特表 2023-551591 超広帯域性能を有する積層セラミックコンデンサ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2023-12-08

(54)【発明の名称】超広帯域性能を有する積層セラミックコンデンサ

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20231201BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201C

H01G4/30 513

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023541619

(86)(22)【出願日】2022-01-04

(85)【翻訳文提出日】2023-08-30

(86)【国際出願番号】 US2022011065

(87)【国際公開番号】W WO2022150274

(87)【国際公開日】2022-07-14

(31)【優先権主張番号】63/134,617

(32)【優先日】2021-01-07

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】500047848

【氏名又は名称】キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション

(74)【代理人】

【識別番号】100118902

【弁理士】

【氏名又は名称】山本 修

(74)【代理人】

【識別番号】100106208

【弁理士】

【氏名又は名称】宮前 徹

(74)【代理人】

【識別番号】100196508

【弁理士】

【氏名又は名称】松尾 淳一

(74)【代理人】

【識別番号】100188329

【弁理士】

【氏名又は名称】田村 義行

(72)【発明者】

【氏名】ベロリーニ，マリアンヌ

(72)【発明者】

【氏名】ホーン，ジェフリー・エイ

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AC07

5E082AA01

5E082AB03

5E082EE11

5E082FF05

5E082FG26

5E082GG10

(57)【要約】

広帯域積層セラミックコンデンサは、第１の作用電極および第２の作用電極を備える、少なくとも１層の作用電極層を具備することができる。第１の作用電極は、長手方向に、ベース部分とは反対側へ延びる、中央部分を有することができる。第２の作用電極は、第１の端部に向かって、ベース部分とは反対側へ延び、第１の作用電極の中央部分と重畳する、少なくとも１本のアームを含むことができる。遮蔽電極領域の第１の遮蔽電極は、ベース部分から延びる中央部分を有することができる。第２の遮蔽電極は、長手方向に、第１の遮蔽電極の中央部分と重畳する、アームを含むことができる。遮蔽電極領域は、複数の作用電極のうちのそれぞれの作用電極間の作用電極間隔距離よりも長い、遮蔽部から作用部までの距離だけ、作用電極領域から離間され得る。
【選択図】図１Ｃ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

広帯域積層セラミックコンデンサであって、
Ｚ方向に積み重ねられた複数の誘電層を備える、モノリシックボディと、
前記モノリシックボディの第１の端部に沿って配置された、第１の外部端子と、
前記第１の端部と反対側にある、前記モノリシックボディの第２の端部に沿って配置された、第２の外部端子と、
前記Ｚ方向に積み重ねられた複数の電極領域であり、前記複数の電極領域が、作用電極領域および遮蔽電極領域を含み、複数の作用電極層が、前記作用電極領域内に配置され、前記複数の作用電極層のうちの少なくとも１層の作用電極層が、第１の作用電極および第２の作用電極を備え、前記第１の作用電極が、前記第１の外部終端に接続されたベース部分、および長手方向に、前記第１の作用電極の前記ベース部分とは反対側へ延びる、中央部分を含み、前記第２の作用電極が、前記第２の外部終端に接続されたベース部分、および前記第１の端部に向かって前記長手方向に、前記第２の作用電極の前記ベース部分とは反対側へ延び、前記長手方向に、前記第１の作用電極の前記中央部分と重畳する、少なくとも１本のアームを含む、複数の電極領域と、
前記遮蔽電極領域内に配置された少なくとも１層の遮蔽電極層であり、前記少なくとも１層の遮蔽電極層が、第１の遮蔽電極および第２の遮蔽電極を備え、前記第１の遮蔽電極が、長手方向に、前記第１の遮蔽電極のベース部分とは反対側へ延びる、中央部分を含み、前記第２の遮蔽電極が、ベース部分、および前記第１の端部に向かって前記長手方向に、前記第２の遮蔽電極の前記ベース部分とは反対側へ延び、前記長手方向に、前記第１の遮蔽電極の前記中央部分と重畳する、少なくとも１本のアームを含む、少なくとも１層の遮蔽電極層と、を備え、
前記遮蔽電極領域が、前記複数の作用電極のうちのそれぞれの作用電極間の作用電極間隔距離よりも長い、遮蔽部から作用部までの距離だけ、前記作用電極領域から離間されている、広帯域積層セラミックコンデンサ。

【請求項2】

中央端部ギャップ距離が、前記長手方向における、前記第１の遮蔽電極の前記中央部分と前記第２の遮蔽電極の前記ベース部分との間に形成され、前記第１の端部と前記第２の端部との間の、前記コンデンサの長さの、前記中央端部ギャップに対する比が、約４より大きい、請求項１に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。

【請求項3】

中央端部ギャップ距離が、前記長手方向における、前記第１の遮蔽電極の前記中央部分と前記第２の遮蔽電極の前記ベース部分との間に形成され、前記中央端部ギャップが、約１５０ミクロン未満である、請求項１に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。

【請求項4】

中央縁ギャップ距離が、横方向における、前記第１の遮蔽電極の前記中央部分と前記第２の遮蔽電極の前記少なくとも１本のアームとの間に形成され、前記第１の端部と前記第２の端部との間の、前記コンデンサの長さの、前記中央縁ギャップに対する比が、約４より大きい、請求項１に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。

【請求項5】

中央縁ギャップ距離が、横方向における、前記第１の遮蔽電極の前記中央部分と前記第２の遮蔽電極の前記少なくとも１本のアームとの間に形成され、前記中央縁ギャップが、約１５０ミクロン未満である、請求項１に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。

【請求項6】

前記複数の作用電極層のうちの前記作用電極層が、前記作用電極間隔距離だけ、前記Ｚ方向に互いに均一に離間されている、請求項１に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。

【請求項7】

前記遮蔽部から作用部までの距離が、約５ミクロンから約８０ミクロンの範囲である、請求項１に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。

【請求項8】

前記モノリシックボディには、前記Ｚ方向における、前記作用電極領域と前記遮蔽電極領域との間の領域に、電極層がない、請求項１に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。

【請求項9】

前記少なくとも１層の遮蔽電極層が、複数の遮蔽電極層を含み、各遮蔽電極層が、互いに同一平面上にある１対の遮蔽電極を備える、請求項１に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。

【請求項10】

前記遮蔽電極領域が、前記コンデンサの底面から、最下の遮蔽部から底部までの距離だけ離間され、前記最下の遮蔽部から底部までの距離が、約８ミクロンから約１００ミクロンの範囲である、請求項１に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。

【請求項11】

前記Ｚ方向における、前記作用電極領域と前記コンデンサの上面との間に位置する、誘電体領域をさらに含む、請求項１に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。

【請求項12】

前記広帯域積層セラミックコンデンサが、前記Ｚ方向における、前記上面と前記底面との間に、コンデンサの厚さを有し、前記誘電体領域が、前記Ｚ方向に、誘電体領域の厚さを有し、前記コンデンサの厚さの、前記誘電体領域の厚さに対する比が、約２０未満である、請求項１１に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。

【請求項13】

前記広帯域積層セラミックコンデンサが、前記長手方向における、前記第１の端部と前記第２の端部との間に、コンデンサの長さを有し、前記誘電体領域には、前記第１の端部または前記第２の端部から、前記コンデンサの長さの２５％より長く延びる電極層がない、請求項１１に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。

【請求項14】

前記誘電体領域が、前記第１の外部端子に接続された第１の複数のダミー電極タブと、前記第２の外部端子に接続された第２の複数のダミー電極タブとを備える、請求項１１に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。

【請求項15】

前記誘電体領域には電極層がない、請求項１１に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。

【請求項16】

前記遮蔽部から作用部までの距離が、約５ミクロンより長い、請求項１１に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。

【請求項17】

前記第１の作用電極の前記中央部分が、第１の位置に第１の幅と、第２の位置に前記第１の幅よりも長い第２の幅とを有し、前記第２の位置が、前記第１の位置から前記長手方向にオフセットされている、請求項１に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。

【請求項18】

広帯域積層セラミックコンデンサを形成する方法であって、前記方法が、
複数の作用電極層に複数の作用電極を形成するステップであり、前記複数の作用電極層のうちの少なくとも１層の作用電極層が、第１の作用電極および第２の作用電極を備え、前記第１の作用電極が、ベース部分、および長手方向に、前記第１の作用電極の前記ベース部分とは反対側へ延びる、中央部分を含み、前記第２の作用電極が、ベース部分、および第１の端部に向かって前記長手方向に、前記第２の作用電極の前記ベース部分とは反対側へ延び、前記長手方向に、前記第１の作用電極の前記中央部分と重畳する、少なくとも１本のアームを含む、複数の作用電極を形成するステップと、
少なくとも１層の遮蔽電極層に少なくとも１つの遮蔽電極を形成するステップであり、前記少なくとも１層の遮蔽電極層が、第１の遮蔽電極および第２の遮蔽電極を備え、前記第１の遮蔽電極が、ベース部分、および長手方向に、前記第１の遮蔽電極の前記第２の遮蔽電極の前記ベース部分とは反対側へ延びる、中央部分を含み、前記第２の遮蔽電極が、ベース部分、および前記第１の端部に向かって前記長手方向に、前記第２の遮蔽電極の前記ベース部分とは反対側へ延び、前記長手方向に、前記第１の遮蔽電極の前記中央部分と重畳する、少なくとも１本のアームを含む、少なくとも１つの遮蔽電極を形成するステップと、
Ｚ方向に積み重ねられた複数の電極領域を含むモノリシックボディを形成するために、前記複数の作用電極層および前記遮蔽電極層を、複数の誘電層と積み重ねるステップであり、前記複数の電極領域が、前記複数の作用電極層を備える作用電極領域、および前記少なくとも１層の遮蔽電極層を備える遮蔽電極領域を含み、前記遮蔽電極領域が、前記複数の作用電極のうちのそれぞれの作用電極間の作用電極間隔距離よりも長い、遮蔽部から作用部までの距離だけ、前記作用電極領域から離間されている、複数の誘電層と積み重ねるステップと、
前記モノリシックボディの第１の端部に沿って、第１の外部端子を堆積するステップと、
前記第１の端部と反対側にある、前記モノリシックボディの第２の端部に沿って、第２の外部端子を堆積するステップと
を含む、方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

