(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-07-11
(54)【発明の名称】省電力モードのための電力供給源のグループ化
(51)【国際特許分類】
G11C 11/22 20060101AFI20230704BHJP
G11C 5/14 20060101ALI20230704BHJP
【ＦＩ】
G11C11/22 290
G11C5/14 370
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2022574093
(86)(22)【出願日】2021-05-26
(85)【翻訳文提出日】2023-01-25
(86)【国際出願番号】 US2021034360
(87)【国際公開番号】W WO2021247333
(87)【国際公開日】2021-12-09
(31)【優先権主張番号】16/890,819
(32)【優先日】2020-06-02
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】595168543
【氏名又は名称】マイクロン テクノロジー，インク．
(74)【代理人】
【識別番号】100121083
【弁理士】
【氏名又は名称】青木 宏義
(74)【代理人】
【識別番号】100138391
【弁理士】
【氏名又は名称】天田 昌行
(74)【代理人】
【識別番号】100074099
【弁理士】
【氏名又は名称】大菅 義之
(72)【発明者】
【氏名】ナム ギジュン
(72)【発明者】
【氏名】マー ヤンタオ
(72)【発明者】
【氏名】松原 靖
(72)【発明者】
【氏名】鈴木 尊雅
(57)【要約】
省電力モードのための電力供給源のグループ化のための方法、システム、及びデバイスは、オンダイタイマーによって通知されたグループ順序に従って電圧レベルが連続的に変更され得る内部電力供給源のグループでメモリデバイスを構成することが説明される。例えば、メモリデバイスがディープスリープモードにエントリする場合、内部電力供給源の第１のグループの個別の電圧レベルは、第１の時点で個別の外部電力供給源電圧レベルに変更され得、内部電力供給源の第２のグループの個別の電圧レベルは、第２の時点で個別の外部電力供給源電圧レベルに変更され得る等である。メモリデバイスがディープスリープモードをイクジットする場合、内部電圧供給のグループは、エントリのグループ順序とは反対のグループ順序で、個別の外部電力供給源電圧レベルから個別の動作電圧レベルに変更され得る。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
メモリデバイスがスリープモードにエントリすることを指し示すコマンドを前記メモリデバイスにおいて第１の時点で受信することであって、前記メモリデバイスは、複数の個別の電圧レベルと関連付けられた内部電力供給源のセットを含むことと、前記コマンドを受信することに少なくとも部分的に基づいて、内部電力供給源の前記セットの第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを第２の時点で変更することであって、内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源は、外部電力供給源電圧レベルとは異なる第１の電圧レベルと関連付けられることと、
前記コマンドを受信することに少なくとも部分的に基づいて、内部電力供給源の前記セットの第２のサブセットに対する個別の電圧レベルを前記第２の時点で維持することであって、内部電力供給源の前記セットの前記第２のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源は、前記外部電力供給源電圧レベルとは異なる第２の電圧レベルと関連付けられること
を含む方法。
【請求項2】
前記メモリデバイスが前記スリープモードをイクジットすることを指し示す第２のコマンドを前記メモリデバイスにおいて第３の時点で受信することと、前記第２のコマンドを受信することに少なくとも部分的に基づいて、内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットに対する前記個別の電圧レベルを第４の時点で変更することであって、前記変更することは、内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源を前記第１の電圧レベルに復元することを含むこと
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
前記コマンドを受信することに少なくとも部分的に基づいて、内部電力供給源の前記セットの前記第２のサブセットに対する前記個別の電圧レベルを第３の時点で変更することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項4】
前記メモリデバイスが前記スリープモードをイクジットすることを指し示す第２のコマンドを前記メモリデバイスにおいて第４の時点で受信することと、前記第２のコマンドを受信することに少なくとも部分的に基づいて、内部電力供給源の前記セットの前記第２のサブセットに対する前記個別の電圧レベルを第５の時点で変更することであって、前記変更することは、内部電力供給源の前記セットの前記第２のサブセットの前記少なくとも１つの内部電力供給源を前記第２の電圧レベルに復元することを含むことと、
前記第２のコマンドを受信することに少なくとも部分的に基づいて、内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットに対する前記個別の電圧レベルを第５の時点で維持することと、
前記第２のコマンドを受信することに少なくとも部分的に基づいて、内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットに対する前記個別の電圧レベルを第６の時点で変更することであって、前記変更することは、内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットの前記少なくとも１つの内部電力供給源を前記第１のレベルに復元することを含むこと
を更に含む、請求項３に記載の方法。
【請求項5】
前記コマンドを受信することに少なくとも部分的に基づいて、内部電力供給源の前記セットの第３のサブセットに対する個別の電圧レベルを前記第２の時点及び前記第３の時点で維持することであって、内部電力供給源の前記セットの前記第３のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源は、前記外部電力供給源電圧レベルとは異なる第３の電圧レベルと関連付けられることを更に含む、請求項３に記載の方法。
【請求項6】
前記コマンドを受信することに少なくとも部分的に基づいて、内部電力供給源の前記セットの前記第３のサブセットに対する前記個別の電圧レベルを第４の時点で変更することを更に含む、請求項５に記載の方法。
【請求項7】
前記メモリデバイスが前記スリープモードをイクジットすることを指し示す第２のコマンドを前記メモリデバイスにおいて第５の時点で受信することと、前記第２のコマンドを受信することに少なくとも部分的に基づいて、内部電力供給源の前記セットの前記第３のサブセットに対する前記個別の電圧レベルを第６の時点で変更することであって、前記変更することは、内部電力供給源の前記セットの前記第３のサブセットの前記少なくとも１つの内部電力供給源を前記第３の電圧レベルに復元することを含むことと、
前記第２のコマンドを受信することに少なくとも部分的に基づいて、内部電力供給源の前記セットの前記第２のサブセット及び前記第１のサブセットに対する前記個別の電圧レベルを前記第６の時点で維持することと、
前記第２のコマンドを受信することに少なくとも部分的に基づいて、内部電力供給源の前記セットの前記第２のサブセットに対する前記個別の電圧レベルを第７の時点で変更することであって、前記変更することは、内部電力供給源の前記セットの前記第２のサブセットの前記少なくとも１つの内部電力供給源を前記第２の電圧レベルに復元することを含むことと、
前記第２のコマンドを受信することに少なくとも部分的に基づいて、内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットに対する前記個別の電圧レベルを前記第７の時点で維持することと、
前記第２のコマンドを受信することに少なくとも部分的に基づいて、内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットに対する前記個別の電圧レベルを第８の時点で変更することであって、前記変更することは、内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットの前記少なくとも１つの内部電力供給源を前記第１の電圧レベルに復元することを含むこと
を更に含む、請求項６に記載の方法。
【請求項8】
内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットは、順方向電圧バイアスに対する第１の閾値、電力供給動作に対する第１の電圧レベル閾値、又はそれらの組み合わせにと関連付けられ、内部電力供給源の前記セットの前記第２のサブセットは、順方向電圧バイアスに対する第２の閾値、電力供給動作に対する第２の電圧レベル閾値、又はそれらの組み合わせと関連付けられる、
請求項１に記載の方法。
【請求項9】
内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットに対する前記個別の電圧レベルを変更することは、内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットの前記個別の電圧レベルを、個別の第１の動作電圧レベルから、個別の第１の外部電力供給源電圧レベルからの個別の閾値電圧レベルに変更するために、個別のブリーダー回路を活性化すること
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項10】
内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットに対する前記個別の電圧レベルを変更することは、前記個別のブリーダー回路と結合された個別のコンパレータを介して、内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットの前記個別の電圧レベルを前記個別の第１の外部電力供給源電圧レベルと比較することと、
内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットの前記個別の電圧レベルを前記個別の第１の外部電力供給源電圧レベルと比較することに少なくとも部分的に基づいて、前記個別のブリーダー回路を非活性化することと、
内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットの前記個別の電圧レベルを前記個別の第１の外部電力供給源電圧レベルと比較することに少なくとも部分的に基づいて、内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットの前記個別の電圧レベルを前記個別の第１の外部電力供給源電圧レベルからの前記個別の閾値電圧レベルに維持するために前記個別のコンパレータと結合された個別のクランパー回路を活性化すること
を更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項11】
個別のクランパー回路を活性化することは、内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットの個別の内部電力供給源の前記個別の電圧レベルが個別の第１の外部電力供給源電圧レベルからの個別の閾値電圧レベルに到達することに少なくとも部分的に基づく、請求項１０に記載の方法。
【請求項12】
内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットの各個別の第１の電圧レベルは、各個別の第１の外部電力供給源電圧レベルよりも高い、請求項９に記載の方法。
【請求項13】
複数の個別の電圧レベルと関連付けられた内部電力供給源のセットであって、外部電力供給源電圧レベルとは異なる第１の電圧レベルと関連付けられた第１の内部電力供給源を含む内部電力供給源の第１のサブセットと、
前記外部電力供給源電圧レベルとは異なる第２の電圧レベルと関連付けられた第２の内部電力供給源を含む内部電力供給源の第２のサブセットと
を含む、内部電力供給源の前記セットと、
装置がスリープモードにエントリすることを指し示すコマンドを第１の時点で受信することと、
前記コマンドを受信することに少なくとも部分的に基づいて、内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを第２の時点で変更することと、
前記コマンドを受信することに少なくとも部分的に基づいて、内部電力供給源の前記セットの前記第２のサブセットに対する個別の電圧レベルを前記第２の時点で維持すること
をするように構成されたコントローラと
を含む、装置。
【請求項14】
前記コントローラは、前記装置が前記スリープモードをイクジットすることを指し示す第２のコマンドを前記装置において第３の時点で受信することと、
前記第２のコマンドを受信することに少なくとも部分的に基づいて、内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットに対する前記個別の電圧レベルを第４の時点で変更することであって、前記変更することは、前記第１の内部電力供給源を前記第１の電圧レベルに復元することを含むこと
をするように更に構成される、請求項１３に記載の装置。
【請求項15】
前記コントローラは、前記コマンドを受信することに少なくとも部分的に基づいて、内部電力供給源の前記セットの前記第２のサブセットに対する前記個別の電圧レベルを第３の時点で変更すること
をするように更に構成される、請求項１３に記載の装置。
【請求項16】
前記コントローラは、前記装置が前記スリープモードをイクジットすることを指し示す第２のコマンドを前記装置において第４の時点で受信することと、
前記第２のコマンドを受信することに少なくとも部分的に基づいて、内部電力供給源の前記セットの前記第２のサブセットに対する前記個別の電圧レベルを第５の時点で変更することであって、前記変更することは、前記第２の内部電力供給源を前記第２の電圧レベルに復元することを含むことと、
前記第２のコマンドを受信することに少なくとも部分的に基づいて、内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットに対する前記個別の電圧レベルを前記第５の時点で維持することと、
前記第２のコマンドを受信することに少なくとも部分的に基づいて、内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットに対する前記個別の電圧レベルを第６の時点で変更することであって、前記変更することは、前記第１の内部電力供給源を前記第１の電圧レベルに復元することを含むこと
をするように更に構成される、請求項１５に記載の装置。
【請求項17】
内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットは、順方向電圧バイアスに対する第１の閾値、電力供給動作に対する第１の電圧レベル閾値、又はそれらの組み合わせと関連付けられ、内部電力供給源の前記セットの前記第２のサブセットは、順方向電圧バイアスに対する第２の閾値、電力供給動作に対する第２の電圧レベル閾値、又はそれらの組み合わせと関連付けられる、
請求項１３に記載の装置。
【請求項18】
前記装置は、内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットの前記個別の電圧レベルを、個別の第１の動作電圧レベルから、個別の第１の外部電力供給源電圧レベルからの個別の第１の閾値電圧レベルに変更するように構成されたブリーダー回路の第１のサブセットと、
内部電力供給源の前記セットの前記第２のサブセットの前記個別の電圧レベルを、個別の第２の動作電圧レベルから、個別の第２の外部電力供給源電圧レベルからの個別の第２の閾値電圧レベルに変更するように構成されたブリーダー回路の第２のサブセットと
を含む、ブリーダー回路のセットと、
ブリーダー回路の前記第１のサブセットの個別のブリーダー回路と結合され、内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットの前記個別の電圧レベルを前記個別の第１の外部電力供給源電圧レベルと比較するように構成されたコンパレータ回路の第１のサブセットと、
ブリーダー回路の前記第２のサブセットの個別のブリーダー回路と結合され、内部電力供給源の前記セットの前記第２のサブセットの前記個別の電圧レベルを前記個別の第２の外部電力供給源電圧レベルと比較するように構成されたコンパレータ回路の第２のサブセットと
を含む、コンパレータ回路のセットと
を更に含む、請求項１３に記載の装置。
【請求項19】
内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットの各個別の第１の動作電圧レベルは、各個別の第１の外部電力供給源電圧レベルよりも高く、内部電力供給源の前記セットの前記第２のサブセットの各個別の第２の動作電圧レベルは、各個別の第２の外部電力供給源電圧レベルよりも高い、
請求項１８に記載の装置。
【請求項20】
前記装置は、コンパレータ回路の前記第１のサブセットの個別のコンパレータ回路と結合され、前記第１のサブセットの前記個別のコンパレータ回路に少なくとも部分的に基づいて、内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットの前記個別の電圧レベルを、前記個別の第１の外部電力供給源電圧レベルからの前記個別の第１の閾値電圧レベルに維持するように構成されたクランパー回路の第１のサブセットと、
