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特表2023-545054有機エレクトロルミネッセンスデバイス及び表示装置

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2023-10-26

(54)【発明の名称】有機エレクトロルミネッセンスデバイス及び表示装置

(51)【国際特許分類】

H10K 85/60 20230101AFI20231019BHJP

H10K 50/12 20230101ALI20231019BHJP

H10K 50/15 20230101ALI20231019BHJP

H10K 50/16 20230101ALI20231019BHJP

H10K 50/17 20230101ALI20231019BHJP

H10K 50/18 20230101ALI20231019BHJP

C09K 11/06 20060101ALI20231019BHJP

H10K 101/20 20230101ALN20231019BHJP

【ＦＩ】

H10K85/60

H10K50/12

H10K50/15

H10K50/16

H10K50/17

H10K50/18

C09K11/06 660

C09K11/06 690

H10K101:20

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023521167

(86)(22)【出願日】2021-08-30

(85)【翻訳文提出日】2023-04-05

(86)【国際出願番号】 CN2021115212

(87)【国際公開番号】W WO2022127191

(87)【国際公開日】2022-06-23

(31)【優先権主張番号】202011480750.5

(32)【優先日】2020-12-15

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】515179325

【氏名又は名称】昆山国顕光電有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＫＵＮＳＨＡＮＧＯ－ＶＩＳＩＯＮＯＸＯＰＴＯ－ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｂｕｉｌｄｉｎｇ４，Ｎｏ．１，ＬｏｎｇｔｅｎｇＲｏａｄ，ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔＺｏｎｅＫｕｎｓｈａｎ，Ｊｉａｎｇｓｕ，Ｐｅｏｐｌｅ’ｓＲｅｐｕｂｌｉｃｏｆＣｈｉｎａ

(74)【代理人】

【識別番号】100112656

【弁理士】

【氏名又は名称】宮田英毅

(74)【代理人】

【識別番号】100089118

【弁理士】

【氏名又は名称】酒井宏明

(72)【発明者】

【氏名】李国孟

(72)【発明者】

【氏名】張躍威

(72)【発明者】

【氏名】李夢真

(72)【発明者】

【氏名】姚純亮

(72)【発明者】

【氏名】劉彬

(72)【発明者】

【氏名】許瑾

【テーマコード（参考）】

3K107

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC04

3K107CC12

3K107CC21

3K107DD53

3K107DD59

3K107DD66

3K107DD68

3K107DD72

3K107DD75

3K107FF14

(57)【要約】

【要約】
【課題】有機エレクトロルミネッセンスデバイス及び表示装置を提供する。
【手段】有機エレクトロルミネッセンスデバイスは第１の電極、第２の電極及び第１の電極と第２の電極との間に位置する有機層を含み、有機層は発光層を含み、発光層はホスト材料、熱活性化遅延蛍光増感剤及び蛍光染料を含み、蛍光染料は式（１）で示される化合物から選択される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の電極、第２の電極及び前記第１の電極と第２の電極との間に位置する有機層を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、
前記有機層は発光層を含み、前記発光層はホスト材料、熱活性化遅延蛍光増感剤及び蛍光染料を含み、前記蛍光染料は式（１）で示される化合物から選択される、有機エレクトロルミネッセンスデバイス。

【化1】

（式（１）中、
環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＥはそれぞれ独立に、芳香環又はヘテロ芳香環を代表し、且つ隣り合う２つの環の間に縮合可能にＸ^１又はＸ^２を含有する５員環又は６員環を形成し、
Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立に、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｃ又はＳｉの１種から選択され、
ｍは０、１又は２であり、ｎは０、１又は２であり、且つ
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５はそれぞれ独立に、単一置換から最大許容置換基を表し、且つそれぞれ独立に、水素、Ｃ_１～Ｃ_１０鎖状アルキル基、Ｃ_３～Ｃ_１０シクロアルキル基、Ｃ_１～Ｃ_１０アルコキシ基、ハロゲン、シアン基、ニトロ基、ヒドロキシ基、エステル基、シリル基、アミノ基、置換又は非置換のＣ_６～Ｃ_３０アリールアミノ基、置換又は非置換のＣ_３～Ｃ_３０ヘテロアリールアミノ基、置換又は非置換のＣ_６～Ｃ_３０アリール基もしくは置換又は非置換のＣ_３～Ｃ_３０ヘテロアリール基の１種又は少なくとも２種の組み合わせから選択され、且つＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５の少なくとも１つは式（Ｇ）であり、
式（Ｇ）中、
Ｚ^１はＣ又はＳｉから選択され、
Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ及びＲ^Ｃはそれぞれ独立に、Ｃ_１～Ｃ_１０鎖状アルキル基、Ｃ_３～Ｃ_１０シクロアルキル基、置換又は非置換のＣ_６～Ｃ_３０アリール基もしくは置換又は非置換のＣ_３～Ｃ_３０ヘテロアリール基の１種から選択され、且つＲ^Ａ、Ｒ^Ｂ及びＲ^Ｃの少なくとも１つは置換又は非置換のＣ_６～Ｃ_３０アリール基もしくは置換又は非置換のＣ_３～Ｃ_３０ヘテロアリール基から選択され、同時に少なくとも１つはＣ_１～Ｃ_１０鎖状アルキル基もしくはＣ_３～Ｃ_１０シクロアルキル基であり、且つ
上記基が置換基を有する場合、前記置換基はハロゲン、シアン基、カルボニル基、Ｃ_１～Ｃ_１２のアルキル基、Ｃ_３～Ｃ_１２のシクロアルキル基、Ｃ_２～Ｃ_１０アルケニル基、Ｃ_１～Ｃ_６のアルコキシ基又はチオアルコキシ基、Ｃ_６～Ｃ_３０の単環アリール基又は縮合環アリール基もしくはＣ_３～Ｃ_３０の単環ヘテロアリール基又は縮合環ヘテロアリール基の１種もしくは少なくとも２種の組み合わせから選択される。）

【請求項2】

前記蛍光染料は式（２）で示される化合物から選択される、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。

【化2】

（式（２）中、環Ｃ、Ｄ、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、ｍ及びｎの定義は一般式（１）の中の定義と同じである。）

【請求項3】

前記蛍光染料は式（３）で示される化合物から選択される、請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。

【化3】

（式（３）中、環Ｃ、Ｄ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、ｍ及びｎの定義は一般式（１）の中の定義と同じであり、前記Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立に、Ｏ、Ｓ又はＮから選択され、且つＸ^１及びＸ^２の少なくとも１つはＮである。）

【請求項4】

前記蛍光染料は以下の式（I）、（II）、（III）、（IV）、（V）、（VI）、（VII）又は（VIII）で示される化合物のいずれか１種又は少なくとも２種の組み合わせから選択される、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。

【化4】

（Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５の定義は一般式（１）の中の定義と同じである。）

【請求項5】

前記蛍光染料は式（I）、（II）又は（III）で示される化合物のいずれか１種又は少なくとも２種の組み合わせから選択される、請求項１～４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。

