特表 2023-529037 表示基板及び表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2023-07-07

(54)【発明の名称】表示基板及び表示装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/302 20060101AFI20230630BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20230630BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20230630BHJP

   H10K 50/81 20230101ALI20230630BHJP

   H10K 59/121 20230101ALI20230630BHJP

   H10K 59/123 20230101ALI20230630BHJP

   H10K 59/124 20230101ALI20230630BHJP

   H10K 59/65 20230101ALI20230630BHJP

   H10K 59/35 20230101ALI20230630BHJP

【ＦＩ】

G09F9/302 C

G09F9/30 365

G09F9/30 338

H10K50/10

H10K50/81

H10K59/121

H10K59/123

H10K59/124

H10K59/65

H10K59/35

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2022533190

(86)(22)【出願日】2021-05-17

(85)【翻訳文提出日】2022-06-02

(86)【国際出願番号】 CN2021094014

(87)【国際公開番号】W WO2021244266

(87)【国際公開日】2021-12-09

(31)【優先権主張番号】202010498559.7

(32)【優先日】2020-06-04

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】510280589

【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ Ｊｉｕｘｉａｎｑｉａｏ Ｒｄ．，Ｃｈａｏｙａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００１５，ＣＨＩＮＡ

(71)【出願人】

【識別番号】511121702

【氏名又は名称】成都京東方光電科技有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＣＨＥＮＧＤＵ ＢＯＥ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１１８８，Ｈｅｚｕｏ Ｒｄ．，（Ｗｅｓｔ Ｚｏｎｅ），Ｈｉ－ｔｅｃｈ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｚｏｎｅ，Ｃｈｅｎｇｄｕ，Ｓｉｃｈｕａｎ，６１１７３１，Ｐ．Ｒ．ＣＨＩＮＡ

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】黄 耀

(72)【発明者】

【氏名】▲楊▼ 国波

(72)【発明者】

【氏名】蔡 建▲暢▼

(72)【発明者】

【氏名】▲呉▼ 超

(72)【発明者】

【氏名】邱 ▲遠▼游

(72)【発明者】

【氏名】王 彬▲艷▼

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC43

3K107DD22

3K107EE04

3K107EE06

3K107EE07

3K107EE68

3K107FF15

3K107HH05

5C094AA02

5C094AA14

5C094AA51

5C094AA60

5C094BA03

5C094BA27

5C094CA20

5C094DB01

5C094DB04

5C094EA05

5C094FA01

5C094FA02

5C094HA08

5C094JA01

5C094JA08

(57)【要約】

表示基板及び表示装置を開示する。該表示基板は、第１側及び第２側を有し、且つ第１表示領域～第３表示領域を含む。第１表示領域は第１画素繰り返し単位を含み、且つ第１側からの光が少なくとも部分的に第２側に透過することを可能にし、第２表示領域は第２画素繰り返し単位及び第４画素繰り返し単位を含み、第３表示領域は第３画素繰り返し単位を含む。各第１画素繰り返し単位と対応する第４画素繰り返し単位との中心を結ぶ線は第１方向と略平行であり、各第１画素繰り返し単位はｔ本の透明接続配線を介して対応する第４画素繰り返し単位に電気的に接続される。第１画素繰り返し単位及び第２画素繰り返し単位の第２方向におけるピッチはいずれもｂ１であり、第３画素繰り返し単位の第２方向におけるピッチはｂ２であり、透明接続配線の前記第２方向におけるピッチはＤであり、第１方向において第１表示領域に含まれる第１画素繰り返し単位の最大数ｓは、

を満たす。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

表示基板であって、表示するための第１側及び前記第１側とは反対する第２側を有し、且つ第１表示領域、第２表示領域及び第３表示領域を含み、
前記第１表示領域は第１方向及び第２方向に沿ってアレイ状に配置される複数の第１画素繰り返し単位を含み、各前記第１画素繰り返し単位は第１発光素子を含み、前記第１表示領域は前記表示基板の第１側と第２側との間の光の伝送を可能にする光透過領域を含み、
前記第２表示領域は前記第１方向及び前記第２方向に沿ってアレイ状に配置される複数の第２画素繰り返し単位及び複数の第４画素繰り返し単位を含み、各前記第２画素繰り返し単位は第２画素回路及び第２発光素子を含み、前記第２画素回路と前記第２発光素子は電気的に接続され、各前記第４画素繰り返し単位は第１画素回路を含み、
前記第３表示領域は前記第１方向及び前記第２方向に沿ってアレイ状に配置される複数の第３画素繰り返し単位を含み、各前記第３画素繰り返し単位は第３画素回路及び第３発光素子を含み、前記第３画素回路と前記第３発光素子は電気的に接続され、
前記第３表示領域は前記第２表示領域を少なくとも部分的に取り囲み、前記第２表示領域は前記第１表示領域を少なくとも部分的に取り囲み、且つ前記第２表示領域は前記第１表示領域の前記第２方向における中心線に対して軸対称であり、
各前記第１画素繰り返し単位は１つの第４画素繰り返し単位に対応し、各前記第１画素繰り返し単位と対応する前記第４画素繰り返し単位との中心を結ぶ線は前記第１方向と略平行であり、各前記第１画素繰り返し単位の前記第１発光素子はｔ本の透明接続配線を介して対応する前記第４画素繰り返し単位の前記第１画素回路に電気的に接続され、ｔは正の整数且つｔ≧１であり、
前記第１画素繰り返し単位の前記第２方向におけるピッチはｂ１であり、前記第２画素繰り返し単位の前記第２方向におけるピッチはｂ１であり、前記第３画素繰り返し単位の前記第２方向におけるピッチはｂ２であり、

【数1】

ｎは正の整数且つｎ≧２であり、
前記透明接続配線の前記第２方向におけるピッチはＤであり、前記第１方向において前記第１表示領域に含まれる前記第１画素繰り返し単位の最大数ｓは、

【数2】

を満たし、Ｆｌｏｏｒ（ ）は切り捨て関数を表す、表示基板。

【請求項2】

前記第１画素繰り返し単位の前記第１方向におけるピッチはａ１であり、前記第２画素繰り返し単位の前記第１方向におけるピッチはａ１であり、前記第３画素繰り返し単位の前記第１方向におけるピッチはａ２であり、

【数3】

ｍは正の整数且つｍ≧２であり、
前記第１表示領域の前記第１方向におけるサイズＬ１は、

【数4】

をおおよそ満たす、請求項１に記載の表示基板。

【請求項3】

前記第１表示領域の前記第２方向におけるサイズは前記第１表示領域の前記第１方向におけるサイズにほぼ等しい、請求項２に記載の表示基板。

【請求項4】

前記第１表示領域は円形表示領域及び前記円形表示領域を取り囲む環状配線領域を含み、
前記第１方向における各行の第１画素繰り返し単位の前記第１発光素子を駆動するためのゲート線は、前記第１方向における同一行の第４画素繰り返し単位の対応する前記第１画素回路に電気的に接続され、前記ゲート線の少なくとも一部分は前記第１方向に沿って延伸し、前記ゲート線の少なくとも他の部分は前記環状配線領域に位置し、前記ゲート線は前記円形表示領域を貫通せず、
前記第２方向における各列の第１画素繰り返し単位の前記第１発光素子を駆動するためのデータ線は、前記第２方向におけるある列の第４画素繰り返し単位の対応する前記第１画素回路に電気的に接続され、前記データ線の少なくとも一部分は前記第２方向に沿って延伸し、前記データ線の少なくとも他の部分は前記環状配線領域に位置し、前記データ線は前記円形表示領域を貫通せず、
前記ゲート線と前記データ線は異なる層に位置する、請求項３に記載の表示基板。

【請求項5】

各前記第３画素繰り返し単位に対応するゲート線の数は、各前記第１画素繰り返し単位に対応するゲート線の数と同じであり、各前記第１画素繰り返し単位に対応するゲート線の本数はｘであり、前記ゲート線の前記環状配線領域におけるピッチはｃ１であり、前記環状配線領域の前記ゲート線の半径方向幅の合計はおおよそｘ＊ｃ１＊Ｆｌｏｏｒ（Ｌ１／ｂ２）／２であり、
各前記第１画素繰り返し単位に対応する前記データ線の本数はｙであり、前記データ線の前記環状配線領域におけるピッチはｃ２であり、前記環状配線領域の前記データ線の半径方向幅の合計はおおよそｙ＊ｃ２＊ｓ／２である、請求項４に記載の表示基板。

【請求項6】

前記環状配線領域における前記ゲート線の円周方向に沿って延伸している本体部の前記表示基板上での正投影は、前記環状配線領域における前記データ線の円周方向に沿って延伸している本体部の前記表示基板上での正投影と重ならず、
前記環状配線領域の半径方向幅はおおよそｘ＊ｃ１＊Ｆｌｏｏｒ（Ｌ１／ｂ２）／２＋ｙ＊ｃ２＊ｓ／２である、請求項５に記載の表示基板。