[0001]
関連出願の相互参照
本出願は、２０２１年１月７日の出願日を有する米国仮特許出願第６３／１３４，６２０号の出願利益を主張するものであり、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている。

【背景技術】

【0002】

[0002]近代の技術的用途の多様性は、それらの用途に使用される有効な電子構成要素および集積回路の必要性をもたらしている。コンデンサは、無線通信、警報システム、レーダシステム、回路切替え、整合化回路網および多くの他の用途を含み得るこのような近代の用途におけるフィルタリング、結合、バイパス化および他の態様のために使用される基本的な構成要素である。集積回路の速度の劇的な高速化および実装密度の劇的な増加は、とりわけ結合コンデンサ技術における進歩を要求している。高静電容量結合コンデンサが多くの現在の用途における高い周波数にさらされる場合、性能特性がますます重要になる。コンデンサは、このような広範囲にわたる様々な用途に対する基本となるものであるため、それらの精度および効率は不可欠である。したがってコンデンサ設計の多くの特定の態様は、それらの性能特性を改善することに的が絞られている。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0003】

[0003]本発明の一実施形態によれば、広帯域積層セラミックコンデンサ。広帯域積層セラミックコンデンサは、Ｚ方向に積み重ねられた複数の誘電層を備える、モノリシックボディと、モノリシックボディの第１の端部に沿って配置された、第１の外部端子と、第１の端部と反対側にある、モノリシックボディの第２の端部に沿って配置された、第２の外部端子とを具備することができる。複数の電極領域が、Ｚ方向に積み重ねられ得る。複数の電極領域は、作用電極領域および遮蔽電極領域を含むことができる。複数の作用電極層は、作用電極領域内に配置され得る。複数の作用電極層のうちの少なくとも１層の作用電極層は、第１の作用電極および第２の作用電極を備えることができる。第１の作用電極は、第１の外部終端に接続されたベース部分と、長手方向に、第１の作用電極のベース部分とは反対側へ延びる、中央部分とを有することができる。第２の作用電極は、第２の外部終端に接続されたベース部分と、第１の端部に向かって長手方向に、ベース部分とは反対側へ延び、長手方向に、第１の作用電極の中央部分と重畳する、少なくとも１本のアームとを含むことができる。少なくとも１層の遮蔽電極層は、遮蔽電極領域内に配置され得る。遮蔽電極層は、第１の遮蔽電極および第２の遮蔽電極を備えることができる。第１の遮蔽電極は、長手方向に、第１の遮蔽電極のベース部分とは反対側へ延びる、中央部分を有することができる。第２の遮蔽電極は、ベース部分と、第１の端部に向かって長手方向に延び、長手方向に、第１の遮蔽電極の中央部分と重畳する、少なくとも１本のアームとを含むことができる。遮蔽電極領域は、複数の作用電極のうちのそれぞれの作用電極間の作用電極間隔距離よりも長い、遮蔽部から作用部までの距離だけ、作用電極領域から離間され得る。

【0004】

[0004]本発明の別の実施形態によれば、広帯域積層セラミックコンデンサを形成する方法は、複数の作用電極層に複数の作用電極を形成するステップを、含むことができる。複数の作用電極層のうちの少なくとも１層の作用電極層は、第１の電極および第２の電極を備えることができる。第１の作用電極は、長手方向に、第１の作用電極のベース部分とは反対側へ延びる、中央部分を有することができる。第２の作用電極は、ベース部分と、第１の端部に向かって長手方向に延び、長手方向に、第１の作用電極の中央部分と重畳する、少なくとも１本のアームとを含むことができる。この方法は、少なくとも１層の遮蔽電極層に、少なくとも１つの遮蔽電極を形成するステップを含むことができる。遮蔽電極層は、遮蔽電極領域内に配置され得る。遮蔽電極層は、第１の遮蔽電極および第２の遮蔽電極を備えることができる。第１の遮蔽電極は、長手方向に、第１の遮蔽電極のベース部分とは反対側へ延びる、中央部分を有することができる。第２の遮蔽電極は、ベース部分と、第１の端部に向かって長手方向に延び、長手方向に、第１の遮蔽電極の中央部分と重畳する、少なくとも１本のアームとを含むことができる。遮蔽電極領域は、複数の作用電極のうちのそれぞれの作用電極間の作用電極間隔距離よりも長い、遮蔽部から作用部までの距離だけ、作用電極領域から離間され得る。遮蔽電極領域は、複数の作用電極のうちのそれぞれの作用電極間の作用電極間隔距離よりも長い、遮蔽部から作用部までの距離だけ、作用電極領域から離間され得る。

【0005】

[0005]当業者に対する、本発明の最良モードを含む本発明の完全で、かつ、実施可能な開示は、添付の図の参照を含む本明細書の残りの部分でより具体的に説明される。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1A】[0006]本開示の態様による、コンデンサの作用電極層の一実施形態の上面図である。

【図1B】[0007]本開示の態様による、図１Ａの電極パターンの複数の容量性領域を示す図である。

【図1C】[0008]本開示の態様による、複数の容量性領域が形成された、コンデンサの実施形態のセラミックボディの斜視図である。

【図1D】[0009]図１Ｃのコンデンサの、側面図である。

【図2A】[0010]本開示の態様による、作用電極層および遮蔽電極層の、電極パターンの別の実施形態の上面図である。

【図2B】[0011]本開示の態様による、図２Ａの電極パターンの複数の容量性領域を示す図である。

【図3A】[0012]本開示の態様による、ダミー電極タブを備える、コンデンサの別の実施形態の側面断面図である。

【図3B】[0013]本開示の態様による、複数の遮蔽電極領域を含む、コンデンサの別の実施形態の側面断面図である。

【図4A】[0014]本開示の態様による、複数の容量性領域を有する、図１Ａから図１Ｄに示されたコンデンサの実施形態の、回路の概略図である。

【図4B】[0015]本開示の態様による、複数の容量性領域を有する、図２Ａから図２Ｂに示されたコンデンサの実施形態の、回路の概略図である。

【図5】[0016]本開示の態様による、拡大された中央部分を有する電極パターンの、実施形態を示す図である。

【図6A】[0017]本開示の態様による、作用電極および遮蔽電極の、非対称の電極パターンの上面図である。

【図6B】[0018]本開示の態様による、作用電極および遮蔽電極の、別の電極パターンの上面図である。

【図6C】[0019]本開示の態様による、作用電極および遮蔽電極の、別の電極パターンの上面図である。

【図6D】[0020]本開示の態様による、作用電極および遮蔽電極の、別の電極パターンの上面図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

[0021]当業者には、本考察は例示的実施形態の説明にすぎず、本発明のより広義の態様を制限することは意図されていないことを理解されたい。

【0008】

[0022]コンデンサは、概して言えば、コンデンサのモノリシックボディの少なくとも一部を形成してもよい、交互に配置された誘電層および電極層を備える。コンデンサは、誘電層および電極層を、積み重ねられた、すなわち積層された構成で配置することにより、例えば誘電層がセラミックを含む場合に、積層コンデンサ、具体的には積層セラミックコンデンサと呼ばれてもよい。

【0009】

[0023]コンデンサは、Ｚ方向に積み重ねられた複数の誘電層を備える、モノリシックボディを含んでもよい。第１の外部端子は、モノリシックボディの第１の端部に沿って配置されてもよく、第２の外部端子は、第１の端部と反対側にある、モノリシックボディの第２の端部に沿って配置される。複数の電極領域は、作用電極領域および遮蔽電極領域を含むことができる。複数の作用電極層は、作用電極領域内に配置され得る。複数の作用電極層のうちの少なくとも１層の作用電極層は、第１の電極および第２の電極を備えることができる。第１の電極は、長手方向に、第１の電極のベース部分とは反対側へ延びる、中央部分を有することができる。第２の電極は、ベース部分と、第１の端部に向かって長手方向に延び、長手方向に、第１の電極の中央部分と重畳する、少なくとも１本のアームとを含むことができる。

【0010】

[0024]少なくとも１層の遮蔽電極層は、遮蔽電極領域内に配置され得る。少なくとも１層の遮蔽電極層は、第１の電極および第２の電極を備えることができる。第１の電極は、長手方向に、第１の電極のベース部分とは反対側へ延びる、中央部分を有することができる。第２の電極は、ベース部分と、第１の端部に向かって長手方向に延び、長手方向に、第１の電極の中央部分と重畳する、少なくとも１本のアームとを含むことができる。

