特表 2023-552008 有機発光ダイオード表示パネル及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2023-12-14

(54)【発明の名称】有機発光ダイオード表示パネル及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H10K 59/123 20230101AFI20231207BHJP

   H01L 21/336 20060101ALI20231207BHJP

   H01L 29/786 20060101ALI20231207BHJP

   H10K 59/121 20230101ALI20231207BHJP

   H10K 59/124 20230101ALI20231207BHJP

   H10K 77/10 20230101ALI20231207BHJP

   H10K 50/818 20230101ALI20231207BHJP

   H10K 71/80 20230101ALI20231207BHJP

   H10K 71/60 20230101ALI20231207BHJP

   H10K 85/00 20230101ALI20231207BHJP

   H10K 50/84 20230101ALI20231207BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20231207BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20231207BHJP

   H10K 102/20 20230101ALN20231207BHJP

【ＦＩ】

H10K59/123

H01L29/78 619B

H01L29/78 612C

H10K59/121

H10K59/124

H10K77/10

H10K50/818

H10K71/80

H10K71/60

H10K85/00

H10K50/84

G09F9/30 365

G09F9/30 338

G09F9/00 338

H10K102:20

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2021571678

(86)(22)【出願日】2021-11-30

(85)【翻訳文提出日】2022-01-11

(86)【国際出願番号】 CN2021134368

(87)【国際公開番号】W WO2023082370

(87)【国際公開日】2023-05-19

(31)【優先権主張番号】202111347742.8

(32)【優先日】2021-11-15

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】515203228

【氏名又は名称】ティーシーエル チャイナスター オプトエレクトロニクス テクノロジー カンパニー リミテッド

【氏名又は名称原語表記】ＴＣＬ Ｃｈｉｎａ Ｓｔａｒ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．９－２，Ｔａｎｇｍｉｎｇ Ｒｄ，Ｇｕａｎｇｍｉｎｇ Ｎｅｗ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｓｈｅｎｚｈｅｎ，Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ，Ｃｈｉｎａ ５１８１３２

(74)【代理人】

【識別番号】110002468

【氏名又は名称】弁理士法人後藤特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】任 学超

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

5F110

5G435

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC41

3K107DD03

3K107DD11

3K107DD17

3K107DD23

3K107EE04

3K107FF15

3K107GG01

3K107GG14

3K107GG51

5C094AA43

5C094AA44

5C094BA03

5C094BA27

5C094EA04

5C094FB12

5F110AA16

5F110AA18

5F110AA21

5F110BB01

5F110CC01

5F110DD02

5F110GG01

5F110GG26

5F110HM02

5F110NN03

5F110NN44

5F110QQ02

5G435AA17

5G435BB05

5G435KK05

(57)【要約】

有機発光ダイオード表示パネルは、薄膜トランジスタ基板、複数の薄膜トランジスタ及び複数の有機発光ダイオードを含む。複数の前記薄膜トランジスタは、前記薄膜トランジスタ基板の一側に設けられる。複数の前記有機発光ダイオードは、複数の前記薄膜トランジスタから離れる前記薄膜トランジスタ基板の一側に設けられる。複数の前記有機発光ダイオードは、平坦な表面に設けられ、複数の前記薄膜トランジスタとして生成された表面の凹凸の影響を受けない。したがって、複数の前記有機発光ダイオードは、空間を最大限に利用することにより、前記有機発光ダイオード表示パネルの画素密度を向上させることができる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

薄膜トランジスタ基板と、
前記薄膜トランジスタ基板の一側に設けられた複数の薄膜トランジスタと、
複数の前記薄膜トランジスタから離れる前記薄膜トランジスタ基板の一側に設けられた複数の有機発光ダイオードと、を含む、
有機発光ダイオード表示パネル。

【請求項2】

複数の前記薄膜トランジスタのそれぞれは、ゲート、ソース、ドレイン及び前記ソース及び前記ドレインに電気的に接続される半導体層を含み、
複数の前記有機発光ダイオードのそれぞれは、複数の前記薄膜トランジスタのそれぞれに対応し、かつ前記ソース又は前記ドレインに電気的に接続される第１電極、発光層及び第２電極を含み、
前記第１電極は、複数の前記薄膜トランジスタから離れる前記薄膜トランジスタ基板の前記一側に設けられ、
前記発光層は、前記薄膜トランジスタ基板から離れる前記第１電極の一側に設けられ、前記第２電極は、前記第１電極から離れる前記発光層の一側に設けられる、
請求項１に記載の有機発光ダイオード表示パネル。

【請求項3】

前記第１電極は、面積が前記半導体層の面積以上であり、かつ前記半導体層への光の照射を遮断する、
請求項２に記載の有機発光ダイオード表示パネル。

【請求項4】

前記第１電極の材料は、非透光性材料を含む、
請求項３に記載の有機発光ダイオード表示パネル。

【請求項5】

前記ソース及び前記ドレインは、前記薄膜トランジスタ基板から離れる前記半導体層の一側に設けられ、
前記ゲートは、前記半導体層から離れる前記ソース及び前記ドレインの一側に設けられる、
請求項２に記載の有機発光ダイオード表示パネル。

【請求項6】

前記ゲートは、前記薄膜トランジスタ基板から離れる前記半導体層の一側に設けられ、
前記ソース及び前記ドレインは、前記半導体層から離れる前記ゲートの一側に設けられる、
請求項２に記載の有機発光ダイオード表示パネル。

【請求項7】

前記ゲート、前記ソース及び前記ドレインは、前記半導体層への総投影面積が前記半導体層の面積以上であり、かつ前記半導体層への光の照射を遮断する、
請求項６に記載の有機発光ダイオード表示パネル。

【請求項8】

前記薄膜トランジスタ基板は、貫通孔を含み、
前記第１電極は、前記貫通孔を介して前記薄膜トランジスタに電気的に接続される、
請求項２に記載の有機発光ダイオード表示パネル。

【請求項9】

前記有機発光ダイオード表示パネルは、前記薄膜トランジスタ基板と複数の前記有機発光ダイオードとの間に設けられた剥離層をさらに含む、
請求項１に記載の有機発光ダイオード表示パネル。

【請求項10】

前記剥離層の材料は、窒化ガリウムを含む、
請求項９に記載の有機発光ダイオード表示パネル。

【請求項11】

剥離層を形成するステップＳ１と、
前記剥離層の一側に薄膜トランジスタ基板を形成するステップＳ２と、
前記剥離層から離れる前記薄膜トランジスタ基板の一側に複数の薄膜トランジスタを形成するステップＳ３と、
前記薄膜トランジスタ基板から離れる前記剥離層の一側に複数の有機発光ダイオードを形成するステップＳ４と、を含む、
有機発光ダイオード表示パネルの製造方法。

