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特表2023-550198高周波（ＲＦ）電力信号を伝送するように構成された可撓性膜および電子デバイスの高周波（ＲＦ）電力試験のための対応するプローブカード
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-11-30
(54)【発明の名称】高周波（ＲＦ）電力信号を伝送するように構成された可撓性膜および電子デバイスの高周波（ＲＦ）電力試験のための対応するプローブカード
(51)【国際特許分類】
G01R 1/073 20060101AFI20231122BHJP
G01R 1/067 20060101ALI20231122BHJP
G01R 31/26 20200101ALI20231122BHJP
【ＦＩ】
G01R1/073 E
G01R1/067 G
G01R31/26 J
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023531646
(86)(22)【出願日】2021-11-18
(85)【翻訳文提出日】2023-07-21
(86)【国際出願番号】 EP2021082197
(87)【国際公開番号】W WO2022112100
(87)【国際公開日】2022-06-02
(31)【優先権主張番号】102020000028370
(32)【優先日】2020-11-25
(33)【優先権主張国・地域又は機関】IT
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】519046085
【氏名又は名称】テクノプローベ ソシエタ ペル アチオニ
(74)【代理人】
【識別番号】110001896
【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】マジョーニ、フラビオ
【テーマコード（参考）】
2G003
2G011
【Ｆターム（参考）】
2G003AA10
2G003AG04
2G003AH05
2G011AA17
2G011AB08
2G011AC32
2G011AE03
2G011AF07
(57)【要約】
高周波電力信号を伝送するように構成された可撓性膜（３０）が記載され、可撓性膜（３０）は、複数のマイクロコンタクトプローブ（２５）と電気的に接続するように構成された、および可撓性膜（３０）の中央部分（３０Ａ）に作られた、複数のコンタクトパッド（３１Ａ、３１Ｂ）と、支持プレート（２４）に電気的に接続するように構成された、および可撓性膜（３０）の周辺部分（３０Ｃ）に作られた、複数のコンタクト構造（３１Ｃ）と、また複数の導電性トラック（３３Ａ、３３Ｂ）であって、複数の導電性トラック（３３Ａ、３３Ｂ）の各々が複数のコンタクトパッド（３１Ａ、３１Ｂ）の１つを複数のコンタクト構造（３１Ｃ）の１つと電気的に接続する、複数の導電性トラック（３３Ａ、３３Ｂ）と、を備え、この可撓性膜（３０）は、中央部分（３０Ａ）と周辺部分（３０Ｃ）との間に配され接続された中間部分（３０Ｂ）をさらに含む。適切には、弾性膜は、第１の総厚さ（ＨＡ）を有する第１の領域（３４Ａ）と第２の総厚さ（ＨＢ）を有する第２の領域（３４Ｂ）とに分割され、第１の領域（３４Ａ）は連続して第２の領域（３４Ｂ）に隣接し、第１の総厚さ（ＨＡ）は７５μｍ以下の値を有し、第２の総厚さ（ＨＢ）は第１の総厚さ（ＨＡ）の値よりも大きい値を有する。さらに、膜（３０）の第１の領域（３４Ａ）は、中央部分（３０Ａ）で延在し、複数のコンタクトパッド（３１Ａ、３１Ｂ）を備える。この可撓性膜（３０）を備える電子デバイスを試験するためのプローブカード（２０）も記載される。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
高周波電力信号を伝送するように構成された可撓性膜（３０）であって、前記可撓性膜（３０）が、複数のマイクロコンタクトプローブ（２５）と電気的に接続するように構成された、および前記可撓性膜（３０）の中央部分（３０Ａ）に作られた、複数のコンタクトパッド（３１Ａ、３１Ｂ）と、支持プレート（２４）に電気的に接続するように構成された、および前記可撓性膜（３０）の周辺部分（３０Ｃ）に作られた、複数のコンタクト構造（３１Ｃ）と、また複数の導電性トラック（３３Ａ、３３Ｂ）であって、前記複数の導電性トラック（３３Ａ、３３Ｂ）の各々が前記複数のコンタクトパッド（３１Ａ、３１Ｂ）の１つを前記複数のコンタクト構造（３１Ｃ）の１つに電気的に接続する、複数の導電性トラック（３３Ａ、３３Ｂ）と、を備え、前記可撓性膜（３０）が、前記中央部分（３０Ａ）と前記周辺部分（３０Ｃ）との間に配され接続された中間部分（３０Ｂ）をさらに含み、前記可撓性膜（３０）が、第１の総厚さ（ＨＡ）を有する第１の領域（３４Ａ）と第２の総厚さ（ＨＢ）を有する第２の領域（３４Ｂ）とに分割され、前記第１の領域（３４Ａ）が連続して前記第２の領域（３４Ｂ）に隣接し、前記第１の総厚さ（ＨＡ）が７５μｍ以下の値を有し、前記第２の総厚さ（ＨＢ）が前記第１の総厚さ（ＨＡ）の値よりも大きい値を有することを特徴とし、前記可撓性膜（３０）の前記第１の領域（３４Ａ）が、前記中央部分（３０Ａ）に対応して延在し、前記複数のコンタクトパッド（３１Ａ、３１Ｂ）を備えることを特徴とする、可撓性膜（３０）。
【請求項2】
前記第２の領域（３４Ｂ）が、空隙によって分離された複数のレール（３５）を備えることを特徴とする、請求項１記載の可撓性膜（３０）。
【請求項3】
前記可撓性膜（３０）が、互いに交互になっている複数の弾性層（ＰＬ１、ＰＬ２、ＰＬ３、ＦＬ）および複数の導電層（ＭＬ１、ＭＬ２、ＭＬ３）によって形成された多層構造を備え、前記複数の導電層（ＭＬ１、ＭＬ２、ＭＬ３）が、前記コンタクトパッド（３１Ａ、３１Ｂ）を前記コンタクト構造（３１Ｃ）に接続するための前記導電性トラック（３３Ａ、３３Ｂ）を形成するように構成された複数の導電性トレースを備え、前記第１の領域（３４Ａ）に作られた導電性トレースが、前記第２の領域（３４Ｂ）に作られた導電性トレースよりも狭い幅を有し、より広い幅を有する導電性トレースが、存在する場合に前記レール（３５）で作られることを特徴とする、請求項１または２に記載の可撓性膜（３０）。
【請求項4】
前記可撓性膜（３０）が、異なる導電層（ＭＬ１、ＭＬ２、ＭＬ３）に作られた導電性トレースを接続するように構成された導電性構造（ＴＨ１、ＴＨ２、ＴＨ３、ＴＨ２Ｇ）を備えることを特徴とする、請求項３記載の可撓性膜（３０）。
【請求項5】
前記可撓性膜（３０）が、少なくとも、上に第２の導電層（ＭＬ２）が作られる第２の弾性層（ＰＬ２）を有する、第１の導電層（ＭＬ１）が作られる第１の弾性層（ＰＬ１）、第３の導電層（ＭＬ３）が作られる第３の弾性層（ＰＬ３）、および、前記第３の弾性層（ＰＬ３）および前記第２の弾性層（ＰＬ２）を覆い上には前記第３の弾性層（ＰＬ３）が形成されない最後の弾性層（ＦＬ）によって形成された多層構造を備え、前記第３の弾性層（ＰＬ３）が、存在する場合に前記レール（３５）を備えることを特徴とする、請求項４記載の可撓性膜（３０）。
【請求項6】
前記第１の弾性層（ＰＬ１）、前記第１の導電層（ＭＬ１）、および前記第２の弾性層（ＰＬ２）が、前記可撓性膜（３０）の前記第１の領域（３４Ａ）および前記第２の領域（３４Ｂ）に沿って延在し、前記第３の弾性層（ＰＬ３）および前記第３の導電層（ＭＬ３）が、ちょうど前記第２の領域（３４Ｂ）に沿って延在し、前記第２の導電層（ＭＬ２）が、前記第１の領域（３４Ａ）に沿って延在し、前記可撓性膜（３０）の前記中間部分（３０Ｂ）に部分的に通り、前記第３の導電層（ＭＬ３）に作られた複数の導電性トレースと接続している、第１の複数の導電性トレースを備えることを特徴とする、請求項５記載の可撓性膜（３０）。
【請求項7】
前記第２の導電層（ＭＬ２）が、前記第１の領域（３４Ａ）および前記第２の領域（３４Ｂ）に沿って延在し、存在する場合に前記レール（３５）を分離する前記空隙に対応して作られる、第２の複数の導電性トレースをさらに備えることを特徴とする、請求項６記載の可撓性膜（３０）。
【請求項8】
前記可撓性膜（３０）が、前記第１の導電層（ＭＬ１）および前記第２の導電層（ＭＬ２）に作られた導電性トレースを接続する第１の導電性構造（ＴＨ１）と、前記第２の導電層（ＭＬ２）および前記第３の導電層（ＭＬ３）に作られた導電性トレースを接続する第２の導電性構造（ＴＨ２）と、前記第３の導電層（ＭＬ３）、および前記第３の導電層（ＭＬ３）から突出し、前記可撓性膜（３０）の前記導電部分（３１Ｃ）に電気的に接続されたベース（３２）に作られたトレースを接続する第３の導電性構造（ＴＨ３）と、を備えることを特徴とする、請求項６記載の可撓性膜（３０）。
【請求項9】
前記第３の導電層（ＭＬ３）に作られた導電性トレースが、前記第２の導電層（ＭＬ２）に作られた導電性トレースよりも広い幅を有し、好ましくは５０μｍを超える幅を有することを特徴とする、請求項６記載の可撓性膜（３０）。
【請求項10】
前記導電性トレースが、前記弾性層（ＰＬ１、ＰＬ２、ＰＬ３）に配された溝に作られることを特徴とする、請求項６記載の可撓性膜（３０）。
【請求項11】
