知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
▶ マテリオン・アドバンスト・マテリアルズ・ジャーマニー・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングの特許一覧
特表2024-500561磁気特性が向上したＣｏＺｒＴａ（Ｘ）スパッタリングターゲット
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-01-09
(54)【発明の名称】磁気特性が向上したＣｏＺｒＴａ（Ｘ）スパッタリングターゲット
(51)【国際特許分類】
C23C 14/34 20060101AFI20231226BHJP
C22C 19/07 20060101ALI20231226BHJP
C22F 1/10 20060101ALI20231226BHJP
C22F 1/00 20060101ALN20231226BHJP
【ＦＩ】
C23C14/34 A
C22C19/07 C
C22F1/10 B
C23C14/34 P
C22F1/00 660Z
C22F1/00 683
C22F1/00 684
C22F1/00 691B
C22F1/00 691C
C22F1/00 692A
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023557489
(86)(22)【出願日】2021-12-02
(85)【翻訳文提出日】2023-08-03
(86)【国際出願番号】 EP2021083887
(87)【国際公開番号】W WO2022122525
(87)【国際公開日】2022-06-16
(31)【優先権主張番号】20212374.1
(32)【優先日】2020-12-08
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(31)【優先権主張番号】21169384.1
(32)【優先日】2021-04-20
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】523211235
【氏名又は名称】マテリオン・アドバンスト・マテリアルズ・ジャーマニー・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
【氏名又は名称原語表記】Ｍａｔｅｒｉｏｎ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｇｅｒｍａｎｙ ＧｍｂＨ
(74)【代理人】
【識別番号】100145403
【弁理士】
【氏名又は名称】山尾 憲人
(74)【代理人】
【識別番号】100104592
【弁理士】
【氏名又は名称】森住 憲一
(72)【発明者】
【氏名】コニエツカ，ウーヴェ
(72)【発明者】
【氏名】シュロット，マルティン
【テーマコード（参考）】
4K029
【Ｆターム（参考）】
4K029CA05
4K029DC04
4K029DC08
4K029DC39
(57)【要約】
本発明は、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｔａ、および場合により、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、およびＢの群からの１つまたは複数のさらなる元素Ｘからなる合金からなるスパッタリングターゲットであって、最大透磁率μｍａｘが６０以下であることを特徴とする、および／または最大漏れ磁束密度（ＰＴＦ）変動（ＦＭａｘ－ＦＭｉｎ）／ＦＡｖｅｒａｇｅが０．２以下、好ましくは０．１５以下、最も好ましくは０．１０以下であることを特徴とする、スパッタリングターゲットに関する。
【選択図】図２
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
Ｃｏ、Ｚｒ、Ｔａ、および場合によりＭｏ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＢの群からの１つまたは複数のさらなる元素Ｘからなる合金からなるスパッタリングターゲットであって、ターゲットの最大透磁率（a maximum magnetic permeability）μｍａｘが６０以下であることを特徴とする、および／またはターゲットの最大漏れ磁束密度（a maximum pass through flux）（ＰＴＦ）変動（ＦＭａｘ－ＦＭｉｎ）／ＦＡｖｅｒａｇｅが０．２以下、好ましくは０．１５以下、最も好ましくは０．１０以下であることを特徴とする、スパッタリングターゲット。