【請求項12】

前記ステップＳ３は、
前記剥離層から離れる前記薄膜トランジスタ基板の前記一側に半導体層を形成するステップＳ３１と、
前記薄膜トランジスタ基板から離れる前記半導体層の一側にゲート絶縁層を形成するステップＳ３２と、
前記半導体層から離れる前記ゲート絶縁層の一側にゲートを形成するステップＳ３３と、
前記剥離層から離れる前記薄膜トランジスタ基板の前記一側に層間誘電体層を形成するステップＳ３４と、
前記層間誘電体層、前記薄膜トランジスタ基板及び前記剥離層に貫通孔を形成するステップＳ３５と、
前記薄膜トランジスタ基板から離れる前記層間誘電体層の一側にソース及びドレインを形成するステップＳ３６と、を含む、
請求項１１に記載の有機発光ダイオード表示パネルの製造方法。

【請求項13】

前記ゲート、前記ソース及び前記ドレインは、前記半導体層への総投影面積が前記半導体層の面積以上であり、かつ前記半導体層への光の照射を遮断する、
請求項１２に記載の有機発光ダイオード表示パネルの製造方法。

【請求項14】

前記ステップＳ３６は、
前記貫通孔に導電材料を充填するステップＳ３６１と、
前記ソースと前記貫通孔内の前記導電材料とを電気的に接続するステップＳ３６２、又は
前記ドレインと前記貫通孔内の前記導電材料とを電気的に接続するステップＳ３６２’と、を含む、
請求項１２に記載の有機発光ダイオード表示パネルの製造方法。

【請求項15】

ステップＳ４は、
前記薄膜トランジスタ基板から離れる前記剥離層の前記一側に第１電極を形成するステップと、
前記剥離層から離れる前記第１電極の一側に発光層を形成するステップと、
前記第１電極から離れる前記発光層の一側に第２電極を形成するステップと、を含む、
請求項１１に記載の有機発光ダイオード表示パネルの製造方法。

【請求項16】

前記第１電極は、面積が前記半導体層の面積以上であり、かつ前記半導体層への光の照射を遮断する、
請求項１５に記載の有機発光ダイオード表示パネルの製造方法。

【請求項17】

前記第１電極の材料は、非透光性材料を含む、
請求項１５に記載の有機発光ダイオード表示パネルの製造方法。

【請求項18】

ステップＳ１は、第１基板の一側に前記剥離層を形成するステップを含み、
ステップＳ４を実行する前に、前記第１基板と前記剥離層とを分離するステップを含む、
請求項１１に記載の有機発光ダイオード表示パネルの製造方法。

【請求項19】

前記剥離層は、レーザーアブレーション法により前記第１基板から剥離される、
請求項１８に記載の有機発光ダイオード表示パネルの製造方法。

【請求項20】

前記剥離層の材料は、窒化ガリウムを含む、
請求項１１に記載の有機発光ダイオード表示パネルの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、表示技術の分野に関し、特に有機発光ダイオード表示パネル及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

有機発光ダイオード表示パネルは、広視野角、広色域などの利点があり、主流の表示パネルとして様々な表示装置のメーカーに注目され開発されている。現在、有機発光ダイオード表示パネルは、トップゲート構造を有する薄膜トランジスタ、すなわちトップゲート型薄膜トランジスタを用いることが多い。従来のボトムゲート構造を有する薄膜トランジスタに比べて、上記トップゲート型薄膜トランジスタは、上記有機発光ダイオード表示パネルの製造工程を減少させ、さらに製造コストを低減する。

【0003】

しかしながら、上記トップゲート型薄膜トランジスタにおいて、上記トップゲート型薄膜トランジスタの頂部の中間位置に位置するゲートは、常に上記トップゲート型薄膜トランジスタの表面に凹凸があることを引き起こすことにより、表面の平坦度が悪くなる。上記トップゲート型薄膜トランジスタの表面が平坦でない場合、後の上記トップゲート型薄膜トランジスタに設けられた複数の発光層の発光効果に影響を与える。

【0004】

従来技術では、上記トップゲート型薄膜トランジスタの表面平坦度を改善するために、一般的に上記トップゲート型薄膜トランジスタにレベリング層を増設する。上記レベリング層は、上記発光層を平坦な上記レベリング層の平面に設けることにより、上記発光層の上記発光効果を改善することができる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

従来技術の構造により上記トップゲート型薄膜トランジスタを用いる上記有機発光ダイオード表示パネルの表示効果を改善することができるが、上記有機発光ダイオード表示パネルの厚さを増加させ、上記有機発光ダイオード表示パネルの製造工程及び製造コストを増加させ、さらに上記有機発光ダイオード表示パネルの可撓性に影響を与える。

【0006】

したがって、従来技術は、上記有機発光ダイオード表示パネルの従来の利点を両立させ、かつ上記トップゲート型薄膜トランジスタの技術的課題を改善することができない。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明は、有機発光ダイオード表示パネル及びその製造方法を提供し、従来技術におけるトップゲート型薄膜トランジスタを用いる有機発光ダイオード表示パネルが直面する問題を回避することができる。同時に、本発明は、さらに上記有機発光ダイオード表示パネルの製造工程を簡略化するとともに、上記有機発光ダイオード表示パネルの発光効果を強化し、上記有機発光ダイオード表示パネルの画素密度を向上させることにより、観賞者により高い観賞効果を与えることができる。

【0008】

本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルは、薄膜トランジスタ基板、複数の薄膜トランジスタ及び複数の有機発光ダイオードを含む。複数の前記薄膜トランジスタは、前記薄膜トランジスタ基板の一側に設けられる。複数の前記有機発光ダイオードは、複数の前記薄膜トランジスタから離れる前記薄膜トランジスタ基板の一側に設けられる。

【0009】

一実施例では、複数の前記薄膜トランジスタのそれぞれは、ゲート、ソース、ドレイン及び前記ソース及び前記ドレインに電気的に接続される半導体層を含む。複数の前記有機発光ダイオードのそれぞれは、複数の前記薄膜トランジスタのそれぞれに対応し、かつ前記ソース又は前記ドレインに電気的に接続される第１電極、発光層及び第２電極を含む。前記第１電極は、複数の前記薄膜トランジスタから離れる前記薄膜トランジスタ基板の前記一側に設けられ、前記発光層は、前記薄膜トランジスタ基板から離れる前記第１電極の一側に設けられ、前記第２電極は、前記第１電極から離れる前記発光層の一側に設けられる。

