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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-11-08
(54)【発明の名称】誘電体膜形成組成物
(51)【国際特許分類】
C08L 79/04 20060101AFI20231031BHJP
G03F 7/027 20060101ALI20231031BHJP
G03F 7/037 20060101ALI20231031BHJP
G03F 7/004 20060101ALI20231031BHJP
C08K 5/315 20060101ALI20231031BHJP
C08L 25/18 20060101ALI20231031BHJP
H01L 21/768 20060101ALI20231031BHJP
【ＦＩ】
C08L79/04
G03F7/027 514
G03F7/037 501
G03F7/004 501
C08K5/315
C08L25/18
H01L21/90 S
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023524954
(86)(22)【出願日】2021-10-12
(85)【翻訳文提出日】2023-06-26
(86)【国際出願番号】 US2021054471
(87)【国際公開番号】W WO2022086752
(87)【国際公開日】2022-04-28
(31)【優先権主張番号】63/094,960
(32)【優先日】2020-10-22
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】514251329
【氏名又は名称】フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110001519
【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】デ、ビノッド ビー．
(72)【発明者】
【氏名】サカムリ、ラジ
(72)【発明者】
【氏名】マリク、サンジェイ
(72)【発明者】
【氏名】ディロッカー、ステファニー
(72)【発明者】
【氏名】ライナート、ウィリアム エー．
【テーマコード（参考）】
2H225
4J002
5F033
【Ｆターム（参考）】
2H225AC23
2H225AC32
2H225AC35
2H225AC64
2H225AC66
2H225AD06
2H225AE08P
2H225AM66P
2H225AM73P
2H225AM75P
2H225AM77P
2H225AM79P
2H225AM99P
2H225AN02P
2H225AN08P
2H225AN22P
2H225AN33P
2H225AN41P
2H225AN87P
2H225BA01P
2H225BA05P
2H225BA09P
2H225BA32P
2H225CA11
2H225CB06
2H225CD05
4J002BC102
4J002CM021
4J002CM041
4J002ET006
4J002GQ01
5F033GG03
5F033HH11
5F033HH18
5F033HH21
5F033HH32
5F033HH33
5F033HH34
5F033MM01
5F033MM08
5F033MM13
5F033PP06
5F033PP14
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5F033PP19
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5F033PP28
5F033QQ08
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5F033QQ19
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5F033QQ54
5F033QQ74
5F033RR21
5F033RR22
5F033XX04
(57)【要約】
本開示は、（ａ）少なくとも２つのシアネート基を含有する少なくとも１種のシアネートエステル化合物と、（ｂ）ポリベンゾオキサゾール前駆体ポリマー、ポリイミド前駆体ポリマー、又は完全イミド化ポリイミドポリマーを含む少なくとも１種の誘電体ポリマーとを含む誘電体膜形成組成物に関する。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ａ）少なくとも２つのシアネート基を含む少なくとも１種のシアネートエステル化合物と、ｂ）ポリベンゾオキサゾール前駆体ポリマー、ポリイミド前駆体ポリマー、又は完全イミド化ポリイミドポリマーを含む少なくとも１種の誘電体ポリマーと
を含む誘電体膜形成組成物。
【請求項2】
前記少なくとも１種のシアネートエステル化合物は、構造（Ｉ）：Ａ－（Ｏ－Ｃ≡Ｎ）ｍ （Ｉ）
（式中、ｍは２以上の整数であり、Ａは置換又は非置換の芳香族基を含む二価の有機基である）を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項3】
前記少なくとも１種のシアネートエステル化合物は、構造（ＩＩ）を有する、請求項１に記載の組成物：【化1】
（式中、Ｒは、水素原子、Ｃ１～Ｃ３アルキル基、完全に若しくは部分的にハロゲン置換されたＣ１～Ｃ３アルキル基、又はハロゲン原子であり、Ｘは、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－（Ｃ＝Ｏ）－、－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－、－（Ｓ＝Ｏ）－、－（ＳＯ２）－、－ＣＨ２ＣＨ２－Ｏ－、置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ１０アルキレン、完全に若しくは部分的にフルオロ置換されたＣ１～Ｃ４アルキレン、置換若しくは非置換のＣ３～Ｃ１０シクロアルキレン、又は以下の基：
【化2】
のうちの１つである）。
【請求項4】
前記シアネートエステル化合物は、構造（ＩＩＩ）を有する、請求項１に記載の組成物：【化3】
（式中、ｎ１は２以上の整数であり、ｎ２及びｎ３は独立して０、又は１～１００の整数であり、Ｒ１は酸感受性置換アルキル、シリル、アリール又はアリールアルキル基であり、Ｒ２は置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ１０アルキル、置換若しくは非置換のＣ３～Ｃ１０シクロアルキル、置換若しくは非置換のアリール基、又は－（Ｃ＝Ｏ）－ＯＲ４基であり、Ｒ４は非酸感受性置換アルキル又はアリールアルキル基であり、Ｒ３は、置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ１０アルキル又はフルオロ置換Ｃ１～Ｃ４アルキルである）。
【請求項5】
前記少なくとも１種のシアネートエステル化合物は、２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、ビス（４－シアネート－３，５－ジメチルフェニル）メタン、１，３－ビス（４－シアネートフェニル－１－（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４－シアネートフェニル）チオエーテル、ビス（４－シアネートフェニル）エーテル、及びフェノールノボラック、クレゾールノボラック、又はジシクロペンタジエン含有フェノール樹脂から調製された多官能性シアネート樹脂からなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項6】
少なくとも２種のシアネートエステル化合物を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項7】
前記少なくとも１種のシアネートエステル化合物は、前記組成物の約２重量％～約５５重量％の量である、請求項１に記載の組成物。
【請求項8】
前記少なくとも１種の誘電体ポリマーは、前記組成物の約２重量％～約５５重量％の量である、請求項１に記載の組成物。
【請求項9】
少なくとも１種の溶媒をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項10】
前記少なくとも１種の溶媒は、前記組成物の約２０重量％～約９８重量％の量である、請求項９に記載の組成物。
【請求項11】
少なくとも２つの官能基を有する少なくとも１種の反応性官能化合物をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項12】
前記少なくとも１種の反応性化合物は、前記組成物の約１重量％～約２５重量％の量である、請求項１１に記載の組成物。
【請求項13】
少なくとも１種の触媒をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項14】
前記少なくとも１種の触媒は、前記組成物の約０．２重量％～約３重量％の量である、請求項１３に記載の組成物。
【請求項15】
キャリア基板と、前記キャリア基板によって支持され、請求項１に記載の組成物から作製される誘電体膜と
を含む乾燥膜。
【請求項16】
ａ）請求項１に記載の組成物を基板上に付与（deposit）して誘電体膜を形成することと、ｂ）前記誘電体膜を放射線若しくは熱、又は放射線若しくは熱の組み合わせに曝露することと、
ｃ）前記誘電体膜をパターニングして、開口部を有するパターニングされた誘電体膜を形成することと、
ｄ）任意に（optionally）、前記パターニングされた誘電体膜上にシード層を付与（deposit）させることと、
ｅ）前記パターニングされた誘電体膜の少なくとも１つの開口部に金属層を堆積させることと
を含む、金属層を堆積させるためのプロセス。
【請求項17】
基板上に誘電体膜を形成するためのプロセスであって、ａ）前記基板上にライン及びインターコネクトのネットワークを形成する銅導電性金属ワイヤ構造を含有する基板を準備することと、
ｂ）前記基板上に請求項１に記載の組成物を付与（deposit）して誘電体膜を形成することと、
ｃ）前記誘電体膜を放射線若しくは熱、又は放射線と熱の組み合わせに曝露することと
を含む、プロセス。
【請求項18】
請求項１６に記載の方法によって作製される三次元物体。
【請求項19】
前記誘電体膜を少なくとも２つ又は３つの積み重ね（stack）で含む、請求項１８に記載の物体。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
本出願は、２０２０年１０月２２日に出願された米国仮出願第６３／０９４，９６０号の優先権を主張し、その内容全体は参照により本開示に組み込まれる。
本出願は、２０２０年１０月２２日に出願された米国仮出願第６３／０９４，９６０号の優先権を主張し、その内容全体は参照により本開示に組み込まれる。
【背景技術】
【0002】
半導体パッケージング用途の誘電体材料についての要件は、絶えず進化している。電子パッケージングのトレンドは、高いレベルの信頼性を維持しながら、処理速度の高速化、複雑さの増加、及び充填密度の向上に向かっている。現在及び将来のパッケージングアーキテクチャは、高い充填密度をサポートするために最大１０の再配線層及び超小型フィーチャサイズを含む。絶縁誘電体材料の厚さは、薄型でフォームファクタが小さい複数の再配線層を収容するように大幅に低減される。熱収縮率が小さく、硬化温度が低い有機誘電体材料は、そのような用途に適している。例えば、ポリイミド及びポリベンゾオキサゾール前駆体は、適切な触媒の存在下で比較的低い硬化温度（２００～３００℃）で硬化することができる。しかしながら、これらの材料は、前記硬化工程中にかなりの収縮を被る。さらに、得られた前記硬化膜のガラス転移温度は２００～２３０℃の範囲内であり、はんだペーストのリフロー温度である２６０℃よりも大幅に低い。これは、層間剥離につながる前記誘電体膜の過剰な流れをもたらし、またパターニングされた構造の限界寸法の変化をもたらす。
【発明の概要】
【0003】
本開示は、特定の誘電体膜形成組成物が、比較的低い膜収縮率、比較的低い誘電率及び／又は損失係数、並びに比較的高いガラス転移温度（Ｔｇ）（例えば、はんだペーストのリフロー温度（例えば、２６０℃）よりも高いＴｇを有する）を有する誘電体膜を形成することができるという予想外の発見に基づいている。
【0004】
一態様では、本開示は、ａ）少なくとも２つのシアネート基を含有する少なくとも１つのシアネートエステル化合物と、ｂ）ポリベンゾオキサゾール前駆体ポリマー、ポリイミド前駆体ポリマー、又は完全イミド化ポリイミドポリマーを含む少なくとも１つの誘電体ポリマーとを含む誘電体膜形成組成物を特徴とする。
【0005】
別の態様では、本開示は、キャリア基板と、前記キャリア基板に支持された誘電体膜とを含む乾燥膜とを特徴とし、前記誘電体膜は、本開示に記載の誘電体膜形成組成物から作製される。
【0006】
別の態様では、本開示は、金属層を堆積させるためのプロセスを特徴とする。前記プロセスは、ａ）本開示に記載の誘電体膜形成組成物を基板上に付与（deposit）させて誘電体膜を形成することと、ｂ）前記誘電体膜を放射線若しくは熱、又は放射線若しくは熱の組み合わせに曝露することと、ｃ）前記誘電体膜をパターニングして、開口部を有するパターニングされた誘電体膜を形成することと、ｄ）任意に（optionally）、前記パターニングされた誘電体膜上にシード層を付与（deposit）させることと、ｅ）前記パターニングされた誘電体膜の少なくとも１つの開口部に金属層を堆積させることとを含む。
【0007】
別の態様では、本開示は、基板上に誘電体膜を形成するためのプロセスを特徴とする。前記プロセスは、ａ）前記基板上にライン及びインターコネクトのネットワークを形成する銅導電性金属ワイヤ構造を含有する基板を準備することと、ｂ）本開示に記載の誘電体膜形成組成物を前記基板上に付与（deposit）して誘電体膜を形成することと、ｃ）前記誘電体膜を放射線若しくは熱、又は放射線と熱との組み合わせに曝露することとを含む。
【0008】
さらに別の態様では、本開示は、本開示に記載のプロセスによって調製された三次元物体を特徴とする。いくつかの実施形態では、前記物体は、前記誘電体膜を少なくとも２つ又は３つの積み重ね（stack）で含む。
【発明を実施するための形態】
【0009】
いくつかの実施形態では、本開示は、
ａ）少なくとも２つのシアネート基を有する（すなわち、１つの分子内に有する）少なくとも１種のシアネートエステル化合物と、
ｂ）ポリベンゾオキサゾール前駆体ポリマー、ポリイミド前駆体ポリマー、又は完全イミド化ポリイミドポリマーを含有する少なくとも１種の誘電体ポリマーと
を含む誘電体膜形成組成物（例えば、感光性又は非感光性誘電体膜形成組成物）に関する。
ａ）少なくとも２つのシアネート基を有する（すなわち、１つの分子内に有する）少なくとも１種のシアネートエステル化合物と、
ｂ）ポリベンゾオキサゾール前駆体ポリマー、ポリイミド前駆体ポリマー、又は完全イミド化ポリイミドポリマーを含有する少なくとも１種の誘電体ポリマーと
を含む誘電体膜形成組成物（例えば、感光性又は非感光性誘電体膜形成組成物）に関する。
【0010】
本開示に記載の誘電体膜形成組成物は、感光性又は非感光性のいずれかであり得る。いくつかの実施形態では、前記誘電体膜形成組成物が感光性である場合、前記組成物は、高エネルギー放射線（電子線、紫外線、Ｘ線など）への曝露時に現像剤中で溶解度変化を生じさせることができる膜を形成することができる。例えば、前記組成物は、前記曝露領域で架橋され得るネガ型感光性膜を形成してもよく、これは現像剤中での溶解性が低下している。そのような実施形態では、前記誘電体膜形成組成物は、上述のシアネートエステル化合物及び誘電体ポリマーに加えて、少なくとも１種の架橋剤及び／又は前記架橋剤の架橋反応を誘発するための少なくとも１種の触媒（例えば、フリーラジカル開始剤）を含んでもよい。
【0011】
いくつかの実施形態では、前記誘電体膜形成組成物が非感光性である場合、前記組成物は、高エネルギー放射線への曝露時に現像剤中での溶解度変化を有さない。そのような実施形態では、前記組成物は、架橋剤及び／又は触媒を含まなくてもよい。いくつかの実施形態では、そのような組成物は、前記シアネートエステル化合物が相互侵入ネットワークを形成するのを促進するための少なくとも１種のシアネート硬化触媒（例えば、金属塩）を含んでもよく、これは架橋剤の架橋反応を誘発するための触媒とは異なってもよい。
【0012】
いくつかの実施形態では、本開示に記載の誘電体膜形成組成物は、少なくとも１種の（例えば、２種、３種、又は４種の）シアネートエステル化合物を含んでもよい。理論に束縛されることを望むものではないが、前記シアネートエステル化合物は、（例えば、触媒を用いて、又は用いずに）熱的に環化及び／又は架橋して、前記誘電体ポリマーと相互侵入ネットワークを形成することができると考えられる。さらに、理論に束縛されることを望むものではないが、本開示に記載の誘電体膜形成組成物にシアネートエステル化合物を含めることにより、前記組成物から形成される前記膜の誘電率（Ｋ）及び／又は損失係数（ＤＦ）を低下させることができると考えられる。
【0013】
いくつかの実施形態では、前記シアネートエステル化合物は、構造（Ｉ）：
Ａ－（Ｏ－Ｃ≡Ｎ）ｍ （Ｉ）