【請求項2】
Ｔａが２～８ａｔ．％の量で合金中に存在する、請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項3】
Ｚｒが２～８ａｔ．％の量で存在する、請求項１または２に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項4】
Ｍｏ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＢの群からの１つまたは複数のさらなる元素Ｘが、総量で最大７ａｔ．％で合金中に存在する、請求項１～３のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【請求項5】
前記ターゲットは５０、好ましくは４０以下の最大透磁率μｍａｘを有する、請求項１～４のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【請求項6】
厚さ８ｍｍの試験片の中心においてＡＳＴＭ Ｆ２０８６-０１に従って測定した、ターゲットの漏れ磁束密度（magnetic pass through flux）（ＰＴＦ）は２０％以上である、請求項１～５のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【請求項7】
Ｃｏ、Ｚｒ、Ｔａ、および場合によりＭｏ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＢの群からの１つまたは複数のさらなる元素Ｘからなる合金からなるスパッタリングターゲットを製造する方法であって、前記方法は合金を７００～１０００℃、好ましくは８００～９００℃の範囲の温度に加熱することを含むことを特徴とする、方法。
【請求項8】
前記合金を１０～６０時間、好ましくは１２～４８時間加熱する、請求項７に記載の方法。
【請求項9】
請求項１～６のいずれかに記載のスパッタリングターゲット、または請求項７もしくは８に従って製造されたスパッタリングターゲットを使用する、マグネトロンスパッタリングプロセス。
【請求項10】
請求項１～６のいずれかに記載のスパッタリングターゲット、または請求項７もしくは８に従って製造されたスパッタリングターゲットの、マグネトロンスパッタリングのための使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、マグネトロンカソードを用いたスパッタリング用のターゲットに関するものであり、前記ターゲットは、Ｚｒ、Ｔａ、および場合によりＰｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＢの元素のうちの少なくとも１つを含む添加剤を含むＣｏ合金をベースとする。
【背景技術】
【0002】
マグネトロンカソードスパッタリングのプロセスでは、スパッタリングプロセスを最適化するためにターゲット（カソード）の後ろに永久磁石が設置される。これらの磁石は、ターゲットの前方、つまり放電空間内に磁場が形成されるように配置される。この磁場は、放電プラズマを局在化する効果がある。プラズマが局在しているターゲット表面の領域は、より活発なスパッタリングを受け、その結果、そこに浸食溝（またはレーストラック）が形成される。
【0003】
ＣｏＺｒＴａ（Ｘ）合金などの強磁性ターゲットの場合、この状況で発生する主な問題が２つある。
【0004】
第一に、永久磁石の磁束がターゲット内に集中するため、放電空間には少量の磁束しか侵入できない。したがって、この問題には、非常に薄い強磁性ターゲット、または非常に強力な磁石セットの使用が必要である。
【0005】
第二に、強磁性ターゲットを使用してカソードスパッタリングを実行するときに生じるターゲット（浸食溝）の断面における局所的な減少は、浸食溝の真上の磁束を増加させる効果がある。その結果、スパッタリングガスのイオン化が局所的に増加し、スパッタリング速度も局所的に増加する。したがって、スパッタリングが進行するにつれて浸食溝はますます狭くなり、これはターゲット材料の利用率が非常に低くなることに関連している。
【0006】
