特表2023-542100発光素子を有するユニットピクセル及びディスプレイ装置
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-10-05
(54)【発明の名称】発光素子を有するユニットピクセル及びディスプレイ装置
(51)【国際特許分類】
H01L 33/60 20100101AFI20230928BHJP
H01L 33/58 20100101ALI20230928BHJP
H01L 33/54 20100101ALI20230928BHJP
H01L 33/38 20100101ALI20230928BHJP
H01L 33/10 20100101ALI20230928BHJP
G09F 9/33 20060101ALI20230928BHJP
【ＦＩ】
H01L33/60
H01L33/58
H01L33/54
H01L33/38
H01L33/10
G09F9/33
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023516223
(86)(22)【出願日】2021-09-10
(85)【翻訳文提出日】2023-05-09
(86)【国際出願番号】 KR2021012382
(87)【国際公開番号】W WO2022055314
(87)【国際公開日】2022-03-17
(31)【優先権主張番号】63/077,477
(32)【優先日】2020-09-11
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】17/470,421
(32)【優先日】2021-09-09
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】506029004
【氏名又は名称】ソウル バイオシス カンパニー リミテッド
【氏名又は名称原語表記】ＳＥＯＵＬ ＶＩＯＳＹＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】６５－１６，Ｓａｎｄａｎ－ｒｏ １６３ Ｂｅｏｎ－ｇｉｌ，Ｄａｎｗｏｎ－ｇｕ，Ａｎｓａｎ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(74)【代理人】
【識別番号】100133400
【弁理士】
【氏名又は名称】阿部 達彦
(72)【発明者】
【氏名】ナムグ・チャ
(72)【発明者】
【氏名】サン・ミン・キム
(72)【発明者】
【氏名】ヨンキュ・パク
【テーマコード（参考）】
5C094
5F142
5F241
【Ｆターム（参考）】
5C094AA10
5C094AA12
5C094AA43
5C094BA25
5C094CA19
5C094DA01
5C094DB01
5C094EB02
5C094ED11
5C094ED13
5F142AA02
5F142AA12
5F142AA54
5F142BA02
5F142BA32
5F142CA11
5F142CB14
5F142CB22
5F142CB23
5F142CD02
5F142CD32
5F142CE04
5F142CE06
5F142CE13
5F142CE32
5F142CG07
5F142CG26
5F142CG27
5F142DB17
5F142DB54
5F142EA02
5F142EA34
5F241AA04
5F241AA06
5F241AA42
5F241CA05
5F241CA13
5F241CA22
5F241CA36
5F241CA37
5F241CA38
5F241CA39
5F241CA40
5F241CA43
5F241CA65
5F241CA74
5F241CA93
5F241CB11
5F241CB15
(57)【要約】
本開示の一実施例に係るユニットピクセルは、上面及び下面を有する透明基板；前記透明基板の上面の上部に整列された複数の発光素子；及び前記複数の発光素子と前記透明基板との間に配置された反射器；を含み、前記複数の発光素子から放出された光は、前記透明基板の上面及び下面を介して外部に放出されるように構成され、前記反射器は、前記透明基板の内部から前記透明基板の上面に進行する光を反射するように構成される。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
上面及び下面を有する透明基板；前記透明基板の上面の上部に整列された複数の発光素子；及び
前記複数の発光素子と前記透明基板との間に配置された反射器；を含み、
前記複数の発光素子から放出された光は、前記透明基板の上面及び下面を介して外部に放出されるように構成され、
前記反射器は、前記透明基板の内部から前記透明基板の上面に進行する光を反射するように構成されたユニットピクセル。
【請求項2】
前記複数の発光素子と前記透明基板との間に配置され、前記反射器を覆う光遮断層をさらに含み、前記光遮断層は、前記複数の発光素子で生成された光が通過する複数の窓を有し、
前記複数の発光素子は、前記複数の窓に対応して配置された、請求項１に記載のユニットピクセル。
【請求項3】
前記光遮断層と前記複数の発光素子との間に配置された接着層をさらに含み、前記複数の発光素子は前記接着層に付着している、請求項２に記載のユニットピクセル。
【請求項4】
前記透明基板の表面を覆う表面層をさらに含み、前記反射器及び前記光遮断層は前記表面層上に位置している、請求項３に記載のユニットピクセル。
【請求項5】
前記複数の発光素子を覆う段差調節層；及び前記段差調節層上に配置された接続層；をさらに含み、
前記段差調節層は、前記複数の発光素子を露出させる開口部を有し、
前記接続層は、前記段差調節層の開口部を介して前記複数の発光素子に電気的に接続された、請求項３に記載のユニットピクセル。
【請求項6】
前記接続層を覆う絶縁物質層をさらに含み、前記絶縁物質層は、前記接続層を露出させる開口部を有する、請求項５に記載のユニットピクセル。
【請求項7】
前記絶縁物質層は、前記接続層の側面と共に、前記段差調節層の側面を覆う、請求項６に記載のユニットピクセル。
【請求項8】
前記絶縁物質層は、前記段差調節層の厚さより薄い厚さを有する、請求項７に記載のユニットピクセル。
【請求項9】
前記段差調節層及び前記絶縁物質層はポリイミドで形成された、請求項８に記載のユニットピクセル。
【請求項10】
前記複数の発光素子は、それぞれ、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び前記第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に介在した活性層を含む発光構造体；及び
前記発光構造体上に配置された第１電極パッド及び第２電極パッド；を含み、
前記段差調節層の開口部は、前記第１及び第２電極パッドを露出させている、請求項５に記載のユニットピクセル。
【請求項11】
前記複数の発光素子は、それぞれ前記発光構造体と前記第１及び第２電極パッドとの間に配置された絶縁層をさらに含み、前記絶縁層は分布ブラッグ反射器を含む、請求項１０に記載のユニットピクセル。
【請求項12】
前記複数の発光素子は、赤色発光素子、緑色発光素子、及び青色発光素子を含み、前記青色発光素子の絶縁層は、前記赤色発光素子及び緑色発光素子の各絶縁層の反射率より低い反射率を有する、請求項１１に記載のユニットピクセル。
【請求項13】
前記透明基板は、前記発光素子に対面する面に凹凸パターンを有する、請求項１に記載のユニットピクセル。
【請求項14】
前記複数の発光素子は、互いに異なる色相の光を放出する少なくとも３個の発光素子を含み、前記少なくとも３個の発光素子は一列に配列された、請求項１に記載のユニットピクセル。
【請求項15】
パッドを有する回路基板；前記回路基板上に配置された複数のユニットピクセル；及び
前記複数のユニットピクセルを前記パッドにボンディングするボンディング材；を含み、
前記複数のユニットピクセルのそれぞれは、
上面及び下面を有する透明基板；
前記透明基板の上面の上部に整列された複数の発光素子；及び
前記複数の発光素子と前記透明基板との間に配置された反射器；を含み、
前記複数の発光素子から放出された光は、前記透明基板の上面及び下面を介して外部に放出されるように構成され、
前記反射器は、前記透明基板の内部から前記透明基板の上面に進行する光を反射するように構成された、ディスプレイ装置。
【請求項16】
前記複数のユニットピクセルのそれぞれは、前記複数の発光素子と前記透明基板との間に配置され、前記反射器を覆う光遮断層をさらに含み、前記光遮断層は、前記複数の発光素子で生成された光が通過する複数の窓を有し、
前記複数の発光素子は、前記複数の窓に対応して配置された、請求項１５に記載のディスプレイ装置。
【請求項17】
前記複数のユニットピクセルのそれぞれは、前記複数の発光素子を覆う段差調節層；及び
前記段差調節層上に配置された接続層；をさらに含み、
前記段差調節層は、前記複数の発光素子を露出させる開口部を有し、
前記接続層は、前記段差調節層の開口部を介して前記複数の発光素子に電気的に接続された、請求項１６に記載のディスプレイ装置。
【請求項18】
前記各ボンディング材は、前記接続層と前記パッドとをボンディングする、請求項１７に記載のディスプレイ装置。
【請求項19】
前記反射器は、前記複数の発光素子のうち一つ以上の周囲に配置された、請求項１５に記載のディスプレイ装置。
【請求項20】
前記反射器は、前記複数の発光素子の間の全ての領域を覆うように配置された、請求項１５に記載のディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
例示的な各実施例は、発光素子を有するユニットピクセル、及びそれを有するディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【0002】
発光素子は、無機光源である発光ダイオードを用いた半導体素子であって、ディスプレイ装置、車両用ランプ、一般照明などの多くの分野に多様に用いられている。発光ダイオードは、寿命が長く、消費電力が低く、且つ応答速度が速いという長所を有し、既存の光源に迅速に取って代わっている。
【0003】
一方、従来の発光ダイオードは、ディスプレイ装置で主にバックライト光源として使用されていたが、近年、発光ダイオードを用いて直接イメージを具現するディスプレイ装置が開発されている。このようなディスプレイは、マイクロＬＥＤディスプレイと称されることもある。
【0004】
ディスプレイ装置は、一般に、青色、緑色及び赤色の混合色を用いて多様な色相を具現する。ディスプレイ装置は、多様なイメージを具現するために複数のピクセルを含み、各ピクセルは、青色、緑色及び赤色のサブピクセルを備える。これらのサブピクセルの色相を通じて特定のピクセルの色相が定められ、これらのピクセルの組み合わせによってイメージが具現される。
【0005】