【請求項7】

前記円形表示領域の直径はおおよそｓ＊ａ１－ｘ＊ｃ１＊Ｆｌｏｏｒ（Ｌ１／ｂ２）－ｙ＊ｃ２＊ｓ／２である、請求項６に記載の表示基板。

【請求項8】

前記環状配線領域における前記ゲート線の円周方向に沿って延伸している本体部の前記表示基板上での正投影は、前記環状配線領域における前記データ線の円周方向に沿って延伸している本体部の前記表示基板上での正投影と少なくとも部分的に重なり、
前記環状配線領域の半径方向幅はおおよそｍａｘ（ｘ＊ｃ１＊Ｆｌｏｏｒ（Ｌ１／ｂ２）／２、ｙ＊ｃ２＊ｓ／２）であり、ｍａｘ（ ）は最大値関数である、請求項５に記載の表示基板。

【請求項9】

前記円形表示領域の直径はおおよそｓ＊ａ１－ｍａｘ（ｘ＊ｃ１＊Ｆｌｏｏｒ（Ｌ１／ｂ２）、ｙ＊ｃ２＊ｓ）である、請求項８に記載の表示基板。

【請求項10】

前記第２表示領域の前記第１方向におけるサイズＬ２は、

【数5】

をおおよそ満たす、請求項１～９のいずれか１項に記載の表示基板。

【請求項11】

前記第２表示領域の前記第２方向におけるサイズは前記第１表示領域の前記第２方向におけるサイズにほぼ等しい、請求項１～１０のいずれか１項に記載の表示基板。

【請求項12】

前記第２表示領域の前記第２方向におけるサイズは前記第１表示領域の前記第２方向におけるサイズより大きく、且つ前記第２表示領域の前記第２方向におけるサイズと前記第１表示領域の前記第２方向におけるサイズとの差は、４ｂ１にほぼ等しい、請求項１～１０のいずれか１項に記載の表示基板。

【請求項13】

前記第４画素繰り返し単位の前記第１方向におけるピッチは前記第２画素繰り返し単位の前記第１方向におけるピッチに等しい、請求項１～１２のいずれか１項に記載の表示基板。

【請求項14】

各前記第１画素繰り返し単位はＧＧＲＢ画素配列方式で配列される８つの第１発光素子を含み、ｔ＝８であり、各前記第１画素繰り返し単位に対応するゲート線の本数は４であり、各前記第１画素繰り返し単位に対応するデータ線の本数は４である、請求項１～１３のいずれか１項に記載の表示基板。

【請求項15】

各前記第１画素繰り返し単位はＲＧＢ画素配列方式で配列される１２個の第１発光素子を含み、ｔ＝１２であり、各前記第１画素繰り返し単位に対応するゲート線の本数は２であり、各前記第１画素繰り返し単位に対応するデータ線の本数は６である、請求項１～１３のいずれか１項に記載の表示基板。

【請求項16】

前記第１方向と前記第２方向は互いに垂直である、請求項１～１５のいずれか１項に記載の表示基板。

【請求項17】

前記表示基板は、陽極層、ソースドレイン電極層、及び前記陽極層と前記ソースドレイン電極層との間に位置する透明接続配線層を含み、
前記第１発光素子の陽極は前記陽極層に位置し、前記透明接続配線は前記透明接続配線層に位置し、
前記第１画素回路は薄膜トランジスタを含み、前記薄膜トランジスタはソース及びドレインを含み、前記薄膜トランジスタの前記ソース及び前記ドレインの少なくとも一方は前記ソースドレイン金属層に位置し、
前記第１発光素子の前記陽極は前記透明接続配線を介して前記薄膜トランジスタの前記ソース及び前記ドレインの少なくとも一方に電気的に接続される、請求項１～１６のいずれか１項に記載の表示基板。

【請求項18】

前記第１発光素子の陽極は透明電極である、請求項１～１７のいずれか１項に記載の表示基板。

【請求項19】

請求項１～１８のいずれか１項に記載の表示基板を含む表示装置。

【請求項20】

センサをさらに含み、前記センサは前記表示基板の第２側に設置され、前記センサの前記表示基板上での正投影は前記第１表示領域と少なくとも部分的に重なり、前記センサは前記第１側からの光を受けるように構成される、請求項１９に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

（関連出願の相互参照）
本願は、２０２０年６月４日に提出された中国特許出願第２０２０１０４９８５５９．７号の優先権を主張し、上記中国特許出願で開示されている全内容は本願の一部として援用されている。

【0002】

本開示の実施例は表示基板及び表示装置に関する。

【背景技術】

【0003】

携帯電話等の表示電子製品の発展に伴い、ディスプレイスクリーンの画面占有率の向上は製品の傾向になり、フロントカメラ等の携帯電話に必須の機能素子は画面占有率の向上を制限する要素となる。この問題に対して、業界ではカメラと表示基板を表示装置に組み合わせた、「画面内カメラ」と呼ばれる解決手段を提案した。このような解決手段では、表示装置は表示基板及び該表示基板の下方に位置するカメラを含む。表示装置の画面内カメラを有する領域は、他の領域と同様に発光し且つ表示することができ、同時に撮像機能を有する。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0004】

本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板を提供し、表示するための第１側及び前記第１側とは反対する第２側を有し、且つ第１表示領域、第２表示領域及び第３表示領域を含み、前記第１表示領域は第１方向及び第２方向に沿ってアレイ状に配置される複数の第１画素繰り返し単位を含み、各前記第１画素繰り返し単位は第１発光素子を含み、前記第１表示領域は前記表示基板の第１側と第２側との間の光の伝送を可能にする光透過領域を含み、前記第２表示領域は前記第１方向及び前記第２方向に沿ってアレイ状に配置される複数の第２画素繰り返し単位及び複数の第４画素繰り返し単位を含み、各前記第２画素繰り返し単位は第２画素回路及び第２発光素子を含み、前記第２画素回路と前記第２発光素子は電気的に接続され、各前記第４画素繰り返し単位は第１画素回路を含み、前記第３表示領域は前記第１方向及び前記第２方向に沿ってアレイ状に配置される複数の第３画素繰り返し単位を含み、各前記第３画素繰り返し単位は第３画素回路及び第３発光素子を含み、前記第３画素回路と前記第３発光素子は電気的に接続され、前記第３表示領域は前記第２表示領域を少なくとも部分的に取り囲み、前記第２表示領域は前記第１表示領域を少なくとも部分的に取り囲み、且つ前記第２表示領域は前記第１表示領域の前記第２方向における中心線に対して軸対称であり、各前記第１画素繰り返し単位は１つの第４画素繰り返し単位に対応し、各前記第１画素繰り返し単位と対応する前記第４画素繰り返し単位との中心を結ぶ線は前記第１方向と略平行であり、各前記第１画素繰り返し単位の前記第１発光素子はｔ本の透明接続配線を介して対応する前記第４画素繰り返し単位の前記第１画素回路に電気的に接続され、ｔは正の整数且つｔ≧１であり、前記第１画素繰り返し単位の前記第２方向におけるピッチはｂ１であり、前記第２画素繰り返し単位の前記第２方向におけるピッチはｂ１であり、前記第３画素繰り返し単位の前記第２方向におけるピッチはｂ２であり、

【数1】

ｎは正の整数且つｎ≧２であり、前記透明接続配線の前記第２方向におけるピッチはＤであり、前記第１方向において前記第１表示領域に含まれる前記第１画素繰り返し単位の最大数ｓは、

【数2】

を満たし、Ｆｌｏｏｒ（ ）は切り捨て関数を表す。

【0005】

例えば、本開示のいくつかの実施例に係る表示基板では、前記第１画素繰り返し単位の前記第１方向におけるピッチはａ１であり、前記第２画素繰り返し単位の前記第１方向におけるピッチはａ１であり、前記第３画素繰り返し単位の前記第１方向におけるピッチはａ２であり、

【数3】

ｍは正の整数且つｍ≧２であり、前記第１表示領域の前記第１方向におけるサイズＬ１は、

【数4】

をおおよそ満たす。

【0006】

例えば、本開示のいくつかの実施例に係る表示基板では、前記第１表示領域の前記第２方向におけるサイズは前記第１表示領域の前記第１方向におけるサイズにほぼ等しい。

【0007】

例えば、本開示のいくつかの実施例に係る表示基板では、前記第１表示領域は円形表示領域及び前記円形表示領域を取り囲む環状配線領域を含み、前記第１方向における各行の第１画素繰り返し単位の前記第１発光素子を駆動するためのゲート線は、前記第１方向における同一行の第４画素繰り返し単位の対応する前記第１画素回路に電気的に接続され、前記ゲート線の少なくとも一部分は前記第１方向に沿って延伸し、前記ゲート線の少なくとも他の部分は前記環状配線領域に位置し、前記ゲート線は前記円形表示領域を貫通せず、前記第２方向における各列の第１画素繰り返し単位の前記第１発光素子を駆動するためのデータ線は、前記第２方向におけるある列の第４画素繰り返し単位の対応する前記第１画素回路に電気的に接続され、前記データ線の少なくとも一部分は前記第２方向に沿って延伸し、前記データ線の少なくとも他の部分は前記環状配線領域に位置し、前記データ線は前記円形表示領域を貫通せず、前記ゲート線と前記データ線は異なる層に位置する。