【請求項6】

前記式（Ｇ）は下記の式（Ｇ１）である、請求項１～５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。

【化5】

（式（Ｇ１）中、
Ｒ^Ａ及びＲ^Ｂの少なくとも１つはＣ_１～Ｃ_１０鎖状アルキル基もしくはＣ_３～Ｃ_１０シクロアルキル基であり、
Ｒ^Ｃ１は水素、Ｃ_１～Ｃ_１０鎖状アルキル基、Ｃ_３～Ｃ_１０シクロアルキル基、Ｃ_１～Ｃ_１０アルコキシ基、置換又は非置換のＣ_６～Ｃ_３０アリールアミノ基、置換又は非置換のＣ_３～Ｃ_３０ヘテロアリールアミノ基、置換又は非置換のＣ_６～Ｃ_３０アリール基もしくは置換又は非置換のＣ_３～Ｃ_３０ヘテロアリール基の１種から選択される。）

【請求項7】

前記式（Ｇ）は下記の式ａ、ｂ、ｃ又はｄの１種である、請求項１～６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。

【化6】

（Ｒ^６及びＲ^７はそれぞれ独立に、水素、重水素、ハロゲン、Ｃ_１～Ｃ_１０鎖状アルキル基もしくはＣ_３～Ｃ_１０シクロアルキル基の１種又は少なくとも２種の組み合わせから選択される。）

【請求項8】

前記蛍光染料は以下の化合物Ｍ１からＭ１４４のいずれか１種又は少なくとも２種の組み合わせから選択される、請求項１～７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。

【化7】

【化8】

【化9】

【化10】

【化11】

【化12】

【請求項9】

前記ホスト材料は以下の化合物ＴＤＨ－１からＴＤＨ－３０のいずれか１種又は少なくとも２種の組み合わせから選択される、請求項１～８のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。

【化13】

【請求項10】

前記熱活性化遅延蛍光増感剤は以下の化合物ＴＤＥ１からＴＤＥ３７のいずれか１種又は少なくとも２種の組み合わせから選択される、請求項１～９のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。

【化14】

【化15】

【化16】

【請求項11】

前記発光層の全質量に占める前記蛍光染料の質量は０．１％～１０％である、請求項１～１０のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。

【請求項12】

前記有機層は正孔注入層、正孔輸送層、正孔バリア層、電子バリア層、電子輸送層又は電子注入層のいずれか１種又は少なくとも２種の組み合わせをさらに含む、請求項１～１１のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。

【請求項13】

請求項１～１２のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイスを含む表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は有機エレクトロルミネッセンス技術分野に関し、特に有機エレクトロルミネッセンスデバイス及び表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

熱活性化増感蛍光（ＴＡＳＦ）とは、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料が増感剤として使用されると、ホスト材料エネルギーがＴＡＤＦ材料に伝達し、そしてその三重項エネルギーは逆項間交差（ＲＩＳＣ）プロセスによって一重項に戻り、さらにエネルギーを蛍光ドーピング染料に伝達して発光する。このようにホストが染料分子への完全のエネルギー伝達を実現でき、伝統的な蛍光ドーピング染料は２５％の内部量子効率の制限を突破することができる。

【0003】

しかし、ＴＡＳＦ発光デバイスでは、常に染料キャリアの捕獲が大きい問題があり、デバイスの駆動電圧が比較的高く、効率のロールオフが大きく、寿命が比較的低い。

【0004】

したがって、本分野は、駆動電圧を低減し、デバイス効率及び寿命を向上した新規のＴＡＳＦデバイスの開発が急務である。

【発明の概要】

【0005】

本願は有機エレクトロルミネッセンスデバイスを提供する。前記有機エレクトロルミネッセンスデバイスは比較的低い駆動電圧、比較的高いデバイス効率及び使用寿命を有する。

【0006】

一方で、本願は、第１の電極、第２の電極、及び前記第１の電極と第２の電極との間に位置する有機層を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスを提供する。

【0007】

前記有機層は発光層を含み、前記発光層はホスト材料、熱活性化遅延蛍光増感剤及び蛍光染料を含み、前記蛍光染料は式（１）で示される化合物から選択される。

【0008】

【化1】

【0009】

【化2】

【0010】

式（１）中：
環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＥはそれぞれ独立に、芳香環又はヘテロ芳香環を代表し、且つ隣り合う２つの環の間に縮合可能にＸ^１又はＸ^２を含有する５員環又は６員環を形成し、
Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立に、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｃ又はＳｉの１種から選択され、
ｍは０、１又は２であり、ｎは０、１又は２であり、且つ
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５はそれぞれ独立に、単一置換から最大許容置換基を表し、且つそれぞれ独立に、水素、Ｃ_１～Ｃ_１０鎖状アルキル基、Ｃ_３～Ｃ_１０シクロアルキル基、Ｃ_１～Ｃ_１０アルコキシ基、ハロゲン、シアン基、ニトロ基、ヒドロキシ基、エステル基、シリル基、アミノ基、置換又は非置換のＣ_６～Ｃ_３０アリールアミノ基、置換又は非置換のＣ_３～Ｃ_３０ヘテロアリールアミノ基、置換又は非置換のＣ_６～Ｃ_３０アリール基もしくは置換又は非置換のＣ_３～Ｃ_３０ヘテロアリール基の１種又は少なくとも２種の組み合わせから選択され、且つＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５の少なくとも１つは式（Ｇ）である。

【0011】

式（Ｇ）中：
Ｚ^１はＣ又はＳｉから選択され、
Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ及びＲ^Ｃはそれぞれ独立に、Ｃ_１～Ｃ_１０鎖状アルキル基、Ｃ_３～Ｃ_１０シクロアルキル基、置換又は非置換のＣ_６～Ｃ_３０アリール基もしくは置換又は非置換のＣ_３～Ｃ_３０ヘテロアリール基の１種から選択され、且つＲ^Ａ、Ｒ^Ｂ及びＲ^Ｃの少なくとも１つは置換又は非置換のＣ_６～Ｃ_３０アリール基もしくは置換又は非置換のＣ_３～Ｃ_３０ヘテロアリール基から選択され、同時に少なくとも１つはＣ_１～Ｃ_１０鎖状アルキル基もしくはＣ_３～Ｃ_１０シクロアルキル基であり、且つ
上記基が置換基を有する場合、前記置換基はハロゲン、シアン基、カルボニル基、Ｃ_１～Ｃ_１２のアルキル基、Ｃ_３～Ｃ_１２のシクロアルキル基、Ｃ_２～Ｃ_１０アルケニル基、Ｃ_１～Ｃ_６のアルコキシ基又はチオアルコキシ基、Ｃ_６～Ｃ_３０の単環アリール基又は縮合環アリール基もしくはＣ_３～Ｃ_３０の単環ヘテロアリール基又は縮合環ヘテロアリール基の１種もしくは少なくとも２種の組み合わせから選択される。

【0012】

好ましくは、前記蛍光染料は式（２）で示される化合物から選択される。

【0013】

【化3】

【0014】

式（２）中、環Ｃ、Ｄ、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、ｍ及びｎの定義は一般式（１）の中の定義と同じである。

【0015】

好ましくは、前記蛍光染料は式（３）で示される化合物から選択される。

【0016】

【化4】

【0017】

式（３）中、環Ｃ、Ｄ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、ｍ及びｎの定義は一般式（１）の中の定義と同じであり、前記Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立に、Ｏ、Ｓ又はＮから選択され、且つＸ^１及びＸ^２の少なくとも１つはＮである。

【0018】

前記蛍光染料は以下の式（I）、（II）、（III）、（IV）、（V）、（VI）、（VII）又は（VIII）で示される化合物のいずれか１種又は少なくとも２種の組み合わせから選択されることが好ましい。

