ホーム > 特許ランキング > アミール・イー・ハサン
▶ アミール・イー・ハサンの特許一覧 ▶ ユーセフ・ハサン・アハメド・ハリーリの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-09-07
(54)【発明の名称】術者非依存ヒストトリプシデバイス
(51)【国際特許分類】
A61B 17/00 20060101AFI20230831BHJP
A61N 7/00 20060101ALI20230831BHJP
【ＦＩ】
A61B17/00 700
A61N7/00
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023507307
(86)(22)【出願日】2021-08-09
(85)【翻訳文提出日】2023-01-31
(86)【国際出願番号】 US2021045158
(87)【国際公開番号】W WO2022035731
(87)【国際公開日】2022-02-17
(31)【優先権主張番号】63/064,008
(32)【優先日】2020-08-11
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】523034058
【氏名又は名称】アミール・イー・ハサン
(71)【出願人】
【識別番号】523034069
【氏名又は名称】ユーセフ・ハサン・アハメド・ハリーリ
(74)【代理人】
【識別番号】100118902
【弁理士】
【氏名又は名称】山本 修
(74)【代理人】
【識別番号】100106208
【弁理士】
【氏名又は名称】宮前 徹
(74)【代理人】
【識別番号】100196508
【弁理士】
【氏名又は名称】松尾 淳一
(74)【代理人】
【識別番号】100119426
【弁理士】
【氏名又は名称】小見山 泰明
(72)【発明者】
【氏名】アミール・イー・ハサン
(72)【発明者】
【氏名】ユーセフ・ハサン・アハメド・ハリーリ
【テーマコード（参考）】
4C160
【Ｆターム（参考）】
4C160EE19
4C160JJ33
4C160MM36
(57)【要約】
ヒストトリプシデバイスが、ヒト又は動物の頭蓋へ頭蓋を周って取り付けられるように構成されたヘッドセットと；ヘッドセットへ取り付けられた少なくとも１つのトンランスデューサであって、ヘッドセットが頭蓋へ頭蓋を周って取り付けられた状態で、少なくとも１つのトランスデューサが頭蓋の少なくとも１つの側頭領域又は後頭下領域に亘って当該領域と接触して位置するように配置されていて、超音波周波数又は超音波周波数範囲の集束された照射を発するように構成されている少なくとも１つのトランスデューサと：少なくとも１つのプロセッサと；少なくとも１つのプロセッサに少なくとも１つのトランスデューサを起動させて１ミリ秒又はそれより長いパルス持続時間を有する少なくとも１つの超音波照射のパルスを発生させるための、少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な命令がその中に記憶されている少なくとも１つのメモリと、を含み得る。
【選択図】図１Ａ
【選択図】図１Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ヒストトリプシデバイスであって、ヒト又は動物の頭蓋へ取り付けられるように構成されたヘッドセットと、
前記ヘッドセットへ取り付けられた少なくとも１つのトンランスデューサであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記少なくとも１つのトランスデューサが前記頭蓋の少なくとも１つの側頭領域又は後頭下領域に亘って当該領域と接触して位置するように配置されていて、超音波周波数又は超音波周波数範囲の集束された照射を発するように構成されている少なくとも１つのトランスデューサと、
少なくとも１つのプロセッサと、
前記少なくとも１つのプロセッサに前記少なくとも１つのトランスデューサを起動させて１ミリ秒（ｍｓ）又はそれより長いパルス持続時間を有する少なくとも１つの超音波照射のパルスを発生させるための、前記少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な命令がその中に記憶されている少なくとも１つのメモリと、
を備えるヒストトリプシデバイス。
【請求項2】
請求項１に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記少なくとも１つのトランスデューサが、
前記ヘッドセットへ動作可能に取り付けられた第１のトランスデューサであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記第１のトランスデューサが前記頭蓋の右側頭領域に亘って当該領域と接触して位置するように配置された第１のトランスデューサと、
前記ヘッドセットへ動作可能に取り付けられた第２のトランスデューサであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記第２のトランスデューサが前記頭蓋の左側頭領域に亘って当該領域と接触して位置するように配置された第２のトランスデューサと、
を含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
【請求項3】
請求項１又は２に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記少なくとも１つのトランスデューサが、前記ヘッドセットへ動作可能に取り付けられた第３のトランスデューサであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記第３のトランスデューサが前記頭蓋の前記後頭下領域に亘って当該領域と接触して位置するように配置された第３のトランスデューサ、を含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
【請求項4】
請求項１乃至３の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記ヘッドセットは、前記頭蓋へ当該頭蓋を周って取り付けられるように構成されたヘッドバンドを含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
【請求項5】
請求項１乃至４の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記少なくとも１つの超音波トランスデューサは、各セグメントが大凡１０ｃｍの開口と大凡７．５ｃｍの焦点距離を有する球状集束マルチセグメントトランスデューサである、ヒストトリプシデバイス。
【請求項6】
請求項１乃至５の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記少なくとも１つのトランスデューサはＦ値＞０．９を有する、ヒストトリプシデバイス。
【請求項7】
請求項１乃至６の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記超音波周波数は大凡１ＭＨｚである、ヒストトリプシデバイス。
【請求項8】
請求項１乃至７の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記パルス持続時間は１ｍｓである、ヒストトリプシデバイス。
【請求項9】
請求項１乃至７の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記パルス持続時間は５ｍｓである、ヒストトリプシデバイス。
【請求項10】
請求項１乃至９の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記少なくとも１つのトランスデューサによって発生させる各パルスは、大凡３５～４０ＭＰａの間の範囲の単一の引張相圧力を作り出す、ヒストトリプシデバイス。
【請求項11】
請求項１乃至１０の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記少なくとも１つのトランスデューサによって発生させる各パルスは、大凡２０～３０ＭＰａの間の範囲のピーク負圧力を作り出す、ヒストトリプシデバイス。
【請求項12】
請求項１乃至１１の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記メモリに記憶されている前記命令は、前記少なくとも１つのプロセッサに前記少なくとも１つのトランスデューサを起動させて大凡５００～１０００の間のパルスを発生させるための、前記少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な命令を更に含む、ヒストトリプシデバイス。
【請求項13】
請求項１２に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記メモリに記憶されている前記命令は、前記少なくとも１つのプロセッサに前記少なくとも１つのトランスデューサを起動させて＞４０Ｈｚのレートで前記パルスを発生させるための、前記少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な命令を更に含む、ヒストトリプシデバイス。
【請求項14】
請求項１２又は１３に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記メモリに記憶されている前記命令は、前記少なくとも１つのプロセッサに前記少なくとも１つのトランスデューサを起動させて大凡２０～６０秒の間の合計超音波照射時間について前記パルスを発生させるための、前記少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な命令を更に含む、ヒストトリプシデバイス。
【請求項15】
ヒストトリプシデバイスであって、ヒト又は動物の頭蓋へ取り付けられるように構成されたヘッドセットと、
前記ヘッドセットへ取り付けられた少なくとも１つのトンランスデューサアレイであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記少なくとも１つのトランスデューサアレイが前記頭蓋の少なくとも１つの側頭領域又は後頭下領域に亘って当該領域と接触して位置するように配置されていて、それぞれが約７０～１６５ｍｍの間の焦点距離を有し超音波周波数又は超音波周波数範囲の集束された照射を発するように構成された複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを含んでいる少なくとも１つのトランスデューサアレイと、
制御信号入力に応えて、パルス化された超音波照射を発生させるように前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを駆動する制御部回路構成と、
を備えるヒストトリプシデバイス。