マイクロＬＥＤディスプレイの場合、各サブピクセルに対応してマイクロＬＥＤが２次元平面上に配列され、これによって一つの基板上に数多くの個数のマイクロＬＥＤが配置される必要がある。ところが、マイクロＬＥＤの大きさは、例えば、２００マイクロ以下、さらに１００マイクロ以下と非常に小さく、このような小さいサイズによって多様な問題が発生する。特に、小さい発光ダイオードをハンドリングすることが難しいので、ディスプレイ用パネル上に発光ダイオードを直接実装することは容易でない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
例示的な各実施例は、回路基板に実装するのに適したユニットピクセル及びそれを有するディスプレイ装置を提供する。
【0007】
例示的な各実施例は、輝度の減少を防止できるユニットピクセル及びそれを有するディスプレイ装置を提供する。
【0008】
例示的な各実施例は、マイクロＬＥＤの指向角を制御できるユニットピクセル及びそれを有するディスプレイ装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0009】
例示的な実施例は、ユニットピクセルを提供するが、このユニットピクセルは、上面及び下面を有する透明基板；前記透明基板の上面の上部に整列された複数の発光素子；及び前記発光素子と前記透明基板との間に配置された反射器；を含み、前記複数の発光素子から放出された光は、前記透明基板の上面及び下面を介して外部に放出されるように構成され、前記反射器は、前記透明基板の内部から前記透明基板の上面に進行する光を反射するように構成される。
【0010】
例示的な実施例は、ディスプレイ装置を提供するが、このディスプレイ装置は、パッドを有する回路基板；前記回路基板上に配置された複数のユニットピクセル；及び前記ユニットピクセルを前記パッドにボンディングするボンディング材；を含み、前記ユニットピクセルのそれぞれは、上面及び下面を有する透明基板；前記透明基板の上面の上部に整列された複数の発光素子；及び前記複数の発光素子と前記透明基板との間に配置された反射器；を含み、前記複数の発光素子から放出された光は、前記透明基板の上面及び下面を介して外部に放出されるように構成され、前記反射器は、前記透明基板の内部から前記透明基板の上面に進行する光を反射するように構成される。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】一実施例に係るディスプレイ装置を説明するための概略的な平面図である。
【0012】
【図2A】一実施例に係る発光素子を説明するための概略的な平面図である。
【0013】
【0014】
【図2C】一実施例に係る発光素子の表面の凹凸パターンを説明するための概略的な断面図である。
【0015】
【図2D】一実施例に係る発光素子の表面の凹凸パターンを説明するためのＳＥＭイメージである。
【0016】
【図3A】一実施例に係るユニットピクセルを説明するための概略的な平面図である。
【0017】
【0018】
【0019】
【図3D】一実施例に係るユニットピクセルの変形例を説明するための概略的な断面図である。
【0020】
【図4A】一実施例に係るピクセルモジュールを説明するための概略的な平面図である。
【0021】
【0022】
【図4C】一実施例に係るピクセルモジュールを説明するための概略的な背面図である。
【0023】
【図4D】一実施例に係るピクセルモジュールを説明するための概略的な回路図である。
【0024】
【図4E】一実施例に係るピクセルモジュールを説明するための概略的な回路図である。
【0025】
【図5A】一実施例に係るユニットピクセルを製造する方法を説明するための概略的な断面図である。
【図5A】一実施例に係るユニットピクセルを製造する方法を説明するための概略的な断面図である。
【図5B】一実施例に係るユニットピクセルを製造する方法を説明するための概略的な断面図である。
【図5C】一実施例に係るユニットピクセルを製造する方法を説明するための概略的な断面図である。
【図5D】一実施例に係るユニットピクセルを製造する方法を説明するための概略的な断面図である。
【図5E】一実施例に係るユニットピクセルを製造する方法を説明するための概略的な断面図である。
【0026】
【図6A】一実施例に係るユニットピクセルの多様な変形例を説明するための概略的な平面図である。
【図6B】一実施例に係るユニットピクセルの多様な変形例を説明するための概略的な平面図である。
【図6C】一実施例に係るユニットピクセルの多様な変形例を説明するための概略的な平面図である。
【図6D】一実施例に係るユニットピクセルの多様な変形例を説明するための概略的な平面図である。
【図6E】一実施例に係るユニットピクセルの多様な変形例を説明するための概略的な平面図である。
【図6F】一実施例に係るユニットピクセルの多様な変形例を説明するための概略的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0027】
以下、添付の各図面を参照して本開示の各実施例を詳細に説明する。以下に紹介する各実施例は、本開示が属する技術分野の通常の技術者に本開示の思想を十分に伝達するために例として提供されるものである。したがって、本開示は、以下で説明する各実施例に限定されず、他の形態に具体化されることも可能である。そして、各図面において、構成要素の幅、長さ、厚さなどは、便宜のために誇張して表現する場合がある。また、一つの構成要素が他の構成要素の「上部に」又は「上に」あると記載された場合、一つの構成要素が他の構成要素の「直上部」又は「直上に」ある場合のみならず、一つの構成要素と他の構成要素との間に更に他の構成要素が介在した場合も含む。明細書全体にわたって同一の参照番号は、同一の構成要素を示す。
【0028】
例示的な実施例に係るユニットピクセルは、上面及び下面を有する透明基板；前記透明基板の上面の上部に整列された複数の発光素子；及び前記複数の発光素子と前記透明基板との間に配置された反射器；を含み、前記複数の発光素子から放出された光は、前記透明基板の上面及び下面を介して外部に放出されるように構成され、前記反射器は、前記透明基板の内部から前記透明基板の上面に進行する光を反射するように構成される。
【0029】
反射器を採択することによって、各発光素子から放出される光の輝度及び指向角を増加させることができる。
【0030】
前記ユニットピクセルは、前記発光素子と前記透明基板との間に配置され、前記反射器を覆う光遮断層をさらに含むことができ、前記光遮断層は、前記発光素子で生成された光が通過する窓を有することができ、前記発光素子は、前記窓に対応して配置されてもよい。
【0031】
前記ユニットピクセルは、前記光遮断層と前記発光素子との間に配置された接着層をさらに含むことができ、前記発光素子は前記接着層に付着され得る。
【0032】
前記ユニットピクセルは、前記透明基板の表面を覆う表面層をさらに含むことができ、前記反射器及び前記光遮断層は前記表面層上に位置し得る。
【0033】
前記表面層は、前記反射器及び前記光遮断層の接着力を向上させ、反射器及び光遮断層が透明基板から剥離されることを防止することができる。
【0034】
前記ユニットピクセルは、前記発光素子を覆う段差調節層；及び前記段差調節層上に配置された接続層をさらに含むことができ、前記段差調節層は、前記発光素子を露出させる開口部を有することができ、前記接続層は、前記段差調節層の開口部を介して前記発光素子に電気的に接続されてもよい。
【0035】
前記ユニットピクセルは、前記接続層を覆う絶縁物質層をさらに含むことができ、前記絶縁物質層は、前記接続層を露出させる開口部を有することができる。
【0036】
さらに、前記絶縁物質層は、前記接続層の側面と共に、前記段差調節層の側面を覆うことができる。
【0037】
一実施例において、前記絶縁物質層は、前記段差調節層の厚さより薄い厚さを有することができる。
【0038】
前記段差調節層及び前記絶縁物質層は、ポリイミドで形成されてもよい。
【0039】
前記発光素子のそれぞれは、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び前記第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に介在した活性層を含む発光構造体；及び前記発光構造体上に配置された第１電極パッド及び第２電極パッド；を含むことができ、前記段差調節層の開口部は、前記第１及び第２電極パッドを露出させることができる。
【0040】
前記発光素子のそれぞれは、前記発光構造体と前記第１及び第２電極パッドとの間に配置された絶縁層をさらに含むことができ、前記絶縁層は分布ブラッグ反射器を含むことができる。
【0041】
前記発光素子は、赤色発光素子、緑色発光素子、及び青色発光素子を含むことができ、前記青色発光素子の絶縁層は、前記赤色及び緑色発光素子の各絶縁層の反射率より低い反射率を有することができる。
【0042】
前記透明基板は、前記発光素子に対面する面に凹凸パターンを有することができる。前記凹凸パターンにより、発光素子から放出される光の指向角を均一にすることができる。
【0043】
前記複数の発光素子は、それぞれ前記透明基板に対面する面に、第１凹凸パターン、及び前記第１凹凸パターン上に形成された第２凹凸パターンを有することができる。前記第１及び第２凹凸パターンによって光抽出効率を改善することができ、各発光素子の指向角を均一にすることができる。
【0044】
前記複数の発光素子は、互いに異なる色相の光を放出する少なくとも３個の発光素子を含むことができ、前記少なくとも３個の発光素子は一列に配列されてもよい。
【0045】
一実施例に係るディスプレイ装置は、パッドを有する回路基板；前記回路基板上に配置された複数のユニットピクセル；及び前記ユニットピクセルを前記パッドにボンディングするボンディング材；を含み、前記ユニットピクセルのそれぞれは、上面及び下面を有する透明基板；前記透明基板の上面の上部に整列された複数の発光素子；及び前記発光素子と前記透明基板との間に配置された反射器；を含み、前記発光素子から放出された光は、前記透明基板の上面及び下面を介して外部に放出されるように構成され、前記反射器は、前記透明基板の内部から前記透明基板の上面に進行する光を反射するように構成される。
【0046】
前記ユニットピクセルは、前記発光素子と前記透明基板との間に配置され、前記反射器を覆う光遮断層をさらに含むことができ、前記光遮断層は、前記発光素子で生成された光が通過する窓を有することができ、前記発光素子は、前記窓に対応して配置されてもよい。
【0047】
前記ユニットピクセルは、前記発光素子を覆う段差調節層；及び前記段差調節層上に配置された接続層；をさらに含むことができ、前記段差調節層は、前記発光素子を露出させる開口部を有することができ、前記接続層は、前記段差調節層の開口部を介して前記発光素子に電気的に接続されてもよい。
