特表 2023-536176 発光材料、その使用及びこの発光材料を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイス

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2023-08-23

(54)【発明の名称】発光材料、その使用及びこの発光材料を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイス

(51)【国際特許分類】

   C07F 5/02 20060101AFI20230816BHJP

   C09K 11/06 20060101ALI20230816BHJP

   H10K 50/11 20230101ALI20230816BHJP

   H10K 50/12 20230101ALI20230816BHJP

   H10K 59/00 20230101ALI20230816BHJP

   H10K 85/60 20230101ALI20230816BHJP

   H10K 50/81 20230101ALI20230816BHJP

   H10K 50/82 20230101ALI20230816BHJP

   H10K 50/15 20230101ALI20230816BHJP

   H10K 50/16 20230101ALI20230816BHJP

   H10K 50/17 20230101ALI20230816BHJP

   H10K 101/20 20230101ALN20230816BHJP

【ＦＩ】

C07F5/02 A CSP

C09K11/06 660

H10K50/11

H10K50/12

H10K59/00

H10K85/60

H10K50/81

H10K50/82

H10K50/15

H10K50/16

H10K50/17

H10K101:20

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023506564

(86)(22)【出願日】2021-09-06

(85)【翻訳文提出日】2023-01-31

(86)【国際出願番号】 CN2021116592

(87)【国際公開番号】W WO2022068528

(87)【国際公開日】2022-04-07

(31)【優先権主張番号】202011059309.X

(32)【優先日】2020-09-30

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】513322718

【氏名又は名称】清華大学

【氏名又は名称原語表記】ＴＳＩＮＧＨＵＡ ＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ

【住所又は居所原語表記】１ Ｑｉｎｇｈｕａｙｕａｎ， Ｈａｉｄｉａｎ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ， Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００８４， Ｃｈｉｎａ

(74)【代理人】

【識別番号】100130111

【弁理士】

【氏名又は名称】新保 斉

(72)【発明者】

【氏名】段 錬

(72)【発明者】

【氏名】張 躍威

(72)【発明者】

【氏名】張 東東

【テーマコード（参考）】

3K107

4H048

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC04

3K107CC21

3K107DD21

3K107DD26

3K107DD53

3K107DD59

3K107DD66

3K107DD69

3K107DD71

3K107DD74

4H048AA01

4H048AA03

4H048AB92

4H048VA22

4H048VA32

4H048VA42

(57)【要約】

有機エレクトロルミネッセンスの技術分野に関し、特に有機化合物、その使用及び該化合物を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスに関する。本発明での化合物は以下の式：
【化１】

（環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、環Ｄは、それぞれ独立に、Ｃ５～Ｃ２０単環芳香環又は縮合芳香環、Ｃ４～Ｃ２０単環複素環又は縮合複素環のうちのいずれか１つを表し、環ＥはＣ５～Ｃ２０芳香環を表し、Ｙ^１及びＹ^２は、それぞれ独立に、Ｎ又はＢであり、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３及びＸ^４は、それぞれ独立にＮＲ_１、ＢＲ_２、Ｏ又はＳである）で示され、ＯＬＥＤデバイスの発光材料として使用される場合、優れたデバイス性能及び安定性を示す。本発明はまた、上記の化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンスデバイスを保護する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

下記式（１）：

【化1】

（式（１）中、
環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、環Ｄは、それぞれ独立に、Ｃ５～Ｃ２０単環芳香環又は縮合芳香環、Ｃ４～Ｃ２０単環複素環又は縮合複素環のうちのいずれか１つを表し、環ＥはＣ５～Ｃ２０芳香環を表し、
前記環Ａと環Ｂは単結合を介して連結されてもよく、前記環Ｃと環Ｄは単結合を介して連結されてもよく、
前記Ｙ^１及びＹ^２は、それぞれ独立に、Ｎ又はＢであり、
前記Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３及びＸ^４は、それぞれ独立に、ＮＲ_１、ＢＲ_２、Ｏ又はＳであり、
前記Ｒ_１、Ｒ_２は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の、Ｃ１～Ｃ３６鎖状アルキル、Ｃ３～Ｃ３６シクロアルキル、Ｃ６～Ｃ３０アリールアミノ、Ｃ３～Ｃ３０ヘテロアリールアミノ、Ｃ６～Ｃ６０単環アリール、Ｃ６～Ｃ６０縮合環アリール、Ｃ６～Ｃ６０アリールオキシ、Ｃ５～Ｃ６０単環ヘテロアリール又はＣ５～Ｃ６０縮合環ヘテロアリールから選択される１つであり、
前記Ｒ_１は単結合を介して隣接する環Ａ、環Ｂ、環Ｃ又は環Ｄに連結されるか、又は隣接する環Ａ、環Ｂ、環Ｃ又は環Ｄと縮合して互いに結合されて環を形成してもよく、前記Ｒ_２は単結合を介して隣接する環Ａ、環Ｂ、環Ｃ又は環Ｄに連結されるか、又は隣接する環Ａ、環Ｂ、環Ｃ又は環Ｄと縮合して互いに結合されて環を形成してもよく、
前記Ｘ^１とＸ^３は単結合を介して連結されるか、又は縮合して互いに結合されて環を形成してもよく、前記Ｘ^２とＸ^４は単結合を介して連結されるか、又は縮合して互いに結合されて環を形成してもよく、
前記Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｃ及びＲ^ｄは、それぞれ独立に、単置換基から最大許容置換基を表し、かつ、それぞれ独立に、水素、重水素、又は置換若しくは無置換の、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ３６鎖状アルキル、Ｃ３～Ｃ３６シクロアルキル、Ｃ１～Ｃ１０アルコキシ、Ｃ１～Ｃ１０チオアルコキシ、カルボニル、カルボキシル、ニトロ、シアノ、アミノ、Ｃ６～Ｃ３０アリールアミノ、Ｃ３～Ｃ３０ヘテロアリールアミノ、Ｃ６～Ｃ６０単環アリール、Ｃ６～Ｃ６０縮合環アリール、Ｃ６～Ｃ６０アリールオキシ、Ｃ５～Ｃ６０単環ヘテロアリール、Ｃ５～Ｃ６０縮合環ヘテロアリールから選ばれる１つであり、前記Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｃ及びＲ^ｄのうちの隣接する２つは任意により単結合を介して連結されるか、又は縮合して互いに結合されて環を形成してもよく、
前記の基に置換基が存在する場合、前記置換基は、それぞれ独立に、重水素、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ３０鎖状アルキル、Ｃ３～Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１～Ｃ１０アルコキシ、Ｃ１～Ｃ１０チオアルコキシ、カルボニル、カルボキシル、ニトロ、シアノ、アミノ、Ｃ６～Ｃ３０アリールアミノ、Ｃ３～Ｃ３０ヘテロアリールアミノ、Ｃ６～Ｃ６０単環アリール、Ｃ６～Ｃ６０縮合環アリール、Ｃ６～Ｃ６０アリールオキシ、Ｃ５～Ｃ６０単環ヘテロアリール、Ｃ５～Ｃ６０縮合環ヘテロアリールから選ばれるいずれか１つである）
で示される構造を有する
ことを特徴とする化合物。

【請求項2】

式（１）中、前記環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄは、それぞれ独立に、Ｃ５～Ｃ１０単環芳香環又は縮合芳香環、Ｃ４～Ｃ１０単環複素環又は縮合複素環のうちのいずれか１つを表し、前記環ＥはＣ５～Ｃ１０単環芳香環又は縮合芳香環を表し、
好ましくは、前記環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄは、それぞれ独立に、ベンゼン環、ナフタレン環又はフルオレン環から選ばれるいずれか１つ、前記環Ｅはベンゼン環、ナフタレン環又はフルオレン環から選ばれる
請求項１に記載の化合物。

【請求項3】

下記式（２）～式（７）：

【化2】

（式（２）～式（７）中、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｃ及びＲ^ｄは全て式（１）と同義である）
のいずれかで示される構造を有する
請求項１に記載の化合物。

【請求項4】

式（２）中、
Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち２つはＢＲ_２であり、残りの２つはＮＲ_１であり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち２つはＢＲ_２であり、残りの２つはＯであり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち２つはＢＲ_２であり、残りの２つはＳであり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち３つはＢＲ_２であり、残りの１つはＮＲ_１であり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち１つはＢＲ_２であり、残りの３つはＮＲ_１であり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち２つはＢＲ_２であり、１つはＮＲ_１であり、残りの１つはＯであり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち１つはＢＲ_２であり、２つはＮＲ_１であり、残りの１つはＯであり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４はいずれもＳであり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち１つはＯであり、残りの３つはＳであり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４はいずれもＮＲ_１である
請求項３に記載の化合物。

【請求項5】

式（３）中、
Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち２つはＢＲ_２であり、残りの２つはＮＲ_１であり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち２つはＢＲ_２であり、残りの２つはＯであり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち２つはＢＲ_２であり、残りの２つはＳであり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち３つはＢＲ_２であり、残りの１つはＮＲ_１であり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち１つはＢＲ_２であり、残りの３つはＮＲ_１であり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち２つはＢＲ_２であり、１つはＮＲ_１であり、残りの１つはＯであり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち１つはＢＲ_２であり、２つはＮＲ_１であり、残りの１つはＯであり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４はいずれもＳであり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち１つはＯであり、残りの３つはＳであり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４はいずれもＮＲ_１である
請求項３に記載の化合物。

