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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-09-13
(54)【発明の名称】成形相互接続デバイス
(51)【国際特許分類】
H05K 1/03 20060101AFI20230906BHJP
C08K 3/013 20180101ALI20230906BHJP
C08L 67/00 20060101ALI20230906BHJP
H05K 3/00 20060101ALI20230906BHJP
H05K 3/18 20060101ALI20230906BHJP
H05K 3/10 20060101ALI20230906BHJP
H01L 23/14 20060101ALI20230906BHJP
【ＦＩ】
H05K1/03 610H
C08K3/013
C08L67/00
H05K1/03 610R
H05K3/00 N
H05K3/18 A
H05K3/10 E
H01L23/14 R
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2022581419
(86)(22)【出願日】2021-07-14
(85)【翻訳文提出日】2023-02-20
(86)【国際出願番号】 US2021041513
(87)【国際公開番号】W WO2022026178
(87)【国際公開日】2022-02-03
(31)【優先権主張番号】63/057,345
(32)【優先日】2020-07-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】63/057,349
(32)【優先日】2020-07-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】63/057,353
(32)【優先日】2020-07-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】17/178,292
(32)【優先日】2021-02-18
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】17/178,295
(32)【優先日】2021-02-18
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】17/178,312
(32)【優先日】2021-02-18
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】17/184,948
(32)【優先日】2021-02-25
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】500100822
【氏名又は名称】ティコナ・エルエルシー
(74)【代理人】
【識別番号】100118902
【弁理士】
【氏名又は名称】山本 修
(74)【代理人】
【識別番号】100106208
【弁理士】
【氏名又は名称】宮前 徹
(74)【代理人】
【識別番号】100196508
【弁理士】
【氏名又は名称】松尾 淳一
(74)【代理人】
【識別番号】100129458
【弁理士】
【氏名又は名称】梶田 剛
(72)【発明者】
【氏名】キム，ヤン・シン
【テーマコード（参考）】
4J002
5E343
【Ｆターム（参考）】
4J002CF161
4J002CF181
4J002DG056
4J002DJ006
4J002DJ016
4J002DJ036
4J002DJ046
4J002DJ056
4J002FD016
4J002GQ01
5E343AA16
5E343BB01
5E343BB23
5E343BB24
5E343BB25
5E343BB28
5E343BB44
5E343BB72
5E343CC75
5E343DD02
5E343DD03
5E343DD20
5E343DD33
5E343DD43
5E343EE32
5E343EE36
5E343ER04
5E343ER45
5E343GG20
(57)【要約】
基板、および基板上に配置された導電素子を含む成形相互接続デバイスが提供される。基板は、サーモトロピック液晶ポリマーを含むポリマーマトリックス、およびポリマーマトリックス１００重量部あたり約１０重量部～約８０重量部を含有するポリマー組成物を含む。鉱物充填剤は、約２５マイクロメートル以下の平均直径を有する。ポリマー組成物は、約１，０００ｐｐｍ以下の量の銅および約２，０００ｐｐｍ以下の量のクロムを含有し、さらに約１×１０１４オーム以上の表面抵抗率を示す。
【選択図】図１
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
成形相互接続デバイスであって、サーモトロピック液晶ポリマーを含むポリマーマトリックス、および前記ポリマーマトリックス１００重量部あたり約１０重量部～約８０重量部の鉱物充填剤を含有するポリマー組成物を含む基板であって、前記鉱物充填剤が約２５マイクロメートル以下の平均直径を有し、前記ポリマー組成物が、約１，０００ｐｐｍ以下の量の銅および約２，０００ｐｐｍ以下の量のクロムを含有し、さらに前記ポリマー組成物が、ＩＥＣ６２６３１－３－１：２０１６に従って決定される約１×１０１４オーム以上の表面抵抗率を示す基板、ならびに
前記基板上に配置された導電素子
を含む、前記成形相互接続デバイス。
【請求項2】
前記ポリマー組成物が、式ＡＢ２Ｏ４を有するスピネル結晶を含まず、Ａが２の原子価を有する金属カチオンであり、Ｂが３の原子価を有する金属カチオンである、請求項１に記載の成形相互接続デバイス。
【請求項3】
前記ポリマー組成物が亜クロム酸銅を含まない、請求項１に記載の成形相互接続デバイス。
【請求項4】
前記ポリマー組成物が、ＩＥＣ６２６３１－３－１：２０１６に従って決定される約１×１０１２オーム・ｍ以上の体積抵抗率を示す、請求項１に記載の成形相互接続デバイス。
【請求項5】
前記ポリマー組成物が、ＩＥＣ６２６３１－３－１：２０１６に従って決定される約１×１０１６オーム以上の表面抵抗率を示す、請求項１に記載の成形相互接続デバイス。
【請求項6】
前記ポリマー組成物が、約０．１オーム・ｃｍ未満の固有体積抵抗率を有する導電性充填剤を含まない、請求項１に記載の成形相互接続デバイス。
【請求項7】
前記ポリマー組成物が導電性炭素材料を含まない、請求項１に記載の成形相互接続デバイス。
【請求項8】
前記ポリマーマトリックスが、前記ポリマー組成物の約３０ｗｔ．％～約８０ｗｔ．％を構成する、請求項１に記載の成形相互接続デバイス。
【請求項9】
前記液晶ポリマーが約２８０℃以上の溶融温度を有する、請求項１に記載の成形相互接続デバイス。
【請求項10】
前記液晶ポリマーが、芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する１種または複数の繰り返し単位を含有し、前記ヒドロキシカルボン酸繰り返し単位が前記ポリマーの約４０ｍｏｌ．％以上を構成する、請求項１に記載の成形相互接続デバイス。
【請求項11】
前記液晶ポリマーが、４－ヒドロキシ安息香酸、６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸、またはそれらの組合せに由来する繰り返し単位を含有する、請求項１０に記載の成形相互接続デバイス。
【請求項12】
前記液晶ポリマーが、４－ヒドロキシ安息香酸に由来する繰り返し単位を前記ポリマーの約３０ｍｏｌ．％～約９０ｍｏｌ．％の量で含有し、６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸に由来する繰り返し単位を前記ポリマーの約１ｍｏｌ．％～約３０ｍｏｌ．％の量で含有する、請求項１１に記載の成形相互接続デバイス。
【請求項13】
前記液晶ポリマーが、テレフタル酸、イソフタル酸、２，６－ナフタレンジカルボン酸、ヒドロキノン、４，４’－ビフェノール、アセトアミノフェン、４－アミノフェノール、またはそれらの組合せに由来する繰り返し単位をさらに含有する、請求項１０に記載の成形相互接続デバイス。
【請求項14】
前記ポリマー組成物が、ＡＳＴＭ Ｅ１４６１－１３に従って決定される約１Ｗ／ｍ・Ｋ以上の面内熱伝導率および／またはＡＳＴＭ Ｅ１４６１－１３に従って決定される約０．２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の面直熱伝導率を示す、請求項１に記載の成形相互接続デバイス。
【請求項15】
前記鉱物充填剤が鉱物粒子を含有する、請求項１に記載の成形相互接続デバイス。
【請求項16】
前記鉱物粒子が、タルク、マイカ、シリカまたはそれらの組合せを含む、請求項１４に記載の成形相互接続デバイス。
【請求項17】
前記鉱物充填剤が鉱物繊維を含有する、請求項１に記載の成形相互接続デバイス。
【請求項18】
前記鉱物繊維が珪灰石を含む、請求項１７に記載の成形相互接続デバイス。
【請求項19】
前記鉱物繊維が、約４０～約２２０マイクロメートルのメジアン長を有する、請求項１７に記載の成形相互接続デバイス。
【請求項20】
前記鉱物繊維が約２～約５０のアスペクト比を有する、請求項１７に記載の成形相互接続デバイス。
【請求項21】