【請求項16】
請求項１５に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記少なくとも１つのトランスデューサアレイは、８つのトンランスデューサ又はトランスデューサセグメントを含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
【請求項17】
請求項１５又は１６に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記少なくとも１つのトランスデューサアレイが、
複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを含んでいる第１のトランスデューサアレイであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記第１のトランスデューサアレイの前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントが前記頭蓋の右側頭領域に亘って当該領域と接触して位置するように前記ヘッドセットへ取り付けられている第１のトランスデューサアレイと、
複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを含んでいる第２のトランスデューサアレイであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記第２のトランスデューサアレイの前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントが前記頭蓋の左側頭領域に亘って当該領域と接触して位置するように前記ヘッドセットへ取り付けられている第２のトランスデューサアレイと、
を含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
【請求項18】
請求項１５乃至１７の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記少なくとも１つのトランスデューサアレイが、
複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを含んでいる第３のトランスデューサアレイであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記第３のトランスデューサアレイの前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントが前記頭蓋の後頭下領域に亘って当該領域と接触して位置するように前記ヘッドセットへ取り付けられている第３のトランスデューサアレイ、
を含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
【請求項19】
請求項１５乃至１８の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記制御部回路構成は、前記制御信号入力を受信するように構成された入力部と、前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントのうちの異なる各個へそれぞれが電気的に接続されている複数の出力部と、を有するスイッチモードパルス生成部回路を備え、前記スイッチモードパルス生成部回路は、前記制御信号入力を、前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントへ供給される複数のトランスデューサ駆動信号へ変換するように構成されている、ヒストトリプシデバイス。
【請求項20】
請求項１９に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記スイッチモードパルス生成部回路は、エネルギー貯蔵部回路へ電気的に接続された高電圧供給部回路であって、前記エネルギー貯蔵部回路を高電圧へ充電するように構成された高電圧供給部回路を含んでおり、
を有する前記スイッチモードパルス生成部回路の前記入力部は、低電圧方形波制御信号の形態をした前記制御信号入力を受信するように構成されていて、更に、前記エネルギー貯蔵部回路の前記高電圧を使用して、前記低電圧方形波制御信号を、前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを駆動するために供給される複数の高電圧方形波トランスデューサ駆動信号へ変換するように構成されている、ヒストトリプシデバイス。
【請求項21】
請求項１５乃至２０の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記ヘッドセットは、前記頭蓋へ当該頭蓋を周って取り付けられるように構成されたヘッドバンドを含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
【請求項22】
請求項１５乃至２１の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記制御部回路は、前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを駆動して１ミリ秒又はそれより長いパルス持続時間を有する前記パルス化された超音波照射を発生させるように構成されている、ヒストトリプシデバイス。
【発明の詳細な説明】
【関連出願】
【0001】
[0001]（関連出願の相互参照）本願は、２０２０年８月１１日に出願された米国仮特許出願第６３／０６４，００８号の恩典及び優先権を主張するものであり、その開示は参照によりその全体が本明細書に明示的に援用される。
【技術分野】
【0002】
[0002]本開示は、概括的には、急性虚血性脳卒中に起因する血餅を断片化するために超音波を利用する器具及び技法に関する。
【背景技術】
【0003】
[0003]急性虚血性脳卒中（ＡＩＳ）は最も一般的なタイプの脳卒中であり、大血管閉塞（ＬＶＯ）は最も一般的なタイプのＡＩＳの１つである。ＬＶＯについて、従来型治療は血栓溶解薬静脈内投与（ＩＴＭ）及び／又は侵襲性機械的血栓摘出術を含む。超音波血栓溶解療法は、集束させた超音波を使用して、血餅を断片化し又は血栓溶解薬静脈内投与の効力を高める従来型療法である。経頭蓋超音波血栓溶解療法は、以前より術者非依存ヘルメットの形態で実施されており、ＩＴＭと併用された。ヒストトリプシは、低周波数（１ＭＨｚ）パルスを採用し、集束された高強度超音波パルスを使用する制御されたキャビテーションを通じて軟組織を断片化する超音波血栓溶解療法のサブセットである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】米国仮特許出願第６３／０６４，００８号
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0005】
[0004]本開示は、付随の特許請求の範囲に列挙された特徴の１つ又はそれ以上、及び／又は以下の特徴及び特徴の組合せの１つ又はそれ以上を備え得る。１つの態様では、ヒストトリプシデバイスが、ヒト又は動物の頭蓋へ頭蓋を周って取り付けられるように構成されたヘッドセットと；ヘッドセットへ取り付けられた少なくとも１つのトランスデューサであって、ヘッドセットが頭蓋へ頭蓋を周って取り付けられた状態で、少なくとも１つのトランスデューサが頭蓋の少なくとも１つの側頭領域又は後頭下領域に亘って当該領域と接触して位置するように配置されていて、超音波周波数又は超音波周波数範囲の集束された照射を発するように構成されている少なくとも１つのトランスデューサと：少なくとも１つのプロセッサと；少なくとも１つのプロセッサに少なくとも１つのトランスデューサを起動させて１ミリ秒又はそれより長いパルス持続時間を有する少なくとも１つの超音波照射のパルスを発生させるための、少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な命令がその中に記憶されている少なくとも１つのメモリと、を備え得る。
【0006】
[0005]別の態様では、ヒストトリプシデバイスが、ヒト又は動物の頭蓋へ取り付けられるように構成されたヘッドセットと；ヘッドセットへ取り付けられた少なくとも１つのトンランスデューサアレイであって、ヘッドセットが頭蓋へ取り付けられた状態で、少なくとも１つのトランスデューサアレイが頭蓋の少なくとも１つの側頭領域又は後頭下領域に亘って当該領域と接触して位置するように配置されていて、それぞれが約７０～１６５ｍｍの間の焦点距離を有し超音波周波数又は超音波周波数範囲の集束された照射を発するように構成された複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを含んでいる少なくとも１つのトランスデューサアレイと：制御信号入力に応えて、パルス化された超音波照射を発生させるように複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを駆動する制御部回路構成と、を備え得る。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1A】ヒトの頭蓋へ頭蓋を周って取り付けられた術者非依存ヒストトリプシデバイスの或る実施形態の右前方斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
[0013]本開示の原理の理解を促すことを目的に、これより、添付図面に示されている複数の例示としての実施形態を参照することにし、特定の用語遣いを用いて実施形態を説明してゆく。
【0009】
[0014]本開示は、急性虚血性脳卒中（ＡＩＳ）に起因する血餅及び／又は他の事象又は病態に起因する血餅を断片化するためのヒストトリプシデバイスに関する。開示されているヒストトリプシデバイスは、ポータブルで、術者非依存であり、例示的には、超音波周波数範囲の高強度集束照射をヒト又は動物の頭蓋の中へ発し及び方向決めするように構成された少なくとも１つのトランスデューサアレイを担持するヘッドセットを含んでいる。デバイスは、例示的には、１つ又はそれ以上のトランスデューサアレイの動作を制御するための、ヘッドセットへ動作可能に連結された制御モジュールを更に含んでいる。
【0010】
[0015]これより図１Ａ－図１Ｃを参照すると、ＡＩＳ又は他の事象／病態に起因する血餅を断片化するためのヒストトリプシデバイス１０の或る実施形態が示されている。例示されている実施形態では、デバイス１０は、例示的にヒト（描写されている様に）又は動物の頭蓋Ｃへ頭蓋Ｃを周って取り付けられるようにサイズ設定され及び構成されたヘッドバンドの形態で提供されている頭部取付型デバイス又はヘッドセット１２を含んでいる。幾つかの代替的な実施形態では、ヘッドセット１２は、例えば限定するわけではないがヘルメット、バイザーなどを含め、他の形態で提供されていてもよい。幾つかの実施形態では、ヘッドセット１２は、何れかの形態で、図１Ａ－図１Ｃに描かれている様に頭蓋Ｃを完全に周って取り付けられるように構成されていてもよいが、代替的な実施形態では、ヘッドセット１２は頭蓋Ｃの周りに部分的にしか延びないように構成されていてもよい。
