▶ 深▲セン▼市▲華▼星光▲電▼半▲導▼体▲顕▼示技▲術▼有限公司の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-10-18
(54)【発明の名称】基板及び表示パネル
(51)【国際特許分類】
H01L 21/336 20060101AFI20231011BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20231011BHJP
H01L 29/786 20060101ALI20231011BHJP
G02F 1/1368 20060101ALI20231011BHJP
G02F 1/1333 20060101ALI20231011BHJP
H10K 50/115 20230101ALI20231011BHJP
H05B 33/14 20060101ALI20231011BHJP
H10K 59/123 20230101ALI20231011BHJP
H10K 59/124 20230101ALI20231011BHJP
【ＦＩ】
H01L29/78 619A
G09F9/30 309
G09F9/30 365
G09F9/30 349C
H01L29/78 627A
H01L29/78 616T
H01L29/78 619B
G02F1/1368
G02F1/1333 505
H10K50/115
H05B33/14 Z
H10K59/123
H10K59/124
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2021555292
(86)(22)【出願日】2021-09-07
(85)【翻訳文提出日】2021-10-15
(86)【国際出願番号】 CN2021116863
(87)【国際公開番号】W WO2023019654
(87)【国際公開日】2023-02-23
(31)【優先権主張番号】202110936401.8
(32)【優先日】2021-08-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】519182202
【氏名又は名称】深▲セン▼市▲華▼星光▲電▼半▲導▼体▲顕▼示技▲術▼有限公司
(74)【代理人】
【識別番号】110002468
【氏名又は名称】弁理士法人後藤特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】檀 小芳
(72)【発明者】
【氏名】宋 志偉
【テーマコード（参考）】
2H190
2H192
3K107
5C094
5F110
【Ｆターム（参考）】
2H190HA03
2H190HB03
2H190HB06
2H190HD00
2H190LA04
2H192AA24
2H192BC31
2H192CB02
2H192CB05
2H192CB33
2H192CB34
2H192CB37
2H192EA15
2H192EA67
2H192EA74
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3K107AA07
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3K107CC23
3K107CC33
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5C094AA21
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5F110NN28
5F110NN34
5F110NN44
5F110NN46
5F110QQ19
(57)【要約】
本願の実施例に係る基板及び表示パネルにおいて、薄膜トランジスタは、ゲート、活性層及びソースドレイン金属層を含む。活性層は、ゲートと異なる層となるようにゲートと積層して設けられる。遮断層は、少なくとも活性層及びゲートを被覆し、水及び酸素を遮断する。平坦層は、遮断層を被覆し、ソースドレイン金属層は、平坦層に設けられる。ソースドレイン金属層は、それぞれ活性層に接続されたソース及びドレインを含む。
【選択図】図１
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ベースと、前記ベースに設けられた複数の薄膜トランジスタと、を含み、
前記薄膜トランジスタは、
前記ベースに設けられたゲートと、
前記ゲートと異なる層となるように前記ゲートと積層して前記ベースに設けられた活性層と、
少なくとも前記活性層及び前記ゲートを被覆し、水及び酸素を遮断する遮断層と、
前記遮断層を被覆する平坦層と、
それぞれ前記活性層に接続されたソース及びドレインを含むように前記平坦層に設けられたソースドレイン金属層と、を含む、
基板。
【請求項2】
前記ゲートが設けられるように前記活性層に設けられた第１絶縁層をさらに含み、前記活性層、前記第１絶縁層及び前記ゲートを積層することにより突出構造を形成し、前記遮断層は、前記突出構造の外面を被覆する、
請求項１に記載の基板。
【請求項3】
前記活性層は、第１頂面と、前記第１頂面の周縁に接続された第１側面とを含み、前記第１絶縁層は、第２頂面と、前記第２頂面の周縁に接続された第２側面とを含むように前記第１頂面の中間領域に設けられ、
前記ゲートは、第３頂面と、前記第３頂面の周縁に接続された第３側面とを含むように前記第２頂面に設けられ、
前記遮断層は、前記第１頂面の側辺領域、前記第１側面、前記第２側面、前記第３頂面及び前記第３側面を被覆する、
請求項２に記載の基板。
【請求項4】