前記ポリマー組成物が、１，０００ｓ－１のせん断速度および前記組成物の溶融温度を１５℃超える温度で、ＩＳＯ試験Ｎｏ．１１４４３：２０１４に従って決定される約１０～約２５０Ｐａ・ｓの溶融粘度を有する、請求項１に記載の成形相互接続デバイス。
【請求項22】
前記導電素子が金属を含む、請求項１に記載の成形相互接続デバイス。
【請求項23】
前記基板に相互接続パターンの形でチャネルが形成され、前記導電素子が前記チャネル内に配置された、請求項１に記載の成形相互接続デバイス。
【請求項24】
前記導電素子が第１の金属層および第２の金属層を含む、請求項２３に記載の成形相互接続デバイス。
【請求項25】
前記基板の表面をレーザーでアブレーションして相互接続パターンを形成するステップ、および前記相互接続パターン内の前記基板上に前記導電素子を堆積させるステップを含む、請求項１に記載の成形相互接続デバイスを形成するための方法。
【請求項26】
前記導電素子が、前記相互接続パターン内にシード層を堆積させ、その後その上に金属を電解メッキすることを含むプロセスによって形成される、請求項２５に記載の方法。
【請求項27】
前記シード層が導電性ペーストを含む、請求項２６に記載の方法。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出題の相互参照
[0001]本出願は、いずれも参照により本明細書に組み込まれる、米国仮特許出願第６３／０５７，３４５号（出願日２０２０年７月２８日）、第６３／０５７，３４９号（出願日２０２０年７月２８日）、第６３／０５７，３５３号（出願日２０２０年７月２８日）、ならびに米国特許出願第１７／１７８，２９２号（出願日２０２１年２月１８日）、第１７／１７８，２９５号（出願日２０２１年２月１８日）、第１７／１７８，３１２号（出願日２０２１年２月１８日）、および第１７／１８４，９４８号（出願日２０２１年２月２５日）の出願利益を主張する。
[0001]本出願は、いずれも参照により本明細書に組み込まれる、米国仮特許出願第６３／０５７，３４５号（出願日２０２０年７月２８日）、第６３／０５７，３４９号（出願日２０２０年７月２８日）、第６３／０５７，３５３号（出願日２０２０年７月２８日）、ならびに米国特許出願第１７／１７８，２９２号（出願日２０２１年２月１８日）、第１７／１７８，２９５号（出願日２０２１年２月１８日）、第１７／１７８，３１２号（出願日２０２１年２月１８日）、および第１７／１８４，９４８号（出願日２０２１年２月２５日）の出願利益を主張する。
【背景技術】
【0002】
[0002]様々な電子構成部品を形成するために、その上に導電素子または経路が形成されたプラスチック基板を含む成形相互接続デバイス（ＭＩＤ）がしばしば形成される。したがって、このようなＭＩＤデバイスは、集積印刷導体または回路レイアウトを有する三次元成型部品である。ＭＩＤは、典型的に、コンピュータ制御されたレーザービームがプラスチック基板上を移動し、導電経路が位置する場所でその表面を活性化するレーザーディレクトストラクチャリング（「ＬＤＳ」）プロセスを使用して形成される。レーザーディレクトストラクチャリングデバイスのプラスチック基板を形成するために、様々な材料が提案されている。例えば、そのような材料の１つは、ポリカーボネート、アクリロニトリルブタジエンスチレン、および亜クロム酸銅（Ｃｕ２ＣｒＯ４）のブレンドである。レーザーディレクトストラクチャリングプロセスでは、亜クロム酸銅が割れて金属原子を放出し、これが後続の無電解銅メッキプロセスで結晶成長の核として作用し得る。その利点にもかかわらず、レーザーディレクトストラクチャリング材料の限界の１つは、スピネル結晶が特定の状況下で組成物の性能に悪影響を及ぼす傾向があることである。さらに、潜在的な環境上の懸念のために、銅およびクロムなどの重金属の使用を最小限に抑えることがますます望ましくなっている。そのため、現在、従来のＬＤＳプロセスを使用せずに導電素子を容易に形成することができる成形相互接続デバイスが必要とされている。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0003】
[0003]本発明の一実施形態によると、基板、および基板上に配置された導電素子を含む成形相互接続デバイスが開示される。基板は、サーモトロピック液晶ポリマーを含むポリマーマトリックス、およびポリマーマトリックス１００重量部あたり約１０重量部～約８０重量部の鉱物充填剤を含有するポリマー組成物を含む。鉱物充填剤は、約２５マイクロメートル以下の平均直径を有する。ポリマー組成物は、約１，０００ｐｐｍ以下の量の銅および約２，０００ｐｐｍ以下の量のクロムを含有し、さらにＩＥＣ６２６３１－３－１：２０１６に従って決定される約１×１０１４オーム以上の表面抵抗率を示す。
【0004】
[0004]本発明の他の特色および態様が、以下により詳細に記載される。
[0005]本発明の完全かつ実施可能な開示が、当業者に対するその最良の形態を含め、添付の図面への参照を含む本明細書の残り部分でより詳細に記載される。
[0005]本発明の完全かつ実施可能な開示が、当業者に対するその最良の形態を含め、添付の図面への参照を含む本明細書の残り部分でより詳細に記載される。
【図面の簡単な説明】
【0005】
【図1】[0006]電子デバイスを形成するために利用可能な製造プロセスの一実施形態のフロー図である。
【図5】[0010]基板上に導電素子を形成するための一実施形態の概略図である。
【図7】[0012]自動車用ライトの形態の電子デバイスの一実施形態の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0006】
[0014]本考察は、例示的な実施形態の説明にすぎず、本発明のより広範な態様を制限するものではないことが当業者によって理解される。
[0015]一般に、本発明は、基板およびその上に配置された導電素子を含有する成形相互接続デバイスに関する。基板は、鉱物充填剤およびサーモトロピック液晶ポリマーを含有するポリマーマトリックスを含むポリマー組成物を含有する。これらおよびポリマー組成物の他の成分の特定の性質とともにそれらの相対濃度を選択的に制御することにより、本発明者は、得られる組成物が、従来のレーザーディレクトストラクチャリングシステムを使用せずに容易にメッキ可能であることを発見した。例えば、鉱物充填剤は、基板上に相互接続パターンを形成するために使用される技術（例えば、レーザーアブレーション）を実質的に妨害しないように十分に小さいサイズを有してもよい。より詳細には、鉱物充填剤は、例えばレーザー回折分析器（例えば、Ｍｉｃｒｏｔｒａｃ Ｓ３５００）によって決定される約２５マイクロメートル以下、一部の実施形態では約０．１～約１５マイクロメートル、一部の実施形態では約０．５～約１４マイクロメートル、一部の実施形態では約１～約１３マイクロメートルのメジアン径を有してもよい。相互接続パターンの作成を妨害しないことに加えて、上述したサイズ特徴を有する鉱物充填剤は、成型機器を通ってより容易に移動することもでき、これによりポリマーマトリックス内の分布が向上し、表面欠陥の生成が最小になると考えられる。
[0015]一般に、本発明は、基板およびその上に配置された導電素子を含有する成形相互接続デバイスに関する。基板は、鉱物充填剤およびサーモトロピック液晶ポリマーを含有するポリマーマトリックスを含むポリマー組成物を含有する。これらおよびポリマー組成物の他の成分の特定の性質とともにそれらの相対濃度を選択的に制御することにより、本発明者は、得られる組成物が、従来のレーザーディレクトストラクチャリングシステムを使用せずに容易にメッキ可能であることを発見した。例えば、鉱物充填剤は、基板上に相互接続パターンを形成するために使用される技術（例えば、レーザーアブレーション）を実質的に妨害しないように十分に小さいサイズを有してもよい。より詳細には、鉱物充填剤は、例えばレーザー回折分析器（例えば、Ｍｉｃｒｏｔｒａｃ Ｓ３５００）によって決定される約２５マイクロメートル以下、一部の実施形態では約０．１～約１５マイクロメートル、一部の実施形態では約０．５～約１４マイクロメートル、一部の実施形態では約１～約１３マイクロメートルのメジアン径を有してもよい。相互接続パターンの作成を妨害しないことに加えて、上述したサイズ特徴を有する鉱物充填剤は、成型機器を通ってより容易に移動することもでき、これによりポリマーマトリックス内の分布が向上し、表面欠陥の生成が最小になると考えられる。
【0007】
