、第３トランジスタＭ３及び第４トランジスタＭ４のタイプは異なってもよく、例えば、第３トランジスタＭ３はＮ型トランジスタであり、第４トランジスタＭ４はＰ型トランジスタである。データ信号ＤＡの電圧は高グレースケールに対応する電圧である場合、Ｐ型の第４トランジスタＭ４をオンにすることによりデータ信号ＤＡを駆動トランジスタＭ０の制御電極Ｇに伝送し、データ信号ＤＡの電圧が例えばＮ型の第３トランジスタＭ３の閾値電圧から影響を受けることを回避することができる。データ信号ＤＡの電圧は低グレースケールに対応する電圧である場合、Ｎ型の第３トランジスタＭ３をオンにすることによりデータ信号ＤＡを駆動トランジスタＭ０の制御電極Ｇに伝送し、データ信号ＤＡの電圧がＰ型の第４トランジスタＭ４の閾値電圧から影響を受けることを回避することができる。そうすると、駆動トランジスタＭ０の制御電極Ｇに入力された電圧範囲を広げることができる。
【0084】
１つの例示的な実施例では、第３トランジスタＭ３及び第４トランジスタＭ４のタイプについて、第３トランジスタＭ３はＰ型トランジスタであってもよく、第４トランジスタＭ４はＮ型トランジスタであってもよい。
【0085】
１つの例示的な実施例では、画素駆動回路は３Ｔ１Ｃ、５Ｔ１Ｃ又は７Ｔ１Ｃ回路構造であってもよく、又は内部補償又は外部補償機能を有する回路構造であってもよい。
【0086】
１つの例示的な実施例では、図３及び図４に示すように、表示領域１００に位置する発光構造層２０は第１電極２１、有機発光層２２及び第２電極２３を備える。第１電極２１は有機発光層２２のベース基板１０に近接する側に位置し、第１電極２１は表示領域に位置するアレイ構造層における第２導電性ピラー１６に接続される。第２電極２３は有機発光層２２のベース基板１０から離れる側に位置する。
【0087】
１つの例示的な実施例では、第１電極２１は反射電極であり、第１電極２１は多層複合構造であってもよい。
【0088】
１つの例示的な実施例では、第１電極２１は積層設置される第１導電層、第２導電層及び第３導電層を備えてもよい。
【0089】
１つの例示的な実施例では、第１導電層及び第３導電層の製造材料はチタンであってもよい。第２導電層の製造材料はアルミニウムであってもよい。
【0090】
図７は例示的な実施例に係る有機発光層の構造模式図である。図７に示すように、例示的な実施例に係る有機発光層は第１電極と第２電極との間に順次積層される第１発光サブ層３３１、第１電荷発生層３３２、第２発光サブ層３３３、第２電荷発生層３３４及び第３発光サブ層３３５を備える。
【0091】
第１発光サブ層３３１は第１色光を射出することに用いられ、順次積層される第１正孔輸送層（ＨＴＬ）３３１１、第１発光材料層（ＥＭＬ）３３１２及び第１電子輸送層（ＥＴＬ）３３１３を備える。第２発光サブ層３３３は第２色光を射出することに用いられ、順次積層される第２正孔輸送層３３３１、第２発光材料層３３３２及び第２電子輸送層３３３３を備える。第３発光サブ層３３５は第３色光を射出することに用いられ、順次積層される第３正孔輸送層３３５１、第３発光材料層３３５２及び第３電子輸送層３３５３を備える。第１電荷発生層３３２は第１発光サブ層３３１と第２発光サブ層３３３との間に設置され、２つの発光サブ層を直列接続することに用いられ、キャリアの伝達を実現する。第２電荷発生層３３４は第２発光サブ層３３３と第３発光サブ層３３５との間に設置され、２つの発光サブ層を直列接続することに用いられ、キャリアの伝達を実現する。有機発光層は第１色光を射出する第１発光材料層と、第２色光を射出する第２発光材料層と、第３色光を射出する第３発光材料層とを備えるため、有機発光層が最終的に射出する光は混合光である。例えば、第１発光材料層が赤色光を射出する赤色光材料層であり、第２発光材料層が緑色光を射出する緑色光材料層であり、第３発光材料層が青色光を射出する青色光材料層であるように構成してもよく、従って、有機発光層は最終的に白色光を射出する。
【0092】
実際に実施するとき、実際の必要に応じて有機発光層の構造を設計することができる。各発光サブ層には、電子及び正孔を発光材料層に注入する効率を向上させるために、正孔注入層及び電子注入層が設置されてもよい。有機発光層の構造を簡素化するために、第１電子輸送層３３１３、第１電荷発生層３３２及び第２正孔輸送層３３３１をキャンセルしてもよく、即ち第２発光材料層３３３２は直接に第１発光材料層３３１２に設置されてもよい。
【0093】
１つの例示的な実施例では、有機発光層は第１色光を射出する有機発光層及び第１色光の相補光を射出する有機発光層を用いてもよく、該２つの有機発光層はベース基板に対して順次積層され、それにより全体的に白色光を発する。
【0094】
１つの例示的な実施例では、第２電極２３は面状電極であってもよい。第２電極２３は透過電極であり、有機発光層２２から射出された第１電極２１により反射された光を透過することに用いられる。
【0095】
１つの例示的な実施例では、第２電極２３の製造材料は酸化インジウムスズ又は酸化亜鉛スズであってもよく、又は他の透明導電材料であってもよい。
【0096】
１つの例示的な実施例では、表示基板は更にＭ行のゲート線及びＮ列のデータ線を備え、ゲート線及びデータ線は縦横に交錯する。各サブ画素はゲート線及びデータ線により交差して限定され、即ち表示基板は行方向及び列方向に沿って設置される行列状に配置される複数のサブ画素を備える。
【0097】
表示領域における複数のサブ画素により１つの画素が構成される。同一画素に位置する複数のサブ画素の配置方式は複数のサブ画素が同一行に位置し、即ち複数のサブ画素が行方向に沿って配置されることであってもよく、異なるサブ画素が隣接行に位置し、隣接行に位置するサブ画素が交差して設置され、例えば「品」字型を呈する配置方式であってもよく、他の配置方式であってもよい。