【請求項6】

式（４）中、
Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち２つはＢＲ_２であり、残りの２つはＮＲ_１であり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち２つはＢＲ_２であり、残りの２つはＯであり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち２つはＢＲ_２であり、残りの２つはＳであり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち３つはＢＲ_２であり、残りの１つはＮＲ_１であり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち１つはＢＲ_２であり、残りの３つはＮＲ_１であり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち２つはＢＲ_２であり、１つはＮＲ_１であり、残りの１つはＯであり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち１つはＢＲ_２であり、２つはＮＲ_１であり、残りの１つはＯであり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４はいずれもＳであり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち１つはＯであり、残りの３つはＳであり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４はいずれもＮＲ_１である
請求項３に記載の化合物。

【請求項7】

式（１）中、前記Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｃ及びＲ^ｄは、それぞれ独立に、水素、重水素、又は置換基として置換若しくは無置換の、メチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ｎ－ブチル、イソブチル、ｓ－ブチル、ｔ－ブチル、２－メチルブチル、ｎ－ペンチル、ｓ－ペンチル、シクロペンチル、ネオペンチル、ｎ－ヘキシル、シクロヘキシル、ネオヘキシル、ｎ－ヘプチル、シクロヘプチル、ｎ－オクチル、シクロオクチル、２－エチルヘキシル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、２，２，２－トリフルオロエチル、フェニル、ナフチル、アントラニル、ベンゾアントラニル、フェナントレニル、ベンゾフェナントレニル、ピレニル、クリセン基、ペリレン基、フルオランテニル、テトラセニル、ペンタセニル、ベンゾピレニル、ビフェニル、ジフェニル、ターフェニル、三量体化フェニル、クォーターフェニル、フルオレニル、スピロビフルオレニル、ジヒドロフェナントレニル、ジヒドロピレニル、テトラヒドロピレニル、トランス又はシスインデノフルオレニル、三量体化インデニル、イソ三量体化インデニル、スピロ三量体化インデニル、スピロイソ三量体化インデニル、フリル、ベンゾフリル、イソベンゾフリル、ジベンゾフリル、チエニル、ベンゾチエニル、イソベンゾチエニル、ジベンゾチエニル、ピロリル、イソインドリル、カルバゾリル、インデノカルバゾリル、ピリジル、キノリニル、イソキノリニル、アクリジニル、フェナントリジニル、ベンゾ－５，６－キノリニル、ベンゾ－６，７－キノリニル、ベンゾ－７，８－キノリニル、ピラゾリル、インダゾリル、イミダゾリル、ベンゾイミダゾリル、ナフトイミダゾリル、フェナントロイミダゾリル、ピリジノイミダゾリル、ピラジノイミダゾリル、キノキサリノイミダゾリル、オキサゾリル、ベンゾオキサゾリル、ナフトオキサゾリル、アントラオキサゾリル、フェナントロオキサゾリル、１，２－チアゾリル、１，３－チアゾリル、ベンゾチアゾリル、ピリダジニル、ベンゾピリダジニル、ピリミジニル、ベンゾピリミジニル、キノキサリル、１，５－ジアザアントラニル、２，７－ジアザピレニル、２，３－ジアザピレニル、１，６－ジアザピレニル、１，８－ジアザピレニル、４，５－ジアザピレニル、４，５，９，１０－テトラアザペリレン基、ピラジニル、フェナジニル、フェノチアジニル、ナフチリジニル、アザカルバゾリル、ベンゾカルボニル、フェナントロリニル、１，２，３－トリアゾリル、１，２，４－トリアゾリル、ベンゾトリアゾリル、１，２，３－オキサジアゾリル、１，２，４－オキサジアゾリル、１，２，５－オキサジアゾリル、１，２，３－チアジアゾリル、１，２，４－チアジアゾリル、１，２，５－チアジアゾリル、１，３，４－チアジアゾリル、１，３，５－トリアジニル、１，２，４－トリアジニル、１，２，３－トリアジニル、テトラゾリル、１，２，４，５－テトラアジニル、１，２，３，４－テトラアジニル、１，２，３，５－テトラアジニル、プリニル、プテリジル、インドリジニル、ベンゾチアジアゾリル、９，９－ジメチルアクリジニル、トリアリールアミン基、アダマンタン、フルオロフェニル、メチルフェニル、トリメチルフェニル、シアノフェニル、テトラヒドロピロール、ピペリジン、メトキシ、シリル、又は以上から選ばれる２種の置換基の組み合わせから選択されるいずれか１つであり、
上記の基に置換基が存在する場合、前記置換基は、それぞれ独立に、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ１２鎖状アルキル、Ｃ３～Ｃ１２シクロアルキル、Ｃ１～Ｃ６アルコキシ又はチオアルコキシ、Ｃ６～Ｃ３０アリールアミノ、Ｃ３～Ｃ３０ヘテロアリールアミノ、Ｃ６～Ｃ３０単環芳香族炭化水素又は縮合環芳香族炭化水素基、Ｃ３～Ｃ３０単環ヘテロ芳香族炭化水素又は縮合環ヘテロ芳香族炭化水素基から選ばれるいずれか１つである
請求項１に記載の化合物。

【請求項8】

下記化合物：

【化3】

【化4】

【化5】

【化6】

【化7】

【化8】

【化9】

【化10】

【化11】

のいずれかである
請求項１に記載の化合物。

【請求項9】

請求項１ないし８のいずれかに記載の化合物の使用であって、
前記化合物は有機エレクトロルミネッセンスデバイスに用いられ、
好ましくは、前記化合物は有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて発光層材料、好ましくは発光染料として使用される
ことを特徴とする使用。

【請求項10】

第１電極と、第２電極と、前記第１電極と第２電極との間に介在された１層又は多層の有機層を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、
前記有機層は、請求項１～８のいずれか１項に記載の化合物の少なくとも１種を含み、
好ましくは、前記有機層は正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、を含み、前記正孔注入層は陽極層上に形成され、前記正孔輸送層は前記正孔注入層上に形成され、陰極層は前記電子輸送層上に形成され、前記正孔輸送層と前記電子輸送層との間は発光層であり、
前記発光層には、請求項１ないし８のいずれかに記載の化合物が含有されている
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイス。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は有機エレクトロルミネッセンスの技術分野、特に有機化合物、その使用及び該化合物を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスに関する。

【背景技術】

【0002】

有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｏｄｅｓ）はサンドイッチ構造を有するデバイスの１つであり、正負の電極膜層と電極膜層の間に介在された有機機能材料層とを含む。ＯＬＥＤデバイスは輝度が高く、応答が速く、視野角が広く、プロセスが簡単で、可撓性化ができるなどの利点があるため、新型ディスプレイの技術分野と新型照明の技術分野で注目されている。現在、この技術は新型照明灯具、スマートフォン及びタブレットＰＣなどの製品の表示パネルに広く応用されており、さらにテレビ等の大型表示製品への応用分野も拡大されており、発展が速く、高い技術要求が要求される新型表示技術である。

【0003】

ＯＬＥＤは照明と表示の２つの分野で普及するに伴い、その核心材料に対する研究も更に注目されている。なぜなら、効率が良く、寿命が長いＯＬＥＤデバイスは通常、デバイスの構造及び各種有機材料を好適に組み合わせた結果であるからである。駆動電圧がより低く、発光効率がより良く、デバイスの使用寿命がより長いＯＬＥＤ発光デバイスを作製し、ＯＬＥＤデバイスの性能向上を実現するためには、ＯＬＥＤデバイスの構造と製造プロセスに対して革新を行うだけでなく、ＯＬＥＤデバイスの光電機能材料に対して更なる研究や革新を行くて、より高性能な機能材料を作製するようにする。これに基づいて、ＯＬＥＤ材料業界は、低い起動電圧、高い発光効率、より優れた寿命を実現するために、新しい有機エレクトロルミネッセンス材料の開発に取り組んできた。

【0004】

ＯＬＥＤ材料の選択の上で、一重項発光の蛍光材料は寿命が長く、価格が安いが、効率が低く、三重項発光の燐光材料は効率が高いが、高価であり、青色光材料の寿命の問題は解決されていない。日本九州大学のＡｄａｃｈｉは新しい有機発光材料、すなわち熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料を提案した。このような材料の一重項－三重項エネルギーギャップ（ΔＥＳＴ）は非常に小さく（＜０．３ｅＶ）、三重項励起子は逆項間交差（ＲＩＳＣ）により一重項励起子に変換されて発光できるため、デバイスの内部量子効率は１００％に達することができる。

【0005】

ＭＲ－ＴＡＤＦ材料は高い色純度と高い発光効率の長所を持ち、科学研究界と産業界から広く注目を集めている。しかし、周辺置換基はＳ１エネルギー準位に与える影響が小さいため、材料の発光色を調整することが難しく、その光色もずっと青色－濃い青色の領域に限られており、ＭＲ－ＴＡＤＦ材料の高分解能表示、フルカラー表示や白色照明の分野などへの更なる応用を大きく制限している。

