特表 2023-537485 インプリントのための多目的整合の管理

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2023-09-01

(54)【発明の名称】インプリントのための多目的整合の管理

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20230825BHJP

   B29C 59/02 20060101ALI20230825BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 502D

B29C59/02 Z

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023507625

(86)(22)【出願日】2021-08-06

(85)【翻訳文提出日】2023-03-16

(86)【国際出願番号】 US2021045118

(87)【国際公開番号】W WO2022032204

(87)【国際公開日】2022-02-10

(31)【優先権主張番号】63/062,527

(32)【優先日】2020-08-07

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】514108838

【氏名又は名称】マジック リープ， インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】Ｍａｇｉｃ Ｌｅａｐ，Ｉｎｃ．

【住所又は居所原語表記】７５００ Ｗ ＳＵＮＲＩＳＥ ＢＬＶＤ，ＰＬＡＮＴＡＴＩＯＮ，ＦＬ ３３３２２ ＵＳＡ

(74)【代理人】

【識別番号】100078282

【弁理士】

【氏名又は名称】山本 秀策

(74)【代理人】

【識別番号】100113413

【弁理士】

【氏名又は名称】森下 夏樹

(74)【代理人】

【識別番号】100181674

【弁理士】

【氏名又は名称】飯田 貴敏

(74)【代理人】

【識別番号】100181641

【弁理士】

【氏名又は名称】石川 大輔

(74)【代理人】

【識別番号】230113332

【弁護士】

【氏名又は名称】山本 健策

(72)【発明者】

【氏名】セビア， ジェレミー リー

(72)【発明者】

【氏名】サダム， サティシュ

(72)【発明者】

【氏名】イムホフ， ジョセフ マイケル

(72)【発明者】

【氏名】ルオ， カン

(72)【発明者】

【氏名】ワン， カンカン

(72)【発明者】

【氏名】パターソン， ロイ マシュー

(72)【発明者】

【氏名】シュエ， チージェン

(72)【発明者】

【氏名】ベスト， ブレット ウィリアム

(72)【発明者】

【氏名】カーデン， チャールズ スコット

(72)【発明者】

【氏名】シャフラン， マシュー エス．

(72)【発明者】

【氏名】ミラー， マイケル ネビン

【テーマコード（参考）】

4F209

5F146

【Ｆターム（参考）】

4F209AA44

4F209AF01

4F209AG05

4F209AH33

4F209AJ03

4F209PA08

4F209PA18

4F209PB01

4F209PJ05

4F209PN06

4F209PN09

4F209PN13

4F209PQ09

5F146AA31

(57)【要約】

インプリント（例えば、片面または両面）における多目的整合を管理するためのシステムおよび方法が、提供される。例示的システムは、テンプレートロールを移動させるためのローラと、基板を保持するためのステージと、レジストを基板上に分注するためのディスペンサと、レジストを硬化させ、インプリントを基板上に形成するための光源と、テンプレートの基点マークを位置合わせし、テンプレートオフセットを決定するための第１の検査システムと、基板上のインプリントを位置合わせし、インプリントの標的場所と実際の場所との間のウエハ位置合わせオフセットを決定するための第２の検査システムと、テンプレートオフセットに基づいて、基板をレジストとともにテンプレートの下方で移動させ、ウエハ位置合わせオフセットに基づいて、基板上のインプリントの重層バイアスを決定するように制御するためのコントローラとを含む。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

インプリント方法であって、
テンプレートロールをローラに沿って牽引することであって、前記テンプレートロールは、テンプレートおよび前記テンプレートのテンプレート基点マークを有するテンプレートフィールドを備える、ことと、
前記テンプレートのテンプレート基点マークを測定し、テンプレートオフセットを決定することと、
インプリント整合オフセットに基づいて、基板をレジストとともにステージ上で前記テンプレートロールのテンプレートの下方に来るように移動させることであって、前記インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、前記テンプレートオフセットに基づいて決定され、前記レジストは、前記基板の第１の側上にある、ことと、
前記テンプレートロールのテンプレートを前記基板上の前記レジストの中に押下することと、
前記レジストを硬化させ、インプリントを前記基板上に形成することであって、前記インプリントは、前記テンプレートに対応するインプリントされる特徴と、前記テンプレートのテンプレート基点マークに対応するインプリント基点マークとを有する、ことと、
前記インプリントのインプリント基点マークを測定し、前記インプリント基点マークと関連付けられる標的基点場所および実際の基点場所との間のウエハ位置合わせオフセットを決定することと、
少なくとも部分的に、前記ウエハ位置合わせオフセットに基づいて、前記基板の第１の側上の前記インプリントの重層バイアスを決定することと
を含む、インプリント方法。

【請求項2】

前記インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、装填オフセットに基づいて決定される、請求項１に記載のインプリント方法。

【請求項3】

前記装填オフセットは、少なくとも部分的に、別の基板上の前のインプリントプロセスに基づいて決定される、請求項２に記載のインプリント方法。

【請求項4】

前記インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、インプリント公称補正に基づいて決定される、請求項２または３に記載のインプリント方法。

【請求項5】

前記インプリント整合オフセットは、前記テンプレートオフセット、前記装填オフセット、および前記インプリント公称補正の和である、請求項４に記載のインプリント方法。

【請求項6】

前記基板上の前記インプリントの重層バイアスを決定することは、
少なくとも部分的に、前記装填オフセットに基づいて、前記重層バイアスを決定することを含む、請求項２－５のいずれか１項に記載のインプリント方法。

【請求項7】

前記重層バイアスは、前記ウエハ位置合わせオフセット－前記装填オフセットであると決定される、請求項６に記載のインプリント方法。

【請求項8】

少なくとも部分的に、前記装填オフセットに基づいて決定される分注整合オフセットに従って、前記基板を前記ステージ上でレジストディスペンサの下方に来るように移動させることをさらに含む、請求項２－７のいずれか１項に記載のインプリント方法。

【請求項9】

前記分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、公称分注場所からのレジスト心合に対するインプリントのための補正を提供する分注オフセットに基づいて決定される、請求項８に記載のインプリント方法。

【請求項10】

前記分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、分注公称補正に基づいて決定される、請求項９に記載のインプリント方法。

【請求項11】

前記分注整合オフセットは、前記装填オフセット、前記分注オフセット、および前記分注公称補正の和である、請求項１０に記載のインプリント方法。

【請求項12】

前記インプリントを伴う前記基板の画像を測定し、インプリント／基板画像オフセットまたはインプリント／レジスト画像オフセットのうちの少なくとも１つを決定することをさらに含む、請求項８－１１のいずれか１項に記載のインプリント方法。

【請求項13】

前記インプリント／基板画像オフセットまたは前記インプリント／レジスト画像オフセットのうちの少なくとも１つに基づいて、前記分注整合オフセットを更新することをさらに含む、請求項１２に記載のインプリント方法。

【請求項14】

前記更新された分注整合オフセットを使用して、前記テンプレートロールのテンプレートを用いて、第２の基板を反復的にインプリントすることをさらに含む、請求項１３に記載のインプリント方法。

【請求項15】

前記インプリント／基板画像オフセットに基づいて、前記装填オフセットを更新することをさらに含み、
前記分注整合オフセットは、前記更新された装填オフセットに基づいて更新される、請求項１３または１４に記載のインプリント方法。

【請求項16】

前記更新された装填オフセットは、前記インプリント／基板画像オフセットを定数によって乗算する結果および前記装填オフセットの和と同じである、請求項１４に記載のインプリント方法。

【請求項17】

前記インプリント／レジスト画像オフセットに基づいて、前記分注オフセットを更新することをさらに含み、
前記分注整合オフセットは、前記更新された分注オフセットに基づいて更新される、請求項１３－１６のいずれか１項に記載のインプリント方法。

【請求項18】

前記更新された分注オフセットは、前記インプリント／レジスト画像オフセットを第２の定数によって乗算する結果および前記分注オフセットの和と同じである、請求項１７に記載のインプリント方法。

【請求項19】

前記第２の定数は、アプリケーション、機械学習、または経験的データのうちの少なくとも１つによって決定される、請求項１８に記載のインプリント方法。

【請求項20】

前記インプリントを伴う前記基板の画像を測定し、インプリント／基板画像オフセットまたはインプリント／レジスト画像オフセットのうちの少なくとも１つを決定することは、
検査システムを使用することによって、前記インプリントを伴う前記基板の画像を測定することを含む、請求項１２－１９のいずれか１項に記載のインプリント方法。

【請求項21】

規定されたパターンに従って、レジスト液滴を前記基板の第１の側上に分注することをさらに含む、請求項８－２０のいずれか１項に記載のインプリント方法。

【請求項22】

前記基板は、チャックを介して、前記ステージ上に保持される、先行請求項のいずれかに記載のインプリント方法。

【請求項23】

前記チャックは、前記チャックの他の面積より良好な画像コントラストを有する測定面積を備え、
前記基板は、前記基板上の前記インプリントの前記インプリント基点マークが前記測定面積内にある状態で、前記チャック上に保持される、請求項２２に記載のインプリント方法。

【請求項24】

前記チャックの測定面積は、シリコン材料とともに挿入される、請求項２３に記載のインプリント方法。

【請求項25】

前記テンプレートのテンプレート基点マークを測定し、テンプレートオフセットを決定することは、
上方視検査システムを使用して、前記テンプレートのテンプレート基点マークを測定することを含む、先行請求項のいずれかに記載のインプリント方法。

【請求項26】

前記上方視検査システムは、前記ステージ上に位置付けられる、請求項２５に記載のインプリント方法。

【請求項27】

前記テンプレートフィールドは、１つまたはそれを上回るテンプレートのための複数の基点マークを備え、
前記上方視検査システムは、複数のカメラを備え、前記複数のカメラはそれぞれ、前記１つまたはそれを上回るテンプレートのための前記複数の基点マークの異なる対応する基点マークを含む画像を捕捉するように構成される、請求項２５または２６に記載のインプリント方法。

【請求項28】

前記インプリントのインプリント基点マークを測定し、ウエハ位置合わせオフセットを決定することは、
下方視検査システムを使用して、前記インプリントのインプリント基点マークを測定することを含む、先行請求項のいずれかに記載のインプリント方法。

【請求項29】

前記下方視検査システムは、前記ステージに基づいて、座標系内で位置合わせされ、
前記インプリントのインプリント基点マークを測定することは、前記インプリントのインプリント基点マークを前記座標系内に位置合わせすることを含む、請求項２８に記載のインプリント方法。

【請求項30】

前記ステージは、１つまたはそれを上回るインプリントを伴う１つまたはそれを上回る基板を保持するように構成され、
前記下方視検査システムは、複数のカメラを備え、前記複数のカメラはそれぞれ、前記１つまたはそれを上回る基板上の前記１つまたはそれを上回るインプリントの異なる対応する基点マークを含む画像を捕捉するように構成される、請求項２８または２９に記載のインプリント方法。

【請求項31】

前記テンプレートのテンプレート基点マークを測定し、テンプレートオフセットを決定することは、前記テンプレートのテンプレート基点マークを座標系内に位置合わせすることを含み、
前記インプリントのインプリント基点マークを測定し、ウエハ位置合わせオフセットを決定することは、前記インプリント基点マークを前記座標系内に位置合わせすることを含む、先行請求項のいずれかに記載のインプリント方法。

【請求項32】

前記座標系は、前記ステージに基づく、請求項３１に記載のインプリント方法。

【請求項33】

前記座標系は、Ｘ方向、Ｙ方向、およびシータ方向を有するＸＹＴ座標系である、請求項３２に記載のインプリント方法。

【請求項34】

インプリント整合オフセットに基づいて、基板をレジストとともにステージ上で前記テンプレートロールのテンプレートの下方に来るように移動させることは、
前記テンプレートロールのテンプレートが、前記インプリント整合オフセットに基づいて、前記基板と整合されるように、前記テンプレートロールの牽引速度に対して、前記基板を保持する前記ステージの移動速度を制御することを含む、先行請求項のいずれかに記載のインプリント方法。

【請求項35】

前記テンプレートフィールドを前記基板上の前記レジスト上にインプリントする前に、前記テンプレートロール上の前記テンプレートフィールドが前記基板上の前記レジストと接触せずに移動している状態で、少なくとも１つのシミュレートされたインプリントシーケンスを実施することをさらに含む、先行請求項のいずれかに記載のインプリント方法。

【請求項36】

前記基板を前記インプリントとともに反転させ、前記第１の側が前記ステージに向かって面し、第２の側が前記ステージから外方を向いた状態で、前記反転された基板を前記ステージ上に装填することであって、前記第２の側は、前記第１の側の反対にある、ことと、
前記反転されたインプリントの反転されたインプリント基点マークを測定し、前記反転されたインプリント基点マークと関連付けられる第２の標的基点場所と第２の実際の基点場所との間の第２のウエハ位置合わせオフセットを決定することと、
前記テンプレートロールの前記テンプレートフィールド内の第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークを測定し、第２のテンプレートオフセットを決定することと、
第２のインプリント整合オフセットに基づいて、前記テンプレートロールの前記テンプレートフィールド内の前記第２のテンプレートの下方に来るように、前記反転された基板を前記第２の側上の第２のレジストとともに移動させることであって、前記第２のインプリント整合オフセットは、前記第２のテンプレートオフセット、前記第２のウエハ位置合わせオフセット、および前記重層バイアスに基づいて決定される、ことと、
前記テンプレートロールの前記第２のテンプレートを前記反転された基板上の前記第２のレジストの中に押下することと、
前記第２のレジストを硬化させ、第２のインプリントを前記第２の側上に形成することであって、前記第２のインプリントは、前記第２のテンプレートに対応する第２のインプリントされる特徴と、前記第２のテンプレートの前記第２のテンプレート基点マークに対応する第２のインプリント基点マークとを有する、ことと、
前記第１の側上の前記反転されたインプリントの前記反転されたインプリント基点マークおよび前記第２の側上の前記第２のインプリントの前記第２のインプリント基点マークを測定し、前記反転されたインプリント基点マークおよび前記第２のインプリント基点マークと関連付けられる標的基点オフセットと実際の基点オフセットとの間の両面重層誤差を決定することと、
前記両面重層誤差に基づいて、前記第１の側上の前記反転されたインプリントと前記第２の側上の前記第２のインプリントとの間の両面重層バイアスを決定することと
をさらに含む、先行請求項のいずれかに記載のインプリント方法。

【請求項37】

前記重層バイアスを前記両面重層バイアスとなるように更新することと、
前記更新された重層バイアスに基づいて、前記テンプレートロールの前記第２のテンプレートを使用して、第２の基板を反復的にインプリントすることと
をさらに含む、請求項３６に記載のインプリント方法。

【請求項38】

前記両面重層バイアスは、前記両面重層誤差を定数によって乗算する結果および前の両面重層バイアスの和と同じである、請求項３６または３７に記載のインプリント方法。

【請求項39】

前記第２のインプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２のインプリント公称補正に基づいて決定される、請求項３６－３８のいずれか１項に記載のインプリント方法。

【請求項40】

前記第２のインプリント整合オフセットは、前記第２のテンプレートオフセット、前記第２のウエハ位置合わせオフセット、前記重層バイアス、および前記第２のインプリント公称補正の和である、請求項３９に記載のインプリント方法。

【請求項41】

少なくとも部分的に、前記重層バイアスおよび前記第２のウエハ位置合わせオフセットに基づいて決定される第２の分注整合オフセットに従って、前記反転された基板を前記ステージ上でレジストディスペンサの下方に来るように移動させることをさらに含む、請求項３６－４０のいずれか１項に記載のインプリント方法。

【請求項42】

前記第２の分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２の公称分注場所からのレジスト心合に対するインプリントのための補正を提供する第２の分注オフセットに基づいて決定される、請求項４１に記載のインプリント方法。

【請求項43】

前記第２の分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２の分注公称補正に基づいて決定される、請求項４２に記載のインプリント方法。

【請求項44】

前記第２の分注整合オフセットは、前記重層バイアス、前記第２のウエハ位置合わせオフセット、前記第２の分注オフセット、および前記第２の分注公称補正の和である、請求項４３に記載のインプリント方法。

【請求項45】

前記反転されたインプリントおよび前記第２のインプリントを伴う前記反転された基板の画像を測定し、第２のインプリント／レジスト画像オフセットを決定することをさらに含む、請求項４２－４４のいずれか１項に記載のインプリント方法。

【請求項46】

前記第２のインプリント／レジスト画像オフセットに基づいて、前記第２の分注整合オフセットを更新することをさらに含む、請求項４５に記載のインプリント方法。

【請求項47】

前記第２のインプリント／レジスト画像オフセットに基づいて、前記第２の分注オフセットを更新することをさらに含み、
前記第２の分注整合オフセットは、前記更新された第２の分注オフセットに基づいて更新される、請求項４６に記載のインプリント方法。

【請求項48】

前記更新された第２の分注オフセットは、前記第２のインプリント／レジスト画像オフセットを定数によって乗算する結果および前記第２の分注オフセットの和と同じである、請求項４７に記載のインプリント方法。

【請求項49】

前記更新された第２の分注整合オフセットに基づいて、前記テンプレートロールの前記第２のテンプレートを使用して、第２の基板を反復的にインプリントすることをさらに含む、請求項４７または４８に記載のインプリント方法。

【請求項50】

前記反転された基板は、チャックを介して、前記ステージ上に保持され、前記チャックは、前記チャックの他の面積より良好な画像コントラストを有する測定面積を備え、
前記反転された基板は、前記反転されたインプリントの前記反転されたインプリント基点マークおよび前記第２のインプリントの前記第２のインプリント基点マークが前記測定面積内にある状態で、前記チャック上に保持される、請求項３６－４９のいずれか１項に記載のインプリント方法。

【請求項51】

前記ステージは、第１のチャックを介して、第１の基板を、第２のチャックを介して、第２の基板を保持し、前記基板は、前記第１の基板であり、前記テンプレートロールのテンプレートフィールドは、第１のテンプレートおよび前記第２のテンプレートを備え、前記テンプレートは、前記第１のテンプレートであり、前記インプリントは、第１のプリントであり、
前記インプリント方法は、
前記インプリント整合オフセットに基づいて、前記第１の基板と前記第１のテンプレートおよび前記第２の基板と前記第２のテンプレートを整合させることと、
前記第１のインプリントを前記第１の基板の第１の側上に、前記第２のインプリントを前記第２の基板の第１の側上に形成することと
を含む、先行請求項のいずれかに記載のインプリント方法。

【請求項52】

前記第１の基板を反転させ、前記反転された第１の基板を前記第２のチャック上に装填することと、
前記第２の基板を反転させ、前記反転された第２の基板を前記第１のチャック上に装填することと、
前記第２のインプリント整合オフセットに基づいて、前記反転された第２の基板と前記第１のテンプレートおよび前記反転された第１の基板と前記第２のテンプレートを整合させることと、
前記第１のインプリントを前記第２の基板の第２の側上に、前記第２のインプリントを前記第１の基板の第２の側上に形成することと
を含む、請求項５１に記載のインプリント方法。

【請求項53】

前記基板は、透明である、先行請求項のいずれかに記載のインプリント方法。

【請求項54】

インプリントシステムであって、
テンプレートロールを移動させるためのローラであって、前記テンプレートロールは、テンプレート基点マークを伴うテンプレートを有するテンプレートフィールドを備える、ローラと、
基板を保持するための可動ステージと、
前記ステージを前記基板とともに移動させるための移動システムと、
レジストを前記基板の側上に分注するためのレジストディスペンサと、
前記レジストを硬化させるための光源であって、前記光源は、前記テンプレートロールのテンプレートが前記基板の前記側上の前記レジストの中に押下されると、前記レジストを硬化させ、インプリントを前記基板の前記側上に形成するように構成され、前記インプリントは、前記テンプレートに対応するインプリントされる特徴と、前記テンプレートのテンプレート基点マークに対応するインプリント基点マークとを有する、光源と、
前記テンプレートのテンプレート基点マークを座標系内に位置合わせし、テンプレートオフセットを決定するための第１の検査システムと、
前記基板上の前記インプリントを前記座標系内に位置合わせし、前記インプリント基点マークと関連付けられる標的基点場所と実際の基点場所との間のウエハ位置合わせオフセットを決定するための第２の検査システムと、
コントローラであって、
インプリント整合オフセットに基づいて、前記移動システムを制御し、前記基板を前記レジストとともに前記テンプレートロールのテンプレートの下方に来るように移動させることであって、前記インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、前記テンプレートオフセットに基づいて決定される、ことと、
少なくとも部分的に、前記ウエハ位置合わせオフセットに基づいて、前記基板の前記側上の前記インプリントの重層バイアスを決定することと
を行うように構成される、コントローラと
を備える、インプリントシステム。

【請求項55】

前記基板を前記ステージ上に装填するための装填システムをさらに備える、請求項５４に記載のインプリントシステム。

【請求項56】

機械学習によって、前記インプリントを伴う前記基板の画像を測定し、装填オフセットを更新するための第３の検査システムをさらに備える、請求項５４または５５に記載のインプリントシステム。

【請求項57】

前記基板のための前記インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、前記基板に先立って処理された１つまたはそれを上回る基板に基づいて更新された前記装填オフセットに従って決定される、請求項５６に記載のインプリントシステム。

【請求項58】

前記インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、インプリント公称補正に基づいて決定され、
前記インプリント整合オフセットは、前記テンプレートオフセット、前記装填オフセット、および前記インプリント公称補正の和である、請求項５７に記載のインプリントシステム。

【請求項59】

前記コントローラは、前記重層バイアスが前記ウエハ位置合わせオフセット－前記装填オフセットとなることを決定するように構成される、請求項５６－５８に記載のインプリントシステム。

【請求項60】

前記コントローラは、少なくとも部分的に、前記装填オフセットに基づいて決定される、分注整合オフセットに従って、前記移動システムを制御し、前記基板を前記ステージ上で前記レジストディスペンサの下方に来るように移動させるように構成される、請求項５６－５９に記載のインプリントシステム。

【請求項61】

前記コントローラは、前記分注整合オフセットが、少なくとも部分的に、公称分注場所からのレジスト心合に対するインプリントのための補正を提供する分注オフセットに基づいて決定されることを決定するように構成される、請求項６０に記載のインプリントシステム。

【請求項62】

前記コントローラは、前記分注整合オフセットが前記装填オフセット、前記分注オフセット、および前記分注公称補正の和となることを決定するように構成される、請求項６１に記載のインプリントシステム。

【請求項63】

前記第３の検査システムは、前記インプリントを伴う前記基板の画像を測定し、インプリント／基板画像オフセットまたはインプリント／レジスト画像オフセットのうちの少なくとも１つを決定するように構成される、請求項６１または６２に記載のインプリントシステム。

【請求項64】

前記コントローラは、前記インプリント／基板画像オフセットまたは前記インプリント／レジスト画像オフセットのうちの少なくとも１つに基づいて、前記分注整合オフセットを更新するように構成され、前記更新された分注整合オフセットは、前記テンプレートロールのテンプレートを用いて、第２の基板を反復的にインプリントするためのものである、請求項６３に記載のインプリントシステム。

【請求項65】

前記コントローラは、
前記装填オフセットを前記インプリント／基板画像オフセットを第１の定数によって乗算する結果および前記装填オフセットの和と同じとなるように更新することと、
前記分注オフセットを、前記インプリント／レジスト画像オフセットを第２の定数によって乗算する結果および前記分注オフセットの和と同じとなるように更新することと、
前記更新された装填オフセットおよび前記更新された分注オフセットに基づいて、前記分注整合オフセットを更新することと
を行うように構成される、請求項６４に記載のインプリントシステム。

【請求項66】

前記基板は、チャックを介して、前記ステージ上に保持され、
前記チャックは、前記チャックの他の面積より良好な画像コントラストを有する測定面積を備え、
前記基板は、前記基板の前記基板基点マークが前記測定面積内にある状態で、前記チャック上に装填される、
請求項５４－６５のいずれか１項に記載のインプリントシステム。

【請求項67】

前記第１の検視システムは、前記ステージ上に位置付けられる、請求項５４－６６のいずれか１項に記載のインプリントシステム。

【請求項68】

前記テンプレートフィールドは、１つまたはそれを上回るテンプレートのための複数の基点マークを備え、
前記第１の検査システムは、複数のカメラを備え、前記複数のカメラはそれぞれ、前記１つまたはそれを上回るテンプレートのための前記複数の基点マークの異なる対応する基点マークを含む画像を捕捉するように構成される、請求項５４－６７のいずれか１項に記載のインプリントシステム。

【請求項69】

前記第２の検査システムは、前記座標系内で所定の場所と位置合わせされる、請求項５４－６８のいずれか１項に記載のインプリントシステム。

【請求項70】

前記ステージは、それぞれが１つまたはそれを上回る基点マークを有する１つまたはそれを上回るインプリントを伴う１つまたはそれを上回る基板を保持するように構成され、
前記第２の検査システムは、複数のカメラを備え、前記複数のカメラはそれぞれ、前記１つまたはそれを上回る基板上の前記１つまたはそれを上回るインプリントの前記１つまたはそれを上回る基点マークの異なる対応する基点マークを含む画像を捕捉するように構成される、請求項６９に記載のインプリントシステム。

【請求項71】

前記コントローラは、
前記テンプレートロールのテンプレートが、前記インプリント整合オフセットに基づいて、前記基板と整合されるように、前記テンプレートロールの牽引速度に対して、前記基板を保持する前記ステージの移動速度を制御するように構成される、請求項５４－７０のいずれか１項に記載のインプリントシステム。