【0098】
１つの例示的な実施例では、図１に示すように、表示領域に位置するカラーフィルム層３０における複数の光学フィルタ３１はアレイ状に配置される。
【0099】
１つの例示的な実施例では、光学フィルタ３１の形状は六角形、長手形又はほぼ楕円形であってもよい。
【0100】
１つの例示的な実施例では、光学フィルタ３１の面積は２０μｍ２より小さい。
【0101】
１つの例示的な実施例では、光学フィルタ３１の製造温度は９０度より小さい。
【0102】
１つの例示的な実施例では、カラーフィルム層３０は少なくとも第１色の光学フィルタ、第２色の光学フィルタ及び第３色の光学フィルタを備える。又は、カラーフィルム層３０は更に白色光学フィルタ又は他の色の光学フィルタを備えてもよい。
【0103】
１つの例示的な実施例では、カラーフィルム層３０が第１色の光学フィルタ、第２色の光学フィルタ及び第３色の光学フィルタを備える場合を例とする。１つの画素領域に位置するカラーフィルム層に含まれる第１色の光学フィルタ、第２色の光学フィルタ及び第３色の光学フィルタは、１つの画素領域における複数のサブ画素の配置方式で配置される。
【0104】
１つの例示的な実施例では、第１色の光学フィルタ、第２色の光学フィルタ及び第３色の光学フィルタは同一の表面に設置される。表面に平行する平面において、第２色の光学フィルタは第１色の光学フィルタの第１側に設置され、第３色の光学フィルタは第１色の光学フィルタの第１側に相対する第２側に設置される。
【0105】
１つの例示的な実施例では、第２色の光学フィルタ及び第３色の光学フィルタのうちの少なくとも１つは一部の第１色の光学フィルタを被覆し、少なくとも一部の第１色の光学フィルタは、第２色の光学フィルタ及び第３色の光学フィルタといずれもオーバーラップせず、第２色の光学フィルタと第３色の光学フィルタとは完全にオーバーラップしない。
【0106】
１つの例示的な実施例では、パターニングプロセスはフォトレジストのコーティング、露光、現像、エッチング、剥離等のプロセスを含む。
【0107】
１つの例示的な実施例では、１回目のパターニングプロセスにより第１色の光学フィルタを形成し、第１色の光学フィルタの第１側に位置する第２色の光学フィルタは２回目のパターニングプロセスにより形成され、第２色の光学フィルタは第１色の光学フィルタを部分的に被覆し、第２色とカラーフィルム層の下のフィルム層との接触面積を減少させることができ、その後、３回目のパターニングプロセスにより第１色の光学フィルタの第２側に位置する第３色の光学フィルタを形成し、第３色の光学フィルタは第２色の光学フィルタを部分的に被覆し、第３色とカラーフィルム層の下のフィルム層との接触面積を減少させることができる。
【0108】
１つの例示的な実施例では、第１色の光学フィルタは緑（Ｇ）色光学フィルタであってもよく、第２色の光学フィルタは赤（Ｒ）色光学フィルタであってもよく、第３色の光学フィルタは青（Ｂ）色光学フィルタであってもよい。又は、第１色の光学フィルタは青色光学フィルタであってもよく、第２色の光学フィルタは緑色光学フィルタであってもよく、第３色の光学フィルタは赤色光学フィルタであってもよい。
【0109】
１つの例示的な実施例では、緑色光学フィルタの粘着性は赤色光学フィルタの粘着性及び青色光学フィルタの粘着性より大きい。
【0110】
第１色の光学フィルタが緑（Ｇ）色光学フィルタであってもよく、第２色の光学フィルタが赤（Ｒ）色光学フィルタであってもよく、第３色の光学フィルタが青（Ｂ）色光学フィルタであってもよい場合を例とし、粘着性の高い緑色光学フィルタは先に形成され、粘着性の低い赤色光学フィルタは後で形成され、且つ粘着性の低い赤色光学フィルタは粘着性の高い緑色光学フィルタを部分的に被覆し、そうすると、粘着性の低い赤色光学フィルタとカラーフィルム層の下のフィルム層との接触面積を減少させることができる。緑色光学フィルタ及び赤色光学フィルタの性質は類似し、緑色光学フィルタと赤色光学フィルタとの間の粘着力は、赤色光学フィルタとカラーフィルム層の下のフィルム層との間の粘着力より大きく、そうすると、赤色光学フィルタが緑色光学フィルタを完全に被覆しない状況に比べて、赤色光学フィルタが緑色光学フィルタを部分的に被覆することは、緑色光学フィルタ及び赤色光学フィルタ全体がカラーフィルム層の下のフィルム層から剥離する可能性を低下させることができる。また、赤色光学フィルタは粘着性が低いため、その流動性が高く、赤色光学フィルタの形成過程において、緑色光学フィルタ及び赤色光学フィルタ全体のそれらのオーバーラップ箇所での膜厚の均一性を向上させることができる。その後、粘着性の低い青色光学フィルタを形成し、且つ粘着性の低い青色光学フィルタは粘着性の高い緑色光学フィルタを部分的に被覆し、そうすると、粘着性の低い青色光学フィルタとカラーフィルム層の下のフィルム層との接触面積を減少させることができる。緑色光学フィルタ及び青色光学フィルタは性質が類似し、緑色光学フィルタと青色光学フィルタとの間の粘着力は、青色光学フィルタとカラーフィルム層の下のフィルム層との間の粘着力より大きく、そうすると、青色光学フィルタが緑色光学フィルタを完全に被覆しない状況に比べて、青色光学フィルタが緑色光学フィルタを部分的に被覆することは、緑色光学フィルタ及び青色光学フィルタ全体がカラーフィルム層の下のフィルム層から剥離する可能性を低下させることができる。また、青色光学フィルタは粘着性が低いため、その流動性が高く、青色光学フィルタの形成過程において、緑色光学フィルタ及び青色光学フィルタ全体のそれらのオーバーラップ箇所での膜厚の均一性を向上させることができる。