コンパレータ回路の前記第２のサブセットの個別のコンパレータ回路と結合され、前記第２のサブセットの前記個別のコンパレータ回路に少なくとも部分的に基づいて、内部電力供給源の前記セットの前記第２のサブセットの前記個別の電圧レベルを、前記個別の第２の外部電力供給源電圧レベルからの前記個別の第２の閾値電圧レベルに維持するように構成されたクランパー回路の第２のサブセットと
を含むクランパー回路のセットを更に含む、請求項１８に記載の装置。
【請求項21】
前記コントローラは、内部電力供給源の前記セットの前記第１のサブセットの個別の内部電力供給源の前記個別の電圧レベルが個別の電圧レベル閾値に到達することに少なくとも部分的に基づいて、クランパー回路の前記第１のサブセットの個別のクランパー回路を活性化すること
をするように更に構成される、請求項２０に記載の装置。
【請求項22】
外部電力供給源電圧レベルとは異なる第１の電圧レベルと関連付けられた第１の内部電力供給源と、前記第１の電圧レベルとは異なり、前記外部電力供給源電圧レベルとは異なる第２の電圧レベルと関連付けられた第２の内部電力供給源と、
前記第１の内部電力供給源の前記第１の電圧レベルを第１の外部電力供給源電圧レベルに変更するように構成された第１のブリーダー回路と、
前記第２の内部電力供給源の前記第２の電圧レベルを第２の外部電力供給源電圧レベルに変更するように構成された第２のブリーダー回路と
を含む、ブリーダー回路のセットと、
前記第１の内部電力供給源を前記第１の外部電力供給源電圧レベルに維持するように構成された第１のクランパー回路と、
前記第２の内部電力供給源を前記第２の外部電力供給源電圧レベルに維持するように構成された第２のクランパー回路と
を含むクランパー回路のセットと
を含む装置。
【請求項23】
前記第１の電圧レベル、前記第２の電圧レベル、及び前記外部電力供給源電圧レベルとは異なる第３の電圧レベルと関連付けられた第３の内部電力供給源と、ブリーダー回路の前記セットの第３のブリーダー回路であって、前記第３の内部電力供給源の前記第３の電圧レベルを第３の外部電力供給源電圧レベルに変更するように構成された前記第３のブリーダー回路と、
クランパー回路の前記セットの第３のクランパー回路であって、前記第３の内部電力供給源を前記第３の外部電力供給源電圧レベルに維持するように構成された前記第３のクランパー回路と
を更に含む、請求項２２に記載の装置。
【請求項24】
前記第１のブリーダー回路は、前記第１の外部電力供給源電圧レベルを有する第１の外部電力供給源と前記第１の内部電力供給源を選択的に結合するように構成された１つ以上のスイッチングコンポーネントと、
前記１つ以上のスイッチングコンポーネントを介して、前記第１の内部電力供給源又は前記第１の外部電力供給源と選択的に結合可能な１つ以上の抵抗器と
を含む、請求項２２に記載の装置。
【請求項25】
クランパー回路の前記セットの各クランパー回路は、個別の内部電力供給源の個別の電圧レベルを個別の外部電力供給源電圧レベルと比較するように構成された個別のコンパレータ回路と結合される、請求項２２に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
［クロスリファレンス］
本特許出願は、２０２０年６月２０日に出願された、Ｎａｍ等による“ＧＲＯＵＰＩＮＧ ＰＯＷＥＲ ＳＵＰＰＬＩＥＳ ＦＯＲ Ａ ＳＬＥＥＰ ＭＯＤＥ”と題した米国特許出願第１６／８９０，８１９号に対する優先権を主張し、該出願は、本願の譲受人に譲渡され、参照により本明細書に明白に組み込まれる。
本特許出願は、２０２０年６月２０日に出願された、Ｎａｍ等による“ＧＲＯＵＰＩＮＧ ＰＯＷＥＲ ＳＵＰＰＬＩＥＳ ＦＯＲ Ａ ＳＬＥＥＰ ＭＯＤＥ”と題した米国特許出願第１６／８９０，８１９号に対する優先権を主張し、該出願は、本願の譲受人に譲渡され、参照により本明細書に明白に組み込まれる。
【0002】
［技術分野］
以下は、一般的に、１つ以上のメモリシステムに関し、より具体的には、省電力モードのための電力供給源のグループ化に関する。
以下は、一般的に、１つ以上のメモリシステムに関し、より具体的には、省電力モードのための電力供給源のグループ化に関する。
【背景技術】
【0003】
メモリデバイスは、コンピュータ、無線通信デバイス、カメラ、及びデジタルディスプレイ等の様々な電子デバイス内に情報を蓄積するために広く使用されている。情報は、メモリデバイス内のメモリセルを様々な状態にプログラミングすることによって蓄積される。例えば、バイナリメモリセルは、論理１又は論理０によりしばしば示される２つのサポートされた状態の内の１つにプログラミングされ得る。幾つかの例では、単一のメモリセルは、２つよりも多い状態をサポートし得、それらの内の何れか１つが蓄積され得る。蓄積された情報にアクセスするために、デバイスのコンポーネントは、メモリデバイス内の少なくとも１つの蓄積された状態を読み出し得、又はセンシングし得る。情報を蓄積するために、デバイスのコンポーネントは、メモリデバイス内に状態を書き込み得、又はプログラミングし得る。
【0004】
磁気ハードディスク、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、ダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）、同期型ダイナミックＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）、強誘電体ＲＡＭ（ＦｅＲＡＭ）、磁気ＲＡＭ（ＭＲＡＭ）、抵抗変化型ＲＡＭ（ＲＲＡＭ）、フラッシュメモリ、及び相変化メモリ（ＰＣＭ）等を含む様々なタイプのメモリデバイスが存在する。メモリデバイスは、揮発性又は不揮発性であり得る。不揮発性メモリ、例えば、ＦｅＲＡＭは、外部電源がない場合でも、それらの蓄積された論理状態を長時間維持し得る。揮発性メモリデバイス、例えば、ＤＲＡＭは、外部電源から切断された場合、それらの蓄積された状態を喪失し得る。ＦｅＲＡＭは、揮発性メモリと同様の密度を達成可能であり得るが、強誘電体コンデンサをストレージデバイスとして使用することに起因して不揮発性の特性を有し得る。
【図面の簡単な説明】
【0005】
【図1】本明細書に開示するような例に従った省電力モードのための電力供給源のグループ化をサポートするシステムの一例を説明する。
【図2】本明細書に開示するような例に従った省電力モードのための電力供給源のグループ化をサポートするメモリダイの一例を説明する。
【図3A】本明細書に開示するような例に従った省電力モードのための電力供給源のグループ化をサポートする強誘電体メモリセルの非線形電気特性の例を説明する。
【図3B】本明細書に開示するような例に従った省電力モードのための電力供給源のグループ化をサポートする強誘電体メモリセルの非線形電気特性の例を説明する。
【図4】本明細書に開示するような例に従った省電力モードのための電力供給源のグループ化をサポートするタイミング図の一例を説明する。
【図5】本明細書に開示するような例に従った省電力モードのための電力供給源のグループ化をサポートするタイミング図の一例を説明する。
【図6】本明細書に開示するような例に従った省電力モードのための電力供給源のグループ化をサポートする電圧変更構成の一例を説明する。
【図7】本明細書に開示するような例に従った省電力モードのための電力供給源のグループ化をサポートする回路図の一例を説明する。
【図8】本開示の態様に従った省電力モードのための電力供給源のグループ化をサポートするメモリデバイスのブロック図を示す。
【図9】本明細書に開示するような例に従った省電力モードのための電力供給源のグループ化をサポートする１つ以上の方法を説明するフローチャートを示す。
【図10】本明細書に開示するような例に従った省電力モードのための電力供給源のグループ化をサポートする１つ以上の方法を説明するフローチャートを示す。
【発明を実施するための形態】
【0006】
幾つかのメモリデバイス（例えば、強誘電体メモリデバイス）は、メモリセルの書き込み及び／又は読み出しプロシージャでの使用のためのより高い電圧を生成するために複数の内部電力供給源を使用する。幾つかの場合、メモリデバイスは、例えば、電力を節約するため、又は使用しすぎを防止するために、スタンバイモード又はスリープモード（例えば、ディープスリープモード）にエントリし得る。ディープスリープモードにエントリする場合、メモリデバイス（例えば、メモリデバイスのコントローラ）は、内部電力供給源の個別の電圧レベルを個別のより低電圧レベルに変更し得、ディープスリープモード中に内部電力供給源を個別の異なる電圧レベル（例えば、より低い電圧レベル）に維持し得る。幾つかの場合、内部電力供給源の個別の電圧レベルが変更のシーケンス又は順序に関係なく変更された場合、電圧の変更は、幾つかの強誘電体メモリセルでデータ損失を発生させ得、（例えば、正の供給電圧とより低い供給電圧又はグランドとの間に低インピーダンス経路を創出する１つ以上のコンポーネントにおける接合部の順方向バイアスに起因して）メモリデバイスの１つ以上のコンポーネントでラッチアップを発生させ得る。
【0007】
ディープスリープのエントリ又はイクジット中にメモリデバイスのコンポーネント内のラッチアップ又は順方向バイアスと関連付けられる起こり得る影響を軽減するために、メモリデバイスは、オンダイタイマーによって通知されたグループ順序に従って電圧レベルが連続的に変更され得る内部電力供給源のグループで構成され得る。例えば、メモリデバイスがディープスリープモードにエントリする場合、内部電力供給源の第１のグループの個別の電圧レベルは、第１の時点で個別の外部電力供給源電圧レベルに変更され得、内部電力供給源の第２のグループの個別の電圧レベルは、第２の時点で個別の外部電力供給源電圧レベルに変更され得る等である。メモリデバイスがディープスリープモードをイクジットする場合、内部電圧供給源のグループは、ディープスリープエントリグループ順序とは反対のグループ順序で、個別の外部電力供給源電圧レベルから個別の動作電圧レベルに変更され得る。
【0008】
電圧変更メカニズムは、１つ以上のブリーダー回路及び１つ以上のクランプ回路を含み得、クランプ回路は、（例えば、内部電力供給源電圧が外部電力供給源電圧の閾値内に一旦なると、クランプ回路が有効になるように）個別の内部電力供給源電圧レベルを個別の外部電力供給源電圧に関連する閾値と比較することによって有効にされ得る。このようにグループに従って内部電圧供給源を順序付けて変更することは、省電力をサポートし得、順方向バイアス又はラッチアップによる損傷効果を低減又は防止し得、メモリセルのデータ損失を低減し（例えば、セルの安全性及び信頼性を向上させ）得、ディープスリープモードをイクジットする場合のピーク電流を低減し得る。
【0009】
開示の機構は、図１～図２を参照して説明するように、メモリシステム及びダイの文脈でまず説明される。開示の機構は、図３～図７を参照して説明するように、強誘電体メモリセルの非線形電気特性、タイミング図、電圧変更構成、及び回路図の文脈で説明される。開示のこれらの及びその他の機構は、図８～図１０を参照して説明するように、省電力モードのための電力供給源のグループ化に関連する装置図及びフローチャートによって更に説明され、それらを参照して更に説明される。
【0010】
図１は、本明細書に開示するような例に従った省電力モードのための電力供給源のグループ化をサポートするシステム１００の一例を説明する。システム１００は、ホストデバイス１０５、メモリデバイス１１０、及びホストデバイス１０５をメモリデバイス１１０と結合する複数のチャネル１１５を含み得る。システム１００は、１つ以上のメモリデバイスを含み得るが、１つ以上のメモリデバイス１１０の態様は、単一のメモリデバイス（例えば、メモリデバイス１１０）の文脈で説明され得る。
【0011】
システム１００は、コンピューティングデバイス、モバイルコンピューティングデバイス、ワイヤレスデバイス、グラフィックス処理デバイス、車両、又はその他のシステム等の電子デバイスの一部分を含み得る。例えば、システム１００は、コンピュータ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、スマートフォン、携帯電話、ウェアラブルデバイス、インターネット接続デバイス、又は車両コントローラ等の態様を説明し得る。メモリデバイス１１０は、システム１００の１つ以上のその他のコンポーネントに対するデータを蓄積するように動作可能なシステムのコンポーネントであり得る。
【0012】
システム１００の少なくとも一部分は、ホストデバイス１０５の例であり得る。ホストデバイス１０５は、例の中でもとりわけ、コンピューティングデバイス、モバイルコンピューティングデバイス、ワイヤレスデバイス、グラフィックス処理デバイス、コンピュータ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、スマートフォン、携帯電話、ウェアラブルデバイス、インターネット接続デバイス、車両コントローラ、又は何らかのその他の固定若しくは携帯型電子デバイス内等、プロセスを実行するためにメモリを使用するデバイス内のプロセッサ又はその他の回路の一例であり得る。幾つかの例では、ホストデバイス１０５は、外部メモリコントローラ１２０の機能を実装するハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらの組み合わせを指し得る。幾つかの例では、外部メモリコントローラ１２０は、ホスト又はホストデバイス１０５と称され得る。
【0013】
メモリデバイス１１０は、システム１００により使用又は参照され得る物理メモリアドレス／空間を提供するように動作可能な独立したデバイス又はコンポーネントであり得る。幾つかの例では、メモリデバイス１１０は、１つ以上の異なるタイプのホストデバイス１０５と共に作動するように構成可能であり得る。ホストデバイス１０５とメモリデバイス１１０との間のシグナリングは、信号を変調するための変調方式、信号を通信するための様々なピン構成、ホストデバイス１０５及びメモリデバイス１１０の物理的パッケージングのための様々な形式の要因、ホストデバイス１０５とメモリデバイス１１０との間のクロックシグナリング及び同期、タイミング規則、又はその他の要因の内の１つ以上をサポートするように動作可能であり得る。
【0014】
メモリデバイス１１０は、ホストデバイス１０５のコンポーネントに対するデータを蓄積するように動作可能であり得る。幾つかの例では、メモリデバイス１１０は、（例えば、外部メモリコントローラ１２０を通じてホストデバイス１０５によって提供されたコマンドに応答して実行する）ホストデバイス１０５に対するスレーブタイプのデバイスとして機能し得る。そうしたコマンドは、書き込み動作のための書き込みコマンド、読み出し動作のための読み出しコマンド、リフレッシュ動作のためのリフレッシュコマンド、又はその他のコマンドの内の１つ以上を含み得る。幾つかの場合、ホストデバイス１０５からのコマンドは、メモリデバイス１１０がスリープモードにエントリすることを指し示し得る。例えば、ホストデバイス１０５は、幾つかのメモリデバイス機能がシャットダウンされ、幾つかのその他のメモリデバイス機能が依然として動作可能なスリープモードにメモリデバイス１１０がエントリすることを指し示し得る。追加的又は代替的に、ホストデバイス１０５は、最も重要なメモリデバイス機能、電力供給源、及び電圧以外の全てがシャットダウンされるディープスリープモードにメモリデバイス１１０がエントリすることを指し示し得る。
【0015】
ホストデバイス１０５は、外部メモリコントローラ１２０、プロセッサ１２５、ベーシック入力／出力システム（ＢＩＯＳ）コンポーネント１３０、又は１つ以上の周辺コンポーネント若しくは１つ以上の入力／出力コントローラ等のその他のコンポーネントの内の１つ以上を含み得る。ホストデバイスのコンポーネントは、バス１３５を使用して相互に結合され得る。
【0016】
プロセッサ１２５は、システム１００の少なくとも一部分又はホストデバイス１０５の少なくとも一部分に制御又はその他の機能を提供するように動作可能であり得る。プロセッサ１２５は、汎用プロセッサ、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）若しくはその他のプログラマブルロジックデバイス、ディスクリートゲート若しくはトランジスタロジック、ディスクリートハードウェアコンポーネント、又はこれらのコンポーネントの組み合わせであり得る。そうした例では、プロセッサ１２５は、例の中でもとりわけ、中央処理装置（ＣＰＵ）、グラフィックス処理装置（ＧＰＵ）、汎用ＧＰＵ（ＧＰＧＰＵ）、又はシステムオンチップ（ＳｏＣ）の一例であり得る。幾つかの例では、外部メモリコントローラ１２０は、プロセッサ１２５によって実装され得、又はプロセッサ１２５の一部であり得る。
【0017】
ＢＩＯＳコンポーネント１３０は、ファームウェアとして動作するＢＩＯＳを含むソフトウェアコンポーネントであり得、これは、システム１００又はホストデバイス１０５の様々なハードウェアコンポーネントを初期化及び実行し得る。ＢＩＯＳコンポーネント１３０はまた、プロセッサ１２５とシステム１００又はホストデバイス１０５の様々なコンポーネントとの間のデータの流れを管理し得る。ＢＩＯＳコンポーネント１３０は、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、又はその他の不揮発性メモリの内の１つ以上内に蓄積されたプログラム又はソフトウェアを含み得る。
【0018】
メモリデバイス１１０は、デバイスメモリコントローラ１５５と、データストレージのための所望の容量又は指定された容量をサポートするための１つ以上のメモリダイ１６０（例えば、メモリチップ）とを含み得る。各メモリダイ１６０は、ローカルメモリコントローラ１６５（例えば、ローカルメモリコントローラ１６５－ａ、ローカルメモリコントローラ１６５－ｂ、ローカルメモリコントローラ１６５－Ｎ）及びメモリアレイ１７０（例えば、メモリアレイ１７０－ａ、メモリアレイ１７０－ｂ、メモリアレイ１７０－Ｎ）を含み得る。メモリアレイ１７０は、メモリセルの集合（例えば、１つ以上のグリッド、１つ以上のバンク、１つ以上のタイル、１つ以上のセクション）であり得、各メモリセルは、少なくとも１ビットのデータを蓄積するように動作可能である。２つ以上のメモリダイを含むメモリデバイス１１０は、マルチダイメモリ若しくはマルチダイパッケージ、又はマルチチップメモリ若しくはマルチチップパッケージと称され得る。メモリダイは、幾つかの場合、（例えば、１つ以上のプロシージャを実行する場合に）メモリダイのコンポーネントによって使用され得るタイミングパルス又はクロックパルスを生成し得るオンダイタイマーを含み得る。