【0011】
[0016]例示されている実施形態では、ヘッドセット１２は、例示的に、前バンド１２Ａと前バンド１２Ｂへ動作可能に連結されるように構成された後バンド１２Ｂとを含み、前バンド１２Ａと後バンド１２Ｂの組合せは図１Ａ及び図１Ｂに例示されている様に頭蓋Ｃの周りに完全に延びている。前バンド１２Ａは、例示的に、例えば剛性又は半可撓性プラスチック材料の形態をしたポリマーで形成されていて、頭蓋Ｃの前部分の周りに例えば略Ｃ形状に延び、互いに反対側の端が頭蓋Ｃの両側の各耳部２０Ａ、２０Ｂ辺りに又は隣接して終端するようにサイズ設定され及び構成されている。例示されている実施形態では、一対の側頭部トランスデューサアレイ１６Ａ、１６Ｂが、前バンド１２Ａの内面へ取り付けられていて、頭部（及び脳）の右側頭領域ＲＴと左側頭領域ＬＴそれぞれ、即ち、個々の耳部２０Ａ、２０Ｂの直前の領域に概ね亘って当該領域と接触して定位されるようにバンド１２Ａに対して配置されている。幾つかの実施形態では、図１Ｂ及び図１Ｃに一例として示されている様に、トランスデューサアレイ１６Ａ、１６Ｂは、それぞれ、各自の耳部位置合わせ又は定位部材１８Ａ、１８Ｂを含んでいてもよい。例示的に、耳部定位部材１８Ａ、１８Ｂは、トランスデューサアレイ１６Ａ、１６Ｂを患者の頭部の側頭領域ＲＴ、ＬＴに亘って適正に位置させるために、耳部２０Ａ、２０Ｂの耳介の上（又は前又は後）部分に隣接して配置されるようにサイズ設定され及び構成されている。幾つかの実施形態では、耳部定位部材１８Ａ、１８Ｂは、耳部２０Ａ、２０Ｂの耳介の一部分の間に配置されるようにサイズ設定され及び構成されていてもよいが、他の実施形態では、耳部定位部材１８Ａ、１８Ｂは耳介に隣接して配置されるようにサイズ設定され及び構成されていてもよい。幾つかの実施形態では、トランスデューサアレイ１６Ａ、１６Ｂは、前バンド１２Ａに対して位置を固定されている。代替的な実施形態では、トランスデューサアレイ１６Ａ、１６Ｂのどちらか又は両方が前バンド１２Ａへ取り外し可能に取り付けられていてもよく、その様な実施形態では、１つ又はそれ以上の従来型位置調節構造が前バンド１２Ａへ組み入れられ又は取り付けられて、前バンド１２Ａに対する（単数又は複数の）トランスデューサアレイ１６Ａ、１６Ｂの位置の軸方向調節及び／又は横方向調節を提供するようになっていてもよい。
【0012】
[0017]後バンド１２Ｂは、例示的に、トランスデューサアレイ担持部１４Ａと、担持部１４Ａ及び前バンド１２Ａの終端へ動作可能に連結された弾性バンド１４Ｂと、を含んでいる。例示的に、弾性バンド１４Ｂは、ヘッドバンド１２が異なるサイズの頭蓋に適応するために、つまり異なるサイズの頭蓋へ頭蓋を周って取り付けられることを可能にするために、伸縮させられるようにサイズ設定されている。幾つかの実施形態では、弾性バンド１４Ｂを長くしたり短くしたりするために１つ又はそれ以上の従来型調節部材が弾性バンド１４Ｂへ連結されていてもよい。何れの場合も、後頭下部トランスデューサアレイ２２が、例示的に、トランスデューサアレイ担持部１４Ａの内側の面へ取り付けられていて、患者の頭部の後頭下領域ＳＯＣ、即ち頭蓋の後頭領域より下方で第２頸椎のレベルより上方、に概ね亘って当該領域と接触して定位されるように、換言すれば後頭下三角に重なるように、後バンド１２Ｂに対して配置されている。幾つかの実施形態では、トランスデューサアレイ２２は、トランスデューサアレイ担持部１４Ａに対して（及び後バンド１２Ｂに対して）位置を固定されている。代替的な実施形態では、トランスデューサアレイ２２はトランスデューサアレイ担持部１４Ａひいては後バンド１２Ｂに対して、取り外し可能に取り付けられていてもよく、その様な実施形態では、１つ又はそれ以上の従来型位置調節構造がトランスデューサアレイ担持部２２へ組み入れられ又は取り付けられて、トランスデューサアレイ担持部２２及び／又は後バンド１２Ｂに対するトランスデューサアレイの位置の軸方向調節及び／又は横方向調節を提供するようになっていてもよい。
【0013】
[0018]１つの実施形態では、各トランスデューサアレイ１６Ａ、１６Ｂ、２２は、例示的に、１０ｃｍの開口及び７．５ｃｍの焦点距離を有し且つ０．９より大きいＦ値、例えば１．５～１．７５の間のＦ値を有する８セグメント球状集束１ＭＨｚトランスデューサを含んでいる。理解しておきたいこととして、代替的な実施形態では、トランスデューサアレイ１６Ａ、１６Ｂ、２２のうちの１つ又はそれ以上又はすべてが、より多い又はより少ないトランスデューサセグメントを含み、１ＭＨｚより大きい又は小さい周波数及び／又は周波数範囲の照射を発するように、より大きい又はより小さい開口を有するように、より大きい又はより小さい焦点距離を有するように、及び／又はより大きい又はより小さいＦ値を有するように構成されていてもよい。更に理解しておきたいこととして、デバイス１０の代替的な実施形態は、何れの数の側頭部及び／又は後頭下部トランスデューサアレイを含んでいてもよい。同じく理解しておきたいこととして、幾つかの代替的な実施形態では、デバイス１０は、側頭部トランスデューサアレイ１６Ａ、１６Ｂの一方又は両方しか含んでいない、又は後頭下部トランスデューサアレイ２２しか含んでいない、というのであってもよい。更にまた理解しておきたいこととして、幾つかの代替的な実施形態では、デバイス１０は、患者の頭蓋（又は脳）、顔、及び／又は首の何れかの（単数又は複数の）領域に亘って当該領域と接触して位置するようにヘッドセット１２に対して適切に配置された１つ又はそれ以上のトランスデューサアレイを含んでいてもよい。
【0014】
[0019]ヘッドバンド１２は、例示的に、患者の頭蓋Ｃへ頭蓋Ｃを周ってヘッドバンド１２を締め付け及び緩めるための調節機構を更に含んでいる。例示されている実施形態では、調節機構は、調節ホイール３２へ動作可能に連結された前額部パッド２８の形態で提供されていて、パッド２８とホイール３２はどちらも、患者の前額部Ｆに隣接して配置されるヘッドバンド１２の部分に動作可能に連結されていてもよい。前額部パッド２８は、前記患者の前額部Ｆの一部分に接触するようにサイズ設定され及び構成されており、調節ホイール３２は、ホイール３２が回されると、前額部パッド２８を前額部Ｆの表面に向かって前進させ又は表面から後退させて、前額部パッド２８とヘッドバンド１２の内側の面との間の距離を増減させ、それによりヘッドバンド１２を患者の頭蓋Ｃへ頭蓋Ｃを周って締め付け又は緩めるように構成されている。幾つかの実施形態では、図１Ａに一例として示されている様に、調節機構は、前額部パッド２８へ連結されていて患者の鼻部Ｎの鼻梁Ｂを覆ってパッド２８を定位するように構成されている鼻梁位置合わせ又は定位デバイス３０、を更に含んでいてもよい。
【0015】
[0020]例示されている実施形態では、ヒストトリプシデバイス１０は、ケーブル２５を介してヘッドバンド１２へ動作可能に連結された制御モジュール２６を更に含んでいる。例示的に、ケーブル２５の一方の端は、図１Ａ及び図１Ｂに一例として示されている様にヘッドバンド１２の前バンド１２Ａへ機械的に取り付けられており、即ち付着されており、ケーブル２５は更に電気伝導体、例えばワイヤを担持していて、それら電気伝導体のうちの１つ又はそれ以上がトランスデューサアレイ１６Ａ、１６Ｂ、２２のそれぞれへ動作可能に連結されている。幾つかの実施形態では、ケーブル２５はヘッドバンド１２と制御モジュール２６の間でそれらへ固定されており、例えば制御モジュール２６のハウジングへ固定されている。代替的な実施形態では、ケーブル２５とヘッドバンド１２及び／又はケーブル２５と制御モジュール２６は、ケーブル２５をヘッドバンド１２へ及び／又は制御モジュール２６へ電気的に接続するための１つ又はそれ以上の適切なコネクタを装備していてもよい。
【0016】
[0021]次に図２を参照すると、制御モジュール２６の或る実施形態の簡略化された実施例が示されている。例示されている実施形態では、制御モジュール２６は、少なくとも１つのバッテリ４０（及び／又は他の電気パワー源）を含んでいる。幾つかの実施形態では（単数又は複数の）バッテリ４０は再充電式であり、その様な実施形態では、モジュール２６は、（単数又は複数の）バッテリ４０へ電気的に連結されていて外部パワー源へ接続可能な従来型充填ケーブルへ動作可能に接続するように構成されている充電ポート４２、を更に含んでいる。何れの場合にも、モジュール２６は、例示的には、（単数又は複数の）バッテリ４０へ電気的に連結された調整部回路構成４４を更に含んでいる。調整部回路構成４４は、従来型であり、バッテリ４４の電圧を、モジュール２６に搭載された制御部回路構成４６にパワー供給し及びトランスデューサアレイ１６Ａ、１６Ｂ、２２にパワー供給するのに適した１つ又はそれ以上の電圧へ変換するように構成された１つ又はそれ以上の調整部回路を含んでいる。これに関し、調整部回路構成４４は、制御部回路構成４６へ電気的に連結された少なくとも１つの出力部と、ヘッドバンド１２へケーブル２５を介して連結された（又は連結されるように構成された）少なくとも１つの出力部と、を有している。
【0017】
[0022]例示されている実施形態では、制御部回路構成４６は、少なくとも１つのメモリデバイス５０へ動作可能に連結され（又は一体化され）且つ駆動部回路構成５２へ動作可能に連結された少なくとも１つのプロセッサ又はコントローラ４８を含んでいる。理解しておきたいこととして、本開示に使用される「プロセッサ」又は「コントローラ」という用語は、単独としてか又は複数部分としてかを問わず、特許請求の範囲及びこの書面による説明の中で特定されている機能を遂行するためのプログラミングを実施することのできる任意のコンピュータ、プロセッサ、マイクロチッププロセッサ、集積回路、又は何れかの他の（単数又は複数の）要素を包括的に含む。これに関し、少なくとも１つのプロセッサ又はコントローラ４８は、制御部回路構成４６の他の要素と共にプリント回路基板上に常駐する単一のその様な要素であってもよいし、又は、制御部回路構成４６の他の要素と共に常駐する及び／又はヘッドバンド１２の１つ又はそれ以上の場所に常駐する２つ又はそれ以上の要素であるか又は２つ又はそれ以上の要素を含んでいてもよい。メモリ５０は、同じく従来型であり、本明細書に記載の制御モジュール２６の様々な機能を実施するためにプロセッサ又はコントローラ４８によって実行可能である命令をその中に記憶させて含んでいる。駆動部回路構成５２は、従来型であり、トランスデューサアレイ１６Ａ、１６Ｂ、２２を駆動する即ち作動させるように構成された１つ又はそれ以上の駆動部回路を含んでいる。これに関し、駆動部回路構成５２は、ケーブル２５を介してヘッドバンド１２へ電気的に連結された（又は連結されるように構成された）少なくとも１つの出力部を有している。
【0018】