【0111】
１つの例示的な実施例では、異なる画素領域に位置する同一色の光学フィルタは、同一の製造プロセスにおいて形成される。
【0112】
１つの例示的な実施例では、図１に示すように、光学層４０は複数の光学素子４１を備え、光学フィルタ３１は光学素子４１に１対１で対応する。光学フィルタ３１のベース基板１０での正投影は対応の光学素子４１のベース基板１０での正投影を被覆し、且つ光学フィルタ３１のベース基板１０での投影面積は対応の光学素子４１のベース基板１０での投影面積より大きい。
【0113】
１つの例示的な実施例では、隣接する光学素子４１のベース基板１０での正投影に重複領域が存在せず、即ち隣接する光学素子の間にオーバーラップが存在せず、且つ間隔が存在する。
【0114】
１つの例示的な実施例では、複数の光学素子４１は間隔を置いて設置され、且つ行列状に配置される。同一行に位置する隣接する光学素子の間に間隔が存在し、隣接行の光学素子の間に間隔が存在する。
【0115】
１つの例示的な実施例では、隣接する光学素子間の間隔は、光学素子のベース基板に垂直な方向に沿う長さより小さく、且つ０．２マイクロメートル～０．４マイクロメートルである。
【0116】
１つの例示的な実施例では、光学素子４１のベース基板に垂直な方向に沿う長さは、前記光学素子のベース基板の延在方向に沿う長さより小さい。
【0117】
１つの例示的な実施例では、光学素子４１のベース基板に垂直な方向に沿う長さは１マイクロメートル～２マイクロメートルであり、光学素子のベース基板の延在方向に沿う長さは２～４マイクロメートルである。
【0118】
１つの例示的な実施例では、光学素子４１はレンズである。
【0119】
１つの例示的な実施例では、レンズの製造材料はフォトレジスト材料であってもよい。
【0120】
１つの例示的な実施例では、レンズは半球状であってもよく、光を集中できる他の形状であってもよい。
【0121】
１つの例示的な実施例では、光学層は表示領域に位置する。光学層は一部の外周領域に位置してもよく、それにより表示基板の表示効果を向上させる。
【0122】
１つの例示的な実施例では、外周領域に位置する光学層における光学素子の形状及びサイズは、表示領域に位置する光学層における光学素子の形状及びサイズに類似する。
【0123】
１つの例示的な実施例では、第１平坦層５０のベース基板に垂直な方向に沿う長さは０．３マイクロメートル～０．５マイクロメートルである。
【0124】
【0125】
【0126】
１つの例示的な実施例では、第２平坦層６０の製造材料は有機材料である。
【0127】
１つの例示的な実施例では、第２平坦層６０のベース基板に垂直な方向に沿う長さは０．３マイクロメートル～０．５マイクロメートルである。
【0128】
１つの例示的な実施例では、第１平坦層５０のベース基板に垂直な方向に沿う長さは、第２平坦層６０のベース基板に垂直な方向に沿う長さより大きい。
【0129】
１つの例示的な実施例では、第１平坦層５０のベース基板に垂直な方向に沿う長さは、光学素子４１のベース基板に垂直な方向に沿う長さより小さい。
【0130】
図３及び図４に示すように、第２電極の非平坦は第１電極によるもの以外に、横方向電流、横方向クロストークを遮断し、又は蒸着材料の均一性への影響を軽減するために設置された凹溝又は突起構造によるものでもある。発光構造層２０とカラーフィルム層３０との間に第２平坦層を設置することにより、カラーフィルム層を製造するときの各光学フィルタの均一性を確保することができ、表示基板の正常表示を確保することができる。
【0131】
【0132】
１つの例示的な実施例では、図３及び図４に示すように、表示基板は更に光学ベース基板層７０を備える。光学ベース基板層７０は第１平坦層５０と光学層４０との間に位置し、光学層４０を第１平坦層５０に粘着するように構成される。
【0133】
第１平坦層５０と光学層４０との間に位置する光学ベース基板層７０は、光学層が第１平坦層５０から脱落することを回避することができる。
【0134】
１つの例示的な実施例では、光学ベース基板層７０の製造材料は有機材料であってもよく、有機材料はポリ－Ｐ－キシレンであってもよい。
【0135】
光学ベース基板層７０は表示領域全体及び少なくとも一部の外周領域を被覆する。１つの例示的な実施例では、図３及び図４に示すように、光学ベース基板層７０は表示領域１００全体及び外周領域２００全体を被覆する。
【0136】
１つの例示的な実施例では、図３及び図４に示すように、表示基板は発光構造層２０の第２平坦層６０に近接する側に位置するパッケージ層８０を更に備える。パッケージ層８０は水蒸気と酸素を隔絶することに用いられ、それにより発光構造層を保護する。
【0137】
【0138】
１つの例示的な実施例では、パッケージ層８０は第１無機パッケージ層８１、第２無機パッケージ層８２及び第３有機パッケージ層８３を備える。第１無機パッケージ層８１は第２無機パッケージ層８２のベース基板１０に近接する側に位置し、第３有機パッケージ層８３は第２無機パッケージ層８２のベース基板１０から離れる側に位置する。
【0139】
１つの例示的な実施例では、第１無機パッケージ層８１の製造材料は窒化ケイ素を含んでもよい。第１無機パッケージ層は第２無機パッケージ層を製造する際に発光構造層を損傷することを回避することができる。第１無機パッケージ層８１は無機特性を有するため、優れたパッケージ特性を有するだけではなく、優れた第２電極との粘着性も有し、パッケージ層のパッケージ効果が確保される。
【0140】
１つの例示的な実施例では、第２無機パッケージ層８２の製造材料は酸化アルミニウムを含んでもよい。第２無機パッケージ層は、水蒸気と酸素が発光構造層に入ることを阻止することができ、発光構造層の耐用年数を延ばすことができる。
