特表 2023-530094 パターン生成方法および装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2023-07-13

(54)【発明の名称】パターン生成方法および装置

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/20 20060101AFI20230706BHJP

【ＦＩ】

G03F7/20 501

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2022576072

(86)(22)【出願日】2021-06-14

(85)【翻訳文提出日】2023-02-09

(86)【国際出願番号】 EP2021065930

(87)【国際公開番号】W WO2021254948

(87)【国際公開日】2021-12-23

(31)【優先権主張番号】20180444.0

(32)【優先日】2020-06-17

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】513253940

【氏名又は名称】マイクロニック アクティエボラーグ

(74)【代理人】

【識別番号】100099759

【弁理士】

【氏名又は名称】青木 篤

(74)【代理人】

【識別番号】100123582

【弁理士】

【氏名又は名称】三橋 真二

(74)【代理人】

【識別番号】100092624

【弁理士】

【氏名又は名称】鶴田 準一

(74)【代理人】

【識別番号】100114018

【弁理士】

【氏名又は名称】南山 知広

(74)【代理人】

【識別番号】100153729

【弁理士】

【氏名又は名称】森本 有一

(74)【代理人】

【識別番号】100151459

【弁理士】

【氏名又は名称】中村 健一

(72)【発明者】

【氏名】マルティン グリムトフト

(72)【発明者】

【氏名】ヤーン ステルナル

(72)【発明者】

【氏名】ロベルト エクルンド

(72)【発明者】

【氏名】フレドリク イレン

(72)【発明者】

【氏名】ポントゥス ステンストレーム

【テーマコード（参考）】

2H197

【Ｆターム（参考）】

2H197CC05

2H197DA04

2H197HA10

(57)【要約】

ＳＬＭ用の周期成分を有するパターンのラスタライズ方法を提示し、周期性を有する、オリジナルパターンの取得（Ｓ１０）を含む。第１パターン主周期が決定される（Ｓ２１）。イメージ領域およびイメージ化された素子の第１ピッチが取得される（Ｓ３１）。オリジナルパターンを第１ラスタスケーリング係数でスケーリングする（Ｓ４１）。スケーリングされたパターンは、イメージ領域によって覆われる第１方向に周期性を示すパターンアイテムの第１整数繰り返し回数を含むようにクロッピングされ（Ｓ５１）、意図したパターンジェネレータに適合するラスタライズされたパターンを与える。ラスタライズされたパターンは、第１スケーリング係数を表すデータと関連付けられている。描画方法は、ラスタライズされたパターンを取得することを含む。ラスタライズされたパターンの外側に位置するパターンジェネレータのＳＬＭの素子は、無効に設定される。ラスタライズされたパターンは、ターゲット表面に光学的スケーリングで描画される。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

空間光変調器（２）に基づくパターンジェネレータのための周期的成分を有するパターンのラスタライズ方法であって、前記空間光変調器（２）は、ターゲット表面（１０）上のイメージ領域（１４）内にイメージ化された素子（２２）のアレイ（２０）を生成するために配置された個別に制御可能な素子（４）のアレイ（３）を有し、個々のイメージ化された素子（２２）の照射は、それぞれの前記素子（４）によって制御され、前記ラスタライズ方法は、
周期性を呈するパターンアイテム（３２）を有するオリジナルパターン（３０）を取得するステップ（Ｓ１０）と、
前記オリジナルパターン（３０）の第１方向（１０１）における第１パターン主周期（ＰＭ１）を決定する（Ｓ２１）ステップと、
前記イメージ領域（１４）および使用される意図したパターンジェネレータの前記第１方向（１０１）におけるイメージ化された素子（２２）の第１ピッチ（Ｄ１）に関する情報を取得する（Ｓ３１）ステップと、
前記第１方向（１０１）における前記オリジナルパターン（３０）を第１ラスタスケーリング係数でスケーリングし（Ｓ４１）、スケーリングされたパターン（３１）を与えるステップであって、
前記第１ラスタスケーリング係数は、前記第１方向（１０１）における前記パターンジェネレータの前記第１ピッチ（Ｄ１）の第１整数倍を前記第１パターン主周期（ＰＭ１）で除算した値に等しい、ステップと、
前記スケーリングされたパターン（３１）を、前記第１方向（１０１）における周期性を呈する前記パターンアイテム（３２）の第１整数繰り返し回数を含み、かつ、前記意図したパターンジェネレータの前記第１方向（１０１）における前記イメージ領域（１４）によって覆われるオーバーラップテーパリングマージンがあれば、それを含むようにクロッピングし（Ｓ５１）、前記意図したパターンジェネレータに適合したラスタライズされたパターン（３３）を与えるステップであって、
前記ラスタライズされたパターン（３３）は、前記第１スケーリング係数を表すデータと関連付けられる、ステップと、
を含む、ラスタライズ方法。

【請求項2】

イメージ化された素子（２２）の前記アレイ（２０）の第１主軸が、前記第１方向（１０１）に対して第１角度（α１）で回転され、それによって前記第１ピッチ（Ｄ１）が、前記第１主軸に沿って連続する２つの前記イメージ化された素子（２２）間の距離（ｄ１）および前記第１角度（α１）に依存することを特徴とする、請求項１に記載のラスタライズ方法。

【請求項3】

前記オリジナルパターン（３０）の第２方向（１０２）における第２パターン主周期（ＰＭ２）を決定するステップ（Ｓ２２）であって、前記第２方向（１０２）は前記第１方向（１０１）に対して直交している、ステップと、
前記イメージ領域（１４）および使用される前記意図したパターンジェネレータの前記第２方向（１０２）におけるイメージ化された素子（２２）の第２ピッチ（Ｄ２）に関する情報を取得（Ｓ３２）するステップと、をさらに含み、
それによって、前記オリジナルパターンをスケーリングする前記ステップは、前記オリジナルパターン（３０）を第２ラスタスケーリング係数で前記第２方向（１０２）にもスケーリングする（Ｓ４２）ことをさらに含み、前記スケーリングされたパターン（３１）を与え、
前記第２ラスタスケーリング係数は、前記第２方向（１０２）における前記パターンジェネレータの前記第２ピッチ（Ｄ２）を前記第２パターン主周期（ＰＭ２）で除算した値に第２整数を掛けた値に等しく、
それによって、前記クロッピングするステップは、前記第２方向（１０２）における周期性を呈する前記パターンアイテム（３２）の第２整数繰り返し回数を含み、かつ、前記意図したパターンジェネレータの前記第２方向（１０２）における前記イメージ領域（１４）によって覆われるオーバーラップテーパリングマージンがあれば、それをも含むように前記スケーリングされたパターン（３１）をクロッピングすること（Ｓ４２）をさらに含み、前記ラスタライズされたパターン（３３）を与え、
それによって、前記ラスタライズされたパターン（３３）は、前記第２ラスタスケーリング係数を表すデータにさらに関連付けられる、
ことを特徴とする、請求項１または２に記載のラスタライズ方法。

【請求項4】

前記イメージ化された素子（２２）の前記アレイ（２０）の第２主軸は、前記第２方向（１０２）に対して第２角度（α２）で回転され、それによって前記第２ピッチ（Ｄ２）は、前記第２主軸に沿って連続する２つの前記イメージ化された素子（２２）間の距離（ｄ２）および前記第２角度（α２）に依存していることを特徴とする、請求項３に記載のラスタライズ方法。

【請求項5】

前記意図したパターンジェネレータの前記第１方向（１０１）において等距離の変位を有する第１部分的重複露光回数に関するデータを取得するステップをさらに備え、それによって、前記スケーリングステップ（Ｓ４１）における前記第１ラスタスケーリング係数および前記クロッピングステップ（Ｓ５１）における前記第１整数繰り返し回数が、前記第１整数繰り返し回数と、前記第１整数および前記第１部分的重複露光回数の比とを掛けた値が整数になるように選択することを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか記載のラスタライズ方法。

【請求項6】

前記意図するパターンジェネレータの前記第２方向（１０２）において等距離の変位を有する第２部分的重複露光回数に関するデータを取得するステップをさらに備え、それによって、前記スケーリングステップ（Ｓ４２）における前記第２ラスタスケーリング係数および前記クロッピングステップ（Ｓ５２）における前記第２整数繰り返し回数が、前記第２整数繰り返し回数と、前記第２整数および前記第２部分的重複露光回数の比とを掛けた値が整数になるように選択することを特徴とする、請求項３または４に記載のラスタライズ方法、あるいは、請求項３または４に従属する場合には請求項５に記載のラスタライズ方法。