【請求項72】

前記コントローラは、
前記テンプレートフィールドを前記基板上の前記レジスト上にインプリントする前に、前記テンプレートロール上の前記テンプレートフィールドが前記基板上の前記レジストと接触せずに移動している状態で、少なくとも１つのシミュレートされたインプリントシーケンスを実施するように構成される、請求項５４－７１のいずれか１項に記載のインプリントシステム。

【請求項73】

前記基板を前記ステージから装填解除するための装填解除システムをさらに備える、請求項５４－７２のいずれか１項に記載のインプリントシステム。

【請求項74】

前記インプリントを伴う前記基板を反転させるための反転システムと、
第１の側が前記ステージに向かって面し、第２の側が前記ステージから外方を向いた状態で、前記反転された基板を前記ステージ上に装填するための装填システムであって、前記第２の側は、前記第１の側の反対にあり、前記インプリントは、前記第１の側上にある、装填システムと
をさらに備える、請求項７３に記載のインプリントシステム。

【請求項75】

前記第１の検査システムは、前記テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークを前記座標系内に位置合わせし、第２のテンプレートオフセットを決定するように構成され、
前記第２の検査システムは、前記反転された基板と前記反転されたインプリントを前記座標系内で位置合わせし、前記反転されたインプリントの反転されたインプリント基点マークと関連付けられる第２の標的基点場所と第２の実際の基点場所との間の第２のウエハ位置合わせオフセットを決定するように構成され、
前記コントローラは、第２のインプリント整合オフセットに基づいて、前記移動システムを制御し、前記テンプレートロールの前記テンプレートフィールド内の前記第２のテンプレートの下方に来るように、前記反転された基板を前記第２の側上の第２のレジストとともに移動させるように構成され、前記第２のインプリント整合オフセットは、前記第２のテンプレートオフセット、前記第２のウエハ位置合わせオフセット、および前記重層バイアスに基づいて決定される、
請求項７４に記載のインプリントシステム。

【請求項76】

前記光源は、前記テンプレートロールの前記第２のテンプレートが前記基板の前記第２の側上の前記第２のレジストの中に押下されると、前記第２のレジストを硬化させ、第２のインプリントを前記第２の側上に形成するように構成され、前記第２のインプリントは、前記第２のテンプレートに対応する第２のインプリントされる特徴と、前記第２のテンプレートの前記第２のテンプレート基点マークに対応する第２のインプリント基点マークとを有し、
前記第２の検査システムは、前記基板と前記第１の側上の前記反転されたインプリントおよび前記第２の側上の前記第２のインプリントを前記座標系内で位置合わせし、前記反転されたインプリント基点マークおよび前記第２のインプリント基点マークと関連付けられる標的基点オフセットと実際の基点オフセットとの間の両面ウエハ位置合わせオフセットを決定するように構成され、
前記コントローラは、前記両面ウエハ位置合わせオフセットに基づいて、前記第１の側上の前記反転されたインプリントと前記第２の側上の前記第２のインプリントとの間の両面重層バイアスを決定するように構成される、
請求項７５に記載のインプリントシステム。

【請求項77】

前記コントローラは、
前記テンプレートロールの前記第２のテンプレートを使用して、第２の基板を反復的にインプリントするために、前記重層バイアスを前記両面重層バイアスとなるように更新するように構成される、請求項７６に記載のインプリントシステム。

【請求項78】

前記コントローラは、前記第２のインプリント整合オフセットが前記第２のテンプレートオフセット、前記第２のウエハ位置合わせオフセット、前記重層バイアス、および第２のインプリント公称補正の和となることを決定するように構成される、請求項７５－７７のいずれか１項に記載のインプリントシステム。

【請求項79】

前記コントローラは、少なくとも部分的に、前記重層バイアスおよび前記第２のウエハ位置合わせオフセットに基づいて決定される第２の分注整合オフセットに従って、前記移動システムを制御し、前記反転された基板を前記ステージ上で前記レジストディスペンサの下方に来るように移動させるように構成される、請求項７５－７８のいずれか１項に記載のインプリントシステム。

【請求項80】

前記コントローラは、前記第２の分注整合オフセットが前記重層バイアス、前記第２のウエハ位置合わせオフセット、第２の分注オフセット、および第２の分注公称補正の和となることを決定するように構成され、前記第２の分注オフセットは、第２の公称分注場所からのレジスト心合に対するインプリントのための補正を提供する、請求項７９に記載のインプリントシステム。

【請求項81】

前記第３の検査システムは、前記反転されたインプリントおよび前記第２のインプリントを伴う前記反転された基板の画像を測定し、第２のインプリント／レジスト画像オフセットを決定するように構成され、
前記コントローラは、
前記第２のインプリント／レジスト画像オフセットに基づいて、前記第２の分注オフセットを更新することと、
前記テンプレートロールの前記第２のテンプレートを使用して、第２の基板を反復的にインプリントするために、前記更新された第２の分注オフセットに基づいて、前記第２の分注整合オフセットを更新することと
を行うように構成される、請求項８０に記載のインプリントシステム。

【請求項82】

前記ステージは、第１のチャックを介して、第１の基板を、第２のチャックを介して、第２の基板を保持し、前記基板は、前記第１の基板であり、前記テンプレートロールのテンプレートフィールドは、第１のテンプレートおよび前記第２のテンプレートを備え、前記テンプレートは、前記第１のテンプレートであり、前記インプリントは、第１のプリントであり、
前記インプリントシステムは、
前記インプリント整合オフセットに基づいて、前記第１の基板と前記第１のテンプレートおよび前記第２の基板と前記第２のテンプレートを整合させることと、
前記第１のインプリントを前記第１の基板の第１の側上に、前記第２のインプリントを前記第２の基板の第１の側上に形成することと、
前記第１の基板を反転させ、前記反転された第１の基板を前記第２のチャック上に装填することと、
前記第２の基板を反転させ、前記反転された第２の基板を前記第１のチャック上に装填することと、
前記第２のインプリント整合オフセットに基づいて、前記反転された第２の基板と前記第１のテンプレートおよび前記反転された第１の基板と前記第２のテンプレートを整合させることと、
前記第１のインプリントを前記第２の基板の第２の側上に、前記第２のインプリントを前記第１の基板の第２の側上に形成することと
を行うように構成される、請求項７４－８１のいずれか１項に記載のインプリントシステム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、「ＭＡＮＡＧＩＮＧ ＭＵＬＴＩ－ＯＢＪＥＣＴＩＶＥ ＡＬＩＧＮＭＥＮＴＳ ＦＯＲ ＩＭＰＲＩＮＴＩＮＧ」と題され、２０２０年８月７日に出願された、米国特許出願第第６３／０６２，５２７号の利益を主張する。

【0002】

本開示は、概して、インプリント技術に関し、特に、多目的整合を伴うインプリントに関する。

【背景技術】

【0003】

片面インプリントまたは両面インプリントを基板上にウェブ上でテンプレート（またはパターン）から作成するためのプロセス、ツール、または両方を開発するとき、克服すべき多くの課題が存在する。課題は、基板とテンプレートを整合させることと、インプリントと基板上のレジストを整合させることと、インプリントを基板の両側上で整合させることとを含み得る。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0004】

本開示は、上記に述べられた課題に対処し得る、インプリント（例えば、片面インプリントまたは両面インプリント）のための多目的整合を管理するための方法、デバイス、およびシステムを説明する。

【0005】

本開示の一側面は、インプリント方法であって、テンプレートロールをローラに沿って牽引することであって、テンプレートロールは、テンプレートおよびテンプレートのテンプレート基点マークを有する、テンプレートフィールドを含む、ことと、テンプレートのテンプレート基点マークを測定し、テンプレートオフセットを決定することと、インプリント整合オフセットに基づいて、基板をレジストとともにステージ上でテンプレートロールのテンプレートの下方に来るように移動させることであって、インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、テンプレートオフセットに基づいて決定され、レジストは、基板の第１の側上にある、ことと、テンプレートロールのテンプレートを基板上のレジストの中に押下することと、レジストを硬化させ、インプリントを基板上に形成することであって、インプリントは、テンプレートに対応する、インプリントされる特徴と、テンプレートのテンプレート基点マークに対応する、インプリント基点マークとを有する、ことと、インプリントのインプリント基点マークを測定し、インプリント基点マークと関連付けられる、標的基点場所および実際の基点場所との間のウエハ位置合わせオフセットを決定することと、少なくとも部分的に、ウエハ位置合わせオフセットに基づいて、基板の第１の側上のインプリントの重層バイアスを決定することとを含む、インプリント方法を特徴とする。

【0006】

インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、装填オフセットに基づいて決定されることができる。装填オフセットは、少なくとも部分的に、別の基板上の前のインプリントプロセスに基づいて決定されることができる。インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、インプリント公称補正に基づいて決定されることができる。いくつかの実施例では、インプリント整合オフセットは、テンプレートオフセット、装填オフセット、およびインプリント公称補正の和である。

【0007】

いくつかの実施例では、基板上のインプリントの重層バイアスを決定することは、少なくとも部分的に、装填オフセットに基づいて、重層バイアスを決定することを含む。重層バイアスは、ウエハ位置合わせオフセット－装填オフセットであると決定されることができる。

【0008】

いくつかの実装では、インプリント方法はさらに、少なくとも部分的に、装填オフセットに基づいて決定される、分注整合オフセットに従って、基板をステージ上でレジストディスペンサの下方に来るように移動させることを含む。分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、公称分注場所からのレジスト心合に対するインプリントのための補正を提供する、分注オフセットに基づいて決定されることができる。分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、分注公称補正に基づいて決定されることができる。いくつかの実施例では、分注整合オフセットは、装填オフセット、分注オフセット、および分注公称補正の和である。分注オフセットは、検査システムを使用して、機械学習によって取得されることができる。

【0009】

いくつかの実装では、インプリント方法はさらに、インプリントを伴う基板の画像を測定し、インプリント／基板画像オフセットまたはインプリント／レジスト画像オフセットのうちの少なくとも１つを決定することを含む。インプリント方法はさらに、インプリント／基板画像オフセットまたはインプリント／レジスト画像オフセットのうちの少なくとも１つに基づいて、分注整合オフセットを更新することを含むことができる。インプリント方法はさらに、更新された分注整合オフセットを使用して、テンプレートロールのテンプレートを用いて、第２の基板を反復的にインプリントすることを含むことができる。

【0010】

いくつかの実施例では、インプリント方法は、インプリント／基板画像オフセットに基づいて、装填オフセットを更新することを含み、分注整合オフセットは、更新された装填オフセットに基づいて更新される。更新された装填オフセットは、インプリント／基板画像オフセットをある定数によって乗算する結果および装填オフセットの和と同じであることができる。定数は、アプリケーション、機械学習、または経験的データのうちの少なくとも１つによって決定されることができる。

【0011】

いくつかの実施例では、インプリント方法はさらに、インプリント／レジスト画像オフセットに基づいて、分注オフセットを更新することを含み、分注整合オフセットは、更新された分注オフセットに基づいて更新される。更新された分注オフセットは、インプリント／レジスト画像オフセットを第２の定数によって乗算する結果および分注オフセットの和と同じであることができる。第２の定数は、アプリケーション、機械学習、または経験的データのうちの少なくとも１つによって決定されることができる。

【0012】

いくつかの実施例では、インプリントを伴う基板の画像を測定し、インプリント／基板画像オフセットまたはインプリント／レジスト画像オフセットのうちの少なくとも１つを決定することは、検査システムを使用することによって、インプリントを伴う基板の画像を測定することを含む。

【0013】

いくつかの実装では、インプリント方法はさらに、規定されたパターンに従って、レジスト液滴を基板の第１の側上に分注することを含む。

【0014】

基板は、チャックを介して、ステージ上に保持されることができる。チャックは、チャックの他の面積より良好な画像コントラストを有する、測定面積を含むことができ、基板は、基板上のインプリントのインプリント基点マークが測定面積内にある状態で、チャック上に保持されることができる。チャックの測定面積は、シリコン材料とともに挿入されることができる。

【0015】

いくつかの実装では、テンプレートのテンプレート基点マークを測定し、テンプレートオフセットを決定することは、上方視検査システムを使用して、テンプレートのテンプレート基点マークを測定することを含む。上方視検査システムは、ステージ上に位置付けられることができる。テンプレートフィールドは、１つまたはそれを上回るテンプレートのための複数の基点マークを含むことができる。上方視検査システムは、複数のカメラを含むことができ、複数のカメラはそれぞれ、１つまたはそれを上回るテンプレートのための複数の基点マークの異なる対応する基点マークを含む、画像を捕捉するように構成される。

【0016】

いくつかの実装では、インプリントのインプリント基点マークを測定し、ウエハ位置合わせオフセットを決定することは、下方視検査システムを使用して、インプリントのインプリント基点マークを測定することを含む。下方視検査システムは、ステージに基づいて、座標系内で位置合わせされることができ、インプリントのインプリント基点マークを測定することは、インプリントのインプリント基点マークを座標系内に位置合わせすることを含むことができる。ステージは、１つまたはそれを上回るインプリントを伴う１つまたはそれを上回る基板を保持するように構成されることができる。下方視検査システムは、複数のカメラを含むことができ、複数のカメラはそれぞれ、１つまたはそれを上回る基板上の１つまたはそれを上回るインプリントの異なる対応する基点マークを含む、画像を捕捉するように構成される。

【0017】

いくつかの実装では、テンプレートのテンプレート基点マークを測定し、テンプレートオフセットを決定することは、テンプレートのテンプレート基点マークを座標系内に位置合わせすることを含むことができる。インプリントのインプリント基点マークを測定し、ウエハ位置合わせオフセットを決定することは、インプリント基点マークを座標系内に位置合わせすることを含むことができる。座標系は、ステージに基づくことができる。座標系は、Ｘ方向、Ｙ方向、およびシータ方向を有する、ＸＹＴ座標系であることができる。１つまたはそれを上回るチャックが、ステージ上に配列されることができ、各チャックは、異なる独立ＸＹＴ座標系を提供する。

【0018】

いくつかの実装では、インプリント整合オフセットに基づいて、基板をレジストとともにステージ上でテンプレートロールのテンプレートの下方に来るように移動させることは、テンプレートロールのテンプレートが、インプリント整合オフセットに基づいて、基板と整合されるように、テンプレートロールの牽引速度に対して、基板を保持するステージの移動速度を制御することを含む。

【0019】

いくつかの実装では、インプリント方法はさらに、テンプレートフィールドを基板上のレジスト上にインプリントする前に、テンプレートロール上のテンプレートフィールドが基板上のレジストと接触せずに移動している状態で、少なくとも１つのシミュレートされたインプリントシーケンスを実施することを含む。少なくとも１つのシミュレートされたインプリントシーケンスは、重層バイアスを低減させるように実施されることができる。

【0020】

いくつかの実装では、インプリント方法はさらに、基板をインプリントとともに反転させ、第１の側がステージに向かって面し、第２の側がステージから外方を向いた状態で、反転された基板をステージ上に装填することであって、第２の側は、第１の側の反対にある、ことと、反転されたインプリントの反転されたインプリント基点マークを測定し、反転されたインプリント基点マークと関連付けられる、第２の標的基点場所と第２の実際の基点場所との間の第２のウエハ位置合わせオフセットを決定することと、テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークを測定し、第２のテンプレートオフセットを決定することと、第２のインプリント整合オフセットに基づいて、テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの下方に来るように、反転された基板を第２の側上の第２のレジストとともに移動させることであって、第２のインプリント整合オフセットは、第２のテンプレートオフセット、第２のウエハ位置合わせオフセット、および重層バイアスに基づいて決定される、ことと、テンプレートロールの第２のテンプレートを反転された基板上の第２のレジストの中に押下することと、第２のレジストを硬化させ、第２のインプリントを第２の側上に形成することであって、第２のインプリントは、第２のテンプレートに対応する、第２のインプリントされる特徴と、第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークに対応する、第２のインプリント基点マークとを有する、ことと、第１の側上の反転されたインプリントの反転されたインプリント基点マークおよび第２の側上の第２のインプリントの第２のインプリント基点マークを測定し、反転されたインプリント基点マークおよび第２のインプリント基点マークと関連付けられる、標的基点オフセットと実際の基点オフセットとの間の両面重層誤差を決定することと、両面重層誤差に基づいて、第１の側上の反転されたインプリントと第２の側上の第２のインプリントとの間の両面重層バイアスを決定することとを含む。

【0021】

インプリント方法はさらに、重層バイアスを両面重層バイアスとなるように更新することと、更新された重層バイアスに基づいて、テンプレートロールの第２のテンプレートを使用して、第２の基板を反復的にインプリントすることとを含むことができる。両面重層バイアスは、両面重層誤差をある定数によって乗算する結果および前の両面重層バイアスの和と同じであることができる。定数は、アプリケーション、機械学習、または経験的データのうちの少なくとも１つによって決定されることができる。

【0022】

第２のインプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２のインプリント公称補正に基づいて決定されることができる。第２のインプリント整合オフセットは、第２のテンプレートオフセット、第２のウエハ位置合わせオフセット、重層バイアス、および第２のインプリント公称補正の和であることができる。

【0023】

いくつかの実装では、インプリント方法はさらに、少なくとも部分的に、重層バイアスおよび第２のウエハ位置合わせオフセットに基づいて決定される、第２の分注整合オフセットに従って、反転された基板をステージ上でレジストディスペンサの下方に来るように移動させることを含む。第２の分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２の公称分注場所からのレジスト心合に対するインプリントのための補正を提供し得る、第２の分注オフセットに基づいて決定されることができる。第２の分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２の分注公称補正に基づいて決定されることができる。いくつかの実施例では、第２の分注整合オフセットは、重層バイアス、第２のウエハ位置合わせオフセット、第２の分注オフセット、および第２の分注公称補正の和である。

【0024】

いくつかの実装では、インプリント方法はさらに、反転されたインプリントおよび第２のインプリントを伴う反転された基板の画像を測定し、第２のインプリント／レジスト画像オフセットを決定することを含む。インプリント方法はさらに、第２のインプリント／レジスト画像オフセットに基づいて、第２の分注整合オフセットを更新することを含むことができる。インプリント方法はさらに、第２のインプリント／レジスト画像オフセットに基づいて、第２の分注オフセットを更新することを含むことができ、第２の分注整合オフセットは、更新された第２の分注オフセットに基づいて更新される。いくつかの実施例では、更新された第２の分注オフセットは、第２のインプリント／レジスト画像オフセットをある定数によって乗算する結果および第２の分注オフセットの和と同じである。定数は、アプリケーション、機械学習、または経験的データのうちの少なくとも１つによって決定されることができる。インプリント方法はさらに、更新された第２の分注整合オフセットに基づいて、テンプレートロールの第２のテンプレートを使用して、第２の基板を反復的にインプリントすることを含むことができる。

【0025】

いくつかの実装では、反転された基板は、チャックを介して、ステージ上に保持され、チャックは、チャックの他の面積より良好な画像コントラストを有する、測定面積を含み、反転された基板は、反転されたインプリントの反転されたインプリント基点マークおよび第２のインプリントの第２のインプリント基点マークが測定面積内にある状態で、チャック上に保持される。

【0026】

いくつかの実装では、ステージは、第１のチャックを介して、第１の基板を、第２のチャックを介して、第２の基板を保持し、基板は、第１の基板である。テンプレートロールのテンプレートフィールドは、第１のテンプレートと、第２のテンプレートとを含むことができ、テンプレートは、第１のテンプレートであって、インプリントは、第１のプリントである。インプリント方法は、インプリント整合オフセットに基づいて、第１の基板と第１のテンプレートおよび第２の基板と第２のテンプレートを整合させることと、第１のインプリントを第１の基板の第１の側上に、第２のインプリントを第２の基板の第１の側上に形成することとを含むことができる。いくつかの実施例では、インプリント方法は、第１の基板を反転させ、反転された第１の基板を第２のチャック上に装填することと、第２の基板を反転させ、反転された第２の基板を第１のチャック上に装填することと、第２のインプリント整合オフセットに基づいて、反転された第２の基板と第１のテンプレートおよび反転された第１の基板と第２のテンプレートを整合させることと、第１のインプリントを第２の基板の第２の側上に、第２のインプリントを第１の基板の第２の側上に形成することとを含む。いくつかの実施例では、基板は、透明である。

【0027】

本開示の別の側面は、インプリント方法であって、テンプレートロールをローラに沿って牽引することであって、テンプレートロールは、テンプレートおよびテンプレートのテンプレート基点マークを有する、テンプレートフィールドを含む、ことと、テンプレートのテンプレート基点マークを測定し、テンプレートオフセットを決定することと、少なくとも部分的に、装填オフセットに基づいて決定される、分注整合オフセットに従って、基板をステージ上でレジストディスペンサの下方に来るように移動させることと、レジストディスペンサを使用して、レジストを基板の第１の側上に分注することと、インプリント整合オフセットに基づいて、基板をレジストとともにステージ上でテンプレートロールのテンプレートの下方に来るように移動させることであって、インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、テンプレートオフセットおよび装填オフセットに基づいて決定される、ことと、テンプレートロールのテンプレートを基板上のレジストの中に押下することと、レジストを硬化させ、インプリントを基板上に形成することであって、インプリントは、テンプレートに対応する、インプリントされる特徴と、テンプレートのテンプレート基点マークに対応する、インプリント基点マークとを有する、こととを含む、インプリント方法を特徴とする。

【0028】

インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、インプリント公称補正に基づいて決定されることができる。インプリント整合オフセットは、テンプレートオフセット、装填オフセット、およびインプリント公称補正の和であることができる。

【0029】

分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、公称分注場所からのレジスト心合に対するインプリントのための補正を提供する、分注オフセットに基づいて決定されることができる。分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、分注公称補正に基づいて決定されることができる。いくつかの実施例では、分注整合オフセットは、装填オフセット、分注オフセット、および分注公称補正の和である。

【0030】

いくつかの実装では、インプリント方法はさらに、インプリントを伴う基板の画像を測定し、インプリント／基板画像オフセットまたはインプリント／レジスト画像オフセットのうちの少なくとも１つを決定することを含むことができる。インプリント方法はさらに、インプリント／基板画像オフセットまたはインプリント／レジスト画像オフセットのうちの少なくとも１つに基づいて、分注整合オフセットを更新することと、更新された分注整合オフセットを使用して、テンプレートロールのテンプレートを用いて、第２の基板を反復的にインプリントすることとを含むことができる。インプリント方法はさらに、インプリント／基板画像オフセットに基づいて、装填オフセットを更新することであって、分注整合オフセットは、更新された装填オフセットに基づいて更新される、こと、またはインプリント／レジスト画像オフセットに基づいて、分注オフセットを更新することであって、分注整合オフセットは、更新された分注オフセットに基づいて更新される、ことのうちの少なくとも１つを含むことができる。

【0031】

いくつかの実施例では、更新された装填オフセットは、インプリント／基板画像オフセットを第１の定数によって乗算する結果および装填オフセットの和と同じである。更新された分注オフセットは、インプリント／レジスト画像オフセットを第２の定数によって乗算する結果および分注オフセットの和と同じであることができる。第１の定数および第２の定数はそれぞれ、アプリケーション、機械学習、または経験的データのうちの少なくとも１つによって決定されることができる。

【0032】

いくつかの実装では、インプリント方法はさらに、インプリントのインプリント基点マークを測定し、インプリント基点マークと関連付けられる、標的基点場所および実際の基点場所との間のウエハ位置合わせオフセットを決定することと、少なくとも部分的に、ウエハ位置合わせオフセットに基づいて、基板の第１の側上のインプリントの重層バイアスを決定することとを含む。基板上のインプリントの重層バイアスを決定することは、重層バイアスがウエハ位置合わせオフセット－装填オフセットであることを決定することを含むことができる。インプリント方法はさらに、テンプレートフィールドを基板上のレジスト上にインプリントする前に、テンプレートロール上のテンプレートフィールドが基板上のレジストと接触せずに移動している状態で、少なくとも１つのシミュレートされたインプリントシーケンスを実施することを含むことができる。

【0033】

いくつかの実装では、インプリント方法はさらに、基板をインプリントとともに反転させ、第１の側がステージに向かって面し、第２の側がステージから外方を向いた状態で、反転された基板をステージ上に装填することであって、第２の側は、第１の側の反対にある、ことと、反転されたインプリントの反転されたインプリント基点マークを測定し、反転されたインプリント基点マークと関連付けられる、第２の標的基点場所と第２の実際の基点場所との間の第２のウエハ位置合わせオフセットを決定することと、テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークを測定し、第２のテンプレートオフセットを決定することと、第２のインプリント整合オフセットに基づいて、テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの下方に来るように、反転された基板を第２の側上の第２のレジストとともに移動させることであって、第２のインプリント整合オフセットは、第２のテンプレートオフセット、第２のウエハ位置合わせオフセット、および重層バイアスに基づいて決定される、ことと、テンプレートロールの第２のテンプレートを反転された基板上の第２のレジストの中に押下することと、第２のレジストを硬化させ、第２のインプリントを第２の側上に形成することであって、第２のインプリントは、第２のテンプレートに対応する、第２のインプリントされる特徴と、第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークに対応する、第２のインプリント基点マークとを有する、こととを含む。

【0034】

インプリント方法はさらに、第１の側上の反転されたインプリントの反転されたインプリント基点マークおよび第２の側上の第２のインプリントの第２のインプリント基点マークを測定し、反転されたインプリント基点マークおよび第２のインプリント基点マークと関連付けられる、標的基点オフセットと実際の基点オフセットとの間の両面重層誤差を決定することと、両面重層誤差に基づいて、第１の側上の反転されたインプリントと第２の側上の第２のインプリントとの間の両面重層バイアスを決定することとを含むことができる。いくつかの実施例では、インプリント方法はさらに、重層バイアスを両面重層バイアスとなるように更新することと、更新された重層バイアスに基づいて、テンプレートロールの第２のテンプレートを使用して、第２の基板を反復的にインプリントすることとを含むことができる。両面重層バイアスは、両面重層誤差をある定数によって乗算する結果および前の両面重層バイアスの和と同じであることができる。定数は、アプリケーション、機械学習、または経験的データのうちの少なくとも１つによって決定されることができる。