【0019】
デバイスメモリコントローラ１５５は、メモリデバイス１１０の動作を制御するように動作可能な回路、ロジック、又はコンポーネントを含み得る。デバイスメモリコントローラ１５５は、メモリデバイス１１０が様々な動作を実施することに可能にするハードウェア、ファームウェア、又は命令を含み得、メモリデバイス１１０のコンポーネントに関連するコマンド、データ、又は制御情報を受信、送信、又は実行するように動作可能であり得る。デバイスメモリコントローラ１５５は、外部メモリコントローラ１２０、１つ以上のメモリダイ１６０、又はプロセッサ１２５の内の１つ以上と通信するように動作可能であり得る。幾つかの例では、デバイスメモリコントローラ１５５は、メモリダイ１６０のローカルメモリコントローラ１６５と併せて、本明細書に説明するメモリデバイス１１０の動作を制御し得る。デバイスメモリコントローラ１５５（例えば、又はその他のメモリコントローラ）は、（例えば、ホストデバイス１０５から受信したコマンドに基づいて）ディープスリープモード等のスリープモードにエントリする場合に、メモリデバイス１１０の１つ以上のコンポーネントの動作を制御し得る。
【0020】
幾つかの例では、メモリデバイス１１０は、ホストデバイス１０５からデータ若しくはコマンド又はそれらの両方を受信し得る。例えば、メモリデバイス１１０は、メモリデバイス１１０がホストデバイス１０５に対するデータを蓄積することを指し示す書き込みコマンド、又はメモリデバイス１１０がメモリダイ１６０内に蓄積されたデータをホストデバイスに提供することを指し示す読み出しコマンドを受信し得る。
【0021】
（例えば、メモリダイ１６０に対してローカルな）ローカルメモリコントローラ１６５は、メモリダイ１６０の動作を制御するように動作可能であり得る。幾つかの例では、ローカルメモリコントローラ１６５は、デバイスメモリコントローラ１５５と通信する（例えば、データ若しくはコマンド又はそれらの両方を受信する又は送信する）ように動作可能であり得る。幾つかの例では、メモリデバイス１１０は、デバイスメモリコントローラ１５５及びローカルメモリコントローラ１６５を含まなくてもよく、又は外部メモリコントローラ１２０は、本明細書に説明する様々な機能を実施し得る。したがって、ローカルメモリコントローラ１６５は、デバイスメモリコントローラ１５５と、他のローカルメモリコントローラ１６５と、又は直接、外部メモリコントローラ１２０、若しくはプロセッサ１２５、又はそれらの組み合わせと通信するように動作可能であり得る。デバイスメモリコントローラ１５５若しくはローカルメモリコントローラ１６５又はそれらの両方内に含まれ得るコンポーネントの例は、（例えば、外部メモリコントローラ１２０から）信号を受信するための受信機、（例えば、外部メモリコントローラ１２０へ）信号を送信するための送信機、受信した信号を復号又は復調するためのデコーダ、送信される信号を符号化又は変調するためのエンコーダ、又はデバイスメモリコントローラ１５５若しくはローカルメモリコントローラ１６５又はそれらの両方の説明する動作をサポートするように動作可能な様々なその他の回路若しくはコントローラを含み得る。
【0022】
外部メモリコントローラ１２０は、システム１００又はホストデバイス１０５のコンポーネント（例えば、プロセッサ１２５）とメモリデバイス１１０との間の情報、データ、又はコマンドの内の１つ以上の通信を可能にするように動作可能であり得る。外部メモリコントローラ１２０は、ホストデバイス１０５及びメモリデバイス１１０のコンポーネント間で交換される通信を置換又は変換し得る。幾つかの例では、外部メモリコントローラ１２０又はシステム１００若しくはホストデバイス１０５のその他のコンポーネント、又は本明細書に説明するその機能は、プロセッサ１２５によって実装され得る。例えば、外部メモリコントローラ１２０は、プロセッサ１２５又はシステム１００若しくはホストデバイス１０５のその他のコンポーネントにより実装されるハードウェア、ファームウェア、若しくはソフトウェア、又はそれらの何らかの組み合わせであり得る。外部メモリコントローラ１２０は、メモリデバイス１１０の外部にあるものとして描写されているが、幾つかの例では、外部メモリコントローラ１２０、又は本明細書に説明するその機能は、メモリデバイス１１０の１つ以上のコンポーネント（例えば、デバイスメモリコントローラ１５５、ローカルメモリコントローラ１６５）によって実装され得、又はその逆も然りである。
【0023】
ホストデバイス１０５のコンポーネントは、１つ以上のチャネル１１５を使用してメモリデバイス１１０と情報を交換し得る。チャネル１１５は、外部メモリコントローラ１２０とメモリデバイス１１０との間の通信をサポートするように動作可能であり得る。各チャネル１１５は、ホストデバイス１０５とメモリデバイスとの間で情報を搬送する伝送媒体の例であり得る。各チャネル１１５は、システム１００のコンポーネントと関連付けられた端子間に１つ以上の信号経路又は伝送媒体（例えば、導体）を含み得る。信号経路は、信号を搬送するように動作可能な導電経路の一例であり得る。例えば、チャネル１１５は、ホストデバイス１０５における１つ以上のピン又はパッドと、メモリデバイス１１０における１つ以上のピン又はパッドとを含む第１の端子を含み得る。ピンは、システム１００のデバイスの導電性入力又は出力ポイントの一例であり得、ピンは、チャネルの一部として機能するように動作可能であり得る。
【0024】
チャネル１１５（並びに関連する信号経路及び端子）は、１つ以上のタイプの情報を通信するのに専用であり得る。例えば、チャネル１１５は、１つ以上のコマンド及びアドレス（ＣＡ）チャネル１８６、１つ以上のクロック信号（ＣＫ）チャネル１８８、１つ以上のデータ（ＤＱ）チャネル１９０、１つ以上のその他のチャネル１９２、又はそれらの組み合わせを含み得る。幾つかの例では、シグナリングは、シングルデータレート（ＳＤＲ）シグナリング又はダブルデータレート（ＤＤＲ）シグナリングを使用して、チャネル１１５を介して通信され得る。ＳＤＲシグナリングでは、信号の１つの変調シンボル（例えば、信号レベル）がクロックサイクル毎に（例えば、クロック信号の立ち上がりエッジ又は立ち下がりエッジ上に）記録され得る。ＤＤＲシグナリングでは、信号の２つの変調シンボル（例えば、信号レベル）がクロックサイクル毎に（例えば、クロック信号の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジの両方に）記録され得る。
【0025】
幾つかの例では、ＣＡチャネル１８６は、ホストデバイス１０５とメモリデバイス１１０との間で、コマンドと関連付けられた制御情報（例えば、アドレス情報）を含むコマンドを通信するように動作可能であり得る。例えば、ＣＡチャネル１８６は、所望のデータのアドレスを有する読み出しコマンドを含み得る。幾つかの例では、ＣＡチャネル１８６は、アドレス又はコマンドデータの内の１つ以上をデコードするために、任意の数の信号経路（例えば、８つ又は９つの信号経路）を含み得る。
【0026】
幾つかの例では、クロック信号チャネル１８８は、ホストデバイス１０５とメモリデバイス１１０との間で１つ以上のクロック信号を通信するように動作可能であり得る。各クロック信号は、ハイ状態とロー状態との間で振動するように動作可能であり得、ホストデバイス１０５の動作とメモリデバイス１１０の動作の間の（例えば、時間的な）調整をサポートし得る。幾つかの例では、クロック信号はシングルエンドであり得る。幾つかの例では、クロック信号は、メモリデバイス１１０に対するコマンド及びアドレッシング動作、又はメモリデバイス１１０に対するその他のシステム全体の動作のタイミング基準を提供し得る。クロック信号は、それ故、制御クロック信号、コマンドクロック信号、又はシステムクロック信号と称され得る。システムクロック信号は、１つ以上のハードウェアコンポーネント（例えば、オシレータ、水晶、論理ゲート、トランジスタ）を含み得るシステムクロックによって生成され得る。
【0027】
ディープスリープのエントリ又はイクジット中のメモリデバイス１１０のコンポーネント内のラッチアップ又は順方向バイアスと関連付けられる起こり得る影響を軽減するために、メモリデバイス１１０は、オンダイタイマーによって通知されたグループ順序に従って電圧レベルが連続的に変更され得る内部電力供給源のグループで構成され得る。例えば、メモリデバイス１１０がディープスリープモードにエントリする場合、内部電力供給源の第１のグループの個別の電圧レベルは、第１の時点で個別の外部電力供給源電圧レベルに変更され得、内部電力供給源の第２のグループの個別の電圧レベルは、第２の時点で個別の外部電力供給源電圧レベルに変更され得る等である。メモリデバイス１１０がディープスリープモードをイクジットする場合、内部電圧供給源のグループは、ディープスリープエントリグループ順序とは反対のグループ順序で、個別の外部電力供給源電圧レベルから個別の動作電圧レベルに変更され得る。
【0028】
電圧変更メカニズムは、１つ以上のブリーダー回路及び１つ以上のクランプ回路を含み得、クランプ回路は、（例えば、内部電力供給源電圧が外部電力供給源電圧の閾値内に一旦なると、クランプ回路が有効になるように）個別の内部電力供給源電圧レベルを個別の外部電力供給源電圧に関連する閾値と比較することによって有効にされ得る。このようにグループに従って内部電圧供給源を順序付けて変更することは、省電力をサポートし得、順方向バイアス又はラッチアップによる損傷効果を低減又は防止し得、メモリセルのデータ損失を低減し（例えば、セルの安全性及び信頼性を向上させ）得、ディープスリープモードをイクジットする場合のピーク電流を低減し得る。
【0029】
図２は、本明細書に開示するような例に従った省電力モードのための電力供給源のグループ化をサポートするメモリダイ２００の一例を説明する。メモリダイ２００は、図１を参照して説明したメモリダイ１６０の一例であり得る。幾つかの例では、メモリダイ２００は、メモリチップ、メモリデバイス、又は電子メモリ装置と称され得る。メモリダイ２００は、異なる論理状態を蓄積するように各々プログラミング可能であり得る（例えば、２つ以上の可能な状態のセットの１つの状態にプログラミングされ得る）１つ以上のメモリセル２０５を含み得る。例えば、メモリセル２０５は、一度に１ビットの情報（例えば、論理０又は論理１）を蓄積するように動作可能であり得る。幾つかの例では、メモリセル２０５（例えば、マルチレベルメモリセル）は、一度に複数ビットの情報（例えば、論理００、論理０１、論理１０、論理１１）を蓄積するように動作可能であり得る。幾つかの例では、メモリセル２０５は、図１を参照して説明したメモリアレイ１７０等のアレイ内に配列され得る。
【0030】
メモリセル２０５は、コンデンサ内のプログラミング可能な状態を表す状態（例えば、分極状態又は誘電体電荷）を蓄積し得る。ＦｅＲＡＭアーキテクチャでは、メモリセル２０５は、プログラミング可能な状態を表す電荷及び／又は分極を蓄積するための強誘電体材料を含むコンデンサ２４０を含み得る。メモリセル２０５は、コンデンサ２４０等の論理ストレージコンポーネントと、スイッチングコンポーネント２４５とを含み得る。コンデンサ２４０は、強誘電体コンデンサの一例であり得る。コンデンサ２４０の第１のノードは、スイッチングコンポーネント２４５と結合され得、コンデンサ２４０の第２のノードは、プレート線２２０と結合され得る。スイッチングコンポーネント２４５は、２つのコンポーネント間の電子通信を選択的に確立又は確立解除するトランジスタ又は任意のその他のタイプのスイッチデバイスの一例であり得る。
【0031】
メモリダイ２００は、グリッド状のパターン等のパターンで配列されたアクセス線（例えば、ワード線２１０、デジット線２１５、及びプレート線２２０）を含み得る。アクセス線は、メモリセル２０５と結合された導電線であり得、メモリセル２０５に対してアクセス動作を実施するために使用され得る。幾つかの例では、ワード線２１０は行線と称され得る。幾つかの例では、デジット線２１５は、列線又はビット線と称され得る。アクセス線、行線、列線、ワード線、デジット線、ビット線、若しくはプレート線、又はそれらの類似物への言及は、理解又は動作を失うことなく相互に交換可能である。メモリセル２０５は、ワード線２１０、デジット線２１５、及び／又はプレート線２２０の交点に位置付けられ得る。
【0032】
ワード線２１０、デジット線２１５、及び／又はプレート線２２０等のアクセス線を活性化又は選択することによって、メモリセル２０５に対して読み出し及び書き込み等の動作が実施され得る。ワード線２１０、デジット線２１５、及びプレート線２２０をバイアスする（例えば、ワード線２１０、デジット線２１５、又はプレート線２２０に電圧を印加する）ことによって、それらの交点で単一のメモリセル２０５がアクセスされ得る。ワード線２１０、デジット線２１５、又はプレート線２２０を活性化又は選択することは、個別の線に電圧を印加することを含み得る。
【0033】
メモリセル２０５にアクセスすることは、行デコーダ２２５、列デコーダ２３０、及びプレートドライバ２３５を通じて制御され得る。例えば、行デコーダ２２５は、ローカルメモリコントローラ２６５から行アドレスを受信し得、受信した行アドレスに基づいてワード線２１０を活性化し得る。列デコーダ２３０は、ローカルメモリコントローラ２６５から列アドレスを受信し、受信した列アドレスに基づいてデジット線２１５を活性化する。プレートドライバ２３５は、ローカルメモリコントローラ２６５からプレートアドレスを受信し得、受信したプレートアドレスに基づいてプレート線２２０を活性化する。
【0034】
メモリセル２０５を選択又は選択解除することは、スイッチングコンポーネント２４５を活性化又は非活性化することによって達成され得る。コンデンサ２４０は、スイッチングコンポーネント２４５を使用してデジット線２１５と電子通信し得る。例えば、スイッチングコンポーネント２４５が非活性化された場合にコンデンサ２４０はデジット線２１５から絶縁され得、スイッチングコンポーネント２４５が活性化された場合にコンデンサ２４０はデジット線２１５と結合され得る。
【0035】
センスコンポーネント２５０は、メモリセル２０５のコンデンサ２４０上に蓄積された状態（例えば、分極状態又は電荷）を判定し得、検出された状態に基づいてメモリセル２０５の論理状態を判定し得る。センスコンポーネント２５０は、メモリセル２０５の信号出力を増幅するための１つ以上のセンスアンプを含み得る。センスコンポーネント２５０は、デジット線２１５を介してメモリセル２０５から受信した信号をリファレンス２５５（例えば、リファレンス電圧）と比較し得る。メモリセル２０５の検出された論理状態は、センスコンポーネント２５０の出力として（例えば、入力／出力２６０に）提供され得、メモリダイ２００を含むメモリデバイス１１０の別のコンポーネントに、検出された論理状態を指し示し得る。
【0036】
ローカルメモリコントローラ２６５は、様々なコンポーネント（例えば、行デコーダ２２５、列デコーダ２３０、プレートドライバ２３５、及びセンスコンポーネント２５０）を通じたメモリセル２０５の動作を制御し得る。ローカルメモリコントローラ２６５は、図１を参照して説明したローカルメモリコントローラ１６５の一例であり得る。幾つかの例では、行デコーダ２２５、列デコーダ２３０、プレートドライバ２３５、及びセンスコンポーネント２５０の内の１つ以上は、ローカルメモリコントローラ２６５と共同設置され得る。ローカルメモリコントローラ２６５は、１つ以上の異なるメモリコントローラ（例えば、ホストデバイス１０５と関連付けられた外部メモリコントローラ１２０、メモリダイ２００と関連付けられた別のコントローラ）からコマンド又はデータの内の１つ以上を受信し、コマンド若しくはデータ（又はそれらの両方）をメモリダイ２００により使用され得る情報に変換し、メモリダイ２００に対して１つ以上の動作を実施し、１つ以上の動作を実施することに基づいてメモリダイ２００からホストデバイス１０５にデータを通信するように動作可能であり得る。ローカルメモリコントローラ２６５は、対象のワード線２１０、対象のデジット線２１５、及び対象のプレート線２２０を活性化するための行信号及び列アドレス信号を生成し得る。ローカルメモリコントローラ２６５はまた、メモリダイ２００の動作中に使用される様々な電圧又は電流を生成及び制御し得る。一般的に、本明細書で論じる印加電圧又は電流の振幅、形状、又は継続時間は変更され得、メモリダイ２００の動作で論じる様々な動作に対して異なり得る。
【0037】
ローカルメモリコントローラ２６５は、メモリダイ２００の１つ以上のメモリセル２０５に対して１つ以上のアクセス動作を実施するように動作可能であり得る。アクセス動作の例は、とりわけ、書き込み動作、読み出し動作、リフレッシュ動作、プリチャージ動作、又は活性化動作を含み得る。幾つかの例では、アクセス動作は、（例えば、ホストデバイス１０５からの）様々なアクセスコマンドに応答して、ローカルメモリコントローラ２６５によって実施され得、さもなければ調整され得る。ローカルメモリコントローラ２６５は、ここに列挙されていないその他のアクセス動作、又はメモリセル２０５にアクセスすることに直接関係しないメモリダイ２００の動作に関連するその他の動作を実施するように動作可能であり得る。
【0038】
例えば、コントローラ（例えば、ローカルメモリコントローラ２６５）は、オンダイタイマーによって通知されたグループ順序に従って、内部電力供給源の異なるグループの電圧レベルを連続的に変更するように構成され得る。例えば、メモリデバイスがディープスリープモードにエントリする場合、コントローラは、内部電力供給源の第１のグループの個別の電圧レベルの個別の外部電力供給源電圧レベルへの変更を第１の時点で開始し得、内部電力供給源の第２のグループの個別の電圧レベルの個別の外部電力供給源電圧レベルへの変更を第２の時点で開始し得る等である。同様に、メモリデバイスがディープスリープモードをイクジットする場合、コントローラは、ディープスリープエントリグループ順序とは反対のグループ順序で、内部電圧供給源のグループを個別の外部電力供給源電圧レベルから個別の動作電圧レベルに変更し得る。
