▶ アールエフ３６０・ヨーロップ・ゲーエムベーハーの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-11-09
(54)【発明の名称】導電性音響ミラーを有する電気音響デバイス
(51)【国際特許分類】
H03H 9/17 20060101AFI20231101BHJP
H03H 3/02 20060101ALI20231101BHJP
H03H 9/54 20060101ALI20231101BHJP
【ＦＩ】
H03H9/17 F
H03H3/02 B
H03H9/54 Z
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023523111
(86)(22)【出願日】2021-09-03
(85)【翻訳文提出日】2023-04-14
(86)【国際出願番号】 EP2021074323
(87)【国際公開番号】W WO2022089816
(87)【国際公開日】2022-05-05
(31)【優先権主張番号】63/106,727
(32)【優先日】2020-10-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】17/459,325
(32)【優先日】2021-08-27
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＺＩＧＢＥＥ
(71)【出願人】
【識別番号】520142767
【氏名又は名称】アールエフ３６０・ヨーロップ・ゲーエムベーハー
(74)【代理人】
【識別番号】110003708
【氏名又は名称】弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
(72)【発明者】
【氏名】クレット、ヨアキム
(72)【発明者】
【氏名】ミッターマイヤー、トーマス
【テーマコード（参考）】
5J108
【Ｆターム（参考）】
5J108AA07
5J108BB01
5J108BB02
5J108BB07
5J108BB08
5J108EE03
5J108EE05
5J108EE13
5J108FF01
5J108HH01
5J108KK01
5J108KK02
5J108MM11
(57)【要約】
本開示のある特定の態様は、電気音響デバイスにおいて実装され得る。電気音響デバイスは、一般に、基板と、基板の上に配置された下部電極層と、下部電極層の上に配置された誘電体層および誘電体層の上に配置された導電層を有する音響ミラースタックと、音響ミラースタックの上に配置された圧電層と、下部電極層と導電層との間に配置された１つまたは複数のビアと、を含み、１つまたは複数のビアは、下部電極層と導電層とを電気的に結合する。
【選択図】図１Ａ
【選択図】図１Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電気音響デバイスであって、基板と、
前記基板の上に配置された下部電極層と、
音響ミラースタックであって、
前記下部電極層の上に配置された第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層の上に配置された第１の導電層と、
を有する音響ミラースタックと、
前記音響ミラースタックの上に配置された圧電層と、
前記下部電極層と前記第１の導電層との間に配置された１つまたは複数の第１のビアと、前記１つまたは複数の第１のビアは、前記下部電極層と前記第１の導電層とを電気的に結合する、
を備える電気音響デバイス。
【請求項2】
前記圧電層の上に配置された上部電極層をさらに備える、請求項１に記載の電気音響デバイス。
【請求項3】
前記音響ミラースタックは、前記下部電極層の上に配置された１つまたは複数の第２の誘電体層と、
前記１つまたは複数の第２の誘電体層のそれぞれの１つの上にそれぞれ配置された１つまたは複数の第２の導電層と、
前記第１の導電層と前記１つまたは複数の第２の導電層のそれぞれの１つとの間に配置された１つまたは複数の第２のビアと、前記１つまたは複数の第２のビアは、前記第１の導電層と前記１つまたは複数の第２の導電層の前記それぞれの１つとを電気的に結合する、
をさらに備える、請求項１に記載の電気音響デバイス。
【請求項4】
前記圧電層は、前記１つまたは複数の第２の導電層の最上導電層と直接接触している、請求項３に記載の電気音響デバイス。
【請求項5】
前記圧電層は、前記第１の導電層と直接接触している、請求項１に記載の電気音響デバイス。
【請求項6】
前記下部電極層と前記第１の誘電体層との間に結合された第２の導電層をさらに備える、請求項１に記載の電気音響デバイス。
【請求項7】
前記第１の誘電体層は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を備える、請求項１に記載の電気音響デバイス。
【請求項8】
前記第１の導電層は、タングステン（Ｗ）を備える、請求項１に記載の電気音響デバイス。
【請求項9】
前記１つまたは複数の第１のビアは、タングステン（Ｗ）またはモリブデン（Ｍｏ）を備える、請求項１に記載の電気音響デバイス。
【請求項10】
前記基板と前記下部電極層との間に第２の誘電体層をさらに備える、請求項１に記載の電気音響デバイス。
【請求項11】
前記電気音響デバイスは、バルク音波（ＢＡＷ）共振器として構成される、請求項１に記載の電気音響デバイス。
【請求項12】
請求項１に記載の電気音響デバイスを備える無線周波数（ＲＦ）フィルタ。
【請求項13】
前記下部電極層の厚さは、１００ナノメートルより大きい、請求項１に記載の電気音響デバイス。
【請求項14】
信号処理のための方法であって、電気音響デバイスの端子において信号を受信することと、
前記電気音響デバイスを介して前記信号を処理することと、
を備え、ここにおいて、前記電気音響デバイスは、
基板と、
前記基板の上に配置された下部電極層と、
音響ミラースタックであって、
前記下部電極層の上に配置された第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層の上に配置された第１の導電層と、
を有する音響ミラースタックと、
前記音響ミラースタックの上に配置された圧電層と、
前記下部電極層と前記第１の導電層との間に配置された１つまたは複数の第１のビアと、前記１つまたは複数の第１のビアは、前記下部電極層と前記第１の導電層とを電気的に結合する、
を備える、方法。
【請求項15】
前記電気音響デバイスの前記端子は、前記下部電極層を備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項16】
前記電気音響デバイスは、前記圧電層の上に配置された上部電極層をさらに備え、前記電気音響デバイスの前記端子は、前記上部電極層を備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項17】
前記音響ミラースタックは、前記下部電極層の上に配置された１つまたは複数の第２の誘電体層と、
前記１つまたは複数の第２の誘電体層のそれぞれの１つの上にそれぞれ配置された１つまたは複数の第２の導電層と、