【0035】

第２のインプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２のインプリント公称補正に基づいて決定されることができる。第２のインプリント整合オフセットは、第２のテンプレートオフセット、第２のウエハ位置合わせオフセット、重層バイアス、および第２のインプリント公称補正の和であることができる。

【0036】

いくつかの実装では、インプリント方法はさらに、少なくとも部分的に、重層バイアスおよび第２のウエハ位置合わせオフセットに基づいて決定される、第２の分注整合オフセットに従って、反転された基板をステージ上でレジストディスペンサの下方に来るように移動させることを含む。第２の分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２の公称分注場所からのレジスト心合に対するインプリントのための補正を提供する、第２の分注オフセットに基づいて決定されることができる。第２の分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２の分注公称補正に基づいて決定されることができる。いくつかの実施例では、第２の分注整合オフセットは、重層バイアス、第２のウエハ位置合わせオフセット、第２の分注オフセット、および第２の分注公称補正の和である。

【0037】

インプリント方法はさらに、反転されたインプリントおよび第２のインプリントを伴う反転された基板の画像を測定し、第２のインプリント／レジスト画像オフセットを決定することを含むことができる。インプリント方法はさらに、第２のインプリント／レジスト画像オフセットに基づいて、第２の分注オフセットを更新することと、更新された第２の分注オフセットに基づいて、第２の分注整合オフセットを更新することと、更新された第２の分注整合オフセットに基づいて、テンプレートロールの第２のテンプレートを使用して、第２の基板を反復的にインプリントすることとを含むことができる。いくつかの実施例では、更新された第２の分注オフセットは、第２のインプリント／レジスト画像オフセットをある定数によって乗算する結果および第２の分注オフセットの和と同じである。定数は、アプリケーション、機械学習、または経験的データのうちの少なくとも１つによって決定されることができる。基板は、透明であることができる。

【0038】

本開示の第３の側面は、インプリント方法であって、テンプレートロールをローラに沿って牽引することであって、テンプレートロールは、テンプレートおよびテンプレートのテンプレート基点マークを有する、テンプレートフィールドを含む、ことと、少なくとも部分的に、装填オフセットに基づいて決定される、分注整合オフセットに従って、基板をステージ上でレジストディスペンサの下方に来るように移動させることと、レジストディスペンサを使用して、レジストを基板の第１の側上に分注することと、インプリント整合オフセットに基づいて、基板をレジストとともにステージ上でテンプレートロールのテンプレートの下方に来るように移動させることであって、インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、装填オフセットに基づいて決定される、ことと、テンプレートロールのテンプレートを基板上のレジストの中に押下することと、レジストを硬化させ、インプリントを基板上に形成することであって、インプリントは、テンプレートに対応する、インプリントされる特徴と、テンプレートのテンプレート基点マークに対応する、インプリント基点マークとを有する、ことと、インプリントのインプリント基点マークを測定し、インプリント基点マークと関連付けられる、標的基点場所および実際の基点場所との間のウエハ位置合わせオフセットを決定することと、ウエハ位置合わせオフセットおよび装填オフセットに基づいて、基板の第１の側上のインプリントの重層バイアス決定することとを含む、インプリント方法を特徴とする。

【0039】

インプリント方法はさらに、テンプレートのテンプレート基点マークを測定し、テンプレートオフセットを決定することを含むことができ、インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、テンプレートオフセットに基づいて決定される。インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、インプリント公称補正に基づいて決定されることができる。いくつかの実施例では、インプリント整合オフセットは、テンプレートオフセット、装填オフセット、およびインプリント公称補正の和である。

【0040】

重層バイアスは、ウエハ位置合わせオフセット－装填オフセットであると決定されることができる。分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、公称分注場所からのレジスト心合に対するインプリントのための補正を提供する、分注オフセットに基づいて決定されることができる。分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、分注公称補正に基づいて決定されることができる。いくつかの実施例では、分注整合オフセットは、装填バイアス、分注オフセット、および分注公称補正の和である。

【0041】

インプリント方法はさらに、インプリントを伴う基板の画像を測定し、インプリント／基板画像オフセットまたはインプリント／レジスト画像オフセットのうちの少なくとも１つを決定することを含むことができる。インプリント方法はさらに、インプリント／基板画像オフセットまたはインプリント／レジスト画像オフセットのうちの少なくとも１つに基づいて、分注整合オフセットを更新することと、更新された分注整合オフセットを使用して、テンプレートロールのテンプレートを用いて、第２の基板を反復的にインプリントすることとを含むことができる。いくつかの実施例では、インプリント方法はさらに、インプリント／基板画像オフセットに基づいて、装填オフセットを更新することであって、分注整合オフセットは、更新された装填オフセットに基づいて更新される、こと、またはインプリント／レジスト画像オフセットに基づいて、分注オフセットを更新することであって、分注整合オフセットは、更新された分注オフセットに基づいて更新される、ことのうちの少なくとも１つを含む。更新された装填オフセットは、インプリント／基板画像オフセットを第１の定数によって乗算する結果および装填オフセットの和と同じであることができる。更新された分注オフセットは、インプリント／レジスト画像オフセットを第２の定数によって乗算する結果および分注オフセットの和と同じであることができる。第１の定数および第２の定数はそれぞれ、アプリケーション、機械学習、または経験的データのうちの少なくとも１つによって決定されることができる。

【0042】

いくつかの実装では、インプリント方法はさらに、テンプレートフィールドを基板上のレジスト上にインプリントする前に、テンプレートロール上のテンプレートフィールドが基板上のレジストと接触せずに移動している状態で、少なくとも１つのシミュレートされたインプリントシーケンスを実施することを含む。

【0043】

いくつかの実装では、インプリント方法はさらに、基板をインプリントとともに反転させ、第１の側がステージに向かって面し、第２の側がステージから外方を向いた状態で、反転された基板をステージ上に装填することであって、第２の側は、第１の側の反対にある、ことと、反転されたインプリントの反転されたインプリント基点マークを測定し、反転されたインプリント基点マークと関連付けられる、第２の標的基点場所と第２の実際の基点場所との間の第２のウエハ位置合わせオフセットを決定することと、第２のインプリント整合オフセットに基づいて、テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの下方に来るように、反転された基板を第２の側上の第２のレジストとともに移動させることであって、第２のインプリント整合オフセットは、第２のウエハ位置合わせオフセットおよび重層バイアスに基づいて決定される、ことと、テンプレートロールの第２のテンプレートを反転された基板上の第２のレジストの中に押下することと、第２のレジストを硬化させ、第２のインプリントを第２の側上に形成することであって、第２のインプリントは、第２のテンプレートに対応する、第２のインプリントされる特徴と、第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークに対応する、第２のインプリント基点マークとを有する、ことと、第１の側上の反転されたインプリントの反転されたインプリント基点マークおよび第２の側上の第２のインプリントの第２のインプリント基点マークを測定し、反転されたインプリント基点マークおよび第２のインプリント基点マークと関連付けられる、標的基点オフセットと実際の基点オフセットとの間の両面重層誤差を決定することと、両面重層誤差に基づいて、第１の側上の反転されたインプリントと第２の側上の第２のインプリントとの間の両面重層バイアスを決定することとを含む。

【0044】

インプリント方法はさらに、テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークを測定し、第２のテンプレートオフセットを決定することを含むことができ、第２のインプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２のテンプレートオフセットに基づいて決定される。第２のインプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２のインプリント公称補正に基づいて決定されることができる。いくつかの実施例では、第２のインプリント整合オフセットは、第２のテンプレートオフセット、第２のウエハ位置合わせオフセット、重層バイアス、および第２のインプリント公称補正の和である。

【0045】

いくつかの実装では、インプリント方法はさらに、少なくとも部分的に、重層バイアスおよび第２のウエハ位置合わせオフセットに基づいて決定される、第２の分注整合オフセットに従って、反転された基板をステージ上でレジストディスペンサの下方に来るように移動させることを含む。第２の分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２の公称分注場所からのレジスト心合に対するインプリントのための補正を提供する、第２の分注オフセットに基づいて決定されることができる。第２の分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２の分注公称補正に基づいて決定されることができる。いくつかの実施例では、第２の分注整合オフセットは、重層バイアス、第２のウエハ位置合わせオフセット、第２の分注オフセット、および第２の分注公称補正の和である。

【0046】

インプリント方法はさらに、反転されたインプリントおよび第２のインプリントを伴う反転された基板の画像を測定し、第２のインプリント／レジスト画像オフセットを決定することを含むことができる。インプリント方法はさらに、第２のインプリント／レジスト画像オフセットに基づいて、第２の分注オフセットを更新することと、更新された第２の分注オフセットに基づいて、第２の分注整合オフセットを更新することと、更新された第２の分注整合オフセットに基づいて、テンプレートロールの第２のテンプレートを使用して、第２の基板を反復的にインプリントすることとを含むことができる。更新された第２の分注オフセットは、第２のインプリント／レジスト画像オフセットをある定数によって乗算する結果および第２の分注オフセットの和と同じであることができる。定数は、アプリケーション、機械学習、または経験的データのうちの少なくとも１つによって決定されることができる。

【0047】

いくつかの実装では、インプリント方法はさらに、両面重層誤差を使用して、重層バイアスを両面重層バイアスとなるように更新することと、更新された重層バイアスに基づいて、テンプレートロールの第２のテンプレートを使用して、第２の基板を反復的にインプリントすることとを含む。いくつかの実施例では、両面重層バイアスは、両面重層誤差をある定数によって乗算する結果および前の両面重層バイアスの和と同じである。定数は、アプリケーション、機械学習、または経験的データのうちの少なくとも１つによって決定されることができる。基板は、透明であることができる。

【0048】

本開示の第４の側面は、両面インプリント方法であって、テンプレートロールをローラに沿って牽引することであって、テンプレートロールは、少なくとも１つの第１のテンプレート基点マークを伴う、第１のテンプレートと、少なくとも第２のテンプレート基点マークを伴う、第２のテンプレートとを有する、テンプレートフィールドを含む、ことと、基板をステージ上に装填することであって、基板は、第１の側と、第１の側と反対の第２の側とを有する、ことと、ステージに基づいて、第１のテンプレートの第１のテンプレート基点マークを座標系内に位置合わせし、第１のテンプレートオフセットを座標系内で決定することと、第１のインプリント整合オフセットに基づいて、基板を第１の側上の第１のレジストとともにテンプレートロールの第１のテンプレートの下方に来るように移動させることであって、第１のインプリント整合オフセットは、第１のテンプレートオフセットおよび装填オフセットに基づいて決定される、ことと、テンプレートロールの第１のテンプレートを基板の第１の側上の第１のレジストの中に押下することと、第１のレジストを硬化させ、第１のインプリントを基板の第１の側上に形成することであって、第１のインプリントは、第１のテンプレートに対応する、第１のインプリントされる特徴と、第１のテンプレートの第１のテンプレート基点マークに対応する、第１のインプリント基点マークとを有する、ことと、基板上の第１のインプリントを座標系内に位置合わせし、第１のインプリント基点マークと関連付けられる、標的基点場所と実際の基点場所との間の第１のウエハ位置合わせオフセットを決定することと、第１のウエハ位置合わせオフセットおよび装填オフセットに基づいて、第１のインプリント基板の第１の側上の重層バイアスを決定することと、基板を第１のインプリントとともに反転させ、第１の側がステージに向かって面し、第２の側がステージから外方を向いた状態で、反転された基板をステージ上に装填させることと、反転された基板と反転された第１のインプリントを座標系内で位置合わせし、反転された第１のインプリント基点マークと関連付けられる、第２の標的基点場所と第２の実際の基点場所との間の第２のウエハ位置合わせオフセットを決定することと、テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークを座標系内に位置合わせし、第２のテンプレートオフセットを決定することと、第２のインプリント整合オフセットに基づいて、テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの下方に来るように、反転された基板を第２の側上の第２のレジストとともに移動させることであって、第２のインプリント整合オフセットは、第２のテンプレートオフセット、第２のウエハ位置合わせオフセット、および重層バイアスに基づいて決定される、ことと、テンプレートロールの第２のテンプレートを第２の側上の第２のレジストの中に押下することと、第２のレジストを硬化させ、第２のインプリントを第２の側上に形成することであって、第２のインプリントは、第２のテンプレートに対応する、第２のインプリントされる特徴と、第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークに対応する、第２のインプリント基点マークとを有する、ことと、反転された基板と第１の側上の反転された第１のインプリントおよび第２の側上の第２のインプリントを位置合わせし、反転された第１のインプリント基点マークおよび第２のインプリント基点マークと関連付けられる、標的基点オフセットと実際の基点オフセットとの間の両面重層誤差を決定することと、両面重層誤差に基づいて、第１の側上の反転された第１のインプリントと第２の側上の第２のインプリントとの間の両面重層バイアスを決定することとを含む、両面インプリント方法を特徴とする。

【0049】

両面インプリント方法はさらに、重層バイアスを両面重層バイアスとなるように更新することと、更新された重層バイアスに基づいて、テンプレートロールの第２のテンプレートを使用して、第２の基板を反復的にインプリントすることとを含むことができる。重層バイアスは、第１のウエハ位置合わせオフセット－装填オフセットであると決定されることができ、両面重層バイアスは、両面ウエハ位置合わせオフセットをある定数によって乗算する結果を加算することによって、更新されることができる。

【0050】

第１のインプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、第１のインプリント公称補正に基づいて決定されることができる。いくつかの実施例では、第１のインプリント整合オフセットは、第１のテンプレートオフセット、装填オフセット、および第１のインプリント公称補正の和である。第２のインプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２のインプリント公称補正に基づいて決定されることができる。いくつかの実施例では、第２のインプリント整合オフセットは、第２のテンプレートオフセット、第２のウエハ位置合わせオフセット、重層バイアス、および第２のインプリント公称補正の和である。

【0051】

いくつかの実装では、両面インプリント方法はさらに、少なくとも部分的に、装填オフセットに基づいて決定される、第１の分注整合オフセットに従って、基板をステージ上でレジストディスペンサの下方に来るように移動させることと、レジストディスペンサを使用して、第１のレジストを基板の第１の側上に分注することとを含む。第１の分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、第１の公称分注場所からのレジスト心合に対するインプリントのための補正を提供する、第１の分注オフセットに基づいて決定されることができる。第１の分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、第１の分注公称補正に基づいて決定されることができる。第１の分注整合オフセットは、装填オフセット、第１の分注オフセット、および第１の分注公称補正の和であることができる。

【0052】

両面インプリント方法はさらに、インプリントを伴う基板の画像を測定し、インプリント／基板画像オフセットまたはインプリント／レジスト画像オフセットのうちの少なくとも１つを決定することを含むことができる。両面インプリント方法はさらに、インプリント／基板画像オフセットまたはインプリント／レジスト画像オフセットのうちの少なくとも１つに基づいて、第１の分注整合オフセットを更新することと、更新された第１の分注整合オフセットを使用して、テンプレートロールの第１のテンプレートを用いて、第２の基板を反復的にインプリントすることとを含むことができる。両面インプリント方法はさらに、インプリント／基板画像オフセットに基づいて、装填オフセットを更新することであって、第１の分注整合オフセットは、更新された装填オフセットに基づいて更新され、更新された装填オフセットは、インプリント／基板画像オフセットを第１の定数によって乗算する結果および装填オフセットの和と同じである、ことと、インプリント／レジスト画像オフセットに基づいて、第１の分注オフセットを更新することであって、第１の分注整合オフセットは、更新された第１の分注オフセットに基づいて更新され、更新された第１の分注オフセットは、インプリント／レジスト画像オフセットを第２の定数によって乗算する結果および分注オフセットの和と同じである、こととを含むことができる。

【0053】

いくつかの実装では、両面インプリント方法はさらに、少なくとも部分的に、重層バイアスおよび第２のウエハ位置合わせオフセットに基づいて決定される、第２の分注整合オフセットに従って、反転された基板をステージ上でレジストディスペンサの下方に来るように移動させること、レジストディスペンサを使用して、第２のレジストを基板の第２の側上に分注こととを含むことができる。第２の分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２の公称分注場所からのレジスト心合に対するインプリントのための補正を提供する、第２の分注オフセットに基づいて決定されることができる。第２の分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２の分注公称補正に基づいて決定されることができる。いくつかの実施例では、第２の分注整合オフセットは、重層バイアス、第２のウエハ位置合わせオフセット、第２の分注オフセット、および第２の分注公称補正の和である。

【0054】

両面インプリント方法はさらに、反転された第１のインプリントおよび第２のインプリントを伴う、反転された基板の画像を測定し、第２のインプリント／レジスト画像オフセットを決定することを含むことができる。両面インプリント方法はさらに、第２のインプリント／レジスト画像オフセットに基づいて、第２の分注オフセットを更新することであって、更新された第２の分注オフセットは、第２のインプリント／レジスト画像オフセットをある定数によって乗算する結果および第２の分注オフセットの和と同じである、ことと、更新された第２の分注オフセットに基づいて、第２の分注整合オフセットを更新することと、更新された第２の分注整合オフセットに基づいて、テンプレートロールの第２のテンプレートを使用して、第２の基板を反復的にインプリントすることとを含むことができる。

【0055】

基板は、基板上の第１のインプリントの第１のインプリント基点マークが、チャックの他の面積より良好な画像コントラストを有する、チャックの測定面積内にある状態で、チャックを介して、ステージ上に保持されることができる。反転された基板は、反転された第１のインプリント基点マークおよび第２のインプリント基点マークが測定面積内にある状態で、チャックを介して、ステージ上に保持されることができる。

【0056】

ステージは、第１のチャックを介して、第１の基板を、第２のチャックを介して、第２の基板を保持することができる。両面インプリント方法は、第１のインプリント整合オフセットに基づいて、第１の基板と第１のテンプレートを、第２の基板と第２のテンプレートを整合させることと、第１のインプリントを第１の基板の第１の側上に、第２のインプリントを第２の基板の第１の側上に形成することとを含むことができる。両面インプリント方法はさらに、第１の基板を反転させ、反転された第１の基板を第２のチャック上に装填することと、第２の基板を反転させ、反転された第２の基板を第１のチャック上に装填することと、第２のインプリント整合オフセットに基づいて、反転された第２の基板と第１のテンプレートおよび反転された第１の基板と第２のテンプレートを整合させることと、第１のインプリントを第２の基板の第２の側上に、第２のインプリントを第１の基板の第２の側上に形成することとを含むことができる。基板は、透明であることができる。

【0057】

本開示の第５の側面は、インプリントシステムであって、テンプレートロールを移動させるためのローラであって、テンプレートロールは、テンプレート基点マークを伴うテンプレートを有する、テンプレートフィールドを含む、ローラと、基板を保持するための可動ステージと、ステージを基板とともに移動させるための移動システムと、レジストを基板のある側上に分注するためのレジストディスペンサと、レジストを硬化させるための光源であって、光源は、テンプレートロールのテンプレートが基板のある側上のレジストの中に押下されると、レジストを硬化させ、インプリントを基板のその側上に形成するように構成され、インプリントは、テンプレートに対応する、インプリントされる特徴と、テンプレートのテンプレート基点マークに対応する、インプリント基点マークとを有する、光源と、テンプレートのテンプレート基点マークを座標系内に位置合わせし、テンプレートオフセットを決定するための第１の検査システムと、基板上のインプリントを座標系内に位置合わせし、インプリント基点マークと関連付けられる、標的基点場所と実際の基点場所との間のウエハ位置合わせオフセットを決定するための第２の検査システムと、インプリント整合オフセットに基づいて、移動システムを制御し、基板をレジストとともにテンプレートロールのテンプレートの下方に来るように移動させ、インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、テンプレートオフセットに基づいて決定され、少なくとも部分的に、ウエハ位置合わせオフセットに基づいて、基板の側上のインプリントの重層バイアスを決定するように構成される、コントローラとを含む、インプリントシステムを特徴とする。

【0058】

インプリントシステムはさらに、基板をステージ上に装填するための装填システムを含むことができる。インプリントシステムはさらに、機械学習によって、インプリントを伴う基板の画像を測定し、装填オフセットを更新するための第３の検査システムを含むことができる。基板のためのインプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、基板に先立って処理された１つまたはそれを上回る基板に基づいて更新された装填オフセットに従って決定されることができる。インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、インプリント公称補正に基づいて決定されることができる。いくつかの実施例では、インプリント整合オフセットは、テンプレートオフセット、装填オフセット、およびインプリント公称補正の和である。

【0059】

いくつかの実施例では、コントローラは、重層バイアスがウエハ位置合わせオフセット－装填オフセットとなることを決定するように構成される。いくつかの実施例では、コントローラは、少なくとも部分的に、装填オフセットに基づいて決定される、分注整合オフセットに従って、移動システムを制御し、基板をステージ上でレジストディスペンサの下方に来るように移動させるように構成される。いくつかの実施例では、コントローラは、分注整合オフセットが、少なくとも部分的に、公称分注場所からのレジスト心合に対するインプリントのための補正を提供する、分注オフセットに基づいて決定されることを決定するように構成される。いくつかの実施例では、コントローラは、分注整合オフセットが装填オフセット、分注オフセット、および分注公称補正の和となることを決定するように構成される。

【0060】

いくつかの実装では、第３の検査システムは、インプリントを伴う基板の画像を測定し、インプリント／基板画像オフセットまたはインプリント／レジスト画像オフセットのうちの少なくとも１つを決定するように構成される。コントローラは、インプリント／基板画像オフセットまたはインプリント／レジスト画像オフセットのうちの少なくとも１つに基づいて、分注整合オフセットを更新するように構成されることができ、更新された分注整合オフセットは、テンプレートロールのテンプレートを用いて、第２の基板を反復的にインプリントするためのものである。コントローラは、装填オフセットをインプリント／基板画像オフセットを第１の定数によって乗算する結果および装填オフセットの和と同じとなるように更新し、分注オフセットをインプリント／レジスト画像オフセットを第２の定数によって乗算する結果および分注オフセットの和と同じとなるように更新し、更新された装填オフセットおよび更新された分注オフセットに基づいて、分注整合オフセットを更新するように構成されることができる。

【0061】

基板は、チャックを介して、ステージ上に保持されることができる。チャックは、チャックの他の面積より良好な画像コントラストを有する、測定面積を含むことができ、基板は、基板の基板基点マークが測定面積内にある状態で、チャック上に装填されることができる。

【0062】

第１の検視システムは、ステージ上に位置付けられることができる。テンプレートフィールドは、１つまたはそれを上回るテンプレートのための複数の基点マークを含むことができる。第１の検査システムは、複数のカメラを含むことができ、複数のカメラはそれぞれ、１つまたはそれを上回るテンプレートのための複数の基点マークの異なる対応する基点マークを含む、画像を捕捉するように構成される。

【0063】

第２の検査システムは、座標系内で所定の場所と位置合わせされることができる。ステージは、それぞれが１つまたはそれを上回る基点マークを有する、１つまたはそれを上回るインプリントを伴う１つまたはそれを上回る基板を保持するように構成されることができる。第２の検査システムは、複数のカメラを含むことができ、複数のカメラはそれぞれ、１つまたはそれを上回る基板上の１つまたはそれを上回るインプリントの１つまたはそれを上回る基点マークの異なる対応する基点マークを含む、画像を捕捉するように構成される。

【0064】

コントローラは、テンプレートロールのテンプレートが、インプリント整合オフセットに基づいて、基板と整合されるように、テンプレートロールの牽引速度に対して、基板を保持するステージの移動速度を制御するように構成されることができる。

【0065】

コントローラは、テンプレートフィールドを基板上のレジスト上にインプリントする前に、テンプレートロール上のテンプレートフィールドが基板上のレジストと接触せずに移動している状態で、少なくとも１つのシミュレートされたインプリントシーケンスを実施するように構成されることができる。

【0066】

インプリントシステムはさらに、基板をステージから装填解除するための装填解除システムを含むことができる。インプリントシステムはさらに、インプリントを伴う基板を反転させるための反転システムと、第１の側がステージに向かって面し、第２の側がステージから外方を向いた状態で、反転された基板をステージ上に装填するための装填システムであって、第２の側は、第１の側の反対にあって、インプリントは、第１の側上にある、装填システムとを含むことができる。第１の検査システムは、テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークを座標系内に位置合わせし、第２のテンプレートオフセットを決定するように構成されることができる。第２の検査システムは、反転された基板と反転されたインプリントを座標系内で位置合わせし、反転されたインプリントの反転されたインプリント基点マークと関連付けられる、第２の標的基点場所と第２の実際の基点場所との間の第２のウエハ位置合わせオフセットを決定するように構成されることができる。コントローラは、第２のインプリント整合オフセットに基づいて、移動システムを制御し、テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの下方に来るように、反転された基板を第２の側上の第２のレジストとともに移動させるように構成されることができ、第２のインプリント整合オフセットは、第２のテンプレートオフセット、第２のウエハ位置合わせオフセット、および重層バイアスに基づいて決定される。

