特表 2023-528719 カーボンナノチューブを用いたメモリを有する光学的に可能なサーバ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2023-07-06

(54)【発明の名称】カーボンナノチューブを用いたメモリを有する光学的に可能なサーバ

(51)【国際特許分類】

   G06F 1/18 20060101AFI20230629BHJP

   G06F 1/16 20060101ALI20230629BHJP

   H05K 7/00 20060101ALI20230629BHJP

【ＦＩ】

G06F1/18 A

G06F1/16 312M

G06F1/16 312B

H05K7/00 E

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2022554310

(86)(22)【出願日】2021-03-06

(85)【翻訳文提出日】2022-11-07

(86)【国際出願番号】 US2021021268

(87)【国際公開番号】W WO2021183399

(87)【国際公開日】2021-09-16

(31)【優先権主張番号】62/986,716

(32)【優先日】2020-03-08

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】504022618

【氏名又は名称】ナンテロ，インク．

(74)【代理人】

【識別番号】100118902

【弁理士】

【氏名又は名称】山本 修

(74)【代理人】

【識別番号】100106208

【弁理士】

【氏名又は名称】宮前 徹

(74)【代理人】

【識別番号】100196508

【弁理士】

【氏名又は名称】松尾 淳一

(72)【発明者】

【氏名】リッジリー，リチャード・ダレル

【テーマコード（参考）】

4E352

【Ｆターム（参考）】

4E352AA08

4E352BB07

4E352DD10

4E352GG30

(57)【要約】

実施形態は、カーボンナノチューブを用いた不揮発性メモリを使用することに基づいており、さらにハードドライブおよび／またはソリッドステートドライブを省く、光学的に可能なサーバの設計に関する。開示される光学的に可能なサーバは、銅を用いたインターコネクトの代わりに、高速光インターコネクトを介して、互いに接続された複数のブレードサーバを収容する。いくつかの実施形態では、高速光インターコネクトは、光インターフェースが複数の波長の光を使用して生成された光信号を（複数のブレードサーバと１つまたは複数の外部デバイスとの間で）ルーティングするための光経路を提供するように、入出力インターコネクトモジュール内に含まれた電気メザニンコネクタをブレードサーバのマザーボード上に配置された対応メザニンスロットと接合することによって生成された光インターフェースを含む。いくつかの実施形態では、開示される設計は有利には、単一の従来の光ブレードエッジサーバの１００倍の速度の利点と、同一サイズの標準的なＤＤＲ４同期型ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＳＤＲＡＭ）メモリの３倍のエネルギー節約とを提供する。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

高密度高速光サーバであって、
複数のブレードサーバを囲む筐体であって、各ブレードサーバは、ソフトエラーを免れて、リフレッシュ、リブート、チェックポイントおよび再起動動作を無くすように構成された複数のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を用いた不揮発性メモリモジュールを備え、前記ＣＮＴを用いた不揮発性メモリモジュールの使用は、ハードドライブおよびソリッドステートドライブの一方または双方の使用を無くすことを含む、筐体と、
ブレードサーバ毎に光入力および出力を提供し、前記複数のブレードサーバと１つまたは複数の外部デバイスとの間で光信号をルーティングするための光経路を提供するように構成された前記筐体の後方部分に配置される複数の入出力インターコネクトモジュール（ＩＣＭ）であって、前記光信号は複数の波長の光を使用して生成される、複数の入出力インターコネクトモジュール（ＩＣＭ）と
を備え、前記複数のブレードサーバのうちのブレードサーバは、光インターフェースが前記光信号をルーティングするための前記光経路を提供するように、光ネットワークアダプタモジュール内に含まれる電気メザニンコネクタを前記ブレードサーバのマザーボード上に配置された対応メザニンスロットと接合することによって生成された前記光インターフェースを介して前記複数のＩＣＭのうちの少なくとも１対に接続される、光サーバ。

【請求項2】

請求項１に記載の光サーバであって、
前記電気メザニンコネクタを前記対応メザニンスロットと接合することにより生成された前記光インターフェースに基づいた高速光学データ通信のために、電気信号の光信号への変換を可能とする前記光ネットワークアダプタモジュールであって、前記光ネットワークアダプタモジュールは、前記ブレードサーバ内での前記光ネットワークアダプタモジュールの配置を可能とするフォームファクタを有する、前記光ネットワークアダプタモジュール
をさらに備えた光サーバ。

【請求項3】

請求項１に記載の光サーバであって、前記複数のＩＣＭは、１００Ｇｂｐｓまたは２００Ｇｂｐｓのいずれかのデータレートでのデータ転送をサポートするポートのセットを含む、光サーバ。

【請求項4】

請求項３に記載の光サーバであって、前記ＣＮＴを用いた不揮発性メモリモジュールは、サーバ、デスクトップおよびＰＣのためのＩＡＷ ＪＥＤＥＣ ＤＤＲ４またはＤＤＲ５仕様に準拠する、光サーバ。

【請求項5】

請求項３に記載の光サーバであって、前記複数のＩＣＭが１００Ｇｂｐｓのデータレートまたは２００Ｇｂｐｓのデータレートのいずれかをサポートするように、前記複数のＩＣＭは少なくとも４つの（４）ＩＣＭを含む、光サーバ。

【請求項6】

請求項１に記載の光サーバであって、前記複数のブレードサーバは、前記筐体内の少なくとも２つの列に配置され、ブレードサーバの第１のセットは第１の列に含まれ、ブレードサーバの第２のセットは第２の列に含まれる、光サーバ。

【請求項7】

請求項６に記載の光サーバであって、ブレードサーバの前記第１のセットおよびブレードサーバの前記第２のセットは、それぞれ、６つのブレードサーバを含む、光サーバ。

【請求項8】

請求項１に記載の光サーバであって、前記ＣＮＴを用いた不揮発性メモリモジュールは、前記ブレードサーバの前記マザーボード上に配置されたデュアルインラインメモリモジュール（ＤＩＭＭ）スロットに挿入される、光サーバ。

【請求項9】

請求項１に記載の光サーバであって、前記（ＣＮＴ）を用いた不揮発性メモリモジュールは、１２８ＧＢ、２５６ＧＢ、または、５１２ＧＢの記憶容量を備える、光サーバ。

【請求項10】

請求項１に記載の光サーバであって、前記複数のＣＮＴを用いた不揮発性メモリモジュールは、フライバイトポロジにしたがって設計され、それぞれのＣＮＴを用いた不揮発性メモリモジュール上のクロック、制御、コマンド、および、アドレスのピンは、単一のトレースに接続されて、終端される、光サーバ。

【請求項11】

請求項１に記載の光サーバであって、前記光サーバは、前記複数のＣＮＴを用いた不揮発性メモリモジュールのＣＮＴの１つまたは複数の特性に基づいて電離放射線に影響されない、光サーバ。