[0016]基板は、レーザーディレクトストラクチャリングシステムを使用せずにメッキすることができるため、ポリマー組成物は、レーザー活性化可能な添加剤として亜クロム酸銅（ＣｕＣｒ２Ｏ４）を使用せずに有益に形成することができる。この点に関して、得られるポリマー組成物は、一般にクロムおよび／または銅を含まなくてもよい。例えば、クロムは、約２，０００ｐｐｍ（「ｐｐｍ」）以下、一部の実施形態では約１，５００ｐｐｍ以下、一部の実施形態では約１，０００ｐｐｍ以下、一部の実施形態では約０．００１～約５００ｐｐｍの量で組成物中に存在してもよく、一方、銅は一般に、約１，０００ｐｐｍ以下、一部の実施形態では約７５０ｐｐｍ以下、一部の実施形態では約５００ｐｐｍ以下、一部の実施形態では約０．００１～約１００ｐｐｍの量で組成物中に存在する。銅およびクロムの含有量は、Ｘ線透視法（例えば、Ｓｉ－ＰｉＮダイオード検出器を備えたＩｎｎｏｖ－Ｘ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｍｏｄｅｌ ａ－２０００Ｘ線蛍光分光器）などの公知の技術を使用して決定することができる。当然ながら、クロム酸銅とは別に、ポリマー組成物は、他の種類の従来のレーザー活性化可能な添加剤、例えば、式ＡＢ２Ｏ４を有するスピネル結晶を一般に含まない場合もあり、Ａは２の原子価を有する金属カチオン（例えば、カドミウム、クロム、マンガン、ニッケル、亜鉛、銅、コバルト、鉄、マグネシウム、スズ、またはチタン）であり、Ｂは３の原子価を有する金属カチオン（例えば、クロム、鉄、アルミニウム、ニッケル、マンガン、またはスズ）である（例えば、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＺｎＡｌ２Ｏ４、ＦｅＡｌ２Ｏ４、ＣｕＦｅ２Ｏ４、ＭｎＦｅ２Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＴｉＦｅ２Ｏ４、ＦｅＣｒ２Ｏ４、またはＭｇＣｒ２Ｏ４）。ポリマー組成物は、そのようなスピネル結晶を含まなくてもよい（すなわち、０ｗｔ．％）か、またはそのような結晶は、約１ｗｔ．％以下、一部の実施形態では約０．５ｗｔ．％以下、一部の実施形態では約０．００１ｗｔ．％～約０．２ｗｔ．％の量のような低い濃度でのみ存在してもよい。
【0008】
[0017]ポリマー組成物は、成形相互接続デバイスで使用するための良好な絶縁特性を基板に付与するのを助けるために、比較的高度の電気抵抗を示すこともできる。表面抵抗率は、例えば、例えばＩＥＣ６２６３１－３－１：２０１６に従って約２０℃の温度で決定される約１×１０１４オーム以上、一部の実施形態では約１×１０１５オーム以上、一部の実施形態では約１×１０１６オーム以上、一部の実施形態では約１×１０１７オーム以上であってもよい。体積抵抗率は、同様に、例えばＩＥＣ６２６３１－３－１：２０１６に従って約２０℃の温度で決定される約１×１０１２オーム・ｍ以上、一部の実施形態では約１×１０１３オーム・ｍ以上、一部の実施形態では約１×１０１４オーム・ｍ以上、一部の実施形態では約１×１０１５オーム・ｍ以上であってもよい。そのような値を達成するのを助けるために、組成物は、高度な電気伝導率を有する従来の材料を一般に含まないことが一般に望ましい。例えば、ポリマー組成物は、例えば約２０℃の温度で決定される約１オーム・ｃｍ未満、一部の実施形態では約０．１オーム・ｃｍ未満、一部の実施形態では約１×１０－８～約１×１０－２オーム・ｃｍの固有体積抵抗率を有する導電性充填剤を一般に含まなくてもよい。このような導電性充填剤の例として、例えばグラファイト、導電性カーボンブラック、炭素繊維、グラフェン、カーボンナノチューブなどの導電性炭素材料；金属（例えば、金属粒子、金属フレーク、金属繊維など）；イオン液体などを挙げることができる。通常、そのような導電性材料の存在を最小限に抑えることが望ましいが、それにもかかわらず、それらは特定の実施形態でポリマー組成物の約５ｗｔ．％以下、一部の実施形態では約２ｗｔ．％以下、一部の実施形態では約１ｗｔ．％以下、一部の実施形態では約０．５ｗｔ．％以下、一部の実施形態では約０．００１ｗｔ．％～約０．２ｗｔ．％の量のような比較的少ないパーセンテージで存在してもよい。
【0009】
[0018]ここで、本発明の種々の実施形態をより詳細に記載する。
Ｉ．ポリマー組成物
Ａ．ポリマーマトリックス
[0019]ポリマーマトリックスは、一般にポリマー組成物の約３０ｗｔ．％～約９０ｗｔ．％、一部の実施形態では約３０ｗｔ．％～約８０ｗｔ．％、一部の実施形態では約４０ｗｔ．％～約７５ｗｔ．％、一部の実施形態では約５０ｗｔ．％～約７０ｗｔ．％の量の１種または複数の液晶ポリマーを典型的に含有する。液晶ポリマーは、一般的に棒状構造を有し、それらの溶融状態（例えば、サーモトロピックネマチック状態）で結晶挙動を示すことができる限り、「サーモトロピック」と分類される。ポリマーは、約２８０℃以上、一部の実施形態では約２８０℃～約４００℃、一部の実施形態では約２９０℃～約３９０℃、一部の実施形態では約３００℃～約３８０℃のような比較的高い溶融温度を有する。そのようなポリマーは、当技術分野で公知のように１つまたは複数の種類の繰り返し単位から形成されてもよい。液晶ポリマーは、例えば、一般に以下の式（Ｉ）：
Ｉ．ポリマー組成物
Ａ．ポリマーマトリックス
[0019]ポリマーマトリックスは、一般にポリマー組成物の約３０ｗｔ．％～約９０ｗｔ．％、一部の実施形態では約３０ｗｔ．％～約８０ｗｔ．％、一部の実施形態では約４０ｗｔ．％～約７５ｗｔ．％、一部の実施形態では約５０ｗｔ．％～約７０ｗｔ．％の量の１種または複数の液晶ポリマーを典型的に含有する。液晶ポリマーは、一般的に棒状構造を有し、それらの溶融状態（例えば、サーモトロピックネマチック状態）で結晶挙動を示すことができる限り、「サーモトロピック」と分類される。ポリマーは、約２８０℃以上、一部の実施形態では約２８０℃～約４００℃、一部の実施形態では約２９０℃～約３９０℃、一部の実施形態では約３００℃～約３８０℃のような比較的高い溶融温度を有する。そのようなポリマーは、当技術分野で公知のように１つまたは複数の種類の繰り返し単位から形成されてもよい。液晶ポリマーは、例えば、一般に以下の式（Ｉ）：
【0010】
【化1】
【0011】
（式中、
環Ｂは、置換または非置換の６員アリール基（例えば、１，４－フェニレンまたは１，３－フェニレン）、置換または非置換の５または６員アリール基に縮合した置換または非置換の６員アリール基（例えば２，６－ナフタレン）、あるいは置換または非置換の５または６員アリール基に連結した置換または非置換の６員アリール基（例えば４，４－ビフェニレン）であり；
Ｙ１およびＹ２は、独立してＯ、Ｃ（Ｏ）、ＮＨ、Ｃ（Ｏ）ＨＮ、またはＮＨＣ（Ｏ）である）
によって表される１つまたは複数の芳香族エステル繰り返し単位を含有してもよい。
環Ｂは、置換または非置換の６員アリール基（例えば、１，４－フェニレンまたは１，３－フェニレン）、置換または非置換の５または６員アリール基に縮合した置換または非置換の６員アリール基（例えば２，６－ナフタレン）、あるいは置換または非置換の５または６員アリール基に連結した置換または非置換の６員アリール基（例えば４，４－ビフェニレン）であり；
Ｙ１およびＹ２は、独立してＯ、Ｃ（Ｏ）、ＮＨ、Ｃ（Ｏ）ＨＮ、またはＮＨＣ（Ｏ）である）
によって表される１つまたは複数の芳香族エステル繰り返し単位を含有してもよい。
【0012】
[0020]典型的に、Ｙ１およびＹ２の少なくとも１つはＣ（Ｏ）である。そのような芳香族エステル繰り返し単位の例として、例えば芳香族ジカルボン酸繰り返し単位（式Ｉ中Ｙ１およびＹ２はＣ（Ｏ）である）、芳香族ヒドロキシカルボン酸繰り返し単位（式Ｉ中Ｙ１はＯであり、Ｙ２はＣ（Ｏ）である）、ならびにこれらの種々の組合せを挙げることができる。
【0013】
[0021]例えば、４－ヒドロキシ安息香酸；４－ヒドロキシ－４’－ビフェニルカルボン酸；２－ヒドロキシ－６－ナフトエ酸；２－ヒドロキシ－５－ナフトエ酸；３－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸；２－ヒドロキシ－３－ナフトエ酸；４’－ヒドロキシフェニル－４－安息香酸；３’－ヒドロキシフェニル－４－安息香酸；４’－ヒドロキシフェニル－３－安息香酸など、ならびにこれらのアルキル、アルコキシ、アリールおよびハロゲン置換体、ならびにこれらの組合せなどの芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する芳香族ヒドロキシカルボン酸繰り返し単位が利用されてもよい。特に好適な芳香族ヒドロキシカルボン酸は、４－ヒドロキシ安息香酸（「ＨＢＡ」）および６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸（ＨＮＡ）である。利用される場合、ヒドロキシカルボン酸（例えばＨＢＡおよび／またはＨＮＡ）に由来する繰り返し単位は、典型的にポリマーの約４０ｍｏｌ．％以上、一部の実施形態では約４５ｍｏｌ．％以上、一部の実施形態では約５０ｍｏｌ．％～１００ｍｏｌ．％を構成する。一実施形態では、例えば、ＨＢＡに由来する繰り返し単位は、ポリマーの約３０ｍｏｌ．％～約９０ｍｏｌ．％、一部の実施形態ではポリマーの約４０ｍｏｌ．％～約８５ｍｏｌ．％、一部の実施形態ではポリマーの約５０ｍｏｌ．％～約８０ｍｏｌ．％を構成してもよい。同様に、ＨＮＡに由来する繰り返し単位は、ポリマーの約１ｍｏｌ．％～約３０ｍｏｌ．％、一部の実施形態ではポリマーの約２ｍｏｌ．％～約２５ｍｏｌ．％、一部の実施形態ではポリマーの約３ｍｏｌ．％～約１５ｍｏｌ．％を構成してもよい。
【0014】
