(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-10-06
(54)【発明の名称】回路基板
(51)【国際特許分類】
H05K 1/02 20060101AFI20230929BHJP
【ＦＩ】
H05K1/02 C
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023518223
(86)(22)【出願日】2021-09-17
(85)【翻訳文提出日】2023-03-20
(86)【国際出願番号】 KR2021012807
(87)【国際公開番号】W WO2022060166
(87)【国際公開日】2022-03-24
(31)【優先権主張番号】10-2020-0120509
(32)【優先日】2020-09-18
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】517099982
【氏名又は名称】エルジー イノテック カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100114188
【弁理士】
【氏名又は名称】小野 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100119253
【弁理士】
【氏名又は名称】金山 賢教
(74)【代理人】
【識別番号】100129713
【弁理士】
【氏名又は名称】重森 一輝
(74)【代理人】
【識別番号】100137213
【弁理士】
【氏名又は名称】安藤 健司
(74)【代理人】
【識別番号】100143823
【弁理士】
【氏名又は名称】市川 英彦
(74)【代理人】
【識別番号】100183519
【弁理士】
【氏名又は名称】櫻田 芳恵
(74)【代理人】
【識別番号】100196483
【弁理士】
【氏名又は名称】川嵜 洋祐
(74)【代理人】
【識別番号】100160749
【弁理士】
【氏名又は名称】飯野 陽一
(74)【代理人】
【識別番号】100160255
【弁理士】
【氏名又は名称】市川 祐輔
(74)【代理人】
【識別番号】100172683
【弁理士】
【氏名又は名称】綾 聡平
(74)【代理人】
【識別番号】100219265
【弁理士】
【氏名又は名称】鈴木 崇大
(74)【代理人】
【識別番号】100203208
【弁理士】
【氏名又は名称】小笠原 洋平
(74)【代理人】
【識別番号】100146318
【弁理士】
【氏名又は名称】岩瀬 吉和
(72)【発明者】
【氏名】シン，ジョンベー
(72)【発明者】
【氏名】イ，ソミン
(72)【発明者】
【氏名】ジョン，ジェイフン
【テーマコード（参考）】
5E338
【Ｆターム（参考）】
5E338AA03
5E338AA12
5E338AA16
5E338AA18
5E338BB03
5E338BB14
5E338BB19
5E338BB63
5E338BB75
5E338CD33
5E338EE32
(57)【要約】
実施例に係る回路基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に配置された第１回路パターンと、前記第１絶縁層上に配置され、キャビティを含む第２絶縁層と、を含み、前記第１絶縁層の上面は、前記キャビティと垂直に重ならない第１領域と、前記キャビティと垂直に重なる第２領域と、前記第１領域と第２領域との間の境界領域と、を含み、前記第１回路パターンは、前記第１絶縁層の境界領域上に配置された第１－１回路パターンを含むみ、前記第１－１の回路パターンは、前記キャビティと垂直に重ならない第１部分と、前記第１部分に連結され、前記キャビティと垂直に重なる第２部分と、を含み、前記第１－１回路パターンの第１部分の厚さは、前記第１－１回路パターンの第２部分の厚さと異なる。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に配置された第１回路パターンと、
前記第１絶縁層上に配置され、キャビティを含む第２絶縁層と、を含み、
前記第１絶縁層の上面は、
前記キャビティと垂直に重ならない第１領域と、
前記キャビティと垂直に重なる第２領域と、
前記第１領域と第２領域との間の境界領域と、を含み、
前記第１回路パターンは、
前記第１絶縁層の境界領域上に配置された第１－１回路パターンを含むみ、
前記第１－１回路パターンは、
前記キャビティと垂直に重ならない第１部分と、
前記第１部分に連結され、前記キャビティと垂直に重なる第２部分と、を含み、
前記第１－１回路パターンの第１部分の厚さは、前記第１－１回路パターンの第２部分の厚さとは異なる、回路基板。
【請求項2】
前記第１－１回路パターンの第１部分の厚さは、前記第１－１回路パターンの第２部分の厚さよりも大きい、請求項１に記載の回路基板。
【請求項3】
前記第１－１回路パターンの前記第２部分の上面は、前記第１部分の上面よりも低く位置する、請求項１に記載の回路基板。
【請求項4】
前記第１回路パターンは、前記第１絶縁層の上面の前記第２領域に配置される第１－２回路パターンを含み、
前記第１－２回路パターンの厚さは、前記第１－１回路パターンの前記第１部分の厚さに対応する、請求項１から３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項5】
前記第１回路パターンは、前記第１絶縁層の上面の前記第１領域に配置された第１－３回路パターンを含み、
前記第１－３回路パターンの厚さは、前記第１－１回路パターンの前記第１部分の厚さ及び前記第１－２回路パターンの厚さに対応する、請求項４に記載の回路基板。
【請求項6】
前記第１回路パターンは、前記第１絶縁層上に配置された第１－１金属層と、
前記第１－１金属層上に配置された第１－２金属層と、を含み、
前記第１－１回路パターンの前記第１部分の第１－１金属層の厚さは、前記第１－１回路パターンの前記第２部分の第１－１金属層の厚さに対応し、
前記第１－１回路パターンの前記第１部分の第１－２金属層の厚さは、前記第１－１回路パターンの前記第２部分の第１－２金属層の厚さよりも厚い、請求項１から３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項7】
前記第１－１回路パターンの前記第１部分の厚さと前記第２部分の厚さとの差は、前記第１－１金属層の厚さに対応する、請求項６に記載の回路基板。
【請求項8】
前記キャビティの内壁は、前記第１－１回路パターンの上面と連結され、第１傾斜角を有する第１内壁と、
前記第１内壁から延び、前記第１傾斜角とは異なる第２傾斜角を有する第２内壁と、を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項9】
前記第１傾斜角は、前記第２傾斜角よりも大きい、請求項８に記載の回路基板。
【請求項10】
前記第１傾斜角は、１３０度～１６０度の範囲を有し、前記第２傾斜角は、９２度～１３０度の範囲を有する、請求項８に記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
実施例は、回路基板及びこれを含むパッケージ基板に関する。
【背景技術】
【0002】
回路基板は、多様な種類の素子を平板上に密集搭載させるために、各素子の装着位置を確定し、素子を連結する回路パターンを平板の表面に印刷して固定する構造を有する。このような回路基板は、内部に素子が埋め込まれる形態の埋め込み（ｅｍｂｅｄｄｅｄ）構造を有することができる。
【0003】
最近、電子部品の小型化及び多機能を実現するために、回路基板を高密度集積化が可能な多層構造として使用されている。
【0004】
一般に、従来の埋め込み回路基板は、ドリルビット（ｄｒｉｌｌ ｂｉｔ）を用いて素子を内裝するためのキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）を形成したり、素子の安着のために離型フィルムなどの副材料を使用したり、サンドブラスト（ｓａｎｄ ｂｌａｓｔ）を用いて素子を内裝するためのキャビティを形成した。
【0005】
しかし、従来の回路基板に含まれるキャビティは、内壁の傾斜角がキャビティの底面を基準に１５０°以上に形成されており、これにより前記キャビティ内に素子の実装空間を設けるためには、前記内壁の傾斜角を考慮するによって、相対的にキャビティ形成のために必要な空間が大きくなるという問題がある。これにより、従来の回路基板は、回路の集積度が減少し、前記キャビティ形成空間が大きくなることによる回路基板の全体体積が増加するという問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
実施例では、前記キャビティの内壁の傾斜角を改善させることができる回路基板、パッケージ基板、及びその製造方法に関する。
【0007】
また、実施例では、所望の領域に所望の深さのキャビティを形成することができる回路基板、パッケージ基板、及びその製造方法を提供できるようにする。
【0008】
提案される実施例において、解決しようとする技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及していない他の技術的課題は、下記の記載から実施例が属する技術分野における通常の知識を有する者にとって明確に理解されるであろう。
【課題を解決するための手段】
【0009】
実施例に係る回路基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に配置された第１回路パターンと、前記第１絶縁層上に配置され、キャビティを含む第２絶縁層と、を含み、前記第１絶縁層の上面は、前記キャビティと垂直に重ならない第１領域と、前記キャビティと垂直に重なる第２領域と、前記第１領域と第２領域との間の境界領域と、を含み、前記第１回路パターンは、前記第１絶縁層の境界領域上に配置された第１－１回路パターンを含むみ、前記第１－１の回路パターンは、前記キャビティと垂直に重ならない第１部分と、前記第１部分に連結され、前記キャビティと垂直に重なる第２部分と、を含み、前記第１－１回路パターンの第１部分の厚さは、前記第１－１回路パターンの第２部分の厚さと異なる。
【0010】
また、前記第１－１回路パターンの第１部分の厚さは、前記第１－１回路パターンの第２部分の厚さよりも大きい。
【0011】
また、前記第１－１回路パターンの前記第２部分の上面は、前記第１部分の上面よりも低く位置する。
【0012】
また、前記第１回路パターンは、前記第１絶縁層の上面の前記第２領域に配置された第１－２回路パターンを含み、前記第１－２回路パターンの厚さは、前記第１－１回路パターンの前記第１部分の厚さに対応する。
【0013】
また、前記第１回路パターンは、前記第１絶縁層の上面の前記第１領域に配置される第１－３回路パターンを含み、前記第１－３回路パターンの厚さは、前記第１－１回路パターンの前記第１部分の厚さ及び前記第１－２回路パターンの厚さに対応する。
【0014】
また、前記第１回路パターンは、前記第１絶縁層上に配置された第１－１金属層と、前記第１－１金属層上に配置された第１－２金属層と、を含み、前記第１－１回路パターンの前記第１部分の第１－１金属層の厚さは、前記第１－１回路パターンの前記第２部分の第１－１金属層の厚さに対応し、前記第１－１回路パターンの前記第１部分の第１－２金属層の厚さは、前記第１－１回路パターンの前記第２部分の第１－２金属層の厚さよりも厚い。
【0015】
前記第１－１回路パターンの前記第１部分の厚さと前記第２部分の厚さとの差は、前記第１－１金属層の厚さに対応する。
【0016】
また、前記キャビティの内壁は、前記第１－１回路パターンの上面と連結され、第１傾斜角を有する第１内壁と、前記第１内壁から延び、前記第１傾斜角と異なる第２傾斜角を有する第２内壁と、を含む。
【0017】
また、前記第１傾斜角は、前記第２傾斜角よりも大きい。
【0018】
また、前記第１傾斜角は、１３０度～１６０度の範囲を有し、前記第２傾斜角は、９２度～１３０度の範囲を有する。
【0019】
また、前記第２絶縁層の厚さは、５μｍ～２０μｍの範囲を有する。
【0020】
また、前記第２絶縁層は、ＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ Ｃｏａｔｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ）を含む。
【0021】
一方、実施例によるパッケージ基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に配置され、キャビティを含む第２絶縁層と、前記第１絶縁層の上面に配置される第１－１回路パターン及び第１－２回路パターンと、前記第１－２回路パターンの上に配置される接続部と、前記接続部の上に配置される電子素子と、を含み、前記第１絶縁層の上面は、前記第２絶縁層によって覆われる第１領域と、前記第２絶縁層のキャビティを介して露出する第２領域と、前記第１領域と第２領域との間の境界領域と、を含み、前記第１－１回路パターンは、前記境界領域に配置され、前記第１－２回路パターンは、前記第２領域に配置されて、前記キャビティを介して露出し、前記第１－１回路パターンは、前記第２絶縁層に埋め込まれる第１部分と、前記第１部分と連結され、前記キャビティを介して露出する第２部分と、を含み、前記第２部分の厚さは、前記第１部分の厚さよりも薄い。