[0023]幾つかの代替的な実施形態では、ヘッドセット１２は、トランスデューサアレイ１６Ａ、１６Ｂ、２２にパワー供給し作動させるためのそれ自身のバッテリ及び駆動部回路構成を担持していてもよい。幾つかのその様な実施形態では、制御モジュール２６及びヘッドバンド１２は、それぞれ、互いにワイヤレス通信するように構成された従来型回路構成を含んでいてもよく、それにより（単数又は複数の）プロセッサ又はコントローラ４８は、その様な実施形態では、トランスデューサアレイ１６Ａ、１６Ｂ、２２の動作をワイヤレスに制御していてもよい。
【0019】
[0024]上記背景技術の項で簡単に説明した様に、ヒストトリプシは、比較的低い周波数のパルスを採用し、制御されたキャビテーションを通じて軟組織を断片化する超音波血栓溶解療法のサブセットである。概して、ヒストトリプシには２つの異なるキャビテーションのメカニズムが存在しており、つまり：（１）衝撃散乱（shock-scattering）と（２）内因性閾値（intrinsic threshold）（マイクロトリプシーとしても知られる）である。衝撃散乱は、短い持続時間の高振幅超音波パルスを採用し、複数の正と負の半サイクルが相互作用して、血餅組織を機械的に分解する「バブル雲」と呼ばれることもあるキャビテーション雲を発生させる。一方、内因性閾値ヒストトリプシは、単一の大きな引張相を有するパルスを採用してバブル雲を発生させる。これら２つのキャビテーションのメカニズムは、こうして、異なるパルス持続時間と異なるピーク負パルス圧力を利用している。
【0020】
[0025]以上に簡単に説明した様に、メモリ５０は、例示的に、制御モジュール２６の様々な機能を実施するためにプロセッサ又はコントローラ４８によって実行可能である命令をその中に記憶させて含んでいる。例示的には、メモリ５０に記憶されている命令は、上述の内因性閾値メカニズム及び衝撃散乱メカニズムのどちらか又は両方を通じたバブル活動の核とするために１ＭＨｚの基本周波数パルスを発生させるようにトランスデューサ１６Ａ、１６Ｂ、及び２２を制御するための命令を含む。前者即ち内因性閾値の場合の実施形態では、メモリ５０に記憶されている命令は、（単数又は複数の）プロセッサ又はコントローラ４８にトランスデューサ１６Ａ、１６Ｂのうちの１つ又はそれ以上を制御させて、持続時間１ミリ秒（ｍｓ）（但し、この範囲外の周波数パルス持続時間も考えられる）の１ＭＨｚ基本周波数パルスを発生させるための、（単数又は複数の）プロセッサ又はコントローラ４８によって実行可能な命令を含んでいる。後者即ち衝撃散乱の場合の実施形態では、メモリ５０に記憶されている命令は、（単数又は複数の）プロセッサ又はコントローラ４８にトランスデューサ１６Ａ、１６Ｂのうちの１つ又はそれ以上を制御させて、５ｍｓ（但し、この範囲外の周波数パルス持続時間も考えられる）の１ＭＨｚ基本周波数パルスを発生させるための、（単数又は複数の）プロセッサ又はコントローラ４８によって実行可能な命令を含んでいる。何れの場合も、ヒストトリプシパルスは、トランスデューサ１６Ａ、１６Ｂ、２２によって１ＭＨｚ又はそれより長いパルス持続時間で生成されるであろう。ヒストトリプシパルスは、３５メガパスカル（ＭＰａ）を超える単一の引張相を有するであろうし（例えば、大凡３５～４０ＭＰａの範囲、但しこの範囲外の圧力も考えられる）、パルスのピーク負圧力は大凡２０～３０ＭＰａの間であるだろう（但し、この範囲外の圧力も考えられる）。１つの実施形態では、各場所にて、即ち各トランスデューサ１６Ａ、１６Ｂ、２２に係る場所にて、トランスデューサ１６Ａ、１６Ｂ、２２は、（単数又は複数の）プロセッサ又はコントローラ４８によって制御されて、２０～６０秒の間の合計超音波照射時間につき＞４０Ｈｚのレートで５００～１０００の間のパルスを生成し、各領域へ適用するだろうが、代替的な実施形態では、何れかの所望の合計超音波照射時間につき、より多い又はより少ないパルスが適用されてもよく、及び／又は４０Ｈｚ以下で適用されてもよい。
【0021】
[0026]上述の様に動作されるヒストトリプシデバイス１０は、補助的な血栓溶解薬静脈内投与（ＩＴＭ）なしに血餅を断片化することができる。好都合にも、デバイス１０はＩＴＭとは独立した療法が可能であるので、患者がその様な投薬のリスク及び副作用を回避できるようになるだろう。とはいえ、代替的な実施形態では、ヒストトリプシデバイス１０がＩＴＭと併用されることもあり得るものと理解されたい。
【0022】
[0027]ヒストトリプシデバイス１０は、コンパクト、ポータブル、且つ術者非依存であり、したがって広範に様々な臨床現場で実施できる。例えば、急性虚血性脳卒中（ＡＩＳ）では毎分大凡２００万個のニューロンが失われると推定されており、したがってＡＩＳ治療は極めて時間依存である。これに関し、ヒストトリプシデバイス１０は即効性があり使い易いので、緊急治療室環境へ統合させることができ、そうすると治療までの時間を大幅に短縮でき、それによって治療成果が改善される可能性がある。そのうえ、ヒストトリプシデバイス１０は比較的小さく（例えば、ヘッドバンド又はヘルメットのサイズである）、術者非依存であるので、更に、地方の病院や移動式脳卒中ユニットへ統合させることができるだろう。第１応答者（例えば救命士）又は地方の病院の緊急治療室の臨床医によるヒストトリプシデバイス１０の使用が、例えばＡＩＳ被害者に対し、従来の療法を使用していて彼らが受けるよりもはるかに早く治療を提供することになり得る。
【0023】
[0028]次に図３を参照すると、トランスデューサアレイ１６Ａ、１６Ｂ、２２のうちの１つの或る実施形態の概略線図が示されている。１つの実施形態では、トランスデューサアレイ１６Ａ、１６Ｂ、２２は、図３に例示されている様に同一に構成されているが、代替的な実施形態では、トランスデューサアレイ１６Ａ、１６Ｂ、２２のうちの１つ又はそれ以上は、他のものとは異なる構成であってもよく、例えば、より多い又はより少ないトランスデューサを含むことによって、及び／又は、異なる構成のトランスデューサを有すること、即ち異なる動作特性を有することによって、及び／又は、より多い、より少ない、又は異なるオンボード制御部回路を含むことによって、他のものとは異なる構成にされていてもよい。図３に例示されている実施形態では、図２の制御モジュール２６を出てゆく電気パワー信号線２５1は高電圧パワー供給部回路６０の入力部へ電気的に接続され、パワー供給部６０の出力部はエネルギー貯蔵部回路６２の入力部へ電気的に接続されている。１つの実施形態では、エネルギー貯蔵部回路は、キャパシタバンクの形態に実施されており、その場合、パワー供給部６０は、例示的には、キャパシタ充電用に設計され得るが、代替的な実施形態では、１つ又はそれ以上の他の又は追加のエネルギー貯蔵部回路が使用されていてもよい。エネルギー貯蔵部回路６２の出力部は、Ｍ個の出力部を有するマルチチャネル出力部回路６４のパワー供給入力部へ電気的に接続されており、Ｍ個の出力部はそれぞれ対応するＭ個のトランスデューサ（又はトランスデューサセグメント）６６1－６６Mの異なる１つの入力部へ電気的に接続されており、ここにＭは何れかの正の整数とすることができる。１つの実施形態では、上述の様に、Ｍ＝８であるが、代替的な実施形態ではＭは８より大きい又は小さいこともある。例示されている実施形態では、マルチチャネル出力部回路６４の複数の出力段は、トランスデューサ６６1－６６Mの電気的入力特性に整合させるためのトランスデューサ整合ネットワークを含んでいる。何れの場合も、図２の制御モジュール２６を出てゆく制御信号線２５2は、マルチチャンネル出力部回路６４の制御信号入力部へ電気的に接続されている。
【0024】
[0029]図２に例示されている実施形態では、トランスデューサ６６1－６６Mの動作周波数は、制御モジュール２６のプロセッサ／制御部回路４８及び駆動部回路５２によって、例示的には低電圧即ち低パワーの方形波制御信号の形態で生成され、この低電圧方形波制御信号は、次いで、図３に一例として描かれているトランスデューサアレイ１６Ａ、１６Ｂ、２２へ送られる。図３に例示されている実施形態では、制御部回路構成６０、６２、及び６４は、例示的には、制御モジュール２６によって供給される低電圧方形波制御信号をトランスデューサ６６1－６６M駆動用の高電圧即ち高パワーの方形波駆動信号へ変換する高電圧スイッチモードパルス生成部として構成されている。出力部回路６４によって発生させトランスデューサ６６1－６６Mの各個への入力駆動信号として供給させる各出力パルスのためのエネルギーは、エネルギー貯蔵部回路６２に貯蔵され、エネルギー貯蔵部回路６２は高電圧供給部回路６０によってパルス間に再充電される。制御モジュール２６によって供給される低電圧方形波制御信号と、エネルギー貯蔵部回路６２に貯蔵された高電圧エネルギーとに基づいて、マルチチャネル出力部回路６４はトランスデューサ６６1－６６Mのそれぞれへ高電圧方形波駆動信号を生成し供給する。
【0025】
[0030]１つの例示としての実施形態では、図２に一例として描かれている制御モジュール２６、及び図３に一例として描かれているトランスデューサアレイ１６Ａ、１６Ｂ、２２の制御部回路構成６０、６２、６４は、協働で、以下の特徴を有する高電圧方形波駆動信号、即ち：信号周波数１．５ＭＨｚ＋／－５０ｋＨｚ、出力電圧０～５００ＶPK、チャンネル当たり出力電流１０Ａ、パルス繰り返し周波数１～１００Ｈｚ、バースト長さ１～３０サイクル、の高電圧方形波駆動信号を発生させる。理解しておきたいこととして、代替的な実施形態では、上記値のうちの１つ又はそれ以上はより大きい又はより小さいこともある。
【0026】
[0031]次に図４及び図５を参照すると、図３に概略形態で描かれているトランスデューサ６６のうちの１つの或る例示としての実施形態が示されている。トランスデューサ６６は、例示的に、ベース７０と、ベースへ取り付けられたトランスデューサヘッド７２と、を有している。トランスデューサヘッド７２の超音波発射面は例示的に凹状である。例示されている実施形態では、ベース７０はトランスデューサヘッド７２と同じく横断面形状が全体として円筒形であり、トランスデューサヘッド７２の凹状超音波発射面はしたがって図５に最もよく示されているように切頭球である。代替的な実施形態では、ベース及び／又はトランスデューサヘッド７２は、非円筒形の横断面形状を有していてもよく、及び／又は、トランスデューサヘッド７２の超音波発射面は、非凹状、例えば、平面状、凸状、又は他の形状であってもよい。
【0027】