【発明の概要】

【0006】

上記の技術的課題を解決するために、本発明は有機化合物を提供し、本発明の化合物の一般式は具体的には下記式（１）で示される。

【0007】

【化1】

【0008】

式（１）中、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、環Ｄは、それぞれ独立に、Ｃ５～Ｃ２０単環芳香環又は縮合芳香環、Ｃ４～Ｃ２０単環複素環又は縮合複素環のうちのいずれか１つを表し、環ＥはＣ５～Ｃ２０芳香環を表し、
前記環Ａと環Ｂは単結合を介して連結されてもよく、前記環Ｃと環Ｄは単結合を介して連結されてもよく、
前記Ｙ^１及びＹ^２は、それぞれ独立に、Ｎ又はＢであり、
前記Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３及びＸ^４は、それぞれ独立に、ＮＲ_１、ＢＲ_２、Ｏ又はＳであり、
当Ｙ^１とＹ^２が全てＢである場合、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３及びＸ^４は同時にＮＲ_１ではなく、
前記Ｒ_１、Ｒ_２は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の、Ｃ１～Ｃ３６鎖状アルキル、Ｃ３～Ｃ３６シクロアルキル、Ｃ６～Ｃ３０アリールアミノ、Ｃ３～Ｃ３０ヘテロアリールアミノ、Ｃ６～Ｃ６０単環アリール、Ｃ６～Ｃ６０縮合環アリール、Ｃ６～Ｃ６０アリールオキシ、Ｃ５～Ｃ６０単環ヘテロアリール又はＣ５～Ｃ６０縮合環ヘテロアリールから選択される１つであり、

【0009】

前記Ｒ_１は単結合を介して隣接する環Ａ、環Ｂ、環Ｃ又は環Ｄに連結されるか、又は隣接する環Ａ、環Ｂ、環Ｃ又は環Ｄと縮合して互いに結合されて環を形成してもよく、前記Ｒ_２は単結合を介して隣接する環Ａ、環Ｂ、環Ｃ又は環Ｄに連結されるか、又は隣接する環Ａ、環Ｂ、環Ｃ又は環Ｄと縮合して互いに結合されて環を形成してもよく、

【0010】

前記Ｘ^１とＸ^３は単結合を介して連結されるか、又は縮合して互いに結合されて環を形成してもよく、前記Ｘ^２とＸ^４は単結合を介して連結されるか、又は縮合して互いに結合されて環を形成してもよく、

【0011】

前記Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｃ及びＲ^ｄは、それぞれ独立に、単置換基から最大許容置換基を表し、かつ、それぞれ独立に、水素、重水素、又は置換若しくは無置換の、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ３６鎖状アルキル、Ｃ３～Ｃ３６シクロアルキル、Ｃ１～Ｃ１０アルコキシ、Ｃ１～Ｃ１０チオアルコキシ、カルボニル、カルボキシル、ニトロ、シアノ、アミノ、Ｃ６～Ｃ３０アリールアミノ、Ｃ３～Ｃ３０ヘテロアリールアミノ、Ｃ６～Ｃ６０単環アリール、Ｃ６～Ｃ６０縮合環アリール、Ｃ６～Ｃ６０アリールオキシ、Ｃ５～Ｃ６０単環ヘテロアリール、Ｃ５～Ｃ６０縮合環ヘテロアリールから選ばれる１つであり、前記Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｃ及びＲ^ｄのうち隣接する２つは任意により単結合を介して連結されるか、又は縮合して互いに結合されて環を形成してもよく、

【0012】

上記の基に置換基が存在する場合、前記置換基は、それぞれ独立に、重水素、ハロゲン、Ｃ１～Ｃ３０鎖状アルキル、Ｃ３～Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１～Ｃ１０アルコキシ、Ｃ１～Ｃ１０チオアルコキシ、カルボニル、カルボキシル、ニトロ、シアノ、アミノ、Ｃ６～Ｃ３０アリールアミノ、Ｃ３～Ｃ３０ヘテロアリールアミノ、Ｃ６～Ｃ６０単環アリール、Ｃ６～Ｃ６０縮合環アリール、Ｃ６～Ｃ６０アリールオキシ、Ｃ５～Ｃ６０単環ヘテロアリール、Ｃ５～Ｃ６０縮合環ヘテロアリールから選ばれるいずれか１つである。

【0013】

好ましくは、式（１）中、前記環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄは、それぞれ独立に、Ｃ５～Ｃ１０単環芳香環又は縮合芳香環、Ｃ４～Ｃ１０単環複素環又は縮合複素環のうちのいずれか１つを表し、前記環ＥはＣ５～Ｃ１０単環芳香環又は縮合芳香環を表す。

【0014】

より好ましくは、式（１）中、前記環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄは、それぞれ独立に、ベンゼン環、ナフタレン環又はフルオレン環から選ばれるいずれか１つ、前記環Ｅはベンゼン環、ナフタレン環又はフルオレン環から選ばれるいずれか１つである。
好ましくは、本発明の化合物の一般式は具体的には下記式（２）～式（７）のいずれかで示される。

【0015】

【化2】

【0016】

式（２）～式（７）中、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｃ及びＲ^ｄは全て式（１）と同義である。
さらに、本発明の式（２）、式（３）及び式（４）中、それぞれ独立したＸ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４は以下のような好ましい形態がある。
Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち２つはＢＲ_２であり、残りの２つはＮＲ_１であり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち２つはＢＲ_２であり、残りの２つはＯであり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち２つはＢＲ_２であり、残りの２つはＳであり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち３つはＢＲ_２であり、残りの１つはＮＲ_１であり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち１つはＢＲ_２であり、残りの３つはＮＲ_１であり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち２つはＢＲ_２であり、１つはＮＲ_１であり、残りの１つはＯであり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち１つはＢＲ_２であり、２つはＮＲ_１であり、残りの１つはＯであり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４はいずれもＳであり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち１つはＯであり、残りの３つはＳであり、
又は、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４のうち１つはＮＲ_１であり、残りの３つはＮＲ_１である。

【0017】

また、さらに、式（１）、式（２）～式（７）中、前記Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｃ及びＲ^ｄは、それぞれ独立に、水素、重水素、又は置換基として置換若しくは無置換の、メチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ｎ－ブチル、イソブチル、ｓ－ブチル、ｔ－ブチル、２－メチルブチル、ｎ－ペンチル、ｓ－ペンチル、シクロペンチル、ネオペンチル、ｎ－ヘキシル、シクロヘキシル、ネオヘキシル、ｎ－ヘプチル、シクロヘプチル、ｎ－オクチル、シクロオクチル、２－エチルヘキシル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、２，２，２－トリフルオロエチル、フェニル、ナフチル、アントラニル、ベンゾアントラニル、フェナントレニル、ベンゾフェナントレニル、ピレニル、クリセン基、ペリレン基、フルオランテニル、テトラセニル、ペンタセニル、ベンゾピレニル、ビフェニル、ジフェニル、ターフェニル、三量体化フェニル、クォーターフェニル、フルオレニル、スピロビフルオレニル、ジヒドロフェナントレニル、ジヒドロピレニル、テトラヒドロピレニル、トランス又はシスインデノフルオレニル、三量体化インデニル、イソ三量体化インデニル、スピロ三量体化インデニル、スピロイソ三量体化インデニル、フリル、ベンゾフリル、イソベンゾフリル、ジベンゾフリル、チエニル、ベンゾチエニル、イソベンゾチエニル、ジベンゾチエニル、ピロリル、イソインドリル、カルバゾリル、インデノカルバゾリル、ピリジル、キノリニル、イソキノリニル、アクリジニル、フェナントリジニル、ベンゾ－５，６－キノリニル、ベンゾ－６，７－キノリニル、ベンゾ－７，８－キノリニル、ピラゾリル、インダゾリル、イミダゾリル、ベンゾイミダゾリル、ナフトイミダゾリル、フェナントロイミダゾリル、ピリジノイミダゾリル、ピラジノイミダゾリル、キノキサリノイミダゾリル、オキサゾリル、ベンゾオキサゾリル、ナフトオキサゾリル、アントラオキサゾリル、フェナントロオキサゾリル、１，２－チアゾリル、１，３－チアゾリル、ベンゾチアゾリル、ピリダジニル、ベンゾピリダジニル、ピリミジニル、ベンゾピリミジニル、キノキサリル、１，５－ジアザアントラニル、２，７－ジアザピレニル、２，３－ジアザピレニル、１，６－ジアザピレニル、１，８－ジアザピレニル、４，５－ジアザピレニル、４，５，９，１０－テトラアザペリレン基、ピラジニル、フェナジニル、フェノチアジニル、ナフチリジニル、アザカルバゾリル、ベンゾカルボニル、フェナントロリニル、１，２，３－トリアゾリル、１，２，４－トリアゾリル、ベンゾトリアゾリル、１，２，３－オキサジアゾリル、１，２，４－オキサジアゾリル、１，２，５＿オキサジアゾリル、１，２，３－チアジアゾリル、１，２，４－チアジアゾリル、１，２，５－チアジアゾリル、１，３，４－チアジアゾリル、１，３，５－トリアジニル、１，２，４－トリアジニル、１，２，３－トリアジニル、テトラゾリル、１，２，４，５－テトラアジニル、１，２，３，４－テトラアジニル、１，２，３，５－テトラアジニル、プリニル、プテリジル、インドリジニル、ベンゾチアジアゾリル、９，９－ジメチルアクリジニル、トリアリールアミン基、アダマンタン、フルオロフェニル、メチルフェニル、トリメチルフェニル、シアノフェニル、テトラヒドロピロール、ピペリジン、メトキシ、シリル、又は以上の２つの置換基の組み合わせから選択される１つである。