【0019】

【化5】

【0020】

Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５の定義は一般式（１）の中の定義と同じである。

【0021】

前記蛍光染料は式（I）、（II）又は（III）で示される化合物のいずれか１種又は少なくとも２種の組み合わせから選択されることが好ましい。

【0022】

前記式（Ｇ）は下記の式（Ｇ１）であることが好ましい。

【0023】

【化6】

【0024】

式（Ｇ１）中：
Ｒ^Ａ及びＲ^Ｂの少なくとも１つはＣ_１～Ｃ_１０鎖状アルキル基もしくはＣ_３～Ｃ_１０シクロアルキル基であり、且つ
Ｒ^Ｃ１は水素、Ｃ_１～Ｃ_１０鎖状アルキル基、Ｃ_３～Ｃ_１０シクロアルキル基、Ｃ_１～Ｃ_１０アルコキシ基、置換又は非置換のＣ_６～Ｃ_３０アリールアミノ基、置換又は非置換のＣ_３～Ｃ_３０ヘテロアリールアミノ基、置換又は非置換のＣ_６～Ｃ_３０アリール基もしくは置換又は非置換のＣ_３～Ｃ_３０ヘテロアリール基の１種から選択される。

【0025】

前記式（Ｇ）は下記の式ａ、ｂ、ｃ又はｄの１種であることが好ましい。

【0026】

【化7】

【0027】

Ｒ^６、Ｒ^７はそれぞれ独立に、水素、重水素、ハロゲン、Ｃ_１～Ｃ_１０鎖状アルキル基もしくはＣ_３～Ｃ_１０シクロアルキル基の１種又は少なくとも２種の組み合わせから選択される。

【0028】

一方で、本願は目的の１つである前記有機エレクトロルミネッセンスデバイスを含む表示装置を提供する。

【0029】

従来技術と比べて、本願は以下の発明効果を有する。

【0030】

本願は式（１）で示される化合物を蛍光染料として採用される新規のＴＡＳＦデバイスを提供する。この蛍光染料中に含まれたホウ素原子は同一の環内のＯ、Ｓ、Ｎ、Ｃ又はＳｉ原子と共鳴効果を有し、狭いスペクトル及び熱活性化遅延蛍光発射の特点を有する。また、この蛍光染料中に４級炭素又は４級シリコン類基の置換を含有するとともに、この基の上に少なくとも１つのアルキル基を有することを保証し、伝達能力を保証すると同時に、さらに分子ピッチを向上し、堆積による焼入れを抑制し、さらに効率のロールオフを低減し、デバイス寿命を延長することができる。本願は特定構造の蛍光染料を採用し、ホスト材料、増感剤を配合して発光層を形成し、ＴＡＳＦデバイスが比較的高い効率及び寿命、及び比較的低い駆動電圧を有することができる。

【図面の簡単な説明】

【0031】

【図1】本願の実施例及び対比例より提供した有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造模式図。

【図2】実施例３と対比例２のデバイスの外部量子効率－輝度の対比図。

【図3】実施例３と対比例２のデバイスが輝度１０００ｃｄ／ｍ^２における輝度減衰グラフ。

【発明を実施するための形態】

【0032】

本願の理解を容易にするために、本願は以下の実施例を挙げる。当業者は、前記実施例単に本願の理解に寄与し、本願に具体的な制限を見なされないことを明らかにすべきである。

【0033】

今まで、熱活性化遅延蛍光電致発光デバイスでは、常に染料キャリア捕獲が大きい問題があり、デバイスの駆動電圧が比較的高く、効率のロールオフが大きく、寿命が比較的低い。発明者が研究したところ、上記問題を起こす主な原因の１つは、デバイス発光層で、ホスト材料及び増感剤材料のエネルギーギャップは蛍光染料のエネルギーギャップより大きいことから、蛍光染料自身の一定のキャリア捕獲及び焼入れ問題を招くことを見出した。
そのため、本願は、第１の電極、第２の電極及び前記第１の電極と第２の電極との間に位置する有機層を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスを提供する。

【0034】

【0035】

【化8】

【0036】

式（１）中：
環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＥはそれぞれ独立に、芳香環又はヘテロ芳香環を代表し、且つ隣り合う２つの環の間に縮合可能にＸ^１又はＸ^２を含有する５員環又は６員環を形成し、
Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立に、Ｏ、Ｓ、Ｎ、ＣもしくはＳｉの１種から選択され、
ｍは０、１又は２であり、ｎは０、１又は２であり、
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５はそれぞれ独立に、単一置換から最大許容置換基を表し、且つそれぞれ独立に、水素、Ｃ_１～Ｃ_１０鎖状アルキル基、Ｃ_３～Ｃ_１０シクロアルキル基、Ｃ_１～Ｃ_１０アルコキシ基、ハロゲン、シアン基、ニトロ基、ヒドロキシ基、エステル基、シリル基、アミノ基、置換又は非置換のＣ_６～Ｃ_３０アリールアミノ基、置換又は非置換のＣ_３～Ｃ_３０ヘテロアリールアミノ基、置換又は非置換のＣ_６～Ｃ_３０アリール基もしくは置換又は非置換のＣ_３～Ｃ_３０ヘテロアリール基の１種又は少なくとも２種の組み合わせから選択され、且つＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５の少なくとも１つは式（Ｇ）である。

【0037】

【0038】

なお、本願において、最大許容置換基とは、前記置換基の個数は置換された基が化合物結合の要件を満たすことを前提とする最大置換個数である。

【0039】

本願において、Ｃａ～Ｃｂの表現方式はこの基の主鎖が有する炭素数はａ～ｂであることを代表し、特に説明がない限り、一般にはこの炭素数は基の置換基の炭素数を含まない。

【0040】

本願において、「置換された基」とは、「置換又は非置換」の基が置換された時の置換基の選択範囲であり、個数は具体的に限定されず、化合物結合の要件を満たす限り、例示的に、１つ、２つ、３つ、４つ又は５つであってもよく、且つ置換基の個数は２つ及びそれ以上である場合、この２つ及びそれ以上の置換基は同じでも異なってもよい。

【0041】

本願において、「－」で描かれた環構造の表現方式は、接続部位がこの環構造上に任意で結合可能な位置に位置することを表す。

【0042】

本願において、置換又は非置換のＣ_６～Ｃ_３０アリール基はＣ_６～Ｃ_２０アリール基が好ましく、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナントリル基、インデニル基、フルオニル基及びその誘導体、フルオランテニル基、トリフェニレン基、ピレニル基、ペリレニル基、クリセニル基及びテトラフェニル基からなる群から選択された基がより好ましい。具体的には、ビフェニル基は２－ビフェニル基、３－ビフェニル基及び４－ビフェニル基から選択され、ターフェニル基はｐ－ターフェニル－４－イル、ｐ－ターフェニル－３－イル、ｐ－ターフェニル－２－イル、ｍ－ターフェニル－４－イル、ｍ－ターフェニル－３－イル及びｍ－ターフェニル－２－イルを含み、前記ナフチル基は１－ナフチル基及び２－ナフチル基を含み、アントラニル基は１－アントラニル基、２－アントラニル基及び９－アントラニル基から選択され、前記フルオニル基は１－フルオニル基、２－フルオニル基、３－フルオニル基、４－フルオニル基及び９－フルオニル基から選択され、前記フルオニル基誘導体は９，９’－ジメチルフルオレン、９，９’－スピロビフルオレン及びベンゾフルオレンから選択され、前記ピレニル基は１－ピレニル基、２－ピレニル基及び４－ピレニル基から選択され、テトラフェニル基は１－テトラフェニル基、２－テトラフェニル基及び９－テトラフェニル基から選択される。