前記可撓性膜（３０）が、前記第２の導電層（ＭＬ２）に作られた導電性トレースによって形成された第１の部分および前記第３の導電性層（ＭＬ３）に作られたより広い幅を有する導電性トレースによって形成された第２の部分を含む、第１の導電性トラック（３３Ａ）を備え、各第１の導電性トラック（３３Ａ）が、前記可撓性膜（３０）の前記中央部分（３０Ａ）に作られた第１のコンタクトパッド（３１Ａ）に接続され、高周波電力信号、すなわち１ＧＨｚを超える周波数および３５ｄＢｍを超える電力を有する信号を伝送するためのマイクロコンタクトプローブ（２５）に接触するように構成されており、前記第１の導電性トラック（３３Ａ）が、存在する場合に前記レール（３５）に作られることを特徴とする、請求項６記載の可撓性膜（３０）。
【請求項12】
前記可撓性膜（３０）が、第１の導電性構造（ＴＨ１）によって相互接続された、前記第２の導電層（ＭＬ２）に作られたトレースによって形成された第１の部分および前記第１の導電層（ＭＬ１）に作られたトレースによって形成された第２の部分を含む接地用導電性トラック（３３Ｇ）によって作られた接地線を備え、各接地用導電性トラック（３３Ｇ）が、前記可撓性膜（３０）の前記中央部分（３０Ａ）に作られた接地パッド（３１Ｇ）に接続されており、前記接地用導電性トラック（３３Ｇ）が、存在する場合に前記レール（３５）に、前記第１の導電性トラック（３３Ａ）に対応して作られることを特徴とする、請求項１１記載の可撓性膜（３０）。
【請求項13】
前記接地用導電性トラック（３３）が、さらなる導電性構造（ＴＨ２Ｇ）によって前記第２の導電層（ＭＬ２）に作られたトレースによって形成された前記第１の部分に相互接続された、前記第３の導電層（ＭＬ３）に作られたトレースによって形成された第３の部分をさらに備えることを特徴とする、請求項１２記載の可撓性膜（３０）。
【請求項14】
前記可撓性膜（３０）が、存在する場合に前記第３の弾性層（ＰＬ３）を形成するレール（３５）から遊離している前記第２の弾性層（ＰＬ２）の領域に対応して配された、前記第２の導電層（ＭＬ２）の導電性トレースによって作られた第２の導電性トラック（３３Ｂ）を備え、各第２の導電性トラック（３３Ｂ）が、前記可撓性膜（３０）の前記中央部分（３０Ａ）に作られた第２のコンタクトパッド（３１Ｂ）に接続され、高周波電力信号、すなわち１ＧＨｚを超える周波数および３５ｄＢｍ未満の電力を有する信号を伝送するためのマイクロコンタクトプローブ（２５）に接触するように構成されていることを特徴とする、請求項１１記載の可撓性膜（３０）。
【請求項15】
前記第１の導電性トラック（３３Ａ）、前記第２の導電性トラック（３３Ｂ）、および前記接地用導電性トラック（３３Ｇ）が、前記可撓性膜（３０）の前記周辺部分（３０Ｃ）に作られた導電部分（３１Ｃ）にさらに接続されることを特徴とする、請求項１１～１４のいずれか１項に記載の可撓性膜（３０）。
【請求項16】
前記中央部分（３０Ａ）が複数のストリップ（３１）を備え、前記複数のストリップ（３１）に前記マイクロコンタクトプローブ（２５）の前記コンタクトパッド（３１Ａ、３１Ｂ）が作られることを特徴とする、請求項１～１５のいずれか１項に記載の可撓性膜（３０）。
【請求項17】
前記可撓性膜（３０）が、誘電体材料、好ましくはポリアミドで作られ、導電性材料、好ましくは銅で作られた導電性トラックを備えることを特徴とする、請求項１～１６のいずれか１項に記載の可撓性膜（３０）。
【請求項18】
前記第１の弾性層（ＰＬ１）、前記第２の弾性層（ＰＬ２）、および前記第３の弾性層（ＰＬ３）が、それぞれ、１０μｍから３０μｍの間に含まれる値、好ましくは２５μｍの値を有する第１の厚さ（Ｈ１）、第２の厚さ（Ｈ２）、および第３の厚さ（Ｈ３）を有し、前記最後の弾性層（ＦＬ）が、５μｍから１５μｍの間に含まれる値、好ましくは５μｍの値を有する第４の厚さ（Ｈ４）を有することを特徴とする、請求項５記載の可撓性膜（３０）。
【請求項19】
前記第１の導電層（ＭＬ１）、前記第２の導電層（ＭＬ２）、および前記第３の導電層（ＭＬ３）が、１０μｍから１５μｍの間に含まれる値、好ましくは１０μｍの値を有する厚さを有することを特徴とする、請求項１７記載の可撓性膜（３０）。
【請求項20】
前記第１の領域（３４Ａ）が４０μｍから５０μｍの間に含まれる値を有する第１の総厚さ（ＨＡ）を有し、前記第２の領域（３４Ｂ）が７０μｍから１２５μｍの間に含まれる値を有する第２の総厚さ（ＨＢ）を有することを特徴とする、請求項１～１９のいずれか１項に記載の可撓性膜（３０）。
【請求項21】
電子デバイスを試験するためのプローブカード（３０）であって、前記プローブカード（３０）が、少なくとも１つの支持プレート（２４）と、１つの可撓性膜（３０）と、前記可撓性膜（３０）の第１の面（Ｆ１）に連結された複数のマイクロコンタクトプローブ（２５）と、を備え、前記複数のマイクロコンタクトプローブ（２５）が、被試験デバイス（２２）の複数のコンタクトパッド（２２Ａ）に当接するように構成されており、前記可撓性膜（３０）に作られた複数の導電性トラック（３３Ａ、３３Ｂ）に電気的に連結され、前記支持プレート（２４）のコンタクトパッド（２４Ａ）と電気的に接続されており、前記可撓性膜（３０）が請求項１～２０のいずれか１項に従って作られることを特徴とする、プローブカード（３０）。
【請求項22】
前記プローブカード（３０）が、前記可撓性膜（３０）と前記支持プレート（２４）との間に挿入された減衰構造（２７）を備え、好ましくは、中央部分（３０Ａ）で前記可撓性膜（３０）に当接するように構成された複数のプレローディングプローブ（２９）を備えることを特徴とする、請求項２１記載のプローブカード（３０）。
【請求項23】
前記プローブカード（３０）が、高さ２００μｍ未満の複数のマイクロコンタクトプローブ（２５）を備えることを特徴とする、請求項２１記載のプローブカード（３０）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、高周波電力信号を伝送するように構成された可撓性膜に関する。
【0002】
より具体的には、本発明は、複数のマイクロコンタクトプローブと電気的に接続するように構成された、およびその中央部分に作られた、複数のコンタクトパッドと、支持プレートと電気的に接続するように構成された、およびその周辺部分に作られた、複数のコンタクト構造と、また複数の導電性トラックであって、それらの各々がコンタクトパッドの１つをコンタクト構造の１つに電気的に接続する、複数の導電性トラックと、を備える可撓性膜に関し、可撓性膜はさらに、中央部分と周辺部分との間に配され接続された中間部分を含む。
【0003】
本発明はまた、そのような可撓性膜を備えるプローブカードに関する。
【0004】
以下の記載は、その説明を単純化するという唯一の目的で、この応用分野を参照してなされている。
【背景技術】
【0005】
周知のように、プローブヘッドは、本質的に、微細構造、特に半導体ウェーハ上に集積された電子デバイスの複数のコンタクトパッドを、その機能性試験、特に電気的試験、または一般的に試験を実施する試験装置の対応するチャネルと電気的に接続するように構成されたデバイスである。
【0006】
集積回路に対して実施された試験は、特に、生産段階の早い段階で欠陥のある回路を検出して分離するように働く。したがって、典型的に、プローブヘッドは、ウェーハ上に集積された回路を切断してチップ収納パッケージ内に組み込む前に、回路の電気的試験に使用される。
【0007】
プローブカードは通常、被試験デバイスとの間で信号を伝送することを可能にするように、試験装置を用いて被試験デバイス上に作られた適切なパッドがインターフェースカード上に作られたさらなるパッドに接触することを可能にする、良好な電気的および機械的特性を備えた特殊な合金の導電性ワイヤで形成された複数のコンタクトプローブを備える。
【0008】
高周波用途に関して、高周波信号またはＲＦ信号の場合に増強された、周知の自己インダクタンス現象を制限するように、コンタクトプローブの全長を大幅に短縮する必要があり、特に５０００μｍ未満にする必要がある。特に、用語「高周波用途のためのプローブ」が、１ＧＨｚを超える周波数の信号を伝送することができるプローブを意味していることが指摘される。
【0009】
しかし、プローブの本体の長さが短縮されると、その剛性が大幅に増加し、これには、プローブによって被試験デバイスのコンタクトパッドに加えられた力の増大が伴い、結果として、明らかに避けられるべき状況である、被試験デバイスの修復不可能な損傷を伴ったこれらのパッドの破損につながりかねない。また、コンタクトプローブのその長さの短縮による剛性の増加によって、プローブ自体の破損の危険性も増加する。
【0010】
これらの課題を解決するために、プローブカードが、被試験デバイスのコンタクトパッドとの機械的および電気的接触を提供するように構成されている、複数の短縮された長さのコンタクトプローブまたはマイクロプローブが連結された可撓性膜の他に、これらのコンタクトプローブに対応する膜に連結された少なくとも１つの減衰構造を備える、いくつかの解決策が知られている。膜には、試験装置を用いてマイクロプローブをインターフェースカードのコンタクトパッドに接続することができる金属トラックが適切に装備されており、このインターフェースカードと被試験デバイスの間で高周波電力信号（ＲＦ）を伝送することが可能になる。