【0039】
図３Ａ及び図３Ｂは、本明細書に開示するような様々な例に従ったヒステリシス曲線３００－ａ及び３００－ｂを有する強誘電体メモリセルの非線形電気特性の例を説明する。ヒステリシス曲線３００－ａ及び３００－ｂは、例示的な強誘電体メモリセルの書き込み及び読み出しプロセスを夫々説明する。ヒステリシス曲線３００－ａ及び３００－ｂは、電圧差Ｖの関数として、強誘電体コンデンサ（例えば、図２を参照して説明したコンデンサ２４０）に蓄積された電荷Ｑを描写する。
【0040】
強誘電体材料は、自発的電気分極により特徴付けられ、すなわち、それは、電界がない場合に非ゼロの電気分極を維持する。例示的な強誘電体材料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、及びタンタル酸ストロンチウムビスマス（ＳＢＴ）を含む。本明細書に説明する強誘電体コンデンサは、これらの又はその他の強誘電体材料を含み得る。強誘電体コンデンサ内の電気分極は、強誘電体材料の表面に正味電荷をもたらし、コンデンサ端子を通じて反対の電荷を引き付ける。したがって、強誘電体材料とコンデンサ端子との境界に電荷が蓄積される。比較的長時間、無期限にさえ、外部に印加された電界がない場合にも、電気分極は維持され得るので、電荷リークは、例えば、ＤＲＡＭアレイに用いられるコンデンサと比較して顕著に減少し得る。このことは、リフレッシュ動作を実施する必要性を削減し得る。
【0041】
ヒステリシス曲線３００－ａ及び３００－ｂは、コンデンサの単一の端子の観点から理解され得る。例として、強誘電体材料が負の分極を有する場合、正の電荷が端子に蓄積される。同様に、強誘電体材料が正の分極を有する場合、負の電荷が端子に蓄積される。また、ヒステリシス曲線３００－ａ及び３００－ｂ中の電圧は、コンデンサに渡る電圧差を表し、方向性がある。例えば、正の電圧は、当該端子（例えば、セルプレート）に正の電圧を印加し、第２の端子（例えば、セル底部）をグランド（又は約ゼロボルト（０Ｖ））に維持することによって実現され得る。負の電圧は、当該端子をグランドに維持し、第２の端子に正の電圧を印加することによって印加され得、すなわち、正の電圧は、当該端子を消極的に分極するように印加され得る。同様に、ヒステリシス曲線３００－ａ及び３００－ｂに示される電圧差を生成するために、２つの正の電圧、２つの負の電圧、又は正及び負の電圧の任意の組み合わせが適切なコンデンサ端子に印加され得る。
【0042】
ヒステリシス曲線３００－ａに描写するように、強誘電体材料は、ゼロの電圧差で正又は負の分極を維持し得、２つの可能な充電状態：電荷状態３０５及び電荷状態３１０をもたらす。図３Ａ及び図３Ｂの例に従うと、電荷状態３０５は論理０を表し、電荷状態３１０は論理１を表す。幾つかの例では、メモリセルを動作させるための他のスキームに適応するために、個別の電荷状態の論理値は逆にされてもよい。
【0043】
論理０又は１は、強誘電体材料の電気分極、したがって、コンデンサ端子上の電荷を電圧の印加により制御することによって、メモリセルに書き込まれ得る。例えば、正味正の電圧３１５をコンデンサに渡って印加することは、電荷状態３０５－ａに到達するまで電荷の蓄積をもたらす。電圧３１５を除去すると、電荷状態３０５－ａは、ゼロ電圧にある電荷状態３０５に到達するまで経路３２０を辿る。同様に、電荷状態３１０は、正味負の電圧３２５を印加することによって書き込まれ、それは電荷状態３１０－ａをもたらす。負の電圧３２５を除去した後、電荷状態３１０－ａは、ゼロ電圧にある電荷状態３１０に到達するまで経路３３０を辿る。電荷状態３０５－ａ及び３１０－ａは、残留分極（Ｐｒ）値、すなわち、外部のバイアス（例えば、電圧）を除去すると残留する分極（又は電荷）とも称され得る。抗電圧は、電荷（又は分極）がゼロである電圧である。
【0044】
強誘電体コンデンサの蓄積された状態を読み出す又はセンシングするために、コンデンサに渡って電圧が印加され得る。これに応じて、蓄積された電荷Ｑは変化し、該変化の程度は初期の電荷状態に依存し、すなわち、最終的な蓄積された電荷（Ｑ）は、電荷状態３０５－ｂ又は３１０－ｂの何れが初期に蓄積されたかに依存する。例えば、ヒステリシス曲線３００－ｂは、２つの可能な蓄積された電荷状態３０５－ｂ及び３１０－ｂを説明する。図２を参照して論じたようなコンデンサ２４０に渡って電圧３３５が印加され得る。他の場合、セルプレートに固定の電圧が印加され得、正の電圧として描写されているが、電圧３３５は負であってもよい。電圧３３５に応答して、電荷状態３０５－ｂは経路３４０を辿り得る。同様に、電荷状態３１０－ｂが初期に蓄積された場合、それは経路３４５を辿る。電荷状態３０５－ｃ及び電荷状態３１０－ｃの最終位置は、具体的なセンシングスキーム及び回路を含む１つ以上の要因に依存する。
【0045】
幾つかの例では、最終的な電荷は、メモリセルに接続されたデジット線の固有の静電容量に依存し得る。例えば、コンデンサがデジット線に電気的に接続され、電圧３３５が印加された場合、デジット線の電圧は、その固有の静電容量に起因して上昇し得る。センスコンポーネントにおいて測定される電圧は、電圧３３５に等しくないことがあり、代わりに、デジット線の電圧に依存し得る。ヒステリシス曲線３００－ｂ上の最終的な電荷状態３０５－ｃ及び３１０－ｃの位置は、したがって、デジット線の静電容量に依存し得、負荷線分析を通じて判定され得、すなわち、電荷状態３０５－ｃ及び３１０－ｃは、デジット線の静電容量に関して定義され得る。結果として、コンデンサの電圧、電圧３５０又は電圧３５５は、異なり得、コンデンサの初期状態に依存し得る。
【0046】
デジット線電圧をリファレンス電圧と比較することによって、コンデンサの初期状態が判定され得る。デジット線電圧は、電圧３３５と、コンデンサに渡る最終電圧、電圧３５０又は電圧３５５との差、すなわち、電圧３３５と電圧３５０との差、又は電圧３３５と電圧３５５との差であり得る。蓄積された論理状態を判定するために、すなわち、デジット線電圧がリファレンス電圧よりも高いか、それとも低いかを判定するために、リファレンス電圧は、その大きさが２つの可能なデジット線電圧の２つの可能な電圧の間にあるように生成され得る。センスコンポーネントにより比較されると、センシングされたデジット線電圧は、リファレンス電圧よりも高い又は低いと判定され得、強誘電体メモリセルの蓄積された論理値（すなわち、論理０又は１）が判定され得る。幾つかの場合、センスコンポーネントは、コンデンサから読み出された電荷を統合し得、強誘電体メモリセルの蓄積された論理値を判定するために、統合した電荷レベルを出力し得る。
【0047】
幾つかの場合、強誘電体メモリセルは、読み出し動作後に初期の論理状態を維持し得る。例えば、電荷状態３０５－ｂが蓄積された場合、電荷状態は、読み出し動作中に電荷状態３０５－ｃまで経路３４０を辿り得、電圧３３５を除去した後、電荷状態は、反対方向に経路３４０を辿ることによって初期の電荷状態３０５－ｂに戻り得る。幾つかの例では、強誘電体メモリセルは、読み出し動作後にその初期の論理状態を喪失し得る。例えば、電荷状態３１０－ｂが蓄積された場合、電荷状態は、読み出し動作中に電荷状態３０５－ｃまで経路３４５を辿り得、電圧３３５を除去した後、電荷状態は、経路３４０を辿ることによって電荷状態３０５－ｂに緩和し得る。
【0048】
幾つかの例では、メモリセル（例えば、強誘電体コンデンサ）と関連付けられた論理状態を読み出す又は書き込むために使用される電圧は、メモリデバイス（例えば、メモリアレイ）と結合された１つ以上の外部電力供給源によって供給される１つ以上の電圧よりも高いことがある。例えば、電圧３１５、３２５、又は３３５等の内の１つ以上は、メモリデバイスと関連付けられた任意の外部電力供給源によって供給されるのに利用可能な何れの電圧よりも高いことがある。したがって、メモリデバイスは、強誘電体メモリデバイスで使用されるより高い電圧を提供するように構成され得る内部電力供給源（例えば、アナログ電力供給源）と関連付けられ得、又はそれを含み得る。
【0049】
内部電力供給源は、チャージポンピング又は（例えば、レギュレータを介した）電圧調整等によって、電圧、電流、又はそれらの組み合わせを提供し得る。幾つかの場合、内部電力供給源は、個別の電圧を生成するように構成され得、個別の電圧は、メモリデバイスの１つ以上のコンポーネントで一定量の電流（例えば、制御された電流）を生成し得る。例えば、１つ以上の電力供給源は、１つ以上のメモリセル（例えば、強誘電体コンデンサに対する読み出し又は書き込み動作）、１つ以上のセンスアンプ、センスアンプ制御論理回路、電圧レベルコンバータ、その他の周辺回路、又はそれらの任意の組み合わせのための個別の電圧を供給又は生成し得る。
【0050】
メモリデバイスは、メモリデバイスの動作のための電圧を供給するために１つ以上の内部電圧供給源が利用可能である動作モード又はアクティブモードで、メモリセルに対して論理状態を読み出し得、又は書き込み得る。例えば、読み出し機能、書き込み機能、又はその他のメモリデバイス機能を実施する以前に１つ以上の内部電圧供給源をパワーアップするための時間を短縮するために、１つ以上の内部電圧供給源は、動作モード中にパワーアップされ（例えば、動作電圧に保持され）得る。幾つかの場合、メモリデバイスは、例えば、電力を節約するため、又はデータ損失を防止するために、スタンバイモード又はスリープモード（例えば、ディープスリープモード）にエントリし得る。ディープスリープモードにエントリする場合、メモリデバイス（例えば、又はその１つ以上のコントローラ）は、内部電力供給源の個別の電圧レベルを個別のより低い電圧レベルに変更し得、ディープスリープモード中に内部電力供給源を個別のより低い電圧レベルに維持し得る。
【0051】
幾つかの場合、内部電力供給源の個別の電圧レベルが同時に又は幾つかの順序で変更された場合、電圧の変化は、幾つかの強誘電体メモリセルにおいてデータ損失を発生させ得、又はメモリデバイスの１つ以上のコンポーネントにおいてラッチアップを発生させ得る。ラッチアップは、ウェル構造体（例えば、Ｐ型ウェル及びＮ型ウェル）の組み合わせと基板との間等、回路の部分間に低インピーダンス経路が創出された場合に発生し得る。メモリデバイスの１つ以上のコンポーネントにおいてラッチアップが発生した場合、１つ以上のコンポーネントは、（例えば、一時的に）１つ以上のコンポーネントの機能を喪失させ得る寄生電流又は寄生電圧を経験し得、又は１つ以上のコンポーネントにおける機能の恒久的な喪失を発生させ得る。幾つかの場合、ラッチアップは順方向バイアスと関連付けられ得、この場合、コンポーネントは、コンポーネントの機能を途絶又は破壊し得る連続的な電流の流れを可能にし得る。幾つかの場合、メモリデバイス内の高電圧トランジスタ（例えば、Ｐ型金属酸化膜半導体（ＰＭＯＳ）トランジスタ）は、接合部を順方向バイアスする順序で個別のより低い電圧レベルに内部電圧供給源が変更された場合にラッチアップと関連付けられ得る。
【0052】
ディープスリープのエントリ又はイクジット中のメモリデバイスのコンポーネント内のラッチアップ又は順方向バイアスと関連付けられる起こり得る影響を軽減するために、メモリデバイスは、オンダイタイマーによって制御されたグループ順序に従って電圧レベルが連続的に変更され得る内部電力供給源のグループで構成され得る。例えば、メモリデバイスがディープスリープモードにエントリする場合、内部電力供給源の第１のグループの個別の電圧レベルは、第１の時点で個別のより低い電圧レベルに変更され得、内部電力供給源の第２のグループの個別の電圧レベルは、第２の時点で個別のより低い電圧レベルに変更され得る等である。メモリデバイスがディープスリープモードをイクジットする場合、内部電圧供給源のグループは、ディープスリープエントリグループ順序とは反対のグループ順序で、個別のより低い電圧レベルから個別の動作電圧レベルに変更され得る。
【0053】
グループに従って内部電力供給源を順序付けて変更することは、省電力をサポートし得、順方向バイアス又はラッチアップによる損傷の影響を低減又は防止し得、強誘電体セルのデータ損失を低減し（例えば、セルの安全性及び信頼性を向上させ）得、ディープスリープモードをイクジットする場合のピーク電流を低減し得る。
【0054】
図４は、本明細書に開示するような例に従った省電力モードのための電力供給源のグループ化をサポートするタイミング図４００の一例を説明する。図３Ａ及び図３Ｂを参照して説明したように、メモリデバイスの内部電力供給源は、ディープスリープモードにエントリする又はディープスリープモードをイクジットする場合の電圧変更動作（例えば、内部電力供給源のパワーダウン及びパワーアップ）のためにグループ化され得る。タイミング図４００は、内部電力供給源の様々なグループに対してディープスリープモードにエントリする又はディープスリープモードをイクジットする場合の電圧変更動作の異なるタイミングの例を説明し得る。
【0055】
様々な態様に従えば、メモリデバイスの内部電力供給源は、メモリデバイスの回路内の電力供給源の関係性に従ってグループに分割され得る。回路の関係性に基づいて様々な電力供給源に対して制約が定義され得、電力供給源は、制約に従ってグループに割り当てられ得る。例えば、メモリデバイスは、電力供給源Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、及びＥを含み得、制約は、回路素子からＢ＞Ａ、Ｃ＞Ｂ、Ｄ＞Ａ、及びＥ＞Ｂとして決定され得る。したがって、電力供給源Ａは第１のグループに割り当てられ得、電力供給源Ｂ及びＤは第２のグループに割り当てられ得、電力供給源Ｃ及びＥは第３のグループに割り当てられ得る。一般的に、電力供給源のグループは、同様の電圧範囲の供給源を含み得るが、幾つかの内部電力供給源は、異なる電圧範囲の他の電力供給源を有するグループに（例えば、制約に従って）割り当てられ得る。追加的又は代替的に、ラッチアップのリスクも評価され得、ラッチアップのリスクに従って電力供給源は同じ又は異なるグループに割り当てられ得る。例えば、電力供給源Ａ及びＢがＢ＞Ａの制約を有する場合、Ａ及びＢによって供給される回路素子に基づくラッチアップのリスクが低い場合には、それらは同じグループに割り当てられ得る一方、Ａ又はＢによって供給されるよりリスクの高い回路は、異なるグループ内に電力供給源Ａ及びＢを有するとの決定につながり得る。
【0056】
一例では、内部電力供給源の第１のグループの内部電力供給源は、内部電力供給源電圧４０５－ａ、４０５－ｂ、４０５－ｃ、４０５－ｄ、及び４０５－ｅに夫々対応し得る。同様に、一例では、内部電力供給源の第２のグループの内部電力供給源は、内部電力供給源電圧４１０－ａ、４１０－ｂ、４１０－ｃ、４１０－ｄ、４１０－ｅ、及び４１０－ｆに夫々対応し得、内部電力供給源の第３のグループの内部電力供給源の内の１つ以上は、内部電力供給源電圧４１５－ａに対応し得る。（例えば、内部電力供給源のグループ化に関係なく）内部電力供給源は、例えば、４５０により表されるようなデバイスの起動以降に、パワーアップシーケンスに従ってパワーアップされ得る。４５０において（例えば、デバイス起動時において）、外部電力供給源電圧４２０及び４２５によって夫々表される外部電力供給源等の１つ以上の外部電力供給源は、外部電力供給動作電圧レベルに到達し得る。その後、又は同時に、内部電力供給源は、（例えば、外部電力供給源電圧４２０又は４２５等の外部電力供給源の電圧レベルを上回る）それらの個別の電圧レベルを（例えば、チャージポンプ回路等を使用して）個別の動作電圧レベルまで増加させ始め得る。
【0057】
図４を参照して本明細書に説明する例は内部電力供給源の３つのグループを含むが、例は、内部電力供給源の任意の数のグループに適用し得る。内部電力供給源のグループの数は、調整又は構成可能であり得、動作条件又は電力要件等に基づき得る。
【0058】
メモリデバイスと関連付けられたホストデバイスは、メモリデバイスに１つ以上の外部電力供給源を提供又は結合し得る。ホストデバイスは、幾つかの場合、メモリデバイスがディープスリープモードにエントリする又はディープスリープモードをイクジットすることを指し示すコマンドをメモリデバイスへ送信し得る。例えば、４５５において、ホストデバイスは、メモリデバイスがディープスリープモードにエントリすることを指し示す第１のコマンドを送信し得る。第１のコマンドは、メモリデバイスがディープスリープモードにエントリしていることを内部電力供給源に指し示すラッチ信号４３０を（例えば、メモリデバイスにおいて）生成し得る。ラッチ信号４３０は、例えば、メモリデバイスのオンダイタイマーによって受信され得、オンダイタイマーは、内部電力供給源の個別のグループがディープスリープモードのためにパワーダウンすることを指し示すための１つ以上の信号をその後生成し得る。オンダイタイマーは、内部電力供給源の個別のグループに対するディープスリープモードのエントリ及び／又はイクジットの順序をプログラミングし得る。オンダイタイマーは、メモリデバイスの内部クロックに基づいて生成され得、例えば、ディープスリープモード中に動作を維持するために安定した電圧又は電力供給源と結合され得る。
【0059】
例えば、４５５以降、オンダイタイマーは、内部電力供給源の第１のグループがディープスリープモードのためにパワーダウンすることを指し示すフラグを表すように第１の信号４３５の状態を変更し得る。内部電力供給源の第１のグループの内部電力供給源は、それらの個別の電圧を個別の外部供給源電圧に変更することによってパワーダウンされ得る。例えば、内部電力供給源電圧４０５－ａ、４０５－ｂ、及び４０５－ｃは、外部電力供給源電圧４２５に変更され得、内部電力供給源電圧４０５－ｅは、ゼロ電圧又は定常状態電圧に変更され得、それらは４５５以降に開始する。幾つかの場合、内部電力供給源電圧４０５は、１つ以上のブリーダー回路を介して変更され得、これについては、図６及び図７を参照して本明細書に更に説明される。幾つかの場合、電力供給源のグループの１つ以上の電圧（例えば、内部電力供給源電圧４０５－ｄ）は変更されないことがあり、例えば、１つ以上のディープスリープモードの設定に基づいて安定した電圧に保持され得る。変更された内部電力供給源電圧４０５が個別の外部電力供給源電圧に一旦到達すると、内部電力供給源電圧４０５は外部電力供給源電圧にクランプされ（例えば、外部電力供給源電圧に維持され）得る。クランピング動作及び回路は、図６及び図７を参照して本明細書に更に説明される。
