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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-11-22
(54)【発明の名称】静電性能が改善された基板
(51)【国際特許分類】
C03C 17/23 20060101AFI20231115BHJP
【ＦＩ】
C03C17/23
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023527396
(86)(22)【出願日】2021-11-02
(85)【翻訳文提出日】2023-07-07
(86)【国際出願番号】 US2021057661
(87)【国際公開番号】W WO2022098618
(87)【国際公開日】2022-05-12
(31)【優先権主張番号】63/110,548
(32)【優先日】2020-11-06
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】397068274
【氏名又は名称】コーニング インコーポレイテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100073184
【弁理士】
【氏名又は名称】柳田 征史
(74)【代理人】
【識別番号】100175042
【弁理士】
【氏名又は名称】高橋 秀明
(72)【発明者】
【氏名】小林 秀樹
(72)【発明者】
【氏名】水嶋 康之
(72)【発明者】
【氏名】中西 久典
【テーマコード（参考）】
4G059
【Ｆターム（参考）】
4G059AA08
4G059AB17
4G059AC30
4G059EA05
4G059EA07
4G059EB05
4G059EB06
(57)【要約】
基板は、ガラスシートと、該ガラスシートの主面に堆積された堆積層とを含む。堆積層は、無機粒子を含み、約０．４ナノメートルから約５０ナノメートルの範囲の主面の表面粗さを与える。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板であって、第１の主面、及び前記第１の主面に対してほぼ平行な方向に延在する反対側の第２の主面、並びに
ガラスシート、及び前記ガラスシートと前記第２の主面との間に延在する堆積層
を含み、前記堆積層が無機粒子を含み、かつ約０．４ナノメートルから約５０ナノメートルの範囲の前記基板の前記第２の主面の表面粗さを与える、
基板。
【請求項2】
前記第１の主面が約０．５ナノメートル未満の表面粗さを有する、請求項１に記載の基板。
【請求項3】
前記無機粒子が、１ｇあたり少なくとも約１００平方メートルのブルナウアー・エメット・テラー（ＢＥＴ）比表面積を含む、請求項１に記載の基板。
【請求項4】
約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲における前記第１の主面と前記第２の主面との間の厚さ０．５ミリメートルあたりの全光線透過率が、少なくとも約９０％である、請求項１に記載の基板。
【請求項5】
前記第２の主面の静電電荷（ＥＳＣ）の絶対値が約２００ボルト（Ｖ）未満である、請求項１に記載の基板。
【請求項6】
前記第１の主面と前記第２の主面との間の基板厚さが、約０．１ミリメートルから約１ミリメートルの間である、請求項１に記載の基板。
【請求項7】
請求項１から６のいずれか一項に記載の基板を含む、電子デバイス。
【請求項8】
基板を製造する方法であって、ガラスシート上に堆積層を堆積する工程を含み、前記堆積層が前記ガラスシートと前記基板の第２の主面との間に延在し、前記ガラスシートが前記堆積層と前記基板の第１の主面との間に延在し、かつ前記第１の主面に対してほぼ平行な方向に延在し、前記堆積層が無機粒子を含み、かつ約０．４ナノメートルから約５０ナノメートルの範囲の前記基板の前記第２の主面の表面粗さを与える、
方法。
【請求項9】
前記方法が、溶融ガラスから前記ガラスシートを形成する工程をさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項10】
前記堆積層が、分散液中で前記ガラスシート上に堆積される、請求項８に記載の方法。
【請求項11】
前記分散液が、前記ガラスシート上に堆積された後に乾燥工程に供される、請求項１０に記載の方法。
【請求項12】
前記基板が、前記乾燥工程の後に洗浄工程に供される、請求項１１に記載の方法。
【請求項13】
前記無機粒子が、１ｇあたり少なくとも約１００平方メートルのブルナウアー・エメット・テラー（ＢＥＴ）比表面積を含む、請求項８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【0001】
本出願は、その全体がここに参照することにより本願に援用される、２０２０年１１月６日出願の米国仮特許出願第６３／１１０，５４８号の米国法典第３５編特許法１１９条（ｅ）に基づく優先権の利益を主張するものである。
【技術分野】
【0002】
本開示は、概して基板に関し、より詳細には、静電性能が改善された基板に関する。
【背景技術】
【0003】
薄いガラス基板は、一般に、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイなどのフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）デバイスで利用されている。ＦＰＤデバイスに用いられる基板は、概して、薄膜トランジスタが製造される機能的なＡ側表面と、Ａ側表面の反対側の非機能的な裏面又はＢ側表面とを有する。ＦＰＤデバイスの製造中、ガラス基板のＢ側表面は、金属、セラミック、ポリマー材料などのさまざまな材料の搬送及び取り扱い装置と接触する可能性がある。基板とこれらの材料との間の相互作用により、多くの場合、摩擦電気効果又は接触帯電による帯電が発生する。その結果、電荷がガラス表面に移動し、基板上に蓄積する可能性がある。ガラス基板の表面に電荷が蓄積すると、ガラス基板の表面電位も変化する。
【0004】
ＦＰＤデバイスに用いられるガラス基板のＢ側表面の静電気帯電（ＥＳＣ）は、ガラス基板の性能を低下させる、及び／又はガラス基板を損傷する可能性がある。例えば、Ｂ側表面の静電気帯電は、絶縁破壊や電界誘起帯電により、ガラス基板のＡ側表面に堆積された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）デバイスにゲート損傷を生じさせる可能性がある。さらには、ガラス基板のＢ側表面の帯電により、塵又は他の粒子状の破片などの粒子が引き寄せられる可能性があり、これがガラス基板に損傷を与える、又はガラス基板の表面品質を劣化させる可能性がある。いずれの状況でも、ガラス基板の静電気帯電は、ＦＰＤデバイスの製造歩留まりを低下させ、それによって製造プロセスの全体的なコストを増加させる可能性がある。
【0005】
さらには、ガラス基板と取り扱い及び／又は搬送装置との間の摩擦接触は、このような装置を摩耗させ、それによって装置の耐用年数を短縮させる可能性がある。摩耗した機器を修理又は交換すると、プロセスのダウンタイムが発生し、製造歩留まりが低下し、ＦＰＤデバイス製造プロセス全体のコストが増加する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
したがって、電荷の発生を軽減し、ガラス基板とＦＰＤデバイスの製造に利用される装置との間の摩擦を低減する、ガラス基板処理方法が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本明細書に開示される実施形態は基板を含む。基板は、第１の主面と、該第１の主面に対してほぼ平行な方向に延在する反対側の第２の主面とを含む。基板はまた、ガラスシート、及び該ガラスシートと第２の主面との間に延在する堆積層も含む。堆積層は無機粒子を含み、約０．４ナノメートルから約５０ナノメートルの範囲の基板の第２の主面上の表面粗さを与える。
【0008】
本明細書に開示される実施形態はまた、基板を製造する方法も含む。該方法は、ガラスシート上に堆積層を堆積する工程を含む。堆積層はガラスシートと基板の第２の主面との間に延在し、ガラスシートは堆積層と基板の第１の主面との間に延在する。第１の主面は第２の主面に対してほぼ平行な方向に延在する。堆積層は無機粒子を含み、約０．４ナノメートルから約５０ナノメートルの範囲の基板の第２の主面上の表面粗さを与える。
【0009】
本明細書に開示される実施形態のさらなる特徴及び利点は、以下の詳細な説明に記載されており、一部にはその説明から当業者には容易に明らかになり、あるいは、以下の詳細な説明、特許請求の範囲、並びに添付の図面を含む、本明細書に記載されるように開示される実施形態を実施することによって認識される。
【0010】
前述の概要及び後述する詳細な説明はいずれも、特許請求の範囲に記載される実施形態の性質及び特徴を理解するための概観又は枠組みを提供することが意図されていることが理解されるべきである。添付の図面は、さらなる理解を提供するために含まれ、本明細書に組み込まれて、その一部を構成する。図面は本開示のさまざまな実施形態を例証しており、その説明とともに、それらの原理及び動作を説明する役割を担う。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】例となるフュージョンダウンドローガラス製造装置及びプロセスの概略図
【図2】ガラスシートの斜視図
【図3】液体分散堆積層が堆積されたガラスシートの側面断面図
【図4】堆積層が堆積されたガラスシートの側面断面図
【図5】動作の第１段階のリフト試験装置の側面断面図
【図6】動作の第２段階のリフト試験装置の側面断面図
【図7】動作の第３段階のリフト試験装置の側面断面図
【発明を実施するための形態】
【0012】