【0022】
また、前記第１絶縁層の第１領域の上に配置される第１－３回路パターンを含み、前記第１－１回路パターンの前記第１部分の厚さは、前記第１－２回路パターンの厚さ及び前記第１－３回路パターンの厚さに対応する。
【0023】
また、前記第１－１回路パターンは、前記第１絶縁層の上に配置された第１－１金属層と、前記第１－１金属層の上に配置された第１－２金属層と、を含み、前記第１－１回路パターンの前記第１部分の第１－１金属層の厚さは、前記第１－１回路パターンの前記第２部分の第１－１金属層の厚さに対応し、前記第１－１回路パターンの前記第１部分の第１－２金属層の厚さは、前記第１－１回路パターンの前記第２部分の第１－２金属層の厚さよりも厚い。
【0024】
また、前記第１－１回路パターンの前記第１部分の厚さと前記第２部分の厚さとの差は、前記第１－１金属層の厚さに対応する。
【0025】
また、前記キャビティの内壁は、前記第１－１回路パターンの上面と接触し、前記第１傾斜角を有する第１内壁と、前記第１内壁から延び、前記第１傾斜角よりも小さい第２傾斜角を有する第２内壁を含む。
【0026】
また、前記第２絶縁層の厚さは、５μｍ～２０μｍの範囲を有する。
【0027】
また、前記第２絶縁層は、ＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ Ｃｏａｔｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ）を含む。
【0028】
また、前記キャビティ内に配置され、前記電子素子の少なくとも一部を覆うモールディング層を含む。
【0029】
一方、実施例に係る回路基板の製造方法は、第１領域、第２領域、及び前記第１領域と第２領域との間の境界領域を含む第１絶縁層を準備し、前記第１絶縁層の前記第１－第３領域上に、第１－１金属層及び前記第１－１金属層をシード層としてめっきした第１－２金属層を含む第１回路パターンを形成し、前記第１絶縁層の第２領域上に配置された第１回路パターンの上にマスクを形成し、前記第１絶縁層の前記第１領域及び前記境界領域に配置された前記第１回路パターンの第１－１金属層をエッチングして除去し、前記マスクを除去した後、前記第１絶縁層の一面上に第２絶縁層を形成し、前記第２絶縁層の一面上に、第２－１金属層及び前記第２－１金属層の一面上に前記第２－１金属層をシード層としてめっきした第２－２金属層を含む第２回路パターンを形成し、前記第２回路パターンの第２－１金属層のうちキャビティ領域の隣接する第２マスクパターンを除く残りの部分を除去し、前記第２領域の前記第１－１金属層と前記第２マスクパターンを用いて、前記第２絶縁層にキャビティを形成し、前記第２領域の前記第１－１金属層をエッチングして除去することを含み、前記第２絶縁層は、ＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ Ｃｏａｔｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ）を含み、前記第１回路パターンは、前記第１絶縁層の境界領域の上に配置された第１－１の回路パターンと、前記第２領域に形成される第１－２回路パターンと、前記第１領域に形成される第１－３回路パターンと、を含み、前記第１－１回路パターンは、前記第２絶縁層に埋め込まれる第１部分と、前記第１部分と連結され、前記キャビティを介して露出する第２部分と、を含み、前記第２部分の厚さは、前記第１部分の厚さよりも薄い。
【0030】
また、前記第１－１回路パターンの前記第１部分の厚さは、前記第１－２回路パターンの厚さ及び前記第１－３回路パターンの厚さに対応する。
【0031】
また、前記第１－１回路パターンの前記第１部分の前記第１－１金属層の厚さは、前記第１－１回路パターンの前記第２部分の第１－１金属層の厚さに対応し、前記１－１回路パターンの前記第１部分の第１－２金属層の厚さは、前記第１－１回路パターンの前記第２部分の第１－２金属層の厚さよりも厚く、前記第１－１回路パターンの前記第１部分の厚さと前記第２部分の厚さとの差は、前記第１－１金属層の厚さに対応する。
【0032】
また、前記キャビティの内壁は、前記第１－１回路パターンの上面と接触し、前記第１傾斜角を有する第１内壁と、前記第１内壁から延び、前記第１傾斜角よりも小さい第２傾斜角を有する第２内壁を含む。
【発明の効果】
【0033】
実施例では、回路パターンの一部を用いて、絶縁層にキャビティを加工できるようにする。即ち、実施例では、回路パターンの一部をレーザー加工のためのストップ層やマスクとして用いる。これによれば、実施例では、レーザーを用いたキャビティ加工時にストップ層やマスクを別に形成しなくてもよく、これによる工程の簡素化及び製品単価の節減を達成することができる。
【0034】
また、実施例における回路基板のキャビティは、内壁を含む。このとき、前記キャビティの内壁は、第１傾斜角を有する第１部分と、前記第１部分に延びて第２傾斜角を有する第２部分と、を含む。このとき、前記第１傾斜角と前記第２傾斜角は、互いに異なる。言い換えれば、実施例におけるキャビティの内壁は、前記第１部分と前記第２部分との間で傾斜角が変化する変曲点を含むことができる。このとき、前記第１傾斜角と前記第２傾斜角のそれぞれは、前記キャビティを介して露出した第１絶縁層の上面との内角を意味することができる。そして、前記第１傾斜角は、前記第２傾斜角よりも小さくてもよい。好ましくは、実施例における前記キャビティの最外郭部分を構成する前記内壁の第２部分は、第２傾斜角を有し、前記内壁の第１部分は、前記第２傾斜角よりも大きい第１傾斜角を有することができる。上記のような実施例では、前記内壁の第２部分の傾斜角を比較例に比べて減らすことができ、これにより同一素子が配置されるという仮定の下で、比較例に比べてキャビティを形成するのに必要な空間を最小限に抑えることができ、これによる集積度を向上させることができる。言い換えれば、実施例における前記内壁の第２部分の傾斜角を減少させることによって、同じ面積内に比較例に比べてより多くの回路を形成することができ、これによる全体的な回路基板の体積を減少させることができる。
【0035】
また、実施例におけるパッケージ基板は、キャビティ内に配置されるモールディング層を含む。このとき、キャビティの内壁の第１部分及び第２部分は成形層と接触して配置される。このとき、キャビティの内壁の第１部分及び第２部分は、単一の傾斜角ではなく、変曲点に基づいて異なる傾斜角を有してもよい。上記のような実施例のキャビティの構造は、前記モールディング層と接触する表面積を増加させることができ、これによって前記モールディング層と回路基板との間の接合力を向上させることができる。
【0036】
また、実施例では、回路パターンを用いてレーザー加工によるキャビティを形成できるようにする。例えば、レーザーを用いてキャビティを形成するためには、キャビティの下部領域で前記キャビティの深さを決定する第１マスクパターンと、キャビティの上部領域で前記キャビティの周囲を囲んで配置され、前記キャビティの上部幅を決定するための第２マスクパターンを含む。このとき、比較例では、前記第１マスクパターンと第２マスクパターンとを別の金属層を用いて形成した。これとは異なり、実施例では、回路パターンまたは前記回路パターンを形成するために使用したシード層を前記第１マスクパターン及び第２マスクパターンとして用いることができるようにする。このとき、前記第１マスクパターンと第２マスクパターンとは、垂直方向に少なくとも一部が重なる。即ち、比較例における第１マスクパターンと第２マスクパターンとは、垂直方向に重ならないように配置される。これにより、比較例では、レーザー加工時の工程偏差によって前記第２マスクパターンを外れた領域へのレーザー加工が行われ、これにより第１絶縁層の一部が加工されるという問題が発生することができる。これとは異なり、実施例では、上記のように第１マスクパターンと第２マスクパターンとを一部重なるように配置して、キャビティ加工領域に正確にキャビティを加工することができ、これによる信頼性を向上させることができる。
【0037】
また、実施例では、キャビティの下部領域に形成されたストップ層の上面は、段差を有することができる。例えば、前記ストップ層として使用された回路パターンは、第２絶縁層内に配置される第１部分と、前記第１部分から延びて前記キャビティを通して露出する第２部分と、を含むことができる。前記回路パターンの第１部分の厚さと前記第２部分の厚さとは互いに異なることがある。例えば、前記第２部分の厚さは、前記第１部分の厚さよりも薄くてもよい。即ち、前記回路パターンの第２部分は、２段階にわたってエッチングが行われ、これにより他の回路パターンの厚さよりも薄い厚さを有する。以上のように、実施例では、前記キャビティを介して露出した前記回路パターンの第２部分の厚さが他の部分に比べて薄くして、前記第２部分によってキャビティの面積が減少することを防止することができ、これによる信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0038】
【図1a】第１実施例に係る回路基板を示す図である。
【図1b】第２実施例に係る回路基板を示す図である。
【図2c】実施例に係るマスクパターンを含む製品写真を示す図である。
【図3】第１実施例に係るパッケージ基板を示す図である。
【図4】第２実施例に係るパッケージ基板を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0039】
以下、添付した図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
【0040】
但し、本発明の技術思想は、説明される一部の実施例に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現され、本発明の技術思想の範囲内であれば、実施例間のその構成要素のうち一つ以上を選択的に結合、置換して使用することができる。
【0041】
また、本発明の実施例で使用される用語（技術及び科学的用語を含む）は、明らかに特別に定義されて記述されない限り、本発明が属する技術分野において、通常の知識を有する者に一般的に理解される意味として解釈することができ、事前に定義された用語のように一般的に使用される用語は、関連技術の文脈上の意味を考慮して、その意味を解釈できるであろう。また、本発明の実施例で使用される用語は、実施例を説明するためのものであり、本発明を制限するものではない。
【0042】
本明細書において、単数形は、フレーズで特に言及しない限り、複数形も含むことができ、「Ａ及び（と）Ｂ、Ｃのうち少なくとも一つ（または一つ以上）」に記載される場合、Ａ、Ｂ、Ｃに組み合わせることができるすべての組み合わせのうち一つ以上を含むことができる。また、本発明の構成要素を説明するにあたって、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）等の用語を用いることができる。
【0043】
このような用語は、その構成要素を他の構成要素と区別するためのものに過ぎず、その用語により当該構成要素の本質や順番または順序などに限定されない。そして、ある構成要素が他の構成要素に「連結」、「結合」または「接続」されると記載された場合、その構成要素は、その他の構成要素に直接的に連結、結合または連結される場合のみならず、その構成要素とその他の構成要素との間にまた他の構成要素によって「連結」、「結合」または「接続」される場合も含むことができる。
【0044】
また、各構成要素の「上（うえ）または下（した）」に形成または配置されることが記載される場合には、上（うえ）または下（した）は、二つの構成要素が互いに直接接触される場合のみならず、一つ以上の別の構成要素が二つの構成要素の間に形成または配置される場合も含む。また、「上（うえ）または下（した）」で表現される場合、一つの構成要素を基準に上方向のみならず、下側方向の意味も含むことができる。
【0045】
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明すると次の通りである。
【0046】
図１ａは、第１実施例に係る回路基板を示す図であり、図１ｂは、第２実施例に係る回路基板を示す図であり、図２ａは、図１ａのキャビティ領域を拡大した図であり、図２ｂは、図１ｂのキャビティ領域を拡大した図であり、図２ｃは、実施例に係るマスクパターンを含む製品写真を示す図である。
【0047】
図１ａ、図１ｂ、図２ａ、図２ｂ及び図２ｃを参照すると、回路基板１００は、第１絶縁層１１０、第２絶縁層１２０、第３絶縁層１３０、回路パターン１４１、１４１、１４３、１４４、１４５、１４６、１４７、１４８、ビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４、Ｖ５、Ｖ６、Ｖ７、及び保護層１５１、１５２を含む。
【0048】
第１絶縁層１１０は、回路基板１００の中央に配置された絶縁層であり得る。
【0049】
第１絶縁層１１０の上部には、第２絶縁層１２０が配置される。
【0050】
また、前記第１絶縁層１１０の下部には、第３絶縁層１３０が配置される。
【0051】