前記活性層と積層して前記ベースに設けられた遮光層と、前記遮光層と前記活性層との間に設けられた緩衝層と、
前記ソースドレイン金属層に設けられた第２絶縁層と、をさらに含み、
前記ソースドレイン金属層は、それぞれ前記ソース及び前記遮光層に接続されたソース延長線をさらに含む、
請求項２に記載の基板。
【請求項5】
前記活性層が設けられるように前記ゲートに設けられた第１絶縁層をさらに含み、前記遮断層は、前記活性層の外面を被覆する、
請求項１に記載の基板。
【請求項6】
前記第１絶縁層には、前記ゲートの外周に周設され、前記遮断層で被覆された溝が設けられる、請求項５に記載の基板。
【請求項7】
前記遮断層の密度は、２．５ｇ／ｃｍ3以上である、請求項１に記載の基板。
【請求項8】
前記遮断層は、単層構造であり、その材料が金属酸化物を含む、請求項１に記載の基板。
【請求項9】
前記遮断層は、材料が金属酸化物を含む第１遮断層と、
材料がシリコン酸化物を含むように前記第１遮断層に設けられた第２遮断層と、を含む、
請求項１に記載の基板。
【請求項10】
基板と、積層して設けられた第１電極、発光層及び第２電極と、を含み、前記基板は、
ベースと、
前記ベースに設けられた複数の薄膜トランジスタと、を含み、
前記薄膜トランジスタは、
前記ベースに設けられたゲートと、
前記ゲートと異なる層となるように前記ゲートと積層して前記ベースに設けられた活性層と、
少なくとも前記活性層及び前記ゲートを被覆し、水及び酸素を遮断する遮断層と、
前記遮断層を被覆する平坦層と、
それぞれ前記活性層に接続されたソース及びドレインを含むように前記平坦層に設けられたソースドレイン金属層と、を含み、
前記第１電極は、前記ドレインに接続される、
表示パネル。
【請求項11】
前記基板は、前記ゲートが設けられるように前記活性層に設けられた第１絶縁層をさらに含み、前記活性層、前記第１絶縁層及び前記ゲートを積層することにより突出構造を形成し、前記遮断層は、前記突出構造の外面を被覆する、
請求項１０に記載の表示パネル。
【請求項12】
前記活性層は、第１頂面と、前記第１頂面の周縁に接続された第１側面とを含み、前記第１絶縁層は、第２頂面と、前記第２頂面の周縁に接続された第２側面とを含むように前記第１頂面の中間領域に設けられ、
前記ゲートは、第３頂面と、前記第３頂面の周縁に接続された第３側面とを含むように前記第２頂面に設けられ、
前記遮断層は、前記第１頂面の側辺領域、前記第１側面、前記第２側面、前記第３頂面及び前記第３側面を被覆する、
請求項１１に記載の表示パネル。
【請求項13】
前記基板は、前記活性層と積層して前記ベースに設けられた遮光層と、
前記遮光層と前記活性層との間に設けられた緩衝層と、
前記ソースドレイン金属層に設けられた第２絶縁層と、をさらに含み、
前記ソースドレイン金属層は、それぞれ前記ソース及び前記遮光層に接続されたソース延長線をさらに含む、
請求項１１に記載の表示パネル。
【請求項14】
前記基板は、前記活性層が設けられるように前記ゲートに設けられた第１絶縁層をさらに含み、前記遮断層は、前記活性層の外面を被覆する、
請求項１０に記載の表示パネル。
【請求項15】
前記第１絶縁層には、前記ゲートの外周に周設され、前記遮断層で被覆された溝が設けられる、請求項１４に記載の表示パネル。
【請求項16】
前記遮断層の密度は、２．５ｇ／ｃｍ3以上である、請求項１０に記載の表示パネル。
【請求項17】
前記遮断層は、単層構造であり、その材料が金属酸化物を含む、請求項１０に記載の表示パネル。
【請求項18】
前記遮断層は、材料が金属酸化物を含む第１遮断層と、
材料がシリコン酸化物を含むように前記第１遮断層に設けられた第２遮断層と、を含む、
請求項１０に記載の表示パネル。
【請求項19】
アレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に設けられた液晶とを含み、前記アレイ基板は、基板を含み、
前記基板は、
ベースと、
前記ベースに設けられた複数の薄膜トランジスタと、を含み、
前記薄膜トランジスタは、
前記ベースに設けられたゲートと、
前記ゲートと異なる層となるように前記ゲートと積層して前記ベースに設けられた活性層と、
少なくとも前記活性層及び前記ゲートを被覆し、水及び酸素を遮断する遮断層と、
前記遮断層を被覆する平坦層と、
それぞれ前記活性層に接続されたソース及びドレインを含むように前記平坦層に設けられたソースドレイン金属層と、を含む、
表示パネル。
【請求項20】
前記基板は、前記ゲートが設けられるように前記活性層に設けられた第１絶縁層をさらに含み、前記活性層、前記第１絶縁層及び前記ゲートを積層することにより突出構造を形成し、前記遮断層は、前記突出構造の外面を被覆する、
請求項１９に記載の表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願は、表示の技術分野に関し、特に、基板及び表示パネルに関する。
【背景技術】
【0002】
従来の液晶パネルに比べて、アクティブマトリクス有機発光ダイオードパネルは、応答速度が速く、コントラストが高く、視野角が広く、エネルギー消費が低いなどの特徴を有するため、広く人気を集めており、液晶表示パネルを徐々に置き換えて次世代主流の表示パネルとなっている。
【0003】
従来の技術を研究して実践する過程において、本願の発明者は、液晶パネルでも有機発光ダイオードパネルでも、活性層が外部から侵入する水素、水及び酸素などの要因の影響を受けやすいため、薄膜トランジスタの電気的なオフセットが引き起こされ、最終的にパネルの信頼性の表現が低下するという問題があることを発見した。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本願の実施例は、水素、水及び酸素が活性層に侵入するリスクを低減するための基板及び表示パネルを提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本願の実施例に係る基板は、