【請求項12】

請求項１に記載の光サーバであって、前記光サーバは、前記光サーバの内部にレイヤ２Ｅａｓｔ－Ｗｅｓｔデータトラフィックのための光相互接続を含み、銅を用いた相互接続の使用を無くす、光サーバ。

【請求項13】

請求項１に記載の光サーバであって、前記光サーバは、摂氏８０°以下の周囲温度で動作するように構成される、光サーバ。

【請求項14】

請求項１に記載の光サーバであって、前記複数のＣＮＴを用いた不揮発性メモリモジュールは、電離放射線の影響を受けない、光サーバ。

【請求項15】

請求項１に記載の光サーバであって、前記１つまたは複数の外部デバイスは、光スイッチと、高速光ネットワークとを含む、光サーバ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
[0001]本出願は、２０２０年３月８日に出願された米国仮特許出願第６２／９８６，７１６号に対して優先権を主張するものであり、全体として参照により本明細書に組み込まれる。

【0002】

[0002]本開示は、高密度、高効率で、光学的に可能なサーバと、そこに含まれる構成要素に関する。詳しくは、開示される実施形態は、光学的に可能なブレードサーバの設計においてカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を利用する。

【背景技術】

【0003】

[0003]大きなデータを取り扱うビジネスは、一般に、そのデータを整理して処理するために、より高い計算能力およびメモリを必要とする。また、大量のデータを処理するビジネスは、特定の処理タスクを実行するように構成され得る、高性能、低コストのコンピューティングモジュールを使用する。これらの要件は、複数のコンピューティングモジュールまたはブレードサーバの集約および／または統合に関係した技術の出現につながってきた。ブレードサーバは、高密度データストレージなど、特定のデータ処理タスクのために設計された自立型のコンピューティングデバイスである。通常、ブレードサーバは、マザーボードと呼ばれることが多い単一のプリント回路基板（ＰＣＢ）に搭載された少なくとも２つのプロセッサおよびソリッドステートメモリを含む。複数のブレードサーバがブレードエンクロージャ内に収容される。ブレードエンクロージャは、電源、冷却ファン、電力接続、光ネットワークデータ相互接続、およびブレードサーバと通信する周辺Ｉ／Ｏデバイスを含み得る。多くの場合、データセンタは、ラック内に配置されたブレードサーバとそれらの関連エンクロージャとを含み得る。各ラックにおける密度を高めて、ケーブルの長さを短くすることによって、データセンタは、数百または数千のブレードサーバを収容することができ、ハイパースケールデータセンタと呼ばれる。

【発明の概要】

【0004】

ただし、従来のブレードサーバは、いくつかの課題に直面している。例えば、個々のブレードに対するブレードエンクロージャによって提供されるネットワークデータ相互接続は、非常に遅く、現在のビジネスニーズを満たすために必要とされる最適な高速光データレートを提供できていない。さらに、ブレードサーバに含まれる高速揮発性メモリは、相当な量の電力を消費し、これは熱散逸のための冷却ユニットの設置を必要とし、機器コストの追加と動作効率の減少につながる。

【図面の簡単な説明】

【0005】

[0004]添付図面は、本明細書に記載の原理の様々な実施形態を図示するものであり、本明細書の一部である。図示される実施形態は例に過ぎず、特許請求の範囲を限定しない。

【図1】[0005]個別の光ブレードサーバが実装された例示的なブレードエンクロージャの透視正面図である。

【図2】[0006]ファン、電源、光インターコネクトのモジュールが実装された例示的なブレードエンクロージャの透視背面図である。

【図3】[0007]例示的な光ブレードサーバの詳細を示す図である。

【図4】[0008]例示的な高速光インターコネクトモジュール（ＩＣＭ）の詳細を示す図である。

【図5】[0009]光ブレードサーバ内に含まれる高速光ネットワークアダプタモジュールの一例を示す図である。

【図6】[0010]不揮発性ＣＮＴを用いたメモリチップ内のカーボンナノチューブメモリセルに基づく不揮発性メモリモジュールを示す図である。

【図7】[0011]図２に示されるエンクロージャの後部に配置される光学的に可能なミッドプレーンおよびＩＣＭと、図１に示されるエンクロージャの前部の光ブレードサーバとの間の例示的な高速データフローを示す図である。

【図8】[0012]光ネットワークアダプタモジュール内に含まれた例示的なメザニンコネクタを示す図である。

【図9】[0013]エンクロージャ内の光ネットワークアダプタモジュール入力および出力と光学的に可能なミッドプレーンとの間の例示的な相互接続を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0006】

[0014]本技術の実施形態は、高密度、高効率で、光学的に可能なサーバと、そこに含まれる構成要素の設計に関する。開示される実施形態によれば、光学的に可能なサーバは、従来の揮発性のシリコンを用いたトランジスタおよびコンデンサのダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）の代わりに、不揮発性カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を用いたメモリモジュールを備える複数のブレードサーバを含み得る。従来の揮発性のシリコンを用いたメモリをカーボンナノチューブを用いた不揮発性メモリと置き換えることによって、結果として、同一の容量の標準的なＤＤＲ４同期型ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＳＤＲＡＭ）メモリの少なくとも３倍のエネルギー節約が実現する。さらに、小型ＣＮＴは、メモリの処理密度の改善を可能とする。例えば、１４ｎｍのフォトリソグラフィを使用した場合、１６ギガバイトから１２８ギガバイトの間の範囲の記憶容量を有するＣＮＴメモリチップが得られる。高密度、高効率で、光学的に可能なサーバ（光サーバとして知られる）は、外部光ネットワークを介して１００Ｇｂｐｓまたは２００Ｇｂｐｓの光データストリームを光ブレードサーバに提供するための高速入出力光ネットワークインターフェースモジュールを含む。

【0007】

[0015]開示される光サーバは、さらに、光ブレードサーバ（もしくは本明細書では「ブレードサーバ」と呼ばれる）の空間内に収まるようにフォームファクタにしたがって設計され、複数の光ブレードサーバを収容するエンクロージャ内に含まれる光学的に可能なミッドプレーンとインターフェース接続することによって光ネットワーク接続性を提供する光ネットワークアダプタモジュールを含む。光学的に可能なミッドプレーンは、（例えばＥａｓｔ－Ｗｅｓｔレイヤ２トラフィックを容易にするために）光ブレードサーバが、光サーバシャーシ内の他の構成要素と、他のサーバラック内に配置された他の光サーバとに対して直接接続することを可能にする。

【0008】

[0016]いくつかの実施形態では、光ネットワークアダプタモジュールと光学的に可能なミッドプレーンとの間のインターフェース接続は、光ブレードサーバ内のメザニンコネクタスロットの使用に基づく。さらに、開示される光ブレードサーバは、各ブレードサーバと外部デバイス／ネットワーク（光スイッチおよび／または高速ネットワークなど）との間に高速で無閉塞の光接続を提供するために、光サーバの後部に配置された複数の光インターコネクトモジュール（ＩＣＭ）を利用する。いくつかの実施形態では、開示される設計は、銅を用いたインターコネクトの代わりに、光インターコネクトの使用に基づく。これは、大幅なエネルギーの節約、性能向上およびセキュリティ強化を実現し得る。