【0018】

本発明では、「置換された基」とは、「置換若しくは無置換」の基が置換されたときの置換基の範囲であり、その個数は特に限定されず、化合物の結合の要件を満たすものであればよく、例示的には、１個、２個、３個、４個又は５個であってもよく、置換基の個数が２個以上である場合、この２個以上の置換基は同一であってもよいし、異なってもよい。

【0019】

本発明では、ハロゲンは塩素原子、フッ素原子、臭素原子などを表す。

【0020】

本発明では、Ｃａ～Ｃｂの表記は、当該該基が有する炭素原子数がａ～ｂであることを意味し、特に断らない限り、一般的には、この炭素原子数は置換基の炭素原子数を含まない。

【0021】

本発明では、「－」が付いた環構造の表記は、連結部位が該環構造上の結合を形成し得る任意の位置であることを意味する。

【0022】

本発明では、前記ヘテロ原子は、通常、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ及びＳｅから選ばれる原子又は原子団であり、好ましくはＮ、Ｏ、Ｓから選ばれる。本発明では、前記原子の名称は、これらに対応する各種の同位体を含み、例えば、水素（Ｈ）は１Ｈ（プロチウム、又はＨ）、２Ｈ（重水素又はＤ）などを含み、炭素（Ｃ）は１２Ｃ、１３Ｃなどを含む。

【0023】

また、さらに、本発明の一般式（１）の前記化合物は、下記の具体的な構造の化合物１～化合物１８０が好ましいが、これらの化合物は代表例に過ぎない。

【0024】

【化3】

【0025】

【化4】

【0026】

【化5】

【0027】

【化6】

【0028】

【化7】

【0029】

【化8】

【0030】

【化9】

【0031】

【化10】

【0032】

【化11】

【0033】

本発明の第２の目的は、第１の目的である前記化合物の使用を提供することであり、前記化合物は有機エレクトロルミネッセンスデバイスに用いられる。好ましくは、前記化合物は前記有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて発光層材料、好ましくは発光染料として使用される。

【0034】

本発明の第３の目的は有機エレクトロルミネッセンスデバイスを提供することである。具体的には、本発明の実施形態は、基板と、前記基板上に順次形成された陽極層、複数の発光機能層及び陰極層と、を含み、前記発光機能層は正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、を含み、前記正孔注入層は前記陽極層上に形成され、前記正孔輸送層は前記正孔注入層上に形成され、前記陰極層は前記電子輸送層上に形成され、前記正孔輸送層と前記電子輸送層との間は発光層であり、好ましくは、前記発光層中に上記の一般式（１）～式（７）の何れかで示される本発明の一般式化合物、又は前記発光層中に上記の具体的な化合物１～化合物１８０のうちの少なくともいずれか１つが含有されている有機エレクトロルミネッセンスデバイスを提供する。

【0035】

上記の本発明の化合物は有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおける電子輸送層材料として使用される場合に性能に優れる理由としては、まだ不明であるが、以下のように推定される。

【0036】

本発明の一般式化合物（下記式参照）では、直線状供与体－Π－供与体が導入されており、直線状供与体－Π－受容体又は直線状受容体－Π－受容体の特殊な構造により、多重共鳴を保持しつつ、フロンティア軌道のエネルギー分裂を通じて有効なレッドシフトを発生させ、これによって、目的の分子に高い発光効率と高い色純度を持たせる。このシリーズの材料は現在のＭＲ－ＴＡＤＦ材料よりも光色の大きなレッドシフトができ、橙赤色光、赤色光から近赤外光が得られる。

【0037】

【化12】

【0038】

本発明の化合物を用いて製造されたＯＬＥＤデバイスのエレクトロルミネッセンススペクトルは、より狭い半値幅を有し、明らかな多重共鳴効果を示し、それによって、多重共鳴－熱活性化遅延蛍光の材料系と発光色範囲を極めて豊富にし、また、低い起動電圧、高い発光効率、より優れた使用寿命を持ち、現在のパネル製造企業の高性能材料に対する要件を満たすことができ、応用の将来性が期待できる。

【図面の簡単な説明】

【0039】

【図1】本発明で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0040】

以下、本発明の上記新規化合物の具体的な製造方法について、複数の合成実施例によって詳細に説明するが、本発明の製造方法はこれらの合成実施例に限定されるものではない。

【0041】

本発明で使用する各種化学薬品、例えば石油エーテル、ｔ－ブチルベンゼン、酢酸エチル、硫酸ナトリウム、トルエン、ジクロロメタン、炭酸カリウム、三臭化ホウ素、Ｎ，Ｎ－ジイソプロピルエチルアミン、反応中間体などの基礎化学原料はすべて上海泰坦科技股▲分▼有限公司と西隴化工股▲分▼有限公司から購入した。下記化合物の決定に用いた質量分析計はＺＡＢ－ＨＳ型質量分析計（英国Ｍｉｃｒｏｍａｓｓ社製）を用いた。

【0042】

以下、本発明の化合物の合成方法を簡単に説明し、まず、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４間／上の水素原子、Ｃｌ原子をｎ－ブチルリチウム、ｔ－ブチルリチウムなどを用いてオルトで金属化する。次に、三臭化ホウ素を添加してリチウム－ホウ素の金属交換を行った後、Ｎ，Ｎ－ジイソプロピルエチルアミンなどのブレンステッド塩基（Ｂｒｏｎｓｔｅｄ ｂａｓｅ）を添加することにより、タンデムボラフリーデルクラフツ反応（Ｔａｎｄｅｍ Ｂｏｒａ－Ｆｒｉｅｄｅｌ－Ｃｒａｆｔｓ Ｒｅａｃｔｉｏｎ）を行い、目的物を得る。

【0043】

【化13】

【0044】

より具体的には、以下、本発明の具体的な化合物の代表例の合成方法を示す。
合成実施例
合成実施例１

【0045】

【化14】

【0046】

化合物１の合成

【0047】

【化15】

【0048】

ｔ－ブチルリチウムのペンタン溶液（７．９ｍＬ、１．７０Ｍ、１３．３８ｍｍｏｌ）を０℃の１－１（１．７９ｇ、２．２０ｍｍｏｌ）のｔ－ブチルベンゼン（６０ｍＬ）溶液にゆっくりと加えた後、６０℃に順次昇温して、それぞれ３時間反応させた。反応終了後、－３０℃に降温し、三臭化ホウ素（２．５ｍＬ、２６．８０ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、室温でさらに０．５時間撹拌した。室温でＮ，Ｎ－ジイソプロピルエチルアミン（７．００ｍＬ、４０．２０ｍｍｏｌ）を加え、１４５℃でさらに５時間反応させた後、反応を停止した。溶媒を真空回転蒸発させて、シリカゲルカラム（展開剤：酢酸エチル：石油エーテル＝５０：１）に通して、目標化合物１（０．６４ｇ、３８％収率、ＨＰＬＣ分析によれば純度９９．４３％）を黄色固体として得た。ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ結果：分子イオンピーク：７６２．５３ 元素分析結果：理論値： Ｃ， ８５．０６； Ｈ， ４．７６； Ｂ， ２．８４； Ｎ， ７．３５（％）；実験値：Ｃ， ８５．１６； Ｈ， ４．６６； Ｂ， ２．６４； Ｎ， ７．５５（％）。

【0049】

合成実施例２

【0050】

【化16】

【0051】

化合物５の合成

【0052】

【化17】

【0053】

本例では、１－１を等物質量の５－１に変更した以外、本実施例は化合物１の合成と同様であった。目標化合物５（０．６８ｇ、３８％収率、ＨＰＬＣ分析によれば純度９９．５５％）は黄色固体である。ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ結果：分子イオンピーク：７５４．４７ 元素分析結果：理論値： Ｃ， ８５．９７； Ｈ， ３．７４； Ｂ， ２．８７； Ｎ， ７．４３（％）；実験値：Ｃ， ８５．８７； Ｈ， ３．８４； Ｂ， ２．７７； Ｎ， ７．５３（％）。

【0054】

合成実施例３

【0055】

【化18】

【0056】

化合物８の合成

【0057】

【化19】

【0058】

本例では、１－１を等物質量の８－１に変更した以外、本実施例は化合物１の合成と同様であった。目標化合物８（０．６６ｇ、２５％収率、ＨＰＬＣ分析によれば純度９９．６５％）は黄色固体である。ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ結果：分子イオンピーク：１２０３．３３ 元素分析結果：理論値：Ｃ， ８５．８４； Ｈ， ７．７１； Ｂ， １．８０； Ｎ， ４．６６（％）；実験値：Ｃ， ８５．８１； Ｈ， ７．７４； Ｂ， １．７０； Ｎ， ４．７６６（％）。