【0141】
１つの例示的な実施例では、第２無機パッケージ層８２の厚さは、第１無機パッケージ層８１の厚さより大きい。
【0142】
１つの例示的な実施例では、第３有機パッケージ層８３の製造材料はポリ－Ｐ－キシレンを含んでもよい。第３有機パッケージ層８３は有機特性を有するため、比較的優れた有機パッケージ特性を有するだけではなく、比較的優れた粒子（ｐａｒｔｉｃｌｅ）被覆能力も有し、フィルム層における粒子を良く被覆して、フィルム層を突き通すことを防止することができる。また、有機特性を有する材料は無機層間の応力を良く解放して、フィルム層には比較的大きな応力によりマイクロクラック又は剥離（ｐｅｅｌｉｎｇ）等の欠陥が生じることを防止することができる。第３有機パッケージ層８３は更に比較的優れた平坦特性を有し、比較的平坦なベース基板を後続のカラーフィルム層の製造に提供し、カラーフィルム層の製造プロセスの第２無機パッケージ層への損傷を防止することができる。
【0143】
１つの例示的な実施例では、第３有機パッケージ層８３及び光学ベース基板層７０の製造材料は同じであってもよい。
【0144】
１つの例示的な実施例では、図３及び図４に示すように、表示基板は更にカバープレート９０及び充填ゴム９１を備える。カバープレート９０は光学層４０のベース基板１０から離れる側に位置し、充填ゴム９１はカバープレート９０と光学層４０との間に充填される。
【0145】
１つの例示的な実施例では、カバープレート９０はガラスカバープレートであってもよく、光学層４０を外力による破損から保護することができる。
【0146】
１つの例示的な実施例では、カバープレート９０は表示領域１００全体及び外周領域２００全体を被覆する。
【0147】
１つの例示的な実施例では、図４に示すように、表示基板は更にシーラント９２を備える。カバープレート９０はシーラント９２によりベース基板１０に固定される。
【0148】
１つの例示的な実施例では、シーラント９３はベース基板１０とカバープレート９０との間に設置され、水蒸気と酸素の侵入を阻止するために保障を提供することができ、シリコン系ＯＬＥＤ表示基板の耐用年数を大幅に延ばす。他の例示的な実施形態では、シーラントはカバープレートの側面に設置されてもよく、カバープレートの周りの側面とベース基板との間がシーラントにより密封され、シーラントのベース基板から離れる側の端面は、カバープレートのベース基板に隣接する側の表面とカバープレートのベース基板から離れる側の表面との間に位置し、これにより、密封効果を確保することができるだけではなく、シーラントがカバープレートより高いことによる表示基板の厚さの増加を防止することもできる。
【0149】
１つの例示的な実施例では、図３に示すように、第１領域２００Ａは第１接続電極２１１、第１有機発光層２１２及び第２電極２３を備える。第１領域２００Ａは、第２電極２３のベース基板１０から離れる側に設置されるカラーフィルム層と、カラーフィルム層のベース基板から離れる側に設置される光学層とを更に備える。
【0150】
第１領域２００Ａに位置する第１接続電極２１１と表示領域１００に位置する第１電極２１は同一層に設置され、且つ同一の製造プロセスにより形成される。第１領域２００Ａに位置する第１有機発光層２１２と表示領域１００に位置する有機発光層２２は同一層に設置され、且つ同一の製造プロセスにより形成される。同一層に設置されることは、同一のフィルム層の表面に位置することを意味する。
【0151】
第１領域２００Ａに位置するカラーフィルム層における隣接する光学フィルタの間にはオーバーラップが存在する。第１領域２００Ａに位置するカラーフィルム層と表示領域に位置するカラーフィルム層は、同一の製造プロセスにより形成される。第１領域２００Ａに位置する光学層における隣接する光学素子の間には間隔が存在する。第１領域２００Ａに位置する光学層と表示領域１００に位置する光学層は、同一層に設置され、且つ同一の製造プロセスにより形成される。
【0152】
１つの例示的な実施例では、第１領域２００Ａは表示基板の表示均一性を確保することに用いられる。
【0153】
１つの例示的な実施例では、図３に示すように、第２領域２００Ｂはアレイ構造層、第２接続電極２２１、第２有機発光層２２２及び第２電極２３を備える。第２領域２００Ｂは、第２電極２３のベース基板１０から離れる側に設置されるカラーフィルム層を更に備える。
【0154】
第２領域２００Ｂに位置する第２接続電極２２１と表示領域１００に位置する第１電極２１は同一層に設置され、且つ同一の製造プロセスにより形成される。第２領域２００Ｂに位置する第２有機発光層２２２と表示領域１００に位置する有機発光層２２は同一層に設置され、且つ同一の製造プロセスにより形成される。
【0155】
第２領域２００Ｂに位置するカラーフィルム層における隣接する光学フィルタの間にはオーバーラップが存在する。第１領域２００Ａに位置する光学層と表示領域１００に位置する光学層は同一層に設置され、且つ同一の製造プロセスにより形成される。
【0156】
第１領域２００Ａ及び第２領域２００Ｂに位置する光学層における光学素子、及びカラーフィルム層に位置する光学フィルタは、表示領域１００に位置する光学素子及び光学フィルタの形状及びサイズとほぼ同じであり、図３は光学素子及び光学フィルタの設置位置を説明するためのものに過ぎず、光学素子及び光学フィルタのサイズ及び形状を制限するためのものではない。
【0157】
１つの例示的な実施例では、第２領域２００Ｂは表示領域１００の動作状況をアナログ検出することに用いられる。例えば、表示領域のデータを検出することに用いられる。
【0158】