これより、その例が添付の図面に示されている本開示の好ましい実施形態について、詳細に説明する。可能な場合はいつでも、同一又は類似した部分についての言及には、図面全体を通して同じ参照番号が用いられる。しかしながら、本開示は、多くの異なる形態で具現化することができ、本明細書に記載される実施形態に限定されると解釈されるべきではない。
【0013】
本明細書では、範囲は、「約」１つの特定の値から、及び／又は「約」別の特定の値までとして表現することができる。このような範囲が表現される場合、別の実施形態は、その１つの特定の値から及び／又は他方の特定の値までを含む。同様に、例えば先行詞「約」の使用によって、値が近似値として表される場合、その特定の値は別の実施形態を形成することが理解されよう。さらには、範囲の各々の端点は、他の端点に関連して、及び他の端点とは独立してのいずれにおいても重要であることが理解されよう。
【0014】
本明細書で用いられる方向の用語（例えば、上、下、右、左、前、後、上部、底部）は、描かれた図を参照してのみ作られており、絶対的な方向を意味することは意図していない。
【0015】
特に明記しない限り、本明細書に記載されるいずれの方法も、その工程が特定の順序で実行されることを必要とすること、若しくは、装置には特定の向きが必要であると解釈されることは、決して意図していない。したがって、方法クレームが、そのステップが従うべき順序を実際に記載していない場合、若しくは装置クレームが個々の構成要素に対する順序又は向きを実際に記載していない場合、あるいは、ステップが特定の順序に限定されるべきであることが特許請求の範囲又は明細書に別段に明確に述べられていない場合、若しくは装置の構成要素に対する特定の順序又は向きが記載されていない場合には、いかなる意味においても、順序又は方向が推測されることは決して意図していない。これには、次のような解釈のためのあらゆる非明示的根拠が当てはまる：ステップの配置、動作フロー、構成要素の順序、又は構成要素の方向に関する論理的事項；文法上の編成又は句読点から派生した平明な意味；及び、明細書に記載される実施形態の数又はタイプ。
【0016】
本明細書で用いられる場合、単数形「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」は、文脈上明らかに別段の指示がない限り、複数の指示対象を含む。よって、例えば、「ある１つの（ａ）」構成要素への言及は、文脈がそうでないことを明確に示さない限り、そのような構成要素を２つ以上有する態様を含む。
【0017】
本明細書で用いられる場合、「表面粗さ」という用語は、本明細書に記載される表面粗さ測定技法によって決定される、基板の主面上の測定された粗さを指す。
【0018】
本明細書で用いられる場合、「静電電荷」という用語は、本明細書に記載される表面電位測定技法によって決定される基板の主面上の測定された電荷を指す。
【0019】
図１に例示的なガラス製造装置１０が示されている。幾つかの例では、ガラス製造装置１０は、溶融容器１４を含むことができるガラス溶融炉１２を備えることができる。溶融容器１４に加えて、ガラス溶融炉１２は、任意選択的に、原料を加熱して該原料を溶融ガラスへと変換する加熱要素（例えば、燃焼バーナ又は電極）などの１つ以上の追加の構成要素を含むことができる。さらなる例では、ガラス溶融炉１２は、溶融容器の近傍からの熱損失を低減する熱管理装置（例えば断熱構成要素）を含んでいてもよい。さらに別の例では、ガラス溶融炉１２は、原材料のガラス溶融物への溶融を促進する電子デバイス及び／又は電気機械デバイスを含むことができる。さらにまた、ガラス溶融炉１２は、支持構造（例えば、支持シャーシ、支持部材等）又は他の構成要素を含んでいてもよい。
【0020】
ガラス溶融容器１４は、典型的には耐火セラミック材料、例えばアルミナ又はジルコニアを含む耐火セラミック材料などの耐火材料で構成される。幾つかの例では、ガラス溶融容器１４は、耐火セラミックブリックで構成されていてもよい。ガラス溶融容器１４の特定の実施形態は、以下により詳細に説明される。
【0021】
幾つかの例では、ガラス溶融炉をガラス製造装置の構成要素として組み込んで、ガラスシート、例えば連続長のガラスリボンを製造することができる。幾つかの例では、本開示のガラス溶融炉は、スロットドロー装置、フロートバス装置、フュージョンプロセスなどのダウンドロー装置、アップドロー装置、プレス圧延装置、管延伸装置、又は本明細書に開示される態様からの利益を享受するであろう他の任意のガラス製造装置を含む、ガラス製造装置の構成要素として組み込まれてもよい。例として、図１は、その後に個別のガラスシートへと加工するためにガラスリボンを溶融延伸するためのフュージョンダウンドローガラス製造装置１０の構成要素としてのガラス溶融炉１２を概略的に示している。
【0022】
ガラス製造装置１０（例えばフュージョンダウンドロー装置１０）は、任意選択的に、ガラス溶融容器１４に対して上流に位置付けられた上流側ガラス製造装置１６を含みうる。幾つかの例では、上流側ガラス製造装置１６の一部又は全体をガラス溶融炉１２の一部として組み込むことができる。
【0023】
図示される例に示すように、上流側ガラス製造装置１６は、貯蔵ビン１８、原料送達デバイス２０、及び該原料送達デバイスに接続されたモータ２２を備えることができる。貯蔵ビン１８は、矢印２６で示すように、ガラス溶融炉１２の溶融容器１４に供給することができる、ある量の原料２４を保管するように構成することができる。原料２４は、典型的には、１つ以上のガラス形成金属酸化物と１つ以上の改質剤とを含む。幾つかの例では、原料送達デバイス２０が所定量の原料２４を貯蔵ビン１８から溶融容器１４に送達するように、モータ２２によって原料送達デバイス２０に動力を与えることができる。さらなる例では、モータ２２は、溶融容器１４の下流で感知された溶融ガラスのレベルに基づいて制御された速度で原料２４を導入するように原料送達デバイス２０に動力を与えることができる。その後、溶融容器１４内の原料２４を加熱して溶融ガラス２８を形成することができる。
【0024】
ガラス製造装置１０はまた、任意選択的に、ガラス溶融炉１２に対して下流に位置付けられた下流側ガラス製造装置３０を含むことができる。幾つかの例では、下流側ガラス製造装置３０の一部をガラス溶融炉１２の一部として組み込むことができる。幾つかの事例では、以下で論じる第１の接続導管３２、又は下流側ガラス製造装置３０の他の部分をガラス溶融炉１２の一部として組み込むことができる。第１の接続導管３２を含む下流側ガラス製造装置の要素は、貴金属から形成することができる。適切な貴金属には、白金、イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、及びパラジウムからなる金属の群から選択される白金族金属、又はそれらの合金が含まれる。例えば、ガラス製造装置の下流構成要素は、約７０～約９０質量％の白金及び約１０質量％～約３０質量％のロジウムを含む白金－ロジウム合金から形成することができる。しかしながら、他の適切な金属は、モリブデン、パラジウム、レニウム、タンタル、チタン、タングステン、及びそれらの合金を含みうる。
【0025】
下流側ガラス製造装置３０は、溶融容器１４の下流に位置し、かつ、上記第１の接続導管３２によって溶融容器１４に結合された、清澄容器３４などの第１の調整（すなわち、処理）容器を含みうる。幾つかの例では、溶融ガラス２８は、第１の接続導管３２によって溶融容器１４から清澄容器３４へと重力供給されてもよい。例えば、重力によって、溶融ガラス２８を、溶融容器１４から清澄容器３４へと第１の接続導管３２の内部経路を通過させることができる。しかしながら、他の調整容器を、例えば溶融容器１４と清澄容器３４との間など、溶融容器１４の下流に配置することができるものと理解されたい。幾つかの実施形態では、一次溶融容器からの溶融ガラスをさらに加熱して溶融プロセスを継続するか、又は清澄容器に入る前に溶融容器内の溶融ガラスの温度より低い温度へと冷却する調整容器を溶融容器と清澄容器との間に用いることができる。
【0026】
気泡は、清澄容器３４内の溶融ガラス２８から、さまざまな技法によって除去することができる。例えば、原料２４は、加熱されると化学還元反応を被り、酸素を放出する、酸化スズなどの多価化合物（すなわち清澄剤）を含みうる。他の適切な清澄剤としては、限定はしないが、ヒ素、アンチモン、鉄、及びセリウムが挙げられる。清澄容器３４は、溶融容器温度より高い温度へと加熱され、それによって溶融ガラスと清澄剤を加熱する。清澄剤の温度誘発性の化学還元によって生じた酸素気泡は、清澄容器内の溶融ガラスを通って上昇し、ここで、溶融炉内で生成した溶融ガラス内のガスは、清澄剤によって生成された酸素気泡中に拡散又は一体化しうる。次に、拡大した気泡は、清澄容器内の溶融ガラスの自由表面へと上昇し、その後、清澄容器から排出されうる。酸素気泡はさらに、清澄容器内での溶融ガラスの機械的混合も生じさせることができる。
【0027】
下流側ガラス製造装置３０は、溶融ガラスを混合するための混合容器３６など、別の調整容器をさらに含むことができる。混合容器３６は、清澄容器３４の下流に配置することができる。混合容器３６を使用して均質なガラス溶融組成物をもたらし、それによって、そうでなければ清澄容器から出る清澄された溶融ガラス内に存在しうる化学的又は熱的不均一性のコードを低減することができる。示されるように、清澄容器３４は、第２の接続導管３８によって混合容器３６に連結されうる。幾つかの例では、溶融ガラス２８は、第２の接続導管３８によって清澄容器３４から混合容器３６へと重力供給することができる。例えば、重力によって、溶融ガラス２８を、清澄容器３４から混合容器３６へと第２の接続導管３８の内部経路を通過させることができる。混合容器３６が清澄容器３４の下流に示されているが、混合容器３６は、清澄容器３４の上流に位置付けられてもよいことに留意すべきである。幾つかの実施形態では、下流側ガラス製造装置３０は、例えば清澄容器３４の上流の混合容器と清澄容器３４の下流の混合容器など、複数の混合容器を含んでいてもよい。これらの複数の混合容器は、同じ設計のものであっても、異なる設計のものであってもよい。
