2023-542915 | 知財ポータル「IP Force」

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青山学院大学 (神奈川県相模原市中央区淵野辺)

2023-542915有機エレクトロルミネッセンス素子

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2023-10-12

(54)【発明の名称】有機エレクトロルミネッセンス素子

(51)【国際特許分類】

H10K 50/11 20230101AFI20231004BHJP

H10K 50/12 20230101ALI20231004BHJP

H10K 85/60 20230101ALI20231004BHJP

C09K 11/06 20060101ALI20231004BHJP

H10K 101/10 20230101ALN20231004BHJP

H10K 101/20 20230101ALN20231004BHJP

H10K 101/30 20230101ALN20231004BHJP

【ＦＩ】

H10K50/11

H10K50/12

H10K85/60

C09K11/06 690

H10K101:10

H10K101:20

H10K101:30

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023518002

(86)(22)【出願日】2021-09-17

(85)【翻訳文提出日】2023-04-18

(86)【国際出願番号】 EP2021075637

(87)【国際公開番号】W WO2022058512

(87)【国際公開日】2022-03-24

(31)【優先権主張番号】20197076.1

(32)【優先日】2020-09-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(31)【優先権主張番号】20197075.3

(32)【優先日】2020-09-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(31)【優先権主張番号】20197074.6

(32)【優先日】2020-09-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(31)【優先権主張番号】20197073.8

(32)【優先日】2020-09-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(31)【優先権主張番号】20197072.0

(32)【優先日】2020-09-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(31)【優先権主張番号】20197071.2

(32)【優先日】2020-09-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(31)【優先権主張番号】20197589.3

(32)【優先日】2020-09-22

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(31)【優先権主張番号】20197588.5

(32)【優先日】2020-09-22

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(31)【優先権主張番号】20217041.1

(32)【優先日】2020-12-23

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(31)【優先権主張番号】21170783.1

(32)【優先日】2021-04-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(31)【優先権主張番号】21170775.7

(32)【優先日】2021-04-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(31)【優先権主張番号】21170776.5

(32)【優先日】2021-04-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(31)【優先権主張番号】21170779.9

(32)【優先日】2021-04-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(31)【優先権主張番号】21184616.7

(32)【優先日】2021-07-08

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(31)【優先権主張番号】21184619.1

(32)【優先日】2021-07-08

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(31)【優先権主張番号】21185402.1

(32)【優先日】2021-07-13

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(31)【優先権主張番号】21186615.7

(32)【優先日】2021-07-20

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】512187343

【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社

【氏名又は名称原語表記】ＳａｍｓｕｎｇＤｉｓｐｌａｙＣｏ．，Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】１，Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ，Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ，Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ，ＲｅｐｕｂｌｉｃｏｆＫｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】110002619

【氏名又は名称】弁理士法人ＰＯＲＴ

(72)【発明者】

【氏名】シャリフィデサリ，ハメド

(72)【発明者】

【氏名】リアプティシス，ゲオルギオス

(72)【発明者】

【氏名】カルバージョ，ハイメレガネス

(72)【発明者】

【氏名】ジョリー，ダミアン

【テーマコード（参考）】

3K107

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107DD51

3K107DD53

3K107DD58

3K107DD67

3K107DD68

3K107DD69

3K107DD70

3K107FF00

3K107FF12

3K107FF13

3K107FF14

3K107FF19

3K107FF20

(57)【要約】

【要約】
本発明は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に係り、発光層Ｂの前記１以上の副層は、全体的に少なくとも１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、少なくとも１つの燐光材料Ｐ^Ｂ、少なくとも１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ、及び選択的に少なくとも１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂを含み、ここで、Ｓ^Ｂは、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、前記１以上の副層は、互いに隣接し、全体的に下記を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子：
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｈ）を有する少なくとも１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｐ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｐ）を有する少なくとも１つの燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｓ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する、少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂ、及び選択的に
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｅ）を有する少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料Ｅ^Ｂ、
ここで、前記発光層Ｂの外側表面に位置する１以上の副層は、燐光材料Ｐ^Ｂ、小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂ及び熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料Ｅ^Ｂからなる群から選択された少なくとも１つの材料を含み、
ここで、選択的な少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料Ｅ^Ｂは、７５μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｅ^Ｂ）を示し、好ましくは、それぞれの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料Ｅ^Ｂは、７５μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｅ^Ｂ）を示す。

【請求項2】

少なくとも１層の発光層Ｂ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂの１以上の副層のうち少なくとも１層は、下記を含む、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子：
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｅ）を有する少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料Ｅ^Ｂ。

【請求項3】

少なくとも１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、５０μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｅ^Ｂ）を示し、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、５０μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｅ^Ｂ）を示す、請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

【請求項4】

少なくとも１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、１０μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｅ^Ｂ）を示し、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、１０μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｅ^Ｂ）を示す、請求項１から３のうちいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

【請求項5】

少なくとも１層の副層は、正確に１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ及び正確に１つの燐光材料Ｐ^Ｂを含む、請求項１から４のうちいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

【請求項6】

１層の副層は、正確に１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂを含み、他のまたは同一な副層は、正確に１つの燐光材料Ｐ^Ｂ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む、請求項１から５のうちいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

【請求項7】

下記式（１）及び（２）で表される関係が適用される、請求項１から６のうちいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子：
Ｅ（Ｔ１^Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１^Ｐ）（１）
Ｅ（Ｔ１^Ｐ）＞Ｅ（Ｓ１^Ｓ）（２）。

【請求項8】

下記式（３）及び（４）で表される関係が適用される、請求項１から７のうちいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子：
Ｅ（Ｔ１^Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１^Ｅ）（３）
Ｅ（Ｔ１^Ｅ）＞Ｅ（Ｔ１^Ｐ）（４）。

【請求項9】

それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｅ）と最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｅ）とのエネルギー差に該当するΔＥ_ＳＴ値が０．４ｅＶ未満を示すことを特徴とし、
（ｉｉ）３０％より大きいフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す、請求項１から８のうちいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

【請求項10】

少なくとも１つの燐光材料Ｐ^Ｂは、５０μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｐ^Ｂ）を示し、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂは、５０μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｐ^Ｂ）を示す、請求項１から９のうちいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

【請求項11】

少なくとも１つの燐光材料Ｐ^Ｂは、１０μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｐ^Ｂ）を示し、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂは、１０μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｐ^Ｂ）を示す、請求項１から１０のうちいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

【請求項12】

前記１以上の副層は、全体的に下記を含むか、あるいはそれからなる、請求項１から１１のうちいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子：
（ｉ）３０～９９．８重量％の１以上のホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）０．１～３０重量％の１以上の燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ、及び選択的に
（ｉｖ）０～６９．８重量％の１以上のＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ、及び選択的に
（ｖ）０～６９．８重量％の１以上の溶媒。

【請求項13】

少なくとも１層の発光層Ｂ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、正確に１層の（副）層からなる、請求項１から１２のうちいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

【請求項14】

下記ステップを含む、光発生方法：
（ｉ）請求項１から１３のうちいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること、及び
（ｉｉ）前記有機エレクトロルミネッセンス素子に電流を印加すること。

【請求項15】

下記波長範囲のうち１つから選択される波長範囲の光を発生させる、請求項１４に記載の光発生方法：
（ｉ）５１０ｎｍから５５０ｎｍ、または
（ｉｉ）４４０ｎｍから４７０ｎｍ、または
（ｉｉｉ）６１０ｎｍから６６５ｎｍ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、それぞれが１以上の副層からなる１以上の発光層Ｂを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に係り、それぞれの発光層Ｂの１以上の副層は、全体的に少なくとも１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、少なくとも１つの燐光材料Ｐ^Ｂ、少なくとも１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ、及び選択的に少なくとも１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂを含み、ここで、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＳ^Ｂは、０．２５ｅＶ以下の半値幅（full width at half maximum: FWHM）を有する光を発光する。また、本発明は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を利用した光発生方法に関する。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0002】

例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、発光電気化学電池（ＬＥＣ）及び発光トランジスタのような有機物を基とする１層以上の発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の重要性が増加しつつある。特に、ＯＬＥＤは、スクリーン、ディスプレイ及び照明装置のような電子製品のための有望な素子である。実質的に無機物を基とするほとんどのエレクトロルミネッセンス素子とは対照的に、有機物を基とする有機エレクトロルミネッセンス素子は、多くの場合、柔軟性があり、特に薄膜で生産可能である。現在入手可能なＯＬＥＤを基にしたスクリーン及びディスプレイは、優秀な効率及び長い寿命、または優秀な色純度及び長い寿命を提供するが、優秀な効率、長い寿命及び優秀な色純度の三つの特性をすべて兼ね備えていない。

【0003】

ＯＬＥＤの色純度または色点は、一般的にＣＩＥｘ及びＣＩＥｙ座標により提供される一方、次世代ディスプレイの色領域は、いわゆるＢＴ－２０２０及びＤＣＰＩ３値により提供される。一般的に、そのような色座標を得るためには、トップエミッション素子がキャビティを変更し、色座標を調整することが必要である。そのような色領域を目標としつつ、トップエミッション素子において高効率を達成するためには、ボトムエミッション素子において狭い発光スペクトルが必要である。

【0004】

最新燐光エミッタは、かなりブロードな発光を示し、これは、一般的に０．２５ｅＶより大きい発光スペクトルの半値幅（ＦＷＨＭ）を有する燐光を基とするＯＬＥＤ（ＰＨＯＬＥＤ）のブロードな発光によって反映される。下部素子におけるＰＨＯＬＥＤのブロードな発光スペクトルは、ＢＴ－２０２０及びＤＣＰＩ３色領域を目標とするトップエミッション素子構造に対し、アウトカップリング効率の高い損失をもたらす。

【0005】

また、燐光材料は、一般的に、遷移金属、例えば、イリジウムを基とし、これは、一般的に存在量が少ないため、ＯＬＥＤスタック内で非常に高価な材料である。したがって、遷移金属を基とする材料は、ＯＬＥＤのコスト削減の可能性が最も大きい。ＯＬＥＤスタック内の遷移金属の含量を低くすることは、ＯＬＥＤ適用製品の価格設定のための重要業績評価指標である。

【0006】

近年、かなり狭い発光スペクトルを示す一部の蛍光エミッタまたはＴＡＤＦ（thermally-activated-delayed-fluorescence）エミッタが開発されており、これは、一般的に０．２５ｅＶ以下の発光スペクトルのＦＷＨＭを示し、したがって、ＢＴ－２０２０及びＤＣＰＩ３色領域を達成するのに適している。しかし、そのような蛍光エミッタ及びＴＡＤＦエミッタは、一般的に、例えば、励起子・ポーラロン消滅または励起子・励起子消滅により、寿命が短いだけでなく、さらに高い輝度で効率低下（すなわち、ＯＬＥＤのロールオフ挙動）により、低い効率を経験する。

【0007】

そのような短所は、いわゆるハイパーアプローチを適用することで、ある程度克服することができる。後者は、前述のように、好ましくは、狭い発光スペクトルを示す蛍光エミッタにエネルギーを移動させるエネルギーポンプの使用に依存する。エネルギーポンプは、例えば、逆項間交差（reverse-intersystem crossing: RISC）を示すＴＡＤＦ材料、または効率的な項間交差（ＩＳＣ）を示す遷移金属錯体でもある。しかし、そのようなアプローチは、前述の好ましい特徴、すなわち、優秀な効率、長い寿命及び優秀な色純度をいずれも有する有機エレクトロルミネッセンス素子を依然として提供することができない。

【0008】

光を発生させるための有機エレクトロルミネッセンス素子の主要な要素は、通常、正極と負極との間に位置した少なくとも１層の発光層である。有機エレクトロルミネッセンス素子に電圧（及び電流）を印加すれば、正極から正孔が注入され、負極から電子が注入される。

【0009】

通常、正孔輸送層は、（一般的に）発光層と正極との間に位置し、電子輸送層は、通常、発光層と負極との間に位置する。相異なる層が順次に配置される。高いエネルギーの励起子は、発光層において正孔と電子との再結合によって生成される。そのような励起状態（例えば、Ｓ１のような一重項状態及び／またはＴ１のような三重項状態）の底状態（Ｓ０）への減衰が、好ましくは、発光を引き起こす。

【課題を解決するための手段】

【0010】

驚くことに、燐光材料、小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタ、ホスト材料及び選択的にＴＡＤＦ材料を含む１以上の層からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層が、長い寿命、高い量子収率を有し、ＢＴ－２０２０及びＤＣＰＩ３色領域を達成するのに理想的に適している、狭い発光を示す有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを見出した。

【0011】

ここで、燐光材料及び／または選択的なＴＡＤＦ材料は、発光を示す小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタにエネルギーを移動させることができる。

【発明を実施するための形態】

【0012】

本発明は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に係わるものであり、前記１以上の副層は、互いに隣接し、全体的に下記を含む：
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｈ）を有する少なくとも１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｐ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｐ）を有する少なくとも１つの燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｓ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂ、及び選択的に
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｅ）を有する少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料Ｅ^Ｂ、
ここで、発光層Ｂの外側表面に位置する１以上の副層は、燐光材料Ｐ^Ｂ、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ及びＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂからなる群から選択された少なくとも１つの（エミッタ）材料を含む。

【0013】

本発明の一態様は、１以上の副層を含む少なくとも１層の発光層Ｂを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に係わるものであり、ここで、１以上の副層は、互いに隣接し、全体的に下記を含む：
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｈ）を有するホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｐ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｐ）を有する燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｓ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂ、及び選択的に
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｅ）を有する熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料Ｅ^Ｂ、
ここで、発光層Ｂの外側表面に位置する１以上の副層は、燐光材料Ｐ^Ｂ、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ及びＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂからなる群から選択された少なくとも１つの（エミッタ）材料を含む。

【0014】

本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂの１以上の副層のうち少なくとも１層は、下記を含む：
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｅ）を有する少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料Ｅ^Ｂ。

【0015】

本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、発光層Ｂの１以上の副層は、下記を含む：
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｈ）を有する少なくとも１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｐ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｐ）を有する少なくとも１つの燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｓ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂ、及び選択的に
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｅ）を有する少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料Ｅ^Ｂ。

【0016】

本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、発光層Ｂの１以上の副層は、下記を含む：
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｈ）を有するホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｐ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｐ）を有する燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｓ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂ、及び
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｅ）を有する熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料Ｅ^Ｂ。

【0017】

本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、発光層Ｂの１以上の副層は、下記を含む：
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｈ）を有する少なくとも１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｐ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｐ）を有する少なくとも１つの燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｓ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂ、及び
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｅ）を有する少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料Ｅ^Ｂ。

【0018】

【0019】

本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、下記を含む正確に１層からなる発光層Ｂを含む：
（ｉ）ホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂ、及び選択的に
（ｉｖ）ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ。

【0020】

好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、下記を含む正確に１層からなる発光層Ｂを含む：
（ｉ）少なくとも１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）少なくとも１つの燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂ、及び
（ｉｖ）少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料Ｅ^Ｂ。

【0021】

副層の組み合わせ
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、正確に１層の（副）層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含む。本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの発光層Ｂは、正確に１層の（副）層からなる。本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、正確に１層の（副）層からなる正確に１層の発光層Ｂを含む。

【0022】

本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含む。本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの発光層Ｂは、１以上の副層を含む。本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの発光層Ｂは、１以上の副層からなる。

【0023】

本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる正確に１層の発光層Ｂを含む。本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、正確に２層の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含む。

【0024】

本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの発光層Ｂは、正確に２層の副層からなる。本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、正確に２層の副層からなる正確に１層の発光層Ｂを含む。

【0025】

本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、２以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含む。本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの発光層Ｂは、２以上の副層からなる。

【0026】

本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、２以上の副層からなる正確に１層の発光層Ｂを含む。

【0027】

本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、正確に１層、正確に２層または正確に３層の副層を含む。

【0028】

発光層Ｂの相異なる副層は、必ずしも全て同一材料を含むわけではなく、さらに好ましくは同一割合の同一材料を含まないわけでもないものと理解される。

【0029】

発光層Ｂの相異なる副層は、互いに隣接するものと理解される。

【0030】

本発明の一実施形態において、少なくとも１層の副層は、正確に１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ及び正確に１つの燐光材料Ｐ^Ｂを含む。

【0031】

本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ、燐光材料Ｐ^Ｂまたは小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含まない。

【0032】

本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、少なくとも１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、正確に１つの燐光材料Ｐ^Ｂ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む。

【0033】

本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、少なくとも１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、正確に１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ、正確に１つの燐光材料Ｐ^Ｂ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む。

【0034】

本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、正確に１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ、正確に１つの燐光材料Ｐ^Ｂ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む。

【0035】

本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、正確に１つの燐光材料Ｐ^Ｂ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む。

【0036】

本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料Ｈ^Ｂを含む。

【0037】

本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、１以上の副層は、正確に１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂを含む。

【0038】

本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つの燐光材料Ｐ^Ｂを含む。

【0039】

本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む。

【0040】

本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料Ｈ^Ｂ及び正確に１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂを含む。

【0041】

本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料Ｈ^Ｂ及び正確に１つの燐光材料Ｐ^Ｂを含む。

【0042】

本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料Ｈ^Ｂ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む。

【0043】

本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む。

【0044】

本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ及び正確に１つの燐光材料Ｐ^Ｂを含む。

【0045】

本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つの燐光材料Ｐ^Ｂ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む。

【0046】

本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、正確に１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む。

【0047】

本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、正確に１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ及び正確に１つの燐光材料Ｐ^Ｂを含む。

【0048】

本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、正確に１つの燐光材料Ｐ^Ｂ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む。

【0049】

本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つの燐光材料Ｐ^Ｂ、正確に１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む。

【0050】

本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、正確に１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ、正確に１つの燐光材料Ｐ^Ｂ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む。

【0051】

本発明の好ましい実施形態において、１層の副層は、正確に１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂを含み、１層の副層（好ましくは、他の副層）は、正確に１つの燐光材料Ｐ^Ｂ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む。

【0052】

本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、３以上の副層を含む（あるいは、それから構成される）少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、第１副層Ｂ１は、正確に１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂを含み、第２副層Ｂ２は、正確に１つの燐光材料Ｐ^Ｂを含み、第３副層Ｂ３は、正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む。

【0053】

発光層Ｂの副層は、他の順序、例えば、Ｂ１－Ｂ２－Ｂ３、Ｂ１－Ｂ３－Ｂ２、Ｂ２－Ｂ１－Ｂ３、Ｂ２－Ｂ３－Ｂ１、Ｂ３－Ｂ２－Ｂ１、Ｂ３－Ｂ１－Ｂ２でも製作され、その間に１以上の他の副層を有することもできる。

【0054】

本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、２以上の副層を含む（あるいは、それから構成される）少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、第１副層Ｂ１は、正確に１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ及び正確に１つの燐光材料Ｐ^Ｂを含み、第２副層Ｂ２は、正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む。

【0055】

本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、２以上の副層を含む（あるいは、それから構成される）少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、第１副層Ｂ１は、正確に１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂを含み、第２副層Ｂ２は、正確に１つの燐光材料Ｐ^Ｂ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む。

【0056】

本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、２以上の副層を含む（あるいは、それから構成される）少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、第１副層Ｂ１は、正確に１つの燐光材料Ｐ^Ｂを含み、第２副層Ｂ２は、正確に１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む。

【0057】

本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、２以上の副層を含む（あるいは、それから構成される）少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、第１副層Ｂ１は、正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含み、第２副層Ｂ２は、正確に１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ及び正確に１つの燐光材料Ｐ^Ｂを含む。好ましい実施形態において、副層Ｂ１及びＢ２は、互いに（直接）隣接し、すなわち、互いに（直接）接触する。

【0058】

また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子は、本発明の文脈における発光層Ｂに対して与えられた要件を満たさない１以上の発光層を選択的に含んでもよいものと理解される。すなわち、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子は、本願で定義されたような少なくとも１層の発光層Ｂを含み、発光層Ｂに対して本願で与えられた要件が必ずしも適用されるものではない１以上の更なる発光層を選択的に含んでもよい。本発明の他の実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれた、全部ではないが、少なくとも１層の発光層は、本発明の特定実施形態で定義されたような発光層Ｂである。

【0059】

本発明の好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの発光層は、本発明の特定実施形態で定義されたような発光層Ｂである。

【0060】

発光層（ＥＭＬ）Ｂの組成
（少なくとも１つの）ホスト材料Ｈ^Ｂ、（少なくとも１つの）燐光材料Ｐ^Ｂ及び（少なくとも１つの）小さな半値幅エミッタＳ^Ｂは、有機エレクトロルミネッセンス素子に任意の量及び任意の割合で含まれる。

【0061】

好ましい実施形態において、（少なくとも１つの）ホスト材料Ｈ^Ｂ、（少なくとも１つの）燐光材料Ｐ^Ｂ、（少なくとも１つの）熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料Ｅ^Ｂ及び（少なくとも１つの）小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、有機エレクトロルミネッセンス素子に任意の量及び任意の割合で含まれる。

【0062】

本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層それぞれは、（少なくとも１つの）ホスト材料Ｈ^Ｂ（より具体的には、Ｈ^Ｐ及び／またはＨ^Ｎ及び／またはＨ^ＢＰ）を（少なくとも１つの）小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂより多く含む。

【0063】

本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層それぞれは、（少なくとも１つの）ホスト材料Ｈ^Ｂ（より具体的には、Ｈ^Ｐ及び／またはＨ^Ｎ及び／またはＨ^ＢＰ）を（少なくとも１つの）燐光材料Ｐ^Ｂより多く含む。

【0064】

本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層それぞれは、（少なくとも１つの）ホスト材料Ｈ^Ｂ（より具体的には、Ｈ^Ｐ及び／またはＨ^Ｎ及び／またはＨ^ＢＰ）を（少なくとも１つの）ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂより多く含む。

【0065】

本発明の好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのそれぞれは、少なくとも１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂを少なくとも１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂより多く含む。

【0066】

好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）少なくとも１層の発光層Ｂは、全体として下記を含む（あるいは、それから構成される）：
（ｉ）３０～９９．８重量％の１以上のホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）０．１～３０重量％の１以上の燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ、及び選択的に
（ｖ）０～６９．８重量％の１以上の溶媒。

【0067】

好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）少なくとも１層の発光層Ｂは、全体として下記を含む（あるいは、それから構成される）：
（ｉ）３０～９９．８重量％、好ましくは、６０～９９．８重量％の１以上のホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）０．１～５０重量％、好ましくは、０．１～３０重量％の１以上の燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）０．１～２０重量％、好ましくは、０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ、及び選択的に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。

【0068】

好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）少なくとも１層の発光層Ｂは、全体として下記を含む（あるいは、それから構成される）：
（ｉ）３０～９９．８重量％の１以上のホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）０．１～２０重量％の１以上の燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ、及び選択的に
（ｖ）０～６９．８重量％の１以上の溶媒。

【0069】

好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）少なくとも１層の発光層Ｂは、全体として下記を含む（あるいは、それから構成される）：
（ｉ）３０～９９．８重量％、好ましくは、７０～９９．８重量％の１以上のホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）０．１～２０重量％の１以上の燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）０．１～５０重量％、好ましくは、０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ、及び選択的に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。

【0070】

Ｅ^Ｂが選択的である好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）少なくとも１層の発光層Ｂは、全体として下記を含む（あるいは、それから構成される）：
（ｉ）３０～９９．８重量％の１以上のホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）０．１～３０重量％の１以上の燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ、及び選択的に
（ｉｖ）０～６９．８重量％の１以上のＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ、及び選択的に
（ｖ）０～６９．８重量％の１以上の溶媒。

【0071】

【0072】

Ｅ^Ｂが選択的である好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）少なくとも１層の発光層Ｂは、全体として下記を含む（あるいは、それから構成される）：
（ｉ）３０～９９．８重量％の１以上のホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）０．１～２０重量％の１以上の燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ、及び選択的に
（ｉｖ）０～６９．８重量％の１以上のＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ、及び選択的に
（ｖ）０～６９．８重量％の１以上の溶媒。

【0073】

Ｅ^Ｂが選択的である好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）少なくとも１層の発光層Ｂは、全体として下記を含む（あるいは、それから構成される）：
（ｉ）３０～９９．８重量％の１以上のホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）０．１～２０重量％の１以上の燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ、及び選択的に
（ｉｖ）０～６９．８重量％の１以上のＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ、及び選択的に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。

【0074】

Ｅ^Ｂが選択的であるより好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）少なくとも１層の発光層Ｂは、全体として下記を含む（あるいは、それから構成される）：
（ｉ）３０～８７．８重量％の１以上のホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）０．１～３０重量％の１以上の燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ、
（ｉｖ）１２～４０重量％の１以上のＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ、及び選択的に
（ｖ）０～５７．８重量％の１以上の溶媒。

【0075】

【0076】

Ｅ^Ｂが選択的であるより好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）少なくとも１層の発光層Ｂは、全体として下記を含む（あるいは、それから構成される）：
（ｉ）３０～８７．８重量％の１以上のホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）０．１～２０重量％の１以上の燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ、
（ｉｖ）１２～４０重量％の１以上のＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ、及び選択的に
（ｖ）０～５７．８重量％の１以上の溶媒。

【0077】

Ｅ^Ｂが選択的である好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）少なくとも１層の発光層Ｂは、全体として下記を含む（あるいは、それから構成される）：
（ｉ）３０～８７．８重量％の１以上のホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）０．１～２０重量％の１以上の燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ、
（ｉｖ）１２～４０重量％の１以上のＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ、及び選択的に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。

【0078】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、５重量％以下の１以上の燐光材料Ｐ^Ｂを含む。

【0079】

本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、下記を含む少なくとも１層の発光層Ｂを含む：
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｈ）を有する少なくとも１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｐ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｐ）を有する少なくとも１つの燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｓ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂ、及び
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｅ）を有する少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料Ｅ^Ｂ、
ここで、下記式（１）及び（２）で表される関係が適用され、
Ｅ（Ｔ１^Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１^Ｐ）（１）
Ｅ（Ｔ１^Ｐ）＞Ｅ（Ｓ１^Ｓ）（２）
ここで、（少なくとも１つ）、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、５重量％以下の１以上の燐光材料Ｐ^Ｂを含む。

【0080】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）３０～９６．８重量％の１以上のホスト材料Ｈ^Ｂ（また、ホスト化合物Ｈ^Ｂとも称する）、
（ｉｉ）０．１～５重量％の１以上の燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ、
（ｉｖ）３～６９．８重量％の１以上のＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ、及び選択的に
（ｖ）０～６６．８重量％の１以上の溶媒。

【0081】

【0082】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）３０～８９．８重量％の１以上のホスト材料Ｈ^Ｂ（また、ホスト化合物Ｈ^Ｂとも称する）、
（ｉｉ）０．１～５重量％の１以上の燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ、
（ｉｖ）１０～４０重量％の１以上のＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ、及び選択的に
（ｖ）０～５９．８重量％の１以上の溶媒。

【0083】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）３０～８９．８重量％の１以上のホスト材料Ｈ^Ｂ（また、ホスト化合物Ｈ^Ｂとも称する）、
（ｉｉ）０．１～５重量％の１以上の燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ、
（ｉｖ）１０～５２重量％の１以上のＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ、及び選択的に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。

【0084】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）３０～９６．８重量％の１以上のホスト材料Ｈ^Ｂ（また、ホスト化合物Ｈ^Ｂとも称する）、
（ｉｉ）０．１～５重量％の１以上の燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）０．１～５重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ、
（ｉｖ）３～６９．８重量％の１以上のＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ、及び選択的に
（ｖ）０～６６．８重量％の１以上の溶媒。

【0085】

【0086】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）３０～８７．８重量％の１以上のホスト材料Ｈ^Ｂ（また、ホスト化合物Ｈ^Ｂとも称する）、
（ｉｉ）０．１～５重量％の１以上の燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）０．１～５重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ、
（ｉｖ）１２～４０重量％の１以上のＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ、及び選択的に
（ｖ）０～５７．８重量％の１以上の溶媒。

【0087】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）３０～８７．８重量％の１以上のホスト材料Ｈ^Ｂ（また、ホスト化合物Ｈ^Ｂとも称する）、
（ｉｉ）０．１～５重量％の１以上の燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）０．１～５重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ、
（ｉｖ）１２～５７重量％の１以上のＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ、及び選択的に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。

【0088】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、３重量％以下の燐光材料Ｐ^Ｂを含む。

【0089】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、１重量％以下の燐光材料Ｐ^Ｂを含む。

【0090】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、１０～４０重量％の１以上のＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂを含む。

【0091】

本発明の一実施形態において、（少なくとも１つの）小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの（少なくとも１つの）燐光材料Ｐ^Ｂに対する質量比（Ｓ^Ｂ：Ｐ^Ｂ）は、≧１である。

【0092】

本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂにおいて、（少なくとも１つの）小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの（少なくとも１つの）燐光材料Ｐ^Ｂに対する質量比（Ｓ^Ｂ：Ｐ^Ｂ）は、≧１である。本発明の一実施形態において、それぞれの発光層Ｂにおいて、（少なくとも１つの）小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの（少なくとも１つの）燐光材料Ｐ^Ｂに対する質量比（Ｓ^Ｂ：Ｐ^Ｂ）は、≧１である。

【0093】

本発明の一実施形態において、（少なくとも１つの）小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの（少なくとも１つの）燐光材料Ｐ^Ｂに対する質量比（Ｓ^Ｂ：Ｐ^Ｂ）は、＜１である。

【0094】

本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂにおいて、（少なくとも１つの）小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの（少なくとも１つの）燐光材料Ｐ^Ｂに対する質量比（Ｓ^Ｂ：Ｐ^Ｂ）は、＜１である。本発明の一実施形態において、それぞれの発光層Ｂにおいて、（少なくとも１つの）小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの（少なくとも１つの）燐光材料Ｐ^Ｂに対する質量比（Ｓ^Ｂ：Ｐ^Ｂ）は、＜１である。

【0095】

本発明の一実施形態において、質量比Ｓ^Ｂ：Ｐ^Ｂは、１：１から３０：１の範囲、１．５：１から２５：１の範囲、２：１から２０：１の範囲、４：１から１５：１の範囲、５：１から１２：１の範囲、または１０：１から１１：１の範囲にある。例えば、質量比Ｓ^Ｂ：Ｐ^Ｂは、（約）２０：１、１５：１、１２：１、１０：１、８：１、５：１、４：１、２：１、１．５：１または１：１の範囲にある。

【0096】

【0097】

本発明の一実施形態において、質量比Ｐ^Ｂ：Ｓ^Ｂは、１：１から３０：１の範囲、１．５：１から２５：１の範囲、２：１から２０：１の範囲、４：１から１５：１の範囲、５：１から１２：１の範囲、または１０：１から１１：１の範囲にある。例えば、質量比Ｐ^Ｂ：Ｓ^Ｂは、（約）２０：１、１５：１、１２：１、１０：１、８：１、５：１、４：１、２：１、１．５：１または１：１の範囲にある。

【0098】

前述のように、発光層Ｂの相異なる副層は、必ずしも全て同一材料、またはさらに好ましくは、同一割合の同一材料を含まないものと理解される。

【0099】

Ｓ１－Ｔ１－エネルギー関係
本発明の一実施形態において、下記式（１）及び（２）で表される関係が適用される：
Ｅ（Ｔ１^Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１^Ｐ）（１）
Ｅ（Ｔ１^Ｐ）＞Ｅ（Ｓ１^Ｓ）（２）
したがって、それぞれのホスト材料Ｈ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｈは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｐよりエネルギーが高く、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｐは、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの最低励起一重項状態Ｓ１^Ｓよりエネルギーが高い。

【0100】

一実施形態において、式（１）及び（２）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。

【0101】

少なくとも１層の発光層Ｂを含む有機エレクトロルミネッセンス素子は、下記を含み、
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｈ）を有する少なくとも１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｐ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｐ）を有する少なくとも１つの燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｓ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂ、及び
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｅ）を有する少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料Ｅ^Ｂ、
ここで、下記式（１）及び（２）で表される関係が適用される：
Ｅ（Ｔ１^Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１^Ｐ）（１）
Ｅ（Ｔ１^Ｐ）＞Ｅ（Ｓ１^Ｓ）（２）。

【0102】

一実施形態において、式（１）及び（２）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。

【0103】

本発明の好ましい実施形態において、下記式（３）及び（４）で表される関係が適用される：
Ｅ（Ｔ１^Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１^Ｅ）（３）
Ｅ（Ｔ１^Ｅ）＞Ｅ（Ｔ１^Ｐ）（４）
したがって、それぞれのホスト材料Ｈ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｈは、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｅよりエネルギーが高く、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｅは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｐよりエネルギーが高い。

【0104】

一実施形態において、式（３）及び（４）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（３）及び（４）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。

【0105】

本発明の代案的な実施形態において、下記式（５）及び（６）で表される関係が適用される：
Ｅ（Ｔ１^Ｐ）＞Ｅ（Ｔ１^Ｅ）（５）
Ｅ（Ｓ１^Ｅ）＞Ｅ（Ｓ１^Ｓ）（６）
したがって、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｐは、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｅよりエネルギーが高く、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低励起三重項状態Ｓ１^Ｅは、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの最低励起一重項状態Ｓ１^Ｓよりエネルギーが高い。

【0106】

一実施形態において、式（５）及び（６）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（５）及び（６）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。

【0107】

本発明の好ましい実施形態において、下記式（１）から（４）で表される関係が適用される：
Ｅ（Ｔ１^Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１^Ｐ）（１）
Ｅ（Ｔ１^Ｐ）＞Ｅ（Ｓ１^Ｓ）（２）
Ｅ（Ｔ１^Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１^Ｅ）（３）
Ｅ（Ｔ１^Ｅ）＞Ｅ（Ｔ１^Ｐ）（４）。

【0108】

一実施形態において、式（１）から（４）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（１）から（４）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。

【0109】

本発明の一実施形態において、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｐと、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｅとの（エネルギー）差は、０．３ｅＶより小さい：それぞれ、Ｅ（Ｔ１^Ｐ）－Ｅ（Ｔ１^Ｅ）＜０．３ｅＶ及びＥ（Ｔ１^Ｅ）－Ｅ（Ｔ１^Ｐ）＜０．３ｅＶ。

【0110】

本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｐと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｅとのエネルギー差は、０．３ｅＶより小さい：それぞれ、Ｅ（Ｔ１^Ｐ）－Ｅ（Ｔ１^Ｅ）＜０．３ｅＶ及びＥ（Ｔ１^Ｅ）－Ｅ（Ｔ１^Ｐ）＜０．３ｅＶ。

【0111】

本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｐと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｅとのエネルギー差は、０．３ｅＶより小さい：それぞれ、Ｅ（Ｔ１^Ｐ）－Ｅ（Ｔ１^Ｅ）＜０．３ｅＶ及びＥ（Ｔ１^Ｅ）－Ｅ（Ｔ１^Ｐ）＜０．３ｅＶ。

【0112】

本発明の一実施形態において、下記式（４）で表される関係が適用される：
Ｅ（Ｔ１^Ｅ）＞Ｅ（Ｔ１^Ｐ）（４）。

【0113】

一実施形態において、式（４）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（４）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。

【0114】

本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｅと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｐとのエネルギー差は、０．２ｅＶより小さい：Ｅ（Ｔ１^Ｅ）－Ｅ（Ｔ１^Ｐ）＜０．２ｅＶ。

【0115】

本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｅと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｐとのエネルギー差は、０．２ｅＶより小さい：Ｅ（Ｔ１^Ｅ）－Ｅ（Ｔ１^Ｐ）＜０．２ｅＶ。

【0116】

本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｅと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｐとのエネルギー差は、０．２ｅＶより小さい：Ｅ（Ｔ１^Ｅ）－Ｅ（Ｔ１^Ｐ）＜０．２ｅＶ。

【0117】

本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｐと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最低励起三重項状態Ｓ１^Ｓ（エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｓ））とのエネルギー差は、０．３ｅＶより小さい：Ｅ（Ｔ１^Ｐ）－Ｅ（Ｓ１^Ｓ）＜０．３ｅＶ。

【0118】

本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｐと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最低励起一重項状態Ｓ１^Ｓとのエネルギー差は、０．３ｅＶより小さい：Ｅ（Ｔ１^Ｐ）－Ｅ（Ｓ１^Ｓ）＜０．３ｅＶ。

【0119】

本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｐと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最低励起一重項状態Ｓ１^Ｓとのエネルギー差は、０．３ｅＶより小さい：Ｅ（Ｔ１^Ｐ）－Ｅ（Ｓ１^Ｓ）＜０．３ｅＶ。

【0120】

本発明の好ましい実施形態において、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｐと、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最低励起一重項状態Ｓ１^Ｓ（エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｓ））とのエネルギー差は、０．２ｅＶより小さい：Ｅ（Ｔ１^Ｐ）－Ｅ（Ｓ１^Ｓ）＜０．２ｅＶ。

【0121】

本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｐと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最低励起一重項状態Ｓ１^Ｓとのエネルギー差は、０．２ｅＶより小さい：Ｅ（Ｔ１^Ｐ）－Ｅ（Ｓ１^Ｓ）＜０．２ｅＶ。

【0122】

本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最低励起三重項状態Ｔ１^Ｐと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最低励起一重項状態Ｓ１^Ｓとのエネルギー差は、０．２ｅＶより小さい：Ｅ（Ｔ１^Ｐ）－Ｅ（Ｓ１^Ｓ）＜０．２ｅＶ。

【0123】

ＨＯＭＯ－ＬＵＭＯエネルギー
本発明の好ましい実施形態において、下記要件が満たされる：
（ｉ）それぞれのホスト材料Ｈ^Ｂは、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有し、
（ｉｉ）それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂは、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有し、
（ｉｉｉ）それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂは、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有し、
ここで、下記式（１０）及び（１１）で表される関係が適用される：
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）＞Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）（１０）
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）＞Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）（１１）。

【0124】

一実施形態において、式（１０）及び（１１）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（１０）及び（１１）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。

【0125】

本発明の一実施形態において、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有するそれぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）は、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有するそれぞれのホスト材料Ｈ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）よりエネルギーがさらに高い：
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）＞Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）。

【0126】

本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）は、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料Ｈ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）よりエネルギーがさらに高い：
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）＞Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）。

【0127】

本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂのそれぞれにおいて、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）は、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料Ｈ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）よりエネルギーがさらに高い：
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）＞Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）。

【0128】

本発明の一実施形態において、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有するそれぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）は、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有するそれぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）よりエネルギーがさらに高い：
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）＞Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）。

【0129】

本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）は、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）よりエネルギーがさらに高い：
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）＞Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）。

【0130】

本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂのそれぞれにおいて、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）は、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）よりエネルギーがさらに高い：
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）＞Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）。

【0131】

本発明の一実施形態において、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）は、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）よりエネルギーがさらに高い：
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）＞Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）。

【0132】

本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）は、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）よりエネルギーがさらに高い：
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）＞Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）。

【0133】

本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂのそれぞれにおいて、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）は、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）よりエネルギーがさらに高い：
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）＞Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｅ^Ｂ）。

【0134】

本発明の一実施形態において、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）は、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料Ｈ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）よりエネルギーがさらに高い：
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）＞Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）。

【0135】

本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）は、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料Ｈ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）よりエネルギーがさらに高い：
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）＞Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）。

【0136】

本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂのそれぞれにおいて、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）は、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料Ｈ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）よりエネルギーがさらに高い：
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）＞Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）。

【0137】

本発明の一実施形態において、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）は、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）よりエネルギーがさらに高い：
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）＞Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）。

【0138】

本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）は、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）よりエネルギーがさらに高い：
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）＞Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）。

【0139】

本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂのそれぞれにおいて、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）は、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）よりエネルギーがさらに高い：
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）＞Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）。