【0067】

光源は、テンプレートロールの第２のテンプレートが基板の第２の側上の第２のレジストの中に押下されると、第２のレジストを硬化させ、第２のインプリントを第２の側上に形成するように構成されることができ、第２のインプリントは、第２のテンプレートに対応する、第２のインプリントされる特徴と、第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークに対応する、第２のインプリント基点マークとを有する。第２の検査システムは、基板と第１の側上の反転されたインプリントおよび第２の側上の第２のインプリントを座標系内で位置合わせし、反転されたインプリント基点マークおよび第２のインプリント基点マークと関連付けられる、標的基点オフセットと実際の基点オフセットとの間の両面ウエハ位置合わせオフセットを決定するように構成されることができる。コントローラは、両面ウエハ位置合わせオフセットに基づいて、第１の側上の反転されたインプリントと第２の側上の第２のインプリントとの間の両面重層バイアスを決定するように構成されることができる。コントローラは、テンプレートロールの第２のテンプレートを使用して、第２の基板を反復的にインプリントするために、重層バイアスを両面重層バイアスとなるように更新するように構成されることができる。

【0068】

コントローラは、第２のインプリント整合オフセットが第２のテンプレートオフセット、第２のウエハ位置合わせオフセット、重層バイアス、および第２のインプリント公称補正の和となることを決定するように構成されることができる。

【0069】

コントローラは、少なくとも部分的に、重層バイアスおよび第２のウエハ位置合わせオフセットに基づいて決定される、第２の分注整合オフセットに従って、移動システムを制御し、反転された基板をステージ上でレジストディスペンサの下方に来るように移動させるように構成されることができる。コントローラは、第２の分注整合オフセットが重層バイアス、第２のウエハ位置合わせオフセット、第２の分注オフセット、および第２の分注公称補正の和となることを決定するように構成されることができ、第２の分注オフセットは、第２の公称分注場所からのレジスト心合に対するインプリントのための補正を提供する。

【0070】

いくつかの実装では、第３の検査システムは、反転されたインプリントおよび第２のインプリントを伴う反転された基板の画像を測定し、第２のインプリント／レジスト画像オフセットを決定するように構成される。コントローラは、第２のインプリント／レジスト画像オフセットに基づいて、第２の分注オフセットを更新すること、およびテンプレートロールの第２のテンプレートを使用して、第２の基板を反復的にインプリントするために、更新された第２の分注オフセットに基づいて、第２の分注整合オフセットを更新するように構成されることができる。

【0071】

いくつかの実装では、ステージは、第１のチャックを介して、第１の基板を、第２のチャックを介して、第２の基板を保持し、基板は、第１の基板であって、テンプレートロールのテンプレートフィールドは、第１のテンプレートと、第２のテンプレートとを含み、テンプレートは、第１のテンプレートであって、インプリントは、第１のプリントである。インプリントシステムは、インプリント整合オフセットに基づいて、第１の基板と、第１のテンプレートを、第２の基板と第２のテンプレートを整合させ、第１のインプリントを第１の基板の第１の側上に、第２のインプリントを第２の基板の第１の側上に形成し、第１の基板を反転させ、反転された第１の基板を第２のチャック上に装填し、第２の基板を反転させ、反転された第２の基板を第１のチャック上に装填し、第２のインプリント整合オフセットに基づいて、反転された第２の基板と第１のテンプレートおよび反転された第１の基板と第２のテンプレートを整合させ、第１のインプリントを第２の基板の第２の側上に、第２のインプリントを第１の基板の第２の側上に形成するように構成されることができる。

【0072】

本開示の第６の側面は、インプリントシステムであって、テンプレートロールを移動させるためのローラであって、テンプレートロールは、テンプレート基点マークを伴うテンプレートを有する、テンプレートフィールドを含む、ローラと、基板を保持するための可動ステージと、基板をステージ上に装填するための装填システムと、ステージを基板とともに移動させるための移動システムと、レジストを基板のある側上に分注するためのレジストディスペンサと、レジストを硬化させるための光源であって、光源は、テンプレートロールのテンプレートが基板のある側上のレジストの中に押下されると、レジストを硬化させ、インプリントを基板のその側上に形成するように構成され、インプリントは、テンプレートに対応する、インプリントされる特徴と、テンプレートのテンプレート基点マークに対応する、インプリント基点マークとを有する、光源と、テンプレートのテンプレート基点マークを座標系内に位置合わせし、テンプレートオフセットを決定するための第１の検査システムと、インプリントを伴う基板の画像を測定し、装填オフセットを更新するための第２の検査システムと、インプリント整合オフセットに基づいて、移動システムを制御し、基板をレジストとともにテンプレートロールのテンプレートの下方に来るように移動させ、インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、テンプレートオフセットおよび装填オフセットに基づいて決定されるように構成される、コントローラとを含む、インプリントシステムを特徴とする。

【0073】

インプリントシステムはさらに、基板上のインプリントを座標系内に位置合わせし、インプリント基点マークと関連付けられる、標的基点場所と実際の基点場所との間のウエハ位置合わせオフセットを決定するための第３の検査システムを含むことができる。コントローラは、基板のその側上のインプリントの重層バイアスがウエハ位置合わせオフセット－装填オフセットとなることを決定するように構成されることができる。

【0074】

インプリントシステムはさらに、インプリントを伴う基板を反転させるための反転システムを含むことができる。装填システムは、第１の側がステージに向かって面し、第２の側がステージから外方を向いた状態で、反転された基板をステージ上に装填するように構成されることができ、第２の側は、第１の側の反対にあって、インプリントは、第１の側上にある。

【0075】

第１の検査システムは、テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークを座標系内に位置合わせし、第２のテンプレートオフセットを決定するように構成されることができる。第３の検査システムは、反転された基板と反転されたインプリントを座標系内で位置合わせし、反転されたインプリントの反転されたインプリント基点マークと関連付けられる、第２の標的基点場所と第２の実際の基点場所との間の第２のウエハ位置合わせオフセットを決定するように構成されることができる。コントローラは、第２のインプリント整合オフセットに基づいて、移動システムを制御し、テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの下方に来るように、反転された基板を第２の側上の第２のレジストとともに移動させるように構成されることができ、第２のインプリント整合オフセットは、第２のテンプレートオフセット、第２のウエハ位置合わせオフセット、および重層バイアスに基づいて決定される。

【0076】

光源は、テンプレートロールの第２のテンプレートが基板の第２の側上の第２のレジストの中に押下されると、第２のレジストを硬化させ、第２のインプリントを第２の側上に形成するように構成されることができ、第２のインプリントは、第２のテンプレートに対応する、第２のインプリントされる特徴と、第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークに対応する、第２のインプリント基点マークとを有する。第３の検査システムは、基板と第１の側上の反転されたインプリントおよび第２の側上の第２のインプリントを座標系内で位置合わせし、反転されたインプリント基点マークおよび第２のインプリント基点マークと関連付けられる、標的基点オフセットと実際の基点オフセットとの間の両面ウエハ位置合わせオフセットを決定するように構成されることができる。コントローラは、両面ウエハ位置合わせオフセットに基づいて、第１の側上の反転されたインプリントと第２の側上の第２のインプリントとの間の両面重層バイアスを決定するように構成されることができる。

【0077】

本開示の第７の側面は、インプリントシステムであって、テンプレートロールを移動させるためのローラであって、テンプレートロールは、テンプレート基点マークを伴うテンプレートを有する、テンプレートフィールドを含む、ローラと、基板を保持するための可動ステージと、基板をステージ上に装填するための装填システムと、ステージを基板とともに移動させるための移動システムと、レジストを基板のある側上に分注するためのレジストディスペンサと、レジストを硬化させるための光源であって、光源は、テンプレートロールのテンプレートが基板のある側上のレジストの中に押下されると、レジストを硬化させ、インプリントを基板のその側上に形成するように構成され、インプリントは、テンプレートに対応する、インプリントされる特徴と、テンプレートのテンプレート基点マークに対応する、インプリント基点マークとを有する、光源と、インプリントを伴う基板の画像を測定し、装填オフセットを更新するための第１の検査システムと、基板上のインプリントを座標系内に位置合わせし、インプリント基点マークと関連付けられる、標的基点場所と実際の基点場所との間のウエハ位置合わせオフセットを決定するための第２の検査システムであって、基板のその側上のインプリントの重層バイアスは、ウエハ位置合わせオフセットと関連付けられる、第２の検査システムと、インプリント整合オフセットに基づいて、移動システムを制御し、基板をレジストとともにテンプレートロールのテンプレートの下方に来るように移動させ、インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、装填オフセットに基づいて決定され、ウエハ位置合わせオフセットおよび装填オフセットに基づいて、基板のその側上のインプリントの重層バイアスを決定するように構成される、コントローラとを含む、インプリントシステムを特徴とする。

【0078】

インプリントシステムはさらに、テンプレートのテンプレート基点マークを座標系内に位置合わせし、テンプレートオフセットを決定するための第３の検査システムを含むことができる。コントローラは、テンプレートオフセットおよび装填オフセットに基づいて、インプリント整合オフセットを決定するように構成されることができる。

【0079】

インプリントシステムはさらに、インプリントを伴う基板を反転させるための反転システムを含むことができる。装填システムは、第１の側がステージに向かって面し、第２の側がステージから外方を向いた状態で、反転された基板をステージ上に装填するように構成されることができ、第２の側は、第１の側の反対にあって、インプリントは、第１の側上にある。

【0080】

第３の検査システムは、テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークを座標系内に位置合わせし、第２のテンプレートオフセットを決定するように構成されることができる。第２の検査システムは、反転された基板と反転されたインプリントを座標系内で位置合わせし、反転されたインプリントの反転されたインプリント基点マークと関連付けられる、第２の標的基点場所と第２の実際の基点場所との間の第２のウエハ位置合わせオフセットを決定するように構成されることができる。コントローラは、第２のインプリント整合オフセットに基づいて、移動システムを制御し、テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの下方に来るように、反転された基板を第２の側上の第２のレジストとともに移動させるように構成されることができ、第２のインプリント整合オフセットは、第２のテンプレートオフセット、第２のウエハ位置合わせオフセット、および重層バイアスに基づいて決定される。

【0081】

光源は、テンプレートロールの第２のテンプレートが基板の第２の側上の第２のレジストの中に押下されると、第２のレジストを硬化させ、第２のインプリントを第２の側上に形成するように構成されることができ、第２のインプリントは、第２のテンプレートに対応する、第２のインプリントされる特徴と、第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークに対応する、第２のインプリント基点マークとを有する。第２の検査システムは、基板と第１の側上の反転されたインプリントおよび第２の側上の第２のインプリントを座標系内で位置合わせし、反転されたインプリント基点マークおよび第２のインプリント基点マークと関連付けられる、標的基点オフセットと実際の基点オフセットとの間の両面重層誤差を決定するように構成されることができる。コントローラは、両面重層誤差に基づいて、第１の側上の反転されたインプリントと第２の側上の第２のインプリントとの間の両面重層バイアスを決定するように構成されることができる。

【0082】

１つまたはそれを上回る開示される実装の詳細は、付随の図面および下記の説明に記載される。他の特徴、側面、および利点は、説明、図面、および請求項から明白となるであろう。

【図面の簡単な説明】

【0083】

【図1】図１は、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、例示的インプリントツールの概略図である。

【0084】

【図2】図２は、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、基点マークを有するインプリントを伴う、例示的基板の概略図である。

【0085】

【図3A】図３Ａは、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、テンプレートの単一トラックを伴う、例示的テンプレートロールの概略図である。

【0086】

【図3B】図３Ｂは、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、テンプレートの二重トラックを伴う、例示的テンプレートロールの概略図である。

【0087】

【図4A】図４Ａは、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、テンプレートロール上のテンプレート上の整合基点マークを測定するための例示的カメラベースのテンプレートロール位置合わせシステムの概略図である。

【0088】

【図4B】図４Ｂは、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、基板上に形成されるインプリントの整合基点マークを測定するための例示的システムの概略図である。

【0089】

【図5】図５は、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、例示的検査システムを使用してロールツーロールテンプレートフィールドから収集された基点マークの例示的画像を示す。

【0090】

【図6】図６は、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、多目的整合を用いて両面インプリントを基板上に加工する例示的両面インプリントプロセスを図示する、フロー図である。

【0091】

【図7A】図７Ａ－７Ｇは、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、片面インプリントプロセスまたは両面インプリントプロセスのためのインプリントツールを使用する例示的プロシージャを図示する、概略図である。

【図7B】図７Ａ－７Ｇは、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、片面インプリントプロセスまたは両面インプリントプロセスのためのインプリントツールを使用する例示的プロシージャを図示する、概略図である。

【図7C】図７Ａ－７Ｇは、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、片面インプリントプロセスまたは両面インプリントプロセスのためのインプリントツールを使用する例示的プロシージャを図示する、概略図である。

【図7D】図７Ａ－７Ｇは、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、片面インプリントプロセスまたは両面インプリントプロセスのためのインプリントツールを使用する例示的プロシージャを図示する、概略図である。

【図7E】図７Ａ－７Ｇは、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、片面インプリントプロセスまたは両面インプリントプロセスのためのインプリントツールを使用する例示的プロシージャを図示する、概略図である。

【図7F】図７Ａ－７Ｇは、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、片面インプリントプロセスまたは両面インプリントプロセスのためのインプリントツールを使用する例示的プロシージャを図示する、概略図である。

【図7G】図７Ａ－７Ｇは、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、片面インプリントプロセスまたは両面インプリントプロセスのためのインプリントツールを使用する例示的プロシージャを図示する、概略図である。

【0092】

【図8A】図８Ａは、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、２つの基板に関する重層測定の間の画像実施例（基板あたり２つの画像）を示し、基点マーク（マークあたり矩形＋円形）が、図４Ｂの例示的検査システムによって、両面インプリントされた基板の両側上で捕捉される。

【0093】

【図8B】図８Ｂは、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、両面インプリントの重層に対する不良整合（Ｖ）および良好な整合（ＶＩ）とともに、基板上の両面インプリントの基点マークの例示的画像を示す。

【0094】

【図9A】図９Ａは、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、整合した状態でインプリントを基板上に加工する例示的プロセスのフロー図である。

【0095】

【図9B】図９Ｂは、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、整合した状態でインプリントを基板上に加工する別の例示的プロセスのフロー図である。

【0096】

【図10A】図１０Ａは、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、例示的拡張現実システムの概略図である。

【0097】

【図10B】図１０Ｂは、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、図１０Ａの拡張現実システム内で使用され得る、例示的光学コンポーネントの概略図である。

【0098】

【図10C】図１０Ｃは、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、図１０Ｂの光学コンポーネント内で使用され得る、光学要素を加工するためのテンプレートの画像を示す。

【0099】

【図10D】図１０Ｄは、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、図１０Ｃのテンプレートを使用して加工され得る、加工された光学要素の画像を示す。

【0100】

種々の図面における同様の参照番号および記号は、同様の要素を示す。

【発明を実施するための形態】

【0101】

詳細な説明
本開示は、インプリント、例えば、片面インプリント、両面インプリント、または両方のための多目的整合を管理するための方法、デバイス、システム、および技法を説明する。多目的整合は、インプリント（またはインプリントされるパターン）／基板（またはウエハ）整合、インプリント／レジスト（またはレジスト液滴）整合、および第１の側／第２の側のインプリント整合を含むことができる。本技法は、インプリントリソグラフィのための複数のコンポーネントを整合させる多目的最適化を反復的に実装するプロセスを採用することができる。いくつかの実施例では、本技法は、サブ１００μｍ／０．５弧分重層正確度、サブ２００μｍインプリント／ウエハ心合正確度、またはサブ１００μｍインプリント／レジスト整合正確度のうちの少なくとも１つを一貫して達成することができる。

【0102】

いくつかの実装では、本技法は、例えば、基板の接触を伴わずに、例えば、シミュレートされたインプリントシーケンスを通して、１回またはそれを上回って、ツールを稼働させ、それによって、ウェブを定置し、ウェブ運動非再現性誤差を軽減させることによって、ウェブベースのインプリントツールに関する非再現性に対処することができる。ウェブは、インプリント毎のウェブのシータ（Ｔ）変動を低減させるように定置され、それによって、テンプレートをインプリント場所に設置するとき、ウェブの再現性を改良することができる。本技法はまた、テンプレート（例えば、コーティングされたレジストテンプレート、すなわち、ＣＲＴ）をウェブ上に位置合わせするために、上方視検査システム（例えば、カメラシステム）を提供することができ、これは、基点マーク（基点、整合マーク、または基準マーク）を位置特定し、テンプレートオフセット（例えば、剛体補正）をＸＹＴステージ座標系内で算出するために使用され得る。ウェブ定置と組み合わせられた本位置合わせは、テンプレートを含む、テンプレートフィールドから、ＸＹＴステージ／ウエハチャックへの安定したマップを提供することができる。ブランク（例えば、無基点）ウエハ（または基板）は、分注公称補正、装填オフセット、および分注オフセットを含む、複数の補正と関連付けられる、分注整合オフセットに基づいて調節される、ＸＹＴステージを使用して、レジストディスペンサに対して移動されることができる。装填オフセットおよび分注オフセットは、後のステップにおいて、ウエハ検査システム（ＷＩＳ）を使用して、測定および学習されることができ、これは、ウエハおよびパターン全体を単一画像内に捕捉するように構成される。レジストが、ウエハ上に分注された後、ウエハは、インプリント公称補正、装填オフセット、およびテンプレート位置合わせオフセットに基づき得る、インプリント整合オフセット（または非反転オフセット）を使用して、テンプレートフィールドの真下で移動されることができる。

【0103】

テンプレートフィールド内のテンプレートが、ウエハ上のレジスト上にインプリントされ、レジストが、硬化された後、インプリントを伴うウエハは、装填解除されることができる。ウエハ装填解除プロセスの間、ウエハは、下方視微整合検査システム（例えば、５ミクロン以下の顕微鏡システム）を使用して、ウエハ基点場所に跨架するチャック上の既知の座標および「不感帯」に位置合わせされ、インプリントから座標系内の下方視微整合検査システムへの座標変換を見出すことができる。設計された基点場所と実際の基点場所との間のオフセットは、第１の側のウエハオフセットまたは第１の側のパターン整合オフセットと見なされ得る。測定－装填オフセットの結果は、インプリント場所（テンプレート位置合わせを含む）からウエハ位置合わせ場所へのマップを提供することができる。本測定値は、初期パターン設置オフセットを第１の側のウエハオフセット（またはパターン設置誤差）および装填オフセット（ウエハの第２の側上にインプリントするとき、後のステップのために使用され得る）の差異となるように算出するために使用されることができる。ウエハをインプリントシステムまたはモジュールから装填解除後、ＷＩＳシステムは、インプリント／ブランクウエハ画像オフセットおよびインプリント／レジスト画像オフセットを測定することができる（両方ともＸＹＴステージ座標系において）。これらのオフセットは、装填オフセットおよび分注オフセットを反復的に更新するために使用されることができる（例えば、第１の側のインプリントのために）。ある場合には、上記のステップは、複数のウエハに関して繰り返されることができる。ある場合には、第１の側のインプリントを伴う、ウエハは、ウエハの第２の反対側上での次のインプリントのために、直ちに反転されることができる。

【0104】

いくつかの実装では、本技法は、ウエハの第２の側上でのインプリントに関する整合問題に対処することができる。ウエハが、反転され、第１の側のインプリントが下に来る状態で、チャックに装填された後、反転されたウエハは、下方視検査システムによって、第１の側のインプリントに基づく反転された座標を使用して、位置合わせされることができ、位置合わせの結果は、第２の側のウエハオフセット（または第２のウエハ位置合わせ誤差）として定義されることができる。第２の側のインプリントのためのテンプレートフィールドは、上方視検査システムによって、第１の側のインプリントにおけるものと同じように位置合わせされることができる。ウエハは、分注公称補正、分注オフセット、第２の側のウエハオフセット（または第２のウエハ位置合わせ誤差）、および第１の側上で取得される初期パターン設置オフセットに基づいて決定される、第２の分注整合オフセットに基づいて調節される、ＸＹＴステージを使用して、レジストディスペンサに移動されることができる。レジストが、第２の側のための規定されたパターンを用いて、ウエハ上に分注された後、ウエハは、インプリント公称補正、第２の側のウエハオフセット、初期重層オフセット、およびテンプレートオフセットに基づき得る、反転されたオフセット（または第２のインプリント整合オフセット）を使用してインプリントするために、テンプレートフィールドに移動されることができる。

【0105】

ウエハ装填解除プロセスの間およびチャックから装填解除する前に、第１の側／第２の側のパターンオフセットが、下方視微整合検査システム（例えば、ウエハ位置合わせカメラ）を使用して、第１の側対第２の側の基点マークを同時に検視し、設計されたオフセット対実際のオフセットを算出することによって、測定されることができる（例えば、図８Ａおよび８Ｂに図示されるように）。本測定された両面重層誤差は、重層オフセットを反復的に改良するために使用されることができる。ウエハを装填解除後、ＷＩＳシステムはまた、インプリント／レジスト画像オフセットを測定し、分注オフセットを改良し続けることができる。インプリント／ウエハオフセットが第１の側／第２の側重層オフセットによって制約されるため、第２の側のための装填オフセットを更新することは不要である。本技法は、自己学習によって改良されることができる。より多くのウエハが、処理され得るにつれて、インプリントツールは、第１の側および第２の側のインプリントのために、整合オフセットを学習することによって、多目的整合を最適化するように調節されることができる。

【0106】

本技法は、ツールが、標的デバイスの光学性能、標的デバイス上への両面インプリントのための重層正確度、または両方を改良するために、強化学習によって、整合パラメータを自動的に更新し、更新された整合パラメータをシーケンシャルインプリントプロセスの中に組み合わせることを有効にする。本技法は、インプリントのためのウェブベースのテンプレートの再現性、安定性（例えば、テンプレートフィールド位置安定性）、および制御性を改良することを有効にする。本技法は、付加的検査システム（例えば、上方視検査システム、下方視微整合検査システム、およびＷＩＳシステム）を提供し、整合オフセットを測定することができる。本技法は、例えば、ガラスウエハ等の基板上での両面インプリントリソグラフィのための複数の重要なコンポーネントを整合させる多目的最適化を反復的に解法することによって、インプリント（例えば、片面インプリントまたは両面インプリント）に関する多目的整合課題に対処するために、統合された（または組み合わせられた）解決策を提供することができる。

【0107】

本技法は、任意の好適なインプリントツール、例えば、量産製造（ＨＶＭ）生産ツールまたはインプリントリソグラフィシステムによって実装されることができる。本技法は、複数のオブジェクトを任意の好適なシステムまたはツール内で整合させるために適用されることができる。本技法は、任意の好適なマイクロまたはナノ構造または任意の両面パターン化構造、例えば、回折格子を任意の好適な基板（例えば、剛性または可撓性材料）の片側または両側上に加工または製造するために適用されることができる。例えば、本技法は、仮想または拡張現実システム内の接眼レンズのための回折光学要素（ＤＯＥ）を加工するために利用されることができる。ＤＯＥは、直交瞳拡張（ＯＰＥ）回折要素および射出瞳拡張（ＥＰＥ）回折要素を含むことができる。ＯＰＥ回折要素およびＥＰＥ回折要素は、基板、例えば、ガラス基板の同一側または反対側上に加工されることができる。接眼レンズは、例えば、１００μｍ／０．５弧分以下の重層の整合正確度を伴って、基板の両側上にＯＰＥおよびＥＰＥインプリントを有する、接眼レンズであることができる。
例示的インプリントツール

【0108】

図１は、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、例示的インプリントツール１００の概略図である。インプリントツール１００は、片面インプリント、両面インプリント、または両方を実施するように構成されることができる。

【0109】

インプリントツール１００は、基部１０１上に位置付けられる、ステージ１０２を含むことができる。ステージ１０２は、Ｘ方向、Ｙ方向、または両方に沿って移動するように制御されることができる。ステージは、ＸＹＴ空気軸受ステージであることができ、かつ６軸調節可能ステージであることができる。基板１０５は、ステージ１０２上のチャック１０４上に位置付けられることができる。チャック１０４は、例えば、移動の間、基板１０５をチャック１０４上に保持するように構成される、真空チャックであることができる。チャック１０４によって保持される基板１０５は、ステージ１０２とともに移動可能である。基板１０５は、透明基板、例えば、ガラスウエハであることができる。ステージ１０２は、対応するチャック１０４を介して、２つまたはそれを上回る基板１０５を保持することができる。

【0110】

図２は、図１の基板１０５として使用され得る、例示的基板２００を示す。インプリントは、基板２００のある側上に形成される。インプリントは、１つまたはそれを上回る基点マーク２０２、２０４を含むことができる。画像２０６は、円形２０８と、垂直バー２１０とを含み得る、例示的基点整合マークを示す。基点マーク２０２、２０４は、例えば、反対側上にインプリントする前に、基板２００上のインプリントを位置合わせするために使用されることができる。基点マーク２０２、２０４はまた、基板２００の両側上にインプリントした後、両端インプリント重層を測定するために使用されることができる。

【0111】

いくつかの実装では、ウエハ検査システム（ＷＩＳ）（図１に図示せず）が、インプリントモジュールと装填システム、例えば、機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）との間のステーションに位置付けられ、基板１０５の画像を捕捉することができる。ＷＩＳシステムは、基板全体の画像を捕捉するために、カメラを含むことができる。ＷＩＳは、インプリント前検査およびインプリント後検査を基板１０５上で実施するように構成されることができる。ＷＩＳシステムは、基板の切り欠きおよび幾何学形状（例えば、円形）を使用することによって、ブランクまたはパターン化された基板を位置合わせすることができる。ＷＩＳシステムは、同様にパターンを位置合わせすることによって、基板上にインプリントされるパターンの全体的心合を決定するように構成されることができる。ＷＩＳシステムは、パターン／分注オフセットおよびパターン／ブランク基板オフセットを測定し、欠陥を検出し、かつ任意の他の好適な動作を実施するように構成されることができる。