【0009】

[0017]いくつかの実施形態では、本明細書で開示される設計は、光サーバ内のハードドライブおよび／またはソリッドステートドライブを省く。ハードドライブとソリッドステートドライブとの使用を省くことによって、有利には、単一の最先端のブレードサーバの少なくとも１００倍の速度の利点が実現可能である。従来の設計とは対照的に、開示される設計は、光学的に可能なサーバが、サーバシャーシ内で他のデバイスに直接、さらにレイヤ２Ｅａｓｔ－Ｗｅｓｔデータトラフィックを目的として光接続を介してサーバのラック間で外部から、接続されることを可能とする光学的に可能なミッドプレーンおよび／または光学的に可能なバックプレーンを利用する。それによって、ラック内における独立したサーバであるラックサーバとは異なり、開示される技術は、互いに協働し単一のシャーシ／エンクロージャ内部に収容されたモジュラーブレードサーバの集合体を利用することを伴う。

【0010】

[0018]一態様では、開示される高速の光ブレードサーバ設計は、空気流と冷却との増加のために、追加の空間がマザーボード上で形成されることが可能になる。一態様では、開示される高速光サーバ設計は、摂氏８０°以下の周囲温度で動作するように構成され得る。一態様では、ＣＮＴを用いたメモリを使用した開示される高速光サーバ設計は、電離放射線の影響を受けないＣＮＴによって、そのような放射線に影響されない。

【0011】

[0019]本文書で使用される場合、単数形の「ａ」、「ａｎ」、および「ｔｈｅ」は、文脈が明確に規定しない限り、複数の言及を含む。定義しない限り、本明細書で使用される全ての技術的および科学的用語は、当業者によって一般的に理解される意味と同一の意味を有する。本文書で言及される全出版物は、参照によって本明細書に組み込まれる。本文書に記載の全サイズは、例を意図しているのに過ぎず、本開示は、以下に列挙する特定のサイズまたは寸法を有する構造に限定されない。

【0012】

[0020]「サーバ」という用語は、他のプログラムまたはデバイスのための機能を提供する任意のデバイスおよびコンピュータプログラムに与えられた名称を指す。クライアント－サーバモデルと一般的に呼ばれるこのアーキテクチャは、複数のプロセスまたはデバイスにわたって分散される単一の全計算を提供する。サーバは、複数のユーザ間でのデータまたはリソースの共有またはクライアントのための計算の実行など、「サービス」と呼ばれることの多い様々な機能を提供し得る。単一のサーバは複数のクライアントに対してサービスを提供でき、単一のクライアントは複数のサーバを使用できる。クライアントプロセスは、同一のデバイス上で実行されることが可能であるか、またはネットワークを介して、異なるデバイス上のサーバと接続し得る。サーバの例は、アプリケーションサーバ、コラボレーションサーバ、データベースサーバ、エッジサーバ、ファイルサーバ、ＦＴＰサーバ、ゲームサーバ、メールサーバ、プリントサーバ、ウィンドウズ（登録商標）サーバ、プロキシサーバ、リアルタイムコミュニケーションサーバ、サーバプラットフォーム、ウェブサーバなどを含むが、それらに限定されない。

【0013】

[0021]「カーボンナノチューブ」（ＣＮＴ）という用語は、円筒になるように丸められたハニカム格子を指す。カーボンナノチューブの直径は、ナノメートルの大きさであり、ナノチューブの長さは１μｍよりも大きくなり得る。カーボンナノチューブの顕著な物理的特性のうちの１つは、それらの形状にのみ依存する電子構造である。カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）は、多種多様な電子的、光学的、および物理的用途でそれらが理想的に有効となる新規の特性を呈する円筒形に原子が配置された純粋な炭素から構成される。シングルウォールＣＮＴ（ＳＷＮＴ）は、ＣＮＴ不揮発性メモリの場合のように、超高密度のスイッチを構築するために分離および配向され、または構成要素間で超低インピーダンスのインターコネクトを形成するためにＰＣＢ（ＳＷＮＴまたはＳＷＮＴ束のいずれかとして）上でトレース材料として使用され得る。メモリの場合、ＣＮＴは、エネルギー需要の劇的な減少、記憶密度の２から８倍の増加、より高い信頼性、瞬時のｏｎ／ｏｆｆ、データの永続的記憶、およびＳＤＲＡＭでは一般的なソフトエラーが皆無になることを可能とする。ＣＮＴは、電離放射線に対して不活性であるため、放射線の影響を受けず、宇宙関連の用途における使用によく適している。ＣＮＴが不揮発性メモリを設計する際に使用された場合、ＣＮＴを用いたメモリは、高電気伝導性および熱伝導性を実現する。ＣＮＴの熱伝導性によって、ＣＮＴを、電子デバイスのための温度管理（例えば、平面的な放熱）に対してよく適するようにして、それから作製された大部分のデバイスにおける能動的冷却の必要性を低減する。

【0014】

[0022]「プリント回路基板」（ＰＣＢ）という用語は、電子部品の機械的支持および電気的接続、または非導電性基板のシート層上に、および／またはそれらの間の積層基板の１つまたは複数のシート層からエッチングされた、導電トラック、パッド、および他の特徴を使用した電気部品を指す。部品は、一般に、それらの部品をＰＣＢへ電気的接続および機械的固定の両方を行うために、ＰＣＢ上にはんだ付けされるか、または接着接合される。プリント回路基板は、大部分の電子製品で使用される。ＰＣＢは、片面、両面、または多層であり得る。内部層上の回路トレースが部品間の表面空間を他の方法でとり得るため、多層ＰＣＢは、さらに高い部品密度を可能とする。開示される技術の目的のため、多層ＰＣＢは、表面実装技術を組み込んだ４つよりも多いトレース面を有すると考えられる。

【0015】

[0023]「光インターコネクト」という用語は、光を使用して集積回路の一部から他の部品へ光信号を送受信する任意の仕組みを指す。本開示の実施形態は、絶えず成長するデータセンタおよびハイエンドのコンピューティングシステムにおいて大データ量の転送に対する現在と将来的な必要性に対処するために、電気的インターコネクトの後継を提供する。本文書の目的のために、「光インターコネクト」という用語は、サーバモジュールに搭載されたネットワークインターフェースカードまたは光ネットワークアダプタモジュールとの相互の高速光接続を指す。

【0016】

[0024]「モジュール」という用語は、一般に「カード」という用語と同義であると見なされ得る。したがって、例えば、メモリモジュールおよびメモリカードは入れ替え可能に使用される。