ベースと、
前記ベースに設けられた複数の薄膜トランジスタと、を含み、
前記薄膜トランジスタは、
前記ベースに設けられたゲートと、
前記ゲートと異なる層となるように前記ゲートと積層して前記ベースに設けられた活性層と、
少なくとも前記活性層及び前記ゲートを被覆し、水及び酸素を遮断する遮断層と、
前記遮断層を被覆する平坦層と、
それぞれ前記活性層に接続されたソース及びドレインを含むように前記平坦層に設けられたソースドレイン金属層と、を含む。
ベースと、
前記ベースに設けられた複数の薄膜トランジスタと、を含み、
前記薄膜トランジスタは、
前記ベースに設けられたゲートと、
前記ゲートと異なる層となるように前記ゲートと積層して前記ベースに設けられた活性層と、
少なくとも前記活性層及び前記ゲートを被覆し、水及び酸素を遮断する遮断層と、
前記遮断層を被覆する平坦層と、
それぞれ前記活性層に接続されたソース及びドレインを含むように前記平坦層に設けられたソースドレイン金属層と、を含む。
【0006】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記基板は、前記ゲートが設けられるように前記活性層に設けられた第１絶縁層をさらに含み、
前記活性層、前記第１絶縁層及び前記ゲートを積層することにより突出構造を形成し、前記遮断層は、前記突出構造の外面を被覆する。
前記活性層、前記第１絶縁層及び前記ゲートを積層することにより突出構造を形成し、前記遮断層は、前記突出構造の外面を被覆する。
【0007】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記活性層は、第１頂面と、前記第１頂面の周縁に接続された第１側面とを含み、
前記第１絶縁層は、第２頂面と、前記第２頂面の周縁に接続された第２側面とを含むように前記第１頂面の中間領域に設けられ、
前記ゲートは、第３頂面と、前記第３頂面の周縁に接続された第３側面とを含むように前記第２頂面に設けられ、
前記遮断層は、前記第１頂面の側辺領域、前記第１側面、前記第２側面、前記第３頂面及び前記第３側面を被覆する。
前記第１絶縁層は、第２頂面と、前記第２頂面の周縁に接続された第２側面とを含むように前記第１頂面の中間領域に設けられ、
前記ゲートは、第３頂面と、前記第３頂面の周縁に接続された第３側面とを含むように前記第２頂面に設けられ、
前記遮断層は、前記第１頂面の側辺領域、前記第１側面、前記第２側面、前記第３頂面及び前記第３側面を被覆する。
【0008】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記基板は、
前記活性層と積層して前記ベースに設けられた遮光層と、
前記遮光層と前記活性層との間に設けられた緩衝層と、
前記ソースドレイン金属層に設けられた第２絶縁層と、をさらに含み、
前記ソースドレイン金属層は、それぞれ前記ソース及び前記遮光層に接続されたソース延長線をさらに含む。
前記活性層と積層して前記ベースに設けられた遮光層と、
前記遮光層と前記活性層との間に設けられた緩衝層と、
前記ソースドレイン金属層に設けられた第２絶縁層と、をさらに含み、
前記ソースドレイン金属層は、それぞれ前記ソース及び前記遮光層に接続されたソース延長線をさらに含む。
【0009】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記基板は、前記活性層が設けられるように前記ゲートに設けられた第１絶縁層をさらに含み、
前記遮断層は、前記活性層の外面を被覆する。
前記遮断層は、前記活性層の外面を被覆する。
【0010】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記第１絶縁層には、前記ゲートの外周に周設され、前記遮断層で被覆された溝が設けられる。
【0011】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記遮断層の密度は、２．５ｇ／ｃｍ3以上である。
【0012】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記遮断層は、単層構造であり、その材料が金属酸化物を含む。
【0013】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記遮断層は、
材料が金属酸化物を含む第１遮断層と、
材料がシリコン酸化物を含むように前記第１遮断層に設けられた第２遮断層と、を含む。
材料が金属酸化物を含む第１遮断層と、
材料がシリコン酸化物を含むように前記第１遮断層に設けられた第２遮断層と、を含む。
【0014】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記活性層は、多結晶シリコン、単結晶シリコン及び金属酸化物のうちの１種を含む。
【0015】
また、本願の実施例に係る表示パネルは、上記実施例に記載の基板と、積層して設けられた第１電極、発光層及び第２電極と、を含み、
前記基板は、
ベースと、
前記ベースに設けられた複数の薄膜トランジスタと、を含み、
前記薄膜トランジスタは、
前記ベースに設けられたゲートと、
前記ゲートと異なる層となるように前記ゲートと積層して前記ベースに設けられた活性層と、