【0048】
前記ボンディング材は、前記接続層と前記パッドとをボンディングすることができる。
【0049】
以下、添付の各図面を参照して本開示の実施例をより詳細に説明する。
【0050】
図１は、本開示の一実施例に係るディスプレイ装置を説明するための概略的な平面図である。
【0051】
図１を参照すると、ディスプレイ装置１００００は、パネル基板２１００及び複数のピクセルモジュール１０００を含むことができる。
【0052】
ディスプレイ装置１００００は、特に限定されないが、マイクロＬＥＤ ＴＶ、スマートウォッチ、ＶＲヘッドセットなどのＶＲディスプレイ装置、又は拡張現実メガネなどのＡＲディスプレイ装置を含むことができる。
【0053】
パネル基板２１００は、受動マトリックス駆動又は能動マトリックス駆動のための回路を含むことができる。一実施例において、パネル基板２１００は、内部に配線及び抵抗を含むことができ、他の実施例において、パネル基板２１００は、配線、トランジスタ及びキャパシタを含むことができる。また、パネル基板２１００は、配置された回路に電気的に接続し得る各パッドを上面に有することができる。
【0054】
一実施例において、複数のピクセルモジュール１０００がパネル基板２１００上に整列される。各ピクセルモジュール１０００は、回路基板１００１、及び回路基板１００１上に配置された複数のユニットピクセル１００を含むことができる。他の実施例において、複数のユニットピクセル１００がパネル基板２１００上に直接配列されてもよい。
【0055】
各ユニットピクセル１００は、複数の発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃを含む。各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃは、互いに異なる色相の光を放出することができる。各ユニットピクセル１００内の各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃは、図１に示したように一列に配列されてもよい。一実施例において、発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃは、イメージが具現されるディスプレイ画面に対して垂直方向に配列されてもよい。しかし、本開示がこれに限定されることはなく、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃは、イメージが具現されるディスプレイ画面に対して水平方向に配列されてもよい。
【0056】
以下では、ディスプレイ装置１００００内に配置された各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、ユニットピクセル１００及びピクセルモジュール１０００の順にディスプレイ装置１００００の各構成要素を詳細に説明する。
【0057】
まず、図２Ａは、本開示の一実施例に係る発光素子１０ａを説明するための概略的な平面図で、図２Ｂは、図２ＡのＡ－Ａ’線に沿って切り取られた概略的な断面図である。ここで、発光素子１０ａを例に挙げて説明するが、各発光素子１０ｂ、１０ｃも概して類似する構造を有するので、互いに重複する説明は省略する。
【0058】
図２Ａ及び図２Ｂを参照すると、発光素子１０ａは、第１導電型半導体層２１、活性層２３、及び第２導電型半導体層２５を含む発光構造体、オーミックコンタクト層２７、第１コンタクトパッド５３、第２コンタクトパッド５５、絶縁層５９、第１電極パッド６１、及び第２電極パッド６３を含むことができる。
【0059】
発光構造体、すなわち、第１導電型半導体層２１、活性層２３及び第２導電型半導体層２５は基板上に成長されてもよい。前記基板は、窒化ガリウム基板、ＧａＡｓ基板、Ｓｉ基板、サファイア基板、特に、パターニングされたサファイア基板などのように半導体成長用として使用され得る多様な基板であってもよい。成長基板は、各半導体層から機械的研磨、レーザーリフトオフ、ケミカルリフトオフなどの技術を用いて分離されてもよい。ただし、本発明がこれに限定されることはなく、基板の一部が残留し、第１導電型半導体層２１の少なくとも一部を構成することもできる。
【0060】
一実施例において、赤色光を放出する発光素子１０ａの場合、各半導体層は、アルミニウムガリウムヒ素 （ａｌｕｍｉｎｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ａｒｓｅｎｉｄｅ、ＡｌＧａＡｓ）、リン化ガリウムヒ素（ｇａｌｌｉｕｍ ａｒｓｅｎｉｄｅ ｐｈｏｓｐｈｉｄｅ、ＧａＡｓＰ）、リン化アルミニウムガリウムインジウム（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｉｎｄｉｕｍ ｐｈｏｓｐｈｉｄｅ、ＡｌＧａＩｎＰ）、又はリン化ガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ ｐｈｏｓｐｈｉｄｅ、ＧａＰ）を含むことができる。
【0061】
緑色光を放出する発光素子１０ｂの場合、各半導体層は、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、リン化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌＧａＩｎＰ）、又はリン化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＰ）を含むことができる。
【0062】
一実施例において、青色光を放出する発光素子１０ｃの場合、半導体層は、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、又はセレン化亜鉛（ｚｉｎｃ ｓｅｌｅｎｉｄｅ、ＺｎＳｅ）を含むことができる。
【0063】
第１導電型と第２導電型は互いに反対の極性であって、第１導電型がｎ型である場合、第２導電型はｐ型になり、第１導電型がｐ型である場合、第２導電型はｎ型になる。
【0064】
第１導電型半導体層２１、活性層２３及び第２導電型半導体層２５は、金属有機化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）などの公知の方法を用いてチャンバー内で基板上に成長されてもよい。また、第１導電型半導体層２１は、ｎ型不純物（例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ）を含み、第２導電型半導体層２５は、ｐ型不純物（例えば、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ）を含む。一実施例において、第１導電型半導体層２１は、ドーパントとしてＳｉを含むＧａＮ又はＡｌＧａＮを含むことができ、第２導電型半導体層２５は、ドーパントとしてＭｇを含むＧａＮ又はＡｌＧａＮを含むことができる。
【0065】
図面において、第１導電型半導体層２１及び第２導電型半導体層２５がそれぞれ単一層であることを示したが、これらの層は、多重層であってもよく、また、超格子層を含むこともできる。活性層２３は、単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造を含むことができ、所望の波長を放出するように窒化物系半導体の組成比が調節される。例えば、活性層２３は、青色光、緑色光、赤色光又は紫外線を放出することができる。
【0066】
第２導電型半導体層２５及び活性層２３は、メサＭ構造を有して第１導電型半導体層２１上に配置されてもよい。メサＭは、第２導電型半導体層２５及び活性層２３を含み、図２Ｂに示したように、第１導電型半導体層２１の一部を含むこともできる。メサＭは、第１導電型半導体層２１の一部の領域上に位置し、メサＭの周囲に第１導電型半導体層２１の上面が露出してもよい。
【0067】
本実施例において、メサＭは、その周辺に第１導電型半導体層２１を露出させるように形成される。他の実施例において、メサＭを貫通して第１導電型半導体層２１を露出させる貫通ホールが形成されてもよい。
【0068】
一方、前記第１導電型半導体層２１は、表面テクスチャリングによる凹凸パターン２１ｐを有することができる。凹凸パターン２１ｐは、第１導電型半導体層２１の光放出面側に形成されてもよい。表面テクスチャリングは、例えば、乾式又は湿式エッチング工程を用いたパターニングによって行われてもよい。
【0069】
一実施例において、コーン状の各突出部が形成されてもよく、コーンの高さは２μｍ乃至３μｍで、コーンの間隔は１．５μｍ乃至２μｍで、コーンの底の直径は約３μｍ乃至５μｍであってもよい。また、コーンは截頭型であってもよく、この場合、コーンの上面の直径は約２μｍ乃至３μｍであってもよい。
【0070】
他の実施例において、凹凸パターン２１ｐは、図２Ｃに示したように、第１凹凸パターン２１ｐ１と、第１凹凸パターン２１ｐ１上にさらに形成された第２凹凸パターン２１ｐ２とを含むことができる。第１凹凸パターン２１ｐ１の各突出部は、約２μｍ乃至３μｍの高さ、１．５μｍ乃至２μｍの間隔、及び約３μｍ乃至５μｍの底の直径を有することができる。一方、第２凹凸パターン２１ｐ２は、第１凹凸パターン２１ｐ１の各突出部、及び各突出部の間の領域に全て形成されてもよい。図２Ｄは、第１導電型半導体層２１の表面に実際に形成された凹凸パターンのＳＥＭ写真を示している。第１凹凸パターン２１ｐ１は、乾式又は湿式エッチング技術を用いて形成されてもよく、第２凹凸パターン２１ｐ２は、例えば、湿式エッチングを用いて形成されてもよい。
【0071】
第１導電型半導体層２１の表面に凹凸パターン２１ｐを形成することによって、内部全反射を減少させ、光抽出効率を増加させることができる。第１乃至第３発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃは、いずれも第１導電型半導体層に表面テクスチャリングが行われてもよく、これによって、第１乃至第３発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃから放出される光の指向角を均一化することができる。しかし、本発明がこれに限定されることはなく、一部の発光素子は、凹凸パターン２１ｐを含まず、平坦な面を有することもできる。
【0072】
オーミックコンタクト層２７は、第２導電型半導体層２５上に配置され、第２導電型半導体層２５にオーミックコンタクトする。オーミックコンタクト層２７は、単一層又は多重層で形成されてもよく、透明導電性酸化膜又は金属膜で形成されてもよい。透明導電性酸化膜としては、ＩＴＯ又はＺｎＯなどを例に挙げることができ、金属膜としては、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕなどの金属及びこれらの合金を例に挙げることができる。