このとき、図面上には、第１絶縁層１１０が回路基板１００の全体積層構造において、正中央層に配置されるものと示したが、これに限定されない。即ち、前記第１絶縁層１１０は、回路基板１００の全体積層構造において、上部側に偏った位置に配置されることもあり、これとは逆に、下部側に偏った位置に配置されることもある。
【0052】
ここで、図１ａを参照すると、第１絶縁層１１０の上部に第２絶縁層１２０が配置される。このとき、第２絶縁層１２０は、複数の層構造を有する。例えば、第２絶縁層１２０は、前記第１絶縁層１１０の上面の上に配置された第２－１絶縁層１２１と、前記第２－１絶縁層１２１の上面の上に配置された第２－２絶縁層１２２と、前記第２－２絶縁層１２２の上面の上に配置された第２－３絶縁層１２３と、を含むことができる。このとき、図面上には、前記第２絶縁層１２０が３層構造を有するものと示したが、これに限定されない。即ち、第２絶縁層１２０は、２層以下で構成されてもよく、これとは異なり、４層以上の構造を有して構成されてもよい。
【0053】
また、ここで、図１ａを参照すると、第１絶縁層１１０の下部には、第３絶縁層１３０が配置される。このとき、第３絶縁層１３０は、複数の層構造を有する。例えば、第３絶縁層１３０は、前記第１絶縁層１１０の下面の下に配置された第３－１絶縁層１３１と、前記第３－１絶縁層１３１の下面の下に配置された第３－２絶縁層１３２と、前記第３－２絶縁層１３２の下面の下に配置された第３－３絶縁層１３３と、を含むことができる。このとき、図面上には、前記第３絶縁層１３０が３層構造を有するものと示したが、これに限定されない。即ち、第２絶縁層１３０は、２層以下で構成されてもよく、これとは異なり、４層以上の構造を有して構成されてもよい。
【0054】
また、図面上には回路基板１００が絶縁層を基準に７層構造を有するものと示したが、これに限定されない。例えば、回路基板１００は、絶縁層を基準に６層以下の層数を有してもよく、これとは異なり、８層以上の層数を有してもよい。
【0055】
一方、図１ａでは、第２絶縁層１２０及び第３絶縁層１３０が複数の層構造を有するものと説明したが、これに限定されない。例えば、第２絶縁層１２０及び第３絶縁層１３０は、単一層で構成されてもよい。
【0056】
即ち、図１ｂに示すように、第１絶縁層１１０の上面には、１層の第２絶縁層１２０が配置され、第１絶縁層１１０の下面には、１層の第３絶縁層１３０が配置され得る。
【0057】
これにより、図１ａでは、複数の層で構成される第２絶縁層１２０にキャビティ（後述）が形成され、これにより、前記キャビティは、複数の層構造を有することができる。
【0058】
また、図１ｂでは、単一層で構成される第２絶縁層１２０にキャビティが形成され得る。
【0059】
即ち、図１ａにおける第１実施例と図１ｂにおける第２実施例との違いは、第２絶縁層が複数の層で構成されるのか、それとも単一層で構成されるのかにある。また、図１ａにおける第１実施例と、図１ｂにおける第２実施例との違いは、前記第２絶縁層に形成されるキャビティが複数の層を加工して形成されるのか、それとも単一層を加工して形成されるのかにある。
【0060】
言い換えれば、実施例における第２絶縁層１２０は、複数の層で構成されてもよく、これとは異なる単一層で構成されてもよい。そして、複数の層または単一層の第２絶縁層１２０内には、キャビティが形成され得る。
【0061】
第１絶縁層１１０、第２絶縁層１２０、及び第３絶縁層１３０は、配線を変更できる電気回路が編成されている基板であって、表面に回路パターンを形成できる絶縁材料で作られたプリント、配線板、及び絶縁基板をすべて含むことができる。
【0062】
例えば、第１絶縁層１１０は、リジッド（ｒｉｇｉｄ）またはフレキシブル（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）であり得る。例えば、前記第１絶縁層１１０は、ガラスまたはプラスチックを含むことができる。詳細には、前記第１絶縁層１１０は、ソーダライムガラス（ｓｏｄａ ｌｉｍｅ ｇｌａｓｓ）またはアルミノシリケートガラスなどの化学強化／半強化ガラスを含むか、ポリイミドＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリエチレンテレフタレートＰＥＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、プロピレングリコールＰＰＧ（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ）、ポリカーボネート（ＰＣ）などの強化もしくは延性プラスチックを含むか、サファイアを含むことができる。
【0063】
また、前記第１絶縁層１１０は、光等方性フィルムを含むことができる。一例として、前記第１絶縁層１１０は、ＣＯＣ（Ｃｙｃｌｉｃ Ｏｌｅｆｉｎ Ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）、ＣＯＰ（Ｃｙｃｌｉｃ Ｏｌｅｆｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、光等方ポリカーボネートＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）または光等方ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などを含むことができる。
【0064】
また、前記第１絶縁層１１０は、部分的に曲面を有して曲がることがある。即ち、前記第１絶縁層１１０は、部分的には平面を有し、部分的には曲面を有して曲がることがある。詳細には、前記第１絶縁層１１０は、終端が曲面を有して曲がるか、ランダムな曲率を含んだ表面を有して曲がるか、折り曲げられることがある。
【0065】
また、前記第１絶縁層１１０は、柔軟な特性を有するフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）基板であり得る。また、前記第１絶縁層１１０は、カーブド（ｃｕｒｖｅｄ）またはベンデッド（ｂｅｎｄｅｄ）基板であり得る。
【0066】
一方、第２絶縁層１２０及び第３絶縁層１３０は、ＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ Ｃｏａｔｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ）で構成され得る。
【0067】
即ち、第１実施例における複数の層で構成される第２絶縁層１２０及び第３絶縁層１３０のそれぞれは、ＲＣＣで構成され得る。
【0068】
また、第２実施例における第２絶縁層１２０及び第３絶縁層１３０を構成するそれぞれの単一層は、ＲＣＣで構成され得る。
【0069】
これにより、前記第２絶縁層１２０及び第３絶縁層１３０は、５μｍ～２０μｍの厚さを有することができる。例えば、第２絶縁層１２０が複数の層構造を有する場合、前記複数の層のそれぞれの厚さは、５μｍ～２０μｍであり得る。また、前記第２絶縁層１２０が単一層を有する場合、前記単一層の第２絶縁層１２０の厚さは、５μｍ～２０μｍであり得る。
【0070】
即ち、比較例における回路基板を構成する絶縁層は、ガラス繊維を含むプリプレグ（ＰＰＧ）で構成された。このとき、比較例における回路基板は、ＰＰＧを基準にガラス繊維の厚さを減らすことが困難である。これは、前記ＰＰＧの厚さが減少する場合、前記ＰＰＧに含まれたガラス繊維が前記ＰＰＧの表面に配置された回路パターンと電気的に接続されることがあり、これによるクラックリストが誘発されるためである。これにより、比較例における回路基板は、ＰＰＧの厚さを減少させる場合、これによる誘電体破壊及び回路パターンの損傷が発生することがある。これにより、比較例における回路基板は、ＰＰＧを構成するガラス繊維の厚さによって全体の厚さを減少させるのに限界があった。
【0071】
また、比較例における回路基板は、ガラス繊維を含むＰＰＧのみの絶縁層で構成されるため、高い誘電率を有している。しかし、高い誘電率を有する誘電体の場合、高周波代用として接近することが困難であるという問題がある。即ち、比較例における回路基板は、ガラス繊維の誘電率が高いので、高周波帯域で誘電率が破壊される現象が発生するようになる。
【0072】
これにより、実施例では、低誘電率のＲＣＣを用いて絶縁層を構成するようにして、これによる回路基板の厚さを薄くしながら高周波帯域でも信号損失が最小化される信頼性の高い回路基板を提供することができる。
【0073】
一方、実施例における第２絶縁層１２０をＲＣＣで構成することにより、ＰＰＧで構成される比較例に比べて回路基板の厚さを大幅に減少させることができる。これにより、実施例では、低誘電率材料で作られたＲＣＣを用いて比較例に比べて回路基板の厚さを最小５μｍ減らすことができる。
【0074】
但し、ＰＰＧの誘電率である３．０レベルで１０％改善された２．７の低誘電率を有するＲＣＣを用いても、比較例に比べて厚さの減少率は１０％に過ぎない。したがって、実施例では、電子素子などのチップが実装される部分にレーザー加工を通じてキャビティを形成させて最適な回路基板を提供できるようにする。
【0075】
このとき、第１絶縁層１１０、第２絶縁層１２０、及び第３絶縁層１３０の少なくとも一つは、回路設計に基づいて回路部品を接続する電気配線を配線図形で表現し、絶縁物上に電気導体を再現することができる。また、第１絶縁層１１０、第２絶縁層１２０、及び第３絶縁層１３０のうち少なくとも一つは、電気部品を搭載し、これらを回路的に連結する配線を形成することができ、部品の電気的連結機能以外の部品を機械的に固定させることができる。
【0076】
前記第１絶縁層１１０、第２絶縁層１２０、及び第３絶縁層１３０の表面には、回路パターンが配置され得る。例えば、第２絶縁層１２０が単一層で構成される場合、前記単一層の第２絶縁層１２０の上面には、回路パターン１４３が配置され得る。
【0077】
また、第２絶縁層１２０が複数の層で構成される場合、第１絶縁層１１０の上面には、第１回路パターン１４１が配置され得る。このとき、第１回路パターン１４１は、互いに一定の間隔で離隔して前記第１絶縁層１１０の下面に複数個配置され得る。
【0078】
第１絶縁層１１０の下面には、第２回路パターン１４２が配置され得る。第２回路パターン１４２は、互いに一定の間隔で離隔して前記第１絶縁層１１０の下面に複数個配置され得る。
【0079】
また、第２絶縁層１２０の表面にも回路パターンが配置され得る。例えば、第２－１絶縁層１２１の上面には互いに一定の間隔で離隔して複数の第３回路パターン１４３が配置され得る。また、第２－２絶縁層１２２の上面には、互いに一定の間隔で離隔して複数の第４回路パターン１４４が配置され得る。また、第２－３絶縁層１２３の上面には、互いに一定の間隔で離隔して複数の第５回路パターン１４５が配置され得る。
【0080】
また、第３絶縁層１３０の表面にも回路パターンが配置され得る。例えば、第３絶縁層１３０が単一層で構成された場合、前記単一層の第３絶縁層１３０の下面には、第６回路パターン１４６が配置され得る。
【0081】
また、第３絶縁層１３０が複数の層で構成された場合、第３－１絶縁層１３１の下面には、互いに一定の間隔で離隔して複数の第６回路パターン１４６が配置され得る。また、第３－２絶縁層１３２の下面には、互いに一定の間隔で離隔して複数の第７回路パターン１４７が配置され得る。また、第３－３絶縁層１３３の下面には、互いに 一定の間隔で離隔して複数の第８回路パターン１４８が配置され得る。
【0082】
一方、上記のような第１－第８回路パターン１４１、１４２、１４３、１４４、１４５、１４６、１４７、１４８は 、電気信号を伝達する配線であって、電気伝導性の高い金属物質で形成され得る。このために、前記第１－第８回路パターン１４１、１４２、１４３、１４４、１４５、１４６、１４７、１４８は 、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、スズ（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）、及び亜鉛（Ｚｎ）のうちから選択される少なくとも一つの金属物質で形成され得る。また、前記第１－第８回路パターン１４１、１４２、１４３、１４４、１４５、１４６、１４７、１４８は 、ボンディング力に優れた金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ） 、錫（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）、及び亜鉛（Ｚｎ）のうちから選択される少なくとも一つの金属物質を含むペーストまたはソルダペーストで形成され得る。好ましくは、前記第１－第８回路パターン１４１、１４２、１４３、１４４、１４５、１４６、１４７、１４８は 、電気伝導性が高く、かつ価格が比較的安価な銅（Ｃｕ）で形成され得る。
【0083】
前記第１－第８回路パターン１４１、１４２、１４３、１４４、１４５、１４６、１４７、１４８は、通常のプリント回路基板の製造工程であるアディティブ工法（Ａｄｄｉｔｉｖｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）、サブトラクティブ工法（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、及びＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）工法などで可能であり、ここでは、詳細な説明は省略する。