【0059】

合成実施例４

【0060】

【化20】

【0061】

化合物１８の合成

【0062】

【化21】

【0063】

本例では、１－１を等物質量の１８－１に変更した以外、本実施例は化合物１の合成と同様であった。目標化合物１８（１．００ｇ、３２％収率、ＨＰＬＣ分析によれば純度９９．４３％）は黄色固体である。ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ結果：分子イオンピーク：１４１９．７０ 元素分析結果：理論値：Ｃ， ８６．２９； Ｈ， ８．２４； Ｂ， １．５２； Ｎ， ３．９５（％）；実験値：Ｃ， ８６．１９； Ｈ， ８．３４； Ｂ， １．３２； Ｎ， ４．１５（％）。

【0064】

合成実施例５

【0065】

【化22】

【0066】

化合物８２の合成

【0067】

【化23】

【0068】

本例では、１－１を等物質量の８２－１に変更した以外、本実施例は化合物１の合成と同様である。目標化合物８２（０．４１ｇ、３０％収率、ＨＰＬＣ分析によれば純度９９．５３％）は黄色固体である。ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ結果：分子イオンピーク：６０６．３０ 元素分析結果：理論値：Ｃ， ８３．２０； Ｈ， ３．９９； Ｂ， ３．５７； Ｎ， ９．２４（％）；実験値：Ｃ， ８３．２７； Ｈ， ３．９２； Ｂ， ３．６７； Ｎ， ９．１４（％）。

【0069】

合成実施例６

【0070】

【化24】

【0071】

化合物８７の合成

【0072】

【化25】

【0073】

本例では、１－１を等物質量の８７－１に変更した以外、本実施例は化合物１の合成と同様である。目標化合物８７（０．４２ｇ、３２％収率、ＨＰＬＣ分析によれば純度９９．６７％）は黄色固体である。ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ結果：分子イオンピーク：５９８．２４ 元素分析結果：理論値：Ｃ， ８４．３２； Ｈ， ２．７０； Ｂ， ３．６１； Ｎ， ９．３７（％）；実験値：Ｃ， ８４．４２； Ｈ， ２．６０； Ｂ， ３．５１； Ｎ， ９．４７（％）。

【0074】

合成実施例７

【0075】

【化26】

【0076】

化合物１０２の合成

【0077】

【化27】

【0078】

ｔ－ブチルリチウムのペンタン溶液（１８．５９ｍＬ、１．６０Ｍ、２９．７５ｍｍｏｌ）を０℃の１０２－１（３．６１ｇ、４．９６ｍｍｏｌ）のｔ－ブチルベンゼン（６０ｍＬ）溶液にゆっくりと加えた後、６０℃に順次昇温して、それぞれ３時間反応させた。反応終了後、－３０℃に降温し、三臭化ホウ素（４．９７ｇ、１９．８２ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、室温でさらに０．５時間撹拌した。室温でＮ，Ｎ－ジイソプロピルエチルアミン（２．５６ｇ、１９．８２ｍｍｏｌ）を加え、１４５℃でさらに１２時間反応させた後、室温に冷却し、この状態で臭化フェニルマグネシウム（３．５９ｇ、１９．８２ｍｍｏｌ）を加え、さらに２時間反応させた後、反応を停止した。溶媒を真空回転蒸発させて、シリカゲルカラム（展開剤：酢酸エチル：石油エーテル＝５０：１）に通して、目標化合物１０２（０．３４ｇ、１０％収率、ＨＰＬＣ分析によれば純度９９．２２％）を黄色固体として得た。ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ結果：分子イオンピーク：７５６．１４ 元素分析結果：理論値： Ｃ， ８５．７８； Ｈ， ４．８０； Ｂ， ５．７２； Ｎ， ３．７０（％）；実験値：Ｃ， ８５．７８； Ｈ， ４．８０； Ｂ， ５．７２； Ｎ， ３．７０（％）。

【0079】

合成実施例８

【0080】

【化28】

【0081】

化合物１１３の合成

【0082】

【化29】

【0083】

本例では、１－１を等物質量の１１３－１に変更した以外、本実施例は化合物１の合成と同様であった。目標化合物１１３（０．５５ｇ、４１％収率、ＨＰＬＣ分析によれば純度９９．３３％）は黄色固体である。ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ結果：分子イオンピーク：６１２．２２ 元素分析結果：理論値：Ｃ， ８２．３９； Ｈ， ４．２８； Ｂ， ３．５３； Ｎ， ４．５８； Ｏ， ５．２３（％）；実験値：Ｃ， ８２．１９； Ｈ， ４．２５； Ｂ， ３．７３； Ｎ， ４．５７； Ｏ， ５．２７（％）。

【0084】

合成実施例９

【0085】

【化30】

【0086】

化合物１１４の合成

【0087】

【化31】

【0088】

本例では、１－１を等物質量の１１４－１に変更した以外、本実施例は化合物１の合成と同様であった。目標化合物１１４（０．４２ｇ、３６％収率、ＨＰＬＣ分析によれば純度９９．５４％）は黄色固体である。ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ結果：分子イオンピーク：５３７．１９ 元素分析結果：理論値：Ｃ， ８０．４９； Ｈ， ３．９４； Ｂ， ４．０２； Ｎ， ２．６１； Ｏ， ８．９３（％）；実験値：Ｃ， ８０．５９； Ｈ， ３．７４； Ｂ， ４．１２； Ｎ， ２．７１； Ｏ， ８．８３（％）。

【0089】

合成実施例１０

【0090】

【化32】

【0091】

化合物１３２の合成

【0092】

【化33】

【0093】

本例では、１－１を等物質量の１３２－１に変更した以外、本実施例は化合物１の合成と同様であった。目標化合物１３２（０．３７ｇ、２６％収率、ＨＰＬＣ分析によれば純度９９．５２％）は黄色固体である。ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ結果：分子イオンピーク：６４４．４２ 元素分析結果：理論値：Ｃ， ７８．２８； Ｈ， ４．０７； Ｂ， ３．３５； Ｎ， ４．３５； Ｓ， ９．９５（％）；実験値：Ｃ， ７８．２８； Ｈ， ４．０７； Ｂ， ３．３５； Ｎ， ４．３５； Ｓ， ９．９５（％）。

【0094】

合成実施例１１

【0095】

【化34】

【0096】

化合物１４９の合成

【0097】

【化35】

【0098】

本例では、１－１を等物質量の１４９－１に変更した以外、本実施例は化合物１の合成と同様であった。目標化合物１４９（０．５２ｇ、３６％収率、ＨＰＬＣ分析によれば純度９９．４２％）は黄色固体である。ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ結果：分子イオンピーク：６６２．４１ 元素分析結果：理論値：Ｃ， ８３．４１； Ｈ， ４．８７； Ｂ， ３．２６； Ｎ， ８．４６（％）；実験値：Ｃ， ８３．４０； Ｈ， ４．８８； Ｂ， ３．２５； Ｎ， ８．４７（％）。

【0099】

合成実施例１２

【0100】

【化36】

【0101】

化合物１５０の合成

【0102】

【化37】

【0103】

合成実施例１３

【0104】

【化38】

【0105】

化合物１８０の合成

【0106】

【化39】

【0107】

本例では、１０２－１を等物質量の１８０－１に変更した以外、本実施例は化合物１０２の合成と同様であった。目標化合物１８０（０．７２ｇ、１９％収率、ＨＰＬＣ分析によれば純度９９．３５％）は橙赤色固体である。ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ結果：分子イオンピーク：７５９．３３元素分析結果：理論値：Ｃ， ８５．４２； Ｈ， ４．７８； Ｂ， ４．２７； Ｎ， ５．５３（％） ；実験値：Ｃ， ８５．４２； Ｈ， ４．７８； Ｂ， ４．２７； Ｎ， ５．５３（％）。

【0108】

以下、本発明の化合物を有機エレクトロルミネッセンスデバイスに用いることにより、実際に使用するときの性能を測定し、本発明の技術的効果及び利点を示して、検証する。

【0109】

有機エレクトロルミネッセンスデバイスは第１電極と、第２電極と、２つの電極の間にある有機材料層と、を含む。該有機材料はまた複数の領域に分けられ、例えばこの有機材料層は正孔輸送領域と、発光層と、電子輸送領域とを含んでもよい。

【0110】

陽極の材料としては、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、二酸化錫（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの酸化物透明導電性材料、及びこれらの任意の組み合わせを用いることができる。陰極の材料としては、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）等の金属又は合金、及びこれらの任意の組み合わせを用いることができる。

【0111】

正孔輸送領域は、陽極と発光層との間に位置する。正孔輸送領域は、１種類の化合物のみを含む単層正孔輸送層と、複数種の化合物を含む単層正孔輸送層とを含む単層構造の正孔輸送層（ＨＴＬ）としてもよい。正孔輸送領域は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子バリア層（ＥＢＬ）の少なくとも１層を含む多層構造であってもよい。

【0112】

正孔輸送領域の材料は、ＣｕＰｃなどのフタロシアニン誘導体、導電性高分子、ポリフェニレンエチレン、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸（Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ）、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルホン酸塩）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／カンファースルホン酸（Ｐａｎｉ／ＣＳＡ）、ポリアニリン／ポリ（４－スチレンスルホン酸塩）（Ｐａｎｉ／ＰＳＳ）、芳香族アミン誘導体などの導電性ドーパント含有重合体などから選択され得るが、これらに限定されない。