少なくとも前記活性層及び前記ゲートを被覆し、水及び酸素を遮断する遮断層と、
前記遮断層を被覆する平坦層と、
それぞれ前記活性層に接続されたソース及びドレインを含むように前記平坦層に設けられたソースドレイン金属層と、を含み、
前記第１電極は、前記ドレインに接続される。
前記基板は、
ベースと、
前記ベースに設けられた複数の薄膜トランジスタと、を含み、
前記薄膜トランジスタは、
前記ベースに設けられたゲートと、
前記ゲートと異なる層となるように前記ゲートと積層して前記ベースに設けられた活性層と、
少なくとも前記活性層及び前記ゲートを被覆し、水及び酸素を遮断する遮断層と、
前記遮断層を被覆する平坦層と、
それぞれ前記活性層に接続されたソース及びドレインを含むように前記平坦層に設けられたソースドレイン金属層と、を含み、
前記第１電極は、前記ドレインに接続される。
【0016】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記基板は、前記ゲートが設けられるように前記活性層に設けられた第１絶縁層をさらに含み、
前記活性層、前記第１絶縁層及び前記ゲートを積層することにより突出構造を形成し、前記遮断層は、前記突出構造の外面を被覆する。
前記活性層、前記第１絶縁層及び前記ゲートを積層することにより突出構造を形成し、前記遮断層は、前記突出構造の外面を被覆する。
【0017】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記活性層は、第１頂面と、前記第１頂面の周縁に接続された第１側面とを含み、
前記第１絶縁層は、第２頂面と、前記第２頂面の周縁に接続された第２側面とを含むように前記第１頂面の中間領域に設けられ、
前記ゲートは、第３頂面と、前記第３頂面の周縁に接続された第３側面を含むように前記第２頂面に設けられ、
前記遮断層は、前記第１頂面の側辺領域、前記第１側面、前記第２側面、前記第３頂面及び前記第３側面を被覆する。
前記第１絶縁層は、第２頂面と、前記第２頂面の周縁に接続された第２側面とを含むように前記第１頂面の中間領域に設けられ、
前記ゲートは、第３頂面と、前記第３頂面の周縁に接続された第３側面を含むように前記第２頂面に設けられ、
前記遮断層は、前記第１頂面の側辺領域、前記第１側面、前記第２側面、前記第３頂面及び前記第３側面を被覆する。
【0018】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記基板は、
前記活性層と積層して前記ベースに設けられた遮光層と、
前記遮光層と前記活性層との間に設けられた緩衝層と、
前記ソースドレイン金属層に設けられた第２絶縁層と、をさらに含み、
前記ソースドレイン金属層は、それぞれ前記ソース及び前記遮光層に接続されたソース延長線をさらに含む。
前記活性層と積層して前記ベースに設けられた遮光層と、
前記遮光層と前記活性層との間に設けられた緩衝層と、
前記ソースドレイン金属層に設けられた第２絶縁層と、をさらに含み、
前記ソースドレイン金属層は、それぞれ前記ソース及び前記遮光層に接続されたソース延長線をさらに含む。
【0019】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記基板は、前記活性層が設けられるように前記ゲートに設けられた第１絶縁層をさらに含み、
前記遮断層は、前記活性層の外面を被覆する。
前記遮断層は、前記活性層の外面を被覆する。
【0020】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記第１絶縁層には、前記ゲートの外周に周設され、前記遮断層で被覆された溝が設けられる。
【0021】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記遮断層の密度は、２．５ｇ／ｃｍ3以上である。
【0022】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記遮断層は、単層構造であり、その材料が金属酸化物を含む。
【0023】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記遮断層は、
材料が金属酸化物を含む第１遮断層と、
材料がシリコン酸化物を含むように前記第１遮断層に設けられた第２遮断層と、を含む。
材料が金属酸化物を含む第１遮断層と、
材料がシリコン酸化物を含むように前記第１遮断層に設けられた第２遮断層と、を含む。
【0024】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記活性層は、多結晶シリコン、単結晶シリコン及び金属酸化物のうちの１種を含む。
【0025】
また、本願の実施例に係る別の表示パネルは、アレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に設けられた液晶とを含み、
前記アレイ基板は、上記実施例に記載の基板を含み、
前記基板は、
ベースと、
前記ベースに設けられた複数の薄膜トランジスタと、を含み、
前記薄膜トランジスタは、
前記ベースに設けられたゲートと、
前記ゲートと異なる層となるように前記ゲートと積層して前記ベースに設けられた活性層と、
少なくとも前記活性層及び前記ゲートを被覆し、水及び酸素を遮断する遮断層と、
前記遮断層を被覆する平坦層と、
それぞれ前記活性層に接続されたソース及びドレインを含むように前記平坦層に設けられたソースドレイン金属層と、を含む。
前記アレイ基板は、上記実施例に記載の基板を含み、
前記基板は、
ベースと、