[0032]例示されている実施形態では、トランスデューサ６６は自己集束式であり、大凡１．５ＭＨｚの中心周波数を有する超音波パルスを発生させるように構成されているが、代替的な実施形態では、トランスデューサ６６は自己集束式でなくてもよく、及び／又は、１．５ＭＨｚより大きい又は小さい中心周波数を有する超音波パルスを発生させるように構成されていてもよい。１つの例示としての実施形態例では、図４及び図５に一例として描かれている球状の幾何学形状のトランスデューサ６６は、以下の構造的特徴、即ち：直径１００ｍｍ、焦点距離＝７５ｍｍを有し、以下の超音波パルス信号特性、即ち：１．５ＭＨｚ＋／－５０ｋＨｚの中心周波数、最小焦点引張圧力＝－３５ＭＰａ、最大表面圧力振幅＝３００ｋＰａ、及び線形焦点ゲイン＝１２０、を有している。理解しておきたいこととして、代替的な実施形態では、上記値のうちの１つ又はそれ以上は、より大きい又はより小さいこともある。幾つかの実施形態では、トランスデューサ６６1－６６Mのうちの１つ又はそれ以上は上記の幾何学的形状及び特性を有し得るのに対し、トランスデューサ６６1－６６Mのうちの他のもの（及び／又は、１つ又はそれ以上の他のトランスデューサアレイ内のトランスデューサ６６1－６６Mのうちの１つ又はそれ以上）は異なる構造的特徴及び／又は異なるパルス信号特徴、例えば、焦点距離＝１６３ｍｍ、最小焦点引張圧力＝－２５ＭＰａ、最大表面圧力振幅＝５００ｋＰａ、及び線形焦点ゲイン＝４９、を有していてもよい。幾つかの代替的な実施形態では、トランスデューサ６６1－６６Mのうちの１つ又はそれ以上（及び／又は、１つ又はそれ以上の他のトランスデューサアレイ内のトランスデューサ６６1－６６Mのうちの１つ又はそれ以上）は、大凡７０～１６５ｍｍの間の範囲内のどこかに焦点距離を有していてもよい。
【0028】
[0033]本開示を、前述の図面及び記述の中で詳細に例示し説明してきたが、それらは本質的に説明目的であり制限を課すものとみなされてはならず、単に発明の例示としての実施形態を示し説明したにすぎず、本開示の精神内に入るあらゆる変更及び修正は保護されることが望まれるものと理解している。例えば、幾つかの実施形態では、トランスデューサアレイ１６Ａ、１６Ｂ、２２のうちの１つ又はそれ以上は、上述の様にヘッドバンド１２に対して可動であるかどうかを問わず、最初に（単数又は複数の）血餅の厳密な場所を決定するように、そしてその次に場所が突き止められた（単数又は複数の）血餅を上述の様に断片化によって治療するように、構成されることができる。その様な実施形態では、メモリ５０は、（単数又は複数の）プロセッサ又はコントローラ４８にその様な決定を下させるための、（単数又は複数の）プロセッサ又はコントローラ４８によって実行可能な命令を含んでいるだろう。
【符号の説明】
【0029】
１０ ヒストトリプシデバイス
１２ 頭部取付型デバイス又はヘッドセット、ヘッドバンド
１２Ａ 前バンド
１２Ｂ 後バンド
１４Ａ トランスデューサアレイ担持部
１４Ｂ 弾性バンド
１６Ａ、１６Ｂ 側頭部トランスデューサアレイ
１８Ａ、１８Ｂ 耳部位置合わせ又は定位部材
２０Ａ、２０Ｂ 耳部
２２ 後頭下部トランスデューサアレイ
２５ ケーブル
２５1 電気パワー信号線
２５2 制御信号線
２６ 制御モジュール
２８ 前額部パッド
３０ 鼻梁位置合わせ又は定位デバイス
３２ 調節ホイール
４０ バッテリ
４２ 充電ポート
４４ 調整部回路構成
４６ 制御部回路構成
４８ プロセッサ又はコントローラ
５０ メモリデバイス
５２ 駆動部回路構成
６０ 高圧電パワー供給部回路
６２ エネルギー貯蔵部回路
６４ マルチチャネル出力部回路
６６、６６1－６６M トランスデューサ（又はトランスデューサセグメント）
７０ ベース
７２ トランスデューサヘッド
Ｃ ヒトの頭蓋
Ｆ 前額部
ＬＴ 左側頭領域
ＲＴ 右側頭領域
ＳＯＣ 後頭下領域
Ｎ 鼻部
Ｂ 鼻梁
１２ 頭部取付型デバイス又はヘッドセット、ヘッドバンド
１２Ａ 前バンド
１２Ｂ 後バンド
１４Ａ トランスデューサアレイ担持部
１４Ｂ 弾性バンド
１６Ａ、１６Ｂ 側頭部トランスデューサアレイ
１８Ａ、１８Ｂ 耳部位置合わせ又は定位部材
２０Ａ、２０Ｂ 耳部
２２ 後頭下部トランスデューサアレイ
２５ ケーブル
２５1 電気パワー信号線
２５2 制御信号線
２６ 制御モジュール
２８ 前額部パッド
３０ 鼻梁位置合わせ又は定位デバイス
３２ 調節ホイール
４０ バッテリ
４２ 充電ポート
４４ 調整部回路構成
４６ 制御部回路構成
４８ プロセッサ又はコントローラ
５０ メモリデバイス
５２ 駆動部回路構成
６０ 高圧電パワー供給部回路
６２ エネルギー貯蔵部回路
６４ マルチチャネル出力部回路
６６、６６1－６６M トランスデューサ（又はトランスデューサセグメント）
７０ ベース
７２ トランスデューサヘッド
Ｃ ヒトの頭蓋
Ｆ 前額部
ＬＴ 左側頭領域
ＲＴ 右側頭領域
ＳＯＣ 後頭下領域
Ｎ 鼻部
Ｂ 鼻梁
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【手続補正書】
【提出日】2023-02-14
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ヒストトリプシデバイスであって、ヒト又は動物の頭蓋へ取り付けられるように構成されたヘッドセットと、
前記ヘッドセットへ取り付けられた少なくとも１つのトンランスデューサであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記少なくとも１つのトランスデューサが前記頭蓋の少なくとも１つの側頭領域又は後頭下領域に亘って当該領域と接触して位置するように配置されていて、超音波周波数又は超音波周波数範囲の集束された照射を発するように構成されている少なくとも１つのトランスデューサと、
少なくとも１つのプロセッサと、
前記少なくとも１つのプロセッサに、前記少なくとも１つのトランスデューサを起動させて１ミリ秒（ｍｓ）又はそれより長いパルス持続時間を有する少なくとも１つの超音波照射のパルスを発生させるための、及び前少なくとも１つのトランスデューサを起動させて大凡５００～１０００の間のパルスを発生させるための、前記少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な命令がその中に記憶されている少なくとも１つのメモリと、
を備えるヒストトリプシデバイス。
【請求項2】
請求項１に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記少なくとも１つのトランスデューサが、
前記ヘッドセットへ動作可能に取り付けられた第１のトランスデューサであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記第１のトランスデューサが前記頭蓋の右側頭領域に亘って当該領域と接触して位置するように配置された第１のトランスデューサと、
前記ヘッドセットへ動作可能に取り付けられた第２のトランスデューサであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記第２のトランスデューサが前記頭蓋の左側頭領域に亘って当該領域と接触して位置するように配置された第２のトランスデューサと、
を含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
【請求項3】
請求項１又は２に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記少なくとも１つのトランスデューサが、前記ヘッドセットへ動作可能に取り付けられた第３のトランスデューサであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記第３のトランスデューサが前記頭蓋の前記後頭下領域に亘って当該領域と接触して位置するように配置された第３のトランスデューサ、を含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
【請求項4】
請求項１乃至３の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記ヘッドセットは、前記頭蓋へ当該頭蓋を周って取り付けられるように構成されたヘッドバンドを含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
【請求項5】
請求項１乃至４の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記少なくとも１つの超音波トランスデューサは、大凡１０ｃｍの開口と大凡７．５ｃｍの焦点距離を有する球状集束マルチセグメントトランスデューサである、ヒストトリプシデバイス。
【請求項6】
請求項１乃至５の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記少なくとも１つのトランスデューサはＦ値＞０．９を有する、ヒストトリプシデバイス。
【請求項7】
請求項１乃至６の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記超音波周波数は大凡１ＭＨｚである、ヒストトリプシデバイス。
【請求項8】
請求項１乃至７の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記パルス持続時間は５ｍｓである、ヒストトリプシデバイス。
【請求項9】
請求項１乃至８の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記少なくとも１つのトランスデューサによって発生させる各パルスは、大凡３５～４０ＭＰａの間の範囲の単一の引張相圧力を作り出す、ヒストトリプシデバイス。
【請求項10】
請求項１乃至９の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記少なくとも１つのトランスデューサによって発生させる各パルスは、大凡２０～３０ＭＰａの間の範囲のピーク負圧力を作り出す、ヒストトリプシデバイス。
【請求項11】
請求項１に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記メモリに記憶されている前記命令は、前記少なくとも１つのプロセッサに前記少なくとも１つのトランスデューサを起動させて＞４０Ｈｚのレートで前記パルスを発生させるための、前記少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な命令を更に含む、ヒストトリプシデバイス。
【請求項12】
請求項１１に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記メモリに記憶されている前記命令は、前記少なくとも１つのプロセッサに前記少なくとも１つのトランスデューサを起動させて大凡２０～６０秒の間の合計超音波照射時間について前記パルスを発生させるための、前記少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な命令を更に含む、ヒストトリプシデバイス。
【請求項13】
ヒストトリプシデバイスであって、ヒト又は動物の頭蓋へ取り付けられるように構成されたヘッドセットと、
前記ヘッドセットへ取り付けられた少なくとも１つのトンランスデューサアレイであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記少なくとも１つのトランスデューサアレイが前記頭蓋の少なくとも１つの側頭領域又は後頭下領域に亘って当該領域と接触して位置するように配置されていて、それぞれが約７０～１６５ｍｍの間の焦点距離を有し超音波周波数又は超音波周波数範囲の集束された照射を発するように構成された複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを含んでいる少なくとも１つのトランスデューサアレイと、