【0140】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのエネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する燐光材料Ｐ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのエネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）との（エネルギー）差は、０．３ｅＶより小さい：
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）－Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）＜０．３ｅＶ。

【0141】

本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）と、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）とのエネルギー差は、０．３ｅＶより小さい：
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）－Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）＜０．３ｅＶ。

【0142】

本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのそれぞれにおいて、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）と、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）とのエネルギー差は、０．３ｅＶより小さい：
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）－Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）＜０．３ｅＶ。

【0143】

本発明の一実施形態において、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有するそれぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）と、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有するそれぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）との（エネルギー）差は、０．２ｅＶより小さい：
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）－Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）＜０．２ｅＶ。

【0144】

本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）と、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）とのエネルギー差は、０．２ｅＶより小さい：
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）－Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）＜０．２ｅＶ。

【0145】

本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのそれぞれにおいて、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）と、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）とのエネルギー差は、０．２ｅＶより小さい：
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）－Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）＜０．２ｅＶ。

【0146】

本発明の好ましい実施形態において、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）と、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）との（エネルギー）差は、０．０ｅＶより大きく、かつ０．３ｅＶより小さい：
０．０ｅＶ＜Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）－Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）＜０．３ｅＶ。

【0147】

本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）と、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）とのエネルギー差は、０．０ｅＶより大きく、かつ０．３ｅＶより小さい：
０．０ｅＶ＜Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）－Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）＜０．３ｅＶ。

【0148】

本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのそれぞれにおいて、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）と、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）とのエネルギー差は、０．０ｅＶより大きく、かつ０．３ｅＶより小さい：
０．０ｅＶ＜Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）－Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）＜０．３ｅＶ。

【0149】

本発明の好ましい実施形態において、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）と、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）との（エネルギー）差は、０．１ｅＶ以上、かつ０．８ｅＶ以下である：
０．１ｅＶ≦Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）－Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）≦０．８ｅＶ。

【0150】

本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）と、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）とのエネルギー差は、０．１ｅＶ以上、かつ０．８ｅＶ以下である：
０．１ｅＶ≦Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）－Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）≦０．８ｅＶ。

【0151】

本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのそれぞれにおいて、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）と、エネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）とのエネルギー差は、０．１ｅＶ以上、かつ０．８ｅＶ以下である：
０．１ｅＶ≦Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）－Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）≦０．８ｅＶ。

【0152】

本発明の好ましい実施形態において、下記要件が満たされる：
（ｉ）それぞれのホスト材料Ｈ^Ｂは、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有し、
（ｉｉ）それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂは、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有し、
（ｉｉｉ）それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂは、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有し、
（ｉｖ）それぞれの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料Ｅ^Ｂは、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有し、
ここで、下記式（１２）及び（１３）で表される関係が適用される：
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）＜Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ）（１２）
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）＜Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｐ^Ｂ）（１３）。

【0153】

一実施形態において、式（１２）及び（１３）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（１２）及び（１３）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。

【0154】

本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、発光層Ｂの１以上の副層は、下記を含む：
（ｉ）エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有するホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂ、及び
（ｉｖ）エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有する熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料Ｅ^Ｂ、
ここで、下記式（１２）から（１４）で表される関係が適用される：
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）＜Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ）（１２）
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）＜Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｐ^Ｂ）（１３）
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）＜Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）（１４）。

【0155】

一実施形態において、式（１２）から（１４）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（１２）から（１４）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。

【0156】

本発明の一実施形態において、下記式（１０）から（１３）で表される関係が適用される：
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）＞Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）（１０）
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）＞Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）（１１）
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）＜Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ）（１２）
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）＜Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｐ^Ｂ）（１３）。

【0157】

一実施形態において、式（１０）から（１３）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（１０）から（１３）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。

【0158】

本発明の一実施形態において、下記式（１０）から（１４）で表される関係が適用される：
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）＞Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）（１０）
Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｐ^Ｂ）＞Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｓ^Ｂ）（１１）
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）＜Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ）（１２）
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）＜Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｐ^Ｂ）（１３）
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）＜Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）（１４）。

【0159】

一実施形態において、式（１０）から（１４）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（１０）から（１４）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。

【0160】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有するＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）よりエネルギーがさらに高い：
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）＞Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）。

【0161】

本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有するＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）よりエネルギーがさらに高い：
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）＞Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）。

【0162】

本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂのそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有するＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）よりエネルギーがさらに高い：
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）＞Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）。

【0163】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有するＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）とのエネルギー差は、０．３ｅＶより小さい：
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）－Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）＜０．３ｅＶ。

【0164】

本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有するＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）とのエネルギー差は、０．３ｅＶより小さい：
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）－Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）＜０．３ｅＶ。

【0165】

本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂのそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有するＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）とのエネルギー差は、０．３ｅＶより小さい：
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）－Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）＜０．３ｅＶ。

【0166】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有するＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）との（エネルギー）差は、０．２ｅＶより小さい：
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）－Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）＜０．２ｅＶ。

【0167】

本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有するＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）とのエネルギー差は、０．２ｅＶより小さい：
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）－Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）＜０．２ｅＶ。

【0168】

本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂのそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有するＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）とのエネルギー差は、０．２ｅＶより小さい：
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）－Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）＜０．２ｅＶ。

【0169】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有するＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）とのエネルギー差は、０．０ｅＶより大きく、かつ０．３ｅＶより小さい：
０．０ｅＶ＜Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）－Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）＜０．３ｅＶ。

【0170】

本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有するＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）とのエネルギー差は、０．０ｅＶより大きく、かつ０．３ｅＶより小さい：
０．０ｅＶ＜Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）－Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）＜０．３ｅＶ。

【0171】

本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂのそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有するＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）とのエネルギー差は、０．０ｅＶより大きく、かつ０．３ｅＶより小さい：
０．０ｅＶ＜Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｓ^Ｂ）－Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）＜０．３ｅＶ。

【0172】

本発明の一実施形態において、それぞれのエネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する燐光材料Ｐ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｐ^Ｂ）は、それぞれのエネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有するＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）よりエネルギーがさらに高い：
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｐ^Ｂ）＞Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）。

【0173】

本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する燐光材料Ｐ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｐ^Ｂ）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有するＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）よりエネルギーがさらに高い：
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｐ^Ｂ）＞Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）。

【0174】

本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂのそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｐ^Ｂ）を有する燐光材料Ｐ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｐ^Ｂ）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有するＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）よりエネルギーがさらに高い：
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｐ^Ｂ）＞Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）。

【0175】

本発明の一実施形態において、それぞれのエネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有するホスト材料Ｈ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ）は、それぞれのエネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有するＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）よりエネルギーがさらに高い：
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ）＞Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）。

【0176】

本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有するホスト材料Ｈ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有するＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）よりエネルギーがさらに高い：
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ）＞Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）。

【0177】

本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂのそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有するホスト材料Ｈ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）を有するＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）よりエネルギーがさらに高い：
Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｂ）＞Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）。

【0178】

発光最大（emission maxima）の関係
本発明の一実施形態において、式（１６）及び（１７）で表される関係が適用される：
｜Ｅ^λｍａｘ（Ｐ^Ｂ）－Ｅ^λｍａｘ（Ｓ^Ｂ）｜＜０．３０ｅＶ（１６）
｜Ｅ^λｍａｘ（Ｅ^Ｂ）－Ｅ^λｍａｘ（Ｓ^Ｂ）｜＜０．３０ｅＶ（１７）。

【0179】

これは、以下を意味する：電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈における燐光材料Ｐ^Ｂの発光最大のエネルギーＥ^λｍａｘ（Ｐ^Ｂ）と、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの発光最大のエネルギーＥ^λｍａｘ（Ｓ^Ｂ）とのエネルギー差が０．３０ｅＶ未満である。そして、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈におけるＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの発光最大のエネルギーＥ^λｍａｘ（Ｅ^Ｂ）と、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの発光最大のエネルギーＥ^λｍａｘ（Ｓ^Ｂ）とのエネルギー差が０．３０ｅＶ未満である。

【0180】

一実施形態において、式（１６）及び（１７）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（１６）及び（１７）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。

【0181】

有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、前記１以上の副層は、互いに隣接し、全体的に下記を含む：
（ｉ）少なくとも１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）エネルギーＥ^λｍａｘ（Ｐ^Ｂ）を有する発光最大λ_ｍａｘ（Ｐ^Ｂ）を有する少なくとも１つの燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）エネルギーＥ^λｍａｘ（Ｓ^Ｂ）を有する発光最大λ_ｍａｘ（Ｓ^Ｂ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂ、及び
（ｉｖ）エネルギーＥ^λｍａｘ（Ｅ^Ｂ）を有する発光最大λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｂ）を有する少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料Ｅ^Ｂ、
前記発光層Ｂの外側表面に位置する１以上の副層は、燐光材料Ｐ^Ｂ、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ及びＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂからなる群から選択された少なくとも１つの（エミッタ）材料を含み、下記式（１６）及び（１７）で表される関係が適用される：
｜Ｅ^λｍａｘ（Ｐ^Ｂ）－Ｅ^λｍａｘ（Ｓ^Ｂ）｜＜０．３０ｅＶ（１６）
｜Ｅ^λｍａｘ（Ｅ^Ｂ）－Ｅ^λｍａｘ（Ｓ^Ｂ）｜＜０．３０ｅＶ（１７）。

【0182】

本発明の好ましい実施形態において、式（１８）及び（１９）で表される関係が適用される：
｜Ｅ^λｍａｘ（Ｐ^Ｂ）－Ｅ^λｍａｘ（Ｓ^Ｂ）｜＜０．２０ｅＶ（１８）
｜Ｅ^λｍａｘ（Ｅ^Ｂ）－Ｅ^λｍａｘ（Ｓ^Ｂ）｜＜０．２０ｅＶ（１９）。

【0183】

これは、以下を意味する：電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈における燐光材料Ｐ^Ｂの発光最大のエネルギーＥ^λｍａｘ（Ｐ^Ｂ）と、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの発光最大のエネルギーＥ^λｍａｘ（Ｓ^Ｂ）とのエネルギー差が０．２０ｅＶ未満である。そして、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈におけるＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの発光最大のエネルギーＥ^λｍａｘ（Ｅ^Ｂ）と、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの発光最大のエネルギーＥ^λｍａｘ（Ｓ^Ｂ）とのエネルギー差が０．２０ｅＶ未満である。

【0184】

一実施形態において、式（１８）及び（１９）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（１８）及び（１９）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。

【0185】

本発明の一実施形態は、有機エレクトロルミネッセンス素子に係わるものであり、これは、
（ｉｉ）少なくとも１つの燐光材料Ｐ^Ｂは、エネルギーＥ^λｍａｘ（Ｐ^Ｂ）を有する発光最大λ_ｍａｘ（Ｐ^Ｂ）を有し、
（ｉｉｉ）少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂは、エネルギーＥ^λｍａｘ（Ｓ^Ｂ）を有する発光最大λ_ｍａｘ（Ｓ^Ｂ）を有し、ここで、Ｓ^Ｂは、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光し、
（ｉｖ）少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料Ｅ^Ｂは、エネルギーＥ^λｍａｘ（Ｅ^Ｂ）を有する発光最大λ_ｍａｘ（Ｅ^Ｂ）を有し、
ここで、式（１８）及び（１９）が適用される：
｜Ｅ^λｍａｘ（Ｐ^Ｂ）－Ｅ^λｍａｘ（Ｓ^Ｂ）｜＜０．２０ｅＶ（１８）
｜Ｅ^λｍａｘ（Ｅ^Ｂ）－Ｅ^λｍａｘ（Ｓ^Ｂ）｜＜０．２０ｅＶ（１９）。

【0186】

本発明のより好ましい実施形態において、式（２０）及び（２１）で表される関係が適用される：
｜Ｅ^λｍａｘ（Ｐ^Ｂ）－Ｅ^λｍａｘ（Ｓ^Ｂ）｜＜０．１ｅＶ（２０）
｜Ｅ^λｍａｘ（Ｅ^Ｂ）－Ｅ^λｍａｘ（Ｓ^Ｂ）｜＜０．１０ｅＶ（２１）。

【0187】

これは、以下を意味する：電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈における燐光材料Ｐ^Ｂの発光最大のエネルギーＥ^λｍａｘ（Ｐ^Ｂ）と、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの発光最大のエネルギーＥ^λｍａｘ（Ｓ^Ｂ）とのエネルギー差が０．１０ｅＶ未満である。そして、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈におけるＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの発光最大のエネルギーＥ^λｍａｘ（Ｅ^Ｂ）と、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの発光最大のエネルギーＥ^λｍａｘ（Ｓ^Ｂ）とのエネルギー差が０．１０ｅＶ未満である。

【0188】

一実施形態において、式（２０）及び（２１）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（２０）及び（２１）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。

【0189】

本発明の一実施形態において、式（２２）で表される関係が適用される：
Ｅ^λｍａｘ（Ｐ^Ｂ）＞Ｅ^λｍａｘ（Ｓ^Ｂ）（２２）。

【0190】

これは、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈における燐光材料Ｐ^Ｂの発光最大のエネルギーＥ^λｍａｘ（Ｐ^Ｂ）が、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの発光最大のエネルギーＥ^λｍａｘ（Ｓ^Ｂ）より高いということを意味する。

【0191】

一実施形態において、式（２２）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（２２）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。

【0192】

本発明の一実施形態において、式（２２－ａ）で表される関係が適用される：
Ｅ^λｍａｘ（Ｅ^Ｂ）＞Ｅ^λｍａｘ（Ｓ^Ｂ）（２２－ａ）。

【0193】

これは、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈におけるＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの発光最大のエネルギーＥ^λｍａｘ（Ｅ^Ｂ）が、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの発光最大のエネルギーＥ^λｍａｘ（Ｓ^Ｂ）より高いということを意味する。

【0194】

一実施形態において、式（２２－ａ）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（２２－ａ）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。

【0195】

素子色相及び性能
本発明の更なる実施形態は、明確な色点で発光するエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。本発明によれば、エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、狭い発光バンド（小さい半値幅（ＦＷＨＭ））で発光する。好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、０．２５ｅＶ未満、好ましくは、０．２０ｅＶ未満、より好ましくは、０．１５ｅＶ未満、またはさらに好ましくは、０．１３ｅＶ未満の主発光ピークのＦＷＨＭで発光する。

【0196】

本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ^２（ｎｉｔ）において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１８％超過、またはさらに好ましくは、２０％超過の外部量子効率を示し、５００ｎｍから５６０ｎｍにおいて発光最大を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。

【0197】

本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ^２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１８％超過、またはさらに好ましくは、２０％超過の外部量子効率を示し、５１０ｎｍから５５０ｎｍにおいて発光最大を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。

【0198】

本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ^２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１８％超過、またはさらに好ましくは、２０％超過の外部量子効率を示し、５１５ｎｍから５４０ｎｍにおいて発光最大を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。

【0199】

好ましい実施形態において、エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、定電流密度Ｊ_０＝１５ｍＡ／ｃｍ^２において、１００時間超過、好ましくは、２００時間超過、より好ましくは、３００時間超過、より一層好ましくは、４００時間超過、さらに好ましくは、７５０時間超過、またはさらに好ましくは、１０００時間超過のＬＴ９５値を示す。

【0200】

本発明の更なる実施形態は、明確な色点で発光するエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。本発明によれば、エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、狭い発光バンド（小さい半値幅（ＦＷＨＭ））を有する光を発光する。好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、０．２５ｅＶ未満、好ましくは、０．２０ｅＶ未満、より好ましくは、０．１５ｅＶ未満、またはさらに好ましくは、０．１３ｅＶ未満の主発光ピークのＦＷＨＭを有する光を発光する。

【0201】

本発明の更なる実施形態は、ＩＴＵ－ＲＲｅｃｏｍｍｅｎｄａｔｉｏｎＢＴ．２０２０（Ｒｅｃ．２０２０）によって定義されているような原色緑色（ＣＩＥｘ＝０．１７０及びＣＩＥｙ＝０．７９７）のＣＩＥｘ（＝０．１７０）及びＣＩＥｙ（＝０．７９７）の色座標に近いＣＩＥｘ及びＣＩＥｙの色座標を有する光を発光するエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものであり、これは、ＵＨＤ（Ultra High Definition）ディスプレイ、例えば、ＵＨＤ－ＴＶに使用するのに適している。本段落において「近い」という用語は、本段落の末尾に提供されたＣＩＥｘ及びＣＩＥｙ座標の範囲を示す。商業的応用において、典型的にトップエミッション素子（上部電極が透明である）が使用される一方、本発明の全般にわたって使用されるテスト素子は、ボトムエミッション素子（下部電極及び基板が透明である）を示す。したがって、本発明の更なる態様は、発光が、０．１５から０．４５、好ましくは、０．１５から０．３５、より好ましくは、０．１５から０．３０、より一層好ましくは、０．１５から０．２５、またはさらに好ましくは、０．１５から０．２０のＣＩＥｘ色座標、及び／または、０．６０から０．９２、好ましくは、０．６５から０．９０、より好ましくは、０．７０から０．８８、より一層好ましくは、０．７５から０．８６、またはさらに好ましくは、０．７９から０．８４のＣＩＥｙ色座標を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。

【0202】

本発明の更なる実施形態は、ＤＣＩＰ３に定義されているような原色緑色（ＣＩＥｘ＝０．２６５及びＣＩＥｙ＝０．６５）のＣＩＥｘ（＝０．２６５）及びＣＩＥｙ（＝０．６５）の色座標に近いＣＩＥｘ及びＣＩＥｙの色座標を有する光を発光するＯＬＥＤに係わるものである。本段落において「近い」という用語は、本段落の末尾に提供されたＣＩＥｘ及びＣＩＥｙ座標の範囲を示す。商業的応用において、典型的にトップエミッション素子（上部電極が透明である）が使用される一方、本発明の全般にわたって使用されるテスト素子は、ボトムエミッション素子（下部電極及び基板が透明である）を示す。本発明の更なる態様は、下部発光が、０．２から０．４５、好ましくは、０．２から０．３５、より好ましくは、０．２から０．３０、より一層好ましくは、０．２４から０．２８、またはさらに好ましくは、０．２５から０．２７のＣＩＥｘ色座標、及び／または、０．６０から０．９、好ましくは、０．６から０．８、より好ましくは、０．６０から０．７０、より一層好ましくは、０．６２から０．６８、またはさらに好ましくは、０．６４から０．６６のＣＩＥｙ色座標を示すＯＬＥＤに係わるものである。

【0203】

本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ^２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１８％超過、またはさらに好ましくは、２０％超過の外部量子効率を示し、４２０ｎｍから５００ｎｍにおいて発光最大を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。

【0204】

本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ^２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１８％超過、またはさらに好ましくは、２０％超過の外部量子効率を示し、４４０ｎｍから４８０ｎｍにおいて発光最大を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。

【0205】

本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ^２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１８％超過、またはさらに好ましくは、２０％超過の外部量子効率を示し、４５０ｎｍから４７０ｎｍにおいて発光最大を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。

【0206】

本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ^２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１８％超過、またはさらに好ましくは、２０％超過の外部量子効率を示し、４２０ｎｍから５００ｎｍ、好ましくは、４３０ｎｍから４９０ｎｍ、より好ましくは、４４０ｎｍから４８０ｎｍ、より一層好ましくは、４５０ｎｍから４７０ｎｍの発光最大を示し、及び／または、５００ｃｄ／ｍ^２において、１００ｈ超過、好ましくは、２００ｈ超過、より好ましくは、４００ｈ超過、より一層好ましくは、７５０ｈ超過、またはさらに好ましくは、１０００ｈ超過のＬＴ８０値を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。

【0207】

【0208】

本発明の更なる実施形態は、ＩＴＵ－ＲＲｅｃｏｍｍｅｎｄａｔｉｏｎＢＴ．２０２０（Ｒｅｃ．２０２０）によって定義されているような原色青色（ＣＩＥｘ＝０．１３１及びＣＩＥｙ＝０．０４６）のＣＩＥｘ（＝０．１３１）及びＣＩＥｙ（＝０．０４６）の色座標に近いＣＩＥｘ及びＣＩＥｙの色座標を有する光を発光するエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものであり、これは、ＵＨＤディスプレイ、例えば、ＵＨＤ－ＴＶに使用するのに適している。本段落において「近い」という用語は、本段落の末尾に提供されたＣＩＥｘ及びＣＩＥｙ座標の範囲を示す。商業的応用において、典型的にトップエミッション素子（上部電極が透明である）が使用される一方、本発明の全般にわたって使用されるテスト素子は、ボトムエミッション素子（下部電極及び基板が透明である）を示す。青色素子のＣＩＥｙ色座標は、ボトムエミッション素子からトップエミッション素子に変更するとき、最大２倍まで減少するが、ＣＩＥｘはほとんど変わらない（Okinaka et al., Society for Information Display International Symposium Digest of Technical Papers, 2015, 46(1): 312-313, DOI:10.1002/sdtp.10480）。したがって、本発明の更なる態様は、発光が、０．０２から０．３０、好ましくは、０．０３から０．２５、より好ましくは、０．０５から０．２０、より一層好ましくは、０．０８から０．１８、またはさらに好ましくは、０．１０から０．１５のＣＩＥｘ色座標、及び／または、０．００から０．４５、好ましくは、０．０１から０．３０、より好ましくは、０．０２から０．２０、より一層好ましくは、０．０３から０．１５、またはさらに好ましくは、０．０４から０．１０のＣＩＥｙ色座標を示すＯＬＥＤに係わるものである。

【0209】

本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ^２において、８％超過、好ましくは、１０％超過、より好ましくは、１３％超過、より一層好ましくは、１５％超過、またはさらに好ましくは、２０％超過の外部量子効率を示し、及び／または、５９０ｎｍから６９０ｎｍ、好ましくは、６１０ｎｍから６６５ｎｍ、より好ましくは、６２０ｎｍから６４０ｎｍの発光最大を示し、及び／または、５００ｃｄ／ｍ^２において、１００ｈ超過、好ましくは、２００ｈ超過、より好ましくは、４００ｈ超過、より一層好ましくは、７５０ｈ超過、またはさらに好ましくは、１０００ｈ超過のＬＴ８０値を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。したがって、本発明の更なる態様は、発光が、０．２５超過、好ましくは、０．２７超過、より好ましくは、０．２９超過、より一層好ましくは、０．３０超過のＣＩＥｙ色座標を示すＯＬＥＤに係わるものである。

【0210】

本発明の更なる実施形態は、ＩＴＵ－ＲＲｅｃｏｍｍｅｎｄａｔｉｏｎＢＴ．２０２０（Ｒｅｃ．２０２０）によって定義されているような原色青色（ＣＩＥｘ＝０．７０８及びＣＩＥｙ＝０．２９２）のＣＩＥｘ（＝０．７０８）及びＣＩＥｙ（＝０．２９２）の色座標に近いＣＩＥｘ及びＣＩＥｙの色座標を有する光を発光するエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものであり、これは、ＵＨＤディスプレイ、例えば、ＵＨＤ－ＴＶに使用するのに適している。本段落において「近い」という用語は、本段落の末尾に提供されたＣＩＥｘ及びＣＩＥｙ座標の範囲を示す。商業的応用において、典型的にトップエミッション素子（上部電極が透明である）が使用される一方、本発明の全般にわたって使用されるテスト素子は、ボトムエミッション素子（下部電極及び基板が透明である）を示す。したがって、本発明の更なる態様は、発光が、０．６０から０．８８、好ましくは、０．６１から０．８３、より好ましくは、０．６３から０．７８、より一層好ましくは、０．６６から０．７６、またはさらに好ましくは、０．６８から０．７３のＣＩＥｘ色座標、及び／または、０．２５から０．７０、好ましくは、０．２６から０．５５、より好ましくは、０．２７から０．４５、より一層好ましくは、０．２８から０．４０、またはさらに好ましくは、０．２９から０．３５のＣＩＥｙ色座標を示すＯＬＥＤに係わるものである。

【0211】

したがって、本発明の更なる態様は、１４５００ｃｄ／ｍ^２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１７％超過、またはさらに好ましくは、２０％超過の外部量子効率を示し、及び／または、５９０ｎｍから６９０ｎｍ、好ましくは、６１０ｎｍから６６５ｎｍ、より好ましくは、６２０ｎｍから６４０ｎｍにおいて発光最大を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。

【0212】

有機エレクトロルミネッセンス素子の関心のある目的のうち１つは、光の発生でもある。したがって、本発明は、また、任意の本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を提供するステップを含む、所望の波長範囲の光を発生させる方法に係わるものである。

【0213】

したがって、本発明の更なる態様は、下記ステップを含む、所望の波長範囲の光を発生させる方法に係わるものである：
（ｉ）本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること、及び
（ｉｉ）前記有機エレクトロルミネッセンス素子に電流を印加すること。

【0214】

本発明の更なる態様は、前述の要素を構成して有機エレクトロルミネッセンス素子を作製する方法に係わるものである。本発明は、また、特に前記有機エレクトロルミネッセンス素子を使用することにより、緑色光を発生させる方法に係わるものである。

【0215】

本発明の更なる態様は、下記式（２３）から（２５）で表される関係のうち、（少なくとも）１つ、好ましくは、正確に１つが同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される有機エレクトロルミネッセンス素子に係わるものである：
４４０ｎｍ＜λ_ｍａｘ（Ｓ^Ｂ）＜４７０ｎｍ（２３）
５１０ｎｍ＜λ_ｍａｘ（Ｓ^Ｂ）＜５５０ｎｍ（２４）
６１０ｎｍ＜λ_ｍａｘ（Ｓ^Ｂ）＜６６５ｎｍ（２５）
ここで、λ_ｍａｘ（Ｓ^Ｂ）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの発光最大であり、ナノメートル（ｎｍ）で与えられる。

【0216】

本発明の一実施形態において、下記式（２３）から（２５）で表される関係のうち少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つが、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。

【0217】

本発明の更なる態様は、下記ステップを含む光発生方法に係わるものである：
（ｉ）本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること、及び
（ｉｉ）前記有機エレクトロルミネッセンス素子に電流を印加すること。

【0218】

本発明の更なる態様は、下記ステップを含む光発生方法に係わるものである：
（ｉ）本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること、及び
（ｉｉ）前記有機エレクトロルミネッセンス素子に電流を印加すること、
ここで、前記方法は、下記波長範囲のうち１つから選択された波長範囲において光を発生させるためのものである：
（ｉ）５１０ｎｍから５５０ｎｍ、または
（ｉｉ）４４０ｎｍから４７０ｎｍ、または
（ｉｉｉ）６１０ｎｍから６６５ｎｍ。

【0219】

当業者は、少なくとも１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ及び少なくとも１つの燐光材料Ｐ^Ｂ（以下参照）を、有機エレクトロルミネッセンス素子においてエミッタとして使用可能であることを理解する。しかし、好ましくは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、少なくとも１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ及び少なくとも１つの燐光材料Ｐ^Ｂの主要機能は、発光するものではない。好ましい実施形態において、電圧（及び電流）を印加するとき、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子が発光し、当該発光は、主に（すなわち、５０％より多く、好ましくは、６０％より多く、より好ましくは、７０％より多く、より一層好ましくは、８０％より多く、またはさらに好ましくは、９０％より多く）少なくとも１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂによって発光された蛍光に起因する。結果として、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子は、好ましくは、０．２５ｅＶ未満、より好ましくは、０．２０ｅＶ未満、より一層好ましくは、０．１５ｅＶ未満、またはさらに好ましくは、０．１３ｅＶ未満の主発光ピークの小さいＦＷＨＭで表される狭い発光を示す。

【0220】

本発明の好ましい実施形態において、下記式（２６）で表される関係が適用される：

ここで、
ＦＷＨＭ^Ｄは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の主発光ピークの電子ボルト（ｅＶ）単位の半値幅（ＦＷＨＭ）を意味し、
ＦＷＨＭ^ＳＢは、ＦＷＨＭ^ＤのＦＷＨＭを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層（ＥＭＬ）に使用された１以上のホスト材料Ｈ^Ｂ内の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂのスピンコーティング膜のフォトルミネセンススペクトル（室温、すなわち、（約）２０℃で測定された蛍光スペクトル）の電子ボルト（ｅＶ）でのＦＷＨＭを示す。すなわち、ＦＷＨＭ^ＳＢが決定されるスピンコーティング膜は、好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂと同一な重量比で同じ小さなＦＷＨＭエミッタまたはエミッタＳ^Ｂを含む。

【0221】

例えば、発光層Ｂがそれぞれ１重量％の濃度を有する２種の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む場合、スピンコーティング膜は、好ましくは、それぞれ１重量％の２種の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む。その例示的な場合、スピンコーティング膜のマトリックス材料は、スピンコーティング膜の９８重量％に至るであろう。そのようなスピンコーティング膜のマトリックス材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれたホスト材料Ｈ^Ｂの重量比を反映するように選択することができる。前述の例において、発光層Ｂが単一ホスト材料Ｈ^Ｂを含むならば、当該ホスト材料は、好ましくは、スピンコーティング膜の唯一のマトリックス材料でもある。しかし、前述の例において、発光層Ｂが２種のホスト材料Ｈ^Ｂを含む場合、１つは６０重量％の含量を有し、他の１つは２０重量％の含量（すなわち、３：１の割合）を有する場合、スピンコーティング膜（それぞれ１重量％の２種の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む）の前述のマトリックス材料は、好ましくは、ＥＭＬに存在する２種のホスト材料Ｈ^Ｂの３：１混合物でもある。

【0222】

本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に１以上の発光層Ｂが含まれる場合、前記式（２６）で表される関係は、好ましくは、素子に含まれる全ての発光層Ｂに適用される。

【0223】

一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂに対し、前述のＦＷＨＭ^Ｄ：ＦＷＨＭ^ＳＢの割合は、１．５０以下、好ましくは、１．４０以下、より好ましくは、１．３０、より一層好ましくは、１．２０、またはさらに好ましくは、１．１０である。

【0224】

一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂに対し、前述のＦＷＨＭ^Ｄ：ＦＷＨＭ^ＳＢの割合は、１．５０以下、好ましくは、１．４０以下、より好ましくは、１．３０、より一層好ましくは、１．２０、またはさらに好ましくは、１．１０である。

【0225】

本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用するための蛍光エミッタの選択のために、ＦＷＨＭ値が本文後の節に述べられたように決定されることに留意しなければならない（簡単に、好ましくは、１～５重量％、特に２重量％の濃度を有するポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内のそれぞれのエミッタのスピンコーティング膜から、または溶液から、以下参照）。すなわち、表１Ｓに示された例示的な小さなＦＷＨＭエミッタＳ^ＢのＦＷＨＭ値は、式（２６）及び本発明の関連した好ましい実施形態の文脈においてＦＷＨＭ^ＳＢ値と理解されない。

【0226】

実施例及び特許請求の範囲が本発明をさらに説明する。

【0227】

ホスト材料Ｈ ^Ｂ
本発明によれば、任意の少なくとも１層の発光層Ｂに含まれた任意の１以上のホスト材料Ｈ^Ｂは、高い正孔移動度を示すｐ－ホストＨ^Ｐ、高い電子移動度を示すｎ－ホストＨ^Ｎ、または高い正孔移動度及び高い電子移動度の両方を示す両極性ホスト材料Ｈ^ＢＰでもある。

【0228】

本発明の文脈において、高い電子移動度を示すｎ－ホストＨ^Ｎは、好ましくは、－２．５０ｅＶ以下（Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｎ）≦－２．５０ｅＶ）、より好ましくは、Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｎ）≦－２．６０ｅＶ、より一層好ましくは、Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｎ）≦－２．６５ｅＶ、さらに好ましくは、Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｎ）≦－２．７０ｅＶのＬＵＭＯエネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｈ^Ｎ）を有する。ＬＵＭＯは、最低空軌道である。ＬＵＭＯのエネルギーは、本文後の節に述べられたように決定される。

【0229】

本発明の文脈において、高い正孔移動度を示すｐ－ホストＨ^Ｐは、好ましくは、－６．３０ｅＶ以上（Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｐ）≧－６．３０ｅＶ）、より好ましくは、Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｐ）≧－５．９０ｅＶ、より一層好ましくは、Ｅ^ＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－５．７０ｅＶ、さらに好ましくは、Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｐ）≧－５．４０ｅＶ、またはさらに好ましくは、Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｐ）≧－２．６０ｅＶのＨＯＭＯエネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｐ）を有する。ＨＯＭＯは、最高被占軌道である。ＨＯＭＯのエネルギーは、本文後の節に述べられたように決定される。

【0230】

本発明の一実施形態において、それぞれのホスト材料Ｈ^Ｂは、－６．３０ｅＶ以上（Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｐ）≧－６．３０ｅＶ）、好ましくは、Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｐ）≧－５．９０ｅＶ、より好ましくは、Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｐ）≧－５．７０ｅＶ、より一層好ましくは、Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｐ）≧－５．４０ｅＶのＨＯＭＯエネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｐ）を有するｐ－ホストＨ^Ｐである。ＨＯＭＯは、最高被占軌道である。ＨＯＭＯのエネルギーは、本文後の節に述べられたように決定される。

【0231】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのｐ－ホストＨ^Ｐは、－５．６０ｅＶより小さいＨＯＭＯエネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｐ）を有する。

【0232】

本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子が１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、前記１以上の副層は、互いに隣接し、全体的に下記を含む：
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｈ）を有する少なくとも１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｐ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｐ）を有する少なくとも１つの燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｓ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂ、及び選択的に
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｅ）を有する少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料Ｅ^Ｂ、
ここで、前記発光層Ｂの外側表面に位置する１以上の副層は、燐光材料Ｐ^Ｂ、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ及びＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂからなる群から選択された少なくとも１つの（エミッタ）材料を含み、
ここで、少なくとも１つのホスト材料Ｈ^Ｂは、－５．６０ｅＶより小さいエネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有し、好ましくは、それぞれのホスト材料Ｈ^Ｂは、－５．６０ｅＶより小さいエネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈ^Ｂ）を有する。

【0233】

本発明の文脈において、高い電子移動度を示す両極性ホストは、好ましくは、－２．５０ｅＶ以下（Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｈ^ＢＰ）≦－２．５０ｅＶ）のＬＵＭＯエネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｈ^ＢＰ）を有する。より好ましくは、Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｈ^ＢＰ）≦－２．６０ｅＶであり、より一層好ましくは、Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｈ^ＢＰ）≦－２．６５ｅＶであり、さらに好ましくは、Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｈ^ＢＰ）≦－２．７０ｅＶである。ＬＵＭＯは、最低空軌道である。ＬＵＭＯのエネルギーは、本文後の節に述べられたように決定される。

【0234】

本発明の文脈において、高い正孔移動度を示す両極性ホストは、好ましくは、－６．３０ｅＶ以上（Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^ＢＰ）≧－６．３０ｅＶ）、より好ましくは、Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^ＢＰ）≧－５．９０ｅＶのＨＯＭＯエネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｈ^ＢＰ）を有する。より一層好ましくは、Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^ＢＰ）≧－５．７０ｅＶであり、さらに好ましくは、Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^ＢＰ）≧－５．４０ｅＶである。ＨＯＭＯは、最高被占軌道である。ＨＯＭＯのエネルギーは、本文後の節に述べられたように決定される。

【0235】

本発明の一実施形態において、両極性ホスト材料Ｈ^ＢＰ、好ましくは、それぞれの両極性ホスト材料Ｈ^ＢＰは、以下の要件をいずれも満たす：
（ｉ）－２．５０ｅＶ以下の（Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｈ^ＢＰ）≦－２．５０ｅＶ）ＬＵＭＯエネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｈ^ＢＰ）を有する。好ましくは、Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｈ^ＢＰ）≦－２．６０ｅＶであり、より好ましくは、Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｈ^ＢＰ）≦－２．６５ｅＶであり、より一層好ましくは、Ｅ^ＬＵＭＯ（Ｈ^ＢＰ）≦－２．７０ｅＶである。ＬＵＭＯは、最低空軌道である。ＬＵＭＯのエネルギーは、本文後の節に述べられたように決定される。

【0236】

（ｉｉ）－６．３０ｅＶ以上（Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^ＢＰ）≧－６．３０ｅＶ）、好ましくは、Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^ＢＰ）≧－５．９０ｅＶのＨＯＭＯエネルギーＥ^ＨＯＭＯ（Ｈ^ＢＰ）を有する。より好ましくは、Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^ＢＰ）≧－５．７０ｅＶであり、より一層好ましくは、Ｅ^ＨＯＭＯ（Ｈ^ＢＰ）≧－５．４０ｅＶである。ＨＯＭＯは、最高被占軌道である。ＨＯＭＯのエネルギーは、本文後の節に述べられたように決定される。

【0237】

当業者は、いかなる材料が本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に使用するのに適しているホスト材料であるかが分かっている。以下の例示を参照する：Y.Tao, C.Yang, J.Quin, Chemical Society Reviws 2011, 40, 2943, DOI: 10.1039/C0CS00160K; K.S.Yook, J.Y.Lee, The Chemical Record 2015, 16(1), 159, DOI: 10.1002/tcr.201500221; T.Chatterjee, K.-T.Wong, Advanced Optical Materials 2018, 7(1), 1800565, DOI: 10.1002/adom.201800565; Q.Wang, Q.-S.Tian, Y.-L.Zhang, X.Tang, L.-S.Liao, Journal of Materials Chemistry C2019, 7, 11329, DOI: 10.1039/C9TC03092A。

【0238】

また、例えば、ＵＳ２００６００６３６５（Ａ１）、ＵＳ２００６２０８２２１（Ａ１）、ＵＳ２００５０６９７２９（Ａ１）、ＥＰ１２０５５２７（Ａ１）、ＵＳ２００９３０２７５２（Ａ１）、ＵＳ２００９０１３４７８４（Ａ１）、ＵＳ２００９３０２７４２（Ａ１）、ＵＳ２０１０１８７９７７（Ａ１）、ＵＳ２０１０１８７９７７（Ａ１）、ＵＳ２０１２０６８１７０（Ａ１）、ＵＳ２０１２０９７８９９（Ａ１）、ＵＳ２００６１２１３０８（Ａ１）、ＵＳ２００６１２１３０８（Ａ１）、ＵＳ２００９１６７１６６（Ａ１）、ＵＳ２００７１７６１４７（Ａ１）、ＵＳ２０１５３２２０９１（Ａ１）、ＵＳ２０１１１０５７７８（Ａ１）、ＵＳ２０１１２０１７７８（Ａ１）、ＵＳ２０１１１２１２７４（Ａ１）、ＵＳ２００９３０２７４２（Ａ１）、ＵＳ２０１０１８７９７７（Ａ１）、ＵＳ２０１０２４４００９（Ａ１）、ＵＳ２００９１３６７７９（Ａ１）、ＥＰ２１８２０４０（Ａ２）、ＵＳ２０１２２０２９９７（Ａ１）、ＵＳ２０１９３９３４２４（Ａ１）、ＵＳ２０１９３９３４２５（Ａ１）、ＵＳ２０２０１６８８１９（Ａ１）、ＵＳ２０２００７９７６２（Ａ１）及びＵＳ２０１２２９２５７６（Ａ１）は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に使用可能なホスト材料を開示する。これは、本発明が、引用された参照文献に開示されたホスト材料を含む有機エレクトロルミネッセンス素子に限定されるということを意味しないものと理解される。また、最新技術で使用される任意のホスト材料が、本発明の文脈において好適なホスト材料Ｈ^Ｂであることが理解される。

【0239】

本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、１以上のｐ－ホストＨ^Ｐを含む。本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、単一ホスト材料のみを含み、当該ホスト材料はｐ－ホストＨ^Ｐである。

【0240】

本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、１以上のｎ－ホストＨ^Ｎを含む。本発明の他の実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、単一ホスト材料のみを含み、当該ホスト材料はｎ－ホストＨ^Ｎである。

【0241】

本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、１以上の両極性ホストＨ^ＢＰを含む。本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、単一ホスト材料のみを含み、当該ホスト材料は両極性ホストＨ^ＢＰである。