【0017】

[0025]図１を参照すると、例示的な光サーバ（１００）の正面図が示される。光サーバ（１００）は、複数の光ブレードサーバ（ブレードサーバ（１０１－１から１０１－１２）など、電源ユニット、ネットワーク入出力（Ｉ／Ｏ）カード、冷却ファン、管理モジュール、および他のユニットを収容するエンクロージャ（１０４）を含む。（「エンクロージャ」および「筐体」という用語は、本開示全体において入れ替え可能に使用される）。ブレードサーバ（１０１－１から１０１－１２）および光サーバ（１００）のいくつかの他の構成要素は、「ホットスワップ可能」であると見なされ得る。ホットスワップ可能なブレードサーバは、停止、シャットダウン、リブート、または他の方法でエンクロージャ（１０４）と併せて作動する１つまたは複数の他の光ブレードサーバの動作に影響することなく、所与のブレードサーバの交換または追加を可能にする。いくつかの実施形態では、光サーバ（１００）のエンクロージャ（１０４）は、高さが半分の仕様にしたがって設計されてもよく、ブレードサーバ（１０１－１から１０１－６）が第１の列に配置され、ブレードサーバ（１０１－７から１０１－１２）が第２の列に配置されるように、６個の光ブレードサーバを２列形成する。通常、ブレードサーバのそれぞれは、ブレードサーバが使用されるデータシステムのそれぞれの必要性に基づいて同一の幅および深さの寸法を有する。図１に示されるブレードサーバの数は、例示目的に過ぎない。本開示の代替の実施形態において、光サーバは、任意の適した数の列に配置された任意の数のブレードサーバを含み得る。

【0018】

[0026]図２を参照すると、例示的な光サーバ（１００）の後部が示される。エンクロージャ（１０４）の後部は、ファン（ファン１～１０など）、複数のネットワーク入出力インターコネクトモジュール（ＩＣＭ）（ＩＣＭ１０２－１から１０２－６など）、１つまたは複数の電源１～６、および冗長管理モジュールを含み得る。いくつかの実施形態では、ＩＣＭは、複数の光ブレードサーバ（光サーバ（１００）内）と光ブレードサーバの外部に配置されたデバイス／ネットワーク／スイッチとの間の複数の波長の光を使用して生成された光信号をルーティングするための光経路を提供するように構成され得る。ＩＣＭ１０２－１から１０２－６は、光学的に可能なミッドプレーン（図７に示された光学的に可能なミッドプレーン６００など）と光サーバ（１００）の後部に配置される光学ポート１０６－１から１０６－６とからの受動光学パススルーである。いくつかの実施形態では、光ブレードサーバの１列（例えば、列１０１－１から１０１－６または列１０１－７から１０１－１２）は、最小で２つのＩＣＭ（３００）によってサポートされる。

【0019】

[0027]図２は、光ブレードサーバ（または、単に「ブレードサーバ」）と外部光ネットワークまたはスイッチとの間の光学データ転送を可能とするためにＩＣＭ１０２－２に含まれたポート（１０６－１から１０６－６）のセットを示す。いくつかの実施形態では、１つまたは複数のポートは、１００Ｇｂｐｓまたは２００Ｇｂｐｓのデータレートをサポートできる。いくつかの実施形態では、１００Ｇｂｐｓまたは２００Ｇｂｐｓのポートは、同一のＩＣＭ上に存在でき、各ＩＣＭ上の全ポートが同一のデータレートを有する。

【0020】

[0028]いくつかの実施形態では、ＩＣＭは、第１のマイクロプロセッサおよび第２のマイクロプロセッサなどの少なくとも２つのコンピュータプロセッサを含み得る。各管理モジュールは、管理モジュール上のメモリに格納された命令を実行するように構成された少なくとも１つのプロセッサを含み得る。管理モジュールは、１つまたは複数の光ブレードサーバおよび光サーバ内部の他の構成要素と内部的に通信（例えば、命令および／またはデータの送信／受信）するように構成され得る。

【0021】

[0029]図３は、本開示に適合した例としての光ブレードサーバ（２００）の例示的な詳細を示す。ブレードサーバ（２００）（コンピュートモジュールとして知られる）は、入出力ネットワークインターフェースアダプタモジュール（２０５－１から２０５－３）と、非光ブレードサーバ上で２つのハードディスクドライブまたは２つのソリッドステートドライブを収容するために使用され得る未実装部分２０６とを支持するプリント回路基板（ＰＣＢ）（２０７）を含む。入出力ネットワークインターフェースアダプタモジュール（２０５－１から２０５－３）は、光ネットワークアダプタカードであり、そのそれぞれは、電気的３×１６レーンのＰＣＩｅバスを取り、それを高速１００Ｇｂｐｓまたは２００Ｇｂｐｓ光データストリームに変換する。光信号の電気信号への変換は、インバウンドの信号を適用し、電気信号の光信号への変換はアウトバウンドの光信号を適用する。開示される実施形態によれば、入出力ネットワークアダプタモジュール（２０５－１から２０５－３）は、マイクロプロセッサ（２０２および２０４）からの３×１６レーンのＰＣＩｅバスとのインターフェース接続のためのメザニン電気コネクタを含む。メザニンコネクタは、光ネットワークアダプタモジュールとブレードサーバとの間の物理的および電気的結合を可能とする。未実装部分（２０６）は、ハードディスクドライブまたはソリッドステートドライブケージを有さない。したがって、本技術の少なくとも１つの利点は、ハードドライブまたはソリッドステートドライブが省かれ、空気流および熱散逸の増加を実現することである。図３は、ＰＣＢ（２０７）（もしくは本明細書では「マザーボード」と呼ばれる）上に支持される１６セットまでのメモリスロット（２０１－１から２０１－１６）および（２０３－１から２０３－１６）を示す。例えば、メモリスロット（２０１－１から２０１－１６）および（２０３－１から２０３－１６）は、ＤＤＲ４メモリＤＩＭＭをサポート可能である。開示される実施形態によれば、ＤＤＲ４メモリＤＩＭＭは、不揮発性ＣＮＴを用いたランダムアクセスメモリ（もしくは「ＮＲＡＭ」と呼ばれる）を備え得る。例えば、ＣＮＴ材料（フォトリソグラフィによって画定およびエッチングされる）は、２つの金属電極間に配置されることが可能であり、ＮＲＡＭ不揮発性メモリチップ内でＣＮＴメモリセルのアレイを構成するＮＲＡＭセルを形成する。その後、それらのＣＮＴメモリチップは、メモリモジュール（５００）上に配置される。１つまたは複数のプロセッサ（（２０２）で示されるプロセッサ＃１および（２０４）で示されるプロセッサ＃２などは、ＰＣＢ（２０７）上に含まれ得る。オペレーティングシステム、ドライバソフトウェア、およびユーザアプリケーションがハードドライブまたはソリッドステートドライブ上にロードされる従来のサーバとは対照的に、本技術は、不揮発性のＣＮＴを用いたメモリ上にオペレーティングシステム、ドライバソフトウェア、およびユーザアプリケーションを格納することを目的とする。