【0008】

例えば、本開示のいくつかの実施例に係る表示基板では、各前記第３画素繰り返し単位に対応するゲート線の数は、各前記第１画素繰り返し単位に対応するゲート線の数と同じであり、各前記第１画素繰り返し単位に対応する前記ゲート線の本数はｘであり、前記ゲート線の前記環状配線領域におけるピッチはｃ１であり、前記環状配線領域の前記ゲート線の半径方向幅の合計はおおよそｘ＊ｃ１＊Ｆｌｏｏｒ（Ｌ１／ｂ２）／２であり、各前記第１画素繰り返し単位に対応する前記データ線の本数はｙであり、前記データ線の前記環状配線領域におけるピッチはｃ２であり、前記環状配線領域の前記データ線の半径方向幅の合計はおおよそｙ＊ｃ２＊ｓ／２である。

【0009】

例えば、本開示のいくつかの実施例に係る表示基板では、前記環状配線領域における前記ゲート線の円周方向に沿って延伸している本体部の前記表示基板上での正投影は、前記環状配線領域における前記データ線の円周方向に沿って延伸している本体部の前記表示基板上での正投影と重ならず、前記環状配線領域の半径方向幅はおおよそｘ＊ｃ１＊Ｆｌｏｏｒ（Ｌ１／ｂ２）／２＋ｙ＊ｃ２＊ｓ／２である。

【0010】

例えば、本開示のいくつかの実施例に係る表示基板では、前記円形表示領域の直径はおおよそｓ＊ａ１－ｘ＊ｃ１＊Ｆｌｏｏｒ（Ｌ１／ｂ２）－ｙ＊ｃ２＊ｓ／２である。

【0011】

例えば、本開示のいくつかの実施例に係る表示基板では、前記環状配線領域における前記ゲート線の円周方向に沿って延伸している本体部の前記表示基板上での正投影は、前記環状配線領域における前記データ線の円周方向に沿って延伸している本体部の前記表示基板上での正投影と少なくとも部分的に重なり、前記環状配線領域の半径方向幅はおおよそｍａｘ（ｘ＊ｃ１＊Ｆｌｏｏｒ（Ｌ１／ｂ２）／２、ｙ＊ｃ２＊ｓ／２）であり、ｍａｘ（ ）は最大値関数である。

【0012】

例えば、本開示のいくつかの実施例に係る表示基板では、前記円形表示領域の直径はおおよそｓ＊ａ１－ｍａｘ（ｘ＊ｃ１＊Ｆｌｏｏｒ（Ｌ１／ｂ２）、ｙ＊ｃ２＊ｓ）である。

【0013】

例えば、本開示のいくつかの実施例に係る表示基板では、前記第２表示領域の前記第１方向におけるサイズＬ２は、

【数5】

をおおよそ満たす。

【0014】

例えば、本開示のいくつかの実施例に係る表示基板では、前記第２表示領域の前記第２方向におけるサイズは前記第１表示領域の前記第２方向におけるサイズにほぼ等しい。

【0015】

例えば、本開示のいくつかの実施例に係る表示基板では、前記第２表示領域の前記第２方向におけるサイズは前記第１表示領域の前記第２方向におけるサイズより大きく、且つ前記第２表示領域の前記第２方向におけるサイズと前記第１表示領域の前記第２方向におけるサイズとの差は、４ｂ１にほぼ等しい。

【0016】

例えば、本開示のいくつかの実施例に係る表示基板では、前記第４画素繰り返し単位の前記第１方向におけるピッチは前記第２画素繰り返し単位の前記第１方向におけるピッチに等しい。

【0017】

例えば、本開示のいくつかの実施例に係る表示基板では、各前記第１画素繰り返し単位はＧＧＲＢ画素配列方式で配列される８つの第１発光素子を含み、ｔ＝８であり、各前記第１画素繰り返し単位に対応するゲート線の本数は４であり、各前記第１画素繰り返し単位に対応するデータ線の本数は４である。

【0018】

例えば、本開示のいくつかの実施例に係る表示基板では、各前記第１画素繰り返し単位はＲＧＢ画素配列方式で配列される１２個の第１発光素子を含み、ｔ＝１２であり、各前記第１画素繰り返し単位に対応するゲート線の本数は２であり、各前記第１画素繰り返し単位に対応するデータ線の本数は６である。

【0019】

例えば、本開示のいくつかの実施例に係る表示基板では、前記第１方向と前記第２方向は互いに垂直である。

【0020】

例えば、本開示のいくつかの実施例に係る表示基板では、前記表示基板は、陽極層、ソースドレイン電極層、及び前記陽極層と前記ソースドレイン電極層との間に位置する透明接続配線層を含み、前記第１発光素子の陽極は前記陽極層に位置し、前記透明接続配線は前記透明接続配線層に位置し、前記第１画素回路は薄膜トランジスタを含み、前記薄膜トランジスタはソース及びドレインを含み、前記薄膜トランジスタの前記ソース及び前記ドレインの少なくとも一方は前記ソースドレイン金属層に位置し、前記第１発光素子の前記陽極は前記透明接続配線を介して前記薄膜トランジスタの前記ソース及び前記ドレインの少なくとも一方に電気的に接続される。

【0021】

例えば、本開示のいくつかの実施例に係る表示基板では、前記第１発光素子の陽極は透明電極である。

【0022】

本開示の少なくとも１つの実施例は、本開示の任意の実施例に係る表示基板を含む表示装置をさらに提供する。

【0023】

例えば、本開示のいくつかの実施例に係る表示装置はセンサをさらに含み、前記センサは前記表示基板の第２側に設置され、前記センサの前記表示基板上での正投影は前記第１表示領域と少なくとも部分的に重なり、前記センサは前記第１側からの光を受けるように構成される。

【図面の簡単な説明】

【0024】

本開示の実施例の技術的解決手段をより明確に説明するために、以下、実施例の図面について簡単に説明し、明らかなように、以下に説明される図面は、本開示のいくつかの実施例に関するものに過ぎず、本開示を制限するものではない。

【0025】

【図1A】図１Ａは表示基板の平面模式図である。

【図1B】図１Ｂは表示基板の局所拡大模式図である。

【図2】図２は図１Ｂの表示基板のＡ－Ａ線に沿う断面模式図である。

【図3】図３は本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の平面模式図である。

【図4】図４は本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の局所拡大模式図である。

【図5A】図５Ａは本開示の少なくとも１つの実施例に係る第１画素繰り返し単位の平面模式図である。

【図5B】図５Ｂは本開示の少なくとも１つの実施例に係る別の第１画素繰り返し単位の平面模式図である。

【図6】図６は本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示装置の模式的なブロック図である。

【図7】図７は本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示装置の断面模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0026】

本開示の実施例の目的、技術的解決手段、及びメリットをより明確にするために、以下、本開示の実施例の図面を参照して、本開示の実施例の技術的解決手段を明確で、完全に説明する。明らかなように、説明される実施例は、本開示の一部の実施例であり、全部の実施例ではない。説明される本開示の実施例に基づき、当業者が創造的な労働を必要とせずに取得するすべての他の実施例は、いずれも本開示の保護範囲に属する。

【0027】

特に定義しない限り、本開示に使用される技術用語又は科学用語は当業者が理解する一般的な意味を有する。本開示に使用される「第１」、「第２」及び類似する用語はいかなる順序、数又は重要性を示すものではなく、異なる構成部分を区別するものに過ぎない。「含む」又は「包含」等の類似する用語は、該用語の前に記載された素子又は物品が該用語の後に挙げられる素子又は物品及びその同等物を含むが、他の素子又は物品を排除しないことを意味する。「接続」又は「連結」等の類似する用語は物理的又は機械的接続に限定されず、直接又は間接的な接続にもかかわらず、電気的接続を含んでもよい。「上」、「下」、「左」、「右」等は相対位置関係を示すためのものに過ぎず、説明される対象の絶対位置が変化すると、該相対位置関係も対応して変化する可能性がある。本開示の実施例の以下の説明を明確で且つ簡明にするために、本開示は一部の既知の機能及び既知の部材の詳細な説明を省略する。

【0028】

「画面内カメラ」の設計案では、より多くの光が表示基板の下方に位置するカメラに入ることを可能にするために、表示基板を、高画素密度領域及び低画素密度領域を有するように設計してもよく、カメラをより多くの光の透過を可能にする低画素密度領域の下方に設置する。

【0029】

例えば、図１Ａは表示基板の平面模式図を示し、図１Ｂは図１Ａに示される表示基板の局所拡大模式図であり、図２は図１Ｂの表示基板のＡ－Ａ線に沿う断面模式図を示す。図１Ａ、図１Ｂ、及び図２に示すように、該表示基板の表示領域は光透過表示領域１、遷移表示領域２、及び本体表示領域３を含む。