【0084】
前記第１回路パターン１４１は、位置に応じて大きく３つのパターンに区分され得る。
【0085】
例えば、前記第１回路パターン１４１は、第１－１回路パターンを含むことができる。前記第１回路パターン１４１は、以下で説明される第１マスクパターン１４１ｂを意味することができる。即ち、前記第１－１回路パターンは、一部が第２絶縁層１２０に埋め込まれ、残りの一部がキャビティ１６０を介して露出し得る。即ち、前記第１－１回路パターンの上面は、段差を有することができる。即ち、前記第１－１回路パターンは、前記キャビティ１６０が形成される境界領域に位置することができる。以下では、前記第１－１回路パターンを第１マスクパターン１４１ｂとして説明する。
【0086】
また、前記第１回路パターン１４１は、第１－２回路パターンを含むことができる。前記第１－２回路パターンは、前記キャビティ１６０を介して露出し得る。即ち、前記第１－２回路パターンは、前記キャビティ１６０が形成された領域に形成され得る。前記第１－２回路パターンは、パッド１４１ａとも言える。以下では、前記第１－２回路パターンをパッド１４１ａとして説明する。
【0087】
また、前記第１回路パターン１４１は、第１－３回路パターンを含むことができる。前記第１－３回路パターンは、前記第１絶縁層１１０の上面に配置され、前記第２絶縁層１２０によって覆われ得る。
【0088】
言い換えれば、第１回路パターン１４１は、配置位置に応じて第１－１－第１－３回路パターンを含む。前記第１－２回路パターンは、前記第１絶縁層１１０の上面のうちキャビティ１６０と垂直に重なる領域に形成され得る。そして、前記第１－３回路パターンは、前記第１絶縁層１１０の上面のうち前記キャビティ１６０と垂直に重ならない領域に形成され得る。そして、前記第１－１回路パターンは、前記キャビティ１６０の内壁と垂直に重なることがある。したがって、前記第１－１回路パターンの一部は、前記キャビティ１６０と垂直に重なり、残りの一部は、前記キャビティ１６０と垂直に重ならないことがある。
【0089】
以下では、前記第１－１回路パターン及び第１－２回路パターンに対応する第１マスクパターン１４１ｂ及びパッド１４１ａについて具体的に説明する。
【0090】
第１回路パターン１４１は、第１絶縁層１１０の上面に配置されて、キャビティ１６０と垂直に重なるパッド１４１ａを含むことができる。前記パッド１４１ａは、前記キャビティ１６０内に実装される電子素子（後述）と電気的に連結され得る。例えば、パッド１４１ａは、前記キャビティ１６０内に実装される電子素子とワイヤを介して連結されるワイヤボンディングパッドであり得る。これとは異なり、パッド１４１ａは、前記キャビティ１６０内に実装される電子素子の端子に直接連結されるフリップチップボンディングパッドであり得る。これについては、以下でより詳細に説明する。
【0091】
また、前記第１回路パターン１４１は、前記第１絶縁層１１０の上面に配置され、部分的に前記キャビティ１６０と垂直に重なる第１マスクパターン１４１ｂを含むことができる。例えば、前記第１マスクパターン１４１ｂの一部は、第２絶縁層１２０で覆われ得る。
【0092】
前記第１マスクパターン１４１ｂは、前記キャビティ１６０と垂直に重ならない（例えば、第２絶縁層１２０で覆われる）第１部分１４１ｂ－１及び前記キャビティ１６０と垂直に重なる（例えば、キャビティを通して露出する）第２部分１４１ｂ－２を含むことができる。
【0093】
そして、前記第１マスクパターン１４１ｂの前記第１部分１４１ｂ－１及び第２部分１４１ｂ－２は、互いに異なる厚さを有することができる。例えば、前記第１マスクパターン１４１ｂの第１部分１４１ｂ－１の厚さは、前記第２部分１４１ｂ－２の厚さよりも大きくてもよい。即ち、前記第１マスクパターン１４１ｂの第１部分１４１ｂ－１は、１回のエッチングによって形成され得る。また、前記第１マスクパターン１４１ｂの第２部分１４１ｂ－２は、２回のエッチングによって形成され得る。これにより、前記第１マスクパターン１４１ｂの第２部分１４１ｂ－２は、前記第１部分１４１ｂ－１に比べて追加のエッチングが行われることによる薄い厚さを有することができる。
【0094】
したがって、前記第１マスクパターン１４１ｂの上面は、段差を有することができる。そして、前記キャビティ１６０を介して露出する前記第１マスクパターン１４１ｂの第２部分１４１ｂ－２は、前記第１部分１４１ｂ－１に比べて薄い厚さを有するので、前記キャビティ１６０における電子素子の実装に影響を与えない。これにより、実施例では、前記第１マスクパターン１４１ｂを含む構造でも信頼性を向上させることができる。
【0095】
前記第１マスクパターン１４１ｂについては、以下でより具体的に説明する。
【0096】
一方、第１－第８回路パターン１４１、１４２、１４３、１４４、１４５、１４６、１４７、１４８は、それぞれ層間導通のためのビアと連結されるパターンと、信号伝達のためのパターンと、電子素子などと連結されるパッドと、を含むことができる。
【0097】
第１絶縁層１１０、第２絶縁層１２０、及び第３絶縁層１３０には、互いに異なる層に配置された回路パターンを相互電気的に連結するビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４、Ｖ５、Ｖ６、Ｖ７が配置され得る。ビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４、Ｖ５、Ｖ６、Ｖ７は、前記第１絶縁層１１０、第２絶縁層１２０、及び第３絶縁層１３０のうち少なくともいずれか一つを貫通して配置され得る。そして、ビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４、Ｖ５、Ｖ６、Ｖ７の両端は、互いに異なる絶縁層に配置された回路パターンとそれぞれ連結され、それによって電気信号を伝達することができる。
【0098】
第１絶縁層１１０には、第１ビアＶ１が配置され得る。第１ビアＶ１は、前記第１絶縁層１１０の上面及び下面を貫通して配置され得る。第１ビアＶ１は、第１絶縁層１１０の上面に配置された第１回路パターン１４１と前記第１絶縁層１１０の下面に配置された第２回路パターン１４２とを電気的に連結することができる。
【0099】
第２絶縁層１２０には、複数のビアが配置され得る。即ち、第２－１絶縁層１２１には、第２ビアＶ２が配置され得る。第２ビアＶ２は、第１絶縁層１１０の上面に配置された第１回路パターン１４１と前記第２－１絶縁層１２１の上面に配置された第３回路パターン１４３とを電気的に連結することができる。
【0100】
また、前記第２－２絶縁層１２２には、第３ビアＶ３が配置され得る。第３ビアＶ３は、前記第２－２絶縁層１２２の上面に配置された第４回路パターン１４４と、前記第２－１絶縁層１２１の上面に配置された第３回路パターン１４３を電気的に連結することができる。
【0101】
また、前記第２－３絶縁層１２３には、第４ビアＶ４が配置され得る。第４ビアＶ４は、前記第２－３絶縁層１２３の上面に配置された第５回路パターン１４５と前記第２－２絶縁層１２２の上面に配置された第４回路パターン１４４とを電気的に連結することができる。
【0102】
また、第２絶縁層１２０が単一層で構成される場合、単一層の第２絶縁層１２０には、第２ビアＶ２のみが配置され得る。
【0103】
第３絶縁層１３０には、複数のビアが配置され得る。即ち、第３－１絶縁層１３１には、第５ビアＶ５が配置され得る。第５ビアＶ５は、第１絶縁層１１０の下面に配置された第２回路パターン１４２と前記第３－１絶縁層１３１の下面に配置された第６回路パターン１４６とを電気的に連結することができる。
【0104】
また、第３－２絶縁層１３２には、第６ビアＶ６が配置され得る。第６ビアＶ６は、前記第３－２絶縁層１３２の下面に配置された第７回路パターン１４７と前記第３－１絶縁層１３１の下面に配置された第６回路パターン１４６とを電気的に連結することができる。
【0105】
また、第３－３絶縁層１３３には、第７ビアＶ７が配置され得る。第７ビアＶ７は、前記第３－３絶縁層１３３の下面に配置された第８回路パターン１４８と前記第３－２絶縁層１３２の下面に配置された第７回路パターン１４７とを電気的に連結することができる。
【0106】
また、第３絶縁層１３０が単一層で構成された場合、単一層の第３絶縁層１３０には、第５ビアＶ５のみが配置され得る。
【0107】
一方、前記ビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４、Ｖ５、Ｖ６、Ｖ７は、前記第１絶縁層１１０、第２絶縁層１２０、及び第３絶縁層１３０のうちいずれか一つの絶縁層のみを貫通することができ、これとは異なり、複数の絶縁層を共通に貫通して配置され得る。これにより、前記ビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４、Ｖ５、Ｖ６、Ｖ７は、互いに隣接する絶縁層ではなく、少なくとも２層以上離隔した絶縁層の表面上に配置された回路パターンを互いに連結することもできる。
【0108】
一方、前記ビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４、Ｖ５、Ｖ６、Ｖ７は、前記複数の絶縁層のうち少なくとも一つの絶縁層を貫通する貫通孔（図示せず）の内部を導電性物質で充填して形成することができる。
【0109】
前記貫通孔は、機械、レーザー及び化学加工のうちいずれか一つの加工方式によって形成され得る。前記貫通孔が機械加工によって形成される場合には、ミーリング（Ｍｉｌｌｉｎｇ）、ドリル（Ｄｒｉｌｌ）、及びルーティング（Ｒｏｕｔｉｎｇ）などの方式を用いることができ、レーザー加工によって形成される場合には、ＵＶやＣＯ２レーザー方式を用いることができ、化学加工によって形成される場合には、アミノシラン、ケトン類などを含む薬品を用いて前記複数の絶縁層のうち少なくとも一つの絶縁層を開放することができる。
【0110】
一方、前記レーザーによる加工は、光学エネルギーを表面に集中させて材料の一部を溶かして蒸発させて、所望の形状をとる切断方法であって、コンピュータプログラムによる複雑な形成も容易に加工することでき、他の方法では切断しにくい複合材料も加工することができる。
【0111】
また、前記レーザーによる加工は、切断直径が最小０．００５ｍｍまで可能であり、加工可能な厚さの範囲が広いという長所がある。
【0112】
前記レーザー加工ドリルとしては、ＹＡＧ（Ｙｔｔｒｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｇａｒｎｅｔ）レーザー－やＣＯ２レーザー－や紫外線（ＵＶ）レーザー－を用いることが好ましい。ＹＡＧレーザーは、銅箔層及び絶縁層の両方とも加工できるレーザーであり、ＣＯ２レーザーは、絶縁層のみ加工できるレーザーである。
【0113】
前記貫通孔が形成されると、前記貫通孔の内部を導電性物質で充填して前記ビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４、Ｖ５、Ｖ６、Ｖ７を形成することができる。前記ビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４、Ｖ５、Ｖ６、Ｖ７を形成する金属物質は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びとパラジウム（Ｐｄ）のうちから選択されるいずれか一つの物質であり得、前記導電性物質の充填は、無電解めっき、電解めっき、スクリーン印刷（Ｓｃｒｅｅｎ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ）、スパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、蒸発法（Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、インクジェットティング、及びディスフェンシングのうちいずれか一つ、またはこれらの組み合わせた方式を用いることができる。
【0114】
一方、第１絶縁層１１０、第２絶縁層１２０、及び第３絶縁層１３０のうち最外郭に配置された絶縁層の表面には、保護層１５１、１５２が配置され得る。例えば、複数の絶縁層のうち最上部に配置された絶縁層の上面には、第１保護層１５１が配置され得る。例えば、第２絶縁層１２０の最上部に配置された第２－３絶縁層１２３の上面には、第１保護層１５１が配置され得る。また、複数の絶縁層のうち最下部に配置された絶縁層の下面には、第２保護層１５２が配置され得る。例えば、第３絶縁層１３０の最下部に配置された第３－３絶縁層１３３の下面には、第２保護層１５２が配置され得る。
【0115】
また、第２絶縁層１２０及び第３絶縁層１３０がそれぞれ単一層で構成された場合、前記第１保護層１５１は、第２絶縁層１２０の上面に配置されることがあり、第２保護層１５２は、第３絶縁層１３０の下面に配置され得る。
【0116】
前記第１保護層１５１及び第２保護層１５２は、それぞれ開口部を有することができる。例えば、第１保護層１５１は、第２－３絶縁層１２３の上面に配置された第５回路パターン１４５のうち露出すべき第５回路パターンの表面を露出する開口部を有することができる。