（式中、ｍは２以上の整数（すなわち、ｍ≧２）であり、Ａは置換又は非置換の芳香族基を含有する２価の有機基（例えば、前記シアネートエステル基－Ｏ－Ｃ≡Ｎは、前記置換又は非置換の芳香族基に直接結合している）である）を有する。いくつかの実施形態では、前記芳香族有機基は、アリール及びヘテロアリール基を含んでもよい。本開示で使用される「アリール」という用語は、１又は複数の芳香環を有する炭化水素部分を指す。アリール部分の例としては、フェニル（Ｐｈ）、フェニレン、ナフチル、ナフチレン、ピレニル、アントリル及びフェナントリルが挙げられる。本開示で使用される「ヘテロアリール」という用語は、少なくとも１つのヘテロ原子（例えば、Ｎ、Ｏ、又はＳ）を含有する１又は複数の芳香環を有する部分を指す。ヘテロアリール部分の例としては、フリル、フリレン、フルオレニル、ピロリル、チエニル、オキサゾリル、イミダゾリル、チアゾリル、ピリジニル、ピリミジニル、キナゾリニル、キノリル、イソキノリル及びインドリルが挙げられる。
Ａ－（Ｏ－Ｃ≡Ｎ）ｍ （Ｉ）
（式中、ｍは２以上の整数（すなわち、ｍ≧２）であり、Ａは置換又は非置換の芳香族基を含有する２価の有機基（例えば、前記シアネートエステル基－Ｏ－Ｃ≡Ｎは、前記置換又は非置換の芳香族基に直接結合している）である）を有する。いくつかの実施形態では、前記芳香族有機基は、アリール及びヘテロアリール基を含んでもよい。本開示で使用される「アリール」という用語は、１又は複数の芳香環を有する炭化水素部分を指す。アリール部分の例としては、フェニル（Ｐｈ）、フェニレン、ナフチル、ナフチレン、ピレニル、アントリル及びフェナントリルが挙げられる。本開示で使用される「ヘテロアリール」という用語は、少なくとも１つのヘテロ原子（例えば、Ｎ、Ｏ、又はＳ）を含有する１又は複数の芳香環を有する部分を指す。ヘテロアリール部分の例としては、フリル、フリレン、フルオレニル、ピロリル、チエニル、オキサゾリル、イミダゾリル、チアゾリル、ピリジニル、ピリミジニル、キナゾリニル、キノリル、イソキノリル及びインドリルが挙げられる。
【0014】
本開示で使用される場合、置換基（例えば、置換アルキル、アルケニル、アルキレン、シクロアルキル、シクロアルキレン、アリール、アリールアルキル又はヘテロアリール基）又は置換化合物上の可能な置換基としては、Ｃ１～Ｃ１０アルキル、Ｃ２～Ｃ１０アルケニル、Ｃ２～Ｃ１０アルキニル、Ｃ３～Ｃ２０シクロアルキル、Ｃ３～Ｃ２０シクロアルケニル、Ｃ３～Ｃ２０シクロアルキル、Ｃ３～Ｃ２０ヘテロシクロアルケニル、Ｃ１～Ｃ１０アルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘテロアリール、ヘテロアリールオキシ、アミノ、Ｃ１～Ｃ１０アルキルアミノ、Ｃ１～Ｃ２０ジアルキルアミノ、アリールアミノ、ジアリールアミノ、ヒドロキシル、ハロゲン、チオ、Ｃ１～Ｃ１０アルキルチオ、アリールチオ、Ｃ１～Ｃ１０アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アシルアミノ、アミノアシル、アミノチオアシル、アミジノ、グアニジン、ウレイド、シアノ、ニトロ、アシル、チオアシル、アシルオキシエステル、カルボキシル及びカルボキシルエステルが挙げられる。
【0015】
いくつかの実施形態では、Ａは、前記シアネートエステル基が前記芳香族有機基に直接結合している、置換又は非置換の単量体又はオリゴマーの多環式芳香族又は複素環式芳香族有機基である。
【0016】
いくつかの実施形態では、構造（Ｉ）の前記シアネートエステル化合物は、構造（ＩＩ）のものであってもよい：
（式中、Ｒは、水素原子、Ｃ１～Ｃ３アルキル基、完全に若しくは部分的にハロゲン（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩ）で置換されたＣ１～Ｃ３アルキル基（例えば、１、２又は３個のハロゲンで置換されている）、又はハロゲン原子であり、Ｘは、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－（Ｃ＝Ｏ）－、－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－、－（Ｓ＝Ｏ）－、－（ＳＯ２）－、－ＣＨ２ＣＨ２－Ｏ－、置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ１０アルキレン、（部分的若しくは完全に）フルオロ置換されたＣ１～Ｃ４アルキレン（例えば、１、２又は３個のフルオロで置換されている）、置換若しくは非置換のＣ３～Ｃ１０シクロアルキレン、又は以下の基：
のうちの１つである）。
いくつかの実施形態では、前記シアネートエステル化合物は、構造（ＩＩＩ）を有してもよい：
（式中、ｎ１は２以上の整数（すなわち、ｎ１≧２）であり、ｎ２及びｎ３は独立して０、又は１～１００の整数であり、Ｒ１は酸感受性置換アルキル、シリル、アリール又はアリールアルキル基（例えば、ｔｅｒｔ－ブチル、メトキシメチル又はジメチルフェニル）であり、Ｒ２は置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ１０アルキル、置換若しくは非置換のＣ３～Ｃ１０シクロアルキル、置換若しくは非置換のアリール基、又は－（Ｃ＝Ｏ）－ＯＲ４基であり、Ｒ４は非酸感受性置換アルキル又はアリールアルキル基であり、Ｒ３は、置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ１０アルキル、又は（例えば、部分的又は完全に）フルオロ置換されたＣ１～Ｃ４アルキルである）。
【化1】
（式中、Ｒは、水素原子、Ｃ１～Ｃ３アルキル基、完全に若しくは部分的にハロゲン（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩ）で置換されたＣ１～Ｃ３アルキル基（例えば、１、２又は３個のハロゲンで置換されている）、又はハロゲン原子であり、Ｘは、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－（Ｃ＝Ｏ）－、－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－、－（Ｓ＝Ｏ）－、－（ＳＯ２）－、－ＣＨ２ＣＨ２－Ｏ－、置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ１０アルキレン、（部分的若しくは完全に）フルオロ置換されたＣ１～Ｃ４アルキレン（例えば、１、２又は３個のフルオロで置換されている）、置換若しくは非置換のＣ３～Ｃ１０シクロアルキレン、又は以下の基：
【化2】
のうちの１つである）。
いくつかの実施形態では、前記シアネートエステル化合物は、構造（ＩＩＩ）を有してもよい：
【化3】
（式中、ｎ１は２以上の整数（すなわち、ｎ１≧２）であり、ｎ２及びｎ３は独立して０、又は１～１００の整数であり、Ｒ１は酸感受性置換アルキル、シリル、アリール又はアリールアルキル基（例えば、ｔｅｒｔ－ブチル、メトキシメチル又はジメチルフェニル）であり、Ｒ２は置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ１０アルキル、置換若しくは非置換のＣ３～Ｃ１０シクロアルキル、置換若しくは非置換のアリール基、又は－（Ｃ＝Ｏ）－ＯＲ４基であり、Ｒ４は非酸感受性置換アルキル又はアリールアルキル基であり、Ｒ３は、置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ１０アルキル、又は（例えば、部分的又は完全に）フルオロ置換されたＣ１～Ｃ４アルキルである）。
【0017】
好適なシアネートエステル化合物の具体例としては、２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、ビス（４－シアネート－３，５－ジメチルフェニル）メタン、１，３－ビス（４－シアネートフェニル－１－（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４－シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４－シアネートフェニル）エーテル；フェノールノボラック、クレゾールノボラック、又はジシクロペンタジエン構造含有フェノール樹脂に由来する多官能シアネートエステルなどが挙げられる。シアネートエステル化合物の他の例は、例えば、米国特許第３，５９５，９００号、４，８９４，４１４号、及び４，７８５，０３４号に記載されており、その内容は参照により本開示に組み込まれる。いくつかの実施形態では、２種以上のシアネートエステル化合物を本開示に記載の誘電体膜形成組成物に使用してもよい。
【0018】
いくつかの実施形態では、本開示に記載の誘電体膜形成組成物は、２種以上のシアネートエステル化合物を含むことが好ましい。
【0019】
一般に、前記シアネートエステル樹脂の重量平均分子量は特に限定されない。いくつかの実施形態では、前記シアネートエステル化合物は、約５００ダルトン以上（例えば、約６００ダルトン以上又は約１，０００ダルトン以上）から約４，５００以下（例えば、約４，０００ダルトン以下、又は約３，０００ダルトン以下）の範囲の重量平均分子量を有してもよい。
【0020】
いくつかの実施形態では、前記少なくとも１種のシアネートエステル化合物の量は、本開示に記載の誘電体膜形成組成物の総重量の約２重量％以上（例えば、約５重量％以上、約１０重量％以上、約１５重量％以上、若しくは２０重量％以上）及び／又は約５５重量％以下（例えば、約５０重量％以下、約４５重量％以下、約４０重量％以下、約３５重量％以下、約３０重量％以下、若しくは約２５重量％以下）である。
【0021】
いくつかの実施形態では、本開示に記載の誘電体膜形成組成物は、ポリベンゾオキサゾール前駆体ポリマー、ポリイミド前駆体ポリマー、及び完全イミド化ポリイミドポリマーからなる群から選択される少なくとも１種の（例えば、２種、３種、又は４種の）誘電体ポリマーを含んでもよい。いくつかの実施形態では、前記誘電体ポリマーは、完全イミド化ポリイミドポリマーである。本開示で言及される完全イミド化ポリイミドポリマーは、約９０％以上（例えば、約９５％以上、約９８％以上、約９９％以上、又は約１００％）イミド化されている。好ましい完全イミド化ポリイミドポリマーは、前記ポリマーに結合した重合部分を有さないものである。理論に束縛されることを望むものではないが、本開示に記載の誘電体膜形成組成物中に上記ポリマーを含めることにより、ガラス転移温度を上昇させ、熱収縮率を低下させ、前記組成物によって形成された前記膜の機械的特性を改善することができると考えられる。
【0022】
いくつかの実施形態では、前記誘電体ポリマーは、前記誘電体ポリマーが単独で又は架橋剤（本開示に記載の反応性官能化合物など）を用いて架橋され得るように、１又は複数の（例えば、２つ、３つ、又は４つの）架橋性基を含んでもよい。架橋性基の例としては、二重結合若しくは三重結合を含有する末端基、又は二重結合若しくは三重結合を含有するポリマーの主鎖に結合した側基が挙げられる。
【0023】
いくつかの実施形態では、前記誘電体ポリマーの重量平均分子量は、約２０，０００ダルトン以上（例えば、約２５，０００ダルトン以上、約３０，０００ダルトン以上、約３５，０００ダルトン以上、約４０，０００ダルトン以上、約４５，０００ダルトン以上、約５０，０００ダルトン以上、若しくは約５５，０００ダルトン以上）及び／又は約１００，０００ダルトン以下（例えば、約９５，０００ダルトン以下、約９０，０００ダルトン以下、約８５，０００ダルトン以下、約８０，０００ダルトン以下、約７５，０００ダルトン以下、約７０，０００ダルトン以下、約６５，０００ダルトン以下、若しくは約６０，０００ダルトン以下）である。
【0024】
ポリベンゾオキサゾール前駆体ポリマーを合成する方法は、当業者に公知である。そのような方法の例は、例えば、米国特許第６，１４３，４６７号、米国特許第７，１９５，８４９号、米国特許第７，１２９，０１１号、及び米国特許第９，５１９，２１６号に開示され、その内容は参照により本開示に組み込まれる。
【0025】
ポリイミド前駆体ポリマー（例えばポリアミド酸エステルポリマー）を合成する方法も当業者に公知である。そのような方法の例は、例えば、米国特許第４，０４０，８３１号、米国特許第４，５４８，８９１号、米国特許第５，８３４，５８１号、及び米国特許第６，５１１，７８９号に開示され、その内容は参照により本開示に組み込まれる。
【0026】
ポリイミドポリマー（例えば、完全イミド化ポリイミドポリマー）を合成する方法は、当業者に公知である。そのような方法の例は、例えば、米国特許第９，６１７，３８６号、並びに米国特許出願公開第２００４０２６５７３１号、同第２００４０２３５９９２号、及び同第２００７０８３０１６号に開示され、その内容は参照により本開示に組み込まれる。
【0027】
いくつかの実施形態では、前記誘電体ポリマーの量は、前記誘電体膜形成組成物の総重量の約２重量％以上（例えば、約５重量％以上、約１０重量％以上、約１５重量％以上、若しくは約２０重量％以上）及び／又は５５重量％以下若しくは約５５重量％（例えば、約５０重量％以下、約４５重量％以下、約４０重量％以下、約３５重量％以下、約３０重量％以下、若しくは約２５重量％以下）である。
【0028】
いくつかの実施形態では、本開示に記載の誘電体膜形成組成物は、少なくとも１種の（例えば、２種、３種、又は４種の）溶媒（例えば、有機溶媒）をさらに含んでもよい。
【0029】
有機溶媒の例としては、これらに限定されないが、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボネート及びグリセリンカーボネートなどのアルキレンカーボネート；ガンマ－ブチロラクトン、ε－カプロラクトン、γ－カプロラクトン及びδ－バレロラクトンなどのラクトン類；シクロペンタノン及びシクロヘキサノンなどのシクロケトン類；メチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）などの直鎖ケトン類；ｎ－ブチルアセテートなどのエステル；乳酸エチルなどのエステルアルコール；テトラヒドロフルフリルアルコールなどのエーテルアルコール類；プロピレングリコールメチルエーテルアセテートなどのグリコールエステル類；プロピレングリコールメチルエーテル（ＰＧＭＥ）などのグリコールエーテル類；テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）などの環状エーテル類；並びにＮ－メチル－２－ピロリドンなどのピロリドン類が挙げられる。
【0030】
好ましい実施形態では、前記誘電体膜形成組成物の前記溶媒は、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボネート、グリセリンカーボネートなどのアルキレンカーボネート類又はこれらの組み合わせを含有する。いくつかの実施形態では、溶媒混合物中のアルキレンカーボネートの量は、前記誘電体膜形成組成物の約２０％以上（例えば、約３０％以上、約４０％以上、約５０％以上、約６０％以上、約７０％以上、８０％以上、又は約９０％以上）である。理論に束縛されることを望むものではないが、カーボネート溶媒（例えば、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボネート又はグリセリンカーボネート）は、表面が平坦化された誘電体膜（例えば、前記誘電体膜の上面上の最高点と最低点との差が約２ミクロン未満）の形成を促進することができると考えられる。
【0031】
いくつかの実施形態では、前記溶媒の量は、前記誘電体膜形成組成物の総重量の約２０重量％以上（例えば、約２５重量％以上、約３０重量％以上、約３５重量％以上、約４０重量％以上、約４５重量％以上、約５０重量％以上、約５５重量％以上、約６０重量％以上、若しくは約６５重量％以上）及び／又は約９８重量％以下（例えば、約９５重量％以下、約９０重量％以下、約８５重量％以下、約８０重量％以下、約７５重量％以下、約７０重量％以下、若しくは約６０重量％以下）である。
【0032】
いくつかの実施形態では、本開示の誘電体膜形成組成物は、任意に（optionally）、少なくとも１種の（例えば、２種、３種、又は４種の）触媒（例えば、開始剤）を含んでもよい。いくつかの実施形態では、使用される前記触媒の種類に応じて、前記触媒は、シアネートエステルを環化及び／若しくは架橋することができ、又は熱（例えば、熱開始剤）及び／若しくは放射線源（例えば、フリーラジカル光開始剤などの光開始剤）に曝露されたときに架橋若しくは重合反応を誘発することができる。
【0033】
いくつかの実施形態では、本開示に記載の誘電体膜形成組成物は、任意に（optionally）、前記シアネートエステル化合物の前記硬化（例えば、相互侵入ネットワークを形成するため）を促進し、及び／又は誘電体膜の硬化温度を低下させるために、少なくとも１種の（例えば、２種、３種、又は４種の）シアネート硬化触媒を含んでもよい。前記シアネート硬化触媒は、感光性誘電体膜形成組成物又は非感光性誘電体膜形成組成物のいずれかに存在してもよい。
【0034】