【0011】
このタイプの既知の解決策が図１に概略的に例示されている。
【0012】
特に、図１は、例として、可撓性膜１５とインターフェースまたは支持プレート１４との間に挿入された少なくとも１つの減衰構造１７を備えるプローブカード１０を示し、これは、好ましくは、プローブカード１０と試験装置（図示せず）との間の接続を確保するプリント回路カード（ＰＣＢ）である。
【0013】
適切なように、可撓性膜１５は、第１の部分または中央部分１５Ａ、第２の部分または中間部分１５Ｂ、および第３の部分または周辺部分１５Ｃを備える。より具体的には、中央部分１５Ａは減衰構造１７に接触するように意図され、周辺部分１５Ｃは支持プレート１４に接触するように意図され、一方で、中間部分１５Ｂは、被試験デバイス１２自体の試験動作中に中央部分１５Ａと接触している半導体ウェーハ１１上に集積された被試験デバイス１２の移動に従って、変形する、特に伸縮するように意図された部分である。
【0014】
プローブカード１０はさらに、可撓性膜１５の第１の面Ｆ１に配された、特にその中央部分１５Ａに作られた複数のマイクロコンタクトプローブ１６を備え、この第１の面Ｆ１は、図１のローカル基準によれば可撓性膜１５の下面である。
【0015】
マイクロコンタクトプローブ１６は、被試験デバイス１２のコンタクトパッド１２Ａに接触するように構成され、たとえば、白金、ロジウム、パラジウム、銀、銅、またはそれらの合金、好ましくは白金合金から選択される導電性材料で作られている。
【0016】
適切なように、特に高周波用途の場合、マイクロコンタクトプローブ１６は、概して１０μｍから２００μｍの間に含まれる、低い高さ、たとえば、少なくとも２００μｍ未満の高さを有し、高さは、被試験デバイス１２に直交する、すなわち図面に示されるローカル基準系の軸Ｚに沿った方向で測定されたこれらのプローブの寸法を意味している。市場での既知の解決策では、これらのマイクロコンタクトプローブ１６は、フォトリソグラフィープロセスによって可撓性膜１５上に直接成長させられたピラミッドとして作られる。
【0017】
さらに、減衰構造１７は、この可撓性膜１５の中央部分１５Ａに対応して、すなわち、マイクロコンタクトプローブ１６が装備された部分に対応して位置づけられた、したがって、ウェーハ１１上に集積された被試験デバイス１２のコンタクトパッド１２Ａを備えるウェーハ１１の領域に対応する、第１の面Ｆ１に対向する、可撓性膜１５の第２の面Ｆ２に当接する。これによって、減衰構造１７は、この中央部分１５Ａに可撓性膜１５に対する当接要素を形成し、それを被試験デバイス１２のコンタクトパッド１２Ａに対するマイクロコンタクトプローブ１６の圧接の間に軸Ｚの方向に保持することを可能にする。
【0018】
この減衰構造１７はまた、マイクロコンタクトプローブ１６に対する減衰要素としても作用し、被試験デバイス１２のコンタクトパッド１２Ａに対するその接触力を調整する。適切なように、減衰構造１７はまた、マイクロコンタクトプローブ２５に対する減衰効果を最大化する、および被試験デバイス１２との接触中に膜１５の中央部分１５Ａの平坦性を確保するように構成された材料で作ることができる。
【0019】
可撓性膜１５はさらに、マイクロコンタクトプローブ１６から支持プレート１４に向かって信号を伝送するように構成され、および適切に接続された導電性トラック１３をさらに備える。導電性トラック１３は、膜１５の周辺部分１５Ｃで支持プレート１４のコンタクトパッド１４Ａに接続されるように、この可撓性膜１５の中間部分１５Ｂに沿って、それらが接続される対応するマイクロコンタクトプローブ１６に対応して膜１５の表面、特に図面のローカル基準によれば第２の面Ｆ２またはその上面に、もしくは膜自体の内部に作ることができ、この可撓性膜１５の中央部分１５Ａから延在することができる。
【0020】
試験装置のインターフェースカードと可撓性膜１５との間に延在した、特に可撓性膜１５の第２の面Ｆ２に当接するように構成された、複数のコンタクトプローブを収容する本体を備えた、プローブヘッドに対応する構造によって、減衰構造１７を作ることも可能である。これらのコンタクトプローブは、実際には、可撓性膜１５に作られた導電性トラック１３から絶縁されており、信号はマイクロコンタクトプローブ１６によって伝送される。
【0021】
高周波用途またはＲＦ用途の場合、これらの導電性トラック１３に対する制御されたインピーダンス値を確保する必要性は周知であり、これにより、これらの導電性トラック１３の幅値は、典型的にはポリアミドで形成された、それらが作られる可撓性膜１５の厚さに応じて制約される。
【0022】
現在のＲＦ用途では、これらの導電性トラック１３は、厚さ２５μｍのポリアミド可撓性膜１５上に厚さ１０～１５μｍおよび幅５０μｍの銅トラックによって作られ、これにより、５０Ωでの制御されたインピーダンスを確保する。これらの導電性トラック１３はさらに、試験装置に向かってインターフェースカード１４に到達するために数センチメートルの長さに達することもできる長さを有する。特に、図１に示されるローカル基準に基づいて、厚さは軸Ｚに沿った導電性トラック１３の寸法を示し、幅は軸Ｙに沿った寸法を示し、その長さは軸Ｘに沿った寸法を示す。
【0023】
上に示した寸法を有する導電性トラック１３は、低および中電力のＲＦ用途で適切に動作することができるが、ＲＦ電力の用途、すなわち値が３５ｄＢｍを超える場合には無効であることが証明されている。実際、その場合、通常の銅の導電性トラックは６００℃の温度に達しかねず、これは導電性トラック自体の融着を引き起こす。
【0024】
したがって、本発明の技術的課題は、可撓性膜であって、その中に作られた導電性トラックにおいて高周波（ＲＦ）信号および高電力信号を伝送することができる可撓性膜と、対応するプローブカードであって、ＲＦ電力アプリケーションに集積された電子デバイスの試験においてプローブカードの適切な動作を確保するべく、電力信号を伝送するように構成された複数のマイクロコンタクトプローブに接触するための、この可撓性膜を備える対応するプローブカードと、を提供することである。
【発明の概要】
【0025】
本発明の根底にある解決策は、高周波（ＲＦ）電力信号を伝送するための導電性トラックで適切に増加された厚さを有する少なくとも１つの部分であって、これらのトラックが、それらの融着を防止するような幅を有することができる、少なくとも１つの部分と、マイクロコンタクトプローブの、その適切な取り扱いを確保することができる、接触領域で減少された厚みを有する部分と、を備える可撓性膜を提供することである。
【0026】
この解決策に基づいて、技術的課題は、高周波電力信号を伝送するように構成された可撓性膜によって解決され、可撓性膜は、複数のマイクロコンタクトプローブと電気的に接続するように構成された、および可撓性膜の中央部分に作られた、複数のコンタクトパッドと、支持プレートと電気的に接続するように構成された、および可撓性膜の周辺部分に作られた、複数のコンタクト構造と、また複数の導電性トラックであって、複数の導電性トラックの各々がコンタクトパッドの１つをコンタクト構造の１つに電気的に接続する、複数の導電性トラックと、を備え、可撓性膜は、中央部分と周辺部分との間に配され接続された中間部分をさらに含み、可撓性膜が、第１の総厚さを有する第１の領域と第２の総厚さを有する第２の領域とに分割され、第１の領域が連続して第２の領域に隣接し、第１の総厚さが７５μｍ以下の値を有し、第２の総厚さが第１の総厚さの値よりも大きい値を有することを特徴とし、可撓性膜の第１の領域が、中央部分で延在し、複数のコンタクトパッドを備えることを特徴とする。
【0027】
より具体的には、本発明は、個別に、または組み合わせの場合に採用される、以下の追加および随意の特徴を含む。
【0028】
本発明の態様によれば、第２の領域は、空隙によって分離された複数のレールを備えることができる。
【0029】
さらに、可撓性膜は、互いに交互になっている複数の弾性層および複数の導電層によって形成された多層構造を備えることができ、導電層は、コンタクトパッドをコンタクト構造に接続するための導電性トラックを形成するように構成された複数の導電性トレースを備え、第１の領域に作られた導電性トレースは、第２の領域に作られた導電性トレースよりも狭い幅を有し、より広い幅を有する導電性トレースは、存在する場合にレールで作られる。
【0030】
可撓性膜はまた、さまざまな導電層に作られた導電性トレースを接続するように構成された導電性構造を備えることができる。
【0031】
本発明の別の態様によれば、可撓性膜は、少なくとも、上に、第２の導電層が作られる第２の弾性層を有する、第１の導電層が作られる第１の弾性層、第３の導電層が作られる第３の弾性層の他に、第３の弾性層および第２の弾性層を覆い、上には第３の弾性層が形成されない、最後の弾性層によって形成された、多層構造を備えることができ、第３の弾性層は、存在する場合にレールを備える。
【0032】
本発明のさらに別の態様によれば、第１の弾性層、第１の導電層、および第２の弾性層は、可撓性膜の第１の領域および第２の領域に沿って延在することができ、第３の弾性層および第３の導電層は、ちょうど第２の領域に沿って延在することができ、第２の導電層は、第１の領域に沿って延在し、可撓性膜の中間部分に部分的に通り、第３の導電層に作られた複数の導電性トレースと接続している、第１の複数の導電性トレースを備える。