【0028】
下流側ガラス製造装置３０は、混合容器３６の下流に配置することができる送達容器４０などの別の調整容器をさらに含んでいてもよい。送達容器４０は、溶融ガラス２８を調整し、下流の成形装置内へと供給することができる。例えば、送達容器４０は、出口導管４４によって成形体４２への溶融ガラス２８の一定の流れを調整及び／又は提供するためのアキュムレータ及び／又は流量制御装置として機能することができる。示されるように、混合容器３６は、第３の接続導管４６によって送達容器４０に連結されうる。幾つかの例では、溶融ガラス２８は、第３の接続導管４６によって混合容器３６から送達容器４０へと重力供給されうる。例えば、重力によって、第３の接続導管４６の内部経路を通って混合容器３６から送達容器４０へと溶融ガラス２８を駆動させることができる。
【0029】
下流側ガラス製造装置３０は、上述の成形体４２と入口導管５０とを含む成形装置４８をさらに含むことができる。出口導管４４は、溶融ガラス２８を送達容器４０から成形装置４８の入口導管５０へと送達するように位置付けることができる。例えば、出口導管４４は入口導管５０の内面に入れ子にされ、かつ、そこから離間され、それによって出口導管４４の外面と入口導管５０の内面との間に位置付けられた溶融ガラスの自由表面を提供することができる。フュージョンダウンドローガラス製造装置の成形体４２は、該成形体の上面に位置付けられたトラフ５２と、成形体の底部エッジ５６に沿って延伸方向に収束する収束成形面５４とを含みうる。送達容器４０、出口導管４４、及び入口導管５０を介して成形体トラフへと送達された溶融ガラスは、トラフの側壁から溢れ出て、溶融ガラスの別々の流れとして収束成形面５４に沿って下降する。溶融ガラスの別々の流れは、底部エッジ５６の下及び底部エッジ５６に沿って合流し、重力、エッジロール７２、及びプルロール８２などによってガラスリボンに張力を印加することにより、ガラスが冷えてガラスの粘性が増すにつれてガラスリボンの寸法を制御するように底部エッジ５６から延伸方向又は流れ方向６０に延伸される、単一のガラスリボン５８を生成する。したがって、ガラスリボン５８は、粘弾性転移を経て、ガラスリボン５８に安定した寸法特性を与える機械的性質を獲得する。ガラスリボン５８は、幾つかの実施形態では、ガラスリボンの弾性領域においてガラス分離装置１００によって個々のガラスシート６２へと分離することができる。次いで、ロボット６４によって、把持具６５を使用して個々のガラスシート６２をコンベヤシステムに移すことができ、その後、個々のガラスシートをさらに処理することができる。
【0030】
図２は、第１の主面１６２、該第１の主面１６２とほぼ平行な方向に延在する第２の主面１６４（ガラスシート６２の第１の主面とは反対側）、並びに、第１の主面１６２と第２の主面１６４との間に延在し、かつ、第１及び第２の主面１６２、１６４とほぼ垂直な方向に延在するエッジ表面１６６を有するガラスシート６２の斜視図を示している。
【0031】
図３は、液体分散堆積層２０２が堆積されたガラスシート６２の側面断面図を示している。具体的には、液体分散堆積層２０２は、ガラスシート６２の第２の主面１６４上に堆積されて、基板前駆体６２’を形成する。液体分散堆積層２０２は、限定はしないが、スピンコーティング、流し塗り、又はスプレーコーティングのうちの少なくとも１つを含む、当業者に知られている方法に従って、分散機３００を介してガラスシート６２上に堆積させることができる。
【0032】
ある特定の例示的な実施形態では、堆積層は、液体分散堆積層２０２が水性分散液を含むように水中に分散させることができる。堆積層はまた、例えば、アルコール、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、アミン、エステル、エーテル、及び／又はケトンなどの有機溶媒を含む他の液体中に分散させることもできる。
【0033】
液体分散堆積層２０２中の固体の質量パーセント（質量％）は、限定はしないが、例えば、約０．１質量％から約１０質量％、例えば約０．５質量％から約５質量％、さらには例えば約１質量％から約３質量％の範囲でありうる。
【0034】
ある特定の例示的な実施形態では、液体分散堆積層２０２は、無機粒子を含む固体材料を含むことができる。このような粒子は、例えば、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、及び／又はコロイド状シリカのうちの少なくとも１つを含みうる。液体分散堆積層２０２に組み込まれる前に、このような粒子は、例えば、１ｇあたり少なくとも約１００平方メートル、例えば、少なくとも約２００平方メートル／グラム、さらには、約１００平方メートル／グラムから約５００平方メートル／グラム、例えば約２００平方メートル／グラムから約４００平方メートル／グラムを含む、少なくとも約３００平方メートル／グラムのブルナウアー・エメット・テラー（ＢＥＴ）比表面積を含みうる。ＢＥＴ比表面積は、固体表面へのガスの物理吸着を観察し、当業者には知られているブルナウアー・エメット・テラー（ＢＥＴ）吸着等温式を使用して表面の単分子層に相当する吸着ガスの量を計算することによって決定される。
【0035】
無機粒子が酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、及び／又はコロイド状シリカを含む場合、それらは非晶質であっても結晶の形態であってもよい。液体分散堆積層２０２に使用することができる酸化アルミニウム及び／又は水酸化アルミニウムの例としては、非晶質酸化アルミニウム、アルファアルミナ、ベータアルミナ、ガンマアルミナ、ギブサイト、バイヤライト、ノルドストランド石、ベーマイト、ダイアスポア、又はトーダイトが挙げられるが、これらに限定されない。
【0036】
ガラスシート６２上に堆積させた後、液体分散堆積層２０２は、当業者に知られているように、例えばエアナイフの使用及び／又は高温乾燥などによって液体を蒸発させるために、乾燥工程に供することができる。例えば、高温乾燥は、少なくとも約１００℃、例えば少なくとも約２００℃、例えば約１００℃から約５００℃の温度で、少なくとも約１０秒間、例えば約１０秒から約２０分の間、行うことができる。エアナイフ乾燥は、例えば、少なくとも約３０秒、例えば約３０秒から約３０分の間、行うことができる。
【0037】
図４は、堆積層２０４が堆積されたガラスシート６２の側面断面図を示している。具体的には、堆積層２０４は、ガラスシート６２の第２の主面１６４上に堆積されて、基板６２”を形成する。堆積層２０４は、例えば、上述したように液体分散堆積層２０２の乾燥の結果として、ガラスシート６２の第２の主面１６４上に堆積させることができる。
【0038】
堆積層２０４は、約０．４ナノメートルから約５０ナノメートル、例えば約０．６ナノメートルから約２０ナノメートル、さらには例えば約０．８ナノメートルから約１０ナノメートルの範囲の基板６２”の第２の主面２０６の表面粗さを与えうる。一方、基板６２”の第１の主面１６２は、例えば、約０．０５ナノメートルから約０．５ナノメートル、例えば約０．１ナノメートルから約０．２５ナノメートルを含む、例えば約０．２５ナノメートル未満など、約０．５ナノメートル未満の表面粗さを有しうる。
【0039】
第２の主面２０６の上記表面粗さは、少なくとも部分的には、無機粒子を含む堆積層２０４に起因しうる。このような粒子は、例えば、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、及び／又はコロイド状シリカのうちの少なくとも１つを含みうる。加えて、このような粒子は、例えば、１ｇあたり少なくとも約１００平方メートル、例えば、少なくとも約２００平方メートル／グラム、さらには、約１００平方メートル／グラムから約５００平方メートル／グラム、例えば約２００平方メートル／グラムから約４００平方メートル／グラムを含む、少なくとも約３００平方メートル／グラムのブルナウアー・エメット・テラー（ＢＥＴ）比表面積を含みうる。
【0040】
無機粒子が酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、及び／又はコロイド状シリカを含む場合、それらは非晶質であっても結晶の形態であってもよい。堆積層２０４に使用することができる酸化アルミニウム及び／又は水酸化アルミニウムの例としては、非晶質酸化アルミニウム、アルファアルミナ、ベータアルミナ、ガンマアルミナ、ギブサイト、バイヤライト、ノルドストランド石、ベーマイト、ダイアスポア、又はトーダイトが挙げられるが、これらに限定されない。
【0041】
ある特定の例示的な実施形態では、基板６２”は、上述の乾燥工程に続いて、洗浄工程に供することができる。具体的には、第１の主面１６２又は基板６２”の第２の主面２０６の少なくとも一方を、水又は有機溶媒などの溶媒と少なくとも１つの溶質とを含む液体洗浄液で洗浄することができる。ある特定の例示的な実施形態では、溶質は、少なくとも１つの洗剤及び／又は界面活性剤を含みうる。ある特定の例示的な実施形態では、溶媒は水（例えば、脱イオン水）を含み、溶質は、水酸化カリウム（ＫＯＨ）又は水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）の少なくとも一方を含む洗剤など、アルカリ洗剤を含み、その市販例として、Ｓｅｍｉ Ｃｌｅａｎ ＫＧ及びＰＫ－ＬＣＧ２２５Ｘが挙げられる。ある特定の例示的な実施形態では、溶質は、少なくとも約１％、例えば約０．１％から約１０％、さらには例えば約１％から約５％を含む、少なくとも約０．１％の質量パーセントで溶液中に存在しうる。ある特定の例示的な実施形態では、洗浄液は、少なくとも約２０℃、例えば約２０℃から約８０℃の温度で、少なくとも約１０秒間、例えば約１０秒から約１０分の間、適用されうる。加えて、洗浄液は、噴霧、ブラッシング、及び浸漬を含むがこれらに限定されない、当業者に知られている方法に従って適用することができる。