前記第１の導電層と前記１つまたは複数の第２の導電層のそれぞれの１つとの間に配置された１つまたは複数の第２のビアと、前記１つまたは複数の第２のビアは、前記第１の導電層と前記１つまたは複数の第２の導電層の前記それぞれの１つとを電気的に結合する、
をさらに備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項18】
前記圧電層は、前記１つまたは複数の第２の導電層の最上導電層と直接接触している、請求項１７に記載の方法。
【請求項19】
前記圧電層は、前記第１の導電層と直接接触している、請求項１４に記載の方法。
【請求項20】
前記電気音響デバイスは、前記下部電極層と前記第１の誘電体層との間に結合された第２の導電層をさらに備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項21】
前記第１の誘電体層は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項22】
前記第１の導電層は、タングステン（Ｗ）を備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項23】
前記１つまたは複数の第１のビアは、タングステン（Ｗ）またはモリブデン（Ｍｏ）を備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項24】
前記電気音響デバイスは、前記基板と前記下部電極層との間の第２の誘電体層をさらに備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項25】
前記電気音響デバイスは、バルク音波（ＢＡＷ）共振器として構成される、請求項１４に記載の方法。
【請求項26】
前記下部電極層の厚さが、１００ナノメートルより大きい、請求項１４に記載の方法。
【請求項27】
電気音響デバイスを製作する方法であって、基板の上に下部電極層を形成することと、
前記下部電極層の上に配置された第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層の上に配置された第１の導電層と、
を備える音響ミラースタックを形成することと、
前記下部電極層と前記第１の導電層とを電気的に結合する１つまたは複数のビアを形成することと、
前記音響ミラースタックの上に圧電層を形成することと、
を備える方法。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【0001】
[0001]本願は、２０２０年１０月２８日に出願された米国仮出願第６３／１０６，７２７号の利益および優先権を主張し、これは、以下に完全に記載されているかのように、全ての適用可能な目的のために、その全体が参照により本明細書に明示的に組み込まれる。
【技術分野】
【0002】
[0002]本開示の態様は、電子デバイスに関し、より詳細には、電気音響デバイスに関する。
【背景技術】
【0003】
[0003]電子デバイスは、デスクトップコンピュータ、ノートブックコンピュータ、タブレットコンピュータ、スマートフォン、スマートウォッチのようなウェアラブルデバイス、およびインターネットサーバなどのような、従来のコンピューティングデバイスを含む。これらの様々な電子デバイスは、人間のユーザに対して、情報、娯楽、社会的相互作用、セキュリティ、安全性、生産性、輸送、製造、および他のサービスを提供する。これらの様々な電子デバイスは、それらの機能の多くについてワイヤレス通信に依存する。ワイヤレス通信システムおよびデバイスは、音声、ビデオ、パケットデータ、メッセージング、ブロードキャストなどのような、様々なタイプの通信コンテンツを提供するために広く展開されている。ワイヤレス通信デバイスは、限定はしないが、５Ｇ Ｎｅｗ Ｒａｄｉｏ（ＮＲ）、Ｌｏｎｇ Ｔｅｒｍ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ（ＬＴＥ（登録商標））、符号分割多元接続（ＣＤＭＡ）、時分割多元接続（ＴＤＭＡ）、広帯域ＣＤＭＡ（ＷＣＤＭＡ（登録商標））、Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ（ＧＳＭ（登録商標））、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ Ｌｏｗ Ｅｎｅｒｇｙ（ＢＬＥ）、ＺｉｇＢｅｅ、ワイヤレスローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）ＲＡＴ（例えば、ＩＥＥＥ８０２．１１）、および同様のものを含む、様々な好適な無線アクセス技術（ＲＡＴ）のいずれかを介して、無線周波数（ＲＦ）信号を送信および／または受信し得る。
【0004】
[0004]これらの電子デバイスにおいて使用されるワイヤレス通信トランシーバは、一般に、特定の周波数または周波数の範囲について信号をフィルタリングするための複数の無線周波数（ＲＦ）フィルタを含む。電気音響デバイス（例えば、「音響フィルタ」）は、多くの用途において高周波（例えば、一般的に５００ＭＨｚより大きい）信号をフィルタリングするために使用される。圧電材料を振動媒体として使用して、音響共振器は、導電体に沿って伝搬する電気信号波を、圧電材料を介して伝搬する音波に変換することによって動作する。音波は、電磁波の伝搬速度よりも著しく小さい大きさを有する速度で伝搬する。一般に、波の伝搬速度の大きさは、波の波長のサイズに比例する。その結果、電気信号の音響信号へのコンバージョン後、音響信号波の波長は、電気信号波の波長よりも著しく小さい。結果として生じる音響信号のより小さい波長は、より小さいフィルタデバイスを使用してフィルタリングが実行されることを可能にする。これは、音響共振器が、上記に列挙した電子デバイス（例えば、特にセルラフォンなどの携帯型電子デバイスを含む）などの、サイズ制約を有する電子デバイスにおいて使用されることを可能にする。
【0005】
[0005]ワイヤレス通信において使用される周波数帯域の数が増大するにつれて、およびフィルタの所望の周波数帯域が広くなるにつれて、音響フィルタの性能は、抵抗損失を低減させ、帯域外信号の減衰を増大させ、電子デバイスの全体的な性能を増大させるために、重要性が増大する。したがって、改善された性能を有する音響フィルタが求められている。
【発明の概要】
【0006】
[0006]本開示のシステム、方法、およびデバイスは、いくつかの態様をそれぞれ有し、それらのうちの何れも、その望ましい属性を単独で担うものではない。以下の特許請求の範囲によって表される本開示の範囲を限定することなく、いくつかの特徴がこれより簡潔に説明される。この説明を考慮した後、特に「発明を実施するための形態」と題するセクションを読んだ後、本開示の特徴が、本明細書で説明される基板によって提供される熱放散により、高動作電力におけるバルク音波（ＢＡＷ：bulk acoustic wave）共振器からの望ましい性能を含む利点をどのようにもたらすかが理解されよう。
【0007】