【0010】

一実施例では、前記第１電極は、面積が前記半導体層の面積以上であり、かつ前記半導体層への光の照射を遮断する。

【0011】

一実施例では、前記第１電極の材料は、非透光性材料を含む。

【0012】

一実施例では、前記ソース及び前記ドレインは、前記薄膜トランジスタ基板から離れる前記半導体層の一側に設けられ、前記ゲートは、前記半導体層から離れる前記ソース及び前記ドレインの一側に設けられる。

【0013】

一実施例では、前記ゲートは、前記薄膜トランジスタ基板から離れる前記半導体層の一側に設けられ、前記ソース及び前記ドレインは、前記半導体層から離れる前記ゲートの一側に設けられる。

【0014】

一実施例では、前記ゲート、前記ソース及び前記ドレインは、前記半導体層への総投影面積が前記半導体層の面積以上であり、前記半導体層への光の照射を遮断する。

【0015】

一実施例では、前記薄膜トランジスタ基板は、貫通孔を含み、前記第１電極は、前記貫通孔を介して前記薄膜トランジスタに電気的に接続される。

【0016】

一実施例では、前記有機発光ダイオード表示パネルは、前記薄膜トランジスタ基板と複数の前記有機発光ダイオードとの間に設けられる剥離層をさらに含む。

【0017】

一実施例では、前記剥離層の材料は、窒化ガリウムを含む。

【0018】

本発明の前記有機発光ダイオード表示パネルの製造方法は、
剥離層を形成するステップＳ１と、
前記剥離層の一側に薄膜トランジスタ基板を形成するステップＳ２と、
前記剥離層から離れる前記薄膜トランジスタ基板の一側に複数の薄膜トランジスタを形成するステップＳ３と、
前記薄膜トランジスタ基板から離れる前記剥離層の一側に複数の有機発光ダイオードを形成するステップＳ４と、を含む。

【0019】

一実施例では、前記ステップＳ３は、
前記剥離層から離れる前記薄膜トランジスタ基板の前記一側に半導体層を形成するステップＳ３１と、
前記薄膜トランジスタ基板から離れる前記半導体層の一側にゲート絶縁層を形成するステップＳ３２と、
前記半導体層から離れる前記ゲート絶縁層の一側にゲートを形成するステップＳ３３と、
前記剥離層から離れる前記薄膜トランジスタ基板の前記一側に層間誘電体層を形成するステップＳ３４と、
前記層間誘電体層、前記薄膜トランジスタ基板及び前記剥離層に貫通孔を形成するステップＳ３５と、
前記薄膜トランジスタ基板から離れる前記層間誘電体層の一側にソース及びドレインを形成するステップＳ３６と、を含む。

【0020】

一実施例では、前記ゲート、前記ソース及び前記ドレインは、前記半導体層への総投影面積が前記半導体層の面積以上であり、かつ前記半導体層への光の照射を遮断する。

【0021】

一実施例では、前記ステップＳ３６は、
前記貫通孔に導電材料を充填するステップＳ３６１と、
前記ソースと前記貫通孔内の前記導電材料とを電気的に接続するステップＳ３６２、又は
前記ドレインと前記貫通孔内の前記導電材料とを電気的に接続するステップＳ３６２’と、を含む。

【0022】

一実施例では、ステップＳ４は、前記薄膜トランジスタ基板から離れる前記剥離層の前記一側に第１電極を形成するステップと、前記剥離層から離れる前記第１電極の一側に発光層を形成するステップと、前記第１電極から離れる前記発光層の一側に第２電極を形成するステップと、を含む。

【0023】

一実施例では、前記第１電極は、面積が前記半導体層の面積以上であり、かつ前記半導体層への光の照射を遮断する。

【0024】

一実施例では、前記第１電極の材料は、非透光性材料を含む。

【0025】

一実施例では、ステップＳ１は、第１基板の一側に前記剥離層を形成するステップを含み、ステップＳ４を実行する前に、前記第１基板と前記剥離層とを分離するステップを含む。

【0026】

一実施例では、前記剥離層は、レーザーアブレーション法により前記第１基板から剥離される。

【0027】

一実施例では、前記剥離層の材料は、窒化ガリウムを含む。

【発明の効果】

【0028】

本発明の上記有機発光ダイオード表示パネル及び上記有機発光ダイオード表示パネルの製造方法において、複数の上記薄膜トランジスタに従来技術のレベリング層及び複数の上記有機発光ダイオード電極が設けられず、複数の上記薄膜トランジスタから離れる上記薄膜トランジスタ基板の上記一側に複数の上記有機発光ダイオードが設けられる。したがって、本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルは、複数の上記有機発光ダイオードを平坦な表面に設けることにより、複数の上記薄膜トランジスタの上記ゲートとして生成された表面の凹凸の影響を受けない。複数の上記有機発光ダイオードを平坦な表面に設けることにより、上記発光層は、空間を最大限に利用することができ、さらに上記有機発光ダイオード表示パネルの画素密度を向上させる。同時に、複数の上記薄膜トランジスタのそれぞれの上下両側に設けられた上記ゲート、上記ソース、上記ドレイン及び上記第１電極は、複数の上記薄膜トランジスタのそれぞれにおける上記半導体層への光の照射を遮断するように、遮光層の役割を果たすことができ、これにより、上記有機発光ダイオード表示パネルの製造工程を簡略化するとともに、複数の上記薄膜トランジスタの表示効率を増加させ、上記有機発光ダイオード表示パネルの発光効果を強化することにより、観賞者に高い観賞効果を与えることができる。