【0030】

例えば、本体表示領域３は主な表示領域であり、高い解像度（ＰＰＩ、Ｐｉｘｅｌ Ｐｅｒ Ｉｎｃｈ）を有し、すなわち本体表示領域３内に密度が高い表示用のサブ画素が配置されている。各サブ画素は発光素子及び発光素子を駆動する画素回路を含む。光透過表示領域１は表示基板の表示側から入射する光が表示基板を透過して表示基板の裏側に到達することを可能にし、それにより表示基板の裏側に位置するセンサ等の部材の正常な動作に用いられる。当然ながら、光透過表示領域１は、表示基板の裏側から発する光が表示基板を通過して表示基板の表示側に到達することも可能にする。光透過表示領域１及び遷移表示領域２も表示するための複数のサブ画素を含む。しかし、サブ画素の画素回路は通常、光が透過しないため、光透過表示領域１の光透過性を向上させるために、光透過表示領域１のサブ画素の発光素子と該発光素子を駆動する画素回路を物理的位置から分離させてもよい。例えば、光透過表示領域１のサブ画素（例えば、図１Ｂの光透過表示領域１内のブロックに示される）の画素回路は、例えば、遷移表示領域２の灰色ブロックに示すように、遷移表示領域２に設置されてもよく、従って、遷移表示領域２の一部の空間を占め、遷移表示領域２の残りの空間は遷移表示領域２のサブ画素を設置することに用いられ、例えば、遷移表示領域２の各白色ブロックは１つのサブ画素を表す。このとき、遷移表示領域２のサブ画素（図１Ｂの白色ブロック）及び光透過表示領域１のサブ画素の画素回路（図１Ｂの灰色ブロック）は遷移表示領域２においてアレイ状に配置される。それにより、光透過表示領域１及び遷移表示領域２の解像度は本体表示領域３の解像度より小さく、すなわち光透過表示領域１及び遷移表示領域２内に配置される表示用のサブ画素の密度は本体表示領域３のサブ画素の密度より小さい。

【0031】

図２に示すように、光透過表示領域１の１つのサブ画素の発光素子４は陽極４Ａ、陰極４Ｃ、及び陽極４Ａと陰極４Ｃとの間の発光層４Ｂを含み、陽極４Ａは配線６を介して遷移表示領域２の画素回路５に接続される。例えば、画素回路５は薄膜トランジスタ（Ｔ）、コンデンサ（Ｃ）等の構造を含み、例えば、画素回路５は一般的な２Ｔ１Ｃ、４Ｔ１Ｃ、４Ｔ２Ｃ、７Ｔ１Ｃ等の画素駆動回路として実現されてもよい。

【0032】

光透過表示領域１の光透過性を向上させるために、上記配線６は通常、透明接続配線であり、又は、配線６の少なくとも光透過表示領域１に位置する部分は透明であり（この場合、配線６の他の部分が非透明であっても、本開示では配線６は透明接続配線であると見なされる）。例えば、透明接続配線は、例えば透明金属酸化物のような透明導電性材料、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等を用いてもよく、それによって高い光透過性を有する。なお、本開示では、「透明」、「光透過」は、一定の光透過率を有すればよく、例えば光透過率が０より大きく、光透過率が１００％であることを必要としない。例えば、一般的に、いずれかの構造又は領域等の光透過率が特定の数値（例えば、４０％、４５％、５０％等）より大きいと、該構造又は領域等は「透明」であり、「光が透過できる」と見なされる。

【0033】

実際のプロセスでは、配線６の最小幅は制限され（例えば、１．５μｍ～２．５μｍ）であり、複数本の配線６が密集して配置される場合、隣接する配線６の間の最小間隔も制限され（例えば、１．５μｍ～２．５μｍ）、それにより、配線６のピッチも制限される（例えば、３μｍ～５μｍ）。配線６のピッチが制限されるため、光透過表示領域１のサイズと光透過表示領域１の解像度とは互いに制限される。なお、本開示では、「ピッチ」とは、隣接する同類構造の間の中心距離を指す。

【0034】

本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板を提供する。該表示基板は、表示するための第１側及び前記第１側とは反対する第２側を有し、且つ第１表示領域、第２表示領域、及び第３表示領域を含む。第１表示領域は第１方向及び第２方向に沿ってアレイ状に配置される複数の第１画素繰り返し単位を含み、各第１画素繰り返し単位は第１発光素子を含み、第１表示領域は表示基板の第１側と第２側との間の光の伝送を可能にする光透過領域を含み、第２表示領域は第１方向及び第２方向に沿ってアレイ状に配置される複数の第２画素繰り返し単位及び複数の第４画素繰り返し単位を含み、各第２画素繰り返し単位は第２画素回路及び第２発光素子を含み、第２画素回路は第２発光素子に電気的に接続され、各第４画素繰り返し単位は第１画素回路を含み、第３表示領域は第１方向及び第２方向に沿ってアレイ状に配置される複数の第３画素繰り返し単位を含み、各第３画素繰り返し単位は第３画素回路及び第３発光素子を含み、第３画素回路は第３発光素子に電気的に接続され、第３表示領域は第２表示領域を少なくとも部分的に取り囲み、第２表示領域は第１表示領域を少なくとも部分的に取り囲み、且つ第２表示領域は第１表示領域の第２方向における中心線に対して軸対称であり、各第１画素繰り返し単位は１つの第４画素繰り返し単位に対応し、各第１画素繰り返し単位と対応する第４画素繰り返し単位との中心を結ぶ線は第１方向と略平行であり、各第１画素繰り返し単位の第１発光素子はｔ本の透明接続配線を介して対応する第４画素繰り返し単位の第１画素回路に電気的に接続され、ｔは正の整数且つｔ≧１であり、第１画素繰り返し単位の第２方向におけるピッチはｂ１であり、第２画素繰り返し単位の第２方向におけるピッチはｂ１であり、第３画素繰り返し単位の第２方向におけるピッチはｂ２であり、

【数6】

ｎは正の整数且つｎ≧２であり、透明接続配線の第２方向におけるピッチはＤであり、第１方向において第１表示領域に含まれる第１画素繰り返し単位の最大数ｓは、

【数7】

を満たし、Ｆｌｏｏｒ（ ）は切り捨て関数を表す。

【0035】

本開示のいくつかの実施例は、上記表示基板に対応する表示装置をさらに提供する。

【0036】

本開示の実施例に係る表示基板は、透明接続配線の配置を最適化し、第１表示領域の第１発光素子の配置を最適化することができ、それにより、第１表示領域の表示効果を改善するとともに、第１表示領域の光透過性を向上させ、さらにフルスクリーン表示装置の性能を向上させることに有利である。

【0037】

以下、図面を参照して本開示のいくつかの実施例及びその例を詳細に説明する。ここで説明される実施形態は本開示を説明及び解釈するためのものに過ぎず、本開示を制限するものではないと理解されるべきである。

【0038】

本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板を提供し、図３は該表示基板の平面模式図を示す。図３に示すように、該表示基板は、表示するための第１側（すなわち表示側）及び第１側とは反対する第２側（すなわち非表示側）を有する。表示基板は表示領域を含み、表示領域は第１表示領域１０（破線のボックスで示される）、第２表示領域２０、及び第３表示領域３０を含む。

【0039】

例えば、図３に示すように、第３表示領域は第２表示領域２０を少なくとも部分的に取り囲み、第２表示領域２０は第１表示領域１０を少なくとも部分的に取り囲み、且つ第２表示領域２０は第１表示領域１０の第２方向Ｙにおける中心線に対して軸対称である。例えば、図３に示すように、第２表示領域２０は第１表示領域１０の第１方向Ｘにおける両側に対称に分布し、例えば、第１方向Ｘと第２方向Ｙは互いに垂直であり、本開示の実施例はこれを含むが、これに限定されない。

【0040】

例えば、図３に示すように、第１表示領域１０は円形表示領域１０Ａ及び円形表示領域１０Ａを取り囲む環状配線領域１０Ｂを含んでもよい。図３では、環状配線領域１０Ｂは黒色リングで示され、円形表示領域１０Ａは環状配線領域１０Ｂ内の白色円形で示される。例えば、第１表示領域１０は第１側からの光が少なくとも部分的に第２側に透過することを可能にし、例えば、いくつかの実施例では、少なくとも円形表示領域１０Ａは第１側からの光が少なくとも部分的に第２側に透過することを可能にし、すなわち、少なくとも円形表示領域１０Ａは透明表示領域であり、光線は表示基板の表示側から該透明表示領域を通過して非表示側に到達することができ、非表示側には、例えばカメラ、赤外線誘導装置等のセンサが設置されてもよく、センサは非表示側に透過した光線を利用して動作することができる。いくつかの実施例では、表示基板の非表示側のデバイスから発する光が透明表示領域（例えば、円形表示領域１０Ａ）を通過して表示基板の表示側に透過するように設定されてもよい。

【0041】

図４は図３に示される表示基板の局所拡大模式図である。例えば、図４に示すように、第１表示領域１０は第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに沿ってアレイ状に配置される複数の第１画素繰り返し単位Ｑ１を含み、第２表示領域２０は第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに沿ってアレイ状に配置される複数の第２画素繰り返し単位Ｑ２及び複数の第４画素繰り返し単位Ｑ４を含み、第３表示領域３０は第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに沿ってアレイ状に配置される複数の第３画素繰り返し単位Ｑ３を含む。