【0073】
第１コンタクトパッド５３は、露出した第１導電型半導体層２１上に配置される。第１コンタクトパッド５３は、第１導電型半導体層２１にオーミックコンタクトすることができる。例えば、第１コンタクトパッド５３は、第１導電型半導体層２１にオーミックコンタクトするオーミック金属層で形成されてもよい。第１コンタクトパッド５３のオーミック金属層は、第１導電型半導体層２１の半導体材料によって適宜選定され得る。第１コンタクトパッド５３は省略されてもよい。
【0074】
第２コンタクトパッド５５は、オーミックコンタクト層２７上に配置されてもよい。第２コンタクトパッド５５は、オーミックコンタクト層２７に電気的に接続する。第２コンタクトパッド５５は省略されてもよい。
【0075】
絶縁層５９は、メサＭ、オーミックコンタクト層２７、第１コンタクトパッド５３、及び第２コンタクトパッド５５を覆う。絶縁層５９は、第１コンタクトパッド５３及び第２コンタクトパッド５５を露出させる各開口部５９ａ、５９ｂを有する。絶縁層５９は、単一層又は多重層で形成されてもよい。さらに、絶縁層５９は、互いに異なる屈折率を有する各絶縁層を積層した分布ブラッグ反射器を含むこともできる。例えば、分布ブラッグ反射器は、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯＮ、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、及びＮｂ２Ｏ５から選ばれた少なくとも２種類の絶縁層を含むことができる。
【0076】
分布ブラッグ反射器は、活性層２３から放出される光を反射する。分布ブラッグ反射器は、活性層２３から放出される光のピーク波長を含み、相対的に広い波長範囲にわたって高い反射率を示すことができ、光の入射角を考慮して設計され得る。一実施例において、分布ブラッグ反射器は、他の入射角で入射される光に比べて、入射角０度で入射される光に対してさらに高い反射率を有することができる。他の実施例において、分布ブラッグ反射器は、入射角０度で入射される光に比べて、他の特定の入射角で入射される光に対してさらに高い反射率を有することができる。例えば、分布ブラッグ反射器は、入射角０度で入射される光に比べて、入射角１０度で入射される光に対してさらに高い反射率を有することができる。
【0077】
一方、青色発光素子１０ｃの発光構造体は、赤色発光素子１０ａ及び緑色発光素子１０ｂの各発光構造体に比べて高い内部量子効率を有する。これによって、青色発光素子１０ｃは、赤色及び緑色発光素子１０ａ、１０ｂに比べて高い光抽出効率を示すことができる。これによって、赤色光、緑色光、及び青色光の色混合比率を適正に維持することが難しくなり得る。
【0078】
赤色光、緑色光、及び青色光の色混合比率を調節するために、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃに適用される各分布ブラッグ反射器は、互いに異なる反射率を有するように形成されてもよい。例えば、青色発光素子１０ｃは、赤色及び緑色発光素子１０ａ、１０ｂに比べて相対的に低い反射率を有する分布ブラッグ反射器を有することができる。例えば、青色発光素子１０ｃに形成される分布ブラッグ反射器は、活性層２３で生成される青色光に対して入射角０度で約９５％未満、さらに９０％未満の反射率を有することができ、緑色発光素子１０ｂに形成される分布ブラッグ反射器は、緑色光に対して入射角０度で約９５％以上、９９％以下の反射率を有することができ、赤色発光素子１０ａに形成される分布ブラッグ反射器は、赤色光に対して入射角０度で９９％以上の反射率を有することができる。
【0079】
一実施例において、赤色、緑色、及び青色発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃに適用される各分布ブラッグ反射器は、概して類似する厚さを有することができる。例えば、これらの発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃに適用された分布ブラッグ反射器の間の厚さの差は、最も厚い分布ブラッグ反射器の厚さの１０％未満であってもよい。各分布ブラッグ反射器の厚さの差を減少させることによって、赤色、緑色、及び青色発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃに適用される工程条件、例えば、絶縁層５９をパターニングする工程を類似する形に設定することができ、さらに、ユニットピクセルの製造工程が複雑になることを防止することができる。さらに、赤色、緑色、及び青色発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃに適用される各分布ブラッグ反射器は、概して類似する積層数を有することもできる。しかし、本発明がこれに限定されることはない。
【0080】
第１電極パッド６１及び第２電極パッド６３は絶縁層５９上に配置される。第１電極パッド６１は、第１コンタクトパッド５３の上部からメサＭの上部に延長されてもよく、第２電極パッド６３は、メサＭの上部領域内に配置されてもよい。第１電極パッド６１は、開口部５９ａを介して第１コンタクトパッド５３に接続することができ、第２電極パッド６３は、第２コンタクトパッド５５に電気的に接続することができる。第１電極パッド６１が第１導電型半導体層２１に直接オーミックコンタクトすることもでき、この場合、第１コンタクトパッド５３は省略されてもよい。また、第２コンタクトパッド５５が省略された場合、第２電極パッド６３は、オーミックコンタクト層２７に直接接続することができる。
【0081】
第１及び／又は第２電極パッド６１、６３は、単一層又は多重層金属で形成されてもよい。第１及び／又は第２電極パッド６１、６３の材料としては、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕなどの金属及びこれらの合金などが使用されてもよい。
【0082】
本開示の一実施例に係る発光素子１０ａを図面と共に簡略に説明したが、発光素子１０ａは、上述した層以外にも、付加的な機能を有する層をさらに含むことができる。例えば、光を反射する反射層、特定の構成要素を絶縁するための追加絶縁層、ソルダーの拡散を防止するソルダー防止層などの多様な層がさらに含まれてもよい。
【0083】
また、フリップチップタイプの発光素子を形成する場合において、多様な形態でメサを形成することができ、第１及び第２電極パッド６１、６３の位置や形状も多様に変更され得る。また、オーミックコンタクト層２７は省略されてもよく、第２コンタクトパッド５５又は第２電極パッド６３が第２導電型半導体層２５に直接接触することもできる。
【0084】
図３Ａは、本開示の一実施例に係るユニットピクセル１００を説明するための概略的な平面図で、図３Ｂは、図３ＡのＢ－Ｂ’線に沿って切り取られた概略的な断面図で、図３Ｃは、図３ＡのＣ－Ｃ’線に沿って切り取られた概略的な断面図である。
【0085】
図３Ａ、図３Ｂ、及び図３Ｃを参照すると、ユニットピクセル１００は、透明基板１２１、第１乃至第３発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、表面層１２２、反射器１２０ｒ、光遮断層１２３、接着層１２５、段差調節層１２７、各接続層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄ、及び絶縁物質層１３１を含むことができる。
【0086】
ユニットピクセル１００は、第１乃至第３発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃを含み、一つのピクセルを提供する。第１乃至第３発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃは、互いに異なる色相の光を放出し、これらは、それぞれサブピクセルに対応する。
【0087】
透明基板１２１は、ＰＥＴ、ガラス基板、クォーツ、サファイア基板などの光透過性基板である。透明基板１２１は、ディスプレイ装置１００００（図１）の光放出面に配置され、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃから放出された光は、透明基板１２１を介して外部に放出される。透明基板１２１は、上面及び下面を有することができる。透明基板１２１は、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃに対面する面、すなわち、上面に凹凸パターン１２１ｐを含むことができる。凹凸パターン１２１ｐは、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃから放出された光を散乱させ、指向角を増加させる。また、互いに異なる指向角特性を有する各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃから放出された光は、前記凹凸パターン１２１ｐによって均一な指向角で放出させることができる。これによって、見る角度によって色差が発生することを防止することができる。
【0088】
凹凸パターン１２１ｐは、規則的又は不規則的であってもよい。凹凸パターン１２１ｐは、例えば、３μｍのピッチ、２．８μｍの直径、及び１．８μｍの高さを有することができる。凹凸パターン１２１ｐは、一般に、パターニングされたサファイア基板に適用されるパターンであってもよいが、これに限定されない。
【0089】
また、透明基板１２１は、透明基板１２１の下面に反射防止コーティングをさらに含むことができ、又は、グレア防止層を含んだり、グレア防止処理が施されてもよい。透明基板１２１は、例えば、５０μｍ～３００μｍの厚さを有することができる。
【0090】
透明基板１２１が光放出面に配置されるので、透明基板１２１は回路を含まない。しかし、本開示がこれに限定されることはなく、回路を含むこともできる。
【0091】
一方、一つの透明基板１２１に一つのユニットピクセル１００が形成されたことを示すが、一つの透明基板１２１に複数のユニットピクセル１００が形成されてもよい。
【0092】
表面層１２２は、透明基板１２１の凹凸パターン１２１ｐを覆う。表面層１２２は、凹凸パターン１２１ｐの形状に沿って形成されてもよい。表面層１２２は、その上に形成される光遮断層１２３及び反射器１２０ｒの接着力を向上させることができる。例えば、表面層１２２は、シリコン酸化膜で形成されてもよい。表面層１２２は、透明基板１２１の種類によって省略されてもよい。
【0093】