【図面の簡単な説明】

【0029】

【図1】本発明の有機発光ダイオード表示パネルの概略構成図である。

【図2】本発明の有機発光ダイオード表示パネルの製造方法のステップＳ１～Ｓ４のフローチャートである。

【図3】本発明の有機発光ダイオード表示パネルの製造方法のステップＳ３１～Ｓ３６のフローチャートである。

【図4】本発明の有機発光ダイオード表示パネルの製造方法のステップＳ３６１～Ｓ３６２／Ｓ３６２’のフローチャートである。

【図5】本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルの製造過程の概略構成図である。

【図6】本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルの製造過程の概略構成図である。

【図7】本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルの製造過程の概略構成図である。

【図8】本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルの製造過程の概略構成図である。

【図9】本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルの製造過程の概略構成図である。

【図10】本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルの製造過程の概略構成図である。

【図11】本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルの製造過程の概略構成図である。

【図12】本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルの製造過程の概略構成図である。

【図13】本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルの製造過程の概略構成図である。

【図14】本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルの製造過程の概略構成図である。

【図15】本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルの製造過程の概略構成図である。

【図16】本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルの製造過程の概略構成図である。

【図17】本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルの製造過程の概略構成図である。

【図18】本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルの製造過程の概略構成図である。

【図19】本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルの製造過程の概略構成図である。

【発明を実施するための形態】

【0030】

本発明の上記及び他の目的、特徴、利点をより明らかにするために、以下に本発明の好ましい実施例を挙げて、図面を参照しながら、以下のように詳細に説明する。

【0031】

本発明は、有機発光ダイオード表示パネルを提供する。図１は、本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルの概略構成図である。上記有機発光ダイオード表示パネルは、剥離層２００、薄膜トランジスタ基板３００、複数の薄膜トランジスタ４００及び複数の有機発光ダイオード８００を含む。

【0032】

上記剥離層は、半導体材料で製造され、有機半導体及び無機半導体を含む。一実施例では、本発明の上記剥離層２００の材料は、無機半導体の窒化ガリウム（ＧａＮ）を含み、窒化ガリウムで製造された上記剥離層２００は、レーザ照射された後、ガスを生成し、その表面に接続された素子を分離させることができる。本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルの製造方法における上記剥離層２００の応用は、後の実施例に説明される。

【0033】

図１に示すように、上記薄膜トランジスタ基板３００は、上記剥離層２００の一側に設けられ、複数の上記薄膜トランジスタ４００は、上記剥離層２００から離れる上記薄膜トランジスタ基板３００の一側に設けられる。上記薄膜トランジスタ基板３００は、上記剥離層２００及び複数の上記薄膜トランジスタ４００を遮断するため、上記剥離層２００が複数の上記薄膜トランジスタ４００に直接接触しないように確保することができ、複数の上記薄膜トランジスタ４００の動作に影響を与えることを回避する。

【0034】

複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれは、複数の上記有機発光ダイオード８００のそれぞれの駆動スイッチであり、半導体層４１０、ゲート絶縁層４２０、ゲート４３０、ソース４４０及びドレイン４５０を含む。一実施例では、上記ソース４４０及び上記ドレイン４５０は、上記薄膜トランジスタ基板３００から離れる上記ゲート４３０の一側に設けられる。ゲート４３０の入力電圧を制御することにより、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれは、上記ソース４４０及び上記ドレイン４５０の両端の電流のオンオフを制御することができる。

【0035】

本発明は、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれがトップゲート型薄膜トランジスタを用いることを例として説明する。上記トップゲート型薄膜トランジスタは、上記有機発光ダイオード表示パネルの製造工程を減少させ、さらに製造コストを低減する。なお、本発明の複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれは、上記トップゲート型薄膜トランジスタに限定されず、ボトムゲート型薄膜トランジスタ又は他の構造の薄膜トランジスタであってもよい。

【0036】

図１に示すように、上記ゲート４３０は、上記薄膜トランジスタ基板３００から離れる上記半導体層４１０の一側に設けられ、上記ソース及び上記ドレインは、上記半導体層４１０から離れる上記ゲート４３０の一側に設けられ、上記半導体層４１０は、上記薄膜トランジスタ基板３００と上記ゲート４３０との間に設けられ、上記ゲート絶縁層４２０は、上記半導体層４１０と上記ゲート４３０との間に設けられ、上記ソース４４０及び上記ドレイン４５０は、上記半導体層４１０に電気的に接続される。

【0037】

上記半導体層が広いエネルギーギャップを有する金属酸化物を含むため、本発明の上記半導体層４１０は、上記ソース４４０と上記ドレイン４５０との接続チャネルを構築することができる。一実施例では、本発明の上記半導体層４１０は、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ、ＩＧＺＯ）を含む。上記インジウムガリウム亜鉛酸化物の電子移動度は、従来の非晶質シリコン半導体の２０～３０倍であるため、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれの充放電速度及び応答速度を顕著に向上させる。上記インジウムガリウム亜鉛酸化物を複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれのチャネルとすることにより、上記有機発光ダイオード表示パネルのより速いリフレッシュレートを実現することができる。同時に、上記インジウムガリウム亜鉛酸化物の駆動能力が高いため、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれの駆動電力消費が低くなり、上記有機発光ダイオード表示パネルは、より省エネルギーで、省電力であり、上記有機発光ダイオード表示パネルの航続を大幅に増加させる。

【0038】

図１に示すように、上記有機発光ダイオード表示パネルは、層間誘電体層５００をさらに含む。上記層間誘電体層５００は、上記半導体層４１０、上記ゲート絶縁層４２０及び上記ゲート４３０を覆う。上記層間誘電体層５００は、高誘電率を有し、上記ゲート４３０と上記ソース４４０と上記ドレイン４５０を遮断する。

【0039】

図１に示すように、上記有機発光ダイオード表示パネルは、上記薄膜トランジスタ基板３００から離れる複数の上記薄膜トランジスタ４００の上記一側に順に設けられたパッシベーション層６００及び第１封止層７１０をさらに含む。上記パッシベーション層６００は、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれの上記ソース４４０及び上記ドレイン４５０を覆い、かつ上記層間誘電体層５００を覆う。上記パッシベーション層６００は、絶縁の効果を有するとともに、上記有機発光ダイオード表示パネルに屈曲時の靭性を与える。上記第１封止層７１０の設置により、上記有機発光ダイオード表示パネルの外側を封止することにより、上記有機発光ダイオード表示パネルを保護することができる。

【0040】

図１に示すように、複数の上記有機発光ダイオード８００は、複数の上記薄膜トランジスタ４００から離れる上記薄膜トランジスタ基板３００の一側に設けられる。複数の上記有機発光ダイオード８００のそれぞれは、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれに対応する。複数の上記有機発光ダイオード８００のそれぞれは、第１電極８１０、発光層８２０及び第２電極８４０を含む。

【0041】

一実施例では、上記第１電極８１０は、上記薄膜トランジスタ基板３００から離れる上記剥離層２００の一側に設けられる。上記第１電極８１０は、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれに対応する。上記第１電極８１０が上記剥離層２００の平坦な表面に設けられる場合、上記発光層８２０は、最適な空間利用効率を取得し、上記有機発光ダイオード表示パネルの画素密度を向上させることができる。