【0117】
また、第２保護層１５２は、第３－３絶縁層１３３の下面に配置された第８回路パターン１４８のうち露出すべき第８回路パターンの表面を露出する開口部を有することができる。
【0118】
このような第１保護層１５１及び第２保護層１５２は、絶縁性物質を含むことができる。第１保護層１５１及び第２保護層１５２は、回路パターンの表面を保護するために塗布された後に加熱して硬化できる多様な物質を含むことができる。前記第１保護層１５１及び第２保護層１５２は、レジスト（ｒｅｓｉｓｔ）層であり得る。例えば、第１保護層１５１及び第２保護層１５２は、有機高分子物質を含むソルダーレジスト層であり得る。一例として、前記第１保護層１５１及び第２保護層１５２は、エポキシアクリレート系の樹脂を含むことができる。詳細には、第１保護層１５１及び第２保護層１５２は、樹脂、硬化剤、光開始剤、顔料、溶媒、フィラー、添加剤、アクリル系のモノマーなどを含むことができる。但し、実施例はこれに限定されず、前記第１保護層１５１及び第２保護層１５２は、フォトソルダーレジスト層、カバーレイ（ｃｏｖｅｒ－ｌａｙ）、及び高分子物質のうちいずれか一つであり得ることは言うまでもない。
【0119】
前記第１保護層１５１及び第２保護層１５２の厚さは、１μｍ～２０μｍであり得る。前記第１保護層１５１及び第２保護層１５２の厚さは、１μｍ～１５μｍであり得る。例えば、前記第１保護層１５１及び第２保護層１５２の厚さは、５μｍ～２０μｍであり得る。前記第１保護層１５１及び第２保護層１５２の厚さが２０μｍを超える場合には、回路基板１００の厚さが増加することがある。前記第１保護層１５１及び第２保護層１５２の厚さが１μｍ未満の場合には、回路基板１００に含まれた回路パターンの信頼性が低下することがある。
【0120】
一方、第２絶縁層１２０には、キャビティ１６０が形成され得る。このとき、前記 キャビティ１６０は、複数の層で構成される第２絶縁層１２０を共通にオープンして形成され得る。
【0121】
即ち、第１実施例におけるキャビティ１６０は、前記第２絶縁層１２０に配置される。即ち、キャビティ１６０は、第２－１絶縁層１２１、第２－２絶縁層１２２、及び第２－３絶縁層１２３内に形成される。また、第２実施例におけるキャビティ１６０は、１層で構成される第２絶縁層１２０をオープンして形成され得る。
【0122】
以下では、第１実施例と同様に、複数の層で構成される第２絶縁層１２０内に形成されるキャビティの構造について先ず説明する。
【0123】
実施例におけるキャビティ１６０は、前記第２－１絶縁層１２１、前記第２－２絶縁層１２２、及び前記第２－３絶縁層１２３をオープンして形成され得る。
【0124】
これにより、キャビティ１６０と垂直に重なる領域における第１絶縁層１１０の上面は、前記キャビティ１６０を介して露出し得る。
【0125】
即ち、キャビティ１６０は、第２－１絶縁層１２１をオープする第１パートＰ１と、第２－２絶縁層１２２をオープする第２パートＰ２と、第２－３絶縁層１２３をオープする第３パートＰ３を含むことができる。ここで、実施例における第２絶縁層１２２が３層構造を有するにより、前記キャビティ１６０が第１－第３パートＰ１、Ｐ２、Ｐ３で構成されるものと示したが、これに限定されない。例えば、第２絶縁層１２０が２層構造を有する場合、前記キャビティ１６０は、第１及び第２パートのみを含むことができる。例えば、前記第２絶縁層１２２が５層構造を有する場合、前記キャビティ１６０は、第１－第５パートを含むことができる。
【0126】
前記第２－１絶縁層１２１は、第１厚さＴ１を有することができる。ここで、前記第２－１絶縁層１２１が有する第１厚さＴ１は、前記第２－１絶縁層１２１の下面から上面までの高さを意味することができる。
【0127】
前記第２－１絶縁層１２１の第１厚さＴ１は、５μｍ～２０μｍであり得る。例えば、前記第２－１絶縁層１２１の第１厚さＴ１は、１層のＲＣＣで構成される第２－１絶縁層１２１の厚さに対応し、これにより５μｍ～２０μｍ の厚さを有することができる。
【0128】
実施例におけるパッド１４１ａは、第２厚さＴ２を有することができる。前記パッド１４１ａの第２厚さＴ２は、前記第２－１絶縁層１２１の第１厚さＴ１よりも小さくてもよい。例えば、前記パッド１４１ａの第２厚さＴ２は、５μｍ～１０μｍであり得る。
【0129】
【0130】
前記キャビティ１６０の内壁Ｓ１、Ｓ２は、一定の表面粗さを有することができる。このとき、前記キャビティ１６０の内壁Ｓ１、Ｓ２が有する表面粗さは、追加の工程によって形成されるものではない。例えば、前記キャビティ１６０の内壁Ｓ１、Ｓ２が有する表面粗さは、前記キャビティ１６０を形成する工程で行われるレーザー工程によって形成され得る。
【0131】
一方、キャビティ１６０の内壁は、複数の部分に区分され得る。例えば、キャビティ１６０の内壁は、下側（例えば、第１絶縁層の上面と隣接する部分）から第１内壁Ｓ２及び第２内壁Ｓ１に区分され得る。このとき、第１内壁Ｓ２及び第２内壁Ｓ１のそれぞれの傾斜角は、互いに異なってもよい。
【0132】
前記第１内壁Ｓ２及び前記第２内壁Ｓ１は、レーザー工程及びデスミア工程を通じて形成された部分であり、これに対応する表面粗さを有することができる。
【0133】
一方、実施例では、ガウスビームを用いて前記キャビティ１６０を形成する。このとき、前記キャビティ１６０の最外郭の部分は、前記ガウスビームの中心点を用いて加工を行う。即ち、前記ガウスビームの中心点は、最も大きい強度のレーザーが発生され、これにより、前記最外郭部分におけるキャビティ１６０の内壁の傾斜角は、比較例に比べて小さくてもよい。
【0134】
言い換えれば、キャビティ１６０の内壁は、下側から第１内壁Ｓ２と第２内壁Ｓ１とが互いに連結される形態を有することができる。前記キャビティ１６０の前記第１内壁Ｓ２は、第１絶縁層１１０の上面に配置される回路パターンと連結され得る。例えば、前記キャビティ１６０の第１内壁Ｓ２は、前記第１絶縁層１１０の上面に配置された第１マスクパターン１４１ｂと連結され得る。このとき、前記第１内壁Ｓ２は、前記第１マスクパターン１４１ｂの第１部分１４１ｂ－１と第２部分１４１ｂ－２との間の境界領域から上側方向に連結され得る。
【0135】
前記キャビティ１６０の第１内壁Ｓ２は、第１傾斜角θ２を有することができる。例えば、前記キャビティ１６０の第１内壁Ｓ２が有する第１傾斜角θ２は、基準面ＢＳに対して、前記第１内壁Ｓ２の一端Ｅ１と他端Ｅ３とを連結する仮想の直線の傾斜角を意味することができる。一例として、前記基準面ＢＳは、前記第１絶縁層１１０の上面であり得るが、これに限定されない。
【0136】
また、前記キャビティ１６０の第２内壁Ｓ１は、第２傾斜角θ１を有することができる。例えば、前記キャビティ１６０の第２内壁Ｓ１が有する第２傾斜角θ１は、前記第１内壁Ｓ２が有する第１傾斜角θ２よりも小さくてもよい。前記第２内壁Ｓ１が有する第２傾斜角θ１は、前記第２内壁Ｓ１の一端Ｅ２と他端Ｅ１とを連結する仮想の直線の傾斜角を意味することができる。
【0137】
即ち、前記キャビティ１６０の内壁の第２内壁Ｓ１は、ガウスビームの中心点を用いて加工された部分であり、これにより、前記第１内壁Ｓ２が有する前記第１傾斜角θ２よりも小さい第２傾斜角θ１を有することができる。
【0138】
前記キャビティ１６０の内壁の第１内壁Ｓ２が有する第１傾斜角θ２は、１３０度～１６０度の範囲を有することができる。また、前記キャビティ１６０の第２内壁Ｓ１が有する第２傾斜角θ１は、前記第１内壁Ｓ２の第１傾斜角θ２よりも小さい９２度～１３０度の範囲を有することができる。
【0139】
以上のように、実施例では、前記キャビティ１６０の最外郭部分を形成する際に、ガウスビームの中心点を用いて比較例に比べて小さい傾斜角を有するように形成することができ、これにより、前記キャビティ１６０が占める全体領域を減らすことができる。
【0140】
言い換えれば、実施例におけるキャビティ１６０の内壁は、変曲点を有することができる。例えば、実施例におけるキャビティ１６０の内壁は、変曲点Ｅ１を含むことができる。
【0141】
そして、実施例におけるキャビティ１６０は、変曲点Ｅ１を中心に第１傾斜角θ２を有する第１内壁Ｓ２と第２傾斜角を有する第２内壁Ｓ１とが区分され得る。
【0142】
また、前記変曲点Ｅ１の高さは、パッド１４１ａの上面よりも高く位置しつつ、前記第２－１絶縁層１２１の上面よりも低く位置することができる。
【0143】
上記のように実施例では、キャビティ１６０を形成する際、キャビティ１６０の最外郭部分の第２内壁Ｓ１は、第２傾斜角θ１を有するようにし、前記第２内壁Ｓ１と会う第１内壁Ｓ２は、第１傾斜角θ２を有するようにする。
【0144】
これは、回路パターンの一部である第１マスクパターン１４１ｂをストップ層として使用して前記前記キャビティ１６０を形成しながら、さらにガウスビームの中心点を用いて前記キャビティ１６０の最外郭部分を加工することによって実現され得る。これにより、前記キャビティ１６０の最外郭部分の傾斜角を比較例に比べて減少させることによって、キャビティ形成のために必要な空間を大幅に減少させることができる。
【0145】
これにより、実施例におけるキャビティ１６０は、前記第２内壁Ｓ１を含む第１領域Ｒ１、前記第１内壁Ｓ２を含む第２領域Ｒ２、及びこれ以外の第３領域Ｒ３を含むことができる。
【0146】
第２領域Ｒ２に対応するキャビティ１６０の内壁の第１内壁Ｓ２は、前記キャビティ１６０の第３領域Ｒ３の終端である第１部分Ｓ３から第２傾斜角θ２を有しながら上側方向に延びることができる。
【0147】
そして、前記第１領域Ｒ１に対応する前記第２内壁Ｓ１は、第３傾斜角θ１を有しながら、前記第１内壁Ｓ２から上側方向に延びることができる。
【0148】
一方、実施例における前記キャビティ１６０には、第１マスクパターン１４１ｂの少なくとも一部が露出し得る。前記第１マスクパターン１４１ｂは、前記キャビティ１６０領域を囲んで配置され得る。例えば、前記第１マスクパターン１４１ｂは、前記キャビティ１６０が形成された領域を囲む閉ループ形状を有することができる。
【0149】
このとき、前記第１マスクパターン１４１ｂは、前記第２絶縁層１２０内に配置される第１部分１４１ｂ－１と前記キャビティ１６０を介して露出する第２部分１４１ｂ－２とを含むことができる。
【0150】
前記第１マスクパターン１４１ｂの第１部分１４１ｂ－１は、第２厚さＴ２を有することができる。前記第１マスクパターン１４１ｂの前記第１部分１４１ｂ－１が有する第２厚さＴ２は、前記第２－１絶縁層１２１の第１厚さＴ１よりも小さくてもよい。例えば、前記第１マスクパターン１４１ｂの第１部分１４１ｂ－１の第２厚さＴ２は、５μｍ～１０μｍであり得る。
【0151】
前記第１マスクパターン１４１ｂの第２部分１４１ｂ－２は、第３厚さＴ３を有することができる。前記第１マスクパターン１４１ｂの第２部分１４１ｂ－２が有する第３厚さＴ２は、前記第１部分１４１ｂ－１が有する第２厚さＴ２よりも小さくてもよい。例えば、前記第１マスクパターン１４１ｂの第２部分１４１ｂ－２の第３厚さＴ３は、４μｍ～８μｍであり得る。
【0152】
即ち、実施例における前記第１マスクパターン１４１ｂの第２部分１４１ｂ－２は、２段階に区分されるシード層のエッチングによる２回エッチングにより形成された部分である。そして、前記第２部分１４１ｂ－２の第３厚さＴ３は、前記第１部分１４１ｂ－１の第２厚さＴ２に比べてシード層が有する厚さ分だけ薄くてもよい。
【0153】
具体的には、実施例に含まれる第１～第８回路パターン１４１、１４２、１４３、１４４、１４５、１４６、１４７、１４８は、それぞれ２層構造を有することができる。
【0154】
例えば、前記第１～第８回路パターン１４１、１４２、１４３、１４４、１４５、１４６、１４７、１４８は、それぞれ第１金属層１４０ａ及び第２金属層１４０ｂを含むことができる。
【0155】
前記第１金属層１４０ａは、それぞれの絶縁層の一面に配置され得る。例えば、第１回路パターン１４１を構成する第１金属層１４０ａは、第１絶縁層１１０の上面と直接接触し、前記第１絶縁層１１０の上面の上に配置され得る。前記第１金属層１４０ａは、化学銅めっき層であり得る。例えば、前記第１金属層１４０ａは、無電解めっき層であり得る。前記第１金属層１４０ａは、前記第２金属層１４０ｂを電解めっきするためのシード層であり得る。前記第２金属層１４０ｂは、前記第１金属層１４０ａをシード層として電解めっきして形成した電解めっき層であり得る。前記第２金属層１４０ｂは、前記第１金属層１４０ａの厚さよりも大きくてもよい。前記第１金属層１４０ａが有する厚さは、前記第１金属層１４０ａのめっき方式によって変わることがある。例えば、化学銅めっき層は、厚さに応じてヘビー銅めっき（Ｈｅａｖｙ Ｃｏｐｐｅｒ、２μｍ以上）、ミディアム銅めっき（Ｍｅｄｉｕｍ Ｃｏｐｐｅｒ、１～２μｍ）、ライト銅めっき（Ｌｉｇｈｔ Ｃｏｐｐｅｒ、１μｍ以下）にそれぞれ区分され得る。このとき、実施例における第１金属層１４０ａは、ミディアム銅めっきまたはライト銅めっきで０．５μｍ～１．５μｍを満たす厚さを有することができる。前記第２金属層１４０ｂは、８．５μｍ～１３．５μｍの範囲を有することができる。これにより、第１～第８の回路パターン１４１、１４２、１４３、１４４、１４５、１４６、１４７、１４８のそれぞれは、１０μｍ～１４μｍの範囲を有することができる。