【0011】

[0025]いくつかの実施形態では、遮蔽電極層は、例えば、作用電極層と同じ電極パターンまたは類似の電極形状を有することができる。例えば、コンデンサのあらゆる電極層が、同じ電極パターンを有してもよい。このコンデンサを生産するのに使用される製造プロセスは、作用電極の電極パターンとは異なる遮蔽層の電極パターンを使用するコンデンサと比較して、大幅に簡素化される可能性がある。その結果、性能を犠牲にすることなく、製造コストが大幅に削減される可能性があり、および／または所与の一定のコストで、製造歩留まりが著しく向上する可能性がある。しかし、いくつかの実施形態では、本開示の範囲内で、コンデンサ内に複数の電極パターンが使用され得ることを理解されたい。例えば、２つ以上の電極パターンが、作用電極領域内で使用され得る。遮蔽電極の電極パターンが、作用電極領域の少なくとも１つの電極パターンと一致してもよい。

【0012】

[0026]作用電極層および／または遮蔽電極層は、層の電極間にフリンジ容量効果が生じるように、中央縁ギャップおよび／または中央ギャップ距離を画定することができる。例えば、中央端部ギャップ距離は、長手方向における、第１の電極の中央部分と第２の電極のベース部分との間に形成され得る。第１の端部と第２の端部との間のコンデンサの長さの、中央端部ギャップに対する比は、４より大きく、いくつかの実施形態では５より大きく、いくつかの実施形態では７より大きく、いくつかの実施形態では１０より大きく、いくつかの実施形態では約２０より大きく、またいくつかの実施形態では約５０より大きい。いくつかの実施形態では、中央端部ギャップは、約２５０ミクロン未満、いくつかの実施形態では約１５０ミクロン未満、いくつかの実施形態では約１２０ミクロン未満、いくつかの実施形態では約１００ミクロン未満、またいくつかの実施形態では約１００ミクロン未満、またいくつかの実施形態では約８０ミクロンであり得る。

【0013】

[0027]中央縁ギャップ距離は、作用電極層および／または遮蔽電極層の、横方向における、第１の電極の中央部分と第２の電極のアームとの間に形成され得る。第１の端部と第２の端部との間のコンデンサの長さの、中央縁ギャップに対する比は、４より大きく、いくつかの実施形態では５より大きく、いくつかの実施形態では７より大きく、いくつかの実施形態では１０より大きく、いくつかの実施形態では、約２０より大きく、またいくつかの実施形態では約５０より大きい。いくつかの実施形態では、中央端部ギャップは、約１５０ミクロン未満、いくつかの実施形態では約１２０ミクロン未満、またいくつかの実施形態では約１００ミクロン未満、またいくつかの実施形態では約８０ミクロン未満であり得る。

【0014】

[0028]いくつかの実施形態では、遮蔽電極層は、互いに同じ向きに配置されてもよい。第１の遮蔽電極は、第１の外部端子に接続されてもよい。第２の遮蔽電極は、第２の外部端子に接続されてもよい。各第１の遮蔽電極は、同じ遮蔽層のそれぞれの第２の遮蔽電極と、同一平面上にあってもよい。第２の遮蔽電極は、Ｚ方向に、第１の遮蔽電極とほぼ揃えられてもよい。この構成は、対向する電極間の重畳が大幅に低減されるか、またはなくなり得るので、遮蔽電極層によって生じる静電容量を低減する可能性がある。しかし、他の実施形態では、遮蔽電極層は、（例えば、作用電極層と同様に）交互に配置されてもよい。

【0015】

[0029]１層または複数の遮蔽電極層は、概ね、セラミックボディ内の、作用電極領域とセラミックボディの底面との間に位置してもよい。遮蔽電極は、遮蔽電極領域が作用電極領域から離間され、かつ／または作用電極領域と区別可能になるように、概ね、遮蔽部から作用部までの距離だけ、作用電極から離間されている。複数の作用電極層のうちの作用電極層は、「降下（ｄｒｏｐ）」と呼ばれることがある、作用電極間隔距離だけ、Ｚ方向に互いに均一に離間されていてもよい。遮蔽部から作用部までの距離は、作用電極間隔距離より長くてもよい。遮蔽部から作用部までの距離は、例えば、作用電極間隔距離よりも２倍以上長く、いくつかの実施形態では３倍以上長く、いくつかの実施形態では４倍以上長く、いくつかの実施形態では５倍以上長く、またいくつかの実施形態では１０倍以上長くてもよい。

【0016】

[0030]作用電極間隔距離は、例として、約０．１ミクロンから約２ミクロン、またいくつかの実施形態では、約０．２ミクロンから約０．５ミクロンの範囲であってもよい。遮蔽部から作用部までの距離は、５ミクロンから約８０ミクロン、いくつかの実施形態では約１０ミクロンから約７０ミクロン、いくつかの実施形態では約２０ミクロンから約６０ミクロン、またいくつかの実施形態では約３０ミクロンから約５０ミクロンの範囲であってもよい。

【0017】

[0031]いくつかの実施形態では、モノリシックボディは、Ｚ方向において、作用電極領域と遮蔽電極領域との間の領域に、電極層がなくてもよい。しかし、他の実施形態では、作用電極領域と遮蔽電極領域との間の領域は、外部端子を形成する助けとなる可能性がある、１つの、またはダミーの電極タブを備えてもよい。ダミー電極タブは、コンデンサのそれぞれの端部から、概ね、コンデンサの長さの２５％未満しか延在しない。例えば、第１の複数のダミー電極タブは、第１の外部端子に接続されていてもよく、第２の複数のダミー電極タブは、第２の外部端子に接続されていてもよい。

【0018】

[0032]いくつかの実施形態では、コンデンサは、作用電極領域とコンデンサの上部との間に、誘電体領域を含んでいてもよい。言い換えると、作用電極領域は、Ｚ方向における、誘電体領域と遮蔽電極領域との間に位置してもよい。誘電体領域は、作用電極領域から広帯域積層セラミックコンデンサの上面まで延在することができる。誘電体領域、および／または作用電極領域と遮蔽電極領域との間の領域（例えば、「追加の誘電体領域」）には、作用電極および／または遮蔽電極がなくてもよい。誘電体領域には、例えば、コンデンサの長さの２５％より長く、いくつかの実施形態ではコンデンサの長さの２０％より長く、いくつかの実施形態ではコンデンサの長さの１５％より長く、いくつかの実施形態ではコンデンサの長さの１０％より長く、いくつかの実施形態ではコンデンサの長さの５％より長く、またいくつかの実施形態ではコンデンサの長さの２％より長く延びる、電極層がなくてもよい。いくつかの実施形態では、誘電体領域は、例えば、１つまたは複数のフローティング電極および／またはダミー電極タブを、備えることができる。しかし、他の実施形態では、誘電体領域には、一切の電極層がなくてもよい。いくつかの実施形態では、広帯域積層セラミックコンデンサは、Ｚ方向において、複数の作用電極層の上に遮蔽電極がなくてもよい。いくつかの実施形態では、広帯域積層セラミックコンデンサは、Ｚ方向において、複数の作用電極層のうちの最も下の電極層の上に遮蔽電極がなくてもよい。

【0019】

[0033]広帯域積層セラミックコンデンサは、Ｚ方向における、上面と底面との間に、コンデンサの厚さを有してもよい。誘電体領域は、Ｚ方向に、誘電体領域の厚さを有してもよい。コンデンサの厚さの、誘電体領域の厚さに対する比は、約１．１から約２０、いくつかの実施形態では約１．５から約１０、いくつかの実施形態では約１．７から約５の範囲であってもよい。

【0020】

[0034]遮蔽電極領域は、Ｚ方向に、遮蔽電極領域の厚さを有してもよい。遮蔽電極領域の厚さは、Ｚ方向における、遮蔽電極領域の最も下の遮蔽電極と、遮蔽電極領域の最も上の遮蔽電極との間で定義されてもよい。コンデンサの厚さの、遮蔽電極領域の厚さに対する比は、約１．１から約２０、いくつかの実施形態では約１．５から約１０、いくつかの実施形態では約１．７から約５の範囲であってもよい。

【0021】

[0035]作用電極領域は、Ｚ方向に、作用電極領域の厚さを有してもよい。作用電極領域の厚さは、最も下の作用電極層と最も上の電極層との間で定義されてもよい。コンデンサの厚さの、作用電極領域の厚さに対する比は、約１．１から約２０、いくつかの実施形態では約１．５から約１０、いくつかの実施形態では約１．７から約５の範囲であってもよい。