[0007]本開示のある特定の態様は、電気音響デバイスにおいて実装され得る。電気音響デバイスは、一般に、基板と、基板の上に配置された下部電極層と、下部電極層の上に配置された第１の誘電体層および第１の誘電体層の上に配置された第１の導電層を有する音響ミラースタックと、音響ミラースタックの上に配置された圧電層と、下部電極層と第１の導電層との間に配置された１つまたは複数の第１のビアと、を含み、１つまたは複数の第１のビアは、下部電極層と第１の導電層とを電気的に結合する。
【0008】
[0008]本開示のある特定の態様は、信号処理のための方法において実施され得る。この方法は、一般に、電気音響デバイスの端子において信号を受信することと、電気音響デバイスを介して信号を処理することと、を含む。電気音響デバイスは、基板と、基板の上に配置された下部電極層と、下部電極層の上に配置された第１の誘電体層および第１の誘電体層の上に配置された第１の導電層を有する音響ミラースタックと、音響ミラースタックの上に配置された圧電層と、下部電極層と第１の導電層との間に配置された１つまたは複数の第１のビアと、を備え、１つまたは複数の第１のビアは、下部電極層と第１の導電層とを電気的に結合する。
【0009】
[0009]本開示のある特定の態様は、電気音響デバイスを製作する方法を対象とする。この方法は、一般に、基板の上に下部電極層を形成することと、（ａ）下部電極層の上に配置された第１の誘電体層と、（ｂ）第１の誘電体層の上に配置された第１の導電層と、を備える音響ミラースタックを形成することと、下部電極層と第１の導電層との間に電気的に結合された１つまたは複数の第１のビアを形成することと、音響ミラースタックの上に圧電層を形成することと、を含む。
【0010】
[0010]前述した目的および関連する目的を達成するために、１つまたは複数の態様は、以下で十分に説明されかつ特許請求の範囲において具体的に示される特徴を備える。以下の説明および添付の図面は、１つまたは複数の態様のある特定の例示的な特徴を詳細に記載する。しかしながら、これらの特徴は、様々な態様の原理が用いられ得る様々な方法のうちのごく一部を示すものである。
【0011】
[0011]本開示の上記の特徴が詳細に理解され得るように、上記では簡潔に概要を述べた内容のより詳しい説明が、態様を参照することによって得られ得、そのいくつかは、図面に例示されている。しかしながら、添付の図面は、本開示のある特定の典型的な態様のみを例示しており、したがって、その範囲を限定するものと見なされるべきではないことに留意されたい。というのも、この説明は、他の同様に有効な態様にも当てはまり得るからである。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【発明を実施するための形態】
【0013】
[0021]理解を容易にするために、可能な場合、図面に共通する同一の要素を指すために、同一の参照番号が使用されている。一態様において開示される要素は、具体的な記載がなくとも、他の態様に対して有益に利用され得ることが企図される。
【0014】
[0022]本開示の態様は、音響ミラーの反射層を通るビア（via）を有し、電気音響デバイスの下部電極（ＢＥ）が反射層の下に実装されることを可能にする、電気音響デバイスを提供する。
【0015】
[0023]電極構造間に配置された圧電材料を用いる、バルク音波（ＢＡＷ）共振器などの電気音響デバイスは、より多くの周波数範囲（例えば、５００ＭＨｚ～７ＧＨｚ）をカバーし、より高い帯域幅（例えば、最大２０％）を有し、改善された効率および性能を有するように設計されている。一般に、ＢＡＷ共振器は、定在音波（standing acoustic wave）が、電気信号が印加される電極間に配置された圧電材料のバルク内で電気信号によって生成される、電気機械デバイスである。ＢＡＷ共振器の１つのタイプは、薄膜ＢＡＷ共振器（ＦＢＡＲ）と呼ばれる。ＦＢＡＲは、２つの電極の間に挟まれ、周囲の媒体から音響的に絶縁された、薄膜法によって製造される圧電材料を含み得る。ソリッドマウント共振器（ＳＭＲ：Solidly Mounted Resonator）は、２つの電極の間に挟まれた圧電薄膜と、１／４波長の厚さの交互の高い音響インピーダンス層および低い音響インピーダンス層を有するブラッグリフレクタと、を有するＢＡＷ共振器の一種である。
【0016】
[0024]（例えば、ＳＭＲを使用する）いくつかの実装形態では、ＢＥは、１つまたは複数のリフレクタ層と圧電層との間に実装される。ＢＥは、比較的薄い層として実装され得る。したがって、薄いＢＥに関連付けられた電気損失は、電気音響デバイスの性能および耐電力性を低下させ得る。換言すれば、ＢＥへの接続は、主にアルミニウム銅（ＡｌＣｕ）を通じて実現され得、Ａｌは、音響的に損失の多い材料であるので、比較的薄い層として実装され得る。電気音響デバイスの自己発熱は、ＢＥの抵抗をさらに増大させる。
【0017】
[0025]本開示のある特定の態様は、リフレクタ層の下にＢＥを実装するための技法を対象とし、従来の実装形態と比較して、ＢＥの厚さを増大させることを可能にする。ＢＥの厚さを増大させることは、ＢＥの抵抗率を低減させ、電気音響デバイスの性能および耐電力性を改善する。本明細書で提供される電気音響デバイスは、従来の実装形態と比較して、電気損失および音響損失を低下させ、より高い音響反射を提供し、電気音響デバイスの電気伝導および周波数の温度係数（ＴＣＦ）を低下させる。ＢＥと圧電層との間の電気的結合は、本明細書でより詳細に説明されるように、リフレクタ層を通るビアによって容易にされ得る。
【0018】
［例となる電気音響デバイス］
【0019】
[0026]図１Ａは、本開示のある特定の態様による、例となる電気音響デバイス１００の概念的な断面を示す。電気音響デバイス１００は、ＢＡＷ共振器として構成され得るか、またはＢＡＷ共振器の一部であり得る。ある特定のケースでは、ワイヤレス通信装置は、例えば、図３、図６、図７、および図８に関して本明細書にさらに説明されるように、ＢＡＷ共振器を含み得る。
【0020】
[0027]示されるように、電気音響デバイス１００は、電極構造１０２（例えば、上部電極（ＴＥ）とも呼ばれる）と、圧電層１０４と、電極構造１０６（例えば、下部電極（ＢＥ）とも呼ばれる）と、１つまたは複数のリフレクタ層１０８と、基板１１０と、を含む。本開示のある特定の態様では、１つまたは複数のリフレクタ層１０８は、電極構造１０６と圧電層１０４との間に配置され得る。１つまたは複数のビア（図１Ａには図示せず）が、１つまたは複数のリフレクタ層１０８を通して実装され得、電極構造１０６の圧電層１０４への電気的拡張を可能にする。
【0021】
[0028]電極構造１０２は、圧電層１０４の上に配置され得る。電極構造１０２は、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、これらの組合せ（例えば、ＡｌＣｕ）、あるいはその他任意の好適な材料を含む金属または金属合金などの導電性材料を含み得る。ある特定のケースでは、導電性材料は、グラフェンまたは他の導電性の非金属材料を含み得る。圧電層１０４は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、水晶（タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）またはニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）など）、これらのドープバリアント（doped variants）などの圧電材料、または他の好適な圧電材料を含み得る。