光遮断層１２３は、透明基板１２１の上面上に形成される。光遮断層１２３は、表面層１２２に接することができる。光遮断層１２３は、カーボンブラックのように光を吸収する吸収物質を含むことができる。光吸収物質は、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃで生成された光が透明基板１２１と各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃとの間の領域から側面側に漏れることを防止し、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃの各光の混色を防止し、ディスプレイ装置のコントラストを向上させる。
【0094】
光遮断層１２３は、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃで生成された光が透明基板１２１に入射されるように光進行経路のための窓１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃを有することができ、そのために、透明基板１２１上で透明基板１２１を露出させるようにパターニングされてもよい。窓１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃの幅は、発光素子の幅より狭くてもよいが、これに限定されることはなく、発光素子の幅より大きいか、又はそれと同じであってもよい。
【0095】
また、光遮断層１２３の窓１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃは、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃの整列位置を定義する。よって、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃの整列位置を定義するための別途の各整列マーカーを省略することができる。しかし、本開示がこれに限定されることはなく、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃを整列するための位置を提供するために、各整列マーカーが透明基板１２１上に又は光遮断層１２３や接着層１２５上に提供されてもよい。
【0096】
反射器１２０ｒは、透明基板１２１の上面上の一部の領域に形成されてもよい。反射器１２０ｒは、光遮断層１２３と透明基板１２１との間に配置されてもよい。反射器１２０ｒは、透明基板１２１の上面と下面との間で光遮断層１２３に入射される光を反射する。図示したように、反射器１２０ｒは、発光素子１０ｂの周囲、窓１２３ｂの周囲に配置されてもよい。反射器１２０ｒは、例えば、発光素子１０ｂから放出された光に対して８０％以上の反射率を有する反射金属層で形成されてもよい。反射金属層は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｎｉなどを含むことができる。
【0097】
本実施例において、発光素子１０ｂと反射器１２０ｒは、重畳しないように配置されてもよい。しかし、本開示がこれに限定されることはなく、発光素子１０ｂと反射器１２０ｒとが部分的に重畳することもできる。
【0098】
反射器１２０ｒの外側面は、図３Ａに点線で示したように円形であってもよいが、本発明はこれに限定されない。反射器１２０ｒは、多様な形状を有することができ、これに対しては、図６Ａ乃至図６Ｆを参照して後で詳細に説明する。
【0099】
接着層１２５は、透明基板１２１上に付着する。接着層１２５は、光遮断層１２３を覆うことができる。接着層１２５は、透明基板１２１の全面上に付着してもよいが、これに限定されることはなく、透明基板１２１の縁部付近の領域を露出させるように一部の領域に付着してもよい。接着層１２５は、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃを透明基板１２１に付着するために使用される。接着層１２５は、光遮断層１２３に形成された窓１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃを充填することができる。
【0100】
接着層１２５は、光透過性層で形成されてもよく、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃから放出された光を透過させる。接着層１２５は、有機接着剤を用いて形成されてもよい。例えば、接着層１２５は、透明エポキシを用いて形成されてもよい。また、接着層１２５は、光を拡散させるために、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＯなどの拡散物質（ｄｉｆｆｕｓｅｒ）を含むことができる。光拡散物質は、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃが光放出面から観察されることを防止する。
【0101】
一方、第１乃至第３発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃが透明基板１２１上に配置される。第１乃至第３発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃは、接着層１２５によって透明基板１２１に付着してもよい。第１乃至第３発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃは、光遮断層１２３の各窓１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃに対応して配置されてもよい。光遮断層１２３が省略された場合、各整列マーカーが各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃの整列位置を提供するために追加されてもよい。
【0102】
第１乃至第３発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃは、例えば、赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素子であってもよい。第１乃至第３発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃのそれぞれの具体的な構成は、図２Ａ及び図２Ｂを参照して説明した通りであるので、それについての詳細な説明は省略する。
【0103】
第１乃至第３発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃは、図３Ａに示したように、一列に配列されてもよい。特に、透明基板１２１がサファイア基板である場合、サファイア基板は、切断方向に沿って結晶面によってきれいな各切断面（例えば、ｍ面）と、そうでない各切断面（例えば、ａ面）とを含むことができる。例えば、四角形の形状に切断される場合、両側の二つの切断面（例えば、ｍ面）は、結晶面に沿ってきれいに切断され得るが、これらの切断面に対して垂直に配置された他の二つの切断面（例えば、ａ面）はそうでなくてもよい。この場合、サファイア基板１２１のきれいな各切断面は、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃの整列方向に並んでいてもよい。例えば、図３Ａに示すように、きれいな各切断面（例えば、ｍ面）が上下に配置され、他の二つの切断面（例えば、ａ面）が左右に配置されてもよい。
【0104】
【0105】
段差調節層１２７は、第１乃至第３発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃを覆う。段差調節層１２７は、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃの第１及び第２電極パッド６１、６３を露出させる各開口部１２７ａを有する。段差調節層１２７は、各接続層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄが形成される面の高さを一定に調節し、各接続層を安全に形成できるように助ける。段差調節層１２７は、例えば、感光性ポリイミドで形成されてもよい。
【0106】
段差調節層１２７は、接着層１２５の縁部で取り囲まれた領域内に配置されてもよいが、これに限定されることはない。例えば、段差調節層１２７は、接着層１２５の縁部を部分的に露出させるように形成されてもよい。
【0107】
第１乃至第４接続層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄは、段差調節層１２７上に形成される。各接続層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄは、段差調節層１２７の各開口部１２７ａを介して第１乃至第３発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃの第１及び第２電極パッド６１、６３に接続することができる。一実施例において、図３Ａ及び図３Ｂに示したように、第１接続層１２９ａは、第１発光素子１０ａの第２導電型半導体層に電気的に接続し、第２接続層１２９ｂは、第２発光素子１０ｂの第２導電型半導体層に電気的に接続し、第３接続層１２９ｃは、第３発光素子１０ｃの第２導電型半導体層に電気的に接続することができ、第４接続層１２９ｄは、第１乃至第３発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃの第１導電型半導体層に電気的に共通に接続することができる。第１乃至第４接続層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄは、段差調節層１２７上に共に形成されてもよく、単一層或いは多重層を有することができ、例えば、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも一つを含むことができる。第１乃至第４接続層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄは、例えば、段差調節層１２７への接着特性が良好な接着金属層、金属物質の拡散を防止するための障壁金属層、及びボンディング金属層を含むことができる。さらに、接着金属層と障壁金属層との間に反射金属層がさらに配置されてもよい。例えば、接着金属層はＣｒを含むことができ、反射金属層はＡｌ又はＡｇを含むことができ、障壁金属層はＮｉを含むことができ、ボンディング金属層はＡｕを含むことができる。
【0108】