【0060】
４６０において、オンダイタイマーは、それらの個別の電圧を個別の外部供給源電圧に変更することによって内部電力供給源の第２のグループがディープスリープモードのためにパワーダウンされることを指し示すフラグを表すように第２の信号４４０の状態を変更し得る。例えば、内部電力供給源電圧４１０－ａ～４１０－ｅは外部電力供給源電圧４２０に変更され得、内部電力供給源電圧４１０－ｆは外部電力供給源電圧４２５に変更され得、それらは４６０以降に開始する。内部電力供給源の第１のグループと同様に、内部電力供給源電圧４１０は、１つ以上のブリーダー回路を介して変更され得、１つ以上のクランパー回路を介して個別の外部電力供給源電圧に維持され得る。
【0061】
４６５において、オンダイタイマーは、それらの個別の電圧を個別の外部供給源電圧に変更することによって内部電力供給源の第３のグループがディープスリープモードのためにパワーダウンされることを指し示すフラグを表すように第３の信号４４５の状態を変更し得る。例えば、内部電力供給源電圧４１５－ａは、４６５以降に開始する外部電力供給源電圧４２０に変更され得る。パワーダウンプロシージャが４７０以前に完了し得、ディープスリープモードのためのエントリ時間が４５５と４７０との間の時間によって表され得るように、内部電力供給源電圧の各々は、４７０以前に個別の外部電力供給源電圧に到達し得る。内部電力供給源の第１及び第２のグループと同様に、内部電力供給源電圧４１５は、１つ以上のブリーダー回路を介して変更され得、１つ以上のクランパー回路を介して個別の外部電力供給源電圧に維持され得る。
【0062】
４７５において、ホストデバイスは、メモリデバイスがディープスリープモードをイクジットすることを指し示す第２のコマンドを送信し得る。第２のコマンドは、メモリデバイスがディープスリープモードをイクジットしていることをラッチ信号４３０が内部電力供給源に指し示し得るように、ラッチ信号４３０を（例えば、メモリデバイスにおいて）変化させ得る。ラッチ信号４３０は、例えば、メモリデバイスのオンダイタイマーによって受信され得、オンダイタイマーは、内部電力供給源の個別のグループがディープスリープモードのためにパワーアップすることを指し示すように１つ以上の信号をその後生成又は変更し得る。例えば、４７５以降、オンダイタイマーは、内部電力供給源の第３のグループがディープスリープモードをイクジットするためにパワーアップすることを指し示すフラグを表すように第３の信号４４５を変化させ得る。内部電力供給源の第３のグループの内部電力供給源は、それらの個別の電圧を個別の外部供給源電圧から内部電力供給源の個別の動作電圧に変更することによってパワーダウンされ得る。例えば、内部電力供給源電圧４１５－ａは、４７５以降に開始する外部電力供給源電圧４２０から変更（例えば、上昇）され得る。
【0063】
４８０において、オンダイタイマーは、内部電力供給源の第２のグループがディープスリープモードをイクジットするためにパワーアップすることを指し示すフラグを表すように第２の信号４４０を変化させ得る。内部電力供給源の第２のグループの内部電力供給源は、それらの個別の電圧を個別の外部供給源電圧から内部電力供給源の個別の動作電圧に変更することによってパワーダウンされ得る。例えば、内部電力供給源電圧４１０－ａ～４１０－ｄは、外部電力供給源電圧４２０から変更（例えば、上昇）され得、内部電力供給源電圧４１０－ｆは、外部電力供給源電圧４２５から変更（例えば、上昇）され得、それらは４８０以降に開始する。
【0064】
４８５において、オンダイタイマーは、内部電力供給源の第１のグループがディープスリープモードをイクジットするためにパワーアップすることを指し示すフラグを表すように第１の信号４３５を変化させ得る。例えば、内部電力供給源電圧４０５－ａ、４０５－ｂ、及び４０５－ｃは、外部電力供給源電圧４２５から変更（例えば、上昇）され得、内部電力供給源電圧４０５－ｅは、ゼロ電圧又は定常状態電圧から変更（例えば、低下）され得、それらは４８５以降に開始する。内部電力供給源電圧の各々は、４９０以前にパワーアッププロシージャが完了され得、ディープスリープモードのためのイクジット時間が４７５と４９０との間の時間によって表されるように、４９０以前に個別の動作電圧に到達し得る。幾つかの場合、（例えば、各内部電力供給源が動作電圧レベルに到達した後）４９０に開始して、メモリデバイスは、（例えば、ディープスリープモードから）アウェイクモードにおいて動作を再開し得る。
【0065】
幾つかの場合、内部電力供給源のグループがディープスリープモードをイクジットするためのシーケンスは、内部電力供給源のグループがディープスリープモードにエントリするためのシーケンスの反対であり得る。幾つかの場合、（例えば、ディープスリープのエントリ又はイクジットのために）内部電力供給源の連続するグループに対する電圧を変更する間隔は、内部電力供給源の別のグループの個別の電圧の変更を開始する前に、内部電力供給源の１つのグループの個別の電圧の変更をサポートし得る。
【0066】
図４に説明し、本明細書に説明するように、同じグループ内の幾つかの内部電力供給源は、異なる外部電圧レベル（例えば、異なる外部電力供給源）に変更及びクランプされ得る。内部電力供給源がクランプされる外部電圧レベルは、要因の中でもとりわけ、内部電力供給源の動作電圧レベル、内部電力供給源電圧レベルが個別の外部電力供給源電圧レベルにどれだけ近いか、個別の外部電力供給源電圧レベルに内部電力供給源をクランプするための安全係数、又はそれらの組み合わせに基づき得る。
【0067】
図５は、本明細書に開示するような例に従った省電力モードのための電力供給源のグループ化をサポートするタイミング図５００の一例を説明する。図３及び図４を参照して説明したように、メモリデバイスの内部電力供給源は、ディープスリープモードにエントリする又はディープスリープモードをイクジットする場合の電圧変更動作（例えば、内部電力供給源のパワーダウン及びパワーアップ）のためにグループ化され得る。タイミング図５００は、内部電力供給源の様々なグループに対してディープスリープモードにエントリする又はディープスリープモードをイクジットする場合の電圧変更動作の異なるタイミングの例を説明し得る。幾つかの場合、内部電力供給源の異なるグループは、例えば、ディープスリープモードの継続時間に基づいてディープスリープモードにエントリしてもしなくてもよい（例えば、外部電力供給源電圧レベルに変更されてもされなくてもよい）。
【0068】
一例では、メモリデバイスの内部電力供給源は、例えば、図４を参照して説明したように、３つのグループに分割され得る。図５を参照して本明細書に説明した例は、内部電力供給源の３つのグループを説明しているが、例は、内部電力供給源の任意の数のグループに等しく適用し得る。内部電力供給源のグループの数は、調整又は構成可能であり得、動作条件又は電力要件等に基づき得る。
【0069】
図４を参照して説明したように、ホストデバイスは、幾つかの場合、メモリデバイスがディープスリープモードにエントリする又はディープスリープモードをイクジットすることを指し示すコマンドをメモリデバイスへ送信し得る。例えば、５２５以前に、ホストデバイスは、メモリデバイスがディープスリープモードにエントリすることを指し示す第１のコマンドを送信し得る。第１のコマンドは、内部電力供給源がディープスリープモードにエントリすることを指し示し得るラッチ信号５０５を（例えば、メモリデバイスにおいて）生成し得る。ラッチ信号５０５は、例えば、メモリデバイスのオンダイタイマーによって受信され得、オンダイタイマーは、内部電力供給源の個別のグループがディープスリープモードのためにパワーダウンすることを指し示すための１つ以上の信号をその後生成し得る。ホストデバイスはまた、メモリデバイスがディープスリープモードをイクジットすることを指し示す第２のコマンドを送信し得、幾つかの場合、ラッチ信号は、（例えば、オンダイタイマーがディープスリープモードをイクジットすることを指し示すために）第２のコマンドに基づいて終了し得、又は変化し得る。オンダイタイマーは、内部電力供給源の個別のグループに対するディープスリープモードのエントリ及び／又はイクジットのための順序をプログラミングし得る。
【0070】
例えば、オンダイタイマーは、内部電力供給源の第１のグループがディープスリープモードのためにパワーダウンすることを（例えば、第１の状態から第２の状態への変化において）指し示すフラグを表し得る第１の信号５１０、内部電力供給源の第２のグループがディープスリープモードのためにパワーダウンすることを（例えば、第１の状態から第２の状態への変化において）指し示すフラグを表し得る第２の信号５１５、内部電力供給源の第３のグループがディープスリープモードのためにパワーダウンすることを（例えば、第１の状態から第２の状態への変化において）指し示すフラグを表し得る第３の信号５２０を生成し得る。幾つかの場合、オンダイタイマーによって生成される１つ以上の信号は、ディープスリープモードと関連付けられたラッチ信号５０５の継続時間に基づき得る。例えば、オンダイタイマーが第２の信号５１５及び／又は第３の信号５２０を生成する前に、（例えば、ディープスリープモードからのイクジットを指し示すために）ラッチ信号５０５が変化又は終了する場合、ディープスリープモードは、内部電力供給源の第２及び／又は第３のグループをパワーダウンせずに終了し得る。このようにして、（例えば、第２及び／又は第３のグループと関連付けられた）より高い電圧の電力供給源は、より短いディープスリープモード中にパワーダウンされないことがあり、それは、電力を節約し得、電圧障害を低減し得る。
【0071】
第１の例では、５２５において、オンダイタイマーは、ラッチ信号５０５－ａを受信し得、５２５以降、ラッチ信号５０５－ａに基づいて内部電力供給源の第１のグループがディープスリープモードにエントリすることを指し示す状態に第１の信号５１０－ａを変更し得る。第１の信号５１０－ａに応答して、内部電力供給源の第１のグループの個別の電圧レベルは、個別の外部電力供給源電圧レベルに変更され得る。５３０において、ラッチ信号５０５－ａに基づいて、オンダイタイマーは、内部電力供給源の第２のグループがディープスリープモードにエントリすることを指し示す状態に第２の信号５１５－ａを変更し得る。第２の信号５１５－ａに応答して、内部電力供給源の第２のグループの個別の電圧レベルは、個別の外部電力供給源電圧レベルに変更され得る。５３５において、ラッチ信号５０５－ａに基づいて、オンダイタイマーは、内部電力供給源の第３のグループがディープスリープモードにエントリすることを指し示す状態に第３の信号５２０－ａを変更し得る。第３の信号５２０－ａに応答して、内部電力供給源の第３のグループの個別の電圧レベルは、個別の外部電力供給源電圧レベルに変更され得る。
【0072】
５４０以前に、ホストデバイスは、メモリデバイスがディープスリープモードをイクジットすることを指し示す第２のコマンドをメモリデバイスへ送信し得る。５４０において、ラッチ信号５０５－ａは、状態を変化させ得、メモリデバイスがディープスリープモードをイクジットすることを指し示す。５４０以降に、ラッチ信号５０５－ａに基づいて、オンダイタイマーは、内部電力供給源の第３のグループがディープスリープモードをイクジットすることを指し示す状態に第３の信号５２０－ａを変更し得る。第３の信号５２０－ａの変化に応答して、内部電力供給源の第３のグループの個別の電圧レベルは、個別の外部電力供給源電圧レベルから個別の動作電圧レベルに変更され得る。
【0073】
５４５において、ラッチ信号５０５－ａに基づいて、オンダイタイマーは、内部電力供給源の第２のグループがディープスリープモードをイクジットすることを指し示す状態に第２の信号５１５－ａを変更し得る。第２の信号５１５－ａの変化に応答して、内部電力供給源の第２のグループの個別の電圧レベルは、個別の外部電力供給源電圧レベルから個別の動作電圧レベルに変更され得る。５５０において、ラッチ信号５０５－ａに基づいて、オンダイタイマーは、内部電力供給源の第１のグループがディープスリープモードをイクジットすることを指し示す状態に第１の信号５１０－ａを変更し得る。第１の信号５１０－ａの変化に応答して、内部電力供給源の第２のグループの個別の電圧レベルは、個別の外部電力供給源電圧レベルから個別の動作電圧レベルに変更され得る。
【0074】
第２の例では、５２５において、オンダイタイマーは、ラッチ信号５０５－ｂを受信し得、５２５以降に、ラッチ信号５０５－ｂに基づいて内部電力供給源の第１のグループがディープスリープモードにエントリすることを指し示す状態に第１の信号５１０－ｂを変更し得る。第１の信号５１０－ｂに応答して、内部電力供給源の第１のグループの個別の電圧レベルは、個別の外部電力供給源電圧レベルに変更され得る。５３０において、ラッチ信号５０５－ｂに基づいて、オンダイタイマーは、内部電力供給源の第２のグループがディープスリープモードにエントリすることを指し示す状態に第２の信号５１５－ｂを変更し得る。第２の信号５１５－ｂに応答して、内部電力供給源の第２のグループの個別の電圧レベルは、個別の外部電力供給源電圧レベルに変更され得る。５５５以前に、ホストデバイスは、メモリデバイスがディープスリープモードをイクジットすることを指し示す第２のコマンドをメモリデバイスへ送信し得る。例えば、ホストデバイスは、オンダイタイマーが第３の信号５２０－ｂを変更することを控え得るように、内部電力供給源の第３のグループがディープスリープモードにエントリする前に第２のコマンドを送信し得る。
【0075】
５５５において、ラッチ信号５０５－ｂは状態を変化させ得、メモリデバイスがディープスリープモードをイクジットすることを指し示す。５５５以降、ラッチ信号５０５－ｂに基づいて、オンダイタイマーは、内部電力供給源の第２のグループがディープスリープモードをイクジットすることを指し示す状態に第２の信号５１５－ｂを変更し得る。第２の信号５１５－ｂの変化に応答して、内部電力供給源の第２のグループの個別の電圧レベルは、個別の外部電力供給源電圧レベルから個別の動作電圧レベルに変更され得る。５６０において、ラッチ信号５０５－ｂに基づいて、オンダイタイマーは、内部電力供給源の第１のグループがディープスリープモードをイクジットすることを指し示す状態に第１の信号５１０－ｂを変更し得る。第１の信号５１０－ｂの変化に応答して、内部電力供給源の第２のグループの個別の電圧レベルは、個別の外部電力供給源電圧レベルから個別の動作電圧レベルに変更され得る。
【0076】
第３の例では、５２５において、オンダイタイマーは、ラッチ信号５０５－ｃを受信し得、５２５以降に、ラッチ信号５０５－ｃに基づいて内部電力供給源の第１のグループがディープスリープモードにエントリすることを指し示す状態に第１の信号５１０－ｃを変更し得る。第１の信号５１０－ｃに応答して、内部電力供給源の第１のグループの個別の電圧レベルは、個別の外部電力供給源電圧レベルに変更され得る。５６５以前に、ホストデバイスは、メモリデバイスがディープスリープモードをイクジットすることを指し示す第２のコマンドをメモリデバイスへ送信し得る。例えば、ホストデバイスは、オンダイタイマーが第２の信号５１５－ｃ及び第３信号５２０－ｃを変更することを控え得るように、内部電力供給源の第２のグループ又は第３のグループの何れかがディープスリープモードにエントリする前に第２のコマンドを送信し得る。
【0077】
５６５において、ラッチ信号５０５－ｃは状態を変化させ得、メモリデバイスがディープスリープモードをイクジットすることを指し示す。５６５以降に、ラッチ信号５０５－ｃに基づいて、オンダイタイマーは、内部電力供給源の第１のグループがディープスリープモードをイクジットすることを指し示す状態に第１の信号５１０－ｃを変更し得る。第１の信号５１０－ｃの変化に応答して、内部電力供給源の第２のグループの個別の電圧レベルは、個別の外部電力供給源電圧レベルから個別の動作電圧レベルに変更され得る。
【0078】
図６は、本明細書に開示するような例に従った省電力モードのための電力供給源のグループ化をサポートする電圧変更構成６００の一例を説明する。図３～図５を参照して説明したように、メモリデバイスの内部電力供給源は、ディープスリープモードにエントリする又はディープスリープモードをイクジットする場合の電圧変更動作（例えば、内部電力供給源のパワーダウン及びパワーアップ）のためにグループ化され得る。電圧変更構成６００は、内部電力供給源電圧６４５を個別の外部電力供給源電圧６５０に変更（例えば、ブリーディング）及び維持（例えば、クランプ）するための回路及び関連する動作タイミングを説明し得る。内部電力供給源電圧６４５及び外部電力供給源電圧６５０は、メモリデバイスの内部電力供給源６１５（例えば、電圧ポンプ及び／又はオシレータ）並びにメモリデバイスの外部電力供給源に夫々対応し得る。
【0079】
電圧変更構成６００は、内部電力供給源電圧６４５を動作電圧６５５から外部電力供給源電圧６５０に変更するためのブリーダー回路６０５と、内部電力供給源電圧６４５を外部電力供給源電圧に維持するためのクランパー回路６１０とを含み得る。本明細書に説明するように、６８５において、メモリデバイスのオンダイタイマーは、内部電力供給源がディープスリープモードにエントリすることを指し示す状態に信号６６０を変更し得る。信号６６０は、内部電力供給源電圧６４５を変更するための回路と関連付けられたラッチ６３０をリセットし得る。信号６６０に応答して、内部電力供給源信号６６５は、例えば、内部電力供給源６１５のポンプがオフになることを指し示す“オフ”状態に切り替わり得る。同様に、信号６６０に応答して、ブリーダー信号６７０は変更され得、リーク電流及びブリーダー回路６０５の電流を介して内部電源電圧６４５を外部電源電圧６５０に変更するために、ブリーダー回路６０５を活性化し得る。例えば、ブリーダー回路の１つ以上のスイッチングコンポーネント６４０は、ブリーダー信号６７０に応答して係合され得る。
【0080】