【0042】

一実施例では、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれの上記ソース４４０は、上記第１電極８１０に電気的に接続される。別の実施例では、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれの上記ドレイン４５０は、上記第１電極８１０に電気的に接続される。上記ソース４４０又は上記ドレイン４５０が複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれにおいて実行する動作が単に電流を入力又は出力させるための動作であり、本発明は、上記ソース４４０又は上記ドレイン４５０が上記第１電極８１０に電気的に接続されることを限定しない。

【0043】

図１に示すように、上記発光層８２０は、上記剥離層２００から離れる上記第１電極８１０の一側に設けられる。本発明は、インクジェット印刷プロセスにより上記第１電極８１０の表面に上記発光層８２０を設けることである。同時に、上記発光層８２０の間に画素スペーサ８３０を充填することにより、上記発光層８２０が上記有機発光ダイオード表示パネルの画素を形成する。

【0044】

上記第２電極８４０は、上記第１電極８１０から離れる上記発光層８２０の一側に設けられる。上記第２電極８４０は、上記発光層８２０及び上記画素スペーサ８３０を覆い、かつ共通電極として上記第１電極８１０と共に動作し、上記発光層８２０が発光するように駆動する。

【0045】

なお、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれの上記半導体層４１０は、光に敏感であり、光が上記半導体層４１０に照射される場合、電気的ドリフトが発生しやすく複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれの駆動効果に影響を与えることに注意すべきである。したがって、従来技術は、一般的に複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれの上記半導体層４１０の上下両側に遮光層を追加的に設ける必要がある。

【0046】

しかしながら、本発明において、上記ゲート４３０、上記ソース４４０、上記ドレイン４５０及び上記第１電極８１０は、さらに上記半導体層４１０に対して遮光作用を発揮し、上記半導体層４１０への光の照射を遮断することができる。同時に、上記ゲート４３０、上記ソース４４０及び上記ドレイン４５０が上記半導体層４１０の一側に設けられ、上記第１電極８１０が上記ゲート４３０、上記ソース４４０及び上記ドレイン４５０から離れる上記半導体層４１０の一側に設けられるため、上記ゲート４３０、上記ソース４４０、上記ドレイン４５０及び上記第１電極８１０は、従来技術における上記遮光層の遮光効果を達成することができるため、本発明は、上記有機発光ダイオード表示パネルの構造をさらに簡略化することができる。

【0047】

上記目的を達成するために、本発明の一実施例では、上記ゲート４３０、上記ソース４４０及び上記ドレイン４５０の上記半導体層４１０への総投影面積は、上記半導体層４１０の面積以上であり、上記第１電極８１０の面積は、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれの上記半導体層４１０の面積以上に設定される。また、上記第１電極８１０の材料は、非透光性導電材料、例えば、銀（Ａｇ）、酸化インジウムスズ／銀／酸化インジウムスズ（ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ）複合層、酸化インジウム亜鉛／銀／酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ／Ａｇ／ＩＺＯ）複合層、酸化インジウムスズ／銀パラジウム銅合金／酸化インジウムスズ（ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ）複合層、又は酸化インジウム亜鉛／銀パラジウム銅合金／酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ／ＡＰＣ／ＩＺＯ）複合層である。

【0048】

図１に示すように、本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルは、上記第２電極８４０の表面に設けられた第２封止層７２０をさらに含む。上記第２封止層７２０の設置により、上記有機発光ダイオード表示パネルの下側を封止することにより、上記有機発光ダイオード表示パネルを保護することがきる。

【0049】

本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルにおいて、複数の上記薄膜トランジスタ４００に従来技術のレベリング層及び複数の上記有機発光ダイオード８００が設けられないが、複数の上記薄膜トランジスタ４００から離れる上記薄膜トランジスタ基板３００の上記一側に複数の上記有機発光ダイオード８００が設けられる。したがって、本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルは、複数の上記有機発光ダイオード８００を平坦な表面に設けることにより、複数の上記薄膜トランジスタ４００の上記ゲート４３０として生成された表面の凹凸の影響を受けない。複数の上記有機発光ダイオード８００が平坦な表面に設けることができるため、上記発光層８２０は、空間を最大限に利用することができ、さらに上記有機発光ダイオード表示パネルの画素密度を向上させる。同時に、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれの上下両側に設けられた上記ゲート４３０、上記ソース４４０、上記ドレイン４５０及び上記第１電極８１０は、複数の上記薄膜トランジスタのそれぞれにおける上記半導体層４１０への光の照射を遮断するように、遮光層の役割を果たすことができ、これにより、上記有機発光ダイオード表示パネルの製造工程を簡略化するとともに、複数の上記薄膜トランジスタ４００の表示効率を増加させ、上記有機発光ダイオード表示パネルの発光効果を強化することにより、観賞者に高い観賞効果を与えることができる。

【0050】

本発明は、上述したような有機発光ダイオード表示パネルの製造方法をさらに提供する。図２は、本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルの製造方法のステップＳ１～Ｓ４のフローチャートである。本発明の、図１に示す上記有機発光ダイオード表示パネルを製造する製造方法は、主に以下のステップＳ１～Ｓ４を含む。

【0051】

ステップＳ１では、剥離層２００を形成する。

【0052】

ステップＳ２では、上記剥離層２００の一側に薄膜トランジスタ基板３００を形成する。

【0053】

ステップＳ３では、上記剥離層２００から離れる上記薄膜トランジスタ基板３００の一側に複数の薄膜トランジスタ４００を形成する。

【0054】

ステップＳ４では、上記薄膜トランジスタ基板３００から離れる上記剥離層２００の一側に複数の有機発光ダイオード８００を形成する。

【0055】

以下に図５～１９に示す上記有機発光ダイオード表示パネルの製造過程の概略構成図を参照して本発明の技術手段を説明する。

【0056】

図５を参照すると、図２のステップＳ１では、剥離層２００を形成する。上記剥離層は、半導体材料で製造され、有機半導体及び無機半導体を含む。一実施例では、本発明の上記剥離層２００の材料は、無機半導体の窒化ガリウム（ＧａＮ）を含む。

【0057】

一実施例では、ステップＳ１は、第１基板１１０の一側に上記剥離層２００を形成することを含む。図５に示すように、上記第１基板１１０は、表示パネル産業に使用されるガラス基板であってもよいため、本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルの製造方法が簡単で便利な初期工程を提供する。