【0242】

本発明の他の実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂは、少なくとも２種の相異なるホスト２種を含む。この場合、それぞれの発光層Ｂに存在する１以上のホスト材料Ｈ^Ｂは、いずれもｐ－ホストＨ^Ｐであるか、いずれもｎ－ホストＨ^Ｎであるか、いずれも両極性ホストＨ^ＢＰであるが、それらの組み合わせでもある。

【0243】

本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子が１以上の発光層Ｂを含む場合、それらのうちいずれか１つは、１以上の他の発光層Ｂと独立して、前述の定義が適用される１つのホスト材料Ｈ^Ｂまたは１以上のホスト材料Ｈ^Ｂを含むことが理解される。また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれた相異なる発光層Ｂは、必ずしも全て同一材料を含むわけではなく、またはさらに好ましくは、同一濃度の同一材料を含まれているわけでもないと理解される。

【0244】

本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂが１以上の副層から構成される場合、それらのうちいずれか１つは、１以上の他の副層と独立して、前述の定義が適用される１つのホスト材料Ｈ^Ｂまたは１以上のホスト材料Ｈ^Ｂを含むことが理解される。また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれた発光層Ｂの相異なる副層は、必ずしも全て同一材料、またはさらに好ましくは、同一濃度の同一材料を含まれているとはかぎらないと理解される。

【0245】

本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれる場合、少なくとも１つのｐ－ホストＨ^Ｐ及び少なくとも１つのｎ－ホストＨ^Ｎは、選択的にエキシプレックスを形成することができる。当業者は、エキシプレックスを形成するＨ^Ｐ及びＨ^Ｎの対を選択する方法、並びにＨ^Ｐ及びＨ^ＮのＨＯＭＯ－及び／またはＬＵＭＯ－エネルギー準位要求事項を含む選択基準が分かっている。すなわち、エキシプレックス形成が要求される場合、ｐ－ホスト材料Ｈ^Ｐの最高被占軌道（ＨＯＭＯ）は、ｎ－ホスト材料Ｈ^ＮのＨＯＭＯよりエネルギーが少なくとも０．２０ｅＶより高く、ｐ－ホスト材料Ｈ^Ｐの最低空軌道（ＬＵＭＯ）は、ｎ－ホスト材料Ｈ^ＮのＬＵＭＯよりエネルギーが少なくとも０．２０ｅＶより高い。

【0246】

本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つのホスト材料Ｈ^Ｂ（例えば、Ｈ^Ｐ、Ｈ^Ｎ及び／またはＨ^ＢＰ）は、有機ホスト材料であり、これは、本発明の文脈においてそれがいかなる遷移金属も含まないということを意味する。本発明の好ましい実施形態において、本発明のエレクトロルミネッセンス素子の全てのホスト材料Ｈ^Ｂ（Ｈ^Ｐ、Ｈ^Ｎ及び／またはＨ^ＢＰ）は、有機ホスト材料であり、これは、本発明の文脈においてそれらがいかなる遷移金属も含まないということを意味する。好ましくは、少なくとも１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、より好ましくは、全てのホスト材料Ｈ^Ｂ（Ｈ^Ｐ、Ｈ^Ｎ及び／またはＨ^ＢＰ）は、主に水素（Ｈ）、炭素（Ｃ）及び窒素（Ｎ）から構成されるが、例えば、酸素（Ｏ）、ボロン（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、フッ素（Ｆ）及び臭素（Ｂｒ）を含んでもよい。

【0247】

本発明の一実施形態において、それぞれのホスト材料Ｈ^Ｂは、ｐ－ホストＨ^Ｐである。

【0248】

本発明の好ましい実施形態において、全体として（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）任意の少なくとも１層の発光層Ｂに選択的に含まれるｐ－ホストＨ^Ｐは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
化学式Ｈ^Ｐ－Ｉ、Ｈ^Ｐ－ＩＩ、Ｈ^Ｐ－ＩＩＩ、Ｈ^Ｐ－ＩＶ、Ｈ^Ｐ－Ｖ、Ｈ^Ｐ－ＶＩ、Ｈ^Ｐ－ＶＩＩ、Ｈ^Ｐ－ＶＩＩＩ、Ｈ^Ｐ－ＩＸ及びＨ^Ｐ－Ｘのうちいずれか１つによる構造を含むか、あるいはそれから構成される１つの第１化学的部分（moiety）、及び

【化1】

・・・化学式Ｈ^Ｐ－Ｉ

【化2】

・・・化学式Ｈ^Ｐ－ＩＩ

【化3】

・・・化学式Ｈ^Ｐ－ＩＩＩ

【化4】

・・・化学式Ｈ^Ｐ－ＩＶ

【化5】

・・・化学式Ｈ^Ｐ－Ｖ

【化6】

・・・化学式Ｈ^Ｐ－ＶＩ

【化7】

・・・化学式Ｈ^Ｐ－ＶＩＩ

【化8】

・・・化学式Ｈ^Ｐ－ＶＩＩＩ

【化9】

・・・化学式Ｈ^Ｐ－ＩＸ

【化10】

・・・化学式Ｈ^Ｐ－Ｘ

【0249】

それぞれ化学式Ｈ^Ｐ－ＸＩ、Ｈ^Ｐ－ＸＩＩ、Ｈ^Ｐ－ＸＩＩＩ、Ｈ^Ｐ－ＸＩＶ、Ｈ^Ｐ－ＸＶ、Ｈ^Ｐ－ＸＶＩ、Ｈ^Ｐ－ＸＶＩＩ、Ｈ^Ｐ－ＸＶＩＩＩ及びＨ^Ｐ－ＸＩＸのうちいずれか１つによる構造を含むか、あるいはそれから構成される１以上の第２化学的部分、

【化11】

・・・化学式Ｈ^Ｐ－ＸＩ

【化12】

・・・化学式Ｈ^Ｐ－ＸＩＩ

【化13】

・・・化学式Ｈ^Ｐ－ＸＩＩＩ

【化14】

・・・化学式Ｈ^Ｐ－ＸＩＶ

【化15】

・・・化学式Ｈ^Ｐ－ＸＶ

【化16】

・・・化学式Ｈ^Ｐ－ＸＶＩ

【化17】

・・・化学式Ｈ^Ｐ－ＸＶＩＩ

【化18】

・・・化学式Ｈ^Ｐ－ＸＶＩＩＩ

【化19】

・・・化学式Ｈ^Ｐ－ＸＩＸ
ここで、ｐ－ホスト材料Ｈ^Ｐに存在する少なくとも１つの第２化学的部分それぞれは、前記化学式において点線で表される単結合を介して第１化学的部分に連結され、
ここで、
Ｚ^１は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、Ｃ（Ｒ^ＩＩ）_２、Ｃ＝Ｃ（Ｒ^ＩＩ）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ^ＩＩ、ＮＲ^ＩＩ、Ｏ、Ｓｉ（Ｒ^ＩＩ）_２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）_２からなる群から選択され、
Ｒ^Ｉは、それぞれの場合に互いに独立して、第１化学的部分を第２化学的部分に連結する単結合の結合位置であるか、または下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、及び
Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈからなる群から互いに独立して選択される１以上の置換基で選択的に置換されるＰｈ、
ここで、少なくとも１つのＲ^Ｉは、第１化学的部分を第２化学的部分に連結する単結合の結合位置であり、
Ｒ^ＩＩは、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、及び
Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈからなる群から互いに独立して選択される１以上の置換基で選択的に置換されるＰｈ、
ここで、２以上の隣接した置換基Ｒ^ＩＩは、選択的に、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、化学式Ｈ^Ｐ－ＸＩ、Ｈ^Ｐ－ＸＩＩ、Ｈ^Ｐ－ＸＩＩＩ、Ｈ^Ｐ－ＸＩＶ、Ｈ^Ｐ－ＸＶ、Ｈ^Ｐ－ＸＶＩ、Ｈ^Ｐ－ＸＶＩＩ、Ｈ^Ｐ－ＸＶＩＩＩ及びＨ^Ｐ－ＸＩＸのうちいずれか１つによる構造だけでなく、隣接した置換基Ｒ^ＩＩによって選択的に形成される追加の環から構成される縮合環系は、総１２～６０個の炭素原子、好ましくは、１４～３２個の炭素原子を含む。

【0250】

本発明のより好ましい実施形態において、Ｚ^１は、それぞれの場合に直接結合であり、隣接した置換基Ｒ^ＩＩは結合して追加の環系を形成しない。

【0251】

本発明のより好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に選択的に含まれるｐ－ホストＨ^Ｐは、下記構造からなる群から選択される：

【化20】

【化21】

【化22】

【化23】

【化24】

【化25】

【0252】

本発明の好ましい実施形態において、全体として（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）任意の少なくとも１層の発光層Ｂに選択的に含まれるｎ－ホストＨ^Ｎは、化学式Ｈ^Ｎ－Ｉ、Ｈ^Ｎ－ＩＩ及びＨ^Ｎ－ＩＩＩのうちいずれか１つによる構造を含むか、あるいはそれから構成される：

【化26】

・・・化学式Ｈ^Ｎ－Ｉ

【化27】

・・・化学式Ｈ^Ｎ－ＩＩ

【化28】

・・・化学式Ｈ^Ｎ－ＩＩＩ
ここで、Ｒ^ＩＩＩ及びＲ^ＩＶは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ_３、
Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈからなる群から互いに独立して選択される１以上の置換基で選択的に置換されるＰｈ、及び
化学式Ｈ^Ｎ－ＩＶ、Ｈ^Ｎ－Ｖ、Ｈ^Ｎ－ＶＩ、Ｈ^Ｎ－ＶＩＩ、Ｈ^Ｎ－ＶＩＩＩ、Ｈ^Ｎ－ＩＸ、Ｈ^Ｎ－Ｘ、Ｈ^Ｎ－ＸＩ、Ｈ^Ｎ－ＸＩＩ、Ｈ^Ｎ－ＸＩＩＩ及びＨ^Ｎ－ＸＩＶのうちいずれか１つで表される構造、

【化29】

・・・化学式Ｈ^Ｎ－ＩＶ

【化30】

・・・化学式Ｈ^Ｎ－Ｖ

【化31】

・・・化学式Ｈ^Ｎ－ＶＩ

【化32】

・・・化学式Ｈ^Ｎ－ＶＩＩ

【化33】

・・・化学式Ｈ^Ｎ－ＶＩＩＩ

【化34】

・・・化学式Ｈ^Ｎ－ＩＸ

【化35】

・・・化学式Ｈ^Ｎ－Ｘ

【化36】

・・・化学式Ｈ^Ｎ－ＸＩ

【化37】

・・・化学式Ｈ^Ｎ－ＸＩＩ

【化38】

・・・化学式Ｈ^Ｎ－ＸＩＩＩ

【化39】

・・・化学式Ｈ^Ｎ－ＸＩＶ
ここで、
点線は、化学式Ｈ^Ｎ－ＩＶ、Ｈ^Ｎ－Ｖ、Ｈ^Ｎ－ＶＩ、Ｈ^Ｎ－ＶＩＩ、Ｈ^Ｎ－ＶＩＩＩ、Ｈ^Ｎ－ＩＸ、ＨＮ－Ｘ、Ｈ^Ｎ－ＸＩ、Ｈ^Ｎ－ＸＩＩ、Ｈ^Ｎ－ＸＩＩＩ及びＨ^Ｎ－ＸＩＶのうちいずれか１つによる構造をＨ^Ｎ－Ｉ、Ｈ^Ｎ－ＩＩ及びＨ^Ｎ－ＩＩＩのうちいずれか１つによる構造に連結する単結合の結合位置を示し、
Ｘ^１は、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）またはＣ（Ｒ^Ｖ）_２であり、
Ｒ^Ｖは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、及び
Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈからなる群から互いに独立して選択される１以上の置換基で選択的に置換されるＰｈ、
ここで、２以上の隣接した置換基Ｒ^Ｖは、選択的に、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、化学式Ｈ^Ｎ－ＩＶ、Ｈ^Ｎ－Ｖ、Ｈ^Ｎ－ＶＩ、Ｈ^Ｎ－ＶＩＩ、Ｈ^Ｎ－ＶＩＩＩ、Ｈ^Ｎ－ＩＸ、Ｈ^Ｎ－Ｘ、Ｈ^Ｎ－ＸＩ、Ｈ^Ｎ－ＸＩＩ、Ｈ^Ｎ－ＸＩＩＩ及びＨ^Ｎ－ＸＩＶのうちいずれか１つによる構造だけでなく、隣接した置換基Ｒ^Ｖによって選択的に形成される追加の環から構成される縮合環系は、総８～６０個の炭素原子、好ましくは、１２～４０個の炭素原子、より好ましくは、１４～３２個の炭素原子を含み、
ここで、化学式Ｈ^Ｎ－Ｉ及びＨ^Ｎ－ＩＩにおいて、少なくとも１つの置換基Ｒ^ＩＩＩはＣＮである。

【0253】

本発明のより好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に選択的に含まれるｎ－ホストＨ^Ｎは、下記構造からなる群から選択される：

【化40】

【化41】

【化42】

【0254】

本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の任意の発光層Ｂに含まれたｎ－ホストＨ^Ｎは、任意のフォスフィンオキシド基を含まず、特に、ｎ－ホストＨ^Ｎは、ビス［２－（ジフェニルホスフィノ）フェニル］エーテルオキシド（ＤＰＥＰＯ）ではない。

【0255】

ＴＡＤＦ材料Ｅ ^Ｂ
本発明によれば、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料Ｅ^Ｂは、０．４ｅＶ未満、好ましくは、０．３ｅＶ未満、より好ましくは、０．２ｅＶ未満、より一層好ましくは、０．１ｅＶ未満、またはさらに好ましくは、０．０５ｅＶ未満の、最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｅ）と最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｅ）とのエネルギー差に該当するΔＥ_ＳＴ値を示すことを特徴とする。したがって、本発明によるＴＡＤＦ材料Ｅ^ＢのΔＥ_ＳＴは、室温（ＲＴ、すなわち、（約）２０℃）で最低励起三重項状態Ｔ１^Ｅから最低励起一重項状態Ｓ１^Ｅの熱再充填（thermal repopulation）（アップ項間交差または逆項間交差、ＲＩＳＣともいう）を許容するのに十分に小さい。

【0256】

好ましくは、本発明の文脈において、ＴＡＤＦ材料は、電荷キャリア（正孔及び電子）の再結合によって発光性Ｓ１^Ｅ状態に達するときに即時蛍光、及びＴ１^Ｅ状態から熱活性化されたＲＩＳＣを介して発光性Ｓ１^Ｅ状態に達するときに遅延蛍光の両方を示す。

【0257】

本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれた小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、選択的に０．４ｅＶ未満のΔＥ_ＳＴ値を有することができ、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を示すことが理解される。しかし、本発明の文脈において、任意の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂに対し、これは単に選択的な特徴だけである。

【0258】

本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの発光スペクトルと、少なくとも１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの吸収スペクトルとの間にスペクトル重畳がある（両スペクトルが類似の条件下で測定されるとき）。この場合、少なくとも１つのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、少なくとも１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂにエネルギーを移動させることができる。

【0259】

本発明によれば、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、３８０ｎｍから８００ｎｍの可視的な波長範囲において発光最大を有し、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂで測定される。

【0260】

本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、３８０ｎｍから４７０ｎｍ、好ましくは、４００ｎｍから４７０ｎｍの深青色波長範囲において発光最大を有し、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂで測定される。

【0261】

本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、４８０ｎｍから５６０ｎｍ、好ましくは、５００ｎｍから５６０ｎｍの緑色波長範囲において発光最大を有し、典型的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂで測定される。

【0262】

本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、６００ｎｍから６６５ｎｍ、好ましくは、６１０ｎｍから６６５ｎｍの赤色波長範囲において発光最大を有し、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂで測定される。本発明の好ましい実施形態において、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの発光最大（ピーク発光）は、本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの発光最大（ピーク発光）より短い波長にある。

【0263】

本発明の好ましい実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、有機ＴＡＤＦ材料であり、これは、本発明の文脈においていかなる遷移金属も含まないということを意味する。好ましくは、本発明によるそれぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、主に水素（Ｈ）、炭素（Ｃ）及び窒素（Ｎ）から構成されるが、例えば、酸素（Ｏ）、ボロン（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、フッ素（Ｆ）及び臭素（Ｂｒ）を含んでもよい。

【0264】

本発明の好ましい実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、８００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する。

【0265】

本発明の一実施形態において、ＴＡＤＦエミッタＥ^Ｂは、３０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示し、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂで測定される。

【0266】

本発明の一実施形態において、ＴＡＤＦエミッタＥ^Ｂは、５０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示し、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂで測定される。

【0267】

本発明の一実施形態において、ＴＡＤＦエミッタＥ^Ｂは、７０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示し、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂで測定される。

【0268】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｅ）と最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｅ）とのエネルギー差に該当するΔＥ_ＳＴ値が０．４ｅＶ未満であることを特徴とし、
（ｉｉ）３０％より大きいフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。

【0269】

本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）のエネルギーＥ^ＬＵＭＯ（Ｅ^Ｂ）は、－２．６ｅＶより小さい。

【0270】

当業者は、本発明によるＴＡＤＦ分子Ｅ^Ｂを設計する方法、及び当該分子が一般的に示す構造的特徴が分かっている。簡単に、逆項間交差（ＲＩＳＣ）を容易にするために、ΔＥ_ＳＴは一般的に減少し、本発明の文脈において、ΔＥ_ＳＴは、前述のように０．４ｅＶより小さい。これは、頻繁にＨＯＭＯ及びＬＵＭＯがそれぞれ（電子）ドナー基及び（電子）アクセプター基で空間的に大きく分離されるようにＴＡＤＦ分子Ｅ^Ｂを設計することによって達成される。当該基は、一般的に体積が大きいか、スピロ接合を介して連結されて捻じれており、ＨＯＭＯとＬＵＭＯの空間的重畳が減少する。しかし、ＨＯＭＯとＬＵＭＯの空間的重畳を最小化すれば、ＴＡＤＦ材料のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）も低くなる短所がある。したがって、実際にその２つの効果の両方を考慮して、ΔＥ_ＳＴを減らし、高いＰＬＱＹを達成する。

【0271】

ＴＡＤＦ材料設計のための１つの一般的なアプローチは、ＨＯＭＯが分布された１以上の（電子）ドナー部分と、ＬＵＭＯが分布された１以上の（電子）アクセプター部分とを、本願においてリンカー基と呼ばれる、同一なブリッジに共有結合することである。また、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、例えば、同一なアクセプター部分に結合された２つまたは３つのリンカー基を含み、更なるドナー部分及びアクセプター部分がそれら２つまたは３つのリンカー基それぞれに結合されうる。

【0272】

また、１以上のドナー部分及び１以上のアクセプター部分は、（リンカー基の存在なしに）互いに直接結合されうる。

【0273】

典型的なドナー部分は、ジフェニルアミン、カルバゾール、アクリジン、フェノキサジン及び関連構造の誘導体である。

【0274】

ベンゼン、ビフェニル基及びある程度までターフェニル基の誘導体が一般的なリンカー基である。

【0275】

ニトリル基は、ＴＡＤＦ分子において非常に一般的なアクセプター部分であり、その周知の例は、下記を含む：
（ｉ）２ＣｚＰＮ（４，５－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フタロニトリル）、ＤＣｚＩＰＮ（４，６－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）イソフタロニトリル）、４ＣｚＰＮ（３，４，５，６－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フタロニトリル）、４ＣｚＩＰＮ（２，４，５，６－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）イソフタロニトリル）、４ＣｚＴＰＮ（２，４，５，６－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）テレフタロニトリル）及びその誘導体のようなカルバゾリルジシアノベンゼン化合物、
（ｉｉ）４ＣｚＣＮＰｙ（２，３，５，６－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４－シアノピリジン）及びその誘導体のようなカルバゾリルシアノピリジン化合物、
（ｉｉｉ）ＣＮＢＰＣｚ（４，４’，５，５’－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－［１，１’－ビフェニル］－２，２’－ジカルボニトリル）、ＣｚＢＰＣＮ（４，４’，６，６’－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－［１，１’－ビフェニル］－３，３’－ジカルボニトリル）、ＤＤＣｚＩＰＮ（３，３’，５，５’－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－［１，１’－ビフェニル］－２，２’，６，６’－テトラカルボニトリル）及びその誘導体のようなカルバゾリルシアノビフェニル化合物、
ここで、それら材料において、１以上のニトリル基は、アクセプター部分として、フッ素（Ｆ）またはトリフルオロメチル（ＣＦ_３）にも代替される。

【0276】

また、トリアジン、ピリミジン、トリアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、ヘプタジン、１，４－ジアザトリフェニレン、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、キノキサリン及びジアザフルオレン誘導体のような窒素ヘテロ環は、ＴＡＤＦ分子構成に使用される周知のアクセプター部分である。例えば、トリアジンアクセプターを含むＴＡＤＦ分子の公知の例は、ＰＩＣ－ＴＲＺ（７，７’－（６－（［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－１，３，５－トリアジン－２，４－ジイル）ビス（５－フェニル－５，７－ジヒドロインドロ［２，３－ｂ］カルバゾール））、ｍＢＦＣｚＴｒｚ（５－（３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル））フェニル）－５Ｈ－ベンゾフロ［３，２－ｃ］カルバゾール）、及びＤＣｚＴｒｚ（９，９’－（５－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－１，３－フェニレン）ビス（９Ｈ－カルバゾール））を含む。

【0277】

ＴＡＤＦ材料の他の一群は、ドナー部分（主に、カルバゾリル置換基）が結合されたアクセプター部分として、ベンゾフェノンのようなジアリールケトン、または４－ベンゾイルピリジン、９，１０アントラキノン、９Ｈ－キサンテン－９－オンのような（ヘテロアリール）アリールケトン及びその誘導体を含む。そのようなＴＡＤＦ分子の例は、ＢＰＢＣｚ（ビス（４－（９’－フェニル－９Ｈ，９’Ｈ－［３，３’－ビカルバゾール］－９－イル）フェニル）メタノン）、ｍＤＣＢＰ（（３，５－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル）（ピリジン－４－イル）メタノン）、ＡＱ－ＤＴＢｕ－Ｃｚ（２，６－ビス（４－（３，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル）アントラセン－９，１０－ジオン）及びＭＣｚ－ＸＴ（３－（１，３，６，８－テトラメチル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－９Ｈ－キサンテン－９－オン）をそれぞれ含む。

【0278】

また、スルホキシド、特にジフェニルスルホキシドは、ＴＡＤＦ材料の構成のためのアクセプター部分として一般的に使用され、周知の例は、４－ＰＣ－ＤＰＳ（９－フェニル－３－（４－（フェニルスルホニル）フェニル）－９Ｈ－カルバゾール）、ＤｉｔＢｕ－ＤＰＳ（９，９’－（スルホニルビス（４，１－フェニレン））ビス（９Ｈ－カルバゾール））及びＴＸＯ－ＰｈＣｚ（２－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－チオキサンテン－９－オン１０，１０－ジオキシド）を含む。

【0279】

特定材料が前述の基本要求事項、すなわち、ΔＥ_ＳＴ値が０．４ｅＶより小さいという点を満たすことを考慮すれば、例示的に、前述の全ての群のＴＡＤＦ分子は、本発明によって使用するのに適しているＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂを提供することができる。

【0280】

当業者は、前記命名された構造だけでなく、より多い材料が本発明の文脈において好適なＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂであることが分かっている。当業者は、そのような分子の設計原理に慣れ、特定の発光色相（例えば、青色、緑色または赤色発光）を有するそのような分子を設計する方法も分かっている。

【0281】

以下の例示を参照する：H.Tanaka, K.Shizu, H.Nakanotani, C.Adachi, Chemistry of Materials 2013, 25(18), 3766, DOI: 10.1021/cm402428a; J.Li, T.Nakagawa, J.MacDonald, Q.Zhang, H.Nomura, H.Miyazaki, C.Adachi, Advanced Materials 2013, 25(24), 3319, DOI: 10.1002/adma.201300575; K.Nasu, T.Nakagawa, H.Nomura, C.-J.Lin, C.-H.Cheng, M.-R.Tseng, T.Yasudaad, C.Adachi, Chemical Communications 2013, 49(88), 10385, DOI: 10.1039/c3cc44179b; Q.Zhang, B.Li1, S.Huang, H.Nomura, H.Tanaka, C.Adachi, Nature Photonics 2014, 8(4), 326, DOI: 10.1038/nphoton.2014.12; B.Wex, B.R.Kaafarani, Journal of Materials Chemistry C 2017, 5, 8622, DOI: 10.1039/c7tc02156a; Y.Im, M.Kim, Y.J.Cho, J.A.Seo, K.S.Yook, J.Y.Lee, Chemistry of Materials 2017, 29(5), 1946, DOI: 10.1021/acs.chemmater.6b05324; T.-T.Bui, F.Goubard, M.Ibrahim-Ouali, D.Gigmes, F.Dumur, Beilstein Journal of Organic Chemistry 2018, 14, 282, DOI: 10.3762/bjoc.14.18; X.Liang, Z.-L.Tu, Y.-X.Zheng, Chemistry-A European Journal 2019, 25(22), 5623, DOI: 10.1002/chem.201805952。

【0282】

また、例えば、ＵＳ２０１５１０５５６４（Ａ１）、ＵＳ２０１５０４８３３８（Ａ１）、ＵＳ２０１５１４１６４２（Ａ１）、ＵＳ２０１４３３６３７９（Ａ１）、ＵＳ２０１４１３８６７０（Ａ１）、ＵＳ２０１２２４１７３２（Ａ１）、ＥＰ３３１５５８１（Ａ１）、ＥＰ３４８３１５６（Ａ１）及びＵＳ２０１８０５３９０１（Ａ１）は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に使用可能なＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂを開示する。これは、本発明が、引用された参考文献に開示されたＴＡＤＦ材料を含む有機エレクトロルミネッセンス素子に限定されるということを意味しないものと理解される。最新技術で使用される任意のＴＡＤＦ材料が、本発明の文脈において好適なＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂであることが理解される。

【0283】

本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、ＣＮ、ＣＦ_３及び選択的に置換された１，３，５－トリアジニル基からなる群から互いに独立して選択される１以上の化学的部分を含む。

【0284】

本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、ＣＮ及び選択的に置換された１，３，５－トリアジニル基からなる群から互いに独立して選択される１以上の化学的部分を含む。

【0285】

本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、１以上の選択的に置換された１，３，５－トリアジニル基を含む。

【0286】

本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、アミノ基、インドリル基、カルバゾリル基及びその誘導体から互いに独立して選択される１以上の化学的部分を含み、それらはいずれも選択的に置換され、ここで、それら基は、それぞれのＴＡＤＦ分子のコア構造と窒素（Ｎ）または炭素（Ｃ）原子を介して結合され、それら基に結合された置換基は、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成することができる。

【0287】

本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、下記を含む：
アミノ基、インドリル基、カルバゾリル基及びそれらの誘導体から互いに独立して選択され、それらはいずれも選択的に置換され、ここで、それら基は、窒素（Ｎ）または炭素（Ｃ）原子を介してそれぞれのＴＡＤＦ分子のコア構造に結合され、それら基に結合された置換基は、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成することができる、１以上の第１化学的部分、及び
ＣＮ、ＣＦ_３、及び選択的に置換された１，３，５－トリアジニル基からなる群から互いに独立して選択された１以上の第２化学的部分。

【0288】

本発明のより好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、下記を含む：
アミノ基、インドリル基、カルバゾリル基及びそれらの誘導体から互いに独立して選択され、それらはいずれも選択的に置換され、ここで、それら基は、窒素（Ｎ）または炭素（Ｃ）原子を介してそれぞれのＴＡＤＦ分子のコア構造に結合され、それら基に結合された置換基は、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成することができる、１以上の第１化学的部分、及び
ＣＮ、ＣＦ_３、及び選択的に置換された１，３，５－トリアジニル基からなる群から互いに独立して選択された１以上の第２化学的部分。

【0289】

本発明のより好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、下記を含む：
アミノ基、インドリル基、カルバゾリル基及びそれらの誘導体から互いに独立して選択され、それらはいずれも選択的に置換され、ここで、それら基は、窒素（Ｎ）または炭素（Ｃ）原子を介してそれぞれのＴＡＤＦ分子のコア構造に結合され、それら基に結合された置換基は、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成することができる、１以上の第１化学的部分、及び
１以上の選択的に置換された１，３，５－トリアジニル基。

【0290】

当業者は、「その誘導体」という表現が、それぞれの親構造が任意に置換されるか、またはそれぞれの親構造内の任意の原子が、例えば、他の元素の原子に代替されることを意味するということを理解している。

【0291】

本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、下記を含む少なくとも１層の発光層Ｂを含む：
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｈ）を有する少なくとも１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｐ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｐ）を有する少なくとも１つの燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｓ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂ、及び
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｅ）を有する少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料Ｅ^Ｂ、
ここで、下記式（１）及び（２）で表される関係が適用され、
Ｅ（Ｔ１^Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１^Ｐ）（１）
Ｅ（Ｔ１^Ｐ）＞Ｅ（Ｓ１^Ｓ）（２）
それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、下記を含む：
アミノ基、インドリル基、カルバゾリル基及びそれらの誘導体から互いに独立して選択され、それらはいずれも選択的に置換され、ここで、それら基は、窒素（Ｎ）または炭素（Ｃ）原子を介してそれぞれのＴＡＤＦ分子のコア構造に結合され、それら基に結合された置換基は、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成することができる、１以上の第１化学的部分、及び
ＣＮ、及び選択的に置換された１，３，５－トリアジニル基からなる群から互いに独立して選択された１以上の第２化学的部分。

【0292】

本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、下記を含む：
化学式Ｄ－Ｉによる構造をそれぞれ含むか、あるいはそれからなる１以上の第１化学的部分、

【化43】

・・・化学式Ｄ－Ｉ
選択的に、ＣＮ、ＣＦ_３、並びに化学式Ａ－Ｉ、Ａ－ＩＩ、Ａ－ＩＩＩ及びＡ－ＩＶのうちいずれか１つによる構造からそれぞれ互いに独立して選択される、１以上の第２化学的部分、及び

【化44】

・・・化学式Ａ－Ｉ

【化45】

・・・化学式Ａ－ＩＩ

【化46】

・・・化学式Ａ－ＩＩＩ

【化47】

・・・化学式Ａ－ＩＶ
化学式Ｌ－Ｉ、Ｌ－ＩＩ、Ｌ－ＩＩＩ、Ｌ－ＩＶ、ＬＶ、Ｌ－ＶＩ、Ｌ－ＶＩＩ及びＬ－ＶＩＩＩのうちいずれか１つによる構造を含むか、あるいはそれから構成される１つの第３化学的部分、

【化48】

・・・化学式Ｌ－Ｉ

【化49】

・・・化学式Ｌ－ＩＩ

【化50】

・・・化学式Ｌ－ＩＩＩ

【化51】

・・・化学式Ｌ－ＩＶ

【化52】

・・・化学式Ｌ－Ｖ

【化53】

・・・化学式Ｌ－ＶＩ

【化54】

・・・化学式Ｌ－ＶＩＩ

【化55】

・・・化学式Ｌ－ＶＩＩＩ
ここで、
１以上の第１化学的部分及び１以上の第２化学的部分は、単結合を介して第３化学的部分に共有結合され、
化学式Ｄ－Ｉにおいて、
＃は、化学式Ｄ－Ｉによるそれぞれの第１化学的部分を第３化学的部分に連結する単結合の結合位置を示し、
Ｚ^２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ^１Ｒ^２、Ｃ＝ＣＲ^１Ｒ^２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ^１、ＮＲ^１、Ｏ、ＳｉＲ^１Ｒ^２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）_２からなる群から選択され、
Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｄ、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^３）_２、ＯＲ^３、Ｓｉ（Ｒ^３）_３、Ｂ（ＯＲ^３）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^３、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^３で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^３Ｃ＝ＣＲ^３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^３）_２、Ｇｅ（Ｒ^３）_２、Ｓｎ（Ｒ^３）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^３）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^３で選択的に置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ^３で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^３Ｃ＝ＣＲ^３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^３）_２、Ｇｅ（Ｒ^３）_２、Ｓｎ（Ｒ^３）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^３）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^３で選択的に置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ^３で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^３Ｃ＝ＣＲ^３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^３）_２、Ｇｅ（Ｒ^３）_２、Ｓｎ（Ｒ^３）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^３）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^３で選択的に置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルケニル、
これは、１以上の置換基Ｒ^３で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^３Ｃ＝ＣＲ^３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^３）_２、Ｇｅ（Ｒ^３）_２、Ｓｎ（Ｒ^３）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^３）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^３で選択的に置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルキニル、
これは、１以上の置換基Ｒ^３で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^３Ｃ＝ＣＲ^３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^３）_２、Ｇｅ（Ｒ^３）_２、Ｓｎ（Ｒ^３）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^３）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^３で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^３で選択的に置換され、及び
Ｃ_３－Ｃ_６０ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^３で選択的に置換され、
Ｒ^３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^４）_２、ＯＲ^４、Ｓｉ（Ｒ^４）_３、Ｂ（ＯＲ^４）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^４、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^４で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^４Ｃ＝ＣＲ^４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^４）_２、Ｇｅ（Ｒ^４）_２、Ｓｎ（Ｒ^４）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^４）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^４で選択的に置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ^４で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^４Ｃ＝ＣＲ^４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^４）_２、Ｇｅ（Ｒ^４）_２、Ｓｎ（Ｒ^４）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^４）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^４で選択的に置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ^４で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^４Ｃ＝ＣＲ^４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^４）_２、Ｇｅ（Ｒ^４）_２、Ｓｎ（Ｒ^４）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^４）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^４で選択的に置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルケニル、
これは、１以上の置換基Ｒ^４で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^４Ｃ＝ＣＲ^４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^４）_２、Ｇｅ（Ｒ^４）_２、Ｓｎ（Ｒ^４）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^４）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^４で選択的に置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルキニル、
これは、１以上の置換基Ｒ^４で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^４Ｃ＝ＣＲ^４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^４）_２、Ｇｅ（Ｒ^４）_２、Ｓｎ（Ｒ^４）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^４）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^４で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^４で選択的に置換され、及び
Ｃ_３－Ｃ_５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^４で選択的に置換され、
ここで、選択的に、任意の置換基Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｄ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、互いに独立して、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｄ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、選択的にこのように形成された環系は、１以上の置換基Ｒ^５で選択的に置換され、
Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換され、
Ｃ_１－Ｃ_５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換され、
Ｃ_１－Ｃ_５チオアルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換され、
Ｃ_２－Ｃ_５アルケニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換され、
Ｃ_２－Ｃ_５アルキニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＰｈまたはＣ_１－Ｃ_５アルキルによって置換され、
Ｎ（Ｃ_６－Ｃ_１８アリール）_２、
Ｎ（Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール）_２、及び
Ｎ（Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール）（Ｃ_６－Ｃ_１８アリール）、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
化学式Ａ－Ｉ、Ａ－ＩＩ、Ａ－ＩＩＩ及びＡ－ＩＶにおいて、
点線は、化学式Ａ－Ｉ、Ａ－ＩＩ、Ａ－ＩＩＩまたはＡ－ＩＶによるそれぞれの第２化学的部分を第３化学的部分に連結する単結合を示し、
Ｑ^１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ^６及びＣＲ^７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ^１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ^１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ^１のうち少なくとも１つはＣＲ^７であり、
Ｑ^２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ^６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ^２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ^２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ^６及びＲ^８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^９）_２、ＯＲ^９、Ｓｉ（Ｒ^９）_３、Ｂ（ＯＲ^９）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^９、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^９で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^９Ｃ＝ＣＲ^９、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^９）_２、Ｇｅ（Ｒ^９）_２、Ｓｎ（Ｒ^９）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^９、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^９）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^９、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^９で選択的に置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ^９で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^９Ｃ＝ＣＲ^９、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^９）_２、Ｇｅ（Ｒ^９）_２、Ｓｎ（Ｒ^９）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^９、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^９）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^９、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^９で選択的に置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ^９で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^９Ｃ＝ＣＲ^９、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^９）_２、Ｇｅ（Ｒ^９）_２、Ｓｎ（Ｒ^９）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^９、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^９）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^９、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^９で選択的に置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルケニル、
これは、１以上の置換基Ｒ^９で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^９Ｃ＝ＣＲ^９、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^９）_２、Ｇｅ（Ｒ^９）_２、Ｓｎ（Ｒ^９）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^９、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^９）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^９、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^９で選択的に置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルキニル、
これは、１以上の置換基Ｒ^９で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^９Ｃ＝ＣＲ^９、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^９）_２、Ｇｅ（Ｒ^９）_２、Ｓｎ（Ｒ^９）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^９、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^９）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^９、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^９で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^９で選択的に置換され、及び
Ｃ_３－Ｃ_６０ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^９で選択的に置換され、
Ｒ^９は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^１０）_２、ＯＲ^１０、Ｓｉ（Ｒ^１０）_３、Ｂ（ＯＲ^１０）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^１０、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^１０で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^１０Ｃ＝ＣＲ^１０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^１０）_２、Ｇｅ（Ｒ^１０）_２、Ｓｎ（Ｒ^１０）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^１０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^１０）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^１０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^１０で選択的に置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ^１０で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^１０Ｃ＝ＣＲ^１０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^１０）_２、Ｇｅ（Ｒ^１０）_２、Ｓｎ（Ｒ^１０）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^１０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^１０）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^１０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^１０で選択的に置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ^１０で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^１０Ｃ＝ＣＲ^１０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^１０）_２、Ｇｅ（Ｒ^１０）_２、Ｓｎ（Ｒ^１０）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^１０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^１０）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^１０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^１０で選択的に置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルケニル、
これは、１以上の置換基Ｒ^１０で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^１０Ｃ＝ＣＲ^１０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^１０）_２、Ｇｅ（Ｒ^１０）_２、Ｓｎ（Ｒ^１０）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^１０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^１０）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^１０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^１０で選択的に置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルキニル、
これは、１以上の置換基Ｒ^１０で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^１０Ｃ＝ＣＲ^１０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^１０）_２、Ｇｅ（Ｒ^１０）_２、Ｓｎ（Ｒ^１０）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^１０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^１０）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^１０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^１０で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^１０で選択的に置換され、及び
Ｃ_３－Ｃ_６０ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^１０で選択的に置換され、
Ｒ^１０は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換され、
Ｃ_１－Ｃ_５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換され、
Ｃ_１－Ｃ_５チオアルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換され、
Ｃ_２－Ｃ_５アルケニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換され、
Ｃ_２－Ｃ_５アルキニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＰｈまたはＣ_１－Ｃ_５アルキルによって置換され、
Ｎ（Ｃ_６－Ｃ_１８アリール）_２、
Ｎ（Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール）_２、及び
Ｎ（Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール）（Ｃ_６－Ｃ_１８アリール）、
Ｒ^７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ_３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造からなる群から選択される：

【化56】

・・・化学式ＥＷＧ－Ｉ

【0293】

ここで、Ｒ^Ｘは、Ｒ^６のように定義され、但し、化学式ＥＷＧ－Ｉにおいて、少なくとも１つのＲ^Ｘ基は、ＣＮまたはＣＦ_３であり、
ここで、化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ^８は、選択的に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、１以上の置換基Ｒ^１０で選択的に置換され、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、総９から１８個の環原子を含み、
化学式Ｌ－Ｉ、Ｌ－ＩＩ、Ｌ－ＩＩＩ、Ｌ－ＩＶ、Ｌ－Ｖ、Ｌ－ＶＩ、Ｌ－ＶＩＩ及びＬ－ＶＩＩＩにおいて、
Ｑ^３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ^１２から選択され、但し、１以上のＱ^３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ^１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的部分を第３化学的部分に連結する単結合の結合位置であるか、または互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に重水素で置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｃ_１－Ｃ_５アルキル基、Ｃ_６－Ｃ_１８アリール基、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩによって置換され、
Ｒ^１２は、Ｒ^６のように定義され、
ここで、第３化学的部分に結合された第１及び第２化学的部分の最大個数は、第３化学的部分で利用可能な結合位置の数（すなわち、Ｒ^１１の個数）のみによって限定され、前述の規定により、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、少なくとも１つの第１化学的部分、少なくとも１つの第２化学的部分及び正確に１つの第３化学的部分を含む。