さらに、ターゲット材料の利用ができるだけ均質になり、堆積膜の厚さができるだけ均一になるように、ターゲットの異なる点で測定される漏れ磁束密度（magnetic pass through flux)の変動はできる限り低くすべきである。
【0007】
複雑なターゲット設計により、改善された磁場形状とより高い磁場侵入を実現できる。磁場の方向に対して垂直なスロットをターゲットに設けることにより、ターゲット内の磁気抵抗が増加し、放電空間により大きな磁場が生まれる（K. Nakamura et al： IEEE Transactions on Magnetics, Vol. MAG－18, pp. 1,080－1,082, 1982）。
【0008】
Kukla et al.（IEEE Transactions on Magnetics, Vol. MAG－23, pp. 137－139, 1987）は、より強力な磁場を得るために、上下２つの平面に配置されたいくつかの個々のターゲットからなる強磁性材料用のカソードについて記載している。しかし、これらの設計はより高価であり、マグネトロンカソードスパッタリングの操作がより困難になる。
【0009】
欧州特許出願公開第５３５３１４号明細書は、１０～５５重量％の白金；１～１５重量％の、ニッケルおよびタンタルからなる群から選択される第１の添加元素；１．５重量％以下の、ホウ素、チタン、ランタン、セリウム、ネオジム、ベリリウム、カルシウム、ジルコニウムおよびケイ素からなる群から選択される第２の添加元素；２０重量％以下のクロム；および残部がコバルトから本質的になる白金－コバルト合金のスパッタリングターゲットに関する。ターゲットの透磁率は３０以下である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0010】
【特許文献1】欧州特許出願公開第５３５３１４号明細書
【非特許文献】
【0011】
【非特許文献1】K. Nakamura et al., IEEE Transactions on Magnetics, Vol. MAG－18, pp. 1,080－1,082, 1982
【非特許文献2】Kukla et al., IEEE Transactions on Magnetics, Vol. MAG－23, pp. 137－139, 1987
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0012】
本発明の目的は、マグネトロンカソードスパッタリングに使用した場合に磁気特性が改善した、すなわち、マグネトロンカソードと併用した場合にターゲット材料を通る磁場侵入を向上させることができる、および／または磁気均一性が向上した、すなわち、ターゲットの異なる点での漏れ磁束密度の変動が減少した、ＣｏＺｒＴａ（Ｘ）合金をベースとするターゲット材料を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0013】
本発明は、合金の透磁率を低下させ、また磁束の変動も低下させるために、ＣｏＺｒＴａ（Ｘ）合金を高温で熱処理するとこのようなスパッタリングターゲットを提供できるという発見に基づいている。
【発明を実施するための形態】
【0014】
したがって、本発明は、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｔａ、および場合によりＭｏ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、およびＢの群からの１つまたは複数のさらなる元素Ｘからなる合金からなるスパッタリングターゲットに関し、ここで、ターゲットの最大透磁率μｍａｘは６０以下、および／またはターゲットの最大漏れ磁束密度（ＰＴＦ）変動（ＦＭａｘ－ＦＭｉｎ）／ＦＡｖｅｒａｇｅは０．２以下、好ましくは０．１５以下、最も好ましくは０．１０以下であり、ここで
ＦＭａｘは、ターゲット上の測定点で測定された最大磁束密度であり、
ＦＭｉｎは、ターゲット上の測定点で測定された最小磁束密度であり
ＦＡｖｅｒａｇｅは平均磁束密度、すなわちすべての測定点で測定された磁束密度の合計を測定点の数で割ったものであり、
測定は、以下に説明するように、ターゲットの等間隔に配置された７つの異なる測定点で実行される。
ＦＭａｘは、ターゲット上の測定点で測定された最大磁束密度であり、
ＦＭｉｎは、ターゲット上の測定点で測定された最小磁束密度であり
ＦＡｖｅｒａｇｅは平均磁束密度、すなわちすべての測定点で測定された磁束密度の合計を測定点の数で割ったものであり、