【0022】

[0036]積層セラミックコンデンサは、広い範囲の周波数にわたって、低い挿入損を示す可能性がある。一般に、挿入損は、コンデンサを介した電力の損失であり、当技術分野で広く知られている任意の方法を使用して測定され得る。例えば、コンデンサは、約１ＧＨｚから約４０ＧＨｚで約－０．５ｄＢを超える、いくつかの実施形態では約－０．４ｄＢを超える、いくつかの実施形態では約－０．３５ｄＢを超える、またいくつかの実施形態では約－０．３ｄＢを超える、挿入損を示すことができる。いくつかの実施形態では、コンデンサは、約１０ＧＨｚで約－０．４ｄＢを超える、いくつかの実施形態では、約１０ＧＨｚで約－０．３５ｄＢを超える、いくつかの実施形態では、約－０．３ｄＢを超える、またいくつかの実施形態では、約１０ＧＨｚで約－０．２５ｄＢを超える、挿入損を示すことができる。コンデンサは、約２０ＧＨｚで約－０．４ｄＢを超える、いくつかの実施形態では約２０ＧＨｚで約－０．３５ｄＢを超える、またいくつかの実施形態では約２０ＧＨｚで約－０．３ｄＢを超える、挿入損を示すことができる。コンデンサは、約３０ＧＨｚで約－０．４ｄＢを超える、いくつかの実施形態では約３０ＧＨｚで約－０．３５ｄＢを超える、いくつかの実施形態では約３０ＧＨｚで約－０．３ｄＢを超える、またいくつかの実施形態では約３０ＧＨｚで約－０．２５ｄＢを超える、挿入損を示すことができる。コンデンサは、約４０ＧＨｚで約－０．４ｄＢを超える、いくつかの実施形態では約４０ＧＨｚで約－０．３５ｄＢを超える、いくつかの実施形態では約４０ＧＨｚで約－０．３ｄＢを超える、またいくつかの実施形態では約４０ＧＨｚで約－０．２５ｄＢを超える、挿入損を示すことができる。

【0023】

[0037]いくつかの実施形態では、広帯域積層セラミックコンデンサは、約５ＧＨｚから約２０ＧＨｚで約－０．０５ｄＢから約－０．４ｄＢ、いくつかの実施形態では、約１０ＧＨｚから約２０ＧＨｚで約－０．０５ｄＢから約－０．３ｄＢ、いくつかの実施形態では、約２０ＧＨｚから約３０ＧＨｚで約－０．０５ｄＢから約－０．３ｄＢ、またいくつかの実施形態では、約３０ＧＨｚから約４０ＧＨｚで約－０．０５ｄＢから約－０．３ｄＢの範囲である挿入損を示すことができる。

【0024】

[0038]本開示の態様は、配向の影響を受けやすい挿入損特性を示す、広帯域積層コンデンサを対象としている。コンデンサは、例えば、第１の配向において、約２ＧＨｚより高い試験周波数で第１の挿入損の値を、第２の配向において、ほぼ試験周波数で、少なくとも約０．３ｄＢ、いくつかの実施形態では少なくとも約０．４ｄＢ、いくつかの実施形態では少なくとも約０．５ｄＢだけ第１の挿入損と異なる、第２の挿入損の値を示す可能性がある。コンデンサは、第２の配向において、第１の配向に対して、長手方向を中心に９０度以上回転されてもよい。いくつかの実施形態では、コンデンサは、例えば、第２の配向において、第１の配向に対して、長手方向を中心に１８０度回転されてもよい。他の実施形態では、コンデンサは、第２の配向において、第１の配向に対して、長手方向を中心に９０度回転されてもよい。

【0025】

[0039]試験周波数は、約１０ＧＨｚから約２０ＧＨｚ、いくつかの実施形態では約１０ＧＨｚから約３０ＧＨｚ、またいくつかの実施形態では約１０ＧＨｚから約４０ＧＨｚの範囲であってもよい。

【0026】

Ｉ．例示的実施形態
[0040]図１Ａ～図１Ｄに目を向けると、積層セラミックコンデンサ１００の一実施形態が開示されている。図１Ａは、本開示の態様による、例示的なコンデンサ１００の作用電極層１０２の、一実施形態の上面図を示している。図１Ｂは、電極層１０２および遮蔽層１５によって形成される、複数の容量性領域を示している。図１Ｃは、本開示の態様によるコンデンサ１００の、簡略化された斜視図を示している。図１Ｄは、プリント回路基板または基材などの取付け面１０１に取り付けられた、コンデンサ１００の簡略化された側面図である。図１Ｂおよび図１Ｃを参照すると、積層コンデンサ１００は、Ｚ方向１３６に積み重ねられた複数の電極領域１０を含んでもよい。複数の電極領域１０は、誘電体領域１２、作用電極領域１４、および遮蔽電極領域１６を含んでもよい。作用電極領域１４は、Ｚ方向１３６における、誘電体領域１２と遮蔽電極領域１６との間に配置され得る。誘電体領域１２は、作用電極領域１４から広帯域積層セラミックコンデンサ１００の上面１８まで延在することができる。コンデンサ１００は、Ｚ方向１３６における上面１８と反対側の、底面２０を含むことができる。

【0027】

[0041]電極領域１０は、複数の誘電層を含むことができる。いくつかの誘電層は、そこに形成された電極層を含むことができる。一般に、誘電層および電極層の厚さは制限されず、コンデンサの性能特性に応じて、必要な任意の厚さにすることができる。例えば電極層の厚さは、それには限定されないが、約１μｍ以上など、約２μｍ以上など、約３μｍ以上など、約４μｍ以上などの約５００ｎｍ以上から、約５μｍ以下など、約４μｍ以下など、約３μｍ以下など、約２μｍ以下などの約１０μｍ以下までであってもよい。例えば電極層は、約１μｍから約２μｍまでの厚さを有することができる。さらに、一実施形態では、誘電層の厚さは、電極層の上記厚さに従って定義され得る。また、誘電層のこのような厚さは、存在する場合、本明細書において定義されているように、任意の作用電極層および／または遮蔽電極層間の層にも適用できることを理解されたい。

【0028】

[0042]一般に、本発明は、様々な利益および利点を提供する、独自の電極配置および構成を有する積層コンデンサを提供する。これに関して、コンデンサを構築するのに使用される材料は、制限されることはあり得ず、また、当技術分野で広く使用されている任意の材料であってもよく、また、当技術分野で広く使用されている任意の方法を使用して形成され得ることを理解されたい。

【0029】

[0043]一般に、誘電層は、典型的には約１０から約４０，０００まで、いくつかの実施形態では約５０から約３０，０００まで、また、いくつかの実施形態では約１００から約２０，０００までなどの比較的高い誘電率（Ｋ）を有する材料から形成される。

【0030】

[0044]これに関して、誘電材料はセラミックであってもよい。セラミックは、ウェーハ（例えば事前焼成された）、またはデバイス自体内で共焼成される誘電材料などの様々な形態で提供され得る。

【0031】

[0045]高誘電材料のタイプの特定の例は、例えばＮＰＯ（ＣＯＧ）（最大約１００）、Ｘ７Ｒ（約３，０００から約７，０００まで）、Ｘ７Ｓ、Ｚ５Ｕおよび／またはＹ５Ｖ材料を含む。上記材料は、それらの産業分野で認められた定義によって記述されるものであり、そのような定義の一部は、米国電子工業会（ＥＩＡ）によって確立された標準分類であり、また上記材料は、そのようなものとして、当業者によって認識されるべきであることを認識されたい。例えばこのような材料は、セラミックを含むことができる。このような材料は、チタン酸バリウムおよび関連する固溶体（例えばチタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸バリウムカルシウム、ジルコン酸チタン酸バリウム、ジルコン酸チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコン酸チタン酸バリウムカルシウム、等々）、チタン酸鉛および関連する固溶体（例えばジルコン酸チタン酸鉛、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン）、ビスマスチタン酸ナトリウム、等々などのペロブスカイトを含むことができる。特定の一実施形態では、例えば式Ｂａ_ｘＳｒ_１－ｘＴｉＯ_３のチタン酸バリウムストロンチウム（「ＢＳＴＯ」）が使用されてもよく、上式でｘは０から１までであり、いくつかの実施形態では約０．１５から約０．６５まで、また、いくつかの実施形態では約０．２５から約０．６までである。他の適切なペロブスカイトは、例えばｘが約０．２から約０．８までであり、また、いくつかの実施形態では約０．４から約０．６までであるＢａ_ｘＣａ_１－ｘＴｉＯ_３、ｘが約０．０５から約０．４の範囲にわたるＰｂ_ｘＺｒ_１－ｘＴｉＯ_３（「ＰＺＴ」）、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン（「ＰＬＺＴ」）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ_３）、ジルコン酸チタン酸バリウムカルシウム（ＢａＣａＺｒＴｉＯ_３）、硝酸ナトリウム（ＮａＮＯ_３）、ＫＮｂＯ_３、ＬｉＮｂＯ_３、ＬｉＴａＯ_３、ＰｂＮｂ_２Ｏ_６、ＰｂＴａ_２Ｏ_６、ＫＳｒ（ＮｂＯ_３）、およびＮａＢａ_２（ＮｂＯ_３）_５ＫＨｂ_２ＰＯ_４を含むことができる。より一層複雑なペロブスカイトはＡ［Ｂ１_１／３Ｂ２_２／３］Ｏ_３材料を含むことができ、上式でＡはＢａ_ｘＳｒ_１－ｘ（ｘは０から１までの値であってもよい）、Ｂ１はＭｇ_ｙＺｎ_１－ｙ（ｙは０から１までの値であってもよい）、Ｂ２はＴａ_ｚＮｂ_１－ｚである（ｚは０から１までの値であってもよい）。特定の一実施形態では、誘電層はチタン酸を含むことができる。