【0294】

本発明の好ましい実施形態において、
Ｚ^２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ^１Ｒ^２、Ｃ＝ＣＲ^１Ｒ^２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ^１、ＮＲ^１、Ｏ、ＳｉＲ^１Ｒ^２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）_２からなる群から選択され、
Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｄ、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^３）_２、ＯＲ^３、Ｓｉ（Ｒ^３）_３、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^３で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^３Ｃ＝ＣＲ^３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^３）_２、Ｇｅ（Ｒ^３）_２、Ｓｎ（Ｒ^３）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^３）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^３で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^３で選択的に置換され、及び
Ｃ_３－Ｃ_６０ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^３で選択的に置換され、
Ｒ^３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^４）_２、ＯＲ^４、Ｓｉ（Ｒ^４）_３、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^４で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^４Ｃ＝ＣＲ^４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^４）_２、Ｇｅ（Ｒ^４）_２、Ｓｎ（Ｒ^４）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^４）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^４で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^４で選択的に置換され、及び
Ｃ_３－Ｃ_５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^４で選択的に置換され、
ここで、選択的に、置換基Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｄ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４のうちいずれか１つは、互いに独立して、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｄ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された環系は、１以上の置換基Ｒ^５で選択的に置換され、
Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｃ_１－Ｃ_５アルキルまたはＰｈによって置換され、
Ｎ（Ｃ_６－Ｃ_１８アリール）_２、
Ｎ（Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール）_２、及び
Ｎ（Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール）（Ｃ_６－Ｃ_１８アリール）、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ^１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ^６及びＣＲ^７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ^１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ^１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ^１のうち少なくとも１つはＣＲ^７であり、
Ｑ^２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ^６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ^２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ^２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ^６及びＲ^８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^９）_２、ＯＲ^９、Ｓｉ（Ｒ^９）_３、Ｂ（ＯＲ^９）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^９、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^９で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^９Ｃ＝ＣＲ^９、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^９）_２、Ｇｅ（Ｒ^９）_２、Ｓｎ（Ｒ^９）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^９、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^９）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^９、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^９で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^９で選択的に置換され、及び
Ｃ_３－Ｃ_６０ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^９で選択的に置換され、
Ｒ^９は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^１０）_２、ＯＲ^１０、Ｓｉ（Ｒ^１０）_３、Ｂ（ＯＲ^１０）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^１０、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^１０で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^１０Ｃ＝ＣＲ^１０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^１０）_２、Ｇｅ（Ｒ^１０）_２、Ｓｎ（Ｒ^１０）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^１０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^１０）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^１０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^１０で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^１０で選択的に置換され、及び
Ｃ_３－Ｃ_６０ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^１０で選択的に置換され、
Ｒ^１０は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＰｈまたはＣ_１－Ｃ_５アルキルによって置換され、
Ｎ（Ｃ_６－Ｃ_１８アリール）_２、
Ｎ（Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール）_２、及び
Ｎ（Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール）（Ｃ_６－Ｃ_１８アリール）、
Ｒ^７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ_３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造からなる群から選択される：

【化57】

・・・化学式ＥＷＧ－Ｉ
ここで、Ｒ^Ｘは、Ｒ^６のように定義され、但し、少なくとも１つのＲ^Ｘ基は、ＣＮまたはＣＦ_３であり、
ここで、化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ^８は、選択的に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、１以上の置換基Ｒ^１０で選択的に置換され、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、総９から１８個の環原子を含み、
Ｑ^３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ^１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ^３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ^１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的部分を第３化学的部分に連結する単結合の結合位置であるか、または互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に重水素で置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｃ_１－Ｃ_５アルキル基及びＣ_６－Ｃ_１８アリール基によって置換され、
Ｒ^１２は、Ｒ^６のように定義され、
ここで、第３化学的部分に結合された第１及び第２化学的部分の最大個数は、第３化学的部分で利用可能な結合位置の個数（すなわち、置換基Ｒ^１１の数）のみによって限定される（好ましくは、前述の規定により、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、少なくとも１つの第１化学的部分、少なくとも１つの第２化学的部分及び正確に１つの第３化学的部分を含む）。

【0295】

本発明のより好ましい実施形態において、
Ｚ^２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ^１Ｒ^２、Ｃ＝ＣＲ^１Ｒ^２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ^１、ＮＲ^１、Ｏ、ＳｉＲ^１Ｒ^２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）_２からなる群から選択され、
Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｄ、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^３）_２、ＯＲ^３、Ｓｉ（Ｒ^３）_３、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^３で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^３で選択的に置換され、及び
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^３で選択的に置換され、
Ｒ^３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^４）_２、Ｓｉ（Ｒ^４）_３、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^４で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^４で選択的に置換され、及び
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^４で選択的に置換され、
ここで、選択的に、置換基Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｄ、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３のうちいずれか１つは、互いに独立して、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｄ、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された環系は、１以上の置換基Ｒ^５で選択的に置換され、
Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、Ｎ（Ｐｈ）_２、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ^１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ^６及びＣＲ^７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ^１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ^１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ^１のうち少なくとも１つはＣＲ^７であり、
Ｑ^２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ^６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ^２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ^２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ^６及びＲ^８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^９）_２、ＯＲ^９、Ｓｉ（Ｒ^９）_３、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^９で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^９で選択的に置換され、及び
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^９で選択的に置換され、
Ｒ^９は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^１０）_２、ＯＲ^１０、Ｓｉ（Ｒ^１０）_３、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^１０で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^１０で選択的に置換され、及び
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^１０で選択的に置換され、
Ｒ^１０は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｎ（Ｐｈ）_２、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換されたＰｈ、
Ｒ^７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ_３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造からなる群から選択される：

【化58】

・・・化学式ＥＷＧ－Ｉ
ここで、Ｒ^Ｘは、Ｒ^６のように定義され、但し、少なくとも１つのＲ^Ｘ基は、ＣＮまたはＣＦ_３であり、
ここで、化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ^８は、選択的に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、１以上の置換基Ｒ^１０で選択的に置換され、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、総９から１８個の環原子を含み、
Ｑ^３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ^１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ^３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ^１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的部分を第３化学的部分に連結する単結合の結合位置であるか、または互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に重水素で置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈからなる群から互いに独立して選択される１以上の置換基で選択的に置換され、
Ｒ^１２は、Ｒ^６のように定義され、
ここで、第３化学的部分に結合された第１及び第２化学的部分の最大個数は、第３化学的部分で利用可能な結合位置の個数（すなわち、置換基Ｒ^１１の個数）のみによって限定される（好ましくは、前述の規定により、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、少なくとも１つの第１化学的部分、少なくとも１つの第２化学的部分及び正確に１つの第３化学的部分を含む）。

【0296】

本発明のより好ましい実施形態において、
Ｚ^２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ^１Ｒ^２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ^１、Ｏ、ＳｉＲ^１Ｒ^２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）_２からなる群から選択され、
Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｄ、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^３）_２、ＯＲ^３、Ｓｉ（Ｒ^３）_３、ＣＦ_３、ＣＮ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^３で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^３で選択的に置換され、及び
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^３で選択的に置換され、
Ｒ^３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、Ｎ（Ｐｈ）_２、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
ここで、選択的に、任意の置換基Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｄ、Ｒ^１及びＲ^２は、互いに独立して、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｄ、Ｒ^１及びＲ^２から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された環系は、水素、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、及び１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換されたＰｈからなる群から互いに独立して選択された１以上の置換基で選択的に置換され、
ここで、選択的にこのように形成された、化学式Ｄ－１による構造、及び隣接した置換基によって形成された結合された環から構成された縮合環系は、総１３から４０個の環原子、好ましくは、１６から３０個の環原子を含み、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ^１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ^６及びＣＲ^７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ^１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ^１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ^１のうち少なくとも１つはＣＲ^７であり、
Ｑ^２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ^６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ^２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ^２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ^６及びＲ^８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^９）_２、ＯＲ^９、Ｓｉ（Ｒ^９）_３、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^９で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^９で選択的に置換され、及び
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^９で選択的に置換され、
Ｒ^９は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｎ（Ｐｈ）_２、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換されたＰｈ、
Ｒ^７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ_３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造からなる群から選択される：

【化59】

・・・化学式ＥＷＧ－Ｉ
ここで、Ｒ^Ｘは、Ｒ^６のように定義され、但し、少なくとも１つのＲ^Ｘ基は、ＣＮまたはＣＦ_３であり、
ここで、化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ^８は、選択的に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、水素、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、及び１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換されたＰｈからなる群から互いに独立して選択された１以上の置換基で選択的に置換され、
ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、総９から１８個の環原子を含み、
Ｑ^３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ^１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ^３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ^１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的部分を第３化学的部分に連結する単結合の結合位置であるか、または互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、及び
Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈからなる群から互いに独立して選択される１以上の置換基で選択的に置換されるＰｈ、
Ｒ^１２は、Ｒ^６のように定義され、
ここで、第３化学的部分に結合された第１及び第２化学的部分の最大個数は、第３化学的部分で利用可能な結合位置の個数（すなわち、置換基Ｒ^１１の個数）のみによって限定される（好ましくは、前述の規定により、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、少なくとも１つの第１化学的部分、少なくとも１つの第２化学的部分及び正確に１つの第３化学的部分を含む）。

【0297】

本発明のより好ましい実施形態において、
Ｚ^２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ^１Ｒ^２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ^１、Ｏ、ＳｉＲ^１Ｒ^２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）_２からなる群から選択され、
Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ及びＲ^ｄは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^３）_２、ＯＲ^３、Ｓｉ（Ｒ^３）_３、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、
Ｐｈ、ここで、１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換され、
カルバゾリル、ここで、１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換され、
トリアジニル、ここで、１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換され、
ピリミジニル、ここで、１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換され、
ピリジニル、ここで、１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換され、
Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^３）_２、ＯＲ^３、Ｓｉ（Ｒ^３）_３、ＣＦ_３、ＣＮ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^３で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^３で選択的に置換され、及び
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^３で選択的に置換され、
Ｒ^３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
ここで、選択的に、任意の置換基Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｄ、Ｒ^１及びＲ^２は、互いに独立して、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｄ、Ｒ^１及びＲ^２から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、選択的にこのように形成された環系は、水素、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、及び１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換されたＰｈからなる群から互いに独立して選択された１以上の置換基で選択的に置換され、
ここで、選択的にこのように形成された、化学式Ｄ１による構造、及び隣接した置換基によって形成された結合された環から構成された縮合環系、総１３から３０個の環原子、好ましくは、１６から３０個の環原子を含み、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ^１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ^６及びＣＲ^７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ^１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ^１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ^１のうち少なくとも１つはＣＲ^７であり、
Ｑ^２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ^６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ^２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ^２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ^６及びＲ^８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^９）_２、ＯＲ^９、Ｓｉ（Ｒ^９）_３、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^９で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^９で選択的に置換され、及び
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^９で選択的に置換され、
Ｒ^９は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｎ（Ｐｈ）_２、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換されたＰｈ、
Ｒ^７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ_３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造からなる群から選択される：

【化60】

【0298】

本発明のより好ましい実施形態において、
Ｚ^２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ^１Ｒ^２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ^１、Ｏ、ＳｉＲ^１Ｒ^２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）_２からなる群から選択され、
Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ及びＲ^ｄは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^３）_２、ＯＲ^３、Ｓｉ（Ｒ^３）_３、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換されたカルバゾリル、
Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＲ^３、Ｓｉ（Ｒ^３）_３、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^３で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^３で選択的に置換され、
Ｒ^３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
ここで、選択的に、任意の置換基Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｄ、Ｒ^１及びＲ^２は、互いに独立して、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｄ、Ｒ^１及びＲ^２から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、選択的にこのように形成された環系は、水素、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、及び１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換されたＰｈからなる群から互いに独立して選択された１以上の置換基で選択的に置換され、
ここで、選択的にこのように形成された、化学式Ｄ１による構造、及び隣接した置換基によって形成された結合された環から構成された縮合環系は、総１３から３０個の環原子、好ましくは、１６から３０個の環原子を含み、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ^１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ^６及びＣＲ^７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ^１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ^１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ^１のうち少なくとも１つはＣＲ^７であり、
Ｑ^２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ^６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ^２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ^２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ^６及びＲ^８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、Ｎ（Ｐｈ）_２、Ｓｉ（Ｍｅ）_３、Ｓｉ（Ｐｈ）_３、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換されたカルバゾリル、
Ｒ^７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ_３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造からなる群から選択される：

【化61】

・・・化学式ＥＷＧ－Ｉ
ここで、Ｒ^Ｘは、Ｒ^６のように定義され、但し、少なくとも１つのＲ^Ｘ基は、ＣＮまたはＣＦ_３であり、
ここで、化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ^８は、選択的に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、水素、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、及び１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換されたＰｈからなる群から互いに独立して選択された１以上の置換基で選択的に置換され、
ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、総９から１８個の環原子を含み、
Ｑ^３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ^１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ^３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ^１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的部分を第３化学的部分に連結する単結合の結合位置であるか、または互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換されるＰｈ、
Ｒ^１２は、Ｒ^６のように定義され、
ここで、第３化学的部分に結合された第１及び第２化学的部分の最大個数は、第３化学的部分で利用可能な結合位置の個数（すなわち、置換基Ｒ^１１の個数）のみによって限定される（好ましくは、前述の規定により、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、少なくとも１つの第１化学的部分、少なくとも１つの第２化学的部分及び正確に１つの第３化学的部分を含む）。

【0299】

本発明のより好ましい実施形態において、
Ｚ^２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ^１Ｒ^２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ^１、Ｏ、ＳｉＲ^１Ｒ^２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）_２からなる群から選択され、
Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ及びＲ^ｄは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）_２、Ｓｉ（Ｍｅ）_３、Ｓｉ（Ｐｈ）_３、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換されたカルバゾリル、
Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
ここで、選択的に、任意の置換基Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｄ、Ｒ^１及びＲ^２は、互いに独立して、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｄ、Ｒ^１及びＲ^２から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、選択的にこのように形成された環系は、水素、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、及び１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換されたＰｈからなる群から互いに独立して選択された１以上の置換基で選択的に置換され、
ここで、選択的にこのように形成された、化学式Ｄ１による構造、及び隣接した置換基によって形成された結合された環から構成された縮合環系は、総１３から３０個の環原子、好ましくは、１６から３０個の環原子を含み、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ^１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ^６及びＣＲ^７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ^１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ^１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ^１のうち少なくとも１つはＣＲ^７であり、
Ｑ^２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ^６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ^２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ^２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ^６及びＲ^８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）_２、Ｓｉ（Ｍｅ）_３、Ｓｉ（Ｐｈ）_３、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換されたカルバゾリル、
Ｒ^７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ_３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造からなる群から選択される：

【化62】

・・・化学式ＥＷＧ－Ｉ
ここで、Ｒ^Ｘは、Ｒ^６のように定義されるが、ＣＮまたはＣＦ_３であり、但し、少なくとも１つのＲ^Ｘ基は、ＣＮまたはＣＦ_３であり、
ここで、化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ^８は、選択的に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、水素、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、及び１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換されたＰｈからなる群から互いに独立して選択された１以上の置換基で選択的に置換され、
ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、総９から１８個の環原子を含み、
Ｑ^３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ^１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ^３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ^１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的部分を第３化学的部分に連結する単結合の結合位置であるか、または互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換されるＰｈ、
Ｒ^１２は、Ｒ^６のように定義され、
ここで、第３化学的部分に結合した第１及び第２化学的部分の最大個数は、第３化学的部分で利用可能な結合位置の個数（すなわち、置換基Ｒ^１１の個数）のみによって限定される（好ましくは、前述の規定により、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、少なくとも１つの第１化学的部分、少なくとも１つの第２化学的部分及び正確に１つの第３化学的部分を含む）。

【0300】

本発明の特に好ましい実施形態において、
Ｚ^２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ^１Ｒ^２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ^１、Ｏ、ＳｉＲ^１Ｒ^２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）_２からなる群から選択され、
Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ及びＲ^ｄは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
ここで、選択的に、任意の置換基Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｄ、Ｒ^１及びＲ^２は、互いに独立して、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｄ、Ｒ^１及びＲ^２から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、選択的にこのように形成された環系は、水素、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＣＦ_３、及び１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈによって置換されたＰｈからなる群から互いに独立して選択された１以上の置換基で選択的に置換され、
ここで、選択的にこのように形成された、化学式Ｄ１による構造、及び隣接した置換基によって形成し結合された環から構成された縮合環系は、総１３から３０個の環原子、好ましくは、１６から３０個の環原子を含み、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ^１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ^６及びＣＲ^７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ^１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ^１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ^１のうち少なくとも１つはＣＲ^７であり、
Ｑ^２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ^６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ^２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ^２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ^６及びＲ^８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）_２、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
カルバゾリル、ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換され、
Ｒ^７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ_３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造からなる群から選択される：

【化63】

・・・化学式ＥＷＧ－Ｉ
ここで、Ｒ^Ｘは、Ｒ^６のように定義されるが、ＣＮまたはＣＦ_３であり、但し、少なくとも１つのＲ^Ｘ基は、ＣＮまたはＣＦ_３であり、
ここで、化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ^８は、選択的に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、水素、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、及び１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換されたＰｈからなる群から互いに独立して選択された１以上の置換基で選択的に置換され、
ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、総９から１８個の環原子を含み、
Ｑ^３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ^１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ^３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ^１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的部分を第３化学的部分に連結する単結合の結合位置であるか、または互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ及びＰｈで置換されるＰｈ、
Ｒ^１２は、Ｒ^６のように定義され、
ここで、第３化学的部分に結合された第１及び第２化学的部分の最大個数は、第３化学的部分で利用可能な結合位置の個数（すなわち、置換基Ｒ^１１の個数）のみによって限定される（好ましくは、前述の規定により、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、少なくとも１つの第１化学的部分、少なくとも１つの第２化学的部分及び正確に１つの第３化学的部分を含む）。

【0301】

本発明の好ましい実施形態において、ａは常に１であり、ｂは常に０である。

【0302】

本発明の好ましい実施形態において、Ｚ^２は、それぞれの場合に直接結合である。

【0303】

本発明の好ましい実施形態において、Ｒ^ａは、それぞれの場合に水素である。

【0304】

本発明の好ましい実施形態において、Ｒ^ａ及びＲ^ｄは、それぞれの場合に水素である。

【0305】

本発明の好ましい実施形態において、Ｑ^３は、それぞれの場合に窒素（Ｎ）である。

【0306】

本発明の一実施形態において、化学式ＥＷＧ－Ｉにおいて、少なくとも１つの基Ｒ^ＸはＣＮである。

【0307】

本発明の好ましい実施形態において、化学式ＥＷＧ－Ｉにおいて、正確に１つの基Ｒ^ＸはＣＮである。

【0308】

本発明の好ましい実施形態において、化学式ＥＷＧ－Ｉにおいて、正確に１つのＲ^Ｘ基はＣＮであり、化学式ＥＷＧ－Ｉにおいて、Ｒ^Ｘ基はＣＦ_３ではない。

【0309】

本発明による第１化学的部分の例を下記に示すが、これは、本発明がそれら例に限定されることを意味するものではない：

【化64】

【化65】

【化66】

【化67】

【化68】

【化69】

【化70】

【化71】

【化72】

【化73】

【化74】

【化75】

【化76】

【化77】

【化78】

【化79】

ここで、前述の定義が適用される。

【0310】

本発明による第２化学的部分の例を下記に示すが、これは、本発明がそれら例に限定されることを意味するものではない：

【化80】

【化81】

【化82】

【化83】

【化84】

【化85】

【化86】

【化87】

【化88】

【化89】

ここで、前述の定義が適用される。

【0311】

本発明の好ましい実施形態において、各ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、化学式Ｅ^Ｂ－Ｉ、Ｅ^Ｂ－ＩＩ、Ｅ^Ｂ－ＩＩＩ、Ｅ^Ｂ－ＩＶ、Ｅ^Ｂ－Ｖ、Ｅ^Ｂ－ＶＩ、Ｅ^Ｂ－ＶＩＩ、Ｅ^Ｂ－ＶＩＩＩ、Ｅ^Ｂ－ＩＸ、Ｅ^Ｂ－Ｘ及びＥ^Ｂ－ＸＩのうちいずれか１つで表される構造を有する：

【化90】

・・・化学式Ｅ^Ｂ－Ｉ

【化91】

・・・化学式Ｅ^Ｂ－ＩＩ

【化92】

・・・化学式Ｅ^Ｂ－ＩＩＩ

【化93】

・・・化学式Ｅ^Ｂ－ＩＶ

【化94】

・・・化学式Ｅ^Ｂ－Ｖ

【化95】

・・・化学式Ｅ^Ｂ－ＶＩ

【化96】

・・・化学式Ｅ^Ｂ－ＶＩＩ

【化97】

・・・化学式Ｅ^Ｂ－ＶＩＩＩ

【化98】

・・・化学式Ｅ^Ｂ－ＩＸ

【化99】

・・・化学式Ｅ^Ｂ－Ｘ

【化100】

・・・化学式Ｅ^Ｂ－ＸＩ
ここで、
Ｒ^１３は、Ｒ^１１のように定義され、但し、Ｒ^１３は、第１または第２化学的部分を第３化学的部分に連結する単結合の結合位置ではなく、
Ｒ^Ｙは、ＣＮ及びＣＦ_３から選択されるか、またはＲ^Ｙは、下記化学式ＢＮ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成される：

【化101】

・・・化学式ＢＮ－Ｉ
これは、点線で表される単結合により、化学式Ｅ^Ｂ－Ｉ、Ｅ^Ｂ－ＩＩ、Ｅ^Ｂ－ＩＩＩ、Ｅ^Ｂ－ＩＶ、Ｅ^Ｂ－Ｖ、Ｅ^Ｂ－ＶＩ、Ｅ^Ｂ－ＶＩＩ、Ｅ^Ｂ－ＶＩＩＩまたはＥ^Ｂ－ＩＸの構造に結合され、ここで、正確に１つのＲ^ＢＮ基はＣＮであり、他の２つのＲ^ＢＮ基は、両方とも水素（Ｈ）であり、
その他には、前述の定義が適用される。

【0312】

本発明の好ましい実施形態において、Ｒ^１３は、それぞれの場合に水素である。

【0313】

本発明の一実施形態において、Ｒ^Ｙは、それぞれの場合にＣＮである。

【0314】

本発明の一実施形態において、Ｒ^Ｙは、それぞれの場合にＣＦ_３である。

【0315】

本発明の一実施形態において、Ｒ^Ｙは、それぞれの場合に化学式ＢＮ－Ｉで表される構造である。

【0316】

本発明の好ましい実施形態において、Ｒ^Ｙは、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ及び化学式ＢＮ－Ｉで表される構造から選択される。

【0317】

本発明の好ましい実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、前述の定義が適用される化学式Ｅ^Ｂ－Ｉ、Ｅ^Ｂ－ＩＩ、Ｅ^Ｂ－ＩＩＩ、Ｅ^Ｂ－ＩＶ、Ｅ^Ｂ－Ｖ、Ｅ^Ｂ－ＶＩ、Ｅ^Ｂ－ＶＩＩ及びＥ^Ｂ－Ｘのうちいずれか１つで表される構造を有する。

【0318】

本発明の好ましい実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、前述の定義が適用される化学式Ｅ^Ｂ－Ｉ、Ｅ^Ｂ－ＩＩ、Ｅ^Ｂ－ＩＩＩ、Ｅ^Ｂ－Ｖ及びＥ^Ｂ－Ｘのうちいずれか１つで表される構造を有する。

【0319】

本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に使用するためのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの例が下記に示されるが、これは、単に示された例のみが本発明の文脈において好適なＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂということを意味しない。

【0320】

化学式Ｅ^Ｂ－ＩによるＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの非限定的な例が下記に示される：

【化102】

【化103】

【化104】

【化105】

【化106】

【化107】

【化108】

【化109】

【化110】

【0321】

化学式Ｅ^Ｂ－ＩＩによるＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの非限定的な例が下記に示される：

【化111】

【化112】

【化113】

【化114】

【化115】

【0322】

化学式Ｅ^Ｂ－ＩＩＩによるＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの非限定的な例が下記に示される：

【化116】

【化117】

【化118】

【化119】

【0323】

化学式Ｅ^Ｂ－ＩＶによるＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの非限定的な例が下記に示される：

【化120】

【0324】

化学式Ｅ^Ｂ－ＶによるＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの非限定的な例が下記に示される：

【化121】

【0325】

化学式Ｅ^Ｂ－ＶＩによるＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの非限定的な例が下記に示される：

【化122】

【0326】

化学式Ｅ^Ｂ－ＶＩＩによるＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの非限定的な例が下記に示される：

【化123】

【0327】

化学式Ｅ^Ｂ－ＶＩＩＩによるＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの非限定的な例が下記に示される：

【化124】

【0328】

化学式Ｅ^Ｂ－ＩＸによるＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの非限定的な例が下記に示される：

【化125】

【化126】

【0329】

化学式Ｅ^Ｂ－ＸによるＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの非限定的な例が下記に示される：

【化127】

【化128】

【0330】

化学式Ｅ^Ｂ－ＸＩによるＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの非限定的な例が下記に示される：

【化129】

【0331】

ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの合成は、当業者に周知の標準反応及び反応条件を介して達成される。一般的に、第１ステップにおいて、カップリング反応、好ましくは、パラジウム触媒化されたカップリング反応が行われ、これを化学式Ｅ^Ｂ－ＩＩＩ、Ｅ^Ｂ－ＩＶ及びＥ^Ｂ－Ｖのうちいずれか１つによるＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの合成に対して下記に例示的に示した：

【化130】

【0332】

Ｅ１は、任意のボロン酸（Ｒ^Ｂ＝Ｈ）または対応するボロン酸エステル（Ｒ^Ｂ＝アルキルまたはアリール）であり、特に、２つのＲ^Ｂは環を形成し、例えば、ボロン酸ピナコールエステルを提供することができる。第２反応物としてＥ２が使用され、ここで、Ｈａｌはハロゲンを示し、Ｉ、ＢｒまたはＣｌでもあるが、好ましくは、Ｂｒである。そのようなパラジウム触媒化されたカップリング反応の反応条件は、例えば、ＷＯ２０１７／００５６９９から当業者に公知されており、Ｅ１及びＥ２の反応基が反応収率を最適化するために下記に示したように交換可能であることが知られている：

【化131】

【0333】

第２ステップにおいて、親核性芳香族置換において窒素ヘテロ環と、アリールハライド、好ましくは、アリールフルオライドＥ３との反応を介してＴＡＤＦ分子を得る。典型的な条件は、例えば、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）またはＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）のような非プロトン性極性溶媒において、例えば、リン酸三カリウムまたは水素化ナトリウムのような塩基の使用を含む。

【化132】

【0334】

特に、ドナー分子Ｅ４は、３，６－置換のカルバゾール（例えば、３，６－ジメチルカルバゾール、３，６－ジフェニルカルバゾール、３，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、２，７－置換のカルバゾール（例えば、２，７－ジメチルカルバゾール、２，７－ジフェニルカルバゾール、２，７－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、１，８－置換のカルバゾール（例えば、１，８－ジメチルカルバゾール、１，８－ジフェニルカルバゾール、１，８－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、１－置換のカルバゾール（例えば、１－メチルカルバゾール、１－フェニルカルバゾール、１－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、２－置換のカルバゾール（例えば、２－メチルカルバゾール、２－フェニルカルバゾール、２－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、または３－置換のカルバゾール（例えば、３－メチルカルバゾール、３－フェニルカルバゾール、３－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）でもある。

【0335】

代案としては、ハロゲン置換のカルバゾール、特に３－ブロモカルバゾールがＥ４としても使用される。

【0336】

後続反応において、ボロン酸エステル作用基またはボロン酸作用基は、Ｅ４を介して導入された１以上のハロゲン置換基の位置に例示的に導入され、対応するカルバゾール－３－イル－ボロン酸エステルまたはカルバゾール－３－イル－ボロン酸を、例えば、（ピナコラート）ジボロン（ＣＡＳＮｏ．７３１８３－３４－３）との反応を介して生成することができる。次いで、相応するハロゲン化反応物、例えば、Ｒ^ａ－Ｈａｌ、好ましくは、Ｒ^ａ－Ｃｌ及びＲ^ａ－Ｂｒとのカップリング反応を介して、ボロン酸エステル基またはボロン酸基の代わりに、１以上の置換基Ｒ^ａ、Ｒ^ｂまたはＲ^ｄを導入することができる。

【0337】

代案としては、置換基Ｒ^ａ［Ｒ^ａ－Ｂ（ＯＨ）_２］、Ｒ^ｂ［Ｒ^ｂ－Ｂ（ＯＨ）_２］またはＲ^ｄ［Ｒ^ｄ－Ｂ（ＯＨ）_２］のボロン酸または相応するボロン酸エステルとの反応を介して、Ｄ－Ｈを介して導入された１以上のハロゲン置換基の位置に１以上の置換基Ｒ^ａ、Ｒ^ｂまたはＲ^ｄを導入することができる。

【0338】

また、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂを類似して得ることができる。また、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂを当該目的に適している任意の代案的な合成経路によって得ることができる。

【0339】

代案的な合成経路は、窒素ヘテロ環を、銅またはパラジウム触媒によるカップリングを介して、アリールハライドまたはアリール擬ハライド、好ましくは、臭化アリール、ヨウ化アリール、アリールトリフラートまたはアリールトシレートに導入することを含むものでもある。

【0340】

燐光材料Ｐ ^Ｂ
本発明の文脈において燐光材料Ｐ^Ｂは、三重項から発光を得るために、金属原子によって惹起される分子内スピン軌道相互作用（重原子効果）を利用する。

【0341】

一般的に、最新技術において有機エレクトロルミネッセンス素子に使用される全ての燐光錯体が本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子にも使用可能であることが理解される。

【0342】

有機エレクトロルミネッセンス素子に使用される燐光材料Ｐ^Ｂは、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｅｕ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ａｇ及びＣｕの、本発明の文脈において、好ましくは、Ｉｒ、Ｐｔ及びＰｄの、より好ましくは、Ｉｒ及びＰｔの錯体ということが当業者に常識である。当業者は、有機エレクトロルミネッセンス素子においていかなる材料が燐光材料として適しているか、及びそれらを合成する方法が分かっている。また、当業者は、有機エレクトロルミネッセンス素子に使用するための燐光錯体の設計原理に慣れ、構造的変化により錯体の発光を調整する方法が分かっている。

【0343】

以下の例示を参照する：C.-L.Ho, H.Li, W.-Y.Wong, Journal of Organometallic Chemistry 2014, 751, 261, DOI: 10.1016/j.jorganchem.2013.09.035; T.Fleetham, G.Li, J.Li, Advanced Science News 2017, 29, 1601861, DOI: 10.1002/adma.201601861; A.R.B.M.Yusoff, A.J.Huckaba, M.K.Nazeeruddin, Topics in Current Chemistry(Z) 2017, 375:39, 1, DOI: 10.1007/s41061-017-0126-7; T.-Y.Li, J.Wuc, Z.-G.Wua, Y.-X.Zheng, J.-L.Zuo, Y.Pan, Coordination Chemistry Reviews 2018, 374, 55, DOI: 10.1016/j.ccr.2018.06.014。

【0344】

例えば、ＵＳ２０２０２７４０８１（Ａ１）、ＵＳ２００１００１９７８２（Ａ１）、ＵＳ２００２００３４６５６（Ａ１）、ＵＳ２００３０１３８６５７（Ａ１）、ＵＳ２００５１２３７９１（Ａ１）、ＵＳ２００６００６５８９０（Ａ１）、ＵＳ２００６０１３４４６２（Ａ１）、ＵＳ２００７００３４８６３（Ａ１）、ＵＳ２００７０１１１０２６（Ａ１）、ＵＳ２００７０３４８６３（Ａ１）、ＵＳ２００７１３８４３７（Ａ１）、ＵＳ２００８００２０２３７（Ａ１）、ＵＳ２００８０２９７０３３（Ａ１）、ＵＳ２００８２１０９３０（Ａ１）、ＵＳ２００９０１１５３２２（Ａ１）、ＵＳ２００９１０４４７２（Ａ１）、ＵＳ２０１００２４４００４（Ａ１）、ＵＳ２０１０１０５９０２（Ａ１）、ＵＳ２０１１００５７５５９（Ａ１）、ＵＳ２０１１２１５７１０（Ａ１）、ＵＳ２０１２２９２６０１（Ａ１）、ＵＳ２０１３１６５６５３（Ａ１）、ＵＳ２０１４０２４６６５６（Ａ１）、ＵＳ２００３００６８５２６（Ａ１）、ＵＳ２００５０１２３７８８（Ａ１）、ＵＳ２００５２６０４４９（Ａ１）、ＵＳ２００６０１２７６９６（Ａ１）、ＵＳ２００６０２０２１９４（Ａ１）、ＵＳ２００７００８７３２１（Ａ１）、ＵＳ２００７０１９０３５９（Ａ１）、ＵＳ２００７１０４９７９（Ａ１）、ＵＳ２００７２２４４５０（Ａ１）、ＵＳ２００８０２３３４１０（Ａ１）、ＵＳ２００８０５８５１（Ａ１）、ＵＳ２００９００３９７７６（Ａ１）、ＵＳ２００９０１７９５５５（Ａ１）、ＵＳ２０１０００９０５９１（Ａ１）、ＵＳ２０１００２９５０３２（Ａ１）、ＵＳ２００３００７２９６４（Ａ１）、ＵＳ２００５０２４４６７３（Ａ１）、ＵＳ２００６０００８６７０（Ａ１）、ＵＳ２００６０１３４４５９（Ａ１）、ＵＳ２００６０２５１９２３（Ａ１）、ＵＳ２００７０１０３０６０（Ａ１）、ＵＳ２００７０２３１６００（Ａ１）、ＵＳ２００７１０４９８０（Ａ１）、ＵＳ２００７２７８９３６（Ａ１）、ＵＳ２００８０２６１０７６（Ａ１）、ＵＳ２００８１６１５６７（Ａ１）、ＵＳ２００９０１０８７３７（Ａ１）、ＵＳ２００９０８５４７６（Ａ１）、ＵＳ２０１００１４８６６３（Ａ１）、ＵＳ２０１０１０２７１６（Ａ１）、ＵＳ２０１０２７０９１６（Ａ１）、ＵＳ２０１１０２０４３３３（Ａ１）、ＵＳ２０１１２８５２７５（Ａ１）、ＵＳ２０１３０３３１７２（Ａ１）、ＵＳ２０１３３３４５２１（Ａ１）、ＵＳ２０１４１０３３０５（Ａ１）、ＵＳ２００３０６８５３６（Ａ１）、ＵＳ２００３０８５６４６（Ａ１）、ＵＳ２００６２２８５８１（Ａ１）、ＵＳ２００６１９７０７７（Ａ１）、ＵＳ２０１１１１４９２２（Ａ１）、ＵＳ２０１１１１４９２２（Ａ１）、ＵＳ２００３０５４１９８（Ａ１）及びＥＰ２７３０５８３（Ａ１）は、本発明の文脈において燐光材料Ｐ^Ｂに使用可能な燐光材料を開示する。これは、本発明が、命名された参照文献のうち１つに述べられた燐光材料を含む有機エレクトロルミネッセンス素子に限定されるということを意味しないものと理解される。

【0345】

ＵＳ２０２０２７４０８１（Ａ１）に示されたように、本発明のもののような有機エレクトロルミネッセンス素子に使用するための燐光錯体の例は、下記に示した錯体を含む。再び、本発明がそれら実施例に限定されないということが理解される。

【0346】

【化133】

【化134】

【化135】

【化136】

【化137】

【化138】

【化139】

【化140】

【化141】

【化142】

【0347】

前述のように、当業者は、最新技術において使用される任意の燐光錯体が本発明の文脈における燐光材料Ｐ^Ｂとして適していることを認識することができる。

【0348】

本発明の一実施形態において、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂは、イリジウム（Ｉｒ）を含む。

【0349】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つの燐光材料Ｐ^Ｂ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂは、イリジウム（Ｉｒ）または白金（Ｐｔ）を含む有機金属錯体である。

【0350】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つの燐光材料Ｐ^Ｂ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂは、イリジウム（Ｉｒ）を含む有機金属錯体である。

【0351】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つの燐光材料Ｐ^Ｂ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂは、白金（Ｐｔ）を含む有機金属錯体である。

【0352】

また、燐光材料Ｐ^Ｂの非限定的な例は、下記一般化学式Ｐ^Ｂ－Ｉで表される化合物を含む：

【化143】

・・・化学式Ｐ^Ｂ－Ｉ
。

【0353】

化学式Ｐ^Ｂ－Ｉにおいて、Ｍは、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｅｕ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ａｇ及びＣｕからなる群から選択され、
ｎは、１から３の整数であり、
Ｘ^２及びＹ^１は、共にそれぞれの場合に互いに独立して、二座モノアニオン性リガンドを形成する。

【0354】

本発明の一実施形態において、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂは、下記化学式Ｐ^Ｂ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成される：

【化144】

・・・化学式Ｐ^Ｂ－Ｉ
ここで、Ｍは、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｅｕ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ａｇ及びＣｕからなる群から選択され、
ｎは、１から３の整数であり、
Ｘ^２及びＹ^１は、共にそれぞれの場合に互いに独立して、二座モノアニオン性リガンドを形成する。

【0355】

化学式Ｐ^Ｂ－Ｉで表される化合物の例は、下記一般化学式Ｐ^Ｂ－ＩＩまたは一般化学式Ｐ^Ｂ－ＩＩＩで表される化合物を含む：

【化145】

・・・化学式Ｐ^Ｂ－ＩＩ

【化146】

・・・化学式Ｐ^Ｂ－ＩＩＩ
化学式Ｐ^Ｂ－ＩＩ及びＰ^Ｂ－ＩＩＩにおいて、Ｘ’は、Ｍに炭素（Ｃ）結合された芳香族環であり、Ｙ’は、Ｍに窒素（Ｎ）配位されて環を形成する環である。

【0356】

Ｘ’とＹ’は結合され、Ｘ’とＹ’は、新たな環を形成することができる。化学式Ｐ^Ｂ－ＩＩＩにおいて、Ｚ^３は、２つの酸素（Ｏ）を有する二座リガンドである。化学式Ｐ^Ｂ－ＩＩ及びＰ^Ｂ－ＩＩＩにおいて、Ｍは、高効率及び長寿命の観点から、好ましくは、Ｉｒである。

【0357】

化学式Ｐ^Ｂ－ＩＩ及びＰ^Ｂ－ＩＩＩにおいて、芳香族環Ｘ’は、例えば、Ｃ_６－Ｃ_３０アリール、好ましくは、Ｃ_６－Ｃ_１６アリール、より好ましくは、Ｃ_６－Ｃ_１２アリール、特に好ましくは、Ｃ_６－Ｃ_１０アリールであり、ここで、Ｘ’は、それぞれの場合に選択的に１以上の置換基Ｒ^Ｅで置換される。

【0358】

化学式Ｐ^Ｂ－ＩＩ及びＰ^Ｂ－ＩＩＩにおいて、Ｙ’は、例えば、Ｃ_２－Ｃ_３０ヘテロアリール、好ましくは、Ｃ_２－Ｃ_２５ヘテロアリール、より好ましくは、Ｃ_２－Ｃ_２０ヘテロアリール、より一層好ましくは、Ｃ_２－Ｃ_１５ヘテロアリール、特に好ましくは、Ｃ_２－Ｃ_１０ヘテロアリールであり、ここで、Ｙ’は、それぞれの場合に選択的に１以上の置換基Ｒ^Ｅで置換される。また、Ｙ’は、例えば、選択的に１以上の置換基Ｒ^Ｅで置換されるＣ_１－Ｃ_５ヘテロアリールでもある。