測定は、以下に説明するように、ターゲットの等間隔に配置された７つの異なる測定点で実行される。
【0015】
本発明のスパッタリングターゲットは、透磁率が低いため、ターゲットを通る磁束の増加が可能となり、また、ターゲットの異なる点における磁束の変動が少ないため、マグネトロンスパッタリングにおける上述の主な問題を回避できるか少なくとも軽減でき、本発明の目的を達成できる。
【0016】
本発明のターゲットは、ユーザーにおけるより長いターゲット寿命、より良好な膜均一性、およびターゲット寿命にわたってより一定したスパッタリング速度を提供する、厚みを増加して製造できる。
【0017】
好ましくは、元素Ｘの総量（ａｔ．％）は、ＴａまたはＺｒの２つの添加物（ａｔ．％）のうち大きい方よりも小さく、
Ｚｒは、好ましくは２～８ａｔ．％、より好ましくは３～７ａｔ．％の量で合金中に存在する。
Ｚｒは、好ましくは２～８ａｔ．％、より好ましくは３～７ａｔ．％の量で合金中に存在する。
【0018】
Ｔａは、好ましくは２～８ａｔ．％、より好ましくは３～７ａｔ．％の量で合金中に存在する。
【0019】
合金中に、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、およびＢの群からの１つまたは複数のさらなる任意の元素Ｘが存在する場合、元素Ｘの合計量は、好ましくは７ａｔ．％まで、より好ましくは３ａｔ．％までである。
【0020】
好ましくは、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、およびＢの群からのさらなる元素Ｘが合金中に存在する場合、それはこれらの元素のうちの１つだけである。
【0021】
好ましくは、本発明のスパッタリングターゲットにおいて、Ｃｏは、ＣｏＺｒＴａ（Ｘ）合金中に少なくとも７５ａｔ．％、より好ましくは少なくとも９０ａｔ．％の量で存在する。
【0022】
前記ＣｏＺｒＴａ（Ｘ）合金は、Ｚｒ、Ｔａ、場合によりＭｏ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、およびＢの群からの１つまたは複数のさらなる元素Ｘ、およびＣｏからなり、すなわち、Ｃｏが合金中で原子の残りを構成する。
【0023】
本発明のスパッタリングターゲットは、最大透磁率μｍａｘが好ましくは５０、より好ましくは４０以下である。
【0024】
最大透磁率μｍａｘは、通常１０または２０以上である。
【0025】
さらに好ましくは、本発明のスパッタリングターゲットは、Ｊｓ＝Ｊ（Ｈ＝６０ｋＡ／ｍ）として測定される飽和磁化Ｊｓが０．８Ｔ以下である。
【0026】
飽和磁化Ｊｓは通常０．５Ｔ以上である。
【0027】
好ましくは、厚さ８ｍｍの試験片の中心におけるＡＳＴＭ Ｆ２０８６-０１に従って測定されるターゲットの漏れ磁束密度（ＰＴＦ）（the magnetic pass through flux）は２０％以上、より好ましくは２５％以上である。
【0028】
本発明はさらに、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｔａ、および場合により、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、およびＢの群からの１つのさらなる元素Ｘからなる合金からなるスパッタリングターゲット材料を製造する方法に関し、ここで、この方法は、合金を少なくとも７００℃、より好ましくは少なくとも７５０℃、さらに好ましくは少なくとも８００℃の温度に加熱することを含む。
【0029】
加熱は、好ましくは最大１０００℃、より好ましくは最大９００℃の温度で行う。
【0030】
通常、加熱は所望の温度に予熱したオーブンに合金を導入することによって行われる。
【0031】
合金を上記の温度に加熱する時間は、好ましくは１０～６０時間、より好ましくは１２～４８時間である。
【0032】
さらに、本発明は、本明細書に記載される実施形態のいずれか１つのスパッタリングターゲットが使用されるマグネトロンスパッタリングプロセス、および本明細書に記載される実施形態のいずれか１つのスパッタリングターゲットの、マグネトロンスパッタリングのための使用に関する。
【0033】
本発明は、図を参照して以下の実施例に基づいてさらに説明される。
【図面の簡単な説明】
【0034】
【0035】
定義／測定方法
ａ）磁気特性の測定