[0022]また、テレフタル酸、イソフタル酸、２，６－ナフタレンジカルボン酸、ジフェニルエーテル－４，４’－ジカルボン酸、１，６－ナフタレンジカルボン酸、２，７－ナフタレンジカルボン酸、４，４’－ジカルボキシビフェニル、ビス（４－カルボキシフェニル）エーテル、ビス（４－カルボキシフェニル）ブタン、ビス（４－カルボキシフェニル）エタン、ビス（３－カルボキシフェニル）エーテル、ビス（３－カルボキシフェニル）エタンなど、ならびにこれらのアルキル、アルコキシ、アリールおよびハロゲン置換体、ならびにこれらの組合せなどの芳香族ジカルボン酸に由来する芳香族ジカルボン酸繰り返し単位が利用されてもよい。特に好適な芳香族ジカルボン酸として、例えばテレフタル酸（「ＴＡ」）、イソフタル酸（「ＩＡ」）、および２，６－ナフタレンジカルボン酸（「ＮＤＡ」）を挙げることができる。利用される場合、芳香族ジカルボン酸（例えば、ＩＡ、ＴＡ、および／またはＮＤＡ）に由来する繰り返し単位は、典型的にポリマーの約１ｍｏｌ．％～約５０ｍｏｌ．％、一部の実施形態では約２ｍｏｌ．％～約４０ｍｏｌ．％、一部の実施形態では約５ｍｏｌ．％～約３０ｍｏｌ．％を構成する。
【0015】
[0023]他の繰り返し単位もポリマーに利用することができる。例えば、特定の実施形態では、ヒドロキノン、レゾルシノール、２，６－ジヒドロキシナフタレン、２，７－ジヒドロキシナフタレン、１，６－ジヒドロキシナフタレン、４，４’－ジヒドロキシビフェニル（または４，４’－ビフェノール）、３，３’－ジヒドロキシビフェニル、３，４’－ジヒドロキシビフェニル、４，４’－ジヒドロキシビフェニルエーテル、ビス（４－ヒドロキシフェニル）エタンなど、ならびにこれらのアルキル、アルコキシ、アリールおよびハロゲン置換体、ならびにこれらの組合せなどの芳香族ジオールに由来する繰り返し単位が利用されてもよい。特に好適な芳香族ジオールとして、例えばヒドロキノン（「ＨＱ」）および４，４’－ビフェノール（「ＢＰ」）を挙げることができる。利用される場合、芳香族ジオール（例えば、ＨＱおよび／またはＢＰ）に由来する繰り返し単位は、典型的にポリマーの約１ｍｏｌ．％～約３０ｍｏｌ．％、一部の実施形態では約２ｍｏｌ．％～約２５ｍｏｌ．％、一部の実施形態では約５ｍｏｌ．％～約２０％を構成する。また、芳香族アミド（例えば、アセトアミノフェン（「ＡＰＡＰ」））および／または芳香族アミン（例えば、４－アミノフェノール（「ＡＰ」）、３－アミノフェノール、１，４－フェニレンジアミン、１，３－フェニレンジアミンなど）に由来するものなどの繰り返し単位が利用されてもよい。利用される場合、芳香族アミド（例えば、ＡＰＡＰ）および／または芳香族アミン（例えば、ＡＰ）に由来する繰り返し単位は、典型的にポリマーの約０．１ｍｏｌ．％～約２０ｍｏｌ．％、一部の実施形態では約０．５ｍｏｌ．％～約１５ｍｏｌ．％、一部の実施形態では約１ｍｏｌ．％～約１０ｍｏｌ．％を構成する。また、ポリマーに種々の他のモノマー繰り返し単位が導入されてもよいことが理解されるべきである。例えば、特定の実施形態では、ポリマーは、脂肪族または脂環式ヒドロキシカルボン酸、ジカルボン酸、ジオール、アミド、アミンなどの非芳香族モノマーに由来する１つまたは複数の繰り返し単位を含有してもよい。当然ながら、他の実施形態では、ポリマーは非芳香族（例えば、脂肪族または脂環式）モノマーに由来する繰り返し単位を含まないという点で「全芳香族」であってもよい。
【0016】
[0024]必ずしも必要ではないが、液晶ポリマーは、ナフタレン－２，６－ジカルボン酸（「ＮＤＡ」）、６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸（「ＨＮＡ」）またはこれらの組合せなどの、ナフテン系ヒドロキシカルボン酸およびナフテン系ジカルボン酸に由来する繰り返し単位を比較的低い含有量で含有する限り、「低ナフテン」ポリマーであってもよい。つまり、ナフテン系ヒドロキシカルボン酸および／またはジカルボン酸（例えば、ＮＤＡ、ＨＮＡまたはＨＮＡとＮＤＡの組合せ）に由来する繰り返し単位の合計量は、典型的にポリマーの約１５ｍｏｌ．％以下、一部の実施形態では約１０ｍｏｌ．％以下、一部の実施形態では約１ｍｏｌ．％～約８ｍｏｌ．％である。
【0017】
Ｂ．鉱物充填剤
[0025]上述のように、ポリマー組成物は、ポリマーマトリックス内に分布された１種または複数の鉱物充填剤も含有する。そのような鉱物充填剤は、典型的にポリマーマトリックス１００重量部あたり約１０～約８０部、一部の実施形態では約２０～約７０部、一部の実施形態では約３０～約６０部を構成する。鉱物充填剤は、例えば、ポリマー組成物の約５ｗｔ．％～約７０ｗｔ．％、一部の実施形態では約１０ｗｔ．％～約６０ｗｔ．％、一部の実施形態では約１０ｗｔ．％～約５５ｗｔ．％、一部の実施形態では約２５ｗｔ．％～約４０ｗｔ．％を構成してもよい。
[0025]上述のように、ポリマー組成物は、ポリマーマトリックス内に分布された１種または複数の鉱物充填剤も含有する。そのような鉱物充填剤は、典型的にポリマーマトリックス１００重量部あたり約１０～約８０部、一部の実施形態では約２０～約７０部、一部の実施形態では約３０～約６０部を構成する。鉱物充填剤は、例えば、ポリマー組成物の約５ｗｔ．％～約７０ｗｔ．％、一部の実施形態では約１０ｗｔ．％～約６０ｗｔ．％、一部の実施形態では約１０ｗｔ．％～約５５ｗｔ．％、一部の実施形態では約２５ｗｔ．％～約４０ｗｔ．％を構成してもよい。
【0018】
[0026]鉱物粒子、鉱物繊維（または「ウィスカー」）など、およびそのブレンドのように、ポリマー組成物に利用される鉱物充填剤の性質は変化してもよい。好適な鉱物繊維として、例えばシリケート、例えばネオシリケート、ソロシリケート、イノシリケート（例えば、珪灰石などのカルシウムイノシリケート；トレモライトなどのカルシウムマグネシウムイノシリケート；アクチノライトなどのカルシウムマグネシウム鉄イノシリケート；アントフィライトなどのマグネシウム鉄イノシリケートなど）、フィロシリケート（例えば、パリゴルスカイトなどのアルミニウムフィロシリケート）、テクトシリケートなど；硫酸カルシウムなどの硫酸塩（例えば、脱水または無水石膏）；鉱物ウール（例えば、ロックまたはスラグウール）などに由来するものを挙げることができる。商品名ＮＹＧＬＯＳ（登録商標）（例えば、ＮＹＧＬＯＳ（登録商標）４ＷまたはＮＹＧＬＯＳ（登録商標）８）でＮｙｃｏ Ｍｉｎｅｒａｌｓから入手可能な珪灰石繊維などのイノシリケート（例えば、カルシウムイノシリケートまたはＣａＳｉＯ３）が特に好適である。そのような珪灰石繊維は、例えば、およそ５０％のＣａＯ、およそ５０％のＳｉＯ２、ならびに様々な他の微量成分、例えばＦｅ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＭｎＯ、ＭｇＯ、ＴｉＯ２、およびＫ２Ｏを含有してもよい。前述のように、鉱物繊維は、一般に、例えばレーザー回折分析器（例えば、Ｍｉｃｒｏｔｒａｃ Ｓ３５００）によって決定される約２５マイクロメートル以下、一部の実施形態では約０．１～約１５マイクロメートル、一部の実施形態では約０．５～約１４マイクロメートル、一部の実施形態では約１～約１３マイクロメートルのメジアン径のような小さなサイズを有する。鉱物繊維はまた、狭いサイズ分布を有してもよい。つまり、繊維の少なくとも約６０体積％、一部の実施形態では繊維の少なくとも約７０体積％、一部の実施形態では繊維の少なくとも約８０体積％が、上記の範囲内のサイズを有してもよい。上述のように小さなメジアン径を有することに加え、鉱物繊維は、得られるポリマー組成物の特性をさらに向上させるのを助けるために、比較的高いアスペクト比（メジアン長をメジアン径で除したもの）を有してもよい。例えば、鉱物繊維は、約１．１～約１００、一部の実施形態では約２～約５０、一部の実施形態では約４～約３０、一部の実施形態では約８～約２０のアスペクト比を有してもよい。そのような鉱物繊維のメジアン長は、例えば、例えばレーザー回折分析器（例えば、Ｍｉｃｒｏｔｒａｃ Ｓ３５００）によって決定される約１～約３００マイクロメートル、一部の実施形態では約５～約２５０マイクロメートル、一部の実施形態では約４０～約２２０マイクロメートル、一部の実施形態では約６０～約２００マイクロメートルの範囲であってもよい。
【0019】
[0027]他の好適な鉱物充填剤は、鉱物粒子である。前述のように、鉱物粒子は、例えばレーザー回折分析器（例えば、Ｍｉｃｒｏｔｒａｃ Ｓ３５００）によって決定される約２５マイクロメートル以下、一部の実施形態では約０．１～約１５マイクロメートル、一部の実施形態では約０．５～約１４マイクロメートル、一部の実施形態では約１～約１３マイクロメートルのメジアン径を有してもよい。粒子の形状は、例えば顆粒状、フレーク形状などのように所望通り異なってもよい。例えば約４以上、一部の実施形態では約８以上、一部の実施形態では約１０～約５００などの比較的高いアスペクト比（例えば、平均直径を平均厚さで除したもの）を有するフレーク形状の粒子が利用されてもよい。同様に、そのようなフレーク形状の粒子の平均厚さは、約２マイクロメートル以下、一部の実施形態では約５ナノメートル～約１マイクロメートル、一部の実施形態では約２０ナノメートル～約５００ナノメートルであってもよい。それらの形状およびサイズにかかわらず、粒子は典型的に、天然および／もしくは合成シリカまたはケイ酸塩鉱物、例えばタルク、マイカ、ハロイサイト、カオリナイト、イライト、モンモリロナイト、バーミキュライト、パリゴルスカイト、パイロフィライト、ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、珪灰石、シリカなどから形成される。タルク、マイカおよびシリカが特に好適である。例えば、白雲母（ＫＡｌ２（ＡｌＳｉ３）Ｏ１０（ＯＨ）２）、黒雲母（Ｋ（Ｍｇ，Ｆｅ）３（ＡｌＳｉ３）Ｏ１０（ＯＨ）２）、金雲母（ＫＭｇ３（ＡｌＳｉ３）Ｏ１０（ＯＨ）２）、紅雲母（Ｋ（Ｌｉ，Ａｌ）２－３（ＡｌＳｉ３）Ｏ１０（ＯＨ）２）、海緑石（Ｋ，Ｎａ）（Ａｌ，Ｍｇ，Ｆｅ）２（Ｓｉ，Ａｌ）４Ｏ１０（ＯＨ）２）などを含む任意の形態のマイカが一般的に利用されてもよい。白雲母ベースのマイカが、ポリマー組成物で使用するのに特に好適である。