【0112】

レジストディスペンサ１０７、例えば、インクジェット印刷デバイスが、自動分注面積１０３の上方に配列されることができる。レジストディスペンサ１０７は、レジスト、例えば、紫外線（ＵＶ）光硬化性レジストを投入するように構成される、１つまたはそれを上回る分注ヘッドを含む。テンプレートロール（またはウェブ）１１０、例えば、コーティングされたレジストテンプレートフィルムが、供給ローラ１０８から供給されることができる。テンプレートロール１１０は、可撓性であることができる。テンプレートロール１１０は、インプリントされるべき１つまたはそれを上回るテンプレートと、テンプレートの上部の保護フィルム１１１とを含むことができる。

【0113】

図３Ａは、供給ローラ３０２と取込ローラ３０４との間に延在し得る、例示的テンプレートロール３００を示す。テンプレートロール３００は、テンプレートの単一トラック３１２、例えば、Ｆ０、Ｆ０＋１、Ｆ０＋ｘ、Ｆｆを有する、テンプレートフィールド３１０を含むことができる。第１のインプリントアクションの間、テンプレートロール３００は、供給ローラ３０２から取込ローラ３０４に前進されることができ、テンプレートフィールド３１０内のテンプレート３１２は、例えば、Ｆ０からＦｆまで、順次処理されることができる。第１のインプリントアクション後の第２のインプリントアクションの間、テンプレートロール３００は、取込ローラ３０４から供給ローラ３０２に前進されることができ、テンプレートフィールド３１０内のテンプレート３１２は、逆の順序で、例えば、ＦｆからＦ０まで、順次処理されることができる。テンプレートロール３００は、Ｆ０からＦｆまでの順序で、証明印刷３１４によって、認定されることができる。ある場合には、第１のインプリントアクション後、テンプレートロール３００は、取込ローラ３０４から供給ローラ３０２まで完全に巻き戻されることができる。テンプレート３１２は、回折構造、例えば、回折格子を含むことができる。異なるテンプレート３１２は、光、例えば、白色光によって照明されると、異なる色、例えば、赤色、青色、または赤色を回折するように構成されることができる。

【0114】

図３Ｂは、テンプレート３７２の二重トラック３５２、３５４を含み得る、テンプレートフィールド３６０を有する、別の例示的テンプレートロール３５０を示す。各テンプレートは、個別の識別子番号、例えば、１、２、３、４を、水平方向に沿って、単一トラック内に有する。テンプレートのトラック３５２、３５４は、相互に平行にテンプレートロール３５０上に水平方向に沿って位置付けられる。垂直方向に沿って、同一順序番号を有するテンプレートは、テンプレートブロック３７０を形成することができる。同一順序番号を有するテンプレートは、水平方向に沿って同一場所を有し、垂直方向に沿って分離されることができる。例えば、ブロック１からのトラック３５２上のテンプレートＦ１およびトラック３５４上のテンプレートＦ１である。テンプレートブロック内のテンプレートのうちの任意の１つが、不良である場合、テンプレートブロックは、使用不可能であると見なされ得、インプリントの間、スキップされることができる。

【0115】

図１に戻って参照すると、テンプレートロール１１０は、図３Ａのテンプレートの単一トラックを有する、テンプレートロール３００、または図３Ｂのテンプレートの二重トラックを有する、テンプレートロール３５０であることができる。テンプレートロール１１０はまた、例えば、製造量を改良するために、テンプレートの３つまたはそれを上回るトラックを有することができる。

【0116】

テンプレートロール１１０は、ローラ１０９によって、供給ニップ１１３とローラ１１２との間の場所を通して、前進されることができる。保護フィルム１１１は、テンプレートロール１１０から剥離され、供給ニップ１１３上に巻回されることができる。保護フィルム１１１が、剥離された後、テンプレートロール１１０上のテンプレートは、暴露され、検査システム１１４によって捕捉されることができる。検査システム１１４は、インプリントされるべきテンプレートの１つまたはそれを上回る基点マークを位置合わせまたは位置特定するために使用されることができる。テンプレートの基点マークの位置合わせは、ＸＹＴステージ座標系内のテンプレートオフセットを算出するために使用されることができ、図１に図示されるように、Ｘは、Ｘ方向を表し、Ｙは、Ｙ方向を表し、Ｔは、ＸＹ平面におけるシータ（θ）方向を表す。検査システム１１４は、１つまたはそれを上回るカメラを含むことができる。各カメラは、テンプレートの１つの基点整合マークを捕捉するように構成されることができる。例えば、テンプレートが、２つの基点マークを有する場合、検査システム１１４内の２つのカメラが、それぞれ（かつ同時に）、２つの基点マークを捕捉するために使用されることができる。

【0117】

図４Ａは、テンプレートをテンプレートロール４０２上に位置合わせするための例示的システム４００を示す。テンプレートロール４０２は、ローラ４１２、４１４、４１６を含む、ローラシステム４１０によって、前進されることができる。テンプレートロール４０２は、テンプレートフィールド４２０、例えば、図３Ｂのテンプレートフィールド３６０を有する。テンプレートフィールド４２０は、テンプレート４２２、例えば、図３Ｂのテンプレート３７２の二重トラックを含むことができる。例えば、同時に、２つの対応する基板４３０上にインプリントされるべき２つのテンプレート４２２は、テンプレートブロック、例えば、図３Ｂのテンプレートブロック３７０内にあることができる。基板４３０は、可動ステージ４０４、例えば、図１のステージ１０２上に、チャック、例えば、図１のチャック１０４を介して、配列される。各テンプレート４２２は、基板４３０と実質的に同一面積サイズおよび同一形状を有することができる。ある場合には、各テンプレート４２２は、基板４３０と同一形状であるが、基板４３０より小さい面積を有することができる。

【0118】

システム４００は、テンプレートをテンプレートロール４０２上に位置合わせするように構成され得る、上方視検査システム４４０を含むことができる。いくつかの実施例では、各テンプレートは、２つの基点マークを有し、上方視検査システム４４０は、それぞれ、テンプレートロール上の２つのテンプレート４２０の４つの基点マークのために、４つのカメラ４４２を含む。上方視検査システム４４０は、図４Ａに図示されるように、ステージ４０４上に位置付けられることができる。

【0119】

図５は、図４Ａの例示的検査システム４４０によって捕捉されたロールツーロールテンプレートフィールドからのテンプレートの基点マークの例示的画像（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）を示す。４つのカメラ４４２はそれぞれ、テンプレート上の対応する基点マークの画像を捕捉する。例えば、画像（Ｉ）および（ＩＩ）は、テンプレートフィールド４２０内の第１のテンプレート４２２の２つの基点マークを示し、画像（ＩＩＩ）および（ＩＶ）は、テンプレートフィールド４２０内の第２のテンプレート４２２の別の２つの基点マークを示す。

【0120】

図１に戻って参照すると、検査システム１１４は、上方視検査システム４４０であることができる。テンプレートが、位置合わせされた後、テンプレートロール１１０は、インプリント面積に前進され、そこで、テンプレートは、基板１０５上のレジスト上にインプリントされることになる。基板１０５は、ステージ１０２とともに、テンプレート下で移動されることができる。基板１０５およびテンプレートは、例えば、検査システム１１４によって位置合わせされた基点マークによって、整合されることができる。いくつかの実装では、付加的検査システムが、基板１０５がテンプレート下で移動されるとき、テンプレートおよび基板１０５を整合させるために使用されることができる。いくつかの実装では、テンプレートと基板１０５との間の整合は、ステージ１０２の移動速度と、テンプレートロール１１０の前進速度とによって制御されることができる。

【0121】

インプリントローラ１１６は、基板１０５上のレジスト上でテンプレートロール１１０（およびテンプレート）に対して、Ｚ方向に沿って、圧力によって、押下されることができる。ホルダ１１７が、インプリントローラ１１６と接続され、Ｚ方向に沿って移動可能であって、テンプレートロール１１０に対するインプリントローラ１１６上の圧力を調節することができる。インプリントツール１００は、テンプレートロール１１０に対して、Ｚ方向に沿って、圧力によって押下されるように構成される、分離ローラ１２０を含むことができる。別のホルダ１１９が、分離ローラ１２０に接続され、Ｚ方向に沿って移動可能であって、テンプレートロール１１０に対する分離ローラ１２０上の圧力を調節することができる。分離ローラ１２０は、テンプレートロールが分離ローラ１２０とインプリントローラ１１６との間で平坦であるように、Ｚ方向に沿って、インプリントローラ１１６と同一レベルを有するように制御されることができる。いくつかの実装では、テンプレートフィールド内のテンプレートは、基板がインプリントローラ１１６の真下である速度で移動されるとき、インプリントローラ１１６を押下することによって、基板１０５上のレジスト上にインプリントされることができる。いくつかの実装では、押下デバイス、例えば、ガラスドームが、インプリントローラ１１６と分離ローラ１２０との間に位置付けられ、テンプレートに対して基板１０５上のレジストの中に押下され、テンプレートに対応するインプリントを作製することができる。

【0122】

光源１１８、例えば、紫外線（ＵＶ）光源が、インプリントローラ１１６と分離ローラ１２０との間に位置付けられることができる。光源は、インプリントローラ１１６より分離ローラ１２０の近くに位置付けられることができる。光源１１８は、テンプレートロール１１０上のテンプレートによってインプリントされた後、レジストを硬化させるように構成される。

【0123】

分離ローラ１２０後、テンプレートロール１１０は、基板１０５から分離され、テンプレートは、再び、暴露された状態になる。別の検査システム１２１が、テンプレートの画像を捕捉するために使用されることができ、これは、テンプレートの条件、基点マークの条件、またはテンプレート上の両方、例えば、テンプレート、基点マーク、または両方が、損傷されているかどうかを分析するために使用され得る。

【0124】

テンプレートロール１１０は、ローラ１２２および巻取ローラ１２３まで前進されることができ、そこで、保護フィルムローラ１２５からの保護フィルム１２４が、テンプレートを有する、テンプレートロール１１０の側の上部に巻回されることができる。保護フィルム１２４を含む、新しいテンプレートロール１１０’が、ローラ１２６を通して、巻取ローラ１２７上に巻かれることができる。

【0125】

基板１０５が、装填解除されると、基板１０５は、検査システム１０６、例えば、微整合または下方視微整合検査システムを伴う、下方視検査システムによって、位置合わせされることができる。検査システム１０６は、レジストインプリントを伴う、基板１０５の画像を捕捉し、基点マークをレジストインプリント（レジストインプリントのための実際の基点場所に対応する）上に位置合わせするように構成されることができる。検査システム１０６は、設計された基点場所と実際の基点場所との間の差異に基づいて、ウエハオフセットを決定することができる。設計された基点場所は、最大ＸＹＴ測定分解能を提供するように設計され、これは、接眼レンズパターンレイアウトおよびツール幾何学形状によって制約され得る。いくつかの実装では、チャック１０４は、下方視検査システムが基板１０５の画像を捕捉するとき、基板１０５（例えば、透明ガラス）の基点マークが可視であるように、基板１０５の基点マークを被覆するために十分に大きい面積、例えば、４ｍｍ×４ｍｍを有し得る、不感帯を含むことができる。いくつかの実施例では、材料、例えば、シリコンが、基点マークと基板１０５との間のコントラストを改良するために、チャック１０４の不感帯の中に挿入されることができる。

【0126】

図４Ｂは、基板４７０上の整合基点マークを測定するための例示的システム４５０の概略図である。基板４７０は、片面インプリントを伴う基板または両面インプリントを伴う基板であることができる。いくつかの実装では、１つまたはそれを上回る基板、例えば、１、２、３が、インプリントプロセスの間、テンプレートロール、例えば、図３Ｂのテンプレートロール３５０上のテンプレートブロック内の対応する数のテンプレートを使用して、同時に処理されることができる。システム４５０は、支持体４５２上に位置付けられ得る、下方視検査システム４６０を含むことができる。下方視検査システム４６０は、図１のインプリントツール１００内の検査システム１０６として使用されることができる。

【0127】

下方視検査システム４６０は、１つまたはそれを上回るカメラ（または顕微鏡）４６２を既知の場所に含むことができる。各カメラは、基板上のインプリントの１つまたはそれを上回る基点マークの画像を捕捉するように構成されることができる。いくつかの実施例では、インプリントは、２つの基点マークを含み、２つのカメラが、それぞれ、インプリントの２つの基点マークの画像を捕捉するために使用されることができる。いくつかの実施例では、図４Ｂに図示されるように、２つの基板が、インプリントプロセスにおいて同時に処理され、下方視検査システム４６０は、それぞれ、２つの基板の４つの基点マークまたは２つの基板上の片面インプリントの４つの基点マーク（または両面インプリントの８つの基点マーク）の画像を捕捉するように構成される、４つのカメラ４６２を含むことができる。

【0128】

いくつかの実装では、テンプレートロール１１０上のテンプレートに対応するインプリントを伴う、基板１０５は、オリジナル位置に戻るように移動されることができる。基板１０５は、ＷＩＳシステム内に配列されることができる。ＷＩＳシステムは、インプリント／基板画像オフセットおよびインプリント／レジスト画像オフセットを測定するために使用されることができる。これらの画像オフセットは、ステージ補正のために使用されることができる。

【0129】

図６および７Ａ－７Ｇにおいてさらに詳細に議論されるように、インプリントツール１００は、上方視検査システム４４０と、下方視検査システム４６０とを含む、重層整合システムとともに、片面インプリント、両面インプリント、または両方を実施するように構成されることができ、インプリントのための多目的整合に対処することができる。整合は、基板とテンプレートの整合、テンプレートと基板上のレジストの整合、および基板の両側上のインプリント（またはパターン）の整合を含むことができる。テンプレートと基板の整合は、下流プロセスに影響を及ぼし得る。テンプレートとレジストの整合および基板の両側上のインプリントの整合は、反対インプリントを伴う基板を含む、標的デバイスの光学性能に影響を及ぼし得る。
例示的インプリントプロセス

【0130】

図６は、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、両面インプリントプロセスにおいて多目的整合を用いて両面インプリントを基板上に加工する例示的プロセス６００を図示する、フロー図である。プロセス６００は、インプリントツール、例えば、図１のインプリントツール１００によって実施されることができる。インプリントツールは、上方視検査システム、例えば、図４Ａの検査システム４００と、下方視検査システム、例えば、図１の検査システム１０６または図４Ｂの検査システム４５０とを含む、重層整合システムを有することができる。図７Ａ－７Ｇは、インプリントツールを使用するプロセス６００の例示的プロシージャを図示する。

【0131】

例証のために、２つの基板が、図４Ａおよび４Ｂに図示されるように、プロセス６００において、同時に処理される。２つの基板は、ステージ、例えば、図１のステージ１０２または図４Ａおよび４Ｂのステージ４０４上に並置して位置付けられることができる。各基板は、透明または半透明であることができる。いくつかの実施例では、基板は、円形形状を有する、ガラスウエハ等のガラス基板である。テンプレートロール（またはウェブ）１１０は、１つまたはそれを上回るテンプレートブロックを有する、テンプレートフィールド７１０を有し、各テンプレートブロックは、インプリントのための２つのテンプレートを含む。テンプレートロール１１０は、図３Ｂのテンプレートロール３５０であることができ、テンプレートブロックは、図３Ｂのテンプレートブロック３７０であることができる。

【0132】

テンプレートロール１１０は、インプリントツールの非再現性に影響を及ぼし得る。テンプレートロール誤差を軽減させるために、テンプレートロール１１０内のテンプレートフィールド７１０は、シミュレートされたインプリントプロセスを通して、１回またはそれを上回って、インプリントツールを稼働させることによって、定置されることができる。シミュレートされたインプリントプロセスでは、基板は、オリジナル位置に留まり、テンプレートフィールドは、任意の基板との接触を有していない。テンプレートロールが、次のテンプレートフィールドに送り出されると、定置アクションが、１回、行われることができる。定置アクションは、インプリント毎のテンプレートロールのシータ（θ_{ｔｅｍｐｌａｔｅ－ｒｏｌｌ}）変動を低減させ、テンプレートフィールドをインプリント場所に設置するとき、テンプレートロール１１０の設置の再現性を改良することができる。θ_{ｔｅｍｐｌａｔｅ－ｒｏｌｌ}に起因する不確実性は、両面インプリント間の両面重層誤差θ_{ｏｖｅｒｌａｙ－ｅｒｒｏｒ}に寄与し得る。

【0133】

図７Ａに図示されるように、２つの基板（例えば、ウエハ）７０２が、装填システムによって、ステージ１０２上に装填されることができる。各基板（またはウエハ）７０２は、装填システムによって、ステージ上に着座する個別のチャック１０４上に設置されることができる。装填システムは、機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）を含むことができる。各基板７０２は、チャック１０４上に心合されることができる。インプリントすることに先立って、図７Ａ－２に図示されるように、基板７０２は、接着剤層７０１でコーティングされることができる。接着剤層７０１は、基板の表面を調製し、インプリントのためのレジストを受容するように構成される。

【0134】

６０２では、ウエハ検査システム（ＷＩＳ）が、事前検査を基板７０２上で実施する。基板７０２は、ステージ１０２と異なり得る、ＷＩＳシステムのステーション上に位置付けられることができる。基板７０２は、ＷＩＳシステム内のチャック（チャック１０４と異なる）上に位置付けられ、ＷＩＳシステムを使用した事前検査のために整合されることができる。ＷＩＳシステムは、パターン化または処理に干渉し得る、大欠陥または事物を検出するように構成される。ＷＩＳシステムは、ウエハ全体の画像を捕捉することができる。ＷＩＳシステムによって捕捉された画像は、重層整合システムによって捕捉された画像より大きいピクセルサイズを有することができる。

【0135】

ステージ１０２上の基板７０２は、図７Ｂに図示されるように、レジストディスペンサ１０７の分注ヘッドの真下で移動される。ステージ１０２は、分注整合オフセットに基づいて、ＸＹＴステージ座標系内で調節されることができる。分注整合オフセットは、ＸＹθ_{ＤｉｓｐｅｎｓｅＮｏｍｉｎａｌ}、ＸＹθ_{ＤｉｓｐｅｎｓｅＢｉａｓ}、およびＸＹθ_{ＥＦＥＭＬｏａｄＢｉａｓ}の和であることができ、ＸＹθ_{ＥＦＥＭＬｏａｄＢｉａｓ}は、チャック上での基板心合のための補正を提供する、装填オフセットを表し、ＸＹθ_{ＤｉｓｐｅｎｓｅＢｉａｓ}は、公称分注場所からのレジスト心合に対するインプリントされるパターンのための補正を提供する、分注オフセットを表し、ＸＹθ_{ＤｉｓｐｅｎｓｅＮｏｍｉｎａｌ}は、それを用いてレジストが分基板上に注される、規定されたパターンのための公称分注補正（例えば、大まかな機械的コンピュータ支援設計（ＣＡＤ）モデルまたは初期ツール設定または両方に基づく）を表す。ＸＹθ_{ＤｉｓｐｅｎｓｅＢｉａｓ}およびＸＹθ_{ＥＦＥＭＬｏａｄＢｉａｓ}は両方とも、ＷＩＳシステムを使用して、後のステップ６１０（ＷＩＳ Ｐｏｓｔ＃１）において測定および更新されることができる。現在の基板（Ｎ）に関する装填オフセットＸＹθ_{ＥＦＥＭＬｏａｄＢｉａｓ}は、前のＷＩＳインプリント後測定に基づいて、機械学習によって決定され（例えば、後のステップ６１０において）、これは、前の基板（Ｎ－１、．．．、１）からの寄与を含むことができる。例えば、装填オフセットは、ＸＹＴ＿ＬｏａｄＯｆｆｓｅｔ（Ｎ）＝ＸＹＴ＿ＬｏａｄＯｆｆｓｅｔ（Ｎ－１）＋アルファ×（ＷＩＳ誤差（Ｎ－１））として表され得る。装填オフセットはまた、より複雑な強化学習アルゴリズムを使用して表されることができる。ステージ１０２が、調節された後、レジストディスペンサ１０７の分注ヘッドは、図７Ｂ－２に図示されるように、具体的パターンに従って、レジスト７０３の小液滴を基板７０２上に堆積させるように構成される。

【0136】

テンプレートロール１１０が、ローラ１１２、１１３によって前進されるにつれて、保護フィルム１１１が、剥離され、テンプレートフィールド７１０が、暴露される。６０４では、テンプレートフィールド７１０が、例えば、上方視検査システムによって、位置合わせされる。上方視検査システムは、ステージ１０２上に位置付けられ、位置合わせのために、暴露されたテンプレートフィールド７１０のより近くに移動されることができる。各テンプレートは、２つの基点マークを含む。図４Ａに図示されるように、上方視検査システムは、テンプレートフィールド７１０のブロック内の２つのテンプレートのための４つのカメラを含むことができ、各カメラは、対応する基点マークの画像を捕捉するように構成される。各カメラ（したがって、基点マークの測定）の場所は、ＸＹＴステージ座標系内で既知である。測定結果は、テンプレートの基点マークを位置特定し、ＸＹＴステージ座標系内のテンプレート（例えば、テンプレート）オフセット（または剛体補正）ＸＹθ_{ＣＲＴｏｆｆｓｅｔ}を算出するために使用されることができる。テンプレートフィールド７１０の定置と組み合わせられたテンプレートオフセットＸＹθ_{ＣＲＴｏｆｆｓｅｔ}は、テンプレートフィールド７１０から、ＸＹＴステージ１０２、チャック１０４、または両方への安定マップを提供することができる。

【0137】

基板７０２は、非反転オフセット（またはインプリント整合オフセット）を使用して、ステージ１０２とともに、テンプレートフィールド７１０まで移動される。非反転オフセットは、ＸＹθ_{ＩｍｐｒｉｎｔＮｏｍｉｎａｌ}、ＸＹθ_{ＣＲＴｏｆｆｓｅｔ}、およびＸＹθ_{ＥＦＥＭＬｏａｄＢｉａｓ}の和であることができ、ＸＹθ_{ＩｍｐｒｉｎｔＮｏｍｉｎａｌ}は、ステージ１０２の制御システムがインプリント場所を補正するために提供し得る、インプリント公称補正（例えば、大まかなツール設定に基づく）を表す。ステージ１０２は、安定移動速度、例えば、１０ミリメートル／秒（ｍｍ／秒）で移動され、基板７０２をインプリントローラ１１６の真下に設置する。ステージ１０２の移動速度およびテンプレートロール１１０（したがって、テンプレートフィールド７１０）の前進速度は、基板７０２およびテンプレートフィールド７１０の基点マークが、非反転オフセットを使用して整合され得るように構成されることができる。

【0138】

６０６では、基板７０２が、インプリントローラ１１６の真下を通過すると、テンプレート７１２が、図７Ｃおよび７Ｃ－２に図示されるように、ホルダ１１７を通して、インプリントローラ１１６上に圧力を印加することによって、基板７０２上のレジスト７０３上にインプリントされる。下向き圧力は、３．５～４Ｎｅｗｔｏｎ（Ｎ）であることができる。いくつかの実装では、テンプレート７１２の表面は、テンプレート７１２の基板７０２上の硬化されたレジストからの平滑分離のために構成される、コーティング７１３によって被覆される。ある場合には、２つの基板７０２が、同一テンプレート７１２を用いてインプリントされる。ある場合には、２つの基板７０２はそれぞれ、異なる対応するテンプレート７１２を用いてインプリントされる。

【0139】

ステージ１０２が、安定速度、例えば、１０ｍｍ／秒で移動し続けると、基板７０２は、ＵＶ光源１１８の真下を通過し、そこで、基板７０２上のレジストは、図７Ｄおよび７Ｄ－２に図示されるように、ＵＶ光源１１８からのＵＶ光によって硬化される。

【0140】

ステージ１０２が、移動し続け、テンプレートロール１１０が、同時に前進され続けるにつれて、テンプレート７１２は、図７Ｅおよび７Ｅ－２に図示されるように、ウエハ表面から分離される。硬化されたレジストは、基板７０２の接着剤層被覆表面に接着し、インプリント７２０を形成する。テンプレート７１２上のコーティング７１３は、テンプレート７１２の基板７０２上のインプリント７２０からの平滑分離を可能にする。インプリント７２０は、テンプレート７１２の特徴（またはパターン）に対応する、特徴（またはパターン）を有する。

【0141】

６０８では、ステージ１０２が、後方に移動され、基板７０２が、図７Ｆに図示されるように、下方視検査システム１０６を使用して、インプリント後位置合わせのために整合される。図７Ｆ－２は、レジストインプリント７２０を伴う、基板７０２の概略図を示す。下方視検査システム１０６は、ＸＹＴステージ座標系内の既知のステージ座標に位置付けられることができる。チャック１０４上に、基板基点場所に跨架する、不感帯が存在することができる（例えば、コントラストを改良するために、Ｓｉ挿入を伴う）。下方視検査システム１０６は、第１の側のウエハオフセットＸＹθ_{Ｓｉｄｅ１ＷａｆｅｒＯｆｆｓｅｔ}を見出すために使用されることができる。レジストインプリント７２０上の基点マークは、レジストインプリント７２０のための実際の基点場所に対応する。設計された基点場所と実際の基点場所との間の差異は、第１の側のウエハオフセットＸＹθ_{Ｓｉｄｅ１ＷａｆｅｒＯｆｆｓｅｔ}（またはウエハ位置合わせオフセット）と見なされ得る。第１の側のウエハオフセットＸＹθ_{Ｓｉｄｅ１ＷａｆｅｒＯｆｆｓｅｔ}－装填オフセットＸＹθ_{ＥＦＥＭＬｏａｄＢｉａｓ}は、インプリント場所（テンプレート位置合わせを含む）から基板位置合わせ場所へのマップを提供することができる。本第１の側のウエハオフセットは、以下のように、初期重層／パターン設置オフセットＸＹθ_{ＯｖｅｒｌａｙＢｉａｓ}を算出するために使用されることができる。
ＸＹθ_{ＯｖｅｒｌａｙＢｉａｓ}＝ＸＹθ_{Ｓｉｄｅ１ＷａｆｅｒＯｆｆｓｅｔ}－ＸＹθ_{ＥＦＥＭＬｏａｄＢｉａｓ}（１）