【0058】

図６を参照すると、図２のステップＳ２では、上記第１基板１１０から離れる上記剥離層２００の一側に薄膜トランジスタ基板３００を形成する。図１に示すように、上記薄膜トランジスタ基板３００は、上記剥離層２００及び複数の上記薄膜トランジスタ４００を遮断するため、上記剥離層２００が後のステップＳ３で形成される複数の上記薄膜トランジスタ４００に直接接触しないように確保することができ、複数の上記薄膜トランジスタ４００の動作に影響を与えることを回避する。

【0059】

図２のステップＳ３では、上記剥離層２００から離れる上記薄膜トランジスタ基板３００の一側に、図１に示す複数の上記薄膜トランジスタ４００を形成する。

【0060】

図３は、本発明の有機発光ダイオード表示パネルの製造方法のステップＳ３１～Ｓ３６のフローチャートである。一実施例では、ステップＳ３は、図１に示す複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれを形成するために以下のステップＳ３１～Ｓ３６を含む。

【0061】

ステップＳ３１では、上記剥離層２００から離れる上記薄膜トランジスタ基板３００の上記一側に半導体層４１０を形成する。

【0062】

ステップＳ３２では、上記薄膜トランジスタ基板３００から離れる上記半導体層４１０の一側にゲート絶縁層４２０を形成する。

【0063】

ステップＳ３３では、上記ゲート絶縁層４２０の上記半導体層４１０から離れる一側にゲート４３０を形成する。

【0064】

ステップＳ３４では、上記剥離層２００から離れる上記薄膜トランジスタ基板３００の上記一側に層間誘電体層５００を形成する。

【0065】

ステップＳ３５では、上記層間誘電体層５００、上記薄膜トランジスタ基板３００及び上記剥離層２００に複数の貫通孔５１０を形成する。

【0066】

ステップＳ３６では、上記薄膜トランジスタ基板３００から離れる上記層間誘電体層５００の一側にソース４４０及びドレイン４５０を形成する。

【0067】

図７を参照すると、ステップＳ３１では、フォトリソグラフィプロセスにより、上記剥離層２００から離れる上記薄膜トランジスタ基板３００の上記一側に上記半導体層４１０を形成する。上記半導体層が広いエネルギーギャップを有する金属酸化物を含むため、本発明の上記半導体層４１０は、後のステップＳ３６で、図１に示す上記ソース４４０と上記ドレイン４５０との接続チャネルを構築することができる。一実施例では、本発明の上記半導体層４１０は、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ、ＩＧＺＯ）を含む。上記インジウムガリウム亜鉛酸化物の電子移動度は、従来の非晶質シリコン半導体の２０～３０倍であるため、図１に示す複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれの充放電速度及び応答速度を顕著に向上させる。上記インジウムガリウム亜鉛酸化物を複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれのチャネルとして、上記有機発光ダイオード表示パネルのより速いリフレッシュレートを実現することができる。同時に、上記インジウムガリウム亜鉛酸化物の駆動能力が高いため、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれの駆動電力消費が低くなり、上記有機発光ダイオード表示パネルは、より省エネルギーで、省電力であり、上記有機発光ダイオード表示パネルの航続を大幅に増加させる。

【0068】

図８を参照すると、ステップＳ３２では、上記フォトリソグラフィプロセスにより、上記薄膜トランジスタ基板３００から離れる上記半導体層４１０の上記一側に上記ゲート絶縁層４２０を形成する。図１に示すように、上記ゲート絶縁層４２０は、上記半導体層４１０と後のステップＳ３３で形成される上記ゲート４３０との接触を遮断する。一実施例では、上記ゲート絶縁層４２０は、上記半導体層４１０に設けられ、かつ上記ゲート絶縁層４２０の縁部は、上記半導体層４１０の縁部より後退する。すなわち、上記ゲート絶縁層４２０の下表面積は、上記半導体層４１０の上表面積より小さい。これは、上記半導体層４１０の左右両側の位置を保留して、後のステップＳ３６で形成される上記ソース４４０及び上記ドレイン４５０の接続を容易にするためである。

【0069】

図９を参照すると、ステップＳ３３では、上記フォトリソグラフィプロセスにより、上記半導体層４１０から離れる上記ゲート絶縁層４２０の上記一側に上記ゲート４３０を形成する。一実施例では、上記ゲート４３０は、上記ゲート絶縁層４２０に設けられ、かつ上記ゲート４３０の縁部は、上記ゲート絶縁層４２０の縁部より後退する。即ち、上記ゲート４３０の下表面積は、上記ゲート絶縁層４２０の上表面積より小さい。これは、上記ゲート４３０が上記ゲート絶縁層４２０の縁部を超えないようにし、かつ上記半導体層４１０の左右両側の位置を保留することにより、後のステップＳ３６で形成される図１に示す上記ソース４４０及び上記ドレイン４５０の接続を容易にするためである。

【0070】

図１０を参照すると、ステップＳ３４では、コーティングプロセスにより、上記剥離層２００から離れる上記薄膜トランジスタ基板３００の上記一側に上記層間誘電体層５００を形成する。上記層間誘電体層５００は、上記薄膜トランジスタ基板３００に塗布された後、上記半導体層４１０、上記ゲート絶縁層４２０及び上記ゲート４３０を覆う。上記層間誘電体層５００は、高誘電率を有し、上記ゲート４３０と後のステップＳ３６で形成される図１に示す上記ソース４４０及び上記ドレイン４５０を遮断する。

【0071】

図１１を参照すると、ステップＳ３５では、ハーフトーンマスク（ｈａｌｆｔｏｎｅ ｍａｓｋ）により上記層間誘電体層５００、上記薄膜トランジスタ基板３００及び上記剥離層２００に対して異なる深さのエッチングを行って、上記層間誘電体層５００、上記薄膜トランジスタ基板３００及び上記剥離層２００に複数の貫通孔５１０を形成する。上記半導体層４１０、上記ゲート絶縁層４２０及び上記ゲート４３０が上記層間誘電体層５００により覆われるため、後のステップＳ３６で形成される図１に示す上記ソース４４０及び上記ドレイン４５０は、上記半導体層４１０に電気的に接続することができない。したがって、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれを形成する場合、エッチングにより、電気的に接続されたチャネルを形成する必要がある。複数の上記貫通孔５１０は、ソース用貫通孔５１１及びドレイン用貫通孔５１２を含む。上記ソース用貫通孔５１１及び上記ドレイン用貫通孔５１２は、上記層間誘電体層５００を貫通し、かつ上記半導体層４１０を露出させる。一実施例では、複数の上記貫通孔５１０は、第１電極用貫通孔５１３をさらに含む。上記第１電極用貫通孔５１３は、上記層間誘電体層５００、上記薄膜トランジスタ基板３００及び上記剥離層２００を貫通し、かつ上記第１基板１１０を露出させる。