【0022】

[0030]次に図４を参照すると、インターコネクトモジュール（ＩＣＭ）（３００）の透視上面図が示される。一般に、ＩＣＭ（ＩＣＭ（３００）など）は、ブレードサーバ（光ブレードサーバ（２００）内に配置）とＩＣＭ（３００）の外部に配置されたデバイス／ネットワーク／スイッチとの間で光信号をルーティングする光経路を提供できる。いくつかの実施形態では、ＩＣＭ（３００）は、光サーバ（１００）のブレードエンクロージャ（１０４）の後部に挿入され、外部ネットワークからの／への高速光データ転送を容易にするために受動光インターフェースとして機能する。各ＩＣＭ（ＩＣＭ（３００）など）は、外部の光ネットワークへのデータ転送を容易にするために、ＩＣＭ（３００）の後部側に配置された複数のブラインドメイトコネクタ（３０１－１から３０１－６など）を含み得る。例えば、ブラインドメイトコネクタ（３０１－１から３０１－６）は、光学的に可能なミッドプレーン（エンクロージャ（１０４）の図７に示される光学的に可能なミッドプレーン（６００）など）と各光ブレードサーバ内に配置された入出力ネットワークインターフェースモジュール（２０５－１から２０５－３）との間に高速受動光学パススルーを提供する。本実施形態において、ＩＣＭ（３００）は、各ブレードと外部高速光ネットワークまたは光スイッチとの間の高速で光学的で無閉塞の１対１の接続の用途のための１００または２００Ｇｂｐｓパススルーモジュールとして機能し得る。それによって、ブラインドメイトコネクタ（３０１－１から３０１－６）のサブセットは、１００Ｇｂｐｓまたは２００Ｇｂｐｓの両方でのデータ転送をサポートできる。例えば、そのような実施形態において、各エンクロージャ（１０４）は、ブレードサーバの２列をサポートする少なくとも合計４つのＩＣＭを含むことができ、ＩＣＭのうちの２つを有する各列における６つのブレードサーバは、１００Ｇｂｐｓまたは２００Ｇｂｐｓのデータレートの両方をサポートする。これらの実施形態では、光ケーブルおよびコネクタのみがサポートされる。銅を用いたケーブルまたはコネクタはサポートされない。

【0023】

[0031]いくつかの例示的な実施形態では、エンクロージャ（１０４）内で各光ブラインドメイトコネクタが全ての光ブレードサーバに結合され、光学的に可能なミッドプレーン（６００）を介してＩＣＭ（３００）に接続されるように、各光ブレードサーバ（２００）は、２つの異なるＩＣＭ（３００）に結合された２つの光ブラインドメイトコネクタ（図９に示される２０９－１および２０９－２）を含む。さらに、各光ブラインドメイトコネクタは、１００Ｇｂｐｓまたは２００Ｇｂｐｓ光学データをサポートする。各光経路は、３２の双方向光レーンから構成される。波長毎に２５Ｇｂｐｓで光ファイバーレーン毎に光の第１の波長（λ）が使用される場合、これは、ブレード毎に毎秒１．６テラビット（Ｔｂｐｓ）を達成できる。波長毎に５０Ｇｂｐｓのデータレートをそれぞれがサポートする光経路毎に光の４つの異なる波長が使用される場合、これは、ブレード毎に最大１２．８Ｔｂｐｓまで達成できる。１２個のブレードサーバを備える光サーバフレームに対して、光サーバ毎に最大１５３．６Ｔｂｐｓが実現可能である。対照的に、従来のサーバは、データ接続のためにせいぜい５０Ｇｂｐｓのレートをサポートする。したがって本技術の１つの利点は、データレートにおいて、単一の光ブレードサーバと比較して、１００倍を上回る性能改善が実現可能である。

【0024】

[0032]図５は光ネットワークアダプタモジュール（４００）を図示する。このモジュール（光ブレードサーバ（２００）内に含まれる）は、高速光学データ通信のために電気信号の光信号への変換を可能とする。光ネットワークアダプタモジュール（４００）は、メザニン電気コネクタ（４０２）、光学トランシーバ（４０３）、押下可能部（４０４）、光コネクタ（４０６）、および留めネジ（４０５－１および４０５－２）を含む。いくつかの実施形態では、メザニン電気コネクタ（４０２）は、３×１６レーンＰＣＩｅバスを介してマザーボード（２０７）に電気的に接続し、メザニン電気コネクタ（４０２）は、さらに、図７に示される光学的に可能なミッドプレーン（６００）に接続する。したがって、メザニン電気コネクタ（４０２）の一方の接続は電気的であり、他方の接続は光学的である。

【0025】

[0033]光ネットワークアダプタモジュール（４００）は、従来の光ネットワークアダプタモジュールとは異なることを理解されたい。例えば、光ネットワークアダプタモジュール（４００）は、従来の光ネットワークアダプタモジュールに通常存在するＰＣＩｅスロットのためのＰＣＩｅコネクタを含まない。開示される実施形態によれば、ＰＣＩｅコネクタの代わりに、メザニン電気コネクタ（４０２）が使用される。光ネットワークアダプタモジュール（４００）上に配置されたメザニン電気コネクタ（４０２）は、メザニンコネクタスロット（図３に示される光ブレードサーバ（２００）のマザーボード上に配置された入出力ネットワークアダプタモジュール（２０５－１から２０５－３）上に配置されたスロットなど）と接合／整列／インターフェース接続するように設計される。メザニン電気コネクタ（４０２）のメザニンコネクタスロットとの接合は、押下可能部（４０４）を押して、光ネットワークアダプタモジュール（４００）上でネジ（４０５－１および４０５－２）を締めることによって実現される。従来の光ネットワークアダプタモジュールのさらなる修正形態は、従来の光ネットワークアダプタモジュールにおける銅を用いた電気入出力コネクタを光学トランシーバ（４０３）および光コネクタ（４０６）に置き換えること、すなわち銅を用いたインターコネクトが受動光インターコネクトと置き換えられることを含む。光学トランシーバ（４０３）は、図７の光学的に可能なミッドプレーン（６００）に挿入され、光ブレードサーバの出力として動作する。開示される実施形態によれば、光ブレードサーバ内部で利用可能な限定的な空間に起因して、光ネットワークアダプタモジュール（４００）を支持するＰＣＢは、ブレードサーバ（２００）内部に収まるために補正可能な物理的フォームファクタを有する。有利には、開示される高速光学アダプタ（４００）は、ＣＰＵ（２０２および２０４）の利用を減少させ、各ブレードサーバ上に配置された仮想マシン（ＶＭ）の数を増加し、クラウドスケールの効率を改善する。開示される高速光学アダプタ（４００）は、高密度の１００Ｇｂｐｓまたは２００Ｇｂｐｓのイーサネット光スイッチングソリューションを有する従来のサーバと１００％互換性があるように設計され、すなわち、開示される光ネットワークアダプタモジュール（４００）は、高スループット、低レイテンシ、およびスケーラビリティの向上を実現する。