幾つかの場合、ブリーダー回路６０５は、内部電力供給源６１５及びに内部電力供給源電圧６４５に接続されたその他の信号トレース又はコンポーネントからの電力をブリードすることによって内部電力供給源電圧６４５の変更をサポートし得る１つ以上の抵抗器６３５又は１つ以上の電流源を含み得る。幾つかの場合、ブリーダー回路６０５の電流及び関連する電力消費は、ブリーダー回路６０５が外部電力供給源電圧６５０に影響を及ぼさなくてもよいように、外部電力供給源電圧６５０の電流及び関連する電力消費よりも少なくてもよい。例えば、ブリーダー回路６０５の電流は、外部電力供給源電圧６５０に接続された他のコンポーネントによって消費されるよりも実質的に少ない電荷を注入し得る。
【0081】
信号６６０に応答して、コンパレータ信号６８０は、内部電力供給源電圧６４５と外部電力供給源電圧６５０と（例えば、又は外部電力供給源電圧６５０からの閾値と）を比較するために、内部電力供給源６１５と関連付けられたコンパレータ６２５が活性化されることを指し示す状態に変更され得る。内部電力供給源電圧６４５が例えば、６９０において、外部電力供給源電圧６５０からの閾値（例えば、ディープスリープモード電圧に対する定義された閾値）内の電圧に到達した場合、コンパレータ６２５は、ブリーダー回路６０５を非活性化し得（例えば、１つ以上のスイッチングコンポーネント６４０を非活性化し得るブリーダー信号６７０を非活性化し得）、クランパー回路６１０を活性化し得る（例えば、クランパー信号６７５を活性化又は生成し得る）。ブリーダー回路６０５を非活性化し、クランパー回路６１０を活性化した後、コンパレータ６２５は、（例えば、コンパレータ信号６８０が非活性化されることに基づいて）非活性化し得る。
【0082】
クランパー回路６１０は、内部電力供給源電圧６４５を外部電力供給源電圧６５０にクランプ又は維持するするために、内部電力供給源電圧６４５の１つ以上のインスタンスを外部電力供給源電圧６５０でクランプするように構成され得る。例えば、クランパー回路６１０は、内部電力供給源電圧６４５を外部電力供給源電圧６５０と結合するためにクランプ信号６７５の状態を変化させることによって有効にされ得る１つ以上のトランジスタ（例えば、ＰＭＯＳ又はＮ型金属酸化膜半導体（ＮＭＯＳ）トランジスタ）を含み得る。
【0083】
６９５以前に、オンダイタイマーは、内部電力供給源６１５がディープスリープモードをイクジットすることを指し示す状態に信号６６０を変更し得る。信号６６０に応答して、内部電力供給源信号６６５は、例えば、内部電力供給源６１５のポンプがオンに戻ることを指し示す“オン”信号に切り替わり得る。同様に、信号６６０に応答して、クランプ信号６７５はオフに切り替わり得、それは、内部電力供給源電圧６４５が動作電圧６５５に戻り得、内部電力供給源６１５がディープスリープモードをイクジットし得るようにクランパー回路６１０をパワーダウンし得る。
【0084】
図７は、本明細書に開示するような例に従った省電力モードのための電力供給源のグループ化をサポートする回路図７００の一例を説明する。図３～図６を参照して説明したように、メモリデバイスの内部電力供給源は、ディープスリープモードにエントリする又はディープスリープモードをイクジットする場合の電圧変更動作（例えば、内部電力供給源のパワーダウン及びパワーアップ）のためにグループ化され得る。回路図７００は、例えば、図６を参照して説明したように、電圧変更（例えば、ブリーディング）及び維持（例えば、クランプ）動作の一例を説明し得る。
【0085】
一例では、内部電力供給源の第１のグループ７０２－ａの内部電力供給源は、内部電力供給源ノード７０５－ａ、７０５－ｂ、及び７０５－ｃに夫々対応し得る。同様に、一例では、内部電力供給源の第２のグループ７０２－ｂの内部電力供給源は、内部電力供給源ノード７１０－ａ、７１０－ｂ、及び７１０－ｃに夫々対応し得、内部電力供給源の第３のグループ７０２－ｃの内部電力供給源の内の１つ以上は、内部電力供給源ノード７１５－ａ及び７１５－ｂに対応し得る。幾つかの場合、本明細書に説明する電圧の内の１つ以上（例えば、ノードにおける電圧）は、説明のために、回路図７００内の同じノードを共有する内部電力供給源の同じグループの複数の電圧を表し得る。図７を参照して本明細書に説明する例は、内部電力供給源の３つのグループを含むが、例は、内部電力供給源の任意の数のグループに適用し得る。
【0086】
本明細書に説明する電圧は、個別のブリーダー回路７４０、クランピング回路７４５、又はそれらの組み合わせと結合され得る。幾つかの場合、個別のブリーダー回路７４０及び／又はクランピング回路７４５は、例えば、内部電力供給源の電圧を外部電力供給源の電圧（例えば、外部電力供給源電圧７２５、７３０、及び／又は７３５）と比較するために、個別のコンパレータ７５０と結合され得る。ブリーダー回路７４０及びコンパレータ７５０は、例えば、図６を参照して説明したように機能し得る。
【0087】
内部電力供給源の第１のグループ７０２－ａ（例えば、及び対応する内部電力供給源ノード７０５）は、第１の信号７５５に基づいて個別の外部電圧に変更され得、これは、例えば、１つ以上のトランジスタ及び対応するブリーダー回路７４０を活性化し得る。例えば、内部電力供給源ノード７０５－ａ上の電圧は、外部電力供給源電圧７２５に変更され得、内部電力供給源ノード７０５－ｂ上の電圧は、外部電力供給源電圧７３０に変更され（例えば、ブリーダー回路７４０を介して結合され）得、内部電力供給源ノード７０５－ｃ上の電圧は、外部電力供給源電圧７３５に変更され得る。同様に、内部電力供給源の第２のグループ７０２－ｂ（例えば、及び対応する内部電力供給源ノード７１０における電圧）は、（例えば、オンダイタイマーによって生成され得る）第２の信号７６０に基づいて個別の外部電圧に変更され得、それは、例えば、対応するブリーダー回路７４０及びコンパレータ７５０を活性化し得る。内部電力供給源ノード７１０－ａ、７１０－ｂ、及び７１０－ｃにおける個別の電圧は、例えば、個別のブリーダー回路７４０及びクランパー回路７４５を使用して、外部電力供給源電圧７２５に変更され得る。（例えば、内部供給電力源の第２のグループ７０２－ｂの変更に対応する論理状態に遷移する）信号７６０の活性化は、例えば、ブリーダー回路７４０－ｄ、７４０－ｅ、及び７４０－ｆを有効にし得、コンパレータ７５０－ａ、７５０－ｂ、及び７５０－ｃを有効にし得る。ブリーダー回路７４０－ｄ、７４０－ｅ、及び７４０－ｆは、個別の内部電力供給源ノード７１０における電圧が外部電力供給源ノード７１０の閾値内にあると個別のコンパレータ７５０－ａ、７５０－ｂ、又は７５０－ｃが判定するまで有効にされ得る。個別の内部電力供給源ノード７１０における電圧が外部電力供給源電圧７２５（例えば、又は幾つかの場合、異なる外部電力供給源電圧）の閾値内にある場合、個別の内部電力供給源ノード７１０は、クランプ７４５－ａ、７４５－ｂ、及び７４５－ｃを夫々使用してクランプされ（例えば、維持され）得る（例えば、及びブリーダー回路７４０は無効にされ得る）。
【0088】
幾つかの例では、グループの内部電力供給源の内の少なくとも１つが個別の外部電力供給源電圧にクランプされた場合、内部電力供給源のグループ７０２によって完了信号７７０が生成され得る。例えば、完了信号７７０は、内部電力供給源の第２グループ７０２－ｃの内部電力供給源の内の少なくとも１つが変更され、クランプされた場合に生成され得る。或いは、完了信号７７０は、内部電力供給源の第２のグループ７０２－ｃの内部電力供給源の内の少なくとも１つが（例えば、ＡＮＤゲートを使用して）変更され、クランプされた場合に生成され得る。そうした場合、内部電力供給源の第３のグループ７０２－ｃ（例えば、及び対応する内部電力供給源電圧７１５）は、（例えば、オンダイタイマーによって生成され得る）第３の信号７６５及び完了信号７７０（例えば、第３の信号及び完了信号７７０のＡＮＤ演算）から生成された第４の信号７７５に基づいて個別の外部電圧に変更され得る。（例えば、内部電力供給源の第３のグループ７０２－ｃの変更に対応する論理状態に遷移する）信号７７５の活性化は、例えば、ブリーダー回路７４０－ｇ及び７４０－ｈを有効にし得、コンパレータ７５０－ｄ及び７５０－ｅを有効にし得る。
【0089】
ブリーダー回路７４０－ｇ及び７４０－ｈは、個別の内部電力供給源ノード７１５における電圧が外部電力供給源電圧７２５の閾値内にあると個別のコンパレータ７５０－ｄ又は７５０－ｅが判定するまで有効にされ得る。個別の内部電力供給源ノード７１５における電圧が外部電力供給源電圧７２５の（例えば、又は幾つかの場合、異なる外部電力供給源電圧の）閾値内にある場合、個別の内部電力供給源ノード７１５は、クランプ７４５－ｄ及び７４５－ｅを使用してクランプされ（例えば、維持され）得る（例えば、及びブリーダー回路７４０は無効にされ得る）。図７は、クランピング回路７４５を有効にするために使用されるものと同じコンパレータ７５０を使用して生成される完了信号７７０を説明するが、幾つかの場合、別個の閾値を有する別個のコンパレータが使用され得る。例えば、幾つかの場合、次のグループ（例えば、第３のグループ）に対するブリーダー回路が、内部電力供給源の第２のグループ７０２－ｂの内部電力供給源の内の１つ以上のクランプの以前に有効にされることを可能にし得るように、完了信号７７０は、クランピング回路７４５よりも高い閾値を使用し得る。
【0090】
内部電力供給源の第１のグループ７０２－ａは、ブリーダー回路７４０を使用し、（例えば、より明確なブリーディング時間をもたらすより低い電圧に起因して）クランピング回路７４５又はコンパレータ７５０なしに説明されているが、内部電力供給源の第１のグループ７０２－ａの１つ以上の内部電力供給源は、クランピング回路７４５又はコンパレータ７５０を含み得る。また、（例えば、コンパレータ７５０を使用して）内部電力供給源の第１のグループ７０２－ａ及び内部電力供給源の第２のグループ７０２－ｂから完了信号が生成され得る。
【0091】
図８は、本明細書に開示するような例に従った省電力モードのための電力供給源のグループ化をサポートするメモリデバイス８０５のブロック図８００を示す。メモリデバイス８０５は、図１～図７を参照して説明したようなメモリデバイスの態様の一例であり得る。メモリデバイス８０５は、スリープコマンドコンポーネント８１０、電圧変更コンポーネント８１５、内部電圧維持コンポーネント８２０、電圧復元コンポーネント８２５、及び外部電圧維持コンポーネント８３０を含み得る。これらのモジュールの各々は、（例えば、１つ以上のバスを介して）相互に直接的又は間接的に通信し得る。
【0092】
スリープコマンドコンポーネント８１０は、メモリデバイスがスリープモードにエントリすることを指し示すコマンドをメモリデバイスにおいて第１の時点で受信し得、メモリデバイスは、個別の電圧レベルのセットと関連付けられた内部電力供給源のセットを含む。幾つかの例では、スリープコマンドコンポーネント８１０は、メモリデバイスがスリープモードをイクジットすることを指し示す第２のコマンドをメモリデバイスにおいて第３の時点、第４の時点、又は第５の時点で受信し得る。
【0093】
電圧変更コンポーネント８１５は、コマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを第２の時点で変更し得、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源は、外部電力供給源電圧レベルとは異なる第１の電圧レベルと関連付けられる。幾つかの例では、電圧変更コンポーネント８１５は、コマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第２のサブセットに対する個別の電圧レベルを第３の時点で変更し得る。幾つかの例では、電圧変更コンポーネント８１５は、コマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第３のサブセットに対する個別の電圧レベルを第４の時点で変更し得る。
【0094】
幾つかの場合、内部電力供給源のセットの第１のサブセットは、順方向電圧バイアスに対する第１の閾値、電力供給動作に対する第１の電圧レベル閾値、又はそれらの組み合わせと関連付けられる。幾つかの場合、内部電力供給源のセットの第２のサブセットは、順方向電圧バイアスに対する第２の閾値、電力供給動作に対する第２の電圧レベル閾値、又はそれらの組み合わせと関連付けられる。
【0095】
幾つかの例では、電圧変更コンポーネント８１５は、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの個別の電圧レベルを個別の第１の動作電圧レベルから、個別の第１の外部電力供給源電圧レベルからの個別の閾値電圧レベルに変更するために、個別のブリーダー回路を活性化し得る。幾つかの例では、電圧変更コンポーネント８１５は、個別のブリーダー回路と結合された個別のコンパレータを介して、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの個別の電圧レベルを個別の第１の外部電力供給源電圧レベルと比較し得る。幾つかの例では、電圧変更コンポーネント８１５は、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの個別の電圧レベルを個別の第１の外部電力供給源電圧レベルと比較することに基づいて、個別のブリーダー回路を非活性化し得る。幾つかの場合、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの各個別の第１の電圧レベルは、各個別の第１の外部電力供給源電圧レベルよりも高い。
【0096】
内部電圧維持コンポーネント８２０は、コマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第２のサブセットに対する個別の電圧レベルを第２の時点で維持し得、内部電力供給源のセットの第２のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源は、外部電力供給源電圧レベルとは異なる第２の電圧レベルと関連付けられる。幾つかの例では、内部電圧維持コンポーネント８２０は、コマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第３のサブセットに対する個別の電圧レベルを第２の時点及び第３の時点で維持し得、内部電力供給源のセットの第３のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源は、外部電力供給源電圧レベルとは異なる第３の電圧レベルと関連付けられる。
【0097】
幾つかの例では、内部電圧維持コンポーネント８２０は、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの個別の内部電力供給源の個別の電圧レベルが個別の第１の外部電力供給源電圧レベルからの個別の閾値電圧レベルに到達するに少なくとも部分的に基づいて、個別のクランパー回路を活性化し得る。
【0098】
電圧復元コンポーネント８２５は、第２のコマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを第４の時点で変更し得、該変更することは、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源を第１の電圧レベルに復元することを含む。幾つかの例では、電圧復元コンポーネント８２５は、第２のコマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第２のサブセットに対する個別の電圧レベルを第５の時点で変更し得、該変更することは、内部電力供給源のセットの第２のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源を第２の電圧レベルに復元することを含む。
【0099】
幾つかの例では、電圧復元コンポーネント８２５は、第２のコマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを第６の時点で変更し得、該変更することは、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源を第１の電圧レベルに復元することを含む。幾つかの例では、電圧復元コンポーネント８２５は、第２のコマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第３のサブセットに対する個別の電圧レベルを第６の時点で変更し得、該変更することは、内部電力供給源のセットの第３のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源を第３の電圧レベルに復元することを含む。
【0100】
幾つかの例では、電圧復元コンポーネント８２５は、第２のコマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第２のサブセットに対する個別の電圧レベルを第７の時点で変更し得、該変更することは、内部電力供給源のセットの第２のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源を第２の電圧レベルに復元することを含む。幾つかの例では、電圧復元コンポーネント８２５は、第２のコマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを第８の時点で変更し得、該変更することは、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源を第１の電圧レベルに復元することを含む。
【0101】
外部電圧維持コンポーネント８３０は、第２のコマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを第５の時点で維持し得る。幾つかの例では、外部電圧維持コンポーネント８３０は、第２のコマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第２のサブセット及び第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを第６の時点で維持し得る。幾つかの例では、外部電圧維持コンポーネント８３０は、第２のコマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを第７の時点で維持し得る。