１つの例示的な実施例では、第１領域２００Ａと表示領域１００との間に１つの遷移領域が含まれてもよい。遷移領域の構造は表示領域の画素構造及び光学フィルタ、光学素子等の構造と同じであり、光学機械の位置合わせ精度に適応することに用いられ、光学位置合わせにずれが生じた場合、遷移領域の画素を駆動して表示させることにより補償を行う。
【0159】
１つの例示的な実施例では、表示領域の第１領域２００Ａに近接する一回りの領域は遷移領域である。遷移領域の構造は表示領域の画素構造及び光学フィルタ、光学素子等の構造と同じであり、光学機械の位置合わせ精度に適応することに用いられ、光学位置合わせにずれが生じた場合、遷移領域の画素を駆動して表示させることにより補償を行う。１つの例示的な実施例では、遷移領域の画素の駆動回路及び信号入力（例えば、タイミング）と表示領域内部（例えば、中心領域）画素の駆動回路及び信号入力（例えば、タイミング）は異なってもよい。
【0160】
１つの例示的な実施例では、カラーフィルム層３０は、表示領域１００に位置するカラーフィルム層と、第１領域に位置するカラーフィルム層と、第２領域に位置するカラーフィルム層とを含む。カラーフィルム層３０の境界は第２領域に位置する。
【0161】
１つの例示的な実施例では、光学層４０は表示領域に位置する光学層と、第１領域に位置する光学層と、第２領域に位置する光学層とを含む。光学層４０の境界は第２領域２００Ｂに位置する。
【0162】
１つの例示的な実施例では、図３に示すように、第３領域２００Ｃは複数の第３接続電極２３１、第２電極２３、及び第２領域２００Ｂに近接する一部の第３接続電極２３１における第３有機発光層２３２を備える。
【0163】
第３領域２００Ｃに位置する第３接続電極２３１と表示領域１００に位置する第１電極２１は、同一層に設置され、且つ同一の製造プロセスにより形成される。第３領域２００Ｃに位置する第３有機発光層２３２と表示領域１００に位置する有機発光層２２は、同一層に設置され、且つ同一の製造プロセスにより形成される。
【0164】
１つの例示的な実施例では、有機発光層は、表示領域に位置する有機発光層２２と、第１領域に位置する第１有機発光層２１２と、第２領域に位置する第２有機発光層２２２と、第３領域に位置する第３有機発光層２３２とを含む。有機発光層の境界は第３領域２００Ｃに位置する。
【0165】
【0166】
１つの例示的な実施例では、図３及び図４に示すように、第４領域２００Ｄは、給電電極２４１、補助電極２４２、第４接続電極２４３及び第２電極２３を備える。補助電極２４２は第１導電性ピラーによって給電電極２４１に接続され、第４接続電極２４３は第２導電性ピラーによって補助電極２４２に接続され、第４接続電極２４３は第２電極２３に直接重ね接続される。給電電極２４１は第１導電性ピラー、補助電極２４２、第２導電性ピラー及び第４接続電極２４３によって第２電極２３に給電する。
【0167】
第４接続電極２４３と第２電極２３は直接接触し、他のフィルム層が存在しない。
【0168】
１つの例示的な実施例では、第４領域２００Ｄに位置する給電電極２４１と表示領域に位置するアレイ構造層におけるＣＭＯＳのソース／ドレイン電極は、同一層に設置され、且つ同一の製造プロセスにより形成される。第４領域２００Ｄに位置する補助電極２４２と表示領域に位置するアレイ構造層における反射電極１４は、同一層に設置され、且つ同一の製造プロセスにより形成される。第４領域２００Ｄに位置する第４接続電極２４３と表示領域に位置する第１電極２１は、同一層に設置され、且つ同一の製造プロセスにより形成される。
【0169】
１つの例示的な実施例では、第２電極２３はビアによって第４接続電極２４３に接続されてもよく、そうすると、第４接続電極２４３と補助電極２４２により、第２電極２３と給電電極２４１との間の導電チャンネルが形成される。給電電極２４１の提供する電圧信号は、該導電チャンネルを介して第２電極２３に伝送される。導電チャンネルは陰極ループ構造と称される。
【0170】
１つの例示的な実施例では、陰極ループは外周領域に位置する環状構造であり、表示領域を取り囲む導電チャンネルであり、それにより第２電極への給電を実現する。
【0171】
１つの例示的な実施例では、第２電極２３は表示領域全体及び一部の外周領域を被覆する。
【0172】
１つの例示的な実施例では、図３に示すように、第５領域２００Ｅは第５接続電極２５１を備える。
【0173】
１つの例示的な実施例では、第５領域２００Ｅに位置する第５接続電極２５１と表示領域１００に位置する第１電極２１は、同一層に設置され、且つ同一の製造プロセスにより形成される。
【0174】
１つの例示的な実施例では、第２電極２３の境界は第５領域２００Ｅに位置する。
【0175】
【0176】
画素定義層２４は表示領域及び外周領域に位置する。表示領域に位置する画素定義層は各サブ画素領域を限定することに用いられる。外周領域に位置する画素定義層は、表示領域１００に位置する第１電極２１と同一層に設置される隣接電極を仕切ることに用いられる。
【0177】
１つの例示的な実施例では、画素定義層２４の製造材料はポリイミド、アクリル又はポリエチレンテレフタレートであってもよい。
【0178】
１つの例示的な実施例では、図４に示すように、ボンディング領域３００はボンディング電極３０１及びボンディングパッド３０２を備える。
【0179】
１つの例示的な実施例では、ボンディング領域３００に位置するボンディング電極３０１と表示領域に位置するアレイ構造層におけるＣＭＯＳのソース／ドレイン電極は、同一層に設置され、且つ同一の製造プロセスにより形成される。
【0180】