【0359】

化学式Ｐ^Ｂ－ＩＩ及びＰ^Ｂ－ＩＩＩにおいて、２つの酸素（Ｏ）を有する二座リガンドＺ^３は、例えば、２つの酸素を有するＣ_２－Ｃ_３０二座リガンド、好ましくは、２つの酸素を有するＣ_２－Ｃ_２５二座リガンド、より好ましくは、２つの酸素を有するＣ_２－Ｃ_２０二座リガンド、より一層好ましくは、２つの酸素を有するＣ_２－Ｃ_１５二座リガンド、特に好ましくは、２つの酸素を有するＣ_２－Ｃ_１０二座リガンドであり、ここで、Ｚ^３は、それぞれの場合に選択的に１以上の置換基Ｒ^Ｅで置換される。また、Ｚ^３は、例えば、選択的に１以上の置換基Ｒ^Ｅで置換される２つの酸素を有するＣ_２－Ｃ_５二座リガンドでもある。

【0360】

Ｒ^Ｅは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択される：
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^５Ｅ）_２、ＯＲ^５Ｅ、ＳＲ^５Ｅ、Ｓｉ（Ｒ^５Ｅ）_３、ＣＦ_３、ＣＮ、ハロゲン、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^５Ｅで選択的に置換され、ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^５ＥＣ＝ＣＲ^５Ｅ、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^５Ｅ）_２、Ｇｅ（Ｒ^５Ｅ）_２、Ｓｎ（Ｒ^５Ｅ）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^５Ｅ、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^５Ｅ）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^５Ｅ、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^５Ｅで選択的に置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ^５Ｅで選択的に置換され、ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^５ＥＣ＝ＣＲ^５Ｅ、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^５Ｅ）_２、Ｇｅ（Ｒ^５Ｅ）_２、Ｓｎ（Ｒ^５Ｅ）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^５Ｅ、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^５Ｅ）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^５Ｅ、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^５Ｅで選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^５Ｅで選択的に置換され、及び
Ｃ_３－Ｃ_５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^５Ｅで選択的に置換される。

【0361】

Ｒ^５Ｅは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択される：
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^６Ｅ）_２、ＯＲ^６Ｅ、ＳＲ^６Ｅ、Ｓｉ（Ｒ^６Ｅ）_３、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^６Ｅで選択的に置換され、ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^６ＥＣ＝ＣＲ^６Ｅ、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^６Ｅ）_２、Ｇｅ（Ｒ^６Ｅ）_２、Ｓｎ（Ｒ^６Ｅ）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^６Ｅ、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^６Ｅ）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^６Ｅ、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^６Ｅで選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^６Ｅで選択的に置換され、及び
Ｃ_３－Ｃ_５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^６Ｅで選択的に置換される。

【0362】

Ｒ^６Ｅは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択される：
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換され、
Ｃ_１－Ｃ_５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換され、
Ｃ_１－Ｃ_５チオアルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、１以上のＣ_１－Ｃ_５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、１以上のＣ_１－Ｃ_５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｎ（Ｃ_６－Ｃ_１８アリール）_２、
Ｎ（Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール）_２、及び
Ｎ（Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール）（Ｃ_６－Ｃ_１８アリール）。

【0363】

置換基Ｒ^Ｅ、Ｒ^５ＥまたはＲ^６Ｅは、互いに独立して選択的に１以上の置換基Ｒ^Ｅ、Ｒ^５Ｅ、Ｒ^６Ｅ及び／またはＸ’、Ｙ’及びＺ^３と共に、単環または多環、脂肪族環系、芳香族環系、ヘテロ芳香族環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成することができる。

【0364】

化学式Ｐ^Ｂ－ＩＩで表される化合物の例には、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３、Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｍｐｐｙ）_３、Ｉｒ（ＰＰｙ）_２（ｍ－ｂｐｐｙ）、ＢｔｐＩｒ（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｂｔｐ）_２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（２－ｐｈｑ）_３、Ｈｅｘ－Ｉｒ（ｐｈｑ）_３、Ｉｒ（ｆｂｉ）_２（ａｃａｃ）、ｆａｃ－トリス（２－（３－ｐ－キシリル）フェニル）ピリジンイリジウム（ＩＩＩ）、Ｅｕ（ｄｂｍ）_３（Ｐｈｅｎ）、Ｉｒ（ｐｉｑ）_３、Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（Ｆｉｑ）_２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（Ｆｌｑ）_２（ａｃａｃ）、Ｒｕ（ｄｔｂ－ｂｐｙ）_３・２（ＰＦ６）、Ｉｒ（２－ｐｈｑ）_３、Ｉｒ（ＢＴ）_２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ＤＭＰ）_３、Ｉｒ（Ｍｐｑ）_３、Ｉｒ（ｐｈｑ）_２ｔｐｙ、ｆａｃ－Ｉｒ（ｐｐｙ）_２Ｐｃ、Ｉｒ（ｄｐ）ＰＱ_２、Ｉｒ（Ｄｐｍ）（Ｐｉｑ）_２、Ｈｅｘ－Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ）、Ｈｅｘ－Ｉｒ（ｐｉｑ）_３、Ｉｒ（ｄｍｐｑ）_３、Ｉｒ（ｄｍｐｑ）_２（ａｃａｃ）、ＦＰＱＩｒｐｉｃなどがある。

【0365】

化学式Ｐ^Ｂ－ＩＩで表される化合物の他の例は、下記化学式Ｐ^Ｂ－ＩＩ－１からＰ^Ｂ－ＩＩ－１１で表される化合物を含む。構造式において、「Ｍｅ」は、メチル基を示す。

【化147】

【化148】

【化149】

【0366】

化学式Ｐ^Ｂ－ＩＩＩで表される化合物の他の例は、下記化学式Ｐ^Ｂ－ＩＩＩ－１からＰ^Ｂ－ＩＩＩ－６で表される化合物を含む。構造式において、「Ｍｅ」は、メチル基を示す。

【0367】

【化150】

【0368】

また、ＵＳ２００３０１７３６１（Ａ１）、ＵＳ２００４２６２５７６（Ａ１）、ＷＯ２０１００２７５８３（Ａ１）、ＵＳ２０１９２４５１５３（Ａ１）、ＵＳ２０１３１１９３５４（Ａ１）、ＵＳ２０１９２３３４５１（Ａ１）に記載されたイリジウム錯体を使用することができる。燐光材料の高効率観点から、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３とＨｅｘ－Ｉｒ（ｐｐｙ）_３が緑色発光によく使用される。

【0369】

小さなＦＷＨＭエミッタＳ ^Ｂ
本発明による小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂは、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ中の１から５重量％、特に２重量％のエミッタを有するスピンコーティング膜から測定されたＦＷＨＷが０．２５ｅＶ以下（≦０．２５）を示す発光スペクトルを有する任意のエミッタでもある。代案としては、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの発光スペクトルは、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳ^Ｂがある溶液で測定されうる。

【0370】

本発明の好ましい実施形態において、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、室温でＰＭＭＡ中の１から５重量％、特に２重量％のエミッタＳ^Ｂを有するスピンコーティング膜から測定された≦０．２４ｅＶ、より好ましくは、≦０．２３ｅＶ、より一層好ましくは、≦０．２２ｅＶ、≦０．２１ｅＶ、または≦０．２０ｅＶのＦＷＨＭを示す発光スペクトルを有する任意のエミッタである。代案としては、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの発光スペクトルは、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳ^Ｂがある溶液で測定することができる。本発明の他の実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、≦０．１９ｅＶ、≦０．１８ｅＶ、≦０．１７ｅＶ、≦０．１６ｅＶ、≦０．１５ｅＶ、≦０．１４ｅＶ、≦０．１３ｅＶ、≦０．１２ｅＶ、または≦０．１１ｅＶのＦＷＨＭを示す。

【0371】

本発明の一実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、室温で（１から５重量％、特に２重量％のエミッタＳ^Ｂの）ＰＭＭＡで測定するとき、４４０ｎｍから４７０ｎｍの波長範囲に最大発光を有する光で発光する。

【0372】

本発明の一実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、室温で（１から５重量％、特に２重量％のエミッタＳ^Ｂの）ＰＭＭＡで測定するとき、５００ｎｍから５６０ｎｍの波長範囲に最大発光を有する光で発光する。

【0373】

本発明の一実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、室温で（１から５重量％、特に２重量％のエミッタＳ^Ｂの）ＰＭＭＡで測定するとき、６１０ｎｍから６６５ｎｍの波長範囲に最大発光を有する光で発光する。

【0374】

本発明の一実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳ^Ｂで測定するとき、４４０ｎｍから４７０ｎｍの波長範囲の最大発光で発光する。

【0375】

本発明の一実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳ^Ｂで測定するとき、５００ｎｍから５６０ｎｍの波長範囲に最大発光を有する光で発光する。

【0376】

本発明の一実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳ^Ｂで測定するとき、６１０ｎｍから６６５ｎｍの波長範囲の最大発光で発光する。

【0377】

本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれたＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、選択的に０．２５ｅＶ以下（≦０．２５ｅＶ）のＦＷＨＭを示す発光スペクトルを有するエミッタでもある。選択的に、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれたＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、また、前述の波長範囲（すなわち、４００ｎｍから４７０ｎｍ、５００ｎｍから５６０ｎｍ、６１０ｎｍから６６５ｎｍ）内で最大発光を示すことができる。

【0378】

本発明の一実施形態において、下記式（２３）から（２５）で表される関係のうち１つが適用される：
４４０ｎｍ＜λ_ｍａｘ（Ｓ^Ｂ）＜４７０ｎｍ（２３）
５１０ｎｍ＜λ_ｍａｘ（Ｓ^Ｂ）＜５５０ｎｍ（２４）
６１０ｎｍ＜λ_ｍａｘ（Ｓ^Ｂ）＜６６５ｎｍ（２５）
ここで、λ_ｍａｘ（Ｓ^Ｂ）は、本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの最大発光を示す。

【0379】

一実施形態において、式（２３）から（２５）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（２３）から（２５）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。

【0380】

本発明の好ましい実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、有機エミッタであり、これは、本発明の文脈においていかなる遷移金属も含まないということを意味する。好ましくは、本発明による小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、主に水素（Ｈ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）及びボロン（Ｂ）から構成されるが、例えば、酸素（Ｏ）、シリコン（Ｓｉ）、フッ素（Ｆ）及び臭素（Ｂｒ）を含んでもよい。

【0381】

本発明の好ましい実施形態において、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、蛍光エミッタであり、これは、本発明の文脈において、（例えば、本発明による光電子素子において）電子励起時にエミッタが常温で発光することができ、ここで、発光励起状態は一重項状態であることを意味する。

【0382】

本発明の一実施形態において、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、室温で（１から５重量％、特に２重量％のエミッタＳ^Ｂの）ＰＭＭＡで測定するとき、５０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。

【0383】

本発明の好ましい実施形態において、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、室温で（１から５重量％、特に２重量％のエミッタＳ^Ｂの）ＰＭＭＡで測定するとき、６０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。

【0384】

本発明のより好ましい実施形態において、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、室温で（１から５重量％、特に２重量％のエミッタＳ^Ｂの）ＰＭＭＡで測定するとき、７０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。

【0385】

本発明のより一層好ましい実施形態において、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、室温で（１から５重量％、特に２重量％のエミッタＳ^Ｂの）ＰＭＭＡで測定するとき、８０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。

【0386】

本発明の特に好ましい実施形態において、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、室温で（１から５重量％、特に２重量％のエミッタＳ^Ｂの）ＰＭＭＡで測定するとき、９０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。

【0387】

本発明の一実施形態において、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳ^Ｂで測定するとき、５０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。

【0388】

本発明の好ましい実施形態において、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳ^Ｂで測定するとき、６０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。

【0389】

本発明のより好ましい実施形態において、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳ^Ｂで測定するとき、７０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。

【0390】

本発明のより一層好ましい実施形態において、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳ^Ｂで測定するとき、８０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。

【0391】

本発明の特に好ましい実施形態において、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳ^Ｂで測定するとき、９０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。

【0392】

当業者は、前述の要件または好ましい特徴を満たす小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを設計する方法が分かっている。

【0393】

本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを提供するのに適している部類の分子は、周知の４，４－ジフルオロ－４－ボラ－３ａ，４ａ－ジアザ－ｓ－インダセン（ＢＯＤＩＰＹ）系材料であり、有機エレクトロルミネッセンス素子におけるその構造的特徴及び応用が詳細に検討されており、当業者に一般的な知識である。また、最新技術は、そのような材料が合成される方法及び特定発光色相を有するエミッタに達する方法を示す。

【0394】

例えば、下記を参照する：J.Liao, Y.Wang, Y.Xu, H.Zhao, X.Xiao, X.Yang, Tetrahedron 2015, 71(31), 5078, DOI: 10.1016/j.tet.2015.05.054; B.MSqueo, M.Pasini, Supramolecular Chemistry 2020, 32(1), 56-70, DOI: 10.1080/10610278.2019.1691727; M.Poddar, R.Misra, Coordination Chemistry Reviews 2020, 421, 213462-213483; DOI: 10.1016/j.ccr.2020.213462。

【0395】

また、当業者は、下記に示したＢＯＤＩＰＹ基本構造が、

【化151】

例えば、分子間π－π相互作用及び関連した自己消光により、有機エレクトロルミネッセンス素子のエミッタとして理想的に適していないという事実に慣れている。

【0396】

前述のＢＯＤＩＰＹコア構造に置換基として体積の大きい基を結合することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子にさらに適しているエミッタ分子に達することができるということは当業者に常識である。そのような体積の大きい基は、例えば、（多くの他のもののうち）アリール、ヘテロアリール、アルキルまたはアルコキシ置換基または縮合された多環芳香族またはヘテロ芳香族でもあり、それらはいずれも選択的に置換される。ＢＯＤＩＰＹコアにおいて好適な置換基の選択は、当業者に明白であり、最新技術から容易に誘導されうる。そのような分子の合成及び後続変形のために確立されてきた多数の合成経路に対しても同様である。

【0397】

例えば、下記を参照する：BM Squeo, M.Pasini, Supramolecular Chemistry 2020, 32(1), 56-70, DOI: 10.1080/10610278.2019.1691727; M.Poddar, R.Misra, Coordination Chemistry Reviews 2020, 421, 213462-213483; DOI: 10.1016/j.ccr.2020.213462。

【0398】

本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして適しているＢＯＤＩＰＹ系エミッタの例を下記に示した：

【化152】

【化153】

【化154】

【化155】

【0399】

これは、前述のところと異なる構造的特徴を有するＢＯＤＩＰＹ誘導体が本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして適していないということを意味しないものと理解される。例えば、ＵＳ２０２０２５１６６３（Ａ１）、ＥＰ３６７１８８４（Ａ１）、ＵＳ２０１６０２３０９６０（Ａ１）、ＵＳ２０１５０３０３３７８（Ａ１）に開示されたＢＯＤＩＰＹ由来構造またはその誘導体は、本発明による使用に適している小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂでもある。

【0400】

また、ＢＯＤＩＰＹコア構造の中心ボロン原子に結合したフッ素置換基のうち１つまたは両方を、酸素原子を介して結合し、好ましくは、フッ素（Ｆ）またはトリフルオロメチル（ＣＦ_３）のような電子求引置換基で選択的に置換されるアルコキシ基またはアリールオキシ基に代替することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子用エミッタに達することができるということが当業者に公知されている。そのような分子は、例えば、ＵＳ２０１２０３７８９０（Ａ１）に開示されており、当業者は、そのようなＢＯＤＩＰＹ関連化合物が本発明の文脈における好適な小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂであることを理解する。そのようなエミッタ分子の例が下記に示されており、これは、下記に示された構造のみが本発明の文脈における好適な小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂであるということを意味しない：

【化156】

【0401】

また、ＵＳ２０１９０２８８２２１（Ａ１）に開示されたＢＯＤＩＰＹ関連ボロン含有エミッタは、本発明による使用に適している小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを提供することができる一群のエミッタを構成する。

【0402】

本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを提供するのに適している他の部類の分子は、ＮＲＣＴ（near-range-charge-transfer）エミッタである。

【0403】

一般的なＮＲＣＴエミッタは、時間分解フォトルミネセンススペクトルで遅延された成分を示し、近距離ＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ分離を示すものと文献に説明されている。以下の例示を参照する：T.Hatakeyama, K.Shiren, K.Nakajima, S.Nomura, S.Nakatsuka, K.Kinoshita, J.Ni, Y.Ono, and T.Ikuta, Advanced Materials 2016, 28(14), 2777, DOI: 10.1002/adma.201505491。

【0404】

一般的なＮＲＣＴエミッタは、発光スペクトルで１つの発光バンドのみを示し、一般的な蛍光エミッタは、振動進行（vibrational progression）により、複数の固有な発光バンドを示す。

【0405】

当業者は、本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして適しているＮＲＣＴエミッタを設計及び合成する方法が分かっている。例えば、ＥＰ３１０９２５３（Ａ１）に開示されたエミッタは、本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとしても使用される。

【0406】

また、例えば、ＵＳ２０１４０５８０９９（Ａ１）、ＵＳ２００９２９５２７５（Ａ１）、ＵＳ２０１２３１９０５２（Ａ１）、ＥＰ２１８２０４０（Ａ２）、ＵＳ２０１８０６９１８２（Ａ１）、ＵＳ２０１９３９３４１９（Ａ１）、ＵＳ２０２０００６６７１（Ａ１）、ＵＳ２０２００９８９９１（Ａ１）、ＵＳ２０２０１７６６８４（Ａ１）、ＵＳ２０２０１６１５５２（Ａ１）、ＵＳ２０２０２２７６３９（Ａ１）、ＵＳ２０２０１８５６３５（Ａ１）、ＥＰ３６８６２０６（Ａ１）、ＥＰ３６８６２０６（Ａ１）、ＷＯ２０２０２１７２２９（Ａ１）、ＷＯ２０２０２０８０５１（Ａ１）及びＵＳ２０２０３２８３５１（Ａ１）は、本発明による使用のための小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして適しているエミッタ材料を開示する。

【0407】

本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用可能な一群のエミッタは、下記化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成されるボロン（Ｂ）含有エミッタである：

【化157】

・・・化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉ
ここで、
それぞれの環Ａ’、環Ｂ’及び環Ｃ’は、互いに独立して、それぞれ５から２４個の環原子を含む芳香族環またはヘテロ芳香族環を示し、そのうち、ヘテロ芳香族環の場合、１から３個の環原子は、互いに独立して、Ｎ、Ｏ、Ｓ及びＳｅから選択されるヘテロ原子であり、
ここで、
それぞれの芳香族環またはヘテロ芳香族環Ａ’、Ｂ’及びＣ’において、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－１}によって置換され、これは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
重水素、Ｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）_２、ＯＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}、ＳＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）_３、Ｂ（ＯＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}、ＣＦ_３、ＣＮ、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、選択的にＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}で置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、選択的にＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}で置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０チオアルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、選択的にＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}で置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルケニル、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、選択的にＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}で置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルキニル、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、選択的にＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}で置換され、
Ｃ_６－Ｃ_６０アリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}で置換され、
Ｃ_３－Ｃ_５７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}で置換され、及び
４から１８個の炭素原子及び１から３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、ＯＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、ＳＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_３、Ｂ（ＯＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}、ＣＦ_３、ＣＮ、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、選択的にＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
Ｃ_１－Ｃ_５アルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、選択的にＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
Ｃ_１－Ｃ_５チオアルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、選択的にＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
Ｃ_２－Ｃ_５アルケニル、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、選択的にＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
Ｃ_２－Ｃ_５アルキニル、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、選択的にＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、及び
４から１８個の炭素原子及び１から３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
ここで、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－１}及びＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}から選択される２以上の隣接した置換基は、選択的に、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系（すなわち、それぞれの環Ａ’、Ｂ’またはＣ’及びそれに選択的に縮合される追加の環）は、総８～３０個の環原子を含み、
Ｙ^ａ及びＹ^ｂは、互いに独立して、直接（単一）結合、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－３}、Ｏ、Ｓ、Ｃ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}）_２、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}）_２、ＢＲ^{ＤＡＢＮＡ－３}及びＳｅから選択され、
Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}）_２、ＯＲ^{ＤＡＢＮＡ－４}、ＳＲ^{ＤＡＢＮＡ－４}、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}）_３、Ｂ（ＯＲ^{ＤＡＢＮＡ－４}）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}、ＣＦ_３、ＣＮ、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－４}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－４}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－４}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－４}で置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－４}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－４}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－４}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－４}で置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０チオアルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－４}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－４}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－４}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－４}で置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルケニル、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－４}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－４}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－４}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－４}で置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルキニル、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－４}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－４}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－４}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－４}で置換され、
Ｃ_６－Ｃ_６０アリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}で置換され、
Ｃ_３－Ｃ_５７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}で置換され、及び
４から１８個の炭素原子及び１から３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}）_２、ＯＲ^{ＤＡＢＮＡ－５}、ＳＲ^{ＤＡＢＮＡ－５}、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}）_３、Ｂ（ＯＲ^{ＤＡＢＮＡ－５}）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}、ＣＦ_３、ＣＮ、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－５}で置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－５}で置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０チオアルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－５}で置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルケニル、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－５}で置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルキニル、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－５}で置換され、
Ｃ_６－Ｃ_６０アリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}で置換され、
Ｃ_３－Ｃ_５７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}で置換され、及び
４から１８個の炭素原子及び１から３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、ＯＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、ＳＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_３、Ｂ（ＯＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}、ＣＦ_３、ＣＮ、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、選択的にＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
Ｃ_１－Ｃ_５アルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、選択的にＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
Ｃ_１－Ｃ_５チオアルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、選択的にＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
Ｃ_２－Ｃ_５アルケニル、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、選択的にＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
Ｃ_２－Ｃ_５アルキニル、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、選択的にＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}Ｃ＝ＣＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、及び
４から１８個の炭素原子及び１から３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
ここで、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}及びＲ^{ＤＡＢＮＡ－５}から選択される２以上の隣接した置換基は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、総８～３０個の環原子を含み、
Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ（Ｐｈ＝フェニル）、ＳＰｈ、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｓｉ（Ｃ_１－Ｃ_５アルキル）_３、Ｓｉ（Ｐｈ）_３、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦで置換され、
Ｃ_１－Ｃ_５アルコキシ、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換され、
Ｃ_１－Ｃ_５チオアルコキシ、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換され、
Ｃ_２－Ｃ_５アルケニル、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換され、
Ｃ_２－Ｃ_５アルキニル、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦによって置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３、Ｆ、Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、ＳｉＭｅ_３、ＳｉＰｈ_３またはＣ_６－Ｃ_１８アリール置換基によって置換され、
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３、Ｆ、Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、ＳｉＭｅ_３、ＳｉＰｈ_３またはＣ_６－Ｃ_１８アリール置換基によって置換され、
Ｎ（Ｃ_６－Ｃ_１８アリール）_２、
Ｎ（Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール）_２、及び
Ｎ（Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール）（Ｃ_６－Ｃ_１８アリール）、
ここで、Ｙ^ａ及びＹ^ｂのうち１つ、またはＹ^ａ及びＹ^ｂのうち両方がＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－３}、Ｃ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}）_２、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}）_２またはＢＲ^{ＤＡＢＮＡ－３}である場合、前記１つまたは２つの置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}は、選択的に互いに独立して、隣接した環Ａ’及びＢ’（Ｙ^ａ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－３}、Ｃ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}）_２、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}）_２またはＢＲ^{ＤＡＢＮＡ－３}）、またはＡ’及びＣ’（Ｙ^ｂ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－３}、Ｃ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}）_２、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}）_２またはＢＲ^{ＤＡＢＮＡ－３}）の１つまたは両方に直接（単一）結合、あるいはそれぞれの場合に独立して、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－１}、Ｏ、Ｓ、Ｃ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－１}）_２、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－１}）_２、ＢＲ^{ＤＡＢＮＡ－１}及びＳｅから選択される連結原子または原子基を介して結合することができ、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの構造が互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合され、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの構造がエミッタ内に存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、当該環は、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２つの構造の一部でもある）、当該環は、好ましくは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの環Ａ’、Ｂ’及びＣ’のうちいずれか１つであるが、また、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－１}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}及びＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、特にＲ^{ＤＡＢＮＡ－３}から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述の２以上の隣接した置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有環は、前記環を共有する化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２以上の構造の同一のまたは相異なる部分を構成することができ（すなわち、共有環は、例えば、エミッタ内に選択的に含まれた化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２つの構造の環Ｃ’でもあるか、共有環は、例えば、エミッタ内に選択的に含まれた化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの１つの構造の環Ｂ’及び他の構造の環Ｃ’でもある）、
ここで、選択的に少なくとも１つのＲ^{ＤＡＢＮＡ－１}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}及びＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}が、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの更なる化学的実体に対する結合に代替され、及び／または、選択的に少なくとも１つのＲ^{ＤＡＢＮＡ－１}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}及びＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}の少なくとも１つの水素原子が、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの更なる化学的実体に対する結合に代替される。

【0408】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂのうち少なくとも１つは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含む。

【0409】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含む。

【0410】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂのうち少なくとも１つは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造からなる。

【0411】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造からなる。

【0412】

本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、Ａ’、Ｂ’及びＣ’が全てそれぞれ６個の環原子を有する芳香族環（すなわち、全てベンゼン環）である。

【0413】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、ここで、Ｙ^ａ及びＹ^ｂは、互いに独立して、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－３}、Ｏ、Ｓ、Ｃ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}）_２及びＳｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}）_２から選択される。

【0414】

本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、ここで、Ｙ^ａ及びＹ^ｂは、互いに独立して、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－３}、Ｏ及びＳから選択される。

【0415】

本発明のより好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成され、ここで、Ｙ^ａ及びＹ^ｂは、互いに独立して、ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－３}及びＯから選択される。

【0416】

本発明の特に好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、ここで、Ｙ^ａ及びＹ^ｂは、両方ともＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－３}である。

【0417】

本発明の特に好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成され、ここで、Ｙ^ａ及びＹ^ｂは、互いに独立して同一であり、両方ともＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－３}である。

【0418】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成され、
Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－１}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）_２、ＯＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}、ＳＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）_３、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}で置換され、
Ｃ_１－Ｃ_５アルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}で置換され、
Ｃ_１－Ｃ_５チオアルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}で置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}で置換され、
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}で置換され、
Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、ＯＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、ＳＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_３、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
ここで、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－１}及びＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}から選択される２以上の隣接した置換基は、選択的に、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系（すなわち、それぞれの環Ａ’、Ｂ’またはＣ’及びそれに選択的に縮合される追加の環）は、総８～３０個の環原子を含む。

【0419】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成され、
Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－１}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）_２、ＯＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}、ＳＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）_３、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}で置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}で置換され、
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}で置換され、
Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_２、ＯＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、ＳＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}）_３、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
ここで、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－１}及びＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}から選択される２以上の隣接した置換基は、選択的に、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系（すなわち、それぞれの環Ａ’、Ｂ’またはＣ’及びそれに選択的に縮合される追加の環）は、総８～３０個の環原子を含む。

【0420】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－１}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}）_２、ＯＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}、ＳＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}で置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}で置換され、
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}で置換され、
Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）_２、ＯＰｈ、ＣＮ、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、Ｓｉ（Ｍｅ）_３、
Ｐｈ、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}で置換され、
ここで、２以上の隣接したＲ^{ＤＡＢＮＡ－１}は、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系（すなわち、それぞれの環Ａ’、Ｂ’またはＣ’及びそれに選択的に縮合される追加の環）は、総８～３０個の環原子を含む。

【0421】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成され、
Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－１}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）_２、ＯＰｈ、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、Ｓｉ（Ｍｅ）_３、
Ｐｈ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
ここで、２以上の隣接した置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－１}は、選択的に、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系（すなわち、それぞれの環Ａ’、Ｂ’またはＣ’及びそれに選択的に縮合される追加の環）は、総８～３０個の環原子を含む。

【0422】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成され、
Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－１}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）_２、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、
Ｐｈ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
カルバゾリル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
トリアジニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
ピリミジニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
ピリジニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
ここで、２以上の隣接した置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－１}は、選択的に、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系（すなわち、それぞれの環Ａ’、Ｂ’またはＣ’及びそれに選択的に縮合される追加の環）は、総８～３０個の環原子を含む。

【0423】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－１}及びＲ^{ＤＡＢＮＡ－２}から選択された隣接した置換基は、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成しない。

【0424】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、
Ｃ_１－Ｃ_４アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}で置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}で置換され、
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}で置換され、
Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}）_２、ＯＲ^{ＤＡＢＮＡ－５}、ＳＲ^{ＤＡＢＮＡ－５}、Ｓｉ（Ｃ_１－Ｃ_５アルキル）_３、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}で置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}で置換され、
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}で置換され、
Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）_２、ＯＰｈ、Ｓｉ（Ｍｅ）_３、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素で置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
ここで、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}及びＲ^{ＤＡＢＮＡ－５}から選択される２以上の隣接した置換基は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、総８～３０個の環原子を含む。

【0425】

【0426】

【0427】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、及び
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
ここで、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}から選択された２以上の隣接した置換基は、互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成しない。

【0428】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、及び
Ｐｈ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
ここで、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}から選択された２以上の隣接した置換基は、互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成しない。

【0429】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択される：
水素、重水素、ＯＰｈ（Ｐｈ＝フェニル）、ＳＰｈ、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｓｉ（Ｃ_１－Ｃ_５アルキル）_３、Ｓｉ（Ｐｈ）_３、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦで置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３、Ｆ、Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、ＳｉＭｅ_３、ＳｉＰｈ_３またはＣ_６－Ｃ_１８アリールで置換され、
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３、Ｆ、Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、ＳｉＭｅ_３、ＳｉＰｈ_３またはＣ_６－Ｃ_１８アリールで置換され、
Ｎ（Ｃ_６－Ｃ_１８アリール）_２、
Ｎ（Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール）_２、及び
Ｎ（Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール）（Ｃ_６－Ｃ_１８アリール）。

【0430】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択される：
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）_２、ＯＰｈ（Ｐｈ＝フェニル）、ＳＰｈ、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｓｉ（Ｍｅ）_３、Ｓｉ（Ｐｈ）_３、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦで置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３、Ｆ、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＳｉＭｅ_３、ＳｉＰｈ_３またはＰｈで置換され、
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３、Ｆ、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、ＳｉＭｅ_３、ＳｉＰｈ_３またはＰｈで置換される。

【0431】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－６}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択される：
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）_２、ＣＮ、Ｆ、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕ、
Ｐｈ、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕまたはＰｈで置換され、
Ｃ_３－Ｃ_１７ヘテロアリール、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、Ｍｅ、^ｉＰｒ、^ｔＢｕまたはＰｈで置換される。

【0432】

【0433】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成され、
Ｙ^ａ及び／またはＹ^ｂがＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－３}、Ｃ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}）_２、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}）_２またはＢＲ^{ＤＡＢＮＡ－３}である場合、１つまたは２つの置換基Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}は、１つまたは２つの隣接した環Ａ’及びＢ’（Ｙ^ａ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－３}、Ｃ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}）_２、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}）_２またはＢＲ^{ＤＡＢＮＡ－３}の場合）、またはＡ’及びＣ’（Ｙ^ｂ＝ＮＲ^{ＤＡＢＮＡ－３}、Ｃ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}）_２、Ｓｉ（Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}）_２またはＢＲ^{ＤＡＢＮＡ－３}）と結合しない。

【0434】

一実施形態において、本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、選択的に、前述の化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの多量体（例えば、二量体）でもあり、これは、それらの構造が１以上のサブユニットを含み、それらそれぞれは化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を有するということを意味する。この場合、当業者は、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる２以上のサブユニットが、例えば、接合可能であり、好ましくは、互いに縮合していてもよいことを理解するであろう（すなわち、少なくとも１つの結合を共有し、ここで、その結合を形成する原子に結合したそれぞれの置換基がそれ以上存在しなくてもよい）。また、２以上のサブユニットは、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有することができる。これは、例えば、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂがそれぞれ化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの構造を有する２以上のサブユニットを含むということを意味し、ここで、それら２つのサブユニットは、１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有する（すなわち、それぞれの環は、２つのサブユニットの一部である）。その結果、それぞれの多量体（例えば、二量体）エミッタＳ^Ｂは、共有された環が一回のみ存在し、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる２つの全体サブユニットを含まない。それにもかかわらず、当業者は、本願において当該エミッタが依然として化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの多量体（例えば、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの構造を有する２つのサブユニットが含まれる場合、二量体）と見なされることを理解するであろう。１以上の環を共有する多量体に対しても同様である。多量体は、それぞれ化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの構造を有する２つのサブユニットを含む二量体であることが好ましい。

【0435】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、前述のように、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの二量体であり、これは、エミッタがそれぞれ化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を有する２つのサブユニットを含むことを意味する。

【0436】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、２以上、好ましくは、正確に２つの化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造（すなわち、サブユニット）を含むか、あるいはそれからなり、
ここで、それらサブユニットは、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、当該環は、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２つの構造の一部でもある）、ここで、共有環は、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの環Ａ’、Ｂ’及びＣ’のうちいずれか１つでもあるが、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－１}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}及びＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}、特にＲ^{ＤＡＢＮＡ－３}から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の隣接した置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有環は、前記環を共有する化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２以上の構造の同一のまたは相異なる部分を構成することができる（すなわち、共有環は、例えば、エミッタ内に選択的に含まれた化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２つの構造の環Ｃ’でもあるか、共有環は、例えば、エミッタ内に選択的に含まれた化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの１つの構造の環Ｂ’及び他の構造の環Ｃ’でもある）。

【0437】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、２以上、好ましくは、正確に２つの化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造（すなわち、サブユニット）を含むか、あるいはそれから構成され、
ここで、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－１}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}及びＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}のうち少なくとも１つが、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの更なる化学的実体に対する結合に代替され、及び／または、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－１}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－２}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－３}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－４}、Ｒ^{ＤＡＢＮＡ－５}及びＲ^{ＤＡＢＮＡ－６}のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの更なる化学的実体に対する結合に代替される。

【0438】

本発明による小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用可能な、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成されるエミッタの非限定的な例が下記に示されている：

【化158】

【化159】

【化160】

【化161】

【化162】

【化163】

【化164】

【化165】

【化166】

【化167】

【化168】

【化169】

【化170】

【化171】

【化172】

【化173】

【化174】

【化175】

【化176】

【化177】

【化178】

【化179】

【化180】

【化181】

【化182】

【化183】

【化184】

【化185】

【化186】

【化187】

【化188】

【化189】

【化190】

【化191】

【化192】

【化193】

【化194】

【化195】

【化196】

【化197】

【化198】

【化199】

【化200】

【化201】

【化202】

【化203】

【化204】

本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用可能な一群のエミッタは、下記化学式ＢＮＥ－１による構造またはその多量体を含むか、あるいはそれから構成されるエミッタである：

【化205】

・・・化学式ＢＮＥ－１
ここで、
ｃ及びｄは、両方とも整数であり、互いに独立して０及び１から選択され、
ｅ及びｆは、両方とも整数であり、０及び１から選択され、ここで、ｅ及びｆは（常に）同一であり（すなわち、両方とも０であるか、または両方とも１である）、
ｇ及びｈは、両方とも整数であり、０及び１から選択され、ここで、ｇ及びｈは（常に）同一であり（すなわち、両方とも０であるか、または両方とも１である）、
ｄが０であれば、ｅ及びｆは、両方とも１であり、ｄが１であれば、ｅ及びｆは、両方とも０であり、
ｃが０であれば、ｇ及びｈは、両方とも１であり、ｃが１であれば、ｇ及びｈは、両方とも０であり、
Ｖ^１は、窒素（Ｎ）及びＣＲ^{ＢＮＥ－Ｖ}から選択され、
Ｖ^２は、窒素（Ｎ）及びＣＲ^{ＢＮＥ－Ｉ}から選択され、
Ｘ^３は、直接結合、ＣＲ^{ＢＮＥ－３}Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－３}Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－３}、ＮＲ^{ＢＮＥ－３}、Ｏ、ＳｉＲ^{ＢＮＥ－３}Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）_２からなる群から選択され、
Ｙ^２は、直接結合、ＣＲ^{ＢＮＥ－３’}Ｒ^{ＢＮＥ－４’}、Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－３’}Ｒ^{ＢＮＥ－４’}、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－３’}、ＮＲ^{ＢＮＥ－３’}、Ｏ、ＳｉＲ^{ＢＮＥ－３’}Ｒ^{ＢＮＥ－４’}、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）_２からなる群から選択され、
Ｒ^{ＢＮＥ－１}、Ｒ^{ＢＮＥ－２}、Ｒ^{ＢＮＥ－１’}、Ｒ^{ＢＮＥ－２’}、Ｒ^{ＢＮＥ－３}、Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｒ^{ＢＮＥ－３’}、Ｒ^{ＢＮＥ－４’}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｉ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＶ}及びＲ^{ＢＮＥ－Ｖ}は、それぞれ互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、ＯＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_３、Ｂ（ＯＲ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｂ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^{ＢＮＥ－５}、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルケニル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルキニル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で置換され、
Ｃ_６－Ｃ_６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、及び
Ｃ_２－Ｃ_５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ’}及びＲ^{ＢＮＥ－ｅ}は、互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、ＯＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_３、Ｂ（ＯＲ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｂ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^{ＢＮＥ－５}、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルケニル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルキニル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で置換され、
Ｃ_６－Ｃ_６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}で選択的に置換され、及び
Ｃ_２－Ｃ_５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}で選択的に置換され、
Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、ＯＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_３、Ｂ（ＯＲ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｂ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^{ＢＮＥ－５}、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルケニル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルキニル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で置換され、
Ｃ_６－Ｃ_６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、及び
Ｃ_２－Ｃ_５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
Ｒ^{ＢＮＥ－５}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、ＯＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_３、Ｂ（ＯＲ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｂ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^{ＢＮＥ－６}、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－６}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－６}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－６}で置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－６}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－６}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－６}で置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－６}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－６}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－６}で置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルケニル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－６}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－６}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－６}で置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルキニル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－６}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－６}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－６}で置換され、
Ｃ_６－Ｃ_６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－６}で選択的に置換され、及び
Ｃ_２－Ｃ_５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－６}で選択的に置換され、
Ｒ^{ＢＮＥ－６}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３、ＰｈまたはＦで置換され、
Ｃ_１－Ｃ_５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦで置換され、
Ｃ_１－Ｃ_５チオアルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦで置換され、
Ｃ_２－Ｃ_５アルケニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦで置換され、
Ｃ_２－Ｃ_５アルキニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦで置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、１以上のＣ_１－Ｃ_５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｃ_２－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、１以上のＣ_１－Ｃ_５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｎ（Ｃ_６－Ｃ_１８アリール）_２、
Ｎ（Ｃ_２－Ｃ_１７ヘテロアリール）_２、及び
Ｎ（Ｃ_２－Ｃ_１７ヘテロアリール）（Ｃ_６－Ｃ_１８アリール）、
ここで、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}及びＲ^{ＢＮＥ－ｅ}は、選択的に結合して直接単結合を形成し、
ここで、置換基Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ’}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｅ}、Ｒ^{ＢＮＥ－３’}、Ｒ^{ＢＮＥ－４’}及びＲ^{ＢＮＥ－５}のうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、置換基Ｒ^{ＢＮＥ－１}、Ｒ^{ＢＮＥ－２}、Ｒ^{ＢＮＥ－１’}、Ｒ^{ＢＮＥ－２’}、Ｒ^{ＢＮＥ－３}、Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｒ^{ＢＮＥ－５}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｉ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＶ}及びＲ^{ＢＮＥ－Ｖ}のうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造は、互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合され、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造がエミッタに存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、当該環は、化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の一部でもある）、これは、好ましくは、化学式ＢＮＥ－１の環ａ、ｂ及びｃ’のうちいずれか１つであるが、Ｒ^{ＢＮＥ－１}、Ｒ^{ＢＮＥ－２}、Ｒ^{ＢＮＥ－１’}、Ｒ^{ＢＮＥ－２’}、Ｒ^{ＢＮＥ－３}、Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｒ^{ＢＮＥ－３’}、Ｒ^{ＢＮＥ－４’}、Ｒ^{ＢＮＥ－５}、Ｒ^{ＢＮＥ－６}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｉ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＶ}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｖ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｅ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ}及びＲ^{ＢＮＥ－ｄ’}から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有する環は、前記環を共有する化学式ＢＮＥ－１の２以上の構造の同一のまたは相異なる部分を構成することができ（すなわち、共有する環は、例えば、選択的にエミッタ内に含まれた化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の環ｃ’でもあるか、共有する環は、例えば、選択的にエミッタ内に含まれた化学式ＢＮＥ－１の１つの構造の環ｂ及び他の構造の環ｃ’でもある）、
ここで、選択的に、Ｒ^{ＢＮＥ－１}、Ｒ^{ＢＮＥ－２}、Ｒ^{ＢＮＥ－１’}、Ｒ^{ＢＮＥ－２’}、Ｒ^{ＢＮＥ－３}、Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｒ^{ＢＮＥ－５}、Ｒ^{ＢＮＥ－３’}、Ｒ^{ＢＮＥ－４’}、Ｒ^{ＢＮＥ－６}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｉ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＶ}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｖ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｅ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ}またはＲ^{ＢＮＥ－ｄ’}のうち少なくとも１つが、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合に代替され、及び／または、Ｒ^{ＢＮＥ－１}、Ｒ^{ＢＮＥ－２}、Ｒ^{ＢＮＥ－１’}、Ｒ^{ＢＮＥ－２’}、Ｒ^{ＢＮＥ－３}、Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｒ^{ＢＮＥ－５}、Ｒ^{ＢＮＥ－３’}、Ｒ^{ＢＮＥ－４’}、Ｒ^{ＢＮＥ－６}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｉ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＶ}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｖ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｅ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ}またはＲ^{ＢＮＥ－ｄ’}のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合に代替される。