【0113】

発光層は、異なる波長スペクトルを放射することができる発光染料素（すなわちドーパント、ｄｏｐａｎｔ）を含み、ホスト材料（Ｈｏｓｔ）も含んでもよい。発光層は、赤、緑、青等の単一色を発光する単色発光層であってもよい。色の異なる複数の単色発光層は、画素パターンに沿って平面的に配列されていてもよいし、積層されて有色発光層を形成していてもよい。異なる色の発光層を積層する場合、互いに離間してもよいし、互いに連結していてもよい。発光層は、赤、緑、青等の異なる色を同時に発光することができる単一色発光層であってもよい。

【0114】

電子輸送領域は、１種の化合物のみを含む単層電子輸送層と、複数種の化合物を含む単層電子輸送層とを含む単層構造の電子輸送層（ＥＴＬ）としてもよい。電子輸送領域は、電子注入層（ＥＩＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、正孔バリア層（ＨＢＬ）の少なくとも１層を含む多層構造であってもよい。

【0115】

図１を参照して、以下のように有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造過程を説明する。基板１上に陽極２、正孔輸送層３、有機発光層４、電子輸送層５、陰極６を順次堆積した後、封止する。ここでは、有機発光層４を製造する際には、ワイドバンドギャップ材料源、電子供与体型材料源、電子受容体型材料源及び共鳴型ＴＡＤＦ材料源を一括蒸着する方法により有機発光層４を形成する。
具体的には、本発明の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法は、以下のステップを含む。

【0116】

１、陽極材料をコーティングしたガラス板を商用洗浄剤で超音波処理し、脱イオン水でリンスし、アセトン：エタノール混合溶媒で超音波脱油し、清浄環境でベークして水分を完全に除去し、紫外光とオゾンで洗浄し、低エネルギー陽イオンビームで表面を衝撃する。

【0117】

２、上記陽極付きガラス板を真空キャビティに置き、１×１０^－５～９×１０^－３Ｐａに真空引きし、上記陽極膜上に正孔注入材を蒸着速度０．１～０．５ｎｍ／ｓで真空蒸着し、正孔注入層を形成する。
３、正孔注入層上に正孔輸送材料を蒸着速度０．１～０．５ｎｍ／ｓで真空蒸着し、正孔輸送層を形成する。
４、正孔輸送層上に電子バリア層を蒸着速度０．１～０．５ｎｍ／ｓで真空蒸着する。

【0118】

５、電子バリア層上に真空蒸着デバイスのホスト材料とＴＡＤＦ染料を含む有機発光層を真空蒸着し、多源共蒸着の方法を利用して、ホスト材料の蒸着速度、増感剤材料の蒸着速度と染料の蒸着速度を調整して、染料を予め設定されたドープ比率にする。
６、有機発光層上に正孔バリア層を蒸着速度０．１～０．５ｎｍ／ｓで真空蒸着する。
７、正孔バリア層上にデバイスの電子輸送材料を、蒸着速度０．１～０．５ｎｍ／ｓで真空蒸着し、電子輸送層を形成する。
８、電子輸送層上に電子注入層としてＬｉＦを０．１～０．５ｎｍ／ｓで真空蒸着し、陰極としてＡｌ層を０．５～１ｎｍ／ｓで真空蒸着する。

【0119】

また、本発明の実施例は、上記したような有機エレクトロルミネッセンスデバイスを含む表示装置を提供する。この表示装置は、具体的には、ＯＬＥＤディスプレイなどの表示デバイス、及びこの表示デバイスを含むテレビ、デジタルカメラ、携帯電話、タブレット等の表示機能を有するいかなる製品又は部品であってもよい。この表示装置は、上記有機エレクトロルミネッセンスデバイスと従来技術に対する優位性が同じであるので、ここでは詳しく説明しない。

【0120】

以下、具体的な実施例を用いて、本発明の有機エレクトロルミネッセンスデバイスをさらに説明する。
デバイス実施例１
本実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造は以下に示される。

【0121】

ＩＴＯ／ＨＩ（１０ｎｍ）／ＨＴ（３０ｎｍ）／ＥＢＬ（１０ｎｍ）／Ｈｏｓｔ：３ｗｔ％１（３０ｎｍ）／ＨＢＬ（１０ｎｍ）ＥＴ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）

【0122】

陽極はＩＴＯを材料とし、正孔注入層はＨＩを材料とし、一般的には全厚さが５～３０ｎｍであるが、本実施例では１０ｎｍであり、正孔輸送層はＨＴを材料とし、一般的には全厚さが５～５００ｎｍであるが、本実施例では４０ｎｍであり、Ｈｏｓｔは有機発光層ワイドバンドギャップのホスト材料であり、本発明の化合物１は染料であって、ドーピング濃度が３ｗｔ％であり、有機発光層の厚さは一般的には１～２００ｎｍであるが、本実施例では３０ｎｍであり、電子輸送層はＥＴを材料とし、一般的には厚さが５～３００ｎｍであるが、本実施例では３０ｎｍであり、電子注入層及び陰極はＬｉＦ（０．５ｎｍ）及び金属アルミ（１５０ｎｍ）を材料とする。

【0123】

本実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスＤ１に直流電圧を印加し、１０ｃｄ／ｍ^２で発光するときの特性を測定した結果、波長６０５ｎｍ、半値幅４２ｎｍ、ＣＩＥ色座標（ｘ，ｙ）＝（０．６８，０．３１）、外量子効率ＥＱＥ ２５．８％の赤色発光（駆動電圧２．３Ｖ）を得ることができた。

【0124】

デバイス実施例２
発光層に使用されるワイドバンドギャップ型ホスト材料ＨｏｓｔをＴＡＤＦ型ホストＴＤに変更した以外、デバイス実施例１の製造方法と同様であり、デバイス構造は具体的には以下のとおりである。

【0125】

ＩＴＯ／ＨＩ（１０ｎｍ）／ＨＴ（３０ｎｍ）／ＥＢＬ（１０ｎｍ）／ ＴＤ：３ｗｔ％１（３０ｎｍ）／ＨＢＬ（１０ｎｍ）ＥＴ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）

【0126】

本実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスＤ２についてデバイス性能を測定した結果は以下のとおりである。直流電圧を印加し、１０ｃｄ／ｍ^２で発光するときの特性を測定した結果、波長６０５ ｎｍ、半値幅４３ｎｍ、ＣＩＥ色座標（ｘ，ｙ）＝（０．６９，０．３０）、外量子効率ＥＱＥ ３１．４％の赤色発光（駆動電圧２．２Ｖ）を得ることができた。

【0127】

デバイス実施例３
発光層に使用される染料を１から５に変更した以外、デバイス実施例１の製造方法と同様であった。デバイス構造は以下のとおりである。

【0128】

ＩＴＯ／ＨＩ（１０ｎｍ）／ＨＴ（３０ｎｍ）／ＥＢＬ（１０ｎｍ）／Ｈｏｓｔ：３ｗｔ％５（３０ｎｍ）／ＨＢＬ（１０ｎｍ）ＥＴ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）

【0129】

本実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスＤ３についてデバイス性能を測定した結果は以下のとおりである。直流電圧を印加し、１０ｃｄ／ｍ^２で発光するときの特性を測定した結果、波長６６４ｎｍ、半値幅４８ｎｍ、ＣＩＥ色座標（ｘ，ｙ）＝（０．７１，０．２９）、外量子効率ＥＱＥ ２４．２％の濃赤色発光（駆動電圧２．２Ｖ）を得ることができた。

【0130】

デバイス実施例４
発光層におけるワイドバンドギャップ型ホスト材料ＨｏｓｔをＴＡＤＦ型ホストＴＤに変更し、染料を１から５に変更した以外、デバイス実施例１の製造方法と同様であった。デバイス構造は以下のとおりである。

【0131】

ＩＴＯ／ＨＩ（１０ｎｍ）／ＨＴ（３０ｎｍ）／ＥＢＬ（１０ｎｍ）／ ＴＤ：３ｗｔ％５（３０ｎｍ）／ＨＢＬ（１０ｎｍ）ＥＴ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）

【0132】

本実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスＤ４についてデバイス性能を測定した結果は以下のとおりである。直流電圧を印加し、１０ｃｄ／ｍ^２で発光するときの特性を測定した結果、波長６６４ｎｍ、半値幅４８ｎｍ、ＣＩＥ色座標（ｘ，ｙ）＝（０．７１，０．２９）、外量子効率ＥＱＥ ２９．２％の濃赤色発光（駆動電圧２．１Ｖ）を得ることができた。

【0133】

デバイス実施例５
発光層中の染料を１から８２に変更した以外、デバイス実施例１の製造方法と同様であった。デバイス構造は以下のとおりである。

【0134】

ＩＴＯ／ＨＩ（１０ｎｍ）／ＨＴ（３０ｎｍ）／ＥＢＬ（１０ｎｍ）／Ｈｏｓｔ：３ｗｔ％８２（３０ｎｍ）／ＨＢＬ（１０ｎｍ）ＥＴ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）

【0135】

本実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスＤ５についてデバイス性能を測定した結果は以下のとおりである。直流電圧を印加し、１０ｃｄ／ｍ^２で発光するときの特性を測定した結果、波長７５５ｎｍ、半値幅５０ｎｍ、ＣＩＥ色座標（ｘ，ｙ）＝（０．７２，０．２８）、外量子効率ＥＱＥ ２０．３％の近赤外発光（駆動電圧２．１Ｖ）を得ることができた。