【請求項7】

前記第１ラスタスケーリング係数は、前記第１整数および前記第１整数繰り返し回数の選択における制約がある場合は、それを考慮して、可能な限り１に近くなるように選択されること、および、
前記第２ラスタスケーリング係数は、前記第２整数および前記第２整数繰り返し回数の選択における制約がある場合は、それを考慮して、可能な限り１に近くなるように選択されること、
の少なくとも１つを備えることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれかに記載のラスタライズ方法。

【請求項8】

空間光変調器（２）に基づくパターン発生器のための周期的成分を有するパターンの描画方法であって、前記空間光変調器（２）は、ターゲット表面（１０）上のイメージ領域（１４）内にイメージ化された素子（２２）のアレイ（２０）を生成するために配置された個別に制御可能な素子（４）のアレイ（３）を備え、個々のイメージ化された素子（２２）の照射はそれぞれの前記素子（４）によって制御され、前記描画方法は、
前記ラスタライズされたパターン（３３）の第１方向（１０１）におけるスケーリングを規定する、第１ラスタスケーリング係数を表す関連データを有するラスタライズされたパターンを取得する（Ｓ６１）ステップと、
前記第１方向（１０１）において前記ラスタライズされたパターンの外側に位置する、前記パターンジェネレータにおける前記空間光変調器（２）の素子（４）を無効に設定する（Ｓ６２）ステップと、
ターゲット表面（１０）上のイメージ領域（１４）に前記ラスタライズされたパターンを描画する（Ｓ８０）ステップと、を含み、
前記描画（Ｓ８０）は、前記第１方向（１０１）において第１光学的スケーリング係数でスケーリング（Ｓ８１）することを含み、
前記第１光学的スケーリング係数は、１ではない、
描画方法。

【請求項9】

前記第１光学的スケーリング係数は、前記第１ラスタスケーリング係数の逆数に等しいことを特徴とする、請求項８に記載の描画方法。

【請求項10】

前記ラスタライズされたパターンは、前記ラスタライズされたパターン（３３）の第２方向（１０２）におけるスケーリングを規定する、第２ラスタスケーリング係数を表すデータとさらに関連付けられ、前記第２方向（１０２）は前記第１方向（１０１）に対して直交し、
前記空間光変調器（２）の素子（４）を無効に設定する前記ステップは、前記第２方向（１０２）において前記ラスタライズされたパターンの外側に位置する、前記パターンジェネレータの前記空間光変調器（２）の素子（４）を無効に設定する（Ｓ７２）ことをさらに備え、
これにより、前記描画（Ｓ８０）が、前記第２方向（１０２）において第２光学的スケーリング係数でスケーリング（Ｓ８２）することをさらに含む、
ことを特徴とする、請求項８または９に記載の描画方法。

【請求項11】

前記第１光学的スケーリング係数と前記第２光学的スケーリング係数の両方が１ではなく、前記イメージ領域に到達する、
ことを特徴とする、請求項１０に記載の描画方法。

【請求項12】

前記第２光学的スケーリング係数は、前記第２ラスタスケーリング係数の逆数に等しいことを特徴とする、請求項１０または１１に記載の描画方法。

【請求項13】

空間光変調器（２）に基づくパターンジェネレータのためのラスタライズモジュール（６０）であって、前記空間光変調器（２）は、ターゲット表面（１０）上のイメージ領域（１４）内にイメージ化された素子（２２）のアレイ（２０）を生成するために配置された個別に制御可能な素子（４）のアレイ（３）を備え、個々のイメージ化された素子（２２）の照射はそれぞれの前記素子（４）により制御され、前記ラスタライズモジュール（６０）は、
プロセッサ（６２）と、
メモリ（６４）と、を有し、
前記メモリ（６４）は、前記プロセッサ（６２）によって実行可能な命令を含み、それによって、前記ラスタライズモジュール（６０）は、
周期性を呈するパターンアイテム（３２）を有するオリジナルパターン（３０）を取得し、
前記オリジナルパターン（３０）の第１方向（１０１）において第１パターン主周期（ＰＭ１）を決定し、
前記イメージ領域（１４）および使用される意図したパターンジェネレータの前記第１方向（１０１）におけるイメージ化された素子（２２）の第１ピッチ（Ｄ１）に関する情報を取得し、
第１ラスタスケーリング係数により前記第１方向（１０１）において前記オリジナルパターン（３０）をスケーリングして、スケーリングされたパターン（３１）を与え、
前記第１ラスタスケーリング係数は、前記第１方向（１０１）における前記パターンジェネレータの前記第１ピッチ（Ｄ１）の第１整数倍を前記第１パターン主周期（ＰＭ１）で除算した値に等しく、
前記スケーリングされたパターン（３１）を、前記第１方向（１０１）に周期性を呈する前記パターンアイテム（３２）の第１整数繰り返し回数を含み、かつ、前記意図したパターンジェネレータの前記第１方向（１０１）における前記イメージ領域（１４）によって覆われているオーバーラップテーパリングマージンがあれば、それを含むようにクロップし、前記意図したパターンジェネレータに適合したラスタライズされたパターン（３３）を与え、
前記ラスタライズされたパターン（３３）は、前記第１ラスタスケーリング係数を表すデータと関連付けられている、
ように構成されることを特徴とする、ラスタライズモジュール（６０）。

【請求項14】

前記メモリ（６４）は、前記プロセッサ（６２）によって実行可能な命令をさらに含み、それによって、前記ラスタライズモジュール（６０）は、さらに、
前記オリジナルパターン（３０）の第２方向（１０２）における第２パターン主周期（ＰＭ２）を決定し、前記第２方向（１０２）は前記第１方向（１０１）に対して直交し、
前記イメージ領域（１４）および使用される前記意図したパターンジェネレータの前記第２方向（１０２）における前記イメージ化された素子（２２）の第２ピッチ（Ｄ２）に関する情報を取得し、
前記第２方向（１０２）において前記オリジナルパターン（３０）を第２ラスタスケーリング係数でスケーリングして、前記スケーリングされたパターン（３１）を与え、
前記第２ラスタスケーリング係数は、前記第２方向（１０２）における前記パターンジェネレータの前記第２ピッチ（Ｄ２）の第２整数倍を前記第２パターン主周期（ＰＭ２）で除算した値に等しく、
前記スケーリングされたパターン（３１）を、前記第２方向（１０２）における周期性を呈する前記パターンアイテム（３２）の第２整数繰り返し回数を含み、かつ、前記意図したパターンジェネレータの前記第２方向（１０２）における前記イメージ領域（１４）によって覆われるオーバーラップテーパマージンがあれば、それを含むようにクロッピングし、前記意図するパターンジェネレータに適合した前記ラスタライズされたパターン（３３）を与え、
前記ラスタライズされたパターン（３３）は、前記第２ラスタスケーリング係数を表すデータにさらに関連付けられる、
ように構成されることを特徴とする、請求項１３に記載のラスタライズモジュール。

【請求項15】

パターンジェネレータ（８０）であって、
制御モジュール（８２）と、
空間光変調器（２）の手段によってイメージ領域にパターンを描画するために配置されたイメージングモジュール（８４）であって、前記空間光変調器（２）は、ターゲット表面（１０）上のイメージ領域（１４）内にイメージ化された素子（２２）のアレイ（２０）を生成するために配置された個別に制御できる素子（４）のアレイ（３）を備え、個々のイメージ化された素子（２２）の照射は、それぞれの前記素子（４）により制御されている、イメージングモジュールと、を有し、
前記制御モジュール（８２）は、前記ラスタライズされたパターン（３３）の第１方向（１０１）におけるスケーリングを規定する、第１ラスタスケーリング係数を表す関連データを有するラスタライズされたパターン（３３）を取得するように構成され、
前記制御モジュール（８２）は、前記第１方向（１０１）において前記ラスタライズされたパターン（３３）の外側に位置する前記イメージングモジュール（８４）内の前記空間光変調器（２）の素子（４）を無効に設定するようにさらに構成され、
前記イメージングモジュール（８４）は、前記制御モジュール（８２）によって制御され、前記イメージ領域（１４）に描画される前に前記第１方向（１０１）において第１光学的スケーリング係数で前記ラスタライズされたパターン（３３）をスケーリングするための光学的手段（８８）を備え、
前記第１光学的スケーリング係数は、１ではない、
パターンジェネレータ。