漏れ磁束密度（ＰＴＦ）は、ＡＳＴＭ Ｆ２０８６-０１の方法２に従って、サイズ６５３×１３３ｍｍ、厚さ８ｍｍの試験片の中心で測定した。
ａ）磁気特性の測定
漏れ磁束密度（ＰＴＦ）は、ＡＳＴＭ Ｆ２０８６-０１の方法２に従って、サイズ６５３×１３３ｍｍ、厚さ８ｍｍの試験片の中心で測定した。
【0036】
本発明のターゲット上の漏れ磁束密度の変動を決定するために、６５０×１３０ｍｍ、厚さ４ｍｍ±０．１である厚さ４ｍｍの仕上げ機械加工ターゲットプレートをＰＴＦ測定台に配置することにより、ＡＳＴＭ Ｆ２０８６-０１の方法２に従ってＰＴＦを測定した。測定は、ターゲットの長さに沿って等間隔に配置された７つの異なる位置で行われた。したがって、測定点は全てターゲットの横幅（１３０ｍｍ）に沿った中央位置（６５ｍｍ）、ターゲットの長さ（６５０ｍｍ）に沿って左端（０ｍｍ）から見て以下の位置となる。
ポイント１：５０ｍｍ
ポイント２：１４２ｍｍ
ポイント３：２３４ｍｍ
ポイント４：３２５ｍｍ
ポイント５：４１５ｍｍ
ポイント６：５０８ｍｍ
ポイント７：６００ｍｍ
ポイント１：５０ｍｍ
ポイント２：１４２ｍｍ
ポイント３：２３４ｍｍ
ポイント４：３２５ｍｍ
ポイント５：４１５ｍｍ
ポイント６：５０８ｍｍ
ポイント７：６００ｍｍ
【0037】
ＤＩＮ ＥＮ ６０４０４－４に従って、Ｍａｇｎｅｔ－ＰｈｙｓｉｋのＲｅｍａｇｒａｐｈ Ｃを使用して、圧延したままの材料と熱処理した材料とを比較するために磁化曲線を測定した。
【実施例】
【0038】
例１：
９１．５ａｔ．％のＣｏ、４ａｔ．％のＺｒ、および４．５ａｔ％のＴａを含むＣｏＺｒＴａ合金を、従来の真空誘導溶解および鋳造によって製造し、続いて１２００℃で熱間圧延して、寸法６５３×１３３×８ｍｍのプレートを得た。
９１．５ａｔ．％のＣｏ、４ａｔ．％のＺｒ、および４．５ａｔ％のＴａを含むＣｏＺｒＴａ合金を、従来の真空誘導溶解および鋳造によって製造し、続いて１２００℃で熱間圧延して、寸法６５３×１３３×８ｍｍのプレートを得た。
【0039】
次にプレートを８６０℃で２６時間熱処理し、その後空冷したところ、漏れ磁束密度（ＰＴＦ）が大幅に増加した：熱処理前のＰＴＦは１０．７％であったが、熱処理後のＰＴＦは３０．２％であった。
【0040】
図１からわかるように、未処理の材料は、９６０ｍＴの飽和磁化とともに、～３ｋＡ／ｍの磁場で～１００の最大透磁率を示す。結果として、標準的なカソードでは最大４ｍｍの厚さのターゲットのみが点火できる（can be ignited）。
【0041】
対照的に、図２からわかるように、本発明による熱処理合金は、７２１ｍＴの低い飽和磁化とともに、１５ｋＡ／ｍのかなり高い磁場で３倍低い～３０の最大透磁率を示した。同じカソード上で６ｍｍのターゲットを点火することに問題はなかった。
【0042】
例２：
それぞれ９１．５ａｔ．％のＣｏ、４ａｔ．％のＺｒ、および４．５ａｔ．％のＴａの組成の４つのＣｏＺｒＴａ合金サンプルを従来の真空誘導溶解および鋳造によって製造し、続いて１２００℃で熱間圧延して寸法６５３×１３３×８ｍｍの４つのプレートを得た。
それぞれ９１．５ａｔ．％のＣｏ、４ａｔ．％のＺｒ、および４．５ａｔ．％のＴａの組成の４つのＣｏＺｒＴａ合金サンプルを従来の真空誘導溶解および鋳造によって製造し、続いて１２００℃で熱間圧延して寸法６５３×１３３×８ｍｍの４つのプレートを得た。
【0043】
次に、プレートを８６０℃で２６時間熱処理し、その後空冷した。
【0044】
熱処理後のプレートのＰＴＦは３０．２％であった。
【0045】
プレートの磁化曲線を測定すると、１５ｋＡ／ｍの磁場で最大透磁率が～３０、飽和磁化が７２１ｍＴであることがわかった。
【0046】
寸法６５０×１３０×４ｍｍのターゲットＡ、Ｂ、ＣおよびＤを４枚のＣｏＺｒＴａ合金プレートから機械加工した。
【0047】
ターゲットのさまざまな位置でのＰＴＦ測定の結果を表１に示す。
【0048】
【表1】
【0049】
表１からわかるように、（ＦＭａｘ－Ｆｍｉｎ）／ＦＡｖｅｒａｇｅの低い値で表されるように、テストしたターゲットはターゲット全体でＰＴＦの変動が小さいことを示した。
【図1】
【図2】
【手続補正書】
【提出日】2023-08-03
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