【0043】

本願に記載されたヘテロ原子通常はＮ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ及びＳｅ中の原子又は原子団から選択され、好ましくはＮ、Ｏ、Ｓから選択される。本願において、前記の原子名称、及びその対応する種々の同位体、例えば、水素（Ｈ）は^１Ｈ（軽水素又はＨ）、^２Ｈ（重水素又はＤ）等を含み、炭素（Ｃ）は^１２Ｃ、^１３Ｃ等を含む。

【0044】

本願において、置換又は非置換のＣ_３～Ｃ_３０ヘテロアリール基としてＣ_４～Ｃ_２０ヘテロアリール基が好ましく、窒素含有ヘテロアリール基、酸素含有ヘテロアリール基、硫黄含有ヘテロアリール基等がより好ましく、具体的な例には、フラン基、チオフェン基、ピロール基、ベンゾフラン基、ベンゾチオフェン基、イソベンゾフラン基、インドール基、ジベンゾフラン基、ジベンゾチオフェン基、カルバゾール基及びその誘導体であってもよく、前記カルバゾール誘導体は９－フェニルカルバゾール、９－ナフチルカルバゾールベンゾカルバゾール、ジベンゾカルバゾール、又はインドールカルバゾールであることが好ましい。

【0045】

本願において、上記Ｃ_１～Ｃ_２０鎖状アルキル基はＣ_１～Ｃ_１０の鎖状アルキル基が好ましく、Ｃ_１～Ｃ_６の鎖状アルキル基がより好ましく、例えば、メチル、エチル、ｎ－プロピル、ｎ－ブチル、ｎ－ヘキシル、ｎ－オクチル、イソプロピル、イソブチル、ｔ－ブチル等である。

【0046】

本願において、Ｃ_３～Ｃ_１２シクロアルキル基は単環のシクロアルキル基及び多環のシクロアルキル基が含み、Ｃ_１～Ｃ_１０のアルキル基及びＣ_３～Ｃ_１０のシクロアルキル基が好ましい。

【0047】

本願は、式（１）で示される化合物を蛍光染料として採用される新規のＴＡＳＦデバイスを提供する。この蛍光染料中に含まれたホウ素原子は同一の環内のＯ、Ｓ、Ｎ、Ｃ又はＳｉ原子と共鳴効果を有し、狭いスペクトル及び熱活性化遅延蛍光発射の特点を有する。また、この蛍光染料中に４級炭素又は４級シリコン類基の置換を含有するとともに、この基の上に少なくとも１つのアルキル基を有することを保証し、伝達能力を保証すると同時に、さらに分子ピッチを向上し、堆積による焼入れを抑制し、さらに効率のロールオフを低減し、デバイス寿命を延長することができる。本願は采用特定構造の蛍光染料を採用し、ホスト材料、増感剤を配合して発光層を形成し、ＴＡＳＦデバイスが比較的高い効率及び寿命、及び比較的低い駆動電圧を有することができる。

【0048】

１つの好ましい実施形態において、環Ａと環Ｃは縮合してＸ^１を含有する５員環又は６員環を形成し、もしくは、環Ｂと環Ｄは縮合してＸ^２を含有する５員環又は６員環を形成し、もしくは、環Ａと環Ｃは縮合してＸ^１を含有する５員環又は６員環を形成し、同時に、環Ｂと環Ｄは縮合してＸ^２を含有する５員環又は６員環を形成する。

【0049】

１つの好ましい実施形態において、前記環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＥはそれぞれ独立に、５～８員のアリール基環から選択され、もしくは５～８員のヘテロアリール基環から選択される。

【0050】

１つの好ましい実施形態において、前記環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＥはそれぞれ独立に、６員アリール基環又は５員ヘテロアリール基環から選択される。

【0051】

１つの好ましい実施形態において、前記環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＥはそれぞれ独立に、置換又は非置換のＣ_６～Ｃ_３０アリール基、置換又は非置換のＣ_３～Ｃ_３０のヘテロアリール基の１種から選択される。

【0052】

１つの好ましい実施形態において、前記環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＥはそれぞれ独立に、置換又は非置換のベンゼン環、フラン環、チオフェン環、ナフタレン環、フェナントレン環又はカルバゾール環から選択される。

【0053】

１つの好ましい実施形態において、前記蛍光染料は式（２）で示される化合物から選択される。

【0054】

【化9】

【0055】

式（２）中、環Ｃ、Ｄ、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、ｍ及びｎの定義は一般式（１）の中の定義と同じである。

【0056】

前記蛍光染料は式（３）で示される化合物から選択されることが好ましい。

【0057】

【化10】

【0058】

【0059】

１つの好ましい実施形態において、前記蛍光染料は以下の式（I）、（II）、（III）、（IV）、（V）、（VI）、（VII）又は（VIII）で示される化合物のいずれか１種又は少なくとも２種の組み合わせから選択される。

【0060】

【化11】

【0061】

Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５の定義は一般式（１）の中の定義と同じである。

【0062】

前記蛍光染料は式（I）、（II）又は（III）で示される化合物のいずれか１種又は少なくとも２種の組み合わせから選択されることが好ましい。

【0063】

本願は、蛍光染料の母核は２つのＮ原子を含有し、Ｂ原子とＢ－Ｎ共鳴構造を形成することがさらに好ましく、この構造の蛍光染料はより狭いスペクトル及びより優れた熱活性化遅延蛍光発射特性を有し、ホスト材料及び増感剤と配合することで、ＴＡＳＦデバイス性能を向上できる。

【0064】

１つの好ましい実施形態において、前記式（Ｇ）は下記の式（Ｇ１）である。

【0065】

【化12】

【0066】

【0067】

本願は、蛍光染料中の置換基の上に少なくとも１つのベンゼン環を含有することが好ましく、この構造は立体障害特性を向上し、ホスト材料及び増感剤と配合することで、ＴＡＳＦデバイス性能を向上する役割を奏する。

【0068】

１つの好ましい実施形態において、Ｒ^Ａ及びＲ^Ｂの少なくとも１つはメチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ｎ－ブチル、イソブチル、ｓ－ブチル、ｔ－ブチル、２－メチルブチル、ｎ－ペンチル、ｓ－ペンチル、シクロペンチル、ネオペンチル、ｎ－ヘキシル、シクロヘキシル、ネオヘキシル、ｎ－ヘプチル、シクロヘプチル、ｎ－オクチル又はシクロオクチルから選択され、Ｒ^Ｃ１は水素、重水素、メチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ｎ－ブチル、イソブチル、ｓ－ブチル、ベンゼン基、ナフチル基、アントラニル基、チオフェン基、ピロール基、インドール基、カルバゾール基又はピリジン基から選択される。

【0069】

１つの好ましい実施形態において、前記式（Ｇ）は下記の式ａ、ｂ、ｃ又はｄの１種である。

【0070】

【化13】

【0071】

Ｒ^６及びＲ^７はそれぞれ独立に、水素、重水素、ハロゲン、Ｃ_１～Ｃ_１０鎖状アルキル基もしくはＣ_３～Ｃ_１０シクロアルキル基の１種又は少なくとも２種の組み合わせから選択される。