【0033】
第２の導電層はさらに、第１の領域および第２の領域に沿って延在し、存在する場合にレールを分離する空隙に対応して作られる、第２の複数の導電性トレースを備えることができる。
【0034】
本発明の別の態様によれば、可撓性膜は、第１の導電層および第２の導電層に作られた導電性トレース間の第１の導電性接続構造と、第２の導電層および第３の導電層に作られた導電性トレース間の第２の導電性接続構造導電層と、第３の導電層および第３の導電層から突出して可撓性膜の導電部分と電気的に接続されたベースに作られたトレース間の第３の導電接続構造と、を備えることができる。
【0035】
好適には、本発明の態様によれば、第３の導電層に作られた導電性トレースは、第２の導電層に作られた導電性トレースよりも広い幅を有することができ、好ましくは５０μｍを超える幅を有することができる。
【0036】
これらの導電性トレースは、弾性層に配された溝にさらに作ることができる。
【0037】
本発明のさらなる態様によれば、可撓性膜は、第２の導電層に作られた導電性トレースによって形成された第１の部分および第３の導電性層に作られたより広い幅を有する導電性トレースによって形成された第２の部分を含む、第１の導電性トラックを備えることができ、各第１の導電性トラックは、可撓性膜の中央部分に作られた第１のコンタクトパッドに接続され、高周波電力信号、すなわち１ＧＨｚを超える周波数および３５ｄＢｍを超える電力を有する信号を伝送するためのマイクロコンタクトプローブに接触するように構成されており、これらの第１の導電性トラックは、存在する場合にレールに作られる。
【0038】
可撓性膜はまた、導電性構造によって相互接続された、第２の導電層に作られたトレースによって形成された第１の部分および第１の導電層に作られたトレースによって形成された第２の部分を含む接地用導電性トラックによって作られた接地線を備えることができ、各接地用導電性トラックは、可撓性膜の中央部分に作られた接地パッドに接続され、接地用導電性トラックは、存在する場合にレールに、第１の導電性トラックで作られる。
【0039】
接地用導電性トラックはさらに、追加の導電性構造によって第２の導電層に作られたトレースによって形成された第１の部分に相互接続された、第３の導電層に作られたトレースによって形成された第３の部分を備えることができる。
【0040】
本発明の別の態様によれば、可撓性膜は、存在する場合に第３の弾性層を形成するレールから遊離している第２の弾性層の領域に配された、第２の導電層の導電性トレースによって作られた第２の導電性トラックを備えることができ、各第２の導電性トラックは、可撓性膜の中央部分に作られた第２のコンタクトパッドに接続され、高周波電力信号、すなわち１ＧＨｚを超える周波数および３５ｄＢｍ未満の電力を有する信号を伝送するためのマイクロコンタクトプローブに接触するように構成されている。
【0041】
適切なように、第１の導電性トラック、第２の導電性トラック、および接地用導電性トラックは、可撓性膜の周辺部分に作られた導電部分にさらに接続することができる。
【0042】
さらに、中央部分は、複数のストリップを備えることができ、そこにマイクロコンタクトプローブのコンタクトパッドが作られる。
【0043】
本発明の態様によれば、可撓性膜は、誘電材料、好ましくはポリアミドで作ることができ、導電材料、好ましくは銅で作られた導電性トラックを備えることができる。
【0044】
本発明の別の態様によれば、第１の弾性層、第２の弾性層、および第３の弾性層は、それぞれ、１０μｍから３０μｍの間に含まれる値、好ましくは２５μｍの値を有する第１の厚さ、第２の厚さ、および第３の厚さを有することができ、最後の弾性層は、５μｍから１５μｍの間に含まれる値、好ましくは５μｍの値を有する第４の厚さを有することができる。
【0045】
さらに、第１の導電層、第２の導電層、および第３の導電層は、１０μｍから１５μｍの間に含まれる値、好ましくは１０μｍの値を有する厚さを有することができる。
【0046】
最後に、第１の領域は４０μｍから５０μｍの間に含まれる値を有する第１の総厚さを有することができ、第２の領域は７０μｍから１２５μｍの間に含まれる値を有する第２の総厚さを有することができる。
【0047】
この技術的課題は、少なくとも１つの支持プレートと、１つの可撓性膜と、可撓性膜の第１の面に連結された複数のマイクロコンタクトプローブと、を備える、電子デバイスを試験するためのプローブカードによっても解決され、マイクロコンタクトプローブは、被試験デバイスの複数のコンタクトパッドに当接するように構成されており、可撓性膜に作られた複数の導電性トラックに電気的に連結され、支持プレートのコンタクトパッドと電気的に接続され、この可撓性膜は上に示されるように作られる。
【0048】
本発明の態様によれば、プローブカードは、可撓性膜と支持プレートとの間に挿入された減衰構造を備えることができ、好ましくは、中央部分に対応して可撓性膜に当接するように構成された複数のプレローディングプローブ（ｐｒｅｌｏａｄｉｎｇ ｐｒｏｂｅｓ）を備える。
【0049】
最後に、プローブカードは、高さが２００μｍ未満の複数のマイクロコンタクトプローブを備えることができる。
【0050】
本発明による可撓性膜およびプローブカードの特徴および利点は、添付の図面を参照して、非限定的な例として与えられる、それらの実施形態の以下の説明から明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【0051】
【発明を実施するための形態】
【0052】
これらの図面、特に図２を参照すると、本発明に従って作られたプローブカードは、全体的かつ概略的に２０で示されている。
【0053】
図面が、概略図であり、一定の縮尺で描かれていないが、本発明の重要な特徴を強調するように描かれていることが留意されるべきである。さらに、図面では、異なる要素が概略的に示されており、それらの形状は所望の用途に応じて変更可能である。また、図面では、同一の参照番号が、形状または機能の点で同一の要素を指すことが留意されるべきである。最後に、図面に例示される実施形態に関連して説明される特別な配置は、他の図面に例示される他の実施形態にも使用することができる。
【0054】
最も一般的な形態では、プローブカード２０は、半導体ウェーハ２１上に集積された電子デバイスの試験を実施するための装置（図示せず）に接続するように構成されたコンポーネントである。より具体的には、図２Ａに例示されるプローブカード２０は、高周波（ＲＦ）電力用途に、すなわち、１ＧＨｚを超える周波数および３５ｄＢｍを超える電力値を有する信号を伝送するのに適している。これらの信号は、以下では電力（Ｐｏｗｅｒ）ＲＦ信号として示される。
【0055】
図２Ａに概略的に例示されるように、プローブカード２０は、その場合に、複数のコンタクト要素を収容および支持する本体２８を備える、プローブヘッドとして成形された少なくとも１つの減衰構造２７を備え、これらのコンタクト要素のうちの４つが図２Ａで例としてのみ示されている。本体２８は、以下で説明するように、たとえば、減衰要素またはプレローディング要素（ｐｒｅｌｏａｄｉｎｇ ｅｌｅｍｅｎｔｓ）として機能する、コンタクト要素がスライドするガイドホールを備えた一対のプレート状ガイドを備えることができ、したがって、これらは以下でプレローディングプローブ２９として示される。各プレローディングプローブ２９は、少なくとも１つの第１の端部２９Ａおよび１つの第２の端部２９Ｂを備え、隣接するプレローディングプローブから独立して移動する。
【0056】
プレローディングプローブ２９は、１．５ｍｍから１０ｍｍの間に含まれる長さを有し、適切な曲げ能力を有し減衰効果を最大化するように構成された材料で作られている。特に、通常のプローブヘッドのコンタクトプローブを形成するために一般的に使用される材料を使用してプレローディングプローブを作ることが可能である。
【0057】
プローブカード２０は、好ましくは、このプローブカード２０と試験装置（図示せず）との間の接続を確保するプリント回路基板（ＰＣＢ）である、支持プレート２４をさらに備え、したがって、支持プレート２４は試験装置とのインターフェースカードとして作用する。特に、プレローディングプローブ２９の第１の端部２９Ａは、支持プレート２４に当接するように構成されている。
【0058】
プローブカード２０は、第１の面Ｆ１であって、プレローディングプローブ２９の第２の端部２９Ｂが第１の面Ｆ１と当接するように構成されている、第１の面Ｆ１と、第１の面Ｆ１とは反対の第２の面Ｆ２と、を有する、本発明に従って作られた可撓性膜３０をさらに備え、この第２の面Ｆ２は、図２Ａのローカル基準によると下面、すなわち半導体ウェーハ２１に集積された被試験デバイス２２の方を向いた面であり、この第１の面Ｆ１は、図２Ａのローカル基準によれば上面、すなわち減衰構造２７および支持プレート２４の方を向いた面である。
【0059】
適切には、プレローディングプローブ２９は、支持プレート２４および可撓性膜３０と機械的に接触しているが、電気的に接触していない。
【0060】