【0042】
ある特定の例示的な実施形態では、基板６２”は、上述の洗浄工程に続いて、乾燥工程に供することができる。例えば、洗浄工程に続いて、当業者には知られているように、エアナイフ及び／又は高温乾燥を使用して、基板６２”を乾燥させることができる。例えば、高温乾燥は、少なくとも約１００℃、例えば少なくとも約２００℃、例えば約１００℃から約５００℃の温度で、少なくとも約１０秒間、例えば約１０秒から約２０分の間、行うことができる。エアナイフ乾燥は、例えば、少なくとも約３０秒、例えば約３０秒から約３０分の間、行うことができる。
【0043】
ある特定の例示的な実施形態では、基板６２”はまた、酸エッチング工程などのエッチング工程に供することができる。例えば、フッ化水素酸（ＨＦ）などのエッチング液を含む溶液を、噴霧、浸漬、又はブラッシングなど、当業者に知られている方法に従って、少なくとも基板６２”の第２の主面２０６に適用することができる。酸エッチング液は、例えば、約０．１質量％から約１０質量％の範囲の濃度の溶液中に存在し、約２０℃から約６０℃の範囲の温度で約１０秒から約１０分の範囲の時間、適用することができる。
【0044】
本明細書に開示される実施形態は、エッチング工程が基板６２”の第２の主面２０６の表面粗さに大きな影響を与えない実施形態を含む。例えば、エッチング工程の後、基板６２”の第２の主面２０６は、約０．４ナノメートルから約５０ナノメートル、例えば約０．６ナノメートルから約２０ナノメートル、さらには例えば約０．８ナノメートルから約１０ナノメートルの範囲の表面粗さを有しうる。
【0045】
ある特定の例示的な実施形態では、基板６２”の第２の主面２０６の静電電荷（ＥＳＣ）の絶対値は、約２００ボルト（Ｖ）未満、例えば約１５０ボルト（Ｖ）未満、さらには１００ボルト（Ｖ）未満、さらには約５０ボルト（Ｖ）未満、例えば約０ボルト（Ｖ）から約２００ボルト（Ｖ）、さらには例えば約１ボルト（Ｖ）から約１５０ボルト（Ｖ）、さらには例えば約２ボルト（Ｖ）から約１００ボルト（Ｖ）、さらには例えば約５ボルト（Ｖ）から約５０ボルト（Ｖ）である。
【0046】
ある特定の例示的な実施形態では、約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲における第１の主面１６２と基板６２”の第２の主面２０６との間の厚さ０．５ミリメートルあたりの全光線透過率は、約９０％から約９９％を含む、例えば少なくとも約９５％など、少なくとも約９０％である。以下の実施例を含めて本明細書に記載される全光線透過率は、厚さ０．５ミリメートルの基板試料を日立Ｕ－４０００分光光度計に配置し、約４００から約８５０ナノメートルの間の波長範囲におけるパーセント透過率（Ｔ％）を測定することによって決定した。
【0047】
本明細書に開示される実施形態は、堆積層２０４が焼結されない実施形態を含みうる。本明細書に開示される実施形態はさらに、堆積層２０４が溶融しない実施形態を含みうる。加えて、本明細書に開示される実施形態は、堆積層２０４に圧縮応力が印加されない実施形態を含みうる。本明細書に開示される実施形態はまた、堆積層２０４が実質的な量（例えば、１質量％超）のガラス、金属、及び／又は有機化合物（例えば、結合剤など）を含まない実施形態も含みうる。さらに、本明細書に開示される実施形態は、堆積層２０４の適用前にガラスシート６２に対して湿式又は乾式のエッチング工程（湿式又は乾式の酸エッチング工程など）が行われない実施形態を含みうる。
【0048】
ある特定の例示的な実施形態では、第１の主面１６２と第２の主面２０６との間の基板６２”の厚さは、例えば、約０．１ミリメートルから約１ミリメートルの間を含む、さらには約０．２ミリメートル及び約０．５ミリメートルを含む、約０．５ミリメートル未満など、約１ミリメートル未満でありうる。
【0049】
本明細書に開示される実施形態は、さまざまなガラス組成物とともに使用することができる。このような組成物は、例えば、５８～６５質量パーセント（質量％）のＳｉＯ２、１４～２０質量％のＡｌ２Ｏ３、８～１２質量％のＢ２Ｏ３、１～３質量％のＭｇＯ、５～１０質量％のＣａＯ、及び０．５～２質量％のＳｒＯを含有する、無アルカリガラス組成物などのガラス組成物を含みうる。このような組成物はまた、５８～６５質量％のＳｉＯ２、１６～２２質量％のＡｌ２Ｏ３、１～５質量％のＢ２Ｏ３、１～４質量％のＭｇＯ、２～６質量％のＣａＯ、１～４質量％のＳｒＯ、及び５～１０質量％のＢａＯを含有する、無アルカリガラス組成物などのガラス組成物も含みうる。このような組成物は、さらには、５７～６１質量％のＳｉＯ２、１７～２１質量％のＡｌ２Ｏ３、５～８質量％のＢ２Ｏ３、１～５質量％のＭｇＯ、３～９質量％のＣａＯ、０～６質量％のＳｒＯ、及び０～７質量％のＢａＯを含有する、無アルカリガラス組成物などのガラス組成物も含みうる。このような組成物は、５５～７２質量％のＳｉＯ２、１２～２４質量％のＡｌ２Ｏ３、１０～１８質量％のＮａ２Ｏ、０～１０質量％のＢ２Ｏ３、０～５質量％のＫ２Ｏ、０～５質量％のＭｇＯ、及び０～５質量％のＣａＯを含み、ある特定の実施形態では、１～５質量％のＫ２Ｏ及び１～５質量％のＭｇＯも含みうる、例えばアルカリ含有ガラス組成物などのガラス組成物をさらに含みうる。
【0050】
表面粗さ測定技法
以下の実施例を含めて本明細書に記載されるように、表面粗さとは、日立Ｈｉｇｈ－Ｔｅｃｈ ＡＦＭ５４００Ｌを使用して測定される原子間力顕微鏡粗さ（ＡＦＭ Ｒａ）分析を指す。分析する各試料について、ＡＦＭの表面形態画像を、カンチレバーＳＩ－ＤＦ２０Ｐ２（バネ定数＝９Ｎ／ｍ、共振周波数：１００～２００ｋＨｚ、先端の半径：７ｎｍ、先端の高さ：１４μｍ、レバーの長さ：１６０μｍ、レバーの幅：４０μｍ、レバーの厚さ：３．５μｍ）を使用し、ダイナミックフォースモード（ＤＦＭ）でスキャンした。分析する各試料について、次の分析パラメータを使用して、測定中に基板表面に軟Ｘ線を照射した：積分ゲイン（０．２）、比例ゲイン（０．０５）、Ｚリミット（５００ｎｍ）、走査領域（１０μｍ×１０μｍ）、画質Ｘ軸（２５６）及びＹ軸（２５６）。また、表面の最も高い「山」と最も深い「谷」との差（Ｐ－Ｖ値）も求めた。
以下の実施例を含めて本明細書に記載されるように、表面粗さとは、日立Ｈｉｇｈ－Ｔｅｃｈ ＡＦＭ５４００Ｌを使用して測定される原子間力顕微鏡粗さ（ＡＦＭ Ｒａ）分析を指す。分析する各試料について、ＡＦＭの表面形態画像を、カンチレバーＳＩ－ＤＦ２０Ｐ２（バネ定数＝９Ｎ／ｍ、共振周波数：１００～２００ｋＨｚ、先端の半径：７ｎｍ、先端の高さ：１４μｍ、レバーの長さ：１６０μｍ、レバーの幅：４０μｍ、レバーの厚さ：３．５μｍ）を使用し、ダイナミックフォースモード（ＤＦＭ）でスキャンした。分析する各試料について、次の分析パラメータを使用して、測定中に基板表面に軟Ｘ線を照射した：積分ゲイン（０．２）、比例ゲイン（０．０５）、Ｚリミット（５００ｎｍ）、走査領域（１０μｍ×１０μｍ）、画質Ｘ軸（２５６）及びＹ軸（２５６）。また、表面の最も高い「山」と最も深い「谷」との差（Ｐ－Ｖ値）も求めた。
【0051】
表面電位測定技法
以下の実施例を含めて本明細書に記載される基板の第２の主面の静電電荷（ＥＳＣ）は、図５～７に概略的に示されるように、リフト試験装置に基板試料を配置することによって決定した。具体的には、図５に示されるように、動作の第１段階では、約１０×１０ｃｍ２の基板試料６２”を、該試料が陽極酸化アルミニウムテーブル４０４の約３０ミリメートル上方に位置するように、リフト試験装置４００の３つのリフトピン４０８ａ、４０８ｂ、及び４０８ｃ上に配置する。この段階中、イオン発生器４１０が、基板試料６２”の第２の主面とテーブルとの間の空隙を約３０秒間、処理する。次に、動作の第２段階では、図６に示されるように、３つのリフトピン４０８ａ、４０８ｂ、及び４０８ｃが下降し、基板試料６２”の第２の主面がテーブル４０４に接触し、真空４０６がテーブル４０４と基板試料６２”との間に約７０秒間、オンになる。次に、動作の第３段階では、図７に示されるように、真空４０６がオフになり、基板試料６２”が３つのリフトピン４０８ａ、４０８ｂ、及び４０８ｃによって持ち上げられ、Ｈａｎｗａ静電気力顕微鏡（ＥＳＦＭ）４０２で約３０秒間監視され、ボルト（Ｖ）単位の静電電荷（ＥＳＣ）が決定される。この段階中、基板試料６２”の第１の主面とＥＳＦＭ４０２との間の間隙は約１０ミリメートルであり、基板試料６２”の第２の主面とテーブル４０４との間の間隙は約３０ミリメートルである。
以下の実施例を含めて本明細書に記載される基板の第２の主面の静電電荷（ＥＳＣ）は、図５～７に概略的に示されるように、リフト試験装置に基板試料を配置することによって決定した。具体的には、図５に示されるように、動作の第１段階では、約１０×１０ｃｍ２の基板試料６２”を、該試料が陽極酸化アルミニウムテーブル４０４の約３０ミリメートル上方に位置するように、リフト試験装置４００の３つのリフトピン４０８ａ、４０８ｂ、及び４０８ｃ上に配置する。この段階中、イオン発生器４１０が、基板試料６２”の第２の主面とテーブルとの間の空隙を約３０秒間、処理する。次に、動作の第２段階では、図６に示されるように、３つのリフトピン４０８ａ、４０８ｂ、及び４０８ｃが下降し、基板試料６２”の第２の主面がテーブル４０４に接触し、真空４０６がテーブル４０４と基板試料６２”との間に約７０秒間、オンになる。次に、動作の第３段階では、図７に示されるように、真空４０６がオフになり、基板試料６２”が３つのリフトピン４０８ａ、４０８ｂ、及び４０８ｃによって持ち上げられ、Ｈａｎｗａ静電気力顕微鏡（ＥＳＦＭ）４０２で約３０秒間監視され、ボルト（Ｖ）単位の静電電荷（ＥＳＣ）が決定される。この段階中、基板試料６２”の第１の主面とＥＳＦＭ４０２との間の間隙は約１０ミリメートルであり、基板試料６２”の第２の主面とテーブル４０４との間の間隙は約３０ミリメートルである。
【実施例】
【0052】
以下の非限定的な実施例を参照して、本明細書に開示される実施形態をさらに説明する。