【0072】

１つの好ましい実施形態において、前記式（Ｇ）は式ａ又は式ｃから選択される。

【0073】

本願は、蛍光染料にアリール基置換４級炭素基を含有することがさらに好ましく、この構造の蛍光染料は分子量の大きさが適当であり、障害効果能力が適当であり、ホスト材料及び増感剤と配合して使用することで、よりデバイス性能を向上でき、且つ導入後の染料全体の分子量が大きくならず、蒸着しやすい。

【0074】

１つの好ましい実施形態において、前記のＲ^６及びＲ^７はそれぞれ独立に、水素から選択され、もしくはそれぞれ独立に以下の基の１つから選択される。

【0075】

【化14】

【0076】

１つの好ましい実施形態において、前記のＲ^６及びＲ^７はそれぞれ独立に、水素から選択される。

【0077】

１つの好ましい実施形態において、前記Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５はそれぞれ独立に、水素から選択され、もしくはそれぞれ独立に以下の基の１つから選択される。

【0078】

【化15】

【0079】

１つの好ましい実施形態において、前記蛍光染料は以下の化合物Ｍ１からＭ１４４のいずれか１種又は少なくとも２種の組み合わせから選択される。

【0080】

【化16】

【0081】

【化17】

【0082】

【化18】

【0083】

【化19】

【0084】

【化20】

【0085】

本願には、前記蛍光染料は本分野における常法によって調製して得られることができ、本願は単に例示的に以下の代表的な合成路径を提供する。

【0086】

【化21】

【0087】

【化22】

【0088】

なお、本願の蛍光染料を取得することは本願においてに使用された合成方法及び原料に限らず、当業者は他の方法又は路線を選択し、本願に提出された蛍光染料を得られる。

【0089】

１つの好ましい実施形態において、前記ホスト材料は以下の化合物ＴＤＨ－１からＴＤＨ－３０のいずれか１種又は少なくとも２種の組み合わせ（例えばＴＤＨ－２及びＴＤＨ－１０の組み合わせ、ＴＤＨ－２３及びＴＤＨ－８の組み合わせ、もしくはＴＤＨ－１６、ＴＤＨ－２２及びＴＤＨ－３０の組み合わせ）から選択される。

【0090】

【化23】

【0091】

１つの好ましい実施形態において、前記熱活性化遅延蛍光増感剤は以下の化合物ＴＤＥ１からＴＤＥ３７のいずれか１種又は少なくとも２種の組み合わせ（例えばＴＤＥ３及びＴＤＥ８の組み合わせ、ＴＤＥ２５及びＴＤＥ９の組み合わせ、もしくはＴＤＥ１８、ＴＤＥ２１及びＴＤＥ３５の組み合わせ）から選択される。

【0092】

【化24】

【0093】

【化25】

【0094】

１つの好ましい実施形態において、前記発光層の全質量に占める前記蛍光染料の質量は０．１％～１０％（単にドーピング濃度を称する。）であり、具体的には、好ましくは０．２％、０．３％、０．４％、０．５％、０．６％、０．８％、１％、１．５％、２％、２．５％、３％、３．５％、４％、４．５％、５％、５．５％、６％、６．５％、７％、７．５％、８％、８．５％、９％、９．５％等であり、さらに好ましくは１％である。

【0095】

本願が選択して使用された特定構造の蛍光染料に対して、その発光層中のドーピング濃度は上記濃度の範囲内にあることがさらに好ましく、ＴＡＳＦデバイスの性能がさらに向上する。ドーピング量は低すぎると、発光に関与する染料分子が比較的少なく、デバイス効率は比較的低いことを招く。ドーピング量は高すぎると、デバイス中の染料焼入れが進行を招いて、デバイス効率、駆動電圧及びデバイス寿命が劣ることを招く。

【0096】

１つの好ましい実施形態において、前記発光層の全質量に占める前記熱活性化遅延蛍光増感剤の質量は１％～９９％であり、具体的には、好ましくは２％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％等であり、さらに好ましくは１０％～５０％である。

【0097】

１つの好ましい実施形態において、前記有機層は正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、正孔バリア層（ＨＢＬ）、電子バリア層（ＥＢＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）又は電子注入層（ＥＩＬ）のいずれか１種又は少なくとも２種の組み合わせをさらに含む。

【0098】

本願の実施例は上記のように提供された有機エレクトロルミネッセンスデバイスを含む表示装置をさらに提供する。この表示装置は具体的にはＯＬＥＤ表示パネル、及びこの表示パネルを含むテレビ、デジタルカメラ、携帯電話、タブレットコンピュータ等いかなる表示功能を有する製品もしくは部品であってよい。この表示装置は上記有機エレクトロルミネッセンスデバイスが従来技術に対して有する利点と同じであり、ここでその説明は省略する。

【0099】

本願には、第１の電極及び第２の電極はそれぞれ陽極、陰極を代表することが理解できる。

【0100】

以下、本願の正孔輸送区、電子輸送区、陽極及び陰極について紹介する。正孔輸送区は陽極及び発光層の間に位置する。正孔輸送区は単層構造の正孔輸送層であってもよく、単に１種の化合物を含有する単層の正孔輸送層及び複数の種類の化合物を含有する単層正孔輸送層を含む。正孔輸送区は正孔注入層、正孔輸送層、電子バリア層の少なくとも２層の多層構造であってもよい。

【0101】

正孔輸送区の材料（ＨＩＬ及びＨＴＬを含む。）はフタロシアニン誘導体、例えばＣｕＰｃ、導電ポリマー又は導電ドーピング剤含有ポリマー、例えばポリフェニレンビニレン、ポリアリニン／ドデシルベンゼンスルホン酸（Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ）、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルホン酸塩）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアリニン／カンファースルホン酸（Ｐａｎｉ／ＣＳＡ）、ポリアリニン／ポリ（４－スチレンスルホン酸塩）（Ｐａｎｉ／ＰＳＳ）、芳香アミン誘導体から選択されてもよいが、これに限定されない。

【0102】

芳香アミン誘導体は以下のＨＴ－１からＨＴ－３４で示される化合物である。正孔輸送区の材料は芳香アミン誘導体である場合、ＨＴ－１からＨＴ－３４で示される化合物の１種又は少なくとも２種の組み合わせ（例えばＨＴ－５及びＨＴ－８の組み合わせもしくはＨＴ－１１、ＨＴ－１２及びＨＴ－１５の組み合わせ等）であってもよい。

【0103】

【化26】

【0104】

【化27】

【0105】

正孔注入層が陽極及び正孔輸送層の間に位置する。正孔注入層は単一の化合物材料であっても、複数の種類の化合物の組み合わせであってもよい。例えば、正孔注入層は上記ＨＴ－１からＨＴ－３４の１種又は少なくとも２種の化合物を採用し、もしくは下記ＨＩ－１－ＨＩ－３の１種又は少なくとも２種の組み合わせを採用し、ＨＴ－１からＨＴ－３４の１種又は少なくとも２種の組み合わせに下記ＨＩ－１－ＨＩ－３の１種又は少なくとも２種の組み合わせ（例えばＨＩ－１及びＨＩ－２の組み合わせ等）をドーピングしたものを採用することもできる。