【0020】
[0028]鉱物充填剤の種類および相対量を選択的に調整することによって、本発明者は、ポリマー組成物をメッキすることができるだけでなく、ポリマー組成物の他の特性に大きな影響を与えることなく熱伝導率を高めることができることを発見した。とりわけ、これにより、組成物は、「ホットスポット」を迅速に排除することができ、使用中に全体の温度を低下させることができるように、得られる電子デバイスから離れる熱伝達のための熱経路を作成することが可能になる。組成物は、例えば、ＡＳＴＭ Ｅ １４６１－１３に従って決定される約１Ｗ／ｍ・Ｋ以上、一部の実施形態では約１．２Ｗ／ｍ・Ｋ以上、一部の実施形態では約１．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、一部の実施形態では約１．８Ｗ／ｍ・Ｋ以上、一部の実施形態では約２～約５Ｗ／ｍ・Ｋの面内熱伝導率を示してもよい。組成物はまた、ＡＳＴＭ Ｅ １４６１－１３に従って決定される約０．２Ｗ／ｍ・Ｋ以上、一部の実施形態では約０．３Ｗ／ｍ・Ｋ以上、一部の実施形態では約０．４Ｗ／ｍ・Ｋ以上、一部の実施形態では約０．５～約２Ｗ／ｍ・Ｋの面直熱伝導率を示してもよい。注目すべきことに、そのような熱伝導率は、高度の固有熱伝導率を有する従来の材料を使用することなく達成できることが発見された。例えば、ポリマー組成物は、一般に５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、一部の実施形態では１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、一部の実施形態では１５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の固有熱伝導率を有する充填剤を含まなくてもよい。そのような高い固有熱伝導率の材料の例として、例えば窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素マグネシウム、グラファイト（例えば、膨張化グラファイト）、炭化ケイ素、カーボンナノチューブ、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化ベリリウム、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、アルミニウム粉末、および銅粉末を挙げることができる。通常はそのような高い固有熱伝導率の材料の存在を最小にすることが望ましいが、それらは、それにもかかわらず、特定の実施形態ではポリマー組成物の約５ｗｔ．％以下、一部の実施形態では約２ｗｔ．％以下、一部の実施形態では約１ｗｔ．％以下、一部の実施形態では約０．５ｗｔ．％以下、一部の実施形態では約０．００１ｗｔ．％～約０．２ｗｔ．％の量のような比較的低いパーセンテージで存在してもよい。
【0021】
Ｃ．任意選択の成分
[0029]ガラス繊維、衝撃改質剤、滑剤、顔料（例えば、カーボンブラック）、酸化防止剤、安定剤、界面活性剤、ワックス、難燃剤、垂れ防止添加剤、核形成剤（例えば、窒化ホウ素）、ならびに特性および加工性を向上させるために添加される他の材料などの、多種多様なさらなる添加剤もポリマー組成物に含まれてもよい。例えば、滑剤は、ポリマー組成物の約０．０５ｗｔ．％～約１．５ｗｔ．％、一部の実施形態では約０．１ｗｔ．％～約０．５ｗｔ．％（重量）の量でポリマー組成物中に利用されてもよい。そのような滑剤の例として、脂肪酸エステル、その塩、エステル、脂肪酸アミド、有機リン酸エステル、およびエンジニアリングプラスチック材料の加工において滑剤として一般的に使用されるタイプの炭化水素ワックスが挙げられ、これらの混合物が含まれる。好適な脂肪酸は、典型的に約１２～約６０個の炭素原子の骨格炭素鎖を有し、例えばミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アラキン酸、モンタン酸、オクタデシン酸、パリン酸などである。好適なエステルとして、脂肪酸エステル、脂肪アルコールエステル、ワックスエステル、グリセロールエステル、グリコールエステル、および複合エステルが挙げられる。脂肪酸アミドとして、脂肪第一級アミド、脂肪第二級アミド、メチレンおよびエチレンビスアミド、ならびに例えばパルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド、オレイン酸アミド、Ｎ，Ｎ’－エチレンビスステアラミドなどのアルカノールアミドが挙げられる。また、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウムなどの脂肪酸の金属塩；パラフィンワックス、ポリオレフィンおよび酸化ポリオレフィンワックス、ならびに微結晶性ワックスを含む炭化水素ワックスも好適である。特に好適な滑剤は、ペンタエリスリトールテトラステアレート、ステアリン酸カルシウム、またはＮ，Ｎ’－エチレンビスステアラミドなどのステアリン酸の酸、塩、またはアミドである。
[0029]ガラス繊維、衝撃改質剤、滑剤、顔料（例えば、カーボンブラック）、酸化防止剤、安定剤、界面活性剤、ワックス、難燃剤、垂れ防止添加剤、核形成剤（例えば、窒化ホウ素）、ならびに特性および加工性を向上させるために添加される他の材料などの、多種多様なさらなる添加剤もポリマー組成物に含まれてもよい。例えば、滑剤は、ポリマー組成物の約０．０５ｗｔ．％～約１．５ｗｔ．％、一部の実施形態では約０．１ｗｔ．％～約０．５ｗｔ．％（重量）の量でポリマー組成物中に利用されてもよい。そのような滑剤の例として、脂肪酸エステル、その塩、エステル、脂肪酸アミド、有機リン酸エステル、およびエンジニアリングプラスチック材料の加工において滑剤として一般的に使用されるタイプの炭化水素ワックスが挙げられ、これらの混合物が含まれる。好適な脂肪酸は、典型的に約１２～約６０個の炭素原子の骨格炭素鎖を有し、例えばミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アラキン酸、モンタン酸、オクタデシン酸、パリン酸などである。好適なエステルとして、脂肪酸エステル、脂肪アルコールエステル、ワックスエステル、グリセロールエステル、グリコールエステル、および複合エステルが挙げられる。脂肪酸アミドとして、脂肪第一級アミド、脂肪第二級アミド、メチレンおよびエチレンビスアミド、ならびに例えばパルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド、オレイン酸アミド、Ｎ，Ｎ’－エチレンビスステアラミドなどのアルカノールアミドが挙げられる。また、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウムなどの脂肪酸の金属塩；パラフィンワックス、ポリオレフィンおよび酸化ポリオレフィンワックス、ならびに微結晶性ワックスを含む炭化水素ワックスも好適である。特に好適な滑剤は、ペンタエリスリトールテトラステアレート、ステアリン酸カルシウム、またはＮ，Ｎ’－エチレンビスステアラミドなどのステアリン酸の酸、塩、またはアミドである。
【0022】
[0030]ポリマー組成物の成分（例えば、液晶ポリマー、鉱物充填剤など）は、一緒に溶融加工またはブレンドすることができる。成分は、バレル（例えば、円筒形バレル）内に回転可能に取り付けられて収容されている少なくとも１つのスクリューを含み、スクリューの長さに沿って、フィードセクションおよびフィードセクションの下流に位置する溶融セクションを画定することができる押出機に、別々にまたは組み合わせて供給することができる。押出機は、単軸または二軸押出機であってもよい。スクリューの速度は、所望の滞留時間、せん断速度、溶融加工温度などを達成するように選択することができる。例えば、スクリュー速度は、１分あたり約５０～約８００回転（「ｒｐｍ」）、一部の実施形態では約７０～約１５０ｒｐｍ、一部の実施形態では約８０～約１２０ｒｐｍの範囲であってもよい。また、溶融ブレンド中の見掛けのせん断速度は、約１００秒－１～約１０，０００秒－１、一部の実施形態では約５００秒－１～約５０００秒－１、一部の実施形態では約８００秒－１～約１２００秒－１の範囲であってもよい。見掛けのせん断速度は、４Ｑ／πＲ３（式中、Ｑはポリマー溶融体の体積流量（「ｍ３／秒」）であり、Ｒはそれを通って溶融ポリマーが流れる毛細管（例えば、押出機ダイ）の半径（「ｍ」）である）に等しい。それが形成される特定の方法にかかわらず、得られるポリマー組成物は、優れた熱特性を有することができる。例えば、ポリマー組成物の溶融粘度は、ポリマー組成物が小さい寸法を有する金型の空洞内に容易に流入することができるように十分に低くてもよい。１つの特定の実施形態では、ポリマー組成物は、１０００秒－１のせん断速度で決定される約１０～約２５０Ｐａ・ｓ、一部の実施形態では約１５～約２００Ｐａ・ｓ、一部の実施形態では約２０～約１５０Ｐａ・ｓ、一部の実施形態では約３０～約１００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有してもよい。溶融粘度は、ＩＳＯ試験Ｎｏ．１１４４３：２０１４に従い、組成物の溶融温度よりも１５℃高い温度（例えば、約３２５℃の溶融温度に対して約３４０℃）で決定されてもよい。