【0053】
実施例１：
約３００ｍ２／ｇのＢＥＴ比表面積を有する非晶質酸化アルミニウム粒子を水と合わせて固形分約１質量％の水性分散液を生成し、約１，０００ｒｐｍで回転するスピンコータを介して厚さ約０．５ミリメートルのＣｏｒｎｉｎｇ Ｌｏｔｕｓ（商標）ＮＸＴガラスの主面に塗布した。次いで、表面を約２００℃で約１５秒間、乾燥させた。得られた基板は、約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲において、その主面間の全光透過率が約９１．４％を示した。コーティングされた主面の表面粗さ（ＡＦＭ Ｒａ）は約１１．４ナノメートルであると測定され、Ｐ－Ｖ値は約２０９ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約０．２ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約＋４９Ｖであった。次に、ＴＦＴプロセスのシミュレーションとして、基板を約５９０℃で約３０分間加熱し、その後、コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約－９Ｖであった。次に、さらなるＴＦＴプロセスのシミュレーションとして、基板を約１質量％のＨＦを含む水溶液中に約２３℃で約４５秒間、浸漬し、その後、コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約＋６９Ｖであった。
約３００ｍ２／ｇのＢＥＴ比表面積を有する非晶質酸化アルミニウム粒子を水と合わせて固形分約１質量％の水性分散液を生成し、約１，０００ｒｐｍで回転するスピンコータを介して厚さ約０．５ミリメートルのＣｏｒｎｉｎｇ Ｌｏｔｕｓ（商標）ＮＸＴガラスの主面に塗布した。次いで、表面を約２００℃で約１５秒間、乾燥させた。得られた基板は、約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲において、その主面間の全光透過率が約９１．４％を示した。コーティングされた主面の表面粗さ（ＡＦＭ Ｒａ）は約１１．４ナノメートルであると測定され、Ｐ－Ｖ値は約２０９ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約０．２ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約＋４９Ｖであった。次に、ＴＦＴプロセスのシミュレーションとして、基板を約５９０℃で約３０分間加熱し、その後、コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約－９Ｖであった。次に、さらなるＴＦＴプロセスのシミュレーションとして、基板を約１質量％のＨＦを含む水溶液中に約２３℃で約４５秒間、浸漬し、その後、コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約＋６９Ｖであった。
【0054】
実施例２：
約２２０ｍ２／ｇのＢＥＴ比表面積を有するベーマイト粒子を水と合わせて固形分約１質量％の水性分散液を生成し、約１，０００ｒｐｍで回転するスピンコータを介して厚さ約０．５ミリメートルのＣｏｒｎｉｎｇ Ｌｏｔｕｓ（商標）ＮＸＴガラスの主面に塗布した。次いで、表面を約２００℃で約１５秒間、乾燥させた。次いで、得られた基板を１％のＰａｒｋｅｒ２２５Ｘ洗剤を含む水溶液を用いて約４０℃で約６０秒間洗浄し、脱イオン（ＤＩ）水で約４０℃で約６０秒間すすぎ、次に、約１５０℃のオーブン内で約２０分間、乾燥させた。基板は、約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲において、約９１．６％のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ（ＡＦＭ Ｒａ）は約６．３７ナノメートルであると測定され、Ｐ－Ｖ値は約１６６ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約０．２ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約－４２Ｖであった。次に、ＴＦＴプロセスのシミュレーションとして、基板を約５９０℃で約３０分間加熱し、その後、コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約－１Ｖであった。次に、さらなるＴＦＴプロセスのシミュレーションとして、基板を約１質量％のＨＦを含む水溶液中に約２３℃で約４５秒間、浸漬し、その後、コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約＋１１４Ｖであった。
約２２０ｍ２／ｇのＢＥＴ比表面積を有するベーマイト粒子を水と合わせて固形分約１質量％の水性分散液を生成し、約１，０００ｒｐｍで回転するスピンコータを介して厚さ約０．５ミリメートルのＣｏｒｎｉｎｇ Ｌｏｔｕｓ（商標）ＮＸＴガラスの主面に塗布した。次いで、表面を約２００℃で約１５秒間、乾燥させた。次いで、得られた基板を１％のＰａｒｋｅｒ２２５Ｘ洗剤を含む水溶液を用いて約４０℃で約６０秒間洗浄し、脱イオン（ＤＩ）水で約４０℃で約６０秒間すすぎ、次に、約１５０℃のオーブン内で約２０分間、乾燥させた。基板は、約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲において、約９１．６％のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ（ＡＦＭ Ｒａ）は約６．３７ナノメートルであると測定され、Ｐ－Ｖ値は約１６６ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約０．２ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約－４２Ｖであった。次に、ＴＦＴプロセスのシミュレーションとして、基板を約５９０℃で約３０分間加熱し、その後、コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約－１Ｖであった。次に、さらなるＴＦＴプロセスのシミュレーションとして、基板を約１質量％のＨＦを含む水溶液中に約２３℃で約４５秒間、浸漬し、その後、コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約＋１１４Ｖであった。
【0055】
実施例３：
約２２０ｍ２／ｇのＢＥＴ比表面積を有するベーマイト粒子を水と合わせて固形分約３質量％の水性分散液を生成し、約４，０００ｒｐｍで回転するスピンコータを介して厚さ約０．５ミリメートルのＣｏｒｎｉｎｇ Ｌｏｔｕｓ（商標）ＮＸＴガラスの主面に塗布した。次いで、表面を約１５０℃で約１５分間、乾燥させた。次いで、得られた基板を１％のＰａｒｋｅｒ２２５Ｘ洗剤を含む水溶液を用いて約４０℃で約６０秒間洗浄し、脱イオン（ＤＩ）水で約４０℃で約６０秒間すすぎ、次に、約１５０℃のオーブン内で約２０分間、乾燥させた。基板は、約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲において、約９１．４％のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ（ＡＦＭ Ｒａ）は約７．４ナノメートルであると測定され、Ｐ－Ｖ値は約９９ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約０．２ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約－１Ｖであった。
約２２０ｍ２／ｇのＢＥＴ比表面積を有するベーマイト粒子を水と合わせて固形分約３質量％の水性分散液を生成し、約４，０００ｒｐｍで回転するスピンコータを介して厚さ約０．５ミリメートルのＣｏｒｎｉｎｇ Ｌｏｔｕｓ（商標）ＮＸＴガラスの主面に塗布した。次いで、表面を約１５０℃で約１５分間、乾燥させた。次いで、得られた基板を１％のＰａｒｋｅｒ２２５Ｘ洗剤を含む水溶液を用いて約４０℃で約６０秒間洗浄し、脱イオン（ＤＩ）水で約４０℃で約６０秒間すすぎ、次に、約１５０℃のオーブン内で約２０分間、乾燥させた。基板は、約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲において、約９１．４％のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ（ＡＦＭ Ｒａ）は約７．４ナノメートルであると測定され、Ｐ－Ｖ値は約９９ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約０．２ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約－１Ｖであった。
【0056】
実施例４：
約３００ｍ２／ｇのＢＥＴ比表面積を有する非晶質酸化アルミニウム粒子を水と合わせて固形分約１質量％の水性分散液を生成し、約２，０００ｒｐｍで回転するスピンコータを介して厚さ約０．５ミリメートルのＣｏｒｎｉｎｇ Ｌｏｔｕｓ（商標）ＮＸＴガラスの主面に塗布した。次いで、表面を、エアナイフを用いて室温で約１０分間、乾燥させた。次いで、得られた基板を１％のＰａｒｋｅｒ２２５Ｘ洗剤を含む水溶液を用いて約４０℃で約９０秒間洗浄し、脱イオン（ＤＩ）水で約４０℃で約９０秒間すすぎ、次に、約１５０℃のオーブン内で約２０分間、乾燥させた。基板は、約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲において、約９１．３％のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ（ＡＦＭ Ｒａ）は約１１．０ナノメートルであると測定され、Ｐ－Ｖ値は約１９３ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約０．２ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約＋５２Ｖであった。