【0106】

【化28】

【0107】

電子輸送区は単層構造の電子輸送層であってもよく、１種の化合物のみを含有する単層電子輸送層及び複数の種類の化合物を含有する単層電子輸送層を含む。電子輸送区は電子注入層、電子輸送層、正孔バリア層の少なくとも２層を含む多層構造であってもよい。

【0108】

さらに、本願の実施例には、電子輸送層材料は以下の例示されたＥＴ－１からＥＴ－６５の１種又は少なくとも２種の組み合わせ（例えばＥＴ－２及びＥＴ－９の組み合わせもしくはＥＴ－１２、ＥＴ－１７及びＥＴ－３３の組み合わせ等）から選択されてもよいが、これに限定されない。

【0109】

【化29】

【0110】

【化30】

【0111】

【化31】

【0112】

１つの好ましい実施形態において、正孔バリア層中の正孔バリア材料は以下のＨＢ－１からＨＢ－６で示される化合物のいずれか１種又は少なくとも２種の組み合わせ（例えばＨＢ－１及びＨＢ－２の組み合わせ、ＨＢ－５、ＨＢ－６及びＨＢ－４の組み合わせ、ＨＢ－１、ＨＢ－３、ＨＢ－４及びＨＢ－６の組み合わせ等）から選択される。

【0113】

【化32】

【0114】

１つの好ましい実施形態において、電子バリア層の電子バリア材料は以下のＥＢ－１からＥＢ－２１で示される化合物、化合物ＴＤＨ－１からＴＤＨ－３０のいずれか１種又は少なくとも２種の組み合わせから選択される。

【0115】

【化33】

【0116】

１つの好ましい実施形態において、電子注入層中の電子注入材料は以下の化合物のいずれか１種又は少なくとも２種の組み合わせを含む。

【0117】

Ｌｉｑ、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ_２Ｏ、Ｃｓ_２ＣＯ_３、ＢａＯ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｙｂ。

【0118】

１つの好ましい実施形態において、第１の電極の下方もしくは第２の電極の上方に基板を使用する。基板はいずれも機械的強度、熱安定性、防水性、透明度に優れたガラス又はポリマー材料。また、ディスプレイ用の基板としては薄膜トランジスター（ＴＦＴ）をつけることができる。

【0119】

１つの好ましい実施形態において、第１の電極は基板上に第１の電極として使用される材料をスパッタリングもしくは堆積した方式によって形成することができる。第１の電極が陽極とする場合、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、インジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ）、酸化第二錫（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の酸化物の透明導電材料及びこれらの任意の組み合わせを採用することができる。第１の電極は陰極とした時、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）等の金属又は合金及びこれらの間に任意な組み合わせを採用してもよい。

【0120】

デバイスは、陰極の上方に光取出層（ＣＰＬ層）を蒸着することができ、デバイス効率を向上し、光学的マイクロキャビティを調節する等の作用を奏する。

【0121】

上記各層の厚みは本分野におけるこれらの層の通常な厚みとすることができる。

【0122】

本願は、基板上に順次に陽極、正孔輸送区、発光層、電子輸送区、陰極を堆積し、そして封止する当該有機エレクトロルミネッセンスデバイスの調製方法を提供する。発光層を調製する時に、複数の蒸着源が共蒸着する方法を利用する。陽極、正孔輸送区、電子輸送区、陰極の堆積方式は本分野における従来の方式と同じである。

【0123】

以下の合成例は、例示的に前記蛍光染料の具体的な合成方法を開示し、化合物の分析検測はＡＢＳＣＩＥＸ質量分析計（４０００ＱＴＲＡＰ）を使用する。

【0124】

合成例１：Ｍ１の合成

【0125】

【化34】

【0126】

中間体Ｍ１－１の合成：
室温で、１，３－ジブロモ－５－（２－ベンゼンプロパン－２－イル）ベンゼン（３５．２ｇ、１００ｍｍｏｌ）、ジアリニン（４１．７ｇ、２５０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３（０．９２ｇ、１ｍｍｏｌ）、ｓ－Ｐｈｏｓ（０．８２ｇ、２ｍｍｏｌ）、ｔ－ブチルアルコールナトリウム（２４ｇ、２５０ｍｍｏｌ）、キシレン（５００ｍＬ）を１Ｌの一口フラスコに入れ、窒素ガスで３回置換し、１３０℃に加熱し、一晩反応する。反応液を室温に降温し、反応系を濃縮した後、ジクロロメタンで抽出し、大量の水で水洗し、有機相を乾燥した後に濃縮してカラムクロマトグラフィー（ＰＥ：ＤＣＭ＝２０:１）により４２．４ｇの粗品を得て、ｎ－ヘキサンで加熱してゆでて洗って、３３．１ｇの白色固体を得て、収率は６２．４％であった。
質量スペクトル分析によって確定された分子質量：５３０．２９（理論値：５３０．２７）。

【0127】

化合物Ｍ１の合成：
Ｍ１－１（５．３ｇ、１０ｍｍｏｌ）を２５０ｍＬの三つ口フラスコに入れ、ｐ－ｔ－ブチルベンゼン（８０ｍＬ）を入れ、２０分撹拌した後、反応系を－２０℃に降温し、その後、１５ｍｍｏｌのｔ－ブチルリチウムを入れ、低温を維持し３０分撹拌し続ける。その後、徐々に９０℃に昇温し、３ｈの加熱を続ける。最後に反応系の温度を再度－２０℃に降温し、窒素ガスの保護で三臭化ホウ素（５．１ｇ、２０ｍｍｏｌ）を入れ、３０分撹拌した後、ジイソプロピルエチルアミン（１３ｇ、８０ｍｍｏｌ）を入れる。最後に反応系を１１０℃に加熱し、１２ｈ反応する。反応が室温に下げられた後、有機相を減圧し回転して除去する。酢酸エチル（２００ｍＬ）で３回抽出し、有機相を合併して、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。有機相のシリカゲルに伴う濃縮を行い、カラムクロマトグラフィー（ＰＥ：ＤＣＭ＝１００:１）により２．１ｇの粗品をえて、トルエン／ｎ－ヘキサンで再結晶して０．９５ｇの黄色固体を得て、収率は１７．６％であった。
質量スペクトル分析によって確定された分子質量：５３８．２２（理論値：５３８．２６）。

【0128】

合成例２：Ｍ６の合成
合成方法はＭ１の合成と類似し、ジアリニンを等物質量のジ（４－ｔ－ブチルフェニル）アミンで代替する点で異なり、化合物Ｍ６を得て、収率は１５．１％であった。分子質量スペクトル分析によって確定された分子イオン質量：７６２．４９（理論値：７６２．５１）。

【0129】

合成例３：Ｍ３７の合成

【0130】

【化35】

【0131】

中間体Ｍ３７－１の合成：
室温で、（１－（３，５－ジブロモフェニル）エタン－１，１－ジフェニル）ジベンゼン（４１．４ｇ、１００ｍｍｏｌ）、ジ（４－ｔ－ブチルフェニル）アミン（９０．０ｇ、３２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３（２．８ｇ、３ｍｍｏｌ）、２－ビシクロヘキシルホスフィン－２’，６’－ジメトキシビフェニル（ｓ－Ｐｈｏｓ）（１．２ｇ、３ｍｍｏｌ）、ｔ－ブチルアルコールナトリウム（３３．６ｇ、３５０ｍｍｏｌ）、キシレン（１２００ｍＬ）を２Ｌの一口フラスコに入れ、窒素ガスで３回置換し、１３０℃に加熱し、一晩反応する。反応液を室温に降温し、酢酸エチルで抽出し、大量の水で水洗し、有機相を乾燥した後に濃縮してカラムクロマトグラフィー（ＰＥ：ＤＣＭ＝２０:１）により６６．４ｇの白色固体を得て、収率は８１．４％であった。
質量スペクトル分析によって確定された分子質量：８１６．５８（理論値：８１６．５４）。