【0032】

[0046]電極層は、当技術分野で知られている様々な異なる金属のうちのいずれかから形成され得る。電極層は、導電性金属などの金属からできていてもよい。材料は、貴金属（例えば銀、金、パラジウム、白金、等々）、卑金属（例えば銅、スズ、ニッケル、クロム、チタン、タングステン、等々）など、ならびにそれらの様々な組合せを含むことができる。スパッタされたチタン／タングステン（Ｔｉ／Ｗ）合金、ならびにクロム、ニッケルおよび金のそれぞれのスパッタされた層も同じく適切であり得る。また、電極は、銀、銅、金、アルミニウム、パラジウム、等々などの低抵抗材料で同じくできていてもよい。特定の一実施形態では、電極層は、ニッケルまたはその合金を含むことができる。

【0033】

[0047]複数の作用電極層１０２、１０４が、作用電極領域１４内に配置され得る。各作用電極層１０２、１０４は、例えば、図１Ａから図１Ｃを参照して以下で説明されるように、１つまたは複数の作用電極を含むことができる。いくつかの実施形態では、各作用電極層１０２、１０４は、例えば、第１の作用電極１０６および第２の作用電極１０８を備えてもよい。

【0034】

[0048]積層コンデンサ１００は、第１の電極層１０２の第１の作用電極１０６および第２の電極層１０４の第２の（対向）作用電極１０８に接続された、第１の外部端子１１８を収容してもよい。積層コンデンサ１００は、第２の電極層１０４の第１の作用電極１０６および第１の電極層１０２の第２の（対向）作用電極１０８に接続された、第２の外部端子１２０を備えてもよい。

【0035】

[0049]１層または複数の遮蔽電極層１５は、概ね、遮蔽電極領域１６内に位置してもよい。遮蔽電極領域１６は、コンデンサ１００のセラミックボディ内の、作用電極領域１４と底面２０との間に位置してもよい。遮蔽電極層１５は、遮蔽電極２２、２４が作用電極１０６、１０８と区別されるように、概ね、遮蔽部から作用部までの距離６７だけ、作用電極層１０２、１０４から離間される。複数の作用電極層１０２、１０４のうちの作用電極層１０２、１０４は、例えば、「降下」と呼ばれることがある、作用電極間隔距離１０５だけ、Ｚ方向１３６に互いに均一に離間されていてもよい。遮蔽部から作用部までの距離６７は、作用電極間隔距離１０５より長くてもよい。遮蔽部から作用部までの距離６７は、例えば、作用電極間隔距離１０５より２倍以上長くてもよい。作用電極間隔距離１０５は、例として、約０．５ミクロンから約５ミクロンの範囲であってもよい。遮蔽部から作用部までの距離６７は、約５ミクロンより長く、いくつかの実施形態では約１０ミクロンより長く、いくつかの実施形態では約２０ミクロンより長く、またいくつかの実施形態では約３０ミクロンより長くてもよい。

【0036】

[0050]遮蔽電極層１５は、遮蔽電極間隔距離１０３だけ離間されていてもよい。遮蔽電極間隔距離１０３は、作用電極間隔距離１０５と、ほぼ等しくてもよい。しかし、他の実施形態では、遮蔽電極間隔距離１０３は、作用電極間隔距離１０５より長くても、またはより短くてもよい。

【0037】

[0051]いくつかの実施形態では、コンデンサ１００は、Ｚ方向１３６において、作用電極領域１４と遮蔽電極領域１６との間の、領域１０７（例えば、第２の誘電体領域）に、電極層１０２、１０４がなくてもよい。しかし、他の実施形態では、作用電極領域１４と遮蔽電極領域１６との間の領域１０７は、外部端子を形成する助けとなる可能性がある、例えば図３Ａに示されているような、１つの、またはダミーの電極タブを備えてもよい。

【0038】

[0052]遮蔽電極層１５は、作用電極層１０２、１０４のうちの１層または複数と、同じ電極パターンを有してもよい。各遮蔽電極層１５は、例えば、第１の遮蔽電極２２および第２の遮蔽電極２４を備えてもよい。遮蔽電極層１５は、概ね、図１Ａの作用電極層１０２、１０４を参照して上記で説明されたように、構成されてもよい。いくつかの実施形態では、コンデンサ１００の各電極層は、同じ電極パターンを有してもよい。

【0039】

[0053]いくつかの実施形態では、遮蔽電極層１５は、例えば図１Ｃおよび図１Ｄに示されているように、互いに同じ向きに配置されてもよい。第１の遮蔽電極２２は、第１の外部端子１１８に接続されてもよい。第２の遮蔽電極２４は、第２の外部端子１２０に接続されてもよい。第２の遮蔽電極２４は、Ｚ方向１３６に、第１の遮蔽電極２２とほぼ揃えられてもよい。遮蔽電極層１５は、この構成では、端子１１８と端子１２０との間に、最小限の静電容量（例えば、エッジ効果静電容量（ｅｄｇｅ－ｅｆｆｅｃｔ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）だけ）しか生成しない可能性がある。しかし、他の実施形態では、遮蔽電極層１５は、（例えば、作用電極層１０２、１０４と同じく）交互に配置されてもよい。

【0040】

[0054]一般に、本明細書で論じられている実施形態に関して、外部端子１１８、１２０は、当技術分野で知られている様々な異なる金属のうちのいずれかから形成され得る。外部端子１１８、１２０は、当技術分野で知られている様々な異なる金属のうちのいずれかから形成され得る。外部端子１１８、１２０は、導電性金属などの金属からできていてもよい。材料は、貴金属（例えば銀、金、パラジウム、白金、等々）、卑金属（例えば銅、スズ、ニッケル、クロム、チタン、タングステン、等々）など、ならびにそれらの様々な組合せを含むことができる。特定の一実施形態では、外部端子１１８、１２０は、銅またはその合金を含むことができる。

【0041】

[0055]外部端子１１８、１２０は、当技術分野で広く知られている任意の方法を使用して形成され得る。外部端子１１８、１２０は、スパッタリング、塗装、印刷、無電解めっきまたは微細銅終端（ＦＣＴ：ｆｉｎｅ ｃｏｐｐｅｒ ｔｅｒｍｉｎａｌ）、電気めっき、プラズマ堆積、推進剤噴霧／エアブラシ、等々などの技法を使用して形成され得る。

【0042】

[0056]一実施形態では、外部端子１１８、１２０は、外部端子１１８、１２０が比較的分厚くなるように形成され得る。例えばこのような端子１１８、１２０は、電極層の露出された部分に金属の分厚い膜条片を加えることによって（例えば、コンデンサを液体の外部端子材料に浸漬することによって）形成され得る。このような金属はガラス基質で存在し、また、銀または銅を含むことができる。例として、このような条片はコンデンサの上に印刷および焼成され得る。その後に、コンデンサを基板にはんだ付けすることができるよう、金属（例えばニッケル、スズ、はんだ、等々）の追加めっき層が終端条片の上に生成され得る。分厚い膜条片のこのような塗布は、当技術分野で広く知られている任意の方法を使用して（例えば金属含有ペーストを露出された電極層の上に移すための終端機械および印刷車輪によって）実施され得る。

【0043】

[0057]分厚くめっきされた外部端子１１８、１２０は、約１２５μｍ以下など、約１００μｍ以下など、約８０μｍ以下などの約１５０μｍ以下の平均厚さを有することができる。分厚くめっきされた外部端子１１８、１２０は、約３５μｍ以上など、約５０μｍ以上など、約７５μｍ以上などの約２５μｍ以上の平均厚さを有することができる。例えば分厚くめっきされた外部端子１１８、１２０は、約３５μｍから約１２５μｍまでなど、約５０μｍから約１００μｍまでなどの約２５μｍから約１５０μｍまでの平均厚さを有することができる。

【0044】

[0058]別の実施形態では、外部端子１１８、１２０は、外部端子が金属の薄膜めっきであるように形成され得る。このような薄膜めっきは、電極層の露出された部分に導電性金属などの導電材料を堆積させることによって形成され得る。例えば電極層の前縁は、めっきされた終端の形成を可能にし得るように露出され得る。

【0045】

[0059]薄くめっきされた外部端子１１８、１２０は、約４０μｍ以下など、約３０μｍ以下など、約２５μｍ以下などの約５０μｍ以下の平均厚さを有することができる。薄くめっきされた外部端子１１８、１２０は、約１０μｍ以上など、約１５μｍ以上などの約５μｍ以上の平均厚さを有することができる。例えば外部端子１１８、１２０は、約１０μｍから約４０μｍまでなど、約１５μｍから約３０μｍまでなど、約１５μｍから約２５μｍまでなどの約５μｍから約５０μｍまでの平均厚さを有することができる。

【0046】

[0060]一般に、外部端子はめっき端子を備えることができる。例えば外部端子は、電気めっき端子、無電解めっき端子またはそれらの組合せを備えることができる。例えば電気めっき端子は、電解めっきによって形成され得る。無電解めっき端子は、無電解めっきによって形成され得る。

【0047】

[0061]複数の層が外部端子を構成する場合、外部端子は、電気めっき端子および無電解めっき端子を含むことができる。例えば最初に無電解めっきを使用して、材料の初期層が堆積されてもよい。次に、めっき技法は、材料のより速い構築を可能にすることができる電気化学めっきシステムに切り替えられ得る。

【0048】

[0062]いずれかのめっき法を使用してめっき端子１１８、１２０を形成する場合、コンデンサの本体から露出される電極層のリードタブの前縁がめっき溶液にさらされる。さらすことにより、一実施形態では本コンデンサがめっき溶液に浸漬され得る。