【0026】

[0034]次に図６を参照すると、ＤＤＲ４デュアルインラインメモリモジュール（ＤＩＭＭ）（５００）の一次側および二次側が示される。開示される実施形態によれば、ＤＩＭＭ（５００）は、不揮発性ＮＲＡＭカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を用いたマルチギガビットメモリチップ（５０１－１から５０１－１８）を利用する。ＤＩＭＭ（５００）（ＪＥＤＥＣ ＤＤＲ４またはＤＤＲ５標準に準拠）は、光ブレードサーバ（２００）内に配置されたメモリスロット（２０１－１から２０１－１６）および（２０３－１から２０３－１６）に差し込まれる。例えば、ＤＩＭＭ（５００）は、図３に示されるブレードサーバ（２００）のスロット（２０１－１から２０１－８、２０１－９から２０１－１６、２０３－１から２０３－８、および２０３－９から２０３－１６）に挿入され得る。Ｕ１からＵ１８は、ＣＮＴを用いた不揮発性マルチギガビットメモリチップを表す。いくつかの実施形態では、ＣＮＴを用いたメモリモジュール（５００）は、１２８ＧＢ、２５６ＧＢ、または５１２ＧＢの記憶容量を備える。例えば、そのようなメモリは、サーバ、デスクトップ、およびＰＣのためのＩＡＷ ＪＥＤＥＣ ＤＤＲ４またはＤＤＲ５の仕様書に従った２６６６、２９３３、および３２００ Ｍｉｌｌｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒｓ ｐｅｒ ｓｅｃｏｎｄ（ＭＴ／ｓ）の速度で動作するように構成され得る。

【0027】

[0035]開示される不揮発性ＤＩＭＭ（５００）（例えば、２８８個のピンを含む）は、従来の揮発性ＤＩＭＭと互換性がある。現在の最先端（ＳＯＴＡ）のブレードサーバまたはコンピュートモジュールは、通常、ハードディスクドライブまたはソリッドステートドライブがコンピュータ処理ユニットのオペレーティングシステムおよび他のコンポーネントドライバを保持することを必要とする揮発性同期ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＳＤＲＡＭ）マルチギガビットメモリを使用する。開示されるＣＮＴを用いたメモリのいくつかの利点は、以下の通りである。
・ＣＮＴを用いたメモリは、ＳＯＴＡ ＳＤＲＡＭメモリよりも３倍少ない電力を消費する。
・ＣＮＴを用いたメモリは、ソフトエラー（例えば、宇宙放射または地球放射における放射から発生）の影響を受けず、宇宙に関する用途での使用によく適する。ソフトエラーは、通常、ＳＤＲＡＭメモリチップを構成する高エネルギーニュートロンとケイ素原子との間の衝突に起因して発生する。したがって、ソフトエラーを除去することによって、ＣＮＴを用いたメモリは、電流における一時的サージを免れ、メモリに格納されたデータ値に対する偶発的な変化を免れる。ソフトエラー率は、ＣＮＴを用いたメモリに含まれるビットラインの設計／配向に依存し得る。
・ＣＮＴを用いたメモリは、決定的であり、ＳＤＲＡＭとは異なってリフレッシュを必要としない。
・ＣＮＴを用いたメモリは、５ｎｍフォトリソグラフィ（例えば、超紫外線フォトリソグラフィと関連する）未満でスケーラブルである。
・ＣＮＴを用いたメモリは、普遍的に、様々な種類のメモリに置き換えられ得る。例えば、ＣＮＴを用いたメモリは、ＳＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、および３Ｄ ＮＡＮＤフラッシュメモリと置き換えられ得る。他の例として、６トランジスタＳＲＡＭメモリセルは、単一のＣＮＴ分子マイクロスイッチと置き換えられ得る。
・不揮発性メモリはメモリの状態を固定させるため、ＣＮＴを用いたメモリは、高性能コンピューティングを含むアプリケーションにおいてチェックポイントまたは再起動を必要としない。
・ＣＮＴを用いたメモリと関連付けられた負荷低減デュアルインラインメモリモジュール（ＬＲＤＩＭＭ）はスケーラブルであり、ハードディスクドライブおよびソリッドステートドライブを不要とし、ＳＡＳ／ＳＡＴＡおよびＮＶＭｅバスの必要性を無くす。

【0028】

[0036]図６において、ＤＩＭＭモジュール（５００）の一次側はデータバッファ（５０４－１から５０４－９）を示し、各データバッファは２つの（２）ＣＮＴメモリチップの役割を果たす。ＤＩＭＭモジュール（５００）の部品（５０３）は、バッファ制御のためのレジスタリングクロックドライバ（ＲＣＤ／ＰＬＬ）である。ＤＩＭＭモジュール（５００）の一次側に示される部品（５０６－１および５０６－２）は、電圧調整器を表す。部品（５０８）は、例えば５１２バイトのサイズを有する、シリアルプレゼンス検出（ＳＰＤ）消去可能でプログラム可能な読取り専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）である。

【0029】

[0037]図６に示される二次側を参照すると、部品（５０２）は、ＤＩＭＭモジュール（５００）のピン（例えば、２８８本のピン）を表す。部品（５０５および５０９）は、電圧調整器である。部品（５０７）は、例えば１．８Ｖで動作するインダクタである。

【0030】

[0038]いくつかの実施形態では、ＮＲＡＭメモリチップ（５０１－１から５０１－１８）は、それぞれ４つのメモリバンクを備える４つの内部バンクグループを有し、合計で１６バンクを提供する。これは、Ｉ／Ｏピンにおいてクロックサイクル毎に２つのデータワードを転送するように設計されたインターフェースを有する８ｎプリフェッチアーキテクチャの使用を可能にする。ＮＲＡＭメモリチップ（５０１－１から５０１－１８）に対する単一の読み出しまたは書き込み動作は、内部ＮＲＡＭコアにおける単一の８ｎビット幅、４クロックデータ転送およびＩ／Ｏピンでの８つの対応するｎビット幅、２分の１クロックサイクルデータ転送を効果的に含む。いくつかの実施形態では、ＮＲＡＭメモリチップは、データをキャプチャするためのＤＱＳ＿ｔおよびＤＱＳ＿ｃと、コマンド、アドレス、および制御信号をキャプチャするためのＣＫ＿ｔおよびＣＫ＿ｃという差動信号の２つのセットを使用する。差動クロックおよびデータストローブは、それらの信号に対して並外れたノイズ耐性を確実とし、入力信号をキャプチャするために高精度のクロッシングポイントを提供する。いくつかの実施形態によれば、メモリセル（例えば、１ビットの情報を格納）は、二次元アレイに配置される。例えば、そのアレイが８×８のサイズを有する場合、格納可能な合計ビット数は６４である。各カーボンナノチューブメモリセルは、セルを制御するように動作するワード線を有する。データの読み出し、または書き込みのいずれかのためにセルにアクセスする信号は、ワード線に印加される。ワード線に対して垂直なのはビット線である。メモリに対して書き込まれたデータまたはメモリから読み出されたデータは、ビット線上に見られる。