したがって、減衰構造２７は、可撓性膜３０と支持プレート２４との間に挿入される。具体的には、可撓性膜３０は、減衰構造２７、およびしたがってプレローディングプローブ２９に接触することを意図された第１の部分または中央部分３０Ａと、支持プレート２４に接触することを意図された第２の部分または周辺部分３０Ｃと、を備え、可撓性膜３０は、中央部分３０Ａと周辺部分３０Ｃとの間に中間接続部分３０Ｂをさらに備える。中間部分３０Ｂは、プローブカード２０によって実施されたその試験動作中に中央部分３０Ａに接触している半導体ウェーハ２１上に集積された被試験デバイス２２の移動に従って、変形、特に伸縮するように意図された部分である。
【0061】
可撓性膜３０は、その周辺部分３０Ｃを介して支持プレート２４と電気的に接続されており、この電気的接続は、たとえば、支持プレート２４の適切な導電性コンタクトパッド２４Ａと、その周辺部分３０Ｃにおける可撓性膜３０上に作られた適切なコンタクトパッドまたは導電部分３１Ｃと、を介して行われる。
【0062】
【0063】
図示されていない実施形態では、支持プレート２４は、可撓性膜３０が通過することを可能にする適切な開口部を備えることができ、この可撓性膜３０は、この場合、支持プレート２４の面Ｆと反対側の面、すなわち図２Ａのローカル基準によればその上面に作られたコンタクトパッド（図示せず）に接続されている。代替的に、可撓性膜３０は試験装置に直接接続することもできる。
【0064】
本発明の好ましい実施形態では、可撓性膜３０の導電部分３１Ｃは、圧接によって支持プレート２４のコンタクトパッド２４Ａに接続される。代替的に、可撓性膜３０および支持プレート２４は、可撓性膜３０の周辺部分３０Ｃに対応して導電性ゴムまたは溶接によって連結することができる。
【0065】
適切には、可撓性膜３０の中央部分３０Ａは、好ましくはプレート状である、少なくとも１つのベアリング要素または支持体２６と連結される。
【0066】
本発明の好ましい実施形態では、可撓性膜３０が上に配される支持体２６は、被試験デバイス２２のコンタクトパッド２２Ａに接触するように構成されている、複数のマイクロコンタクトプローブ２５のための複数のハウジング２６ｈを備える。可撓性膜３０、特にその中央部分３０Ａは、プレローディングプローブ２９とマイクロコンタクトプローブ２５との間に挿入され、各プレローディングプローブ２９を対応するマイクロコンタクトプローブ２５から絶縁するように構成されている。
【0067】
より具体的には、図２Ｂの拡大図に例示されるように、各マイクロコンタクトプローブ２５は、被試験デバイス２２のコンタクトパッド２２Ａに当接するように構成された第１の端部２５Ａと、被試験デバイス２２に対応して配された、可撓性膜３０のその中央部分３０Ａにおける第２の面Ｆ２上に作られた対応するコンタクトパッドに当接するように構成された第２の端部２５Ｂと、を備える。
【0068】
実施形態では、マイクロコンタクトプローブ２５は、可撓性膜３０の中央部分３０Ａと一体であり、特にその上で成長させられる。
【0069】
マイクロコンタクトプローブ３５は、Ｔ字形（またはひっくり返したキノコ形）とすることができ、ここで、Ｔ字のステムは可撓性膜３０に接続され、一方で、Ｔ字の頭部は被試験デバイス２２のコンタクトパッド２２Ａに接触するように構成されている。代替的に、コンタクトプローブ３５は、導電性バンプとして成形することができ、導電性バンプは、被試験デバイス２２のコンタクトパッド２２Ａに接触するための突出接触部分を含むことができる。上述の例が本発明を限定するものとして解釈されるべきではないことは明らかであり、マイクロコンタクトプローブ２５は、半導体ウェーハ２１上に集積された被試験デバイス２２のコンタクトパッド２２Ａとの接続に適した任意の形状を有することができ、たとえば、いわゆる柱、またはひっくり返った、場合によっては切頭されたピラミッドのように成形することができる。
【0070】
マイクロコンタクトプローブ２５は、たとえば、白金、ロジウム、パラジウム、銀、銅、またはそれらの合金、好ましくは白金合金から選択される導電性材料で作られている。
【0071】
適切には、マイクロコンタクトプローブ２５は、低い高さ、特に、概して１０μｍから２００μｍの間に含まれる、２００μｍ未満の高さを有し、高さは、被試験デバイス２２、およびしたがって半導体ウェーハ２１に直交する、すなわち図面に示されるローカル基準系の軸Ｚに沿った方向で測定されたこれらのコンタクトプローブ２５の寸法を意味している。このように、本発明のプローブカード２０のマイクロコンタクトプローブ２５は、高周波デバイスを試験するように構成されており、その高さは、不利な自己インダクタンス現象を回避するように構成されている。
【0072】
本発明による利点として、可撓性膜３０は、マイクロコンタクトプローブ２５から支持プレート２４に向かって、すなわち、その中央部分３０Ａからその周辺部分３０Ｃに信号を伝送するように構成された適切な導電性トラック３３Ａまたは３３Ｂを備える。適切には、本発明による可撓性膜３０は、以下に説明するように、適切に交互にされて成形された、誘電体層および導電層を備える多層構造を有する。
【0073】
導電性トラック３３Ａまたは３３Ｂは、可撓性膜３０の表面に、特に図面のローカル基準によれば第２の面Ｆ２もしくはその上面に、または可撓性膜３０自体の内部に作ることができ、その周辺部分３０Ｃに至るまでのこの可撓性膜３０の中間部分３０Ｂに沿って、対応するマイクロコンタクトプローブ２５と接触している可撓性膜３０の中央部分３０Ａから延在することができる。支持プレート２４、特にそのコンタクトパッド２４Ａとのこれらの導電性トラックの接触のために、可撓性膜３０の第１の面Ｆ１上の導電性トラック、および可撓性膜３０の第１の面Ｆ１と第２の面Ｆ２との間の金属化スルーホールまたは導電性ビアなどの、適切な電気コンタクト構造を作ることも可能である。
【0074】
図２Ａに例示される好ましい実施形態では、可撓性膜３０は、好ましくはその中央部分３０Ａに、複数のストリップまたはオフカット３１を備えるように適切に成形される。各ストリップ３１の遠位端は、被試験デバイス２２の方に向けられた第１の面Ｆ１に、マイクロコンタクトプローブ２５の第２の端部２５Ｂが当接する、好ましくは金属材料で作られた、コンタクトパッド３１Ａまたは３１Ｂを備える。
【0075】
さらに、各プレローディングプローブ２９の第２の端部２９Ｂは、常にストリップ３１の遠位端において、可撓性膜３０の第２の面Ｆ２に当接し、したがって、プレローディングプローブ２９の第２の端部２９Ｂおよびマイクロコンタクトプローブ２５の第２の端部２５Ｂは両方とも、可撓性膜３０の同じ対応するストリップ３１の遠位端２７Ｂに対して、このストリップ３１の反対側からではあるが当接し、すなわち、それぞれ、可撓性膜３０の第１の面Ｆ１および第２の面Ｆ２に当接する。
【0076】
このようにして、プレローディングプローブ２９は、マイクロコンタクトプローブ２５に対する減衰要素として作用し、これにより、プローブカード２０と半導体ウェーハ２１上に集積された被試験デバイス２２との間の信号の伝送が可撓性膜３０に作られた導電性トラックによって確保される。換言すれば、電気信号は、マイクロコンタクトプローブ２５および可撓性膜３０に作られた導電性トラック３３Ａまたは３３Ｂを介して被試験デバイス２２から支持プレート２４に伝送され、一方で、プローブカード２０全体の機械的挙動は、可撓性膜３０の、および支持プレート２４上にある減衰構造２７の、マイクロコンタクトプローブ２５の移動によって決定される。
【0077】
適切には、各プレローディングプローブ２９は、隣接するものから独立して移動し、それにより、各マイクロコンタクトプローブ２５は、被試験デバイス２２のコンタクトパッド２２Ａとの接触中に隣接するものから独立して移動する。これによって、挿入された可撓性膜３０の、および特にそのストリップ３１の可撓性とともに、被試験デバイス２２の、特にそのコンタクトパッド２２Ａの起こり得るレベル差を効果的に補償することが可能になる。
【0078】
プレローディングプローブ２９はまた、可撓性膜３０、特にそのストリップ３１を、マイクロコンタクトプローブ２５の第２の端部２５Ａに押し付けられた状態に保ち、したがって、これらのプレローディングプローブ２９は、マイクロコンタクトプローブ２５と可撓性膜３０、特にそのストリップ３１との間の適切な機械的連結も確保する。適切には、各マイクロコンタクトプローブ２５は、可撓性膜３０の第１の面Ｆ１においてストリップ３１上に作られたコンタクトパッド３１Ａまたは３１Ｂ上に圧接しており、対応するプレローディングプローブ２９は、可撓性膜３０の第２の面Ｆ２においてこのストリップ３１上に載っており、それにより、プローブカード２０の所望の機械的連結を得て、各コンタクトパッド３１Ａまたは３１Ｂは、可撓性膜３０に作られたそれぞれの導電性トラック３３Ａまたは３３Ｂとも接触し、支持プレート２４、特にそのコンタクトパッド２４Ａとの電気的接続のために可撓性膜３０のそれぞれの導電部分３１Ｃに接続している。
【0079】
可撓性膜３０は、所望の可撓性および所望の電気絶縁性を提供することができる誘電体材料、好ましくはポリアミドで作られ、一方で、導電性トラックは、好ましくは銅で作られる。
【0080】