【請求項16】

前記制御モジュール（８２）は、前記ラスタライズされたパターン（３３）の第２方向（１０２）におけるスケーリングを規定する、第２ラスタスケーリング係数を表す関連データをさらに有する前記ラスタライズされたパターン（３３）を得るためにさらに構成されており、前記第２方向（１０２）は前記第１方向（１０１）に対して直交し、
前記制御モジュール（８２）は、前記第２方向（１０２）において前記ラスタライズされたパターンの外側に位置する前記イメージングモジュール（８４）内の前記空間光変調器（２）の素子（４）も無効に設定するようにさらに構成され、
前記イメージングモジュール（８４）は、前記制御モジュール（８２）によって制御され、前記イメージ領域（１４）に描画される前に前記第２方向（１０２）において第２光学的スケーリング係数で前記ラスタライズされたパターン（３３）をさらにスケーリングするための光学的手段（８８）を含む、
ことを特徴とする、請求項１５に記載のパターンジェネレータ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、一般に空間光変調器パターンジェネレータによるパターンのラスタライズおよび描画に関し、特に、周期成分を有するパターンのラスタライズおよび描画のための方法および装置に関する。

【背景技術】

【0002】

パターンジェネレータは、現在、さまざまな用途で使用されている。リソグラフィーシステムやフォトマスクリソグラフィーシステムで使用されるパターンジェネレータは、非常に正確なプリント特性を示すことが要求されている。高品質のパターンプリントを得るための１つのアプローチは、空間光変調器（ＳＬＭ）、例えば、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、平面ライトバルブ（ＰＬＶ）、マイクロシャッターアレイ（ＭＳＡ）、アナログ空間光変調器（ＡＳＬＭ）および／またはシリコン上の液晶（ＬＣＳ）を使用することである。ＳＬＭは、ターゲット表面上のイメージ領域内にイメージ化された素子のアレイを生成するために配置された、個別に制御可能な素子のアレイを有する。個々のイメージ化された素子の照射は、それぞれのそのような素子によって制御される。

【0003】

ＳＬＭは固有の周期性を持っており、プリントされるパターンも周期性を持つアプリケーションでは、異なる種類の干渉効果が発生する可能性がある。このような影響は、最終製品に残ることがあり、例えば、人間の視覚で認識できる異なるタイプの画面となる。また、非常に小さな変化であっても、それが規則的であれば容易に観察することができるため、ムラ現象と呼ばれることがある。パターンジェネレータに使用されるＳＬＭは、多くの場合、物理的なサイズとフィールドの開口部が固定されており、場合によってはエッジがテーパ状になっていることもある。このため、パターン形状の微妙な変化や傾向に対応することが難しい。そのため、周期的なパターンに対して発生する干渉現象を緩和することが困難である。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

したがって、本発明の全般的な目的は、繰り返しパターンをプリントする際に干渉効果を回避するために適応可能な、ＳＬＭに基づく方法および装置を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0005】

上記目的は、独立請求項による方法および装置によって達成される。好ましい実施形態は従属請求項に規定される。

【0006】

一般的に言えば、第１の態様において、周期的な成分を持つパターンのラスタライズ方法が提示される。この方法は、ＳＬＭをベースとするパターンジェネレータを対象としている。ＳＬＭは、ターゲット表面上のイメージ領域内にイメージ化された素子のアレイを生成するために配置された、個別に制御可能な素子のアレイを有する。個々のイメージ化された素子の照射は、それぞれのそのような素子によって制御される。ラスタライズ方法は、周期性を呈するパターンアイテムを有するオリジナルパターンを取得することを含む。オリジナルパターンの第１方向における第１パターン主周期が決定される。使用するパターンジェネレータのイメージ領域と第１方向のイメージ化された素子の第１ピッチに関する情報を取得する。オリジナルパターンは、第１ラスタスケーリング係数によって第１方向にスケーリングされ、スケーリングされたパターンを与える。第１ラスタスケーリング係数は、第１方向におけるパターンジェネレータの第１ピッチの第１整数倍を第１パターン主周期で除算した値に等しい。スケーリングされたパターンは、第１方向に周期性を呈するパターンアイテムの第１整数繰り返し回数を含むようにクロッピングされ、意図したパターンジェネレータの第１方向のイメージ領域によって覆われるオーバーラップテーパリングマージンがあればそれを含み、意図したパターンジェネレータに適合したラスタライズされたパターンを与える。ラスタライズされたパターンは、第１スケーリング係数を表すデータと関連付けられる。

【0007】

第２の態様において、ＳＬＭをベースとするパターンジェネレータのための周期的な成分を有するパターンの描画方法が提示される。ＳＬＭは、ターゲット表面上のイメージ領域内にイメージ化された素子のアレイを生成するように配置された、個別に制御可能な素子のアレイを有する。個々のイメージ化された素子の照射が、それぞれの素子によって制御される。描画方法は、ラスタライズされたパターンの第１方向におけるスケーリングを規定する、第１ラスタスケーリング係数を表す関連データを有するラスタライズされたパターンを取得することを含む。第１方向にラスタライズされたパターンの外側に位置するパターンジェネレータ内のＳＬＭの素子は、無効に設定される。ラスタライズされたパターンは、ターゲット表面上のイメージ領域に描画される。描画は、第１方向における第１光学的スケーリング係数でスケーリングすることを含む。第１光学的スケーリング係数は、１ではない（ｎｏｎ－ｕｎｉｔｙ）。

【0008】

第３の態様では、ＳＬＭに基づくパターンジェネレータのためのラスタライズモジュールを提示する。ＳＬＭは、ターゲット表面上のイメージ領域内にイメージ化された素子のアレイを生成するために配置された、個別に制御可能な素子のアレイを有する。個々のイメージ化された素子の照射は、それぞれの素子によって制御される。ラスタライズモジュールは、プロセッサと、メモリと、を有する。メモリは、プロセッサによって実行可能な命令を含み、それによって、ラスタライズモジュールは、周期性を呈するパターンアイテムを有する、オリジナルパターンを取得するように構成されている、ことを特徴とする。ラスタライズモジュールは、さらに、オリジナルパターンの第１方向における第１パターン主周期を決定するように構成される。ラスタライズモジュールは、イメージ領域と、使用される意図したパターンジェネレータの第１方向におけるイメージ化された素子の第１ピッチＤ１に関する情報を取得するようにさらに構成される。ラスタライズモジュールは、第１ラスタスケーリング係数によって第１方向にオリジナルパターンをスケーリングし、スケーリングされたパターンを与えるようにさらに構成される。第１ラスタスケーリング係数は、第１方向におけるパターンジェネレータの第１ピッチの第１整数倍を第１パターン主周期で除算した値に等しい。ラスタライズモジュールは、第１方向に周期性を呈するパターンアイテムの第１整数繰り返し回数を含み、意図したパターンジェネレータの第１方向のイメージ領域によって覆われるオーバーラップテーパリングマージンがあれば、それを含むようにスケーリングされたパターンをクロッピングするようにさらに構成され、意図したパターンジェネレータに適合したラスタライズされたパターンを与える。ラスタライズされたパターンは、第１ラスタスケーリング係数を表すデータに関連付けられる。

【0009】

第４の態様において、パターンジェネレータは、制御モジュールと、イメージングモジュールと、を有する。イメージングモジュールは、ＳＬＭの手段によってイメージ領域にパターンを描画するように配置される。ＳＬＭは、ターゲット表面上のイメージ領域内にイメージ化された素子のアレイを生成するために配置された、個別に制御可能な素子のアレイを有する。個々のイメージ化された素子の照射は、それぞれの素子によって制御される。制御モジュールは、ラスタライズされたパターンの第１方向におけるスケーリングを規定する、第１ラスタスケーリング係数を表す関連データを有するラスタライズされたパターンを取得するように構成される。制御モジュールは、さらに、第１方向においてラスタライズされたパターンの外側に配置されたパターンジェネレータにおけるＳＬＭを無効に設定するように構成される。イメージングモジュールは、制御モジュールによって制御される、イメージ領域に描画される前に第１方向に第１光学的スケーリング係数でラスタライズされたパターンをスケーリングするための光学的手段を備える。第１光学的スケーリング係数は、１ではない。