前記ベースに設けられた複数の薄膜トランジスタと、を含み、
前記薄膜トランジスタは、
前記ベースに設けられたゲートと、
前記ゲートと異なる層となるように前記ゲートと積層して前記ベースに設けられた活性層と、
少なくとも前記活性層及び前記ゲートを被覆し、水及び酸素を遮断する遮断層と、
前記遮断層を被覆する平坦層と、
それぞれ前記活性層に接続されたソース及びドレインを含むように前記平坦層に設けられたソースドレイン金属層と、を含む。
【0026】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記基板は、前記ゲートが設けられるように前記活性層に設けられた第１絶縁層をさらに含み、
前記活性層、前記第１絶縁層及び前記ゲートを積層することにより突出構造を形成し、前記遮断層は、前記突出構造の外面を被覆する。
前記活性層、前記第１絶縁層及び前記ゲートを積層することにより突出構造を形成し、前記遮断層は、前記突出構造の外面を被覆する。
【0027】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記活性層は、第１頂面と、前記第１頂面の周縁に接続された第１側面とを含み、
前記第１絶縁層は、第２頂面と、前記第２頂面の周縁に接続された第２側面とを含むように前記第１頂面の中間領域に設けられ、
前記ゲートは、第３頂面と、前記第３頂面の周縁に接続された第３側面を含むように前記第２頂面に設けられ、
前記遮断層は、前記第１頂面の側辺領域、前記第１側面、前記第２側面、前記第３頂面及び前記第３側面を被覆する。
前記第１絶縁層は、第２頂面と、前記第２頂面の周縁に接続された第２側面とを含むように前記第１頂面の中間領域に設けられ、
前記ゲートは、第３頂面と、前記第３頂面の周縁に接続された第３側面を含むように前記第２頂面に設けられ、
前記遮断層は、前記第１頂面の側辺領域、前記第１側面、前記第２側面、前記第３頂面及び前記第３側面を被覆する。
【0028】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記基板は、
前記活性層と積層して前記ベースに設けられた遮光層と、
前記遮光層と前記活性層との間に設けられた緩衝層と、
前記ソースドレイン金属層に設けられた第２絶縁層とをさらに含み、
前記ソースドレイン金属層は、それぞれ前記ソース及び前記遮光層に接続されたソース延長線をさらに含む。
前記活性層と積層して前記ベースに設けられた遮光層と、
前記遮光層と前記活性層との間に設けられた緩衝層と、
前記ソースドレイン金属層に設けられた第２絶縁層とをさらに含み、
前記ソースドレイン金属層は、それぞれ前記ソース及び前記遮光層に接続されたソース延長線をさらに含む。
【0029】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記基板は、前記活性層が設けられるように前記ゲートに設けられた第１絶縁層をさらに含み、
前記遮断層は、前記活性層の外面を被覆する。
前記遮断層は、前記活性層の外面を被覆する。
【0030】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記第１絶縁層には、前記ゲートの外周に周設され、前記遮断層で被覆された溝が設けられる。
【0031】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記遮断層の密度は、２．５ｇ／ｃｍ3以上である。
【0032】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記遮断層は、単層構造であり、その材料が金属酸化物を含む。
【0033】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記遮断層は、
材料が金属酸化物を含む第１遮断層と、
材料がシリコン酸化物を含むように前記第１遮断層に設けられた第２遮断層と、を含む。
材料が金属酸化物を含む第１遮断層と、
材料がシリコン酸化物を含むように前記第１遮断層に設けられた第２遮断層と、を含む。
【0034】
好ましくは、本願のいくつかの実施例では、前記活性層は、多結晶シリコン、単結晶シリコン及び金属酸化物のうちの１種を含む。
【発明の効果】
【0035】
本願の実施例に係る基板及び表示パネルにおいて、薄膜トランジスタは、ゲート、活性層及びソースドレイン金属層を含み、活性層は、ゲートと異なる層となるようにゲートと積層して設けられ、遮断層は、少なくとも活性層及びゲートを被覆し、水及び酸素を遮断し、平坦層は、遮断層を被覆し、ソースドレイン金属層は、それぞれ活性層に接続されたソース及びドレインを含むように平坦層に設けられる。本願の実施例では、遮断層で少なくとも薄膜トランジスタのゲート及び活性層を被覆することにより、外部の水素、酸素及び水蒸気などがゲート及び活性層に侵入することを遮断し、そして平坦層で活性層とゲートの積層構造を平坦化することにより、ソースドレイン金属層及びその上の膜層が複雑な地形に影響されるリスクを低減する。
【図面の簡単な説明】
【0036】
本願の実施例の技術手段をより明確に説明するために、以下、実施例の説明に必要な図面を簡単に説明し、明らかに、以下に説明される図面は、本願のいくつかの実施例に過ぎず、当業者であれば、創造的な労働をしない前提で、これらの図面に基づいて他の図面を得ることができる。
【0037】
【図1】本願に係る基板の第１実施例の概略構成図である。
【図2】本願に係る基板の第１実施例の突出構造の概略構成図である。
【図3】本願に係る基板の第１実施例の遮断層の別の概略構成図である。