約３００ｍ２／ｇのＢＥＴ比表面積を有する非晶質酸化アルミニウム粒子を水と合わせて固形分約１質量％の水性分散液を生成し、約２，０００ｒｐｍで回転するスピンコータを介して厚さ約０．５ミリメートルのＣｏｒｎｉｎｇ Ｌｏｔｕｓ（商標）ＮＸＴガラスの主面に塗布した。次いで、表面を、エアナイフを用いて室温で約１０分間、乾燥させた。次いで、得られた基板を１％のＰａｒｋｅｒ２２５Ｘ洗剤を含む水溶液を用いて約４０℃で約９０秒間洗浄し、脱イオン（ＤＩ）水で約４０℃で約９０秒間すすぎ、次に、約１５０℃のオーブン内で約２０分間、乾燥させた。基板は、約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲において、約９１．３％のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ（ＡＦＭ Ｒａ）は約１１．０ナノメートルであると測定され、Ｐ－Ｖ値は約１９３ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約０．２ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約＋５２Ｖであった。
【0057】
実施例５：
約２２０ｍ２／ｇのＢＥＴ比表面積を有するベーマイト粒子を水と合わせて固形分約１質量％の水性分散液を生成し、約２，０００ｒｐｍで回転するスピンコータを介して厚さ約０．５ミリメートルのＣｏｒｎｉｎｇ Ｌｏｔｕｓ（商標）ＮＸＴガラスの主面に塗布した。次いで、表面を、エアナイフを用いて室温で約１０分間、乾燥させた。次いで、得られた基板を１％のＰａｒｋｅｒ２２５Ｘ洗剤を含む水溶液を用いて約４０℃で約９０秒間洗浄し、脱イオン（ＤＩ）水で約４０℃で約９０秒間すすぎ、次に、約１５０℃のオーブン内で約２０分間、乾燥させた。基板は、約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲において、約９１．５％のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ（ＡＦＭ Ｒａ）は約４．６ナノメートルであると測定され、Ｐ－Ｖ値は約１６６ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約０．２ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約＋１９Ｖであった。
約２２０ｍ２／ｇのＢＥＴ比表面積を有するベーマイト粒子を水と合わせて固形分約１質量％の水性分散液を生成し、約２，０００ｒｐｍで回転するスピンコータを介して厚さ約０．５ミリメートルのＣｏｒｎｉｎｇ Ｌｏｔｕｓ（商標）ＮＸＴガラスの主面に塗布した。次いで、表面を、エアナイフを用いて室温で約１０分間、乾燥させた。次いで、得られた基板を１％のＰａｒｋｅｒ２２５Ｘ洗剤を含む水溶液を用いて約４０℃で約９０秒間洗浄し、脱イオン（ＤＩ）水で約４０℃で約９０秒間すすぎ、次に、約１５０℃のオーブン内で約２０分間、乾燥させた。基板は、約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲において、約９１．５％のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ（ＡＦＭ Ｒａ）は約４．６ナノメートルであると測定され、Ｐ－Ｖ値は約１６６ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約０．２ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約＋１９Ｖであった。
【0058】
実施例６：
約３００ｍ２／ｇのＢＥＴ比表面積を有する非晶質酸化アルミニウム粒子を水と合わせて固形分約１質量％の水性分散液を生成し、フローコータを介して厚さ約０．５ミリメートルのＣｏｒｎｉｎｇ Ｌｏｔｕｓ（商標）ＮＸＴガラスの主面に塗布した。次いで、表面を、エアナイフを用いて室温で約１０分間、乾燥させた。次いで、得られた基板を１％のＰａｒｋｅｒ２２５Ｘ洗剤を含む水溶液を用いて約４０℃で約９０秒間洗浄し、脱イオン（ＤＩ）水で約４０℃で約９０秒間すすぎ、次に、約１５０℃のオーブン内で約２０分間、乾燥させた。基板は、約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲において、約９１．４％のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ（ＡＦＭ Ｒａ）は約１５．９ナノメートルであると測定され、Ｐ－Ｖ値は約２５３ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約０．２ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約＋１０６Ｖであった。
約３００ｍ２／ｇのＢＥＴ比表面積を有する非晶質酸化アルミニウム粒子を水と合わせて固形分約１質量％の水性分散液を生成し、フローコータを介して厚さ約０．５ミリメートルのＣｏｒｎｉｎｇ Ｌｏｔｕｓ（商標）ＮＸＴガラスの主面に塗布した。次いで、表面を、エアナイフを用いて室温で約１０分間、乾燥させた。次いで、得られた基板を１％のＰａｒｋｅｒ２２５Ｘ洗剤を含む水溶液を用いて約４０℃で約９０秒間洗浄し、脱イオン（ＤＩ）水で約４０℃で約９０秒間すすぎ、次に、約１５０℃のオーブン内で約２０分間、乾燥させた。基板は、約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲において、約９１．４％のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ（ＡＦＭ Ｒａ）は約１５．９ナノメートルであると測定され、Ｐ－Ｖ値は約２５３ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約０．２ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約＋１０６Ｖであった。
【0059】
実施例７：
約２２０ｍ２／ｇのＢＥＴ比表面積を有するベーマイト粒子を水と合わせて固形分約１質量％の水性分散液を生成し、フローコータを介して厚さ約０．５ミリメートルのＣｏｒｎｉｎｇ Ｌｏｔｕｓ（商標）ＮＸＴガラスの主面に塗布した。次いで、表面を、エアナイフを用いて室温で約１０分間、乾燥させた。次いで、得られた基板を１％のＰａｒｋｅｒ２２５Ｘ洗剤を含む水溶液を用いて約４０℃で約９０秒間洗浄し、脱イオン（ＤＩ）水で約４０℃で約９０秒間すすぎ、次に、約１５０℃のオーブン内で約２０分間、乾燥させた。基板は、約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲において、約９１．３％のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ（ＡＦＭ Ｒａ）は約８．１ナノメートルであると測定され、Ｐ－Ｖ値は約１０５ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約０．２ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約－２６Ｖであった。
約２２０ｍ２／ｇのＢＥＴ比表面積を有するベーマイト粒子を水と合わせて固形分約１質量％の水性分散液を生成し、フローコータを介して厚さ約０．５ミリメートルのＣｏｒｎｉｎｇ Ｌｏｔｕｓ（商標）ＮＸＴガラスの主面に塗布した。次いで、表面を、エアナイフを用いて室温で約１０分間、乾燥させた。次いで、得られた基板を１％のＰａｒｋｅｒ２２５Ｘ洗剤を含む水溶液を用いて約４０℃で約９０秒間洗浄し、脱イオン（ＤＩ）水で約４０℃で約９０秒間すすぎ、次に、約１５０℃のオーブン内で約２０分間、乾燥させた。基板は、約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲において、約９１．３％のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ（ＡＦＭ Ｒａ）は約８．１ナノメートルであると測定され、Ｐ－Ｖ値は約１０５ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約０．２ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約－２６Ｖであった。
【0060】
実施例８：
約１１０ｍ２／ｇのＢＥＴ比表面積を有する非晶質酸化ケイ素（コロイド状シリカ）粒子を水と合わせて固形分約１質量％の水性分散液を生成し、約２，０００ｒｐｍで回転するスピンコータを介して厚さ約０．５ミリメートルのＣｏｒｎｉｎｇ Ｌｏｔｕｓ（商標）ＮＸＴガラスの主面に塗布した。次いで、表面を、エアナイフを用いて室温で約１０分間、乾燥させた。次いで、得られた基板を１％のＰａｒｋｅｒ２２５Ｘ洗剤を含む水溶液を用いて約４０℃で約９０秒間洗浄し、脱イオン（ＤＩ）水で約４０℃で約９０秒間すすぎ、次に、約１５０℃のオーブン内で約２０分間、乾燥させた。基板は、約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲において、約９１．５％のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ（ＡＦＭ Ｒａ）は約１．５ナノメートルであると測定され、Ｐ－Ｖ値は約７４ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約０．２ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約－２１Ｖであった。