【0439】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含む。

【0440】

本発明の一実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含む。

【0441】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＢＮＥ－１による構造からなる。

【0442】

本発明の一実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＢＮＥ－１による構造からなる。

【0443】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、ここで、Ｖ^１はＣＲ^{ＢＮＥ－Ｖ}であり、Ｖ^２はＣＲ^{ＢＮＥ－Ｉ}である。

【0444】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、ここで、Ｖ^１及びＶ^２は、両方とも窒素（Ｎ）である。

【0445】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、ここで、Ｖ^１は窒素（Ｎ）であり、Ｖ^２はＣＲ^{ＢＮＥ－Ｉ}である。

【0446】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、ここで、Ｖ^１はＣＲ^{ＢＮＥ－Ｖ}であり、Ｖ^２は窒素（Ｎ）である。

【0447】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、ここで、ｃ及びｄは、両方とも０である。

【0448】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、ここで、ｃは０であり、ｄは１である。

【0449】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、ここで、ｃは１であり、ｄは０である。

【0450】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、ここで、ｃ及びｄは、両方とも１である。

【0451】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、
ここで、Ｘ^３は、直接結合、ＣＲ^{ＢＮＥ－３}Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ^{ＢＮＥ－３}、Ｏ、Ｓ、ＳｉＲ^{ＢＮＥ－３}Ｒ^{ＢＮＥ－４}からなる群から選択され、
Ｙ^２は、直接結合、ＣＲ^{ＢＮＥ－３’}Ｒ^{ＢＮＥ－４’}、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ^{ＢＮＥ－３’}、Ｏ、Ｓ、ＳｉＲ^{ＢＮＥ－３’}Ｒ^{ＢＮＥ－４’}からなる群から選択される。

【0452】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、
ここで、Ｘ^３は、直接結合、ＣＲ^{ＢＮＥ－３}Ｒ^{ＢＮＥ－４}、ＮＲ^{ＢＮＥ－３}、Ｏ、Ｓ、ＳｉＲ^{ＢＮＥ－３}Ｒ^{ＢＮＥ－４}からなる群から選択され、
Ｙ^２は、直接結合、ＣＲ^{ＢＮＥ－３’}Ｒ^{ＢＮＥ－４’}、ＮＲ^{ＢＮＥ－３’}、Ｏ、Ｓ、ＳｉＲ^{ＢＮＥ－３’}Ｒ^{ＢＮＥ－４’}からなる群から選択される。

【0453】

【0454】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、
ここで、Ｘ^３は、直接結合またはＮＲ^{ＢＮＥ－３}であり、
Ｙ^２は、直接結合である。

【0455】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、
ここで、Ｘ^３は、ＮＲ^{ＢＮＥ－３}であり、
Ｙ^２は、直接結合である。

【0456】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、
Ｒ^{ＢＮＥ－１}、Ｒ^{ＢＮＥ－２}、Ｒ^{ＢＮＥ－１’}、Ｒ^{ＢＮＥ－２’}、Ｒ^{ＢＮＥ－３}、Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｒ^{ＢＮＥ－３’}、Ｒ^{ＢＮＥ－４’}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｉ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＶ}及びＲ^{ＢＮＥ－Ｖ}は、それぞれ互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、ＯＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_３、Ｂ（ＯＲ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｂ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^{ＢＮＥ－５}、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルケニル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルキニル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、及び
Ｃ_２－Ｃ_５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ’}及びＲ^{ＢＮＥ－ｅ}は、互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}で選択的に置換され、及び
Ｃ_２－Ｃ_５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}で選択的に置換され、
Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、ＯＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_３、Ｂ（ＯＲ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｂ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^{ＢＮＥ－５}、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルケニル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルキニル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－５}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、及び
Ｃ_２－Ｃ_５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
Ｒ^{ＢＮＥ－５}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、ＯＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_３、Ｂ（ＯＲ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｂ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^{ＢＮＥ－６}、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－６}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－６}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－６}で選択的に置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－６}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－６}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－６}で選択的に置換され、
Ｃ_１－Ｃ_４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－６}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－６}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－６}で選択的に置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルケニル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－６}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－６}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－６}で選択的に置換され、
Ｃ_２－Ｃ_４０アルキニル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－６}で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^{ＢＮＥ－６}Ｃ＝ＣＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｇｅ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｓｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^{ＢＮＥ－６}）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^{ＢＮＥ－６}、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^{ＢＮＥ－６}で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－６}で選択的に置換され、及び
Ｃ_２－Ｃ_５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－６}で選択的に置換され、
Ｒ^{ＢＮＥ－６}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３、ＰｈまたはＦで置換され、
Ｃ_１－Ｃ_５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦで置換され、
Ｃ_１－Ｃ_５チオアルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦで置換され、
Ｃ_２－Ｃ_５アルケニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦで置換され、
Ｃ_２－Ｃ_５アルキニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦで置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、１以上のＣ_１－Ｃ_５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｃ_２－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、１以上のＣ_１－Ｃ_５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｎ（Ｃ_６－Ｃ_１８アリール）_２、
Ｎ（Ｃ_２－Ｃ_１７ヘテロアリール）_２、及び
Ｎ（Ｃ_２－Ｃ_１７ヘテロアリール）（Ｃ_６－Ｃ_１８アリール）、
ここで、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}及びＲ^{ＢＮＥ－ｅ}は、選択的に結合して直接単結合を形成し、
ここで、置換基Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ’}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｅ}、Ｒ^{ＢＮＥ－３’}、Ｒ^{ＢＮＥ－４’}及びＲ^{ＢＮＥ－５}のうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、置換基Ｒ^{ＢＮＥ－１}、Ｒ^{ＢＮＥ－２}、Ｒ^{ＢＮＥ－１’}、Ｒ^{ＢＮＥ－２’}、Ｒ^{ＢＮＥ－３}、Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｒ^{ＢＮＥ－５}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｉ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＶ}及びＲ^{ＢＮＥ－Ｖ}のうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造は、互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合され、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造がエミッタ内に存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、当該環は、化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の一部でもある）、これは、好ましくは、化学式ＢＮＥ－１の環ａ、ｂ及びｃ’のうちいずれか１つであるが、Ｒ^{ＢＮＥ－１}、Ｒ^{ＢＮＥ－２}、Ｒ^{ＢＮＥ－１’}、Ｒ^{ＢＮＥ－２’}、Ｒ^{ＢＮＥ－３}、Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｒ^{ＢＮＥ－３’}、Ｒ^{ＢＮＥ－４’}、Ｒ^{ＢＮＥ－５}、Ｒ^{ＢＮＥ－６}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｉ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＶ}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｖ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｅ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ}及びＲ^{ＢＮＥ－ｄ’}から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有環は、前記環を共有する化学式ＢＮＥ－１の２以上の構造の同一のまたは相異なる部分を構成することができ（すなわち、共有環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の環ｃ’でもあるか、共有環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の１つの構造の環ｂ及び他の構造の環ｃ’でもある）、
ここで、選択的に、Ｒ^{ＢＮＥ－１}、Ｒ^{ＢＮＥ－２}、Ｒ^{ＢＮＥ－１’}、Ｒ^{ＢＮＥ－２’}、Ｒ^{ＢＮＥ－３}、Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｒ^{ＢＮＥ－５}、Ｒ^{ＢＮＥ－３’}、Ｒ^{ＢＮＥ－４’}、Ｒ^{ＢＮＥ－６}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｉ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＶ}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｖ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｅ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ}またはＲ^{ＢＮＥ－ｄ’}のうち少なくとも１つが、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合に代替され、及び／または、選択的に、Ｒ^{ＢＮＥ－１}、Ｒ^{ＢＮＥ－２}、Ｒ^{ＢＮＥ－１’}、Ｒ^{ＢＮＥ－２’}、Ｒ^{ＢＮＥ－３}、Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｒ^{ＢＮＥ－５}、Ｒ^{ＢＮＥ－３’}、Ｒ^{ＢＮＥ－４’}、Ｒ^{ＢＮＥ－６}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｉ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＶ}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｖ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｅ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ}またはＲ^{ＢＮＥ－ｄ’}のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合に代替される。

【0457】

【0458】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、
Ｒ^{ＢＮＥ－１}、Ｒ^{ＢＮＥ－２}、Ｒ^{ＢＮＥ－１’}、Ｒ^{ＢＮＥ－２’}、Ｒ^{ＢＮＥ－３}、Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｒ^{ＢＮＥ－３’}、Ｒ^{ＢＮＥ－４’}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｉ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＶ}及びＲ^{ＢＮＥ－Ｖ}は、それぞれ互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、ＯＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_３、Ｂ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、及び
Ｃ_２－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ’}及びＲ^{ＢＮＥ－ｅ}は、互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}で選択的に置換され、及び
Ｃ_２－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}で選択的に置換され、
Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、ＯＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_３、Ｂ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、及び
Ｃ_２－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
Ｒ^{ＢＮＥ－５}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦで置換され、
Ｃ_１－Ｃ_５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦで置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、１以上のＣ_１－Ｃ_５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｃ_２－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、１以上のＣ_１－Ｃ_５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｎ（Ｃ_６－Ｃ_１８アリール）_２、
Ｎ（Ｃ_２－Ｃ_１７ヘテロアリール）_２、及び
Ｎ（Ｃ_２－Ｃ_１７ヘテロアリール）（Ｃ_６－Ｃ_１８アリール）、
ここで、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}及びＲ^{ＢＮＥ－ｅ}は、選択的に結合して直接単結合を形成し、
ここで、置換基Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ’}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｅ}、Ｒ^{ＢＮＥ－３’}、Ｒ^{ＢＮＥ－４’}及びＲ^{ＢＮＥ－５}のうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、置換基Ｒ^{ＢＮＥ－１}、Ｒ^{ＢＮＥ－２}、Ｒ^{ＢＮＥ－１’}、Ｒ^{ＢＮＥ－２’}、Ｒ^{ＢＮＥ－３}、Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｒ^{ＢＮＥ－５}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｉ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＶ}及びＲ^{ＢＮＥ－Ｖ}のうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造は、互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合され、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造がエミッタに存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、当該環は、化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の一部でもある）、これは、好ましくは、化学式ＢＮＥ－１の環ａ、ｂ及びｃ’のうちいずれか１つであるが、Ｒ^{ＢＮＥ－１}、Ｒ^{ＢＮＥ－２}、Ｒ^{ＢＮＥ－１’}、Ｒ^{ＢＮＥ－２’}、Ｒ^{ＢＮＥ－３}、Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｒ^{ＢＮＥ－３’}、Ｒ^{ＢＮＥ－４’}、Ｒ^{ＢＮＥ－５}、Ｒ^{ＢＮＥ－６}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｉ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＶ}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｖ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｅ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ}及びＲ^{ＢＮＥ－ｄ’}から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有する環は、前記環を共有する化学式ＢＮＥ－１の２以上の構造の同一のまたは相異なる部分を構成することができ（すなわち、共有する環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の環ｃ’でもあるか、共有する環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の１つの構造の環ｂ及び他の構造の環ｃ’でもある）、
ここで、選択的に、Ｒ^{ＢＮＥ－１}、Ｒ^{ＢＮＥ－２}、Ｒ^{ＢＮＥ－１’}、Ｒ^{ＢＮＥ－２’}、Ｒ^{ＢＮＥ－３}、Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｒ^{ＢＮＥ－５}、Ｒ^{ＢＮＥ－３’}、Ｒ^{ＢＮＥ－４’}、Ｒ^{ＢＮＥ－６}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｉ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＶ}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｖ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｅ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ}またはＲ^{ＢＮＥ－ｄ’}のうち少なくとも１つが、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合に代替され、及び／または、選択的に、Ｒ^{ＢＮＥ－１}、Ｒ^{ＢＮＥ－２}、Ｒ^{ＢＮＥ－１’}、Ｒ^{ＢＮＥ－２’}、Ｒ^{ＢＮＥ－３}、Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｒ^{ＢＮＥ－５}、Ｒ^{ＢＮＥ－３’}、Ｒ^{ＢＮＥ－４’}、Ｒ^{ＢＮＥ－６}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｉ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＶ}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｖ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｅ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ}またはＲ^{ＢＮＥ－ｄ’}のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合に代替される。

【0459】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、
Ｒ^{ＢＮＥ－１}、Ｒ^{ＢＮＥ－２}、Ｒ^{ＢＮＥ－１’}、Ｒ^{ＢＮＥ－２’}、Ｒ^{ＢＮＥ－３}、Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｒ^{ＢＮＥ－３’}、Ｒ^{ＢＮＥ－４’}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｉ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＶ}及びＲ^{ＢＮＥ－Ｖ}は、それぞれ互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、ＯＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_３、Ｂ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、及び
Ｃ_２－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ’}及びＲ^{ＢＮＥ－ｅ}は、互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}で選択的に置換され、及び
Ｃ_２－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}で選択的に置換され、
Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、ＯＲ^{ＢＮＥ－５}、Ｓｉ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_３、Ｂ（Ｒ^{ＢＮＥ－５}）_２、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、及び
Ｃ_２－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ^{ＢＮＥ－５}で選択的に置換され、
Ｒ^{ＢＮＥ－５}は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ_３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ_１－Ｃ_５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ_３またはＦで置換され、
Ｃ_６－Ｃ_１８アリール、
これは、１以上のＣ_１－Ｃ_５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｃ_２－Ｃ_１７ヘテロアリール、
これは、１以上のＣ_１－Ｃ_５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｎ（Ｃ_６－Ｃ_１８アリール）_２、
Ｎ（Ｃ_２－Ｃ_１７ヘテロアリール）_２、及び
Ｎ（Ｃ_２－Ｃ_１７ヘテロアリール）（Ｃ_６－Ｃ_１８アリール）、
ここで、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}及びＲ^{ＢＮＥ－ｅ}は、選択的に結合して直接単結合を形成し、
ここで、置換基Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ’}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｅ}、Ｒ^{ＢＮＥ－３’}、Ｒ^{ＢＮＥ－４’}及びＲ^{ＢＮＥ－５}のうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、置換基Ｒ^{ＢＮＥ－１}、Ｒ^{ＢＮＥ－２}、Ｒ^{ＢＮＥ－１’}、Ｒ^{ＢＮＥ－２’}、Ｒ^{ＢＮＥ－３}、Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｒ^{ＢＮＥ－５}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｉ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＶ}及びＲ^{ＢＮＥ－Ｖ}のうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造は、互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合され、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造がエミッタに存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、当該環は、化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の一部でもある）、これは、好ましくは、化学式ＢＮＥ－１の環ａ、ｂ及びｃ’のうちいずれか１つであるが、Ｒ^{ＢＮＥ－１}、Ｒ^{ＢＮＥ－２}、Ｒ^{ＢＮＥ－１’}、Ｒ^{ＢＮＥ－２’}、Ｒ^{ＢＮＥ－３}、Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｒ^{ＢＮＥ－３’}、Ｒ^{ＢＮＥ－４’}、Ｒ^{ＢＮＥ－５}、Ｒ^{ＢＮＥ－６}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｉ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＶ}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｖ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｅ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ}及びＲ^{ＢＮＥ－ｄ’}から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有する環は、前記環を共有する化学式ＢＮＥ－１の２以上の構造の同一のまたは相異する部分を構成することができ（すなわち、共有する環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の環ｃ’でもあるか、共有する環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の１つの構造の環ｂ及び他の構造の環ｃ’でもある）、
ここで、選択的に、Ｒ^{ＢＮＥ－１}、Ｒ^{ＢＮＥ－２}、Ｒ^{ＢＮＥ－１’}、Ｒ^{ＢＮＥ－２’}、Ｒ^{ＢＮＥ－３}、Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｒ^{ＢＮＥ－５}、Ｒ^{ＢＮＥ－３’}、Ｒ^{ＢＮＥ－４’}、Ｒ^{ＢＮＥ－６}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｉ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＶ}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｖ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｅ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ}またはＲ^{ＢＮＥ－ｄ’}のうち少なくとも１つが、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合に代替され、及び／または、選択的に、Ｒ^{ＢＮＥ－１}、Ｒ^{ＢＮＥ－２}、Ｒ^{ＢＮＥ－１’}、Ｒ^{ＢＮＥ－２’}、Ｒ^{ＢＮＥ－３}、Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｒ^{ＢＮＥ－５}、Ｒ^{ＢＮＥ－３’}、Ｒ^{ＢＮＥ－４’}、Ｒ^{ＢＮＥ－６}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｉ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＶ}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｖ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｅ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ}またはＲ^{ＢＮＥ－ｄ’}のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合に代替される。

【0460】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、ここで、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}及びＲ^{ＢＮＥ－ｅ}は結合して直接単結合を形成する。

【0461】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、ここで、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}及びＲ^{ＢＮＥ－ｅ}は結合して直接単結合を形成しない。

【0462】

一実施形態において、本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして適している蛍光エミッタは、選択的に、前述の化学式ＢＮＥ－１の多量体（例えば、二量体）でもあり、これは、それらの構造が１以上のサブユニットを含み、それらそれぞれは化学式ＢＮＥ－１による構造を有するということを意味する。この場合、当業者は、化学式ＢＮＥ－１による２以上のサブユニットが、例えば、互いに共役し、好ましくは、互いに縮合していてもよいことを理解するであろう（すなわち、少なくとも１つの結合を共有し、ここで、その結合を形成する原子に結合されたそれぞれの置換基がそれ以上存在しない）。また、２以上のサブユニットは、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有することができる。これは、例えば、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂがそれぞれ化学式ＢＮＥ－１の構造を有する２以上のサブユニットを含むということを意味し、ここで、それら２つのサブユニットは、１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有する（すなわち、それぞれの環は、２つのサブユニットの一部である）。その結果、それぞれの多量体（例えば、二量体）エミッタＳ^Ｂは、共有環が一回のみ存在し、化学式ＢＮＥ－１による２つの全体サブユニットを含まない。それにもかかわらず、当業者は、本願において当該エミッタが依然として化学式ＢＮＥ－１の多量体（例えば、化学式ＢＮＥ－１の構造を有する２つのサブユニットが含まれる場合、二量体）と見なされることを理解するであろう。１以上の環を共有する多量体に対しても同様である。多量体は、それぞれ化学式ＢＮＥ－１の構造を有する２つのサブユニットを含む二量体であることが好ましい。

【0463】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ、好ましくは、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、前述のように、化学式ＢＮＥ－１の二量体であり、これは、エミッタがそれぞれ化学式ＢＮＥ－１による構造を有する２つのサブユニットを含むということを意味する。

【0464】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、２以上、好ましくは、正確に２つの、化学式ＢＮＥ－１による構造（すなわち、サブユニット）を含むか、あるいはそれからなり、
ここで、それら２つのサブユニットは、共役し、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合される。

【0465】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、２以上、好ましくは、正確に２つの、化学式ＢＮＥ－１による構造（すなわち、サブユニット）を含むか、あるいはそれからなり、
ここで、それら２つのサブユニットは、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環（すなわち、当該環は、化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の一部である）を共有し、好ましくは、化学式ＢＮＥ－１の環ａ、ｂ及びｃ’のうちいずれか１つであるが、Ｒ^{ＢＮＥ－１}、Ｒ^{ＢＮＥ－２}、Ｒ^{ＢＮＥ－１’}、Ｒ^{ＢＮＥ－２’}、Ｒ^{ＢＮＥ－３}、Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｒ^{ＢＮＥ－３’}、Ｒ^{ＢＮＥ－４’}、Ｒ^{ＢＮＥ－５}、Ｒ^{ＢＮＥ－６}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｉ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＶ}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｖ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｅ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ}及びＲ^{ＢＮＥ－ｄ’}から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有環は、前記環を共有する化学式ＢＮＥ－１の２以上の構造の同一のまたは相異なる部分を構成することができる（すなわち、共有環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の環ｃ’でもあるか、共有環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の１つの構造の環ｂ及び他の構造の環ｃ’でもある）。

【0466】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、２以上、好ましくは、正確に２つの、化学式ＢＮＥ－１による構造（すなわち、サブユニット）を含むか、あるいはそれからなり、
ここで、Ｒ^{ＢＮＥ－１}、Ｒ^{ＢＮＥ－２}、Ｒ^{ＢＮＥ－１’}、Ｒ^{ＢＮＥ－２’}、Ｒ^{ＢＮＥ－３}、Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｒ^{ＢＮＥ－５}、Ｒ^{ＢＮＥ－３’}、Ｒ^{ＢＮＥ－４’}、Ｒ^{ＢＮＥ－６}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｉ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＶ}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｖ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｅ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ}またはＲ^{ＢＮＥ－ｄ’}のうち少なくとも１つが、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合に代替され、及び／または、選択的に、Ｒ^{ＢＮＥ－１}、Ｒ^{ＢＮＥ－２}、Ｒ^{ＢＮＥ－１’}、Ｒ^{ＢＮＥ－２’}、Ｒ^{ＢＮＥ－３}、Ｒ^{ＢＮＥ－４}、Ｒ^{ＢＮＥ－５}、Ｒ^{ＢＮＥ－３’}、Ｒ^{ＢＮＥ－４’}、Ｒ^{ＢＮＥ－６}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｉ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＩＩ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ＩＶ}、Ｒ^{ＢＮＥ－Ｖ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ａ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｅ}、Ｒ^{ＢＮＥ－ｄ}またはＲ^{ＢＮＥ－ｄ’}のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合に代替される。

【0467】

本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタとして使用可能な、前述の化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなる蛍光エミッタの非限定的な例が下記に示されている：

【化206】

【化207】

【化208】

【化209】

【化210】

【化211】

【化212】

【化213】

【化214】

【化215】

【化216】

【化217】

【化218】

【化219】

【化220】

【化221】

【化222】

【化223】

【化224】

【化225】

【化226】

【化227】

【化228】

【化229】

【化230】

【化231】

【化232】

【化233】

【化234】

【化235】

【化236】

【化237】

【化238】

【化239】

【化240】

【化241】

【化242】

【化243】

【化244】

【化245】

【化246】

【化247】

【化248】

【化249】

【化250】

【化251】

【化252】

【化253】

【化254】

【化255】

【化256】

【化257】

【化258】

【化259】

【化260】

【化261】

【化262】

【化263】

【化264】

【化265】

【化266】

【化267】

【化268】

【化269】

【化270】

【化271】

【化272】

【化273】

【化274】

【化275】

【化276】

【化277】

【化278】

【化279】

【化280】

【化281】

【化282】

【化283】

【化284】

【化285】

【化286】

【化287】

【化288】

【化289】

【化290】

【化291】

【化292】

【化293】

【化294】

【化295】

【化296】

【化297】

【化298】

【化299】

【化300】

【化301】

【化302】

【化303】

【化304】

【化305】

【化306】

【0468】

化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成される小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの合成は、当業者に公知された標準反応及び反応条件によって達成することができる。

【0469】

典型的に、合成は、遷移金属触媒を用いたクロスカップリング反応及びホウ素化反応を含み、それらは当業者に公知されている。

【0470】

例えば、ＷＯ２０２０１３５９５３（Ａ１）は、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成される小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを合成する方法を開示する。また、ＵＳ２０１８０４７９１２（Ａ１）は、特に、ｃ及びｄが０である化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成される小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを合成する方法を開示する。

【0471】

また、ＵＳ２０１８０４７９１２（Ａ１）及びＷＯ２０２０１３５９５３（Ａ１）に開示されたエミッタは、本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用可能であるということが理解される。

【0472】

蛍光エミッタを設計する１つのアプローチは、蛍光の多環の芳香族またはヘテロ芳香族コア構造の使用に依存する。後者は、本発明の文脈において、１以上の芳香族環またはヘテロ芳香族環、好ましくは、２以上の当該環を含む任意の構造であり、これは、より好ましくは、互いに縮合されるか、あるいは１以上の直接結合または連結原子を介して連結されている。すなわち、蛍光コア構造は、少なくとも１つ、好ましくは、単に１つの剛直なπ共役（rigid conjugated）系を含む。

【0473】

当業者は、例えば、ＵＳ２０１７０７７４１８（Ａ１）から、蛍光エミッタのためのコア構造を選択する方法が分かっている。蛍光エミッタの一般的なコア構造の例は、下記に示されており、ここで、これは、そのようなコアのみが本発明による使用に好適な小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを提供することができることを意味しない：

【化307】

【化308】

【化309】

【化310】

【化311】

【化312】

【化313】

【化314】

【化315】

【0474】

当該文脈において、蛍光コア構造という用語は、前記コアを含む全ての分子が潜在的に蛍光エミッタとして使用可能であることを示す。当業者は、そのような蛍光エミッタのコア構造が選択的に置換され、ある置換基がそれと係わって適しているか、例えば、下記例示から分かる：US2017077418(A1), M.Zhu.C.Yang, Chemical Society Reviews 2013, 42, 4963, DOI: 10.1039/c3cs35440g; S.Kima, B.Kimb, J.Leea, H.Shina, Y.-Il Parkb, J.Park, Materials Science and Engineering R: Reports 2016, 99, 1, DOI: 10.1016/j.mser.2015.11.001; K.R.J.Thomas, N.Kapoor, M.N.K.P.Bolisetty, J.-H.Jou, Y.-L.Chen, Y.-C.Jou, The Journal of Organic Chemistry 2012, 77(8), 3921, DOI: 10.1021/jo300285v; M.Vanga, R.A.Lalancette, F.Jakle, Chemistry-A European Journal 2019, 25(43), 10133, DOI: 10.1002/chem.201901231。

【0475】

本発明による用途のための小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子それぞれの層において蛍光コア及び隣接した分子間の接触を妨害する、立体的に嵩高い置換基をコアに結合させることにより、前述の蛍光コア構造から得られる。

【0476】

本発明の文脈において、化合物、例えば、蛍光エミッタは、後に定義される遮蔽パラメータ（shielding parameter）が本文後の節で定義される特定の限定以下であるとき、立体的に遮蔽されるものと見なされる。

【0477】

蛍光エミッタを立体的に遮蔽するのに使用される置換基は、体積が大きいだけでなく（すなわち、立体的に嵩高い）、電子的に不活性であることが好ましく、これは、本発明の文脈においてそのような置換基が本文後の節で定義される活性原子を含まないということを意味する。これは、電子的に不活性（すなわち、非活性）置換基のみが前述のような蛍光コア構造に結合することを意味しないものと理解される。また、活性置換基がコア構造にも結合し、蛍光コア構造の光物理的特性を調整するために意図的に導入されうる。この場合、１以上の置換基を介して導入された活性原子が電子的に不活性（すなわち、非活性）置換基によって再び遮蔽されることが好ましい。

【0478】

最新技術からの前述の情報及び一般知識に基づいて、当業者は、蛍光コア構造の立体的遮蔽を誘導することができ、前述のように電子的に不活性な、蛍光コア構造に対する置換基を選択する方法を理解する。特に、ＵＳ２０１７０７７４１８（Ａ１）は、電子的に不活性（すなわち、非活性）遮蔽置換基として適している置換基を開示する。そのような置換基の例は、３から４０個の炭素原子、好ましくは、３から２０個の炭素原子、より好ましくは、４から１０個の炭素原子を有する線状、分枝状または環状のアルキル基を含み、ここで、１以上の水素原子は、置換基、好ましくは、重水素またはフッ素にも代替される。他の例は、３から４０個の炭素原子、好ましくは、３から２０個の炭素原子、より好ましくは、４から１０個の炭素原子を有するアルコキシ基を含み、ここで、１以上の水素原子は、置換基、好ましくは、重水素またはフッ素にも代替される。それらのアルキル及びアルコキシ置換基は、重水素及びフッ素以外の置換基、例えば、アリール基によっても置換されるものと理解される。このとき、置換基としてのアリール基は、６から３０個の芳香族環原子、より好ましくは、６から８個の芳香族環原子、最も好ましくは、６個の芳香族環原子を含み、アントラセン、ピレンなどの縮合芳香族系ではないことが好ましい。他の例は、６から３０個の芳香族環原子、より好ましくは、６から２４個の芳香族環原子を有するアリール基を含む。それらのアリール置換基において、１以上の水素原子は置換され、好ましい置換基は、例えば、６から３０個の炭素原子を有するアリール基、及び１から２０個の炭素原子を有する線状、分枝状または環状のアルキル基である。全ての置換基は、さらに置換可能である。ＵＳ２０１７０７７４１８（Ａ１）に開示された、全ての立体的に嵩高く、好ましくは、電子的に不活性（すなわち、非活性）な置換基は、（前述のような）蛍光コアを立体的に遮蔽し、本発明による用途のための小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂに好適な立体的に遮蔽された蛍光エミッタを提供することができることが理解される。

【0479】

本発明の文脈において（ＵＳ２０１７０７７４１８（Ａ１）に開示された）、立体的に嵩高く（すなわち、遮蔽し）、電子的に不活性な（すなわち、非活性な）置換基として使用可能な置換基の非限定的な例が下記に示される：

【化316】

【化317】

ここで、それぞれの点線は、それぞれの置換基をコア構造、好ましくは、蛍光コア構造に連結する単結合を示す。当業者に周知のように、トリアルキルシルリル基は、立体的に要求され、電子的に不活性な置換基として使用するのに適している。

【0480】

また、蛍光コアは、そのような立体的遮蔽置換基を保有するだけでなく、本発明の文脈において活性基であるか、あるいはそうでない追加の非遮蔽置換基にも置換されることを理解しなければならない（定義は、以下参照）。

【0481】

本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用可能な、ＵＳ２０１７０７７４１８（Ａ１）からの立体的に遮蔽された蛍光エミッタの例が下記に示されている。これは、本発明が下記に示されたエミッタを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に限定されることを意味するものではない：

【化318】

【化319】

【0482】

また、最新技術から（例えば、ＵＳ２０１７０７７４１８（Ａ１）から）、当業者は、本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして適している、立体的に遮蔽された蛍光分子を合成する方法が分かっている。

【0483】

立体的に遮蔽された置換基（前述のように電子的に不活性であるか、あるいはそうでない）は、任意の蛍光分子、例えば、前述の多環の芳香族またはヘテロ芳香族蛍光コア、本願に示したＢＯＤＩＰＹ由来の構造及びＮＲＣＴエミッタ、並びに化学式ＢＮＥ－１の構造を含むエミッタに結合することが理解される。これは、本発明による小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして適している、立体的に遮蔽された蛍光エミッタを生成することができる。

【0484】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、以下の要件のうち少なくとも１つを満たす：
（ｉ）ボロン（Ｂ）含有エミッタであり、これは、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であることを意味し、
（ｉｉ）多環の芳香族またはヘテロ芳香族コア構造を含み、ここで、少なくとも２つの芳香族環が共に縮合される（例えば、アントラセン、ピレンまたはそのアザ誘導体）。

【0485】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、以下の要件のうち少なくとも１つを満たす：
（ｉ）ボロン（Ｂ）含有エミッタであり、これは、（それぞれの）小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であることを意味し、
（ｉｉ）多環の芳香族またはヘテロ芳香族コア構造を含み、ここで、少なくとも２つの芳香族環が共に縮合される（例えば、アントラセン、ピレンまたはそのアザ誘導体）。

【0486】

本発明の一実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、ボロン（Ｂ）含有エミッタであり、これは、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であることを意味する。

【0487】

本発明の一実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、多環の芳香族またはヘテロ芳香族コア構造を含み、ここで、少なくとも２つの芳香族環が共に縮合される（例えば、アントラセン、ピレンまたはそのアザ誘導体）。

【0488】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、以下の要件のうち少なくとも１つ（または、両方）を満たす：
（ｉ）ボロン（Ｂ）含有エミッタであり、これは、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であることを意味し、
（ｉｉ）ピレンコア構造を含む。

【0489】

本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、以下の要件のうち少なくとも１つ（または、両方）を満たす：
（ｉ）ボロン（Ｂ）含有エミッタであり、これは、（それぞれの）小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であることを意味し、
（ｉｉ）ピレンコア構造を含む。

【0490】

本発明の一実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、ピレンコア構造を含む。

【0491】

本発明の一実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、ボロン（Ｂ）及び窒素（Ｎ）含有エミッタであり、これは、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であり、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ内の少なくとも１つの原子が窒素（Ｎ）であることを意味する。

【0492】

立体遮蔽
遮蔽パラメータＡの決定
分子の遮蔽パラメータＡは、前述のような（蛍光）エミッタに対し、以下に例示的に説明されたように決定されうる。遮蔽パラメータＡは、一般的に、単位オングストローム（Å２）を指称するということを理解するであろう。これは、そのような化合物が本発明の文脈において立体的に遮蔽されるか、あるいは遮蔽パラメータがそのような化合物に対して決定されることを意味するものではない。

【0493】

１．分子軌道のエネルギーレベル決定
分子軌道のエネルギーレベルは、量子化学計算を介して決定されうる。このために、現在、Ｔｕｒｂｏｍｏｌｅソフトウェアパッケージ（Turbomole GmbH）バージョン７．２を使用することができる。まず、密度関数理論（ＤＦＴ）を使用し、ｄｅｆ２－ＳＶ（Ｐ）基本セット及びＢＰ－８６関数を採用し、分子の底状態の構造最適化を行うことができる。次いで、最適化された構造に基づいて、Ｂ３－ＬＹＰ関数を採用し、電子底状態に対する単一地点エネルギー計算を行うことができる。エネルギー計算から、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）は、例えば、２つの電子によって占有された最高エネルギー軌道として得られ、最低空軌道（ＬＵＭＯ）は、最低エネルギー非占有軌道として得られる。ＨＯＭＯ－１，ＨＯＭＯ－２，…，ＬＵＭＯ＋１，ＬＵＭＯ＋２のような他の分子軌道に対しても、類似した方式でエネルギーレベルが得られる。

【0494】

本願に説明された方法は、使用されたソフトウェアパッケージと関係ない。そのような目的によく使用される他のプログラムの例は、「Gaussian09」（Gaussian Inc.）及びQ-Chem 4.1（Q-Chem, Inc.）でもある。

【0495】

２．（蛍光）化合物の電荷交換分子軌道
（蛍光）化合物の電荷交換分子軌道は、ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯ、並びにＨＯＭＯまたはＬＵＭＯから７５ｍｅＶ以下のエネルギーで分離可能な全ての分子軌道と見なされる。

【0496】

３．分子軌道の活性原子の決定
それぞれの電荷交換分子軌道に対し、いかなる原子が活性化されるかに係わる決定が行われる。すなわち、それぞれの分子軌道に対し、一般的に異なる活性原子セットが発見される。ＨＯＭＯの活性原子が決定される方法に係わる説明が続く。他の全ての電荷交換分子軌道（例えば、ＨＯＭＯ－１、ＬＵＭＯ、ＬＵＭＯ＋１など）に対し、活性原子が類似して決定することができる。

【0497】

ＨＯＭＯは、前述のように計算することができる。活性原子を決定するために、軌道の絶対値が０．０３５である表面（「カットオフが０．０３５である等表面」）を検査する。このために、現在、Ｊｍｏｌソフトウェア（http://jmol.sourceforge.net/）バージョン１４．６．４が使用される。カットオフ値以上の値を有する軌道葉（lobe）が周辺に局所化される原子が活性と見なされる。カットオフ値以上の値を有する軌道葉が周辺に位置することができない原子は、非活性と見なされる。

【0498】

４．（蛍光）化合物の活性原子の決定
１つの原子が少なくとも１つの電荷交換分子軌道で活性である場合、（蛍光）化合物に対して活性であるものと見なされる。全ての電荷交換分子軌道で非活性（不活性）な原子のみが（蛍光）化合物と係わって非活性でもある。

【0499】

５．遮蔽パラメータＡの決定
第１ステップにおいて、B.Lee, F.M.Richards, Journal of Molecular Biology 1971, 55(3), 379, DOI: 10.1016/0022-2836(71)90324-Xに述べられた方法により、全ての活性原子に対して溶媒接近可能表面積（solvent accessible surface area: SASA）を決定することができる。当該目的のために、１つの分子の原子のファンデルワールス表面は浸透することができないものとも見なされる。その後、全体分子のＳＡＳＡは、半径ｒ（いわゆる、探針半径）を有する堅い球（探針ともいう）の中心によって追跡される表面の領域とも定義され、このとき、球の表面が分子のファンデルワールス表面と直接接触可能な空間内の全ての接近可能な地点を球が転がりうる。また、ＳＡＳＡ値は、１つの分子の原子の下位集合に対しても決定される。その場合、探針の表面が下位集合の一部でもある原子のファンデルワールス表面と接触可能な地点において、探針の中心によって追跡される表面のみが考慮される。当該目的のために、ＳＡＳＡを決定するのに使用されるＬｅｅ－Ｒｉｃｈａｒｄｓアルゴリズムは、プログラムパッケージＦｒｅｅＳＡＳＡ（S.Mitternacht, Free SASA: An open source C library for solvent accessible surface area calculations. F1000Res. 2016; 5:189. Published 2016 Feb 18. doi: 10.12688/f1000research.7931.1）の一部でもある。関連要素のファンデルワールス半径ｒ_ＶＤＷは、以下の参照に示されている：M.Mantina, A.C.Chamberlin, R.Valero, C.J.Cramer, D.G.Truhlar, The Journal of Physical Chemistry A 2009, 113(19), 5806, DOI: 10.1021/jp8111556。探針半径ｒは、当該目的のための全てのＳＡＳＡ決定に対し、４Å（ｒ＝４Å）にも設定される。