図８は本開示の実施例に係る表示基板の製造方法のフローチャートである。図８に示すように、本開示の実施例は上記いずれか１つの実施例に係る表示基板を製造することに用いられる表示基板の製造方法を更に提供し、本開示の実施例に係る表示基板の製造方法は、
ベース基板に発光構造層を形成するステップＳ１００と、
発光構造層のベース基板から離れる側にカラーフィルム層を形成するステップＳ２００と、
カラーフィルム層のベース基板から離れる側に第１平坦層を形成するステップＳ３００と、
第１平坦層のベース基板から離れる側に光学層を形成するステップＳ４００と、を含む。
ベース基板に発光構造層を形成するステップＳ１００と、
発光構造層のベース基板から離れる側にカラーフィルム層を形成するステップＳ２００と、
カラーフィルム層のベース基板から離れる側に第１平坦層を形成するステップＳ３００と、
第１平坦層のベース基板から離れる側に光学層を形成するステップＳ４００と、を含む。
【0181】
１つの例示的な実施例では、表示基板は表示領域、外周領域及びボンディング領域を備え、外周領域は、ベース基板の表示領域から外周領域までの延在方向に沿って順次配置される第１領域～第５領域を備える。
【0182】
本開示の実施例に係る表示基板の製造方法は上記いずれか１つの実施例に係る表示基板を製造することに用いられ、その実現原理及び実現効果が類似するため、ここで詳細な説明は省略する。
【0183】
１つの例示的な実施例では、ステップＳ１００は、ベース基板にアレイ構造層を形成することと、アレイ構造層のベース基板から離れる側に第１電極を形成することと、第１電極が形成されるアレイ構造層のベース基板から離れる側に画素定義層を形成することと、画素定義層が形成されるアレイ構造層のベース基板から離れる側に有機発光層及び第２電極を順次形成することと、を含む。
【0184】
１つの例示的な実施例では、ベース基板は、表示領域及び第２領域に位置するＣＭＯＳと、第４領域に位置する給電電極と、ボンディング領域に位置するボンディング電極とを備える。
【0185】
ベース基板にアレイ構造層を形成することは、ベース基板に表示領域全体及び外周領域全体を被覆し且つビアを備える第１絶縁層を形成することと、第１絶縁層のビアに第１導電性ピラーを形成することと、第１絶縁層に表示領域及び第２領域に位置する反射電極及び第４領域に位置する補助電極を形成することと、反射電極及び補助電極が形成される第１絶縁層に表示領域全体及び外周領域全体を被覆し且つビアを備える第２絶縁層を形成することと、第２絶縁層のビアに第２導電性ピラーを形成することと、を含む。
【0186】
１つの例示的な実施例では、第１絶縁層のビア及び第２絶縁層のビアは、表示領域、第２領域及び第４領域に位置する。
【0187】
１つの例示的な実施例では、アレイ構造層のベース基板から離れる側に第１電極を形成することは、アレイ構造層のベース基板から離れる側に、表示領域に位置する第１電極、第１領域に位置する第１接続電極、第２領域に位置する第２接続電極、第３領域に位置する第３接続電極、第４領域に位置する第４接続電極、及び第５領域に位置する第５接続電極を形成することを含む。
【0188】
１つの例示的な実施例では、第１電極が形成されるアレイ構造層のベース基板から離れる側に画素定義層を形成することは、第１電極が形成されるアレイ構造層に、表示領域及び外周領域に位置する画素定義層を形成することを含む。
【0189】
１つの例示的な実施例では、画素定義層が形成されるアレイ構造層のベース基板から離れる側に有機発光層及び第２電極を順次形成することは、画素定義層が形成されるアレイ構造層のベース基板から離れる側に、表示領域に位置する有機発光層、第１領域に位置する第１有機発光層、第２領域に位置する第２有機発光層、及び第３領域に位置する第３有機発光層を形成することと、有機発光層が形成されるアレイ構造層のベース基板から離れる側に、表示領域、第１領域、第２領域、第３領域、第４領域及び一部の第５領域に位置する第２電極を形成することと、を含む。
【0190】
１つの例示的な実施例では、ステップＳ２００は、発光構造層のベース基板から離れる側にパッケージ層を形成することと、パッケージ層のベース基板から離れる側に第２平坦層を形成することと、第２平坦層のベース基板から離れる側にカラーフィルム層を形成することと、を含む。
【0191】
１つの例示的な実施例では、発光構造層のベース基板から離れる側にパッケージ層を形成することは、発光構造層のベース基板から離れる側に第１無機パッケージ層、第２無機パッケージ層及び第３有機パッケージ層を順次形成して、これにより、パッケージ層を形成することを含む。
【0192】
１つの例示的な実施例では、第２平坦層のベース基板から離れる側にカラーフィルム層を形成することは、第２平坦層に表示領域、第１領域及び第２領域に位置する、アレイ状に配列される光学フィルタを備えるカラーフィルム層を形成することを含む。
【0193】
１つの例示的な実施例では、ステップＳ４００は、第１平坦層のベース基板から離れる側に光学ベース基板層を形成することと、光学ベース基板層のベース基板から離れる側に光学層を形成することと、を含む。
【0194】
１つの例示的な実施例では、光学ベース基板層のベース基板から離れる側に光学層を形成することは、光学ベース基板層のベース基板から離れる側にフォトレジストフィルムをコーティングすることと、フォトリソグラフィプロセスによりフォトレジストフィルムを処理して、初期光学層を形成することと、初期光学層に対して焼付処理を行い、フォトレジストフィルムの自然流動により複数の光学デバイスを備える光学層を形成することと、を含む。
【0195】