【0042】

例えば、第１画素繰り返し単位Ｑ１は第１発光素子を含むが、第１発光素子を駆動するための第１画素回路を含まない。例えば、第１表示領域１０には画素回路がなく、第１発光素子を駆動するための第１画素回路は第２表示領域２０に設置され、それにより第１表示領域１０の金属被覆面積を減少させ、第１表示領域１０の光透過率を向上させることができる。

【0043】

例えば、第２画素繰り返し単位Ｑ２は第２画素回路及び第２発光素子を含み、第２画素回路と第２発光素子は電気的に接続され、第２画素回路は第２発光素子を駆動することに用いられる。例えば、いくつかの例では、各画素繰り返し単位Ｑ２の第２画素回路と第２発光素子は一対一で対応している。なお、本開示の実施例は、各画素繰り返し単位Ｑ２に含まれる第２画素回路及び第２発光素子の具体的な数を制限しない。

【0044】

例えば、第３画素繰り返し単位Ｑ３は第３画素回路及び第３発光素子を含み、第３画素回路と第３発光素子は電気的に接続され、第３画素回路は第３発光素子を駆動することに用いられる。例えば、いくつかの例では、各画素繰り返し単位Ｑ３の第３画素回路と第３発光素子は一対一で対応している。なお、本開示の実施例は各画素繰り返し単位Ｑ３に含まれる第３画素回路及び第３発光素子の具体的な数を制限しない。

【0045】

例えば、第４画素繰り返し単位Ｑ４は第１画素回路を含み、第１画素回路は第１発光素子を駆動することに用いられる。例えば、各第１画素繰り返し単位Ｑ１は１つの第４画素繰り返し単位Ｑ４に対応し、各第１画素繰り返し単位Ｑ１と対応する第４画素繰り返し単位Ｑ４との中心を結ぶ線は第１方向Ｘと略平行であり、すなわち第１方向Ｘにおける各行の第１画素繰り返し単位Ｑ１の発光素子は第１方向Ｘにおける同一行の第４画素繰り返し単位の第１画素回路により駆動される。

【0046】

例えば、図４に示すように、各第１画素繰り返し単位Ｑ１の第１発光素子はｔ本の透明接続配線ＴＬを介して対応する第４画素繰り返し単位Ｑ４の第１画素回路に電気的に接続され、ｔは正の整数且つｔ≧１である。例えば、各第１画素繰り返し単位Ｑ１の第１発光素子の数はｔであり、対応する第４画素繰り返し単位Ｑ４の第１画素回路の数もｔであり、それにより各第１発光素子は１本の透明接続配線ＴＬを介して対応する１つの第１画素回路に電気的に接続される。便利及び簡潔のために、図４では、上記ｔ本の透明接続配線ＴＬは１本の破線で示される。

【0047】

例えば、図４に示すように、第１表示領域１０の第１画素繰り返し単位Ｑ１は均一に配置され、それにより第１表示領域１０は均一な発光及び表示を実現できる。例えば、図４に示すように、第１画素繰り返し単位Ｑ１の第１方向Ｘにおけるピッチはａ１であり、第２方向Ｙにおけるピッチはｂ１である。

【0048】

例えば、図４に示すように、第２表示領域２０の第２画素繰り返し単位Ｑ２は均一に配置され、それにより第２表示領域２０は均一な発光及び表示を実現できる。例えば、図４に示すように、第２画素繰り返し単位Ｑ２の第１方向Ｘにおけるピッチはａ１であり、第２方向Ｙにおけるピッチはｂ１であり、すなわち、全体的に、第１画素繰り返し単位Ｑ１及び第２画素繰り返し単位Ｑ２は第１表示領域１０及び第２表示領域２０において均一に配置され、それにより第１表示領域１０及び第２表示領域２０全体の均一な発光及び表示を実現できる。

【0049】

例えば、いくつかの例では、図４に示すように、第２表示領域２０の第４画素繰り返し単位Ｑ４は均一に配置され、それにより配線（透明接続配線ＴＬ及び後続のゲート線ＧＬとデータ線ＤＬ等を含む）の配置を最適化することができる。例えば、第４画素繰り返し単位Ｑ４の第１方向Ｘにおけるピッチは第２画素繰り返し単位Ｑ２の第１方向Ｘにおけるピッチに等しくてもよく、第２方向Ｙにおけるピッチは第２画素繰り返し単位Ｑ２の第２方向Ｙにおけるピッチに等しくてもよく、すなわち、第４画素繰り返し単位Ｑ４の第１方向Ｘにおけるピッチはａ１であってもよく、第２方向Ｙにおけるピッチはｂ１であってもよい。なお、別のいくつかの例では、第４画素繰り返し単位Ｑ４は第２表示領域２０において非均一に配置されてもよく、本開示の実施例はこれを制限しない。

【0050】

例えば、図４に示すように、第３表示領域３０の第３画素繰り返し単位Ｑ３は均一に配置され、それにより第３表示領域３０は均一な発光及び表示を実現できる。例えば、図４に示すように、第３画素繰り返し単位Ｑ３の第１方向Ｘにおけるピッチはａ２であり、第２方向Ｙにおけるピッチはｂ２である。

【0051】

例えば、

【数8】

ｍは正の整数且つｍ≧２であり、

【数9】

ｎは正の整数且つｎ≧２である。この場合、第３表示領域３０は高い解像度を有するが、第１表示領域１０及び第２表示領域２０は低い解像度を有する。例えば、図面に示すように、第３表示領域３０に比べて、第１表示領域１０及び第２表示領域２０はある数の画素繰り返し単位（灰色ブロックに示される）を減少させる。図４はｍ＝３且つｎ＝３の状況のみを示すが、本開示の実施例を制限するものではない。

【0052】

例えば、図４に示すように、透明接続配線ＴＬの本体部は第１方向Ｘと略平行であり、第１方向Ｘにおける同一行の第１発光素子（第１表示領域１０の第１画素繰り返し単位Ｑ１に位置する）と第１画素回路（第２表示領域２０の第４画素繰り返し単位Ｑ４に位置する）を電気的に接続することに用いられる。例えば、透明接続配線ＴＬが密集して配置される場合、透明接続配線ＴＬの本体部の第２方向ＹにおけるピッチはＤであり、すなわち透明接続配線ＴＬの第２方向ＹにおけるピッチはＤであり、例えば、Ｄの値の範囲は通常、３μｍ～５μｍであり、本開示の実施例はこれを含むが、これに限定されない。

【0053】

例えば、本開示の実施例に係る表示基板では、第１方向Ｘにおいて第１表示領域１０に含まれる第１画素繰り返し単位Ｑ１の最大数ｓは、

【数10】

を満たし、Ｆｌｏｏｒ（ ）は切り捨て関数を表す。それにより、ｂ１、Ｄ、ｔは設計案に基づいて予め決められる場合、該表示基板の第１表示領域１０の許容サイズは上記式に基づいて確定できる。例えば、いくつかの実施例では、第１方向Ｘにおいて第１表示領域１０に含まれる第１画素繰り返し単位Ｑ１の数は２＊Ｆｌｏｏｒ（ｂ１／（Ｄ＊ｔ））であり、それにより、第１表示領域１０の第１方向Ｘにおけるサイズは許容される最大値であり、この場合、下記円形表示領域１０Ａは最大の面積を有することができる。

【0054】

例えば、第１表示領域１０の第１方向ＸにおけるサイズＬ１は、

【数11】

をおおよそ満たす。それにより、第１表示領域１０の第１方向ＸにおけるサイズＬ１の最大値はおおよそ

【数12】

である。

【0055】

例えば、第１表示領域１０の第２方向Ｙにおけるサイズは第１表示領域１０の第１方向ＸにおけるサイズＬ１にほぼ等しく、すなわち、第１表示領域１０の形状はおおよそ正方形であり、それにより、円形表示領域１０Ａができる限り大きい面積を有する場合、第１表示領域１０の面積が大きすぎないようにする。

【0056】

例えば、図４に示すように、第１表示領域１０の第１画素繰り返し単位Ｑ１は、左右半分の制御方式を用いてもよく、第１表示領域１０の第２方向Ｙにおける中心線に対して軸対称である第２表示領域２０の第４画素繰り返し単位Ｑ４によりそれぞれ制御される。例えば、図４に示すように、第１表示領域１０の左半領域の第１画素繰り返し単位Ｑ１は、第１表示領域１０の左側の第２表示領域２０の第４画素繰り返し単位Ｑ４により制御され、第１表示領域１０の右半領域の第１画素繰り返し単位Ｑ１は、第１表示領域１０の右側の第２表示領域２０の第４画素繰り返し単位Ｑ４により制御される。例えば、図４に示すように、第１表示領域１０は、円形表示領域１０Ａ（灰色円形で示される）及び円形表示領域１０Ａを取り囲む環状配線領域１０Ｂを含む。例えば、図４に示すように、円形表示領域１０Ａの第１発光素子を駆動するための配線は密集して配置されるように環状配線領域１０Ｂに配置され、円形表示領域１０Ａにできる限り大きい面積を有させることができる。