通常、導電性トラックは、厚さ５０μｍのポリアミド膜上に厚さ１０～１５μｍの銅トレースによって作られ、典型的な用途では、５０Ωでの制御されたインピーダンスを確保する必要があるため、銅トレースは、可撓性膜３０を完全に通って、支持プレート２４、およびしたがって試験装置に到達するような５０μｍの幅および数センチメートルまでの長さを有している。
【0081】
上記の寸法のトレースは、低電力ＲＦ信号、すなわち電力値が３５ｄＢｍ未満の信号を伝送する場合に適切に動作する。それにもかかわらず、これらは、高電力ＲＦ用途、すなわち電力ＲＦ信号を伝送する場合には適さないことが証明されている。その場合、実際には、高い電力値およびしたがって電流値によって、幅５０μｍおよび厚さ１０～１５μｍの銅トレースの温度値は６００℃にも達し得、これにより、可撓性膜３０のポリアミド基板が劣化し、その結果、膜自体の破壊およびそれを含むプローブカード２０の機能不全を引き起こす。
【0082】
したがって、これらの電力ＲＦ信号を伝送することができるようにするためには、５０μｍを超える幅の導電性トラックを使用して、５０Ωの制御されたインピーダンスを確保し、可撓性膜３０の厚さも増加させる必要がある。それにもかかわらず、可撓性膜３０の厚さが増加させると、その望ましくない硬化が生じ、マイクロコンタクトプローブ２５の取り扱いが困難になり、それを含むプローブカード２０の適切な動作が妨げられる。
【0083】
本発明による利点として、図３Ａに概略的に例示されるように、可撓性膜３０は、第１の総厚さＨＡを有する第１の領域３４Ａと第２の総厚さＨＢを有する第２の領域３４Ｂとに分割され、第２の総厚さＨＢは第１の総厚さＨＡより大きく、厚さは、膜３０の静止状態におけるその展開面に直交する方向の寸法を意味し、膜は略平面である。そのより一般的な形態では、中央部分３０Ａは、現在の既知の解決策に対応する値、特に７５μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下の値を有する第１の総厚さＨＡを有する。
【0084】
適切には、第１の領域３４Ａは、可撓性膜３０の中央部分３０Ａを含むように、すなわち被試験デバイス２２に対応して延在する。したがって、可撓性膜３０の第１の領域３４Ａには、マイクロコンタクトプローブ２５のコンタクトパッド３１Ａまたは３１Ｂが作られる。
【0085】
反対に、第２の領域３４Ｂは、可撓性膜３０の中間部分３０Ｂおよび周辺部分３０Ｃを含むように延在し、したがって、支持プレートのコンタクトパッド２４Ａに接続された可撓性膜３０の導電部分３１Ｃを含む。
【0086】
図３Ａに例示される好ましい実施形態では、可撓性膜３０は、複数の弾性層および複数の導電層が互いに交互になって形成された多層構造を備え、より具体的には、可撓性膜３０は、第１の導電層ＭＬ１が作られる第１の弾性層ＰＬ１、その上の、第２の導電層ＭＬ２が作られる第２の弾性層ＰＬ２、第３の導電層ＭＬ３が作られる第３の弾性層ＰＬ３によって形成され、他に、第３の弾性層ＰＬ３および第２の弾性層ＰＬ２を覆い、上に第３の弾性層ＰＬ３の形成されない、最後の弾性層ＦＬが形成された、多層構造を備える。より具体的には、第１の弾性層ＰＬ１、第１の導電層ＭＬ１、および第２の弾性層ＰＬ２は、可撓性膜３０の全長にわたって、すなわち第１の領域３４Ａおよび第２の領域３４Ｂに沿って延在し、長さは、図３Ａのローカル基準の軸Ｘに沿った可撓性膜３０の寸法を意味している。第２の導電層ＭＬ２は、以下で説明されるように、第１の領域３４Ａ全体に沿って延在する、および中間部分３０Ｂに部分的に通るトレースと、可撓性膜３０の全長にわたって、すなわち第１の領域３４Ａおよび第２の領域３４Ｂに沿って延在するトレースと、を備える。最後に、第３の弾性層ＰＬ３および第３の導電層ＭＬ３は、第２の領域３４Ｂに沿って延在するだけである。
【0087】
適切には、第１の弾性層ＰＬ１、第２の弾性層ＰＬ２、第３の弾性層ＰＬ３、および最後の弾性層ＦＬは、ポリアミドで作られ、一方で、第１の導電層ＭＬ１、第２の導電層ＭＬ２、および第３の導電層ＭＬ３は、可撓性膜３０の導電性トラック３３Ａ、３３Ｂを形成するように構成された銅トレースを備える。より具体的には、本発明の別の態様によれば、第１の弾性層ＰＬ１、第２の弾性層ＰＬ２、および第３の弾性層ＰＬ３は、それぞれ、１０μｍから３０μｍの間に含まれる値、好ましくは２５μｍの値を有する第１の厚さＨ１、第２の厚さＨ２、および第３の厚さＨ３を有し、一方で、最後の弾性層ＦＬは、５μｍから１５μｍの間に含まれる値、好ましくは５μｍの値を有する第４の厚さＨ４を有する。第１の導電層ＭＬ１、第２の導電層ＭＬ２、および第３の導電層ＭＬ３は、ＨＭＬで示された、および１０μｍから１５μｍの間に含まれる値、好ましくは１０μｍの値を有する、実質的に同じ厚さを有する。厚さは、図３Ａのローカル基準の軸Ｚに沿った寸法を意味している。
【0088】
実施形態では、第２の厚さＨＢは第１の厚さＨＡの２～４倍であり、従来の銅トレースの幅の２～３倍の幅を有する導電性トラックを形成することが可能になる。換言すれば、４０μｍから５０μｍの間に含まれる値を有する第１の厚さＨＡに関して、第２の厚さは、２００μｍ～４００μｍの幅まで金属トレースを拡大することができるように、７０μｍから１２５μｍの間に含まれる値を有することができる。このような幅の金属トラックによって、５０Ωでの制御されたインピーダンスを確保しながら、３５ｄＢｍ～４５ｄＢｍの電力の信号を伝送することが可能になる。
【0089】
適切には、最後の弾性層ＦＬにおいて、マイクロコンタクトプローブ２５が作られ備えられるコンタクトパッド３１Ａ、３１Ｂに対応して、開口部Ａｐが配される。特に、これらの開口部Ａｐは、中央部分３０Ａにおいて、すなわちより薄い厚さの第１の領域３４Ａで作られ、ここで、第１の弾性層ＰＬ１と第２の弾性層ＰＬ２のみが重ねられている。
【0090】
可撓性膜３０はさらに、周辺部分３０Ｃに対応して、最後の弾性層ＦＬ上に、すなわち、より厚い厚さの第２の領域３４Ｂに作られた突出構造を備え、これらの突出構造は、支持プレート２４のコンタクトパッド２４Ａとの接続のために、導電部分３１Ｃが上に作られるベース３２を有している。
【0091】
適切には、可撓性膜３０はまた、異なる導電層、特に異なる導電層に作られたトレースを接続する導電性構造またはＴＨ（スルーオールビア（ＴＨｒｏｕｇｈ－ａｌｌ ｖｉａｓ））を備える。たとえば、可撓性膜３０は、第１の導電層ＭＬ１および第２の導電層ＭＬ２に作られたトレースを接続する第１の導電性構造ＴＨ１と、第２の導電層ＭＬ２および第３の導電層ＭＬ３に作られたトレースを接続する第２の導電性構造ＴＨ２と、第３の導電層ＭＬ３および導電部分３１Ｃのベース３２に作られたトレースを接続する第３の導電性構造ＴＨ３と、を備える。代替の実施形態によれば、ＴＨタイプの導電性構造もＲＦ信号を伝送するように構成されている。
【0092】
本発明による利点として、可撓性膜３０は、第２の導電層ＭＬ２に作られたトレースの幅よりも広い幅を有する第３の導電層ＭＬ３に作られたトレースを備え、幅は、図３Ａのローカル基準の方向Ｙの寸法を意味している。第３の導電層ＭＬ３においてこれらのトレースの幅をより広くすることは、第２の弾性層ＰＬ２と第３の弾性層ＰＬ３との重なりの存在、すなわち、第１の領域３４Ａよりも大きな厚さを有する第２の領域３４Ｂの存在により可能であり、第３の導電層ＭＬ３の下の厚さが増大することによって、特により広い幅を有するトレースに対しても５０Ωに等しい、制御されたインピーダンスを確保することが可能になる。
【0093】
好ましい実施形態では、導電層のトレースは、下にある弾性層に配された適切な溝に作られる。換言すれば、第１の導電層ＭＬ１は、第１の弾性層ＰＬ１に配された溝に作られた複数のトレースを備え、第２の導電層ＭＬ２は、第２の弾性層ＰＬ２に配された溝に作られた複数のトレースを備え、第３の導電層ＭＬ３は、第３の弾性層ＰＬ３に配された溝に作られた複数のトレースを備える。
【0094】
特に、図４に概略的に例示されるように、可撓性膜３０は、第２の導電性構造ＴＨ２によって相互接続された、第２の導電層ＭＬ２に作られたトレースによって形成された第１の部分および第３の導電層ＭＬ３に作られたより広い幅を有するトレースによって形成された第２の部分を含む第１の導電性トラック３３Ａを備え、各第１の導電性トラック３３Ａは、可撓性膜３０の中央部分３０Ａに作られた第１のコンタクトパッド３１Ａに接続され、電力ＲＦ信号を伝送するためのマイクロコンタクトプローブ２５に接触するように構成されている。したがって、第１のコンタクトパッド３１Ａは電力ＲＦパッドとしても示される。
【0095】
適切な接地線または接地は、第１の導電性構造ＴＨ１によって相互接続された、第２の導電層ＭＬ２に作られたトレースによって形成された第１の部分および第１の導電層ＭＬ１に作られたトレースによって形成された第２の部分を含む接地用導電性トラック３３Ｇによって作られ、各接地用導電性トラック３３Ｇは、可撓性膜３０の中央部分３０Ａに作られた接地パッド３１Ｇに接続されている。
【0096】
図３Ｂに概略的に例示される代替の実施形態によれば、可撓性膜３０の第２の領域３４Ｂは、連続的ではないが、空隙によって分離された第３の弾性層ＰＬ３に作られた複数の単一レリーフまたはレール３５によって形成される。適切には、第３の導電層ＭＬ３は、レール３５に対応して作られた第１の導電性トラック３３Ａの部分を備える。