【0142】

６１０では、基板７０２が、チャック１０４およびステージ１０２からＷＩＳシステムのステーションに移動される。基板７０２は、ＷＩＳシステムのチャック上に位置付けられ、ＷＩＳシステムを使用した第１の事後検査のために整合されることができる。ＷＩＳシステムは、ＸＹＴステージ座標系内のインプリント／ウエハ画像オフセットＸＹθ_{ＰａｔｔｅｒｎＴｏＷａｆｅｒ}およびインプリント／レジスト画像オフセットＸＹθ_{ＰａｔｔｅｒｎＴｏＤｒｏｐ}を測定するように構成されることができる。これらの２つのオフセットは、ステージ１０２がレジスト液滴を基板７０２上に分注するために調節されるとき、装填オフセットＸＹθ_{ＥＦＥＭＬｏａｄＢｉａｓ}および分注オフセットＸＹθ_{ＤｉｓｐｅｎｓｅＢｉａｓ}を反復的に更新するために使用されることができる。
ＸＹθ_{ＤｉｓｐｅｎｓｅＢｉａｓ}＝ＸＹθ_{ＤｉｓｐｅｎｓｅＢｉａｓ}＋α×ＸＹθ_{ＰａｔｔｅｒｎＴｏＤｒｏｐ} （２）
ＸＹθ_{ＥＦＥＭＬｏａｄＢｉａｓ}＝ＸＹθ_{ＥＦＥＭＬｏａｄＢｉａｓ}＋β×ＸＹθ_{ＰａｔｔｅｒｎＴｏＷａｆｅｒ}（３）
式中、αおよびβは、アプリケーション、機械学習、または経験的データのうちの少なくとも１つに基づいて更新され得る、定数である。

【0143】

いくつかの実装では、６１２において、上記のステップが、複数の基板に関して繰り返され、同一テンプレートを使用して同一インプリントを得ることができる。いくつかの実装では、６１４において、第１の側のインプリント７２０を伴う基板７０２が、第２の側のインプリントのために、装填解除および反転されることができる。

【0144】

図７Ｇは、両面インプリントのための反転シーケンスの実施例を示す。テンプレートフィールド７１０は、テンプレートＡ（例えば、接眼レンズのＥＰＥ）と、テンプレートＢ（例えば、接眼レンズのＯＰＥ）とを有する、テンプレートブロックを含むことができる。第１および第２の基板７０２が、反転されず、第１の側のインプリントのためのものであるとき、テンプレートＡおよびＢは、それぞれ、第１および第２のチャック上に位置する、第１および第２の基板の第１の側上にインプリントされる。例えば、インプリントＡに対応する、テンプレートＡは、第１の基板の上半分の第１の側上に形成され、テンプレートＢに対応する、インプリントＢは、第２の基板の下半分の第１の側上に形成される。

【0145】

次いで、インプリントＡを伴う第１の基板は、反転され、第２のチャック上に位置付けられ、インプリントＢを伴う第２の基板は、反転され、図７Ｇに図示されるように、第１のチャック上に位置付けられる。第２の側のインプリントでは、同一テンプレートＡおよびＢは、それぞれ、第１の基板および第２の基板の第２の側上にインプリントされる。すなわち、インプリントＡは、第１の側の下半分上に形成される、インプリントＢを有する、第２の基板の第２の側の上半分上に形成され、インプリントＢは、第１の側の上半分上に形成される、インプリントＡを有する、第１の基板の第２の側の下半分上に形成される。結果として、図７Ｇに示されるように、インプリントＡおよびＢは、第１の基板および第２の基板のそれぞれの反対側上に形成される。インプリントＡおよびＢは、片側から精査されるとき、分離、オフセット、または重複され得る。

【0146】

図６に戻って参照すると、第１の側のインプリント７２０を伴う基板７０２は、装填システム、例えば、ＥＦＥＭと、随意に、ウエハ反転デバイスとを使用して、反転され、第１の側のインプリント７２０が下に面した状態で、チャック１０４に装填される。

【0147】

第２のインプリントのためのインプリント／ウエハ画像オフセットＸＹθ_{ＰａｔｔｅｒｎＴｏＷａｆｅｒ}は、下に面したインプリントされたパターンのウエハ位置合わせおよび両端重層オフセットＸＹθ_{ＯｖｅｒｌａｙＢｉａｓ}によって制約されるため、装填オフセットＸＹθ_{ＥＦＥＭＬｏａｄＢｉａｓ}は、第２の側のために更新されない。したがって、ＷＩＳシステムによって反転された基板に関する本更新は、ステップ６１５においてスキップされることができる。

【0148】

６１６では、テンプレートフィールド７１０は、再び、上方視検査システムによって、第２の側のインプリントのために位置合わせされ、これは、ステップ６０４における位置合わせと同一であることができる。

【0149】

６１８では、反転された基板７０２は、下方視微整合検査システム１０６によって、インプリント７２０に基づく反転された座標を使用して、位置合わせされ、これは、ステップ６０８における位置合わせと同一であることができる。位置合わせは、第２の側のインプリントの前に生じる。基板７０２上の第１の側のインプリント７２０の基点マークは、コントラストを改良するために、チャック上のＳｉ「不感帯」に位置することができる。「不感帯」は、検査システム１０６内のカメラが、基板、例えば、透明ガラスを通して検視し、第１のインプリントされた側の（例えば、低コントラストの）インプリントされたレジストパターンによって作成された基点マークに焦点を当て得るように、本ステップのために構成される。不感帯を伴わない場合、基点マークは、公称上、研磨されたチャック表面と接触し得、これは、雑音が多く、画像処理に関する難点を引き起こし得る。位置合わせの結果は、第２の側のウエハオフセットＸＹθ_{Ｓｉｄｅ２ＷａｆｅｒＯｆｆｓｅｔ}として定義されることができる。

【0150】

次いで、基板７０２は、図７Ｂに図示されるものと同様に、ステージ１０２を移動させることによって、レジストディスペンサ１０７の分注ヘッドの真下で移動される。ステージ１０２は、ＸＹθ_{ＤｉｓｐｅｎｓｅＮｏｍｉｎａｌ}、ＸＹθ_{ＤｉｓｐｅｎｓｅＢｉａｓ}、ＸＹθ_{Ｓｉｄｅ２ＷａｆｅｒＯｆｆｓｅｔ}、およびＸＹθ_{ＯｖｅｒｌａｙＢｉａｓ}の和に基づいて、ＸＹＴステージ座標系内で調節されることができ、ＸＹθ_{ＤｉｓｐｅｎｓｅＢｉａｓ}は、公称分注場所からのレジスト心合に対するインプリントされるパターンのための補正を提供する、分注オフセットを表し、ＸＹθ_{ＤｉｓｐｅｎｓｅＮｏｍｉｎａｌ}は、それを用いてレジストが基板上に分注される、規定されたパターンのための公称分注補正（例えば、大まかなツール設定から）を表す。ＸＹθ_{ＤｉｓｐｅｎｓｅＢｉａｓ}は、後のステップ（６２４）において、ＷＩＳシステムを使用して、測定および更新されることができる。装填オフセットＸＹθ_{ＥＦＥＭＬｏａｄＢｉａｓ}は、第１の側上で補正され、インプリントは、重層オフセットＸＹθ_{ＯｖｅｒｌａｙＢｉａｓ}によって制約される。次いで、レジストが、基板７０２の第２の側上に、図７Ｂ－２に図示されるものと同様に、第２の側のために規定されたパターンに従って、分注される。

【0151】

レジストを伴う基板７０２は、反転されたオフセットを使用して、ステージ１０２とともに、テンプレートフィールド７１０の真下に移動される。反転されたオフセットは、ＸＹθ_{ＩｍｐｒｉｎｔＮｏｍｉｎａｌ}、ＸＹθ_{Ｓｉｄｅ２ＷａｆｅｒＯｆｆｓｅｔ}、ＸＹθ_{ＣＲＴｏｆｆｓｅｔ}、およびＸＹθ_{ＯｖｅｒｌａｙＢｉａｓ}の和であることができ、ＸＹθ_{ＩｍｐｒｉｎｔＮｏｍｉｎａｌ}は、ステージ１０２の制御システムがインプリント場所を補正するために提供し得る、インプリント公称補正を表す。

【0152】

６２０では、テンプレート７１２が、図７Ｃおよび７Ｃ－２に図示されるものと同様に、基板７０２の第２の側上のレジスト上にインプリントされる。レジストは、図７Ｄおよび７Ｄ－２に図示されるものと同様に、ＵＶ光によって硬化される。次いで、テンプレート７１２は、図７Ｅおよび７Ｅ－２に図示されるものと同様に、基板７０２の第２の側上の形成されたインプリントから分離される。

【0153】

６２２では、チャック７０４から装填解除する前に、第１の側／第２の側のインプリントオフセットに対応する、両面重層誤差が、図７Ｆおよび７Ｆ－２に図示されるものと同様に、下方視検査システム１０６（例えば、微整合を伴う）を使用して、測定される。下方視検査システム１０６は、ように構成される、第１の側のインプリントおよび第２の側のインプリントの基点マークを同時に検視し、第１の側のインプリントと第２の側のインプリントの基点マーク間の実際のオフセットを計算する。各テンプレート、例えば、図７ＧにおけるテンプレートＡまたはテンプレートＢが、２つの基点マークを有する場合、下方視検査システム１０６は、両面インプリントを伴う２つの基板のための４つのカメラを含むことができ、各カメラは、基板の第１および第２の側のインプリント上の一対の基点マークを測定するように構成される。

【0154】

図８Ａは、４つのカメラによって捕捉された、重層測定の例示的画像（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）を示す（画像処理アルゴリズムによるフィルタリングまたは閾値化を含む）。画像（Ｉ）は、第１の基板上の第１の側のインプリント上の第１の基点整合マーク（右側の円形および矩形マークによって表される）と、第２の側のインプリント上の第１の基点整合マーク（左側の円形および矩形マークによって表される）とを示す。画像（ＩＩ）は、第１の基板上の第１の側のインプリント上の第２の基点整合マークと、第２の側のインプリント上の第２の基点整合マークとを示す。画像（ＩＩＩ）は、第２の基板上の第１の側のインプリント上の第１の基点整合マークと、第２の側のインプリント上の第１の基点整合マークとを示す。画像（ＩＶ）は、第２の基板上の第１の側のインプリント上の第２の基点整合マークと、第２の側のインプリント上の第２の基点整合マークとを示す。

【0155】

第１の基板に関して、第１の実際のオフセットは、画像（Ｉ）内の第１の基点マーク間のオフセットであって、第２の実際のオフセットは、画像（ＩＩ）内の第２の基点マーク間のオフセットである。第１の基板に関する実際のオフセットは、第１の実際のオフセットおよび第２の実際のオフセットの平均であることができる。第１の実際のオフセットは、第２の実際のオフセットと同じであることができる。実際のオフセットは、Ｘ方向、Ｙ方向、または両方にあることができる。第２の基板に関して、第３の実際のオフセットは、画像（ＩＩＩ）内の第１の基点マーク間のオフセットであって、第４の実際のオフセットは、画像（ＩＶ）内の第２の基点マーク間のオフセットである。第２の基板に関する実際のオフセットは、第３の実際のオフセットおよび第４の実際のオフセットの平均であることができる。第３の実際のオフセットは、第４の実際のオフセットと同じであることができる。実際のオフセットは、Ｘ方向、Ｙ方向、または両方にあることができる。

【0156】

図８Ｂは、不良整合および良好な整合を伴う、両面インプリントを伴う基板の例示的画像を示す。チャックと接触する、基板の第１の側上の基点マークは、矩形の左に円形を伴うマークによって表され、基板の上方の基板の第２の側上の基点マークは、矩形の右に円形を伴うマークによって表される。画像（Ｖ）は、両面インプリントに関する不良整合（例えば、約１２０μｍ）を示し、Ｙ方向に沿って、両面インプリントの基点マーク間にオフセットが存在する。画像（ＶＩ）は、両面インプリントのための良好な整合を示し、両面インプリントの基点マーク間のオフセットは、Ｙ方向に沿って、ゼロと実質的に同じである（例えば、設計された両面マーク間場所に基づいて）。

【0157】

図６のステップ６２２に戻って参照すると、下方視検査システム１０６は、両面重層誤差ＸＹθ_{ＯｖｅｒｌａｙＥｒｒｏｒ}として、実際のオフセットと設計されたオフセット（または所定の閾値オフセット）との間の差異を算出することができる。測定された両面重層誤差ＸＹθ_{ＯｖｅｒｌａｙＥｒｒｏｒ}は、以下のように、重層オフセットＸＹθ_{ＯｖｅｒｌａｙＢｉａｓ}を反復的に改良するために使用されることができる。
ＸＹθ_{ＯｖｅｒｌａｙＢｉａｓ}＝ＸＹθ_{ＯｖｅｒｌａｙＢｉａｓ}＋μ×ＸＹθ_{ＯｖｅｒｌａｙＥｒｒｏｒ（}４）
式中、μは、アプリケーション、経験的データ、または機械学習のうちの少なくとも１つによって決定（または更新）され得る、定数である。

【0158】

６２４では、両面インプリントを伴う基板が、ステップ６１０と同様に、ステージ１０２から装填解除され、ＷＩＳシステムのステーション上に位置付けられ、ＷＩＳシステムを使用した第２の事後検査のために整合される。ＷＩＳシステムは、ＸＹＴステージ座標系内で第２の側に関するインプリント／レジスト画像オフセットＸＹθ_{ＰａｔｔｅｒｎＴｏＤｒｏｐ}を測定するように構成されることができる。オフセットは、分注オフセットＸＹθ_{ＤｉｓｐｅｎｓｅＢｉａｓ}を反復的に更新するために使用されることができる。
ＸＹθ_{ＤｉｓｐｅｎｓｅＢｉａｓ}＝ＸＹθ_{ＤｉｓｐｅｎｓｅＢｉａｓ}＋α×ＸＹθ_{ＰａｔｔｅｒｎＴｏＤｒｏｐ}（５）
式中、αは、アプリケーション、機械学習、または経験的データに基づいて更新され得る、定数である。第２の側に関する方程式（５）における定数αは、第１の側に関する方程式（２）における同一αであることができる。第１の側におけるものと異なり、装填オフセットＸＹθ_{ＥＦＥＭＬｏａｄＢｉａｓ}は、インプリント／基板オフセットが重層オフセットによって制約されるため、第２の側に関して更新されない。

【0159】

より多くの基板が処理されるにつれて、インプリントツールの再現性は、自動的に、または機械学習および適切なパラメータを更新することによって改良され、それによって、基板の両側上のインプリントに関する整合オフセットを最小限にまたは排除することができる。

【0160】

図９Ａは、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、整合を用いてインプリントを基板上に加工する例示的プロセス９００のフロー図である。プロセス９００は、図４Ａの上方視検査システム４４０と、図４Ｂの下方視検査システム４６０とを含む、重層整合システムを伴う、上記に説明されるインプリントツール、例えば、図１のインプリントツール１００によって実施されることができる。

【0161】

９０２では、テンプレートロールが、ローラに沿って牽引される。テンプレートロールは、テンプレート基点マークを伴うテンプレートを有する、テンプレートフィールドを含む。テンプレートは、インプリント特徴、例えば、格子特徴を含むことができる。テンプレートロールは、図１のテンプレートロール１１０、図３Ａのテンプレートロール３００、図３Ｂのテンプレートロール３５０、または図４Ａ－４Ｂのテンプレートロール４０２であることができる。テンプレートフィールドは、図３Ａのテンプレートフィールド３１０、図３Ｂのテンプレートフィールド３６０、図４Ａ－４Ｂのテンプレートフィールド４２０、または図７Ａ－７Ｆのテンプレートフィールド７１０であることができる。テンプレートは、図３Ａのテンプレート３１２、図３Ｂのテンプレート３７２、図４Ａ－４Ｂのテンプレート４２２、または図７Ｃ－７Ｅのテンプレート７１２であることができる。テンプレートフィールドは、１つまたはそれを上回るテンプレートを含む、テンプレートブロックを含むことができる。ブロックは、図３Ｂのテンプレートブロック３７０または図７Ｇのテンプレートブロックであることができる。

【0162】

ローラは、供給ローラ、例えば、図１および７Ａ－７Ｆの供給ローラ１０８、巻取ローラ、例えば、図１および７Ａ－７Ｆの巻取ローラ１２７、インプリントローラ、例えば、図１および７Ａ－７Ｆのインプリントローラ１１６、分離ローラ、例えば、図１および７Ａ－７Ｆの分離ローラ１２０を含むことができる。テンプレートロールは、定常速度で牽引されることができる。

【0163】

９０４では、テンプレートのテンプレート基点マークが、測定され、テンプレートオフセットを決定する。インプリントツールは、上方視検査システム、例えば、図４Ａ－４Ｂの上方視検査システム４４０を含むことができる。上方視検査システムは、テンプレート基点マークの画像を捕捉し、捕捉された画像に基づいて、テンプレートオフセットを決定することができる。

【0164】

いくつかの実装では、ウエハ検査システム（ＷＩＳ）は、事前検査を基板上で実施する。基板は、ＷＩＳシステムのステーション上に位置付けられ、ＷＩＳシステムを使用した事前検査のために整合されることができる。ＷＩＳシステムは、パターン化または処理に干渉し得る、大欠陥または事物を検出するように構成される。ＷＩＳシステムは、ウエハ全体の画像を捕捉することができる。ＷＩＳシステムによって捕捉された画像は、重層整合システムによって捕捉された画像より大きいピクセルサイズを有することができる。

【0165】

いくつかの実装では、基板は、ステージ上に装填された。基板は、図１の基板１０５、図２の基板２００、図４Ａ－４Ｂの基板４３０、または図７Ａ－７Ｆの基板７０２であることができる。ステージは、図１および７Ａ－７Ｆのステージ１０２または図４Ａ－４Ｂのステージ４０４であることができる。ステージは、ＸＹＴ空気軸受ステージであることができ、Ｘは、Ｘ方向を表し、Ｙは、Ｙ方向を表し、Ｔは、シータ方向を表す。ステージは、例えば、Ｘ方向に沿って、移動システムによって移動されることができる。インプリントツールは、移動システムを制御し、ステージを移動させる、またはステージの位置を調節するように構成される、コントローラを含むことができる。座標系、例えば、ＸＹＴ座標系は、ステージに基づいて、設定されることができる。

【0166】

上方視検査システムは、ステージ上に位置付けられ、座標系内に既知の位置を有することができる。上方視検査システムは、テンプレート基点マークを座標系内で位置合わせ（または位置特定）し、テンプレートオフセットを決定するように構成されることができる。テンプレートオフセットは、テンプレートフィールドからステージまたはチャックへのマップを提供することができる。いくつかの実施例では、テンプレートフィールドは、１つまたはそれを上回るテンプレートのための複数の基点マークを含む。上方視検査システムは、複数のカメラを含むことができ、複数のカメラはそれぞれ、１つまたはそれを上回るテンプレートのための複数の基点マークの異なる対応する基点マークを含む、画像を捕捉するように構成されることができる。

【0167】

基板は、装填システム、例えば、機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）によって、ステージ上に装填されることができる。基板は、チャック、例えば、真空チャックを介して、ステージ上に保持されることができる。チャックは、チャックの他の面積より良好な画像コントラストを有する、測定面積を含むことができ、基板は、基板上のインプリントの基点マークが測定面積内にある状態で、チャック上に保持されることができる。測定面積は、画像コントラストを改良するために、シリコン材料とともに挿入されることができる。測定面積は、サイズ、例えば、４ｍｍ×４ｍｍを有することができる。

【0168】

いくつかの実装では、ステージ上の基板は、分注整合オフセットに従って、レジストディスペンサの下方（例えば、下または真下）に来るように移動される。インプリントツールは、レジストディスペンサを含むことができる。分注整合オフセットは、例えば、コントローラによって、少なくとも部分的に、装填オフセットに基づいて、決定されることができる。現在の基板に関する装填オフセットは、前のＷＩＳインプリント後測定に基づいて、機械学習によって決定されることができ（例えば、後のステップ６１０において）、これは、前の基板からの寄与を含むことができる。

【0169】

分注整合オフセットはまた、少なくとも部分的に、公称分注場所からのレジスト心合に対するインプリントのための補正を提供し得る、分注オフセットに基づいて決定されることができる。分注整合オフセットはまた、少なくとも部分的に、分注公称補正に基づいて決定されることができる。いくつかの実施例では、分注整合オフセットは、装填オフセット、分注オフセット、および分注公称補正の和と決定される。レジストディスペンサは、レジスト、例えば、レジスト液滴を、例えば、規定されたパターンに従って、基板のある側上の表面上に分注することができる。

【0170】

９０６では、基板のその側上にレジストを伴う基板が、インプリント整合オフセットに基づいて、テンプレートロールのテンプレートの下方（例えば、下または真下）に来るように移動される。インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、例えば、コントローラによって、テンプレートオフセットまたは装填オフセットのうちの少なくとも１つに基づいて、決定されることができる。ある場合には、インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、インプリント公称補正に基づいて決定される。インプリント整合オフセットは、テンプレートオフセット、装填オフセット、およびインプリント公称補正の和と決定されることができる。コントローラは、テンプレートロールのテンプレートが、インプリント整合オフセットに基づいて、基板と整合されるように、テンプレートロールの牽引速度に対して、基板を保持するステージの移動速度を制御することができる。

【0171】

９０８では、テンプレートが、基板上のレジストの中に押下され、レジストが、硬化され、インプリントを基板上に形成する。テンプレートは、例えば、図７Ｃおよび７Ｃ－２に図示されるように、インプリントローラによって、レジストの中に押下されることができる。インプリントツールは、ＵＶ光を照明し、基板上のレジストを硬化させ得る、光源、例えば、ＵＶ光源を含むことができる。インプリントは、テンプレートのものに対応する、インプリントされる特徴と、テンプレートのテンプレート基点マークに対応する、インプリント基点マークとを有することができる。

【0172】

９１０では、基板上のインプリントが、測定され、インプリント基点マークと関連付けられる、標的基点場所と実際の基点場所との間のウエハ位置合わせオフセットを決定する。インプリントツールは、基板上のインプリントの場所を座標系内に（またはそれに対して）位置合わせし得る、下方視検査システムを含むことができる。下方視検査システムは、座標系内に既知の位置を有することができ、実際の基点場所に対応する、インプリントのインプリント基点マークを位置合わせする、または位置特定することができる。インプリントを伴う基板は、測定のために、チャックの測定面積内に保持されることができる。

【0173】

ステージは、１つまたはそれを上回る基板を保持するように構成されることができる。下方視検査システムは、複数のカメラを含むことができ、複数のカメラはそれぞれ、基板上の１つまたはそれを上回るインプリントの異なる対応する基点マークを含む、画像を捕捉するように構成される。

【0174】

９１２では、基板上のインプリントの重層バイアスが、少なくとも部分的に、ウエハ位置合わせオフセットに基づいて、例えば、コントローラによって、決定される。重層バイアスは、装填オフセットに基づいて決定されることができる。いくつかの実施例では、重層バイアスは、ウエハ位置合わせオフセット－装填オフセットであると決定される。

【0175】

いくつかの実装では、インプリントを伴う基板は、ステージから装填解除され、ＷＩＳシステムのステーション上に位置付けられ、インプリント後検査のために整合される。インプリントを伴う基板の画像は、例えば、ＷＩＳシステムによって測定され、インプリント／基板画像オフセットまたはインプリント／レジスト画像オフセットのうちの少なくとも１つを決定する。コントローラは、インプリント／基板画像オフセットまたはインプリント／レジスト画像オフセットのうちの少なくとも１つに基づいて、分注整合オフセットを更新することができる。インプリントツールは、更新された分注整合オフセットを使用して、テンプレートロールのテンプレートを用いて、第２の基板を反復的にインプリントすることができる。

【0176】

いくつかの実施例では、装填オフセットは、インプリント／基板画像オフセットに基づいて更新され、分注整合オフセットは、更新された装填オフセットに基づいて更新される。更新された装填オフセットは、インプリント／基板画像オフセットを第１の定数によって乗算する結果および現在の装填オフセットの和と同じであると決定されることができ、第１の定数は、アプリケーション、機械学習、または経験的データのうちの少なくとも１つによって決定されることができる。

【0177】

いくつかの実施例では、分注オフセットは、インプリント／レジスト画像オフセットに基づいて更新され、分注整合オフセットは、更新された分注オフセットに基づいて更新される。更新された分注オフセットは、インプリント／レジスト画像オフセットを第２の定数によって乗算する結果および現在の分注オフセットの和と同じであることができる。第２の定数は、アプリケーション、機械学習、または経験的データのうちの少なくとも１つによって決定される。