【0500】

本発明の文脈において、遮蔽パラメータＡは、活性原子の下位集合の溶媒接近可能表面積（全体分子のＳＡＳＡと区別するために、Ｓで表される）を活性原子の数ｎで割ることによって得られる。

【0501】

【数1】

本発明の文脈において、遮蔽パラメータＡが２Å^２未満の値（Ａ＜２．０Å^２）を有する場合、化合物は、立体的によく遮蔽されたものとも定義される。

【0502】

本発明の文脈において、遮蔽パラメータＡが１．０から５．０Å^２（１．０Å^２≦Ａ≦５．０Å^２）、好ましくは、２．０Å^２から５．０Å^２（２．０Å^２≦Ａ≦５．０Å^２）の値を有する場合、化合物は、立体的に遮蔽されたものとも定義される。

【0503】

例示的な（蛍光）エミッタが前述のように決定された遮蔽パラメータＡと共に、下記に示されている。これは、本発明が下記に示されたエミッタのうち１つを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に限定されるものではないということを理解するであろう。下記に示されたエミッタ化合物は、ただ本発明の選択的な実施形態を示す非限定的な例だけである：

【化320】

【0504】

本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、５．０Å^２以下の遮蔽パラメータＡを示す。

【0505】

本発明の好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂは、２．０Å^２以下の遮蔽パラメータＡを示す。

【0506】

当業者は、本発明による小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂのような蛍光エミッタのみが遮蔽置換基を結合することにより、立体的に遮蔽されるものではないことを理解する。例えば、本発明の文脈におけるＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ及び本発明の文脈における燐光材料Ｐ^Ｂも遮蔽されることが理解される。

【0507】

ＴＡＤＦ材料Ｅ ^Ｂと燐光材料Ｐ ^Ｂとの距離
ここで、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂと燐光材料Ｐ^Ｂとの平均分子間距離ｄは、以下のように計算される：

【数2】

【数3】

【数4】

【0508】

本発明の一実施形態において、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂと燐光材料Ｐ^Ｂとの平均分子間距離ｄは、以下の要件を満たす：０．５ｎｍ≦ｄ≦５．０ｎｍ。

【0509】

本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、下記を含む少なくとも１層の発光層Ｂを含む：
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｈ）を有する少なくとも１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、
（ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｐ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｐ）を有する少なくとも１つの燐光材料Ｐ^Ｂ、
（ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｓ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳ^Ｂ、及び
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１^Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１^Ｅ）を有する少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料Ｅ^Ｂ、
ここで、下記式（１）及び（２）で表される関係が適用される：
Ｅ（Ｔ１^Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１^Ｐ）（１）
Ｅ（Ｔ１^Ｐ）＞Ｅ（Ｓ１^Ｓ）（２）
ここで、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂと燐光材料Ｐ^Ｂとの平均分子間距離ｄは、以下の要件を満たす：０．５ｎｍ≦ｄ≦５．０ｎｍ。

【0510】

本発明の一実施形態において、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂと燐光材料Ｐ^Ｂとの平均分子間距離ｄは、以下の要件を満たす：１．０ｎｍ≦ｄ≦５．０ｎｍ。

【0511】

本発明の好ましい実施形態において、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂと燐光材料Ｐ^Ｂとの平均分子間距離ｄは、以下の要件を満たす：１．０ｎｍ≦ｄ≦４．０ｎｍ。

【0512】

本発明の好ましい実施形態において、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂと燐光材料Ｐ^Ｂとの平均分子間距離ｄは、以下の要件を満たす：０．７ｎｍ≦ｄ≦４．０ｎｍ。

【0513】

本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、１層の（副）層内で、または少なくとも１層の副層内で、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂと燐光材料Ｐ^Ｂとの平均分子間距離ｄは、以下の要件を満たす：０．５ｎｍ≦ｄ≦５．０ｎｍ。

【0514】

励起状態寿命
励起状態寿命を測定する方法に係わる詳細な説明が本文後の節で提供される。

【0515】

本発明の一実施形態において、本発明の文脈におけるＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、１１０μｓ以下、好ましくは、１００μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｅ^Ｂ）を示す。本発明の一実施形態において、本発明の文脈におけるそれぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、１１０μｓ以下、好ましくは、１００μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｅ^Ｂ）を示す。

【0516】

本発明の一実施形態において、本発明の文脈におけるＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、７５μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｅ^Ｂ）を示す。本発明の一実施形態において、本発明の文脈におけるそれぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、７５μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｅ^Ｂ）を示す。

【0517】

本発明の一実施形態において、本発明の文脈におけるＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、５０μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｅ^Ｂ）を示す。本発明の一実施形態において、本発明の文脈において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、５０μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｅ^Ｂ）を示す。

【0518】

本発明の好ましい実施形態において、本発明の文脈におけるＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、１０μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｅ^Ｂ）を示す。本発明の一実施形態において、本発明の文脈において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、１０μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｅ^Ｂ）を示す。

【0519】

本発明のより好ましい実施形態において、本発明の文脈におけるＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、５μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｅ^Ｂ）を示す。本発明の一実施形態において、本発明の文脈において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂは、５μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｅ^Ｂ）を示す。

【0520】

本発明の一実施形態において、本発明の文脈における燐光材料Ｐ^Ｂは、５０μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｐ^Ｂ）を示す。本発明の一実施形態において、本発明の文脈において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂは、５０μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｐ^Ｂ）を示す。

【0521】

本発明の一実施形態において、本発明の文脈における燐光材料Ｐ^Ｂは、１０μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｐ^Ｂ）を示す。本発明の一実施形態において、本発明の文脈において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂは、１０μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｐ^Ｂ）を示す。

【0522】

本発明の一実施形態において、本発明の文脈における燐光材料Ｐ^Ｂは、５μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｐ^Ｂ）を示す。本発明の一実施形態において、本発明の文脈において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ^Ｂは、５μｓ以下の励起状態寿命τ（Ｐ^Ｂ）を示す。

【0523】

本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、少なくとも１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、少なくとも１つの燐光材料Ｐ^Ｂ、及び少なくとも１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む、１以上の発光層Ｂの１以上の副層への１以上のＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの添加は、有機エレクトロルミネッセンス素子の励起状態寿命低下をもたらす。本発明の好ましい実施形態において、前述の本発明によるＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの添加は、有機エレクトロルミネッセンス素子の励起状態寿命を少なくとも５０％低下させる。

【0524】

素子構造
当業者は、少なくとも１層の発光層Ｂが通常的に本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれることが分かるであろう。好ましくは、当該有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも下記層を含む：少なくとも１層の発光層Ｂ、少なくとも１層のアノード層Ａ及び少なくとも１層のカソード層Ｃ。

【0525】

好ましくは、少なくとも１層の発光層Ｂは、アノード層Ａとカソード層Ｃとの間に位置する。したがって、一般的な設定は、好ましくは、Ａ－Ｂ－Ｃである。それはもちろん１以上の選択的な追加の層の存在を排除しない。それらは、Ａ、Ｂ及び／またはＣのそれぞれの側に存在しうる。

【0526】

好ましくは、アノード層Ａは、基板の表面に位置する。基板は、任意の材料、または該材料の組成物によっても形成される。ほとんど、ガラススライドが基板として使用される。または、薄い金属層（例えば、銅、金、銀またはアルミニウムフィルム）、またはプラスチックフィルムやプラスチックスライドが使用されうる。それは、さらに高レベルの柔軟性を許容することができる。二電極のうち少なくとも１つは、エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）から光を発光するように（本質的に）透明ではなければならない。通常、アノード層Ａは、ほとんど（本質的に）透明なフィルムを得ることができる材料によって構成される。好ましくは、アノード層Ａは、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を多量含むか、あるいはそれから構成される。

【0527】

そのようなアノード層Ａは、例えば、インジウムスズ酸化物、アルミニウム亜鉛酸化物、フッ素スズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、ＰｂＯ、ＳｎＯ、ジルコニウム酸化物、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、タングステン酸化物、黒鉛、ドーピングされたＳｉ、ドーピングされたＧｅ、ドーピングされたＧａＡｓ、ドーピングされたポリアニリン、ドーピングされたポリピロール及び／またはドーピングされたポリチオフェン、及びそれらのうち２以上の混合物を含むものでもある。

【0528】

特に好ましくは、アノード層Ａは、（本質的に）インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）（例えば、（ＩｎＯ_３）_０．９（ＳｎＯ_２）_０．１）で構成される。透明導電性酸化物（ＴＣＯ）によるアノード層Ａの粗さは、正孔注入層（ＨＩＬ）を使用することによっても緩和される。また、該ＨＩＬは、ＴＣＯから正孔輸送層（ＨＴＬ）への類似電荷キャリア（すなわち、正孔）の輸送が促進されるという点において、類似電荷キャリアの注入が容易となる。正孔注入層（ＨＩＬ）は、ポリ－３，４－エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）、ＭｏＯ_２、Ｖ_２Ｏ_５、ＣｕＰＣまたはＣｕＩ、特に、ＰＥＤＯＴ及びＰＳＳの混合物を含むものでもある。正孔注入層（ＨＩＬ）は、また、アノード層Ａから正孔輸送層（ＨＴＬ）に金属が拡散することを防止することができる。例えば、該ＨＩＬは、ポリ－３，４－エチレンジオキシチオフェン：ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、ポリ－３，４－エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、４，４’，４”－トリス［フェニル（ｍ－トリル）アミノ］トリフェニルアミン（ｍＭＴＤＡＴＡ）、２，２’，７，７’－テトラキス（ｎ，ｎ－ジフェニルアミノ）－９，９’－スピロビフルオレン（Ｓｐｉｒｏ－ＴＡＤ）、Ｎ１，Ｎ１’－（ビフェニル－４，４’－ジイル）ビス（Ｎ１－フェニル－Ｎ４，Ｎ４－ジ－ｍ－トリルベンゼン－１，４－ジアミン（ＤＮＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ニス－（１－ナフタレニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス－フェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン（ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ジ－［４－（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）フェニル］ベンジジン（ＮＰＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メトキシフェニル）ベンジジン（ＭｅＯ－ＴＰＤ）、１，４，５，８，９，１１－ヘキサアザトリフェニレン－ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ－ＣＮ）及び／またはＮ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス－（１－ナフチル）－９，９’－スピロビフルオレン－２，７－ジアミン（Ｓｐｉｒｏ－ＮＰＤ）によっても構成される。

【0529】

アノード層Ａまたは正孔注入層（ＨＩＬ）に隣接し、一般的に、正孔輸送層（ＨＴＬ）が位置する。ここで、任意の正孔輸送化合物が使用されうる。例えば、トリアリールアミン及び／またはカルバゾールのような、電子が豊富なヘテロ芳香族化合物が、正孔輸送化合物としても使用される。該ＨＴＬは、アノード層Ａと発光層Ｂ（発光層（ＥＭＬ）の役割を行う）との間のエネルギー障壁を低減させることができる。該正孔輸送層（ＨＴＬ）は、また、電子遮断層（ＥＢＬ）でもある。好ましくは、該正孔輸送化合物は、比較的高いエネルギー準位の三重項状態Ｔ１を有する。例えば、正孔輸送層（ＨＴＬ）は、トリス（４－カルバゾリル－９－イルフェニル）アミン（ＴＣＴＡ）、ポリ（４－ブチルフェニル－ジフェニルアミン）（ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）、ポリ（４－ブチルフェニル－ジフェニルアミン）（α－ＮＰＤ）、４，４’－シクロヘキシリデン－ビス［Ｎ，Ｎ－ビス（４－メチルフェニル）ベンゼンアミン］（ＴＡＰＣ）、４，４’，４”－トリス［２－ナフチル（フェニル）－アミノ］トリフェニルアミン（２－ＴＮＡＴＡ）、Ｓｐｉｒｏ－ＴＡＤ、ＤＮＴＰＤ、ＮＰＢ、ＮＰＮＰＢ、ＭｅＯ－ＴＰＤ、ＨＡＴ－ＣＮ及び／または９，９’－ジフェニル－６－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール（ＴｒｉｓＰｃｚ）のような星状のヘテロ環を含むものでもある。また、該ＨＴＬは、有機正孔輸送マトリックス内の無機または有機ドーパントによっても構成されるｐ－ドーピングされた層を含むものでもある。該無機ドーパントとしては、例えば、バナジウム酸化物、モリブデン酸化物またはタングステン酸化物のような遷移金属酸化物が使用することができる。該有機ドーパントとしては、例えば、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン（Ｆ_４－ＴＣＮＱ）、銅－ペンタフルオロ安息香酸（Ｃｕ（Ｉ）ｐＦＢｚ）または遷移金属錯体が使用されてもよい。

【0530】

ＥＢＬは、例えば、１，３－ビス（カルバゾール－９－イル）ベンゼン（ｍＣＰ）、ＴＣＴＡ、２－ＴＮＡＴＡ、３，３－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル（ｍＣＢＰ）、９－［３－（ジベンゾフラン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３－（ジベンゾフラン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３－（ジベンゾチオフェン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３，５－ビス（２－ジベンゾフラニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３，５－ビス（２－ジベンゾチオフェニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、ｔｒｉｓ－Ｐｃｚ、９－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３，６－ビス（トリフェニルシリル）－９Ｈ－カルバゾール（ＣｚＳｉ）及び／またはＮ，Ｎ’－ジカルバゾリル－１，４－ジメチルベンゼン（ＤＣＢ）を含むものでもある。

【0531】

少なくとも１層の発光層Ｂの組成が前述された。本発明による任意の１以上の発光層Ｂは、好ましくは、１ｍｍ以下、より好ましくは、０．１ｍｍ以下、より一層好ましくは、１０μｍ以下、さらに好ましくは、１μｍ以下、特に好ましくは、０．１μｍ以下の厚みを有する。

【0532】

電子輸送層（ＥＴＬ）には、任意の電子輸送体を使用することができる。例えば、ベンズイミダゾール、ピリジン、トリアゾール、オキサジアゾール（例えば、１，３，４－オキサジアゾール）、ホスフィンオキシド及びスルホンのような電子不足化合物が使用することができる。例えば、電子輸送体ＥＴＭは、また、１，３，５－トリ（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－２－イル）フェニル（ＴＰＢｉ）のような星状のヘテロ環でもある。ＥＴＭは、例えば、２，９－ビス（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＮＢｐｈｅｎ）、アルミニウム－トリス（８－ヒドロキシキノリン）（Ａｌｑ_３）、ジフェニル－４－トリフェニルシリルフェニル－ホスフィンオキシド（ＴＳＰＯ１）、２，７－ジ（２，２’－ビピリジン－５－イル）トリフェニル（ＢＰｙＴＰ２）、ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－２－イルトリフェニルシラン（Ｓｉｆ８７）、ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－２－イル）ジフェニルシラン（Ｓｉｆ８８）、１，３－ビス［３，５－ジ（ピリジン－３－イル）フェニル］ベンゼン（ＢｍＰｙＰｈＢ）及び／または４，４’－ビス－［２－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジニル）］－１，１’－ビフェニル（ＢＴＢ）を含むものでもある。選択的に、電子輸送層は、８－ヒドロキシキノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）のような材料によってもドーピングされる。選択的に、第２電子輸送層が電子輸送層とカソード層Ｃとの間に位置してもよい。電子輸送層（ＥＴＬ）も、正孔を遮断することができる。または、正孔遮断層（ＨＢＬ）が導入される。

【0533】

【0534】

電子輸送層（ＥＴＬ）に隣接し、カソード層Ｃが位置してもよい。該カソード層Ｃは、例えば、金属（例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｂ、ＬｉＦ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｉｎ、ＷまたはＰｄ）または金属合金を含むか、あるいはそれから構成される。実用的な理由により、該カソード層Ｃは、Ｍｇ、ＣａまたはＡｌのような（本質的に）不透明な金属によっても構成される。代案として、あるいはさらには、該カソード層Ｃは、また、黒鉛及び／または炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）を含むものでもある。代案としては、カソード層Ｃは、また、ナノスケール銀ワイヤによっても構成される。

【0535】

好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも下記層を含む：
Ａ）インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、ＰｂＯ、ＳｎＯ、黒鉛、ドーピングされたシリコン、ドーピングされたゲルマニウム、ドーピングされたＧａＡｓ、ドーピングされたポリアニリン、ドーピングされたポリピロール、ドーピングされたポリチオフェン及びそれら２以上の混合物からなる群から選択された少なくとも１つの成分を含むアノード層Ａ、
Ｂ）本願に述べられたような本発明による発光層Ｂ、及び
Ｃ）Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｗ、Ｐｄ、ＬｉＦ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ及びそれら２以上の混合物または合金からなる群から選択された少なくとも１つの成分を含むカソード層Ｃ、
ここで、発光層Ｂは、アノード層Ａとカソード層Ｃとの間に位置する。

【0536】

一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子がＯＬＥＤであるとき、それは、選択的に、下記層構造を含む：
Ａ）例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を含むアノード層Ａ、
ＨＴＬ）正孔輸送層ＨＴＬ、
Ｂ）本願に述べられたような本発明による発光層Ｂ、
ＥＴＬ）電子輸送層ＥＴＬ、及び
Ｃ）例えば、Ａｌ、Ｃａ及び／またはＭｇを含むカソード層Ｃ。

【0537】

好ましくは、本願において、前記層の順序は、Ａ－ＨＴＬ－Ｂ－ＥＴＬ－Ｃである。

【0538】

また、有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば、水分、蒸気及び／またはガスを含む環境内の有害物質に対する露出による損傷から、素子を保護する１以上の保護層を選択的に含むものでもある。

【0539】

エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、選択的に、電子輸送層（ＥＴＬ）Ｄとカソード層Ｃとの間に保護層（電子注入層（ＥＩＬ）とも指称される）をさらに含む。該層は、フッ化リチウム、フッ化セシウム、銀、８－ヒドロキシキノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＦ_２、ＭｇＯ及び／またはＮａＦを含むものでもある。

【0540】

他に明示されない限り、多様な実施形態の任意の副層を含む任意の層は、任意の適切な方法によって蒸着される。少なくとも１層の発光層Ｂ（単一（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）及び／またはその１以上の副層を含む、本発明の文脈において層は、選択的に、液体処理（「フィルム処理」、「流体処理」、「溶液処理」または「溶媒処理」ともいう）を介して作製されてもよい。これは、各層に含まれた成分が液体状態で素子の一部の表面に適用されることを意味する。

【0541】

好ましくは、少なくとも１層の発光層Ｂ及び／またはその１以上の副層を含む、本発明の文脈において層は、スピンコーティングによっても作製することができる。当業者に周知の当該方法により、薄くて（本質的に）均一な層及び／または副層を得ることができる。

【0542】

代案としては、少なくとも１層の発光層Ｂ及び／またはその１以上の副層を含む、本発明の文脈において層は、例えば、キャスティング（例えば、ドロップキャスティング）、ローリング方法及び印刷方法（例えば、インクジェット印刷、グラビア印刷、ブレードコーティング）のような液体処理に基づいた他の方法によっても作製することができる。これは、選択的に、不活性雰囲気（例えば、窒素雰囲気）で遂行される。

【0543】

他の好ましい実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂ及び／またはその１以上の副層を含む、本発明の文脈において層は、例えば、熱（共）蒸着、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）及び有機気相ジェットプリンティング（ＯＶＪＰ）による蒸着のように、当業者に周知の真空処理方法を含むが、それに限定されない、当技術分野で周知の任意の他の方法によっても作製することができる。

【0544】

選択的にその１以上の副層を含む層を液体処理によって製造するとき、（副）層の成分（すなわち、本発明の発光層Ｂに対し、少なくとも１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、少なくとも１つの燐光材料Ｐ^Ｂ、少なくとも１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ、及び選択的に（すなわち、少なくとも１つの）ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ）を含む溶液は、揮発性有機溶媒をさらに含んでもよい。そのような揮発性有機溶媒は、選択的に、テトラヒドロフラン、ジオキサン、クロロベンゼン、ジエチレングリコールジエチルエーテル、２－（２－エトキシエトキシ）エタノール、γ-ブチロラクトン、Ｎ－メチルピロリジノン、エトキシエタノール、キシレン、トルエン、アニソール、フェネトール、アセトニトリル、テトラヒドロチオフェン、ベンゾニトリル、ピリジン、トリヒドロフラン、トリアリールアミン、シクロヘキサノン、アセトン、プロピレンカーボネート、エチルアセテート、ベンゼン及びプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）からなる群から選択される１つでもある。また、２以上の溶媒の組み合わせが使用することができる。液体状態で塗布された後、次いで、前記層は、例えば、大気条件、増加した温度（例えば、約５０℃または約６０℃）、または減少した圧力において、当技術分野の任意の手段によって乾燥及び／または硬化される。

【0545】

有機エレクトロルミネッセンス素子は、全体として、５ｍｍ以下、２ｍｍ以下、１ｍｍ以下、０．５ｍｍ以下、０．２５ｍｍ以下、１００μｍまたは１０μｍ以下の薄膜を形成することができる。

【0546】

有機エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、小型（例えば、５ｍｍ^２以下、またはさらに好ましくは、１ｍｍ^２以下の表面を有する）、中型（例えば、０．５ｃｍ^２から２０ｃｍ^２範囲の表面を有する）、または大型（例えば、２０ｃｍ^２より大きい表面を有する）でもある。本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、選択的に、大面積照明装置であり、発光壁紙、発光ウィンドウフレームまたはガラス、発光ラベル、発光ポーザー、またはフレキシブルスクリーンまたはディスプレイとしてスクリーンを生成するために使用することができる。一般的な用途の次に、有機エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、例えば、発光フィルム、「スマートパッケージング」ラベルまたは革新的なデザイン要素としても使用される。また、細胞検出及び検査（例えば、バイオラべリング）に使用することができる。

【0547】

追加定義及び情報
全体的に使用されているように、本発明の文脈において、「層」という用語は、好ましくは、広範囲に平面である幾何学的構造を有する本体を称する。層が構成することができるあらゆる「副層」に対しても同様である。

【0548】

本願において使用されているように、有機エレクトロルミネッセンス素子及び光電子発光素子という用語は、最も広い意味において、それぞれ全体的に少なくとも１つのホスト材料Ｈ^Ｂ、少なくとも１つの燐光材料Ｐ^Ｂ、少なくとも１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ、及び選択的に１以上のＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂを含む１以上の発光層Ｂを含む任意の素子としても理解され、それらに対して前述の定義が適用される。

【0549】

有機エレクトロルミネッセンス素子は、最も広い意味において、可視光線または近紫外線（ＵＶ）の範囲、すなわち、３８０から８００ｎｍの波長範囲において光を発光するのに適している有機材料を基盤とする任意の素子としても理解される。好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子は、可視光線範囲、すなわち、４００から８００ｎｍにおいて発光することができる。

【0550】

好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子は、可視光線範囲、すなわち、３８０から８００ｎｍ、より好ましくは、４００から８００ｎｍにおいて主発光ピークを有する。

【0551】

本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５００から５６０ｎｍの緑色光を発光する。本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５００から５６０ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。

【0552】

本発明の好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５１０から５５０ｎｍの緑色光を発光する。本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５１０から５５０ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。

【0553】

本発明のより好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５１５から５４０ｎｍの緑色光を発光する。本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５１５から５４０ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。

【0554】

本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、４２０から５００ｎｍの青色光を発光する。本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、４２０から５００ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。

【0555】

本発明の好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、４４０から４８０ｎｍの青色光を発光する。本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、４４０から４８０ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。

【0556】

本発明のより好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、４５０から４７０ｎｍの青色光を発光する。本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、４５０から４７０ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。

【0557】

本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５９０から６９０ｎｍの赤色光またはオレンジ色光を発光する。本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５９０から６９０ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。

【0558】

本発明の好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、６１０から６６５ｎｍの赤色光またはオレンジ色光を発光する。本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、６１０から６６５ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。

【0559】

本発明のより好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、６２０から６４０ｎｍの赤色光を発光する。本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、６２０から６４０ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。

【0560】

本発明の好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、発光電気化学電池（ＬＥＣ）及び発光トランジスタからなる群から選択された素子である。

【0561】

特に好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。選択的に、有機エレクトロルミネッセンス素子は、全体的に不透明（非透明）、半透明または（本質的に）透明である。

【0562】

本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「環状基」は、最も広い意味において、任意の単環式部分、二環式部分または多環式部分としても理解される。

【0563】

本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「環」及び「環系」は、最も広い意味において、任意の単環式部分、二環式部分または多環式部分としても理解される。

【0564】

用語「環原子」は、環または環構造の環状コアの一部であり、それに選択的に結合した置換基の一部ではない、任意の原子を称する。

【0565】

本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「炭素環」は、最も広い意味において、環状コア構造が水素はいうまでもなく、または本発明の特定の実施形態において定義された任意の他の置換基で置換可能な炭素原子のみを含む任意の環状基としても理解される。用語「炭素環の」は、形容詞であり、環状コア構造が水素はいうまでもなく、または本発明の特定実施形態において定義された任意の他の置換基で置換可能な炭素原子のみを含む環状基を称するものとも理解される。

【0566】

本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「ヘテロ環」は、最も広い意味において、環状コア構造が炭素原子だけでなく、少なくとも１つのヘテロ原子を含む任意の環状基としても理解される。用語「ヘテロ環の」は、形容詞であり、環状コア構造が炭素原子だけでなく、少なくとも１つのヘテロ原子を含む環状基を称するものとも理解される。該ヘテロ原子は、特定実施形態において他に言及されない限り、それぞれの場合、同一でもあり、あるいは異なってもおり、Ｎ、Ｏ、Ｓ及びＳｅからなる群から個別的に選択されうる。本発明の文脈においてヘテロ環に含まれた全ての炭素原子またはヘテロ原子はいうまでもなく、水素または本発明の特定の実施形態において定義された任意の他の置換基で置換可能である。

【0567】

本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「芳香族環系」は、最も広い意味において、任意の二環式芳香族部分または多環式芳香族部分としても理解される。

【0568】

本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「ヘテロ芳香族環系」は、最も広い意味において、任意の二環式ヘテロ芳香族部分または多環式ヘテロ芳香族部分としても理解される。

【0569】

本明細書の全体にわたって使用されているように、芳香族環系またはヘテロ芳香族環系を言及するとき、「縮合された」という用語は、「縮合された」芳香族環またはヘテロ芳香族環が両方の環系の一部である少なくとも１つの結合を共有することを意味する。例えば、ナフタレン（または、置換基として言及されるとき、ナフチル）またはベンゾチオフェン（または、置換基として言及されるとき、ベンゾチオフェニル）は、本発明の文脈において縮合芳香族環系と見なされ、ここで、２つのベンゼン環（ナフタレンの場合）またはチオフェン及びベンゼン（ベンゾチオフェンの場合）は、１つの結合を共有する。また、そのような文脈において結合を共有することは、それぞれの結合を構成する２つの原子を共有することを含むものとも理解され、縮合芳香族環系またはヘテロ芳香族環系は、１つの芳香族系またはヘテロ芳香族系とも理解される。また、縮合芳香族環系またはヘテロ芳香族環系（例えば、ピレンで）を構成する芳香族環またはヘテロ芳香族環によって１以上の結合が共有されるものとも理解される。また、脂肪族環系も縮合され、これは、縮合脂肪族環系が芳香族ではないという点を除いては、芳香族環系またはヘテロ芳香族環系と同一な意味を有するものとも理解されるであろう。

【0570】

本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「アリール」及び「芳香族」は、最も広い意味において、任意の単環式芳香族部分、二環式芳香族部分または多環式芳香族部分としても理解される。従って、アリール基は、６から６０個の芳香族環原子を含み、ヘテロアリール基は、５から６０個の芳香族環原子を含み、そのうち少なくとも１つはヘテロ原子である。それにもかかわらず、本明細書の全体にわたり、芳香族環原子数は、特定置換基の定義において、下付き文字数字で与えられうる。特に、ヘテロ芳香族環は、１から３個のヘテロ原子を含む。さらに、用語「ヘテロアリール」及び「ヘテロ芳香族」は、最も広い意味において、少なくとも１つのヘテロ原子を含む任意の単環式ヘテロ芳香族部分、二環式ヘテロ芳香族部分または多環式ヘテロ芳香族部分としても理解される。該ヘテロ原子は、それぞれの場合、同一でもあり、あるいは異なってもおり、Ｎ、Ｏ、Ｓ及びＳｅからなる群から個別的に選択されうる。従って、用語「アリーレン」は、他の分子構造に対し、２つの結合部位を保有し、リンカー構造の役割を行う二価置換基を意味する。例示的な実施形態において、基が、ここで与えられた定義と異なるように定義される場合、例えば、芳香族環原子数またはヘテロ原子数が与えられた定義と異なる場合、例示的な実施形態における定義が適用される。本発明によれば、縮合（環状）された、芳香族多環またはヘテロ芳香族多環は、縮合反応を介して多環を形成する、２つ以上の単一芳香族環またはヘテロ芳香族環から構成される。

【0571】

特に、本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「アリール基」または「ヘテロアリール基」は、ベンゼン、ナフタリン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、ジヒドロピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ベンズアントラセン、ベンズフェナントレン、テトラセン、ペンタセン、ベンツピレン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン；セレノフェン、ベンゾセレノフェン、イソベンゾセレノフェン、ジベンゾセレノフェン；ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ－５，６－キノリン、ベンゾ－６，７－キノリン、ベンゾ－７，８－キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントロイミダゾール、ピリドイミダゾール、ピラジノイミダゾール、キノキサリノイミダゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、１，２－チアゾール、１，３－チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、１，３，５－トリアジン、キノキサリン、ピラジン、フェナジン、ナフチリジン、カルボリン、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、１，２，３－トリアゾール、１，２，４－トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１，２，３－オキサジアゾール、１，２，４－オキサジアゾール、１，２，５－オキサジアゾール、１，２，３，４－テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジン及びベンゾチアジアゾール、あるいは前述の基の組み合わせから誘導された芳香族基またはヘテロ芳香族基の任意の位置を介して結合可能な基を含む。

【0572】

本発明の特定実施形態において、芳香族環またはヘテロ芳香族環に結合された隣接した置換基は、前記置換基が結合された芳香族環またはヘテロ芳香族環に縮合された、更なる脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成することができる。選択的にそのように形成された縮合環系は、隣接した置換基が結合された芳香族環またはヘテロ芳香族環よりさらに大きい（さらに多い環原子を含むことを意味する）ものとも理解される。その場合、縮合環系に含まれた環原子の「総」数は、隣接した置換基が結合された芳香族環またはヘテロ芳香族環に含まれた環原子と、隣接した置換基によって形成された追加の環系の環原子との和と理解され、ここで、縮合環系によって共有される炭素原子は、二回ではなく一回に計算される。例えば、ベンゼン環は、ナフタレンコアが形成されるように、さらに他のベンゼン環を形成する２つの隣接した置換基を有することができる。当該ナフタレンコアは、２つの炭素原子が２つのベンゼン環によって共有され、二回ではなく、一回のみ計算されるので、１０個の環原子を含むことになる。そのような文脈において「隣接した置換基」という用語は、（例えば、環系の）同一のまたは隣接する環原子に結合された置換基を意味する。

【0573】

本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「脂肪族」は、環系を言及するとき、最も広い意味としても理解され、環系を構成する環のうち何も芳香族環またはヘテロ芳香族環ではないことを意味する。そのような脂肪族環系は、１以上の芳香族環またはヘテロ芳香族環に縮合され、脂肪族環系のコア構造に含まれた一部（全部ではない）の炭素原子またはヘテロ原子が結合された芳香族環またはヘテロ芳香族環の一部となるものと理解される。

【0574】

本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「アルキル基」は、最も広い意味において、任意の線状、分枝状または環状のアルキル置換基としても理解される。特に、用語「アルキル」は、置換基である、メチル（Ｍｅ）、エチル（Ｅｔ）、ｎ－プロピル（^ｎＰｒ）、ｉ－プロピル（^ｉＰｒ）、シクロプロピル、ｎ－ブチル（^ｎＢｕ）、ｉ－ブチル（^ｉＢｕ）、ｓ－ブチル（^ｓＢｕ）、ｔ－ブチル（^ｔＢｕ）、シクロブチル、２－メチルブチル、ｎ－ペンチル、ｓ－ペンチル、ｔ－ペンチル、２－ペンチル、ネオ－ペンチル、シクロペンチル、ｎ－ヘキシル、ｓ－ヘキシル、ｔ－ヘキシル、２－ヘキシル、３－ヘキシル、ネオ－ヘキシル、シクロヘキシル、１－メチルシクロペンチル、２－メチルペンチル、ｎ－へプチル、２－へプチル、３－へプチル、４－へプチル、シクロへプチル、１－メチルシクロヘキシル、ｎ－オクチル、２－エチルヘキシル、シクロオクチル、１－ビシクロ［２，２，２］オクチル、２－ビシクロ［２，２，２］オクチル、２－（２，６－ジメチル）オクチル、３－（３，７－ジメチル）オクチル、アダマンチル、２，２，２－トリフルオロエチル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘキス－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘプト－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－オクト－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－デス－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ドデス－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－テトラデス－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘキサデス－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－オクタデス－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘキス－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘプト－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－オクト－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－デス－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ドデス－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－テトラデス－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘキサデス－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－オクタデス－１－イル、１－（ｎ－プロピル）－シクロヘキス－１－イル、１－（ｎ－ブチル）－シクロヘキス－１－イル、１－（ｎ－ヘキシル）－シクロヘキス－１－イル、１－（ｎ－オクチル）－シクロヘキス－１－イル及び１－（ｎ－デシル）－シクロヘキス－１－イルを含む。

【0575】

本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「アルケニル」は、線状、分枝状及び環状のアルケニル置換基を含む。用語「アルケニル基」は、例えば、置換基である、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニルまたはシクロオクタジエニルを含む。

【0576】

本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「アルキニル」は、線状、分枝状及び環状のアルキニル置換基を含む。用語「アルキニル基」は、例えば、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニルまたはオクチニルを含む。

【0577】

本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「アルコキシ」は、線状、分枝状及び環状のアルコキシ置換基を含む。用語「アルコキシ基」は、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ－プロポキシ、ｉ－プロポキシ、ｎ－ブトキシ、ｉ－ブトキシ、ｓ－ブトキシ、ｔ－ブトキシ及び２－メチルブトキシを含む。

【0578】

本明細書の全体にわたって使用されている用語「チオアルコキシ」は、線状、分枝状及び環状のチオアルコキシ置換基を含み、ここで、例示的なアルコキシ基のＯは、Ｓに代替される。

【0579】

本明細書の全体にわたって使用されている用語「ハロゲン」及び「ハロ」は、最も広い意味において、好ましくは、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素であるとも理解される。

【0580】

本願に言及された任意の構造に含まれた全ての水素原子（Ｈ）は、それぞれの場合に互いに独立して、具体的に述べられない限り、重水素（Ｄ）にも代替される。水素を重水素に代替することは、一般慣行であり、それを合成的に達成する方法も当業者には明白である。

【0581】

分子フラグメントが、置換基や、他の部分に結合していると記述されるとき、その名称は、まさしくそれがフラグメント（例えば、ナフチル、ジベンゾフリル）であるように、あるいは全体分子（例えば、ナフタレン、ジベンゾフラン）であるようにも記述される。本明細書に使用されているように、置換基、または結合フラグメントを記述する前記方式は、同等であると見なされる。

【0582】

濃度または組成を言及するとき、他に明示されない限り、百分率は、重量百分率を称し、これは、重量による百分率、または重量による％（（重量／重量）、（ｗ／ｗ）、重量％）と同一な意味を有する。

【0583】

軌道エネルギー及び励起状態エネルギーは、実験方法や量子化学方法、特に、密度関数理論計算を利用する計算方法を介して決定することができる。ここで、最高被占軌道エネルギーＥ^ＨＯＭＯは、当業者に公知の方法によって、サイクリックボルタンメトリー測定から０．１ｅＶの精度で決定される。

【0584】

最低空軌道エネルギーＥ^ＬＵＭＯは、当業者に公知の方法によって、サイクリックボルタンメトリー測定から０．１ｅＶの精度で決定される。代案としては、ここで好ましくは、Ｅ^ＬＵＭＯは、Ｅ^ＨＯＭＯ＋Ｅ^ｇａｐによって計算され、ここで、第１励起一重項状態Ｓ１（以下参照）のエネルギーが、ホスト材料Ｈ^Ｂ、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ及び小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂに対し、他に言及されない限り、Ｅ^ｇａｐとして使用される。すなわち、ホスト材料Ｈ^Ｂ、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ及び小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの場合、Ｅ^ｇａｐは、室温（すなわち、約２０℃）で発光スペクトルの開始（onset）から決定される（定常状態スペクトル；ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの場合、ポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＥ^Ｂの膜が一般的に使用され、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの場合、ＰＭＭＡ内の１～５重量％、好ましくは、２重量％のＳ^Ｂの膜が一般的に使用され、ホスト材料Ｈ^Ｂの場合、各ホスト材料Ｈ^Ｂの他に添加物のない膜（neat film）が一般的に使用される）。燐光材料Ｐ^Ｂの場合、Ｅ^ｇａｐは、室温（すなわち、約２０℃）で発光スペクトルの開始から決定される（定常状態スペクトル、一般的にＰＭＭＡ内の１０重量％のＰ^Ｂの膜から測定される）。

【0585】

吸収スペクトルは、室温（すなわち、約２０℃）で記録される。ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの場合、吸収スペクトルは、一般的に、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）内の１０重量％のＥ^Ｂのスピンコーティング膜から測定される。小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの場合、吸収スペクトルは、一般的に、ＰＭＭＡ内の１～５重量％、好ましくは、２重量％のＳ^Ｂのスピンコーティング膜から測定される。ホスト材料Ｈ^Ｂの場合、吸収スペクトルは、一般的に、ホスト材料Ｈ^Ｂの他に添加物のない膜から測定される。燐光材料Ｐ^Ｂの場合、吸収スペクトルは、一般的に、ＰＭＭＡ内の１０重量％のＰ^Ｂのスピンコーティング膜から測定される。代案としては、吸収スペクトルは、また、例えば、ジクロロメタンまたはトルエン内の各分子の溶液から記録され、ここで、溶液の濃度は、一般的に、最大吸光度が好ましくは０．１から０．５範囲になるように選択される。

【0586】

吸収スペクトルの開始は、吸収スペクトルに対する接線と、ｘ軸との交差点とを計算して決定される。該吸収スペクトルに対する接線は、吸収バンドの低エネルギー側と、吸収スペクトルの最大強度の最大半分地点とにおいて設定される。

【0587】

他に明示されない限り、第一励起三重項状態Ｔ１のエネルギーは、７７Ｋにおいて、燐光スペクトルの開始から決定される（定常状態スペクトル；ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの場合、ＰＭＭＡ内の１０重量％のＥ^Ｂの膜が一般的に使用され、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの場合、ＰＭＭＡ内の１～５重量％、好ましくは、２重量％のＳ^Ｂの膜が一般的に使用され、ホスト材料Ｈ^Ｂの場合、各ホスト材料Ｈ^Ｂの他に添加物のない膜が一般的に使用され、測定は、一般的に室温（すなわち、約２０℃）で行われる）。例えば、ＥＰ２６９０６８１Ａ１に開示されたように、小さいΔＥ_ＳＴ値を有するＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの場合、項間交差及び逆項間交差の両方が低温でも発生することが認められる。結果として、７７Ｋでの発光スペクトルは、Ｓ１及びＴ１状態の両方からの発光を含む。しかし、ＥＰ２６９０６８１Ａ１にも述べられたように、三重項エネルギーの寄与度／価値が一般的に優勢であるものと見なされる。