【0132】

化合物Ｍ３７の合成：
Ｍ５３－１（８．２ｇ、１０ｍｍｏｌ）を５００ｍＬの三つ口フラスコに入れ、ｐ－ｔ－ブチルベンゼン（１５０ｍＬ）を入れ、２０分撹拌した後、反応系を－２０℃に降温し、その後、１５ｍｍｏｌのｔ－ブチルリチウムを入れ、低温を維持し３０分撹拌し続ける。その後、徐々に９０℃に昇温し、３ｈの加熱を続ける。最後に反応系の温度を再度－２０℃に降温し、窒素ガスの保護で三臭化ホウ素（５．１ｇ、２０ｍｍｏｌ）を入れ、３０分撹拌した後、ジイソプロピルエチルアミン（１３ｇ、８０ｍｍｏｌ）を入れる。最後に反応系を１１０℃に加熱し、１２ｈ反応する。反応が室温に下げられた後、有機相を減圧し回転して除去する。酢酸エチル（２００ｍＬ）で３回抽出し、有機相を合併して、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。有機相のシリカゲルに伴う濃縮を行い、カラムクロマトグラフィー（ＰＥ：ＤＣＭ＝４０:１）により１．９ｇの粗品を得て、トルエン／ｎ－ヘキサンで再結晶して１．１ｇの黄色固体を得て、収率は１３．３％であった。質量スペクトル分析によって確定された分子質量：８２４．５４（理論値：８２４．５２）。

【0133】

合成例４：Ｍ４９の合成
合成方法はＭ３７の合成と類似し、ジアリニンを等物質量のジ（３－ｔ－ブチルフェニル）アミンで代替する点で異なり、化合物Ｍ４９を得て、収率は１５．５％であった。分子質量スペクトル分析によって確定された分子質量：８１６．５７（理論値：８１６．５４）。

【0134】

合成例５：Ｍ５５の合成

【0135】

【化36】

【0136】

中間体Ｍ５５－１の合成：
室温で、１－ブロモ－２，３－ジクロロベンゼン（２２．４ｇ、１００ｍｍｏｌ）、ビス（４－（２－ベンゼンプロパン－２－イル）フェニル）アミン（１２９．７ｇ、３２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３（２．８ｇ、３ｍｍｏｌ）、ｓ－Ｐｈｏｓ（１．２ｇ、３ｍｍｏｌ）、ｔ－ブチルアルコールナトリウム（３３．６ｇ、３５０ｍｍｏｌ）、キシレン（１２００ｍＬ）を２Ｌの一口フラスコを入れ、窒素ガスで３回置換し、１３０℃に加熱し、一晩反応する。反応液を室温に降温し、酢酸エチルで抽出、大量の水で水洗し、有機相を乾燥した後に濃縮してカラムクロマトグラフィー（ＰＥ：ＤＣＭ＝１５：１）により６０．８ｇの白色固体を得て、収率は６６．２％であった。
質量スペクトル分析によって確定された分子質量：９１８．４８（理論値：９１８．４７）。

【0137】

化合物Ｍ５５の合成：
Ｍ５５－１（９．２ｇ、１０ｍｍｏｌ）を５００ｍＬの三つ口フラスコに入れ、ｐ－ｔ－ブチルベンゼン（１５０ｍＬ）を入れ、２０分撹拌した後、反応系を－２０℃に降温し、その後、１５ｍｍｏｌのｔ－ブチルリチウムを入れ、低温を維持し３０分撹拌し続ける。その後、徐々に９０℃に昇温し、３ｈの加熱を続ける。最後に反応系の温度を再度－２０℃に降温し、窒素ガスの保護で三臭化ホウ素（５．１ｇ、２０ｍｍｏｌ）を入れ、３０分撹拌した後、ジイソプロピルエチルアミン（１３ｇ、８０ｍｍｏｌ）を入れる。最後に反応系を１１０℃に加熱し、１２ｈ反応する。反応が室温に下げられた後、有機相を減圧し回転して除去する。酢酸エチル（２００ｍＬ）で３回抽出し、有機相を合併して、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。有機相のシリカゲルに伴う濃縮を行い、カラムクロマトグラフィー（ＰＥ：ＤＣＭ＝４０:１）により３．２ｇの粗品を得て、トルエン／ｎ－ヘキサンで再結晶して２．３ｇの黄色固体を得て、収率は２６．３％であった。質量スペクトル分析によって確定された分子質量：８９２．４５（理論値：８９２．４９）。

【0138】

合成例６：Ｍ６６の合成
合成方法はＭ５５の合成と類似し、１－ブロモ－２，３－ジクロロベンゼンを等物質量の１－ブロモ－２，３－ジクロロ－５－メチルベンゼンで代替する点で異なり、化合物Ｍ６６を得て、収率は２３．５％であった。分子質量スペクトル分析によって確定された分子質量：９０６．４８（理論値：９０６．５１）。

【0139】

合成例７：Ｍ８９の合成

【0140】

【化37】

【0141】

中間体Ｍ８９－１の合成：
室温で、５００ｍＬ一口フラスコに３，６－ジ（２－ベンゼンプロパン－２基）カルバゾール（３４．３ｇ、８５ｍｍｏｌ）、２－ブロモ－１，３－ジフルオロベンゼン（７．７ｇ、４０ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム（３２．６ｇ、１００ｍｍｏｌ）、Ｎ、Ｎ－ジメチルホルムアミド（３５０ｍＬ）を入れ、窒素ガスで３回置換後、１３０℃に加熱し、一晩反応する。反応停止後、室温に降温した後に５００ｍＬの水に入れ１０ｍｉｎ撹拌し、大量の白色固体が析出する。吸引濾過し、ケーキをエタノールで２ｈのゆでて洗いを行い、降温し、吸引濾過し、３７．４ｇの白色固体生成物を得て、収率は９７．６％であった。質量スペクトル分析によって確定された分子質量：９５８．４２（理論値：９５８．３９）。

【0142】

化合物Ｍ８９の合成：
Ｍ８９－１（９．６ｇ、１０ｍｍｏｌ）を５００ｍＬの三つ口フラスコに入れ、ｐ－ｔ－ブチルベンゼン（１００ｍＬ）を入れ、２０分撹拌した後、反応系を－２０℃に降温し、その後、１５ｍｍｏｌのｔ－ブチルリチウムを入れ、低温を維持し３０分撹拌し続ける。その後、徐々に９０℃に昇温し、３ｈの加熱を続ける。最後に反応系の温度を再度－２０℃に降温し、窒素ガスの保護で三臭化ホウ素（５．１ｇ、２０ｍｍｏｌ）を入れ、３０分撹拌した後、ジイソプロピルエチルアミン（１３ｇ、８０ｍｍｏｌ）を入れる。最後に反応系を１１０℃に加熱し、１２ｈ反応する。反応が室温に下げられた後、有機相を減圧し回転して除去する。酢酸エチル（２００ｍＬ）で３回抽出し、有機相を合併して、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。有機相のシリカゲルに伴う濃縮を行い、カラムクロマトグラフィー（ＰＥ：ＤＣＭ＝４０:１）により１．９ｇの粗品を得て、トルエン／ｎ－ヘキサンで再結晶して１．２ｇの黄色固体を得て、収率は２０．３％であった。質量スペクトル分析によって確定された分子質量：８８８．４７（理論値：８８８．４６）。