【0178】

いくつかの実装では、テンプレートフィールドを基板上のレジスト上にインプリントする前に、インプリントツールは、基板上のレジストと接触せずに、テンプレートロール上のテンプレートフィールドが移動される状態で、少なくとも１つのシミュレートされたインプリントシーケンスを実施することができる。次いで、少なくとも１つのシミュレートされたインプリントシーケンスが、ウェブ不安定性に起因する、ウエハ上のパターン設置の分散を低減させるように実施されることができる。

【0179】

いくつかの実装では、上記のプロセス９００は、同一テンプレートを使用して、複数の基板に関して繰り返され、同一インプリントを得ることができる。いくつかの実装では、ステップ９１２後、インプリントを基板の第１の側上に伴う基板は、基板の第２の側をインプリントするために、装填解除および反転されることができる。

【0180】

図９Ｂは、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、整合を用いてインプリントを基板上に加工する別の例示的プロセス９５０のフロー図である。プロセス９５０は、第２のインプリントを基板の第２の側上に加工するために使用されることができる。プロセス９５０はまた、例えば、図９Ａのプロセス９００後、図９Ａのインプリントツールによって、実施されることができる。

【0181】

９５２では、インプリントを伴う基板が、反転され、反転された基板が、インプリントを有する第１の側がステージに向かって面し、第２の側がステージから外方を向いた状態で、ステージ上に装填される。以前にインプリントされた基点は、不感帯上で下に面して位置する。いくつかの実装では、インプリントツールは、基板を反転させるための反転デバイスを含む。

【0182】

９５４では、反転されたインプリントを伴う反転された基板が、測定され、以前にインプリントされた基点場所（不感帯内で下に面する）と設計された標的基点場所との間のウエハ位置合わせオフセットを決定する。下方視検査システムが、反転された基板上の反転されたインプリントを座標系内に位置合わせし（基板を通して）、第２の実際の基点場所に対応し得る、反転されたインプリントの反転されたインプリント基点マークを位置特定することができる。反転された基板は、反転されたインプリントの反転されたインプリント基点マークを画像コントラストを改良するためにチャックの測定面積（例えば、不感帯）内に伴う状態で、チャックを介して、ステージ上に保持されることができる。

【0183】

９５６では、テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークが、測定され、第２のテンプレートオフセットを決定する。上方視検査システムは、図９Ａのステップ９１０と同様に、テンプレートロールの第２のテンプレートを座標系内に位置合わせし、第２のテンプレート基点マークを位置特定することができる。

【0184】

いくつかの実装では、ステージ上の反転された基板は、例えば、移動システムによって、第２の分注整合オフセットに従って、レジストディスペンサの下方（例えば、下または真下）に来るように移動される。レジストディスペンサは、例えば、規定されたパターンに従って、第２のレジストを基板の第２の側上に分注することができる。第２の分注整合オフセットは、例えば、コントローラによって、少なくとも部分的に、重層バイアスおよび第２のウエハ位置合わせオフセットに基づいて、決定されることができる。第２の分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２の公称分注場所からのレジスト心合に対するインプリントのための補正を提供する、第２の分注オフセットに基づいて決定されることができる。第２の分注整合オフセットはまた、少なくとも部分的に、第２の分注公称補正に基づいて決定されることができる。ある場合には、第２の分注整合オフセットは、重層バイアス、第２のウエハ位置合わせオフセット、第２の分注オフセット、および第２の分注公称補正の和である。

【0185】

９５８では、第２のレジストを第２の側上に伴う反転された基板が、第２のインプリント整合オフセットに基づいて、テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの下方（例えば、下または真下）に来るように移動される。第２のインプリント整合オフセットは、例えば、コントローラによって、第２のテンプレートオフセット、第２のウエハ位置合わせオフセット、および重層バイアスに基づいて、決定されることができる。第２のインプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２のインプリント公称補正に基づいて決定されることができる。ある場合には、第２のインプリント整合オフセットは、第２のテンプレートオフセット、第２のウエハ位置合わせオフセット、重層バイアス、および第２のインプリント公称補正の和である。

【0186】

９６０では、テンプレートロールの第２のテンプレートが、例えば、インプリントローラによって、基板の第２の側上の第２のレジストの中に押下され、第２のレジストは、例えば、光源によって硬化され、第２のインプリントを第２の側上に形成する。第２のインプリントは、第２のテンプレートに対応する、第２のインプリントされる特徴と、第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークに対応する、第２のインプリント基点マークとを有することができる。

【0187】

９６２では、反転されたインプリントを第１の側上に、第２のインプリントを第２の側上に伴う、反転された基板が、測定され、標的基点オフセットと実際の基点オフセットとの間の両面重層誤差を決定する。両面重層誤差、すなわち、ＸＹＴ座標系内の第１－第２の側のパターン誤差は、同時に、基板を通して、第１および第２の側のインプリントの基点マークを検視することによって測定されることができる。実際の基点オフセットは、インプリントの反転されたインプリント基点マークと第２のインプリントの第２のインプリント基点マークとの間の相対的測定値である。下方視検査システムは、図８Ａに図示されるように、反転された基板と反転されたインプリントおよび第２のインプリントを座標系上で位置合わせし、反転されたインプリント基点マークおよび第２のインプリントの第２のインプリント基点マークを位置特定することができる。反転されたインプリント基点マークおよび第２のインプリント基点マークは、チャックの測定面積（例えば、不感帯）内にあることができる。標的基点オフセットは、Ｘ方向、Ｙ方向、または両方に沿って設定されることができる。

【0188】

９６４では、第１の側上の反転されたインプリントと第２の側上の第２のインプリントとの間の両面重層バイアスが、例えば、コントローラによって、両面重層誤差に基づいて、決定される。両面重層バイアスは、両面重層誤差をある定数によって乗算する結果および前の両面重層バイアスの和と同じであると決定されることができる。定数は、アプリケーション、機械学習、または経験的データのうちの少なくとも１つによって決定されることができる。

【0189】

いくつかの実装では、インプリントツールは、例えば、プロセス９５０において、重層バイアスを両面重層バイアスとなるように更新し、更新された重層バイアスに基づいて、テンプレートロールの第２のテンプレートを使用して、第２の基板を反復的にインプリントすることができる。

【0190】

いくつかの実装では、ＷＩＳシステムは、事後検査を実施し、反転されたインプリントおよび第２のインプリントを伴う反転された基板の画像を測定し、第２のインプリント／レジスト画像オフセットを決定することができる。第２の分注整合オフセットは、第２のインプリント／レジスト画像オフセットに基づいて、更新されることができる。ある場合には、第２の分注オフセットは、第２のインプリント／レジスト画像オフセットに基づいて更新され、第２の分注整合オフセットは、更新された第２の分注オフセットに基づいて更新される。更新された第２の分注オフセットは、第２のインプリント／レジスト画像オフセットをある定数によって乗算する結果および現在の第２の分注オフセットの和と同じであることができる。定数は、アプリケーション、機械学習、または経験的データのうちの少なくとも１つによって決定されることができる。インプリントツールは、更新された第２の分注整合オフセットに基づいて、テンプレートロールの第２のテンプレートを使用して、第２の基板を反復的にインプリントすることができる。

【0191】

いくつかの実装では、ステージは、第１のチャックを介して、第１の基板を、第２のチャックを介して、第２の基板を保持し、基板は、第１の基板である。テンプレートロールのテンプレートフィールドは、第１のテンプレートと、第２のテンプレートとを含むことができる。インプリントツールは、インプリント整合オフセットに基づいて、第１の基板と第１のテンプレートおよび第２の基板と第２のテンプレートを整合させ、第１のインプリントを第１の基板の第１の側上に、第２のインプリントを第２の基板の第１の側上に形成することができる。インプリントツールはさらに、図７Ｇに図示されるように、第１の基板を反転させ、反転された第１の基板を第２のチャック上に装填し、第２の基板を反転させ、反転された第２の基板を第１のチャック上に装填するように構成されることができる。インプリントツールはさらに、第２のインプリント整合オフセットに基づいて、反転された第２の基板と第１のテンプレートおよび反転された第１の基板と第２のテンプレートを整合させ、第１のインプリントを第２の基板の第２の側上に、第２のインプリントを第１の基板の第２の側上に形成するように構成されることができる。
例示的光学システム

【0192】

図１０Ａは、例示的光学システム１０００の概略図である。光学システム１０００は、頭部装着型視認コンポーネント１００２と、ハンドヘルドコントローラコンポーネント１００４と、ベルトパックまたは同等物としてユーザ上に装着されるように構成され得る、随意の相互接続される補助コンピューティングまたはコントローラコンポーネント１００６とを特徴とする、拡張現実システムであることができる。コンポーネント１００２、１００４、１００６はそれぞれ、ＩＥＥＥ８０２．１１、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）（ＲＴＭ）、および他のコネクティビティ規格および構成によって規定されたもの等の有線または無線通信構成を介して、接続１０１０、１０１２、１０１４、１０１６、１０１７、１０１８を介して動作可能に結合され、相互およびクラウドコンピューティングまたはクラウド記憶リソース等の他の接続されるリソース１００８と通信してもよい。種々の実施形態では、描写される光学要素１０２０は、視認コンポーネント１００２を装着しているユーザが、拡張現実体験のために関連付けられるシステムコンポーネントによって生産され得る、視覚的コンポーネントとともに、ユーザの周囲の世界を視認することを有効にするように動作してもよい。そのようなシステムおよび体験は、米国特許出願第１４／５５５，５８５号、第１４／６９０，４０１号、第１４／３３１，２１８号、第１４／７２６，４２４号、および第１５／４８１，２５５号（それぞれ、参照することによってその全体として組み込まれる）に説明される。

【0193】

図１０Ｂは、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、光学コンポーネント１０３０の実施例の概略図である。光学コンポーネント１０３０は、仮想および拡張現実用途のために使用されることができる。いくつかの実装では、光学コンポーネント１０３０は、図１０Ａの光学要素１０２０内に含まれることができる。

【0194】

光学コンポーネント１０３０は、内部結合光学（ＩＣＯ）要素１０３２と、回折光学要素（ＤＯＥ）１０３４とを含み得る、接眼レンズであることができる。ＩＣＯ１０３２およびＤＯＥ１０３４は、基板１０４０内に実装されることができる。基板１０４０は、透明、例えば、ガラスであることができる。ＤＯＥ１０３４は、１つまたはそれを上回る層を有することができ、各層は、直交瞳拡張（ＯＰＥ）回折要素１０３６と、射出瞳拡張（ＥＰＥ）回折要素１０３８とを含むことができる。ＩＣＯ要素１０３２は、入力光ビーム、例えば、プロジェクタから受光し、入力光ビームを基板１０４０内のＤＯＥ１０３４に透過させるように構成される。例えば、基板１０４０は、導波管（ここでは示されない）を含み、ＩＣＯ要素１０３２は、入力光ビームを、ＤＯＥ１０３４に結合される、導波管の中に透過させる。入力光ビームは、全内部反射（ＴＩＲ）によって、導波管内を進行する。層上のＯＰＥ回折要素１０３６は、入力光ビームの一部を、ひいては、偏向される光ビームの一部を基板１０４０から外に、例えば、ユーザの眼に向かって偏向させるように構成される、ＥＰＥ回折要素１０３８に偏向させるように構成される。

【0195】

ＯＰＥ回折要素１０３６およびＥＰＥ回折要素１０３８は、同一平面に配列される、または同一層上に並置されることができる。ある場合には、ＯＰＥ回折要素およびＥＰＥ回折要素は、導波管基板の反対側上に加工されることができる。ある場合には、ＯＰＥ回折要素およびＥＰＥ回折要素は、導波管基板の片側上に加工されることができ、他のコンポーネントは、導波管基板の他側上に加工されることができる。

【0196】

図１０Ｃは、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、光学要素を加工するためのテンプレートの画像１０５０を示す。光学要素は、図１０ＢのＤＯＥ１０３４であることができる。

【0197】

テンプレートロール１０５２は、コーティングされたレジストテンプレート（テンプレート）フィールド１０５４を含むことができる。いくつかの実装では、テンプレートフィールド１０５４は、テンプレートの二重トラック、例えば、図２Ｂのテンプレートの二重トラック２５２、２５４を含むことができる。直交瞳拡張（ＯＰＥ）回折要素、例えば、図１０ＢのＯＰＥ１０３６をインプリントするためのＯＰＥテンプレート１０５６は、テンプレートフィールド１０５４の第１のトラック、例えば、図２Ｂのトラック２５２上にあることができる。射出瞳拡張（ＥＰＥ）回折要素、例えば、図１０ＢのＥＰＥ１０３８をインプリントするためのＥＰＥテンプレート１０５８は、テンプレートフィールド１０５４の第２のトラック、例えば、図２Ｂのトラック２５４上にあることができる。ＯＰＥテンプレート１０５６およびＥＰＥテンプレート１０５８は、同一ブロック、例えば、図２Ｂのブロック２６０内にあることができる。いくつかの実装では、ＣＲＥフィールド１０５４は、ＯＰＥテンプレート１０５６およびＥＰＥテンプレート１０５８の両方を含む、テンプレートの単一トラックを含むことができる。テンプレートフィールド１０５４は、１つまたはそれを上回る位置合わせマーク１０５３と、１つまたはそれを上回る整合バー、例えば、Ｘ方向に沿った整合のためのＸ－整合バー１０５５、Ｙ方向に沿った整合のためのＹ－整合バー１０５７とを含むことができる。

【0198】

図１０Ｄは、本開示の１つまたはそれを上回る実装による、図１０Ｃのテンプレートを使用して加工される光学要素１０７０の画像を示す。加工される光学要素１０７０は、図１０ＢのＤＯＥ１０３４として使用されることができる。

【0199】

加工される光学要素１０７０は、インプリントツール、例えば、図１のインプリントツール１００によって、テンプレートロールおよびレジスト１０７４上でＯＰＥおよびＥＰＥテンプレートを使用して、基板１０７２、例えば、図２の基板２００、図４Ａの４３０、または図７Ａの７０２上に加工されることができる。ＯＰＥおよびＥＰＥテンプレートは、図１０Ｃのテンプレートロール１０５２のテンプレートフィールド１０５４内の個別のテンプレートＯＰＥ１０５６およびＥＰＥ１０５８であることができる。インプリントツールは、１つまたはそれを上回る検査システム、例えば、図４Ａの上方視検査システム４４０、図４Ｂの下方視検査システム４６０、または両方を含むことができる。光学要素１０７０は、ＯＰＥテンプレートに対応する、ＯＰＥインプリント１０７６と、ＥＰＥテンプレートに対応する、ＥＰＥインプリント１０７８とを含むことができる。光学要素１０７０はまた、テンプレートロール上のテンプレートの周囲の基点マーク、例えば、図１０Ｃの基点マーク１０５３に対応する、基点マーク１０７３を含むことができる。

【0200】

いくつかの実装では、ＯＰＥインプリント１０７６およびＥＰＥインプリント１０７８は、基板１０７２の同一側上にある。ＯＰＥインプリント１０７６およびＥＰＥインプリント１０７８は、ＯＰＥおよびＥＰＥテンプレートの両方を含む、テンプレートの単一トラックを使用して、インプリントツールによって、インプリントシーケンス、例えば、図６のインプリントシーケンス６０２－６１０または図７Ａ－７Ｆに図示されるようなインプリントシーケンスに従って、加工されることができる。いくつかの実装では、ＯＰＥインプリント１０７６およびＥＰＥインプリント１０７８は、基板１０７２の反対側上にある。ＯＰＥインプリント１０７６およびＥＰＥインプリント１０７８は、ＯＰＥおよびＥＰＥテンプレートの両方を含む、テンプレートの二重トラックを使用して、インプリントツールによって、インプリントシーケンスまたは処理、例えば、図６のインプリントプロセス６００、図７Ａ－７Ｇに図示されるようなインプリントシーケンス、または図９Ａのプロセス９００および図９Ｂのプロセス９５０に従って、加工されることができる。

【0201】

いくつかの実装では、ＯＰＥテンプレートまたはＥＰＥテンプレートのうちの少なくとも１つは、ＯＰＥインプリント１０７６またはＥＰＥインプリント１０７８のうちの少なくとも１つが、光、例えば、白色光によって照明されると、規定された色、例えば、赤色、青色、または緑色を回折し得るように構成されることができる。いくつかの実施例では、ＯＰＥインプリント１０７６は、赤色を回折することができ、ＥＰＥインプリント１０７８は、緑色を回折することができる。
他の実施形態

【0202】

本開示に説明される他の実施形態は、以下を含む。

【0203】

実施形態１：インプリント方法であって、
テンプレートロールをローラに沿って牽引することであって、テンプレートロールは、テンプレートおよびテンプレートのテンプレート基点マークを有する、テンプレートフィールドを備える、ことと、
テンプレートのテンプレート基点マークを測定し、テンプレートオフセットを決定することと、
少なくとも部分的に、装填オフセットに基づいて決定される、分注整合オフセットに従って、基板をステージ上でレジストディスペンサの下方に来るように移動させることと、
レジストディスペンサを使用して、レジストを基板の第１の側上に分注することと、
インプリント整合オフセットに基づいて、基板をレジストとともにステージ上でテンプレートロールのテンプレートの下方に来るように移動させることであって、インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、テンプレートオフセットおよび装填オフセットに基づいて決定される、ことと、
テンプレートロールのテンプレートを基板上のレジストの中に押下することと、
レジストを硬化させ、インプリントを基板上に形成することであって、インプリントは、テンプレートに対応する、インプリントされる特徴と、テンプレートのテンプレート基点マークに対応する、インプリント基点マークとを有する、ことと、
を含む、方法。

【0204】

実施形態２：インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、インプリント公称補正に基づいて決定され、
インプリント整合オフセットは、テンプレートオフセット、装填オフセット、およびインプリント公称補正の和である、実施形態１に記載のインプリント方法。

【0205】

実施形態３：分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、公称分注場所からのレジスト心合に対するインプリントのための補正を提供する、分注オフセットに基づいて決定される、実施形態１または２に記載のインプリント方法。

【0206】

実施形態４：分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、分注公称補正に基づいて決定され、
分注整合オフセットは、装填オフセット、分注オフセット、および分注公称補正の和である、実施形態３に記載のインプリント方法。

【0207】

実施形態５：インプリントを伴う基板の画像を測定し、インプリント／基板画像オフセットまたはインプリント／レジスト画像オフセットのうちの少なくとも１つを決定することをさらに含む、実施形態３または４に記載のインプリント方法。

【0208】

実施形態６：
インプリント／基板画像オフセットまたはインプリント／レジスト画像オフセットのうちの少なくとも１つに基づいて、分注整合オフセットを更新することと、
更新された分注整合オフセットを使用して、テンプレートロールのテンプレートを用いて、第２の基板を反復的にインプリントすることと、
をさらに含む、実施形態５に記載のインプリント方法。

【0209】

実施形態７：
インプリント／基板画像オフセットに基づいて、装填オフセットを更新することであって、分注整合オフセットは、更新された装填オフセットに基づいて更新される、こと、または
インプリント／レジスト画像オフセットに基づいて、分注オフセットを更新することであって、分注整合オフセットは、更新された分注オフセットに基づいて更新される、こと、
のうちの少なくとも１つをさらに含む、実施形態６に記載のインプリント方法。

【0210】

実施形態８：更新された装填オフセットは、インプリント／基板画像オフセットを第１の定数によって乗算する結果および装填オフセットの和と同じであって、
更新された分注オフセットは、インプリント／レジスト画像オフセットを第２の定数によって乗算する結果および分注オフセットの和と同じである、実施形態７に記載のインプリント方法。

【0211】

実施形態９：
インプリントのインプリント基点マークを測定し、インプリント基点マークと関連付けられる、標的基点場所および実際の基点場所との間のウエハ位置合わせオフセットを決定することと、
少なくとも部分的に、ウエハ位置合わせオフセットに基づいて、基板の第１の側上のインプリントの重層バイアスを決定することと、
をさらに含む、実施形態１－８のいずれか１項に記載のインプリント方法。

【0212】

実施形態１０：基板上のインプリントの重層バイアスを決定することは、
重層バイアスがウエハ位置合わせオフセット－装填オフセットであることを決定することを含む、実施形態９に記載のインプリント方法。

【0213】

実施形態１１：テンプレートフィールドを基板上のレジスト上にインプリントする前に、テンプレートロール上のテンプレートフィールドが基板上のレジストと接触せずに移動している状態で、少なくとも１つのシミュレートされたインプリントシーケンスを実施することをさらに含む、実施形態９または１０に記載のインプリント方法。

【0214】

実施形態１２：
基板をインプリントとともに反転させ、第１の側がステージに向かって面し、第２の側がステージから外方を向いた状態で、反転された基板をステージ上に装填することであって、第２の側は、第１の側の反対にある、ことと、
反転されたインプリントの反転されたインプリント基点マークを測定し、反転されたインプリント基点マークと関連付けられる、第２の標的基点場所と第２の実際の基点場所との間の第２のウエハ位置合わせオフセットを決定することと、
テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークを測定し、第２のテンプレートオフセットを決定することと、
第２のインプリント整合オフセットに基づいて、テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの下方に来るように、反転された基板を第２の側上の第２のレジストとともに移動させることであって、第２のインプリント整合オフセットは、第２のテンプレートオフセット、第２のウエハ位置合わせオフセット、および重層バイアスに基づいて決定される、ことと、
テンプレートロールの第２のテンプレートを反転された基板上の第２のレジストの中に押下することと、
第２のレジストを硬化させ、第２のインプリントを第２の側上に形成することであって、第２のインプリントは、第２のテンプレートに対応する、第２のインプリントされる特徴と、第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークに対応する、第２のインプリント基点マークとを有する、ことと、
をさらに含む、実施形態９－１１のいずれか１項に記載のインプリント方法。

【0215】

実施形態１３：
第１の側上の反転されたインプリントの反転されたインプリント基点マークおよび第２の側上の第２のインプリントの第２のインプリント基点マークを測定し、反転されたインプリント基点マークおよび第２のインプリント基点マークと関連付けられる、標的基点オフセットと実際の基点オフセットとの間の両面重層誤差を決定することと、
両面重層誤差に基づいて、第１の側上の反転されたインプリントと第２の側上の第２のインプリントとの間の両面重層バイアスを決定することと、
をさらに含む、実施形態１２に記載のインプリント方法。

【0216】

実施形態１４：
重層バイアスを両面重層バイアスとなるように更新することと、
更新された重層バイアスに基づいて、テンプレートロールの第２のテンプレートを使用して、第２の基板を反復的にインプリントすることと、
をさらに含む、実施形態１３に記載のインプリント方法。

【0217】

実施形態１５：両面重層バイアスは、両面重層誤差をある定数によって乗算する結果および前の両面重層バイアスの和と同じである、実施形態１３または１４に記載のインプリント方法。

【0218】

実施形態１６：第２のインプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２のインプリント公称補正に基づいて決定され、第２のインプリント整合オフセットは、第２のテンプレートオフセット、第２のウエハ位置合わせオフセット、重層バイアス、および第２のインプリント公称補正の和である、実施形態１３－１５のいずれか１項に記載のインプリント方法。

【0219】

実施形態１７：少なくとも部分的に、重層バイアスおよび第２のウエハ位置合わせオフセットに基づいて決定される、第２の分注整合オフセットに従って、反転された基板をステージ上でレジストディスペンサの下方に来るように移動させることをさらに含む、実施形態１３－１６に記載のインプリント方法。

【0220】

実施形態１８：第２の分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２の公称分注場所からのレジスト心合に対するインプリントのための補正を提供する、第２の分注オフセットに基づいて決定される、実施形態１７に記載のインプリント方法。

【0221】

実施形態１９：第２の分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２の分注公称補正に基づいて決定され、
第２の分注整合オフセットは、重層バイアス、第２のウエハ位置合わせオフセット、第２の分注オフセット、および第２の分注公称補正の和である、実施形態１８に記載のインプリント方法。

【0222】

実施形態２０：反転されたインプリントおよび第２のインプリントを伴う反転された基板の画像を測定し、第２のインプリント／レジスト画像オフセットを決定することをさらに含む、実施形態１８または１９に記載のインプリント方法。

【0223】

実施形態２１：
第２のインプリント／レジスト画像オフセットに基づいて、第２の分注オフセットを更新することと、
更新された第２の分注オフセットに基づいて、第２の分注整合オフセットを更新することと、
更新された第２の分注整合オフセットに基づいて、テンプレートロールの第２のテンプレートを使用して、第２の基板を反復的にインプリントすることと、
をさらに含む、実施形態２０に記載のインプリント方法。

【0224】

実施形態２２：更新された第２の分注オフセットは、第２のインプリント／レジスト画像オフセットをある定数によって乗算する結果および第２の分注オフセットの和と同じである、実施形態２１に記載のインプリント方法。

【0225】

実施形態２３：基板は、透明である、実施形態１－２２のいずれか１項に記載のインプリント方法。

【0226】

実施形態２４：インプリント方法であって、
テンプレートロールをローラに沿って牽引することであって、テンプレートロールは、テンプレートおよびテンプレートのテンプレート基点マークを有する、テンプレートフィールドを備える、ことと、
少なくとも部分的に、装填オフセットに基づいて決定される、分注整合オフセットに従って、基板をステージ上でレジストディスペンサの下方に来るように移動させることと、
レジストディスペンサを使用して、レジストを基板の第１の側上に分注することと、
インプリント整合オフセットに基づいて、基板をレジストとともにステージ上でテンプレートロールのテンプレートの下方に来るように移動させることであって、インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、装填オフセットに基づいて決定される、ことと、
テンプレートロールのテンプレートを基板上のレジストの中に押下することと、
レジストを硬化させ、インプリントを基板上に形成することであって、インプリントは、テンプレートに対応する、インプリントされる特徴と、テンプレートのテンプレート基点マークに対応する、インプリント基点マークとを有する、ことと、
インプリントのインプリント基点マークを測定し、インプリント基点マークと関連付けられる、標的基点場所および実際の基点場所との間のウエハ位置合わせオフセットを決定することと、
ウエハ位置合わせオフセットおよび装填オフセットに基づいて、基板の第１の側上のインプリントの重層バイアス決定することと、
を含む、方法。