【0022】
[0029]電極構造１０６は、例えば、電極構造１０２に関して本明細書で説明されるように、金属または金属合金などの導電性材料を含み得る。ある特定の態様では、電極構造１０６は、電極構造１０２と同じ形態、サイズ、および構造を有し得る。例えば、電極構造１０２、１０６は、両方とも電極板であり得る。ある特定のケースでは、電極構造１０６は、電極構造１０２とは異なる形態、サイズ、または構造を有し得る。
【0023】
[0030]１つまたは複数のリフレクタ層１０８は、ＢＡＷ共振器を基板１１０から音響的に分離するか、またはＢＡＷ共振器と基板１１０との間の音響結合を少なくとも低減するためのブラッグリフレクタとして機能し得る。一般に、１つまたは複数のリフレクタ層１０８は、図１Ｂに関して本明細書でさらに説明されるように、低い音響インピーダンスを有する材料と、高い音響インピーダンスを有する材料との交互の層を含み得る。
【0024】
[0031]基板１１０は、基板１１０が電極構造１０２および電極構造１０６の下に配置されるように、１つまたは複数のリフレクタ層１０８の下に配置され得る。基板１１０は、ＢＡＷ共振器のための担体として機能し得る。態様において、基板１１０は、シリコン（Ｓｉ）ウエハなどの半導体ウエハから形成され得る。基板１１０は、アルミナ、ガラス、またはサファイアなどの、様々な他の好適な材料のいずれかを備え得る。
【0025】
[0032]（例えば、ＡＣ電圧を印加して）電極構造１０２と１０６との間で励起された電気信号が、圧電層１０４において伝搬する音波１１２に変換される。すなわち、電極構造１０２および１０６を通じて圧電層１０４に電気信号を印加することは、電気信号を圧電層１０４において音波１１２に変換する。ある特定の周波数において、共振または反共振の機械的定在波が形成され得、したがって、フィルタ機能を可能にする。基板への漏れを回避するために、リフレクタ層が、電気音響共振器の下に配置され得る。１つまたは複数のリフレクタ層１０８はまた、音波１１４を、高い音響反射率で圧電層１０４および電極構造１０２に向かって反射して戻し得る。音波１１４を反射することは、ＢＡＷ共振器の効率を高め、基板１１０をＢＡＷ共振器から音響的に減結合（decouple）し得る。多くの用途において、圧電層１０４は、電極構造１０２が圧電層１０４の結晶配向に対して配置されるとき、音波が主に電極構造１０２から電極構造１０６に向かう方向に伝搬するように、特定の結晶配向を有する。
【0026】
[0033]図１Ｂは、本開示のある特定の態様による、電気音響デバイス１００の１つまたは複数のリフレクタ層１０８の例となる層を例示する。
【0027】
[0034]この例では、１つまたは複数のリフレクタ層１０８は、リフレクタ層１１６と、リフレクタ層１１８と、リフレクタ層１２０と、リフレクタ層１２２と、を含む。ある特定のケースでは、１つまたは複数のリフレクタ層１０８は、この例に図示されるような４つよりも少ないまたは多いリフレクタ層など、任意の好適な数のリフレクタ層を有し得る。リフレクタ層１１６およびリフレクタ層１２０は、リフレクタ層１１８およびリフレクタ層１２２の材料の音響インピーダンスよりも高い音響インピーダンスを有する材料を含み得る。例えば、リフレクタ層１１８およびリフレクタ層１２２は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含み得、一方、リフレクタ層１１６およびリフレクタ層１２０は、タングステン（Ｗ）、または二酸化ケイ素もしくは窒化アルミニウムよりも高い音響インピーダンスを有する他の好適な材料を含み得る。
【0028】
[0035]１つまたは複数のリフレクタ層１０８は、同じ厚さ（例えば、電気音響デバイス１００の動作周波数範囲に応じた１／４波長（λ／４）の厚さ）を有し得るか、または厚さが異なり得る。この例では、１つまたは複数のリフレクタ層１０８は、同じ長さを有するものとして図示されているが、１つまたは複数のリフレクタ層１０８は、長さが異なり得る（すなわち、個々の層が異なる長さを有し得る）。
【0029】
[0036]図２は、本開示のある特定の態様による、リフレクタ層を通るビアを用いて実装された、例となる電気音響デバイス２００の断面を例示する。電気音響デバイス２００は、誘電体領域２５０（例えば、ＳｉＯ２から構成される）を含み得、ここで、リフレクタ層１１８、１２２は、例示されるように、誘電体領域２５０の一部である。さらに、（例えば、ＳｉＯ２の）誘電体層２６０が、電極構造１０６と基板１１０（例えば、シリコン（Ｓｉ）ウエハの一部）との間に含まれ得る。電気音響デバイスは、リフレクタ層１１８を通るビア２０６、２０８、２１０を含み得る。図２は、理解を容易にするために、各層（例えば、リフレクタ層１２２）を通る３つのビアを例示するが、３つより少ないまたは３つより多い任意の数のビアが実装され得る。リフレクタ層１１８は、誘電体（例えば、ＳｉＯ２）を使用して実装されるので、リフレクタ層１１８を通るビア２０６、２０８、２１０は、導電性材料（例えば、Ｗ）を使用して実装されるリフレクタ層１１６、１２０間の電気的結合を容易にする。いくつかの態様では、ビア２１２、２１４、２１６はまた、電極構造１０６とリフレクタ層１２０との間の電気的結合を容易にするために、リフレクタ層１２２（例えば、同じくＳｉＯ２から構成される）を通して形成され得る。オプションで、リフレクタ層２０２は、例示されるように、電極構造１０６とリフレクタ層１２２との間に実装され得る。
【0030】
[0037]ビア２０６、２０８、２１０、２１２、２１４、２１６の形成により、電極構造１０６は、リフレクタ層の下に実装され得、電極構造がリフレクタ層の上に実装される従来の実装形態と比較して、電極構造１０６が、より厚い電極層として実装されることを可能にする。例えば、電極構造１０６は、１００ｎｍより大きい厚さ（例えば、１０００ｎｍ）を有し得、従来の実装形態と比較して、電極構造１０６の抵抗率を低減させる。
【0031】
[0038]図３は、本開示のある特定の態様による、電気音響デバイス２００を含み得る電気音響フィルタ回路３００の概略図である。フィルタ回路３００は、電気音響デバイス２００が使用され得る場合の一例を提供する。フィルタ回路３００は、入力端子３０２と、出力端子３１４と、を含む。入力端子３０２と出力端子３１４との間には、電気音響デバイス（例えば、ＢＡＷ共振器）のラダー型ネットワークが設けられている。フィルタ回路３００は、第１のＢＡＷ共振器３０４と、第２のＢＡＷ共振器３０６と、第３のＢＡＷ共振器３０８と、を含み、これらは全て、入力端子３０２と出力端子３１４との間に電気的に直列に接続されている。第４のＢＡＷ共振器３１０（例えば、シャント共振器）は、第１のＢＡＷ共振器３０４と第２のＢＡＷ共振器３０６との間に接続された第１の端子と、接地電位ノードに接続された第２の端子と、を有する。第５のＢＡＷ共振器３１２（例えば、シャント共振器）は、第２のＢＡＷ共振器３０６と第３のＢＡＷ共振器３０８との間に接続された第１の端子と、接地電位ノードに接続された第２の端子と、を有する。電気音響フィルタ回路３００は、例えば、選択された周波数範囲を有する（例えば、５００ＭＨｚ～７ＧＨｚの周波数範囲にある）通過帯域を有するバンドパス回路であり得る。