【0136】

デバイス実施例６
発光層中のワイドバンドギャップ型ホスト材料ＨｏｓｔをＴＡＤＦ型ホストＴＤに変更し、染料を１から８２に変更した以外、デバイス実施例１の製造方法と同様であった。デバイス構造は以下のとおりである。

【0137】

ＩＴＯ／ＨＩ（１０ｎｍ）／ＨＴ（３０ｎｍ）／ＥＢＬ（１０ｎｍ）／ ＴＤ：３ｗｔ％８２（３０ｎｍ）／ＨＢＬ（１０ｎｍ）ＥＴ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）

【0138】

本実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスＤ６についてデバイス性能を測定した結果は以下のとおりである。直流電圧を印加し、１０ｃｄ／ｍ^２で発光するときの特性を測定した結果、波長７５５ｎｍ、半値幅５０ｎｍ、ＣＩＥ色座標（ｘ，ｙ）＝（０．７２，０．２８）、外量子効率ＥＱＥ ２５．３％の近赤外発光（駆動電圧２．０Ｖ）を得ることができた。

【0139】

デバイス実施例７
発光層中の染料を１から８７に変更した以外、デバイス実施例１の製造方法と同様であった。デバイス構造は以下のとおりである。

【0140】

ＩＴＯ／ＨＩ（１０ｎｍ）／ＨＴ（３０ｎｍ）／ＥＢＬ（１０ｎｍ）／Ｈｏｓｔ：３ｗｔ％８７（３０ｎｍ）／ＨＢＬ（１０ｎｍ）ＥＴ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）

【0141】

本実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスＤ７についてデバイス性能を測定した結果は以下のとおりである。直流電圧を印加し、１０ｃｄ／ｍ^２で発光するときの特性を測定した結果、波長８７５ｎｍ、半値幅５２ｎｍ、ＣＩＥ色座標（ｘ，ｙ）＝（０．７４，０．２６）、外量子効率ＥＱＥ １５．３％の近赤外発光（駆動電圧２．０Ｖ）を得ることができた。

【0142】

デバイス実施例８
発光層中のワイドバンドギャップ型ホスト材料ＨｏｓｔをＴＡＤＦ型ホストＴＤに変更し、染料を１から８７に変更した以外、デバイス実施例１の製造方法と同様であった。デバイス構造は以下のとおりである。

【0143】

ＩＴＯ／ＨＩ（１０ｎｍ）／ＨＴ（３０ｎｍ）／ＥＢＬ（１０ｎｍ）／ＴＤ：３ｗｔ％８７（３０ｎｍ）／ＨＢＬ（１０ｎｍ）ＥＴ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）

【0144】

本実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスＤ８についてデバイス性能を測定した結果は以下のとおりである。直流電圧を印加し、１０ｃｄ／ｍ^２で発光するときの特性を測定した結果、波長８７５ｎｍ、半値幅５２ｎｍ、ＣＩＥ色座標（ｘ，ｙ）＝（０．７４，０．２６）、外量子効率ＥＱＥ １９．３％の近赤外発光（駆動電圧１．９Ｖ）を得ることができた。

【0145】

デバイス実施例９
発光層中の染料を１から１０２に変更した以外、デバイス実施例１の製造方法と同様であった。デバイス構造は以下のとおりである。

【0146】

ＩＴＯ／ＨＩ（１０ｎｍ）／ＨＴ（３０ｎｍ）／ＥＢＬ（１０ｎｍ）／Ｈｏｓｔ：３ｗｔ％１０２（３０ｎｍ）／ＨＢＬ（１０ｎｍ）ＥＴ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）

【0147】

本実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスＤ９についてデバイス性能を測定した結果は以下のとおりである。直流電圧を印加し、１０ｃｄ／ｍ^２で発光するときの特性を測定した結果、波長６２６ｎｍ、半値幅４４ｎｍ、ＣＩＥ色座標（ｘ，ｙ）＝（０．６９，０．３１）、外量子効率ＥＱＥ ２４．３％の赤色発光（駆動電圧２．３Ｖ）を得ることができた。

【0148】

デバイス実施例１０
発光層中のワイドバンドギャップ型ホスト材料ＨｏｓｔをＴＡＤＦ型ホストＴＤに変更し、染料を１から１０２に変更した以外、デバイス実施例１の製造方法と同様であった。デバイス構造は以下のとおりである。

【0149】

ＩＴＯ／ＨＩ（１０ｎｍ）／ＨＴ（３０ｎｍ）／ＥＢＬ（１０ｎｍ）／ ＴＤ：３ｗｔ％１０２（３０ｎｍ）／ＨＢＬ（１０ｎｍ）ＥＴ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）

【0150】

本実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスＤ１０についてデバイス性能を測定した結果は以下のとおりである。直流電圧を印加し、１０ｃｄ／ｍ^２で発光するときの特性を測定した結果、波長６２６ｎｍ、半値幅４４ｎｍ、ＣＩＥ色座標（ｘ，ｙ）＝（０．６９，０．３１）、外量子効率ＥＱＥ ２９．３％の赤色発光（駆動電圧２．２Ｖ）を得ることができた。

【0151】

デバイス実施例１１
発光層中の染料を１から１１３に変更した以外、デバイス実施例１の製造方法と同様であった。デバイス構造は以下のとおりである。

【0152】

ＩＴＯ／ＨＩ（１０ｎｍ）／ＨＴ（３０ｎｍ）／ＥＢＬ（１０ｎｍ）／Ｈｏｓｔ：３ｗｔ％１１３（３０ｎｍ）／ＨＢＬ（１０ｎｍ）ＥＴ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）

【0153】

本実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスＤ１１についてデバイス性能を測定した結果は以下のとおりである。直流電圧を印加し、１０ｃｄ／ｍ^２で発光するときの特性を測定した結果、波長５８０ｎｍ、半値幅３９ｎｍ、ＣＩＥ色座標（ｘ，ｙ）＝（０．５８，０．４２）、外量子効率ＥＱＥ ２６．３％の橙黄色発光（駆動電圧２．５Ｖ）を得ることができた。
デバイス実施例１２

【0154】

発光層中のワイドバンドギャップ型ホスト材料ＨｏｓｔをＴＡＤＦ型ホストＴＤに変更し、染料を１から１１３に変更した以外、デバイス実施例１の製造方法と同様であった。デバイス構造は以下のとおりである。

【0155】

ＩＴＯ／ＨＩ（１０ｎｍ）／ＨＴ（３０ｎｍ）／ＥＢＬ（１０ｎｍ）／ＴＤ：３ｗｔ％１１３（３０ｎｍ）／ＨＢＬ（１０ｎｍ）ＥＴ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）

【0156】

本実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスＤ１２についてデバイス性能を測定した結果は以下のとおりである。直流電圧を印加し、１０ｃｄ／ｍ^２で発光するときの特性を測定した結果、波長５８０ｎｍ、半値幅３９ｎｍ、ＣＩＥ色座標（ｘ，ｙ）＝（０．５８，０．４２）、外量子効率ＥＱＥ ３４．３％の橙黄色発光（駆動電圧２．４Ｖ）を得ることができた。

【0157】

デバイス実施例１３
発光層中の染料を１から１１４に変更した以外、デバイス実施例１の製造方法と同様であった。デバイス構造は以下のとおりである。

【0158】

ＩＴＯ／ＨＩ（１０ｎｍ）／ＨＴ（３０ｎｍ）／ＥＢＬ（１０ｎｍ）／Ｈｏｓｔ：３ｗｔ％１１４（３０ｎｍ）／ＨＢＬ（１０ｎｍ）ＥＴ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）

【0159】

本実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスＤ１３についてデバイス性能を測定した結果は以下のとおりである。直流電圧を印加し、１０ｃｄ／ｍ^２で発光するときの特性を測定した結果、波長５６５ｎｍ、半値幅３８ｎｍ、ＣＩＥ色座標（ｘ，ｙ）＝（０．５７，０．４３）、外量子効率ＥＱＥ ２４．６％の橙黄色発光（駆動電圧２．５Ｖ）を得ることができた。

【0160】

デバイス実施例１４
発光層中のワイドバンドギャップ型ホスト材料ＨｏｓｔをＴＡＤＦ型ホストＴＤに変更し、染料を１から１１４に変更した以外、デバイス実施例１の製造方法と同様であった。デバイス構造は以下のとおりである。

【0161】

ＩＴＯ／ＨＩ（１０ｎｍ）／ＨＴ（３０ｎｍ）／ＥＢＬ（１０ｎｍ）／ＴＤ：３ｗｔ％１１４（３０ｎｍ）／ＨＢＬ（１０ｎｍ）ＥＴ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）

【0162】

本実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスＤ１４についてデバイス性能を測定した結果は以下のとおりである。直流電圧を印加し、１０ｃｄ／ｍ^２で発光するときの特性を測定した結果、波長５６５ｎｍ、半値幅３８ｎｍ、ＣＩＥ色座標（ｘ，ｙ）＝（０．５７，０．４３）、外量子効率ＥＱＥ ３２．６％の橙黄色発光（駆動電圧２．４Ｖ）を得ることができた。