ＩＩ．基板
[0031]上記に示したように、ポリマー組成物は、その上にメッキされた導電素子を有する基板に利用される。基板は、様々な異なる成型技術を使用して形成されてもよい。好適な技術として、例えば射出成型、低圧射出成型、押出圧縮成型、ガス射出成型、発泡射出成型、低圧ガス射出成型、低圧発泡射出成型、ガス押出圧縮成型、発泡押出圧縮成型、押出成型、発泡押出成型、圧縮成型、発砲圧縮成型、ガス圧縮成型などを挙げることができる。例えば、ポリマー組成物が注入され得る金型を含む射出成型システムが利用されてもよい。ポリマーマトリックスが予め固化しないように、注入器内の時間を制御し、最適化することができる。サイクル時間に達し、バレルが排出のために満杯になると、ピストンを使用して金型の空洞に組成物を注入してもよい。圧縮成型システムも利用されてもよい。射出成型と同様に、ポリマー組成物の所望の物品への成形も金型内で行われる。組成物は、自動化されたロボットアームによってピックアップされることなどにより、任意の公知の技術を使用して圧縮金型に配置されてもよい。金型の温度は、固化を可能にするために所望の時間にわたってポリマーマトリックスの固化温度以上に維持されてもよい。その後、成型品を溶融温度未満の温度にすることによって固化させてもよい。得られた製品を脱型してもよい。各成型プロセスのサイクル時間は、十分な結合を達成するため、またプロセス全体の生産性を向上させるためにポリマーマトリックスに合わせて調整することができる。
ＩＩ．基板
[0031]上記に示したように、ポリマー組成物は、その上にメッキされた導電素子を有する基板に利用される。基板は、様々な異なる成型技術を使用して形成されてもよい。好適な技術として、例えば射出成型、低圧射出成型、押出圧縮成型、ガス射出成型、発泡射出成型、低圧ガス射出成型、低圧発泡射出成型、ガス押出圧縮成型、発泡押出圧縮成型、押出成型、発泡押出成型、圧縮成型、発砲圧縮成型、ガス圧縮成型などを挙げることができる。例えば、ポリマー組成物が注入され得る金型を含む射出成型システムが利用されてもよい。ポリマーマトリックスが予め固化しないように、注入器内の時間を制御し、最適化することができる。サイクル時間に達し、バレルが排出のために満杯になると、ピストンを使用して金型の空洞に組成物を注入してもよい。圧縮成型システムも利用されてもよい。射出成型と同様に、ポリマー組成物の所望の物品への成形も金型内で行われる。組成物は、自動化されたロボットアームによってピックアップされることなどにより、任意の公知の技術を使用して圧縮金型に配置されてもよい。金型の温度は、固化を可能にするために所望の時間にわたってポリマーマトリックスの固化温度以上に維持されてもよい。その後、成型品を溶融温度未満の温度にすることによって固化させてもよい。得られた製品を脱型してもよい。各成型プロセスのサイクル時間は、十分な結合を達成するため、またプロセス全体の生産性を向上させるためにポリマーマトリックスに合わせて調整することができる。
【0023】
[0032]得られるポリマー組成物は、様々な有益な機械的特性を示すことができる。例えば、組成物は、２３℃でＩＳＯ試験Ｎｏ．１７９－１：２０１０に従って測定して約１０ｋＪ／ｍ２、一部の実施形態では約１５～約６０ｋＪ／ｍ２、一部の実施形態では約２０～約５０ｋＪ／ｍ２のノッチなしシャルピー衝撃強度を示してもよい。組成物はまた、約２０～約５００ＭＰａ、一部の実施形態では約５０～約４００ＭＰａ、一部の実施形態では約６０～約３５０ＭＰａの引張強度；約０．５％以上、一部の実施形態では約０．８％～約１５％、一部の実施形態では約１％～約１０％の引張破断歪み；および／または約５，０００ＭＰａ～約３０，０００ＭＰａ、一部の実施形態では約７，０００ＭＰａ～約２５，０００ＭＰａ、一部の実施形態では約１０，０００ＭＰａ～約２０，０００ＭＰａの引張弾性率を示してもよい。引張特性は、２３℃でＩＳＯ試験Ｎｏ．５２７：２０１９に従って決定されてもよい。組成物はまた、約４０～約５００ＭＰａ、一部の実施形態では約５０～約４００ＭＰａ、一部の実施形態では約１００～約３５０ＭＰａの曲げ強度；約０．５％以上、一部の実施形態では約０．８％～約１５％、一部の実施形態では約１％～約１０％の曲げ破断歪み；および／または約７，０００ＭＰａ以上、一部の実施形態では約９，０００ＭＰａ以上、一部の実施形態では約１０，０００ＭＰａ～約３０，０００ＭＰａ、一部の実施形態では約１２，０００ＭＰａ～約２５，０００ＭＰａの曲げ弾性率を示してもよい。曲げ特性は、２３℃でＩＳＯ試験Ｎｏ．１７８：２０１９に従って決定されてもよい。組成物はまた、１．８ＭＰａの特定の荷重でＡＳＴＭ Ｄ６４８－０７（技術的にＩＳＯ試験Ｎｏ．７５－２：２０１３と同等である）に従って測定して約１８０℃以上、一部の実施形態では約１９０℃～約２８０℃の荷重たわみ温度（ＤＴＵＬ）を示してもよい。
【0024】
[0033]特定の場合、ポリマー組成物は、特にアンテナシステムにおいて成形相互接続デバイスを利用することが望ましい場合に、良好な電気的特性も有することができる。例えば、ポリマー組成物は、周波数２ＧＨｚでスプリットポスト共振法によって決定される約４以上、一部の実施形態では約５以上、一部の実施形態では約６以上、一部の実施形態では約８～約３０、一部の実施形態では約１０～約２５、一部の実施形態では約１２～約２４の高い比誘電率を示してもよい。このような高い比誘電率は、薄い基板を形成する能力を促進し、また、最小レベルの電気干渉のみで同時に動作する複数の導電素子（例えば、アンテナ）の利用を可能にすることができる。エネルギーの損失率の指標である誘電正接も、周波数２ＧＨｚでスプリットポスト共振法によって決定される約０．３以下、一部の実施形態では約０．２以下、一部の実施形態では約０．１以下、一部の実施形態では約０．０６以下、一部の実施形態では約０．０４以下、一部の実施形態では約０．００１～約０．０３のように比較的低くてもよい。特に、比誘電率および誘電正接は、約－３０℃～約１００℃の温度などの様々な温度に曝露された場合でも、上述の範囲内に維持され得る。例えば、本明細書に記載される熱サイクル試験に供される場合、熱サイクル後の比誘電率の初期比誘電率に対する比は、約０．８以上、一部の実施形態では約０．９以上、一部の実施形態では約０．９５～約１．１であってもよい。同様に、高温に曝露された後の誘電正接の初期誘電正接に対する比は、約１．３以下、一部の実施形態では約１．２以下、一部の実施形態では約１．１以下、一部の実施形態では約１．０以下、一部の実施形態では約０．９５以下、一部の実施形態では約０．１～約０．９５、一部の実施形態では約０．２～約０．９であってもよい。誘電正接の変化（すなわち、初期誘電正接－熱サイクル後の誘電正接）も、約－０．１～約０．１、一部の実施形態では約－０．０５～約０．０１、一部の実施形態では約－０．００１～０の範囲であってもよい。
ＩＩＩ．導電素子
[0034]１種または複数の導電素子は、メッキ（例えば、電解メッキ、無電解メッキなど）、印刷（例えば、デジタル印刷、エアロゾルジェット印刷など）などの様々な公知の金属堆積技術のいずれかを使用して基板上に堆積されてもよい。導電素子は、金属、例えば金、銀、ニッケル、アルミニウム、銅およびそれらの混合物または合金などの様々な導電性材料のうちの１種または複数を含有してもよい。一実施形態では、例えば、導電素子は、銅および／またはニッケル（例えば、純粋またはその合金）を含んでもよい。所望により、金属堆積プロセスを促進するために、最初に基板上にシード層が形成されてもよい。堆積技術としてメッキが利用される場合、プロセスは所望通り変化してもよい。特定の実施形態では、例えば、プロセスは、最初に所望の回路相互接続パターンに基づいて基板の表面にパターンを形成することを含んでもよい。これは、レーザーアブレーションまたはパターニング、プラズマエッチング、紫外線処理、酸エッチングなどの様々な公知の技術を使用して達成されてもよい。
ＩＩＩ．導電素子
[0034]１種または複数の導電素子は、メッキ（例えば、電解メッキ、無電解メッキなど）、印刷（例えば、デジタル印刷、エアロゾルジェット印刷など）などの様々な公知の金属堆積技術のいずれかを使用して基板上に堆積されてもよい。導電素子は、金属、例えば金、銀、ニッケル、アルミニウム、銅およびそれらの混合物または合金などの様々な導電性材料のうちの１種または複数を含有してもよい。一実施形態では、例えば、導電素子は、銅および／またはニッケル（例えば、純粋またはその合金）を含んでもよい。所望により、金属堆積プロセスを促進するために、最初に基板上にシード層が形成されてもよい。堆積技術としてメッキが利用される場合、プロセスは所望通り変化してもよい。特定の実施形態では、例えば、プロセスは、最初に所望の回路相互接続パターンに基づいて基板の表面にパターンを形成することを含んでもよい。これは、レーザーアブレーションまたはパターニング、プラズマエッチング、紫外線処理、酸エッチングなどの様々な公知の技術を使用して達成されてもよい。
【0025】