【0156】
そして、前記第１マスクパターン１４１ｂの第１部分１４１ｂ－１の第２厚さＴ２は、前記回路パターンの厚さである１０μｍ～１４μｍの範囲を有することができる。但し、前記第１マスクパターン１４１ｂの第２部分１４１ｂ－２の第３厚さＴ３は、前記第１部分１４１ｂ－１において、前記第１金属層１４０ａが有する厚さ分だけ薄くてもよい。
【0157】
これは、前記第１マスクパターン１４１ｂの第１部分１４１ｂ－１は、１回のシード層のエッチングで形成され、第２部分１４１ｂ－２が２回のシード層のエッチングによって形成される。これにより、第２部分１４１ｂ－２は、第１部分１４１ｂ－２よりもシード層に対応する第１金属層１４０ａの厚さだけ薄く形成され得る。
【0158】
一方、第２実施例と同様に、キャビティは、単一層で構成された第２絶縁層１２０に形成され得る。
【0159】
単一層の第２絶縁層１２０には、キャビティ１６０が形成され得る。このとき、前記キャビティ１６０は、第２絶縁層１２０をオープして形成され得る。これにより、キャビティ１６０と垂直に重なる領域における第１絶縁層１１０の上面は、露出し得る。
【0160】
即ち、キャビティ１６０は、第２絶縁層１２０に形成された１つのパートのみを含むことができる。前記第２絶縁層１２０は、第１厚さＴ１を有することができる。ここで、前記第２絶縁層１２０が有する第１厚さＴ１は、１層の前記第２絶縁層１２０の下面から上面までの高さを意味することができる。
【0161】
したがって、第２実施例におけるキャビティの形状は、実質的に第１実施例におけるキャビティの形状に対応することができ、これによ、これについての詳細な説明は省略する。
【0162】
一方、実施例における前記キャビティ１６０の内壁の第１内壁Ｓ２及び第２内壁Ｓ１は、キャビティ加工時に行われるレーザービームの移動ピッチによってこれらの比率が互いに変わることがあり、前記レーザービームの移動ピッチを調節することにより、第１内壁Ｓ２と第２内壁Ｓ１との長さ比を１：９～９：１に調節可能である。
【0163】
実施例では、前記絶縁層の表面に回路パターンの一部を使用して、レーザーを通じた絶縁層内のキャビティを加工することができる。即ち、実施例では、回路パターンの一部をレーザー加工のためのストップ層やマスクとして使用する。これによれば、実施例では、レーザーを用いたキャビティ加工時にストップ層やマスクを別に形成しなくてもよく、これによる工程の簡素化及び製品単価の節減を達成することができる。
【0164】
また、実施例における回路基板のキャビティは、内壁を含む。このとき、前記キャビティの内壁は、第１傾斜角を有する第１部分と、前記第１部分に延びて第２傾斜角を有する第２部分と、を含む。このとき、前記第１傾斜角と前記第２傾斜角は、互いに異なる。言い換えれば、実施例におけるキャビティの内壁は、前記第１部分と前記第２部分との間で傾斜角が変化する変曲点を含むことができる。このとき、前記第１傾斜角と前記第２傾斜角のそれぞれは、前記キャビティを介して露出した第１絶縁層の上面との内角を意味することができる。そして、前記第１傾斜角は、前記第２傾斜角よりも小さくてもよい。好ましくは、実施例における前記キャビティの最外郭部分を構成する前記内壁の第２部分は、第２傾斜角を有し、前記内壁の第１部分は、前記第２傾斜角よりも大きい第１傾斜角を有することができる。上記のような実施例では、前記内壁の第２部分の傾斜角を比較例に比べて減らすことができ、これにより同一素子が配置されるという仮定の下で、比較例に比べてキャビティを形成するのに必要な空間を最小限に抑えることができ、これによる集積度を向上させることができる。言い換えれば、実施例における前記内壁の第２部分の傾斜角を減少させることによって、同じ面積内に比較例に比べてより多くの回路を形成することができ、これによる全体的な回路基板の体積を減少させることができる。
【0165】
また、実施例におけるパッケージ基板は、キャビティ内に配置されるモールディング層を含む。このとき、前記キャビティの内壁の第１部分及び第２部分は成形層と接触して配置される。このとき、前記キャビティの内壁の第１部分及び第２部分は、単一の傾斜角ではなく、変曲点に基づいて異なる傾斜角を有してもよい。上記のような実施例のキャビティの構造は、前記モールディング層と接触する表面積を増加させることができ、これによって前記モールディング層と回路基板との間の接合力を向上させることができる。
【0166】
また、実施例では、回路パターンを用いてレーザー加工によるキャビティを形成できるようにする。例えば、レーザーを用いてキャビティを形成するためには、キャビティの下部領域で前記キャビティの深さを決定する第１マスクパターンと、キャビティの上部領域で前記キャビティの周囲を囲んで配置され、前記キャビティの上部幅を決定するための第２マスクパターンを含む。このとき、比較例では、前記第１マスクパターンと第２マスクパターンとを別の金属層を用いて形成した。これとは異なり、実施例では、回路パターンまたは前記回路パターンを形成するために使用したシード層を前記第１マスクパターン及び第２マスクパターンとして用いることができるようにする。このとき、前記第１マスクパターンと第２マスクパターンとは、垂直方向に少なくとも一部が重なる。即ち、比較例における第１マスクパターンと第２マスクパターンとは、垂直方向に重ならないように配置される。これにより、比較例では、レーザー加工時の工程偏差によって前記第２マスクパターンを外れた領域へのレーザー加工が行われ、これにより第１絶縁層の一部が加工されるという問題が発生することができる。これとは異なり、実施例では、上記のように第１マスクパターンと第２マスクパターンとを一部重なるように配置して、キャビティ加工領域に正確にキャビティを加工することができ、これによる信頼性を向上させることができる。
【0167】
また、実施例では、キャビティの下部領域に形成されたストップ層の上面は、段差を有することができる。例えば、前記ストップ層として使用された回路パターンは、第２絶縁層内に配置される第１部分と、前記第１部分から延びて前記キャビティを通して露出する第２部分と、を含むことができる。前記回路パターンの第１部分の厚さと前記第２部分の厚さとは互いに異なることがある。例えば、前記第２部分の厚さは、前記第１部分の厚さよりも薄くてもよい。即ち、前記回路パターンの第２部分は、２段階にわたってエッチングが行われ、これにより他の回路パターンの厚さよりも薄い厚さを有する。以上のように、実施例では、前記キャビティを介して露出した前記回路パターンの第２部分の厚さが他の部分に比べて薄くして、前記第２部分によってキャビティの面積が減少することを防止することができ、これによる信頼性を向上させることができる。
【0168】
以下では、第１実施例における回路基板の構造を中心に、これを含むパッケージ基板及びその製造方法について説明する。
【0169】
図３は、第１実施例に係るパッケージ基板を示す図である。
【0170】
【0171】
【0172】
このとき、前記回路基板１００については、上記で既に詳細に説明したので、これについての説明は省略する。
【0173】
回路基板１００は、キャビティ１６０を含み、前記キャビティ１６０には、第１マスクパターン１４１ｂ及びパッド１４１ａが露出し得る。具体的には、前記キャビティ１６０には、第１回路パターン１４１の第２部分１４１ｂ－２とパッド１４１ａとが露出し得る。
【0174】
このとき、前記電子素子１８０は、回路基板１００のキャビティ１６０内に配置される電子部品であり得、これは能動素子と受動素子とに区分され得る。そして、前記能動素子は、非線形部分を積極的に用いた素子であり、受動素子は、線形特性及び非線形特性の両方が存在しても、非線形特性は用いない素子を意味する。そして、前記受動素子には、トランジスタ、ＩＣ半導体チップなどを含むことができ、前記受動素子には、コンデンサ、抵抗、インダクタなどを含むことができる。前記受動素子は、能動素子である半導体チップの信号処理速度を高めるか、フィルタリング機能などを行うために、通常の回路基板に実装される。
【0175】
一方、前記パッド１４１ａ上には、接続部１７０が配置され得る。前記接続部１７０の平面形状は、四角形状であり得る。前記接続部１７０は、前記パッド１４１ａ上に配置されて、前記電子素子１８０を固定しつつ前記電子素子１８０と前記パッド１４１ａとの間を電気的に連結する。このために、前記パッド１４１ａは、導電性物質で形成され得る。一例として、前記接続部１７０は、ソルダーボールであり得る。前記接続部１７０は、ソルダーに異種成分の物質が含まれ得る。前記ソルダーは、ＳｎＣｕ、ＳｎＰｂ、及びＳｎＡｇＣｕのうち少なくともいずれか一つで構成され得る。そして、前記異種成分の物質は、Ａｌ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｃｄ、及びＦｅのうちいずれか一つを含むことができる。
【0176】
一方、前記電子素子１８０の上面は、前記回路基板１００の最上層の表面よりも高く位置し得る。但し、実施例はこれに限定されず、前記電子素子１８０の種類に応じて、前記電子素子１８０の上面が前記回路基板１００の最上層の表面と同じ高さに配置されることがあり、これとは異なり、低く配置されることもある。
【0177】
図４は、第２実施例に係るパッケージ基板を示す図である。
【0178】
図４を参照すると、実施例におけるパッケージ基板２００Ａは、回路基板１００及び前記回路基板１００のキャビティ１６０内に実装された電子素子１８０ａを含む。
【0179】
また、パッケージ基板２００Aは、前記キャビティ１６０内に配置され、前記電子素子１８０ａを覆うモールディング層１９０をさらに含む。
【0180】
前記モールディング層１９０は、選択的に前記キャビティ１６０内に配置され、前記キャビティ１６０内に実装された電子素子１８０ａを保護することができる。
【0181】
前記モールディング層１９０は、モールディング用樹脂で構成されることがあり、例えば、ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ ｍｏｌｄｉｎｇ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）であり得る。但し、実施例はこれに限定されず、前記モールディング層１９０は、ＥＭＣ以外にも多様な他のモールディング用樹脂で構成されることもある。
【0182】
回路基板１００は、電子素子１８０ａを実装するためのパッケージ基板２００Ａとして用いることができる。
【0183】
回路基板１００は、キャビティ１６０を含み、前記キャビティ１６０には、パッド１４１ａが露出し得る。
【0184】
実施例におけるモールディング層１９０は、前記キャビティ１６０の第１内壁Ｓ２と第２内壁Ｓ１とが接触して配置される。このとき、前記キャビティ１６０の第１内壁Ｓ２及び第２内壁Ｓ１は、単一の傾斜角ではなく、変曲点Ｅ１を基準に互いに異なる傾斜角を有することができる。このようなキャビティ１６０の構造は、前記モールディング層１９０との接触する表面の面積を増加させることができ、それによって前記モールディング層１９０と回路基板１００との間の接合力を向上させることができる。
【0185】
以下では、添付の図面を参照して実施例に係る回路基板の製造方法について説明する。
【0186】
図５～図１４は、図２ａに示した回路基板の製造方法を工程順に示す図である。即ち、以下では、第２絶縁層１２０が単一層で構成される場合の製造方法について説明する。但し、このようにして図１ａに示すような多層構造の第２絶縁層を含む回路基板にキャビティを形成することもできる。
【0187】
図５を参照すると、前記第１絶縁層１１０を準備し、前記第１絶縁層１１０の表面に第１及び前記第２回路パターン１４１，１４２を形成することができ、前記第１絶縁層１１０を貫通し、前記第１及び前記第２回路パターン１４１，１４２を電気的に連結する第１ビアＶ１を形成することができる。
【0188】
このとき、前記第１回路パターン１４１及び前記第２回路パターン１４２は、複数の層で構成され得る。
【0189】
例えば、第１回路パターン１４１は、第１－１金属層１４１－１、及び第１－２金属層１４１－２を含むことができる。例えば、第２回路パターン１４２は、第２－１金属層１４２－１、及び第２－２金属層１４２－２を含むことができる。
【0190】
前記第１回路パターン１４１の形成工程を簡単に説明すると、実施例では、前記第１絶縁層１１０の表面に無電解めっきで前記第１－１金属層１４１－１を形成する工程を行うことができる。その後、実施例では、前記第１－１金属層１４１－１の上にマスクを形成する工程を行うことができる。その後、実施例では、前記マスクを露光及び現像して、前記第１－２金属層１４１－２が形成される領域と垂直に重なる開口部を形成することができる。その後、実施例では、前記第１－１金属層１４１－１をシード層として電解めっきして、前記開口部を満たす第１－２金属層１４１－２を形成することができる。一方、前記第１回路パターン１４１は、後に電子素子と電気的に連結されてキャビティ１６０を介して露出するパッド１４１ａを含むことができる。また、前記第１回路パターン１４１は、後にキャビティ１６０を形成するための第１マスクパターン１４１ｂを含むことができる。
【0191】