１つの例示的な実施例では、フォトリソグラフィプロセスによりフォトレジストフィルムを処理することは、マスクを用いてフォトレジストフィルムを露光して、フォトレジストフィルムに露光領域及び非露光領域を含ませることと、マスクを除去し、フォトレジストフィルムを現像して、露光領域に位置するフォトレジストフィルムを除去することと、を含む。
【0196】
１つの例示的な実施例では、画素定義層のベース基板での正投影は前記露光領域のベース基板での正投影を被覆し、露光領域の幅は隣接する２つの光学デバイス間の間隔より小さい。
【0197】
図９は例示的な実施例に係るマスクの部分上面図であり、図１０は図９のＣ－Ｃ方向に沿う断面図である。図９及び図１０に示すように、マスクは透光エリアＡ及び非透光エリアＢを備える。マスクを用いてフォトレジストフィルムを露光した後、透光エリアは露光後のフォトレジストフィルムの露光領域に対応し、非透光エリアは露光後のフォトレジストフィルムの非露光領域に対応する。
【0198】
１つの例示的な実施例では、マスクの透光エリアＡは網状構造であり、非透光エリアＢは行列状に配置される複数のブロック状の非透光領域を備え、各非透光領域は表示領域のサブ画素に１対１で対応する。非透光エリアＢは表示領域におけるサブ画素の境界に位置する。
【0199】
１つの例示的な実施例では、カラーフィルム層のベース基板から離れる側に光学層を形成した後、表示基板の製造方法は、光学層のベース基板から離れる側に充填ゴムをコーティングすることと、充填ゴムにカバープレートを貼合することと、を更に含む。
【0200】
１つの例示的な実施例では、充填ゴムにカバープレートを貼合した後、表示基板の製造方法は、カバープレートとベース基板との間にシーラントを形成することを更に含む。
【0201】
【0202】
ステップＳ１、図１１に示すように、ベース基板１０を提供する。
【0203】
ベース基板１０には、表示領域１００及び第２領域２００Ｂに位置するトランジスタ１１の活性層、第４領域２００Ｄに位置する給電電極２４１、及びボンディング領域に位置するボンディング電極（図示せず）のベース基板１０が設置される。
【0204】
ステップＳ２、図１２に示すように、ベース基板１０に第１絶縁層１２を形成し、第１絶縁層１２のビアに第１導電性ピラー１３を形成し、第１絶縁層１２に表示領域１００及び第２領域２００Ｂに位置する反射電極１４及び第４領域２００Ｄに位置する補助電極２４２を形成し、反射電極１４及び補助電極２４２が形成される第１絶縁層１２に第２絶縁層１５を形成し、第２絶縁層１５のビアに第２導電性ピラー１６を形成し、これによりアレイ構造層を形成する。
【0205】
ステップＳ３、図１３に示すように、アレイ構造層に表示領域１００に位置する第１電極２１、第１領域２００Ａに位置する第１接続電極２１１、第２領域２００Ｂに位置する第２接続電極２２１、第３領域２００Ｃに位置する第３接続電極２３１、第４領域２００Ｄに位置する第４接続電極２４３、及び第５領域２００Ｅに位置する第５接続電極２５１を形成する。
【0206】
ステップＳ４、図１４に示すように、第１電極２１が形成されるアレイ構造層に画素定義層２４を形成する。画素定義層が形成されるアレイ構造層に表示領域１００に位置する有機発光層２２、第１領域２００Ａに位置する第１有機発光層２１２、第２領域２００Ｂに位置する第２有機発光層２２２、及び第３領域２００Ｃに位置する第３有機発光層２３２を形成する。有機発光層が形成されるアレイ構造層に、表示領域１００、第１領域２００Ａ、第２領域２００Ｂ、第３領域２００Ｃ、第４領域２００Ｄ及び一部の第５領域２００Ｅに位置する第２電極２３を形成する。
【0207】
ステップＳ５、図１５に示すように、第２電極２３に、表示領域１００全体及び外周領域２００全体を被覆し且つ第１無機パッケージ層８１、第２無機パッケージ層８２及び第３有機パッケージ層８３を備えるパッケージ層８０を形成する。
【0208】
ステップＳ６、図１６に示すように、パッケージ層８０に表示領域１００全体及び外周領域２００全体を被覆する第２平坦層６０を形成する。
【0209】
ステップＳ７、図１７に示すように、第２平坦層６０に、表示領域１００、第１領域２００Ａ及び第２領域２００Ｂに位置するカラーフィルム層３０を形成し、カラーフィルム層３０に第１平坦層５０を形成する。
【0210】
ステップＳ８、図１８に示すように、第１平坦層５０に表示領域１００全体及び外周領域２００全体を被覆する光学ベース基板層７０を形成する。
【0211】
ステップＳ９、図１９に示すように、光学ベース基板層７０にフォトレジストフィルム４００Ａをコーティングする。
【0212】
ステップＳ１０、図２０に示すように、マスクＭを用いてフォトレジストフィルム４００Ａを露光して、フォトレジストフィルムに露光領域及び非露光領域を含ませる。
【0213】
ステップＳ１１、図２１に示すように、マスクを除去し、フォトレジストフィルム４００Ａを現像し、露光領域に位置するフォトレジストフィルムを除去して、初期光学層４１０を形成する。
【0214】
ステップＳ１２、図２２に示すように、初期光学層４１０に対して焼付処理を行い、フォトレジストフィルムの自然流動により複数の光学デバイスを備える光学層４０を形成する。
【0215】
ステップＳ１３、図３に示すように、光学層４０のベース基板１０から離れる側に充填ゴム９１をコーティングし、充填ゴム９１にカバープレート９０を貼合し、カバープレート９０とベース基板１０との間にシーラント（図示せず）を形成する。
【0216】
本開示の実施例は上記いずれか１つの実施例に係る表示基板を備える表示装置を更に提供する。
【0217】
１つの例示的な実施例では、表示装置はＶＲ機器又はＡＲ機器を備える。
【0218】
本開示の図面は本開示の実施例に関わる構造のみに関し、他の構造については通常の設計を参照してもよい。
【0219】