【図4】本願に係る基板の第２実施例の概略構成図である。
【図5】本願に係る基板の第３実施例の概略構成図である。
【図6】本願に係る表示パネルの第１実施例の概略構成図である。
【図7】本願に係る表示パネルの第２実施例の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【0038】
以下、本願の実施例における図面を参照しながら、本願の実施例における技術手段を明確かつ完全的に説明し、明らかに、説明される実施例は、本願の実施例の一部に過ぎず、全てではない。本願の実施例に基づいて、当業者が創造的な労働をしない前提で得られる他の全ての実施例は、いずれも本願の保護範囲に属するものである。また、ここで説明する具体的な実施形態は、本願を説明して解釈するためのものに過ぎず、本願を限定するものではないことを理解されたい。本願において、逆に説明しない場合、使用される「上」、「下」などの方位詞は、一般的には、装置の実際使用又は動作状態での上と下を意味し、具体的には図面における図の方向であり、「内」及び「外」は、装置の輪郭に関するものである。
【0039】
本願の実施例は、基板及び表示パネルを提供し、また、薄膜トランジスタのソース及びドレインは、互いに交換可能である。本願の実施例では、薄膜トランジスタのゲート以外の両極を区別するために、そのうちの１つの極をソースと呼び、もう１つの極をドレインと呼ぶ。以下、詳細に説明する。説明すべきものとして、以下の実施例の説明順序は、実施例の好ましい順序を限定するものではない。
【0040】
図１は、本願に係る基板の第１実施例の概略構成図である。本願の実施例に係る基板１００は、ベース１１及び複数の薄膜トランジスタＴＦＴを含む。複数の薄膜トランジスタＴＦＴは、ベース１１に設けられる。
【0041】
薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート１２、活性層１３、遮断層１４、平坦層１５、ソースドレイン金属層１６を含む。
【0042】
ゲート１２は、ベース１１に設けられる。活性層１３は、ゲート１２と異なる層となるようにベース１１に設けられる。活性層１３は、ゲート１２と積層して設けられる。
【0043】
遮断層１４は、少なくとも活性層１３及びゲート１２を被覆する。遮断層１４は、水及び酸素を遮断する。平坦層１５は、遮断層１４を被覆する。ソースドレイン金属層１６は、ソース１６１及びドレイン１６２を含むように平坦層１５に設けられる。ソース１６１及びドレイン１６２は、それぞれ活性層１３に接続される。
【0044】
本願の実施例に係る基板１００は、遮断層１４で少なくとも薄膜トランジスタＴＦＴのゲート１２及び活性層１３を被覆することにより、外部の水素、酸素及び水蒸気などがゲート１２及び活性層１３に侵入することを遮断し、そして平坦層１５で活性層１３とゲート１２の積層構造を平坦化することにより、ソースドレイン金属層１６及びその上の膜層が複雑な地形に影響されるリスクを低減することにより、パネルの発光効率を向上させる。
【0045】
好ましくは、ベース１１は、リジッド基板であってもよく、フレキシブルベースであってもよい。ベース１１の材質は、ガラス、サファイア、シリコン、シリカ、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ乳酸、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリウレタンうちの１種を含む。
【0046】
好ましくは、活性層１３の材料は、多結晶シリコン、単結晶シリコン及び金属酸化物のうちの１種を含む。例えば、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、亜鉛酸化物、インジウムスズ酸化物、インジウムスズ亜鉛酸化物などであってもよい。
【0047】
好ましくは、平坦層１５の材料は、例えば透明フォトレジスト、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレンなどの有機透明膜層であってもよい。
【0048】
好ましくは、この第１実施例では、基板１００は、第１絶縁層１７をさらに含む。第１絶縁層１７は、活性層１３に設けられる。ゲート１２は、第１絶縁層１７に設けられる。
【0049】
活性層１３、第１絶縁層１７及びゲート１２を積層することにより、突出構造ＴＣが形成される。遮断層１４は、突出構造ＴＣの外面を被覆する。
【0050】
この第１実施例では、遮断層１４で突出構造ＴＣの外面全体を被覆することで、薄膜トランジスタＴＦＴの水及び酸素を防止する性能をさらに向上させる。
【0051】
【0052】
第１絶縁層１７は、第１頂面１３ａの中間領域に設けられる。第１絶縁層１７は、第２頂面１７ａと、第２頂面１７ａの周縁に接続された第２側面１７ｂとを含む。
【0053】
ゲート１２は、第２頂面１７ａに設けられる。ゲート１２は、第３頂面１２ａと、第３頂面１２ａの周縁に接続された第３側面１２ｂとを含む。
【0054】
遮断層１４は、第１頂面１３ａの側辺領域、第１側面１３ｂ、第２側面１７ｂ、第３頂面１２ａ及び第３側面１２ｂを被覆する。
【0055】
好ましくは、第１絶縁層１７の材料は、シリコン酸化物、シリコン窒化物又はシリコン窒酸化物であってもよい。
【0056】
好ましくは、基板１００は、遮光層１８、緩衝層１９及び第２絶縁層１１０をさらに含む。遮光層１８は、ベース１１に設けられる。遮光層１８は、活性層１３と積層して設けられる。緩衝層１９は、遮光層１８と活性層１３との間に設けられる。第２絶縁層１１０は、ソースドレイン金属層１６に設けられる。