【0057】

図５Ａは本開示の少なくとも１つの実施例に係る第１画素繰り返し単位の平面模式図である。例えば、図５Ａに示すように、各第１画素繰り返し単位０１は、ＧＧＲＢ画素配列方式で配列される８つの第１発光素子を含み、対応して、各第４画素繰り返し単位は、上記８つの第１発光素子を対応して駆動するための８つの第１画素回路を含む。各第１発光素子は１本の透明接続配線ＴＬを介して１つの第１画素回路に接続され、それにより、ｔ＝８である。

【0058】

例えば、図５Ａに示すように、各第１画素繰り返し単位０１は２セットの第１発光素子を含み、各セットの第１発光素子は１つの赤色発光素子Ｒ、２つの緑色発光素子Ｇ、及び１つの青色発光素子Ｂを含む。例えば、各セットの第１発光素子では、赤色発光素子Ｒと一方の緑色発光素子Ｇは１本のゲート線を共有してもよく、青色発光素子Ｂと他方の緑色発光素子Ｇも１本のゲート線を共有してもよく、それにより、図５Ａに示される第１画素繰り返し単位０１に対応するゲート線の本数はｘ＝４であり、例えば、各セットの第１発光素子では、赤色発光素子Ｒと青色発光素子Ｂは１本のデータ線を共有してもよく、２つの緑色発光素子Ｇも１本のデータ線を共有してもよく、それにより、図５Ａに示される第１画素繰り返し単位０１に対応するデータ線の本数はｙ＝４である。

【0059】

図５Ｂは本開示の少なくとも１つの実施例に係る別の第１画素繰り返し単位の平面模式図である。例えば、図５Ｂに示すように、各第１画素繰り返し単位０１はＲＧＢ画素配列方式で配列される１２個の第１発光素子を含み、対応して、各第４画素繰り返し単位は上記１２個の第１発光素子を対応して駆動するための１２個の第１画素回路を含む。各第１発光素子は１本の透明接続配線ＴＬを介して１つの第１画素回路に接続され、それにより、ｔ＝１２である。

【0060】

例えば、図５Ｂに示すように、各第１画素繰り返し単位０１の１２個の第１発光素子は４つの赤色発光素子Ｒ、４つの緑色発光素子Ｇ、及び４つの青色発光素子Ｂを含む。例えば、図５Ｂに示すように、各第１画素繰り返し単位０１の１２個の第１発光素子は２行６列に配列される。例えば、各行の６つの第１発光素子は１本のゲート線を共有してもよく、それにより、図５Ｂに示される第１画素繰り返し単位０１に対応するゲート線の本数はｘ＝２であり、例えば、各列の２つの第１発光素子は１本のデータ線を共有してもよく、それにより、図５Ｂに示される第１画素繰り返し単位０１に対応するデータ線の本数はｙ＝６である。

【0061】

なお、図５Ａ及び図５Ｂに示される第１画素繰り返し単位はいずれも例示的なものであり、本開示の実施例は第１画素繰り返し単位の具体的な構造（すなわち第１画素繰り返し単位に含まれる第１発光素子の種類、数及び配置方式等）を制限しない。

【0062】

例えば、第４画素繰り返し単位の第１画素回路は一般的な２Ｔ１Ｃ、４Ｔ１Ｃ、４Ｔ２Ｃ、７Ｔ１Ｃ等の画素駆動回路を用いてもよいが、これらに限定されない。本開示の実施例は第１画素回路の具体的な構造を制限しない。

【0063】

なお、本開示の実施例は第２画素繰り返し単位の具体的な構造（すなわち第２画素回路の具体的な構造及び第２発光素子の種類、数、及び配置方式等）を制限せず、同様に、本開示の実施例は第３画素繰り返し単位の具体的な構造（すなわち第３画素回路の具体的な構造及び第３発光素子の種類、数及び配置方式等）も制限しない。また、設計を簡略化及び製造を容易にするために、第１画素繰り返し単位の第１発光素子の種類、数及び配置方式等は、第２画素繰り返し単位の第２発光素子及び第３画素繰り返し単位の第３発光素子と同じであってもよく、第４画素繰り返し単位の第１画素回路の具体的な構造は第２画素繰り返し単位の第２画素回路及び第３画素繰り返し単位の第３画素回路と同じであってもよい。

【0064】

例えば、図４に示すように、第１方向Ｘにおける各行の第１画素繰り返し単位Ｑ１の第１発光素子を駆動するためのゲート線ＧＬは、第１方向Ｘにおける同一行の対応する第４画素繰り返し単位Ｑ４の第１画素回路に電気的に接続され、ゲート線ＧＬの少なくとも一部分は第１方向Ｘに沿って延伸し、ゲート線ＧＬの少なくとも他の部分は環状配線領域に位置し、ゲート線ＧＬは円形表示領域１０Ａを貫通しない。ゲート線ＧＬの少なくとも他の部分を環状配線領域に配置することにより、ゲート線ＧＬが円形表示領域１０Ａをバイパスし、円形表示領域１０Ａの光透過性を向上させることができる。例えば、上記ゲート線ＧＬはさらに、第１方向Ｘにおける同一行の第２画素繰り返し単位の第２画素回路及び第３画素繰り返し単位の第３画素回路に電気的に接続されてもよい。例えば、上記ゲート線ＧＬは各画素回路（例えば、第１画素回路～第３画素回路）に駆動制御信号を提供することに用いられ、例えば、前記駆動制御信号は、リセット制御信号、走査信号、発光制御信号等を含むが、これらに限定されず、対応して、ゲート線ＧＬは、リセット制御線、走査信号線（通常、「ゲート線」とも呼ばれる）、発光制御線等を含むが、これらに限定されない。

【0065】

例えば、第２方向Ｙにおける各列の第１画素繰り返し単位Ｑ１の第１発光素子を駆動するためのデータ線ＤＬは、第２方向Ｙにおけるある列の第４画素繰り返し単位Ｑ４の対応する第１画素回路に電気的に接続され、データ線ＤＬの少なくとも一部分は第２方向Ｙに沿って延伸し、データ線ＤＬの少なくとも他の部分は環状配線領域１０Ｂに位置し、データ線ＤＬは円形表示領域１０Ａを貫通しない。データ線ＤＬの少なくとも他の部分を環状配線領域に配置することにより、データ線ＤＬが円形表示領域１０Ａをバイパスし、円形表示領域１０Ａの光透過性を向上させることができる。例えば、上記データ線ＧＬはさらに、第２方向Ｙにおいて該各列の第１画素繰り返し単位Ｑ１と同一列の第３画素繰り返し単位の第３画素回路に電気的に接続されてもよく、また例えば、いくつかの例では、第２表示領域２０は第１表示領域１０を完全に囲み、この場合、上記データ線ＧＬはさらに、第２方向Ｙにおいて該各列の第１画素繰り返し単位Ｑ１と同一列の第２画素繰り返し単位の第２画素回路に電気的に接続される。例えば、上記データ線ＤＬは各画素回路（例えば、第１画素回路～第３画素回路）にデータ信号を提供することに用いられ、さらに各発光素子（例えば、第１発光素子～第３発光素子）の発光輝度を制御する。

【0066】

例えば、本開示の実施例に係る表示基板では、ゲート線ＧＬとデータ線ＤＬは異なる層に位置してもよい。

【0067】

例えば、いくつかの実施例では、各第３画素繰り返し単位Ｑ３に対応するゲート線の数は各第１画素繰り返し単位Ｑ１に対応するゲート線の数と同じであり、各第１画素繰り返し単位Ｑ１に対応するゲート線ＧＬの本数はｘであり、ゲート線ＧＬが環状配線領域１０Ｂに密集して配置される場合のピッチはｃ１であり、例えば、ｃ１の値は通常、３μｍ程度であってもよく、環状配線領域１０Ｂのゲート線ＧＬの半径方向幅の合計Ｒ１はおおよそｘ＊ｃ１＊Ｆｌｏｏｒ（Ｌ１／ｂ２）／２であり、Ｆｌｏｏｒ（Ｌ１／ｂ２）は第１表示領域１０の第２方向Ｙにおけるサイズに対応する第３画素繰り返し単位Ｑ３の最大数を表す。なお、図４に示すように、第１表示領域１０の円形表示領域１０Ａをバイパスする（すなわち貫通しない）必要があるゲート線ＧＬについて、半分のゲート線ＧＬは環状配線領域１０Ｂの上半分を迂回して円形表示領域１０Ａをバイパスしてもよく、他の半分のゲート線ＧＬは環状配線領域１０Ｂの下半分を迂回して円形表示領域１０Ａをバイパスしてもよい。