【0102】
幾つかの例では、外部電圧維持コンポーネント８３０は、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの個別の電圧レベルを個別の第１の外部電力供給源電圧レベルと比較することに基づいて、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの個別の電圧レベルを個別の第１の外部電力供給源電圧レベルからの個別の閾値電圧レベルに維持するために個別のコンパレータと結合された個別のクランパー回路を活性化し得る。
【0103】
図９は、本開示の態様に従った省電力モードのための電力供給源のグループ化をサポートする１つ以上の方法９００を説明するフローチャートを示す。方法９００の動作は、本明細書に説明するようなメモリデバイス又はそのコンポーネントによって実装され得る。例えば、方法９００の動作は、図８を参照して説明したようなメモリデバイスによって実施され得る。幾つかの例では、メモリデバイスは、説明する機能を実施するためにメモリデバイスの機能的要素を制御するための命令のセットを実行し得る。追加的又は代替的に、メモリデバイスは、専用ハードウェアを使用して、説明する機能の態様を実施し得る。
【0104】
９０５において、メモリデバイスは、メモリデバイスがスリープモードにエントリすることを指し示すコマンドをメモリデバイスにおいて第１の時点で受信し得、メモリデバイスは、個別の電圧レベルのセットと関連付けられた内部電力供給源のセットを含む。９０５の動作は、本明細書に説明する方法に従って実施され得る。幾つかの例では、９０５の動作の態様は、図８を参照して説明したようなスリープコマンドコンポーネントによって実施され得る。
【0105】
９１０において、メモリデバイスは、コマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを第２の時点で変更し得、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源は、外部電力供給源電圧レベルとは異なる第１の電圧レベルと関連付けられる。９１０の動作は、本明細書に説明する方法に従って実施され得る。幾つかの例では、９１０の動作の態様は、図８を参照して説明したような電圧変更コンポーネントによって実施され得る。
【0106】
９１５において、メモリデバイスは、コマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第２のサブセットに対する個別の電圧レベルを第２の時点で維持し得、内部電力供給源のセットの第２のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源は、外部電力供給源電圧レベルとは異なる第２の電圧レベルと関連付けられる。９１５の動作は、本明細書に説明する方法に従って実施され得る。幾つかの例では、９１５の動作の態様は、図８を参照して説明したような内部電圧維持コンポーネントによって実施され得る。
【0107】
幾つかの例では、本明細書に説明するような装置は、方法９００等の１つ以上の方法を実施し得る。装置は、メモリデバイスがスリープモードにエントリすることを指し示すコマンドをメモリデバイスにおいて第１の時点で受信することであって、メモリデバイスは、個別の電圧レベルのセットと関連付けられた内部電力供給源のセットを含むことと、コマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを第２の時点で変更することであって、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源は、外部電力供給源電圧レベルとは異なる第１の電圧レベルと関連付けられることと、コマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第２のサブセットに対する個別の電圧レベルを第２の時点で維持することであって、内部電力供給源のセットの第２のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源は、外部電力供給源電圧レベルとは異なる第２の電圧レベルと関連付けられることのための機構、手段、又は命令（例えば、プロセッサによって実行可能な命令を蓄積する非一時的コンピュータ可読媒体）を含み得る。
【0108】
本明細書に説明する方法９００及び装置の幾つかの例は、メモリデバイスがスリープモードをイクジットすることを指し示す第２のコマンドをメモリデバイスにおいて第３の時点で受信することと、第２のコマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを第４の時点で変更することであって、該変更することは、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源を第１の電圧に復元することを含むことのための動作、機構、手段、又は命令を更に含み得る。
【0109】
本明細書に説明する方法９００及び装置の幾つかの例は、コマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第２のサブセットに対する個別の電圧レベルを第３の時点で変更することのための動作、機構、手段、又は命令を更に含み得る。
【0110】
本明細書で説明する方法９００及び装置の幾つかの例は、メモリデバイスがスリープモードをイクジットすることを指し示す第２のコマンドをメモリデバイスにおいて第４の時点で受信することと、第２のコマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第２のサブセットに対する個別の電圧レベルを第５の時点で変更することであって、該変更することは、内部供給電力源のセットの第２のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源を第２の電圧レベルに復元することを含むことと、第２のコマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを第５の時点で維持することと、第２のコマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを第６の時点で変更することであって、該変更することは、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源を第１の電圧レベルに復元することを含むことのための動作、機構、手段、又は命令を更に含み得る。
【0111】
本明細書に説明する方法９００及び装置の幾つかの例は、コマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第３のサブセットに対する個別の電圧レベルを第２の時点及び第３の時点で維持することであって、内部電力供給源のセットの第３のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源は、外部電力供給源電圧レベルとは異なる第３の電圧レベルと関連付けられ得ることための動作、機構、手段、又は命令を更に含み得る。
【0112】
本明細書に説明する方法９００及び装置の幾つかの例は、コマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第３のサブセットに対する個別の電圧レベルを第４の時点で変更することのための動作、機構、手段、又は命令を更に含み得る。
【0113】
本明細書に説明する方法９００及び装置の幾つかの例は、メモリデバイスがスリープモードをイクジットすることを指し示す第２のコマンドをメモリデバイスにおいて第５の時点で受信することと、第２のコマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第３のサブセットに対する個別の電圧レベルを第６の時点で変更することであって、該変更することは、内部電力供給源のセットの第３のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源を第３の電圧レベルに復元することを含むことと、第２のコマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第２のサブセット及び第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを第６の時点で維持することと、第２のコマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第２のサブセットに対する個別の電圧レベルを第７の時点でおいて変更することであって、該変更することは、内部電力供給源のセットの第２のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源を第２の電圧レベルに復元することを含むことと、第２のコマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを第７の時点でおいて維持することと、第２のコマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを第８の時点で変更することであって、該変更することは、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源を第１の電圧レベルに復元することを含むことのための動作、機構、手段、又は命令を更に含み得る。
【0114】
本明細書に説明する方法９００及び装置の幾つかの例では、内部電力供給源のセットの第１のサブセットは、順方向電圧バイアスに対する第１の閾値、電力供給動作に対する第１の電圧レベル閾値、又はそれらの組み合わせと関連付けられ得、内部電力供給源のセットの第２のサブセットは、順方向電圧バイアスに対する第２の閾値、電力供給動作に対する第２の電圧レベル閾値、又はそれらの組み合わせと関連付けられ得る。
【0115】
本明細書に説明する方法９００及び装置の幾つかの例では、内部電力供給源のセットの第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを変更することは、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの個別の電圧レベルを個別の第１の動作電圧レベルから個別の第１の外部電力供給源電圧レベルからの個別の閾値電圧レベルに変更するために個別のブリーダー回路を活性化することのための動作、機構、手段、又は命令を含み得る。
【0116】
本明細書に説明する方法９００及び装置の幾つかの例では、内部電力供給源のセットの第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを変更することは、個別のブリーダー回路と結合された個別のコンパレータを介して、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの個別の電圧レベルを個別の第１の外部電力供給源電圧レベルと比較することと、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの個別の電圧レベルを個別の第１の外部電力供給源電圧レベルと比較することに基づいて個別のブリーダー回路を非活動化することと、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの個別の電圧レベルを個別の第１の外部電力供給源電圧レベルと比較することに基づいて、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの個別の電圧レベルを個別の第１の外部電力供給源電圧レベルからの個別の閾値電圧レベルに維持するために個別のコンパレータと結合された個別のクランパー回路を活性化することのための動作、機構、手段、又は命令を含み得る。
【0117】
本明細書に説明する方法９００及び装置の幾つかの例は、個別のクランパー回路を活性化することは、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの個別の内部電力供給源の個別の電圧レベルが個別の第１の外部電力供給源電圧レベルからの個別の閾値電圧レベルに到達することに少なくとも部分的に基づき得ることのための動作、機構、手段、又は命令を更に含み得る。
【0118】
本明細書に説明する方法９００及び装置の幾つかの例では、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの各個別の第１の電圧レベルは、各個別の第１の外部電力供給源電圧レベルより高くてもよい。
【0119】
図１０は、本開示の態様に従った省電力モードのための電力供給源のグループ化をサポートする１つ以上の方法１０００を説明するフローチャートを示す。方法１０００の動作は、本明細書に説明するようなメモリデバイス又はそのコンポーネントによって実装され得る。例えば、方法１０００の動作は、図８を参照して説明したようなメモリデバイスによって実施され得る。幾つかの例では、メモリデバイスは、説明する機能を実施するためにメモリデバイスの機能的要素を制御するための命令のセットを実行し得る。追加的又は代替的に、メモリデバイスは、専用ハードウェアを使用して、説明する機能の態様を実施し得る。
【0120】
１００５において、メモリデバイスは、メモリデバイスがスリープモードにエントリすることを指し示すコマンドをメモリデバイスにおいて第１の時点で受信し得、メモリデバイスは、個別の電圧レベルのセットと関連付けられた内部電力供給源のセットを含む。１００５の動作は、本明細書に説明する方法に従って実施され得る。幾つかの例では、１００５の動作の態様は、図８を参照して説明したようなスリープコマンドコンポーネントによって実施され得る。
【0121】
１０１０において、メモリデバイスは、コマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを第２の時点で変更し得、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源は、外部電力供給源電圧レベルとは異なる第１の電圧レベルと関連付けられる。１０１０の動作は、本明細書に説明する方法に従って実施され得る。幾つかの例では、１０１０の動作の態様は、図８を参照して説明したような電圧変更コンポーネントによって実施され得る。
【0122】
１０１５において、メモリデバイスは、コマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第２のサブセットに対する個別の電圧レベルを第２の時点で維持し得、内部電力供給源のセットの第２のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源は、外部電力供給源電圧レベルとは異なる第２の電圧レベルと関連付けられる。１０１５の動作は、本明細書に説明する方法に従って実施され得る。幾つかの例では、１０１５の動作の態様は、図８を参照して説明したような内部電圧維持コンポーネントによって実施され得る。
【0123】
１０２０において、メモリデバイスは、メモリデバイスがスリープモードをイクジットすることを指し示す第２のコマンドをメモリデバイスにおいて第３の時点で受信し得る。１０２０の動作は、本明細書に説明する方法に従って実施され得る。幾つかの例では、１０２０の動作の態様は、図８を参照して説明したようなスリープコマンドコンポーネントによって実施され得る。
【0124】
１０２５において、メモリデバイスは、第２のコマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを第４の時点で変更し得、該変更することは、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの少なくとも１つの内部電力供給源を第１の電圧レベルに復元することを含む。１０２５の動作は、本明細書に説明する方法に従って実施され得る。幾つかの例では、１０２５の動作の態様は、図８を参照して説明したような電圧復元コンポーネントによって実施され得る。
【0125】
本明細書に説明する方法は可能な実装であること、動作及びステップは再配置され得、さもなければ変更され得ること、並びに他の実装が可能であることに留意すべきである。更に、方法の内の２つ以上からの部分は組み合わされ得る。
【0126】
装置が説明される。装置は、個別の電圧レベルのセットと関連付けられた内部電力供給源のセットと、外部電力供給源電圧レベルとは異なる第１の電圧レベルと関連付けられた第１の内部電力供給源を含む内部電力供給源の第１のサブセットと、外部電力供給源電圧レベルとは異なる第２の電圧レベルと関連付けられた第２の内部電力供給源を含む内部電力供給源の第２のサブセットとを含む内部電力供給源のセットとを含み得る。装置はまた、装置がスリープモードにエントリすることを指し示すコマンドを第１の時点で受信することと、コマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを第２の時点で変更することと、コマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第２のサブセットに対する個別の電圧レベルを第２の時点で維持することをするように構成されたコントローラを含み得る。
【0127】
コントローラの幾つかの例は、装置がスリープモードをイクジットすることを指し示す第２のコマンドを装置において第３の時点で受信することと、第２のコマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを第４の時点で変更することであって、該変更することは、第１の内部電力供給源を第１の電圧レベルに復元することを含むことをするように更に構成され得る。
【0128】
コントローラの幾つかの例は、コマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第２のサブセットに対する個別の電圧レベルを第３の時点で変更することをするように更に構成され得る。