他の実施例において、第１接続層１２９ａは、第１発光素子１０ａの第１導電型半導体層に電気的に接続し、第２接続層１２９ｂは、第２発光素子１０ｂの第１導電型半導体層に電気的に接続し、第３接続層１２９ｃは、第３発光素子１０ｃの第１導電型半導体層に電気的に接続することができ、第４接続層１２９ｄは、第１乃至第３発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃの第２導電型半導体層に電気的に共通に接続することができる。第１乃至第４接続層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄは、段差調節層１２７上に共に形成されてもよい。
【0109】
絶縁物質層１３１は、段差調節層１２７より薄い厚さで形成されてもよい。絶縁物質層１３１と段差調節層１２７との厚さの和は、１μｍ以上、５０μｍ以下であってもよいが、これに限定されることはない。
【0110】
絶縁物質層１３１は、段差調節層１２７の側面及び各接続層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄを覆う。また、絶縁物質層１３１は、接着層１２５の一部を覆うことができる。絶縁物質層１３１は、各接続層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄを露出させる各開口部１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ、１３１ｄを有し、これによってユニットピクセル１００の各パッド領域が定義され得る。
【0111】
一実施例において、絶縁物質層１３１は、半透明物質であってもよく、有機又は無機物質で形成されてもよい。絶縁物質層１３１は、例えば、ポリイミドで形成されてもよい。段差調節層１２７と共に、絶縁物質層１３１がポリイミドで形成された場合、各接続層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄは、各パッド領域を除いて、下部面、側面、及び上部面が全てポリイミドで取り囲まれてもよい。
【0112】
一方、ユニットピクセル１００は、ソルダーなどのボンディング材を用いて回路基板に実装されてもよく、ボンディング材は、絶縁物質層１３１の各開口部１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ、１３１ｄに露出した各接続層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄと回路基板上の各パッドとをボンディングすることができる。
【0113】
本実施例によると、ユニットピクセル１００は、別途の各バンプを含まず、各接続層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄがボンディングパッドとして使用される。しかし、本発明がこれに限定されることはなく、絶縁物質層１３１の各開口部１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ、１３１ｄを覆う各ボンディングパッドがさらに形成されてもよい。一実施例において、第１乃至第４接続層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄの上部領域を逸脱し、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃを部分的に覆うように形成されてもよい。
【0114】
本実施例において、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃが接着層１２５によって透明基板１２１に付着したことを説明するが、接着層１２５の代わりに、他の結合器（ｃｏｕｐｌｅｒ）を用いて各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃが透明基板１２１に結合されてもよい。例えば、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃを各スペーサーを用いて透明基板１２１に結合させることができ、よって、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃと透明基板１２１との間の領域に気体又は液体が充填され得る。これらの気体又は液体により、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃから放出された光を透過させる光学層が形成され得る。上述した接着層１２５も光学層の一例である。ここで、光学層は、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃとは異なる材料、例えば、気体、液体、又は固体で形成され、よって、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃ内の各半導体層の材料と区別される。
【0115】
本実施例によると、反射器１２０ｒは、光遮断層１２３と透明基板１２１との間に配置され、透明基板１２１内で透明基板１２１の上面に入射される光を反射させ、ユニットピクセル１００の輝度を増加させることができる。また、反射器１２０ｒを採択することによって、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃから放出される光の指向角を増加させることができる。各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃから放出された光の輝度及び指向角を調節するために、反射器１２０ｒを多様な形態に変形することができる。
【0116】
本実施例において、反射器１２０ｒが光遮断層１２３と透明基板１２１との間に配置されたことを説明するが、本開示がこれに限定されることはない。例えば、図３Ｄに示したように、反射器１２０ｒは、光遮断層１２３と接着層１２５との間に配置されてもよい。すなわち、反射器１２０ｒは、光遮断層１２３上に配置されてもよい。反射器１２０ｒの下面は、光遮断層１２３と完全に重畳し得る。例えば、反射器１２０ｒの下面は、光遮断層１２３でカバーされる領域内に位置することができ、よって、基板１２１から反射器１２０ｒが観察されることを防止することができる。反射器１２０ｒの内側面及び外側面は、光遮断層１２３の各窓１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃの各側壁と並んでもよい。他の実施例において、反射器１２０ｒの一部は、光遮断層１２３の各窓１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ内に配置されてもよい。
【0117】
反射器１２０ｒは、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃと重畳しないように配置されてもよいが、本開示が必ずしもこれに限定されることはない。例えば、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃのうち少なくとも一つが反射器１２０ｒと部分的に重畳することもできる。
【0118】
反射器１２０ｒが光遮断層１２３と接着層１２５との間に配置された場合、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃから放出された光が光遮断層１２３によって損失されることを減少させることができる。さらに、第１乃至第４接続層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄが反射金属層を含む場合、第１乃至第４接続層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄ及び反射器１２０ｒが各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃの上下両側に配置され、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃで生成された光の光効率を増加させることができる。
【0119】
図４Ａは、本開示の一実施例に係るピクセルモジュール１０００を説明するための概略的な平面図で、図４Ｂは、図４ＡのＤ－Ｄ’線に沿って切り取られた概略的な断面図で、図４Ｃは、ピクセルモジュール１０００の背面図で、図４Ｄは、ピクセルモジュール１０００の回路図である。
【0120】
図４Ａ及び図４Ｂを参照すると、ピクセルモジュール１０００は、回路基板１００１、及び回路基板１００１上に配列された各ユニットピクセル１００を含む。さらに、ピクセルモジュール１０００は、各ユニットピクセル１００を覆うカバー層１０１０をさらに含むことができる。
【0121】
回路基板１００１は、パネル基板２１００と各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃとを電気的に連結するための回路を有することができる。回路基板１００１内の回路は、多層構造で形成されてもよい。また、回路基板１００１は、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃを受動マトリックス駆動方式で駆動するための受動回路、又は能動マトリックス駆動方式で駆動するための能動回路を含むこともできる。回路基板１００１は、表面に露出した各パッド１００３を含むことができる。
【0122】
各ユニットピクセル１００の具体的な構成は、図３Ａ及び図３Ｂを参照して説明した通りであるので、重複を避けるために、これについての詳細な説明は省略する。各ユニットピクセル１００は、回路基板１００１上に整列されてもよい。各ユニットピクセル１００は、図４Ａに示したように２×２行列に配列されてもよいが、これに限定されることはなく、２×３、３×３、４×４、５×５などの多様な行列に配列されてもよい。
【0123】
各ユニットピクセル１００は、ボンディング材１００５によって回路基板１００１にボンディングされる。例えば、ボンディング材１００５は、図３Ａ及び図３Ｂを参照して説明した絶縁物質層１３１の各開口部１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ、１３１ｄを介して露出した各接続層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄを回路基板１００１上の各パッド１００３にボンディングする。ボンディング材１００５は、例えば、ソルダーであってもよく、ソルダーペーストを各パッド１００３上にスクリーンプリンティングなどの技術を用いて配置した後、リフロー工程を通じてユニットピクセル１００と回路基板１００１とをボンディングすることができる。
【0124】
本実施例によると、各接続層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄと各パッド１００３との間に単一構造のボンディング材１００５が配置され、ボンディング材１００５が各接続層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄと各パッド１００３とを直接連結することができる。