【0010】

提案された技術による１つの利点は、ＳＬＭの性能を任意の周期的パターンに適合させることができることである。他の利点は、詳細な説明を読めば理解できるであろう。

【図面の簡単な説明】

【0011】

本発明は、そのさらなる目的および利点とともに、添付の図面とともに引用される以下の説明を参照することによって最もよく理解され得る。

【図1】図１は、ＳＬＭに基づくパターンジェネレータを模式的に示す図である。

【図2】図２は、ターゲット表面の一部を模式的に示す図である。

【図3】図３は、他のターゲット表面の一部を示す図である。

【図4】図４は、一般的なパターン生成方法の一実施形態の方法を示すフロー図である。

【図5】図５は、ターゲット表面におけるスケーリングパターンの一部を説明する図である。

【図6】図６は、ターゲット表面におけるスケーリングされクロッピングされたパターンの一部を示す図である。

【図7】図７は、ＳＬＭに基づくパターン生成装置におけるテーパリングマージンを模式的に示す図である。

【図8】図８は、ＳＬＭに基づくパターンジェネレータのための周期的な成分を有するパターンのラスタライズ方法の実施形態のステップのフロー図である。

【図9】図９は、ラスタライズされたパターンと重ね合わされたＳＬＭアレイを示す図である。

【図10】図１０は、ＳＬＭとターゲット領域との間のパターンの光学的スケーリングの一実施形態を模式的に示す図である。

【図11】図１１は、ＳＬＭに基づくパターンジェネレータのための周期的な成分を有するパターンの描画方法の一実施形態のステップのフロー図である。

【図12】図１２は、非直交主対称軸を有するＳＬＭアレイの一実施形態を模式的に示す図である。

【図13】図１３は、非整合ＳＬＭの一実施形態を模式的に示す図である。

【図14】図１４は、多重露光原理の一実施形態を模式的に示す図である。

【図15】図１５は、ラスタライズモジュールの一実施形態を模式的に示す図である。

【図16】図１６は、パターン生成システムの一実施形態を模式的に示す図である。

【図17】図１７は、パターンジェネレータの一実施形態を模式的に示す図である。

【図18】図１８は、２方向に光学的スケーリングを行う光学的手段の一実施形態を模式的に示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

図面全体を通して、類似の、または、対応する要素には同じ参照番号が使用される。

【0013】

本提案の技術の理解を深めるために、まず、ＳＬＭをベースとしたパターンジェネレータにおける幾何学的考察の概要から始めることが有用であろう。

【0014】

図１は、ＳＬＭ２に基づくパターンジェネレータ１を模式的に示している。ＳＬＭ２は、ここでは、個別に制御可能な素子４（本実施形態では、放射線反射素子）のアレイ３として示されている。アレイ３に入射した光５は、ターゲット表面１０に向けて一組の露光ビーム６として反射される。ターゲット表面１０は、典型的には、ターゲット支持体１２によって支持される。ＳＬＭ２の個々の素子４は、反射を可能にするように、または、反射を抑制するように制御可能である。ＳＬＭ２の素子４は、無効に設定することもでき、それによって、アレイ３の活性部分を減少させることができる。

【0015】

ＳＬＭ２の活性部分を出た光は、ターゲット表面１０に向けられ、その上にイメージ化された素子２２のアレイ２０が形成される。イメージ化された素子２２は、全体として、イメージ化された領域１４を形成する。その結果、個々のイメージ化された素子２２の照射は、ＳＬＭ２のそれぞれの素子４によって制御される。典型的には、ＳＬＭアレイ２０に対するイメージ化された領域１４のノミナルな光学的スケーリングが存在する。このノミナルなスケーリングは、異なる距離などの異なる設計パラメータと、通常の光学系とによって決定される均一なスケーリングである。このようなノミナルなスケーリングを実現するためのアレンジは、当業者にはよく知られているため、これ以上説明しない。

【0016】

ＳＬＭ２は、背景で述べたように、多くの異なる方法で構成することができる。ＳＬＭ２の動作の詳細は、素子４の個々の制御が提供され、ＳＬＭ２がターゲット表面１０上のイメージ化領域１４におけるイメージ化素子２２のアレイ２０を生じさせる限り、本発明にとってそれほど重要ではない。

【0017】

ＳＬＭ２の素子４の個々の設定に従ったイメージ化領域１４の露光後、イメージ化領域１４を移動させることができる。これは、典型的には、ターゲット支持体１２に対してＳＬＭ２を機械的に移動させることによって、あるいは、ターゲット支持体１２、ＳＬＭ２、または、その両方を移動させることによって、実行されてよい。イメージ化領域１４の移動は、また、少なくとも部分的に光学的手段によって実行されてもよい。

【0018】

図２は、ターゲット表面１０の一部を模式的に示す図である。ＳＬＭの現在位置のイメージ化領域１４は、イメージ化された素子２２のアレイ２０として描かれている。イメージ化された素子２２は、第１方向１０１に第１ピッチＤ１を有し、第２方向１０２に第２ピッチＤ２を有するように設けられる。本図では、説明のために、イメージ化された素子の数は少ない。現状では、ＳＬＭの素子の一部は、放射線をイメージ化領域１４に向けることが可能であり、黒色として表示されている。ＳＬＭにおける素子の選択は、プリントを意図したパターン３０を表すプリントデータに従って行われる。意図したパターン３０は、参考までに点線で示されているだけであり、イメージ化領域１４には物理的に存在しない。しかしながら、パターン３０内のアイテムに対応するイメージ化された素子２２は発光し、パターン３０内のアイテム間の領域に対応するイメージ化された素子２２は発光しないことは容易に理解できる。現在のイメージ化された領域１４の外側に位置する意図したパターン３０の領域は、ハッチングで示されており、前の、または、後続のプリントステップによって処理されることになる。

【0019】

特定の用途において、照射はパターン３０に対して負の対応関係になり得ること、すなわち、意図したパターン外のイメージ化された素子２２のみが照射されることに留意されたい。しかしながら、これは、「負の」パターン３０に相当するであろう。

【0020】

図２に戻り、イメージ化領域１４が照射されたとき、次の露光が行われる前にイメージ化領域１４の移動が行われてよい。図中、次の位置の一例が破線１４”で示されている。その後、パターン３０の別の部分をターゲット表面１０に露光することができる。このようにすれば、ターゲット表面１０の全面をカバーすることができる。

【0021】

ここで、イメージ化された領域１４の変位も、また、小さな重なりを伴って実行されてもよいことに留意されたい。そして、イメージ化領域１４に対応することを意図した各パターンは、異なるイメージ化領域間のエッジ効果を回避するために、テーパリングマージンを含んでもよい。これについては、さらに後述する。別の選択肢は、イメージ化領域１４がイメージ化領域１４の幅のほんの一部しか移動せず、ターゲット表面１０における各点が複数回露光され得ることにつながる、複数の露光を使用することである。このような実施形態については、以下でさらに詳しく説明する。また、同じイメージ化領域１４の複数の露光を、すなわち、露光の間の移動なしに行うことも可能である。

【0022】

図３は、他のターゲット表面１０の一部を示す図である。ターゲット表面１０に露光されるパターン３０も示されているが、あくまで参考として示す。本パターン３０は、周期性を呈するアイテム３２を有する、周期的なパターンである。パターン３０は、第１方向１０１に第１パターン主周期ＰＭ１を有し、第２方向１０２に第２パターン主周期ＰＭ２を有している。ここで、パターン３０のアイテム３２は、それらが覆うイメージ化された素子２２に関して幾分異なるように配置されていることが分かる。その理由は、第１パターン主周期ＰＭ１がイメージ化素子２２の第１ピッチＤ１の倍数でなく、第２パターン主周期ＰＭ２がイメージ化素子２２の第２ピッチＤ２の倍数ではないからである。したがって、アイテム３２の左下コーナーは、イメージ化素子２２の左下コーナーに対して異なる位置を有する。したがって、アイテム３２は、各反復の間に、典型的には水平方向および垂直方向の両方で小さな距離だけ変位する。このような小さな反復変位は、背景で述べたように、ムラの問題を引き起こす異なる干渉効果を生じさせる可能性がある。

【0023】

そのような影響を緩和するために、本アイデアを提示する。基本的な考え方は、二段階方式を採用することである。第一段階では、プリントするパターンのプリントデータを、ＳＬＭの周期に一致する周期に修正する。これは、次のプリントのベースとなるデータを計算し直すことである。第二段階では、再計算されたプリントデータに従って実際のプリントを行う。しかしながら、要求された絶対サイズおよび相対サイズを実現するために、この描画は、それぞれの方向に光学的スケーリング係数を用いたスケーリングによって行われる。

【0024】

図４は、この関係を示すフロー図である。部分方法Ｍ１は、ＳＬＭに基づくパターンジェネレータ用の周期的な成分を有するパターンのラスタライズ方法である。部分方法Ｍ２は、ＳＬＭに基づくパターンジェネレータ用の周期的な成分を有するパターンの描画方法である。これらの方法は、互いに関連させて実行することができ、さらに同じ処理装置を利用することもできる。しかしながら、これらの方法は、部分方法Ｍ１のラスタライズされたパターンと関連する情報を部分方法Ｍ２で使用するために転送することによってのみ接続され、互いに別々に実行することも可能である。