【0129】
コントローラの幾つかの例は、装置がスリープモードをイクジットすることを指し示す第２のコマンドを装置において第４の時点で受信することと、第２のコマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第２のサブセットに対する個別の電圧レベルを第５の時点で変更することであって、該変更することは、第２の内部電力供給源を第２の電圧レベルに復元することを含むことをするように更に構成され得る。コントローラは、第２のコマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを第５の時点で維持することと、第２のコマンドを受信することに基づいて、内部電力供給源のセットの第１のサブセットに対する個別の電圧レベルを第６の時点で変更することであって、該変更することは、第１の内部電力供給源を第１の電圧レベルに復元することを含むことをするように更に構成され得る。
【0130】
幾つかの例では、内部電力供給源のセットの第１のサブセットは、順方向電圧バイアスに対する第１の閾値、電力供給動作に対する第１の電圧レベル閾値、又はそれらの組み合わせと関連付けられ得、内部電力供給源のセットの第２のサブセットは、順方向電圧バイアスに対する第２の閾値、電力供給動作に対する第２の電圧レベル閾値、又はそれらの組み合わせと関連付けられ得る。
【0131】
幾つかの例では、装置は、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの個別の電圧レベルを個別の第１の動作電圧レベルから個別の第１の外部電力供給源電圧レベルからの個別の第１の閾値に変更するように構成されたブリーダー回路の第１のサブセットと、内部電力供給源のセットの第２のサブセットの個別の電圧レベルを個別の第２の動作電圧レベルから個別の第２の外部電力供給源電圧レベルからの個別の第２の閾値に変更するように構成されたブリーダー回路の第２のサブセットとを含むブリーダー回路のセットを更に含み得る。装置は、ブリーダー回路の第１のサブセットの個別のブリーダー回路と結合され、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの個別の電圧レベルを個別の第１の外部電力供給源電圧レベルと比較するように構成されたコンパレータ回路の第１のサブセットと、ブリーダー回路の第２のサブセットの個別のブリーダー回路と結合され、内部電力供給源のセットの第２のサブセットの個別の電圧レベルを個別の第２の外部電力供給源電圧レベルと比較するように構成されたコンパレータ回路の第２のサブセットとを含むコンパレータ回路のセットを更に含み得る。
【0132】
幾つかの例では、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの各個別の第１の動作電圧レベルは、各個別の第１の外部電力供給源電圧レベルよりも高くてもよく、内部電力供給源のセットの第２のサブセットの各個別の第２の動作電圧レベルは、各個別の第２の外部電力供給源電圧レベルよりも高くてもよい。
【0133】
幾つかの例では、装置は、コンパレータ回路の第１のサブセットの個別のコンパレータ回路と結合され、第１のサブセットの個別のコンパレータ回路に基づいて、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの個別の電圧レベルを個別の第１の外部電力供給源電圧レベルからの個別の第１の閾値レベルに維持するように構成されたクランパー回路の第１のサブセットと、コンパレータ回路の第２のサブセットの個別のコンパレータ回路と結合され、第２のサブセットの個別のコンパレータ回路に基づいて、内部電力供給源のセットの第２のサブセットの個別の電圧レベルを個別の第２の外部電力供給源電圧レベルからの個別の第２の閾値レベルに維持するように構成されたクランパー回路の第２のサブセットとを含むクランパー回路のセットを更に含み得る。
【0134】
コントローラの幾つかの例は、内部電力供給源のセットの第１のサブセットの個別の内部電力供給源の個別の電圧レベルが個別の電圧レベル閾値に到達することに少なくとも部分的に基づいて、クランパー回路の第１のサブセットの個別のクランパー回路を活性化することをするように更に構成され得る。
【0135】
装置が説明される。装置は、外部電力供給源電圧レベルとは異なる第１の電圧レベルと関連付けられた第１の内部電力供給源と、第１の電圧レベルとは異なり、外部電力供給源の電圧レベルとは異なる第２の電圧レベルとに関連付けられた第２の内部電力供給源と、第１の内部電力供給源の第１の電圧レベルを第１の外部電力供給源電圧レベルに変更するように構成された第１のブリーダー回路と、第２の内部電力供給源の第２の電圧レベルを第２の外部電力供給源電圧レベルに変更するように構成された第２のブリーダー回路とを含むブリーダー回路のセットと、第１の内部電力供給源を第１の外部電力供給源電圧レベルに維持するように構成された第１のクランパー回路と、第２の内部電力供給源を第２の外部電力供給源電圧レベルに維持するように構成された第２のクランパー回路とを含むクランパー回路のセットとを含み得る。
【0136】
装置の幾つかの例は、第１の電圧レベル、第２の電圧レベル、及び外部電力供給源電圧レベルとは異なる第３の電圧レベルと関連付けられた第３の内部電力供給源と、ブリーダー回路のセットの第３のブリーダー回路であって、第３の内部電力供給源の第３の電圧レベルを第３の外部電力供給源の電圧レベルに変更するように構成された第３のブリーダー回路と、クランパー回路のセットの第３のクランパー回路であって、第３の内部電力供給源を第３の外部電力供給源電圧レベルに維持するように構成された第３のクランパー回路とを含み得る。
【0137】
幾つかの例では、第１のブリーダー回路は、第１の内部電力供給源を、第１の外部電力供給源電圧レベルを有する第１の外部電力供給源と選択的に結合するように構成された１つ以上のスイッチングコンポーネントと、１つ以上のスイッチングコンポーネントを介して第１の内部電力供給源又は第１の外部電力供給源と選択的に結合可能な１つ以上の抵抗器とを含み得る。
【0138】
幾つかの例では、クランパー回路のセットの各クランパー回路は、個別の内部電力供給源の個別の電圧レベルを個別の外部電力供給源電圧レベルと比較するように構成された個別のコンパレータ回路と結合され得る。
【0139】
本明細書に説明する情報及び信号は、様々な異なる技術及び技法の内の何れかを使用して表され得る。例えば、上の説明全体通じて言及され得るデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、及びチップは、電圧、電流、電磁波、磁界若しくは磁性粒子、光場若しくは光粒子、又はそれらの任意の組み合わせにより表され得る。幾つかの図面は、（複数の）信号を単一の信号として説明し得るが、バスが様々なビット幅を有し得る場合に、信号が信号のバスを表し得ることは、当業者により理解されるであろう。
【0140】
用語“電子通信する”、“導電的に接触する”、“接続される”、及び“結合される”は、コンポーネント間の信号の流れをサポートするコンポーネント間の関係を指し得る。コンポーネント間の信号の流れを何時でもサポートし得る何らかの導電経路がコンポーネント間にある場合、コンポーネントは、相互に電子通信する（又は導電的に接触する、又は接続される、又は結合される）とみなされる。任意の所与の時間において、相互に電子通信する（又は導電的に接触する、又は接続される、又は結合される）コンポーネント間の導電経路は、接続されるコンポーネントを含むデバイスの動作に基づいて開回路又は閉回路であり得る。接続されるコンポーネント間の導電経路は、コンポーネント間の直接の導電経路であり得、又は接続されるコンポーネント間の導電経路は、スイッチ、トランジスタ、若しくはその他のコンポーネント等の介在コンポーネントを含み得る間接的な導電経路であり得る。幾つかの例では、接続されるコンポーネント間の信号の流れは、例えば、スイッチ又はトランジスタ等の１つ以上の介在コンポーネントを使用して一時的に中断され得る。
【0141】
用語“結合する”は、信号が導電経路を越えてコンポーネント間で通信することが現在可能ではないコンポーネント間の開回路の関係から、信号が導電経路を越えてコンポーネント間で通信することができるコンポーネント間の閉回路の関係へ移行する状態を指す。コントローラ等のコンポーネントが他のコンポーネントを相互に結合する場合、該コンポーネントは、信号の流れを以前は許さなかった導電経路を越えて、他のコンポーネント間を信号が流れること可能にする変化を開始する。
【0142】
用語“絶縁される”は、信号がコンポーネント間を現在流れることが可能ではないコンポーネント間の関係を指す。コンポーネント間に開回路がある場合、コンポーネントは相互に絶縁される。例えば、コンポーネント間に位置付けられたスイッチによって分離された２つのコンポーネントは、スイッチが開放された場合に相互に絶縁される。コントローラが２つのコンポーネントを相互に絶縁する場合、コントローラは、信号の流れを以前は許していた導電経路を使用して信号がコンポーネント間を流れることを防止する変更に影響を与える。
【0143】
メモリアレイを含む本明細書で論じるデバイスは、シリコン、ゲルマニウム、シリコン－ゲルマニウム合金、ヒ化ガリウム、窒化ガリウム等の半導体基板上に形成され得る。幾つかの場合、該基板は半導体ウエハである。他の場合、該基板は、シリコンオンガラス（ＳＯＧ）若しくはシリコンオンサファイア（ＳＯＳ）等のシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）基板、又は別の基板上の半導体材料のエピタキシャル層であり得る。基板又は基板のサブ領域の導電性は、リン、ホウ素、又はヒ素を含むがそれらに限定されない様々な化学種を使用したドーピングを通じて制御され得る。ドーピングは、イオン注入により、又は任意のその他のドーピング手段により、基板の初期の形成又は成長の間に実施され得る。
【0144】
本明細書で論じるスイッチングコンポーネント又はトランジスタは、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を表し得、ソース、ドレイン、及びゲートを含む３端子デバイスを含み得る。端子は、導電性材料、例えば、金属を通じて他の電子素子に接続され得る。ソース及びドレインは、導電性であり得、高濃度にドープされた、例えば、縮退した、半導体領域を含み得る。ソース及びドレインは、低濃度にドープされた半導体領域又はチャネルによって分離され得る。チャネルがｎ型（すなわち、主たるキャリアが電子）である場合、該ＦＥＴはｎ型ＦＥＴと称され得る。チャネルがｐ型（すなわち、主たるキャリアがホール）である場合、該ＦＥＴはｐ型ＦＥＴと称され得る。チャネルは、絶縁ゲート酸化物によって覆われ得る。チャネルの導電性は、ゲートに電圧を印加することによって制御され得る。例えば、正の電圧又は負の電圧をｎ型ＦＥＴ又はｐ型ＦＥＴに夫々印加することは、チャネルが導電性になることをもたらし得る。トランジスタの閾値電圧以上の電圧がトランジスタのゲートに印加された場合、トランジスタは“オン”に又は“活性化”され得る。トランジスタの閾値電圧未満の電圧がトランジスタのゲートに印加された場合、トランジスタは“オフ”に又は“不活性化”され得る。
【0145】
添付の図面に関連して本明細書に記載される説明は、例示的構成を説明し、実装され得る又は請求項の範囲内にある全ての例を表さない。本明細書で使用する用語“例示的”は、“好適”又は“その他の例よりも有利”ではなく“一例、実例、又は説明として役立つこと”を意味する。詳細な説明は、説明する技法の理解を提供するための具体的詳細を含む。これらの技術は、しかしながら、これらの具体的詳細なしに実践され得る。幾つかの実例では、説明する例の内容を不明確にすることを避けるために、周知の構造体及びデバイスはブロック図の形式で示される。
【0146】
添付の図では、同様のコンポーネント又は機構は、同じ参照ラベルを有し得る。更に、同じタイプの様々なコンポーネントは、参照ラベルに続いてダッシュと、同様のコンポーネントの間で区別する第２のラベルを付すことにより区別され得る。明細書において第１の参照ラベルのみが使用される場合、説明は、第２の参照ラベルに関係なく、同じ第１の参照ラベルを有する同様のコンポーネントの内の何れか１つに適用可能である。
【0147】
本明細書に説明する情報及び信号は、様々な異なる技術及び技法の内の何れかを使用して表され得る。例えば、上述の説明全体通じて言及され得るデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、及びチップは、電圧、電流、電磁波、磁界若しくは磁性粒子、光場若しくは光粒子、又はそれらの任意の組み合わせにより表され得る。
【0148】
本明細書の開示と関連して説明する様々な説明ブロック及びモジュールは、本明細書に説明する機能を実施するように設計された汎用プロセッサ、ＤＳＰ、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ若しくはその他のプログラマブルロジックデバイス、ディスクリートゲート若しくはトランジスタロジック、ディスクリートハードウェアコンポーネント、又はそれらの任意の組み合わせを用いて実装又は実施され得る。汎用プロセッサは、マイクロプロセッサであり得るが、代わりに、プロセッサは、任意のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、又はステートマシーンであり得る。プロセッサはまた、コンピューティングデバイスの組み合わせ（例えば、ＤＳＰとマイクロプロセッサとの組み合わせ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと連携した１つ以上のマイクロプロセッサ、又は任意のその他のこうした構成）として実装され得る。
【0149】
本明細書に説明する機能は、ハードウェア、プロセッサにより実行されるソフトウェア、ファームウェア、又はそれらの任意の組み合わせで実装され得る。プロセッサにより実行されるソフトウェアで実装される場合、機能は、コンピュータ可読媒体上の１つ以上の命令又はコードとして蓄積され得、又は送信され得る。その他の例及び実装は、開示及び添付の請求項の範囲内にある。例えば、ソフトウェアの性質に起因して、上に説明した機能は、プロセッサにより実行されるソフトウェア、ハードウェア、ファームウェア、配線、又はこれらの任意の組み合わせを使用して実装され得る。機能を実装する機構はまた、機能の（複数の）部分が異なる物理的場所において実装されるように分散されることを含む、様々な位置に物理的に設置され得る。また、請求項を含む本明細書で使用するとき、項目のリスト（例えば、“少なくとも１つの”又は“の内の１つ以上”等の句により前置きされる項目のリスト）に使用されるような“又は”は、例えば、Ａ、Ｂ、又はＣの内の少なくとも１つのリストがＡ又はＢ又はＣ又はＡＢ又はＡＣ又はＢＣ又はＡＢＣ（すなわち、Ａ及びＢ及びＣ）を意味するように包含的リストを指し示す。また、本明細書で使用するとき、句“基づいて”は、条件の閉集合への言及として解釈されないであろう。例えば、“条件Ａに基づいて”として説明される例示的ステップは、本開示の範囲から逸脱することなく、条件Ａ及び条件Ｂの両方に基づき得る。言い換えれば、本明細書で使用するとき、句“基づいて”は、句“少なくとも部分的に基づいて“と同じ方法で解釈されるであろう。
【0150】
コンピュータ可読媒体は、ある場所から別の場所へのコンピュータプログラムの転送を容易にする任意の媒体を含むコンピュータストレージ媒体及び通信媒体の両方を含む。非一時的ストレージ媒体は、汎用又は専用のコンピュータによりアクセスできる任意の利用可能な媒体であり得る。例として、非限定的に、コンピュータ可読媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、電気的消去可能プログラマブルリードオンリーメモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、コンパクトディスク（ＣＤ）ＲＯＭ若しくはその他の光ディスクストレージ、磁気ディスクストレージ若しくはその他の磁気ストレージデバイス、又は所望のプログラムコード手段を命令若しくはデータ構造の形式で搬送若しくは蓄積するのに使用し得、且つ汎用若しくは専用コンピュータ又は汎用若しくは専用プロセッサによりアクセスし得る任意のその他の非一時的媒体を含み得る。また、任意の接続は、コンピュータ可読媒体として適切に称される。例えば、同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペア、デジタル加入者線（ＤＳＬ）、又は赤外線、無線、及びマイクロ波等の無線技術を使用してウェブサイト、サーバ、又はその他の遠隔ソースからソフトウェアが送られる場合、同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペア、デジタル加入者線（ＤＳＬ）、又は赤外線、無線、及びマイクロ波等の無線技術は媒体の定義に含まれる。本明細書で使用されるとき、ディスク（ｄｉｓｋ）及びディスク（ｄｉｓｃ）は、ＣＤ、レーザディスク、光ディスク、デジタル多目的ディスク（ＤＶＤ）、フロッピーディスク、及びブルーレイディスクを含み、ディスク（ｄｉｓｃ）がレーザでデータを光学的に再生する一方で、ディスク（ｄｉｓｋ）はデータを磁気的に通常再生する。上の組み合わせもコンピュータ可読媒体の範囲に含まれる。
【0151】
本明細書の説明は、当業者が開示を製作又は使用可能なように提供される。開示への様々な修正は当業者に分かるであろうし、本明細書で定義される包括的な原理は開示の範囲を逸脱することなくその他の変形に適用され得る。したがって、開示は、本明細書で説明された例及び設計に限定されず、本明細書に開示された原理及び新規の機構と一致する最も広い範囲に一致する。
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【国際調査報告】