[0035]それにもかかわらず、基板上に所望のパターンを形成した後、パターン化された領域を任意選択で活性化プロセスに供し、その後の金属堆積のために準備してもよい。このプロセスの間、パターン化された基板を、パラジウム、白金、イリジウム、ロジウムなどの金属、およびそれらの混合物を含有する活性化溶液に接触させてもよい。パラジウムが特に好適である。表面が上記のように調整されると、無電解および／または電解メッキなどにより、パターン化された基板上で第１の金属層がその上に形成されてもよい。無電解メッキは、表面に堆積した金属がさらなる堆積のための触媒として作用する自己触媒反応によって生じることがある。典型的に、ニッケルおよび／または銅は、パターン化された基板の表面に無電解メッキされる。無電解ニッケルメッキは、例えば、ニッケル塩（例えば、硫酸ニッケル）を含有する溶液を使用して達成することができる。パターン化された基板を金属溶液に接触させ、電流に供して金属の堆積を開始させる電解メッキが利用されてもよい。所望により、パターン化された基板を１つまたは複数の追加ステップに供し、最終的な金属コーティング層を形成してもよい。例えば、第２の金属層は、第１の金属層（例えば、電解および／または無電解メッキされた銅および／またはニッケル）の上に電解堆積されてもよい。第２の金属層は、例えば、銅またはニッケルを含んでもよい。特定の実施形態では、銅および／またはニッケルなどの１種または複数の追加の金属層も、第２の金属層上に電解堆積されてもよい。
【0026】
[0036]図１、４および５を参照すると、基板および導電素子を有する成形相互接続デバイスを形成するためのプロセスの一実施形態がより詳細に示される。図１のステップ１に示すように、リードフレーム５４を形成するためにアーム５６が延びる外側領域を含有するキャリア４０が提供される。図４に示すように、キャリア４０は、例えばバルクソースリール６８ａから繰り出され、その後第２リール６８ｂに集められてもよい。キャリア４０は、典型的に金属（例えば、銅もしくは銅合金）または他の好適な導電材料から形成される。所望であれば、アーム５６は、そこに設けられた開口部５８を含有することもできる。キャリアホール５２は、同様に、キャリア４０が製造ラインに沿って連続的に横断できるように、キャリア４０の外側部分上に位置してもよい。図１のステップ２において、本発明のポリマー組成物から形成されてもよい基板４２は、その後リードフレーム５４の上に成型（例えば、オーバーモールド）されてもよい。フィンガー５６の開口部５８に対応する開口部６０を基板４２に設けてもよい。
【0027】
[0037]基板４２がリードフレーム５４の上に成型されると、次に導電素子（回路トレース）が形成されてもよい。このような導電素子は、様々な公知の金属堆積技術によって、例えばメッキ（例えば、電気メッキ、無電解メッキなど）、印刷（例えば、デジタル印刷、エアロゾルジェット印刷など）などによって形成されてもよい。所望により、金属堆積プロセスを促進するために、最初に基板上にシード層が形成されてもよい。例えば、図１のステップ３および３Ａでは、最初に基板４２の表面上にシード層４４を堆積させてもよく、これによりキャリア４０によって形成された内部バスバー４３をシード層４４に電気的に接続することができる。その後、金属（例えば、銅、ニッケル、金、銀、スズ、鉛、パラジウムなど）によってシード層４４を堆積させ、導電素子６２を含有する部分４６を形成してもよい（ステップ４）。一実施形態では、例えば、キャリア４０に電位を印加し、その後電気メッキ浴に配置することによって電解メッキを行うことができる。また、導電素子（トレース）と回路の内部層との間に電気経路を作成するために、基板の表面にビアを任意選択で成型することができる。これらの導電素子は、キャリア部分に「電気バスバー」を作成し、それにより堆積される導電ペーストを塗布した後に導電素子をメッキすることが可能になる。所望により、基板の表面は、レーザーアブレーション、プラズマエッチング、紫外線処理、フッ素化などの様々な公知の技術を使用して粗面化され、その後メッキされてもよい。とりわけ、このような粗面化は、所望の相互接続パターンでのメッキを促進するのに役立つ。例えば図５を参照すると、この目的のためにレーザーを利用するプロセスの一実施形態がより詳細に示される。より詳細には、図５のステップ９に示すように、最初にレーザー７０を利用して基板４２の表面をアブレーションし、相互接続パターン６６を形成するチャネル７２を作成することができる。図５のステップ１０では、次にインクジェットプロセス、エアロゾルプロセス、またはスクリーニングプロセスなどの任意の公知の技術によって、シード層として導電性ペースト７４をチャネル７２内に配置してもよい。あるいは、ペーストの使用に代えておよび／または加えて、メッキプロセス（例えば、無電解メッキ）を利用してシード層を形成することもできる。しかし、利用する場合、ペースト７４が基板４２に十分に接着することを保証することを助けるために、図５のステップ１１に例示するように、堆積したペースト７４をレーザーまたはフラッシュ熱７６を通して任意選択で焼結してもよい。任意選択で焼結されると、図５のステップ１２に示されるようにペースト７４は金属でメッキ（例えば、電解メッキ）され、導電素子６２（電子回路トレース）を形成する。
ＩＶ．電子構成部品
[0038]本発明の成形相互接続デバイスは、プリント回路板、フレックス回路、コネクタ、熱管理機能、ＥＭＩシールド、大電流導体、ＲＦＩＤ装置、アンテナ、無線電力デバイス、センサ、ＭＥＭＳ装置、ＬＥＤデバイス、マイクロプロセッサ、メモリデバイス、ＡＳＩＣ、受動デバイス、インピーダンス制御デバイス、電気機械装置、センサ、またはこれらの組合せなどの多種多様な電子構成部品に利用されてもよい。特定の実施形態では、電子構成部品の基板は、「個片化されたキャリア部分」上に成型されてもよく、これは一般に、キャリア部分がより大きなキャリア（例えば、結合または連続）から分離されていることを意味する。
ＩＶ．電子構成部品
[0038]本発明の成形相互接続デバイスは、プリント回路板、フレックス回路、コネクタ、熱管理機能、ＥＭＩシールド、大電流導体、ＲＦＩＤ装置、アンテナ、無線電力デバイス、センサ、ＭＥＭＳ装置、ＬＥＤデバイス、マイクロプロセッサ、メモリデバイス、ＡＳＩＣ、受動デバイス、インピーダンス制御デバイス、電気機械装置、センサ、またはこれらの組合せなどの多種多様な電子構成部品に利用されてもよい。特定の実施形態では、電子構成部品の基板は、「個片化されたキャリア部分」上に成型されてもよく、これは一般に、キャリア部分がより大きなキャリア（例えば、結合または連続）から分離されていることを意味する。
【0028】
[0039]再び図１を参照すると、例えば、はんだ付け、ワイヤボンディングなどの様々な技術のいずれかを使用して１つまたは複数の追加部分５０を基板４２に接続することによって（ステップ６）、電子構成部品が形成されてもよい。特定の実施形態では、部分５０を接続する前に、はんだマスク４８を任意選択で適用することができる（ステップ５）。その後、得られた電子構成部品をキャリア４０から分離してもよい。図２～３は、例えば、形成の様々な段階における電子構成部品２２の一実施形態を示す。ステップＡでは、例えば、成型前のキャリア４０が示される。ステップＢは、キャリア部分４０上に成型され、導電素子６２が適用された後の基板４２を示す。ステップＣおよびＤでは、任意選択のピンコンタクトおよび回路の金属化を追加して、完成した電子デバイスを形成してもよい（ステップＥ）。その後、完成した電子構成部品２２は、図３に示されるように隣接するキャリア４０から分離され、個片化されたキャリア部分４０を含有する電子構成部品２２を形成することができる。得られた電子構成部品は、様々な種類の電子部分、例えば光源（例えば、ライト、例えばトンネル灯ヘッドランプ用発光ダイオード（「ＬＥＤ」））など）用のハウジング、またはコンピュータ、電話、電子制御装置などで使用されるような他の電子機器を含有する。このような製品は、電気自動車（ＥＶ）、ハイブリッド電気自動車（ＨＥＶ）、プラグインハイブリッド電気自動車（ＰＨＥＶ）、または推進力のために電力を使用する他の種類の車両（まとめて「電気自動車」と呼ぶ）などの車両（例えば、自動車、バス、オートバイ、ボートなど）に特に有用である場合がある。
【0029】
[0040]例えば、図７～８を参照すると、自動車製品で使用するためのライト２０の形態である電子構成部品の一実施形態が示される。ライト２０は、ハウジング２４、電子デバイス２２（図２も参照されたい）、およびライトパイプ２８を含む。ハウジング２４は、図８に示すように、２つの部品２４ａおよび２４ｂで形成されてもよい。ハウジング２４は、そこを通る通路３４を形成する壁３２、および壁３２を通って延び、通路３４と連通する開口部３６を有する。開口部３６は、通路３４に対して横方向であってもよい。電子構成部品２２は、ハウジング３０の通路３４内に取り付けられてもよい。ライトパイプ２８は、ハウジング３０の開口部３６を通って延び、本明細書に記載されるように電子構成部品２２の部分５０の１つまたは複数として形成される発光ダイオード（ＬＥＤ）３８の上に取り付けられる。図６は、ライト２０を形成するための代表的なプロセスを示す。ステップ７および８は、例えば、電子構成部品２２が他のデバイスから個片化され、ハウジング２４およびライトパイプ２８とアセンブルされることを示す。構成部品２２が形成された後、通路３４内に取り付けられ、ハウジング２４の部品２４ａおよび２４ｂが一緒にアセンブルされる。ピンコンタクト６４は露出したままである。ライトパイプ２８は、ハウジング２４の開口部３６を通して取り付けられ、ＬＥＤ３８の上方に設けられる。