【0097】
図３Ｃに概略的に例示されるさらなる代替の実施形態によれば、第３の導電層ＭＬ３はまた、レール３５に対応して作られた接地用導電性トラック３３Ｇの第３の部分を含み、これらの第３の部分は、さらなる導電性構造ＴＨ２Ｇによって第２の導電層ＭＬ２に作られたトレースによって形成された第１の部分に接続されている。
【0098】
適切には、各レール３５は、１ｍｍを超える値を有する、図３Ｂのローカル基準の軸Ｙに沿った寸法である、幅ＬＳを有し、したがって、これは、電力ＲＦ信号を伝送するための５０μｍを超える幅ＬＴを有する導電性トラック３３Ａを収容することができる。レール３５間には、５ｍｍ以上の幅Ｌ１、または１０～２０ｍｍ以上の幅Ｌ２を残すことができる。
【0099】
前に見られたように、第１の導電性トラック３３Ａは、図３Ｂおよび３Ｃの代替の実施形態に従って、それぞれ、図５Ａおよび５Ｂに概略的に例示されるように、一対の接地用導電性トラック３３Ｇが適切に隣接し、レール３５に対応して作られている。
【0100】
その場合、第３の弾性層ＰＬ３を形成するレール３５から遊離している第２の弾性層ＰＬ２の領域に対応して第２の導電層ＭＬ２に作られた第２の導電性トラック３３Ｂを設けることが可能である。第２の導電性トラック３３Ｂは、ＲＦ非電力信号を伝送するように構成されていることが確認されており、常に可撓性膜３０の中央部分３０Ａに作られた第２のコンタクトパッド３１Ｂに接続され、ＲＦ非電力信号を伝送するように構成されたマイクロコンタクトプローブ２５に接続される。したがって、第２のコンタクトパッド３１ＢはＲＦ非電力パッドとしても示される。
【0101】
電力ＲＦ信号を伝送するためのレール３５の、およびしたがって第１の導電性トラック３３Ａの分布は、図６に概略的に例示されるように、可撓性膜３０の異なる部分に対応して異なり得、ここで、可撓性膜３０は、より高い密度のレール３５を有する可撓性膜３０の右側部分３０Ｒおよびより低い密度のレール３５を有する可撓性膜３０の左側部分３０Ｌを含む。
【0102】
第１の導電性トラック３３Ａ、第２の導電性トラック３３Ｂ、および接地用導電性トラック３３Ｇはまた、可撓性膜３０の周辺部分３０Ｃに作られた導電部分３１Ｃに接続される。
【0103】
結論として、本発明による可撓性膜によって、マイクロコンタクトプローブのみを備えるアーキテクチャを有する電力ＲＦ用途に適しているプローブカードを作ることが可能であり、これは、既知の解決策で発生するような、マイクロコンタクトプローブに伴う従来の寸法を有するプローブとの混合構成に頼る必要なく、すべてマイクロコンタクトプローブおよび可撓性膜に作られた金属トラックを介するおかげで、電力ＲＦタイプとＲＦ非電力タイプの両方の信号を伝送することができる。
【0104】
適切には、可撓性膜は、５０Ωでの制御されたインピーダンスを確保しながら、ＲＦ電力信号を伝送するべく構成された幅を有する導電性トラックを作ることができるように、少なくとも、厚さが減少した１つの第１の領域および厚さが増加した１つの第２の領域を備え、第１の領域は、膜の被試験デバイスに対応する部分に作られている。
【0105】
代替の実施形態によれば、厚さが増加した第２の部分は、連続的ではないが、より大きな幅を有する金属トラックが作られる複数のレールを備え、これらのレール間の膜の領域は、第１の部分に等しい厚さを有し、ＲＦ非電力信号を伝送するための定格幅を有する金属トラックを作るように構成されている。
【0106】
明らかなことに、当業者は、不定および特定の要件を満たすために、上記のプローブカードにいくつかの修正および代替をもたらすことを可能にされ、それらすべては、以下の請求項によって定義される本発明の保護の範囲内に含まれている。
【0107】
たとえば、可撓性膜は、より大きな厚さを有する部分を形成するレールを備える右側部分および均一に増加した厚さを有する部分を備える左側部分を含むように作ることができる。さらに、互いに異なる厚さを有するレールを作ることも可能である。
【0108】
最後に、上記されたおよび図示されたものとは異なる数の弾性層および導電層を設けることも可能である。
【図1】
【図2A-2B】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6】
【手続補正書】
【提出日】2023-07-25
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
高周波電力信号を伝送するように構成された可撓性膜（３０）であって、前記可撓性膜（３０）が、複数のマイクロコンタクトプローブ（２５）と電気的に接続するように構成された、および前記可撓性膜（３０）の中央部分（３０Ａ）に作られた、複数のコンタクトパッド（３１Ａ、３１Ｂ）と、支持プレート（２４）に電気的に接続するように構成された、および前記可撓性膜（３０）の周辺部分（３０Ｃ）に作られた、複数のコンタクト構造（３１Ｃ）と、また複数の導電性トラック（３３Ａ、３３Ｂ）であって、前記複数の導電性トラック（３３Ａ、３３Ｂ）の各々が前記複数のコンタクトパッド（３１Ａ、３１Ｂ）の１つを前記複数のコンタクト構造（３１Ｃ）の１つに電気的に接続する、複数の導電性トラック（３３Ａ、３３Ｂ）と、を備え、前記可撓性膜（３０）が、前記中央部分（３０Ａ）と前記周辺部分（３０Ｃ）との間に配され接続された中間部分（３０Ｂ）をさらに含み、前記可撓性膜（３０）が、第１の総厚さ（ＨＡ）を有する第１の領域（３４Ａ）と第２の総厚さ（ＨＢ）を有する第２の領域（３４Ｂ）とに分割され、前記第１の領域（３４Ａ）が連続して前記第２の領域（３４Ｂ）に隣接し、前記第１の総厚さ（ＨＡ）が７５μｍ以下の値を有し、前記第２の総厚さ（ＨＢ）が前記第１の総厚さ（ＨＡ）の値よりも大きい値を有することを特徴とし、前記可撓性膜（３０）の前記第１の領域（３４Ａ）が、前記中央部分（３０Ａ）に対応して延在し、前記複数のコンタクトパッド（３１Ａ、３１Ｂ）を備えることを特徴とする、可撓性膜（３０）。
【請求項2】
前記可撓性膜（３０）が、互いに交互になっている複数の弾性層（ＰＬ１、ＰＬ２、ＰＬ３、ＦＬ）および複数の導電層（ＭＬ１、ＭＬ２、ＭＬ３）によって形成された多層構造を備え、前記複数の導電層（ＭＬ１、ＭＬ２、ＭＬ３）が、前記コンタクトパッド（３１Ａ、３１Ｂ）を前記コンタクト構造（３１Ｃ）に接続するための前記導電性トラック（３３Ａ、３３Ｂ）を形成するように構成された複数の導電性トレースを備え、前記第１の領域（３４Ａ）に作られた導電性トレースが、前記第２の領域（３４Ｂ）に作られた導電性トレースよりも狭い幅を有することを特徴とする、請求項１記載の可撓性膜（３０）。
【請求項3】
前記可撓性膜（３０）が、異なる導電層（ＭＬ１、ＭＬ２、ＭＬ３）に作られた導電性トレースを接続するように構成された導電性構造（ＴＨ１、ＴＨ２、ＴＨ３、ＴＨ２Ｇ）を備えることを特徴とする、請求項２記載の可撓性膜（３０）。
【請求項4】
前記可撓性膜（３０）が、少なくとも、上に第２の導電層（ＭＬ２）が作られる第２の弾性層（ＰＬ２）を有する、第１の導電層（ＭＬ１）が作られる第１の弾性層（ＰＬ１）、第３の導電層（ＭＬ３）が作られる第３の弾性層（ＰＬ３）、および、前記第３の弾性層（ＰＬ３）および前記第２の弾性層（ＰＬ２）を覆い上には前記第３の弾性層（ＰＬ３）が形成されない最後の弾性層（ＦＬ）によって形成された多層構造を備え、前記第１の弾性層（ＰＬ１）、前記第１の導電層（ＭＬ１）、および前記第２の弾性層（ＰＬ２）が、前記可撓性膜（３０）の前記第１の領域（３４Ａ）および前記第２の領域（３４Ｂ）に沿って延在し、前記第３の弾性層（ＰＬ３）および前記第３の導電層（ＭＬ３）が、ちょうど前記第２の領域（３４Ｂ）に沿って延在し、前記第２の導電層（ＭＬ２）が、前記第１の領域（３４Ａ）に沿って延在し、前記可撓性膜（３０）の前記中間部分（３０Ｂ）に部分的に通り、前記第３の導電層（ＭＬ３）に作られた複数の導電性トレースと接続している、第１の複数の導電性トレースを備えることを特徴とする、請求項３記載の可撓性膜（３０）。
【請求項5】
前記第２の導電層（ＭＬ２）が、前記第１の領域（３４Ａ）および前記第２の領域（３４Ｂ）に沿って延在する第２の複数の導電性トレースをさらに備え、前記可撓性膜（３０）が、前記第１の導電層（ＭＬ１）および前記第２の導電層（ＭＬ２）に作られた導電性トレースを接続する第１の導電性構造（ＴＨ１）と、前記第２の導電層（ＭＬ２）および前記第３の導電層（ＭＬ３）に作られた導電性トレースを接続する第２の導電性構造（ＴＨ２）と、前記第３の導電層（ＭＬ３）、および前記第３の導電層（ＭＬ３）から突出し、前記可撓性膜（３０）の前記導電部分（３１Ｃ）に電気的に接続されたベース（３２）に作られたトレースを接続する第３の導電性構造（ＴＨ３）と、をさらに備えることを特徴とする、請求項４記載の可撓性膜（３０）。
【請求項6】
前記第３の導電層（ＭＬ３）に作られた導電性トレースが、前記第２の導電層（ＭＬ２）に作られた導電性トレースよりも広い幅を有することを特徴とする、請求項４記載の可撓性膜（３０）。
【請求項7】
前記導電性トレースが、前記弾性層（ＰＬ１、ＰＬ２、ＰＬ３）に配された溝に作られることを特徴とする、請求項４記載の可撓性膜（３０）。
【請求項8】