制御信号入力に応えて、パルス化された超音波照射を発生させるように前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを駆動する制御部回路構成と、
を備えるヒストトリプシデバイス。
【請求項14】
請求項１３に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記少なくとも１つのトランスデューサアレイは、８つのトンランスデューサ又はトランスデューサセグメントを含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
【請求項15】
請求項１３又は１４に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記少なくとも１つのトランスデューサアレイが、
複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを含んでいる第１のトランスデューサアレイであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記第１のトランスデューサアレイの前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントが前記頭蓋の右側頭領域に亘って当該領域と接触して位置するように前記ヘッドセットへ取り付けられている第１のトランスデューサアレイと、
複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを含んでいる第２のトランスデューサアレイであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記第２のトランスデューサアレイの前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントが前記頭蓋の左側頭領域に亘って当該領域と接触して位置するように前記ヘッドセットへ取り付けられている第２のトランスデューサアレイと、
を含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
【請求項16】
請求項１３乃至１５の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記少なくとも１つのトランスデューサアレイが、
複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを含んでいる第３のトランスデューサアレイであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記第３のトランスデューサアレイの前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントが前記頭蓋の後頭下領域に亘って当該領域と接触して位置するように前記ヘッドセットへ取り付けられている第３のトランスデューサアレイ、
を含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
【請求項17】
請求項１３乃至１６の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記制御部回路構成は、前記制御信号入力を受信するように構成された入力部と、前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントのうちの異なる各個へそれぞれが電気的に接続されている複数の出力部と、を有するスイッチモードパルス生成部回路を備え、前記スイッチモードパルス生成部回路は、前記制御信号入力を、前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントへ供給される複数のトランスデューサ駆動信号へ変換するように構成されている、ヒストトリプシデバイス。
【請求項18】
請求項１７に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記スイッチモードパルス生成部回路は、エネルギー貯蔵部回路へ電気的に接続された高電圧供給部回路であって、前記エネルギー貯蔵部回路を高電圧へ充電するように構成された高電圧供給部回路を含んでおり、
前記スイッチモードパルス生成部回路の前記入力部は、低電圧方形波制御信号の形態をした前記制御信号入力を受信するように構成されていて、更に、前記エネルギー貯蔵部回路の前記高電圧を使用して、前記低電圧方形波制御信号を、前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを駆動するために供給される複数の高電圧方形波トランスデューサ駆動信号へ変換するように構成されている、ヒストトリプシデバイス。
【請求項19】
請求項１３乃至１８の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記ヘッドセットは、前記頭蓋へ当該頭蓋を周って取り付けられるように構成されたヘッドバンドを含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
【請求項20】
請求項１３乃至１９の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、前記制御部回路は、前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを駆動して１ミリ秒又はそれより長いパルス持続時間を有する前記パルス化された超音波照射を発生させるように構成されている、ヒストトリプシデバイス。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0028】
[0033]本開示を、前述の図面及び記述の中で詳細に例示し説明してきたが、それらは本質的に説明目的であり制限を課すものとみなされてはならず、単に発明の例示としての実施形態を示し説明したにすぎず、本開示の精神内に入るあらゆる変更及び修正は保護されることが望まれるものと理解している。例えば、幾つかの実施形態では、トランスデューサアレイ１６Ａ、１６Ｂ、２２のうちの１つ又はそれ以上は、上述の様にヘッドバンド１２に対して可動であるかどうかを問わず、最初に（単数又は複数の）血餅の厳密な場所を決定するように、そしてその次に場所が突き止められた（単数又は複数の）血餅を上述の様に断片化によって治療するように、構成されることができる。その様な実施形態では、メモリ５０は、（単数又は複数の）プロセッサ又はコントローラ４８にその様な決定を下させるための、（単数又は複数の）プロセッサ又はコントローラ４８によって実行可能な命令を含んでいるだろう。
〔態様１〕
ヒストトリプシデバイスであって、
ヒト又は動物の頭蓋へ取り付けられるように構成されたヘッドセットと、
前記ヘッドセットへ取り付けられた少なくとも１つのトンランスデューサであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記少なくとも１つのトランスデューサが前記頭蓋の少なくとも１つの側頭領域又は後頭下領域に亘って当該領域と接触して位置するように配置されていて、超音波周波数又は超音波周波数範囲の集束された照射を発するように構成されている少なくとも１つのトランスデューサと、
少なくとも１つのプロセッサと、
前記少なくとも１つのプロセッサに前記少なくとも１つのトランスデューサを起動させて１ミリ秒（ｍｓ）又はそれより長いパルス持続時間を有する少なくとも１つの超音波照射のパルスを発生させるための、前記少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な命令がその中に記憶されている少なくとも１つのメモリと、
を備えるヒストトリプシデバイス。
〔態様２〕
態様１に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記少なくとも１つのトランスデューサが、
前記ヘッドセットへ動作可能に取り付けられた第１のトランスデューサであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記第１のトランスデューサが前記頭蓋の右側頭領域に亘って当該領域と接触して位置するように配置された第１のトランスデューサと、
前記ヘッドセットへ動作可能に取り付けられた第２のトランスデューサであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記第２のトランスデューサが前記頭蓋の左側頭領域に亘って当該領域と接触して位置するように配置された第２のトランスデューサと、
を含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
〔態様３〕
態様１又は２に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記少なくとも１つのトランスデューサが、前記ヘッドセットへ動作可能に取り付けられた第３のトランスデューサであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記第３のトランスデューサが前記頭蓋の前記後頭下領域に亘って当該領域と接触して位置するように配置された第３のトランスデューサ、を含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
〔態様４〕
態様１乃至３の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記ヘッドセットは、前記頭蓋へ当該頭蓋を周って取り付けられるように構成されたヘッドバンドを含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
〔態様５〕
態様１乃至４の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記少なくとも１つの超音波トランスデューサは、各セグメントが大凡１０ｃｍの開口と大凡７．５ｃｍの焦点距離を有する球状集束マルチセグメントトランスデューサである、ヒストトリプシデバイス。
〔態様６〕
態様１乃至５の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記少なくとも１つのトランスデューサはＦ値＞０．９を有する、ヒストトリプシデバイス。
〔態様７〕
態様１乃至６の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記超音波周波数は大凡１ＭＨｚである、ヒストトリプシデバイス。