【0030】
[0041]電子構成部品は、デスクトップコンピュータ、ポータブルコンピュータ、携帯型電子デバイス、自動車機器などの様々な他の種類のデバイスにも利用することができる。１つの好適な構成では、電子構成部品は、利用可能な内部空間が比較的小さい、比較的コンパクトなポータブル電子構成部品のハウジング内に形成される。好適なポータブル電子構成部品の例として、携帯電話、ラップトップコンピュータ、小型ポータブルコンピュータ（例えば、ウルトラポータブルコンピュータ、ネットブックコンピュータおよびタブレットコンピュータ）、腕時計デバイス、ペンダントデバイス、ヘッドホンおよびイヤホンデバイス、無線通信機能付きメディアプレーヤー、携帯コンピュータ（パーソナルデジタルアシスタントと呼ぶこともある）、リモートコントローラ、グローバルポジショニングシステム（ＧＰＳ）デバイス、携帯ゲームデバイスなどが挙げられる。また、電子構成部品は、携帯デバイスのカメラモジュール、スピーカー、またはバッテリーカバーなどの他の構成部品と一体化させることもできる。
【0031】
[0042]本発明は、以下の実施例を参照してより良好に理解することができる。
【実施例】
【0032】
試験方法
[0043]溶融粘度：溶融粘度（Ｐａ・ｓ）は、Ｄｙｎｉｓｃｏ ＬＣＲ７００１キャピラリーレオメーターを使用して、せん断速度１，０００ｓ－１および溶融温度を１５℃超える温度で、ＩＳＯ試験Ｎｏ．１１４４３：２０２１に従って決定されてもよい。レオメーターオリフィス（ダイ）は、直径１ｍｍ、長さ２０ｍｍ、Ｌ／Ｄ比２０．１、および入口角１８０°を有していた。バレルの直径は９．５５ｍｍ＋０．００５ｍｍ、ロッド長さは２３３．４ｍｍであった。
[0043]溶融粘度：溶融粘度（Ｐａ・ｓ）は、Ｄｙｎｉｓｃｏ ＬＣＲ７００１キャピラリーレオメーターを使用して、せん断速度１，０００ｓ－１および溶融温度を１５℃超える温度で、ＩＳＯ試験Ｎｏ．１１４４３：２０２１に従って決定されてもよい。レオメーターオリフィス（ダイ）は、直径１ｍｍ、長さ２０ｍｍ、Ｌ／Ｄ比２０．１、および入口角１８０°を有していた。バレルの直径は９．５５ｍｍ＋０．００５ｍｍ、ロッド長さは２３３．４ｍｍであった。
【0033】
[0044]溶融温度：溶融温度（「Ｔｍ」）は、当技術分野で公知のように示差走査熱量測定（「ＤＳＣ」）によって決定されてもよい。溶融温度は、ＩＳＯ試験Ｎｏ．１１３５７－２：２０２０によって決定される示差走査熱量測定（ＤＳＣ）のピーク溶融温度である。ＤＳＣ手順に基づき、ＴＡ Ｑ２０００装置上で行うＤＳＣ測定を使用し、ＩＳＯ標準１０３５０に記述されるように、試料を１分あたり２０℃で加熱および冷却した。
【0034】
[0045]荷重たわみ温度（「ＤＴＵＬ」）：荷重たわみ温度は、ＩＳＯ試験Ｎｏ．７５－２：２０１３（技術的にＡＳＴＭ Ｄ６４８と同等である）に従って決定されてもよい。より詳細には、長さ８０ｍｍ、厚さ１０ｍｍ、および幅４ｍｍの試験片試料を、指定の荷重（最大外部繊維応力）が１．８メガパスカルであるエッジワイズ三点屈曲試験に供してもよい。検体をシリコーン油浴中に下げ、検体が０．２５ｍｍ（ＩＳＯ試験Ｎｏ．７５－２：２０１３では０．３２ｍｍ）たわむまで温度を１分あたり２℃で上昇させる。
【0035】
[0046]引張弾性率、引張応力および引張伸び：引張特性は、ＩＳＯ試験Ｎｏ．５２７：２０１９（技術的にＡＳＴＭ Ｄ６３８と同等である）に従って試験されてもよい。弾性率および強度の測定は、長さ８０ｍｍ、厚さ１０ｍｍ、および幅４ｍｍの同じ試験片試料で行われてもよい。試験温度は２３℃であってもよく、試験速度は１または５ｍｍ／分であってもよい。
【0036】
[0047]曲げ弾性率、曲げ応力および曲げ伸び：曲げ特性は、ＩＳＯ試験Ｎｏ．１７８：２０１９（技術的にＡＳＴＭ Ｄ７９０と同等である）に従って試験されてもよい。この試験は、６４ｍｍの支持スパン上で実施されてもよい。試験は、切断されていないＩＳＯ ３１６７マルチパーパスバーの中心部で行われてもよい。試験温度は２３℃であってもよく、試験速度は２ｍｍ／分であってもよい。
【0037】
[0048]ノッチなしおよびノッチ付きシャルピー衝撃強度：シャルピー特性は、ＩＳＯ試験Ｎｏ．ＩＳＯ１７９－１：２０１０（技術的にＡＳＴＭ Ｄ２５６－１０、方法Ｂと同等である）に従って試験されてもよい。この試験は、タイプ１検体サイズ（長さ８０ｍｍ、幅１０ｍｍ、および厚さ４ｍｍ）を使用して行われてもよい。ノッチ付き衝撃強度を試験する場合、ノッチはタイプＡノッチ（０．２５ｍｍベース半径）であってもよい。検体は、一本歯フライス盤を使用してマルチパーパスバーの中心から切り出してもよい。試験温度は２３℃であってもよい。
【0038】
[0049]比誘電率（「Ｄｋ」）および誘電正接（「Ｄｆ」）。比誘電率（または相対静的誘電率）および誘電正接は、Baker-Jarvis, et al., IEEE Trans. on Dielectric and Electrical Insulation, 5(4), p.571(1998)およびKrupka, et al., Proc. 7thInternational Conference on Dielectric Materials: Measurements and Applications, IEEE Conference Publication No. 430(Sept. 1996)に記載のような公知のスプリットポスト誘電体共振法を使用して決定される。より詳細には、８０ｍｍ×９０ｍｍ×３ｍｍの大きさを有する板試料を、２つの固定された誘電体共振器の間に挿入した。共振器により、検体の平面における誘電率成分を測定した。５つの試料を試験し、平均値を記録する。スプリットポスト共振器を使用して、１ＧＨｚ～２ＧＨｚのような低ギガヘルツ領域で誘電測定を行うことができる。熱サイクル後のこれらの特性の試験では、検体を温度制御室に入れ、－３０℃～１００℃の温度範囲内で加熱／冷却してもよい。まず、温度１００℃に到達するまで試料を加熱し、到達したらすぐに冷却する。温度が－３０℃に到達したら、検体を直ちに１００℃に到達するまで再び加熱する。３時間の期間内に２３回の加熱／冷却サイクルを行ってもよい。
【0039】
[0050]表面／体積抵抗率：表面および体積抵抗率の値は、一般にＩＥＣ６２６３１－３－１：２０１６またはＡＳＴＭ Ｄ２５７－１４に従って決定される。この手順によると、標準検体（例えば、１メートルの立方体）を２つの電極の間に配置する。電圧を６０秒間印加し、抵抗を測定する。表面抵抗率は、電位勾配（Ｖ／ｍ単位）と単位電極長あたりの電流（Ａ／ｍ単位）の商であり、一般に絶縁材料の表面に沿った漏れ電流に対する抵抗を表す。電極の４つの端が正方形を画定するため、商において長さを約分して表面抵抗率をオームで報告するが、より説明的な単位であるオームパースクエアを見ることも一般的である。また、体積抵抗率は、材料中の電流に平行な電位勾配の電流密度に対する比として決定される。ＳＩ単位では、体積抵抗率は、その材料の１メートルの立方体の対向面間の直流抵抗（オーム・ｍ）に数値的に等しい。
【0040】
実施例
[0051]本明細書に記載される成形相互接続デバイスの基板に使用される試料が形成される。試料は、液晶ポリマー（「ＬＣＰ１」）、Ｎｙｇｌｏｓ（商標）８（メジアン径１２μｍ、アスペクト比１３：１、およびメジアン長１５６μｍの珪灰石繊維）、カーボンブラック顔料、ならびにＧｌｙｃｏｌｕｂｅ（商標）Ｐを含有する。ＬＣＰ１は、ＨＢＡ６０ｍｏｌ．％、ＨＮＡ５ｍｏｌ．％、ＢＰ１２ｍｏｌ．％、ＴＡ１７．５ｍｏｌ．％およびＡＰＡＰ５ｍｏｌ．％から形成される。配合は、１８ｍｍ単軸押出機を使用して実施する。試料を射出成型して板（６０ｍｍ×６０ｍｍ）にする。
[0051]本明細書に記載される成形相互接続デバイスの基板に使用される試料が形成される。試料は、液晶ポリマー（「ＬＣＰ１」）、Ｎｙｇｌｏｓ（商標）８（メジアン径１２μｍ、アスペクト比１３：１、およびメジアン長１５６μｍの珪灰石繊維）、カーボンブラック顔料、ならびにＧｌｙｃｏｌｕｂｅ（商標）Ｐを含有する。ＬＣＰ１は、ＨＢＡ６０ｍｏｌ．％、ＨＮＡ５ｍｏｌ．％、ＢＰ１２ｍｏｌ．％、ＴＡ１７．５ｍｏｌ．％およびＡＰＡＰ５ｍｏｌ．％から形成される。配合は、１８ｍｍ単軸押出機を使用して実施する。試料を射出成型して板（６０ｍｍ×６０ｍｍ）にする。
【0041】
【表1】
【0042】
[0052]得られた試料を熱的および機械的特性について試験する。結果を以下の表２に記載する。
【0043】
【表2】
【0044】
[0053]本発明のこれらおよび他の修正および変形は、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく当業者によって実施可能である。さらに、種々の実施形態の態様は、全体的または部分的の両方で相互交換可能であることが理解されるべきである。さらに、当業者は、上述の記載が単なる例示であり、したがってそのような添付の特許請求の範囲にさらに記載される本発明を制限するものではないことを理解する。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【国際調査報告】