【0032】
[0039]図４Ａ～図４Ｉは、本開示のある特定の態様による、電気音響デバイス２００を製作するための例となる動作を例示する。図４Ａに例示されるように、誘電体層２６０（例えば、ＳｉＯ２から構成される）、電極構造１０６（例えば、ＡｌＣｕから構成される）、およびリフレクタ層２０２（例えば、Ｗから構成される）は、基板１１０（例えば、Ｓｉウエハの一部）の上に形成され得る。図４Ｂに例示されるように、導電層４０２（例えば、Ｗから構成される）は、リフレクタ層２０２の上に形成され得、この導電層４０２は、図４Ｃに例示されるように、リソグラフィ（lithography）または自己組織化（self-assenbly）を使用してビア２１２、２１４、２１６を形成するために使用され得る。次いで、誘電体領域２５０（例えば、ＳｉＯ２から構成される）の一部が、図４Ｄに例示されるように、ビア２１２、２１４、２１６およびリフレクタ層２０２の上に形成され得る。図４Ｅに例示されるように、誘電体領域２５０の上面が、図示のようにビア２１２、２１４、２１６の上部と同じレベルになるまで、化学機械研磨（ＣＭＰ）または他の好適な除去技術が、誘電体領域２５０に対して実行され得る。次いで、図４Ｆに例示されるように、リフレクタ層１２０が、平坦化された表面上に形成され得る。図４Ｇに例示されるように、図示されるようなテーパ構造（tapered strausture）を形成するために、層スタックがエッチングされ得る。次いで、図４Ｈに例示されるように、誘電体領域２５０の別の部分が、堆積または他の方法で形成され得、図４Ｉに例示されるように、誘電体領域２５０の上面がリフレクタ層１２０の上面と同じレベルになるように、誘電体領域２５０のＣＭＰによって後続される。このプロセスは、反射層の上の圧電層の形成より前に、図２に示されるような追加の反射層を形成するために、繰り返され得る。
【0033】
[0040]図５は、本開示のある特定の態様による、信号処理のための例となる動作５００を例示するフロー図である。動作５００は、例えば、電気音響デバイス２００（例えば、ＢＡＷ共振器）などの電気音響デバイスによって実行され得る。
【0034】
[0041]動作５００は、ブロック５０２において、電気音響デバイスが、電気音響デバイスの端子（例えば、電極）において信号を受信することから開始し得る。ブロック５０４において、電気音響デバイスは、信号を処理する。電気音響デバイスは、基板（例えば、基板１１０）と、基板の上に配置された下部電極層（例えば、電極構造１０６）と、音響ミラースタックと、を含み得る。音響ミラースタックは、下部電極層の上に配置された第１の誘電体層（例えば、リフレクタ層１２２）と、第１の誘電体層の上に配置された第１の導電層（例えば、リフレクタ層１２０）と、を含み得る。ある特定の態様では、電気音響デバイスは、音響ミラースタックの上に配置された圧電層（例えば、圧電層１０４）と、下部電極層と第１の導電層との間に配置された１つまたは複数の第１のビア（例えば、ビア２１２、２１４、２１６）と、を含み得、１つまたは複数の第１のビアは、下部電極層と第１の導電層とを電気的に結合する。
【0035】
[0042]いくつかの態様では、信号が受信される電気音響デバイスの端子は、下部電極層であり得る。いくつかの態様では、電気音響デバイスは、圧電層の上に配置された上部電極層（例えば、電極構造１０２）を含み得る。いくつかのケースでは、信号が受信される電気音響デバイスの端子は、上部電極層であり得る。
【0036】
[0043]いくつかの態様では、音響ミラースタックは、下部電極層の上に配置された１つまたは複数の第２の誘電体層（例えば、リフレクタ層１１８）と、１つまたは複数の第２の誘電体層のそれぞれの１つの上にそれぞれ配置された１つまたは複数の第２の導電層（例えば、リフレクタ層１１６）と、第１の導電層と１つまたは複数の第２の導電層のそれぞれの１つとの間に配置された１つまたは複数の第２のビア（例えば、ビア２０６、２０８、２１０）と、を含み得る。１つまたは複数の第２のビアは、第１の導電層と、１つまたは複数の第２の導電層のうちのそれぞれの１つとを電気的に結合し得る。いくつかの態様では、圧電層は、１つまたは複数の第２の導電層の最上導電層（例えば、リフレクタ層１１６）と直接接触し得る。いくつかの態様では、圧電層は、第１の導電層と直接接触し得る。
【0037】
[0044]ある特定の態様では、電気音響デバイスはまた、下部電極層と第１の誘電体層との間に結合された第２の導電層（例えば、リフレクタ層２０２）を含み得る。第１の導電層は、タングステン（Ｗ）を含み得る。いくつかの態様では、１つまたは複数の第１のビアは、アルミニウム（Ａｌ）もしくはアルミニウム銅（ＡｌＣｕ）、Ｗ、Ｍｏ、またはその他任意の好適な材料を備える。ある特定の態様では、電気音響デバイスは、基板と下部電極層との間に第２の誘電体層（例えば、誘電体層２６０）を含み得る。いくつかの実装形態では、下部電極層の厚さは、１００ナノメートルより大きくなり得る。
【0038】
[0045]図６は、本開示のある特定の態様による、例となるＲＦトランシーバ６００のブロック図である。ある特定の態様では、本明細書で説明される電気音響デバイスは、例えば、電気音響フィルタまたはデュプレクサとして機能するために、様々な回路（ＲＦトランシーバなど）において用いられ得る。ＲＦトランシーバ６００は、１つまたは複数のアンテナ６０６を介して信号を送信するための少なくとも１つの送信（ＴＸ）経路６０２（送信チェーンとしても知られる）と、アンテナ６０６を介して信号を受信するための少なくとも１つの受信（ＲＸ）経路６０４（受信チェーンとしても知られる）と、を含む。ＴＸ経路６０２およびＲＸ経路６０４がアンテナ６０６を共有するとき、これら経路は、インターフェース６０８を介してアンテナと接続され得、これは、電気音響フィルタ６３８（例えば、電気音響フィルタ回路３００）、デュプレクサ（これは、ＢＡＷ共振器を含み得る）、ダイプレクサ、マルチプレクサ、および同様のものなどの、様々な好適なＲＦデバイスのいずれかを含み得る。
【0039】
[0046]デジタルアナログコンバータ（ＤＡＣ）６１０から同相（Ｉ）または直交（Ｑ）ベースバンドアナログ信号を受信すると、ＴＸ経路６０２は、ベースバンドフィルタ（ＢＢＦ）６１２と、ミキサ６１４と、ドライバ増幅器（ＤＡ）６１６と、電力増幅器（ＰＡ）６１８と、を含み得る。ある特定の態様では、ＢＢＦ６１２、ミキサ６１４、およびＤＡ６１６は、無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）などの半導体デバイス中に含まれ得、一方、ＰＡ６１８は、この半導体デバイスの外部にあり得る。
【0040】