〔態様８〕
態様１乃至７の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記パルス持続時間は１ｍｓである、ヒストトリプシデバイス。
〔態様９〕
態様１乃至７の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記パルス持続時間は５ｍｓである、ヒストトリプシデバイス。
〔態様１０〕
態様１乃至９の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記少なくとも１つのトランスデューサによって発生させる各パルスは、大凡３５～４０ＭＰａの間の範囲の単一の引張相圧力を作り出す、ヒストトリプシデバイス。
〔態様１１〕
態様１乃至１０の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記少なくとも１つのトランスデューサによって発生させる各パルスは、大凡２０～３０ＭＰａの間の範囲のピーク負圧力を作り出す、ヒストトリプシデバイス。
〔態様１２〕
態様１乃至１１の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記メモリに記憶されている前記命令は、前記少なくとも１つのプロセッサに前記少なくとも１つのトランスデューサを起動させて大凡５００～１０００の間のパルスを発生させるための、前記少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な命令を更に含む、ヒストトリプシデバイス。
〔態様１３〕
態様１２に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記メモリに記憶されている前記命令は、前記少なくとも１つのプロセッサに前記少なくとも１つのトランスデューサを起動させて＞４０Ｈｚのレートで前記パルスを発生させるための、前記少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な命令を更に含む、ヒストトリプシデバイス。
〔態様１４〕
態様１２又は１３に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記メモリに記憶されている前記命令は、前記少なくとも１つのプロセッサに前記少なくとも１つのトランスデューサを起動させて大凡２０～６０秒の間の合計超音波照射時間について前記パルスを発生させるための、前記少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な命令を更に含む、ヒストトリプシデバイス。
〔態様１５〕
ヒストトリプシデバイスであって、
ヒト又は動物の頭蓋へ取り付けられるように構成されたヘッドセットと、
前記ヘッドセットへ取り付けられた少なくとも１つのトンランスデューサアレイであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記少なくとも１つのトランスデューサアレイが前記頭蓋の少なくとも１つの側頭領域又は後頭下領域に亘って当該領域と接触して位置するように配置されていて、それぞれが約７０～１６５ｍｍの間の焦点距離を有し超音波周波数又は超音波周波数範囲の集束された照射を発するように構成された複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを含んでいる少なくとも１つのトランスデューサアレイと、
制御信号入力に応えて、パルス化された超音波照射を発生させるように前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを駆動する制御部回路構成と、
を備えるヒストトリプシデバイス。
〔態様１６〕
態様１５に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記少なくとも１つのトランスデューサアレイは、８つのトンランスデューサ又はトランスデューサセグメントを含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
〔態様１７〕
態様１５又は１６に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記少なくとも１つのトランスデューサアレイが、
複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを含んでいる第１のトランスデューサアレイであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記第１のトランスデューサアレイの前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントが前記頭蓋の右側頭領域に亘って当該領域と接触して位置するように前記ヘッドセットへ取り付けられている第１のトランスデューサアレイと、
複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを含んでいる第２のトランスデューサアレイであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記第２のトランスデューサアレイの前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントが前記頭蓋の左側頭領域に亘って当該領域と接触して位置するように前記ヘッドセットへ取り付けられている第２のトランスデューサアレイと、
を含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
〔態様１８〕
態様１５乃至１７の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記少なくとも１つのトランスデューサアレイが、
複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを含んでいる第３のトランスデューサアレイであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記第３のトランスデューサアレイの前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントが前記頭蓋の後頭下領域に亘って当該領域と接触して位置するように前記ヘッドセットへ取り付けられている第３のトランスデューサアレイ、
を含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
〔態様１９〕
態様１５乃至１８の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記制御部回路構成は、前記制御信号入力を受信するように構成された入力部と、前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントのうちの異なる各個へそれぞれが電気的に接続されている複数の出力部と、を有するスイッチモードパルス生成部回路を備え、前記スイッチモードパルス生成部回路は、前記制御信号入力を、前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントへ供給される複数のトランスデューサ駆動信号へ変換するように構成されている、ヒストトリプシデバイス。
〔態様２０〕
態様１９に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記スイッチモードパルス生成部回路は、エネルギー貯蔵部回路へ電気的に接続された高電圧供給部回路であって、前記エネルギー貯蔵部回路を高電圧へ充電するように構成された高電圧供給部回路を含んでおり、
を有する前記スイッチモードパルス生成部回路の前記入力部は、低電圧方形波制御信号の形態をした前記制御信号入力を受信するように構成されていて、更に、前記エネルギー貯蔵部回路の前記高電圧を使用して、前記低電圧方形波制御信号を、前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを駆動するために供給される複数の高電圧方形波トランスデューサ駆動信号へ変換するように構成されている、ヒストトリプシデバイス。
〔態様２１〕
態様１５乃至２０の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記ヘッドセットは、前記頭蓋へ当該頭蓋を周って取り付けられるように構成されたヘッドバンドを含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
〔態様２２〕
態様１５乃至２１の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記制御部回路は、前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを駆動して１ミリ秒又はそれより長いパルス持続時間を有する前記パルス化された超音波照射を発生させるように構成されている、ヒストトリプシデバイス。
〔態様１〕
ヒストトリプシデバイスであって、
ヒト又は動物の頭蓋へ取り付けられるように構成されたヘッドセットと、
前記ヘッドセットへ取り付けられた少なくとも１つのトンランスデューサであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記少なくとも１つのトランスデューサが前記頭蓋の少なくとも１つの側頭領域又は後頭下領域に亘って当該領域と接触して位置するように配置されていて、超音波周波数又は超音波周波数範囲の集束された照射を発するように構成されている少なくとも１つのトランスデューサと、
少なくとも１つのプロセッサと、
前記少なくとも１つのプロセッサに前記少なくとも１つのトランスデューサを起動させて１ミリ秒（ｍｓ）又はそれより長いパルス持続時間を有する少なくとも１つの超音波照射のパルスを発生させるための、前記少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な命令がその中に記憶されている少なくとも１つのメモリと、
を備えるヒストトリプシデバイス。
〔態様２〕
態様１に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記少なくとも１つのトランスデューサが、
前記ヘッドセットへ動作可能に取り付けられた第１のトランスデューサであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記第１のトランスデューサが前記頭蓋の右側頭領域に亘って当該領域と接触して位置するように配置された第１のトランスデューサと、
前記ヘッドセットへ動作可能に取り付けられた第２のトランスデューサであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記第２のトランスデューサが前記頭蓋の左側頭領域に亘って当該領域と接触して位置するように配置された第２のトランスデューサと、