【0025】

次に、第１段階の方法の効果を一連の図に関連付けて説明する。これらの図は、パターンのプリントデータに対して行われる操作に対応する、ターゲット表面におけるイメージ化領域でのパターンの想像上の状態である。しかしながら、この第１段階の方法では、実際の描画は行われず、すべての操作は、パターンのプリントデータの表示に対してのみ行われる。

【0026】

図３では、繰り返しアイテムとイメージ化された素子の配列にズレがあることが確認された。図５において、同じパターンがスケーリングパターン３１にスケーリングされている。第１方向１０１において、パターンは、第１ラスタスケーリング係数Ｆ１によってスケーリングされる。この特定の例では、Ｆ１は１（ｕｎｉｔｙ）をわずかに下回り、スケーリングされたパターン３１はオリジナルパターンより狭くなる。このスケーリングは、第１パターン主周期ＰＭ１を、第１方向１０１においてＳＬＭの第１ピッチＤ１の第１整数ｎ１倍に適合するように、第１スケーリングパターン主周期ＰＭ１’に変更する。

【0027】

元の第１パターン主周期ＰＭ１、ＳＬＭの第１ピッチＤ１、および、適切な第１整数ｎ１が分かっている場合、第１ラスタスケーリング係数Ｆ１は、次のように計算することができる。
Ｆ１＝ＰＭ１’／ＰＭ１＝ｎ１＊Ｄ１／ＰＭ１

【0028】

第２方向１０２において、パターンは、第２ラスタスケーリング係数Ｆ２によってスケーリングされる。この特定の例では、Ｆ２は１をわずかに上回っており、スケーリングされたパターン３１を元のパターンより縦長にする。このスケーリングは、第２パターン主周期ＰＭ２を、第２方向１０２におけるＳＬＭの第２ピッチＤ２の第２整数ｎ２倍に適合するように、第２スケーリングパターン主周期ＰＭ２’に変更する。

【0029】

元の第２パターン主周期ＰＭ２、ＳＬＭの第２ピッチＤ２、および、適切な第２整数ｎ２が既知である場合、第２ラスタスケーリング係数Ｆ２は、以下のように計算することができる。
Ｆ２＝ＰＭ２’／ＰＭ２＝ｎ２＊Ｄ２／ＰＭ２

【0030】

これで、スケーリングされたパターン３１は、ＳＬＭのラスタに完全に一致する。繰り返されるアイテム３２の各部分は、イメージ化された素子２２に対して同じ関係に見える。例えば、図示されたアイテム３２の左下コーナーは、今や、イメージ化された領域１４内のどこか他の場所でイメージ化された素子２２のコーナーと一致する。

【0031】

イメージ化領域１４は、第１方向１０１に合計ｋ１個のイメージ化された素子２２を含む。また、イメージ化領域１４は、第２方向１０２において、合計ｋ２個のイメージ化された素子２２を含む。しかしながら、第１方向１０１におけるイメージ化された素子２２の数ｋ１が第１整数ｎ１の倍数でないほとんどの場合、スケーリングされたパターン３１のアイテムは、一部がイメージ化領域１４の外に出る可能性がある。同様に、第２方向１０２におけるイメージ化された素子２２の数ｋ２が第２整数ｎ２の倍数でないほとんどの場合、スケーリングされたパターン３１のアイテムも、一部がイメージ化領域１４の外側に出る可能性がある。

【0032】

このような部分的に覆われているアイテムを回避するために、パターンのクロッピングが行われる。これを模式的に示したのが図６である。第１方向１０１におけるイメージ化された素子２２の数ｋ１は、第１差分Δｋ１だけクロッピングされ、第１方向１０１にｋ１’のイメージ化された素子２２が残される。この第１方向１０１におけるイメージ化された素子２２の数ｋ１’は、第１スケーリングパターン主周期ＰＭ１’の倍数となるように選択される。換言すれば、
Ｋ１’＝Ｌ１＊ＰＭ１’，
であり、Ｌ１は整数である。

【0033】

同様に、第２方向１０２のイメージ化された素子２２の数ｋ２は、第２差分Δｋ２だけクロッピングされ、第２方向１０２のイメージ化された素子２２は、ｋ２’個残される。この第２方向１０２のイメージ化された素子２２の数ｋ２’は、第２スケーリングパターン主周期ＰＭ２’の倍数となるように選択される。換言すれば、
Ｋ２’＝Ｌ２＊ＰＭ２’，
であり、Ｌ２は整数である。

【0034】

このようにして、ラスタライズされたパターン３３が作成される。ラスタライズされたパターンは、意図したパターンジェネレータに適合している。ラスタライズされたパターンは、元のサイズおよび形状の復元を可能にするために、第１および第２スケーリング係数を表すデータとも関連付けられている。

【0035】

また、パターンジェネレータが上述のようなオーバーラップテーパリングマージンを有するアプローチをとる場合、そのマージンはラスタライズされたパターンに含まれる必要がある。図７は、ＳＬＭに基づくパターンジェネレータにおけるテーパリングマージンを模式的に示す図である。現在のイメージ化領域１４は、規則的なラスタライズされたパターンを有する、黒い領域として図示される中央領域１５を有する。テーパリング領域１３において、中央領域１５の周りの１つまたは２つの方向において、また、ラスタライズされたパターンを含むが、典型的には、減少した強度で構成される。一実施形態では、強度は、中央領域１５の境界における最大強度から、外側の境界における強度ゼロに減少する。テーパリング領域の幅は、図示の例では、第１方向１０１にＴ１、第２方向１０２にＴ２である。次のイメージ化された領域１４’は、点線で図示されている。次のイメージ化領域１４’は、本イメージ化領域１４に対して第１方向に距離１７だけ移動する。本イメージ化領域と次のイメージ化領域１４、１４’のそれぞれのテーパリング領域１３、１３’が重なっていることがわかり、これは、これらの領域の別の露光が次のイメージ化領域１４’によって実行されることを意味する。この二重露光を一緒に行うことで、中央領域のイメージ化された素子によって生成されたであろうものに類似したパターンがイメージ化された素子に生成される。テーパリングマージンの使用は、イメージ化された領域１４、１４’のエッジ効果を低減すると考えられている。

【0036】

本考案によるクロッピングは、使用される場合、テーパリング領域に適合させなければならない。したがって、ラスタライズ方法の一実施形態は、ラスタライズされたパターンのエッジのオーバーラップ強度テーパリングを実行するさらなるステップを含む。

【0037】

このような場合、クロッピングは以下のように行う必要がある。
Ｋ１’＝Ｌ１＊ＰＭ１’＋Ｔ１， および
Ｋ２’＝Ｌ２＊ＰＭ２’＋Ｔ２
ここで、Ｔ１、Ｔ２は、それぞれ第１、第２方向１０１、１０２におけるオーバーラップテーパリングマージンの幅（ピッチ距離）である。

【0038】

上記の提示された例では、周期的なパターンの処理は、両方の方向で実行されている。しかしながら、ある種の用途、例えば、パターンの周期性が一方向にしか存在しない場合、対応する処理は、当然ながら、一方向にしか行わないようにすることができる。

【0039】

図８は、ＳＬＭに基づいているパターンジェネレータのための周期的成分を有するパターンのラスタライズ方法の一実施形態のステップのフロー図である。ＳＬＭは、ターゲット表面上のイメージ領域内にイメージ化された素子の配列を生成するために配置された、個別に制御可能な素子の配列を有し、個々のイメージ化された素子の照射は、それぞれの素子によって制御される。ステップＳ１０において、オリジナルパターンが取得される。オリジナルパターンは、周期性を有するパターンアイテムを有する。ステップＳ２１において、オリジナルパターンの第１方向における第１パターン主周期ＰＭ１が決定される。ステップＳ３１において、使用しようとするパターンジェネレータのイメージ領域と第１方向におけるイメージ化された素子の第１ピッチＤ１に関する情報が取得される。ステップＳ４０において、オリジナルパターンのスケーリングが実行される。一部のステップＳ４１において、オリジナルパターンは、第１ラスタスケーリング係数によって第１方向にスケーリングされ、スケーリングされたパターンを与える。第１ラスタスケーリング係数は、第１方向におけるパターンジェネレータの第１ピッチの第１整数倍を第１パターン主周期で除算した値に等しい。ステップＳ５０において、クロッピングが行われる。一部のステップＳ５１において、スケーリングされたパターンは、第１方向における周期性を呈するパターンアイテムの第１整数繰り返し回数を含み、意図したパターンジェネレータの第１方向におけるイメージ領域によって覆われるオーバーラップテーパリングマージンがあれば、それを含むようにクロッピングされる。これにより、意図したパターンジェネレータに対して一方向に適合されたラスタライズされたパターンが得られる。ラスタライズされたパターンは、第１スケーリング係数を表すデータと関連付けられる。