【0031】

[0039]ＤＩＭＭモジュール（５００）の本実施形態は、以前のＤＤＲ技術よりも高速なクロック速度を使用し、信号品質をかつてないほど重要とする。改善された信号品質のために、クロック、制御、コマンド、およびアドレスのバスは、フライバイトポロジにおいてルート設定され、各ＮＲＡＭメモリチップにおける各クロック、制御、コマンド、およびアドレスのピンは、単一トレースに接続され終端される（この終端がコネクタ近くのモジュールを切り離す木構造ではない）。このフライバイトポロジは、ＪＥＤＥＣ ＤＤＲ４仕様のライトレベリング機能を使用することによってクロックとＤＱＳ信号との間のタイミングスキューの原因となる。

【0032】

[0040]図７は、光ブレードサーバ（１０１－１から１０１－６）に接続された光学的に可能なミッドプレーン（６００）とエンクロージャ（１０４）に関連したＩＣＭ（３００－１および３００－２）との間の光学データフローを示す概念ブロック図を示す。ブレードサーバ（１０１－１から１０１－６）は、チャネル毎に１００Ｇｂｐｓまたは２００Ｇｂｐｓでの双方向光学データの送受信のために、光学的に可能なミッドプレーン（６００）を介してＩＣＭ（３００－１および３００－２）に接続される。光学的に可能なミッドプレーン（６００）は、光ブレードサーバ（図１に示される（１０１－１から１０１－１２））が単一光サーバのシャーシ／エンクロージャ（１０４）の外部の他の外部部品と、サーバラック内に配置される他の光サーバとに対して（例えば、ＯＳＩ用語を使用してＥａｓｔ－Ｗｅｓｔレイヤ２トラフィックを容易にするため）直接接続可能とする。例えば、データは、受動パススルーインターコネクトモジュール（例えば、図４に示される）と外部光学デバイス／ネットワークとを介してブレードサーバ（図１に示される（１０１－１から１０１－６））間の複数の波長の光を使用して生成された高速光信号によって運ばれる。この高速データ通信は、双方向である。さらに、図７は、双方向の光学データフローが、光学的に可能なミッドプレーン（６００）とデュアルインターコネクトモジュール（３００－１および３００－２）との間で交換されることを示す。この双方向光学データフローは、それぞれが双方向の６つの光学データフロー経路の２つのセットを使用して表され、６つの双方向光経路の１セットは第１のＩＣＭ（ＩＣＭ（３００－１））へのものであり、６つの双方向光経路の第２のセットは第２のＩＣＭ（ＩＣＭ（３００－２））へのものである。サーバと光学的に可能なミッドプレーン（ミッドプレーン（６００）の左側に示される）との間、およびミッドプレーンとＩＣＭ（ミッドプレーン（６００）の右側に示される）との間の光学データ送受信は双方向であると理解されたい。

【0033】

[0041]図８は、例示的な電気メザニンコネクタ（４０２）を図示する。電気メザニンコネクタ（４０２）は、光ネットワークアダプタモジュール（図５に示された光ネットワークアダプタモジュール（４００）など）内に含まれる。電気メザニンコネクタ（４０２）は、入出力ネットワークアダプタモジュール上のメザニンスロット（図３に示されたブレードサーバ（２００）に含まれる入出力ネットワークインターフェーススロット（２０５－１から２０５－３）など）とインターフェース接続するために使用される。開示される実施形態によれば、電気メザニンコネクタ（４０２）は、光ネットワークアダプタモジュールがブレードサーバ（２００）内に収まり得るようにする。電気メザニンコネクタ（４０２）の使用の結果として、光ネットワークアダプタモジュール（４００）は、エンクロージャ（１０４）内部に配置された光学的に可能なミッドプレーン（６００）内でインターフェース接続できる。例えば、電気メザニンコネクタ（４０２）のピン／ソケット構成は、プロセッサ（図３に示されるブレードサーバ（２００）に含まれるプロセッサ（２０２）および（２０４）など）からＰＣＩｅ４．０３×１６レーン接続を介した高帯域幅接続（例えば、２００Ｇｂｐｓまで）を容易にし得る。

【0034】

[0042]図９は、光ネットワークアダプタモジュール（４００）と光学的に可能なミッドプレーン（６００）との間の例示的な相互接続を図示する。例えば、図９は、ブレードサーバ（２００）上に配置された光ブラインドメイトコネクタ（２０９－１および２０９－２）を示す。「ブラインドメイトコネクタ」という用語は、「自己整合コネクタ」と見なされることが可能である。例えば、視覚的な点検を行わずに、ブラインドメイトコネクタ（２０９－１および２０９－２）は、ＩＣＭまたはブレードサーバが光学的に可能なミッドプレーンに直接差し込まれることを可能とする。

【0035】

[0043]ブラインドメイトコネクタ（２０９－１および２０９－２）は、光ネットワークアダプタモジュールを光学的に可能なミッドプレーン（６００）に接続するための光学的に可能なミッドプレーン（図７に示される光学的に可能なミッドプレーン（６００）など）上に配置されたブラインドメイトコネクタのセットと並ぶ。部品（２１０）は、電源コネクタを示す。ケーブル（２０８－１および２０８－２）は、光ネットワークアダプタモジュール（図５に示される光ネットワークアダプタモジュール（４００）に配置される光コネクタ（４０６）など）上に配置された光コネクタを、（図９に示されるブレードサーバ（２００）に含まれるブラインドメイトコネクタ（２０９－１および２０９－２）へ接続するために使用される光ファイバーケーブルである。光コネクタ（４０６）に対する制限はない。例えば、任意の標準的な光コネクタが使用され得る。

【0036】

[0044]開示された技術のいくつかの実施形態が、以下で項を用いた形式で提示される。
[0045]１．高密度高速光サーバであって、
[0046]複数のブレードサーバを囲む筐体を備え、各ブレードサーバは、ソフトエラーを免れて、リフレッシュ、リブート、チェックポイントおよび再起動動作を無くすように構成された複数のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を用いた不揮発性メモリモジュールを備え、前記ＣＮＴを用いた不揮発性メモリモジュールの使用は、ハードドライブおよび／またはソリッドステートドライブの使用を無くすことを含み、さらに、
[0047]ブレードサーバ毎に光入力および出力を提供し、前記複数のブレードサーバと１つまたは複数の外部デバイスとの間で光信号をルーティングするための光経路を提供するように構成された前記筐体の後方部分に配置される複数の入出力インターコネクトモジュール（ＩＣＭ）を備え、前記光信号は複数の波長の光を使用して生成され、
[0048]前記複数のブレードサーバのうちのブレードサーバは、光インターフェースが前記光信号をルーティングするための前記光経路を提供するように、光ネットワークアダプタモジュール内に含まれた電気メザニンコネクタを前記ブレードサーバのマザーボード上に配置された対応メザニンスロットと接合することによって生成された前記光インターフェースを介して前記複数のＩＣＭのうちの少なくとも１対に接続される、光サーバ。