約１１０ｍ２／ｇのＢＥＴ比表面積を有する非晶質酸化ケイ素（コロイド状シリカ）粒子を水と合わせて固形分約１質量％の水性分散液を生成し、約２，０００ｒｐｍで回転するスピンコータを介して厚さ約０．５ミリメートルのＣｏｒｎｉｎｇ Ｌｏｔｕｓ（商標）ＮＸＴガラスの主面に塗布した。次いで、表面を、エアナイフを用いて室温で約１０分間、乾燥させた。次いで、得られた基板を１％のＰａｒｋｅｒ２２５Ｘ洗剤を含む水溶液を用いて約４０℃で約９０秒間洗浄し、脱イオン（ＤＩ）水で約４０℃で約９０秒間すすぎ、次に、約１５０℃のオーブン内で約２０分間、乾燥させた。基板は、約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲において、約９１．５％のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ（ＡＦＭ Ｒａ）は約１．５ナノメートルであると測定され、Ｐ－Ｖ値は約７４ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約０．２ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約－２１Ｖであった。
【0061】
実施例９：
各々約２２０ｍ２／ｇのＢＥＴ比表面積を有する、ベーマイトと非晶質酸化ケイ素（コロイド状シリカ）との質量％比７０：３０の混合物を水と合わせて固形分約１質量％の水性分散液を生成し、約２，０００ｒｐｍで回転するスピンコータを介して厚さ約０．５ミリメートルのＣｏｒｎｉｎｇ Ｌｏｔｕｓ（商標）ＮＸＴガラスの主面に塗布した。次いで、表面を、エアナイフを用いて室温で約１０分間、乾燥させた。次いで、得られた基板を１％のＰａｒｋｅｒ２２５Ｘ洗剤を含む水溶液を用いて約４０℃で約９０秒間洗浄し、脱イオン（ＤＩ）水で約４０℃で約９０秒間すすぎ、次に、約１５０℃のオーブン内で約２０分間、乾燥させた。基板は、約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲において、約９１．７％のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ（ＡＦＭ Ｒａ）は約１３．６ナノメートルであると測定され、Ｐ－Ｖ値は約１６２ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約０．２ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約＋７３Ｖであった。
各々約２２０ｍ２／ｇのＢＥＴ比表面積を有する、ベーマイトと非晶質酸化ケイ素（コロイド状シリカ）との質量％比７０：３０の混合物を水と合わせて固形分約１質量％の水性分散液を生成し、約２，０００ｒｐｍで回転するスピンコータを介して厚さ約０．５ミリメートルのＣｏｒｎｉｎｇ Ｌｏｔｕｓ（商標）ＮＸＴガラスの主面に塗布した。次いで、表面を、エアナイフを用いて室温で約１０分間、乾燥させた。次いで、得られた基板を１％のＰａｒｋｅｒ２２５Ｘ洗剤を含む水溶液を用いて約４０℃で約９０秒間洗浄し、脱イオン（ＤＩ）水で約４０℃で約９０秒間すすぎ、次に、約１５０℃のオーブン内で約２０分間、乾燥させた。基板は、約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲において、約９１．７％のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ（ＡＦＭ Ｒａ）は約１３．６ナノメートルであると測定され、Ｐ－Ｖ値は約１６２ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約０．２ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約＋７３Ｖであった。
【0062】
実施例１０：
約２２０ｍ２／ｇのＢＥＴ比表面積を有するベーマイト粒子を水と合わせて固形分約０．２質量％の水性分散液を生成し、フローコータを介して厚さ約０．５ミリメートルのＣｏｒｎｉｎｇ Ｌｏｔｕｓ（商標）ＮＸＴガラスの主面に塗布した。水性分散液をシートの傾斜によって２０秒間水切りし、次に、得られた基板を４％のＰａｒｋｅｒ２２５Ｘ洗剤を含む水溶液を用いて約５０℃で約１０分間洗浄し、脱イオン（ＤＩ）水で約４０℃で約１０分間すすぎ、次に、約１５０℃のオーブン内で約２０分間、乾燥させた。基板は、約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲において、約９１．７％のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ（ＡＦＭ Ｒａ）は約０．５０ナノメートルであると測定され、Ｐ－Ｖ値は約１７ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約０．２ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約－９４Ｖであった。
約２２０ｍ２／ｇのＢＥＴ比表面積を有するベーマイト粒子を水と合わせて固形分約０．２質量％の水性分散液を生成し、フローコータを介して厚さ約０．５ミリメートルのＣｏｒｎｉｎｇ Ｌｏｔｕｓ（商標）ＮＸＴガラスの主面に塗布した。水性分散液をシートの傾斜によって２０秒間水切りし、次に、得られた基板を４％のＰａｒｋｅｒ２２５Ｘ洗剤を含む水溶液を用いて約５０℃で約１０分間洗浄し、脱イオン（ＤＩ）水で約４０℃で約１０分間すすぎ、次に、約１５０℃のオーブン内で約２０分間、乾燥させた。基板は、約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲において、約９１．７％のその主面間の全光透過率を示した。コーティングされた主面の表面粗さ（ＡＦＭ Ｒａ）は約０．５０ナノメートルであると測定され、Ｐ－Ｖ値は約１７ナノメートルであると測定された。対照的に、コーティングされていない反対側の主面の表面粗さは約０．２ナノメートルであった。コーティングされた主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約－９４Ｖであった。
【0063】
比較例：
厚さ約０．５ミリメートルのＣｏｒｎｉｎｇ Ｌｏｔｕｓ（商標）ＮＸＴガラス１％のＰａｒｋｅｒ２２５Ｘ洗剤を含む水溶液を用いて約４０℃で約２０分間洗浄し、脱イオン（ＤＩ）水で約４０℃で約２０分間すすぎ、次に、約１５０℃のオーブン内で約２０分間、乾燥させた。ガラスは、約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲において、約９１．８％のその主面間の全光透過率を示した。両主面の表面粗さ（ＡＦＭ Ｒａ）は約０．２ナノメートルであると測定され、Ｐ－Ｖ値は約１６ナノメートルであると測定された。ガラスの主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約－３５０Ｖであった。
厚さ約０．５ミリメートルのＣｏｒｎｉｎｇ Ｌｏｔｕｓ（商標）ＮＸＴガラス１％のＰａｒｋｅｒ２２５Ｘ洗剤を含む水溶液を用いて約４０℃で約２０分間洗浄し、脱イオン（ＤＩ）水で約４０℃で約２０分間すすぎ、次に、約１５０℃のオーブン内で約２０分間、乾燥させた。ガラスは、約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲において、約９１．８％のその主面間の全光透過率を示した。両主面の表面粗さ（ＡＦＭ Ｒａ）は約０．２ナノメートルであると測定され、Ｐ－Ｖ値は約１６ナノメートルであると測定された。ガラスの主面とリフト試験装置との間で測定されたＥＳＣは約－３５０Ｖであった。
【0064】
本明細書に開示される実施形態は、ガラス基板の表面電位を大幅に低下させることができ、その結果、ガラス基板のＡ側表面に堆積されたＴＦＴデバイスへのゲート損傷の低減、ガラス基板のＢ側表面における粒子及び破片の低減、ＦＰＤデバイス製造の歩留まりの増加、並びにガラス基板の取り扱い及び／又は搬送装置の耐用年数の増加を可能にすることができる。
【0065】
本明細書に開示される実施形態には、本明細書に開示される基板のいずれかを含む電子デバイスも含まれる。
【0066】
上記の実施形態は、フュージョンダウンドロープロセスを参照して説明されているが、このような実施形態は、フロートプロセス、スロットドロープロセス、アップドロープロセス、チューブドロープロセス、及びプレス圧延プロセスなどの他のガラス成形プロセスにも適用可能であるものと理解されたい。
【0067】
本開示の精神及び範囲から逸脱することなく、本開示の実施形態に対してさまざまな修正及び変形がなされうることは、当業者にとって明白であろう。したがって、本開示は、添付の特許請求の範囲及びそれらの等価物の範囲内に入ることを条件として、そのような修正及び変形にも及ぶことが意図されている。
【0068】
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
【0069】
実施形態１
基板であって、
第１の主面、及び前記第１の主面に対してほぼ平行な方向に延在する反対側の第２の主面、並びに
ガラスシート、及び前記ガラスシートと前記第２の主面との間に延在する堆積層
を含み、前記堆積層が無機粒子を含み、かつ約０．４ナノメートルから約５０ナノメートルの範囲の前記基板の前記第２の主面の表面粗さを与える、
基板。
基板であって、
第１の主面、及び前記第１の主面に対してほぼ平行な方向に延在する反対側の第２の主面、並びに
ガラスシート、及び前記ガラスシートと前記第２の主面との間に延在する堆積層
を含み、前記堆積層が無機粒子を含み、かつ約０．４ナノメートルから約５０ナノメートルの範囲の前記基板の前記第２の主面の表面粗さを与える、
基板。
【0070】
実施形態２