いくつかの実施形態では、前記シアネート硬化触媒は、金属カルボキシレート塩及び金属アセチルアセトネート塩からなる群から選択されてもよい。前記金属カルボキシレート塩及び前記金属アセチルアセトネート塩中の金属は、亜鉛、銅、マンガン、コバルト、鉄、ニッケル、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、及びそれらの混合物からなる群から選択されてもよい。シアネート硬化触媒の例としては、例えば、ジルコニルジメタクリレート、オクタン酸亜鉛、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ナフテン酸銅及びアセチルアセトン鉄などの金属塩；オクチルフェノール及びノニルフェノールなどのフェノール化合物；１－ブタノール及び２－エチルヘキサノールなどのアルコール類；２－メチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール及び２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール化合物；ジシアンジアミド、ベンジルジメチルアミン及び４－メチル－Ｎ，Ｎ－ジメチルベンジルアミンなどのアミン化合物；ホスフィン化合物及びホスホニウム化合物などのリン化合物；エポキシイミダゾール付加化合物；並びにベンゾイルペルオキシド、ｐ－クロロベンゾイルペルオキシド、ジ－ｔ－ブチルペルオキシド、ジイソプロピルペルオキシカーボネート、及びジ－２－エチルヘキシルペルオキシカーボネートなどの過酸化物が挙げられる。これらの触媒は市販されている。前記市販の触媒の例としては、Ａｍｉｃｕｒｅ ＰＮ－２３（商標、Ajinomoto Fine-Techno Co., Inc.製）、Ｎｏｖａｃｕｒｅ ＨＸ－３７２１（商標、Asahi Kasei Corporation製）、Ｆｕｊｉｃｕｒｅ ＦＸ－１０００（商標、Fuji Kasei Kogyo Co., Ltd.製）が挙げられる。これらの触媒の１種、又は２種以上の組み合わせを、本開示に記載の組成物に使用してもよい。そのような触媒の他の例は、例えば、米国特許出願第２０１８／０１０５４８８号及び米国特許第９，８２２，２２６号に記載されており、その内容は参照により本開示に組み込まれる。
【0035】
いくつかの実施形態（例えば、感光性組成物）では、本開示に記載の誘電体膜形成組成物は、任意に（optionally）、架橋剤（例えば、本開示に記載の反応性官能化合物）の架橋反応、又は架橋剤と前記誘電体ポリマーとの間の架橋反応（例えば、前記誘電体ポリマーが架橋性基を含む場合）を促進するために、少なくとも１種の（例えば、２種、３種、又は４種の）光開始剤を含んでもよい。光開始剤の具体例としては、これらに限定されないが、１，８－オクタンジオン、１，８－ビス［９－（２－エチルヘキシル）－６－ニトロ－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－１、８－ビス（Ｏ－アセチルオキシム）、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（BASF製のＩｒｇａｃｕｒｅ １８４）、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンとベンゾフェノンとのブレンド（BASF製のＩｒｇａｃｕｒｅ ５００）、２，４，４－トリメチルペンチルホスフィンオキシド（BASF製のＩｒｇａｃｕｒｅ １８００、１８５０、及び１７００）、２，２－ジメトキシル－２－アセトフェノン（BASF製のＩｒｇａｃｕｒｅ ６５１）、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド（BASF製のＩｒｇａｃｕｒｅ ８１９）、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルホリノプロパン－１－オン（BASF製のＩｒｇａｃｕｒｅ ９０７）、（２，４，６－トリメチルベンゾイル）ジフェニルホスフィンオキシド（BASF製のＬｕｃｅｒｉｎ ＴＰＯ）、２－（ベンゾイルオキシイミノ）－１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－１－オクタノン（BASF製のＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－０１）、１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］エタノン、１－（Ｏ－アセチルオキシム）（BASF製のＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－２）、エトキシ（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド（BASF製のＬｕｃｅｒｉｎ ＴＰＯ－Ｌ）、ホスフィンオキシドとヒドロキシケトンとベンゾフェノン誘導体とのブレンド（Arkema製のＥＳＡＣＵＲＥ ＫＴＯ ４６）、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オン（Merck製のＤａｒｏｃｕｒ １１７３）、ＮＣＩ－８３１（ADEKA Corp.）、ＮＣＩ－９３０（ADEKA Corp.）、Ｎ－１９１９（ADEKA Corp.）、ベンゾフェノン、２－クロロチオキサントン、２－メチルチオキサントン、２－イソプロピルチオキサントン、ベンゾジメチルケタール、１，１，１－トリクロロアセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン、ｍ－クロロアセトフェノン、プロピオフェノン、アントラキノン、ジベンゾスベロンなどが挙げられる。
【0036】
いくつかの実施形態では、前記誘電体膜形成組成物において光増感剤を使用してもよく、前記光増感剤は、１９３～４０５ｎｍの波長範囲の光を吸収することができる。光増感剤の例としては、これらに限定されないが、９－メチルアントラセン、アントラセンメタノール、アセナフチレン、チオキサントン、メチル－２－ナフチルケトン、４－アセチルビフェニル、及び１，２－ベンゾフルオレンが挙げられる。
【0037】
熱開始剤の具体例としては、これらに限定されないが、ベンゾイルペルオキシド、シクロヘキサノンペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、ｔｅｒｔ－アミルペルオキシベンゾエート、ｔｅｒｔ－ブチルヒドロペルオキシド、ジ（ｔｅｒｔ－ブチル）ペルオキシド、ジクミルペルオキシド、クメンヒドロペルオキシド、コハク酸ペルオキシド、ジ（ｎ－プロピル）ペルオキシジカーボネート、２，２－アゾビス（イソブチロニトリル）、２，２－アゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）、ジメチル－２，２－アゾビスイソブチレート、４，４－アゾビス（４－シアノペンタン酸）、アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル、２，２－アゾビス（２－メチルブチロニトリル）などが挙げられる。
【0038】
いくつかの実施形態では、前記触媒の量は、前記誘電体膜形成組成物の総重量の約０．２重量％以上（例えば、約０．５重量％以上、約０．８重量％以上、約１．０重量％以上、若しくは約１．５重量％以上）及び／又は約３．０重量％以下（例えば、約２．８重量％以下、約２．６重量％以下、約２．３重量％以下、若しくは約２．０重量％以下）である。
【0039】
いくつかの実施形態では、本開示に記載の誘電体膜形成組成物は、任意に（optionally）、少なくとも１種の（例えば、２種、３種、又は４種の）反応性官能化合物を含んでもよい。いくつかの実施形態では、前記反応性官能化合物は、少なくとも２つの官能基（例えば、（メタ）アクリレート、アルケニル、又はアルキニル基）を含んでもよい。いくつかの実施形態では、前記反応性官能化合物の前記官能基は、前記反応性官能化合物の別の分子と、又は前記誘電体ポリマー（例えば、架橋性基を含む場合）と反応することができる。理論に束縛されることを望むものではないが、前記反応性官能化合物は、ネガ型感光性膜を形成するために感光性組成物中の架橋剤として使用することができると考えられる。
【0040】
いくつかの実施形態では、前記反応性官能化合物は、少なくとも２つの（メタ）アクリレート基を含有する化合物である。本開示で使用される場合、「（メタ）アクリレート」という用語は、アクリレート及びメタクリレートの両方を含む。そのような化合物の例としては、これらに限定されないが、１，３－ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，５－ペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９－ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１０－デカンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１２－ドデカンジオールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、シクロヘキサンジメタノールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジウレタンジ（メタ）アクリレート、１，４－フェニレンジ（メタ）アクリレート、２，２－ビス［４－（２－ヒドロキシ－３－メタクリロキシプロポキシ）フェニル］プロパン、ビス（２－ヒドロキシエチル）－イソシアヌレートジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化（３）グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ－／ヘキサ－（メタ）アクリレート、イソシアヌレートトリ（メタ）アクリレート、エトキシ化グリセリントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、１，２，４－ブタントリオールトリ（メタ）アクリレート、ジグリセロールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンエトキシレートトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンポリエトキシレートトリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート及びトリス（２－ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリアクリレートが挙げられる。好ましい反応性官能化合物は、非置換／置換の直鎖、分岐又は環状Ｃ１～Ｃ１０アルキル又は非置換／置換芳香族基のジ（メタ）アクリレートである。前記反応性官能化合物は、本開示に記載の誘電体膜形成組成物において、単独で、又は２種以上を組み合わせて使用されてもよい。
【0041】
いくつかの実施形態では、前記少なくとも１種の反応性官能化合物の量は、前記誘電体膜形成組成物の総重量の約１重量％以上（例えば、約２重量％以上、約３重量％以上、約４重量％以上、若しくは５重量％以上）及び／又は約２５重量％以下（例えば、約２０重量％以下、約１５重量％以下、約１０重量％以下、若しくは約８重量％以下））である。
【0042】
いくつかの実施形態では、前記誘電体膜形成組成物は、任意に（optionally）、少なくとも１種のモノ（メタ）アクリレート含有化合物を含有してもよい。いくつかの実施形態では、前記少なくとも１種のモノ（メタ）アクリレート含有化合物は、ボルニルアクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルメタクリレート、ジシクロペンテニルメタクリレート、ビシクロ［２．２．２］オクタ－５－エン－２－イルアクリレート、２－［（ビシクロ［２．２．２］オクタ－５－エン－２－イル）オキシ］エチルアクリレート、３ａ，４，５，６，７，７ａ－ヘキサヒドロ－１Ｈ－４，７－エタノインデン－６－イルアクリレート、２－［（３ａ，４，５，６，７，７ａ－ヘキサヒドロ－１Ｈ－４，７－エタノインデン－６－イル）オキシ］エチルアクリレート、トリシクロ［５，２，１，０２，６］デシルアクリレート及びテトラシクロ［４，４，０，１２．５，１７，１０］ドデカニルアクリレートからなる群から選択される。理論に束縛されることを望むものではないが、少なくとも１種のモノ（メタ）アクリレート含有化合物を含めることにより、本開示に記載の誘電体膜形成組成物によって形成される前記膜の機械的特性を強化することができると考えられる（例えば、ポリマーを形成することによって、及び／又は前記反応性官能化合物と反応（又は架橋）することによって）。
【0043】
いくつかの実施形態では、前記誘電体膜形成組成物は、任意に（optionally）、１種又は複数種の（例えば、２種、３種、又は４種の）無機充填剤を含む。いくつかの実施形態では、前記無機充填剤は、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化ハフニウム、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｕＯ、酸化亜鉛、酸化ランタン、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化ストロンチウム、酸化カルシウムチタン、チタン酸ナトリウム、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、及びニオブ酸カリウムからなる群から選択される。好ましくは、前記無機充填剤は、約０．０５～２．０ミクロンの平均サイズを有する粒状形態である。いくつかの実施形態では、前記充填剤は、強磁性材料を含有する無機粒子である。適切な強磁性材料としては、元素金属（鉄、ニッケル、コバルトなど）又はそれらの酸化物、硫化物及びオキシ水酸化物、並びにアワルワ鉱（Ａｗａｒｕｉｔｅ）（Ｎｉ３Ｆｅ）、ワイラウ鉱（Ｗａｉｒａｒｕｉｔｅ）（ＣｏＦｅ）、Ｃｏ１７Ｓｍ２、及びＮｄ２Ｆｅ１４Ｂなどの金属間化合物が挙げられる。
【0044】
いくつかの実施形態では、前記無機充填剤（例えば、シリカ充填剤）の量は、前記誘電体膜形成組成物の総重量の約１重量％以上（例えば、約２重量％以上、約５重量％以上、約８重量％以上、若しくは約１０重量％以上）及び／又は約３０重量％以下（例えば、約２５重量％以下、約２０重量％以下、若しくは約１５重量％以下）である。
【0045】
いくつかの実施形態では、本開示の誘電体膜形成組成物は、任意に（optionally）、１種又は複数種の（例えば、２種、３種、又は４種の）の接着促進剤をさらに含む。適切な接着促進剤は、“Silane Coupling Agent” Edwin P. Plueddemann, 1982 Plenum Press, New Yorkに記載されており、その内容は参照により本開示に組み込まれる。
【0046】
いくつかの実施形態では、前記任意使用の（optional）接着促進剤の量は、前記誘電体膜形成組成物の総重量の約０．５重量％以上（例えば、約０．８重量％以上、約１重量％以上、若しくは約１．５重量％以上）及び／又は約４重量％以下（例えば、約３．５重量％以下、約３重量％以下、約２．５重量％以下、若しくは約２重量％以下）である。
【0047】
本開示の誘電体膜形成組成物はまた、任意に（optionally）、１種又は複数種の（例えば、２種、３種、又は４種の）界面活性剤（例えば、イオン性又は非イオン性界面活性剤）を含有してもよい。市販の界面活性剤は、OMNOVA Solutionsから入手可能なＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０である。好適な界面活性剤の他の例としては、これらに限定されないが、その内容が参照により本開示に組み込まれる特開昭６２－３６６６３号、特開昭６１－２２６７４６号、特開昭６１－２２６７４５号、特開昭６２－１７０９５０号、特開昭６３－３４５４０号、特開平７－２３０１６５号、特開平８－６２８３４号、特開平９－５４４３２号、及び特開平９－５９８８号に記載されている界面活性剤が挙げられる。
【0048】
いくつかの実施形態では、前記界面活性剤の量は、前記誘電体膜形成組成物の総重量の約０．００５重量％以上（例えば、約０．０１重量％以上若しくは約０．１重量％以上）及び／又は約１重量％以下（例えば、約０．５重量％以下若しくは約０．２重量％以下）である。
【0049】
本開示の誘電体膜形成組成物は、任意に（optionally）、１種又は複数種の（例えば、２種、３種、又は４種の）銅不動態化試薬を含有してもよい。適切な銅不動態化試薬の例としては、トリアゾール化合物、イミダゾール化合物及びテトラゾール化合物が挙げられる。トリアゾール化合物は、トリアゾール、ベンゾトリアゾール、置換トリアゾール、及び置換ベンゾトリアゾールを含んでもよい。トリアゾール化合物の例としては、これらに限定されないが、１，２，４－トリアゾール、１，２，３－トリアゾール、又はＣ１～Ｃ８アルキル（例えば、５－メチルトリアゾール）、アミノ、チオール、メルカプト、イミノ、カルボキシ及びニトロ基などの置換基で置換されたトリアゾールが挙げられる。具体例としては、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、５－メチル－１，２，４－トリアゾール、５－フェニル－ベンゾトリアゾール、５－ニトロ－ベンゾトリアゾール、３－アミノ－５－メルカプト－１，２，４－トリアゾール、１－アミノ－１，２，４－トリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、２－（５－アミノ－ペンチル）－ベンゾトリアゾール、１－アミノ－１，２，３－トリアゾール、１－アミノ－５－メチル－１，２，３－トリアゾール、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール、３－メルカプト－１，２，４－トリアゾール、３－イソプロピル－１，２，４－トリアゾール、５－フェニルチオール－ベンゾトリアゾール、２－［３－２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－４－ヒドロキシフェニル］エチルメタクリレート（ＢＴＺ－ＡＣ）ハロ－ベンゾトリアゾール（ハロ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩ）、ナフトトリアゾールなどが挙げられる。イミダゾールの例としては、これらに限定されないが、２－アルキル－４－メチルイミダゾール、２－フェニル－４－アルキルイミダゾール、２－メチル－４（５）－ニトロイミダゾール、５－メチル－４－ニトロイミダゾール、４－イミダゾールメタノール塩酸塩及び２－メルカプト－１－メチルイミダゾールが挙げられる。テトラゾールの例としては、１－Ｈ－テトラゾール、５－メチル－１Ｈ－テトラゾール、５－フェニル－１Ｈ－テトラゾール、５－アミノ－１Ｈ－テトラゾール、１－フェニル－５－メルカプト－１Ｈ－テトラゾール、５，５’－ビス－１Ｈ－テトラゾール、１－メチル－５－エチルテトラゾール、１－メチル－５－メルカプトテトラゾール、１－カルボキシメチル－５－メルカプトテトラゾールなどが挙げられる。前記任意使用の（optional）銅不動態化剤の量は、採用される場合、本開示の誘電体膜形成組成物の全重量の約０．１重量％以上（例えば、約０．２重量％以上若しくは約０．５重量％以上）及び／又は約３．０重量％以下（例えば、約２．０重量％以下若しくは約１．０重量％以下）である。