【0049】

[0063]めっき溶液は、めっきされた終端を形成するために使用される、導電性金属などの導電材料を含む。このような導電材料は、上記材料のうちのいずれか、または当技術分野で広く知られている任意の材料であってもよい。例えばめっき溶液は、めっきされた層および外部端子がニッケルを含むよう、スルファミン酸ニッケル槽溶液または他のニッケル溶液であってもよい。別法として、めっき溶液は、めっきされた層および外部端子が銅を含むよう、銅酸槽または他の適切な銅溶液であってもよい。

【0050】

[0064]さらに、めっき溶液は、当技術分野で広く知られている他の添加剤を含むことも可能であることを理解されたい。例えば添加剤は、めっきプロセスを補助することができる他の有機添加剤および媒体を含むことができる。さらに、添加剤は、めっき溶液を所望のｐＨで使用するために使用され得る。一実施形態では、コンデンサ、およびリードタブの露出された前縁に対する、完全なめっき被覆およびめっき材料の結合を補助するために、抵抗低減添加剤が溶液中に使用され得る。

【0051】

[0065]コンデンサは、所定の時間量の間、めっき溶液に露出、浸水、または浸漬され得る。このような露出時間は必ずしも制限されず、めっき端子を形成するために十分なめっき材料を堆積させることができる十分な時間量であり得る。これに関して、時間は、一組の交互の誘電層および電極層内のそれぞれの電極層の所与の極性のリードタブの、所望の露出された隣接する前縁間の連続接続の形成を可能にする十分な時間でなければならない。

【0052】

[0066]一般に、電解めっきと無電解めっきの相違は、電解めっきは、外部電源の使用などによる電気的バイアスを使用していることである。電解めっき溶液は、典型的には、高電流密度範囲、例えば１０～１５ａｍｐ／ｆｔ^２（定格９．４ボルト）にさらされ得る。接続は、めっき端子の形成を必要とするコンデンサへの負の接続、および同じめっき溶液中の固体材料（例えばＣｕめっき溶液中のＣｕ）への正の接続を使用して形成され得る。すなわちコンデンサは、めっき溶液の極性とは反対の極性にバイアスされる。このような方法を使用して、めっき溶液の導電材料が、電極層のリードタブの露出された前縁の金属に引き付けられる。

【0053】

[0067]コンデンサをめっき溶液に浸す、またはさらす前に、様々な前処理ステップが使用され得る。これらのステップは、リードタブの前縁へのめっき材料の付着に触媒作用を及ぼすこと、付着を加速すること、および／または付着を改善することを含む様々な目的のために実施され得る。

【0054】

[0068]さらに、めっきまたは任意の他の前処理ステップの前に、初期クリーニングステップが使用され得る。このようなステップは、電極層の露出されたリードタブの上に形成するあらゆる酸化物の蓄積を除去するために使用され得る。このクリーニングステップは、内部電極または他の導電性素子がニッケルで形成される場合に、酸化ニッケルのあらゆる蓄積の除去を補助するためにとりわけ有用であり得る。構成要素クリーニングは、酸クリーナを含むものなど、プレクリーン槽中の完全浸水によって達成され得る。一実施形態では、露出は、約１０分程度などの所定の時間にわたり得る。また、クリーニングは、別法として化学研磨またはハーパライジングステップによっても同じく達成され得る。

【0055】

[0069]さらに、導電材料の堆積を容易にするために、電極層のリードタブの露出された金属前縁を活性化するステップが実施され得る。活性化は、パラジウム塩、光パターン化パラジウム有機金属前駆体（マスクまたはレーザを介した）、スクリーン印刷もしくはインクジェット堆積パラジウム化合物、または電気泳動パラジウム堆積物中への浸水によって達成され得る。パラジウムに基づく活性化は、ここでは、ニッケルまたはその合金で形成された、露出されたタブ部分の活性化としばしば良好に作用する活性化溶液の単なる例として開示されていることを認識されたい。しかしながら他の活性化溶液も同じく利用され得ることを理解されたい。

【0056】

[0070]また、上記活性化ステップの代わりに、またはそれに加えて、コンデンサの電極層を形成する際に、導電材料中に活性化ドーパントが導入され得る。例えば電極層がニッケルを含み、また、活性化ドーパントがパラジウムを含んでいる場合、電極層を形成するニッケルインクまたは組成物中にパラジウムドーパントが導入され得る。そうすることにより、パラジウム活性化ステップを省略することができる。有機金属前駆体など、上記活性化方法のうちのいくつかは、コンデンサの概ねセラミックのボディへの付着を強化するためのガラス形成剤の共堆積に同じく適していることをさらに認識されたい。活性化ステップが上で説明したように実施される場合、終端めっきの前後に、露出された導電性部分に活性剤材料の痕跡がしばしば残り得る。

【0057】

[0071]さらに、めっき後の後処理ステップが同じく使用され得る。このようなステップは、材料の付着の強化および／または改善を含む様々な目的のために実施され得る。例えばめっきステップを実施した後に、加熱（または焼きなまし）ステップが使用され得る。このような加熱は、焼付け、レーザサブジェクション、ＵＶ露光、マイクロ波露出、アーク溶接、等々によって実施され得る。

【0058】

[0072]本明細書において示されているように、外部端子は少なくとも１つのめっき層を含むことができる。一実施形態では、外部端子は１つのめっき層のみを備えることができる。しかしながら外部端子は複数のめっき層を備えることができることを理解されたい。例えば外部端子は、第１のめっき層および第２のめっき層を備えることができる。さらに、外部端子は第３のめっき層を同じく備えることができる。これらのめっき層の材料は、上で言及した、当技術分野で広く知られている任意の材料であってもよい。

【0059】

[0073]例えば第１のめっき層などの１つのめっき層は、銅またはその合金を含むことができる。第２のめっき層などの別のめっき層は、ニッケルまたはその合金を含むことができる。第３のめっき層などの別のめっき層は、スズ、鉛、金、または合金などの組合せを含むことができる。別法としては、初期めっき層がニッケルを含み、スズまたは金のめっき層がそれに続いてもよい。別の実施形態では、銅の初期めっき層が形成され、次にニッケル層が形成され得る。

【0060】

[0074]一実施形態では、初期すなわち第１のめっき層は、導電性金属（例えば銅）であってもよい。この領域は、次に、密閉のために抵抗体高分子材料を含む第２の層で被覆され得る。この領域は、次に、抵抗性高分子材料を選択的に除去するために研磨され、次に、導電性金属材料（例えば銅）を含む第３の層で再びめっきされ得る。

【0061】

[0075]初期めっき層の上方の上記第２の層は、はんだバリア層、例えばニッケル－はんだバリア層に対応し得る。いくつかの実施形態では、上記層は、初期無電解または電解めっき層（例えばめっき銅）の頂部に金属（例えばニッケル）の追加層を電気めっきすることによって形成され得る。上記はんだバリア層のための他の例示的材料は、ニッケル－リン、金および銀を含む。上記はんだバリア層の上の第３の層は、いくつかの実施形態では、めっきされたＮｉ、Ｎｉ／Ｃｒ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｐｂ／Ｓｎ、または他の適切なめっきされたはんだなどの導電性層に対応し得る。

【0062】

[0076]さらに、抵抗性合金被覆またはより高い抵抗金属合金被覆、例えば無電解Ｎｉ－Ｐ合金をこのような金属めっきの上に提供するために、電気めっきステップが後続する金属めっきの層が形成され得る。しかしながら本明細書における完全な開示から当業者が理解することになるように、任意の金属被覆を含むことも可能であることを理解されたい。

【0063】

[0077]上記ステップは、すべて、バレルめっき、流動床めっきおよび／またはフロースルーめっき終端プロセスなどのバルクプロセスとして生じてもよく、それらのすべては当技術分野で広く知られていることを認識されたい。このようなバルクプロセスによれば、複数の構成要素を一度に処理することができ、有効で、かつ、迅速な終端プロセスを提供する。これは、個々の構成要素の処理を必要とする厚膜終端の印刷などの従来の終端方法に関してとりわけ有利である。

【0064】

[0078]本明細書において説明されているように、外部端子の形成は、概して、電極層のリードタブの露出された前縁の位置によって案内される。このような現象は、コンデンサ上の選択された周辺位置における電極層の露出された導電性金属の構成によって外部めっき端子の形成が決定されるため、「自己決定（ｓｅｌｆ－ｄｅｔｅｒｍｉｎｉｎｇ）」と呼ばれ得る。いくつかの実施形態では、コンデンサは、他の電極（例えば、作用電極または遮蔽電極）を含んでいないコンデンサのモノリシックボディの部分に沿って、露出した導電性金属を設ける、「ダミータブ」を含むことができる。

【0065】

[0079]また、コンデンサの端子を形成するための追加の技術も同じく本技術の範囲内であり得ることを認識されたい。例示的代替は、それらに限定されないが、厚膜導電性層または薄膜導電性層の両方を形成するための、めっき、磁性、マスキング、電気泳動／静電、スパッタリング、真空蒸着、印刷または他の技法による終端の形成を含む。