前記第１の主面が約０．５ナノメートル未満の表面粗さを有する、実施形態１に記載の基板。
前記第１の主面が約０．５ナノメートル未満の表面粗さを有する、実施形態１に記載の基板。
【0071】
実施形態３
前記無機粒子が、１ｇあたり少なくとも約１００平方メートルのブルナウアー・エメット・テラー（ＢＥＴ）比表面積を含む、実施形態１に記載の基板。
前記無機粒子が、１ｇあたり少なくとも約１００平方メートルのブルナウアー・エメット・テラー（ＢＥＴ）比表面積を含む、実施形態１に記載の基板。
【0072】
実施形態４
前記無機粒子が、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、及び／又はコロイド状シリカのうちの少なくとも１つを含む、実施形態３に記載の基板。
前記無機粒子が、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、及び／又はコロイド状シリカのうちの少なくとも１つを含む、実施形態３に記載の基板。
【0073】
実施形態５
約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲における前記第１の主面と前記第２の主面との間の厚さ０．５ミリメートルあたりの全光線透過率が、少なくとも約９０％である、実施形態１に記載の基板。
約４００ナノメートルから約８５０ナノメートルの間の波長範囲における前記第１の主面と前記第２の主面との間の厚さ０．５ミリメートルあたりの全光線透過率が、少なくとも約９０％である、実施形態１に記載の基板。
【0074】
実施形態６
前記第２の主面の静電電荷（ＥＳＣ）の絶対値が約２００ボルト（Ｖ）未満である、実施形態１に記載の基板。
前記第２の主面の静電電荷（ＥＳＣ）の絶対値が約２００ボルト（Ｖ）未満である、実施形態１に記載の基板。
【0075】
実施形態７
前記第１の主面と前記第２の主面との間の基板厚さが、約０．１ミリメートルから約１ミリメートルの間である、実施形態１に記載の基板。
前記第１の主面と前記第２の主面との間の基板厚さが、約０．１ミリメートルから約１ミリメートルの間である、実施形態１に記載の基板。
【0076】
実施形態８
前記ガラスシートが、５８～６５質量％のＳｉＯ２、１４～２０質量％のＡｌ２Ｏ３、８～１２質量％のＢ２Ｏ３、１～３質量％のＭｇＯ、５～１０質量％のＣａＯ、及び０．５～２質量％のＳｒＯを含む無アルカリガラス組成物を含む、実施形態１に記載の基板。
前記ガラスシートが、５８～６５質量％のＳｉＯ２、１４～２０質量％のＡｌ２Ｏ３、８～１２質量％のＢ２Ｏ３、１～３質量％のＭｇＯ、５～１０質量％のＣａＯ、及び０．５～２質量％のＳｒＯを含む無アルカリガラス組成物を含む、実施形態１に記載の基板。
【0077】
実施形態９
前記ガラスシートが、５８～６５質量％のＳｉＯ２、１６～２２質量％のＡｌ２Ｏ３、１～５質量％のＢ２Ｏ３、１～４質量％のＭｇＯ、２～６質量％のＣａＯ、１～４質量％のＳｒＯ、及び５～１０質量％のＢａＯを含む無アルカリガラス組成物を含む、実施形態１に記載の基板。
前記ガラスシートが、５８～６５質量％のＳｉＯ２、１６～２２質量％のＡｌ２Ｏ３、１～５質量％のＢ２Ｏ３、１～４質量％のＭｇＯ、２～６質量％のＣａＯ、１～４質量％のＳｒＯ、及び５～１０質量％のＢａＯを含む無アルカリガラス組成物を含む、実施形態１に記載の基板。
【0078】
実施形態１０
前記ガラスシートが、５７～６１質量％のＳｉＯ２、１７～２１質量％のＡｌ２Ｏ３、５～８質量％のＢ２Ｏ３、１～５質量％のＭｇＯ、３～９質量％のＣａＯ、０～６質量％のＳｒＯ、及び０～７質量％のＢａＯを含む無アルカリガラス組成物を含む、実施形態１に記載の基板。
前記ガラスシートが、５７～６１質量％のＳｉＯ２、１７～２１質量％のＡｌ２Ｏ３、５～８質量％のＢ２Ｏ３、１～５質量％のＭｇＯ、３～９質量％のＣａＯ、０～６質量％のＳｒＯ、及び０～７質量％のＢａＯを含む無アルカリガラス組成物を含む、実施形態１に記載の基板。
【0079】
実施形態１１
前記ガラスシートが、５５～７２質量％のＳｉＯ２、１２～２４質量％のＡｌ２Ｏ３、１０～１８質量％のＮａ２Ｏ、０～１０質量％のＢ２Ｏ３、０～５質量％のＫ２Ｏ、０～５質量％のＭｇＯ、及び０～５質量％のＣａＯ、１～５質量％のＫ２Ｏ、及び１～５質量％のＭｇＯを含むガラス組成物を含む、実施形態１に記載の基板。
前記ガラスシートが、５５～７２質量％のＳｉＯ２、１２～２４質量％のＡｌ２Ｏ３、１０～１８質量％のＮａ２Ｏ、０～１０質量％のＢ２Ｏ３、０～５質量％のＫ２Ｏ、０～５質量％のＭｇＯ、及び０～５質量％のＣａＯ、１～５質量％のＫ２Ｏ、及び１～５質量％のＭｇＯを含むガラス組成物を含む、実施形態１に記載の基板。
【0080】
実施形態１２
実施形態１に記載の基板を含む、電子デバイス。
実施形態１に記載の基板を含む、電子デバイス。
【0081】
実施形態１３
基板を製造する方法であって、
ガラスシート上に堆積層を堆積する工程を含み、前記堆積層が前記ガラスシートと前記基板の第２の主面との間に延在し、前記ガラスシートが前記堆積層と前記基板の第１の主面との間に延在し、かつ前記第１の主面に対してほぼ平行な方向に延在し、前記堆積層が無機粒子を含み、かつ約０．４ナノメートルから約５０ナノメートルの範囲の前記基板の前記第２の主面の表面粗さを与える、
方法。
基板を製造する方法であって、
ガラスシート上に堆積層を堆積する工程を含み、前記堆積層が前記ガラスシートと前記基板の第２の主面との間に延在し、前記ガラスシートが前記堆積層と前記基板の第１の主面との間に延在し、かつ前記第１の主面に対してほぼ平行な方向に延在し、前記堆積層が無機粒子を含み、かつ約０．４ナノメートルから約５０ナノメートルの範囲の前記基板の前記第２の主面の表面粗さを与える、
方法。
【0082】
実施形態１４
前記方法が溶融ガラスから前記ガラスシートを形成する工程をさらに含む、実施形態１３に記載の方法。
前記方法が溶融ガラスから前記ガラスシートを形成する工程をさらに含む、実施形態１３に記載の方法。
【0083】
実施形態１５
前記堆積層が分散液中で前記ガラスシート上に堆積される、実施形態１３に記載の方法。
前記堆積層が分散液中で前記ガラスシート上に堆積される、実施形態１３に記載の方法。
【0084】
実施形態１６
前記分散液が、スピンコーティング、流し塗り、又はスプレーコーティングのうちの少なくとも１つによって前記ガラスシート上に堆積される、実施形態１５に記載の方法。
前記分散液が、スピンコーティング、流し塗り、又はスプレーコーティングのうちの少なくとも１つによって前記ガラスシート上に堆積される、実施形態１５に記載の方法。
【0085】
実施形態１７
前記分散液が、前記ガラスシート上に堆積された後に乾燥工程に供される、実施形態１５に記載の方法。
前記分散液が、前記ガラスシート上に堆積された後に乾燥工程に供される、実施形態１５に記載の方法。
【0086】
実施形態１８
前記基板が、前記乾燥工程の後に洗浄工程に供される、実施形態１７に記載の方法。
前記基板が、前記乾燥工程の後に洗浄工程に供される、実施形態１７に記載の方法。
【0087】
実施形態１９
前記無機粒子が、１ｇあたり少なくとも約１００平方メートルのブルナウアー・エメット・テラー（ＢＥＴ）比表面積を含む、実施形態１３に記載の方法。
前記無機粒子が、１ｇあたり少なくとも約１００平方メートルのブルナウアー・エメット・テラー（ＢＥＴ）比表面積を含む、実施形態１３に記載の方法。
【0088】
実施形態２０
前記無機粒子が、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、及び／又はコロイド状シリカのうちの少なくとも１つを含む、実施形態１９に記載の方法。
前記無機粒子が、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、及び／又はコロイド状シリカのうちの少なくとも１つを含む、実施形態１９に記載の方法。
【符号の説明】
【0089】
１０ ガラス製造装置
１２ ガラス溶融炉
１４ 溶融容器
１６ 上流側ガラス製造装置
１８ 貯蔵ビン
２０ 原料送達デバイス
２２ モータ
２４ 原料
２８ 溶融ガラス
３０ 下流側ガラス製造装置
３２ 第１の接続導管
３４ 清澄容器
３６ 混合容器
３８ 第２の接続導管
４０ 送達容器
４２ 成形体
４４ 出口導管
４６ 第３の接続導管
４８ 成形装置
５０ 入口導管
５４ 収束成形面
５６ 底部エッジ
５８ ガラスリボン
６２ ガラスシート
６２’ 基板前駆体
６２” 基板
７２ エッジロール
８２ プルロール
１００ ガラス分離装置
１６２ 第１の主面
１６４ 第２の主面
１６６ エッジ表面
２０２ 液体分散堆積層
２０４ 堆積層
２０６ 第２の主面
３００ 分散機
４００ リフト試験装置
４０２ 静電気力顕微鏡（ＥＳＦＭ）
４０４ 陽極酸化アルミニウムテーブル
４０６ 真空
４０８ａ，４０８ｂ，４０８ｃ リフトピン
４１０ イオン発生器
１２ ガラス溶融炉
１４ 溶融容器
１６ 上流側ガラス製造装置
１８ 貯蔵ビン
２０ 原料送達デバイス
２２ モータ
２４ 原料
２８ 溶融ガラス
３０ 下流側ガラス製造装置
３２ 第１の接続導管
３４ 清澄容器
３６ 混合容器
３８ 第２の接続導管
４０ 送達容器
４２ 成形体
４４ 出口導管
４６ 第３の接続導管
４８ 成形装置
５０ 入口導管
５４ 収束成形面
５６ 底部エッジ
５８ ガラスリボン
６２ ガラスシート
６２’ 基板前駆体
６２” 基板
７２ エッジロール
８２ プルロール
１００ ガラス分離装置
１６２ 第１の主面
１６４ 第２の主面
１６６ エッジ表面
２０２ 液体分散堆積層
２０４ 堆積層
２０６ 第２の主面
３００ 分散機
４００ リフト試験装置
４０２ 静電気力顕微鏡（ＥＳＦＭ）
４０４ 陽極酸化アルミニウムテーブル
４０６ 真空
４０８ａ，４０８ｂ，４０８ｃ リフトピン
４１０ イオン発生器
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【国際調査報告】