【0068】

例えば、いくつかの実施例では、各第１画素繰り返し単位Ｑ１に対応するデータ線ＤＬの本数はｙであり、データ線ＤＬが環状配線領域１０Ｂに密集して配置される場合のピッチはｃ２であり、例えば、ｃ２の値は通常、４μｍ程度であってもよく、第１表示領域１０の第１画素繰り返し単位Ｑ１が左右半分の制御方式を用いるため、環状配線領域１０Ｂのデータ線ＤＬの半径方向幅の合計Ｒ２はおおよそｙ＊ｃ２＊ｓ／２である。なお、図４に示すように、第１表示領域１０に対応するデータ線ＤＬについて、半分のデータ線ＤＬは環状配線領域１０Ｂの左半分を迂回して円形表示領域１０Ａをバイパスし、最終的に第１表示領域１０の左側の第２表示領域２０の第１画素回路に電気的に接続されてもよく、他の半分のデータ線ＤＬは環状配線領域１０Ｂの右半分を迂回して円形表示領域１０Ａをバイパスし、最終的に第１表示領域１０の右側の第２表示領域２０の第１画素回路に電気的に接続されてもよい。

【0069】

例えば、いくつかの実施例では、図４に示すように、環状配線領域１０Ｂにおけるゲート線ＧＬの円周方向に沿って延伸している本体部の表示基板上での正投影は、環状配線領域１０Ｂにおけるデータ線ＤＬの円周方向に沿って延伸している本体部の表示基板上での正投影と重ならず、それにより、寄生容量を減少させることができる。この場合、環状配線領域１０Ｂの半径方向幅Ｒはおおよそｘ＊ｃ１＊Ｆｌｏｏｒ（Ｌ１／ｂ２）／２＋ｙ＊ｃ２＊ｓ／２であり、円形表示領域１０Ａの直径はおおよそｓ＊ａ１－ｘ＊ｃ１＊Ｆｌｏｏｒ（Ｌ１／ｂ２）－ｙ＊ｃ２＊ｓ／２であり、上記円形表示領域１０Ａの直径はこの場合で円形表示領域１０Ａの許容される最大径である。

【0070】

例えば、別のいくつかの実施例では、環状配線領域１０Ｂにおけるゲート線ＧＬの円周方向に沿って延伸している本体部の表示基板上での正投影は、環状配線領域１０Ｂにおけるデータ線ＤＬの円周方向に沿って延伸している本体部の表示基板上での正投影と少なくとも部分的に重なる。この場合、環状配線領域１０Ｂの半径方向幅Ｒはおおよそｍａｘ（ｘ＊ｃ１＊Ｆｌｏｏｒ（Ｌ１／ｂ２）／２、ｙ＊ｃ２＊ｓ／２）であり、円形表示領域１０Ａの直径はおおよそｓ＊ａ１－ｍａｘ（ｘ＊ｃ１＊Ｆｌｏｏｒ（Ｌ１／ｂ２）、ｙ＊ｃ２＊ｓ）であり、上記円形表示領域１０Ａの直径はこの場合で円形表示領域１０Ａの許容される最大径である。

【0071】

例えば、いくつかの実施例では、設計を簡略化及び製造を容易にするために、ａ１＝ｂ１にしてもよく、それにより、環状配線領域１０Ｂにおけるゲート線ＧＬの円周方向に沿って延伸している本体部の表示基板上での正投影は、環状配線領域１０Ｂにおけるデータ線ＤＬの円周方向に沿って延伸している本体部の表示基板上での正投影と重ならない場合、環状配線領域１０Ｂの半径方向幅Ｒはおおよそ（ｘ＊ｃ１＊ｎ＋ｙ＊ｃ２）＊ｓ／２であり、円形表示領域１０Ａの直径はおおよそ（ａ１－ｘ＊ｃ１＊ｎ－ｙ＊ｃ２）＊ｓであり、環状配線領域１０Ｂにおけるゲート線ＧＬの円周方向に沿って延伸している本体部の表示基板上での正投影は、環状配線領域１０Ｂにおけるデータ線ＤＬの円周方向に沿って延伸している本体部の表示基板上での正投影と少なくとも部分的に重なる場合、環状配線領域１０Ｂの半径方向幅Ｒはおおよそｍａｘ（ｘ＊ｃ１＊ｎ、ｙ＊ｃ２）＊ｓ／２であり、円形表示領域１０Ａの直径はおおよそ（ａ１－ｍａｘ（ｘ＊ｃ１＊ｎ、ｙ＊ｃ２））＊ｓである。

【0072】

例えば、いくつかの実施例では、第２表示領域２０の第１方向ＸにおけるサイズＬ２は、

【数13】

をおおよそ満たす。例えば、図４に示すように、第２表示領域２０の第２画素繰り返し単位Ｑ２の列数は、第１表示領域１０の第１画素繰り返し単位Ｑ１の列数よりも２列多く、この多くの２列の第２画素繰り返し単位Ｑ２はそれぞれ第１表示領域１０の左右両側の第２表示領域２０に位置し、且つ第１表示領域１０から離れる。例えば、第３表示領域３０（高解像度を有する）と第２表示領域２０（低解像度を有する）の境界発光アルゴリズムの差異を考慮すると、この多くの２列の第２画素繰り返し単位Ｑ２は上記差異による影響の対処に使用される。例えば、図４に示すように、第２表示領域２０の第４画素繰り返し単位Ｑ４の列数は、第１表示領域１０の第１画素繰り返し単位Ｑ１の列数よりも２列多く、この多くの２列の第４画素繰り返し単位Ｑ４はそれぞれ第１表示領域１０の左右両側の第２表示領域２０に位置し、且つ第１表示領域１０から離れる。例えば、この多くの２列の第４画素繰り返し単位Ｑ４は使用に備えてもよい。

【0073】

例えば、いくつかの実施例では、図３及び図４に示すように、第２表示領域２０の第２方向Ｙにおけるサイズは、第１表示領域１０の第２方向２０におけるサイズにほぼ等しい。例えば、別のいくつかの実施例では、第２表示領域２０の第２方向Ｙにおけるサイズは、第１表示領域１０の第２方向Ｙにおけるサイズよりもやや大きくてもよく、この場合、第２表示領域２０は第１表示領域１０を完全に取り囲むことができる。例えば、第２表示領域２０の第２方向Ｙにおけるサイズと第１表示領域１０の第２方向Ｙにおけるサイズとの差は４ｂ１にほぼ等しく、すなわち、第１表示領域１０の上側及び下側にそれぞれ２行の第２画素繰り返し単位Ｑ２があり、本開示の実施例はこれを含むが、これに限定されない。以上のように、本開示の実施例に係る表示基板は、円形表示領域１０Ａの面積ができる限り大きい場合で第１表示領域１０及び第２表示領域２０のサイズを合理的に確定することができる。なお、実際の応用では、環状配線領域１０Ｂ以外の第１表示領域１０の領域を第２表示領域２０と一致するように設計又は製造してもよく、この場合、円形表示領域１０Ａを唯一の光透過表示領域としてもよい。すなわち、図４の実施例における円形表示領域１０Ａを有効な第１表示領域と見なし、図４の実施例における円形表示領域１０Ａ以外の第１表示領域を第２表示領域の一部と見なすようにしてもよい。

【0074】

例えば、いくつかの実施例では、本開示の実施例に係る表示基板の局所断面構造図は図２に示される。例えば、本開示の実施例に係る表示基板の発光素子（例えば、第１発光素子～第３発光素子）の構造はいずれも図２の発光素子４を参照できる。例えば、本開示の実施例に係る表示基板では、各発光素子は、陽極、陰極、及び陽極と陰極との間の発光層を含む。例えば、いくつかの例では、陽極はＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの三層構造等を含んでもよく、本開示の実施例は陽極の具体的な構造を制限しない。例えば、陰極は一層全体にわたって共通陰極として形成されてもよく、例えば、共通陰極の材料は、リチウム（Ｌｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）等の金属材料を含んでもよい。例えば、共通陰極は非常に薄い一層を形成できるため、共通陰極は高い光透過性を有する。

【0075】

例えば、本開示の実施例に係る表示基板は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）表示基板又は量子ドット発光ダイオード（ＱＬＥＤ）表示基板等であってもよく、本開示の実施例は表示基板の具体的な種類を制限しない。

【0076】

例えば、表示基板が有機発光ダイオード表示基板である場合、発光層は小分子有機材料又はポリマー分子有機材料を含んでもよく、蛍光発光材料又はリン光発光材料であってもよく、赤色光、緑色光、青色光を発することができ、又は白色光を発することができる。且つ、実際の異なる需要に応じて、異なる例では、発光層は電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層等の機能層をさらに含んでもよい。

【0077】

例えば、表示基板が量子ドット発光ダイオード（ＱＬＥＤ）表示基板である場合、発光層は、量子ドット材料、例えば、シリコン量子ドット、ゲルマニウム量子ドット、硫化カドミウム量子ドット、セレン化カドミウム量子ドット、テルル化カドミウム量子ドット、セレン化亜鉛量子ドット、硫化鉛量子ドット、セレン化鉛量子ドット、リン化インジウム量子ドット及びヒ化インジウム量子ドット等を含んでもよく、量子ドットの粒径は、例えば２～２０ｎｍである。

【0078】

例えば、本開示の実施例に係る表示基板の画素回路（例えば、第１画素回路～第３画素回路）の構造はいずれも図２の画素回路５を参照できる。例えば、本開示の実施例に係る表示基板では、各画素回路は薄膜トランジスタ（Ｔ）、コンデンサ（Ｃ）等の構造を含む。例えば、薄膜トランジスタは活性層、ゲート及びソースドレイン電極（ソース及びドレインは、図２のソースドレイン電極７に示される）を含む。