【0057】
ソースドレイン金属層１６は、ソース延長線１６３をさらに含む。ソース延長線１６３は、それぞれソース１６１及び遮光層１８に接続される。
【0058】
ここで、ソース延長線１６３と遮光層１８との間に遮断層１４及び平坦層１５が設けられるため、両者の間の間隔が大きくなり、さらに両者の間の浮遊容量が低減する。すなわち、遮断層１４と平坦層１５とを積層して設けることにより、薄膜トランジスタＴＦＴの水及び酸素を防止する性能を向上させ、前端プロセスで形成された複雑な地形を平坦化するだけでなく、遮光層１８とソース延長線１６３との間の浮遊容量を低減する。
【0059】
好ましくは、遮光層１８は、モリブデンチタン積層構造又はモリブデン銅積層構造であってもよい。緩衝層１９の材料は、シリコン窒化物又はシリコン酸化物であってもよく、シリコン窒化物膜層とシリコン酸化物膜層の積層構造であってもよい。
【0060】
好ましくは、第２絶縁層１１０は、不動態化層、例えば、シリコン酸化物などであってもよい。
【0061】
好ましくは、遮断層１４の密度は、２．５ｇ／ｃｍ3以上である。このような設定により、水及び酸素を効果的に遮断する効果を奏する。遮断層１４の密度は、２．５ｇ／ｃｍ3、３ｇ／ｃｍ3、３．５ｇ／ｃｍ3、５ｇ／ｃｍ3などであってもよい。
【0062】
好ましくは、遮断層１４の厚さは、３００オングストローム～５００オングストロームの間にあり、例えば、３００オングストローム、４００オングストローム及び５００オングストロームであってもよい。遮断層１４の厚さを３００オングストローム以上にすることにより、遮断層１４が水及び酸素を効果的に遮断する効果を達成し、遮断層１４の厚さが５００オングストローム以下であることにより、遮断層１４が厚すぎることを回避し、薄膜トランジスタ領域のジオポテンシャル高さを増加させる。
【0063】
好ましくは、遮断層１４は単層構造である。遮断層１４の材料は、金属酸化物を含む。例えば、遮断層１４の材料は、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化ニッケル又は酸化スズなどの金属酸化物であってもよい。
【0064】
遮断層１４は、金属酸化物から形成された緻密な酸化膜である。例えば、金属酸化物をターゲット材として用いて、スパッタリングによりベース１１に緻密な酸化膜を形成することができる。
【0065】
好ましくは、遮断層１４の材料が酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）である場合、酸素とアルミニウムの配合比率は１．５：１である。遮断層１４の材料が酸化アルミニウム（ＺｎＯ）である場合、酸素と亜鉛の配合比率は１：１である。遮断層１４の材料が酸化アルミニウム（ＭｇＯ）である場合、酸素とマグネシウムの配合比率は１：１である。
【0066】
好ましくは、いくつかの実施例では、図３に示すように、遮断層１４は、第１遮断層１４１と、第１遮断層１４１に設けられた第２遮断層１４２とを含む。第１遮断層１４１の材料は金属酸化物を含む。第２遮断層１４２の材料はシリコン酸化物を含む。
【0067】
第１遮断層１４１及び第２遮断層１４２を積層することにより、薄膜トランジスタＴＦＴの防水性能をさらに向上させることができる。
【0068】
好ましくは、第１遮断層１４１と第２遮断層１４２は、交互に設けられてよい。
【0069】
第１遮断層１４１は、金属酸化物から形成された緻密な酸化膜である。例えば、金属酸化物をターゲット材として用いて、スパッタリングによりベース１１に緻密な酸化膜を形成することができる。金属酸化物は、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化ニッケル又は酸化スズなどの金属酸化物であってもよい。
【0070】
図４に示すように、本実施例に係る基板２００は、ベース１１及び複数の薄膜トランジスタＴＦＴを含む。複数の薄膜トランジスタＴＦＴは、ベース１１に設けられる。
【0071】
薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート１２、活性層１３、遮断層１４、平坦層１５、ソースドレイン金属層１６を含む。ゲート１２はベース１１に設けられる。活性層１３は、ゲート１２と異なる層となるようにベース１１に設けられる。活性層１３は、ゲート１２と積層して設けられる。遮断層１４は、少なくとも活性層１３及びゲート１２を被覆する。遮断層１４は、水及び酸素を遮断する。平坦層１５は遮断層１４を被覆する。ソースドレイン金属層１６は、ソース１６１及びドレイン１６２を含むように平坦層１５に設けられる。ソース１６１及びドレイン１６２は、それぞれ活性層１３に接続される。
【0072】
本実施例の基板２００は、以下の点において上記実施例の基板１００と異なる。基板２００は、第１絶縁層１７をさらに含む。第１絶縁層１７は、ゲート１２に設けられる。活性層１３は、第１絶縁層１７に設けられる。第２絶縁層１１０は、ソースドレイン金属層１６及び平坦層１５を被覆する。
【0073】
遮断層１４は、活性層１３の外面を被覆する。
【0074】
具体的には、遮断層１４は、活性層１３の頂面及び上記頂面に接続された側面を被覆する。
【0075】
本実施例の基板２００は、遮断層１４で活性層１３を被覆し、そして平坦層１５でゲート１２、第１絶縁層１７及び活性層１３の積層構造を平坦化することにより、パネルの発光効率を向上させる。
【0076】
図５に示すように、本実施例の基板３００は、以下の点において上記実施例の基板２００と異なる。第１絶縁層１７には、溝１７１が設けられる。溝１７１はゲート１２の外周に周設され、遮断層１４は溝１７１を被覆する。