Ｃｏ、Ｚｒ、Ｔａ、および場合によりＭｏ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＢの群からの１つまたは複数のさらなる元素Ｘからなる合金からなるスパッタリングターゲットであって、ターゲットの最大漏れ磁束密度（a maximum pass through flux）（ＰＴＦ）変動（ＦＭａｘ－ＦＭｉｎ）／ＦＡｖｅｒａｇｅは０．２以下、好ましくは０．１５以下、最も好ましくは０．１０以下であることを特徴とする、スパッタリングターゲット。
【請求項2】
Ｔａは２～８ａｔ．％の量で合金中に存在する、請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項3】
Ｚｒは２～８ａｔ．％の量で存在する、請求項１または２に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項4】
Ｍｏ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＢの群からの１つまたは複数のさらなる元素Ｘは、総量で最大７ａｔ．％で合金中に存在する、請求項１～３のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【請求項5】
前記ターゲットの最大透磁率μｍａｘは６０以下、好ましくは５０以下、より好ましくは４０以下である、請求項１～４のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【請求項6】
厚さ８ｍｍの試験片の中心においてＡＳＴＭ Ｆ２０８６-０１に従って測定した、ターゲットの漏れ磁束密度（magnetic pass through flux）（ＰＴＦ）は２０％以上である、請求項１～５のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【請求項7】
Ｃｏ、Ｚｒ、Ｔａ、および場合によりＭｏ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＢの群からの１つまたは複数のさらなる元素Ｘからなる合金からなるスパッタリングターゲットを製造する方法であって、前記方法は形成された合金を７００～１０００℃、好ましくは８００～９００℃の範囲の温度で、１０～６０時間、好ましくは１２～４８時間熱処理することを含むことを特徴とする、方法。
【請求項8】
請求項１～６のいずれかに記載のスパッタリングターゲット、または請求項７に記載の方法に従って製造されたスパッタリングターゲットを使用する、マグネトロンスパッタリングプロセス。
【請求項9】
請求項１～６のいずれかに記載のスパッタリングターゲット、または請求項７に記載の方法に従って製造されたスパッタリングターゲットの、マグネトロンスパッタリングのための使用。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0049】
表１からわかるように、（ＦＭａｘ－Ｆｍｉｎ）／ＦＡｖｅｒａｇｅの低い値で表されるように、テストしたターゲットはターゲット全体でＰＴＦの変動が小さいことを示した。
本発明の好ましい態様は、以下を包含する。
［１］ Ｃｏ、Ｚｒ、Ｔａ、および場合によりＭｏ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＢの群からの１つまたは複数のさらなる元素Ｘからなる合金からなるスパッタリングターゲットであって、ターゲットの最大透磁率（a maximum magnetic permeability）μ ｍａｘ が６０以下であることを特徴とする、および／またはターゲットの最大漏れ磁束密度（a maximum pass through flux）（ＰＴＦ）変動（Ｆ Ｍａｘ －Ｆ Ｍｉｎ ）／Ｆ Ａｖｅｒａｇｅ が０．２以下、好ましくは０．１５以下、最も好ましくは０．１０以下であることを特徴とする、スパッタリングターゲット。
［２］ Ｔａは２～８ａｔ．％の量で合金中に存在する、［１］に記載のスパッタリングターゲット。
［３］ Ｚｒは２～８ａｔ．％の量で存在する、［１］または［２］に記載のスパッタリングターゲット。
［４］ Ｍｏ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＢの群からの１つまたは複数のさらなる元素Ｘは、総量で最大７ａｔ．％で合金中に存在する、［１］～［３］のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