【0079】

例えば、いくつかの実施例では、図２に示すように、該表示基板は、陽極層、ソースドレイン電極層、及び陽極層とソースドレイン電極層との間に位置する透明接続配線層を含み、第１発光素子の陽極（図２の陽極４Ａに示される）は陽極層に位置し、透明接続配線（図２の配線６に示される）は透明接続配線層に位置し、薄膜トランジスタのソース及びドレインの少なくとも一方（図２のソースドレイン電極７に示される）はソースドレイン金属層に位置し、且つ第１発光素子の陽極は、透明接続配線を介して薄膜トランジスタのソース及び前記ドレインの少なくとも一方に電気的に接続される。理解されるように、陽極層と透明接続配線層との間及びソースドレイン電極層と透明接続配線層との間には、通常、絶縁層が設置され、且つ絶縁層には通常、電気的接続を形成するためのビアホールが設置される。

【0080】

例えば、いくつかの実施例では、第１表示領域の光透過性を向上させるために、第１発光素子の陽極は透明電極であってもよく、第１発光素子の陽極は透明接続配線を介して第２表示領域の第１画素回路に電気的に接続される。なお、本開示の実施例では、透明接続配線の光透過表示領域１に位置する部分のみが透明であることを必要とし、例えば、透明接続配線は、例えば透明金属酸化物のような透明導電性材料、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等を用いてもよく、それによって高い光透過性を有する。

【0081】

本開示の実施例に係る表示基板は、透明接続配線の配置を最適化し、第１表示領域の第１発光素子の配置を最適化することができ、それにより、第１表示領域の表示効果を改善するとともに、第１表示領域の光透過性を向上させ、さらにフルスクリーン表示装置の性能を向上させることに有利である。

【0082】

本開示の少なくとも１つの実施例は表示装置をさらに提供する。図６は本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示装置の模式的なブロック図である。例えば、図６に示すように、該表示装置１００は表示基板１１０を含み、表示基板１１０は本開示の任意の実施例に係る表示基板、例えば、図３又は図４に示される表示基板である。該表示装置１００は、表示機能を有する任意の電子装置、例えばスマートフォン、ノートパソコン、タブレットパソコン、テレビ等であってもよい。例えば、表示装置１００がスマートフォン又はタブレットパソコンである場合、該スマートフォン又はタブレットパソコンはフルスクリーンの設計を有し、すなわち、第３表示領域３０を取り囲む周辺領域がない。且つ、該スマートフォン又はタブレットパソコンは画面内センサ（例えばカメラ、赤外線センサ等）をさらに有し、画像撮影、距離感知、光強度感知等の操作を行うことができる。

【0083】

なお、該表示基板１１０及び表示装置１００の他の構成部分（例えば、画像データ符号化／復号装置、クロック回路等）は任意の適用な部材を用いてもよく、これらは当業者によって理解されるべきであるものであり、ここで詳細な説明を省略し、本開示の実施例を制限するものとされるべきではない。

【0084】

図７は本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示装置の断面模式図である。例えば、図７に示すように、該表示装置１００は表示基板１１０を含み、表示基板１１０は本開示の任意の実施例に係る表示基板、例えば、図３又は図４に示される表示基板である。例えば、該表示装置１００はセンサ１２０をさらに含む。

【0085】

例えば、図７に示すように、該表示基板１１０は表示するための第１側Ｆ１及び第１側Ｆ１とは反対する第２側Ｆ２を含む。すなわち、第１側Ｆ１は表示側であり、第２側Ｆ２は非表示側である。表示基板１１０は、第１側Ｆ１で表示操作を実行するように構成され、すなわち、表示基板１１０の第１側Ｆ１は表示基板１１０の出光側であり、第１側Ｆ１はユーザーに向かう。第１側Ｆ１と第２側Ｆ２は表示基板１１０の表示面の法線方向において反対している。

【0086】

例えば、図７に示すように、センサ１２０は表示基板１１０の第２側Ｆ２に設置され、且つセンサ１２０は第１側Ｆ１からの光を受けるように構成される。例えば、センサ１２０と第１表示領域１０は表示基板１１０の表示面の法線方向（例えば、表示基板１１０と垂直な方向）において重ね合わせ、センサ１２０は第１表示領域１０を通過する光信号を受信して処理することができ、該光信号は可視光、赤外光等であってもよい。例えば、第１表示領域１０は第１側Ｆ１からの光が少なくとも部分的に第２側Ｆ２に透過することを可能にする。例えば、第１表示領域１０に画素回路が設置されておらず、この場合、第１表示領域１１の光透過率を向上させることができる。例えば、いくつかの例では、センサ１２０と第１表示領域１０の円形表示領域１０Ａは表示基板１１０の表示面の法線方向（例えば、表示基板１１０と垂直な方向）において重ね合わせ、この場合、円形表示領域１０Ａを有効な第１表示領域と見なすことができる。

【0087】

例えば、センサ１２０の表示基板上での正投影は第１表示領域１０と少なくとも部分的に重なる。例えば、いくつかの例では、直下型設置形態を用いる場合、センサ１２０の表示基板１１０上での正投影は第１表示領域１０内に位置する。例えば、別のいくつかの例では、他の導光素子（例えば導光板、導光管等）を用いて光線を側面からセンサ３２０に入射させる場合、センサ１２０の表示基板１１０上での正投影は第１表示領域１０と部分的に重なる。このとき、光線が横方向にセンサ１２０に伝播できるため、センサ１２０が第１表示領域１０に対応する位置に完全に位置する必要がない。

【0088】

例えば、第１画素回路を第２表示領域２０に設置し、且つセンサ１２０と第１表示領域１０を表示基板１１０の表示面の法線方向において重ね合わせることによって、第１表示領域１０の素子による、第１表示領域１０に入射してセンサ１２０に照射する光信号に対する遮蔽を減少させることができ、それにより、センサ１２０から出力される画像の信号対雑音比を向上させることができる。例えば、第１表示領域１０は、表示基板１１０の低解像度領域の高光透過領域と呼ばれてもよい（第２表示領域２０は表示基板１１０の低解像度領域の低光透過領域又は非光透過領域と呼ばれてもよい）。

【0089】

例えば、センサ１２０は、画像センサであってもよく、センサ１２０の集光面が面する外部環境の画像を収集することができ、例えば、ＣＭＯＳ画像センサ又はＣＣＤ画像センサであってもよい。該センサ１２０はさらに、赤外線センサ、距離センサ等であってもよい。例えば、該表示装置１００が例えば携帯電話、ノートパソコン等の移動端末である場合、該センサ１２０は、例えば、携帯電話、ノートパソコン等の移動端末のカメラとして実現でき、且つ需要に応じて、例えばレンズ、反射鏡又は光導波路等の光学デバイスを含んでもよく、それによって光路を変調させる。例えば、該センサ１２０はアレイ状に配置される感光画素を含んでもよい。例えば、各感光画素は感光検出器（例えば、フォトダイオード、フォトトランジスタ）及びスイッチトランジスタ（例えば、薄膜トランジスタ）を含んでもよい。例えば、フォトダイオードは、照射された光信号を電気信号に変換することができ、スイッチトランジスタは、フォトダイオードに電気的に接続され、フォトダイオードが光信号を収集する状態にあるか否か及び光信号を収集する時間を制御することができる。

【0090】

いくつかの例では、第１表示領域１０において、第１発光素子の陽極のみが非光透過のものであるようにしてもよく、すなわち、第１発光素子を駆動するための配線は第１表示領域１１をバイパスし、又は透明配線として設置される。この場合、第１表示領域１１の光透過率をさらに向上させることができるだけでなく、第１表示領域１０の各素子による回折を低減させることもできる。例えば、別のいくつかの例では、第１発光素子の陽極はさらに透明電極として設置されてもよい。

【0091】

なお、本開示の実施例では、表示装置１００はより多くの部材及び構造を含んでもよく、本開示の実施例はこれを制限しない。該表示装置１００の技術的効果及び詳細な説明については、上記の表示基板についての説明を参照すればよく、ここで詳細な説明を省略する。

【0092】

本開示に対して、さらに以下の点を説明する必要がある。
（１）本開示の実施例の図面は本開示の実施例に関する構造のみに関し、他の構造は通常の設計を参照すればよい。
（２）明確にするために、本発明の実施例を説明するための図面では、層又は構造の厚さ及びサイズは拡大される。理解できるように、層、膜、領域又は基板などの素子が別の素子の「上」又は「下」に位置すると記載された場合、該素子は別の素子の「上」又は「下」に「直接」位置してもよく、又は中間素子が存在してもよい。
（３）矛盾しない場合、本開示の実施例及び実施例の特徴を互いに組み合わせて新しい実施例を得ることができる。

【0093】

以上は、本開示の実施形態に過ぎず、本開示の保護範囲はそれに限定されない。本開示の保護範囲は特許請求の範囲の保護範囲に準じるべきである。

【図1A】

【図1B】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図6】

【図7】

【国際調査報告】