【0125】
カバー層１０１０は、複数のユニットピクセル１００を覆う。カバー層１０１０は、各ユニットピクセル１００の間の光干渉を防止し、ディスプレイ装置のコントラストを向上させることができる。
【0126】
カバー層１０１０は、例えば、ＤＦＳＲ（ｄｒｙ－Ｆｉｌｍ ｔｙｐｅ ｓｏｌｄｅｒ ｒｅｓｉｓｔ）、ＰＳＲ（ｐｈｏｔｏｉｍａｇｅａｂｌｅ ｓｏｌｄｅｒ ｒｅｓｉｓｔ）、ＢＭ（ｂｌａｃｋ ｍａｔｅｒｉａｌ）又はエポキシモールディングコンパウンド（ＥＭＣ）などで形成されてもよい。カバー層１０１０は、例えば、ラミネーション、スピンコーティング、スリットコーティング、プリンティングなどの技術を用いて形成されてもよい。
【0127】
図４Ａ及び図４Ｂに示した各ピクセルモジュール１０００を図１のパネル基板２１００上に実装することによって、ディスプレイ装置１００００が提供され得る。回路基板１００１は、各パッド１００３に連結された各底パッドを有する。各底パッドは、各パッド１００３に１対１で対応するように配置されてもよいが、共通接続を通じて各底パッドの個数を減少させることができる。これに対して、２×２行列で配列されたユニットピクセル１００を有するピクセルモジュール１０００を、例えば、図４Ｃ及び図４Ｄを参照して説明する。
【0128】
図４Ｃは、ピクセルモジュール１０００の背面図であって、回路基板１００１の各底パッドＣ１、Ｃ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｇ１、Ｇ２、Ｂ１及びＢ２を示している。ピクセルモジュール１０００が２×２行列に配列されるので、合計４個のピクセルモジュールが回路基板１００１上に配列される。また、各ピクセルモジュール１０００上に３個の発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃが配置され、４個のパッド領域が配置される。よって、回路基板１００１上には、４個のユニットピクセル１００の各パッド領域である１６個に該当する各パッド１００３が提供され得る。これに反して、各底パッドは、８個のみが配置され得るが、これらの８個の底パッドがパネル基板２１００に連結され、それぞれの発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃを個別に駆動することができる。
【0129】
図４Ｄは、一実施例において、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃが各底パッドＣ１、Ｃ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｇ１、Ｇ２、Ｂ１及びＢ２に連結された概略的な回路図である。
【0130】
図４Ｄを参照すると、底パッドＣ１は、左側列に配置された各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃの各カソードに共通に接続し、底パッドＣ２は、右側列に配置された各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃの各カソードに共通に接続する。
【0131】
一方、上側行に配置された各ユニットピクセル１００において、第１発光素子１０ａの各アノードに底パッドＲ１が接続され、第２発光素子１０ｂの各アノードに底パッドＧ１が接続され、第３発光素子１０ｃの各アノードに底パッドＢ１が接続されてもよい。
【0132】
また、下側行に配置された各ユニットピクセル１００において、第１発光素子１０ａの各アノードに底パッドＲ２が接続され、第２発光素子１０ｂの各アノードに底パッドＧ２が接続され、第３発光素子１０ｃの各アノードに底パッドＢ２が接続されてもよい。
【0133】
ここで、各底パッドＲ１、Ｇ１、Ｂ１、Ｒ２、Ｇ２、Ｂ２は、それぞれ赤色、緑色及び青色発光素子に連結される各パッドを示すためのものである。ただし、赤色、緑色及び青色発光素子の配列が変更されてもよく、これによって、各底パッドＲ１、Ｇ１、Ｂ１、Ｒ２、Ｇ２、Ｂ２が連結される位置も変更され得る。例えば、図４Ｄの回路図は、第１発光素子１０ａが赤色発光素子で、第２発光素子１０ｂが緑色発光素子で、第３発光素子１０ｃが青色発光素子であることを予想しながら各底パッドを示している。これと異なり、第１発光素子１０ａが青色発光素子であってもよく、第３発光素子１０ｃが赤色発光素子であってもよい。この場合、底パッドＲ１、Ｒ２と底パッドＢ１、Ｂ２の位置が互いに変わってもよい。
【0134】
本実施例によると、各底パッドＣ１、Ｃ２が各列内の各発光素子の各カソードに共通に接続され、各底パッドＲ１、Ｇ１、Ｂ１、Ｒ２、Ｂ２、Ｇ２のそれぞれが二つの発光素子の各アノードに共通に接続されることによって、各底パッドの全体の個数を減少させながらも、それぞれの発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃを独立的に駆動することができる。
【0135】
一方、本実施例では、各底パッドＣ１、Ｃ２が各発光素子の各カソードに連結され、各底パッドＲ１、Ｇ１、Ｂ１、Ｒ２、Ｂ２、Ｇ２が各発光素子の各アノードに連結されたことを図示及び説明するが、図４Ｅに示したように、各底パッドＣ１、Ｃ２が各発光素子の各アノードに連結され、各底パッドＲ１、Ｇ１、Ｂ１、Ｒ２、Ｂ２、Ｇ２が各発光素子の各カソードに連結されてもよい。
【0136】
ここでは、各ユニットピクセル１００が２×２行列に配列された場合のピクセルモジュール１０００に対して説明するが、各ユニットピクセル１００が３×３や５×５などの他の行列に配列された場合にも、共通接続回路を用いて各底パッドの個数を減少させることができる。
【0137】
ピクセルモジュール１０００内の各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃは、パネル基板２１００上に配置された駆動ＩＣによって個別的に駆動されてもよく、複数のピクセルモジュール１０００によってイメージが具現され得る。
【0138】
本実施例において、各ユニットピクセル１００がピクセルモジュール１０００に形成され、各ピクセルモジュール１０００がパネル基板２１００上に実装されることによってディスプレイ装置が提供され得る。これによって、ディスプレイ装置の工程収率を向上させることができる。しかし、本発明がこれに限定されることはなく、各ユニットピクセル１００をパネル基板２１００上に直接実装することもできる。
【0139】
【0140】
まず、図５Ａを参照すると、透明基板１２１の上面に凹凸パターン１２１ｐが形成される。透明基板１２１は、ＰＥＴ、ガラス基板、クォーツ、サファイア基板などの光透過性基板である。一実施例において、凹凸パターン１２１ｐは、乾式又は湿式エッチング技術を用いて透明基板１２１の表面をエッチングすることによって形成され得る。
【0141】
表面層１２２が透明基板１２１上に形成されてもよい。表面層１２２は、凹凸パターン１２１ｐに沿って形成されてもよい。表面層１２２は、例えば、シリコン酸化膜で形成されてもよい。表面層１２２は、透明基板１２１の表面を改質するために形成されるものであって、省略されてもよい。
【0142】
図３Ａ及び図５Ｂを参照すると、透明基板１２１上に反射器１２０ｒが形成される。反射器１２０ｒは、表面層１２２上に形成されてもよい。反射器１２０ｒは、図３Ａに示したように、外側面が円形の形状を有することができ、内側面は、発光素子１０ｂで生成された光を透過させるための空洞を有することができる。反射器１２０ｒは、反射金属層を用いてリフトオフ技術などで形成されてもよい。
【0143】
図３Ａ及び図５Ｃを参照すると、反射器１２０ｒを覆う光遮断層１２３が形成される。光遮断層１２３は、光を吸収する物質層、例えば、カーボンブラックのように光を吸収する吸収物質を含むブラックマトリックスで形成されてもよい。また、光遮断層１２３は、感光性物質層で形成され、露光及び現像によってパターニングされてもよい。光遮断層１２３をパターニングすることによって各窓１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃが形成され得る。各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃに対応して複数の窓１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃが形成されてもよく、これらの窓１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃは互いに離隔してもよい。
【0144】
図３Ａ及び図５Ｄを参照すると、光遮断層１２３上に接着層１２５が形成されてもよい。接着層１２５は、光遮断層１２３を覆うことができ、また、光遮断層１２３に形成された各窓１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃを介して露出した表面層１２２又は透明基板１２１を覆うことができる。
【0145】
接着層１２５は、透明基板１２１の全面上に形成されてもよいが、これに限定されることはなく、透明基板１２１の縁部付近の領域を露出させるように一部の領域に形成されてもよい。接着層１２５は、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃを透明基板１２１に付着するために使用される。接着層１２５は、光透過性層で形成されてもよく、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃから放出された光を透過させる。接着層１２５は、接着シート又は有機接着剤を用いて形成されてもよい。例えば、接着層１２５は、透明エポキシを用いて形成されてもよい。一実施例において、接着層１２５は、光を拡散させるために、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＯなどの拡散物質（ｄｉｆｆｕｓｅｒ）を含むことができる。光拡散物質は、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃが光放出面から観察されることを防止する。
【0146】