【0066】

[0080]図１Ａは、本開示の態様による、作用電極領域１４の１つまたは複数の電極についての、作用電極パターンの一実施形態の上面図を示している。作用電極領域１４は、より具体的には、例えば、図１Ｂを参照して下記で説明されるように、交互に配置された第１の電極層１０２および第２の電極層１０４を備えてもよい。図１Ａを参照すると、各電極層１０２、１０４は、第１の作用電極１０６および第２の作用電極１０８を備えてもよい。第１の作用電極１０６は、第１の作用電極１０６の長手方向の縁に沿って横方向１３４に延在する、ベース部分１１４を有してもよい。第１の作用電極１０６は、ベース部分１１４から長手方向１３２に延在する、一対の電極アーム１１０を有してもよい。第２の作用電極１０８は、第２の電極層１０８の長手方向の縁に沿って横方向１３４に延在する、ベース部分１１４を有してもよい。第２の電極１０は、ベース部分１１４から長手方向１３２に延在する、一対の電極アーム１１０を有してもよい。

【0067】

[0081]第１の作用電極１０６の電極アーム１１０は、第２の作用電極１０８の電極アーム１１０に対して、概ね長手方向に揃えられてもよい。アームギャップ２２６は、長手方向１３２における、第１および第２の電極１０６、１０８の揃えられた電極アーム１１０間で定義されてもよい。

【0068】

[0082]図１Ｂを参照すると、いくつかの容量性領域が、第１の作用電極１０６と第２の作用電極１０８との間に形成されてもよい。例えば、いくつかの実施形態では、中央容量性領域１２２が、第１の作用電極１０６の中央部分１１２と、第２の作用電極１０８のベース部分１１４および／またはアーム１２８との間に形成されてもよい。いくつかの実施形態では、アームギャップ容量性領域１２４が、第１の作用電極１０６の電極アーム１１０と第２の作用電極１０８との間の、アームギャップ２４０内に形成されてもよい。

【0069】

[0083]図１Ｃおよび図１Ｄを参照すると、複数の第１の電極層１０２および複数の第２の電極層１０４が、交互に左右反対の構成で配置されていてもよい。図示されているように、それぞれの電極層の中央部分１１２は、少なくとも部分的に重畳している。図１Ｃは、合計４つの電極層を示しているが、所望の用途に向けた所望の静電容量を得るために、任意の数の電極層が使用されてもよいことを理解されたい。

【0070】

[0084]いくつかの実施形態では、広帯域積層セラミックコンデンサ１００は、Ｚ方向１３６における、上面１８と底面２０との間に、コンデンサの厚さ５６を有してもよい。誘電体領域１２は、Ｚ方向１３６に、誘電体領域の厚さ５８を有してもよい。いくつかの実施形態では、コンデンサの厚さ５６の、誘電体領域の厚さ５８に対する比は、約１０未満であってもよい。

【0071】

[0085]作用電極領域１４は、Ｚ方向１３６に、作用電極領域の厚さ５９があってもよい。作用電極領域１４には、遮蔽電極２２、２４がなくてもよく、かつ／または重畳する電極だけしか備えていなくてもよい。作用電極領域の厚さ５９は、最も下の作用電極層１９と最も上の作用電極層６５との間で定義されてもよい。コンデンサの厚さ５６の、作用電極領域の厚さ５９に対する比は、約１．１から約２０の範囲であってもよい。

【0072】

[0086]遮蔽電極領域１６は、Ｚ方向１３６に、遮蔽電極領域の厚さ６１を有してもよい。遮蔽電極領域の厚さ６１は、Ｚ方向１３６に関する、遮蔽電極領域１６の最も下の遮蔽電極１３７と、遮蔽電極領域１６の最も上の遮蔽電極１３８との間で定義されてもよい。コンデンサの厚さ５６の、遮蔽電極領域の厚さ６１に対する比は、約１．１から約２０の範囲であってもよい。

【0073】

[0087]いくつかの実施形態では、遮蔽部から底面までの距離６３は、遮蔽電極２２、２４とコンデンサ１００の底面２０との間の距離と定義されてもよい。遮蔽部から底面までの距離６３は、複数の遮蔽電極層１５が備えられている場合、遮蔽電極層１５のうちの最も下の層と底面２０との間の距離と定義されてもよい。コンデンサの厚さ５６の、遮蔽部から底面までの距離６３に対する比は、約２より大きくてもよい。

【0074】

[0088]いくつかの実施形態では、遮蔽電極２２、２４は、作用電極１０６、１０８から、第１の遮蔽部から作用部までの距離６７だけ離間されていてもよい。第１の遮蔽部から作用部までの距離６７は、Ｚ方向１３６における、最も下の作用電極１９と、最も下の作用電極１９に最も近い上部遮蔽電極１３８との間で定義されてもよい。第１の遮蔽部から作用部までの距離６７の、遮蔽部から底面までの距離６３に対する比は、約１から約２０、いくつかの実施形態では約２から約１０、またいくつかの実施形態では約３から約５の範囲であってもよい。

【0075】

[0089]図２Ａは、作用電極層１０２、１０４、および遮蔽電極層１５の電極パターンの、別の実施形態を示している。電極パターンは、作用電極層１０２、１０４に関して説明されているが、遮蔽電極層１５が、同様の形状であってもよいことを理解されたい。各電極層１０２、１０４は、第１の作用電極１０６および第２の作用電極１０８を備えてもよい。第１の作用電極１０６は、ベース部分１１４を有してもよい。１対の電極アーム１１０および少なくとも１つの中央部分１１２が、ベース部分１１４から延在してもよい。第２の作用電極１０８は、第２の電極層１０８の長手方向の縁に沿って延在する、ベース部分１１４を有してもよい。第２の作用電極１０８は、ベース部分１１４から延在する一対の電極アーム１１０を有してもよい。

【0076】

[0090]図２Ａは、加えて、主部分１２８および階段部分１３０を含む、電極アーム１１０を示している。より具体的には、第１の作用電極１０６の電極アーム１１０は、横方向１３４に延在し、階段部分１３０の縁を画定し得る、第１の長手方向の縁６０を含むことができる。第２の長手方向の縁６２は、横方向１３４に延在することができ、アーム１１０の主部分１２８の縁を画定することができる。第１の長手方向の縁６０は、第２の長手方向の縁６２から長手方向１３２に、アームのオフセット距離６４だけオフセットされ得る。第１の作用電極１０６および／または第２の電極１０８の一方または両方の電極アーム１１０は、それぞれの主および階段部分１２８、１３０を含むことができる。例えば、両方の電極１０６、１０８の両方のアーム１１０は、例えば図２Ａに示されるように、それぞれの主部分１２８および階段部分１３０を含むことができる。主アームギャップ２４０は、揃えられたアーム１１０の階段部分１３０間に形成され得る。階段アームギャップ２４２は、揃えられたアーム１１０の主部分１２８間に形成され得る。

【0077】

[0091]図２Ｂを参照すると、いくつかの容量性領域が、図２Ａの電極パターンの第１の作用電極１０６と第２の電極１０８との間に形成される可能性がある。例えば、いくつかの実施形態では、中央容量性領域１２２が、第１の作用電極１０６の中央部分１１２と、第２の電極１０８のベース部分１１４および／またはアーム１１０との間に形成され得る。いくつかの実施形態では、主アームギャップ容量性領域１２５は、主アームギャップ２４０内に形成され得、階段ギャップ容量性領域１２６は、階段アームギャップ２４２内に形成され得る。

【0078】

[0092]図３Ａを参照すると、いくつかの実施形態では、誘電体領域１２および／または追加の誘電体領域１０７には、コンデンサ１００の第１の端部１１９または第２の端部１２０から、コンデンサ１００の長さ２１の２５％より長く延びる電極層がなくてもよい（ボックス１７によって概略的に示されている）。かかる実施形態では、誘電体領域１２および／または追加の誘電体領域１０７は、例えば、１つまたは複数のフローティング電極および／またはダミー電極タブを備えてもよい。しかし、他の実施形態では、誘電体領域１２および／または追加の誘電体領域１０７には、例えば図１Ｃおよび図１Ｄを参照して上記で説明されたように、一切の電極層がなくてもよい。いくつかの実施形態では、広帯域積層セラミックコンデンサ１００は、Ｚ方向１３６において、複数の作用電極層１０２、１０４より上に遮蔽電極２２、２４がなくてもよい。いくつかの実施形態では、広帯域積層セラミックコンデンサ１００は、Ｚ方向１３６において、複数の作用電極層１０２、１０４のうちの最も下の電極層１９より上に、遮蔽電極２２、２４がなくてもよい。ダミータブ電極５２、５４、５５、５７は、例えば微細銅終端プロセスを使用した端子１１８、１２０の堆積および／または形成の、助けとなる可能性がある。ダミータブ電極５２、５４、５５、５７は、第１の端部１１９または第２の端部１２１から、コンデンサの長さ２１の２５％未満しか延在しなくてもよい。さらに、いくつかの実施形態では、遮蔽電極領域１６と作用電極領域１４との間の領域１０７は、ダミータブ電極５５、５７を備えていてもよい。

【0079】

[0093]いくつかの実施形態では、コンデンサ１００は、１つまたは複数のフローティング電極を含むことができる。フローティング電極１１１は、誘電体領域１２内に配置され得る。しかし、他の実施形態では、フローティング電極１１１は、作用電極領域１４、および／または作用電極領域１４と遮蔽電極領域１６との間の領域１０７に配置されてもよい。一般に、このような浮動電極１１１は、外部端子１１８、１２０に直接接続されていない。フローティング電極は、当技術分野で知られている任意の方法に従って配置され、かつ、構成され得る。例えばフローティング電極は、作用電極層の第１の作用電極および／または第２の作用電極の中央部分など、少なくとも一部と重畳するように設けられ得る。これに関して、フローティング電極層は、第１の電極層および第２の内部電極層と交互に層状にされ、配置され得る。これに関して、このような層は誘電層によって分離され得る。さらに、このようなフローティング電極は、当技術分野で広く知られている任意の形状を有することができる。例えば、一実施形態では、フローティング電極層は、ダガー様構成を有する少なくとも１つのフローティング電極を含むことができる。例えばこのような構成は、本明細書において説明されている第１の電極の構成および形状に類似していてもよい。しかしながらこのような第１の電極は、階段部分を有する電極アームを含んでいても、または含んでいなくてもよいことを理解されたい。