【0040】

上記の手順は、オリジナルのパターンが（少なくとも）一方向に繰り返されることを考慮したものである。パターンが一方向にしか繰り返されない場合は、これらの手順で異なるムラの影響を緩和することができるであろう。

【0041】

上記の例では、２次元のＳＬＭを想定している。しかしながら、このアイデアは、１次元のＳＬＭにも適用可能である。上記のステップにより、ＳＬＭアレイの方向へのムラの影響は軽減されるが、直交する方向へのムラの影響は他の手段で対処しなければならず、これはこのアイデアの範囲外である。

【0042】

なお、オリジナルパターンが第２方向にも周期性を有し、ＳＬＭが２次元ＳＬＭである場合には、追加のステップを実行してもよい。ステップＳ２２において、オリジナルパターンの第２方向における第２パターン主周期ＰＭ２が決定される。第２方向は、第１方向に対して直交する方向または少なくとも交差する方向である。ステップＳ３２において、使用する意図したパターンジェネレータのイメージ領域と第２方向におけるイメージング素子の第２ピッチＤ２に関する情報が取得される。オリジナルパターンをスケーリングするステップＳ４０において、さらなるステップＳ４２は、オリジナルパターンを第２ラスタスケーリング係数によって第２方向にもスケーリングし、スケーリングされたパターンを与えることをさらに含む。第２ラスタスケーリング係数は、第２方向におけるパターンジェネレータの第２ピッチの第２整数倍を第２パターン主周期で除算した値に等しい。クロッピングするステップＳ５０は、さらに、スケーリングされたパターンも、第２方向の周期性を呈するパターンアイテムの第２整数繰り返し回数を含むようにクロッピングされ、意図するパターン生成の第２方向のイメージ領域によって覆われるオーバーラップテーパリングマージンがあれば、それを含み、ラスタライズされたパターンを与えるステップＳ５２を有する。それによって、ラスタライズされたパターンは、第２ラスタスケーリング係数を表すデータにさらに関連付けられる。

【0043】

この方法によって、プリントデータとして動作するラスタライズされたパターン、あるいは、ラスタライズされたパターンの定義が得られる。このラスタライズされたパターンには、ラスタスケーリング係数が関連付けられている。

【0044】

実際の描画を行う際には、ラスタライズされたパターンとそれに関連するラスタスケーリング係数を取得する。描画を行うのがラスタライズを行ったのと同じエンティティであれば、すべてのデータはすでに利用可能であり、ラスタライズされたパターンは通常、メモリからの単純な取り出しで取得することが可能である。描画を別のエンティティが行う場合、ラスタライズされたパターンを表すデータとそれに関連するラスタスケーリング係数を描画を行うエンティティに転送することによって、パターンを取得する必要がある。

【0045】

図９は、得られたラスタライズされたパターン３５を、使用するＳＬＭの素子４のアレイ３上に重ねた状態を模式的に示す図である。上述したように、クロッピングによって、ラスタライズされたパターン３５は、ＳＬＭの全ての素子４を利用しないことがある。換言すれば、ＳＬＭの一部の素子は、プリント時に使用されないことになる。そこで、まず、パターンジェネレータのＳＬＭの素子のうち、どの部分がラスタライズされたパターンから外れるかをチェックする。そして、４’で示されるこれらの素子は、無効に設定され、図示のようにハッチングされた状態で図示される。すなわち、ラスタライズ段階のクロッピングに類似した光学的クロッピングが実行される。

【0046】

図示のケースでは、無効化された素子はＳＬＭの一方のエッジに示されている。しかしながら、残りのパターンの両側で、一方向または両方向に素子を無効化することもできる。

【0047】

ラスタライズされたパターンは、ラスタライズ方法への入力として提供されるオリジナルのパターンと比較して、多少歪んでいる可能性がある。ほとんどの実施形態では、そのような歪みを復元することを目的とする。この目的のために、パターンジェネレータは、イメージ領域にパターンを描画するために配置されたイメージングモジュールを有する。このイメージングモジュールは、パターンがイメージ領域に描画されるときに、パターンの光学的スケーリングを実行するように構成された光学的手段を有する。このスケーリングは、異なる方向で異なるように制御することができる。

【0048】

このような光学的スケーリングを利用することにより、ラスタライズされたパターンに関連するスケーリング係数は、パターンの描画中に光学的スケーリングを制御するために使用することができる。パターン内のアイテムのオリジナルの形状を復元する場合、使用される光学的スケーリング係数は、それぞれのラスタスケーリング係数の逆数に等しくなるように選択される。

【0049】

光学的スケーリングは、ＳＬＭとターゲット領域との間で実行され、さらに上述したパターンジェネレータにおけるＳＬＭとターゲット表面との間のノミナルな光学的スケーリングの調整、または、それに対するオーバーレイとして提供される。このように、ＳＬＭは、ＳＬＭの素子のアレイへの分割に適合したラスタライズされたパターンに作用する。同時に、ターゲット領域に到達した放射は、光学的スケーリングの手段により、オリジナルの形状を再現するように復元される。

【0050】

図１０は、この光学的スケーリングを模式的に示す。ＳＬＭを通過した放射は、図１０の上部に表示されている。このパターンには、ラスタライズされたパターンの形状がそのまま残っている。図１０の下部は、ターゲット領域上に描画されたパターン、すなわち、イメージングモジュールの光学的スケーリングを通過した後のパターンを示している。イメージ化された素子２２’は、光学的スケーリングに従って再スケーリングされ、ノミナルなものとは異なるスケーリングされたイメージ化領域１４’を覆っている。しかしながら、アイテム３２の形状は、元々意図した形状に復元される。

【0051】

上記提示された実施例では、描画されたパターンに影響を与える動作は、両方向で実行されている。しかしながら、ラスタライズの部分方法で説明したのと同様に、例えば、パターンの周期性が一方向にしか存在しないような特定の用途では、対応する動作は、もちろん、一方向にしか行うことができない。

【0052】

ある用途では，描画工程の際に正確な形状を維持するという明確な要求はない。ある種のそのような用途では、描画されたパターンの一定の残りの形状変化を得たいという要望がある場合さえある。このような用途では、適用される光学的スケーリングは、それぞれのラスタスケーリング係数の逆数とは異なる場合がある。

【0053】

図１１は、ＳＬＭに基づくパターンジェネレータのための周期的な成分を有するパターンの描画方法の実施形態のステップのフロー図である。ＳＬＭは、ターゲット表面上のイメージ領域内にイメージ化された素子のアレイを生成するために配置された、個別に制御可能な素子のアレイを有し、個々のイメージ化された素子の照射は、それぞれの素子によって制御される。ステップＳ６０において、ラスタライズされたパターンが取得される。部分的ステップＳ６１において、ラスタライズされたパターンに関連する第１ラスタスケーリング係数を表すデータが取得される。この第１ラスタスケーリング係数は、ラスタライズされたパターンの第１方向におけるスケーリングを規定する。ステップＳ７０において、ＳＬＭの素子は、無効に設定される。部分的ステップＳ７１において、第１方向においてラスタライズされたパターンの外側に位置するパターンジェネレータにおけるＳＬＭの素子は、無効に設定される。ステップＳ８０において、ラスタライズされたパターンがターゲット表面上のイメージ領域に描画される。部分的ステップＳ８１において、描画は、第１方向における第１光学的スケーリング係数でスケーリングすることを含む。第１光学的スケーリング係数は、１ではない（ｎｏｎ－ｕｎｉｔｙ）。

【0054】

特定の実施形態において、第１光学的スケーリング係数は、第１ラスタスケーリング係数の逆数に等しい。

【0055】

オリジナルパターンが第２方向にも周期性を有する場合、追加のステップが実行されてもよい。ラスタライズされたパターンを取得するステップＳ６０は、ラスタライズされたパターンが第２ラスタスケーリング係数を表すデータとさらに関連付けられる部分ステップＳ６２を含んでよい。第２ラスタスケーリング係数は、ラスタライズされたパターンの第２方向におけるスケーリングを規定する。第２方向は、第１方向に対して直交しているか、または少なくとも交差している。ＳＬＭの素子を無効に設定するステップＳ７０は、第２方向においてラスタライズされたパターンの外側に位置するパターンジェネレータにおけるＳＬＭの素子を無効に設定するステップＳ７２をさらに含む。描画ステップＳ８０は、第２方向の第２光学的スケーリング係数によるスケーリングを行うステップＳ８２をさらに含む。