を含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
〔態様３〕
態様１又は２に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記少なくとも１つのトランスデューサが、前記ヘッドセットへ動作可能に取り付けられた第３のトランスデューサであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記第３のトランスデューサが前記頭蓋の前記後頭下領域に亘って当該領域と接触して位置するように配置された第３のトランスデューサ、を含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
〔態様４〕
態様１乃至３の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記ヘッドセットは、前記頭蓋へ当該頭蓋を周って取り付けられるように構成されたヘッドバンドを含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
〔態様５〕
態様１乃至４の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記少なくとも１つの超音波トランスデューサは、各セグメントが大凡１０ｃｍの開口と大凡７．５ｃｍの焦点距離を有する球状集束マルチセグメントトランスデューサである、ヒストトリプシデバイス。
〔態様６〕
態様１乃至５の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記少なくとも１つのトランスデューサはＦ値＞０．９を有する、ヒストトリプシデバイス。
〔態様７〕
態様１乃至６の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記超音波周波数は大凡１ＭＨｚである、ヒストトリプシデバイス。
〔態様８〕
態様１乃至７の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記パルス持続時間は１ｍｓである、ヒストトリプシデバイス。
〔態様９〕
態様１乃至７の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記パルス持続時間は５ｍｓである、ヒストトリプシデバイス。
〔態様１０〕
態様１乃至９の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記少なくとも１つのトランスデューサによって発生させる各パルスは、大凡３５～４０ＭＰａの間の範囲の単一の引張相圧力を作り出す、ヒストトリプシデバイス。
〔態様１１〕
態様１乃至１０の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記少なくとも１つのトランスデューサによって発生させる各パルスは、大凡２０～３０ＭＰａの間の範囲のピーク負圧力を作り出す、ヒストトリプシデバイス。
〔態様１２〕
態様１乃至１１の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記メモリに記憶されている前記命令は、前記少なくとも１つのプロセッサに前記少なくとも１つのトランスデューサを起動させて大凡５００～１０００の間のパルスを発生させるための、前記少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な命令を更に含む、ヒストトリプシデバイス。
〔態様１３〕
態様１２に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記メモリに記憶されている前記命令は、前記少なくとも１つのプロセッサに前記少なくとも１つのトランスデューサを起動させて＞４０Ｈｚのレートで前記パルスを発生させるための、前記少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な命令を更に含む、ヒストトリプシデバイス。
〔態様１４〕
態様１２又は１３に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記メモリに記憶されている前記命令は、前記少なくとも１つのプロセッサに前記少なくとも１つのトランスデューサを起動させて大凡２０～６０秒の間の合計超音波照射時間について前記パルスを発生させるための、前記少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な命令を更に含む、ヒストトリプシデバイス。
〔態様１５〕
ヒストトリプシデバイスであって、
ヒト又は動物の頭蓋へ取り付けられるように構成されたヘッドセットと、
前記ヘッドセットへ取り付けられた少なくとも１つのトンランスデューサアレイであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記少なくとも１つのトランスデューサアレイが前記頭蓋の少なくとも１つの側頭領域又は後頭下領域に亘って当該領域と接触して位置するように配置されていて、それぞれが約７０～１６５ｍｍの間の焦点距離を有し超音波周波数又は超音波周波数範囲の集束された照射を発するように構成された複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを含んでいる少なくとも１つのトランスデューサアレイと、
制御信号入力に応えて、パルス化された超音波照射を発生させるように前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを駆動する制御部回路構成と、
を備えるヒストトリプシデバイス。
〔態様１６〕
態様１５に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記少なくとも１つのトランスデューサアレイは、８つのトンランスデューサ又はトランスデューサセグメントを含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
〔態様１７〕
態様１５又は１６に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記少なくとも１つのトランスデューサアレイが、
複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを含んでいる第１のトランスデューサアレイであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記第１のトランスデューサアレイの前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントが前記頭蓋の右側頭領域に亘って当該領域と接触して位置するように前記ヘッドセットへ取り付けられている第１のトランスデューサアレイと、
複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを含んでいる第２のトランスデューサアレイであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記第２のトランスデューサアレイの前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントが前記頭蓋の左側頭領域に亘って当該領域と接触して位置するように前記ヘッドセットへ取り付けられている第２のトランスデューサアレイと、
を含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
〔態様１８〕
態様１５乃至１７の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記少なくとも１つのトランスデューサアレイが、
複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを含んでいる第３のトランスデューサアレイであって、前記ヘッドセットが前記頭蓋へ取り付けられた状態で、前記第３のトランスデューサアレイの前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントが前記頭蓋の後頭下領域に亘って当該領域と接触して位置するように前記ヘッドセットへ取り付けられている第３のトランスデューサアレイ、
を含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
〔態様１９〕
態様１５乃至１８の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記制御部回路構成は、前記制御信号入力を受信するように構成された入力部と、前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントのうちの異なる各個へそれぞれが電気的に接続されている複数の出力部と、を有するスイッチモードパルス生成部回路を備え、前記スイッチモードパルス生成部回路は、前記制御信号入力を、前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントへ供給される複数のトランスデューサ駆動信号へ変換するように構成されている、ヒストトリプシデバイス。
〔態様２０〕
態様１９に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記スイッチモードパルス生成部回路は、エネルギー貯蔵部回路へ電気的に接続された高電圧供給部回路であって、前記エネルギー貯蔵部回路を高電圧へ充電するように構成された高電圧供給部回路を含んでおり、
を有する前記スイッチモードパルス生成部回路の前記入力部は、低電圧方形波制御信号の形態をした前記制御信号入力を受信するように構成されていて、更に、前記エネルギー貯蔵部回路の前記高電圧を使用して、前記低電圧方形波制御信号を、前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを駆動するために供給される複数の高電圧方形波トランスデューサ駆動信号へ変換するように構成されている、ヒストトリプシデバイス。
〔態様２１〕
態様１５乃至２０の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記ヘッドセットは、前記頭蓋へ当該頭蓋を周って取り付けられるように構成されたヘッドバンドを含んでいる、ヒストトリプシデバイス。
〔態様２２〕
態様１５乃至２１の何れか一項に記載のヒストトリプシデバイスにおいて、
前記制御部回路は、前記複数のトランスデューサ又はトランスデューサセグメントを駆動して１ミリ秒又はそれより長いパルス持続時間を有する前記パルス化された超音波照射を発生させるように構成されている、ヒストトリプシデバイス。
【国際調査報告】