【0050】
いくつかの実施形態では、本開示の誘電体膜形成組成物は、任意に（optionally）、１種又は複数種の（例えば、２種、３種、又は４種の）可塑剤、酸化防止剤、染料及び／又は着色剤を含有してもよい。
【0051】
いくつかの実施形態では、誘電体膜は、本開示の誘電体膜形成組成物から、（ａ）本開示に記載の誘電体膜形成組成物を基板（例えば、半導体基板）上にコーティングして誘電体膜を形成する工程と、（ｂ）任意に（optionally）、前記膜を高温（例えば、約５０℃～約１５０℃）で一定期間（例えば、約２０秒～約６００秒）ベーキングする工程とを含有するプロセスによって調製されてもよい。
【0052】
前記誘電体膜を調製するためのコーティング方法としては、これらに限定されないが、（１）スピンコーティング法、（２）スプレーコーティング法、（３）ロールコーティング法、（４）ロッドコーティング法、（５）回転コーティング法、（６）スリットコーティング法、（７）圧縮コーティング法、（８）カーテンコーティング法、（９）ダイコーティング法、（１０）ワイヤーバーコーティング法、（１１）ナイフコーティング法、（１２）乾燥膜のラミネート法が挙げられる。コーティング方法（１）～（１１）の場合、前記誘電体膜形成組成物は、典型的には溶液の形態で提供される。当業者は、前記コーティングタイプに基づいて適切な溶媒タイプ及び溶媒濃度を選択するであろう。
【0053】
基板（substrate）は、様々な寸法のウエハ又はパネルなどの円形、正方形又は長方形の形状を有してもよい。適切な基板の例は、エポキシ成形化合物（ＥＭＣ）、シリコン、ガラス、銅、ステンレス鋼、銅クラッド積層体（ＣＣＬ）、アルミニウム、酸化ケイ素及び窒化ケイ素である。基板は、ポリイミド、ＰＥＥＫ、ポリカーボネート、及びポリエステル膜などの可撓性であってもよい。基板は、表面実装又は埋め込みチップ、ダイ、又はパッケージを有してもよい。基板は、シード層とパッシベーション層との組み合わせがスパッタリング又はプレコーティングされてもよい。いくつかの実施形態では、本開示で言及される基板は半導体基板であってもよい。本開示で使用される場合、半導体基板は、最終的な電子デバイスの一部となる基板（例えば、シリコン又は銅の基板又はウエハ）である。
【0054】
本開示の誘電体膜の厚さは、特に限定されない。いくつかの実施形態では、前記誘電体膜は、約１ミクロン以上（例えば、約２ミクロン以上、約３ミクロン以上、約４ミクロン以上、約５ミクロン以上、約６ミクロン以上、約８ミクロン以上、約１０ミクロン以上、約１５ミクロン以上、約２０ミクロン以上、若しくは約２５ミクロン以上）及び／又は約１００ミクロン以下（例えば、約９０ミクロン以下、約８０ミクロン以下、約７０ミクロン以下、約６０ミクロン以下、約５０ミクロン以下、約４０ミクロン以下、若しくは約３０ミクロン以下）の膜厚を有する。いくつかの実施形態では、前記誘電体膜の厚さは、約５ミクロン未満（例えば、約４．５ミクロン未満、約４．０ミクロン未満、約３．５ミクロン未満、約３．０ミクロン未満、約２．５ミクロン未満、又は約２．０ミクロン未満）である。
【0055】
いくつかの実施形態では、前記誘電体組成物が感光性である場合、パターニングされた感光性誘電体膜を調製する前記プロセスは、リソグラフィプロセスによって、前記感光性誘電体膜をパターニングされた誘電体膜に変換することを含む。そのような場合、前記変換は、パターニングされたマスクを使用して、前記感光性誘電体膜を高エネルギー放射線（電子線、紫外線、Ｘ線など）に曝露することを含んでもよい。
【0056】
前記曝露後、前記誘電体膜は、約５０℃以上（例えば、約５５℃以上、約６０℃以上、又は約６５℃以上）から約１００℃以下（例えば、約９５℃以下、又は約９０℃以下、約８５℃以下、約８０℃以下、約７５℃以下、又は約７０℃以下）まで、約６０秒以上（例えば、約６５秒以上、又は約７０秒以上）から約２４０秒以下（例えば、約１８０秒以下、約１２０秒以下又は約９０秒以下）にわたって熱処理されてもよい。前記熱処理は、通常、ホットプレート又はオーブンを用いて達成される。
【0057】
前記曝露及び熱処理後、現像液の使用によって前記誘電体膜を現像して未曝露部分を除去し、前記基板上に開口部やレリーフ像を形成してもよい。現像は、例えば浸漬法やスプレー法により実施されてもよい。現像後、前記積層基板上の前記誘電体膜にマイクロホールや細線が発生する場合がある。
【0058】
いくつかの実施形態では、前記誘電体膜は、有機現像剤の使用によって現像されてもよい。そのような現像剤の例としては、これらに限定されないが、ガンマ－ブチロラクトン（ＧＢＬ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ，Ｎ－ジエチルアセトアミド、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、２－ヘプタノン、シクロペンタノン（ＣＰ）、シクロヘキサノン、酢酸ｎ－ブチル（ｎＢＡ）、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、乳酸エチル（ＥＬ）、乳酸プロピル、３－メチル－３－メトキシブタノール、テトラリン、イソホロン、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、メチル３－メトキシプロピオネート、エチル３－エトキシプロピオネート、ジエチルマロネート、エチレングリコール、１，４：３，６－ジアンヒドロソルビトール、イソソルビドジメチルエーテル、１，４：３，６－ジアンヒドロソルビトール２，５－ジエチルエーテル（２，５－ジエチルイソソルビド）及びそれらの混合物が挙げられる。好ましい現像剤は、ガンマ－ブチロラクトン（ＧＢＬ）、シクロペンタノン（ＣＰ）、シクロヘキサノン、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸ｎ－ブチル（ｎＢＡ）及びジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）である。より好ましい現像剤は、ガンマ－ブチロラクトン（ＧＢＬ）、シクロペンタノン（ＣＰ）及びシクロヘキサノンである。これらの現像剤は、個々に、又は２種以上の組み合わせで使用して、特定の組成物及びリソグラフィプロセスの画質を最適化することができる。
【0059】
いくつかの実施形態では、前記誘電体膜は、水性現像剤の使用によって現像されてもよい。前記現像剤が水溶液である場合、前記現像剤は好ましくは１種又は複数種の水性塩基を含有する。適切な塩基の例としては、これらに限定されないが、無機アルカリ（例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム）、第一級アミン（例えば、エチルアミン、ｎ－プロピルアミン）、第二級アミン（例えば、ジエチルアミン、ジ－ｎ－プロピルアミン）、第三級アミン（例えば、トリエチルアミン）、アルコールアミン（例えば、トリエタノールアミン）、第四級アンモニウム水酸化物（例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム又は水酸化テトラエチルアンモニウム）、及びそれらの混合物が挙げられる。採用される前記塩基の濃度は、例えば、採用される前記ポリマーの塩基溶解度に応じて変化する。最も好ましい水性現像剤は、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を含有するものである。ＴＭＡＨの適切な濃度は、約１％～約５％の範囲である。
【0060】
いくつかの実施形態では、有機現像剤による前記現像後、残留物を除去するために有機リンス溶媒を用いた、任意使用の（optional）リンス処理を実施してもよい。有機リンス溶媒の適切な例としては、これらに限定されないが、イソプロピルアルコール、メチルイソブチルカルビノール（ＭＩＢＣ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、及びアミルアルコールなどのアルコール；酢酸ｎ－ブチル（ｎＢＡ）、乳酸エチル（ＥＬ）及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）などのエステル類；メチルエチルケトンなどのケトン類、並びにそれらの混合物が挙げられる。
【0061】
いくつかの実施形態では、前記現像工程又は前記任意使用の（optional）リンス処理工程の後、任意使用の（optionally）ベーキング工程（例えば、現像後ベーキング）を、約１２０℃以上（例えば、約１３０℃以上、約１４０℃以上、約１５０℃以上、約１６０℃以上、約１７０℃以上、又は約１８０℃以上）から約２５０℃以下（例えば、約２４０℃以下、約２３０℃以下、約２２０℃以下、約２１０℃以下、約２００℃以下又は約１９０℃以下）の範囲の温度で実施してもよい。ベーキング時間は、約５分以上（例えば、約１０分以上、約２０分以上、約３０分以上、約４０分以上、約５０分以上、若しくは約６０分以上）及び／又は約５時間以下（例えば、約４時間以下、約３時間以下、約２時間以下、若しくは約１．５時間以下）である。このベーキング工程により、前記残存する誘電体膜から残留溶剤を除去し、前記残存する誘電体膜をさらに架橋させることができる。現像後ベーキングは、空気中、又は好ましくは窒素のブランケット下で行ってもよく、任意の適切な加熱手段によって実施されてもよい。
【0062】
いくつかの実施形態では、前記パターニングされた誘電体膜は、約１０ミクロン以下（例えば、約９ミクロン以下、約８ミクロン以下、約７ミクロン以下、約６ミクロン以下、約５ミクロン以下、約４ミクロン以下、約３ミクロン以下、約２ミクロン以下、又は約１ミクロン以下）のフィーチャサイズを有する少なくとも１つの要素を含む。本開示の１つの重要な態様は、本開示に記載の誘電体膜形成組成物から調製された前記誘電体膜が、レーザアブレーションプロセスによって、約３ミクロン以下（例えば、２ミクロン以下又は１ミクロン以下）のフィーチャサイズを有するパターニングされた膜を製造することができることである。
【0063】
いくつかの実施形態では、本開示の前記パターニングされた誘電体膜のフィーチャ（例えば、最小フィーチャ）のアスペクト比（高さ対幅の比）は、約１／３以上（例えば、約１／２以上、約１／１以上、約２／１以上、約３／１以上、約４／１以上、又は約５／１以上）である。
【0064】
いくつかの実施形態（例えば、前記誘電体膜形成組成物が非感光性である場合）では、パターニングされた誘電体膜を調製するプロセスは、レーザアブレーション技術によって前記誘電体膜をパターニングされた誘電体膜に変換することを含む。エキシマレーザ光を用いた直接レーザアブレーションプロセスは、一般に、前記誘電体膜に開口部（又はパターン）を形成するための乾式一段階材料除去である。いくつかの実施形態では、レーザの波長は３５１ｎｍ以下（例えば、３５１ｎｍ、３０８ｎｍ、２４８ｎｍ又は１９３ｎｍ）である。適切なレーザアブレーションプロセスの例としては、これらに限定されないが、その内容が参照により本開示に組み込まれる米国特許第７，５９８，１６７号、同第６，６６７，５５１号、及び同第６，１１４，２４０号に記載されているプロセスが挙げられる。
【0065】
前記誘電体膜形成組成物が非感光性である実施形態では、前記組成物を使用して二重層フォトレジスト内における下層を形成してもよい。そのような実施形態では、前記二重層フォトレジストの上部層は感光層であってもよく、高エネルギー放射線への曝露時にパターニングされてもよい。前記上部層の前記パターンは、前記下層である誘電体層に転写されてもよい（例えば、エッチングによる）。次いで、前記上部層を除去して（例えば、湿式化学エッチング法に使用による）、パターニングされた誘電体膜を形成してもよい。
【0066】
いくつかの実施形態では、本開示は、（ａ）開口部を有するパターンニングされた誘電体膜を形成する工程と、ｄ）前記パターニングされた誘電体膜の少なくとも１つの開口部に金属層（例えば、導電性金属層）を堆積させる工程とを含む、（例えば、埋め込み銅トレース構造を作成するために）金属層を堆積させるためのプロセスを特徴とする。例えば、前記プロセスは、（ａ）本開示の誘電体膜形成組成物を基板（例えば、半導体基板）上に付与（deposit）して誘電体膜を形成する工程と、（ｂ）前記誘電体膜を放射線若しくは熱、又はそれらの組み合わせの供給源に（例えば、マスクを介して）曝露する工程と、（ｃ）前記誘電体膜をパターニングして、開口部を有するパターニングされた誘電体膜を形成する工程と、（ｄ）前記パターニングされた誘電体膜の少なくとも１つの開口部に金属層（例えば、導電性金属層）を堆積させる工程とを含んでもよい。いくつかの実施形態では、工程（ａ）～（ｄ）を、１又は複数の回数（例えば、２回、３回、又は４回）繰り返してもよい。
【0067】
いくつかの実施形態では、本開示は、半導体基板上に金属層（例えば、埋め込み銅トレース構造を作成するための導電性銅層）を堆積させるプロセスを特徴とする。いくつかの実施形態では、これを達成するために、前記パターニングされた誘電体膜にコンフォーマルなシード層が、前記パターニングされた誘電体膜上（例えば、前記膜の前記開口部の外側）に最初に付与（deposit）される。シード層は、バリア層及び金属シード層（例えば、銅シード層）を含有してもよい。いくつかの実施形態では、前記バリア層は、前記誘電体層を介した導電性金属（例えば、銅）の拡散を防止することができる材料を使用することによって作製される。前記バリア層に使用することができる適切な材料としては、これらに限定されないが、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、窒化タンタル（ＴｉＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、及びＴａ／ＴａＮが挙げられる。前記バリア層の適切な形成方法は、スパッタリング（例えば、ＰＶＤ又は物理蒸着）である。スパッタリング堆積は、多くの導電性材料を高い堆積速度で、良好な均一性及び低い所有コストで堆積させるために使用することができるので、金属堆積技術としていくつかの利点を有する。従来のスパッタリング充填は、より深く、より狭い（高アスペクト比）フィーチャに関して、比較的悪い結果をもたらす。スパッタリングによる充填係数は、スパッタリングされる流束を平行化することで改善されている。典型的には、これは、六角形のセルのアレイを有するコリメータプレートをターゲットと基板との間に挿入することによって達成される。
【0068】
前記プロセスの次の工程は、金属シード付与（deposit）である。後続の工程で形成される前記金属層（例えば、銅層）の堆積を改善するために、薄い金属（例えば、銅などの導電性金属）シード層を前記バリア層の上に形成してもよい。
【0069】
前記プロセスの次の工程は、前記パターニングされた誘電体膜の前記開口部内の前記金属シード層の上に導電性金属層（例えば、銅層）を堆積させることであり、前記金属層は、前記パターニングされた誘電体膜の前記開口部を充填するのに十分な厚さである。前記パターニングされた誘電体膜の前記開口部を充填するための前記金属層は、めっき（無電解めっき、電解めっきなど）、スパッタリング、プラズマ蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）により堆積されてもよい。電気化学堆積は、他の堆積方法よりも経済的であり、前記インターコネクトフィーチャに銅を欠陥なく充填することができるので、一般に銅を適用する好ましい方法である。銅堆積方法は、一般に、半導体産業の厳しい要件を満たさなければならない。例えば、銅堆積物は均一で、例えば１００ｎｍ以下の開口部を有するデバイスの小さなインターコネクトフィーチャを欠陥なく充填することができなければならない。この技術は、例えば、米国特許第５，８９１，８０４号明細書（Havemann et al.）、米国特許第６，３９９，４８６号明細書（Tsai et al.）、及び米国特許第７，３０３，９９２号明細書（Paneccasio et al.）に記載されており、その内容は参照により本開示に組み込まれる。
【0070】