[0047]ＢＢＦ６１２は、ＤＡＣ６１０から受信されたベースバンド信号をフィルタリングし、ミキサ６１４は、対象のベースバンド信号を異なる周波数にコンバートする（例えば、ベースバンドから無線周波数にアップコンバートする）ために、フィルタリングされたベースバンド信号を送信局部発振器（ＬＯ）信号と混合する。この周波数コンバージョンプロセスは、ＬＯ周波数と対象のベースバンド信号の周波数との間の和周波数および差周波数を生成する。和周波数および差周波数は、ビート周波数（beat frequencies）と呼ばれる。ビート周波数は、典型的にＲＦ範囲内にあり、これにより、ミキサ６１４によって出力される信号は、典型的にＲＦ信号であり、これは、アンテナ６０６による送信前に、ＤＡ６１６によっておよび／またはＰＡ６１８によって増幅され得る。ある特定のケースでは、ＢＢＦ６１２は、ＢＡＷ共振器を有する電気音響フィルタ（例えば、電気音響フィルタ回路３００）を使用して実装され得る。
【0041】
[0048]ＲＸ経路６０４は、低雑音増幅器（ＬＮＡ）６２４と、フィルタ６２６と、ミキサ６２８と、ベースバンドフィルタ（ＢＢＦ）６３０と、を含み得る。ＬＮＡ６２４、フィルタ６２６、ミキサ６２８、およびＢＢＦ６３０は、ＲＦＩＣに含まれ得、これは、ＴＸ経路構成要素を含むＲＦＩＣと同じであってもなくてもよい。アンテナ６０６を介して受信されたＲＦ信号は、ＬＮＡ６２４によって増幅され、フィルタ６２６によってフィルタリングされ得、ミキサ６２８は、対象のＲＦ信号を異なるベースバンド周波数にコンバートする（例えば、ダウンコンバートする）ために、増幅されたＲＦ信号を受信局部発振器（ＬＯ）信号と混合する。ミキサ６２８によって出力されたベースバンド信号は、デジタル信号処理のためにアナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ）６３２によってデジタルＩ信号またはＱ信号にコンバートされる前に、ＢＢＦ６３０によってフィルタリングされ得る。ある特定のケースでは、フィルタ６２６および／またはＢＢＦ６３０は、ＢＡＷ共振器を有する電気音響フィルタ（例えば、電気音響フィルタ回路３００）を使用して実装され得る。
【0042】
[0049]ＬＯの出力が周波数において安定した状態を保つことが望まい一方で、異なる周波数に同調することは、可変周波数発振器を使用することを意味し、これは、安定性と同調性との間の妥協を伴い得る。現代のシステムは、特定の同調範囲で安定した同調可能なＬＯを生成するために、電圧制御発振器（ＶＣＯ）を有する周波数シンセサイザを用い得る。したがって、送信ＬＯは、ＴＸ周波数シンセサイザ６２０によって生成され得、これは、ミキサ６１４においてベースバンド信号と混合される前に、増幅器６２２によってバッファリングまたは増幅され得る。同様に、受信ＬＯは、ＲＸ周波数シンセサイザ６３４によって生成され得、これは、ミキサ６２８においてＲＦ信号と混合される前に、増幅器６３６によってバッファリングまたは増幅され得る。
【0043】
[0050]図７は、ワイヤレス通信デバイス７０２を含む環境７００の図であり、これは、図６のＲＦトランシーバ６００などのワイヤレストランシーバ７２２を有する。環境７００において、ワイヤレス通信デバイス７０２は、ワイヤレスリンク７０６を通じて基地局７０４と通信する。示されるように、ワイヤレス通信デバイス７０２は、スマートフォンとして図示されている。しかしながら、電子ワイヤレス通信デバイス７０２は、セルラ基地局、ブロードバンドルータ、アクセスポイント、セルラまたはモバイルフォン、ゲームデバイス、ナビゲーションデバイス、メディアデバイス、ラップトップコンピュータ、デスクトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、サーバコンピュータ、ネットワークに接続された記憶装置（ＮＡＳ：network-attached storage）デバイス、スマートアプライアンス、車両ベースの通信システム、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、センサまたはセキュリティデバイス、およびアセットトラッカなどのような、任意の好適なコンピューティングデバイスまたは他の電子デバイスとして実装され得る。
【0044】
[0051]基地局７０４は、ワイヤレスリンク７０６を介してワイヤレス通信デバイス７０２と通信し、これは、任意の好適なタイプのワイヤレスリンクとして実装され得る。セルラ無線ネットワークの基地局タワーとして図示されているが、基地局７０４は、衛星、地上ブロードキャストタワー、アクセスポイント、ピアツーピアデバイス、メッシュネットワークノード、光ファイバ線、および概して上記で説明されたような別の電子デバイスなどのような、別のデバイスを表し得るか、または別のデバイスとして実装され得る。したがって、ワイヤレス通信デバイス７０２は、ワイヤード接続、ワイヤレス接続、またはこれらの組合せを介して、基地局７０４または別のデバイスと通信し得る。ワイヤレスリンク７０６は、基地局７０４からワイヤレス通信デバイス７０２に通信されるデータまたは制御情報のダウンリンクと、ワイヤレス通信デバイス７０２から基地局７０４に通信される他のデータまたは制御情報のアップリンクと、を含み得る。ワイヤレスリンク７０６は、３ｒｄ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｐａｒｔｎｅｒｓｈｉｐ Ｐｒｏｊｅｃｔ Ｌｏｎｇ－Ｔｅｒｍ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ（３ＧＰＰ（登録商標） ＬＴＥ）、３ＧＰＰ Ｎｅｗ Ｒａｄｉｏ Ｆｉｆｔｈ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ（ＮＲ ５Ｇ）、ＩＥＥＥ８０２．１１（ＷｉＦｉ）、ＩＥＥＥ８０２．１６（ＷｉＭＡＸ）、およびＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）などのような、任意の好適な通信プロトコルまたは規格を使用して実装され得る。
【0045】
[0052]ワイヤレス通信デバイス７０２は、プロセッサ７０８と、メモリ７１０と、を含む。メモリ７１０は、コンピュータ可読記憶媒体の一部であり得るか、またはその一部を形成し得る。プロセッサ７０８は、メモリ７１０によって記憶されたプロセッサ実行可能命令（例えば、コード）を実行するように構成された、アプリケーションプロセッサまたはマルチコアプロセッサなどの任意のタイプのプロセッサを含み得る。メモリ７１０は、揮発性メモリ（例えば、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ））、不揮発性メモリ（例えば、フラッシュメモリ）、光媒体、および磁気媒体（例えば、ディスクまたはテープ）などのような、任意の好適なタイプのデータ記憶媒体を含み得る。本開示のコンテキストでは、メモリ７１０は、ワイヤレス通信デバイス７０２の命令７１２、データ７１４、および他の情報を記憶するように実装され、したがって、コンピュータ可読記憶媒体として、またはその一部として構成されるとき、メモリ７１０は、一時的な伝搬信号または搬送波を含まない。すなわち、メモリ７１０は、非一時的なコンピュータ可読媒体（例えば、有形媒体）を含み得る。
【0046】
[0053]ワイヤレス通信デバイス７０２はまた、入力／出力ポート７１６を含み得る。Ｉ／Ｏポート７１６は、他のデバイス、ネットワーク、またはユーザとの、あるいはデバイスの構成要素間のデータ交換または相互作用を可能にする。