一方、上記のように最初に形成された前記第１回路パターン１４１の厚さは、第２’厚さＴ２'を有することができる。これは、前記第１回路パターン１４１が実質的に有するべき第２厚さＴ２よりも大きくてもよい。例えば、第２’厚さＴ２'は、第２厚さＴ２に比べて前記シード層に対応する第１－１金属層１４１－１の厚さだけ厚くてもよい。
【0192】
次に、実施例では、前記第１－１金属層１４１－１の上面にマスクＭを形成する工程を行うことができる。前記マスクＭは、前記第１マスクパターン１４１ｂの内側に形成された第１－１金属層１４１－１と第１－２金属層１４１－２を覆って配置され得る。
【0193】
次に、図６を参照すると、実施例では、前記第１－２金属層１４１－２及び前記第２－２金属層１４２－２が形成されると、そのシード層として用いた前記第１－１金属層１４１－１及び第２－１金属層１４２－１を除去する工程を行うことができる。
【0194】
このとき、実施例では、前記シード層として用いた金属層の全体を除去せず、キャビティ１６０が形成される領域に配置された金属層は、除去せずに残して置くようにする。
【0195】
具体的には、前記キャビティ１６０は、前記第１－１金属層１４１－１上に配置される第２絶縁層１２０に形成され得る。これにより、実施例では、前記第１－１金属層１４１－１のうち前記キャビティ１６０が形成される領域に対応する部分は、除去せずに残すようにする。例えば、前記第１－１金属層１４１－１のうち除去されない領域は、前記マスクＭによって覆われる領域であり得る。
【0196】
即ち、一般に、前記第１－１金属層１４１－１は、第１回路パターン１４１が形成された後、第１－２金属層１４１－２と垂直方向に重ならない部分は全て除去される。このとき、実施例では、前記第１－１金属層１４１－１で、前記第１－２金属層１４１－２と垂直方向に重ならない部分のうち、前記キャビティ１６０が形成される領域に位置した部分は除去せずに残す。
【0197】
具体的には、第１－１金属層１４１－１は、第１絶縁層１１０の上面の上に全体的に形成され得る。
【0198】
このとき、第１－１金属層１４１－１は、キャビティが形成されない領域で、第１－２金属層１４１－２と垂直方向に重なる第１－１部分Ｐ１－１を含むことができる。そして、第１－１金属層１４１－１は、キャビティが形成されない領域で、第１－２金属層１４１－２と垂直方向に重ならない第１－２部分Ｐ１－２を含むことができる。また、第１－１金属層１４１－１は、キャビティ形成領域に配置された第１－３部分Ｐ１－３、１４１－１ａを含むことができる。
【0199】
ここで、一般の回路基板の製造工程において、第１－２金属層１４１－２がめっきされることにより、第１回路パターン１４１の製造が完了されると、前記第１－２部分Ｐ１－２と第１－３部分Ｐ１－３とを含む第１－１金属層１４１－１は除去される。
【0200】
これとは異なり、実施例では、前記一般の回路基板の製造工程において、第１－２金属層１４１－２がめっきされることにより、第１回路パターン１４１の製造が完了されると、前記第１－１金属層１４１－１の第１－２部分Ｐ１－２は除去しながら、前記第１－１金属層１４１－１の第１－３部分Ｐ１－３は除去せずに残しておく。
【0201】
これにより、前記第１－３部分Ｐ１－３は、前記マスクＭによって覆われているので、この部分ではエッチングが形成されない。言い換えれば、前記マスクＭ内に配置される第１－１金属層１４１－１及び第１－２金属層１４１－２は除去されない。
【0202】
但し、前記第１－３部分Ｐ１－３を除いた残りの領域における前記第１－１金属層１４１－１及び第１－２金属層１４１－２は、エッチングが行われる。即ち、前記エッチングは、第１－２金属層１４１－２が形成されていない部分の第１－１金属層１４１－１を除去する工程である。但し、第１－１金属層１４１－１を除去する工程では、第１－２金属層１４１－２も一緒にエッチングが行われる。
【0203】
したがって、このような第１エッチング工程が行われた後の第１マスクパターン１４１ｂは、第２厚さＴ２を有することができる。
【0204】
次に、図７に示すように、実施例では、第１絶縁層１１０の上面の上に第２絶縁層１２０を形成する。また、実施例では、第１絶縁層１１０の下面の下に第３絶縁層１３０を形成する。このとき、前記第２絶縁層１２０及び第３絶縁層１３０は、それぞれＲＣＣで構成され得る。
【0205】
また、第２絶縁層１２０の表面に回路パターンを形成する工程を行うことができる。例えば、第２絶縁層１２０の上面に第３回路パターン１４３を形成する工程を行うことができる。
【0206】
また、第３絶縁層１３０の表面に回路パターンを形成する工程を行うことができる。例えば、第３絶縁層１３０の下面に第６回路パターン１４６を形成する工程を行うことができる。
【0207】
前記第３回路パターン１４３及び第６回路パターン１４６もそれぞれ複数の層構造を有することができる。例えば、第３回路パターン１４３は、第３－１金属層１４３－１及び第３－２金属層１４３－２を含むことができる。例えば、第６回路パターン１４６は、第４－１金属層１４６－１及び第４－２金属層１４６－２を含むことができる。
【0208】
また、実施例では、前記第２絶縁層１２０内にビアを形成する工程を行うことができる。また、実施例では、前記第３絶縁層１３０内にビアを形成する工程を行うことができる。
【0209】
一方、実施例では、第２絶縁層１２０の上面に配置された第３回路パターン１４３は、第３－１金属層１４３－１と第３－２金属層１４３－２とを含む。
【0210】
このとき、前記第３回路パターン１４３の製造工程において、前記第３－２金属層１４３－２のめっきが完了されると、前記第３－２金属層１４３－２のめっきシード層として用いられた第３－１金属層１４３－１は除去される。このとき、実施例では、前記第３－２金属層１４３－２のシード層として用いた第３－１金属層１４３－１の全体を除去せずに、キャビティ１６０が形成される領域に配置された金属層は除去せずに残すようにする。
【0211】
具体的には、実施例では、第３－１金属層１４３－１のうちキャビティ１６０が形成される領域の周囲を囲むキャビティ外側領域に配置された部分は除去せずに残しておくようにする。
【0212】
即ち、一般に、前記第３－１金属層１４３－１は、第３回路パターン１４３が形成された後、第３－２金属層１４３－２と垂直方向に重ならない部分は、全て除去される。このとき、実施例では、前記第３－１金属層１４３－１において、前記第３－２金属層１４３－２と垂直方向に重ならない部分のうち、前記キャビティ１６０が形成される領域の周囲に位置する部分は除去せずに残しておく。
【0213】
具体的には、第３－１金属層１４３－１は、第２絶縁層１２０の上面の上に全体的に形成され得る。
【0214】
このとき、第３－１金属層１４３－１は、第３－２金属層１４３－２と垂直方向に重なる第２－１部分Ｐ２－１を含むことができる。そして、第３－１金属層１４３－１は、キャビティが形成されない領域において、第３－２金属層１４３－２と垂直方向に重ならない部分を含むことができる。このとき、前記第３－１金属層１４３－１において、第３－２金属層１４３－２と垂直に重ならない部分は、キャビティ１６０が形成される領域と重なるか、キャビティが形成される領域と離隔する第２－２部分Ｐ２－２を含むことができる。また、前記第３－１金属層１４３－１において、第３－２金属層１４３－２と垂直に重ならない部分は、キャビティ１６０が形成されるキャビティ領域に隣接する前記第２－３部分Ｐ２－３を含むことができる。
【0215】
ここで、一般的な回路基板の製造工程において、第３－２金属層１４３－２がめっきされることにより、第３回路パターン１４３の製造が完了されると、前記第２－２部分Ｐ２－２と第２－３部分Ｐ２－３を含む第３－１金属層１４３－１は除去される。
【0216】
これとは異なり、実施例では、前記一般の回路基板の製造工程において、第３－２金属層１４３－２がめっきされることにより、第３回路パターン１４３の製造が完了されると、前記第３－１金属層１４３－１の第２－２部分Ｐ２－２は除去しながら、前記第３－１金属層１４３－１の第２－３部分Ｐ２－３は除去せずに残しておく。
【0217】
前記第３－１金属層１４３－１の第２－３部分Ｐ２－３は、前記第２絶縁層１２０の上面で、キャビティ１６０が形成される領域とそれ以外の領域との境界領域に位置することができる。例えば、前記第３－１金属層１４３－１の第２－３部分Ｐ２－３は、前記第２絶縁層１２０の上面で、キャビティ１６０が形成される領域を除く残りの領域に形成され得る。例えば、前記第３－１金属層１４３－１の第２－３部分Ｐ２－３は、前記第２絶縁層１２０の上面で、キャビティ１６０が形成される領域の周囲を囲んで配置され得る。
【0218】
このとき、前記第３－１金属層１４３－１の第２－３部分Ｐ２－３は、一定幅を有することができる。このとき、前記第３－１金属層１４３－１の第２－３部分Ｐ２－３の幅は、後のレーザー工程におけるビームサイズの半径よりも大きくてもよい。即ち、実施例では、ガウシアンレーザー工程におけるビームの中央部に対応してキャビティ加工工程を行うことができる。これにより、キャビティ１６０の端領域には、ガウスビームのセンター部分が位置するようになる。そして、前記第３－１金属層１４３－１の第２－３部分Ｐ２－３の幅が前記ビームサイズの半径よりも小さい場合、前記ガウスビームにより前記第２絶縁層１２０のうちキャビティ形成領域の以外の領域が加工され得る。したがって、実施例では、前記第３－１金属層１４３－１の第２－３部分Ｐ２－３は、前記ガウスビームの半径よりも大きい幅を有するようにすることができる。
【0219】
一方、前記第１マスクパターン１４１ｂと前記第３－１金属層１４３－１の第２－３部分Ｐ２－３とは、垂直方向で少なくとも一部が互いに重なるように配置され得る。
【0220】
即ち、比較例では、レーザー工程時に、マスクパターンと第３－１金属層１４３－１の第２－３部分Ｐ２－３とが垂直方向で互いに重ならないように配置した。このとき、レーザー工程の精度が高いと、上記のようなマスクの配置構造でも信頼性の高いキャビティ形成が可能である。しかし、回路基板の製造工程では、多様な環境による工程偏差が発生し、これによって上記のような比較例におけるマスク構造で信頼性問題が発生することがある。例えば、工程偏差により、レーザービームの歪みが発生する場合、前記レーザービームの前記第２絶縁層の下部領域のうち、前記第１－１金属層１４１－１の第１－２部分Ｐ１－２を外れた領域まで加工することができる。そして、このような場合、前記第２絶縁層だけでなく、前記外れた領域だけの第１絶縁層の加工がさらに行われることがある。そして、前記第１絶縁層が加工される場合、信頼性問題が発生することがある。
【0221】
したがって、実施例では、前記第１マスクパターン１４１ｂと第３－１金属層１４３－１の第２－３部分Ｐ２－３とは、垂直方向で互いに重なる重畳領域ＯＲを含むようにする。これにより、レーザー工程の偏差が発生しても、前記重畳領域ＯＲによって第１絶縁層がさらに加工される状況を防止することができ、これによる信頼性問題を解決することができる。一方、第３－１金属層１４３－１の第２－３部分Ｐ２－３は、第２マスクパターンとも言える。但し、第１マスクパターンと第２マスクパターンとの違いは、前記第１マスクパターンは、複数の金属層を含む構造を有するが、前記第２マスクパターンはシード層に対応する１層の金属層のみを含む構造を有する。
【0222】
次に、図８を参照すると、第２絶縁層１２０にキャビティ１６０を形成する工程を行うことができる。このとき、前記キャビティ１６０は、単一層で構成される第２絶縁層１２０をオープンして形成することができ、これとは異なり、複数の層で構成される第２絶縁層１２０をオープンして形成することができる。
【0223】
このとき、前記キャビティ１６０は、ガウスであるビームを用いたレーザー工程によって形成され得る。
【0224】
このとき、実施例では、ガウスビーム２００の中心線ＣＰを用いて前記キャビティ１６０の最外郭領域を形成するようにする。このとき、前記ガウスビーム２００の中心線を基準に右側のビームは、前記キャビティ領域内に位置するが、右側のビームはキャビティ領域から外れた領域に位置する。
【0225】
これにより、実施例では、前記第３－１金属層１４３－１の第２－３部分Ｐ２－３をマスクパターンとして、前記キャビティ領域から外れた位置における第２絶縁層の加工を防止する。
【0226】
【0227】
図９を参照すると、実施例では、第３－１金属層１４３－１の第２－３部分Ｐ２－３を中心に、ガウスビームの中心線のビームを用いて前記キャビティ１６０の最外郭領域に対する加工が行われるようにする。そして、実施例では、ガウスビームを一定距離移動させながら、前記キャビティ１６０の全領域に対する加工を行う。
【0228】
このとき、実施例では、第１ガウスビームの中心線を用いてキャビティの最外郭領域の加工を行う。そして、前記第１ガウスビームを用いたキャビティ加工が完了すると、前記第１ガウシンビームから一定距離で離隔した位置に第２ガウスビームを提供する。このとき、前記第１ガウスビームと前記第２ガウシアンビームと、一定距離で離隔することにより、実施例におけるキャビティは、最外郭領域で第３傾斜角θ１を有する第３部分Ｓ１と、前記第３部分Ｓ１から延びて第２傾斜角θ２を有する第２部分Ｓ２と、を含むことができる。
【0229】
一方、図１０を参照すると、比較例では、レーザービームの外郭部分がキャビティの最外郭部分に位置するようにしてキャビティ加工工程を行う。