いくつかの実施形態では、導電性金属層を堆積させる前記プロセスは、前記導電性金属の過剰付与部（overburden）を除去すること、又は前記シード層（例えば、前記バリア層及び前記金属シード層）を除去することをさらに含む。いくつかの実施形態では、前記導電性金属層（例えば、銅層）の過剰付与部（overburden）は、約３ミクロン以下（例えば、約２．８ミクロン以下、約２．６ミクロン以下、約２．４ミクロン以下、約２．２ミクロン以下、約２．０ミクロン以下、又は約１．８ミクロン以下）及び約０．４ミクロン以上（例えば、約０．６ミクロン以上、約０．８ミクロン以上、約１．０ミクロン以上、約１．２ミクロン以上、約１．４ミクロン以上、又は約１．６ミクロン以上）である。銅の過剰付与部（overburden）を除去するための銅エッチング剤の例としては、塩化第二銅及び塩酸を含有する水溶液、又は硝酸第二鉄及び塩酸の水性混合物が挙げられる。他の適切な銅エッチング剤の例としては、これらに限定されないが、その内容が参照により本開示に組み込まれる米国特許第４，７８４，７８５号、同第３，３６１，６７４号、同第３，８１６，３０６号、同第５，５２４，７８０号、同第５，６５０，２４９号、同第５，４３１，７７６号、及び同第５，２４８，３９８号、並びに米国特許出願公開第２０１７１７５２７４号に記載されている銅エッチング剤が挙げられる。
【0071】
いくつかの実施形態は、ライン及びインターコネクトのネットワークを形成する導電性金属（例えば、銅）ワイヤ構造を含有する金属構造基板を本開示の誘電体膜によって取り囲むプロセスを記載する。前記プロセスは、
ａ）前記基板上にライン及びインターコネクトのネットワークを形成する導電性金属ワイヤ構造を含有する基板を準備する工程と、
ｂ）前記基板上に本開示の誘電体膜形成組成物を付与（deposit）して、誘電体膜を形成する（例えば、導電性金属ライン及びインターコネクトを取り囲む誘電体膜を形成する）工程と、
ｃ）前記誘電体膜を放射線若しくは熱、又は放射線と熱との組み合わせの供給源に（マスクを用いて、又は用いずに）曝露する工程と
を含んでもよい。
ａ）前記基板上にライン及びインターコネクトのネットワークを形成する導電性金属ワイヤ構造を含有する基板を準備する工程と、
ｂ）前記基板上に本開示の誘電体膜形成組成物を付与（deposit）して、誘電体膜を形成する（例えば、導電性金属ライン及びインターコネクトを取り囲む誘電体膜を形成する）工程と、
ｃ）前記誘電体膜を放射線若しくは熱、又は放射線と熱との組み合わせの供給源に（マスクを用いて、又は用いずに）曝露する工程と
を含んでもよい。
【0072】
複雑な多層の三次元物体を形成するために、上記の工程を複数回（例えば、２回、３回、又は４回）繰り返してもよい。
【0073】
いくつかの実施形態では、本開示は、乾燥膜構造体を調製する方法を特徴とする。前記方法は、
ａ）キャリア基板（例えば、少なくとも１つのポリマー又はプラスチック膜を含む基板）を、本開示に記載の誘電体膜形成組成物でコーティングすることと、
ｂ）前記コーティングされた誘電体膜形成組成物を乾燥して乾燥膜を形成することと、
ｃ）任意に（optionally）、前記乾燥膜に保護層を付与（apply）することと
を含んでもよい。
ａ）キャリア基板（例えば、少なくとも１つのポリマー又はプラスチック膜を含む基板）を、本開示に記載の誘電体膜形成組成物でコーティングすることと、
ｂ）前記コーティングされた誘電体膜形成組成物を乾燥して乾燥膜を形成することと、
ｃ）任意に（optionally）、前記乾燥膜に保護層を付与（apply）することと
を含んでもよい。
【0074】
いくつかの実施形態では、前記キャリア基板は、１種又は複数種のポリマー（例えば、ポリエチレンテレフタレート）を含んでもよい単層又は多層のポリマー又はプラスチック膜である。いくつかの実施形態では、前記キャリア基板は優れた光透過性を有し、前記ポリマー層にレリーフパターンを形成するために使用される化学線照射に対して実質的に透明である。前記キャリア基板の厚さは、好ましくは、約１０μｍ以上（例えば、約１５μｍ以上、約２０μｍ以上、約３０μｍ以上、約４０μｍ以上、約５０μｍ以上又は約６０μｍ以上）から約１５０μｍ以下（例えば、約１４０μｍ以下、約１２０μｍ以下、約１００μｍ以下、約９０μｍ以下、約８０μｍ以下又は約７０μｍ以下）の範囲内である。
【0075】
いくつかの実施形態では、前記保護層は、１種又は複数種のポリマー（例えば、ポリエチレン又はポリプロピレン）を含んでもよい単層又は多層膜である。キャリア基板及び保護層の例は、例えば、米国特許出願公開第２０１６／０３１３６４２号に記載されており、その内容は参照により本開示に組み込まれる。
【0076】
いくつかの実施形態では、前記乾燥膜の前記誘電体膜は、自立型誘電体膜としてキャリア層から剥離（delaminate）されてもよい。自立型誘電体膜は、キャリア層などの支持層を使用することなく、その物理的完全性を維持することができる膜である。いくつかの実施形態では、前記自立型誘電体膜は架橋も硬化もせず、前記溶媒を除いて上記の誘電体膜形成組成物の成分を含んでもよい。
【0077】
いくつかの実施形態では、１０ＧＨｚ、１５ＧＨｚ、及び／又は３５ＧＨｚで測定した、本開示の誘電体膜形成組成物から調製された前記膜の誘電正接又は損失係数は、約０．００１以上（例えば、約０．００２以上、約０．００３以上、約０．００４以上、約０．００５以上、約０．０１以上、又は約０．０５以上）から約０．１以下（例えば、約０．０８以下、約０．０６以下、約０．０５以下、約０．０４以下、約０．０２以下、約０．０１以下、約０．００８以下、約０．００６以下又は約０．００５以下）の範囲内である。
【0078】
いくつかの実施形態では、前記乾燥膜構造体の前記誘電体膜は、平面圧縮法又は熱ロール圧縮法を用いて前記乾燥膜構造体の前記誘電体膜を予備ラミネートした後、約５０℃～約１４０℃で真空ラミネーターを使用して基板（例えば、ウエハなどの半導体基板）にラミネートされてもよい。前記熱ロールラミネーションを採用する場合、前記乾燥膜構造体を熱ロールラミネーターに入れ、前記任意使用の（optional）保護層を前記誘電体膜／キャリア基板から剥離し、熱及び圧力と共にローラーを使用して前記誘電体膜を基板に接触させ及びラミネートし、前記基板、前記誘電体膜及び前記キャリア基板を含有する物品を形成することができる。次いで、前記誘電体膜を放射線源又は熱源に曝露（例えば、キャリア基板を介して）して、架橋感光性誘電体膜を形成してもよい。いくつかの実施形態では、前記誘電体膜を放射線源又は熱源に曝露する前に、前記キャリア基板は除去されてもよい。
【0079】
本開示のいくつかの実施形態は、銅パターンを有する基板上に平坦化誘電体膜を生成するプロセスを説明する。いくつかの実施形態では、前記プロセスは、銅パターンを有する基板上に誘電体膜形成組成物を付与（deposit）して、誘電体膜を形成することを含む。いくつかの実施形態では、前記プロセスは、
ａ．本開示の誘電体膜形成組成物を準備する工程と、
ｂ．銅パターンを有する基板上に前記誘電体膜形成組成物を付与（deposit）して、誘電体膜を形成する工程と
を含み、前記誘電体膜の上面の最高点と最低点との差は約２ミクロン未満（例えば、１．５ミクロン未満、１ミクロン未満又は０．５ミクロン未満）である。
ａ．本開示の誘電体膜形成組成物を準備する工程と、
ｂ．銅パターンを有する基板上に前記誘電体膜形成組成物を付与（deposit）して、誘電体膜を形成する工程と
を含み、前記誘電体膜の上面の最高点と最低点との差は約２ミクロン未満（例えば、１．５ミクロン未満、１ミクロン未満又は０．５ミクロン未満）である。
【0080】
いくつかの実施形態では、本開示は、本開示に記載のプロセスによって形成された少なくとも１つのパターンニングされた誘電体膜を含有する物品を特徴とする。そのような物品の例としては、半導体基板、電子機器用の可撓性膜、ワイヤアイソレーション、ワイヤコーティング、ワイヤエナメル、又はインク付き基板が挙げられる。いくつかの実施形態では、本開示は、これらの物品のうちの１又は複数を含む半導体デバイスを特徴とする。このような物品から作製され得る半導体デバイスの例としては、集積回路、発光ダイオード、太陽電池、及びトランジスタが挙げられる。
【0081】
本開示で引用されるすべての刊行物（例えば、特許、特許出願公開、及び論文）の内容は、その全体が参照により本開示に組み込まれる。
【0082】
本開示は、以下の実施例を参照してより詳細に説明されるが、これらは例示を目的とするものであり、本開示の範囲を限定するものと解釈されるべきではない。
【実施例】
【0083】
組成物実施例１（ＣＥ－１）
感光性誘電体膜形成組成物（ＣＥ－１）を、１００部の下記に示す重量平均分子量５４，０００ダルトンのポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２９．１９％シクロペンタノン溶液、２．７６部のシクロペンタノン、４１．５部のプロピレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０（OMNOVA Solutionsから入手可能な界面活性剤）の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、１．４６部のメタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（接着促進剤）、０．８８部の２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）－１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－１，２－オクタンジオン（BASFから入手可能なＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－１、光開始剤）、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン（酸化防止剤）、１０．９５部のテトラエチレングリコールジアクリレート（反応性官能化合物）、３．６５部のペンタエリスリトールトリアクリレート（反応性官能化合物）、２．９２部の２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン（シアネートエステル）、及び０．１５部の５－メチルベンゾトリアゾール（銅防錆剤）を使用することによって調製した。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過した。
感光性誘電体膜形成組成物（ＣＥ－１）を、１００部の下記に示す重量平均分子量５４，０００ダルトンのポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２９．１９％シクロペンタノン溶液、２．７６部のシクロペンタノン、４１．５部のプロピレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０（OMNOVA Solutionsから入手可能な界面活性剤）の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、１．４６部のメタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（接着促進剤）、０．８８部の２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）－１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－１，２－オクタンジオン（BASFから入手可能なＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－１、光開始剤）、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン（酸化防止剤）、１０．９５部のテトラエチレングリコールジアクリレート（反応性官能化合物）、３．６５部のペンタエリスリトールトリアクリレート（反応性官能化合物）、２．９２部の２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン（シアネートエステル）、及び０．１５部の５－メチルベンゾトリアゾール（銅防錆剤）を使用することによって調製した。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過した。
【0084】
この組成物により形成された誘電体膜のＴｇは２６７℃であり、後述する比較組成物１により形成された誘電体膜のＴｇ（２４８℃）よりも高かった。
【0085】
【化4】
【0086】
リソグラフィプロセス実施例１
感光性組成物ＣＥ－１をシリコンウエハ上にスピンコーティングし、ホットプレートを使用して９５℃で６分間ベーキングして、厚さ７．９５ミクロンのコーティングを形成した。前記感光性ポリイミド膜を、Cannon製４０００ ＩＥ ｉ線ステッパーを使用して様々なレベルの露光エネルギーで露光した。
感光性組成物ＣＥ－１をシリコンウエハ上にスピンコーティングし、ホットプレートを使用して９５℃で６分間ベーキングして、厚さ７．９５ミクロンのコーティングを形成した。前記感光性ポリイミド膜を、Cannon製４０００ ＩＥ ｉ線ステッパーを使用して様々なレベルの露光エネルギーで露光した。
【0087】
シクロペンタノンを現像剤として使用することによって（１×４０秒の動的現像（dynamic development））、未露光部分を除去し、続いて前記現像膜をＰＧＭＥＡで１５秒間すすいでパターンを形成した。１００ｍＪ／ｃｍ２のフォトスピードで４ミクロンの解像度が達成された。膜厚損失は１７．９％であった。
【0088】
組成物実施例２（ＣＥ－２）
感光性誘電体膜形成組成物ＣＥ－２を、１００部の重量平均分子量５４，０００ダルトンのポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２９．１９％シクロペンタノン溶液、２．７６部のシクロペンタノン、４１．５部のプロピレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、１．４６部のメタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、０．８８部のＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－１、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１０．９５部のテトラエチレングリコールジアクリレート、３．６５部のペンタエリスリトールトリアクリレート、５．８４部の２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン、及び０．１５部の５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製した。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過した。
感光性誘電体膜形成組成物ＣＥ－２を、１００部の重量平均分子量５４，０００ダルトンのポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２９．１９％シクロペンタノン溶液、２．７６部のシクロペンタノン、４１．５部のプロピレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、１．４６部のメタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、０．８８部のＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－１、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１０．９５部のテトラエチレングリコールジアクリレート、３．６５部のペンタエリスリトールトリアクリレート、５．８４部の２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン、及び０．１５部の５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製した。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過した。
【0089】
この組成物により形成された誘電体膜のＴｇは２７３℃であり、後述する比較組成物１により形成された誘電体膜のＴｇ（２４８℃）よりも高かった。
【0090】
組成物実施例３（ＣＥ－３）
感光性誘電体膜形成組成物（ＣＥ－３）を、１００部の重量平均分子量５４，０００ダルトンのポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２９．１９％シクロペンタノン溶液、２．７６部のシクロペンタノン、４１．５部のプロピレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、１．４６部のメタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、０．８８部のＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－１、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１０．９５部のテトラエチレングリコールジアクリレート、３．６５部のペンタエリスリトールトリアクリレート、４．３部の２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン、及び０．１５部の５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製した。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過した。