次いで、接着層１２５上に各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃが配置される。各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃは、転写工程を用いて共に接着層１２５に転写されてもよい。各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃは、それぞれ各窓１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃに対応して配置されてもよい。各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃは、各窓１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃより小さいサイズを有し、各窓１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃの上部領域内に位置し得る。他の実施例において、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃは、各窓１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃより大きい面積を有することもできる。
【0147】
図３Ａ及び図５Ｅを参照すると、段差調節層１２７が各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃを覆うように形成される。段差調節層１２７は、例えば、感光性ポリイミドで形成されてもよく、露光及び現像技術を用いてパターニングされてもよい。
【0148】
例えば、段差調節層１２７は、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃを露出させる各開口部１２７ａを有することができる。例えば、段差調節層１２７の各開口部１２７ａは、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃの第１及び第２電極パッド６１、６３（図２Ｂ）を露出させることができる。さらに、段差調節層１２７は、透明基板１２１の縁部に沿って除去され、接着層１２５を露出させることができる。
【0149】
図３Ａ及び図５Ｆを参照すると、段差調節層１２７上に第１乃至第４接続層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄが形成される。例えば、第１乃至第４接続層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄは、リフトオフ技術を用いて形成されてもよい。
【0150】
第１乃至第４接続層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄは、段差調節層１２７の各開口部１２７ａを介して各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃに電気的に連結されてもよい。例えば、第１乃至第３接続層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃは、それぞれ各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃの第１導電型半導体層に電気的に連結されてもよく、第４接続層１２９ｄは、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃの第２導電型半導体層に共通に電気的に連結されてもよい。
【0151】
次いで、絶縁物質層１３１が形成されてもよく、絶縁物質層１３１は、第１乃至第４接続層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄを覆う。絶縁物質層１３１は、図３Ａに示したように、第１乃至第４接続層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃ、１２９ｄを露出させる各開口部１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ、１３１ｄを有することができ、これらの各開口部１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ、１３１ｄによって各パッド領域が定義され得る。
【0152】
本発明の各実施例によると、光遮断層１２３と透明基板１２１との間に反射器１２０ｒを配置することによって、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃで生成され、ユニットピクセル１００から放出される光の輝度を増加させることができ、また、指向角を調節することができる。反射器１２０ｒは、円形の形状に配置されてもよいが、これに限定されることはなく、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃから放出される光の輝度及び指向角を調節するために多様な形状に変形可能である。以下で、反射器の多様な変形例を説明する。
【0153】
【0154】
図６Ａを参照すると、反射器３２１ｒは、特定の発光素子、例えば、発光素子１０ｂの周囲に配置されてもよく、発光素子１０ａ又は発光素子１０ｃの周囲に制限的に配置されてもよい。反射器３２１ｒは、特定の発光素子の輝度を増加させるように配置されてもよい。反射器３２１ｒは、外側面が四角形の形状を有するように配置されてもよい。
【0155】
図６Ｂを参照すると、反射器３２２ｒは、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃの周囲に全て配置されてもよい。各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃの間の領域は、いずれも反射器３２２ｒで覆われてもよい。反射器３２２ｒは、全体的に水平方向に長い直四角形の形状を有することができる。これによって、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃの輝度を増加させることができ、指向角を改善することができる。
【0156】
図６Ｃを参照すると、反射器３２３ｒは、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃ全体の周囲に配置されてもよく、さらに、中央領域に垂直方向にさらに広い領域を含むことができる。これによって、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃの輝度を全体的に増加させることができ、垂直方向の指向角をさらに改善することができる。
【0157】
図６Ｄを参照すると、反射器３２４ｒは、外側面が楕円状を有するように配置されてもよい。特に、反射器３２４ｒは、垂直方向に長い形状を有することができ、これによって、発光素子１０ｂの輝度を増加させると同時に、水平方向に比べて垂直方向の指向角をさらに改善することができる。
【0158】
ここで、反射器３２４ｒが発光素子１０ｂの周囲に配置されたことを示すが、反射器３２４ｒは、発光素子１０ａ又は発光素子１０ｃの周囲に配置されてもよい。
【0159】
図６Ｅを参照すると、反射器３２５ｒは、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃの周囲に全て楕円状に配置されてもよい。よって、各発光素子の輝度を改善すると同時に、垂直方向の指向角を改善することができる。
【0160】
図６Ｆを参照すると、反射器３２６ｒは、各発光素子１０ａ、１０ｂ、１０ｃの周囲に配置されてもよい。ただし、反射器３２６ｒは、発光素子１０ｂに比べて各発光素子１０ａ、１０ｃの周囲で垂直方向にさらに広く配置されてもよい。これによって、発光素子１０ｂから放出される光に対して、各発光素子１０ａ、１０ｃから放出される光の輝度及び垂直方向の指向角をさらに増加させることができる。
【0161】
以上で、本開示の多様な実施例に対して説明したが、本開示は、これらの各実施例に限定されるものではない。また、一つの実施例に対して説明した事項や構成要素は、本開示の技術的思想を逸脱しない限り、他の実施例にも適用され得る。
【符号の説明】
【0162】
１０ａ 第１発光素子
１０ｂ 第２発光素子
１０ｃ 第３発光素子
２１ 第１導電型半導体層
２１ｐ 凹凸パターン
２１ｐ１ 第１凹凸パターン
２１ｐ２ 第２凹凸パターン
２３ 活性層
２５ 第２導電型半導体層
２７ オーミックコンタクト層
５３ 第１コンタクトパッド
５５ 第２コンタクトパッド
５９ 絶縁層
５９ａ 開口部
５９ｂ 開口部
６１ 第１電極パッド
６３ 第２電極パッド
１００ ユニットピクセル
１２０ｒ 反射器
１２１ 透明基板
１２１ｐ 凹凸パターン
１２２ 表面層
１２３ 光遮断層
１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ 窓
１２５ 接着層
１２７ 段差調節層
１２７ａ 開口部
１２９ａ 第１接続層
１２９ｂ 第２接続層
１２９ｃ 第３接続層
１２９ｄ 第４接続層
１３１ 絶縁物質層
１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ、１３１ｄ 開口部
３２１ｒ、３２２ｒ、３２３ｒ、３２４ｒ、３２５ｒ、３２６ｒ 反射器
１０００ ピクセルモジュール
１００１ 回路基板
１００３ パッド
１００５ ボンディング材
１０１０ カバー層
２１００ パネル基板
１００００ ディスプレイ装置
１０ｂ 第２発光素子
１０ｃ 第３発光素子
２１ 第１導電型半導体層
２１ｐ 凹凸パターン
２１ｐ１ 第１凹凸パターン
２１ｐ２ 第２凹凸パターン
２３ 活性層
２５ 第２導電型半導体層
２７ オーミックコンタクト層
５３ 第１コンタクトパッド
５５ 第２コンタクトパッド
５９ 絶縁層
５９ａ 開口部
５９ｂ 開口部
６１ 第１電極パッド
６３ 第２電極パッド
１００ ユニットピクセル
１２０ｒ 反射器
１２１ 透明基板
１２１ｐ 凹凸パターン
１２２ 表面層
１２３ 光遮断層
１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ 窓
１２５ 接着層
１２７ 段差調節層
１２７ａ 開口部
１２９ａ 第１接続層
１２９ｂ 第２接続層
１２９ｃ 第３接続層
１２９ｄ 第４接続層
１３１ 絶縁物質層
１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ、１３１ｄ 開口部
３２１ｒ、３２２ｒ、３２３ｒ、３２４ｒ、３２５ｒ、３２６ｒ 反射器
１０００ ピクセルモジュール
１００１ 回路基板
１００３ パッド
１００５ ボンディング材
１０１０ カバー層
２１００ パネル基板
１００００ ディスプレイ装置
【図1】
【図2a】
【図2b】
【図2c】
【図2d】
【図3a】
【図3b】
【図3c】
【図3d】
【図4a】
【図4b】
【図4c】
【図4d】
【図4e】
【図5a】
【図5b】
【図5c】
【図5d】
【図5e】
【図5f】
【図6a】
【図6b】
【図6c】
【図6d】
【図6e】
【図6f】
【国際調査報告】