【0588】

他に明示されない限り、第一励起一重項状態Ｓ１のエネルギーは、室温（すなわち、約２０℃）で蛍光スペクトルの開始から決定される（定常状態スペクトル；ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂの場合、ＰＭＭＡ内の１０重量％のＥ^Ｂの膜が一般的に使用され、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの場合、ＰＭＭＡ内の１～５重量％、好ましくは、２重量％のＳ^Ｂの膜が一般的に使用され、ホスト材料Ｈ^Ｂの場合、各ホスト材料Ｈ^Ｂの他に添加物のない膜が一般的に使用される）。しかし、効率的な項間交差を示す燐光材料Ｐ^Ｂの場合、室温発光は、蛍光ではなく、（ほとんど）燐光でもある。この場合、室温（すなわち、約２０℃）で発光スペクトルの開始は、前述のように第一励起三重項状態Ｔ１のエネルギーを決定するのに使用される。

【0589】

発光スペクトルの開始は、発光スペクトルに対する接線と、ｘ軸との交差点とを計算して決定される。該発光スペクトルに対する接線は、発光バンドの高エネルギー側と、発光スペクトルの最大強度の最大半分地点とにおいて設定される。

【0590】

第一励起一重項状態（Ｓ１）と第一励起三重項状態（Ｔ１）とのエネルギー差に該当するΔＥ_ＳＴ値は、前述のように決定された、第一励起一重項状態エネルギー及び第一励起三重項状態エネルギーに基づいて決定される。

【0591】

当業者に周知のように、エミッタ（例えば、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ）の半値幅（ＦＷＨＭ）は、それぞれの発光スペクトル（蛍光エミッタ用蛍光スペクトル及び燐光エミッタ用燐光スペクトル）から容易に決定される。小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの場合、一般的に、蛍光スペクトルが使用される。報告された全てのＦＷＨＭ値は、一般的に、主発光ピーク（すなわち、強度が最も高いピーク）を示す。ＦＷＨＭ（本願において、好ましくは、電子ボルトｅＶで報告される）を決定する手段は、当業者の一般的な知識の一部である。例えば、発光スペクトルの主発光ピークが、発光スペクトルからナノメートル（ｎｍ）で得られた２つの波長λ_１及びλ_２において最大発光の半分（すなわち、最大発光強度の５０％）に達する場合、電子ボルト（ｅＶ）のＦＷＨＭは、一般的に、（本明細書において）以下の方程式を使用して決定される：

【数5】

【0592】

本明細書に使用されているように、特定文脈において、さらに具体的に定義されない場合、発光及び／または吸収された光の色相指定は、下記の通りである：
紫色：＞３８０～４２０ｎｍの波長範囲
濃青色＞４２０～４７５ｎｍの波長範囲
空色：＞４７５～５００ｎｍの波長範囲
緑色：＞５００～５６０ｎｍの波長範囲
黄色：＞５６０～５８０ｎｍの波長範囲
オレンジ色：＞５８０～６２０ｎｍの波長範囲
赤色：＞６２０～８００ｎｍの波長範囲。

【0593】

本発明は、下記実施例及び特許請求の範囲によって説明される。

【0594】

実施例
サイクリックボルタンメトリー
サイクリックボルタモグラムは、ジクロロメタン、または適する溶媒、及び適する支持電解質（例：０．１ｍｏｌ／Ｌのテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート）において、有機分子の濃度が１０^－３ｍｏｌ／Ｌである溶液で測定される。該測定は、３電極アセンブリ（作用電極及び相対電極：Ｐｔワイヤ、基準電極：Ｐｔワイヤ）を使用し、窒素雰囲気において、室温（すなわち、（約）２０℃）で行い、内部標準として、ＦｅＣｐ_２／ＦｅＣｐ_２ ^＋を使用して補正する。ＨＯＭＯデータ及びＬＵＭＯデータは、飽和カロメル電極（ＳＣＥ）に係わる内部標準として、フェロセンを使用して修正された。

【0595】

密度関数理論計算
分子構造は、ＢＰ８６関数及びＲＩ（Resolution of Identity）アプローチを使用して最適化された。励起エネルギーは、（ＢＰ８６）最適化された構造を使用して、ＴＤ－ＤＦＴ（Time-Dependent DFT）方法でもって計算される。軌道エネルギー及び励起状態エネルギーは、Ｂ３ＬＹＰ関数により計算される。しかし、本願において、軌道エネルギー及び励起状態エネルギーは、前述のように実験的に決定されることが好ましい。

【0596】

本願に報告された全ての軌道エネルギー及び励起状態エネルギー（実験結果参照）は、実験的に決定された。数値積分のために、Ｄｅｆ２－ＳＶＰ基本セット及びｍ４－ｇｒｉｄが使用される。Turbomoleプログラムパッケージは、全ての計算に使用される。

【0597】

光物理的測定
サンプル前処理：真空蒸着

【0598】

前述のように、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれる個々の化合物（例えば、有機分子または遷移金属錯体）の光物理的測定（例えば、ホスト材料Ｈ^Ｂ、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ、燐光材料Ｐ^Ｂまたは小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ）は、一般的に、他に添加物のない膜（ホスト材料Ｈ^Ｂの場合）、またはポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）内の各材料の膜（ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ、燐光材料Ｐ^Ｂ及び小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの場合）を使用して行われた。当該膜は、スピンコーティングされた膜であり、特定の測定に対して他に言及しない限り、ＰＭＭＡ膜の材料濃度は、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ及び燐光材料Ｐ^Ｂの場合に１０重量％、または小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂの場合に１～５重量％、好ましくは、２重量％であった。代案としては（優先的ではなく）、前述のように、一部の光物理的測定は、また、例えば、ジクロロメタンまたはトルエン内の各分子の溶液から行われ、ここで、溶液の濃度は、一般的に、最大吸光度が好ましくは０．１から０．５範囲になるように選択される。

【0599】

（本発明または比較例による）有機エレクトロルミネッセンス素子のＥＭＬに存在する特定の材料の組成をさらに研究するために、光物理的測定のためのサンプルを、素子作製に使用された同一な材料から、石英基板上の５０ｎｍのそれぞれの発光層Ｂを真空蒸着して作製した。該サンプルの光物理的評価は、窒素雰囲気下で行われる。

【0600】

吸収測定
Thermo Scientific Evolution 201紫外可視光分光光度計は、２７０ｎｍ以上の波長領域においてサンプルの最大吸収波長を決定するのに使用される。当該波長は、フォトルミネセンススペクトル及び量子収率の測定のための励起波長として使用される。

【0601】

フォトルミネセンススペクトル
定常状態発光スペクトルは、１５０Ｗキセノンアークランプ、励起及び発光単色計が装着されたModel FluoroMax-4（Horiba Scientific）を使用して記録される。サンプルをキュベットに入れて測定する間に、窒素で置換する。

【0602】

フォトルミネセンス量子収率測定
フォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）測定のために、Absolute ＰＬ量子収率測定Ｃ９９２０－０３Ｇシステム（浜松ホトニクス）が使用されている。サンプルは、測定する間に窒素雰囲気下で維持される。量子収率は、ソフトウェアＵ６０３９－０５を使用して決定され、％で表される。収率は、次の方程式を使用して計算される。

【0603】

【数6】

ここで、ｎ_光子は、光子数を示し、Ｉｎｔは、強度を示す。品質保証のために、（既知濃度の）エタノール内のアントラセンを基準に使用する。

【0604】

時間相関単一光子計数（ＴＣＳＰＣ）
励起状態分布力学は、発光単色計、検出器ユニットとして温度安定化された光電子増倍管、及び励起ソースとしてパルス型ＬＥＤ（３１０ｎｍ中央波長、９１０ｐｓパルス幅）が装着されたEdinburgh Instruments FS5分光蛍光計を使用して決定される。サンプルをキュベットに入れて測定する間に、窒素で置換する。

【0605】

全体減衰力学
時間及び信号強度で複数の次数（order）の大きさにわたった全体励起状態分布減衰力学は、４個の時間領域（２００ｎｓ、１μｓ、２０μｓ及び＞８０μｓのさらに長い測定期間）でＴＣＳＰＣ測定を行って達成される。測定された時間曲線は、その後、次のような方式によって処理される。

【0606】

－励起及び差し引き（subtracting）前の平均信号レベルを決定し、バックグラウンド補正が適用される。

【0607】

－主信号の初期上昇を基準として取り、時間軸が整列される。

【0608】

－重畳された測定時間領域を使用し、曲線が互いに対してスケーリングされる。

【0609】

－処理された曲線が１つの曲線に併合される。

【0610】

データ分析
即時蛍光（ＰＦ）及び遅延蛍光（ＤＦ）減衰の単一指数フィットまたは二重指数フィットを個別的に使用してデータ分析が行われる。遅延蛍光と即時蛍光との割合（ｎ値）が、それぞれのフォトルミネセンス減衰を経時的に積分して計算される：

【数7】

平均励起状態寿命は、ＰＦ及びＤＦのそれぞれの寄与度で加重された即時蛍光及び遅延蛍光の減衰時間の平均を取って計算される。

【0611】

有機エレクトロルミネッセンス素子の作製及び特性化
本発明による有機分子を含むＯＬＥＤ素子は、真空蒸着方法によっても作製される。層が１以上の化合物を含む場合、１以上の化合物の重量百分率は、％で示される。総重量百分率値は１００％であるので、値が指定されていない場合、該化合物の分率は、指定された値と、１００％との差と同じである。

【0612】

完全に最適化されていないＯＬＥＤは、標準的な方法を使用してエレクトロルミネセンススペクトルを測定し、光ダイオードによって検出された光を使用して計算された、強度及び電流に依存する外部量子効率（％）を測定して特徴付けられる。素子のＦＷＨＭが、フォトルミネセンススペクトル（蛍光または燐光）に対し、前述のようにエレクトロルミネッセンススペクトルから決定される。報告されたＦＷＨＭは、主発光ピーク（すなわち、最も高い発光強度を有するピーク）を示す。ＯＬＥＤ素子の寿命は、一定電流密度で動作する間、輝度の変化から抽出される。ＬＴ５０値は、測定輝度が、初期輝度の５０％に低減した時間に相当し、同様に、ＬＴ８０は、測定輝度が、初期輝度の８０％に低減した時点に相当し、ＬＴ９７は、測定輝度が、初期輝度の９７％に低減した時点に該当する。

【0613】

加速寿命測定が行われる（例：増大した電流密度適用）。例えば、５００ｃｄ／ｍ^２において、ＬＴ８０値は、次の方程式を使用して決定される。

【0614】

【数8】

ここで、Ｌ_０は、印加された電流密度における初期輝度を示す。値は、複数のピクセル（一般的に、２～８個）の平均に該当する。

【0615】

実験結果
スタック材料

【化321】

ＨＢＭ１（正孔遮断材料）ＥＢＭ１（電子遮断材料）

ＨＴＬ１（正孔輸送材料）ＥＴＬ１（電子輸送材料）

【化322】

ＥＴＬ２（電子輸送材料）ＥＴＬ３（電子輸送材料）

【化323】

ＮＤＰ－９（正孔注入材料）ＥＢＭ２（電子遮断材料）

【0616】

ホスト材料Ｈ^Ｂ

【化324】

ｍＣＢＰ＝Ｈ^Ｂ－１ＰＹＤ２＝Ｈ^Ｂ－２Ｈ^Ｂ－３

【化325】

Ｈ^Ｂ－４Ｈ^Ｂ－５

【化326】

Ｈ^Ｂ－６Ｈ^Ｂ－７

【化327】

Ｈ^Ｂ－８Ｈ^Ｂ－９

【化328】

Ｈ^Ｂ－１０Ｈ^Ｂ－１１

【化329】

Ｈ^Ｂ－１２Ｈ^Ｂ－１３

【化330】

Ｈ^Ｂ－１４Ｈ^Ｂ－１５

【化331】

Ｈ^Ｂ－１６

【0617】

【表1】

【0618】

ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ

【化332】

Ｅ^Ｂ－１Ｅ^Ｂ－２

【化333】

Ｅ^Ｂ－３Ｅ^Ｂ－４

【化334】

Ｅ^Ｂ－５Ｅ^Ｂ－６

【化335】

Ｅ^Ｂ－７Ｅ^Ｂ－８

【化336】

Ｅ^Ｂ－９Ｅ^Ｂ－１０

【化337】

Ｅ^Ｂ－１１Ｅ^Ｂ－１２Ｅ^Ｂ－１３

【化338】

Ｅ^Ｂ－１４Ｅ^Ｂ－１５Ｅ^Ｂ－１６

【化339】

Ｅ^Ｂ－１７Ｅ^Ｂ－１８Ｅ^Ｂ－１９

【化340】

Ｅ^Ｂ－２０Ｅ^Ｂ－２１

【化341】

Ｅ^Ｂ－２２Ｅ^Ｂ－２３

【化342】

Ｅ^Ｂ－２４

【0619】

【表2】

【0620】

燐光材料Ｐ^Ｂ

【化343】

Ｉｒ（ｐｐｙ）_３Ｐ^Ｂ－２

【化344】

Ｐ^Ｂ－３Ｐ^Ｂ－４

【0621】

【表3】

ここで、ＬＵＭＯ_ＣＶは、サイクリックボルタンメトリーによって決定された最低空軌道のエネルギーである。^ａ発光スペクトルがクロロホルム内のＩｒ（ｐｐｙ）_３の溶液から記録された。^ｂ発光スペクトルがジクロロメタン内のＰ^Ｂ－２の０．００１ｍｇ／ｍＬ溶液から記録された。^ｃ発光スペクトルがトルエン内のＰ^Ｂ－３の０．００１ｍｇ／ｍＬ溶液から記録された。

【0622】

小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ

【化345】

Ｓ^Ｂ－１Ｓ^Ｂ－２

【化346】

Ｓ^Ｂ－３Ｓ^Ｂ－４

【化347】

Ｓ^Ｂ－５Ｓ^Ｂ－６

【化348】

Ｓ^Ｂ－７Ｓ^Ｂ－８

【化349】

Ｓ^Ｂ－９Ｓ^Ｂ－１０

【化350】

Ｓ^Ｂ－１１Ｓ^Ｂ－１２

【化351】

Ｓ^Ｂ－１３Ｓ^Ｂ－１４

【化352】

Ｓ^Ｂ－１５

【0623】

【表4】

＊ＤＣＭで測定される（０．０１ｍｇ／ｍＬ；そのような溶液が光物理的測定に使用される）。

【0624】

【表5】

本発明の結果を評価するために、発光層（６）の組成のみを変化させた比較実験を遂行した。また、比較実験では、Ｅ^ＢとＳ^Ｂとの割合を一定に維持した。

【0625】

結果Ｉ：発光層（発光層、６）において燐光材料Ｐ^Ｂの含量変化
素子Ｄ１からＤ４の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：

【表6】

表２の構成１が使用され、ここで、Ｈ^Ｂ－４がホスト材料Ｈ^Ｂ（ｐ－ホストＨ^Ｐ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、Ｅ^Ｂ－１０がＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３が燐光材料Ｐ^Ｂとして使用され、Ｓ^Ｂ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。

【0626】

【表7】

【0627】

素子結果、Ｄ１及びＤ２を比較すれば、類似した光学的特性（ＦＷＨＭ、λ_ｍａｘ、ＣＩＥｘ及びＣＩＥｙ）及び効率（ＥＱＥ）を観察することができる一方、Ｄ２の場合、Ｄ１に比べて１４７％の相対寿命の延長（１．００から２．４７へ）を観察することができる。Ｄ３の場合、Ｄ１に比べて相対寿命が２１％（１．００から１．２１へ）延長した一方、Ｄ４の相対寿命は、Ｄ１に比べて１％（１．００から０．９９へ）減少した。

【0628】

結果ＩＩ：成分組成の変化
素子Ｄ５からＤ１３の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：

【表8】

【表9】

表２の構成１が使用され、ここで、Ｈ^Ｂ－４がホスト材料Ｈ^Ｂ（ｐ－ホストＨ^Ｐ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、Ｈ^Ｂ－５がホスト材料Ｈ^Ｎとして使用され、Ｅ^Ｂ－１１がＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３が燐光材料Ｐ^Ｂとして使用され、Ｓ^Ｂ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。

【0629】

素子Ｄ５及びＤ６は、混合ホストシステム、すなわち、Ｈ^Ｂ及びＨ^Ｎ、燐光エミッタを含む典型的な燐光素子である。

【0630】

素子Ｄ７及びＤ８は、混合ホストシステム、すなわち、Ｈ^Ｂ及びＨ^Ｎ、燐光材料及び小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む素子である。

【0631】

素子Ｄ９は、ホストＨ^Ｂ、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ及び小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む素子である。

【0632】

素子Ｄ１０は、ホストＨ^Ｂ、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ、燐光材料Ｐ^Ｂ及び小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂを含む素子である。

【0633】

【表10】

【0634】

素子Ｄ５及びＤ６の発光層の組成をＤ７及びＤ８と比較すれば、Ｄ７及びＤ８は、Ｄ５及びＤ６には存在しない小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂをさらに含む。Ｄ７及びＤ８に対し、さらに長い寿命、類似した効率及びさらに小さい発光ＦＷＨＭが観察されうる。

【0635】

本発明による素子Ｄ１０は、燐光材料Ｐ^Ｂ（ここで、例示的にＩｒ（ｐｐｙ）_３）がないＤ９より優秀な総合的な性能を示す。

【0636】

素子Ｄ１４からＤ２１の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：

【表11】

表２の構成１が使用され、ここで、Ｈ^Ｂ－４がホスト材料Ｈ^Ｂ（ｐ－ホストＨ^Ｐ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、Ｈ^Ｂ－５がホスト材料Ｈ^Ｎとして使用され、Ｅ^Ｂ－１０がＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂとして使用され、Ｐ^Ｂ－２が燐光材料Ｐ^Ｂとして使用され、Ｓ^Ｂ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。

【0637】

【表12】

【0638】

素子結果ＩＩＩから結論付けられるように、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ（ここで、Ｓ^Ｂ－１）がなければ、全ての場合、０．２５ｅＶより非常に大きいＦＷＨＭ値によって反映される、好ましくないブロードな発光が発生する（素子Ｄ１４、Ｄ１５及びＤ１８参照）。Ｄ１５の場合、２２．７％の非常に高いＥＱＥが非常に減少した寿命と共に提供される。ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ（ここで、例示的にＥ^Ｂ－１０）または燐光材料Ｐ^Ｂ（ここで、例示的にＰ^Ｂ－２）と共に小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ（ここで、例示的にＳ^Ｂ－１）を使用するとき、狭い発光が達成され、これは、その後、０．２５ｅＶより非常に小さなＦＷＨＭ値によって反映される（素子Ｄ１６及びＤ１７参照）。同時に、それらの素子は、それぞれ２０．４％及び２２．４％の高いＥＱＥ値を示す。しかし、寿命の観点から、それらの素子は、本発明によって作製された素子Ｄ１９によって明白に圧倒される。また、Ｄ１９は、非常に優秀な効率（２０．４％のＥＱＥ）及び狭い発光（０．１７ｅＶのＦＷＨＭ）を示す。要約すれば、当業者は、（本発明による）Ｄ１９が最も優秀な総合的な素子性能を明確に示すということを認めるであろう。Ｄ１９のＥＭＬは、１％の燐光材料Ｐ^Ｂを含む。この値を（Ｄ２０において）４％、またはさらに好ましくは、（Ｄ２１において）７％に増やせば、ＦＷＨＭが０．２０ｅＶと若干増加し、ＥＱＥが１６．３％または１３．６％とそれぞれ減少し、素子寿命が短縮され、素子性能が多少低下する結果をもたらす。それにもかかわらず、Ｄ２０及びＤ２１は、特に素子寿命と係わって依然として優秀な総合的な性能を示す。

【0639】

ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ－１０がない場合、ＥＭＬ内の電子移動度を増加させるために、ｎ－ホスト（ここで、例示的にＨ^Ｂ－５）を一般的に使用した。

【0640】

素子Ｄ２２からＤ２９の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：

【表13】

【0641】

【表14】

【0642】

素子結果ＩＶから結論付けられるように、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂなしに、メインエミッタとしてＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ（ここで、例示的にＥ^Ｂ－１１）または燐光材料Ｐ^Ｂ（ここで、例示的にＩｒ（ｐｐｙ）_３）を使用すれば、０．２５ｅＶ（ここで、それぞれ０．４１及び０．３１ｅＶ、Ｄ２２及びＤ２３参照）より明確に大きい主発光ピークのＦＷＨＭ値によって反映される有機エレクトロルミネッセンス素子の相対的にブロードな発光が発生する。Ｄ２２及びＤ２３の両方は、高い効率（それぞれ２２．５％及び１９．５％のＥＱＥ）を示す。例えば、燐光ＯＬＥＤＤ２３に小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ（ここで、Ｓ^Ｂ－１）を追加すれば、主発光ピークのＦＷＨＭが大きく減少（０．１７ｅＶ）する一方、ＥＱＥ及び寿命は若干向上する（Ｄ２４参照）。しかし、ＯＬＥＤＤ２２及びＤ２３だけでなく、素子Ｄ２４は、本発明によって製造された素子Ｄ２５によって強力に圧倒される。Ｄ２２、Ｄ２３及びＤ２４と比べるとき、素子Ｄ２５は、劇的に延長した寿命を示し、かつ依然として同一に高い効率及び狭いＦＷＨＭを示す。当業者は、本発明による素子Ｄ２５の総合的な性能がＤ２２、Ｄ２３及びＤ２４の性能より明白に優秀であるということを認めるであろう。小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ（ここで、Ｓ^Ｂ－１）の含量を（Ｄ２５のＥＭＬにおいて）１％から（Ｄ２６のＥＭＬにおいて）０．５％に減らすことにより、総合的な素子性能をさらに向上させることができる。再び、本発明の条件を満たさない比較例Ｄ２７（例えば、燐光材料Ｐ^Ｂが欠けている）は、急激に減少した寿命及び多少減少した効率（ＥＱＥ）を示した。本発明による素子Ｄ２５及びＤ２６内の燐光材料Ｐ^Ｂ（ここで、例示的にＩｒ（ｐｐｙ）_３）の含量１％から、（本発明による素子Ｄ２８及びＤ２９内の）４％に増加させれば、素子寿命及び効率の低下をもたらす。しかし、それらの素子（Ｄ２８及びＤ２９）は、本発明によらず、最新技術によって製造された、前述の比較素子より依然として明白に優秀である。ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ－１１がない場合、ＥＭＬ内の電子移動度を増加させるために、ｎ－ホスト（ここで、例示的にＨ^Ｂ－５）が一般的に使用された。

【0643】

【表15】

【0644】

素子Ｄ３０からＤ３２の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：

【表16】

表３の構成２が使用され、ここで、Ｈ^Ｂ－１（ｍＣＢＰ）がホスト材料Ｈ^Ｂ（ｐ－ホストＨ^Ｐ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、Ｅ^Ｂ－１４がＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂとして使用され、Ｐ^Ｂ－３が燐光材料Ｐ^Ｂとして使用され、Ｓ^Ｂ－１４が小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用された。

【0645】

【表17】

有機エレクトロルミネッセンス素子Ｄ３０～Ｄ３２のうち、本発明によるＤ３２が狭い発光（小さいＦＷＨＭ）、高いＥＱＥ、相対的な寿命を考慮するときに最も優秀な総合的な性能を示す。

【0646】

素子Ｄ３３からＤ３５の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：

【表18】

表３の構成２が使用され、ここで、Ｈ^Ｂ－１４がホスト材料Ｈ^Ｂ（ｐ－ホストＨ^Ｐ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、Ｅ^Ｂ－１４がＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂとして使用され、Ｐ^Ｂ－３が燐光材料Ｐ^Ｂとして使用され、Ｓ^Ｂ－１４が小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用された。

【0647】

【表19】

有機エレクトロルミネッセンス素子Ｄ３３～Ｄ３６のうち、本発明によるＤ３５が狭い発光（小さいＦＷＨＭ）、高いＥＱＥ、相対的な寿命を考慮するときに最も優秀な総合的な性能を示す。

【0648】

前述のように、本発明による各発光層Ｂは、単一層であってもよく、２以上の副層からなってもよい。２以上の副層を含む発光層Ｂを有する例示的な有機エレクトロルミネッセンス素子が下記に示されている（素子結果ＶＩＩ及びＶＩＩＩ参照）。

【0649】

【表20】

【0650】

素子Ｄ３６からＤ３８の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：

【表21】

表４の構成３が使用され、ここで、Ｈ^Ｂ－４がホスト材料Ｈ^Ｂ（ｐ－ホストＨ^Ｐ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、Ｈ^Ｂ－５がホスト材料Ｈ^Ｎとして使用され、Ｅ^Ｂ－１０がＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３が燐光材料Ｐ^Ｂとして使用され、Ｓ^Ｂ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用された。

【0651】

【表22】

【0652】

素子結果ＶＩＩから結論付けられるように、本発明によるＤ３８は、Ｄ３６及びＤ３７に比べて顕著に延長した寿命を示す。これは、多少減少するが、依然として高い効率（ＥＱＥ）と共に提供される。３つの素子の全ての場合、０．２５ｅＶ未満のＦＷＨＭ値で表される狭い発光を示す。Ｄ３８は、狭い発光、依然として高いＥＱＥ及び非常に長い寿命を考慮するときに最も優秀な総合的な素子性能を示す。

【0653】

【表23】

【0654】

素子Ｄ３９の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：

【表24】

表５の構成４が使用され、ここで、Ｈ^Ｂ－４がホスト材料Ｈ^Ｂ（ｐ－ホストＨ^Ｐ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、Ｈ^Ｂ－５がホスト材料Ｈ^Ｎとして使用され、Ｅ^Ｂ－１０がＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３が燐光材料Ｐ^Ｂとして使用され、Ｓ^Ｂ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用された。

【0655】

【表25】

＊寿命は、Ｄ３８を基準として与えられる。

【0656】

素子結果ＶＩＩＩから結論付けられるように、ほぼ類似したスタック構造を使用しつつ、Ｈ^Ｂ：Ｅ^Ｂ：Ｐ^Ｂ－副層の厚みを８ｎｍ（Ｄ３８）から５ｎｍ（Ｄ３９）に減少すれば、素子性能が向上しない。それにもかかわらず、Ｄ３９は、依然として狭い発光、高いＥＱＥ及び優秀な寿命を示す。

【0657】

素子Ｄ４０及びＤ４１の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：

【表26】

表２の構成１が使用され、ここで、Ｈ^Ｂ－１５がホスト材料Ｈ^Ｂ（ｐ－ホストＨ^Ｐ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、Ｅ^Ｂ－１０がＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３が燐光材料Ｐ^Ｂとして使用され、Ｓ^Ｂ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。

【0658】

【表27】

【0659】

素子結果ＩＸから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ４１は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び最も多く素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ（ここで、例示的にＥ^Ｂ－１０）が欠けている素子Ｄ４０に比べて優秀な総合的な性能を示す。

【0660】

【表28】

【0661】

素子Ｄ４２からＤ４４の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：

【表29】

表６の構成５が使用され、ここで、Ｈ^Ｂ－１５がホスト材料Ｈ^Ｂ（ｐ－ホストＨ^Ｐ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、Ｈ^Ｂ－５がホスト材料Ｈ^Ｎとして使用され、Ｅ^Ｂ－１０がＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂとして使用され、Ｐ^Ｂ－２が燐光材料Ｐ^Ｂとして使用され、Ｓ^Ｂ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。

【0662】

【表30】

【0663】

素子結果Ｘから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ４４は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ（ここで、例示的にＥ^Ｂ－１０）が欠けている素子Ｄ４３、及び燐光材料Ｐ^Ｂ（ここで、例示的にＰ^Ｂ－２）が欠けている素子Ｄ４２に比べて優秀な総合的な性能を示す。ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ－１０がない場合、ｎ－ホスト（ここで、例示的にＨ^Ｂ－５）を使用してＥＭＬ内の電子移動度を増加させた。

【0664】

素子Ｄ４５からＤ４９の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：

【表31】

表２の構成１が使用され、ここで、Ｈ^Ｂ－４がホスト材料Ｈ^Ｂ（ｐ－ホストＨ^Ｐ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、Ｈ^Ｂ－５がホスト材料Ｈ^Ｎとして使用され、Ｅ^Ｂ－１０がＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂとして使用され、Ｐ^Ｂ－４が燐光材料Ｐ^Ｂとして使用され、Ｓ^Ｂ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。

【0665】

【表32】

【0666】

素子結果Ｘから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ４９は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ（ここで、例示的にＥ^Ｂ－１０）が欠けている素子Ｄ４８、燐光材料Ｐ^Ｂ（ここで、例示的にＰ^Ｂ－４）が欠けている素子Ｄ４７、Ｓ^Ｂ－１の代わりにエミッタ材料としてＰ^Ｂ－４を採用した素子Ｄ４６、及びＳ^Ｂ－１の代わりにエミッタ材料としてＥ^Ｂ－１０を採用した素子Ｄ４５に比べて、優秀な総合的な性能を示す。ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ－１０がない場合、ｎ－ホスト（ここで、例示的にＨ^Ｂ－５）を使用してＥＭＬ内の電子移動度を増加させた。

【0667】

素子Ｄ５０からＤ６４の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：

【表33】

表６の構成５が使用され、ここで、Ｈ^Ｂ－１５がホスト材料Ｈ^Ｂ（ｐ－ホストＨ^Ｐ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、Ｈ^Ｂ－５がホスト材料Ｈ^Ｎとして使用され、Ｅ^Ｂ－１１がＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３が燐光材料Ｐ^Ｂとして使用され、Ｓ^Ｂ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。

【0668】

【表34】

【0669】

素子結果ＸＩＩから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ５４は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ（ここで、例示的にＥ^Ｂ－１１）が欠けている素子Ｄ５３、燐光材料Ｐ^Ｂ（ここで、例示的にＩｒ（ｐｐｙ）_３）が欠けている素子Ｄ５２、Ｓ^Ｂ－１の代わりにエミッタ材料としてＩｒ（ｐｐｙ）_３を採用した素子Ｄ５１、及びＳ^Ｂ－１の代わりにエミッタ材料としてＥ^Ｂ－１１を採用した素子Ｄ５０に比べて、優秀な総合的な性能を示す。素子Ｄ５５からＤ５８の性能を比較するとき、ＥＭＬ内の小さなＦＷＨＭエミッタ（ここで、例示的にＳ^Ｂ－１）の濃度を１％から０．５％に減少すれば、素子寿命を延長させることができるという結論が出る。また、素子Ｄ５９からＤ６１が本発明によって作製され、特に、本発明によるＤ５５と比べて、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ（ここで、例示的にＥ^Ｂ－１１）の濃度を２０％から３０％に、またはさらに好ましくは、４０％に増加させれば、総合的な素子性能を向上させることができる。素子Ｄ５５からＤ５８の比較、並びにＤ６０及びＤ６１の比較は、対照的に低い濃度の燐光材料Ｐ^Ｂ（ここで、例示的にＩｒ（ｐｐｙ）_３）が素子性能に有利であることを示す。ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ－１１がない場合、ＥＭＬ内の電子移動度を増加させるために、ｎ－ホスト（ここで、例示的にＨ^Ｂ－５）を使用した。

【0670】

素子Ｄ６２からＤ７１の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：

【表35】

表６の構成５が使用され、ここで、Ｈ^Ｂ－１５がホスト材料Ｈ^Ｂ（ｐ－ホストＨ^Ｐ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、Ｈ^Ｂ－５がホスト材料Ｈ^Ｎとして使用され、Ｅ^Ｂ－１１がＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂとして使用され、Ｐ^Ｂ－２が燐光材料Ｐ^Ｂとして使用され、Ｓ^Ｂ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。

【0671】

【表36】

【0672】

素子結果ＸＩＩＩから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ６７は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、小さなＦＷＨＭ材料Ｓ^Ｂ（ここで、例示的にＳ^Ｂ－１）が欠けている素子Ｄ６６、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ（ここで、例示的にＥ^Ｂ－１１）が欠けている素子Ｄ６５、燐光材料Ｐ^Ｂ（ここで、例示的にＰ^Ｂ－２）が欠けている素子Ｄ６４、Ｓ^Ｂ－１の代わりにエミッタ材料としてＰ^Ｂ－２を採用した素子Ｄ６３、及びＳ^Ｂ－１の代わりにエミッタ材料としてＥ^Ｂ－１１を採用した素子Ｄ６２に比べて優秀な総合的な性能を示す。素子Ｄ６７からＤ７１の性能を比較するとき、与えられた材料セットに対し、３０％のＥ^Ｂ－１１、２．５％のＰ^Ｂ－２及び０．５％のＳ^Ｂ－１濃度が最も優秀な性能の素子（Ｄ６９）を提供するという結論を出すことができる。

【0673】

素子Ｄ７２からＤ７９の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：

【表37】

表６の構成５が使用され、ここで、Ｈ^Ｂ－１５がホスト材料Ｈ^Ｂ（ｐ－ホストＨ^Ｐ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、Ｈ^Ｂ－５がホスト材料Ｈ^Ｎとして使用され、Ｅ^Ｂ－１１がＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂとして使用され、Ｐ^Ｂ－４が燐光材料Ｐ^Ｂとして使用され、Ｓ^Ｂ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。

【0674】

【表38】

【0675】

素子結果ＸＩＶから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ７６は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、ＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂ（ここで、例示的にＥ^Ｂ－１１）が欠けている素子Ｄ７５、燐光材料Ｐ^Ｂ（ここで、例示的にＰ^Ｂ－４）が欠けている素子Ｄ７４、Ｓ^Ｂ－１の代わりにエミッタ材料としてＰ^Ｂ－４を採用した素子Ｄ７３、及びＳ^Ｂ－１の代わりにエミッタ材料としてＥ^Ｂ－１１を採用した素子Ｄ７２に比べて優秀な総合的な性能を示す。素子Ｄ７６からＤ７９の性能を比較するとき、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ（ここで、例示的にＳ^Ｂ－１）の濃度を１％から０．５％に減少すれば、総合的な素子性能を向上させることができるという結論を出すことができる。

【0676】

素子Ｄ８０からＤ８５の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：

【表39】

表６の構成５が使用され、ここで、Ｈ^Ｂ－１５がホスト材料Ｈ^Ｂ（ｐ－ホストＨ^Ｐ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、Ｅ^Ｂ－１５がＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３が燐光材料Ｐ^Ｂとして使用され、Ｓ^Ｂ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。

【0677】

【表40】

【0678】

素子結果ＸＶから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ８４は、燐光材料Ｐ^Ｂ（ここで、例示的にＩｒ（ｐｐｙ）_３）が欠けている素子Ｄ８１と比べて優秀な総合的な性能を示す。また、本発明によるＤ８５は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ（ここで、Ｓ^Ｂ－１）が欠けている素子Ｄ８３、燐光材料Ｐ^Ｂ（ここで、Ｐ^Ｂ－４）が欠けている素子Ｄ８１、及びＳ^Ｂ－１の代わりにエミッタＥ^Ｂ－１５を使用するＤ８０に比べて優秀な総合的な性能を示す。

【0679】

素子Ｄ８６からＤ９０の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：

【表41】

表６の構成５が使用され、ここで、Ｈ^Ｂ－１５がホスト材料Ｈ^Ｂ（ｐ－ホストＨ^Ｐ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、Ｅ^Ｂ－１５がＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂとして使用され、Ｐ^Ｂ－２が燐光材料Ｐ^Ｂとして使用され、Ｓ^Ｂ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。

【0680】

【表42】

【0681】

素子結果ＸＶＩから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ８９及びＤ９０は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、燐光材料Ｐ^Ｂ（ここで、例示的にＰ^Ｂ－２）が欠けている素子Ｄ８７及びＤ８８、並びにＳ^Ｂ－１の代わりにエミッタ材料としてＥ^Ｂ－１５を採用した素子に比べて優秀な総合的な性能を示す。

【0682】

素子Ｄ９１からＤ９４の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：

【表43】

表６の構成５が使用され、ここで、Ｈ^Ｂ－１５がホスト材料Ｈ^Ｂ（ｐ－ホストＨ^Ｐ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、Ｅ^Ｂ－１６がＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３が燐光材料Ｐ^Ｂとして使用され、Ｓ^Ｂ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。

【0683】

【表44】

【0684】

素子結果ＸＶＩＩから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ９４は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ（ここで、Ｓ^Ｂ－１）が欠けている素子Ｄ９３、燐光材料Ｐ^Ｂ（ここで、例示的にＩｒ（ｐｐｙ）_３）が欠けている素子Ｄ９２、及びＳ^Ｂ－１の代わりにエミッタ材料としてＥ^Ｂ－１６を採用した素子Ｄ９１に比べて優秀な総合的な性能を示す。

【0685】

素子Ｄ９１からＤ９４の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：

【表45】

表６の構成５が使用され、ここで、Ｈ^Ｂ－１５がホスト材料Ｈ^Ｂ（ｐ－ホストＨ^Ｐ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、Ｅ^Ｂ－１７がＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３が燐光材料Ｐ^Ｂとして使用され、Ｓ^Ｂ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。

【0686】

【表46】

素子結果ＸＶＩＩＩから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ９７は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ（ここで、Ｓ^Ｂ－１）が欠けている素子Ｄ９６、及び燐光材料Ｐ^Ｂ（ここで、例示的にＩｒ（ｐｐｙ）_３）が欠けている素子Ｄ９５に比べて優秀な総合的な性能を示す。

【0687】

素子Ｄ９８からＤ１０１の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：

【表47】

表６の構成５が使用され、ここで、Ｈ^Ｂ－１５がホスト材料Ｈ^Ｂ（ｐ－ホストＨ^Ｐ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、Ｅ^Ｂ－１８がＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３が燐光材料Ｐ^Ｂとして使用され、Ｓ^Ｂ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。

【0688】

【表48】

【0689】

素子結果ＸＩＸから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ１０１は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ（ここで、Ｓ^Ｂ－１）が欠けている素子Ｄ１００、燐光材料Ｐ^Ｂ（ここで、例示的にＩｒ（ｐｐｙ）_３）が欠けている素子Ｄ９９、及びＳ^Ｂ－１の代わりにエミッタ材料としてＥ^Ｂ－１８を採用した素子Ｄ９１に比べて優秀な総合的な性能を示す。

【0690】

素子Ｄ１０２からＤ１０５の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：

【表49】

表６の構成５が使用され、ここで、Ｈ^Ｂ－１５がホスト材料Ｈ^Ｂ（ｐ－ホストＨ^Ｐ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、Ｅ^Ｂ－１９がＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３が燐光材料Ｐ^Ｂとして使用され、Ｓ^Ｂ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。

【0691】

【表50】

【0692】

素子結果ＸＸから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ１０４は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂ（ここで、Ｓ^Ｂ－１）が欠けている素子Ｄ１０３、及び燐光材料Ｐ^Ｂ（ここで、例示的にＩｒ（ｐｐｙ）_３）が欠けている素子Ｄ１０２に比べて優秀な総合的な性能を示す。

【0693】

素子Ｄ１０６からＤ１０８の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：

【表51】

表６の構成５が使用され、ここで、Ｈ^Ｂ－１５がホスト材料Ｈ^Ｂ（ｐ－ホストＨ^Ｐ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、Ｅ^Ｂ－２１がＴＡＤＦ材料Ｅ^Ｂとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３が燐光材料Ｐ^Ｂとして使用され、Ｓ^Ｂ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳ^Ｂとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。

【0694】

【表52】

【0695】

素子結果ＸＸＩから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ１０８は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、燐光材料Ｐ^Ｂ（ここで、例示的にＩｒ（ｐｐｙ）_３）が欠けている素子Ｄ１０７、及びＳ^Ｂ－１の代わりにエミッタ材料としてＥ^Ｂ－２１を採用した素子Ｄ１０６に比べて優秀な総合的な性能を示す。

【手続補正書】

【提出日】2023-05-22

【手続補正1】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０４３８

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0438】

【化158】