感光性誘電体膜形成組成物（ＣＥ－３）を、１００部の重量平均分子量５４，０００ダルトンのポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２９．１９％シクロペンタノン溶液、２．７６部のシクロペンタノン、４１．５部のプロピレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、１．４６部のメタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、０．８８部のＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－１、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１０．９５部のテトラエチレングリコールジアクリレート、３．６５部のペンタエリスリトールトリアクリレート、４．３部の２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン、及び０．１５部の５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製した。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過した。
【0091】
この組成物により形成された誘電体膜のＴｇは２７０℃であり、後述する比較組成物１により形成された誘電体膜のＴｇ（２４８℃）よりも高かった。
【0092】
組成物実施例４（ＣＥ－４）
感光性誘電体膜形成組成物（ＣＥ－４）を、１００部の重量平均分子量５４，０００ダルトンのポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２９．１９％シクロペンタノン溶液、２．７６部のシクロペンタノン、４１．５部のプロピレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、１．１７部のメタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、０．２９部のガンマグリシドキシプロピルトリメトキシシラン（Ｓｉｌｑｕｅｓｔ Ａ－１８７）、０．８８部のＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－１、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１０．９５部のテトラエチレングリコールジアクリレート、３．６５部のペンタエリスリトールトリアクリレート、２．９２部の２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン、及び０．１５部の５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製した。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過した。
感光性誘電体膜形成組成物（ＣＥ－４）を、１００部の重量平均分子量５４，０００ダルトンのポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２９．１９％シクロペンタノン溶液、２．７６部のシクロペンタノン、４１．５部のプロピレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、１．１７部のメタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、０．２９部のガンマグリシドキシプロピルトリメトキシシラン（Ｓｉｌｑｕｅｓｔ Ａ－１８７）、０．８８部のＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－１、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１０．９５部のテトラエチレングリコールジアクリレート、３．６５部のペンタエリスリトールトリアクリレート、２．９２部の２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン、及び０．１５部の５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製した。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過した。
【0093】
組成物実施例５（ＣＥ－５）
感光性誘電体膜形成組成物（ＣＥ－５）を、１００部の重量平均分子量５４，０００ダルトンのポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２９．１９％シクロペンタノン溶液、２．７６部のシクロペンタノン、４１．５部のプロピレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、１．４６部のガンマグリシドキシプロピルトリメトキシシラン、０．８８部のＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－１、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１０．９５部のテトラエチレングリコールジアクリレート、３．６５部のペンタエリスリトールトリアクリレート、２．９２部の２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン、及び０．１５部の５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製した。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過した。
感光性誘電体膜形成組成物（ＣＥ－５）を、１００部の重量平均分子量５４，０００ダルトンのポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２９．１９％シクロペンタノン溶液、２．７６部のシクロペンタノン、４１．５部のプロピレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、１．４６部のガンマグリシドキシプロピルトリメトキシシラン、０．８８部のＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－１、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１０．９５部のテトラエチレングリコールジアクリレート、３．６５部のペンタエリスリトールトリアクリレート、２．９２部の２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン、及び０．１５部の５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製した。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過した。
【0094】
比較組成物実施例１（ＣＣＥ－１）
感光性誘電体膜形成組成物（ＣＣＥ－１）を、１００部の重量平均分子量５４，０００のポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２９．１９％シクロペンタノン溶液、２．７６部のシクロペンタノン、４１．５部のプロピレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、１．４６部のメタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、０．８８部のＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－１、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１０．９５部のテトラエチレングリコールジアクリレート、３．６５部のペンタエリスリトールトリアクリレート、及び０．１５部の５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製した。換言すれば、組成物ＣＣＥ－１は、シアネートエステル化合物を含まなかった。２４時間機械的に撹拌した後、上記溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過した。この組成物によって形成した誘電体膜のＴｇは２４８℃であった。
感光性誘電体膜形成組成物（ＣＣＥ－１）を、１００部の重量平均分子量５４，０００のポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２９．１９％シクロペンタノン溶液、２．７６部のシクロペンタノン、４１．５部のプロピレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、１．４６部のメタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、０．８８部のＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－１、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１０．９５部のテトラエチレングリコールジアクリレート、３．６５部のペンタエリスリトールトリアクリレート、及び０．１５部の５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製した。換言すれば、組成物ＣＣＥ－１は、シアネートエステル化合物を含まなかった。２４時間機械的に撹拌した後、上記溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過した。この組成物によって形成した誘電体膜のＴｇは２４８℃であった。
【0095】
組成物実施例６（ＣＥ－６）
感光性誘電体膜形成組成物（ＣＥ－６）を、１００部の、以下に示す構造を有する重量平均分子量２４，５００ダルトンのポリイミドポリマー（Ｐ－２）の３１．２１％ＧＢＬ溶液、１０．１部のＧＢＬ、４４．４５部のプロピレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、１．２５部のメタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、０．３１部のガンマグリシドキシプロピルトリメトキシシラン（Ｓｉｌｑｕｅｓｔ Ａ－１８７）、０．９４部のＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－１、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１１．７０部のテトラエチレングリコールジアクリレート、３．９０部のペンタエリスリトールトリアクリレート、３．１２部の２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン、及び０．１６部の５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製した。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過した。
感光性誘電体膜形成組成物（ＣＥ－６）を、１００部の、以下に示す構造を有する重量平均分子量２４，５００ダルトンのポリイミドポリマー（Ｐ－２）の３１．２１％ＧＢＬ溶液、１０．１部のＧＢＬ、４４．４５部のプロピレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、１．２５部のメタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、０．３１部のガンマグリシドキシプロピルトリメトキシシラン（Ｓｉｌｑｕｅｓｔ Ａ－１８７）、０．９４部のＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－１、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１１．７０部のテトラエチレングリコールジアクリレート、３．９０部のペンタエリスリトールトリアクリレート、３．１２部の２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン、及び０．１６部の５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製した。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過した。
【0096】
【化5】
【0097】
組成物実施例７（ＣＥ－７）
感光性誘電体膜形成組成物ＣＥ－７を、１００部の重量平均分子量５４，０００ダルトンのポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２９．１９％シクロペンタノン溶液、２．７６部のシクロペンタノン、４１．５部のプロピレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、１．４６部のトリエトキシシリルプロピルエチルカルバメート、０．８８部の１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］エタノン１－（Ｏ－アセチルオキシム）（BASF製Ｉｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－２）、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１０．９５部の１，６－ヘキサンジオールジメタクリレート、３．６５部の１，３－ブタンジオールトリ（メタ）アクリレート、及び２．９２部のＤＣＰノボラック（製品名Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＤＴ－４０００）（シアネートエステル化合物）、及び０．１５部の５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製する。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過する。
感光性誘電体膜形成組成物ＣＥ－７を、１００部の重量平均分子量５４，０００ダルトンのポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２９．１９％シクロペンタノン溶液、２．７６部のシクロペンタノン、４１．５部のプロピレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、１．４６部のトリエトキシシリルプロピルエチルカルバメート、０．８８部の１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］エタノン１－（Ｏ－アセチルオキシム）（BASF製Ｉｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－２）、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１０．９５部の１，６－ヘキサンジオールジメタクリレート、３．６５部の１，３－ブタンジオールトリ（メタ）アクリレート、及び２．９２部のＤＣＰノボラック（製品名Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＤＴ－４０００）（シアネートエステル化合物）、及び０．１５部の５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製する。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過する。
【0098】
組成物実施例８（ＣＥ－８）
感光性誘電体膜形成組成物（ＣＥ－８）を、３０部の、米国特許第６，９２９，８９１号の合成例３に記載のポリベンゾオキサゾール前駆体ポリマー（ポリマーＰ－３）、２．７６部のシクロペンタノン、４１．５部のプロピレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０（OMNOVA Solutionsから入手可能）の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、１．４６部の３－（トリエトキシシリル）プロピルコハク酸無水物、０．８８部の１，８－ビス［９－（２－エチルヘキシル）－６－ニトロ－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－１，８－ビス（Ｏ－アセチルオキシム）、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１０．９５部のテトラエチレングリコールジメタクリレート、３．６５部の１，４－ブタンジオールトリアクリレート、１．４６部の２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン、１．４６部のＤＣＰノボラック（製品名Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＤＴ－４０００）及び０．１５部の５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製する。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過する。