【0056】

特定の実施形態では、第１光学的スケーリング係数、および、第２光学的スケーリング係数の両方が１ではない。

【0057】

特定の実施形態では、第２光学的スケーリング係数は、第２ラスタスケーリング係数の逆数に等しい。

【0058】

上記の例では、繰り返しパターンとＳＬＭの素子のアレイの両方が、直交する主対称軸を示す。ターゲット表面におけるイメージ化された素子のアレイも、また、周期的パターンの意図した方向と平行であると仮定される。しかしながら、他の実施形態では、他の関係および幾何学的形状を利用することも可能である。

【0059】

簡単な例としては，直方体形状のＳＬＭアレイ，すなわち隣接する２つの素子間の距離が直交する２つの方向で異なる場合である。この場合、２つの方向は別々に処理され、異なるピッチの値を入力することができるため、非常に簡単に使用することができる。

【0060】

一実施形態では、ＳＬＭの素子アレイは、非直交軸で配置することができる。一例は、六角形の対称性を有するＳＬＭを使用することである。この場合、素子アレイの主対称軸は、互いに対して６０°に方向付けられる。このとき、イメージ化される素子も六角形の対称性を示す。イメージ化された素子のアレイの軸の１つは、例えば、周期的パターンのアレイの第１方向と一致してよい。この方向におけるピッチは、この方向における２つの連続するイメージ化された素子間の距離となる。しかしながら、直交方向のピッチは、代替的に、イメージ化された素子の第１方向における２つのライン間の第２方向の距離、すなわち、イメージ化された素子列間の距離となるであろう。本実施例では、第２方向のピッチは、隣り合う２つのイメージ化された素子間の距離と、角度６０°とに依存することになる。これを模式的に示したのが図１２である。隣り合うイメージ化された素子間の距離は、主対称方向においてそれぞれｄ１、ｄ２である。第１方向のピッチＤ１はｄ１に等しい一方、第２方向のピッチＤ２は、第２主対称軸と第２方向との間の角度に依存して修正された距離ｄ２に依存するようになる。

【0061】

使用可能な他の相対的な形状の例としては、周期的なパターンの対称軸と整合していないイメージ化された素子のアレイを生成するＳＬＭアレイを使用することである。そのような状況は、図１３に図示されている。１つの現在のイメージ化された領域１４は、次のイメージ化された領域１４’（点線）と共に図示されている。イメージ化された素子の対称軸は、それぞれ、第１方向および第２方向に対して時計回りに角度α１およびα２だけ回転している。ほとんどの場合、角度α１は角度α２に等しい。

【0062】

換言すれば、一実施形態では、イメージ化された素子のアレイの第１主軸は、第１方向に対して第１角度で回転し、それによって、第１ピッチは、第１主軸に沿った２つの連続するイメージ化された素子間の距離と、第１角度とに依存する。

【0063】

さらなる実施形態では、イメージ化された素子のアレイの第２主軸は、第２方向に対して第２角度で回転され、それによって、第２ピッチは、第２主軸に沿った２つの連続するイメージ化された素子間の距離と、第２角度とに依存する。

【0064】

いくつかのパターンジェネレータでは、複数の露光が利用されることがある。ターゲット表面の複数の露光を配置する１つの方法は、ターゲット表面におけるＳＬＭのイメージ領域を、２つの露光の間でイメージ領域の全幅よりも小さく移動させることである。典型的な配置は、２つの露光間の移動を、イメージ領域の幅の整数分の１に対応させることである。例として、各露光間でイメージ領域をイメージ領域幅の１／４移動させる場合、ターゲット表面における各スポットは４回露光されることになる。これを模式的に示したのが図１４である。イメージ化された素子の配列、すなわち、イメージ化された領域１４は、この例では１６個のイメージ化された素子２２の幅である。各露光の間に、次のイメージ化された領域１４’を図示する点線で示されるように、イメージ化された領域１４は４つのイメージ化された素子に対応する距離だけ移動される。１２列のイメージ化された素子は、既に露光されたターゲット表面のスポットを露光し、４列のイメージ化された素子は、ターゲット表面の新しい部分を露光することになる。

【0065】

当業者であれば理解できるように、多重露光方式は、イメージ領域の任意の整数の分数（ｉｎｔｅｇｅｒ ｆｒａｃｔｉｏｎ）によって実行することができる。しかしながら、イメージ化領域の幅は、この整数の分数が整数個のイメージ化された素子をカバーするような数を含んでいれば、全体の描画工程を制御することが容易である。すなわち、移動方向のイメージ化された素子の数が、多重露光の回数の整数倍であることが好ましい。

【0066】

ここで提示した主な考え方に従って設計されたシステムでは、イメージ化された領域内のイメージ化された素子の数は、ラスタスケーリング係数、および、その後のイメージ化された領域の移動方向におけるＳＬＭ領域のクロッピングに依存し得る。その結果、移動方向において使用されるイメージ化された素子の数は、パターンごとに異なる場合がある。しかしながら、スケーリング係数は原理的に自由に選択できるため、少なくともある一定の範囲内であれば、好ましい多重露光条件を満たすようにスケーリング係数を選択することができる。

【0067】

例えば６回重ね合わせ露光を行う場合、ＳＬＭによって生成される全体のイメージ化領域は、移動方向において６で割り切れる数のイメージ化された素子を含まなければならない。さらに、ＳＬＭの全幅が５０個のイメージ化された素子を含むと仮定する。このとき、周期パターンがイメージ化された素子のピッチの６．７倍に相当する周期性を持っているとすると、多重露光の制限を無視した場合、周期パターンをイメージ化された素子のピッチの７倍にスケールアップし、イメージ化領域の幅をパターンの７回の繰り返し、すなわち４９個のイメージ化された素子をクロップすることが、スケーリングの自然な選択肢となる。しかしながら、４９個は６で割り切れないため、多重露光は困難である。その代わりに、周期パターンをイメージ化された素子のピッチの６倍にスケールダウンすれば、８回の繰り返しで４８個のイメージ化された素子をクロッピングすることができ、この場合も多重露光に対応することができる。

【0068】

換言すれば、一実施形態において、ラスタライズ方法は、意図したパターンジェネレータの第１方向に等距離の変位を有する第１部分的重複露光回数に関するデータを取得するステップをさらに含む。スケーリングステップにおける第１ラスタスケーリング係数およびクロッピングステップにおける第１整数繰り返し回数が、第１整数繰り返し回数と、第１整数および第１部分的重複露光回数の比とを掛けた値が整数になるように選択する。好ましくは、第１ラスタスケーリング係数は、第１整数および第１整数繰り返し回数の選択における制約がある場合には、それを考慮して、できるだけ１に近くなるように選択される。

【0069】

多重露光をさらに精巧にした場合、多重露光を第１方向と第２方向の両方で行うことができる。その場合、上記と同じ考え方を第２方向にも適用することができる。

【0070】

換言すれば、さらなる実施形態において、ラスタライズ方法は、意図したパターンジェネレータの第２方向に等距離の変位を有する第２部分的重複露光回数に関するデータを取得するステップをさらに含む。そして、スケーリングステップにおける第２ラスタスケーリング係数およびクロッピングステップにおける第２整数繰り返し回数が、第２整数繰り返し回数と、第２整数および第２部分的重複露光回数の間の比とを掛けた値が整数となるように選択する。好ましくは、第２ラスタスケーリング係数は、第２整数および第２整数繰り返し回数の選択における制約がある場合には、それを考慮して、できるだけ１に近くなるように選択される。

【0071】

本アイデアは、あらゆる描画方法に適用可能であるが、当初の対象技術領域は、リソグラフィシステムまたはフォトマスクリソグラフィシステムへの適用であった。したがって、好ましい実施形態では、パターンジェネレータは、リソグラフィシステムまたはフォトマスクリソグラフィシステムである。