【0047】
[0054]ワイヤレス通信デバイス７０２は、信号プロセッサ（ＳＰ）７１８（例えば、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）など）をさらに含み得る。信号プロセッサ７１８は、プロセッサ７０８と同様に機能し得、メモリ７１０と連携して命令を実行することおよび／または情報を処理することが可能であり得る。
【0048】
[0055]通信目的ために、ワイヤレス通信デバイス７０２はまた、モデム７２０と、ワイヤレストランシーバ７２２と、アンテナ（図示せず）と、を含む。ワイヤレストランシーバ７２２は、無線周波数（ＲＦ）ワイヤレス信号を使用して、それぞれのネットワークおよびそれに接続された他のワイヤレス通信デバイスへの接続性を提供し、図６のＲＦトランシーバ６００を含み得る。ワイヤレストランシーバ７２２は、ワイヤレスローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）、ピアツーピア（Ｐ２Ｐ）ネットワーク、メッシュネットワーク、セルラネットワーク、ワイヤレスワイドエリアネットワーク（ＷＷＡＮ）、ナビゲーションネットワーク（例えば、北米の全地球測位システム（ＧＰＳ）もしくは別の全地球航法衛星システム（ＧＮＳＳ））、および／またはワイヤレスパーソナルエリアネットワーク（ＷＰＡＮ）などの、任意の好適なタイプのワイヤレスネットワーク上の通信を容易にし得る。
【0049】
[0056]図８は、本開示のある特定の態様による、電気音響デバイスを製作するための例となる動作８００を例示するフロー図である。動作８００は、例えば、製作設備によって実行され得る。
【0050】
[0057]動作８００は、ブロック８０２において、製作設備が、基板の上に下部電極層（例えば、電極構造１０６）を形成することから開始し得る。ブロック８０４において、製作設備は、下部電極層の上に配置された第１の誘電体層（例えば、リフレクタ層１２２）と、第１の誘電体層の上に配置された第１の導電層（例えば、リフレクタ層１２０）と、を含む音響ミラースタックを形成する。ブロック８０６において、製作設備は、下部電極層と第１の導電層とを電気的に結合する１つまたは複数のビア（例えば、ビア２１２、２１４、２１６）を形成し、ブロック８０８において、音響ミラースタックの上に圧電層（例えば、圧電層１０４）を形成する。
【0051】
［例となる態様］
【0052】
[0058]態様１．電気音響デバイスであって、基板と、基板の上に配置された下部電極層と、下部電極層の上に配置された第１の誘電体層および第１の誘電体層の上に配置された第１の導電層を有する音響ミラースタックと、音響ミラースタックの上に配置された圧電層と、下部電極層と第１の導電層との間に配置された１つまたは複数の第１のビアと、を備え、１つまたは複数の第１のビアは、下部電極層と第１の導電層とを電気的に結合する、電気音響デバイス。
【0053】
[0059]態様２．圧電層の上に配置された上部電極層をさらに備える、態様１に記載の電気音響デバイス。
【0054】
[0060]態様３．音響ミラースタックは、下部電極層の上に配置された１つまたは複数の第２の誘電体層と、１つまたは複数の第２の誘電体層のそれぞれの１つの上にそれぞれ配置された１つまたは複数の第２の導電層と、第１の導電層と１つまたは複数の第２の導電層のそれぞれの１つとの間に配置された１つまたは複数の第２のビアと、をさらに備え、１つまたは複数の第２のビアは、第１の導電層と１つまたは複数の第２の導電層のそれぞれの１つとを電気的に結合する、態様１～２のいずれかに記載の電気音響デバイス。
【0055】
[0061]態様４．圧電層は、１つまたは複数の第２の導電層の最上導電層と直接接触している、態様３に記載の電気音響デバイス。
【0056】
[0062]態様５．圧電層は、第１の導電層と直接接触している、態様１～２のいずれかに記載の電気音響デバイス。
【0057】
[0063]態様６．下部電極層と第１の誘電体層との間に結合された第３の導電層をさらに備える、態様１～２および５のいずれかに記載の電気音響デバイス。
【0058】
[0064]態様７．第１の誘電体層は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を備える、態様１～６のいずれかに記載の電気音響デバイス。
【0059】
[0065]態様８．第１の導電層は、タングステン（Ｗ）を備える、態様１～７のいずれかに記載の電気音響デバイス。
【0060】
[0066]態様９．１つまたは複数の第１のビアは、タングステン（Ｗ）またはモリブデン（Ｍｏ）を備える、態様１～８のいずれかに記載の電気音響デバイス。
【0061】
[0067]態様１０．基板と下部電極層との間に第３の誘電体層をさらに備える、態様１～２および５～９のいずれかに記載の電気音響デバイス。
【0062】
[0068]態様１１．電気音響デバイスは、バルク音波（ＢＡＷ）共振器として構成される、態様１～１０のいずれかに記載の電気音響デバイス。
【0063】
[0069]態様１２．態様１～１１のいずれかに記載の電気音響デバイスを備える無線周波数（ＲＦ）フィルタ。
【0064】
[0070]態様１３．下部電極層の厚さが、１００ナノメートルより大きい、態様１～１２のいずれかに記載の電気音響デバイス。
【0065】
[0071]態様１４．信号処理のための方法であって、電気音響デバイスの端子において信号を受信することと、電気音響デバイスを介して信号を処理することと、を備え、ここにおいて、電気音響デバイスは、基板と、基板の上に配置された下部電極層と、下部電極層の上に配置された第１の誘電体層および第１の誘電体層の上に配置された第１の導電層を有する音響ミラースタックと、音響ミラースタックの上に配置された圧電層と、下部電極層と第１の導電層との間に配置された１つまたは複数の第１のビアと、を備え、１つまたは複数の第１のビアは、下部電極層と第１の導電層とを電気的に結合する、方法。
【0066】
[0072]態様１５．電気音響デバイスの端子は、下部電極層を備える、態様１４に記載の方法。
【0067】
[0073]態様１６．電気音響デバイスは、圧電層の上に配置された上部電極層をさらに備え、電気音響デバイスの端子は、上部電極層を備える、態様１４に記載の方法。
【0068】
[0074]態様１７．音響ミラースタックは、下部電極層の上に配置された１つまたは複数の第２の誘電体層と、１つまたは複数の第２の誘電体層のそれぞれの１つの上にそれぞれ配置された１つまたは複数の第２の導電層と、第１の導電層と１つまたは複数の第２の導電層のそれぞれの１つとの間に配置された１つまたは複数の第２のビアと、をさらに備え、１つまたは複数の第２のビアは、第１の導電層と１つまたは複数の第２の導電層のそれぞれの１つとを電気的に結合する、態様１４～１６のいずれかに記載の方法。
【0069】
[0075]態様１８．圧電層は、１つまたは複数の第２の導電層の最上導電層と直接接触している、態様１７に記載の方法。
【0070】
[0076]態様１９．圧電層は、第１の導電層と直接接触している、態様１４～１６のいずれかに記載の方法。
【0071】