感光性誘電体膜形成組成物（ＣＥ－８）を、３０部の、米国特許第６，９２９，８９１号の合成例３に記載のポリベンゾオキサゾール前駆体ポリマー（ポリマーＰ－３）、２．７６部のシクロペンタノン、４１．５部のプロピレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０（OMNOVA Solutionsから入手可能）の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、１．４６部の３－（トリエトキシシリル）プロピルコハク酸無水物、０．８８部の１，８－ビス［９－（２－エチルヘキシル）－６－ニトロ－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－１，８－ビス（Ｏ－アセチルオキシム）、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１０．９５部のテトラエチレングリコールジメタクリレート、３．６５部の１，４－ブタンジオールトリアクリレート、１．４６部の２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン、１．４６部のＤＣＰノボラック（製品名Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＤＴ－４０００）及び０．１５部の５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製する。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過する。
【0099】
【化6】
【0100】
組成物実施例９（ＣＥ－９）
感光性誘電体膜形成組成物（ＣＥ－９）を、３０部の、４，４’－オキシフタル酸無水物（ＯＤＰＡ）、４，４’－ジアミノフェニルエーテル（ＯＤＡ）（ポリマーＰ－４）及び２－ヒドロキシエチルメタクリレートから生成されたポリアミド酸エステルの２９．１９％溶液、２．７６部のシクロペンタノン、４１．５部のプロピレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、１．１７部の３－（トリエトキシシリル）プロピルコハク酸無水物、０．２９部のガンマグリシドキシプロピルトリメトキシシラン（Ｓｉｌｑｕｅｓｔ Ａ－１８７）、０．８８部の１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（BASF製Ｉｒｇａｃｕｒｅ １８４）、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１０．９５部の１，１２－ドデカンジオールジメタクリレート、３．６５部のジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、２．９２部のノボラック（製品名Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＰＴ－３０）（シアネートエステル化合物）、及び０．１５部の５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製する。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過する。
感光性誘電体膜形成組成物（ＣＥ－９）を、３０部の、４，４’－オキシフタル酸無水物（ＯＤＰＡ）、４，４’－ジアミノフェニルエーテル（ＯＤＡ）（ポリマーＰ－４）及び２－ヒドロキシエチルメタクリレートから生成されたポリアミド酸エステルの２９．１９％溶液、２．７６部のシクロペンタノン、４１．５部のプロピレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、１．１７部の３－（トリエトキシシリル）プロピルコハク酸無水物、０．２９部のガンマグリシドキシプロピルトリメトキシシラン（Ｓｉｌｑｕｅｓｔ Ａ－１８７）、０．８８部の１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（BASF製Ｉｒｇａｃｕｒｅ １８４）、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１０．９５部の１，１２－ドデカンジオールジメタクリレート、３．６５部のジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、２．９２部のノボラック（製品名Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＰＴ－３０）（シアネートエステル化合物）、及び０．１５部の５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製する。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過する。
【0101】
組成物実施例１０（ＣＥ－１０）
感光性誘電体膜形成組成物（ＣＥ－１０）を、１００部の重量平均分子量５４，０００のポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２９．１９％シクロペンタノン溶液、２．７６部のシクロペンタノン、４１．５部のプロピレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、１．１７部の２－シアノエチルトリエトキシシラン、０．２９部のガンマグリシドキシプロピルトリメトキシシラン（Ｓｉｌｑｕｅｓｔ Ａ－１８７）、０．８８部のＮＣＩ－８３１（ADEKA Corp.）、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１０．９５部の１，３－ブチレングリコールジメタクリレート、３．６５部のジペンタエリスリトールペンタメタクリレート、２．９２部のＢＰ－Ｍ（HunstmanからＡｒｏＣｙ（登録商標）ＸＵ ３６６として入手可能）（シアネートエステル化合物）、及び０．１５部の５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製する。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過する。
感光性誘電体膜形成組成物（ＣＥ－１０）を、１００部の重量平均分子量５４，０００のポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２９．１９％シクロペンタノン溶液、２．７６部のシクロペンタノン、４１．５部のプロピレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、１．１７部の２－シアノエチルトリエトキシシラン、０．２９部のガンマグリシドキシプロピルトリメトキシシラン（Ｓｉｌｑｕｅｓｔ Ａ－１８７）、０．８８部のＮＣＩ－８３１（ADEKA Corp.）、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１０．９５部の１，３－ブチレングリコールジメタクリレート、３．６５部のジペンタエリスリトールペンタメタクリレート、２．９２部のＢＰ－Ｍ（HunstmanからＡｒｏＣｙ（登録商標）ＸＵ ３６６として入手可能）（シアネートエステル化合物）、及び０．１５部の５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製する。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過する。
【0102】
組成物実施例１１（ＣＥ－１１）
感光性誘電体膜形成組成物（ＣＥ－１１）を、１００部の重量平均分子量５４，０００のポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２９．１９％シクロペンタノン溶液、２．７６部のシクロペンタノン、４１．５部のエチレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％エチレンカーボネート溶液、１．１７部の（Ｎ，Ｎ－ジエチルアミノプロピル）トリメトキシシラン、０．２９部のガンマグリシドキシプロピルトリメトキシシラン（Ｓｉｌｑｕｅｓｔ Ａ－１８７）、０．８８部のＮＣＩ－９３０（ADEKA Corp.）、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１０．９５部のポリエチレングリコールジメタクリレート、３．６５部のプロポキシ化（３）グリセロールトリ（メタ）アクリレート、２．９２部のＤＣＰノボラック（製品名Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＤＴ－４０００）、２．９２部のシリカ（１２．０ｇ、Superior Silicaから供給されたシリカナノ粒子ＳＵＰＳＩＬ（商標）ＰＲＥＭＩＵＭ、単分散、電荷安定化）及び０．１５部の１Ｈテトラゾールを使用することによって調製する。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過する。
感光性誘電体膜形成組成物（ＣＥ－１１）を、１００部の重量平均分子量５４，０００のポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２９．１９％シクロペンタノン溶液、２．７６部のシクロペンタノン、４１．５部のエチレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％エチレンカーボネート溶液、１．１７部の（Ｎ，Ｎ－ジエチルアミノプロピル）トリメトキシシラン、０．２９部のガンマグリシドキシプロピルトリメトキシシラン（Ｓｉｌｑｕｅｓｔ Ａ－１８７）、０．８８部のＮＣＩ－９３０（ADEKA Corp.）、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１０．９５部のポリエチレングリコールジメタクリレート、３．６５部のプロポキシ化（３）グリセロールトリ（メタ）アクリレート、２．９２部のＤＣＰノボラック（製品名Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＤＴ－４０００）、２．９２部のシリカ（１２．０ｇ、Superior Silicaから供給されたシリカナノ粒子ＳＵＰＳＩＬ（商標）ＰＲＥＭＩＵＭ、単分散、電荷安定化）及び０．１５部の１Ｈテトラゾールを使用することによって調製する。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過する。
【0103】
組成物実施例１２（ＣＥ－１２）
感光性誘電体膜形成組成物ＣＥ－１２を、１００部の重量平均分子量５４，０００のポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２９．１９％シクロペンタノン溶液、２．７６部のシクロペンタノン、４１．５部のブチレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％ブチレンカーボネート溶液、１．１７部の３－トリメトキシシリルプロピルチオール、０．２９部のガンマグリシドキシプロピルトリメトキシシラン（Ｓｉｌｑｕｅｓｔ Ａ－１８７）、０．８８部のＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－１、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１０．９５部のシクロヘキサンジメタノールジアクリレート、３．６５部のジトリメチロールプロパンテトラメタクリレート、２．９２部のＤＣＰノボラック（製品名Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＤＴ－４０００）、２．９２部のシリカ（１２．０ｇ、Superior Silicaから供給されたシリカナノ粒子ＳＵＰＳＩＬ（商標）ＰＲＥＭＩＵＭ、単分散、電荷安定化）、０．１５部の２－［３－２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－４－ヒドロキシフェニル］エチルメタクリレート（ＢＴＺ－ＡＣ）、及び０．１５部の５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製する。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過する。
感光性誘電体膜形成組成物ＣＥ－１２を、１００部の重量平均分子量５４，０００のポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２９．１９％シクロペンタノン溶液、２．７６部のシクロペンタノン、４１．５部のブチレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％ブチレンカーボネート溶液、１．１７部の３－トリメトキシシリルプロピルチオール、０．２９部のガンマグリシドキシプロピルトリメトキシシラン（Ｓｉｌｑｕｅｓｔ Ａ－１８７）、０．８８部のＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－１、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１０．９５部のシクロヘキサンジメタノールジアクリレート、３．６５部のジトリメチロールプロパンテトラメタクリレート、２．９２部のＤＣＰノボラック（製品名Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＤＴ－４０００）、２．９２部のシリカ（１２．０ｇ、Superior Silicaから供給されたシリカナノ粒子ＳＵＰＳＩＬ（商標）ＰＲＥＭＩＵＭ、単分散、電荷安定化）、０．１５部の２－［３－２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－４－ヒドロキシフェニル］エチルメタクリレート（ＢＴＺ－ＡＣ）、及び０．１５部の５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製する。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過する。
【0104】
組成物実施例１３（ＣＥ－１３）
感光性誘電体膜形成組成物ＣＥ－１３を、１００部の、以下に示す構造を有する重量平均分子量７４，５００ダルトンのポリイミドポリマー（Ｐ－４）の３１．２１％シクロペンタノン溶液、１０．１部のシクロペンタノン、４４．４５部のプロピレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、１．２５部のメタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、０．３１部のガンマグリシドキシプロピルトリメトキシシラン（Ｓｉｌｑｕｅｓｔ Ａ－１８７）、０．９４部のＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－１、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１１．７０部の１，４－ブタンジオールジメタクリレート、３．９０部のペンタエリスリトールテトラアクリレート、３．１２部の２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン、及び０．１６部の５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製する。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過する。
感光性誘電体膜形成組成物ＣＥ－１３を、１００部の、以下に示す構造を有する重量平均分子量７４，５００ダルトンのポリイミドポリマー（Ｐ－４）の３１．２１％シクロペンタノン溶液、１０．１部のシクロペンタノン、４４．４５部のプロピレンカーボネート、１．７５部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、１．２５部のメタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、０．３１部のガンマグリシドキシプロピルトリメトキシシラン（Ｓｉｌｑｕｅｓｔ Ａ－１８７）、０．９４部のＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－１、０．０６部のモノメチルエーテルヒドロキノン、１１．７０部の１，４－ブタンジオールジメタクリレート、３．９０部のペンタエリスリトールテトラアクリレート、３．１２部の２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン、及び０．１６部の５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製する。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過する。
【0105】
【化7】
【0106】
乾燥膜実施例１