【0072】

図１５において、ＳＬＭに基づくパターンジェネレータのためのラスタライズモジュール６０の一実施形態が示されている。上記で説明したように、ＳＬＭは、ターゲット表面上のイメージ領域内にイメージ化された素子のアレイを生成するために配置された個別に制御可能な素子のアレイを有し、個々のイメージ化された素子の照射がそれぞれの素子によって制御される。ラスタライズモジュールは、プロセッサ６２と、メモリ６４と、を有する。メモリ６４は、プロセッサ６２によって実行可能な命令を含む。それによって、ラスタライズモジュールは、周期性を呈するパターンアイテムを有するオリジナルパターンを取得し、オリジナルパターンの第１方向における第１パターン主周期を決定し、イメージ領域および使用する予定のパターンジェネレータの第１方向におけるイメージ化された素子の第１ピッチに関する情報を取得するよう構成される。命令は、さらに、プロセッサ６２が、第１方向にオリジナルパターンを第１ラスタスケーリング係数でスケーリングし、スケーリングされたパターンを与えることを可能にする。第１ラスタスケーリング係数は、第１方向におけるパターンジェネレータの第１ピッチの第１整数倍を第１パターン主周期で除算した値に等しい。命令は、さらに、プロセッサ６２が、スケーリングされたパターンを、第１方向の周期性を呈するパターンアイテムの第１整数繰り返し回数を含み、意図したパターンジェネレータの第１方向のイメージ領域によって覆われるオーバーラップテーパリングマージンがあれば、それを含むようにクロップし、意図したパターンジェネレータに適合したラスタライズされたパターンを与えるようにすることを可能にする。ラスタライズされたパターンは、第１ラスタスケーリング係数を表すデータと関連付けられる。

【0073】

好適な実施形態では、メモリ６４は、プロセッサ６２によって実行可能な命令をさらに含み、それによって、ラスタライズモジュールは、オリジナルパターンの第２方向における第２パターン主周期を決定するようにさらに構成され、第２方向は、第１方向に対して直交している。命令は、さらに、プロセッサ６２が、使用される意図したパターンジェネレータの第２方向におけるイメージ領域およびイメージ化された素子の第２ピッチに関する情報を取得し、第２方向にオリジナルパターンを第２ラスタスケーリング係数でスケーリングし、スケーリングされたパターンを与えるようにすることを可能にする。第２ラスタスケーリング係数は、第２方向におけるパターンジェネレータの第２ピッチの第２整数倍を第２パターン主周期で除算した値に等しい。命令は、さらに、プロセッサ６２が、第２方向における周期性を呈するパターンアイテムの第２整数繰り返し回数を含み、意図したパターンジェネレータの第２方向におけるイメージ領域によって覆われるオーバーラップテーパリングマージンがある場合にはそれを含むようにスケーリングされたパターンをクロップし、意図したパターンジェネレータに適合したラスタライズされたパターンを与えるようにすることを可能にする。ラスタライズされたパターンは、さらに、第２ラスタスケーリング係数を表すデータと関連付けられる。

【0074】

図１６は、ラスタライズモジュール６０およびパターンジェネレータ８０を含むパターンジェネレータシステム７０の一実施形態を示している。本実施形態において、ラスタライズモジュール６０は、スケーリング係数を表す関連データを有するラスタライズされたパターンを表すデータを提供する。本実施形態では、ラスタライズモジュール６０は、別個のユニットとして図示されている。その後、ラスタライズされたパターンは、通信接続６２によって、または無線代替手段によって、パターンジェネレータ８０に転送することができる。あるいは、ラスタライズされたパターンを表すデータは、アクセスのためにパターンジェネレータ８０に物理的にもたらされるデータ記憶装置においてラスタライズモジュール６０によって提供され得る。

【0075】

しかしながら、ラスタライズモジュール６０は、他の実施形態では、点線で示すように、パターンジェネレータ８０の一部として提供されてもよく、この場合、処理能力は、好ましくはパターンジェネレータ８０とラスタライズモジュール６０とで共有される。そして、ラスタライズモジュール６０からパターンジェネレータ８０へのラスタライズされたパターンの転送は、内部手段によって行われる。

【0076】

図１７は、パターンジェネレータ８０の一実施形態を模式的に示す図である。パターンジェネレータ８０は、制御モジュール８２と、イメージングモジュール８４と、を有する。イメージングモジュール８４は、イメージ領域にパターンを描画するために配置される。イメージングモジュールは、ＳＬＭ２を含む。ＳＬＭ２は、ターゲット表面１０上のイメージ領域内にイメージ化された素子のアレイを生成するために配置された、個別に制御可能な素子４のアレイ３を有する。個々のイメージ化された素子の照射は、制御モジュール８４からの命令に基づいて、それぞれの素子４によって制御される。

【0077】

制御モジュール８２は、ラスタライズされたパターンの第１方向におけるスケーリングを規定する、第１ラスタスケーリング係数を表す関連データを有するラスタライズされたパターンを取得するように構成される。上述したように、このラスタライズされたパターンは、内部または外部のソースから、異なる方法で提供され得る。

【0078】

制御モジュール８２は、さらに、第１方向においてラスタライズされたパターンの外側に位置するパターンジェネレータの配置においてＳＬＭ２の素子４を無効に設定するように構成される。

【0079】

イメージングモジュール８４は、制御モジュール８２によって制御され、イメージ領域に描画される前に、ラスタライズされたパターンを第１方向に第１光学的スケーリング係数でスケーリングするための光学的手段８８を含む。第１光学的スケーリング係数は１ではない。

【0080】

一実施形態では、第１光学的スケーリング係数は、第１ラスタスケーリング係数の逆数に等しい。

【0081】

一実施形態では、制御モジュール８４は、ラスタライズされたパターンの第２方向におけるスケーリングを規定する、第２ラスタスケーリング係数を表す関連データをさらに有するラスタライズされたパターンを取得するようにさらに構成される。第２方向は、第１方向に対して直交している。

【0082】

制御モジュール８２は、さらに、第２方向においてラスタライズされたパターンの外側に位置するパターンジェネレータ配置８０におけるＳＬＭ２の素子４も無効に設定するように構成されている。

【0083】

イメージングモジュールは、イメージ領域に描画される前に、ラスタライズされたパターンを第２方向に第２光学的スケーリング係数でさらにスケーリングするために、制御モジュール８２によって制御される光学的手段８８を含む。

【0084】

一実施形態では、第１光学的スケーリング係数および第２光学的スケーリング係数の両方が１ではない。

【0085】

一実施形態では、第２光学的スケーリング係数は、第２ラスタスケーリング係数の逆数に等しい。

【0086】

図１８は、ラスタライズされたパターンを表す露光ビームをスケーリングするための光学的手段８８の一実施形態を示している。ラスタライズされたパターンは、イメージ領域に描画される前に第１方向に第１光学的スケーリング係数でスケーリングされ、オプションとして第２方向に第２光学的スケーリング係数でスケーリングされる。

【0087】

図の上部には、第２方向の模式図が示されている。レンズ素子９１～９６が６個設けられており、そのうちレンズ素子９１、９３、９５が第１方向の光学的スケーリングを行う。レンズ素子９１、９３、９５は、図示の図に垂直な軸に沿った曲率中心を有する円柱レンズである。レンズ素子９１および９３は、異なる光学的スケーリングを提供するために、光軸に沿って移動可能である。レンズ素子９５は固定されている。

【0088】

図の上部には、第２方向の模式図が示されている。レンズ素子９１～９６が６個設けられており、そのうちレンズ素子９１、９３、９５が第１方向の光学的スケーリングを行う。レンズ素子９１、９３、９５は、図示した図に垂直な軸に沿った曲率中心を有する円柱レンズである。レンズ素子９１および９３は、異なる光学的スケーリングを提供するために、光軸に沿って移動可能である。レンズ素子９５は固定されている。

【0089】

上記の光学的手段８８の実施形態は、異なる方向に異なり調節可能な光学的スケーリングを得る方法の一例に過ぎない。当業者であれば、異なる数および種類のレンズを有する同様の配置を用いることができるとともに、スケーリングを異なる方向に異なるように適合させることができる他の光学的配置を用いることができることを認識する。

【0090】

ＳＬＭ２は、異なる実施形態において、デジタルマイクロミラーデバイス、液晶ディスプレイ、グレーティング光バルブ、平面光バルブ、マイクロシャッターアレイ、アナログ空間光変調器、および／または、シリコン上の液晶を含むことができる。

【0091】

一実施形態において、パターンジェネレータは、リソグラフィシステムまたはフォトマスクリソグラフィシステムである。

【0092】

一実施形態において、パターンジェネレータ８０は複数のＳＬＭ２を有する。それによって、制御モジュール８４は、得られたラスタライズされたパターンに従って各ＳＬＭ２を個別に制御するように構成されている。

【0093】

上述した実施形態は、本発明の少数の例示的な例として理解されるものである。本発明の範囲から逸脱することなく、実施形態に様々な修正、組み合わせ、変更を加えることができることは、当業者には理解されよう。特に、異なる実施形態における異なる部品ソリューションは、技術的に可能であれば、他の構成で組み合わせることができる。しかしながら、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって規定される。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【国際調査報告】