【0072】

図１２を参照すると、ステップＳ３６では、上記フォトリソグラフィプロセスにより、上記薄膜トランジスタ基板３００から離れる上記層間誘電体層５００の上記一側に上記ソース４４０及び上記ドレイン４５０を形成する。本発明のステップＳ３で形成された複数の上記薄膜トランジスタ４００は、トップゲート型薄膜トランジスタである。

【0073】

図１２に示すように、本発明において、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれは、複数の上記有機発光ダイオード８００のそれぞれの駆動スイッチであり、ゲート４３０、ソース４４０及びドレイン４５０を含む。ゲート４３０の入力電圧を制御することにより、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれは、上記ソース４４０及び上記ドレイン４５０の両端の電流のオンオフを制御することができる。

【0074】

本発明は、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれがトップゲート型薄膜トランジスタを用いることを例として説明する。上記トップゲート型薄膜トランジスタは、上記有機発光ダイオード表示パネルの製造工程を減少させ、さらに製造コストを低減する。しかしながら、本発明の複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれは、上記トップゲート型薄膜トランジスタに限定されず、さらにボトムゲート型薄膜トランジスタ又は他の構造の薄膜トランジスタであってもよい。

【0075】

図４は、本発明の有機発光ダイオード表示パネルの製造方法のステップＳ３６１～Ｓ３６２／Ｓ３６２’のフローチャートである。一実施例では、ステップＳ３６は、図１に示す上記ソース４４０及び上記ドレイン４５０を形成するために以下のステップＳ３６１～Ｓ３６２／Ｓ３６２’を含む。

【0076】

ステップＳ３６１では、複数の上記貫通孔５１０に導電材料を充填する。

【0077】

ステップＳ３６２では、上記ソース４４０と上記第１電極用貫通孔５１３内の上記導電材料とを電気的に接続する。

【0078】

または、ステップＳ３６２’では、上記ドレイン４５０と上記第１電極用貫通孔５１３内の上記導電材料とを電気的に接続する。

【0079】

図１２に示すように、ステップＳ３６１では、複数の上記貫通孔５１０を形成した後、複数の上記貫通孔５１０に上記導電材料を充填する。上記ソース４４０及び上記ドレイン４５０が複数の上記貫通孔５１０に形成される場合、複数の上記貫通孔５１０内の上記導電材料に電気的に接続される。したがって、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれにおいて、上記ソース４４０は、上記ソース用貫通孔５１１内の上記導電材料により上記半導体層４１０に電気的に接続され、かつ上記ドレイン４５０は、上記ドレイン用貫通孔５１２内の上記導電材料により上記半導体層４１０に電気的に接続される。

【0080】

複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれを形成する製造工程において、上記第１電極用貫通孔５１３を設ける目的は、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれの上記ソース４４０又は上記ドレイン４５０を後のステップＳ４で形成される図１に示す上記第１電極８１０に電気的に接続することである。したがって、図１２に示すように、本発明の一実施例では、ステップＳ３６２を用い、すなわち、上記ソース４４０を上記第１電極用貫通孔５１３における上記導電材料に電気的に接続することを意味する。別の実施例では、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれを形成するプロセスにおいて、ステップＳ３６２’を用いてもよく、すなわち、上記ドレイン４５０を上記第１電極用貫通孔５１３における上記導電材料に電気的に接続することを意味する。上記ソース４４０又は上記ドレイン４５０が複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれにおいて実行する動作が単に電流を入力又は出力させるための動作であり、本発明は、上記ソース４４０又は上記ドレイン４５０が上記第１電極用貫通孔５１３により図１に示す上記第１電極８１０に電気的に接続されることを限定しない。

【0081】

図１３を参照すると、図２のステップＳ３が完了した後、上記薄膜トランジスタ基板３００から離れる複数の上記薄膜トランジスタ４００の一側にパッシベーション層６００及び第１封止層７１０を順に形成する。上記パッシベーション層６００は、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれの上記ソース４４０及び上記ドレイン４５０を覆い、かつ上記層間誘電体層５００を覆う。上記パッシベーション層６００は、絶縁の効果を有するとともに、上記有機発光ダイオード表示パネルに屈曲時の靭性を与える。また、上記第１封止層７１０により、ステップＳ１～Ｓ３で形成された上記有機発光ダイオード表示パネルの半製品を上記第２基板１２０と貼り合わせることにより、後の製造工程の進行に役立つ。

【0082】

図２のステップＳ４を実行する前に、本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルの製造方法は、上記第１基板１１０と上記剥離層２００とを分離することをさらに含む。本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルの製造方法がステップＳ４に進む前に、前のステップで形成された上記有機発光ダイオード表示パネルの半製品における上記第１基板１１０を除去する。

【0083】

図１４は、上下反転した上記有機発光ダイオード表示パネルの半製品を示す。上記第１基板１１０を除去するために、本発明は、製造工程において上記有機発光ダイオード表示パネルの半製品を反転し、かつレーザーアブレーション法を用いて、上記第１基板１１０を上記剥離層２００から剥離する。高出力のナノ秒－フェムト秒レベルのパルスレーザを上記剥離層２００と上記第１基板１１０との間の境界面に合焦することにより、窒化ガリウムで製造された上記剥離層２００がレーザで照射された後、ガスを生成し、上記境界面の間の結合を消失させる。上記第１基板１１０と上記剥離層２００との間に結合力が存在しない場合、後の製造工程を容易にするために、上記第１基板１１０を上記有機発光ダイオード表示パネルの半製品から除去する。

【0084】

図１５は、上下反転した上記有機発光ダイオード表示パネルの半製品を示す。図２のステップＳ４では、上記フォトリソグラフィプロセスにより、上記薄膜トランジスタ基板３００から離れる上記剥離層２００の上記一側に複数の上記有機発光ダイオード８００を形成する。複数の上記有機発光ダイオード８００のそれぞれは、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれに対応する。複数の上記有機発光ダイオード８００のそれぞれは、第１電極８１０、発光層８２０及び第２電極８４０を含む。複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれの上記ソース４４０又は上記ドレイン４５０は、上記第１電極８１０に電気的に接続される。後の製造工程がいずれも上記薄膜トランジスタ基板３００から離れる上記剥離層２００の上記一側に行われるため、上記第１電極８１０が上記剥離層２００の平坦な表面に形成される場合、図１に示す上記発光層８２０は、最適な空間利用効率を得て、上記有機発光ダイオード表示パネルの画素密度を向上させることができる。