【0080】

[0094]図３Ｂは、本開示の態様による、コンデンサ１６０の別の例示的な実施形態を示している。コンデンサ１６０は、図３Ｂのコンデンサ１６０が、追加の遮蔽電極領域１６６を含んでもよいことを除いて、図１Ｄのコンデンサ１００と概ね同様であってもよい。コンデンサ１６０は、概ね、長手方向の中心線１６５に関して対称であってもよい。追加の遮蔽電極領域１６６は、概ね、遮蔽電極領域１６と同じように構成されてもよい。作用電極領域１４と追加の遮蔽電極領域１６６との間の誘電体領域１６８は、概して、電極層がないか、またはコンデンサ１６０の長さ２１の２５％より長く延びる電極層がなくてもよい（領域１６８は、例えば、いくつかの実施形態では、ダミー電極を備えてもよい）。コンデンサ１６０は、図３Ｂに示されているように取り付けられてもよく、長手方向の中心線１６５の周りに１８０度回転した向きで、取り付けられてもよい。

【0081】

[0095]図４Ａは、図１Ｃの電極パターンの３つの容量性素子、すなわち隣り合う電極層間の１次容量性素子１１２’、中央容量性素子１２２’、およびアームギャップ容量性要素１２４’を、概略的に示している。容量性素子１１２’、１２２’、および１２４’は、それぞれ、図１Ｂの中央領域１１２、中央容量性領域１２２、およびアームギャップ容量性領域１２４に対応する。さらに、図４において、外部端子は１１８および１２８として示されている。

【0082】

[0096]図４Ｂは、図２Ｂの電極構成の４つの容量性素子を概略的に示しており、容量性素子１１２’、１２２’および１２５’、ならびに１２６’が、それぞれ、図２Ｂの中央領域１１２、容量性領域１２２、主アームギャップ容量性領域１２５、および階段ギャップ容量性領域１２６に対応する。様々なギャップの寸法は、図４Ａおよび図４Ｂに示される容量性素子のそれぞれの所望の静電容量値を達成するように選択的に設計され得ることを理解されたい。より具体的には、コンデンサの構成、および電極層の数、電極対の重畳している中央部分の表面積、電極を分離している距離、誘電体材料の誘電率、等々などの様々なパラメータが、所望の静電容量値を達成するように選択され得る。それにもかかわらず、本明細書において開示されているコンデンサは、有効な広帯域性能を提供するために、直列および並列に組み合わされたコンデンサのアレイを含むことができる。

【0083】

[0097]一例示的超広帯域コンデンサの実施形態では、１次コンデンサ１１２’は、通常、約数キロヘルツ（ｋＨｚ）から約２００メガヘルツ（ＭＨｚ）程度などの概ねより低い周波数範囲で動作するよう適合される、比較的大きい静電容量に対応し、一方、２次コンデンサ１２２’、１２４’、１２５’および／または１２６’は、通常、約２００メガヘルツ（ＭＨｚ）から数ギガヘルツ（ＧＨｚ）程度などの比較的より高い周波数範囲で動作するよう構成される、比較的より小さい値のコンデンサに対応し得る。

【0084】

[0098]図５は、作用電極層１０２、１０４、および遮蔽電極層１５の電極パターン１５０の、別の実施形態を示している。層の電極パターン１５０は、概ね、図１Ａを参照して上記で説明された電極層と同様であってもよい。しかし、中央部分１１２が、中央部分１１２の一部分にわたって、横方向に拡大されていてもよい。中央縁ギャップ距離２３は、横方向１３４における、第１の電極の中央部分１２２と第２の電極アーム１１０との間で定義されてもよい。中央端部ギャップ距離２５は、長手方向１３２における、第１の作用電極１０６の中央部分１２２と第２の作用電極１０８のベース部分１１４との間で定義されてもよい。いくつかの実施形態では、中央縁ギャップ距離２３は、中央端部ギャップ距離２５とほぼ等しくてもよい。

【0085】

[0099]第１の作用電極１０６の中央部分１１２は、第１の位置に第１の幅２７を有し、第２の位置に第１の幅２７よりも長い第２の幅２９を有してもよい。第１の幅２７の第１の位置は、長手方向１３２において、第２の幅の第２の位置からオフセットされてもよい。かかる構成は、中央縁ギャップ距離２３を変更することなく、Ｚ方向１３６に隣接する電極の中央部分１１２間の、重畳する面積を調整できるようにする可能性がある。

【0086】

[00100]図６Ａから図６Ｄは、作用電極層１０２、１０４および遮蔽電極層１５の電極パターンの、追加の実施形態を示している。例えば、図６Ａを参照すると、いくつかの実施形態では、第１の電極１０６および第２の電極１０８のそれぞれが、図２に関して上記で説明された一対のアーム１１０、２０２の代わりに、単一のアーム１１０を備えてもよい。これに関して、このような電極は、ベースから延在する中央部分を含む１つの電極と、やはりベース部分から延在する１つの電極アームとを含むことができる。一方、対向電極は、ベース部分と、このような第２の電極のベース部分から延在するただ１つの電極アームとを含むことができる。

【0087】

[00101]図６Ｂを参照すると、いくつかの実施形態では、第１の電極１０６および第２の電極１０８のそれぞれは、中央部分１１２を含むことができる。例えば、各電極１０６、１０８は、それぞれのベース部分から延在する２つの電極アーム１１０、２０２など、少なくとも１つの電極アーム１１０、２０２に加えて、それぞれのベース部分から延在する中央部分１１２を含むことができる。

【0088】

[00102]図６Ｃを参照すると、いくつかの実施形態では、電極１０６、１０８の電極アーム１１０、２０２は、電極アームの主部分の内側横方向の縁３２４から外方へ、電極層の電極１０６、１０８のうちの少なくとも一方の横方向中心線２３６から離れる方向にオフセットされた、階段部分１３０を有することができる。最後に、図６Ｄを参照すると、いくつかの実施形態では、電極１０６、１０８の電極アーム１１０は、電極アーム１１０、２０２の外側横方向の縁３２２および内側横方向の縁３２４の両方からオフセットされた階段部分１３０を有することができる。作用電極層および遮蔽電極層の電極パターンは、本明細書で例示され、説明された実施形態に加えて、当技術分野で知られているどんな好適な構成を有してもよい。

【0089】

ＩＩ．試験方法
[00103]試験アセンブリが、本開示の態様によるコンデンサの挿入損および反射損などの性能特性を試験するために、使用され得る。例えば、コンデンサが、試験基板に取り付けられ得る。入力ラインおよび出力ラインはそれぞれ、試験基板に接続され得る。試験基板は、入力ラインおよび出力ラインをコンデンサのそれぞれの外部終端に電気的に接続する、マイクロストリップラインを含むことができる。

【0090】

[00104]入力信号は、ソース信号発生器（例えば、１８０６ Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ２４００シリーズソースメジャーユニット（ＳＭＵ）、例えば、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ２４１０－Ｃ ＳＭＵ）を使用して入力ラインに供給され得、その結果得られるコンデンサの出力信号は、出力ラインで測定され得る（例えば、ソース信号発生器を使用して）。これは、コンデンサの様々な構成に対して繰り返された。

【0091】

ＩＩＩ．例
[00105]コンデンサは、本開示の態様に従って製作された。１００±７ｎＦの静電容量を有するコンデンサの第１のグループは、以下の通り製作された。

【0092】

【表1】

【0093】

[00106]１０±２ｎＦの静電容量を有するコンデンサの第２のグループは、以下の通り製作された。

【0094】

【表2】

【0095】

[00107]上記の表における「降下」は、作用電極間隔距離と遮蔽電極間隔距離との両方を指し、第１のグループおよび第２のグループのコンデンサのそれぞれについて、互いにほぼ等しかった。

【0096】

[00108]第１のグループおよび第２のグループのコンデンサのそれぞれが、遮蔽電極領域に、３層の遮蔽電極層を備えていた。各コンデンサは、例えば、図１Ｃおよび図１Ｄのコンデンサ１００の誘電体領域１２を参照して上記で説明されたように、作用電極領域の上部から各コンデンサの上面まで延びた電極がない領域である、誘電体を備えていた。

【0097】

[00109]本発明のこれらおよび他の修正および変更は、本発明の精神および範囲から逸脱することなく当業者によって実践され得る。さらに、様々な実施形態の態様は、全体または部分の両方において相互に交換され得ることを理解されたい。さらに、当業者は、以上の説明は単なる例にすぎず、添付の特許請求の範囲においてさらに説明されている本発明を制限することは意図されていないことを認識するであろう。

【図1A】

【図1B】

【図1C】

【図1D】

【図2A】

【図2B】

【図3A】

【図3B】

【図4A】

【図4B】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図6D】

【国際調査報告】