【0227】

実施形態２５：テンプレートのテンプレート基点マークを測定し、テンプレートオフセットを決定することをさらに含み、
インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、テンプレートオフセットに基づいて決定される、実施形態２４に記載の方法。

【0228】

実施形態２６：インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、インプリント公称補正に基づいて決定され、
インプリント整合オフセットは、テンプレートオフセット、装填オフセット、およびインプリント公称補正の和である、実施形態２４または２５に記載の方法。

【0229】

実施形態２７：重層バイアスは、ウエハ位置合わせオフセット－装填オフセットであると決定される、実施形態２４－２６のいずれかに記載の方法。

【0230】

実施形態２８：分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、公称分注場所からのレジスト心合に対するインプリントのための補正を提供する、分注オフセットに基づいて決定される、実施形態２４－２７のいずれかに記載の方法。

【0231】

実施形態２９：分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、分注公称補正に基づいて決定され、
分注整合オフセットは、装填バイアス、分注オフセット、および分注公称補正の和である、実施形態２８に記載の方法。

【0232】

実施形態３０：インプリントを伴う基板の画像を測定し、インプリント／基板画像オフセットまたはインプリント／レジスト画像オフセットのうちの少なくとも１つを決定することをさらに含む、実施形態２８または２９に記載の方法。

【0233】

実施形態３１：
インプリント／基板画像オフセットまたはインプリント／レジスト画像オフセットのうちの少なくとも１つに基づいて、分注整合オフセットを更新することと、
更新された分注整合オフセットを使用して、テンプレートロールのテンプレートを用いて、第２の基板を反復的にインプリントすることと、
をさらに含む、実施形態３０に記載の方法。

【0234】

実施形態３２：
インプリント／基板画像オフセットに基づいて、装填オフセットを更新することであって、分注整合オフセットは、更新された装填オフセットに基づいて更新される、こと、または
インプリント／レジスト画像オフセットに基づいて、分注オフセットを更新することであって、分注整合オフセットは、更新された分注オフセットに基づいて更新される、こと、
のうちの少なくとも１つをさらに含む、実施形態３１に記載の方法。

【0235】

実施形態３３：更新された装填オフセットは、インプリント／基板画像オフセットを第１の定数によって乗算する結果および装填オフセットの和と同じであって、
更新された分注オフセットは、インプリント／レジスト画像オフセットを第２の定数によって乗算する結果および分注オフセットの和と同じである、実施形態３２に記載の方法。

【0236】

実施形態３４：テンプレートフィールドを基板上のレジスト上にインプリントする前に、テンプレートロール上のテンプレートフィールドが基板上のレジストと接触せずに移動している状態で、少なくとも１つのシミュレートされたインプリントシーケンスを実施することをさらに含む、実施形態２４－３３のいずれかに記載の方法。

【0237】

実施形態３５：
基板をインプリントとともに反転させ、第１の側がステージに向かって面し、第２の側がステージから外方を向いた状態で、反転された基板をステージ上に装填することであって、第２の側は、第１の側の反対にある、ことと、
反転されたインプリントの反転されたインプリント基点マークを測定し、反転されたインプリント基点マークと関連付けられる、第２の標的基点場所と第２の実際の基点場所との間の第２のウエハ位置合わせオフセットを決定することと、
第２のインプリント整合オフセットに基づいて、テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの下方に来るように、反転された基板を第２の側上の第２のレジストとともに移動させることであって、第２のインプリント整合オフセットは、第２のウエハ位置合わせオフセットおよび重層バイアスに基づいて決定される、ことと、
テンプレートロールの第２のテンプレートを反転された基板上の第２のレジストの中に押下することと、
第２のレジストを硬化させ、第２のインプリントを上に第２の側上に形成することであって、第２のインプリントは、第２のテンプレートに対応する、第２のインプリントされる特徴と、第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークに対応する、第２のインプリント基点マークとを有する、ことと、
第１の側上の反転されたインプリントの反転されたインプリント基点マークおよび第２の側上の第２のインプリントの第２のインプリント基点マークを測定し、反転されたインプリント基点マークおよび第２のインプリント基点マークと関連付けられる、標的基点オフセットと実際の基点オフセットとの間の両面重層誤差を決定することと、
両面重層誤差に基づいて、第１の側上の反転されたインプリントと第２の側上の第２のインプリントとの間の両面重層バイアスを決定することと、
をさらに含む、実施形態２４－３４のいずれかに記載の方法。

【0238】

実施形態３６：テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークを測定し、第２のテンプレートオフセットを決定することをさらに含み、
第２のインプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２のテンプレートオフセットに基づいて決定される、実施形態３５に記載の方法。

【0239】

実施形態３７：第２のインプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２のインプリント公称補正に基づいて決定され、
第２のインプリント整合オフセットは、第２のテンプレートオフセット、第２のウエハ位置合わせオフセット、重層バイアス、および第２のインプリント公称補正の和である、実施形態３６に記載の方法。

【0240】

実施形態３８：少なくとも部分的に、重層バイアスおよび第２のウエハ位置合わせオフセットに基づいて決定される、第２の分注整合オフセットに従って、反転された基板をステージ上でレジストディスペンサの下方に来るように移動させることをさらに含む、実施形態３５－３７のいずれかに記載の方法。

【0241】

実施形態３９：第２の分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２の公称分注場所からのレジスト心合に対するインプリントのための補正を提供する、第２の分注オフセットに基づいて決定される、実施形態３８に記載の方法。

【0242】

実施形態４０：第２の分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２の分注公称補正に基づいて決定され、
第２の分注整合オフセットは、重層バイアス、第２のウエハ位置合わせオフセット、第２の分注オフセット、および第２の分注公称補正の和である、実施形態３９に記載の方法。

【0243】

実施形態４１：反転されたインプリントおよび第２のインプリントを伴う反転された基板の画像を測定し、第２のインプリント／レジスト画像オフセットを決定することをさらに含む、実施形態３９または４０に記載の方法。

【0244】

実施形態４２：
第２のインプリント／レジスト画像オフセットに基づいて、第２の分注オフセットを更新することと、
更新された第２の分注オフセットに基づいて、第２の分注整合オフセットを更新することと、
更新された第２の分注整合オフセットに基づいて、テンプレートロールの第２のテンプレートを使用して、第２の基板を反復的にインプリントすることと、
をさらに含む、実施形態４１に記載の方法。

【0245】

実施形態４３：更新された第２の分注オフセットは、第２のインプリント／レジスト画像オフセットをある定数によって乗算する結果および第２の分注オフセットの和と同じである、実施形態４２に記載の方法。

【0246】

実施形態４４：両面重層誤差を使用して、重層バイアスを更新することをさらに含む、実施形態３５－４３のいずれか１項に記載の方法。

【0247】

実施形態４５：更新された重層バイアスに基づいて、テンプレートロールの第２のテンプレートを使用して、第２の基板を反復的にインプリントすることをさらに含む、実施形態４４に記載の方法。

【0248】

実施形態４６：両面重層バイアスは、両面重層誤差をある定数によって乗算する結果および前の両面重層バイアスの和と同じである、実施形態４５に記載の方法。

【0249】

実施形態４７：基板は、透明である、実施形態３５－４６のいずれか１項に記載の方法。

【0250】

実施形態４８：両面インプリント方法であって、
テンプレートロールをローラに沿って牽引することであって、テンプレートロールは、少なくとも１つの第１のテンプレート基点マークを伴う、第１のテンプレートと、少なくとも第２のテンプレート基点マークを伴う、第２のテンプレートとを有する、テンプレートフィールドを備える、ことと、
基板をステージ上に装填することであって、基板は、第１の側と、第１の側と反対の第２の側とを有する、ことと、
ステージに基づいて、第１のテンプレートの第１のテンプレート基点マークを座標系内に位置合わせし、第１のテンプレートオフセットを座標系内で決定することと、
第１のインプリント整合オフセットに基づいて、基板を第１の側上の第１のレジストとともにテンプレートロールの第１のテンプレートの下方に来るように移動させることであって、第１のインプリント整合オフセットは、第１のテンプレートオフセットおよび装填オフセットに基づいて決定される、ことと、
テンプレートロールの第１のテンプレートを基板の第１の側上の第１のレジストの中に押下することと、
第１のレジストを硬化させ、第１のインプリントを基板の第１の側上に形成することであって、第１のインプリントは、第１のテンプレートに対応する、第１のインプリントされる特徴と、第１のテンプレートの第１のテンプレート基点マークに対応する、第１のインプリント基点マークとを有する、ことと、
基板上の第１のインプリントを座標系内に位置合わせし、第１のインプリント基点マークと関連付けられる、標的基点場所と実際の基点場所との間の第１のウエハ位置合わせオフセットを決定することと、
第１のウエハ位置合わせオフセットおよび装填オフセットに基づいて、第１のインプリント基板の第１の側上の重層バイアスを決定することと、
基板を第１のインプリントとともに反転させ、第１の側がステージに向かって面し、第２の側がステージから外方を向いた状態で、反転された基板をステージ上に装填させることと、
反転された基板と反転された第１のインプリントを座標系内で位置合わせし、反転された第１のインプリント基点マークと関連付けられる、第２の標的基点場所と第２の実際の基点場所との間の第２のウエハ位置合わせオフセットを決定することと、
テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークを座標系内に位置合わせし、第２のテンプレートオフセットを決定することと、
第２のインプリント整合オフセットに基づいて、テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの下方に来るように、反転された基板を第２の側上の第２のレジストとともに移動させることであって、第２のインプリント整合オフセットは、第２のテンプレートオフセット、第２のウエハ位置合わせオフセット、および重層バイアスに基づいて決定される、ことと、
テンプレートロールの第２のテンプレートを第２の側上の第２のレジストの中に押下することと、
第２のレジストを硬化させ、第２のインプリントを第２の側上に形成することであって、第２のインプリントは、第２のテンプレートに対応する、第２のインプリントされる特徴と、第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークに対応する、第２のインプリント基点マークとを有する、ことと、
反転された基板と第１の側上の反転された第１のインプリントおよび第２の側上の第２のインプリントを位置合わせし、反転された第１のインプリント基点マークおよび第２のインプリント基点マークと関連付けられる、標的基点オフセットと実際の基点オフセットとの間の両面重層誤差を決定することと、
両面重層誤差に基づいて、第１の側上の反転された第１のインプリントと第２の側上の第２のインプリントとの間の両面重層バイアスを決定することと、
を含む、方法。

【0251】

実施形態４９：
重層バイアスを両面重層バイアスとなるように更新することと、
更新された重層バイアスに基づいて、テンプレートロールの第２のテンプレートを使用して、第２の基板を反復的にインプリントすることと、
をさらに含む、実施形態４８に記載の方法。

【0252】

実施形態５０：重層バイアスは、第１のウエハ位置合わせオフセット－装填オフセットと決定され、
両面重層バイアスは、両面ウエハ位置合わせオフセットをある定数によって乗算する結果を加算することによって更新される、実施形態４８または４９に記載の方法。

【0253】

実施形態５２：第１のインプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、第１のインプリント公称補正に基づいて決定され、第１のインプリント整合オフセットは、第１のテンプレートオフセット、装填オフセット、および第１のインプリント公称補正の和であって、
第２のインプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２のインプリント公称補正に基づいて決定され、第２のインプリント整合オフセットは、第２のテンプレートオフセット、第２のウエハ位置合わせオフセット、重層バイアス、および第２のインプリント公称補正の和である、実施形態４８－５０のいずれか１項に記載の方法。

【0254】

実施形態５２：
少なくとも部分的に、装填オフセットに基づいて決定される、第１の分注整合オフセットに従って、基板をステージ上でレジストディスペンサの下方に来るように移動させることと、
レジストディスペンサを使用して、第１のレジストを基板の第１の側上に分注することと、
をさらに含む、実施形態４８－５１のいずれか１項に記載の方法。

【0255】

実施形態５３：第１の分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、第１の公称分注場所からのレジスト心合に対するインプリントのための補正を提供する、第１の分注オフセットに基づいて決定される、実施形態５２に記載の方法。

【0256】

実施形態５４：第１の分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、第１の分注公称補正に基づいて決定され、
第１の分注整合オフセットは、装填オフセット、第１の分注オフセット、および第１の分注公称補正の和である、実施形態５３に記載の方法。

【0257】

実施形態５５：インプリントを伴う基板の画像を測定し、インプリント／基板画像オフセットまたはインプリント／レジスト画像オフセットのうちの少なくとも１つを決定することをさらに含む、実施形態５２－５４に記載の方法。

【0258】

実施形態５６：
インプリント／基板画像オフセットまたはインプリント／レジスト画像オフセットのうちの少なくとも１つに基づいて、第１の分注整合オフセットを更新することと、
更新された第１の分注整合オフセットを使用して、テンプレートロールの第１のテンプレートを用いて、第２の基板を反復的にインプリントすることと、
をさらに含む、実施形態５５に記載の方法。

【0259】

実施形態５７：
インプリント／基板画像オフセットに基づいて、装填オフセットを更新することであって、第１の分注整合オフセットは、更新された装填オフセットに基づいて更新され、更新された装填オフセットは、インプリント／基板画像オフセットを第１の定数によって乗算する結果および装填オフセットの和と同じである、ことと、
インプリント／レジスト画像オフセットに基づいて、第１の分注オフセットを更新することであって、第１の分注整合オフセットは、更新された第１の分注オフセットに基づいて更新され、更新された第１の分注オフセットは、インプリント／レジスト画像オフセットを第２の定数によって乗算する結果および分注オフセットの和と同じである、ことと、
をさらに含む、実施形態５６に記載の方法。

【0260】

実施形態５８：
少なくとも部分的に、重層バイアスおよび第２のウエハ位置合わせオフセットに基づいて決定される、第２の分注整合オフセットに従って、反転された基板をステージ上でレジストディスペンサの下方に来るように移動させることと、
レジストディスペンサを使用して、第２のレジストを基板の第２の側上に分注ことと、
をさらに含む、実施形態４８－５７のいずれか１項に記載の方法。

【0261】

実施形態５９：第２の分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２の公称分注場所からのレジスト心合に対するインプリントのための補正を提供する、第２の分注オフセットに基づいて決定される、実施形態５８に記載の方法。

【0262】

実施形態６０：第２の分注整合オフセットは、少なくとも部分的に、第２の分注公称補正に基づいて決定され、
第２の分注整合オフセットは、重層バイアス、第２のウエハ位置合わせオフセット、第２の分注オフセット、および第２の分注公称補正の和である、実施形態５９に記載の方法。

【0263】

実施形態６１：反転された第１のインプリントおよび第２のインプリントを伴う、反転された基板の画像を測定し、第２のインプリント／レジスト画像オフセットを決定することをさらに含む、実施形態５８－６０のいずれか１項に記載の方法。

【0264】

実施形態６２：
第２のインプリント／レジスト画像オフセットに基づいて、第２の分注オフセットを更新することであって、更新された第２の分注オフセットは、第２のインプリント／レジスト画像オフセットをある定数によって乗算する結果および第２の分注オフセットの和と同じである、ことと、
更新された第２の分注オフセットに基づいて、第２の分注整合オフセットを更新することと、
更新された第２の分注整合オフセットに基づいて、テンプレートロールの第２のテンプレートを使用して、第２の基板を反復的にインプリントすることと、
をさらに含む、実施形態６１に記載の方法。

【0265】

実施形態６３：基板は、基板上の第１のインプリントの第１のインプリント基点マークが、チャックの他の面積より良好な画像コントラストを有する、チャックの測定面積内にある状態で、チャックを介して、ステージ上に保持され、
反転された基板は、反転された第１のインプリント基点マークおよび第２のインプリント基点マークが測定面積内にある状態で、チャックを介して、ステージ上に保持される、実施形態４８－６２のいずれか１項に記載の方法。

【0266】

実施形態６４：ステージは、第１のチャックを介して、第１の基板を、第２のチャックを介して、第２の基板を保持し、
両面インプリント方法は、
第１のインプリント整合オフセットに基づいて、第１の基板と第１のテンプレートを、第２の基板と第２のテンプレートを整合させることと、
第１のインプリントを第１の基板の第１の側上に、第２のインプリントを第２の基板の第１の側上に形成することと、
を含む、実施形態４８－６３のいずれか１項に記載の方法。

【0267】

実施形態６５：
第１の基板を反転させ、反転された第１の基板を第２のチャック上に装填することと、
第２の基板を反転させ、反転された第２の基板を第１のチャック上に装填することと、
第２のインプリント整合オフセットに基づいて、反転された第２の基板と第１のテンプレートおよび反転された第１の基板と第２のテンプレートを整合させることと、
第１のインプリントを第２の基板の第２の側上に、第２のインプリントを第１の基板の第２の側上に形成することと、
をさらに含む、実施形態６４に記載の方法。

【0268】

実施形態６６：インプリントシステムであって、
テンプレートロールを移動させるためのローラであって、テンプレート基点マークを伴うテンプレートを有する、テンプレートフィールドを備える、テンプレートロールと、
基板を保持するための可動ステージと、
基板をステージ上に装填するための装填システムと、
ステージを基板とともに移動させるための移動システムと、
レジストを基板のある側上に分注するためのレジストディスペンサと、
レジストを硬化させるための光源であって、光源は、テンプレートロールのテンプレートが基板の側上のレジストの中に押下されると、レジストを硬化させ、インプリントを基板の側上に形成するように構成され、インプリントは、テンプレートに対応する、インプリントされる特徴と、テンプレートのテンプレート基点マークに対応する、インプリント基点マークとを有する、光源と、
テンプレートのテンプレート基点マークを座標系内に位置合わせし、テンプレートオフセットを決定するための第１の検査システムと、
インプリントを伴う基板の画像を測定し、装填オフセットを更新するための第２の検査システムと、
インプリント整合オフセットに基づいて、移動システムを制御し、基板をレジストとともにテンプレートロールのテンプレートの下方に来るように移動させ、インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、テンプレートオフセットおよび装填オフセットに基づいて決定される、
ように構成される、コントローラと、
を備える、インプリントシステム。

【0269】

実施形態６７：基板上のインプリントを座標系内に位置合わせし、インプリント基点マークと関連付けられる、標的基点場所と実際の基点場所との間のウエハ位置合わせオフセットを決定するための第３の検査システムをさらに備え、
コントローラは、基板のその側上のインプリントの重層バイアスがウエハ位置合わせオフセット－装填オフセットとなることを決定するように構成される、実施形態６６に記載のインプリントシステム。

【0270】

実施形態６８：インプリントを伴う基板を反転させるための反転システムをさらに備え、
装填システムは、第１の側がステージに向かって面し、第２の側がステージから外方を向いた状態で、反転された基板をステージ上に装填するように構成され、第２の側は、第１の側の反対にあって、インプリントは、第１の側上にある、実施形態６７に記載のインプリントシステム。

【0271】

実施形態６９：第１の検査システムは、テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークを座標系内に位置合わせし、第２のテンプレートオフセットを決定するように構成され、
第３の検査システムは、反転された基板と反転されたインプリントを座標系内で位置合わせし、反転されたインプリントの反転されたインプリント基点マークと関連付けられる、第２の標的基点場所と第２の実際の基点場所との間の第２のウエハ位置合わせオフセットを決定するように構成され、
コントローラは、第２のインプリント整合オフセットに基づいて、移動システムを制御し、テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの下方に来るように、反転された基板を第２の側上の第２のレジストとともに移動させるように構成され、第２のインプリント整合オフセットは、第２のテンプレートオフセット、第２のウエハ位置合わせオフセット、および重層バイアスに基づいて決定される、
実施形態６８に記載のインプリントシステム。

【0272】

実施形態７０：光源は、テンプレートロールの第２のテンプレートが基板の第２の側上の第２のレジストの中に押下されると、第２のレジストを硬化させ、第２のインプリントを第２の側上に形成するように構成され、第２のインプリントは、第２のテンプレートに対応する、第２のインプリントされる特徴と、第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークに対応する、第２のインプリント基点マークとを有し、
第３の検査システムは、基板と第１の側上の反転されたインプリントおよび第２の側上の第２のインプリントを座標系内で位置合わせし、反転されたインプリント基点マークおよび第２のインプリント基点マークと関連付けられる、標的基点オフセットと実際の基点オフセットとの間の両面ウエハ位置合わせオフセットを決定するように構成され、
コントローラは、両面ウエハ位置合わせオフセットに基づいて、第１の側上の反転されたインプリントと第２の側上の第２のインプリントとの間の両面重層バイアスを決定するように構成される、
実施形態６９に記載のインプリントシステム。

【0273】

実施形態７１：インプリントシステムであって、
テンプレートロールを移動させるためのローラであって、テンプレート基点マークを伴うテンプレートを有する、テンプレートフィールドを備える、テンプレートロールと、
基板を保持するための可動ステージと、
基板をステージ上に装填するための装填システムと、
ステージを基板とともに移動させるための移動システムと、
レジストを基板のある側上に分注するためのレジストディスペンサと、
レジストを硬化させるための光源であって、光源は、テンプレートロールのテンプレートが基板の側上のレジストの中に押下されると、レジストを硬化させ、インプリントを基板の側上に形成するように構成され、インプリントは、テンプレートに対応する、インプリントされる特徴と、テンプレートのテンプレート基点マークに対応する、インプリント基点マークとを有する、光源と、
インプリントを伴う基板の画像を測定し、装填オフセットを更新するための第１の検査システムと、
基板上のインプリントを座標系内に位置合わせし、インプリント基点マークと関連付けられる、標的基点場所と実際の基点場所との間のウエハ位置合わせオフセットを決定するための第２の検査システムであって、基板のその側上のインプリントの重層バイアスは、ウエハ位置合わせオフセットと関連付けられる、第２の検査システムと、
インプリント整合オフセットに基づいて、移動システムを制御し、基板をレジストとともにテンプレートロールのテンプレートの下方に来るように移動させ、インプリント整合オフセットは、少なくとも部分的に、装填オフセットに基づいて決定され、
ウエハ位置合わせオフセットおよび装填オフセットに基づいて、基板のその側上のインプリントの重層バイアスを決定する、
ように構成される、コントローラと、
を備える、インプリントシステム。

【0274】

実施形態７２：テンプレートのテンプレート基点マークを座標系内に位置合わせし、テンプレートオフセットを決定するための第３の検査システムをさらに備え、
コントローラは、テンプレートオフセットおよび装填オフセットに基づいて、インプリント整合オフセットを決定するように構成される、実施形態７１に記載のインプリントシステム。

【0275】

実施形態７３：インプリントを伴う基板を反転させるための反転システムをさらに備え、
装填システムは、第１の側がステージに向かって面し、第２の側がステージから外方を向いた状態で、反転された基板をステージ上に装填するように構成され、第２の側は、第１の側の反対にあって、インプリントは、第１の側上にある、実施形態７２に記載のインプリントシステム。

【0276】

実施形態７４：第３の検査システムは、テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークを座標系内に位置合わせし、第２のテンプレートオフセットを決定するように構成され、
第２の検査システムは、反転された基板と反転されたインプリントを座標系内で位置合わせし、反転されたインプリントの反転されたインプリント基点マークと関連付けられる、第２の標的基点場所と第２の実際の基点場所との間の第２のウエハ位置合わせオフセットを決定するように構成され、
コントローラは、第２のインプリント整合オフセットに基づいて、移動システムを制御し、テンプレートロールのテンプレートフィールド内の第２のテンプレートの下方に来るように、反転された基板を第２の側上の第２のレジストとともに移動させるように構成され、第２のインプリント整合オフセットは、第２のテンプレートオフセット、第２のウエハ位置合わせオフセット、および重層バイアスに基づいて決定される、
実施形態７３に記載のインプリントシステム。

【0277】

実施形態７５：
光源は、テンプレートロールの第２のテンプレートが基板の第２の側上の第２のレジストの中に押下されると、第２のレジストを硬化させ、第２のインプリントを第２の側上に形成するように構成され、第２のインプリントは、第２のテンプレートに対応する、第２のインプリントされる特徴と、第２のテンプレートの第２のテンプレート基点マークに対応する、第２のインプリント基点マークとを有し、
第２の検査システムは、基板と第１の側上の反転されたインプリントおよび第２の側上の第２のインプリントを座標系内で位置合わせし、反転されたインプリント基点マークおよび第２のインプリント基点マークと関連付けられる、標的基点オフセットと実際の基点オフセットとの間の両面重層誤差を決定するように構成され、
コントローラは、両面重層誤差に基づいて、第１の側上の反転されたインプリントと第２の側上の第２のインプリントとの間の両面重層バイアスを決定するように構成される、
実施形態７４に記載のインプリントシステム。

【0278】

いくつかの実装が、説明されている。但し、種々の修正が、本明細書に説明される技法およびデバイスの精神および範囲から逸脱することなく、行われてもよいことを理解されたい。実装のそれぞれに示される特徴は、独立して、または相互に組み合わせて、使用されてもよい。付加的特徴および変形例も同様に、実装内に含まれ得る。故に、他の実装も、以下の請求項の範囲内である。

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図4A】

【図4B】

【図5】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図7D】

【図7E】

【図7F】

【図7G】

【図8A】

【図8B】

【図9A】

【図9B】

【図10A】

【図10B】

【図10C】

【図10D】

【国際調査報告】