[0077]態様２０．電気音響デバイスは、下部電極層と第１の誘電体層との間に結合された第３の導電層をさらに備える、態様１４～１６および１９のいずれかに記載の方法。
【0072】
[0078]態様２１．第１の誘電体層は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を備える、態様１４～２０のいずれかに記載の方法。
【0073】
[0079]態様２２．第１の導電層は、タングステン（Ｗ）を備える、態様１４～２１のいずれかに記載の方法。
【0074】
[0080]態様２３．１つまたは複数の第１のビアは、タングステン（Ｗ）またはモリブデン（Ｍｏ）を備える、態様１４～２２のいずれかに記載の方法。
【0075】
[0081]態様２４．電気音響デバイスは、基板と下部電極層との間に第３の誘電体層をさらに備える、態様１４～１６および１９～２３のいずれかに記載の方法。
【0076】
[0082]態様２５．電気音響デバイスは、バルク音波（ＢＡＷ）共振器として構成される、態様１４～２４のいずれかに記載の方法。
【0077】
[0083]態様２６．下部電極層の厚さが、１００ナノメートルより大きい、態様１４～２５のいずれかに記載の方法。
【0078】
[0084]態様２７．電気音響デバイスを製作する方法であって、基板の上に下部電極層を形成することと、下部電極層の上に配置された第１の誘電体層と、第１の誘電体層の上に配置された第１の導電層と、を備える音響ミラースタックを形成することと、下部電極層と第１の導電層とを電気的に結合する１つまたは複数のビアを形成することと、音響ミラースタックの上に圧電層を形成することと、を備える方法。
【0079】
[0085]上記で説明された方法の様々な動作は、対応する機能を行うことが可能な任意の好適な手段によって行われ得る。手段は、限定はしないが、回路、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、またはプロセッサを含む、様々なハードウェアおよび／またはソフトウェア構成要素（複数可）および／またはモジュール（複数可）を含み得る。概して、図に例示された動作がある場合、それらの動作は、対応するカウンターパートのミーンズプラスファンクション構成要素を有し得る。
【0080】
[0086]以下の説明は、様々なフィルタリング用途のための電気音響デバイスの例を提供するものであり、特許請求の範囲に記載される範囲、適用可能性、または例を限定するものではない。本開示の範囲から逸脱することなく、説明された要素の機能および配置において変更が行われ得る。様々な例は、必要に応じて、様々なプロシージャまたは構成要素を省略、置換、または追加し得る。例えば、説明された方法は、説明された順序とは異なる順序で行われ得、様々なステップが、追加、省略、または組み合わされ得る。また、いくつかの例に関して説明された特徴は、いくつかの他の例において組み合わされ得る。例えば、本明細書で記載された任意の数の態様を使用して、装置が実装され得るか、または方法が実施され得る。加えて、本開示の範囲は、本明細書に記載された本開示の様々な態様に加えて、またはそれら以外の他の構造、機能、もしくは構造および機能を使用して実施される、そのような装置または方法をカバーするように意図されている。本明細書で開示される本開示の任意の態様は、請求項の１つまたは複数の要素によって具現化され得ることを理解されたい。「例示的（exemplary）」という用語は、本明細書では、「例、事例、または例示を提供する」という意味で使用される。「例示的」として、本明細書で説明された任意の態様は、必ずしも他の態様よりも好ましいまたは有利であると解釈されるべきではない。
【0081】
[0087]本明細書で開示された方法は、方法を達成するための１つまたは複数のステップまたはアクションを備える。方法のステップおよび／またはアクションは、特許請求の範囲から逸脱することなく互いに置き換えられ得る。換言すれば、ステップまたはアクションの特定の順序が指定されない限り、特定のステップおよび／またはアクションの順序および／または使用は、特許請求の範囲から逸脱することなく修正され得る。
【0082】
[0088]本明細書で使用される場合、項目の列挙「のうちの少なくとも１つ」を指す表現は、単一のメンバを含む、それらの項目の任意の組合せを指す。例として、「ａ、ｂ、またはｃのうちの少なくとも１つ」は、ａ、ｂ、ｃ、ａ－ｂ、ａ－ｃ、ｂ－ｃ、およびａ－ｂ－ｃ、ならびに複数の同じ要素との任意の組合せ（例えば、ａ－ａ、ａ－ａ－ａ、ａ－ａ－ｂ、ａ－ａ－ｃ、ａ－ｂ－ｂ、ａ－ｃ－ｃ、ｂ－ｂ、ｂ－ｂ－ｂ、ｂ－ｂ－ｃ、ｃ－ｃ、およびｃ－ｃ－ｃ、またはａ、ｂ、およびｃのその他任意の順序付け）をカバーするように意図される。
【0083】
[0089]上記の説明は、当業者が本明細書で説明された様々な態様を実施することを可能にするために提供されている。これらの態様に対する様々な修正は、当業者には容易に明らかになり、本明細書で定義される一般原理は、他の態様に適用され得る。したがって、特許請求の範囲は、本明細書で示された態様に限定されるものではなく、特許請求の範囲の文言と一致する全範囲が与えられるものとし、単数形の要素への言及は、そうであることが明記されていない限り、「１つ、および１つのみ」を意味するようには意図されず、「１つまたは複数」を意味するように意図される。そうでないことが明記されていない限り、「いくつか」という用語は、１つまたは複数を指す。当業者に知られているか、または後に知られるようになる、本開示全体を通して説明された様々な態様の要素に対する全ての構造的および機能的な等価物は、参照によって本明細書に明示的に組み込まれ、特許請求の範囲によって包含されるように意図される。さらに、本明細書で開示されたものはいずれも、そのような開示が特許請求の範囲において明記されているかどうかにかかわらず、公衆に放棄されるようには意図されない。いずれの請求項の要素も、その要素が「～のための手段（means for）」という表現を使用して明確に記載されていない限り、または、方法の請求項のケースでは、その要素が「～のためのステップ（step for）」という表現を使用して記載されていない限り、米国特許法第１１２条（ｆ）の規定のもとで解釈されるべきではない。
【0084】
[0090]上記で説明された方法の様々な動作は、対応する機能を行うことが可能な任意の好適な手段によって行われ得る。手段は、様々なハードウェア構成要素を含み得る。概して、図に例示された動作がある場合、それらの動作は、同様の番号付けを有する、対応するカウンターパートのミーンズプラスファンクション構成要素を有し得る。
【0085】
[0091]特許請求の範囲は、上記に例示された厳密な構成および構成要素に限定されないことを理解されたい。様々な修正、変更、および変形が、特許請求の範囲から逸脱することなく、上記で説明された方法および装置の配置、動作、および詳細において行われ得る。
【図1A】
【図1B】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図4E】
【図4F】
【図4G】
【図4H】
【図4I】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【国際調査報告】