感光性誘電体膜形成組成物を、１３４５．２４ｇの重量平均分子量５８２００のポリイミドポリマー（Ｐ－１）の３１．６９％シクロペンタノン溶液、１０２１．９１ｇのプロピレンカーボネート、１０２．３１ｇのＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、２１．３１ｇのメタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３４．１１ｇのＸＵ－３７８（Huntsmanから入手可能なビスフェノールＭシアネートエステル）の５０％シクロペンタノン溶液、１２．７９ｇのＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－１、０．４３ｇのモノメチルエーテルヒドロキノン、１３８．５５ｇのテトラエチレングリコールジアクリレート、５３．３９ｇのペンタエリスリトールトリアクリレート、２１．３２ｇのエチレングリコールジシクロペンテニルエーテルアクリレート、４．２６ｇのジクミルペルオキシド、０．４２６ｇの５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製した。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタを使用することによって濾過した。
感光性誘電体膜形成組成物を、１３４５．２４ｇの重量平均分子量５８２００のポリイミドポリマー（Ｐ－１）の３１．６９％シクロペンタノン溶液、１０２１．９１ｇのプロピレンカーボネート、１０２．３１ｇのＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０の０．５重量％プロピレンカーボネート溶液、２１．３１ｇのメタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３４．１１ｇのＸＵ－３７８（Huntsmanから入手可能なビスフェノールＭシアネートエステル）の５０％シクロペンタノン溶液、１２．７９ｇのＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－１、０．４３ｇのモノメチルエーテルヒドロキノン、１３８．５５ｇのテトラエチレングリコールジアクリレート、５３．３９ｇのペンタエリスリトールトリアクリレート、２１．３２ｇのエチレングリコールジシクロペンテニルエーテルアクリレート、４．２６ｇのジクミルペルオキシド、０．４２６ｇの５－メチルベンゾトリアゾールを使用することによって調製した。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタを使用することによって濾過した。
【0107】
この感光性誘電体膜形成組成物を、Fujifilm USA（サウスカロライナ州グリーンウッド）製のスロットダイコーターを使用して、ライン速度２フィート／分（６１ｃｍ／分）、６０ミクロンのクリアランスで、キャリア基板として使用される幅１６．２インチ、厚さ３６ミクロンのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）膜（DuPont Teijin Films USA製ＴＣＨ２１）上に塗布し、１９４°Ｆで乾燥させて、厚さおよそ１２．０ミクロンの感光性ポリマー層を取得した。このポリマー層上に、幅１６インチ、厚さ３０ミクロン（テキサス州ヒューストンのImpex Global製のＢＯＰＰ）の二軸配向ポリプロピレン膜をロール圧縮によってラミネートして保護層として働くようにした。前記キャリア基板、前記感光性ポリマー層及び前記保護層は一緒になって乾燥膜（すなわち、ＤＦ－１）を形成した。
【0108】
膜の機械的特性測定の一般手順
濾過したポリマー溶液をスピンコーティングによって酸化ケイ素ウエハ上に塗布して、およそ２１．０ミクロン～２３．０ミクロンの厚さを有する膜を取得した。前記コーティングを９０℃のホットプレートオーブンで１０分間乾燥させた。次いで、前記膜を５００ｍＪ／ｃｍ２で露光した。最後に、前記膜を、ＹＥＳオーブンを使用して、真空下において１７０℃で２時間ベーキングした。２％フッ化水素酸溶液を使用することによって酸化ケイ素層から前記膜を剥離（delaminate）し、空気中５０℃で８時間乾燥させた。室温に冷却した後、Ｔｇ測定のために、前記膜をＤＭＡによって特性評価した。
濾過したポリマー溶液をスピンコーティングによって酸化ケイ素ウエハ上に塗布して、およそ２１．０ミクロン～２３．０ミクロンの厚さを有する膜を取得した。前記コーティングを９０℃のホットプレートオーブンで１０分間乾燥させた。次いで、前記膜を５００ｍＪ／ｃｍ２で露光した。最後に、前記膜を、ＹＥＳオーブンを使用して、真空下において１７０℃で２時間ベーキングした。２％フッ化水素酸溶液を使用することによって酸化ケイ素層から前記膜を剥離（delaminate）し、空気中５０℃で８時間乾燥させた。室温に冷却した後、Ｔｇ測定のために、前記膜をＤＭＡによって特性評価した。
【0109】
組成物実施例１－３（ＣＥ－１～ＣＥ－３）及び比較組成物実施例１（ＣＣＥ－１）を使用して、上述の誘電体膜を調製した。それらのＴｇ測定値を表１に要約する。
【0110】
【表1】
【0111】
三次元物体実施例１
８／８／６ミクロン～１５／１５／６ミクロンの範囲の銅めっきされたライン／スペース／高さパターンを有する酸化ケイ素ウエハ上に感光性組成物実施例４（ＣＥ－４）を１２００ｒｐｍでスピンコーティングする。前記コーティングされた誘電体膜を、ホットプレートを使用して９５℃で５分間ベーキングし、約１３ミクロンの膜厚さとする。次いで、前記感光性誘電体膜を、ＬＥＤ ｉ線露光ツールを使用することによって、５００ｍＪ／ｃｍ２でブランケット露光する。前記誘電体膜を、ＹＥＳオーブン内で１７０℃で２時間硬化させ、個々の銅構造が誘電体膜によって取り囲まれた三次元物体が形成される。
８／８／６ミクロン～１５／１５／６ミクロンの範囲の銅めっきされたライン／スペース／高さパターンを有する酸化ケイ素ウエハ上に感光性組成物実施例４（ＣＥ－４）を１２００ｒｐｍでスピンコーティングする。前記コーティングされた誘電体膜を、ホットプレートを使用して９５℃で５分間ベーキングし、約１３ミクロンの膜厚さとする。次いで、前記感光性誘電体膜を、ＬＥＤ ｉ線露光ツールを使用することによって、５００ｍＪ／ｃｍ２でブランケット露光する。前記誘電体膜を、ＹＥＳオーブン内で１７０℃で２時間硬化させ、個々の銅構造が誘電体膜によって取り囲まれた三次元物体が形成される。
【0112】
銅堆積実施例１
感光性組成物実施例１（ＣＥ－１）をＰＶＤ－銅ウエハ上に１２００ｒｐｍでスピンコーティングする。次いで、この膜をホットプレートを使用して９５℃で６分間ベーキングし、厚さ８μｍの膜を生成する。前記感光層を、Canon製ｉ線ステッパー（ＮＡ ０．４５、ＳＩＧＭＡ ０．７）を用いて、トレンチテストパターンのレチクルを通して５００ｍＪ／ｃｍ２の固定線量及び－１μｍの固定焦点で露光する。次いで、シクロペンタノン／ＰＧＭＥＡを溶媒として４０秒間の動的現像を使用することによって、前記露光層を現像し、光学顕微鏡によって観察され（断面走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって確認される）超微細４μｍトレンチパターンを含む５０μｍ以下の寸法のトレンチを解像（resolve）する。このようにして形成された誘電体層をＹＥＳオーブン内で１７０℃で２時間硬化させる。
感光性組成物実施例１（ＣＥ－１）をＰＶＤ－銅ウエハ上に１２００ｒｐｍでスピンコーティングする。次いで、この膜をホットプレートを使用して９５℃で６分間ベーキングし、厚さ８μｍの膜を生成する。前記感光層を、Canon製ｉ線ステッパー（ＮＡ ０．４５、ＳＩＧＭＡ ０．７）を用いて、トレンチテストパターンのレチクルを通して５００ｍＪ／ｃｍ２の固定線量及び－１μｍの固定焦点で露光する。次いで、シクロペンタノン／ＰＧＭＥＡを溶媒として４０秒間の動的現像を使用することによって、前記露光層を現像し、光学顕微鏡によって観察され（断面走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって確認される）超微細４μｍトレンチパターンを含む５０μｍ以下の寸法のトレンチを解像（resolve）する。このようにして形成された誘電体層をＹＥＳオーブン内で１７０℃で２時間硬化させる。
【0113】
次いで、前記ウエハを電気めっきし、ＳＥＭによって観察したとき、３．０μｍの高さの銅線がすべてのトレンチ内に生成される。銅の電着は、銅イオン（３０ｇ／Ｌ）、硫酸（５０ｇ／Ｌ）、塩化物イオン（４０ｐｐｍ）、ポリ（プロピレングリコール）（５００ｐｐｍ）、３，３－ジチオビス（１－プロパンスルホネート）二ナトリウム（２００ｐｐｍ）、及びビス（スルホプロピル）ジスルフィド（１００ｐｐｍ）を含有する電解質組成物を使用して達成される。ビーカー中で撹拌しながら、陽極：銅、めっき温度：２５℃、電流密度：１０ｍＡ／ｃｍ２、時間：２分の条件で電解めっきを行う。めっき後、前記微細トレンチを切断し、光学顕微鏡及び走査型電子顕微鏡を使用して銅充填条件を検査して、銅が空隙なく完全に充填されていることを確認する。堆積時間は、過剰付与（overburden）を避けるために制御される。
【0114】
組成物実施例１４（ＣＥ－１４）
誘電体膜形成組成物ＣＥ－１４を、１００部のＢＡ－２００（すなわち、Lonzaから入手可能な（２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン）の５０％ＧＢＬ溶液、１７．６５部の重量平均分子量５４，０００のポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２８．２％ＧＢＬ溶液、７．０６部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０（OMNOVA Solutionsから入手可能）の０．５重量％ＧＢＬ溶液、０．５部のジルコニルジメタクリレート（シアネート硬化触媒）、０．０９部のジクミルペルオキシド、４．７１部の２－ヒドロキシ－５－アクリロイルオキシフェニル－２Ｈ－ベンゾトリアゾールを使用することによって調製した。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過した。
誘電体膜形成組成物ＣＥ－１４を、１００部のＢＡ－２００（すなわち、Lonzaから入手可能な（２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン）の５０％ＧＢＬ溶液、１７．６５部の重量平均分子量５４，０００のポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２８．２％ＧＢＬ溶液、７．０６部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０（OMNOVA Solutionsから入手可能）の０．５重量％ＧＢＬ溶液、０．５部のジルコニルジメタクリレート（シアネート硬化触媒）、０．０９部のジクミルペルオキシド、４．７１部の２－ヒドロキシ－５－アクリロイルオキシフェニル－２Ｈ－ベンゾトリアゾールを使用することによって調製した。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過した。
【0115】
組成物実施例１５（ＣＥ－１５）
誘電体膜形成組成物ＣＥ－１５を、１００部のＸＵ－３７８（Huntsmanから入手可能なビスフェノールＭシアネートエステル）の５０％ＧＢＬ溶液、１７．６５部の重量平均分子量５４，０００のポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２８．２％ＧＢＬ溶液、７．０６部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０（OMNOVA Solutionsから入手可能）の０．５重量％ＧＢＬ溶液、０．５部のジルコニルジメタクリレート、０．０９部のジクミルペルオキシド、４．７１部の２－ヒドロキシ－５－アクリロイルオキシフェニル－２Ｈ－ベンゾトリアゾールを使用することによって調製した。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過した。
誘電体膜形成組成物ＣＥ－１５を、１００部のＸＵ－３７８（Huntsmanから入手可能なビスフェノールＭシアネートエステル）の５０％ＧＢＬ溶液、１７．６５部の重量平均分子量５４，０００のポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２８．２％ＧＢＬ溶液、７．０６部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０（OMNOVA Solutionsから入手可能）の０．５重量％ＧＢＬ溶液、０．５部のジルコニルジメタクリレート、０．０９部のジクミルペルオキシド、４．７１部の２－ヒドロキシ－５－アクリロイルオキシフェニル－２Ｈ－ベンゾトリアゾールを使用することによって調製した。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過した。
【0116】
組成物実施例１６（ＣＥ－１６）
誘電体膜形成組成物ＣＥ－１６を、１００部のＢＡ－２００（すなわち、Lonzaから入手可能な２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン）の５０％ＧＢＬ溶液、１７．６５部のＤｕｒｉｍｉｄｅ ２００ポリイミドポリマー（Huntsmanから入手可能）の２５％ＧＢＬ溶液、７．０６部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０（OMNOVA Solutionsから入手可能）の０．５重量％ＧＢＬ溶液、０．５部のジルコニルジメタクリレート、０．０９部のジクミルペルオキシド、４．７１部の２－ヒドロキシ－５－アクリロイルオキシフェニル－２Ｈ－ベンゾトリアゾールを使用することによって調製した。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過した。
誘電体膜形成組成物ＣＥ－１６を、１００部のＢＡ－２００（すなわち、Lonzaから入手可能な２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン）の５０％ＧＢＬ溶液、１７．６５部のＤｕｒｉｍｉｄｅ ２００ポリイミドポリマー（Huntsmanから入手可能）の２５％ＧＢＬ溶液、７．０６部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０（OMNOVA Solutionsから入手可能）の０．５重量％ＧＢＬ溶液、０．５部のジルコニルジメタクリレート、０．０９部のジクミルペルオキシド、４．７１部の２－ヒドロキシ－５－アクリロイルオキシフェニル－２Ｈ－ベンゾトリアゾールを使用することによって調製した。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過した。
【0117】
組成物実施例１７（ＣＥ－１７）
誘電体膜形成組成物ＣＥ－１７を、５０部のＢＡ－２００（すなわち、Lonzaから入手可能な２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン）の５０％ＧＢＬ溶液、５０部のＸＵ－３７８（Huntsmanから入手可能）の５０％ＧＢＬ溶液、１７．６５部の重量平均分子量７４，５００ダルトンのポリイミドポリマー（Ｐ－４）の３１．２１％ＧＢＬ溶液、重量平均分子量５４，０００のポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２８．２％ＧＢＬ溶液、７．０６部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０（OMNOVA Solutionsから入手可能）の０．５重量％ＧＢＬ溶液、０．５部のジルコニルジメタクリレート、０．０９部のジクミルペルオキシド、４．７１部の２－ヒドロキシ－５－アクリロイルオキシフェニル－２Ｈ－ベンゾトリアゾールを使用することによって調製した。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過した。
誘電体膜形成組成物ＣＥ－１７を、５０部のＢＡ－２００（すなわち、Lonzaから入手可能な２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン）の５０％ＧＢＬ溶液、５０部のＸＵ－３７８（Huntsmanから入手可能）の５０％ＧＢＬ溶液、１７．６５部の重量平均分子量７４，５００ダルトンのポリイミドポリマー（Ｐ－４）の３１．２１％ＧＢＬ溶液、重量平均分子量５４，０００のポリイミドポリマー（Ｐ－１）の２８．２％ＧＢＬ溶液、７．０６部のＰｏｌｙＦｏｘ ６３２０（OMNOVA Solutionsから入手可能）の０．５重量％ＧＢＬ溶液、０．５部のジルコニルジメタクリレート、０．０９部のジクミルペルオキシド、４．７１部の２－ヒドロキシ－５－アクリロイルオキシフェニル－２Ｈ－ベンゾトリアゾールを使用することによって調製した。２４時間機械的に撹拌した後、この溶液を０．２ミクロンフィルタ（Meissner Corporation製のＵｌｔｒａｄｙｎｅ、カタログ番号ＣＬＴＭ０．２－５５２）を使用することによって濾過した。
【0118】
表２は、組成物ＣＥ－１４～ＣＥ－１６の誘電率（Ｋ）及び損失係数（ＤＦ）を要約する。
【0119】
【表2】
【0120】
表２に示すように、ＣＥ－１４～ＣＥ－１６は、誘電率及び損失係数が非常に低い誘電体膜を形成することができた。
【国際調査報告】