［５］ 前記ターゲットの最大透磁率μ ｍａｘ は５０、好ましくは４０以下である、［１］～［４］のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
［６］ 厚さ８ｍｍの試験片の中心においてＡＳＴＭ Ｆ２０８６-０１に従って測定した、ターゲットの漏れ磁束密度（magnetic pass through flux）（ＰＴＦ）は２０％以上である、［１］～［５］のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
［７］ Ｃｏ、Ｚｒ、Ｔａ、および場合によりＭｏ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＢの群からの１つまたは複数のさらなる元素Ｘからなる合金からなるスパッタリングターゲットを製造する方法であって、前記方法は合金を７００～１０００℃、好ましくは８００～９００℃の範囲の温度に加熱することを含むことを特徴とする、方法。
［８］ 前記合金を１０～６０時間、好ましくは１２～４８時間加熱する、［７］に記載の方法。
［９］ ［１］～［６］のいずれかに記載のスパッタリングターゲット、または［７］もしくは［８］に従って製造されたスパッタリングターゲットを使用する、マグネトロンスパッタリングプロセス。
［１０］ ［１］～［６］のいずれかに記載のスパッタリングターゲット、または［７］もしくは［８］に従って製造されたスパッタリングターゲットの、マグネトロンスパッタリングのための使用。
本発明の好ましい態様は、以下を包含する。
［１］ Ｃｏ、Ｚｒ、Ｔａ、および場合によりＭｏ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＢの群からの１つまたは複数のさらなる元素Ｘからなる合金からなるスパッタリングターゲットであって、ターゲットの最大透磁率（a maximum magnetic permeability）μ ｍａｘ が６０以下であることを特徴とする、および／またはターゲットの最大漏れ磁束密度（a maximum pass through flux）（ＰＴＦ）変動（Ｆ Ｍａｘ －Ｆ Ｍｉｎ ）／Ｆ Ａｖｅｒａｇｅ が０．２以下、好ましくは０．１５以下、最も好ましくは０．１０以下であることを特徴とする、スパッタリングターゲット。
［２］ Ｔａは２～８ａｔ．％の量で合金中に存在する、［１］に記載のスパッタリングターゲット。
［３］ Ｚｒは２～８ａｔ．％の量で存在する、［１］または［２］に記載のスパッタリングターゲット。
［４］ Ｍｏ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＢの群からの１つまたは複数のさらなる元素Ｘは、総量で最大７ａｔ．％で合金中に存在する、［１］～［３］のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
［５］ 前記ターゲットの最大透磁率μ ｍａｘ は５０、好ましくは４０以下である、［１］～［４］のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
［６］ 厚さ８ｍｍの試験片の中心においてＡＳＴＭ Ｆ２０８６-０１に従って測定した、ターゲットの漏れ磁束密度（magnetic pass through flux）（ＰＴＦ）は２０％以上である、［１］～［５］のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
［７］ Ｃｏ、Ｚｒ、Ｔａ、および場合によりＭｏ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＢの群からの１つまたは複数のさらなる元素Ｘからなる合金からなるスパッタリングターゲットを製造する方法であって、前記方法は合金を７００～１０００℃、好ましくは８００～９００℃の範囲の温度に加熱することを含むことを特徴とする、方法。
［８］ 前記合金を１０～６０時間、好ましくは１２～４８時間加熱する、［７］に記載の方法。
［９］ ［１］～［６］のいずれかに記載のスパッタリングターゲット、または［７］もしくは［８］に従って製造されたスパッタリングターゲットを使用する、マグネトロンスパッタリングプロセス。
［１０］ ［１］～［６］のいずれかに記載のスパッタリングターゲット、または［７］もしくは［８］に従って製造されたスパッタリングターゲットの、マグネトロンスパッタリングのための使用。
【国際調査報告】