【0085】

なお、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれの上記半導体層４１０は、光に敏感であり、光が上記半導体層４１０に照射される場合、電気的ドリフトが発生しやすく複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれの駆動効果に影響を与えることに注意すべきである。したがって、従来技術は、一般的に複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれの上記半導体層４１０の上下両側に遮光層を追加的に設ける必要がある。

【0086】

しかしながら、本発明において、上記ゲート４３０、上記ソース４４０、上記ドレイン４５０及び上記第１電極８１０は、さらに上記半導体層４１０に対して遮光作用を発揮し、上記半導体層４１０への光の照射を遮断することができる。同時に、上記ゲート４３０、上記ソース４４０及び上記ドレイン４５０が上記半導体層４１０の一側に形成され、上記第１電極８１０が上記ゲート４３０、上記ソース４４０及び上記ドレイン４５０から離れる上記半導体層４１０の一側に設けられるため、上記ゲート４３０、上記ソース４４０、上記ドレイン４５０及び上記第１電極８１０は、従来技術における上記遮光層の遮光効果を達成することができるため、本発明は、上記有機発光ダイオード表示パネルの上記製造工程をさらに簡略化することができる。

【0087】

上記目的を達成するために、本発明の一実施例では、上記ゲート４３０、上記ソース４４０及び上記ドレイン４５０の上記半導体層４１０への総投影面積は、上記半導体層４１０の面積以上であり、上記第１電極８１０の面積は、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれの上記半導体層４１０の面積以上に設定される。また、上記第１電極８１０の材料は、非透光性導電材料、例えば、銀（Ａｇ）、酸化インジウムスズ／銀／酸化インジウムスズ（ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ）複合層、酸化インジウム亜鉛／銀／酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ／Ａｇ／ＩＺＯ）複合層、酸化インジウムスズ／銀パラジウム銅合金／酸化インジウムスズ（ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ）複合層、又は酸化インジウム亜鉛／銀パラジウム銅合金／酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ／ＡＰＣ／ＩＺＯ）複合層である。

【0088】

図１６は、上下反転した上記有機発光ダイオード表示パネルの半製品を示す。図２のステップＳ４では、本発明は、インクジェット印刷プロセスにより、上記剥離層２００から離れる上記第１電極８１０の上記一側に上記発光層８２０を形成する。同時に、上記発光層８２０の間に画素スペーサ８３０を充填することにより、上記発光層８２０が上記有機発光ダイオード表示パネルの画素を形成する。

【0089】

図１７は、上下反転した上記有機発光ダイオード表示パネルの半製品を示す。本発明は、上記第１電極８１０から離れる上記発光層８２０の上記一側に上記第２電極８４０を形成する。上記第２電極８４０は、上記発光層８２０及び上記画素スペーサ８３０を覆い、かつ共通電極として上記第１電極８１０と共に動作し、上記発光層８２０が発光するように駆動する。

【0090】

図１８を参照すると、図２のステップＳ４が完了した後、本発明は、上記発光層８２０から離れる上記第２電極８４０の一側に第２封止層７２０を形成する。上記第２封止層７２０により、ステップＳ１～Ｓ４で形成された上記有機発光ダイオード表示パネルの半製品を封止することにより、上記有機発光ダイオード表示パネルを保護する。

【0091】

最後に、図１９を参照すると、本発明において、上記レーザーアブレーション法により、上記第２基板１２０を上記第１封止層７１０から剥離する。上記第２基板１２０を除去するために、本発明は、製造工程において上記有機発光ダイオード表示パネルの半製品を再度反転し、かつ高出力のナノ秒－フェムト秒レベルのパルスレーザを上記第１封止層７１０と上記第２基板１２０との間の境界面に合焦することにより、窒化ガリウムで製造された上記剥離層２００がレーザで照射された後、ガスを生成し、上記境界面の間の結合を消失させる。上記第２基板１２０と上記第１封止層７１０との間に結合力が存在しない場合、上記第２基板１２０は、上記有機発光ダイオード表示パネルの半製品から除去される。ここまでのステップでは、本発明の有機発光ダイオード表示パネルが剛性の上記第１基板又は上記第２基板を有さないため、柔軟性、可撓性を有する上記有機発光ダイオード表示パネルを実現することができる。

【0092】

本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルの製造方法において、複数の上記薄膜トランジスタ４００の製造工程が完了した後、複数の上記薄膜トランジスタ４００に従来技術のレベリング層及び複数の上記有機発光ダイオード８００を形成し続けるのではなく、複数の上記薄膜トランジスタ４００から離れる上記薄膜トランジスタ基板３００の上記一側に複数の上記有機発光ダイオード８００を形成する。したがって、本発明の上記有機発光ダイオード表示パネルは、複数の上記有機発光ダイオード８００を平坦な表面に形成して、複数の上記薄膜トランジスタ４００の上記ゲート４３０として生成された表面の凹凸の影響を受けない。複数の上記有機発光ダイオード８００が平坦な表面に形成することができるため、上記発光層８２０は、空間を最大限に利用することができ、さらに上記有機発光ダイオード表示パネルの画素密度を向上させる。同時に、複数の上記薄膜トランジスタ４００のそれぞれの上記半導体層４１０の上下両側に設けられた上記ゲート４３０、上記ソース４４０、上記ドレイン４５０及び上記第１電極８１０は、複数の上記薄膜トランジスタのそれぞれにおける上記半導体層４１０への光の照射を遮断するように、遮光層の役割を果たすことができ、これにより、上記有機発光ダイオード表示パネルの製造工程を簡略化するとともに、複数の上記薄膜トランジスタ４００の表示効率を増加させ、上記有機発光ダイオード表示パネルの発光効果を強化することにより、観賞者に高い観賞効果を与えることができる。

【0093】

以上の説明は、本発明の好ましい実施形態に過ぎず、説明すべきこととして、当業者にとって、本発明の原理から逸脱することなく、さらに複数の改善及び修正を行うことができ、これらの改善及び修正も本発明の保護範囲と見なされるべきである。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【国際調査報告】