【0077】
平坦層１５は、ゲート１２、第１絶縁層１７及び活性層１３の積層構造を被覆することにより、積層構造の突出部分を平坦化し、溝１７１を被覆することにより、溝１７１の凹み部分を平坦化することで、後続の膜層に平坦なベース面を提供し、さらにパネルの発光効率を向上させる。
【0078】
本実施例の基板３００は、上記実施例の基板２００を基に、ゲート１２の外周に周設された溝１７１が設けられ、そして遮断層１４を溝１７１に延伸させることにより、遮断層１４が活性層１３及びゲート１２を被覆し、薄膜トランジスタＴＦＴの水及び酸素を防止する性能を向上させる。
【0079】
また、図６に示すように、また本願の実施例に係る表示パネル１０００は、上記実施例に記載の基板（１００／２００／３００）を含む。表示パネル１０００は、積層して設けられた第１電極Ｐ１、発光層ＥＬ及び第２電極Ｐ２をさらに含む。第１電極Ｐ１は、ドレイン１６２に接続される。
【0080】
本実施例の表示パネル１０００は、実施例の基板１００を例として概略的に示されるが、これに限定されない。
【0081】
第１電極Ｐ１は陽極であり、第２電極Ｐ２は陰極である。いくつかの実施例では、第１電極Ｐ１は陰極であってよく、第２電極Ｐ２は陽極であってもよい。
【0082】
好ましくは、発光層ＥＬの材料は、有機材料、例えば、Ａｌｑ３、ビス（２－メチル－８－キノリノラト－Ｎ１，Ｏ８）－（１，１'－ビフェニル－４－ヒドロキシ）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、ＤＰＶＢｉ、Ａｌｍｑ３、３－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）であってもよい。
【0083】
発光層ＥＬの材料は、無機材料、例えば、ＩＶ族半導体ナノ結晶、ＩＩ－Ｖ族半導体ナノ結晶、ＩＩ－ＶＩ族半導体ナノ結晶、ＩＶ－ＶＩ族半導体ナノ結晶、ＩＩＩ－Ｖ族半導体ナノ結晶及びＩＩＩ－ＶＩ族半導体ナノ結晶などから選択される１種以上であってもよい。例として、シリコン量子ドット、ゲルマニウム量子ドット、硫化カドミウム量子ドット、セレン化カドミウム量子ドット、テルル化カドミウム量子ドット、セレン化亜鉛量子ドット、硫化鉛量子ドット、セレン化鉛量子ドット、リン化インジウム量子ドット、ヒ化インジウム量子ドット及び窒化ガリウム量子ドットなどのうちの１種以上であってもよい。
【0084】
本願の実施例の表示パネル１０００には、薄膜トランジスタＴＦＴはゲート１２、活性層１３及びソースドレイン金属層１６を含む。活性層１３とゲート１２とは、異なる層に設けられ、積層して設けられ、遮断層１４は、少なくとも活性層１３及びゲート１２を被覆し、水及び酸素を遮断する。平坦層１５は遮断層１４を被覆し、ソースドレイン金属層１６は平坦層１５に設けられる。ソースドレイン金属層１６は、それぞれ活性層１３に接続されたソース１６１及びドレイン１６２を含む。
【0085】
本願の実施例に係る表示パネル１０００は、遮断層１４で少なくとも薄膜トランジスタＴＦＴのゲート１２及び活性層１３を被覆することにより、外部の水素、酸素及び水蒸気などがゲート１２及び活性層１３に侵入することを遮断し、そして平坦層１５で活性層１３とゲート１２の積層構造を平坦化することにより、ソースドレイン金属層１６及びその上の膜層が複雑な地形に影響されるリスクを低減し、さらに表示パネル１０００の発光効率を向上させる。
【0086】
また、図７に示すように、また、本願の実施例に係る別の表示パネル２０００は、アレイ基板ＡＲ、対向基板ＣＦ、及びアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＦとの間に設けられた液晶ＬＣを含む。アレイ基板ＡＲは、上記実施例に記載の基板（１００／２００／３００）を含む。
【0087】
本実施例の表示パネル２０００は、上記実施例の基板１００をアレイ基板ＡＲの一部とする例として概略的に示されるが、これに限定されない。
【0088】
本願の実施例の表示パネル２０００には、薄膜トランジスタＴＦＴはゲート１２、活性層１３及びソースドレイン金属層１６を含む。活性層１３とゲート１２とは、異なる層に設けられ、積層して設けられ、遮断層１４は、少なくとも活性層１３及びゲート１２を被覆し、水及び酸素を遮断する。平坦層１５は遮断層１４を被覆し、ソースドレイン金属層１６は平坦層１５に設けられる。ソースドレイン金属層１６は、それぞれ活性層１３に接続されたソース１６１及びドレイン１６２を含む。
【0089】
本願の実施例に係る表示パネル１０００は、遮断層１４で少なくとも薄膜トランジスタＴＦＴのゲート１２及び活性層１３を被覆することにより、外部の水素、酸素及び水蒸気などがゲート１２及び活性層１３に侵入することを遮断し、そして平坦層１５で活性層１３とゲート１２の積層構造を平坦化することにより、ソースドレイン金属層１６及びその上の膜層が複雑な地形に影響されるリスクを低減し、さらに表示パネル１０００の発光効率を向上させる。
【0090】
以上、本願の実施例に係る基板及び表示パネルについて詳細に説明し、本明細書において具体例を用いて本願の原理及び実施形態を説明したが、以上の実施例の説明は、本願の方法及びその核心思想を容易に理解するためのものに過ぎず、なお、当業者であれば、本願の思想に照らし、具体的な実施形態及び適用範囲を変更することが可能であり、要するに、本明細書の内容は本願を限定するものと理解すべきではない。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【国際調査報告】