【0143】

合成例８：Ｍ９０の合成
合成方法はＭ８９の合成と類似し、２－ブロモ－１，３－ジフルオロベンゼンを等物質量の２－ブロモ－１，３－ジフルオロ－５－メチルベンゼンで代替する点で異なり、化合物Ｍ９０を得て、収率は１９．６％であった。分子質量スペクトル分析によって確定された分子質量：９０２．５１（理論値：９０２．４８）。

【0144】

他の化合物の合成方法は類似して、相関する合成一般式によって合成を行うとともに、質量スペクトルテスト確認を行い、結果は以下の通りであった。

【0145】

【表1】

【0146】

以下は、具体的な実施例によって、さらに本願の有機エレクトロルミネッセンスデバイスについて紹介する。

【0147】

実施例１－２１、対比例１－２
上記実施例及び対比例によりそれぞれ１種の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造は図１に示すように、下から上に順次に陽極、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子バリア層（ＥＢＬ）、発光層（ＥＭＬ）、正孔バリア層（ＨＢＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）及び陰極を含み、発光層はホスト材料、熱活性化遅延蛍光増感剤及び蛍光染料を含み、具体的な材料の選択の詳細は表１に示される。

【0148】

上記有機エレクトロルミネッセンスデバイスの具体的な調製方法は以下の通りであった。
（１）ＩＴＯ透明導電層を塗布されたガラス板を市販の洗浄剤で超音波にて処理し、脱イオン水で濯ぎ、アセトン：エタノール混合溶剤で超音波にて油を除去し、クリーンな環境で完全に水分を除去されるまでベークし、紫外光及びオゾンで洗浄するとともに、低いエネルギー陽イオンビームで表面を衝撃した。
（２）上記陽極をつけたガラス基片を真空キャビティ内にセッティングし、１×１０^－５Ｐａ未満までに真空引きを行い、上記陽極層膜の上に正孔注入層としてＨＩ－３を真空蒸着し、蒸着レートは０．１ｎｍ／ｓであり、蒸着膜厚は２ｎｍであった。
（３）正孔注入層の上に正孔輸送層ＨＴ－２８を真空蒸着し、蒸着レートは０．１ｎｍ／ｓであり、蒸着の全膜厚は３０ｎｍであった。
（４）正孔輸送層の上に電子バリア層ＥＢ－１２を真空蒸着し、蒸着レートは０．１ｎｍ／ｓであり、蒸着の全膜厚は５ｎｍであった。
（５）電子バリア層の上に発光層を真空蒸着し、発光層はホスト材料、増感剤及び蛍光染料を含み、複数の蒸着源が共蒸着の方法を利用し、ホスト蒸着レートは０．１ｎｍ／ｓであり、蒸着膜厚は３０ｎｍであった。
（６）発光層の上に正孔バリア層としてＨＢ－５を真空蒸着し、蒸着レートは０．１ｎｍ／ｓであり、蒸着の全膜厚は５ｎｍであった。
（７）正孔バリア層の上に電子輸送層としてＥＴ－６０及びＥＴ－５７を真空蒸着し、割合は１:１であり、蒸着レートは０．１ｎｍ／ｓであり、蒸着の全膜厚は２５ｎｍであった。
（８）電子輸送層上に電子注入層として厚みは１ｎｍのＬｉqを真空蒸着し、厚みは１５０ｎｍのＡｌ層をデバイスの陰極とした。

【0149】

対比例１及び２に使用された蛍光染料はそれぞれＤ－１又はＤ－２の構造を有する。

【0150】

【化38】

【0151】

デバイス性能テスト：
（１）同じ輝度で、ソースメーター及びＰＲ６５０を使用してデバイスの実施例及び対比例で調製して得られた有機エレクトロルミネッセンスデバイスの駆動電圧及び外部量子効率を測定する。具体的には、毎秒０．１Ｖのレートで電圧を向上し、有機エレクトロルミネッセンスデバイスの輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２を到達した電圧を測定して対応する輝度下の駆動電圧とし、同時にＰＲ６５０上に直接にテストを行い、デバイスの外部量子効率（ＥＱＥ、％）を得ることができる。
（２）寿命テスト
輝度計を使用し１０００ｃｄ／ｍ^２輝度で、一定の電流を保持し、有機エレクトロルミネッセンスデバイスの輝度が８００ｃｄ／ｍ^２下げた時間を測定し、このデバイスのＬＴ８０寿命を称じ、本テストには、対比例１の寿命を１００％と記載し、他の実施例又は対比例の寿命値はいずれも対比例１に対する割合である。

【0152】

上記テストの結果は表２に示す通りであった。

【0153】

【表2】

【0154】

表２により、本願はＴＡＳＦデバイスの発光層に特定構造の蛍光染料を導入し、従来技術の染料に比べて、デバイス性能を効果的に向上でき、具体的には駆動電圧を低減し、外部量子効率及び寿命を向上する。

【0155】

対比例１の蛍光染料Ｄ－１は、実施例６の蛍光染料Ｍ１に比べて、４級炭素類置換基がない点のみで異なり、対比例２の蛍光染料Ｄ－２は、実施例３の蛍光染料Ｍ６に比べて、４級炭素に置換されたものはいずれもフェニル基であったが、Ｍ６の４級炭素にアルキル基が置換された点のみで異なる。データによると、対比例１及び２のデバイス性能は明らかに実施例より劣り、本願の蛍光染料中の４級炭素類置換基はとても重要の役割を奏することが証明された。

【0156】

実施例１～５を比較して分かるように、本願の蛍光染料ドーピング割合が０．１％～１０％範囲内に制御される（実施例２－４）ことで、さらにＴＡＳＦデバイス性能を向上し、中でもドーピング量は１％である場合（実施例３）の効果は最適である。

【0157】

実施例３と実施例７を比較して分かるように、蛍光染料中にアリール基置換４級炭素基を含有する場合（実施例３）、アリール基置換４級シリコン基を含有する場合（実施例７）に比べて、ＴＡＳＦデバイス性能の向上により寄与する。

【0158】

図２は実施例３と対比例２のデバイスの外部量子効率－輝度の対比図であり、同じ輝度で、実施例３のデバイスがより高い外部量子効率を有することを示した。

【0159】

図３は実施例３と対比例２のデバイスが輝度１０００ｃｄ／ｍ^２における輝度減衰グラフであり、図３には、Ｌ_０は初期輝度を代表し、Ｌは相応時間を経過した輝度を代表し、実施例３のデバイスの輝度減衰レートがより遅いことを示した。

【0160】

出願人は、本願は上記実施例により本願の詳細な方法を説明するが、本願は上記の詳細な方法に限定されず、すなわち本願は実施するために上記詳細な方法に依存しなければならないことを意味するものではない。当該技術分野の技術者は、本願のいかなる改善、本願の製品の各原料の等価置換及び補助成分の添加、具体的な方式の選択等が、いずれも本願の保護範囲及び開示範囲内に収まっていたことを明らかにすべきである。

【図1】