明瞭のために、本開示の実施例を説明するための図面において、層又は微細構造の厚さ及びサイズが拡大される。理解されるように、層、フィルム、領域又は基板等の素子が他の素子の「上」又は「下」に位置すると呼ばれる場合、該素子は「直接に」他の素子の「上」又は「下」に位置してもよく、又は中間素子が存在してもよい。
【0220】
以上は本開示に開示される実施形態であって、本開示を理解しやすくするために用いた実施形態に過ぎず、本開示を制限するためのものではない。当業者であれば、本開示に開示される趣旨や範囲を逸脱せずに、実施形態及び細部に対していかなる修正や変更を行うことができるが、本開示の特許保護範囲は依然として添付の特許請求の範囲に限定される範囲に準じるべきである。
【符号の説明】
【0221】
１０ ベース基板
１１ トランジスタ
１２ 第１絶縁層
１３ 第１導電性ピラー
１４ 反射電極
１５ 第２絶縁層
１６ 第２導電性ピラー
２０ 発光構造層
２１ 第１電極
２２ 有機発光層
２３ 第２電極
２４ 画素定義層
３０ カラーフィルム層
３１ 光学フィルタ
４０ 光学層
４１ 光学素子
５０ 第１平坦層
６０ 第２平坦層
７０ 光学ベース基板層
８０ パッケージ層
８１ 第１無機パッケージ層
８２ 第２無機パッケージ層
８３ 第３有機パッケージ層
９０ カバープレート
９１ 充填ゴム
９２ シーラント
１００ 表示領域
１００Ａ サブ画素
１００Ｂ サブ画素
１００Ｃ サブ画素
１０１ 画素駆動回路
１０２ 発光デバイス
１１０ 電圧制御回路
２００ 外周領域
２００Ａ 第１領域
２００Ｂ 第２領域
２００Ｃ 第３領域
２００Ｄ 第４領域
２００Ｅ 第５領域
２１１ 第１接続電極
２１２ 第１有機発光層
２２１ 第２接続電極
２２２ 第２有機発光層
２３１ 第３接続電極
２３２ 第３有機発光層
２４１ 給電電極
２４２ 補助電極
２４３ 第４接続電極
２５１ 第５接続電極
３００ ボンディング領域
３０１ ボンディング電極
３０２ ボンディングパッド
３３１ 第１発光サブ層
３３２ 第１電荷発生層
３３３ 第２発光サブ層
３３４ 第２電荷発生層
３３５ 第３発光サブ層
３３１１ 第１正孔輸送層（ＨＴＬ）
３３１２ 第１発光材料層（ＥＭＬ）
３３１３ 第１電子輸送層（ＥＴＬ）
３３３１ 第２正孔輸送層
３３３２ 第２発光材料層
３３３３ 第２電子輸送層
３３５１ 第３正孔輸送層
３３５２ 第３発光材料層
３３５３ 第３電子輸送層
４００Ａ フォトレジストフィルム
４１０ 初期光学層
Ｃ１ 第１光学フィルタ
Ｃ２ 第２光学フィルタ
Ｃ１１ 第１光学フィルタ部
Ｃ１２ 第２光学フィルタ部
Ｃ１３ 第３光学フィルタ部
Ｔ１ 第１厚さ
Ｔ２ 第２厚さ
Ｄ 差分
Ｈ１ 第１距離
Ｈ２ 第２距離
ＶＤＤ 第１電源信号
ＶＳＳ 第２電源信号
Ｖｉｎｉｔ 初期化信号
ＲＥ リセット制御信号
ＥＭ 発光制御信号
Ｍ０ 駆動トランジスタ
Ｍ１ 第１トランジスタ
Ｍ２ 第２トランジスタ
Ｍ３ 第３トランジスタ
Ｍ４ 第４トランジスタ
Ｃｓｔ 蓄電コンデンサ
Ｓ 第１極
Ｄ 第２極
Ｇ 制御電圧
Ｓ１ 第１制御電極走査信号
Ｓ２ 第２制御電極走査信号
ＤＡ データ信号
ＧＮＤ 接地端子
１１ トランジスタ
１２ 第１絶縁層
１３ 第１導電性ピラー
１４ 反射電極
１５ 第２絶縁層
１６ 第２導電性ピラー
２０ 発光構造層
２１ 第１電極
２２ 有機発光層
２３ 第２電極
２４ 画素定義層
３０ カラーフィルム層
３１ 光学フィルタ
４０ 光学層
４１ 光学素子
５０ 第１平坦層
６０ 第２平坦層
７０ 光学ベース基板層
８０ パッケージ層
８１ 第１無機パッケージ層
８２ 第２無機パッケージ層
８３ 第３有機パッケージ層
９０ カバープレート
９１ 充填ゴム
９２ シーラント
１００ 表示領域
１００Ａ サブ画素
１００Ｂ サブ画素
１００Ｃ サブ画素
１０１ 画素駆動回路
１０２ 発光デバイス
１１０ 電圧制御回路
２００ 外周領域
２００Ａ 第１領域
２００Ｂ 第２領域
２００Ｃ 第３領域
２００Ｄ 第４領域
２００Ｅ 第５領域
２１１ 第１接続電極
２１２ 第１有機発光層
２２１ 第２接続電極
２２２ 第２有機発光層
２３１ 第３接続電極
２３２ 第３有機発光層
２４１ 給電電極
２４２ 補助電極
２４３ 第４接続電極
２５１ 第５接続電極
３００ ボンディング領域
３０１ ボンディング電極
３０２ ボンディングパッド
３３１ 第１発光サブ層
３３２ 第１電荷発生層
３３３ 第２発光サブ層
３３４ 第２電荷発生層
３３５ 第３発光サブ層
３３１１ 第１正孔輸送層（ＨＴＬ）
３３１２ 第１発光材料層（ＥＭＬ）
３３１３ 第１電子輸送層（ＥＴＬ）
３３３１ 第２正孔輸送層
３３３２ 第２発光材料層
３３３３ 第２電子輸送層
３３５１ 第３正孔輸送層
３３５２ 第３発光材料層
３３５３ 第３電子輸送層
４００Ａ フォトレジストフィルム
４１０ 初期光学層
Ｃ１ 第１光学フィルタ
Ｃ２ 第２光学フィルタ
Ｃ１１ 第１光学フィルタ部
Ｃ１２ 第２光学フィルタ部
Ｃ１３ 第３光学フィルタ部
Ｔ１ 第１厚さ
Ｔ２ 第２厚さ
Ｄ 差分
Ｈ１ 第１距離
Ｈ２ 第２距離
ＶＤＤ 第１電源信号
ＶＳＳ 第２電源信号
Ｖｉｎｉｔ 初期化信号
ＲＥ リセット制御信号
ＥＭ 発光制御信号
Ｍ０ 駆動トランジスタ
Ｍ１ 第１トランジスタ
Ｍ２ 第２トランジスタ
Ｍ３ 第３トランジスタ
Ｍ４ 第４トランジスタ
Ｃｓｔ 蓄電コンデンサ
Ｓ 第１極
Ｄ 第２極
Ｇ 制御電圧
Ｓ１ 第１制御電極走査信号
Ｓ２ 第２制御電極走査信号
ＤＡ データ信号
ＧＮＤ 接地端子
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【国際調査報告】