【0037】

[0049]２．項１に記載の光サーバであって、
[0050]前記電気メザニンコネクタを前記対応メザニンスロットと接合することにより生成された前記光インターフェースに基づいた高速光学データ通信のために、電気信号の光信号への変換を可能とする前記光ネットワークアダプタモジュールをさらに備え、前記光ネットワークアダプタモジュールは、前記ブレードサーバ内での前記光ネットワークアダプタモジュールの配置を可能とするフォームファクタを有する、光サーバ。

【0038】

[0051]３．項１に記載の光サーバであって、前記複数のＩＣＭは、１００Ｇｂｐｓまたは２００Ｇｂｐｓのいずれかのデータレートでのデータ転送をサポートするポートのセットを含む、光サーバ。

【0039】

[0052]４．項３に記載の光サーバであって、前記ＣＮＴを用いた不揮発性メモリモジュールは、サーバ、デスクトップおよびＰＣのためのＩＡＷ ＪＥＤＥＣ ＤＤＲ４またはＤＤＲ５仕様に準拠する、光サーバ。

【0040】

[0053]５．項３に記載の光サーバであって、前記複数のＩＣＭが、１００Ｇｂｐｓのデータレートまたは２００Ｇｂｐｓのデータレートのいずれかをサポートするように、前記複数のＩＣＭは少なくとも４つの（４）ＩＣＭを含む、光サーバ。

【0041】

[0054]６．項１に記載の光サーバであって、前記複数のブレードサーバは、前記筐体内の少なくとも２つの列に配置され、第１のセットのブレードサーバは第１の列に含まれ、第２のセットのブレードサーバは第２の列に含まれる、光サーバ。

【0042】

[0055]７．項６に記載の光サーバであって、前記第１のセットのブレードサーバおよび前記第２のセットのブレードサーバは、それぞれ、６つのブレードサーバを含む、光サーバ。

【0043】

[0056]８．項１に記載の光サーバであって、前記ＣＮＴを用いた不揮発性メモリモジュールは、前記ブレードサーバの前記マザーボード上に配置されたデュアルインラインメモリモジュール（ＤＩＭＭ）スロットに挿入される、光サーバ。

【0044】

[0057]９．項１に記載の光サーバであって、前記（ＣＮＴ）を用いた不揮発性メモリモジュールは、１２８ＧＢ、２５６ＧＢ、または５１２ＧＢの記憶容量を備える、光サーバ。

【0045】

[0058]１０．項１に記載の光サーバであって、前記複数のＣＮＴを用いた不揮発性メモリモジュールは、フライバイトポロジにしたがって設計され、それぞれのＣＮＴを用いた不揮発性メモリモジュール上のクロック、制御、コマンドおよびアドレスのピンは、単一のトレースに接続されて、終端される、光サーバ。

【0046】

[0059]１１．項１に記載の光サーバであって、前記光サーバは、前記複数のＣＮＴを用いた不揮発性メモリモジュールＣＮＴの１つまたは複数の特性に基づいて電離放射線に影響されない、光サーバ。

【0047】

[0060]１２．項１に記載の光サーバであって、前記光サーバは、前記光サーバの内部にレイヤ２Ｅａｓｔ－Ｗｅｓｔデータトラフィックのための光相互接続を含み、銅を用いた相互接続の使用を無くす、光サーバ。

【0048】

[0061]１３．項１に記載の光サーバであって、前記光サーバは、摂氏８０°以下の周囲温度で動作するように構成される、光サーバ。
[0062]１４．項１に記載の光サーバであって、前記複数のＣＮＴを用いた不揮発性メモリモジュールは、電離放射線の影響を受けない、光サーバ。

【0049】

[0063]１５．項１に記載の光サーバであって、前記１つまたは複数の外部デバイスは、光スイッチと、高速光ネットワークとを含む、光サーバ。
[0064]本明細書に記載の実施形態のいくつかは、方法またはプロセスの一般的な文脈において説明され、コンピュータプログラム製品によって一実施形態で実施され、コンピュータ可読媒体において具体化され、プログラムコードなどのコンピュータ実行可能命令を含み、ネットワーク接続された環境においてコンピュータによって実行されることが可能である。コンピュータ可読媒体は、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）などを含むがそれに限定されない、取り外し可能な格納デバイスおよび取り外し不可な格納デバイスを含み得る。したがって、コンピュータ可読媒体は、非一時的格納媒体を含み得る。一般に、プログラムモジュールは、特定のタスクを実行する、または特定の抽象データ型を実施するルーチン、プログラム、オブジェクト、コンポーネント、データ構造などを含み得る。データ構造およびプログラムモジュールと関連付けられたコンピュータまたはプロセッサが実行可能な命令は、本明細書に記載の方法のステップを実行するためのプログラムコードの例を表す。そのような実行可能命令または関連データ構造の特定のシーケンスは、上記のステップまたはプロセスに記載された機能を実施するための対応動作の例を表す。

【0050】

[0065]開示される実施形態のいくつかは、ハードウェア回路、ソフトウェア、またはそれらの組み合わせを使用するデバイスまたはモジュールとして実施され得る。例えば、ハードウェア回路の実施は、例えばプリント回路基板の一部として集積された個別のアナログおよび／またはデジタルコンポーネントを含み得る。代替的または追加的に、開示されるコンポーネントまたはモジュールは、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）として、および／またはフィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）デバイスとして実施され得る。いくつかの実施例は、追加的または代替的に、本願の開示の機能と関連したデジタル信号処理の動作上の必要性のために最適化されたアーキテクチャを有する特化型マイクロプロセッサであるデジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）を含み得る。同様に、各モジュール内の様々なコンポーネントまたはサブコンポーネントは、ソフトウェア、ハードウェア、またはファームウェアにおいて実施され得る。モジュール間および／またはモジュール内のコンポーネント間の接続性は、インターネット、適切なプロトコルを使用した有線または無線ネットワークを介した通信を含むが、それに限定されない、本開示が属する分野で知られている接続方法および媒体の任意のものを使用して提供され得る。

【0051】

[0066]実施形態の上記の記載は、例示および説明を目的として提示されたものである。上記の記載は、網羅的であること、または本開示の実施形態を、開示される厳密な形態に限定することは意図しておらず、上記の教示を鑑みて、修正および変形が可能であり、または様々な実施形態の実践から取得され得る。本明細書で論じられた実施形態は、当業者が本開示を、様々な実施形態において、さらに企図された特定の使用に適するような様々な修正形態とともに利用できるように、様々な実施形態の原理および特性ならびにそれらの実践的な用途を説明するために選択され記述されたものである。本明細書に記載の実施形態の特徴は、方法、装置、モジュール、システム、およびコンピュータプログラム製品の全ての可能な組み合わせにおいて結合され得る。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【国際調査報告】