【0163】

デバイス実施例１５
発光層中の染料を１から１８０に変更した以外、デバイス実施例１の製造方法と同様であった。デバイス構造は以下のとおりである。

【0164】

ＩＴＯ／ＨＩ（１０ｎｍ）／ＨＴ（３０ｎｍ）／ＥＢＬ（１０ｎｍ）／Ｈｏｓｔ：３ｗｔ％１８０（３０ｎｍ）／ＨＢＬ（１０ｎｍ）ＥＴ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）

【0165】

本実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスＤ１５についてデバイス性能を測定した結果は以下のとおりである。直流電圧を印加し、１０ｃｄ／ｍ^２で発光するときの特性を測定した結果、波長６３５ｎｍ、半値幅４６ｎｍ、ＣＩＥ色座標（ｘ，ｙ）＝（０．７０，０．３０）、外量子効率ＥＱＥ ２５．６％の赤色発光（駆動電圧２．３Ｖ）を得ることができた。

【0166】

デバイス実施例１６
発光層中のワイドバンドギャップ型ホスト材料ＨｏｓｔをＴＡＤＦ型ホストＴＤに変更し、染料を１から１８０に変更した以外、デバイス実施例１の製造方法と同様であった。デバイス構造は以下のとおりである。

【0167】

ＩＴＯ／ＨＩ（１０ｎｍ）／ＨＴ（３０ｎｍ）／ＥＢＬ（１０ｎｍ）／ＴＤ：３ｗｔ％１８０（３０ｎｍ）／ＨＢＬ（１０ｎｍ）ＥＴ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）

【0168】

本実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスＤ１６についてデバイス性能を測定した結果は以下のとおりである。直流電圧を印加し、１０ｃｄ／ｍ^２で発光するときの特性を測定した結果、波長６３５ｎｍ、半値幅４６ｎｍ、ＣＩＥ色座標（ｘ，ｙ）＝（０．７０，０．３０）、外量子効率ＥＱＥ ３１．６％の赤色発光（駆動電圧２．２Ｖ）を得ることができた。

【0169】

デバイス比較例１
発光層に使用される本発明の化合物１を従来技術における化合物Ｐ１に変更した以外、デバイス実施例１の製造方法と同様であった。デバイス構造は具体的には以下のとおりである。
ＩＴＯ／ＨＩ（１０ｎｍ）／ＨＴ（４０ｎｍ）／Ｈｏｓｔ：３ｗｔ％ Ｐ１（３０ｎｍ）／ＥＴ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）

【0170】

本実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスＤＤ１についてデバイス性能を測定した結果は以下のとおりである。直流電圧を印加し、１０ｃｄ／ｍ^２で発光するときの特性を測定した結果、波長４５９ｎｍ、半値幅２８ｎｍ、ＣＩＥ色座標（ｘ，ｙ）＝（０．１３，０．０９）、外量子効率ＥＱＥ １３．５％の青色発光（駆動電圧３．６Ｖ）を得ることができた。

【0171】

デバイス比較例２
発光層に使用される本発明の化合物１を従来技術における化合物Ｐ１に変更した以外、デバイス実施例２の製造方法と同様であった。デバイス構造は具体的には以下のとおりである。
ＩＴＯ／ＨＩ（１０ｎｍ）／ＨＴ（４０ｎｍ）／ＴＤ：３ｗｔ％ Ｐ１（３０ｎｍ）／ＥＴ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）

【0172】

本実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスＤＤ２についてデバイス性能を測定した結果は以下のとおりである。直流電圧を印加し、１０ｃｄ／ｍ^２で発光するときの特性を測定した結果、波長４６０ｎｍ、半値幅２８ｎｍ、ＣＩＥ色座標（ｘ，ｙ）＝（０．１３，０．０９）、外量子効率ＥＱＥ １８．４％の青色発光（駆動電圧３．３Ｖ）を得ることができた。

【0173】

デバイス比較例３
発光層に使用される本発明の化合物１を従来技術における化合物Ｐ２に変更した以外、デバイス実施例１の製造方法と同様であった。デバイス構造は具体的には以下のとおりである。

【0174】

ＩＴＯ／ＨＩ（１０ｎｍ）／ＨＴ（４０ｎｍ）／Ｈｏｓｔ：３ｗｔ％ Ｐ２（３０ｎｍ）／ＥＴ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）

【0175】

本実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスＤＤ１についてデバイス性能を測定した結果は以下のとおりである。直流電圧を印加し、１０ｃｄ／ｍ^２で発光するときの特性を測定した結果、波長５１９ｎｍ、半値幅３８ｎｍ、ＣＩＥ色座標（ｘ，ｙ）＝（０．２７，０．６９）、外量子効率ＥＱＥ １９．５％の緑色発光（駆動電圧２．６Ｖ）を得ることができた。

【0176】

デバイス比較例４
発光層に使用される本発明の化合物１を従来技術における化合物Ｐ２に変更した以外、デバイス実施例２の製造方法と同様であった。デバイス構造は具体的には以下のとおりである。

【0177】

ＩＴＯ／ＨＩ（１０ｎｍ）／ＨＴ（４０ｎｍ）／ＴＤ：３ｗｔ％ Ｐ２（３０ｎｍ）／ＥＴ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）

【0178】

本実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスＤＤ２についてデバイス性能を測定した結果は以下のとおりである。直流電圧を印加し、１０ｃｄ／ｍ^２で発光するときの特性を測定した結果、波長５１９ｎｍ、半値幅３８ｎｍ、ＣＩＥ色座標（ｘ，ｙ）＝（０．２７，０．６９）、外量子効率ＥＱＥ ２５．５％の緑色発光（駆動電圧２．５Ｖ）を得ることができた。

【0179】

デバイス比較例５
発光層に使用される本発明の化合物１を従来技術における化合物Ｐ３に変更した以外、デバイス実施例１の製造方法と同様であった。デバイス構造は具体的には以下のとおりである。

【0180】

ＩＴＯ／ＨＩ（１０ｎｍ）／ＨＴ（４０ｎｍ）／Ｈｏｓｔ：３ｗｔ％ Ｐ３（３０ｎｍ）／ＥＴ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）

【0181】

本実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスＤＤ１についてデバイス性能を測定した結果は以下のとおりである。直流電圧を印加し、１０ｃｄ／ｍ^２で発光するときの特性を測定した結果、波長４５９ｎｍ、半値幅２９ｎｍ、ＣＩＥ色座標（ｘ，ｙ）＝（０．１３，０．１２）、外量子効率ＥＱＥ １２．５％の青色発光（駆動電圧３．４Ｖ）を得ることができた。

【0182】

デバイス比較例６
発光層に使用される本発明の化合物１を従来技術における化合物Ｐ３に変更した以外、デバイス実施例２の製造方法と同様であった。デバイス構造は具体的には以下のとおりである。

【0183】

ＩＴＯ／ＨＩ（１０ｎｍ）／ＨＴ（４０ｎｍ）／ＴＤ：３ｗｔ％ Ｐ３（３０ｎｍ）／ＥＴ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）

【0184】

本実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスＤＤ２についてデバイス性能を測定した結果は以下のとおりである。直流電圧を印加し、１０ｃｄ／ｍ^２で発光するときの特性を測定した結果、波長４５９ｎｍ、半値幅２９ｎｍ、ＣＩＥ色座標（ｘ，ｙ）＝（０．１３，０．１２）、外量子効率ＥＱＥ １２．５％の青色発光（駆動電圧３．３Ｖ）を得ることができた。
上記の各実施例に使用される各有機材料の構造式は以下のとおりである。

【0185】

【表1-1】

【表1-2】

【0186】

上記の各デバイス実施例で製造される有機エレクトロルミネッセンスデバイスＤ１～デバイスＤ１６及びデバイスＤＤ１とＤＤ６の具体的な性能データを下記の表２に示す。

【0187】

【表2】

【0188】

以上の実験データから明らかなように、本発明の化合物では、直線状供与体－Π－供与体が導入されており、直線状供与体－Π－受容体又は直線状受容体－Π－受容体の特殊な構造により、多重共鳴を保持しつつ、フロンティア軌道のエネルギー分裂を通じて有効なレッドシフトを発生させ、これによって、目的の分子に高い発光効率と高い色純度を持たせる。このシリーズの材料は現在のＭＲ－ＴＡＤＦ材料よりも光色の大きなレッドシフトができ、橙赤色光、赤色光から近赤外光が得られ、これによって、多重共鳴－熱活性化遅延蛍光の材料系及び発光色の範囲を大幅に拡大させ、応用の将来性が期待できる。

【0189】

本発明は実施例によって説明されたが、本発明は上記の実施例に限定されるものではなく、当業者が本発明の構想に基づいて各種の修正や改良を行うことができ、添付の特許請求の範囲は本発明の範囲を含む。

【0190】

もちろん、上記の実施例は明確に説明するための例示に過ぎず、実施形態を限定するものではない。当業者であれば、上記の説明に基づいて他の形態の変化や変更を行うことができる。ここでは、全ての実施形態を網羅的に挙げることができず、また、不可能なことである。これらから導き出される明らかな変化や変動も本発明の特許範囲に属する。

【符号の説明】

【0191】

１ 基板
２ 陽極
３ 正孔輸送層
４ 有機発光層
５ 電子輸送層
６ 陰極

【図1】

【国際調査報告】