前記可撓性膜（３０）が、前記第２の導電層（ＭＬ２）に作られた導電性トレースによって形成された第１の部分および前記第３の導電性層（ＭＬ３）に作られたより広い幅を有する導電性トレースによって形成された第２の部分を含む、第１の導電性トラック（３３Ａ）を備え、各第１の導電性トラック（３３Ａ）が、前記可撓性膜（３０）の前記中央部分（３０Ａ）に作られた第１のコンタクトパッド（３１Ａ）に接続され、高周波電力信号、すなわち１ＧＨｚを超える周波数および３５ｄＢｍを超える電力を有する信号を伝送するためのマイクロコンタクトプローブ（２５）に接触するように構成されており、前記可撓性膜（３０）が、第１の導電性構造（ＴＨ１）によって相互接続された、前記第２の導電層（ＭＬ２）に作られたトレースによって形成された第１の部分および前記第１の導電層（ＭＬ１）に作られたトレースによって形成された第２の部分を含む接地用導電性トラック（３３Ｇ）によって作られた接地線をさらに備え、各接地用導電性トラック（３３Ｇ）が、前記可撓性膜（３０）の前記中央部分（３０Ａ）に作られた接地パッド（３１Ｇ）に接続されており、前記接地用導電性トラック（３３Ｇ）が、前記第１の導電性トラック（３３Ａ）に対応して作られ、さらなる導電性構造（ＴＨ２Ｇ）によって前記第２の導電層（ＭＬ２）に作られたトレースによって形成された前記第１の部分に相互接続された、前記第３の導電層（ＭＬ３）に作られたトレースによって形成された第３の部分をさらに備えることを特徴とする、請求項４記載の可撓性膜（３０）。
【請求項9】
前記可撓性膜（３０）が、前記第２の弾性層（ＰＬ２）に配された、前記第２の導電層（ＭＬ２）の導電性トレースによって作られた第２の導電性トラック（３３Ｂ）を備え、各第２の導電性トラック（３３Ｂ）が、前記可撓性膜（３０）の前記中央部分（３０Ａ）に作られた第３のコンタクトパッド（３１Ｂ）に接続され、高周波電力信号、すなわち１ＧＨｚを超える周波数および３５ｄＢｍ未満の電力を有する信号を伝送するためのマイクロコンタクトプローブ（２５）に接触するように構成されていることを特徴とする、請求項８記載の可撓性膜（３０）。
【請求項10】
前記第１の導電性トラック（３３Ａ）、前記第２の導電性トラック（３３Ｂ）、および前記接地用導電性トラック（３３Ｇ）が、前記可撓性膜（３０）の前記周辺部分（３０Ｃ）に作られた導電部分（３１Ｃ）にさらに接続されることを特徴とする、請求項８記載の可撓性膜（３０）。
【請求項11】
前記第２の領域（３４Ｂ）が、空隙によって分離された複数のレール（３５）を備えることを特徴とする、請求項１記載の可撓性膜（３０）。
【請求項12】
前記可撓性膜（３０）が、互いに交互になっている複数の弾性層（ＰＬ１、ＰＬ２、ＰＬ３、ＦＬ）および複数の導電層（ＭＬ１、ＭＬ２、ＭＬ３）によって形成された多層構造を備え、前記複数の導電層（ＭＬ１、ＭＬ２、ＭＬ３）が、前記コンタクトパッド（３１Ａ、３１Ｂ）を前記コンタクト構造（３１Ｃ）に接続するための前記導電性トラック（３３Ａ、３３Ｂ）を形成するように構成された複数の導電性トレースを備え、前記第１の領域（３４Ａ）に作られた導電性トレースが、前記第２の領域（３４Ｂ）に作られた導電性トレースよりも狭い幅を有し、より広い幅を有する導電性トレースが前記レール（３５）で作られることを特徴とする、請求項１１記載の可撓性膜（３０）。
【請求項13】
前記可撓性膜（３０）が、異なる導電層（ＭＬ１、ＭＬ２、ＭＬ３）に作られた導電性トレースを接続するように構成された導電性構造（ＴＨ１、ＴＨ２、ＴＨ３、ＴＨ２Ｇ）と、少なくとも、上に第２の導電層（ＭＬ２）が作られる第２の弾性層（ＰＬ２）を有する、第１の導電層（ＭＬ１）が作られる第１の弾性層（ＰＬ１）、第３の導電層（ＭＬ３）が作られる第３の弾性層（ＰＬ３）、および、前記第３の弾性層（ＰＬ３）および前記第２の弾性層（ＰＬ２）を覆い上には前記第３の弾性層（ＰＬ３）が形成されない最後の弾性層（ＦＬ）によって形成された多層構造と、を備え、前記第３の弾性層（ＰＬ３）が前記レール（３５）を備えることを特徴とする、請求項１２記載の可撓性膜（３０）。
【請求項14】
前記第１の弾性層（ＰＬ１）、前記第１の導電層（ＭＬ１）、および前記第２の弾性層（ＰＬ２）が、前記可撓性膜（３０）の前記第１の領域（３４Ａ）および前記第２の領域（３４Ｂ）に沿って延在し、前記第３の弾性層（ＰＬ３）および前記第３の導電層（ＭＬ３）が、ちょうど前記第２の領域（３４Ｂ）に沿って延在し、前記第２の導電層（ＭＬ２）が、前記第１の領域（３４Ａ）に沿って延在し、前記可撓性膜（３０）の前記中間部分（３０Ｂ）に部分的に通り、前記第３の導電層（ＭＬ３）に作られた複数の導電性トレースと接続している、第１の複数の導電性トレースを備え、前記第２の導電層（ＭＬ２）が、前記第１の領域（３４Ａ）および前記第２の領域（３４Ｂ）に沿って延在し、前記レール（３５）を分離する前記空隙に対応して作られる、第２の複数の導電性トレースをさらに備えることを特徴とする、請求項１３記載の可撓性膜（３０）。
【請求項15】
前記可撓性膜（３０）が、前記第２の導電層（ＭＬ２）に作られた導電性トレースによって形成された第１の部分および前記第３の導電性層（ＭＬ３）に作られたより広い幅を有する導電性トレースによって形成された第２の部分を含む、第１の導電性トラック（３３Ａ）を備え、各第１の導電性トラック（３３Ａ）が、前記可撓性膜（３０）の前記中央部分（３０Ａ）に作られた第１のコンタクトパッド（３１Ａ）に接続され、高周波電力信号、すなわち１ＧＨｚを超える周波数および３５ｄＢｍを超える電力を有する信号を伝送するためのマイクロコンタクトプローブ（２５）に接触するように構成されており、前記第１の導電性トラック（３３Ａ）が前記レール（３５）に作られることを特徴とする、請求項１４記載の可撓性膜（３０）。
【請求項16】
前記可撓性膜（３０）が、第１の導電性構造（ＴＨ１）によって相互接続された、前記第２の導電層（ＭＬ２）に作られたトレースによって形成された第１の部分および前記第１の導電層（ＭＬ１）に作られたトレースによって形成された第２の部分を含む接地用導電性トラック（３３Ｇ）によって作られた接地線を備え、各接地用導電性トラック（３３Ｇ）が、前記可撓性膜（３０）の前記中央部分（３０Ａ）に作られた接地パッド（３１Ｇ）に接続されており、前記接地用導電性トラック（３３Ｇ）が、前記レール（３５）に、前記第１の導電性トラック（３３Ａ）に対応して作られることを特徴とする、請求項１５記載の可撓性膜（３０）。
【請求項17】
前記可撓性膜（３０）が、前記第３の弾性層（ＰＬ３）を形成するレール（３５）から遊離している前記第２の弾性層（ＰＬ２）の領域に対応して配された、前記第２の導電層（ＭＬ２）の導電性トレースによって作られた第２の導電性トラック（３３Ｂ）を備え、各第２の導電性トラック（３３Ｂ）が、前記可撓性膜（３０）の前記中央部分（３０Ａ）に作られた第２のコンタクトパッド（３１Ｂ）に接続され、高周波電力信号、すなわち１ＧＨｚを超える周波数および３５ｄＢｍ未満の電力を有する信号を伝送するためのマイクロコンタクトプローブ（２５）に接触するように構成されていることを特徴とする、請求項１４記載の可撓性膜（３０）。
【請求項18】
前記第１の導電性トラック（３３Ａ）、前記第２の導電性トラック（３３Ｂ）、および前記接地用導電性トラック（３３Ｇ）が、前記可撓性膜（３０）の前記周辺部分（３０Ｃ）に作られた導電部分（３１Ｃ）にさらに接続されることを特徴とする、請求項１４記載の可撓性膜（３０）。
【請求項19】
前記中央部分（３０Ａ）が複数のストリップ（３１）を備え、前記複数のストリップ（３１）に前記マイクロコンタクトプローブ（２５）の前記コンタクトパッド（３１Ａ、３１Ｂ）が作られることを特徴とする、請求項１記載の可撓性膜（３０）。
【請求項20】
前記可撓性膜（３０）が、誘電体材料、好ましくはポリアミドで作られ、導電性材料、好ましくは銅で作られた導電性トラックを備えることを特徴とする、請求項１記載の可撓性膜（３０）。
【請求項21】
電子デバイスを試験するためのプローブカード（３０）であって、前記プローブカード（３０）が、少なくとも１つの支持プレート（２４）と、１つの可撓性膜（３０）と、前記可撓性膜（３０）の第１の面（Ｆ１）に連結された複数のマイクロコンタクトプローブ（２５）と、を備え、前記複数のマイクロコンタクトプローブ（２５）が、被試験デバイス（２２）の複数のコンタクトパッド（２２Ａ）に当接するように構成されており、前記可撓性膜（３０）に作られた複数の導電性トラック（３３Ａ、３３Ｂ）に電気的に連結され、前記支持プレート（２４）のコンタクトパッド（２４Ａ）と電気的に接続されており、前記可撓性膜（３０）が請求項１～２０のいずれか１項に従って作られることを特徴とする、プローブカード（３０）。
【請求項22】
前記プローブカード（３０）が、前記可撓性膜（３０）と前記支持プレート（２４）との間に挿入された減衰構造（２７）を備え、好ましくは、中央部分（３０Ａ）で前記可撓性膜（３０）に当接するように構成された複数のプレローディングプローブ（２９）を備えることを特徴とする、請求項２１記載のプローブカード（３０）。
【請求項23】
前記プローブカード（３０）が、高さ２００μｍ未満の複数のマイクロコンタクトプローブ（２５）を備えることを特徴とする、請求項２１記載のプローブカード（３０）。
【国際調査報告】