【0230】
これにより、比較例におけるキャビティの最外郭部分の内壁は、１６０度以上の傾斜角を有するようになる。一方、実施例におけるキャビティの最外郭部分の内壁は、９２度から１３０度の範囲の第２傾斜角を有するようになる。
【0231】
例えば、比較例における工程は、６００μｍの大きさの領域にキャビティを加工した場合、前記キャビティの内壁の傾斜角によって６００μｍよりも小さい５００μｍのキャビティが形成される。これは、キャビティの下部領域が、実質的に素子が実装されるキャビティとして使用されるが、１００μｍ程度の空間が、前記内壁が有する傾斜角によって使用されないためである。
【0232】
これに対し、実施例では、６００μｍの大きさの領域にキャビティを加工した場合、前記ャビティの内壁の傾斜角の向上により、比較例に比べて５５０μｍのキャビティが形成される。これにより、実施例では、キャビティ形成に必要な空間を減らすことができ、これによる回路集積度を高めることができる。
【0233】
図１１を参照すると、実施例では、上記のようなガウスビームを用いて、前記第２絶縁層１２０をオープンしてキャビティ１６０を形成する。
【0234】
このとき、キャビティ１６０は、前記第１マスクパターン１４１ｂ及び前記第１－１金属層１４１－１の第１－２部分Ｐ１－２を露出して形成され得る。好ましくは、前記キャビティ１６０は、前記第２絶縁層の上面から前記第１マスクパターン１４１ｂ及び第１－１金属層１４１－１の第１－２部分Ｐ１－２の上面まで形成され得る。
【0235】
ここで、前記第１マスクパターン１４１ｂと前記第３－１金属層１４３－１の第２－３部分Ｐ２－３とは、垂直方向で少なくとも一部が重なる重畳領域ＯＲを含む。
【0236】
これにより、前記第１マスクパターン１４１ｂの少なくとも一部の上面は、前記キャビティと垂直に重ならない。
【0237】
図１２を参照すると、実施例ではデスミア工程を行うことができる。前記デスミア工程は、キャビティ形成工程の一段階であり得る。即ち、実施例では、レーザー加工によってキャビティを形成し、その後、デスミア工程を通じて最終的なキャビティを形成するようにする。
【0238】
前記デスミア工程は、前記レーザー加工によって形成されたキャビティ形状をそのまま維持しながら、前記キャビティの全体的な幅を増加させることができる。即ち、前記デスミア工程は、前記レーザー工程によって形成されたキャビティの内壁に含まれる異物等を除去しながら、前記キャビティの全体的な幅を増加させることができる。
【0239】
即ち、前記第１マスクパターン１４１ｂにおいて、キャビティと垂直に重ならない領域を第１部分と言い、キャビティと垂直に重なる領域を第２部分と言う。そして、前記デスミア工程は、前記第１マスクパターン１４１ｂの前記第２部分の幅を増加させる工程であり得る。即ち、前記デスミア工程が行われる前の第１マスクパターン１４１ｂの第２部分の幅は、前記デスミア工程が実行された後の第１マスクパターン１４１ｂの第２部分の幅よりも小さくてもよい。
【0240】
次に、図１３を参照すると、前記レーザー加工時にマスクパターンとして用いた前記第１－１金属層１４１－１の第１－２部分Ｐ１－２と第３－１金属層１４３－１の第２－３部分Ｐ２－３を除去する工程を行うことができる。
【0241】
上記のように第１－１金属層１４１－１の第１－２部分Ｐ１－２が除去されることにより、最終的なキャビティ１６０が形成され得る。
【0242】
即ち、上記のような工程によって形成されたキャビティ１６０の内壁は、複数の部分に区分され得る。例えば、キャビティ１６０は、第１内壁Ｓ２と第２内壁Ｓ１とに区分され得る。
【0243】
次に、図１３を参照すると、実施例では、前記キャビティ１６０と垂直に重なる領域における第１－１金属層１４１－１を除去する工程を行うことができる。
【0244】
即ち、実施例におけるレーザー工程のためのストップ層は、前記第１回路パターン１４１と前記第１マスクパターン１４１ｂと連結される第１－１金属層１４１－１とを含むリング構造を有することができる。そして、前記キャビティ１６０内における第１－１金属層１４１－１は、前記キャビティ１６０が形成された後に除去され得る。
【0245】
前記キャビティ１６０が形成された領域内に、パッド１４１ａ及び第１マスクパターン１４１ｂが露出し得る。
【0246】
このとき、前記第１マスクパターン１４１ｂは、前記キャビティ１６０領域以外の領域に含まれた第１－１金属層１４１－１のエッチング工程で既に１回エッチングが行われた。
【0247】
そして、前記キャビティ１６０領域内における前記第１－１金属層１４１－１のエッチング工程で、前記第１マスクパターン１４１ｂ及びパッド１４１ａのエッチングが行われ得る。
【0248】
このとき、前記パッド１４１ａは、第２’厚さＴ２'を有しているが、前記エッチング工程後に第２厚さＴ２を有することができる。
【0249】
但し、前記第１マスクパターン１４１ｂは、前記キャビティ１６０を介して第１部分１４１ｂ－１を除いた第２部分１４１ｂ－２のみが露出される。そして、前記第２部分１４１ｂ－２は、第１部分１４１ｂ－２とは異なり、前記キャビティ１６０が形成された領域における第１－１金属層１４１－１の除去工程で再びエッチングが行われるようになる。したがって、前記第１マスクパターン１４１ｂの第１部分１４１ｂ－１は、第２厚さＴ２を有し、前記キャビティ１６０を介して露出した第２部分１４１ｂ－２は前記第２厚さＴ２よりも小さい第３厚さＴ３を有するようになる。
【0250】
また、実施例では、第２絶縁層１２０及び第３絶縁層１３０の最外郭に保護層１５１、１５２を形成する。
【0251】
例えば、複数の絶縁層のうち最上部に配置された絶縁層の上面には、第１保護層１５１が配置され得る。例えば、第２絶縁層１２０の上面には、第１保護層１５１が配置され得る。また、複数の絶縁層のうち最下部に配置された絶縁層の下面には、第２保護層１５２が配置され得る。例えば、第３絶縁層１３０の下面には、第２保護層１５２が配置され得る。
【0252】
以上で，実施例で説明された特徴、構造、効果などは、少なくとも一つの実施例に含まれ、必ず１つの実施例に限定されるものではない。また、各実施例に例示された特徴、構造、効果などは、実施例が属する分野で通常の知識を有する者によって、他の実施例に対して組合せまたは変形して実施可能である。したがって、このような組合せと変形に係る内容は、実施例の範囲に含まれると解釈されるべきである。
【0253】
以上では実施例を中心に説明したが、これは単なる例示に過ぎず、実施例を限定するものではなく、実施例が属する分野で通常の知識を有した者であれば、本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、以上で例示されていない多様な変形と応用が可能であることが理解できるであろう。例えば、実施例に具体的に示された各構成要素は、変形して実施することができるものである。そして、このような変形と応用に係る差異点は、添付された請求の範囲で設定する実施例の範囲に含まれると解釈されるべきである。
【図1a】
【図1b】
【図2a】
【図2b】
【図2c】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【手続補正書】
【提出日】2023-04-12
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に配置された第１回路パターンと、
前記第１絶縁層上に配置され、キャビティを含む第２絶縁層と、を含み、
前記第１回路パターンは、
前記第１絶縁層上に配置され、前記キャビティの内壁と垂直方向に重なった第１－１回路パターンを含み、
前記第１－１回路パターンは、
前記キャビティと垂直に重ならず前記第２絶縁層で覆われる第１部分と、
前記第１部分と連結され、前記キャビティと垂直に重なり、前記第１部分の厚さとは異なる厚さを有する第２部分と、を含む、回路基板。
【請求項2】
前記第１絶縁層の上面は、前記キャビティと垂直に重ならない第１領域と、
前記キャビティと垂直に重なる第２領域と、
前記第１領域と第２領域との間に備えられ、前記キャビティの内壁と垂直に重なった境界領域と、を含み、
前記第１回路パターンは、前記境界領域に配置される、請求項１に記載の回路基板。
【請求項3】
前記第１－１回路パターンの第１部分の厚さは、前記第１－１回路パターンの第２部分の厚さよりも大きい、請求項１に記載の回路基板。
【請求項4】
前記第１－１回路パターンの前記第２部分の上面は、前記第１部分の上面よりも低く位置する、請求項１に記載の回路基板。
【請求項5】
前記第１回路パターンは、前記第１絶縁層の上面の前記第２領域に配置される第１－２回路パターンを含み、
前記第１－２回路パターンの厚さは、前記第１－１回路パターンの前記第１部分の厚さに対応する、請求項２に記載の回路基板。
【請求項6】
前記第１回路パターンは、前記第１絶縁層の上面の前記第１領域に配置された第１－３回路パターンを含み、
前記第１－３回路パターンの厚さは、前記第１－１回路パターンの前記第１部分の厚さ及び前記第１－２回路パターンの厚さに対応する、請求項５に記載の回路基板。
【請求項7】
前記第１回路パターンは、前記第１絶縁層上に配置された第１－１金属層と、
前記第１－１金属層上に配置された第１－２金属層と、を含み、
前記第１－１回路パターンの前記第１部分の第１－１金属層の厚さは、前記第１－１回路パターンの前記第２部分の第１－１金属層の厚さに対応し、
前記第１－１回路パターンの前記第１部分の第１－２金属層の厚さは、前記第１－１回路パターンの前記第２部分の第１－２金属層の厚さよりも厚い、請求項１に記載の回路基板。
【請求項8】
前記第１－１回路パターンの前記第１部分の厚さと前記第２部分の厚さとの差は、前記第１－１金属層の厚さに対応する、請求項７に記載の回路基板。
【請求項9】
前記キャビティの内壁は、前記第１－１回路パターンの上面と連結され、第１傾斜角を有する第１内壁と、
前記第１内壁から延び、前記第１傾斜角とは異なる第２傾斜角を有する第２内壁と、を含む、請求項１に記載の回路基板。
【請求項10】
前記第１傾斜角は、前記第２傾斜角よりも大きい、請求項９に記載の回路基板。
【請求項11】
前記第１傾斜角は、１３０度～１６０度の範囲を有し、前記第２傾斜角は、９２度～１３０度の範囲を有する、請求項９に記載の回路基板。
【請求項12】
前記第１絶縁層を貫通し、前記第１回路パターンと連結されたビアをさらに含む、請求項６に記載の回路基板。
【請求項13】
前記ビアは、前記第１絶縁層内に水平方向に離隔して複数備えられ、前記複数のビアのうち少なくとも一つは、前記第１－１回路パターンと垂直方向に重なる、請求項１２に記載の回路基板。
【請求項14】
前記第２絶縁層の厚さは、５μｍ～２０μｍの範囲を有する、請求項１に記載の回路基板。
【請求項15】
前記第２絶縁層は、ＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ Ｃｏａｔｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ）を含む、請求項１４に記載の回路基板。
【請求項16】
第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に配置され、第１－１回路パターン及び第１－２回路パターンを含む第１回路パターンと、
前記第１絶縁層上に配置され、前記第１－２回路パターンと垂直方向に重なるキャビティを含む第２絶縁層と、
前記第１－２回路パターン上に配置される接続部と、
前記接続部上に配置される電子素子と、を含み、
前記第１絶縁層の上面は、
前記第２絶縁層によって覆われる第１領域と、
前記第２絶縁層のキャビティを介して露出する第２領域と、
前記第１領域と第２領域との間に備えられ、前記キャビティの内壁と垂直方向に重なった境界領域と、を含み、
前記第１－１回路パターンは、前記境界領域に配置され、
前記第１－１回路パターンは、前記第２絶縁層で覆われる第１部分と、
前記第１部分と連結され、前記キャビティと垂直方向に重なる第２部分と、を含み、
前記第１部分の上面及び前記第２部分の上面は、段差を有する、パッケージ基板。
【請求項17】
前記第１－１回路パターンの前記第１部分の厚さは、前記第２部分の厚さよりも大きい、請求項１６に記載のパッケージ基板。
【請求項18】
前記第１絶縁層の前記第１領域上に配置される第１－３回路パターンを含み、前記第１－１回路パターンの前記第１部分の厚さは、前記第１－２回路パターンの厚さ及び前記第１－３回路パターンの厚さに対応する、請求項１７に記載のパッケージ基板。
【請求項19】
前記第１－１回路パターンは、前記第１絶縁層上に配置された第１－１金属層と、
前記第１－１金属層上に配置された第１－２金属層と、を含み、
前記第１－１回路パターンの前記第１部分の第１－１金属層の厚さは、前記第１－１回路パターンの前記第２部分の第１－１金属層の厚さに対応し、
前記第１－１回路パターンの前記第１部分の第１－２金属層の厚さは、前記第１－１回路パターンの前記第２部分の第１－２金属層の厚さよりも大きい、請求項１７に記載のパッケージ基板。
【請求項20】
前記キャビティ内に配置され、前記電子素子の少なくとも一部を覆うモールディング層を含み、前記第１－１回路パターンの第２部分は、前記モールディング層で覆われる、請求項１７に記載のパッケージ基板。
【国際調査報告】